CN100405536C

CN100405536C - 基板处理***

Info

Publication number: CN100405536C
Application number: CNB2005101173155A
Authority: CN
Inventors: 坂本仪秀; 菊池俊彦
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2004-11-01
Filing date: 2005-11-01
Publication date: 2008-07-23
Anticipated expiration: 2025-11-01
Also published as: JP2006128559A; KR100686762B1; TW200629350A; KR20060052345A; CN1779905A

Abstract

本发明涉及一种基板处理***，抑制由处理气体造成的测定装置的污染。在测定装置(4)的框体(30)内设置用于形成测定室(S)的测定区域(40)。测定室(S)将晶片(W)的搬运口(33)作为一个侧面，形成为长方体形状。在测定室(S)内设置载置板(42)。光学***(45)被设置在分隔测定室(S)的顶面的相反侧。由此，光学***(45)和测定室(S)的通气被遮断。在测定室(S)上设置向搬运口(33)提供清洁空气的供气口(50)。将晶片(W)送入测定室(S)，对晶片(W)进行测定时，从供气口(50)向搬运口(33)提供清洁的空气，将从搬运口(33)流入测定室(S)的处理气体稀释或压回去。

Description

基板处理***

技术领域

本发明涉及具有气体处理装置和测定装置的基板处理***。

背景技术

例如在制造半导体器件工艺中的蚀刻处理通常用蚀刻装置进行，该蚀刻装置被装载在基板处理***中。基板处理***通常具有把晶片搬入搬出的装载-卸载部、把晶片从装载-卸载部送入蚀刻装置的搬运装置等。把没有处理的晶片送入装载-卸载部，用搬运装置把该晶片搬运到蚀刻装置后进行蚀刻，此后用搬运装置使其返回到装载-卸载部。

可是对于完成了上述蚀刻处理的晶片，有必要检查蚀刻后的覆盖的蚀刻膜的图案的尺寸和膜厚、蚀刻深度等。一直以来这些检查大多使用有光学***的测定装置进行，此测定装置与基板处理***分开设置。因此需要把完成蚀刻处理的晶片从基板处理***中取出，搬运到各种测定装置，由于此检查，需要很长的搬运时间。所以近年来为了缩短晶片W的搬运时间，提高晶片的生产率，提出了把测定装置装入基板处理***内的方案。(例如参照专利文献1)。

但是，在用基板处理***进行的上述蚀刻处理中，例如使用HCl、HBr等的腐蚀性气体作为处理气体。在把测定装置装入基板处理***中的情况下，存在有此腐蚀性气体从蚀刻装置流入测定装置的情况。此外，在蚀刻装置中完成蚀刻处理的晶片在送入测定装置时，存在有带入腐蚀性气体的情况。因此测定装置的光学***由于腐蚀性气体而被腐蚀，使测定装置的测定精度降低。此外构成光学***的部件寿命缩短。因光学***的腐蚀造成测定装置的内部被污染，污染搬运到测定装置的晶片，结果废品增加。为了解决这样的问题，例如也可以考虑使测定装置的光学***部件全部变成耐蚀规格的部件，但是这种情况下需要很高的成本，是不现实的。

专利文献特开2002-280279号公报

发明内容

本发明是鉴于此点完成的发明，其目的是提供一种基板处理***，可以防止因在蚀刻装置等的气体处理装置中使用的处理气体对测定装置的光学测定部分造成的腐蚀和污染。

为了达到上述目的，本发明的基板处理***特征在于，具有一体化形成的：使用处理气体处理基板的气体处理装置；对在上述气体处理装置中被处理的基板进行测定的测定装置；将在上述气体处理装置的被处理基板搬运到上述测定装置的搬运装置，上述测定装置具有：载置基板的载置部；将光照射到载置在该载置部上的基板上，对基板进行测定的光学测定部；容纳上述载置部，对上述载置部上的基板进行测定的测定室，在上述测定室上形成有利用上述搬运装置将基板搬运到上述载置部的基板搬运口，上述光学测定部中的空间和上述测定室之间的通气被构成该测定室的壁面遮断。

