WO2021187534A1 - 短絡故障検出装置および電力変換装置 - Google Patents

短絡故障検出装置および電力変換装置 Download PDF

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那津子 竹内
松原 邦夫
拡 田久保
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富士電機株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a short circuit failure detection device and a power conversion device.
  • a short-circuit failure detection device In a power conversion device that drives a load such as a motor, an excessive current may flow through the semiconductor switches that make up the power conversion device. If such an excessive current flows over a long period of time, the semiconductor switch may be destroyed. Therefore, a short-circuit failure detection device is provided in the power conversion device. The short-circuit failure detection device detects an excessive current flowing through the semiconductor switch and stops the power conversion device.
  • a shunt resistor In this type of short-circuit fault detection device, a shunt resistor, CT (Current Transformer), Rogowski coil, etc. are used to detect the current flowing through the semiconductor switch. Among these parts, the Rogoski coil does not have a core. Therefore, there are advantages that the short circuit failure detection device can be miniaturized and a large current can be measured.
  • Patent Document 1 discloses a technique for detecting a short-circuit failure of an arm by a Rogowski coil with respect to a power conversion device that drives a load via an arm (arm circuit) including a semiconductor switch.
  • FIG. 17 is a circuit diagram of the device disclosed in Patent Document 1.
  • the gate drive circuit 96 supplies a gate voltage to the semiconductor switch 91 via the gate resistor 95 to drive the semiconductor switch 91.
  • the Rogoski coil 97 generates (outputs) an inter-terminal voltage proportional to the time gradient di / dt of the current flowing through the semiconductor switch 91.
  • the short-circuit detector 98 detects that the voltage between the terminals of the Rogoski coil 97 continues to be a large value for a certain period of time or longer. In this case, the short-circuit detector 98 determines that an arm short-circuit has occurred, and causes the gate drive circuit 6 to stop driving the semiconductor switch 91.
  • Patent Document 2 discloses a technique of detecting an arm short-circuit current by an air-core coil and detecting a load short-circuit current by a CT (Current Transformer).
  • Patent Document 1 The technique disclosed in Patent Document 1 is effective in detecting an arm short circuit. However, it is difficult to detect a load short circuit. This problem will be described below.
  • FIG. 18 is a circuit diagram illustrating a short-circuit current path RT1 when an arm short-circuit occurs in the power conversion device.
  • FIG. 19 is a circuit diagram illustrating a short-circuit current path RT2 when a load short-circuit occurs in the power conversion device.
  • two arms are connected in series to both terminals of the capacitor CE charged to the DC voltage Ev.
  • One of the two arms has a semiconductor switch SW1 and a flywheel diode DI1 connected in antiparallel to each other.
  • the other arm has a semiconductor switch SW2 and a flywheel diode DI2 connected in antiparallel to each other.
  • two arms are connected in series to both terminals of the capacitor CE.
  • One of the two arms has a semiconductor switch SW3 and a flywheel diode DI3 connected in antiparallel to each other.
  • the other has a semiconductor switch SW4 and a flywheel diode DI4 connected in antiparallel to each other.
  • a load Z (for example, a winding of a motor) is connected between the common connection nodes 99_1 and 99_2.
  • the common connection node 99_1 is located between the semiconductor switches SW1 and SW2.
  • the common connection node 99_2 is located between the semiconductor switches SW3 and SW4.
  • L1 indicates the self-inductance intervening in the short-circuit current path when an arm short-circuit occurs.
  • L2 indicates the self-inductance intervening in the current path from the common connection node 99_1 to the common connection node 99_2 via the load Z.
  • these semiconductor switches are controlled so that two semiconductor switches (for example, SW1 and SW2) connected in series with each other do not turn on at the same time. This is to prevent a short circuit of the power supply. However, for some reason, the semiconductor switch may fail or malfunction. Similarly, flywheel diodes can fail. In such a case, the arm short circuit described below occurs.
  • FIG. 18 it is assumed that the semiconductor switch SW1 or the flywheel diode DI1 is out of order for some reason.
  • the “X (cross)” mark shown in FIG. 18 indicates a failure of these parts. This also applies to FIG.
  • the arm short-circuit current ia flows through the current path RT1. This also applies when a backflow current flows through the flywheel diode DI1 for some reason. In such a case, the arm short-circuit current ia flows in the following order.
  • Capacitor CE Semiconductor switch SW1 ⁇ Semiconductor switch SW2 ⁇ Capacitor CE
  • load short circuits may occur for some reason.
  • a short-circuit failure of the load Z occurs when the semiconductor switches SW1 and SW4 are ON and the semiconductor switches SW2 and SW3 are OFF.
