WO2023218889A1 - 組成物、化合物、表面処理剤、物品、及び物品の製造方法 - Google Patents

組成物、化合物、表面処理剤、物品、及び物品の製造方法 Download PDF

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WO2023218889A1
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integer
compound
carbon atoms
silsesquioxane
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PCT/JP2023/015687
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雄二郎 富塚
啓吾 松浦
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Ａｇｃ株式会社
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    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/18—Coatings for keeping optical surfaces clean, e.g. hydrophobic or photo-catalytic films

Definitions

  • Means for solving the above problems include the following aspects. ⁇ 1> A silsesquioxane skeleton, a hydroxyl group bonded directly to the silicon atom of the silsesquioxane skeleton or via an alkylene group, and a hydroxyl group bonded to the silicon atom of the silsesquioxane skeleton through a trivalent or higher valent linking group. at least one selected from the group consisting of a silsesquioxane compound, a hydrolyzate thereof, and a partial condensate thereof, and a plurality of reactive silyl groups bonded together; water and, A solvent other than water, acid or alkali; A composition comprising.
  • ⁇ 3> The composition according to ⁇ 1> or ⁇ 2>, wherein the silsesquioxane skeleton is a cage-shaped silsesquioxane skeleton.
  • ⁇ 4> The composition according to ⁇ 2>, wherein the ratio of m1 to m2 in the silsesquioxane compound is 1:7 to 7:1.
  • ⁇ 5> The composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 4>, wherein the acid or alkali is an alkali.
  • ⁇ 6> The composition according to ⁇ 5>, wherein the alkali is an ammonium compound.
  • ⁇ 7> The composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 6>, wherein the solvent is alcohol.
  • the silsesquioxane compound contains a plurality of reactive silyl groups bonded to the silicon atom of the silsesquioxane skeleton via a trivalent or higher valent linking group.
  • the number of reactive silyl groups bonded to one silicon atom of the silsesquioxane skeleton is preferably 2 to 15, more preferably 2 to 9, and even more preferably 2 or 3.
  • the number of reactive silyl groups in one molecule of the silsesquioxane compound is preferably 2 to 60, more preferably 2 to 36, even more preferably 2 to 12, particularly preferably 2 to 9, and most preferably 2 or 3. .
  • the structures of the plurality of reactive silyl groups may be the same or different from each other.
  • a reactive silyl group means a group in which a reactive group is bonded to a Si atom.
  • the reactive group is preferably a hydrolyzable group or a hydroxyl group.
  • R is each independently a monovalent hydrocarbon group
  • L is each independently a hydrolyzable group or a hydroxyl group
  • n is an integer from 0 to 2.
  • the plurality of groups (2) may be the same or different. From the viewpoint of excellent availability of raw materials and ease of manufacturing the compound, it is preferable that the plurality of groups (2) are the same.
  • the silicon atom of the silsesquioxane skeleton has a hydroxyl group directly or via an alkylene group, or a plurality of reactive groups bonded to the silicon atom of the silsesquioxane skeleton via a trivalent or higher valent linking group. Only “silyl group” may be bonded.
  • the silsesquioxane compound is preferably a compound represented by the following formula (1) from the viewpoint of excellent scratch resistance and abrasion resistance.
  • SQ 8 (Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g ) m1 [(CH 2 ) n1 OH] m2 (R x ) m3 ...(1)
  • SQ 8 is a silsesquioxane skeleton having 8 Si atoms
  • Y 1 is each independently a (g+1)-valent linking group
  • R is each independently a monovalent hydrocarbon group
  • L is each independently a hydrolyzable group or a hydroxyl group
  • n is each independently an integer from 0 to 2
  • g is each independently an integer of 1 or more, at least one g is an integer of 2 or more
  • m1 is an integer from 1 to 7
  • m2 is an integer from 1 to 7
  • m3 is an integer from 0 to 6
  • each g is independently an integer of 1 or more, and at least one g is an integer of 2 or more.
  • g is each independently preferably an integer of 2 to 15, more preferably an integer of 2 to 9, even more preferably 2 or 3.
  • the total g in compound (1) is preferably 2 to 60, more preferably 2 to 36, even more preferably 2 to 12, particularly preferably 2 to 9, and most preferably 2 or 3.
  • the ratio of m1 to m2 in the silsesquioxane compound is preferably 1:7 to 7:1, may be 2:6 to 6:2, or may be 3:5 to 5:3.
  • the above-mentioned "ratio of m1 and m2 in the silsesquioxane compound" refers to (Number of silicon atoms in the silsesquioxane skeleton): (Number of silicon atoms in the silsesquioxane skeleton bonded to the reactive silyl group).
  • the hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom (for example, a fluorine atom), and from the viewpoint of reducing environmental load, it is preferable that it is not substituted with a halogen atom (for example, a fluorine atom).
  • a halogen atom for example, a fluorine atom
  • the alkoxy group include groups in which an oxygen atom is bonded to the group exemplified as the hydrocarbon group. However, the oxygen atom is bonded to the silicon atom in SQ8 .
  • Q c is a single bond or a divalent linking group
  • R 32 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms
  • Q d is a single bond or an alkylene group
  • R 33 is a hydrogen atom or a halogen atom
  • y is an integer from 1 to 10
  • the definitions and specific examples of R, L, and n are the same as the definitions and specific examples of each symbol in the reactive silyl group.
  • Q a is a single bond or a divalent linking group.
  • divalent linking groups include divalent hydrocarbon groups, divalent heterocyclic groups, -O-, -S-, -SO 2 -, -N(R d )-, -C(O) -, -Si(R a ) 2 -, and a combination of two or more thereof.
  • the SQ 8 end of Q a is not -S-, -SO 2 -, -N(R d )-, -C(O)-, or -Si(R a ) 2 -.
  • R a is an alkyl group (preferably having 1 to 10 carbon atoms) or a phenyl group.
  • the monocyclic ring is preferably a 4- to 8-membered ring, more preferably a 5-membered ring or a 6-membered ring.
  • the fused polycyclic ring is preferably a fused polycyclic ring in which two or more 4- to 8-membered rings are fused together, and fused polycyclic rings in which 2 or 3 rings selected from 5-membered rings and 6-membered rings are bonded together; A fused polycyclic ring in which one or two rings selected from membered rings and six-membered rings and one four-membered ring are bonded is more preferred.
  • the hetero atoms constituting the ring are preferably nitrogen atoms, oxygen atoms, and sulfur atoms, and more preferably nitrogen atoms and oxygen atoms.
  • the number of heteroatoms constituting the ring is preferably 3 or less. Furthermore, when the number of heteroatoms constituting the ring is two or more, these heteroatoms may be the same or different.
  • rings include the rings shown below, 1,3-cyclohexadiene ring, 1,4-cyclohexadiene ring, anthracene ring, cyclopropane ring, decahydronaphthalene ring, norbornene ring, norbornadiene ring, furan ring, Examples include a pyrrole ring, a thiophene ring, a pyrazine ring, a morpholine ring, an aziridine ring, an isoquinoline ring, an oxazole ring, an isoxazole ring, a thiazole ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, a pyran ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, and an indene ring.
  • the remaining bonds, if any, are bonded to hydrogen atoms or substituents.
  • any two of Q a , (-Q b -Si(R) n L 3-n ), and -R 31 may be bonded to that one carbon atom.
  • Q a and Q b are bonded to different ring constituent atoms.
  • Each of the i R 31s may be bonded to a separate ring atom, or two of the i R 31s may be bonded to one ring carbon atom. There may be two or more ring-constituting carbon atoms to which two R 31s are bonded.
  • X 31 is a group having a carbon atom, a nitrogen atom, a silicon atom, a 4- to 8-valent organopolysiloxane residue, or a (h+i+1)-valent ring, from the viewpoint of improving the abrasion resistance of the surface treatment layer. is preferable, and a carbon atom or a silicon atom is more preferable.
  • Q b is a single bond or a divalent linking group.
  • divalent linking groups include divalent hydrocarbon groups, divalent heterocyclic groups, -O-, -S-, -SO 2 -, -N(R d )-, -C(O) -, -Si(R a ) 2 -, and a combination of two or more thereof.
  • R a is an alkyl group (preferably having 1 to 10 carbon atoms) or a phenyl group.
  • R d is a hydrogen atom or an alkyl group (preferably having 1 to 10 carbon atoms).
  • Examples of the divalent hydrocarbon group include a divalent saturated hydrocarbon group, a divalent aromatic hydrocarbon group, an alkenylene group, and an alkynylene group.
  • the divalent saturated hydrocarbon group may be linear, branched, or cyclic, and includes, for example, an alkylene group.
  • the carbon number of the divalent saturated hydrocarbon group (e.g. alkylene group) is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, and examples include 2, 3, 8, 9, and 11. .
  • the alkynylene group or alkenylene group preferably has 2 to 20 carbon atoms, and examples thereof include 2, 3, 8, 9, and 11 carbon atoms.
  • the divalent aromatic hydrocarbon group preferably has 5 to 20 carbon atoms, such as a phenylene group.
  • groups combining two or more of the above include -OC(O)-, -C(O)O-, -C(O)N(R d )-, -N(R d )C(O )-, -N(R d )C(O)N(R d )-, -N(R d )C(O)O-, -OC(O)N(R d )-, -SO 2 N( R d )-, -N(R d )SO 2 -, -C(O)N(R d )-, alkylene group having -N(R d )C(O)-, etheric oxygen an alkylene group having an atom, an alkylene group having -OC(O)-, an alkylene group having -C(O)O-, an alkylene group having -
  • R 31 is a hydrogen atom, a hydroxyl group or an alkyl group.
  • the number of carbon atoms in the alkyl group is preferably 1 to 5, more preferably 1 to 3, and even more preferably 1.
  • h is an integer greater than or equal to 1
  • i is an integer greater than or equal to 0.
  • X 31 is a single bond or an alkylene group
  • h is 1 and i is 0.
  • X 31 is a nitrogen atom
  • h is an integer of 1 to 2
  • i is an integer of 0 to 1
  • X 31 is a carbon atom or a silicon atom
  • h is an integer of 1 to 3
  • i is an integer of 0 to 2
  • X 31 is a divalent to octavalent organopolysiloxane residue
  • h is an integer of 1 to 7
  • i is an integer of 0 to 6
  • X 31 is a group having a (h+i+1)-valent ring
  • h is an integer of 1 to 7
  • i is an integer of 0 to 6
  • two or more (-R 31 )s may be the same or different.
  • R 32 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and is preferably a hydrogen atom from the viewpoint of easy production of the compound.
  • the alkyl group a methyl group is preferred.
  • Q d is a single bond or an alkylene group.
  • the alkylene group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms. From the viewpoint of easy production of the compound, Q d is preferably a single bond or -CH 2 -.
  • R 33 is a hydrogen atom or a halogen atom, and a hydrogen atom is preferable from the viewpoint of easy production of the compound.
  • y is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 6.
  • Two or more [CH 2 C(R 32 )(-Q d -Si(R) n L 3-n )] may be the same or different.
  • groups (3-1A-1) to (3-1A-7) are preferable.
  • -(O) s1 -Q b1 -Si(R) n L 3-n ...(3-1A-1) -(O) s2 -Q a2 -N [-Q b2 -Si(R) n L 3-n ] 2 ...(3-1A-2) -Q a3 -Si(R g ) [-Q b3 -Si(R) n L 3-n ] 2 ...(3-1A-3) -[O] s4 -Q a4 -(O) t4 -C[-(O) u4 -Q b4 -Si(R) n L 3-n ] 3-w1 (-R 31 ) w1 ...(3-1A- 4) -Q a5 -Si [-Q b5 -Si(R) n L 3-n ] 3 ...
  • s1 is 0 or 1.
  • Q b1 is an alkylene group.
  • the alkylene group may have -O-, a silphenylene skeleton group, a divalent organopolysiloxane residue, or a dialkylsilylene group.
  • the alkylene group may have a plurality of groups selected from the group consisting of -O-, a silphenylene skeleton group, a divalent organopolysiloxane residue, and a dialkylsilylene group.
  • the alkylene group has -O-, a silphenylene skeleton group, a divalent organopolysiloxane residue, or a dialkylsilylene group
  • the number of carbon atoms in the alkylene group represented by Q b1 is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, may be 2 to 10, or may be 2 to 6. . Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, the number of carbon atoms may be 1 to 10.
  • group (3-1A-1) include the following groups.
  • * represents the bonding position of SQ 8 to the silicon atom.
  • Q a2 is a single bond, an alkylene group, -C(O)-, or an etheric oxygen atom between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms, - C(O)-, -C(O)O-, -OC(O)-, -C(O)N(R d )-, -N(R d )C(O)-, -N(R d )C(O)N(R d )-, -N(R d )C(O)O-, -OC(O)N(R d )-, -SO 2 N(R d )-, -N( R d ) is a group having SO 2 -, -C(O)N(R d )-, or -NH-.
  • the alkylene group represented by Q a2 preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms, even more preferably 1 to 6 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 3 carbon atoms.
  • Q a2 is -CH 2 -, -CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 OCH 2 CH 2 - , -CH 2 NHCH 2 CH 2 - from the viewpoint of easy production of the compound.
  • -CH 2 OC(O)CH 2 CH 2 -, or -C(O)- are preferred.
  • s2 is 0 or 1 (however, when Q a2 is a single bond, it is 0).
  • Q b2 is an alkylene group or a group having a divalent organopolysiloxane residue, an ether oxygen atom, or -NH- between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms.
  • the number of carbon atoms in the alkylene group represented by Q b2 is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, may be 2 to 10, or may be 2 to 6. . Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, the number of carbon atoms may be 1 to 10.
  • the number of carbon atoms in the group having a divalent organopolysiloxane residue, ether oxygen atom or -NH- between carbon atoms of the alkylene group having 2 or more carbon atoms represented by Q b2 is 2 to 10. is preferable, and 2 to 6 are more preferable.
  • group (3-1A-2) include the following groups.
  • * represents the bonding position of SQ 8 to the silicon atom.
  • ⁇ in (CH 2 ) ⁇ bonded to the reactive silyl group is an integer representing the number of methylene groups, preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, It may be from 2 to 10, or from 2 to 6. Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, ⁇ may be 1 to 10.
  • a plurality of ⁇ 's contained in the same compound may be the same or different, but are preferably the same. For example, all of the plurality of ⁇ 's contained in the same compound are 2, 3, 8, 9, or 11. The same applies below.
  • Q a3 is an alkylene group which may have an ether oxygen atom.
  • the alkylene group which may have an etheric oxygen atom preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms, even more preferably 1 to 6 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 3 carbon atoms. Further, the number of carbon atoms may be 2 to 6.
  • R g is a hydrogen atom, a hydroxyl group or an alkyl group. From the viewpoint of easy production of the compound, R g is preferably a hydrogen atom or an alkyl group.
  • the alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, and even more preferably a methyl group.
  • Q b3 is an alkylene group or a group having an ether oxygen atom or a divalent organopolysiloxane residue between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms.
  • the number of carbon atoms in the alkylene group represented by Q b3 is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, may be 2 to 10, or may be 2 to 6. . Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, the number of carbon atoms may be 1 to 10.
  • the carbon number of the group having an ether oxygen atom or a divalent organopolysiloxane residue between the carbon atoms of the alkylene group having 2 or more carbon atoms, represented by Q b3 is preferably 2 to 20, and 2 to 20. 10 is more preferable, and 2 to 6 is even more preferable.
  • Q b3 is preferably -CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 -, or -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 - from the viewpoint of easy production of the compound.
  • the two [-Q b3 -Si(R) n L 3-n ] may be the same or different.
  • group (3-1A-3) include the following groups.
  • * represents the bonding position of SQ 8 to the silicon atom.
  • r represents an integer from 1 to 10.
  • R 31 is as described above.
  • s4 is 0 or 1.
  • Q a4 is a single bond or an alkylene group which may have an ether oxygen atom.
  • the alkylene group which may have an etheric oxygen atom preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms, even more preferably 1 to 6 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 3 carbon atoms. Further, the number of carbon atoms may be 2 to 6.
  • t4 is 0 or 1 (however, when Q a4 is a single bond, it is 0).
  • -Q a4 -(O) t4 - is -CH 2 O-, -CH 2 OCH 2 -, -CH 2 OCH 2 CH 2 O-, -CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 -, -CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 - are preferred (however, the left side is bonded to the silicon atom of SQ 8 ), and when s4 is 1, A single bond, -CH 2 -, and -CH 2 CH 2 - are preferred.
  • Q b4 is an alkylene group, and the alkylene group is -O-, -C(O)N(R d )- (the definition of R d is as described above), a silphenylene skeleton group, a divalent may have an organopolysiloxane residue or a dialkylsilylene group.
  • the alkylene group has -O- or a silphenylene skeleton group, it is preferable to have -O- or a silphenylene skeleton group between carbon atoms.
  • the terminal between carbon atoms or the side bonded to (O) u4 preferably has these groups.
  • the number of carbon atoms in the alkylene group represented by Q b4 is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, may be 2 to 10, or may be 2 to 6. . Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, the range may be from 1 to 10.
  • u4 is 0 or 1.
  • -(O) u4 -Q b4 - includes -CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 from the viewpoint of easy production of the compound.
  • w1 is an integer from 0 to 2, preferably 0 or 1, and more preferably 0. If there are two or more [-(O) u4 -Q b4 -Si(R) n L 3-n ], two or more [-(O) u4 -Q b4 -Si(R) n L 3- n ] may be the same or different. When there are two or more R 31 s, two or more (-R 31 )s may be the same or different.
  • group (3-1A-4) include the following groups.
  • * represents the bonding position of SQ 8 to the silicon atom.
  • r represents an integer from 0 to 10.
  • Q a5 is an alkylene group or a (poly)oxyalkylene group which may have an etheric oxygen atom.
  • the alkylene group which may have an etheric oxygen atom preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms, even more preferably 1 to 6 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 3 carbon atoms. Further, the number of carbon atoms may be 2 to 6.
  • Q a5 is -CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 - , -CH 2 CH 2 from the viewpoint of easy production of the compound. 2 CH 2 - and OCH 2 CH 2 CH 2 - are preferred (however, the right side is bonded to Si).
  • Q b5 is a single bond, an alkylene group, or a group having an ether oxygen atom or a divalent organopolysiloxane residue between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms.
  • the number of carbon atoms in the alkylene group represented by Q b5 is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, may be 2 to 10, or may be 2 to 6. . Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, the number of carbon atoms may be 1 to 10.
  • the number of carbon atoms in the group having an ether oxygen atom or a divalent organopolysiloxane residue between carbon atoms of the alkylene group having 2 or more carbon atoms represented by Q b5 is preferably 2 to 20, and 2 to 20. 10 is more preferable, and 2 to 6 is even more preferable. From the viewpoint of easy production of the compound, Q b5 is preferably -CH 2 CH 2 CH 2 - and -CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 - (provided that the right side is Si(R) n L 3- bond to n ).
  • the three [-Q b5 -Si(R) n L 3-n ] may be the same or different.
  • group (3-1A-5) include the following groups.
  • * represents the bonding position of SQ 8 to the silicon atom.
  • r represents an integer from 1 to 10.
  • v is 0 or 1.
  • Q a6 is an alkylene group which may have an etheric oxygen atom.
  • the alkylene group which may have an etheric oxygen atom preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms, even more preferably 1 to 6 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 3 carbon atoms. Further, the number of carbon atoms may be 2 to 6. From the viewpoint of easy production of the compound, Q a6 includes -CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 - , and -CH 2 CH 2 CH 2 - is preferred (provided that the right side is bonded to Z a ).
  • Z a is a (w+1)-valent organopolysiloxane residue.
  • w2 is an integer from 2 to 7.
  • Examples of the (w2+1)-valent organopolysiloxane residue include the following groups. However, R a in the following formula is as described above.
  • Q b6 is an alkylene group or a group having an ether oxygen atom or a divalent organopolysiloxane residue between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms.
  • the number of carbon atoms in the alkylene group represented by Q b6 is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, may be 2 to 10, or may be 2 to 6. . Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, the number of carbon atoms may be 1 to 10.
  • the carbon number of the group having an ether oxygen atom or a divalent organopolysiloxane residue between the carbon atoms of the alkylene group having 2 or more carbon atoms represented by Q b6 is preferably 2 to 20, and 2 to 20. 10 is more preferable, and 2 to 6 is even more preferable.
  • Q b6 -CH 2 CH 2 - and -CH 2 CH 2 CH 2 - are preferable from the viewpoint of easy production of the compound.
  • w2 [-Q b6 -Si(R) n3 L 3-n ] may be the same or different.
  • group (3-1A-6) include the following groups.
