WO2023188826A1 - 発光装置、発光装置の製造方法、測距装置 - Google Patents

発光装置、発光装置の製造方法、測距装置 Download PDF

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WO2023188826A1
WO2023188826A1 PCT/JP2023/003779 JP2023003779W WO2023188826A1 WO 2023188826 A1 WO2023188826 A1 WO 2023188826A1 JP 2023003779 W JP2023003779 W JP 2023003779W WO 2023188826 A1 WO2023188826 A1 WO 2023188826A1
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emitting device
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light
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駿介 古瀬
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ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C3/00—Measuring distances in line of sight; Optical rangefinders
    • G01C3/02—Details
    • G01C3/06—Use of electric means to obtain final indication
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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    • H01S5/022—Mountings; Housings
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    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]

Definitions

  • the present disclosure relates to a light emitting device, a method for manufacturing a light emitting device, and a distance measuring device.
  • VCSEL Vertical Cavity Surface Emitting Laser
  • LDD Laser Diode Driver
  • An object of the present disclosure is to provide a light emitting device and a distance measuring device with excellent reliability.
  • a light-emitting device includes a first base, the first base including a first substrate, a light-emitting element disposed on a first surface of the first substrate, and having a multilayer film, and a light-emitting element disposed on a first surface of the first substrate; a structure disposed in an inter-element region of the light emitting element on one surface, and the structure has the same multilayer film as the light emitting element or is made of the same material as the first substrate. be done.
  • the first base may further include an insulating film laminated on the first surface so as to fill a gap between the light emitting element and the structure.
  • the insulating film may be made of an inorganic material.
  • the first base may have a first electrode pad disposed on the top of the light emitting element, and the height of the top of the structure may be lower than the height of the top of the first electrode pad.
  • the first base body may further include a common electrode that extends onto the first surface of the first substrate, which is a bottom surface of a gap between the light-emitting element and the structure. .
  • the first base body may further include a first electrode pad placed on the top of the light emitting element, and a dummy electrode pad placed on the top of the structure.
  • the first base further includes a lens provided on a second surface of the first substrate that is opposite to the first surface, and condensing light emitted from the light emitting element. It may have a part.
  • the light emitting device further includes a second base bonded to the first base, the second base including a second substrate and a second electrode pad disposed on the second substrate, The first electrode pad of the first base and the second electrode pad of the second base may be joined. The first electrode pad and the second electrode pad may be joined by direct bonding.
  • a method for manufacturing a light emitting device includes: a first substrate; a light emitting element disposed on a first surface of the first substrate and having a multilayer film; and an element of the light emitting device on the first surface. a structure disposed in an intermediate region; and a first electrode pad disposed on the top of the light emitting element, the structure having the same multilayer film as the light emitting element; the second electrode of the second base, which includes a first step of producing a first base made of the same material as the substrate; a second substrate; and a second electrode pad disposed on the second substrate. a second step of bonding the first electrode pad of the first base to a pad; and a third step of thinning the first substrate from a second surface side that is the opposite surface to the first surface. , is provided.
  • the method for manufacturing a light emitting device may further include a fourth step of forming a lens portion on the second surface of the first substrate to condense light emitted from the light emitting element.
  • a distance measuring device includes a light emitting device, a light receiving section, and a light emitting signal of the light emitting device and the light receiving section when the light emitting signal of the light emitting device is reflected by an object and received by the light receiving section.
  • a distance measuring section that measures a distance to an object based on a light reception signal of a light receiving section, the light emitting device includes a first substrate, and a multilayer film disposed on a first surface of the first substrate.
  • the structure has the same multilayer film as the light emitting element, or the structure has the same multilayer film as the light emitting element, or It is made of the same material as the first substrate.
  • FIG. 1 is a longitudinal cross-sectional view showing the configuration of a light emitting device according to a first embodiment.
  • 2 is a cross-sectional view showing the configuration of the light emitting device of the first embodiment, taken along the line AA in FIG. 1.
  • FIG. FIG. 2 is an enlarged vertical cross-sectional view showing the configuration around the light emitting element of the light emitting device of the first embodiment, and shows area B in FIG. 1.
  • FIG. FIG. 2 is a front view showing the configuration of an LD chip in the light emitting device of the first embodiment.
  • 5 is a vertical cross-sectional view showing the configuration of an LD chip in the light emitting device of the first embodiment, and shows a cross section taken along the line CC in FIG. 4.
  • FIG. 1 is a longitudinal cross-sectional view showing the configuration of a light emitting device according to a first embodiment.
  • 2 is a cross-sectional view showing the configuration of the light emitting device of the first embodiment, taken along the line AA in FIG. 1.
  • FIG. 1 is a vertical cross-sectional view schematically showing a method for manufacturing a light emitting device according to a first embodiment
  • FIG. FIG. 6A is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 6A.
  • FIG. 6B is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 6B.
  • FIG. 3 is a longitudinal cross-sectional view showing the configuration of an LD chip in a light emitting device of a comparative example.
  • FIG. 2 is a vertical cross-sectional view schematically showing a method for manufacturing a light emitting device of a comparative example. It is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 8A.
  • FIG. 2 is a longitudinal cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing the light emitting device of the first embodiment.
  • FIG. 9A is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 9A.
  • FIG. 9B is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 9B.
  • FIG. 9C is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 9C.
  • FIG. 9D is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 9D.
  • FIG. 9E is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 9E.
  • FIG. 9F is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 9F. It is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 9G.
  • FIG. 9H is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 9H.
  • FIG. 9I is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 9I.
  • FIG. 9J is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 9J.
  • FIG. 9I is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 9I.
  • FIG. 9J is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 9J.
  • FIG. 9I is a
  • FIG. 9K is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 9K.
  • FIG. 7 is a longitudinal cross-sectional view showing the configuration of an LD chip in a light emitting device of a second embodiment.
  • 11 is a cross-sectional view showing the configuration of an LD chip in the light emitting device of the second embodiment, and shows a cross section taken along line DD in FIG. 10.
  • FIG. FIG. 7 is a vertical cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a light emitting device according to a second embodiment.
  • FIG. 12A is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 12A.
  • FIG. 12B is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 12B.
  • FIG. 12C is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 12C.
  • FIG. 12A is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 12A.
  • FIG. 12B is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 12B.
  • FIG. 12C is a longitudinal cross-
  • FIG. 12D is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 12D.
  • FIG. 7 is a longitudinal cross-sectional view showing the configuration of an LD chip in a light emitting device of a third embodiment.
  • 14 is a cross-sectional view showing the configuration of an LD chip in a light emitting device of a third embodiment, and shows a cross section taken along line EE in FIG. 13.
  • FIG. 7 is a longitudinal cross-sectional view showing the configuration of an LD chip in a light emitting device of a fourth embodiment.
  • 16 is a cross-sectional view showing the configuration of an LD chip in the light emitting device of the fourth embodiment, and shows a cross section taken along line FF in FIG. 15.
  • FIG. 7 is a longitudinal cross-sectional view showing the configuration of an LD chip in a light emitting device of a third embodiment.
  • 14 is a cross-sectional view showing the configuration of an LD chip in a light emitting device of a third embodiment, and shows a cross section
  • FIG. 18 is a vertical cross-sectional view showing the configuration of an LD chip in the light emitting device of the fifth embodiment, and shows a cross section taken along line GG in FIG. 17.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing the structure of the LD chip in the light emitting device of the fifth embodiment, and shows a cross section taken along line HH in FIG. 18.
  • FIG. 7 is a longitudinal cross-sectional view showing the configuration of an LD chip in a light emitting device of a sixth embodiment.
  • 21 is a cross-sectional view showing the structure of the LD chip in the light emitting device of the sixth embodiment, and shows the II cross section in FIG. 20.
  • FIG. 7 is a longitudinal cross-sectional view showing the configuration of an LD chip in a light emitting device of a seventh embodiment. It is a longitudinal cross-sectional view showing an example of the manufacturing method of the light emitting device of a 7th embodiment.
  • FIG. 23A is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 23A.
  • FIG. 23B is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 23B.
  • FIG. 23C is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 23C.
  • FIG. 23D is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 23D.
  • FIG. 23E is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 23E.
  • FIG. 23F is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 23F.
  • FIG. 23A is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 23A.
  • FIG. 23B is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 23B.
  • FIG. 23C is a longitudinal cross-sectional view following FIG. 23C.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration example of a distance measuring device as an implementation example of a light emitting device according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram of the STL method.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram of the distance measurement principle of the STL method.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration example of a vehicle control system that is an example of a mobile object control system.
  • FIG. 3 is a diagram showing an example of an installation position of an imaging unit.
  • FIG. 1 is a longitudinal cross-sectional view showing the configuration of a light emitting device 10 according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of the light emitting device 10 of the first embodiment, taken along the line AA in FIG. 1.
  • FIG. 3 is an enlarged vertical cross-sectional view showing the configuration around the light emitting element 22 of the light emitting device 10 of the first embodiment, and shows region B in FIG.
  • the light emitting device 10 of the first embodiment includes an LD (Laser Diode) chip 20 and an LDD substrate 30 bonded to the LD chip 20.
  • the LD chip 20 may be referred to as a "first base”
  • the LDD substrate 30 may be referred to as a "second base”.
  • the LD chip 20 includes a substrate 21, a plurality of light emitting elements 22, a structure 23, an insulating film 24, individual electrodes 25, and a common electrode 26. Further, the substrate 21 has a plurality of lens parts 21a. Furthermore, the LD chip 20 has a gap 27 filled with an insulating film 24 between the light emitting element 22 and the structure 23.
  • the substrate 21 is a substrate made of a compound semiconductor such as GaAs.
  • the surface of the substrate 21 facing the LDD substrate 30 is the front surface S1, and the opposite surface is the back surface S2.
  • the front surface S1 of the substrate 21 will be referred to as the "first surface”
  • the back surface S2 will be referred to as the "second surface”.
  • the substrate 21 of the LD chip 20 is sometimes referred to as a "first substrate.”
  • the light emitting elements 22 are back-illuminated VCSELs each having a mesa structure. A plurality of light emitting elements 22 are distributed and arranged on the first surface S1 of the substrate 21. Further, the light emitting element 22 is constituted by a multilayer film 22L, as shown in FIG. That is, the light emitting element 22 has a multilayer film 22L.
  • the multilayer film 22L has a structure in which a first mirror layer 221, a first spacer layer 222, an active layer 223, a second spacer layer 224, and a second mirror layer 225 are sequentially laminated from the substrate 21 side.
  • the first mirror layer 221 and the second mirror layer 225 are composed of, for example, a multilayer reflective mirror.
  • the light emitting element 22 causes the laser light generated in the active layer 223 to resonate between the first mirror layer 221 and the second mirror layer 225 to improve the light intensity and emit it from the second surface S2 side of the substrate 21.
  • the LD chip 20 of the first embodiment has a plurality of light emitting elements 22, the LD chip 20 of the technology of the present disclosure may have one light emitting element 22.
  • the technology of the present disclosure is suitable for application to the LD chip 20 having a plurality of light emitting elements 22. Therefore, it is preferable that the LD chip 20 has a plurality of light emitting elements 22 distributed on the substrate 21.
  • the structure 23 is disposed on the first surface S1 of the substrate 21 in the inter-element region of the light emitting elements 22 arranged in a dispersed manner.
  • the inter-element region refers to the region between the plurality of light emitting elements 22.
  • the inter-element area refers to an area other than the area where the light emitting element 22 is arranged.
  • the structure 23 is composed of the same multilayer film 22L as the light emitting element 22.
  • the structure 23 reinforces the strength of the LD chip 20. That is, the structure 23 has the same multilayer film 22L as the light emitting element 22. Furthermore, the structure 23 makes the volume of the insulating film 24 smaller than that in the case where the structure 23 does not exist.
  • the height H2 of the top of the structure 23 is lower than the height H1 of the top of the individual electrode 25. This is because the structure 23 of the LD chip 20 is covered with the insulating film 24.
  • the gap 27 is arranged so as to surround the outer periphery of each light emitting element 22 when viewed from the normal direction of the substrate 21. That is, the gap 27 has an annular shape when observed from the normal direction of the substrate 21. Further, the bottom surface of the gap portion 27 is the first surface S1 of the substrate 21.
  • the insulating film 24 is laminated on the first surface S1 of the substrate 21 so as to fill the gap 27 between the light emitting element 22 and the structure 23. Further, the insulating film 24 is laminated so that among the light emitting elements 22, the structure 23, the individual electrodes 25, and the common electrode 26, only the individual electrodes 25 and the common electrode 26 are exposed to the outside. Due to the presence of the above-described structure 23, the volume of the insulating film 24 is kept small. The insulating film 24 suppresses the generation of noise in the light emitting element 22 and, in turn, improves the reliability of the light emitting device 10.
  • the insulating film 24 only needs to fill the gap 27 between the light emitting element 22 and the structure 23, and a part of the light emitting element 22 and the structure 23 may not be exposed to the outside from the insulating film 24. Good too. However, from the viewpoint of suppressing noise generation in the light emitting element 22, it is preferable that only the individual electrodes 25 and the common electrode 26 are exposed to the outside from the insulating film 24.
  • the insulating film 24 is made of a material that has insulating properties and can be polished by CMP (Chemical Mechanical Polishing). By forming the insulating film 24 from an inorganic material, the strength of the LD chip 20 can be further reinforced. Furthermore, by forming the insulating film 24 from an inorganic material, it is possible to suppress the occurrence of warping of the LD chip 20 in a high-temperature environment. Therefore, the insulating film 24 is preferably made of an inorganic material, and more preferably made of SiO 2 or SiN.
  • the individual electrodes 25 are arranged on top of each light emitting element 22. Individual electrodes 25 are configured as electrode pads. The individual electrodes 25 are bonded to the electrode pads 32 of the LDD substrate 30 by direct bonding such as thermocompression bonding. The individual electrodes 25 are made of a material suitable for direct bonding such as thermocompression bonding. The individual electrodes 25 are preferably made of a metal material, more preferably Cu or Au. In this specification, the individual electrodes 25 are sometimes referred to as "first electrode pads.”
