CN100454414C - 光存储介质及其制造方法 - Google Patents

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CN100454414C CNB2004800086558A CN200480008655A CN100454414C CN 100454414 C CN100454414 C CN 100454414C CN B2004800086558 A CNB2004800086558 A CN B2004800086558A CN 200480008655 A CN200480008655 A CN 200480008655A CN 100454414 C CN100454414 C CN 100454414C
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Abstract

本发明提供一种光存储介质，此光存储介质包括：在一个面上具有第1信息坑的第1衬底；在第1衬底的具有第1信息坑的面上，反映第1信息坑的凹凸而形成的第1反射层；在第1反射层上形成的、在和第1反射层相对一侧的面上具有第2信息坑的第2衬底；在第2衬底的具有第2信息坑的面上，反映第2信息坑的凸凹而形成的第2反射层；在第2反射层上形成的覆盖层。作为所述第1反射层的凹凸之差的第1信息坑深度(d1)和再生信号用的激光的波长λ以及所述第2衬底的折射率(n1)满足λ/(5n1)≤d1≤λ/(3n1)，而且，d1≠λ/(4n1)的关系式。作为所述第2反射层的凸凹之差的第2信息坑深度d2和再生信号用的激光的波长λ以及所述覆盖层的折射率n2满足λ/(5n2)≤d2≤λ/(3n2)，而且，d2≠λ/(4n2)的关系式。

Description

光存储介质及其制造方法
技术领域
本发明涉及以再生为目的的高密度多层式的光存储介质以及由迭层方法或者粘贴方法制作该光存储介质的制造方法。
背景技术
近年，随着信息设备、图像音响设备等所必要的信息量的增大，在数据存取容易、大容量数据的存储、设备的小型化方面具有优良特性的光盘作为存储介质受到关注，存储信息正在向高密度化发展。例如，作为光盘的高密度化的机构，提出了采用激光的波长约为400nm、作为聚集激光的聚光透镜采用开口数(NA)0.85的再生头，单层为25GB左右，2层为50GB左右容量的光存储介质。例如，可以由单面进行2层信号存储层的存储再生，能够存储再生约4小时的BS数字播放的信息。
以下，对于作为以往的光盘的2层光盘的构造以及制造方法，利用图2进行说明(特开2002-092969号公报)。图2是作为以往的光盘的2层光盘的剖视图。以往的光盘是将第1衬底201、第1反射层202、第2衬底203、第2反射层204以及覆盖层205按照顺序迭层构成的。在第1衬底201的一个面上，形成由平面形状为螺旋状连续的、剖面形状为凹状的信息坑构成第1信息坑。第1衬底201被设定为厚度1.1mm左右。这是为了盘的硬度的强化以及具有和CD以及DVD等的盘厚度互换性，使盘的总厚度为1.2mm左右的缘故。在第1衬底201的第1信息坑上形成反映了第1信息坑的凹凸的第1反射层202。在第1反射层202上形成轨迹间距207为0.32μm左右、深度70nm左右的、从激光的照射侧看呈凹状的信息坑构成的第1信号面206。另外，第1反射层202反射从覆盖层205一侧入射的激光。第1反射层202的厚度为50nm，设定为对于波长400nm的激光，反射率为70％左右。
在第2衬底203上，在和第1衬底201相反一侧的覆盖层205一侧的表面形成凸形的第2信息坑。进一步在第2衬底203的第2信息坑上形成反映了第2信息坑的凸凹的第2反射层204。在第2反射层204上，和第1反射层202的第1信号面206同样地，形成由轨迹间距0.32μm左右、深度70nm左右的、从激光的照射侧看呈凸状的信息坑构成的第2信号面208。第2信号面208的信息坑的凸凹和第1信号面206的信息坑方向相反，由此信息坑记录信号。此第2衬底203由几乎能使激光透过的材料构成。第2反射层204由和第1反射层202相同的材料构成，由溅射法以厚度20nm左右形成。通过使第2反射层204薄，能使激光一部分透过，一部分反射。透过了第2反射层204的激光在第1反射层202上的第1信号面206被反射，再次透过了第2反射层204之后返回再生头。因此，通过使第2反射层204的厚度为20nm，能使由在第1反射层202上形成的第1信号面206反射的、返回到再生头的激光强度和由在第2反射层204上形成的第2信号面208反射的、返回到再生头的激光强度相同。覆盖层205由厚度0.1mm左右、几乎透过激光的材料构成。
为了以上述构成达到50GB的密度，例如，采用了半导体激光波长400nm、NA为0.85的再生头的情况下，在第1衬底201和第2衬底203上形成的信号的轨迹间距TP为0.32μm、信号调制方式采用了1-7调制方式时的最短信息坑的2T信号的信息坑长为0.149μm。
进一步，对于以往的光盘的制造方法进行说明。
(a)在单面，采用形成由平面形状为螺旋状连续的、剖面形状为凹状的信息坑构成的信号的模具的母盘，根据射出压缩成形，形成具有该母盘的信息坑被复制所形成的第1信息坑的树脂制的第1衬底201。
(b)在第1衬底201的第1信息坑上，厚度均匀地、通过溅射和蒸镀等方法，例如形成Ag等的第1反射层202。由此，在第1反射层202上形成反映了第1信息坑的凹凸的第1信号面206。
(c)在第1反射层202上涂光硬化树脂等的材料，在其上重合具有凹型信息坑的复制信号面的复制用衬底，在光硬化树脂的表面形成复制了复制信号面的凸凹形状的凸形的第2信息坑。
(d)使光硬化树脂光硬化，形成具有第2信息坑的第2衬底203。