根据本发明，由于在测定装置中对基板进行测定的测定室和光学测定部用测定室的壁面截断气体通路，所以从基板搬运口流入测定室内的气体不与光学测定部接触。因此即使处理气体中含有的腐蚀性气体，例如从气体处理装置流入到测定装置，或由基板带入到测定装置内，也不会腐蚀光学测定部。其结果可以保持用光学测定部对基板的测定精度，可以对基板进行标准的测定。此外可以延长光学测定部的寿命。再有由于没有光学测定部腐蚀后测定装置内被污染的情况，也不会污染搬入测定装置内的基板。其结果可以减少废品基板。

在上述测定室内的露出面上也可以实施对上述处理气体的防腐蚀加工。此时，由于能防止测定室内因处理气体造成的腐蚀，可以防止因腐蚀污染测定室和基板。

上述测定室也可以以仅容纳上述载置部的方式形成。此时，由于把测定室的容积抑制到最小的限度，所以可以把因处理气体造成的测定室内的腐蚀和污染抑制到最小的限度。此外在这样的测定室内实施防腐蚀加工时，由于把其面积抑制在最小的限度，可以降低防腐蚀加工需要的成本。上述测定室也可以形成为将上述基板搬运口作为一个侧面的长方体形状。

上述测定装置还具有框体和设置在该框体内用于形成上述测定室的测定区域(block)，上述测定区域外形做成长方体形状，上述测定室也可以在测定区域的侧壁面上形成凹状。

上述光学测定部可以设置在上述测定区域内，设置在构成上述测定室的内壁面和构成上述测定区域外形的外壁面之间的中空部内。

在截断与上述光学测定部之间的上述测定室的壁面上，也可以形成透过从上述光学测定部照射的光的透过部。此外，在上述透过部上也可以设置用于对上述处理气体保护透过部的透过部保护用挡板。此时，例如在不用光学测定部进行测定时，关闭透过部保护用挡板，相对于测定室可以关闭透过部，因此，可以抑制因测定室内的处理气体造成透过部的腐蚀和污染。其结果来自光学测定部的光恰当地透过透过部，可以保持光学测定部的测定精度。

在与上述基板搬运口对向位置的上述测定室的侧壁面上，也可以形成朝向上述基板搬运口提供清洁的气体的供气口。此时，由于从上述测定室的侧壁面向基板搬运口提供清洁的气体，利用此清洁的气流，可以把从基板搬运口流入测定室的处理气体稀释，或压回去。其结果可以抑制因处理气体造成对测定室的腐蚀和污染。

在上述测定室上也可以形成将上述供气口提供的清洁气体从上述载置部下游一侧的上述基板搬运口附近排放的排气口。此时，由于可以使从供气口提供的清洁气体通过测定室内排放，所以例如可以净化测定室内。

上述排气口也可以在上述测定室的底面形成。此时，可以有效地排放比空气重的、容易滞留在底面上的腐蚀性气体。

上述基板处理***也可以具有：开闭上述基板搬运口的挡板；和控制装置，在打开上述挡板时，进行从上述供气口的供气，停止从上述排气口的排气，在关闭上述挡板时，进行从上述供气口的供气和从上述排气口的排气。此时，打开挡板时进行供气，可以抑制处理气体流入测定室内。此外在关闭挡板时进行供气和排气，可以使测定室内清洁化，并保持其清洁的状态。

上述基板处理***还可以具有：导入上述测定装置的外侧空气的空气导入口；从上述空气导入口连通到上述供气口的供气通道；除去来自通过上述供气管路内的空气的杂质的过滤器。

在上述基板搬入搬出口的外侧也可以形成下降气流，设定成从上述供气口的供气流量比上述下降气流的流量小。此时，根据发明者的验证，在上述测定室内的上述清洁的气流和下降气流的合流部，没有气流紊乱、灰尘飞扬的情况。其结果向基板搬运口搬运的基板不会被飞扬的灰尘污染。

在上述基板搬运口上也可以设置对上述测定室内的上述清洁气流和上述下降气流的合流部的气流进行整流的整流板。此时，由于可以防止在基板搬运口附近的灰尘飞扬，所以向基板搬运口搬运的基板不会被飞扬的灰尘污染。

为了校正由上述光学测定部进行的测定，在上述测定室内设置有被来自上述光学测定部的光照射的基准部件，在上述基准部件上也可以设置用于针对上述处理气体保护基准部件的保护挡板。此时，不使用时关闭保护挡板，相对于测定室可以关闭基准部件，因此可以抑制因处理气体造成的基准部件的腐蚀和污染。

