WO2024010027A1 - ひずみゲージ - Google Patents
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Classifications
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- G—PHYSICS
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- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
- G01B7/16—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. by resistance strain gauge
Definitions
- the present invention relates to a strain gauge.
- strain gauges that are used by being attached to an object to be measured have been known.
- the gauge factor of a strain gauge is usually about 2, but some strain gauges equipped with a resistor whose main component is Cr have a gauge factor of about 10 (for example, see Patent Document 1).
- the gauge factor is large, but if the lateral sensitivity ratio, which is the ratio of lateral sensitivity to longitudinal sensitivity, is large, a detection error will occur. Therefore, there is a need for a strain gauge that has a higher gauge factor than the conventional gauge factor (about 2) and a lower transverse sensitivity ratio.
- the present invention has been made in view of the above points, and aims to provide a strain gauge that has a higher gauge factor and a lower transverse sensitivity ratio than conventional ones.
- a strain gauge includes a base material and a resistor formed on the base material, the resistor is made of a material containing Cr as a main component, and has lateral sensitivity.
- the line width of the resistor is set to 70 ⁇ m or less so that the ratio is 70% or less and the gauge factor is 5 or more.
- FIG. 2 is a plan view illustrating a strain gauge according to the first embodiment.
- FIG. 2 is a cross-sectional view (part 1) illustrating the strain gauge according to the first embodiment.
- FIG. 2 is a cross-sectional view (Part 2) illustrating the strain gauge according to the first embodiment. It is a figure explaining a lateral sensitivity ratio. It is a figure showing the examination result of one example. It is a figure which shows the examination result of other Examples.
- FIG. 1 is a plan view illustrating a strain gauge according to a first embodiment.
- FIG. 2 is a cross-sectional view (part 1) illustrating the strain gauge according to the first embodiment, and shows a cross section taken along line AA in FIG.
- the strain gauge 1 includes a base material 10, a resistor 30, wiring 40, an electrode 50, and a cover layer 60.
- the cover layer 60 can be provided as necessary. Note that in FIGS. 1 and 2, only the outer edge of the cover layer 60 is shown with a broken line for convenience. First, each part constituting the strain gauge 1 will be explained in detail.
- the strain gauge 1 the side of the base material 10 where the resistor 30 is provided is referred to as the "upper side", and the side where the resistor 30 is not provided is referred to as the "lower side”. .
- the surface located above each part is referred to as the "upper surface”, and the surface located below each part is referred to as the "lower surface”.
- the strain gauge 1 can also be used upside down.
- the strain gauge 1 can also be arranged at any angle.
- planar view refers to viewing the object in the normal direction from the upper side to the lower side with respect to the upper surface 10a of the base material 10.
- the planar shape refers to the shape of the object when viewed in the normal direction.
- the base material 10 is a member that becomes a base layer for forming the resistor 30 and the like.
- the base material 10 has flexibility.
- the thickness of the base material 10 is not particularly limited, and may be determined as appropriate depending on the intended use of the strain gauge 1.
- the thickness of the base material 10 may be about 5 ⁇ m to 500 ⁇ m.
- a strain-generating body may be bonded to the lower surface side of the strain gauge 1 via an adhesive layer or the like.
- the thickness of the base material 10 is preferably within the range of 5 ⁇ m to 200 ⁇ m. .
- the thickness of the base material 10 is preferably 10 ⁇ m or more.
- the base material 10 is made of, for example, PI (polyimide) resin, epoxy resin, PEEK (polyetheretherketone) resin, PEN (polyethylene naphthalate) resin, PET (polyethylene terephthalate) resin, PPS (polyphenylene sulfide) resin, LCP (liquid crystal) resin, etc. It is formed from an insulating resin film such as polymer) resin or polyolefin resin. Note that the film refers to a member having a thickness of approximately 500 ⁇ m or less and having flexibility.
- the insulating resin film may contain fillers, impurities, and the like.
- the base material 10 may be formed from an insulating resin film containing filler such as silica or alumina.
- Examples of materials other than resin for the base material 10 include SiO 2 , ZrO 2 (including YSZ), Si, Si 2 N 3 , Al 2 O 3 (including sapphire), ZnO, perovskite ceramics (CaTiO 3 , Examples include crystalline materials such as BaTiO 3 ). Further, in addition to the above-mentioned crystalline materials, amorphous glass or the like may be used as the material of the base material 10. Further, as the material of the base material 10, metals such as aluminum, aluminum alloy (duralumin), stainless steel, titanium, etc. may be used. When using metal, an insulating film is provided to cover the upper and lower surfaces of the metal base material 10.
- the resistor 30 is a thin film formed in a predetermined pattern on the upper side of the base material 10.
- the resistor 30 is a sensing portion that receives strain and causes a change in resistance.
- the resistor 30 may be formed directly on the upper surface 10a of the base material 10, or may be formed on the upper surface 10a of the base material 10 via another layer.
- the resistor 30 is shown in a dense satin pattern for convenience.
- the resistor 30 includes a plurality of elongated portions and a plurality of folded portions.
- the plurality of elongated portions are arranged side by side with their longitudinal directions facing in the same direction.
- the plurality of folded portions alternately connect the ends of adjacent elongated portions among the plurality of elongated portions to connect the respective elongated portions in series.
- the resistor 30 has a structure that is folded back in a zigzag pattern as a whole.
- the longitudinal direction of the plurality of elongated portions is the grid direction, and the direction perpendicular to the grid direction is the grid width direction.
- One end portion in the longitudinal direction of the two elongated portions located at the outermost sides in the grid width direction is bent in the grid width direction to form respective terminal ends 30e 1 and 30e 2 of the resistor 30 in the grid width direction.
- Each terminal end 30e 1 and 30e 2 of the resistor 30 in the grid width direction is electrically connected to an electrode 50 via a wiring 40.
- the wiring 40 electrically connects each terminal end 30e 1 and 30e 2 of the resistor 30 in the grid width direction to each electrode 50.
- the gauge factor is preferably 5 or more.
- the surge rate of the strain gauge 1 does not depend on the line width W of the resistor 30.
- the gauge factor does not depend on the line width W of the resistor 30 means that the difference between the maximum value and the minimum value of the gauge factor in the range of the line width W of the resistor 30 from 0.1 ⁇ m to 70 ⁇ m is 2 or less. Refers to the case where
- the lateral sensitivity ratio of the strain gauge 1 has a positive correlation with the logarithm of the line width W of the resistor 30, and becomes lower as the line width W of the resistor 30 becomes narrower.
- the line width W of the resistor 30 is preferably 70 ⁇ m or less, more preferably 20 ⁇ m or less, even more preferably 10 ⁇ m or less, and particularly preferably 5 ⁇ m or less.
