WO2022254581A1 - 有機ｅｌ素子 - Google Patents

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WO2022254581A1
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organic
layer
light
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久幸 川村
正拓 五十嵐
Original Assignee
株式会社フラスク
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers

Definitions

  • the present invention relates to an organic EL element that can be driven at a lower voltage.
  • the organic EL element by applying a voltage between a pair of electrodes, holes are injected from the anode and electrons are injected from the cathode into a light-emitting layer containing an organic compound as a light-emitting material, and the injected electrons and holes are emitted.
  • the recombination forms an exciton in the luminescent organic compound, and luminescence can be obtained from the excited organic compound. That is, since the organic EL element is a self-luminous element, the organic EL element is brighter than the liquid crystal element and has excellent visibility and can display clear images.
  • the organic EL element is expected to be a light-emitting element with high luminous efficiency, high image quality, low power consumption, long life, and thin design, taking advantage of its advantages as a self-luminous element.
  • Patent Document 1 It is known from Patent Document 1 that an organic EL device uses a phenanthroline derivative as an electron-transporting material in order to suppress a decrease in emission luminance due to driving.
  • organic EL elements are sometimes used as displays in combination with TFT circuits, but due to problems with the aperture ratio, a configuration called a top emission type, in which light is emitted from electrodes on the opposite side of the transparent substrate, is used.
  • ytterbium (Yb) or a ytterbium (Yb) compound is used to reduce the electrical resistance of a transparent electrode that extracts light at that time.
  • the second electrode facing the reflective anode electrode, which is the first electrode is formed of a laminated film including an ytterbium (Yb) layer and a silver (Ag) layer, thereby achieving a full emission wavelength range.
  • the transmittance is improved and the luminous efficiency is improved.
  • a device structure in which a multimer of a phenanthroline derivative is used for the electron transport layer and a small amount of an alkali metal or its compound is added to the electron transport layer, and a Yb compound layer is provided between the electron transport layer and the cathode. It is known from Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-300002 that luminance deterioration can be suppressed even with the provided top emission type element configuration.
  • An object of the present invention is to realize an organic EL element that can be driven at a lower voltage by suitably combining an electron transport layer and a cathode material.
  • one or more layers of organic thin films containing at least a light-emitting layer are sandwiched between an anode and a cathode, and the one or more layers of organic thin films include the following (i) to ( iv).
  • An electron-transporting layer is provided between the light-emitting layer and the cathode.
  • Yb ytterbium
  • Yb ytterbium
  • the electron transport layer contains a compound having a phenanthroline skeleton.
  • the light transmittance of the cathode is 50% or more in the emission wavelength range of 380 to 765 nm.
  • the compound having a phenanthroline skeleton is preferably a compound represented by the following general formula (1).
  • R 1 to R 8 each independently represent hydrogen, deuterium, fluorine, a silyl group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an amino group, or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms.
  • the light-emitting layer preferably contains 50% or more of an anthracene derivative represented by the following general formula (2) or (3).
  • R 9 to R 17 each independently represent hydrogen, deuterium, fluorine, a silyl group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an amino group, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms or a heteroaryl group having 5 to 30 carbon atoms, and X represents a single bond or an arylene group having 6 to 30 carbon atoms.
  • R 9 to R 18 each independently represent hydrogen, deuterium, fluorine, a silyl group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an amino group, an aryl group having 6 to 30 nucleus atoms or a heteroaryl group having 5 to 30 nucleus atoms.
  • at least one of R 9 to R 18 is a substituent containing deuterium.
  • an organic EL element in which current is injected at a lower voltage than in existing element configurations and power consumption is low.
  • FIG. 1 shows the configuration of an organic EL device of the present invention.
  • the organic EL device of the present invention has a structure in which one or more layers of organic thin films including at least a light-emitting layer 5 are sandwiched between an anode 1 and a cathode 9 .
  • FIG. 1 shows the structure of a typical organic EL device, between an anode 1 and a cathode 9, a hole injection layer 2, a hole transport layer 3, an electron barrier layer 4, a hole barrier layer 6, A plurality of organic thin films composed of an electron transport layer 7 and an electron injection layer 8 are sandwiched.
  • the electron transport layer 7, the electron injection layer 8 or the cathode 9 has (i) to (iv).
  • An electron-transporting layer 7 is provided between the light-emitting layer 5 and the cathode 9 .
  • Yb or a Yb compound is contained on the cathode 9 side of the electron transport layer 7 and/or the electron transport layer 7;
  • the electron transport layer 7 contains a compound having a phenanthroline skeleton.
  • the light transmittance of the cathode 9 is 50% or more in the emission wavelength range of 380 to 765 nm.
  • a compound having a phenanthroline skeleton (hereinafter referred to as “phenanthroline derivative”) contained in the electron transport layer 7 is preferably represented by the following general formula (1).
  • R 1 to R 8 each independently represent hydrogen, deuterium, fluorine, a silyl group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an amino group, or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms.
  • Silyl groups include, for example, trimethylsilyl groups and triphenylsilyl groups.
  • alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, s-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, cyclopentyl group, n-hexyl and cyclohexyl groups are included. Of these, isopropyl and t-butyl groups are preferred.
  • alkoxy groups having 1 to 6 carbon atoms include methoxy, ethoxy, n-propyloxy, isopropyloxy, n-butoxy, s-butoxy, t-butoxy, n-pentyloxy, Cyclopentyloxy, n-hexyloxy and cyclohexyloxy groups are included. Of these, a methoxy group is preferred.
