WO2022134309A1 - 一种显示器件及其制备方法和应用 - Google Patents

一种显示器件及其制备方法和应用 Download PDF

Info

Publication number
WO2022134309A1
WO2022134309A1 PCT/CN2021/078999 CN2021078999W WO2022134309A1 WO 2022134309 A1 WO2022134309 A1 WO 2022134309A1 CN 2021078999 W CN2021078999 W CN 2021078999W WO 2022134309 A1 WO2022134309 A1 WO 2022134309A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
quantum dot
light
emitting unit
layer
optionally
Prior art date
Application number
PCT/CN2021/078999
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
张志宽
高丹鹏
杨丽敏
徐冰
孙小卫
Original Assignee
深圳扑浪创新科技有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 深圳扑浪创新科技有限公司 filed Critical 深圳扑浪创新科技有限公司
Publication of WO2022134309A1 publication Critical patent/WO2022134309A1/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs

Definitions

  • the first light-emitting unit is composed of a stacked first transparent conductive layer and a green quantum dot deposition layer, and the first transparent conductive layer is close to the first polarizer;
  • the second light-emitting unit is composed of a stacked second transparent conductive layer and a red quantum dot deposition layer, and the second transparent conductive layer is close to the first polarizer;
  • the third light-emitting unit is a third transparent conductive layer.
  • the liquid crystal layer includes two layers of glass substrates, a TFT array, scan electrodes, signal electrodes, pixel electrodes, and liquid crystal molecules sandwiched between the two layers of substrates.
  • the LED chip is epitaxially formed of gallium nitride (GaN).
  • the length and width of the LED chips are independently 1-50 ⁇ m, such as 5 ⁇ m, 10 ⁇ m, 20 ⁇ m, 30 ⁇ m, 40 ⁇ m, and the like.
  • the red light quantum dot deposition layer includes a red light quantum dot material.
  • CdSe has high luminous efficiency and narrow half-wave width, which can further improve the color gamut of display devices and reduce device power consumption.
  • the ligand material includes an organic salt.
  • the particle size of the green light quantum dot material is 3-7 nm, such as 4 nm, 5 nm, 6 nm, and the like.
  • the emission peak wavelength of the red quantum dot material is 600-660 nm, for example, 610 nm, 620 nm, 630 nm, 640 nm, 650 nm, and the like.
  • the present application provides a preparation method of the display device according to the first aspect, the preparation method includes the following steps: firstly, coating a transparent conductive material on a quantum dot deposition substrate to form first transparent conductive materials arranged side by side in sequence The conductive layer, the second transparent conductive layer and the third transparent conductive layer, and then the green light quantum dot electrodeposition solution and the red light quantum dot electrodeposition solution are deposited on the first transparent conductive layer and the second transparent conductive layer respectively by the method of electrodeposition. , to obtain a quantum dot light-emitting layer, and finally, the first polarizer, the quantum dot light-emitting layer, the liquid crystal layer and the second polarizer are sequentially stacked and pasted on the blue light backlight source.
  • the step (4) specifically includes: sequentially stacking the first polarizer, the quantum dot light-emitting layer, the liquid crystal layer, the second polarizer and the screen glass on the blue light source to obtain a display device.
  • the preparation method comprises the following steps:
  • step e installing a circuit on the glass substrate obtained in step e to connect the first light-emitting unit regions to each other to achieve electrical conduction, and to connect the second light-emitting unit regions to each other to achieve electrical conduction to obtain a quantum dot deposition substrate;
  • the display device described in the present application uses the blue light source to excite the red light and green light quantum dot deposition layers, and realizes ultra-high color gamut display by compounding.
  • the light conversion efficiency of the display device obtained in the present application is over 86%, the lifetime of the optical layer L70 is over 24,500 hours, the color gamut value of the display device is over 118%, and has excellent features of high reliability and durability.
  • the second light-emitting unit area and electrode are connected to the DC power supply electrode, and the power is turned on. Under the action of the electric field, the red light quantum dot material is self-deposited in the corresponding area, and the deposited quantum dot deposition substrate is taken out, dried, and sprayed with polyurethane. curing to obtain a quantum dot light-emitting layer;
  • step h placing the quantum dot deposition substrate obtained in step h in the red light quantum dot electrodeposition solution;
  • This embodiment provides a display device, the display device includes a blue light backlight, a first polarizer, a quantum dot light-emitting layer, a liquid crystal layer, a second polarizer, and a screen glass;
  • the second light-emitting unit is composed of a stacked second transparent conductive layer and a red light quantum dot deposition layer (with a thickness of 20 ⁇ m);
  • step e installing a circuit on the glass substrate obtained in step e to connect the first light-emitting unit regions to each other to achieve electrical conduction, and to connect the second light-emitting unit regions to each other to achieve electrical conduction to obtain a quantum dot deposition substrate;
  • the quantum dot light-emitting layer includes at least two display units, the display units include a first light-emitting unit, a second light-emitting unit and a third light-emitting unit arranged side by side;

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本文涉及一种显示器件及其制备方法和应用，所述显示器件包括依次层叠设置的蓝光背光源、第一偏光片、量子点发光层、液晶层和第二偏光片，量子点发光层包括至少两个显示单元，显示单元包括依次并排设置的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，第一发光单元由层叠设置的第一透明导电层和绿光量子点沉积层组成，第二发光单元由层叠设置的第二透明导电层和红光量子点沉积层，且第一透明导电层和第二透明导电层靠近第一偏光片，第三发光单元为第三透明导电层。

