TWI837219B

TWI837219B - 紅外線剝離用接著劑組成物、積層體、積層體之製造方法及剝離方法

Info

Publication number: TWI837219B
Application number: TW108141446A
Authority: TW
Inventors: 澤田和宏; 森谷俊介; 新城徹也; 福田拓也
Original assignee: 日商日產化學股份有限公司
Priority date: 2018-11-16
Filing date: 2019-11-14
Publication date: 2024-04-01

Abstract

本發明係提供一種於接合支撐體時(硬化時)或於加工晶圓背面時、進一步而言於元件安裝過程中之耐熱性優異，且於剝離支撐體時可輕易地剝離之紅外線剝離用接著劑組成物及使用其之積層體、以及積層體之製造方法及剝離方法。

前述紅外線剝離用接著劑組成物，藉由照射紅外線而可剝離，其特徵係其含有：成分(A)，係藉由矽氫化反應而硬化；及成分(B)，係選自含有環氧變性聚有機矽氧烷之成分、含有含甲基之聚有機矽氧烷之成分及含有含苯基之聚有機矽氧烷之成分所成群中至少一種。

Description

紅外線剝離用接著劑組成物、積層體、積層體之製造方法及剝離方法

本發明係關於一種紅外線剝離用接著劑組成物及使用其之積層體、以及積層體之製造方法及剝離方法，其中，前述紅外線剝離用接著劑組成物，係將用於安裝半導體晶圓或元件之配線基板等功能部件固定於支撐體之暫時接著劑。

一直以來於二維平面方向上集積之半導體晶圓，以更進一步之集積化為目的，追求一種將平面進一步集積(積層)於三維方向之半導體集積技術。此三維積層，係藉由矽穿孔電極(TSV：through silicon via)進行接線，同時集積為多層之技術。集積為多層時，被集積之各晶圓係藉由研磨與已形成之電路面相反之側(即背面)而薄化，並積層已薄化之半導體晶圓。

薄化前之半導體晶圓(在此亦簡稱為晶圓)，為了以研磨裝置進行研磨而被接著於支撐體。此時的接著係於研磨後必須能夠輕易地被剝離，因此被稱為暫時接著。

若為了將此暫時接著卸除而施加很大的力，則已薄化之半導體晶圓有時會被切斷或變形。為了避免此種狀況發生，已暫時接著之支撐體必須能夠輕易地被卸除。然而，另一方面，並不希望發生研磨半導體晶圓之背面時因研磨應力而使已暫時接著之支撐體脫落或偏離之狀況。因此，暫時接著所追求的性能，係能承受研磨時之應力，但於研磨後能夠輕易地被卸除。

例如，追求對研磨時之平面方向持有高應力(強接著力)、對卸除時之縱方向具有低應力(弱接著力)之性能。

基於如此之原因，暫時接著需要對研磨時之平面方向之高應力(強接著力)、及對卸除時之縱方向之低應力(弱接著力)。作為與此相關之方法，已有文獻報告一種持有接著層及分離層，且藉由二甲基矽氧烷之電漿聚合形成分離層，並於研磨後進行機械性分離的方法(例如專利文獻1、2)；以及一種使用接著性組成物接著支撐基板與半導體晶圓，並於研磨半導體晶圓之背面後以蝕刻液將接著劑去除的方法(例如專利文獻3)。此外，作為與此相關之接著支撐體與半導體晶圓之接著層等，已有文獻報告一種晶圓加工體，其包含：以鉑觸媒聚合含烯基之有機聚矽氧烷與含矽氫基(hydrosilyl group)之有機聚矽氧烷之聚合層、及由熱硬化性聚矽氧烷所成之聚合層之組合(例如專利文獻4~6)。進一步地，作為矽氫化反應之抑制劑，已有文獻報告一種長鏈α-乙炔醇及硬化性矽氧組成物(例如專利文獻7)。然而，隨著近來半導體領域的急速發展，始終對新技術或改良技術有強烈的渴望，亦追求關於暫時接著之新技術或改良技術。

此外，如上所述之暫時接著，不僅用於晶圓薄化時，亦使用於將半導體元件等之功能性元件安裝於配線基板等之功能性基材之安裝過程等。亦即，在初始步驟中為了支撐功能性基材而使用被暫時接著之支撐體，並於安裝元件、模造(mold)後將支撐體剝離之情形等。

【先前技術文獻】

【專利文獻】

【專利文獻1】日本特表2012-510715號公報

【專利文獻2】日本特表2012-513684號公報

【專利文獻3】日本特開2013-179135號公報

【專利文獻4】日本特開2013-232459號公報

【專利文獻5】日本特開2006-508540號公報

【專利文獻6】日本特開2009-528688號公報

【專利文獻7】日本特開平6-329917號公報

在此背景下，本發明之目的在於提供一種於接合支撐體時(硬化時)或於加工晶圓背面時、進一步而言於元件安裝過程中之耐熱性優異，且於剝離支撐體時可輕易地剝離之紅外線剝離用接著劑組成物及使用其之積層體、以及積層體之製造方法及剝離方法。

本發明之第1觀點，是一種紅外線剝離用接著劑組成物，其藉由照射紅外線而可剝離，其特徵係其含有：成分(A)，係藉由矽氫化反應而硬化；及成分(B)，係選自含有環氧變性聚有機矽氧烷之成分、含有含甲基之聚有機矽氧烷之成分及含有含苯基之聚有機矽氧烷之成分所成群中至少一種。

第2觀點，是如第1觀點所記載之紅外線剝離用接著劑組成物，其中，前述成分(A)，係含有聚矽氧烷(A1)及鉑族金屬系觸媒(A2)，且前述聚矽氧烷(A1)含有選自以SiO₂表示之矽氧烷單元(Q單元)、以R¹R²R³SiO_1/2表示之矽氧烷單元(M單元)、以R⁴R⁵SiO_2/2表示之矽氧烷單元(D單元)及以R⁶SiO_3/2表示之矽氧烷單元(T單元)所成群中一種或兩種以上之單元(前述R¹至R⁶為鍵結於矽原子之基團或原子，分別獨立表示烷基、烯基或氫原子)；且前述聚矽氧烷(A1)，係含有聚有機矽氧烷(a1)及聚有機矽氧烷(a2)，且前述聚有機矽氧烷(a1)含有選自以SiO₂表示之矽氧烷單元(Q’單元)、以R¹’R²’R³’SiO_1/2表示之矽氧烷單元(M’單元)、以R⁴’R⁵’SiO_2/2表示之矽氧烷單元(D’單元)及以R⁶’SiO_3/2表示之矽氧烷單元(T’單元)所成群中一種或兩種以上之單元，並同時含有選自前述M’單元、D’單元及T’單元所成群中至少一種(前述R¹’至R⁶’為鍵結於矽原子之基團，分別獨立表示烷基或烯基，惟前述R¹’至R⁶’之至少一個為前述烯基)，前述聚有機矽氧烷(a2)含有選自以SiO₂表示之矽氧烷單元(Q”單元)、以R¹”R²”R³”SiO_1/2表示之矽氧烷單元(M”單元)、以R⁴”R⁵”SiO_2/2表示之矽氧烷單元(D”單元)及以R⁶”SiO_3/2表示之矽氧烷單元(T”單元)所成群中一種或兩種以上之單元，並同時含有選自前述M”單元、D”單元及T”單元所成群中至少一種(前述R¹”至R⁶”為鍵結於矽原子之基團或原子，分別獨立表示烷基或氫原子，惟前述R¹”至R⁶”之至少一個為氫原子)。

