WO2022210214A1 - 窒化ケイ素粉末、スラリー、及び窒化ケイ素焼結体の製造方法 - Google Patents

窒化ケイ素粉末、スラリー、及び窒化ケイ素焼結体の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2022210214A1
WO2022210214A1 PCT/JP2022/013725 JP2022013725W WO2022210214A1 WO 2022210214 A1 WO2022210214 A1 WO 2022210214A1 JP 2022013725 W JP2022013725 W JP 2022013725W WO 2022210214 A1 WO2022210214 A1 WO 2022210214A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
silicon nitride
particle size
peak
nitride powder
size distribution
Prior art date
Application number
PCT/JP2022/013725
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
祐三 中村
敏行 宮下
Original Assignee
デンカ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by デンカ株式会社 filed Critical デンカ株式会社
Priority to JP2022533452A priority Critical patent/JP7171973B1/ja
Publication of WO2022210214A1 publication Critical patent/WO2022210214A1/ja

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/068Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/584Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride

Definitions

  • the present disclosure relates to silicon nitride powders, slurries, and methods for manufacturing silicon nitride sintered bodies.
  • Silicon nitride is a material with excellent strength, hardness, toughness, heat resistance, corrosion resistance, and thermal shock resistance. Therefore, silicon nitride sintered bodies are used for various industrial parts such as die casting machines and melting furnaces, and automobile parts. In addition, since silicon nitride sintered bodies are excellent in mechanical properties at high temperatures, their use in gas turbine components, which require high-temperature strength and high-temperature creep properties, has been investigated.
  • Patent Document 1 proposes a silicon nitride sintered body characterized by having a thermal conductivity of 100 to 300 W/(m K) at room temperature and a three-point bending strength of 600 to 1500 MPa at room temperature.
  • Patent Literature 2 proposes a technique for suppressing contamination of polycrystalline silicon ingots with impurities by adjusting the particle size distribution of silicon nitride powder used as a mold release agent when manufacturing polycrystalline silicon ingots.
  • JIS Z 8825 2013 "7.2 Sample inspection, preparation, dispersion, and concentration”
  • silicon nitride powder containing silicon nitride particles of submicron order is mixed with a solvent to prepare a slurry, and a molded body is manufactured by a doctor blade method or the like.
  • a slurry preferably has excellent fluidity in order to suppress variations in the properties of the molded body and the silicon nitride sintered body obtained by firing the same.
  • the present disclosure provides a silicon nitride powder capable of stably preparing a slurry having excellent fluidity and a method for producing the same.
  • the present disclosure provides slurries with excellent fluidity by containing such silicon nitride powders.
  • the present disclosure provides a manufacturing method capable of manufacturing a silicon nitride sintered body having excellent thermal conductivity and mechanical properties and reduced variation in properties by using such a silicon nitride powder. .
  • the present disclosure includes primary particles of silicon nitride and aggregated particles in which a plurality of primary particles are aggregated, and is measured by a laser diffraction/scattering method without dispersion treatment.
  • a silicon nitride powder is provided in which a particle size distribution A has a first peak peaking in a particle size range of less than 1 ⁇ m and a second peak peaking in a particle size range of 1 ⁇ m or more.
  • the fluidity of the silicon nitride powder slurry is thought to vary not only with the concentration of solids, but also with the particle size.
  • a method for evaluating the particle size distribution of silicon nitride powder a method using a laser diffraction/scattering method is generally used.
  • the solvent is usually removed by ultrasonic treatment or the like. Dispersion treatment is carried out in order to break up aggregated particles. The particle size distribution is evaluated after crushing the agglomerated particles by performing such dispersion treatment.
  • the particle size distribution A is measured by a laser diffraction/scattering method without performing dispersion treatment. Since the particle size distribution A is measured while the aggregated particles are kept agglomerated, the correlation with the fluidity of the slurry can be made sufficiently high.
  • the particle size distribution A of this silicon nitride powder has a first peak having a peak in a particle size range of less than 1 ⁇ m in addition to a second peak having a peak in a particle size range of 1 ⁇ m or more.
  • Such silicon nitride powders have a low proportion of agglomerated particles and a high proportion of non-agglomerated primary particles. Therefore, the silicon nitride powder of the present disclosure can be stably obtained as a slurry having excellent fluidity.
  • the area ratio of the second peak to the entire particle size distribution A may be 80% or less. As a result, the ratio of agglomerated particles becomes sufficiently small, and a slurry having even better fluidity can be stably prepared.
  • the ratio of the particle size at the top of the second peak to the particle size at the top of the first peak may be 4 or less.
  • the number of primary particles contained in the aggregated particles can be reduced, and the size of the aggregated particles can be reduced. Therefore, the fluidity of the slurry can be further enhanced.
  • coarse particles can be reduced, when used as a raw material for a silicon nitride sintered body, the uniformity of the microstructure is improved, and the thermal conductivity and mechanical properties of the silicon nitride sintered body can be made to a sufficiently high level. can.
  • the volume-based particle size distribution B measured by a laser diffraction/scattering method has a third peak in a particle size range of less than 1 ⁇ m and a particle size range of 1 ⁇ m or more. and a fourth peak,
  • the difference when the area ratio of the fourth peak to the entire particle size distribution B is subtracted from the area ratio of the second peak to the entire particle size distribution A may be 22% or less.
  • the dispersing treatment is performed, the aggregated particles are pulverized into primary particles. Therefore, when the ratio of the aggregated particles contained before the dispersion treatment is high, the ratio of the aggregated particles is greatly reduced by the dispersion treatment.
  • the difference between the area ratio of the fourth peak and the area ratio of the second peak is less than or equal to a predetermined value. Therefore, the content of the original agglomerated particles contained in the silicon nitride powder before dispersion treatment is sufficiently low.
  • Such a silicon nitride powder can stably prepare a slurry having better fluidity.
  • the silicon nitride powder may have an average particle size of 1.0 to 2.5 ⁇ m. This makes it possible to stably prepare a slurry having even better fluidity.
  • the thermal conductivity and mechanical properties of the silicon nitride sintered body can be made to a higher level.
  • the viscosity (30 rpm) at 25°C of the slurry obtained by mixing the silicon nitride powder and water at a mass ratio of 1:1 may be 10 Pa ⁇ s or less.
  • a silicon nitride powder since aggregation of primary particles is suppressed, it can be sufficiently densified, for example, when a silicon nitride sintered body is produced. Therefore, the silicon nitride sintered body can have a sufficiently high level of thermal conductivity and mechanical properties.
  • the present disclosure provides a slurry containing the silicon nitride powder described above.
  • the slurry has stable and excellent fluidity. Therefore, for example, when used in the production of a silicon nitride sintered body, the thermal conductivity and mechanical properties of the silicon nitride sintered body can be stably increased to a high level.
  • the present disclosure provides a method for manufacturing a silicon nitride sintered body, which has a step of molding and firing a sintering raw material containing silicon nitride powder.
  • the silicon nitride sintered body obtained by this manufacturing method uses a sintering raw material containing silicon nitride powder having a low ratio of agglomerated silicon nitride particles and a high ratio of primary particles. Therefore, the silicon nitride sintered body can be sufficiently densified when manufactured. Also, the uniformity of the microstructure of the silicon nitride sintered body can be improved. Thereby, it is possible to obtain a silicon nitride sintered body that is excellent in thermal conductivity and mechanical properties and has reduced variation in properties.
  • a silicon nitride powder that can stably prepare a slurry with excellent fluidity and a method for producing the same.
  • a slurry having excellent fluidity can be provided.
  • a production method capable of producing a silicon nitride sintered body having excellent thermal conductivity and mechanical properties and reduced variations in properties is provided.
  • FIG. 2 is a diagram showing an example of volume-based particle size distribution of silicon nitride powder measured by a particle size distribution measuring device using a laser diffraction/scattering method.
  • 1 is a diagram showing measurement results of particle size distribution in Example 1.
  • FIG. 10 is a diagram showing measurement results of particle size distribution in Example 2;
  • 3 is a diagram showing measurement results of particle size distribution of Comparative Example 1.
  • FIG. 10 is a diagram showing the measurement results of the particle size distribution of Comparative Example 2;
  • the silicon nitride powder contains primary particles of silicon nitride and agglomerated particles in which a plurality of primary particles are aggregated, and is measured by a laser diffraction/scattering method without dispersion treatment. has a first peak with an apex in the particle size range of less than 1 ⁇ m and a second peak with an apex in the particle size range of 1 ⁇ m or more.
  • the primary particles and agglomerates of silicon nitride may have an oxide such as silicon dioxide on the surface.
  • the purity of silicon nitride in the silicon nitride powder may be 98% by mass or higher, or may be 99% by mass or higher.
  • FIG. 1 is a diagram showing an example of volume-based particle size distribution of silicon nitride powder measured with a particle size distribution measuring device using a laser diffraction/scattering method.
  • the horizontal axis is the particle size [ ⁇ m] on a logarithmic scale, and the vertical axis is the frequency [% by volume].
  • the particle size distribution in the present disclosure is measured according to the method described in JIS Z 8825:2013 "Particle Size Analysis-Laser Diffraction/Scattering Method".
  • the particle size distribution measured without dispersion treatment before the measurement of the particle size distribution is referred to as "particle size distribution A".
  • Particle size distribution A is measured while maintaining aggregated particles.
  • Examples of dispersion treatment include those carried out as pretreatments for normal particle size distribution. Examples thereof include dispersion by ultrasonic waves, and mixing using a stirrer, a stirring blade, a spatula, or the like.
  • the particle size distribution A For the measurement of the particle size distribution A, first, 60 mg of silicon nitride powder is weighed into a 500 mL container. A 20% aqueous solution (2 mL) of sodium hexametaphosphate and water (200 g) are blended with this as a dispersant to obtain a measurement sample. The particle size distribution A is measured using this measurement sample. For the measurement of the particle size distribution A, LS-13 320 (trade name) manufactured by Beckman Coulter is used. As measurement conditions, the particle refractive index is 2.2 and the solvent refractive index is 1.33.
  • the particle size distribution A measured under the above conditions has a first peak 10 having an apex in the particle size range of less than 1 ⁇ m and a second peak 20 having an apex in the particle size range of 1 ⁇ m or more. That is, the particle size distribution A has a valley between the first peak 10 and the second peak 20 . Particle size distribution A consists of two peaks and a valley between them.
  • a first peak 10 indicates the particle size of the primary particles of silicon nitride.
  • the particle diameter d1 at the top of the first peak 10 may be 0.2-0.95 ⁇ m.
  • the lower limit of the particle diameter d1 may be 0.3 ⁇ m, 0.4 ⁇ m, or 0.5 ⁇ m from the viewpoint of ease of production.
  • the upper limit of the particle diameter d1 may be 0.9 ⁇ m, 0.8 ⁇ m, or 0.7 ⁇ m from the viewpoint of improving sinterability.
