CH664769A5 - Verfahren zur herstellung eines einkristallgegenstandes. - Google Patents

Description

BESCHREIBUNG Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Einkristallgegenstandes mit vorbestimmter kristallographischer Orientierung.

Metallische Einkristalle sind seit vielen Jahren bekannt. Bis in die 60er-Jahre wurden sie als Laboratoriumskuriositäten oder höchstens als Werkzeug für die Grundlagenforschung über das Verhalten von Metallen angesehen. In den frühen 60er-Jahren wurde es offensichtlich, dass für gewisse Hochtemperaturanwendungen metallische Einkristalle überlegene mechanische Eigenschaften bieten. Lange vor der genannten Zeit wurde eine Reihe von Festkörperlabortechniken entwickelt, um metallische Einkristalle herzustellen. Bei diesen Techniken findet eine Rekristallisation und/oder ein Kornwachstum statt. Sie sind in dem Buch «The Art and Science of Growing Crystals» von J. J. Gilman, Wiley Publishing Company, 1963, beschrieben.

Es war jedoch nicht abzusehen, dass jemals ein Bedarf für eine Technik bestehen würde, grosse Mengen von Einkristallgegenständen, z. B. aus einer Superlegierung, mit einer vorbestimmten Kristallorientierung herzustellen. Als ein solcher Bedarf kürzlich im Zusammenhang mit der Herstellung von Einkristall-Turbinenschaufeln von Luftfahrzeugmoto-ren auftrat, wurde zunächst versucht, einen Einkristall als Impfkeim zu verwenden, wobei der Einkristall mit einem anderen (feinkörnigen) Gegenstand verbunden wurde, in welchem eine Fortpflanzung dieses Kristalls erwünscht war. Diese Technik erwies sich ausser in einigen Fällen als unzufriedenstellend. Die Gründe für den begrenzten Erfolg sind nicht bekannt. Es scheint, dass die Natur der Grenzfläche zwischen dem Einkristall und dem feinkörnigen Teil wesentlich für die Mobilität der Grenzfläche ist und dass das Verbinden eines Einkristallimpfkeims mit einem anderen Element üblicherweise nicht zu einer mobilen Grenzfläche führt. Es bestand also ein Bedarf für ein Verfahren zur Reproduzierung eines Einkristalls, so dass beträchtliche Mengen von identisch orientierten Einkristallgegenständen hergestellt werden können.

Gemäss der Erfindung wird ein Einkristallgegenstand durch die im Anspruch 1 genannten Verfahrensschritte hergestellt. Das erfindungsgemässe Verfahren schafft nach Anspruch 2 auch die Möglichkeit, einen Ausgangsgegenstand zur Wiederholung des Verfahrens bereitzustellen. Das Verfahren kann somit wiederholt angewendet werden, um viele Einkristallgegenstände mit jeweils vorbestimmter kristallo-grafischer Orientierung herzustellen.

Das erfindungsgemässe Verfahren ist im allgemeinen auf einen weiten Bereich von Superlegierungen auf Nickelbasis anwendbar, und zwar insbesondere auf solche Legierungen, die durch eine y'-Phase (NÌ3, Al Ti) verfestigt sind. Ein repräsentativer breiter Zusammensetzungsbereich ist: 2 bis 9% AI, 0 bis 6% Ti, 0 bis 16% Mo, 0 bis 12% Ta, 0 bis 12% W, 0 bis 4% Nb, 0 bis 20% Cr, 0 bis 20% Co, 0 bis 0,3% C, 0 bis 1% Y, 0 bis 0,3% B, 0 bis 0,3% Zr, 0 bis 2% V, 0 bis 5% Re, 0 bis 3% Hf, Rest im wesentlichen Nickel.

