WO2022059759A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2022059759A1
WO2022059759A1 PCT/JP2021/034204 JP2021034204W WO2022059759A1 WO 2022059759 A1 WO2022059759 A1 WO 2022059759A1 JP 2021034204 W JP2021034204 W JP 2021034204W WO 2022059759 A1 WO2022059759 A1 WO 2022059759A1
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elastic wave
piezoelectric layer
wave device
functional
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翔 永友
峰文 大内
直弘 野竹
哲也 木村
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present disclosure relates to an elastic wave device having a piezoelectric layer containing lithium niobate or lithium tantalate.
  • Patent Document 1 describes an elastic wave device.
  • the present disclosure has been made in view of the above, and an object of the present disclosure is to provide an elastic wave device that suppresses deterioration of the characteristics of the piezoelectric layer.
  • the elastic wave device is connected to a support substrate, a piezoelectric layer overlapping the support substrate when viewed in the first direction, a functional electrode provided on at least the first main surface of the piezoelectric layer, and the functional electrode. There is a space portion on the opposite side of the first main surface and on the second main surface side of the piezoelectric layer, and the space portion is covered with the piezoelectric layer.
  • the wiring electrode is provided so as to cover a part of the functional electrode, and when viewed in the first direction, the functional electrode and the wiring electrode are formed in a region where the functional electrode is covered with the wiring electrode. A gap or an insulating film is provided between them.
  • FIG. 1A is a perspective view showing an elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion of FIG. 1A along line II-II.
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view for explaining a Lamb wave propagating in the piezoelectric layer of the comparative example.
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view for explaining the bulk wave of the thickness slip primary mode propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the amplitude direction of the bulk wave in the thickness slip primary mode propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 1A is a perspective view showing an elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion of FIG. 1A along line
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 6 shows d / 2p as a resonator in the elastic wave apparatus of the first embodiment, where p is the center-to-center distance or the average distance between the centers of adjacent electrodes and d is the average thickness of the piezoelectric layer. It is explanatory drawing which shows the relationship with the specific band of.
  • FIG. 7 is a plan view showing an example in which a pair of electrodes is provided in the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 8 is a modified example of the first embodiment, and is a perspective view in which a part of the elastic wave device is cut out.
  • FIG. 9 is a plan view of the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of a portion of FIG. 9 along the XX line.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the elastic wave device of the comparative example.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of the elastic wave device of the first modification of the first embodiment.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of the elastic wave device of the second modification of the first embodiment.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of the elastic wave device of the third modification of the first embodiment.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of the elastic wave device of the fourth modification of the first embodiment.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of the elastic wave device of the second embodiment.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view of the elastic wave device of the first modification of the second embodiment.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view of the elastic wave device of the third embodiment.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view of the elastic wave device of the fourth embodiment.
  • FIG. 20 is an explanatory diagram showing the relationship between d / 2p, the metallization ratio MR, and the specific band in the elastic wave device of the fifth embodiment.
  • FIG. 21 is an explanatory diagram showing a map of a specific band with respect to Euler angles (0 °, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d / p is brought as close to 0 as possible in the elastic wave apparatus of the sixth embodiment. ..
  • FIG. 1A is a perspective view showing an elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • the elastic wave device 1 of the first embodiment has a piezoelectric layer 2 made of LiNbO 3 .
  • the piezoelectric layer 2 may be made of LiTaO 3 .
  • the cut angle of LiNbO 3 and LiTaO 3 is a Z cut in the first embodiment.
  • the cut angle of LiNbO 3 or LiTaO 3 may be a rotary Y cut or an X cut. It should be noted that the propagation directions of Y propagation and X propagation ⁇ 30 ° are preferable.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is not particularly limited, but is preferably 50 nm or more and 1000 nm or less in order to effectively excite the thickness slip primary mode as the main wave.
  • the piezoelectric layer 2 has a first main surface 2a facing each other in the Z direction and a second main surface 2b.
  • the electrode 3 and the electrode 4 are provided on the first main surface 2a.
  • the electrode 3 is an example of the "first electrode”
  • the electrode 4 is an example of the "second electrode”.
  • a plurality of electrodes 3 are connected to the first bus bar 5.
  • the plurality of electrodes 4 are connected to the second bus bar 6.
  • the plurality of electrodes 3 and the plurality of electrodes 4 are interleaved with each other.
  • the electrode 3 and the electrode 4 have a rectangular shape and have a length direction.
  • the electrode 3 and the electrode 4 adjacent to the electrode 3 face each other in a direction orthogonal to the length direction.
  • the length direction of the electrode 3 and the electrode 4 and the direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the electrode 4 are all directions intersecting with each other in the thickness direction of the piezoelectric layer 2. Therefore, it can be said that the electrode 3 and the electrode 4 adjacent to the electrode 3 face each other in a direction intersecting with each other in the thickness direction of the piezoelectric layer 2.
  • the thickness direction of the piezoelectric layer 2 is the Z direction (or the first direction), and the direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the electrode 4 is the X direction (or the second direction).
  • the length direction of the electrode 4 may be described as the Y direction (or the third direction).
  • the length directions of the electrodes 3 and 4 may be replaced with the directions orthogonal to the length directions of the electrodes 3 and 4 shown in FIGS. 1A and 1B. That is, in FIGS. 1A and 1B, the electrodes 3 and 4 may be extended in the direction in which the first bus bar 5 and the second bus bar 6 are extended. In that case, the first bus bar 5 and the second bus bar 6 extend in the direction in which the electrodes 3 and 4 extend in FIGS. 1A and 1B. Then, a pair of structures in which the electrode 3 connected to one potential and the electrode 4 connected to the other potential are adjacent to each other are provided in a plurality of pairs in a direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4. ing.
  • the case where the electrode 3 and the electrode 4 are adjacent to each other does not mean that the electrode 3 and the electrode 4 are arranged so as to be in direct contact with each other, but that the electrode 3 and the electrode 4 are arranged so as to be spaced apart from each other. Point to. Further, when the electrode 3 and the electrode 4 are adjacent to each other, the electrode connected to the hot electrode or the ground electrode, including the other electrode 3 and the electrode 4, is not arranged between the electrode 3 and the electrode 4. This logarithm does not have to be an integer pair, and may be 1.5 pairs, 2.5 pairs, or the like.
  • the distance between the centers between the electrode 3 and the electrode 4, that is, the pitch is preferably in the range of 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the center-to-center distance between the electrode 3 and the electrode 4 is the center of the width dimension of the electrode 3 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the electrode 4 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 4. It is the distance connecting the center of the width dimension of.
  • the electrodes 3 and 4 when there are a plurality of at least one of the electrodes 3 and 4 (when the electrodes 3 and 4 are a pair of electrodes and there are 1.5 or more pairs of electrodes), the electrodes 3 and 4
  • the center-to-center distance refers to the average value of the center-to-center distances of 1.5 pairs or more of the electrodes 3, the adjacent electrodes 3 and the electrodes 4.
  • the width of the electrode 3 and the electrode 4, that is, the dimensions of the electrode 3 and the electrode 4 in the facing direction are preferably in the range of 150 nm or more and 1000 nm or less.
  • the center-to-center distance between the electrode 3 and the electrode 4 is a direction orthogonal to the center of the dimension (width dimension) of the electrode 3 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the length direction of the electrode 4. It is the distance connected to the center of the dimension (width dimension) of the electrode 4 in.
  • the direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4 is the direction orthogonal to the polarization direction of the piezoelectric layer 2. This does not apply when a piezoelectric material having another cut angle is used as the piezoelectric layer 2.
  • “orthogonal” is not limited to the case of being strictly orthogonal, and is substantially orthogonal (the angle formed by the direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4 and the polarization direction is, for example, 90 ° ⁇ 10 °). ) May be.
  • a support member 8 is laminated on the second main surface 2b side of the piezoelectric layer 2 via an intermediate layer 7.
  • the intermediate layer 7 and the support member 8 have a frame-like shape and have openings 7a and 8a as shown in FIG. As a result, the cavity 9 (air gap) 9 is formed.
  • the cavity 9 is provided so as not to interfere with the vibration of the excitation region C of the piezoelectric layer 2. Therefore, the support member 8 is laminated on the second main surface 2b via the intermediate layer 7 at a position where the support member 8 does not overlap with the portion where the at least one pair of electrodes 3 and the electrodes 4 are provided.