  • * represents the bonding position of SQ 8 to the silicon atom.
  • r represents an integer from 1 to 10.
  • Z c is a (w3+w4+1)-valent hydrocarbon group.
  • w3 is an integer of 4 or more.
  • w4 is an integer greater than or equal to 0.
  • the definitions and preferred ranges of s4, Q a4 , t4, Q b4 and u4 are the same as the definitions of each symbol in group (3-1A-4).
  • Z c may consist of a hydrocarbon chain, may have an ether oxygen atom between carbon atoms of the hydrocarbon chain, and is preferably composed of a hydrocarbon chain.
  • the valence of Z c is preferably 5 to 20, more preferably 5 to 10, even more preferably 5 to 8, particularly preferably penta or hexavalent.
  • the number of carbon atoms in Z c is preferably 3 to 50, more preferably 4 to 40, even more preferably 5 to 30.
  • w3 is preferably 4 to 20, more preferably 4 to 16, even more preferably 4 to 8, and particularly preferably 4 or 5.
  • w4 is preferably 0 to 10, more preferably 0 to 8, even more preferably 0 to 6, particularly preferably 0 to 3, and most preferably 0 or 1.
  • two or more [-(O-Q b4 ) u4 -Si(R) n L 3-n ] may be the same or different.
  • group (3-1A-7) include the following groups.
  • * represents the bonding position of SQ 8 to the silicon atom.
  • r represents an integer from 0 to 10.
  • Y 1 in formula (1) may be groups (g2-1) to (g2-7).
  • the A 1 side is connected to the silicon atom of SQ 8 , and the Q 22 , Q 23 , Q 24 , Q 25 or Q 26 side is [-Si(R) n L 3-n ].
  • a 1 is a single bond or -O-.
  • Q 11 is a single bond, -O-, an alkylene group, or a bond between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 -, or It is a group having O-.
  • Q 12 is a single bond, an alkylene group, or a combination of an alkylene group having 2 or more carbon atoms and -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or -O-.
  • Q 13 is a single bond, an alkylene group, or a combination of an alkylene group having 2 or more carbon atoms and -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or -O-.
  • Q 14 is Q 12 when the atom in Z 1 to which Q 14 is bonded is a carbon atom, and is Q 13 when the atom in Z 1 to which Q 14 is bonded is a nitrogen atom.
  • Q 15 is an alkylene group or a combination of an alkylene group and -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or -O-.
  • Q 22 is an alkylene group, a group having -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or O- between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms, an alkylene group A group having -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or O- at the end not connected to Si, or between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or O- at the end not connected to Si and -C(O)NR 6 -, -C(O) It is a group having -, -NR 6 - or O-, and when two or more
  • Q 23 is an alkylene group or a group having -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or O- between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms; , two Q23s may be the same or different.
  • Q 24 is Q 22 when the atom in Z 1 to which Q 24 is bonded is a carbon atom, and is Q 23 when the atom in Z 1 to which Q 24 is bonded is a nitrogen atom, and two or more Q 24 exist. In this case, two or more Q24 's may be the same or different.
  • Q 25 is an alkylene group or a group having -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or O- between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms; , Q 25 exists, two or more Q 25 may be the same or different.
  • Q 26 is an alkylene group or a group having -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or O- between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms. .
  • Z 1 is a group having a (h2+1)-valent ring structure in which Q 14 has a carbon atom or nitrogen atom to which Q 14 is directly bonded, and Q 24 has a carbon atom or nitrogen atom to which Q 24 is directly bonded.
  • R e1 is a hydrogen atom or an alkyl group, and when two or more R e1s exist, two or more R e1s may be the same or different.
  • R e2 is a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, or an acyloxy group.
  • R e3 is an alkyl group.
  • R 6 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a phenyl group.
  • d2 is an integer of 0 to 2, preferably 1 or 2.
  • d4 is an integer from 0 to 3, preferably 2 or 3.
  • d2+d4 is an integer from 1 to 5, preferably 4 or 5.
  • e2 is an integer from 1 to 3, preferably 2 or 3.
  • h2 is an integer of 1 or more, preferably 2 or 3.
  • i2 is an integer from 1 to 3, preferably 2 or 3.
  • i3 is 2 or 3.
  • the number of carbon atoms in the alkylene groups of Q 11 , Q 12 , Q 13 , Q 14 , Q 15 , Q 22 , Q 23 , Q 24 , Q 25 and Q 26 is determined from the viewpoint of excellent manufacturing ease of the compound and the surface treatment layer. From the viewpoint of even better wear resistance, the number is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, may be 2 to 10, and may be 2 to 6. Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, the number of carbon atoms may be 1 to 10, 1 to 6, or 1 to 4. However, when the alkylene group has a specific bond between carbon atoms, the lower limit of the number of carbon atoms is 2.
  • Examples of the ring structure in Z 1 include the ring structures described above, and preferred forms are also the same.
  • Q 14 and Q 24 are directly bonded to the ring structure in Z 1 , for example, an alkylene group is not connected to the ring structure and Q 14 or Q 24 is not connected to the alkylene group.
  • the number of carbon atoms in the alkyl group of R e1 , R e2 or R e3 is preferably from 1 to 6, more preferably from 1 to 3, even more preferably from 1 to 2, from the viewpoint of excellent ease of manufacturing the compound.
  • the number of carbon atoms in the alkyl group portion of the acyloxy group of R e2 is preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3, and even more preferably 1 to 2 from the viewpoint of excellent ease of manufacturing the compound.
  • h2 is preferably 2 to 6, more preferably 2 to 4, and even more preferably 2 or 3, from the viewpoint of excellent ease of manufacturing the compound and further excellent wear resistance of the surface treatment layer.
  • Y 1 in formula (1) may be groups (g2-8) to (g2-14).
  • the A 1 side is connected to the silicon atom of SQ 8 , and the G 1 side is connected to [-Si(R) n L 3-n ].
  • G 1 is a group (g3), and two or more G 1s in Y 1 may be the same or different.
  • the symbols other than G 1 are the same as those in equations (g2-1) to (g2-7).
  • the Si side is connected to Q 22 , Q 23 , Q 24 , Q 25 and Q 26 , and the Q 3 side is connected to [-Si(R) n L 3-n ].
  • R 8 is an alkyl group.
  • Q 3 is an alkylene group, a group having -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or -O- between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms, or (OSi(R 9 ) 2 ) p -O-, and two or more Q 3 may be the same or different.
  • k3 is 2 or 3.
  • R 6 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a phenyl group.
  • R 9 is an alkyl group, a phenyl group, or an alkoxy group, and two R 9s may be the same or different.
  • p is an integer from 0 to 5, and when p is 2 or more, two or more (OSi(R 9 ) 2 ) may be the same or different.
  • the number of carbon atoms in the alkylene group of Q 3 is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, more preferably 2 to 20, from the viewpoint of excellent ease of manufacturing the compound and from the viewpoint of further excellent wear resistance of the surface treatment layer. is more preferable, and may be from 2 to 10, or from 2 to 6. Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, the number of carbon atoms may be 1 to 10, 1 to 6, or 1 to 4. However, when the alkylene group has a specific bond between carbon atoms, the lower limit of the number of carbon atoms is 2.
  • the number of carbon atoms in the alkyl group of R 8 is preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3, and even more preferably 1 to 2 from the viewpoint of excellent ease of manufacturing the compound.
  • the number of carbon atoms in the alkyl group of R 9 is preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3, and even more preferably 1 to 2 from the viewpoint of excellent ease of manufacturing the compound.
  • the number of carbon atoms in the alkoxy group of R 9 is preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3, and even more preferably 1 to 2 from the viewpoint of excellent storage stability of compound (1).
  • p is preferably 0 or 1.
  • Examples of the compound (1) include a compound (1) having the following Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g .
  • Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-1) include the following structures.
  • Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-2) include the following structures.
  • Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-3) include the following structures.
  • Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-4) include the following structures. r represents an integer from 0 to 10.
  • Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-5) include the following structures.
  • Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-6) include the following structures.
  • Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-7) include the following structures.
  • Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-8) include the following structures.
  • Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-9) include the following structures.
  • Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-10) include the following structures.
  • Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-11) include the following structures.
  • Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-13) include the following structures.
  • Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-14) include the following structures.
  • silsesquioxane compound for example, the following compounds are preferred.
  • the definition and details of the monovalent hydrocarbon group are the same as the definition and details of the monovalent hydrocarbon group in formula (1).
  • the details of the silsesquioxane compound described above can be applied, except that the silsesquioxane skeleton is a complete cage-type silsesquioxane skeleton.
  • Examples of the cissesquioxane compound include compounds (3) and (4) in addition to compound (1).
  • the number of Si carbon atoms in SQ 10 and SQ 12 of compounds (3) and (4) is 10 and 12, respectively.
  • SQ 10 and SQ 12 of compounds (3) and (4) are preferably cage-shaped.
  • SQ 12 (Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g ) m1 [(CH 2 ) n1 OH] m2 (R x ) m3 ...(4)
  • SQ 12 is a silsesquioxane skeleton having 12 Si atoms
  • Y 1 is each independently a (g+1)-valent linking group
  • R is each independently a monovalent hydrocarbon group
  • L is each independently a hydrolyzable group or a hydroxyl group
  • n is each independently an integer from 0 to 2
  • g is each independently an integer of 1 or more, at least one g is an integer of 2 or more
  • m1 is an integer from 1 to 11
  • m2 is an integer from 1 to 11
  • m3 is an integer from 0 to 10
  • n1 is an integer from 0 to 5
  • R x is a monovalent organic group
  • Y 1 , (CH 2 ) n1 , and R x each bond
  • each symbol in formula (3) is as follows, except that SQ 10 is silsesquioxane having 10 Si atoms and m1+m2+m3 is 10. Same as details.
  • the ratio of m1 and m2 in formula (3) is preferably 1:9 to 9:1.
  • the specific embodiment of formula (3) is the same as the specific embodiment of formula (1) except for the above.
  • each symbol in formula (4) is as follows, except that SQ 12 is silsesquioxane having 12 Si atoms and m1+m2+m3 is 12. Same as details.
  • the ratio of m1 and m2 in formula (4) is preferably 1:11 to 11:1.
  • the specific embodiment of formula (4) is the same as the specific embodiment of formula (1) except for the above.
  • SQ 8 [Y 11 (B) g1 ] m1 [(CH 2 ) n1 OH] m2 (R x ) m3 ...(1-1)
  • SQ 8 is a silsesquioxane skeleton having 8 Si atoms
  • Y 11 is each independently a (g1+1)-valent linking group
  • g1 is each independently an integer of 1 or more, at least one g1 is an integer of 2 or more, m1 is an integer from 1 to 7, m2 is an integer from 1 to 7, m3 is an integer from 0 to 6, m1+m2+m3 is 8,
  • R x is a monovalent organic group
  • Y 11 (CH 2 ) n1 , and R x each bond to the silicon atom in SQ 8 .
  • SQ 10 [Y 11 (B) g1 ] m1 [(CH 2 ) n1 OH] m2 (R x ) m3 ...(3-1)
  • SQ 10 is a silsesquioxane skeleton having 10 Si atoms
  • Y 11 is each independently a (g1+1)-valent linking group
  • g1 is each independently an integer of 1 or more, at least one g1 is an integer of 2 or more, m1 is an integer from 1 to 9, m2 is an integer from 1 to 9, m3 is an integer from 0 to 8, m1+m2+m3 is 10, n1 is an integer from 0 to 5,
  • R x is a monovalent organic group
  • Y 11 (CH 2 ) n1 , and R x each bond to the silicon atom in SQ 10 .
  • SQ 12 is a silsesquioxane skeleton having 12 Si atoms
  • Y 11 is each independently a (g1+1)-valent linking group
  • Q L is a single bond or a divalent linking group
  • g1 is each independently an integer of 1 or more, at least one g1 is an integer of 2 or more
  • m1 is an integer from 1 to 11
  • m2 is an integer from 1 to 11
  • m3 is an integer from 0 to 10
  • n1 is an integer from 0 to 5
  • R x is a monovalent organic group
  • Y 11 (CH 2 ) n1
  • R x each bond to the silicon atom in SQ 12 .
  • trifunctional or higher functional alkoxysilanes examples include tetraethoxysilane (TEOS), tetramethoxysilane, n-octyltetraethoxysilane, triethoxymethylsilane, phenyltriethoxysilane, etc., and n-octyltetraethoxysilane and TEOS preferable.
  • TEOS tetraethoxysilane
  • tetramethoxysilane tetramethoxysilane
  • n-octyltetraethoxysilane triethoxymethylsilane
  • phenyltriethoxysilane etc.
  • n-octyltetraethoxysilane and TEOS preferable.
  • the composition of the present disclosure may contain silica particles from the viewpoint of improving film strength, low reflectivity, etc. when a surface treatment layer is formed.
  • silica particles porous silica particles are preferable, and examples thereof include hollow silica particles, mesoporous particles, and the like.
  • the shape of the silica particles is not particularly limited, and examples include powder, sol (colloidal silica), and the like.
  • colloidal silica it may be used as, for example, water-dispersible colloidal silica or organic solvent-dispersible colloidal silica such as alcohol.
  • the surface treatment agent of the present disclosure comprises a composition of the present disclosure. Since the composition of the present disclosure has the above-described structure, a surface treatment layer having excellent water repellency and abrasion resistance can be formed by using a surface treatment agent containing the composition of the present disclosure.
  • the article of the present disclosure includes a base material and a surface treatment layer surface treated with the surface treatment agent.
  • touch panel base materials As the base material, touch panel base materials, display base materials, and eyeglass lenses are suitable, and touch panel base materials are particularly suitable.
  • touch panel base materials As the material for the touch panel base material, glass or transparent resin is preferable.
  • the surface treatment layer may be provided directly on the surface of the base material, or a base layer may be provided between the base material and the surface treatment layer.
  • the article of the present disclosure includes a base material, a base layer disposed on the base material, and a surface treatment of the present disclosure disposed on the base layer. It is preferable to include a surface treatment layer whose surface is treated with an agent.
  • Group 1 elements, Group 2 elements, and Group 13 elements are preferable because the wear resistance of the surface treatment layer is better, and Group 1 elements and Group 2 elements are more preferable. , Group 1 elements are more preferred. As the specific element, only one type of element may be included, or two or more types of elements may be included.
  • the base layer may be a single layer or a multilayer.
  • the base layer may have an uneven surface.
  • the thickness of the underlayer is preferably 1 to 100 nm, more preferably 1 to 50 nm, and even more preferably 2 to 20 nm. If the thickness of the base layer is equal to or greater than the above lower limit, the adhesion of the surface treatment layer to the base layer will be further improved, and the wear resistance of the surface treatment layer will be more excellent. If the thickness of the base layer is below the above upper limit, the base layer itself will have excellent wear resistance.
  • the thickness of the base layer is measured by observing a cross section of the base layer using a transmission electron microscope (TEM).
  • TEM transmission electron microscope
  • the base layer can be formed, for example, by a vapor deposition method using a vapor deposition material or a wet coating method.
  • the vapor deposition material used in the vapor deposition method preferably contains an oxide containing silicon and a specific element.
  • Specific examples of the form of the vapor deposition material include powder, molten body, sintered body, granulated body, and crushed body, and from the viewpoint of ease of handling, molten body, sintered body, and granulated body are preferable.
  • the melt means a solid obtained by melting the powder of the vapor deposition material at a high temperature and then cooling and solidifying the powder.
  • a sintered body means a solid obtained by firing a powder of a vapor deposition material, and if necessary, a molded body obtained by press-molding the powder may be used instead of a powder of a vapor deposition material.
  • the granule refers to a solid material obtained by kneading a powder of a vapor deposition material and a liquid medium (for example, water, an organic solvent) to obtain particles, and then drying the particles.
  • ⁇ Powders containing silicon e.g. powder of silicon oxide, silica sand, silica gel
  • powders containing specific elements e.g. powder of oxides of specific elements, carbonates, sulfates, nitrates, oxalic acid
  • a specific example of a vapor deposition method using a vapor deposition material includes a vacuum vapor deposition method.
  • the vacuum deposition method is a method in which a deposition material is evaporated in a vacuum chamber and adhered to the surface of a base material.
  • the temperature during vapor deposition (for example, the temperature of the boat in which the vapor deposition material is placed when using a vacuum vapor deposition apparatus) is preferably 100 to 3,000°C, more preferably 500 to 3,000°C.
  • the pressure during vapor deposition (for example, when using a vacuum vapor deposition apparatus, the pressure in the tank in which the vapor deposition material is placed) is preferably 1 Pa or less, more preferably 0.1 Pa or less.
  • one vapor deposition material may be used, or two or more vapor deposition materials containing different elements may be used.
  • a plurality of boats may be used, or all the evaporation materials may be placed in a single boat.
  • the vapor deposition method may be codeposition, alternate vapor deposition, or the like. Specifically, examples include mixing silica and a specific element source in the same boat, co-evaporating silica and a specific element source in separate boats, and alternately depositing silica and a specific element source in separate boats. can be mentioned.
  • the conditions, order, etc. of vapor deposition are appropriately selected depending on the structure of the underlying layer.
  • the base layer on the base material by a wet coating method using a coating liquid containing a compound containing silicon, a compound containing a specific element, and a liquid medium.
  • Specific examples of compounds containing specific elements include oxides of specific elements, alkoxides of specific elements, carbonates of specific elements, sulfates of specific elements, nitrates of specific elements, oxalates of specific elements, and water of specific elements. Examples include oxides.
  • an organic solvent is preferable.
  • organic solvents include compounds consisting only of hydrogen atoms and carbon atoms, and compounds consisting only of hydrogen atoms, carbon atoms, and oxygen atoms.
  • examples include hydrocarbon-based organic solvents, ketone-based organic solvents, and ethers.
  • examples include organic solvents based on organic solvents, organic solvents based on esters, organic solvents based on glycol, and organic solvents based on alcohol.
  • hydrocarbon organic solvents include pentane, hexane, heptane, octane, hexadecane, isohexane, isooctane, isononane, cycloheptane, cyclohexane, bicyclohexyl, benzene, toluene, ethylbenzene, o-xylene, m-xylene, Examples include p-xylene, o-diethylbenzene, m-diethylbenzene, p-diethylbenzene, n-butylbenzene, sec-butylbenzene, and tert-butylbenzene.
  • ketone organic solvents include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, diisobutyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone, 4-heptanone, 3,5,5-trimethyl-2-cyclohexen-1-one, and 3,5,5-trimethyl-2-cyclohexen-1-one. Examples include 3,5-trimethylcyclohexanone and isophorone.
  • ether organic solvents include diethyl ether, cyclopentyl methyl ether, tetrahydrofuran, and 1,4-dioxane.
  • nitrogen-containing compounds include nitrobenzene, acetonitrile, benzonitrile, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, and 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone.
  • sulfur-containing compounds include carbon disulfide and dimethyl sulfoxide.
  • siloxane compound include hexamethyldisiloxane, octamethyltrisiloxane, and decamethyltetrasiloxane.
  • the content of the liquid medium is preferably 0.01 to 20% by mass, more preferably 0.1 to 10% by mass, based on the total amount of the coating liquid used to form the base layer.
  • wet coating methods for forming the base layer include spin coating, wipe coating, spray coating, squeegee coating, dip coating, die coating, inkjet, flow coating, roll coating, Examples include the cast method, Langmuir-Blodgett method, and gravure coating method.
  • the drying temperature of the coating film is preferably 20 to 200°C, more preferably 80 to 160°C.
  • the article of the present disclosure is preferably an optical member.
  • optical components include medical devices such as car navigation systems, mobile phones, smartphones, digital cameras, digital video cameras, PDAs, portable audio players, car audio, game devices, eyeglass lenses, camera lenses, lens filters, sunglasses, and gastrocameras.
  • medical devices such as car navigation systems, mobile phones, smartphones, digital cameras, digital video cameras, PDAs, portable audio players, car audio, game devices, eyeglass lenses, camera lenses, lens filters, sunglasses, and gastrocameras.
  • Examples include personal appliances, copying machines, PCs, displays (eg, liquid crystal displays, organic EL displays, plasma displays, touch panel displays), touch panels, protective films, and antireflection films.
  • the article is preferably a display or a touch panel.
  • a method for producing an article of the present disclosure is, for example, a method of surface-treating a base material using the surface treatment agent of the present disclosure to produce an article in which a surface-treated layer is formed on the base material.
  • surface treatment methods include spin coating, wipe coating, spray coating, squeegee coating, dip coating, die coating, inkjet, flow coating, roll coating, casting, and Langmuir-Blodgett methods. , gravure coating method.
  • an operation may be performed to accelerate the reaction between the composition of the present disclosure and the base material, if necessary.