  • Amino groups include, for example, dimethylamino, diethylamino and diphenylamino groups.
  • aryl groups having 6 to 30 carbon atoms include phenyl, biphenyl, terphenyl, naphthyl, anthracenyl, phenanthryl, pyrenyl, chrysenyl, triphenylenyl, fluorenyl and acenaphthenyl groups. be done. Of these, phenyl and naphthyl groups are preferred. More preferably, any one of R 1 , R 3 , R 6 and R 8 is substituted with a non-hydrogen substituent.
  • the compound represented by the general formula (1) is the following compound.
  • the film thickness of the electron transport layer 7 is 10-100 nm, preferably 30-80 nm, more preferably 40-60 nm.
  • the electron transport layer 7 preferably contains the phenanthroline derivative of general formula (1) in an amount of 50% or more of the entire electron transport layer 7 . That is, the electron-transporting layer 7 can be formed by combining other compounds preferable as electron-transporting materials in addition to the phenanthroline derivative represented by the general formula (1).
  • a hole blocking layer 6 may be provided between the light emitting layer 5 and the electron transporting layer 7 .
  • the hole-blocking layer 6 is a layer for preventing holes from being injected into the electron-transporting layer 7 through the light-emitting layer 5 .
  • the hole blocking layer 6 conventionally known materials for the hole blocking layer 6 can be used. Specifically, compounds having an azine ring in the molecule such as pyridine, pyrimidine or triazine, or oxazole, thiazole, oxadiazole, thiodiazole, imidazole, triazole, benzoxazole, benzothiazole, benzoxadiazole, benzo Compounds having an azole ring in the molecule such as thiodiazole, benzimidazole or benzotriazole are included. Among these, compounds having an azine ring in the molecule are preferable, and compounds having an azine ring represented by the following general formula (6) in the molecule are more preferable.
  • A is N or -CR. However, at least one of A is N.
  • R is an aryl group having 6 to 30 nuclear carbon atoms or a heteroaryl group having 5 to 30 nuclear atoms, specifically a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a naphthyl group, a phenanthryl group, a pyridinyl group and and a fluorenyl group.
  • the compound represented by the general formula (6) is the following compound.
  • the film thickness of the hole blocking layer 6 is 5-30 nm, preferably 10-20 nm.
  • the organic EL device of the present invention contains Yb or a Yb compound on the cathode 9 side of the electron transport layer 7 and/or the electron transport layer 7 . That is, Yb or a Yb compound may be contained only in the electron transport layer 7, or in addition to the electron transport layer 7, an organic thin film located closer to the cathode 9 than the electron transport layer 7, specifically, electron injection Layer 8 may also be included. Moreover, it may be contained in any of the electron transport layer 7 , the electron injection layer 8 and the cathode 9 . Alternatively, Yb or a Yb compound may be contained only in the electron injection layer 8 without being contained in the electron transport layer 7 or may be contained only in the electron injection layer 8 and the cathode 9 . Preferably, the device structure is such that the electron injection layer 8 is Yb.
  • an oxide or halide of Yb can be used as the Yb compound.
  • the oxide of Yb is ytterbium (III) oxide (Yb 2 O 3 ).
  • the halide of Yb is a fluoride, chloride or bromide of Yb.
  • ytterbium(III) fluoride (YbF 3 ) and ytterbium(III) bromide (YbBr 3 ) are used.
  • Yb or a Yb compound may be used alone or in combination with other organic compounds or inorganic compounds, but it is preferable to provide a thin film using Yb or an oxide of Yb alone as the electron injection layer 8 at the electrode interface. .
  • the film thickness of the electron injection layer 8 is 1 to 20 nm, preferably 5 to 10 nm.
  • a typical configuration of an organic EL element will be described with reference to FIG. 1 as an example.
  • the substrate (not shown), a smooth glass substrate having a thickness of several tens to several hundred ⁇ m, a special plastic, or the like is used. They may also have a TFT substrate.
  • the thin film of is laminated by a vacuum deposition method or a coating method.
  • the vacuum deposition method When the vacuum deposition method is used, the deposited material is heated in an atmosphere generally reduced to 10 -3 Pa or less.
  • the film thickness of each layer varies depending on the type of layer and the material used, but usually about 100 nm for the anode 1 and the cathode 9, 10 to 100 nm for the electron transport layer 7, 5 to 30 nm for the hole blocking layer 6, and 5 to 30 nm for the light emitting layer 5.
  • the film thickness of other organic thin films containing is generally less than 50 nm.
  • the hole transport layer 3 has a thickness of 40 to 400 nm, which is optimized in a wider range than other organic layers.
  • a material with a large work function and a total light transmittance of 80% or more is used for the anode 1 .
  • transparent conductive ceramics such as indium tin oxide (ITO) and zinc oxide (ZnO)
  • transparent ceramics such as polythiophene-polystyrene sulfonic acid (PEDOT-PSS) and polyaniline are used to transmit light emitted from the anode 1 .
  • Conductive polymers and other transparent conductive materials are used.
  • a hole injection layer 2 and a hole transport layer 3 are provided between the anode 1 and the light emitting layer 5 in order to efficiently transport holes from the anode 1 to the light emitting layer 5 .
  • the hole injection layer 2 is also called a polymer buffer layer, and exhibits the effect of lowering the driving voltage of the organic EL element.
  • the hole injection layer 2 is made of an acceptor compound such as a radialene derivative.