- the lateral sensitivity ratio can be sufficiently lowered.
- the line width W of the resistor 30 can be reduced to at least 0.1 ⁇ m. Note that the definition of the lateral sensitivity ratio and the relationship between the line width W of the resistor 30, the gauge factor, and the lateral sensitivity ratio will be described in detail separately.
- the resistor 30 can be formed from a material containing Cr (chromium) as a main component, for example.
- the term "main component" refers to a component that accounts for 50% by weight or more of all materials constituting the resistor 30.
- An example of a material containing Cr as a main component is a Cr mixed phase film.
- the Cr mixed phase film is a film in which Cr, CrN, Cr 2 N, etc. are mixed in phase.
- the Cr mixed phase film may contain inevitable impurities such as chromium oxide.
- the thickness of the resistor 30 is not particularly limited, and may be determined as appropriate depending on the intended use of the strain gauge 1.
- the thickness of the resistor 30 may be approximately 0.05 ⁇ m to 2 ⁇ m.
- the crystallinity of the crystal forming the resistor 30 (for example, the crystallinity of ⁇ -Cr) is improved.
- the thickness of the resistor 30 is 1 ⁇ m or less, (i) cracks in the film and (ii) warping of the film from the base material 10 due to internal stress of the film constituting the resistor 30 are reduced. be done.
- the stability of the gauge characteristics can be improved by using ⁇ -Cr (alpha chromium), which is a stable crystalline phase, as the main component.
- ⁇ -Cr alpha chromium
- the resistor 30 has ⁇ -Cr as its main component, so that the gauge factor of the strain gauge 1 is 10 or more, and the gauge factor temperature coefficient TCS and the resistance temperature coefficient TCR are can be within the range of -1000ppm/°C to +1000ppm/°C.
- the resistor 30 contains 80% by weight or more of ⁇ -Cr.
- the resistor 30 contains 90% by weight or more of ⁇ -Cr.
- ⁇ -Cr is Cr having a bcc structure (body-centered cubic lattice structure).
- the resistor 30 is a Cr mixed phase film
- the content of CrN and Cr 2 N in the Cr mixed phase film is 20% by weight or less.
- the Cr mixed phase film contains 20% by weight or less of CrN and Cr 2 N, a decrease in the gauge factor of the strain gauge 1 can be suppressed.
- the ratio of CrN and Cr 2 N in the Cr mixed phase film is preferably such that the ratio of Cr 2 N is 80% by weight or more and less than 90% by weight with respect to the total weight of CrN and Cr 2N . . More preferably, the ratio is such that the proportion of Cr 2 N is 90% by weight or more and less than 95% by weight with respect to the total weight of CrN and Cr 2 N.
- Cr 2 N has semiconductor properties. Therefore, by setting the above-mentioned proportion of Cr 2 N to 90% by weight or more and less than 95% by weight, the decrease in TCR (negative TCR) becomes more remarkable. Further, by setting the above-mentioned proportion of Cr 2 N to 90% by weight or more and less than 95% by weight, it is possible to reduce the ceramic resistance of the resistor 30 and make brittle fracture of the resistor 30 less likely to occur.
- CrN has the advantage of being chemically stable. By including a larger amount of CrN in the Cr multiphase film, it is possible to reduce the possibility of unstable N being generated, thereby making it possible to obtain a stable strain gauge.
- "unstable N” means a trace amount of N 2 or atomic N that may exist in the Cr multiphase film. Depending on the external environment (for example, high temperature environment), these unstable N may escape out of the film. When unstable N escapes from the film, the film stress of the Cr multiphase film may change.
- the strain gauge 1 when a Cr mixed phase film is used as the material for the resistor 30, higher sensitivity and smaller size can be achieved.
- the output of a conventional strain gauge is about 0.04 mV/2V
- a Cr mixed phase film is used as the material for the resistor 30, an output of 0.3 mV/2V or more can be obtained.
- the size of a conventional strain gauge is approximately 3 mm x 3 mm
- the size when a Cr mixed phase film is used as the material for the resistor 30 is approximately 3 mm x 3 mm. Width) can be downsized to approximately 0.3 mm x 0.3 mm.
- the wiring 40 is provided on the base material 10.
- the wiring 40 has one end electrically connected to both ends of the resistor 30, and the other end electrically connected to the electrode 50.
- the wiring 40 is not limited to a straight line, and may have any pattern. Further, the wiring 40 can have any width and any length. Note that in FIG. 1, for convenience, the wiring 40 is shown in a matte pattern with a lower density than the resistor 30.
- the electrode 50 is provided on the base material 10.
- the electrode 50 is electrically connected to the resistor 30 via the wiring 40.
- the electrode 50 is formed in a substantially rectangular shape with a wider width than the wiring 40 in plan view.
- the electrodes 50 are a pair of electrodes for outputting to the outside a change in resistance value of the resistor 30 caused by strain.
- a lead wire for external connection is connected to the electrode 50.
- a metal layer with low resistance such as copper or a metal layer with good solderability such as gold may be laminated on the upper surface of the electrode 50.
- the resistor 30, the wiring 40, and the electrode 50 are given different symbols for convenience, they can be integrally formed using the same material in the same process. Note that in FIG. 1, for convenience, the electrode 50 is shown in a satin pattern with the same density as the wiring 40.
- the cover layer 60 is provided on the upper surface 10a of the base material 10, if necessary, so as to cover the resistor 30 and the wiring 40 and expose the electrode 50.
- the material of the cover layer 60 include insulating resins such as PI resin, epoxy resin, PEEK resin, PEN resin, PET resin, PPS resin, and composite resin (eg, silicone resin, polyolefin resin).
- the cover layer 60 may contain filler or pigment.
- the thickness of the cover layer 60 is not particularly limited, and can be appropriately selected depending on the purpose. For example, the thickness of the cover layer 60 can be about 2 ⁇ m to 30 ⁇ m.
- strain gauge manufacturing method In the strain gauge 1 according to the present embodiment, the resistor 30, the wiring 40, the electrode 50, and the cover layer 60 are formed on the base material 10. Note that another layer (such as a functional layer to be described later) may be formed between the base material 10 and the layers of these members.
- the base material 10 is prepared, and a metal layer (for convenience, referred to as metal layer A) is formed on the upper surface 10a of the base material 10.
- the metal layer A is a layer that is finally patterned to become the resistor 30, the wiring 40, and the electrode 50. Therefore, the material and thickness of the metal layer A are the same as those of the resistor 30 and the like described above.
- the metal layer A can be formed, for example, by magnetron sputtering using a raw material capable of forming the metal layer A as a target.
