WO2023171161A1 - 弾性波装置 - Google Patents
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Definitions
- the present disclosure relates to an elastic wave device, and more specifically, relates to a technique for suppressing a decline in filter characteristics in an elastic wave device including an elastic wave filter.
- Patent Document 1 JP 2017-204827A discloses an elastic wave device in which two substrates on which elastic wave resonators are arranged are stacked so that the elastic wave resonators face each other. Disclosed.
- a ground electrode serving as a reference potential is generally arranged on a mounting board on which the acoustic wave device is mounted. Ru.
- the path length from the filter device formed on the substrate stacked on the upper side to the ground electrode is relatively long. In this case, electromagnetic coupling with the signal of the filter device on the lower side is likely to occur, and filter characteristics such as isolation characteristics between the filter devices may deteriorate.
- the present disclosure has been made to solve such problems, and its purpose is to suppress deterioration of filter characteristics in an elastic wave device including an elastic wave filter.
- An elastic wave device includes: an external terminal electrode, a first piezoelectric substrate having a first surface and a second surface, a first filter including a first resonator disposed on the first surface; and a conductive shield layer.
- the external terminal electrode includes a first terminal, a second terminal, and a ground terminal.
- a first filter is connected to the first terminal and the second terminal.
- the shield layer is disposed above the first resonator so as to overlap at least a portion of the first resonator when the first piezoelectric substrate is viewed in plan from the thickness direction of the first piezoelectric substrate.
- the first resonator includes a first electrode electrically connected to a first terminal or a second terminal, and a second electrode connected to a ground terminal via a shield layer.
- one electrode (second electrode) of the first resonator constituting the first filter is connected to a ground terminal via a shield layer disposed close to the first resonator so as to cover the first resonator. It is connected to the.
- the loop area of the signal path leading to the ground electrode via the first resonator can be made small, so that electromagnetic coupling between the filters can be suppressed. Thereby, deterioration of filter characteristics in the elastic wave device can be suppressed.
- FIG. 1 is a diagram showing an example of a circuit configuration of an elastic wave device according to Embodiment 1.
- FIG. 1 is a schematic perspective view of an elastic wave device according to Embodiment 1.
- FIG. 1 is a cross-sectional view of an elastic wave device according to Embodiment 1.
- FIG. 2 is a diagram for explaining a schematic configuration of an IDT (Interdigital Transducer) electrode.
- FIG. 3 is a cross-sectional view of an elastic wave device of a comparative example.
- FIG. 7 is a diagram for explaining a passage path of a signal passing through a filter in the elastic wave device of the comparative example and the first embodiment.
- FIG. 1 is a diagram showing an example of a circuit configuration of an elastic wave device according to Embodiment 1.
- FIG. 1 is a schematic perspective view of an elastic wave device according to Embodiment 1.
- FIG. 1 is a cross-sectional view of an elastic wave device according to Embodiment 1.
- FIG. 2 is a diagram
- FIG. 7 is a diagram showing filter characteristics when the distance between an external ground electrode and a resonator is changed in an elastic wave device of a comparative example.
- 3 is a diagram showing filter characteristics in the elastic wave device of Embodiment 1.
- FIG. FIG. 3 is a diagram showing isolation characteristics when changing the distance between an IDT electrode and a shield layer.
- FIG. 6 is a diagram showing an increase in capacitive coupling between a resonator and a shield layer when the distance between the IDT electrode and the shield layer is changed.
- FIG. 3 is a cross-sectional view of an elastic wave device according to a second embodiment.
- 7 is a diagram showing filter characteristics when changing the distance between an external ground electrode and a shield layer in Embodiment 2.
- FIG. 13 is a diagram showing an example of a circuit configuration
- FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of an elastic wave device 1 according to the first embodiment.
- the elastic wave device 1 is, for example, a filter device used in a transmitting/receiving circuit of a communication device.
- an elastic wave device 1 includes an antenna terminal T1 connected to an antenna ANT, a receiving (RX) filter 10 and a transmitting (TX) filter 10 electrically connected to the antenna terminal T1. 20.
- An example of the elastic wave device 1 shown in FIG. 1 is a so-called duplexer consisting of two filters.
- the reception filter 10 is a ladder type filter connected between the antenna terminal T1 and the reception terminal T2, and filters the signal received by the antenna ANT and outputs it from the reception terminal T2.
- the filter 10 is configured to be able to pass signals in the first passband.
- An inductor L1 for impedance matching is connected between the antenna terminal T1 and the ground potential GND. Further, the reception terminal T2 is connected to a reception circuit (not shown) via an inductor L2 for impedance matching.
- the filter 10 includes a series arm circuit including series arm resonators S1 to S4 connected in series between an antenna terminal T1 and a reception terminal T2, and a parallel arm circuit connected between the series arm circuit and a ground potential GND.
- a parallel arm circuit including arm resonance parts P1 to P4 is provided.
- Each of the series arm resonance sections S1 to S4 and the parallel arm resonance sections P1 to P4 includes at least one elastic wave resonator.
- each of the series arm resonator S2 and the parallel arm resonators P1 to P4 is composed of one elastic wave resonator
- each of the series arm resonators S1, S3, and S4 is composed of two It is described as consisting of two elastic wave resonators.
- the number of elastic wave resonators included in each resonance section is not limited to this, and is appropriately selected according to the characteristics of the filter.
- the elastic wave resonator for example, a surface acoustic wave (SAW) resonator or a bulk acoustic wave (BAW) resonator can be used.
- a thin film bulk acoustic resonator (FBAR) and/or an acoustic multilayer film resonator (Solid Mounted Resonator: SMR) can be used as the BAW resonator.
- One end of the parallel arm resonant section P1 is connected to the connection point between the series arm resonant section S1 and the series arm resonant section S2, and the other end is connected to the ground potential GND.
- One end of the parallel arm resonant section P2 is connected to a connection point between the series arm resonant section S2 and the series arm resonant section S3, and the other end is connected to the ground potential GND.
- One end of the parallel arm resonant section P3 is connected to a connection point between the series arm resonant section S3 and the series arm resonant section S4, and the other end is connected to the ground potential GND.
- One end of the parallel arm resonant section P4 is connected to the receiving terminal T2, and the other end is connected to the ground potential GND together with the other end of the parallel arm resonant section P3.
- the transmitting filter 20 is a ladder type filter connected between the antenna terminal T1 and the transmitting terminal T3, and filters the signal received at the transmitting terminal T3 and outputs it from the antenna ANT.
- the filter 20 is configured to be able to pass signals in the second passband.
- the passband of filter 20 is different from the passband of filter 10.
- the transmission terminal T3 is connected to a transmission circuit (not shown) via an inductor L3 for impedance matching.
- the reception filter 20 is connected between a series arm circuit including series arm resonant parts S11 to S15 connected in series between the antenna terminal T1 and the transmission terminal T3, and between the series arm circuit and the ground potential GND. and a parallel arm circuit including parallel arm resonant parts P11 to P14.
- Each of the series arm resonance sections S11 to S15 and the parallel arm resonance sections P11 to P14 includes at least one elastic wave resonator.
- the number of elastic wave resonators included in each resonance section is not limited to the case of FIG. 1, but is appropriately selected according to the characteristics of the filter. Further, as for the elastic wave resonator used, a SAW resonator or a BAW resonator can be used.
- One end of the parallel arm resonant section P11 is connected to the connection point between the series arm resonant section S11 and the series arm resonant section S12, and the other end is connected to the ground potential GND.
- One end of the parallel arm resonance section P12 is connected to the connection point between the series arm resonance section S12 and the series arm resonance section S13, and the other end is connected to the ground potential GND together with the other end of the parallel arm resonance section P11. has been done.