  • the load short-circuit current ir flows through the current path RT2.
  • the load short-circuit current ir flows in the following order.
  • Capacitor CE Semiconductor switch SW1 ⁇ Load Z ⁇ Semiconductor switch SW4 ⁇ Capacitor CE
  • FIG. 20 is a diagram illustrating waveforms of the arm short-circuit current ia and the load short-circuit current ir.
  • the horizontal axis represents time t
  • the vertical axis represents current (current value) i.
  • the arm short-circuit current ia is generated within a short time after the semiconductor switch SW2 is turned on.
  • the self-inductance L2 intervening in the path RT2 of the load short-circuit current ir is much larger than the self-inductance L1. Therefore, the load short-circuit current ir increases with a very gentle time gradient after the semiconductor switches SW1 and SW4 are turned on. Focusing on the frequency domain, the upper limit frequency of the frequency band of the arm short-circuit current is much higher than the upper limit frequency of the frequency band of the load short-circuit current.
  • One method for detecting the load short-circuit current ir with a small time gradient is to increase the number of turns of the Rogoski coil and increase the sensitivity of the Rogoski coil.
  • the detection of the load short-circuit current by the Rogoski coil leads not only to the increase in size of the Rogoski coil but also to the increase in size and complexity of the power conversion device.
  • one of the methods for accurately detecting the voltage between the terminals of the Rogowski coil is to lower the self-inductance of the Rogowski coil and perform LC both when an arm short circuit occurs and when a load short circuit occurs. It is to raise the resonance frequency of the resonance circuit sufficiently.
  • the LC resonant circuit has the self-inductance of the Rogoski coil and the parasitic capacitance.
  • the resonance frequency is sufficiently high, it is necessary to make the resonance frequency higher than the upper limit frequency of the frequency band of the voltage between the terminals of the Rogowski coil when the arm short circuit occurs. This is because if this resonance frequency is within the frequency band, the voltage waveform between the terminals of the Rogowski coil is distorted due to the influence of resonance, and it becomes difficult to detect an arm short circuit.
  • one way to prevent the influence of resonance is to reduce the self-inductance of the Rogoski coil and increase the resonance frequency.
  • the self-inductance of the Rogoski coil is reduced, the sensitivity of the Rogoski coil is lowered. Since the time gradient dia / dt of the load short-circuit current ir is extremely small, the voltage between the terminals of the Rogoski coil is buried in noise, and it is extremely difficult to detect the load short-circuit.
  • the arm short-circuit current is detected by the air-core coil, and the load short-circuit current is detected by CT.
  • CT when CT is used, the cost increases and the number of discrete parts increases, which complicates the configuration of the power conversion device.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and is to provide a technique capable of detecting at least a load short circuit among an arm short circuit and a load short circuit by using a Rogoski coil.
  • the short-circuit failure detection device is the short-circuit failure detection device of a power conversion device having a plurality of arms including semiconductor switches and supplying power to a load via the plurality of arms.
  • a first Rogowski coil that generates a first detection signal corresponding to a load short-circuit current, which is a current flowing through the first arm among the plurality of arms due to a load short-circuit, and the first arm or the plurality.
  • a second Rogowski coil that generates a second detection signal corresponding to an arm short-circuit current, which is a current flowing through the first arm due to a short-circuit of the second arm of the arms, and the first detection signal.
  • a load short-circuit detection circuit that detects a short-circuit of the load based on the above, an arm short-circuit detection circuit that detects a short-circuit of the first arm or the second arm based on the second detection signal, and the arm short-circuit. It is characterized by having a short circuit detection circuit that detects a short circuit failure based on an output signal of the detection circuit and an output signal of the load short circuit detection circuit.
  • the short-circuit failure detection device of the second aspect of the present invention is the short-circuit failure detection device of a power conversion device having a plurality of arms including semiconductor switches and supplying power to a load via the plurality of arms.
  • a Rogowski coil that generates a detection signal corresponding to a load short-circuit current, which is a current flowing through the first arm of the plurality of arms due to a load short-circuit, and a load that determines the load short-circuit based on the detection signal. It is characterized by having a short-circuit detection circuit and a short-circuit detection circuit that detects a short-circuit failure based on an output signal of the load short-circuit detection circuit.
  • the power conversion device of the third aspect of the present invention is attached to the first arm based on the short-circuit failure detection device of the first or second aspect and the short-circuit detection signal output by the short-circuit failure detection device. It is characterized by including a gate drive circuit for stopping the drive of the included semiconductor switch.
  • the power conversion device is a power conversion device that supplies power to a load via P arms (P is an integer of 2 or more) including each semiconductor switch.
