WO2022085484A1 - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

基板処理方法及び基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2022085484A1
WO2022085484A1 PCT/JP2021/037297 JP2021037297W WO2022085484A1 WO 2022085484 A1 WO2022085484 A1 WO 2022085484A1 JP 2021037297 W JP2021037297 W JP 2021037297W WO 2022085484 A1 WO2022085484 A1 WO 2022085484A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
processing
temperature
region
control unit
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/037297
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
雄一郎 我妻
将久 渡邊
麻由子 中村
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京エレクトロン株式会社 filed Critical 東京エレクトロン株式会社
Priority to US18/032,544 priority Critical patent/US20230392261A1/en
Priority to KR1020237015650A priority patent/KR20230085166A/ko
Publication of WO2022085484A1 publication Critical patent/WO2022085484A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Definitions

  • This disclosure relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus.
  • a substrate processing apparatus in which a processing gas is supplied into a processing container to perform a desired treatment (for example, film formation treatment, etching treatment, etc.) on the substrate.
  • a desired treatment for example, film formation treatment, etching treatment, etc.
  • Patent Document 1 power is supplied to a mounting table on which a substrate is placed and rotatably provided, a plurality of heating units provided on the preceding table to heat the previously described table, and the plurality of heating units. It is characterized by having one power supply and a power switching unit that switches a heating unit to which power is supplied from the power supply to one of the plurality of heating units according to the rotation angle of the above-mentioned stand.
  • the mounting table system to be used is disclosed.
  • the in-plane uniformity in the substrate processing may decrease depending on the environment inside the processing container.
  • the present disclosure provides a substrate processing method and a substrate processing apparatus for improving in-plane uniformity in substrate processing.
  • a substrate processing apparatus including a mounting table on which a substrate is placed, a heating element provided on the above-mentioned table, and a rotation mechanism for rotating the above-mentioned table.
  • the substrate processing method includes a step of placing the substrate on the above-mentioned table and a step of applying the treatment to the substrate, and the step of applying the treatment to the substrate has a plurality of steps and the plurality of steps.
  • Each step of the step provides a substrate processing method including control of the heating element and control of the rotation mechanism.
  • An example of a schematic diagram showing a configuration example of a substrate processing apparatus The plan view explaining an example of the arrangement of a heater in a mounting table. The figure which shows an example of the table of the temperature profile of a heater stored in a control part.
  • the flowchart which shows the 1st operation example in the board processing apparatus.
  • the plan view explaining the arrangement and temperature control of each area of a heater in 1st operation example.
  • the plan view explaining the arrangement and temperature control of each area of a heater in 1st operation example.
  • the flowchart which shows the 2nd operation example in the board processing apparatus.
  • the plan view explaining the arrangement and temperature control of each area of a heater in the 2nd operation example The plan view explaining the arrangement and temperature control of each area of a heater in the 2nd operation example.
  • the plan view explaining the arrangement and temperature control of each area of a heater in the 2nd operation example The flowchart which shows the 3rd operation example in the board processing apparatus.
  • the flowchart which shows the 4th operation example in the board processing apparatus The flowchart which shows the operation of this Example in a substrate processing apparatus.
  • the plan view explaining the arrangement and temperature control of each area of a heater in this Example The plan view explaining the arrangement and temperature control of each area of a heater in this Example.
  • the plan view explaining the arrangement and temperature control of each area of a heater in this Example The plan view explaining the arrangement and temperature control of each area of a heater in this Example.
  • FIG. 1 is an example of a schematic diagram showing a configuration example of a substrate processing apparatus.
  • the substrate processing apparatus includes a processing container 1, a mounting table 2, a shower head 3, an exhaust unit 4, a gas supply mechanism 5, an RF power supply unit 8, and a control unit 9. have.
  • the processing container 1 is made of a metal such as aluminum and has a substantially cylindrical shape.
  • the processing container 1 accommodates the substrate W.
  • An carry-in outlet 11 for carrying in or out the substrate W is formed on the side wall of the processing container 1, and the carry-in outlet 11 is opened and closed by the gate valve 12.
  • An annular exhaust duct 13 having a rectangular cross section is provided on the main body of the processing container 1.
  • a slit 13a is formed in the exhaust duct 13 along the inner peripheral surface.
  • An exhaust port 13b is formed on the outer wall of the exhaust duct 13.
  • a top wall 14 is provided on the upper surface of the exhaust duct 13 so as to close the upper opening of the processing container 1 via the insulator member 16.
  • the exhaust duct 13 and the insulator member 16 are hermetically sealed with a seal ring 15.
  • the mounting table 2 horizontally supports the substrate W in the processing container 1.
  • the mounting table 2 is formed in a disk shape having a size corresponding to the substrate W, and is supported by the support member 23.
  • the mounting table 2 is made of a ceramic material such as AlN or a metal material such as aluminum or nickel alloy, and a heater 21 for heating the substrate W is embedded therein.
  • the heater 21 is supplied with power from a heater power supply (not shown) to generate heat.
  • the substrate W is controlled to a predetermined temperature by controlling the output of the heater 21 by the temperature signal of the thermocouple (not shown) provided near the upper surface of the mounting table 2.
  • the mounting table 2 is provided with a cover member 22 formed of ceramics such as alumina so as to cover the outer peripheral region of the upper surface and the side surface.
  • a support member 23 for supporting the mounting table 2 is provided on the bottom surface of the mounting table 2.
  • the support member 23 extends from the center of the bottom surface of the mounting table 2 to the lower side of the processing container 1 through a hole formed in the bottom wall of the processing container 1, and its lower end is connected to the elevating mechanism 24.
  • the elevating mechanism 24 causes the mounting table 2 to move up and down via the support member 23 between the processing position shown in FIG. 1 and the transfer position below which the substrate W can be conveyed by the two-dot chain line.
  • the support member 23 is provided with a flange portion 27. Between the bottom surface of the processing container 1 and the flange portion 27, a bellows 28 that separates the atmosphere inside the processing container 1 from the outside air and expands and contracts as the mounting table 2 moves up and down is provided.
  • the rotation mechanism 25 rotates the support member 23 and the mounting table 2 with the central axis of the support member 23 and the mounting table 2 as a rotation axis.
  • the heater power supply 26 supplies electric power to the heater 21.
  • the heater 21 and the heater power supply 26 are connected via, for example, a slip ring (not shown). Further, the heater 21 is divided into a plurality of regions (see FIG. 2 described later). The heater power supply 26 controls the power supply for each region of the heater 21 (see FIG. 2 described later).
  • three wafer support pins 29a are provided so as to project upward from the elevating plate 29b.
  • the wafer support pin 29a is moved up and down via the raising and lowering plate 29b by the raising and lowering mechanism 29 provided below the processing container 1.
  • the wafer support pin 29a is inserted into a through hole 2a provided in the mounting table 2 at the transport position so that the wafer support pin 29a can be recessed with respect to the upper surface of the mounting table 2.
  • the shower head 3 supplies the processing gas into the processing container 1 in the form of a shower.
  • the shower head 3 is made of metal, is provided so as to face the mounting table 2, and has substantially the same diameter as the mounting table 2.
  • the shower head 3 has a main body portion 31 fixed to the top wall 14 of the processing container 1 and a shower plate 32 connected under the main body portion 31.
  • a gas diffusion space 33 is formed between the main body 31 and the shower plate 32, and the gas introduction hole 36 is formed in the gas diffusion space 33 so as to penetrate the top wall 14 of the processing container 1 and the center of the main body 31. Is provided.
  • An annular protrusion 34 projecting downward is formed on the peripheral edge of the shower plate 32.
  • a gas discharge hole 35 is formed on the flat surface inside the annular protrusion 34.
  • a processing space 38 is formed between the mounting table 2 and the shower plate 32, and the upper surface of the cover member 22 and the annular protrusion 34 are close to each other to form an annular gap 39. Will be done.
  • the exhaust unit 4 exhausts the inside of the processing container 1.
  • the exhaust unit 4 has an exhaust pipe 41 connected to the exhaust port 13b, and an exhaust mechanism 42 having a vacuum pump, a pressure control valve, and the like connected to the exhaust pipe 41.
  • the gas in the processing container 1 reaches the exhaust duct 13 through the slit 13a, and is exhausted from the exhaust duct 13 through the exhaust pipe 41 by the exhaust mechanism 42.
  • the gas supply mechanism 5 supplies the processing gas into the processing container 1.
  • the gas supply mechanism 5 is connected to the gas introduction hole 36 via the gas supply line 56.
  • the substrate processing device is a capacitively coupled plasma device, in which the mounting table 2 serves as a lower electrode and the shower head 3 serves as an upper electrode.
  • the mounting table 2 serving as the lower electrode is grounded via a capacitor (not shown).
  • High frequency power (hereinafter, also referred to as "RF power”) is applied to the shower head 3 serving as the upper electrode by the RF power supply unit 8.
  • the RF power supply unit 8 includes a power supply line 81, a matching unit 82, and a high frequency power supply 83.
  • the high frequency power supply 83 is a power supply that generates high frequency power. High frequency power has a frequency suitable for plasma generation. The frequency of the high frequency power is, for example, a frequency in the range of 450 KHz to 100 MHz.
  • the high frequency power supply 83 is connected to the main body 31 of the shower head 3 via the matching unit 82 and the feeding line 81.
  • the matching device 82 has a circuit for matching the output reactance of the high frequency power supply 83 and the reactance of the load (upper electrode).
  • the RF power supply unit 8 has been described as applying high frequency power to the shower head 3 serving as the upper electrode, the present invention is not limited to this. High frequency power may be applied to the mounting table 2 serving as the lower electrode. Further, the substrate processing apparatus may not have a configuration for applying high frequency power.
  • the control unit 9 is, for example, a computer, and includes a CPU (Central Processing Unit), a RAM (RandomAccessMemory), a ROM (ReadOnlyMemory), an auxiliary storage device, and the like.
  • the CPU operates based on a program stored in the ROM or the auxiliary storage device, and controls the operation of the board processing device.
  • the control unit 9 may be provided inside the substrate processing apparatus or may be provided outside. When the control unit 9 is provided outside the board processing device, the control unit 9 can control the board processing device by a communication means such as wired or wireless.
  • FIG. 2 is a plan view illustrating an example of the arrangement of the heater 21 on the mounting table 2.
  • the heater 21 has a plurality of divided regions, and each region can be heated independently.
  • the heater 21 is divided into a first region 101 to a sixth region 106.
  • the heater power supply 26 (see FIG. 1) individually controls the power supply for each region (first region 101 to sixth region 106) of the heater 21.
  • the first region 101 is formed in a circular shape at the center of the mounting table 2.
  • the second region 102 is formed in an annular shape on the radial outer side of the first region 101.
  • the third region 103 to the sixth region 106 are formed on the radial outer side of the second region 102. Further, the third region 103 to the sixth region 106 provided on the outer periphery are divided in the circumferential direction.
  • the temperature of the substrate W mounted on the mounting table 2 can be controlled for each region (first region 101 to sixth region 106). Further, by controlling the power supply to the third region 103 to the sixth region 106 provided on the outer periphery, the temperature of the outer peripheral portion of the substrate W mounted on the mounting table 2 can be controlled.
  • FIG. 3 is a diagram showing an example of a table of the temperature profile of the heater 21 stored in the control unit 9.
  • the control unit 9 stores a table of temperature profiles showing the temperature distribution for each region of the heater 21.
  • the third region 103 and the fourth region 104 are set to high temperature
  • the fifth region 105 and the sixth region 106 are set to low temperature.
  • the third region 103 and the fourth region 104 are set to low temperature.
  • the control unit 9 independently controls a plurality of regions (first region 101 to sixth region 106) of the heater 21 by controlling the heater power supply 26 based on the temperature profile.
  • the gas supplied from the gas supply mechanism 5 is supplied from the shower head 3 to the processing space 38. Then, the gas flows from the processing space 38 through the annular gap 39 and the slit 13a into the exhaust duct 13. Then, the gas is exhausted from the inside of the exhaust duct 13 through the exhaust pipe 41 to the exhaust mechanism 42.
  • the exhaust pipe 41 is provided in a specific direction with respect to the circumferential direction. Therefore, the gas flow in the processing space 38 may be biased in the circumferential direction. Further, due to the structure of the shower head 3 that supplies gas into the processing space 38, the gas flow in the processing space 38 may be biased in the circumferential direction.
  • the in-plane uniformity of processing on the substrate W may decrease.
  • the film thickness becomes thicker in the direction of the exhaust pipe 41 of the substrate W.
  • the processing container 1 has a structure asymmetrical with respect to the circumferential direction.
  • the wall surface of the processing container 1 is provided with a gate valve 12 in a specific direction, and is non-uniform with respect to the circumferential direction.
  • the structure of the shower head 3 may be non-uniform with respect to the circumferential direction.
  • the structure of the processing container 1 may be non-uniform with respect to the circumferential direction.
