CN100446089C - 被构图基底,制造基底的方法,磁记录介质及磁记录装置 - Google Patents

Abstract

一种用于具有离散磁道的磁记录介质的被构图基底(11)，包括其上加工的凸起(11a)和凹陷(11b)图形，以及在每一个凹陷(11b)处形成的纹理结构。

Description

被构图基底，制造基底的方法，磁记录介质及磁记录装置

技术领域

本发明涉及到一种具有凸起和凹陷图形且用于离散磁道介质的被构图基底、一种制造这种被构图基底的方法、使用这种被构图基底的磁记录介质(基底加工型离散磁道介质)、以及使用这种磁记录介质的一种磁记录装置。

背景技术

最近的磁记录介质被进一步要求增加密度和提高信噪比(SNR)。为提高磁记录介质的密度，一种离散磁道结构被有效地使用着，其中邻近的磁道通过隔离沟槽或非磁性介质而相互隔离。

人们也知道，一种对基底进行纹理化处理的工艺对于提高SNR是有效的。原因如下。当一层衬层被沉积在一个平坦的基底上时，衬层的材料是随机取向的，且磁记录层是被沉积在该衬层之上的。因此，磁通量在一些地方可能受到干扰，在这些地方，在衬层上具有不同取向的区域相互邻近。这会导致再现噪声。相反，当基底上提供具有取向的纹理结构时，沉积在该基底上的一层软磁性衬层能够有合适的取向。这就使得抑制那些出现在具有不同取向的区域间的噪声成为可能。

迄今已知一种磁记录介质，其中形成纹理结构以提高SNR(日本专利申请公开(Jpn.Pat.Appln.KOKAI Publication)No.2003-109213)。然而，这种磁记录介质不是离散磁道介质，因此其记录密度不能被提高。进一步，这种磁记录介质要求每张磁盘都作纹理化处理，导致成本增加。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供一种用于具有离散磁道的磁记录介质中的被构图基底，该基底包括：在基底上加工的凸起和凹陷图形，以及在每个凹陷处形成的纹理结构。

根据本发明的另一个方面，提供具有凸起和凹陷图形的被构图基底的一种制造方法，包括：在具有凸起和凹陷图形的压模上的每个凸起上形成纹理结构；用该压模压涂敷在基底上的压印抗蚀剂，以将该压模上的凸起和凹陷图形以及凸起上的纹理结构转移到压印抗蚀剂上；以转移了所述图形和纹理结构的压印抗蚀剂为掩模刻蚀该基底，以得到一个在其表面形成凸起和凹陷图形且每一个凹陷处形成纹理结构的被构图基底。

根据本发明的这个另一方面，提供具有凸起和凹陷图形的被构图基底的一种制造方法，包括：在母板(master)的一个表面上形成纹理结构；在该母板上涂敷一层抗蚀剂，在抗蚀剂上绘出凸起和凹陷图形，将抗蚀剂显影以形成具有凸起和凹陷的抗蚀剂图形；以该抗蚀剂图形为掩模刻蚀该母板以得到一个在其上形成凸起和凹陷图形且每一个凸起和凹陷上形成纹理结构的被构图母板；由具有凸起和凹陷的该母板产生第一压模，由该第一压模产生第二压模；用该第二压模压涂敷于基底上的压印抗蚀剂，以将第二压模的凸起和凹陷图形以及凸起和凹陷上的纹理结构转移到该压印抗蚀剂上；用已经转移了所述图形和纹理结构的该压印抗蚀剂做掩模刻蚀所述基底，以形成一个在其表面形成凸起和凹陷图形且每一个凸起和凹陷处形成纹理结构的被构图基底。

根据本发明的这个另一方面，提供一种磁记录介质，其特征在于包含用于具有离散磁道的磁记录介质的被构图基底；以及沉积在所述被构图基底(11)上的磁性膜(13)，其中，在该基底上加工有凸起(11a)和凹陷(11b)图形，以及在每个所述凹陷(11b)处形成的纹理结构。