第3觀點，是如第1或第2觀點所記載之紅外線剝離用接著劑組成物，其中，前述環氧變性聚有機矽氧烷，環氧值係在0.1~5之範圍。

第4觀點，是如第1至第3觀點中任一觀點所記載之紅外線剝離用接著劑組成物，其中，前述含苯基之聚有機矽氧烷，係含有(b1)苯基甲基矽氧烷單元結構或二苯基矽氧烷單元結構、及(b2)二甲基矽氧烷單元結構。

第5觀點，是一種積層體，其介由接著層接合由半導體形成基板所成之第1基體、及由透射紅外線雷射之支撐基板所成之第2基體，其特徵係：前述接著層，係可由如第1至第4觀點中任一觀點所記載之紅外線剝離用接著劑組成物獲得之硬化膜。

第6觀點，是一種積層體之製造方法，其為如第5觀點所記載之積層體之製造方法，其特徵係其包含：第1步驟，係於前述第1基體或前述第2基體之表面塗布前述紅外線剝離用接著劑組成物以形成接著劑塗布層；及第2步驟，係介由前述接著劑塗布層結合前述第1基體及前述第2基體，並於實施加熱處理及減壓處理之至少一個的同時，施加前述第1基體及前述第2基體之厚度方向之荷重，從而使前述第1基體、前述接著劑塗布層及前述第2基體密著，然後進行後加熱處理。

第7觀點，是一種剝離方法，其特徵係：從如第6觀點所記載之積層體之製造方法所製造之積層體的前述第2基體側照射前述紅外線雷射，以剝離前述第2基體。

第8觀點，是如第7觀點所記載之剝離方法，其中，前述紅外線雷射，波長係1μm~20μm。

第9觀點，是如第8觀點所記載之剝離方法，其中，前述波長係9.2~10.8μm。

本發明之紅外線剝離用接著劑組成物，由於同時含有藉由矽氫化反應而硬化之成分(A)、及選自含有環氧變性聚有機矽氧烷之成分、含有含甲基之聚有機矽氧烷之成分及含有含苯基之聚有機矽氧烷之成分所成群中至少一種之成分(B)，而具有以下功效：可以形成藉由照射紅外線而能剝離之接著層，此外，可以形成對晶圓之電路面之旋轉塗布性優異、接合晶圓之電路面與接著層或接合支撐體與接著層時或者加工晶圓背面時之耐熱性優異之接著層。

晶圓電路面之相反側之加工，例如，進行藉由研磨之晶圓薄化。然後，亦可於晶圓進行矽穿孔電極(TSV)等之形成。然後將薄化晶圓自支撐體剝離以形成晶圓之積層體，並實行三維安裝。此外，於此前後亦進行晶圓背面電極等之形成。雖於晶圓薄化及TSV製程中會在接著於支撐體之狀態下負擔250~350℃之熱，惟使用本發明之紅外線剝離用接著劑組成物所製造之積層體包含接著層，係具有對於該負擔之耐熱性。

此外，可獲得以下功效：於加工晶圓之背面後，亦即於研磨後，可藉由進行紅外線照射而輕易地剝離，剝離後可藉由溶劑或膠帶簡單地去除附著於晶圓或支撐體之接著劑。

進一步地，使用本發明之紅外線剝離用接著劑組成物所製造之積層體之剝離方法中，通常可藉由照射用於雷射加工之紅外線雷射而輕易地剝離，並具有以下功效：不需設置特別的裝置，可使用一般用於雷射加工之設備進行剝離。

10、10A:積層體

11:第1基體

12:第2基體

13:接著劑塗布層

13A:接著層

20:紅外線雷射

L1:荷重

L2:外力

【圖1】為說明本發明之積層體之製造方法之概略圖。

【圖2】為說明本發明之剝離方法之一例之概略圖。

本發明之紅外線剝離用接著劑組成物，例如，是一種於支撐體與晶圓之電路面之間可剝離地接著並用於加工晶圓之背面之接著劑，且前述接著劑含有：成分(A)，係藉由矽氫化反應而硬化；及成分(B)，係選自含有環氧變性聚有機矽氧烷之成分、含有含甲基之聚有機矽氧烷之成分及含有含苯基之聚有機矽氧烷之成分所成群中至少一種。

如此之本發明之紅外線剝離用接著劑組成物，會形成藉由照射紅外線雷射而可剝離之接著層，具有不需對支撐體或晶圓等施加用於剝離之過度的荷重就可剝離之優點。

本發明中，藉由紅外線剝離用接著劑組成物暫時接著支撐體與晶圓，並例如藉由研磨等加工晶圓之與電路面為相反側之背面，從而可使晶圓薄化。

此外，本發明之積層體，係介由前述紅外線剝離用接著劑組成物所形成之接著層接合由半導體形成基板所成之第1基體、及由透射紅外線雷射之支撐基板所成之第2基體。

如此之積層體，藉由從透射紅外線雷射之第2基體側照射紅外線雷射，不需施加用於剝離之過度的荷重就可剝離。

因此，第2基體，必須設為可透射用於剝離之紅外線之基體，惟於可從第1基體側照射紅外線之情形不在此限。

在此，所謂可剝離係指與其他剝離處相比接著強度較低，亦即，意指剝離性優異、容易剝離，惟使用本發明之紅外線剝離用接著劑組成物所獲得之接著層，係藉由照射紅外線而與照射前相比接著強度顯著下降之接著層。

本發明之積層體中之接著層(暫時接著層)，係藉由本發明之紅外線剝離用接著劑組成物所形成。紅外線剝離用接著劑組成物，含有上述之成分(A)及成分(B)，並可進一步含有其他成分。

於本發明之一理想態樣中，成分(A)，作為藉由矽氫化反應而硬化之成分，係含有聚矽氧烷(A1)及鉑族金屬系觸媒(A2)，且前述聚矽氧烷(A1)含有選自以SiO₂表示之矽氧烷單元(Q單元)、以R¹R²R³SiO_1/2表示之矽氧烷單元(M單元)、以R⁴R⁵SiO_2/2表示之矽氧烷單元(D單元)及以R⁶SiO_3/2表示之矽氧烷單元(T單元)所成群中一種或兩種以上之單元；且前述聚矽氧烷(A1)，係含有聚有機矽氧烷(a1)及聚有機矽氧烷(a2)，且前述聚有機矽氧烷(a1)含有選自以SiO₂表示之矽氧烷單元(Q’單元)、以R¹’R²’R³’SiO_1/2表示之矽氧烷單元(M’單元)、以R⁴’R⁵’SiO_2/2表示之矽氧烷單元(D’單元)及以R⁶’SiO_3/2表示之矽氧烷單元(T’單元)所成群中一種或兩種以上之單元，並同時含有選自前述M’單元、D’單元及T’單元所成群中至少一種，前述聚有機矽氧烷(a2)含有選自以SiO₂表示之矽氧烷單元(Q”單元)、以R¹”R²”R³”SiO_1/2表示之矽氧烷單元(M”單元)、以R⁴”R⁵”SiO_2/2表示之矽氧烷單元(D”單元)及以R⁶”SiO_3/2表示之矽氧烷單元(T”單元)所成群中一種或兩種以上之單元，並同時含有選自前述M”單元、D”單元及T”單元所成群中至少一種。