  • the temperature of the environment in the processing space 38 will be biased. Due to the environment in the processing container 1 having this temperature bias, the in-plane uniformity of processing on the substrate W may decrease. For example, the temperature bias may cause a difference in the reaction rate of the substrate processing between the high temperature region and the low temperature region.
  • the substrate processing in the substrate processing apparatus has a plurality of steps separated by time.
  • the control unit 9 controls the heater 21 (first region 101 to sixth region 106) and the rotation mechanism 25 in each step.
  • the control of the heater 21 is performed by controlling the temperature distribution of the heater 21 (first region 101 to sixth region 106) via the heater power supply 26.
  • the temperature of the substrate W placed on the 2 is controlled.
  • the rotation mechanism 25 controls at least one of rotation or stop, rotation direction, and rotation speed of the mounting table 2.
  • the control unit 9 controls the heater 21 and the rotation mechanism 25 independently or in synchronization with each other. As a result, the deviation of the gas flow and the deviation of the temperature due to the environment in the processing container 1 are corrected, and the in-plane uniformity of the substrate processing is improved.
  • FIG. 4 is a flowchart showing a first operation example in the substrate processing apparatus.
  • 5A and 5B are plan views illustrating the arrangement and temperature control of each region of the heater 21 in the first operation example.
  • fine dots are attached to the high temperature region and rough dots are attached to the low temperature region.
  • step S101 the control unit 9 performs a preparation step.
  • the control unit 9 opens the gate valve 12.
  • the substrate W is transported into the processing container 1 from the loading / unloading port 11 by a transport device (not shown) and mounted on the mounting table 2.
  • the control unit 9 closes the gate valve 12.
  • the control unit 9 controls the exhaust mechanism 42 to exhaust the inside of the processing container.
  • the control unit 9 controls the elevating mechanism 24 to raise the mounting table 2 from the transport position to the processing position.
  • the control unit 9 may control the heater power supply 26 to generate heat of the heater 21 and preheat the substrate W mounted on the mounting table 2.
  • the control unit 9 performs a film forming process.
  • the processing gas is supplied from the gas supply mechanism 5 to the processing space 38 via the shower head 3. Further, the film forming step has a plurality of steps (S102 to S106) separated by time.
  • step S102 the control unit 9 forms a film with the temperature profile 1 while rotating the mounting table 2.
  • the control unit 9 controls the heater power supply 26 with the temperature distribution in each region of the heater 21 as the temperature profile 1 (Prof.1). Further, the control unit 9 controls the rotation mechanism 25 to rotate the mounting table 2 and the substrate W. Here, for example, it is rotated by 180 ° in a predetermined time.
  • the film formation process is applied to the substrate W by the processing gas supplied to the processing space 38.
  • the predetermined time elapses, the process of the control unit 9 proceeds to step S103.
  • step S103 the control unit 9 stops the rotation of the mounting table 2 and forms a film with the temperature profile 1.
  • the control unit 9 controls the heater power supply 26 with the temperature distribution in each region of the heater 21 as the temperature profile 1 (Prof.1). Further, the control unit 9 controls the rotation mechanism 25 to stop the rotation of the mounting table 2.
  • the film formation process is applied to the substrate W by the processing gas supplied to the processing space 38. Then, when the predetermined time elapses, the process of the control unit 9 proceeds to step S104.
  • the predetermined time in step S103 may be longer than the time required for the rotation of the mounting table 2 in step S102.
  • FIG. 5A shows the arrangement and temperature control of each region of the heater 21 in step S103.
  • the substrate processing apparatus has a temperature bias in which the upper side of the paper surface has a relatively low temperature and the lower side of the paper surface has a relatively high temperature.
  • the control unit 9 controls the heater 21 in the third region 103 and the fourth region 104 to have a high temperature according to the stored table (see FIG. 3), and controls the heater 21 in the fifth region 105 and the sixth region 106. Control to a low temperature. This improves the in-plane uniformity of the temperature of the substrate W mounted on the mounting table 2.
  • step S104 the control unit 9 forms a film with the temperature profile 2 while rotating the mounting table 2.
  • the control unit 9 controls the heater power supply 26 with the temperature distribution in each region of the heater 21 as the temperature profile 2 (Prof.2). Further, the control unit 9 controls the rotation mechanism 25 to rotate the mounting table 2 and the substrate W. Here, for example, it is rotated by 180 ° in a predetermined time.
  • the film formation process is applied to the substrate W by the processing gas supplied to the processing space 38.
  • the predetermined time elapses, the process of the control unit 9 proceeds to step S105.
  • step S105 the control unit 9 stops the rotation of the mounting table 2 and forms a film with the temperature profile 1.
  • the control unit 9 controls the heater power supply 26 with the temperature distribution in each region of the heater 21 as the temperature profile 2 (Prof.2). Further, the control unit 9 controls the rotation mechanism 25 to stop the rotation of the mounting table 2.
  • the film formation process is applied to the substrate W by the processing gas supplied to the processing space 38. Then, when the predetermined time elapses, the process of the control unit 9 proceeds to step S106.
  • the predetermined time in step S105 may be longer than the time required for the rotation of the mounting table 2 in step S106.
  • FIG. 5B shows the arrangement and temperature control of each region of the heater 21 in step S105.
  • the substrate processing apparatus has a temperature bias in which the upper side of the paper surface has a relatively low temperature and the lower side of the paper surface has a relatively high temperature.
  • the control unit 9 controls the heater 21 in the third region 103 and the fourth region 104 to have a low temperature according to the table (see FIG. 3), and heats the heater 21 in the fifth region 105 and the sixth region 106 to a high temperature. To control. This improves the in-plane uniformity of the temperature of the substrate W mounted on the mounting table 2.
  • step S104 by rotating the stationary mounting table 2 again, the unevenness of the film forming amount due to the bias of the gas flow is suppressed, and the in-plane uniformity of the film forming amount of the substrate W is improved. Can be done.
  • step S106 the control unit 9 determines whether or not step S102 has been repeated a predetermined number of times. If the number of repetitions is less than a predetermined number (S106, NO), the process of the control unit 9 repeats steps S102 to S105. When the predetermined number of repetitions is completed (S106 ⁇ YES), the film forming step is terminated and the supply of the processing gas from the gas supply mechanism 5 is stopped. Then, the process of the control unit 9 proceeds to step S107.
  • step S107 the control unit 9 performs a purge step.
  • the control unit 9 controls the exhaust mechanism 42 to exhaust the inside of the processing container.
  • the control unit 9 controls the elevating mechanism 24 to lower the mounting table 2 from the processing position to the transport position.
  • the control unit 9 opens the gate valve 12.
  • the substrate W is transported to the outside of the processing container 1 by a transport device (not shown). When the transport device retracts from the carry-in outlet 11, the control unit 9 closes the gate valve 12.
  • the temperature of the heater 21 can be controlled in the circumferential direction, and the mounting table 2 can be rotated in the circumferential direction. Further, the temperature control of the heater 21 and the rotation control of the mounting table 2 can be independently controlled for each step of the film forming process of the substrate W. In other words, the temperature control of the heater 21 and the rotation control of the mounting table 2 can be switched by using the start of each step as a trigger.
  • the outer peripheral side of the substrate W is more affected by the bias of the gas flow and the bias of the temperature in the circumferential direction than the central side of the substrate W.
  • at least the outer peripheral portion (third region 103 to sixth region 106) of the heater 21 is divided in the circumferential direction, and the temperature can be controlled independently. Thereby, the temperature of the outer peripheral portion of the substrate W mounted on the mounting table 2 can be controlled. Therefore, it is possible to improve the in-plane uniformity of the film forming process applied to the substrate W.
  • the temperature distribution (profile) of the heater 21 is controlled when the substrate W is rotated together with the mounting table 2. By rotating the substrate W, it is possible to correct the bias of the gas flow. Further, by changing the temperature distribution (profile) of the heater 21, even if the substrate W rotates, the temperature distribution of the substrate W can be suitably corrected. In this way, it is possible to correct the bias of the gas flow and the bias of the temperature to improve the in-plane uniformity of the film forming process applied to the substrate W.
  • the mounting table 2 rotates once in one cycle (S102 to S105).
  • the in-plane uniformity of the film forming process in one cycle (S102 to S105) can be improved.
  • the in-plane uniformity is improved by rotating the mounting table 2 once in one cycle, but this is not the case.
  • a plurality of rotations for example, 2 rotations, 3 rotations, etc.
  • the uniformity can be improved even at half rotation or 1/4 rotation.
  • the mounting table 2 may be started from the stopped state.
  • FIG. 6 is a diagram showing another example of the temperature profile table of the heater 21 stored in the control unit 9.
  • the control unit 9 stores a table of temperature profiles showing the temperature distribution for each region of the heater 21. Here, it is shown as a ratio of the amount of power supplied from the heater power supply 26 to each region (first region 101 to sixth region 106).
  • the feeding amount of the third region 103 and the fourth region 104 is set to be high, and the feeding amount of the fifth region 105 and the sixth region 106 is set. It is set low.
  • the feeding amount of the fifth region 105 and the sixth region 106 is set to be high, and the feeding amount of the third region 103 and the fourth region 104 is set to be low.
  • the temperature profile 3 (Prof.3), the feeding amounts in the third region 103 to the sixth region 106 are set to be equal.
  • the feeding amount of the third region 103 and the fourth region 104 is set to be high, and the feeding amount of the fifth region 105 and the sixth region 106 is set to be low.
  • the feeding amount of the fifth region 105 and the sixth region 106 is set to be high, and the feeding amount of the third region 103 and the fourth region 104 is set to be low.
  • the temperature profile 3 (Prof.3), the feeding amounts in the third region 103 to the sixth region 106 are set to be equal.
  • the temperature profiles 1 to 3 and the temperature profiles 4 and 5 are different in the setting of the power supply amount in the first region 101 and the second region 102.
  • FIG. 7 is a flowchart showing a second operation example in the substrate processing apparatus.
  • 8A to 8D are plan views illustrating the arrangement and temperature control of each region of the heater 21 in the second operation example.
  • fine dots are attached to the region where the feeding amount is high (high temperature region), and rough dots are attached to the region where the feeding amount is low (low temperature region).
  • step S201 the control unit 9 performs a preparation step.
  • the preparation step is the same as the preparation step of step S101, and redundant description will be omitted.
  • the control unit 9 performs a film forming process.
  • the processing gas is supplied from the gas supply mechanism 5 to the processing space 38 via the shower head 3. Further, the film forming step has a plurality of steps (S202 to S206) separated by time.
  • step S202 the control unit 9 forms a film with the temperature profile 1 while rotating the mounting table 2.
  • the control unit 9 controls the heater power supply 26 with the temperature distribution in each region of the heater 21 as the temperature profile 1 (Prof.1). Further, the control unit 9 controls the rotation mechanism 25 to rotate the mounting table 2 and the substrate W. Here, for example, it is rotated by 90 ° in a predetermined time.
  • the film formation process is applied to the substrate W by the processing gas supplied to the processing space 38.
  • step S203 the control unit 9 forms a film with the temperature profile 3 while rotating the mounting table 2.
  • the control unit 9 controls the heater power supply 26 with the temperature distribution in each region of the heater 21 as the temperature profile 3 (Prof.3).
  • the control unit 9 controls the rotation mechanism 25 to rotate the mounting table 2 and the substrate W. Here, for example, it is rotated by 90 ° in a predetermined time.
  • the film formation process is applied to the substrate W by the processing gas supplied to the processing space 38.
  • step S204 the control unit 9 forms a film with the temperature profile 2 while rotating the mounting table 2.
  • the control unit 9 controls the heater power supply 26 with the temperature distribution in each region of the heater 21 as the temperature profile 2 (Prof.2). Further, the control unit 9 controls the rotation mechanism 25 to rotate the mounting table 2 and the substrate W. Here, for example, it is rotated by 90 ° in a predetermined time.
  • the film formation process is applied to the substrate W by the processing gas supplied to the processing space 38.
  • step S205 the control unit 9 forms a film with the temperature profile 3 while rotating the mounting table 2.
  • the control unit 9 controls the heater power supply 26 with the temperature distribution in each region of the heater 21 as the temperature profile 3 (Prof.3).
  • the control unit 9 controls the rotation mechanism 25 to rotate the mounting table 2 and the substrate W. Here, for example, it is rotated by 90 ° in a predetermined time.
  • the film formation process is applied to the substrate W by the processing gas supplied to the processing space 38.
  • FIG. 8A shows the arrangement and temperature control of each region of the heater 21 in step S202.
  • FIG. 8B shows the arrangement and temperature control of each region of the heater 21 in step S203.
  • FIG. 8C shows the arrangement and temperature control of each region of the heater 21 in step S204.
  • FIG. 8D shows the arrangement and temperature control of each region of the heater 21 in step S205.
  • the substrate processing apparatus has a temperature bias in which the upper side of the paper surface has a relatively low temperature and the lower side of the paper surface has a relatively high temperature.
  • the control unit 9 controls the heaters 21 in the third region 103 to the sixth region 106 according to the table (see FIG. 6). This improves the in-plane uniformity of the temperature of the substrate W mounted on the mounting table 2.
