CN105190739A - 显示装置及其驱动方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种在显示装置中进行驱动晶体管的劣化和发光元件的劣化两者的特性检测时不进行特别的发光就能够同时进行补偿的驱动方法。在具有包括利用电流控制亮度的电光学元件和用于控制要供给到该电光学元件的电流的驱动晶体管的像素电路的显示装置中，驱动方法包括：检测驱动晶体管的特性的第一特性检测步骤(S10)；检测电光学元件的特性的第二特性检测步骤(S20)；将基于第一和第二特性检测步骤(S10、S20)中的检测结果得到的特性数据，作为用于修正视频信号的修正数据来存储的修正数据存储步骤(S30)；和基于修正数据对视频信号进行修正的视频信号修正步骤(S40)。在此，第二特性检测步骤(S20)的处理在发光期间进行。

Description

显示装置及其驱动方法
技术领域
本发明涉及显示装置及其驱动方法，更详细地说，涉及具备包含有机EL(电致发光)元件等电光学元件的像素电路的显示装置及其驱动方法。
背景技术
现有技术中，作为显示装置所具有的显示元件，存在利用施加的电压控制亮度的电光学元件和利用流过的电流控制亮度的电光学元件。作为利用施加的电压控制亮度的电光学元件的代表例，可以列举液晶显示元件。另一方面，作为利用流过的电流控制亮度的电光学元件的代表例，可以列举有机EL元件。有机EL元件也被称为OLED(OrganicLight－EmittingDiode：有机发光二极管)。使用了作为自发光型的电光学元件的有机EL元件的有机EL显示装置，与需要背光源和滤色片等的液晶显示装置相比，能够容易实现薄型化、低消耗电力化、高亮度等。因此，近年来有机EL显示装置的开发积极发展中。
作为有机EL显示装置的驱动方式，已知有无源矩阵方式(也被称为单纯矩阵方式)和有源矩阵方式。采用无源矩阵方式的有机EL显示装置，尽管结构简单，但是难以大型化和高精细化。与之相对地，采用有源矩阵方式的有机EL显示装置(以下称为“有源矩阵型的有机EL显示装置”)，与采用无源矩阵方式的有机EL显示装置相比，能够容易实现大型化和高精细化。
在有源矩阵型的有机EL显示装置中呈矩阵状地形成有多个像素电路。有源矩阵型的有机EL显示装置的像素电路，典型地包含选择像素的输入晶体管和控制对有机EL元件的电流供给的驱动晶体管。另外，以下中有时将从驱动晶体管流到有机EL元件的电流称为“驱动电流”。
图44是表示现有的一般的像素电路91的结构的电路图。该像素电路91，与配置于显示部的多个数据线S和多个扫描线G的各交叉点对应地设置。如图44所示，该像素电路91包括：2个晶体管T1、T2、1个电容器Cst和1个有机EL元件OLED。晶体管T1为输入晶体管，晶体管T2为驱动晶体管。
晶体管T1设置于数据线S与晶体管T2的栅极端子之间。关于该晶体管T1，栅极端子与扫描线G连接，源极端子与数据线S连接。晶体管T2与有机EL元件OLED串联设置。关于该晶体管T2，漏极端子与供给高电平电源电压ELVDD的电源线连接，源极端子与有机EL元件OLED的阳极端子连接。其中，以下将供给高电平电源电压ELVDD的电源线称为“高电平电源线”，对高电平电源线附加与高电平电源电压相同的符号ELVDD。关于电容器Cst，一端与晶体管T2的栅极端子连接，另一端与晶体管T2的源极端子连接。有机EL元件OLED的阴极端子与供给低电平电源电压ELVSS的电源线连接。其中，以下将供给低电平电源电压ELVSS的电源线称为“低电平电源线”，对低电平电源线附加与低电平电源电压相同的符号ELVSS。另外，在此为了便于说明将晶体管T2的栅极端子、电容器Cst的一端和晶体管T1的漏极端子的连接点称为“栅极节点VG”。另外，一般将漏极和源极中电位较高者的称为漏极，但在本说明书的说明中，将一者定义为漏极，将另一者定义为源极，所以有时源极电位比漏极电位高。
图45是用于说明图44所示的像素电路91的动作的时序图。在时刻t1以前，扫描线G为非选择状态。因此，在时刻t1以前，晶体管T1为截止状态，栅极节点VG的电位维持初始电平(例如与上一帧中的写入相应的电平)。时刻t1时，扫描线G成为选择状态，晶体管T1导通。由此，经由数据线S和晶体管T1，与该像素电路91所形成的像素(子像素)的亮度对应的数据电压Vdata被供给到栅极节点VG。之后，在至时刻t2的期间，栅极节点VG的电位根据数据电压Vdata变化。此时，电容器Cst被充电至作为栅极节点VG的电位与晶体管T2的源极电位之差的栅极－源极间电压Vgs。时刻t2时，扫描线G成为非选择状态。由此，晶体管T1截止，电容器Cst所保持的栅极－源极间电压Vgs被确定。晶体管T2根据电容器Cst所保持的栅极－源极间电压Vgs对有机EL元件OLED供给驱动电流。其结果是，有机EL元件OLED以与驱动电流相应的亮度发光。
另外，在有机EL显示装置中，作为驱动晶体管，典型地采用薄膜晶体管(TFT)。但是，薄膜晶体管容易在阈值电压产生偏差。当设置于显示部内的驱动晶体管发生阈值电压偏差时，亮度也发生偏差，所以显示品质降低。于是，现有技术提案有抑制有机EL显示装置的显示品质的下降的技术。例如日本特开2005－31630号公报中公开了对驱动晶体管的阈值电压的偏差进行补偿的技术。另外，日本特开2003－195810号公报和日本特开2007－128103号公报公开了使从像素电路流到有机EL元件OLED的电流一定的技术。而且，日本特开2007－233326号公报中公开了与驱动晶体管的阈值电压和电子迁移率无关地显示均匀亮度的图像的技术。
根据上述现有技术，即使设置于显示部内的驱动晶体管发生阈值电压偏差，也能够根据期望的亮度(目标亮度)对有机EL元件(发光元件)供给一定电流。但是，关于有机EL元件，随着时间经过电流效率降低。即，即使对有机EL元件供给一定电流，随着时间经过亮度也会慢慢降低。其结果是，产生残影。
如上所述，如果不对驱动晶体管的劣化和有机EL元件的劣化作出补偿的话，就会如图46所示，随着驱动晶体管的劣化导致的电流降低的发生而产生有机EL元件的劣化导致的亮度降低。另外，即使对驱动晶体管的劣化进行补偿，也会如图47所示，随着时间经过产生有机EL元件的劣化导致的亮度降低。于是，在日本特表2008－523448号公报中公开了在基于驱动晶体管的特性修正数据的技术的基础上，基于有机EL元件OLED的特性修正数据的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2005－31630号公报
专利文献2：日本特开2003－195810号公报
专利文献3：日本特开2007－128103号公报
专利文献4：日本特开2007－233326号公报
专利文献5：日本特表2008－523448号公报
发明内容
发明所要解决的问题
然而，根据日本特表2008－523448号公报公开的技术，在选择期间中只能检测出驱动晶体管和有机EL元件中的某一者的特性。因此，无法对驱动晶体管的劣化和有机EL元件的劣化两者同时进行补偿。另外，为了检测驱动晶体管和有机EL元件两者的特性需要延长选择期间。关于这一点，在日本特表2008－523448号公报所公开的技术中，在使进行特性检测的行的选择期间变长的情况下，在进行特性检测的行与除此之外的行，发光时间的长度不同，无法进行期望的亮度显示。
于是，本发明的目的在于提供一种在显示装置中进行驱动晶体管的劣化和发光元件的劣化两者的特性检测时不进行特别的发光就能够同时进行补偿的驱动方法。
用于解决课题的方法
本发明的第一方面为一种显示装置的驱动方法，该显示装置具有由n×m个(n和m为2以上的整数)像素电路构成的n行×m列的像素矩阵，上述n×m个像素电路分别包括利用电流控制亮度的电光学元件和用于控制要供给到上述电光学元件的电流的驱动晶体管，上述驱动方法的特征在于，包括：
检测上述驱动晶体管的特性的第一特性检测步骤；
检测上述电光学元件的特性的第二特性检测步骤；
将基于上述第一特性检测步骤中的检测结果和上述第二特性检测步骤中的检测结果得到的特性数据，作为用于修正视频信号的修正数据存储到预先准备的修正数据存储部的修正数据存储步骤；和
基于存储于上述修正数据存储部中的修正数据修正上述视频信号，生成要供给到上述n×m个像素电路的数据信号的视频信号修正步骤，
1帧期间包括进行使上述电光学元件发光的准备的选择期间和进行上述电光学元件的发光的发光期间，
上述第一特性检测步骤和上述第二特性检测步骤的一者或两者的处理在每1帧期间仅在上述像素矩阵的1行进行，
上述第二特性检测步骤的处理在上述发光期间进行。
本发明的第二方面，在本发明的第一方面中，特征在于：
上述第一特性检测步骤和上述第二特性检测步骤两者的处理在每1帧期间仅在上述像素矩阵的1行进行，
将各帧中进行上述第一特性检测步骤和上述第二特性检测步骤两者的处理的行定义为监视行，上述监视行以外的行定义为非监视行时，上述监视行的上述选择期间的长度比上述非监视行的上述选择期间的长度长，
上述第一特性检测步骤的处理在上述选择期间进行。
本发明的第三方面，在本发明的第一方面中，特征在于：
上述第一特性检测步骤和上述第二特性检测步骤的一者的处理在每1帧期间仅在上述像素矩阵的1行进行，
着眼于上述像素矩阵的1行时，上述第一特性检测步骤的处理和上述第二特性检测步骤的处理交替地进行，
上述第一特性检测步骤的处理在上述发光期间进行。
本发明的第四方面，在本发明的第一方面中，特征在于：
在上述第二特性检测步骤中，通过测定在对上述电光学元件供给一定的电流的状态下上述电光学元件的阳极的电压，检测上述电光学元件的特性。
本发明的第五方面，在本发明的第四方面中，特征在于：
在上述第二特性检测步骤中，根据目标亮度调整对上述电光学元件供给上述一定的电流的时间的长度。
本发明的第六方面，在本发明的第四方面中，特征在于：
在上述第二特性检测步骤中，通过在1帧期间中的发光电流的积分值成为与目标灰度等级相当的值的范围内将多个电平的上述一定的电流供给到上述电光学元件，检测多个特性作为上述电光学元件的特性。
本发明的第七方面，在本发明的第一方面中，特征在于：
在上述第二特性检测步骤中，通过测定在对上述电光学元件供给一定的电压的状态下在上述电光学元件流动的电流，检测上述电光学元件的特性。
本发明的第八方面，在本发明的第七方面中，特征在于：
在上述第二特性检测步骤中，根据目标亮度调整对上述电光学元件供给上述一定的电压的时间的长度。
本发明的第九方面，在本发明的第七方面中，特征在于：
在上述第二特性检测步骤中，通过在1帧期间中的发光电流的积分值成为与目标灰度等级相当的值的范围内将多个电平的上述一定的电压供给到上述电光学元件，检测多个特性作为上述电光学元件的特性。
本发明的第十方面，在本发明的第一方面中，特征在于：
在上述第一特性检测步骤中，通过测定在使上述驱动晶体管的栅极－源极间的电压为规定的大小的状态下在上述驱动晶体管的漏极－源极间流动的电流，检测上述驱动晶体管的特性。
本发明的第十一方面，在本发明的第一方面中，特征在于：
上述修正数据存储部包括存储偏移值作为上述修正数据的偏移值存储部和存储增益值作为上述修正数据的增益值存储部，
在上述修正数据存储步骤中，
基于上述第一特性检测步骤中的检测结果得到的偏移值与基于上述第二特性检测步骤中的检测结果得到的偏移值之和，作为新的偏移值被存储到上述偏移值存储部，
基于上述第一特性检测步骤中的检测结果得到的增益值与基于上述第二特性检测步骤中的检测结果得到的修正系数之积，作为新的增益值被存储到上述增益值存储部。
本发明的第十二方面，在本发明的第十一方面中，特征在于：
上述显示装置还具有：
用于检测上述驱动晶体管的特性和上述电光学元件的特性的特性检测部；和