根据本发明，可以维持测定装置中的测定精度，延长测定装置的寿命，防止用测定装置进行测定的基板的污染。

附图说明

图1是简要表示本实施方式的基板处理***的俯视图。

图2是简要表示测定装置结构的纵断面的说明图。

图3是表示测定区域的立体图。

图4是表示测定装置的测定区域内结构的纵断面的说明图。

图5是表示不进行测定时的测定装置内的状态的说明图。

图6是表示进行测定时的测定装置内的状态的说明图。

图7是表示安装有基准片和保护挡板的载置板的纵断面的说明图。

图8在透过窗上安装有透过窗用保护挡板时测定区域内的结构的纵断面的说明图。

图9是表示在搬运口安装有整流板时的测定装置的结构的说明图。

符号说明

1基板处理***；3蚀刻装置；4测定装置；5测定区域；10搬运室；30框体；33搬运口；42载置板；45光学***；50供气口；60排气口；70搬运挡板；S测定室；W晶片

具体实施方式

下面对本发明的优选实施方式进行说明。图1是简要表示本实施方式中的基板处理***1的结构的俯视图。

基板处理***1例如具有：载置容纳晶片W的多个盒C的盒载置部2；作为对晶片W进行蚀刻处理的气体处理装置的蚀刻装置3；测定蚀刻处理后的晶片W上的被蚀刻膜的膜厚的测定装置4；进行晶片W定位的定位部5；在这些盒载置部2、蚀刻装置3、测定装置4、定位部5之间进行晶片W搬运的搬运装置6，这些装置一体化连接。

搬运装置6例如具有连接盒载置部2、测定装置4、定位部5的搬运室10；和连接该搬运室10和蚀刻装置3的负载锁定室11。盒载置部2和测定装置4，例如并排设置在搬运室10的X方向的反方向(图1中的向下的方向)一侧。定位部5例如设置在搬运室10的Y方向的正方向(图1中的向左的方向)。负载锁定室11例如与搬送室10的盒载置部2的对向设置。

在搬运室10内例如设置搬运晶片W的搬运机构20。搬运机构20例如具有保持晶片W的搬运臂20a，通过使此搬运臂20a前进或后退，例如可以向盒载置部2、测定装置4、负载锁定室11搬运晶片W。例如如图2所示，在搬运室10的上部设置有将被调整到规定温度、湿度的清洁气体向下方供气的供气单元U，利用此供气单元U在搬运室10内形成下降气流，可以使搬运室10内维持规定的清洁的气体环境。此外如图1所示，在负载锁定室11内例如设置在负载锁定室11和蚀刻装置3之间搬运晶片W的搬运机构21。

蚀刻装置3例如在腔室内导入HCl、HBr等的处理气体，同时在载置有晶片W的下部电极和与其对向的上部电极之间，施加高频电力，使其产生等离子体，可以蚀刻晶片表面的被蚀刻膜。

如图2所示，测定装置4具有例如外形为大体是约长方体形状的框体30，此框体30紧贴搬运室10上。框体30内例如划分成上部的测定部31和下部的控制部32。在测定部31和搬运室10的接触部上形成用于搬运晶片W的大体为方形的搬运口33。例如控制部32中容纳有进行测定部31内的测定必要的控制***的仪器。

形成晶片W的测定室S的测定区域40设置在测定部31中。如图3所示，测定区域40形成为外形大体为长方体形状。在测定区域40的搬运室10一侧的外壁面41上，形成有测定室S的凹部。在测定室S中，搬运口33作为一个侧面，大体为长方体的形状。即，在测定区域40上，从外壁面41到水平方向形成有长方体形状的有底孔，该有底孔成为测定室S，其开口部位称为搬运口33。

在测定室S内例如设置作为载置晶片W的圆盘形的载置部的载置板42。如图4所示，测定区域40的构成外形的外壁面41和构成测定室S的内壁面43之间例如是中空的。在测定区域40的外壁面41和测定室S的顶面内壁面43a之间的上部的中空部分40a内，配置作为具有光的照射部和受光部等的光学测定部的光学***45。用测定室S的内壁面43截断光学***45和测定室S之间的气体通路，从搬运口33流入的例如处理气体不接触光学***45。光学***45例如对载置板42上的晶片W照射光和接收其反射光，通过检测其反射率可以测定晶片W上的被蚀刻膜的膜厚。