- the metal layer A may be formed using reactive sputtering, vapor deposition, arc ion plating, pulsed laser deposition, or the like instead of magnetron sputtering.
- the metal layer A is patterned into a planar shape similar to the resistor 30, wiring 40, and electrode 50 in FIG. 1 by a well-known photolithography method.
- the line width of the resistor 30 can be adjusted to a desired value.
- the resistor 30 includes a plurality of elongated portions arranged in parallel, and a folded portion that alternately connects the ends of adjacent elongated portions among the plurality of elongated portions and connects the respective elongated portions in series.
- the plurality of elongated portions include two or more types of elongated portions having mutually different widths.
- the metal layer A may be formed after forming a base layer on the upper surface 10a of the base material 10.
- a functional layer having a predetermined thickness may be formed in vacuum on the upper surface 10a of the base material 10 by conventional sputtering.
- the functional layer refers to a layer that has a function of promoting crystal growth of at least the upper metal layer A (resistor 30).
- the functional layer further has a function of preventing oxidation of the metal layer A due to oxygen or moisture contained in the base material 10, and/or a function of improving the adhesion between the base material 10 and the metal layer A. is preferred.
- the functional layer may further include other functions.
- the insulating resin film constituting the base material 10 may contain oxygen and moisture, and Cr may form a self-oxidized film. Therefore, especially when the metal layer A contains Cr, it is preferable to form a functional layer having a function of preventing the metal layer A from being oxidized.
- Examples of materials for the functional layer include Cr (chromium), Ti (titanium), V (vanadium), Nb (niobium), Ta (tantalum), Ni (nickel), Y (yttrium), Zr (zirconium), Hf (hafnium), Si (silicon), C (carbon), Zn (zinc), Cu (copper), Bi (bismuth), Fe (iron), Mo (molybdenum), W (tungsten), Ru (ruthenium), Rh (rhodium), Re (rhenium), Os (osmium), Ir (iridium), Pt (platinum), Pd (palladium), Ag (silver), Au (gold), Co (cobalt), Mn (manganese), Al Examples include one or more metals selected from the group consisting of (aluminum), an alloy of any metal in this group, or a compound of any metal in this group.
- FIG. 3 is a cross-sectional view (Part 2) illustrating the strain gauge according to the first embodiment.
- Part 2 shows a cross-sectional shape of the strain gauge 1 in which the functional layer 20 is provided as a base layer for the resistor 30, the wiring 40, and the electrode 50.
- the planar shape of the functional layer 20 may be patterned to be approximately the same as the planar shape of the resistor 30, the wiring 40, and the electrode 50, for example.
- the planar shapes of the functional layer 20, the resistor 30, the wiring 40, and the electrode 50 do not have to be substantially the same.
- the functional layer 20 when the functional layer 20 is formed of an insulating material, the functional layer 20 may be patterned into a shape different from the planar shape of the resistor 30, the wiring 40, and the electrode 50.
- the functional layer 20 may be formed in a solid manner, for example, in a region where the resistor 30, the wiring 40, and the electrode 50 are formed.
- the functional layer 20 may be formed in a solid manner over the entire upper surface of the base material 10.
- a cover layer 60 is formed on the upper surface 10a of the base material 10, if necessary. Although the cover layer 60 covers the resistor 30 and the wiring 40, the electrode 50 may be exposed from the cover layer 60.
- a semi-cured thermosetting insulating resin film is laminated on the upper surface 10a of the base material 10 so as to cover the resistor 30 and wiring 40 and expose the electrode 50, and then the insulating resin film is laminated.
- the cover layer 60 can be formed by heating and curing. Through the above steps, the strain gauge 1 is completed.
- FIG. 4 is a diagram illustrating the lateral sensitivity ratio.
- axis M indicates the direction in which strain is desired to be measured.
- a strain gauge 1A whose grid direction is oriented in the direction of the axis M, and a strain gauge 1B whose grid direction is oriented perpendicular to the axis M are attached to the strain body 100.
- the x-axis, y-axis, and z-axis in FIG. 4 indicate axes that are orthogonal to each other.
- Axis M is parallel to the y-axis
- a direction perpendicular to axis M is parallel to the x-axis.
- equation (3) the lateral sensitivity ratio K defined by the ratio of the lateral sensitivity F t to the vertical sensitivity F a is expressed by equation (3).
- ⁇ y is the strain generated in the direction of the axis M
- ⁇ x is the strain generated in the direction perpendicular to the axis M.
- RA is the resistance value of the resistor of the strain gauge 1A when no strain is generated.
- R B is the resistance value of the resistor of the strain gauge 1B when no strain is generated.
- ⁇ R A is a change in resistance value that occurs in the resistor of the strain gauge 1A when strains ⁇ x and ⁇ y occur.
- ⁇ R B is a change in resistance value that occurs in the resistor of the strain gauge 1B when strains ⁇ x and ⁇ y occur.
- the amount of output change is about 0.10V/V.
- the lateral sensitivity ratio is 70% or less and the gauge factor is 5 or more.
- the lateral sensitivity ratio is more preferably 50% or less, even more preferably 40% or less, and particularly preferably 30% or less.
- the gauge factor is more preferably 8 or more, more preferably 11 or more, and particularly preferably 14 or more. The smaller the lateral sensitivity ratio and the larger the gauge factor, the larger the amount of output change when a bridge circuit is formed using strain gauges.
- Example The inventors produced a strain gauge sample and investigated the relationship between the line width of the resistor, the lateral sensitivity ratio, and the gauge factor.
- a Ti film with a thickness of 3 nm was vacuum-formed as a functional layer 20 by conventional sputtering on the upper surface 10a of a base material 10 made of polyimide resin with a thickness of 25 ⁇ m.
- a Cr mixed phase film having a thickness of 200 nm was formed as a resistor 30, wiring 40, and electrode 50 over the entire upper surface of the functional layer 20 by magnetron sputtering.
- the functional layer 20, the resistor 30, the wiring 40, and the electrode 50 were patterned by photolithography as shown in FIG. 1, and a strain gauge sample was produced. This sample was patterned so that the line width W of the resistor 30 was 500 ⁇ m.
- strain gauge samples were prepared by patterning the resistors 30 so that the line widths W were 200 ⁇ m, 100 ⁇ m, 50 ⁇ m, 40 ⁇ m, 20 ⁇ m, 10 ⁇ m, and 5 ⁇ m, respectively. Then, in a 20° C. environment, the lateral sensitivity ratio and gauge factor of each sample of the strain gauge were measured and summarized in FIG.
- the gauge factor of the prepared sample does not depend on the line width W of the resistor 30.