  • the second peak 20 indicates the particle size of aggregated particles formed by aggregating primary particles.
  • aggregated particles refers to particles that are not unaggregated even when the above dispersant is added.
  • the particle diameter d2 at the apex of the second peak 20 may be greater than 1.5 ⁇ m and less than 4.0 ⁇ m.
  • the lower limit of the particle diameter d2 may be 1.6 ⁇ m, 1.7 ⁇ m, or 1.8 ⁇ m from the viewpoint of improving sinterability.
  • the upper limit of the particle diameter d2 may be 3.5 ⁇ m, 3.0 ⁇ m, or 2.5 ⁇ m from the viewpoint of improving sinterability.
  • the ratio (d2/d1) of particle diameter d2 to particle diameter d1 may be 4 or less, or 3.5 or less. It may be 3 or less. As a result, the number of primary particles contained in the aggregated particles can be reduced, and the size of the aggregated particles can be reduced. Therefore, when slurry containing silicon nitride powder is prepared, the fluidity of the slurry can be further increased.
  • the ratio (d2/d1) of the particle diameter d2 to the particle diameter d1 may be 1 or more, or 2 or more, from the viewpoint of sufficiently small primary particles.
  • the area ratio of the first peak 10 to the entire particle size distribution A may be 10% or more, 15% or more, or 20% or more. Also, the area ratio of the first peak 10 to the entire particle size distribution A may be 45% or less, 40% or less, or 30% or less.
  • the area ratio of the second peak 20 to the entire particle size distribution A may be 80% or less, 78% or less, or 76% or less. As a result, the proportion of agglomerated particles in the silicon nitride powder can be reduced, and the fluidity of the slurry can be further increased. From a similar point of view, the area ratio of the first peak 10 to the entire particle size distribution A may be 20% or more, 22% or more, or 24% or more. In the present disclosure, the area ratio of the first peak is the cumulative value of frequency in the particle size range of less than 1 ⁇ m, and the area ratio of the second peak is the cumulative value of frequency in the particle size range of 1 ⁇ m or more. The sum of the area ratios of the first peak 10 and the second peak 20 is 100%. The area ratio of the second peak 20 to the entire particle size distribution A may be 40% or more, or may be 50% or more, from the viewpoint of smooth production.
  • the frequency at the top of the first peak 10 may be 1.00% by volume or more, may be 1.50% by volume or more, may be 1.75% by volume or more, or may be 2.00% by volume or more. may be 2.25% by volume or more.
  • the frequency at the top of the first peak 10 may be 5.00 vol% or less, may be 4.50 vol% or less, may be 4.00 vol% or less, and may be 3.50 vol% or less. and may be 3.00% by volume or less.
  • the frequency at the apex of the second peak 20 may be 4.00 vol% or more, 4.50 vol% or more, 5.00 vol% or more, 5.25 vol% or more. you can The frequency at the apex of the second peak 20 may be 8.00 vol% or less, may be 7.50 vol% or less, may be 7.00 vol% or less, and may be 6.50 vol% or less. may be 6.25% by volume or less.
  • the average particle size (D50, median size) of the silicon nitride powder obtained from the particle size distribution A may be 1.0 to 2.5 ⁇ m.
  • the average particle size is the particle size in the cumulative distribution of particle size distribution A when the integrated value from the small particle size reaches 50% of the total.
  • the average particle size may be 1.2-1.9 ⁇ m, and may be 1.4-1.8 ⁇ m. This makes it possible to stably prepare a slurry having even better fluidity.
  • the thermal conductivity and mechanical properties of the silicon nitride sintered body can be made to a higher level.
  • D10 when the particle size when the integrated value from the small particle size reaches 10% of the total is D10, D10 may be 0.8 ⁇ m or less, and may be 0.7 ⁇ m or less. may be This can sufficiently improve the sinterability of the silicon nitride powder.
  • the lower limit of D10 may be 0.2 ⁇ m or more from the viewpoint of ease of manufacture.
  • D90 when the particle size when the integrated value from the small particle size reaches 90% of the total is D90, D90 may be 5.8 ⁇ m or less, and may be 5.0 ⁇ m or less. may be This makes it possible to further increase the fluidity of the slurry.
  • the lower limit of D90 may be 3.0 ⁇ m or more from the viewpoint of ease of manufacture.
  • the particle size distribution B in FIG. 1 is measured by dispersing the silicon nitride powder.
  • the particle size distribution B is measured by dispersing the silicon nitride powder.
  • 60 mg of silicon nitride powder is weighed into a 500 mL container.
  • a 20% aqueous solution (2 mL) of sodium hexametaphosphate and water (200 g) are mixed with this as a dispersant to obtain a measurement sample.
  • the container containing the water and the silicon nitride powder is set in an ultrasonic dispersion machine manufactured by Sharp Corporation, and ultrasonic dispersion is performed for 3 minutes.
  • the particle size distribution is measured using the particle size distribution measuring apparatus used in the measurement of the particle size distribution A.
  • the particle size distribution B is measured under the same measurement conditions as the particle size distribution A, except that the dispersion treatment described above is performed.
  • the particle size distribution B measured under the above conditions has a third peak 30 having a peak in the particle size range of less than 1 ⁇ m and a fourth peak 40 having a peak in the particle size range of 1 ⁇ m or more. That is, the particle size distribution B has a valley between the third peak 30 and the fourth peak 40 .
  • the difference between the second peak 20 and the fourth peak 40 is the frequency of deagglomerated particles among the agglomerated particles present before the ultrasonic treatment. Having the fourth peak 40 is not essential, and the fourth peak 40 may be absent. In this case, it means that most or all of the agglomerated particles contained in the silicon nitride powder were crushed into primary particles.
  • the particle size distribution B consists of two peaks and a valley between them.
  • a third peak 30 indicates the particle size of the primary particles of silicon nitride.
  • the particle diameter d3 at the top of the third peak 30 may be 0.2-0.95 ⁇ m.
  • the lower limit of the particle diameter d3 may be 0.3 ⁇ m, 0.4 ⁇ m, or 0.5 ⁇ m from the viewpoint of ease of production.
  • the upper limit of the particle diameter d1 may be 0.9 ⁇ m, 0.8 ⁇ m, or 0.7 ⁇ m from the viewpoint of improving sinterability.
  • the fourth peak 40 indicates the particle size of coarse particles that are not pulverized in the dispersion treatment.
  • the particle diameter d4 at the apex of the fourth peak 40 may be greater than 1.5 ⁇ m and less than 4.0 ⁇ m.
  • the lower limit of the particle diameter d4 may be 1.6 ⁇ m, 1.7 ⁇ m, or 1.8 ⁇ m from the viewpoint of improving sinterability.
  • the upper limit of the particle diameter d4 may be 3.5 ⁇ m, 3.0 ⁇ m, or 2.5 ⁇ m from the viewpoint of improving sinterability.
  • the area ratio of the fourth peak 40 to the entire particle size distribution B may be, for example, 60% or less.
  • the area ratio of the third peak 30 to the entire particle size distribution B may be, for example, 40% or more.
  • the area ratio of the third peak is the cumulative value of frequency in the particle size range of less than 1 ⁇ m
  • the area ratio of the fourth peak is the cumulative value of frequency in the particle size range of 1 ⁇ m or more.
  • the sum of the area ratios of the third peak 30 and the fourth peak 40 is 100%.
  • the difference ( ⁇ 1) obtained by subtracting the area ratio of the fourth peak to the entire particle size distribution B from the area ratio of the second peak to the entire particle size distribution A may be 22% or less, and 20% or less. may be A small difference means that the ratio of agglomerated particles contained in the silicon nitride powder before dispersion treatment is low. Such silicon nitride powder can stably prepare a slurry having better fluidity.
  • the difference ( ⁇ 2) when the area ratio of the first peak to the entire particle size distribution A is subtracted from the area ratio of the third peak to the entire particle size distribution B is 22% or less. It may be 20% or less.
  • the difference ( ⁇ 1) may be 5% or more, or may be 10% or more, from the viewpoint of ease of manufacture. From a similar point of view, the difference ( ⁇ 2) may be 5% or more, or 10% or more.
  • a slurry according to one embodiment contains silicon nitride powder and water.
  • the viscosity (30 rpm) at 25° C. of the slurry containing the silicon nitride powder and water at a mass ratio of 1:1 may be 10 Pa s or less, 8 Pa s or less, or 6 Pa s or less. It may be 5 Pa ⁇ s or less.
  • a slurry having such a low viscosity is excellent in dispersibility of the silicon nitride powder, which is a solid content. Therefore, when the silicon nitride sintered body is produced by the wet molding process, it is possible to sufficiently reduce variations in the properties of the silicon nitride sintered body. Therefore, a silicon nitride sintered body having high thermal conductivity and mechanical properties can be produced smoothly and stably.
  • the viscosity (60 rpm) at 25° C. of the slurry containing silicon nitride powder and water at a mass ratio of 1:1 may be 6 Pa s or less, 5 Pa s or less, It may be 4 Pa ⁇ s or less, or may be 3 Pa ⁇ s or less.
  • the viscosity (30 rpm) of the slurry at 25°C may be 1 Pa ⁇ s or more, or may be 2 Pa ⁇ s or more. From the same point of view, the viscosity (60 rpm) of the slurry at 25° C. may be 0.5 Pa ⁇ s or more, or 1 Pa ⁇ s or more.
  • the viscosity of the slurry changes depending on the aggregation state of the primary particles of silicon nitride. That is, if the silicon nitride powder has a reduced content of agglomerated particles formed by aggregating primary particles of silicon nitride, the viscosity of the slurry can be lowered. Therefore, the compact can be produced smoothly. If a silicon nitride powder capable of reducing the viscosity of the slurry is used, variations in the properties of the silicon nitride sintered body can be sufficiently reduced even in a dry molding process. Therefore, it is possible to stably produce a silicon nitride sintered body having high thermal conductivity and mechanical properties in both wet and dry processes.
  • Slurry viscosity in the present disclosure is measured by the following procedure. Water and silicon nitride powder are blended at a mass ratio of 1:1 and stirred with a stirrer until the viscosity becomes constant. This ensures a sufficiently uniform dispersion of the silicon nitride powder in the water.
  • the viscosity of the prepared slurry is measured using a commercially available B-type viscometer. The viscosity is measured at 25° C. and at a predetermined rotation speed (30 rpm, 60 rpm, etc.). As the B-type viscometer, TVB-10 (trade name) manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd. can be used.
  • the method for producing a silicon nitride powder of this example includes a firing step of firing a silicon powder in an atmosphere containing nitrogen and at least one selected from the group consisting of hydrogen and ammonia to obtain a fired product; It has a pulverization step of dry-pulverizing a material to obtain a pulverized material, and a classification step of dry-classifying the pulverized material.
  • silicon powder with a low oxygen concentration may be used.
  • the oxygen concentration of the silicon powder may be, for example, 0.40% by mass or less, 0.30% by mass or less, or 0.20% by mass or less.
  • the lower limit of the oxygen concentration of the silicon powder may be, for example, 0.10% by mass or 0.15% by mass.
  • the silicon powder may have an oxygen concentration of, for example, 0.10 to 0.40% by mass. Incidentally, the oxygen concentration of the silicon powder can be measured by an infrared absorption method.
  • the silicon powder is fired in a mixed atmosphere containing nitrogen and at least one selected from the group consisting of hydrogen and ammonia to obtain a fired product containing silicon nitride.
  • the total content of hydrogen and ammonia in the mixed atmosphere may be, for example, 10-40% by volume based on the entire mixed atmosphere.
  • the firing temperature may be, for example, 1100-1450°C, or 1200-1400°C.
  • the firing time may be, for example, 30-100 hours.
  • the fired product obtained in the firing step is dry-pulverized to obtain a pulverized product.
  • the pulverization process may be divided into multiple stages such as coarse pulverization and fine pulverization.
  • the milling process may include two stages, a ball milling process and a vibratory milling process.
  • the filling rate of balls in the container in the ball milling process may be 30 to 70% by volume.
