CH648977A5

CH648977A5 - Appareil pour former une couche solide d'oxyde et/ou de nitrure sur la surface d'un article.

Info

Publication number: CH648977A5
Application number: CH985/84A
Authority: CH
Inventors: Harold Samuel Gurev
Original assignee: Optical Coating Laboratory Inc
Priority date: 1979-04-26
Filing date: 1980-04-24
Publication date: 1985-04-15
Also published as: DE3016022C2; GB2048230A; CH648714A5; JPS6029541B2; GB2100514A; SG4984G; US4268711A; CA1146909A; GB2100514B; DE3016022A1; FR2455364A1; GB2048230B; FR2455364B1; JPH0377673B2; JPS60186072A; JPS55145561A

Description

L'invention concerne un appareil pour former une couche solide d'oxyde et/ou de nitrure sur la surface d'un article au moyen d'une source de plasma autonome.

Les revêtements de piles solaires ont été produits jusqu'à présent afin de protéger les piles solaires des rayonnements, dans l'espace, de particules à grande énergie. Ces revêtements de piles solaires sont en général constitués de minces feuilles de silices fondue, collées sur la surface supérieure des piles. Pour empêcher l'adhésif de se dégrader, il est nécessaire de disposer sur le revêtement un filtre arrêtant les rayons ultraviolets. Le brevet des Etats-Unis d'Amérique No 4 293 732 décrit des revêtements ayant de telles possibilités.

Dans le cas des systèmes d'alimentation en énergie utilisés dans l'espace, il existe toujours un besoin en panneaux de cellules solaires de faible poids. Etant donné que la demande en énergie par satellite augmente, il existe un besoin croissant de panneaux plus légers. Bien qu'à l'heure actuelle il soit possible de fabriquer des cellules solaires relativement minces (c'est-à-dire de 0,05 mm) à performances élevées, il n'existe pas actuellement de revêtements légers s'avérant efficaces pour protéger une cellule solaire de faible poids. Dans le cas où aucun type nouveau de revêtement de pile solaire n'apparaît, les programmes portant sur les prochains satellites peuvent avoir à envisager le collage d'un revêtement de 0,10 à 0,15 mm d'épaisseur sur une pile de 0,05 mm d'épaisseur pour donner à cette pile la durée de vie demandée. A ce jour, on a procédé à de nombreux essais de dépôt direct de revêtements sur la surface d'une pile solaire. Cependant, aucun procédé efficace et peu coûteux de fabrication, apportant une solution réelle au problème, n'est apparu. Il subsiste donc la nécessité de disposer d'un revêtement nouveau et perfectionnée pour pile solaire, formant un seul bloc avec cette dernière.

L'invention vise la réalisation d'un appareil du type précité permettant de munir, par exemple une pile solaire, d'une mince couche solide, formant un seul bloc avec cette pile et ayant un coefficient de dilatation sensiblement égal à celui de la pile et pouvant être réalisé à une épaisseur de l'ordre de 100 micromètres.

s A cet effet l'appareil selon la présente invention est caractérisé en ce qu'il comporte un récipient qui présente une cavité communiquant avec une ouverture de sortie, une enveloppe qui est reliée au récipient et qui délimite une chambre communiquant avec l'ouverture de sortie du récipient, un dispositif io destiné à faire le vide dans la chambre et dans la cavité, l'enveloppe étant réalisée de manière à recevoir l'article sur lequel la couche doit être formée, un dispositif établissant un champ à haute fréquence à l'intérieur de la cavité, un élément permettant l'introduction d'un gaz dans la cavité afin de créer un 15 plasma gazeux qui élève la pression régnant dans la cavité pour que ce plasma soit déchargé indépendamment de tout champ magnétique extérieur en passant par l'ouverture de sortie et atteigne la surface à revêtir, un élément de fourniture d'un gaz qui se forme indépendamment de l'évaporation 20 ayant lieu dans la cavité afin que cette dernière réagisse chimiquement avec le plasma gazeux pour produire un mélange formant une couche solide sur la surface de l'article.

Un tel appareil permet de former une couche d'oxyde et/ ou de nitrure au moyen d'une source de plasma autonome, 25 cette couche étant formée d'une composition choisie dans le système quaternaire Al-Si-O-N, dans des matières choisies dans le système Sb-Sn-0 ou dans le système In-Sn-O.