Description

一种显示器件及其制备方法和应用 技术领域
本申请涉及液晶显示领域，涉及一种显示器件及其制备方法和应用。
背景技术
随着显示技术的快速发展，开发高分辨率和色域值的液晶显示器件十分关键。量子点由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成分立能级结构，因此发光光谱非常窄(20-30nm)，色度纯高，显示色域广，可大幅超过NTSC的色域范围(>100％)；同时通过彩色滤光片光吸收损耗小，可实现低功耗显示。因此，目前液晶显示器件广泛使用量子点材料提升器件的显示性能。
CN108803130A公开了一种量子点液晶显示面板及制作方法，其公开的量子点液晶显示面板包括第一偏光片、液晶盒面板、量子点层、保护层和第二偏光片，其公开的量子点液晶显示面板通过将保护层设置于量子点层的下方且形成包裹第二偏光片与量子点层的空间，阵列基板设置于第二配向层与第二偏光片之间，解决了因水气与氧气造成量子点失效的问题并能大幅降低制造成本。但是该发明不可避免滤光片的使用，发光效率较低。
CN207992648U公开了一种量子点液晶面板及显示装置，其公开的量子量子点液晶面板包括彩膜基板、液晶层、及阵列基板，所述液晶层设置于所述彩膜基板与所述阵列基板之间，所述彩膜基板包括层叠设置的蓝光吸收件、衬底基板、像素单元层、及封装层，所述像素单元层包括红色子像素单元、绿色子像素单元、及蓝色子像素单元，所述蓝光吸收件覆盖于所述红色子像素单元和所述绿色子像素单元。通过这种设置方式能够提升量子点液晶显示面板颜色纯度，发出更纯净的红光和绿光，提高色彩饱和度，但是这种方法组件相对较多，制备复杂，工艺放大性相对较差。
因此，开发一种工艺简单、成本较低、涂布效果好且高显示光效的液晶显示器件至关重要。
发明内容
本申请的目的在于提供一种显示器件及其制备方法和应用，所述显示器件工艺简单、成本较低、涂布效果好且拥有高显示光效。
为达此目的，本申请采用以下技术方案：
第一方面，本申请提供一种显示器件，所述显示器件包括依次层叠设置的蓝光背光源、第一偏光片、量子点发光层、液晶层和第二偏光片；
所述量子点发光层包括至少两个显示单元(例如3个、5个、10个等)，所述显示单元包括依次并排设置的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元；
所述第一发光单元由层叠设置的第一透明导电层和绿光量子点沉积层组成，且所述第一透明导电层靠近所述第一偏光片；
所述第二发光单元由层叠设置的第二透明导电层和红光量子点沉积层组成，且所述第二透明导电层靠近所述第一偏光片；
所述第三发光单元为第三透明导电层。
传统LCD液晶显示器件使用白色LED光源配合彩色滤光片实现三基色全彩显示，与之不同，本申请所述显示器件通过蓝光背光源激发图案化红光、绿光量子点沉积层，无需彩色滤光片的波段筛选，即可实现高光效、超高色域全彩显示。
可选地，所述液晶层包括2层玻璃基板、TFT阵列、扫描电极、信号电极、像素电极以及夹两层基板中的液晶分子。
可选地，所述蓝光背光源包括LED芯片。
可选地，所述LED芯片由氮化镓(GaN)外延形成。
可选地，所述蓝光LED芯片的发光峰值波长为420-480nm，例如430nm、440nm、450nm、460nm、470nm、480nm等。
可选地，所述LED芯片的长和宽各自独立地为1-50μm，例如5μm、10μm、20μm、30μm、40μm等。
可选地，所述量子点沉积基板包括玻璃基板。
可选地，所述红光量子点沉积层包括红光量子点材料。
可选地，所述绿光量子点沉积层包括绿光量子点材料。
可选地，所述红光量子点材料和绿光量子点材料各自独立地包括A xM yE z体系材料以及依次包覆在A xM yE z体系材料表面的包覆层材料和配体材料，所述x为0.3-2.0，例如0.5、0.8、1.0、1.2、1.4、1.6、1.8等，y为0.5-3.0，例如1.0、1.5、2.0、2.5等，z为0-4.0，例如0.5、1.0、1.5、2.0、2.5、3.0、3.5等；
所述A为Ba、Ag、Na、Fe、In、Cd、Zn、Ga、Mg、Pb或Cs中的任意一种；
所述M为S、Cl、O、As、N、P、Se、Te、Ti、Zr或Pb中的任意一种；
所述E为S、As、Se、O、Cl、Br或I中的任意一种。
可选地，所述A xM yE z体系材料包括GaN、CdSe、InP或CsPbBr 3中的任意一种或至少两种的组合，其中典型但非限制性的组合包括：GaN和CdSe的组合、CdSe、InP和CsPbBr 3的组合、GaN、CdSe、InP和CsPbBr 3的组合等。
可选地，所述蓝光量子点材料中的A xM yE z体系材料包括CdSe。
CdSe的发光效率高且半波宽较窄，能够进一步提高显示器件的色域降低器件功耗。
可选地，所述包覆层材料包括有机高分子溶液和/或无机化合物。
可选地，所述有机高分子溶液包括聚十八烯、聚丙二醇甲醚醋酸酯(PMA)或聚偏氟乙烯(PVDF)中的任意一种或至少两种的组合，其中典型但非限制性的组合包括十八烯和PMA的组合、PMA和PVDF的组合、十八烯、PMA和PVDF的组合等。
可选地，所述无机化合物包括二氧化硅(SiO 2)、二氧化钛(TiO 2)、二氧化锆(ZrO 2)、氧化锌(ZnO)或硫化锌(ZnS)中的任意一种或至少两种的组合，其中典型但非限制性的组合包括：SiO 2和ZnS的组合，TiO 2和ZrO 2的组合，ZrO 2 和ZnO的组合，TiO 2、ZrO 2和ZnO的组合等。
可选地，所述配体材料包括有机盐。
可选地，所述有机盐包括醋酸钠、乙吡啶酸盐、乙醇钠、溴化四丁基铵盐、溴化铵、氯化铵或硫酸铵中的任意一种或至少两种的组合，其中典型但非限制的组合包括：醋酸钠和乙吡啶酸盐的组合，乙醇钠、溴化四丁基铵盐和溴化铵的组合，溴化四丁基铵盐、溴化铵、氯化铵和硫酸铵的组合，乙吡啶酸盐、乙醇钠、溴化四丁基铵盐、溴化铵和氯化铵的组合，醋酸钠、乙吡啶酸盐、乙醇钠、溴化四丁基铵盐、溴化铵和氯化铵的组合，醋酸钠、乙吡啶酸盐、乙醇钠、溴化四丁基铵盐、溴化铵、氯化铵和硫酸铵的组合等。
可选地，所述红光量子点材料的粒径为7-12nm，例如8nm、9nm、10nm、11nm、12nm等。
