CH615996A5 - Instrument for indicating carbon monoxide. - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Nachweis von Kohlenmonoxyd in einer Atmosphäre mit verschiedenen gasförmigen Anteilen mittels eines Halbleiterelements, das Zinnoxyd als Grundmaterial und Platin als Katalysator aufweist.

Bekannte Vorrichtungen dieser Art sind jedoch nicht imstande, die Konzentration von Kohlenmonoxyd in der Atmosphäre trennscharf anzuzeigen, weil sie zu gleicher Zeit und mit verschiedener Empfindlichkeit auch die Gegenwart von Wasserstoff, Stadtgas und Propangas anzeigen. Die Konzentration von Kohlenmonoxyd in der Atmosphäre könnte zwar mit grosser Trennschärfe durch ein Analysengerät bestimmt werden. In der Praxis ist diese Messmethode jedoch unbefriedigend, weil sie lange dauert. Mit einem Analysengerät ist es möglich, den Standort eines Feuers durch eine Messung der Konzentration von Kohlenmonoxyd im Rauch des Feuers in kurzer Zeit zu melden.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Schaffung eines Gerätes zur Anzeige von Kohlenmonoxyd, welches einfach in der Konstruktion und in der Lage ist, rasch, genau und trennscharf Kohlenmonoxyd allein aus verschiedenen gasförmigen Komponenten in der Atmosphäre anzuzeigen. Diese Aufgabe wird gemäss der Erfindung gelöst durch eine Einrichtung zur Bestimmung der Unstetigkeitsstelle des elektrischen Widerstandes des Halbleiterelementes, die jeweils bei einer bestimmten Temperatur auftritt, welche von der Koh-lenmonoxyd-Konzentration abhängt.

Nachstehend wird die Erfindung anhand von Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 ein Diagramm der Temperatur/Widerstandscharakteristik von Halbleiterelementen;

Fig. 2 ein Diagramm der Charakteristik der Konzentration von Kohlenmonoxyd in Funktion der Temperatur;

Fig. 3 ein Block-Schaltschema eines Gerätes gemäss der Erfindung;

Fig. 4 ein Schema der elektrischen Verbindungen eines Gerätes gemäss Fig. 3;

Fig. 5 ein Block-Schaltschema einer zweiten Ausführungsform eines Gerätes gemäss der Erfindung;

Fig. 6 ein Diagramm der Temperatur/Widerstandscharakteristik mit Relativwerten für die Ausführungsform gemäss Fig. 5;

Fig. 7—9 Anzeige-Diagramme der Ausgangsspannung in Volt in Funktion der Zeit, gemessen mit einem Gerät nach Fig. 5.

In den Figuren bezeichnen die gleichen Bezugszeichen und Bezugsbuchstaben gleiche oder entsprechende Teile. Im CH-Patent Nr. 604 166 ist ein Gerät beschrieben, welches mit Halbleiterelementen zur trennscharfen Anzeige von Kohlenmonoxyd arbeitet, wobei der Halbleiter wahlweise aus Platinsalzen und Platinmohr in einer Menge von mindestens 0,3 % Gewicht bezogen auf metallisches Platin, gemischt mit Zinnoxyd oder Zinnsalzen besteht, wobei die letzteren durch Erhitzung in Zinnoxyde verwandelt werden, und die Mischung in einer oxydierenden Atmosphäre, wenn notwendig in Gegenwart eines Sintermittels, erhitzt wird.

Fig. 1 ist ein Diagramm der Temperatur/Widerstandscharakteristik des Halbleiter-Elementes, Das letztere besteht aus einer Mischung von 80 % Zinnoxyd, 10 °/o Platinchlor-Wasserstoffsäure als Katalysator, und 10 % Ton als Sintermittel. Die Mischung wird in einer oxydierenden Atmosphäre gesintert. Das Halbleiterelement ist in einer Atmosphäre von verschiedenen gasförmigen Anteilen nur auf Kohlenmonoxyd empfindlich. Im übrigen ändert der elektrische Widerstand dieses Halbleiterelementes sprunghaft bei einer gewissen Temperatur, welche von der Konzentration von Kohlenmonoxyd in der Atmosphäre abhängt. Wie in Fig. 1 ersichtlich, sind die Unstetigkeitsstellen für 100 ppm, 500 ppm und 1000 ppm von Kohlenmonoxyd mit Tsi, Ts2 und Ts3 bezeichnet und zeigen die Temperatur in ° C an. Die Temperatur, bei welcher der Widerstand des Elementes sprunghaft ändert, ist proportional höher bei Erhöhung der Konzentration von Kohlenmonoxyd, wie in Fig. 2 ersichtlich. Aus diesem Grunde kann die Konzentration von Kohlenmonoxyd bei Verwendung eines Elementes mit den oben beschriebenen Eigenschaften trennscharf bestimmt werden durch Bestimmung der Temperatur der Unstetigkeitsstelle des Elementes.