- the difference between the maximum value and the minimum value of the gauge factor when the line width W of the resistor 30 changes is about 1.5.
- the lateral sensitivity ratio has a positive correlation with the logarithm of the line width W of the resistor 30, and becomes lower as the line width of the resistor 30 becomes narrower.
- FIG. 6 shows the relationship between the line width of the resistor, the lateral sensitivity ratio, and the gauge factor when a sample having a gauge factor of about 9 was prepared using the same method.
- the gauge factor does not depend on the line width W of the resistor 30, whereas the lateral sensitivity ratio has a positive correlation with the logarithm of the line width W of the resistor 30. The narrower the area, the lower the area. Although not shown, other samples with a gauge factor of 5 or more exhibit similar characteristics.
- the lateral sensitivity ratio is 70% or less, it is possible to obtain an output change equal to or greater than that of a commercially available strain gauge, but from FIG. 5, the line width W of the resistor 30 should be 70 ⁇ m or less. Accordingly, the lateral sensitivity ratio can be made 70% or less. In other words, it is possible to realize a strain gauge in which the line width of the resistor 30 is 70 ⁇ m or less so that the lateral sensitivity ratio is 70% or less and the gauge factor is 5 or more.
- the lateral sensitivity ratio is more preferably 50% or less, even more preferably 40% or less, and particularly preferably 30% or less. From FIG. 5, by setting the line width W of the resistor 30 to 20 ⁇ m or less, the lateral sensitivity ratio can be made 50% or less. Furthermore, from FIG. 5, by setting the line width W of the resistor 30 to 10 ⁇ m or less, the lateral sensitivity ratio can be made 40% or less. Further, from FIG. 5, by setting the line width W of the resistor 30 to 5 ⁇ m or less, the lateral sensitivity ratio can be made 30% or less.
- the gauge factor in order to obtain an output change equal to or higher than that of a commercially available strain gauge, the gauge factor should be 5 or more, but the gauge factor of each sample using a Cr mixed phase film for the resistor 30 is 14 or more. , and a sufficiently large value is obtained. Note that even when a Cr mixed phase film is used for the resistor 30, the gauge factor can be adjusted to various values of 5 or more by changing the content of ⁇ -Cr in the resistor 30. Further, by using a Cr mixed phase film for the resistor 30 and increasing the crystallinity of ⁇ -Cr, the gauge factor can be set to about 5 or more and 10 or less.
- the resistor 30 is formed from a material containing Cr as a main component, has a gauge factor of 5 or more, is independent of the line width of the resistor 30, and has a lateral sensitivity ratio of the line width of the resistor 30. It is possible to realize a strain gauge that has a positive correlation with the logarithm and becomes lower as the line width of the resistor 30 becomes narrower. It is sufficient that such characteristics can be achieved at least when the line width of the resistor 30 is within the range of 0.1 ⁇ m or more and 70 ⁇ m.
- a gauge factor of 5 or more can be obtained by using other materials instead of the Cr mixed phase film.
- materials that can obtain a gauge factor of 5 or more include Ge, Pt, Si, Ni, Cu, C, Ti, Cr, or materials containing these. Specifically, they include Cr-N, Ge, Ge-In, Ge-Ga, Ge-P, Pt, Pt-In, Cu, Ni-C, Si, Ti-C-O, and the like. Further, by adjusting the line width W of the resistor 30 using these materials, a desired lateral sensitivity ratio can be obtained.
