WO2022209119A1 - 半導体加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

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semiconductor
semiconductor wafer
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裕也 長谷川
和幸 田村
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リンテック株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to an adhesive tape for semiconductor processing, and more particularly, a method of forming grooves on the surface of a wafer, or forming a modified region inside the wafer with a laser, and singulating the wafer by stress or the like during grinding of the backside of the wafer.
  • the present invention relates to an adhesive tape preferably used for temporarily holding a semiconductor wafer or chip when manufacturing a semiconductor device using , and a method of manufacturing a semiconductor device using the adhesive tape.
  • the semiconductor chips mounted on them are similarly required to be smaller and thinner.
  • the wafer is fixed on a grinding table, the back side of the wafer is ground, and the wafer is ground by grinding.
  • a construction method called a dicing before grinding (DBG) method for obtaining chips by singulating is sometimes used.
  • DBG dicing before grinding
  • LDBG Laser Dicing Before Grinding
  • a semiconductor processing called a backgrind sheet is placed on the wafer surface to protect the circuits on the wafer surface and to hold the semiconductor wafer and semiconductor chips. It is common to attach an adhesive tape for The adhesive tape for semiconductor processing is fixed to the grinding table, and the back surface is ground. After grinding the back surface, an adhesive tape having an adhesive layer is attached to the ground surface, or a protective film forming tape is attached to form a protective film. After that, the adhesive tape for semiconductor processing attached to the surface of the wafer is peeled off after its adhesive strength is reduced by irradiation with energy rays such as ultraviolet rays. Through such steps, an adhesive layer and a protective film forming layer are formed on the back surface of the chip.
  • a laminated adhesive tape that includes a base material, an adhesive layer, and a buffer layer is sometimes used as an adhesive tape for semiconductor processing.
  • An adhesive tape for semiconductor processing is described, for example, in Patent Document 1 (Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2015-183008).
  • the buffer layer is made of a soft resin, and is provided to absorb vibrations generated when the backside of the wafer is ground, and to reduce irregularities caused by foreign matter, thereby stably and flatly holding the wafer on the grinding table.
  • a plurality of individualized semiconductor chips (hereinafter sometimes referred to as "chip group") are temporarily held on an adhesive tape for semiconductor processing, and are subjected to the energy beam irradiation process and pick-up process, which are the next processes. be transported.
  • the surface of the semiconductor processing adhesive tape on which the chip group is held is sucked by a jig called a chuck to remove the semiconductor processing adhesive tape and the chip group from the grinding table and transport them to the next process. is doing.
  • a vacuum chuck for sucking the holding surface of the chip group has been widely used. However, since the vacuum chuck directly contacts the back surface of the chip, the chip may be damaged or contaminated.
  • the Bernoulli chuck 20 is composed of an arc portion 22 on which a pad 21 is arranged and an arm portion 23 connected to the arc portion 22 .
  • the so-called Bernoulli effect is utilized to eject gas toward the chip group 24 to form a negative pressure region for suction. Therefore, the chip group 24 can be sucked without contact.
  • the chip group can be transported to the next process without being damaged or contaminated.
  • a phenomenon called "chipping" in which the edges of the chips were damaged, increased.
  • the present inventors obtained the following findings.
  • the Bernoulli chuck 20 is composed of the arc portion 22 on which the pad 21 is arranged and the arm portion 23 connected to the arc portion 22 .
  • the circular arc portion 22 is slightly smaller than the outer peripheral shape of the chip group 24 (that is, the outer peripheral shape of the wafer) and attracts the outer edge of the chip group 24 .
  • No suction force acts on the inner periphery. Therefore, when the group of chips 24 is sucked by the Bernoulli chuck 20 and removed from the grinding table, the outer edge of the semiconductor processing adhesive tape 10 is sucked, but the inner circumference is not sucked, and the self-weight of the tape and chips causes the inside of the semiconductor processing adhesive tape 10 to be sucked.
  • the circumference hangs down and curves (Fig. 3). As a result, the split chips come into contact with each other, and chipping occurs in which the ends of the chips are damaged.
  • the chip spacing (kerf width) is relatively wide, so contact between chips does not occur frequently. Chipping occurs frequently due to contact between chips in contact with each other. In particular, chipping is likely to occur in ultra-thin chips whose bending strength has decreased due to progress in thinning.
  • an object of the present invention is to suppress the occurrence of chipping even when a group of chips is conveyed using a Bernoulli chuck.
  • the gist of the present invention for the purpose of solving such problems is as follows.
  • a pressure-sensitive adhesive tape having a base material, a buffer layer provided on one side of the base material, and an adhesive layer provided on the other side of the base material,
  • the semiconductor wafer In the step of grinding the back surface of a semiconductor wafer in which grooves are formed in the surface of the semiconductor wafer or in which a modified region is formed in the semiconductor wafer, and singulating the semiconductor wafer into semiconductor chips by the grinding, the semiconductor wafer
  • the semiconductor wafer having the adhesive tape attached to the front surface and having the groove or the modified region formed therein is ground from the back side, and separated into a plurality of chips starting from the groove or the modified region.
  • a method of manufacturing a semiconductor device comprising:
  • the bending resistance of the tape is controlled within an appropriate range.
  • the tape does not warp even when the tape is taped, and the occurrence of chipping can be suppressed.
  • FIG. 1 shows a usage mode of a Bernoulli chuck.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of FIG. 2;
  • Form semiconductor processing means that it can be used in each process such as transportation of semiconductor wafers, back grinding, dicing, and pickup of semiconductor chips.
  • the "front surface” of a semiconductor wafer refers to the surface on which circuits are formed, and the “back surface” refers to the surface on which no circuits are formed. Separation of a semiconductor wafer means dividing the semiconductor wafer into individual circuits to obtain semiconductor chips.
  • DBG refers to a method in which a groove of a predetermined depth is formed on the front side of the wafer, then the wafer is ground from the back side, and the wafer is singulated by grinding.
  • the grooves formed on the surface side of the wafer are formed by a method such as blade dicing, laser dicing or plasma dicing.
  • LDBG is a modification of DBG, and refers to a method in which a laser is used to provide a modified region inside the wafer, and the wafer is singulated by stress or the like during grinding of the back surface of the wafer.
  • a Bernoulli chuck as shown in FIG. 2, is composed of an arc portion 22 in which a pad 21 is arranged and an arm portion 23 connected to the arc portion.
  • the specific configuration thereof is not particularly limited, and various commercially available products can be used.
  • the arc may be a closed circular shape (donut shape).
  • the so-called Bernoulli effect is used to eject gas toward the chip group to form a negative pressure region, thereby sucking the chips. Therefore, the chip group can be sucked in a non-contact manner.
  • the adhesive tape for semiconductor processing according to the present invention may be simply referred to as "adhesive tape".
  • the adhesive tape 10 means a laminate including a substrate 11 and an adhesive layer 12, as shown in FIG.
  • the adhesive tape 10 has a buffer layer 13 on the surface of the substrate 11 opposite to the adhesive layer 12 .
  • a primer layer may be formed on the surface of the substrate on the pressure-sensitive adhesive layer side, and a release sheet may be laminated on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer to protect the pressure-sensitive adhesive layer until use.
  • the base material may be a single layer or may be a multilayer. The same applies to the adhesive layer and the buffer layer.
  • the bending resistance of the laminate of the base material 11 and the buffer layer 13 is 68 mm or more, preferably 69 mm or more.
  • the upper limit of the bending resistance is not particularly limited, but if the bending resistance is too high, peeling of the adhesive tape 10 may become difficult. . Since the bending resistance of the laminated body of the base material 11 and the buffer layer 13 included in the semiconductor processing adhesive tape 10 is within the above range, the semiconductor processing adhesive tape 10 holding the chip group is supported by the Bernoulli chuck 20. Even when the adhesive tape 10 is pressed, the adhesive tape 10 is not easily deformed and sagging can be prevented. As a result, contact between chips is reduced, and chipping can be suppressed.
  • Bending resistance is measured by the cantilever method.
  • the laminate of the base material 11 and the buffer layer 13 was cut into 20 mm width x 150 mm length, and the bending resistance was measured at 23°C and 50% RH using a cantilever type bending resistance tester (manufactured by TOYOSEIKI). Measure (based on JIS L1086). Static electricity affects the measured bending resistance, so static electricity is removed before measurement.
  • the laminated body is in roll form, the values in the CD (cross direction) direction are evaluated because the MD (machine direction) direction has large variations.
  • the adhesive layer 12 is removed with a solvent or the like. Bending stiffness is measured after removal.
  • each member is not particularly limited as long as the bending resistance of the laminate of the base material 11 and the buffer layer 13 is within the above range.
  • a preferred configuration of each member of the adhesive tape for semiconductor processing will be described in more detail.
  • the Young's modulus of the base material 11 at 23° C. is preferably 1000 MPa or more. If a base material with a Young's modulus of less than 1000 MPa is used, the holding performance of the adhesive tape on the semiconductor wafer or semiconductor chip is reduced, and vibrations, etc. during back grinding cannot be suppressed, resulting in chipping or breakage of the semiconductor chip. easier.
  • the inner peripheral portion of the adhesive tape which is not affected by the suction force of the Bernoulli chuck, hangs down and curves.
  • the chips on the inner periphery of the adhesive tape may come into contact with each other and chipping may occur.
  • the Young's modulus of the base material is set to 1000 MPa or more at 23° C., the performance of holding the semiconductor wafer or semiconductor chip by the adhesive tape is enhanced, suppressing vibration during back grinding, etc., and preventing chipping and breakage of the semiconductor chip. can.
  • the Young's modulus of the substrate at 23° C. is more preferably 1800 to 30000 MPa, still more preferably 2500 to 6000 MPa.
  • the thickness of the substrate is not particularly limited, it is preferably 80 ⁇ m or less, more preferably 15 to 70 ⁇ m, even more preferably 20 to 60 ⁇ m.
  • the thickness of the base material is preferably 80 ⁇ m or less, more preferably 15 to 70 ⁇ m, even more preferably 20 to 60 ⁇ m.
  • the material of the substrate is not particularly limited as long as it satisfies the above physical properties, and various resin films can be used.
  • a base material having a Young's modulus of 1000 MPa or more at 23° C. for example, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, polyesters such as wholly aromatic polyesters, polyimides, polyamides, polycarbonates, polyacetals, modified polyphenylene oxides, and polyphenylene sulfides. , polysulfone, polyetherketone, and biaxially oriented polypropylene.
  • a film containing one or more selected from a polyester film, a polyamide film, a polyimide film, and a biaxially stretched polypropylene film is preferable, more preferably a polyester film, and further preferably a polyethylene terephthalate film.
  • the substrate may contain plasticizers, lubricants, infrared absorbers, ultraviolet absorbers, fillers, colorants, antistatic agents, antioxidants, catalysts, etc., as long as they do not impair the effects of the present invention. good.
  • the substrate may be transparent or opaque, and may be colored or vapor-deposited as desired.
  • the base material may be subjected to adhesion treatment such as corona treatment in order to improve adhesion with at least one of the buffer layer and the adhesive layer.
  • the substrate may have the resin film described above and a primer layer coated on at least one surface of the resin film.
  • the primer layer-forming composition for forming the primer layer is not particularly limited, but examples thereof include compositions containing polyester-based resins, urethane-based resins, polyester-urethane-based resins, acrylic-based resins, and the like.
  • the primer layer-forming composition may optionally contain a cross-linking agent, a photopolymerization initiator, an antioxidant, a softening agent (plasticizer), a filler, an antirust agent, a pigment, a dye, and the like. .
  • the thickness of the primer layer is preferably 0.01-10 ⁇ m, more preferably 0.03-5 ⁇ m.
  • the thickness of the primer layer in the examples of the present application is smaller than the thickness of the base material, the thickness of the resin film having the primer layer and the thickness of the base material are substantially the same.
  • the material of the primer layer is soft, it has little effect on the Young's modulus, and the Young's modulus of the substrate is substantially the same as that of the resin film even when the primer layer is provided.
  • the Young's modulus of the base material can be controlled by selecting the resin composition, adding a plasticizer, and stretching conditions during resin film production. Specifically, when a polyethylene terephthalate film is used as the substrate, the Young's modulus of the substrate tends to decrease as the content of the ethylene component in the copolymer component increases. Moreover, when the amount of the plasticizer blended with respect to the resin composition constituting the base material is increased, the Young's modulus of the base material tends to decrease.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 12 is not particularly limited as long as it has appropriate pressure-sensitive adhesiveness at room temperature, but preferably has a shear storage modulus of 0.05 to 0.50 MPa at 23°C. Circuits and the like are formed on the surface of a semiconductor wafer, and the surface is usually uneven. By setting the shear storage elastic modulus of the adhesive layer within the above range, when the adhesive tape is applied to the wafer surface having unevenness, the unevenness of the wafer surface and the adhesive layer are sufficiently contacted, and the adhesive layer is smoothed. Adhesiveness can be exhibited appropriately. Therefore, it is possible to reliably fix the adhesive tape to the semiconductor wafer and to appropriately protect the wafer surface during back grinding.
  • the shear storage modulus of the adhesive layer is more preferably 0.12 to 0.35 MPa.
  • the shear storage elastic modulus of the adhesive layer means the shear storage elastic modulus before curing by energy ray irradiation when the adhesive layer is formed from an energy ray-curable adhesive.
  • the shear storage modulus can be measured by the following method.
  • a measurement sample is obtained by punching a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of about 0.5 to 1 mm into a circle having a diameter of 7.9 mm.
  • the elastic modulus of the measurement sample is measured when the temperature is changed at a temperature increase rate of 3 ° C./min in the temperature range of -30 ° C. to 150 ° C. at a frequency of 1 Hz. .
  • the elastic modulus at the measurement temperature of 23°C is taken as the shear storage elastic modulus at 23°C.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably less than 100 ⁇ m, more preferably 5-80 ⁇ m, even more preferably 10-70 ⁇ m.
  • the adhesive layer is formed of, for example, an acrylic adhesive, a urethane adhesive, a rubber adhesive, a silicone adhesive, or the like, with the acrylic adhesive being preferred.
  • the adhesive layer is preferably formed from an energy ray-curable adhesive.
  • an energy ray-curable adhesive for forming the adhesive layer for example, in addition to a non-energy ray-curable adhesive resin (also referred to as “adhesive resin I”), an energy ray-curable compound other than the adhesive resin can be used.
  • An energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition (hereinafter also referred to as “X-type pressure-sensitive adhesive composition”) can be used.
  • an energy ray-curable adhesive resin hereinafter also referred to as “adhesive resin II" obtained by introducing an unsaturated group into the side chain of a non-energy ray-curable adhesive resin is used.
  • a pressure-sensitive adhesive composition (hereinafter, also referred to as "Y-type pressure-sensitive adhesive composition”) containing as a main component and not containing an energy ray-curable compound other than the pressure-sensitive adhesive resin may also be used.
  • an energy ray-curable adhesive a combined type of X-type and Y-type, that is, in addition to the energy ray-curable adhesive resin II, an energy ray-curable adhesive containing an energy ray-curable compound other than the adhesive resin is used.
  • An adhesive composition hereinafter also referred to as "XY type adhesive composition" may be used.
  • the XY-type adhesive composition it is preferable to use the XY-type adhesive composition.
  • the XY type it is possible to have sufficient adhesive properties before curing, while sufficiently reducing the peel strength to the semiconductor wafer after curing.
  • the adhesive may be formed from a non-energy ray-curable adhesive composition that does not cure even when irradiated with energy rays.
  • the non-energy ray-curable adhesive composition contains at least the non-energy ray-curable adhesive resin I, but does not contain the energy ray-curable adhesive resin II and the energy ray-curable compound. be.
  • adhesive resin is used as a term indicating one or both of the above-described adhesive resin I and adhesive resin II.
  • specific adhesive resins include acrylic resins, urethane resins, rubber resins, and silicone resins, with acrylic resins being preferred.
  • the acrylic pressure-sensitive adhesive in which an acrylic resin is used as the pressure-sensitive adhesive resin will be described in more detail below.
  • Acrylic polymer is used for acrylic resin.
  • the acrylic polymer is obtained by polymerizing a monomer containing at least an alkyl (meth)acrylate, and contains structural units derived from the alkyl (meth)acrylate.
  • Alkyl (meth)acrylates include those having 1 to 20 carbon atoms in the alkyl group, and the alkyl group may be linear or branched.