Dans l'appareil selon l'invention, un ou plusieurs des composants peuvent être introduits dans l'appareil sous la 30 forme d'un composé gazeux et sont mis en réaction chimique avec l'oxyde ou le nitrure souhaité, sur l'un ou l'autre de deux sites ou sur deux sites dont l'un est situé dans une source activée de plasma et dont l'autre est situé à la surface du substrat de la pile solaire sur lequel le revêtement doit être formé, ce re-35 vêtement pouvant être formé également, en variante, sur les deux sites. La pile solaire peut être réalisée d'un seul bloc sur le substrat, à une température inférieure à 400 °C. Elle peut être produite très rapidement. L'appareil selon l'invention est particulièrement adapté à la réalisation de minces couches de 40 revêtement de rouleaux, avec un échauffement minimal du substrat. Toute érosion de la source est inutile. Une réaction chimique a lieu pendant la formation du revêtement. Il est également possible de produire des passes continues de revêtement.

45 L'invention sera décrite plus en détail en regard du dessin annexé à titre d'exemples nullement limitatifs et sur lequel:

la figure 1 est une représentation schématique d'un appareil selon l'invention pour former un revêtement de pile solaire par dépôt de bioxyde de silicium et d'oxyde d'aluminium so au moyen d'une oxydation, à l'intérieur d'une cavité et sous l'action d'un plasma, d'un composé de silicium et d'un composé d'aluminium;

la figure 2 est une représentation schématique analogue à celle de la figure 1, montrant la formation d'un revêtement de ss pile solaire par dépôt de bioxyde de silicium et d'oxyde d'aluminium au moyen d'une oxydation extérieure d'un composé de silicium et d'un composé d'aluminium dans une décharge d'oxygène activée par plasma, et la figure 3 est une autre représentation schématique, ana-60 logue à celle des figures 1 et 2, montrant un appareil pour former un revêtement de pile solaire par dépôt de bioxyde de silicium et d'oxyde d'aluminium au moyen d'une évaporation de bioxyde de silicium solide au cours d'une oxydation, à l'intérieur d'une cavité et activée par plasma, d'un composé d'alu-65 minium.

Dans la description qui suit il est souvent question de la transformation de matière de l'état solide et/ou liquide à l'état gazeux, donc de sublimation et/ou d'évaporation. Pour sim-

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plifîer, le terme «évaporation» sera utilisé indistinctement pour les deux genres de transformation.

Pour former, sur des articles tels que des piles solaires, une couche d'oxyde/nitrure à partir de matières choisies dans le système quaternaire Al-Si O -N, au moyen d'une source activée par plasma, la source présente une cavité et comporte un dispositif destiné à produire un champ à haute fréquence à l'intérieur de cette cavité. Au moins l'un des composants de la couche est choisi sous la forme d'un composé gazeux. On fait réagir chimiquement ce composé avec au moins un autre composant pour former la couche alors que la température de l'article est maintenue à une valeur inférieur à environ 400 °C.

L'appareil 11 à source autonome de plasma, et montré sur la figure 1, est analogue aux générateurs de plasma tels que ceux décrits dans les brevets des Etats-Unis d'Amérique No 3 801 355 et No 3 922 214. Il comporte un récipient 12 qui comprend une paroi latérale 13 et des parois supérieure et inférieure 14 et 16. Ainsi, comme représenté, le récipient 12 peut avoir la forme d'un cylindre fermé à ses extrémités et délimitant une cavité cylindrique 17. Le récipient ou cylindre 12 présente une ouverture supérieure 18 par laquelle le plasma est déchargé comme décrit ci-après. Il présente également un trou inférieur 19 qui est rélié à un conduit 21 utilisé pour l'introduction de gaz choisis dans la cavité 17.

Le récipient 12 est réalisé dans une matière telle qu'il assume la fonction d'une cavité non volatile, c'est-à-dire ne s'éva-porant pas sous l'effet du plasma produit dans cette cavité. La matière utilisée est un isolant dont les points de fusion et d'é-bullition sont relativement élevés. A titre d'exemple, le récipient ou cylindre 12 peut être réalisé en nitrure de bore dont les points de fusion et d'ébullition sont très élevés, de sorte qu'il est très difficile de faire évaporer le nitrure de bore de la paroi ou de déformer la cavité. Il est apparu que le verre de quartz constituait une matière relativement peu coûteuse pour la réalisation de la cavité et donnant satisfaction avec des plasmas de faible puissance.