- One end of the parallel arm resonance section P13 is connected to the connection point between the series arm resonance section S13 and the series arm resonance section S14, and the other end is connected to the ground potential GND together with the other end of the parallel arm resonance section P11. has been done.
- One end of the parallel arm resonant section P14 is connected to the connection point between the series arm resonant section S14 and the series arm resonant section S15, and the other end is connected to the ground potential GND together with the other end of the parallel arm resonant section P11. has been done.
- the filter 10 corresponds to a "first filter” in the present disclosure
- the filter 20 corresponds to a “second filter” in the present disclosure.
- FIGS. 2 and 3 is a schematic perspective view of the elastic wave device 1 in FIG. 1
- FIG. 3 is a sectional view of the elastic wave device 1. Note that in the cross-sectional view of FIG. 3, the configuration of the filter 10 portion is shown for ease of explanation. Although not shown in FIG. 3, the configuration of the filter 20 is basically the same as that of the filter 10.
- elastic wave device 1 has a so-called one-chip structure in which filter 10 and filter 20 in FIG. 1 are arranged on the main surface of the same substrate.
- the normal direction (thickness direction) of the main surface of the piezoelectric substrate 100 will be referred to as the Z-axis direction
- the in-plane directions of the piezoelectric substrate 100 will be referred to as the X-axis and Y-axis directions.
- the positive direction of the Z-axis is sometimes referred to as "upward” and the negative direction is sometimes referred to as "downward.”
- the acoustic wave device 1 includes a piezoelectric substrate 100 and a resonator 120 that constitute a filter, a cover member 110, a support layer 140, a shield layer 145, a columnar electrode 150, a connection electrode 155, and an external terminal electrode 156. , solder bumps 160.
- a plurality of resonators 120 and a plurality of electrode pads 131 connected to external terminal electrodes 156 are arranged on the piezoelectric substrate 100, and the resonators 120 are connected to each other and/or , the resonator 120 and the electrode pad 131 are connected by a wiring electrode 130.
- a receiving filter 10 is arranged in the positive direction of the Y-axis of the piezoelectric substrate 100, and a transmitting filter 20 is arranged in the negative direction of the Y-axis.
- the piezoelectric substrate 100 is made of a piezoelectric single crystal material such as, for example, lithium tantalate (LiTaO 3 ), lithium niobate (LiNbO 3 ), zinc oxide (ZnO), aluminum nitride, or lead zirconate titanate (PZT), or They are formed by piezoelectric laminated materials.
- a piezoelectric single crystal material such as, for example, lithium tantalate (LiTaO 3 ), lithium niobate (LiNbO 3 ), zinc oxide (ZnO), aluminum nitride, or lead zirconate titanate (PZT), or They are formed by piezoelectric laminated materials.
- a resonator 120 that constitutes the filter 10 is arranged on the lower surface 101 of the piezoelectric substrate 100. Note that although FIG. 3 shows an example in which two resonators 120 are arranged on the piezoelectric substrate 100 for convenience, the number of resonators is not limited to this.
- the resonator 120 includes an elastic wave resonator made of an IDT (Interdigital Transducer) electrode having two comb-shaped electrodes D1 and D2 facing each other, as shown in FIG.
- a SAW resonator is formed by the piezoelectric substrate 100 and the resonator 120.
- the resonator 120 is made of aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), gold (Au), titanium (Ti), tungsten (W), platinum (Pt), chromium (Cr), nickel (Ni), It can be formed using a metal material such as a single metal consisting of at least one type of molybdenum (Mo) or an alloy containing these as main components. Further, the resonator 120 may have a structure in which a plurality of metal films made of these metals or alloys are laminated.
- the cover member 110 is supported by the support layer 140 at a position spaced apart from the piezoelectric substrate 100.
- the support layer 140 is arranged to surround the resonator 120 on the piezoelectric substrate 100.
- a hollow space 171 is formed between the piezoelectric substrate 100 and the cover member 110 by the piezoelectric substrate 100, the cover member 110, and the support layer 140.
- the cover member 110 and the support layer 140 are made of, for example, resin containing an organic material such as polyimide, epoxy resin, cyclic olefin resin, benzocyclobutene, polybenzoxazole, phenol resin, silicone, or acrylic resin, copper, Made of conductive materials such as silver, aluminum, nickel, or alloys thereof.
- a columnar electrode 150 that forms part of a signal path between the resonator 120 and external equipment is arranged in the hollow space 171.
- the columnar electrode 150 is made of a conductive material such as copper, silver, aluminum, nickel, or an alloy thereof.
- the columnar electrode 150 extends between the electrode pad 131 arranged on the lower surface 101 of the piezoelectric substrate 100 and the upper surface 111 of the cover member 110.
- the resonators 120 and the resonators 120 and the electrode pads 131 are electrically connected by wiring electrodes 130 .
- the columnar electrode 150 is connected to an external terminal electrode 156 arranged on the lower surface 112 of the cover member 110 via a connection electrode 155 that penetrates the cover member 110.
- the external terminal electrode 156 includes an antenna terminal T1, a reception terminal T2, a transmission terminal T3, and a ground terminal G.
- External terminal electrode 156 is connected to mounting terminal 55 on mounting board 50 via solder bump 160 .
- a ground electrode GND1 serving as a reference potential is arranged on the mounting board 50, and the ground terminal G of the acoustic wave device 1 is connected to the ground electrode GND1.
- the support layer 140 is made of a conductive material, the conductive material forming the columnar electrode 150 and the support layer 140 may be the same material.
- the shield layer 145 is disposed in the hollow space 171 between the resonator 120 and the upper surface 111 of the cover member 110 and close to the resonator 120.
- the shield layer 145 is made of a conductive material such as copper, silver, or aluminum.
- One electrode D2 of the resonator 120 that constitutes the parallel arm resonator is connected to the shield layer 145. Further, the shield layer 145 is connected to the ground terminal G via the columnar electrode 150. In other words, the electrode D2 of the parallel arm resonator 120 is connected to the ground terminal G via the shield layer 145. With such a configuration, for example, a signal from the antenna ANT to the ground potential GND passes through the parallel arm resonator, and then passes through the shield layer 145, the columnar electrode 150, and the ground terminal G to the ground potential GND. Connected.
- FIG. 5 is a cross-sectional view of an elastic wave device 1X of a comparative example.
- the shield layer 145 unlike the elastic wave device 1 is not provided. Therefore, in the acoustic wave device 1X, one electrode D2 of the resonator 120 forming the parallel arm resonator is connected to the columnar electrode 150 by the wiring electrode 130 on the piezoelectric substrate 100.
- FIG. 6 is a diagram for explaining the passage path of a signal passing through a filter in the elastic wave device 1X of the comparative example (left figure (A)) and the elastic wave device 1 of Embodiment 1 (right figure (B)). It is a diagram.
- the elastic wave device 1X of the comparative example a part of the high frequency signal received by the antenna ANT is transmitted to the resonator 120 by the columnar electrode 150 and the wiring electrode 130, and after passing through the plurality of resonators 120, it is transmitted to the piezoelectric
- the signal is transmitted to the ground electrode GND1 of the mounting board 50 through the wiring electrode 130 and the columnar electrode 150 on the other side of the board 100. That is, the signal from the antenna ANT to the ground electrode GND1 is transmitted in a loop shape as shown by the arrow AR1.
- the signal that has passed through the resonator 120 is passed through the shield layer 145 and the columnar electrode 150 that is close to the external terminal electrode connected to the antenna ANT.
- the signal is then transmitted to the ground electrode GND1 of the mounting board 50. That is, the signal from the antenna ANT to the ground electrode GND1 is transmitted in a loop shape as shown by the arrow AR2.
- a signal ie, current
- a magnetic field is generated by the current passing through the loop.
- a plurality of parallel arm resonators are present in each filter, a plurality of paths to the ground potential GND may occur via the resonators.