可选地，所述绿光量子点材料的粒径为3-7nm，例如4nm、5nm、6nm等。
可选地，所述红光量子点材料的发光峰值波长为600-660nm，例如610nm、620nm、630nm、640nm、650nm等。
可选地，所述绿光量子点材料的发光峰值波长为510-550nm，例如520nm、530nm、540nm等。
可选地，所述红光量子点材料的发射光半峰宽＜35nm，例如30nm、25nm、20nm、15nm等。
可选地，所述绿光量子点材料的发射光半峰宽＜35nm，例如30nm、25nm、20nm、15nm等。
可选地，所述显示器件还包括贴覆于第二偏光片表面的屏幕玻璃。
第二方面，本申请提供一种第一方面所述的显示器件的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：首先将透明导电材料涂覆在量子点沉积基板上形成依次并排设置的第一透明导电层、第二透明导电层和第三透明导电层，再将绿光量子点电沉积溶液和红光量子点电沉积溶液通过电沉积的方法分别沉积在第一透明导电层和第二透明导电层上，得到量子点发光层，最后将第一偏光片、量子点发光层、液晶层和第二偏光片依次层叠贴覆于蓝光背光源上。
本申请采用电沉积法进行量子点发光层的制备，该方法简单易操作、制作成本低，且可以将量子点材料根据需要在指定位置进行沉积，同时实现了像素级涂布，显示分辨率高，同时取消了滤光片的使用，极大提升显示器件的光效。
可选地，所述制备方法包括如下步骤：
(1)在反应溶剂中通过溶液法合成A xM yE z体系材料、然后依次添加包覆层材料和配体材料使其继续反应，得到红光量子点电沉积溶液或绿光量子点电沉积溶液；
(2)将透明导电材料涂布在玻璃基板上，蚀刻，得到所述量子点沉积基板；
(3)将红光量子点电沉积溶液和绿光量子点电沉积溶液在量子点沉积基板上各自的沉积区域沉积，得到量子发光层；
(4)将第一偏光片、量子发光层、液晶层、第二偏光片和屏幕玻璃依次层 叠贴覆于蓝光背光源上，得到所述显示器件。
可选地，所述反应溶剂包括油胺、油酸或长链膦酸中的任意一种或至少两种的组合，其中典型但非限制的组合包括：油胺和油酸的组合、油胺和长链膦酸的组合、油胺、油酸和长链膦酸的组合等。
可选地，所述步骤(1)具体包括：
a.在反应溶剂中通过溶液法合成A xM yE z体系材料，滴加包覆层材料，得到核壳结构的红光量子点材料，经过提纯后再将核壳结构红光量子点材料置于溶剂中，加入配体材料发生键合反应，得到带电的核壳型红光量子点电沉积溶液；
b.在反应溶剂中通过溶液法合成A xM yE z体系材料，滴加包覆层材料，得到核壳结构的绿光量子点材料，经过提纯后再将核壳结构绿光量子点材料置于溶剂中，加入配体材料发生键合反应，得到带电的核壳型绿光量子点电沉积溶液。
可选地，所述步骤(1)键合反应的pH为5.5-11，例如6、7、8、9、10等。
可选地，所述步骤(1)键合反应的温度为120-320℃，例如150℃、200℃、250℃、300℃等。
可选地，所述步骤(1)键合反应的时间为0.5-35min，例如5min、10min、15min、20min、25min等。
可选地，所述透明导电材料包括铝掺杂氧化锌(AZO)、锡掺杂三氧化二铟(ITO)、氟掺杂二氧化锡(FTO)或石墨烯沉积聚对苯二甲酸乙二醇酯PET任意一种或至少两种的组合。
本申请透明导电材料可选ITO或石墨烯沉积PET，原因在于ITO或石墨烯沉积PET具有高透光率和低电阻率。
可选地，所述步骤(2)具体包括：
c.将透明导电材料涂布在玻璃基板上，固化，得到已涂布的玻璃基板；
d.将抗蚀刻材料涂布到第一发光单元区域、第二发光单元区域和第三发光单元区域，在所述发光单元区域外进行蚀刻；
e.将蚀刻后的玻璃基板上的抗蚀刻材料进行剥离、清洗；
f.将步骤e所得的玻璃基板上安装电路，使第一发光单元区域相互连接，实现电导通，使第二发光单元区域相互连接，实现电导通，得到量子点沉积基板。
可选地，所述涂布的方法包括磁控溅射、真空蒸镀或溶胶凝胶旋涂中的任意一种。
可选地，所述蚀刻包括化学蚀刻或物理蚀刻。
可选地，所述清洗包括有机溶液清洗、水清洗或等离子体清洗(Plasma)中的任意一种或至少两种的组合，其中典型但非限制性的组合包括：有机溶液清洗和水清洗的组合、水清洗和Plasma清洗的组合、有机溶液清洗、水清洗和Plasma清洗的组合等。
可选地，所述步骤(3)具体包括：
g.将所述量子点沉积基板置于绿光量子点电沉积溶液中；
h.将第一发光单元区域、电极与直流电源相连，通电，在电场的作用下，绿 光量子点材料自沉积在相应的区域，得到含有绿光量子点沉积层的量子点沉积基板；
i.将步骤h所得量子点沉积基板置于红光量子点电沉积溶液中；
j.将第二发光单元区域、电极与直流电源电极相连，通电，在电场的作用下，红光量子点材料自沉积在相应的区域，将已沉积的量子点沉积基板取出、烘干、喷涂封装胶水，固化，得到量子点发光层。
可选地，所述抗蚀刻材料包括金属镀层、氧化物镀层或有机掩蔽层中的任意一种或至少两种的组合，其中典型但非限制性的组合包括：金属镀层和氧化物镀层的组合、氧化物镀层和有机掩蔽层的组合、金属镀层、氧化物镀层和有机掩蔽层的组合等。
可选地，所述封装胶水包括环氧树脂、有机硅树脂或聚氨酯中的任意一种或至少两种的组合，其中典型但非限制性的组合为：硅树脂和环氧树脂的组合、硅树脂和聚氨酯的组合、硅树脂、环氧树脂和聚氨酯的组合等。
可选地，所述步骤(4)具体包括：将第一偏光片、量子点发光层、液晶层、第二偏光片和屏幕玻璃依次层叠贴覆于蓝光背光源上，得到显示器件。
作为可选的技术方案，所述制备方法包括如下步骤：
(1)量子点电沉积溶液的制备
a.在反应溶剂中通过溶液法合成A xM yE z体系材料，滴加包覆层材料，得到核壳结构的红光量子点材料，经过提纯后再将核壳结构红光量子点材料置于溶剂中，加入配体材料，调节pH为5.5-11，温度为120-320℃，进行键合反应0.5-35min，得到带电的核壳型红光量子点电沉积溶液；
b.在反应溶剂中通过溶液法合成A xM yE z体系材料，滴加包覆层材料，得到核壳结构的绿光量子点材料，经过提纯后再将核壳结构绿光量子点材料置于溶剂中，加入配体材料，调节pH为5.5-11，温度为120-320℃，进行键合反应0.5-35min，得到带电的核壳型绿光量子点电沉积溶液；