在测定室S的顶面内壁面43a与光学***45相面对的位置形成作为透明的透过部的透过窗46。光学***45可以通过此透过窗46把光向载置板42上的晶片W照射光，接收其反射光。

例如在测定室S的底面内壁面43b和其下方的测定区域40的外壁面41之间，形成有下部中空部分40b。在下部中空部分40b内例如设置使载置板42在搬运口33方向(X方向)移动的移动机构47。移动机构47例如向着X方向形成有导轨48和在该导轨48上自由移动而从下面支承载置板42的载物台49。载物台49例如用装在内部的电动机等的驱动部可以在导轨48上移动。

在与搬运口33对向位置的测定室S的内壁面43c上，形成供气口50。供气口50朝向搬运口33一侧。例如如图2所示，通过在框体30的上面形成的空气导入口51的供气管路52连接在供气口50上。供气管路52例如从供气口50通过测定区域40的内部，通过测定区域40外侧的测定部31内，连通在空气导入口51上。在供气管路52上设置有用于吸入框体30外部的空气的风扇53、以及用于从被吸入到供气管路52内的空气中去除灰尘等的杂质的过滤器54。用风扇53从空气导入口51导入的空气用过滤器54变成清洁的空气后，从供气口50向测定室S内供气。在测定室S内被提供的空气向搬运口33一侧流动，通过载置板42上后，可以从搬运口33流出。通过此空气稀释从搬运口33流入到测定室S内的处理气体，或将此处理气体压回，可以将测定室S维持在清洁气体的气体环境中。

例如风扇53的转数可以用控制装置60进行调整，控制装置60调整风扇53的转数，可以控制向测定室S内提供的气体流量。

在测定室S底面的底面内壁面43b上形成排气口60。例如如图3所示，排气口60相对于供气口50的供气，在载置板42的下游一侧的搬运口33附近两个部位形成。如图2所示，排气口60上连接有连通框体30的搬运室10一侧的侧面上形成的排出口61的排气管路62。排气管路62例如通过测定区域40、控制部32连通在排出口61上。在排气口60上例如设置在水平方向滑动的排气挡板63。利用具有气缸(cylinder)等的排气挡板驱动部64进行此排气挡板63的开闭。

在框体30上设置在上下方向移动，开闭搬运口30的挡板70。此搬运挡板70例如利用具有气缸等的搬运挡板驱动部71进行。

排气挡板驱动部64和搬运挡板驱动部71的动作例如用控制装置60进行控制。因此控制装置60可以在规定时刻开闭排气挡板63和搬运挡板70。

在测定室S内的对于处理气体的露出面，例如测定室S的内壁面43和载置板42的表面，可以实施对处理气体的防腐蚀加工。作为防腐蚀加工可以使用涂敷Al₂O₃等的金属氧化膜等用薄膜涂敷露出面的方法和烧结Teflon(聚四氟乙烯)(Dupont公司的注册商标)等的氟类树脂涂敷的方法。此外在涂敷氟类树脂时，由于与酸和碱完全不反应，可以得到优异的耐蚀性能。

下面说明在以上结构的基板处理***1中进行的晶片W的处理工艺。在晶片W的处理中，例如在搬运室10内利用供气单元U的清洁气体形成下降气流。首先如图1所示，容纳未处理的晶片W的盒C被载置在盒载置部2上，用搬运室10的搬运机构20从盒C中取出晶片W，被搬运到定位部5。在定位部5中定位的晶片W用搬运机构20搬运到负载锁定室11，用搬运机构21搬运到蚀刻装置3。被搬运到蚀刻装置3的晶片W用规定的处理气体进行蚀刻处理。

完成蚀刻处理的晶片W用搬运机构21搬运到负载锁定室11，用搬运机构20搬运到测定装置4。用测定装置4测定晶片W上的被蚀刻膜的膜厚，检查晶片W的蚀刻状态。在测定装置4中的检查完成后的晶片W用搬运机构20返回到盒载置部2的盒C内。

这里，更加详细的说明上述测定装置4的动作。在基板处理***1工作中，从蚀刻装置3泄漏的处理气体通过负载锁定室11流入搬运室10，或附着在晶片W上的处理气体被该晶片W带入搬运室10。

