JP4696086B2 - シリコン単結晶ウエーハの仕上げ研磨方法及びシリコン単結晶ウエーハ - Google Patents

Description

本発明は、シリコン単結晶ウエーハを研磨する複数段の研磨工程のうち最終段である仕上げ研磨の方法及び研磨されたシリコン単結晶ウエーハに関する。

従来、種々の半導体デバイスなどに用いられる半導体基板材料として用いられるシリコン単結晶ウエーハの製造方法は、一般にチョクラルスキー（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ；ＣＺ）法や浮遊帯域溶融（Ｆｌｏａｔｉｎｇ Ｚｏｎｅ；ＦＺ）法等によって単結晶インゴットを製造する単結晶成長工程と、この単結晶インゴットをスライスし、少なくとも一主表面が鏡面加工されるウエーハ製造（加工）工程とからなる。このように製造された鏡面研磨ウエーハ上にデバイスが作製される。

さらに詳しくウエーハ製造（加工）工程について示すと、単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウエーハを得るスライス工程と、該スライス工程によって得られたウエーハの割れ、欠けなどを防止するためにその外周部を面取りする面取り工程と、このウエーハを平坦化するラッピング工程と、面取り及びラッピングされたウエーハに残留する加工歪みを除去するエッチング工程と、そのウエーハ表面を鏡面化する研磨（ポリッシング）工程と、研磨されたウエーハを洗浄して、これに付着した研磨剤や異物を除去する洗浄工程等を有している。上記ウエーハ加工工程は、主な工程を示したもので、他に平面研削工程や、熱処理工程等の工程が加わったり、同じ工程を多段で行ったり、工程順が入れ替えられたりする。

特に研磨工程では、粗研磨と称される１次研磨工程と精密研磨と称される仕上げ研磨工程とに区分けされ、場合により１次研磨工程を更に２工程以上に分け、１次、２次研磨工程等と称されている。それぞれの研磨工程では、研磨スラリーの組成や研磨圧力等を変えてそれぞれの工程に適した条件としている。

研磨工程では、例えば、回転可能な定盤上に貼り付けられた研磨布と、研磨ヘッドのウエーハ支持盤に支持されたエッチング済みのシリコン単結晶ウエーハ等を、適切な圧力で接触して研磨する。この際に、コロイダルシリカを含有したアルカリ溶液（研磨スラリー、研磨剤などと呼ばれる）が用いられている。このような研磨剤を研磨布とシリコン単結晶ウエーハの接触面に添加することにより、研磨スラリーとシリコン単結晶ウエーハがメカノケミカル作用を起こし、研磨が進行する。

ところで、デバイスルールの微細化の進行に伴い、デバイス作製において問題になり得る欠陥のサイズも小さくなってきている。そして、これまでは問題にされなかったような微小な凸形状の欠陥が着目されるようになってきた。そして、このような欠陥は、従来の検査装置ではほとんど検出できないほど微小なものであるが、例えば特許文献１に記載されているようなコンフォーカル光学系のレーザー顕微鏡などを用いることにより観測することができるようになってきた。微小な欠陥としては、単独突起、複数突起、線状突起、微小ＬＰＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｐｏｉｎｔ Ｄｅｆｅｃｔ）などが確認されている。

このような微小な欠陥は研磨工程において導入されるものも多い。研磨工程において導入される欠陥は、ＰＩＤ（Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｄｅｆｅｃｔ）と総称される。
そして、上述のように、従来問題になっていなかったような微小なＰＩＤについても、その発生を抑制する必要が出てきた。

このようなＰＩＤの発生を抑制するために、例えば、特許文献２には、研磨スラリーを所定のものとすることが提案されている。しかし、このような方法によってもＰＩＤの抑制は不十分であった。

特開２００４−１９３５２９号公報 特開２００５−４５１０２号公報

本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、ＰＩＤの少ないシリコン単結晶ウエーハを得ることができる仕上げ研磨方法を提供することを主な目的とする。

上記目的を達成するため、本発明は、シリコン単結晶ウエーハと研磨布との間に研磨スラリーを介在させて前記シリコン単結晶ウエーハを研磨する複数段の研磨工程のうち、最終段である仕上げ研磨工程において、研磨速度を、１０ｎｍ／ｍｉｎ以下として仕上げ研磨することを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの仕上げ研磨方法を提供する。

