WO2023233970A1 - 半導体装置製造用仮保護フィルム及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- the present disclosure relates to a temporary protective film for manufacturing a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device.
- a structure is sometimes adopted in which a sealing layer is formed only on the semiconductor element side of a lead frame, and the back surface of the lead frame is exposed.
- a sealing layer is formed only on the semiconductor element side of a lead frame, and the back surface of the lead frame is exposed.
- a method is known in which a temporary protective film is attached to the back surface of the lead frame (Patent Document 1). The temporary protective film is peeled off from the lead frame after the sealing layer is formed.
- the temporary protective film has excellent adhesive strength that allows it to be attached to an adherend such as a lead frame at room temperature (e.g. 25°C), but when the temporary protective film is peeled off from the adherend, It is desirable that the adhesive component of the temporary protective film does not remain on the adherend. However, it is not necessarily easy to achieve both.
- one aspect of the present invention is to provide a temporary protective film that has excellent adhesive strength at room temperature and can suppress remaining on an adherend upon peeling.
- the present inventors considered using a polymer containing alkyl (meth)acrylate, (meth)acryloylmorpholine, and a monomer having a crosslinkable group as monomer units in the adhesive layer of the temporary protective film. As a result, it was found that when the content of (meth)acryloylmorpholine is a certain amount or more, it is possible to achieve both excellent adhesive strength at room temperature and suppression of residue on the adherend.
- the present invention includes the following aspects.
- [1] Comprising a support film and an adhesive layer provided on the support film, the adhesive layer containing alkyl (meth)acrylate, (meth)acryloylmorpholine, and a monomer having a crosslinkable group as monomer units.
- Temporary protection for manufacturing semiconductor devices which contains a polymer, a crosslinkable group and a crosslinkable agent, and has a content of (meth)acryloylmorpholine of 7% by mass or more based on the total amount of monomer units in the polymer. film.
- [2] The temporary protective film according to [1], wherein the crosslinkable group is an acidic group and the crosslinking agent has an epoxy group.
- a method for manufacturing a semiconductor device comprising, in this order, a step of peeling off from a substrate, the temporary protective film comprising a support film and an adhesive layer provided on the support film, the adhesive layer comprising an alkyl ( A polymer containing meth)acrylate, (meth)acryloylmorpholine, and a monomer having a crosslinkable group as a monomer unit, and a crosslinking agent capable of crosslinking with the crosslinkable group, and the content of (meth)acryloylmorpholine is , a manufacturing method in which the amount is 7% by mass or more based on the total amount of monomer units in the polymer.
- a temporary protective film that has excellent adhesive strength at room temperature and can suppress remaining on an adherend upon peeling.
- FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device.
- FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device.
- FIG. 1 is a cross-sectional view showing one embodiment of a semiconductor device. It is a perspective view showing one embodiment of a reel body.
- FIG. 1 is a sectional view showing a temporary protective film according to one embodiment.
- a temporary protective film 10 according to one embodiment includes a support film 1 and an adhesive layer 2 provided on the support film 1.
- the temporary protective film 10 can be used as a temporary protective film for manufacturing semiconductor devices. More specifically, the temporary protective film 10 is applied to the back side of the lead frame (on which the semiconductor element is mounted) in the process of sealing molding to form a sealing layer for sealing the semiconductor element mounted on the die pad of the lead frame. By pasting it on the opposite side of the film, it can be used as a temporary protective film for semiconductor encapsulation to temporarily protect the lead frame during encapsulation.
- the support film 1 is made of, for example, at least one polymer selected from the group consisting of polyimide, polyamide, polyamideimide, polysulfone, polyethersulfone, polyphenylene sulfide, polyetherketone, polyarylate, polyetheretherketone, and polyethylene naphthalate. It may be a film, preferably a polyimide film.
- the polyimide may be an aromatic polyimide.
- the support film 1 may be a copper, aluminum, stainless steel or nickel film. When the support film 1 is a polymer film, its surface has not been surface-treated by a method such as alkali treatment, chemical treatment such as silane coupling treatment, physical treatment such as sand mat treatment, plasma treatment, or corona treatment. It's okay.
- the thickness of the support film 1 may be, for example, 5 ⁇ m or more, 100 ⁇ m or less, or 50 ⁇ m or less.
- the ratio T 2 /T 1 of the thickness T 2 of the adhesive layer 2 to the thickness T 1 of the support film 1 may be 0.1 or more, and 0.5 or less, 0.3 or less, or 0.2 or less. It may be.
- the adhesive layer 2 is a polymer (hereinafter also referred to as "acrylic polymer”) containing alkyl (meth)acrylate, (meth)acryloylmorpholine, and a monomer having a crosslinkable group (hereinafter also referred to as “crosslinkable monomer”) as monomer units. Contains.
- the alkyl group (alkyl group moiety other than the (meth)acryloyl group) in the alkyl (meth)acrylate may be linear or branched.
- the number of carbon atoms in the alkyl group may be 2 or more, 3 or more, 30 or less, 20 or less, 10 or less, 7 or less, 5 or less, or 4 or less, and may be 2 or 4.
- alkyl (meth)acrylates examples include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, pentyl (meth)acrylate, n-hexyl (meth)acrylate, n- Examples include heptyl (meth)acrylate, n-octyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, nonyl (meth)acrylate, and decyl (meth)acrylate.
- the crosslinkable monomer has a polymerizable group that can be copolymerized with alkyl (meth)acrylate and (meth)acryloylmorpholine.
- the polymerizable group may be, for example, an ethylenically unsaturated group.
- the crosslinkable group may be, for example, an acidic group.
- the acidic group may be, for example, a carboxyl group or a sulfo group, preferably a carboxyl group.
- crosslinkable monomers having a carboxyl group examples include (meth)acrylic acid, carboxyethyl (meth)acrylate, carboxypentyl (meth)acrylate, monohydroxyethyl phthalate acrylate, and 2-acryloyloxyethyl succinate. .
- the acrylic polymer may further contain other monomers other than alkyl (meth)acrylate, (meth)acryloylmorpholine, and crosslinkable monomers as monomer units.
- Other monomers may be, for example, monomers having a polymerizable group (for example, an ethylenically unsaturated group) and a hydroxyl group. Examples of this monomer include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxybutyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate. (4-hydroxy Examples include hydroxyalkylcycloalkane (meth)acrylates such as methylcyclohexyl)methyl (meth)acrylate.
- the content of (meth)acryloylmorpholine is 7% by mass or more based on the total amount of monomer units in the acrylic polymer.
- the content of (meth)acryloylmorpholine is preferably 7.5% by mass or more, 8% by mass or more, 8.5% by mass or more, or 9.0% by mass or more, based on the total amount of monomer units in the acrylic polymer. It may be 20% by mass or less, 18% by mass or less, 17% by mass or less, 16.5% by mass or less, or 16% by mass or less.
- the content of alkyl (meth)acrylate may be 70% by mass or more, 75% by mass or more, or 80% by mass or more, and 92% by mass or less, 90% by mass or less, based on the total amount of monomer units in the acrylic polymer. , or 88% by mass or less.