R¹至R⁶，為鍵結於矽原子之基團或原子，分別獨立表示烷基、烯基或氫原子。

R¹’至R⁶’，為鍵結於矽原子之基團，分別獨立表示烷基或烯基，惟R¹’至R⁶’之至少一個為烯基。

R¹”至R⁶”，為鍵結於矽原子之基團或原子，分別獨立表示烷基或氫原子，惟R¹”至R⁶”之至少一個為氫原子。

烷基，可為直鏈狀、支鏈狀、環狀之任一者，其碳原子數並無特別限定，理想為碳原子數40以下，更理想為碳原子數30以下，更加理想為20以下，更進一步理想為10以下。

直鏈狀或支鏈狀烷基之具體例，可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、正戊基、1-甲基-正丁基、2-甲基-正丁基、3-甲基-正丁基、1,1-二甲基-正丙基、1,2-二甲基-正丙基、2,2-二甲基-正丙基、1-乙基-正丙基、正己基、1-甲基-正戊基、2-甲基-正戊基、3-甲基-正戊基、4-甲基-正戊基、1,1-二甲基-正丁基、1,2-二甲基-正丁基、1,3-二甲基-正丁基、2,2-二甲基-正丁基、2,3-二甲基-正丁基、3,3-二甲基-正丁基、1-乙基-正丁基、2-乙基-正丁基、1,1,2-三甲基-正丙基、1,2,2-三甲基-正丙基、1-乙基-1-甲基-正丙基、1-乙基-2-甲基-正丙基等，但並不限於此等。

其中，以甲基為理想。

環狀烷基之具體例，可列舉：環丙基、環丁基、1-甲基-環丙基、2-甲基-環丙基、環戊基、1-甲基-環丁基、2-甲基-環丁基、3-甲基-環丁基、1,2-二甲基-環丙基、2,3-二甲基-環丙基、1-乙基-環丙基、2-乙基-環丙基、環己基、1-甲基-環戊基、2-甲基-環戊基、3-甲基-環戊基、1-乙基-環丁基、2-乙基-環丁基、3-乙基-環丁基、1,2-二甲基-環丁基、1,3-二甲基-環丁基、2,2-二甲基-環丁基、2,3-二甲基-環丁基、2,4-二甲基-環丁基、3,3-二甲基-環丁基、1-正丙基-環丙基、2-正丙基-環丙基、1-異丙基-環丙基、2-異丙基-環丙基、1,2,2-三甲基-環丙基、1,2,3-三甲基-環丙基、2,2,3-三甲基-環丙基、1-乙基-2-甲基-環丙基、2-乙基-1-甲基-環丙基、2-乙基-2-甲基-環丙基、2-乙基-3-甲基-環丙基等之環烷基；雙環丁基、雙環戊基、雙環己基、雙環庚基、雙環辛基、雙環壬基、雙環癸基等之雙環烷基等，但並不限於此等。

烯基，可為直鏈狀、支鏈狀之任一者，其碳原子數並無特別限定，理想為碳原子數40以下，更理想為碳原子數30以下，更加理想為碳原子數20以下。

烯基之具體例，可列舉：乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-甲基-1-乙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、2-甲基-1-丙烯基、2-甲基-2-丙烯基、1-乙基乙烯基、1-甲基-1-丙烯基、1-甲基-2-丙烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-正丙基乙烯基、1-甲基-1-丁烯基、1-甲基-2-丁烯基、1-甲基-3-丁烯基、2-乙基-2-丙烯基、2-甲基-1-丁烯基、2-甲基-2-丁烯基、2-甲基-3-丁烯基、3-甲基-1-丁烯基、3-甲基-2-丁烯基、3-甲基-3-丁烯基、1,1-二甲基-2-丙烯基、1-異丙基乙烯基、1,2-二甲基-1-丙烯基、1,2-二甲基-2-丙烯基、1-環戊烯基、2-環戊烯基、3-環戊烯基、1-己烯基、2-己烯基、3-己烯基、4-己烯基、5-己烯基、1-甲基-1-戊烯基、1-甲基-2-戊烯基、1-甲基-3-戊烯基、1-甲基-4-戊烯基、1-正丁基乙烯基、2-甲基-1-戊烯基、2-甲基-2-戊烯基、2-甲基-3-戊烯基、2-甲基-4-戊烯基、2-正丙基-2-丙烯基、3-甲基-1-戊烯基、3-甲基-2-戊烯基、3-甲基-3-戊烯基、3-甲基-4-戊烯基、3-乙基-3-丁烯基、4-甲基-1-戊烯基、4-甲基-2-戊烯基、4-甲基-3-戊烯基、4-甲基-4-戊烯基、1,1-二甲基-2-丁烯基、1,1-二甲基-3-丁烯基、1,2-二甲基-1-丁烯基、1,2-二甲基-2-丁烯基、1,2-二甲基-3-丁烯基、1-甲基-2-乙基-2-丙烯基、1-二級丁基乙烯基、1,3-二甲基-1-丁烯基、1,3-二甲基-2-丁烯基、1,3-二甲基-3-丁烯基、1-異丁基乙烯基、2,2-二甲基-3-丁烯基、2,3-二甲基-1-丁烯基、2,3-二甲基-2-丁烯基、2,3-二甲基-3-丁烯基、2-異丙基-2-丙烯基、3,3-二甲基-1-丁烯基、1-乙基-1-丁烯基、1-乙基-2-丁烯基、1-乙基-3-丁烯基、1-正丙基-1-丙烯基、1-正丙基-2-丙烯基、2-乙基-1-丁烯基、2-乙基-2-丁烯基、2-乙基-3-丁烯基、1,1,2-三甲基-2-丙烯基、1-三級丁基乙烯基、1-甲基-1-乙基-2-丙烯基、1-乙基-2-甲基-1-丙烯基、1-乙基-2-甲基-2-丙烯基、1-異丙基-1-丙烯基、1-異丙基-2-丙烯基、1-甲基-2-環戊烯基、1-甲基-3-環戊烯基、2-甲基-1-環戊烯基、2-甲基-2-環戊烯基、2-甲基-3-環戊烯基、2-甲基-4-環戊烯基、2-甲基-5-環戊烯基、2-亞甲基-環戊基、3-甲基-1-環戊烯基、3-甲基-2-環戊烯基、3-甲基-3-環戊烯基、3-甲基-4-環戊烯基、3-甲基-5-環戊烯基、3-亞甲基-環戊基、1-環己烯基、2-環己烯基、3-環己烯基等，但並不限於此等。