Fig. 3 ist ein Blockschema eines Gerätes gemäss der Erfindung. Das Halbleiter-Element ist mit S bezeichnet. In der Nähe des Elementes S ist eine Heizvorrichtung h angeordnet, um das Element S zu erhitzen. Ebenfalls in der Nähe des Elementes S ist ein Thermistor t angeordnet zur Messung der Temperatur des Elementes S. Eine Steuervorrichtung H zur Steuerung des Heizstromes in der Heizvorrichtung h ist zwischen die Stromquelle E und die Heizvorrichtung h eingeschaltet. Eine Messvorrichtung SW zur Messung der Temperatur der Unstetigkeitsstelle ist zwischen das Halbleiterelement S und die Stromquelle E eingeschaltet. Die Messvor5

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richtung SW besteht aus einer Schaltvorrichtung, welche zwischen das Halbleiterelement S und die Stromquelle E eingeschaltet ist und dient der Ausschaltung der Steuervorrichtung H, sobald sie einen plötzlichen Wechsel des elektrischen Widerstandes des Halbleiterelementes S feststellt, und einem dem s Thermistor t zugeordneten Speicherkreis, um den Wechsel zu speichern. Das Gerät zur Anzeige von Kohlenmonoxyd um-fasst ferner eine Anzeigevorrichtung A, welche die Konzentration von Kohlenmonoxyd in Übereinstimmung mit der Temperatur des Halbleiterelementes S anzeigt bzw. registriert, io

Sobald die Stromquelle E an die Steuervorrichtung H und an die Messvorrichtung SW angeschlossen ist, und das Halbleiterelement S durch die Heizvorrichtung h allmählich erhitzt wird, sinkt der elektrische Widerstand des Thermistors t ebenfalls allmählich. Die Temperatur des Halbleiter- 15 elementes S kann dabei durch ein Schreibgerät, welches in der Anzeigevorrichtung A eingebaut ist, angezeigt werden. Unter der Annahme, dass die zu warnende Konzentration des Kohlenmonoxydes in der Atmosphäre 500 ppm beträgt, verändert sich der elektrische Widerstand des Halbleiterelemen- 20 tes S plötzlich, wenn die Temperatur desselben an die Unstetigkeitsstelle Ts2 gelangt, wie in Fig. 1 dargestellt. Der plötzliche Wechsel des elektrischen Widerstandes wird durch die Messvorrichtung SW festgestellt, worauf die Steuervorrichtung H ausgeschaltet wird. Die Heizvorrichtung h hinkt 25 dabei etwas nach. Die Anzeigevorichtung A zeigt in diesem Moment die Temperatur des Halbleiterelementes S an, welche gleichzeitig auch die Konzentration des Kohlenmonoxydes darstellt. Das Schreibgerät der Anzeigevorrichtung A wird in dieser Stellung während einer vorgegebenen Zeit gehalten. 30 Erreicht die Konzentration des Kohlenmonoxydes in der Atmosphäre 1000 ppm, so bewegt sich der Zeiger des Schreibgerätes, sobald die Temperatur des Halbleiterelements die Unstetigkeitsstelle Tss erreicht, wie in Fig. 1 dargestellt ist. In dieser Stellung wird das Schreibgerät wieder gehalten und 35 zeigt dadurch die entsprechende Konzentration von Kohlenmonoxyd an.