  • the common electrode 26 is disposed from the structure 23 disposed near the end of the LD chip 20 to the first surface S1 of the substrate 21, and is electrically connected to the substrate 21. A portion of the common electrode 26 on the structure 23 is configured as an electrode pad.
  • the electrode pad of the common electrode 26 is bonded to the electrode pad 32 of the LDD substrate 30 by direct bonding such as thermocompression bonding.
  • the common electrode 26 is made of a material suitable for direct bonding such as thermocompression bonding.
  • the common electrode 26 is preferably made of a metal material, more preferably Cu or Au.
  • the lens portion 21a is provided in a region overlapping with the light emitting element 22 on the second surface S2 side of the substrate 21.
  • the lens portion 21a condenses the laser light emitted from the light emitting element 22.
  • the LDD substrate 30 includes a substrate 31 and a plurality of electrode pads 32 distributed on the substrate 31.
  • the electrode pad 32 supplies a drive signal to the light emitting element 22 of the LD chip 20.
  • the electrode pads 32 of the LDD substrate 30 are bonded to the individual electrodes 25 and the common electrode 26 of the LD chip 20 by direct bonding such as thermocompression bonding.
  • the electrode pad 32 is made of a material suitable for direct bonding such as thermocompression bonding.
  • the electrode pad 32 is preferably made of a metal material, more preferably Cu or Au.
  • the LDD substrate 30 is sometimes called a "second base"
  • the substrate 31 is sometimes called a "second substrate”
  • the electrode pad 32 is sometimes called a "second electrode pad”.
  • the LD chip 20 and the LDD substrate 30 may be joined through a joining member such as solder instead of being directly joined.
  • the light emitting device 10 in which the LD chip 20 and the LDD substrate 30 are directly bonded has better flatness. Therefore, it is preferable that the LD chip 20 and the LDD substrate 30 be bonded directly.
  • the LDD board 30 may have a drive circuit that generates a drive signal. In this case, the LDD substrate 30 performs active driving. Alternatively, the LDD substrate 30 may supply the electrode pads 32 with a voltage according to a drive signal generated by an external drive circuit. In this case, the LDD board 30 performs passive driving.
  • the space between the LD chip 20 and the LDD substrate 30 may be filled with underfill. That is, the light emitting device 10 may have an underfill layer between the LD chip 20 and the LDD substrate 30.
  • FIG. 4 is a front view showing the configuration of the LD chip 20 in the light emitting device 10 of the first embodiment.
  • FIG. 5 is a longitudinal cross-sectional view showing the configuration of the LD chip 20 in the light emitting device 10 of the first embodiment, and shows a cross section taken along line CC in FIG. 6A to 6C are vertical cross-sectional views schematically showing a method for manufacturing the light emitting device 10 of the first embodiment.
  • FIGS. 4 and 5 show the LD chip 20 before being bonded to the LDD substrate 30.
  • the first surface S1 side of the LD chip 20 is covered with an insulating film 24. Only the common electrode 26 is exposed to the outside. With this configuration, the generation of noise in the light emitting element 22 is further suppressed, and the light emitting device 10 becomes more reliable.
  • the outline of the method for manufacturing the light emitting device 10 using such an LD chip 20 is as follows.
  • the individual electrodes 25 and common electrodes 26 of the LD chip 20 and the electrode pads 32 of the LDD substrate 30 are connected by direct bonding such as thermocompression bonding.
  • the LD chip 20 is manufactured by reducing the thickness of the substrate 21 and further forming a lens portion 21a.
  • the strength of the LD chip 20 is reinforced by the presence of the structure 23 and the insulating film 24. Further, in the LD chip 20, the volume of the insulating film 24 is kept small due to the presence of the structure 23. Therefore, the LD chip 20 is prevented from warping even in a high-temperature environment, and can maintain a flat bonding surface.
  • the LD chip 20 can maintain a flat bonding surface, the individual electrodes 25 and common electrodes 26 of the LD chip 20 and the electrode pads 32 of the LDD substrate 30 are bonded directly by thermocompression bonding or the like. It is possible to join by joining. Furthermore, since the strength of the LD chip 20 is reinforced and the LD chip 20 can maintain a flat bonding surface, after the LD chip 20 is bonded to the LDD substrate 30, the thickness of the substrate 21 of the LD chip 20 is reduced by polishing with CMP. It is possible to reduce the thickness and further form the lens portion 21a on the second surface S2 of the substrate 21. Therefore, better flatness can be achieved compared to the conventional light emitting device 10.
  • the disclosers of the present disclosure will explain how they came up with the idea of the light emitting devices 10 of the embodiments of the present disclosure, including the light emitting device 10 of the first embodiment. explain.
  • FIG. 7 is a longitudinal cross-sectional view showing the configuration of the LD chip 20 in the light emitting device 10 of a comparative example.
  • 8A and 8B are vertical cross-sectional views schematically showing a method for manufacturing a light emitting device 10 of a comparative example.
  • the disclosers of the present disclosure have developed a method for forming a plurality of LD chips as shown in FIG. It was considered to embed an insulating resin such as polyimide in the inter-element region of the light-emitting element 22.
  • the disclosers of the present disclosure found that even with such an LD chip 20, the expected effects could not be obtained. Furthermore, the disclosers of the present disclosure believe that the reason is that, as shown in FIGS. 8A and 8B, when the LD chip 20 is connected to the LDD substrate 30 in a high temperature environment, the thermal expansion coefficient of the resin and the substrate 21 is It has been found that this is due to the fact that a slight warp occurs in the LD chip 20 due to the difference in the temperature. Note that in FIG. 8A, the magnitude of the warpage of the LD chip 20 is exaggerated.
  • the light emitting device 10 of the embodiment of the present disclosure which was conceived through these circumstances, has the substrate 21 of the LD chip 20 having good flatness and excellent reliability compared to the conventional light emitting device 10. It becomes.
  • the light emitting device 10 of the first embodiment includes the LD chip 20 (first base), and the LD chip 20 (first base) includes a substrate 21 (first substrate) and a substrate 21 (first substrate).
  • the light-emitting device 22 has a multilayer film 22L, and a structure 23 is provided in an inter-element region of the light-emitting devices 22 on the first surface S1.
  • the structure 23 has the same multilayer film 22L as the light emitting element 22.
  • the LD chip 20 (first base) has good flatness and is excellent in reliability.
  • the common electrode 26 is omitted for convenience of explanation.
  • the common electrode 26 can be formed by appropriately applying a known technique.
  • FIGS. 9A to 9L are longitudinal cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing the light emitting device 10 of the first embodiment.
  • a multilayer film 22L constituting the light emitting element 22 is formed on the first surface S1 of the substrate 21.
  • the substrate 21 is a substrate made of a compound semiconductor such as GaAs.
  • the multilayer film 22A is formed by sequentially stacking a first mirror layer 221, a first spacer layer 222, an active layer 223, a second spacer layer 224, and a second mirror layer 225 (see FIG. 3) from the substrate 21 side. . Formation of the multilayer film 22L can be realized using, for example, epitaxial growth technology.
  • individual electrodes 25 are formed on the multilayer film 22L in regions where the light emitting elements 22 are to be formed.
  • the individual electrodes 25 are made of a material suitable for direct bonding such as thermocompression bonding.
  • the individual electrodes 25 are preferably made of a metal material, more preferably Cu or Au.
  • the formation of the individual electrodes 25 can be realized, for example, by sequentially applying a resist, depositing a metal, and removing the resist.
  • the multilayer film 22L in the region where the gap 27 between the light emitting element 22 and the structure 23 is formed is removed, thereby forming the light emitting element 22 and the structure 23.
  • a resist 91 is applied to an area other than the area where the gap 27 on the multilayer film 22L and the individual electrode 25 is formed.
  • the multilayer film 22L in the region where the gap 27 is to be formed is removed by etching, and the resist 91 is also removed.
  • an insulating film 24 is laminated on the first surface S1 of the substrate 21.
  • the insulating film 24 is stacked so as to fill the gap 27 between the light emitting element 22 and the structure 23.
  • the insulating film 24 is preferably made of an inorganic material such as SiO 2 or SiN.
  • Lamination of the insulating film 24 can be realized by, for example, an ALD (Atomic Layer Deposition) method or a CVD (Chemical Vapor Deposition) method.
  • the insulating film 24 is polished by CMP (Chemical Mechanical Polishing) to expose the individual electrodes 25. Thereby, an LD chip 20 connectable to the LDD substrate 30 is obtained.
  • CMP Chemical Mechanical Polishing
  • the LD chip 20 obtained through the above steps is bonded to the LDD substrate 30.
  • the individual electrodes 25 of the LD chip 20 are directly bonded to the electrode pads 32 of the LDD substrate 30 by thermocompression bonding or the like. Note that after this, the space between the LD chip 20 and the LDD substrate 30 may be filled with underfill.
  • the thickness of the substrate 21 of the LD chip 20 is reduced by polishing the second surface S2 side of the substrate 21 of the LD chip 20 by CMP (Chemical Mechanical Polishing).
  • a lens portion 21a is formed on the second surface S2 of the substrate 21 of the LD chip 20.
  • a resist 91 is applied to a region on the second surface S2 of the substrate 21 where the lens portion 21a is to be formed.
  • the lens portion 21a is formed by reducing the thickness of the substrate 21 in areas other than the region where the lens portion 21a is formed by etching, and the resist 91 is also removed.
  • the light emitting device 10 having the LD chip 20 and the LDD substrate 30 is usually separated into pieces with a plurality of light emitting elements 22 as a unit. Through the above steps, the light emitting device 10 of the first embodiment is manufactured.
  • the method for manufacturing the light emitting device 10 of the first embodiment includes a first step of manufacturing the above-described LD chip 20 (first substrate), a substrate 31 (second substrate), and a substrate 31 (second substrate).
  • the individual electrodes 25 of the LD chip 20 (first base) are attached to the electrode pads 32 (second electrode pads) of the LDD substrate 30 (second base) having the electrode pads 32 (second electrode pads) disposed above. (first electrode pad); and a third step of thinning the substrate 21 (first substrate) of the LD chip 20 (first base) from the second surface S2 side.
  • the light emitting device 10 having good flatness and excellent reliability can be manufactured.
  • the light emitting devices 10 of the second to seventh embodiments will be described. These embodiments will be described with a focus on differences from the first embodiment, and descriptions of common features with the first embodiment will be omitted as appropriate.
  • FIG. 10 is a longitudinal cross-sectional view showing the configuration of the LD chip 20 in the light emitting device 10 of the second embodiment.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing the configuration of the LD chip 20 in the light emitting device 10 of the second embodiment, and shows a cross section taken along line DD in FIG.
  • the light emitting device 10 of the second embodiment is different from the light emitting device 10 of the first embodiment in that the structures 23 and 21 of the LD chip 20 are made of the same material as the substrate 21.
  • the structures 23, 21 and the substrate 21 are integrally configured.
  • the structures 23 and 21 do not need to be configured integrally with the substrate 21.
  • the other configuration of the second embodiment is the same as the light emitting device 10 of the first embodiment.
  • the light emitting device 10 of the second embodiment is different from the light emitting device 10 of the first embodiment because the structures 23 and 21 of the LD chip 20 are made of the same material as the substrate 21. The strength is further reinforced, and the occurrence of warping of the LD chip 20 is further suppressed.
  • 12A to 12E are longitudinal cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing the light emitting device 10 of the second embodiment.
  • a region other than the region that will become the structure 23 on the first surface S1 of the substrate 21 of the LD chip 20 is dug to a certain depth.
  • the vertical hole portion 21H and the structures 23 and 21 are formed by inserting the holes.
  • the substrate 21 is a substrate made of a compound semiconductor such as GaAs.
  • the formation of the vertical hole portion 21H can be realized, for example, by sequentially forming a hard mask, dry etching, and removing the hard mask.
  • a multilayer film 22L that constitutes the light emitting element 22 is formed inside the vertical hole portion 21H.
  • the multilayer film 22A is formed by sequentially stacking a first mirror layer 221, a first spacer layer 222, an active layer 223, a second spacer layer 224, and a second mirror layer 225 (see FIG. 3) from the substrate 21 side.
  • Formation of the multilayer film 22L can be realized using, for example, epitaxial growth technology.
  • individual electrodes 25 are formed on the multilayer film 22L in regions where the light emitting elements 22 are to be formed.
  • the individual electrodes 25 are made of a material suitable for direct bonding such as thermocompression bonding.
  • the individual electrodes 25 are preferably made of a metal material, more preferably Cu or Au.
  • the formation of the individual electrodes 25 can be realized, for example, by sequentially applying a resist, depositing a metal, and removing the resist.
  • the light emitting element 22 and the structures 23, 21 are removed. 21 is formed.
  • the subsequent steps are the same as the method for manufacturing the light emitting device 10 of the first embodiment shown in FIGS. 9E to 9L. Through the above steps, the light emitting device 10 of the second embodiment is manufactured.
  • FIG. 13 is a longitudinal cross-sectional view showing the configuration of the LD chip 20 in the light emitting device 10 of the third embodiment.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing the configuration of the LD chip 20 in the light emitting device 10 of the third embodiment, and shows a cross section taken along line EE in FIG.
  • the common electrode 26 of the LD chip 20 in the light emitting device 10 of the first embodiment is connected to the common electrode 26 of the substrate 21, which is the bottom surface of the gap 27 between each light emitting element 22 and the structure 23. It is extended to the top of one side S1. That is, the LD chip 30 in the light emitting device 10 of the third embodiment has the common electrode 26 extended to the first surface S1 of the substrate 21, which is the bottom surface of the gap 27 between the light emitting element 22 and the structure 23.
  • a connecting portion 27C is provided to connect adjacent gaps 27. Then, an elongated common electrode is arranged on the first surface S1 of the substrate 21, which is the bottom surface of the gap 27 and the connection section 27C.