其中，以乙烯基、2-丙烯基為理想。

如上所述，聚矽氧烷(A1)含有聚有機矽氧烷(a1)及聚有機矽氧烷(a2)，而聚有機矽氧烷(a1)所含之烯基、與聚有機矽氧烷(a2)所含之氫原子(Si-H基)係藉由鉑族金屬系觸媒(A2)經由矽氫化反應而形成交聯結構並硬化。

聚有機矽氧烷(a1)，係含有選自Q’單元、M’單元、D’單元及 T’單元所成群中一種或兩種以上之單元，並同時含有選自前述M’單元、D’單元及T’單元所成群中至少一種。聚有機矽氧烷(a1)，亦可組合使用兩種以上滿足如此之條件的聚有機矽氧烷。

選自Q’單元、M’單元、D’單元及T’單元所成群中兩種以上之理想組合，可列舉：(Q’單元及M’單元)、(D’單元及M’單元)、(T’單元及M’單元)、(Q’單元、T’單元及M’單元)，但並不限於此等。

此外，於含有兩種以上聚有機矽氧烷(a1)所包含之聚有機矽氧烷之情形，理想為(Q’單元及M’單元)與(D’單元及M’單元)之組合、(T’單元及M’單元)與(D’單元及M’單元)之組合、(Q’單元、T’單元及M’單元)與(T’單元及M’單元)之組合，但並不限於此等。

聚有機矽氧烷(a2)，係含有選自Q”單元、M”單元、D”單元及T”單元所成群中一種或兩種以上之單元，並同時含有選自前述M”單元、D”單元及T”單元所成群中至少一種。聚有機矽氧烷(a2)，亦可組合使用兩種以上滿足如此之條件的聚有機矽氧烷。

選自Q”單元、M”單元、D”單元及T”單元所成群中兩種以上之理想組合，可列舉：(M”單元及D”單元)、(Q”單元及M”單元)、(Q”單元、T”單元及M”單元)，但並不限於此等。

聚有機矽氧烷(a1)，係由烷基及/或烯基鍵結於其矽原子之矽氧烷單元所構成，惟以R¹’至R⁶’表示之所有取代基中烯基之比例，理想為0.1莫耳%~50.0莫耳%，更理想為0.5莫耳%~30.0莫耳%，其餘之R¹’至R⁶’可設為烷基。

聚有機矽氧烷(a2)，係由烷基及/或氫原子鍵結於其矽原子之矽氧烷單元所構成，惟以R¹”至R⁶”表示之所有取代基及取代原子中氫原子之比例，理想為0.1莫耳%~50.0莫耳%，更理想為10.0莫耳%~40.0莫耳%，其餘之R¹”至R⁶”可設為烷基。

聚矽氧烷(A1)，係含有聚有機矽氧烷(a1)及聚有機矽氧烷(a2)，惟於本發明之一理想態樣中，聚有機矽氧烷(a1)所含之烯基與聚有機矽氧烷(a2)所含之構成Si-H鍵結之氫原子之莫耳比，係在1.0：0.5~1.0：0.66之範圍。

聚有機矽氧烷(a1)及聚有機矽氧烷(a2)之重量平均分子量，通常分別為500~1,000,000，惟分別以5,000~50,000為理想。

本發明中之重量平均分子量，例如可使用凝膠滲透層析(GPC)裝置(東曹股份有限公司製EcoSEC，HLC-8320GPC)及GPC管柱(昭和電工股份有限公司製Shodex(註冊商標)，KF-803L、KF-802及KF-801)，將管柱溫度設為40℃，使用四氫呋喃作為溶離液(溶出溶劑)，將流量(流速)設為1.0mL/分，使用聚苯乙烯(Sigma-Aldrich公司製)作為標準樣品進行測定。

又，藉由矽氫化反應而硬化之成分(A)可含有之聚有機矽氧烷(a1)及聚有機矽氧烷(a2)，如後所述，係藉由矽氫化反應相互反應而成為硬化膜。因此，其硬化機制，例如與介由矽醇基之機制不同，故任何一個矽氧烷皆不需要含有矽醇基、或如烷氧基之藉由水解形成矽醇基之官能基。

於本發明之一理想態樣中，成分(A)含有上述聚矽氧烷(A1)的同時亦含有鉑族金屬系觸媒(A2)。

如此之鉑系金屬觸媒，係用於促進聚有機矽氧烷(a1)之烯基與聚有機矽氧烷(a2)之Si-H基之間的矽氫化反應之觸媒。

鉑系金屬觸媒之具體例，可列舉：鉑黑、四氯化鉑、氯鉑酸、氯鉑酸與一元醇之反應物、氯鉑酸與烯烴類之錯合物、雙乙醯乙酸鉑等之鉑系觸媒，但並不限於此等。

鉑與烯烴類之錯合物，可列舉例如：二乙烯基四甲基二矽氧烷與鉑之錯合物，但並不限於此。

鉑族金屬系觸媒(A2)之量，相對於聚有機矽氧烷(a1)及聚有機矽氧烷(a2)之合計量，通常在1.0~50.0ppm之範圍。

成分(A)，基於抑制矽氫化反應進行之目的，亦可含有聚合抑制劑(A3)。

聚合抑制劑，只要可抑制矽氫化反應之進行則無特別限定，其具體例可列舉：1-乙炔基-1-環己醇等之炔基烷基醇等，但並不限於此。

聚合抑制劑之量，相對於聚有機矽氧烷(a1)及聚有機矽氧烷(a2)，從獲得其效果之觀點而言通常為1000.0ppm以上，從防止過度抑制矽氫化反應之觀點而言通常為10000.0ppm以下。

本發明所使用之成分(B)，係含有選自含有環氧變性聚有機矽氧烷之成分、含有含甲基之聚有機矽氧烷之成分及含有含苯基之聚有機矽氧烷之成分所成群中至少一種之成分。

特別以含有環氧變性聚有機矽氧烷之成分為理想。

環氧變性聚有機矽氧烷，可列舉例如：含有以R¹¹R¹²SiO_2/2表示之矽氧烷單元(D¹⁰單元)者。

R¹¹，為鍵結於矽原子之基團，表示烷基；R¹²，為鍵結於矽原子之基團，表示環氧基或含有環氧基之有機基；烷基之具體例可列舉如上述之例示。

此外，含有環氧基之有機基中的環氧基，可以為不與其他環縮合而獨立的環氧基，亦可如1,2-環氧環己基，為與其他環形成縮合環之環氧基。

含有環氧基之有機基之具體例，可列舉：3-環氧丙氧基丙基(3-glycidoxypropyl)、2-(3,4-環氧環己基)乙基，但並不限於此等。

本發明中，環氧變性聚有機矽氧烷之一理想例，可列舉環氧變性聚二甲基矽氧烷，但並不限於此。

環氧變性聚有機矽氧烷，係含有上述之矽氧烷單元(D¹⁰單元)，但除了D¹⁰單元以外，亦可含有前述Q單元、M單元及/或T單元。

於本發明之一理想態樣中，環氧變性聚有機矽氧烷之具體例，可列舉：僅由D¹⁰單元所成之聚有機矽氧烷；含有D¹⁰單元及Q單元之聚有機矽氧烷；含有D¹⁰單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D¹⁰單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D¹⁰單元、Q單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D¹⁰單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D¹⁰單元、Q單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷等。