Une énergie à haute fréquence est introduite dans la cavité de toute manière convenable, par exemple au moyen d'un couplage capacitif ou d'un couplage inductif bien connu de l'homme de l'art. Ainsi, une bobine d'induction 22, à enroulement hélicoïdal, est placée autour du récipient cylindrique 12 et connectée à une source convenable 23 d'énergie à haute fréquence. A titre d'exemple, la source 23 peut avoir une puissance nominale de 5 à 6 kW à une fréquence de 13,6 MHz. En utilisant une puissance relativement faible, par exemple en appliquant à la bobine 22 une puissance de 1,5 kW au moyen du générateur à haute fréquence, il est possible de faire fonctionner le générateur de plasma montré sur la figure 1 sans provoquer une évaporation du bioxyde de silicium dont la cavité est formée, de sorte que cette cavité réalisée en bioxyde de silicium ou en silice fondue se comporte comme une cavité non volatile.

Une chambre à vide 26 est délimitée par une enveloppe 27 qui présente une ouverture 28 (figure 1) reliée à une source convenable de vide (non représentée), destinée à faire le vide dans la chambre 26 ainsi que dans la cavité 17 ménagée dans le récipient 12. L'enveloppe 27 peut être dimensionnée de manière que l'ensemble du récipient 12 puisse être placé à l'intérieur de cette enveloppe, ou bien, en variante, l'enveloppe 27 peut être montée sur le récipient 12 ou associée à ce dernier afin que la chambre 26 communique avec la cavité 17 par l'ouverture 18 ménagée dans le récipient 12. Un élément (non représenté), situé à l'intérieur de l'enveloppe 27, permet l'introduction d'une ou plusieurs piles solaires 31 sur lesquelles un revêtement doit être formé. Ces piles solaires 31 sont de type classique et elles ne seront donc pas décrites en détail.

Lors de la mise en œuvre de l'appareil montré sur la figure 1 pour la réalisation d'une mince couche d'oxyde et/ou de nitrure afin de former sur la pile solaire 31 un revêtement formant un seul bloc avec cette pile, on choisit des matières faisant partie du système quartenaire Al-Si-O-N. Un ou plusieurs composants sont introduits dans l'appareil sous la for-5 me d'un composé gazeux et ils sont mis en réaction chimique pour former l'oxyde ou la nitrure nécessaire, à l'intérieur de la source activée par plasma ou sur le substrat de la pile solaire pendant que ce substrat est maintenu à une température inférieure à 400 °C. Ainsi, comme montré sur la figure 1, du tri-io chlorure d'aluminium (AICI3) et du silane (SiH4) sont introduits avec de l'oxygène (02) sous forme d'un mélange gazeux au moyen du conduit 21, de manière à pénétrer dans la cavité 17. La mise en marche de la source 23 d'énergie à haute fréquence provoque l'établissement d'un champ à haute fré-15 quence à l'intérieur de la cavité 17, afin d'ioniser le composé gazeux dans cette cavité pour former un plasma. Ce plasma déclenche une réaction chimique à l'intérieur de la cavité, afin que le silane et le trichlorure d'aluminium s'oxydent. Le silicium et les produits contenant de l'aluminium sont sous la 20 forme de gaz et passent, avec un courant de plasma à oxygène, par l'ouverture 18 dans la chambre 26 de manière à atteindre la face ou la surface inférieure de la pile solaire 31. Etant donné que le silicium et les gaz de composés contenant de l'aluminium, associés à l'oxygène activé, frappent la pile solaire ou le 25 substrat, ils se déposent en formant une couche mélangée de bioxyde de silicium (Si02) et d'oxyde d'aluminium (A1203), le plasma à oxygène facilitant le dépôt des matières sur la pile solaire et assurant la réaction totale de ces matières. En d'autres termes, le plasma assure que les matières sont totalement 30 oxydées au moment du dépôt. La différence de pression (la pression régnant dans la chambre 26 étant inférieure à celle régnant dans la cavité 17) permet une réaction entretenue avec le plasma dans la zone à haute pression se trouvant à l'intérieur du générateur tout en maintenant des trajectoires sensi-35 blement exemptes de collisions pour les molécules du courant de gaz se dirigeant vers le substrat.