  • acceptor compound in addition to the above acceptor compound, within a range that does not impair the effects of the present invention, for example, (poly(arylene ether ketone)-containing triphenylamine (KLHIP: PPBI), 1,4,5,8,9,11-hexaaza Triphenylene hexacarbonitrile (HATCN) and poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrenesulfonic acid) (PEDOT-PSS) may be used in combination.
  • KLHIP poly(arylene ether ketone)-containing triphenylamine
  • HTCN 1,4,5,8,9,11-hexaaza Triphenylene hexacarbonitrile
  • PEDOT-PSS poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrenesulfonic acid)
  • An aromatic amine derivative is used for the hole transport layer 3 .
  • the aromatic amine derivative and the above-described acceptor compound may be used in combination.
  • poly(9,9-dioctylfluorene-alto-N-(4-butylphenyl)diphenylamine) (TFB), 4,4′-cyclohexylidenebis[N , N-bis(4-methylphenyl)benzenamine] (TAPC), N,N'-diphenyl-N,N'-di(m-tolyl)benzidine (TPD), N,N'-di(1-naphthyl )-N,N'-diphenylbenzidine (NPD), 4DBFHPB (hexaphenylbenzene derivative), 4,4',4''-tri-9-carbazolyltriphenylamine (TCTA), 4,4',4' '-tris[phen
  • the light-emitting layer 5 it is preferable to use a host together with the light-emitting material, similarly to other light-emitting layers used in organic EL devices.
  • Examples of light-emitting materials include pyrene compounds having the following structural formulas and fluorescent light-emitting dopants composed of aromatic amine derivatives having a spiro skeleton.
  • boron compounds are also preferably used.
  • metal complexes such as iridium complexes and copper complexes, thermally activated delayed fluorescence (TADF) materials such as carbazole compounds, indolocarbazole compounds, and cyanobenzene compounds may be used.
  • TADF thermally activated delayed fluorescence
  • carbazole compounds such as carbazole compounds, indolocarbazole compounds, and cyanobenzene compounds
  • carbazole compounds such as carbazole compounds
  • indolocarbazole compounds such as carbazole compounds
  • cyanobenzene compounds such as carbazole compounds, indolocarbazole compounds, and cyanobenzene compounds
  • TADF thermally activated delayed fluorescence
  • carbazole compounds such as carbazole compounds, indolocarbazole compounds, and cyanobenzene compounds
  • cyanobenzene compounds such as carbazole compounds, indolocarbazole compounds, and cyanobenzene compounds
  • any known material can be used as long as it minimizes
  • R 9 to R 17 each independently represent hydrogen, deuterium, fluorine, a silyl group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an amino group, an aryl group having 6 to 30 nucleus atoms or a heteroaryl group having 5 to 30 nucleus atoms.
  • X represents a single bond or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms.
  • an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an amino group, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms and a heteroaryl group having 5 to 30 carbon atoms are represented by the general formula (1 ) are the same as those described for R 1 to R 8 in ).
  • R 9 to R 18 each independently represent hydrogen, deuterium, fluorine, a silyl group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an amino group, an aryl group having 6 to 30 nucleus atoms or a heteroaryl group having 5 to 30 nucleus atoms.
  • at least one of R 9 to R 18 is a substituent containing deuterium.
  • an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an amino group, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms and a heteroaryl group having 5 to 30 carbon atoms are represented by the general formula (1 ) are the same as those described for R 1 to R 8 in ).
  • anthracene derivative represented by formula (2) include the following.
  • anthracene derivative represented by formula (3) include the following.
  • the amount of the host added is 50 to 99.9 wt%, preferably 80 to 95 wt%, of the total material for the light-emitting layer 5.
  • the electron barrier layer 4 is formed of a monoamine derivative represented by the following general formula (4). Between the light-emitting layer 5 and the hole transport layer 3, the electron barrier layer 4 confines electrons in the light-emitting layer, increases the probability of charge recombination in the light-emitting layer 5, and improves the luminous efficiency.
  • R 6 to R 8 each independently represent hydrogen, deuterium, fluorine, a silyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or the number of nuclear atoms. It represents 5 to 30 heteroaryl groups. Specific examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, the aryl group having 6 to 30 carbon atoms and the heteroaryl group having 5 to 30 carbon atoms are the same as those described for R 1 to R 8 in general formula (1). are the same.
  • n6 to n8 are integers of 1 to 5, and when n6 to n8 are 2 or more, each of R 6 to R 8 may be the same or different, and adjacent substituents are linked to form a saturated or unsaturated may form a ring of
  • the cathode 9 has a low work function (4 eV or less) and is chemically stable. Specifically, in addition to Al, Ag and Au, an alloy of Al or Ag and an alkali metal such as AlLi or AgLi, or a cathode material such as AlCa, AgMg, AgCa or AgYb is used. These cathode materials are deposited by, for example, resistance heating vapor deposition, electron beam vapor deposition, sputtering, or ion plating.
  • the light transmittance of the cathode 9 is 50% or more in the emission wavelength region of 380 to 765 nm, and when Ag is used as the cathode material, the light transmittance is 80% or more, which is preferable.
  • Example 1 On a 26 mm ⁇ 28 mm ⁇ 0.7 mm glass substrate (manufactured by Optoscience Co., Ltd.), a film of Ag of 100 nm and ITO of 180 nm was formed by sputtering, and then polished to a thickness of 150 nm.