以与上述像素矩阵的各列对应的方式设置，构成为能够与上述特性检测部和对应的列的像素电路电连接的m根监视线，
上述选择期间包括进行上述第一特性检测步骤的处理的第一期间和接着上述第一期间的第二期间，
将存储于上述偏移值存储部中的偏移值与基于上述第一特性检测步骤中的检测结果得到的偏移值的差值定义为第一值，将根据存储于上述增益值存储部中的增益值和基于上述第一特性检测步骤中的检测结果得到的增益值而得到的值定义为第二值时，在上述第二期间，对各监视线施加与上述第一值和上述第二值之和相当的电压。
本发明的第十三方面，在本发明的第一方面中，特征在于：
上述修正数据存储部包括：存储与上述驱动晶体管对应的偏移值作为上述修正数据的驱动晶体管用偏移值存储部；存储与上述电光学元件对应的偏移值作为上述修正数据的电光学元件用偏移值存储部；存储与上述驱动晶体管对应的增益值作为上述修正数据的驱动晶体管用增益值存储部；和存储与上述电光学元件对应的增益值作为上述修正数据的电光学元件用增益值存储部，
在上述修正数据存储步骤中，
基于上述第一特性检测步骤中的检测结果得到的偏移值作为新的偏移值被存储到上述驱动晶体管用偏移值存储部，
基于上述第一特性检测步骤中的检测结果得到的增益值作为新的增益值被存储到上述驱动晶体管用增益值存储部，
基于上述第二特性检测步骤中的检测结果得到的偏移值作为新的偏移值被存储到上述电光学元件用偏移值存储部，
基于上述第二特性检测步骤中的检测结果得到的修正系数作为新的增益值被存储到上述电光学元件用增益值存储部。
本发明的第十四方面，在本发明的第十三方面中，特征在于：
在上述第二特性检测步骤中，通过测定在对上述电光学元件供给一定的电流的状态下上述电光学元件的阳极的电压，检测上述电光学元件的特性，
上述一定的电流的大小根据存储于上述电光学元件用增益值存储部中的增益值进行调整。
本发明的第十五方面，在本发明的第十三方面中，特征在于：
在上述第二特性检测步骤中，通过测定在对上述电光学元件供给一定的电压的状态下在上述电光学元件流动的电流，检测上述电光学元件的特性，
上述一定的电压的大小根据存储于上述电光学元件用增益值存储部中的增益值进行调整。
本发明的第十六方面，在本发明的第十三方面中，特征在于：
上述显示装置还具有：
用于检测上述驱动晶体管的特性和上述电光学元件的特性的特性检测部；和
以与上述像素矩阵的各列对应的方式设置，构成为能够与上述特性检测部和对应的列的像素电路电连接的m根监视线，
上述选择期间包括进行上述第一特性检测步骤的处理的第一期间和接着上述第一期间的第二期间，
在上述第二期间，对各监视线施加与存储于上述电光学元件用偏移值存储部中的偏移值和基于存储于上述电光学元件用增益值存储部中的增益值得到的值之和相当的电压。
本发明的第十七方面，在本发明的第一方面中，特征在于：
上述显示装置还具有：
特性检测部，其至少包括测定电流的电流测定部，用于检测上述驱动晶体管的特性和上述电光学元件的特性；和
以与上述像素矩阵的各列对应的方式设置，构成为能够与上述特性检测部和对应的列的像素电路电连接的m根监视线，
在上述第一特性检测步骤中，在上述m根监视线与对应的像素电路和上述电流测定部电连接的状态下，利用上述电流测定部测定在使上述驱动晶体管的栅极－源极间的电压为规定的大小的状态下在上述驱动晶体管的漏极－源极间流动的电流。
本发明的第十八方面，在本发明的第十七方面中，特征在于：
上述特性检测部还包括测定电压的电压测定部，
在上述第二特性检测步骤中，利用上述电压测定部测定在对上述电光学元件供给一定的电流的状态下上述电光学元件的阳极的电压。
本发明的第十九方面，在本发明的第十七方面中，特征在于：
在上述第二特性检测步骤中，利用上述电流测定部测定在对上述电光学元件供给一定的电压的状态下在上述电光学元件流动的电流。
本发明的第二十方面，在本发明的第十七方面中，特征在于：
每K根(K为2以上m以下的整数)监视线设置1个上述特性检测部，
在各帧中，
上述K根监视线中的1根与上述特性检测部电连接，
不与上述特性检测部电连接的监视线处于高阻抗的状态。
本发明的第二十一方面，在本发明的第一方面中，特征在于：
上述n行×m列的像素矩阵中的进行黑色或大致黑色的显示的像素不进行上述第二特性检测步骤的处理。
本发明的第二十二方面，在本发明的第一方面中，特征在于：
还包括将用于对当上述显示装置的电源断开时最后进行了上述第一特性检测步骤和上述第二特性检测步骤的一者或两者的处理的区域进行确定的信息，存储到预先准备的监视区域存储部的监视区域存储步骤，
在上述显示装置的电源导通后，从基于存储于上述监视区域存储部中的信息得到的区域附近的区域，进行上述第一特性检测步骤和上述第二特性检测步骤的一者或两者的处理。
本发明的第二十三方面，在本发明的第一方面中，特征在于：
检测温度的温度检测步骤；和
基于上述温度检测步骤中检测出的温度，对上述特性数据实施修正的温度变化补偿步骤，
在上述修正数据存储步骤中，由上述温度变化补偿步骤的处理得到的数据作为上述修正数据被存储到上述修正数据存储部。
本发明的第二十四方面，在本发明的第一方面中，特征在于：
上述驱动晶体管为由氧化物半导体形成沟道层的薄膜晶体管。
本发明的第二十五方面，在本发明的第二十四方面中，特征在于：
上述氧化物半导体为以铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和氧(O)为主成分的氧化铟镓锌。
本发明的第二十六方面为一种显示装置，其具有由n×m个(n和m为2以上的整数)像素电路构成的n行×m列的像素矩阵，上述n×m个像素电路分别包括利用电流控制亮度的电光学元件和用于控制要供给到上述电光学元件的电流的驱动晶体管，上述显示装置的特征在于，包括：
进行检测上述驱动晶体管的特性的第一特性检测处理和检测上述电光学元件的特性的第二特性检测处理，并驱动上述n×m个像素电路的像素电路驱动部；
将基于上述第一特性检测处理中的检测结果和上述第二特性检测处理中的检测结果得到的特性数据，作为用于修正视频信号的修正数据来存储的修正数据存储部；和
基于存储于上述修正数据存储部中的修正数据修正上述视频信号，生成要供给到上述n×m个像素电路的数据信号的视频信号修正部，
1帧期间包括进行使上述电光学元件发光的准备的选择期间和进行上述电光学元件的发光的发光期间，
上述像素电路驱动部在每1帧期间仅在上述像素矩阵的1行进行上述第一特性检测处理和上述第二特性检测处理的一者或两者的处理，在上述发光期间进行上述第二特性检测处理。
发明效果
根据本发明的第一方面，在具有包括利用电流控制亮度的电光学元件(例如有机EL元件)和用于控制要供给到该电光学元件的电流的驱动晶体管的像素电路的显示装置中，进行驱动晶体管的特性的检测和电光学元件的特性的检测。而且，使用考虑两者的检测结果而得到的修正数据对视频信号进行修正。基于通过这样的方式修正后的视频信号的数据信号被供给到像素电路，所以驱动晶体管的劣化和电光学元件的劣化被补偿那样的大小的驱动电流被供给到电光学元件。在此，电光学元件的特性的检测在发光期间中进行。因此，为了进行驱动晶体管和电光学元件的特性的检测，发光期间的长度不比现有技术短。如上所述，在显示装置中进行驱动晶体管的劣化和电光学元件的劣化两者的特性检测时不进行特别的发光就能够同时进行补偿。
根据本发明的第二方面，监视行(各帧中进行特性检测的行)的选择期间的长度，比非监视行的选择期间的长度长。而且，在该选择期间进行驱动晶体管的特性的检测。因此，能够充分确保用于检测驱动晶体管的特性的期间。
根据本发明的第三方面，驱动晶体管的特性的检测和电光学元件的特性的检测两者在电光学元件的发光期间进行。因此，在选择期间中也与进行特性检测的结构不同，不需要使监视行的选择期间变长。因此，能够确保充分长的发光期间。另外，能够防止因行不同而选择期间的长度产生偏差。如上所述，在显示装置中，能够不产生选择期间的长度的偏差地充分确保发光期间，并且进行驱动晶体管的劣化和电光学元件的劣化两者的特性检测时不进行特别的发光就能够同时进行补偿。
根据本发明的第四方面，对检测特性的电光学元件供给一定电流。因此，通过调整对电光学元件供给一定电流的时间，能够使该电光学元件以期望的亮度发光。
根据本发明的第五方面，能够进行电光学元件的特性的检测并使该电光学元件以期望的亮度发光。
根据本发明的第六方面，检测多个特性作为电光学元件的特性，所以能够更有效地对驱动晶体管的劣化进行补偿。
根据本发明的第七方面，能够使用于检测电光学元件的特性的测定时间缩短。
根据本发明的第八方面，能够进行电光学元件的特性的检测并使该电光学元件以期望的亮度发光。
根据本发明的第九方面，检测多个特性作为电光学元件的特性，所以能够更有效地对驱动晶体管的劣化进行补偿。
根据本发明的第十方面，在显示装置具有用于测定电流的构成要素的方式中，能够发挥与本发明的第一方面同样的效果。
根据本发明的第十一方面，在偏移值存储部中存储考虑了驱动晶体管的特性和电光学元件的特性两者的修正数据，在增益值存储部中也存储考虑了驱动晶体管的特性和电光学元件的特性两者的修正数据。因此，能够考虑驱动晶体管的特性和电光学元件的特性两者容易地对视频信号进行修正。
根据本发明的第十二方面，与电光学元件的劣化的程度相应的电压在发光期间之前被施加到监视线，发光期间的充电时间的长度被缩短。
根据本发明的第十三方面，存储偏移值的存储部和存储增益值的存储部分别被分为用于补偿驱动晶体管的劣化的存储部和用于补偿电光学元件的劣化的存储部。因此，能够仅考虑电光学元件的劣化来调整供给到该电光学元件的电流。此时，通过与劣化最少的像素的劣化水平相应地增加电流，能够对残影进行补偿。
根据本发明的第十四方面，关于电光学元件的特性的检测，在发光期间供给到电光学元件的电流的大小，根据存储于电光学元件用增益值存储部中的增益值(修正系数)进行调整。即，根据电光学元件的劣化的程度进行电流的大小的调整。由此，电流效率的下降被补偿。
根据本发明的第十五方面，关于电光学元件的特性的检测，在发光期间供给到电光学元件的电压的大小，根据存储于电光学元件用增益值存储部中的增益值(修正系数)进行调整。由此，与电光学元件的劣化的程度相应的大小的电压在发光期间被供给到电光学元件。
根据本发明的第十六方面，与电光学元件的劣化的程度相应的电压在发光期间之前被施加到监视线，发光期间的充电时间的长度缩短。
根据本发明的第十七方面，能够用1根监视线检测各列中包含的驱动晶体管和电光学元件两者的特性。
根据本发明的第十八方面，电光学元件发光以使得进行以更接近期望的灰度等级的显示。
根据本发明的第十九方面，能够使用于检测电光学元件的特性的测定时间缩短。
根据本发明的第二十方面，1个特性检测部被多个监视线共用。因此，能够抑制电路面积的增大，并且进行驱动晶体管的劣化和电光学元件的劣化两者的特性检测时不进行特别的发光就能够同时进行补偿。
根据本发明的第二十一方面，能够防止电光学元件的不必要的发光。
根据本发明的第二十二方面，能够防止例如上方的行与的下方的行之间驱动晶体管的特性和电光学元件的特性的检测次数产生差异的情况。因此，能够在画面整体对驱动晶体管的劣化和电光学元件的劣化进行一样的补偿，能够有效防止亮度偏差的发生。
根据本发明的第二十三方面，用考虑了温度变化的修正数据对视频信号进行修正。因此，在显示装置中，与温度的变化无关地，进行驱动晶体管的劣化和电光学元件的劣化两者的特性检测时不进行特别的发光就能够同时进行补偿。
根据本发明的第二十四方面，作为设置在像素电路内的驱动晶体管，使用沟道层由氧化物半导体形成的薄膜晶体管。因此，能够获得高精细化和低消耗电力化的效果。另外，截止电流变得极小，所以能够获得在进行电流检测时能够确保充分的S/N比的效果。
