AT165868B - Verfahren zur Herstellung gesinterter Hartmetallegierungen unter Verwendung urankarbidhaltiger Mischkristalle - Google Patents
Verfahren zur Herstellung gesinterter Hartmetallegierungen unter Verwendung urankarbidhaltiger MischkristalleInfo
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<Desc/Clms Page number 1> Verfahren zur Herstellung gesinterter Hartmetallegierungen unter Verwendung uran- trbidhaltiger Mischkristalle EMI1.1 EMI1.2 <Desc/Clms Page number 2> weise zwischen 1800 und 2500 C gelegenen Temperaturen. Die Bildung der Mischkristalle kann aber auch durch Schmelzen erfolgen oder durch Behandlung bei so hohen Temperaturen, dass ein teigiger Zustand erreicht wird. Wenn die Mischkristallbildung bei möglichst niedriger Temperatur erfolgen soll, insbesondere, wenn die angegebene untere Temperaturgrenze von 1800 0 C angestrebt wird, sind besondere Massnahmen erforderlich. Diese bestehen darin, dass bei der Mischkristallbildung bis zu höchstens 10% Hilfsmetalle vornehmlich der Eisengruppe, wie Eisen, Kobalt und Nickel, beigegeben werden. In diesem Falle ist es zweckmässig, zur Bildung der Mischkristalle nur einen Teil des Hilfsmetallgehaltes der Fertiglegierung zuzusetzen und den Mischkristallen den Rest vor der Sinterung in an sich bekannter Weise beizugeben, damit eine genügende Zähigkeit erreicht wird. Die Beständigkeit des Urankarbids wird durch den Zusatz an Hilfsmetallen bei der Bildung der Misch- kristalle noch erhöht, ohne dass dadurch eine wesentliche Verschlechterung der Härte und Verschleissfestigkeit eintritt. Die Mischkarbid- bildung wird auch durch Anwendung von Vakuum oder durch gleichzeitige Anwendung von Wärme und Druck manchmal begünstigt, jedoch ist es auch durch diese Massnahme nicht möglich, die für die Mischkristallbildung angegebene untere Temperaturgrenze von 1800 C zu unterschreiten. Die fertig gebildeten Mischkristalle können nach erfolgter Feinmahlung mit oder ohne Zusatz von Hilfsmetall der Eisengruppe zu Presslingen geformt und gesintert werden. Als HilfsmetaU können in Fällen, in denen eine besondere Festigkeit und Harte erstrebt wird, in an sich bekannter Weise stellitartige Legierungen aus Kobalt, Chrom und Wolfram verwendet werden. Hiefür sind aber gemäss vorliegender Erfindung auch Kobalt-Beryllium-, Nickel-Beryllium-und/ oder Kupfer-Beryllium-Legierungen mit einem Berylliumgehalt von 0-5 bis 10% geeignet. Auch ein Zusatz von 0. 5 bis 10% hochschmelzender Oxyde, vornehmlich des Aluminiums und Beryl- liums, hat sich als zweckmässig erwiesen. Diese Oxyde überziehen die urankarbidhaltigen Mischkristalle mit einer Schutzhaut und machen sie immun gegen den Einfluss von Atmosphärilien. In den Hartlegierungen können neben den Mischkristallen gemäss vorliegender Erfindung noch bis zu 33% vom Mischkristallanteil an Karbiden des Wolframs, Molybdäns, Chroms, Titans, Tantals, Vanadins, Niobs, Bors und Berylliums oder es kann allein oder neben den genannten Karbiden Urannitrid vorhanden sein. Dis Sinterung erfolgt unter mdifferentt ; Schutzgas oder zweckmässiger im Vakuum, um noch vorhandene Gase auszutreiben und die Porenbildung weitestgehend zu vermeiden. Um besonders dichte Formkörper zu erhalten, kann das Sintern auch unter Anwendung von Druck vorgenommen werden. Diese, für den Gegenstand der vorliegenden Erfindung zweckmässigen Sinterverfahren sind an sich bekannt. Urankarbidhaltige Hartmetalleerungen, die nach dem erfindungsgemässen Verfahren hergestellt werden, haben z. B. folgende Zusammensetzungen : EMI2.1 <tb> <tb> 1. <SEP> 30% <SEP> Urankarbid <tb> 3% <SEP> Vanadinkarbid <tb> 62% <SEP> Titankarbid <tb> 5% <SEP> Chromkarbid <tb> 2. <SEP> 5% <SEP> Urankarbid <SEP> 3. <SEP> 45% <SEP> Urankarbid <tb> 10% <SEP> Wolfram- <SEP> 35% <SEP> Wolframkarbid <SEP> karbid <tb> 2% <SEP> Molybdän-5% <SEP> Molybdänkarbid <SEP> karbid <tb> 66% <SEP> Titankarbid <SEP> 2% <SEP> Chromkarbid <tb> 5% <SEP> Chromkarbid <SEP> 10% <SEP> Kobalt <tb> 8% <SEP> Kobalt <SEP> 3% <SEP> Nickel <tb> 4% <SEP> Nickel <tb> Das Verfahren gemäss vorliegender Erfindung ermöglicht es, die bisher unvermeidlichen störenden Eigenschaften bei der Verwendung von UranLarbid für Hartmetallegierungen auszuschalten. PATENTANSPRÜCHE : 1. Verfahren zur Herstellung gesinterter Hartmetallegierungen unter Verwendung urankarbidhaltiger Mischkristalle, dadurch gekennzeichnet, dass bei Temperaturen von 1800 0 C und darüber hergestellte urankarbidhaltige Mischkristalle verwendet werden, die bis zu höchstens 50% Urankarbid mit 3-90" Kohlenstoff enthalten und in denen der Rest aus Wolframkarbid besteht, das ganz oder teilweise durch Karbide des Molybdäns, Chroms, Titans, Tantals, Vanadins, Niobs, Bors und Berylliums einzeln oder gemeinsam ersetzt sein kann.
Claims (1)
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- zeichnet, dass den urankarbidhaltigen Misch- kristallen bei ihrer Herstellung bis zu 10% Hilfsmetalle, vornehmlich Kobalt, Nickel und Eisen, zugesetzt werden.3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass zu den urankarbid- haltigen Mischkristallen vor dem Sintern bis zu 33% ihres Gewichtes an Karbiden des Wolframs, Molybdäns, Chroms, Titans, Tantals, Vanadins, Niobs, Bors und Berylliums oder allein oder neben den genannten Karoiden Urannitrid zu- gesetzt werden.4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass beim Sintern in an sich bekannter Weise Hilfsmetalle zugesetzt werden, die ganz oder teilweise aus Kobalt- Beryllium, Nickel-Beryllium und/oder Kupfer- Beryllium mit einem Berylliumgehalt von 0-5 bis 10% bestehen.5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Hartmetall- <Desc/Clms Page number 3> legierung 0'5-10% hochschmelzende Oxyde, vornehmlich des Aluminiums und Berylliums, zugesetzt werden.6. Verfahren nach den Ansprüchen l bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Bildung der urankarbidhaltigen Mischkristalle im Vakuum erfolgt.7. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Bildung der urankarbidhaltigen Mischkristalle unter gleichzeitiger Anwendung von Wärme und Druck erfolgt.8. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Bildung der urankarbidhaltigen Mischkristalle durch Schmelzen oder durch Behandlung bei so hohen Temperaturen erfolgt, dass ein teigiger Zustand erreicht wird.
Applications Claiming Priority (1)
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1948
- 1948-06-04 AT AT165868D patent/AT165868B/de active
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