  • the other configurations of the light emitting device 10 of the third embodiment are the same as the light emitting device 10 of the first embodiment.
  • the light emitting device 10 of the third embodiment is more precise than the light emitting device 10 of the first embodiment because the common electrode 25 is connected to the substrate 21 near the outer periphery of each light emitting element 22. This allows stable control of the light emitting element 22.
  • the light emitting device 10 of the third embodiment can be manufactured by the same method as the light emitting device 10 of the first embodiment. However, in manufacturing the light emitting device 10 of the third embodiment, in the step of removing the multilayer film 22L in the region where the gap portion 27 shown in FIGS. 9C and 9D is formed, the multilayer film 22L in the region where the connection portion 27C is formed is removed. The film 22L will also be removed. Furthermore, before the step of laminating the insulating film 24 shown in FIG. 9E, a step of laminating the common electrode 26 is added on the first surface S1 of the substrate 21, which becomes the bottom surface of the gap portion 27 and the connecting portion 27C. .
  • FIG. 15 is a longitudinal cross-sectional view showing the configuration of the LD chip 20 in the light emitting device 10 of the fourth embodiment.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing the configuration of the LD chip 20 in the light emitting device 10 of the fourth embodiment, and shows the FF cross section in FIG.
  • the common electrode 26 of the LD chip 20 in the light emitting device 10 of the second embodiment is connected to a substrate 21 that serves as the bottom surface of the gap 27 between each light emitting element 22 and the structures 23 and 21.
  • the image is expanded to the first surface S1 of the image. That is, the LD chip 30 in the light emitting device 10 of the fourth embodiment has the common electrode 26 drawn up to the first surface S1 of the substrate 21, which is the bottom surface of the gap 27 between the light emitting element 22 and the structures 23 and 21.
  • a connecting portion 27C is provided to connect adjacent gaps 27 to each other. Then, an elongated common electrode is arranged on the first surface S1 of the substrate 21, which is the bottom surface of the gap 27 and the connection section 27C.
  • the other configurations of the light emitting device 10 of the third embodiment are the same as the light emitting device 10 of the first embodiment.
  • the light emitting device 10 of the fourth embodiment is more precise than the light emitting device 10 of the second embodiment because the common electrode 25 is connected to the substrate 21 near the outer periphery of each light emitting element 22. This allows stable control of the light emitting element 22.
  • the light emitting device 10 of the fourth embodiment can be manufactured by the same method as the light emitting device 10 of the second embodiment. However, in manufacturing the light emitting device 10 of the fourth embodiment, in the step of forming the vertical hole 21H and the structures 23, 21 shown in FIG. 12A, the vertical hole 21H is also formed in the region where the connecting portion 27C is formed. . Furthermore, in the step of removing the multilayer film 22L in the region where the gap portion 27 is formed as shown in FIGS. 12D and 12E, the multilayer film 22L in the region where the connection portion 27C is formed is also removed. Furthermore, before the subsequent step of laminating the insulating film 24 (see FIG. 9E), a step of laminating the common electrode 26 on the first surface S1 of the substrate 21, which becomes the bottom surface of the gap portion 27 and the connecting portion 27C, is added. become.
  • FIG. 17 is a front view showing the configuration of the LD chip 20 in the light emitting device 10 of the fifth embodiment.
  • FIG. 18 is a vertical cross-sectional view showing the configuration of the LD chip 20 in the light emitting device 10 of the fifth embodiment, and shows a cross section taken along line GG in FIG.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing the configuration of the LD chip 20 in the light emitting device 10 of the fifth embodiment, and shows a cross section taken along the line HH in FIG. 18.
  • the light emitting device 10 of the fifth embodiment has, in addition to the configuration of the light emitting device 10 of the first embodiment, the LD chip 20 has a dummy electrode pad 25D arranged on the top of the structure 23.
  • the dummy electrode pad 25D is made of the same material as the individual electrode 25. Further, the height H3 of the top of the dummy electrode pad 25D is the same as the height H1 of the top of the individual electrode. Further, like the individual electrodes 25, the dummy electrode pads 25D are exposed to the outside from the insulating film 24. However, unlike the individual electrodes 25, the dummy electrode pads 25D are not bonded to the electrode pads 32 of the LDD substrate 30 and are not supplied with drive signals from the LDD substrate 30.
  • the other configurations of the light emitting device 10 of the fifth embodiment are the same as the light emitting device 10 of the first embodiment.
  • the light emitting device 10 of the fifth embodiment is different from the light emitting device 10 of the first embodiment because the in-plane uniformity on the first surface S1 side of the substrate 21 of the LD chip 20 is improved due to the presence of the dummy electrode pad 25D. In comparison, the bonding between the LD chip 20 and the LDD substrate 30 is better.
  • the light emitting device 10 of the fifth embodiment can be manufactured by the same method as the light emitting device 10 of the first embodiment. However, in manufacturing the light emitting device 10 of the fifth embodiment, in the step of forming the individual electrodes 25 shown in FIG. 9B, dummy electrode pads 25D are simultaneously formed in the region on the multilayer film 22L where the structure 23 is to be formed. do. Furthermore, in the step shown in FIG. 9F in which the individual electrodes 25 are exposed by polishing the insulating film 24 by CMP, the dummy electrode pads 25D are also exposed at the same time.
  • FIG. 20 is a longitudinal cross-sectional view showing the configuration of the LD chip 20 in the light emitting device 10 of the sixth embodiment.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view showing the configuration of the LD chip 20 in the light emitting device 10 of the sixth embodiment, and shows the II cross section in FIG. 20.
  • the light emitting device 10 of the sixth embodiment has the LD chip 20 having dummy electrode pads 25D arranged on the tops of the structures 23 and 21. .
  • the dummy electrode pad 25D is made of the same material as the individual electrode 25. Further, the height H3 of the top of the dummy electrode pad 25D is the same as the height H1 of the top of the individual electrode. Further, like the individual electrodes 25, the dummy electrode pads 25D are exposed to the outside from the insulating film 24. However, unlike the individual electrodes 25, the dummy electrode pads 25D are not bonded to the electrode pads 32 of the LDD substrate 30 and are not supplied with drive signals from the LDD substrate 30.
  • the other configurations of the light emitting device 10 of the sixth embodiment are the same as the light emitting device 10 of the second embodiment.
  • the light emitting device 10 of the fifth embodiment improves in-plane uniformity on the first surface S1 side of the LD chip 20 due to the presence of the dummy electrode pad 25D, compared to the light emitting device 10 of the second embodiment. , the bonding between the LD chip 20 and the LDD substrate 30 becomes better.
  • the light emitting device 10 of the sixth embodiment can be manufactured by the same method as the light emitting device 10 of the second embodiment.
  • dummy electrode pads 25D are formed on the structures 23 and 21 at the same time in the step of forming the individual electrodes 25 shown in FIG. 12C.
  • the dummy electrode pads 25D are also exposed at the same time.
  • FIG. 22 is a longitudinal cross-sectional view showing the configuration of the LD chip 20 in the light emitting device 10 of the seventh embodiment.
  • the light emitting device 10 of the seventh embodiment includes only the LD chip 20. In this point, the light emitting device 10 of the seventh embodiment is different from the light emitting device 10 of the first embodiment, which includes the LDD substrate 30 to which the LD chip 20 is bonded.
  • the configuration of the LD chip 20 of the light emitting device 10 of the seventh embodiment is the same as that of the LD chip 20 of the light emitting device 10 of the first embodiment shown in FIG.
  • the substrate 21 of the LD chip 20 has good flatness and is highly reliable.
  • this light emitting device 10 suppresses the occurrence of warpage when bonded to the LDD substrate 30, maintains good flatness even after bonding to the LDD substrate, and has excellent reliability. It becomes something.
  • FIGS. 23A to 23G are longitudinal cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing the light emitting device 10 of the seventh embodiment.
  • the method of manufacturing the light emitting device 10 of the seventh embodiment is the same as the method of manufacturing the light emitting device 10 of the first embodiment shown in FIGS. 9A to 9F until the LD chip 20 connectable to the LDD substrate 30 is obtained. .
  • the LD chip 20 is attached to the temporary substrate 92 as shown in FIGS. 23A and 23B.
  • the individual electrode 25 side of the LD chip 20 is attached to the temporary substrate 92.
  • the temporary substrate 92 has an adhesive layer 92a for holding the LD chip 20.
  • the adhesive layer 92a is made of, for example, a material whose adhesive strength decreases when heated.
  • the lens portion 21a is formed on the substrate 21. This step is the same as the method for manufacturing the light emitting device 10 of the first embodiment shown in FIGS. 9H to 9K.
  • the LD chip 20 attached to the temporary substrate 92 is attached to the mounting sheet 93.
  • the lens portion 21a side of the LD chip 20 is attached to the mount sheet 93.
  • the temporary substrate 92 is removed from the LD chip 20. If the adhesive layer 92a of the temporary substrate 92 is made of a material whose adhesive strength decreases when heated, the temporary substrate 92 can be removed from the LD chip 20 by heating the adhesive layer 92a.
  • the LD chip 20 is usually divided into individual pieces with a plurality of light emitting elements 22 as a unit. Through the above steps, the light emitting device 10 of the seventh embodiment is manufactured.
  • the light emitting device 10 can be used, for example, in a distance measuring device (also referred to as a distance measuring module) 40 that measures the distance to an object in a non-contact manner.
  • a distance measuring device also referred to as a distance measuring module 40 that measures the distance to an object in a non-contact manner.
  • FIG. 24 is a block diagram illustrating a configuration example of a distance measuring device 40 as an example of implementing the light emitting device 10 according to the embodiment of the present disclosure.
  • the distance measuring device 40 includes a light emitting section 51, a driving section 52, a power supply circuit 53, a light emitting side optical system 54, a light receiving side optical system 55, a light receiving section 56, a signal processing section 57, a control section 58, and a temperature detection section. 59.
  • the light emitting unit 51 emits light using a plurality of light sources.
  • the light emitting unit 51 of this example has a light emitting element using a VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) as each light source, and these light emitting elements are arranged in a predetermined manner, such as a matrix. It is arranged and configured according to the aspect.
  • VCSEL Vertical Cavity Surface Emitting Laser
  • the driving section 52 is configured to include a power supply circuit 53 for driving the light emitting section 51.
  • the power supply circuit 53 generates a power supply voltage (a drive voltage Vd, which will be described later) for the drive unit 52, based on an input voltage (an input voltage Vin, which will be described later) from, for example, a battery (not shown) provided in the distance measuring device 40.
  • the driving section 52 drives the light emitting section 51 based on the power supply voltage.
  • the light emitted from the light emitting unit 51 is irradiated onto the subject (object) S as a distance measurement target via the light emitting side optical system 54. Then, the reflected light from the subject S of the light irradiated in this way enters the light receiving surface of the light receiving section 56 via the light receiving side optical system 55.
  • the light receiving unit 56 is, for example, a light receiving element such as a CCD (Charge Coupled Device) sensor or a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) sensor, and receives reflected light from the subject S that enters through the light receiving side optical system 55 as described above. It receives light, converts it into an electrical signal, and outputs it.
  • a light receiving element such as a CCD (Charge Coupled Device) sensor or a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) sensor
  • the light receiving unit 56 performs, for example, CDS (Correlated Double Sampling) processing, AGC (Automatic Gain Control) processing, etc. on the electrical signal obtained by photoelectrically converting the received light, and further performs A/D (Analog/Digital) conversion. Perform processing. Then, the signal as digital data is output to the signal processing section 57 at the subsequent stage.
  • CDS Correlated Double Sampling
  • AGC Automatic Gain Control
  • the light receiving section 56 of this example outputs a frame synchronization signal Fs to the driving section 52. This allows the driving section 52 to cause the light emitting element 22 in the light emitting section 51 to emit light at a timing corresponding to the frame period of the light receiving section 56.
  • the signal processing unit 57 is configured as a signal processing processor using, for example, a DSP (Digital Signal Processor).
  • the signal processing unit 57 performs various signal processing on the digital signal input from the light receiving unit 56.
  • the control unit 58 includes, for example, a microcomputer having a CPU (Central Processing Unit), a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), or an information processing device such as a DSP, and controls the light emission by the light emitting unit 51. It controls the driving section 52 for controlling the operation and controls the light receiving operation of the light receiving section 56.
  • a microcomputer having a CPU (Central Processing Unit), a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), or an information processing device such as a DSP, and controls the light emission by the light emitting unit 51. It controls the driving section 52 for controlling the operation and controls the light receiving operation of the light receiving section 56.
  • the control section 58 has a function as a distance measuring section 58a.
  • the distance measuring section 58a measures the distance to the subject S based on a signal input via the signal processing section 57 (that is, a signal obtained by receiving reflected light from the subject S).
  • the distance measuring unit 58a of this example measures distances for each part of the subject S to enable identification of the three-dimensional shape of the subject S.
  • the temperature detection section 59 detects the temperature of the light emitting section 51.
  • a configuration may be adopted in which temperature detection is performed using, for example, a diode.
  • information on the temperature detected by the temperature detection section 59 is supplied to the driving section 52, thereby enabling the driving section 52 to drive the light emitting section 51 based on the temperature information.
  • the distance measurement method in the distance measurement device 40 for example, a distance measurement method using an STL (Structured Light) method or a ToF (Time of Flight) method can be adopted.
  • STL Structured Light
  • ToF Time of Flight
  • the STL method is a method for measuring distance based on an image of a subject S irradiated with light having a predetermined bright/dark pattern, such as a dot pattern or a grid pattern.
  • FIG. 25A is an explanatory diagram of the STL method.
  • the subject S is irradiated with patterned light Lp having a dot pattern as shown in FIG. 25A, for example.
  • the patterned light Lp is divided into a plurality of blocks BL, and each block BL is assigned a different dot pattern (dot patterns are prevented from overlapping between blocks B).
  • FIG. 25B is an explanatory diagram of the distance measurement principle of the STL method.
  • an example is taken in which a wall W and a box BX placed in front of the wall W are the subject S, and the subject S is irradiated with the pattern light Lp.
