CN100377218C - 磁记录介质和磁记录装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种垂直磁记录介质，其能够协调高记录密度和高热稳定性，具有高写入能力，同时保持高磁各向异性能。该垂直磁记录介质具有软磁衬层(13)和磁记录层，该磁记录层包括含取向于介质平面法线方向的磁性晶粒的第一记录层(15)和含沿轨道宽度方向倾斜的磁性晶粒的第二记录层(16)。这是一种能够抵抗热波动，介质噪音小，并且写入能力优秀的垂直磁记录介质。
Description
技术领域
本发明涉及应用垂直磁记录技术的磁记录介质和磁记录装置，特别涉及面记录密度不小于每平方厘米23.2千兆比特(gigabits)的磁记录介质和使用该磁记录介质的磁记录装置。
背景技术
随着纵向磁记录***在现在磁盘驱动器上的应用，为了提高分辨率，需要通过减小磁性膜即记录介质的剩余磁化强度与磁性膜厚度的乘积以降低记录位中的去磁磁场。此外，由于需要减小磁性膜的晶粒尺寸以降低介质噪音，减少磁性膜的磁性晶粒体积成为必需。关于这一点，如果磁性晶粒体积减少，则由于环境热度的影响，磁性晶粒的磁化会波动，进而导致记录信息的遗失，由此所谓的热去磁的问题就会变得很突出。过去，通过增加磁性膜的磁各向异性来抑制热去磁，但是，由于从记录磁头发出的磁场强度有限，因此很难进一步提高磁性膜的磁各向异性。其次，也很难利用纵向磁记录***获得超过每平方厘米23.2千兆比特(gigabits)的记录密度。
垂直磁记录***作为解决这些问题的方法被关注。垂直磁记录***是这样一种***：形成记录位以使得记录介质的磁化垂直于介质平面，并且相邻记录位的磁化为相互反平行。利用垂直磁记录***，磁化转变区的去磁场很小，与利用纵向磁记录***的情况相比，形成了陡峭的磁化转变区，因此可以在高密度下稳定磁化。从而，与利用纵向磁记录***的情况相比可以增加膜厚度以获得同样的分辨率，由此，使得热去磁受到抑制。更进一步，通过将具有垂直磁记录层及软磁衬层的垂直磁记录介质与单极型记录磁头结合，可获得高记录磁场，并且可以为垂直磁记录层挑选高的磁各向异性材料，以使热去磁进一步得到抑制。
对于垂直磁记录介质的磁记录层(磁性层)，可利用在纵向磁记录介质中也使用的Co-Cr-Pt基合金膜，或者利用Co和Pt在多个层中交替层叠的超晶格多层，诸如此类正在研究当中。此外，利用粒状介质的建议已被提出，该粒状介质具有这样的结构，个体的磁性晶粒被磁隔离，柱状磁性晶粒被诸如氧化物、氮化物等包围以降低介质噪音。例如，日本专利申请JP-A No.342908/2002号公开了一种介质，它通过在Co-Cr-Pt合金中增加含8％至16％原子百分比的硅的硅氧化物而获得。
使用垂直磁记录***，需要使晶粒尺寸变小且均匀，以降低介质噪音。并且，如果记录层非常厚，磁头发出的记录磁场会变小。为此，为了获得更高的记录密度，磁性晶粒需要减小体积，但这样会使热去磁的问题变得突出。而使用纵向磁记录***，磁头发出的磁场有限，这使得增加记录层的磁各向异性会受限制。
为了解决这个问题，记录层的易磁化轴相对于记录磁场倾斜的介质被提出，作为降低使记录层磁化翻转所需记录磁场的方法。例如，在IEEE Transactions on Magnetics，Vol.38，No.6，November 2002，pp.3675-3683，“Magnetic Recording Configuration for Densities beyond 1Tb/in2”中描述了一种垂直磁记录介质，其记录层的易磁化轴相对于介质平面的法线方向倾斜45度。据描述，该介质由于易磁化轴相对于记录磁场倾斜，其磁化翻转所需的磁场被大大降低，这样记录层的磁各向异性能可被大大增加，从而使高记录密度和高热稳定性相协调。