Eine Möglichkeit ist, für das Ausgangsmaterial verdichtetes Pulver aus einer solchen Superlegierung zu verwenden, während eine andere Möglichkeit darin besteht, mit einem Gussstück, vorzugsweise einem feinkörnigen Gussstück, zu beginnen. In der Folge wird eine bevorzugte Technik zur Herstellung des Ausgangsmaterials für die Durchführung der Erfindung angegeben. Gemäss diesem Beispiel wird das Material bei einer Temperatur in der Nähe, aber unterhalb der Bereichsgrenze der homogenen, festen y'-Phase heiss bearbeitet. Die Verformung bei dieser Verarbeitung beträgt vorzugsweise mehr als 50%, um eine ausreichende Bearbeit-barkeit sicherzustellen. Das Material wird dann um ungefähr 65% kalt gewalzt. Die Kaltwalzung wird wie folgt ausgeführt: Das Material erhält zunächst eine erste kalte Walzung. Dann wird eine zweite kalte Walzung in Querrichtung ausgeführt, d.h. mit einem Winkel von 90° zur Richtung der ersten kalten Walzung. Das Verhältnis der Auswalzung bei der ersten kalten Walzstufe und bei der zweiten kalten Walzstufe beträgt etwa 75:25. Während der beiden kalten Walzungen und auch bei der heissen Bearbeitung können nach Bedarf Zwischentemperungen durchgeführt werden, um eine Rissbildung zu vermeiden. Das Ergebnis ist ein Gegenstand mit einer starken (110) < 112 > Blechtextur.

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Dieses texturierte Material kann dann gerichtet rekristallisiert werden, um Einkristalle mit einer vorbestimmten Orientierung herzustellen. Die (110) < 112 > Textur beeinflusst stark die Orientierung der rekristallisierten Körner. Durch eine Veränderung der Parameter für die gerichtete Rekristal-lisierung kann eine Auswahl der verfügbaren Orientierungskombinationen getroffen werden.

Potentielles Kornwachstum im polykristallinen Material ist allgemein unter Bedingungen gegeben, die ein Kornwachstum der vorhandenen Körner — und nicht die Nu-kleierung von neuen Körnern — begünstigen. Mikrostrukturen und Verfahren, welche solche Bedingungen schaffen,

sind in der US-PS 3 975 219 beschrieben. Mit Hilfe dieser Techniken ist es möglich, die erwünschten Bedingungen in einem Superlegierungsgegenstand hervorzurufen.

Beim Verbinden des polykristallinen Materials des ersten und des zweiten Gegenstandes ist die Art der Verbindung kritisch für den Erfolg des erfindungsgemässen Verfahrens. Eine optimale Verbindung ist eine solche, die zumindest bei einer visuellen Prüfung mit lOOfacher Vergrösserung nicht festzustellen ist und die keine grossen Änderungen in der Zusammensetzung oder Mikrostruktur vom Grundmaterial zur Bildungsfläche aufweist. Eine solche Verbindung wird vorzugsweise durch eine Diffusionsverbindung erreicht. Bei diesem Verfahren werden die zwei miteinander zu verbindenden Gegenstände gereinigt, und die zu vrbindenden Flächen werden aneinander anliegend auf eine Temperatur in der Nähe, aber unterhalb der Bereichsgrenze der homogenen, festen y'-Phase erhitzt, wobei gleichzeitig Druck angewendet wird. Bei Anwendung geeigneter Temperatur-, Druck- und Zeitbedingungen findet eine Diffusion von einem Gegenstand in den andern über die Berührungsfläche statt, wodurch eine Verbindung entsteht. Um solche Diffusionseffekte zu erzielen, muss die Flachheit und die Oberflächenbeschaffenheit der Gegenstände derart gut sein, dass ein maximaler Oberflä-chenkontakt erreicht wird. Die zu verbindenden Flächen müssen ausserordentlich sauber sein. Die Oberflächenrauheit muss kleiner als 381 um RMS sein. Die Ebenheit der Oberflächen muss besser als 0,0005 cm sein. Die erforderliche Oberflächenbeschaffenheit kann durch ein doppeltes Scheibenschleifen oder durch ein Oberfiächenschleifen oder durch Läppen oder eine Kombination solcher Verfahren erreicht werden. In der Praxis wurde Elektropolierung als letzte Oberflächenbehandlung angewendet, um eine saubere Oberfläche zu bilden, die frei von Rückständen der Kaltbearbeitung ist. Es werden vorzugsweise mindestens 0,0003 cm an der Oberfläche durch Elektropolieren entfernt. Das Dif-fusionsverbindungsverfahren selbst wird vorzugsweise im Vakuum ausgeführt, obwohl auch eine inerte Atmosphäre verwendet werden kann. Wenn Vakuum angewendet wird, dann sind Drücke von weniger als 1,33 cPa nötig. Die Temperatur, bei der die Verbindung für Superlegierungen ausgeführt wird, soll etwa zwischen 1038 °C und 1204 °C liegen. Sie liegt vorzugsweise 66 bis 204 °C unterhalb der Bereichsgrenze der homogenen, festen y'-Phase der Legierung. Der Druck ist vorzugsweise derart, dass eine gesamte Deformation von 1 bis 8% während des Bindeverfahrens erfolgt; Deformationen von ungefähr 2% werden bevorzugt. Solche Drücke können erreicht werden durch Verwendung von Va-kuumheisspresswerkzeugen, solchen bei denen Widerstandsheizung des zu verbindenden Materials angewendet wird, oder sogenannten Delta-Alpha-Werkzeugen, bei welchen typischerweise Molybdän verwendet wird, das einen niedrigeren thermischen Ausdehnungskoeffizienten als Superlegierungen aufweist, um die Gegenstände einzuspannen und einen Druck zu erzeugen, wobei die höhere Ausdehnung der Superlegierung, die im Werkzeug eingespannt ist, ausgenützt wird. Die Zeit zur Herstellung der Diffusionsverbindungen reicht etwa von 1 min bis 3 h, je nach dem Verfahren, das zur Entwicklung des Verbindungsdrucks verwendet wird, und je nach der Verbindungstemperatur.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nun anhand der Zeichnung näher erläutert.