  • alkyl (meth)acrylates include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, isopropyl (meth)acrylate, n-propyl (meth)acrylate, n-butyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, ) acrylate, n-octyl (meth)acrylate, isooctyl (meth)acrylate, nonyl (meth)acrylate, decyl (meth)acrylate, undecyl (meth)acrylate, dodecyl (meth)acrylate and the like. You may use an alkyl (meth)acrylate individually or in combination of 2 or more types.
  • the acrylic polymer preferably contains a structural unit derived from an alkyl (meth)acrylate whose alkyl group has 4 or more carbon atoms.
  • the number of carbon atoms in the alkyl (meth)acrylate is preferably 4-12, more preferably 4-6.
  • the alkyl (meth)acrylate having an alkyl group having 4 or more carbon atoms is preferably an alkyl acrylate.
  • an alkyl group having a carbon number of 4 or more is added in order to adjust the elastic modulus and adhesive properties of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • a copolymer containing 1 to 3 alkyl (meth)acrylate-derived structural units is preferred.
  • the alkyl (meth)acrylate is preferably an alkyl (meth)acrylate having 1 or 2 carbon atoms, more preferably methyl (meth)acrylate, and most preferably methyl methacrylate.
  • the content of the alkyl (meth)acrylate having 1 to 3 carbon atoms in the alkyl group is preferably 1 to 30 parts by mass, more preferably 3 to 26 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the total amount of the monomer. parts by mass, more preferably 6 to 22 parts by mass.
  • the acrylic polymer preferably has structural units derived from a functional group-containing monomer in addition to the structural units derived from the alkyl (meth)acrylate described above.
  • the functional group of the functional group-containing monomer includes a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, an epoxy group and the like.
  • the functional group-containing monomer reacts with a cross-linking agent described later to become a cross-linking starting point, or reacts with an unsaturated group-containing compound to introduce an unsaturated group into the side chain of the acrylic polymer. be.
  • Functional group-containing monomers include hydroxyl group-containing monomers, carboxy group-containing monomers, amino group-containing monomers, epoxy group-containing monomers, and the like.
  • a hydroxyl group-containing monomer, a carboxy group-containing monomer, an amino group-containing monomer, an epoxy group-containing monomer, and the like may be used alone or in combination of two or more.
  • hydroxyl group-containing monomers and carboxy group-containing monomers are preferably used, and hydroxyl group-containing monomers are more preferably used.
  • hydroxyl group-containing monomers examples include 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, 3- Hydroxyalkyl (meth)acrylates such as hydroxybutyl (meth)acrylate and 4-hydroxybutyl (meth)acrylate; unsaturated alcohols such as vinyl alcohol and allyl alcohol;
  • Carboxy group-containing monomers include, for example, ethylenically unsaturated monocarboxylic acids such as (meth)acrylic acid and crotonic acid; ethylenically unsaturated dicarboxylic acids such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid and citraconic acid, and their anhydrides , 2-carboxyethyl methacrylate and the like.
  • monocarboxylic acids such as (meth)acrylic acid and crotonic acid
  • dicarboxylic acids such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid and citraconic acid, and their anhydrides
  • 2-carboxyethyl methacrylate and the like include, for example, ethylenically unsaturated monocarboxylic acids such as (meth)acrylic acid and crotonic acid; ethylenically unsaturated dicarboxylic acids such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid and citraconic
  • the content of the functional group-containing monomer is preferably 1 to 35 parts by mass, more preferably 3 to 32 parts by mass, and still more preferably 6 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of monomers constituting the acrylic polymer.
  • the acrylic polymer may contain structural units derived from monomers copolymerizable with the above acrylic monomers, such as styrene, ⁇ -methylstyrene, vinyl toluene, vinyl formate, vinyl acetate, acrylonitrile, and acrylamide. may contain.
  • the above acrylic polymer can be used as a non-energy ray-curable adhesive resin I (acrylic resin).
  • the energy ray-curable acrylic resin include those obtained by reacting the functional group of the acrylic polymer I with a compound having a photopolymerizable unsaturated group (also referred to as an unsaturated group-containing compound). .
  • the unsaturated group-containing compound is a compound that has both a substituent that can be bonded to the functional group of the acrylic polymer and a photopolymerizable unsaturated group.
  • the photopolymerizable unsaturated group includes a (meth)acryloyl group, a vinyl group, an allyl group, a vinylbenzyl group, etc., and a (meth)acryloyl group is preferred.
  • an isocyanate group, a glycidyl group, etc. are mentioned as a functional group and a bondable substituent which the unsaturated group containing compound has.
  • examples of unsaturated group-containing compounds include (meth)acryloyloxyethyl isocyanate, (meth)acryloylisocyanate, glycidyl (meth)acrylate, and the like.
  • the unsaturated group-containing compound preferably reacts with a part of the functional groups of the acrylic polymer.
  • 50 to 98 mol% of the functional groups of the acrylic polymer include It is preferable to react the contained compounds, more preferably 55 to 93 mol %.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the acrylic resin is preferably 300,000 to 1,600,000, more preferably 400,000 to 1,400,000, and still more preferably 500,000 to 1,200,000.
  • Energy ray-curable compound contained in the X-type or XY-type pressure-sensitive adhesive composition, a monomer or oligomer having an unsaturated group in the molecule and capable of being polymerized and cured by energy ray irradiation is preferable.
  • energy ray-curable compounds include trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol (meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, 1,4- Polyvalent (meth)acrylate monomers such as butylene glycol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol (meth)acrylate, urethane (meth)acrylate, polyester (meth)acrylate, polyether (meth)acrylate, epoxy ( Oligomers such as meth)acrylates can be mentioned.
  • urethane (meth)acrylate oligomers are preferable because they have a relatively high molecular weight and are less likely to reduce the shear storage modulus of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the energy ray-curable compound has a molecular weight (weight average molecular weight in the case of an oligomer) of preferably 100 to 12,000, more preferably 200 to 10,000, still more preferably 400 to 8,000, and particularly preferably 600 to 6,000.
  • the content of the energy ray-curable compound in the X-type adhesive composition is preferably 40 to 200 parts by mass, more preferably 50 to 150 parts by mass, and still more preferably 60 to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin. 90 parts by mass.
  • the content of the energy ray-curable compound in the XY-type adhesive composition is preferably 1 to 30 parts by mass, more preferably 2 to 20 parts by mass, and even more preferably 100 parts by mass of the adhesive resin. is 3 to 15 parts by mass.
  • the adhesive resin is energy ray-curable, even if the content of the energy ray-curable compound is small, it is possible to sufficiently reduce the peel strength after energy ray irradiation. is.
  • the pressure-sensitive adhesive composition preferably further contains a cross-linking agent.
  • the cross-linking agent reacts with, for example, a functional group derived from a functional group-containing monomer possessed by the adhesive resin to cross-link the adhesive resins.
  • cross-linking agents examples include isocyanate-based cross-linking agents such as tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and adducts thereof; epoxy-based cross-linking agents such as ethylene glycol glycidyl ether; hexa[1-(2-methyl)-aziridinyl ] aziridine-based cross-linking agents such as triphosphatriazine; chelate-based cross-linking agents such as aluminum chelate; These cross-linking agents may be used alone or in combination of two or more.
  • isocyanate-based cross-linking agents are preferable from the viewpoint of increasing cohesive strength and improving adhesive strength, and from the viewpoint of availability.
  • the amount of the cross-linking agent is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.03 to 7 parts by mass, and still more preferably 0 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin. 0.05 to 4 parts by mass.
  • the pressure-sensitive adhesive composition when the pressure-sensitive adhesive composition is energy ray-curable, the pressure-sensitive adhesive composition preferably further contains a photopolymerization initiator.
  • a photopolymerization initiator By including a photopolymerization initiator, the curing reaction of the pressure-sensitive adhesive composition can sufficiently proceed even with relatively low-energy energy rays such as ultraviolet rays.
  • photopolymerization initiators examples include benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones.
  • photopolymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
  • the amount of the photopolymerization initiator is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.03 to 5 parts by mass, and still more preferably 0.05 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin. is.
  • the pressure-sensitive adhesive composition may contain other additives as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • Other additives include, for example, antistatic agents, antioxidants, softeners (plasticizers), fillers, rust inhibitors, pigments, dyes, and the like.
  • the blending amount of the additives is preferably 0.01 to 6 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin.
  • the adhesive composition may be further diluted with an organic solvent to form a solution of the adhesive composition, from the viewpoint of improving the applicability to the base material, the buffer layer, and the release sheet.
  • organic solvents include methyl ethyl ketone, acetone, ethyl acetate, tetrahydrofuran, dioxane, cyclohexane, n-hexane, toluene, xylene, n-propanol and isopropanol.
  • the organic solvents used during the synthesis of the adhesive resin may be used as they are. may be added with one or more organic solvents.
  • the buffer layer relieves the stress during grinding of the back surface of the semiconductor wafer and prevents the semiconductor wafer from cracking and chipping.
  • the composition of the buffer layer is not limited, but from the viewpoint of easy control of viscoelasticity, it is preferably a cured product of a buffer layer-forming composition containing an energy ray-polymerizable compound.
  • a buffer layer-forming composition containing an energy ray-polymerizable compound Each component contained in the layer formed from the buffer layer-forming composition containing the energy ray-polymerizable compound will be described below in order.
  • a composition for forming a buffer layer containing an energy ray-polymerizable compound can be cured by being irradiated with an energy ray.
  • the composition for forming a buffer layer containing the energy ray-polymerizable compound more specifically contains the urethane (meth)acrylate (a1).
  • the composition for forming a buffer layer includes a polymerizable compound (a2) having an alicyclic or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms and/or a polymerizable compound having a functional group. It is more preferable to contain compound (a3).
  • the composition for forming a buffer layer may contain a polyfunctional polymerizable compound (a4).
  • the composition for forming a buffer layer preferably contains a photopolymerization initiator, and may contain other additives and resin components within a range that does not impair the effects of the present invention.
  • a photopolymerization initiator e.g., a photopolymerization initiator
  • each component contained in the buffer layer-forming composition containing the energy ray-polymerizable compound will be described in detail below.
  • the urethane (meth)acrylate (a1) is a compound having at least a (meth)acryloyl group and a urethane bond, and has the property of being polymerized and cured by energy ray irradiation.
  • Urethane (meth)acrylates (a1) are oligomers or polymers.
  • the weight average molecular weight (Mw) of component (a1) is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 2,000 to 60,000, still more preferably 10,000 to 30,000.
  • the number of (meth)acryloyl groups (hereinafter also referred to as "number of functional groups") in component (a1) may be monofunctional, difunctional, or trifunctional or more, but monofunctional or difunctional is preferred. .
  • Component (a1) can be obtained, for example, by reacting a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a polyol compound and a polyvalent isocyanate compound with a (meth)acrylate having a hydroxyl group.
  • a component (a1) individually or in combination of 2 or more types.
  • the polyol compound used as the raw material for component (a1) is not particularly limited as long as it is a compound having two or more hydroxy groups.
  • Specific polyol compounds include, for example, alkylene diols, polyether polyols, polyester polyols, and polycarbonate polyols. Among these, polyester-type polyols and polycarbonate-type polyols are preferred.
  • the polyol compound may be a bifunctional diol, a trifunctional triol, or a tetrafunctional or higher polyol, but bifunctional diols are preferred, and polyester diols or polycarbonate diols are more preferred.
  • polyvalent isocyanate compounds include aliphatic polyisocyanates such as tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate and trimethylhexamethylene diisocyanate; Alicyclic diisocyanates such as ,4'-diisocyanate, ⁇ , ⁇ '-diisocyanatedimethylcyclohexane;4,4'-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, tolidine diisocyanate, tetramethylene xylylene diisocyanate, naphthalene- aromatic diisocyanates such as 1,5-diisocyanate; Among these, isophorone diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and xylylene diisocyanate are preferred.
  • a urethane (meth)acrylate (a1) can be obtained by reacting a (meth)acrylate having a hydroxyl group with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting the above-mentioned polyol compound and a polyvalent isocyanate compound.
  • the (meth)acrylate having a hydroxy group is not particularly limited as long as it is a compound having a hydroxy group and a (meth)acryloyl group in at least one molecule.
  • Specific (meth)acrylates having a hydroxy group include, for example, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, 4-hydroxycyclohexyl (meth) Acrylate, 5-hydroxycyclooctyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-phenyloxypropyl (meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, polyethylene glycol mono(meth)acrylate, polypropylene glycol mono(meth)acrylate, etc.
  • hydroxyalkyl (meth)acrylate hydroxy group-containing (meth)acrylamide such as N-methylol (meth)acrylamide
  • hydroxyalkyl (meth)acrylates are preferred, and 2-hydroxyethyl (meth)acrylate is more preferred.
  • the conditions for reacting the isocyanate-terminated urethane prepolymer and the (meth)acrylate having a hydroxy group are preferably conditions for reacting at 60 to 100° C. for 1 to 4 hours in the presence of a solvent and a catalyst added as necessary. .
  • Component (a2) is a polymerizable compound having an alicyclic or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms, and more preferably a compound having at least one (meth)acryloyl group. Compounds having one (meth)acryloyl group are preferred.
  • component (a2) overlaps with the definition of component (a3) described later, the overlapping part is included in component (a3).
  • a compound having at least one (meth)acryloyl group, an alicyclic or heterocyclic group having 6 to 20 ring-forming atoms, and a functional group such as a hydroxyl group, an epoxy group, an amide group, or an amino group is a component
  • the compound is included in component (a3).
  • the number of ring-forming atoms in the alicyclic group or heterocyclic group of component (a2) is preferably 6 to 20, more preferably 6 to 18, still more preferably 6 to 16, particularly preferably 7 to 12. be.
  • Atoms forming the ring structure of the heterocyclic group include, for example, a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom and the like.
  • the number of ring-forming atoms refers to the number of atoms constituting the ring itself of a compound having a structure in which atoms are cyclically bonded, and atoms that do not constitute a ring (for example, hydrogen atoms bonded to atoms that constitute a ring). Also, when the ring is substituted with a substituent, the atoms included in the substituent are not included in the number of ring-forming atoms.
  • Examples of specific component (a2) include isobornyl (meth)acrylate, dicyclopentenyl (meth)acrylate, dicyclopentanyl (meth)acrylate, dicyclopentenyloxy (meth)acrylate, cyclohexyl (meth)acrylate, alicyclic group-containing (meth)acrylates such as adamantane (meth)acrylate; heterocyclic group-containing (meth)acrylates such as tetrahydrofurfuryl (meth)acrylate, morpholine (meth)acrylate, and cyclic trimethylolpropane formal acrylate; be done.
  • a component (a2) individually or in combination of 2 or more types.
  • alicyclic group-containing (meth)acrylates isobornyl (meth)acrylate is preferred.
  • the content of the component (a2) in the buffer layer-forming composition is preferably 10 to 80 parts by mass, more preferably 30 to 70 parts by mass, relative to the total amount (100 parts by mass) of the buffer layer-forming composition. is.
  • Component (a3) is a polymerizable compound containing a functional group such as a hydroxyl group, an epoxy group, an amide group, or an amino group, and is preferably a compound having at least one (meth)acryloyl group. Compounds having one (meth)acryloyl group are preferred.
  • the component (a3) has good compatibility with the component (a1), making it easier to adjust the viscosity of the composition for forming a buffer layer within an appropriate range. Moreover, even if the buffer layer is made relatively thin, the buffer performance is improved.
  • component (a3) examples include hydroxyl group-containing (meth)acrylates, epoxy group-containing compounds, amide group-containing compounds, amino group-containing (meth)acrylates, and the like.
  • hydroxyl group-containing (meth)acrylates examples include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxybutyl (meth)acrylate, 3-hydroxy Butyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, phenylhydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate and the like.
  • epoxy group-containing compounds examples include glycidyl (meth)acrylate, methylglycidyl (meth)acrylate, allyl glycidyl ether, and the like. Among these, epoxy groups such as glycidyl (meth)acrylate and methylglycidyl (meth)acrylate Group-containing (meth)acrylates are preferred.
  • amide group-containing compounds include (meth)acrylamide, N,N-dimethyl(meth)acrylamide, N-butyl(meth)acrylamide, N-methylol(meth)acrylamide, N-methylolpropane(meth)acrylamide, N -Methoxymethyl(meth)acrylamide, N-butoxymethyl(meth)acrylamide and the like.