  • the lower limit of the ball filling rate in the container may be, for example, 50% by volume or 60% by volume based on the volume of the container.
  • the upper limit of the ball filling rate in the container may be, for example, 65% by volume based on the volume of the container.
  • the grinding treatment time (grinding time) in the ball mill grinding step may be 5 to 15 hours, or may be 8 to 12 hours. As a result, the aggregated particles can be made sufficiently fine while suppressing excessive pulverization.
  • the pulverized material obtained in the ball mill pulverization step may be further pulverized by the vibration mill pulverization step.
  • the filling rate of the balls in the container in the vibratory milling process may be 50 to 80% by volume, or may be 60 to 75% by volume.
  • the grinding treatment time (grinding time) in the vibration mill grinding step may be 8 to 20 hours, or may be 12 to 17 hours.
  • the aggregated particles can be made sufficiently fine while suppressing excessive pulverization, and the ratio (d2/d1) of the particle diameter d2 to the particle diameter d1 can be adjusted.
  • the difference ( ⁇ 1) obtained by subtracting the area ratio of the fourth peak from the area ratio of the second peak can be adjusted. For example, by increasing the time, the ratio (d2/d1) can be decreased and the difference ( ⁇ 1) can be decreased.
  • the pulverized material obtained in the pulverization step is dry-classified to obtain a silicon nitride powder having a desired particle size distribution.
  • a silicon nitride powder having a desired particle size distribution.
  • at least a portion of aggregated particles can be excluded to increase the ratio of primary particles and increase the area ratio of the first peak.
  • Dry classification can be performed by air classification or the like.
  • the airflow classifier can be classified by using a whirling airflow type using secondary air.
  • DS-10 trade name manufactured by Nippon Pneumatic Industry Co., Ltd. may be used.
  • the primary air pressure (inlet pressure) may be, for example, 0.2-0.8 MPa, or 0.3-0.7 MPa.
  • the primary air volume may be 1-5 m 3 /min, and may be 2-4 m 3 /min.
  • the clearance of the secondary air intake may be 25-45 mm, and may be 30-40 mm.
  • the ratio of aggregated particles on the fine powder side By increasing the primary air pressure within the above range, it is possible to reduce the ratio of aggregated particles on the fine powder side. That is, the area ratio of the second peak in the particle size distribution A of fine powder can be reduced. Further, within the above range, if the clearance of the secondary air intake is increased to increase the amount of air, the mixing ratio (powder/air amount) becomes smaller, and the ratio of aggregated particles on the fine powder side can be reduced. . That is, the area ratio of the second peak in the particle size distribution A of fine powder can be reduced.
  • the ratio of the silicon nitride powder after classification (fine powder after removing coarse particles) to the total amount of pulverized material before the classification step may be 40 to 60% by mass, or 44 to 56% by mass. By lowering this ratio, the content of agglomerated particles in the fine powder can be further reduced. That is, it is possible to decrease the area ratio of the second peak and increase the area ratio of the first peak. On the other hand, if the ratio is increased, the area ratio of the second peak is increased, but the manufacturing cost of the silicon nitride powder can be reduced.
  • the silicon nitride powder of the present embodiment can be produced through the above steps.
  • the manufacturing method described above is an example, and is not limited to this.
  • the silicon nitride powder of the present embodiment has reduced agglomerated particles, and is therefore excellent in sinterability. Therefore, silicon nitride powder may be used as a raw material for sintering.
  • An embodiment of the method for producing a silicon nitride sintered body has a step of molding and firing the sintering raw material containing the silicon nitride powder described above.
  • the raw material for sintering may contain an oxide-based sintering aid in addition to the silicon nitride powder.
  • oxide-based sintering aids include Y 2 O 3 , MgO and Al 2 O 3 .
  • the content of the oxide-based sintering aid in the raw material for sintering may be, for example, 3 to 10% by mass.
  • the above sintering raw material is pressed with a molding pressure of, for example, 3.0 to 30 MPa to obtain a compact.
  • the compact may be produced by uniaxial pressing or may be produced by CIP. Moreover, you may bake while shape
  • the firing temperature may be 1860-2100°C, or 1880-2000°C.
  • the firing time at the firing temperature may be 6 to 20 hours, or 8 to 16 hours.
  • the heating rate to the firing temperature may be, for example, 1.0 to 10.0° C./hour.
  • the obtained silicon nitride sintered body has reduced coarse grains and has a fine structure with excellent uniformity. Moreover, since it has a sufficiently dense structure, it is excellent in thermal conductivity and mechanical properties. In addition, since variation in particle size is reduced, variation in properties of the silicon nitride sintered body can be reduced.
  • Example 1 A compact (bulk density: 1.4 g/cm 3 ) was produced using silicon powder. The obtained compact was placed in an electric furnace and fired at 1400° C. for 60 hours to produce a fired body containing silicon nitride. A mixed gas of nitrogen and hydrogen (a mixed gas in which N 2 and H 2 are mixed in a volume ratio of 80:20 in a standard state) was supplied as an atmosphere during firing. After roughly pulverizing the obtained sintered body, it was dry-pulverized with a ball mill. In the pulverization by the ball mill, the filling rate of the balls in the container was set to 60% by volume, and the pulverization time was set to 8 hours. Furthermore, the dry-pulverized material was dry-pulverized by a vibrating mill, and the filling rate of the balls to the container was set to 70% by volume, and the pulverization time was set to 15 hours.
  • a mixed gas of nitrogen and hydrogen a mixed gas in which N 2 and H 2 are mixed in a volume ratio of 80:20 in
  • the silicon nitride powder obtained by dry pulverization was classified using a classifier (trade name: DS-10, manufactured by Nippon Pneumatic Industry Co., Ltd.). Classification conditions were as follows. Primary air pressure: 0.6 MPa Primary air volume: 4 m 3 /min Secondary air intake clearance: 30mm
  • Coarse particles were removed from the silicon nitride powder by classification.
  • the mass ratio of the silicon nitride powder after classification to the total mass of the silicon nitride powder before classification was 44% by mass.
  • the classified silicon nitride powder means a silicon nitride powder obtained by removing coarse particles (aggregated particles). The same applies to the following examples and comparative examples.
  • Example 2 A silicon nitride powder was prepared in the same manner as in Example 1, except that the classification conditions were changed as follows. The mass ratio of the silicon nitride powder after classification to the total mass of the silicon nitride powder before classification was 56% by mass. Primary air pressure: 0.4 MPa Primary air volume: 3 m 3 /min Secondary air intake clearance: 40mm
  • Example 1 A silicon nitride powder was prepared in the same manner as in Example 1, except that the classification conditions were changed as follows. The mass ratio of the silicon nitride powder after classification to the total mass of the silicon nitride powder before classification was 65% by mass. Primary air pressure: 0.1 MPa Primary air volume: 0.5 m 3 /min Secondary air intake clearance: 30mm
  • Example 2 A silicon nitride powder was prepared in the same manner as in Example 1, except that the classification conditions were changed as follows. The mass ratio of the silicon nitride powder after classification to the total mass of the silicon nitride powder before classification was 62% by mass. Primary air pressure: 0.2 MPa Primary air volume: 1 m 3 /min Secondary air intake clearance: 20mm
  • a 20% aqueous solution (2 mL) of sodium hexametaphosphate and water (200 g) were mixed with this as a dispersant to prepare a measurement sample.
  • the measurement sample was set in a particle size distribution measuring device (manufactured by Beckman Coulter, trade name: LS-13 320) without performing an ultrasonic dispersion operation. Using this measurement device, the volume-based particle size distribution was measured. Particle size distribution A obtained by such measurements was as shown in FIGS.
  • FIG. 2 shows the particle size distribution A of Example 1.
  • 3 shows the particle size distribution A of Example 2.
  • FIG. 4 shows the particle size distribution A of Comparative Example 1.
  • FIG. 5 shows the particle size distribution A of Comparative Example 2.
  • Table 1 shows the cumulative distribution of each particle size distribution A.
  • the particle size distribution A of Examples 1 and 2 has a first peak having a peak in a particle size range of less than 1 ⁇ m and a second peak having a peak in a particle size range of 1 ⁇ m or more.
  • the particle size d1 at the top of the first peak, the particle size d2 at the top of the second peak, the particle size ratio (d2/d1), and the frequency of the particle size d1 and the particle size d2 were as shown in Table 2.
  • the area ratios of the first peak and the second peak to the entire particle size distribution A were as shown in Table 2, respectively.
  • the particle size distribution A of Comparative Examples 1 and 2 did not have a peak in the particle size range of less than 1 ⁇ m.
  • Particle size distribution A of Comparative Examples 1 and 2 had only a second peak having an apex in the particle size range of 1 ⁇ m or more.
  • the column of the area ratio of the first peak in Table 2 shows the cumulative value of the frequency at which the particle diameter is less than 1 ⁇ m.
  • Particle size distribution measurement was performed in the same procedure as “measurement of particle size distribution A” except that the agglomerated particles contained in the measurement sample were crushed into primary particles as described above.
  • the cumulative distribution of particle size distribution B the particle size was measured when the integrated value from the small particle size reached 10%, 50% and 90% of the total.
  • the respective particle sizes are shown in Table 3 as D10, D50 and D90.
  • Particle size distribution B of Examples 1 and 2 like particle size distribution A, has a third peak having a peak in a particle size range of less than 1 ⁇ m and a fourth peak having a peak in a particle size range of 1 ⁇ m or more. had. Comparing particle size distribution A and particle size distribution B, in both Examples 1 and 2, the third peak was larger than the first peak, and the fourth peak was smaller than the second peak. From this, it was confirmed that the agglomerated particles were pulverized into primary particles by the dispersion treatment.
  • the particle size distribution B of Comparative Examples 1 and 2 also has a third peak having a peak in a particle size range of less than 1 ⁇ m and a peak in a particle size range of 1 ⁇ m or more as the aggregated particles are crushed. It had a fourth peak with
  • the difference ( ⁇ 1) obtained by subtracting the area ratio of the fourth peak from the area ratio of the second peak in the particle size distribution A was as shown in Table 4.
  • This difference is the difference ( ⁇ 2) when the area ratio of the first peak (in Comparative Examples 1 and 2, the cumulative value of the frequency of particle diameters of less than 1 ⁇ m) is subtracted from the area ratio of the third peak in the particle size distribution B.
  • ⁇ 2 when the area ratio of the first peak (in Comparative Examples 1 and 2, the cumulative value of the frequency of particle diameters of less than 1 ⁇ m) is subtracted from the area ratio of the third peak in the particle size distribution B.
  • the silicon nitride powder of each example was able to reduce the viscosity of the slurry more than the silicon nitride powder of each comparative example.
  • the silicon nitride powder as in each example it is possible to smoothly produce a silicon nitride sintered body having excellent thermal conductivity and mechanical properties and reduced variation in properties.
  • a silicon nitride powder in which aggregation of primary particles of silicon nitride is sufficiently suppressed is provided. Also, containing such a silicon nitride powder provides a slurry having excellent fluidity. Further, by using such a silicon nitride powder, there is provided a method for producing a silicon nitride sintered body that is excellent in thermal conductivity and mechanical properties and capable of reducing variations in properties.
  • A, B Particle size distribution, 10... 1st peak, 20... 2nd peak, 30... 3rd peak, 40... 4th peak.