  • the intermediate layer 7 may not be provided. Therefore, the support member 8 can be directly or indirectly laminated on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • the intermediate layer 7 is an insulating layer and is made of silicon oxide.
  • the intermediate layer 7 can be formed of an appropriate insulating material such as silicon nitride or alumina in addition to silicon oxide.
  • the support member 8 is also called a support substrate and is made of Si.
  • the plane orientation of Si on the surface of the piezoelectric layer 2 side may be (100), (110), or (111).
  • high resistance Si having a resistivity of 4 k ⁇ or more is desirable.
  • the support member 8 can also be configured by using an appropriate insulating material or semiconductor material.
  • the material of the support member 8 include piezoelectric materials such as aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, and crystal, alumina, magnesia, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mulite, and steer.
  • Various ceramics such as tight and forsterite, dielectrics such as diamond and glass, and semiconductors such as gallium nitride can be used.
  • the plurality of electrodes 3, the electrodes 4, the first bus bar 5, and the second bus bar 6 are made of an appropriate metal or alloy such as an Al or AlCu alloy.
  • the electrode 3, the electrode 4, the first bus bar 5, and the second bus bar 6 have a structure in which an Al film is laminated on a Ti film.
  • a material other than the Ti film may be used for the adhesion layer.
  • an AC voltage is applied between the plurality of electrodes 3 and the plurality of electrodes 4. More specifically, an AC voltage is applied between the first bus bar 5 and the second bus bar 6. As a result, it is possible to obtain resonance characteristics using the bulk wave of the thickness slip primary mode excited in the piezoelectric layer 2.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 when the thickness of the piezoelectric layer 2 is d, the distance between the centers of the plurality of pairs of electrodes 3, the adjacent electrodes 3 of the electrodes 4, and the electrodes 4 is p, d / p is It is said to be 0.5 or less. Therefore, the bulk wave in the thickness slip primary mode is effectively excited, and good resonance characteristics can be obtained. More preferably, d / p is 0.24 or less, in which case even better resonance characteristics can be obtained.
  • the electrodes 3 and 4 are 1.5 pairs.
  • the distance p between the centers of the adjacent electrodes 3 and 4 is the average distance between the centers of the adjacent electrodes 3 and 4.
  • the elastic wave device 1 of the first embodiment has the above configuration, the Q value is unlikely to decrease even if the logarithm of the electrodes 3 and 4 is reduced in order to reduce the size. This is because it is a resonator that does not require reflectors on both sides and has little propagation loss. Further, the reason why the above reflector is not required is that the bulk wave of the thickness slip primary mode is used.
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view for explaining a Lamb wave propagating in the piezoelectric layer of the comparative example.
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view for explaining the bulk wave of the thickness slip primary mode propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the amplitude direction of the bulk wave in the thickness slip primary mode propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 3A is an elastic wave device as described in Patent Document 1, in which a ram wave propagates in a piezoelectric layer.
  • the wave propagates in the piezoelectric layer 201 as indicated by an arrow.
  • the piezoelectric layer 201 has a first main surface 201a and a second main surface 201b, and the thickness direction connecting the first main surface 201a and the second main surface 201b is the Z direction. ..
  • the X direction is the direction in which the electrode fingers of the IDT (Inter Digital Transducer) electrodes are lined up.
  • IDT Inter Digital Transducer
  • the piezoelectric layer 201 vibrates as a whole because it is a plate wave, the wave propagates in the X direction, so reflectors are arranged on both sides to obtain resonance characteristics. Therefore, a wave propagation loss occurs, and the Q value decreases when the size is reduced, that is, when the logarithm of the electrode fingers is reduced.
  • the wave is generated by the first main surface 2a and the second main surface 2a of the piezoelectric layer 2. It propagates substantially in the direction connecting the surface 2b, that is, in the Z direction, and resonates. That is, the X-direction component of the wave is significantly smaller than the Z-direction component. And since the resonance characteristic is obtained by the propagation of the wave in the Z direction, the reflector is not required. Therefore, there is no propagation loss when propagating to the reflector. Therefore, even if the logarithm of the electrode pair consisting of the electrodes 3 and 4 is reduced in order to promote miniaturization, the Q value is unlikely to decrease.
  • the amplitude directions of the bulk waves in the thickness slip primary mode are the first region 451 included in the excitation region C (see FIG. 1B) of the piezoelectric layer 2 and the first region 451 included in the excitation region C.
  • FIG. 4 schematically shows a bulk wave when a voltage at which the electrode 4 has a higher potential than that of the electrode 3 is applied between the electrode 3 and the electrode 4.
  • the first region 451 is a region of the excitation region C between the virtual plane VP1 orthogonal to the thickness direction of the piezoelectric layer 2 and dividing the piezoelectric layer 2 into two, and the first main surface 2a.
  • the second region 452 is a region of the excitation region C between the virtual plane VP1 and the second main surface 2b.
  • the elastic wave device 1 At least one pair of electrodes consisting of the electrode 3 and the electrode 4 is arranged, but since the wave is not propagated in the X direction, the logarithm of the electrode pair consisting of the electrode 3 and the electrode 4 Does not necessarily have to be multiple pairs. That is, it is only necessary to provide at least one pair of electrodes.
  • the electrode 3 is an electrode connected to a hot potential
  • the electrode 4 is an electrode connected to a ground potential.
  • the electrode 3 may be connected to the ground potential and the electrode 4 may be connected to the hot potential.
  • at least one pair of electrodes is an electrode connected to a hot potential or an electrode connected to a ground potential as described above, and is not provided with a floating electrode.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • the design parameters of the elastic wave device 1 that has obtained the resonance characteristics shown in FIG. 5 are as follows.
  • Piezoelectric layer 2 LiNbO 3 with Euler angles (0 °, 0 °, 90 °) Piezoelectric layer 2 thickness: 400 nm
  • Excitation region C (see FIG. 1B) length: 40 ⁇ m
  • the logarithm of the electrode consisting of the electrode 3 and the electrode 4 21 pairs
  • the distance (pitch) between the centers between the electrode 3 and the electrode 4 p 3 ⁇ m Width of electrode 3 and electrode 4: 500 nm d / p: 0.133
  • Intermediate layer 7 1 ⁇ m thick silicon oxide film.
  • Support member 8 Si.
  • the excitation region C (see FIG. 1B) is a region where the electrode 3 and the electrode 4 overlap when viewed in the X direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the electrode 4.
  • the length of the excitation region C is a dimension along the length direction of the electrodes 3 and 4 of the excitation region C.
  • the distance between the electrodes of the electrode pair consisting of the electrodes 3 and 4 is the same for the plurality of pairs. That is, the electrodes 3 and 4 are arranged at equal pitches.
  • d / p is 0.5 or less, more preferably 0.24. It is as follows. This will be described with reference to FIG.
  • FIG. 6 shows d / 2p as a resonator in the elastic wave apparatus of the first embodiment, where p is the center-to-center distance or the average distance between the centers of adjacent electrodes and d is the average thickness of the piezoelectric layer. It is explanatory drawing which shows the relationship with the specific band of.
  • the ratio band is less than 5% even if d / p is adjusted.
  • the specific band can be set to 5% or more by changing d / p within that range. That is, a resonator having a high coupling coefficient can be constructed.
  • the specific band can be increased to 7% or more.
  • a resonator having a wider specific band can be obtained, and a resonator having a higher coupling coefficient can be realized. Therefore, it can be seen that by setting d / p to 0.5 or less, a resonator having a high coupling coefficient can be configured by using the bulk wave of the thickness slip primary mode.
  • At least one pair of electrodes may be one pair, and in the case of a pair of electrodes, p is the distance between the centers of the adjacent electrodes 3 and 4. In the case of 1.5 pairs or more of electrodes, the average distance between the centers of the adjacent electrodes 3 and 4 may be p.
  • the piezoelectric layer 2 has a thickness variation
  • a value obtained by averaging the thickness may be adopted.
  • FIG. 7 is a plan view showing an example in which a pair of electrodes is provided in the elastic wave device of the first embodiment.
  • a pair of electrodes having an electrode 3 and an electrode 4 is provided on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2.
  • K in FIG. 7 is an intersection width.
