CN100350468C - 光盘烧录信号控制电路 - Google Patents

Abstract

一种光盘烧录信号控制电路，是利用一责任周期调整单元来调整烧录信号的责任周期。该光盘烧录信号控制电路包含：一EFM编码器，是接收输入信号并编码成EFM信号；一烧录策略波形产生单元，是接收EFM信号，并根据该EFM信号产生多组烧录信号；一责任周期调整单元，是接收多组烧录信号，并调整该等多组烧录信号的责任周期，且输出为多组已调整烧录信号；以及一责任周期侦测单元，是接收责任周期调整单元所输出的多组已调整烧录信号，并侦测该等多组已调整烧录信号的责任周期，并输出责任周期调整信号。该责任周期调整单元还接收责任周期调整信号，藉以调整多组烧录信号的责任周期。

Description

光盘烧录信号控制电路

技术领域

本发明涉及一种光盘烧录信号控制电路。

背景技术

图1显示一般光盘烧录装置中，烧录信号控制电路的方块图。如该图所示，该烧录信号控制电路10包含一EFM编码器(Eight-to-Fourteen Modulationencoder)11、一烧录策略波形产生单元(write strategy waveformgenerator)12、一LD驱动单元(Laser diode driver)13、以及一激光光源(LD)14。EFM编码器11接收要烧录的输入资料(input data)，并根据EFM编码规则产生EFM信号。烧录策略波形产生单元12是接收EFM信号，并根据该EFM信号以及要烧录的盘片的特性，产生多个烧录信号(write signals)，例如图1所示是三个烧录信号。烧录策略波形产生单元12一般是包含一烧录策略脉冲产生单元121、一正反器122、以及一烧录信号运算单元123。LD驱动单元13接收多个烧录信号，并产生一驱动讯号来驱动激光光源14。至于烧录策略波形产生单元12如何根据EFM信号产生多个烧录信号为该行业习知的技术，例如美国第6,445,661号专利已详细揭露该技术，因此不重复说明。

随着光驱的烧录速度的提升，烧录信号的时序也变的更为严谨(critical)。相对的，由于烧录策略波形产生单元的数字逻辑门、缓冲器、以及输出驱动单元所造成的波形变形亦变的更为严重。图2所示为三个理想的烧录信号以及驱动讯号的波形，其中图2(A)为烧录策略波形产生单元12的三个烧录信号、以及图2(B)为LD驱动单元产生的驱动讯号。由于三个烧录信号WS1、WS2、WS3并没有产生变形，因此LD驱动单元产生的驱动讯号相当理想。

图3所示为变形的烧录信号以及驱动讯号，其中图3(A)为烧录策略波形产生单元12的三个烧录信号、以及图3(B)为LD驱动单元产生的驱动讯号。如图3所示，由于三个烧录信号WS1、WS2、WS3的责任周期非50％，因此LD驱动单元产生的驱动讯号已严重变形。若光驱以此变形的驱动讯号来驱动激光光源14，则所烧录的资料可能会有错误之虞，造成之后读取该光盘时发生资料错误。

因此，如何提供一个具有平均的责任周期的烧录信号成为一个重要的课题。

发明内容

有鉴于上述问题，本发明的目的是提供一种可避免烧录信号的责任周期不平均的光盘烧录信号控制电路，该装置是事先进行责任周期校正，再调整各烧录信号的责任周期，藉以避免烧录信号的责任周期不平均。

本发明的光盘烧录信号控制电路是由如下技术方案来实现的。

一种光盘烧录信号控制电路，包含：

一EFM编码器，接收输入信号并编码成EFM信号；

一烧录策略波形产生单元，接收前述EFM信号，并根据该EFM信号产生多组烧录信号；其特征是设有：

一责任周期调整单元，接收前述多组烧录信号，并调整该等多组烧录信号的责任周期，且输出多组已调整烧录信号。

所述的光盘烧录信号控制电路，其特征是：还包含一责任周期侦测单元，是接收前述责任周期调整单元所输出的多组已调整烧录信号，并侦测该等多组已调整烧录信号的责任周期，并输出责任周期调整信号。