- the content of the crosslinkable monomer may be 1% by mass or more, 2% by mass or more, or 3% by mass or more, and 10% by mass or less, 6% by mass or less, or It may be 4% by mass or less.
- the content of other monomers may be 0.1% by mass or more, 0.5% by mass or more, or 1% by mass or more, and 5% by mass or less, 4% by mass, based on the total amount of monomer units in the acrylic polymer. % or less, or 3% by mass or less.
- the mass ratio of the content of (meth)acryloylmorpholine to the content of alkyl (meth)acrylate ((meth)acryloylmorpholine/alkyl (meth)acrylate) is 0.08/1 or more, 0.09/1 or more, or It may be 0.1/1 or more, and may be 0.3/1 or less, 0.25/1 or less, 0.23/1 or less, 0.21/1 or less, or 0.2/1 or less .
- the acid value of the acrylic polymer may be 10 mgKOH/g or more or 20 mgKOH/g or more, and may be 40 mgKOH/g or less or 30 mgKOH/g or less.
- the hydroxyl value of the acrylic polymer may be 1 mgKOH/g or more or 2 mgKOH/g or more, and may be 10 mgKOH/g or less or 5 mgKOH/g or less.
- the acid value and hydroxyl value of the acrylic polymer are measured according to the method described in JIS K0070.
- the content of the acrylic polymer may be 80% by mass or more, 85% by mass or more, or 90% by mass or more, and 99.5% by mass or less or 99% by mass or less, based on the total amount of the adhesive layer 2. good.
- the adhesive layer 2 further contains a crosslinking agent.
- the crosslinking agent is a crosslinking agent capable of crosslinking with the crosslinkable groups in the acrylic polymer.
- a crosslinking agent a known crosslinking agent can be used.
- the crosslinker preferably has epoxy groups.
- the number of epoxy groups in the crosslinking agent may be 2 or more, 3 or more, 4 or less, or 4.
- the crosslinking agent may, in one embodiment, be a crosslinking agent having amino groups in addition to epoxy groups.
- the amino group may be an amino group in which the hydrogen atom in the -NH 2 group is substituted (substituted amino group), or may be a tertiary amino group.
- Such a crosslinking agent may have a group represented by the following formula (1).
- the number of groups represented by the above formula (1) in the crosslinking agent may be 1 or 2.
- the crosslinking agent may be represented by the following formula (2).
- X represents a divalent hydrocarbon group.
- the divalent hydrocarbon group represented by X may be a divalent hydrocarbon group having a ring.
- the ring may be an alicyclic ring or an aromatic ring.
- the number of carbon atoms constituting the ring may be 5 or more, 8 or less, or 6.
- the number of rings in the divalent hydrocarbon group may be 1 or more, 3 or less, and 1 or 2.
- the divalent hydrocarbon group includes a plurality of rings, the plurality of rings may be directly bonded to each other or may be bonded to each other via an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms.
- the divalent hydrocarbon group represented by X preferably has a cycloalkylene group.
- the number of carbon atoms in the cycloalkylene group may be 5 or more and 8 or less.
- the cycloalkylene group is preferably a cyclohexylene group.
- the crosslinking agent may have an ether group (but no amino group) in addition to the epoxy group.
- a crosslinking agent may have a group represented by the following formula (3).
- the number of groups represented by the above formula (3) in the crosslinking agent may be 2 or more, 3 or more, 4 or less, or 2 or 4.
- the crosslinking agent may be represented by the following formula (4).
- m represents an integer of 2 or more
- n represents an integer of 0 or more
- A represents a residue obtained by removing a hydroxyl group from a (m+n)-valent polyhydric alcohol.
- n may be an integer of 1 or more, an integer of 2 or less, or 0 or 2.
- m+n may be an integer greater than or equal to 2, and may be an integer less than or equal to 6.
- the polyhydric alcohol in A may be an aliphatic polyhydric alcohol or a polyhydric alcohol having an ether group.
- the number of carbon atoms in the aliphatic polyhydric alcohol may be 2 or more, 3 or more, or 4 or more, and may be 10 or less, 9 or less, or 8 or less.
- the polyhydric alcohol having an ether group may be a polyalkylene glycol such as polyethylene glycol.
- the crosslinking agent is preferably a crosslinking agent having an epoxy group and an amino group as described above. In this case, it is possible to prevent the appearance of the adherend from deteriorating after the temporary protective film is peeled off from the adherend (for example, generation of unnecessary patterns on the adherend).
- the content of the crosslinking agent may be 0.5% by mass or more, and 15% by mass or less, or 10% by mass or less, based on the total amount of the adhesive layer 2, and the content of the crosslinking agent may be 0.5% by mass or less, and 15% by mass or less, or 10% by mass or less, and the temporary protective film may be peeled off from the adherend.
- the content is preferably 1% by mass or more, 2% by mass or more, or 2.5% by mass or more.
- the content of the crosslinking agent may be 0.5 parts by mass or more and 15 parts by mass or less or 10 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the acrylic polymer, and the content of the crosslinking agent may be 0.5 parts by mass or less and 15 parts by mass or less or 10 parts by mass or less, and the content of the crosslinking agent may be 0.5 parts by mass or less and 15 parts by mass or less or 10 parts by mass or less.
- the amount is preferably 1 part by mass or more, 2 parts by mass or more, or 3 parts by mass or more.
- the adhesive layer 2 may further contain components other than the acrylic polymer and the crosslinking agent.
- examples of other components include polymers other than acrylic polymers and coupling agents.
- the thickness of the adhesive layer 2 may be 1 ⁇ m or more, 2 ⁇ m or more, 3 ⁇ m or more, 4 ⁇ m or more, or 5 ⁇ m or more, and may be 20 ⁇ m or less, 18 ⁇ m or less, 16 ⁇ m or less, 14 ⁇ m or less, 12 ⁇ m or less, or 10 ⁇ m or less. .
- the temporary protective film may further include a cover film provided on the surface of the adhesive layer opposite to the support film. That is, the temporary protective film may include a support film, an adhesive layer, and a cover film in this order.
- the cover film may be a polyethylene teretalate film. The thickness of the cover film may be 10 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less.
- the temporary protective film may further include a non-adhesive layer provided on the side opposite to the adhesive layer of the support film.
- the non-adhesive layer may be a resin layer that has substantially no adhesiveness to the adherend at 0 to 270°C.
- the non-adhesive layer may contain a resin that is a thermoplastic resin, a thermosetting resin (cured product), or a combination thereof.
- the non-adhesive layer may further contain a filler (for example, ceramic powder, glass powder, silver powder, copper powder, resin particles, rubber particles), a coupling agent, and the like.
- the thickness of the non-adhesive layer may be 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
- the temporary protective film can be produced, for example, by a method that includes the steps of applying a varnish containing an acrylic polymer and a crosslinking agent onto a support film, and forming an adhesive layer by removing the solvent from the coating film.