根据本发明的这个另一方面，提供一种磁记录装置，其特征在于包含上述磁记录介质。

附图简述

图1是一个透视图，示意地给出了根据本发明的一个实施例的磁记录介质(离散磁道介质)；

图2是一个放大的平面图，给出了图1里的磁记录介质中的数据区和伺服区的一个例子；

图3是一个剖面图，给出了根据本发明的一个实施例的具有凸起和凹陷图形的被构图基底的一个例子；

图4是一个剖面图，给出了根据本发明的一个实施例的具有凸起和凹陷图形的被构图基底的另一个例子；

图5是一个剖面图，给出了依然是根据本发明的一个实施例的具有凸起和凹陷图形的被构图基底的另一个例子；

图6是一个剖面图，给出了根据本发明的一个实施例的磁记录介质的例子；

图7是一个透视图，给出了根据本发明的一个实施例的磁记录装置的例子；

图8A，8B，8C，8D，8E，8F，8G，8H，8I，和8J是剖面图，给出了例1中具有凸起和凹陷图形的被构图基底的制造方法；

图9A，9B，9C，9D，9E，9F，9G，9H，9I，和9J是剖面图，给出了例2中具有凸起和凹陷图形的被构图基底的制造方法；以及

图10A，10B，10C，和10D是剖面图，给出了根据本发明的一个实施例的磁记录介质的制造方法。

具体实施方式

图1是一个透视图，示意地给出了根据本发明的一个实施例的磁记录介质(离散磁道介质)。磁记录介质20的表面有用于写入用户数据的数据区21，和含有用于寻道或数据访问控制的前导码、地址、脉冲信号等等的伺服区22。在每一个数据区21中磁道被同心地布置。每一个伺服区22在介质上呈放射状布置。图1示意地给出了磁盘一部分表面上这些区域的安排。

图2是一个放大的平面图，给出了图1里的磁记录介质中的数据区和伺服区的一个例子。在该图中，只有磁性薄膜的凸起画有阴影线。在本发明中，诸如图2所示的那些具有凸起和凹陷图形的磁性薄膜是通过在基底上预形成凸起和凹陷图形并在这些凸起和凹陷图形上沉积一层衬层和一层磁性薄膜来形成的。在图2里的数据区21中，磁道由基底表面上环状形成的凸起上沉积的磁性薄膜的图形来构成。磁道由基底表面上环状形成的凹陷处沉积的磁性薄膜(隔离区)来相互隔离。在图2里的伺服区22中，伺服图形由沉积在基底表面凸起上的磁性薄膜的图形构成。伺服图形由沉积在基底表面的凹陷处的磁性薄膜来相互隔离。图2中的伺服图形与目前磁记录装置中的那些相似。

根据本发明的一个实施例的被构图基底具有纹理结构，这些纹理结构至少形成在所述凹陷处。该纹理结构由用研磨颗粒粗化所述表面所形成的沟槽，和用上述沟槽结构做成的该沟槽结构的一组复制件所构成。每一个沟槽都有取向。组成纹理结构的沟槽的取向可以是同心的或者是径向的。然而，沟槽只能沿几乎同一方向延展，不需要相互平行，可以相互交叉。进一步，该沟槽不需要有相同的布置，可以有随机的宽度和深度。因此，该沟槽就不同于通过光刻而得到的有相同周期、宽度和深度的那些沟槽。所述纹理结构中凹陷的深度优选介于约0.5到10nm之间。相邻沟槽的间隔优选介于约5到100nm之间。用Ra(粗糙度的算术平均)来定义纹理的表面粗糙度的大小。Ra表示一个目标表面的截面中凸起和凹陷中相对于平均线的偏离的绝对值的平均值。