(2)量子点沉积基板的制备
c.通过磁控溅射、真空蒸镀或溶胶凝胶旋涂的方法在玻璃基板上涂布透明导电材料，固化，得到已涂布的玻璃基板；
d.将抗蚀刻材料涂布到第一发光单元区域、第二发光单元区域和第三发光单元区域，在所述发光单元区域外进行蚀刻；
e.将蚀刻后的玻璃基板上的抗蚀刻材料进行剥离、清洗；
f.在步骤e所得的玻璃基板上安装电路，使第一发光单元区域相互连接，实现电导通，使第二发光单元区域相互连接，实现电导通，得到量子点沉积基板；
(3)量子点发光层的制备
g.将所述量子点沉积基板置于绿光量子点电沉积溶液中；
h.第一发光单元区域、电极与直流电源电极相连，通电，在电场的作用下，绿光量子点材料自沉积在相应的区域，得到含有绿光量子点沉积层的量子点沉积基板；
i.将步骤h所得量子点沉积基板置于红光量子点电沉积溶液中；
j.第二发光单元区域、电极与直流电源电极相连，通电，在电场的作用下，红光量子点材料自沉积在相应的区域，将已沉积的量子点沉积基板取出、烘干、喷涂封装胶水，固化，得到量子点发光层；
(4)显示器件的制备
k.将第一偏光片、量子点发光层、液晶层、第二偏光片和屏幕玻璃依次层叠贴覆于蓝光背光源上，得到显示器件。
第三方面，本申请提供一种根据第一方面所述的显示器件在LCD显示装置中的应用。
相对于现有技术，本申请具有以下有益效果：
本申请所述显示器件相对于传统LCD液晶显示器件，通过蓝光背光源激发红光、绿光量子点沉积层，复合实现超高色域显示。本申请所得显示器件光转化效率在86％以上，光学层L70寿命在24500小时以上，显示器件色域值在118％以上，具有可靠性高和耐久性的优良特点。
附图说明
图1是本申请实施例1提供的显示装置的结构示意图；
图2是实施例1提供的量子点沉积基板结构图；
图3是实施例1提供的量子点发光层示意图；
图4是实施例1提供的量子点电沉积过程示意图；
图5是实施例1提供的显示装置工作过程示意图；
其中，1-第一发光单元，2-第二发光单元，3-第三发光单元，10-蓝光背光源，20-第一偏光片，30-量子点发光层，40-液晶层，50-第二偏光片，60-屏幕玻璃，301-量子点沉积玻璃基板，302-透明导电层，303-红光量子点沉积层，304-绿光量子点沉积层，305-第一透明导电层，306-第二透明导电层，701-蓝光背光源发出的蓝光，702-经红光量子点沉积层转换后的红光，703-经绿光量子点沉积层转换后的绿光。
具体实施方式
为便于理解本申请，本申请列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本申请，不应视为对本申请的具体限制。
实施例1
本实施例提供了一种显示器件，如图1所示，图中显示，所述显示器件包括蓝光背光源10、第一偏光片20、量子点发光层30、液晶层40、第二偏光片50和屏幕玻璃60；
所述量子点发光层包括至少两个显示单元，所述显示单元包括并排设置的第一发光单元1、第二发光单元2和第三发光单元3(如图5所示)；
所述第一发光单元由层叠设置的第一透明导电层305和绿光量子点沉积层303(厚度为75μm)组成；
所述第二发光单元由层叠设置的第二透明导电层306和红光量子点沉积层 304(厚度为35μm)组成；
所述第三发光单元为第三透明导电层。
本实施例还提供了上述显示器件的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
(1)量子点电沉积溶液的制备
a.在油胺中通过溶液法合成InP，滴加ZnO，得到核壳结构的红光量子点材料(粒径为10nm，发光峰值波长为630nm)，经过提纯后再将核壳结构红光量子点材料置于正己烷中，加入乙醇钠，调节pH为6，温度为220℃，进行键合反应20min，得到带电的核壳型红光量子点电沉积溶液；
b.在油胺中通过溶液法合成CsPbBr 3，滴加ZnO，得到核壳结构的绿光量子点材料(粒径为5nm，发光峰值波长为530nm)，经过提纯后再将核壳结构绿光量子点材料置于正己烷中，加入乙醇钠，调节pH为6，温度为220℃，进行键合反应20min，得到带电的核壳型绿光量子点电沉积溶液；
(2)量子点沉积基板的制备
c.通过磁控溅射的方法在玻璃基板上涂布ITO，固化，形成透明导电层302，得到已涂布的玻璃基板；
d.将金属镀层(Ni)涂布到第一发光单元区域、第二发光单元区域和第三发光单元区域，在所述发光单元区域外进行强碱溶液蚀刻；
e.将蚀刻后的玻璃基板上的金属镀层(Ni)进行剥离、水清洗；
f.在步骤e所得的玻璃基板上安装电路，使第一发光单元区域相互连接，实现电导通，使第二发光单元区域相互连接，实现电导通，得到量子点沉积基板301(如图2所示)；
(3)量子点发光层的制备
g.将所述量子点沉积基板置于绿光量子点电沉积溶液中；
h.第一发光单元区域、电极与直流电源电极相连，通电，在电场的作用下，绿光量子点材料自沉积在相应的区域，得到含有绿光量子点沉积层的量子点沉积基板；
i.将步骤h所得量子点沉积基板置于红光量子点电沉积溶液中；
j.第二发光单元区域、电极与直流电源电极相连，通电，在电场的作用下，红光量子点材料自沉积在相应的区域，将已沉积的量子点沉积基板取出、烘干、喷涂甲基苯基硅树脂，固化，得到量子点发光层(量子点发光层如图3所示，量子点电沉积过程如图4所示)；
(4)显示器件的制备
k.将第一偏光片、量子点发光层、液晶层、第二偏光片和屏幕玻璃依次层叠贴覆于蓝光背光源上，得到显示器件(显示装置工作过程示意图如图5所示，开启蓝光背光源，透过第一偏光片，发出蓝光701，经过量子点发光层，得到经红光量子点沉积层转换后的红光702和经绿光量子点沉积层转换后的绿光703，实现全彩显示)。
实施例2
本实施例提供了一种显示器件，所述显示器件包括蓝光背光源、第一偏光片、量子点发光层、液晶层、第二偏光片和屏幕玻璃；
所述量子点发光层包括至少两个显示单元，所述显示单元包括并排设置的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元；
所述第一发光单元由层叠设置的第一透明导电层和绿光量子点沉积层(厚度为150μm)组成；
所述第二发光单元由层叠设置的第二透明导电层和红光量子点沉积层(厚度为70μm)组成；