- a method for manufacturing a semiconductor device includes a step S1 of pasting a temporary protective film on one side of a substrate, a step S2 of mounting a semiconductor element on the side of the substrate opposite to the temporary protective film, and a step S2 of mounting a semiconductor element on the side of the substrate opposite to the temporary protective film.
- a step S3 of sealing and a step S4 of peeling off the temporary protective film from the substrate are provided in this order.
- a method for manufacturing a semiconductor device (semiconductor device package) in which the substrate is a lead frame will be described in more detail.
- FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating one embodiment (step S1) of a method for manufacturing a semiconductor device.
- step S1 as shown in FIG. 2, a temporary protective film 10 is attached to the back surface, which is one surface, of the lead frame 11 having the die pad 11a and the inner leads 11b.
- the temporary protective film 10 is attached with the adhesive layer of the temporary protective film 10 in contact with the lead frame 11.
- the lead frame 11 may be made of, for example, an iron-based alloy such as 42 alloy, copper, or a copper-based alloy.
- the lead frame 11 may include a molded body made of copper or a copper-based alloy, and a coating layer of palladium, gold, silver, or the like covering the surface of the molded body.
- the temporary protective film 10 Since the temporary protective film 10 has excellent adhesive strength at room temperature (for example, 25° C.), it can be attached to the lead frame 11 at room temperature.
- the temporary protective film 10 may be attached to the lead frame 11 while being heated and pressurized.
- the heating temperature may be 150°C or higher and 400°C or lower.
- the pressure may be 0.5 MPa or more and 30 MPa or less.
- the heating and pressurizing time may be 1 second or more and 60 seconds or less.
- FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating an embodiment (step S2 and step S3) of a method for manufacturing a semiconductor device.
- step S2 as shown in FIG. 3, the semiconductor element 14 is mounted on the surface of the die pad 11a opposite to the temporary protective film 10.
- the semiconductor element 14 is bonded to the die pad 11a via an adhesive (for example, silver paste).
- reflow connection such as CuClip connection
- Wire 12 may be, for example, a gold wire, a copper wire, or a palladium-coated copper wire.
- the wire 12 may be bonded to the semiconductor element 14 and the inner lead 11b using ultrasonic waves and pressing pressure while heating at 200 to 350° C., for example.
- step S3 a sealing layer 13 that seals the semiconductor element 14 and the wire 12 is formed.
- a sealing layer 13 that seals the semiconductor element 14 and the wire 12 is formed.
- the sealing layer 13 is formed by sealing molding using a sealing material.
- a sealing molded body 20 having a plurality of semiconductor elements 14 and a sealing layer 13 that seals them all together may be obtained.
- the provision of the temporary protective film 10 prevents the sealing material from going around to the back side of the lead frame 11.
- the temperature during forming the sealing layer 13 (temperature of the sealing material) may be 140 to 200°C or 160 to 180°C.
- the pressure during forming the sealing layer may be 6-15 MPa, or 7-10 MPa.
- the time for sealing may be 1 to 5 minutes, or 2 to 3 minutes.
- the sealing material may include, for example, an epoxy resin such as a cresol novolac epoxy resin, a phenol novolac epoxy resin, a biphenyl diepoxy resin, or a naphthol novolac epoxy resin.
- the sealing material may contain a filler, a flame retardant substance such as a bromine compound, a wax component, and the like.
- the temporary protective film 10 is peeled off from the lead frame 11 and the sealing layer 13 of the obtained sealing molded body 20.
- the temporary protective film 10 may be peeled off before or after the sealing layer 13 is cured.
- the temperature at which the temporary protective film 10 is peeled off is not particularly limited, but may be room temperature (eg, 5 to 35°C). This temperature may be equal to or higher than the glass transition temperature of the adhesive layer. In this case, the releasability of the temporary protective film 10 to the lead frame 11 and the sealing material becomes even better.
- the Tg of the acrylic polymer in the adhesive layer is, for example, 5° C. or less or 0° C. or less, the Tg of the adhesive layer becomes equal to or lower than room temperature, and good releasability at room temperature is likely to be obtained.
- the molded sealing body 20 may be divided as needed to form the semiconductor device (semiconductor package) of FIG. 4 each having one semiconductor element. ) 100 can be obtained. That is, when the lead frame 11 has a plurality of die pads 11a and the semiconductor element 14 is mounted on each of the plurality of die pads 11a, the manufacturing method according to one embodiment removes the temporary protective film 10 from the sealing molded body 20. The method may further include a step of dividing the sealing molded body 20 after peeling to obtain a semiconductor device (semiconductor package) 100 having one die pad 11a and one semiconductor element 14.
- the temporary protective film is long and may be used in the form of a reel wound around a core. In this case, the temporary protective film is affixed to the adherend while being unwound from the reel.
- FIG. 5 is a perspective view showing one embodiment of the reel body.
- the reel body 30 according to one embodiment includes a winding core 31, a temporary protective film 10 wound around the winding core 31, and a side plate 32.
- the width of the winding core 31 and the temporary protective film 10 (length in the direction perpendicular to the winding direction) may be 1 mm or more, 5 mm or more, or 10 mm or more, and may be 1000 mm or less, 800 mm or less, or 500 mm or less. good.
- the reel body may not include a side plate.
- Acrylic polymer A-1 containing 80% by mass of butyl acrylate (BA), 16% by mass of acryloylmorpholine (ACMO), 3% by mass of acrylic acid, and 1% by mass of other monomers (monomers having hydroxyl groups) as monomer units.
- BA butyl acrylate
- ACMO acryloylmorpholine
- acrylic acid 3% by mass of acrylic acid
- other monomers monomers having hydroxyl groups
- a polyimide film (thickness: 25 ⁇ m, manufactured by DuPont-Toray Co., Ltd., trade name: Kapton 100EN) was prepared as a support film.
- the resulting varnish was applied onto one side of the support film.
- the coating film on the support film was dried by heating at 90° C. for 1.5 minutes and at 260° C. for 1.5 minutes to form an adhesive layer with a thickness of 5 ⁇ m. As a result, a temporary protective film was obtained.
- Example 2 In the monomer composition of acrylic polymer A-1, acrylic polymer A-2, in which the BA content was changed to 86.5% by mass and the ACMO content was changed to 9.5% by mass, was used instead of acrylic polymer A-1.
- a temporary protective film was obtained in the same manner as in Example 1 except for the following.
- Example 3 The following formula (B-2): A temporary protective film was obtained in the same manner as in Example 1, except that crosslinking agent B-2 represented by: was used instead of crosslinking agent B-1.
- Example 4 The following formula (B-3): A temporary protective film was obtained in the same manner as in Example 1, except that crosslinking agent B-3 represented by the following was used instead of crosslinking agent B-1.
- Example 5 A temporary protective film was obtained in the same manner as in Example 1, except that the blending ratio (parts by mass) of acrylic polymer A-1 and crosslinking agent B-1 was changed as shown in Table 1.
- Example 9 A temporary protective film was obtained in the same manner as in Example 1, except that the thickness of the adhesive layer was changed to 10 ⁇ m.