(e)和第1反射层202同样地，在第2信息坑上，厚度均匀地由溅射法和蒸镀法等方法形成第2反射层204。由此，在第2反射层204上形成反映了第2信息坑的凸凹的第2信号面208。第2反射层204的厚度被设定为当从覆盖层一侧入射读出激光时，使从各个反射层返回到再生头的光量相等这样。
(f)在第2反射层204上，将由对于激光几乎透明的材料构成的薄层(sheet)由光硬化树脂和压敏性粘接剂等粘贴，在旋转涂布光硬化树脂之后，使光硬化形成覆盖层205。
通过以上的各工序制作光盘。
进一步，对于再生在上述构成的以往的2层光盘的各信号面上存储的信息的方法进行说明。
(a)当再生在第1反射层202上形成的第1信号面206时，例如，使光盘以期望的转速旋转，由再生头的聚光透镜对读取的激光聚光，对激光的光点在以期望的转速旋转的光盘的第1信号面上进行聚焦控制。
(b)接着，进行已知的跟踪控制，追踪信号列，由受光元件检测来自信号面的反射光，作为电压变化的模拟信号读出。
(c)另外，当再生在作为另一个信号面的第2反射层204上形成的第2信号面208时，也和再生第1信号面206时同样地，通过
再生头的聚光透镜对读取的激光聚光，对激光的光点在以期望的转速旋转的光盘的第1信号面上进行聚焦控制。
(d)接着，进行已知的跟踪控制，追踪信号列，由受光元件检测来自信号面的反射光，作为电压变化的模拟信号读出。
在上述再生时，由在信号面上形成的凸凹构成的信号信息坑的深度被设定为再生信号振幅为最大的光学深度d大致和λ/(4n)一致(n为在信号面上形成的材料的折射率)这样。因此，在只读存储器(ROM)的光盘再生时，作为为了进行跟踪控制的跟踪误差信号检测方法，较多采用再生信号振幅为最大时，跟踪误差信号也为最大的相位差跟踪方式。
对于再生了上述光盘的各个信号面时的再生信号特性，以下进行说明。在上述信号再生中，已知的推挽跟踪误差信号TEpp为0.02。使光盘的反射率不影响信号振幅这样，通过对推挽跟踪误差信号TEpp-org、以及将生成推挽跟踪误差信号TEpp-org的受光元件的光量之和进行了电压变换后的和信号TEsum进行除法运算，对推挽跟踪误差信号TEpp进行归一化。但是，此TEpp信号振幅的大小对于进行跟踪控制的增益来说是不够的，由于受到震动和盘的制造差异带来的形状变化的影响，不能进行跟踪控制。
另外，将跟踪方式变更为相位差跟踪方式进行跟踪控制，表示再生了第1信号面206上的信号信息坑时的再生信号RF的振幅大小的调制度((最长信息坑的再生信号振幅/最长信息坑的最大反射率的DC量))为0.45，表示信号质量的再生信号抖动为5.3％。此时，再生信号抖动的测定使用了已知的极限平衡法(limit equalized)。另外，在第2反射层202上形成的、在从激光照射侧看呈凸形的信号信息坑上形成的第2信号面208上，存在由再生头的再生透镜聚集的光点这样，进行已知聚焦控制时的推挽跟踪误差信号TEpp为0.03。另外，表示再生信号RF的振幅大小的调制度为0.40，表示信号质量的再生信号抖动为6.7％，和再生了第1信号面206时比较，推挽跟踪误差信号TEpp是几乎相同的信号，但表示再生信号RF的振幅大小的调制度和表示信号质量的再生信号抖动被认为由于信号面的复制不足带来的影响，不能得到良好的信号质量。
由此，如果不采用消耗功率大的相位差跟踪方式，则不能进行跟踪控制，表示再生信号质量的抖动值也是不充分的。
以往技术的光盘，作为信号的光学深度d，大致采用λ/(4n)，作为跟踪控制方式采用相位差跟踪方式的情况较多。但是，此相位差跟踪方式存在消耗功率大的问题。另一方面，作为另外的跟踪控制方式的推挽跟踪控制方式，消耗功率比相位差跟踪方式小。但是，采用了此推挽跟踪控制方式的情况下，由于信号面的信息坑的光学深度正好设定为λ/(4n)的原因，存在不能充分得到跟踪误差信号的振幅的问题。另外，利用光硬化树脂复制形成具有光学深度λ/(4n)的信号信息坑时，由于随着信号的高密度化带来的信息坑的微细化，存在不能在信号面全体进行均匀的复制，不能得到再生时充分的再生信号质量的问题。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种作为跟踪控制方式，可采用相位差跟踪控制方式以及推挽跟踪控制方式两种方式中的任何一种，再生信号，而且，存储信号的再生特性优良的光存储介质以及其制造方法。
通过以下的本发明解决上述问题。即，关于本发明的光存储介质包括：在一个表面具有信息坑的衬底；在所述衬底的具有所述信息坑的面上，反映所述信息坑的凸凹而形成的反射层；在所述反射层上形成的覆盖层。作为所述反射层的凸凹之差的信息坑深度d和信号再生用的激光的波长λ以及所述覆盖层的折射率n满足λ/(5n)≤d≤λ/(3n)，而且，d≠λ/(4n)的关系式。
关于本发明的光存储介质包括：在一个面上具有第1信息坑的第1衬底；在所述第1衬底的具有所述第1信息坑的面上，反映所述第1信息坑的凹凸而形成的第1反射层；在所述第1反射层上形成的、在和所述第1反射层相对的面上具有第2信息坑的第2衬底；在所述第2衬底的具有所述第2信息坑的面上，反映所述第2信息坑的凸凹而形成的第2反射层；在所述第2反射层上形成覆盖层。其特征在于，作为所述第1反射层的凹凸之差的第1信息坑深度d1和信号再生用的激光的波长λ以及所述第2衬底的折射率n1满足λ/(5n1)≤d1≤λ/(3n1)，而且，d1≠λ/(4n1)的关系式的同时，作为所述第2反射层的凸凹之差的第2信息坑深度d2和信号再生用的激光的波长λ以及所述覆盖层的折射率n2之间满足λ/(5n2)≤d2≤λ/(3n2)，而且，d2≠λ/(4n2)的关系式，其中第2信息坑朝向与第1信息坑的方向相反的方向。
另外，所述第1衬底的第1信息坑和所述第2衬底的所述第2信息坑也可以是凹状的信息坑和凸状的信息坑的组合。或者，所述第1衬底的第1信息坑和所述第2衬底的所述第2信息坑也可以是凸状的信息坑和凹状的信息坑的组合。