- the resistor 30 is formed from these materials, has a gauge factor of 5 or more, does not depend on the line width of the resistor 30, and has a lateral sensitivity ratio that has a positive correlation with the logarithm of the line width of the resistor 30. As the line width of the resistor 30 becomes narrower, the strain gauge becomes lower.
- strain gauge according to the present disclosure is not limited to the embodiments, modifications, etc. described above.
- various modifications and substitutions can be made to the strain gauges according to the above-described embodiments without departing from the scope of the claims.
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Abstract
本ひずみゲージは、基材と、前記基材上に形成された抵抗体と、を有し、前記抵抗体は、Crを主成分とする材料から形成され、横感度比が70%以下かつゲージ率が5以上となるように、前記抵抗体の線幅が70μm以下とされている。
Description
本発明は、ひずみゲージに関する。
従来、測定対象物に貼り付けて使用するひずみゲージが知られている。ひずみゲージのゲージ率は通常2程度であるが、Crを主成分とする抵抗体を備えたひずみゲージではゲージ率が10程度になるものもある(例えば、特許文献1参照)。
また、Crを主成分とする抵抗体を備えたひずみゲージでは、主軸方向の感度である縦感度が大きいだけでなく、主軸方向と垂直方向の感度である横感度が縦感度と同程度に大きいことが知られており、この性質は抵抗体の形状には依存しないとされている(非特許文献1参照)。
ひずみセンサ用Cr-N薄膜におけるゲージ率の等方性、電気学会2013年度全国大会講演論文集3(2013):240-241
しかしながら、ひずみゲージでひずみを検出する際には、ゲージ率が大きいことが好ましいが、縦感度に対する横感度の比率である横感度比が大きいと検出誤差を生じる。そのため、従来のゲージ率(2程度)よりもゲージ率が高く、かつ横感度比の低いひずみゲージが求められている。
本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、従来よりもゲージ率が高く、かつ横感度比の低いひずみゲージの提供を目的とする。
本開示の一実施形態に係るひずみゲージは、基材と、前記基材上に形成された抵抗体と、を有し、前記抵抗体は、Crを主成分とする材料から形成され、横感度比が70%以下かつゲージ率が5以上となるように、前記抵抗体の線幅が70μm以下とされている。
開示の技術によれば、従来よりもゲージ率が高く、かつ横感度比の低いひずみゲージを提供することができる。
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一の構成部には同一の符号を付す場合がある。
〈第1実施形態〉
図1は、第1実施形態に係るひずみゲージを例示する平面図である。図2は、第1実施形態に係るひずみゲージを例示する断面図(その1)であり、図1のA-A線に沿う断面を示している。
図1は、第1実施形態に係るひずみゲージを例示する平面図である。図2は、第1実施形態に係るひずみゲージを例示する断面図(その1)であり、図1のA-A線に沿う断面を示している。
図1及び図2を参照すると、ひずみゲージ1は、基材10と、抵抗体30と、配線40と、電極50と、カバー層60とを有している。カバー層60は、必要に応じて設けることができる。なお、図1及び図2では、便宜上、カバー層60の外縁のみを破線で示している。まずは、ひずみゲージ1を構成する各部について詳細に説明する。
なお、本実施形態では、便宜上、ひずみゲージ1において、基材10の抵抗体30が設けられている側を「上側」と称し、抵抗体30が設けられていない側を「下側」と称する。又、各部位の上側に位置する面を「上面」と称し、各部位の下側に位置する面を「下面」と称する。ただし、ひずみゲージ1は天地逆の状態で用いることもできる。又、ひずみゲージ1は任意の角度で配置することもできる。又、平面視とは、基材10の上面10aに対する上側から下側への法線方向で対象物を視ることを指すものとする。そして、平面形状とは、前記法線方向で対象物を視たときの、対象物の形状を指すものとする。
基材10は、抵抗体30等を形成するためのベース層となる部材である。基材10は可撓性を有する。基材10の厚さは特に限定されず、ひずみゲージ1の使用目的等に応じて適宜決定されてよい。例えば、基材10の厚さは5μm~500μm程度であってよい。ひずみゲージ1の下面側には、接着層等を介して起歪体が接合されていてもよい。なお、起歪体の表面から受感部へのひずみの伝達性、及び、環境変化に対する寸法安定性の観点から考えると、基材10の厚さは5μm~200μmの範囲内であることが好ましい。また、絶縁性の観点から考えると、基材10の厚さは10μm以上であることが好ましい。
基材10は、例えば、PI(ポリイミド)樹脂、エポキシ樹脂、PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)樹脂、PEN(ポリエチレンナフタレート)樹脂、PET(ポリエチレンテレフタレート)樹脂、PPS(ポリフェニレンサルファイド)樹脂、LCP(液晶ポリマー)樹脂、ポリオレフィン樹脂等の絶縁樹脂フィルムから形成される。なお、フィルムとは、厚さが500μm以下程度であり、かつ可撓性を有する部材を指す。
基材10が絶縁樹脂フィルムから形成される場合、当該絶縁樹脂フィルムには、フィラーや不純物等が含まれていてもよい。例えば、基材10は、シリカやアルミナ等のフィラーを含有する絶縁樹脂フィルムから形成されてもよい。
基材10の樹脂以外の材料としては、例えば、SiO2、ZrO2(YSZも含む)、Si、Si2N3、Al2O3(サファイヤも含む)、ZnO、ペロブスカイト系セラミックス(CaTiO3、BaTiO3)等の結晶性材料が挙げられる。又、前述の結晶性材料以外に非晶質のガラス等を基材10の材料としてもよい。又、基材10の材料として、アルミニウム、アルミニウム合金(ジュラルミン)、ステンレス鋼、チタン等の金属を用いてもよい。金属を用いる場合、金属製の基材10の上面及び下面を被覆するように絶縁膜が設けられる。
抵抗体30は、基材10の上側に所定のパターンで形成された薄膜である。ひずみゲージ1において、抵抗体30は、ひずみを受けて抵抗変化を生じる受感部である。抵抗体30は、基材10の上面10aに直接形成されてもよいし、基材10の上面10aに他の層を介して形成されてもよい。なお、図1では、便宜上、抵抗体30を密度の高い梨地模様で示している。