  • steps S202 to S205 by rotating the mounting table 2, it is possible to suppress the bias of the film formation amount due to the bias of the gas flow and improve the in-plane uniformity of the film formation amount of the substrate W. can.
  • step S206 the control unit 9 determines whether or not step S202 has been repeated a predetermined number of times. If the number of repetitions is less than a predetermined number (S206, NO), the process of the control unit 9 repeats steps S202 to S205. When the predetermined number of repetitions is completed (S206, YES), the film forming process is terminated and the supply of the processing gas from the gas supply mechanism 5 is stopped. Then, the process of the control unit 9 proceeds to step S207.
  • step S207 the control unit 9 performs a purge step.
  • the purging step is the same as the purging step of step S107, and redundant description will be omitted.
  • the temperature distribution (profile) of the heater 21 is controlled for each rotation angle of the mounting table 2 without stopping the rotation of the mounting table 2 and the substrate W.
  • the temperature distribution (profile) of the heater 21 can be suitably corrected. In this way, it is possible to correct the bias of the gas flow and the bias of the temperature to improve the in-plane uniformity of the film forming process applied to the substrate W.
  • the mounting table 2 rotates once in one cycle (S202 to S205).
  • the in-plane uniformity of the film forming process in one cycle (S202 to S205) can be improved.
  • the in-plane uniformity is improved by rotating the mounting table 2 once in one cycle, but this is not the case.
  • a plurality of rotations for example, 2 rotations, 3 rotations, etc.
  • the uniformity can be improved even at half rotation or 1/4 rotation.
  • the mounting table 2 may be started from the stopped state.
  • FIG. 9 is a flowchart showing a third operation example in the substrate processing apparatus.
  • step S301 the control unit 9 performs a preparation step.
  • the preparation step is the same as the preparation step of step S101, and redundant description will be omitted.
  • the control unit 9 performs a film forming process.
  • the processing gas is supplied from the gas supply mechanism 5 to the processing space 38 via the shower head 3. Further, the film forming step has a plurality of steps (S302 to S306) separated by time.
  • step S302 the control unit 9 supplies the precursor gas with the temperature profile 1 while rotating the mounting table 2.
  • the control unit 9 controls the heater power supply 26 with the temperature distribution in each region of the heater 21 as the temperature profile 1 (Prof.1). Further, the control unit 9 controls the rotation mechanism 25 to rotate the mounting table 2 and the substrate W.
  • the precursor gas for example, TiCl4 gas
  • the precursor gas is supplied from the gas supply mechanism 5 to the processing space 38 via the shower head 3. As a result, the precursor is adsorbed on the surface of the substrate W. Then, when the predetermined time elapses, the supply of the precursor gas from the gas supply mechanism 5 is stopped.
  • step S303 the control unit 9 purges with the temperature profile 1 while rotating the mounting table 2.
  • the control unit 9 controls the heater power supply 26 with the temperature distribution in each region of the heater 21 as the temperature profile 1 (Prof.1). Further, the control unit 9 controls the rotation mechanism 25 to rotate the mounting table 2 and the substrate W. Further, the exhaust mechanism 42 exhausts (purges) the unadsorbed precursor gas in the processing space 38.
  • step S304 the control unit 9 supplies the reaction gas with the temperature profile 2 while rotating the mounting table 2.
  • the control unit 9 controls the heater power supply 26 with the temperature distribution in each region of the heater 21 as the temperature profile 2 (Prof.2). Further, the control unit 9 controls the rotation mechanism 25 to rotate the mounting table 2 and the substrate W.
  • the reaction gas for example, NH3 gas
  • the reaction gas is supplied from the gas supply mechanism 5 to the processing space 38 via the shower head 3.
  • the precursor adsorbed on the surface of the substrate W reacts with the reaction gas. Then, when the predetermined time elapses, the supply of the reaction gas from the gas supply mechanism 5 is stopped.
  • step S305 the control unit 9 purges with the temperature profile 2 while rotating the mounting table 2.
  • the control unit 9 controls the heater power supply 26 with the temperature distribution in each region of the heater 21 as the temperature profile 1 (Prof.1). Further, the control unit 9 controls the rotation mechanism 25 to rotate the mounting table 2 and the substrate W. Further, the unreacted reaction gas and reaction by-products in the processing space 38 are exhausted (purged) by the exhaust mechanism 42.
  • step S306 the control unit 9 determines whether or not the steps S302 to S305 have been repeated a predetermined number of times. If the number of repetitions is less than a predetermined number (S306 / NO), the process of the control unit 9 repeats steps S302 to S305. When the predetermined number of repetitions is completed (S306 ⁇ YES), the film forming step is terminated, and the processing of the control unit 9 proceeds to step S307.
  • step S307 the control unit 9 performs a purge step.
  • the purging step is the same as the purging step of step S107, and redundant description will be omitted.
  • the temperature distribution (temperature profile) of the heater 21 is controlled for each rotation angle of the mounting table 2 without stopping the rotation of the mounting table 2 and the substrate W.
  • the temperature distribution of the gas flow By rotating the substrate W, it is possible to correct the bias of the gas flow.
  • the temperature distribution of the substrate W can be suitably corrected. In this way, it is possible to correct the bias of the gas flow and the bias of the temperature to improve the in-plane uniformity of the film forming process applied to the substrate W.
  • the step of stopping the rotation may be included as in the operation example 1.
  • the mounting table 2 rotates once in one cycle (S102 to S105, S202 to S205).
  • the rotation speed of the mounting table 2 is set to be asynchronous with the ALD processing cycle (S302 to S305).
  • the rotation angle of the mounting table 2 can be shifted for each cycle (S302 to S305), the gas flow can be equalized by repeating a predetermined cycle, and the film forming process applied to the substrate W can be performed. In-plane uniformity can be improved.
  • FIG. 10 is a flowchart showing a fourth operation example in the substrate processing apparatus.
  • step S401 the control unit 9 performs a preparation step.
  • the preparation step is the same as the preparation step of step S101, and redundant description will be omitted.
  • the control unit 9 performs a film forming process.
  • the film forming processing gas is supplied from the gas supply mechanism 5 to the processing space 38 via the shower head 3. Further, the film forming step has a plurality of steps (S402, S403) separated by time.
  • step S402 the control unit 9 forms a film with the temperature profile 1 while rotating the mounting table 2.
  • the control unit 9 controls the heater power supply 26 with the temperature distribution in each region of the heater 21 as the temperature profile 1 (Prof.1). Further, the control unit 9 controls the rotation mechanism 25 to rotate the mounting table 2 and the substrate W. Here, for example, it is rotated by 180 ° in a predetermined time.
  • the film formation process is applied to the substrate W by the processing gas supplied to the processing space 38.
  • step S403 the control unit 9 forms a film with the temperature profile 2 while rotating the mounting table 2.
  • the control unit 9 controls the heater power supply 26 with the temperature distribution in each region of the heater 21 as the temperature profile 2 (Prof.2). Further, the control unit 9 controls the rotation mechanism 25 to rotate the mounting table 2 and the substrate W. Here, for example, it is rotated by 180 ° in a predetermined time.
  • the film formation process is applied to the substrate W by the processing gas supplied to the processing space 38.
  • step S404 the control unit 9 determines whether or not step S402 has been repeated a predetermined number of times. If the number of repetitions is less than a predetermined number (S404 / NO), the process of the control unit 9 repeats steps S402 to S403. When the predetermined number of repetitions is completed (S404 ⁇ YES), the film forming process is terminated and the supply of the processing gas from the gas supply mechanism 5 is stopped. Then, the process of the control unit 9 proceeds to step S405.
  • step S405 the control unit 9 purges with the temperature profile 3 while rotating the mounting table 2.
  • the control unit 9 controls the heater power supply 26 with the temperature distribution in each region of the heater 21 as the temperature profile 3 (Prof.3). Further, the control unit 9 controls the rotation mechanism 25 to rotate the mounting table 2 and the substrate W. Further, the gas in the processing space 38 is exhausted (purged) by the exhaust mechanism 42.
  • the control unit 9 performs an etching process.
  • the etching processing gas is supplied from the gas supply mechanism 5 to the processing space 38 via the shower head 3. Further, the etching step has a plurality of steps (S406, S407) separated by time.
  • step S406 the control unit 9 etches with the temperature profile 4 while rotating the mounting table 2.
  • the control unit 9 controls the heater power supply 26 with the temperature distribution in each region of the heater 21 as the temperature profile 4 (Prof.4).
  • the control unit 9 controls the rotation mechanism 25 to rotate the mounting table 2 and the substrate W. Here, for example, it is rotated by 180 ° in a predetermined time.
  • the substrate W is etched by the processing gas supplied to the processing space 38.
  • step S407 the control unit 9 etches with the temperature profile 5 while rotating the mounting table 2.
  • the control unit 9 controls the heater power supply 26 with the temperature distribution in each region of the heater 21 as the temperature profile 5 (Prof.5).
  • the control unit 9 controls the rotation mechanism 25 to rotate the mounting table 2 and the substrate W. Here, for example, it is rotated by 180 ° in a predetermined time.
  • the substrate W is etched by the processing gas supplied to the processing space 38. Then, the supply of the processing gas from the gas supply mechanism 5 is stopped.
  • step S408 the control unit 9 determines whether or not step S407 has been repeated a predetermined number of times from step S402. If the number of repetitions is less than a predetermined number (S408 / NO), the process of the control unit 9 repeats steps S402 to S407. When the predetermined number of repetitions is completed (S408, YES), the film forming step and the etching step are finished, and the processing of the control unit 9 proceeds to step S409.
  • step S409 the control unit 9 performs a purge step.
  • the purging step is the same as the purging step of step S107, and redundant description will be omitted.
  • the temperature distribution (profile) of the heater 21 is controlled for each rotation angle of the mounting table 2 without stopping the rotation of the mounting table 2 and the substrate W.
  • the temperature distribution (profile) of the heater 21 can be suitably corrected. In this way, it is possible to correct the bias of the gas flow and the bias of the temperature to improve the in-plane uniformity of the film forming process applied to the substrate W.
  • the substrate processing apparatus can independently control the temperature control in the circumferential direction of the heater 21 and the rotation of the mounting table 2 in the circumferential direction.
  • the temperature profile at the time of the film forming process and the temperature profile at the time of the etching process can be made different.
  • the temperature profile at the time of the film forming process and the temperature profile at the time of the etching process can be optimized separately.
  • the present invention is not limited to this.
  • the rotation of the mounting table 2 may be stopped and the temperature of the heater 21 may be controlled by a fixed temperature profile.
  • the rotation of the mounting table 2 may be stopped and the temperature of the heater 21 may be controlled by a fixed temperature profile.
  • the mounting table 2 may be repeatedly rotated and stopped.
  • the rotation speed of the mounting table 2 is not particularly limited, but a speed at which the substrate W mounted on the mounting table 2 does not shift when the mounting table 2 is rotated (for example, 1 to 10 RPM) is preferable. .. Further, the rotation direction of the mounting table 2 can be freely selected between clockwise and counterclockwise according to the bias of the gas flow due to the device configuration and the like. Further, the rotation direction may be freely changed at each step in one cycle.
  • FIG. 11 is a flowchart showing the operation of the present embodiment (modification example of the first operation example) in the substrate processing apparatus.
  • 12A to 12D are plan views illustrating the arrangement and temperature control of each region of the heater 21 in this embodiment.
  • FIG. 13 is a diagram showing still another example of the temperature profile table of the heater 21 stored in the control unit 9.
  • fine dots are attached to the region where the feeding amount is high (high temperature region), and rough dots are attached to the region where the feeding amount is low (low temperature region).
  • the temperature profile 1 (Prof.1) to the temperature profile 4 (Prof.4) shown in FIG. 13 are temperature profiles used by the substrate processing apparatus according to the present embodiment.
  • the temperature profile 1 (Prof.1) to the temperature profile 4 (Prof.4) are set so that the ratio of the feeding amount to each region (third region 103 to sixth region 106) on the outer peripheral side is sequentially switched. ..
  • the temperature profile 5 (Prof.5) shown in FIG. 13 is a temperature profile used in Reference Example 1 and Reference Example 2 described later.
  • the ratio of the amount of feed to each region (third region 103 to sixth region 106) on the outer peripheral side is uniformly set.
  • step S501 the control unit 9 performs a preparation step.
  • the preparation step is the same as the preparation step of step S101, and redundant description will be omitted.
  • the control unit 9 performs a film forming process.
  • the film forming processing gas is supplied from the gas supply mechanism 5 to the processing space 38 via the shower head 3. Further, the film forming step has a plurality of steps (S502 to 509) separated by time.
  • step S502 the control unit 9 stops the rotation of the mounting table 2 and forms a film with the temperature profile 1.
  • the control unit 9 controls the heater power supply 26 with the temperature distribution in each region of the heater 21 as the temperature profile 1 (Prof.1). Further, the control unit 9 controls the rotation mechanism 25 to stop the rotation of the mounting table 2.