  • Such operations include heating, humidification, light irradiation, and the like.
  • a hydrolysis reaction of hydrolyzable groups, a reaction between hydroxyl groups, etc. on the surface of the base material and silanol groups, and a condensation reaction of silanol groups. can promote reactions such as the formation of siloxane bonds.
  • compounds in the surface treatment layer that are not chemically bonded to other compounds or the base material may be removed as necessary. Examples of the removal method include a method of pouring a solvent onto the surface treatment layer, a method of wiping with a cloth impregnated with a solvent, and the like.
  • SQL 8 represents a cage-shaped silsesquioxane skeleton having eight Si atoms.
  • Compound (III) is a compound in which a CH 2 OH group is bonded to some of the silicon atoms of SQ 8 , and -CH 2 -O-(CH 2 ) 3 -SiCl 3 is bonded to the remaining silicon atoms. .
  • compound (IV) was obtained by distilling off volatile components under reduced pressure.
  • Compound (V) has a CH 2 OH group bonded to some of the silicon atoms of SQ 8 , and -CH 2 -O-(CH 2 ) 3 -Si[-(CH 2 ) 3 -SiCl to the remaining silicon atoms. 3 ] is a compound in which 3 is bonded.
  • Compound (VI) has a CH 2 OH group bonded to some of the silicon atoms of SQ 8 , and -CH 2 -O-(CH 2 ) 3 -Si[-(CH 2 ) 3 -Si to the remaining silicon atoms. It is a compound in which (OCH 3 ) 3 ] 3 is bonded.
  • Example 6 The prepared compositions of Examples 1 to 5 were applied to a glass substrate by spin coating. The glass substrate obtained after heating at 120° C. for 2 hours was evaluated.
  • compound (VI) was deposited on a glass substrate under the following conditions. The vapor deposition was performed using a vacuum vapor deposition apparatus (manufactured by ULVAC, VTR350M) (vacuum vapor deposition method). 0.5 g of a 20% ethyl acetate solution of compound (VI) was filled into a molybdenum boat in a vacuum evaporation apparatus, and the inside of the vacuum evaporation apparatus was evacuated to 1 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa or less.
  • the boat containing the compound is heated at a temperature increase rate of 10°C/min or less, and when the deposition rate exceeds 1 nm/sec using a crystal oscillation film thickness meter, the shutter is opened to form a film on the surface of the substrate. started. When the film thickness reached approximately 50 nm, the shutter was closed to complete the film formation on the surface of the substrate.
  • the substrate on which the compound was deposited was heat-treated at 100° C. for 30 minutes to obtain an article having a surface-treated layer on the surface of the substrate.
  • the composition of the present disclosure is useful as a surface treatment agent.
  • the surface treatment agent can be used, for example, for substrates in display devices such as touch panel displays, optical elements, semiconductor elements, building materials, automobile parts, nanoimprint technology, and the like.
  • the surface treatment agent can be used for bodies, window glasses (windshields, side glasses, rear glasses), mirrors, bumpers, etc. of transportation equipment such as trains, automobiles, ships, and airplanes.
  • the surface treatment agent can be used for outdoor articles such as building exterior walls, tents, solar power generation modules, sound insulation boards, and concrete; fishing nets, insect nets, and aquariums.
  • surface treatment agents are used for medical applications such as car navigation systems, mobile phones, smartphones, digital cameras, digital video cameras, PDAs, portable audio players, car audio, game equipment, eyeglass lenses, camera lenses, lens filters, sunglasses, and gastrocameras. It can be used for optical members such as appliances, copying machines, PCs, displays (for example, liquid crystal displays, organic EL displays, plasma displays, touch panel displays), touch panels, protective films, and antireflection films.
  • medical applications such as car navigation systems, mobile phones, smartphones, digital cameras, digital video cameras, PDAs, portable audio players, car audio, game equipment, eyeglass lenses, camera lenses, lens filters, sunglasses, and gastrocameras.
  • optical members such as appliances, copying machines, PCs, displays (for example, liquid crystal displays, organic EL displays, plasma displays, touch panel displays), touch panels, protective films, and antireflection films.

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Abstract

シルセスキオキサン骨格と、前記シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に直接又はアルキレン基を介して結合する水酸基と、前記シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に３価以上の連結基を介して結合する複数の反応性シリル基と、を含むシルセスキオキサン化合物、その加水分解物、及びその部分縮合物からなる群より選択される少なくとも１つと、水と、水以外の溶媒と、酸又はアルカリと、を含む組成物；前記シルセスキオキサン化合物を調製するための化合物；前記組成物を含む表面処理剤；並びに前記表面処理剤を用いた物品及び物品の製造方法。

Description

組成物、化合物、表面処理剤、物品、及び物品の製造方法
　本開示は、組成物、化合物、表面処理剤、物品、及び物品の製造方法に関する。
　近年、外観、視認性等の性能を向上させるために、物品の表面に指紋を付きにくくしたり、汚れを落としやすくしたりする技術が求められている。具体的な方法として、物品の表面に表面処理剤を用いて表面処理を行う方法が知られている。例えば、特許文献１には、活性化させた基材上に、少なくとも１つのアルキル骨格単層、及びヒドロキシルかご型シルセスキオキサンナノ粒子を含む疎水性コーティングを堆積させて、基材上に耐指紋性コーティングを形成する方法が記載されている。特許文献２には、表面のコーティング用途に用いるためのアルコキシシリル基含有シルセスキオキサンが記載されている。
特開２０１８－２７５３１号公報 特開２０１９－１８９５６４号公報
　一方、表面処理剤には耐擦傷性、耐摩耗性等の観点からさらなる改良が求められている。かかる状況に鑑み、本開示は基材に良好な耐擦傷性及び耐摩耗性を付与しうる組成物、前記組成物を調製するための化合物、前記組成物を含む表面処理剤、並びに前記表面処理剤を用いた物品及び物品の製造方法に関する。
　上記課題を解決するための手段は、以下の態様を含む。
＜１＞　シルセスキオキサン骨格と、前記シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に直接又はアルキレン基を介して結合する水酸基と、前記シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に３価以上の連結基を介して結合する複数の反応性シリル基と、を含むシルセスキオキサン化合物、その加水分解物、及びその部分縮合物からなる群より選択される少なくとも１つと、
　水と、
　水以外の溶媒と、
　酸又はアルカリと、
を含む組成物。
＜２＞　前記シルセスキオキサン化合物が下記式（１）で表される、＜１＞に記載の組成物。
　ＳＱ８（Ｙ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇ）ｍ１［（ＣＨ２）ｎ１ＯＨ］ｍ２（Ｒｘ）ｍ３…（１）
　式（１）中、
　ＳＱ８はＳｉ原子を８個有するシルセスキオキサン骨格であり、
　Ｙ１はそれぞれ独立に（ｇ＋１）価の連結基であり、
　Ｒはそれぞれ独立に１価の炭化水素基であり、
　Ｌはそれぞれ独立に加水分解性基又は水酸基であり、
　ｎはそれぞれ独立に０～２の整数であり、
　ｇはそれぞれ独立に１以上の整数であり、少なくとも１つのｇは２以上の整数であり、
　ｍ１は１～７の整数であり、
　ｍ２は１～７の整数であり、
　ｍ３は０～６の整数であり、
　ｍ１＋ｍ２＋ｍ３は８であり、
　ｎ１は０～５の整数であり、
　Ｒｘは１価の有機基であり、
　Ｙ１、（ＣＨ２）ｎ１、及びＲｘはそれぞれＳＱ８中のケイ素原子と結合する。
＜３＞　前記シルセスキオキサン骨格が、かご型のシルセスキオキサン骨格である、＜１＞又は＜２＞に記載の組成物。
＜４＞　前記シルセスキオキサン化合物におけるｍ１とｍ２の比率が１：７～７：１である、＜２＞に記載の組成物。
＜５＞　前記酸又はアルカリが、アルカリである、＜１＞～＜４＞のいずれか１項に記載の組成物。
＜６＞　前記アルカリがアンモニウム化合物である、＜５＞に記載の組成物。
＜７＞　前記溶媒がアルコールである、＜１＞～＜６＞のいずれか１項に記載の組成物。
＜８＞　さらに、３官能以上のアルコキシシラン、その加水分解物、及びその部分縮合物からなる群より選択される少なくとも１つを含む、＜１＞～＜７＞のいずれか１項に記載の組成物。
＜９＞　下記式（１－１）で表される化合物。
　ＳＱ８［Ｙ１１（Ｂ）ｇ１］ｍ１［（ＣＨ２）ｎ１ＯＨ］ｍ２（Ｒｘ）ｍ３　…（１－１）
　ＳＱ８はＳｉ原子を８個有するシルセスキオキサン骨格であり、
　Ｙ１１はそれぞれ独立に（ｇ１＋１）価の連結基であり、
　Ｂはそれぞれ独立に、－ＱＬ－ＣＨ＝ＣＨ２であり、ここでＱＬは単結合又は２価の連結基であり、
　ｇ１はそれぞれ独立に１以上の整数であり、少なくとも１つのｇ１は２以上の整数であり、
　ｍ１は１～７の整数であり、
　ｍ２は１～７の整数であり、
　ｍ３は０～６の整数であり、
　ｍ１＋ｍ２＋ｍ３は８であり、
　ｎ１は０～５の整数であり、
　Ｒｘは１価の有機基であり、
　Ｙ１１、（ＣＨ２）ｎ１、及びＲｘはそれぞれＳＱ８中のケイ素原子と結合する。
＜１０＞　＜１＞～＜８＞のいずれか１項に記載の組成物を含む表面処理剤。
＜１１＞　基材に対して、＜１０＞に記載の表面処理剤を用いて表面処理を行い、基材上に表面処理層が形成された物品を製造する、物品の製造方法。
＜１２＞　基材と、前記基材上に配置され、＜１０＞に記載の表面処理剤で表面処理された表面処理層と、を含む物品。
＜１３＞　前記物品が光学部材である、＜１２＞に記載の物品。
＜１４＞　前記物品がディスプレイ又はタッチパネルである、＜１２＞に記載の物品。
　本開示によれば、基材に良好な耐擦傷性及び耐摩耗性を付与しうる組成物、前記組成物を調製するための化合物、前記組成物を含む表面処理剤、並びに前記表面処理剤を用いた物品及び物品の製造方法が提供される。
　以下、本開示の実施形態を実施するための形態について詳細に説明する。但し、本開示の実施形態は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。数値及びその範囲についても同様であり、本開示の実施形態を制限するものではない。
　本開示において「工程」との語には、他の工程から独立した工程に加え、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、当該工程も含まれる。
　本開示において「～」を用いて示された数値範囲には、「～」の前後に記載される数値がそれぞれ最小値及び最大値として含まれる。
　本開示において各成分は該当する物質を複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、各成分の含有率又は含有量は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計の含有率又は含有量を意味する。
　本開示において「層」又は「膜」との語には、当該層又は膜が存在する領域を観察したときに、当該領域の全体に形成されている場合に加え、当該領域の一部にのみ形成されている場合も含まれる。
　「表面処理層」とは、基材の表面に、表面処理によって形成される層を意味する。
　本開示において、化合物又は基が特定の式（Ｘ）で表される場合、当該式（Ｘ）で表される化合物又は基をそれぞれ化合物（Ｘ）及び基（Ｘ）と記すことがある。
　本開示において、反応性シリル基を有する化合物の「部分縮合物」とは、溶媒中で、酸又はアルカリと水の存在下、前記化合物が有する反応性シリル基の全部又は一部が加水分解し、次いで脱水縮合することにより生成するオリゴマー（多量体）をいう。「部分縮合物」は１種の化合物の縮合物であってもよく、２種以上の化合物の縮合物であってもよい。例えば、「化合物Ｘの部分縮合物」は、化合物Ｘ同士の縮合物であってもよく、化合物Ｘと他の化合物との縮合物であってもよい。
　本開示において、（ポリ）オキシアルキレン基とは、オキシアルキレン基又はポリオキシアルキレン基を表す。
［組成物］
　本開示の組成物は、シルセスキオキサン骨格と、前記シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に直接又はアルキレン基を介して結合する水酸基と、前記シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に３価以上の連結基を介して結合する複数の反応性シリル基と、を含むシルセスキオキサン化合物（以下、単に「シルセスキオキサン化合物」とも記す。）、その加水分解物、及びその部分縮合物からなる群より選択される少なくとも１つと、水と、水以外の溶媒と、酸又はアルカリと、を含む。
　本開示の組成物を用いて基材表面の表面処理を行うと、驚くべきことに基材表面の耐擦傷性及び耐摩耗性に優れることが見出された。この理由は明らかではないが、シルセスキオキサン化合物が反応性シリル基を有し、ゾルゲル反応により三次元網目構造を形成することにより、表面処理された基材の表面硬度が上がり、耐擦傷性が向上すると考えられる。さらに、シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に複数の反応性シリル基が結合していることにより、基材との結合が強固になり、耐摩耗性が向上すると考えられる。また、本開示の組成物は、シルセスキオキサン化合物を含むため、親油性に優れ、低指紋視認性に優れる傾向にある。
＜シルセスキオキサン化合物＞
　シルセスキオキサン化合物は、シルセスキオキサン骨格と、前記シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に直接又はアルキレン基を介して結合する水酸基と、前記シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に３価以上の連結基を介して結合する複数の反応性シリル基と、を含む。シルセスキオキサンとは、シロキサン結合（Ｓｉ－Ｏ）を単位とする主鎖骨格を有し、式（ＲＳｉＯ１．５）ｎ（式中、Ｒは有機基を表し、ｎは整数を表す。）で表される構造を基本骨格とする化合物の総称である。シルセスキオキサン骨格は、かご型、はしご型、ランダム構造等の種々の構造を有し得、耐擦傷性及び耐摩耗性を向上する観点からは、かご型が好ましい。シルセスキオキサン骨格が、かご型の構造を有する場合、シルセスキオキサン骨格は完全かご型の構造を有してもよく、不完全かご型の構造を有してもよく、耐擦傷性及び耐摩耗性を向上する観点からは、完全かご型の構造を有することが好ましい。シルセスキオキサン化合物がかご型の構造を有する場合、基本骨格中のＳｉ原子数は８、１０、又は１２個が好ましく、８個がより好ましい。シルセスキオキサン化合物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　シルセスキオキサン化合物はハロゲン原子（例えばフッ素原子）を含んでいても含んでいなくてもよい。一態様において、環境負荷の低減の観点からは、シルセスキオキサン化合物はハロゲン原子（例えばフッ素原子）を含まないことが好ましい。
　シルセスキオキサン化合物は、シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に直接又はアルキレン基を介して結合する水酸基を含む。シルセスキオキサン化合物１分子中の前記水酸基の数は、１以上であり、１～７が好ましい。
　シルセスキオキサン化合物は、シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に３価以上の連結基を介して結合する複数の反応性シリル基を含む。シルセスキオキサン骨格の１つのケイ素原子に結合する複数の反応性シリル基の数は、２～１５が好ましく、２～９がより好ましく、２又は３がさらに好ましい。シルセスキオキサン化合物１分子中の反応性シリル基の数は、２～６０が好ましく、２～３６がより好ましく、２～１２がさらに好ましく、２～９が特に好ましく、２又は３が最も好ましい。複数の反応性シリル基の構造は同じであっても互いに異なっていてもよい。
　反応性シリル基とは、Ｓｉ原子に反応性基が結合した基を意味する。反応性基としては、加水分解性基又は水酸基が好ましい。
　加水分解性基とは、加水分解反応により水酸基となる基である。すなわち、Ｓｉ－Ｌで表される加水分解性を有するシリル基は、加水分解反応によりＳｉ－ＯＨで表されるシラノール基となる。シラノール基は、さらにシラノール基間で反応してＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を形成する。また、シラノール基は、基材の表面に存在する酸化物に由来するシラノール基と脱水縮合反応して、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を形成できる。加水分解性基としては、例えば、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、及びイソシアナト基（－ＮＣＯ）が挙げられる。アルコキシ基としては、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましい。ただし、アリールオキシ基のアリール基は、ヘテロアリール基を含む。ハロゲン原子は、塩素原子が好ましい。アシル基は、炭素数１～６のアシル基が好ましい。アシルオキシ基は、炭素数１～６のアシルオキシ基が好ましい。
　均一な膜を作製しやすく、耐久性に優れる観点からは、反応性シリル基としてはアルコキシシリル基又はトリクロロシリル基が好ましい。基材との反応において生じる副生物の取り扱いやすさの観点から、反応性シリル基は、アルコキシシリル基がより好ましい。アルコキシシリル基としてはジアルコキシシリル基又はトリアルコキシシリル基が好ましく、トリアルコキシシリル基がより好ましい。
　反応性シリル基としては、下記式（２）で表される基が好ましい。
　－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ　　（２）
　式（２）中、Ｒはそれぞれ独立に１価の炭化水素基であり、Ｌはそれぞれ独立に加水分解性基又は水酸基であり、ｎは０～２の整数である。
　複数の基（２）は、同じであっても異なっていてもよい。原料の入手容易性、及び、化合物の製造容易性に優れる観点からは、複数の基（２）は、同じであることが好ましい。
　Ｒはそれぞれ独立に１価の炭化水素基であり、１価の飽和炭化水素基が好ましい。Ｒの炭素数は、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２がさらに好ましい。
　なかでも、Ｌは、化合物の製造容易性に優れる観点から、アルコキシ基（好ましくは炭素数１～４のアルコキシ基）又はハロゲン原子が好ましい。Ｌは、塗布時のアウトガスが少なく、化合物の保存安定性がより優れる観点から、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましい。化合物の長期の保存安定性が必要な場合には、Ｌは、エトキシ基がより好ましい。塗布後の反応時間を短時間とする場合には、Ｌは、メトキシ基がより好ましい。式（２）において、Ｌの少なくとも１つが上記基であることが好ましく、Ｌのすべてが上記基であることがより好ましい。