进一步，对于作为所述第1反射层的凹凸之差的第1信息坑深度d1和作为所述第2反射层的凸凹之差的第2信息坑深度d2以及所述第2衬底的折射率n1和所述覆盖层的折射率n2与信号再生用的激光的波长λ，也可以满足4n1d1＜λ＜4n2d2的关系式。
另外进一步，对于作为所述第1反射层的凹凸之差的第1信息坑深度d1和作为所述第2反射层的凸凹之差的第2信息坑深度d2以及所述第2衬底的折射率n1和所述覆盖层的折射率n2与信号再生用的激光的波长λ，也可以满足4n2d2＜λ＜4n1d1的关系式。
另外，所述第1信息坑深度d1和所述第2信息坑深度d2也可以满足d2＜d1的关系式。
进一步，所述第1衬底的第1信息坑和所述第2衬底的第2信息坑也可以同时是凹状的信息坑的组合或者同时是凸状的信息坑的组合。
另外进一步，对于作为所述第1反射层的凹凸之差的第1信息坑深度d1和作为所述第2反射层的凸凹之差的第2信息坑深度d2以及所述第2衬底的折射率n1和所述覆盖层的折射率n2与信号再生用的激光的波长λ，也可以满足λ＜4n1d1，而且λ＜4n2d2的关系式。
另外，对于作为所述第1反射层的凹凸之差的第1信息坑深度d1和作为所述第2反射层的凸凹之差的第2信息坑深度d2以及所述第2衬底的折射率n1和所述覆盖层的折射率n2与信号再生用的激光的波长λ，也可以满足4n1d1＜λ，而且4n2d2＜λ的关系式。
进一步，所述第2衬底也可以由紫外线硬化树脂或者光硬化树脂形成。
另外进一步，优选所述第1反射层的第1信息坑或者所述第2反射层的第2信息坑之中至少一个具有跟踪极性的信息。
另外，所述跟踪极性信息也可以是通过蛇行信息坑列存储的。
进一步，所述蛇行信息坑列的蛇行也可以是通过频率调制形成的。
另外进一步，关于本发明的光存储介质进一步包括：代替所述覆盖层，在所述第2反射层上形成的、在和所述第2反射层相反一侧的面上具有第3信息坑、具有折射率n2的第3衬底；在具有所述第3衬底的第3信息坑的表面上，反映所述第3信息坑的凸凹而形成的第3反射层；在所述第3反射层上形成的覆盖层。其特征在于，作为所述第3反射层的凹凸之差的第3信息坑深度d3和信号再生用的激光的波长λ以及所述覆盖层的折射率n3满足λ/(5n3)≤d3≤λ/(3n3)，而且，d3≠λ/(4n3)的关系式。
关于本发明的光存储介质制造方法包括：在一个面上形成具有第1信息坑的第1衬底的工序；在所述第1衬底的第1信息坑上形成反映了所述第1信息坑的凹凸的第1反射层的工序；在所述第1反射层上，迭层光硬化树脂的工序；在所述光硬化树脂上，在一个面上使复制用衬底的复制信息坑面与光硬化树脂重合的工序；从所述复制用衬底一侧向所述光硬化树脂照射光，使所述光硬化树脂硬化，在所述光硬化树脂的表面形成复制了所述复制用衬底的复制信息坑面的第2信息坑的工序；形成反映了所述第2信息坑的凸凹的第2反射层的工序；在所述第2反射层上形成覆盖层的工序。其特征在于，作为所述第1反射层的凹凸之差的第1信息坑深度d1和信号再生用的激光的波长λ以及所述第2衬底的折射率n1满足λ/(5n1)≤d1≤λ/(3n1)，而且，d1≠λ/(4n1)的关系式的同时，作为所述第2反射层的凸凹之差的第2信息坑深度d2和信号再生用的激光的波长λ以及所述覆盖层的折射率n2满足λ/(5n2)≤d2≤λ/(3n2)，而且，d2≠λ/(4n2)的关系式。
(发明的效果)
在关于本发明的光存储介质中，将信息坑深度d作为能够充分得到再生信号的范围(λ/(5n)≤d2≤λ/(3n))的同时，将不能得到推挽跟踪信号足够大的振幅的深度λ/(4n)除外。由此，对于由反射层的信息坑构成的信号面，能够得到足够的再生信号的同时，能采用推挽跟踪控制方式进行跟踪控制。
附图说明
对于本发明的种种对象、特征以及优点，参照附图的同时，由以下说明的优选实施方式能更清楚。
图1是关于本发明的实施方式1的光盘的剖视图。
图2是关于现有的技术的光盘的剖视图。
图3(a)是表示将第1衬底吸附固定在旋转托盘的工序的图；图3(b)是表示涂布紫外线硬化树脂的固定的图；图3(c)是表示重合了复制用衬底的工序的图。
图4(a)是表示照射紫外线，使紫外线硬化树脂硬化的工序的图；图4(b)是表示使复制用衬底剥离的工序的图；图4(c)是表示形成第2反射层的工序。
图5(a)是表示将覆盖板吸附固定在旋转托盘的工序的图；图5(b)是表示涂布紫外线硬化树脂的工序的图；图5(c)是表示使第2反射层和覆盖板相对重合的工序的图。
图6(a)是表示照射紫外线使紫外线硬化树脂硬化的工序的图；图6(b)是表示制作的光盘的剖视图。
图7是表示了对于信息坑深的再生信号的抖动和推挽跟踪误差信号的振幅的关系的图。
图8是表示信息坑深和再生信号的振幅以及推挽跟踪误差信号的关系的图。
图9是关于本发明的实施方式1的光存储介质的另外例子的剖视图。
图10是关于本发明的实施方式2的光存储介质的剖视图。
图11是关于本发明的实施方式3的光存储介质的剖视图。
图12是关于本发明的实施方式4的光盘的信息配置图。
具体实施方式
以下，对于本发明的实施方式，参照附图进行说明。还有，在各图中相同的符号表示同一构成要素或者进行同样的作用、动作。
(实施方式1)
对于关于本发明的实施方式1的光存储介质以及其制造方法进行说明。作为此光存储介质100的信号再生***，采用半导体激光波长400nm、NA0.85的再生头。另外，对于在光存储介质的第1信号层和第2信号层形成的信号轨迹间距TP为0.32μm、作为信号调制方式采用了1-7调制方式时的最短信息坑的2T信号的信息坑长度为0.149μm的情况，以下进行说明。
图1是关于本发明的实施方式1的光盘的剖视图。此光盘100是将第1衬底101、第1反射层102、第2衬底103、第2反射层104以及覆盖层105按顺序重叠构成的。在第1衬底101的一面形成平面形状为螺旋状连续的、剖面形状为凹状的信息坑。
