CH644409A5 - Glocke aus quarzglas fuer halbleitertechnologische zwecke. - Google Patents

Glocke aus quarzglas fuer halbleitertechnologische zwecke. Download PDF

Info

Publication number
CH644409A5
CH644409A5 CH57880A CH57880A CH644409A5 CH 644409 A5 CH644409 A5 CH 644409A5 CH 57880 A CH57880 A CH 57880A CH 57880 A CH57880 A CH 57880A CH 644409 A5 CH644409 A5 CH 644409A5
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
bell
welded
tapered
flange
quartz glass
Prior art date
Application number
CH57880A
Other languages
English (en)
Inventor
Alfons Gutermann
Heinz Herzog
Heinrich Mohn
Karl A Schuelke
Original Assignee
Heraeus Schott Quarzschmelze
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heraeus Schott Quarzschmelze filed Critical Heraeus Schott Quarzschmelze
Publication of CH644409A5 publication Critical patent/CH644409A5/de

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • C30B25/08Reaction chambers; Selection of materials therefor

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)

Description

644409

Claims (4)

PATENTANSPRÜCHE
1. Glocke aus Quarzglas für halbleitertechnologische Zwecke, insbesondere Epitaxie-Glocke, mit einem aus Quarzmaterial bestehenden angeschweissten Flansch auf der verjüngten Seite, aus der im Betrieb ein Prozessgas austritt, und mit einem angeschweissten Flansch aus Quarzgut auf der gegenüberliegenden Seite, wo das Prozessgas eintritt,
dadurch gekennzeichnet, dass der Flansch auf der Pro-zessgas-Austrittsseite aus einem umgebördelten dickwandigen Rohrteil aus Quarzglas besteht, dessen eines Ende an das eingezogene verjüngte Glockenteil angeschweisst ist, dessen Wand im Verjüngungsbereich verdickt ist und höchstens das Doppelte der Glocken Wandstärke im unverjüngten Bereich beträgt.
2. Glocke nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Wandstärke der Glocke im verjüngten Bereich kontinuierlich vergrössert in Richtung zum angeschweissten Rohrteil.
3. Glocke nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Wandstärke der Glocke im verjüngten Bereich maximal das 1,3- bis 1,6fache der Glockenwandstärke im unverjüngten Bereich beträgt.
4. Glocke nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass sich zwischen dem verjüngten Glockenende und dem angeschweissten Quarzglasflansch ein zylindrisches Kragenteil befindet.
Die Erfindung betrifft eine Glocke aus Quarzglas für halbleitertechnologische Zwecke, insbesondere Epitaxie-Glocke, mit einem aus Quarzmaterial bestehenden angeschweissten Flansch auf der verjüngten Seite, aus der im Betrieb ein Prozessgas austritt, und mit einem angeschweissten Flansch aus Quarzgut auf der gegenüberliegenden Seite, wo das Prozessgas eintritt.
Glocken der vorstehend charakterisierten Art sind bekannt und werden zum Aufwachsen von monokristallinem Silizium auf Silizium-Halbleiterscheiben verwendet.
Die Glocken werden üblicherweise in vertikaler Stellung betrieben. Bei den bekannten Glocken besteht der ange-schweisste Flansch aus einem zylinderförmigen Quarzgut-Körper mit Randlamellen, die durch Einsägen hergestellt sind. An diesen Quarzgutkörper ist eine kreisringförmige Quarzglasplatte angeschweisst. Zur Stütze dieser so kompliziert ausgebildeten Flanschform ist die Quarzglasplatte an ihrem Aussenrand mit einem Quarzglashohlzylinder ver-schweisst, dessen andere Seite mit dem verjüngten Glockenteil verschweisst ist.
Die bekannten Glocken aus Quarzglas haben sich zwar im
Betrieb gut bewährt, infolge der komplizierten Flanschkonstruktion waren siejedoch sehr arbeitsaufwendig, damit ziemlich teuer und auch bruchempfindlich.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Quarzglas-Glocke für halbleitertechnologische Zwecke zu schaffen, bei der der an der verjüngten Seite angeschweisste Flansch weniger störanfällig und kostengünstiger hergestellt werden kann.
Gelöst wird die Aufgabe für eine Glocke der eingangs charakterisierten Art erfindungsgemäss dadurch, dass der Flansch auf der Prozessgas-Austrittsseite aus einem umgebördelten dickwandigen Rohrteil aus Quarzglas besteht, dessen eines Ende an das eingezogene verjüngte Glockenteil angeschweisst ist, dessen Wandstärke im Verjüngungsbereich verdickt ist und höchstens das Doppelte der Glocken-Wandstärke im unverjüngten Bereich beträgt. Bewährt haben sich Glocken, bei denen die Wandstärke im verjüngten Bereich sich kontinuierlich vergrössert. Die Wandstärke der Glocke im verjüngten Bereich beträgt vorteilhafterweise maximal das 1,3- bis l,6fache der Glockenwandstärke im unverjüngten Bereich. An den verjüngten Glockenbereich schliesst sich in Richtung des angeschweissten Quarzglas-Flansches ein zylindrisches Kragenteil an, das z.B. an das verjüngte Glok-lcenende angeschweisst ist. Mit diesem Kragenteil ist der Flansch verschweisst.
Durch die erfmdungsgemässe Ausbildung des verjüngten Glockenteils und des angeschweissten Flansches wird eine gleichbleibend hohe Festigkeit gewährleistet. Der Arbeitsaufwand für die erfmdungsgemässe Ausbildung des Glockenendes ist erheblich vermindert gegenüber dem Arbeitsaufwand für die bekannten Glockenflansche. Ausserdem gewinnt man durch die erfmdungsgemässe Ausbildung des Flansches noch den Vorteil, dass man bei eingebauten Glocken durch den transparenten umgebördelten Teil des angeschweissten Flansches hindurch beobachten kann, ob die vor diesem umgebördelten Flanschteil angeordneten elastischen Abdichtungsringe noch betriebssicher sind.
In der Figur ist ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäss ausgebildeten Glocke schematisch im Vertikalschnitt dargestellt.
Mit der Bezugsziffer 1 ist die Glocke bezeichnet. An das Glockenende, durch das das Prozessgas eintritt, ist ein Flansch 2 aus Quarzgut angeschweisst. Das gegenüberliegende Glockenende 3, durch das das Prozessgas austritt, ist verjüngt ausgebildet. Die Wandstärke des verjüngten Glok-kenteils nimmt gemäss dem Ausführungsbeispiel stetig zu. Sie beträgt maximal das Doppelte der Glockenwandstärke im unverjüngten Bereich 4. An den verjüngten Glockenbereich 3 schliesst sich ein zylindrischer Kragenteil 5 an, mit dem das umgebördelte dickwandige Rohrteil 6 aus Quarzglas verschweisst ist.
2
s
10
15
20
25
30
35
40
45
50
B
1 Blatt Zeichnungen
CH57880A 1979-03-03 1980-01-24 Glocke aus quarzglas fuer halbleitertechnologische zwecke. CH644409A5 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2908288A DE2908288B1 (de) 1979-03-03 1979-03-03 Glocke aus Quarzglas fuer halbleitertechnologische Zwecke