　ｎは、０～２の整数であり、０又は１が好ましく、０がより好ましい。本開示の組成物を表面処理剤に用いる場合、Ｌが複数存在することによって、表面処理層の基材への密着性がより強固になる。
　ｎが１以下である場合、１分子中に存在する複数のＬは、同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。原料の入手容易性、及び、化合物の製造容易性に優れる観点から、複数のＬは同じであることが好ましい。ｎが２である場合、１分子中に存在する複数のＲは同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。原料の入手容易性、及び、化合物の製造容易性に優れる観点から、複数のＲは同じであることが好ましい。
　シルセスキオキサン骨格のケイ素原子と複数の反応性シリル基とを連結する３価以上の連結基は、本開示の目的を損なわない基であればよく、炭素原子、窒素原子、ケイ素原子、及び環状基からなる群より選択される少なくとも１つの分岐部と２価の連結基との組み合わせ等が挙げられる。
　２価の連結基としては、後述するシルセスキオキサン骨格に結合する２価の連結基が挙げられる。
　前記３価以上の連結基としては、後述の式（１）のＹ１として説明される連結基も挙げられる。
　シルセスキオキサン化合物は、「シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に３価以上の連結基を介して結合する複数の反応性シリル基」に該当する構造が少なくとも１つ含まれていればよく、「シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に２価の連結基を介して結合する１つの反応性シリル基」に該当する構造が含まれていてもよい。
　２価の連結基としては、２価の炭化水素基、２価の複素環基、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ２－、－Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｓｉ（Ｒａ）２－、及びこれらを２種以上組み合わせた基が挙げられる。ただし、シルセスキオキサン化合物のケイ素原子には、－Ｓ－、－ＳＯ２－、－Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、又は－Ｓｉ（Ｒａ）２－は直接結合しない。ここで、Ｒａは、アルキル基（好ましくは炭素数１～１０）又はフェニル基であり、Ｒｄは、水素原子又はアルキル基（好ましくは炭素数１～１０）である。
　２価の炭化水素基としては、２価の飽和炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基等が挙げられる。２価の飽和炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状又は環状であってもよく、例えば、アルキレン基が挙げられる。
　２価の飽和炭化水素基（例えばアルキレン基）の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。また、２価の芳香族炭化水素基としては、炭素数５～２０のものが好ましく、例えば、フェニレン基が挙げられる。それ以外にも、２価の炭化水素基は、炭素数２～２０のアルケニレン基、炭素数２～２０のアルキニレン基であってもよい。
　前記これらを２種以上組み合わせた基としては、例えば、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－ＳＯ２Ｎ（Ｒｄ）－、又は－Ｎ（Ｒｄ）ＳＯ２－を有するアルキレン基が挙げられる。
　一態様において、２価の連結基としては、－Ｏ－アルキレン基が好ましい。
　好ましい一態様において、シルセスキオキサン骨格のケイ素原子には、直接又はアルキレン基を介して水酸基又は「シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に３価以上の連結基を介して結合する複数の反応性シリル基」のみが結合されていてもよい。
　シルセスキオキサン化合物は、耐擦傷性及び耐摩耗性に優れる観点から、下記式（１）で表される化合物が好ましい。
　ＳＱ８（Ｙ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇ）ｍ１［（ＣＨ２）ｎ１ＯＨ］ｍ２（Ｒｘ）ｍ３　…（１）
　式（１）中、
　ＳＱ８はＳｉ原子を８個有するシルセスキオキサン骨格であり、
　Ｙ１はそれぞれ独立に（ｇ＋１）価の連結基であり、
　Ｒはそれぞれ独立に１価の炭化水素基であり、
　Ｌはそれぞれ独立に加水分解性基又は水酸基であり、
　ｎはそれぞれ独立に０～２の整数であり、
　ｇはそれぞれ独立に１以上の整数であり、少なくとも１つのｇは２以上の整数であり、
　ｍ１は１～７の整数であり、
　ｍ２は１～７の整数であり、
　ｍ３は０～６の整数であり、
　ｍ１＋ｍ２＋ｍ３は８であり、
　ｎ１は０～５の整数であり、
　Ｒｘは１価の有機基であり、
　Ｙ１、（ＣＨ２）ｎ１、及びＲｘはそれぞれＳＱ８中のケイ素原子と結合する。
　式（１）中、ＳＱ８はＳｉ原子を８個有するシルセスキオキサン骨格である。シルセスキオキサン骨格の詳細は、前述の事項が適用できる。化合物（１）のＳＱ８はかご型であることが好ましい。
　式（１）中、Ｙ１はそれぞれ独立に（ｇ＋１）価の連結基である。Ｙ１はＳＱ８中のケイ素原子と結合する。
　Ｙ１としては、本開示の効果を損なわない基であればよく、例えば、上述した、シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に結合する２価の連結基（ｇが１の場合）又は３価以上の連結基（ｇが２以上の場合）として説明した基が挙げられる。
　Ｙ１としては、後述する式（３－１Ａ）、式（３－１Ｂ）、及び式（３－１Ａ－１）～（３－１Ａ－７）から－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎを除いた基も挙げられる。
　また、Ｙ１は、後述する基（ｇ２－１）～基（ｇ２－１４）であってもよい。
　式（１）中、［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］の詳細は、基（２）の詳細と同じである。シルセスキオキサン化合物中の複数の［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］は同じであっても互いに異なっていてもよい。
　式（１）中、ｇはそれぞれ独立に１以上の整数であり、少なくとも１つのｇは２以上の整数である。ｇはそれぞれ独立に２～１５の整数が好ましく、２～９の整数がより好ましく、２又は３がさらに好ましい。化合物（１）中のｇの合計は、２～６０が好ましく、２～３６がより好ましく、２～１２がさらに好ましく、２～９が特に好ましく、２又は３が最も好ましい。
　式（１）中、ｇが２以上の整数である（Ｙ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇ）の個数割合は、ｍ１個のうち、５０％以上が好ましく、８０％以上がより好ましく、１００％がさらに好ましい。
　式（１）中、ｍ１は１～７の整数であり、ｍ２は１～７の整数であり、ｍ３は０～６の整数であり、ｍ１＋ｍ２＋ｍ３は８である。ｍ１は２～６でもよく、３～５でもよい。ｍ２は２～６でもよく、３～５でもよい。ｍ３は０～６が好ましく、０～４がより好ましく、０～２がさらに好ましく、０が特に好ましい。
　シルセスキオキサン化合物におけるｍ１とｍ２の比率は１：７～７：１が好ましく、２：６～６：２でもよく、３：５～５：３でもよい。なお、反応性シリル基がシラノール基（－Ｓｉ－ＯＨ）を含む場合、前記「シルセスキオキサン化合物におけるｍ１とｍ２の比率」とは、シルセスキオキサン化合物１分子中の、（水酸基に結合するシルセスキオキサン骨格のケイ素原子の個数）：（反応性シリル基に結合するシルセスキオキサン骨格のケイ素原子の個数）を表す。　
　前記比率は、例えば、シルセスキオキサン化合物の合成において、ｍ１とｍ２の比率が前記範囲となるように、中間体となる水酸基を含むシルセスキオキサン化合物と反応性シリル基を付加するための化合物とのモル比を調整することにより得られる。
　式（１）中、ｎ１は０～５の整数であり、１～３が好ましく、１がより好ましい。
　式（１）中、Ｒｘは１価の有機基である。Ｒｘが存在する場合、ＲｘはＳＱ８中のケイ素原子と結合する。１価の有機基としては、炭化水素基、アルコキシ基等が挙げられる。
　前記炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基が挙げられ、炭素数１～１０の直鎖又は分岐炭化水素基、炭素数３～１０の環状炭化水素基、炭素数６～２０の芳香族炭化水素基、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される基が好ましい。前記炭化水素基はハロゲン原子（例えばフッ素原子）で置換されていてもよく、環境負荷の低減の観点からは、ハロゲン原子（例えばフッ素原子）で置換されていないことが好ましい。
　前記アルコキシ基としては、前記炭化水素基として例示した基に酸素原子が結合した基が挙げられる。ただし、前記酸素原子はＳＱ８中のケイ素原子と結合する。
　前記炭化水素基としては、－ＣＨ３、－ＣＨ２ＣＨ３、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３、－ＣＨ（ＣＨ３）２、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３、－ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２、－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ３、－Ｃ（ＣＨ３）３、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＦ３、－ＯＣＨ３、－ＯＣＨ２ＣＨ３、－ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３、－ＯＣＨ（ＣＨ３）２、－ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３、－ＯＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２、－ＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ３、－ＯＣ（ＣＨ３）３、－ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＦ３、及び下記群（Ａ）からなる群より選択される基が挙げられる。以下の構造式において、波線はＳＱ８のケイ素原子との結合部を表す。
　式（１）におけるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇで表される基としては、基（３－１Ａ）又は基（３－１Ｂ）が好ましい。
　－Ｑａ－Ｘ３１（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）ｈ（－Ｒ３１）ｉ　　…（３－１Ａ）
　－Ｑｃ－［ＣＨ２Ｃ（Ｒ３２）（－Ｑｄ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）］ｙ－Ｒ３３　　…（３－１Ｂ）
　式（３－１Ａ）及び式（３－１Ｂ）中、Ｒ、Ｌ、及びｎの定義は、上述した通りである。
　式（３－１Ａ）において、
　Ｑａは、単結合又は２価の連結基であり、
　Ｘ３１は、単結合、アルキレン基、炭素原子、窒素原子、ケイ素原子、２～８価のオルガノポリシロキサン残基、又は（ｈ＋ｉ＋１）価の環を有する基であり、
　Ｑｂは、単結合又は２価の連結基であり、
　Ｒ３１は、水素原子、水酸基又はアルキル基であり、
　ｈは１以上の整数であり、ｉは０以上の整数であり、
　Ｒ、Ｌ、及びｎの定義及び具体例は、反応性シリル基内の各符号の定義及び具体例と同じである。
　ただし、Ｑａ、Ｘ３１、及びＱｂ全てが単結合となることはない。すなわち、式（３－１Ａ）において、Ｑａが単結合であり、かつ、Ｘ３１が単結合であり、かつ、Ｑｂが単結合であること、はない。
　式（３－１Ｂ）において、
　Ｑｃは、単結合又は２価の連結基であり、
　Ｒ３２は、水素原子又は炭素数１～１０のアルキル基であり、
　Ｑｄは、単結合又はアルキレン基であり、
　Ｒ３３は、水素原子又はハロゲン原子であり、
　ｙは、１～１０の整数であり、
　Ｒ、Ｌ、及びｎの定義及び具体例は、反応性シリル基内の各符号の定義及び具体例と同じである。
　Ｑａは、単結合又は２価の連結基である。
　２価の連結基としては、例えば、２価の炭化水素基、２価の複素環基、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ２－、－Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｓｉ（Ｒａ）２－及び、これらを２種以上組み合わせた基が挙げられる。ただし、ＱａのＳＱ８側末端は、－Ｓ－、－ＳＯ２－、－Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、又は－Ｓｉ（Ｒａ）２－ではない。ここで、Ｒａは、アルキル基（好ましくは炭素数１～１０）、又はフェニル基である。上記Ｒｄは、水素原子又はアルキル基（好ましくは炭素数１～１０）である。
　上記２価の炭化水素基としては、２価の飽和炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基等が挙げられる。
　２価の飽和炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状又は環状であってもよく、例えば、アルキレン基が挙げられる。２価の飽和炭化水素基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６がさらに好ましく、１～３が特に好ましい。
　２価の芳香族炭化水素基としては、炭素数５～２０のものが好ましく、例えば、フェニレン基が挙げられる。
　２価の炭化水素基は、炭素数２～２０のアルケニレン基、炭素数２～２０のアルキニレン基であってもよい。
　上記これらを２種以上組み合わせた基としては、例えば、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ２－、－Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｓｉ（Ｒａ）２－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－ＳＯ２Ｎ（Ｒｄ）－、又は－Ｎ（Ｒｄ）ＳＯ２－を有するアルキレン基が挙げられる。
　Ｘ３１は、単結合、アルキレン基、炭素原子、窒素原子、ケイ素原子、２～８価のオルガノポリシロキサン残基、又は（ｈ＋ｉ＋１）価の環を有する基である。
　なお、上記アルキレン基は、－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基又はジアルキルシリレン基を有していてもよい。アルキレン基は、－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基及びジアルキルシリレン基からなる群から選択される基を複数有していてもよい。
　Ｘ３１で表されるアルキレン基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましい。
　２～８価のオルガノポリシロキサン残基としては、２価のオルガノポリシロキサン残基、及び、後述する（ｗ２＋１）価のオルガノポリシロキサン残基が挙げられる。
　Ｘ３１が（ｈ＋ｉ＋１）価の環を有する基である場合、Ｑａ、（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）、及び－Ｒ３１(ｉ＝１以上の場合）は該環を構成する原子に直接結合している。ただし、該環はオルガノポリシロキサン環以外の環である。以下、特に言及しない限り、Ｘ３１における環は、オルガノポリシロキサン環以外の環を意味する。
　Ｘ３１における環は、単環、縮合多環、橋かけ環、スピロ環及び集合多環のいずれであってもよく、環を構成する原子は、炭素原子のみからなる炭素環でもよく、２価以上の原子価を有するヘテロ原子と炭素原子とからなるヘテロ環でもよい。また、環を構成する原子間の結合は、単結合であってもよく、多重結合であってもよい。さらに、環は芳香族性の環であってもよく、非芳香族性の環であってもよい。
　単環としては、４員環～８員環が好ましく、５員環及び６員環がより好ましい。縮合多環としては、４員環～８員環の２以上が縮合した縮合多環が好ましく、５員環及び６員環から選ばれる環の２又は３個結合した縮合多環、及び、５員環及び６員環から選ばれる環の１又は２個と４員環１個が結合した縮合多環がより好ましい。橋かけ環としては、５員環又は６員環を最大の環とする橋かけ環が好ましく、スピロ環としては、４員環～６員環の２つからなるスピロ環が好ましい。集合多環としては、５員環及び６員環から選ばれる環の２又は３個が単結合、炭素原子の１～３個、又は原子価が２又は３のヘテロ原子１個を介して結合した集合多環が好ましい。なお、集合多環においては、各環にＱａ、（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）及びＲ３１(ｉ＝１以上の場合）のいずれかが結合していることが好ましい。
　上記環を構成するヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子が好ましく、窒素原子及び酸素原子がより好ましい。環を構成するヘテロ原子の数は３個以下が好ましい。また、環を構成するヘテロ原子の数が２個以上の場合、それらのヘテロ原子は同じでも異なっていてもよい。
　Ｘ３１における環としては、化合物を製造しやすい点及び表面処理層の耐摩耗性、耐光性及び耐薬品性がさらに優れる観点から、３～８員環の脂肪族環、ベンゼン環、３～８員環のヘテロ環、これらの環のうちの２又は３個が縮合した縮合環、５員環又は６員環を最大の環とする橋かけ環、及び、これらの環のうちの２つ以上を有し、連結基が単結合、炭素数３以下のアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子である集合多環からなる群より選択される１種が好ましい。
　好ましい環は、ベンゼン環、５員又は６員の脂肪族環、窒素原子又は酸素原子を有する５員又は６員のヘテロ環、及び、５員又は６員の炭素環と４～６員のヘテロ環との縮合環である。
　具体的な環としては、以下に示す環と、１，３－シクロヘキサジエン環、１，４－シクロヘキサジエン環、アントラセン環、シクロプロパン環、デカヒドロナフタレン環、ノルボルネン環、ノルボルナジエン環、フラン環、ピロール環、チオフェン環、ピラジン環、モルホリン環、アジリジン環、イソキノリン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピラン環、ピリダジン環、ピリミジン環、及びインデン環が挙げられる。なお、以下には、オキソ基（＝Ｏ）を有する環も示す。
　Ｘ３１における環を構成する原子の環を構成しない結合手は、Ｑａ、（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）又はＲ３１(ｉ＝１以上の場合）に結合する結合手であり、残余の結合手がある場合は水素原子や置換基に結合している。該置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基（炭素－炭素原子間にエーテル性酸素原子を含んでいてもよい。）、シクロアルキル基、アルケニル基、アリル基、アルコキシ基、オキソ基（＝Ｏ）等が挙げられる。
　また、環を構成する炭素原子の１個がＱａ、（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）、又は－Ｒ３１(ｉ＝１以上の場合）に結合できる結合手を２つ有する場合、その１個の炭素原子にＱａ、（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）、及び－Ｒ３１のうちの任意の２つが結合していてもよい。ＱａとＱｂとは別の環構成原子に結合していることが好ましい。ｉ個のＲ３１はそれぞれ別個の環構成原子に結合していてもよく、ｉ個のＲ３１のうちの２個が１個の環構成炭素原子に結合していてもよい。２個のＲ３１が結合した環構成炭素原子が２個以上存在してもよい。
　なかでも、Ｘ３１は、表面処理層の耐摩耗性を向上させる観点から、炭素原子、窒素原子、ケイ素原子、４～８価のオルガノポリシロキサン残基、又は（ｈ＋ｉ＋１）価の環を有する基が好ましく、炭素原子又はケイ素原子がより好ましい。
　Ｑｂは、単結合又は２価の連結基である。
　２価の連結基としては、例えば、２価の炭化水素基、２価の複素環基、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ２－、－Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｓｉ（Ｒａ）２－及び、これらを２種以上組み合わせた基が挙げられる。ここで、Ｒａは、アルキル基（好ましくは炭素数１～１０）又はフェニル基である。上記Ｒｄは、水素原子又はアルキル基（好ましくは炭素数１～１０）である。
　上記２価の炭化水素基としては、２価の飽和炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基が挙げられる。２価の飽和炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状又は環状であってもよく、例えば、アルキレン基が挙げられる。２価の飽和炭化水素基（例えばアルキレン基）の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、例えば２、３、８、９、１１が挙げられる。アルキニレン基又はアルケニレン基の炭素数は２～２０が好ましく、例えば２、３、８、９、１１が挙げられる。また、２価の芳香族炭化水素基としては、炭素数５～２０のものが好ましく、例えば、フェニレン基が挙げられる。
　上記これらを２種以上組み合わせた基としては、例えば、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－ＳＯ２Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）ＳＯ２－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－を有するアルキレン基、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）－を有するアルキレン基、エーテル性酸素原子を有するアルキレン基、－ＯＣ（Ｏ）－を有するアルキレン基、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－を有するアルキレン基、－ＳＯ２Ｎ（Ｒｄ）－を有するアルキレン基、アルキレン基－Ｓｉ（Ｒａ）２－フェニレン基－Ｓｉ（Ｒａ）２が挙げられる。
　一態様において、Ｑｂとしては、単結合、及びアルキレン基（好ましくは炭素数１～３０、より好ましくは１～２０、さらに好ましくは２～２０、例えば２、３、８、９、１１）が好ましい。
　Ｒ３１は、水素原子、水酸基又はアルキル基である。
　アルキル基の炭素数は、１～５が好ましく、１～３がより好ましく、１がさらに好ましい。
　ｈは１以上の整数であり、ｉは０以上の整数である。
　Ｘ３１が単結合又はアルキレン基の場合、ｈは１、ｉは０である。
　Ｘ３１が窒素原子の場合、ｈは１～２の整数であり、ｉは０～１の整数であり、ｈ＋ｉ＝２を満たす。
　Ｘ３１が炭素原子又はケイ素原子の場合、ｈは１～３の整数であり、ｉは０～２の整数であり、ｈ＋ｉ＝３を満たす。
　Ｘ３１が２～８価のオルガノポリシロキサン残基の場合、ｈは１～７の整数であり、ｉは０～６の整数であり、ｈ＋ｉ＝１～７を満たす。
　Ｘ３１が（ｈ＋ｉ＋１）価の環を有する基の場合、ｈは１～７の整数であり、ｉは０～６の整数であり、ｈ＋ｉ＝１～７を満たす。
　（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）が２個以上ある場合は、２個以上の（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ３１が２個以上ある場合は、２個以上の（－Ｒ３１）は、同一であっても異なっていてもよい。
　なかでも、表面処理層の耐摩耗性を向上させる観点からは、ｉは０が好ましい。
　Ｑｃは、単結合又は２価の連結基である。
　２価の連結基の定義及び詳細は、上述したＱａで説明した定義及び詳細と同じである。
　Ｒ３２は、水素原子又は炭素数１～１０のアルキル基であり、化合物を製造しやすい観点から、水素原子が好ましい。
　アルキル基としては、メチル基が好ましい。