如上所述，利用垂直磁记录介质，通过将磁记录层的易磁化轴相对于介质平面法线方向倾斜，有可能大大减小所需记录磁场，同时保持高磁各向异性能，因此可期望能够协调高SNR和高热稳定性。为倾斜易磁化轴，采用通过在形成磁记录层时限制粒子的入射方向而形成倾斜形状的磁性晶粒的方法的非常有效。不过，在这种情况下，由于淀积速率的衰退，会出现生产率的问题。并且，由于磁性晶粒倾斜，介质平面上晶粒的投影面积扩大，导致形成彼此邻近的晶粒重叠的结构，所以，在晶粒沿着下磁道方向倾斜的情况和常规的斜汽相淀积的介质情况下，出现分辨率衰退的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种磁记录介质，该磁记录介质能够协调高记录密度和高热性能，并具有高写入能力，同时保持高磁各向异性能，而不导致生产率和分辨率的衰退。
根据本发明的磁记录介质，具有软磁衬层和磁记录层，磁记录层包括含有取向于介质平面法线方向的磁性晶粒的第一记录层和含有沿轨道宽度(cross-track)方向倾斜的磁性晶粒的第二记录层。并且，根据本发明的磁记录装置具有所述的磁记录介质和单极型记录头。由此，可获得以下有益效果。
(1)通过将第二记录层中包含的柱状磁性晶粒和易磁化轴相对于介质平面法线方向倾斜，可实现高写入能力，同时保持高热能力。
(2)通过使第二记录层中包含的磁性晶粒在介质平面上的投影与下行磁道(down-track)方向形成的夹角在70-110度的范围(在当前的描述中，该角度范围被称为“轨道宽度方向”)，可以降低磁性晶粒在介质平面上沿着磁道方向投影长度的变化(磁性晶粒在平行于介质平面的平面上投影的沿着平行于记录磁道方向上的图像长度)。在第二记录层中包含的磁性晶粒在介质平面上的投影方向和下行磁道方向形成的夹角偏离所述的角度范围的情况下，磁性晶粒在介质平面上沿着磁道方向的投影长度将会增加，导致分辨率的衰退。因此，柱状物的倾斜方向优选为轨道宽度方向。
(3)通过使含有垂直于介质平面的柱状磁性晶粒的第一记录层形成于第二记录层顶部或下面，可以获得高写入能力，同时保持磁性晶粒在介质平面上沿轨道宽度方向的投影长度较小。结果，可以抑制磁道分辨率的衰退，从而实现高磁道密度。在这种情况下，第一记录层的易磁化轴优选相对于介质平面的法线方向向轨道宽度方向倾斜。
(4)具有垂直于介质平面的柱状磁性晶粒的第一记录层能够以高淀积率形成，由此可以通过降低低淀积率的第二记录层的厚度来提高生产率。
根据本发明的磁记录装置使用单极型记录头在磁记录介质上记录信息。具有单极型记录头和软磁衬层的磁记录装置在组合了具有高写入能力的介质而产生磁化转变时，可以增加施加到介质上的磁场强度对介质上位置的变化率(磁场构成)。由于这种磁场构成增加的促进作用以及前面(2)和(3)所述的介质特性，可以产生急剧的磁转变，因此可实现大于每平方厘米23.2千兆比特的记录密度。
根据本发明的磁记录装置至少具有单极型记录头、装有单极型记录头的滑块和装有滑块的悬臂以及支撑悬臂的致动器，通过旋转致动器而将单极型记录头移动到旋转的圆盘形磁记录介质上的任意位置，该磁记录装置具有记录信息的功能。单极型记录头至少具有主磁极和辅助磁极。
本发明提供垂直磁记录介质，该垂直磁记录介质具有高写入能力同时保持高垂直磁各向异性能，并抵抗热波动，介质噪音小，写入能力优异。
附图说明
图1是根据本发明的垂直磁记录介质的一个实施例的剖面示意图；