- inductive coupling between magnetic fields generated between adjacent loops occurs inside the filter and between the filters. If this inductive coupling becomes strong, the attenuation characteristics within the filter may deteriorate, or the isolation characteristics between the filters may deteriorate.
- the magnitude of the generated magnetic field increases as the opening area of the loop increases. Furthermore, as the opening area of a loop becomes larger, it becomes more susceptible to magnetic fields generated in other loops, making it easier for inductive coupling to occur.
- the opening area of the loop (arrow AR2) drawn by the signal path is In the example elastic wave device 1X, the area is smaller than the opening area of the loop (arrow AR1) drawn by the signal path.
- the generated magnetic field is smaller than in the case of the elastic wave device 1X of the comparative example, and dielectric coupling with adjacent loops is less likely to occur. Therefore, by adopting a configuration like the elastic wave device 1 of Embodiment 1, it is possible to suppress the influence of inductive coupling between loops on filter characteristics.
- FIG. 7 is a diagram showing the filter characteristics when the distance H (FIG. 5) between the external ground electrode GND1 and the resonator 120 is changed in the elastic wave device 1X of the above comparative example.
- the left column shows the insertion loss of the filter 20 on the transmitting side
- the middle column shows the insertion loss of the filter 10 on the receiving side.
- the right column of FIG. 7 shows the isolation characteristics between the filter 10 and the filter 20.
- the lower row shows the characteristics when the frequency is between 0.5 GHz and 6.0 GHz
- the upper row shows the characteristics when the frequency is between 1.7 GHz and 2.15 GHz.
- a waveform with the vertical axis enlarged is also drawn.
- solid lines LN10, LN20, and LN30 indicate the case where the distance H is 20 ⁇ m
- dashed-dotted lines LN11, LN21, and LN31 indicate the case where the distance H is 40 ⁇ m
- the two-dot chain lines LN12, LN22, and LN32 indicate the case where the distance H is 80 ⁇ m
- the one-dot chain lines LN13, LN23, and LN33 indicate the case where the distance H is 160 ⁇ m.
- the elastic wave device 1X of the comparative example As described above, in the elastic wave device 1X of the comparative example, as the opening area of the loop in the signal path increases, the attenuation characteristics in the non-pass band and the isolation characteristics between the filters deteriorate.
- FIG. 8 is a diagram showing filter characteristics in the elastic wave device 1 of the first embodiment.
- the left column shows the insertion loss of the filter 20 on the transmitting side
- the middle column shows the insertion loss of the filter 10 on the receiving side
- the right column shows the isolation characteristics between the filters 10 and 20. ing.
- the characteristics of the elastic wave device 1 solid lines LN40, LN50, LN60
- the characteristics of the elastic wave device 1X are shown.
- the shield layer 145 is disposed close to cover the resonator 120, and the resonator 120 and the ground electrode GND1 are connected via the shield layer 145.
- the opening area of the loop formed by the signal path can be reduced, and inductive coupling between adjacent loops within the filter and/or between the filters can be weakened. This makes it possible to suppress deterioration of filter characteristics such as non-pass band attenuation characteristics and isolation characteristics between filters.
- FIG. 9 is a diagram for explaining the effect on isolation characteristics when the distance HS between the resonator 120 (IDT electrode) and the shield layer 145 is changed.
- the horizontal axis shows the distance HS between the resonator 120 and the shield layer 145
- the vertical axis shows the simulation results of isolation characteristics between filters in the passband of the filter 20 on the transmitting side. It is shown.
- the isolation characteristics deteriorate. This is considered to be because as the distance HS increases, the loop area from the resonator 120 via the shield layer 145 increases, so that inductive coupling in adjacent loops between the filters increases. From the simulation results in FIG. 9, it can be seen that in order to ensure isolation of 60 dB or more, it is preferable to set the distance HS between the resonator 120 and the shield layer 145 to 40 ⁇ m or less (region R1).
- the distance HS between the resonator 120 and the shield layer 145 is made too small, the influence of capacitive coupling between the resonator 120 and the shield layer 145 cannot be ignored, and the resonant frequency changes due to the capacitive coupling. , and/or the filter characteristics may deteriorate due to the influence of impedance changes.
- FIG. 10 is a diagram showing the results of a simulation regarding changes in capacitive coupling between the resonator 120 and the shield layer 145 when the distance HS between the resonator 120 and the shield layer 145 is changed.
- the horizontal axis shows the distance HS between the resonator 120 and the shield layer 145
- the vertical axis shows the increased capacitance between the resonator 120 and the shield layer 145.
- the distance HS As shown in FIG. 10, it can be seen that as the distance HS becomes smaller, the capacitive coupling increases. Furthermore, it can be seen that in order to keep the increased capacitance below 0.075 pF, it is preferable to set the distance HS to 5 ⁇ m or more (region R2).
- filter 10 and “filter 20" in Embodiment 1 correspond to “first filter” and “second filter” in the present disclosure, respectively.
- Antenna terminal T1,” “reception terminal T2,” and “transmission terminal T3” in Embodiment 1 correspond to “first terminal,” “second terminal,” and “third terminal” in the present disclosure, respectively.
- the “piezoelectric substrate 100" in the first embodiment corresponds to the “first piezoelectric substrate” in the present disclosure.
- Electrode D1” and “electrode D2” in Embodiment 1 correspond to the “first electrode” and “second electrode” in the present disclosure, respectively.
- “Lower surface 101" and “upper surface 102" of piezoelectric substrate 100 in Embodiment 1 and “upper surface 111" and “lower surface 112" of cover member 110 are referred to as “first surface” to "fourth surface” in the present disclosure. ” respectively.
- the elastic wave device of the first embodiment has been described as a one-chip filter device in which two filters are arranged on the same piezoelectric substrate.
- the acoustic wave device is a stacked filter device in which two filters configured on different piezoelectric substrates are stacked.
- FIG. 11 is a cross-sectional view of an elastic wave device 1A according to the second embodiment.
- the filter 10 and the filter 20 in FIG. 1 are formed on different piezoelectric substrates.
- the filter 10 has a configuration in which a resonator 120 is arranged on the lower surface 101 of the piezoelectric substrate 100, as in the first embodiment.
- the filter 20 has a configuration in which a resonator 125 is arranged on the upper surface 106 of the piezoelectric substrate 105.
- the piezoelectric substrate 100 and the piezoelectric substrate 105 are spaced apart in the Z-axis direction by the support layer 140, and a hollow space 171 is formed by the piezoelectric substrate 100, the piezoelectric substrate 105, and the support layer 140.
- Resonator 120 and resonator 125 are arranged in hollow space 171 so as to face each other.
- the resonator 120 of the filter 10 is connected to an external terminal electrode 156 via a columnar electrode 150 arranged inside the hollow space 171 and a connecting electrode 155 penetrating the piezoelectric substrate 105. Further, the resonator 125 of the filter 20 is connected to an external terminal electrode 156 via a wiring electrode 135 and a connection electrode 155.
- the resonator 120 of the filter 10 is covered with a shield layer 145 disposed between the resonator 120 and the resonator 125.
- One terminal of the resonator 120 constituting the parallel arm resonator of the filter 10 is connected to the ground electrode GND1 of the mounting board 50 via the shield layer 145 and the ground terminal G.
- the shield layer 145 can suppress capacitive coupling between the resonator 120 and the resonator 125 that are arranged to face each other. Further, as described in the first embodiment, by connecting the resonator 120 to the ground electrode GND1 via the shield layer 145 disposed in close proximity, the opening area of the loop of the signal path can be reduced, so that isolation can be achieved. Deterioration of characteristics and damping characteristics can be suppressed.
- a shield layer covering the resonator 125 may be placed on the filter 20 side instead of the shield layer 145.