環氧變性聚有機矽氧烷，以環氧值為0.1~5之環氧變性聚二甲基矽氧烷為理想，其重量平均分子量，通常為1,500~500,000，惟從抑制於組成物中之析出之觀點而言，理想為100,000以下。

環氧變性聚有機矽氧烷之具體例，可列舉：以式(B-1)表示之商品名CMS-227(Gelest公司製，重量平均分子量27,000)、以式(B-2)表示之商品名ECMS-327(Gelest公司製，重量平均分子量28,800)、以式(B-3)表示之商品名KF-101(信越化學工業股份有限公司製，重量平均分子量31,800)、以式 (B-4)表示之商品名KF-1001(信越化學工業股份有限公司製，重量平均分子量55,600)、以式(B-5)表示之商品名KF-1005(信越化學工業股份有限公司製，重量平均分子量11,500)、以式(B-6)表示之商品名X-22-343(信越化學工業股份有限公司製，重量平均分子量2,400)、以式(B-7)表示之商品名BY16-839(道康寧公司製，重量平均分子量51,700)、以式(B-8)表示之商品名ECMS-327(Gelest公司製，重量平均分子量28,800)等，但並不限於此等。

【化1】

(m及n分別為重複單元之數量。)

【化2】

(m及n分別為重複單元之數量。)

【化3】

(m及n分別為重複單元之數量。R為碳原子數1~10之伸烷基。)

【化4】

(m及n分別為重複單元之數量。R為碳原子數1~10之伸烷基。)

【化5】

(m、n及o分別為重複單元之數量。R為碳原子數1~10之伸烷基。)

【化6】

(m及n分別為重複單元之數量。R為碳原子數1~10之伸烷基。)

【化7】

(m及n分別為重複單元之數量。R為碳原子數1~10之伸烷基。)

【化8】

(m及n分別為重複單元之數量。)

含甲基之聚有機矽氧烷，可列舉例如：含有以R²¹⁰R²²⁰SiO_2/2表示之矽氧烷單元(D²⁰⁰單元)，理想為含有以R²¹R²¹SiO_2/2表示之矽氧烷單元(D²⁰單元)者。

R²¹⁰及R²²⁰，為鍵結於矽原子之基團，互相獨立地表示烷基，惟至少一個為甲基；烷基之具體例可列舉如上述之例示。

R²¹，為鍵結於矽原子之基團，表示烷基；烷基之具體例可列舉如上述之例示。其中，R²¹理想為甲基。

本發明中，含甲基之聚有機矽氧烷之一理想例，可列舉聚二甲基矽氧烷，但並不限於此。

含甲基之聚有機矽氧烷，係含有上述之矽氧烷單元(D²⁰⁰單元或D²⁰單元)，但除了D²⁰⁰單元及D²⁰單元以外，亦可含有前述Q單元、M單元及/或T單元。

於本發明之某一態樣中，含甲基之聚有機矽氧烷之具體例，可列舉：僅由D²⁰⁰單元所成之聚有機矽氧烷；含有D²⁰⁰單元及Q單元之聚有機矽氧烷；含有D²⁰⁰單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D²⁰⁰單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D²⁰⁰單元、Q單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D²⁰⁰單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D²⁰⁰單元、Q單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷。

於本發明之一理想態樣中，含甲基之聚有機矽氧烷之具體例，可列舉：僅由D²⁰單元所成之聚有機矽氧烷；含有D²⁰單元及Q單元之聚有機矽氧烷；含有D²⁰單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D²⁰單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D²⁰單元、Q單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D²⁰單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D²⁰單元、Q單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷。

含甲基之聚有機矽氧烷之黏度，通常為1,000~2,000,000 mm²/s，但理想為10,000~1,000,000mm²/s。又，含甲基之聚有機矽氧烷，典型為由聚二甲基矽氧烷所成之二甲基矽油。此黏度之值係以動黏度表示，厘司(cSt)=mm²/s。動黏度可用動黏度計測定。此外，亦可由黏度(mPa．s)除以密度(g/cm³)求得。亦即，可由E型旋轉黏度計在25℃下測定之黏度及密度求得。可由動黏度(mm²/s)=黏度(mPa．s)/密度(g/cm³)之算式算出。

含甲基之聚有機矽氧烷之具體例，可列舉：瓦克公司製之WACKER(註冊商標)SILICONEFLUID AK系列、或信越化學工業股份有限公司製之二甲基矽油(KF-96L、KF-96A、KF-96、KF-96H、KF-69、KF-965、KF-968)、環狀二甲基矽油(KF-995)等，但並不限於此等。

含苯基之聚有機矽氧烷，可列舉例如：含有以R³¹R³²SiO_2/2表示之矽氧烷單元(D³⁰單元)者。

R³¹，為鍵結於矽原子之基團，表示苯基或烷基；R³²，為鍵結於矽原子之基團，表示苯基；烷基之具體例，可列舉如上述之例示，惟以甲基為理想。

含苯基之聚有機矽氧烷，係含有上述之矽氧烷單元(D³⁰單元)，但除了D³⁰單元以外，亦可含有前述Q單元、M單元及/或T單元。

於本發明之一理想態樣中，含苯基之聚有機矽氧烷之具體例，可列舉：僅由D³⁰單元所成之聚有機矽氧烷；含有D³⁰單元及Q單元之聚有機矽氧烷；含有D³⁰單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D³⁰單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D³⁰單元、Q單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D³⁰單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D³⁰單元、Q單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷。

含苯基之聚有機矽氧烷之重量平均分子量，通常為1,500~500,000，但從抑制於組成物中之析出之觀點等而言，理想為100,000以下。

含苯基之聚有機矽氧烷之具體例，可列舉：以式(C-1)表示之商品名PMM-1043(Gelest股份有限公司製，重量平均分子量67,000，黏度30,000mm²/s)、以式(C-2)表示之商品名PMM-1025(Gelest股份有限公司製，重量平均分子量25,200，黏度500mm²/s)、以式(C-3)表示之商品名KF50-3000CS(信越化學工業股份有限公司製，重量平均分子量39,400，黏度3000mm²/s)、以式(C-4)表示之商品名TSF431(邁圖(MOMENTIVE)公司製，重量平均分子量1,800，黏度100mm²/s)、以式(C-5)表示之商品名TSF433(邁圖公司製，重量平均分子量3,000，黏度450mm²/s)、以式(C-6)表示之商品名PDM-0421(Gelest股份有限公司製，重量平均分子量6,200，黏度100mm²/s)、以式(C-7)表示之商品名PDM-0821(Gelest股份有限公司製，重量平均分子量8,600，黏度125mm²/s)等，但並不限於此等。

【化9】

(m及n表示重複單元之數量。)

