WO2022138693A1 - ガラス基板及びガラス基板の製造方法 - Google Patents

ガラス基板及びガラス基板の製造方法 Download PDF

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悠波 小林
賢志 後藤
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Ａｇｃ株式会社
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    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid

Definitions

  • the present invention relates to a glass substrate and a method for manufacturing a glass substrate.
  • a glass substrate may be used as a member to support the semiconductor device.
  • Patent Document 1 describes a glass support substrate for a fan-out wafer level package.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a glass substrate and a method for manufacturing a glass substrate capable of appropriately manufacturing a semiconductor device.
  • the glass substrate according to the present disclosure is a glass substrate for manufacturing a semiconductor device, and one surface of the glass substrate is directed downward in the vertical direction.
  • the height in the vertical direction of the other surface is the lowest.
  • the lowest point, which is the position, is radially inside the first position, the second position, and the third position when viewed from the vertical direction, and the center is the center point of the glass substrate and the diameter is It is located in a circular central region having a length of 1/3 with respect to the diameter of the glass substrate.
  • the method for manufacturing a glass substrate according to the present disclosure is the method for manufacturing a glass substrate, in which a step of melting a raw material and a stirring of the melted raw material are performed. It includes a step of stirring under the conditions of a rotation speed of 5 rpm or more and 20 rpm or less and 12 hours or more and 24 hours or less, and a step of cooling the stirred raw material to form the glass substrate.
  • a semiconductor device can be appropriately manufactured.
  • FIG. 1A is a schematic view of a glass substrate according to this embodiment.
  • FIG. 1B is a schematic view of a glass substrate according to this embodiment.
  • FIG. 2A is a schematic diagram for explaining the deflection of the glass substrate according to the present embodiment.
  • FIG. 2B is a schematic diagram for explaining the deflection of the glass substrate according to the present embodiment.
  • FIG. 3A is a schematic diagram for explaining the deflection of the glass substrate according to the present embodiment.
  • FIG. 3B is a schematic diagram for explaining the deflection of the glass substrate according to the present embodiment.
  • FIG. 4 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a glass substrate according to the present embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating an evaluation method of each example.
  • FIG. 6 is a graph showing an example of dy / dF.
  • Glass substrate 1A and 1B are schematic views of a glass substrate according to the present embodiment.
  • 1A is a front view of the glass substrate 10 according to the present embodiment
  • FIG. 1B is a plan view of the glass substrate 10 according to the present embodiment.
  • the glass substrate 10 according to the present embodiment is used as a glass substrate for manufacturing a semiconductor package, and can be said to be a glass substrate that supports a semiconductor device.
  • the glass substrate 10 is a support glass substrate for manufacturing a fan-out wafer level package (FOWLP).
  • FOWLP fan-out wafer level package
  • FOPLP Fan Out Panel Level Package
  • the use of the glass substrate 10 is not limited to supporting semiconductor devices and manufacturing FOWLP and FOPLP, and may be any glass substrate used to support any member.
  • the glass substrate 10 has a surface 10A (one surface) which is one main surface and a surface 10B (the other surface) which is a main surface opposite to the surface 10A. It is a plate-shaped member. As shown in FIG. 1B, the glass substrate 10 has a circular disk shape when viewed in a plan view, that is, when viewed from a direction orthogonal to the surface 10A. In other words, the glass substrate 10 has a wafer shape.
  • the glass substrate 10 may have a notch portion 10D (notch) formed on the outer peripheral surface 10C so that the outer peripheral surface of the circle is partially cut out.
  • the notch portion 10D may also have a chamfered shape including the outer peripheral surface portion 14C1 and the edge surface portion 14C2, which will be described later.
  • the shape of the glass substrate 10 is not limited to the disk shape, but may be any shape, and may be a polygonal plate such as a rectangle.
  • the direction orthogonal to the surface 10A is referred to as the Z direction.
  • the Z direction can also be said to be the thickness direction of the glass substrate 10.
  • the glass substrate 10 is chamfered on the outer peripheral surface 10C.
  • the outer peripheral surface 10C includes an outer peripheral surface portion 10C1 and an edge surface portion 10C2.
  • the outer peripheral surface portion 10C1 corresponds to the unchamfered portion of the outer peripheral surface 10C
  • the edge surface portion 10C2 corresponds to the chamfered portion of the outer peripheral surface 10C.
  • the outer peripheral surface 10C has a shape including the outer peripheral surface portion 10C1 and the edge surface portion 10C2 as shown in FIG. 1A over the entire peripheral direction of the glass plate 10.
  • the outer peripheral surface portion 10C1 is a surface of the outer peripheral surface 10C including the portion most protruding outward in the radial direction of the glass plate 10. As shown in FIG. 1A, the outer peripheral surface portion 10C1 is along the Z direction when viewed from a direction orthogonal to the Z direction.
  • the outer peripheral surface portion 10C1 is connected to the surface of the glass substrate 10 via the edge surface portion 10C2. That is, one end of the edge surface portion 10C2 in the Z direction is connected to the outer peripheral surface portion 10C1, and the other end is connected to the surface of the glass substrate 10.
  • the edge surface portion 10C2 is formed on both sides of the outer peripheral surface portion 10C1 in the Z direction. That is, the outer peripheral surface 10C is formed so as to be arranged in the Z direction in the order of one edge surface portion 10C2, the outer peripheral surface portion 10C1, and the other edge surface portion 10C2.
  • One end of the edge surface portion 10C2 in the Z direction is connected to the surface 10A of the glass substrate 10, and the other end is connected to the outer peripheral surface portion 10C1. Further, one end of the other edge surface portion 10C2 in the Z direction is connected to the outer peripheral surface portion 10C1, and the other end portion is connected to the surface 10B of the glass substrate 10.
  • the edge surface portion 10C2 is inclined with respect to the Z direction when viewed from a direction orthogonal to the Z direction.
  • the edge surface portion 10C2 is inclined so as to be inward in the radial direction of the glass substrate 10 from the outer peripheral surface portion 10C1 toward the surface side of the glass substrate 10.
  • the outer peripheral surface 10C has a shape in which a chamfer is formed including the outer peripheral surface portion 10C1 and the edge surface portion 10C2, but the shape of the outer peripheral surface 10C is not limited to this, and for example, a chamfer is formed. It does not have to be.
  • the diameter W of the glass substrate 10 is preferably 150 mm or more and 700 mm or less, more preferably 150 mm or more and 450 mm or less, further preferably 150 mm or more and 400 mm or less, and further preferably 250 mm or more and 350 mm or less. , 300 mm or more and 350 mm or less is more preferable. When the diameter W is in this range, a member such as a semiconductor device can be appropriately supported.
  • the diameter W is the diameter when the glass substrate 10 is circular, but when the glass substrate 10 is not circular, the diameter W is the distance between any two points on the outer peripheral edge of the glass substrate 10. You may point to the maximum value.
  • the thickness D of the glass substrate 10, that is, the length between the surface 10A and the surface 10B is preferably 2 mm or less, more preferably 0.5 mm or more and 2.0 mm or less, and 0.6 mm or more 1 It is more preferably 5.5 mm or less, and further preferably 0.6 mm or more and 1.0 mm or less.
  • the glass substrate 10 is preferable as a semiconductor device manufacturing application because the weight increase due to the large thickness is suppressed.
  • the thickness D falls within this range, there is a high possibility that the semiconductor device cannot be properly manufactured due to the influence of the deflection.
  • the position of the lowest point due to the deflection by its own weight is set to the center side. As a result, deterioration of the manufacturability of the semiconductor device can be suppressed.
  • the deviation of the thickness D is preferably 10 ⁇ m or less, and more preferably 3 ⁇ m or less.
  • the deviation of the thickness D refers to the deviation of the thickness D (for each coordinate) for each position on the plane along the surface of the glass substrate 10. For example, the thickness D at each position (coordinates) on the plane along the surface of the glass substrate 10 is calculated, and the difference between the maximum value and the minimum value in the thickness D for each position is calculated as the thickness. It may be a deviation of D.
  • the Young's modulus of the glass substrate 10 is preferably 60 GPa or more and 150 GPa or less, more preferably 70 GPa or more and 120 GPa or less, and further preferably 75 GPa or more and 100 GPa or less.
  • the Young's modulus is in this range, the decrease in rigidity of the glass substrate can be suppressed and the shape change of the glass substrate can be suppressed, so that the deterioration of the manufacturability of the semiconductor device can be suppressed.
  • the Young's modulus of the glass substrate 10 a value measured based on the propagation of ultrasonic waves using 38DL PLUS manufactured by OLYMPUS may be used.
  • the density of the glass substrate 10 is preferably 2.0 g / cm 3 or more and 4.0 g / cm 3 or less, and more preferably 2.5 g / cm 3 or more and 3.3 g / cm 3 or less. When the density is in this range, it is possible to suppress an increase in the weight of the glass substrate 10 and suppress deterioration in the manufacturability of the semiconductor device.
  • the density of the glass substrate 10 may be a value measured by using the Archimedes method.
  • the glass substrate 10 preferably contains the following compounds in mass% (wt%) based on the oxide.
  • the member can be appropriately supported.
  • SiO 2 40 wt% or more and 75 wt% or less is preferable, 50 wt% or more and 75 wt% or less is more preferable.
  • Al 2 O 3 0 wt% or more and 20 wt% or less is preferable, and 0 wt% or more and 15 wt% or less is more preferable.
  • B 2 O 3 0 wt% or more and 20 wt% or less is preferable, 0 wt% or more and 10 wt% or less is more preferable MgO: 0 wt% or more and 25 wt% or less is preferable CaO: 0 wt% or more and 25 wt% or less is preferable, 0 wt% or more More preferably 15 wt% or less SrO: preferably 0 wt% or more and 10 wt% or less BaO: preferably 0 wt% or more and 20 wt% or less, more preferably 0 wt% or more and 15 wt% or less Li 2 O: 0 wt% or more and 40 wt % Or less is preferable Na 2 O: 0 wt% or more and 15 wt% or less is preferable K 2 O: 0 wt% or more and 10 wt% or less is preferable ZrO 2 : 0 wt%
  • 0 wt% or more and 5 wt% or less are further preferable.
  • TiO 2 0 wt% or more and 5 wt% or less are preferable.
  • Y 2 O 3 0 wt% or more and 10 wt% or less are preferable.
  • FIG. 2A and 2B are schematic views for explaining the deflection of the glass substrate according to the present embodiment.
  • FIG. 2A shows a case where the first position P1A, the second position P2A, and the third position P3A, which are radially outside the center point O of the glass substrate 10 when viewed from the Z direction, are supported at three points by the support member B. It is a figure explaining the example of the deflection by the own weight of.
  • the first position P1A is a position on the surface 10A separated from the center point O of the glass substrate 10 by a distance L1A outward in the radial direction.