根据本发明的第二十五方面，通过使用氧化铟镓锌作为形成沟道层的氧化物半导体，能够可靠地达成与本发明的第二十四方面同样的效果。
根据本发明的第二十六方面，在显示装置的发明中能够发挥与本发明的第一方面同样的效果。
附图说明
图1是用于说明本发明的第一实施方式的与TFT特性和OLED特性的检测关联的动作的概略的流程图。
图2是表示上述第一实施方式的有机EL显示装置的整体结构的框图。
图3是用于说明上述第一实施方式的栅极驱动器的动作的时序图。
图4是用于说明上述第一实施方式的栅极驱动器的动作的时序图。
图5是用于说明上述第一实施方式的栅极驱动器的动作的时序图。
图6是表示上述第一实施方式的信号转换电路的概略结构的框图。
图7是表示上述第一实施方式的像素电路和监视电路的结构的图。
图8是表示上述第一实施方式的电流测定部的一个结构例的图。
图9是表示上述第一实施方式的电压测定部的一个结构例的图。
图10是用于说明上述第一实施方式的各行的动作的推移的图。
图11是用于说明上述第一实施方式的进行通常动作时的电流的流动的图。
图12是用于说明上述第一实施方式的监视行中包含的像素电路(i行j列的像素电路)的动作的时序图。
图13是用于说明上述第一实施方式的TFT特性检测期间的电流的流动的图。
图14是用于说明上述第一实施方式的TFT特性检测期间的对数据线施加参考电压的图。
图15是用于说明上述第一实施方式的发光期间的电流的流动的图。
图16是用于说明上述第一实施方式的有机EL元件的发光时间的调整的图。
图17是用于说明上述第一实施方式的监视行与非监视行中发光期间的长度的不同的图。
图18是用于说明上述第一实施方式的偏移存储器和增益存储器的更新的顺序的流程图。
图19是表示上述第一实施方式的视频信号修正部的结构的图。
图20是用于说明上述第一实施方式的效果的图。
图21是表示上述第一实施方式的第一变形例的有机EL显示装置的整体结构的框图。
图22是用于说明上述第一实施方式第一变形例的TFT用偏移存储器、OLED用偏移存储器、TFT用增益存储器和OLED用增益存储器的更新的顺序的流程图。
图23是用于说明上述第一实施方式的第一变形例的效果的图。
图24是表示上述第一实施方式的第二变形例的监视线的一端部附近的结构的图。
图25是表示上述第一实施方式的第三变形例的监视线的一端部附近的结构的图。
图26是表示上述第一实施方式的第四变形例的有机EL显示装置的整体结构的框图。
图27是用于说明有机EL元件的电流－电压特性的温度依赖性的图。
图28是表示上述第一实施方式的第五变形例的有机EL显示装置的整体结构的框图。
图29是用于说明上述第一实施方式的第五变形例的偏移存储器和增益存储器的更新的顺序的流程图。
图30是表示上述第一实施方式的第六变形例的监视电路的详细结构的图。
图31是表示本发明的第二实施方式的有源矩阵型的有机EL显示装置的整体结构的框图。
图32是用于说明上述第二实施方式的栅极驱动器的动作的时序图。
图33是用于说明上述第二实施方式的栅极驱动器的动作的时序图。
图34是用于说明上述第二实施方式的栅极驱动器的动作的时序图。
图35是表示上述第二实施方式的像素电路和监视电路的结构的图。
图36是用于说明上述第二实施方式的各行的动作的推移的图。
图37是用于说明上述第二实施方式的进行通常动作时的电流的流动的图。
图38是用于说明上述第二实施方式的监视行中包含的像素电路(i行j列的像素电路)的OLED特性检测动作的时序图。
图39是用于说明上述第二实施方式的进行OLED特性检测动作时的电流的流动的图。
图40是用于说明上述第二实施方式的监视行中包含的像素电路(i行j列的像素电路)的TFT特性检测动作的时序图。
图41是用于说明上述第二实施方式的进行TFT特性检测动作时的电流的流动的图。
图42是用于说明上述第二实施方式的偏移存储器和增益存储器的更新的顺序的流程图。
图43是用于说明上述第二实施方式的变形例的各行的动作的推移的图。
图44是表示现有的一般的像素电路的结构的电路图。
图45是用于说明图44所示的像素电路的动作的时序图。
图46是用于说明没有对驱动晶体管的劣化和有机EL元件的劣化进行任何补偿的情况的图。
图47是用于说明仅对驱动晶体管的劣化进行补偿的情况的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。其中，以下设定m和n为2以上的整数，i为1以上n以下的整数，j为1以上m以下的整数。另外，以下将设置于像素电路内的驱动晶体管的特性称为“TFT特性”，将设置于像素电路内的有机EL元件的特性称为“OLED特性”。
＜1.第一实施方式＞
＜1.1整体结构＞
图2是表示本发明的第一实施方式的有源矩阵型的有机EL显示装置1的整体结构的框图。该有机EL显示装置1包括显示部10、控制电路20、源极驱动器(数据线驱动电路)30、栅极驱动器(扫描线驱动电路)40、偏移存储器51和增益存储器52。其中，源极驱动器30和栅极驱动器40的一者或两者也可以与显示部10形成为一体。另外，偏移存储器51和增益存储器52也可以由物理上1个存储器构成。
另外，在本实施方式中，利用源极驱动器30和栅极驱动器40实现像素电路驱动部，利用偏移存储器51和增益存储器52实现修正数据存储部。
在显示部10配置有m根数据线S(1)～S(m)和与它们正交的n根扫描线G1(1)～G1(n)。以下将数据线的延伸方向称为Y方向，将扫描线的延伸方向称为X方向。有时将沿Y方向的构成要素称为“列”，有时将沿X方向的构成要素称为“行”。另外，在显示部10以与m根数据线S(1)～S(m)一对一对应的方式配置有m根监视线M(1)～M(m)。数据线S(1)～S(m)与监视线M(1)～M(m)相互平行。而且，在显示部10以与n根扫描线G1(1)～G1(n)一对一对应的方式配置有n根监视控制线G2(1)～G2(n)。扫描线G1(1)～G1(n)与监视控制线G2(1)～G2(n)相互平行。而且，在显示部10以跟n根扫描线G1(1)～G1(n)与m根数据线S(1)～S(m)的交叉点对应的方式设置有n×m个像素电路11。像这样通过设置n×m个像素电路11，在显示部10形成n行×m列的像素矩阵。另外，在显示部10配置有供给高电平电源电压的高电平电源线和供给低电平电源电压的低电平电源线。
其中，以下在不需要对m根数据线S(1)～S(m)进行彼此区分的情况下仅将数据线用标记S表示。同样，在不需要对m根监视线M(1)～M(m)进行彼此区分的情况下仅将监视线用标记M表示，在不需要对n根扫描线G1(1)～G1(n)进行彼此区分的情况下仅将扫描线用标记G1表示，在不需要对n根监视控制线G2(1)～G2(n)进行彼此区分的情况下仅将监视线用标记G2表示。
控制电路20，通过对源极驱动器30供给数据信号DA、源极控制信号SCTL和切换控制信号SW来控制源极驱动器30的动作，通过对栅极驱动器40发送栅极控制信号GCTL来控制栅极驱动器40的动作。源极控制信号SCTL例如包含源极开始脉冲、源极时钟、锁存选通信号。栅极控制信号GCTL例如包含栅极开始脉冲和栅极时钟。另外，控制电路20接受从源极驱动器30提供的监视数据MO，进行偏移存储器51和增益存储器52的更新。另外，监视数据MO是为了求取TFT特性或OLED特性而测定的数据。
而且，栅极驱动器40与n根扫描线G1(1)～G1(n)和n根监视控制线G2(1)～G2(n)连接。栅极驱动器40由移位寄存器和逻辑电路等构成。另外，本实施方式的有机EL显示装置1中，基于TFT特性和OLED特性对从外部送来的视频信号(作为上述数据信号DA的基础的数据)实施修正。关于这一点，各帧中，进行1行的TFT特性和OLED特性的检测。即，当在某帧中进行第一行的TFT特性和OLED特性的检测时，在下一帧中进行第二行的TFT特性和OLED特性的检测，在下下帧中进行第三行的TFT特性和OLED特性的检测。像这样，在n帧期间，进行n行的TFT特性和OLED特性的检测。在此，如果将进行第一行的TFT特性和OLED特性的检测的帧定义为第(k+1)帧，则n根扫描线G1(1)～G1(n)和n根监视控制线G2(1)～G2(n)在第(k+1)帧以图3所示的方式被驱动，在第(k+2)帧以图4所示的方式被驱动，在第(k+n)帧以图5所示的方式被驱动。其中，关于图3～图5，高电平的状态为有源(active)的状态。另外，将扫描线G1为有源的状态的期间称为“选择期间”。该选择期间是用于进行使设置在像素电路11内的有机EL元件发光的准备的期间。根据图3～图5可知，各帧中，仅与进行TFT特性和OLED特性检测的行对应的扫描线在比其他扫描线长的期间成为有源的状态。以下，将着眼于任意帧时进行TFT特性和OLED特性检测的行称为“监视行”，将监视行以外的行称为“非监视行”。各帧中，与非监视行对应的监视控制线G2维持无源的状态。关于与监视行对应的监视控制线G2，选择期间中从最开始起的规定期间为有源的状态，选择期间的剩下的期间为无源的状态，之后，至选择期间开始时刻的大致1帧期间后的期间再次为有源的状态。本实施方式中，如上所述构成栅极驱动器40以驱动n根扫描线G1(1)～G1(n)和n根监视控制线G2(1)～G2(n)。
而且，源极驱动器30与m根数据线S(1)～S(m)和m根监视线M(1)～M(m)连接。源极驱动器30由驱动信号发生电路31、信号转换电路32和包括m个输出电路330的输出部33构成。输出部33内的m个输出电路330，分别与m根数据线S(1)～S(m)中的对应的数据线S和m根监视线M(1)～M(m)中的对应的监视线M连接。
驱动信号发生电路31包括移位寄存器、采样电路和锁存电路。驱动信号发生电路31中，移位寄存器与源极时钟同步地将源极开始脉冲依次从输入端传送到输出端。根据源极开始脉冲的该传送，从移位寄存器输出与各数据线S对应的采样脉冲。采样电路按照采样脉冲的时刻依次存储1行份的数据信号DA。锁存电路根据锁存选通信号取入并保持存储于采样电路中的1行份的数据信号DA。
图6是表示信号转换电路32的概略结构的框图。如图6所示，信号转换电路32包括灰度等级信号发生电路321和监视电路322。灰度等级信号发生电路321中包含D/A转换器。通过上述的方式，驱动信号发生电路31内的锁存电路中保持的1行份的数据信号DA，被灰度等级信号发生电路321内的D/A转换器转换为模拟电压。该转换后的模拟电压被施加到输出部33内的输出电路330。监视电路322中包含A/D转换器。监视电路322内的A/D转换器中，出现在监视线M且表示TFT特性和OLED特性的模拟电压，被转换为作为数字信号的监视数据MO。该监视数据MO经由驱动信号发生电路31被供给到控制电路20。其中，对于监视电路322的详细说明在后面叙述。
输出部33内的输出电路330，将从信号转换电路32内的灰度等级信号发生电路321供给的模拟电压经由缓冲器作为数据电压施加到数据线S。另外，输出部33内的输出电路330基于切换控制信号SW进行监视线M的连接对象的切换。其中，对此的详细说明在后面叙述。
偏移存储器51和增益存储器52存储从外部送来的在视频信号的修正中使用的修正数据。详细来说，偏移存储器51存储偏移值作为修正数据，增益存储器52存储增益值作为修正数据。其中，典型来说，与显示部10内的像素的数量相等的数量的偏移值和增益值分别被存储到偏移存储器51和增益存储器52。另外，例如在控制电路20内设置有用于暂时保持偏移值的缓冲存储器(以下称为“偏移值用缓冲”)和用于暂时保持增益值的缓冲存储器(以下称为“增益值用缓冲”)。另外，控制电路20基于从源极驱动器30供给的监视数据MO，对偏移存储器51内的偏移值和增益存储器52内的增益值进行更新。另外，控制电路20读出存储于偏移存储器51中的偏移值和存储于增益存储器52中的增益值进行视频信号的修正。由该修正得到的数据，作为数据信号DA被送到源极驱动器30。