  • “G” in the figure schematically represents the angle of view by the light receiving section 56.
  • BLn in the figure means the light of a certain block BL in the pattern light Lp
  • dn means the dot pattern of the block BLn projected on the light reception image by the light receiving unit 56.
  • the dot pattern of the block BLn is projected at the position "dn'" in the figure in the received light image. That is, the position where the pattern of the block BLn is projected in the received light image is different depending on whether the box BX exists or the box BX does not exist, and specifically, distortion of the pattern occurs.
  • the STL method is a method for determining the shape and depth of the subject S by utilizing the fact that the irradiated pattern is distorted by the object shape of the subject S. Specifically, this method calculates the shape and depth of the subject S from the way the pattern is distorted.
  • the light receiving section 56 is, for example, an IR (Infrared) light receiving section using a global shutter method.
  • the distance measuring section 58a controls the driving section 52 so that the light emitting section 51 emits pattern light, and detects pattern distortion in the image signal obtained via the signal processing section 57. , calculate the distance based on how the pattern is distorted.
  • the ToF method measures the distance to the target object by detecting the flight time (time difference) of the light emitted from the light emitting unit 51 until it is reflected by the target object and reaches the light receiving unit 56. This is a method to do so.
  • a so-called direct ToF (dTOF) method is adopted as the ToF method
  • a SPAD Single Photon Avalanche Diode
  • the distance measuring section 58a calculates the time difference between light emission and light reception for the light emitted from the light emitting section 51 and received by the light receiving section 56 based on the signal inputted via the signal processing section 57, and calculates the time difference between light emission and light reception.
  • the distance to each part of the subject S is calculated based on the distance and the speed of light.
  • a light receiving portion capable of receiving IR light is used as the light receiving portion 56, for example.
  • the light emitting device 10 according to the embodiment of the present disclosure can be applied to the light emitting section 51 and the light emitting side optical system 54 among the configurations described above. Specifically, the light emitting device 10 according to the embodiment of the present disclosure, the light receiving section 56, and the light emitting signal of the light emitting device 10 when the light emitting signal of the light emitting device 10 is reflected by an object and received by the light receiving section 56.
  • the distance measuring device 40 can be configured to include a distance measuring section (distance measuring section 58a) that measures the distance to the target object based on the light receiving signal of the light receiving section 56.
  • the technology according to the present disclosure can be applied to various products.
  • the technology according to the present disclosure may be realized as a device mounted on any type of moving body such as a car, electric vehicle, hybrid electric vehicle, motorcycle, bicycle, personal mobility, airplane, drone, ship, robot, etc. It's okay.
  • FIG. 26 is a block diagram showing a schematic configuration example of a vehicle control system 12000, which is an example of a mobile object control system to which the technology according to the present disclosure can be applied.
  • the vehicle control system 12000 includes a plurality of electronic control units connected via a communication network 12001.
  • the vehicle control system 12000 includes a drive system control unit 12010, a body system control unit 12020, an outside vehicle information detection unit 12030, an inside vehicle information detection unit 12040, and an integrated control unit 12050.
  • a microcomputer 12051, an audio/image output section 12052, and an in-vehicle network I/F (Interface) 12053 are illustrated as the functional configuration of the integrated control unit 12050.
  • the drive system control unit 12010 controls the operation of devices related to the drive system of the vehicle according to various programs.
  • the drive system control unit 12010 includes a drive force generation device such as an internal combustion engine or a drive motor that generates drive force for the vehicle, a drive force transmission mechanism that transmits the drive force to wheels, and a drive force transmission mechanism that controls the steering angle of the vehicle. It functions as a control device for a steering mechanism to adjust and a braking device to generate braking force for the vehicle.
  • the body system control unit 12020 controls the operations of various devices installed in the vehicle body according to various programs.
  • the body system control unit 12020 functions as a keyless entry system, a smart key system, a power window device, or a control device for various lamps such as a headlamp, a back lamp, a brake lamp, a turn signal, or a fog lamp.
  • radio waves transmitted from a portable device that replaces a key or signals from various switches may be input to the body control unit 12020.
  • the body system control unit 12020 receives input of these radio waves or signals, and controls the door lock device, power window device, lamp, etc. of the vehicle.
  • the external information detection unit 12030 detects information external to the vehicle in which the vehicle control system 12000 is mounted.
  • an imaging section 12031 is connected to the outside-vehicle information detection unit 12030.
  • the vehicle exterior information detection unit 12030 causes the imaging unit 12031 to capture an image of the exterior of the vehicle, and receives the captured image.
  • the external information detection unit 12030 may perform object detection processing such as a person, car, obstacle, sign, or text on the road surface or distance detection processing based on the received image.
  • the imaging unit 12031 is an optical sensor that receives light and outputs an electrical signal according to the amount of received light.
  • the imaging unit 12031 can output the electrical signal as an image or as distance measurement information.
  • the light received by the imaging unit 12031 may be visible light or non-visible light such as infrared rays.
  • the in-vehicle information detection unit 12040 detects in-vehicle information.
  • a driver condition detection section 12041 that detects the condition of the driver is connected to the in-vehicle information detection unit 12040.
  • the driver condition detection unit 12041 includes, for example, a camera that images the driver, and the in-vehicle information detection unit 12040 detects the degree of fatigue or concentration of the driver based on the detection information input from the driver condition detection unit 12041. It may be calculated, or it may be determined whether the driver is falling asleep.
  • the microcomputer 12051 calculates control target values for the driving force generation device, steering mechanism, or braking device based on the information inside and outside the vehicle acquired by the vehicle exterior information detection unit 12030 or the vehicle interior information detection unit 12040, Control commands can be output to 12010.
  • the microcomputer 12051 realizes ADAS (Advanced Driver Assistance System) functions, including vehicle collision avoidance or impact mitigation, following distance based on vehicle distance, vehicle speed maintenance, vehicle collision warning, vehicle lane departure warning, etc. It is possible to perform cooperative control for the purpose of ADAS (Advanced Driver Assistance System) functions, including vehicle collision avoidance or impact mitigation, following distance based on vehicle distance, vehicle speed maintenance, vehicle collision warning, vehicle lane departure warning, etc. It is possible to perform cooperative control for the purpose of
  • ADAS Advanced Driver Assistance System
  • the microcomputer 12051 controls the driving force generating device, steering mechanism, braking device, etc. based on information about the surroundings of the vehicle acquired by the vehicle exterior information detection unit 12030 or the vehicle interior information detection unit 12040. It is possible to perform cooperative control for the purpose of autonomous driving, etc., which does not rely on operation.
  • the microcomputer 12051 can output a control command to the body system control unit 12020 based on the information outside the vehicle acquired by the outside information detection unit 12030.
  • the microcomputer 12051 controls the headlamps according to the position of the preceding vehicle or oncoming vehicle detected by the vehicle exterior information detection unit 12030, and performs cooperative control for the purpose of preventing glare, such as switching from high beam to low beam. It can be carried out.
  • the audio and image output unit 12052 transmits an output signal of at least one of audio and images to an output device that can visually or audibly notify information to the occupants of the vehicle or to the outside of the vehicle.
  • an audio speaker 12061, a display section 12062, and an instrument panel 12063 are illustrated as output devices.
  • the display unit 12062 may include, for example, at least one of an on-board display and a head-up display.
  • FIG. 27 is a diagram showing an example of the installation position of the imaging section 12031.
  • the imaging unit 12031 includes imaging units 12101, 12102, 12103, 12104, and 12105.
  • the imaging units 12101, 12102, 12103, 12104, and 12105 are provided at, for example, the front nose of the vehicle 12100, the side mirrors, the rear bumper, the back door, and the upper part of the windshield inside the vehicle.
  • An imaging unit 12101 provided in the front nose and an imaging unit 12105 provided above the windshield inside the vehicle mainly acquire images in front of the vehicle 12100.
  • Imaging units 12102 and 12103 provided in the side mirrors mainly capture images of the sides of the vehicle 12100.
  • An imaging unit 12104 provided in the rear bumper or back door mainly captures images of the rear of the vehicle 12100.
  • the imaging unit 12105 provided above the windshield inside the vehicle is mainly used to detect preceding vehicles, pedestrians, obstacles, traffic lights, traffic signs, lanes, and the like.
  • FIG. 27 shows an example of the imaging range of the imaging units 12101 to 12104.
  • An imaging range 12111 indicates the imaging range of the imaging unit 12101 provided on the front nose
  • imaging ranges 12112 and 12113 indicate imaging ranges of the imaging units 12102 and 12103 provided on the side mirrors, respectively
  • an imaging range 12114 shows the imaging range of the imaging unit 12101 provided on the front nose.
  • the imaging range of the imaging unit 12104 provided in the rear bumper or back door is shown. For example, by overlapping the image data captured by the imaging units 12101 to 12104, an overhead image of the vehicle 12100 viewed from above can be obtained.
  • At least one of the imaging units 12101 to 12104 may have a function of acquiring distance information.
  • at least one of the imaging units 12101 to 12104 may be a stereo camera including a plurality of image sensors, or may be an image sensor having pixels for phase difference detection.
  • the microcomputer 12051 determines the distance to each three-dimensional object within the imaging ranges 12111 to 12114 and the temporal change in this distance (relative speed with respect to the vehicle 12100) based on the distance information obtained from the imaging units 12101 to 12104. In particular, by determining the three-dimensional object that is closest to the vehicle 12100 on its path and that is traveling at a predetermined speed (for example, 0 km/h or more) in approximately the same direction as the vehicle 12100, it is possible to extract the three-dimensional object as the preceding vehicle. can.
  • a predetermined speed for example, 0 km/h or more
  • the microcomputer 12051 can set an inter-vehicle distance to be secured in advance in front of the preceding vehicle, and perform automatic brake control (including follow-up stop control), automatic acceleration control (including follow-up start control), and the like. In this way, it is possible to perform cooperative control for the purpose of autonomous driving, etc., in which the vehicle travels autonomously without depending on the driver's operation.
  • the microcomputer 12051 transfers three-dimensional object data to other three-dimensional objects such as two-wheeled vehicles, regular vehicles, large vehicles, pedestrians, and utility poles based on the distance information obtained from the imaging units 12101 to 12104. It can be classified and extracted and used for automatic obstacle avoidance. For example, the microcomputer 12051 identifies obstacles around the vehicle 12100 into obstacles that are visible to the driver of the vehicle 12100 and obstacles that are difficult to see. Then, the microcomputer 12051 determines a collision risk indicating the degree of risk of collision with each obstacle, and when the collision risk exceeds a set value and there is a possibility of a collision, the microcomputer 12051 transmits information via the audio speaker 12061 and the display unit 12062. By outputting a warning to the driver via the vehicle control unit 12010 and performing forced deceleration and avoidance steering via the drive system control unit 12010, driving support for collision avoidance can be provided.
  • the microcomputer 12051 determines a collision risk indicating the degree of risk of collision with each obstacle, and when the collision risk exceed
  • At least one of the imaging units 12101 to 12104 may be an infrared camera that detects infrared rays.
  • the microcomputer 12051 can recognize a pedestrian by determining whether the pedestrian is present in the images captured by the imaging units 12101 to 12104.
  • pedestrian recognition involves, for example, a procedure for extracting feature points in images captured by the imaging units 12101 to 12104 as infrared cameras, and a pattern matching process is performed on a series of feature points indicating the outline of an object to determine whether it is a pedestrian or not.
  • the audio image output unit 12052 creates a rectangular outline for emphasis on the recognized pedestrian.
  • the display section 12062 is controlled so as to display the .
  • the audio image output unit 12052 may control the display unit 12062 to display an icon or the like indicating a pedestrian at a desired position.
  • the technology according to the present disclosure can be applied to the imaging unit 12031 among the configurations described above.
  • the light emitting device 10 according to the present disclosure may be provided together with the imaging section 12031.
  • the present disclosure can also have the following configuration.
  • [Item 1] comprising a first base;
  • the first base body is a first substrate; a light emitting element disposed on the first surface of the first substrate and having a multilayer film; a structure disposed in an inter-element region of the light emitting element on the first surface, The structure has the same multilayer film as the light emitting element, or is made of the same material as the first substrate.
  • the light emitting device [Item 2] The light emitting device according to item 1,
  • the first base further includes an insulating film laminated on the first surface so as to fill a gap between the light emitting element and the structure.
  • the insulating film is made of an inorganic material.
  • the first base has a first electrode pad disposed on the top of the light emitting element, The height of the top of the structure is lower than the height of the top of the first electrode pad.
  • the light emitting device is not limited to any one of items 1 to 4, In the light emitting device, the first base body further includes a common electrode that extends up to the first surface of the first substrate, which becomes the bottom surface of the gap between the light emitting element and the structure.
  • the light emitting device according to any one of claims 1 to 5,
  • the first base further includes a first electrode pad placed on the top of the light emitting element, and a dummy electrode pad placed on the top of the structure.
  • the light emitting device according to any one of items 1 to 6,
  • the first base further includes a light emitting device having a lens portion provided on a second surface of the first substrate that is opposite to the first surface, and condensing light emitted from the light emitting element. .
  • the light emitting device according to any one of items 1 to 7, further comprising a second base joined to the first base;
  • the second base includes a second substrate and a second electrode pad disposed on the second substrate, A light emitting device in which a first electrode pad of the first base and a second electrode pad of the second base are joined.
  • a light emitting device in which the first electrode pad and the second electrode pad are joined by direct bonding.
  • a first substrate a light emitting element disposed on a first surface of the first substrate and having a multilayer film; a structure disposed in an inter-element region of the light emitting elements on the first surface; a first electrode pad disposed on the top of the structure, and the structure includes a first base body that has the same multilayer film as the light emitting element or is made of the same material as the first substrate.
  • a method for manufacturing a light emitting device comprising: a third step of thinning the first substrate from a second surface side that is an opposite surface to the first surface.
  • a method for manufacturing a light emitting device according to item 10 comprising: The method for manufacturing a light emitting device further includes a fourth step of forming a lens portion for condensing light emitted from the light emitting element on the second surface of the first substrate.