Abstract

窒化ケイ素の一次粒子と、複数の一次粒子が凝集している凝集粒子と、を含み、分散処理を行わずにレーザー回折・散乱法によって測定される体積基準の粒子径分布Aが、1μm未満の粒子径範囲に頂点を有する第1ピーク10と、1μm以上の粒子径範囲に頂点を有する第2ピーク20とを有する、窒化ケイ素粉末を提供する。

Description

窒化ケイ素粉末、スラリー、及び窒化ケイ素焼結体の製造方法
 本開示は、窒化ケイ素粉末、スラリー、及び窒化ケイ素焼結体の製造方法に関する。
 窒化ケイ素は、強度、硬度、靭性、耐熱性、耐食性、耐熱衝撃性等に優れた材料である。このため、窒化ケイ素焼結体は、ダイカストマシン及び溶解炉等の各種産業用の部品、及び自動車部品等に利用されている。また、窒化ケイ素焼結体は、高温における機械的特性にも優れることから、高温強度、高温クリープ特性が求められるガスタービン部品に用いることが検討されている。特許文献1では、常温における熱伝導率が100~300W/(m・K)であり、常温における3点曲げ強度が600~1500MPaであることを特徴とする窒化珪素質焼結体が提案されている。
 一方、窒化ケイ素粉末は、上述の窒化ケイ素焼結体の原料として用いられたり、離型剤として用いられたりしている。特許文献2では、多結晶シリコンインゴットの製造の際に用いる離型剤用の窒化ケイ素粉末の粒子径分布を調整することによって、多結晶シリコンインゴットへの不純物の混入を抑制する技術が提案されている。粒子径測定の試料調製に際し、JIS Z 8825:2013の「7.2 試料の検査、調製、分散、及び濃度」の項、及び、JIS Z 8824:2004の「9.分散方法の最適化」の項では、超音波処理等によって凝集体を解砕することが記載されている。
特開2004-262756号公報 特開2014-9111号公報
 窒化ケイ素焼結体を製造する際、サブミクロンオーダーの窒化ケイ素粒子を含む窒化ケイ素粉末を溶媒と混合してスラリーを調製し、ドクターブレード法等によって成形体を作製する。このようなスラリーは、成形体及びこれを焼成して得られる窒化ケイ素焼結体の性状のばらつきを抑制するため、流動性に優れることが好ましい。
 本開示は、優れた流動性を有するスラリーを安定的に調整することが可能な窒化ケイ素粉末及びその製造方法を提供する。本開示は、このような窒化ケイ素粉末を含有することによって、優れた流動性を有するスラリーを提供する。本開示は、このような窒化ケイ素粉末を用いることによって、熱伝導率及び機械的特性に優れるとともに、性状のばらつきが低減された窒化ケイ素焼結体を製造することが可能な製造方法を提供する。
 本開示は、一つの側面において、窒化ケイ素の一次粒子と、複数の一次粒子が凝集している凝集粒子と、を含み、分散処理を行わずにレーザー回折・散乱法によって測定される体積基準の粒子径分布Aが、1μm未満の粒子径範囲に頂点を有する第1ピークと、1μm以上の粒子径範囲に頂点を有する第2ピークとを有する、窒化ケイ素粉末を提供する。
 窒化ケイ素粉末のスラリーの流動性は、固形分の濃度のみならず、粒子径によっても変動すると考えられる。窒化ケイ素粉末の粒子径分布の評価手法としては、レーザー回折・散乱法による方法が一般的に用いられている。レーザー回折・散乱法によって窒化ケイ素粉末の粒子径分布を測定する場合、特許文献2、JIS Z 8824:2004及びJIS Z 8825:2013等に記載されるように、通常は、超音波処理等によって溶媒中で凝集粒子を解砕するための分散処理を行う。このような分散処理を行うことによって凝集粒子を解砕した後、粒子径分布が評価されている。ところが、そのような分散処理を行ってしまうと、凝集粒子がスラリーの流動性に与える影響を評価することは困難である。このため、粒子径分布が互いに同等である窒化ケイ素粉末を用いた場合であっても、スラリーの粘度が大きく変動する事象が生じていた。
 一方、本開示の窒化ケイ素粉末の場合、分散処理を行わずにレーザー回折・散乱法による粒子径分布Aが測定されている。この粒子径分布Aは、凝集粒子の凝集を維持した状態で測定されるため、スラリーの流動性との相関性が十分に高くすることができる。そして、この窒化ケイ素粉末の粒子径分布Aは、1μm以上の粒子径範囲に頂点を有する第2ピークの他に、1μm未満の粒子径範囲に頂点を有する第1ピークを有する。このような窒化ケイ素粉末は、凝集粒子の比率が低く、凝集していない一次粒子の比率が高い。したがって、本開示の窒化ケイ素粉末は、優れた流動性を有するスラリーを安定的に得ることができる。
 上記粒子径分布Aの全体に対する上記第2ピークの面積比率は80%以下であってよい。これによって、凝集粒子の比率が十分に小さくなり、一層優れた流動性を有するスラリーを安定的に調製することができる。
 第1ピークの頂点における粒子径に対する、第2ピークの頂点における粒子径の比が4以下であってよい。これによって、凝集粒子に含まれる一次粒子の数を少なくして、凝集粒子のサイズを小さくすることができる。したがって、スラリーの流動性を一層高くすることができる。また、粗大粒子が低減できるため、窒化ケイ素焼結体の原料に用いると微細組織の均一性が向上し、窒化ケイ素焼結体の熱伝導率及び機械的特性を十分に高水準にすることができる。
 上記窒化ケイ素粉末は、分散処理を行った後に、レーザー回折・散乱法によって測定される体積基準の粒子径分布Bが、1μm未満の粒子径範囲に第3ピークと、1μm以上の粒子径範囲に第4ピークとを有し、
 粒子径分布Aの全体に対する第2ピークの面積比率から、粒子径分布Bの全体に対する第4ピークの面積比率を差し引いたときの差が22%以下となってよい。分散処理を行うと、凝集粒子が解砕されて一次粒子となる。このため、分散処理を行う前に含まれる凝集粒子の比率が高い場合には、分散処理を行うことによって、凝集粒子の比率が大きく低下する。上記窒化ケイ素粉末は、分散処理を行うと、第4ピークの面積比率から第2ピークの面積比率を差し引いたときの差が所定値以下となる。このため、分散処理前の窒化ケイ素粉末に含まれる元々の凝集粒子の含有量が十分に低い。このような窒化ケイ素粉末は、一層優れた流動性を有するスラリーを安定的に調製することができる。
 上記窒化ケイ素粉末の平均粒子径は1.0~2.5μmであってよい。これによって、一層優れた流動性を有するスラリーを安定的に調製することができる。また、このような窒化ケイ素粉末を窒化ケイ素焼結体の原料に用いると、窒化ケイ素焼結体の熱伝導率及び機械的特性を一層高水準にすることができる。
 上記窒化ケイ素粉末と水とを1:1の質量比で混合して得られるスラリーの25℃における粘度(30rpm)が10Pa・s以下であってよい。このような窒化ケイ素粉末は、一次粒子の凝集が抑制されているため、例えば、窒化ケイ素焼結体を製造したときに十分に緻密化することができる。したがって、窒化ケイ素焼結体の熱伝導率及び機械的特性を十分に高水準にすることができる。
 本開示は、一つの側面において、上述の窒化ケイ素粉末を含むスラリーを提供する。上記スラリーは、安定的に優れた流動性を有する。したがって、例えば、窒化ケイ素焼結体の製造に用いると、窒化ケイ素焼結体の熱伝導率及び機械的特性を安定的に高水準にすることができる。
 本開示は、一つの側面において、窒化ケイ素粉末を含む焼結原料を成形して焼成する工程を有する、窒化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。この製造方法で得られる窒化ケイ素焼結体は、窒化ケイ素粒子の凝集粒子の比率が低く一次粒子の比率が高い窒化ケイ素粉末を含む焼結原料を用いる。このため、窒化ケイ素焼結体を製造したときに十分に緻密化することができる。また、窒化ケイ素焼結体の微細組織の均一性を向上することができる。これによって、熱伝導率及び機械的特性に優れるとともに、性状のばらつきが低減された窒化ケイ素焼結体を得ることができる。
 優れた流動性を有するスラリーを安定的に調整することが可能な窒化ケイ素粉末及びその製造方法を提供することができる。このような窒化ケイ素粉末を含有することによって、優れた流動性を有するスラリーを提供することができる。このような窒化ケイ素粉末を用いることによって、熱伝導率及び機械的特性に優れるとともに、性状のばらつきが低減された窒化ケイ素焼結体を製造することが可能な製造方法を提供する。
レーザー回折・散乱法を用いた粒子径分布測定装置で測定される窒化ケイ素粉末の体積基準の粒子径分布の一例を示す図である。 実施例1の粒子径分布の測定結果を示す図である。 実施例2の粒子径分布の測定結果を示す図である。 比較例1の粒子径分布の測定結果を示す図である。 比較例2の粒子径分布の測定結果を示す図である。
 以下、本開示の実施形態を説明する。ただし、以下の実施形態は、本開示を説明するための例示であり、本開示を以下の内容に限定する趣旨ではない。
 窒化ケイ素粉末は、窒化ケイ素の一次粒子と、複数の一次粒子が凝集している凝集粒子と、を含み、分散処理を行わずにレーザー回折・散乱法によって測定される体積基準の粒子径分布Aが、1μm未満の粒子径範囲に頂点を有する第1ピークと、1μm以上の粒子径範囲に頂点を有する第2ピークとを有する。窒化ケイ素の一次粒子及び凝集粒子は、表面に二酸化ケイ素等の酸化物を有していてよい。窒化ケイ素粉末における窒化ケイ素の純度は98質量%以上であってよく、99質量%以上であってもよい。