このような、仕上げ研磨工程において、研磨速度を１０ｎｍ／ｍｉｎ以下として仕上げ研磨するシリコン単結晶ウエーハの仕上げ研磨方法であれば、仕上げ研磨工程中のＰＩＤの生成を抑制することができる。さらに、研磨速度を５ｎｍ／ｍｉｎ以下の低速にすれば、より好ましい。その結果、ＰＩＤの少ないシリコン単結晶ウエーハとすることができる。

この場合、前記仕上げ研磨における研磨速度を、前記研磨されるシリコン単結晶ウエーハと前記研磨布との相対速度を調節することにより調節することが好ましい。
このように、仕上げ研磨における研磨速度を、研磨されるシリコン単結晶ウエーハと研磨布との相対速度を調節することにより調節すれば、簡便な調節方法により、研磨速度を調節することができ、かつ十分な効果を得ることができる。

また、前記仕上げ研磨における研磨代を、５ｎｍ以上とすることが好ましい。
このような仕上げ研磨における研磨代を、５ｎｍ以上とすれば、より確実にシリコン単結晶ウエーハ表面のヘイズを低減することができる。

また、前記仕上げ研磨工程の少なくとも終了時点における研磨速度を、１０ｎｍ／ｍｉｎ以下とすることが好ましい。
このように、仕上げ研磨工程の少なくとも終了時点における研磨速度を１０ｎｍ／ｍｉｎ以下とすればＰＩＤの低減効果は十分である。また、仕上げ研磨工程においてまず研磨速度を１０ｎｍ／ｍｉｎを超えるものとし、その後に研磨速度を１０ｎｍ／ｍｉｎ以下とすれば、生産性を著しく低下させずに仕上げ研磨を行うことができる。

また、本発明は、前記のシリコン単結晶ウエーハの仕上げ研磨方法によって仕上げ研磨されたシリコン単結晶ウエーハであって、ウエーハ表面のＰＩＤが、直径３００ｍｍウエーハ換算で１００個未満であることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハを提供する。

このような、前記のシリコン単結晶ウエーハの仕上げ研磨方法によって仕上げ研磨されたシリコン単結晶ウエーハであれば、ウエーハ表面のＰＩＤが、直径３００ｍｍウエーハ換算で１００個未満であるシリコン単結晶ウエーハとすることができ、今までにないＰＩＤが少なく、品質の高いシリコン単結晶ウエーハとすることができる。

本発明に係るシリコン単結晶ウエーハの仕上げ研磨方法によれば、仕上げ研磨工程中のＰＩＤの生成を抑制することができ、ＰＩＤの少ないシリコン単結晶ウエーハとすることができる。そして、このようなシリコン単結晶ウエーハをデバイス工程に投入すれば、歩留まりよくデバイスを作製することができる。

以下、本発明についてさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
前述のように、従来問題になっていなかったような微小なＰＩＤについても、その発生を抑制することが求められている。
従来、ＰＩＤは主に１次研磨、２次研磨において導入されるものと考えられており、きわめて研磨代の少ない仕上げ研磨による影響はほとんどないものと考えられていた。しかしながら、本発明者らの調査により、仕上げ研磨もＰＩＤの発生に少なからず影響していることが判った。

代表的なＰＩＤである線状突起が発生する原理の一つとして本発明者らが考え出した仮説を、研磨工程が１次研磨、２次研磨、仕上げ研磨の三段階の工程を有する場合について図５を参照しながら説明する。
線状欠陥は、従来の検査装置ではほとんど検出できないような微小なＰＩＤであるが、例えばコンフォーカル光学系のレーザー顕微鏡を用いてシリコン単結晶ウエーハの表面を観察すると容易に観察される（図７（ａ））。その特徴としては、図７（ｂ）に示したように、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）でその線状欠陥を観察すると、高さが５ｎｍ以下、幅が１００〜３００ｎｍで、長さが概ね０．５μｍ以上である線状でかつ突起状の欠陥である。

次に、研磨工程中にＰＩＤが発生する原理の仮説を図を用いて説明する。
図５（ａ）には１次研磨終了後、２次研磨開始前のシリコン単結晶ウエーハを示している。１次研磨後でもＰＩＤは発生している。しかし、１次研磨に起因するＰＩＤは、２次研磨における研磨代が大きいため、問題となることはない。