  • a distance measurement unit that measures the distance to the The light emitting device includes: a first substrate; a light emitting element disposed on the first surface of the first substrate and having a multilayer film; a structure disposed in an inter-element region of the light emitting element on the first surface, The structure has the same multilayer film as the light emitting element, or is made of the same material as the first substrate. The distance measuring device.

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Abstract

［課題］信頼性に優れた発光装置を提供する。 ［解決手段］発光装置１０であって、第１基体２０を備え、第１基体２０は、第１基板２１と、第１基板２１の第１面Ｓ１上に配置され、多層膜２２Ｌを有する発光素子２２と、第１面Ｓ１上における発光素子２２の素子間領域に配置された構造体２３と、を有し、構造体２３は、発光素子２２と同じ多層膜２２Ｌを有する、又は、第１基板２１と同じ材料によって構成される。

Description

発光装置、発光装置の製造方法、測距装置
　本開示は、発光装置、発光装置の製造方法、測距装置に関する。
　近年、半導体レーザの一種として、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）等の面発光レーザが注目されている（特許文献１参照）。ＶＣＳＥＬは、低消費電力であり、低コストで大量生産でき、かつ二次元アレイ化も容易であるという優れた特徴を持っている。特に、裏面出射型のＶＣＳＥＬは、ワイヤボンディングを必要とせず、ＬＤＤ（Laser Diode Driver）基板に直接接続できるため、小型化及び多機能化を容易に実現できる。
特表２０２１－５０９９５６号公報
　本開示は、信頼性に優れた発光装置及び測距装置を提供することを目的とする。
　本開示の一側面による発光装置は、第１基体を備え、前記第１基体は、第１基板と、前記第１基板の第１面上に配置され、多層膜を有する発光素子と、前記第１面上における前記発光素子の素子間領域に配置された構造体と、を有し、前記構造体は、前記発光素子と同じ前記多層膜を有する、又は、前記第１基板と同じ材料によって構成される。
　前記第１基体は、さらに、前記第１面上に、前記発光素子と前記構造体との間隙部を埋めるように、積層された絶縁膜を有してもよい。前記絶縁膜は、無機材料によって構成されてもよい。前記第１基体は、前記発光素子の頂部に配置された第１電極パッドを有し、前記構造体の頂部の高さは、前記第１電極パッドの頂部の高さよりも低くてもよい。
　前記発光装置は、前記第１基体が、さらに、前記発光素子と前記構造体との間隙部の底面となる前記第１基板の前記第１面上まで引かれた共通電極を有してもよい。
　前記発光装置は、前記第１基体が、さらに、前記発光素子の頂部に配置された第１電極パッドと、前記構造体の頂部に配置されたダミー電極パッドと、を有してもよい。
　前記発光装置は、前記第１基体が、さらに、前記第１基板の前記第１面とは反対の面である第２面上に設けられ、前記発光素子から出射された光を集光するレンズ部を有してもよい。
　前記発光装置は、さらに、前記第１基体に接合する第２基体を備え、前記第２基体は、第２基板と、前記第２基板上に配置された第２電極パッドと、を有し、前記第１基体の第１電極パッドと、前記第２基体の前記第２電極パッドと、が接合されていてもよい。前記第１電極パッドと前記第２電極パッドとが直接接合によって接合されていてもよい。
　本開示の一側面による発光装置の製造方法は、第１基板と、前記第１基板の第１面上に配置され、多層膜を有する発光素子と、前記第１面上の前記発光素子の素子間領域に配置された構造体と、前記発光素子の頂部に配置された第１電極パッドと、を有し、前記構造体は、前記発光素子と同じ前記多層膜を有する、又は、前記第１基板と同じ材料によって構成される、第１基体を作製する第１工程と、第２基板と、前記第２基板上に配置された第２電極パッドと、を有する第２基体の前記第２電極パッドに、前記第１基体の前記第１電極パッドを接合する第２工程と、前記第１基板を、前記第１面とは反対の面である第２面側から薄化する第３工程と、を備える。
　前記発光装置の製造方法は、さらに、前記第１基板の前記第２面上に前記発光素子から出射された光を集光するレンズ部を形成する第４工程を備えてもよい。
　本開示の一側面による測距装置は、発光装置と、受光部と、前記発光装置の発光信号が対象物で反射されて前記受光部で受光されたときに、前記発光装置の発光信号と前記受光部の受光信号とに基づいて対象物までの距離を計測する距離計測部と、を備え、前記発光装置は、第１基板と、前記第１基板の第１面上に配置され、多層膜を有する発光素子と、前記第１面上における前記発光素子の素子間領域に配置された構造体と、を有し、前記構造体は、前記発光素子と同じ前記多層膜を有する、又は、前記第１基板と同じ材料、によって構成される。
第１実施形態の発光装置の構成を示す縦断面図である。 第１実施形態の発光装置の構成を示す横断面図であり、図１のＡ－Ａ断面を示す。 第１実施形態の発光装置の発光素子周辺の構成を示す拡大縦断面図であり、図１のＢ領域を示す。 第１実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す正面図である。 第１実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す縦断面図であり、図４のＣ－Ｃ断面を示す。 第１実施形態の発光装置の製造方法の概略を示す縦断面図である。 図６Ａに続く縦断面図である。 図６Ｂに続く縦断面図である。 比較例の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す縦断面図である。 比較例の発光装置の製造方法の概略を示す縦断面図である。 図８Ａに続く縦断面図である。 第１実施形態の発光装置の製造方法の一例を示す縦断面図である。 図９Ａに続く縦断面図である。 図９Ｂに続く縦断面図である。 図９Ｃに続く縦断面図である。 図９Ｄに続く縦断面図である。 図９Ｅに続く縦断面図である。 図９Ｆに続く縦断面図である。 図９Ｇに続く縦断面図である。 図９Ｈに続く縦断面図である。 図９Ｉに続く縦断面図である。 図９Ｊに続く縦断面図である。 図９Ｋに続く縦断面図である。 第２実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す縦断面図である。 第２実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す横断面図であり、図１０のＤ－Ｄ断面を示す。 第２実施形態の発光装置の製造方法の一例を示す縦断面図である。 図１２Ａに続く縦断面図である。 図１２Ｂに続く縦断面図である。 図１２Ｃに続く縦断面図である。 図１２Ｄに続く縦断面図である。 第３実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す縦断面図である。 第３実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す横断面図であり、図１３のＥ－Ｅ断面を示す。 第４実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す縦断面図である。 第４実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す横断面図であり、図１５のＦ－Ｆ断面を示す。 第５実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す正面図である。 第５実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す縦断面図であり、図１７のＧ－Ｇ断面を示す。 第５実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す横断面図であり、図１８のＨ－Ｈ断面を示す。 第６実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す縦断面図である。 第６実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す横断面図であり、図２０のＩ－Ｉ断面を示す。 第７実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す縦断面図である。 第７実施形態の発光装置の製造方法の一例を示す縦断面図である。 図２３Ａに続く縦断面図である。 図２３Ｂに続く縦断面図である。 図２３Ｃに続く縦断面図である。 図２３Ｄに続く縦断面図である。 図２３Ｅに続く縦断面図である。 図２３Ｆに続く縦断面図である。 本開示の実施形態による発光装置の一実装例としての測距装置の構成例を示すブロック図である。 ＳＴＬ方式の説明図である。 ＳＴＬ方式の測距原理についての説明図である。 移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。 撮像部の設置位置の例を示す図である。
　以下、本開示の実施形態の一例について、図面を参照しつつ説明する。
（第１実施形態）
　図１は、第１実施形態の発光装置１０の構成を示す縦断面図である。図２は、第１実施形態の発光装置１０の構成を示す横断面図であり、図１のＡ－Ａ断面を示す。図３は、第１実施形態の発光装置１０の発光素子２２周辺の構成を示す拡大縦断面図であり、図１のＢ領域を示す。
　第１実施形態の発光装置１０は、ＬＤ（Laser Diode）チップ２０と、ＬＤチップ２０に接合するＬＤＤ基板３０と、を備える。本明細書においては、ＬＤチップ２０を「第１基体」と呼び、ＬＤＤ基板３０を「第２基体」と呼ぶこともある。
　ＬＤチップ２０は、基板２１と、複数の発光素子２２と、構造体２３と、絶縁膜２４と、個別電極２５と、共通電極２６と、を有する。また、基板２１は、複数のレンズ部２１ａを有する。また、ＬＤチップ２０は、発光素子２２と構造体２３との間に、絶縁膜２４で埋められた間隙部２７を有する。
　基板２１は、ＧａＡｓなどの化合物半導体を材料とする基板である。基板２１のＬＤＤ基板３０と対向する面が表（おもて）面Ｓ１であり、その反対の面が裏面Ｓ２である。本明細書においては、基板２１の表（おもて）面Ｓ１を「第１面」と呼び、裏面Ｓ２を「第２面」と呼ぶこととする。また、ＬＤチップ２０の基板２１を「第１基板」と呼ぶこともある。
　発光素子２２は、それぞれがメサ構造を有する裏面照射型のＶＣＳＥＬである。複数の発光素子２２が、基板２１の第１面Ｓ１上に分散配置されている。また、発光素子２２は、図３に示すように、多層膜２２Ｌによって構成される。つまり、発光素子２２は、多層膜２２Ｌを有する。
　多層膜２２Ｌは、基板２１側から、第１ミラー層２２１、第１スペーサ層２２２、活性層２２３、第２スペーサ層２２４及び第２ミラー層２２５が順次積層された構造を有する。第１ミラー層２２１及び第２ミラー層２２５は、例えば、多層膜反射鏡によって構成される。発光素子２２は、活性層２２３で発生したレーザ光を、第１ミラー層２２１と第２ミラー層２２５との間で共振させて、光強度を向上させ、基板２１の第２面Ｓ２側から出射させる。
　なお、第１実施形態のＬＤチップ２０は、複数の発光素子２２を有しているが、本開示の技術のＬＤチップ２０は、１つの発光素子２２を有するものであってもよい。ただし、本開示の技術は、複数の発光素子２２を有するＬＤチップ２０への適用に適したものとなっている。そのため、ＬＤチップ２０は、基板２１上に分散配置された複数の発光素子２２を有しているのが好ましい。
　構造体２３は、基板２１の第１面Ｓ１上であって、分散配置された発光素子２２の素子間領域に配置されている。素子間領域とは、複数の発光素子２２の間の領域をいうものとする。また、ＬＤチップ２０が１つの発光素子２２のみを有するものである場合、素子間領域とは、発光素子２２が配置されている領域以外の領域をいうものとする。
　構造体２３は、発光素子２２と同じ多層膜２２Ｌによって構成される。構造体２３は、ＬＤチップ２０の強度を補強する。つまり、構造体２３は、発光素子２２と同じ多層膜２２Ｌを有する。また、構造体２３は、構造体２３が存在しない場合と比較して、絶縁膜２４の体積を小さくしている。
　構造体２３は、図３に示すように、その頂部の高さＨ２が個別電極２５の頂部の高さＨ１よりも低くなっている。これは、ＬＤチップ２０を、構造体２３が絶縁膜２４で覆われたものとするためである。
　間隙部２７は、図２に示すように、基板２１の法線方向からの観察において、それぞれの発光素子２２の外周を取り囲むように配置される。つまり、間隙部２７は、基板２１の法線方向からの観察において、環状の形状を有する。また、間隙部２７の底面は、基板２１の第１面Ｓ１である。
　絶縁膜２４は、基板２１の第１面Ｓ１上に、発光素子２２と構造体２３との間隙部２７を埋めるように、積層されている。また、絶縁膜２４は、発光素子２２、構造体２３、個別電極２５及び共通電極２６のうち、個別電極２５及び共通電極２６のみが外部に露出するように、積層されている。上述の構造体２３の存在によって、絶縁膜２４の体積は小さく抑えられている。絶縁膜２４は、発光素子２２におけるノイズの発生を抑制し、ひいては、発光装置１０の信頼性を向上させる。
　なお、絶縁膜２４は、発光素子２２と構造体２３との間隙部２７を埋めるものであればよく、発光素子２２や構造体２３の一部が絶縁膜２４から外部に露出するものであってもよい。ただし、発光素子２２におけるノイズの発生の抑制などの観点から、個別電極２５及び共通電極２６のみが絶縁膜２４から外部に露出するものが好ましい。
　絶縁膜２４は、絶縁性を有するとともに、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）による研磨が可能な材料によって構成される。絶縁膜２４を無機材料によって構成することによって、ＬＤチップ２０の強度をさらに補強することが可能となる。また、絶縁膜２４を無機材料によって構成することによって、高温環境下におけるＬＤチップ２０の反りの発生を抑えることができる。そのため、絶縁膜２４は、好ましくは、無機材料によって構成され、さらに好ましくは、ＳｉＯ２又はＳｉＮによって構成される。
　個別電極２５は、それぞれの発光素子２２の頂部に配置されている。個別電極２５は、電極パッドとして構成される。個別電極２５は、ＬＤＤ基板３０の電極パッド３２と、熱圧着などの直接接合によって接合している。個別電極２５は、熱圧着などの直接接合に適した材料によって構成される。個別電極２５は、好ましくは、金属材料によって構成され、さらに好ましくは、Ｃｕ又はＡｕによって構成される。本明細書においては、個別電極２５を「第１電極パッド」と呼ぶこともある。