＜1.2像素电路和监视电路的结构＞
图7是表示像素电路11和监视电路322的结构的图。其中，图7所示的像素电路11为i行j列的像素电路11。该像素电路11包括：1个有机EL元件OLED、3个晶体管T1～T3和1个电容器Cst。晶体管T1作为选择像素的输入晶体管发挥功能，晶体管T2作为控制对有机EL元件OLED的电流供给的驱动晶体管发挥功能，晶体管T3作为控制是否检测TFT特性和OLED特性的监视控制晶体管发挥功能。
晶体管T1设置于数据线S(j)与晶体管T2的栅极端子之间。关于该晶体管T1，栅极端子与扫描线G1(i)连接，源极端子与数据线S(j)连接。晶体管T2与有机EL元件OLED串联设置。关于该晶体管T2，栅极端子与晶体管T1的漏极端子连接，漏极端子与高电平电源线ELVDD连接，源极端子与有机EL元件OLED的阳极端子连接。关于晶体管T3，栅极端子与监视控制线G2(i)连接，漏极端子与有机EL元件OLED的阳极端子连接，源极端子与监视线M(j)连接。关于电容器Cst，一端与晶体管T2的栅极端子连接，另一端与晶体管T2的源极端子连接。有机EL元件OLED的阴极端子，与低电平电源线ELVSS连接。
本实施方式中，像素电路11内的晶体管T1～T3全都为n沟道型。另外，本实施方式中，晶体管T1～T3采用氧化物TFT(将氧化物半导体用于沟道层的薄膜晶体管)。具体而言，采用由以铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和氧(O)为主成分的氧化物半导体即InGaZnOx(氧化铟镓锌)(以下称为“IGZO”，其中，“IGZO”为注册商标)形成沟道层的IGZO－TFT。其中，IGZO－TFT等氧化物TFT特别是在作为像素电路11中包含的n沟道型的晶体管采用时是有效的。但是，本发明并不排除p沟道型的氧化物TFT的使用。另外，也能够采用在沟道层中使用了IGZO以外的氧化物半导体的晶体管。例如在采用在沟道层中使用了包含铟、镓、锌、铜(Cu)、硅(Si)、锡(Sn)、铝(Al)、钙(Ca)、锗(Ge)和铅(Pb)中至少1个的氧化物半导体的晶体管的情况下也能够获得同样的效果。而且，本发明并不排除在沟道层中使用了氧化物半导体的晶体管以外的晶体管的使用。
如图7所示，监视电路322中包含电流测定部38和电压测定部39。本实施方式中，利用该监视电路322实现特性检测部。关于电流测定部38和电压测定部39与监视线M(j)的关系，基于从控制电路20供给到输出电路330的切换控制信号SW使电流测定部38和电压测定部39中的任意个与监视线M(j)连接。其中，图7中仅表示输出电路330的一部分结构。
图8是表示电流测定部38的一个结构例的图。该电流测定部38中包含运算放大器381、电容器382、开关383和A/D转换器384。关于运算放大器381，非反相输入端子与低电平电源线ELVSS连接，反相输入端子与监视线M连接。电容器382和开关383设置在运算放大器381的输出端子与监视线M之间。如上所述，该电流测定部38由积分电路构成。在这样的结构中，首先，根据控制时钟信号Sclk，开关383成为导通状态。由此，运算放大器381的输出端子－反相输入端子间成为短路状态，运算放大器381的输出端子和监视线M的电位与低电平电源线ELVSS的电位相等。在进行电流检测时，根据控制时钟信号Sclk，开关383成为截止状态。由此，起因于电容器382的存在，与在监视线M中流动的电流的大小相应地，运算放大器381的输出端子的电位发生变化。该电位的变化反映到从A/D转换器384输出的数字信号。而且，该数字信号作为监视数据MO从电流测定部38输出。
图9是表示电压测定部39的一个结构例的图。该电压测定部39中包含放大器391和A/D转换器392。在这样的结构中，在利用恒定电流源37使一定电流流到监视线M的状态下，节点393与低电平电源线ELVSS之间的电压被放大器391放大。然后，放大后的电压被A/D转换器392转换为数字信号。该数字信号作为监视数据MO从电压测定部39输出。
＜1.3驱动方法＞
接着，对本实施方式的驱动方法进行说明。如上所述，在本实施方式中，各帧中进行1行的TFT特性和OLED特性的检测。各帧中，进行用于对监视行进行TFT特性和OLED特性检测的动作(以下称为“特性检测动作”)，对非监视行进行通常动作。即，如果将进行第一行的TFT特性和OLED特性检测的帧定义为第(k+1)帧，则以图10所示的方式各行的动作推移。另外，当进行TFT特性和OLED特性检测时，用该检测结果进行偏移存储器51和增益存储器52的更新。然后，用存储于偏移存储器51和增益存储器52的修正数据进行视频信号的修正。
＜1.3.1像素电路的动作＞
＜1.3.1.1通常动作＞
各帧中，在非监视行进行通常动作。非监视行中包含的像素电路11中，在选择期间进行了基于与目标亮度对应的数据电压的写入之后，晶体管T1维持在截止状态。通过基于数据电压的写入，晶体管T2成为导通状态。晶体管T3维持在截止状态。如上所述，如图11中标记71所示的箭头所示，经由晶体管T2对有机EL元件OLED供给驱动电流。由此，有机EL元件OLED以与驱动电流相应的亮度发光。
＜1.3.1.2特性检测动作＞
各帧中，在监视行进行特性检测动作。图12是用于说明监视行中包含的像素电路11(设为i行j列的像素电路11)的动作的时序图。其中，图12中，将以第i行为监视行的帧的第i行的选择期间开始时刻作为基准表示“1帧期间”。关于监视行，如图12所示，在1帧期间，包含用于进行TFT特性的检测的期间(以下称为“TFT特性检测期间”)Ta、用于写入与黑色显示相当的数据的期间(以下称为“黑写入期间”)Tb、和用于使有机EL元件OLED发光的期间(以下称为“发光期间”)Tc。选择期间中的最开始的规定期间为TFT特性检测期间Ta，选择期间中的TFT特性检测期间Ta以外的期间为黑写入期间Tb。其中，本实施方式中，由TFT特性检测期间Ta实现第一期间，由黑写入期间Tb实现第二期间。
TFT特性检测期间Ta中，扫描线G1(i)和监视控制线G2(i)成为有源的状态。由此，晶体管T1和晶体管T3成为导通状态。另外，在TFT特性检测期间T1，用于检测TFT特性的参考电压Vref被施加到数据线S(j)。由此，进行参考电压Vref的写入，晶体管T2也成为导通状态。其结果是，如图13中标记72所示的箭头所示，流过晶体管T2的电流经由晶体管T3被输出到监视线M(j)。而且，在TFT特性检测期间Ta，根据切换控制信号SW，监视线M(j)与电流测定部38连接。由此，输出到监视线M(j)的电流(反向电流(sinkcurrent))由电流测定部38测定。通过以上的方式，在使晶体管T2的栅极－源极间的电压为规定的大小(参考电压Vref的大小)的状态下对流过该晶体管T2的漏极－源极间的电流的大小进行测定，检测TFT特性。
另外，本实施方式中，如图14所示，在TFT特性检测期间Ta作为参考电压Vref对数据线S(j)施加2种参考电压(第一参考电压Vref1和第二参考电压Vref2)。由此，检测基于第一参考电压Vref1的TFT特性和基于第二参考电压Vref2的TFT特性。
在黑写入期间Tb中，扫描线G1(i)维持为有源的状态，监视控制线G2(i)成为无源的状态。由此，晶体管T1维持为导通状态，晶体管T3成为截止状态。另外，在黑写入期间Tb，与黑色显示相当的电压Vblack被施加到数据线S(j)，晶体管T2成为截止状态。如上所述，在晶体管T2中不流过电流。另外，在黑写入期间Tb，对监视线M(j)施加“存储于偏移存储器51的偏移值与在TFT特性检测期间Ta求得的偏移值之差”(第一值)和“根据存储于增益存储器52的增益值和在TFT特性检测期间Ta求得的增益值计算的与发光电压相当的电压”(第二值)之和的电压。由此，与有机EL元件OLED的劣化的程度相应的电压在发光期间Tc之前被施加到监视线M(j)，发光期间Tc的充电时间的长度被缩短。
在发光期间Tc中，扫描线G1(i)成为无源的状态，监视控制线G2(i)成为有源的状态。在此，在发光期间Tc之前的黑写入期间Tb，进行基于与黑色显示相当的电压Vblack的写入，所以晶体管T2成为截止状态。另外，在用于检测发光期间Tc中的OLED特性的期间，监视线M(j)与电压测定部39连接，对监视线M(j)供给一定电流。由此，如图15中标记73所示的箭头所示，从监视线M(j)对有机EL元件OLED供给作为一定电流的数据电流。在该状态下，利用电压测定部39测定有机EL元件OLED的发光电压。如上所述，通过测定在对有机EL元件OLED供给一定的电流的状态下有机EL元件OLED的阳极的电压，检测OLED特性。
另外，在发光期间Tc供给到有机EL元件OLED的数据电流为一定电流。因此，在本实施方式中，为了进行期望的灰度等级显示，调整有机EL元件OLED发光的施加的长度。例如，将上述一定电流作为与白色显示相当的电流，灰度等级越高越延长发光时间，灰度等级越低越缩短发光时间。为了实现这一点，例如如图16所示，灰度等级越高越延长监视线M与电压测定部39连接的期间Tc1，灰度等级越低越延长监视线M与电流测定部38连接的期间Tc2。此时，基于根据存储于增益存储器52中的增益值与在TFT特性检测期间Ta求得的增益值之差求取的劣化修正系数，调整上述期间Tc1、Tc2的长度。如上所述，调整有机EL元件OLED发光的时间的长度，以使得1帧期间的发光电流的积分值成为与期望的灰度等级相当的值。换言之，根据目标亮度，调整将一定电流供给有机EL元件OLED的时间的长度。其中，如果1帧期间的发光电流的积分值为与期望的灰度等级相当的值，也可以在发光期间Tc中使电流值变化，测定多个动作点的特性(电流－电压特性)。另外，也可以使有机EL元件OLED发光的时间的长度一定，根据灰度等级使电流值变化。在这种情况下，可以基于根据存储于增益存储器52中的增益值与在TFT特性检测期间Ta求得的增益值之差求取的劣化修正系数，求取供给到监视线M的电流的大小。另外，在增益存储器52中存储有考虑了TFT特性和OLED特性两者的增益值，所以存储于增益存储器52的增益值与在TFT特性检测期间Ta求得的增益值之差成为表示OLED特性的值。
另外，本实施方式中，如图17所示，监视行的选择期间的长度比非监视行的选择期间的长度长。因此，监视行和非监视行，发光期间的长度不同。于是，进行数据电流的调整，以使得1帧期间的发光电流的积分值成为与期望的灰度等级相当的值。
另外，优选在作为目标的灰度等级为与黑色显示相当的灰度等级或与其接近的灰度等级时不进行OLED特性的检测。即，优选对于n行×m列的像素矩阵中的进行黑色或大致黑色的显示的像素不进行OLED特性的检测。由此，能够防止不必要的发光。有机EL元件OLED只要不发光就不会劣化，所以不需要检测特性。
＜1.3.2偏移存储器和增益存储器的更新＞
接着，对存储于偏移存储器51中的偏移值和存储于增益存储器52中的增益值以何种方式更新进行说明。图18是在中用于说明偏移存储器51和增益存储器52的更新的顺序的流程图。其中，在此着眼于与1个像素对应的偏移值和增益值。
首先，在TFT特性检测期间Ta的前半，进行基于第一参考电压Vref1的TFT特性的检测(步骤S110)。通过该步骤S110，求取用于修正视频信号的偏移值。步骤S110中求得的偏移值被存储到偏移值用缓冲中(步骤S120)。在TFT特性检测期间Ta的后半，进行基于第二参考电压Vref2的TFT特性的检测(步骤S130)。通过该步骤S130，求取用于修正视频信号的增益值。步骤S130中求得的增益值被存储到增益值用缓冲中(步骤S140)。