  • the second position P2A is a position on the surface 10A separated from the center point O of the glass substrate 10 in the radial direction by a distance L2A, and is relative to the first position P1A when the center point O is the center. It is a position shifted by 120 degrees in the circumferential direction.
  • the third position P3A is a position on the surface 10A separated from the center point O of the glass substrate 10 in the radial direction by a distance L3A, and is the first position P1A and the second position when the center point O is the center. It is a position shifted by 120 degrees in the circumferential direction with respect to the position P2A.
  • the radial direction here refers to the radial direction when the center point O is the center.
  • the distance L1A, the distance L2A, and the distance L3A have the same length as each other, and are 29/30 times as long as half (radius) of the diameter W of the glass substrate 10.
  • the support member B is a spherical member having a diameter of 1 mm or more and 2 mm or less, and more preferably 1.6 mm in diameter.
  • the material of the support member B is preferably a material that is softer than glass and is not easily deformed by temperature and humidity or the weight of glass during measurement, and is, for example, a resin such as PEEK (Polyetheretherketone) or PTFE (Polyetherketone). , Here PEEK may be used.
  • the position where the height in the vertical direction is the lowest is defined as the lowest point SB1. That is, it can be said that the lowest point SB1 is the position where the amount of deflection is the largest in the surface 10B.
  • the position of the lowest point SB1 is located in the central region AR when viewed from the vertical direction (Z direction).
  • the central region AR is a region radially inside the first position P1A, the second position P2A, and the third position P3A. Further, the central region AR is a circular region whose center is the center point O and whose diameter D1 is 1/3 of the diameter W of the glass substrate 10.
  • the glass substrate 10 has the lowest point when the surface 10A is directed downward in the vertical direction and the first position P1A, the second position P2A, and the third position P3A of the surface 10A are supported by the support member B at three points.
  • SB is located in the central region AR.
  • the lowest point SB is located in the central region AR instead of the outside of the central region AR, so that deformation of the glass substrate 10 such that the bending position of the glass substrate 10 is displaced during manufacturing of the semiconductor device is suppressed, and the semiconductor device is not deformed. Deterioration of manufacturability can be suppressed.
  • the maximum of the glass substrate 10 when the surface 10A of the glass substrate 10 is directed downward in the vertical direction and the first position P1A, the second position P2A, and the third position P3A on the surface 10A are supported by the support member B.
  • the amount of deflection is defined as the maximum amount of deflection TBmax.
  • the maximum amount of deflection TBmax can be said to be the maximum amount of deflection due to the weight of the glass substrate 10, and can be said to be the distance along the vertical direction from the highest point SB2 to the lowest point SB1 of the glass substrate 10.
  • the highest point SB2 is a case where the surface 10A of the glass substrate 10 is directed downward in the vertical direction and the first position P1A, the second position P2A, and the third position P3A on the surface 10A are supported by the support member B. This is the position where the height in the vertical direction is the highest among the surface 10B on the upper side in the vertical direction.
  • the maximum deflection amount TBmax is preferably 650 ⁇ m or less, and preferably 10 ⁇ m or more and 630 ⁇ m or less. Is more preferable, and more preferably 50 ⁇ m or more and 625 ⁇ m or less.
  • the maximum amount of deflection TBmax is in this range, the amount of deflection is also suppressed, so that deterioration of the manufacturability of the semiconductor device can be more preferably suppressed.
  • the maximum amount of deflection TBmax can be measured by a Dyvoce manufactured by Kozu Seiki.
  • FIG. 2A illustrates an example in which the glass substrate 10 is simply warped, but the warping of the glass substrate 10 is not limited to the simple warping as shown in FIG. 2A, and the warping method as shown in FIG. 2B, for example. It may be. That is, in FIG. 2A, the glass substrate 10 is bent so as to have a concave shape recessed from the outer peripheral end toward the lowest point SB1, but as shown in FIG. 2B, the lowest point is from the position indicated by the support member B. It may be dented toward SB1 and may be bent so as to be dented from a portion supported by the support member B toward the outer peripheral end.
  • FIG. 3A shows a case where the first position P1B, the second position P2B, and the third position P3B, which are radially outside the center point O of the glass substrate 10 when viewed from the Z direction, are supported at three points by the support member B. It is a figure explaining the example of the deflection by the own weight of.
  • the first position P1B is a position on the surface 10B separated from the center point O of the glass substrate 10 by a distance L1B outward in the radial direction.
  • the second position P2B is a position on the surface 10B separated radially outward from the center point O of the glass substrate 10 by a distance L2B, and is relative to the first position P1B when the center point O is the center. It is a position shifted by 120 degrees in the circumferential direction.
  • the third position P3B is a position on the surface 10B separated from the center point O of the glass substrate 10 by a distance L3B outward in the radial direction, and is the first position P1B and the second position when the center point O is the center.
  • the distance L1B, the distance L2B, and the distance L3B have the same length as each other, and are 29/30 times as long as half (radius) of the diameter W of the glass substrate 10.
  • the position where the height in the vertical direction is the lowest among the surface 10A on the upper side in the vertical direction is defined as the lowest point SA1. That is, it can be said that the lowest point SA1 is the position where the amount of deflection is the largest in the surface 10A. In this case, the position of the lowest point SA1 is preferably located in the central region AR when viewed from the vertical direction (Z direction).
  • FIG. 3A illustrates an example in which the glass substrate 10 is simply warped, but the warping of the glass substrate 10 is not limited to the simple warping as shown in FIG. 3A, and the warping method as shown in FIG. 3B, for example. It may be. That is, in FIG. 3A, the glass substrate 10 is bent so as to have a concave shape recessed from the outer peripheral end toward the lowest point SA1, but as shown in FIG. 3B, the lowest point is from the position indicated by the support member B. It may be dented toward SA1 and may be bent so as to be dented from a portion supported by the support member B toward the outer peripheral end.
  • the glass substrate 10 has a minimum point SB1 (see FIG. 2A) when the surface 10A is supported at three points downward in the vertical direction and a minimum point when the surface 10B is supported at three points downward in the vertical direction. Both with point SA1 (see FIG. 3A) are located within the central region AR. However, in the glass substrate 10, at least one of the lowest points SB1 and SA1 may be located in the central region AR, and for example, one of the lowest points SB1 and SA1 may be located outside the central region AR. ..
  • the maximum of the glass substrate 10 when the surface 10B of the glass substrate 10 is directed downward in the vertical direction and the first position P1B, the second position P2B, and the third position P3B on the surface 10B are supported by the support member B.
  • the amount of deflection is defined as the maximum amount of deflection TAmax.
  • the maximum amount of deflection TAmax can be said to be the maximum amount of deflection due to the weight of the glass substrate 10, and can be said to be the distance along the vertical direction from the highest point SA2 to the lowest point SA1 of the glass substrate 10.
  • the highest point SA2 is a case where the surface 10B of the glass substrate 10 is directed downward in the vertical direction and the first position P1B, the second position P2B, and the third position P3B on the surface 10B are supported by the support member B. This is the position where the height in the vertical direction is the highest among the surface 10A on the upper side in the vertical direction.
  • the maximum deflection amount TAmax is preferably 650 ⁇ m or less, and preferably 10 ⁇ m or more and 630 ⁇ m or less. Is more preferable, and more preferably 50 ⁇ m or more and 625 ⁇ m or less.
  • the deflection amount TAmax is also suppressed, so that deterioration of the manufacturability of the semiconductor device can be more preferably suppressed.
  • the maximum amount of deflection TAmax can be measured with a Dyvoce manufactured by Kozu Seiki.
  • the larger value is defined as the maximum deflection amount Tmax. ..
  • the value obtained by multiplying the maximum deflection amount Tmax by the cube of the thickness D of the glass substrate 10 and the Young's modulus E of the glass substrate 10 and dividing by 1000 (that is, Tmax ⁇ D 3 ⁇ E / 1000) is 20 or less. Is preferable.
  • the amount of warpage of the glass substrate 10 when the deflection due to its own weight is removed is defined as the amount of warpage ⁇ T.
  • the warp amount ⁇ T is preferably 250 ⁇ m or less, and more preferably 100 ⁇ m or less.
  • the semiconductor device manufactured on the glass substrate 10 can be suppressed from warping, and the deterioration of the manufacturability of the semiconductor device can be more preferably suppressed.
  • the amount of warp ⁇ T is the case where the surface 10B is supported by the support member B as described above with the surface 10B facing downward in the vertical direction and the case where the surface 10A is supported with the supporting member B as described above with the surface 10A facing downward in the vertical direction.
  • the maximum value of the difference in the amount of deflection (for each coordinate) for each position on the plane along the surface of the glass substrate 10 is divided by 2. That is, the amount of deflection at the position (coordinates) i on the plane along the surface of the glass substrate 10 when the surface 10B is supported by the support member B as described above with the surface 10B facing downward in the vertical direction is defined as TA (i) .
  • the amount of deflection at the position (coordinates) i on the plane along the surface of the glass substrate 10 when the surface 10A is supported by the support member B as described above with the surface 10A facing downward in the vertical direction is defined as TB (i) . ..
  • the one having the maximum value is defined as MAX (TA (i) -TB (i) ).
  • the warp amount ⁇ T is obtained by the following equation (1). That is, the warp amount ⁇ T is a value obtained by dividing the absolute value of MAX (TA (i) ⁇ TB (i) ) by 2.
  • FIG. 4 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a glass substrate according to the present embodiment.
  • the raw material adjusted according to the composition of the glass substrate 10 is heated and melted (step S10).
  • the dissolved raw material is stirred (step S12).
  • the stirring conditions for the raw materials are arbitrary, but for example, it is preferable to stir for 12 hours or more and 24 hours or less, with the rotation speed of the stirring blade for stirring the melted raw materials being 5 rpm or more and 20 rpm or less.
  • the stirring blade is a member for stirring the melted raw material, and may have any shape, and is not limited to, for example, a blade shape.
  • the glass substrate 10 can be manufactured without stirring the melted raw material in this way, but by stirring in this way, it is possible to suppress the occurrence of an abnormality in the bending shape. ,preferable.
  • the step of forming the glass substrate 10 may be any method, and for example, the glass substrate 10 may be formed by cutting out the ingod after manufacturing the glass ingod. In this case, for example, the ingod may be manufactured by a melt casting method. Further, for example, the plate-shaped glass substrate 10 may be directly formed without manufacturing a glass ingod. In this case, for example, the plate-shaped glass substrate 10 may be manufactured by a roll-out method, a down-draw method, a fusion method, a float method, or the like. In any of the methods, a step of polishing the surface of the glass may be added.
  • the glass substrate 10 according to the present embodiment is for manufacturing a semiconductor device, and one surface 10A is directed downward in the vertical direction, and the center point O of the glass substrate 10 of the one surface 10A is directed downward.
  • the first position P1A, the second position P2A, and the third position P3A on the outer side in the radial direction are supported by the support member B, the position where the height in the vertical direction is the lowest among the other surfaces 10B.