  • the logarithm of the electrodes may be one pair. Even in this case, if the d / p is 0.5 or less, the bulk wave in the thickness slip primary mode can be effectively excited.
  • FIG. 8 is a modification of the first embodiment, and the elastic wave device 81, which is a perspective view in which a part of the elastic wave device is cut out, has a support substrate 82.
  • the support substrate 82 is provided with a recess opened on the upper surface.
  • the piezoelectric layer 83 is laminated on the support substrate 82.
  • the cavity 9 of the support substrate 82 is configured.
  • An IDT electrode 84 is provided on the piezoelectric layer 83 above the cavity 9.
  • Reflectors 85 and 86 are provided on both sides of the IDT electrode 84 in the elastic wave propagation direction. In FIG. 8, the outer peripheral edge of the cavity 9 is shown by a broken line.
  • the IDT electrode 84 has a first bus bar 84a and a second bus bar 84b, a plurality of electrodes 84c as first electrode fingers, and a plurality of electrodes 84d as second electrode fingers.
  • the plurality of electrodes 84c are connected to the first bus bar 84a.
  • the plurality of electrodes 84d are connected to the second bus bar 84b.
  • the plurality of electrodes 84c and the plurality of electrodes 84d are interleaved with each other.
  • a lamb wave as a plate wave is excited by applying an AC electric field to the IDT electrode 84 on the cavity 9. Since the reflectors 85 and 86 are provided on both sides, the resonance characteristic due to the Lamb wave can be obtained.
  • FIG. 9 is a plan view of the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of a portion of FIG. 9 along the XX line.
  • one support member 8A supports the first resonator RS1 and the second resonator RS2.
  • the second resonator RS2 is in a different position from the first resonator RS1.
  • the support member 8A and the first electrode 3 and the second electrode 4 are formed on the first main surface 2a, and the cavity portions 9A and 9B are formed on the second main surface 2b side. It has a piezoelectric layer 2 and the like.
  • the cavity 9B is provided in the Y direction with respect to the cavity 9A.
  • the cavity portion 9A and the cavity portion 9B are space portions provided in a part of the support member 8A.
  • the cavity 9A may be the first space and the cavity 9B may be the second space.
  • the functional electrode 51 includes a plurality of electrodes 3 extending in the Y direction and a first bus bar 5 to which the plurality of electrodes 3 are connected.
  • the functional electrode 52 includes a plurality of electrodes 4 extending in the Y direction and a second bus bar 6 to which the plurality of electrodes 4 are connected.
  • the IDT electrode 10A of the first resonator RS1 includes a functional electrode 51 and a functional electrode 52.
  • the IDT electrode 10B of the second resonator RS2 includes a functional electrode 51 and a functional electrode 52.
  • the first bus bar 5 may also be referred to as a first bus bar electrode
  • the second bus bar 6 may also be referred to as a second bus bar electrode.
  • the functional electrode 51 of the first resonator RS1 and the functional electrode 51 of the second resonator RS2 are electrically connected by a wiring electrode 31.
  • the functional electrode 51 and the functional electrode 52 include at least one of Al or Cu.
  • the wiring electrode 31 contains at least one of Al or Cu. As a result, the conductivity of the functional electrode 51, the functional electrode 52, and the wiring electrode 31 can be ensured. More preferably, the wiring electrode 31 comprises at least one of Au or Pt. As a result, the wiring electrode 31 can improve the corrosion resistance.
  • the wiring electrode 31 is provided so as to cover a part of the functional electrode 51, and the wiring electrode 31 and the functional electrode 51 are electrically connected by a connection portion CP.
  • a gap CQ1 is provided between the functional electrode 51 of the first resonator RS1 and the wiring electrode 31 in a region where the functional electrode 51 is covered with the wiring electrode 31.
  • the gap CQ1 is surrounded by a functional electrode 51, a wiring electrode 31, and a piezoelectric layer 2.
  • a gap CQ1 is not provided between the functional electrode 51 of the second resonator RS2 and the wiring electrode 31, and a close contact portion CQN in which the functional electrode 51 and the wiring electrode 31 are in close contact with each other is formed.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of an elastic wave device of a comparative example.
  • FIG. 11 is another example of a cross-sectional view of a portion of FIG. 9 along the XX line.
  • the wiring metal layer 32 in the same layer as the functional electrode 51 is located between the wiring electrode 31 and the piezoelectric layer 2.
  • the IDT electrode 10A is located in the region PP around the cavity where the piezoelectric layer 2 and the edge 2E of the cavity 9A overlap. , Stress concentration is likely to occur due to the excitation of the IDT electrode 10B. With the stress concentration of the region PP around the cavity, characteristic deterioration such as destruction of the piezoelectric layer 2 and polarization reversal of the piezoelectric layer 2 is likely to occur.
  • a gap CQ1 surrounded by a functional electrode 51, a wiring electrode 31, and a piezoelectric layer 2 is provided in the vicinity of the edge 2E of the cavity 9A. ing.
  • the gap CQ1 relaxes the restraint of the piezoelectric layer 2 by the wiring electrode 31.
  • the stress concentration generated in the region PP around the cavity where the piezoelectric layer 2 and the edge 2E of the cavity 9A overlap is also relaxed. As a result, deterioration of characteristics such as destruction of the piezoelectric layer 2 and polarization inversion of the piezoelectric layer 2 is suppressed.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of the elastic wave device of the first modification of the first embodiment.
  • FIG. 12 is another example of a cross-sectional view of a portion of FIG. 9 along the XX line.
  • the insulating film CQ2 is interposed inside the gap between the functional electrode 51 and the wiring electrode 31 of the first resonator RS1.
  • the insulating film CQ2 is either silicon oxide, silicon nitride or a resin.
  • the resin is not particularly limited as long as it has an insulating property, and is, for example, polyimide, SiOC, or the like.
  • an insulating film CQ2 surrounded by a functional electrode 51, a wiring electrode 31, and a piezoelectric layer 2 is provided in the vicinity of the edge 2E of the cavity 9A.
  • the insulating film CQ2 relaxes the restraint of the piezoelectric layer 2 by the wiring electrode 31.
  • the stress concentration generated in the region PP around the cavity where the piezoelectric layer 2 and the edge 2E of the cavity 9A overlap is also relaxed. As a result, deterioration of characteristics such as destruction of the piezoelectric layer 2 and polarization inversion of the piezoelectric layer 2 is suppressed.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of the elastic wave device of the second modification of the first embodiment.
  • FIG. 13 is another example of a cross-sectional view of a portion of FIG. 9 along the XX line.
  • the gap CQ1 is provided between the functional electrode 51 and the wiring electrode 31 of the second resonator RS2.
  • the two voids CQ1 further relax the restraint of the piezoelectric layer 2 by the wiring electrode 31.
  • the void CQ1 may be filled with an insulating film material.
  • a part of the piezoelectric layer 2 has a thin portion 2T thinner than the thickness of the piezoelectric layer 2 in the region overlapping with the IDT electrode 10A and the IDT electrode 10B.
  • the thickness of the thin portion 2T of the piezoelectric layer 2 in at least a part between the wiring electrode 31 and the support member 8A is thinner than the thickness of the piezoelectric layer 2 between the functional electrode 51 and the support member 8A.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of the elastic wave device of the third modification of the first embodiment.
  • the other electrode 10C is, for example, any of a signal input terminal, a signal output terminal, and a ground terminal.
  • the void CQ1 may be filled with the material of the insulating film.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of the elastic wave device of the fourth modification of the first embodiment.
  • a gap CQ1 is provided between the functional electrode 51 (first functional electrode) of the first resonator RS1 and the wiring electrode 31.
  • the insulating film CQ2 is interposed inside the gap between the functional electrode 51 (second functional electrode) of the second resonator RS2 and the wiring electrode 31.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of the elastic wave device of the second embodiment.
  • one support member 8B supports the first resonator RS1 and the second resonator RS2.
  • the second resonator RS2 is in a different position from the first resonator RS1.
  • the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
  • the piezoelectric layer 2 is not provided in at least a part of the region between the wiring electrode 31 and the support member 8B.
  • a slit 2H is provided in a part of the piezoelectric layer 2. According to this, the constraint of the piezoelectric layer 2 is further relaxed.
  • the elastic wave device of the second embodiment is provided with two functional electrodes 51 and a wiring electrode 31 connected to the two functional electrodes on the piezoelectric layer 2.