図５（ｂ）には２次研磨中の様子を示している。
研磨スラリー中には研磨粒子（コロイダルシリカなど）とは別に、異物が混入している。このような異物として考えられるものは、例えば、研磨スラリー配管系の汚れや、コロイダルシリカのゲル化物、研磨スラリー原料中のシリカ以外の粒子、研磨布からちぎれた繊維の異物等が挙げられる。これらの異物は多かれ少なかれ存在し、一般に研磨能力を持たない。従って、これらの異物が付着した部分は研磨が遅れ、微小な突起状の欠陥となる（図５（ｃ））。

図５（ｄ）には仕上げ研磨中の様子を示している。
２次研磨で発生した線状突起のうち一部は仕上げ研磨において除去されるが、一部は残留する。また、仕上げ研磨中においても上記の２次研磨中と同様のメカニズムによって仕上げ研磨起因の線状突起が発生する。
このようにして、仕上げ研磨終了後には、図５（ｅ）のように、２次研磨起因のＰＩＤと仕上げ研磨起因のＰＩＤがシリコン単結晶ウエーハの被研磨面上に発生すると考えた。

このような仮説に基づき、本発明者らは、研磨工程において研磨速度を遅くし、ゆっくり研磨すれば、シリコン単結晶ウエーハの表面に付着した異物が、突起が形成される前に除去されるものと考えた。

シリコン単結晶ウエーハを仕上げ研磨する目的は、ウエーハ表面をヘイズが解消するまで平滑にし、かつ清浄に仕上げることにある。そして、研磨材料、研磨条件、研磨代等が、この目的を達成するために管理されている。しかし、仕上げ研磨工程における研磨速度は、あくまで設定した研磨条件で決まる結果であり、範囲の特定や管理を特に行っていなかった。すなわち、従来、仕上げ研磨では研磨代が通常１０〜８０ｎｍ程度以下と非常に少なく、研磨速度を管理する必要がなく、ヘイズの程度が規格内に収まるまで研磨を行っていただけであった。また、生産の都合上、研磨速度はできるだけ速くするようにしていた。

しかし、本発明者らは、本発明者らが見出した前述のような知見から、仕上げ研磨工程においても研磨速度を管理して制御することにより、仕上げ研磨工程において発生するＰＩＤ、特に、線状突起を抑制することができ、その結果、研磨工程全体において発生するＰＩＤの総量も抑制することができることに想到し、本発明を完成させた。

以下、本発明の実施の形態について具体的に説明する。
以下では、研磨工程が１次研磨、２次研磨、仕上げ研磨の三段階の工程を有する場合について説明するが、本発明はこれに限定されず、複数段の研磨工程を有するシリコン単結晶ウエーハの製造工程において適用することができる。

まず、シリコン単結晶ウエーハを用意し、研磨工程の前の各種処理を行う。なお、本明細書中では、シリコン単結晶ウエーハとは、ウエーハ全体がシリコン単結晶からなるウエーハの他に、少なくとも被研磨面がシリコン単結晶であるウエーハも含む。例えば、絶縁体上に単結晶シリコン層が形成されているＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエーハ等の仕上げ研磨にも本発明を適用することができる。

次に、このシリコン単結晶ウエーハに対して、通常の方法を用いて、１次研磨、２次研磨を行う。ここでの研磨方法は特に限定されない。研磨装置としては両面研磨装置、片面研磨装置のいずれを用いてもよい。また、研磨スラリーの組成、温度、研磨圧力、研磨代、研磨速度等の各種条件も特に限定されない。

このようにして１次研磨、２次研磨を行ったシリコン単結晶ウエーハに対し、研磨工程中で最終段である仕上げ研磨を、研磨速度（１分間当たりの研磨代）を１０ｎｍ／ｍｉｎ以下として行う。なお、これは必ずしも仕上げ研磨工程中において常に研磨速度を１０ｎｍ／ｍｉｎ以下とすることだけを意味するものではなく、仕上げ研磨工程中の少なくとも一部において研磨速度を１０ｎｍ／ｍｉｎ以下として研磨する態様を含む。特に、仕上げ研磨工程においてまず研磨速度を１０ｎｍ／ｍｉｎを超えるような高速とし、その後に研磨速度を１０ｎｍ／ｍｉｎ以下とし、仕上げ研磨工程の少なくとも終了時点における研磨速度を１０ｎｍ／ｍｉｎ以下とすることが好ましい。
なお、研磨速度を１０ｎｍ／ｍｉｎ以下とする理由は後述する。