所述的光盘烧录信号控制电路，其特征是：前述责任周期调整单元还接收前述责任周期调整信号，藉以调整前述多组烧录信号的责任周期。

所述的光盘烧录信号控制电路，其特征是：前述光盘烧录信号控制电路还包含：

一激光二极管驱动单元，是接收前述多组已调整烧录信号，并产生一驱动信号；以及

一激光二极管，是接收前述驱动信号，并产生激光。

所述的光盘烧录信号控制电路，其特征是：前述责任周期调整单元结合于前述烧录策略波形产生单元内。

所述的光盘烧录信号控制电路，其特征是：前述责任周期侦测单元是结合于前述烧录策略波形产生单元内。

所述的光盘烧录信号控制电路，其特征是：前述EFM编码器还接收一校正信号，藉以在该校正信号被致能时，输出责任周期为50％的参考信号来代替前述EFM信号。

所述的光盘烧录信号控制电路，其特征是：前述责任周期调整单元具有多组调整模块，每个调整模块包含：

一延迟位置控制单元，接收前述烧录信号，并根据该烧录信号的状态输出一延迟位置信号；以及

一延迟单元，接收前述烧录信号与前述延迟位置信号，并根据该延迟位置信号输出前述已调整烧录信号；

其中，前述延迟位置控制单元还接收前述责任周期调整信号与前述校正信号，藉以在该述校正信号致能时，根据该责任周期调整信号设定延迟位置。

所述的光盘烧录信号控制电路，其特征是：前述延迟单元包含：

多个串接的延迟包，接收前述烧录信号，并输出多个不同延迟时间的延迟信号；以及

一多工器，接收前述多个不同延迟时间的延迟信号以及前述延迟位置信号，并根据该延迟位置信号选择其中一个延迟信号输出，作为前述已调整烧录信号。

本发明光盘烧录信号控制电路包含：一EFM编码器，是接收输入信号并编码成EFM信号；一烧录策略波形产生单元，是接收EFM信号，并根据该EFM信号产生多组烧录信号；一责任周期调整单元，是接收多组烧录信号，并调整该等多组烧录信号的责任周期，且输出多组已调整烧录信号；以及一责任周期侦测单元，是接收责任周期调整单元所输出的多组已调整烧录信号，并侦测该等多组已调整烧录信号的责任周期，并输出责任周期调整信号。而且该责任周期调整单元还接收责任周期调整信号，藉以调整多组烧录信号的责任周期。

本发明的优点在于：

可避免烧录信号的责任周期不平均，通过事先进行责任周期校正，再调整各烧录信号的责任周期，藉以避免烧录信号的责任周期的不平均。

以下列举具体实施例参考附图详细说明本发明光盘烧录信号控制电路。

附图说明

图1显示一般光盘烧录装置中，烧录信号控制电路的方块图。

图2(A)为理想的烧录信号。

图2(B)为LD驱动单元根据图2(A)的烧录信号所产生的驱动讯号。

图3(A)为变形的烧录信号。

图3(B)为LD驱动单元根据图3(A)的烧录信号所产生的驱动讯号。

图4显示本发明烧录信号控制电路的方块图。

图5显示图4的责任周期调整单元中，每个烧录信号的调整电路的实施例。

图6(A)为图4的电路中EFM编码器输出的信号波形。

图6(B)为图4的电路中烧录策略脉冲产生单元输出的信号波形。

图6(C)为图4的电路中正反器输出的信号波形。

图6(D)为图4的电路中烧录信号运算单元输出的信号波形。

图6(E)为图4的电路中责任周期调整单元输出的信号波形。

图7显示本发明烧录信号的责任周期的校正方法的流程图。

图8显示本发明烧录信号控制电路的责任周期的侦测电路的实施例。

具体实施方式

由于***均。所以，该烧录信号控制电路可能会由于数字逻辑门、缓冲器、以及输出驱动单元等误差造成烧录信号变形或责任周期不平均。因此，本发明为了解决该问题，特别利用一责任周期侦测单元来侦测烧录信号的责任周期，并利用责任周期调整单元调整烧录信号的责任周期，使输出至LD驱动单元的烧录信号的责任周期可以正确。

图4显示本发明烧录信号控制电路的方块图。该烧录信号控制电路40包含一EFM编码器41、一烧录策略波形产生单元42、一LD驱动单元43、一激光光源44、一责任周期调整单元45、以及一责任周期侦测单元46。EFM编码器41接收要烧录的输入资料，并根据EFM编码规则产生EFM信号。烧录策略波形产生单元42是接收EFM信号，并根据EFM信号产生多个烧录信号，例如本实施例为三个烧录信号WS1、WS2、WS3。责任周期调整单元45接收该等多个烧录信号WS1、WS2、WS3，并调整每个烧录信号WS1、WS2、WS3的责任周期后，输出已调整烧录信号AWS1、AWS2、AWS3。LD驱动单元43接收该等多个已调整烧录信号AWS1、AWS2、AWS3，并产生一驱动讯号来驱动激光光源44。烧录策略波形产生单元42、LD驱动单元43、以及激光光源44的架构与功能与习知技术相同，不再重复说明。而责任周期侦测单元46是接收并侦测已调整烧录信号AWS1、AWS2、AWS3，输出责任周期控制信号给责任周期调整单元45。