图3给出了根据本发明的一个实施例的具有凸起和凹陷图形的被构图基底的剖面图。被构图基底11具有形成于其表面的凸起11a和凹陷11b。纹理结构只在凹陷11b处形成，而不在凸起11a上。

图4给出了根据本发明的另一个实施例的具有凸起和凹陷图形的被构图基底的剖面图。该被构图基底11不仅在凹陷11b处，而且也在凸起11a上形成有纹理结构。凹陷11b和凸起11a上的该纹理结构在使衬层的取向对齐上很有效，即使所述纹理结构之间的方向不同。然而，为了使衬层的取向更均匀，优选使凸起和凹陷间的取向相同。

图5给出了依然根据本发明的另一个实施例的具有凸起和凹陷图形的被构图基底的剖面图。该被构图基底11也有在凹陷11b和凸起11a上形成的纹理结构。然而，在凹陷11b处的纹理结构比在凸起11a上的纹理结构有更大的Ra。

当磁记录介质被驱动时，读/写头浮动在介质之上。相应地，面对着读/写头的凸起的较小的Ra减少了磁头距介质的飞行高度，这对于读/写是优选的。然而，对于凸起，为了控制衬层的取向，大于零的Ra比等于零的Ra更好。结果，当凹陷11b处的纹理结构比凸起11a上的纹理结构有更大的Ra时，读/写头的飞行高度可以减少，并且衬层的取向可以做得均匀。

图6给出了根据本发明的一个实施例的磁记录介质(离散磁道介质)的例子的剖面图。该磁记录介质有衬层12、磁记录层13、以及保护层14，它们沉积在有图5所示的具有凸起和凹陷图形的被构图基底11之上。

图7给出了根据本发明的一个实施例的磁记录装置的透视图。该磁记录装置包括磁记录介质20、使磁记录介质转动的主轴电动机51、磁头滑块55，其中包含使用巨磁阻(GMR)元件的读磁头和支撑磁头滑块55的磁头悬架组件(悬架54和致动器臂53)、音圈马达(VCM)56、以及一个电路板，所有这些都放置在底盘50内。

磁记录介质20安装在主轴电动机51上并被转动。基于垂直或纵向磁记录方案，各种数字数据被记录在磁记录介质上。集成在磁头滑块55内的磁头即是所谓的复合磁头。对于写磁头，在垂直磁记录中使用单极头，而在纵向磁记录中使用环形头。可以使用基于任何其它方案的写磁头结构。读磁头可以是上述的GMR元件、TMR元件、或者是基于任何其它方案的元件。读磁头具有一对磁护罩，将该/读磁头元件夹于其间。

悬架54被安在致动器臂53的一端，以支撑与磁记录介质20的记录表面相面对的磁头滑块55。致动器臂53被附在枢轴52上。音圈马达(VCM)56位于致动器臂53的另一端，作为致动器。音圈马达(VCM)56驱动磁头悬架组件以便将磁头定位在磁记录介质20上的任意一个径向位置。该电路板包括一个磁头IC，用以产生驱动音圈马达(VCM)的信号、产生控制信号用以控制由磁头完成的读写操作，等等。

例子

(例1)

下面参考图8A，8B，8C，8D，8E，8F，8G，8H，8I，和8J，描述具有凸起和凹陷图形的被构图基底的制造方法的一个例子。本例中的方法分为(A)母板制备，(B)抗蚀剂的涂敷，(C)凸起和凹陷图形的绘制和显影(D)，母板的刻蚀，(E)父压模电铸，(F)子压模电铸，(G)纹理化，(H)为基底涂敷抗蚀剂，(I)压印，以及(J)基底的刻蚀。这些步骤描述如下。