  • the lowest point SB1 is located in the central region AR when viewed from the vertical direction.
  • the central region AR is radially inside the first position P1A, the second position P2A, and the third position P3A, and the center is the center point O of the glass substrate 10 and the diameter D1 is the diameter of the glass substrate 10. It is a circular region having a length of 1/3 with respect to W.
  • a temperature difference may occur between processes, and stress may be generated on the glass substrate due to a difference in the coefficient of thermal expansion between materials. The stress causes the glass substrate to deform, but the deformation may be discontinuous. If the deformation of the glass substrate is discontinuous, contact between the equipment and the glass substrate or disconnection of the device due to a sudden change in shape may occur.
  • the glass substrate 10 according to the present embodiment since the lowest point SB1 at which the self-weight deflection is maximum is located in the central region AR, the bending position of the glass substrate 10 is determined by a load when supporting the semiconductor device or the like. Discontinuous deformation such as shifting is suppressed. Therefore, according to the glass substrate 10 according to the present embodiment, it is possible to appropriately manufacture the semiconductor device by suppressing the deterioration of the manufacturability of the semiconductor device.
  • the other surface 10B is directed downward in the vertical direction, and the first position P1B, the second position P2B, and the second position P2B on the other surface 10B are radially outside the center point O of the glass substrate 10.
  • the lowest point SA1 which is the position where the height in the vertical direction is the lowest among the one surface 10A, is located in the central region AR when viewed from the vertical direction. It is preferable to do so.
  • the lowest points SA1 and SB1 that maximize the deflection by their own weight are located in the central region AR regardless of which of the surfaces 10A and 10B is directed downward. Therefore, according to the glass substrate 10, deformation such that the bending position of the glass substrate 10 is displaced is further suppressed, and a semiconductor device can be more preferably manufactured.
  • the glass substrate 10 preferably has a thickness D of 2 mm or less.
  • the thickness D of the glass substrate 10 is a glass substrate by locating the lowest point SB1 in the central region AR. It is possible to suppress deformation such that the bending position of 10 is displaced, and to suppress deterioration of manufacturability of the semiconductor device.
  • the glass substrate 10 has a diameter W of 150 mm or more and 700 mm or less, and one surface 10A is directed downward in the vertical direction to support the first position P1A, the second position P2A, and the third position P3A of the one surface 10A.
  • the maximum deflection amount TBmax is preferably 650 ⁇ m or less.
  • the maximum amount of deflection TBmax when one surface 10A of the glass substrate 10 is directed downward in the vertical direction and the first position P1A, the second position P2A, and the third position P3A of the one surface 10A are supported by the support member B.
  • the maximum amount of deflection TAmax when the other surface 10B is directed downward in the vertical direction and the first position P1B, the second position P2B, and the third position P3B of the other surface 10B are supported by the support member B.
  • Tmax the thickness of the glass substrate 10 is D
  • the Young's modulus of the glass substrate 10 it is preferable that Tmax ⁇ D 3 ⁇ E / 1000 ⁇ 20.
  • the glass substrate 10 when the other surface 10B of the glass substrate 10 is directed downward in the vertical direction and the first position P1B, the second position P2B, and the third position P3B of the other surface 10B are supported by the support member B, the glass substrate 10
  • the maximum deflection amount TAmax is preferably 650 ⁇ m or less.
  • the portion (edge surface portion 14C2) between the surface and the outer peripheral surface 10C of the glass substrate 10 is chamfered. Since the glass substrate 10 is chamfered, a semiconductor device can be more preferably manufactured.
  • the glass substrate 10 has a notch portion 10D formed on the outer peripheral surface 10C.
  • the semiconductor device can be more preferably manufactured by appropriately performing positioning and the like.
  • the glass substrate 10 has a warp amount ⁇ T of 250 ⁇ m or less and a deviation of the thickness D of 10 ⁇ m or less when the deflection due to its own weight is removed.
  • the deviation between the warp amount ⁇ T and the thickness D of the glass substrate 10 is within this range, it is possible to suppress deformation such that the bending position of the glass substrate 10 is displaced, and to suppress deterioration of the manufacturability of the semiconductor device.
  • the warp amount ⁇ T of the glass substrate 10 excluding the deflection due to its own weight is 100 ⁇ m or less, and the deviation of the thickness D is 3 ⁇ m or less.
  • the deviation between the warp amount ⁇ T and the thickness D of the glass substrate 10 is within this range, it is possible to suppress deformation such that the bending position of the glass substrate 10 is displaced, and to suppress deterioration of the manufacturability of the semiconductor device.
  • the glass substrate 10 is based on the oxide mass%. SiO 2 : 40 wt% or more and 75 wt% or less, Al 2 O 3 : 0 wt% or more and 20 wt% or less, B 2 O 3 : 0 wt% or more and 20 wt% or less, MgO: 0 wt% or more and 25 wt% or less, CaO: 0 wt% or more and 25 wt% or less, SrO: 0 wt% or more and 10 wt% or less, BaO: 0 wt% or more and 20 wt% or less, Li 2 O: 0 wt% or more and 40 wt% or less, Na 2 O: 0 wt% or more and 15 wt% or less, K 2 O: 0 wt% or more and 10 wt% or less, ZrO 2 : 0 wt% or more and 10 wt% or less, TiO 2 : 40
  • the glass substrate 10 is preferably a glass substrate for manufacturing at least one of a fan-out wafer level package and a fan-out panel level package.
  • the glass substrate 10 is suitable for use in fan-out wafer level packages and fan-out panel level packages.
  • the method for manufacturing the glass substrate 10 includes a step of melting the raw material and a step of stirring the melted raw material under the conditions of stirring rotation speed of 5 rpm or more and 20 rpm or less and 12 hours or more and 24 hours or less. , A step of cooling the stirred raw material to form the glass substrate 10.
  • this manufacturing method by stirring the melted raw materials, it is possible to make the raw materials uniform, suppress deformation such that the bending position of the glass substrate 10 is displaced, and glass capable of suitably manufacturing a semiconductor device.
  • the substrate 10 can be provided.
  • Table 1 shows the glass substrate of each example.
  • the raw materials were adjusted so that the glass substrate had a predetermined composition, and the glass substrate was manufactured. Then, the Young's modulus, the density, the position of the lowest point in the self-weight deflection, and the amount of deflection were measured with respect to the manufactured glass substrate. Young's modulus was measured using 38DL PLUS manufactured by OLYMPUS, and density was measured by the Archimedes method. Further, in the measurement of the position of the lowest point and the measurement of the amount of deflection, the present implementation is carried out so that the second surface, which is the other surface of the glass substrate, is vertically downward and above the first surface, which is one surface of the glass substrate.
  • the first position P1A, the second position P2A, and the third position P3A described in the embodiment were supported by the support member B. Then, in that case, the position of the lowest point on the first surface where the height in the vertical direction is the lowest is measured, and the measurement result is set as "on the first surface" of the "position of the lowest point” in Table 1. Indicated. In Table 1, when the position of the lowest point is in the central region AR shown in the present embodiment, the position of the lowest point is defined as “inside” and the position of the lowest point is the central region shown in the present embodiment. The position of the lowest point was defined as "outside" when it was not in the AR (when it was outside the central region AR).
  • the amount of deflection when the glass substrate is supported as described above, the amount of deflection at each position on the first surface is measured, and the minimum to maximum values are calculated from the minimum value on the first surface in Table 1. "Deflection”. A Dyvoce manufactured by Kozu Seiki was used to measure the amount of deflection. Further, the first position P1B, the second position P2B, and the third position P3B described in this embodiment are placed on the first surface, which is one surface, in the vertical direction and above the second surface, which is the other surface. It was supported by the support member B.
  • the position of the lowest point on the second surface where the height in the vertical direction is the lowest is measured, and the measurement result is "on the second surface" of the "position of the lowest point” in Table 1.
  • the position of the lowest point is defined as “inside” and the position of the lowest point is the central region shown in the present embodiment.
  • the position of the lowest point was defined as "outside” when it was not in the AR (when it was outside the central region AR).
  • the amount of deflection when the glass substrate is supported as described above, the amount of deflection at each position on the second surface is measured, and the minimum to maximum values are calculated from the "second" in Table 1.
  • the "maximum deflection amount” in Table 1 is the maximum value among the “deflection on the first surface” and the “deflection on the second surface”, and the warp amount is as in the above equation (1). It is a calculated value. Further, “Tmax ⁇ D 3 ⁇ E / 1000" in Table 1 is a value obtained by multiplying the maximum amount of deflection by the cube of "thickness” and "Young's modulus” and dividing by 1000.
  • Example 1 In Example 1, the raw materials are adjusted so that the glass substrate has a predetermined composition C1, the raw materials are melted, the melted raw materials are stirred, a glass ingod is manufactured, and the ingod is machined to have a diameter. , A glass substrate having the thickness, Young's modulus, density, position of the lowest point, and the amount of deflection as shown in Table 1 was manufactured.
  • Example 2 In Example 2, the raw materials are adjusted so that the glass substrate has the composition C1, the raw materials are melted, the melted raw materials are agitated, a glass ingod is manufactured, and the ingod is machined to have a diameter and a thickness. , Young's modulus, density, position of the lowest point, and the amount of deflection are as shown in Table 1.
  • Example 3 In Example 3, the raw material is adjusted so that the glass substrate has the composition C1, the raw material is melted, the melted raw material is stirred, a glass ingod is manufactured, and the ingod is machined to obtain the diameter and thickness. , Young's modulus, density, position of the lowest point, and the amount of deflection are as shown in Table 1.
  • Example 4 In Example 4, the raw materials are adjusted so that the glass substrate has the composition C1, the raw materials are melted, the melted raw materials are stirred, and a plate-shaped glass substrate is manufactured, and the diameter, thickness, Young's modulus, and density are obtained. , A glass substrate having the position of the lowest point and the amount of deflection as shown in Table 1 was manufactured.
  • Example 5 In Example 5, the raw materials are adjusted so that the glass substrate has a predetermined composition C2, the raw materials are melted and the melted raw materials are stirred to produce a plate-shaped glass substrate, and the diameter, thickness, Young's modulus, and so on. A glass substrate having the density, the position of the lowest point, and the amount of deflection as shown in Table 1 was manufactured.
  • Example 6 the raw materials are adjusted so that the glass substrate has a predetermined composition C3, the raw materials are melted and the melted raw materials are stirred to produce a plate-shaped glass substrate, and the diameter, thickness, Young's modulus, and so on. A glass substrate having the density, the position of the lowest point, and the amount of deflection as shown in Table 1 was manufactured.
  • Example 7 In Example 7, the raw materials are adjusted so that the glass substrate has a predetermined composition C4, the raw materials are melted and the melted raw materials are stirred to produce a plate-shaped glass substrate, and the diameter, thickness, Young's modulus, and so on. A glass substrate having the density, the position of the lowest point, and the amount of deflection as shown in Table 1 was manufactured.