- a sealing layer is formed using a sealing material (product name: GE-300, manufactured by Showa Denko Materials Co., Ltd.) on the surface of the lead frame opposite to the temporary protective film. was formed.
- the sealing conditions were 175° C., 6.8 MPa, and 2 minutes.
- each temporary protective film was peeled off at 25° C. in a direction of 180° with respect to the surface of the lead frame at a rate of 50 mm/min. After peeling off the temporary protective film, the state of the adhesive layer remaining on the sealing layer was confirmed. The ratio of the area occupied by the adhesive layer residue to the surface area of the sealing layer was determined.
- SYMBOLS 1 Support film, 2... Adhesive layer, 10... Temporary protective film, 11... Lead frame, 11a... Die pad, 11b... Inner lead, 12... Wire, 13... Sealing layer, 14... Semiconductor element, 20... Sealing molding Body, 100...Semiconductor device.
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Abstract
支持フィルムと、支持フィルム上に設けられた接着層と、を備え、接着層が、アルキル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルモルホリン、及び、架橋性基を有するモノマーをモノマー単位として含むポリマーと、架橋性基と架橋可能な架橋剤と、を含有し、(メタ)アクリロイルモルホリンの含有量が、ポリマー中のモノマー単位全量を基準として7質量%以上である、半導体装置製造用仮保護フィルム。
Description
本開示は、半導体装置製造用仮保護フィルム及び半導体装置の製造方法に関する。
半導体パッケージにおいて、リードフレームの半導体素子側のみに封止層が形成され、リードフレームの裏面が露出している構造が採用されることがある。この構造を有する半導体パッケージの製造において、封止層を形成する際にリードフレームの裏面に封止材が廻り込むおそれがある。これを防ぐために、リードフレームの裏面に仮保護フィルムを貼り付ける方法が知られている(特許文献1)。仮保護フィルムは、封止層が形成された後でリードフレームから剥離される。
仮保護フィルムにおいては、リードフレーム等の被着体に対して常温(例えば25℃)で貼り付け可能な優れた接着力を有していながら、仮保護フィルムを被着体から剥離する際に、仮保護フィルムの接着成分が被着体上に残留しないことが望ましい。しかしながら、これらを両立することは必ずしも容易でない。
そこで、本発明の一側面は、常温で優れた接着力を有しつつ、剥離時に被着体上への残留を抑制できる仮保護フィルムを提供することを目的とする。
本発明者らは、仮保護フィルムの接着層において、アルキル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルモルホリン、及び、架橋性基を有するモノマーをモノマー単位として含むポリマーを使用することを検討した。その結果、(メタ)アクリロイルモルホリンの含有量が特定の量以上であると、常温での優れた接着力と、被着体上への残留の発生の抑制とを両立できることが判明した。
本発明は、以下の側面を含む。
[1] 支持フィルムと、支持フィルム上に設けられた接着層と、を備え、接着層が、アルキル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルモルホリン、及び、架橋性基を有するモノマーをモノマー単位として含むポリマーと、架橋性基と架橋可能な架橋剤と、を含有し、(メタ)アクリロイルモルホリンの含有量が、ポリマー中のモノマー単位全量を基準として7質量%以上である、半導体装置製造用仮保護フィルム。
[2] 架橋性基が酸性基であり、架橋剤がエポキシ基を有する、[1]に記載の仮保護フィルム。
[3] 架橋剤がアミノ基を更に有する、[2]に記載の仮保護フィルム。
[4] 架橋剤が下記式(1)で表される基を有する、[1]~[3]のいずれかに記載の仮保護フィルム。
[5] 基板の一面側に仮保護フィルムを貼り付ける工程と、基板の仮保護フィルムと反対側の面上に半導体素子を搭載する工程と、半導体素子を封止する工程と、仮保護フィルムを基板から剥離する工程と、をこの順に備える、半導体装置の製造方法であって、仮保護フィルムが、支持フィルムと、支持フィルム上に設けられた接着層と、を備え、接着層が、アルキル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルモルホリン、及び、架橋性基を有するモノマーをモノマー単位として含むポリマーと、架橋性基と架橋可能な架橋剤と、を含有し、(メタ)アクリロイルモルホリンの含有量が、ポリマー中のモノマー単位全量を基準として7質量%以上である、製造方法。
[6] 架橋性基が酸性基であり、架橋剤がエポキシ基を有する、[5]に記載の製造方法。
[7] 架橋剤がアミノ基を更に有する、[6]に記載の製造方法。
[8] 架橋剤が下記式(1)で表される基を有する、[5]~[7]のいずれかに記載の製造方法。
[1] 支持フィルムと、支持フィルム上に設けられた接着層と、を備え、接着層が、アルキル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルモルホリン、及び、架橋性基を有するモノマーをモノマー単位として含むポリマーと、架橋性基と架橋可能な架橋剤と、を含有し、(メタ)アクリロイルモルホリンの含有量が、ポリマー中のモノマー単位全量を基準として7質量%以上である、半導体装置製造用仮保護フィルム。
[2] 架橋性基が酸性基であり、架橋剤がエポキシ基を有する、[1]に記載の仮保護フィルム。
[3] 架橋剤がアミノ基を更に有する、[2]に記載の仮保護フィルム。
[4] 架橋剤が下記式(1)で表される基を有する、[1]~[3]のいずれかに記載の仮保護フィルム。
[6] 架橋性基が酸性基であり、架橋剤がエポキシ基を有する、[5]に記載の製造方法。
[7] 架橋剤がアミノ基を更に有する、[6]に記載の製造方法。
[8] 架橋剤が下記式(1)で表される基を有する、[5]~[7]のいずれかに記載の製造方法。
本発明の一側面によれば、常温で優れた接着力を有しつつ、剥離時に被着体上への残留を抑制できる仮保護フィルムを提供することができる。
以下、本発明の実施形態について説明する。図1は、一実施形態に係る仮保護フィルムを示す断面図である。図1に示すように、一実施形態に係る仮保護フィルム10は、支持フィルム1と、支持フィルム1上に設けられた接着層2とを備えている。仮保護フィルム10は、半導体装置製造用仮保護フィルムとして用いることができる。より具体的には、仮保護フィルム10は、リードフレームのダイパッドに搭載された半導体素子を封止する封止層を形成する封止成形の工程において、リードフレームの裏面(半導体素子が搭載される面とは反対側の面)に貼り付けることで、封止成形の間、リードフレームを仮保護するための半導体封止成形用仮保護フィルムとして用いることができる。