　Ｑｄは、単結合又はアルキレン基である。アルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～６がより好ましい。化合物を製造しやすい観点から、Ｑｄは、単結合又は－ＣＨ２－が好ましい。
　Ｒ３３は、水素原子又はハロゲン原子であり、化合物を製造しやすい観点から、水素原子が好ましい。
　ｙは、１～１０の整数であり、１～６の整数が好ましい。
　２個以上の［ＣＨ２Ｃ（Ｒ３２）（－Ｑｄ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）］は、同一であっても異なってもよい。
　基（３－１Ａ）としては、基（３－１Ａ－１）～（３－１Ａ－７）が好ましい。
　－（Ｏ）ｓ１－Ｑｂ１－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ　　　　　　　　　　…（３－１Ａ－１）
　－（Ｏ）ｓ２－Ｑａ２－Ｎ［－Ｑｂ２－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］２　　…（３－１Ａ－２）
　－Ｑａ３－Ｓｉ（Ｒｇ）［－Ｑｂ３－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］２　　　…（３－１Ａ－３）
　－［Ｏ］ｓ４－Ｑａ４－（Ｏ）ｔ４－Ｃ［－（Ｏ）ｕ４－Ｑｂ４－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］３－ｗ１（－Ｒ３１）ｗ１　　　…（３－１Ａ－４）
　－Ｑａ５－Ｓｉ［－Ｑｂ５－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］３　　　　　　　…（３－１Ａ－５）
　－［Ｏ］ｖ－Ｑａ６－Ｚａ［－Ｑｂ６－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｗ２　　…（３－１Ａ－６）
　－［Ｏ］ｓ４－Ｑａ４－（Ｏ）ｔ４－Ｚｃ［－（Ｏ－Ｑｂ４）ｕ４－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｗ３（－ＯＨ）ｗ４　　…（３－１Ａ－７）
　なお、式（３－１Ａ－１）～（３－１Ａ－７）中、Ｒ、Ｌ、及び、ｎの定義は、上述した通りである。
　基（３－１Ａ－１）において、ｓ１は、０又は１である。
　Ｑｂ１は、アルキレン基である。なお、アルキレン基は、－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基又はジアルキルシリレン基を有していてもよい。アルキレン基は、－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基及びジアルキルシリレン基からなる群から選択される基を複数有していてもよい。
　なお、アルキレン基が－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基又はジアルキルシリレン基を有する場合、炭素原子－炭素原子間にこれらの基を有することが好ましい。
　Ｑｂ１で表されるアルキレン基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば２、３、８、９、１１が挙げられる。また、前記炭素数は１～１０であってもよい。
　Ｑｂ１としては、ｓ１が０の場合は、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい。ｓ１が１の場合は、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい。Ｑｂ１がこれらの基であると化合物が製造しやすい。
　基（３－１Ａ－１）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、ＳＱ８のケイ素原子との結合位置を表す。
　基（３－１Ａ－２）において、Ｑａ２は、単結合、アルキレン基、－Ｃ（Ｏ）－、又は、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－ＳＯ２Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）ＳＯ２－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、若しくは－ＮＨ－を有する基である。
　Ｑａ２で表されるアルキレン基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６がさらに好ましく、１～３が特に好ましい。
　Ｑａ２で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－ＳＯ２Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）ＳＯ２－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、又は－ＮＨ－を有する基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～６がより好ましい。
　Ｑａ２は、化合物を製造しやすい観点から、－ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＮＨＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２－、又は－Ｃ（Ｏ）－が好ましい。
　ｓ２は、０又は１（ただし、Ｑａ２が単結合の場合は０である。）である。
　Ｑｂ２は、アルキレン基、又は、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に、２価のオルガノポリシロキサン残基、エーテル性酸素原子若しくは－ＮＨ－を有する基である。
　Ｑｂ２で表されるアルキレン基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば２、３、８、９、１１が挙げられる。また、前記炭素数は１～１０であってもよい。
　Ｑｂ２で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に、２価のオルガノポリシロキサン残基、エーテル性酸素原子又は－ＮＨ－を有する基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～６がより好ましい。
　Ｑｂ２としては、化合物を製造しやすい観点から、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側がＳｉに結合する。）。
　２個の［－Ｑｂ２－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。
　基（３－１Ａ－２）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、ＳＱ８のケイ素原子との結合位置を表す。また、式中、反応性シリル基に結合する（ＣＨ２）αにおけるαはメチレン基の数を表す整数であり、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば、２、３、８、９、１１が挙げられる。また、αは１～１０であってもよい。同一化合物中に含まれる複数のαは同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。例えば、同一化合物中に含まれる複数のαが全て２、３、８、９、又は１１である。以下同様である。
　基（３－１Ａ－３）において、Ｑａ３は、エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基である。
　エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６がさらに好ましく、１～３が特に好ましい。また、前記炭素数は２～６であってもよい。
　Ｒｇは、水素原子、水酸基又はアルキル基である。
　Ｒｇとしては、化合物を製造しやすい観点からは、水素原子又はアルキル基が好ましい。アルキル基の炭素数は１～１０が好ましく、１～４がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。
　Ｑｂ３は、アルキレン基、又は、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子若しくは２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基である。
　Ｑｂ３で表されるアルキレン基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば２、３、８、９、１１が挙げられる。また、前記炭素数は１～１０であってもよい。
　Ｑｂ３で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子又は２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基の炭素数は、２～２０が好ましく、２～１０がより好ましく、２～６がさらに好ましい。
　Ｑｂ３は、化合物を製造しやすい観点から、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、又は－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい。
　２個の［－Ｑｂ３－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。
　基（３－１Ａ－３）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、ＳＱ８のケイ素原子との結合位置を表す。ｒは１～１０の整数を表す。
　基（３－１Ａ－４）において、Ｒ３１の定義は、上述した通りである。
　ｓ４は、０又は１である。
　Ｑａ４は、単結合、又は、エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基である。
　エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６がさらに好ましく、１～３が特に好ましい。また、前記炭素数は２～６であってもよい。
　ｔ４は、０又は１（ただし、Ｑａ４が単結合の場合は０である。）である。
　－Ｑａ４－（Ｏ）ｔ４－としては、化合物を製造しやすい観点から、ｓ４が０の場合は、－ＣＨ２Ｏ－、－ＣＨ２ＯＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２－が好ましく（ただし、左側がＳＱ８のケイ素原子に結合する。）、ｓ４が１の場合は、単結合、－ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい。
　Ｑｂ４は、アルキレン基であり、上記アルキレン基は－Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－（Ｒｄの定義は、上述した通りである。）、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基又はジアルキルシリレン基を有していてもよい。
　なお、アルキレン基が－Ｏ－又はシルフェニレン骨格基を有する場合、炭素原子－炭素原子間に－Ｏ－又はシルフェニレン骨格基を有することが好ましい。また、アルキレン基が－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、ジアルキルシリレン基又は２価のオルガノポリシロキサン残基を有する場合、炭素原子－炭素原子間又は（Ｏ）ｕ４と結合する側の末端にこれらの基を有することが好ましい。
　Ｑｂ４で表されるアルキレン基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば２、３、８、９、１１が挙げられる。また、前記範囲は１～１０であってもよい。
　ｕ４は、０又は１である。
　－（Ｏ）ｕ４－Ｑｂ４－としては、化合物を製造しやすい観点から、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、及び－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＣＨ３）２ＰｈＳｉ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側が－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎのＳｉに結合する。）。
　ｗ１は、０～２の整数であり、０又は１が好ましく、０がより好ましい。
　［－（Ｏ）ｕ４－Ｑｂ４－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］が２個以上ある場合は、２個以上の［－（Ｏ）ｕ４－Ｑｂ４－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。
　Ｒ３１が２個以上ある場合は、２個以上の（－Ｒ３１）は、同一であっても異なっていてもよい。
　基（３－１Ａ－４）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、ＳＱ８のケイ素原子との結合位置を表す。ｒは０～１０の整数を表す。
　基（３－１Ａ－５）において、Ｑａ５は、エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基又は（ポリ）オキシアルキレン基である。
　エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６がさらに好ましく、１～３が特に好ましい。また、前記炭素数は２～６であってもよい。
　Ｑａ５としては、化合物を製造しやすい観点から、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側がＳｉに結合する。）。
　Ｑｂ５は、単結合、アルキレン基、又は、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子若しくは２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基である。
　Ｑｂ５で表されるアルキレン基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば２、３、８、９、１１が挙げられる。また、前記炭素数は１～１０であってもよい。
　Ｑｂ５で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子又は２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基の炭素数は、２～２０が好ましく、２～１０がより好ましく、２～６がさらに好ましい。
　Ｑｂ５としては、化合物を製造しやすい観点から、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、及び－ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側がＳｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎに結合する。）。
　３個の［－Ｑｂ５－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。
　基（３－１Ａ－５）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、ＳＱ８のケイ素原子との結合位置を表す。ｒは１～１０の整数を表す。
　基（３－１Ａ－６）中、ｖは、０又は１である。
　Ｑａ６は、エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基である。
　エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６がさらに好ましく、１～３が特に好ましい。また、前記炭素数は２～６であってもよい。
　Ｑａ６としては、化合物を製造しやすい観点から、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－、及び－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側がＺａに結合する。）。
　Ｚａは、（ｗ＋１）価のオルガノポリシロキサン残基である。
　ｗ２は、２～７の整数である。
　（ｗ２＋１）価のオルガノポリシロキサン残基としては、下記の基が挙げられる。ただし、下式におけるＲａは、上述の通りである。
　Ｑｂ６は、アルキレン基、又は、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子若しくは２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基である。
　Ｑｂ６で表されるアルキレン基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば２、３、８、９、１１が挙げられる。また、前記炭素数は１～１０であってもよい。
　Ｑｂ６で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子又は２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基の炭素数は、２～２０が好ましく、２～１０がより好ましく、２～６がさらに好ましい。
　Ｑｂ６としては、化合物を製造しやすい観点から、－ＣＨ２ＣＨ２－、及び－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい。
　ｗ２個の［－Ｑｂ６－Ｓｉ（Ｒ）ｎ３Ｌ３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。
　基（３－１Ａ－６）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、ＳＱ８のケイ素原子との結合位置を表す。ｒは１～１０の整数を表す。
　基（３－１Ａ－７）において、Ｚｃは（ｗ３＋ｗ４＋１）価の炭化水素基である。
　ｗ３は、４以上の整数である。
　ｗ４は、０以上の整数である。
　ｓ４、Ｑａ４、ｔ４、Ｑｂ４、及びｕ４の定義及び好ましい範囲は基（３－１Ａ－４）中の各符号の定義と同じである。
　Ｚｃは炭化水素鎖からなってもよく、炭化水素鎖の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子を有してもよく、炭化水素鎖からなることが好ましい。
　Ｚｃの価数は５～２０価が好ましく、５～１０価がより好ましく、５～８価がさらに好ましく、５価又は６価が特に好ましい。
　Ｚｃの炭素数は３～５０が好ましく、４～４０がより好ましく、５～３０がさらに好ましい。
　ｗ３は、４～２０が好ましく、４～１６がより好ましく、４～８がさらに好ましく、４又は５が特に好ましい。
　ｗ４は、０～１０が好ましく、０～８がより好ましく、０～６がさらに好ましく、０～３が特に好ましく、０又は１が最も好ましい。
　［－（Ｏ－Ｑｂ４）ｕ４－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］が２個以上ある場合は、２個以上の［－（Ｏ－Ｑｂ４）ｕ４－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。
　基（３－１Ａ－７）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、ＳＱ８のケイ素原子との結合位置を表す。ｒは０～１０の整数を表す。
　　式（１）におけるＹ１は、基（ｇ２－１）～（ｇ２－７）であってもよい。
　－Ａ１－Ｑ１２－Ｃ（Ｒｅ２）３－ｅ２（－Ｑ２２－）ｅ２　　　…（ｇ２－２）
　－Ａ１－Ｑ１３－Ｎ（－Ｑ２３－）２　　　　　　　　　　…（ｇ２－３）
　－Ａ１－Ｑ１４－Ｚ１（－Ｑ２４－）ｈ２　　　　　　　　　…（ｇ２－４）
　－Ａ１－Ｑ１５－Ｓｉ（Ｒｅ３）３－ｉ２（－Ｑ２５－）ｉ２　　…（ｇ２－５）
　－Ａ１－Ｑ２６－　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（ｇ２－６）
　－Ａ１－Ｑ１２－ＣＨ（－Ｑ２２－）－Ｓｉ（Ｒｅ３）３－ｉ３（－Ｑ２５－）ｉ３　　…（ｇ２－７）
　ただし、式（ｇ２－１）～（ｇ２－７）においては、Ａ１側がＳＱ８のケイ素原子に接続し、Ｑ２２、Ｑ２３、Ｑ２４、Ｑ２５又はＱ２６側が［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］に接続する。
　Ａ１は、単結合又は－Ｏ－である。
　Ｑ１１は、単結合、－Ｏ－、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－又はＯ－を有する基である。
　Ｑ１２は、単結合、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基と－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－又は－Ｏ－との組み合わせである。
　Ｑ１３は、単結合、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基と－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－又は－Ｏ－との組み合わせである。
　Ｑ１４は、Ｑ１４が結合するＺ１における原子が炭素原子の場合、Ｑ１２であり、Ｑ１４が結合するＺ１における原子が窒素原子の場合、Ｑ１３である。
　Ｑ１５は、アルキレン基、又はアルキレン基と－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－又は－Ｏ－との組み合わせである。
　Ｑ２２は、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－又はＯ－を有する基、アルキレン基のＳｉに接続しない側の末端に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－又はＯ－を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－又はＯ－を有しかつＳｉに接続しない側の末端に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－又はＯ－を有する基であり、Ｑ２２が２以上存在する場合、２以上のＱ２２は同一であっても異なっていてもよい。
　Ｑ２３は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－又はＯ－を有する基であり、２個のＱ２３は同一であっても異なっていてもよい。
　Ｑ２４は、Ｑ２４が結合するＺ１における原子が炭素原子の場合、Ｑ２２であり、Ｑ２４が結合するＺ１における原子が窒素原子の場合、Ｑ２３であり、Ｑ２４が２以上存在する場合、２以上のＱ２４は同一であっても異なっていてもよい。
　Ｑ２５は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－又はＯ－を有する基であり、Ｑ２５が２以上存在する場合、２以上のＱ２５は同一であっても異なっていてもよい。
　Ｑ２６は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－又はＯ－を有する基である。
　Ｚ１は、Ｑ１４が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有しかつＱ２４が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有する（ｈ２＋１）価の環構造を有する基である。
　Ｒｅ１は、水素原子又はアルキル基であり、Ｒｅ１が２以上存在する場合、２以上のＲｅ１は同一であっても異なっていてもよい。
　Ｒｅ２は、水素原子、水酸基、アルキル基又はアシルオキシ基である。
　Ｒｅ３は、アルキル基である。Ｒ６は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基又はフェニル基である。
　ｄ２は、０～２の整数であり、１又は２が好ましい。
　ｄ４は、０～３の整数であり、２又は３が好ましい。
　ｄ２＋ｄ４は、１～５の整数であり、４又は５が好ましい。
　ｅ２は、１～３の整数であり、２又は３が好ましい。
　ｈ２は、１以上の整数であり、２又は３が好ましい。
　ｉ２は、１～３の整数であり、２又は３が好ましい。
　ｉ３は、２又は３である。
　Ｑ１１、Ｑ１２、Ｑ１３、Ｑ１４、Ｑ１５、Ｑ２２、Ｑ２３、Ｑ２４、Ｑ２５及びＱ２６のアルキレン基の炭素数は、化合物の製造容易性に優れる観点、及び表面処理層の耐摩耗性がさらに優れる観点から、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば２、３、８、９、１１が挙げられる。また、前記炭素数は１～１０であってもよく、１～６であってもよく、１～４であってもよい。ただし、炭素－炭素原子間に特定の結合を有する場合のアルキレン基の炭素数の下限値は２である。