所述第三发光单元为第三透明导电层。
本实施例还提供了上述显示器件的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
(1)量子点电沉积溶液的制备
a.在长链膦酸中通过溶液法合成CdSe，滴加PVDF，得到核壳结构的红光量子点材料(粒径为7nm，发光峰值波长为600nm)，经过提纯后再将核壳结构红光量子点材料置于正辛烷中，加入醋酸钠，调节pH为11，温度为320℃，进行键合反应0.5min，得到带电的核壳型红光量子点电沉积溶液；
b.在长链膦酸中通过溶液法合成GaN，滴加ZnS，得到核壳结构的绿光量子点材料(粒径为3nm，发光峰值波长为510nm)，经过提纯后再将核壳结构绿光量子点材料置于正辛烷中，加入醋酸钠，调节pH为11，温度为320℃，进行键合反应0.5min，得到带电的核壳型绿光量子点电沉积溶液；
(2)量子点沉积基板的制备
c.通过溶胶凝胶旋涂的方法在玻璃基板上涂布石墨烯沉积PET，固化，得到已涂布的玻璃基板；
d.将氧化物镀层(Cr 2O 3)涂布到第一发光单元区域、第二发光单元区域和第三发光单元区域，在所述发光单元区域外进行化学刻蚀；
e.将蚀刻后的玻璃基板上的氧化物镀层(Cr 2O 3)进行剥离、Plasma清洗；
f.在步骤e所得的玻璃基板上安装电路，使第一发光单元区域相互连接，实现电导通，使第二发光单元区域相互连接，实现电导通，得到量子点沉积基板；
(3)量子点发光层的制备
g.将所述量子点沉积基板置于绿光量子点电沉积溶液中；
h.第一发光单元区域、电极与直流电源电极相连，通电，在电场的作用下，绿光量子点材料自沉积在相应的区域，得到含有绿光量子点沉积层的量子点沉积基板；
i.将步骤h所得量子点沉积基板置于红光量子点电沉积溶液中；
j.第二发光单元区域、电极与直流电源电极相连，通电，在电场的作用下，红光量子点材料自沉积在相应的区域，将已沉积的量子点沉积基板取出、烘干、喷涂聚氨酯，固化，得到量子点发光层；
(4)显示器件的制备
k.将第一偏光片、量子点发光层、液晶层、第二偏光片和屏幕玻璃依次层叠 贴覆于蓝光背光源上，得到显示器件。
实施例3
本实施例提供了一种显示器件，所述显示器件包括蓝光背光源、第一偏光片、量子点发光层、液晶层、第二偏光片和屏幕玻璃；
所述量子点发光层包括至少两个显示单元，所述显示单元包括并排设置的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元；
所述第一发光单元由层叠设置的第一透明导电层和绿光量子点沉积层(厚度为2μm)组成；
所述第二发光单元由层叠设置的第二透明导电层和红光量子点沉积层(厚度为1μm)组成；
所述第三发光单元为第三透明导电层。
本实施例还提供了上述显示器件的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
(1)量子点电沉积溶液的制备
a.在油胺中通过溶液法合成CdSe溶解，滴加PVDF，得到核壳结构的红光量子点材料(粒径为12nm，发光峰值波长为660nm)，经过提纯后再将核壳结构红光量子点材料置于甲苯中，加入溴化四丁基铵盐，调节pH为5.5，温度为120℃，进行键合反应35min，得到带电的核壳型红光量子点电沉积溶液；
b.在油酸中通过溶液法合成GaN，滴加ZnS，得到核壳结构的绿光量子点材料(粒径为3nm，发光峰值波长为550nm)，经过提纯后再将核壳结构绿光量子点材料置于氯仿中，加入硫酸铵，调节pH为8，温度为120℃，进行键合反应35min，得到带电的核壳型绿光量子点电沉积溶液；
(2)量子点沉积基板的制备
c.通过真空蒸镀的方法在玻璃基板上涂布AZO，固化，得到已涂布的玻璃基板；
d.将有机掩蔽层(石蜡)涂布到第一发光单元区域、第二发光单元区域和第三发光单元区域，在所述发光单元区域外进行HF强酸蚀刻；
e.将蚀刻后的玻璃基板上的有机掩蔽层(石蜡)进行剥离、有机溶液清洗；
f.在步骤e所得的玻璃基板上安装电路，使第一发光单元区域相互连接，实现电导通，使第二发光单元区域相互连接，实现电导通，得到量子点沉积基板；
(3)量子点发光层的制备
g.将所述量子点沉积基板置于绿光量子点电沉积溶液中；
h.第一发光单元区域、电极与直流电源电极相连，通电，在电场的作用下，绿光量子点材料自沉积在相应的区域，得到含有绿光量子点沉积层的量子点沉积基板；
i.将步骤h所得量子点沉积基板置于红光量子点电沉积溶液中；
j.第二发光单元区域、电极与直流电源电极相连，通电，在电场的作用下，红光量子点材料自沉积在相应的区域，将已沉积的量子点沉积基板取出、烘干、喷涂聚氨酯，固化，得到量子点发光层；
(4)显示器件的制备
k.将第一偏光片、量子点发光层、液晶层、第二偏光片和屏幕玻璃依次层叠贴覆于蓝光背光源上，得到显示器件。
实施例4
本实施例提供了一种显示器件，所述显示器件包括蓝光背光源、第一偏光片、量子点发光层、液晶层、第二偏光片和屏幕玻璃；
所述量子点发光层包括至少两个显示单元，所述显示单元包括并排设置的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元；
所述第一发光单元由层叠设置的第一透明导电层和绿光量子点沉积层(厚度为40μm)组成；
所述第二发光单元由层叠设置的第二透明导电层和红光量子点沉积层(厚度为20μm)组成；
所述第三发光单元为第三透明导电层。
本实施例还提供了上述显示器件的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
(1)量子点电沉积溶液的制备
a.在油胺中通过溶液法合成CdSe，滴加PVDF，得到核壳结构的红光量子点材料(粒径为8nm，发光峰值波长为620nm)，经过提纯后再将核壳结构红光量子点材料置于甲苯中，加入溴化铵，调节pH为5.5，温度为280℃，进行键合反应15min，得到带电的核壳型红光量子点电沉积溶液；
b.在油酸中通过溶液法合成GaN，滴加ZnS，得到核壳结构的绿光量子点材料(粒径为6nm，发光峰值波长为530nm)，经过提纯后再将核壳结构绿光量子点材料置于氯仿中，加入醋酸钠，调节pH为8，温度为280℃，进行键合反应15min，得到带电的核壳型绿光量子点电沉积溶液；