仕上げ研磨における研磨装置としては両面研磨装置、片面研磨装置のいずれにも本発明を適用することができる。
図６に片面研磨装置の一例の概略断面図を示した。
この片面研磨装置２１は、研磨パッド２２が貼付された定盤２３と、シリコン単結晶ウエーハＷを保持する研磨ヘッド２５と、研磨スラリー供給手段２６等を具備している。定盤２３と研磨ヘッド２５が不図示の駆動源によって回転され、ウエーハＷが研磨パッド２２に摺接され、シリコン単結晶ウエーハＷの被研磨面が研磨される。研磨時には、研磨スラリー供給手段２６から研磨スラリーが供給される。

研磨速度を調節するには様々な手段を採用することができるが、研磨されるシリコン単結晶ウエーハと研磨布との相対速度を調節することにより調節すれば、簡便な調節方法により、研磨速度を調節することができ、かつ十分な効果を得ることができる。シリコン単結晶ウエーハと研磨布との相対速度の調節は、例えば図６に示した片面研磨装置であれば、定盤２３の回転速度と研磨ヘッド２５の回転速度を調節することによって行うことができる。
その他、研磨スラリーの組成やｐＨ、研磨布の種類や使用時間、研磨の際の温度、研磨圧力等を調節することによって研磨速度を調節することが可能であり、適宜選択することができる。
研磨速度を所定の値とするための具体的な上記各種条件は、例えば、実際にシリコン単結晶ウエーハの研磨を行い、研磨代の測定から研磨速度を算出して実験的に求めることができる。

以上のように、仕上げ研磨工程において研磨速度を１０ｎｍ／ｍｉｎ以下とすることによって、仕上げ研磨におけるＰＩＤの発生を抑制することができる。さらに、研磨速度を５ｎｍ以下の低速にすればより好ましい。また、特に、仕上げ研磨工程においてまず研磨速度を１０ｎｍ／ｍｉｎを超えるものとして効率よくヘイズを低減し、その後に研磨速度を１０ｎｍ／ｍｉｎ以下とし、仕上げ研磨工程の少なくとも終了時点における研磨速度を１０ｎｍ／ｍｉｎ以下とすれば、ＰＩＤも十分に低減することができる。このようにすれば、生産性を著しく低下させずに仕上げ研磨を行うことができ、ヘイズとＰＩＤをともに低減することができるので好ましい。この場合の研磨速度を１０ｎｍ／ｍｉｎ以下として研磨する研磨代は、例えば、１ｎｍ以上とすればよく、十分にＰＩＤを低減することができる効果を得ることができる。
なお、ヘイズを低減する目的から、仕上げ研磨における研磨代は５ｎｍ以上とすることが好ましい。

以下、上述した研磨速度を１０ｎｍ／ｍｉｎ以下とする理由等について、研磨工程が１次研磨、２次研磨、仕上げ研磨の三段階の工程を有する場合について行った実験例を示して説明する。

（実験例１）
まず、１次研磨の直前まで各種処理を行ったシリコン単結晶ウエーハを２枚用意した。用意したシリコン単結晶ウエーハは直径２００ｍｍ、Ｐ型（比抵抗１Ωｃｍ以上）のＣＺシリコン単結晶ウエーハである。
次に、１次研磨を、両面研磨装置で、研磨布を発泡ウレタン、研磨スラリーをＮａＯＨベースコロイダルシリカとし、研磨代を両面合計で約２０μｍとして行った。
次に、２次研磨を、片面研磨装置で、研磨布をポリウレタン不織布、研磨スラリーをＮａＯＨベースコロイダルシリカとし、研磨代をおよそ０．５〜１．５μｍとして行った。

次に、仕上げ研磨を、図６に示したような片面研磨装置を用い、研磨布を使用時間１０００分程度のポリウレタンスウェード、研磨スラリーをＮＨ_４ＯＨベースコロイダルシリカ、研磨時間を２．５分として行った。ただし、定盤の回転速度を２５ｒｐｍ（試料１）、４０ｒｐｍ（試料２）とした。研磨後に仕上げ研磨における研磨代を測定し、研磨代はそれぞれ８．３０ｎｍ（試料１）、２０．６ｎｍ（試料２）、研磨速度はそれぞれ３．３２ｎｍ／ｍｉｎ（試料１）、８．２４ｎｍ／ｍｉｎ（試料２）であった。