(A)准备一个直径6英寸，厚度1.0mm的硅晶片，作为母板1。(B)在母板1上旋转涂敷对电子束敏感的抗蚀剂，厚度为70nm。(C)使用电子束绘图装置，对抗蚀剂2进行图形曝光。所述图形包括磁道和饲服标记。将母板1浸入显影液中，让抗蚀剂2显影。将母板1在冲洗液中浸入和冲洗。将母板1用空气吹干，形成具有深70nm凹陷的抗蚀剂图形。(D)以抗蚀剂图形作掩模用CF₄气体刻蚀母板1。用氧气将剩下的抗蚀剂灰化。母板上凹陷的深度为70nm。

(E)在这样得到的具有凸起和凹陷的母板的表面上用溅射沉积一层厚度为20nm的Ni导电薄膜。随后进行电铸，在Ni导电薄膜上形成一层厚0.6mm的Ni电铸膜。将Ni电铸膜以及Ni导电膜一起从母板上剥落下来，得到父压模31。(F)在父压模31上进行类似于上述描述的工艺，得到子压模32。子压模上的凹陷的深度为70nm。

(G)用一个带式纹理机(tape texturing machine)在子压模32的凸起上做出纹理。放置带子，以沿子压模32的径将子压模32夹住。当含有平均大小为100nm的金刚石颗粒的研磨剂加到沿着径向移动的带子上时，转动子压模32以引起摩擦。纹理结构就这样形成在子压模32的凸起上。用原子力显微镜(AFM)观察子压模32的表面显示，经纹理化处理后纹理结构形成在子压模32的每一个凸起上。纹理结构中的沟槽沿着正交于磁道的方向排列。凸起的Ra为1.0nm。在凹陷处没有观察到纹理图形。

(H)另一方面，为制备磁记录介质，在玻璃基底上涂敷一层厚100nm的压印抗蚀剂33。(I)用纳米压印工艺将子压模32压在压印抗蚀剂33上以便将子压模32上的凸起和凹陷图形(包括纹理)转移到压印抗蚀剂33上。(J)用已经转移了图形的压印抗蚀剂22上的凸起和凹陷图形为掩模，用CF₄气体刻蚀玻璃基底11。剩下的抗蚀剂随后用氧气灰化。这样就得到了玻璃基底12，其表面上有凸起和凹陷图形，且每一个凹陷处具有纹理结构。所述基底上凹陷的深度为20nm。凹陷处的纹理结构的Ra为0.9nm。另一方面，在凸起上没有观察到纹理结构，因此凸起是平坦的。

(例2)

下面参考图9A，9B，9C，9D，9E，9F，9G，9H，9I，以及9J，描述具有凸起和凹陷图形的被构图基底的制造方法的另一个例子。本例中的方法分为(A)母板制备，(B)纹理化处理，(C)抗蚀剂涂敷，(D)凸起和凹陷图形的绘制和显影，(E)母板的刻蚀，(F)父压模电铸，(G)子压模电铸，(H)基底的抗蚀剂涂敷，(I)压印，以及(J)基底的刻蚀。这些步骤描述如下。

(A)准备一个直径6英寸，厚度1.0mm的硅晶片，作为母板1。(B)用带式纹理机在母板1上进行纹理化处理。放置带子，以沿压模32的半径将压模32夹住。当含有平均大小为100nm的金刚石颗粒的研磨剂加到沿着径向移动的带子上时，转动母板1以引起摩擦。纹理结构就这样形成在母板1的表面上。用水清洗后，用AFM作出的母板1的表面观察显示，纹理结构中的沟槽沿着正交于磁道的方向排列。沟槽的Ra为1.0nm。(C)在母板1上旋转涂敷对电子束敏感的抗蚀剂，厚度为70nm。(D)使用电子束绘图装置，对抗蚀剂2进行图形曝光。所述图形包括磁道和饲服标记。将母板1浸入显影液中，让抗蚀剂2显影。将母板1在冲洗液中浸入和冲洗。将母板1用空气吹干，形成具有深70nm的凹陷的抗蚀剂图形。用AFM证实了，在暴光了的母板表面上从抗蚀剂图形凹陷处露出了纹理结构。