 図1は、レーザー回折・散乱法を用いた粒子径分布測定装置で測定される窒化ケイ素粉末の体積基準の粒子径分布の一例を示す図である。横軸は、対数目盛の粒子径[μm]であり、縦軸は頻度[体積%]である。本開示における粒子径分布は、JIS Z 8825:2013「粒子径解析-レーザー回折・散乱法」に記載の方法に準拠して測定される。本開示において、粒子径分布の測定の前に、分散処理を行わずに測定される粒子径分布を「粒子径分布A」と称する。粒子径分布Aは、凝集粒子を維持した状態で測定される。分散処理としては、通常の粒子径分布の前処理として行われるものが挙げられる。例えば、超音波による分散、スターラー、撹拌翼、又はスパチュラ等を用いる混合が挙げられる。
 粒子径分布Aの測定にあたっては、まず、500mLの容器に60mgの窒化ケイ素粉末を測り取る。これに、分散剤として、ヘキサメタリン酸ナトリウムの20%水溶液(2mL)と水(200g)を配合して測定試料を得る。この測定試料を用いて、粒子径分布Aの測定を行う。粒子径分布Aの測定には、ベックマンコールター社製のLS-13 320(商品名)を用いる。測定条件としては、粒子屈折率を2.2、溶媒の屈折率を1.33とする。
 上述の条件で測定される粒子径分布Aは、1μm未満の粒子径範囲に頂点を有する第1ピーク10と、1μm以上の粒子径範囲に頂点を有する第2ピーク20とを有する。すなわち、粒子径分布Aは、第1ピーク10と第2ピーク20との間に谷を有する。粒子径分布Aは2つのピークとその間の谷で構成されている。第1ピーク10は、窒化ケイ素の一次粒子の粒子径を示している。第1ピーク10の頂点における粒子径d1は、0.2~0.95μmであってよい。粒子径d1の下限は、製造の容易性の観点から、0.3μmであってよく、0.4μmであってよく、0.5μmであってもよい。粒子径d1の上限は、焼結性向上の観点から、0.9μmであってよく、0.8μmであってよく、0.7μmであってもよい。
 第2ピーク20は、一次粒子が凝集して構成される凝集粒子の粒子径を示している。ここでいう凝集粒子は、上述の分散剤を配合しても凝集が解かれない粒子である。第2ピーク20の頂点における粒子径d2は1.5μmを超え且つ4.0μm未満であってよい。粒子径d2の下限は、焼結性向上の観点から、1.6μmであってよく、1.7μmであってよく、1.8μmであってもよい。粒子径d2の上限は、焼結性向上の観点から、3.5μmであってよく、3.0μmであってよく、2.5μmであってもよい。
 粒子径d1に対する粒子径d2の比(d2/d1)は、4以下であってよく、3.5以下であってよく。3以下であってもよい。これによって、凝集粒子に含まれる一次粒子の数を少なくして、凝集粒子のサイズを小さくすることができる。したがって、窒化ケイ素粉末を含むスラリーを調製したとき、スラリーの流動性を一層高くすることができる。粒子径d1に対する粒子径d2の比(d2/d1)は、十分に小さい一次粒子とする観点から1以上であってよく、2以上であってもよい。
 粒子径分布Aの全体に対する第1ピーク10の面積比率は10%以上であってよく、15%以上であってよく、20%以上であってよい。また、粒子径分布Aの全体に対する第1ピーク10の面積比率は45%以下であってよく、40%以下であってよく、30%以下であってよい。
 粒子径分布Aの全体に対する第2ピーク20の面積比率は80%以下であってよく、78%以下であってよく、76%以下であってもよい。これによって、窒化ケイ素粉末における凝集粒子の割合を低くしてスラリーにしたときの流動性を一層高くすることができる。同様の観点から、粒子径分布Aの全体に対する第1ピーク10の面積比率は20%以上であってよく、22%以上であってよく、24%以上であってもよい。本開示において、第1ピークの面積比率は、1μm未満の粒子径範囲における頻度の累積値であり、第2ピークの面積比率は、1μm以上の粒子径範囲における頻度の累積値である。第1ピーク10と第2ピーク20の面積比率の合計値は100%である。粒子径分布Aの全体に対する第2ピーク20の面積比率は、円滑に製造できるようにする観点から、40%以上であってよく、50%以上であってもよい。
 第1ピーク10の頂点における頻度は1.00体積%以上であってよく、1.50体積%以上であってよく、1.75体積%以上であってよく、2.00体積%以上であってよく、2.25体積%以上であってよい。第1ピーク10の頂点における頻度は5.00体積%以下であってよく、4.50体積%以下であってよく、4.00体積%以下であってよく、3.50体積%以下であってよく、3.00体積%以下であってよい。
 第2ピーク20の頂点における頻度は4.00体積%以上であってよく、4.50体積%以上であってよく、5.00体積%以上であってよく、5.25体積%以上であってよい。第2ピーク20の頂点における頻度は8.00体積%以下であってよく、7.50体積%以下であってよく、7.00体積%以下であってよく、6.50体積%以下であってよく、6.25体積%以下であってよい。
 粒子径分布Aより求められる窒化ケイ素粉末の平均粒子径(D50、メディアン径)は、1.0~2.5μmであってよい。平均粒子径は、粒子径分布Aの累積分布において、小粒径からの積算値が全体の50%に達したときの粒子径である。平均粒子径は1.2~1.9μmであってよく、1.4~1.8μmであってもよい。これによって、一層優れた流動性を有するスラリーを安定的に調製することができる。また、このような窒化ケイ素粉末を窒化ケイ素焼結体の原料に用いると、窒化ケイ素焼結体の熱伝導率及び機械的特性を一層高水準にすることができる。
 粒子径分布Aの累積分布において、小粒径からの積算値が全体の10%に達したときの粒子径をD10としたとき、D10は、0.8μm以下であってよく、0.7μm以下であってもよい。これによって、窒化ケイ素粉末の焼結性を十分に高くすることができる。D10の下限は、製造の容易性の観点から、0.2μm以上であってよい。
 粒子径分布Aの累積分布において、小粒径からの積算値が全体の90%に達したときの粒子径をD90としたとき、D90は、5.8μm以下であってよく、5.0μm以下であってもよい。これによって、スラリーの流動性を一層高くすることができる。D90の下限は、製造の容易性の観点から、3.0μm以上であってよい。
 図1の粒子径分布Bは、窒化ケイ素粉末の分散処理を行って測定される。粒子径分布Bの測定にあたっては、まず、500mLの容器に60mgの窒化ケイ素粉末を測り取る。これに、分散剤としてヘキサメタリン酸ナトリウムの20%水溶液(2mL)と水(200g)を配合して測定試料を得る。その後、水及び窒化ケイ素粉末が収容された容器を、シャープ株式会社製の超音波分散機にセットし、3分間の超音波分散を行う。これによって、窒化ケイ素粉末に含まれる凝集粒子が一次粒子に解砕される。このような分散処理を行った後、粒子径分布Aの測定で用いた粒子径分布測定装置を用いて粒子径分布を測定する。上述の分散処理を行うこと以外は、粒子径分布Bは、粒子径分布Aと同じ測定条件で測定される。
 上述の条件で測定される粒子径分布Bは、1μm未満の粒子径範囲に頂点を有する第3ピーク30と、1μm以上の粒子径範囲に頂点を有する第4ピーク40とを有する。すなわち、粒子径分布Bは、第3ピーク30と第4ピーク40との間に谷を有する。第2ピーク20と第4ピーク40の差が、超音波処理前に存在していた凝集粒子のうち、凝集が解かれた粒子の頻度となる。第4ピーク40を有することは必須ではなく、第4ピーク40はなくてもよい。この場合、窒化ケイ素粉末に含まれる殆ど又は全ての凝集粒子が一次粒子に解砕されたことを意味する。
 粒子径分布Bは2つのピークとその間の谷で構成されている。第3ピーク30は、窒化ケイ素の一次粒子の粒子径を示している。第3ピーク30の頂点における粒子径d3は、0.2~0.95μmであってよい。粒子径d3の下限は、製造の容易性の観点から、0.3μmであってよく、0.4μmであってよく、0.5μmであってもよい。粒子径d1の上限は、焼結性向上の観点から、0.9μmであってよく、0.8μmであってよく、0.7μmであってもよい。
 第4ピーク40は、分散処理では解砕されない粗大粒子の粒子径を示している。第4ピーク40の頂点における粒子径d4は1.5μmを超え且つ4.0μm未満であってよい。粒子径d4の下限は、焼結性向上の観点から、1.6μmであってよく、1.7μmであってよく、1.8μmであってもよい。粒子径d4の上限は、焼結性向上の観点から、3.5μmであってよく、3.0μmであってよく、2.5μmであってもよい。
 粒子径分布Bの全体に対する第4ピーク40の面積比率は、例えば、60%以下であってよい。粒子径分布Bの全体に対する第3ピーク30の面積比率は、例えば、40%以上であってよい。本開示において、第3ピークの面積比率は、1μm未満の粒子径範囲における頻度の累積値であり、第4ピークの面積比率は、1μm以上の粒子径範囲における頻度の累積値である。第3ピーク30と第4ピーク40の面積比率の合計値は100%である。