支持フィルム1は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン及びポリエチレンナフタレートからなる群より選ばれる少なくとも1種のポリマーのフィルムであってよく、好ましくはポリイミドのフィルムであってよい。ポリイミドは、芳香族ポリイミドであってもよい。支持フィルム1は、銅、アルミニウム、ステンレススティール又はニッケルのフィルムであってもよい。支持フィルム1がポリマーのフィルムである場合、その表面が、アルカリ処理、シランカップリング処理等の化学処理、サンドマット処理等の物理的処理、プラズマ処理、及びコロナ処理等の方法により表面処理されていてもよい。
支持フィルム1の厚さは、例えば、5μm以上であってよく、100μm以下又は50μm以下であってよい。支持フィルム1の厚さT1に対する接着層2の厚さT2の比T2/T1は、0.1以上であってよく、0.5以下、0.3以下、又は0.2以下であってよい。
接着層2は、アルキル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルモルホリン、及び、架橋性基を有するモノマー(以下「架橋性モノマー」ともいう)をモノマー単位として含むポリマー(以下「アクリルポリマー」ともいう)を含有する。
アルキル(メタ)アクリレートにおけるアルキル基((メタ)アクリロイル基以外のアルキル基部分)は、直鎖状であっても分岐状であってもよい。アルキル基の炭素数は、2以上又は3以上であってよく、30以下、20以下、10以下、7以下、5以下、又は4以下であってよく、2又は4であってもよい。
アルキル(メタ)アクリレートの例としては、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、ペンチル(メタ)アクリレート、n-ヘキシル(メタ)アクリレート、n-へプチル(メタ)アクリレート、n-オクチル(メタ)アクリレート、2-エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ノニル(メタ)アクリレート、及びデシル(メタ)アクリレートが挙げられる。
架橋性モノマーは、架橋性基に加えて、アルキル(メタ)アクリレート及び(メタ)アクリロイルモルホリンと共重合可能な重合性基を有している。重合性基は、例えば、エチレン性不飽和基であってよい。架橋性基は、例えば酸性基であってよい。酸性基は、例えば、カルボキシル基又はスルホ基であってよく、好ましくはカルボキシル基である。
カルボキシル基を有する架橋性モノマーの例としては、(メタ)アクリル酸、カルボキシエチル(メタ)アクリレート、カルボキシペンチル(メタ)アクリレート、フタル酸モノヒドロキシエチルアクリレート、及び2-アクリロイルオキシエチルサクシネートが挙げられる。
アクリルポリマーは、モノマー単位として、アルキル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルモルホリン及び架橋性モノマー以外のその他のモノマーを更に含んでもよい。その他のモノマーとしては、例えば、重合性基(例えばエチレン性不飽和基)及びヒドロキシル基を有するモノマーであってよい。このモノマーの例としては、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、3-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、4-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、6-ヒドロキシヘキシル(メタ)アクリレート、8-ヒドロキシオクチル(メタ)アクリレート、10-ヒドロキシデシル(メタ)アクリレート、12-ヒドロキシラウリル(メタ)アクリレート等のヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート;(4-ヒドロキシメチルシクロへキシル)メチル(メタ)アクリレート等のヒドロキシアルキルシクロアルカン(メタ)アクリレート等が挙げられる。
アクリルポリマーにおいては、(メタ)アクリロイルモルホリンの含有量が、アクリルポリマー中のモノマー単位全量を基準として7質量%以上である。これにより、常温で優れた接着力を有しつつ、剥離時に被着体上への残留を抑制できる仮保護フィルムが得られる。(メタ)アクリロイルモルホリンの含有量は、アクリルポリマー中のモノマー単位全量を基準として、好ましくは、7.5質量%以上、8質量%以上、8.5質量%以上、又は9.0質量%以上であってもよく、20質量%以下、18質量%以下、17質量%以下、16.5質量%以下、又は16質量%以下であってもよい。
アルキル(メタ)アクリレートの含有量は、アクリルポリマー中のモノマー単位全量を基準として、70質量%以上、75質量%以上、又は80質量%以上であってよく、92質量%以下、90質量%以下、又は88質量%以下であってよい。
架橋性モノマーの含有量は、アクリルポリマー中のモノマー単位全量を基準として、1質量%以上、2質量%以上、又は3質量%以上であってよく、10質量%以下、6質量%以下、又は4質量%以下であってよい。
その他のモノマーの含有量は、アクリルポリマー中のモノマー単位全量を基準として、0.1質量%以上、0.5質量%以上、又は1質量%以上であってよく、5質量%以下、4質量%以下、又は3質量%以下であってよい。
アルキル(メタ)アクリレートの含有量に対する(メタ)アクリロイルモルホリンの含有量の質量比((メタ)アクリロイルモルホリン/アルキル(メタ)アクリレート)は、0.08/1以上、0.09/1以上、又は0.1/1以上であってよく、0.3/1以下、0.25/1以下、0.23/1以下、0.21/1以下、又は0.2/1以下であってよい。
アクリルポリマーの酸価は、10mgKOH/g以上又は20mgKOH/g以上であってよく、40mgKOH/g以下又は30mgKOH/g以下であってよい。アクリルポリマーの水酸基価は、1mgKOH/g以上又は2mgKOH/g以上であってよく、10mgKOH/g以下又は5mgKOH/g以下であってよい。アクリルポリマーの酸価及び水酸基価は、JIS K0070に記載の方法に準拠して測定される。
アクリルポリマーの含有量は、接着層2の全量を基準として、80質量%以上、85質量%以上、又は90質量%以上であってよく、99.5質量%以下又は99質量%以下であってよい。
接着層2は、架橋剤を更に含有する。架橋剤は、アクリルポリマー中の架橋性基と架橋可能な架橋剤である。このような架橋剤としては、公知の架橋剤を用いることができる。アクリルポリマー中の架橋性基が酸性基である場合、架橋剤は、好ましくはエポキシ基を有する。架橋剤におけるエポキシ基の数は、2以上又は3以上であってよく、4以下であってよく、4であってよい。
架橋剤は、一実施形態において、エポキシ基に加えてアミノ基を有する架橋剤であってよい。当該アミノ基は、-NH2基における水素原子が置換されたアミノ基(置換アミノ基)であってよく、三級アミノ基であってもよい。このような架橋剤は、下記式(1)で表される基を有していてよい。
架橋剤における上記式(1)で表される基の数は、1又は2であってよい。
架橋剤は、下記式(2)で表される架橋剤であってよい。
式中、Xは2価の炭化水素基を表す。