  • the film formation process is applied to the substrate W by the processing gas supplied to the processing space 38. Then, when the predetermined time elapses, the process of the control unit 9 proceeds to step S503.
  • the predetermined time in step S502 may be longer than the time required for the rotation of the mounting table 2 in step S503 described later.
  • FIG. 12A shows the arrangement and temperature control of each region of the heater 21 in step S502.
  • the control unit 9 controls the heater 21 in the third region 103 and the fourth region 104 to have a high temperature according to the stored table (see FIG. 13), and controls the heater 21 in the fifth region 105 and the sixth region 106. Control to a low temperature.
  • step S503 the control unit 9 forms a film with the temperature profile 1 while rotating the mounting table 2.
  • the control unit 9 controls the heater power supply 26 with the temperature distribution in each region of the heater 21 as the temperature profile 1 (Prof.1). Further, the control unit 9 controls the rotation mechanism 25 to rotate the mounting table 2 and the substrate W. Here, for example, it is rotated by 90 ° in a predetermined time.
  • the film formation process is applied to the substrate W by the processing gas supplied to the processing space 38.
  • the predetermined time elapses, the process of the control unit 9 proceeds to step S504.
  • step S504 the control unit 9 stops the rotation of the mounting table 2 and forms a film with the temperature profile 2.
  • FIG. 12B shows the arrangement and temperature control of each region of the heater 21 in step S504.
  • step S505 the control unit 9 forms a film with the temperature profile 2 while rotating the mounting table 2 by 90 °.
  • step S506 the control unit 9 stops the rotation of the mounting table 2 and forms a film with the temperature profile 3.
  • FIG. 12C shows the arrangement and temperature control of each region of the heater 21 in step S506.
  • step S507 the control unit 9 forms a film with the temperature profile 3 while rotating the mounting table 2 by 90 °.
  • step S508 the control unit 9 stops the rotation of the mounting table 2 and forms a film with the temperature profile 4.
  • FIG. 12D shows the arrangement and temperature control of each region of the heater 21 in step S508.
  • step S509 the control unit 9 forms a film with the temperature profile 4 while rotating the mounting table 2 by 90 °.
  • step S510 the control unit 9 determines whether or not step S502 has been repeated a predetermined number of times from step S502. When the number of repetitions is less than a predetermined number (S510 / NO), the process of the control unit 9 repeats steps S502 to S509. When the predetermined number of repetitions is completed (S510 ⁇ YES), the film forming process is terminated and the supply of the processing gas from the gas supply mechanism 5 is stopped. Then, the process of the control unit 9 proceeds to step S511.
  • step S511 the control unit 9 performs a purge step.
  • the purging step is the same as the purging step of step S107, and redundant description will be omitted.
  • the temperature profile of the heater 21 is uniform in the circumferential direction while supplying the processing gas at a constant flow rate. That is, each region on the outer peripheral side (third region 103 to sixth region).
  • the film was formed to a predetermined film thickness with the ratio of the amount of power supplied to 106) being uniform and the rotation of the mounting table 2 being stopped.
  • the temperature profile of the heater 21 is uniform in the circumferential direction while supplying the processing gas at a constant flow rate. That is, each region on the outer peripheral side (third region 103 to sixth region).
  • the film was formed to a predetermined film thickness with the ratio of the amount of power supplied to 106) being uniform and the rotation of the mounting table 2 as the rotating state.
  • the arrangement of the heater 21 is set to FIG. 12A, and the temperature profile of the heater 21 is the temperature profile 1 (Prof.1), that is, each region on the outer peripheral side (third region 103 to 103).
  • the film was formed to a predetermined film thickness with the ratio of the amount of power supplied to the sixth region 106) different, and the rotation of the mounting table 2 was stopped.
  • the film forming conditions other than the above are common to both the present example and the reference examples 1, 2 and 3, and the silane gas (SiH 4 ) is used as the raw material gas at a predetermined flow rate (100 sccm) and the inert gas (Ar gas) is used.
  • the silicon film was formed by adjusting the pressure to a predetermined temperature (560 ° C.) and a predetermined pressure (9 to 10 Torr).
  • FIG. 14A to 14D are examples of diagrams showing the film thickness distribution in this example and the reference example. 14A to 14D show dense dot hatches as the film thickness increases, and sparse dot hatches as the film thickness decreases.
  • FIG. 14A shows the film thickness distribution in Reference Example 1.
  • FIG. 14B shows the film thickness distribution in Reference Example 2.
  • FIG. 14C shows the film thickness distribution in Reference Example 3.
  • FIG. 14D shows the film thickness distribution in this example.
  • the exhaust direction and the notch direction are common and are as shown by the white arrows shown in FIG. 14A.
  • the initial position of the wafer W is arranged so that the notch of the wafer W is located between the fourth region 104 and the fifth region 105 in FIG. 12A.
  • the temperature uniformity was ensured by controlling the outer peripheral temperature of the heater 21, and the in-plane distribution of the film thickness was 2.80%.
  • the film thickness in the exhaust direction is thick and the film thickness in the direction opposite to the exhaust direction is thin.
  • the gas uniformity is ensured by rotating the mounting table 2, and the temperature uniformity is ensured by controlling the outer peripheral temperature of the heater 21.
  • the in-plane distribution of the film thickness was 1.66%. As described above, it was confirmed that this example can improve the in-plane distribution of the film thickness as compared with the reference examples 1 to 3.
  • the gas is supplied from the gas supply mechanism 5 into the processing space 38.
  • the supply amount of the processing gas has been described as being constant, but the present invention is not limited to this.
  • the supply amount of the processing gas may be controlled for each step so that the in-plane uniformity of the processing of the substrate W is improved. This makes it possible to correct the bias of the gas flow and improve the in-plane uniformity of the treatment applied to the substrate W.