  • a gap CQ1 is provided between the wiring electrode 31 and the functional electrode 51.
  • the wiring electrode 31 is formed via the dielectric film 33 on the support member 8B.
  • the piezoelectric layer 2 is laminated and formed on the dielectric film 33. According to this, it is possible to avoid the electrical influence of the support member 8B which is the support substrate, and it is possible to relieve the stress generated by the wiring electrode 31 by the dielectric film 33.
  • the material of the dielectric film 33 are, for example, silicon oxide, silicon nitride, or resin.
  • the resin is not particularly limited as long as it has an insulating property, and is, for example, polyimide, SiOC, or the like.
  • the wiring electrode 31 may be in direct contact with the support member 8B.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view of the elastic wave device of the first modification of the second embodiment.
  • the dielectric film 33 is laminated on the support member 8B, and the piezoelectric layer 2 is formed on the dielectric film 33.
  • the wiring electrode 31 is formed on a part of the piezoelectric layer 2 and the functional electrode 51.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 in at least a part between the wiring electrode 31 and the support member 8B is thinner than the thickness of the piezoelectric layer 2 between the functional electrode 51 and the support member 8B.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view of the elastic wave device of the third embodiment.
  • one support member 8C supports the first resonator RS1 and the second resonator RS2.
  • the second resonator RS2 is in a different position from the first resonator RS1.
  • the elastic wave device of the third embodiment is provided with the cavity 9A and the cavity 9B in the intermediate layer 7.
  • the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
  • the piezoelectric layer 2 may have holes for forming the cavity 9A and the cavity 9B.
  • the piezoelectric layer 2 covers the cavity 9A and the cavity 9B except for this hole. As described above, at least a part of the cavity 9A and at least a part of the cavity 9B are covered with the piezoelectric layer 2.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view of the elastic wave device of the fourth embodiment.
  • one support member 8D supports the first resonator RS1 and the second resonator RS2.
  • the second resonator RS2 is in a different position from the first resonator RS1.
  • the elastic wave device of the fourth embodiment includes an upper electrode 91, a lower electrode 92, and a piezoelectric layer 2A in the first resonator.
  • the upper electrode 91 and the lower electrode 92 are functional electrodes facing each other, and sandwich the piezoelectric layer 2A in the Z direction.
  • the upper electrode 91 is provided on the first main surface of the piezoelectric layer 2A, and the lower electrode 92 is provided on the second main surface of the piezoelectric layer 2A.
  • the lower electrode 91A and the lower electrode 94 are functional electrodes facing each other and sandwich the piezoelectric layer 2B in the Z direction.
  • the elastic wave device of the fourth embodiment may be referred to as a BAW element (Bulk Acoustic Wave element).
  • the electrode 91 and the electrode 91A are electrically connected by a wiring electrode 93.
  • the cavity 9A and the cavity 9B provided in the support member 8D are covered with the piezoelectric layer 2A and the piezoelectric layer 2B.
  • the electrode 91 and the electrode 92 overlap the cavity portion 9A in the Z direction.
  • the electrodes 91A and 94 overlap with the cavity 9B in the Z direction.
  • the insulating film 41 is provided on the support member 8D to ensure the insulating property between the electrode 92 and the support member 8D.
  • the insulating film 41 may be omitted.
  • the insulating film 42 is provided between the piezoelectric layer 2 and the wiring electrode 93. Further, the insulating film 42 secures the insulating property between the wiring electrode 93 and the support member 8B.
  • the insulating film 41 and the insulating film 42 are made of the same material as the dielectric film 33 described above.
  • a void CQ1 surrounded by an electrode 91, a wiring electrode 93, an insulating film 42, and a piezoelectric layer 2 is provided near the edge of the cavity 9A.
  • the void CQ1 relaxes the restraint of the piezoelectric layer 2 by the wiring electrode 93.
  • the restraint of the piezoelectric layer 2 is relaxed, the stress concentration generated in the region around the cavity where the edges of the piezoelectric layer 2 and the cavity 9A overlap is also relaxed. As a result, deterioration of characteristics such as destruction of the piezoelectric layer 2 and polarization inversion of the piezoelectric layer 2 is suppressed.
  • FIG. 20 is an explanatory diagram showing the relationship between d / 2p, the metallization ratio MR, and the specific band in the elastic wave device of the fifth embodiment.