【化10】

(m及n表示重複單元之數量。)

【化11】

(m及n表示重複單元之數量。)

【化12】

(m及n表示重複單元之數量。)

【化13】

(m及n表示重複單元之數量。)

【化14】

(m及n表示重複單元之數量。)

【化15】

(m及n表示重複單元之數量。)

本發明之紅外線剝離用接著劑組成物，能以任意比率含有成分(A)及成分(B)，惟若考慮接著性與剝離性之平衡，成分(A)及成分(B)之比率，以質量%表示，理想為99.995：0.005~30：70，更理想為99.9：0.1~75： 25。

本發明之紅外線剝離用接著劑組成物，以調整黏度等為目的亦可含有溶劑，其具體例可列舉：脂肪族烴、芳香族烴、酮等，但並不限於此等。

更具體而言可列舉：己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、異十二烷、薄荷烷、檸檬烯、甲苯、二甲苯、對稱三甲苯、異丙苯、MIBK(甲基異丁基酮)、乙酸丁酯、二異丁基酮、2-辛酮、2-壬酮、5-壬酮等，但並不限於此等。如此之溶劑，可單獨使用一種或組合使用兩種以上。

於本發明之紅外線剝離用接著劑組成物含有溶劑之情形，其含量，雖是考慮所期望之組成物之黏度、所採用的塗布方法及所製作之薄膜之厚度等而適當地設定，惟相對於組成物整體，係在10~90質量%左右之範圍。

本發明之紅外線剝離用接著劑組成物，可藉由將膜構成成分與溶劑混合而製造。但是，於未含有溶劑之情形，可藉由混合膜構成成分而製造本發明之紅外線剝離用接著劑組成物。

其混合順序並無特別限定，作為可輕易地且重現性良好地製造本發明之紅外線剝離用接著劑組成物之方法之一例，可列舉例如：將所有膜構成成分溶解於溶劑之方法、或將一部分的膜構成成分溶解於溶劑，將剩餘的膜構成成分溶解於溶劑，並將所獲得之溶液混合之方法。於此情形，若有必要，亦可最後加入一部分的溶劑、或溶解性優異之膜構成成分。

組成物之調製中，亦可在成分不會分解或變質之範圍內適當地加熱。

本發明中，紅外線剝離用接著劑組成物，基於去除組成物中之異物之目的，亦可於製造組成物之過程中或於混合所有成分後使用次微米級的過濾器等進行過濾。

製造本發明之積層體之方法，可列舉一種方法，其包含：第1步驟，係於第1基體或第2基體之表面塗布前述紅外線剝離用接著劑組成物以形成接著劑塗布層；及第2步驟，係介由前述接著劑塗布層結合前述第1基體及前述第2基體，並於實施加熱處理及減壓處理之至少一個的同時，施加前述第1基體及前述第2基體之厚度方向之荷重，從而使前述第1基體、前述接著劑塗布層及前述第2基體密著，然後進行後加熱處理。藉由第2步驟之加熱，接著劑塗布層最終會適當地硬化而成為接著層。

在此，例如第1基體為晶圓，第2基體為支撐體。塗布紅外線剝離用接著劑組成物者，可為第1基體或第2基體之任一者，或者亦可為兩者，惟以第1基體之表面為理想。

晶圓，可列舉例如：直徑300mm、厚度770μm左右之矽晶圓或玻璃晶圓，但並不限於此等。

支撐體(載體)，只要可透射紅外線雷射則無特別限定，其透射率，通常為80%以上，理想為90%以上。可列舉例如：直徑300mm、厚度700mm左右之矽晶圓，但並不限於此。

在此，紅外線雷射，係指後述剝離步驟中所使用之雷射，可列舉例如：波長為1μm~20μm之雷射。於本發明之一理想態樣中，紅外線雷射之波長係9.2~10.8μm。

前述接著塗布層之膜厚，通常為5~500μm，惟從保持膜強度之觀點而言，理想為10μm以上，更理想為20μm以上，更加理想為30μm以上；從避免起因於厚膜之不均勻性之觀點而言，理想為200μm以下，更理想為 150μm以下，更加理想為120μm以下，更進一步理想為70μm以下。

塗布方法，並無特別限定，通常為旋轉塗布法。又，亦可採用另外以旋轉塗布法等形成塗布膜，再貼附片材狀之塗布膜之方法，此亦稱為塗布或塗布膜。

所塗布之接著劑組成物之加熱處理的溫度，因膜厚等而異，故無法一概地規定，惟通常為80℃以上，從預防過度硬化之觀點而言，理想為150℃以下；其加熱時間，從確實發現暫時接著能力之觀點而言，通常為30秒以上，理想為1分鐘以上，惟從抑制接著層或其他部件之變質之觀點而言，通常為5分鐘以下，理想為2分鐘以下。

加熱，可使用加熱板、烘箱等進行。

加熱處理之溫度，通常為80℃以上，從預防過度硬化之觀點而言，理想為150℃以下。其加熱時間，從確實發現暫時接著能力之觀點而言，通常為30秒以上，理想為1分鐘以上，惟從抑制接著層或其他部件之變質之觀點而言，通常為10分鐘以下，理想為5分鐘以下。

減壓處理，只要使兩個基體及其等間之接著劑塗布層暴露於10~10,000Pa之氣壓下即可。減壓處理之時間，通常為1~30分鐘。

於本發明之理想態樣中，兩個基體及其等間之層，理想為藉由加熱處理進行貼合，更理想為藉由並用加熱處理及減壓處理進行貼合。

前述第1基體及前述第2基體之厚度方向之荷重，只要是不會對前述第1基體及前述第2基體與其等間之層產生不良影響，且可使此等好好地密著之荷重則無特別限定，通常在10~1,000N之範圍內。

後加熱溫度，從獲得充分的硬化速度之觀點而言，理想為 120℃以上，從預防基板或接著劑之變質之觀點而言，理想為260℃以下。加熱時間，從實現硬化所帶來之晶圓之適當接合之觀點而言，通常為1分鐘以上，進一步從接著劑之物性安定化之觀點等而言，理想為5分鐘以上，從避免過度加熱所造成之對接著層之不良影響等之觀點而言，通常為180分鐘以下，理想為120分鐘以下。加熱，可使用加熱板、烘箱等進行。

又，後加熱處理之一目的，係使接著劑組成物更適當地硬化。

圖1，顯示說明本發明之積層體之製造方法之概略圖。如圖1所示，準備第1基體11及第2基體12，例如實施第1步驟，於第2基體12之表面塗布前述紅外線剝離用接著劑組成物以形成接著劑塗布層13(圖1(a))。接著實施第2步驟，介由前述接著劑塗布層13結合前述第1基體11及前述第2基體12，並於實施加熱處理及減壓處理之至少一個的同時，施加第1基體11及第2基體12之厚度方向之荷重L1，使第1基體11、第2基體12及此等間之層密著，然後進行後加熱處理，從而獲得以接著層13A接著之積層體10(圖1(b))。