研磨された各シリコン単結晶ウエーハの表面上のＰＩＤ測定を、コンフォーカル光学系のレーザー顕微鏡（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ）を用いて行った。ＭＡＧＩＣＳの測定条件は、Ｎｏｒｍａｌ Ｓｃａｎ、Ｓｌｉｃｅ Ｌｅｖｅｌ ２４ｍＶとし、直径２００ｍｍウエーハの測定値は直径３００ｍｍの面積当たりの数に換算した。測定された欠陥が、実際に研磨工程において導入されたＰＩＤであることの判別は困難であるが、本明細書中においては、コンフォーカル光学系のレーザー顕微鏡を用いて測定できる欠陥をＰＩＤとみなす。

ＰＩＤの個数はそれぞれ、３１個（試料１）、４７個（試料２）であった。なお、いずれの試料においても、ＰＩＤの１／３程度が線状突起であり、２／３程度が微小ＬＰＤであり、その他の欠陥種はわずかであった。

（実験例２）
実験例１と同様に、１次研磨の直前まで各種処理を行ったシリコン単結晶ウエーハを２枚用意した。用意したシリコン単結晶ウエーハは直径２００ｍｍ、Ｐ型（比抵抗１Ωｃｍ以上）のＣＺシリコン単結晶ウエーハである。但し、研磨布として使用時間が５０００分程度経過したものを用いて、定盤の回転速度を２５ｒｐｍ（試料３）、４０ｒｐｍ（試料４）としてシリコン単結晶ウエーハの仕上げ研磨を行った。このとき、研磨代はそれぞれ、２２．４ｎｍ（試料３）、３６．４ｎｍ（試料４）であり、研磨速度はそれぞれ、８．９６ｎｍ／ｍｉｎ（試料３）、１４．６ｎｍ／ｍｉｎ（試料４）であった。
ＰＩＤの個数は実験例１と同様に測定し、それぞれ、６１個（試料３）、１１０個（試料４）であり、それぞれ１／３程度が線状突起であり、２／３程度が微小ＬＰＤであり、その他の欠陥種はわずかであった。

実験例１、２から得られた仕上げ研磨工程における研磨速度とＰＩＤ個数との関係を図１に示した。
図１より、研磨速度とＰＩＤ個数との間に正の相関関係があることがわかる。
また、実験例１と実験例２では、異なる使用時間（パッドライフ）の研磨布を使用したため、同一の定盤回転速度の場合でも研磨速度が異なっているが、研磨速度とＰＩＤ個数との関係に着目すれば、相関関係があることが確認できた。

（実験例３）
まず、１次研磨の直前まで各種処理を行ったシリコン単結晶ウエーハを６枚用意した。用意したシリコン単結晶ウエーハは直径２００ｍｍ、Ｐ型（比抵抗１Ωｃｍ以上）のＣＺシリコン単結晶ウエーハである。
次に、１次研磨を、片面研磨装置で、研磨布をポリウレタン不織布、研磨スラリーをＮａＯＨベースコロイダルシリカとし、研磨代をおよそ８〜１２μｍとして行った。
次に、２次研磨を、片面研磨装置で、研磨布をポリウレタン不織布、研磨スラリーをＮａＯＨベースコロイダルシリカとし、研磨代をおよそ０．５〜１．５μｍとして行った。

次に、仕上げ研磨を、図６に示したような片面研磨装置を用い、研磨布をポリウレタンスウェード、研磨スラリーをＮＨ_４ＯＨベースコロイダルシリカとして行った。ただし、研磨ヘッドの回転速度を一定にし、定盤の回転速度、研磨時間を下記の表１のようにして研磨を行った。
研磨後に仕上げ研磨における研磨代を測定した結果、表１中に示すような研磨代、研磨速度であった。

試料５〜１０のＰＩＤ個数を実験例１と同様に測定し、図２に仕上げ研磨工程における研磨速度とＰＩＤ個数との関係を示した。
図２からも、研磨速度とＰＩＤ個数との間に正の相関関係があることがわかる。