Lorsque les matières permettant la combinaison de réactions chimiques sont choisies de manière qu'une décomposition thermique prématurée et un dépôt de produits solides ne 4o se produisent pas dans la cavité ni dans le conduit 21 d'alimentation en gaz, la durée pendant laquelle l'appareil peut fonctionner en régime stable est pratiquement illimitée. Il est donc possible de faire fonctionner l'appareil en continu ou pendant de longues périodes, ce qui convient particulièrement 45 à des opérations continues telles que le revêtement de rouleaux.

Bien que l'appareil selon l'invention soit décrit dans son application à la réalisation de revêtements de piles solaires au silicium formant un seul bloc avec ces piles, le même appareil 50 peut être utilisé pour la réalisation de revêtements sur l'arsé-niure de gallium (GaAs) utilisé dans des piles solaires. Pour empêcher la dégradation des piles solaires ou des substrats, les températures de dépôt sont telles que le substrat soit maintenu à une température inférieure à 400 °C. Si cela est souhaité, 55 il est possible de faire varier divers paramètres de dépôt tels que la proportion des gaz réactionneles, la pression totale des gaz réactionneles et la puissance du champ à haute fréquence. Il est souhaitable de faire concorder aussi étroitement que possible la dilatation thermique du revêtement et celle du so substrat. Lorsque l'on passe d'un substrat au silicium à un substrat à l'arséniure de gallium, il est nécessaire de modifier la proportion des gaz réactionnels afin de favoriser le dépôt d'un mélange ayant un coefficient de dilatation thermique plus élevé. Par exemple, dans le cas d'une couche d'oxyde d'a-65 luminium (A1203) et de bioxyde de silicium (Si02), l'adaption à un substrat à l'arséniure de gallium est obtenue par un accroissement de la proportion de A1C13 SiH4 afin de favoriser le dépôt d'un verre plus riche en aluminium.

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Pendant le dépôt de telles matières et lorsque ces matières sont modifiées afin d'être adaptées aux substrats semi-conducteurs, du point de vue thermomécanique, il est souhaitable d'effectuer des dépôts simultanés sur des plaques témoins afin de vérifier le maintien de la transparence de la couche de revêtement.

Les revêtements de piles solaires peuvent être déposés à l'épaisseur sohaitée, par exemple une épaisseur de l'ordre de quelques centièmes de millimètre ou même plus, afin de réaliser la protection souhaitée contre les radiations.

Il convient de noter que, bien que l'appareil ait été décrit en regard de la figure 1, les matières utilisées peuvent être introduites sous la forme d'un gaz. Il convient également de noter qu'il est possible de former un aérosol du liquide et de former un gaz dans le plasma, à l'intérieur de la cavité. En variante, un composé liquide ou en poudre peut être introduit . dans la cavité et évaporé, dans les limites relativement basses de puissance de la source, sans provoquer une évaporation du récipient formant la cavité.

La figure 2 représente une autre forme de réalisation de l'invention. L'appareil est analogue à celui montré sur la figure 1, sauf que certaines parties telles que, par exemple, la chambre à vide, ne sont pas représentées. Dans cette forme de réalisation, de l'oxygène et un gaz ou bien un mélange gazeux contenant de l'oxygène sont introduits au moyen du conduit 21 dans la cavité 17 où un plasma d'oxygène est formé et déchargé par l'ouverture supérieure 18 afin que l'oxygène entre en contact avec la face inférieure de la pile solaire 31. En même temps, un ou plusieurs des composants choisis comme décrit pour la forme de réalisation montrée sur la figure 1 sont introduits comme gaz réactionnels au moyen d'une buse auxiliaire (non représentée) qui est placée à l'extérieur de la cavité 17, mais à l'intérieure de l'enveloppe formant une chambre à vide et à proximité de la surface du substrat ou de la pile solaire à revêtir. Le plasma à oxygène, produit à l'intérieur de la source, réagit alors chimiquement avec les gaz à la surface du substrat ou à proximité de la surface du substrat, de manière à provoquer une décomposition ou une oxydation des gaz pour former une couche des matières mélangées, comme décrit précédemment en regard de la figure 1, cette couche constituant un revêtement recouvrant la pile solaire 31.

Il convient de noter que les substances actives autres que l'oxygène peuvent être utilisées, par exemple des composés contenant de l'azote, de l'ammoniac et du soufre, afin de former des oxydes, des nitrures et des sulfures, sans sortir du cadre de l'invention. Il convient également de noter qu'il peut être souhaitable d'utiliser, à la place du silane indiqué dans la description du procédé en regard de la figure 1, une matière différente en raison de la tendance du silane, qui est prompt à réagir avec l'oxygène, à former une poudre de Si02, à l'intérieur de la cavité, ce qui risque d'obturer l'ouverture supérieure 18. Pour éviter ce problème, il suffit de choisir un composé de silicium moins prompt à réagir, par exemple l'orthosi-licate de tétra-éthyle (C2H50)4Si.