  • Example 8 In Example 8, the raw material is adjusted so that the glass substrate has a predetermined composition C5, the raw material is melted and the melted raw material is stirred to produce a glass ingod, and the ingod is machined to obtain a diameter.
  • a glass substrate having the thickness, Young's modulus, density, position of the lowest point, and the amount of deflection as shown in Table 1 was manufactured.
  • Example 9 In Example 9, the raw material is adjusted so that the glass substrate has the composition C1, the raw material is melted, and the glass ingod is manufactured without stirring the melted raw material, and the ingod is machined to obtain a diameter.
  • a glass substrate having the thickness, Young's modulus, density, position of the lowest point, and the amount of deflection as shown in Table 1 was manufactured.
  • Example 10 In Example 10, the raw material is adjusted so that the glass substrate has a composition of C5, the raw material is melted, and the glass ingod is manufactured without stirring the melted raw material, and the ingod is machined to obtain a diameter. A glass substrate having the thickness, Young's modulus, density, position of the lowest point, and the amount of deflection as shown in Table 1 was manufactured.
  • compositions C1 to C5 are in the following range in mass% based on the oxide.
  • SiO 2 40 wt% or more and 75 wt% or less, Al 2 O 3 : 0 wt% or more and 20 wt% or less, B 2 O 3 : 0 wt% or more and 20 wt% or less, MgO: 0 wt% or more and 25 wt% or less, CaO: 0 wt% or more and 25 wt% or less, SrO: 0 wt% or more and 10 wt% or less, BaO: 0 wt% or more and 20 wt% or less, Li 2 O: 0 wt% or more and 40 wt% or less, Na 2 O: 0 wt% or more and 15 wt% or less, K 2 O: 0 wt% or more and 10 wt% or less, ZrO 2 : 0 wt% or more and 10 wt% or
  • FIG. 5 is a diagram illustrating an evaluation method of each example.
  • the outer periphery of the glass substrate was held by the support member J1, and the displacement in the central portion to which the load was applied was measured while the load was applied to the central portion of the surface of the glass substrate while changing the value.
  • the end faces of the glass substrate were held by four support members J1 at equal intervals in the circumferential direction.
  • the force for fixing the glass substrate by the support member J1 was set to be as weak as possible so that the glass substrate would not shift.
  • the central portion of the bottom surface of the glass substrate was arranged on the support member J2, and the support member J2 was arranged on the precision scale J3.
  • the load was measured with a precision scale J3.
  • the displacement is the amount of deflection, and refers to, for example, the difference in the position of the central portion with respect to the highest point of the glass substrate in the Z direction.
  • a graph showing the relationship between F and y when the load on the central portion is F and the displacement of the central portion is y is created, and there is a place where the change of y with respect to the change of F is discontinuous. That is, it is determined whether there is a place where dy / dF is discontinuous.
  • FIG. 6 is a graph showing an example of dy / dF.
  • the line segment L1 in FIG. 6 is an example when there is no place where dy / dF is discontinuous, and the line segment L2 is an example when there is a place where dy / dF is discontinuous.
  • the line segments L1 and L2 are examples, and do not show the evaluation results of each of the above examples.
  • Table 1 shows the evaluation results of each example. As shown in Table 1, it can be seen that the evaluation results are acceptable in Examples 1 to 8 of Examples, and the evaluation results are rejected in Examples 9 to 10 of Comparative Examples.
  • the embodiments of the present invention have been described above, the embodiments are not limited by the contents of the embodiments. Further, the above-mentioned components include those that can be easily assumed by those skilled in the art, those that are substantially the same, that is, those in a so-called equal range. Further, the above-mentioned components can be combined as appropriate. Further, various omissions, replacements or changes of the components can be made without departing from the gist of the above-described embodiment.

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Abstract

半導体デバイスを適切に製造する。ガラス基板（１０）は、半導体デバイスの製造用のガラス基板であって、一方の表面（１０Ａ）を鉛直方向下方に向け、一方の表面（１０Ａ）の、ガラス基板（１０）の中心点（Ｏ）よりも径方向の外側の第１位置（Ｐ１Ａ）、第２位置（Ｐ２Ａ）、及び第３位置（Ｐ３Ａ）を、支持部材（Ｂ）で支持した場合に、他方の表面（１０Ｂ）のうちで鉛直方向における高さが最低となる位置である最低点（ＳＢ１）が、鉛直方向から見て、第１位置（Ｐ１Ａ）、第２位置（Ｐ２Ａ）、及び第３位置（Ｐ３Ａ）よりも径方向内側であって、かつ、中心がガラス基板（１０）の中心点（Ｏ）となり直径（Ｄ１）がガラス基板（１０）の直径（Ｗ）に対して１／３の長さとなる円形の中央領域（ＡＲ）内に位置する。

Description

ガラス基板及びガラス基板の製造方法
　本発明は、ガラス基板及びガラス基板の製造方法に関する。
　半導体デバイスの製造プロセス中に、半導体デバイスを支持する部材として、ガラス基板が用いられることがある。例えば特許文献１には、ファンアウトウェハレベルパッケージ用のガラス製の支持基板が記載されている。
特許第６４４３６６８号公報
　しかし、ガラス基板で半導体デバイスを支持しつつ半導体デバイスを製造する際に、プロセス間で温度差が発生し、材料間の熱膨張率の差などにより、ガラス基板に応力が発生する。その応力によって、ガラスは変形するが、その変形が不連続な場合がある。ガラスの変形が不連続な場合は、設備とガラス基板との接触や、急激な形状変化によるデバイスの断線等が発生する。このような場合には、半導体デバイスを適切に製造できなくなる場合がある。そのため、半導体デバイスを適切に製造可能なガラス基板を提供することが求められている。
　本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、半導体デバイスを適切に製造可能なガラス基板及びガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。