(E)用抗蚀剂图形作掩模用CF₄气体刻蚀母板1。剩下的抗蚀剂用氧气灰化。母板1上的每一个凹陷处的纹理结构的表面粗糙度在刻蚀期间减小了，由于刻蚀，Ra减到0.5nm。母板1上每一个凸起上的纹理结构的表面粗糙度没有减少，Ra仍为1.0nm。母板上的凹陷的深度为70nm。

(F)在这样得到的具有凸起和凹陷的母板的表面上用溅射沉积一层厚度为20nm的Ni导电薄膜。随后进行电铸，以在Ni导电薄膜上形成一层厚0.6mm的Ni电铸膜。将Ni电铸膜以及Ni导电膜一起从母板上剥落下来，得到父压模31。(G)在父压模31上进行类似于以上描述的工艺，得到子压模32。就子压模32而言，每一个凹陷处的纹理结构的Ra为0.5nm，而每一个凸起上的纹理结构的Ra为1.0nm。压模上的凹陷的深度为70nm。

(H)另一方面，为制备磁记录介质，在玻璃基底上涂敷一层厚100nm的压印抗蚀剂33。(I)用纳米压印工艺将子压模32压在压印抗蚀剂33上以便将子压模32上的凸起和凹陷图形(包括纹理)转移到压印抗蚀剂33上。(J)用已经转移了图形的压印抗蚀剂22上的凸起和凹陷图形为掩模，用CF₄气体刻蚀玻璃基底11。剩下的抗蚀剂随后用氧气灰化。这样就得到了玻璃基底12，其表面上有凸起和凹陷图形，且每一个凹陷处具有纹理结构。基底上凹陷的深度为20nm。凹陷处的纹理结构的Ra为0.9nm。在凸起上的纹理结构的Ra为0.4nm。

(根据例子的制造磁记录介质的方法)

下面参考图10A，10B，10C，和10D，描述根据本发明的一个实施例的磁记录介质制造方法的一个例子。在这些图中，被构图基底11按照例2获得。然而，也可能使用按照例1获得的被构图基底11。

磁记录介质是通过制备被构图基底11(A)，沉积衬层12(B)，沉积磁记录层13(C)，以及沉积保护膜14(D)来制造的。

在本例中，制造了下面的三种磁记录介质。

(a)CoZrNb软磁性衬层100nm/CoB 5nm/Ta 5nm/Pd 5nm/Ru 10nm/CoCrPt-SiO₂记录层15nm/C保护层4nm。在这种介质中，软磁性衬层具有一种结构，其中两个CoZrNb层是反铁磁性耦合的。

(b)FeTaN软磁性衬层80nm/Ti 5nm/Pd 10nm/[Co 0.3nm/Pd 0.9nm]20记录层/C保护层4nm。在这种介质中，记录层是所谓的磁性人造晶格薄膜，该磁性人造晶格薄膜是通过交替堆叠0.3nm Co和0.9nm Pd20次而得到。

(c)NiAl 60nm/Cr 10nm/CrMo 20nm/CoCrPtTa记录层15nm/C保护层4nm。

介质(a)和(b)是垂直磁记录介质，其易磁化轴垂直于膜平面取向。介质(c)是纵向磁记录介质，其易磁化轴平行于膜表面取向。

(比较例中的磁记录介质)

作为一个比较例，制造了一种垂直离散介质(a)，其方法与例1中的方法除了纹理化处理外都相似。

就电磁转换特性和重写(OW)特性，对该磁记录介质进行了评估。评估的进行如下。

电磁转换特性

在磁记录介质上进行读/写(R/W)测试，用单极头写信号到介质上，用GMR头从介质上读信号。磁盘以4200rpm转动时在半径为20nm的固定位置处进行测量。测量了552kFCI时的高频信号和92kFCI时的低频信号，并示出各自的输出。估计了介质的SNR(S/Nm)，用10kFCI时孤立波形的反磁化中的pp值(最大正值和最大负值间的差)之半作为S值，用400kFCI时躁声的rms(方均根)值作为Nm值。