  • amino group-containing (meth)acrylates examples include primary amino group-containing (meth)acrylates, secondary amino group-containing (meth)acrylates, and tertiary amino group-containing (meth)acrylates.
  • hydroxyl group-containing (meth)acrylates are preferable, and hydroxyl group-containing (meth)acrylates having an aromatic ring such as phenylhydroxypropyl (meth)acrylate are more preferable.
  • the content of the component (a3) in the buffer layer-forming composition is preferably 0 to 40 parts by mass, more preferably 0 to 35 parts by mass, relative to the total amount (100 parts by mass) of the buffer layer-forming composition. , more preferably 0 to 30 parts by mass.
  • a three-dimensional network structure (crosslinked structure) is formed.
  • the number of crosslinked structures formed by energy ray irradiation tends to increase, compared to when a compound containing only one photopolymerizable unsaturated group is used.
  • component (a4) overlaps with the definitions of components (a2) and (a3) described above, the overlap is included in component (a4).
  • a compound having an alicyclic or heterocyclic group with 6 to 20 ring atoms and two or more (meth)acryloyl groups is included in the definition of both component (a4) and component (a2).
  • the compound is included in component (a4).
  • compounds containing functional groups such as hydroxyl groups, epoxy groups, amide groups and amino groups and having two or more (meth)acryloyl groups are included in the definition of both component (a4) and component (a3).
  • the compound is included in component (a4).
  • the number of photopolymerizable unsaturated groups (number of functional groups) in the polyfunctional polymerizable compound is preferably 2-10, more preferably 3-6.
  • the weight average molecular weight of component (a4) is preferably 30-40,000, more preferably 100-10,000, and even more preferably 200-1,000.
  • Examples of specific component (a4) include ethylene glycol di(meth)acrylate, diethylene glycol di(meth)acrylate, triethylene glycol di(meth)acrylate, tetraethylene glycol di(meth)acrylate, and glycol-derived repeating units.
  • Polyethylene glycol di(meth)acrylate generally indicates the number of glycol units in parentheses. For example, when the number of glycol units is 600, it is indicated as polyethylene glycol (600) diacrylate.
  • a component (a4) individually or in combination of 2 or more types.
  • polyethylene glycol diacrylate and neopentyl glycol di(meth)acrylate are preferred.
  • the content of the component (a4) in the buffer layer-forming composition is preferably 2 to 40 parts by mass, more preferably 3 to 20 parts by mass, relative to the total amount (100 parts by mass) of the buffer layer-forming composition. , more preferably 5 to 15 parts by mass.
  • composition for forming a buffer layer may contain a polymerizable compound (a5) other than the components (a1) to (a4) as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • component (a5) examples include alkyl (meth)acrylates having an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; styrene, hydroxyethyl vinyl ether, hydroxybutyl vinyl ether, N-vinylformamide, N-vinylpyrrolidone, N-vinylcaprolactam, and the like. vinyl compound of: and the like.
  • the content of the component (a5) in the buffer layer-forming composition is preferably 0 to 20 parts by mass, more preferably 0 to 10 parts by mass, relative to the total amount (100 parts by mass) of the buffer layer-forming composition. , more preferably 0 to 5 parts by mass, particularly preferably 0 to 2 parts by mass.
  • the buffer layer-forming composition preferably further contains a photopolymerization initiator from the viewpoint of shortening the polymerization time by light irradiation and reducing the amount of light irradiation when forming the buffer layer.
  • photopolymerization initiators examples include benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones.
  • 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one
  • benzoin benzoin methyl ether
  • benzoin ethyl ether benzoin isopropyl ether
  • benzylphenyl sulfide tetramethylthiuram monosulfide
  • azobisisobutyrolnitrile dibenzyl, diacetyl, 8-chloroanthraquinone, bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide and the like.
  • photopolymerization initiators can be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the photopolymerization initiator in the buffer layer-forming composition is preferably 0.05 to 15 parts by mass, more preferably 0.1 to 10 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the total amount of the energy ray-polymerizable compound. parts by mass, more preferably 0.3 to 5 parts by mass.
  • the buffer layer-forming composition may contain other additives as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • Other additives include, for example, antistatic agents, antioxidants, softeners (plasticizers), fillers, rust inhibitors, pigments, dyes, and the like.
  • the content of each additive in the buffer layer-forming composition is preferably 0.01 to 6 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the energy ray-polymerizable compound. More preferably, it is 0.1 to 3 parts by mass.
  • the buffer layer-forming composition may contain a resin component as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the resin component include polyene/thiol-based resins, polyolefin-based resins such as polybutene, polybutadiene, and polymethylpentene, and thermoplastic resins such as styrene-based copolymers.
  • the content of these resin components in the buffer layer-forming composition is preferably 0 to 20 parts by mass, more preferably 0 to 10 parts by mass, relative to the total amount (100 parts by mass) of the buffer layer-forming composition. , more preferably 0 to 5 parts by mass, particularly preferably 0 to 2 parts by mass.
  • the buffer layer formed from the buffer layer-forming composition containing the energy ray-polymerizable compound is obtained by polymerizing and curing the buffer layer-forming composition having the above composition by energy ray irradiation. That is, the buffer layer is a cured product of the composition for forming a buffer layer.
  • the buffer layer contains polymerized units derived from component (a1). Moreover, the buffer layer preferably contains polymerized units derived from the component (a2) and/or polymerized units derived from the component (a3). Furthermore, polymerized units derived from component (a4) and/or polymerized units derived from component (a5) may be contained.
  • the content ratio of each polymer unit in the buffer layer usually corresponds to the ratio (feed ratio) of each component constituting the buffer layer-forming composition. For example, when the content of component (a1) in the buffer layer-forming composition is 10 to 70 parts by mass with respect to the total amount (100 parts by mass) of the buffer layer-forming composition, the buffer layer contains component (a1). It contains 10 to 70 parts by mass of the derived polymerized units.
  • the buffer layer-forming composition contains 10 to 80 parts by mass of the derived polymerized units.
  • the bending resistance of the laminate of the base material 11 and the buffer layer 13 is 68 mm or more.
  • the adhesive tape 10 for semiconductor processing holding a group of chips is supported by the Bernoulli chuck 20, the adhesive tape 10 is not easily deformed and can be prevented from sagging. As a result, contact between chips is reduced, and chipping can be suppressed.
  • the bending resistance of the laminate can be controlled by the material and thickness of the base material 11 and the buffer layer 13 . If a film with high rigidity or a thick film is used as the base material, the bending resistance increases. Moreover, even if a film having a dense cross-linked structure or a thick film is used as the buffer layer, the bending resistance increases.
  • the buffer layer is obtained by curing the buffer layer-forming composition described above.
  • the crosslinked structure of the buffer layer can be adjusted by selecting the composition of the buffer layer-forming composition. Therefore, in order to control the bending resistance of the laminate of the base material and the buffer layer within the above range, the types and amounts of the components constituting the buffer layer-forming composition may be adjusted. Guidelines for adjusting the type and amount of each component are described below. For example, when the urethane (meth)acrylate (a1) has a large number of (meth)acryloyl groups, the crosslinked structure increases in the buffer layer, and the bending resistance of the laminate of the base material and the buffer layer increases.
  • the buffer layer contains many crosslinked structures
  • the buffer layer becomes hard, and the bending resistance of the laminate of the base material and the buffer layer tends to increase. Therefore, the bending resistance of the laminate can be controlled within an appropriate range by adjusting the amounts of the components involved in the formation of the crosslinked structure.
  • components involved in forming a crosslinked structure include (meth)acryloyl groups of urethane (meth)acrylate (a1) and polyfunctional polymerizable compound (a4).
  • the polyfunctional polymerizable compound (a4) is easy to use and is a useful component for forming a crosslinked structure.
  • the structure of the buffer layer contains a relatively soft structural unit (eg, a unit with a long chain length)
  • the bending resistance of the laminate of the base material and the buffer layer tends to decrease. Therefore, the bending resistance of the laminate can be controlled within an appropriate range by adjusting the amount of components involved in the formation of the long chain structure.
  • a unit having a long chain length includes a urethane chain of urethane (meth)acrylate (a1).
  • the bending resistance is excessively increased, when the semiconductor processing adhesive tape 10 is peeled off from the chip group 24, the repulsive force due to the bending of the tape increases, and excessive pressure is applied to the chips, which may damage the chips. There is That is, if the bending resistance is too high, peeling of the adhesive tape 10 may become difficult, so the bending resistance is preferably 150 mm or less.
  • the buffer layer described above contains additives such as plasticizers, lubricants, infrared absorbers, ultraviolet absorbers, fillers, colorants, antistatic agents, antioxidants, and catalysts, as long as they do not impair the effects of the present invention. You may let Moreover, the buffer layer described above may be transparent or opaque, and may be colored or vapor-deposited as desired.
  • a release sheet may be attached to the surface of the adhesive tape. Specifically, the release sheet is attached to the surface of the adhesive layer of the adhesive tape. The release sheet is attached to the surface of the adhesive layer to protect the adhesive layer during transportation and storage. The release sheet is releasably attached to the adhesive tape, and is peeled off and removed from the adhesive tape before the adhesive tape is used (that is, before wafer attachment).
  • a release sheet having at least one surface subjected to a release treatment is used, and specific examples include a release sheet base material coated with a release agent on the surface thereof.
  • a resin film is preferable, and as the resin constituting the resin film, for example, polyester resin films such as polyethylene terephthalate resin, polybutylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, polypropylene resin, polyethylene resin, etc. and the like polyolefin resins.
  • polyester resin films such as polyethylene terephthalate resin, polybutylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, polypropylene resin, polyethylene resin, etc. and the like polyolefin resins.
  • release agents include rubber-based elastomers such as silicone-based resins, olefin-based resins, isoprene-based resins and butadiene-based resins, long-chain alkyl-based resins, alkyd-based resins, fluorine-based resins, and the like.
  • the thickness of the release sheet is not particularly limited, but is preferably 10-200 ⁇ m, more preferably 20-150 ⁇ m.
  • the method for producing the pressure-sensitive adhesive tape of the present invention is not particularly limited, and it can be produced by a known method.
  • a method for producing an adhesive tape having a substrate, an adhesive layer provided on one side of the substrate, and a buffer layer provided on the other side of the substrate is as follows. be.
  • the buffer layer is formed from a buffer layer-forming composition containing an energy ray-polymerizable compound, a buffer layer provided by coating and curing the buffer layer-forming composition on a release sheet, and a substrate; and removing the release sheet, a laminate of the buffer layer and the substrate is obtained.
  • the adhesive layer provided on the release sheet can be attached to the substrate side of the laminate to manufacture an adhesive tape in which the release sheet is attached to the surface of the adhesive layer.
  • the release sheet attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer may be peeled off and removed before use of the pressure-sensitive adhesive tape.
  • an adhesive (adhesive composition) is directly applied on a release sheet by a known coating method, and the coating film is dried by heating to form an adhesive layer. Layers can be formed.
  • an adhesive may be directly applied to one side of the substrate to form an adhesive layer.
  • the method of applying the pressure-sensitive adhesive include the spray coating method, bar coating method, knife coating method, roll coating method, blade coating method, die coating method, gravure coating method, etc. shown in the manufacturing method of the buffer layer.
  • the composition for forming the buffer layer is directly applied on the release sheet by a known coating method to form a coating film, and the coating film is irradiated with energy rays.
  • a buffer layer can be formed.
  • the buffer layer may be formed by directly applying the composition for forming a buffer layer on one side of the base material and drying it by heating or by irradiating the coating film with energy rays.
  • Examples of methods for applying the buffer layer-forming composition include spin coating, spray coating, bar coating, knife coating, roll coating, blade coating, die coating, and gravure coating.
  • an organic solvent may be added to the composition for forming a buffer layer, and the composition may be applied in the form of a solution onto the release sheet.
  • the composition for forming a buffer layer contains an energy ray-polymerizable compound
  • the hardening of the buffer layer may be performed in one hardening process, or may be performed in multiple times.
  • the coating film on the release sheet may be completely cured to form a buffer layer and then attached to the base material, and a semi-cured buffer layer forming film may be formed without completely curing the coating film. Then, after bonding the buffer layer-forming film to the base material, the energy beam may be irradiated again to completely cure the film, thereby forming the buffer layer.
  • Ultraviolet rays are preferable as the energy rays to be irradiated in the curing treatment.
  • the coating film of the composition for forming a buffer layer may be exposed, but the coating film is covered with a release sheet or base material, and the energy beam is irradiated in a state where the coating film is not exposed. Curing is preferred.
  • the method for producing an adhesive tape having buffer layers on both sides of a base material is, for example, by obtaining a laminate in which a buffer layer, a base material, and a buffer layer are laminated in this order by the method described above, and then A pressure-sensitive adhesive layer may be formed on the buffer layer side.
  • the pressure-sensitive adhesive tape according to the present invention is preferably applied to the surface of a semiconductor wafer and used when back-grinding the wafer. More preferably, the pressure-sensitive adhesive tape according to the present invention is preferably used in DBG in which wafer backside grinding and wafer singulation are performed simultaneously. Particularly preferably, the adhesive tape according to the present invention is preferably used for LDBG in which a group of chips with a small kerf width can be obtained when a semiconductor wafer is singulated.
  • chip group refers to a plurality of semiconductor chips arranged in a wafer shape and held on the adhesive tape according to the present invention.
  • the method for manufacturing a semiconductor device includes at least steps 1 to 5 below.
  • Step 1 A step of applying the above adhesive tape to the surface of a semiconductor wafer and cutting the adhesive tape along the outer periphery of the semiconductor wafer
  • Step 2 Forming a groove from the front surface side of the semiconductor wafer, or forming a groove on the front surface or the back surface of the semiconductor wafer
  • Step 3 The semiconductor wafer with the adhesive tape attached to the surface and the groove or modified region formed is ground from the back side to form the groove or modified region
  • Step 4 The adhesive tape for semiconductor processing holding the plurality of singulated chips is supported and conveyed by a Bernoulli chuck
  • Step 5 Individual pieces peeling off the adhesive tape from the semiconductor wafer (i.e., a plurality of semiconductor chips)
  • Step 1 the adhesive tape of the present invention is attached to the surface of a semiconductor wafer via an adhesive layer, and cut along the outer circumference of the semiconductor wafer.
  • the adhesive tape is attached so as to cover the semiconductor wafer and the peripheral table extending around its periphery.
  • the adhesive tape is cut by a cutter or the like along the outer periphery of the semiconductor wafer.
  • the cutting speed is usually 10-300 mm/s.
  • the temperature of the cutter blade during cutting may be room temperature, or the cutting may be performed by heating the cutter blade.
  • step 1 may be performed before step 2, which will be described later, or after step 2.
  • step 1 is preferably performed before step 2.
  • step 1 is performed after step 2.
  • the semiconductor wafer used in this manufacturing method may be a silicon wafer, a wafer of gallium arsenide, silicon carbide, lithium tantalate, lithium niobate, gallium nitride, indium phosphide, or the like, or a glass wafer. .
  • the thickness of the semiconductor wafer before grinding is not particularly limited, it is usually about 500 to 1000 ⁇ m.
  • a semiconductor wafer usually has a circuit formed on its surface. Formation of circuits on the wafer surface can be performed by various methods including conventional methods such as an etching method and a lift-off method.
  • the modified region is formed by laser irradiation focused on the inside of the semiconductor wafer, and the modified region is formed inside the semiconductor wafer.
  • the laser irradiation may be performed from the front side or the back side of the semiconductor wafer.
  • the laser is applied to the semiconductor wafer through the adhesive tape.
  • the semiconductor wafer to which the adhesive tape is attached and the grooves or modified regions are formed is placed on the grinding table and held by suction on the grinding table. At this time, the semiconductor wafer is sucked with its surface side arranged on the table side.
  • Step 3 After steps 1 and 2, the back surface of the semiconductor wafer on the grinding table is ground to singulate the semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips.
  • the back surface grinding is performed so as to thin the semiconductor wafer at least to the position reaching the bottom of the groove.
  • the grooves become cuts penetrating the wafer, and the semiconductor wafer is divided by the cuts into individual semiconductor chips.