  • This transparent support substrate is fixed to a substrate holder of a commercially available vapor deposition apparatus (manufactured by Showa Shinku Co., Ltd.), and a molybdenum vapor deposition boat containing an acceptor compound (AC-10) for forming the hole injection layer 2,
  • a molybdenum deposition boat containing a triamine derivative (TA-1: a compound having the following structural formula) for forming the hole transport layer 3 and a monoamine derivative (MA-1: having the following structural formula) for forming the electron blocking layer 4 a molybdenum vapor deposition boat containing a compound having the following structure), a host material for forming the light emitting layer 5 (BH1: a compound having the following structural formula) and a blue light emitting material (BD1: a compound having the following structural formula) each molybdenum containing A molybdenum vapor deposition boat containing HBL (a compound having the following structural formula) as a hole blocking material and ETM (a compound having the following structural formula) as
  • a vapor deposition boat, a tungsten vapor deposition boat containing Yb as an electron injection material, and a tungsten vapor deposition boat containing Ag for forming the cathode 9 were mounted.
  • the structural formula of each material is shown below.
  • An ITO electrode formed by forming an ITO film on a transparent support substrate was used as an anode 1, and the above layers were sequentially formed on the anode 1.
  • the vacuum chamber was evacuated to 5 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa, and the vapor deposition boat containing the acceptor compound (AC-10) was first heated to vapor-deposit to a film thickness of 5 nm to form the hole injection layer 2 . . Then, the vapor deposition boat containing the triamine derivative (TA-1) was heated to vapor-deposit to a film thickness of 145 nm to form the hole transport layer 3 . Further, the vapor deposition boat containing the monoamine derivative (MA-1) was heated to vapor-deposit the monoamine derivative (MA-1) to a thickness of 5 nm to form an electron barrier layer 4 .
  • the vapor deposition boat containing BH1 and the vapor deposition boat containing BD1 were heated at the same time to vapor-deposit to a film thickness of 25 nm to form the light-emitting layer 5 .
  • the deposition rate was adjusted so that the weight ratio of BH1 and BD1 was approximately 95:5.
  • a hole blocking layer 6 was formed by heating a vapor deposition boat containing HBL and vapor-depositing HBL to a film thickness of 10 nm.
  • the evaporation boat containing the ETM was heated to deposit the ETM to a film thickness of 40 nm to form the electron transport layer 7 .
  • the deposition rate of each layer was 0.01-2 nm/sec.
  • the deposition boat containing Yb was heated to deposit Yb at a deposition rate of 0.01 to 0.1 nm/sec so as to have a film thickness of 1 nm, thereby forming an electron injection layer 8 .
  • a vapor deposition boat containing Ag was heated to vapor-deposit Ag at a vapor deposition rate of 0.01 to 2 nm/sec to form a cathode 9, thereby obtaining an organic EL device.
  • a DC voltage was applied using the ITO electrode as the anode 1 and the Yb/Ag electrode as the cathode 9, blue light emission was obtained.
  • a voltage was measured when the device reached a current density of 10 mA/cm 2 .