Fig. 4 ist ein Schema der elektrischen Verbindungen eines Gerätes gemäss Blockschema von Fig. 3. Wenn der Schalter U zur Verbindung der Stromquelle E mit dem Gerät-40 d. h. mit den Verbindungsleitungen h und I2, eingeschaltet ist, so befindet sich die Steuervorrichtung H unter Strom. Der Kondensator Ci wid über einen Widerstand Ri allmählich aufgeladen und erhöht dadurch die Spannung der Basis des Transistors Tn, welche an die Verbindungsleitung zwischen 45 dem Widerstand Ri und dem Kondensator Ci angeschlossen ist. Sobald der Transistor Tri leitend wird, kann die Heizvorrichtung h, welche am Kollektor des Transistors Tr2 angeschlossen ist, das Halbleiterelement S erwärmen. Mit dem Erwärmen des Halbleiter elements S wird auch der Thermistor 50 t aufgeheizt, so dass sein Widerstand allmählich abnimmt.

Eine Brückenschaltung, bestehend aus dem, zwischen den Verbindungsleitungen Ii und I2 über den Widerstand R3 geschalteten Thermistor t einerseits und den Widerständen Rs, R4 und Rs andererseits, wird aus dem Gleichgewicht ge- 55 bracht und setzt dadurch den zwischen den Widerständen R4 und R5 angeschlossenen Kondensator C2 über eine Diode D unter Spannung. Die Diode D ist mit dem Thermistor t direkt verbunden. Die Gitterspannung des Feldeffekt-Tran-sistors FET, dessen Gitter mit dem Kondensator C2 verbun- 60 den ist, steigt. Diese Spannungserhöhung der Gitterspannung verursacht einen Strom, welcher über die Anzeigevorrichtung A fliesst. Als Anzeigevorrichtung A kann beispielsweise ein Ampèremeter verwendet werden, welches an die Verbindungsleitung Ii und den Abfluss des Transistors FET ange- 65 schlössen ist. Der Zeiger des Ampèremeters zeigt die Temperatur des Halbleiterelementes S an. Wenn diese Temperatur die Unstetigkeitsstelle Ts2 erreicht, wie in Fig. 1 gezeigt, so erhöht sich der Widerstand des Halbleiterelementes S plötzlich. Dadurch tritt ein Spannungssprung an der Verbindungsstelle zwischen dem Widerstand R2 und dem Halbleiterelement S auf, welcher über die Transistoren Tr2 und Tr3 verstärkt wird. Der Transistor Tr2 ist mit seiner Basis über den Kondensator C3 mit der oben erwähnten Verbindungsstelle verbunden. Der Kollektor des Transistors Tr2 ist über den Widerstand Re mit der Verbindungsleitung Ii verbunden. Der Emitter dieses Transistors ist direkt mit der Verbindungsleitung I2 verbunden. Der Transistor Trs ist mit seiner Basis mit dem Kollektor des Transistors Tr2 verbunden. Der Emitter des Transistors Tr3 ist mit der Verbindungsleitung Ii verbunden. Der Kollektor dieses Transistors ist über den Widerstand R7 mit der Verbindungsleitung I2 verbunden. Sobald das verstärkte Signal auftritt, wird der gesteuerte Siliziumgleichrichter SCR leitend. Dieser Gleichrichter ist zwischen die Verbindungsleitungen Ii und I2 geschaltet und weist eine Verbindung zum Kollektor des Transistors Ts auf, welche von der Gitterelektrode des Gleichrichters über eine Zener-diode ZDi führt. Die Zenerdiode ZDi dient der Spannungshaltung. Sobald der Gleichrichter SCR leitend gemacht ist, ist der Stromkreis der Heizvorrichtung h kurz geschlossen und stellt die Erhitzung des Halbleiterelementes ein. Gleichzeitig leuchtet eine Meldelampe L auf, welche in Serie mit dem Widerstand Rs und der Verbindungsleitung Ii zwischen die Stromquelle E und dem Gleichrichter SCR geschaltet ist. Die Meldelampe zeigt durch ihr Aufleuchten an, dass eine plötzliche Widerstandsänderung, d. h. eine Unstetigkeitsstelle des Halbleiterelementes S erreicht ist. Die Temperatur Ts2 des Halbleiterelementes S und die entsprechende Konzentration von Kohlenmonoxyd von 500 ppm wird durch das Schreibgerät der Anzeigevorrichtung A angegeben. Durch den Kondensator C2 wird die Stellung des Zeigers der Anzeigevorrichtung A während einer vorbestimmten Zeit gehalten. Der Zeiger kann durch Einstellung des veränderlichen Widerstandes R5 in die Nullstellung gebracht werden. Zwischen den Verbindungsleitungen Ii und I2 sind ein Kondensator Gt und eine Zenerdiode ZD2 parallel eingeschaltet zur Unterdrückung von Störungen, welche von der Stromquelle E herrühren. Dabei wird gleichzeitig auch eine Stabilisierung der Spannung bewirkt.