图2是根据本发明的垂直磁记录装置的示意图；
图3是根据本发明的垂直磁记录装置的磁记录过程示意图；
图4是用于形成第二记录层的溅射装置的示意图；
图5显示了制造根据本发明的垂直磁记录介质的方法；
图6是根据本发明的垂直磁记录介质另一实施例的剖面示意图；
图7是根据本发明的垂直磁记录装置另一实施例的剖面示意图；
图8示出从悬浮平面看去单极型记录磁头的磁极的布局示意图。
具体实施方式
以下，将参考附图描述本发明的实施例。
实施例1
图1是根据透射电子显微镜(TEM)图象准备的剖面示意图，示出根据本发明的垂直磁记录介质的第一实施例。图2是根据本发明的磁记录装置的一个实施例的示意图。
根据本发明的磁记录装置，滑块23固定在由旋转致动器21支撑的悬臂22的头部。通过附在滑块末端的磁头元件24向沿图中旋转方向25旋转的磁记录介质26记录信息或读出信息。单极型记录头用作磁头元件24的写入器，巨磁阻磁头用作磁头元件24的读出器。当旋转致动器21旋转时，磁头元件24被移动到磁盘的各个径向位置，因而能够使其定位得以实现。记录磁道27在介质上形成为同心圆。
图3是示出根据本发明的一个实施例的磁记录过程中磁头及介质布置示意图。磁头包括由主磁极31、辅助磁极32及线圈33组成的写入器(单极型记录头)和具有夹在一对磁屏蔽32、37之间的巨磁阻元件38的读出器，其中一个磁屏蔽兼作辅助磁极。布置磁头以使其对着由磁记录层34和软磁衬层35组成的磁记录介质。在线圈33中通电流而激励时，在主磁极31顶端和软磁衬层35间产生垂直方向的磁场，从而在磁记录介质的磁记录层34上实施记录。流入软磁衬层35的磁通返回到辅助磁极32，从而形成磁路。通过旋转使介质沿方向36行进，当介质和磁头相对改变各自的位置时记录被执行。严格意义上说，由于记录磁道是围绕介质旋转中心的同心圆，所以这里所述的记录磁道方向表示为与记录磁道接触点所处位置的切线方向。并且，轨道宽度方向和介质的径向一致。图1所示部分是沿轨道宽度方向的局部剖面图，并且图1中线A-A’的方向对应于图2中线A-A’的方向。
图5(a)示出根据本实施例的垂直磁记录介质各层的制作步骤。用例如溅射法、化学汽相淀积(CVD)法等淀积方法在一个或多个处理室中对每种组成材料执行各步骤。衬底11(参照图1)由直径63.5mm的玻璃衬底制成。作为衬底11，可以使用由金属材料如铝等制成的衬底或由非金属材料如玻璃、硅等制成的衬底。淀积籽层12以增加衬底利薄膜间的附着力。本实施例中，厚度为30nm的Ni-Ta(37.5at.％)-Zr(10at.％)合金层由溅射法形成(步骤51)。提供软磁衬层13以由单极型记录磁头施加介质平面法线方向的强磁场，该软磁衬层13优选由饱和磁通密度Bs不小于1T且具有高导磁率的铁磁材料如钴基无定形材料、铁合金材料等等形成。并且，为了改善软磁衬层13的磁性能从而降低磁畴壁的漏磁通产生的磁噪音，软磁衬层13可以具有由中间非磁性材料分隔铁磁性材料的多层结构。本实施例中，作为软磁衬层13，通过溅射法顺序形成厚度为50nm的Co-Ta(3at.％)-Zr(5at.％)合金层、厚度为0.6nm的Ru层和厚度为50nm的Co-Ta(3at.％)-Zr(5at.％)合金层(步骤52)。