抵抗体30は、複数の細長状部と、複数の折り返し部とを含む。抵抗体30において、複数の細長状部は、長手方向を同一方向に向けて並置されている。そして、複数の折り返し部は、複数の細長状部の中で隣接する細長状部の端部を互い違いに連結して各々の細長状部を直列に接続する。これにより、抵抗体30は、全体としてジグザグに折り返す構造となっている。複数の細長状部の長手方向がグリッド方向となり、グリッド方向と垂直な方向がグリッド幅方向となる。
グリッド幅方向の最も外側に位置する2つの細長状部の長手方向の一端部は、グリッド幅方向に屈曲し、抵抗体30のグリッド幅方向の各々の終端30e1及び30e2を形成する。抵抗体30のグリッド幅方向の各々の終端30e1及び30e2は、配線40を介して、電極50と電気的に接続されている。言い換えれば、配線40は、抵抗体30のグリッド幅方向の各々の終端30e1及び30e2と各々の電極50とを電気的に接続している。
ひずみゲージ1において、ゲージ率は5以上であることが好ましい。ひずみゲージ1のージ率は、抵抗体30の線幅Wに依存しない。ここで、ゲージ率が抵抗体30の線幅Wに依存しないとは、抵抗体30の線幅Wが0.1μm以上70μm以下の範囲におけるゲージ率の最大値と最小値との差が2以下である場合を指す。
また、ひずみゲージ1の横感度比は、抵抗体30の線幅Wの対数と正の相関を有し、抵抗体30の線幅Wが狭いほど低くなる。
抵抗体30の線幅Wは、70μm以下とすることが好ましく、20μm以下とすることがより好ましく、10μm以下とすることがさらに好ましく、5μm以下とすることが特に好ましい。抵抗体30の線幅Wがこのような範囲であると、横感度比を十分に下げることができる。現状の加工技術では、抵抗体30の線幅Wは、少なくとも0.1μmまで細くすることが可能である。なお、横感度比の定義や、抵抗体30の線幅Wとゲージ率及び横感度比との関係については、別途詳述する。
抵抗体30は、例えば、Cr(クロム)を主成分とする材料から形成することができる。ここで、「主成分」とは、抵抗体30を構成する全物質の50重量%以上を占める成分のことを意味する。Crを主成分とする材料としては、例えば、Cr混相膜が挙げられる。Cr混相膜とは、Cr、CrN、及びCr2N等が混相した膜である。Cr混相膜は、酸化クロム等の不可避不純物を含んでいてもよい。
抵抗体30の厚さは特に限定されず、ひずみゲージ1の使用目的等に応じて適宜決定されてよい。例えば、抵抗体30の厚さは0.05μm~2μm程度であってよい。特に、抵抗体30の厚さが0.1μm以上である場合、抵抗体30を構成する結晶の結晶性(例えば、α-Crの結晶性)が向上する。また、抵抗体30の厚さが1μm以下である場合、抵抗体30を構成する膜の内部応力に起因する、(i)膜のクラック及び(ii)膜の基材10からの反りが、低減される。
例えば、抵抗体30がCr混相膜である場合、安定な結晶相であるα-Cr(アルファクロム)を主成分とすることで、ゲージ特性の安定性を向上させることができる。又例えば、抵抗体30がCr混相膜である場合、抵抗体30がα-Crを主成分とすることで、ひずみゲージ1のゲージ率を10以上、かつゲージ率温度係数TCS及び抵抗温度係数TCRを-1000ppm/℃~+1000ppm/℃の範囲内とすることができる。ゲージ特性を向上させるという観点から考えると、抵抗体30はα-Crを80重量%以上含むことが好ましい。更に言えば、同観点から考えると、抵抗体30はα-Crを90重量%以上含むことがより好ましい。なお、α-Crは、bcc構造(体心立方格子構造)のCrである。
又、抵抗体30がCr混相膜である場合、Cr混相膜に含まれるCrN及びCr2Nは20重量%以下であることが好ましい。Cr混相膜に含まれるCrN及びCr2Nが20重量%以下であることで、ひずみゲージ1のゲージ率の低下を抑制することができる。
又、Cr混相膜におけるCrNとCr2Nとの比率は、CrNとCr2Nの重量の合計に対し、Cr2Nの割合が80重量%以上90重量%未満となるようにすることが好ましい。更に言えば、同比率は、CrNとCr2Nの重量の合計に対し、Cr2Nの割合が90重量%以上95重量%未満となるようにすることがより好ましい。Cr2Nは半導体的な性質を有する。そのため、前述のCr2Nの割合を90重量%以上95重量%未満とすることで、TCRの低下(負のTCR)が一層顕著となる。更に、前述のCr2Nの割合を90重量%以上95重量%未満とすることで抵抗体30のセラミックス化を低減し、抵抗体30の脆性破壊が起こりにくくすることができる。
一方で、CrNは化学的に安定であるという利点を有する。Cr混相膜にCrNをより多く含むことで、不安定なNが発生する可能性を低減することができるため、安定なひずみゲージを得ることができる。ここで「不安定なN」とは、Cr混相膜の膜中に存在し得る、微量のN2もしくは原子状のNのことを意味する。これらの不安定なNは、外的環境(例えば高温環境)によっては膜外へ抜け出ることがある。不安定なNが膜外へ抜け出るときに、Cr混相膜の膜応力が変化し得る。
ひずみゲージ1において、抵抗体30の材料としてCr混相膜を用いた場合、高感度化かつ、小型化を実現することができる。例えば、従来のひずみゲージの出力が0.04mV/2V程度であったのに対して、抵抗体30の材料としてCr混相膜を用いた場合は0.3mV/2V以上の出力を得ることができる。また、従来のひずみゲージの大きさ(ゲージ長×ゲージ幅)が3mm×3mm程度であったのに対して、抵抗体30の材料としてCr混相膜を用いた場合の大きさ(ゲージ長×ゲージ幅)は0.3mm×0.3mm程度に小型化することができる。
配線40は、基材10上に設けられている。配線40は、一端側が抵抗体30の両端に電気的に接続されており、他端側が電極50と電気的に接続されている。配線40は、直線状には限定されず、任意のパターンとすることができる。また、配線40は、任意の幅及び任意の長さとすることができる。なお、図1では、便宜上、配線40を抵抗体30よりも密度の低い梨地模様で示している。
電極50は、基材10上に設けられている。電極50は、配線40を介して抵抗体30と電気的に接続されている。電極50は、平面視において、配線40よりも拡幅して略矩形状に形成されている。電極50は、ひずみにより生じる抵抗体30の抵抗値の変化を外部に出力するための一対の電極である。電極50には、例えば外部接続用のリード線等が接合される。電極50の上面に、銅等の抵抗の低い金属層、または、金等のはんだ付け性が良好な金属層を積層してもよい。抵抗体30と配線40と電極50とは便宜上別符号としているが、両者は同一工程において同一材料により一体に形成することができる。なお、図1では、便宜上、電極50を配線40と同じ密度の梨地模様で示している。
カバー層60は、必要に応じ、基材10の上面10aに、抵抗体30及び配線40を被覆し電極50を露出するように設けられる。カバー層60の材料としては、例えば、PI樹脂、エポキシ樹脂、PEEK樹脂、PEN樹脂、PET樹脂、PPS樹脂、複合樹脂(例えば、シリコーン樹脂、ポリオレフィン樹脂)等の絶縁樹脂が挙げられる。なお、カバー層60は、フィラーや顔料を含有しても構わない。カバー層60の厚さは、特に制限されず、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、カバー層60の厚さは2μm~30μm程度とすることができる。カバー層60を設けることで、抵抗体30に機械的な損傷等が生じることを抑制することができる。又、カバー層60を設けることで、抵抗体30を湿気等から保護することができる。
[ひずみゲージの製造方法]
本実施形態に係るひずみゲージ1では、基材10上に、抵抗体30と、配線40と、電極50と、カバー層60とが形成される。なお、基材10とこれらの部材の層の間に別の層(後述する機能層等)が形成されてもよい。
本実施形態に係るひずみゲージ1では、基材10上に、抵抗体30と、配線40と、電極50と、カバー層60とが形成される。なお、基材10とこれらの部材の層の間に別の層(後述する機能層等)が形成されてもよい。