Il convient également de noter que l'appareil peut être mis en œuvre pour produire un plasma au moyen d'un gaz inerte tel que de l'argon ou de l'hélium, l'inconvénient principal étant un processus plus lent en raison de la géométrie de couplage dans l'écoulement gazeux. Lorsqu'on utilise un plasma de gaz inerte, les agents réactionnels sont fournis sous la forme de gaz. Dans les deux formes de réalisation de l'appareil montrées sur les figures 1 et 2, il apparaît qu'une cavité du type non volatile est utilisée.

Une autre forme de réalisation montrée sur la figure 3, utilise une cavité du type s'évaporant. Ainsi, du verre de quartz (Si02) est choisi, une plus grande puissance étant utilisée pour la formation du plasma à l'intérieur de la cavité afin de provoquer l'évaporation du Si02 des parois de la cavité. De plus,

des gaz auxiliaires sont introduits par le conduit dans la cavité 17. Ainsi, comme représenté, de l'oxygène et du trichlorure d'aluminium sont introduits et un gaz se forme dans la cavité, ce gaz s'associant à l'évaporation du SiOz solide afin qu'il se 5 produise, dans la cavité, une oxydation du composé d'aluminium pour donner de l'oxyde d'aluminium (A1203). Le Si02 passe par l'ouverture 18 avec le plasma à oxygène afin d'atteindre la surface inférieure de la pile solaire 31 pour former un mélange de bioxyde de silicium et d'oxyde d'aluminium io comme décrit précédemment. Cet appareil présente l'inconvénient de nécessiter un remplacement périodique du récipient 12 formant la cavité 17 en raison de l'évaporation du bioxyde de silicium.

Pour éviter d'avoir à remplacer le récipient 12 formant la 15 cavité, du bioxyde de silicium peut être introduit sous la forme d'une poudre dans le plasma afin d'être vaporisé par ce dernier, ce qui rend possible une alimentation continue de la cavité avec de la poudre de bioxyde de silicium. En variante, deux matières peuvent être utilisées pour former le récipient 20 12 constituant la cavité, de sorte que ces matières puissent être évaporées par la formation d'un plasma à l'intérieur de la cavité. Dans ce cas, il est souhaitable de choisir deux matières ayant des pressions de vapeur relativement proches à une températures différente.

25 Dans les formes de réalisation de l'appareil selon l'invention montrées sur les figures 1,2 et 3, les bobines à haute fréquence sont représentées comme entourant le récipient 12 formant la cavité 17. Il convient de noter que, si cela est souhaité, les bobines à haute fréquence peuvent être placées dans une so position différente, par exemple au-dessous du récipient 12. Dans ce cas, un concentrateur de flux (non représenté), bien connu de l'homme de l'art, peut être utilisé pour transférer le flux jusqu'au niveau de la cavité afin de former le plasma comme décrit précédemment.

35 II ressort de la description précédente qu'il est possible de déposer sur des piles solaires des revêtements formant un seul bloc avec ces piles et dont la composition est choisie dans le système quaternaire Al-Si-O-N. En temps normal, les compositions de revêtement sont choisies en fonction du coeffi-40 cient de transmission optique et de la compatibilité thermomécanique avec le substrat. Les coefficients de dilatation thermique sont indiqués dans le tableau suivant:

Tableau

Matière Coefficient de dilatation thermique ppm / °C Si 4,2

so Si02 (silice fondue) 0,5

A1203 8,0

Si3N4 2,69

AIN 4,89

55

On peut choisir une composition parmi les systèmes Si02+Si3N4, Si02+A1203 ou AIN + Si3N4. On peut utiliser comme matières de base des hydrures (tels que du triéthylalu-minium). La source activée par plasma, telle que décrite prèso cédemment, est utilisée pour déposer ces matières choisies afin de former des couches ayant totalement réagi à grande vitesse. Comme indiqué précédemment, pour obtenir la composition souhaitée pour la couche, un ou plusieurs des composants sont introduits dans l'appareil sous la forme d'un composé 65 gazeux et sont mis en réaction chimique pour produire l'oxyde ou le nitrure demandé, soit à l'intérieur de la pile solaire, soit sur le substrat de cette pile. Le substrat de la pile solaire peut être aisément maintenu à une température inférieure à

400 °C afin que ses caractéristiques de fonctionnement ne soient pas dégradées par suite de l'application du revêtement sur la pile. Etant donné que le substrat peut être maintenu à de basses températures, l'appareil selon l'invention convient particulièrement à la formation de revêtements continus au rouleau sur des matières en feuilles ne pouvant supporter des températures élevées.