Es zeigen:

Fig. 1A, 1B, IC und 1D aufeinanderfolgende Schritte bei der Herstellung eines Einkristallgegenstandes,

Fig. 2 die Anwendung des Verfahrens mit blechförmigen Gegenständen,

Fig. 3A, 3B und 3C aufeinanderfolgende Stufen bei der anfanglichen Herstellung eines Gegenstandes mit Einkristallteil für die nachfolgende Verwendung beim Verfahren, Fig. 4 ein Foto einer für das Verfahren geeigneten Verbindung zweier Gegenstände,

Fig. 5 ein Foto, welches das Wachstum eines Einkristalls durch eine Verbindung hindurch zeigt, und

Fig. 6 ein Foto, welches die Nukleierung und Eliminierung von unerwünschten Körnern zeigt.

Fig. 1A zeigt zwei Elemente 10 und 20. Element 10 ist ein Impfkeimteil, bestehend aus einem Einkristall 12 und einem feinkörnigen Material 14, die durch eine Grenzfläche 13 voneinander getrennt sind. Das Element 20 besteht vollständig aus einem feinkörnigen Material, das demjenigen ähnlich bzw. mit demjenigen identisch ist, das im Element 10 bei 14 gezeigt ist.

Fig. 1B zeigt eine nachfolgende Stufe des Verfahrens. In Fig. 1B sind die Elemente 10 und 20 durch Diffusion miteinander verbunden, so dass sie einen Gegenstand 30 bilden. Der Teil 32 ist ein Einkristall, 33 ist die Grenzfläche, 34 und 36 sind feinkörnige Teile und 35 ist eine Diffusionsverbindung zwischen den ursprünglichen Elementen 10 und 20.

Fig. IC zeigt den Zustand des Gegenstands nachdem das Verfahren für ein gerichtetes Kornwachstum angewendet worden ist, um den Einkristall zu bilden. Die Grenzfläche 33 ist durch die Verbindung 35 zwischen den Elementen 10 und 20 hindurch nach unten gewandert, wobei ein beträchtlicher Teil des feinkörnigen Materials unter Bildung von Einkristallmaterial mit genau der gleichen Orientierung wie diejenige des Impfeinkristalls 12 verbraucht worden ist.

Fig. 1D zeigt den Gegenstand, nachdem er in zwei Teile durchtrennt worden ist. Der Bestandteil 40 ist das Einkristallprodukt des Verfahrens, während der Bestandteil 50 aus einem Einkristallteil 52 und einem feinkörnigen Teil 54 besteht, die durch eine Grenzfläche 53 getrennt sind. Dieser Teil entspricht dem Ausgangsteil 10 von Fig. 1A. Es ist also ersichtlich, dass das Verfahren viele Male wiederholt werden kann, wobei die Ausgangsgegenstände ein feinkörniges Material mit potentiellem Kornwachstum aufweisen und wobei das Produkt ein Einkristallgegenstand ist, dessen kristallo-graphische Orientierung vorbestimmt ist. Die Kristallorientierung im Produkt ist nur durch die mechanische Genauigkeit der verwendeten Werkzeuge bestimmt.