本發明之積層體之剝離方法，係從前述第2基體側照射前述紅外線雷射，以剝離前述第2基體。通常，剝離係於製造本發明之積層體並對其進行指定之加工等後實施。

在此，所謂加工，係指例如晶圓電路面之相反側之加工，可列舉藉由研磨晶圓背面之晶圓薄化。然後，進行矽穿孔電極(TSV)等之形成，之後將薄化晶圓自支撐體剝離以形成晶圓之積層體，並實行三維安裝。此外，於此前後亦進行晶圓背面電極等之形成。雖於晶圓薄化及TSV製程中會在接著於支撐體之狀態下負擔250~350℃之熱，惟本發明之積層體包含接著層，係具有對於該負擔之耐熱性。此外，加工並不限於上述之加工，例如，於為了支撐用於安裝半導體元件之基材而與支撐體暫時接著之情形下，實施半導體元件之安裝過程等亦包含在加工內。

例如直徑300mm、厚度770μm左右之晶圓，經研磨與表面之電路面相反之背面，可薄化至厚度80μm~4μm左右。

圖2是一概略圖，其說明本發明之積層體之剝離方法及於該剝離後去除接著層，以獲得已施予製程之第1基體之方法之一例。

圖2(a)所示為加工等之製程後之積層體10A，從積層體10A之第2基體12側照射紅外線雷射20。當接著層13A受到紅外線雷射20的照射，接著層13A因熱分解等而變質，接著力顯著下降，而成為可剝離之狀態。

接著，如圖2(b)所示，將第2基體12自接著層13A剝離。此時，由於接著層13A呈現變質而接著力顯著下降之狀態，因此第2基體12，例如藉由施加些微的外力(L2)將其拉起而輕易地自第1基體11及接著層13A分離，然後，例如以有機溶劑所成之清潔劑去除殘留於第1基體11之接著層13A，從而可獲得已施予薄化等製程之第1基體11(圖2(c))。

如以上所述，本發明之積層體10，由於係以本發明之紅外線剝離用接著劑組成物所形成之接著層接著，因此藉由照射紅外線雷射，可輕易地將第2基體12自第1基體11及接著層13A剝離。

又，紅外線雷射20之照射，並不一定要對接著層之所有區域進行。即使參雜已照射紅外線雷射20之區域與未照射紅外線雷射20之區域，只要接著層13A整體之強度充分地下降，便可藉由施加些微的外力將第2基體12拉起從而將第2基體12自積層體10剝離。照射紅外線雷射20之區域與不照射紅外線雷射20之區域之比率及位置關係，雖因形成接著層13A之紅外線剝離用接著劑組成物、接著層13A之厚度、所照射之紅外線雷射20之強度等而異，惟所屬技術領域中具有通常知識者不需過度試驗即可設定適當條件。例如，亦可用與紅外線之描繪線寬相同的寬度，將不照射紅外線雷射之區域設置於照射紅外線雷射之區域的旁邊。

如此一來，即使於僅對接著層13A之一部分照射紅外線雷射之情形亦可將第2基體12分離，因此可以縮短每一個積層體之雷射照射時間，其結果，可縮短剝離所需要的總時間。

【實施例】

以下，列舉實施例以更具體地說明本發明，但本發明並不限於下述之實施例。又，所使用之裝置如下：

(1)攪拌機：新基股份有限公司(THINKY CORPORATION)製脫泡練太郎

(2)貼合裝置：SUSS MicroTec公司製 XBS300或亞由美工業股份有限公司(Ayumi Industry Co.,Ltd.)製VJ-300

(3)切割機：東京精密股份有限公司製 Dicing Machine SS30

(4)雷射加工裝置(剝離裝置)：卓泰克(Trotec)公司製 Speedy300〔雷射波長10.6μm，功率75W〕(條件：速度100mm/s，1000PPI/Hz)

[1]接著劑之製造

[實施例1-1]

使用攪拌機攪拌以下成分而獲得混合物：聚矽氧烷(a1)，Mw6,900之含乙烯基之MQ樹脂所成之基底聚合物(瓦克化學(Wacker Chemie)公司製)10.00g；聚矽氧烷(a1)，黏度1000mPa．s之含乙烯基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷(瓦克化學公司製)7.01g；聚矽氧烷(a2)，黏度70mPa．s之含Si-H基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷(瓦克化學公司製)1.50g；聚矽氧烷(a2)，黏度40mPa．s之含Si-H基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷(瓦克化學公司製)1.08g；聚合抑制劑(A3)，1-乙炔基-1-環己醇(瓦克化學公司製)0.049g；含有環氧變性聚有機矽氧烷之成分(B)，X-22-343(信越化學工業股份有限公司製)0.197g。

於所獲得之混合物中，加入使用攪拌機攪拌以下成分5分鐘後另外獲得之混合物0.118g：鉑族金屬系觸媒(A2)，鉑觸媒(瓦克化學公司製)1.0g、及聚矽氧烷(a1)，黏度1000mPa．s之含乙烯基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷(瓦克化學公司製)5.0g；並進一步攪拌5分鐘而獲得含有成分(A)及成分(B)之紅外線剝離用接著劑組成物。

又，X-22-343之結構為式(B-6)：

【化16】

重量平均分子量為2,400。m及n分別為重複單元之數量。R為碳原子數1~10之伸烷基。

[實施例1-2]

使用攪拌機攪拌以下成分而獲得混合物：聚矽氧烷(a1)，Mw6,900之含乙烯基之MQ樹脂所成之基底聚合物(瓦克化學公司製)141.22g；聚矽氧烷 (a1)，黏度1000mPa．s之含乙烯基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷(瓦克化學公司製)35.30g；聚矽氧烷(a1)，黏度200mPa．s之含乙烯基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷(瓦克化學公司製)4.54g；聚矽氧烷(a2)，黏度70mPa．s之含Si-H基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷(瓦克化學公司製)12.11g；聚矽氧烷(a2)，黏度40mPa．s之含Si-H基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷(瓦克化學公司製)7.57g；聚合抑制劑(A3)，1-乙炔基-1-環己醇(瓦克化學公司製)0.504g；及聚合抑制劑(A3)，1,1-二苯基-2-丙炔-1-醇(東京化成工業股份有限公司製)0.504g；含有環氧變性聚有機矽氧烷之成分(B)，X-22-343(信越化學工業股份有限公司製)2.02g；溶劑，十一烷(和光純藥工業股份有限公司(現富士軟片和光純藥股份有限公司)製)10.69g。

於所獲得之混合物中，加入使用攪拌機攪拌以下成分5分鐘後另外獲得之混合物1.21g：鉑族金屬系觸媒(A2)，鉑觸媒(瓦克化學公司製)1.0g、及聚矽氧烷(a1)，黏度1000mPa．s之含乙烯基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷(瓦克化學公司製)5.0g；並進一步攪拌5分鐘而獲得含有成分(A)及成分(B)之紅外線剝離用接著劑組成物。

[比較例1-1]