　共通電極２６は、ＬＤチップ２０の端部付近に配置されている構造体２３上から基板２１の第１面Ｓ１上に亘って配置されるとともに、基板２１と電気的に接続している。共通電極２６は、その構造体２３上の部分が電極パッドとして構成される。共通電極２６の電極パッドは、ＬＤＤ基板３０の電極パッド３２と、熱圧着などの直接接合によって接合している。共通電極２６は、熱圧着などの直接接合に適した材料によって構成される。共通電極２６は、好ましくは、金属材料によって構成され、さらに好ましくは、Ｃｕ又はＡｕによって構成される。
　レンズ部２１ａは、基板２１の第２面Ｓ２側の発光素子２２と重なる領域に設けられている。レンズ部２１ａは、発光素子２２から出射されたレーザ光を集光する。
　ＬＤＤ基板３０は、基板３１と、基板３１上に分散配置された複数の電極パッド３２と、を有する。電極パッド３２は、ＬＤチップ２０の発光素子２２に駆動信号を供給する。ＬＤＤ基板３０の電極パッド３２は、ＬＤチップ２０の個別電極２５及び共通電極２６と、熱圧着などの直接接合によって、接合している。電極パッド３２は、熱圧着などの直接接合に適した材料によって構成される。電極パッド３２は、好ましくは、金属材料によって構成され、さらに好ましくは、Ｃｕ又はＡｕによって構成される。本明細書においては、ＬＤＤ基板３０を「第２基体」と呼び、基板３１を「第２基板」と呼び、電極パッド３２を「第２電極パッド」と呼ぶこともある。
　なお、ＬＤチップ２０とＬＤＤ基板３０との接合は、直接接合ではなく、はんだ等の接合部材を介するものであってもよい。しかし、ＬＤチップ２０とＬＤＤ基板３０とが直接接合により接合された発光装置１０は、平坦度がより良いものとなる。そのため、ＬＤチップ２０とＬＤＤ基板３０と接合は、直接接合によるのが好ましい。
　ＬＤＤ基板３０は、駆動信号を生成する駆動回路を有していてもよい。この場合、ＬＤＤ基板３０は、アクティブ駆動を行う。あるいは、ＬＤＤ基板３０は、外部の駆動回路で生成された駆動信号に応じた電圧を電極パッド３２に供給していてもよい。この場合、ＬＤＤ基板３０は、パッシブ駆動を行う。
　ＬＤチップ２０とＬＤＤ基板３０との間の空間は、アンダーフィルによって埋められていてもよい。つまり、発光装置１０は、ＬＤチップ２０とＬＤＤ基板３０との間にアンダーフィル層を有するものであってもよい。
　図４は、第１実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す正面図である。図５は、第１実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す縦断面図であり、図４のＣ－Ｃ断面を示す。図６Ａから図６Ｃは、第１実施形態の発光装置１０の製造方法の概略を示す縦断面図である。
　図４及び図５は、ＬＤＤ基板３０に接合される前のＬＤチップ２０を示す。図４及び図５に示すとおり、ＬＤチップ２０の第１面Ｓ１側は、絶縁膜２４で覆われており、発光素子２２、構造体２３、個別電極２５及び共通電極２６のうち、個別電極２５及び共通電極２６のみが外部に露出したものとなっている。この構成により、発光素子２２におけるノイズの発生がより抑制され、発光装置１０がより信頼性に優れたものとなる。
　このようなＬＤチップ２０を用いた発光装置１０の製造方法の概略は次のとおりである。
　まず、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、ＬＤチップ２０の個別電極２５及び共通電極２６とＬＤＤ基板３０の電極パッド３２とを熱圧着などの直接接合によって接続する。その後、図６Ｃに示すように、ＬＤチップ２０の基板２１の厚みを薄くし、さらに、レンズ部２１ａを形成することによって製造される。
　ＬＤチップ２０は、構造体２３及び絶縁膜２４の存在によって、その強度が補強されている。また、ＬＤチップ２０は、構造体２３の存在によって、その絶縁膜２４の体積が小さく抑えられたものとなっている。そのため、ＬＤチップ２０は、高温の環境下でも、反りの発生が抑えられ、フラットな接合面を維持できるものとなっている。
　このように、ＬＤチップ２０がフラットな接合面を維持できるものとなっていることから、ＬＤチップ２０の個別電極２５及び共通電極２６とＬＤＤ基板３０の電極パッド３２とを、熱圧着などの直接接合によって接合することが可能となっている。さらに、ＬＤチップ２０の強度が補強され、ＬＤチップ２０がフラットな接合面を維持できることから、ＬＤチップ２０をＬＤＤ基板３０に接合した後に、ＬＤチップ２０の基板２１の厚みをＣＭＰでの研磨によって薄くし、さらに、基板２１の第２面Ｓ２上にレンズ部２１ａを形成することが可能となっている。そのため、従来の発光装置１０と比較して、良好な平坦度を実現できる。
　次に、比較例の発光装置１０を参照にして、本開示の開示者らが、第１実施形態の発光装置１０をはじめとする本開示の実施形態の発光装置１０の想到に至った経緯を説明する。
　図７は、比較例の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す縦断面図である。図８Ａ及び図８Ｂは、比較例の発光装置１０の製造方法の概略を示す縦断面図である。
　まず、本開示の開示者らは、ＬＤ基板２１の薄化のプロセスでの平坦性の改善や、発光装置１０の信頼性の向上のために、図７に示すように、ＬＤチップの複数の発光素子２２の素子間領域にポリイミドなどの絶縁性を有する樹脂を埋め込むことを考えた。
　しかし、本開示の開示者らは、研究の結果、このようなＬＤチップ２０によっても期待されたような効果が得られないことを見出した。さらに、本開示の開示者らは、その理由が、図８Ａ及び図８Ｂに示すように、高温の環境下でＬＤチップ２０をＬＤＤ基板３０に接続するとき、樹脂と基板２１との熱膨張率の違いによって、ＬＤチップ２０にわずかな反りが発生してしまうことに起因することを見出した。なお、図８Ａにおいては、ＬＤチップ２０の反りの大きさが誇張されて描かれている。
　そこで、本開示の開示者らは、発光素子２２の素子間領域を絶縁性の材料で埋めるとともに、ＬＤチップ２０の反りの発生を抑制するための研究を進めた結果、本開示の実施形態の発光装置１０の想到に至った。
　このような経緯によって想到された本開示の実施形態の発光装置１０は、従来の発光装置１０と比較して、ＬＤチップ２０の基板２１が良好な平坦度を有するとともに、信頼性に優れたものとなっている。
　まとめると、第１実施形態の発光装置１０は、ＬＤチップ２０（第１基体）を備え、ＬＤチップ２０（第１基体）は、基板２１（第１基板）と、基板２１（第１基板）の第１面Ｓ１上に配置され、多層膜２２Ｌを有する発光素子２２と、第１面Ｓ１上における発光素子２２の素子間領域に配置された構造体２３と、を有する。そして、構造体２３は、発光素子２２と同じ多層膜２２Ｌを有する。
　このような発光装置１０は、ＬＤチップ２０（第１基体）が良好な平坦度を有し、信頼性に優れる。
　次に、第１実施形態の発光装置１０の製造方法の一例について説明する。なお、共通電極２６については、説明の便宜のため省略している。共通電極２６は、公知の技術を適宜適用することにより形成できる。
　図９Ａから図９Ｌは、第１実施形態の発光装置１０の製造方法の一例を示す縦断面図である。
　第１実施形態の発光装置１０の製造においては、まず、図９Ａに示すように、基板２１の第１面Ｓ１上に発光素子２２を構成する多層膜２２Ｌを形成する。基板２１は、ＧａＡｓなどの化合物半導体を材料とする基板である。多層膜２２Ａは、基板２１側から、第１ミラー層２２１、第１スペーサ層２２２、活性層２２３、第２スペーサ層２２４及び第２ミラー層２２５（図３参照）を順次積層することによって形成する。多層膜２２Ｌの形成は、例えば、エピタキシャル成長の技術を用いて実現できる。
　次に、図９Ｂに示すように、多層膜２２Ｌ上の発光素子２２が形成される領域に個別電極２５を形成する。個別電極２５は、熱圧着などの直接接合に適した材料によって構成される。個別電極２５は、好ましくは、金属材料によって構成され、さらに好ましくは、Ｃｕ又はＡｕによって構成される。個別電極２５の形成は、例えば、レジストの塗布、金属の蒸着及びレジストの除去を順次行うことによって実現できる。
　次に、図９Ｃ及び図９Ｄに示すように、発光素子２２と構造体２３との間隙部２７が形成される領域の多層膜２２Ｌを除去することによって、発光素子２２及び構造体２３を形成する。この発光素子２２及び構造体２３の形成では、まず、図９Ｃに示すように、多層膜２２Ｌ及び個別電極２５上の間隙部２７が形成される領域以外の領域にレジスト９１を塗布する。その後、図９Ｄに示すように、エッチングによって、間隙部２７が形成される領域の多層膜２２Ｌを除去し、さらに、レジスト９１も除去する。
　次に、図９Ｅに示すように、基板２１の第１面Ｓ１上に絶縁膜２４を積層する。絶縁膜２４は、発光素子２２と構造体２３との間隙部２７を埋めるように積層される。絶縁膜２４は、ＳｉＯ２又はＳｉＮなどの無機材料によって構成されるものが好ましい。絶縁膜２４の積層は、例えば、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法、ＣＶＤ（Chemical Vaper Deposition）法によって実現できる。
　次に、図９Ｆに示すように、絶縁膜２４をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）により研磨することによって、個別電極２５を露出させる。これにより、ＬＤＤ基板３０に接続可能なＬＤチップ２０が得られる。
　次に、図９Ｇ及び図９Ｈに示すように、上述の工程によって得られたＬＤチップ２０をＬＤＤ基板３０に接合する。このとき、ＬＤチップ２０の個別電極２５をＬＤＤ基板３０の電極パッド３２に熱圧着などによって直接接合する。なお、この後、ＬＤチップ２０とＬＤＤ基板３０との間の空間をアンダーフィルによって埋めてもよい。
　次に、図９Ｉに示すように、ＬＤチップ２０の基板２１の第２面Ｓ２側をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）により研磨することによって、ＬＤチップ２０の基板２１の厚みを薄くする。
　次に、図９Ｊ及び図９Ｋに示すように、ＬＤチップ２０の基板２１の第２面Ｓ２にレンズ部２１ａを形成する。このレンズ部２１ａの形成では、まず、図９Ｊに示すように、基板２１の第２面Ｓ２上のレンズ部２１ａが形成される領域にレジスト９１を塗布する。その後、図９Ｋに示すように、エッチングによって、レンズ部２１ａが形成される領域以外の基板２１の厚みを薄くすることによってレンズ部２１ａを形成し、さらに、レジスト９１も除去する。
　最後に、図９Ｌに示すように、必要に応じてダイシングする。ＬＤチップ２０及びＬＤＤ基板３０を有する発光装置１０は、通常、複数個の発光素子２２を単位として個片化される。以上の工程によって、第１実施形態の発光装置１０が製造される。
　まとめると、第１実施形態の発光装置１０の製造方法は、上述のＬＤチップ２０（第１基体）を作製する第１工程と、基板３１（第２基板）と、基板３１（第２基板）上に配置された電極パッド３２（第２電極パッド）と、を有するＬＤＤ基板３０（第２基体）の電極パッド３２（第２電極パッド）に、ＬＤチップ２０（第１基体）の個別電極２５（第１電極パッド）を接合する第２工程と、ＬＤチップ２０（第１基体）の基板２１（第１基板）を、第２面Ｓ２側から薄化する第３工程と、を備える。
　このような、発光装置１０の製造方法によれば、良好な平坦度を有し、信頼性に優れる発光装置１０を製造できる。
  以下、第２から第７実施形態の発光装置１０について説明する。これらの実施形態については、第１実施形態との相違点を中心に説明し、第１実施形態との共通点の説明は適宜省略する。
（第２実施形態）
　図１０は、第２実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す縦断面図である。図１１は、第２実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す横断面図であり、図１０のＤ－Ｄ断面を示す。
　第２実施形態の発光装置１０は、第１実施形態の発光装置１０とは異なり、ＬＤチップ２０の構造体２３，２１が基板２１と同じ材料によって構成されている。図１０に示す例では、構造体２３，２１と基板２１とが一体的に構成されている。構造体２３，２１は、基板２１と一体的に構成されたものである必要はない。しかし、ＬＤチップ２０の強度及び平坦度などの観点から、構造体２３，２１は、基板２１と一体的に構成されているのが好ましい。
　第２実施形態のその他の構成は、第１実施形態の発光装置１０と同じである。
　第２実施形態の発光装置１０は、ＬＤチップ２０の構造体２３，２１が基板２１と同じ材料によって構成されていることから、第１実施形態の発光装置１０と比較して、ＬＤチップ２０の強度をより補強し、ＬＤチップ２０の反りの発生がより抑制されたものとなっている。
　ここで、第２実施形態の発光装置１０の製造方法の一例について説明する。
　図１２Ａから図１２Ｅは、第２実施形態の発光装置１０の製造方法の一例を示す縦断面図である。
　第２実施形態の発光装置１０の製造においては、まず、図１２Ａに示すように、ＬＤチップ２０の基板２１の第１面Ｓ１上の構造体２３となる領域以外の領域を一定の深さまで掘り込んで、縦穴部２１Ｈ及び構造体２３，２１を形成する。基板２１は、ＧａＡｓなどの化合物半導体を材料とする基板である。縦穴部２１Ｈの形成は、例えば、ハードマスクの形成、ドライエッチング及びハードマスクの除去を順次行うことによって実現できる。
　次に、図１２Ｂに示すように、縦穴部２１Ｈの内部に発光素子２２を構成する多層膜２２Ｌを形成する。多層膜２２Ａは、基板２１側から、第１ミラー層２２１、第１スペーサ層２２２、活性層２２３、第２スペーサ層２２４及び第２ミラー層２２５（図３参照）を順次積層することによって形成する。多層膜２２Ｌの形成は、例えば、エピタキシャル成長の技術を用いて実現できる。
　次に、図１２Ｃに示すように、多層膜２２Ｌ上の発光素子２２が形成される領域に個別電極２５を形成する。個別電極２５は、熱圧着などの直接接合に適した材料によって構成される。個別電極２５は、好ましくは、金属材料によって構成され、さらに好ましくは、Ｃｕ又はＡｕによって構成される。個別電極２５の形成は、例えば、レジストの塗布、金属の蒸着及びレジストの除去を順次行うことによって実現できる。
　次に、図１２Ｄ及び図１２Ｅに示すように、発光素子２２と構造体２３，２１との間隙部２７が形成される領域の多層膜２２Ｌを除去することによって、発光素子２２及び構造体２３，２１を形成する。この発光素子２２及び構造体２３，２１の形成では、まず、図１２Ｄに示すように、多層膜２２Ｌ、構造体２３，２１及び個別電極２５上の間隙部２７が形成される領域以外の領域にレジスト９１を塗布する。その後、図１２Ｅに示すように、エッチングによって、間隙部２７が形成される領域の多層膜２２Ｌを除去し、さらに、レジスト９１も除去する。