Die Fig. 1A, 1B, IC und 1D zeigen eine Anwendung des Verfahrens auf einen stabförmigen Gegenstand. Jedoch erfordern einige nach dem Verfahren hergestellte Einkristallgegenstände die Verwendung von Ausgangsgegenständen in Form von Blechen oder Platten, deren Dicke in der Grössen-ordnung von 0,025 bis 0,508 cm liegt. Die Herstellung solcher Gegenstände ist in Fig. 2 gezeigt. Es ist eine Verbundplatte zu sehen, die aus einem Element 110 und einem damit verbundenen Element 120 besteht. Das Element 110 enthält einen Einkristallteil 12 und einen feinkörnigen Teil 114, die durch eine Grenzfläche 113 voneinander getrennt sind. Das Element 120 besteht vollständig aus feinkörnigem Material mit potentiellem Kornwachstum. Das Material wird durch einen thermischen Gradienten hindurchgeführt, und zwar in einer Weise, wie es weiter unten beschrieben ist, damit der

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Einkristallteil 112 entlang der Länge des Verbundgegenstands in Richtung des Elements 120 wächst. Ein wesentliches Merkmal dieser Ausführungsform des Verfahrens besteht darin, dass der Einkristall durch die Verbindung «seitwärts» wächst und dann sein Wachstum in Richtung des Elements 120 fortsetzt. Die Grenzfläche an diesem Punkt kann beispielsweise die mit 113' bezeichnete Stelle sein. Zu diesem Zeitpunkt entspricht der Zustand des Gegenstands demjenigen von Fig. IC, insofern, als der Einkristallteil den Hauptteil des Verbundgegenstands einnimmt. Der Gegenstand kann getrennt werden, wie es in Fig. 1D gezeigt ist, wobei ein Einkristallbestandteil erhalten wird, bei dem es sich um den ursprünglichen Abschnitt 110 handelt, und wobei weiterhin ein neuer Impfbestandteil erhalten wird, der einen Einkristallimpfkeim und einen feinkörnigen Teil aufweist, welche durch die verschiebbare Grenzfläche 113' voneinander getrennt sind. Der erhaltene Einkristallgegenstand kann für die Herstellung von hochfesten Gegenständen mit besonderer Anwendungsmöglichkeit bei Gasturbinenmoto-ren verwendet werden, wie es beispielsweise in der US-PS 3 827 563 beschrieben ist. Der andere Bestandteil kann zur Wiederholung des Verfahrens verwendet werden. Wie in Fig. 2 gestrichelt gezeigt ist, sind die Bestandteile 110 und 120 in der Nähe der Verbindungsstelle abgeschrägt worden. Dies verringert die Nukleierung von neuen Körnern, wenn die Verbindung durch den thermischen Gradienten hindurchgeht.