之后，在发光期间Tc进行OLED特性的检测(步骤S150)。通过该步骤S150，求取用于修正视频信号的偏移值和劣化修正系数。然后，存储于偏移值用缓冲中的偏移值和在步骤S150中求得的偏移值之和，作为新的偏移值被存储到偏移存储器51中(步骤S160)。另外，存储于增益值用缓冲中的增益值与在步骤S150中求得的劣化修正系数之积，作为新的增益值被存储到增益存储器52中(步骤S170)。
通过以上的方式，进行与1个像素对应的偏移值和增益值的更新。本实施方式中，对各帧进行1行的TFT特性和OLED特性的检测，所以每1帧进行偏移存储器51内的m个偏移值和增益存储器52内的m个增益值的更新。
其中，本实施方式中，根据基于步骤S110、步骤S130和步骤S150中的检测结果得到的数据(偏移值、增益值、劣化修正系数)实现特性数据。
另外，如上所述，在发光期间Tc进行有机EL元件OLED的发光电压的测定。作为其测定结果的检测电压越大，有机EL元件OLED的劣化程度越大。因此，进行偏移存储器51和增益存储器52的更新，以使得检测电压越大，偏移值越大且增益值越大。
＜1.3.3视频信号的修正＞
本实施方式中，为了补偿驱动晶体管的劣化和有机EL元件OLED的劣化，使用存储于偏移存储器51和增益存储器52中的修正数据，进行从外部送来的视频信号的修正。以下对视频信号的该修正进行说明。
从外部送来的视频信号的修正，在控制电路20内的视频信号修正部(未图示)进行。图19是表示视频信号修正部的结构的图。视频信号修正部包括LUT211、乘法部212和加法部213。在这种结构中，以如下的方式对与各像素对应的视频信号的值进行修正。
首先，用LUT211对从外部送来的视频信号实施γ校正。即，通过γ校正将视频信号所示的灰度等级P转换为控制电压Vc。乘法部212接收控制电压Vc和从增益存储器52读出的增益值B，输出将它们相乘得到的值“Vc·B”。加法部213接收从乘法部212输出的值“Vc·B”和从偏移存储器51读出的偏移值Vt，输出将它们相加得到的值“Vc·B+Vt”。将以如上方式得到的值“Vc·B+Vt”作为数据信号DA从控制电路20送到源极驱动器30。
＜1.3.4驱动方法的总结＞
图1是用于说明TFT特性和OLED特性的检测关联的动作的概略的流程图。首先，在监视行中，在TFT特性检测期间Ta进行TFT特性的检测(步骤S10)。接着，在监视行中，在发光期间Tc进行OLED特性的检测(步骤S20)。之后，使用步骤S10和步骤S20中的检测结果进行偏移存储器51和增益存储器52的更新。然后，用存储于偏移存储器51和增益存储器52的修正数据进行从外部送来的视频信号的修正(步骤S40)。
另外，在本实施方式中，通过步骤S10实现第一特性检测步骤，通过步骤S20实现第二特性检测步骤，通过步骤S30实现修正数据存储步骤，通过步骤S40实现视频信号修正步骤。另外，通过步骤S10的处理实现第一特性检测处理，通过步骤S20实现第二特性检测处理。
＜1.4效果＞
根据本实施方式，各帧中，进行1行的TFT特性和OLED特性的检测。当着眼于监视行时，在1帧期间，在选择期间中的一部分的期间(TFT特性检测期间Ta)进行TFT特性的检测，在发光期间中进行OLED特性的检测。然后，使用考虑了TFT特性的检测结果和OLED特性的检测结果两者而求得的修正数据(偏移值和增益值)，对从外部送来的视频信号进行修正。基于通过这样的方式修正后的视频信号(上述数据信号DA)的数据电压被施加到数据线S，所以当使各像素电路11内的有机EL元件OLED发光时，驱动晶体管的劣化和有机EL元件OLED的劣化被补偿那样的大小的驱动电流被供给到有机EL元件OLED(参照图20)。在此，OLED特性的检测如上所述在发光期间中进行。因此，为了检测TFT特性和OLED特性，发光期间的长度不比现有技术短。如上所述，根据本实施方式，在有机EL显示装置中进行驱动晶体管的劣化和有机EL元件OLED的劣化两者的特性检测时不进行特别的发光就能够同时进行补偿。
另外，本实施方式中，像素电路11内的晶体管T1～T3采用氧化物TFT(具体而言为IGZO－TFT)，所以能够获得能够确保充分的S/N比的效果。以下对这一点进行说明。将IGZO－TFT与LTPS(LowTemperaturePolysilicon)－TFT进行比较，则IGZO－TFT的截止电流相比LTPS－TFT的截止电流极小。例如在像素电路11内的晶体管T3采用LTPS－TFT的情况下，截止电流为最大1pA程度。与之相对地，在像素电路11内的晶体管T3采用IGZO－TFT的情况下，截止电流为最大10fA程度。因此，例如1000行份的截止电流，在采用LTPS－TFT的情况下为最大1nA程度，在采用IGZO－TFT的情况下为最大10pA程度。检测电流不论在采用哪个的情况下都为10～100nA程度。然而，监视线M不仅与监视行的像素电路11连接也与非监视行的像素电路11连接。因此，监视线M的S/N比依赖于非监视行的晶体管T3的漏泄电流的合计。具体而言，监视线M的S/N比用“检测电流/(漏泄电流×非监视行的行数)”表示。如上所述，例如在具有“LandscapeFHD”的显示部10的有机EL显示装置中，在采用LTPS－TFT的情况下S/N比为10程度，而在采用IGZO－TFT的情况下S/N比为1000程度。像这样，在本实施方式中，在进行电流检测时能够确保充分的S/N比。
＜1.5变形例＞
以下对上述第一实施方式的变形例进行说明。另外，以下仅对与第一实施方式不同的点进行说明，对于与第一实施方式同样的点省略说明。
＜1.5.1第一变形例＞
图21是表示的第一实施方式的第一变形例的有源矩阵型的有机EL显示装置2的整体结构的框图。本变形例中，替代第一实施方式的偏移存储器51和增益存储器52，设置有TFT用偏移存储器51a、OLED用偏移存储器51b、TFT用增益存储器52a和OLED用增益存储器52b。即，本变形例中，偏移存储器和增益存储器分别被分为用于补偿驱动晶体管的劣化的存储器和用于补偿有机EL元件OLED的劣化的存储器。
TFT用偏移存储器51a存储基于TFT特性的检测结果的偏移值。OLED用偏移存储器51b存储基于OLED特性的检测结果的偏移值。TFT用增益存储器52a存储基于TFT特性的检测结果的增益值。OLED用增益存储器52b存储基于OLED特性的检测结果的劣化修正系数。
关于特性检测动作(图12)，本变形例中，在黑写入期间Tb，对监视线M施加“存储于OLED用偏移存储器51b的偏移值”与“根据存储于OLED用增益存储器52b的劣化修正系数计算的与发光电压相当的电压”之和的电压。另外，有机EL元件OLED的发光时间的长度，基于存储于OLED用增益存储器52b中的劣化修正系数进行调整。在采用使有机EL元件OLED的发光时间一定而根据灰度等级使电流值变化的结构的情况下，可以基于存储于OLED用增益存储器52b中的劣化修正系数，求取供给到监视线M的电流的大小。
接着，对本变形例的偏移存储器和增益存储器的更新进行说明。图22是用于说明TFT用偏移存储器51a、OLED用偏移存储器51b、TFT用增益存储器52a和OLED用增益存储器52b的更新的顺序的流程图。其中，在此着眼于与1个像素对应的偏移值和增益值。
首先，在TFT特性检测期间Ta的前半，进行基于第一参考电压Vref1的TFT特性的检测(步骤S210)。通过该步骤S210，求取用于修正视频信号的偏移值。然后，步骤S210中求得的偏移值作为新的偏移值被存储到TFT用偏移存储器51a中(步骤S220)。在TFT特性检测期间Ta的后半，进行基于第二参考电压Vref2的TFT特性的检测(步骤S230)。通过该步骤S230，求取用于修正视频信号的增益值。然后，步骤S230中求得的增益值作为新的增益值被存储到TFT用增益存储器52a中(步骤S240)。之后，在发光期间Tc进行OLED特性的检测(步骤S250)。通过该步骤S250，求取用于修正视频信号的偏移值和劣化修正系数。然后，步骤S250中求得的偏移值作为新的偏移值被存储到OLED用偏移存储器51b中(步骤S260)。然后，步骤S250中求得的劣化修正系数作为新的劣化修正系数被存储到OLED用增益存储器52b中(步骤S270)。本变形例中，通过如上所述的方式进行偏移存储器和增益存储器的更新。
接着，对本变形例的效果进行说明。关于特性检测动作(图12)，在假设黑写入期间Tb监视线M的电位与低电平电源线ELVSS的电位相等的情况下，发光期间Tc的写入时因监视线M的电容而会产生延迟。设有机EL元件的发光电压与即将写入前的监视线M的电位之差为Vd，写入到监视线M的电流的大小为i_L，监视线M的负载为Cmp时，充电所需的时间t_charge用下式(1)表示。
t_charge＝Cmp·Vd/i_L……(1)
在此，如果Vd为3V，i_L为10nA，Cmp为30pF，则充电所需时间t_charge为9毫秒。驱动频率为60Hz时，1帧期间的长度为约16毫秒，所以为了充电耗费1帧期间的一半以上的期间。关于这一点，本变形例中，在黑写入期间Tb，对监视线M施加“存储于OLED用偏移存储器51b的偏移值”与“根据存储于OLED用增益存储器52b的劣化修正系数计算的与发光电压相当的电压”之和的电压。即，在发光期间Tc之前，预先对监视线M充电以使得监视线M的电位成为与有机EL元件OLED的发光阈值接近的电位。由此，上述(1)的Vd变小，充电所需的时间缩短。
另外，根据本变形例，在进行监视行的特性检测动作时，在发光期间Tc从监视线M供给到有机EL元件OLED的电流基于存储于OLED用增益存储器52b中的劣化修正系数进行调整。即，根据有机EL元件OLED的劣化程度进行电流调整，所以电流效率的下降被补偿。其中，在进行非监视行的通常动作时，进行考虑了驱动晶体管的劣化和有机EL元件OLED的劣化两者的补偿。
而且，本变形例中，偏移存储器和增益存储器分别被分为用于补偿驱动晶体管的劣化的存储器和用于补偿有机EL元件OLED的劣化的存储器。因此，能够仅考虑有机EL元件OLED的劣化来调整供给到有机EL元件的电流。此时，如图23所示，通过与劣化最少的像素的劣化水平相应地增加电流，能够对残影进行补偿。
＜1.5.2第二变形例＞
上述第一实施方式中，如图7所示，监视线M与电流测定部38或电压测定部39连接。但是，本发明并不限定于此，也能够采用能够使监视线M处于高阻抗的状态的结构(本变形例的结构)。
图24是表示本变形例的监视线M的一端部附近的结构的图。根据图24可知，本变形例中，根据切换控制信号SW，监视线M处于与电流测定部38连接的状态、与电压测定部39连接的状态和高阻抗的状态中的任意状态。
另外，在第一实施方式中，关于发光期间Tc(参照图12)的有机EL元件OLED的发光时间的长度的调整，如图16所示，灰度等级越高越延长监视线M与电压测定部39连接的期间Tc1，灰度等级越低越延长监视线M与电流测定部38连接的期间Tc2。对此，根据本变形例，替代将监视线M与电流测定部38连接，能够使监视线M处于高阻抗的状态。
＜1.5.3第三变形例＞
上述第一实施方式中，以在每1列设置有包括电流测定部38和电压测定部39的1个监视电路322为前提进行了说明。但是，本发明并不限定于此，也采用能够多列共用1个监视电路322的结构(本变形例的结构)。
本变形例中，与上述第二变形例(参照图24)同样，监视线M处于与电流测定部38连接的状态、与电压测定部39连接的状态和高阻抗的状态中的任意状态。另外，本变形例中，监视线M的一端部附近为图25所示的结构。即，在K根监视线M每根上设置有1个监视电路322。