In dem oben beschriebenen Gerät zur Anzeige von Kohlenmonoxyd wird das Halbleiterelement S durch die Heizvorrichtung h allmählich erhitzt. Es ist jedoch möglich, die Temperatur des Halbleiterelementes stufenweise zu verändern, indem das Halbleiterelement durch eine andere Heizvorrichtung der Steuervorrichtung H auf eine höhere Temperatur gebracht wird und anschliessend nach Ausschaltung dieser Heizvorrichtung das erhitzte Halbleiterelement in die zu überwachende Atmosphäre eingebracht und stufenweise durch die Temperaturdifferenz zwischen dem Halbleiterelement und der Atmosphäre abgekühlt wird. In diesem Falle erreicht das Halbleiterelement S während der Abkühlung eine vorbestimmte Temperatur, z. B. die Unstetigkeitsstelle Ts2, welche von der Konzentration des Kohlenmonoxydes in der Atmosphäre abhängt. An dieser Stelle vermindert sich der elektrische Widerstand des Halbleiterelementes S plötzlich, wie in Fig. 1 dargestellt ist. Die Schaltvorrichtung in der Messvorrichtung SW zur Ausschaltung der Steuervorrichtung H kam bei dieser Ausführungsform weggelassen werden. Es ist vorteilhaft, ein Halbleiterelement mit einer grossen Wärmekapazität zu wählen, damit die Temperatur des Halbleiterelementes, nachdem die Heizvorrichtung abgeschaltet ist, über eine gewisse Zeit ungefähr gehalten werden kann.

Fig. 5 ist ein Block-Schaltschema einer zweiten Ausführungsform eines Gerätes zur Anzeige von Kohlenmonoxyd, gemäss der Erfindung. Das Halbleiterelement S erhitzt sich durch den elektrischen Strom, welcher durch das Halbleiter-

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Element hindurchfliesst und benötigt deshalb keine Heizvorrichtung. Die Klemme 2 des Halbleiter-Elementes S ist über einen Lastwiderstand 3 mit der Klemme 4 einer Stromquelle E verbunden. Die Klemme 1 des Halbleiter-Elementes ist mit der Klemme 5 der Stromquelle verbunden. Ein Anzeigegerät I ist über einen Impulszähler P an die Enden des Lastwiderstandes 3 angeschlossen.

Die Fig. 6 zeigt ein Diagramm der Temperatur/Wider-standscharakteristik des Halbleiter-Elementes S, welches in der Ausführungsform von Fig. 5 Anwendung findet. Die Kurve Ai zeigt den Widerstand R des Halbleiter-Elementes in reiner Luft in Abhängigkeit der Temperatur T. Die Kurven M und N zeigen Widerstandswerte desselben Halbleiter-Elementes in einer Atmosphäre, welche M ppm Kohlenmonoxyd bzw. N ppm Kohlenmonoxyd enthält. Aus diesen Kurven ist klar ersichtlich, dass der Strom, welcher durch das Halbleiter-Element S hindurchfliesst, infolge des hohen Widerstandswertes des Halbleiter-Elementes in reiner Luft sehr klein ist. In einer Atmosphäre, welche M ppm Kohlenmonoxyd enthält, erhöht sich der Widerstand des Halbleiter-Elementes bei der Unstetigkeitsstelle Tj plötzlich und zeigt, wie aus der Kurve M klar ersichtlich ist, keine Empfindlichkeit gegenüber Kohlenmonoxyd mehr an. In einer Atmosphäre, welche N ppm Kohlenmonoxyd enthält, erhöht sich die Unstetigkeitsstelle von Tj auf die höhere Tempeatur Tk, wie aus der Kurve N ersichtlich.

Wenn das Halbleiter-Element S in einem Gerät gemäss Fig. 5 in Berührung mit einer Atmosphäre, welche M ppm Kohlenmonoxyd enthält, bei einer Raumtemperatur To in Berührung kommt, so fällt der Widerstand des Halbleiter-Ele-mentes S plötzlich von a auf b und bewirkt dadurch, dass der Strom, welcher durch das Halbleiter-Element fliesst, ansteigt.