Das in den Fig. 1A, 1B, IC und 1D erläuterte und anhand von Fig. 2 beschriebene Verfahren ist ein Wiederholungsverfahren, bei dem ein Ausgangsimpfteil dazu verwendet werden kann, einen Einkristallgegenstand und einen neuen Impfteil herzustellen, der dann zur Wiederholung des Verfahrens verwendet werden kann. Vernünftigerweise erhebt sich die Frage, wie das erste Impfteil hergestellt werden kann. Die Antwort zu dieser Frage ist in den Fig. 3A, 3B und 3C erläutert. In 3A ist ein Materialblech 210 gezeigt, welches überwiegend aus feinkörnigem Material 214 besteht, das einem Kornwachstum zugänglich ist. An einem Ende des Gegenstands 210 sind mehrere Zähne angeordnet. Wenn der Gegenstand durch einen thermischen Gradienten hindurchgeführt wird, so dass die Zähne den Gradienten zuerst betreten, dann wird festgestellt, dass Einkristalle in der Nähe der Spitzen eines jeden Zahns nukleieren und den Gegenstand hinabwachsen, während der Gegenstand durch den thermischen Gradienten hindurchgeführt wird. Die Nukleierung der Einkristalle und ihre Orientierung ist etwas willkürlich. Zwar kann durch eine richtige Vorbereitung des Materials 214 eine wesentliche Kontrolle über die Orientierung erreicht werden, aber es wird sich üblicherweise als nötig erweisen, eine Vielzahl von Einkristallen zu entwickeln und dann ihre Orientierung unter Verwendung von Röntgenstrahlentechni-ken zu messen und einen auszuwählen, der der gewünschten Orientierung am nächsten ist. Wenn dieser Kristall ausgewählt worden ist, dann werden die übrigen nichterwünschten Zähne abgeschnitten, worauf das Teil in den Ofen zurückgebracht wird und der ausgewählte Einkristall dazu veranlasst wird, den Gegenstand entlang zu wachsen, wie es in Fig. 3B gezeigt ist. Gemäss Fig. 3B besteht der Gegenstand 210 aus einem Teil 214, der kein Einkristall ist und aus feinkrönigem Material besteht, und einem Einkristallteil 212, der vom feinkörnigen Teil 214 durch eine Grenzfläche 213 getrennt ist. Wenn sich der Teil durch den thermischen Gradienten bewegt, dann bewegt sich die Grenzfläche, welche den Einkristallteil und den feinkörnigen Teil trennt, allmählich durch die Teile hindurch, wie dies bei 213', 213" usw. gezeigt ist. Ein ähnliches Verfahren ist in dem Buch «The Art and Science of Growing Crystals». J. J. Gilman, John Wiley and Sons. 1963. Seite 454. beschrieben. Das in Fig. 3C gezeigte

Endprodukt ist dann für das im Hinblick auf Fig. 2 beschriebene und illustrierte Verfahren geeignet.

Fig. 4 ist eine Mikrofotografie, welche die erwünschten Merkmale einer zufriedenstellenden Diffusionsverbindung zeigt. Das wichtigste Merkmal, das aus Fig. 4 ersichtlich ist, besteht darin, dass die Verbindung optisch nicht feststellbar ist. Dieses Merkmal einer optisch nicht feststellbaren Verbindung (bei lOOfacher Vergrösserung) reicht anscheinend aus für eine zuverlässige Fortpflanzung des Einkristallwachstums durch eine Diffusionsverbindung. Fig. 5 ist eine Mikrofotografie mit ungefähr 4facher Vergrösserung, welche den Zustand nach der Fortpflanzung des Einkristalls durch eine Verbindung zwischen zwei Abschnitten eines Metallstreifens darstellt. In Fig. 5 war der obere Teil des Materials der Impfgegenstand und enthielt einen Einkristallteil und einen feinkörnigen Teil, die durch eine Grenzfläche voneinander getrennt waren. Nachdem dieser obere Teil mit dem unteren Teil, der vollständig aus feinkörnigem Material bestand, verbunden worden war, wurden thermische Bedingungen in der Weise angewendet, dass die Grenzfläche durch die Verbindung und in den unteren Teil wanderte. Fig. 5 zeigt ausserdem die Verwendung einer abgeschrägten Vorderkante, um die Wahrscheinlichkeit der Initiierung von neuen Körnern zu verringern, wenn die vordere Kante durch den thermischen Gradienten hindurchwandert.

Fig. 6 ist eine ähnliche Mikrofotografie, welche eine Verbindung zeigt, bei der eine abgeschrägte Vorderkante nicht verwendet worden ist. Es ist ersichtlich, dass ein sekundäres Korn in der Nähe der abrupten Stufe an der Vorderkante nukleiert worden ist. Dieses sekundäre Korn wanderte eine beträchtliche Strecke, wurde aber schliesslich durch das Korn mit der gewünschten Orientierung abgeblockt. Deshalb wird ein Abschrägen der Vorderkante bevorzugt.

Die Erfindung wird nun anhand des folgenden Beispiels näher erläutert.

Beispiel

A. Materialvorbereitung

1. Zusammensetzung (Gew.-%): 14,4 Mo, 6,25 W, 6 bis 8 AI, 0,04 C, Rest Nickel;

2. Pulvergrösse: 0,177 mm;

3. Verdichtungsverfahren: heisses isostatisches Pressen (H.I.P.) bei 1232 °C und 103,5 MPa Druck während 2 h;

4. heisses Bearbeiten — Walzen bei 1204 C auf eine Verringerung von 60%;

5. kaltes Walzen: gesamte Verringerung 65%

a. kaltes Längswalzen,

b. kaltes Querwalzen,

Verhältnis des Längswalzens zum Querwalzen 75:25, Zwischen temperung bei 1204 °C;

6. resultierende Textur: singulär (110) < 112 > 7x willkürlich.