　Ｚ１における環構造としては、上述した環構造が挙げられ、好ましい形態も同様である。なお、Ｚ１における環構造にはＱ１４やＱ２４が直接結合するため、例えば、環構造にアルキレン基が連結して、そのアルキレン基にＱ１４やＱ２４が連結することはない。
　Ｒｅ１、Ｒｅ２又はＲｅ３のアルキル基の炭素数は、化合物の製造容易性に優れる観点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２がさらに好ましい。
　Ｒｅ２のアシルオキシ基のアルキル基部分の炭素数は、化合物の製造容易性に優れる観点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２がさらに好ましい。
　ｈ２としては、化合物の製造容易性に優れる観点、及び表面処理層の耐摩耗性がさらに優れる観点から、２～６が好ましく、２～４がより好ましく、２又は３がさらに好ましい。
　式（１）におけるＹ１は、基（ｇ２－８）～（ｇ２－１４）であってもよい。
　－Ａ１－Ｑ１２－Ｃ（Ｒｅ２）３－ｅ２（－Ｑ２２－Ｇ１）ｅ２　　…（ｇ２－９）
　－Ａ１－Ｑ１３－Ｎ（－Ｑ２３－Ｇ１）２　　　　　　　　　…（ｇ２－１０）
　－Ａ１－Ｑ１４－Ｚ１（－Ｑ２４－Ｇ１）ｈ２　　　　　　　　…（ｇ２－１１）
　－Ａ１－Ｑ１５－Ｓｉ（Ｒｅ３）３－ｉ２（－Ｑ２５－Ｇ１）ｉ２　…（ｇ２－１２）
　－Ａ１－Ｑ２６－Ｇ１　　　　　　　　　　　　　　　　　…（ｇ２－１３）
　－Ａ１－Ｑ１２－ＣＨ（－Ｑ２２－Ｇ１）－Ｓｉ（Ｒｅ３）３－ｉ３（－Ｑ２５－Ｇ１）ｉ３　　…（ｇ２－１４）
　ただし、式（ｇ２－８）～（ｇ２－１４）においては、Ａ１側がＳＱ８のケイ素原子に接続し、Ｇ１側が［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］に接続する。Ｇ１は、基（ｇ３）であり、Ｙ１が有する２以上のＧ１は同一であっても異なっていてもよい。Ｇ１以外の符号は、式（ｇ２－１）～（ｇ２－７）における符号と同じである。
　－Ｓｉ（Ｒ８）３－ｋ３（－Ｑ３－）ｋ３　　…（ｇ３）
　ただし、式（ｇ３）においては、Ｓｉ側がＱ２２、Ｑ２３、Ｑ２４、Ｑ２５及びＱ２６に接続し、Ｑ３側が［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］に接続する。Ｒ８は、アルキル基である。Ｑ３は、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－若しくは－Ｏ－を有する基、又は（ＯＳｉ（Ｒ９）２）ｐ－Ｏ－であり、２以上のＱ３は同一であっても異なっていてもよい。ｋ３は、２又は３である。Ｒ６は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基又はフェニル基である。Ｒ９は、アルキル基、フェニル基又はアルコキシ基であり、２個のＲ９は同一であっても異なっていてもよい。ｐは、０～５の整数であり、ｐが２以上の場合、２以上の（ＯＳｉ（Ｒ９）２）は同一であっても異なっていてもよい。
　Ｑ３のアルキレン基の炭素数は、化合物の製造容易性に優れる観点、並びに、表面処理層の耐摩耗性がさらに優れる観点から、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば２、３、８、９、１１が挙げられる。また、前記炭素数は１～１０であってもよく、１～６であってもよく、１～４であってもよい。ただし、炭素－炭素原子間に特定の結合を有する場合のアルキレン基の炭素数の下限値は２である。
　Ｒ８のアルキル基の炭素数は、化合物の製造容易性に優れる観点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２がさらに好ましい。
　Ｒ９のアルキル基の炭素数は、化合物の製造容易性に優れる観点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２がさらに好ましい。
　Ｒ９のアルコキシ基の炭素数は、化合物（１）の保存安定性に優れる観点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２がさらに好ましい。
　ｐは、０又は１が好ましい。
　化合物（１）としては、以下のＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇを有する化合物（１）が挙げられる。
　Ｙ１が基（ｇ２－１）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。
　Ｙ１が基（ｇ２－２）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。
　Ｙ１が基（ｇ２－３）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。
　Ｙ１が基（ｇ２－４）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。ｒは０～１０の整数を表す。
　Ｙ１が基（ｇ２－５）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。
　Ｙ１が基（ｇ２－６）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。　
　Ｙ１が基（ｇ２－７）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。
　Ｙ１が基（ｇ２－８）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。
　Ｙ１が基（ｇ２－９）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。
　Ｙ１が基（ｇ２－１０）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。
　Ｙ１が基（ｇ２－１１）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。
　Ｙ１が基（ｇ２－１２）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。
　Ｙ１が基（ｇ２－１３）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。
　Ｙ１が基（ｇ２－１４）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。
　シルセスキオキサン化合物としては、例えば、以下の化合物が好ましい。
　上記化合物において、Ｙの少なくとも１つは、　［（ＣＨ２）ｎ１ＯＨ］で表される基であり、Ｙの少なくとも１つは、Ｙ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇで表される基であり、残りのＹは、１価の炭化水素基である。ただし、Ｙの少なくとも１つにおいて、Ｙ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇのｇは２以上である。
　基Ｙ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇの定義及び詳細は式（１）中のＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇの定義及び詳細と同じである。
　１価の炭化水素基の定義及び詳細は式（１）中の１価の炭化水素基の定義及び詳細と同じである。
　上記化合物において、シルセスキオキサン骨格が完全かご型シルセスキオキサン骨格であることを除き、上述したシルセスキオキサン化合物の詳細を適用できる。
　シスセスキオキサン化合物としては、化合物（１）以外に化合物（３）及び（４）も挙げられる。化合物（３）及び（４）のＳＱ１０及びＳＱ１２中のＳｉ炭素数はそれぞれ１０、１２個である。化合物（３）及び（４）のＳＱ１０及びＳＱ１２はかご型であることが好ましい。
　ＳＱ１０（Ｙ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇ）ｍ１［（ＣＨ２）ｎ１ＯＨ］ｍ２（Ｒｘ）ｍ３…（３）
　式（３）中、
　ＳＱ１０はＳｉ原子を１０個有するシルセスキオキサン骨格であり、
　Ｙ１はそれぞれ独立に（ｇ＋１）価の連結基であり、
　Ｒはそれぞれ独立に１価の炭化水素基であり、
　Ｌはそれぞれ独立に加水分解性基又は水酸基であり、
　ｎはそれぞれ独立に０～２の整数であり、
　ｇはそれぞれ独立に１以上の整数であり、少なくとも１つのｇは２以上の整数であり、
　ｍ１は１～９の整数であり、
　ｍ２は１～９の整数であり、
　ｍ３は０～８の整数であり、
　ｍ１＋ｍ２＋ｍ３は１０であり、
　ｎ１は０～５の整数であり、
　Ｒｘは１価の有機基であり、
　Ｙ１、（ＣＨ２）ｎ１、及びＲｘはそれぞれＳＱ１０中のケイ素原子と結合する。
　ＳＱ１２（Ｙ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇ）ｍ１［（ＣＨ２）ｎ１ＯＨ］ｍ２（Ｒｘ）ｍ３…（４）
　式（４）中、
　ＳＱ１２はＳｉ原子を１２個有するシルセスキオキサン骨格であり、
　Ｙ１はそれぞれ独立に（ｇ＋１）価の連結基であり、
　Ｒはそれぞれ独立に１価の炭化水素基であり、
　Ｌはそれぞれ独立に加水分解性基又は水酸基であり、
　ｎはそれぞれ独立に０～２の整数であり、
　ｇはそれぞれ独立に１以上の整数であり、少なくとも１つのｇは２以上の整数であり、
　ｍ１は１～１１の整数であり、
　ｍ２は１～１１の整数であり、
　ｍ３は０～１０の整数であり、
　ｍ１＋ｍ２＋ｍ３は１２であり、
　ｎ１は０～５の整数であり、
　Ｒｘは１価の有機基であり、
　Ｙ１、（ＣＨ２）ｎ１、及びＲｘはそれぞれＳＱ１２中のケイ素原子と結合する。
　式（３）中の各符号の定義及び詳細は、ＳＱ１０がＳｉ原子を１０個有するシルセスキオキサンであり、ｍ１＋ｍ２＋ｍ３が１０であることを除き、式（１）中の各符号の定義及び詳細と同じである。
　式（３）におけるｍ１とｍ２の比率は１：９～９：１が好ましい。
　式（３）の具体的態様は、上記を除き式（１）の具体的態様と同じである。
　式（４）中の各符号の定義及び詳細は、ＳＱ１２がＳｉ原子を１２個有するシルセスキオキサンであり、ｍ１＋ｍ２＋ｍ３が１２であることを除き、式（１）中の各符号の定義及び詳細と同じである。
　式（４）におけるｍ１とｍ２の比率は１：１１～１１：１が好ましい。
　式（４）の具体的態様は、上記を除き式（１）の具体的態様と同じである。
〔化合物の製造方法〕
　シルセスキオキサン化合物の製造方法は特に制限されない。一態様において、シルセスキオキサン化合物は、中間体のヒドロシリル化により得られる。例えば化合物（１）は、下記式（１－１）で表される中間体のヒドロシリル化により得られる。
　ＳＱ８［Ｙ１１（Ｂ）ｇ１］ｍ１［（ＣＨ２）ｎ１ＯＨ］ｍ２（Ｒｘ）ｍ３　…（１－１）
　ＳＱ８はＳｉ原子を８個有するシルセスキオキサン骨格であり、
　Ｙ１１はそれぞれ独立に（ｇ１＋１）価の連結基であり、
　Ｂはそれぞれ独立に、－ＱＬ－ＣＨ＝ＣＨ２であり、ここでＱＬは単結合又は２価の連結基であり、
　ｇ１はそれぞれ独立に１以上の整数であり、少なくとも１つのｇ１は２以上の整数であり、
　ｍ１は１～７の整数であり、
　ｍ２は１～７の整数であり、
　ｍ３は０～６の整数であり、
　ｍ１＋ｍ２＋ｍ３は８であり、
　Ｒｘは１価の有機基であり、
　Ｙ１１、（ＣＨ２）ｎ１、及びＲｘはそれぞれＳＱ８中のケイ素原子と結合する。
　式（１－１）におけるＹ１１（Ｂ）ｇ１は、式（１）中のＹ１［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇにおける末端が－ＣＨ２－ＣＨ２－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎである場合に、当該－ＣＨ２－ＣＨ２－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ基が－ＣＨ＝ＣＨ２に置き換えられたものである。
　同様にして、化合物（３）及び（４）は、下記式（３－１）及び（４－１）で表される中間体のヒドロシリル化によりそれぞれ得られる。なお、化合物（３－１）及び（４－１）のＳＱ１０及びＳＱ１２はかご型であることが好ましい。
　ＳＱ１０［Ｙ１１（Ｂ）ｇ１］ｍ１［（ＣＨ２）ｎ１ＯＨ］ｍ２（Ｒｘ）ｍ３　…（３－１）
　ＳＱ１０はＳｉ原子を１０個有するシルセスキオキサン骨格であり、
　Ｙ１１はそれぞれ独立に（ｇ１＋１）価の連結基であり、
　Ｂはそれぞれ独立に、－ＱＬ－ＣＨ＝ＣＨ２であり、ここでＱＬは単結合又は２価の連結基であり、
　ｇ１はそれぞれ独立に１以上の整数であり、少なくとも１つのｇ１は２以上の整数であり、
　ｍ１は１～９の整数であり、
　ｍ２は１～９の整数であり、
　ｍ３は０～８の整数であり、
　ｍ１＋ｍ２＋ｍ３は１０であり、
　ｎ１は０～５の整数であり、
　Ｒｘは１価の有機基であり、
　Ｙ１１、（ＣＨ２）ｎ１、及びＲｘはそれぞれＳＱ１０中のケイ素原子と結合する。
　ＳＱ１２［Ｙ１１（Ｂ）ｇ１］ｍ１［（ＣＨ２）ｎ１ＯＨ］ｍ２（Ｒｘ）ｍ３　…（４－１）
　ＳＱ１２はＳｉ原子を１２個有するシルセスキオキサン骨格であり、
　Ｙ１１はそれぞれ独立に（ｇ１＋１）価の連結基であり、
　Ｂはそれぞれ独立に、－ＱＬ－ＣＨ＝ＣＨ２であり、ここでＱＬは単結合又は２価の連結基であり、
　ｇ１はそれぞれ独立に１以上の整数であり、少なくとも１つのｇ１は２以上の整数であり、
　ｍ１は１～１１の整数であり、
　ｍ２は１～１１の整数であり、
　ｍ３は０～１０の整数であり、
　ｍ１＋ｍ２＋ｍ３は１２であり、
　ｎ１は０～５の整数であり、
　Ｒｘは１価の有機基であり、
　Ｙ１１、（ＣＨ２）ｎ１、及びＲｘはそれぞれＳＱ１２中のケイ素原子と結合する。
　式（３－１）中の各符号の定義及び詳細は、ＳＱ１０がＳｉ原子を１０個有するシルセスキオキサンであり、ｍ１＋ｍ２＋ｍ３が１０であることを除き、式（１－１）中の各符号の定義及び詳細と同じである。
　式（４－１）中の各符号の定義及び詳細は、ＳＱ１２がＳｉ原子を１２個有するシルセスキオキサンであり、ｍ１＋ｍ２＋ｍ３が１２であることを除き、式（１－１）中の各符号の定義及び詳細と同じである。
　式（３－１）及び（４－１）におけるＹ１１（Ｂ）ｇ１は、それぞれ式（３）及び式（４）中のＹ１［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇにおける末端が－ＣＨ２－ＣＨ２－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎである場合に、当該－ＣＨ２－ＣＨ２－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ基が－ＣＨ＝ＣＨ２に置き換えられたものである。
　シルセスキオキサン化合物は、組成物中で、上述したシルセスキオキサン化合物の形態で存在していてもよく、反応性シリル基の加水分解によって生じた加水分解物の形態で存在していてもよく、前記加水分解物同士又は前記加水分解物と他の化合物とが縮合して生じた部分縮合物の形態で存在していてもよく、これらの一部又は全部の混合物の形態で存在していてもよい。部分縮合物は、例えば、シルセスキオキサン化合物同士の部分縮合物であってもよく、シルセスキオキサン化合物と後述のアルコキシシランの部分縮合物であってもよい。
　より具体的には、シルセスキオキサン化合物の加水分解物は、反応性シリル基の加水分解により生じる基、例えば、式（２）で表される反応性シリル基の加水分解により生じるシラノール基を有する。また、シルセスキオキサン化合物の部分縮合物は、例えば、前記加水分解物のシラノール基同士、又は前記加水分解物のシラノール基と前記アルコキシシランの加水分解物のシラノール基とが脱水縮合して生じる、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を介した縮合物等が挙げられる。
　本開示の組成物中の、シルセスキオキサン化合物、その加水分解物、及びその部分縮合物の合計含有率は、前記シルセスキオキサン化合物による耐擦傷性及び耐摩耗性の効果を良好に発揮する観点からは、前記シルセスキオキサン化合物換算で、組成物中の固形分全量に対して６０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、８０質量％以上がさらに好ましい。前記合計含有率は、他の成分による効果を発揮する観点からは、９９．９質量％以下であってもよく、９５質量％以下であってもよい。
＜水＞
　本開示の組成物は、シルセスキオキサン化合物、及び必要に応じて用いられる後述のアルコキシシランの加水分解のため、水を含む。
　水の含有量は、前記シルセスキオキサン化合物、その加水分解物、及びその部分縮合物；並びに必要に応じて後述のアルコキシシラン、その加水分解物、及びその部分縮合物、の合計量１００質量部に対して、１～５０質量部が好ましい。前記合計量は、シルセスキオキサン化合物、及び必要に応じて用いられるアルコキシシラン化合物に換算したときの合計量とする。
＜水以外の溶媒＞
　本開示の組成物は、水以外の溶媒を含む。水以外の溶媒としては、組成物中の固形分を溶解可能な溶媒であれば特に制限されず、具体的には、炭化水素系有機溶媒、ケトン系有機溶媒、エーテル系有機溶媒、エステル系有機溶媒、グリコール系有機溶媒、及びアルコール系有機溶媒が挙げられる。
　炭化水素系有機溶媒の具体例としては、ペンタン、ヘキサン、へプタン、オクタン、ヘキサデカン、イソヘキサン、イソオクタン、イソノナン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、ビシクロヘキシル、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、ｏ－キシレン、ｍ－キシレン、ｐ－キシレン、ｏ－ジエチルベンゼン、ｍ－ジエチルベンゼン、ｐ－ジエチルベンゼン、ｎ－ブチルベンゼン、ｓｅｃ－ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ－ブチルベンゼン、パラフィンが挙げられる。
　ケトン系有機溶媒の具体例としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、２－ヘプタノン、４－ヘプタノン、３，５，５－トリメチル－２－シクロヘキセン－１－オン、及び３，３，５－トリメチルシクロヘキサノン、イソホロンが挙げられる。
　エーテル系有機溶媒の具体例としては、ジエチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサンが挙げられる。
　エステル系有機溶媒の具体例としては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ｔｅｒｔ‐ブチル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、３－エトキシプロピオン酸エチル、乳酸エチルエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、３－メトキシ－３－メチルブチルアセテート、３－メトキシブチルアセテート、プロピレングリコールモノメチルアセテート、プロピレングリコールジメチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、シクロヘキサノールアセテート、プロピレングリコールジアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコ－ルメチルエ－テルアセテ－ト、１，３－ブチレングリコールジアセテート、１，４－ブタンジオールジアセテート、１，３－ブチレングリコールジアセテート、１，６－ヘキサンジオールジアセテート、γ－ブチロラクトン、トリアセチン、２，２，４－トリメチル－１，３－ペンタンジオールモノイソブチレートが挙げられる。
　グリコール系有機溶媒の具体例としては、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノ－２－エチルヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノ－２－エチルヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノｔｅｒｔ－ブチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテルトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、１，３－ブチレングリコール、プロピレングリコールｎ－プロピルエーテル、プロピレングリコールｎ－ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールｎ－プロピルエーテル、ジプロピレングリコールｎ－ブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールｎ－ブチルエ－テル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテルペンタン、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ポリエチレングリコールジメチルエーテルが挙げられる。
　アルコール系有機溶媒の具体例としては、メタノール、エタノール、１－プロパノール、イソプロピルアルコール、ｎ－ブタノール、ジアセトンアルコール、イソブタノール、ｓｅｃ－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール、ペンタノール、３－メチル－１，３－ブタンジオール、１，３－ブタンジオール、１，３－ブチレングリコール、オクタンジオール、２，４－ジエチルペンタンジオール、ブチルエチルプロパンジオール、２－メチル－１，３－プロパンジオール、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン、２－エチル－１－ヘキサノール、３，５，５－トリメチル－１－ヘキサノール、イソデカノール、イソトリデカノール、３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノール、２－メトキシブタノール、３－メトキシブタノール、シクロヘキサノール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、ベンジルアルコール、及びメチルシクロヘキサノールが挙げられる。
　また、水以外の溶媒としては、ハロゲン系有機溶媒、含窒素化合物、含硫黄化合物、シロキサン化合物が挙げられる。
　ハロゲン系有機溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ－クロロトルエン、ｍ－クロロトルエン、ｐ－クロロトルエン、ｍ－ジクロロベンゼン、１，２，３－トリクロロプロパンが挙げられる。
　含窒素化合物としては、ニトロベンゼン、アセトニトリル、ベンゾニトリル、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンが挙げられる。
　含硫黄化合物としては、二硫化炭素、ジメチルスルホキシドが挙げられる。
　シロキサン化合物としては、ヘキサメチルジシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサンが挙げられる。
　なかでも、水以外の溶媒としては、水への親和性及び化合物を溶解しやすい観点からは、ケトン系有機溶媒、エーテル系有機溶媒、アルコール系有機溶媒が好ましく、アルコール系有機溶媒が特に好ましい。アルコールとしては、乾燥に適する観点からエタノールがより好ましい。水以外の溶媒は１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　組成物中の水以外の溶媒の含有量は、組成物の塗布性等の観点からは、前記シルセスキオキサン化合物、その加水分解物、及びその部分縮合物；並びに必要に応じて後述のアルコキシシラン、その加水分解物、及びその部分縮合物、の合計量１００質量部に対して、１００～１００，０００質量部が好ましく、１５０～１０，０００質量部がより好ましく、２００～１，０００質量部がさらに好ましく、２００～５００質量部が特に好ましい。前記合計量は、シルセスキオキサン化合物、及び必要に応じて用いられるアルコキシシラン化合物に換算したときの合計量とする。
＜酸又はアルカリ＞
　本開示の組成物は、酸又はアルカリを含む。酸又はアルカリは、それぞれ１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　アルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア又はアンモニウム化合物等が挙げられ、金属化合物を含まない観点からは、アンモニウム化合物が好ましい。一態様において、入手容易性に優れる観点からは、特に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、及び水酸化アンモニウムが好ましい。