本发明烧录信号控制电路40具有两种操作模式，一种是校正模式、以及另一种是运作模式。校正模式是在烧录信号控制电路40开始烧录之前，先校正每个烧录信号的责任周期，并产生校正参数；而运作模式是烧录信号控制电路40一般的烧录模式。

当烧录信号控制电路40处于校正模式时，责任周期侦测单元46接收已调整烧录信号AWS1、AWS2、AWS3，并侦测各已调整烧录信号的责任周期后，产生责任周期控制信号给责任周期调整单元45。责任周期调整单元45即根据责任周期控制信号调整校正参数，使各烧录信号的责任周期平均。

图5显示图4的责任周期调整单元中，每个烧录信号的调整电路的实施例。如图5所示，责任周期调整单元45的每个烧录信号的调整电路包含一延迟单元51、以及一延迟位置控制单元54。延迟单元51由多个串接的延迟包(delaycell)52以及一多工器53所构成，是用来延迟信号的输出。多个延迟包52接收烧录信号WS后，产生多个不同延迟时间的延迟信号，并输出该等延迟信号至多工器53。多工器53即根据延迟位置控制单元54所输出的延迟量，从多个延迟信号中选取一延迟信号输出。当然，延迟单元51仅是一种实施例，其它可以达到此功能的延迟单元均可应用于本发明。

延迟位置控制单元54在校正模式时，是接收责任周期控制信号，并根据该责任周期控制信号来设定校正参数。在此，将烧录信号分为前缘与后缘，前缘表示烧录信号由低位准变为高位准，后缘表示烧录信号由高位准变为低位准。当烧录信号的责任周期大于50％时，表示高位准的周期较低位准的周期长，因此可以利用延迟前缘输出来缩短高位准的周期；反之，当烧录信号的责任周期小于50％时，表示低位准的周期较高位准的周期长，因此可以利用延迟后缘输出来缩短低位准的周期。

延迟位置控制单元54可利用两个计数器来分别记录前缘与后缘的延迟量。例如，延迟位置控制单元54在校正模式时，当责任周期控制信号显示烧录信号的责任周期大于50％时，则将前缘计数器的计数值加1，来增加前缘的输出延迟量；反之，当责任周期控制信号显示烧录信号的责任周期小于50％时，则将后缘计数器的计数值加1，来增加后缘的输出延迟量。若每个延迟包52的延迟时间为T1，则每增加一个延迟量，表示将信号延迟一个T1时间。

由于，责任周期调整单元45对于烧录信号的前缘与后缘的延迟量并不相同，因此，延迟位置控制单元54亦必须根据烧录信号的位准输出不同的延迟量给延迟单元51。延迟位置控制单元54在烧录信号由低位准变成高位准时，输出前缘计数器的计数值作为延迟量，延迟单元51即可根据该延迟量延迟输出烧录信号的前缘。相反的，延迟位置控制单元54在烧录信号由高位准变成低位准时，输出后缘计数器的计数值作为延迟量，延迟单元51即可根据该延迟量延迟输出烧录信号的后缘。

图6显示图4的电路中部分信号的波形，其中图6(A)为EFM编码器输出的信号波形、图6(B)为烧录策略脉冲产生单元输出的信号波形、图6(C)为正反器输出的信号波形、图6(D)为烧录信号运算单元输出的烧录信号波形、图6(E)为责任周期调整单元输出的已调整烧录信号波形。如图6所示，当烧录信号控制电路40为校正模式时，EFM编码器41输出50％责任周期的1T信号，藉以用来校正烧录信号的延迟参数。如图6(B)、图6(C)与6(D)所示，由于烧录策略波形产生单元42的特性造成烧录策略脉冲产生单元、正反器与烧录信号运算单元输出的信号的责任周期不平均。但是，经过责任周期调整单元45的调整后，输出至LD驱动单元43的已调整烧录信号的责任周期已调整成50％。