在如上所述的结构中，各帧中，仅与上述K根监视线M对应的K个列中的1个列成为进行TFT特性和OLED特性检测的列(以下称为“特性检测对象列”)。在进行监视行的特性检测动作时，特性检测对象列以外的列的监视线M，维持为高阻抗的状态。另外，在进行监视行的特性检测动作时，特性检测对象列以外的列中，对数据线D不是施加参考电压Vref而是施加通常的数据电压(与目标亮度对应的电压)。发光期间Tc中，监视行中晶体管T3为导通状态，而特性检测对象列以外的列中监视线M为高阻抗的状态。因此，在特性检测对象列以外的列中，在监视线M不流过电流，在有机EL元件OLED流过电流，与通常动作同样地，有机EL元件OLED发光。监视行中的特性检测对象列进行上述的特性检测动作。
例如，在具有“LandscapeFHD”的显示部10且驱动频率为60Hz的有机EL显示装置中，每1列监视(TFT特性和OLED特性的检测)所需的时间为18秒(＝1080/60)。在此，为了将与各像素对应的偏移值和增益值例如按每30分钟(1800秒)进行更新，按每100根监视线M设置1个监视电路322即可。
如上所述，根据本变形例，在有机EL显示装置中，能够抑制电路面积的增大，并且进行驱动晶体管的劣化和有机EL元件OLED的劣化两者的特性检测时不进行特别的发光就能够同时进行补偿。
＜1.5.4第四变形例＞
根据上述第一实施方式，当反复进行有机EL显示装置1的短时间运转时，在显示部10的上方的行与显示部10的下方的行之间，TFT特性和OLED特性的检测次数产生较大的差异。于是，本变形例的有机EL显示装置3中，如图26所示，在控制电路20内设置有用于存储监视行的监视行存储部201。在这样的结构中，当电源断开时，在监视行存储部201中存储用于确定最后进行了TFT特性和OLED特性的检测的行的信息。通过该处理实现监视区域存储步骤。电源导通后，从基于存储于监视行存储部201中的信息确定的行的下一行起进行TFT特性和OLED特性的检测。其中，本实施方式中，利用监视行存储部201实现监视区域存储部。
如上所述，根据本变形例，能够防止显示部10的上方的行与显示部10的下方的行之间TFT特性和OLED特性的检测次数产生差异的情况。因此，能够在画面整体对驱动晶体管的劣化和有机EL元件OLED的劣化进行一样的补偿，能够有效防止亮度偏差的发生。
其中，电源导通后最开始进行TFT特性和OLED特性检测的行，并不限定于基于存储于监视行存储部201中的信息确定的行的下一行，也可以是基于存储于监视行存储部201中的信息确定的行的附近的行。例如也可以存在在电源即将导通前和电源刚导通后重复进行特性检测动作的行。
另外，也可以存储用于确定最后进行了TFT特性和OLED特性的检测的列的信息，也可以存储用于确定最后进行了TFT特性和OLED特性的检测的行和列两者的信息。
＜1.5.5第五变形例＞
图27是用于说明有机EL元件的电流－电压特性的温度依赖性的图。图27表示温度TE1的有机EL元件的电流－电压特性、温度TE2的有机EL元件的电流－电压特性、和温度TE3的有机EL元件的电流－电压特性。其中，“TE1>TE2>TE3”。根据图27可知，为了对有机EL元件供给规定的电流，需要使得温度越低电压越高。像这样，有机EL元件的电流－电压特性依赖于温度。于是，优选采用能够补偿温度变化的结构(本变形例的结构)。
图28是表示本变形例的有机EL显示装置4的整体结构的框图。本变形例中，在上述第一实施方式的构成要素的基础上，还设置有温度传感器60。另外，在控制电路20设置有温度变化补偿部202。温度传感器60随时将测定温度的结果即温度信息TE供给到控制电路20。温度变化补偿部202对从源极驱动器30供给的监视数据MO实施基于温度信息TE的修正。详细来说，温度变化补偿部202将与检测时的温度对应的监视数据MO的值转换为与某个标准温度对应的值，基于该转换而得到的值更新偏移存储器51内的偏移值和增益存储器52内的增益值。
其中，通过温度传感器60的处理实现温度检测步骤，通过温度变化补偿部202的处理实现温度变化补偿步骤。
图29是在中用于说明本变形例的偏移存储器51和增益存储器52的更新的顺序的流程图。其中，本变形例(图29)的步骤S310～步骤S350的处理与上述第一实施方式(图18)的步骤S110～步骤S150的处理相同，本变形例(图29)的步骤S360～步骤S370与上述第一实施方式(图18)的步骤S160～步骤S170的处理相同。本变形例中，在进行OLED特性的检测之后，进行偏移值和增益值的更新之前，基于由温度传感器60供给的温度信息TE，对偏移值和增益值实施修正(步骤S355)。
如上所述，根据本变形例，从外部送来的视频信号根据考虑了温度变化的修正数据(偏移值和增益值)而被修正。因此，在有机EL显示装置中，能够与温度的变化无关地对驱动晶体管的劣化和有机EL元件OLED的劣化两者同时进行补偿。
＜1.5.6第六变形例＞
上述第一实施方式中，通过测定在对有机EL元件OLED供给一定的电流的状态下有机EL元件OLED的阳极的电压，进行OLED特性的检测。但是，本发明并不限定于此，也可以采用通过测定在对有机EL元件OLED供给一定的电压的状态下在有机EL元件OLED中流动的电流，进行OLED特性的检测的结构(本变形例的结构)。
本变形例中，TFT特性的检测和OLED特性的检测也都通过测定电流来进行。因此，不需要在监视电路内设置用于测定电压的构成要素。因此，本变形例中，监视电路的结构与上述第一实施方式不同。图30是表示本变形例的监视电路323的详细结构的图。该监视电路323中包含：运算放大器3231、电容器3232、第一开关3233、第二开关3234、偏移和放大率调整部3235和A/D转换器3236。关于运算放大器3231，非反相输入端子与第二开关3234连接，反相输入端子与监视线M连接。电容器3232和第一开关3233设置在运算放大器3231的输出端子与监视线M之间。偏移和放大率调整部3235设置在运算放大器3231的输出端子与A/D转换器3236之间。第二开关3234作为用于将运算放大器3231的非反相输入端子的电位在低电平电源线ELVSS的电位与OLED特性检测用的电位Vel之间进行切换的开关发挥功能。如上所述，该监视电路323由积分电路构成。另外，OLED特性检测用的电位Vel，是与“存储于偏移存储器51的偏移值与在TFT特性检测期间Ta求得的偏移值之差”(第一值)和“根据存储于增益存储器52的增益值和在TFT特性检测期间Ta求得的增益值计算的与发光电压相当的电压”第二值之和相当的电位。
在如上所述的结构中，为了检测TFT特性而进行电流测定时，在根据第二控制时钟信号Sclk2使运算放大器3231的非反相输入端子的电位成为低电平电源线ELVSS的电位的状态下进行与上述第一实施方式同样的动作。在为了检测OLED特性而进行电流测定时，首先，根据第二控制时钟信号Sclk2使运算放大器3231的非反相输入端子的电位成为OLED特性检测用的电位Vel，并且根据第一控制时钟信号Sclk1使第一开关3233成为导通状态。由此，运算放大器3231的输出端子－反相输入端子间成为短路状态，监视线M的电位与OLED特性检测用的电位Vel相等。然后，根据控制时钟信号Sclk1使第一开关3233成为截止状态。由此，起因于电容器3232的存在，与在监视线M中流动的电流(供给到有机EL元件OLED的源极电流)的大小相应地，运算放大器3231的输出端子的电位发生变化。该电位的变化反映到从A/D转换器3236输出的数字信号。而且，该数字信号作为监视数据MO从监视电路323输出。其中，偏移和放大率调整部3235具有在进行TFT特性检测时和进行OLED特性检测时使向A/D转换器3236的输入电平相同的功能。
本变形例中，如上所述，通过测定在对有机EL元件OLED供给一定的电压的状态下在有机EL元件OLED流动的电流，进行OLED特性的检测。由此，能够缩短测定时间。
此时，供给到有机EL元件OLED的一定的电压的大小，可以基于根据存储于增益存储器52中的增益值与在TFT特性检测期间Ta求得的增益值之差求取的劣化修正系数求取。另外，在替代偏移存储器51和增益存储器52，设置有TFT用偏移存储器51a、OLED用偏移存储器51b、TFT用增益存储器52a和OLED用增益存储器52b的情况下(参照第一变形例)，也可以基于存储于OLED用增益存储器52b中的劣化修正系数求取供给有机EL元件OLED的一定的电压的大小。
另外，在进行OLED特性的检测时，优选根据目标亮度，调整将一定电压供给有机EL元件OLED的时间的长度。其中，如果1帧期间的发光电流的积分值为与期望的灰度等级相当的值，也可以在发光期间Tc中使电压值变化，测定多个动作点的特性(电流－电压特性)。
＜2.1第二实施方式＞
＜2.1整体结构＞
图31是表示本发明的第二实施方式的有源矩阵型的有机EL显示装置5的整体结构的框图。如图31所示，本实施方式中，在显示部10a中，除了m根数据线S(1)～S(m)、m根监视线M(1)～M(m)、n根扫描线G1(1)～G1(n)、n根监视控制线G2(1)～G2(n)还设置有n根高电平电源控制线G3(1)～G3(n)。扫描线G1(1)～G1(n)、监视控制线G2(1)～G2(n)相互平行和高电平电源控制线G3(1)～G3(n)相互平行。其中，以下在不需要对n根高电平电源控制线G3(1)～G3(n)进行彼此区分的情况下仅将高电平电源控制线用标记G3表示。关于控制电路20和源极驱动器30，由于与上述第一实施方式相同，所以省略说明。
本实施方式的栅极驱动器40a，与n根扫描线G1(1)～G1(n)、n根监视控制线G2(1)～G2(n)和n根高电平电源控制线G3(1)～G3(n)连接。栅极驱动器40a由移位寄存器和逻辑电路等构成。另外，本实施方式中，与上述第一实施方式不同，在各帧中进行1行的TFT特性的检测和1行的OLED特性的检测中的任意检测。其中，关于本实施方式，将进行TFT特性的检测或OLED特性的检测的行称为“监视行”。另外，以下将进行TFT特性的检测的帧称为“TFT特性检测帧”，将进行OLED特性的检测的帧称为“OLED特性检测帧”。
本实施方式中，当在某帧中进行第一行的OLED特性的检测时，在下一帧中进行第二行的OLED特性的检测，在下下帧中进行第三行的OLED特性的检测。之后，依次进行第四～n行的OLED特性的检测。在进行了第n行的OLED特性的检测之后，进行第一行的TFT特性的检测。然后，依次进行第二～n行的TFT特性的检测。像这样TFT特性的检测和OLED特性的检测在不同的帧进行。但是，驱动扫描线G1、监视控制线G2和高电平电源控制线G3以使得在TFT特性检测帧和OLED特性检测帧中栅极驱动器40a相同。
在此，如果将进行第一行的OLED特性的检测的帧定义为第(k+1)帧，则n根扫描线G1(1)～G1(n)、n根监视控制线G2(1)～G2(n)和n根高电平电源控制线G3(1)～G3(n)，在第(k+1)帧以图32所示的方式被驱动，在第(k+2)帧以图33所示的方式被驱动，在第(k+n)帧以图34所示的方式被驱动。进行TFT特性的检测的帧也同样。根据图32～图34可知，各帧中，选择期间(扫描线G1为有源的状态的期间)的长度在全部行中都相同。即，本实施方式中，不论是否为监视行，选择期间的长度都为一定。另外，各帧中，与非监视行对应的监视控制线G2维持无源的状态。关于与监视行对应的监视控制线G2，在选择期间开始时刻起至经过该1帧期间成为有源的状态。而且，各帧中，与非监视行对应的高电平电源控制线G3维持有源的状态。关于与监视行对应的高电平电源控制线G3，在选择期间开始时刻起至经过该1帧期间成为无源的状态。本实施方式中，如上所述构成栅极驱动器40a，以驱动n根扫描线G1(1)～G1(n)、n根监视控制线G2(1)～G2(n)和n根高电平电源控制线G3(1)～G3(n)。