以下、ひずみゲージ1の製造方法について説明する。ひずみゲージ1を製造するためには、まず、基材10を準備し、基材10の上面10aに金属層(便宜上、金属層Aとする)を形成する。金属層Aは、最終的にパターニングされて抵抗体30と、配線40と、電極50となる層である。従って、金属層Aの材料や厚さは、前述の抵抗体30等の材料や厚さと同様である。
金属層Aは、例えば、金属層Aを形成可能な原料をターゲットとしたマグネトロンスパッタ法により成膜することができる。金属層Aは、マグネトロンスパッタ法に代えて、反応性スパッタ法、蒸着法、アークイオンプレーティング法、またはパルスレーザー堆積法等を用いて成膜されてもよい。
基材10の上面10aに金属層Aを成膜後、周知のフォトリソグラフィ法により、金属層Aを図1の抵抗体30、配線40、及び電極50と同様の平面形状にパターニングする。フォトリソグラフィ法によるパターニングの際に、抵抗体30の線幅を所望の値に調整することができる。抵抗体30は、並置された複数の細長状部と、複数の細長状部の中で隣接する細長状部の端部を互い違いに連結して各々の細長状部を直列に接続する折り返し部とを含み、複数の細長状部が互いに幅の異なる2種類以上の細長状部を含む構成となる。
なお、基材10の上面10aに下地層を形成してから金属層Aを形成してもよい。例えば、基材10の上面10aに、所定の膜厚の機能層をコンベンショナルスパッタ法により真空成膜してもよい。このように下地層を設けることによって、ひずみゲージ1のゲージ特性を安定化させることができる。
本願において、機能層とは、少なくとも上層である金属層A(抵抗体30)の結晶成長を促進する機能を有する層を指す。機能層は、更に、基材10に含まれる酸素または水分による金属層Aの酸化を防止する機能、および/または、基材10と金属層Aとの密着性を向上する機能を備えていることが好ましい。機能層は、更に、他の機能を備えていてもよい。
基材10を構成する絶縁樹脂フィルムは酸素や水分を含むことがあり、また、Crは自己酸化膜を形成することがある。そのため、特に金属層AがCrを含む場合、金属層Aの酸化を防止する機能を有する機能層を成膜することが好ましい。
このように、金属層Aの下層に機能層を設けることにより、金属層Aの結晶成長を促進可能となり、安定な結晶相からなる金属層Aを作製することができる。その結果、ひずみゲージ1において、ゲージ特性の安定性が向上する。又、機能層を構成する材料が金属層Aに拡散することにより、ひずみゲージ1において、ゲージ特性が向上する。
機能層の材料としては、例えば、Cr(クロム)、Ti(チタン)、V(バナジウム)、Nb(ニオブ)、Ta(タンタル)、Ni(ニッケル)、Y(イットリウム)、Zr(ジルコニウム)、Hf(ハフニウム)、Si(シリコン)、C(炭素)、Zn(亜鉛)、Cu(銅)、Bi(ビスマス)、Fe(鉄)、Mo(モリブデン)、W(タングステン)、Ru(ルテニウム)、Rh(ロジウム)、Re(レニウム)、Os(オスミウム)、Ir(イリジウム)、Pt(白金)、Pd(パラジウム)、Ag(銀)、Au(金)、Co(コバルト)、Mn(マンガン)、Al(アルミニウム)からなる群から選択される1種又は複数種の金属、この群の何れかの金属の合金、又は、この群の何れかの金属の化合物が挙げられる。
図3は、第1実施形態に係るひずみゲージを例示する断面図(その2)である。図3は、抵抗体30、配線40、及び電極50の下地層として機能層20を設けた場合のひずみゲージ1の断面形状を示している。
機能層20の平面形状は、例えば抵抗体30、配線40、及び電極50の平面形状と略同一にパターニングされてよい。しかしながら、機能層20と抵抗体30、配線40、及び電極50との平面形状は略同一でなくてもよい。例えば、機能層20が絶縁材料から形成される場合には、機能層20を抵抗体30、配線40、及び電極50の平面形状と異なる形状にパターニングしてもよい。この場合、機能層20は例えば抵抗体30、配線40、及び電極50が形成されている領域にベタ状に形成されてもよい。或いは、機能層20は、基材10の上面全体にベタ状に形成されてもよい。
抵抗体30、配線40、及び電極50を形成した後、必要に応じ、基材10の上面10aにカバー層60を形成する。カバー層60は抵抗体30及び配線40を被覆するが、電極50はカバー層60から露出していてよい。例えば、基材10の上面10aに、抵抗体30及び配線40を被覆し電極50を露出するように、半硬化状態の熱硬化性の絶縁樹脂フィルムをラミネートして、その後に当該絶縁樹脂フィルムを加熱して硬化させることにより、カバー層60を形成することができる。以上の工程により、ひずみゲージ1が完成する。
[横感度比の低減]
まず、横感度比について説明する。図4は、横感度比について説明する図である。図4において、軸Mは、ひずみを測定したい方向を示している。図4では、グリッド方向が軸M方向を向くひずみゲージ1A、及びグリッド方向が軸Mと垂直な方向を向くひずみゲージ1Bが起歪体100に貼り付けられている。なお、図4におけるx軸、y軸、及びz軸は、互いに直交する軸を示している。軸Mはy軸と平行であり、軸Mと垂直な方向はx軸と平行である。
まず、横感度比について説明する。図4は、横感度比について説明する図である。図4において、軸Mは、ひずみを測定したい方向を示している。図4では、グリッド方向が軸M方向を向くひずみゲージ1A、及びグリッド方向が軸Mと垂直な方向を向くひずみゲージ1Bが起歪体100に貼り付けられている。なお、図4におけるx軸、y軸、及びz軸は、互いに直交する軸を示している。軸Mはy軸と平行であり、軸Mと垂直な方向はx軸と平行である。
図4において、軸Mの方向に引張ひずみが生じたとき、ひずみゲージ1Aの抵抗体は軸Mの方向において伸び、ひずみゲージ1Bの抵抗体は軸Mと垂直な方向においてポアソン比により縮む。図4の矢印Nは、ポアソン比による収縮方向を示している。
ここで、軸Mの方向に発生したひずみに対する感度を縦感度Fa、軸Mと垂直な方向に発生したひずみに対する感度を横感度Ftとすると、式(1)及び式(2)が成り立つ。また、横感度Ftと縦感度Faの比で定義される横感度比Kは、式(3)で示される。
なお、式(1)及び(2)において、εyは軸Mの方向に発生したひずみであり、εxは軸Mと垂直な方向に発生したひずみである。また、RAは、ひずみが発生していない場合のひずみゲージ1Aの抵抗体の抵抗値である。また、RBは、ひずみが発生していない場合のひずみゲージ1Bの抵抗体の抵抗値である。また、ΔRAは、ひずみεx及びεyが発生した場合に、ひずみゲージ1Aの抵抗体に生じる抵抗値変化である。また、ΔRBは、ひずみεx及びεyが発生した場合に、ひずみゲージ1Bの抵抗体に生じる抵抗値変化である。
一般に市販されているひずみゲージでブリッジ回路を形成した場合、出力変化量は0.10V/V程度である。市販されているひずみゲージと同等以上の出力変化量を可能にするためには、横感度比が70%以下、かつゲージ率5以上であればよい。
横感度比は、50%以下であることがより好ましく、40%以下であることがさらに好ましく、30%以下であることが特に好ましい。また、ゲージ率は、8以上であることがより好ましく、11以上であることがより好ましく、14以上であることが特に好ましい。横感度比が小さく、かつゲージ率が大きくなるほど、ひずみゲージでブリッジ回路を形成した場合の出力変化量を大きくすることができる。
以下、実施例について説明するが、本発明は、以下の実施例には何ら限定されない。
[実施例]
発明者らは、ひずみゲージのサンプルを作製し、抵抗体の線幅と横感度比及びゲージ率との関係について調べた。
発明者らは、ひずみゲージのサンプルを作製し、抵抗体の線幅と横感度比及びゲージ率との関係について調べた。