(2)量子点沉积基板的制备
c.通过真空蒸镀的方法在玻璃基板上涂布分散于光刻胶中的FTO，固化，得到已涂布的玻璃基板；
d.将有机掩蔽层(三芳甲烷溶液)涂布到第一发光单元区域、第二发光单元区域和第三发光单元区域，在所述发光单元区域外进行紫外光刻；
e.将蚀刻后的玻璃基板上的有机掩蔽层(三芳甲烷溶液)进行剥离、有机溶液清洗；
f.在步骤e所得的玻璃基板上安装电路，使第一发光单元区域相互连接，实现电导通，使第二发光单元区域相互连接，实现电导通，得到量子点沉积基板；
(3)量子点发光层的制备
g.将所述量子点沉积基板置于绿光量子点电沉积溶液中；
h.第一发光单元区域、电极与直流电源电极相连，通电，在电场的作用下，绿光量子点材料自沉积在相应的区域，得到含有绿光量子点沉积层的量子点沉积基板；
i.将步骤h所得量子点沉积基板置于红光量子点电沉积溶液中；
j.第二发光单元区域、电极与直流电源电极相连，通电，在电场的作用下，红光量子点材料自沉积在相应的区域，将已沉积的量子点沉积基板取出、烘干、喷涂聚氨酯，固化，得到量子点发光层；
(4)显示器件的制备
k.将第一偏光片、量子点发光层、液晶层、第二偏光片和屏幕玻璃依次层叠贴覆于蓝光背光源上，得到显示器件。
实施例5
本实施例提供了一种显示器件，所述显示器件包括蓝光背光源、第一偏光片、量子点发光层、液晶层、第二偏光片和屏幕玻璃；
所述量子点发光层包括至少两个显示单元，所述显示单元包括并排设置的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元；
所述第一发光单元由层叠设置的第一透明导电层和绿光量子点沉积层(厚度为120μm)组成；
所述第二发光单元由层叠设置的第二透明导电层和红光量子点沉积层(厚度为60μm)组成；
所述第三发光单元为第三透明导电层。
本实施例还提供了上述显示器件的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
(1)量子点电沉积溶液的制备
a.在油胺中通过溶液法合成CdSe，滴加PMA，得到核壳结构的红光量子点材料(粒径为9nm，发光峰值波长为640nm)，经过提纯后再将核壳结构红光量子点材料置于甲苯中，加入乙醇钠，调节pH为6.5，温度为200℃，进行键合反应25min，得到带电的核壳型红光量子点电沉积溶液；
b.在油酸中通过溶液法合成GaN，滴加ZnS，得到核壳结构的绿光量子点材料(粒径为4nm，发光峰值波长为540nm)，经过提纯后再将核壳结构绿光量子点材料置于氯仿中，加入氯化铵，调节pH为8，温度为200℃，进行键合反应25min，得到带电的核壳型绿光量子点电沉积溶液；
(2)量子点沉积基板的制备
c.通过真空蒸镀的方法在玻璃基板上涂布分散于光刻胶中的ITO，固化，得到已涂布的玻璃基板；
d.将有机掩蔽层(喹吖啶酮溶液)涂布到第一发光单元区域、第二发光单元区域和第三发光单元区域，在所述发光单元区域外进行紫外光刻；
e.将蚀刻后的玻璃基板上的有机掩蔽层(喹吖啶酮溶液)进行剥离、有机溶液清洗；
f.在步骤e所得的玻璃基板上安装电路，使第一发光单元区域相互连接，实现电导通，使第二发光单元区域相互连接，实现电导通，得到量子点沉积基板；
(3)量子点发光层的制备
g.将所述量子点沉积基板置于绿光量子点电沉积溶液中；
h.第一发光单元区域、电极与直流电源电极相连，通电，在电场的作用下， 绿光量子点材料自沉积在相应的区域，得到含有绿光量子点沉积层的量子点沉积基板；
i.将步骤h所得量子点沉积基板置于红光量子点电沉积溶液中；
j.第二发光单元区域、电极与直流电源电极相连，通电，在电场的作用下，红光量子点材料自沉积在相应的区域，将已沉积的量子点沉积基板取出、烘干、喷涂聚氨酯，固化，得到量子点发光层；
(4)显示器件的制备
k.将第一偏光片、量子点发光层、液晶层、第二偏光片和屏幕玻璃依次层叠贴覆于蓝光背光源上，得到显示器件。
对比例1
本对比例与实施例1的区别在于本对比例采用常规手段进行量子点光学层的制备，且所得显示器件还包括滤光片。
本对比例显示器件的制备方法包括如下步骤：
(1)将红、绿量子点材料混入丙烯酸胶水中，均匀搅拌；
(2)将所得红、绿量子点混合胶水涂布于两层PET膜之间，贴合；
(3)将所得涂布有量子点胶水的PET膜放置于紫外固化箱中，在385nm紫外光下使丙烯酸胶水固化；
(4)按照显示屏幕尺寸进行膜片切割，即得量子点发光层；
(5)显示器件的制备
将导光板、量子点发光层、第一偏光片、液晶层、第二偏光片、滤光片和屏幕玻璃依次层叠贴覆于光源上，得到量子点显示器件。
性能测试
量子点光学膜片的性能测试：
(1)光转化效率测试：光转换效率＝量子点膜片发射光功率/蓝光背光源的激发光功率×100％。
(2)光学膜片L70寿命：即，常温点亮(25℃)下，使用直至发光强度衰减至初始值的70％时所坚持的工作时间，采用显示器件的亮度参数nit。
显示器件的性能测试：
(3)显示器件色域值：按照NTSC标准进行。
上述测试结果如表1所示：
表1
  光转化效率/％ 发光层L70寿命/小时 显示器件色域值/％
实施例1 88 24500 119
实施例2 90 26200 121
实施例3 87 31000 123
实施例4 86 28300 120
实施例5 88 27500 118
对比例1 31 14500 104
本申请所述显示器件使用时无需依靠滤光片，利于提升光通过率和显示光效，显示器件的整体功耗较低。从表1数据来看，光转化效率在86％以上，光学层L70寿命在24500小时以上，显示器件色域值在118％以上，具有可靠性高和耐久性的优良特点。
分析对比例1与实施例1可以发现，对比例1的光转化效率为31％，光学层L70寿命仅有14500小时，而显示器件色域值104％，各项参数均差于实施例1，证明本申请所述量子点光学层的制备方法所得量子点发光层性能优异。
综上所述，本申请所述显示器件使用时无需依靠滤光片，利于提升光通过率和显示光效，因此所述显示器件的整体功耗较低且兼具可靠性高和耐久性的优良特点。
申请人声明，本申请通过上述实施例来说明本申请的详细方法，但本申请并不局限于上述详细方法，即不意味着本申请必须依赖上述详细方法才能实施。