  • the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
  • various elastic wave devices 1 having different MRs from d / 2p were configured, and the specific band was measured.
  • the portion shown with hatching on the right side of the broken line D in FIG. 20 is a region having a specific band of 17% or less.
  • MR 1.75 (d / p) + 0.075. Therefore, MR ⁇ 1.75 (d / p) +0.075 is preferable.
  • FIG. 21 is an explanatory diagram showing a map of a specific band with respect to Euler angles (0 °, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d / p is brought as close to 0 as possible in the elastic wave apparatus of the sixth embodiment. ..
  • the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
  • the portion shown with hatching in FIG. 21 is a region where a specific band of at least 5% or more can be obtained. When the range of the region is approximated, it becomes the range represented by the following equations (1), (2) and (3).
  • Equation (1) (0 ° ⁇ 10 °, 20 ° to 80 °, 0 ° to 60 ° (1- ( ⁇ -50) 2/900) 1/2 ) or (0 ° ⁇ 10 °, 20 ° to 80 °, [180] ° -60 ° (1- ( ⁇ -50) 2/900) 1/2 ] to 180 °).
  • Equation (2) (0 ° ⁇ 10 °, [180 ° -30 ° (1- ( ⁇ 90) 2/8100) 1/2 ] to 180 °, arbitrary ⁇ ).
  • the specific band can be sufficiently widened, which is preferable.

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Abstract

圧電層の特性劣化を抑制する弾性波装置を提供する。弾性波装置は、支持基板と、第１方向にみて、支持基板に重なる圧電層と、圧電層の少なくとも第１の主面に設けられる機能電極と、機能電極に接続された配線電極と、を備える。支持基板の第１の主面の反対側であって、圧電層の第２の主面側に空間部がある。空間部は、圧電層で覆われており、配線電極は、機能電極の一部を覆うように設けられ、機能電極が配線電極で覆われている領域において、機能電極と配線電極との間には空隙または絶縁膜が設けられている。

Description

弾性波装置
　本開示は、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムを含む圧電層を有する弾性波装置に関する。
　特許文献１には、弾性波装置が記載されている。
特開２０１２－２５７０１９号公報
　特許文献１記載の弾性波装置では、圧電層と空洞部の縁が重なる空洞部周辺の領域における圧電層の破壊や圧電層の分極反転などの特性劣化が生じやすい可能性がある。
　本開示は、上記に鑑みてなされたものであって、圧電層の特性劣化を抑制する弾性波装置を提供することを目的とする。
　一態様に係る弾性波装置は、支持基板と、第１方向にみて、前記支持基板に重なる圧電層と、前記圧電層の少なくとも第１の主面に設けられる機能電極と、前記機能電極に接続された配線電極と、を備え、前記第１の主面の反対側であって、前記圧電層の第２の主面側に空間部があり、前記空間部は、前記圧電層で覆われており、前記配線電極は、前記機能電極の一部を覆うように設けられ、前記第１方向にみて、前記機能電極が前記配線電極で覆われている領域において、前記機能電極と前記配線電極との間には空隙または絶縁膜が設けられている。
　本開示によれば、圧電層の特性劣化を抑制することが可能となる。
図１Ａは、第１実施形態の弾性波装置を示す斜視図である。 図１Ｂは、第１実施形態の電極構造を示す平面図である。 図２は、図１ＡのＩＩ－ＩＩ線に沿う部分の断面図である。 図３Ａは、比較例の圧電層を伝播するラム波を説明するための模式的な断面図である。 図３Ｂは、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。 図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。 図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。 図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離又は中心間距離の平均距離をｐ、圧電層の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。 図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す平面図である。 図８は、第１実施形態の変形例であって、弾性波装置の一部分を切欠いた斜視図である。 図９は、第１実施形態の弾性波装置の平面図である。 図１０は、図９のＸ－Ｘ線に沿う部分の断面図である。 図１１は、比較例の弾性波装置の断面図である。 図１２は、第１実施形態の第１変形例の弾性波装置の断面図である。 図１３は、第１実施形態の第２変形例の弾性波装置の断面図である。 図１４は、第１実施形態の第３変形例の弾性波装置の断面図である。 図１５は、第１実施形態の第４変形例の弾性波装置の断面図である。 図１６は、第２実施形態の弾性波装置の断面図である。 図１７は、第２実施形態の第１変形例の弾性波装置の断面図である。 図１８は、第３実施形態の弾性波装置の断面図である。 図１９は、第４実施形態の弾性波装置の断面図である。 図２０は、第５実施形態の弾性波装置において、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す説明図である。 図２１は、第６実施形態の弾性波装置において、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°、θ、ψ）に対する比帯域のマップを示す説明図である。
　以下に、本開示の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態により本開示が限定されるものではない。なお、本開示に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換又は組み合わせが可能である変形例や第２実施の形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
（第１実施形態）
　図１Ａは、第１実施形態の弾性波装置を示す斜視図である。図１Ｂは、第１実施形態の電極構造を示す平面図である。
　第１実施形態の弾性波装置１は、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電層２を有する。圧電層２は、ＬｉＴａＯ３からなるものであってもよい。ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３のカット角は、第１実施形態では、Ｚカットである。ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３のカット角は、回転ＹカットやＸカットであってもよい。なお、Ｙ伝搬及びＸ伝搬±３０°の伝搬方位が好ましい。
　圧電層２の厚みは、特に限定されないが、主要波として厚み滑り１次モードを効果的に励振するには、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下が好ましい。
　圧電層２は、Ｚ方向に対向し合う第１の主面２ａと、第２の主面２ｂとを有する。第１の主面２ａ上に、電極３及び電極４が設けられている。
　ここで電極３が「第１電極」の一例であり、電極４が「第２電極」の一例である。図１Ａ及び図１Ｂでは、複数の電極３が、第１のバスバー５に接続されている。複数の電極４は、第２のバスバー６に接続されている。複数の電極３及び複数の電極４は、互いに間挿し合っている。
　電極３及び電極４は、矩形形状を有し、長さ方向を有する。この長さ方向と直交する方向において、電極３と、電極３と隣接する電極４とが対向している。電極３、電極４の長さ方向、及び、電極３、電極４の長さ方向と直交する方向はいずれも、圧電層２の厚み方向に交差する方向である。このため、電極３と、電極３と隣接する電極４とは、圧電層２の厚み方向に交差する方向において対向しているともいえる。第１実施形態では、圧電層２の厚み方向をＺ方向（又は第１方向）とし、電極３、電極４の長さ方向と直交する方向をＸ方向（又は第２方向）とし、電極３、電極４の長さ方向をＹ方向（又は第３方向）として、説明することがある。
　また、電極３、電極４の長さ方向が図１Ａ及び図１Ｂに示す電極３、電極４の長さ方向に直交する方向と入れ替わっても良い。すなわち、図１Ａ及び図１Ｂにおいて、第１のバスバー５及び第２のバスバー６が延びている方向に電極３、電極４を延ばしてもよい。その場合、第１のバスバー５及び第２のバスバー６は、図１Ａ及び図１Ｂにおいて電極３、電極４が延びている方向に延びることとなる。そして、一方電位に接続される電極３と、他方電位に接続される電極４とが隣り合う１対の構造が、上記電極３、電極４の長さ方向と直交する方向に、複数対設けられている。
　ここで電極３と電極４とが隣り合うとは、電極３と電極４とが直接接触するように配置されている場合ではなく、電極３と電極４とが間隔を介して配置されている場合を指す。また、電極３と電極４とが隣り合う場合、電極３と電極４との間には、他の電極３、電極４を含む、ホット電極やグラウンド電極に接続される電極は配置されない。この対数は、整数対である必要はなく、１．５対や２．５対などであってもよい。
　電極３と電極４との間の中心間距離すなわちピッチは、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲が好ましい。また、電極３と電極４との間の中心間距離とは、電極３の長さ方向と直交する方向における電極３の幅寸法の中心と、電極４の長さ方向と直交する方向における電極４の幅寸法の中心とを結んだ距離となる。