首先在测定装置4中不进行晶片W的测定，在晶片W没有被搬入时，例如如图5所示，关闭搬运挡板70。此外启动风扇53，从供气口50向测定室S提供清洁的空气。打开排气挡板63，使通过测定室S内的清洁空气从排气口60排出。这样在未用测定装置4进行晶片W的测定时，形成从关闭的测定室S内的一端到另一端流过的清洁的空气的气流，测定室S内保持在清洁空气的气体环境中。

如图6所示，在利用搬运机构20的搬运臂20a把晶片W送入测定装置4内时，打开搬运挡板70。在保持从供气口50供气的状态下，通过排气口60的排气挡板63关闭排气口60。这样在测定室S内形成从供气口50流入、从搬运口33流出的清洁的空气的气流。利用此气流将从搬运室10一侧通过搬运口33流入测定室S的处理气体稀释，或压回去。

此时从供气口50提供的气体流量被设定成比搬运口60的外侧搬运室10的下降气流的流量小。这样从测定室S流出的气流和下降气流的合流能顺利进行，可以抑制在搬运口60的周围产生涡流等。其结果不会发生搬运室10内的灰尘等杂质被卷起的情况。

用搬运挡板70打开搬运口33，例如载置板42移动到搬运口33一侧(X方向的正方向一侧)晶片W被从搬运臂20a移动、载置在载置板42上。晶片W被载置在载置板42上时，载置板42就沿X方向的反方向移动，晶片W移动到光学***45下方规定的测定位置。此后光学***45将光照射到晶片W上，接收其反射光，例如测定晶片W上的被蚀刻膜的膜厚。此间在测定室S内形成向搬运口33一侧水平流动的清洁的气流，例如由晶片W带入的处理气体返回到搬运口33一侧。

用光学***45的测定完成后，晶片W被再次移动到搬运臂20a上，从测定装置4搬出。搬出晶片W后，再次关闭搬运挡板70，打开排气口60的排气挡板63，在测定室S关闭的状态下，在测定室S内形成从供气口50向排气口60的清洁空气的气流。

采用以上的实施方式，在测定装置4内，形成在搬运口33开口的测定室S，由于用该测定室S的壁面截断光学***45和测定室S的气体通路，所以在蚀刻装置3中使用的处理气体不会接触光学***45，光学***45不会被处理气体内含有的酸性气体等的腐蚀性气体腐蚀和污染。因此即使长时间使用，光学***45的测定精度也不降低，可以延长光学***45的寿命。此外，不会有象现在那样因处理气体造成光学***45的污染，由此污染污染测定装置4内的晶片W的情况。

由于对测定室S内的露出面进行耐腐蚀加工，所以不会有因流入测定室S内的腐蚀性气体造成测定室S内的腐蚀。因此不会因测定室S内的腐蚀造成的污染物堆积后污染晶片W。

将测定区域40设置在测定装置4的框体30内，用该测定区域40形成仅容纳载置板42的测定室S，所以可以将通过搬运口33搬运室10一侧暴露出的部分抑制到最小的限度。因此可以使进行耐腐蚀加工的面积变小，大幅度降低耐腐蚀加工需要的成本。此外测定装置4内的光学***45以外的部分，由于不接触处理气体，所以可以减少腐蚀和污染。

由于将光学***45设置在测定区域40的上部中空部分40a内，所以光学***45不仅是不接触测定室S，而且也不接触测定区域40外侧的气体环境，还可以降低光学***45的腐蚀和污染。

由于将透明窗46设置在测定室S的顶部内壁面43a上，可以用光学***45对晶片W进行恰当的测定。

由于在与搬运口33相对的位置的测定室S的内壁面43c上，设置朝向搬运口33一侧的供气口50，所以可以稀释从搬运室10一侧流入测定室S的处理气体，或将其压回去。此外，可以将由搬入测定室S内的晶片W带入的腐蚀性气体等的杂质挤压流向搬运室10一侧。这样可以抑制腐蚀性气体等造成的测定室S内的污染。

在框体30的上面形成空气导入口51，由于将风扇53和过滤器54设置在连接空气导入口51和供气口50的供气管路52上，所以可以把框体30外侧的空气净化后，提供给测定室S内。此时，由于可以利用框体30周围的外部气体，向测定室S提供清洁的空气，可以降低净化空气需要的成本。