第1衬底101厚度设定为1.1mm左右。通过使盘的总厚度为1.2mm左右，盘的硬度的强化以及和CD与DVD等的盘能进行厚度互换。在第1衬底101的一面，形成从激光入射侧看轨迹间距107为0.32μm左右、深度70nm左右的凹状的信息坑。第1衬底101将复制性良好的聚碳酸酯树脂采用发射出压缩成形方法形成。另外，第1反射层102在第1衬底101的凹状信息坑上，形成由反映其凹凸、和凹状的信息坑几乎同样的凹状信息坑构成的第1信号面106。另外，第1反射层102例如由Ag等构成，反射从覆盖层105一侧入射的激光。通过迭层第1反射层102，构成第1信号面106的信号图案。第1反射层102的厚度为50nm，被设定为对于波长400nm的激光反射率几乎饱和的70％左右的厚度。由于第1反射层102是在第1衬底101的凹信息坑上，而且在再生激光入射侧形成的，所以由于层的厚度，信息坑形状变化。即，通过使厚度为50nm左右，成为S/N良好而且反射率饱和，信号形状没有变化的厚度。
作为第1反射层102的凹凸之差的第1信息坑深度d1，如果设再生激光的波长为λ，在第1反射层102上形成的第2衬底103的材料的折射率为n1，则为满足
λ/(4n1)＜d1≤λ/(3n1)            (1)
的关系式(1)这样进行设定。上述公式如后所述，考虑了作为第1衬底101的制造方法采用复制性良好的聚碳酸酯树脂的发射成形方法和再生时的信号特性以及推挽跟踪误差信号。
此处，由于在第1反射层102上形成的第2衬底103采用了折射率n1为1.5左右的光硬化树脂，所以第1信息坑深度d1的范围满足，即
67nm＜d1≤89nm    (2)
的关系式(2)的范围。
在第2衬底103上，在和第1衬底101相对一侧的覆盖层105一侧的表面形成凸状的信息坑。在第2衬底103上和第1衬底101同样地，形成轨迹间距0.32μm左右、深度70nm左右、从激光的照射侧看，由凸状的信息坑构成的存储信号。第2衬底的信息坑和第1衬底反方向相对，通过此信息坑信号被存储。此第2衬底103由使激光大致透过的材料构成。在第2衬底103上，和第1反射层102同样地，由Ag构成的第2反射层104根据溅射法以厚度20nm左右形成，设定为对于波长400nm的激光，反射率为20％左右这样。在第2反射层104，在第2衬底103的凸状的信息坑上，形成反映其凸凹，由和凸状的信息坑几乎同样的凸状的信息坑构成的第2信号面108。通过使第2反射层104变薄，能够反射激光的一部分，使一部分透过。透过了第2反射层104的激光在第1反射层102上的第1信号面106被反射，再次透过了第2反射层104之后，返回再生头。因此，通过使第2反射层104的厚度为20nm，能使由在第1反射层102上形成的第1信号面106反射、返回再生头的激光强度和由在第2反射层104上形成第2信号面108反射，返回再生头的激光强度几乎相等。覆盖层105由厚度0.1mm左右的几乎透过激光的材料构成。
考虑到由于光硬化树脂材料的延伸带来的信号信息坑的复制性和聚碳酸酯射出压缩成形的信号信息坑的复制性相比较差和再生时的信号特性以及推挽跟踪误差信号，如果假设再生激光的波长为λ，在第2反射层104上形成的覆盖层105的材料的折射率为n2，则第2信息坑深度d2设定为满足关系式(3)。
λ/(5×n2)≤d2＜λ/(4×n2)        (3)
在本实施方式中，作为在第2反射层104上形成的覆盖层105的材料，采用折射率n2为1.5左右的光硬化树脂或者压敏性粘着剂。因此，第2信息坑深度d2在满足，即
53nm≤d2＜67nm    (4)
的关系式(4)的范围内。
在第2反射层104的表面上形成厚度0.08nm左右的覆盖层105。覆盖层105是将厚度70μm左右的聚碳酸酯树脂制的薄层由10μm左右的光硬化树脂或者压敏性粘着剂贴合形成的。上述构成的光盘通过覆盖层105进行再生。
还有，在上述说明的盘构成中，对作为反射层采用Ag的反射层材料进行了说明，但不限定于此。也可以采用Al和Ag合金。另外，作为覆盖层105，对于采用了将聚碳酸酯树脂制的薄层由光硬化树脂贴合或者由压敏性粘着剂贴合的构成进行了说明，但不限于此。只由光硬化树脂构成覆盖层105也可以。
从图3至图6是表示关于本发明的实施方式1的光盘的制造方法的各个工序的剖视图。对于此光盘的制造方法进行说明。
(a)首先，根据采用了聚碳酸酯材料的射出压缩成形，在一面形成具有凹状信息坑的厚度约为1.1mm的圆板状的第1衬底301。
(b)在第1衬底301的凹形上信息坑的凸凹上，形成反映该凸凹的第1反射层102的膜。由此，在第1反射层102上，形成作为凸凹之差的由第1信息坑深度d1从67nm至89nm的凹状信息坑构成的第1信号面。
(c)将第1衬底301吸附固定在旋转托盘302上。使相对旋转托盘302的旋转轴偏心量变小这样，将中心冶具303设置在旋转托盘302的大致中央位置。第1衬底301以中心冶具303为中心，由在旋转托盘302表面设置的多个小的真空孔吸附固定。(图3(a))。
(d)在被吸附的第1衬底301上，由操作员将紫外线硬化树脂304在期望的半径上以大致同心圆形状涂布(图3(b))。由此紫外线硬化树脂将第1反射层102的凹凸埋没。还有，此处不限定于采用紫外线硬化树脂。采用由可视光区域的光照射硬化的光硬化树脂也可以。
(e)进一步，在第1衬底301上涂布的紫外线硬化树脂304上，在一面，将具有凹状的信息坑的复制用信息面的复制母盘305和该复制用信息面相对这样重合(图3(c))。