　上述した課題を解決し、目的を達成するために、本開示に係るガラス基板は、半導体デバイスの製造用のガラス基板であって、一方の表面を鉛直方向下方に向け、前記一方の表面の、前記ガラス基板の中心点よりも径方向の外側の第１位置、第２位置、及び第３位置を、支持部材で支持した場合に、他方の表面のうちで鉛直方向における高さが最低となる位置である最低点が、鉛直方向から見て、前記第１位置、前記第２位置、及び前記第３位置よりも径方向内側であって、かつ、中心が前記ガラス基板の中心点となり直径が前記ガラス基板の直径に対して１／３の長さとなる円形の中央領域内に位置する。
　上述した課題を解決し、目的を達成するために、本開示に係るガラス基板の製造方法は、前記ガラス基板の製造方法であって、原料を溶解するステップと、溶解した前記原料を、攪拌の回転数が５ｒｐｍ以上２０ｒｐｍ以下、１２時間以上２４時間以下の条件で攪拌するステップと、攪拌した前記原料を冷却して、前記ガラス基板を形成するステップと、を含む。
　本発明によれば、半導体デバイスを適切に製造できる。
図１Ａは、本実施形態に係るガラス基板の模式図である。 図１Ｂは、本実施形態に係るガラス基板の模式図である。 図２Ａは、本実施形態に係るガラス基板のたわみを説明するための模式図である。 図２Ｂは、本実施形態に係るガラス基板のたわみを説明するための模式図である。 図３Ａは、本実施形態に係るガラス基板のたわみを説明するための模式図である。 図３Ｂは、本実施形態に係るガラス基板のたわみを説明するための模式図である。 図４は、本実施形態に係るガラス基板の製造方法を説明するフローチャートである。 図５は、各例の評価方法を説明する図である。 図６は、ｄｙ／ｄＦの例を示すグラフである。
　以下に添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではなく、また、実施形態が複数ある場合には、各実施形態を組み合わせて構成するものも含むものである。また、数値については四捨五入の範囲が含まれる。
　（ガラス基板）
　図１Ａ及び図１Ｂは、本実施形態に係るガラス基板の模式図である。図１Ａは、本実施形態に係るガラス基板１０の正面図であり、図１Ｂは、本実施形態に係るガラス基板１０の平面図である。図１Ａに示すように、本実施形態に係るガラス基板１０は、半導体パッケージの製造用のガラス基板として用いられるものであり、半導体デバイスを支持するガラス基板といえる。ガラス基板１０は、より具体的には、ファンアウトウェハレベルパッケージ（Ｆａｎ　Ｏｕｔ　Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｅ：ＦＯＷＬＰ）の製造用の支持ガラス基板であり、例えばガラス基板１０が矩形の場合には、ファンアウトパネルレベルパッケージ（Ｆａｎ　Ｏｕｔ　Ｐａｎｅｌ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｅ：ＦＯＰＬＰ）の製造用の支持ガラス基板である。ただし、ガラス基板１０の用途は、半導体デバイスの支持や、ＦＯＷＬＰやＦＯＰＬＰの製造用に限られず任意であり、任意の部材を支持するために用いられるガラス基板であってよい。
　図１Ａ及び図１Ｂに示すように、ガラス基板１０は、一方の主面である表面１０Ａ（一方の表面）と、表面１０Ａと反対側の主面である表面１０Ｂ（他方の表面）とを有する板状の部材である。図１Ｂに示すように、ガラス基板１０は、平面視で、すなわち、表面１０Ａに直交する方向から見た場合に、円形となる円板形状となっている。言い換えれば、ガラス基板１０は、ウェハ形状となっている。なお、ガラス基板１０は、外周面１０Ｃに切り欠き部１０Ｄ（ノッチ）が形成されて、円形の外周が一部切り欠かれた形状になっていてもよい。この場合、切り欠き部１０Ｄも、後述する外周面部１４Ｃ１とコバ面部１４Ｃ２とを含んだ、面取りが形成された形状であってよい。また、ガラス基板１０の形状は、円板形状に限られず任意の形状であってよく、例えば矩形などの多角形状の板であってもよい。なお、以下、表面１０Ａに直交する方向を、Ｚ方向と記載する。Ｚ方向は、ガラス基板１０の厚み方向ともいえる。
　図１Ａに示すように、ガラス基板１０は、外周面１０Ｃに面取りが形成されている。具体的には、外周面１０Ｃは、外周面部１０Ｃ１とコバ面部１０Ｃ２とを含む。外周面部１０Ｃ１は、外周面１０Ｃのうちの面取りされていない部分に相当し、コバ面部１０Ｃ２は、外周面１０Ｃのうちの面取りされた部分に相当する。なお、外周面１０Ｃは、ガラス板１０の周方向の全域にわたって、図１Ａに示すような外周面部１０Ｃ１とコバ面部１０Ｃ２とを含んだ形状となっている。
　外周面部１０Ｃ１は、外周面１０Ｃのうち、ガラス板１０の径方向外側に最も突出した部分を含む表面である。図１Ａに示すように、外周面部１０Ｃ１は、Ｚ方向に直交する方向から見た場合に、Ｚ方向に沿っている。
　外周面部１０Ｃ１は、コバ面部１０Ｃ２を介して、ガラス基板１０の表面に接続されている。すなわち、コバ面部１０Ｃ２は、Ｚ方向における一方の端部が外周面部１０Ｃ１に接続され、他方の端部がガラス基板１０の表面に接続されている。コバ面部１０Ｃ２は、Ｚ方向において、外周面部１０Ｃ１の両側に形成されている。すなわち、外周面１０Ｃは、Ｚ方向に、一方のコバ面部１０Ｃ２、外周面部１０Ｃ１、他方のコバ面部１０Ｃ２の順で並ぶように形成されている。そして、一方のコバ面部１０Ｃ２は、Ｚ方向における一方の端部がガラス基板１０の表面１０Ａに接続され、他方の端部が外周面部１０Ｃ１に接続されている。また、他方のコバ面部１０Ｃ２は、Ｚ方向における一方の端部が外周面部１０Ｃ１に接続され、他方の端部がガラス基板１０の表面１０Ｂに接続されている。
　図３に示すように、コバ面部１０Ｃ２は、Ｚ方向に直交する方向から見た場合に、Ｚ方向に対して傾斜している。コバ面部１０Ｃ２は、外周面部１０Ｃ１からガラス基板１０の表面側に向かうに従って、ガラス基板１０の径方向内側に向かうように、傾斜している。
　以上のように、外周面１０Ｃは、外周面部１０Ｃ１とコバ面部１０Ｃ２とを含んだ、面取りが形成された形状となっているが、外周面１０Ｃの形状はこれに限定されず、例えば面取りが形成されていなくてもよい。
　（ガラス基板の直径）
　ガラス基板１０の直径Ｗは、１５０ｍｍ以上７００ｍｍ以下であることが好ましく、１５０ｍｍ以上４５０ｍｍ以下であることがより好ましく、１５０ｍｍ以上４００ｍｍ以下であることが更に好ましく、２５０ｍｍ以上３５０ｍｍ以下であることが更に好ましく、３００ｍｍ以上３５０ｍｍ以下であることが更に好ましい。直径Ｗがこの範囲となることで、半導体デバイスなどの部材を適切に支持できる。なお、直径Ｗは、ガラス基板１０が円形である場合には直径であるが、ガラス基板１０が円形でない場合においては、ガラス基板１０の外周縁上の任意の２点間の距離のうちの、最大値を指してよい。
　（ガラス基板の厚み）
　ガラス基板１０の厚みＤは、すなわち表面１０Ａと表面１０Ｂとの間の長さは、２ｍｍ以下であることが好ましく、０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であることがより好ましく、０．６ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であることが更に好ましく、０．６ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であることが更に好ましい。ガラス基板１０は、厚みＤをこの範囲となることで、厚みが大きいことによる重量増加が抑制されるため、半導体デバイス製造用途として好ましい。一方、厚みＤがこの範囲となる場合、たわみの影響で、半導体デバイスを適切に製造できなくなる可能性が高くなってしまうが、後述のように、自重たわみによる最低点の位置を中央側とすることで、半導体デバイスの製造性悪化を抑制することができる。
　また、厚みＤの偏差は、１０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以下であることがより好ましい。厚みＤの偏差がこの範囲となることで、ガラス基板１０の厚みＤが均一に近づき、半導体デバイスを適切に製造することを可能とする。なお、厚みＤの偏差とは、ガラス基板１０の表面に沿った平面上の位置毎の（座標毎の）厚みＤの偏差を指す。例えば、ガラス基板１０の表面に沿った平面上の位置（座標）毎に、その位置における厚みＤを算出し、それらの位置毎の厚みＤの内の最大値と最小値との差分を、厚みＤの偏差としてよい。
　（ガラス基板のヤング率）
　ガラス基板１０のヤング率は、６０ＧＰａ以上１５０ＧＰａ以下であることが好ましく、７０ＧＰａ以上１２０ＧＰａ以下であることがより好ましく、７５ＧＰａ以上１００ＧＰａ以下であることが更に好ましい。ヤング率がこの範囲となることで、ガラス基板の剛性低下を抑制し、ガラス基板の形状変化を抑制できるため、半導体デバイスの製造性悪化を抑制することができる。なお、ここでのガラス基板１０のヤング率は、ＯＬＹＭＰＵＳ社製の３８ＤＬ　ＰＬＵＳを用いて超音波の伝搬に基づいて測定された値を用いてよい。
　（ガラス基板の密度）
　ガラス基板１０の密度は、２．０ｇ／ｃｍ３以上４．０ｇ／ｃｍ３以下であることが好ましく、２．５ｇ／ｃｍ３以上３．３ｇ／ｃｍ３以下であることがより好ましい。密度がこの範囲となることで、ガラス基板１０の重量増加を抑制して、半導体デバイスの製造性悪化を抑制することができる。なお、ガラス基板１０の密度は、アルキメデス法を用いて測定された値を用いてよい。
　（ガラス基板の組成）
　ガラス基板１０は、酸化物基準の質量％(ｗｔ％)で、以下の化合物を含有することが好ましい。ガラス基板１０を以下の組成とすることで、部材を適切に支持できる。
　ＳｉＯ２：４０ｗｔ％以上７５ｗｔ％以下が好ましく、５０ｗｔ％以上７５ｗｔ％以下であることがより好ましい
　Ａｌ２Ｏ３：０ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下が好ましく、０ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であることがより好ましい
　Ｂ２Ｏ３：０ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下が好ましく、０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であることがより好ましい
　ＭｇＯ：０ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下が好ましい
　ＣａＯ：０ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下が好ましく、０ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であることがより好ましい
　ＳｒＯ：０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下が好ましい
　ＢａＯ：０ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下が好ましく、０ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であることがより好ましい
　Ｌｉ２Ｏ：０ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下が好ましい
　Ｎａ２Ｏ：０ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下が好ましい
　Ｋ２Ｏ：０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下が好ましい
　ＺｒＯ２：０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下が好ましく、０ｗｔ％以上８ｗｔ％以下であることがより好ましく、０ｗｔ％以上５ｗｔ％以下がさらに好ましい
　ＴｉＯ２：０ｗｔ％以上５ｗｔ％以下が好ましい
　Ｙ２Ｏ３：０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下が好ましい