而且，本实施方式中，与上述第一实施方式的第一变形例同样，偏移存储器和增益存储器分别被分为用于补偿驱动晶体管的劣化的存储器和用于补偿有机EL元件OLED的劣化的存储器。即，在该有机EL显示装置5中，作为用于存储从外部送来的视频信号的修正所用的修正数据的构成要素，设置有TFT用偏移存储器51a、OLED用偏移存储器51b、TFT用增益存储器52a和OLED用增益存储器52b。
＜2.2像素电路和监视电路的结构＞
图35是表示本实施方式的像素电路11a和监视电路322的结构的图。其中，图35所示的素电路11a为i行j列的像素电路11。对于监视电路322的结构，因为与上述第一实施方式同样，所以省略说明。但是，在本实施方式中，当监视线M与电流测定部38连接时对监视线M供给高电平电源电压ELVDD。
该像素电路11a包括：1个有机EL元件OLED、4个晶体管T1～T4和1个电容器Cst。晶体管T1作为选择像素的输入晶体管发挥功能，晶体管T2作为控制对有机EL元件OLED的电流供给的驱动晶体管发挥功能，晶体管T3作为控制是否检测TFT特性和OLED特性的监视控制晶体管发挥功能，晶体管T4作为控制来自高电平电源线ELVDD的驱动电流的供给的高电平电源控制晶体管发挥功能。
晶体管T1设置于数据线S(j)与晶体管T2的栅极端子之间。关于该晶体管T1，栅极端子与扫描线G1(i)连接，源极端子与数据线S(j)连接。晶体管T2与有机EL元件OLED串联设置。关于该晶体管T2，栅极端子与晶体管T1的漏极端子连接，漏极端子与晶体管T4的源极端子连接，源极端子与有机EL元件OLED的阳极端子连接。关于晶体管T3，栅极端子与监视控制线G2(i)连接，漏极端子与晶体管T2的漏极端子连接，源极端子与监视线M(j)连接。晶体管T4与有机EL元件OLED串联设置。关于该晶体管T4，栅极端子与高电平电源控制线G3(i)连接，漏极端子与高电平电源线ELVDD的线连接，源极端子与晶体管T2的漏极端子连接。关于电容器Cst，一端与晶体管T2的栅极端子连接，另一端与晶体管T2的源极端子连接。有机EL元件OLED的阴极端子，与低电平电源线ELVSS连接。晶体管T1～T4采用例如IGZO－TFT等氧化物TFT(将氧化物半导体用于沟道层的薄膜晶体管)。但是，本发明并不排除氧化物TFT以外的晶体管使用。
＜2.3驱动方法＞
接着，对本实施方式的驱动方法进行说明。如上所述，本实施方式中，在各帧中进行1行的TFT特性的检测和1行的OLED特性的检测中的任意检测。各帧中，进行用于对监视行进行TFT特性检测的动作(以下称为“TFT特性检测动作”)和OLED特性检测的动作(以下称为“OLED特性检测动作”)中的任意动作，对非监视行进行通常动作。即，如果将进行第一行的OLED特性检测的帧定义为第(k+1)帧，则以图36所示的方式各行的动作推移。其中，从第(k+1)帧至第(k+n)帧，不论在哪一行都不进行TFT特性检测动作。另外，从第(k+n+1)帧至第(k+2n)帧，不论在哪一行都不进行OLED特性检测动作。
＜2.3.1像素电路的动作＞
＜2.3.1.1通常动作＞
各帧中，在非监视行进行通常动作。非监视行中包含的像素电路11a中，在选择期间进行了基于与目标亮度对应的数据电压的写入之后，晶体管T1维持在截止状态。通过基于数据电压的写入，晶体管T2成为导通状态。晶体管T3维持在截止状态，晶体管T4维持在导通状态。如上所述，如图37中标记74所示的箭头所示，经由晶体管T4和晶体管T2对有机EL元件OLED供给驱动电流。由此，有机EL元件OLED以与驱动电流相应的亮度发光。
＜2.3.1.2OLED特性检测动作＞
下面，对OLED特性检测动作进行说明。图38是用于说明监视行中包含的像素电路11a(设为i行j列的像素电路11a)的OLED特性检测动作的时序图。其中，图38中，将以第i行为监视行的帧的第i行的选择期间开始时刻作为基准表示“1帧期间”。如图38所示，1帧期间中包含选择期间Tp和发光期间Tq。
选择期间Tp中，扫描线G1(i)和监视控制线G2(i)成为有源的状态。由此，晶体管T1和晶体管T3成为导通状态。另外，选择期间Tp中，高电平电源控制线G3(i)成为无源的状态。由此晶体管T4成为截止状态。而且，用于使晶体管T2线性动作的高电压Vlen在选择期间Tp被施加到数据线S(j)。由此，进行基于该高电压Vlen的写入，晶体管T2也成为导通状态。
当处于发光期间Tq时，扫描线G1(i)成为无源的状态。由此晶体管T1成为截止状态。另外，在发光期间Tq中，监视控制线G2(i)维持为有源的状态，高电平电源控制线G3(i)维持为无源的状态。由此，晶体管T3维持为导通状态，晶体管T4维持为截止状态。另外，在发光期间Tq之前的选择期间Tp，进行基于高电压Vlen的写入，所以晶体管T2成为导通状态。进而，在用于检测发光期间Tq中的OLED特性的期间，监视线M(j)与电压测定部39连接，对监视线M(j)供给一定电流。由此，如图39中标记75所示的箭头所示，从监视线M(j)对有机EL元件OLED供给作为一定电流的数据电流。在该状态下，利用电压测定部39测定有机EL元件OLED的发光电压。通过这样的方式，进行OLED特性的检测。另外，为了进行期望的灰度等级显示，与上述第一实施方式同样，进行调整有机EL元件OLED的发光时间的长度的处理和根据灰度等级使电流值变化的处理。
＜2.3.1.3TFT特性检测动作＞
下面，对TFT特性检测动作进行说明。图40是用于说明监视行中包含的像素电路11a(设为i行j列的像素电路11a)的TFT特性检测动作的时序图。
选择期间Tp中，扫描线G1(i)和监视控制线G2(i)成为有源的状态。由此，晶体管T1和晶体管T3成为导通状态。另外，选择期间Tp中，高电平电源控制线G3(i)成为无源的状态。由此晶体管T4成为截止状态。进而，在选择期间Tp，与通常动作时同样的数据电压被施加到数据线S(j)。通过基于数据电压的写入，晶体管T2成为导通状态。
当处于发光期间Tq时，扫描线G1(i)成为无源的状态。由此晶体管T1成为截止状态。另外，在发光期间Tq中，监视控制线G2(i)维持为有源的状态，高电平电源控制线G3(i)维持为无源的状态。由此，晶体管T3维持为导通状态，晶体管T4维持为截止状态。另外，在发光期间Tq之前的选择期间Tp，进行基于数据电压的写入，所以晶体管T2成为导通状态。而且，在发光期间Tq，根据切换控制信号SW，监视线M(j)与电流测定部38连接。此时监视线M(j)的电位成为高电平电源线ELVDD的电位，所以如图41中标记76的箭头所示，与数据电压相应的驱动电流从监视线M(j)被供给到有机EL元件OLED。此时，利用电流测定部38测定从监视线M(j)供给到有机EL元件OLED的电流。通过这样的方式，进行TFT特性的检测。
＜2.3.2偏移存储器和增益存储器的更新＞
接着，对本实施方式的偏移存储器和增益存储器的更新进行说明。图42是用于说明TFT用偏移存储器51a、OLED用偏移存储器51b、TFT用增益存储器52a和OLED用增益存储器52b的更新的顺序的流程图。其中，在此着眼于与1个像素对应的偏移值和增益值。另外，根据图36可知，本实施方式中，着眼于任意1个像素时，TFT特性的检测在进行了OLED特性的检测的帧的n帧后进行。于是，在此，在第K帧进行OLED特性的检测，在第(K+n)帧进行TFT特性的检测。
首先，在第K帧中，在发光期间Tq进行OLED特性的检测(步骤S410)。通过该步骤S410，求取用于修正视频信号的偏移值和劣化修正系数。然后，步骤S410中求得的偏移值作为新的偏移值被存储到OLED用偏移存储器51b中(步骤S420)。另外，步骤S410中求得的劣化修正系数作为新的劣化修正系数被存储到OLED用增益存储器52b中(步骤S430)。之后，在第(K+n)帧中，在发光期间Tq进行TFT特性的检测(步骤S440)。通过该步骤S440，求取用于修正视频信号的偏移值和增益值。然后，步骤S440中求得的偏移值作为新的偏移值被存储到TFT用偏移存储器51a中(步骤S450)。另外，步骤S440中求得的增益值作为新的增益值被存储到TFT用增益存储器52a中(步骤S460)。
通过以上的方式，进行与1个像素对应的偏移值和增益值的更新。本实施方式中，在各帧中进行1行的OLED特性的检测和1行的TFT特性的检测中的任意检测。因此，在进行OLED特性的检测的帧中每1帧进行OLED用偏移存储器51b内的m个偏移值和OLED用增益存储器52b内的m个劣化修正系数的更新，在进行TFT特性的检测的帧中每1帧进行TFT用偏移存储器51a内的m个偏移值和TFT用增益存储器52a内的m个增益值的更新。
＜2.3.3视频信号的修正＞
关于从外部送来的视频信号的修正，供给图19所示的乘法部212的增益值B和供给图19所示的加法部213的偏移值Vt与上述第一实施方式不同。本实施方式中，从TFT用增益存储器52a读出的值和从OLED用增益存储器52b读出的值之积作为增益值B被供给到乘法部212，从TFT用偏移存储器51a读出的值和从OLED用偏移存储器51b读出的值之积作为偏移值Vt被供给到加法部213。在这样的前提下，视频信号所示的灰度等级P被修正为“Vc·B+Vt”。其中，Vc为灰度等级P的γ校正后的控制电压的值。
＜2.4效果＞
根据本实施方式，关于各像素，在每n帧(n为构成像素矩阵的行的数量)交替地进行OLED特性的检测和TFT特性的检测。然后，与上述第一实施方式同样，使用考虑了OLED特性的检测结果和TFT特性的检测结果两者而求得的修正数据(偏移值和增益值)，对从外部送来的视频信号进行修正。因此，当使各像素电路11a内的有机EL元件OLED发光时，驱动晶体管的劣化和有机EL元件OLED的劣化被补偿那样的大小的驱动电流被供给到有机EL元件OLED。在此，本实施方式中，OLED特性的检测和TFT特性的检测都在发光期间中进行。因此，这些特性的检测与在选择期间中进行的结构不同，不需要使监视行的选择期间变长。因此，能够确保充分长的发光期间。另外，能够防止因行不同而选择期间的长度产生偏差。如上所述，根据本实施方式，在有机EL显示装置中，能够不产生选择期间的长度的偏差地充分确保发光期间，并且进行驱动晶体管的劣化和有机EL元件OLED的劣化两者的特性检测时不进行特别的发光就能够同时进行补偿。
＜2.5变形例＞
上述第二实施方式中，如图36所示，首先逐帧依次进行第一～n行的OLED特性的检测，之后，逐帧依次进行第一～n行的TFT特性的检测。但是，本发明并不限定于此。如图43所示，也可以在连续的2帧中逐帧进行第一行的OLED特性的检测和第一行的TFT特性的检测，在第二～n行反复进行同样的动作。
根据本变形例，对于各像素，在连续的2帧的期间进行OLED特性的检测和TFT特性的检测，所以能够采用如上述第一实施方式那样用缓冲(偏移值用缓冲和增益值用缓冲)进行偏移存储器和增益存储器的更新的结构。即，上述第二实施方式中，为了存储视频信号的修正所用的修正数据而设置有TFT用偏移存储器51a、OLED用偏移存储器51b、TFT用增益存储器52a和OLED用增益存储器52b，而在本变形例中，可以替代它们设置1个偏移存储器和1个增益存储器。
＜3.其他＞