  • the results of Example 1 are shown in Table 1.
  • Example 2 An organic EL device was fabricated in the same manner as in Example 1, except that BH2 was used instead of BH1 as the host material for forming the light-emitting layer 5 .
  • Example 3 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1, except that BH3 was used instead of BH1 as the host material for forming the light-emitting layer 5 .
  • Example 1 An organic EL device was fabricated in the same manner as in Example 1, except that LiF was used as the electron injection material instead of Yb.
  • Example 2 An organic EL device was fabricated in the same manner as in Example 1, except that E1 was used instead of ETM as the electron transport material.
  • Example 3 An organic EL device was fabricated in the same manner as in Example 1, except that E2 was used as the electron transport material instead of ETM.

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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

電子輸送層と陰極材料との好適な組み合わせにより、より低電圧で駆動可能な有機ＥＬ素子を提供する。前記有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に、少なくとも発光層を含む一層又は二層以上の有機薄膜が挟持され、前記有機薄膜は（ｉ）～（iv）を備える。（ｉ）発光層と陰極との間に電子輸送層を備える。（ii）電子輸送層および／または電子輸送層よりも陰極側にイッテルビウム（Ｙｂ）またはイッテルビウム（Ｙｂ）化合物を含有する。（iii）電子輸送層がフェナントロリン骨格を有する化合物を含有する。（iv）陰極の光透過率が発光波長領域３８０～７６５ｎｍで５０％以上である。

Description

有機ＥＬ素子
　本発明は、より低電圧で駆動可能な有機ＥＬ素子に関する。
　有機ＥＬ素子では、一対の電極間に電圧を印加することにより、陽極から正孔が、陰極から電子が、発光材料として有機化合物を含む発光層にそれぞれ注入され、注入された電子および正孔が再結合することによって、発光性の有機化合物中に励起子が形成され、励起された有機化合物から発光を得ることができる。つまり、自己発光性素子であるため、有機ＥＬ素子は、液晶素子に比べて明るく視認性に優れ、鮮明な表示が可能である。有機ＥＬ素子は、自己発光性素子としての利点を活かし、高発光効率、高画質、低消費電力、長寿命、さらには薄型のデザイン性に優れた発光素子として期待されている。
　有機ＥＬ素子では、駆動による発光輝度低下を抑制するために電子輸送材料としてフェナントロリン誘導体を使用することが特許文献１により知られている。
　一方で、有機ＥＬ素子はＴＦＴ回路と組み合わせてディスプレイとして用いられることがあるが、開口率の問題からトップエミッション型と呼ばれる、透明基板とは反対側の電極から発光を取り出す構成が用いられる。その際に発光を取り出す透明電極の電気抵抗を低減するためにイッテルビウム（Ｙｂ）やイッテルビウム（Ｙｂ）化合物を用いることが特許文献２より知られている。特許文献２では、第１電極である反射型アノード電極に対向する第２電極をイッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んでなる積層膜で形成することにより、全体発光波長領域に対して透過率を向上させ、発光効率を改善している。
　またフェナントロリン誘導体の多量体を電子輸送層に用い、かつその電子輸送層中にアルカリ金属やその化合物を少量添加する素子構成が開示されており、その電子輸送層と陰極の間にＹｂ化合物層を設けたトップエミッション型の素子構成でも輝度劣化を抑制できることが特許文献３により知られている。
特許第３５６２６５２号公報 特許第４６０８５３８号公報 特開２００８－１７７４５９号公報
　本発明の目的は、電子輸送層と陰極材料との好適な組み合わせを行うことにより、より低電圧で駆動可能な有機ＥＬ素子を実現することにある。
　本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に、少なくとも発光層を含む一層又は二層以上の有機薄膜が挟持され、前記一層又は二層以上の有機薄膜が、以下（ｉ）～（iv）を備えることを特徴とする。
（ｉ）発光層と陰極との間に電子輸送層を備える。
（ii）電子輸送層および／または電子輸送層よりも陰極側に、イッテルビウム（Ｙｂ）またはイッテルビウム（Ｙｂ）化合物を含有する。
（iii）電子輸送層がフェナントロリン骨格を有する化合物を含有する。
（iv）陰極の光透過率が発光波長領域３８０～７６５ｎｍで５０％以上である。
　前記フェナントロリン骨格を有する化合物は、下記一般式（１）で表される化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 　一般式（１）中、Ｒ1～Ｒ8は、それぞれ独立に、水素、重水素、フッ素、シリル基、シアノ基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、アミノ基、または核炭素数６～３０のアリール基を表す。
　前記発光層は、下記一般式（２）または（３）で表されるアントラセン誘導体を５０％以上含有することが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 　一般式（２）中、Ｒ9～Ｒ17は、それぞれ独立に、水素、重水素、フッ素、シリル基、シアノ基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、アミノ基、核炭素数６～３０のアリール基または核原子数５～３０のヘテロアリール基を表し、Ｘは単結合、または核炭素数６～３０のアリーレン基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 　一般式（３）中、Ｒ9～Ｒ18は、それぞれ独立に、水素、重水素、フッ素、シリル基、シアノ基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、アミノ基、核炭素数６～３０のアリール基または核原子数５～３０のヘテロアリール基を表す。ただし、Ｒ9～Ｒ18のうち、少なくともひとつは重水素を含む置換基である。
　本発明によれば、既存の素子構成に比べて低電圧で電流が注入され、消費電力が低い有機ＥＬ素子を提供することができる。