 粒子径分布Aの全体に対する第2ピークの面積比率から、粒子径分布Bの全体に対する第4ピークの面積比率を差し引いたときの差(Δ1)は、22%以下であってよく、20%以下であってもよい。当該差が小さいことは、分散処理前の窒化ケイ素粉末に含まれる凝集粒子の比率が低いことを意味する。このような窒化ケイ素粉末は、一層優れた流動性を有するスラリーを安定的に調製することができる。同様の観点から、粒子径分布Bの全体に対する第3ピークの面積比率から、粒子径分布Aの全体に対する第1ピークの面積比率を差し引いたときの差(Δ2)は、22%以下であってよく、20%以下であってもよい。差(Δ1)は、製造の容易性の観点から、5%以上であってよく、10%以上であってもよい。同様の観点から、差(Δ2)は、5%以上であってよく、10%以上であってもよい。
 一実施形態に係るスラリーは、窒化ケイ素粉末と水とを含有する。窒化ケイ素粉末と水とを、1:1の質量比で含むスラリーの25℃における粘度(30rpm)は、10Pa・s以下であってよく、8Pa・s以下であってよく、6Pa・s以下であってよく、5Pa・s以下であってもよい。このように低い粘度を有するスラリーは、固形分である窒化ケイ素粉末の分散性に優れる。このため、湿式成形プロセスで窒化ケイ素焼結体を製造したときに、窒化ケイ素焼結体の性状のばらつきを十分に低減することができる。したがって、高い熱伝導率及び機械的特性を有する窒化ケイ素焼結体を、円滑且つ安定的に製造することができる。
 同様の理由により、窒化ケイ素粉末と水とを、1:1の質量比で含むスラリーの25℃における粘度(60rpm)は、6Pa・s以下であってよく、5Pa・s以下であってよく、4Pa・s以下であってよく、3Pa・s以下であってもよい。
 製造コスト低減の観点から、上記スラリーの25℃における粘度(30rpm)は、1Pa・s以上であってよく、2Pa・s以上であってもよい。同様の観点から、上記スラリーの25℃における粘度(60rpm)は、0.5Pa・s以上であってよく、1Pa・s以上であってもよい。
 スラリーの粘度は、窒化ケイ素の一次粒子の凝集状態によって変化する。すなわち、窒化ケイ素の一次粒子が凝集して形成される凝集粒子の含有量が低減された窒化ケイ素粉末であれば、スラリーの粘度を低くすることができる。このため、成形体を円滑に製造することができる。なお、スラリーの粘度を低くすることが可能な窒化ケイ素粉末を用いれば、乾式成形プロセスであっても、窒化ケイ素焼結体の性状のばらつきを十分に低減することができる。したがって、湿式及び乾式のどちらのプロセスであっても、高い熱伝導率及び機械的特性を有する窒化ケイ素焼結体を安定的に製造することができる。
 本開示における「スラリーの粘度」は、以下の手順で測定される。水と窒化ケイ素粉末とを1:1の質量比で配合し、スターラーで粘度が一定になるまで攪拌する。これによって、水中に窒化ケイ素粉末を十分均一に分散させる。調製したスラリーの粘度を、市販のB型粘度計を用いて測定する。粘度の測定は、25℃において、所定の回転速度(30rpm、及び60rpm等)で行う。B型粘度計としては、東機産業株式会社製のTVB-10(商品名)を用いることができる。
 上述の窒化ケイ素粉末の製造方法の一例を以下に説明する。本例の窒化ケイ素粉末の製造方法は、ケイ素粉末を、窒素と、水素及びアンモニアからなる群より選択される少なくとも一種と、を含む雰囲気下で焼成して焼成物を得る焼成工程と、上記焼成物を乾式粉砕して粉砕物を得る粉砕工程と、上記粉砕物を乾式分級する分級工程と、を有する。
 ケイ素粉末としては、酸素濃度の低いケイ素粉末を用いてもよい。ケイ素粉末の酸素濃度は、例えば、0.40質量%以下であってよく、0.30質量%以下であってよく、0.20質量%以下であってもよい。ケイ素粉末の酸素濃度を上記範囲内とすることで、得られる窒化ケイ素粉末の内部における酸素量をより低減できる。ケイ素粉末の酸素濃度の下限値は、例えば、0.10質量%であってよく、0.15質量%であってもよい。ケイ素粉末の酸素濃度は、例えば、0.10~0.40質量%であってよい。なお、ケイ素粉末の酸素濃度は、赤外線吸収法によって測定することができる。
 焼成工程では、ケイ素粉末を、窒素と、水素及びアンモニアからなる群より選択される少なくも一種と、を含む混合雰囲気下で焼成して窒化ケイ素を含む焼成物を得る。混合雰囲気における水素及びアンモニアの合計の含有量は、混合雰囲気全体を基準として、例えば、10~40体積%であってよい。焼成温度は、例えば、1100~1450℃であってよく、1200~1400℃であってもよい。焼成時間は、例えば、30~100時間であってよい。
 粉砕工程では、焼成工程で得られた上記焼成物を乾式で粉砕して粉砕物を得る。粉砕工程は、粗粉砕と微粉砕というように複数段階に分けて行ってもよい。例えば、粉砕工程は、ボールミル粉砕工程及び振動ミル粉砕工程の2つの工程を含んでよい。焼成物を粉砕し、粒度を調整することによって、後の分級工程を円滑に行うことができる。
 ボールミル粉砕工程における容器へのボールの充填率は、30~70体積%であってよい。容器へのボールの充填率の下限は、容器の容積を基準として、例えば、50体積%であってよく、60体積%であってもよい。容器へのボールの充填率の上限は、容器の容積を基準として、例えば、65体積%であってもよい。
 ボールミル粉砕工程における粉砕処理の時間(粉砕時間)は、5~15時間であってよく、8~12時間であってもよい。これによって、過剰な粉砕を抑制しつつ、凝集粒子を十分に細かくすることができる。
 ボールミル粉砕工程で得られた粉砕物を、振動ミル粉砕工程によってさらに粉砕してよい。振動ミル粉砕工程における容器へのボールの充填率は、50~80体積%であってよく、60~75体積%であってもよい。振動ミル粉砕工程における粉砕処理の時間(粉砕時間)は、8~20時間であってよく、12~17時間であってもよい。これによって、過剰な粉砕を抑制しつつ、凝集粒子を十分に細かくして、粒子径d1に対する粒子径d2の比(d2/d1)を調整することができる。また、第2ピークの面積比率から第4ピークの面積比率を差し引いたときの差(Δ1)を調整することができる。例えば、時間を長くすることによって、比(d2/d1)を小さくすること、及び差(Δ1)を小さくすることができる。
 分級工程では、粉砕工程によって得られた上記粉砕物を乾式で分級して、所望の粒子径分布を有する窒化ケイ素粉末を得る。例えば、凝集粒子の少なくとも一部を排除して一次粒子の比率を高くし、第1ピークの面積比率を大きくすることができる。乾式分級は、気流分級等によって行うことができる。気流分級器は、二次空気を用いる旋回気流式のものを用いて分級することができる。このような気流分級器としては、例えば、日本ニューマチック工業株式会社製のDS-10(商品名)を用いてよい。
 気流分級器の運転条件の一例は以下のとおりである。一次空気圧力(入口圧力)は、例えば、0.2~0.8MPaであってよく、0.3~0.7MPaであってもよい。一次空気量は、1~5m/minであってよく、2~4m/minであってもよい。二次空気取り込み口のクリアランスは、25~45mmであってよく、30~40mmであってもよい。このような条件で分級することによって、粉砕工程で十分に粉砕されない凝集粒子を、粗粒として除去することができる。
 上述の範囲で、一次空気圧力を大きくすれば、微粉側の凝集粒子の比率を小さくすることができる。すなわち、微粉の粒子径分布Aにおける第2ピークの面積比率を低くすることができる。また、上述の範囲で、二次空気取り込み口のクリアランスを大きくして空気量を増やすと混合比(粉体/空気量)が小さくなって、微粉側の凝集粒子の比率を小さくすることができる。すなわち、微粉の粒子径分布Aにおける第2ピークの面積比率を低くすることができる。
 分級工程前の粉砕物の全量に対する、分級後(粗粒除去後の微粉)の窒化ケイ素粉末の比率は、40~60質量%であってよく、44~56質量%であってよい。この比率を低くすれば、微粉における凝集粒子の含有割合を一層低くすることができる。すなわち、第2ピークの面積比率を小さくして、第1ピークの面積比率を大きくすることができる。一方、上記比率を高くすれば、第2ピークの面積比率が大きくなるものの、窒化ケイ素粉末の製造コストを低減できる。
 以上の工程によって、本実施形態の窒化ケイ素粉末を製造することができる。ただし、上述の製造方法は一例であり、これに限定されない。本実施形態の窒化ケイ素粉末は、凝集粒子が低減されていることから、焼結性に優れる。このため、窒化ケイ素粉末は焼結原料に用いてもよい。
 窒化ケイ素焼結体の製造方法の一実施形態は、上述の窒化ケイ素粉末を含む焼結原料を成形して焼成する工程を有する。
 焼結原料は、窒化ケイ素粉末の他に、酸化物系焼結助剤を含んでもよい。酸化物系焼結助剤としては、例えば、Y3、MgO及びAl等が挙げられる。焼結原料における酸化物系焼結助剤の含有量は、例えば、3~10質量%であってよい。
 上記工程では、上述の焼結原料を例えば3.0~30MPaの成形圧力で加圧して成形体を得る。成形体は一軸加圧して作製してもよいし、CIPによって作製してもよい。また、ホットプレスによって成形しながら焼成してもよい。成形体の焼成は、窒素ガス又はアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気中で行ってよい。焼成時の圧力は、0.7~1MPaであってよい。焼成温度は1860~2100℃であってよく、1880~2000℃であってもよい。当該焼成温度における焼成時間は6~20時間であってよく、8~16時間であってよい。焼成温度までの昇温速度は、例えば1.0~10.0℃/時間であってよい。