  • the ground surface may reach the modified region by grinding, but it does not have to reach the modified region strictly. That is, the semiconductor wafer may be ground from the modified region to a position close to the modified region so that the semiconductor wafer is broken into individual semiconductor chips starting from the modified region.
  • the actual singulation of the semiconductor chips may be performed by applying a pick-up tape, which will be described later, and then stretching the pick-up tape.
  • the shape of the individualized semiconductor chips may be a square or an elongated shape such as a rectangle.
  • the thickness of the individualized semiconductor chips is not particularly limited, it is preferably about 5 to 100 ⁇ m, more preferably 10 to 45 ⁇ m.
  • LDBG a modified region is provided inside the wafer with a laser, and the wafer is singulated by stress or the like during wafer backside grinding. ⁇ 45 ⁇ m becomes easy.
  • the size of the individualized semiconductor chips is not particularly limited, but the chip size is preferably less than 600 mm 2 , more preferably less than 400 mm 2 , and even more preferably less than 300 mm 2 .
  • the back surface of the chip may be dry-polished. Dry polishing refers to a process of mirror-finishing the rear surface of the individualized chips with a dry grindstone. Through this process, the crushed layer on the back surface of the chip is reduced and the bending strength is increased.
  • the bending resistance of the laminate of the base material 11 and the buffer layer 13 is within the above range, so that the adhesive tape 10 for semiconductor processing holding the chip group 24 can be obtained. Even when supported by the Bernoulli chuck 20, the adhesive tape 10 is difficult to deform and can be prevented from sagging. As a result, contact between chips is reduced, and chipping can be suppressed.
  • the adhesive layer of the adhesive tape is formed from an energy ray-curable adhesive
  • the adhesive layer is cured by irradiation with energy rays.
  • a pick-up tape is attached to the rear surface side of the separated semiconductor wafer, and the position and direction are aligned so that pick-up is possible.
  • the ring frame arranged on the outer peripheral side of the wafer is also adhered to the pick-up tape, and the outer peripheral edge of the pick-up tape is fixed to the ring frame.
  • the wafer and the ring frame may be attached to the pickup tape at the same time, or may be attached at separate timings.
  • the adhesive tape is peeled off from the plurality of semiconductor chips held on the pickup tape.
  • the adhesive tape 10 has too high rigidity, the repulsive force due to the curvature increases when the adhesive tape is peeled off, and excessive pressure is applied to the chip, which may damage the chip. Therefore, it is preferable to control the bending resistance within an appropriate range.
  • the pickup tape is not particularly limited, it is composed of, for example, a base material and an adhesive tape provided with an adhesive layer provided on at least one surface of the base material.
  • an adhesive tape can be used instead of the pickup tape.
  • the adhesive tape includes a laminate of a film-like adhesive and a release sheet, a laminate of a dicing tape and a film-like adhesive, and an adhesive layer and a release sheet that function as both a dicing tape and a die bonding tape.
  • a dicing die bonding tape and the like can be mentioned. That is, the present embodiment may include a step of attaching a dicing die bonding tape to the back surface of the semiconductor wafer.
  • a film-like adhesive may be applied to the back side of the semiconductor wafer that has been divided into individual pieces. When a film adhesive is used, the film adhesive may have the same shape as the wafer.
  • the plurality of semiconductor chips on the adhesive tape or the pick-up tape is a semiconductor. It is picked up together with the adhesive layer divided into the same shape as the chip. Then, the semiconductor chip is fixed on a substrate or the like via an adhesive layer to manufacture a semiconductor device. The division of the adhesive layer is performed by laser or expansion.
  • a protective film forming tape for forming a protective film on the back surface of the chip may be used instead of the adhesive tape.
  • the adhesive tape according to the present invention is used in a method for singulating semiconductor wafers by DBG or LDBG. It can be preferably used for LDBG where a chip group having a smaller width and a thinner thickness can be obtained.
  • the adhesive tape according to the present invention can also be used for normal back grinding, and can also be used to temporarily hold a workpiece during processing of glass, ceramics, etc. It can also be used. It can also be used as various removable adhesive tapes.
  • the bending resistance is adjusted after removing the adhesive layer with a solvent or the like. Measure.
  • the wafer was ground (including dry polishing) to a thickness of 30 ⁇ m, and the wafer was singulated into a plurality of chips.
  • the diced chips were observed with a digital microscope, and chips with cracks were counted and classified by crack size according to the following criteria. Note that the crack size ( ⁇ m) is obtained by comparing the crack length ( ⁇ m) along the vertical direction of the chip and the crack length ( ⁇ m) along the horizontal direction of the chip, and the larger of the values. and
  • a Bernoulli chuck (a circular part with an outer diameter of 300 mm and an inner diameter of 100 mm is provided with 18 pads at approximately equal intervals, and the distance from the outer circumference of the circular part to the center of the pad is 25 mm) is used. Then, the surface of the chip group/adhesive tape on which the chip group is held is sucked without contact, the chip group/adhesive tape is removed from the grinding table of the grinding machine, the number of cracks is measured again, and the number of increased cracks is measured. did.
  • a case where all of the following conditions were satisfied was rated as good (A), and a case where even one of the conditions was not satisfied was rated as defective (F).
  • the number of large cracks increases less than 1 per wafer (624 chips)
  • the number of medium cracks increases less than 10 per wafer (624 chips)
  • the number of small cracks increases per wafer (624 chips) less than 30 pieces per
  • Example 1 All parts by mass in the following examples and comparative examples are in terms of solid content.
  • a PET film with a double-sided coat layer manufactured by Toyobo, product name [Cosmoshine A4300], thickness: 50 ⁇ m, Young's modulus at 23° C.: 2550 MPa was prepared.
  • BA N-butyl acrylate
  • MMA methyl methacrylate
  • 2HEA 2-hydroxyethyl acrylate
  • 2HEA 2-hydroxyethyl acrylate
  • Buffer layer preparation of composition for forming buffer layer
  • Urethane acrylate oligomer (CN8888) purchased from Sartomer, isobornyl acrylate (IBXA), cyclic trimethylolpropane formal acrylate, neopentyl glycol diacrylate, and polyethylene glycol (600) diacrylate were used as energy ray polymerizable compounds.
  • 2-Hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one manufactured by BASF, product name "Omnirad 1173" was added as a photopolymerization initiator. 0 parts by mass were blended to prepare a composition for forming a buffer layer.
  • Release sheet manufactured by Lintec, trade name “SP-PET381031” polyethylene terephthalate (PET) film subjected to silicone release treatment, thickness: 38 ⁇ m
  • PTT polyethylene terephthalate
  • the coating film was semi-cured by irradiating the coating film with ultraviolet rays to form a semi-cured buffer layer with a thickness of 28 ⁇ m.
  • the above ultraviolet irradiation is performed using a belt conveyor type ultraviolet irradiation device (product name “ECS-401GX” manufactured by Eyegraphics) and a high-pressure mercury lamp (product name “H04-L41” manufactured by Eyegraphics).
  • the measurement was carried out under irradiation conditions of a height of 260 mm, an output of 80 W/cm, an illuminance of 70 mW/cm 2 and an irradiation amount of 30 mW/cm 2 .
  • Examples 2 to 4 Comparative Examples 1 and 2> A pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that the composition of the composition for forming a buffer layer was changed as shown in Table 1. Table 1 shows the results.
  • the adhesive tape for semiconductor processing according to the present invention since the bending resistance of the tape is controlled within an appropriate range, the adhesive tape for semiconductor processing holding the chip group can be used as a Bernoulli chuck. Even when the tape is conveyed using the tape, there is no bending, and the occurrence of chipping can be suppressed.

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Abstract

【課題】　チップ群が保持された半導体加工用粘着テープを、ベルヌーイチャックを用いて研削テーブルから取り外し、次工程に搬送する際に、テープの湾曲によるチップ同士の接触に起因するチッピングの発生を抑制する。　【解決手段】　本発明に係る半導体加工用粘着テープ１０は、基材１１と、当該基材の一方の面側に設けられた緩衝層１３と、当該基材の他方の面側に設けられた粘着剤層１２とを有する粘着テープであって、基材１１と緩衝層１３との積層体の剛軟度が６８ｍｍ以上であることを特徴としている。　

Description

半導体加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法