本発明の有機ＥＬ素子の構成を表す。
　以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態について詳細に説明する。
　本発明の有機ＥＬ素子は、陽極１と陰極９との間に少なくとも発光層５を含む一層又は二層以上の有機薄膜が挟持された構造を有する。図１は、典型的な有機ＥＬ素子の構成を示しており、陽極１と陰極９との間に、正孔注入層２、正孔輸送層３、電子障壁層４、正孔障壁層６、電子輸送層７および電子注入層８からなる複数の有機薄膜が挟持されている。
　本発明の有機ＥＬ素子は、電子輸送層７、電子注入層８または陰極９が（ｉ）～（iv）を備えている。
（ｉ）発光層５と陰極９との間に電子輸送層７を備える。
（ii）電子輸送層７および／または電子輸送層７よりも陰極９側にＹｂまたはＹｂ化合物を含有する。
（iii）電子輸送層７がフェナントロリン骨格を有する化合物を含有する。
（iv）陰極９の光透過率が発光波長領域３８０～７６５ｎｍで５０％以上である。
　電子輸送層７に含まれるフェナントロリン骨格を有する化合物（以下「フェナントロリン誘導体」という。）は下記一般式（１）で表されるものが好適に用いられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　一般式（１）中、Ｒ1～Ｒ8は、それぞれ独立に、水素、重水素、フッ素、シリル基、シアノ基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、アミノ基、または核炭素数６～３０のアリール基を表す。
　シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基およびトリフェニルシリル基が挙げられる。
　炭素数１～６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、s－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ－ヘキシル基およびシクロヘキシル基が挙げられる。これらのうちイソプロピル基およびｔ－ブチル基が好適である。
　炭素数１～６のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ－ブトキシ基、s－ブトキシ基、ｔ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基およびシクロヘキシルオキシ基が挙げられる。これらのうちメトキシ基が好適である。
　アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基およびジフェニルアミノ基が挙げられる。
　核炭素数６～３０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナンスリル基、ピレニル基、クリセニル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基およびアセナフテニル基等が挙げられる。これらのうち、フェニル基およびナフチル基が好適である。さらに好適なのはＲ１、Ｒ３、Ｒ６、Ｒ８のいずれかが水素以外の置換基で置換されている場合である。
　一般式（１）で表される化合物は、具体的には下記の化合物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
  
　電子輸送層７の膜厚は１０～１００ｎｍであり、好適には３０～８０ｎｍであり、より好適には４０～６０ｎｍである。
　電子輸送層７は、一般式（１）のフェナントロリン誘導体を電子輸送層７全体の５０％以上含有することが好ましい。つまり、電子輸送層７は、一般式（１）で表されるフェナントロリン誘導体以外に、電子輸送材料として好ましい他の化合物を組み合わせて形成することができる。
　発光層５と電子輸送層７との間に正孔障壁層６を有していてもよい。正孔障壁層６は、発光層５を通過して電子輸送層７に正孔が注入されることを防止するための層である。
　正孔障壁層６としては、従来から知られている正孔障壁層６用材料を用いることができる。具体的には、ピリジン、ピリミジンもしくはトリアジンのようなアジン環を分子内に有する化合物、または、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チオジアゾール、イミダゾール、トリアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサジアゾール、ベンゾチオジアゾール、ベンゾイミダゾールもしくはベンゾトリアゾールのようなアゾール環を分子内に有する化合物が挙げられる。これらのうち、アジン環を分子内に有する化合物が好適であり、下記一般式（６）で表されるアジン環を分子内に有する化合物がより好適である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
　一般式（６）中、ＡはＮか－ＣＲである。ただし、Ａのうち少なくともひとつはＮである。
　Ｒは、核炭素数６～３０のアリール基または核原子数５～３０のヘテロアリール基であり、具体的には、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フェナンスリル基、ピリジニル基およびフルオレニル基等である。
　一般式（６）で表される化合物は、具体的には下記の化合物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 　正孔障壁層６の膜厚は５～３０ｎｍであり、好適には１０～２０ｎｍである。
　本発明の有機ＥＬ素子は、電子輸送層７および／または電子輸送層７よりも陰極９側にはＹｂまたはＹｂ化合物を含有する。すなわち、ＹｂまたはＹｂ化合物が電子輸送層７のみに含まれていてもよいし、電子輸送層７に加えて、電子輸送層７よりも陰極９側にある有機薄膜、具体的には、電子注入層８にも含まれていてもよい。また、電子輸送層７、電子注入層８および陰極９のいずれの層にも含まれていてもよい。或いは、ＹｂまたはＹｂ化合物が電子輸送層７には含まれず、電子注入層８にのみ含まれていてもよいし、電子注入層８および陰極９のみに含まれていてもよい。好ましくは電子注入層８がＹｂである素子構成である。
　Ｙｂ化合物としては、Ｙｂの酸化物やハロゲン化物を使用することができる。Ｙｂの酸化物は、酸化イッテルビウム（ＩＩＩ）（Ｙｂ2Ｏ3）である。Ｙｂのハロゲン化物は、Ｙｂのフッ化物、塩化物または臭化物などであり、具体的には、フッ化イッテルビウム（ＩＩＩ）（ＹｂＦ3）および臭化イッテルビウム（ＩＩＩ）（ＹｂＢｒ3）などが用いられる。ＹｂまたはＹｂ化合物は単独でも、他の有機化合物や無機化合物と組み合わせて用いてもよいが、ＹｂまたはＹｂの酸化物を単独で用いた薄膜を電子注入層８として、電極界面に設けることが好ましい。このとき、電子注入層８の膜厚は１～２０ｎｍであり、好適には５～１０ｎｍである。
　次に、図１を例に挙げて、有機ＥＬ素子の典型的な構成について説明する。
　基板（図示せず）には、平滑であって、数十～数百μｍの厚みのガラス基板や特殊なプラスチック等が用いられる。それらがＴＦＴ基板を備えている場合もある。
　基板上に形成される、陽極１、正孔注入層２、正孔輸送層３、電子障壁層４、発光層５、正孔障壁層６、電子輸送層７、電子注入層８、陰極９などの薄膜は、真空蒸着法または塗布法で積層される。真空蒸着法を用いる場合、通常１０-3Ｐａ以下に減圧した雰囲気で、蒸着物を加熱して行う。各層の膜厚は、層の種類や使用する材料によって異なるが、通常、陽極１および陰極９は１００ｎｍ程度、電子輸送層７では１０～１００ｎｍ、正孔障壁層６では５～３０ｎｍ、発光層５を含むその他の有機薄膜の膜厚は、概ね５０ｎｍ未満である。正孔輸送層３の膜厚が４０～４００ｎｍと他の有機層と比べて幅広い範囲で最適化が行われている。