- the shield layer 145 is arranged on the filter 10 side.
- a shield layer covering the resonator 125 may be further disposed in the filter 20.
- the resonator 125 of the filter 20 may also be connected to the ground electrode GND1 via the shield layer 145.
- FIG. 12 is a diagram showing filter characteristics in the elastic wave device 1A of the second embodiment.
- the left column shows the insertion loss of the filter 20 on the transmitting side
- the middle column shows the insertion loss of the filter 10 on the receiving side
- the right column shows the isolation characteristics between the filters 10 and 20. ing.
- the characteristics of the elastic wave device 1A solid lines LN70, LN80, LN90
- the characteristics of the wave device (broken lines LN71, LN81, LN91) are shown.
- the resonator 125 of the filter 20 is also connected to the ground electrode GND1 via the shield layer 145.
- the second embodiment has better results in the attenuation characteristics in the non-pass band and the isolation characteristics between the filters than in the comparative example. .
- filter 10 and “filter 20" in Embodiment 2 correspond to “first filter” and “third filter” in the present disclosure, respectively.
- piezoelectric substrate 100" and “piezoelectric substrate 105" in the second embodiment correspond to “first piezoelectric substrate” and “second piezoelectric substrate” in the present disclosure, respectively.
- the "upper surface 106" and “lower surface 107" of the piezoelectric substrate 105 in the second embodiment correspond to the "fifth surface” and “sixth surface” in the present disclosure, respectively.
- Embodiment 3 a configuration will be described in which the shield layer is divided to separate the signal path to the ground potential for some resonators from the signal path for other resonators.
- FIG. 13 is a plan view of an elastic wave device 1B according to the third embodiment. Similar to the elastic wave device 1 of the first embodiment, the elastic wave device 1B is a one-chip type device in which filters 10 and 20 are formed by disposing a plurality of resonators 120 on a common piezoelectric substrate 100. It is an elastic wave device. In the acoustic wave device 1B, the arrangement of the resonator 120, the electrode pad 131, and the wiring electrode 130 is the same as that of the acoustic wave device 1 shown in FIG.
- the shield layer 145 covering the resonator 120 is divided into two shield layers 1451 and 1452.
- the shield layer 1451 covers a portion of the signal path from the transmitting side electrode pad 131 (TX) connected to the transmitting terminal T3 to the grounding terminal G1 to which the parallel arm resonator P14 is connected, that is, the dotted chain line in FIG. It is arranged so as to cover the series arm resonance parts S14, S15 and the parallel arm resonance part P13 in the region RG1 surrounded by.
- the shield layer 1452 is arranged to cover the remaining resonators other than the above-mentioned signal path.
- an inductor can be formed between the ground terminal and the parallel arm resonator by making the shield layer connected to the corresponding signal path independent.
- This inductor and the capacitance of the parallel arm resonator can constitute a series resonant circuit, and an attenuation pole can be formed on the high frequency side of the passband of the filter, thereby improving the attenuation characteristics of the filter.
- the power supplied to the transmitting side circuit is larger than that of the receiving side circuit, the magnetic field generated in the signal path with low impedance becomes strong, and inductive coupling is likely to occur. Therefore, by making the shield layer of the signal path, which has a short path length from the transmission terminal, independent, coupling between adjacent loops of the signal path can be effectively suppressed.
- the path length from the transmission terminal T3 to the ground electrode GND1 is shortened as in the elastic wave device 1B
- a path from the antenna terminal T1 and/or the reception terminal T2 to the ground electrode GND1 is used.
- the shield layer in the portion where the length is shortened may be made independent.
- shield layer 1451 and “shield layer 1452" in Embodiment 3 correspond to “first layer” and “second layer” in the present disclosure, respectively.