　これ以降の工程は、図９Ｅから図９Ｌに示す第１実施形態の発光装置１０の製造方法と同じである。以上の工程により、第２実施形態の発光装置１０が製造される。
（第３実施形態）
　図１３は、第３実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す縦断面図である。図１４は、第３実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す横断面図であり、図１３のＥ－Ｅ断面を示す。
　第３実施形態の発光装置１０は、第１実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の共通電極２６を、それぞれの発光素子２２と構造体２３との間隙部２７の底面となる基板２１の第１面Ｓ１上まで引き延ばしたものである。つまり、第３実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ３０は、発光素子２２と構造体２３との間隙部２７の底面となる基板２１の第１面Ｓ１上まで引かれた共通電極２６を有する。
　図１４に示す例では、複数の発光素子２２に対応する複数の間隙部２７に亘って共通電極２６を引き延ばすために、隣接する間隙部２７を接続する接続部２７Ｃが設けられている。そして、間隙部２７及び接続部２７Ｃの底面となる基板２１の第１面Ｓ１上に、引き延ばされた共通電極が配置されている。
　第３実施形態の発光装置１０のその他の構成は、第１実施形態の発光装置１０と同じである。
　第３実施形態の発光装置１０は、共通電極２５がそれぞれの発光素子２２の外周部近傍において基板２１と接続していることから、第１実施形態の発光装置１０と比較して、より精密で安定的な発光素子２２の制御が可能なものとなっている。
　第３実施形態の発光装置１０は、第１実施形態の発光装置１０と同様の方法で、製造できる。ただし、第３実施形態の発光装置１０の製造においては、図９Ｃ及び図９Ｄに示す間隙部２７が形成される領域の多層膜２２Ｌを除去する工程において、接続部２７Ｃが形成される領域の多層膜２２Ｌも除去することになる。また、図９Ｅに示す絶縁膜２４を積層する工程の前に、間隙部２７及び接続部２７Ｃの底面となる基板２１の第１面Ｓ１上に共通電極２６を積層する工程を追加することになる。
（第４実施形態）
　図１５は、第４実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す縦断面図である。図１６は、第４実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す横断面図であり、図１５のＦ－Ｆ断面を示す。
　第４実施形態の発光装置１０は、第２実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の共通電極２６を、それぞれの発光素子２２と構造体２３，２１との間隙部２７の底面となる基板２１の第１面Ｓ１上まで引き延ばしたものである。つまり、第４実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ３０は、発光素子２２と構造体２３，２１との間隙部２７の底面となる基板２１の第１面Ｓ１上まで引かれた共通電極２６を有する。
　図１４に示す例では、複数の発光素子２２に対応する複数の間隙部２７に亘って共通電極２６を引き延ばすために、隣接する間隙部２７を互いに接続する接続部２７Ｃが設けられている。そして、間隙部２７及び接続部２７Ｃの底面となる基板２１の第１面Ｓ１上に、引き延ばされた共通電極が配置されている。
　第３実施形態の発光装置１０のその他の構成は、第１実施形態の発光装置１０と同じである。
　第４実施形態の発光装置１０は、共通電極２５がそれぞれの発光素子２２の外周部近傍において基板２１と接続していることから、第２実施形態の発光装置１０と比較して、より精密で安定的な発光素子２２の制御が可能なものとなっている。
　第４実施形態の発光装置１０は、第２実施形態の発光装置１０と同様の方法で、製造できる。ただし、第４実施形態の発光装置１０の製造においては、図１２Ａに示す縦穴部２１Ｈ及び構造体２３，２１を形成する工程において、接続部２７Ｃが形成される領域にも縦穴部２１Ｈを形成する。また、図１２Ｄ及び図１２Ｅに示す間隙部２７が形成される領域の多層膜２２Ｌを除去する工程において、接続部２７Ｃが形成される領域の多層膜２２Ｌも除去することになる。また、その後の絶縁膜２４を積層する工程（図９Ｅ参照）の前に、間隙部２７及び接続部２７Ｃの底面となる基板２１の第１面Ｓ１に共通電極２６を積層する工程を追加することになる。
（第５実施形態）
　図１７は、第５実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す正面図である。図１８は、第５実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す縦断面図であり、図１７のＧ－Ｇ断面を示す。図１９は、第５実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す横断面図であり、図１８のＨ－Ｈ断面を示す。
　第５実施形態の発光装置１０は、第１実施形態の発光装置１０の構成に加えて、ＬＤチップ２０が、その構造体２３の頂部に配置されたダミー電極パッド２５Ｄを有するものである。
　ダミー電極パッド２５Ｄは、個別電極２５と同じ材料によって構成される。また、ダミー電極パッド２５Ｄの頂部の高さＨ３は、個別電極の頂部の高さＨ１と同じである。また、ダミー電極パッド２５Ｄは、個別電極２５と同様、絶縁膜２４から外部に露出したものとなっている。しかし、ダミー電極パッド２５Ｄは、個別電極２５と異なり、ＬＤＤ基板３０の電極パッド３２と接合されず、ＬＤＤ基板３０から駆動信号が供給されることはない。
　第５実施形態の発光装置１０のその他の構成は、第１実施形態の発光装置１０と同じである。
　第５実施形態の発光装置１０は、ダミー電極パッド２５Ｄの存在によって、ＬＤチップ２０の基板２１の第１面Ｓ１側の面内均一性が向上することから、第１実施形態の発光装置１０と比較して、ＬＤチップ２０とＬＤＤ基板３０との接合がより良好となる
　第５実施形態の発光装置１０は、第１実施形態の発光装置１０と同様の方法で、製造できる。ただし、第５実施形態の発光装置１０の製造においては、図９Ｂに示す個別電極２５を形成する工程において、同時に、多層膜２２Ｌ上の構造体２３が形成される領域にダミー電極パッド２５Ｄを形成する。また、図９Ｆに示す、絶縁膜２４をＣＭＰにより研磨することによって個別電極２５を露出させる工程において、同時に、ダミー電極パッド２５Ｄも露出させる。
（第６実施形態）
　図２０は、第６実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す縦断面図である。図２１は、第６実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す横断面図であり、図２０のＩ－Ｉ断面を示す。
　第６実施形態の発光装置１０は、第２実施形態の発光装置１０の構成に加えて、ＬＤチップ２０が、その構造体２３，２１の頂部に配置されたダミー電極パッド２５Ｄを有するものである。
　ダミー電極パッド２５Ｄは、個別電極２５と同じ材料によって構成される。また、ダミー電極パッド２５Ｄの頂部の高さＨ３は、個別電極の頂部の高さＨ１と同じである。また、ダミー電極パッド２５Ｄは、個別電極２５と同様、絶縁膜２４から外部に露出したものとなっている。しかし、ダミー電極パッド２５Ｄは、個別電極２５と異なり、ＬＤＤ基板３０の電極パッド３２と接合されず、ＬＤＤ基板３０から駆動信号が供給されることはない。
　第６実施形態の発光装置１０のその他の構成は、第２実施形態の発光装置１０と同じである。
　第５実施形態の発光装置１０は、ダミー電極パッド２５Ｄの存在によって、ＬＤチップ２０の第１面Ｓ１側の面内均一性が向上することから、第２実施形態の発光装置１０と比較して、ＬＤチップ２０とＬＤＤ基板３０との接合がより良好となる
　第６実施形態の発光装置１０は、第２実施形態の発光装置１０と同様の方法で、製造できる。ただし、第６実施形態の発光装置１０の製造においては、図１２Ｃに示す個別電極２５を形成する工程において、同時に、構造体２３，２１上にダミー電極パッド２５Ｄを形成する。また、絶縁膜２４をＣＭＰにより研磨することによって個別電極２５を露出させる工程（図９Ｆ）において、同時に、ダミー電極パッド２５Ｄも露出させる。
（第７実施形態）
　図２２は、第７実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す縦断面図である。
　第７実施形態の発光装置１０は、ＬＤチップ２０のみを備える。この点において、第７実施形態の発光装置１０は、ＬＤチップ２０接合されたＬＤＤ基板３０を備える第１実施形態の発光装置１０と異なっている。第７実施形態の発光装置１０のＬＤチップ２０の構成は、図１に示す第１実施形態の発光装置１０のＬＤチップ２０と同じである。
　第７実施形態の発光装置１０は、ＬＤチップ２０の基板２１が良好な平坦度を有するとともに、信頼性に優れたものとなっている。また、この発光装置１０は、ＬＤＤ基板３０に接合する際の反りの発生が抑制されたものとなっており、ＬＤＤ基板に接合した後も、良好な平坦度を維持するとともに、信頼性に優れたものとなる。
　ここで、第７実施形態の発光装置１０の製造方法の一例について説明する。
　図２３Ａから図２３Ｇは、第７実施形態の発光装置１０の製造方法の一例を示す縦断面図である。
　第７実施形態の発光装置１０の製造方法は、ＬＤＤ基板３０に接続可能なＬＤチップ２０を得るまでは、図９Ａから図９Ｆに示す第１実施形態の発光装置１０の製造方法と同じである。
　第７実施形態の発光装置１０の製造では、ＬＤＤ基板３０に接続可能なＬＤチップ２０を得た後、図２３Ａ及び図２３Ｂに示すように、ＬＤチップ２０を仮基板９２に貼り付ける。このとき、ＬＤチップ２０の個別電極２５側を仮基板９２に貼り付ける。なお、仮基板９２は、ＬＤチップ２０を保持するための粘着層９２ａを有する。粘着層９２ａは、例えば、加熱によって粘着力が低下する材料によって構成される。
　次に、図２３Ｃに示すように、ＬＤチップ２０の基板２１の厚みを薄くした後、基板２１にレンズ部２１ａを形成する。この工程は、図９Ｈから図９Ｋに示す第１実施形態の発光装置１０の製造方法と同じである。
　次に、図２３Ｄ及び図２３Ｅに示すように、仮基板９２に貼り付けられたＬＤチップ２０をマウントシート９３に貼り付ける。このとき、ＬＤチップ２０のレンズ部２１ａ側をマウントシート９３に貼り付ける。
　次に、図２３Ｆに示すように、ＬＤチップ２０から仮基板９２を取り外す。仮基板９２の粘着層９２ａが加熱によって粘着力が低下する材料によって構成されるものである場合、粘着層９２ａを加熱することによって、ＬＤチップ２０から仮基板９２を取り外すことができる。
　最後に、図２３Ｇに示すように、必要に応じてダイシングする。ＬＤチップ２０は、通常、複数個の発光素子２２を単位として個片化される。以上の工程によって、第７実施形態の発光装置１０が製造される。
　次に、本開示の実施形態による発光装置１０の適用例について説明する。
（測距装置への適用例）
　本開示の実施形態による発光装置１０は、例えば、非接触で物体までの距離を計測する測距装置（測距モジュールとも呼ばれる）４０で用いることができる。
　図２４は、本開示の実施形態による発光装置１０の一実装例としての測距装置４０の構成例を示すブロック図である。
　図示のように測距装置４０は、発光部５１、駆動部５２、電源回路５３、発光側光学系５４、受光側光学系５５、受光部５６、信号処理部５７、制御部５８、及び温度検出部５９を備えている。
　発光部５１は、複数の光源により光を発する。後述するように、本例の発光部５１は、各光源としてＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting LASER：垂直共振器面発光レーザ）による発光素子を有しており、それら発光素子が例えばマトリクス状等の所定態様により配列されて構成されている。
　駆動部５２は、発光部５１を駆動するための電源回路５３を有して構成される。電源回路５３は、例えば測距装置４０に設けられた不図示のバッテリ等からの入力電圧（後述する入力電圧Ｖｉｎ）に基づき、駆動部５２の電源電圧（後述する駆動電圧Ｖｄ）を生成する。駆動部５２は、該電源電圧に基づいて発光部５１を駆動する。
　発光部５１より発せられた光は、発光側光学系５４を介して測距対象としての被写体（対象物）Ｓに照射される。そして、このように照射された光の被写体Ｓからの反射光は、受光側光学系５５を介して受光部５６の受光面に入射する。
　受光部５６は、例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）センサやＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）センサ等の受光素子とされ、上記のように受光側光学系５５を介して入射する被写体Ｓからの反射光を受光し、電気信号に変換して出力する。
　受光部５６は、受光した光を光電変換して得た電気信号について、例えばＣＤＳ（Correlated Double Sampling）処理、ＡＧＣ（Automatic Gain Control）処理などを実行し、さらにＡ／Ｄ（Analog／Digital）変換処理を行う。そしてデジタルデータとしての信号を、後段の信号処理部５７に出力する。
　また、本例の受光部５６は、フレーム同期信号Ｆｓを駆動部５２に出力する。これにより駆動部５２は、発光部５１における発光素子２２を受光部５６のフレーム周期に応じたタイミングで発光させることが可能とされる。
　信号処理部５７は、例えばＤＳＰ（Digital Signal Processor）等により信号処理プロセッサとして構成される。信号処理部５７は、受光部５６から入力されるデジタル信号に対して、各種の信号処理を施す。
　制御部５８は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等を有するマイクロコンピュータ、或いはＤＳＰ等の情報処理装置を備えて構成され、発光部５１による発光動作を制御するための駆動部５２の制御や、受光部５６による受光動作に係る制御を行う。
　制御部５８は、測距部５８ａとしての機能を有する。測距部５８ａは、信号処理部５７を介して入力される信号（つまり被写体Ｓからの反射光を受光して得られる信号）に基づき、被写体Ｓまでの距離を測定する。本例の測距部５８ａは、被写体Ｓの三次元形状の特定を可能とするために、被写体Ｓの各部について距離の測定を行う。
　ここで、測距装置４０における具体的な測距の手法については後に改めて説明する。
　温度検出部５９は、発光部５１の温度を検出する。温度検出部５９としては、例えばダイオードを用いて温度検出を行う構成を採ることができる。本例では、温度検出部５９により検出された温度の情報は駆動部５２に供給され、これにより駆動部５２は該温度の情報に基づいて発光部５１の駆動を行うことが可能とされる。