　本発明は半導体加工用粘着テープに関し、さらに詳しくは、ウエハの表面に溝を設け、又はレーザーでウエハ内部に改質領域を設け、ウエハ裏面研削時の応力等でウエハの個片化を行う方法を用いて半導体装置を製造する際に、半導体ウエハやチップを一時的に保持するために好ましく使用される粘着テープ、及びその粘着テープを用いた半導体装置の製造方法に関する。
　各種電子機器の小型化、多機能化が進む中、それらに搭載される半導体チップも同様に、小型化、薄型化が求められている。チップの薄型化のために、半導体ウエハの裏面を研削して厚さ調整を行うことが一般的である。また、薄型化されたチップを得るために、ウエハの表面側から所定深さの溝をダイシングブレードにより形成した後、ウエハを研削テーブルに固定し、ウエハ裏面側から研削を行い、研削によりウエハを個片化し、チップを得る先ダイシング法（ＤＢＧ：Ｄｉｃｉｎｇ　Ｂｅｆｏｒｅ　Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）と呼ばれる工法を利用することもある。ＤＢＧでは、ウエハの裏面研削と、ウエハの個片化を同時に行うことができるので、薄型チップを効率よく製造できる。
　また、近年、先ダイシング法の変形例として、レーザーでウエハ内部に改質領域を設け、ウエハ裏面研削時の応力等でウエハの個片化を行う方法が提案されている。以下、この方法をＬＤＢＧ（Ｌａｓｅｒ　Ｄｉｃｉｎｇ　Ｂｅｆｏｒｅ　Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）と記載することがある。ＬＤＢＧでは、ウエハは改質領域を起点として結晶方向に切断されるため、ダイシングブレードを用いた先ダイシング法よりもチッピングの発生を低減できる。その結果、抗折強度に優れたチップを得ることができ、また、チップのさらなる薄型化に寄与できる。さらに、ダイシングブレードによりウエハ表面に所定深さの溝を形成するＤＢＧと比較して、ダイシングブレードによりウエハを削り取る領域がないため、つまり、カーフ幅が極小であるため、チップの収率に優れる。
　従来、半導体ウエハの裏面研削時や、ＤＢＧやＬＤＢＧによるチップの製造時には、ウエハ表面の回路を保護し、また、半導体ウエハ及び半導体チップを保持するために、ウエハ表面にバックグラインドシートと呼ばれる半導体加工用粘着テープを貼付するのが一般的である。半導体加工用粘着テープ側を研削テーブルに固定し、裏面研削を行う。裏面研削後には研削面に接着剤層を有する接着テープを貼付したり、あるいは保護膜を形成するための保護膜形成用テープを貼付する。その後、ウエハ表面に貼付した半導体加工用粘着テープは、紫外線等のエネルギー線を照射することによりその粘着力を低下させた後、剥離される。このような工程により、チップ裏面には接着剤層や保護膜形成層が形成される。
　半導体加工用粘着テープは、基材と粘着剤層と緩衝層とを含む積層粘着テープが使用されることがある。このような半導体加工用粘着テープの具体例は、たとえば特許文献１（特開２０１５－１８３００８号公報）などに記載されている。緩衝層は、軟質な樹脂から構成され、ウエハ裏面研削時に生じる振動を吸収し、また異物による凹凸差を緩和して、ウエハを安定して平坦に研削テーブルに保持するために設けられている。
特開２０１５－１８３００８号公報
　個片化された複数の半導体チップ（以下「チップ群」と呼ぶことがある）は、半導体加工用粘着テープ上に一時的に保持された状態で次工程であるエネルギー線照射工程やピックアップ工程に搬送される。この際に、半導体加工用粘着テープ上のチップ群が保持されている面を、チャックと呼ばれる治具により吸引して、半導体加工用粘着テープとチップ群とを研削テーブルから取り外し、次工程に搬送している。かかるチャックとしては、チップ群の保持面を吸引する真空チャックが汎用されていた。しかし、真空チャックでは、チャックが直接チップ裏面に接触するため、チップを破損したり、汚染することがあった。
　そこで、真空チャックに代えてベルヌーイチャックと呼ばれる治具の使用が検討されている。図２に示すように、ベルヌーイチャック２０はパッド２１が配置された円弧部２２と、円弧部２２に繋がるアーム部２３とから構成される。パッド部２１では、いわゆるベルヌーイ効果を利用し、チップ群２４に向かって気体を噴出して負圧領域を形成することにより吸引する。このため、チップ群２４を非接触で吸引できる。この結果、チップ群を破損したり汚染することなく次工程に搬送できると期待される。しかし、チップの薄化が進むに従い、チップの端部が破損する「チッピング」と呼ばれる現象が増加した。この原因を鋭意探求したところ、本発明者らは以下の知見を得た。
上記のように、ベルヌーイチャック２０はパッド２１が配置された円弧部２２と、円弧部２２に繋がるアーム部２３とから構成される。円弧部２２は、チップ群２４の外周形状（すなわちウエハの外周形状）よりもやや小さく、チップ群２４の外縁部を吸引している。内周部には吸引力は作用しない。このため、ベルヌーイチャック２０によりチップ群２４を吸引し、研削テーブルから取り外すと、半導体加工用粘着テープ１０の外縁部は吸引されるが、内周部は吸引されず、テープやチップの自重により内周部が垂れ下がり湾曲する（図３）。この結果、分割されたチップ同士が接触するため、チップの端部が破損するチッピングが発生する。
ＤＢＧ法ではチップ間隔（カーフ幅）が比較的広いため、チップ同士の接触は多発しないが、ＬＤＢＧではカーフ幅が実質的に０であるため、テープがわずかでも湾曲すると、その上に保持されているチップ同士が接触し、チッピングが多発する。特に薄化が進み抗折強度が低下した極薄チップではチッピングが発生しやすい。
　かかる知見を得て、本発明者らが鋭意検討したところ、チップ群が保持された半導体加工用粘着テープを、ベルヌーイチャックを用いて研削テーブルから取り外す際に、半導体加工用粘着テープの湾曲を防止することで、チッピングを低減できる可能性を見出した。そこで、本発明者らは、半導体加工用粘着テープの剛軟度を適切な範囲に制御することで、チッピングを低減することを着想し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、ベルヌーイチャックを使用してチップ群を搬送する場合であっても、チッピングの発生を抑制することを目的としている。
　このような課題の解決を目的とした本発明の要旨は以下のとおりである。
（１）基材と、当該基材の一方の面側に設けられた緩衝層と、当該基材の他方の面側に設けられた粘着剤層とを有する粘着テープであって、
基材と緩衝層との積層体の剛軟度が６８ｍｍ以上である、半導体加工用粘着テープ。
（２）前記基材の２３℃におけるヤング率が１０００ＭＰａ以上である、（１）に記載の半導体加工用粘着テープ。
（３）前記基材の厚さが８０μｍ以下である、（１）または（２）に記載の半導体加工用粘着テープ。
（４）前記緩衝層が、エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物の硬化物である、（１）～（３）のいずれかに記載の半導体加工用粘着テープ。
（５）半導体ウエハ表面に溝が形成され、又は半導体ウエハに改質領域が形成された半導体ウエハの裏面を研削して、その研削により半導体ウエハを半導体チップに個片化する工程において、半導体ウエハの表面に貼付されて使用される、（１）～（４）のいずれかに記載の半導体加工用粘着テープ。
（６）前記（１）～（４）のいずれかに記載の半導体加工用粘着テープを半導体ウエハの表面に貼付し、当該粘着テープを当該半導体ウエハの外周に沿って切断する工程と、
　前記半導体ウエハの表面側から溝を形成し、又は前記半導体ウエハの表面若しくは裏面から半導体ウエハ内部に改質領域を形成する工程と、
　前記粘着テープが表面に貼付され、かつ前記溝又は前記改質領域が形成された半導体ウエハを、裏面側から研削して、前記溝又は前記改質領域を起点として複数のチップに個片化させる工程と、
前記個片化された複数のチップが保持された半導体加工用粘着テープを、ベルヌーイチャックにより支持して搬送する工程と、
前記複数のチップから前記粘着テープを剥離する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
（７）さらに、ダイシング・ダイボンディングテープを半導体チップの裏面に貼付する工程を含む、（６）に記載の半導体装置の製造方法。
　本発明に係る半導体加工用粘着テープでは、テープの剛軟度が適切な範囲に制御されているため、チップ群が保持された半導体加工用粘着テープを、ベルヌーイチャックを用いて搬送する場合であってもテープの湾曲がなく、チッピングの発生を抑制できる。
本実施形態の半導体加工用粘着テープを示す模式図である。 ベルヌーイチャックの使用態様を示す。 図２の断面図である。
　以下に、本発明に係る半導体加工用粘着テープについて具体的に説明する。まず、本明細書で使用する主な用語を説明する。
　本明細書において、例えば「（メタ）アクリレート」とは、「アクリレート」及び「メタクリレート」の双方を示す語として用いており、他の類似用語についても同様である。
　「半導体加工用」とは、半導体ウエハの搬送、裏面研削、ダイシングや半導体チップのピックアップ等の各工程において使用できることを意味する。
　半導体ウエハの「表面」とは回路が形成された面を指し、「裏面」とは回路が形成されていない面を指す。
　半導体ウエハの個片化とは、半導体ウエハを回路毎に分割し、半導体チップを得ることを言う。
　ＤＢＧとは、ウエハの表面側に所定深さの溝を形成した後、ウエハ裏面側から研削を行い、研削によりウエハを個片化する方法を言う。ウエハの表面側に形成される溝は、ブレードダイシング、レーザーダイシングやプラズマダイシングなどの方法により形成される。また、ＬＤＢＧとはＤＢＧの変形例であり、レーザーでウエハ内部に改質領域を設け、ウエハ裏面研削時の応力等でウエハの個片化を行う方法を言う。
　ベルヌーイチャックとは、図２に示したように、パッド２１が配置された円弧部２２と、円弧部に繋がるアーム部２３とから構成される。その具体的構成は、特に限定されることなく、各種の市販品を使用できる。たとえば、円弧部は閉じた形状の円形（ドーナツ状）であってもよい。パッド部２１では、いわゆるベルヌーイ効果を利用し、チップ群に向かって気体を噴出して負圧領域を形成することにより吸引する。このため、チップ群を非接触で吸引できる。
　次に、本発明に係る半導体加工用粘着テープの各部材の構成をさらに詳細に説明する。なお、本発明に係る半導体加工用粘着テープを、単に「粘着テープ」と記載することがある。
　本実施形態において、図１に示すように、粘着テープ１０とは、基材１１と、粘着剤層１２とを含む積層体を意味する。粘着テープ１０は、基材１１の粘着剤層１２とは反対側の面に緩衝層１３を有する。なお、これら以外の他の構成層を含むことを妨げない。例えば、粘着剤層側の基材表面にはプライマー層が形成されていてもよく、粘着剤層の表面には、使用時まで粘着剤層を保護するための剥離シートが積層されていてもよい。また、基材は単層であってもよく、多層であってもよい。粘着剤層および緩衝層も同様である。
基材１１と緩衝層１３との積層体の剛軟度は６８ｍｍ以上であり、好ましくは６９ｍｍ以上である。剛軟度の上限は特に限定はされないが、剛軟度が高すぎると粘着テープ１０の剥離が困難になることがあり、好ましくは１５０ｍｍ以下、さらに好ましくは１００ｍｍ以下、より好ましくは９０ｍｍ以下である。半導体加工用粘着テープ１０に含まれる基材１１と緩衝層１３との積層体の剛軟度が上記範囲にあることで、チップ群が保持された半導体加工用粘着テープ１０をベルヌーイチャック２０で支持した場合でも、粘着テープ１０が変形し難く、垂れ下がりを防止できる。この結果、チップ同士の接触も低減し、チッピングを抑制できる。
剛軟度はカンチレバー法により測定する。基材１１と緩衝層１３との積層体を幅20 mm×長さ150 mmにカットし、カンチレバー式剛軟度測定器（TOYOSEIKI社製）を用い２３℃、５０％ＲＨにて剛軟度を測定する（JIS L1086に準拠）。静電気の影響により剛軟度の測定値が変化するため、測定前に除電を行う。また積層体がロール状の場合、ＭＤ（machine direction）方向はばらつきが大きいため、ＣＤ（cross direction）方向の値を評価する。なお、緩衝層１３／基材１１／粘着剤層１２との積層体である粘着テープ１０から、基材１１と緩衝層１３との積層体を得る場合には、粘着剤層１２を溶剤などにより除去した後に剛軟度を測定する。
本実施形態の粘着テープは、基材１１と緩衝層１３との積層体の剛軟度が上記範囲にある限り、各部材の材質、物性は特に限定はされないが、以下に本実施形態に係る半導体加工用粘着テープの各部材の好ましい構成をさらに詳細に説明する。
［基材１１］
　基材１１は、従来より半導体加工用粘着テープの基材として用いられている各種の樹脂フィルムが特に制限されることなく用いられ得る。ウエハやチップをより確実に保持する観点から、基材１１の２３℃におけるヤング率が１０００ＭＰａ以上であることが好ましい。ヤング率が１０００ＭＰａ未満の基材を使用すると、粘着テープによる半導体ウエハ又は半導体チップに対する保持性能が低下し、裏面研削時の振動等を抑制することができず、半導体チップの欠けや破損が発生しやすくなる。また、チップ群が保持された半導体加工用粘着テープをベルヌーイチャックによって持ち上げると、ベルヌーイチャックの吸引力が作用しない粘着テープ内周部が垂れ下がり湾曲する。この結果、粘着テープ内周部のチップ同士が接触しチッピングが発生することがある。一方、基材の２３℃におけるヤング率を１０００ＭＰａ以上とすることで、粘着テープによる半導体ウエハ又は半導体チップに対する保持性能が高まり、裏面研削時の振動等を抑制し、半導体チップの欠けや破損を防止できる。また、粘着テープの湾曲が抑えられるためチップ同士が接触し難くなり、チッピングを低減できる。また、粘着テープを半導体チップから剥離する際の応力を小さくすることが可能になり、テープ剥離時に生じるチップ欠けや破損を防止できる。さらに、粘着テープを半導体ウエハに貼付する際の作業性も良好にすることが可能である。このような観点から、基材の２３℃におけるヤング率は、より好ましくは１８００～３００００ＭＰａ、さらに好ましくは２５００～６０００ＭＰａである。
　基材の厚さは特に限定されないが、８０μｍ以下であることが好ましく、１５～７０μｍであることがより好ましく、２０～６０μｍであることがさらに好ましい。基材の厚さを８０μｍ以下とすることで、粘着テープの剥離力を制御しやすくなる。また、１５μｍ以上とすることで、基材が粘着テープの支持体としての機能を果たしやすくなる。
　基材の材質としては、上記物性を満たすものであれば特に限定されず、種々の樹脂フィルムを用いることができる。ここで、２３℃におけるヤング率が１０００ＭＰａ以上の基材として、たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、全芳香族ポリエステル等のポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、変性ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルケトン、二軸延伸ポリプロピレン等の樹脂フィルムが挙げられる。
　これら樹脂フィルムの中でも、ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、二軸延伸ポリプロピレンフィルムから選ばれる１種以上を含むフィルムが好ましく、ポリエステルフィルムを含むことがより好ましく、ポリエチレンテレフタレートフィルムを含むことがさらに好ましい。
　また、基材には、本発明の効果を損なわない範囲において、可塑剤、滑剤、赤外線吸収剤、紫外線吸収剤、フィラー、着色剤、帯電防止剤、酸化防止剤、触媒等を含有させてもよい。また、基材は、透明なものであっても、不透明なものであってもよく、所望により着色又は蒸着されていてもよい。
　また、基材の少なくとも一方の表面には、緩衝層及び粘着剤層の少なくとも一方との密着性を向上させるために、コロナ処理等の接着処理を施してもよい。また、基材は、上記した樹脂フィルムと、樹脂フィルムの少なくとも一方の表面に被膜されたプライマー層とを有しているものでもよい。
　プライマー層を形成するプライマー層形成用組成物としては、特に限定されないが、例えば、ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリエステルウレタン系樹脂、アクリル系樹脂等を含む組成物が挙げられる。プライマー層形成用組成物には、必要に応じて、架橋剤、光重合開始剤、酸化防止剤、軟化剤（可塑剤）、充填剤、防錆剤、顔料、染料等を含有してもよい。
　プライマー層の厚さとしては、好ましくは０．０１～１０μｍ、より好ましくは０．０３～５μｍである。なお、本願実施例におけるプライマー層の厚さは、基材の厚さに対して小さいため、プライマー層を有する樹脂フィルムの厚みと基材の厚みとは実質的に同一である。また、プライマー層の材質は柔らかいため、ヤング率に与える影響は小さく、基材のヤング率は、プライマー層を有する場合でも、樹脂フィルムのヤング率と実質的に同一である。
　例えば、基材のヤング率は、樹脂組成の選択、可塑剤の添加、樹脂フィルム製造時の延伸条件などにより制御できる。具体的には、基材としてポリエチレンテレフタレートフィルムを用いる場合、共重合成分中のエチレン成分の含有割合が多くなると、基材のヤング率は低下する傾向がある。また、基材を構成する樹脂組成物に対して可塑剤の配合量が多くなると基材のヤング率は低下する傾向がある。
［粘着剤層１２］
　粘着剤層１２は、常温において適度な感圧接着性を有する限り特に限定はされないが、２３℃におけるせん断貯蔵弾性率が０．０５～０．５０ＭＰａであるものが好ましい。半導体ウエハの表面には、回路等が形成され通常凹凸がある。粘着剤層のせん断貯蔵弾性率が上記範囲内となることで、凹凸があるウエハ表面に粘着テープを貼付する際、ウエハ表面の凹凸と粘着剤層とを十分に接触させ、かつ粘着剤層の接着性を適切に発揮させることが可能になる。そのため、粘着テープの半導体ウエハへの固定を確実に行い、かつ裏面研削時にウエハ表面を適切に保護することが可能になる。これらの観点から、粘着剤層のせん断貯蔵弾性率は、０．１２～０．３５ＭＰａであることがより好ましい。なお、粘着剤層のせん断貯蔵弾性率とは、粘着剤層がエネルギー線硬化性粘着剤から形成される場合には、エネルギー線照射による硬化前のせん断貯蔵弾性率を意味する。
　せん断貯蔵弾性率は以下の方法により測定できる。厚みが約０．５～１ｍｍの粘着剤層を直径７．９ｍｍの円形に打ち抜いたものを測定試料とする。レオメトリック社製の動的粘弾性測定装置ＡＲＥＳを用い、周波数１Ｈｚ、－３０℃から１５０℃の温度範囲を昇温速度３℃／分で温度変化させたときの測定試料の弾性率を測定する。測定温度２３℃での弾性率を、２３℃におけるせん断貯蔵弾性率とする。
　粘着剤層の厚さは、１００μｍ未満であることが好ましく、５～８０μｍがより好ましく、１０～７０μｍがさらに好ましい。粘着剤層をこのように薄くすると、粘着テープの切断時におけるテープ屑の発生が抑制され、裏面研削時に生じる半導体チップのクラックを一層防止しやすくなる。
　粘着剤層は、例えば、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤等から形成されるが、アクリル系粘着剤が好ましい。
　また、粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤から形成されることが好ましい。粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤から形成されることで、エネルギー線照射による硬化前には、２３℃におけるせん断貯蔵弾性率を上記範囲に設定しつつ、硬化後においては剥離力を１０００ｍＮ／５０ｍｍ以下に容易に設定することが可能になる。
　以下、粘着剤の具体例について詳述するが、これらは非限定的例示であり、本発明における粘着剤層はこれらに限定的に解釈されるべきではない。
［粘着剤組成物］
　粘着剤層を形成するエネルギー線硬化性粘着剤としては、例えば、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂（「粘着性樹脂Ｉ」ともいう）に加え、粘着性樹脂以外のエネルギー線硬化性化合物を含むエネルギー線硬化性粘着剤組成物（以下、「Ｘ型の粘着剤組成物」ともいう）が使用可能である。また、エネルギー線硬化性粘着剤として、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂の側鎖に不飽和基を導入したエネルギー線硬化性の粘着性樹脂（以下、「粘着性樹脂ＩＩ」ともいう）を主成分として含み、粘着性樹脂以外のエネルギー線硬化性化合物を含まない粘着剤組成物（以下、「Ｙ型の粘着剤組成物」ともいう）も使用してもよい。
　さらに、エネルギー線硬化性粘着剤としては、Ｘ型とＹ型の併用型、すなわち、エネルギー線硬化性の粘着性樹脂ＩＩに加え、粘着性樹脂以外のエネルギー線硬化性化合物も含むエネルギー線硬化性粘着剤組成物（以下、「ＸＹ型の粘着剤組成物」ともいう）を使用してもよい。