Claims (12)

  1. 一种显示器件，其包括依次层叠设置的蓝光背光源、第一偏光片、量子点发光层、液晶层和第二偏光片；
    所述量子点发光层包括至少两个显示单元，所述显示单元包括依次并排设置的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元；
    所述第一发光单元由层叠设置的第一透明导电层和绿光量子点沉积层组成，且所述第一透明导电层靠近所述第一偏光片；
    所述第二发光单元由层叠设置的第二透明导电层和红光量子点沉积层组成，且所述第二透明导电层靠近所述第一偏光片；
    所述第三发光单元为第三透明导电层。
  2. 根据权利要求1所述的显示器件，其中，所述蓝光背光源包括LED芯片。
  3. 根据权利要求2所述的显示器件，其中，所述LED芯片由氮化镓外延形成。
  4. 根据权利要求2或3所述的显示器件，其中，所述LED芯片的长和宽各自独立地为1-50μm；
    可选地，所述LED芯片的发光峰值波长为420-480nm。
  5. 根据权利要求1-4中任一项所述的显示器件，其中，所述量子点沉积基板包括玻璃基板。
  6. 根据权利要求1-5任一项所述的显示器件，其中，所述红光量子点沉积层包括红光量子点材料；
    可选地，所述绿光量子点沉积层包括绿光量子点材料；
    可选地，所述红光量子点材料和绿光量子点材料各自独立地包括A xM yE z体 系材料以及依次包覆在A xM yE z体系材料表面的包覆层材料和配体材料，所述x为0.3-2.0，y为0.5-3.0，z为0-4.0；
    所述A为Ba、Ag、Na、Fe、In、Cd、Zn、Ga、Mg、Pb或Cs中的任意一种；
    所述M为S、Cl、O、As、N、P、Se、Te、Ti、Zr或Pb中的任意一种；
    所述E为S、As、Se、O、Cl、Br或I中的任意一种；
    可选地，所述A xM yE z体系材料包括GaN、CdSe、InP或CsPbBr 3中的任意一种或至少两种的组合；
    可选地，所述包覆层材料包括有机高分子溶液和/或无机化合物；
    可选地，所述配体材料包括有机盐；
    可选地，所述有机盐包括醋酸钠、乙吡啶酸盐、乙醇钠、溴化四丁基铵盐、溴化铵、氯化铵或硫酸铵中的任意一种或至少两种的组合。
  7. 根据权利要求6所述的显示器件，其中，所述红光量子点材料的粒径为7-12nm；
    可选地，所述绿光量子点材料的粒径为3-7nm；
    可选地，所述红光量子点材料的发光峰值波长为600-660nm；
    可选地，所述绿光量子点材料的发光峰值波长为510-550nm；
    可选地，所述红光量子点材料的发射光半峰宽＜35nm；
    可选地，所述绿光量子点材料的发射光半峰宽＜35nm。
  8. 根据权利要求1-7任一项所述的显示器件，其中，所述显示器件还包括贴覆于第二偏光片表面的屏幕玻璃。
  9. 一种根据权利要求1-8任一项所述的显示器件的制备方法，其包括如下 步骤：
    首先将透明导电材料涂覆在量子点沉积基板上形成依次并排设置的第一透明导电层、第二透明导电层和第三透明导电层，再将绿光量子点电沉积溶液和红光量子点电沉积溶液通过电沉积的方法分别沉积在第一透明导电层和第二透明导电层上，得到量子点发光层，最后将第一偏光片、量子点发光层、液晶层和第二偏光片依次层叠贴覆于蓝光背光源上。
  10. 根据权利要求9所述的显示器件的制备方法，其中，所述制备方法包括如下步骤：
    (1)在反应溶剂中通过溶液法合成A xM yE z体系材料、然后依次添加包覆层材料和配体材料使其继续反应，得到红光量子点电沉积溶液或绿光量子点电沉积溶液；
    (2)将透明导电材料涂布在玻璃基板上，蚀刻，得到所述量子点沉积基板；
    (3)将红光量子点电沉积溶液和绿光量子点电沉积溶液在量子点沉积基板上各自的沉积区域沉积，得到量子发光层；
    (4)将第一偏光片、量子发光层、液晶层、第二偏光片和屏幕玻璃依次层叠贴覆于蓝光背光源上，得到所述显示器件；
    可选地，所述反应溶剂包括油胺、油酸或长链膦酸中的任意一种或至少两种的组合；
    可选地，所述步骤(1)具体包括：
    a.在反应溶剂中通过溶液法合成A xM yE z体系材料，滴加包覆层材料，得到核壳结构的红光量子点材料，经过提纯后再将核壳结构红光量子点材料置于溶剂中，加入配体材料发生键合反应，得到带电的核壳型红光量子点电沉积溶液；
    b.在反应溶剂中通过溶液法合成A xM yE z体系材料，滴加包覆层材料，得到核壳结构的绿光量子点材料，经过提纯后再将核壳结构绿光量子点材料置于溶剂中，加入配体材料发生键合反应，得到带电的核壳型绿光量子点电沉积溶液；
    可选地，所述步骤(1)键合反应的pH为5.5-11；
    可选地，所述步骤(1)键合反应的温度为120-320℃；
    可选地，所述步骤(1)键合反应的时间为0.5-35min；
    可选地，所述透明导电材料包括铝掺杂氧化锌、锡掺杂三氧化二铟、氟掺杂二氧化锡或石墨烯沉积聚对苯二甲酸乙二醇酯中的任意一种或至少两种的组合；
    可选地，所述步骤(2)具体包括：
    c.将透明导电材料涂布在玻璃基板上，固化，得到已涂布的玻璃基板；
    d.将抗蚀刻材料涂布到第一发光单元区域、第二发光单元区域和第三发光单元区域，在所述发光单元区域外进行蚀刻；
    e.将蚀刻后的玻璃基板上的抗蚀刻材料进行剥离、清洗；
    f.将步骤e所得的玻璃基板上安装电路，使第一发光单元区域相互连接，实现电导通，使第二发光单元区域相互连接，实现电导通，得到量子点沉积基板；
    可选地，所述涂布的方法包括磁控溅射、真空蒸镀或溶胶凝胶旋涂中的任意一种；
    可选地，所述蚀刻包括化学蚀刻或物理蚀刻；
    可选地，所述清洗包括有机溶液清洗、水清洗或等离子体清洗中的任意一种或至少两种的组合；
    可选地，所述步骤(3)具体包括：
    g.将所述量子点沉积基板置于绿光量子点电沉积溶液中；
    h.将第一发光单元区域、电极与直流电源相连，通电，在电场的作用下，绿光量子点材料自沉积在相应的区域，得到含有绿光量子点沉积层的量子点沉积基板；
    i.将步骤h所得量子点沉积基板置于红光量子点电沉积溶液中；
    j.将第二发光单元区域、电极与直流电源电极相连，通电，在电场的作用下，红光量子点材料自沉积在相应的区域，将已沉积的量子点沉积基板取出、烘干、喷涂封装胶水，固化，得到量子点发光层；
    可选地，所述抗蚀刻材料包括金属镀层、氧化物镀层或有机掩蔽层中的任意一种或至少两种的组合；
    可选地，所述封装胶水包括环氧树脂、有机硅树脂或聚氨酯中的任意一种或至少两种的组合；
    可选地，所述步骤(4)具体包括：将第一偏光片、量子点发光层、液晶层、第二偏光片和屏幕玻璃依次层叠贴覆于蓝光背光源上，得到显示器件。
  11. 根据权利要求9或10所述的显示器件的制备方法，其中，所述制备方法包括如下步骤：
    (1)量子点电沉积溶液的制备
    a.在反应溶剂中通过溶液法合成A xM yE z体系材料，滴加包覆层材料，得到核壳结构的红光量子点材料，经过提纯后再将核壳结构红光量子点材料置于溶剂中，加入配体材料，调节pH为5.5-11，温度为120-320℃，进行键合反应0.5-35min，得到带电的核壳型红光量子点电沉积溶液；
    b.在反应溶剂中通过溶液法合成A xM yE z体系材料，滴加包覆层材料，得到 核壳结构的绿光量子点材料，经过提纯后再将核壳结构绿光量子点材料置于溶剂中，加入配体材料，调节pH为5.5-11，温度为120-320℃，进行键合反应0.5-35min，得到带电的核壳型绿光量子点电沉积溶液；
    (2)量子点沉积基板的制备
    c.通过磁控溅射、真空蒸镀或溶胶凝胶旋涂的方法在玻璃基板上涂布透明导电材料，固化，得到已涂布的玻璃基板；
    d.将抗蚀刻材料涂布到第一发光单元区域、第二发光单元区域和第三发光单元区域，在所述发光单元区域外进行蚀刻；
    e.将蚀刻后的玻璃基板上的抗蚀刻材料进行剥离、清洗；
    f.在步骤e所得的玻璃基板上安装电路，使第一发光单元区域相互连接，实现电导通，使第二发光单元区域相互连接，实现电导通，得到量子点沉积基板；
    (3)量子点发光层的制备
    g.将所述量子点沉积基板置于绿光量子点电沉积溶液中；
    h.第一发光单元区域、电极与直流电源电极相连，通电，在电场的作用下，绿光量子点材料自沉积在相应的区域，得到含有绿光量子点沉积层的量子点沉积基板；
    i.将步骤h所得量子点沉积基板置于红光量子点电沉积溶液中；
    j.第二发光单元区域、电极与直流电源电极相连，通电，在电场的作用下，红光量子点材料自沉积在相应的区域，将已沉积的量子点沉积基板取出、烘干、喷涂封装胶水，固化，得到量子点发光层；
    (4)显示器件的制备
    k.将第一偏光片、量子点发光层、液晶层、第二偏光片和屏幕玻璃依次层叠 贴覆于蓝光背光源上，得到显示器件。
  12. 一种根据权利要求1-8任一项所述的显示器件在LCD显示装置中的应用。
PCT/CN2021/078999 2020-12-21 2021-03-04 一种显示器件及其制备方法和应用 WO2022134309A1 (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011518817.X 2020-12-21
CN202011518817.XA CN112505962A (zh) 2020-12-21 2020-12-21 一种显示器件及其制备方法和应用