  • the substrate processing apparatus has been described as performing a film forming process on the substrate W, but the present invention is not limited to this, and the substrate processing apparatus may be applied to a substrate processing apparatus that performs other processing.
  • the substrate processing device may be a plasma CVD device, a plasma ALD device, or the like using plasma, or may be a thermal CVD device, a thermal ALD device, or the like.
  • Processing container Mounting table 3
  • Shower head (gas supply unit) 4
  • Exhaust section 5
  • Gas supply mechanism (gas supply section) 9
  • Control unit 21
  • Heater (heating element) 23
  • Support member 24
  • Elevating mechanism 25
  • Rotating mechanism 26

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

基板処理における面内均一性を向上する基板処理方法及び基板処理装置を提供する。　基板を載置する載置台と、前記載置台に設けられる加熱要素と、前記載置台を回転させる回転機構と、を備える基板処理装置の基板処理方法であって、前記載置台に基板を載置する工程と、前記基板に処理を施す工程と、を有し、前記基板に処理を施す工程は、複数のステップを有し、前記複数のステップの各ステップは、前記加熱要素の制御及び前記回転機構の制御を含む、基板処理方法。

Description

基板処理方法及び基板処理装置
　本開示は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。
　処理容器内に処理ガスを供給して、基板に所望の処理（例えば、成膜処理、エッチング処理等）を施す基板処理装置が知られている。
　特許文献１には、基板を載置し、回転可能に設けられた載置台と、前記載置台に設けられ、前記載置台を加熱する複数の加熱部と、前記複数の加熱部に電力を供給する１つの電源と、前記載置台の回転角度に応じて、前記電源から電力が供給される加熱部を前記複数の加熱部のうちのいずれかに切り替える電力切替部と、を有することを特徴とする載置台システムが開示されている。
特開２０１７－２０８３７４号公報
　ところで、基板に処理を施す際、処理容器内の環境によって基板処理における面内均一性が低下するおそれがある。
　一の側面では、本開示は、基板処理における面内均一性を向上する基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
　上記課題を解決するために、一の態様によれば、基板を載置する載置台と、前記載置台に設けられる加熱要素と、前記載置台を回転させる回転機構と、を備える基板処理装置の基板処理方法であって、前記載置台に基板を載置する工程と、前記基板に処理を施す工程と、を有し、前記基板に処理を施す工程は、複数のステップを有し、前記複数のステップの各ステップは、前記加熱要素の制御及び前記回転機構の制御を含む、基板処理方法が提供される。
　一の側面によれば、基板処理における面内均一性を向上する基板処理方法及び基板処理装置を提供することができる。
基板処理装置の構成例を示す概略図の一例。 載置台におけるヒータの配置の一例を説明する平面図。 制御部に記憶されるヒータの温度プロファイルのテーブルの一例を示す図。 基板処理装置における第１動作例を示すフローチャート。 第１動作例におけるヒータの各領域の配置と温度制御を説明する平面図。 第１動作例におけるヒータの各領域の配置と温度制御を説明する平面図。 制御部記憶されるヒータの温度プロファイルのテーブルの他の一例を示す図。 基板処理装置における第２動作例を示すフローチャート。 第２動作例におけるヒータの各領域の配置と温度制御を説明する平面図。 第２動作例におけるヒータの各領域の配置と温度制御を説明する平面図。 第２動作例におけるヒータの各領域の配置と温度制御を説明する平面図。 第２動作例におけるヒータの各領域の配置と温度制御を説明する平面図。 基板処理装置における第３動作例を示すフローチャート。 基板処理装置における第４動作例を示すフローチャート。 基板処理装置における本実施例の動作を示すフローチャート。 本実施例におけるヒータの各領域の配置と温度制御を説明する平面図。 本実施例におけるヒータの各領域の配置と温度制御を説明する平面図。 本実施例におけるヒータの各領域の配置と温度制御を説明する平面図。 本実施例におけるヒータの各領域の配置と温度制御を説明する平面図。 制御部記憶されるヒータの温度プロファイルのテーブルの更に他の一例を示す図。 本実施例及び参考例における膜厚分布を示す図の一例。 本実施例及び参考例における膜厚分布を示す図の一例。 本実施例及び参考例における膜厚分布を示す図の一例。 本実施例及び参考例における膜厚分布を示す図の一例。
　以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
〔基板処理装置〕
　本実施例に係る基板処理装置について、図１を用いて説明する。図１は、基板処理装置の構成例を示す概略図の一例である。
　図１に示されるように、基板処理装置は、処理容器１と、載置台２と、シャワーヘッド３と、排気部４と、ガス供給機構５と、ＲＦ電力供給部８と、制御部９とを有している。
　処理容器１は、アルミニウム等の金属により構成され、略円筒状を有している。処理容器１は、基板Ｗを収容する。処理容器１の側壁には基板Ｗを搬入又は搬出するための搬入出口１１が形成され、搬入出口１１はゲートバルブ１２により開閉される。処理容器１の本体の上には、断面が矩形状をなす円環状の排気ダクト１３が設けられている。排気ダクト１３には、内周面に沿ってスリット１３ａが形成されている。排気ダクト１３の外壁には、排気口１３ｂが形成されている。排気ダクト１３の上面には、絶縁体部材１６を介して処理容器１の上部開口を塞ぐように天壁１４が設けられている。排気ダクト１３と絶縁体部材１６との間はシールリング１５で気密に封止されている。区画部材１７は、載置台２（およびカバー部材２２）が後述する処理位置へと上昇した際、処理容器１の内部を上下に区画する。
　載置台２は、処理容器１内で基板Ｗを水平に支持する。載置台２は、基板Ｗに対応した大きさの円板状に形成されており、支持部材２３に支持されている。載置台２は、ＡｌＮ等のセラミックス材料や、アルミニウムやニッケル合金等の金属材料で形成されており、内部に基板Ｗを加熱するためのヒータ２１が埋め込まれている。ヒータ２１は、ヒータ電源（図示せず）から給電されて発熱する。そして、載置台２の上面の近傍に設けられた熱電対（図示せず）の温度信号によりヒータ２１の出力を制御することで、基板Ｗが所定の温度に制御される。載置台２には、上面の外周領域及び側面を覆うようにアルミナ等のセラミックスにより形成されたカバー部材２２が設けられている。
　載置台２の底面には、載置台２を支持する支持部材２３が設けられている。支持部材２３は、載置台２の底面の中央から処理容器１の底壁に形成された孔部を貫通して処理容器１の下方に延び、その下端が昇降機構２４に接続されている。昇降機構２４により載置台２が支持部材２３を介して、図１で示す処理位置と、その下方の二点鎖線で示す基板Ｗの搬送が可能な搬送位置との間で昇降する。また、処理容器１の底面よりも下方において、支持部材２３には、鍔部２７が設けられている。処理容器１の底面と鍔部２７の間には、処理容器１内の雰囲気を外気と区画し、載置台２の昇降動作にともなって伸縮するベローズ２８が設けられている。
　回転機構２５は、支持部材２３及び載置台２の中心軸を回転軸として、支持部材２３及び載置台２を回転させる。
　ヒータ電源２６は、ヒータ２１に電力を供給する。なお、ヒータ２１とヒータ電源２６とは、例えば、スリップリング（図示せず）を介して接続されている。また、ヒータ２１は、複数の領域（後述する図２参照）に分割されている。ヒータ電源２６は、ヒータ２１の各領域（後述する図２参照）ごとに電力供給を制御する。
　処理容器１の底面の近傍には、昇降板２９ｂから上方に突出するように３本（２本のみ図示）のウエハ支持ピン２９ａが設けられている。ウエハ支持ピン２９ａは、処理容器１の下方に設けられた昇降機構２９により昇降板２９ｂを介して昇降する。ウエハ支持ピン２９ａは、搬送位置にある載置台２に設けられた貫通孔２ａに挿通されて載置台２の上面に対して突没可能となっている。ウエハ支持ピン２９ａを昇降させることにより、搬送機構（図示せず）と載置台２との間で基板Ｗの受け渡しが行われる。
　シャワーヘッド３は、処理容器１内に処理ガスをシャワー状に供給する。シャワーヘッド３は、金属製であり、載置台２に対向するように設けられており、載置台２とほぼ同じ直径を有している。シャワーヘッド３は、処理容器１の天壁１４に固定された本体部３１と、本体部３１の下に接続されたシャワープレート３２とを有している。本体部３１とシャワープレート３２との間にはガス拡散空間３３が形成されており、ガス拡散空間３３には処理容器１の天壁１４及び本体部３１の中央を貫通するようにガス導入孔３６が設けられている。シャワープレート３２の周縁部には下方に突出する環状突起部３４が形成されている。環状突起部３４の内側の平坦面には、ガス吐出孔３５が形成されている。載置台２が処理位置に存在した状態では、載置台２とシャワープレート３２との間に処理空間３８が形成され、カバー部材２２の上面と環状突起部３４とが近接して環状隙間３９が形成される。
　排気部４は、処理容器１の内部を排気する。排気部４は、排気口１３ｂに接続された排気配管４１と、排気配管４１に接続された真空ポンプや圧力制御バルブ等を有する排気機構４２とを有する。処理に際しては、処理容器１内のガスがスリット１３ａを介して排気ダクト１３に至り、排気ダクト１３から排気配管４１を通って排気機構４２により排気される。
　ガス供給機構５は、処理容器１内に処理ガスを供給する。ガス供給機構５は、ガス供給ライン５６を介してガス導入孔３６に接続されている。
　また、基板処理装置は、容量結合プラズマ装置であって、載置台２が下部電極となり、シャワーヘッド３が上部電極となる。下部電極となる載置台２は、コンデンサ（図示せず）を介して接地されている。
　上部電極となるシャワーヘッド３は、ＲＦ電力供給部８によって高周波電力（以下、「ＲＦパワー」ともいう。）が印加される。ＲＦ電力供給部８は、給電ライン８１、整合器８２及び高周波電源８３を有する。高周波電源８３は、高周波電力を発生する電源である。高周波電力は、プラズマの生成に適した周波数を有する。高周波電力の周波数は、例えば４５０ＫＨｚ～１００ＭＨｚの範囲内の周波数である。高周波電源８３は、整合器８２及び給電ライン８１を介してシャワーヘッド３の本体部３１に接続されている。整合器８２は、高周波電源８３の出力リアクタンスと負荷（上部電極）のリアクタンスを整合させるための回路を有する。なお、ＲＦ電力供給部８は、上部電極となるシャワーヘッド３に高周波電力を印加するものとして説明したが、これに限られるものではない。下部電極となる載置台２に高周波電力を印加する構成であってもよい。また、基板処理装置は、高周波電力を印加する構成を備えていなくてもよい。
　制御部９は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、補助記憶装置等を備える。ＣＰＵは、ＲＯＭ又は補助記憶装置に格納されたプログラムに基づいて動作し、基板処理装置の動作を制御する。制御部９は、基板処理装置の内部に設けられていてもよく、外部に設けられていてもよい。制御部９が基板処理装置の外部に設けられている場合、制御部９は、有線又は無線等の通信手段によって、基板処理装置を制御できる。
　次に、載置台２に設けられるヒータ２１の配置について、図２を用いて説明する。図２は、載置台２におけるヒータ２１の配置の一例を説明する平面図である。
　ヒータ２１は、分割された複数の領域を有し、各領域ごとに独立して加熱することができる。図２に示す例において、ヒータ２１は、第１領域１０１～第６領域１０６に分割されている。ヒータ電源２６（図１参照）は、ヒータ２１の各領域（第１領域１０１～第６領域１０６）ごとに個別に電力供給を制御する。第１領域１０１は、載置台２の中心に円状に形成されている。第２領域１０２は、第１領域１０１の径方向外側に円環状に形成されている。第３領域１０３～第６領域１０６は、第２領域１０２の径方向外側に形成されている。また、外周に設けられる第３領域１０３～第６領域１０６は、周方向に分割されている。このような構成により、載置台２に載置された基板Ｗの温度を各領域（第１領域１０１～第６領域１０６）ごとに制御することができる。また、外周に設けられる第３領域１０３～第６領域１０６への電力供給を制御することで、載置台２に載置された基板Ｗの外周部の温度を制御することができる。
　図３は、制御部９に記憶されるヒータ２１の温度プロファイルのテーブルの一例を示す図である。制御部９には、ヒータ２１の各領域ごと温度分布を示す温度プロファイルのテーブルが記憶されている。図３に示す例において、温度プロファイル１（Prof.1）は、第３領域１０３及び第４領域１０４が高温設定となっており、第５領域１０５及び第６領域１０６が低温設定となっている。温度プロファイル２（Prof.2）は、第５領域１０５及び第６領域１０６が高温設定となっており、第３領域１０３及び第４領域１０４が低温設定となっている。制御部９は、温度プロファイルに基づいて、ヒータ電源２６を制御することで、ヒータ２１の複数の領域（第１領域１０１～第６領域１０６）を独立制御する。
　次に、基板処理装置を用いて基板Ｗに成膜処理等の処理を施す際の偏りについて説明する。
　図１に示すように、ガス供給機構５から供給されたガスは、シャワーヘッド３から処理空間３８に供給される。そして、ガスは、処理空間３８から環状隙間３９、スリット１３ａを通り、排気ダクト１３内に流入する。そして、ガスは、排気ダクト１３内から排気配管４１を通り、排気機構４２に排気される。ここで、図２に示すように、排気配管４１は周方向に対して特定の方向に設けられている。このため、処理空間３８におけるガスの流れは、周方向に対して偏りを生じることがある。また、処理空間３８内にガスを供給するシャワーヘッド３の構造により、処理空間３８におけるガスの流れは、周方向に対して偏りを生じることがある。このガスの流れに偏りがある処理容器１内の環境によって、基板Ｗへの処理の面内均一性が低下するおそれがある。例えば、成膜処理において、排気配管４１の方向にガスの流れが多くなる偏りが生じていた場合、基板Ｗの排気配管４１の方向において膜厚が厚くなる。
　また、処理容器１は、周方向に対して非対称な構造を有している。例えば、処理容器１の壁面は、特定の方向にゲートバルブ１２が設けられており、周方向に対して不均一となっている。また、シャワーヘッド３の構造が周方向に対して不均一な構成となることもある。また、シャワーヘッド３の構造が周方向に対して均一であっても、シャワーヘッド３を固定する天壁１４の開閉機構、ガス供給ライン５６、天壁１４を冷却する冷却流路の配置の影響で、処理容器１の構造が周方向に対して不均一になることもある。このため、処理空間３８内の環境に温度に偏りが生じるおそれがある。この温度の偏りがある処理容器1内の環境によって、基板Ｗへの処理の面内均一性が低下するおそれがある。例えば、温度の偏りによって、高温の領域と低温の領域との間で基板処理の反応速度に差が生じるおそれがある。