 得られる窒化ケイ素焼結体は、粗粒が低減されており、均一性に優れる微細組織を有する。また、十分に緻密な組織を有するため、熱伝導率及び機械的特性に優れる。また、粒子の大きさの変動が低減されているため、窒化ケイ素焼結体の性状のばらつきを低減することができる。
 以上、幾つかの実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に何ら限定されるものではない。また、上述した各実施形態についての説明内容は、互いに適用することができる。
 以下、実施例及び比較例を参照して本開示の内容をより詳細に説明する。ただし、本開示は、下記の実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
 ケイ素粉末を用いて成形体(嵩密度:1.4g/cm)を作製した。得られた成形体を電気炉内に静置し、1400℃で60時間焼成し、窒化ケイ素を含む焼成体を作製した。焼成時の雰囲気として、窒素と水素との混合ガス(NとHとを標準状態における体積比で80:20となるように混合した混合ガス)を供給した。得られた焼成体を粗粉砕した後、ボールミルで乾式粉砕した。ボールミルによる粉砕では、容器に対するボールの充填率を60体積%とし、粉砕時間を8時間とした。更に振動ミルにて乾式粉砕した、容器に対するボールの充填率を70体積%とし、粉砕時間を15時間とした。
 乾式粉砕して得られた窒化ケイ素粉末を、分級器(日本ニューマチック工業株式会社製、商品名:DS-10)を用いて分級した。分級条件は、以下のとおりとした。
  一次空気圧力:0.6MPa      
  一次空気量:4m/min       
  二次空気取り込み口のクリアランス:30mm
 分級によって、窒化ケイ素粉末から粗粒(凝集粒子)を除去した。分級前の窒化ケイ素粉末の全質量を基準とする、分級後の窒化ケイ素粉末の質量比率は、44質量%であった。この分級後の窒化ケイ素粉末とは、粗粒(凝集粒子)を除去して得られた窒化ケイ素粉末を意味する。以下の実施例及び比較例でも同様である。
(実施例2)
 分級条件を、以下のとおりに変更したこと以外は、実施例1と同様にして、窒化ケイ素粉末を調製した。分級前の窒化ケイ素粉末の全質量を基準とする、分級後の窒化ケイ素粉末の質量比率は、56質量%であった。
  一次空気圧力:0.4MPa
  一次空気量:3m/min
  二次空気取り込み口のクリアランス:40mm
(比較例1)
 分級条件を、以下のとおりに変更したこと以外は、実施例1と同様にして、窒化ケイ素粉末を調製した。分級前の窒化ケイ素粉末の全質量を基準とする、分級後の窒化ケイ素粉末の質量比率は、65質量%であった。
  一次空気圧力:0.1MPa
  一次空気量:0.5m/min
  二次空気取り込み口のクリアランス:30mm
(比較例2)
 分級条件を、以下のとおりに変更したこと以外は、実施例1と同様にして、窒化ケイ素粉末を調製した。分級前の窒化ケイ素粉末の全質量を基準とする、分級後の窒化ケイ素粉末の質量比率は、62質量%であった。
  一次空気圧力:0.2MPa
  一次空気量:1m/min
  二次空気取り込み口のクリアランス:20mm
<粒子径分布Aの測定>
 レーザー回折・散乱法によって、各実施例及び各比較例の窒化ケイ素粉末の粒子径分布を測定した。測定は、JIS Z 8825:2013「粒子径解析-レーザー回折・散乱法」に記載の方法に準拠して行った。まずは、窒化ケイ素粉末に含まれている凝集粒子を検出するため、凝集粒子を解砕するための分散処理を行わずに測定を行った。具体的には、500mLの容器に60mgの窒化ケイ素粉末を計り取った。これに、分散剤として、ヘキサメタリン酸ナトリウムの20%水溶液(2mL)と水(200g)を配合して測定試料を調製した。そして、超音波による分散操作を行うことなく、測定試料を粒子径分布測定装置(ベックマンコールター社製、商品名:LS-13 320)にセットした。この測定装置を用いて、体積基準の粒子径分布を測定した。このような測定で得られた粒子径分布Aは、図2~図5に示すとおりであった。
 図2は、実施例1の粒子径分布Aを示している。図3は、実施例2の粒子径分布Aを示している。図4は、比較例1の粒子径分布Aを示している。図5は、比較例2の粒子径分布Aを示している。各粒子径分布Aの累積分布において、小粒径からの積算値が全体の10%、50%及び90%に達したときの粒子径を測定した。それぞれの粒子径を、D10、D50及びD90として表1に示す。
 図2及び図3に示すとおり、実施例1,2の粒子径分布Aは、1μm未満の粒子径範囲に頂点を有する第1ピークと、1μm以上の粒子径範囲に頂点を有する第2ピークとを有していた。第1ピークの頂点における粒子径d1、第2ピークの頂点における粒子径d2、粒子径の比(d2/d1)、並びに、粒子径d1及び粒子径d2における頻度は表2に示すとおりであった。また、粒子径分布Aの全体に対する第1ピーク及び第2ピークの面積比率は、それぞれ表2に示すとおりであった。
 一方、図4及び図5に示すとおり、比較例1,2の粒子径分布Aは、1μm未満の粒子径範囲にピークを有していなかった。比較例1,2の粒子径分布Aは、1μm以上の粒子径範囲に頂点を有する第2ピークのみを有していた。表2の第1ピークの面積比率の欄には、粒子径が1μm未満の頻度の累積値を示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
<粒子径分布Bの測定>
 500mLの容器に60mgの窒化ケイ素粉末を計り取った。これに、分散剤として、ヘキサメタリン酸ナトリウムの20%水溶液(2mL)と水(200g)を配合して測定試料を調製した。窒化ケイ素粉末に含まれている凝集粒子を解砕するため、測定試料の分散処理を行った。具体的には、シャープ株式会社製の超音波分散機に、容器の分散液の収容部分が全て浸漬されるようにセットし、超音波による分散処理を3分間行った。このように測定試料に含まれる凝集粒子を一次粒子に解砕したこと以外は、「粒子径分布Aの測定」と同じ手順で粒子径分布測定を行った。粒子径分布Bの累積分布において、小粒径からの積算値が全体の10%、50%及び90%に達したときの粒子径を測定した。それぞれの粒子径を、D10、D50及びD90として表3に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 表1と表3の対比から、分散処理によって、粒子径が小さくなっていることが確認された。実施例1,2の粒子径分布Bは、粒子径分布Aと同様に、1μm未満の粒子径範囲に頂点を有する第3ピークと、1μm以上の粒子径範囲に頂点を有する第4ピークとを有していた。粒子径分布Aと粒子径分布Bとを比べると、実施例1,2ともに、第3ピークは第1ピークよりも大きくなっており、第4ピークは第2ピークよりも小さくなっていた。このことから、分散処理によって、凝集粒子が解砕されて一次粒子となっていることが確認された。また、比較例1,2の粒子径分布Bも、凝集粒子が解砕されたことに伴って、1μm未満の粒子径範囲に頂点を有する第3ピークと、1μm以上の粒子径範囲に頂点を有する第4ピークとを有していた。
 各実施例及び各比較例において、粒子径分布Aにおける第2ピークの面積比率から、第4ピークの面積比率を差し引いたときの差(Δ1)は、表4に示すとおりであった。この差は、粒子径分布Bにおける第3ピークの面積比率から、第1ピークの面積比率(比較例1,2では、粒子径1μm未満の頻度の累積値)を差し引いたときの差(Δ2)と同じであった。これらの差は、分散処理によって解砕される凝集粒子の比率を示している。この結果から、実施例1,2の方が、比較例1,2よりも、分散処理によって解砕される凝集粒子の割合が小さいことが確認された。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
<スラリー粘度の測定>
 水と窒化ケイ素粉末とを1:1の質量比で配合し、スターラーで十分に均一になるまで攪拌してスラリーを調製した。調製したスラリーの25℃における粘度を、B型粘度計(東機産業株式会社製、商品名:TVB-10)を用いて測定した。測定は30rpmと60rpmで行った。結果は、表5に示すとおりであった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
 各実施例の窒化ケイ素粉末は、各比較例の窒化ケイ素粉末よりも、スラリーの粘度を低減することができた。各実施例のような窒化ケイ素粉末を用いることによって、熱伝導率及び機械的特性に優れるとともに、性状のばらつきが低減された窒化ケイ素焼結体を円滑に製造することができる。
 本開示によれば、窒化ケイ素の一次粒子の凝集が十分に抑制されている窒化ケイ素粉末が提供される。また、このような窒化ケイ素粉末を含有することによって、優れた流動性を有するスラリーが提供される。また、このような窒化ケイ素粉末を用いることによって、熱伝導率及び機械的特性に優れるとともに、性状のばらつきを低減することが可能な窒化ケイ素焼結体の製造方法が提供される。
 A,B…粒子径分布、10…第1ピーク、20…第2ピーク、30…第3ピーク、40…第4ピーク。