Dadurch steigt die Temperatur infolge Selbsterhitzung des Halbleiter-Elementes S von To auf eine höhere Temperatur Ti. Der Widerstand des Halbleiter-Elementes verändert sich nun nur wenig, bis die Unstetigkeitsstelle Tj erreicht ist. Bei diesen Bedingungen zeigt das Halbleiter-Element S keine Empfindlichkeit gegenüber Kohlenmonoxyd, bis der Punkt d erreicht ist. Der Strom, welcher durch das Halbleiter-Element fliesst, vermindert sich und bewirkt dadurch eine Abkühlung des Halbleiter-Elementes auf die Temperatur T2, bei welcher das Element wieder Empfindlichkeit gegenüber Kohlenmonoxyd aufweist. Hierauf erhitzt sich das Halbleiter-Element erneut auf die Temperatur T3 und erhöht dadurch dessen Widerstand von c auf d. Dieser Zyklus wiederholt sich so lange, als Kohlenmonoxyd in einer Konzentration von M ppm in der Atmosphäre vorhanden ist. Wie oben beschrieben, erhöht und vermindert sich der Widerstand des Halbleiter-Elementes periodisch so lange, als die Atmosphäre Kohlenmonoxyd enthält. Die Spannung, welche an den Klemmen des Widerstandes 3 des Schaltkreises von Fig. 5 auftritt, verändert sich gemäss den Fig. 7—9. Diese Kurven wurden mit Gleichstrom von 100 Volt an den Klemmen 4 und 5 und mit einem Widerstand 3 von 4 kQ erreicht. Die Fig. 7—9 sind Spannungswellen an den Enden des Lastwiderstandes 3 bei einem Gehalt von Kohlenmonoxyd von 100 ppm bzw. 700 ppm bzw. 1000 ppm. Die Impulsfrequenz der Kurve von Fig. 7 beträgt etwa 49 Sek., diejenige von Fig. 8 etwa 13 Sek. und diejenige von Fig. 9 etwa 7 Sek. Die Frequenz der periodischen Wiederholung des Aufheizvorganges kann als Mass für die Konzentration des Kohlenmonoyds dienen.

Ein Vergleich dieser drei Kurven zeigt, dass die Impulsfrequenz niedriger ist, wenn die Konzentration von Kohlenmonoxyd niedrig ist und höher wird, sobald die Konzentration von Kohlenmonoxyd ansteigt. Dies kann durch die Kurven von Fig. 6 erklärt werden. In einer Atmosphäre mit Kohlenmonoxyd mit einer Konzentration von M ppm wechselt die Temperatur des Halbleiter-Elementes während einer Impulswelle von T2 auf T3, während die Temperatur des Halbleiter-Elementes in einer Atmosphäre mit N ppm Kohlenmonoxyd von T4 auf Ts wechselt. Die Gasaufnahme und die Gasabgabe des Halbleiter-Elementes erfolgt bei höheren Temperaturen schneller. Der Widerstand des Halbleiter-Elementes vermindert sich bei N ppm Kohlenmonoxyd schneller als bei M ppm Kohlenmonoxyd. Das Halbleiter-Element kühlt sich von Ts auf T4 rascher ab als von T3 auf T2. Die Impulsfrequenz der Ausgangs-Spannung am Lastwiderstand 3 ist bei N ppm höher als bei M ppm Kohlenmonoxyd.

Aus den Fig. 7—9 ist ersichtlich, dass die Spannung der unteren Umkehrpunkte der Impulswellen bei höherer Konzentration von Kohlenmonoxyd in der Atmosphäre höher ist. Dies erklärt sich aus der Kurve von Fig. 6, in welcher der Bereich der Veränderung des Widerstandes des Halbleiter-Elementes bei M ppm Kohlenmonoxyd von c zu d wechselt, während der Widerstand bei N ppm Kohlenmonoxyd sich von e auf f verändert. Der Widerstand d, welcher der niedrigeren Spannung entspricht, ist höher als der Widerstand f, welcher der Spannung für höhere Konzentration von Kohlenmonoxyd entspricht. Die Spannungen der unteren Umkehrpunkte der Impulswellen erreichen bei 100 ppm, 700 ppm und bei 1000 ppm Kohlenmonoxyd die Beträge von 3,3 Volt, 7,5 Volt bzw. 12,5 Volt.