　さらに、電極３、電極４の少なくとも一方が複数本ある場合（電極３、電極４を一対の電極組とした場合に、１．５対以上の電極組がある場合）、電極３、電極４の中心間距離は、１．５対以上の電極３、電極４のうち隣り合う電極３、電極４それぞれの中心間距離の平均値を指す。
　また、電極３、電極４の幅、すなわち電極３、電極４の対向方向の寸法は、１５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲が好ましい。なお、電極３と電極４との間の中心間距離とは、電極３の長さ方向と直交する方向における電極３の寸法（幅寸法）の中心と、電極４の長さ方向と直交する方向における電極４の寸法（幅寸法）の中心とを結んだ距離となる。
　また、第１実施形態では、Ｚカットの圧電層を用いているため、電極３、電極４の長さ方向と直交する方向は、圧電層２の分極方向に直交する方向となる。圧電層２として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（電極３、電極４の長さ方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば９０°±１０°）でもよい。
　圧電層２の第２の主面２ｂ側には、中間層７を介して支持部材８が積層されている。中間層７及び支持部材８は、枠状の形状を有し、図２に示すように、開口部７ａ、８ａを有する。それによって、空洞部（エアギャップ）９が形成されている。
　空洞部９は、圧電層２の励振領域Ｃの振動を妨げないために設けられている。従って、上記支持部材８は、少なくとも１対の電極３、電極４が設けられている部分と重ならない位置において、第２の主面２ｂに中間層７を介して積層されている。なお、中間層７は設けられずともよい。従って、支持部材８は、圧電層２の第２の主面２ｂに直接又は間接に積層され得る。
　中間層７は、絶縁層であり、酸化ケイ素で形成されている。もっとも、中間層７は、酸化ケイ素の他、酸窒化ケイ素、アルミナなどの適宜の絶縁性材料で形成することができる。
　支持部材８は、支持基板ともいい、Ｓｉで形成されている。Ｓｉの圧電層２側の面における面方位は（１００）であってもよく、（１１０）、または（１１１）であってもよい。好ましくは、抵抗率４ｋΩ以上の高抵抗のＳｉが望ましい。もっとも、支持部材８についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。支持部材８の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体などを用いることができる。
　上記複数の電極３、電極４及び第１のバスバー５、第２のバスバー６は、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金などの適宜の金属もしくは合金からなる。第１実施形態では、電極３、電極４及び第１のバスバー５、第２のバスバー６は、Ｔｉ膜上にＡｌ膜を積層した構造を有する。なお、密着層には、Ｔｉ膜以外の材料を用いてもよい。
　駆動に際しては、複数の電極３と、複数の電極４との間に交流電圧を印加する。より具体的には、第１のバスバー５と第２のバスバー６との間に交流電圧が印加される。それによって、圧電層２において励振される厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。
　また、弾性波装置１では、圧電層２の厚みをｄ、複数対の電極３、電極４のうちいずれかの隣り合う電極３、電極４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐは０．５以下とされている。そのため、上記厚み滑り１次モードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、ｄ／ｐは０．２４以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。
　なお、第１実施形態のように電極３、電極４の少なくとも一方が複数本ある場合、すなわち、電極３、電極４を１対の電極組とした場合に電極３、電極４が１．５対以上ある場合、隣り合う電極３、電極４の中心間距離ｐは、各隣り合う電極３、電極４の中心間距離の平均距離となる。
　第１実施形態の弾性波装置１では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極３、電極４の対数を小さくしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。これは、両側に反射器を必要としない共振器であり、伝搬ロスが少ないためである。また、上記反射器を必要としないのは、厚み滑り１次モードのバルク波を利用していることによる。
　図３Ａは、比較例の圧電層を伝播するラム波を説明するための模式的な断面図である。図３Ｂは、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。
　図３Ａでは、特許文献１に記載のような弾性波装置であり、圧電層をラム波が伝搬する。図３Ａに示すように、圧電層２０１中を矢印で示すように波が伝搬する。ここで、圧電層２０１には、第１の主面２０１ａと、第２の主面２０１ｂとがあり、第１の主面２０１ａと第２の主面２０１ｂとを結ぶ厚み方向がＺ方向である。Ｘ方向は、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ　Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極の電極指が並んでいる方向である。図３Ａに示すように、ラム波では、波が図示のように、Ｘ方向に伝搬していく。板波であるため、圧電層２０１が全体として振動するものの、波はＸ方向に伝搬するため、両側に反射器を配置して、共振特性を得ている。そのため、波の伝搬ロスが生じ、小型化を図った場合、すなわち電極指の対数を少なくした場合、Ｑ値が低下する。
　これに対して、図３Ｂに示すように、第１実施形態の弾性波装置では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このＺ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器を必要としない。よって、反射器に伝搬する際の伝搬損失は生じない。従って、小型化を進めようとして、電極３、電極４からなる電極対の対数を減らしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。
　なお、厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向は、図４に示すように、圧電層２の励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）に含まれる第１領域４５１と、励振領域Ｃに含まれる第２領域４５２とで逆になる。図４では、電極３と電極４との間に、電極４が電極３よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示してある。第１領域４５１は、励振領域Ｃのうち、圧電層２の厚み方向に直交し圧電層２を２分する仮想平面ＶＰ１と、第１の主面２ａとの間の領域である。第２領域４５２は、励振領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第２の主面２ｂとの間の領域である。
　弾性波装置１では、電極３と電極４とからなる少なくとも１対の電極が配置されているが、Ｘ方向に波を伝搬させるものではないため、この電極３、電極４からなる電極対の対数は複数対ある必要は必ずしもない。すなわち、少なくとも１対の電極が設けられてさえおればよい。
　例えば、上記電極３がホット電位に接続される電極であり、電極４がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極３がグラウンド電位に、電極４がホット電位に接続されてもよい。第１実施形態では、少なくとも１対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極又はグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。
　図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。なお、図５に示す共振特性を得た弾性波装置１の設計パラメータは以下の通りである。
　圧電層２：オイラー角（０°，０°，９０°）のＬｉＮｂＯ３
　圧電層２の厚み：４００ｎｍ
　励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）の長さ：４０μｍ
　電極３、電極４からなる電極の対数：２１対
　電極３と電極４との間の中心間距離（ピッチ）ｐ：３μｍ
　電極３、電極４の幅：５００ｎｍ
　ｄ／ｐ：０．１３３
　中間層７：１μｍの厚みの酸化ケイ素膜。
　支持部材８：Ｓｉ。
　なお、励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）とは、電極３と電極４の長さ方向と直交するＸ方向に視たときに、電極３と電極４とが重なっている領域である。励振領域Ｃの長さとは、励振領域Ｃの電極３、電極４の長さ方向に沿う寸法である。
　第１実施形態では、電極３、電極４からなる電極対の電極間距離は、複数対において全て等しくした。すなわち、電極３と電極４とを等ピッチで配置した。
　図５から明らかなように、反射器を有しないにもかかわらず、比帯域が１２．５％である良好な共振特性が得られている。
　ところで、上記圧電層２の厚みをｄ、電極３と電極４との電極の中心間距離をｐとした場合、第１実施形態では、ｄ／ｐは０．５以下、より好ましくは０．２４以下である。これを、図６を参照して説明する。
　図５に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しｄ／２ｐを変化させ、複数の弾性波装置を得た。図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離又は中心間距離の平均距離をｐ、圧電層の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。
　図６に示すように、ｄ／２ｐが０．２５を超えると、すなわちｄ／ｐ＞０．５では、ｄ／ｐを調整しても、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／２ｐ≦０．２５、すなわちｄ／ｐ≦０．５の場合には、その範囲内でｄ／ｐを変化させれば、比帯域を５％以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、ｄ／２ｐが０．１２以下の場合、すなわちｄ／ｐが０．２４以下の場合には、比帯域を７％以上と高めることができる。加えて、ｄ／ｐをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、上記厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。
　なお、少なくとも１対の電極は、１対でもよく、上記ｐは、１対の電極の場合、隣り合う電極３、電極４の中心間距離とする。また、１．５対以上の電極の場合には、隣り合う電極３、電極４の中心間距離の平均距離をｐとすればよい。
　例えば、圧電層２が厚みばらつきを有する場合、その厚みを平均化した値を採用してもよい。