(f)在第1衬底301和复制母盘305一体化的状态下，通过使旋转托盘30自旋转，使紫外线硬化树脂304延伸。同时，将复制母盘305的复制用信息面的信号信息坑的凸凹形状复制到紫外线硬化树脂304中，形成和该凸凹相反的凸状的信息坑。此时，使在复制母盘305的复制用信息面形成的凹状的信息坑的深度从53nm至67nm之间这样形成。另外，为了使和紫外线硬化树脂的剥离良好，复制母盘305由发射和第1衬底301同样的聚碳酸酯材料的压缩成形制作。作为紫外线硬化树脂304的粘度约为150Pa·s，作为复制母盘305，使用直径120mm、厚度0.6mm、在中心有直径30mm的中心孔的圆板。还有，在本实施方式中，对于复制母盘采用了聚碳酸酯材料的的情况进行了说明，但聚烯树脂和环氧树脂等的紫外线硬化树脂和剥离性良好的树脂材料也可以。另外，对于作为紫外线硬化树脂304采用了1种树脂的情况进行了说明，但不限于此。例如，由第1反射层102和密封性良好的树脂A、和复制母盘305剥离性良好的树脂B、树脂A以及树脂B与密封性良好的树脂C的组合的构成，能强化盘的硬度，另外，能够改善光盘的生产性能。进一步，通过使紫外线硬化树脂由自旋转延伸，能使盘面内的复制性和紫外线硬化树脂的厚度均匀。
(g)由紫外线照射机306对第1衬底301和复制母盘305之间的紫外线硬化树脂304照射紫外线，使紫外线硬化树脂304硬化(图4(a))。
(h)将复制母盘305从硬化了的紫外线硬化树脂304剥离(图4(b))，在硬化了的紫外线硬化树脂304上形成复制了复制母盘305的复制用信息面的凸凹深度的凸状信息坑307。
(i)形成了凸状信息坑307之后，在凸状信息坑307上采用和以往同样的方法，作为第2反射层104，由溅射等的方法形成Ag等的反射层(图4(c))。由此，在第2反射层104形成反映了凸状信息坑307的凸凹、由凸状信息坑构成的第2信号面。
(j)将由厚度70μm左右的圆板构成的薄型衬底308吸附固定在旋转托盘302上(图5(a))。此薄型衬底308对于存储再生的激光是几乎透明的，即光几乎都透过。
(k)在薄型衬底308上涂紫外线硬化树脂309(图5(b))。由操作者在所期望的半径上以大致同心圆状涂布。
(l)在涂了紫外线硬化树脂309的薄型衬底308上，使在图4(c)中得到的迭层体的第2反射层104的面相互相对重合(图5(c))。
(m)由紫外线照射机306对第2衬底301和薄型衬底308间的紫外线硬化树脂309照射紫外线，使紫外线硬化树脂309硬化(图6(a))，全体作为一体的迭层体，即多层型的光盘100被制作成功。还有，硬化了的紫外线硬化树脂(透明层)309对于存储再生光是几乎透明的。此薄型衬底308和硬化了的紫外线硬化树脂309是此光盘100的覆盖层。
还有，此处在薄型衬底308上涂紫外线硬化树脂，在其上使第2反射层相对重合，相反，在第2反射层104上涂紫外线硬化树脂309，在其上使薄型衬底308重合也可以。另外，涂了紫外线硬化树脂309之后，优选通过自旋转，进行混入到紫外线硬化树脂309中的气泡的去除和厚度控制。
由上述制造方法制作的光盘100在从覆盖层105一侧入射再生头的激光的情况下，第1衬底101的第1信号面为凹状的信号信息坑，第2衬底103的第2信号面为凸状的信号信息坑。由此，当根据推挽跟踪方式对各个信号信息坑进行跟踪控制时，信号信息坑的深度在第1信号面和第2信号面相同时，使跟踪极性变为不同的极性是必要的。但是，再生盘的使用者为了获得搜寻盘信息的时间和电路构成的简化，有必要避免跟踪极性的变更动作。因此，在本发明中，作为第1反射层的凹凸之差的第1信息坑深度d1设定为满足下式(5)这样。
λ/(4n1)＜d1≤λ/(3n1)        (5)
另外，使第2衬底的第2信息坑深度d2满足下式(6)这样进行设定。
λ/(5n2)≤d2＜λ/(4n2)        (6)
如上述这样，对于第1反射层的第1信息坑深度d1和第2反射层的第2信息坑深度d2乘以折射率n1、n2的2n1d1和2n2d2，使在其中间为λ/2，如下式所示，相互具有大小关系这样具有差值。
2n2d2＜λ＜2n1d1              (7)
如果将上述关系式变形，则得到
4n2d2＜λ＜4n1d1              (8)
的关系式。
另外，成为边界的深度λ/(4n1)、λ/(4n2)分别是推挽跟踪误差信号的极性变换的深度，即推挽跟踪误差信号约为零的深度。因此，作为信息坑深度d1、d2，将不能得到推挽跟踪误差信号的足够大的振幅的深度λ/(4n1)、λ/(4n2)分别除外。另外，由于以上述深度(λ/(4n1)、λ/(4n2))作为边界极性会变换的原因，通过分别使其大于和小于深度λ/(4n1)和深度λ/(4n2)，使各个信息坑深度具有差值，使用者在使第1信号面和第2信号面相互转换再生的情况下，在再生***中没有必要变换跟踪极性。另一方面，信息坑深度d1在λ/(5n1)～λ/(3n1)的范围内以及信息坑深度d2在λ/(5n2)～λ/(3n2)的范围内，分别能够充分进行相位差跟踪。由此，能以推挽跟踪方式和相位差跟踪方式两种跟踪方式控制此光盘。
还有，上述第1衬底101由射出压缩成形构成。衬底的射出压缩成形时，信息坑深越浅，从衬底的母盘的型剥离越好是被周知的。因此，作为第1信息坑深度d1的上限，即使深，在由射出压缩成形也能够安定地使信号复制以及剥离的深度以下是必要的。另外，作为下限，即使浅，为了不损失再生信号的S/N，表示再生信号质量的再生信号抖动为6.5％以下的深度以上是必要的。另外，通过使第1衬底101比以往的信息坑深(λ/(4n))还要浅或者深，能够确保推挽跟踪误差信号的振幅在0.08以上。由此，能够进行推挽跟踪方式下的跟踪控制。
进一步，上述第2衬底103由紫外线硬化树脂或者光硬化树脂构成，如果复制母盘上的信息坑深变深，由于与紫外线硬化树脂或者光硬化树脂的粘性的作用，向第2衬底的复制变得困难。特别是如果信息坑变得越小，复制性越恶化。