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Abstract
弾性波装置(1)は、外部端子電極(160)と主面(101,102)を有する圧電性基板(100)と、主面(101)上に配置された共振子(120)を含むフィルタ(10)と、導電性のシールド層(145)とを備える。外部端子電極(160)は、端子(T1,T2)および接地端子(G)を含む。フィルタ(10)は、端子(T1)および端子(T2)に接続される。シールド層(145)は、圧電性基板(100)の厚み方向から圧電性基板(100)を平面視した場合に、共振子(120)の少なくとも一部と重なるように共振子(120)の上方に配置される。共振子(120)は、端子(T1)または端子(T2)に電気的に接続される電極(D1)と、シールド層(145)を介して接地端子(G)に接続される電極(D2)とを含む。
Description
本開示は弾性波装置に関し、より特定的には、弾性波フィルタを備えた弾性波装置におけるフィルタ特性の低下を抑制する技術に関する。
特開2017-204827号公報(特許文献1)には、弾性波デバイスにおいて、弾性波共振子が配置された2つの基板を、当該弾性波共振子同士が対向するように積層配置された構成が開示されている。
特開2017-204827号公報(特許文献1)に開示されたような弾性波デバイスにおいては、一般的には、当該弾性波デバイスが実装される実装基板に、基準電位となる接地電極が配置される。上記のような積層型の弾性波デバイスの場合、特に上部側に積層された基板に形成されるフィルタ装置から接地電極までの経路長が相対的に長くなる。そうすると、下部側のフィルタ装置の信号と電磁結合しやすくなり、フィルタ装置間のアイソレーション特性などのフィルタ特性が低下する可能性がある。
本開示は、このような課題を解決するためになされたものであって、その目的は、弾性波フィルタを含む弾性波装置において、フィルタ特性の低下を抑制することである。
本開示に係る弾性波装置は、外部端子電極と、第1面および第2面を有する第1圧電性基板と、上記第1面上に配置された第1共振子を含む第1フィルタと、導電性のシールド層とを備える。外部端子電極は、第1端子、第2端子および接地端子を含む。第1フィルタは、第1端子および第2端子に接続される。シールド層は、第1圧電性基板の厚み方向から第1圧電性基板を平面視した場合に、第1共振子の少なくとも一部と重なるように第1共振子の上方に配置される。第1共振子は、第1端子または第2端子に電気的に接続される第1電極と、シールド層を介して接地端子に接続される第2電極とを含む。
本開示に係る弾性波装置においては、第1フィルタを構成する第1共振子の一方の電極(第2電極)が、第1共振子を覆うように近接配置されたシールド層を介して接地端子に接続されている。このような構成とすることによって、第1共振子を経由して接地電極に至る信号経路のループ面積を小さくすることができるので、フィルタ間の電磁結合を抑制することができる。これにより、弾性波装置におけるフィルタ特性の低下を抑制することができる。
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
[実施の形態1]
(弾性波装置の構成)
図1は、実施の形態1に従う弾性波装置1の回路構成を示す図である。弾性波装置1は、たとえば通信装置の送受信回路に用いられるフィルタ装置である。
(弾性波装置の構成)
図1は、実施の形態1に従う弾性波装置1の回路構成を示す図である。弾性波装置1は、たとえば通信装置の送受信回路に用いられるフィルタ装置である。
図1を参照して、弾性波装置1は、アンテナANTに接続されるアンテナ端子T1と、アンテナ端子T1に電気的に接続された受信(RX)用のフィルタ10および送信(TX)用のフィルタ20とを備える。図1に記載した弾性波装置1の例は、2つのフィルタからなるいわゆるデュプレクサである。
受信用のフィルタ10は、アンテナ端子T1と受信用端子T2との間に接続されたラダー型フィルタであり、アンテナANTで受けた信号をフィルタリングして受信用端子T2から出力する。フィルタ10は、第1通過帯域の信号を通過可能に構成されている。アンテナ端子T1には、接地電位GNDとの間にインピーダンスマッチング用のインダクタL1が接続されている。また、受信用端子T2は、インピーダンスマッチング用のインダクタL2を介して図示しない受信回路に接続されている。
フィルタ10は、アンテナ端子T1と受信用端子T2との間に直列接続された直列腕共振部S1~S4を含む直列腕回路と、当該直列腕回路と接地電位GNDとの間に接続された並列腕共振部P1~P4とを含む並列腕回路とを備える。直列腕共振部S1~S4および並列腕共振部P1~P4の各共振部は、少なくとも1つの弾性波共振子を含んで構成される。図1の例においては、直列腕共振部S2および並列腕共振部P1~P4の各共振部が1つの弾性波共振子で構成され、直列腕共振部S1,S3,S4の各共振部が2つの弾性波共振子で構成されるように記載されている。しかしながら、各共振部に含まれる弾性波共振子の数はこれに限定されず、フィルタの特性に合わせて適宜選択される。弾性波共振子としては、たとえば弾性表面波(Surface Acoustic Wave:SAW)共振子あるいはバルク弾性波(Bulk Acoustic Wave:BAW)共振子などを用いることができる。なお、BAW共振子として、薄膜バルク音響共振子(Film Bulk Acoustic Resonator:FBAR)、および/または、音響多層膜共振子(Solid Mounted Resonator:SMR)を用いることができる。
並列腕共振部P1の一方端は、直列腕共振部S1と直列腕共振部S2との間の接続点と接続されており、他方端は接地電位GNDに接続されている。並列腕共振部P2の一方端は、直列腕共振部S2と直列腕共振部S3との間の接続点と接続されており、他方端は接地電位GNDに接続されている。並列腕共振部P3の一方端は、直列腕共振部S3と直列腕共振部S4との間の接続点と接続されており、他方端は接地電位GNDに接続されている。並列腕共振部P4の一方端は、受信用端子T2に接続され、他方端は並列腕共振部P3の他方端とともに接地電位GNDに接続されている。
送信用のフィルタ20は、アンテナ端子T1と送信用端子T3との間に接続されたラダー型フィルタであり、送信用端子T3で受けた信号をフィルタリングしてアンテナANTから出力する。フィルタ20は、第2通過帯域の信号を通過可能に構成されている。フィルタ20の通過帯域は、フィルタ10の通過帯域とは異なっている。送信用端子T3は、インピーダンスマッチング用のインダクタL3を介して図示しない送信回路に接続されている。
受信用のフィルタ20は、アンテナ端子T1と送信用端子T3との間に直列接続された直列腕共振部S11~S15を含む直列腕回路と、当該直列腕回路と接地電位GNDとの間に接続された並列腕共振部P11~P14を含む並列腕回路とを備える。直列腕共振部S11~S15および並列腕共振部P11~P14の各共振部は、少なくとも1つの弾性波共振子を含んで構成される。フィルタ20においても、フィルタ10と同様に、各共振部に含まれる弾性波共振子の数は図1の場合に限定されず、フィルタの特性に合わせて適宜選択される。また、使用される弾性波共振子についても、SAW共振子あるいはBAW共振子などを用いることができる。
並列腕共振部P11の一方端は、直列腕共振部S11と直列腕共振部S12との間の接続点と接続されており、他方端は接地電位GNDに接続されている。並列腕共振部P12の一方端は、直列腕共振部S12と直列腕共振部S13との間の接続点と接続されており、他方端は並列腕共振部P11の他方端とともに接地電位GNDに接続されている。並列腕共振部P13の一方端は、直列腕共振部S13と直列腕共振部S14との間の接続点と接続されており、他方端は並列腕共振部P11の他方端とともに接地電位GNDに接続されている。並列腕共振部P14の一方端は、直列腕共振部S14と直列腕共振部S15との間の接続点と接続されており、他方端は並列腕共振部P11の他方端とともに接地電位GNDに接続されている。
なお、フィルタ10は本開示における「第1フィルタ」に対応し、フィルタ20は本開示における「第2フィルタ」に対応する。
次に図2および図3を用いて、弾性波装置1の構造について説明する。図2は図1の弾性波装置1の模式的な斜視図であり、図3は弾性波装置1の断面図である。なお、図3の断面図においては、説明を容易にするために、フィルタ10の部分の構成が示されている。図3には図示されていないが、フィルタ20の部分の構成も、基本的にはフィルタ10と同様の構成となっている。
図2および図3を参照して、弾性波装置1は、図1におけるフィルタ10およびフィルタ20が同じ基板の主面上に配置された、いわゆる1チップ型構造を有している。なお、以降の説明において、圧電性基板100の主面の法線方向(厚み方向)をZ軸方向とし、圧電性基板100の面内方向をX軸およびY軸方向とする。また、Z軸の正方向を「上方」、負方向を「下方」と称する場合がある。
弾性波装置1は、フィルタを構成する圧電性基板100および共振子120と、カバー部材110と、支持層140と、シールド層145と、柱状電極150と、接続電極155と、外部端子電極156と、はんだバンプ160とを含む。
図2に示されるように、圧電性基板100には、複数の共振子120、および、外部端子電極156に接続される複数の電極パッド131が配置されており、共振子120同士、および/または、共振子120と電極パッド131とが、配線電極130によって接続されている。概略的には、図2において、圧電性基板100のY軸の正方向に受信用のフィルタ10が配置されており、Y軸の負方向に送信用のフィルタ20が配置されている。
