CN100470872C - 一种纳米级交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法 - Google Patents
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1369921A (zh) * | 2001-03-07 | 2002-09-18 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 改善有机蒸发镀膜成膜性能的方法 |
CN1387267A (zh) * | 2001-05-17 | 2002-12-25 | 朗迅科技公司 | 具有短沟道的有机半导体器件 |
CN1471182A (zh) * | 2003-06-17 | 2004-01-28 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 两种或两种以上有机分子构成的有机半导体及其加工方法 |
US20050051768A1 (en) * | 2003-09-06 | 2005-03-10 | Kim Seong Jin | Method for manufacturing organic molecular device |
CN1630950A (zh) * | 2002-02-08 | 2005-06-22 | 松下电器产业株式会社 | 有机电子器件及其生产方法 |
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CN1387267A (zh) * | 2001-05-17 | 2002-12-25 | 朗迅科技公司 | 具有短沟道的有机半导体器件 |
CN1630950A (zh) * | 2002-02-08 | 2005-06-22 | 松下电器产业株式会社 | 有机电子器件及其生产方法 |
CN1471182A (zh) * | 2003-06-17 | 2004-01-28 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 两种或两种以上有机分子构成的有机半导体及其加工方法 |
US20050051768A1 (en) * | 2003-09-06 | 2005-03-10 | Kim Seong Jin | Method for manufacturing organic molecular device |
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