图7是表示对于信息坑深度的再生信号的抖动和推挽跟踪误差信号的振幅之间的关系的图。图7的横坐标表示使信息坑深度和平常相反从右至左变大。这是为了表示和采用了信号再生用的激光的波长λ和折射率n以及整数m的λ/(m×n)的关系。
图8是表示信息坑深和再生信号以及推挽跟踪误差信号的一般关系的图。在图8中，再生信号在信息坑深λ/(4n)处为峰值，随着进一步变深，再生信号的大小对称地减小，在2λ/(4n)处再次变为0。另一方面，推挽跟踪误差信号在信息坑深λ/(8n)处达到峰值，在λ/(4n)处为0。如果信息坑深进一步增加，信号的大小再次增加，但极性变为相反。从图8中看出，为了进行推挽跟踪控制，作为信息坑深，有必要将推挽跟踪误差信号为0的信息坑深λ/(4n)除外。其另一方面，由于再生信号的大小在信息坑深λ/(4n)处为最大，所以可以明白，优选信息坑深λ/(4n)处于中间的范围。
另外，从图7中看出，为了满足再生信号的抖动在6.5％以下，作为信息坑深，在λ/(5n)以上是必要的。另外，为了满足推挽跟踪误差信号的振幅在0.08以上，信息坑深除了λ/(4n)左右的深度之外，必须比λ/(4n)深或者比λ/(4n)不浅。对于作为推挽跟踪误差信号的跟踪极性改变的信息坑深的λ/(4n)，如果考虑第1衬底101上的第1信息坑深度d1和第2衬底103的第2信息坑深度d2的再生可能边界，第1衬底信号板101上的第1信息坑深度d1，有必要满足
λ/(4n)＜d1
的关系式。
只是，当信息坑深变深的情况下，能够预测信息坑的复制性变困难，良好形状的信息坑形成变得困难，所以优选信息坑是深的同时，还要在λ/(3n)以下。即优选满足
λ/(4n)＜d1≤λ/(3n)
的关系式。
另外，由图7看出，第1衬底101上的第1信息坑深度d1，满足
83nm≤d1≤89nm
的关系式这样进行设定，能够得到安定的大的推挽误差信号。
另外，第2衬底103的第2信息坑深度d2有必要满足
λ/(5n)≤d2＜λ/(4n)
的关系式。
另外，从图7看出，第2衬底103的第2信息坑深度d2，满足
53nm≤d2≤63nm
的关系式这样进行设定，能够得到安定的大的推挽误差信号。
还有，在相位差跟踪方式中，信息坑深度d在
λ/(5n)≤d≤λ/(3n)
的范围内，能毫无问题地进行控制。
从图7看出，优选第1信息坑深度d1满足
83nm＜d1≤89nm
的关系式这样进行设定。
还有，在上述例子中，为了方便，将第2衬底103的折射率n1和覆盖层105的折射率n2取相同的折射率。
如果再生关于本实施方式的光盘，表示信号质量的再生信号的抖动以及推挽跟踪误差信号的振幅同时都是良好的。另外，根据本实施方式，通过使第1信息坑深度d1或者第2信息坑深度d2分别接近λ/(4n)，能使再生RF振幅的S/N无限大的同时，能够得到推挽跟踪误差信号，能以相位差跟踪和推挽跟踪方式两种跟踪方式进行跟踪控制。因此，不限定使用者的跟踪方式，能够得到良好的再生信号质量。
另外，通过使凹状的第1信息坑深度d1和凸状的第2信息坑深度d2具有分别大于和小于深度λ/(4n)的大小关系，能使推挽跟踪的极性相同。因此，采用推挽跟踪方式的使用者即使转换再生的信号面，也没有必要转换跟踪极性，能够谋求跟踪时间的缩短以及使用者的电路构成的简化。
还有，通过根据构成多个信号面的信息坑的剖面形状控制各个信息坑深，能使各个信号面上的推挽跟踪误差信号的极性相同。例如，当构成2个信号面的信息坑的剖面形状互相不同时，通过设定各个的信息坑深度d1以及d2分别大于以及小于λ/(4n1)或者λ/(4n2)，能使推挽跟踪误差信号的极性相同。另一方面，当信息坑的剖面形状相同时，使各个信息坑深度d1以及d2对于λ/(4n1)或者λ/(4n2)同时大或者同时小，通过设定为相同大小，能使推挽跟踪误差信号的极性相同。
进一步，使信息坑深形成d1＞λ/(4n)所必要的第1衬底的第1信号面能采用凸形信息坑状的母盘，通过树脂的射出压缩成形较深地形成凹状的信息坑。另一方面，信息坑深为d2＜λ/(4n)，足够的第2衬底的第2信号面能由形成了凹状信息坑的复制母盘，采用紫外线硬化树脂或者光硬化树脂复制，形成凸状的信号信息坑。因此，采用从第1衬底开始按顺序对各层迭层的工序，能够制作信号特性良好的多层光盘。
还有，在本实施方式1中，对于第1反射层的第1信息坑深度d1比第2反射层的第2信息坑深度d2深(d2＜d1)的情况进行了说明，但这只是一例。关于本发明的光存储介质相反也可以是第2反射层的第2信息坑深度d2比第1反射层的第1信息坑深度d1深的情况(d1＜d2)。此种情况下，在上述的关系式中，只要把d1和d2替换到关系式中即可。
还有，此光盘100如图1的剖视图所示，表示了第1衬底101上的第1信息坑和第2衬底103上的第2信息坑的凸部和凹部互相对应配置的例子，但这只是关于本发明的光存储介质的一例。关于本发明的存储介质不限于上述构成。图9是关于本发明的实施方式1的光盘100a的另外例子的剖视图。在此光盘100a中，如剖视图所示，第1衬底101上的第1信息坑的凹凸和第2衬底103上的第2信息坑的凹凸互相错开配置。这样各层的信息坑的凹凸分别对应配置或者相互错开配置也可以。
(实施方式2)
图10是表示关于实施方式2的光盘100b的剖面构造的剖视图。如果此光存储介质100b和关于实施方式1的光盘相比较其不同点在于，在存储信号的信号面只是1层。此光盘100b包括在一个面具有凸状信息坑的衬底101、在第1衬底101的凸状信息坑上反映了其凹凸的反射层102、在反射层102上形成的覆盖层105。在此反射层102上形成由凸状信息坑构成的信号面106。
此光盘100b其作为反射层102的凸凹之差的信息坑深度d、信号再生用的激光的波长λ、覆盖层105的折射率n满足λ/(5n)≤d≤λ/(3n)而且d≠λ/(4n)的关系式。在此光盘100b中，使信息坑深度d在能够充分得到再生信号的范围λ/(5n)≤d≤λ/(3n)的同时，将不能得到推挽跟踪误差信号的足够大的振幅的深度λ/(4n)除外。由此，能够得到足够的再生信号的同时，还能够进行由推挽跟踪控制的跟踪控制。