　これらの中では、ＸＹ型の粘着剤組成物を使用することが好ましい。ＸＹ型のものを使用することで、硬化前においては十分な粘着特性を有する一方で、硬化後においては、半導体ウエハに対する剥離強度を十分に低くすることが可能である。
　ただし、粘着剤としては、エネルギー線を照射しても硬化しない非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物から形成してもよい。非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物は、少なくとも非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂Ｉを含有する一方、上記したエネルギー線硬化性の粘着性樹脂ＩＩ及びエネルギー線硬化性化合物を含有しないものである。
　なお、以下の説明において「粘着性樹脂」は、上記した粘着性樹脂Ｉ及び粘着性樹脂ＩＩの一方又は両方を指す用語として使用する。具体的な粘着性樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン系樹脂等が挙げられるが、アクリル系樹脂が好ましい。
　以下、粘着性樹脂として、アクリル系樹脂が使用されるアクリル系粘着剤についてより詳述に説明する。
　アクリル系樹脂には、アクリル系重合体が使用される。アクリル系重合体は、少なくともアルキル（メタ）アクリレートを含むモノマーを重合して得たものであり、アルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位を含む。アルキル（メタ）アクリレートとしては、アルキル基の炭素数が１～２０のものが挙げられ、アルキル基は直鎖であってもよいし、分岐であってもよい。アルキル（メタ）アクリレートの具体例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ－プロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ－オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。アルキル（メタ）アクリレートは、単独で又は２種以上組み合わせて用いてもよい。
　また、アクリル系重合体は、粘着剤層の粘着力を向上させる観点から、アルキル基の炭素数が４以上であるアルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位を含むことが好ましい。該アルキル（メタ）アクリレートの炭素数としては、好ましくは４～１２、さらに好ましくは４～６である。また、アルキル基の炭素数が４以上であるアルキル（メタ）アクリレートは、アルキルアクリレートであることが好ましい。
　アクリル系重合体において、アルキル基の炭素数が４以上であるアルキル（メタ）アクリレートの含有量、アクリル系重合体を構成するモノマー全量（以下単に“モノマー全量”ともいう）１００質量部に対して、好ましくは４０～９８質量部、より好ましくは４５～９５質量部、さらに好ましくは５０～９０質量部である。
　アクリル系重合体は、アルキル基の炭素数が４以上であるアルキル（メタ）アクレート由来の構成単位に加えて、粘着剤層の弾性率や粘着特性を調整するために、アルキル基の炭素数が１～３であるアルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位を含む共重合体であることが好ましい。なお、該アルキル（メタ）アクリレートは、炭素数１又は２のアルキル（メタ）アクリレートであることが好ましく、メチル（メタ）アクリレートがより好ましく、メチルメタクリレートが最も好ましい。アクリル系重合体において、アルキル基の炭素数が１～３であるアルキル（メタ）アクリレートの含有量は、モノマー全量１００質量部に対して、好ましくは１～３０質量部、より好ましくは３～２６質量部、さらに好ましくは６～２２質量部である。
　アクリル系重合体は、上記したアルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位に加えて、官能基含有モノマー由来の構成単位を有することが好ましい。官能基含有モノマーの官能基としては、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、エポキシ基等が挙げられる。官能基含有モノマーは、後述の架橋剤と反応し、架橋起点となったり、不飽和基含有化合物と反応して、アクリル系重合体の側鎖に不飽和基を導入させたりすることが可能である。
　官能基含有モノマーとしては、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー等が挙げられる。本実施形態において、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー等は、単独で又は２種以上組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、水酸基含有モノマーおよびカルボキシ基含有モノマーを用いることが好ましく、水酸基含有モノマーを用いることがより好ましい。
　水酸基含有モノマーとしては、例えば、２－ヒドロキシエチルアクリレート、２－ヒドロキシエチルメタアクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート；ビニルアルコール、アリルアルコール等の不飽和アルコール等が挙げられる。
　カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸、クロトン酸等のエチレン性不飽和モノカルボン酸；フマル酸、イタコン酸、マレイン酸、シトラコン酸等のエチレン性不飽和ジカルボン酸及びその無水物、２－カルボキシエチルメタクリレート等が挙げられる。
　官能基含有モノマーの含有量は、アクリル系重合体を構成するモノマー全量１００質量部に対して、好ましくは１～３５質量部、より好ましくは３～３２質量部、さらに好ましくは６～３０質量部である。また、アクリル系重合体は、上記以外にも、スチレン、α－メチルスチレン、ビニルトルエン、蟻酸ビニル、酢酸ビニル、アクリロニトリル、アクリルアミド等の上記のアクリル系モノマーと共重合可能なモノマー由来の構成単位を含んでもよい。
　上記アクリル系重合体は、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂Ｉ（アクリル系樹脂）として使用することができる。また、エネルギー線硬化性のアクリル系樹脂としては、上記アクリル系重合体Ｉの官能基に、光重合性不飽和基を有する化合物（不飽和基含有化合物ともいう）を反応させたものが挙げられる。
　不飽和基含有化合物は、アクリル系重合体の官能基と結合可能な置換基、及び光重合性不飽和基の双方を有する化合物である。光重合性不飽和基としては、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、アリル基、ビニルベンジル基等が挙げられ、（メタ）アクリロイル基が好ましい。また、不飽和基含有化合物が有する、官能基と結合可能な置換基としては、イソシアネート基やグリシジル基等が挙げられる。したがって、不飽和基含有化合物としては、例えば、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、（メタ）アクリロイルイソシアネート、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　また、不飽和基含有化合物は、アクリル系重合体の官能基の一部に反応することが好ましく、具体的には、アクリル系重合体が有する官能基の５０～９８モル％に、不飽和基含有化合物を反応させることが好ましく、５５～９３モル％反応させることがより好ましい。このように、エネルギー線硬化性アクリル系樹脂において、官能基の一部が不飽和基含有化合物と反応せずに残存することで、架橋剤によって架橋されやすくなる。なお、アクリル系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは３０万～１６０万、より好ましくは４０万～１４０万、さらに好ましくは５０万～１２０万である。
（エネルギー線硬化性化合物）
　Ｘ型又はＸＹ型の粘着剤組成物に含有されるエネルギー線硬化性化合物としては、分子内に不飽和基を有し、エネルギー線照射により重合硬化可能なモノマー又はオリゴマーが好ましい。このようなエネルギー線硬化性化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトール（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４－ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－へキサンジオール（メタ）アクリレート等の多価（メタ）アクリレートモノマー、ウレタン（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート，ポリエーテル（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート等のオリゴマーが挙げられる。
　これらの中でも、比較的分子量が高く、粘着剤層のせん断貯蔵弾性率を低下させにくい観点から、ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーが好ましい。エネルギー線硬化性化合物の分子量（オリゴマーの場合は重量平均分子量）は、好ましくは１００～１２０００、より好ましくは２００～１００００、さらに好ましくは４００～８０００、特に好ましくは６００～６０００である。
　Ｘ型の粘着剤組成物におけるエネルギー線硬化性化合物の含有量は、粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは４０～２００質量部、より好ましくは５０～１５０質量部、さらに好ましくは６０～９０質量部である。一方で、ＸＹ型の粘着剤組成物におけるエネルギー線硬化性化合物の含有量は、粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは１～３０質量部、より好ましくは２～２０質量部、さらに好ましくは３～１５質量部である。ＸＹ型の粘着剤組成物では、粘着性樹脂が、エネルギー線硬化性であるため、エネルギー線硬化性化合物の含有量が少なくても、エネルギー線照射後、十分に剥離強度を低下させることが可能である。
（架橋剤）
　粘着剤組成物は、さらに架橋剤を含有することが好ましい。架橋剤は、例えば粘着性樹脂が有する官能基含有モノマー由来の官能基に反応して、粘着性樹脂同士を架橋するものである。架橋剤としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート等、及びそれらのアダクト体等のイソシアネート系架橋剤；エチレングリコールグリシジルエーテル等のエポキシ系架橋剤；ヘキサ〔１－（２－メチル）－アジリジニル〕トリフオスファトリアジン等のアジリジン系架橋剤；アルミニウムキレート等のキレート系架橋剤；等が挙げられる。これらの架橋剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　これらの中でも、凝集力を高めて粘着力を向上させる観点、及び入手し易さ等の観点から、イソシアネート系架橋剤が好ましい。架橋剤の配合量は、架橋反応を促進させる観点から、粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０１～１０質量部、より好ましくは０．０３～７質量部、さらに好ましくは０．０５～４質量部である。
（光重合開始剤）
　また、粘着剤組成物がエネルギー線硬化性である場合には、粘着剤組成物は、さらに光重合開始剤を含有することが好ましい。光重合開始剤を含有することで、紫外線等の比較的低エネルギーのエネルギー線でも、粘着剤組成物の硬化反応を十分に進行させることができる。
　光重合開始剤としては、例えば、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィノキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物、さらには、アミンやキノン等の光増感剤等が挙げられ、より具体的には、例えば、１－ヒドロキシシクロへキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロルニトリル、ジベンジル、ジアセチル、８－クロールアンスラキノン、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシド、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン等が挙げられる。
　これらの光重合開始剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。光重合開始剤の配合量は、粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０１～１０質量部、より好ましくは０．０３～５質量部、さらに好ましくは０．０５～５質量部である。
（その他の添加剤）
　粘着剤組成物は、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の添加剤を含有してもよい。その他の添加剤としては、例えば、帯電防止剤、酸化防止剤、軟化剤（可塑剤）、充填剤、防錆剤、顔料、染料等が挙げられる。これらの添加剤を配合する場合、添加剤の配合量は、粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０１～６質量部である。
　また、粘着剤組成物は、基材、緩衝層や剥離シートへの塗布性を向上させる観点から、さらに有機溶媒で希釈して、粘着剤組成物の溶液の形態としてもよい。有機溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロヘキサン、ｎ－ヘキサン、トルエン、キシレン、ｎ－プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。なお、これらの有機溶媒は、粘着性樹脂の合成時に使用された有機溶媒をそのまま用いてもよいし、該粘着剤組成物の溶液を均一に塗布できるように、合成時に使用された有機溶媒以外の１種以上の有機溶媒を加えてもよい。
［緩衝層１３］
　本実施形態に係る粘着テープ１０は、緩衝層１３を有する。基材１１の一方の面に粘着剤層１２が設けられ、基材１１の他方の面に緩衝層１３が設けられる。
　緩衝層は、半導体ウエハの裏面研削時の応力を緩和して、半導体ウエハに割れ及び欠けが生じることを防止する。半導体ウエハに粘着テープを貼付け、外周に沿って粘着テープが切断された後、半導体ウエハは粘着テープを介して研削テーブル上に配置され裏面研削されるが、粘着テープが構成層として緩衝層を有することで、半導体ウエハが研削テーブルに適切に保持されやすくなる。また、研削テーブル上に異物があっても、緩衝層の変形により異物の凹凸が吸収でき、ウエハを平滑かつ均一な厚さに研削できる。
　緩衝層の厚さは、１～１００μｍであることが好ましく、５～８０μｍであることがより好ましく、１０～６０μｍであることがさらに好ましい。緩衝層の厚さを上記範囲とすることで、緩衝層が裏面研削時の応力を適切に緩和できるようになる。
　緩衝層は、その組成は限定されないが、粘弾性の制御が容易であるという観点から、エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物の硬化物であることが好ましい。
　以下、エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物から形成される層に含まれる各成分について順に説明する。
＜エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物から形成される層＞
　エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物は、エネルギー線が照射されることで硬化することが可能になる。
　また、エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物は、より具体的には、ウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）を含むことが好ましい。また、緩衝層形成用組成物は、上記（ａ１）に加えて、環形成原子数６～２０の脂環基又は複素環基を有する重合性化合物（ａ２）及び／又は官能基を有する重合性化合物（ａ３）を含有することがより好ましい。また、緩衝層形成用組成物は、上記（ａ１）～（ａ３）成分に加えて、多官能重合性化合物（ａ４）を含有してもよい。さらに、緩衝層形成用組成物は光重合開始剤を含有することが好ましく、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の添加剤や樹脂成分を含有してもよい。
　以下、エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物中に含まれる各成分について詳細に説明する。
（ウレタン（メタ）アクリレート（ａ１））
　ウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）とは、少なくとも（メタ）アクリロイル基及びウレタン結合を有する化合物であり、エネルギー線照射により重合硬化する性質を有するものである。ウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）は、オリゴマーまたはポリマーである。
　成分（ａ１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１，０００～１００，０００、より好ましくは２，０００～６０，０００、さらに好ましくは１０，０００～３０，０００である。また、成分（ａ１）中の（メタ）アクリロイル基数（以下、「官能基数」ともいう）としては、単官能、２官能、もしくは３官能以上でもよいが、単官能又は２官能であることが好ましい。
　成分（ａ１）は、例えば、ポリオール化合物と、多価イソシアネート化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する（メタ）アクリレートを反応させて得ることができる。なお、成分（ａ１）は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　成分（ａ１）の原料となるポリオール化合物は、ヒドロキシ基を２つ以上有する化合物であれば特に限定されない。具体的なポリオール化合物としては、例えば、アルキレンジオール、ポリエーテル型ポリオール、ポリエステル型ポリオール、ポリカーボネート型ポリオール等が挙げられる。これらの中でも、ポリエステル型ポリオールまたはポリカーボネート型ポリオールが好ましい。
　なお、ポリオール化合物としては、２官能のジオール、３官能のトリオール、４官能以上のポリオールのいずれであってもよいが、２官能のジオールが好ましく、ポリエステル型ジオールまたはポリカーボネート型ジオールがより好ましい。
　多価イソシアネート化合物としては、例えば、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート等の脂肪族系ポリイソシアネート類；イソホロンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート、ω，ω’－ジイソシアネートジメチルシクロヘキサン等の脂環族系ジイソシアネート類；４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、トリジンジイソシアネート、テトラメチレンキシリレンジイソシアネート、ナフタレン－１，５－ジイソシアネート等の芳香族系ジイソシアネート類等が挙げられる。
　これらの中でも、イソホロンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートが好ましい。
　上述のポリオール化合物と、多価イソシアネート化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートを反応させてウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）を得ることができる。ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートとしては、少なくとも１分子中にヒドロキシ基及び（メタ）アクリロイル基を有する化合物であれば、特に限定されない。