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH644409A5 true CH644409A5 (de) 1984-07-31

Family

ID=6064354

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH57880A CH644409A5 (de) 1979-03-03 1980-01-24 Glocke aus quarzglas fuer halbleitertechnologische zwecke.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4530818A (de)
JP (1) JPS55118630A (de)
CH (1) CH644409A5 (de)
DE (1) DE2908288B1 (de)
FR (1) FR2450884A1 (de)
GB (1) GB2047226B (de)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3107421C2 (de) * 1981-02-27 1985-02-14 Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau Glocke aus Quarzgut für die Abscheidung von Poly-Silizium
US6784033B1 (en) 1984-02-15 2004-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for the manufacture of an insulated gate field effect semiconductor device
US6786997B1 (en) 1984-11-26 2004-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma processing apparatus
JPH0752718B2 (ja) 1984-11-26 1995-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜形成方法
US6230650B1 (en) 1985-10-14 2001-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microwave enhanced CVD system under magnetic field
US6673722B1 (en) 1985-10-14 2004-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microwave enhanced CVD system under magnetic field
JP2601355B2 (ja) * 1989-10-26 1997-04-16 東芝セラミックス株式会社 ウェハボート用の搬送治具
DE19930817C1 (de) * 1999-07-01 2001-05-03 Sico Jena Gmbh Quarzschmelze Verfahren zur Herstellung von Verbundkörpern aus Quarzmaterial