　図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す平面図である。弾性波装置１では、圧電層２の第１の主面２ａ上において、電極３と電極４とを有する１対の電極が設けられている。なお、図７中のＫが交差幅となる。前述したように、本開示の弾性波装置では、電極の対数は１対であってもよい。この場合においても、上記ｄ／ｐが０．５以下であれば、厚み滑り１次モードのバルク波を効果的に励振することができる。
　図８は、第１実施形態の変形例であって、弾性波装置の一部分を切欠いた斜視図である弾性波装置８１は、支持基板８２を有する。支持基板８２には、上面に開いた凹部が設けられている。支持基板８２上に圧電層８３が積層されている。それによって、支持基板８２の空洞部９が構成されている。この空洞部９の上方において圧電層８３上に、ＩＤＴ電極８４が設けられている。ＩＤＴ電極８４の弾性波伝搬方向両側に、反射器８５，８６が設けられている。図８において、空洞部９の外周縁を破線で示す。ここでは、ＩＤＴ電極８４は、第１のバスバー８４ａ及び第２のバスバー８４ｂと、複数本の第１の電極指としての電極８４ｃ及び複数本の第２の電極指としての電極８４ｄとを有する。複数本の電極８４ｃは、第１のバスバー８４ａに接続されている。複数本の電極８４ｄは、第２のバスバー８４ｂに接続されている。複数本の電極８４ｃと、複数本の電極８４ｄとは間挿し合っている。
　弾性波装置８１では、上記空洞部９上のＩＤＴ電極８４に、交流電界を印加することにより、板波としてのラム波が励振される。そして、反射器８５、８６が両側に設けられているため、上記ラム波による共振特性を得ることができる。
　図９は、第１実施形態の弾性波装置の平面図である。図１０は、図９のＸ－Ｘ線に沿う部分の断面図である。図９及び図１０に示すように、第１実施形態の弾性波装置は、１つの支持部材８Ａが第１共振子ＲＳ１、第２共振子ＲＳ２を支持している。第２共振子ＲＳ２は、第１共振子ＲＳ１とは異なる位置にある。
　図９及び図１０に示す弾性波装置は、支持部材８Ａと、第１の主面２ａに第１電極３、第２電極４が形成され、第２の主面２ｂ側に空洞部９Ａ、９Ｂがある圧電層２とを有する。空洞部９Ｂは、空洞部９Ａに対して、Ｙ方向に設けられている。空洞部９Ａ及び空洞部９Ｂは、支持部材８Ａの一部に設けられる空間部である。空洞部９Ａが第１空間部であり、空洞部９Ｂが第２空間部ということもある。
　図９に示すように、機能電極５１は、Ｙ方向に延びる複数の電極３と、複数の電極３が接続される第１のバスバー５とを備える。機能電極５２は、Ｙ方向に延びる複数の電極４と、複数の電極４が接続される第２のバスバー６とを備える。第１共振子ＲＳ１のＩＤＴ電極１０Ａは、機能電極５１と機能電極５２とを含む。第２共振子ＲＳ２のＩＤＴ電極１０Ｂは、機能電極５１と機能電極５２とを含む。第１のバスバー５は、第１のバスバー電極ともいい、第２のバスバー６は、第２のバスバー電極ともいうことがある。
　第１共振子ＲＳ１の機能電極５１と第２共振子ＲＳ２の機能電極５１とは、配線電極３１で電気的に接続されている。機能電極５１及び機能電極５２は、ＡｌまたはＣｕの少なくとも１つを含む。配線電極３１は、ＡｌまたはＣｕの少なくとも１つを含む。これにより、機能電極５１、機能電極５２及び配線電極３１の導電性を確保できる。より望ましくは、配線電極３１は、ＡｕまたはＰｔの少なくとも１つを含む。これにより、配線電極３１は、耐食性を向上させることができる。
　配線電極３１は、機能電極５１の一部を覆うように設けられ、配線電極３１と、機能電極５１とは、接続部ＣＰで電気的に接続している。第１実施形態では、第１共振子ＲＳ１の機能電極５１と配線電極３１との間には、機能電極５１が配線電極３１で覆われている領域において、空隙ＣＱ１が設けられている。空隙ＣＱ１は、機能電極５１、配線電極３１及び圧電層２に囲まれている。第２共振子ＲＳ２の機能電極５１と配線電極３１との間には、空隙ＣＱ１が設けられておらず、機能電極５１と配線電極３１とが密着した密着部ＣＱＮが形成されている。
　図１１は、比較例の弾性波装置の断面図である。図１１は、図９のＸ－Ｘ線に沿う部分の断面図の他の例である。図１１に示すように、比較例の弾性波装置では、機能電極５１と同層の配線金属層３２が配線電極３１と圧電層２との間にある。
　比較例の弾性波装置では、配線金属層３２と配線電極３１とが、圧電層２を拘束するので、圧電層２と空洞部９Ａの縁２Ｅが重なる空洞部周辺の領域ＰＰに、ＩＤＴ電極１０Ａ、ＩＤＴ電極１０Ｂの励振による応力集中が生じやすい。空洞部周辺の領域ＰＰの応力集中にともなって、圧電層２の破壊や圧電層２の分極反転などの特性劣化が生じやすい。
　これに対して、図１０に示す第１実施形態の弾性波装置は、空洞部９Ａの縁２Ｅの近傍に、機能電極５１、配線電極３１及び圧電層２に囲まれている空隙ＣＱ１が設けられている。空隙ＣＱ１は、配線電極３１による圧電層２の拘束を緩和する。圧電層２の拘束が緩和されると、圧電層２と空洞部９Ａの縁２Ｅが重なる空洞部周辺の領域ＰＰに生じる応力集中も緩和される。その結果、圧電層２の破壊や圧電層２の分極反転などの特性劣化が抑制される。
　図１２は、第１実施形態の第１変形例の弾性波装置の断面図である。図１２は、図９のＸ－Ｘ線に沿う部分の断面図の他の例である。図１２に示すように、第１共振子ＲＳ１の機能電極５１と配線電極３１との間にある空隙の内部に絶縁膜ＣＱ２が介在している。絶縁膜ＣＱ２は、酸化ケイ素、窒化ケイ素または樹脂のいずれかである。樹脂は、絶縁性があれば、特に限定されないが、例えば、ポリイミド、ＳｉＯＣなどである。
　図１２に示す第１実施形態の第１変形例の弾性波装置は、空洞部９Ａの縁２Ｅの近傍に、機能電極５１、配線電極３１及び圧電層２に囲まれている絶縁膜ＣＱ２が設けられている。絶縁膜ＣＱ２は、配線電極３１による圧電層２の拘束を緩和する。圧電層２の拘束が緩和されると、圧電層２と空洞部９Ａの縁２Ｅが重なる空洞部周辺の領域ＰＰに生じる応力集中も緩和される。その結果、圧電層２の破壊や圧電層２の分極反転などの特性劣化が抑制される。
　図１３は、第１実施形態の第２変形例の弾性波装置の断面図である。図１３は、図９のＸ－Ｘ線に沿う部分の断面図の他の例である。第１実施形態の第２変形例では、第２共振子ＲＳ２の機能電極５１と配線電極３１との間には、空隙ＣＱ１が設けられている。２つの空隙ＣＱ１は、配線電極３１による圧電層２の拘束をさらに緩和する。なお、空隙ＣＱ１には、絶縁膜の材料が充填されていてもよい。
　図１３に示すように、圧電層２の一部には、ＩＤＴ電極１０ＡやＩＤＴ電極１０Ｂと重畳する領域の圧電層２の厚みよりも薄い薄厚部２Ｔがある。配線電極３１と支持部材８Ａとの間の少なくとも一部における圧電層２の薄厚部２Ｔの厚みは、機能電極５１と支持部材８Ａとの間の圧電層２の厚みより薄い。これにより、配線電極３１による圧電層２の拘束が緩和される。
　図１４は、第１実施形態の第３変形例の弾性波装置の断面図である。図１４に示すように、第２共振子ＲＳ２がなく代わりに、他の電極１０Ｃがあってもよい。他の電極１０Ｃは、例えば、信号入力端子、信号出力端子、グラウンド端子のいずれかである。第１実施形態の第３変形例においても、空隙ＣＱ１には、絶縁膜の材料が充填されていてもよい。
　図１５は、第１実施形態の第４変形例の弾性波装置の断面図である。第１共振子ＲＳ１の機能電極５１（第１機能電極）と配線電極３１との間には、空隙ＣＱ１が設けられている。第２共振子ＲＳ２の機能電極５１（第２機能電極）と配線電極３１との間にある空隙の内部に絶縁膜ＣＱ２が介在している。
（第２実施形態）
　図１６は、第２実施形態の弾性波装置の断面図である。第２実施形態の弾性波装置は、１つの支持部材８Ｂが第１共振子ＲＳ１、第２共振子ＲＳ２を支持している。第２共振子ＲＳ２は、第１共振子ＲＳ１とは異なる位置にある。第２実施形態では、第１実施形態と同じ構成には同じ符号を付して、説明を省略する。
　図１６に示すように、配線電極３１と支持部材８Ｂとの間の領域の少なくとも一部において、圧電層２が設けられていない。圧電層２の一部に、スリット２Ｈが設けられている。これによれば、圧電層２の拘束はより緩和される。実施形態２の弾性波装置は、圧電層２上に２つの機能電極５１と、２つの機能電極に接続された配線電極３１と、が設けられている。配線電極３１と機能電極５１との間には空隙ＣＱ１が設けられている。実施形態１の変形例１のように、空隙ＣＱ１の内部には、絶縁膜があってもよい。
　また、配線電極３１は、支持部材８Ｂの上の誘電体膜３３を介して形成されている。圧電層２は、誘電体膜３３の上に積層形成されている。これによれば、支持基板である支持部材８Ｂによる電気的な影響を回避でき、また誘電体膜３３によって配線電極３１により生じる応力を緩和しうる。なお、誘電体膜３３の材料例としては、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素または樹脂のいずれかである。樹脂は、絶縁性があれば、特に限定されないが、例えば、ポリイミド、ＳｉＯＣなどである。なお、配線電極３１は支持部材８Ｂに直接接触しても良い。
　図１７は、第２実施形態の第１変形例の弾性波装置の断面図である。誘電体膜３３は、支持部材８Ｂ上に積層されており、圧電層２は、誘電体膜３３上に形成されている。配線電極３１は、圧電層２及び機能電極５１の一部の上に形成されている。配線電極３１と支持部材８Ｂとの間の少なくとも一部における圧電層２の厚みは、機能電極５１と支持部材８Ｂとの間の圧電層２の厚みより薄い。実施形態１の変形例１のように、空隙ＣＱ１の内部には、絶縁膜があってもよい。
（第３実施形態）
　図１８は、第３実施形態の弾性波装置の断面図である。第３実施形態の弾性波装置は、１つの支持部材８Ｃが第１共振子ＲＳ１、第２共振子ＲＳ２を支持している。第２共振子ＲＳ２は、第１共振子ＲＳ１とは異なる位置にある。第３実施形態の弾性波装置は、第１実施形態の弾性波装置と異なり、空洞部９Ａ及び空洞部９Ｂが中間層７に設けられている。第３実施形態では、第１実施形態と同じ構成には同じ符号を付して、説明を省略する。
　第３実施形態では、空洞部９Ａ及び空洞部９Ｂが中間層７に設けられているので、空洞部９Ａ及び空洞部９Ｂに重なる圧電層２のメンブレン領域の精度を高めることができる。空洞部９Ａ及び空洞部９Ｂは、支持部材８Ａと圧電層２との間に設けられるエアギャップによる空間部である。第３実施形態では、圧電層２に空洞部９Ａ及び空洞部９Ｂを形成するための孔があけられていることがある。圧電層２は、この孔を除き、空洞部９Ａ及び空洞部９Ｂを覆う。このように、空洞部９Ａの少なくとも一部及び空洞部９Ｂの少なくとも一部が圧電層２で覆われている。
（第４実施形態）
　図１９は、第４実施形態の弾性波装置の断面図である。第４実施形態の弾性波装置は、１つの支持部材８Ｄが第１共振子ＲＳ１、第２共振子ＲＳ２を支持している。第２共振子ＲＳ２は、第１共振子ＲＳ１とは異なる位置にある。第４実施形態の弾性波装置は、第１共振子において、上部の電極９１と、下部の電極９２と、圧電層２Ａとを備えている。第１共振子ＲＳ１において、上部の電極９１と下部の電極９２とは、対向し合う機能電極であり、圧電層２ＡをＺ方向に挟む。上部の電極９１は、圧電層２Ａの第１の主面に設けられ、下部の電極９２は、圧電層２Ａの第２の主面に設けられる。第２共振子ＲＳ２において、下部の電極９１Ａと下部の電極９４とは、対向し合う機能電極であり、圧電層２ＢをＺ方向に挟む。第４実施形態の弾性波装置は、ＢＡＷ素子（Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ　素子）とよばれることもある。電極９１と、電極９１Ａとは、配線電極９３で電気的に接続される。