(实施方式3)
图11是表示关于实施方式3的光盘100c的剖面构造的剖视图。此光盘100c如果和关于实施方式1的光盘相比较，其不同点在于，在存储信号的信号面为3层。此光盘100c由第1衬底101、第1反射层102、第2衬底103、第2反射层104、第3衬底111、第3反射层112、覆盖层105按顺序形成。第1衬底101在一个面具有凹状的第1信息坑。第1反射层102是在第1衬底101的凹状的第1信息坑上反映其凹凸形成。此第1反射层102具有由凹状的信息坑构成的第1信号面106。第2衬底103在第1反射层102上形成，在和第1反射层102相反一侧的面上具有凸状的第2信息坑。第2反射层104是在第2衬底103的凸状的第2信息坑上反映其凹凸形成的。此第2反射层104具有由凸状的信息坑构成的第2信号面108。第3衬底111在第2反射层104上形成，在和第2反射层104相对一侧的面上具有凸状的第3信息坑。第3反射层112是在第3衬底111的凸状的第3信息坑上反映其凹凸形成的。此第3反射层112具有由凸状的信息坑构成的第3信号面110。覆盖层105在第3反射层111上形成。此光盘100c相对于关于实施方式1的光盘，具体说，在第2反射层104和覆盖层105之间进一步设置了具有第3信息坑的第3衬底111和第3反射层112。
在此光盘100c中，和关于实施方式1的光盘同样地，第1反射层102的凹状的第1信息坑深度d1满足
λ/(4n1)≤d1＜λ/(3n1)
的关系式。另外，第2反射层104的凸状的第2信息坑深度d2满足
λ/(5n2)≤d2＜λ/(4n2)
的关系式。
由此，由凹状的第1信息坑构成的第1信号面和由凸状的第2信息坑构成的第2信号面能使推挽跟踪误差信号的极性相同。因此，即使继续进行各个信号面的跟踪控制的情况下，也没有必要使极性翻转。
另外，在此光盘100c中，作为第3反射层112的凹凸之差的第3信息坑深度d3和信号再生用的激光的波长λ以及覆盖层105的折射率n3满足
λ/(5n3)≤d3≤λ/(3n3)而且d3≠λ/(4n3)
的关系式。由此，使第3信息坑深度d3在能够充分得到再生信号的范围(λ/(5n3)≤d3≤λ/(3n3)的同时，将不能得到推挽跟踪误差信号的足够大的振幅的深度λ/(4n3)除外。由此，对于由第3反射层112的第3信息坑构成的第3信号面能够得到足够的再生信号的同时，能进行由推挽跟踪方式的跟踪控制。
进一步，从光盘100c的激光入射侧看，使第1信息坑为凹状信息坑、第2信息坑为凸状信息坑、第3信息坑为凸状信息坑时，上述的条件变为
λ/(4n1)＜d1≤λ/(3n1)
λ/(5n2)≤d2＜λ/(4n2)
进一步，满足λ/(5n3)≤d3＜λ/(4n3)。由此，对于由凹状的第1信息坑构成第1信号面、由凸状的第2信息坑构成的第2信号面、由凸状的第3信息坑构成的第3信号面中的任意一个信号面，在推挽跟踪控制的情况下，也能使其推挽跟踪误差信号的极性相同。
还有，进一步形成了4层以上的信号面的情况下，也通过根据构成信号面的信息坑的剖面形状控制信息坑深，对于各个信号面，能使推挽跟踪误差信号的极性相同。
(实施方式4)
对于关于本发明实施方式4的光盘进行说明。图12是此光盘的信息配置图。例如，在此光盘中，包括控制盘的主记录数据的长度和盘的数据的盘信息部501、存储了主数据的主数据部502、盘的主数据部结束后表示存储的盘外周的读取部503。盘信息部501是在再生盘时，在读取主数据部之前开始被再生的信息部。在盘信息部501预先形成蛇行的信息坑列，在此信息坑列在进行跟踪控制之前通过读取其信息坑蛇行的频率，能够读取其盘的各个信号层的推挽跟踪极性。
此蛇行信息坑的形成方法能按以下这样的工序进行。
(a)例如，采用使涂了光刻胶的Si晶片等的衬底旋转的同时，照射电子线的工序。此工序能通过使用偏振器，使其在衬底上聚焦的电子线的点相对于衬底的旋转方向向垂直方向偏振实现。
(b)照射了电子线的光刻胶部经过显影工艺，其后被除去，使Si晶片的表面露出。
(c)在Si晶片上进行了导电膜的Ni溅射之后，通过实施Ni镀覆，制作了蛇行信号信息坑以凸状形成的模具(溅射)。
(d)接着，将母盘作为射出压缩成形机的模具设置，采用聚碳酸酯等的树脂材料，通过发射成形，能够制作蛇行信号信息坑以凸状形成的衬底。
还有，对于此后的光盘的制造方法由于在实施方式1中进行了叙述，所以省略其说明。
还有，本发明能够采用在各个实施方式中表示的以下的构成。
根据第1构成，关于本发明的光存储介质包括：
在一个面具有凹状的第1信息坑的第1衬底；
在所述第1衬底的具有所述第1信息坑的面上，反映了所述第1信息坑的凹凸而形成的第1反射层；
在所述第1反射层上形成的、在和所述第1反射层相对一侧的面上具有凸状的第2信息坑的第2衬底；
在所述第2衬底具有第2信息坑的面上，反映了所述第2信息坑的凸凹而形成的第2反射层；
在所述第2反射层上形成的覆盖层。
其特征在于，对于作为所述第1反射层的凹凸之差的第1信息坑深度d1、作为所述第2反射层的凸凹之差的第2信息坑深度d2和所述第2衬底的折射率n1、所述覆盖层的折射率n2以及信号再生用的激光的波长λ，满足4n1d1＜λ＜4n2d2或者4n2d2＜λ＜4n1d1的任意一个关系式。
根据上述构成，作为所述第1反射层的凹凸之差的第1信息坑深度d1和作为所述第2反射层的凸凹之差的第2信息坑深度d2在分别以推挽跟踪方式进行了控制的情况下，具有大于和小于推挽跟踪误差信号的极性翻转的λ/(4n)的大小关系这样构成。由此，在对第1反射层和第2反射层各自的信号面以推挽跟踪方式进行跟踪控制时的跟踪误差信号的极性相同。因此，即使在转换再生的信号面时，也没有必要转换跟踪误差信号的极性。另外，能够得到推挽跟踪误差信号，能够采用相位差跟踪控制方式和推挽跟踪控制方式两种方式的任何一种进行跟踪控制。