中间层14在中断第二记录层16和软磁衬层13间的磁交换相互作用的同时使第二记录层16的结晶取向对齐，并通过促进第二记录层16中的磁性晶粒的柱状结构的形成来调节第二记录层16的磁各向异性。作为第二记录层16的构成材料，可选择无定形结构、六方密堆结构或面心立方结构的非磁性材料，但是优选使用具有高(0001)取向并且具有增加第二记录层16的结晶取向效果的如Ru，Ti，Hf等金属或含该金属的合金。并且通过形成具有柱状结构和具有周长在5至10nm范围的凹陷和凸起的表面的结构的中间层14，可以促进此后所述的第二记录层16的柱状结构的形成。并且，中间层14可以形成为由具有不同表面自由能的组成材料如氧化镁和钯组合构成的多层材料，从而通过表面层的岛状生长形成有凹陷和凸起的表面。本实施例中，作为中间层14，顺序形成厚1nm的Ta层和厚20nm的Ru层(步骤53)。
第一记录层15和第二记录层16使用由Co-Cr-Pt合金和Si氧化物制成的靶通过溅射法形成(步骤54，55)。下面描述用于形成第二记录层16的步骤54的一个实施例。图4所示的溅射装置40用于在衬底41上形成第二记录层16，该溅射装置具有射出溅射粒子的溅射靶42和限制溅射微粒的入射方向至特定方向的遮挡板43。溅射靶42由要形成的层的组成材料构成，并形成为圆盘形。遮挡板43具有溅射微粒通孔44，遮挡板被放置在衬底41和溅射靶42之间。设置每个溅射粒子通孔44的形状以使得当从溅射靶42射出的溅射粒子淀积在衬底41上时溅射例子的入射角为大约45度。这样，通过限制溅射粒子的入射方向，形成具有柱状结构的第二记录层16，并且由氧化物等形成的各个非磁性晶粒边界19包围磁性晶粒18，该磁性晶粒18沿着中间层14表面的凹陷和凸起生长，各柱状物处于沿径向方向倾斜的状态。在这种情况下，即使第二记录层16的磁性晶粒的易磁化轴方向是介质平面的法线方向，第二记录层16的易磁化方向由于柱状物的形状各向异性而朝着柱状物的倾斜方向倾斜。不过，通过调节晶格间距和中间层14表面的结晶取向，第二记录层16的结晶平面可以沿轨道宽度方向倾斜。图1示出第二记录层16沿轨道宽度方向朝衬底外侧倾斜的例子，但是通过改变每个溅射粒子通孔44的形状，第二记录层16也可以朝着衬底内侧倾斜。
第一记录层15以普通溅射方法淀积，不使用遮挡板43而使磁性晶粒的柱状物生长方向和介质平面的法线方向一致。这种关系下，通过朝柱状物的倾斜方向倾斜第二记录层16的结晶平面和利用外延效应朝第二记录层16的柱状物倾斜方向倾斜第一记录层15的结晶表面，同样可以倾斜第一记录层15的易磁化轴。
作为保护层17，通过溅射法形成4nm厚的碳层(步骤56)。作为保护层17的组成材料，可以使用碳氮化物、硅、氮化硅等公知的材料。以磁头浮起特性、介质的抗腐蚀和磁间距等观点来看，保护层17的厚度最好在2至10nm范围内。
参考图1所示垂直磁记录介质，第二记录层16的柱状物相对于介质平面法线方向倾斜45度，所有磁记录层的厚度T固定为20nm，第二记录层16的厚度T2是变化的。这种情况下，所有磁记录层的磁化翻转所需磁场、SNR、SNR对线记录密度的依赖关系、由偏轨(off-track)特性估计的面记录密度和淀积时间的变化在表1中示出。这种情况下，T2/T为0时的介质，即和常规垂直磁记录介质一样柱状物贯穿磁记录层的厚度都垂直的介质在对比例1中提及，而T2/T为1时的介质，即柱状物贯穿磁记录层的厚度都倾斜的介质，在对比例2中提及。
表1
| T2/T | 所需磁场(kA/m) | SNR(dB) | 线密度(kbits/mm) | 磁道密度(tracks/mm) | 面密度(Gbits/mm<sup>2</sup>) | 淀积时间(second) | 缺陷(number/surface) | |
| 实施例 | 0.1 | 756 | 19.8 | 39.4 | 6067 | 23.9 | 5.6 | 21 |
| 0.2 | 702 | 20.3 | 42.5 | 5995 | 25.5 | 7.2 | 35 | |