　支持部材８Ｄに設けられた空洞部９Ａ及び空洞部９Ｂは、圧電層２Ａ及び圧電層２Ｂで覆われている。電極９１及び電極９２は、Ｚ方向において、空洞部９Ａと重なる。電極９１Ａ及び電極９４は、Ｚ方向において、空洞部９Ｂと重なる。
　絶縁膜４１は、支持部材８Ｄの上に設けられ、電極９２と支持部材８Ｄとの絶縁性を確保する。絶縁膜４１は、なくてもよい。絶縁膜４２は、圧電層２と配線電極９３との間に設けられる。また、絶縁膜４２は、配線電極９３と支持部材８Ｂとの絶縁性を確保する。絶縁膜４１及び絶縁膜４２は、上述した誘電体膜３３と同じ材料で形成される。空洞部９Ａの縁の近傍に、電極９１、配線電極９３、絶縁膜４２及び圧電層２に囲まれている空隙ＣＱ１が設けられている。空隙ＣＱ１は、配線電極９３による圧電層２の拘束を緩和する。圧電層２の拘束が緩和されると、圧電層２と空洞部９Ａの縁が重なる空洞部周辺の領域に生じる応力集中も緩和される。その結果、圧電層２の破壊や圧電層２の分極反転などの特性劣化が抑制される。
（第５実施形態）
　図２０は、第５実施形態の弾性波装置において、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す説明図である。第５実施形態では、第１実施形態と同じ構成には同じ符号を付して、説明を省略する。第５実施形態の弾性波装置１において、ｄ／２ｐと、ＭＲが異なる様々な弾性波装置１を構成し、比帯域を測定した。図２０の破線Ｄの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が１７％以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、ＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０７５で表される。すなわち、ＭＲ＝１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。従って、好ましくは、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。その場合には、比帯域を１７％以下としやすい。より好ましくは、図２０中の一点鎖線Ｄ１で示すＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０５の右側の領域である。すなわち、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５であれば、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。
（第６実施形態）
　図２１は、第６実施形態の弾性波装置において、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°、θ、ψ）に対する比帯域のマップを示す説明図である。第６実施形態では、第１実施形態と同じ構成には同じ符号を付して、説明を省略する。図２１のハッチングを付して示した部分が、少なくとも５％以上の比帯域が得られる領域である。領域の範囲を近似すると、下記の式（１）、式（２）及び式（３）で表される範囲となる。
　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）または（０°±１０°、２０°～８０°、［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°、［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°、任意のψ）　　…式（３）
　従って、上記式（１）、式（２）または式（３）のオイラー角範囲の場合、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。
　なお、上記した実施の形態は、本開示の理解を容易にするためのものであり、本開示を限定して解釈するためのものではない。本開示は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るとともに、本開示にはその等価物も含まれる。
１、８１　弾性波装置
２、２Ａ、２Ｂ　圧電層
２Ｅ　縁
２Ｈ　スリット
２Ｔ　薄厚部
２ａ　第１の主面
２ｂ　第２の主面
３　電極（第１の電極）
４　電極（第２の電極）
５　第１のバスバー
６　第２のバスバー
７　中間層
７ａ　開口部
８、８Ａ、８Ｂ、８Ｃ、８Ｄ　支持部材
８ａ　開口部
９、９Ａ、９Ｂ　空洞部
１０Ａ　ＩＤＴ電極
１０Ｂ　ＩＤＴ電極
１０Ｃ　他の電極
３１　配線電極
３２　配線金属層
３３　誘電体膜
４１　絶縁膜
４２　絶縁膜
５１　機能電極
５２　機能電極
８２　支持基板
８３　圧電層
８４　ＩＤＴ電極
８４ａ　第１のバスバー
８４ｂ　第２のバスバー
８４ｃ　電極
８４ｄ　電極
８５、８６　反射器
ＣＰ　接続部
ＣＱ１　空隙
ＣＱ２　絶縁膜
ＣＱＮ　密着部
ＲＳ１　第１共振子
ＲＳ２　第２共振子
ＶＰ１　仮想平面
ｐ　中心間距離

Claims (18)

  1. 　支持基板と、
    　第１方向にみて、前記支持基板に重なる圧電層と、
    　前記圧電層の少なくとも第１の主面に設けられる機能電極と、
    　前記機能電極に接続された配線電極と、
    を備え、
    　前記第１の主面の反対側であって、前記圧電層の第２の主面側に空間部があり、
    　前記空間部の少なくとも一部は、前記圧電層で覆われており、
    　前記配線電極は、前記機能電極の一部を覆うように設けられ、
    　前記第１方向にみて、前記機能電極が前記配線電極で覆われている領域において、前記機能電極と前記配線電極との間には空隙または絶縁膜が設けられている、
    弾性波装置。
  2. 　前記機能電極と前記配線電極との接続部は、前記第１方向において、前記空間部と重ならない領域にある、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記機能電極は、複数の第１電極と、前記複数の第１電極が接続された第１のバスバー電極と、複数の第２電極と、前記複数の第２電極が接続された第２のバスバー電極と、を有する、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記圧電層の厚みは、前記複数の第１電極と前記複数の第２電極のうち、隣り合う第１電極と第２電極との間の中心間距離をｐとした場合に２ｐ以下である、請求項３に記載の弾性波装置。
  5. 　前記配線電極と前記支持基板との間には前記圧電層が設けられていない領域がある、請求項１から４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記領域において、前記配線電極と前記支持基板との間には誘電体膜が設けられている、請求項５に記載の弾性波装置。
  7. 　前記配線電極と前記支持基板との間の少なくとも一部における圧電層の厚みは、前記機能電極と前記支持基板との間の圧電層の厚みより薄い、請求項１から４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  8. 　前記機能電極及び前記配線電極の少なくとも一方は、ＡｌまたはＣｕの少なくとも１つを含む、請求項１から７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　前記配線電極は、ＡｕまたはＰｔの少なくとも１つを含む、請求項１から８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 　前記圧電層が、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含む、請求項１から９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  11. 　厚み滑りモードのバルク波を利用している、請求項１０に記載の弾性波装置。
  12. 　前記機能電極が、互いに対向し合う少なくとも１対の第１電極及び第２電極を含み、
    　前記圧電層の厚みをｄ、隣り合う前記第１電極及び前記第２電極の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐ≦０．５である、請求項１０に記載の弾性波装置。
  13. 　前記ｄ／ｐが０．２４以下である、請求項１２に記載の弾性波装置。
  14. 　前記第１電極及び前記第２電極が対向している方向に視たときに、前記第１電極及び前記第２電極が重なり合っている領域である励振領域に対する、前記励振領域内の前記第１電極及び前記第２電極の面積の割合であるメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす、請求項１２または１３に記載の弾性波装置。
  15. 　前記機能電極がＩＤＴ電極である、請求項１から１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  16. 　前記機能電極が、前記第１の主面に設けられている上部の電極と、前記第２の主面に設けられている下部の電極とを有し、
    　前記上部の電極及び前記下部の電極が対向し合っている、請求項１から１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  17. 　前記支持基板の一部には、第１空間部と、前記第１空間部と異なる位置にある第２空間部とが設けられており、
    　前記第１方向において、前記第１空間部に重なり合う第１機能電極と、前記第２空間部に重なり合う第２機能電極と、を含む複数の前記機能電極と、前記第１機能電極と、前記第２機能電極とを接続する前記配線電極と、を備え、
    　前記第１機能電極と、前記配線電極との間には空隙または絶縁膜が設けられ、前記第２機能電極と、前記配線電極との間には空隙または絶縁膜が設けられている、請求項１から１６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  18. 　前記圧電層が、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含み、
    　前記ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある、請求項１から９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
    　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　　…式（１）
    　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）または（０°±１０°、２０°～８０°、［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
    　（０°±１０°、［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°、任意のψ）　　…式（３）
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