Xで表される2価の炭化水素基は、環を有する2価の炭化水素基であってよい。環は、脂環であってよく、芳香環であってもよい。環を構成する炭素の数は、5以上であってよく、8以下であってよく、6であってもよい。2価の炭化水素基における環の数は、1以上であってよく、3以下であってよく、1又は2であってもよい。2価の炭化水素基に複数の環が含まれる場合、当該複数の環同士は、直接結合していてよく、炭素数1~3のアルキレン基を介して結合していてもよい。
Xで表される2価の炭化水素基は、好ましくはシクロアルキレン基を有する。シクロアルキレン基の炭素数は、5以上であってよく、8以下であってよい。シクロアルキレン基は、好ましくはシクロへキシレン基である。
架橋剤は、一実施形態において、エポキシ基に加えてエーテル基を有する(アミノ基は有さない)架橋剤であってよい。このような架橋剤は、下記式(3)で表される基を有していてよい。
架橋剤における上記式(3)で表される基の数は、2以上又は3以上であってよく、4以下であってよく、2又は4であってもよい。
架橋剤は、下記式(4)で表される架橋剤であってよい。
式中、mは2以上の整数を表し、nは0以上の整数を表し、Aは(m+n)価の多価アルコールから水酸基を除いた残基を表す。
mは、3以上の整数であってもよく、4以下の整数であってもよく、2又は4であってもよい。nは、1以上の整数であってもよく、2以下の整数であってもよく、0又は2であってもよい。m+nは、2以上の整数であってよく、6以下の整数であってよい。
Aにおける多価アルコールは、脂肪族多価アルコールであってよく、エーテル基を有する多価アルコールであってよい。当該脂肪族多価アルコールの炭素数は、2以上、3以上、又は4以上であってよく、10以下、9以下、又は8以下であってよい。エーテル基を有する多価アルコールは、ポリエチレングリコール等のポリアルキレングリコールであってよい。
架橋剤は、好ましくは、上述したエポキシ基及びアミノ基を有する架橋剤である。この場合、仮保護フィルムを被着体から剥離した後の被着体の外観が悪くなること(例えば、被着体上に不要な模様が発生すること)を抑制することができる。
架橋剤の含有量は、接着層2の全量を基準として、0.5質量%以上であってよく、15質量%以下又は10質量%以下であってよく、仮保護フィルムを被着体から剥離した後の被着体の外観が悪くなることを抑制する観点から、好ましくは、1質量%以上、2質量%以上、又は2.5質量%以上である。
架橋剤の含有量は、アクリルポリマーの含有量100質量部に対して、0.5質量部以上であってよく、15質量部以下又は10質量部以下であってよく、仮保護フィルムを被着体から剥離した後の被着体の外観が悪くなることを抑制する観点から、好ましくは、1質量部以上、2質量部以上、又は3質量部以上である。
接着層2は、アクリルポリマー及び架橋剤以外のその他の成分を更に含有してもよい。その他の成分の例としては、アクリルポリマー以外のポリマー及びカップリング剤が挙げられる。
接着層2の厚さは、1μm以上、2μm以上、3μm以上、4μm以上、又は5μm以上であってよく、20μm以下、18μm以下、16μm以下、14μm以下、12μm以下、又は10μm以下であってよい。
他の一実施形態において、仮保護フィルムは、接着層の支持フィルムと反対側の面上に設けられたカバーフィルムを更に備えていてよい。すなわち、仮保護フィルムは、支持フィルムと、接着層と、カバーフィルムとをこの順に備えていてよい。カバーフィルムは、ポリエチレンテレタレートフィルムであってよい。カバーフィルムの厚さは、10μm以上であってよく、100μm以下であってよい。
他の一実施形態において、仮保護フィルムは、支持フィルムの接着層と反対側に設けられた非接着層を更に備えていてもよい。非接着層は、0~270℃において被着体に対する接着性を実質的に有しない樹脂層であってよい。非接着層は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂(硬化物)又はこれらの組み合わせである樹脂を含んでよい。非接着層は、フィラー(例えばセラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子)、カップリング剤等を更に含有してもよい。非接着層の厚さは、1μm以上であってよく、10μm以下であってよい。
仮保護フィルムは、例えば、アクリルポリマー及び架橋剤を含むワニスを支持フィルム上に塗布し、塗膜から溶剤を除去することにより接着層を形成する工程を含む方法によって製造することができる。
続いて、上述した仮保護フィルムを用いた半導体装置の製造方法について説明する。一実施形態の半導体装置の製造方法は、基板の一面側に仮保護フィルムを貼り付ける工程S1と、基板の仮保護フィルムと反対側の面上に半導体素子を搭載する工程S2と、半導体素子を封止する工程S3と、仮保護フィルムを基板から剥離する工程S4と、をこの順に備える。以下、一例として、基板がリードフレームである場合の半導体装置(半導体装置パッケージ)の製造方法をより具体的に説明する。
図2は、半導体装置の製造方法の一実施形態(工程S1)を説明する断面図である。工程S1では、図2に示されるように、ダイパッド11a及びインナーリード11bを有するリードフレーム11の一方の面である裏面に、仮保護フィルム10を貼り付ける。仮保護フィルム10は、仮保護フィルム10の接着層がリードフレーム11に接する向きで貼り付けられる。
リードフレーム11は、例えば、42アロイ等の鉄系合金、銅、又は銅系合金から形成されていてよい。リードフレーム11が、銅又は銅系合金から形成された成形体と、その表面を被覆するパラジウム、金、銀等の被覆層とを有していてもよい。
仮保護フィルム10は、常温(例えば25℃)での接着力に優れているため、常温においてリードフレーム11に貼り付けることができる。仮保護フィルム10は、加熱及び加圧しながらリードフレーム11に貼り付けられてもよい。この場合、加熱温度は、150℃以上であってよく、400℃以下であってよい。圧力は、0.5MPa以上であってよく、30MPa以下であってもよい。加熱及び加圧の時間は、1秒間以上であってよく、60秒間以下であってよい。
図3は、半導体装置の製造方法の一実施形態(工程S2及び工程S3)を説明する断面図である。工程S2では、図3に示されるように、ダイパッド11aの仮保護フィルム10と反対側の面上に半導体素子14を搭載する。半導体素子14は、接着剤(例えば、銀ペースト)を介してダイパッド11aに接着される。半導体素子14をダイパッド11aに接着した後に、最大温度250~440℃、又は250~400℃の温度、及び1~30分間の条件で、リフロー接続(CuClip接続等)を行ってもよい。
次に、半導体素子14をインナーリード11bにワイヤ12を用いて接続する。ワイヤ12は、例えば、金線、銅線、又はパラジウム被覆銅線であってよい。ワイヤ12は、例えば、200~350℃で加熱しながら、超音波と押し付け圧力を利用して、半導体素子14及びインナーリード11bに接合されてよい。
続いて、工程S3では、図3に示されるように、半導体素子14及びワイヤ12を封止する封止層13を形成する。これにより、リードフレーム11、半導体素子14及び封止層13を有する、仮保護された封止成形体20が得られる。
封止層13は、封止材を用いた封止成形によって形成される。封止成形によって、複数の半導体素子14及びそれらを一括して封止する封止層13を有する封止成形体20を得てもよい。封止成形の間、仮保護フィルム10が設けられていることにより、封止材がリードフレーム11の裏面側に回り込むことが抑制される。
封止層13を形成する間の温度(封止材の温度)は、140~200℃、又は160~180℃であってよい。封止層を形成する間の圧力は、6~15MPa、又は7~10MPaであってよい。封止成形の時間は、1~5分間、又は2~3分間であってよい。