　（ガラス基板のたわみ）
　図２Ａ及び図２Ｂは、本実施形態に係るガラス基板のたわみを説明するための模式図である。図２Ａは、Ｚ方向から見た場合のガラス基板１０の中心点Ｏよりも径方向外側の、第１位置Ｐ１Ａ、第２位置Ｐ２Ａ、第３位置Ｐ３Ａを、支持部材Ｂにより三点支持した場合の自重によるたわみの例を説明する図である。第１位置Ｐ１Ａは、ガラス基板１０の中心点Ｏから径方向外側に距離Ｌ１Ａだけ離れた表面１０Ａ上の位置である。また、第２位置Ｐ２Ａは、ガラス基板１０の中心点Ｏから径方向外側に距離Ｌ２Ａだけ離れた表面１０Ａ上の位置であって、中心点Ｏを中心とした場合に第１位置Ｐ１Ａに対して周方向に１２０度ずれた位置である。また、第３位置Ｐ３Ａは、ガラス基板１０の中心点Ｏから径方向外側に距離Ｌ３Ａだけ離れた表面１０Ａ上の位置であって、中心点Ｏを中心とした場合に第１位置Ｐ１Ａ及び第２位置Ｐ２Ａに対して周方向に１２０度ずれた位置である。なお、ここでの径方向とは、中心点Ｏを中心とした場合の径方向を指す。また、距離Ｌ１Ａ、距離Ｌ２Ａ、及び距離Ｌ３Ａは、互いに同じ長さとなっており、ガラス基板１０の直径Ｗの半分（半径）に対して、２９／３０倍の長さとなっている。また、支持部材Ｂは、直径が１ｍｍ以上２ｍｍ以下の球状の部材であり、直径が１．６ｍｍであることがより好ましい。また、支持部材Ｂの材料は、ガラスより軟質で、温湿度や、測定中のガラス重量による変形しにくい材料であることが好ましく、例えば、ＰＥＥＫ（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｅｔｈｅｒｋｅｔｏｎｅ）やＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）などの樹脂であり、ここではＰＥＥＫを用いてよい。
　ここで、図２Ａに示すように、ガラス基板１０の表面１０Ａを鉛直方向下方に向けて、表面１０Ａ上の第１位置Ｐ１Ａ、第２位置Ｐ２Ａ、第３位置Ｐ３Ａを支持部材Ｂで支持した場合の、鉛直方向上側の表面１０Ｂのうちで鉛直方向における高さが最低となる位置を、最低点ＳＢ１とする。すなわち、最低点ＳＢ１は、表面１０Ｂのうちで最もたわみ量が大きくなる位置といえる。この場合、最低点ＳＢ１の位置は、鉛直方向（Ｚ方向）から見て、中央領域ＡＲ内に位置する。中央領域ＡＲとは、第１位置Ｐ１Ａ、第２位置Ｐ２Ａ、及び第３位置Ｐ３Ａよりも径方向内側の領域である。さらに言えば、中央領域ＡＲは、中心が中心点Ｏとなり、直径Ｄ１が、ガラス基板１０の直径Ｗに対して１／３の長さとなる円形の領域である。
　このように、ガラス基板１０は、表面１０Ａを鉛直方向下方に向けて、表面１０Ａの第１位置Ｐ１Ａ、第２位置Ｐ２Ａ、第３位置Ｐ３Ａを支持部材Ｂで三点支持した場合に、最低点ＳＢが中央領域ＡＲ内に位置する。ガラス基板１０は、最低点ＳＢが中央領域ＡＲの外側でなく中央領域ＡＲ内に位置することで、例えば半導体デバイスの製造時にガラス基板１０のたわむ位置がずれるような変形が抑制され、半導体デバイスの製造性悪化を抑制することができる。
　また、ガラス基板１０の表面１０Ａを鉛直方向下方に向けて、表面１０Ａ上の第１位置Ｐ１Ａ、第２位置Ｐ２Ａ、第３位置Ｐ３Ａを、支持部材Ｂで支持した場合の、ガラス基板１０の最大たわみ量を、最大たわみ量ＴＢｍａｘとする。最大たわみ量ＴＢｍａｘは、ガラス基板１０の自重による最大たわみ量であるといえ、ガラス基板１０の最高点ＳＢ２から最低点ＳＢ１までの、鉛直方向に沿った距離といえる。なお、最高点ＳＢ２とは、ガラス基板１０の表面１０Ａを鉛直方向下方に向けて、表面１０Ａ上の第１位置Ｐ１Ａ、第２位置Ｐ２Ａ、第３位置Ｐ３Ａを、支持部材Ｂで支持した場合の、鉛直方向上側の表面１０Ｂのうちで鉛直方向における高さが最高となる位置である。この場合、ガラス基板１０の直径Ｗが１５０ｍｍ以上７００ｍｍ以下であり、かつ、厚みＤが２ｍｍ以下である場合に、最大たわみ量ＴＢｍａｘは、６５０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上６３０μｍ以下であることがより好ましく、５０μｍ以上６２５μｍ以下であることが更に好ましい。最大たわみ量ＴＢｍａｘがこの範囲となることで、たわみ量も抑えられるため、半導体デバイスの製造性悪化をより好適に抑制することができる。なお、最大たわみ量ＴＢｍａｘは、神津精機製のＤｙｖｏｃｅで測定できる。
　なお、図２Ａは、ガラス基板１０が単純反りした場合の例を図示しているが、ガラス基板１０の反り方は、図２Ａのような単純反りに限られず、例えば図２Ｂのような反り方となっていてもよい。すなわち、図２Ａでは、ガラス基板１０は、外周端から最低点ＳＢ１に向けて凹む凹形状となるようにたわんでいるが、図２Ｂに示すように、支持部材Ｂで指示された箇所から最低点ＳＢ１に向けて凹むとともに、支持部材Ｂで支持された箇所から外周端に向けても凹むように、たわんでいてもよい。
　以上の説明では、表面１０Ａを鉛直方向下方に向けた場合の、ガラス基板１０のたわみについて説明していたが、以下では、表面１０Ｂを鉛直方向下方に向けた場合の、ガラス基板１０のたわみについて説明する。図３Ａ及び図３Ｂは、本実施形態に係るガラス基板のたわみを説明するための模式図である。図３Ａは、Ｚ方向から見た場合のガラス基板１０の中心点Ｏよりも径方向外側の、第１位置Ｐ１Ｂ、第２位置Ｐ２Ｂ、第３位置Ｐ３Ｂを、支持部材Ｂにより三点支持した場合の自重によるたわみの例を説明する図である。第１位置Ｐ１Ｂは、ガラス基板１０の中心点Ｏから径方向外側に距離Ｌ１Ｂだけ離れた表面１０Ｂ上の位置である。また、第２位置Ｐ２Ｂは、ガラス基板１０の中心点Ｏから径方向外側に距離Ｌ２Ｂだけ離れた表面１０Ｂ上の位置であって、中心点Ｏを中心とした場合に第１位置Ｐ１Ｂに対して周方向に１２０度ずれた位置である。また、第３位置Ｐ３Ｂは、ガラス基板１０の中心点Ｏから径方向外側に距離Ｌ３Ｂだけ離れた表面１０Ｂ上の位置であって、中心点Ｏを中心とした場合に第１位置Ｐ１Ｂ及び第２位置Ｐ２Ｂに対して周方向に１２０度ずれた位置である。また、距離Ｌ１Ｂ、距離Ｌ２Ｂ、及び距離Ｌ３Ｂは、互いに同じ長さとなっており、ガラス基板１０の直径Ｗの半分（半径）に対して、２９／３０倍の長さとなっている。
　ここで、図３Ａに示すように、ガラス基板１０の表面１０Ｂを鉛直方向下方に向けて、表面１０Ｂ上の第１位置Ｐ１Ｂ、第２位置Ｐ２Ｂ、第３位置Ｐ３Ｂを支持部材Ｂで支持した場合の、鉛直方向上側の表面１０Ａのうちで鉛直方向における高さが最低となる位置を、最低点ＳＡ１とする。すなわち、最低点ＳＡ１は、表面１０Ａのうちで最もたわみ量が大きくなる位置といえる。この場合、最低点ＳＡ１の位置は、鉛直方向（Ｚ方向）から見て、中央領域ＡＲ内に位置することが好ましい。
　なお、図３Ａは、ガラス基板１０が単純反りした場合の例を図示しているが、ガラス基板１０の反り方は、図３Ａのような単純反りに限られず、例えば図３Ｂのような反り方となっていてもよい。すなわち、図３Ａでは、ガラス基板１０は、外周端から最低点ＳＡ１に向けて凹む凹形状となるようにたわんでいるが、図３Ｂに示すように、支持部材Ｂで指示された箇所から最低点ＳＡ１に向けて凹むとともに、支持部材Ｂで支持された箇所から外周端に向けても凹むように、たわんでいてもよい。
　このように、ガラス基板１０は、表面１０Ａを鉛直方向下方に向けて三点支持した場合の最低点ＳＢ１（図２Ａ参照）と、表面１０Ｂを鉛直方向下方に向けて三点支持した場合の最低点ＳＡ１（図３Ａ参照）との両方が、中央領域ＡＲ内に位置している。ただし、ガラス基板１０は、最低点ＳＢ１、ＳＡ１の少なくとも一方が中央領域ＡＲ内に位置すればよく、例えば、最低点ＳＢ１、ＳＡ１のうちの１つが中央領域ＡＲの外側に位置していてもよい。
　また、ガラス基板１０の表面１０Ｂを鉛直方向下方に向けて、表面１０Ｂ上の第１位置Ｐ１Ｂ、第２位置Ｐ２Ｂ、第３位置Ｐ３Ｂを、支持部材Ｂで支持した場合の、ガラス基板１０の最大たわみ量を、最大たわみ量ＴＡｍａｘとする。最大たわみ量ＴＡｍａｘは、ガラス基板１０の自重による最大たわみ量であるといえ、ガラス基板１０の最高点ＳＡ２から最低点ＳＡ１までの、鉛直方向に沿った距離といえる。なお、最高点ＳＡ２とは、ガラス基板１０の表面１０Ｂを鉛直方向下方に向けて、表面１０Ｂ上の第１位置Ｐ１Ｂ、第２位置Ｐ２Ｂ、第３位置Ｐ３Ｂを、支持部材Ｂで支持した場合の、鉛直方向上側の表面１０Ａのうちで鉛直方向における高さが最高となる位置である。この場合、ガラス基板１０の直径Ｗが１５０ｍｍ以上７００ｍｍ以下であり、かつ、厚みＤが２ｍｍ以下である場合に、最大たわみ量ＴＡｍａｘは、６５０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上６３０μｍ以下であることがより好ましく、５０μｍ以上６２５μｍ以下であることが更に好ましい。最大たわみ量ＴＡｍａｘがこの範囲となることで、たわみ量も抑えられるため、半導体デバイスの製造性悪化をより好適に抑制することができる。なお、最大たわみ量ＴＡｍａｘは、神津精機製のＤｙｖｏｃｅで測定できる。
　また、表面１０Ａを鉛直方向下方に向けた場合の最大たわみ量ＴＢｍａｘと、表面１０Ｂを鉛直方向下方に向けた場合の最大たわみ量ＴＡｍａｘとのうち、値が大きい方を、最大たわみ量Ｔｍａｘとする。この場合、最大たわみ量Ｔｍａｘに、ガラス基板１０の厚みＤの３乗とガラス基板１０のヤング率Ｅを乗じて、１０００で除した値（すなわちＴｍａｘ・Ｄ３・Ｅ／１０００）は、２０以下であることが好ましい。Ｔｍａｘ・Ｄ３・Ｅ／１０００をこの範囲とすることで、ガラス基板１０のたわむ位置がずれるような変形がより好適に抑制される。
　（ガラス基板の反り量）
　ここで、ガラス基板１０の、自重によるたわみを除いた場合の反り量を、反り量ΔＴとする。この場合、反り量ΔＴは、２５０μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以下であることがより好ましい。反り量ΔＴがこの範囲となることで、ガラス基板１０上に製造される半導体デバイスが反ることを抑制でき、半導体デバイスの製造性悪化をより好適に抑制することができる。なお、反り量ΔＴは、表面１０Ｂを鉛直方向下方に向けて上記のように支持部材Ｂで支持した場合と表面１０Ａを鉛直方向下方に向けて上記のように支持部材Ｂで支持した場合との、ガラス基板１０の表面に沿った平面上の位置毎の（座標毎の）たわみ量の差分のうちの、最大値を、２で除した値となる。すなわち、表面１０Ｂを鉛直方向下方に向けて上記のように支持部材Ｂで支持した場合の、ガラス基板１０の表面に沿った平面上の位置（座標）ｉにおけるたわみ量を、ＴＡ（ｉ）とし、表面１０Ａを鉛直方向下方に向けて上記のように支持部材Ｂで支持した場合の、ガラス基板１０の表面に沿った平面上の位置（座標）ｉにおけるたわみ量を、ＴＢ（ｉ）とする。そして、位置ｉ毎のたわみ量ＴＡ（ｉ）とたわみ量ＴＢ（ｉ）との差分のうち、値が最大となるものを、ＭＡＸ（ＴＡ（ｉ）－ＴＢ（ｉ））とする。この場合、反り量ΔＴは、次の式（１）のように求められる。すなわち、反り量ΔＴは、ＭＡＸ（ＴＡ（ｉ）－ＴＢ（ｉ））の絶対値を２で割った値である。
　ΔＴ＝｜ＭＡＸ（ＴＡ（ｉ）－ＴＢ（ｉ））｜／２　・・・（１）
　（ガラス基板の製造方法）
　次に、ガラス基板１０の製造方法について説明する。図４は、本実施形態に係るガラス基板の製造方法を説明するフローチャートである。図４に示すように、本実施形態に係る製造方法においては、ガラス基板１０の組成に合わせて調整した原料を、加熱して溶解させる（ステップＳ１０）。そして、溶解した原料を、攪拌する（ステップＳ１２）。原料の攪拌条件は任意であるが、例えば、溶解した原料を攪拌する攪拌翼の回転数を５ｒｐｍ以上２０ｒｐｍ以下として、１２時間以上２４時間以下攪拌することが好ましい。なお、攪拌翼は、溶解した原料を攪拌するための部材であり、形状は任意のものであってよく、例えば翼状であることにも限られない。なお、本製造方法では、このように溶解した原料を攪拌しなくても、ガラス基板１０の製造は可能であるが、このように攪拌することで、たわみ形状に異常が生じることを抑制できるため、好ましい。