B. Impfkeimbereitung: wie anhand der Fig. 3A, 3B und 3C beschrieben, Orientierung (100) < 110 >, in bezug auf die Längsachse.

C. Verbinden

1. Oberflächen vorbereitet auf eine Flachheit von höchstens 0,0005 cm in 15,24 cm, Oberflächenrauheit <15 um, erhalten durch doppeltes Scheibenschleifen;

2. Oberflächen gereinigt durch Elektropolieren in einer Lösung von 7% Perchlorsäure in Essigsäure bei Raumtemperatur von 25r während 60 s, um annähernd 0,0003 cm Metall von jeder Oberfläche zu entfernen;

3. Binden bei 1121 C (die Bereichsgrenze der y'-Phase liegt bei 1268 ~C) unter Verwendung eines Delta-Alpha-Werkzeugs (Molybdän), zur Erzielung von ungefähr 2% Deformation in 3 h bei der genannten Temperatur.

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D. Gerichtete Rekristallisation

1. Thermischer Gradient 82 °C/cm (gemessen bei der Bereichsgrenze der y'-Phase);

2. Die Bewegung des Verbundgegenstands durch den thermischen Gradienten war parallel zur geraden Kaltwalzrichtung mit einer Geschwindigkeit von 0,318 cm bis

5,08 cm/h. Das Ergebnis war ein (100) < 110 > Einkristallwachstum durch die Bindung;

3. Durchtrennung, wobei ein Einkristall mit einem feinkörnigen Teil erhalten wurde, der wieder verwendet werden konnte.

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1 Blatt Zeichnungen

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   PATENTANSPRÜCHE

   1. Verfahren zur Herstellung eines Einkristallgegenstandes mit vorbestimmter kristallographischer Orientierung, dadurch gekennzeichnet, dass man a) einen ersten Gegenstand bereitstellt, der einen Einkristallteil sowie einen polykristallinen Teil mit potentiellem Kornwachstum aufweist, wobei die beiden Teile durch eine Grenzfläche voneinander getrennt sind, die zum polykristallinen Teil hin verschiebbar ist,

   b) einen zweiten Gegenstand bereitstellt, der aus einem polykristallinen Material mit potentiellem Kornwachstum besteht,

   c) den ersten und den zweiten Gegenstand so miteinander verbindet, dass der polykristalline Teil des ersten Gegenstandes mit dem zweiten Gegenstand verbunden wird, wobei die Verbindung so ausgeführt wird, dass die Fähigkeit des polykristallinen Materials zum Kornwachstum nicht beeinträchtigt und der Durchgang der genannten Grenzfläche durch die Verbindung nicht behindert werden, und d) den verbundenen Gegenstand in einem thermischen Gradienten behandelt, um zu verursachen, dass der Einkristallteil wächst und die genannte Grenzfläche sich durch die Verbindung hindurch in den zweiten Gegenstand hinein verschiebt.
2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Einkristallwachstum in einem Stadium abgebrochen wird, bei dem noch polykristallines Material vorhanden ist, und dass ein die Grenzfläche enthaltender Teil des verbundenen Gegenstandes abgetrennt wird, um einen Ausgangsgegenstand für die Wiederholung des Verfahrens bereitzustellen.
3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das polykristalline Material im ersten und im zweiten Gegenstand eine vorbestimmte Textur aufweist, die ein bevorzugtes Wachstum von Einkristallen mit im wesentlichen der Orisentierung des Einkristallteils des ersten Gegenstandes ermöglicht.
4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der erste und der zweite Gegenstand aus einer Superle-gierung auf Nickelbasis bestehen und durch eine Diffusionsverbindung miteinander verbunden werden, bei einer Temperatur, welche um 66 °C bis 204 °C unterhalb der Bereichsgrenze der homogenen, festen y'-Phase der genannten Legierung liegt.
5. 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der erste und der zweite Gegenstand blechförmig sind und mit einer Überlappungsverbindung miteinander verbunden werden.
6. 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die dem Einkristallteil des ersten Gegenstandes am nächsten liegende Kante des zweiten Gegenstandes abgeschrägt ist.