圧電性基板100は、たとえば、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、酸化亜鉛(ZnO)、窒化アルミニウム、またはチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)などの圧電単結晶材料、あるいはそれらの圧電積層材料によって形成される。
圧電性基板100の下面101には、フィルタ10を構成する共振子120が配置されている。なお、図3においては、便宜上、圧電性基板100には2つの共振子120が配置される例が記載されているが、共振子の数はこれに限定されない。
共振子120は、図4に示されるような、対向する2つの櫛歯状の電極D1,D2を有するIDT(Interdigital Transducer)電極からなる弾性波共振子を含む。圧電性基板100と共振子120とによって、SAW共振子が形成される。
共振子120は、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、チタン(Ti)、タングステン(W)、白金(Pt)、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、モリブデン(Mo)のうちの少なくとも一種からなる単体金属、またはこれらを主成分とする合金などの金属材料を用いて形成することができる。また、共振子120は、これらの金属もしくは合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。
カバー部材110は、支持層140によって圧電性基板100から離間した位置に支持されている。支持層140は、圧電性基板100上の共振子120の周囲を囲むように配置されている。圧電性基板100、カバー部材110および支持層140によって、圧電性基板100とカバー部材110との間に中空空間171が形成される。カバー部材110および支持層140は、たとえば、ポリイミド、エポキシ系樹脂、環オレフィン系樹脂、ベンゾシクロブテン、ポリベンゾオキサゾール、フェノール系樹脂、シリコーン、あるいはアクリル樹脂などの有機材料を含む樹脂や、銅、銀、アルミ、ニッケル、あるいはこれらの合金のような導電性材料で形成される。
中空空間171内には、共振子120と外部機器との間の信号経路の一部を構成する柱状電極150が配置されている。柱状電極150は、銅、銀、アルミ、ニッケル、あるいはこれらの合金のような導電性材料で形成されている。柱状電極150は、圧電性基板100の下面101に配置された電極パッド131と、カバー部材110の上面111との間に延在している。圧電性基板100の下面101において、共振子120同士、および、共振子120と電極パッド131とは、配線電極130によって電気的に接続されている。
柱状電極150は、カバー部材110を貫通する接続電極155を介して、カバー部材110の下面112に配置された外部端子電極156に接続されている。外部端子電極156には、アンテナ端子T1、受信用端子T2、送信用端子T3および接地端子Gが含まれる。外部端子電極156は、はんだバンプ160を介して、実装基板50上の実装端子55に接続される。実装基板50には、基準電位となる接地電極GND1が配置されており、弾性波装置1の接地端子Gは、当該接地電極GND1に接続される。なお、支持層140を導電性材料で構成した場合、柱状電極150と支持層140を構成する導電性材料を同じ材料にしても構わない。
また、実施の形態1の弾性波装置1においては、中空空間171内における、共振子120とカバー部材110の上面111との間に、共振子120に近接してシールド層145が配置されている。シールド層145は、たとえば、銅、銀あるいはアルミニウムなどの導電性部材で形成されている。
シールド層145には、並列腕共振子を構成する共振子120の一方の電極D2が接続されている。また、シールド層145は、柱状電極150を介して接地端子Gに接続されている。言い換えれば、並列腕の共振子120の電極D2は、シールド層145を介して接地端子Gに接続されている。このような構成とすることによって、たとえば、アンテナANTから接地電位GNDに至る信号は、並列腕共振子を通過した後、シールド層145、柱状電極150および接地端子Gを経由して接地電位GNDに接続される。
(フィルタ特性)
図5は、比較例の弾性波装置1Xの断面図である。弾性波装置1Xにおいては、弾性波装置1のようなシールド層145が配置されていない。このため、弾性波装置1Xにおいては、並列腕共振子を構成する共振子120の一方の電極D2は、圧電性基板100上の配線電極130によって柱状電極150に接続される。
図5は、比較例の弾性波装置1Xの断面図である。弾性波装置1Xにおいては、弾性波装置1のようなシールド層145が配置されていない。このため、弾性波装置1Xにおいては、並列腕共振子を構成する共振子120の一方の電極D2は、圧電性基板100上の配線電極130によって柱状電極150に接続される。
図6は、比較例の弾性波装置1X(左図(A))および実施の形態1の弾性波装置1(右図(B))において、フィルタを通過する信号の通過経路を説明するための図である。比較例の弾性波装置1Xの場合、アンテナANTで受信された高周波信号の一部は、柱状電極150および配線電極130によって共振子120に伝達され、複数の共振子120を経由した後に、圧電性基板100の他方側の配線電極130および柱状電極150を通って、実装基板50の接地電極GND1に伝達される。すなわち、アンテナANTから接地電極GND1に至る信号は、矢印AR1で示されるようなループ状を描いて伝達される。
一方、実施の形態1の弾性波装置1の場合には、共振子120を経由した信号は、シールド層145を経由して、アンテナANTに接続される外部端子電極に近接した柱状電極150を介して、実装基板50の接地電極GND1に伝達される。すなわち、アンテナANTから接地電極GND1に至る信号は、矢印AR2で示されるようなループ状を描いて伝達される。
一般的に、このようなループ状の経路を信号(すなわち電流)が通過すると、当該ループを通過する電流によって磁界が発生する。弾性波装置1および弾性波装置1Xのような構成においては、各フィルタにおいて複数の並列腕共振子が存在するため、共振子を経由して接地電位GNDに至る複数の経路が生じ得る。そうすると、フィルタ内部およびフィルタ間において、隣接ループ間で生じる磁界同士の誘導結合が生じる。この誘導結合が強くなると、フィルタ内での減衰特性が低下したり、フィルタ間でのアイソレーション特性が低下し得る。
ここで、発生する磁界の大きさは、ループの開口面積が大きくなるにつれて大きくなる。また、ループの開口面積が大きくなると、他のループで生じた磁界を受けやすくなるため、誘導結合が生じやすくなる。
実施の形態1の弾性波装置1においては、図6に示されるように、共振子120を覆うシールド層145を信号が経由するため、信号経路が描くループ(矢印AR2)の開口面積は、比較例の弾性波装置1Xにおいて信号経路が描くループ(矢印AR1)の開口面積よりも小さくなる。これにより、実施の形態1の弾性波装置1の場合においては、比較例の弾性波装置1Xの場合に比べて、発生する磁界が小さくなり、隣接ループとの誘電結合が生じにくくなる。したがって、実施の形態1の弾性波装置1のような構成とすることによって、ループ間の誘導結合によるフィルタ特性への影響を抑制することができる。
図7は、上記の比較例の弾性波装置1Xにおいて、外部の接地電極GND1と共振子120との間の距離H(図5)を変化させたときのフィルタ特性を示す図である。図7においては、左欄には送信側のフィルタ20の挿入損失が示されており、中欄には受信側のフィルタ10の挿入損失が示されている。また、図7の右欄には、フィルタ10とフィルタ20との間のアイソレーション特性が示されている。なお、図7において、下段には周波数が0.5GHz~6.0GHzの間の特性が示されており、上段には周波数が1.7GHz~2.15GHzの間の特性が示されている。さらに、挿入損失の上段のグラフにおいては、縦軸を拡大した波形が併せて描かれている。
図7を参照して、各グラフにおいて、実線LN10,LN20,LN30は距離Hが20μmの場合を示しており、一点鎖線LN11,LN21,LN31は距離Hが40μmの場合を示している。また、二点鎖線LN12,LN22,LN32は距離Hが80μmの場合を示しており、一点鎖線LN13,LN23,LN33は距離Hが160μmの場合を示している。
左欄および中欄の挿入損失については、対象の通過帯域においては、接地電極GND1と共振子120との間の距離Hによる損失の違いはほとんど見られない。しかしながら、非通過帯域においては、距離Hが大きくなるほど(すなわちループの開口面積が大きくなるほど)減衰量が低下している。
また、右欄のフィルタ間のアイソレーション特性については、受信側の通過帯域においては大きな変化はないものの、送信側の通過帯域およびそれよりも低い非通過帯域、ならびに、受信側の通過帯域よりも高い非通過帯域におけるアイソレーションが低下している。
このように、比較例の弾性波装置1Xにおいては、信号経路のループの開口面積が大きくなると、非通過帯域における減衰特性、ならびに、フィルタ間のアイソレーション特性が低下する。
図8は、実施の形態1の弾性波装置1におけるフィルタ特性を示す図である。図8においても、左欄には送信側のフィルタ20の挿入損失、中欄には受信側のフィルタ10の挿入損失、右欄にはフィルタ10とフィルタ20との間のアイソレーション特性が示されている。また、図8においては、外部の接地電極GND1と共振子120との間の距離Hを160μmとした場合の、弾性波装置1の特性(実線LN40,LN50,LN60)、および、比較例の弾性波装置1Xの特性(破線LN41,LN51,LN61)が示されている。