まず、厚さ25μmのポリイミド樹脂からなる基材10の上面10aに、コンベンショナルスパッタ法により機能層20として膜厚が3nmのTiを真空成膜した。続いて、機能層20の上面全体にマグネトロンスパッタ法により抵抗体30、配線40、及び電極50として膜厚が200nmのCr混相膜を成膜した。その後、機能層20、抵抗体30、配線40、及び電極50をフォトリソグラフィによって図1のようにパターニングし、ひずみゲージのサンプルを作製した。このサンプルでは、抵抗体30の線幅Wが500μmになるようにパターニングした。
次に、同様の方法で、抵抗体30の線幅Wが、それぞれ200μm、100μm、50μm、40μm、20μm、10μm、5μmとなるようにパターニングしたひずみゲージのサンプルを作製した。そして、20℃の環境において、ひずみゲージの各サンプルの横感度比及びゲージ率を測定し、図5にまとめた。
図5に示すように、作成したサンプルのゲージ率は、抵抗体30の線幅Wには依存しない。図5では、抵抗体30の線幅Wが変わったときのゲージ率の最大値と最小値との差は1.5程度である。これに対して、横感度比は、抵抗体30の線幅Wの対数と正の相関を有し抵抗体30の線幅が狭いほど低くなる。また図6に、同様の方法でゲージ率が約9であるサンプルを作製した場合における、抵抗体の線幅と横感度比及びゲージ率との関係を示す。この場合も、ゲージ率が抵抗体30の線幅Wには依存しないのに対して、横感度比は、抵抗体30の線幅Wの対数と正の相関を有し抵抗体30の線幅が狭いほど低くなっている。なお図示等を省略するが、ゲージ率5以上の他のサンプルにおいても、同様の特性を呈する。
これらの結果から、Crを主成分とする材料から抵抗体30を形成し、かつ抵抗体30の線幅Wを細くすることにより、高いゲージ率を保ったまま横感度比を小さくできることがわかった。つまり、Crを主成分とする材料から抵抗体30を形成し、かつ抵抗体の線幅Wを制御することで、従来よりもゲージ率が高く、かつ横感度比の低いひずみゲージを実現できることが分かった。このように、高いゲージ率を保ったまま横感度比を小さくすることにより、ひずみ検出の精度向上を図ることができる。
前述のように、横感度比が70%以下であれば市販されているひずみゲージと同等以上の出力変化量を得られるが、図5より、抵抗体30の線幅Wを70μm以下とすることにより、横感度比を70%以下とすることができる。つまり、横感度比が70%以下かつゲージ率が5以上となるように、抵抗体30の線幅が70μm以下とされたひずみゲージを実現できる。
また、前述のように、横感度比は、50%以下であることがより好ましく、40%以下であることがさらに好ましく、30%以下であることが特に好ましい。図5より、抵抗体30の線幅Wを20μm以下とすることにより、横感度比を50%以下とすることができる。また、図5より、抵抗体30の線幅Wを10μm以下とすることにより、横感度比を40%以下とすることができる。また、図5より、抵抗体30の線幅Wを5μm以下とすることにより、横感度比を30%以下とすることができる。
また、市販されているひずみゲージと同等以上の出力変化量を得るためには、ゲージ率は5以上であればよいが、抵抗体30にCr混相膜を用いた各サンプルのゲージ率は14以上であり、十分大きな値が得られている。なお、抵抗体30にCr混相膜を用いた場合でも、抵抗体30におけるα-Crの含有量を変えることにより、ゲージ率を5以上の様々な値に調整することができる。また、抵抗体30にCr混相膜を用い、α-Crの結晶性を上げることでゲージ率は5以上10以下程度となる。
このように、Crを主成分とする材料から抵抗体30を形成し、ゲージ率が5以上であって抵抗体30の線幅に依存せず、かつ横感度比が抵抗体30の線幅の対数と正の相関を有し抵抗体30の線幅が狭いほど低くなるひずみゲージを実現できる。このような特性は、少なくとも抵抗体30の線幅が0.1μm以上70μmの範囲内において実現できればよい。
なお、本実施例では基材10にポリイミド樹脂を用いたが、図5に示す特性は基材10の材料には依存しない。例えば、基材10に樹脂以外の材料を用いた場合も図5と同様の特性を得ることができる。
また、Cr混相膜に代えて、他の材料を用いても、5以上のゲージ率を得ることができる。5以上のゲージ率が得られる材料としては、Ge、Pt、Si、Ni、Cu、C、Ti、Cr、またはこれらを含む材料が挙げられる。具体的には、Cr-N、Ge、Ge-In、Ge-Ga、Ge-P、Pt、Pt-In、Cu、Ni-C、Si、Ti-C-O等である。また、これらの材料を用いた抵抗体30の線幅Wを調整することにより、所望の横感度比を得ることができる。
つまり、これらの材料から抵抗体30を形成し、ゲージ率が5以上であって抵抗体30の線幅に依存せず、かつ横感度比が抵抗体30の線幅の対数と正の相関を有し抵抗体30の線幅が狭いほど低くなるひずみゲージを実現できる。
以上、好ましい実施形態等について詳説した。しかしながら、本開示に係るひずみゲージは、上述した実施形態及び変形例等に限定されない。例えば、上述した実施形態等に係るひずみゲージについて、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、種々の変形及び置換を加えることができる。
本国際出願は2022年7月7日に出願した日本国特許出願2022-109832号に基づく優先権を主張するものであり、日本国特許出願2022-109832号の全内容を本国際出願に援用する。
1,1A,1B ひずみゲージ、10 基材、10a 上面、20 機能層、30 抵抗体、30e1,30e2 終端、40 配線、50 電極、60 カバー層、100 起歪体
Claims (5)
- 基材と、
前記基材上に形成された抵抗体と、を有し、
前記抵抗体は、Crを主成分とする材料から形成され、
横感度比が70%以下かつゲージ率が5以上となるように、前記抵抗体の線幅が70μm以下とされている、ひずみゲージ。 - 前記横感度比が50%以下となるように、前記抵抗体の線幅が20μm以下とされている、請求項1に記載のひずみゲージ。
- 前記横感度比が40%以下となるように、前記抵抗体の線幅が10μm以下とされている、請求項2に記載のひずみゲージ。
- 前記ゲージ率は前記抵抗体の線幅に依存せず、かつ前記横感度比は前記抵抗体の線幅の対数と正の相関を有し前記抵抗体の線幅が狭いほど低くなる、請求項1乃至3の何れか一項に記載のひずみゲージ。
- 前記抵抗体は、Cr、CrN、及びCr2Nを含む膜から形成されている請求項1乃至4の何れか一項に記載のひずみゲージ。
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JP2019132791A (ja) * | 2018-02-02 | 2019-08-08 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ |
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- 2022-07-07 JP JP2022109832A patent/JP2024008184A/ja active Pending
-
2023
- 2023-07-05 WO PCT/JP2023/024895 patent/WO2024010027A1/ja unknown
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KOJIMA YUKIO: "Transverse-Strain Sensitivity of Foil Strain Gages: On the Configuration of Foil Strain Gages, 2nd Report", TRANSACTIONS OF THE JAPAN SOCIETY OF MECHANICAL ENGINEERS, vol. 44, no. 379, 1 January 1978 (1978-01-01), pages 865 - 873, XP093124662 * |
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