　陽極１には、仕事関数が大きく、また全光線透過率が８０％以上である材料が用いられる。具体的には、陽極１から発光した光を透過させるため、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の透明導電性セラミックス、ポリチオフェン－ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ）やポリアニリン等の透明導電性高分子、その他の透明導電性材料が用いられる。
　陽極１から正孔を効率良く発光層５に輸送するために陽極１と発光層５の間に、正孔注入層２や、正孔輸送層３が設けられる。
　正孔注入層２はポリマーバッファー層とも呼ばれ、有機ＥＬ素子の駆動電圧を下げる効果を発揮する。正孔注入層２は、ラジアレン誘導体等のアクセプター性化合物で形成される。前記アクセプター性化合物以外に、本発明の効果を損なわない範囲で、例えば、（ポリ（アリーレンエーテルケトン）含有トリフェニルアミン（ＫＬＨＩＰ：ＰＰＢＩ）、１，４，５，８，９，１１－ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル（ＨＡＴＣＮ）およびポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４－スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ）等を併用してもよい。
　正孔輸送層３には、芳香族アミン誘導体が用いられる。芳香族アミン誘導体と前記したアクセプター性化合物とを併用してもよい。また、本発明の効果を損なわない範囲で、例えば、ポリ（９，９－ジオクチルフルオレン－アルト－Ｎ－（４－ブチルフェニル）ジフェニルアミン）（ＴＦＢ）、４，４’－シクロヘキシリデンビス［Ｎ，Ｎ－ビス（４－メチルフェニル）ベンゼンアミン］（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ジ（ｍ－トリル）ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン（ＮＰＤ）、４ＤＢＦＨＰＢ（ヘキサフェニルベンゼン誘導体）、４，４’，４’’－トリ－９－カルバゾリルトリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［フェニル（ｍ－トリル）アミノ］トリフェニルアミン）、４，４’－ビス［（４－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）フェニル］フェニルアミン、４，４’－ビス［４－（Ｎ－ナフチル－１－イル－Ｎ－フェニルアミノ）フェニル］フェニルアミンおよび４，４’－ビス［４－（Ｎ－ナフチル－１－イル－Ｎ－フェニルアミノ）フェニル］トリフェニルアミン（ＴＡ－１）等を併用してもよい。
　発光層５には、有機ＥＬ素子で用いられる他の発光層と同様に、発光材料と共にホストを併用することが好ましい。発光材料には、例えば、下記構造式を有するピレン化合物やスピロ骨格を有する芳香族アミン誘導体からなる蛍光発光性ドーパントがある。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
 　また、以下のようなホウ素化合物も好ましく用いられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
　また、イリジウム錯体および銅錯体等の金属錯体、カルバゾール化合物、インドロカルバゾール化合物、およびシアノベンゼン化合物等の熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料を用いてもよい。ホストには、正孔輸送層３や電子輸送層７からの電荷注入障壁を最小限にし、電荷を発光層５に閉じ込め、かつ、発光励起子の消光を防ぐものであれば、公知の材料を広く用いることができる。ホストには、例えば、下記一般式（２）または（３）で表されるアントラセン誘導体が好適に用いられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
　一般式（２）中、Ｒ9～Ｒ17は、それぞれ独立に、水素、重水素、フッ素、シリル基、シアノ基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、アミノ基、核炭素数６～３０のアリール基または核原子数５～３０のヘテロアリール基を表す。
　Ｘは単結合、または核炭素数６～３０のアリール基を表す。
　炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、アミノ基、核炭素数６～３０のアリール基および核原子数５～３０のヘテロアリール基の具体例は、一般式（１）のＲ1～Ｒ8について説明したものと同じである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
　一般式（３）中、Ｒ9～Ｒ18は、それぞれ独立に、水素、重水素、フッ素、シリル基、シアノ基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、アミノ基、核炭素数６～３０のアリール基または核原子数５～３０のヘテロアリール基を表す。ただし、Ｒ9～Ｒ18のうち、少なくともひとつは重水素を含む置換基である。
　炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、アミノ基、核炭素数６～３０のアリール基および核原子数５～３０のヘテロアリール基の具体例は、一般式（１）のＲ1～Ｒ8について説明したものと同じである。
　一般式（２）で表されるアントラセン誘導体の具体例としては、以下のようなものが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
　また一般式（３）で表されるアントラセン誘導体の具体例としては以下のようなものが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
　ホストの添加量は、発光層５用材料全体の５０～９９．９ｗｔ％、好適には８０～９５ｗｔ％である。
　電子障壁層４は、下記一般式（４）で表されるモノアミン誘導体で形成される。電子障壁層４は、発光層５と正孔輸送層３との間で、電子を発光層内に閉じ込めて、発光層５における電荷の再結合確率を高め、発光効率を向上させる働きをする。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
　一般式（４）中、Ｒ6～Ｒ8は、それぞれ独立に、水素、重水素、フッ素、シリル基、炭素数１～６のアルキル基、核炭素数６～３０のアリール基または核原子数５～３０のヘテロアリール基を表す。炭素数１～６のアルキル基、核炭素数６～３０のアリール基および核原子数５～３０のヘテロアリール基の具体例は、一般式（１）のＲ1～Ｒ8について説明したものと同じである。
　ｎ６～ｎ８は１～５の整数であり、ｎ６～ｎ８が２以上の場合、Ｒ6～Ｒ8のそれぞれは同一でも異なっていてもよく、隣接する置換基同士が連結して飽和または不飽和の環を形成してもよい。
　陰極９には、仕事関数が低く（４ｅＶ以下）、かつ、化学的に安定なものが用いられる。具体的には、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕの他に、ＡｌＬｉやＡｇＬｉ等のＡｌもしくはＡｇとアルカリ金属との合金、またはＡｌＣａ、ＡｇＭｇ、ＡｇＣａ、ＡｇＹｂ等の陰極材料が用いられる。これらの陰極材料は、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、またはイオンプレーティング法により成膜される。