根据第2构成，所述第1信息坑深度d1和所述第2信息坑深度d2满足d1＞d2的关系。由此，能采用信息坑深变深，复制性好的发射成形方式形成第1衬底，另一方面，能采用信息坑深变浅，通过在容易复制用的衬底上的复制，形成第2衬底。
根据第3构成，所述第1信息坑深度d1满足
λ/(4n1)＜d1≤λ/(3n1)
的关系式的同时，所述第2信息坑深度d1满足
λ/(5n2)≤d2＜λ/(4n2)
的关系式。
根据上述的构成，由于任何一个信息坑深度d1、d2都在从λ/(5n)至λ/(3n)之间，所以在各个信号面上都能够得到足够大的再生信号。
如上所述，本发明是通过优选优选的实施方式详细地进行了说明，但本发明并不限定于这些，只要在专利申请的范围中所记载的本发明的技术范围内，进行多种优选变形例以及修正例都是可能的，这点本行业者自然是清楚的。

Claims (13)

1、一种光存储介质，包括：
第1衬底，其在一个面上具有第1信息坑；
第1反射层，其在所述第1衬底的具有所述第1信息坑的面上，反映所述第1信息坑的凹凸而形成；
第2衬底，其形成在所述第1反射层上，在和所述第1反射层相反一侧的面上具有第2信息坑；
第2反射层，其在所述第2衬底的具有所述第2信息坑的面上，反映所述第2信息坑的凸凹而形成；及
覆盖层，其形成在所述第2反射层上，
作为所述第1反射层的凹凸之差的第1信息坑深度d1和再生信号用的激光的波长λ以及所述第2衬底的折射率n1满足λ/(5n1)≤d1≤λ/(3n1)，而且，d1≠λ/(4n1)的关系式，而且
作为所述第2反射层的凹凸之差的第2信息坑深度d2和再生信号用的激光的波长λ以及所述覆盖层的折射率n2满足λ/(5n2)≤d2≤λ/(3n2)，且d2≠λ/(4n2)的关系式，
其中第2信息坑朝向与第1信息坑的方向相反的方向。
2、根据权利要求1所述的光存储介质，其特征在于，
所述第1衬底的第1信息坑和所述第2衬底的第2信息坑是凹状的信息坑和凸状的信息坑的组合或者是凸状的信息坑和凹状的信息坑的组合。
3、根据权利要求2所述的光存储介质，其特征在于，
对于作为所述第1反射层的凹凸之差的第1信息坑深度d1、作为所述第2反射层的凸凹之差的第2信息坑深度d2和所述第2衬底的折射率n1、所述覆盖层的折射率n2以及再生信号用的激光的波长λ满足4n1d1＜λ＜4n2d2的关系式。
4、根据权利要求2所述的光存储介质，其特征在于，
对于作为所述第1反射层的凹凸之差的第1信息坑深度d1、作为所述第2反射层的凸凹之差的第2信息坑深度d2和所述第2衬底的折射率n1、所述覆盖层的折射率n2以及再生信号用的激光的波长λ满足4n2d2＜λ＜4n1d1的关系式。
5、根据权利要求1所述的光存储介质，其特征在于，
所述第1信息坑深度d1和所述第2信息坑深度d2满足d2＜d1的关系式。
6、根据权利要求1所述的光存储介质，其特征在于，
对于作为所述第1反射层的凹凸之差的第1信息坑深度d1、作为所述第2反射层的凸凹之差的第2信息坑深度d2和所述第2衬底的折射率n1、所述覆盖层的折射率n2以及再生信号用的激光的波长λ满足λ＜4n1d1且λ＜4n2d2的关系式。
7、根据权利要求1所述的光存储介质，其特征在于，
对于作为所述第1反射层的凹凸之差的第1信息坑深度d1、作为所述第2反射层的凸凹之差的第2信息坑深度d2和所述第2衬底的折射率n1、所述覆盖层的折射率n2以及再生信号用的激光的波长λ满足4n1d1＜λ而且4n2d2＜λ的关系式。
8、根据权利要求1～7中的任一项所述的光存储介质，其特征在于，
所述第2衬底由紫外线硬化树脂或者光硬化树脂形成。
9、根据权利要求1所述的光存储介质，其特征在于，
所述第1反射层的第1信息坑或者所述第2反射层的第2信息坑中至少一个具有跟踪极性信息。
10、根据权利要求9所述的光存储介质，其特征在于，
所述跟踪极性信息是通过蛇行信息坑列而存储。
11、根据权利要求10所述的光存储介质，其特征在于，
所述蛇行信息坑列的蛇行是通过频率调制而形成。
12、根据权利要求1所述的光存储介质，其特征在于，
还包括：
第3衬底，其代替所述覆盖层，在所述第2反射层上形成，在和所述第2反射层相反一侧的面上具有第3信息坑，该第3衬底具有折射率n2；
第3反射层，其在所述第3衬底的具有第3信息坑的面上，反映所述第3信息坑的凸凹而形成；及
覆盖层，其形成在所述第3反射层上，
作为所述第3反射层的凹凸之差的第3信息坑深度d3和再生信号用的激光的波长λ以及所述覆盖层的折射率n3满足λ/(5n3)≤d3≤λ/(3n3)，且d3≠λ/(4n3)的关系式。
13、一种光存储介质的制造方法，包括：形成在一个面上具有第1信息坑的第1衬底的工序；
在所述第1衬底的第1信息坑上，形成反映所述第1信息坑的凹凸的第1反射层的工序；
在所述第1反射层上迭层光硬化树脂的工序；
在所述光硬化树脂上，在一个面上使复制用衬底的复制信息坑面与光硬化树脂重合的工序；
从所述复制用衬底的一侧向所述光硬化树脂照射光，使所述光硬化树脂硬化，在所述光硬化树脂的表面形成复制了所述复制用衬底的复制信息坑面的第2信息坑的工序；
形成反映了所述第2信息坑的凸凹的第2反射层的工序；
在所述第2反射层上形成覆盖层的工序，
作为所述第1反射层的凹凸之差的第1信息坑深度d1和再生信号用的激光的波长λ以及所述第2衬底的折射率n1满足λ/(5n1)≤d1≤λ/(3n1)，且d1≠λ/(4n1)的关系式，而且
作为所述第2反射层的凸凹之差的第2信息坑深度d2和再生信号用的激光的波长λ以及所述覆盖层的折射率n2满足λ/(5n2)≤d2≤λ/(3n2)，而且，d2≠λ/(4n2)的关系式。
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