由于在测定室S的搬运口33附近形成排气口60，可以使从供气口50提供的空气通过载置板42上以后排放。因此例如在不对晶片W进行测定时，关闭搬运挡板70，可以使测定室S内净化。此外由于在测定室S底面内壁面43b上排气口60，所以可以有效地排放比空气重的、容易滞留在底面内壁面43b上的HCl、HBr等的腐蚀性气体。此外由于在比搬运口33更靠下的搬运室10一侧的框体30上形成通过排气口60的排出口61，所以可以使通过测定室S内的气体与搬运室10的下降气流合流，通过该下降气流可以排出到基板处理***1的外部。因此可以利用已有的下降气流恰当地把从测定室S的排放气体排出。

用以上的实施方式不进行晶片W测定时，用控制装置60关闭搬运挡板70，进行由供气口50的供气和从排气口60的排气，而此时例如也可以用控制装置60在关闭搬运挡板70的状态下，进行规定时间的供气和排气，测定室S内净化后，停止该供气和排气。此时，也能保持测定室S内清洁的状态。

此外在上述实施方式中，进行晶片W测定时，用控制装置60打开搬运挡板70，从供气口50进行供气，停止从排气口60的排气，但是此时也可以例如用控制装置60关闭搬运挡板70，进行上述供气和排气两方面。此时，把晶片W送入测定室S内后，关闭测定室S，进行对此关闭的测定室S内清洁空气的供气和排气。因此测定晶片W时，处理气体从搬运室10向测定室S的流入用搬运挡板70隔断，利用从供气口50的供气和从排气口60的排气，可以保持测定室S内清洁。

在以上实施方式中记载的光学***45中，需要校正用的基准部件。基准部件例如是具有预先规定的已知的材质、表面状态的部件，利用光学***45实际对基准部件进行测定，获得用于测定晶片W需要的各种测定装置固有的基准数据。

例如如图7所示，在载置板42表面规定位置形成凹部42a，在其凹部42a埋入作为基准部件的基准片90。在此基准片90的表面上例如形成平坦的硅(裸硅)。

在基准片90上设置在水平方向移动、可以开关凹部42a的保护挡板91。保护挡板91例如可以用具有气缸的保护挡板驱动部92移动。所以在使用基准片90时打开保护挡板91，基准片90相对于测定室S被打开。此外在不使用基准片90时，保护挡板91被关闭，基准片90被用保护挡板91覆盖。这样基准片90暴露在测定室S内的气体环境中的时间变短，可以控制处理气体对基准片90的腐蚀和污染。其结果可以进行恰当的光学***45的校正。

上述基准片90也可以设置在载置板42以外的部分，例如可以设置在测定室S的底面等上，此时，通过设置保护挡板91可以抑制基准片90的腐蚀和污染。

例如如图8所示，在以上实施方式中记载的透过窗46上也可以设置用于针对来自测定室S内的处理气体保护透过窗46的透过窗用保护挡板100。例如在透过窗46的下面侧可以设置在水平方向自由滑动的板状的透过窗用保护挡板100。保护挡板100例如用气缸等的挡板驱动部101可以滑动。而在用光学***45进行测定时，用挡板驱动部101把透过窗用保护挡板100打开，相对测定室S打开透过窗46。光学***45的测定一完成，透过窗用保护挡板100就关闭，由透过窗用保护挡板100覆盖透过窗46。此时，由于针对来自流入测定室S内的处理气体保护透过窗45，所以可以保持用光学***45的测定精度。

如图9所示，在以上实施方式中记载的测定室S的搬运口33上，也可以设置对通过测定室S内从搬运口33流出的空气流和搬运口33外侧的搬运室10内的下降气流的合流点的气流整流的整流板110。整流板110例如可以从测定室S的底面的搬运口33侧端部向俯角方向形成。利用此整流板110把从搬运口33流出的空气流和下降气流的合流，气流在此合流点不紊乱。其结果例如可以抑制搬运室10内的下降气流不紊乱，例如可以不卷起搬运室10内的微粒，可以抑制搬运晶片W的污染。