重写(OW)特性

重写(OW)特性是通过用92kFCI的信号重写400kFCI的信号、并且比较重写之前获得的信号输出和重写之后没有擦除信号的信号输出来确定的。

表1给出了这些估计。表1表明，相对于比较例中的磁记录介质，用所述例子中的具有凸起和凹陷的图形且至少在每一个凹陷处形成纹理结构的被构图基底制造的磁记录介质能提供更优异的SNR和OW特性。

表1

	高频输出(mV)	低频输出(mV)	S/Nm(dB)	OW(dB)
					例1(a)	1.07	3.05	24.4	47.9
例1(b)	1.08	3.11	24.9	48.7
					例1(c)	1.06	3.03	23.6	47.0
例2(a)	1.08	3.10	24.8	48.2
					例2(b)	1.10	3.17	25.4	49.0
例2(c)	1.07	3.02	24.0	47.3
					比较例	0.95	2.89	21.9	44.5

也已经发现，当介质上形成凸起和凹陷图形，且在每一个凹陷处形成纹理结构，而每一个凸起上没有纹理结构形成的情形里，或者在凸起上的纹理结构设置为比凹陷处纹理结构有一个较低的表面粗糙度Ra的情形里，能够获得滑块的飞行稳定性。

下面将描述用于根据本发明的一个实施例的磁记录介质中的那些层的材料以及每层的堆叠结构。

基底可以是，例如，玻璃基底，Al基合金基底，陶瓷基底，炭基底，或者Si单晶基底。玻璃基底可以由非晶玻璃或晶化玻璃构成。非晶玻璃可以是钠钙玻璃，硅酸铝玻璃等等。晶化玻璃可以是锂基晶化玻璃等等。陶瓷基底可以由主要包含氧化铝，氮化铝，氮化硅等等的烧结体构成，或者通过用纤维强化这些烧结体来得到。Si单晶基底，即所谓的硅晶片，在其表面可以有一层氧化物膜。通过电镀或溅射，一层NiP可以形成在金属基底或者非金属基底的表面。

衬层用来控制磁记录层的结晶度和颗粒尺寸以及提高磁记录层的附着力。该衬层可以是用在普通磁记录介质中的衬层。衬层可以由多层构成以便有效完成上述的目标。衬层可以是金属，电介质或者它们的混合物。构成衬层的层的表面可以用离子辐射，气体暴露等等加以修饰。

衬层也可以是一个磁性层。特别是，如果该磁记录层是用在垂直磁记录装置中的垂直磁化膜，那么可以提供一层具有高的磁导率的软磁性衬层(SUL)来构建所谓的垂直双层介质，即在软磁性衬层上是垂直磁记录层。在垂直双层介质中，软磁性衬层具有一部分磁头(单极头)的功能，使在水平方向磁化垂直磁记录层的来自磁头的记录场通过，并使该场返回到磁头一侧。因此软磁性衬层能用来将陡峭的，足够的垂直场施加到磁记录层上以提高读/写效率。

软磁性衬层可以由含有Fe、Ni、或Co的材料构成。这样一种材料可以是一种FeCo基合金，例如，FeCo或FeCoV，可以是一种FeNi基合金，例如，FeNi、FeNiMo、FeNiCr、或FeNiSi，可以是一种FeAl基合金，一种FeSi基合金，例如，FeAl、FeAlSi、FeAlSiCr、FeAlSiTiRu、或FeAlO，可以是一种FeTa基合金，例如，FeTa、FeTaC、或FeTaN，或者是一种FeZr基合金，例如，FeZrN。

该软磁性衬层也可以由一种材料构成，该材料具有微晶结构，例如含有至少60at％Fe的FeAlO、FeMgO、FeTaN、或FeZrN，或者具有包含散布在基体中的细小晶粒的粒状结构。