また、実験例３における研磨代とＰＩＤ個数との関係を図４に示した。図４より、ほぼ同一の研磨速度で研磨され、研磨代が異なる試料間（すなわち、同じ定盤回転速度で異なる研磨時間研磨された試料間）において、相関関係はなかった。すなわち、研磨代自体とＰＩＤ個数の間には直接的には相関関係がないことがわかる。

（実験例４）
実験例１と同様に、但し、直径３００ｍｍ、Ｐ型（比抵抗１Ωｃｍ以上）のＣＺシリコン単結晶ウエーハを４枚用意し、仕上げ研磨を、定盤回転数を４３、３０、２０、１０ｒｐｍ（試料１１〜１４）として行った。このとき、研磨代はそれぞれ４４．６、２９．４、１８．２、６．１７ｎｍであり、研磨速度はそれぞれ１９．１、１２．６、７．８３、２．６５ｎｍ／ｍｉｎであった。
試料１１〜１４のＰＩＤ個数を実験例１と同様に測定し、仕上げ研磨工程における研磨速度とＰＩＤ個数との関係を図３に示した。
図３からも、研磨速度とＰＩＤ個数との間に正の相関関係があることがわかる。

実験例１〜４のそれぞれの仕上げ研磨における研磨条件及びＰＩＤ個数を表２にまとめた。

以上の実験結果から、仕上げ研磨工程における研磨速度は１０ｎｍ／ｍｉｎ以下とすれば、ＰＩＤの発生を効果的に抑制することができ、直径３００ｍｍウエーハ換算で１００個程度未満のように非常に少ない研磨ウエーハとすることができることがわかった。また、研磨速度をさらに遅くすればＰＩＤ個数をさらに抑制することができ、例えば、研磨速度を５ｎｍ／ｍｉｎ以下とすれば、ＰＩＤ個数を８０個程度以下に抑制することができることがわかった。

なお、仕上げ研磨工程における研磨速度の下限は特に限定されないが、生産性との兼ね合いや、ヘイズの低減効果、制御のしやすさ等によって決定し、例えば、０．１ｎｍ／ｍｉｎ以上とすることができる。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

実験例１及び２の、仕上げ研磨工程における研磨速度とウエーハ表面上のＰＩＤ個数との関係を示したグラフである。 実験例３の、仕上げ研磨工程における研磨速度とウエーハ表面上のＰＩＤ個数との関係を示したグラフである。 実験例４の、仕上げ研磨工程における研磨速度とウエーハ表面上のＰＩＤ個数との関係を示したグラフである。 実験例３の仕上げ研磨工程における研磨代とウエーハ表面上のＰＩＤ個数との関係を示したグラフである。 研磨工程中にＰＩＤが発生する原理の仮説の説明図である。 片面研磨装置の一例を示した概略断面図である。 線状突起をコンフォーカル光学系のレーザー顕微鏡と原子間力顕微鏡で撮影した画像である。

符号の説明

２１…片面研磨装置、 ２２…研磨パッド、 ２３…定盤、 ２５…研磨ヘッド、
２６…研磨スラリー供給手段、 Ｗ…ウエーハ。

Claims (3)

1. シリコン単結晶ウエーハと研磨布との間に研磨スラリーを介在させて前記シリコン単結晶ウエーハを研磨する複数段の研磨工程のうち、最終段である仕上げ研磨工程において、まず研磨速度を１０ｎｍ／ｍｉｎを超えるものとし、少なくとも終了時点における研磨代１ｎｍ以上研磨する研磨速度を、５ｎｍ／ｍｉｎ以下とし、前記仕上げ研磨における研磨代を、５ｎｍ以上として、仕上げ研磨することを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの仕上げ研磨方法。
2. 前記仕上げ研磨における研磨速度を、前記研磨されるシリコン単結晶ウエーハと前記研磨布との相対速度を調節することにより調節することを特徴とする請求項１に記載のシリコン単結晶ウエーハの仕上げ研磨方法。
3. 請求項１または請求項２に記載のシリコン単結晶ウエーハの仕上げ研磨方法によって仕上げ研磨されたシリコン単結晶ウエーハであって、ウエーハ表面のＰＩＤが、直径３００ｍｍウエーハ換算で８０個以下であることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。

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