　本実施形態に係る基板処理装置における基板処理は、時間で区切られた複数のステップを有する。また、制御部９は、各ステップにおいて、ヒータ２１（第１領域１０１～第６領域１０６）及び回転機構２５を制御する。ここで、ヒータ２１（第１領域１０１～第６領域１０６）の制御は、ヒータ電源２６を介してヒータ２１（第１領域１０１～第６領域１０６）の温度分布を制御することで、載置台２に載置された基板Ｗの温度を制御する。また、回転機構２５の制御は、載置台２の回転または停止、回転方向、回転速度のうち少なくとも１つを制御する。また、制御部９は、ヒータ２１及び回転機構２５を独立してまたは同期させて制御する。これにより、処理容器１内の環境によるガスの流れの偏りや温度の偏りを補正して、基板処理の面内均一性を向上させる。
＜第１動作例＞
　本実施形態に係る基板処理装置の動作の一例について、図４及び図５Ｂを用いて説明する。ここでは、基板処理装置は、基板Ｗに成膜処理を施すＣＶＤ装置の場合を例に説明する。図４は、基板処理装置における第１動作例を示すフローチャートである。図５Ａ及び図５Ｂは、第１動作例におけるヒータ２１の各領域の配置と温度制御を説明する平面図である。なお、図５Ａ及び図５Ｂにおいて、高温の領域に細かいドットを付し、低温の領域に荒いドットを付して示す。
　ステップＳ１０１において、制御部９は、準備工程を行う。準備工程では、制御部９は、ゲートバルブ１２を開く。図示しない搬送装置によって、搬入出口１１から処理容器１内に基板Ｗが搬送され、載置台２に載置される。搬送装置が搬入出口１１から退避すると、制御部９は、ゲートバルブ１２を閉じる。次に、制御部９は、排気機構４２を制御して、処理容器内を排気する。次に、制御部９は、昇降機構２４を制御して、載置台２を搬送位置から処理位置まで上昇させる。また、制御部９は、ヒータ電源２６を制御してヒータ２１を発熱させ、載置台２に載置された基板Ｗを予熱してもよい。
　次に、制御部９は、成膜工程を行う。成膜工程では、ガス供給機構５からシャワーヘッド３を介して処理空間３８に処理ガスを供給する。また、成膜工程は、時間で区切られた複数のステップ（Ｓ１０２～Ｓ１０６）を有する。
　ステップＳ１０２において、制御部９は、載置台２を回転させながら、温度プロファイル１で成膜する。このステップでは、制御部９は、ヒータ２１の各領域の温度分布を温度プロファイル１（Prof.1）として、ヒータ電源２６を制御する。また、制御部９は、回転機構２５を制御して、載置台２及び基板Ｗを回転させる。ここでは、例えば、所定時間で１８０°回転させる。処理空間３８に供給された処理ガスによって、基板Ｗに成膜処理が施される。所定時間が経過すると、制御部９の処理はステップＳ１０３に進む。
　ステップＳ１０３において、制御部９は、載置台２の回転を停止して、温度プロファイル１で成膜する。このステップでは、制御部９は、ヒータ２１の各領域の温度分布を温度プロファイル１（Prof.1）として、ヒータ電源２６を制御する。また、制御部９は、回転機構２５を制御して、載置台２の回転を停止させる。処理空間３８に供給された処理ガスによって、基板Ｗに成膜処理が施される。そして、所定時間が経過すると、制御部９の処理はステップＳ１０４に進む。なお、ステップＳ１０３における所定時間は、ステップＳ１０２における載置台２の回転に要する時間よりも長くてよい。
　ここで、図５Ａは、ステップＳ１０３におけるヒータ２１の各領域の配置と温度制御を示す。ここで、基板処理装置は、紙面の上側が相対的に低温となり、紙面の下側が相対的に高温となる温度の偏りが生じているものとする。制御部９は、記憶されたテーブル（図３参照）に従って、第３領域１０３及び第４領域１０４のヒータ２１を高温となるように制御し、第５領域１０５及び第６領域１０６のヒータ２１を低温となるように制御する。これにより、載置台２に載置される基板Ｗの温度の面内均一性を向上させる。
　ステップＳ１０４において、制御部９は、載置台２を回転させながら、温度プロファイル２で成膜する。このステップでは、制御部９は、ヒータ２１の各領域の温度分布を温度プロファイル２（Prof.2）として、ヒータ電源２６を制御する。また、制御部９は、回転機構２５を制御して、載置台２及び基板Ｗを回転させる。ここでは、例えば、所定時間で１８０°回転させる。処理空間３８に供給された処理ガスによって、基板Ｗに成膜処理が施される。所定時間が経過すると、制御部９の処理はステップＳ１０５に進む。
　ステップＳ１０５において、制御部９は、載置台２の回転を停止して、温度プロファイル１で成膜する。このステップでは、制御部９は、ヒータ２１の各領域の温度分布を温度プロファイル２（Prof.2）として、ヒータ電源２６を制御する。また、制御部９は、回転機構２５を制御して、載置台２の回転を停止させる。処理空間３８に供給された処理ガスによって、基板Ｗに成膜処理が施される。そして、所定時間が経過すると、制御部９の処理はステップＳ１０６に進む。なお、ステップＳ１０５における所定時間は、ステップＳ１０６における載置台２の回転に要する時間よりも長くてよい。
　ここで、図５Ｂは、ステップＳ１０５におけるヒータ２１の各領域の配置と温度制御を示す。ここで、前述のように、基板処理装置は、紙面の上側が相対的に低温となり、紙面の下側が相対的に高温となる温度の偏りが生じているものとする。制御部９は、テーブル（図３参照）に従って、第３領域１０３及び第４領域１０４のヒータ２１を低温となるように制御し、第５領域１０５及び第６領域１０６のヒータ２１を高温となるように制御する。これにより、載置台２に載置される基板Ｗの温度の面内均一性を向上させる。
　また、ステップＳ１０４において、停止状態の載置台２を再度回転させることにより、ガスの流れの偏りによる成膜量の偏りを抑制して、基板Ｗの成膜量の面内均一性を向上させることができる。
　ステップＳ１０６において、制御部９は、ステップＳ１０２からステップＳ１０５を所定の繰り返し回数行ったか否かを判定する。所定の繰り返し回数未満の場合（Ｓ１０６・ＮＯ）、制御部９の処理は、ステップＳ１０２からステップＳ１０５を繰り返す。所定の繰り返し回数が終了すると（Ｓ１０６・ＹＥＳ）、成膜工程を終了して、ガス供給機構５からの処理ガスの供給を停止する。そして、制御部９の処理は、ステップＳ１０７に進む。
　ステップＳ１０７において、制御部９は、パージ工程を行う。パージ工程では、制御部９は、排気機構４２を制御して、処理容器内を排気する。その後、制御部９は、昇降機構２４を制御して、載置台２を処理位置から搬送位置まで下降させる。制御部９は、ゲートバルブ１２を開く。図示しない搬送装置によって、処理容器１外に基板Ｗが搬送される。搬送装置が搬入出口１１から退避すると、制御部９は、ゲートバルブ１２を閉じる。
　以上、本実施形態に係る基板処理装置は、ヒータ２１を周方向に温度制御可能であり、また、載置台２を周方向に回転させることができる。また、ヒータ２１の温度制御と載置台２の回転制御とを、基板Ｗの成膜処理のステップごとに独立して制御することができる。換言すれば、各ステップの開始をトリガとして、ヒータ２１の温度制御及び載置台２の回転制御を切り替えることができる。
　また、基板Ｗの外周側は、基板Ｗの中心側と比較して、周方向におけるガスの流れの偏りや温度の偏りの影響が大きくなる。本実施形態に係る基板処理装置は、少なくともヒータ２１の外周部（第３領域１０３～第６領域１０６）が周方向に分割され、独立して温度制御が可能となっている。これにより、載置台２に載置された基板Ｗの外周部の温度を制御することができる。よって、基板Ｗに施される成膜処理の面内均一性を向上させることができる。
　また、基板処理装置の第１動作例によれば、載置台２とともに基板Ｗを回転させた際に、ヒータ２１の温度分布（プロファイル）を制御する。基板Ｗを回転させることにより、ガスの流れの偏りを補正することができる。また、ヒータ２１の温度分布（プロファイル）を変更することにより、基板Ｗが回転しても、基板Ｗの温度分布を好適に補正することができる。このように、ガスの流れの偏り及び温度の偏りを補正して、基板Ｗに施される成膜処理の面内均一性を向上させることができる。
　また、第１動作例では、１サイクル（Ｓ１０２～Ｓ１０５）で載置台２が１回転する。これにより、第１動作例では、１サイクル（Ｓ１０２～Ｓ１０５）における成膜処理の面内均一性を向上させることができる。なお、第１動作例では載置台２が1サイクルで１回転することで面内均一性を向上させることを述べたがこの限りではない。例えば、1サイクルで複数回転（例えば、２回転や３回転など）させてもよいし、ガスの偏り方が線対称であれば半回転や１／４回転でも均一性を向上することができる。また、第１動作例では、載置台２の停止状態から始めてもよい。
＜第２動作例＞
　次に、本実施形態に係る基板処理装置の動作の他の一例について、図６から図８Ｄを用いて説明する。ここでは、基板処理装置は、基板Ｗに成膜処理を施すＣＶＤ装置の場合を例に説明する。
　図６は、制御部９に記憶されるヒータ２１の温度プロファイルのテーブルの他の一例を示す図である。制御部９には、ヒータ２１の各領域ごと温度分布を示す温度プロファイルのテーブルが記憶されている。ここでは、ヒータ電源２６から各領域（第１領域１０１～第６領域１０６）への給電量の比として示されている。
　図６に示す例において、温度プロファイル１（Prof.1）は、第３領域１０３及び第４領域１０４の給電量が高く設定となっており、第５領域１０５及び第６領域１０６の給電量が低く設定となっている。温度プロファイル２（Prof.2）は、第５領域１０５及び第６領域１０６の給電量が高く設定となっており、第３領域１０３及び第４領域１０４の給電量が低く設定となっている。温度プロファイル３（Prof.3）は、第３領域１０３～第６領域１０６の給電量が等しく設定されている。
　温度プロファイル４（Prof.4）は、第３領域１０３及び第４領域１０４の給電量が高く設定となっており、第５領域１０５及び第６領域１０６の給電量が低く設定となっている。温度プロファイル５（Prof.5）は、第５領域１０５及び第６領域１０６の給電量が高く設定となっており、第３領域１０３及び第４領域１０４の給電量が低く設定となっている。温度プロファイル３（Prof.3）は、第３領域１０３～第６領域１０６の給電量が等しく設定されている。また、温度プロファイル１～３と温度プロファイル４，５とは、第１領域１０１及び第２領域１０２の給電量の設定が異なっている。
　図７は、基板処理装置における第２動作例を示すフローチャートである。図８Ａから図８Ｄは、第２動作例におけるヒータ２１の各領域の配置と温度制御を説明する平面図である。なお、図８Ａから図８Ｄにおいて、給電量が高い領域（高温の領域）に細かいドットを付し、給電量の低い領域（低温の領域）に荒いドットを付して示す。
　ステップＳ２０１において、制御部９は、準備工程を行う。準備工程は、ステップＳ１０１の準備工程と同様であり、重複する説明を省略する。
　次に、制御部９は、成膜工程を行う。成膜工程では、ガス供給機構５からシャワーヘッド３を介して処理空間３８に処理ガスを供給する。また、成膜工程は、時間で区切られた複数のステップ（Ｓ２０２～Ｓ２０６）を有する。
　ステップＳ２０２において、制御部９は、載置台２を回転させながら、温度プロファイル１で成膜する。このステップでは、制御部９は、ヒータ２１の各領域の温度分布を温度プロファイル１（Prof.1）として、ヒータ電源２６を制御する。また、制御部９は、回転機構２５を制御して、載置台２及び基板Ｗを回転させる。ここでは、例えば、所定時間で９０°回転させる。処理空間３８に供給された処理ガスによって、基板Ｗに成膜処理が施される。
　ステップＳ２０３において、制御部９は、載置台２を回転させながら、温度プロファイル３で成膜する。このステップでは、制御部９は、ヒータ２１の各領域の温度分布を温度プロファイル３（Prof.3）として、ヒータ電源２６を制御する。また、制御部９は、回転機構２５を制御して、載置台２及び基板Ｗを回転させる。ここでは、例えば、所定時間で９０°回転させる。処理空間３８に供給された処理ガスによって、基板Ｗに成膜処理が施される。
　ステップＳ２０４において、制御部９は、載置台２を回転させながら、温度プロファイル２で成膜する。このステップでは、制御部９は、ヒータ２１の各領域の温度分布を温度プロファイル２（Prof.2）として、ヒータ電源２６を制御する。また、制御部９は、回転機構２５を制御して、載置台２及び基板Ｗを回転させる。ここでは、例えば、所定時間で９０°回転させる。処理空間３８に供給された処理ガスによって、基板Ｗに成膜処理が施される。
　ステップＳ２０５において、制御部９は、載置台２を回転させながら、温度プロファイル３で成膜する。このステップでは、制御部９は、ヒータ２１の各領域の温度分布を温度プロファイル３（Prof.3）として、ヒータ電源２６を制御する。また、制御部９は、回転機構２５を制御して、載置台２及び基板Ｗを回転させる。ここでは、例えば、所定時間で９０°回転させる。処理空間３８に供給された処理ガスによって、基板Ｗに成膜処理が施される。
　ここで、図８Ａは、ステップＳ２０２におけるヒータ２１の各領域の配置と温度制御を示す。図８Ｂは、ステップＳ２０３におけるヒータ２１の各領域の配置と温度制御を示す。図８Ｃは、ステップＳ２０４におけるヒータ２１の各領域の配置と温度制御を示す。図８Ｄは、ステップＳ２０５におけるヒータ２１の各領域の配置と温度制御を示す。ここで、前述のように、基板処理装置は、紙面の上側が相対的に低温となり、紙面の下側が相対的に高温となる温度の偏りが生じているものとする。制御部９は、テーブル（図６参照）に従って、第３領域１０３～第６領域１０６のヒータ２１を制御する。これにより、載置台２に載置される基板Ｗの温度の面内均一性を向上させる。
　また、ステップＳ２０２からステップＳ２０５において、載置台２を回転させることにより、ガスの流れの偏りによる成膜量の偏りを抑制して、基板Ｗの成膜量の面内均一性を向上させることができる。
　ステップＳ２０６において、制御部９は、ステップＳ２０２からステップＳ２０５を所定の繰り返し回数行ったか否かを判定する。所定の繰り返し回数未満の場合（Ｓ２０６・ＮＯ）、制御部９の処理は、ステップＳ２０２からステップＳ２０５を繰り返す。所定の繰り返し回数が終了すると（Ｓ２０６・ＹＥＳ）、成膜工程を終了して、ガス供給機構５からの処理ガスの供給を停止する。そして、制御部９の処理は、ステップＳ２０７に進む。
　ステップＳ２０７において、制御部９は、パージ工程を行う。パージ工程は、ステップＳ１０７のパージ工程と同様であり、重複する説明を省略する。
　以上、基板処理装置の第２動作例によれば、載置台２及び基板Ｗの回転を止めずに、載置台２の回転角度ごとにヒータ２１の温度分布（プロファイル）を制御する。基板Ｗを回転させることにより、ガスの流れの偏りを補正することができる。また、ヒータ２１の温度分布（プロファイル）を変更することにより、基板Ｗが回転しても、基板Ｗの温度分布を好適に補正することができる。このように、ガスの流れの偏り及び温度の偏りを補正して、基板Ｗに施される成膜処理の面内均一性を向上させることができる。
　また、第２動作例では、１サイクル（Ｓ２０２～Ｓ２０５）で載置台２が１回転する。これにより、第２動作例では、１サイクル（Ｓ２０２～Ｓ２０５）における成膜処理の面内均一性を向上させることができる。なお、第２動作例では載置台２が1サイクルで１回転することで面内均一性を向上させることを述べたがこの限りではない。例えば、1サイクルで複数回転（例えば、２回転や３回転など）させてもよいし、ガスの偏り方が線対称であれば半回転や１／４回転でも均一性を向上することができる。また、第２動作例では、載置台２の停止状態から始めてもよい。
＜第３動作例＞
　次に、本実施形態に係る基板処理装置の動作の他の一例について、図９を用いて説明する。ここでは、基板処理装置は、基板Ｗに成膜処理を施すＡＬＤ装置の場合を例に説明する。図９は、基板処理装置における第３動作例を示すフローチャートである。
　ステップＳ３０１において、制御部９は、準備工程を行う。準備工程は、ステップＳ１０１の準備工程と同様であり、重複する説明を省略する。