　具体的なヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシシクロヘキシル（メタ）アクリレート、５－ヒドロキシシクロオクチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェニルオキシプロピル（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート；Ｎ－メチロール（メタ）アクリルアミド等のヒドロキシ基含有（メタ）アクリルアミド；ビニルアルコール、ビニルフェノール、ビスフェノールＡのジグリシジルエステルに（メタ）アクリル酸を反応させて得られる反応物；等が挙げられる。
　これらの中でも、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートが好ましく、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートがより好ましい。
　末端イソシアネートウレタンプレポリマー及びヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートを反応させる条件としては、必要に応じて添加される溶剤、触媒の存在下、６０～１００℃で、１～４時間反応させる条件が好ましい。
　緩衝層形成用組成物中の成分（ａ１）の含有量は、緩衝層形成用組成物の全量（１００質量部）に対して、好ましくは１０～７０質量部、より好ましくは２０～６０質量部である。
（環形成原子数６～２０の脂環基又は複素環基を有する重合性化合物（ａ２））
　成分（ａ２）は、環形成原子数６～２０の脂環基又は複素環基を有する重合性化合物であり、さらには、少なくとも１つの（メタ）アクリロイル基を有する化合物であることが好ましく、より好ましくは１つの（メタ）アクリロイル基を有する化合物である。成分（ａ２）を用いることで、得られる緩衝層形成用組成物の成膜性を向上させることができる。
　なお、成分（ａ２）の定義と、後述する成分（ａ３）の定義とは重複する部分があるが、重複部分は成分（ａ３）に含まれる。例えば、少なくとも１つの（メタ）アクリロイル基と、環形成原子数６～２０の脂環基又は複素環基と、水酸基、エポキシ基、アミド基、アミノ基等の官能基とを有する化合物は、成分（ａ２）と成分（ａ３）の両方の定義に含まれるが、本発明において当該化合物は、成分（ａ３）に含まれるものとする。
　成分（ａ２）が有する脂環基又は複素環基の環形成原子数は、好ましくは６～２０であるが、より好ましくは６～１８、さらに好ましくは６～１６、特に好ましくは７～１２である。当該複素環基の環構造を形成する原子としては、例えば、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等が挙げられる。
　なお、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造の化合物の当該環自体を構成する原子の数を表し、環を構成しない原子（例えば、環を構成する原子に結合した水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。
　具体的な成分（ａ２）としては、例えば、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシ（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、アダマンタン（メタ）アクリレート等の脂環基含有（メタ）アクリレート；テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、モルホリン（メタ）アクリレート、環状トリメチロールプロパンホルマールアクリレート等の複素環基含有（メタ）アクリレート；等が挙げられる。
　なお、成分（ａ２）は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　脂環基含有（メタ）アクリレートの中ではイソボルニル（メタ）アクリレートが好ましい。
　緩衝層形成用組成物中の成分（ａ２）の含有量は、緩衝層形成用組成物の全量（１００質量部）に対して、好ましくは１０～８０質量部、より好ましくは３０～７０質量部である。
（官能基を有する重合性化合物（ａ３））
　成分（ａ３）は、水酸基、エポキシ基、アミド基、アミノ基等の官能基を含有する重合性化合物であり、さらには、少なくとも１つの（メタ）アクリロイル基を有する化合物であることが好ましく、より好ましくは１つの（メタ）アクリロイル基を有する化合物である。
　成分（ａ３）は、成分（ａ１）との相溶性が良好であり、緩衝層形成用組成物の粘度を適度な範囲に調整しやすくなる。また、緩衝層を比較的薄くしても緩衝性能が良好になる。
　成分（ａ３）としては、例えば、水酸基含有（メタ）アクリレート、エポキシ基含有化合物、アミド基含有化合物、アミノ基含有（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　水酸基含有（メタ）アクリレートとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、フェニルヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシー３－フェノキシプロピルアクリレート等が挙げられる。
　エポキシ基含有化合物としては、例えば、グリシジル（メタ）アクリレート、メチルグリシジル（メタ）アクリレート、アリルグリシジルエーテル等が挙げられ、これらの中では、グリシジル（メタ）アクリレート、メチルグリシジル（メタ）アクリレート等のエポキシ基含有（メタ）アクリレートが好ましい。
　アミド基含有化合物としては、例えば、（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロールプロパン（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブトキシメチル（メタ）アクリルアミド等が挙げられる。
　アミノ基含有（メタ）アクリレートとしては、例えば、第１級アミノ基含有（メタ）アクリレート、第２級アミノ基含有（メタ）アクリレート、第３級アミノ基含有（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　これらの中でも、水酸基含有（メタ）アクリレートが好ましく、フェニルヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート等の芳香環を有する水酸基含有（メタ）アクリレートがより好ましい。
　なお、成分（ａ３）は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　緩衝層形成用組成物中の成分（ａ３）の含有量は、緩衝層形成用組成物の全量（１００質量部）に対して、好ましくは０～４０質量部、より好ましくは０～３５質量部、さらに好ましくは０～３０質量部である。
（多官能重合性化合物（ａ４））
　多官能重合性化合物とは、光重合性不飽和基を２つ以上有する化合物をいう。光重合性不飽和基は、炭素－炭素二重結合を含む官能基であり、例えば、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、アリル基、ビニルベンジル基等が挙げられる。光重合性不飽和基は２種以上を組み合わせてもよい。多官能重合性化合物中の光重合性不飽和基と成分（ａ１）中の（メタ）アクリロイル基とが反応したり、成分（ａ４）中の光重合性不飽和基同士が反応することで、三次元網目構造（架橋構造）が形成される。多官能重合性化合物を使用すると、光重合性不飽和基を１つしか含まない化合物を使用した場合と比較して、エネルギー線照射により形成される架橋構造が増加しやすい。
　なお、成分（ａ４）の定義と、先述した成分（ａ２）や成分（ａ３）の定義とは重複する部分があるが、重複部分は成分（ａ４）に含まれる。例えば、環形成原子数６～２０の脂環基又は複素環基を有し、（メタ）アクリロイル基を２つ以上有する化合物は、成分（ａ４）と成分（ａ２）の両方の定義に含まれるが、本発明において当該化合物は、成分（ａ４）に含まれるものとする。また、水酸基、エポキシ基、アミド基、アミノ基等の官能基を含有し、（メタ）アクリロイル基を２つ以上有する化合物は、成分（ａ４）と成分（ａ３）の両方の定義に含まれるが、本発明において当該化合物は、成分（ａ４）に含まれるものとする。
　上記観点から、多官能重合性化合物中における光重合性不飽和基の数（官能基数）は、２～１０が好ましく、３～６がより好ましい。
　また、成分（ａ４）の重量平均分子量は、好ましくは３０～４００００、より好ましくは１００～１００００、さらに好ましくは２００～１０００である。
　具体的な成分（ａ４）としては、例えば、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、グリコール由来の繰り返し単位の数が２００～８００のポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジビニルベンゼン、（メタ）アクリル酸ビニル、アジピン酸ジビニル、Ｎ，Ｎ'－メチレンビス（メタ）アクリルアミド等が挙げられる。ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、はグリコール単位の数を括弧内に表すことが一般的で、たとえばグリコール単位の数が６００の場合には、ポリエチレングリコール（６００）ジアクリレートと表示される。
　なお、成分（ａ４）は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　これらの中でも、ポリエチレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレートが好ましい。
　緩衝層形成用組成物中の成分（ａ４）の含有量は、緩衝層形成用組成物の全量（１００質量部）に対して、好ましくは２～４０質量部、より好ましくは３～２０質量部、さらに好ましくは５～１５質量部である。
（成分（ａ１）～（ａ４）以外の重合性化合物（ａ５））
　緩衝層形成用組成物には、本発明の効果を損なわない範囲において、上記の成分（ａ１）～（ａ４）以外のその他の重合性化合物（ａ５）を含有してもよい。
　成分（ａ５）としては、例えば、炭素数１～２０のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレート；スチレン、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル、Ｎ－ビニルホルムアミド、Ｎ－ビニルピロリドン、Ｎ－ビニルカプロラクタム等のビニル化合物：等が挙げられる。なお、成分（ａ５）は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　緩衝層形成用組成物中の成分（ａ５）の含有量は、緩衝層形成用組成物の全量（１００質量部）に対して、好ましくは０～２０質量部、より好ましくは０～１０質量部、さらに好ましくは０～５質量部、特に好ましくは０～２質量部である。
（光重合開始剤）
　緩衝層形成用組成物には、緩衝層を形成する際、光照射による重合時間を短縮させ、また、光照射量を低減させる観点から、さらに光重合開始剤を含有することが好ましい。
　光重合開始剤としては、例えば、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィノキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物、さらには、アミンやキノン等の光増感剤等が挙げられ、より具体的には、例えば、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロルニトリル、ジベンジル、ジアセチル、８－クロールアンスラキノン、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシド等が挙げられる。
　これらの光重合開始剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　緩衝層形成用組成物中の光重合開始剤の含有量は、エネルギー線重合性化合物の合計量１００質量部に対して、好ましくは０．０５～１５質量部、より好ましくは０．１～１０質量部、さらに好ましくは０．３～５質量部である。
（その他の添加剤）
　緩衝層形成用組成物には、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の添加剤を含有してもよい。その他の添加剤としては、例えば、帯電防止剤、酸化防止剤、軟化剤（可塑剤）、充填剤、防錆剤、顔料、染料等が挙げられる。これらの添加剤を配合する場合、緩衝層形成用組成物中の各添加剤の含有量は、エネルギー線重合性化合物の合計量１００質量部に対して、好ましくは０．０１～６質量部、より好ましくは０．１～３質量部である。
（樹脂成分）
　緩衝層形成用組成物には、本発明の効果を損なわない範囲において、樹脂成分を含有してもよい。樹脂成分としては、例えば、ポリエン・チオール系樹脂や、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂、及びスチレン系共重合体等の熱可塑性樹脂等が挙げられる。
　緩衝層形成用組成物中のこれらの樹脂成分の含有量は、緩衝層形成用組成物の全量（１００質量部）に対して、好ましくは０～２０質量部、より好ましくは０～１０質量部、さらに好ましくは０～５質量部、特に好ましくは０～２質量部である。
　エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物から形成される緩衝層は、上記組成の緩衝層形成用組成物をエネルギー線照射により重合硬化して得られる。つまり、当該緩衝層は、緩衝層形成用組成物の硬化物である。
　したがって、当該緩衝層は、成分（ａ１）由来の重合単位を含む。また、当該緩衝層は、成分（ａ２）由来の重合単位及び／又は成分（ａ３）由来の重合単位を含有することが好ましい。さらに、成分（ａ４）由来の重合単位及び／又は成分（ａ５）由来の重合単位を含有していてもよい。緩衝層における各重合単位の含有割合は、通常、緩衝層形成用組成物を構成する各成分の比率（仕込み比）に一致する。例えば、緩衝層形成用組成物中の成分（ａ１）の含有量が緩衝層形成用組成物の全量（１００質量部）に対して１０～７０質量部の場合、緩衝層は成分（ａ１）に由来する重合単位を１０～７０質量部含有する。また、緩衝層形成用組成物中の成分（ａ２）の含有量が緩衝層形成用組成物の全量（１００質量部）に対して１０～８０質量部の場合、緩衝層は成分（ａ２）に由来する重合単位を１０～８０質量部含有する。成分（ａ３）～（ａ５）についても同様である。
（基材と緩衝層との積層体の剛軟度の制御）
本発明の半導体加工用粘着テープ１０は、前記のとおり、基材１１と緩衝層１３との積層体の剛軟度は６８ｍｍ以上である。該積層体の剛軟度が上記範囲にあることで、チップ群が保持された半導体加工用粘着テープ１０をベルヌーイチャック２０で支持した場合でも、粘着テープ１０が変形し難く、垂れ下がりを防止できる。この結果、チップ同士の接触も低減し、チッピングを抑制できる。
該積層体の剛軟度は、基材１１および緩衝層１３の材質や厚みなどにより制御できる。基材として剛性が高いフィルムや厚いフィルムを用いると剛軟度は増加する。また、緩衝層として、架橋構造が密なフィルムや厚いフィルムを用いても剛軟度は増加する。
　緩衝層は、上記した緩衝層形成用組成物を硬化することで得られる。緩衝層の架橋構造は、緩衝層形成用組成物の組成の選択によって調整できる。したがって、基材と緩衝層との積層体の剛軟度を前記の範囲に制御するためには、緩衝層形成用組成物を構成する上記成分の種類や量を調整しても良い。以下に各成分の種類や量を調整するための指針を説明する。
　たとえば、ウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）の（メタ）アクロイル基の数が多いと緩衝層内に架橋構造が増加し、基材と緩衝層との積層体の剛軟度は増加する。
ウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）、環形成原子数６～２０の脂環基又は複素環基を有する重合性化合物（ａ２）、官能基を有する重合性化合物（ａ３）、多官能重合性化合物（ａ４）の種類や量によって基材と緩衝層との積層体の剛軟度を調整できる。
　緩衝層に架橋構造が多く含まれると、緩衝層は硬くなり、基材と緩衝層との積層体の剛軟度は増加する傾向にある。このため、架橋構造の形成に関与する成分量を調整することで、積層体の剛軟度を適切な範囲に制御できる。架橋構造の形成に関与する成分としては、たとえばウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）の（メタ）アクロイル基、多官能重合性化合物（ａ４）があげられる。特に多官能重合性化合物（ａ４）は、使用が容易であり、架橋構造の形成に有用な成分である。
　また、緩衝層の構造中に比較的軟質な構成単位（たとえば鎖長の長い単位）が含まれると、基材と緩衝層との積層体の剛軟度は低下する傾向にある。このため、長鎖構造の形成に関与する成分量を調整することで、積層体の剛軟度を適切な範囲に制御できる。鎖長の長い単位としては、ウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）のウレタン鎖などがあげられる。
しかし、剛軟度が過度に増加すると、半導体加工用粘着テープ１０をチップ群２４から剥離する際に、テープの湾曲による反発力が大きくなり、チップに過剰な圧力が加わり、チップを破損することがある。すなわち、剛軟度が高すぎると粘着テープ１０の剥離が困難になることがあるため、剛軟度は１５０ｍｍ以下であることが好ましい。
　上述した緩衝層には、本発明の効果を損なわない範囲において、可塑剤、滑剤、赤外線吸収剤、紫外線吸収剤、フィラー、着色剤、帯電防止剤、酸化防止剤、触媒等の添加剤を含有させてもよい。また、上述した緩衝層は、透明であっても、不透明であってもよく、所望により着色又は蒸着されていてもよい。
［剥離シート］
　粘着テープの表面には、剥離シートが貼付されていてもよい。剥離シートは、具体的には、粘着テープの粘着剤層の表面に貼付される。剥離シートは、粘着剤層表面に貼付されることで輸送時、保管時に粘着剤層を保護する。剥離シートは、剥離可能に粘着テープに貼付されており、粘着テープが使用される前（すなわち、ウエハ貼付前）には、粘着テープから剥離されて取り除かれる。
　剥離シートは、少なくとも一方の面が剥離処理をされた剥離シートが用いられ、具体的には、剥離シート用基材の表面上に剥離剤を塗布したもの等が挙げられる。
　剥離シート用基材としては、樹脂フィルムが好ましく、当該樹脂フィルムを構成する樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂等のポリエステル樹脂フィルム、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂等のポリオレフィン樹脂等が挙げられる。剥離剤としては、例えば、シリコーン系樹脂、オレフィン系樹脂、イソプレン系樹脂、ブタジエン系樹脂等のゴム系エラストマー、長鎖アルキル系樹脂、アルキド系樹脂、フッ素系樹脂等が挙げられる。
　剥離シートの厚さは、特に制限ないが、好ましくは１０～２００μｍ、より好ましくは２０～１５０μｍである。
［粘着テープの製造方法］
　本発明の粘着テープの製造方法としては、特に制限はなく、公知の方法により製造することができる。
　例えば、基材と、当該基材の一方の面側に設けられた粘着剤層と、当該基材の他方の面側に設けられた緩衝層とを有する粘着テープの製造方法は以下のとおりである。
　緩衝層がエネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物から形成される場合には、剥離シート上に緩衝層形成用組成物を塗工、硬化して設けた緩衝層と、基材とを貼り合わせ、剥離シートを除去することで、緩衝層と基材との積層体が得られる。
　そして、剥離シート上に設けた粘着剤層を、積層体の基材側に貼り合わせ、粘着剤層の表面に剥離シートが貼付された粘着テープを製造することができる。粘着剤層の表面に貼付される剥離シートは、粘着テープの使用前に適宜剥離して除去すればよい。
　剥離シート上に粘着剤層を形成する方法としては、剥離シート上に粘着剤（粘着剤組成物）を、公知の塗布方法にて、直接塗布して塗布膜を加熱乾燥することで、粘着剤層を形成することができる。
　また、基材の片面に、粘着剤（粘着剤組成物）を直接塗布して、粘着剤層を形成してもよい。粘着剤の塗布方法としては、緩衝層の製造法で示した、スプレーコート法、バーコート法、ナイフコート法、ロールコート法、ブレードコート法、ダイコート法、グラビアコート法等が挙げられる。
　剥離シート上に緩衝層を形成する方法としては、剥離シート上に緩衝層形成用組成物を、公知の塗布方法にて、直接塗布して塗布膜を形成し、この塗布膜にエネルギー線を照射することで、緩衝層を形成することができる。また、基材の片面に、緩衝層形成用組成物を直接塗布して、加熱乾燥あるいは塗布膜にエネルギー線を照射することで、緩衝層を形成してもよい。