 

Claims (8)

  1.  窒化ケイ素の一次粒子と、複数の前記一次粒子が凝集している凝集粒子と、を含み、
     分散処理を行わずにレーザー回折・散乱法によって測定される体積基準の粒子径分布Aが、1μm未満の粒子径範囲に頂点を有する第1ピークと、1μm以上の粒子径範囲に頂点を有する第2ピークとを有する、窒化ケイ素粉末。
  2.  前記粒子径分布Aの全体に対する前記第2ピークの面積比率が80%以下である、請求項1に記載の窒化ケイ素粉末。
  3.  前記第1ピークの頂点における粒子径に対する、前記第2ピークの頂点における粒子径の比が4以下である、請求項1又は2に記載の窒化ケイ素粉末。
  4.  前記分散処理を行った後に前記レーザー回折・散乱法によって測定される体積基準の粒子径分布Bが、1μm未満の粒子径範囲に第3ピークと、1μm以上の粒子径範囲に第4ピークと、を有し、
     前記粒子径分布Aの全体に対する前記第2ピークの面積比率から、前記粒子径分布Bの全体に対する前記第4ピークの面積比率を差し引いたときの差が22%以下となる、請求項1又は2に記載の窒化ケイ素粉末。
  5.  平均粒子径は1.0~2.5μmである、請求項1~4のいずれか一項に記載の窒化ケイ素粉末。
  6.  1:1の質量比で水と混合して得られるスラリーの25℃における粘度(30rpm)が10Pa・s以下である、請求項1~5のいずれか一項に記載の窒化ケイ素粉末。
  7.  請求項1~6のいずれか一項に記載の窒化ケイ素粉末と水とを含むスラリー。
  8.  請求項1~6のいずれか一項に記載の窒化ケイ素粉末を含む焼結原料を成形して焼成する工程を有する、窒化ケイ素焼結体の製造方法。

     
PCT/JP2022/013725 2021-03-30 2022-03-23 窒化ケイ素粉末、スラリー、及び窒化ケイ素焼結体の製造方法 WO2022210214A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022533452A JP7171973B1 (ja) 2021-03-30 2022-03-23 窒化ケイ素粉末、スラリー、及び窒化ケイ素焼結体の製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021057700 2021-03-30
JP2021-057700 2021-03-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022210214A1 true WO2022210214A1 (ja) 2022-10-06

Family

ID=83459161

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2022/013725 WO2022210214A1 (ja) 2021-03-30 2022-03-23 窒化ケイ素粉末、スラリー、及び窒化ケイ素焼結体の製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP7171973B1 (ja)
WO (1) WO2022210214A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002265276A (ja) * 2001-03-07 2002-09-18 Hitachi Metals Ltd 窒化ケイ素粉末および窒化ケイ素焼結体
CN102206082A (zh) * 2011-03-03 2011-10-05 北方民族大学 一种制备亚微米氮化硅的方法
JP2013203613A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Ube Industries Ltd 窒化ケイ素粉末の管理方法
JP2016003157A (ja) * 2014-06-16 2016-01-12 宇部興産株式会社 多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型の離型剤用窒化ケイ素粉末及びその製造方法、多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型の離型剤用窒化ケイ素粉末含有スラリー、ならびに多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型及びその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002265276A (ja) * 2001-03-07 2002-09-18 Hitachi Metals Ltd 窒化ケイ素粉末および窒化ケイ素焼結体
CN102206082A (zh) * 2011-03-03 2011-10-05 北方民族大学 一种制备亚微米氮化硅的方法
JP2013203613A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Ube Industries Ltd 窒化ケイ素粉末の管理方法
JP2016003157A (ja) * 2014-06-16 2016-01-12 宇部興産株式会社 多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型の離型剤用窒化ケイ素粉末及びその製造方法、多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型の離型剤用窒化ケイ素粉末含有スラリー、ならびに多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP7171973B1 (ja) 2022-11-15
JPWO2022210214A1 (ja) 2022-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5198121B2 (ja) 炭化タングステン粉末、炭化タングステン粉末の製造方法
JPWO2011081103A1 (ja) ジルコニア−アルミナ複合セラミック材料の製造方法、ジルコニア−アルミナ複合造粒粉、ジルコニアビーズ
TWI788533B (zh) 氮化矽粉末之製造方法
JP5637075B2 (ja) ナノ複合材料の製造方法
WO2003040060A1 (fr) Pastille frittee a base de carbure de bore et procede de preparation de cette derniere
JP2021038125A (ja) アルミナ粒子材料及びその製造方法
WO2021049530A1 (ja) 耐摩耗性アルミナ質焼結体
WO2018037846A1 (ja) 炭窒化チタン粉末、及び炭窒化チタン粉末の製造方法
WO2022210214A1 (ja) 窒化ケイ素粉末、スラリー、及び窒化ケイ素焼結体の製造方法
JP2008137838A (ja) アルミナ粉末及びその製造方法
JP2008031016A (ja) 炭化タンタル粉末および炭化タンタル−ニオブ複合粉末とそれらの製造方法
KR102441218B1 (ko) 탄화텅스텐 분말
JP2006298711A (ja) ZrO2質焼結体およびその製造方法、粉砕機用部材、粉砕機
JP7242972B2 (ja) 窒化ケイ素粉末、及び窒化ケイ素焼結体の製造方法
JP7223918B1 (ja) 窒化ケイ素粉末、及び窒化ケイ素焼結体の製造方法
JP2699770B2 (ja) 高充填性窒化ケイ素粉末及びその製造方法
JP2003137656A (ja) 炭化硼素−二硼化チタン焼結体とその製造方法
JP4965696B2 (ja) 酸化物分散強化型白金合金の製造方法
KR102603948B1 (ko) 탄화규소 슬러리 및 이의 제조방법
WO2021200864A1 (ja) 窒化ケイ素粉末、及び窒化ケイ素焼結体の製造方法
WO2021200865A1 (ja) 窒化ケイ素粉末、及び窒化ケイ素焼結体の製造方法
WO2021200868A1 (ja) 窒化ケイ素粉末、及び窒化ケイ素焼結体の製造方法
JP7187356B2 (ja) 球状炭化ホウ素粉末の製造方法
KR102533253B1 (ko) 세라믹체 제조 방법
JP2011136878A (ja) ジルコニア−アルミナ複合セラミック材料の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2022533452

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 22780428

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 22780428

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1