　次に、制御部９は、成膜工程を行う。成膜工程では、ガス供給機構５からシャワーヘッド３を介して処理空間３８に処理ガスを供給する。また、成膜工程は、時間で区切られた複数のステップ（Ｓ３０２～Ｓ３０６）を有する。
　ステップＳ３０２において、制御部９は、載置台２を回転させながら、温度プロファイル１でプリカーサガスを供給する。このステップでは、制御部９は、ヒータ２１の各領域の温度分布を温度プロファイル１（Prof.1）として、ヒータ電源２６を制御する。また、制御部９は、回転機構２５を制御して、載置台２及び基板Ｗを回転させる。また、ガス供給機構５からシャワーヘッド３を介して処理空間３８にプリカーサガス（例えば、ＴｉＣｌ４ガス）を供給する。これにより、基板Ｗの表面にプリカーサが吸着される。そして、所定時間が経過すると、ガス供給機構５からのプリカーサガスの供給を停止する。
　ステップＳ３０３において、制御部９は、載置台２を回転させながら、温度プロファイル１でパージする。このステップでは、制御部９は、ヒータ２１の各領域の温度分布を温度プロファイル１（Prof.1）として、ヒータ電源２６を制御する。また、制御部９は、回転機構２５を制御して、載置台２及び基板Ｗを回転させる。また、排気機構４２によって処理空間３８内の未吸着のプリカーサガスが排気（パージ）される。
　ステップＳ３０４において、制御部９は、載置台２を回転させながら、温度プロファイル２で反応ガスを供給する。このステップでは、制御部９は、ヒータ２１の各領域の温度分布を温度プロファイル２（Prof.2）として、ヒータ電源２６を制御する。また、制御部９は、回転機構２５を制御して、載置台２及び基板Ｗを回転させる。また、ガス供給機構５からシャワーヘッド３を介して処理空間３８に反応ガス（例えば、ＮＨ３ガス）を供給する。これにより、基板Ｗの表面に吸着されたプリカーサと反応ガスが反応する。そして、所定時間が経過すると、ガス供給機構５からの反応ガスの供給を停止する。
　ステップＳ３０５において、制御部９は、載置台２を回転させながら、温度プロファイル２でパージする。このステップでは、制御部９は、ヒータ２１の各領域の温度分布を温度プロファイル１（Prof.1）として、ヒータ電源２６を制御する。また、制御部９は、回転機構２５を制御して、載置台２及び基板Ｗを回転させる。また、排気機構４２によって処理空間３８内の未反応の反応ガス及び反応副生成物が排気（パージ）される。
　ステップＳ３０６において、制御部９は、ステップＳ３０２からステップＳ３０５を所定の繰り返し回数行ったか否かを判定する。所定の繰り返し回数未満の場合（Ｓ３０６・ＮＯ）、制御部９の処理は、ステップＳ３０２からステップＳ３０５を繰り返す。所定の繰り返し回数が終了すると（Ｓ３０６・ＹＥＳ）、成膜工程を終了して、制御部９の処理は、ステップＳ３０７に進む。
　ステップＳ３０７において、制御部９は、パージ工程を行う。パージ工程は、ステップＳ１０７のパージ工程と同様であり、重複する説明を省略する。
　以上、基板処理装置の第３動作例によれば、載置台２及び基板Ｗの回転を止めずに、載置台２の回転角度ごとにヒータ２１の温度分布（温度プロファイル）を制御する。基板Ｗを回転させることにより、ガスの流れの偏りを補正することができる。また、ヒータ２１の温度分布（温度プロファイル）を変更することにより、基板Ｗが回転しても、基板Ｗの温度分布を好適に補正することができる。このように、ガスの流れの偏り及び温度の偏りを補正して、基板Ｗに施される成膜処理の面内均一性を向上させることができる。なお、ガスの流れの偏り及び温度の偏りを補正するため動作例１と同様に回転を停止させるステップ含めてもよい。
　なお、前述の第１動作例及び第２動作例では、１サイクル（Ｓ１０２～Ｓ１０５、Ｓ２０２～Ｓ２０５）で載置台２が１回転する。一方、第３動作例では、載置台２の回転速度は、ＡＬＤ処理のサイクル（Ｓ３０２～Ｓ３０５）と非同期となるように設定される。これにより、１サイクル（Ｓ３０２～Ｓ３０５）ごとに載置台２の回転角度をずらすことができ、所定サイクル繰り返すことでガスの流れを均等化させることができ、基板Ｗに施される成膜処理の面内均一性を向上させることができる。
＜第４動作例＞
　次に、本実施形態に係る基板処理装置の動作の他の一例について、図１０を用いて説明する。ここでは、基板処理装置は、基板Ｗに成膜処理及びエッチング処理を施す基板処理装置の場合を例に説明する。図１０は、基板処理装置における第４動作例を示すフローチャートである。
　ステップＳ４０１において、制御部９は、準備工程を行う。準備工程は、ステップＳ１０１の準備工程と同様であり、重複する説明を省略する。
　次に、制御部９は、成膜工程を行う。成膜工程では、ガス供給機構５からシャワーヘッド３を介して処理空間３８に成膜の処理ガスを供給する。また、成膜工程は、時間で区切られた複数のステップ（Ｓ４０２，Ｓ４０３）を有する。
　ステップＳ４０２において、制御部９は、載置台２を回転させながら、温度プロファイル１で成膜する。このステップでは、制御部９は、ヒータ２１の各領域の温度分布を温度プロファイル１（Prof.1）として、ヒータ電源２６を制御する。また、制御部９は、回転機構２５を制御して、載置台２及び基板Ｗを回転させる。ここでは、例えば、所定時間で１８０°回転させる。処理空間３８に供給された処理ガスによって、基板Ｗに成膜処理が施される。
　ステップＳ４０３において、制御部９は、載置台２を回転させながら、温度プロファイル２で成膜する。このステップでは、制御部９は、ヒータ２１の各領域の温度分布を温度プロファイル２（Prof.2）として、ヒータ電源２６を制御する。また、制御部９は、回転機構２５を制御して、載置台２及び基板Ｗを回転させる。ここでは、例えば、所定時間で１８０°回転させる。処理空間３８に供給された処理ガスによって、基板Ｗに成膜処理が施される。
　ステップＳ４０４において、制御部９は、ステップＳ４０２からステップＳ４０３を所定の繰り返し回数行ったか否かを判定する。所定の繰り返し回数未満の場合（Ｓ４０４・ＮＯ）、制御部９の処理は、ステップＳ４０２からステップＳ４０３を繰り返す。所定の繰り返し回数が終了すると（Ｓ４０４・ＹＥＳ）、成膜工程を終了して、ガス供給機構５からの処理ガスの供給を停止する。そして、制御部９の処理は、ステップＳ４０５に進む。
　ステップＳ４０５において、制御部９は、載置台２を回転させながら、温度プロファイル３でパージする。このステップでは、制御部９は、ヒータ２１の各領域の温度分布を温度プロファイル３（Prof.3）として、ヒータ電源２６を制御する。また、制御部９は、回転機構２５を制御して、載置台２及び基板Ｗを回転させる。また、排気機構４２によって処理空間３８内のガスが排気（パージ）される。
　次に、制御部９は、エッチング工程を行う。エッチング工程では、ガス供給機構５からシャワーヘッド３を介して処理空間３８にエッチングの処理ガスを供給する。また、エッチング工程は、時間で区切られた複数のステップ（Ｓ４０６，Ｓ４０７）を有する。
　ステップＳ４０６において、制御部９は、載置台２を回転させながら、温度プロファイル４でエッチングする。このステップでは、制御部９は、ヒータ２１の各領域の温度分布を温度プロファイル４（Prof.4）として、ヒータ電源２６を制御する。また、制御部９は、回転機構２５を制御して、載置台２及び基板Ｗを回転させる。ここでは、例えば、所定時間で１８０°回転させる。処理空間３８に供給された処理ガスによって、基板Ｗにエッチング処理が施される。
　ステップＳ４０７において、制御部９は、載置台２を回転させながら、温度プロファイル５でエッチングする。このステップでは、制御部９は、ヒータ２１の各領域の温度分布を温度プロファイル５（Prof.5）として、ヒータ電源２６を制御する。また、制御部９は、回転機構２５を制御して、載置台２及び基板Ｗを回転させる。ここでは、例えば、所定時間で１８０°回転させる。処理空間３８に供給された処理ガスによって、基板Ｗにエッチング処理が施される。そして、ガス供給機構５からの処理ガスの供給を停止する。
　ステップＳ４０８において、制御部９は、ステップＳ４０２からステップＳ４０７を所定の繰り返し回数行ったか否かを判定する。所定の繰り返し回数未満の場合（Ｓ４０８・ＮＯ）、制御部９の処理は、ステップＳ４０２からステップＳ４０７を繰り返す。所定の繰り返し回数が終了すると（Ｓ４０８・ＹＥＳ）、成膜工程およびエッチング工程を終了して、制御部９の処理は、ステップＳ４０９に進む。
　ステップＳ４０９において、制御部９は、パージ工程を行う。パージ工程は、ステップＳ１０７のパージ工程と同様であり、重複する説明を省略する。
　以上、基板処理装置の第４動作例によれば、載置台２及び基板Ｗの回転を止めずに、載置台２の回転角度ごとにヒータ２１の温度分布（プロファイル）を制御する。基板Ｗを回転させることにより、ガスの流れの偏りを補正することができる。また、ヒータ２１の温度分布（プロファイル）を変更することにより、基板Ｗが回転しても、基板Ｗの温度分布を好適に補正することができる。このように、ガスの流れの偏り及び温度の偏りを補正して、基板Ｗに施される成膜処理の面内均一性を向上させることができる。
　また、本実施形態に係る基板処理装置は、ヒータ２１の周方向の温度制御可能と、載置台２の周方向の回転を独立して制御することができる。これにより、成膜処理時の温度プロファイルと、エッチング処理時の温度プロファイルとを、異ならせることができる。これにより、成膜処理時の温度プロファイルと、エッチング処理時の温度プロファイルとを、別々に最適化することができる。
　なお、成膜処理時及びエッチング処理時において、載置台２を回転させるものとして説明したが、これに限られるものではない。例えば、エッチング処理時において、載置台２の回転を止め、固定の温度プロファイルでヒータ２１を温度制御してもよい。また、成膜処理時において、載置台２の回転を止め、固定の温度プロファイルでヒータ２１を温度制御してもよい。また、第１動作例のように、載置台２の回転と停止を繰り返す構成であってもよい。
　また、載置台２の回転速度については特に制限はないが、載置台２を回転させた際に載置台２に載置された基板Ｗにズレが生じない速度（例えば、１～１０ＲＰＭ）が好ましい。また、載置台２の回転方向については、装置構成によるガスの流れの偏り等に応じて時計回り、反時計回りを自由に選択できる。また、1サイクル中の各ステップで回転方向を自由に変更してもよい。
＜実験結果＞
　次に、本実施例の処理の面内均一性について、参考例１～３と対比しつつ説明する。
　まず、本実施例の処理の一例について、図１１から図１３を用いて説明する。ここでは、基板処理装置は、基板Ｗに成膜処理を施すＣＶＤ装置の場合を例に説明する。図１１は、基板処理装置における本実施例の動作（第１動作例の変形例）を示すフローチャートである。図１２Ａから図１２Ｄは、本実施例におけるヒータ２１の各領域の配置と温度制御を説明する平面図である。図１３は、制御部９に記憶されるヒータ２１の温度プロファイルのテーブルの更に他の一例を示す図である。なお、図１２Ａから図１２Ｄにおいて、給電量が高い領域（高温の領域）に細かいドットを付し、給電量の低い領域（低温の領域）に荒いドットを付して示す。
　図１３示す温度プロファイル１（Prof.1）から温度プロファイル４（Prof.4）は、本実施形態に係る基板処理装置が用いる温度プロファイルである。温度プロファイル１（Prof.1）から温度プロファイル４（Prof.4）は、外周側の各領域（第３領域１０３～第６領域１０６）への給電量の比が順次入れ替わるように設定されている。
　また、図１３示す温度プロファイル５（Prof.5）は、後述する参考例１及び参考例２において用いる温度プロファイルである。温度プロファイル５（Prof.5）は、外周側の各領域（第３領域１０３～第６領域１０６）への給電量の比が均一に設定されている。
　ステップＳ５０１において、制御部９は、準備工程を行う。準備工程は、ステップＳ１０１の準備工程と同様であり、重複する説明を省略する。
　次に、制御部９は、成膜工程を行う。成膜工程では、ガス供給機構５からシャワーヘッド３を介して処理空間３８に成膜の処理ガスを供給する。また、成膜工程は、時間で区切られた複数のステップ（Ｓ５０２～５０９）を有する。
　ステップＳ５０２において、制御部９は、載置台２の回転を停止して、温度プロファイル１で成膜する。このステップでは、制御部９は、ヒータ２１の各領域の温度分布を温度プロファイル１（Prof.1）として、ヒータ電源２６を制御する。また、制御部９は、回転機構２５を制御して、載置台２の回転を停止させる。処理空間３８に供給された処理ガスによって、基板Ｗに成膜処理が施される。そして、所定時間が経過すると、制御部９の処理はステップＳ５０３に進む。なお、ステップＳ５０２における所定時間は、後述するステップＳ５０３における載置台２の回転に要する時間よりも長くてよい。
　ここで、図１２Ａは、ステップＳ５０２におけるヒータ２１の各領域の配置と温度制御を示す。制御部９は、記憶されたテーブル（図１３参照）に従って、第３領域１０３及び第４領域１０４のヒータ２１を高温となるように制御し、第５領域１０５及び第６領域１０６のヒータ２１を低温となるように制御する。
　ステップＳ５０３において、制御部９は、載置台２を回転させながら、温度プロファイル１で成膜する。このステップでは、制御部９は、ヒータ２１の各領域の温度分布を温度プロファイル１（Prof.1）として、ヒータ電源２６を制御する。また、制御部９は、回転機構２５を制御して、載置台２及び基板Ｗを回転させる。ここでは、例えば、所定時間で９０°回転させる。処理空間３８に供給された処理ガスによって、基板Ｗに成膜処理が施される。所定時間が経過すると、制御部９の処理はステップＳ５０４に進む。
　ステップＳ５０４において、制御部９は、載置台２の回転を停止して、温度プロファイル２で成膜する。図１２Ｂは、ステップＳ５０４におけるヒータ２１の各領域の配置と温度制御を示す。ステップＳ５０５において、制御部９は、載置台２を９０°回転させながら、温度プロファイル２で成膜する。
　ステップＳ５０６において、制御部９は、載置台２の回転を停止して、温度プロファイル３で成膜する。図１２Ｃは、ステップＳ５０６におけるヒータ２１の各領域の配置と温度制御を示す。ステップＳ５０７において、制御部９は、載置台２を９０°回転させながら、温度プロファイル３で成膜する。
　ステップＳ５０８において、制御部９は、載置台２の回転を停止して、温度プロファイル４で成膜する。図１２Ｄは、ステップＳ５０８におけるヒータ２１の各領域の配置と温度制御を示す。ステップＳ５０９において、制御部９は、載置台２を９０°回転させながら、温度プロファイル４で成膜する。
　ステップＳ５１０において、制御部９は、ステップＳ５０２からステップＳ５０９を所定の繰り返し回数行ったか否かを判定する。所定の繰り返し回数未満の場合（Ｓ５１０・ＮＯ）、制御部９の処理は、ステップＳ５０２からステップＳ５０９を繰り返す。所定の繰り返し回数が終了すると（Ｓ５１０・ＹＥＳ）、成膜工程を終了して、ガス供給機構５からの処理ガスの供給を停止する。そして、制御部９の処理は、ステップＳ５１１に進む。
　ステップＳ５１１において、制御部９は、パージ工程を行う。パージ工程は、ステップＳ１０７のパージ工程と同様であり、重複する説明を省略する。
　即ち、本実施例では、処理ガスを一定流量で供給しながら、ヒータ２１の温度プロファイルを変更しつつ、載置台２の回転停止と１／４回転とを交互に繰り返して、所定の膜厚まで成膜した。
　次に、参考例１から参考例３について説明する。
　参考例１では、処理ガスを一定流量で供給しながら、ヒータ２１の温度プロファイルを周方向に均一の温度プロファイル５（Prof.5）即ち、外周側の各領域（第３領域１０３～第６領域１０６）への給電量の比が均一、載置台２の回転を停止状態として、所定の膜厚まで成膜した。
　参考例２では、処理ガスを一定流量で供給しながら、ヒータ２１の温度プロファイルを周方向に均一の温度プロファイル５（Prof.5）即ち、外周側の各領域（第３領域１０３～第６領域１０６）への給電量の比が均一、載置台２の回転を回転状態として、所定の膜厚まで成膜した。