封止材は、例えば、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、ビフェニルジエポキシ樹脂、ナフトールノボラックエポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を含んでいてもよい。封止材は、フィラー、ブロム化合物等の難燃性物質、ワックス成分等を含んでいてもよい。
封止層13の形成(封止成形)の後、得られた封止成形体20のリードフレーム11及び封止層13から、仮保護フィルム10が剥離される。封止層13を硬化する場合、仮保護フィルム10を、封止層13の硬化の前又は後のいずれの時点で剥離してもよい。
仮保護フィルム10を剥離する際の温度は、特に制限されないが、常温(例えば、5~35℃)であってもよい。この温度は、接着層のガラス転移温度以上であってもよい。この場合、仮保護フィルム10の、リードフレーム11及び封止材に対する剥離性がより一層良好なものとなる。接着層中のアクリルポリマーのTgが、例えば5℃以下又は0℃以下であると、接着層のTgが常温と同等以下になって、常温での良好な剥離性が得られ易い。
リードフレーム11がダイパッド11a及びインナーリード11bを有する複数のパターンを含む場合、必要に応じて、封止成形体20を分割して、それぞれ1個の半導体素子を有する図4の半導体装置(半導体パッケージ)100を複数得ることができる。すなわち、リードフレーム11が複数のダイパッド11aを有し、複数のダイパッド11aの各々に半導体素子14が搭載される場合、一実施形態に係る製造方法は、仮保護フィルム10を封止成形体20から剥離した後に封止成形体20を分割して、1個のダイパッド11a及び半導体素子14を有する半導体装置(半導体パッケージ)100を得る工程を更に備えていてよい。
仮保護フィルムは、長尺状であって、巻芯に巻かれたリール体の状態で用いられてもよい。この場合、仮保護フィルムは、リール体から巻き出されながら、被着体に貼り付けられる。
図5は、リール体の一実施形態を示す斜視図である。図5に示すように、一実施形態に係るリール体30は、巻芯31と、巻芯31に巻き取られた仮保護フィルム10と、側板32と、を備える。巻芯31及び仮保護フィルム10の幅(巻取方向と直交する方向の長さ)は、1mm以上、5mm以上、又は10mm以上であってよく、1000mm以下、800mm以下、又は500mm以下であってよい。他の一実施形態では、リール体は、側板を備えていなくてもよい。
以下、実施例を挙げて本発明についてさらに具体的に説明する。ただし、本発明は実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
モノマー単位として、ブチルアクリレート(BA)80質量%、アクリロイルモルホリン(ACMO)16質量%、アクリル酸3質量%、及びその他のモノマー(ヒドロキシル基を有するモノマー)1質量%を含むアクリルポリマーA-1を用意した。アクリルポリマーA-1を100質量部と、下記式(B-1):
で表される架橋剤B-1を10質量部とを、シクロヘキサノンに溶解して、接着層形成用のワニスを得た。
モノマー単位として、ブチルアクリレート(BA)80質量%、アクリロイルモルホリン(ACMO)16質量%、アクリル酸3質量%、及びその他のモノマー(ヒドロキシル基を有するモノマー)1質量%を含むアクリルポリマーA-1を用意した。アクリルポリマーA-1を100質量部と、下記式(B-1):
支持フィルムとして、ポリイミドフィルム(厚さ:25μm、東レ・デュポン株式会社製、商品名:カプトン100EN)を用意した。得られたワニスを支持フィルムの片面上に塗布した。支持フィルム上の塗膜を90℃で1.5分間、及び260℃で1.5分間の加熱によって乾燥して、厚さ5μmの接着層を形成した。これにより仮保護フィルムを得た。
(実施例2)
アクリルポリマーA-1のモノマー組成において、BAの含有量を86.5質量%、ACMOの含有量を9.5質量%に変更したアクリルポリマーA-2を、アクリルポリマーA-1の代わりに用いた以外は、実施例1と同様にして仮保護フィルムを得た。
アクリルポリマーA-1のモノマー組成において、BAの含有量を86.5質量%、ACMOの含有量を9.5質量%に変更したアクリルポリマーA-2を、アクリルポリマーA-1の代わりに用いた以外は、実施例1と同様にして仮保護フィルムを得た。
(比較例1)
アクリルポリマーA-1のモノマー組成において、BAの含有量を90.5質量%、ACMOの含有量を5.5質量%に変更したアクリルポリマーA-3を、アクリルポリマーA-1の代わりに用いた以外は、実施例1と同様にして仮保護フィルムを得た。
アクリルポリマーA-1のモノマー組成において、BAの含有量を90.5質量%、ACMOの含有量を5.5質量%に変更したアクリルポリマーA-3を、アクリルポリマーA-1の代わりに用いた以外は、実施例1と同様にして仮保護フィルムを得た。
(実施例3)
下記式(B-2):
で表される架橋剤B-2を架橋剤B-1の代わりに用いた以外は、実施例1と同様にして仮保護フィルムを得た。
下記式(B-2):
(実施例4)
下記式(B-3):
で表される架橋剤B-3を架橋剤B-1の代わりに用いた以外は、実施例1と同様にして仮保護フィルムを得た。
下記式(B-3):
(実施例5~8)
アクリルポリマーA-1と架橋剤B-1との配合比(質量部)を表1に示すとおりに変更した以外は、実施例1と同様にして仮保護フィルムを得た。
アクリルポリマーA-1と架橋剤B-1との配合比(質量部)を表1に示すとおりに変更した以外は、実施例1と同様にして仮保護フィルムを得た。
(実施例9)
接着層の厚みを10μmに変更した以外は、実施例1と同様にして仮保護フィルムを得た。
接着層の厚みを10μmに変更した以外は、実施例1と同様にして仮保護フィルムを得た。
(接着力の評価)
(1)常温貼り付け後
被着体として、EFTEC64TCu板(Cu-Fe-P系合金、新光電気工業株式会社製)、及びCDA194パラジウムメッキ板(PPF、新光電気工業株式会社製)を準備した。これらの被着体のそれぞれに、10mm×50mmのサイズに切り出された各仮保護フィルムを、接着層が被着体に接する向きで、ハンドローラーを用いて25℃、荷重20Nの条件で貼り付けて、各貼付体を得た。次いで、フォースゲージを用いて、25℃においてリードフレームの主面に対して90度の方向に50mm/分の速度で各仮保護フィルムを引き剥がした。そのときの接着層の幅10mm当たりの荷重の最大値(N/m)を、常温貼付け後の接着力(90度ピール強度)として測定した。結果を表1に示す。
(1)常温貼り付け後
被着体として、EFTEC64TCu板(Cu-Fe-P系合金、新光電気工業株式会社製)、及びCDA194パラジウムメッキ板(PPF、新光電気工業株式会社製)を準備した。これらの被着体のそれぞれに、10mm×50mmのサイズに切り出された各仮保護フィルムを、接着層が被着体に接する向きで、ハンドローラーを用いて25℃、荷重20Nの条件で貼り付けて、各貼付体を得た。次いで、フォースゲージを用いて、25℃においてリードフレームの主面に対して90度の方向に50mm/分の速度で各仮保護フィルムを引き剥がした。そのときの接着層の幅10mm当たりの荷重の最大値(N/m)を、常温貼付け後の接着力(90度ピール強度)として測定した。結果を表1に示す。
(2)加熱処理後の接着力
上記(1)と同様にして得られた各貼付体を、空気雰囲気下、オーブン内で、180℃で60分間、次いで200℃で60分間の加熱処理に供した。その後、フォースゲージを用いて、25℃においてリードフレームの主面に対して90度の方向に50mm/分の速度で仮保護フィルムを引き剥がした。そのときの接着層の幅10mm当たりの荷重の最大値(N/m)を、加熱処理後の接着力(90度ピール強度)として測定した。結果を表1に示す。