该软磁性衬层也可以由含Co以及Zr、Hf、Nb、Ta、Ti、和Y至少之一的Co合金构成。Co合金优选包含至少80at％的Co。如果这样一种Co合金通过溅射沉积，很容易形成一层非晶层。该非晶软磁性材料没有磁晶各向异性、晶体缺陷、和颗粒边界，因此呈现出非常优异的软磁性。非晶软磁性材料能减小介质躁声。优选的非晶软磁性材料的例子有，例如，CoZr-、CoZrNb-、和CoZrTa-基合金。

为了提高SUL的结晶度和SUL在基底上的附着力，在SUL下面可以进一步提供一层衬层。该衬层的材料可以是Ti、Ta、W、Cr、Pt、或含有任何这些元素的合金或者它们的氧化物或氮化物。

在SUL和记录层之间可以设置一层由非磁性材料组成的中间层，作为构成衬层的多层中的一层。该中间层有两个作用，即隔绝SUL和记录层之间的交换耦合相互作用以及控制记录层的结晶度。中间层的材料可以是Ru、Pt、Pd、W、Ti、Ta、Cr、Si、或含有任何这些元素的合金或者它们的氧化物或氮化物。

为了防止尖峰躁声，SUL可以分为多层，且将厚度为0.5到1.5nm的Ru插在这些层之间以实现反铁磁性耦合。软磁层可以与钉扎层交换耦合，钉扎层包含一层诸如CoCrPt、SmCo和FePt的具有面内各向异性的硬磁膜或者一层诸如IrMn和PtMn的反铁磁材料。在这种情形中，为控制交换耦合力，磁性膜(例如Co)或者非磁性膜(例如Pt)可以被堆叠在Ru层的上下表面上。

所述磁记录层可以是一个垂直磁化膜，其易磁化轴主要沿垂直于介质平面的方向，或者可以是一个纵向磁化膜，其易磁化轴的走向在面内。当磁记录层由主要含有Co的合金，例如CoPt合金构成时，该磁记录层优选具有明显的各向异性。磁记录层可以由含氧化物的材料构成。该氧化物优选是Co氧化物，硅氧化物，钛氧化物或者是构成磁记录层的金属的氧化物。

磁记录层也可以是一种所谓的颗粒介质，其中磁性颗粒(磁晶颗粒)散布其间。特别是，离散磁道介质的线性记录密度预计由和常规介质中的机制相似的一种机制决定。因此，优选颗粒介质，已知这样能增加常规介质的线性记录密度。对于狭义上的被构图介质，线性记录密度由工艺精确性决定。结果，具有非颗粒状微结构的磁性薄膜也可以使用。

磁记录层可以包含Co、Cr、Pt、氧化物、以及至少一种从含有B、Ta、Mo、Cu、Nd、W、Nb、Sm、Tb、Ru、和Re的组中选出来的元素。这些元素能使磁晶粒尺寸减小或使结晶度或取向改进。这样得到的读/写特性和热起伏特性更适合于高密度记录。磁记录层也可以是一种所谓的磁性人造晶格，其中大量的Co层和稀有金属诸如Pt或Pd层堆叠起来。也可以使用由Fe或Co以及Pt或Pd构成的有序合金。

磁记录层可以具有一种多层结构。由两层或多层具有不同磁性特征的磁性层组成的堆叠膜所构成的磁记录层能够实现高密度记录。磁记录层也可以是由多个磁记录层和多个非磁性层构成的整个堆叠膜。例如，对于纵向介质，已经知道，在多个磁性层之间***Ru层使得引起铁磁耦合以提高线性记录密度成为可能。因此这个技术可以使用。