　参考例３では、処理ガスを一定流量で供給しながら、ヒータ２１の配置を図１２Ａとしヒータ２１の温度プロファイルを温度プロファイル１（Prof.1）即ち、外周側の各領域（第３領域１０３～第６領域１０６）への給電量の比が各々異なるもの、載置台２の回転を停止状態として、所定の膜厚まで成膜した。
　なお、上述以外の他の成膜条件は、本実施例、参考例１，２及び３ともに共通で、原料ガスとしてシランガス（ＳｉＨ４）を所定の流量（１００ｓｃｃｍ）を不活性ガス（Ａｒガス）と共に供給し、所定の温度（５６０℃）、及び所定の圧力（９～１０Ｔｏｒｒ）に調圧してシリコン膜の成膜を行った。
　図１４Ａから図１４Ｄは、本実施例及び参考例における膜厚分布を示す図の一例である。図１４Ａから図１４Ｄにおいて、膜厚が厚くなるほど密なドットのハッチを付し、膜厚が薄くなるほど疎なドットのハッチを付して示す。図１４Ａは参考例１における膜厚分布を示す。図１４Ｂは参考例２における膜厚分布を示す。図１４Ｃは参考例３における膜厚分布を示す。図１４Ｄは本実施例における膜厚分布を示す。また、排気方向及びノッチ方向は共通で図１４Ａの示した白抜き矢印の通りである。なお、ウエハＷの初期位置は、図１２Ａにおいて第４領域１０４と第５領域１０５との間にウエハＷのノッチが位置するように配置されている。
　図１４Ａに示す参考例１においては、ガスの不均一性及び温度の不均一性に起因して、膜厚の面内分布は３．７６％となった。
　図１４Ｂに示す参考例２においては、載置台２を回転させることによりガスの均一性は確保され、膜厚の面内分布は２．４９％となった。しかしながら、温度の不均一性に起因して、左側の膜厚が厚く、右側の膜厚が薄くなっている。
　図１４Ｃに示す参考例３においては、ヒータ２１の外周温度を制御することにより温度の均一性が確保され、膜厚の面内分布は２．８０％となった。しかしながら、ガスの流れが排気方向に偏ることにより、排気方向の膜厚が厚く、排気方向の反対方向の膜厚が薄くなっている。
　これに対し、図１４Ｄに示す本実施例においては、載置台２を回転させることによりガスの均一性は確保され、かつ、ヒータ２１の外周温度を制御することにより温度の均一性が確保され、膜厚の面内分布は１．６６％となった。このように、本実施例は、参考例１～３と比較して、膜厚の面内分布を改善することができることが確認できた。
　以上、基板処理装置による基板処理方法について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。
　複数のステップを有して基板Ｗに処理を施す工程（Ｓ１０２～Ｓ１０５，Ｓ２０２～Ｓ２０５，Ｓ４０２～Ｓ４０３，Ｓ４０６～Ｓ４０７、Ｓ５０２～Ｓ５０９）において、ガス供給機構５から処理空間３８内に供給される処理ガスの供給量は、一定であるものとして説明したが、これに限られない。基板Ｗの処理の面内均一性が向上するように、ステップごとに処理ガスの供給量を制御してもよい。これにより、ガスの流れの偏りを補正して、基板Ｗに施される処理の面内均一性を向上させることができる。
　基板処理装置は、基板Ｗに成膜処理を施すものとして説明したが、これに限られるものではなく、その他の処理を行う基板処理装置に適用してもよい。また、基板処理装置は、プラズマを用いるプラズマＣＶＤ装置、プラズマＡＬＤ装置等であってもよく、熱ＣＶＤ装置、熱ＡＬＤ装置等であってもよい。
　尚、本願は、２０２０年１０月１９日に出願した日本国特許出願２０２０－１７５４５３号に基づく優先権を主張するものであり、これらの日本国特許出願の全内容を本願に参照により援用する。
１　　　　　処理容器
２　　　　　載置台
３　　　　　シャワーヘッド（ガス供給部）
４　　　　　排気部
５　　　　　ガス供給機構（ガス供給部）
９　　　　　制御部
２１　　　　ヒータ（加熱要素）
２３　　　　支持部材
２４　　　　昇降機構
２５　　　　回転機構
２６　　　　ヒータ電源（加熱要素）
Ｗ　　　　　基板

Claims (11)

  1. 　基板を載置する載置台と、
    　前記載置台に設けられる加熱要素と、
    　前記載置台を回転させる回転機構と、を備える基板処理装置の基板処理方法であって、
    　前記載置台に基板を載置する工程と、
    　前記基板に処理を施す工程と、を有し、
    　前記基板に処理を施す工程は、複数のステップを有し、
    　前記複数のステップの各ステップは、前記加熱要素の制御及び前記回転機構の制御を含む、基板処理方法。
  2. 　前記加熱要素は、前記載置台の周方向に分割され温度制御可能な複数の領域を有し、
    　前記加熱要素の制御は、前記領域の温度を制御して、前記基板の外周部の温度を制御する、
    請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 　前記加熱要素の制御は、予め設定されたテーブルに基づいて制御される、
    請求項２に記載の基板処理方法。
  4. 　前記予め設定されたテーブルは、複数の温度プロファイルを有し、
    　前記加熱要素の制御は、前記複数の温度プロファイルに基づいて、前記複数の領域を独立制御することを含む、
    請求項３に記載の基板処理方法。
  5. 　前記基板に処理を施す工程は、
    　前記載置台を回転させながら、第１の温度プロファイルに基づいて前記加熱要素を制御し、前記基板に処理を施す第１のステップと、
    　前記載置台を回転させながら、前記第１の温度プロファイルとは異なる第２の温度プロファイルに基づいて前記加熱要素を制御し、前記基板に処理を施す第２のステップと、を含む、
    請求項４に記載の基板処理方法。
  6. 　前記基板に処理を施す工程は、
    　前記載置台の回転を停止して、前記基板に処理を施すステップを更に含む、
    請求項５に記載の基板処理方法。
  7. 　前記基板に処理を施す工程は、
    　前記第１のステップ及び前記第２のステップを複数回繰り返すことを含む、
    請求項５または請求項６に記載の基板処理方法。
  8. 　前記基板に処理を施す工程は、成膜工程を含み、
    　前記成膜工程は、
    　前記載置台を回転させながら、前記第１の温度プロファイルに基づいて前記加熱要素を制御し、前記基板の処理空間に原料ガスを供給するステップと、
    　前記載置台を回転させながら、前記第１の温度プロファイルに基づいて前記加熱要素を制御し、前記処理空間内をパージするステップと、
    　前記載置台を回転させながら、前記第２の温度プロファイルに基づいて前記加熱要素を制御し、前記処理空間に反応ガスを供給するステップと、
    　前記載置台を回転させながら、前記第２の温度プロファイルに基づいて前記加熱要素を制御し、前記処理空間内をパージするステップと、を含む、
    請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  9. 　前記基板に処理を施す工程は、エッチング工程を更に含み、
    　前記エッチング工程は、
    　前記載置台を回転させながら、前記第１の温度プロファイル及び前記第２の温度プロファイルとは異なる第３の温度プロファイルに基づいて前記加熱要素を制御し、前記基板に処理を施すステップを含む、
    請求項５乃至請求項８のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  10. 　前記回転機構の制御は、前記載置台の回転または停止、回転方向、回転速度の少なくとも１つの制御を含む、
    請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  11. 　基板を載置する載置台と、
    　前記載置台に設けられる加熱要素と、
    　前記載置台を回転させる回転機構と、
    　制御部とを備え、
    　前記制御部による処理は、
    　前記載置台に基板を載置する工程と、
    　前記基板に処理を施す工程と、を有し、
    　前記基板に処理を施す工程は、複数のステップを有し、
    　前記複数のステップの各ステップは、前記加熱要素の制御及び前記回転機構の制御を含む、
    基板処理装置。
PCT/JP2021/037297 2020-10-19 2021-10-08 基板処理方法及び基板処理装置 WO2022085484A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US18/032,544 US20230392261A1 (en) 2020-10-19 2021-10-08 Substrate treatment method and substrate treatment device
KR1020237015650A KR20230085166A (ko) 2020-10-19 2021-10-08 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020175453A JP2022066871A (ja) 2020-10-19 2020-10-19 基板処理方法及び基板処理装置
JP2020-175453 2020-10-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022085484A1 true WO2022085484A1 (ja) 2022-04-28

Family

ID=81290417

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/037297 WO2022085484A1 (ja) 2020-10-19 2021-10-08 基板処理方法及び基板処理装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230392261A1 (ja)
JP (1) JP2022066871A (ja)
KR (1) KR20230085166A (ja)
WO (1) WO2022085484A1 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001274146A (ja) * 2000-01-18 2001-10-05 Applied Materials Inc ヒータ温度均一化装置
EP2498277A1 (en) * 2009-11-02 2012-09-12 Ligadp Co., Ltd Chemical vapor deposition device and temperature control method of chemical vapor deposition device
JP2017208374A (ja) * 2016-05-16 2017-11-24 東京エレクトロン株式会社 載置台システム、基板処理装置及び温度制御方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001274146A (ja) * 2000-01-18 2001-10-05 Applied Materials Inc ヒータ温度均一化装置
EP2498277A1 (en) * 2009-11-02 2012-09-12 Ligadp Co., Ltd Chemical vapor deposition device and temperature control method of chemical vapor deposition device
JP2017208374A (ja) * 2016-05-16 2017-11-24 東京エレクトロン株式会社 載置台システム、基板処理装置及び温度制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20230392261A1 (en) 2023-12-07
JP2022066871A (ja) 2022-05-02
KR20230085166A (ko) 2023-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101698376B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
TWI654712B (zh) 用於具有多區加熱之基材支撐件的方法及設備
US9508546B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device
US8166914B2 (en) Plasma processing apparatus of batch type
US9062376B1 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer readable recording medium
JP6095172B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置
KR20130033336A (ko) 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치
JP2018024927A (ja) 成膜装置、およびそれに用いるガス吐出部材
JP5202839B2 (ja) 成膜装置および成膜方法
TW201442114A (zh) 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法以及氣體供給排氣方法
US20060175304A1 (en) Method of forming layers on substrates using microwave energy and apparatus for performing the same
TWI722978B (zh) 用於原子層沉積之加熱燈
WO2022085484A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
US20230073084A1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and non-transitory computer-readable recording medium
WO2021070682A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
WO2020241461A1 (ja) ステージ構造体、基板処理装置及びステージ構造体の制御方法
WO2014148490A1 (ja) 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法
JP2009010144A (ja) 基板処理装置
WO2020085215A1 (ja) 成膜装置および成膜方法
JP2020047640A (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
WO2022065315A1 (ja) 凹部埋め込み方法及び基板処理装置
US20230357922A1 (en) Sin film embedding method and film formation apparatus
WO2019181438A1 (ja) 成膜装置およびそれに用いる載置台
WO2023153298A1 (ja) 基板処理方法
JP2009152233A (ja) 半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21882625

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20237015650

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21882625

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1