能够应用本发明的有机EL显示装置，并不限定于具有各实施方式和各变形例中例示的像素电路11、11a的有机EL显示装置。像素电路只要至少包括由电流控制的电光学元件(有机EL元件OLED)、晶体管T1～T3和电容器Cst即可，也可以为各实施方式和各变形例所例示的结构以外的结构。
附图标记的说明
1～5…有机EL显示装置
10、10a…显示部
11、11a…像素电路
20…控制电路
30…源极驱动器
31…驱动信号发生电路
32…信号转换电路
33…输出部
38…电流测定部
39…电压测定部
40、40a…栅极驱动器
51…偏移存储器
51a…TFT用偏移存储器
51b…OLED用偏移存储器
52…增益存储器
52a…TFT用增益存储器
52b…OLED用增益存储器
60…温度传感器
201…监视行存储部
202…温度变化补偿部
321…灰度等级信号发生电路
322、323…监视电路
330…输出电路
T1～T4…晶体管
Cst…电容器
G1(1)～G1(n)…扫描线
G2(1)～G2(n)…监视控制线
G3(1)～G3(n)…高电平电源控制线
S(1)～S(m)…数据线
M(1)～M(m)…监视线

Claims (26)

1.一种显示装置的驱动方法，该显示装置具有由n×m个像素电路构成的n行×m列的像素矩阵，所述n×m个像素电路分别包括利用电流控制亮度的电光学元件和用于控制要供给到所述电光学元件的电流的驱动晶体管，其中，n和m为2以上的整数，所述驱动方法的特征在于，包括：
检测所述驱动晶体管的特性的第一特性检测步骤；
检测所述电光学元件的特性的第二特性检测步骤；
将基于所述第一特性检测步骤中的检测结果和所述第二特性检测步骤中的检测结果得到的特性数据，作为用于修正视频信号的修正数据存储到预先准备的修正数据存储部的修正数据存储步骤；和
基于存储于所述修正数据存储部中的修正数据修正所述视频信号，生成要供给到所述n×m个像素电路的数据信号的视频信号修正步骤，
1帧期间包括进行使所述电光学元件发光的准备的选择期间和进行所述电光学元件的发光的发光期间，
所述第一特性检测步骤和所述第二特性检测步骤的一者或两者的处理在每1帧期间仅在所述像素矩阵的1行进行，
所述第二特性检测步骤的处理在所述发光期间进行。
2.如权利要求1所述的驱动方法，其特征在于：
所述第一特性检测步骤和所述第二特性检测步骤两者的处理在每1帧期间仅在所述像素矩阵的1行进行，
将各帧中进行所述第一特性检测步骤和所述第二特性检测步骤两者的处理的行定义为监视行，所述监视行以外的行定义为非监视行时，所述监视行的所述选择期间的长度比所述非监视行的所述选择期间的长度长，
所述第一特性检测步骤的处理在所述选择期间进行。
3.如权利要求1所述的驱动方法，其特征在于：
所述第一特性检测步骤和所述第二特性检测步骤的一者的处理在每1帧期间仅在所述像素矩阵的1行进行，
着眼于所述像素矩阵的1行时，所述第一特性检测步骤的处理和所述第二特性检测步骤的处理交替地进行，
所述第一特性检测步骤的处理在所述发光期间进行。
4.如权利要求1所述的驱动方法，其特征在于：
在所述第二特性检测步骤中，通过测定在对所述电光学元件供给一定的电流的状态下所述电光学元件的阳极的电压，检测所述电光学元件的特性。
5.如权利要求4所述的驱动方法，其特征在于：
在所述第二特性检测步骤中，根据目标亮度调整对所述电光学元件供给所述一定的电流的时间的长度。
6.如权利要求4所述的驱动方法，其特征在于：
在所述第二特性检测步骤中，通过在1帧期间中的发光电流的积分值成为与目标灰度等级相当的值的范围内将多个电平的所述一定的电流供给到所述电光学元件，检测多个特性作为所述电光学元件的特性。
7.如权利要求1所述的驱动方法，其特征在于：
在所述第二特性检测步骤中，通过测定在对所述电光学元件供给一定的电压的状态下在所述电光学元件流动的电流，检测所述电光学元件的特性。
8.如权利要求7所述的驱动方法，其特征在于：
在所述第二特性检测步骤中，根据目标亮度调整对所述电光学元件供给所述一定的电压的时间的长度。
9.如权利要求7所述的驱动方法，其特征在于：
在所述第二特性检测步骤中，通过在1帧期间中的发光电流的积分值成为与目标灰度等级相当的值的范围内将多个电平的所述一定的电压供给到所述电光学元件，检测多个特性作为所述电光学元件的特性。
10.如权利要求1所述的驱动方法，其特征在于：
在所述第一特性检测步骤中，通过测定在使所述驱动晶体管的栅极－源极间的电压为规定的大小的状态下在所述驱动晶体管的漏极－源极间流动的电流，检测所述驱动晶体管的特性。
11.如权利要求1所述的驱动方法，其特征在于：
所述修正数据存储部包括存储偏移值作为所述修正数据的偏移值存储部和存储增益值作为所述修正数据的增益值存储部，
在所述修正数据存储步骤中，
基于所述第一特性检测步骤中的检测结果得到的偏移值与基于所述第二特性检测步骤中的检测结果得到的偏移值之和，作为新的偏移值被存储到所述偏移值存储部，
基于所述第一特性检测步骤中的检测结果得到的增益值与基于所述第二特性检测步骤中的检测结果得到的修正系数之积，作为新的增益值被存储到所述增益值存储部。
12.如权利要求11所述的驱动方法，其特征在于：
所述显示装置还具有：
用于检测所述驱动晶体管的特性和所述电光学元件的特性的特性检测部；和
以与所述像素矩阵的各列对应的方式设置，构成为能够与所述特性检测部和对应的列的像素电路电连接的m根监视线，
所述选择期间包括进行所述第一特性检测步骤的处理的第一期间和接着所述第一期间的第二期间，
将存储于所述偏移值存储部中的偏移值与基于所述第一特性检测步骤中的检测结果得到的偏移值的差值定义为第一值，将根据存储于所述增益值存储部中的增益值和基于所述第一特性检测步骤中的检测结果得到的增益值而得到的值定义为第二值时，在所述第二期间，对各监视线施加与所述第一值和所述第二值之和相当的电压。
13.如权利要求1所述的驱动方法，其特征在于：
所述修正数据存储部包括：存储与所述驱动晶体管对应的偏移值作为所述修正数据的驱动晶体管用偏移值存储部；存储与所述电光学元件对应的偏移值作为所述修正数据的电光学元件用偏移值存储部；存储与所述驱动晶体管对应的增益值作为所述修正数据的驱动晶体管用增益值存储部；和存储与所述电光学元件对应的增益值作为所述修正数据的电光学元件用增益值存储部，
在所述修正数据存储步骤中，
基于所述第一特性检测步骤中的检测结果得到的偏移值作为新的偏移值被存储到所述驱动晶体管用偏移值存储部，
基于所述第一特性检测步骤中的检测结果得到的增益值作为新的增益值被存储到所述驱动晶体管用增益值存储部，
基于所述第二特性检测步骤中的检测结果得到的偏移值作为新的偏移值被存储到所述电光学元件用偏移值存储部，
基于所述第二特性检测步骤中的检测结果得到的修正系数作为新的增益值被存储到所述电光学元件用增益值存储部。
14.如权利要求13所述的驱动方法，其特征在于：
在所述第二特性检测步骤中，通过测定在对所述电光学元件供给一定的电流的状态下所述电光学元件的阳极的电压，检测所述电光学元件的特性，
所述一定的电流的大小根据存储于所述电光学元件用增益值存储部中的增益值进行调整。
15.如权利要求13所述的驱动方法，其特征在于：
在所述第二特性检测步骤中，通过测定在对所述电光学元件供给一定的电压的状态下在所述电光学元件流动的电流，检测所述电光学元件的特性，
所述一定的电压的大小根据存储于所述电光学元件用增益值存储部中的增益值进行调整。
16.如权利要求13所述的驱动方法，其特征在于：
所述显示装置还具有：
用于检测所述驱动晶体管的特性和所述电光学元件的特性的特性检测部；和
以与所述像素矩阵的各列对应的方式设置，构成为能够与所述特性检测部和对应的列的像素电路电连接的m根监视线，
所述选择期间包括进行所述第一特性检测步骤的处理的第一期间和接着所述第一期间的第二期间，
在所述第二期间，对各监视线施加与存储于所述电光学元件用偏移值存储部中的偏移值和基于存储于所述电光学元件用增益值存储部中的增益值得到的值之和相当的电压。
17.如权利要求1所述的驱动方法，其特征在于：
所述显示装置还具有：
特性检测部，其至少包括测定电流的电流测定部，用于检测所述驱动晶体管的特性和所述电光学元件的特性；和
以与所述像素矩阵的各列对应的方式设置，构成为能够与所述特性检测部和对应的列的像素电路电连接的m根监视线，
在所述第一特性检测步骤中，在所述m根监视线与对应的像素电路和所述电流测定部电连接的状态下，利用所述电流测定部测定在使所述驱动晶体管的栅极－源极间的电压为规定的大小的状态下在所述驱动晶体管的漏极－源极间流动的电流。
18.如权利要求17所述的驱动方法，其特征在于：
所述特性检测部还包括测定电压的电压测定部，
在所述第二特性检测步骤中，利用所述电压测定部测定在对所述电光学元件供给一定的电流的状态下所述电光学元件的阳极的电压。
19.如权利要求17所述的驱动方法，其特征在于：
在所述第二特性检测步骤中，利用所述电流测定部测定在对所述电光学元件供给一定的电压的状态下在所述电光学元件流动的电流。
20.如权利要求17所述的驱动方法，其特征在于：
每K根监视线设置1个所述特性检测部，其中，K为2以上m以下的整数，
在各帧中，
所述K根监视线中的1根与所述特性检测部电连接，
不与所述特性检测部电连接的监视线处于高阻抗的状态。
21.如权利要求1所述的驱动方法，其特征在于：
所述n行×m列的像素矩阵中的进行黑色或大致黑色的显示的像素不进行所述第二特性检测步骤的处理。
22.如权利要求1所述的驱动方法，其特征在于：
还包括将用于对当所述显示装置的电源断开时最后进行了所述第一特性检测步骤和所述第二特性检测步骤的一者或两者的处理的区域进行确定的信息，存储到预先准备的监视区域存储部的监视区域存储步骤，
在所述显示装置的电源导通后，从基于存储于所述监视区域存储部中的信息得到的区域附近的区域，进行所述第一特性检测步骤和所述第二特性检测步骤的一者或两者的处理。
23.如权利要求1所述的驱动方法，其特征在于，还包括：
检测温度的温度检测步骤；和
基于所述温度检测步骤中检测出的温度，对所述特性数据实施修正的温度变化补偿步骤，
在所述修正数据存储步骤中，由所述温度变化补偿步骤的处理得到的数据作为所述修正数据被存储到所述修正数据存储部。
24.如权利要求1所述的驱动方法，其特征在于：
所述驱动晶体管为由氧化物半导体形成沟道层的薄膜晶体管。
25.如权利要求24所述的驱动方法，其特征在于：
所述氧化物半导体为以铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和氧(O)为主成分的氧化铟镓锌。
26.一种显示装置，其具有由n×m个像素电路构成的n行×m列的像素矩阵，所述n×m个像素电路分别包括利用电流控制亮度的电光学元件和用于控制要供给到所述电光学元件的电流的驱动晶体管，其中，n和m为2以上的整数，所述显示装置的特征在于，包括：
进行检测所述驱动晶体管的特性的第一特性检测处理和检测所述电光学元件的特性的第二特性检测处理，并驱动所述n×m个像素电路的像素电路驱动部；
将基于所述第一特性检测处理中的检测结果和所述第二特性检测处理中的检测结果得到的特性数据，作为用于修正视频信号的修正数据来存储的修正数据存储部；和
基于存储于所述修正数据存储部中的修正数据修正所述视频信号，生成要供给到所述n×m个像素电路的数据信号的视频信号修正部，
1帧期间包括进行使所述电光学元件发光的准备的选择期间和进行所述电光学元件的发光的发光期间，
所述像素电路驱动部在每1帧期间仅在所述像素矩阵的1行进行所述第一特性检测处理和所述第二特性检测处理的一者或两者的处理，在所述发光期间进行所述第二特性检测处理。
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