L'appareil décrit dans le présent mémoifë présente un certain nombre d'avantages pour la formation de/revêtements constitués de couches minces. En général, de faibles températures de dépôt peuvent être utilisées afin de permettre la formation de revêtements sur des substrats tels que ceux en matière plastiques qui ne peuvent supporter une forte chaleur, par exemple des températures de revêtements dépassant environ 100 à 150 °C La vitesse de revêtement pouvant être atteinte au moyen de l'appareil selon l'invention est sensiblement supérieure à celle pouvant être obtenue par pulvérisation. La source de plasma peut être utilisée en continu au moyen d'une cavité ne s'évaporant pas ou par l'alimentation en poudre de la cavité. De plus, il convient de noter qu'il existe un certain nombre d'autres applications auxquelles l'appareil selon l'invention convient. Parmi les applications les plus importantes, on peut citer le dépôt d'oxydes conducteurs, par exemple d'oxyde d'étain (Sn02) ou d'oxyde d'indium (In2C>5), et en particulier de mélanges conducteurs d'oxydes choisis dans les systèmes indium-étain-oxyde (ITO) (In-Sn-O) et an-

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timoine-étain-oxyde (Sb-Sn-O). L'appareil selon l'invention, décrit dans une application utilisant des matières choisies dans le système quaternaire Al-Si-O-N, peut être mis en œuvre avec des matières choisies dans les systèmes In-Sn-0 et 5 Sb-Sn-O. Des exemples d'utilisation de matières choisies dans ces derniers systèmes sont donnés ci-dessous:

Cavité

10

15

Pas d'éva-poration

Gaz récationnels

SnCl4 ou Sn(C2H5)4, In(CH3)3 Idem

Point d'intro- Couche duction des gaz déposée réactionnels .

par une source ITO

20

Evaporation In(CH3)3

d'étain-

oxyde extérieur-proche du substrat extérieur ou par la source

ITO

ITO ITO

D'autres sources de gaz réactionnels pouvant être utilisées avec l'étain et l'antimoine comprennent des halogénures volatils ou une grande gamme de composés organométalliques.

25 Dans le cas de l'indium, le choix des vapeurs est limité aux composés organométalliques, car les halogénures connus ne sont pas suffisamment volatils.

C

1 feuille dessins

Claims

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1. Appareil pour former une couche solide d'oxyde et/ou de nitrure sur la surface d'un article (31) au moyen d'une source de plasma autonome, caractérisé en ce qu'il comporte un récipient (12) qui présente une cavité (17) communiquant avec une ouverture de sortie (18), une enveloppe (27) qui est reliée au récipient et qui délimite une chambre (26) communiquant avec l'ouverture de sortie (18) du récipient, un dispositif (28) destiné à faire le vide dans la chambre (26) et dans la cavité (17), l'enveloppe étant réalisée de manière à recevoir l'article (31) sur lequel la couche doit être formée, un dispositif (23) établissant un champ à haute fréquence à l'intérieur de la cavité (17), un élément (21) permettant l'introduction d'un gaz dans la cavité afin de créer un plasma gazeux qui élève la pression régnant dans la cavité pour que ce plasma soit déchargé indépendamment de tout champ magnétique extérieur en passant par l'ouverture de sortie et atteigne la surface à revêtir, un élément (21) de fourniture d'un gaz qui se forme indépendamment de l'évaporation ayant lieu dans la cavité afin que cette dernière réagisse chimiquement avec le plasma gazeux pour produire un mélange formant une couche solide sur la surface de l'article.

2. Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément (21) de fourniture d'un gaz est disposé de manière à introduire le gaz, dans la cavité ou vers la surface de l'article à revêtir.

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REVENDICATIONS

3. Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément (21) permettant d'introduire un gaz comprend un organe destiné à introduire des premier et second composants, sous une forme gazeuse, dans la cavité ou vers la surface de l'article.