Wenn Kohlenmonoxyd mit dem Halbleiter-Element S im Gerät gemäss der Erfindung in Berührung kommt, so vermindert sich der Widerstand des Halbleiter-Elementes und bewirkt dadurch eine Erwärmung desselben. Diese Erwärmung dauert an, bis das Halbleiter-Element eine höhere Temperatur erreicht hat, bei welcher Wasserdampf und reduzierende Gase, welche vor Beginn der Erwärmung aufgenommen wurden, ähnlich wie bei üblichen Halbleiter-Gas-messgeräten bei normalen Temperaturen abgegeben werden. Aus diesem Grunde erreicht die Ausgangsspannung über den Klemmen des Lastwiderstandes 3 einen höchsten Wert bereits beim ersten Impuls. Die Impulswellen der Ausgangsspannung werden erst vom zweiten Impuls an regelmässig. Die Tatsache, dass der erste Impuls der Ausgangsspannung einen hohen Wert erreicht, hat jedoch keinen Einfluss auf das Resultat des Impulszählers I. Der erste Impuls kann deshalb beim Zählen der Impulse schon berücksichtigt werden. Bei einer anderen Ausführungsform des Gerätes kann der erste Impuls nur als Signal für die Ingangsetzung des Impulszählers verwendet werden. Bei einer weiteren Ausführungsform kann beim Auftreten einer periodischen Temperaturschwankung mit einer Frequenz, welche unterhalb einer vorgegebenen Grenze liegt, eine Alarmvorrichtung betätigt werden. Die regelmässigen Impulse, welche dem ersten Impuls folgen, werden gezählt, um die Konzentration des Kohlenmonoxydes in der Atmosphäre genau zu bestimmen und im Anzeigegerät I aufgezeichnet zu werden.

Die Anzeige der Konzentration von Kohlenmonoxyd durch das Zählen der Spannungsimpulse ist gegenüber bekannten Anzeigeverfahren vorteilhaft, weil eine Gleichstrom-Ausgangsspannung als Endergebnis gemesen wird. Diese Gleichstrom-Ausgangsspannung kann durch Störungen wie z. B. Spannungs-Spitzen, die durch das Einschalten der Stromquelle entstehen oder durch induzierte Spannungen, herrührend von einem anderen Stromkreis, nicht beeinflusst werden.

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2 Blatt Zeichnungen

Claims (9)

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1. Vorrichtung zum Nachweis von Kohlenmonoxyd in einer Atmosphäre mit verschiedenen gasförmigen Anteilen mittels eines Halbleiterelements, das Zinnoxyd als Grundmaterial und Platin als Katalysator aufweist, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zur Bestimmung der Unstetigkeits-stelle des elektrischen Widerstands des Halbleiterelements, die jeweils bei einer bestimmten Temperatur auftritt, welche von der Kohlenmonoxydkonzentration abhängt.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterelement auf eine veränderliche Temperatur aufheizbar ist und dass eine Einrichtung zur Messung der Temperatur des Halbleiterelements vorgesehen ist.

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PATENTANSPRÜCHE

3. Vorrichtung nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch eine Heizeinrichtung zur kontinuierlichen Steigerung der Temperatur des Halbleiterelements und durch eine Einrichtung zur Bestimmung der Temperatur, bei der eine plötzliche Widerstandszunahme des Halbleiterelements eintritt.

4. Vorrichtung nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zur periodischen Wiederholung der Aufheizung bis zu einer vorgegebenen Temperaturgrenze.

5. Vorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zum Festhalten der bestimmten Un-stetigkeitsstelle des elektrischen Widerstands während einer vorgegebenen Zeit.

6. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet- dass das Halbleiterelement in einer elektrischen Schaltung derart angeordnet ist, dass es durch Stromdurchgang infolge Eigenerwärmung aufheizbar ist.

7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Element mit einem Widerstand in Serie geschaltet ist, derart, dass bei Erreichen der Unstetigkeitsstelle die vom Element aufgenommene Heizleistung und die Temperatur abfällt, worauf sich der Aufheizvorgang periodisch wiederholt.

8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Fequenz der periodischen Wiederholung des Aufheizvorgangs als Mass für die Kohlenmonoxyd-Konzen-tration dient.

9. Vorrichtung nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch eine Alarmeinrichtung, deren Betätigung durch das Auftreten periodischer Temperaturschwankungen mit einer Frequenz unterhalb einer vorgegebenen Grenze erfolgt.