　陰極９の光透過率は発光波長領域３８０～７６５ｎｍで５０％以上であり、陰極材料にＡｇを用いた場合、光透過率が８０％以上となり好適である。
　以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は下記実施例により制限されるものではない。
　〔実施例１〕
　２６ｍｍ×２８ｍｍ×０．７ｍｍのガラス基板（（株）オプトサイエンス製）上に、スパッタリングによりＡｇを１００ｎｍ、ＩＴＯを１８０ｎｍの厚さに製膜した後、１５０ｎｍの厚さまで研磨して、透明支持基板とした。
　この透明支持基板を市販の蒸着装置（（株）昭和真空製）の基板ホルダーに固定し、正孔注入層２形成用のアクセプター性化合物（ＡＣ－１０）を入れたモリブデン製蒸着用ボートと、正孔輸送層３形成用のトリアミン誘導体（ＴＡ－１：下記構造式を有する化合物）を入れたモリブデン製蒸着用ボートと、電子障壁層４形成用のモノアミン誘導体（ＭＡ－１：下記構造式を有する化合物）を入れたモリブデン製蒸着用ボートと、発光層５形成用のホスト材料（ＢＨ１：下記構造式を有する化合物）および青色発光材料（ＢＤ１：下記構造式を有する化合物）を入れた各モリブデン製蒸着用ボートと、正孔障壁材料として、ＨＢＬ（下記構造式を有する化合物）を入れたモリブデン製蒸着用ボートと、電子輸送材料としてＥＴＭ（下記構造式を有する化合物）を入れた各モリブデン製蒸着用ボートと、電子注入材料としてＹｂを入れたタングステン製蒸着用ボートと、陰極９形成用のＡｇを入れたタングステン製蒸着用ボートとを装着した。
　それぞれの材料の構造式を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
　透明支持基板にＩＴＯを成膜したＩＴＯ電極を陽極１とし、陽極１上に順次、前記各層を形成した。真空槽を５×１０-4Ｐａまで減圧し、まずアクセプター性化合物（ＡＣ－１０）が入った蒸着用ボートを加熱して膜厚５ｎｍになるように蒸着して正孔注入層２を形成した。次いでトリアミン誘導体（ＴＡ－１）が入った蒸着用ボートを加熱して膜厚１４５ｎｍになるように蒸着して正孔輸送層３を形成した。さらにモノアミン誘導体（ＭＡ－１）が入った蒸着用ボートを加熱して膜厚５ｎｍになるように蒸着して電子障壁層４を形成した。
　次に、ＢＨ１が入った蒸着用ボートと、ＢＤ１が入った蒸着用ボートを同時に加熱して膜厚２５ｎｍになるように蒸着して、発光層５を形成した。このとき、ＢＨ１とＢＤ１の重量比がおよそ９５対５になるように蒸着速度を調整した。
　次に、ＨＢＬが入った蒸着用ボートを加熱して膜厚１０ｎｍになるように蒸着して正孔障壁層６を形成した。次いで、ＥＴＭが入った蒸着用ボートを加熱して膜厚４０ｎｍになるように蒸着して電子輸送層７を形成した。
　各層の蒸着速度は０．０１～２ｎｍ／秒であった。
　その後、Ｙｂが入った蒸着用ボートを加熱して膜厚１ｎｍになるように０．０１～０．１ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し、電子注入層８を形成した。次いで、Ａｇが入った蒸着用ボートを加熱して７ｎｍになるように、０．０１～２ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着することにより陰極９を形成し、有機ＥＬ素子を得た。
　ＩＴＯ電極を陽極１、Ｙｂ／Ａｇ電極を陰極９として直流電圧を印加すると青色発光が得られた。
　この素子が１０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度になる際の電圧を測定した。実施例１の結果を表１に示す。
　〔実施例２〕
　発光層５形成用のホスト材料として、ＢＨ１の代わりにＢＨ２を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
　〔実施例３〕
　発光層５形成用のホスト材料として、ＢＨ１の代わりにＢＨ３を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
　〔比較例１〕
　電子注入材料として、Ｙｂの代わりにＬｉＦを用いた以外は、実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
　〔比較例２〕
　電子輸送材料として、ＥＴＭの代わりにＥ１を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
　〔比較例３〕
　電子輸送材料として、ＥＴＭの代わりにＥ２を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000027
 　本発明の素子構成では、公知技術に比較して、低電圧で青色発光を得られることが分かった。
１　　　　　　陽極
２　　　　　　正孔注入層
３　　　　　　正孔輸送層
４　　　　　　電子障壁層
５　　　　　　発光層
６　　　　　　正孔障壁層
７　　　　　　電子輸送層
８　　　　　　電子注入層
９　　　　　　陰極

Claims (3)

  1. 　陽極と陰極との間に、少なくとも発光層を含む一層又は二層以上の有機薄膜が挟持され、前記一層又は二層以上の有機薄膜が、以下（ｉ）～（iv）を備えることを特徴とする有機ＥＬ素子。
    （ｉ）発光層と陰極との間に電子輸送層を備える。
    （ii）電子輸送層および／または電子輸送層よりも陰極側に、イッテルビウム（Ｙｂ）またはイッテルビウム（Ｙｂ）化合物を含有する。
    （iii）電子輸送層がフェナントロリン骨格を有する化合物を含有する。
    （iv）陰極の光透過率が発光波長領域３８０～７６５ｎｍで５０％以上である。
  2. 　前記フェナントロリン骨格を有する化合物が、下記一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （一般式（１）中、Ｒ1～Ｒ8は、それぞれ独立に、水素、重水素、フッ素、シリル基、シアノ基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、アミノ基、または核炭素数６～３０のアリール基を表す。）
  3. 　前記発光層が、下記一般式（２）または（３）で表されるアントラセン誘導体を５０％以上含有することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （一般式（２）中、Ｒ9～Ｒ17は、それぞれ独立に、水素、重水素、フッ素、シリル基、シアノ基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、アミノ基、核炭素数６～３０のアリール基または核原子数５～３０のヘテロアリール基を表し、Ｘは単結合、または核炭素数６～３０のアリーレン基を表す。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     （一般式（３）中、Ｒ9～Ｒ18は、それぞれ独立に、水素、重水素、フッ素、シリル基、シアノ基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、アミノ基、核炭素数６～３０のアリール基または核原子数５～３０のヘテロアリール基を表す。ただし、Ｒ9～Ｒ18のうち、少なくともひとつは重水素を含む置換基である。）
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