図8に示されるように、実施の形態1の弾性波装置1の場合には、接地電極GND1と共振子120との間の距離Hが大きい場合であっても、非通過帯域における減衰特性、および、アイソレーション特性の低下が抑制されており、図7の距離Hが20μmの場合と同等の特性が実現できている。
以上のように、実施の形態1の弾性波装置1のように、共振子120を覆うように近接してシールド層145を配置し、当該シールド層145を介して、共振子120と接地電極GND1とを接続する構成とすることによって、信号経路により形成されるループの開口面積を小さくし、フィルタ内および/またはフィルタ間における隣接ループ間での誘導結合を弱めることができる。これによって、非通過帯域の減衰特性およびフィルタ間のアイソレーション特性といったフィルタ特性の低下を抑制することが可能となる。
(シールド層とIDT電極との距離の影響)
上記のように、共振子に接続されるシールド層を配置することによって、フィルタ特性の低下を抑制することができる。しかしながら、シールド層の配置態様によっては、必ずしも所望の特性改善が実現できない場合が生じ得る。次に、図9および図10を用いて、共振子120とシールド層145との間の距離によるフィルタ特性への影響について説明する。
上記のように、共振子に接続されるシールド層を配置することによって、フィルタ特性の低下を抑制することができる。しかしながら、シールド層の配置態様によっては、必ずしも所望の特性改善が実現できない場合が生じ得る。次に、図9および図10を用いて、共振子120とシールド層145との間の距離によるフィルタ特性への影響について説明する。
図9は、共振子120(IDT電極)とシールド層145との間の距離HSを変化させたときのアイソレーション特性への影響を説明するための図である。図9においては、横軸には共振子120とシールド層145との間の距離HSが示されており、縦軸には送信側のフィルタ20の通過帯域におけるフィルタ間のアイソレーション特性のシミュレーション結果が示されている。
図9に示されるように、共振子120とシールド層145との間の距離HSが大きくなるにつれて、アイソレーション特性が低下している。これは、距離HSが大きくなることによって、共振子120からシールド層145を経由する部分のループ面積が大きくなることから、フィルタ間の隣接ループにおける誘導結合が増加するためと考えられる。図9のシミュレーション結果より、60dB以上のアイソレーションを確保するためには、共振子120とシールド層145との間の距離HSを40μm以下(領域R1)とすることが好ましいことがわかる。
一方で、共振子120とシールド層145との間の距離HSを小さくしすぎると、共振子120とシールド層145との間の容量結合の影響が無視できなくなり、当該容量結合による共振周波数の変化、および/または、インピーダンスの変化の影響によりフィルタ特性が低下する可能性がある。
図10は、共振子120とシールド層145との間の距離HSを変化させたときの共振子120とシールド層145との間の容量結合の変化についてシミュレーションを行なった結果を示す図である。図10においては、横軸に共振子120とシールド層145との間の距離HSが示されており、縦軸には共振子120とシールド層145との間の増加容量が示されている。
図10に示されるように、距離HSが小さくなるにしたがって、容量結合が増加していることがわかる。また、増加容量を0.075pF以下に留めるためには、距離HSを5μm以上(領域R2)とすることが好ましいことがわかる。
以上の結果から、共振子120とシールド層145との間の距離HSを5μm以上かつ40μm以下(5μm≦HS≦40μm)とすることによって、安定したフィルタ特性を実現することができる。
なお、実施の形態1における「フィルタ10」および「フィルタ20」は、本開示における「第1フィルタ」および「第2フィルタ」にそれぞれ対応する。実施の形態1における「アンテナ端子T1」、「受信用端子T2」および「送信用端子T3」は、本開示における「第1端子」、「第2端子」および「第3端子」にそれぞれ対応する。実施の形態1における「圧電性基板100」は、本開示における「第1圧電性基板」に対応する。実施の形態1における「電極D1」および「電極D2」は、本開示における「第1電極」および「第2電極」にそれぞれ対応する。実施の形態1における圧電性基板100の「下面101」および「上面102」、ならびに、カバー部材110の「上面111」および「下面112」は、本開示における「第1面」~「第4面」にそれぞれ対応する。
[実施の形態2]
実施の形態1の弾性波装置は、2つのフィルタが同じ圧電性基板上に配置された1チップ型のフィルタ装置の場合について説明した。
実施の形態1の弾性波装置は、2つのフィルタが同じ圧電性基板上に配置された1チップ型のフィルタ装置の場合について説明した。
実施の形態2においては、弾性波装置が、互いに異なる圧電性基板上に構成された2つのフィルタを積層したスタック型のフィルタ装置である場合について説明する。
図11は、実施の形態2に係る弾性波装置1Aの断面図である。弾性波装置1Aにおいては、図1におけるフィルタ10およびフィルタ20が、異なる圧電性基板に形成されている。
具体的には、フィルタ10は、実施の形態1の場合と同様に、圧電性基板100の下面101に共振子120が配置された構成を有している。一方、フィルタ20は、圧電性基板105の上面106に共振子125が配置された構成を有している。圧電性基板100および圧電性基板105は、支持層140によってZ軸方向に離間して配置されており、圧電性基板100、圧電性基板105および支持層140によって中空空間171が形成される。共振子120および共振子125は、中空空間171内において、互いに対向するように配置されている。
フィルタ10の共振子120は、中空空間171の内部に配置された柱状電極150および圧電性基板105を貫通する接続電極155を介して、外部端子電極156に接続されている。また、フィルタ20の共振子125は、配線電極135および接続電極155を介して外部端子電極156に接続されている。
フィルタ10の共振子120は、実施の形態1の弾性波装置1と同様に、共振子120と共振子125との間に配置されたシールド層145によって覆われている。そして、フィルタ10の並列腕共振部を構成する共振子120の一方の端子は、当該シールド層145および接地端子Gを介して、実装基板50の接地電極GND1に接続されている。
シールド層145は、互いに対向して配置される共振子120と共振子125との間の容量結合を抑制することができる。また、実施の形態1において説明したように、共振子120が近接配置されるシールド層145を介して接地電極GND1に接続されることによって、信号経路のループの開口面積を小さくできるので、アイソレーション特性および減衰特性の低下を抑制することができる。
なお、共振子120と共振子125との間の容量結合を抑制することを目的とした場合、シールド層145に代えて、フィルタ20側に共振子125を覆うシールド層を配置することもできる。しかしながら、弾性波装置1Aのような構成においては、フィルタ10の方がフィルタ20よりも接地電極GND1から遠い位置に配置されているため、信号経路で形成されるループの開口面積も、フィルタ10の方がより大きくなる。そのため、弾性波装置1Aにおいては、フィルタ10側にシールド層145が配置される構成となっている。もちろん、シールド層145に加えて、フィルタ20にも共振子125を覆うシールド層をさらに配置してもよい。あるいは、フィルタ20の共振子125についてもシールド層145を介して接地電極GND1に接続されるようにしてもよい。
図12は、実施の形態2の弾性波装置1Aにおけるフィルタ特性を示す図である。図12においても、左欄には送信側のフィルタ20の挿入損失、中欄には受信側のフィルタ10の挿入損失、右欄にはフィルタ10とフィルタ20との間のアイソレーション特性が示されている。また、図12においては、弾性波装置1Aの特性(実線LN70,LN80,LN90)と、シールド層は配置されているが、当該シールド層に共振子120が接続されていない場合の比較例の弾性波装置の特性(破線LN71,LN81,LN91)が示されている。なお、図12の弾性波装置1Aにおいては、フィルタ20の共振子125についてもシールド層145を介して接地電極GND1に接続されている。
図12に示されるように、フィルタ10,20のいずれにおいても、実施の形態2は、比較例に比べて、非通過帯域における減衰特性およびフィルタ間のアイソレーション特性が良好な結果となっている。
以上のように、異なる2つの圧電性基板の各々に共振子が配置されたスタック型の弾性波装置においても、共振子を覆うシールド層を配置し、当該シールド層を介して共振子を接地電位に接続することによって、非通過帯域の減衰特性およびフィルタ間のアイソレーション特性の低下を抑制することができる。
なお、実施の形態2における「フィルタ10」および「フィルタ20」は、本開示における「第1フィルタ」および「第3フィルタ」にそれぞれ対応する。実施の形態2における「圧電性基板100」および「圧電性基板105」は、本開示における「第1圧電性基板」および「第2圧電性基板」にそれぞれ対応する。実施の形態2における圧電性基板105の「上面106」および「下面107」は、本開示における「第5面」および「第6面」にそれぞれ対応する。
[実施の形態3]
実施の形態1においては、圧電性基板上の共振子を共通のシールド層によって覆う構成について説明した。
実施の形態1においては、圧電性基板上の共振子を共通のシールド層によって覆う構成について説明した。