使用攪拌機攪拌以下成分而獲得混合物：聚矽氧烷(a1)，Mw6,900之含乙烯基之MQ樹脂所成之基底聚合物(瓦克化學公司製)10.00g；聚矽氧烷(a1)，黏度1000mPa．s之含乙烯基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷(瓦克化學公司製)7.01g；聚矽氧烷(a2)，黏度70mPa．s之含Si-H基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷(瓦克化學公司製)1.50g及聚矽氧烷(a2)，黏度40mPa．s之含Si-H基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷(瓦克化學公司製)1.08g；及聚合抑制劑(A3)，1-乙炔基-1-環己醇(瓦克化學公司製)0.049g。

於所獲得之混合物中，加入使用攪拌機攪拌以下成分5分鐘後另外獲得之混合物0.118g：鉑族金屬系觸媒(A2)，鉑觸媒(瓦克化學公司製)1.0g、及聚矽氧烷(a1)，黏度1000mPa．s之含乙烯基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷(瓦克化學公司製)5.0g；並進一步攪拌5分鐘而獲得含有成分(A)之比較接著劑組成物。

[3]積層體之製造及剝離試驗

[實施例2-1]

於300mm正方之玻璃晶圓上旋轉塗布實施例1-1所獲得之紅外線剝離用接著劑組成物，使其最終膜厚為40μm左右，並在120℃下加熱1分鐘，而在玻璃晶圓上形成接著劑塗布層。

使用貼合裝置使具有此接著劑塗布層之玻璃晶圓、及300mm正方之矽晶圓隔著接著劑塗布層貼合，並藉由在200℃下加熱10分鐘(後加熱處理)硬化而製作積層體。又，貼合的進行，是在溫度23℃、減壓度1,000Pa下施加30N之荷重。

使用切割裝置將所製作之積層體切割成1cm正方，將切割後之積層體設為評價用樣本。

[實施例2-2]

除了使用實施例1-2所獲得之紅外線剝離用接著劑組成物代替實施例1-1所獲得之紅外線剝離用接著劑組成物，並在溫度50℃、減壓度1,000Pa下施加500N之荷重進行貼合以外，其他皆以與實施例2-1相同之方法獲得積層體及評價用樣本。

[比較例2-1]

除了使用比較例1-1所獲得之比較接著劑組成物代替實施例1-1所獲得之紅外線剝離用接著劑組成物以外，其他皆以與實施例2-1相同之方法獲得積層體及評價用樣本。

使用雷射加工器對積層體照射雷射，並測試剝離。雷射，是由矽晶圓側一邊進行全面掃描一邊照射。將當時雷射之功率(輸出)、及可否剝離一併示於表1。

【表1】

於使用本發明之積層體之情形，於照射雷射後可剝離，但於使用比較例之積層體之情形，如此之剝離是困難的。

【產業利用性】

使用本發明之紅外線剝離用接著劑組成物所製造之積層體，通常可藉由照射用於雷射加工之紅外線雷射而輕易地剝離，不需設置特別的裝置，可使用一般用於雷射加工之設備進行剝離，可用於各種用途。

Claims

一種紅外線剝離用接著劑組成物，其藉由照射紅外線而可剝離，其特徵係其含有：成分(A)，係藉由矽氫化反應而硬化，並含有聚有機矽氧烷；及成分(B)，係環氧變性聚有機矽氧烷，其含有以R¹¹R¹²SiO_2/2表示之矽氧烷單元(前述R¹¹表示碳原子數40以下的烷基，前述R¹²表示環氧基或含有環氧基之有機基)。
如申請專利範圍第1項所記載之紅外線剝離用接著劑組成物，其中，前述成分(A)，係含有聚矽氧烷(A1)及鉑族金屬系觸媒(A2)，且前述聚矽氧烷(A1)含有選自以SiO₂表示之矽氧烷單元(Q單元)、以R¹R²R³SiO_1/2表示之矽氧烷單元(M單元)、以R⁴R⁵SiO_2/2表示之矽氧烷單元(D單元)及以R⁶SiO_3/2表示之矽氧烷單元(T單元)所成群中一種或兩種以上之單元(前述R¹至R⁶為鍵結於矽原子之基團或原子，分別獨立表示烷基、烯基或氫原子)；且前述聚矽氧烷(A1)，係含有聚有機矽氧烷(a1)及聚有機矽氧烷(a2)，且前述聚有機矽氧烷(a1)含有選自以SiO₂表示之矽氧烷單元(Q’單元)、以R¹’R²’R³’SiO_1/2表示之矽氧烷單元(M’單元)、以R⁴’R⁵’SiO_2/2表示之矽氧烷單元(D’單元)及以R⁶’SiO_3/2表示之矽氧烷單元(T’單元)所成群中一種或兩種以上之單元，並同時含有選自前述M’單元、D’單元及T’單元所成群中至少一種(前述R¹’至R⁶’為鍵結於矽原子之基團，分別獨立表示烷基或烯基，惟前述R¹’至R⁶’之至少一個為前述烯基)，前述聚有機矽氧烷(a2) 含有選自以SiO₂表示之矽氧烷單元(Q”單元)、以R¹”R²”R³”SiO_1/2表示之矽氧烷單元(M”單元)、以R⁴”R⁵”SiO_2/2表示之矽氧烷單元(D”單元)及以R⁶”SiO_3/2表示之矽氧烷單元(T”單元)所成群中一種或兩種以上之單元，並同時含有選自前述M”單元、D”單元及T”單元所成群中至少一種(前述R¹”至R⁶”為鍵結於矽原子之基團或原子，分別獨立表示烷基或氫原子，惟前述R¹”至R⁶”之至少一個為氫原子)。
如申請專利範圍第1項所記載之紅外線剝離用接著劑組成物，其中，前述環氧變性聚有機矽氧烷，環氧值係在0.1~5之範圍。
如申請專利範圍第2項所記載之紅外線剝離用接著劑組成物，其中，前述環氧變性聚有機矽氧烷，環氧值係在0.1~5之範圍。
一種積層體，其介由接著層接合由半導體形成基板所成之第1基體、及由透射紅外線雷射之支撐基板所成之第2基體，其特徵係：前述接著層，係可由如申請專利範圍第1至4項中任一項所記載之紅外線剝離用接著劑組成物獲得之硬化膜。
一種積層體之製造方法，其為如申請專利範圍第5項所記載之積層體之製造方法，其特徵係其包含：第1步驟，係於前述第1基體或前述第2基體之表面塗布前述紅外線剝離用接著劑組成物以形成接著劑塗布層；及第2步驟，係介由前述接著劑塗布層結合前述第1基體及前述第2基體，並於實施加熱處理及減壓處理之至少一個的同時，施加前述第1基體及前述第2基體之厚度方向之荷重，從而使前述第1基體、前述接著劑塗布層及前述第2基體密著，然後進行後加熱處理。
一種剝離方法，其特徵係：從如申請專利範圍第6項所記載之積層體之製造方法所製造之積層體的前述第2基體側照射前述紅外線雷射，以剝離前述第2基體。
如申請專利範圍第7項所記載之剝離方法，其中，前述紅外線雷射，波長係1μm~20μm。
如申請專利範圍第8項所記載之剝離方法，其中，前述波長係9.2~10.8μm。