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022134309A1 true WO2022134309A1 (zh) 2022-06-30

Family

ID=74922821

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2021/078999 WO2022134309A1 (zh) 2020-12-21 2021-03-04 一种显示器件及其制备方法和应用

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN112505962A (zh)
WO (1) WO2022134309A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113363361B (zh) * 2021-06-23 2023-05-16 安徽省东超科技有限公司 量子点复合体、三维显示元件及其加工方法

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003330014A (ja) * 2002-05-10 2003-11-19 Seiko Epson Corp カラーフィルタ基板の製造方法、カラーフィルタ基板、液晶表示装置、並びに電子機器
CN104145210A (zh) * 2012-02-23 2014-11-12 英特曼帝克司公司 光致发光彩色显示器
CN106479503A (zh) * 2016-09-29 2017-03-08 Tcl集团股份有限公司 一种量子点固态膜及其制备方法
US20190049781A1 (en) * 2018-10-05 2019-02-14 Intel Corporation High efficiency quantum dot liquid crystal displays
CN208596269U (zh) * 2018-06-26 2019-03-12 东莞市仲磊光电材料有限公司 量子点液晶显示面板
CN109709716A (zh) * 2019-02-11 2019-05-03 深圳扑浪创新科技有限公司 一种背光模组、显示装置及其驱动方法
CN110865487A (zh) * 2018-08-28 2020-03-06 三星显示有限公司 背光单元和具有该背光单元的显示设备
CN111051934A (zh) * 2017-09-22 2020-04-21 Dic株式会社 光转换膜及使用其的图像显示元件
CN111103720A (zh) * 2018-10-29 2020-05-05 三星显示有限公司 光学调节器和包括该光学调节器的显示装置
CN111308785A (zh) * 2020-03-27 2020-06-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种色转换显示器件及其制造方法
CN111607234A (zh) * 2020-06-15 2020-09-01 Tcl华星光电技术有限公司 一种量子点组合物及其制备方法、量子点图案化方法以及图案化量子点固态膜
CN111740032A (zh) * 2019-03-25 2020-10-02 三星显示有限公司 用于制造量子点层的方法和包括量子点层的显示装置
CN111826161A (zh) * 2019-04-18 2020-10-27 三星电子株式会社 量子点和其制造方法、量子点聚合物复合物、显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7663057B2 (en) * 2004-02-19 2010-02-16 Nanosolar, Inc. Solution-based fabrication of photovoltaic cell
CN100580051C (zh) * 2007-11-30 2010-01-13 中国科学院上海技术物理研究所 硒化镉/硫化镉/硫化锌核壳量子点的制备方法
CN101974776A (zh) * 2010-11-12 2011-02-16 华东师范大学 一种在水相中电泳沉积制备量子点薄膜的方法
CN204389849U (zh) * 2014-12-30 2015-06-10 乐视致新电子科技（天津）有限公司 一种量子点液晶模组及显示装置
CN207250571U (zh) * 2017-10-25 2018-04-17 信利半导体有限公司 一种量子点oled显示器
CN108615742A (zh) * 2018-07-10 2018-10-02 南方科技大学 一种显示面板制作方法、显示面板及显示装置
CN109575913B (zh) * 2019-01-22 2022-05-24 深圳扑浪创新科技有限公司 一种具有核壳结构的磷化铟量子点及其制备方法和用途
CN111117599A (zh) * 2019-12-24 2020-05-08 上海大学 核壳结构量子点的梯度多壳层包覆方法

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003330014A (ja) * 2002-05-10 2003-11-19 Seiko Epson Corp カラーフィルタ基板の製造方法、カラーフィルタ基板、液晶表示装置、並びに電子機器
CN104145210A (zh) * 2012-02-23 2014-11-12 英特曼帝克司公司 光致发光彩色显示器
CN106479503A (zh) * 2016-09-29 2017-03-08 Tcl集团股份有限公司 一种量子点固态膜及其制备方法
CN111051934A (zh) * 2017-09-22 2020-04-21 Dic株式会社 光转换膜及使用其的图像显示元件
CN208596269U (zh) * 2018-06-26 2019-03-12 东莞市仲磊光电材料有限公司 量子点液晶显示面板
CN110865487A (zh) * 2018-08-28 2020-03-06 三星显示有限公司 背光单元和具有该背光单元的显示设备
US20190049781A1 (en) * 2018-10-05 2019-02-14 Intel Corporation High efficiency quantum dot liquid crystal displays
CN111103720A (zh) * 2018-10-29 2020-05-05 三星显示有限公司 光学调节器和包括该光学调节器的显示装置
CN109709716A (zh) * 2019-02-11 2019-05-03 深圳扑浪创新科技有限公司 一种背光模组、显示装置及其驱动方法
CN111740032A (zh) * 2019-03-25 2020-10-02 三星显示有限公司 用于制造量子点层的方法和包括量子点层的显示装置
CN111826161A (zh) * 2019-04-18 2020-10-27 三星电子株式会社 量子点和其制造方法、量子点聚合物复合物、显示装置
CN111308785A (zh) * 2020-03-27 2020-06-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种色转换显示器件及其制造方法
CN111607234A (zh) * 2020-06-15 2020-09-01 Tcl华星光电技术有限公司 一种量子点组合物及其制备方法、量子点图案化方法以及图案化量子点固态膜

Also Published As

Publication number Publication date
CN112505962A (zh) 2021-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2757409B1 (en) Liquid crystal display device comprising a blue light source and a quantum-dot colour generating structure and method of manufacturing said device
WO2017084148A1 (zh) Coa型阵列基板的制备方法及coa型阵列基板
CN103913889B (zh) 一种内置光源的液晶显示装置
WO2022134308A1 (zh) 一种量子点显示装置及其制备方法与应用
CN105182601B (zh) 一种阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法
JP2015099357A (ja) 表示パネル及びその製造方法
WO2022134310A1 (zh) 一种量子点显示器件及其制备方法
WO2017121131A1 (zh) 阵列基板及其制备方法和显示装置
WO2016107398A1 (zh) 一种具有光学谐振层的oled器件及其制备方法、显示器
CN109411521A (zh) 显示基板及其制备方法、显示面板
WO2022134309A1 (zh) 一种显示器件及其制备方法和应用
WO2016169069A1 (zh) 偏光片、基于量子效应的显示面板及显示装置
JP2022535173A (ja) 量子ドット電界発光デバイス及び製造方法、表示装置
WO2019148661A1 (zh) 一种液晶显示面板及其制作方法、液晶显示装置
WO2021203460A1 (zh) 显示模组及显示装置
TW591566B (en) Full color display panel and color-separating substrate thereof
WO2017143647A1 (zh) 量子点彩色滤光片的制造方法
JP2015099364A (ja) 表示パネル及びその製造方法
CN212182329U (zh) 显示面板及具有其的显示装置
CN105720086A (zh) 一种oled显示面板及其制作方法、显示装置
CN112652694A (zh) 一种发光层及其制备方法和应用
TW200419488A (en) Electro luminescence display device
CN107527941A (zh) 一种有机发光显示屏及其制造方法
CN1464766A (zh) 全彩有机电致发光显示装置
CN112649991A (zh) 一种量子点彩膜及其制备方法和应用

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21908323

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

32PN Ep: public notification in the ep bulletin as address of the adressee cannot be established

Free format text: NOTING OF LOSS OF RIGHTS PURSUANT TO RULE 112(1) EPC (EPO FORM 1205A DATED 27/10/2023)

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21908323

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1