　酸としては、塩酸、硝酸、酢酸、硫酸、リン酸、及び、メタンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸等のスルホン酸等が挙げられ、半導体等における塩素混入を低減する観点からは、リン酸、硝酸、酢酸、及びスルホン酸が好ましい。
　本開示の組成物中の、酸又はアルカリの含有量は、前記シルセスキオキサン化合物、その加水分解物、及びその部分縮合物；並びに必要に応じて後述のアルコキシシラン、その加水分解物、及びその部分縮合物、の合計量１００質量部に対して、０．０１～５０質量部が好ましく、０．１～３０質量部がより好ましい。前記合計量は、シルセスキオキサン化合物、及び必要に応じて用いられるアルコキシシラン化合物に換算したときの合計量とする。
＜他の成分＞
　本開示の組成物は、目的に応じて、上述の成分に加えて他の成分を含んでもよい。例えば、本開示の組成物は、金属酸化物（酸化ケイ素等の半金属の酸化物も含む）の粒子、染料又は顔料等の着色用材料、防汚性材料、樹脂、静電防止剤、抗菌・抗ウイルス剤等の添加剤を含んでもよい。添加剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　本開示の組成物は、加水分解性基を有する金属化合物（以下、加水分解性基を有する金属化合物を「特定金属化合物」とも記す。）、その加水分解物、及びその部分縮合物からなる群より選択される少なくとも１つを含んでいてもよい。本開示の組成物が特定金属化合物、その加水分解物、及びその部分縮合物からなる群より選択される少なくとも１つを含むと、表面処理層の滑り性及び防汚性をより向上しうる。前記特定金属化合物は、組成物中で、前記特定金属化合物の形態で存在していてもよく、加水分解性基の加水分解によって生じた加水分解物の形態で存在していてもよく、前記加水分解物同士又は前記加水分解物と他の化合物とが縮合して生じた部分縮合物の形態で存在していてもよく、これらの一部又は全部の混合物の形態で存在していてもよい。
　特定金属化合物としては、下記式（Ｍ１）～（Ｍ３）が挙げられる。
　Ｍ（Ｘｂ１）ｍ１（Ｘｂ２）ｍ２（Ｘｂ３）ｍ３　　…（Ｍ１）
　Ｓｉ（Ｘｂ４）（Ｘｂ５）３　　　　　　　　　…（Ｍ２）
　（Ｘｂ６）３Ｓｉ－（Ｙｂ１）－Ｓｉ（Ｘｂ７）３　　…（Ｍ３）
　式（Ｍ１）中、
　Ｍは、３価又は４価の金属原子を表す。
　Ｘｂ１はそれぞれ独立に、加水分解性基を表す。
　Ｘｂ２はそれぞれ独立に、シロキサン骨格含有基を表す。
　Ｘｂ３はそれぞれ独立に、炭化水素鎖含有基を表す。
　ｍ１は２～４の整数であり、
　ｍ２及びｍ３はそれぞれ独立に、０～２の整数であり、
　Ｍが３価の金属原子の場合、ｍ１＋ｍ２＋ｍ３は３であり、Ｍが４価の金属原子の場合、ｍ１＋ｍ２＋ｍ３は４である。
　式（Ｍ２）中、
　Ｘｂ４は、加水分解性シランオリゴマー残基を表す。
　Ｘｂ５は、それぞれ独立に、加水分解性基又は炭素数１～４のアルキル基を表す。
　式（Ｍ３）中、
　Ｘｂ６及びＸｂ７は、それぞれ独立に、加水分解性基又は水酸基を表す。
　Ｙｂ１は、２価の有機基を表す。
　式（Ｍ１）中、Ｍで表される金属には、Ｓｉ、Ｇｅ等の半金属も包含される。Ｍとしては、３価金属及び４価金属が好ましく、Ａｌ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、及びＺｒがより好ましく、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及びＺｒがさらに好ましく、Ｓｉが特に好ましい。
　式（Ｍ１）中、Ｘｂ１で表される加水分解性基としては、上記反応性シリル基における［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］中のＬで示される加水分解性基と同様のものが挙げられる。
　Ｘｂ２で表されるシロキサン骨格含有基は、シロキサン単位（－Ｓｉ－Ｏ－）を有し、直鎖状でも分岐鎖状でもよい。シロキサン単位としては、ジアルキルシリルオキシ基が好ましく、ジメチルシリルオキシ基、ジエチルシリルオキシ基等が挙げられる。シロキサン骨格含有基におけるシロキサン単位の繰り返し数は、１以上であり、１～５が好ましく、１～４がより好ましく、１～３がさらに好ましい。
　シロキサン骨格含有基は、シロキサン骨格の一部に２価の炭化水素基を含んでいてもよい。具体的には、シロキサン骨格の一部の酸素原子が２価の炭化水素基で置き換わっていてもよい。前記２価の炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基等のアルキレン基が挙げられる。
　シロキサン骨格含有基の末端のケイ素原子には、加水分解性基、炭化水素基（好ましくはアルキル基）等が結合していてもよい。
　シロキサン骨格含有基の元素数は、１００以下が好ましく、５０以下がより好ましく、３０以下がさらに好ましい。前記元素数は１０以上が好ましい。
　シロキサン骨格含有基としては、＊－（Ｏ－Ｓｉ（ＣＨ３）２）ｎＣＨ３で表される基が好ましく、ここで、ｎは１～５の整数であり、＊は隣接原子との結合部位を表す。
　Ｘｂ３で表される炭化水素鎖含有基は、炭化水素鎖のみからなる基でもよく、炭化水素鎖の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子を有する基でもよい。炭化水素鎖は直鎖でも分岐鎖でもよく、直鎖が好ましい。炭化水素鎖は飽和炭化水素鎖でも不飽和炭化水素鎖でもよく、飽和炭化水素鎖が好ましい。炭化水素鎖含有基の炭素数は、１～３が好ましく、１～２がより好ましく、１がさらに好ましい。炭化水素鎖含有基としては、アルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、又はプロピル基がより好ましい。
　ｍ１は３又は４が好ましい。
　式（Ｍ１）で表される化合物としては、ＭがＳｉである下記式（Ｍ１－１）～（Ｍ１－５）で表される化合物が好ましく、式（Ｍ１－１）で表される化合物がより好ましい。式（Ｍ１－１）で表される化合物としては、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、トリエトキシメチルシランが好ましい。
　Ｓｉ（Ｘｂ１）４　　　　　　　　　　　…（Ｍ１－１）
　ＣＨ３－Ｓｉ（Ｘｂ１）３ 　　　　　　　　…（Ｍ１－２）
　Ｃ２Ｈ５－Ｓｉ（Ｘｂ１）３　　　　　　　…（Ｍ１－３）
　ｎ－Ｃ３Ｈ７－Ｓｉ（Ｘｂ１）３　　　　　…（Ｍ１－４）
　（ＣＨ３）２ＣＨ－Ｓｉ（Ｘｂ１）３　　　…（Ｍ１－５）
　式（Ｍ２）中、Ｘｂ４で表される加水分解性シランオリゴマー残基に含まれるケイ素原子の数は、３以上が好ましく、５以上がより好ましく、７以上がさらに好ましい。前記ケイ素原子の数は、１５以下が好ましく、１３以下がより好ましく、１０以下がさらに好ましい。
　加水分解性シランオリゴマー残基は、ケイ素原子に結合するアルコキシ基を有していてもよい。前記アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられ、メトキシ基及びエトキシ基が好ましい。加水分解性シランオリゴマー残基は、これらアルコキシ基の１種又は２種以上を有してもよく、１種を有することが好ましい。
　加水分解性シランオリゴマー残基としては、（Ｃ２Ｈ５Ｏ）３Ｓｉ－（ＯＳｉ（ＯＣ２Ｈ５）２）４Ｏ－＊等が挙げられる。ここで、＊は隣接原子との結合部位を表す。
　式（Ｍ２）中、Ｘｂ５で表される加水分解性基としては、上記反応性シリル基における［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］中のＬで示される加水分解性基と同様のもの、シアノ基、水素原子、アリル基が挙げられ、アルコキシ基又はイソシアナト基が好ましい。アルコキシ基としては、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましい。
　Ｘｂ５としては、加水分解性基が好ましい。
　式（Ｍ２）で表される化合物としては、（Ｈ５Ｃ２Ｏ）３－Ｓｉ－（ＯＳｉ（ＯＣ２Ｈ５）２）４ＯＣ２Ｈ５等が挙げられる。
　式（Ｍ３）で表される化合物は、２価の有機基の両末端に反応性シリル基を有する化合物、すなわち、ビスシランである。
　式（Ｍ３）中、Ｘｂ６及びＸｂ７で表される加水分解性基としては、アルコキシ基、アシロキシ基、ケトオキシム基、アルケニルオキシ基、アミノ基、アミノキシ基、アミド基、イソシアナト基、ハロゲン原子が挙げられ、アルコキシ基、イソシアナト基が好ましい。アルコキシ基としては、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基がより好ましい。
　式（Ｍ３）において、Ｘｂ６及びＸｂ７は互いに同じ基でもよく、互いに異なる基でもよい。入手しやすさの点で、Ｘｂ６及びＸｂ７は互いに同じ基であることが好ましい。
　式（Ｍ３）中、Ｙｂ１は、両末端の反応性シリル基を連結する２価の有機基である。２価の有機基のＹｂ１の炭素数は１～８が好ましく、１～３がより好ましい。
　Ｙｂ１としては、アルキレン基、フェニレン基、炭素原子間にエーテル性酸素原子を有するアルキレン基が挙げられる。例えば、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２Ｃ（ＣＨ３）２ＣＨ２－、－Ｃ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（ＣＨ３）２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）－、－Ｃ６Ｈ４－が挙げられる。
　式（Ｍ３）で表される化合物としては、（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、（Ｃ２Ｈ５Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、（ＯＣＮ）３Ｓｉ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）３、Ｃｌ３Ｓｉ（ＣＨ２）２ＳｉＣｌ３、（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、（Ｃ２Ｈ５Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３が挙げられる。
　なかでも、本開示の組成物は、３官能以上のアルコキシシラン、その加水分解物、及びその部分縮合物からなる群より選択される少なくとも１つを含んでいてもよい。組成物が３官能以上のアルコキシシランを含むことにより、ゾルゲル反応においてより密な架橋構造が形成されることから、より良好な耐擦傷性、耐摩耗性等が発揮され得る。
　前記アルコキシシランは、組成物中で、前記アルコキシシランの形態で存在していてもよく、アルコキシ基の加水分解によって生じた加水分解物の形態で存在していてもよく、前記加水分解物同士又は前記加水分解物と他の化合物とが縮合して生じた部分縮合物の形態で存在していてもよく、これらの一部又は全部の混合物の形態で存在していてもよい。部分縮合物は、例えば、前記アルコキシシラン同士の部分縮合物であってもよく、前記アルコキシシランと前記シルセスキオキサン化合物との部分縮合物であってもよい。
　３官能以上のアルコキシシランとしては、３官能アルコキシシラン及び４官能アルコキシシランが挙げられ、架橋密度を高める観点からは、４官能アルコキシシランが好ましい。
　３官能以上のアルコキシシランとしては、Ｓｉ（Ｒａ１）ｂ１（ＯＲａ２）ｂ２（式中、Ｒａ１及びＲａ２はそれぞれ独立に炭素数１～８の有機基であり、ｂ１は０又は１であり、ｂ２は３又は４であり、ｂ１＋ｂ２は４である。）で表される化合物が挙げられる。
　Ｒａ１としては、炭素数１～８のアルキル基が好ましい。
　Ｒａ２としては、メチル基又はエチル基が好ましい。
　３官能以上のアルコキシシランとしては、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、テトラメトキシシラン、ｎ－オクチルテトラエトキシシラン、トリエトキシメチルシラン、フェニルトリエトキシシラン等が挙げられ、ｎ－オクチルテトラエトキシシラン及びＴＥＯＳが好ましい。
　３官能以上のアルコキシシラン、その加水分解物、及びその部分縮合物の合計含有量は、シルセスキオキサン化合物、その加水分解物、及びその部分縮合物の合計含有量１００質量部に対して、１～１，０００質量部が好ましく、２～５００質量部がより好ましく、５～１００質量部がさらに好ましく、８～５０質量部が特に好ましい。前記合計含有量は、それぞれ、シルセスキオキサン化合物、及びアルコキシシラン化合物に換算したときの合計含有量とする。
　一態様において、表面処理層を形成したときの膜強度の向上、低反射性等の観点から、本開示の組成物は、シリカ粒子を含んでいてもよい。シリカ粒子としては、多孔質シリカ粒子が好ましく、中空シリカ微粒子、メソポーラス状微粒子等が挙げられる。
　シリカ粒子の形状は特に制限されず、粉体状、ゾル状（コロイダルシリカ）等が挙げられる。コロイダルシリカを使用する場合、例えば、水分散性コロイダルシリカ、アルコール等の有機溶媒分散性コロイダルシリカとして使用してもよい。
　シリカ粒子の平均粒子径は、５～２，０００ｎｍが好ましく、５～１，０００ｎｍがより好ましく、５～１００ｎｍがさらに好ましい。前記平均粒子径は動的光散乱法によって求められる。
　組成物がシリカ粒子を含む場合、シリカ粒子の含有率は、膜強度、低反射性等の観点から、組成物中の固形分全量に対して０．１～５０質量％が好ましく、１０～５０質量％がより好ましい。
　シリカ粒子は、例えば特開２０１０－１００８１９号公報に記載される多孔質シリカ微粒子を参照できる。
〔組成物の調製方法〕
　本開示の組成物の調製方法は特に制限されず、各成分を混合できる任意の方法を採用できる。
　一態様において、シルセスキオキサン化合物、水、水以外の溶媒、酸又はアルカリ、及びその他の任意成分を混合することにより、ゾルゲル反応により、前記シルセスキオキサン化合物、その加水分解物、及びその部分縮合物からなる群より選択される少なくとも１つ、を含む組成物が生成する。
　一態様において、３官能以上のアルコキシシランを用いる場合には、シルセスキオキサン化合物、３官能以上のアルコキシシラン、水、水以外の溶媒、酸又はアルカリ、及びその他の任意成分を混合することにより、ゾルゲル反応により、前記シルセスキオキサン化合物、その加水分解物、及びその部分縮合物；並びに前記３官能以上のアルコキシシラン、その加水分解物、及びその部分縮合物、からなる群より選択される少なくとも１つが生成する。
　一態様において、シリカ粒子を用いる場合には、前記ゾルゲル反応の前又はゾルゲル反応の間にシリカ粒子を混合することが好ましい。
［表面処理剤］
　一態様において、本開示の表面処理剤は、本開示の組成物を含む。本開示の組成物は上述の構成を有するため、本開示の組成物を含む表面処理剤を用いることにより、撥水性及び耐摩耗性に優れた表面処理層を形成できる。
［物品］
　一態様において、本開示の物品は、基材と、前記表面処理剤で表面処理された表面処理層と、を含む。
　表面処理層は、基材の表面の一部に形成されてもよく、基材の表面全体に形成されてもよい。表面処理層は、基材の表面に膜状に拡がっていてもよく、ドット状に点在していてもよい。
　表面処理層において、本開示の組成物は、反応性シリル基の一部又は全部の加水分解が進行し、かつ、シラノール基の脱水縮合反応が進行した状態で含まれる。
　表面処理層の厚さは、１～１００ｎｍが好ましく、１～５０ｎｍがより好ましい。表面処理層の厚さが１ｎｍ以上であれば、表面処理による効果が充分に得られやすい。表面処理層の厚さが１００ｎｍ以下であれば、利用効率が高い。表面処理層の厚さは、薄膜解析用Ｘ線回折計（製品名「ＡＴＸ－Ｇ」、ＲＩＧＡＫＵ社製）を用いて、Ｘ線反射率法によって反射Ｘ線の干渉パターンを得て、干渉パターンの振動周期から算出できる。
　基材の種類は特に限定されず、例えば、撥水性の付与が求められている基材が挙げられる。基材として、例えば、他の物品（例えば、スタイラス）又は人の手指を接触させて使用することがある基材；操作時に人の手指で持つことがある基材；及び、他の物品（例えば、載置台）の上に置くことがある基材が挙げられる。
　基材の材料としては、金属、樹脂、ガラス、サファイア、セラミック、石、繊維、不織布、紙、木、天然皮革、人工皮革、これらの複合材料が挙げられる。ガラスは化学強化されていてもよい。
　基材としては、建材、装飾建材、インテリア用品、輸送機器（例えば、自動車）、看板・掲示板、飲用器・食器、水槽、観賞用器具（例えば、額、箱）、実験器具、家具、繊維製品、包装容器；アート、スポーツ、ゲーム等に使用する、ガラス又は樹脂；携帯電話（例えば、スマートフォン）、携帯情報端末、ゲーム機、リモコン等の機器における外装部分（表示部を除く）に使用する、ガラス又は樹脂が挙げられる。基材の形状は、板状であってもよく、フィルム状であってもよい。
　基材としては、タッチパネル用基材、ディスプレイ用基材、メガネレンズが好適であり、タッチパネル用基材が特に好適である。タッチパネル用基材の材料としては、ガラス又は透明樹脂が好ましい。
　基材は、一方の表面又は両面が、コロナ放電処理、プラズマ処理、プラズマグラフト重合処理等の表面処理が施された基材であってもよい。表面処理が施された基材は、表面処理層との密着性がより優れ、表面処理層の耐摩耗性がより向上する。そのため、基材の表面処理層と接する側の表面に表面処理を施すことが好ましい。また、表面処理が施された基材は、後述する下地層が設けられる場合には、下地層との密着性がより優れ、表面処理層の耐摩耗性がより向上する。そのため、下地層が設けられる場合には、基材の下地層と接する側の表面に表面処理を施すことが好ましい。
　表面処理層は、基材の表面上に直接設けられていてもよく、基材と表面処理層との間に下地層が設けられていてもよい。表面処理層の撥水性及び耐摩耗性をより向上させる観点から、本開示の物品は、基材と、基材上に配置された下地層と、下地層上に配置された本開示の表面処理剤で表面処理された表面処理層と、を含むことが好ましい。
　下地層は、ケイ素と、周期表の第１族元素、第２族元素、第４族元素、第５族元素、第１３族元素、及び第１５族元素からなる群から選択される少なくとも１つの特定元素とを含む酸化物を含む層が好ましい。
　周期表の第１族元素（以下、「第１族元素」ともいう。）とは、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム及びセシウムを意味する。第１族元素としては、下地層上に表面処理層を欠陥なくより均一に形成できる観点、又は、サンプル間での下地層の組成のバラツキがより抑制される観点から、リチウム、ナトリウム、カリウムが好ましく、ナトリウム、カリウムがより好ましい。下地層には、第１族元素が２種以上含まれていてもよい。
　周期表の第２族元素（以下、「第２族元素」ともいう。）とは、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム及びバリウムを意味する。第２族元素としては、下地層上に表面処理層を欠陥なくより均一に形成できる観点、又は、サンプル間での下地層の組成のバラツキがより抑制される観点から、マグネシウム、カルシウム、バリウムが好ましく、マグネシウム、カルシウムがより好ましい。下地層には、第２族元素が２種以上含まれていてもよい。
　周期表の第４族元素（以下、「第４族元素」ともいう。）とは、チタン、ジルコニウム、及びハフニウムを意味する。第４族元素としては、下地層上に表面処理層を欠陥なくより均一に形成できる観点、又は、サンプル間での下地層の組成のバラツキがより抑制される観点から、チタン、ジルコニウムが好ましく、チタンがより好ましい。下地層には、第４族元素が２種以上含まれていてもよい。
　周期表の第５族元素（以下、「第５族元素」ともいう。）とは、バナジウム、ニオブ及びタンタルを意味する。第５族元素としては、表面処理層の耐摩耗性がより優れる観点から、バナジウムが特に好ましい。下地層には、第５族元素が２種以上含まれていてもよい。
　周期表の第１３族元素（以下、「第１３族元素」ともいう。）とは、ホウ素、アルミニウム、ガリウム及びインジウムを意味する。第１３族元素としては、下地層上に表面処理層を欠陥なくより均一に形成できる観点、又は、サンプル間での下地層の組成のバラツキがより抑制される観点から、ホウ素、アルミニウム、ガリウムが好ましく、ホウ素、アルミニウムがより好ましい。下地層には、第１３族元素が２種以上含まれていてもよい。
　周期表の第１５族元素（以下、「第１５族元素」ともいう。）とは、窒素、リン、ヒ素、アンチモン及びビスマスを意味する。第１５族元素としては、下地層上に表面処理層を欠陥なくより均一に形成できる観点、又は、サンプル間での下地層の組成のバラツキがより抑制される観点から、リン、アンチモン、ビスマスが好ましく、リン、ビスマスがより好ましい。下地層には、第１５族元素が２種以上含まれていてもよい。
　下地層に含まれる特定元素としては、第１族元素、第２族元素、第１３族元素が表面処理層の耐摩耗性がより優れるため好ましく、第１族元素、第２族元素がより好ましく、第１族元素がさらに好ましい。
　特定元素として、１種のみの元素が含まれていても２種以上の元素が含まれていてもよい。
　下地層に含まれる酸化物は、上記元素（ケイ素及び特定元素）単独の酸化物の混合物（例えば、酸化ケイ素と、特定元素の酸化物と、の混合物）であってもよいし、上記元素を２種以上含む複合酸化物であってもよいし、上記元素単独の酸化物と複合酸化物との混合物であってもよい。
　下地層中のケイ素のモル濃度に対する、下地層中の特定元素の合計モル濃度の比（特定元素／ケイ素）は、表面処理層の耐摩耗性がより優れる観点から、０．０２～２．９０であるのが好ましく、０．１０～２．００であるのがより好ましく、０．２０～１．８０であるのがさらに好ましい。
　下地層中の各元素のモル濃度（モル％）は、例えば、イオンスパッタリングを用いたＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）による深さ方向分析によって測定できる。
　下地層は、単層であっても複層であってもよい。下地層は、表面に凹凸を有していてもよい。
　下地層の厚さは、１～１００ｎｍが好ましく、１～５０ｎｍがより好ましく、２～２０ｎｍがさらに好ましい。下地層の厚さが上記下限値以上であれば、下地層による表面処理層の密着性がより向上して、表面処理層の耐摩耗性がより優れる。下地層の厚さが上記上限値以下であれば、下地層自体の耐摩耗性が優れる。
　下地層の厚さは、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）による下地層の断面観察によって測定される。
　下地層は、例えば、蒸着材料を用いた蒸着法、又は、ウェットコーティング法により形成できる。
　蒸着法で用いる蒸着材料は、ケイ素及び特定元素を含む酸化物を含有することが好ましい。
　蒸着材料の形態の具体例としては、粉体、溶融体、焼結体、造粒体、破砕体が挙げられ、取り扱い性の観点から、溶融体、焼結体、造粒体が好ましい。
　ここで、溶融体とは、蒸着材料の粉体を高温で溶融させた後、冷却固化して得られた固形物を意味する。焼結体とは、蒸着材料の粉体を焼成して得られた固形物を意味し、必要に応じて、蒸着材料の粉体の代わりに、粉体をプレス成形して成形体を用いてもよい。造粒体とは、蒸着材料の粉体と液状媒体（例えば、水、有機溶媒）とを混練して粒子を得た後、粒子を乾燥させて得られた固形物を意味する。
　蒸着材料は、例えば、以下の方法で製造できる。
・酸化ケイ素の粉体と、特定元素の酸化物の粉体と、を混合して、蒸着材料の粉体を得る方法。
・上記蒸着材料の粉体及び水を混練して粒子を得た後、粒子を乾燥させて、蒸着材料の造粒体を得る方法。
・ケイ素を含む粉体（例えば、酸化ケイ素からなる粉体、珪砂、シリカゲル）と、特定元素を含む粉体（例えば、特定元素の酸化物の粉体、炭酸塩、硫酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、水酸化物）と、水と、を混合した混合物を乾燥させた後、乾燥後の混合物又はこれをプレス成形した成形体を焼成して、焼結体を得る方法。
・ケイ素を含む粉体（例えば、酸化ケイ素からなる粉体、珪砂、シリカゲル）と、特定元素を含む粉体（例えば、特定元素の酸化物の粉体、炭酸塩、硫酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、水酸化物）と、を高温で溶融させた後、溶融物を冷却固化して、溶融体を得る方法。
　蒸着材料を用いた蒸着法の具体例としては、真空蒸着法が挙げられる。真空蒸着法は、蒸着材料を真空槽内で蒸発させ、基材の表面に付着させる方法である。
　蒸着時の温度（例えば、真空蒸着装置を用いる際には、蒸着材料を配置するボートの温度）としては、１００～３，０００℃が好ましく、５００～３，０００℃がより好ましい。
　蒸着時の圧力（例えば、真空蒸着装置を用いる際には、蒸着材料を配置する槽内の圧力）としては、１Ｐａ以下が好ましく、０．１Ｐａ以下がより好ましい。
　蒸着材料を用いて下地層を形成する場合、１つの蒸着材料を用いてもよいし、異なる元素を含む２つ以上の蒸着材料を用いてもよい。