| 0.3 | 654 | 20.8 | 45.7 | 5924 | 27.1 | 8.8 | 52 | |
| 0.4 | 611 | 21.1 | 47.6 | 5854 | 27.8 | 10.4 | 45 | |
| 0.5 | 573 | 21.3 | 48.8 | 5787 | 28.3 | 12.0 | 38 | |
| 0.6 | 560 | 21.4 | 49.2 | 5721 | 28.2 | 13.6 | 67 | |
| 0.7 | 550 | 21.4 | 49.6 | 5656 | 28.1 | 15.2 | 80 | |
| 0.8 | 542 | 21.4 | 50.0 | 5593 | 28.0 | 16.8 | 132 | |
| 0.9 | 535 | 21.5 | 50.2 | 5531 | 27.8 | 18.4 | 196 | |
| 对比例 1 | 0 | 819 | 19.3 | 36.3 | 6142 | 22.3 | 4.0 | 34 |
| 对比例 2 | 1 | 528 | 21.5 | 50.5 | 5471 | 27.6 | 20.0 | 227 |
磁化翻转所需磁场被定义为当以6.41kfr/mm记录时磁场的再现输出(reproducing output)达到饱和值的80％时的磁场。磁记录层的磁性晶粒的平均粒度为12.7nm，磁各向异性常数是1.3×105J/m3，饱和磁化强度是0.314T，软磁衬层厚度为100nm，软磁衬层的饱和磁通密度是1.3T，软磁衬层的相对磁导率是500，单极型记录磁头的主磁极的宽度为110nm，厚度为150nm，饱和磁通密度为2.4T，磁头与介质间的磁间距为13nm，磁头与介质间的相对速度为20m每秒。执行位长度为152nm的低密度记录和位长度为38nm的高密度记录得到SNR，该SNR表示由高密度输出对于低密度输出的百分比所代表的分辨率对低密度输出对于由dB表示的高密度噪音的百分比的比率。磁头的磁场强度为653kA/m。
一般，由图4所示，由于溅射粒子的入射方向受到遮挡板43等的限制，第二记录层16的淀积速率和第一记录层15的淀积速率相比较低，第二记录层16的淀积速率随遮挡板的形状和淀积条件而变化，但是在当前情况下，第一记录层15的淀积速率被设置为5nm每秒，第二记录层16的淀积速率被设置为1nm每秒。
如表1所示，当用对比例1的介质时，所需磁场高达819kA/m，本实施例中，磁头磁场不够，但是随着T2和T比率增加，所需磁场相应降低，导致SNR相应地改善。这是由于第二记录层16的易磁化轴倾斜促进了磁化翻转，因此帮助第一记录层15经受磁化翻转。并且，根据本实施例的介质，由于当第二记录层16形成时第二记录层16的hcp(0002)面关于介质平面倾斜的作用，第一记录层15的hcp(0002)面关于介质平面倾斜5至10度。据推测这使第一记录层15的易磁化轴朝着介质平面法线方向倾斜，从而进一步降低了所需磁场。不管T2的值为多少，在每种情况下都发现记录十年以后的低密度输出和记录后立即的低密度输出的比值均为81％，记录十年以后的低密度输出是根据低密度输出随时间的变化而估计出的。
同时，当T2比值增加，磁道密度减小，T2和T的比值超过0.5时，面密度开始减小。这归因于由于T2增加，在介质平面上沿轨道宽度方向的投影长度增加。并且，随着第二记录层16的比值变大，淀积时间变长，导致生产率衰退。并且，当T2和T的比值超过0.7时，介质中的缺陷数量快速增加，每一磁盘表面超过最大允许值100。这是由于以倾斜方向溅射时的遮挡作用而在介质表面凹凸的加重，导致异常生长区域的数量增加。由以上观点，第二记录层16的厚度T2和垂直磁记录层的厚度T的比值，即T2/T优选在0.1至0.7的范围内。如果T2/T小于0.1，与对比例1的常规介质的情况比较，面密度增加的有利作用较小，如果T2/T大于0.7，缺陷数量增加，这都是不愿得到的。