　緩衝層形成用組成物の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、ナイフコート法、ロールコート法、ブレードコート法、ダイコート法、グラビアコート法等が挙げられる。また、塗布性を向上させるために、緩衝層形成用組成物に対して有機溶媒を配合し、溶液の形態として、剥離シート上に塗布してもよい。
　緩衝層形成用組成物がエネルギー線重合性化合物を含む場合、緩衝層形成用組成物の塗布膜に対して、エネルギー線を照射することで硬化させ、緩衝層を形成することが好ましい。緩衝層の硬化は、一度の硬化処理で行ってもよいし、複数回に分けて行ってもよい。例えば、剥離シート上の塗布膜を完全に硬化させて緩衝層を形成した後に基材に貼り合わせてもよく、当該塗布膜を完全に硬化させずに半硬化の状態の緩衝層形成膜を形成し、当該緩衝層形成膜を基材に貼り合わせた後、再度エネルギー線を照射して完全に硬化させて緩衝層を形成してもよい。当該硬化処理で照射するエネルギー線としては、紫外線が好ましい。なお、硬化する際は、緩衝層形成用組成物の塗布膜が暴露された状態でもよいが、剥離シートや基材で塗布膜が覆われ、塗布膜が暴露されない状態でエネルギー線を照射して硬化することが好ましい。
　なお、基材の両面に緩衝層が設けられた粘着テープの製造方法は、例えば、上述の方法により、緩衝層と基材と緩衝層とがこの順に積層された積層体を得、その後、一方の緩衝層側に粘着剤層を形成すればよい。
［半導体装置の製造方法］
　本発明に係る粘着テープは、好ましくは、半導体ウエハの表面に貼付してウエハの裏面研削が行う場合に使用される。より好ましくは、本発明に係る粘着テープは、ウエハの裏面研削とウエハの個片化とを同時に行うＤＢＧにおいて好ましく使用される。特に好ましくは、本発明に係る粘着テープは、半導体ウエハを個片化した際に、カーフ幅の小さいチップ群が得られるＬＤＢＧに好ましく使用される。なお、「チップ群」とは、本発明に係る粘着テープ上に保持された、ウエハ形状に整列している複数の半導体チップをいう。
　粘着テープの非限定的な使用例として、以下に半導体装置の製造方法をさらに具体的に説明する。
　半導体装置の製造方法は、具体的には、以下の工程１～工程５を少なくとも備える。
　工程１：上記の粘着テープを半導体ウエハの表面に貼付し、粘着テープを半導体ウエハの外周に沿って切断する工程
　工程２：半導体ウエハの表面側から溝を形成し、又は半導体ウエハの表面若しくは裏面から半導体ウエハ内部に改質領域を形成する工程
　工程３：粘着テープが表面に貼付され、かつ上記溝又は改質領域が形成された半導体ウエハを、裏面側から研削して、溝又は改質領域を起点として、複数のチップに個片化させる工程
工程４：前記個片化された複数のチップが保持された半導体加工用粘着テープを、ベルヌーイチャックにより支持して搬送する工程
　工程５：個片化された半導体ウエハ（すなわち、複数の半導体チップ）から、粘着テープを剥離する工程
　以下、上記半導体装置の製造方法の各工程を詳細に説明する。
（工程１）
　工程１では、本発明の粘着テープを、粘着剤層を介して半導体ウエハ表面に貼付し、半導体ウエハの外周に沿って切断する。粘着テープは、半導体ウエハおよびその外周に拡がる外周テーブルを覆うように貼り付けられる。そして、粘着テープは、半導体ウエハの外周に沿って、カッター等により切断される。切断速度は、通常１０～３００ｍｍ／ｓである。切断時のカッター刃の温度は室温でもよく、また、カッター刃を加熱して切断してもよい。
　本工程は、後述する工程２の前に行われてもよいが、工程２の後に行ってもよい。例えば、半導体ウエハに改質領域を形成する場合には、工程１を工程２の前に行うことが好ましい。一方で、半導体ウエハ表面に、ダイシング等により溝を形成する場合には、工程２の後に工程１を行う。すなわち、後述する工程２で形成した溝を有するウエハの表面に、本工程１にて粘着テープを貼付することになる。
　本製造方法で用いられる半導体ウエハはシリコンウエハであってもよいし、またガリウム砒素、炭化ケイ素、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、窒化ガリウム、インジウム燐などのウエハや、ガラスウエハであってもよい。半導体ウエハの研削前の厚さは特に限定されないが、通常は５００～１０００μｍ程度である。また、半導体ウエハは、通常、その表面に回路が形成されている。ウエハ表面への回路の形成は、エッチング法、リフトオフ法などの従来汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。
（工程２）
　工程２では、半導体ウエハの表面側から溝を形成し、又は半導体ウエハの表面又は裏面から半導体ウエハの内部に改質領域を形成する。
　本工程で形成される溝は、半導体ウエハの厚さより浅い深さの溝である。溝の形成は、従来公知のウエハダイシング装置等を用いてダイシングにより行うことが可能である。また、半導体ウエハは、後述する工程３において、溝に沿って複数の半導体チップに個片化される。
　また、改質領域は、半導体ウエハにおいて、脆質化された部分であり、研削工程における研削によって、半導体ウエハが薄くなったり、研削による力が加わったりすることにより半導体ウエハが破壊されて半導体チップに個片化される起点となる領域である。すなわち、工程２において溝及び改質領域は、後述する工程３において、半導体ウエハが分割されて半導体チップに個片化される際の分割線に沿うように形成される。
　改質領域の形成は、半導体ウエハの内部に焦点を合わせたレーザーの照射により行い、改質領域は、半導体ウエハの内部に形成される。レーザーの照射は、半導体ウエハの表面側から行っても、裏面側から行ってもよい。なお、改質領域を形成する態様において、工程２を工程１の後に行いウエハ表面からレーザー照射を行う場合、粘着テープを介して半導体ウエハにレーザーを照射することになる。
　粘着テープが貼付され、かつ溝又は改質領域を形成した半導体ウエハは、研削テーブル上に載せられ、研削テーブルに吸着されて保持される。この際、半導体ウエハは、表面側がテーブル側に配置されて吸着される。
（工程３）
　工程1及び工程２の後、研削テーブル上の半導体ウエハの裏面を研削して、半導体ウエハを複数の半導体チップに個片化する。
　ここで、裏面研削は、半導体ウエハに溝が形成される場合には、少なくとも溝の底部に至る位置まで半導体ウエハを薄くするように行う。この裏面研削により、溝は、ウエハを貫通する切り込みとなり、半導体ウエハは切り込みにより分割されて、個々の半導体チップに個片化される。
　一方、改質領域が形成される場合には、研削によって研削面（ウエハ裏面）は、改質領域に至ってもよいが、厳密に改質領域まで至らなくてもよい。すなわち、改質領域を起点として半導体ウエハが破壊されて半導体チップに個片化されるように、改質領域に近接する位置まで研削すればよい。例えば、半導体チップの実際の個片化は、後述するピックアップテープを貼付してからピックアップテープを延伸することで行ってもよい。
　個片化された半導体チップの形状は、方形でもよいし、矩形等の細長形状となっていてもよい。また、個片化された半導体チップの厚さは特に限定されないが、好ましくは５～１００μｍ程度であるが、より好ましくは１０～４５μｍである。レーザーでウエハ内部に改質領域を設け、ウエハ裏面研削時の応力等でウエハの個片化を行う、ＬＤＢＧによれば、個片化された半導体チップの厚さを５０μｍ以下、より好ましくは１０～４５μｍとすることが容易になる。また、個片化された半導体チップの大きさは、特に限定されないが、チップサイズが好ましくは６００ｍｍ２未満、より好ましくは４００ｍｍ２未満、さらに好ましくは３００ｍｍ２未満である。裏面研削の終了後、チップ裏面のドライポリッシュを行ってもよい。ドライポリッシュとは、個片化されたチップの裏面を乾式砥石により、鏡面仕上げする工程を言う。この工程を経ることで、チップ裏面の破砕層が減少し、抗折強度が高くなる。
（工程４）
　裏面研削の終了後、チップ群が保持された粘着テープを、ベルヌーイチャックにより支持して次工程へと搬送する。この際、図２に示したように、粘着テープ１０上面のチップ群２４が保持されている面に対し、ベルヌーイチャックによる吸引を行い、テープ１０をチップ群２４とともに研削テーブルから取り外す。
本発明の半導体加工用粘着テープ１０によれば、基材１１と緩衝層１３との積層体の剛軟度が上記範囲にあることで、チップ群２４が保持された半導体加工用粘着テープ１０をベルヌーイチャック２０で支持した場合でも、粘着テープ１０が変形し難く、垂れ下がりを防止できる。この結果、チップ同士の接触も低減し、チッピングを抑制できる。
（工程５）
　次に、個片化された半導体ウエハ（すなわち、複数の半導体チップ）から、半導体加工用粘着テープを剥離する。本工程は、例えば、以下の方法により行う。
　まず、粘着テープの粘着剤層が、エネルギー線硬化性粘着剤から形成される場合には、エネルギー線を照射して粘着剤層を硬化する。次いで、個片化された半導体ウエハの裏面側に、ピックアップテープを貼付し、ピックアップが可能なように位置及び方向合わせを行う。この際、ウエハの外周側に配置したリングフレームもピックアープテープに貼り合わせ、ピックアップテープの外周縁部をリングフレームに固定する。ピックアップテープには、ウエハとリングフレームを同時に貼り合わせてもよいし、別々のタイミングで貼り合わせてもよい。次いで、ピックアップテープ上に保持された複数の半導体チップから粘着テープを剥離する。なお、粘着テープ１０の剛性が高すぎると、粘着テープを剥離する際に湾曲による反発力が大きくなり、チップに過剰な圧力が加わり、チップを破損することがある。このため、前記剛軟度を適切な範囲に制御することが好ましい。
　その後、ピックアップテープ上にある複数の半導体チップをピックアップし基板等の上に固定化して、半導体装置を製造する。
　なお、ピックアップテープは、特に限定されないが、例えば、基材と、基材の少なくとも一方の面に設けられた粘着剤層を備える粘着テープによって構成される。
　また、ピックアップテープの代わりに、接着テープを用いることもできる。接着テープとは、フィルム状接着剤と剥離シートとの積層体、ダイシングテープとフィルム状接着剤との積層体や、ダイシングテープとダイボンディングテープの両方の機能を有する接着剤層と剥離シートとからなるダイシング・ダイボンディングテープ等が挙げられる。すなわち、本実施形態では、ダイシング・ダイボンディングテープを半導体ウエハの裏面に貼付する工程を含んでもよい。また、ピックアップテープを貼付する前に、個片化された半導体ウエハの裏面側にフィルム状接着剤を貼り合わせてもよい。フィルム状接着剤を用いる場合、フィルム状接着剤はウエハと同形状としてもよい。
　接着テープを用いる場合やピックアップテープを貼付する前に個片化された半導体ウエハの裏面側にフィルム状接着剤を貼り合わせる場合には、接着テープやピックアップテープ上にある複数の半導体チップは、半導体チップと同形状に分割された接着剤層と共にピックアップされる。そして、半導体チップは接着剤層を介して基板等の上に固定化され、半導体装置が製造される。接着剤層の分割は、レーザーやエキスパンドによって行われる。また、接着テープに代えて、チップ裏面に保護膜を形成するための保護膜形成用テープを用いてもよい。
　以上、本発明に係る粘着テープについて、ＤＢＧまたはＬＤＢＧにより半導体ウエハを個片化する方法に使用する例について説明したが、本発明に係る粘着テープは、半導体ウエハを個片化した際に、カーフ幅が小さく、より薄化されたチップ群が得られるＬＤＢＧに好ましく使用できる。なお、本発明に係る粘着テープは、通常の裏面研削に使用することも可能であり、また、ガラス、セラミック等の加工時にも被加工物を一時的に保持するために使用することもできる。また、各種の再剥離粘着テープとしても使用できる。
　以下、実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって制限されるものではない。
　測定方法、評価方法は以下のとおりである。結果は表１に示す。
［剛軟度の測定］
基材と緩衝層との積層体を幅20 mm×長さ150 mmにカットし、カンチレバー式剛軟度測定器（TOYOSEIKI社製）を用い２３℃、５０％ＲＨにて剛軟度の測定を行った（JIS L1086に準拠）。静電気の影響により剛軟度の測定値が変化するため、測定前に除電を行った。また積層体がロール状の場合、ＭＤ（machine direction）方向はばらつきが大きいため、ＣＤ（cross direction）方向の値を評価した。なお、緩衝層／基材／粘着剤層との積層体である粘着テープから、基材と緩衝層との積層体を得る場合には、粘着剤層を溶剤などにより除去した後に剛軟度を測定する。
［搬送性評価］
　直径１２インチ、厚み７７５μｍのシリコンウエハに、実施例および比較例で製造した半導体加工用粘着テープを、バックグラインド用テープラミネーター（リンテック社製、装置名「ＲＡＤ３５１０Ｆ／１２」）を用いて貼付した。レーザーソー（ディスコ社製、装置名「ＤＦＬ７３６１」）を用い、ウエハに格子状の改質領域を形成した。なお、格子サイズは１０ｍｍ×１０ｍｍとした。
　次いで、裏面研削装置（ディスコ社製、装置名「ＤＧＰ８７６１」）を用いて、厚さ３０μｍになるまで研削（ドライポリッシュを含む）を行い、ウエハを複数のチップに個片化した。個片化されたチップをデジタル顕微鏡で観察し、クラックの発生したチップを数え、クラックのサイズ毎に以下の基準で分類した。なお、クラックのサイズ（μｍ）は、チップの縦方向に沿ったクラックの長さ（μｍ）と、チップの横方向に沿ったクラックの長さ（μｍ）とを対比し、その数値の大きい方とした。
　（基準）
　大クラック：クラックのサイズが２０μｍ超
　中クラック：クラックのサイズが１０μｍ以上２０μｍ以下
　小クラック：クラックのサイズが１０μｍ未満
クラック数計測後、ベルヌーイチャック（外径３００ｍｍ、内径１００ｍｍの円形部に、ほぼ等間隔で１８のパッドが設けられた構造であり、円形部の外周からパッドの中心までの距離は２５ｍｍ）を用いて、チップ群／粘着テープのチップ群が保持されている面を非接触で吸引し、チップ群／粘着テープを研削装置の研削テーブルから取り外し、クラック数を再度計測し、クラックの増加数を計測した。
以下の条件を全て満たした場合を良好（Ａ）とし、1つでも満たさない場合は不良（Ｆ）とした。
大クラックの増加数が1ウエハ（チップ数624個）当たり1個未満
中クラックの増加数が1ウエハ（チップ数624個）当たり10個未満
小クラックの増加数が1ウエハ（チップ数624個）当たり30個未満
　以下の実施例及び比較例の質量部は全て固形分換算である。
＜実施例１＞
（１）基材
　基材として、両面コート層付ＰＥＴフィルム（東洋紡製、製品名［コスモシャインＡ４３００］、厚み：５０μｍ、２３℃におけるヤング率：２５５０ＭＰａ）を準備した。
（２）粘着剤層
（粘着剤組成物の調製）
　Ｎ－ブチルアクリレート（ＢＡ）、メチルメタクリレート（ＭＭＡ）及び２－ヒドロキシエチルアクリレート（２ＨＥＡ）由来の構成単位を有するアクリル系共重合体（ＢＡ／ＭＭＡ／２ＥＨＡ＝５２／２０／２８（質量％）、重量平均分子量約５０万）を１００質量部、多官能ウレタンアクリレート系紫外線硬化型樹脂を６質量部、ジイソシアネート系硬化剤を１質量部、及び光重合開始剤として、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシドを１質量部配合して、メチルエチルケトンで希釈し、固形分濃度３２質量％の粘着剤の溶液を調製した。そして、剥離シート（リンテック社製、商品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」、シリコーン剥離処理を行ったポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、厚さ：３８μｍ）の剥離処理がされた面上に、上記の粘着剤組成物の溶液を塗布し、乾燥させて、厚さ２０μｍの粘着剤層を有する、粘着剤層付き剥離シートを作製した。
（３）緩衝層
（緩衝層形成用組成物の調製）
　エネルギー線重合性化合物として、サートマー社より購入したウレタンアクリレート系オリゴマー（ＣＮ８８８８）、イソボルニルアクリレート（ＩＢＸＡ）、環状トリメチロールプロパンフォルマルアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ポリエチレングリコール（６００）ジアクリレートを、表１に記載の配合量で配合し、さらに光重合開始剤として、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン（ＢＡＳＦ社製、製品名「Ｏｍｎｉｒａｄ　１１７３」）を２．０質量部配合し、緩衝層形成用組成物を調製した。
剥離シート（リンテック社製、商品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」シリコーン剥離処理を行ったポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、厚さ：３８μｍ）の剥離処理がされた面上に、上記の緩衝層形成用組成物を塗布し塗布膜を形成した。そして、当該塗布膜に対して、紫外線を照射して、当該塗布膜を半硬化させ、厚さ２８μｍの緩衝層の半硬化膜を形成した。
なお、上記の紫外線照射は、ベルトコンベア式紫外線照射装置（製品名「ＥＣＳ－４０１ＧＸ」アイグラフィクス社製）及び高圧水銀ランプ（製品名「Ｈ０４－Ｌ４１」アイグラフィクス社製）を使用し、ランプ高さ２６０ｍｍ、出力８０Ｗ／ｃｍ、照度７０ｍＷ／ｃｍ２、照射量３０ｍＷ／ｃｍ２の照射条件下にて行った。そして、形成した半硬化膜の表面と、基材の第１のコート層とを貼り合わせ、半硬化膜上の剥離シート側から再度紫外線を照射して、当該半硬化膜を完全に硬化させ、厚さ２８μｍの緩衝層を形成した。得られた「基材と緩衝層との積層体」について剛軟度を測定した。結果を表１に示す。
（４）粘着テープの作製
　次いで、上記両面コート層付きＰＥＴフィルムの第２のコート層上に、上記粘着剤層付き剥離シートの粘着剤層を貼り合わせ半導体加工用粘着テープを作製した。半導体加工用粘着テープを用いて搬送性評価を行った。結果を表１に示す。
＜実施例２～４、比較例１、２＞
　緩衝層形成用組成物の組成を表１のように変更したほかは、実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　以上の結果から、本発明に係る半導体加工用粘着テープによれば、テープの剛軟度が適切な範囲に制御されているため、チップ群が保持された半導体加工用粘着テープを、ベルヌーイチャックを用いて搬送する場合であってもテープの湾曲がなく、チッピングの発生を抑制できる。
１０　粘着テープ
　１１　基材
　１２　粘着剤層
　１３　緩衝層
２０　ベルヌーイチャック
　２１　パッド
　２２　円弧部
　２３　アーム
２４　チップ群

Claims (7)

  1. 基材と、当該基材の一方の面側に設けられた緩衝層と、当該基材の他方の面側に設けられた粘着剤層とを有する粘着テープであって、
    基材と緩衝層との積層体の剛軟度が６８ｍｍ以上である、半導体加工用粘着テープ。
  2. 前記基材の２３℃におけるヤング率が１０００ＭＰａ以上である、請求項１に記載の半導体加工用粘着テープ。
  3. 前記基材の厚さが８０μｍ以下である、請求項１または２に記載の半導体加工用粘着テープ。
  4. 前記緩衝層が、エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物の硬化物である、請求項１～３のいずれかに記載の半導体加工用粘着テープ。
  5. 半導体ウエハ表面に溝が形成され、又は半導体ウエハに改質領域が形成された半導体ウエハの裏面を研削して、その研削により半導体ウエハを半導体チップに個片化する工程において、半導体ウエハの表面に貼付されて使用される、請求項１～４のいずれかに記載の半導体加工用粘着テープ。
  6. 　請求項１～４のいずれかに記載の半導体加工用粘着テープを半導体ウエハの表面に貼付し、当該粘着テープを当該半導体ウエハの外周に沿って切断する工程と、
    　前記半導体ウエハの表面側から溝を形成し、又は前記半導体ウエハの表面若しくは裏面から半導体ウエハ内部に改質領域を形成する工程と、
    　前記粘着テープが表面に貼付され、かつ前記溝又は前記改質領域が形成された半導体ウエハを、裏面側から研削して、前記溝又は前記改質領域を起点として複数のチップに個片化させる工程と、
    前記個片化された複数のチップが保持された半導体加工用粘着テープを、ベルヌーイチャックにより支持して搬送する工程と、
    前記複数のチップから前記粘着テープを剥離する工程と、
    を備える半導体装置の製造方法。
  7. 　さらに、ダイシング・ダイボンディングテープを半導体チップの裏面に貼付する工程を含む、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
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