実施の形態3においては、シールド層を分割して、一部の共振子についての接地電位への信号経路を、他の共振子についての信号経路から分離する構成について説明する。
図13は、実施の形態3に係る弾性波装置1Bの平面図である。弾性波装置1Bは、実施の形態1の弾性波装置1と同様に、共通の圧電性基板100上に複数の共振子120が配置されることによってフィルタ10,20が形成された1チップ型の弾性波装置である。弾性波装置1Bにおいて、共振子120、電極パッド131および配線電極130の配置は、図2で示した弾性波装置1と同様である。
一方、弾性波装置1Bにおいては、共振子120を覆うシールド層145が、2つのシールド層1451,1452に分割されている。シールド層1451は、送信用端子T3に接続される送信側の電極パッド131(TX)から、並列腕共振部P14が接続される接地端子G1に至る信号経路の部分、すなわち、図14の一点鎖線で囲まれた領域RG1の直列腕共振部S14,S15および並列腕共振部P13を覆うように配置されている。一方で、シールド層1452は、上記の信号経路以外の残りの共振子を覆うように配置されている。
信号が入出力される端子から接地端子までの信号経路が比較的短い場合、すなわち端子間のインピーダンスが比較的小さい信号経路については、当該信号経路のループにおいて誘導結合が生じやすい傾向にある。このような場合には、該当する信号経路に接続されるシールド層を独立化することで、接地端子と並列腕共振子との間にインダクタを形成することができる。このインダクタと並列腕共振子の容量とで直列共振回路を構成でき、フィルタの通過帯域の高周波側において減衰極を形成でき、フィルタの減衰特性を向上できる。
特に、送信側の回路については、受信側の回路に比べて供給される電力が大きいため、インピーダンスが小さい信号経路において生じる磁界が強くなり、誘導結合が生じやすくなる。そのため、送信用端子からの経路長が短くなる信号経路のシールド層を独立化することによって、信号経路の隣接ループ間における結合を効果的に抑制することができる。
なお、弾性波装置1Bのように送信用端子T3から接地電極GND1に至る経路長が短くなる部分に代えて、あるいは加えて、アンテナ端子T1および/または受信用端子T2から接地電極GND1に至る経路長が短くなる部分のシールド層を独立化してもよい。
上記においては、1チップ型の弾性波装置においてシールド層を分割する構成について説明したが、実施の形態2のようなスタック型の弾性波装置においても、当該構成を適用することができる。
実施の形態3における「シールド層1451」および「シールド層1452」は、本開示における「第1層」および「第2層」にそれぞれ対応する。
今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
1,1A,1B,1X 弾性波装置、10,20 フィルタ、102,106,111 上面、50 実装基板、55 実装端子、100,105 圧電性基板、101,107,112 下面、110 カバー部材、120,125 共振子、130,135 配線電極、131 電極パッド、140 支持層、145,1451,1452 シールド層、150 柱状電極、155 接続電極、156 外部端子電極、160 はんだバンプ、171 中空空間、ANT アンテナ、D1,D2 電極、G,G1 接地端子、GND 接地電位、GND1 接地電極、L1~L3 インダクタ、P1~P4,P11~P14 並列腕共振部、R1,R2,RG1 領域、S1~S4,S11~S15 直列腕共振部、T1 アンテナ端子、T2 受信用端子、T3 送信用端子。
Claims (10)
- 第1端子、第2端子および接地端子を含む外部端子電極と、
第1面および第2面を有する第1圧電性基板と、
前記第1端子および前記第2端子に接続され、前記第1面上に配置された第1共振子を含む第1フィルタと、
前記第1圧電性基板の厚み方向から前記第1圧電性基板を平面視した場合に、前記第1共振子の少なくとも一部と重なるように前記第1共振子の上方に配置された、導電性のシールド層とを備え、
前記第1共振子は、
前記第1端子または前記第2端子に電気的に接続される第1電極と、
前記シールド層を介して前記接地端子に接続される第2電極とを含む、弾性波装置。 - 支持部材と、
前記支持部材に支持され、第3面および第4面を有するカバー部材をさらに備え、
前記カバー部材は、前記第1面と前記第3面とが対向するように、前記第1圧電性基板と離間して配置されており、
前記外部端子電極は、前記カバー部材の前記第4面に配置され、
前記シールド層は、前記第1面と前記第3面との間に配置される、請求項1に記載の弾性波装置。 - 前記外部端子電極は、第3端子をさらに含み、
前記第1面上に配置された第2共振子と、
前記第1端子および前記第3端子に接続され、前記第2共振子を含む第2フィルタとをさらに備え、
前記第1フィルタおよび前記第2フィルタの各々は、複数の共振子によって構成された直列腕および並列腕を含むラダー型フィルタであり、
前記シールド層は、
前記第2フィルタにおいて、前記第3端子に接続される直列腕共振子と、当該直列腕共振子と前記接地端子との間に接続される並列腕共振子を覆うように配置された第1層と、
前記第1層と分離して配置され、前記直列腕共振子および前記並列腕共振子を除く前記第2フィルタの共振子の少なくとも一部を覆う第2層とを含む、請求項2に記載の弾性波装置。 - 前記第1フィルタは受信用フィルタであり、
前記第2フィルタは送信用フィルタである、請求項3に記載の弾性波装置。 - 前記第1圧電性基板の厚み方向における、前記第1共振子と前記シールド層との間の距離は、5μm以上40μm以下である、請求項1~4のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 支持部材と、
第5面および第6面を有する第2圧電性基板、および、前記第2圧電性基板の前記第5面上に配置された第3共振子を含む第3フィルタをさらに備え、
前記外部端子電極は、前記第2圧電性基板の前記第6面に配置されており、
前記第2圧電性基板は、前記支持部材によって支持され、前記第1面と前記第5面とが対向するように前記第1圧電性基板から離間して配置されており、
前記シールド層は、前記第1面と前記第5面との間に配置される、請求項1に記載の弾性波装置。 - 前記外部端子電極は、第3端子をさらに含み、
前記第3フィルタは、前記第1端子と前記第3端子との間に接続されており、
前記第1フィルタおよび前記第3フィルタの各々は、複数の共振子によって構成された直列腕および並列腕を含むラダー型フィルタであり、
前記シールド層は、
前記第3フィルタにおいて、前記第3端子に接続される直列腕共振子と、当該直列腕共振子と前記接地端子との間に接続される並列腕共振子を覆うように配置された第1層と、
前記第1層と分離して配置され、前記直列腕共振子および前記並列腕共振子を除く前記第3フィルタの共振子の少なくとも一部を覆う第2層とを含む、請求項6に記載の弾性波装置。 - 前記第1フィルタは受信用フィルタであり、
前記第3フィルタは送信用フィルタである、請求項6または7に記載の弾性波装置。 - 前記第1圧電性基板の厚み方向における、前記第1共振子と前記シールド層との間の距離、および、前記第3共振子と前記シールド層との間の距離は、5μm以上40μm以下である、請求項6~8のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 各共振子は、SAW(Surface Acoustic Wave)共振子あるいはBAW(Bulk Acoustic Wave)共振子である、請求項1~9のいずれか1項に記載の弾性波装置。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006060747A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
JP2015070489A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 日本電波工業株式会社 | デュプレクサ及び電子部品 |
JP2016096439A (ja) * | 2014-11-13 | 2016-05-26 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス、送受信デバイスおよび移動体通信機 |
WO2021164215A1 (zh) * | 2020-02-19 | 2021-08-26 | 杭州见闻录科技有限公司 | 一种具有电磁屏蔽结构的固态装配谐振器及制作工艺 |
-
2023
- 2023-01-24 WO PCT/JP2023/002066 patent/WO2023171161A1/ja unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006060747A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
JP2015070489A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 日本電波工業株式会社 | デュプレクサ及び電子部品 |
JP2016096439A (ja) * | 2014-11-13 | 2016-05-26 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス、送受信デバイスおよび移動体通信機 |
WO2021164215A1 (zh) * | 2020-02-19 | 2021-08-26 | 杭州见闻录科技有限公司 | 一种具有电磁屏蔽结构的固态装配谐振器及制作工艺 |
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