　蒸着材料の蒸発方法の具体例としては、高融点金属製抵抗加熱用ボート上で蒸着材料を溶融し、蒸発させる抵抗加熱法、電子ビームを蒸着材料に照射し、蒸着材料を直接加熱して表面を溶融し、蒸発させる電子銃法が挙げられる。蒸着材料の蒸発方法としては、局所的に加熱できるため高融点物質も蒸発できる観点、電子ビームが当たっていないところは低温であるため容器との反応や不純物の混入のおそれがない観点から、電子銃法が好ましい。
　蒸着材料の蒸発方法としては、複数のボートを用いてもよく、単独のボートに全ての蒸着材料を入れて用いてもよい。蒸着方法は、共蒸着であってもよく、交互蒸着等でもよい。具体的には、シリカと特定源を同一のボートに混合して用いる例、シリカと特定元素源とを別々のボートに入れて共蒸着する例、同様に別々のボートに入れて交互蒸着する例が挙げられる。蒸着の条件、順番等は下地層の構成により適宜選択される。
　ウェットコーティング法では、ケイ素を含む化合物と、特定元素を含む化合物と、液状媒体と、を含むコーティング液を用いたウェットコーティング法によって、基材上に下地層を形成することが好ましい。
　ケイ素化合物の具体例としては、酸化ケイ素、ケイ酸、ケイ酸の部分縮合物、アルコキシシラン、アルコキシシランの部分加水分解縮合物が挙げられる。
　特定元素を含む化合物の具体例としては、特定元素の酸化物、特定元素のアルコキシド、特定元素の炭酸塩、特定元素の硫酸塩、特定元素の硝酸塩、特定元素のシュウ酸塩、特定元素の水酸化物が挙げられる。
　液状媒体としては、有機溶媒が好ましい。
　有機溶媒としては、水素原子及び炭素原子のみからなる化合物、並びに、水素原子、炭素原子及び酸素原子のみからなる化合物が挙げられ、具体的には、炭化水素系有機溶媒、ケトン系有機溶媒、エーテル系有機溶媒、エステル系有機溶媒、グリコール系有機溶媒、及びアルコール系有機溶媒が挙げられる。
　炭化水素系有機溶媒の具体例としては、ペンタン、ヘキサン、へプタン、オクタン、ヘキサデカン、イソヘキサン、イソオクタン、イソノナン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、ビシクロヘキシル、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、ｏ－キシレン、ｍ－キシレン、ｐ－キシレン、ｏ－ジエチルベンゼン、ｍ－ジエチルベンゼン、ｐ－ジエチルベンゼン、ｎ－ブチルベンゼン、ｓｅｃ－ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ－ブチルベンゼンが挙げられる。
　ケトン系有機溶媒の具体例としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、２－ヘプタノン、４－ヘプタノン、３，５，５－トリメチル－２－シクロヘキセン－１－オン、及び３，３，５－トリメチルシクロヘキサノン、イソホロンが挙げられる。
　エーテル系有機溶媒の具体例としては、ジエチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサンが挙げられる。
　エステル系有機溶媒の具体例としては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ｔｅｒｔ‐ブチル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、３－エトキシプロピオン酸エチル、乳酸エチルエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、３－メトキシ－３－メチルブチルアセテート、３－メトキシブチルアセテート、プロピレングリコールモノメチルアセテート、プロピレングリコールジメチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、シクロヘキサノールアセテート、プロピレングリコールジアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコ－ルメチルエ－テルアセテ－ト、１，３－ブチレングリコールジアセテート、１，４－ブタンジオールジアセテート、１，３－ブチレングリコールジアセテート、１，６－ヘキサンジオールジアセテート、γ－ブチロラクトン、トリアセチン、２，２，４－トリメチル－１，３－ペンタンジオールモノイソブチレートが挙げられる。
　グリコール系有機溶媒の具体例としては、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノ－２－エチルヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノ－２－エチルヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノｔｅｒｔ－ブチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテルトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、１，３－ブチレングリコール、プロピレングリコールｎ－プロピルエーテル、プロピレングリコールｎ－ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールｎ－プロピルエーテル、ジプロピレングリコールｎ－ブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールｎ－ブチルエ－テル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテルペンタン、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ポリエチレングリコールジメチルエーテルが挙げられる。
　アルコール系有機溶媒の具体例としては、メタノール、エタノール、１－プロパノール、イソプロピルアルコール、ｎ－ブタノール、ジアセトンアルコール、イソブタノール、ｓｅｃ－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール、ペンタノール、３－メチル－１，３－ブタンジオール、１，３－ブタンジオール、１，３－ブチレングリコール、オクタンジオール、２，４－ジエチルペンタンジオール、ブチルエチルプロパンジオール、２－メチル－１，３－プロパンジオール、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン、２－エチル－１－ヘキサノール、３，５，５－トリメチル－１－ヘキサノール、イソデカノール、イソトリデカノール、３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノール、２－メトキシブタノール、３－メトキシブタノール、シクロヘキサノール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、ベンジルアルコール、及びメチルシクロヘキサノールが挙げられる。
　また、有機溶媒としては、ハロゲン系有機溶媒、含窒素化合物、含硫黄化合物、シロキサン化合物が挙げられる。
　ハロゲン系有機溶媒の具体例としては、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ－クロロトルエン、ｍ－クロロトルエン、ｐ－クロロトルエン、ｍ－ジクロロベンゼン、１，２，３－トリクロロプロパンが挙げられる。
　含窒素化合物としては、ニトロベンゼン、アセトニトリル、ベンゾニトリル、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンが挙げられる。
　含硫黄化合物としては、二硫化炭素、ジメチルスルホキシドが挙げられる。
　シロキサン化合物としては、ヘキサメチルジシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサンが挙げられる。
　液状媒体の含有量は、下地層の形成に使用するコーティング液の全量に対して、０．０１～２０質量％が好ましく、０．１～１０質量％がより好ましい。
　下地層を形成するためのウェットコーティング法の具体例としては、スピンコート法、ワイプコート法、スプレーコート法、スキージーコート法、ディップコート法、ダイコート法、インクジェット法、フローコート法、ロールコート法、キャスト法、ラングミュア・ブロジェット法、グラビアコート法が挙げられる。
　コーティング液をウェットコーティングした後、塗膜を乾燥させるのが好ましい。塗膜の乾燥温度としては、２０～２００℃が好ましく、８０～１６０℃がより好ましい。
　本開示の物品は、光学部材であることが好ましい。光学部材としては、例えば、カーナビゲーション、携帯電話、スマートフォン、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ＰＤＡ、ポータブルオーディオプレーヤー、カーオーディオ、ゲーム機器、眼鏡レンズ、カメラレンズ、レンズフィルター、サングラス、胃カメラ等の医療用器機、複写機、ＰＣ、ディスプレイ（例えば、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、プラズマディスプレイ、タッチパネルディスプレイ）、タッチパネル、保護フィルム、及び反射防止フィルムが挙げられる。特に、物品は、ディスプレイ又はタッチパネルであることが好ましい。
［物品の製造方法］
　本開示の物品の製造方法は、例えば、基材に対して、本開示の表面処理剤を用いて表面処理を行い、基材上に表面処理層が形成された物品を製造するという方法である。表面処理方法としては、例えば、スピンコート法、ワイプコート法、スプレーコート法、スキージーコート法、ディップコート法、ダイコート法、インクジェット法、フローコート法、ロールコート法、キャスト法、ラングミュア・ブロジェット法、グラビアコート法が挙げられる。
　表面処理層の耐摩耗性を向上させるために、必要に応じて、本開示の組成物と基材との反応を促進させるための操作を行ってもよい。該操作としては、加熱、加湿、光照射等が挙げられる。
　例えば、水分を有する大気中で表面処理層が形成された基材を加熱して、加水分解性基の加水分解反応、基材の表面の水酸基等とシラノール基との反応、シラノール基の縮合反応によるシロキサン結合の生成、等の反応を促進できる。
　表面処理後、表面処理層中の化合物であって、他の化合物又は基材と化学結合していない化合物は、必要に応じて除去してもよい。除去する方法としては、例えば、表面処理層に溶媒をかけ流す方法、溶媒をしみ込ませた布でふき取る方法等が挙げられる。
　次に本開示の実施形態を実施例により具体的に説明するが、本開示の実施形態はこれらの実施例に限定されるものではない。以下、「ＳＱ８」とはＳｉ原子を８個有するかご型シルセスキオキサン骨格を表す。
〔化合物（Ｉ）〕
　２０ｍＬのバイアル中に、０．１Ｍ　ＫＯＨ水溶液（２ｍＬ）とトリエトキシシリルメタノールのエタノール溶液（５ｍＬ。エタノール中５０質量％）とを加え、反応混合物を室温（約２５℃）で１２時間撹拌した。溶媒を蒸発させ、その後、数週間静置して固体の化合物（Ｉ）を得た。化合物（Ｉ）は、ＳＱ８のケイ素原子８個全てにＣＨ２ＯＨ基が結合している化合物である。
〔化合物（ＩＩ）〕
　化合物（Ｉ）をテトラヒドロフラン（１０ｇ）に溶解させ、続いて、水素化ナトリウムを加えた。化合物（Ｉ）の水酸基価に対して、１当量（例２）、４当量（例３）、７当量（例４）、４当量（例５）、又は４当量（例６）のアリルブロミドを滴下し、５０℃で３時間撹拌した。室温（約２５℃）まで放冷した後、飽和塩化アンモニウム水溶液（７０ｍＬ）をゆっくり加え、分液後上層を回収し、溶剤及び未反応物を減圧留去して化合物（ＩＩ）を得た。なお、化合物（Ｉ）の水酸基価は、ＪＩＳ　Ｋ　１５５７－１：２００７に基づいて算出した。化合物（ＩＩ）は、ＳＱ８の一部のケイ素原子にＣＨ２ＯＨ基が結合し、残りのケイ素原子に－ＣＨ２－Ｏ－ＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２が結合している化合物である。
〔化合物（ＩＩＩ）〕
　還流冷却器、温度計及び撹拌機を取り付けた４つ口フラスコに、化合物（ＩＩ）、１，３－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、トリアセトキシメチルシラン、及びトリクロロシランを仕込み、窒素気流下、５℃で３０分間撹拌した。続いて、１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサンのＰｔ錯体を２％含むキシレン溶液を加えた後、６０℃まで昇温させ、この温度にて５時間撹拌した。その後、減圧下で揮発分を留去することにより、化合物（ＩＩＩ）を得た。化合物（ＩＩＩ）は、ＳＱ８の一部のケイ素原子にＣＨ２ＯＨ基が結合し、残りのケイ素原子に－ＣＨ２－Ｏ－（ＣＨ２）３－ＳｉＣｌ３が結合している化合物である。
〔化合物（ＩＶ）〕
　還流冷却器、温度計及び撹拌機を取り付けた４つ口フラスコに、化合物（ＩＩＩ）、及び１，３－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンを仕込み、窒素気流下、５℃で３０分間撹拌した。続いて、アリルマグネシウムブロミドを０．７ｍｏｌ／Ｌ含むジエチルエーテル溶液を加えた後、室温（約２５℃）まで昇温させ、この温度にて１０時間撹拌した。その後、５℃まで冷却し、メタノールを加えた後、室温（約２５℃）まで昇温させて不溶物をろ過した。続いて、減圧下で揮発分を留去した後、不揮発分をペルフルオロヘキサンで希釈し、分液ロートでメタノールによる洗浄操作を行った。続いて、減圧下で揮発分を留去することにより、化合物（ＩＶ）を得た。化合物（ＩＶ）は、ＳＱ８の一部のケイ素原子にＣＨ２ＯＨ基が結合し、残りのケイ素原子に－ＣＨ２－Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｓｉ（－ＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２）３が結合している化合物である。
〔化合物（Ｖ）〕
　還流冷却器、温度計、撹拌機を取り付けた４つ口フラスコに、化合物（ＩＶ）、１，３－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、トリアセトキシメチルシラン、トリクロロシランを仕込み、窒素気流下、５℃で３０分間撹拌した。続いて、１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサンのＰｔ錯体を２％含むキシレン溶液を加えた後、６０℃まで昇温させ、この温度にて５時間撹拌した。その後、減圧下で揮発分を留去することにより、化合物（Ｖ）を得た。化合物（Ｖ）は、ＳＱ８の一部のケイ素原子にＣＨ２ＯＨ基が結合し、残りのケイ素原子に－ＣＨ２－Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｓｉ[－（ＣＨ２）３－ＳｉＣｌ３］３が結合している化合物である。
〔化合物（ＶＩ）〕
　還流冷却器、温度計、及び撹拌機を取り付けた４つ口フラスコに、化合物（Ｖ）、及び１，３－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンを加え、窒素気流下、５０℃で３０分間撹拌した。続いて、メタノールとオルソギ酸トリメチルの混合溶液を加えた後、６５℃まで昇温させ、この温度にて３時間撹拌した。その後、減圧下で揮発分を留去することにより、化合物（ＶＩ）を得た。化合物（ＶＩ）は、ＳＱ８の一部のケイ素原子にＣＨ２ＯＨ基が結合し、残りのケイ素原子に－ＣＨ２－Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｓｉ[－（ＣＨ２）３－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］３が結合している化合物である。
〔組成物の調製〕
　化合物（Ｉ）又は（ＶＩ）を、表１に示される配合量（質量部）で、エタノール、水、５Ｍ　ＮＨ４ＯＨ、及びｎ－オクチルトリエトキシシラン（Ｃ８Ｈ１７Ｓｉ（ＯＥｔ）３）と混合し、例１～５の組成物を調製した。表１中、「ｍ１：ｍ２」は、化合物（ＶＩ）中の－ＣＨ２－Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｓｉ[－（ＣＨ２）３－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］３（ｍ１）とＣＨ２ＯＨ基（ｍ２）のモル比を表す。
〔評価方法〕
　調製した例１～５の組成物をガラス基材に対してスピンコートにより塗布した。１２０℃、２時間の加熱後に得られたガラス基板を評価した。例６では、化合物（ＶＩ）を下記条件でガラス基板に蒸着した。
　蒸着は、真空蒸着装置（ＵＬＶＡＣ社製、ＶＴＲ３５０Ｍ）を用いて行った（真空蒸着法）。化合物（ＶＩ）の２０％酢酸エチル溶液の０．５ｇを真空蒸着装置内のモリブデン製ボートに充填し、真空蒸着装置内を１×１０－３Ｐａ以下に排気した。化合物を配置したボートを昇温速度１０℃／分以下の速度で加熱し、水晶発振式膜厚計による蒸着速度が１ｎｍ／秒を超えた時点でシャッターを開けて基材の表面への製膜を開始させた。膜厚が約５０ｎｍとなった時点でシャッターを閉じて基材の表面への製膜を終了させた。化合物が堆積された基材を、１００℃で３０分間加熱処理し、基材の表面に表面処理層を有する物品を得た。
＜耐擦傷性（スチールウール）＞
物品の表面処理層について、ＪＩＳ　Ｌ０８４９：２０１３（ＩＳＯ　１０５－Ｘ１２：２００１）に準拠して往復式トラバース試験機（ケイエヌテー社製）を用い、スチールウールボンスター（♯００００）を圧力：９８．０７ｋＰａ、速度：３２０ｃｍ／分で３，０００回往復させた後、傷ついた程度を目視で評価した。判断基準は以下の通りである。なお、Ａ及びＢが実用上好ましい範囲である。
　Ａ…　まったく傷がつかない　
　Ｂ…　ほとんど傷がつかない　
　Ｃ…　少し傷がつく
　Ｄ…　ひどく傷がつく
＜耐摩耗性（スチールウール）＞
　ガラス基板に指紋を付け、物品の表面処理層について、ＪＩＳ　Ｌ０８４９：２０１３（ＩＳＯ　１０５－Ｘ１２：２００１）に準拠して往復式トラバース試験機（ケイエヌテー社製）を用い、スチールウールボンスター（♯００００）を圧力：９８．０７ｋＰａ、速度：３２０ｃｍ／分で３，０００回往復させた後、指紋が見える程度を目視で評価した。摩擦後の指紋の見えにくさを耐摩耗性として評価した。判断基準は以下の通りである。なお、Ａ及びＢが実用上好ましい範囲である。
　Ａ…　指紋がまったく見えない
　Ｂ…　指紋がほとんど見えない
　Ｃ…　指紋が少し見える
　Ｄ…　指紋がはっきりと見える
　例２～５は実施例、例１は比較例、例６は参考例である。
　例２～５では、耐擦傷性及び耐摩耗性の評価がいずれも良好である。なかでも、ｎ－オクチルトリエトキシシランを含み、かつ化合物（ＶＩ）中の水酸基が適度に調整された例３及び４では、耐擦傷性又は耐摩耗性に特に優れている。
　一方、例１では耐擦傷性及び耐摩耗性のいずれも、例２～５と比べて劣っていた。また、蒸着により化合物（ＶＩ）を基材に付与した例６でも、耐擦傷性及び耐摩耗性において例２～５と比べて劣っている。
　以上より、本開示の組成物によれば基材に良好な耐擦傷性及び耐摩耗性を付与できる。
　本開示の組成物は、表面処理剤として有用である。表面処理剤は、例えば、タッチパネルディスプレイ等の表示装置、光学素子、半導体素子、建築材料、自動車部品、ナノインプリント技術等における基材に対して用いることができる。また、表面処理剤は、電車、自動車、船舶、航空機等の輸送機器におけるボディー、窓ガラス(フロントガラス、サイドガラス、リアガラス)、ミラー、バンパー等に対して用いることができる。さらに、表面処理剤は、建築物外壁、テント、太陽光発電モジュール、遮音板、コンクリート等の屋外物品；漁網、虫取り網、水槽に対して用いることができる。また、表面処理剤は、台所、風呂場、洗面台、鏡、トイレ周辺部品；シャンデリア、タイル等の陶磁器；人工大理石、エアコン等の各種屋内設備に対して用いることができる。また、表面処理剤は、工場内の治具、内壁、配管等の防汚処理としても用いることができる。また、表面処理剤は、ゴーグル、眼鏡、ヘルメット、パチンコ、繊維、傘、遊具、サッカーボールに対して用いることができる。また、表面処理剤は、食品用包材、化粧品用包材、ポットの内部等の各種包材の付着防止剤としても用いることができる。また、表面処理剤は、カーナビゲーション、携帯電話、スマートフォン、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ＰＤＡ、ポータブルオーディオプレーヤー、カーオーディオ、ゲーム機器、眼鏡レンズ、カメラレンズ、レンズフィルター、サングラス、胃カメラ等の医療用器機、複写機、ＰＣ、ディスプレイ（例えば、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、プラズマディスプレイ、タッチパネルディスプレイ）、タッチパネル、保護フィルム、及び反射防止フィルム等の光学部材に対して用いることができる。
　２０２２年５月１３日に出願された日本国特許出願第２０２２－０７９８０７号の開示は、その全体が参照により本明細書に取り込まれる。本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に援用されて取り込まれる。

Claims (14)

  1. 　シルセスキオキサン骨格と、前記シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に直接又はアルキレン基を介して結合する水酸基と、前記シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に３価以上の連結基を介して結合する複数の反応性シリル基と、を含むシルセスキオキサン化合物、その加水分解物、及びその部分縮合物からなる群より選択される少なくとも１つと、
    　水と、
    　水以外の溶媒と、
    　酸又はアルカリと、
    を含む組成物。
  2. 　前記シルセスキオキサン化合物が下記式（１）で表される、請求項１に記載の組成物。
    　ＳＱ８（Ｙ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇ）ｍ１［（ＣＨ２）ｎ１ＯＨ］ｍ２（Ｒｘ）ｍ３…（１）
    　式（１）中、
    　ＳＱ８はＳｉ原子を８個有するシルセスキオキサン骨格であり、
    　Ｙ１はそれぞれ独立に（ｇ＋１）価の連結基であり、
    　Ｒはそれぞれ独立に１価の炭化水素基であり、
    　Ｌはそれぞれ独立に加水分解性基又は水酸基であり、
    　ｎはそれぞれ独立に０～２の整数であり、
    　ｇはそれぞれ独立に１以上の整数であり、少なくとも１つのｇは２以上の整数であり、
    　ｍ１は１～７の整数であり、
    　ｍ２は１～７の整数であり、
    　ｍ３は０～６の整数であり、
    　ｍ１＋ｍ２＋ｍ３は８であり、
    　ｎ１は０～５の整数であり、
    　Ｒｘは１価の有機基であり、
    　Ｙ１、（ＣＨ２）ｎ１、及びＲｘはそれぞれＳＱ８中のケイ素原子と結合する。
  3. 　前記シルセスキオキサン骨格が、かご型のシルセスキオキサン骨格である、請求項１に記載の組成物。
  4. 　前記シルセスキオキサン化合物におけるｍ１とｍ２の比率が１：７～７：１である、請求項２に記載の組成物。
  5. 　前記酸又はアルカリが、アルカリである、請求項１に記載の組成物。
  6. 　前記アルカリがアンモニウム化合物である、請求項５に記載の組成物。
  7. 　前記溶媒がアルコールである、請求項１に記載の組成物。
  8. 　さらに、３官能以上のアルコキシシラン、その加水分解物、及びその部分縮合物からなる群より選択される少なくとも１つを含む、請求項１に記載の組成物。
  9. 　下記式（１－１）で表される化合物。
    　ＳＱ８［Ｙ１１（Ｂ）ｇ１］ｍ１［（ＣＨ２）ｎ１ＯＨ］ｍ２（Ｒｘ）ｍ３　…（１－１）
    　ＳＱ８はＳｉ原子を８個有するシルセスキオキサン骨格であり、
    　Ｙ１１はそれぞれ独立に（ｇ１＋１）価の連結基であり、
    　Ｂはそれぞれ独立に、－ＱＬ－ＣＨ＝ＣＨ２であり、ここでＱＬは単結合又は２価の連結基であり、
    　ｇ１はそれぞれ独立に１以上の整数であり、少なくとも１つのｇ１は２以上の整数であり、
    　ｍ１は１～７の整数であり、
    　ｍ２は１～７の整数であり、
    　ｍ３は０～６の整数であり、
    　ｍ１＋ｍ２＋ｍ３は８であり、
    　ｎ１は０～５の整数であり、
    　Ｒｘは１価の有機基であり、
    　Ｙ１１、（ＣＨ２）ｎ１、及びＲｘはそれぞれＳＱ８中のケイ素原子と結合する。
  10. 　請求項１～８のいずれか１項に記載の組成物を含む表面処理剤。
  11. 　基材に対して、請求項１０に記載の表面処理剤を用いて表面処理を行い、基材上に表面処理層が形成された物品を製造する、物品の製造方法。
  12. 　基材と、前記基材上に配置され、請求項１０に記載の表面処理剤で表面処理された表面処理層と、を含む物品。
  13. 　前記物品が光学部材である、請求項１２に記載の物品。
  14. 　前記物品がディスプレイ又はタッチパネルである、請求項１２に記載の物品。
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