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR342018A (fr) * 1904-04-08 1904-08-25 Leon Appert Procédé de fabrication mécanique du verre plan dit "verre à vitres"
FR1297582A (fr) * 1960-11-22 1962-06-29 Hughes Aircraft Co Procédé et appareil pour diffuser des impuretés dans les semi-conducteurs
DE1262244B (de) * 1964-12-23 1968-03-07 Siemens Ag Verfahren zum epitaktischen Abscheiden einer kristallinen Schicht, insbesondere aus Halbleitermaterial
JPS4423937Y1 (de) * 1966-08-17 1969-10-09
DE1917016B2 (de) * 1969-04-02 1972-01-05 Siemens AG, 1000 Berlin u. 8000 München Verfahren zur herstellung von hohlkoerpern aus halbleiter material
US3853974A (en) * 1970-04-06 1974-12-10 Siemens Ag Method of producing a hollow body of semiconductor material
JPS4942351B1 (de) * 1970-08-12 1974-11-14
US3715197A (en) * 1970-12-10 1973-02-06 Bendix Corp Method and preform for reshaping glass tubing
JPS568105B2 (de) * 1972-04-12 1981-02-21
JPS49387A (de) * 1972-04-17 1974-01-05
DE2259353C3 (de) * 1972-12-04 1975-07-10 Heraeus-Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau Tiegel aus Quarzglas oder Quarzgut zur Verwendung beim Züchten von Einkristallen
CH612657A5 (en) * 1975-06-13 1979-08-15 Heraeus Schott Quarzschmelze Quartz glass and process for the preparation thereof
US4173944A (en) * 1977-05-20 1979-11-13 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Silverplated vapor deposition chamber

Also Published As

Publication number Publication date
GB2047226B (en) 1982-12-15
DE2908288C2 (de) 1980-09-25
FR2450884B1 (de) 1982-12-10
FR2450884A1 (fr) 1980-10-03
US4530818A (en) 1985-07-23
JPS55118630A (en) 1980-09-11
GB2047226A (en) 1980-11-26
DE2908288B1 (de) 1980-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2925457C2 (de)
CH644409A5 (de) Glocke aus quarzglas fuer halbleitertechnologische zwecke.
DE3211783C2 (de) Zyklonabscheider
DE2231557A1 (de) Reaktor fuer katalytische gasphaseoxydation
DE19541436A1 (de) Anlage zur Behandlung von Gegenständen in einem Prozeßtank
DE2849333C3 (de) Keramische Probenahmevorrichtung für Metallschmelzen insbesondere Stahlschmelzen
EP0094590A3 (de) Anlage, in der ein Kältemittel im Kreislauf geführt wird
DE19828917C1 (de) Anordnung vom Brunnenfiltermaterial in Entnahme- oder Schluckbrunnen
DE453876C (de) Brunnenfilter aus einzelnen uebereinanderliegenden, durch Langbolzen zusammengehaltenen Filterkoerben mit Kiesfuellung
DE2823942B1 (de) Fluessigkeitsabscheider
EP0019252A1 (de) Mehrlochdruckdüse für Verkokungsöfen
DE463750C (de) Rohrformstueck
AT379628B (de) Einlaufbauwerk
DE2150737A1 (de) Fliehkraft-entstauber, insbesondere zur rauchgasentstaubung
AT220727B (de) Elektrofilter, insbesondere zur Gichtgasreinigung
AT365318B (de) Membranventil
AT82282B (de) Nasser Gasmesser.
DE3616747A1 (de) Verlegeform fuer vakuumentwaesserungsleitung
DE853286C (de) Reaktionsturm mit Fuellkoerperfuellung
AT231366B (de) Luftabscheider für Wasser- und Abwasserleitungen
DE1175151B (de) Pneumatische Vorrichtung zum Heben fester, koerniger Stoffe
DE1829390U (de) Draenrohr.
DE827317C (de) Zyklon-Abscheider und sein Einbau in eine pneumatische Hebeanlage
DE1611143C (de) Abscheider für Feststoffe aus Flüssigkeiten
DE538432C (de) Filterrohr fuer Rohrbrunnen aus Metall oder Steingut

Legal Events

Date Code Title Description
PL Patent ceased