图7显示本发明烧录信号的责任周期的校正方法的流程图。如该图所示，其步骤如下：

步骤S702：将校正信号致能，并设定校正次数初始值。亦即，将校正次数N设定为0。

步骤S704：输出50％责任周期的参考信号。当校正信号致能后，EFM编码器41即输出50％责任周期的信号作为参考信号。

步骤S706：侦测烧录信号的责任周期。若责任周期大于50％，则跳至步骤S708，否则跳至步骤S710。

步骤S708：降低责任周期。亦即将前缘计数器的计数值加1，或将后缘计数器的计数值减1(当后缘计数器的计数值大于0时)。之后，跳至步骤S714。

步骤S710：侦测烧录信号的责任周期。若责任周期小于50％，则跳至步骤S712，否则跳至步骤S714。

步骤S712：提高责任周期。亦即将后缘计数器的计数值加1，或将前缘计数器的计数值减1(当前缘计数器的计数值大于0时)。之后，并跳至步骤S714。

步骤S714：累加校正次数N。亦即，N＝N+1。

步骤S716：比较校正次数N。当校正次数N大于一默认值M时，则结束校正，否则跳回步骤S706。

由于本发明利用一责任周期调整单元来调整每个烧录信号的责任周期，因此，可以确保输出至LD驱动单元43的烧录信号的责任周期为50％。

图8显示本发明烧录信号控制电路的责任周期的侦测电路的实施例。如图8所示，该侦测电路80的输入信号Vin是已调整烧录信号AWS1、AWS2或AWS3，并利用多个NMOS晶体管NG、多个PMOS晶体管PG、一反向器81、以及一电容C来侦测各已调整烧录信号的责任周期，产生责任周期控制信号Vduty。该责任周期控制信号Vduty与责任周期成正比。亦即，当该责任周期控制信号压Vduty大于一临界电压值(Threshold)Vth时，表示责任周期大于50％，反之，当该责任周期控制信号Vduty小于该临界电压值Vth时，表示责任周期小于50％。延迟位置控制单元54即根据该责任周期控制信号Vduty调整延迟量。延迟位置控制单元54可利用两个计数器来分别记录前缘与后缘的延迟量。例如，延迟位置控制单元54在校正模式时，当责任周期控制信号Vduty大于临界电压值时，则将前缘计数器的计数值加1，来增加前缘的输出延迟量，或当后缘计数器大于1时将后缘计数器减1；反之，当责任周期控制信号Vduty小于临界电压值时，则将后缘计数器的计数值加1，来增加后缘的输出延迟量，或当前缘计数器大于1时将前缘计数器减1。

以上虽以实施例说明本发明，但并不因此限定本发明的范围，只要不脱离本发明的要旨，该行业者可进行各种变形或变更。例如，实施例中的责任周期侦测单元亦可配置于烧录策略波形产生单元内。

Claims (9)

1、一种光盘烧录信号控制电路，包含：

一EFM编码器，接收输入信号并编码成EFM信号；

一烧录策略波形产生单元，接收前述EFM信号，并根据该EFM信号产生多个烧录信号；其特征是设有：

一责任周期调整单元，接收前述多个烧录信号，并调整前述多个烧录信号的责任周期，且输出多组已调整烧录信号。

2、根据权利要求1所述的光盘烧录信号控制电路，其特征是：还包含一责任周期侦测单元，是接收前述责任周期调整单元所输出的多个已调整烧录信号，并侦测前述多个已调整烧录信号的责任周期，并输出责任周期调整信号。

3、根据权利要求2所述的光盘烧录信号控制电路，其特征是：前述责任周期调整单元还接收前述责任周期调整信号，藉以调整前述多个烧录信号的责任周期。

4、根据权利要求3所述的光盘烧录信号控制电路，其特征是：前述光盘烧录信号控制电路还包含：

一激光二极管驱动单元，是接收前述多个已调整烧录信号，并产生一驱动信号；以及

一激光二极管，是接收前述驱动信号，并产生激光。

5、根据权利要求2所述的光盘烧录信号控制电路，其特征是：前述责任周期调整单元结合于前述烧录策略波形产生单元内。

6、根据权利要求5所述的光盘烧录信号控制电路，其特征是：前述责任周期侦测单元是结合于前述烧录策略波形产生单元内。

7、根据权利要求1所述的光盘烧录信号控制电路，其特征是：前述EFM编码器还接收一校正信号，藉以在该校正信号被致能时，输出责任周期为50％的参考信号来代替前述EFM信号。

8、根据权利要求1所述的光盘烧录信号控制电路，其特征是：前述责任周期调整单元包含：

一延迟位置控制单元，接收前述烧录信号，并根据该烧录信号的状态输出一延迟位置信号；以及

一延迟单元，接收前述烧录信号与前述延迟位置信号，并根据该延迟位置信号输出前述已调整烧录信号；

其中，前述延迟位置控制单元还接收一责任周期调整信号与一校正信号，藉以在前述校正信号致能时，根据该责任周期调整信号设定延迟位置。

9、根据权利要求8所述的光盘烧录信号控制电路，其特征是：前述延迟单元包含：

多个串接的延迟包，接收前述烧录信号，并输出多个不同延迟时间的延迟信号；以及

一多工器，接收前述多个不同延迟时间的延迟信号以及前述延迟位置信号，并根据该延迟位置信号选择其中一个延迟信号输出，作为前述已调整烧录信号。

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