磁记录层的厚度优选介于2到60nm，更优选是介于5到30nm。这个范围使得磁记录/再现装置更适合于高密度记录。当磁记录层的厚度小于2nm时，再现的输出电平可能太低，且低于躁声组分的水平。当磁记录层的厚度大于60nm时，再现的输出电平可能太高，且使波形失真。

磁记录层的矫顽力优选至少为237000A/m(3000Oe)。矫顽力小于237000A/m(3000Oe)可以使热起伏特性退化。

保护层的使用是为了防止磁记录层的腐蚀以及为了防止当磁头与介质接触时对介质表面的损害。保护层的材料可以是一种硬材料，例如，C、Si-O、Zr-O、或Si-N。保护层的厚度优选介于0.5到10nm之间。这就能使磁头和介质之间的距离减小，因此适合于高密度记录。

在保护层上可以提供一层润滑剂层。该润滑剂层所用的润滑剂可以是一种众所周知的材料，例如全氟聚醚(perfluoropolyether)、乙醇氟化物(alcohol fluoride)或氟化甲酸吲哚(fluorinated carboxylic acid)。

Claims (8)

1.一种用于具有离散磁道的磁记录介质的被构图基底(11)，其特征在于包含：

在该基底上加工的凸起(11a)和凹陷(11b)图形，以及

在每个所述凹陷(11b)处形成的纹理结构。

2.根据权利要求1的基底(11)，其特征在于，在每个所述凸起(11a)上进一步形成纹理结构。

3.根据权利要求1的基底(11)，其特征在于，在每个所述凸起(11a)上形成纹理结构，并且所述凹陷(11b)处的纹理结构与所述凸起(11a)上的纹理结构具有相同的取向。

4.根据权利要求2的基底(11)，其特征在于，所述凹陷(11b)处的纹理结构比所述凸起(11a)上的纹理结构具有更高的表面粗糙度Ra。

5.一种磁记录介质，其特征在于包含：

根据权利要求1的所述被构图基底(11)；以及

沉积在所述被构图基底(11)上的磁性膜(13)。

6.一种磁记录装置，其特征在于包含根据权利要求5的磁记录介质。

7.一种制造被构图基底(11)的方法，其特征在于包括：

在具有凸起和凹陷图形的压模(32)的每一个凸起上形成纹理结构；

用所述压模(32)压涂敷于基底(11)的压印抗蚀剂(33)，以便将所述压模(32)的所述凸起和凹陷图形以及所述凸起上的纹理结构转移到所述压印抗蚀剂(33)上；以及

用转移了所述图形和纹理结构的所述压印抗蚀剂(33)作掩模，刻蚀所述基底(11)，以得到一个具有形成于其表面的凸起和凹陷图形且每一个所述凹陷处形成纹理结构的被构图基底(11)。

8.制造被构图基底(11)的方法，其特征在于包括：

在母板(1)的表面上形成纹理结构；

在所述母板(1)上施加抗蚀剂(2)，在所述抗蚀剂(2)上绘制凸起和凹陷图形，并将所述抗蚀剂(2)显影以形成一个具有凸起和凹陷的抗蚀剂图形；

用所述抗蚀剂图形作掩模刻蚀所述母板(1)，以形成一个被构图母板(1)，该母板具有形成于其上的凸起和凹陷图形，且在每一个所述凸起和凹陷处形成有纹理结构；

从具有所述凸起和凹陷的所述母板(1)产生第一压模(31)，并从所述第一压模(31)产生第二压模(32)；

用所述第二压模(32)压涂敷于基底(11)上的压印抗蚀剂(33)，以将所述第二压模(32)上的所述凸起和凹陷图形以及所述凸起和凹陷上的纹理结构转移到所述压印抗蚀剂(33)上；以及

用转移了所述图形和纹理结构的所述压印抗蚀剂(33)作掩模刻蚀所述基底(11)，形成一个被构图基底(11)，该被构图基底具有形成于其表面上的凸起和凹陷图形，并且每一个所述凸起和凹陷上形成有所述纹理结构。

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