　その後、溶解した原料を冷却して、ガラス基板１０を形成する（ステップＳ１４）。ガラス基板１０を形成するステップは任意の方法をとってよく、例えば、ガラスのインゴッドを製造した後、インゴッドを切り出すことでガラス基板１０を形成してもよい。この場合例えば、溶融キャスト法でインゴッドを製造してもよい。また例えば、ガラスのインゴッドを製造することなく、板状のガラス基板１０を、直接形成してもよい。この場合例えば、ロールアウト法、ダウンドロー法、フュージョン法、及びフロート法などで板状のガラス基板１０を製造してよい。なお、いずれの方法においても、ガラスの表面を研磨する工程を加えてよい。
　（効果）
　以上説明したように、本実施形態にかかるガラス基板１０は、半導体デバイスの製造法用であって、一方の表面１０Ａを鉛直方向下方に向け、一方の表面１０Ａの、ガラス基板１０の中心点Ｏよりも径方向の外側の第１位置Ｐ１Ａ、第２位置Ｐ２Ａ、及び第３位置Ｐ３Ａを、支持部材Ｂで支持した場合に、他方の表面１０Ｂのうちで鉛直方向における高さが最低となる位置である最低点ＳＢ１が、鉛直方向から見て、中央領域ＡＲ内に位置する。中央領域ＡＲとは、第１位置Ｐ１Ａ、第２位置Ｐ２Ａ、及び第３位置Ｐ３Ａよりも径方向内側であって、かつ、中心がガラス基板１０の中心点Ｏとなり直径Ｄ１がガラス基板１０の直径Ｗに対して１／３の長さとなる円形の領域である。ここで、ガラス基板で支持しつつ半導体デバイスを製造する際に、プロセス間で温度差が発生し、材料間の熱膨張率の差などにより、ガラス基板に応力が発生する場合がある。その応力によって、ガラス基板は変形するが、その変形が不連続な場合がある。ガラス基板の変形が不連続な場合は、設備とガラス基板との接触や、急激な形状変化によるデバイスの断線等が発生するおそれがある。このような場合には半導体デバイスを適切に製造できなくなる場合がある。それに対し、本実施形態に係るガラス基板１０は、自重たわみが最大となる最低点ＳＢ１が中央領域ＡＲ内に位置するため、半導体デバイスを支持する際の荷重などにより、ガラス基板１０のたわむ位置がずれるような不連続な変形が抑制される。そのため、本実施形態に係るガラス基板１０によると、半導体デバイスの製造性悪化を抑制して、半導体デバイスを適切に製造できる。
　また、ガラス基板１０は、他方の表面１０Ｂを鉛直方向下方に向け、他方の表面１０Ｂの、ガラス基板１０の中心点Ｏよりも径方向の外側の第１位置Ｐ１Ｂ、第２位置Ｐ２Ｂ、及び第３位置Ｐ３Ｂを、支持部材Ｂで支持した場合に、一方の表面１０Ａのうちで鉛直方向における高さが最低となる位置である最低点ＳＡ１が、鉛直方向から見て、中央領域ＡＲ内に位置することが好ましい。本実施形態に係るガラス基板１０は、表面１０Ａ、１０Ｂのいずれを下に向けても、自重たわみが最大となる最低点ＳＡ１、ＳＢ１が中央領域ＡＲ内に位置する。そのため、ガラス基板１０によると、ガラス基板１０のたわむ位置がずれるような変形がさらに抑制されて、半導体デバイスをより好適に製造できる。
　また、ガラス基板１０は、厚みＤが２ｍｍ以下であることが好ましい。ガラス基板１０は、厚みＤをこの範囲とすることで、重量増加を抑制できる。また、厚みＤをこのように薄くすることで、たわみの影響による半導体デバイスの製造性悪化が懸念されるが、ガラス基板１０は、最低点ＳＢ１を中央領域ＡＲ内に位置させることで、ガラス基板１０のたわむ位置がずれるような変形を抑制して、半導体デバイスの製造性悪化も抑制できる。
　また、ガラス基板１０は、直径Ｗが１５０ｍｍ以上７００ｍｍ以下であり、一方の表面１０Ａを鉛直方向下方に向け、一方の表面１０Ａの第１位置Ｐ１Ａ、第２位置Ｐ２Ａ、及び第３位置Ｐ３Ａを支持部材Ｂで支持した場合に、最大たわみ量ＴＢｍａｘが、６５０μｍ以下であることが好ましい。ガラス基板１０は、最大たわみ量をこの範囲とすることで、たわみが大きくなりすぎることも抑制できるので、半導体デバイスをより好適に製造できる。
　また、ガラス基板１０の一方の表面１０Ａを鉛直方向下方に向け、一方の表面１０Ａの第１位置Ｐ１Ａ、第２位置Ｐ２Ａ、及び第３位置Ｐ３Ａを支持部材Ｂで支持した場合の最大たわみ量ＴＢｍａｘと、他方の表面１０Ｂを鉛直方向下方に向け、他方の表面１０Ｂの第１位置Ｐ１Ｂ、第２位置Ｐ２Ｂ、及び第３位置Ｐ３Ｂを支持部材Ｂで支持した場合の最大たわみ量ＴＡｍａｘとのうちの、値が大きい方をＴｍａｘとし、ガラス基板１０の厚みをＤとし、ガラス基板１０のヤング率をＥとした場合に、Ｔｍａｘ・Ｄ３・Ｅ／１０００≦２０となることが好ましい。Ｔｍａｘ・Ｄ３・Ｅ／１０００をこの範囲とすることで、ガラス基板１０のたわむ位置がずれるような変形をより好適に抑制できる。
　また、ガラス基板１０の他方の表面１０Ｂを鉛直方向下方に向け、他方の表面１０Ｂの第１位置Ｐ１Ｂ、第２位置Ｐ２Ｂ、及び第３位置Ｐ３Ｂを支持部材Ｂで支持した場合に、ガラス基板１０の直径Ｗが１５０ｍｍ以上７００ｍｍ以下であり、かつ、厚みＤが２ｍｍ以下である場合に、最大たわみ量ＴＡｍａｘが、６５０μｍ以下であることが好ましい。ガラス基板１０は、最大たわみ量をこの範囲とすることで、たわみが大きくなりすぎることも抑制できるので、半導体デバイスをより好適に製造できる。
　また、ガラス基板１０は、表面と外周面１０Ｃとの間の部分（コバ面部１４Ｃ２）が面取りされていることが好ましい。ガラス基板１０は、面取りされていることで、半導体デバイスをより好適に製造できる。
　また、ガラス基板１０は、外周面１０Ｃに切り欠き部１０Ｄが形成されていることが好ましい。ガラス基板１０は、切り欠き部１０Ｄが形成されることで、位置決めなどを適切に行って、半導体デバイスをより好適に製造できる。
　また、ガラス基板１０は、自重によるたわみを除いた場合の反り量ΔＴが２５０μｍ以下であり、かつ、厚みＤの偏差が１０μｍ以下であることが好ましい。ガラス基板１０は、反り量ΔＴと厚みＤの偏差がこの範囲となることで、ガラス基板１０のたわむ位置がずれるような変形を抑制して、半導体デバイスの製造性悪化を抑制できる。
　また、ガラス基板１０は、自重によるたわみを除いた場合の反り量ΔＴが１００μｍ以下であり、かつ、厚みＤの偏差が３μｍ以下であることが好ましい。ガラス基板１０は、反り量ΔＴと厚みＤの偏差がこの範囲となることで、ガラス基板１０のたわむ位置がずれるような変形を抑制して、半導体デバイスの製造性悪化を抑制できる。
　また、ガラス基板１０は、酸化物基準の質量％で、
　ＳｉＯ２：４０ｗｔ％以上７５ｗｔ％以下、
　Ａｌ２Ｏ３：０ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下、
　Ｂ２Ｏ３：０ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下、
　ＭｇＯ：０ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下、
　ＣａＯ：０ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下、
　ＳｒＯ：０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下、
　ＢａＯ：０ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下、
　Ｌｉ２Ｏ：０ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下、
　Ｎａ２Ｏ：０ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下、
　Ｋ２Ｏ：０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下、
　ＺｒＯ２：０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下、
　ＴｉＯ２：０ｗｔ％以上５ｗｔ％以下、かつ、
　Ｙ２Ｏ３：０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であることが好ましい。組成がこの範囲となることで、半導体デバイスをより好適に製造できる。
　また、ガラス基板１０は、ファンアウトウェハレベルパッケージ及びファンアウトパネルレベルパッケージの少なくとも一方の製造用のガラス基板であることが好ましい。ガラス基板１０は、ファンアウトウェハレベルパッケージ及びファンアウトパネルレベルパッケージの用途に適している。
　また、本実施形態に係るガラス基板１０の製造方法は、原料を溶解するステップと、溶解した原料を、攪拌の回転数が５ｒｐｍ以上２０ｒｐｍ以下、１２時間以上２４時間以下の条件で攪拌するステップと、攪拌した原料を冷却して、ガラス基板１０を形成するステップと、を含む。本製造方法によると、溶解した原料を攪拌することで、原料を均一にすることが可能となり、ガラス基板１０のたわむ位置がずれるような変形を抑制して、半導体デバイスを好適に製造可能なガラス基板１０を提供できる。
　（実施例）
　次に、実施例について説明する。なお、発明の効果を奏する限りにおいて実施態様を変更しても構わない。
　表１は、各例のガラス基板を示している。本実施例では、ガラス基板が所定の組成となるように原料を調整して、ガラス基板を製造した。そして、製造したガラス基板に対して、ヤング率、密度、自重たわみにおける最低点の位置、及びたわみ量を測定した。ヤング率は、ＯＬＹＭＰＵＳ社製の３８ＤＬ　ＰＬＵＳを用いて測定し、密度は、アルキメデス法により測定した。
　また、最低点の位置の測定及びたわみ量の測定においては、ガラス基板の他方の表面である第２表面を鉛直方向下方において、ガラス基板の一方の表面である第１表面の上の、本実施形態で説明した第１位置Ｐ１Ａ、第２位置Ｐ２Ａ、第３位置Ｐ３Ａを、支持部材Ｂで支持した。そして、その場合において、第１表面上の鉛直方向の高さが最低となる最低点の位置を測定して、測定結果を、表１における「最低点の位置」の「第１表面上」として示した。表１においては、最低点の位置が、本実施形態で示した中央領域ＡＲ内にある場合に、最低点の位置を「内側」とし、最低点の位置が、本実施形態で示した中央領域ＡＲ内にない（中央領域ＡＲの外側にある場合）に、最低点の位置を「外側」とした。また、たわみ量については、上記のようにガラス基板を支持した場合の、第１表面上の各位置のたわみ量を測定して、その最小値から最大値を、表１の「第１表面上のたわみ」とした。なお、たわみ量の測定には、神津精機製のＤｙｖｏｃｅを用いた。
　また、一方の表面である第１表面を鉛直方向下方において、他方の表面である第２表面の上の、本実施形態で説明した第１位置Ｐ１Ｂ、第２位置Ｐ２Ｂ、第３位置Ｐ３Ｂを、支持部材Ｂで支持した。そして、その場合において、第２表面上の鉛直方向の高さが最低となる最低点の位置を、測定して、測定結果を、表１における「最低点の位置」の「第２表面上」として示した。表１においては、最低点の位置が、本実施形態で示した中央領域ＡＲ内にある場合に、最低点の位置を「内側」とし、最低点の位置が、本実施形態で示した中央領域ＡＲ内にない（中央領域ＡＲの外側にある場合）に、最低点の位置を「外側」とした。また、また、たわみ量については、上記のようにガラス基板を支持した場合の、第２表面上の各位置のたわみ量を測定して、その最小値から最大値を、表１の「第２表面上のたわみ」とした。
　また、表１の「最大たわみ量」は、「第１表面上のたわみ」と「第２表面上のたわみ」のうちの最大値であり、反り量は、上述の式（１）のように算出した値である。
　また、表１の「Ｔｍａｘ・Ｄ３・Ｅ／１０００」は、最大たわみ量に、「厚み」の３乗と「ヤング率」を乗じて、１０００で除した値である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　（例１）
　例１は、ガラス基板が所定の組成Ｃ１となるように原料を調整して、原料を溶解させて、溶解させた原料を攪拌させ、ガラスのインゴッドを製造し、インゴッドを機械加工して、直径、厚み、ヤング率、密度、最低点の位置、及びたわみ量が表１に示すものとなるガラス基板を製造した。
　（例２）
　例２は、ガラス基板が組成Ｃ１となるように原料を調整して、原料を溶解させて、溶解させた原料を攪拌させ、ガラスのインゴッドを製造し、インゴッドを機械加工して、直径、厚み、ヤング率、密度、最低点の位置、及びたわみ量が表１に示すものとなるガラス基板を製造した。