　測距装置４０における測距手法としては、例えばＳＴＬ（Structured Light：構造化光）方式やＴｏＦ（Time of Flight：光飛行時間）方式による測距手法を採用することができる。
　ＳＴＬ方式は、例えばドットパターンや格子パターン等の所定の明／暗パターンを有する光を照射された被写体Ｓの画像に基づいて距離を測定する方式である。
　図２５Ａは、ＳＴＬ方式の説明図である。ＳＴＬ方式では、例えば図２５Ａに示すようなドットパターンによるパターン光Ｌｐを被写体Ｓに照射する。パターン光Ｌｐは、複数のブロックＢＬに分割されており、各ブロックＢＬにはそれぞれ異なるドットパターンが割当てられている（ブロックＢ間でドットパターンが重複しないようにされている）。
　図２５Ｂは、ＳＴＬ方式の測距原理についての説明図である。ここでは、壁Ｗとその前に配置された箱ＢＸとが被写体Ｓとされ、該被写体Ｓに対してパターン光Ｌｐが照射された例としている。図中の「Ｇ」は受光部５６による画角を模式的に表している。
　また、図中の「ＢＬｎ」はパターン光Ｌｐにおける或るブロックＢＬの光を意味し、「ｄｎ」は受光部５６による受光画像に映し出されるブロックＢＬｎのドットパターンを意味している。
　ここで、壁Ｗの前の箱ＢＸが存在しない場合、受光画像においてブロックＢＬｎのドットパターンは図中の「ｄｎ’」の位置に映し出される。すなわち、箱ＢＸが存在する場合と箱ＢＸが存在しない場合とで、受光画像においてブロックＢＬｎのパターンが映し出される位置が異なるものであり、具体的には、パターンの歪みが生じる。
　ＳＴＬ方式は、このように照射したパターンが被写体Ｓの物体形状によって歪むことを利用して被写体Ｓの形状や奥行きを求める方式となる。具体的には、パターンの歪み方から被写体Ｓの形状や奥行きを求める方式である。
　ＳＴＬ方式を採用する場合、受光部５６としては、例えばグローバルシャッタ方式によるＩＲ（Infrared：赤外線）受光部が用いられる。そして、ＳＴＬ方式の場合、測距部５８ａは、発光部５１がパターン光を発光するように駆動部５２を制御すると共に、信号処理部５７を介して得られる画像信号についてパターンの歪みを検出し、パターンの歪み方に基づいて距離を計算する。
　続いて、ＴｏＦ方式は、発光部５１より発された光が対象物で反射されて受光部５６に到達するまでの光の飛行時間（時間差）を検出することで、対象物までの距離を測定する方式である。
　ＴｏＦ方式として、いわゆるダイレクトＴｏＦ（dTOF）方式を採用する場合、受光部５６としてはＳＰＡＤ（Single Photon Avalanche Diode）を用い、また発光部５１はパルス駆動する。この場合、測距部５８ａは、信号処理部５７を介して入力される信号に基づき、発光部５１より発せられ受光部５６により受光される光について発光から受光までの時間差を計算し、該時間差と光の速度とに基づいて被写体Ｓの各部の距離を計算する。
　なお、ＴｏＦ方式として、いわゆるインダイレクトＴｏＦ（iTOF）方式（位相差法）を採用する場合、受光部５６としては例えばＩＲを受光することのできる受光部が用いられる。
　以上、本開示の実施形態による発光装置１０が適用されうる測距装置の一例について説明した。本開示の実施形態による発光装置１０は、以上で説明した構成のうち、発光部５１及び発光側光学系５４に適用されうる。具体的には、本開示の実施形態による発光装置１０と、受光部５６と、発光装置１０の発光信号が対象物で反射されて受光部５６で受光されたときに、発光装置１０の発光信号と受光部５６の受光信号とに基づいて対象物までの距離を計測する距離計測部（測距部５８ａ）と、を備える測距装置４０が構成されうる。発光部５１及び発光側光学系５４に本開示の実施形態による発光装置１０を適用することにより、測距装置４０の信頼性を向上させることができる。
（移動体への適用例）
　本開示に係る技術は、様々な製品へ適用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
　図２６は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システム１２０００の概略的な構成例を示すブロック図である。
　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図２６に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。
　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムに従って車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
　撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｄｒｉｖｅｒ　Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ　Ｓｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図２６の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
　図２７は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。
　図２７では、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５を有する。
　撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２、１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
　なお、図２７には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。
　以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部１２０３１に適用され得る。具体的には、撮像部１２０３１とともに、本開示による発光装置１０を設ければよい。撮像部１２０３１に、本開示に係る技術を適用することにより、電磁ノイズの発生を抑制しつつ、距離画像の解像度を向上させることができ、車両１２１００の機能性および安全性を高めることができる。
＜６．まとめ＞
　以上、本開示の実施の形態の一例を説明したが、本開示は、その他の様々な形態で実施することが可能である。例えば、本開示の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変形、置換、省略又はこれらの組み合わせが可能である。そのような変形、置換、省略等を行った形態も、本開示の範囲に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
　また、本明細書に記載された本開示の効果は例示に過ぎず、その他の効果があってもよい。
  なお、本開示は以下のような構成をとることも可能である。
［項目１］
　第１基体を備え、
　前記第１基体は、
　第１基板と、
　前記第１基板の第１面上に配置され、多層膜を有する発光素子と、
　前記第１面上における前記発光素子の素子間領域に配置された構造体と、を有し、
　前記構造体は、前記発光素子と同じ前記多層膜を有する、又は、前記第１基板と同じ材料によって構成される
　発光装置。
［項目２］
　項目１に記載の発光装置であって、
　前記第１基体は、さらに、前記第１面上に、前記発光素子と前記構造体との間隙部を埋めるように、積層された絶縁膜を有する発光装置。
［項目３］
　項目２に記載の発光装置であって、
　前記絶縁膜は、無機材料によって構成される発光装置。
［項目４］
　項目１から３のいずれか１つに記載の発光装置であって、
　前記第１基体は、前記発光素子の頂部に配置された第１電極パッドを有し、
　前記構造体の頂部の高さは、前記第１電極パッドの頂部の高さよりも低い
　発光装置。
［項目５］
　項目１から４のいずれか１つに記載の発光装置であって、
　前記第１基体は、さらに、前記発光素子と前記構造体との間隙部の底面となる前記第１基板の前記第１面上まで引かれた共通電極を有する発光装置。
［項目６］
　請求項１から５のいずれか１つに記載の発光装置であって、
　前記第１基体は、さらに、前記発光素子の頂部に配置された第１電極パッドと、前記構造体の頂部に配置されたダミー電極パッドと、を有する発光装置。
［項目７］
　項目１から６のいずれか１つに記載の発光装置であって、
　前記第１基体は、さらに、前記第１基板の前記第１面とは反対の面である第２面上に設けられ、前記発光素子から出射された光を集光するレンズ部を有する発光装置。
［項目８］
　項目１から７のいずれか１つに記載の発光装置であって、
　さらに、前記第１基体に接合する第２基体を備え、
　前記第２基体は、第２基板と、前記第２基板上に配置された第２電極パッドと、を有し、
　前記第１基体の第１電極パッドと、前記第２基体の前記第２電極パッドと、が接合されている
　発光装置。
［項目９］
　項目８に記載の発光装置であって、
　前記第１電極パッドと前記第２電極パッドとが直接接合によって接合されている発光装置。
［項目１０］
　第１基板と、前記第１基板の第１面上に配置され、多層膜を有する発光素子と、前記第１面上の前記発光素子の素子間領域に配置された構造体と、前記発光素子の頂部に配置された第１電極パッドと、を有し、前記構造体は、前記発光素子と同じ前記多層膜を有する、又は、前記第１基板と同じ材料によって構成される、第１基体を作製する第１工程と、
　第２基板と、前記第２基板上に配置された第２電極パッドと、を有する第２基体の前記第２電極パッドに、前記第１基体の前記第１電極パッドを接合する第２工程と、
　前記第１基板を、前記第１面とは反対の面である第２面側から薄化する第３工程と、を備える
　発光装置の製造方法。
［項目１１］
　項目１０に記載の発光装置の製造方法であって、
　さらに、前記第１基板の前記第２面上に前記発光素子から出射された光を集光するレンズ部を形成する第４工程を備える発光装置の製造方法。
［項目１２］
　発光装置と、受光部と、前記発光装置の発光信号が対象物で反射されて前記受光部で受光されたときに、前記発光装置の発光信号と前記受光部の受光信号とに基づいて対象物までの距離を計測する距離計測部と、を備え、
　前記発光装置は、
　第１基板と、
　前記第１基板の第１面上に配置され、多層膜を有する発光素子と、
　前記第１面上における前記発光素子の素子間領域に配置された構造体と、を有し、
　前記構造体は、前記発光素子と同じ前記多層膜を有する、又は、前記第１基板と同じ材料、によって構成される
　測距装置。
１０　発光装置
２０　ＬＤチップ（第１基体）
　２１　基板（第１基板）
　　２１ａ　レンズ部
　２１Ｈ　縦穴部
　２２　発光素子
　２２Ｌ　多層膜
　　２２１　第１ミラー層
　　２２２　第１スペーサ層
　　２２３　活性層
　　２２４　第２スペーサ層
　　２２５　第２ミラー層
　２３　構造体
　２４　絶縁膜
　２５　個別電極（第１電極パッド）
　２５Ｄ　ダミー電極パッド
　２６　共通電極
　２７　間隙部
　２７Ｃ　接続部
３０　ＬＤＤ基板（第２基体）
　３１　基板（第２基板）
　３２　電極パッド（第２電極パッド）
９１　レジスタ
９２　仮基板
　９２ａ　粘着層
９３　マウントシート

Claims (12)

  1. 　第１基体を備え、
    　前記第１基体は、
    　第１基板と、
    　前記第１基板の第１面上に配置され、多層膜を有する発光素子と、
    　前記第１面上における前記発光素子の素子間領域に配置された構造体と、を有し、
    　前記構造体は、前記発光素子と同じ前記多層膜を有する、又は、前記第１基板と同じ材料によって構成される
    　発光装置。
  2. 　請求項１に記載の発光装置であって、
    　前記第１基体は、さらに、前記第１面上に、前記発光素子と前記構造体との間隙部を埋めるように、積層された絶縁膜を有する発光装置。
  3. 　請求項２に記載の発光装置であって、
    　前記絶縁膜は、無機材料によって構成される発光装置。
  4. 　請求項１に記載の発光装置であって、
    　前記第１基体は、前記発光素子の頂部に配置された第１電極パッドを有し、
    　前記構造体の頂部の高さは、前記第１電極パッドの頂部の高さよりも低い
    　発光装置。
  5. 　請求項１に記載の発光装置であって、
    　前記第１基体は、さらに、前記発光素子と前記構造体との間隙部の底面となる前記第１基板の前記第１面上まで引かれた共通電極を有する発光装置。
  6. 　請求項１に記載の発光装置であって、
    　前記第１基体は、さらに、前記発光素子の頂部に配置された第１電極パッドと、前記構造体の頂部に配置されたダミー電極パッドと、を有する発光装置。
  7. 　請求項１に記載の発光装置であって、
    　前記第１基体は、さらに、前記第１基板の前記第１面とは反対の面である第２面上に設けられ、前記発光素子から出射された光を集光するレンズ部を有する発光装置。
  8. 　請求項１に記載の発光装置であって、
    　さらに、前記第１基体に接合する第２基体を備え、
    　前記第２基体は、第２基板と、前記第２基板上に配置された第２電極パッドと、を有し、
    　前記第１基体の第１電極パッドと、前記第２基体の前記第２電極パッドと、が接合されている
    　発光装置。
  9. 　請求項８に記載の発光装置であって、
    　前記第１電極パッドと前記第２電極パッドとが直接接合によって接合されている発光装置。
  10. 　第１基板と、前記第１基板の第１面上に配置され、多層膜を有する発光素子と、前記第１面上の前記発光素子の素子間領域に配置された構造体と、前記発光素子の頂部に配置された第１電極パッドと、を有し、前記構造体は、前記発光素子と同じ前記多層膜を有する、又は、前記第１基板と同じ材料によって構成される、第１基体を作製する第１工程と、
    　第２基板と、前記第２基板上に配置された第２電極パッドと、を有する第２基体の前記第２電極パッドに、前記第１基体の前記第１電極パッドを接合する第２工程と、
    　前記第１基板を、前記第１面とは反対の面である第２面側から薄化する第３工程と、を備える
    　発光装置の製造方法。
  11. 　請求項１０に記載の発光装置の製造方法であって、
    　さらに、前記第１基板の前記第２面上に前記発光素子から出射された光を集光するレンズ部を形成する第４工程を備える発光装置の製造方法。
  12. 　発光装置と、受光部と、前記発光装置の発光信号が対象物で反射されて前記受光部で受光されたときに、前記発光装置の発光信号と前記受光部の受光信号とに基づいて対象物までの距離を計測する距離計測部と、を備え、
    　前記発光装置は、
    　第１基板と、
    　前記第１基板の第１面上に配置され、多層膜を有する発光素子と、
    　前記第１面上における前記発光素子の素子間領域に配置された構造体と、を有し、
    　前記構造体は、前記発光素子と同じ前記多層膜を有する、又は、前記第１基板と同じ材料、によって構成される
    　測距装置。
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