通过调节遮挡板43中溅射粒子通孔44的形状，可以造出具有其柱状物的倾斜角变化的第二记录层16的介质。表2中示出介质的信噪比，在该介质中，T2/T保持为常数0.4，第二记录层16的柱状物的倾斜角向相对于介质平面的法线方向变化。在这种情况下，根据介质剖面的TEM图象得到各磁性晶粒部分和介质平面法线方向形成的夹角，并采用这些角度的平均值作为倾斜角。根据表1所示对比例1的介质，在倾斜角为10度和10度以上时，观察到信噪比有改善，但是，当介质倾斜角为70度时，信噪比突然衰退。这是由于淀积时溅射粒子的入射角的限制而导致很难从各非磁性晶粒边界中分离出磁性晶粒。基于以上结果，当第二记录层16在10至60度范围内倾斜时可以观察到发明的有益效果，进一步讲，第二记录层16的倾斜优选在30至50度范围内。
表2
| 倾斜角(度) | 信噪比(dB) |
| 1030456070 | 20.020.421.120.817.5 |
实施例2
图6是根据TEM图象准备的介质的剖面示意图，图中示出根据本发明的磁记录介质的第二实施例。本图中，和第一实施例中同样的部分以同样的附图标记示出。图5(b)示出制造介质的步骤。根据本实施例的介质制造步骤与根据第一实施例的介质制造步骤的区别仅在于第一记录层淀积步骤55和第二记录层淀积步骤54的执行顺序与第一实施例中的这些步骤执行顺序相反。各步骤51至56中的处理内容利第一实施例中的相同。
在非磁性衬底11上，顺序淀积用于增加与衬底的附着力的籽层12、软磁衬层13、中间层14、第一记录层15、第二记录层16和保护层17。由于第一记录层15的表面沿着中间层14表面的凹陷和凸起，和根据第一实施例的介质情况一样，各层可以制造出来。即使是在第二记录层16具有倾斜柱状物的情况下，在介质表面也可以得到和第一实施例中同样的有益效果。
实施例3
磁记录装置使用与根据第一实施例同样的磁记录介质的，在示意图7中示出了用于磁头的记录磁头和读出磁头的构造。更具体地，磁头包括由主磁极61、辅助磁极62及线圈63组成的写入器和具有夹在一对磁屏蔽69、69之间的巨磁阻元件68的读出器，布置该磁头以使其对着由磁记录层64和软磁衬层65组成的磁记录介质。现在，和第一实施例的情况不同，相对于主磁极61，辅助磁极62被布置在介质运行方向66的下游侧。并且，还提供了由软磁薄膜形成的磁屏蔽67，该磁屏蔽67与辅助磁极62连接并延伸到主磁极61附近。示意图8示出从磁头的空气承载表面(ABS)看去磁头的各磁极的布局。
根据本实施例的磁头，当磁场梯度由于磁屏蔽67位于主磁极61附近而增加进而减小了记录磁道宽度时，磁头的磁场强度降低。当磁屏蔽67和主磁极61之间的间距在磁道方向和磁道宽度方向上均为100nm时，同根据第一实施例的磁头比较，磁场梯度增加了50％，记录磁道的宽度减少了15％，但是记录磁场减小到550kA/m。因此，对照表1示出的根据对比例1的SNR退化到19.3dB的常规介质，利用表1示出的根据第一实施例的T2/T为0.4的介质，能够得到21.1dB的SNR。因此，虽然磁头结合常规磁记录介质时记录比较困难，但是结合根据本发明的介质可以实现高密度记录。
Claims (18)
1.一种磁记录介质，具有软磁衬层、用于记录信息的磁记录层和在软磁衬层和磁记录层之间形成的包含至少一层的中间层，所述磁记录层包括：