　（例３）
　例３は、ガラス基板が組成Ｃ１となるように原料を調整して、原料を溶解させて、溶解させた原料を攪拌させ、ガラスのインゴッドを製造し、インゴッドを機械加工して、直径、厚み、ヤング率、密度、最低点の位置、及びたわみ量が表１に示すものとなるガラス基板を製造した。
　（例４）
　例４は、ガラス基板が組成Ｃ１となるように原料を調整して、原料を溶解させて、溶解させた原料を攪拌させ、板状のガラス基板を製造し、直径、厚み、ヤング率、密度、最低点の位置、及びたわみ量が表１に示すものとなるガラス基板を製造した。
　（例５）
　例５は、ガラス基板が所定の組成Ｃ２となるように原料を調整して、原料を溶解させて溶解させた原料を攪拌させ、板状のガラス基板を製造し、直径、厚み、ヤング率、密度、最低点の位置、及びたわみ量が表１に示すものとなるガラス基板を製造した。
　（例６）
　例６は、ガラス基板が所定の組成Ｃ３となるように原料を調整して、原料を溶解させて溶解させた原料を攪拌させ、板状のガラス基板を製造し、直径、厚み、ヤング率、密度、最低点の位置、及びたわみ量が表１に示すものとなるガラス基板を製造した。
　（例７）
　例７は、ガラス基板が所定の組成Ｃ４となるように原料を調整して、原料を溶解させて溶解させた原料を攪拌させ、板状のガラス基板を製造し、直径、厚み、ヤング率、密度、最低点の位置、及びたわみ量が表１に示すものとなるガラス基板を製造した。
　（例８）
　例８は、ガラス基板が所定の組成Ｃ５となるように原料を調整して、原料を溶解させて溶解させた原料を攪拌させ、ガラスのインゴッドを製造し、インゴッドを機械加工して、直径、厚み、ヤング率、密度、最低点の位置、及びたわみ量が表１に示すものとなるガラス基板を製造した。
　（例９）
　例９は、ガラス基板が組成Ｃ１となるように原料を調整して、原料を溶解させて溶解させた原料を攪拌させずに、ガラスのインゴッドを製造し、インゴッドを機械加工して、直径、厚み、ヤング率、密度、最低点の位置、及びたわみ量が表１に示すものとなるガラス基板を製造した。
　（例１０）
　例１０は、ガラス基板が組成Ｃ５となるように原料を調整して、原料を溶解させて溶解させた原料を攪拌させずに、ガラスのインゴッドを製造し、インゴッドを機械加工して、直径、厚み、ヤング率、密度、最低点の位置、及びたわみ量が表１に示すものとなるガラス基板を製造した。
　なお、組成Ｃ１～Ｃ５は、酸化物基準の質量％で、以下の範囲内となっている。
　ＳｉＯ２：４０ｗｔ％以上７５ｗｔ％以下、
　Ａｌ２Ｏ３：０ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下、
　Ｂ２Ｏ３：０ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下、
　ＭｇＯ：０ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下、
　ＣａＯ：０ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下、
　ＳｒＯ：０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下、
　ＢａＯ：０ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下、
　Ｌｉ２Ｏ：０ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下、
　Ｎａ２Ｏ：０ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下、
　Ｋ２Ｏ：０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下、
　ＺｒＯ２：０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下、
　ＴｉＯ２：０ｗｔ％以上５ｗｔ％以下、かつ、
　Ｙ２Ｏ３：０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下である。
　（評価内容）
　以上のように製造した各例のサンプルについて、評価を行った。図５は、各例の評価方法を説明する図である。評価においては、ガラス基板の外周を支持部材Ｊ１で保持し、ガラス基板の表面の中央部に、値を変えながら荷重をかけつつ、荷重をかけた中央部における変位を測定した。具体的には、図５に示すように、ガラス基板の端面を、周方向に等間隔に４つの支持部材Ｊ１で保持した。支持部材Ｊ１によってガラス基板を固定する力は、ガラス基板がずれない程度に、できるだけ弱い力とした。そして、支持部材Ｊ２上に、ガラス基板の底面の中心部を配置し、支持部材Ｊ２ごと、精密秤Ｊ３上に配置した。精密秤Ｊ３により荷重を測定した。ここでの変位はたわみ量であり、例えば、Ｚ方向において、ガラス基板の最高点に対する、中央部の位置の差分を指す。そして、中央部への荷重をＦとし、中央部の変位をｙとした場合の、Ｆとｙとの関係を示すグラフを作成し、Ｆの変化に対するｙの変化が不連続となる箇所があるかを、すなわちｄｙ／ｄＦが不連続となる箇所があるかを、判定する。そして、不連続になる箇所があるものを、半導体製造時に系全体のたわみ形状が不連続な変化をし、プロセス中の異状が発生するとして、不合格とし、不連続となる箇所がないものを、合格とした。なお、図６は、ｄｙ／ｄＦの例を示すグラフである。図６の線分Ｌ１が、ｄｙ／ｄＦが不連続となる箇所が無い場合の例であり、線分Ｌ２が、ｄｙ／ｄＦが不連続となる箇所がある場合の例である。ただし、線分Ｌ１、Ｌ２は一例であり、上記の各例の評価結果を示すものではない。
　（評価結果）
　表１に、各例の評価結果を示す。表１に示すように、実施例である例１から例８においては、評価結果が合格となり、比較例である例９から例１０では、評価結果が不合格となることが分かる。
　以上、本発明の実施形態を説明したが、この実施形態の内容により実施形態が限定されるものではない。また、前述した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、前述した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。さらに、前述した実施形態の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
　１０　ガラス基板
　１０Ａ、１０Ｂ　表面
　ＡＲ　中央領域
　Ｄ１、Ｗ　直径
　ＳＡ１、ＳＢ１　最低点
　Ｐ１Ａ、Ｐ１Ｂ　第１位置
　Ｐ２Ａ、Ｐ２Ｂ　第２位置
　Ｐ３Ａ、Ｐ３Ｂ　第３位置

Claims (11)

  1. 　半導体デバイスの製造用のガラス基板であって、
    　一方の表面を鉛直方向下方に向け、前記一方の表面の、前記ガラス基板の中心点よりも径方向の外側の第１位置、第２位置、及び第３位置を、支持部材で支持した場合に、他方の表面のうちで鉛直方向における高さが最低となる位置である最低点が、鉛直方向から見て、前記第１位置、前記第２位置、及び前記第３位置よりも径方向内側であって、かつ、中心が前記ガラス基板の中心点となり直径が前記ガラス基板の直径に対して１／３の長さとなる円形の中央領域内に位置する、
    　ガラス基板。
  2. 　他方の表面を鉛直方向下方に向け、前記他方の表面の、前記ガラス基板の中心点よりも径方向の外側の第１位置、第２位置、及び第３位置を、支持部材で支持した場合に、前記一方の表面のうちで鉛直方向における高さが最低となる位置である最低点が、鉛直方向から見て、前記中央領域内に位置する、請求項１に記載のガラス基板。
  3. 　厚みが２ｍｍ以下である、請求項１又は請求項２に記載のガラス基板。
  4. 　直径が１５０ｍｍ以上７００ｍｍ以下であり、
    　前記一方の表面を鉛直方向下方に向け、前記一方の表面の前記第１位置、前記第２位置、及び前記第３位置を支持部材で支持した場合に、最大たわみ量が、６５０μｍ以下である、請求項３に記載のガラス基板。
  5. 　他方の表面を鉛直方向下方に向け、前記他方の表面の、前記ガラス基板の中心点よりも径方向の外側の第１位置、第２位置、及び第３位置を支持部材で支持した場合に、最大たわみ量が、６００μｍ以下である、請求項４に記載のガラス基板。
  6. 　前記一方の表面を鉛直方向下方に向け、前記一方の表面の前記第１位置、前記第２位置、及び前記第３位置を支持部材で支持した場合の最大たわみ量と、前記他方の表面を鉛直方向下方に向け、前記他方の表面の第１位置、第２位置、及び第３位置を支持部材で支持した場合の最大たわみ量とのうちの、値が大きい方をＴｍａｘとし、前記ガラス基板の厚みをＤとし、前記ガラス基板のヤング率をＥとした場合に、
    　Ｔｍａｘ・Ｄ３・Ｅ／１０００≦２０となる、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のガラス基板。
  7. 　自重によるたわみを除いた場合の反り量が２５０μｍ以下であり、かつ、厚みの偏差が１０μｍ以下である、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のガラス基板。
  8. 　自重によるたわみを除いた場合の反り量が１００μｍ以下であり、かつ、厚みの偏差が３μｍ以下である、請求項７に記載のガラス基板。
  9. 　酸化物基準の質量％で、
    　ＳｉＯ２：４０ｗｔ％以上７５ｗｔ％以下、
    　Ａｌ２Ｏ３：０ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下、
    　Ｂ２Ｏ３：０ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下、
    　ＭｇＯ：０ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下、
    　ＣａＯ：０ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下、
    　ＳｒＯ：０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下、
    　ＢａＯ：０ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下、
    　Ｌｉ２Ｏ：０ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下、
    　Ｎａ２Ｏ：０ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下、
    　Ｋ２Ｏ：０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下、
    　ＺｒＯ２：０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下、
    　ＴｉＯ２：０ｗｔ％以上５ｗｔ％以下、かつ、
    　Ｙ２Ｏ３：０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下である、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のガラス基板。
  10. 　ファンアウトウェハレベルパッケージ及びファンアウトパネルレベルパッケージの少なくとも一方の製造用のガラス基板である、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載のガラス基板。
  11. 　請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載のガラス基板の製造方法であって、
    　原料を溶解するステップと、
    　溶解した前記原料を、攪拌の回転数が５ｒｐｍ以上２０ｒｐｍ以下、１２時間以上２４時間以下の条件で攪拌するステップと、
    　攪拌した前記原料を冷却して、前記ガラス基板を形成するステップと、を含む、ガラス基板の製造方法。
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