以上说明了本发明的实施方式的一个例子，但本发明并不限定于此例，可以采用各种变化的方式。例如在本实施方式中记载的测定装置4是测定被蚀刻膜的膜厚，也可以是对晶片W的其他测定，例如测定蚀刻厚的晶片表面图案等的在晶片表面形成的图案结构。在基板处理***1中也可以装有多个测定装置。此外测定装置的装入位置可以任意选择。在本实施方式中记载的基板处理***1中，装有蚀刻装置4，但也可以是装有用处理气体的其他的气体处理装置，例如成膜装置、灰化(ashing)装置、使用酸碱药品的基板表面研磨装置和显象装置等。此外基板处理***1内的搬运装置6、盒载置部2等的结构也不限定在本实施方式。此外除了半导体晶片以外，本发明也可以适用于FPD(平板显示器)用基板、光掩膜用的玻璃基板等的其他基板处理***。

产业上的可利用性

本发明在具有气体处理装置和测定装置的基板处理***中，可以有效抑制处理气体带来的测定装置内的污染。

Claims

1.一种基板处理***，其特征在于，具有一体化的下述装置：

使用处理气体对基板进行处理的气体处理装置；

对用所述气体处理装置处理的基板进行测定的测定装置；和

将用所述气体处理装置处理的基板搬运到所述测定装置的搬运装置，

所述测定装置具有载置基板的载置部；向该载置部上载置的基板照射光，对基板进行测定的光学测定部；和容纳所述载置部，对所述载置部上的基板进行测定的测定室，

在所述测定室上形成有利用所述搬运装置将基板搬运到所述载置部用的基板搬运口，

所述光学测定部中的空间和所述测定室之间的通气被构成该测定室的壁面遮断，

在与所述基板搬运口对向位置的所述测定室的侧壁面上，形成有向所述测定室提供清洁气体的供气口，所述供气口朝向所述基板搬运口而形成。

2.如权利要求1所述的基板处理***，其特征在于，在所述测定室内的露出面上实施针对所述处理气体的耐腐蚀加工。

3.如权利要求1或2中任一项所述的基板处理***，其特征在于，所述测定室以仅容纳所述载置部的方式形成。

4.如权利要求1所述的基板处理***，其特征在于，所述测定室将所述基板搬运口作为一个侧面，形成为长方体形状。

5.如权利要求1所述的基板处理***，其特征在于，所述测定装置还具有框体和设置在该框体内用于形成所述测定室的测定区域，

所述测定区域的外形为长方体形状，所述测定室在测定区域的侧壁面上形成为凹状。

6.如权利要求5所述的基板处理***，其特征在于，所述光学测定部被设置在所述测定区域内，即设置在构成所述测定室的内壁面和构成所述测定区域外形的外壁面之间的中空部内。

7.如权利要求1所述的基板处理***，其特征在于，在将与所述光学测定部之间截断的所述测定室的壁面上，形成有透过从所述光学测定部照射的光的透过部。

8.如权利要求7所述的基板处理***，其特征在于，在所述透过部上设置有针对所述处理气体，保护透过部的透过部保护用挡板。

9.如权利要求1所述的基板处理***，其特征在于，在所述测定室，在所述基板搬运口附近形成有排气口，所述排气口将从所述供气口提供的清洁气体从所述载置部的下游侧排出。

10.如权利要求9所述的基板处理***，其特征在于，所述排气口在所述测定室的底面形成。

11.如权利要求9或10所述的基板处理***，其特征在于，还具有：

开闭所述基板搬运口的挡板；和

在打开所述挡板时，进行从所述供气口的供气，停止从所述排气口的排气，在关闭所述挡板时，进行从所述供气口的供气和从所述排气口的排气的控制装置。

12.如权利要求1所述的基板处理***，其特征在于，还具有：

从所述测定装置的外侧导入空气的空气导入口；

从所述空气导入口连通到所述供气口的供气管路；和

从通过所述供气管路内的空气除去杂质的过滤器。

13.如权利要求1所述的基板处理***，其特征在于，

在所述基板搬运口的外侧形成下降气流，

将来自所述供气口的供气流量设定为小于所述下降气流的流量。

14.如权利要求1所述的基板处理***，其特征在于，

在所述基板的搬运口的外侧形成下降气流，

在所述基板搬运口上设置有对所述测定室内的所述清洁气体的气流和所述下降气流的合流部的气流进行整流的整流板。

15.如权利要求1所述的基板处理***，其特征在于，

为校正基于所述光学测定部的测定，在所述测定室内设置有被来自所述光学测定部的光照射的基准部件，

在所述基准部件上设置有针对所述处理气体，保护基准部件的保护挡板。