包含铁磁性晶粒以形成柱状结构的第一记录层和第二记录层，其中第一记录层具有沿介质平面法线方向取向的柱状物，第二记录层具有沿轨道宽度方向相对于介质平面的法线倾斜的柱状物。
2.根据权利要求1的磁记录介质，其中第一记录层的各个柱状物和介质平面法线方向之间的夹角小于10度，第二记录层的各个柱状物和介质平面法线方向之间的夹角大于等于10度且小于60度。
3.根据权利要求1的磁记录介质，其中中间层的至少一层包含形成柱状结构的晶粒，第二记录层被形成为与包含形成柱状结构的晶粒的层相接触，第一记录层在第二记录层顶部形成。
4.根据权利要求1的磁记录介质，其中中间层的至少一层包含形成柱状结构的晶粒，第一记录层被形成为与包含形成柱状结构的晶粒的层相接触，第二记录层在第一记录层顶部形成。
5.根据权利要求1的磁记录介质，其中中间层的至少一层具有岛状结构，第二记录层在中间层顶部形成，第一记录层在第二记录层顶部形成。
6.根据权利要求1的磁记录介质，其中中间层的至少一层具有岛状结构，第一记录层在中间层顶部形成，第二记录层在第一记录层顶部形成。
7.根据权利要求1的磁记录介质，其中第一记录层的易磁化轴沿着轨道宽度方向倾斜，并且该易磁化轴和介质平面法线方向间的夹角大于等于5度且小于60度。
8.根据权利要求1的磁记录介质，其中中间层包含六方密堆晶格结构的金属或该金属的合金。
9.根据权利要求1的磁记录介质，其中假设第一记录层和第二记录层的总厚度为T，第二记录层的厚度为T2，则T2/T在0.1至0.7的范围内。
10.一种磁记录装置，包括：
磁记录介质；
单极型记录磁头；
滑块，其上安装有单极型记录磁头；
悬臂，用于固定滑块；以及
致动器，用于支撑悬臂，
其中，所述磁记录介质具有软磁衬层、用于记录信息的磁记录层和在软磁衬层和磁记录层之间形成的包含至少一层的中间层，所述磁记录层包括：
包含铁磁性晶粒以形成柱状结构的第一记录层和第二记录层，第一记录层具有沿介质平面法线方向取向的柱状物，第二记录层具有沿轨道宽度方向相对于介质平面的法线倾斜的柱状物。
11.根据权利要求10的磁记录装置，其中第一记录层的各个柱状物和介质平面法线方向之间的夹角小于10度，第二记录层的各个柱状物和介质平面法线方向之间的夹角大于等于10度且小于60度。
12.根据权利要求10的磁记录装置，其中中间层的至少一层包含形成柱状结构的晶粒，第二记录层被形成为与包含形成柱状结构的晶粒的层相接触，第一记录层在第二记录层顶部形成。
13.根据权利要求10的磁记录装置，其中中间层的至少一层包含形成柱状结构的晶粒，第一记录层被形成为与包含形成柱状结构的晶粒的层相接触，第二记录层在第一记录层顶部形成。
14.根据权利要求10的磁记录装置，其中中间层的至少一层具有岛状结构，第二记录层在中间层顶部形成，第一记录层在第二记录层顶部形成。
15.根据权利要求10的磁记录装置，其中中间层的至少一层具有岛状结构，第一记录层在中间层顶部形成，第二记录层在第一记录层顶部形成。
16.根据权利要求10的磁记录装置，其中第一记录层的易磁化轴沿着轨道宽度方向倾斜，并且该易磁化轴和介质平面法线方向间的夹角大于等于5度且小于60度。
17.根据权利要求10的磁记录装置，其中中间层包含六方密堆晶格结构的金属或该金属的合金。
18.根据权利要求10的磁记录装置，其中假设第一记录层和第二记录层的总厚度为T，第二记录层的厚度为T2，则T2/T在0.1至0.7的范围内。
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