上記(1)と同様にして得られた各貼付体を、空気雰囲気下、オーブン内で、180℃で60分間、次いで200℃で60分間の加熱処理に供した。その後、フォースゲージを用いて、25℃においてリードフレームの主面に対して90度の方向に50mm/分の速度で仮保護フィルムを引き剥がした。そのときの接着層の幅10mm当たりの荷重の最大値(N/m)を、加熱処理後の接着力(90度ピール強度)として測定した。結果を表1に示す。
(3)残留物の評価
CDA194パラジウムメッキCu板(リードフレーム、新光電気工業株式会社製))に、各仮保護フィルムを、接着層がリードフレームに接する向きで、25℃、荷重20Nの条件で貼り付けた。得られた貼合体を、空気雰囲気下、オーブン内で、180℃で60分間、次いで200℃で60分の順で条件を変更しながら加熱した。リードフレームの仮保護フィルムとは反対側の面を、アルゴンガス雰囲気下(流量:20sccm)、150W、15秒の条件でプラズマ処理した。
CDA194パラジウムメッキCu板(リードフレーム、新光電気工業株式会社製))に、各仮保護フィルムを、接着層がリードフレームに接する向きで、25℃、荷重20Nの条件で貼り付けた。得られた貼合体を、空気雰囲気下、オーブン内で、180℃で60分間、次いで200℃で60分の順で条件を変更しながら加熱した。リードフレームの仮保護フィルムとは反対側の面を、アルゴンガス雰囲気下(流量:20sccm)、150W、15秒の条件でプラズマ処理した。
モールド成形機(アピックヤマダ株式会社製)を用いて、リードフレームの仮保護フィルムとは反対側の面上に封止材(商品名:GE-300、昭和電工マテリアルズ株式会社製)により封止層を形成した。封止条件は、175℃、6.8MPa、2分間とした。その後、25℃においてリードフレームの面に対して180°の方向に50mm/分の速度で各仮保護フィルムを引き剥がした。仮保護フィルムを引き剥がした後の封止層上に残存した接着層の状態を確認した。封止層の表面の面積に対する、接着層の残留物が占める面積の割合を求めた。接着層の残留物が占める面積の割合に基づいて、封止成形後の剥離性を以下の5段階の基準で評価した。結果を表1に示す。
5:60~100%
4:40%以上60%未満
3:20%以上40%未満
2:10%以上20%未満
1:0%以上10%未満
5:60~100%
4:40%以上60%未満
3:20%以上40%未満
2:10%以上20%未満
1:0%以上10%未満
(4)外観の評価
上記(3)で各仮保護フィルムを引き剥がした後の封止層上について、封止層上の色相が異なる部分が存在するかどうかを確認した。色相が異なる部分が存在するかどうかに基づき、封止成形後の外観について以下の基準で評価した。結果を表1に示す。
A:色相が異なる部分が存在しない(ほぼ一様に黒色(封止層の色)になっている)
B:色相が異なる部分が存在する(黒色の面の中に、一部白色の線状領域がある)
上記(3)で各仮保護フィルムを引き剥がした後の封止層上について、封止層上の色相が異なる部分が存在するかどうかを確認した。色相が異なる部分が存在するかどうかに基づき、封止成形後の外観について以下の基準で評価した。結果を表1に示す。
A:色相が異なる部分が存在しない(ほぼ一様に黒色(封止層の色)になっている)
B:色相が異なる部分が存在する(黒色の面の中に、一部白色の線状領域がある)
1…支持フィルム、2…接着層、10…仮保護フィルム、11…リードフレーム、11a…ダイパッド、11b…インナーリード、12…ワイヤ、13…封止層、14…半導体素子、20…封止成形体、100…半導体装置。
Claims (8)
- 支持フィルムと、
前記支持フィルム上に設けられた接着層と、を備え、
前記接着層が、
アルキル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルモルホリン、及び、架橋性基を有するモノマーをモノマー単位として含むポリマーと、
前記架橋性基と架橋可能な架橋剤と、を含有し、
前記(メタ)アクリロイルモルホリンの含有量が、前記ポリマー中のモノマー単位全量を基準として7質量%以上である、半導体装置製造用仮保護フィルム。 - 前記架橋性基が酸性基であり、前記架橋剤がエポキシ基を有する、請求項1に記載の仮保護フィルム。
- 前記架橋剤がアミノ基を更に有する、請求項2に記載の仮保護フィルム。
- 前記架橋剤が下記式(1)で表される基を有する、請求項1~3のいずれか一項に記載の仮保護フィルム。
- 基板の一面側に仮保護フィルムを貼り付ける工程と、
前記基板の前記仮保護フィルムと反対側の面上に半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子を封止する工程と、
前記仮保護フィルムを前記基板から剥離する工程と、
をこの順に備える、半導体装置の製造方法であって、
前記仮保護フィルムが、
支持フィルムと、
前記支持フィルム上に設けられた接着層と、を備え、
前記接着層が、
アルキル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルモルホリン、及び、架橋性基を有するモノマーをモノマー単位として含むポリマーと、
前記架橋性基と架橋可能な架橋剤と、を含有し、
前記(メタ)アクリロイルモルホリンの含有量が、前記ポリマー中のモノマー単位全量を基準として7質量%以上である、製造方法。 - 前記架橋性基が酸性基であり、前記架橋剤がエポキシ基を有する、請求項5に記載の製造方法。
- 前記架橋剤がアミノ基を更に有する、請求項6に記載の製造方法。
- 前記架橋剤が下記式(1)で表される基を有する、請求項5~7のいずれか一項に記載の製造方法。
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JP2006013062A (ja) * | 2004-06-24 | 2006-01-12 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法、それに用いる耐熱性粘着テープ及び耐熱性粘着剤組成物 |
JP2008131006A (ja) * | 2006-11-24 | 2008-06-05 | Nitto Denko Corp | 半導体装置製造用の耐熱性粘着テープ |
JP2013170197A (ja) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Nitto Denko Corp | 粘着テープ |
JP2021097076A (ja) * | 2019-12-13 | 2021-06-24 | 日東電工株式会社 | ウエハ加工用粘着シート |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09310050A (ja) * | 1996-05-23 | 1997-12-02 | Nitto Denko Corp | ウエハ加工用粘着剤とその粘着シ―ト類 |
JP2006013062A (ja) * | 2004-06-24 | 2006-01-12 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法、それに用いる耐熱性粘着テープ及び耐熱性粘着剤組成物 |
JP2008131006A (ja) * | 2006-11-24 | 2008-06-05 | Nitto Denko Corp | 半導体装置製造用の耐熱性粘着テープ |
JP2013170197A (ja) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Nitto Denko Corp | 粘着テープ |
JP2021097076A (ja) * | 2019-12-13 | 2021-06-24 | 日東電工株式会社 | ウエハ加工用粘着シート |
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