  • P is an integer of 2 or more
  • Each of the Q arms (Q is a positive integer smaller than P) has Q short-circuit failure detection devices corresponding to each of the Q short-circuit failure detection devices, and each of the Q short-circuit failure detection devices responds by short-circuiting the load.
  • It is provided with a first Rogowski coil that outputs a first detection signal corresponding to a current flowing through the arm, and is characterized in that a short circuit failure is detected based on the first detection signal.
  • the power conversion device is a power conversion device that supplies power to a load via an arm including a semiconductor switching element.
  • a first Rogowski coil that outputs a detection signal
  • a second Rogowski coil that outputs a second detection signal corresponding to a current flowing through the arm due to a short-circuit failure of a diode connected in series to the arm, and the above. It is characterized by including a short-circuit failure detection device that detects a short-circuit failure based on the first detection signal or the second detection signal.
  • the arm short-circuit current is detected by the second Rogoski coil, and the load short-circuit current is detected by the first Rogoski coil.
  • the sensitivity of the first Rogoski coil is set to a value suitable for detecting the load short-circuit current. Therefore, even if the self-inductance of the first Rogoski coil increases, this increase does not hinder the detection of the arm short-circuit current by the second Rogoski coil. Therefore, both an arm short circuit and a load short circuit can be detected.
  • the load short circuit current is detected by the first Rogoski coil. As a result, a load short circuit can be detected.
  • a power conversion device capable of detecting at least a load short circuit among a load short circuit and an arm short circuit is provided.
  • a short-circuit failure detection device including the first Rogoski coil is provided on each of a part of the plurality of arms.
  • the load short-circuit current is detected by the first Rogoski coil. Since it is sufficient to provide the first Rogoski coil on a part of the arms, the load short-circuit current can be detected without increasing the size and complexity of the power conversion device.
  • a short-circuit failure of a load can be detected by a first Rogoski coil suitable for its detection. Further, a short-circuit failure of a diode connected in series with the arm can be detected by a second Rogoski coil suitable for the detection.
  • FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a power conversion device 1 including a short-circuit failure detection device according to the first embodiment.
  • the capacitor 30 is charged by the DC power supply 40 to stabilize the DC voltage.
  • Arms 10_1 and 10_2 are connected in series to both terminals of the capacitor 30.
  • arms 10_3 and 10_4 are connected in series to both terminals.
  • a load Z (for example, a winding of a motor) is arranged between the common connection nodes ND1 and ND2, and the load Z is connected to these common connection nodes.
  • Each arm 10_1 to 10_1 includes a semiconductor switch.
  • the gate drive circuits 20_1 to 20_4 correspond to the arms 10_1 to 10_4, respectively.
  • Each of the gate drive circuits 20_1 to 20_1 drives the semiconductor switch by applying a gate signal to the semiconductor switch of the corresponding arm.
  • each of the power conversion devices 1 has arms 10_1 to 10_1 including a semiconductor switch, and power is supplied from the DC power supply 40 to the load Z via these arms.
  • Each of the arms 10_1 and 10_3 is an example of the first arm
  • each of the arms 10_2 and 10_4 is an example of the second arm.
  • the arm short circuit In order to prevent a short circuit of the power supply, the two semiconductor switches 10_1 and 10_2 connected in series with each other are controlled so as not to be turned on at the same time. As an example, a case where the semiconductor switch 10_1 is controlled to be ON and the semiconductor switch 10_2 is controlled to OFF will be described. If the semiconductor switch of the arm 10_1 is turned on in a state where a short-circuit failure has occurred in the arm 10_1 for some reason, an arm short-circuit current flows through the semiconductor switch of the arm 10_1 due to an unintended short-circuit of the semiconductor switch 10_2.
  • the short circuit failure detection device 100_1 is provided on the arm 10_1.
  • the short-circuit failure detection device 100_1 detects the occurrence of an arm short-circuit or a load short-circuit based on the current flowing through the arm 10_1, and stops the drive of the semiconductor switch by the gate drive circuit 20_1. Similar arm short-circuit currents and load short-circuit currents may flow in the other arms 10_2 to 10_4. Therefore, the short circuit failure detection device 100_2 is provided on the arm 10_2.
  • a short circuit failure detection device 100_3 is provided on the arm 10_3.
  • a short circuit failure detection device 100_4 is provided on the arm 10_4.
  • the arms 10_1 to 10_4 are collectively referred to as an arm 10.
  • the gate drive circuits 20_1 to 20_1 are collectively referred to as the gate drive circuit 20.
  • the short-circuit failure detection devices 100_1 to 100_4 are collectively referred to as short-circuit failure detection devices 100.
  • FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration example of the short circuit failure detection device 100 according to the first embodiment.
  • the arm 10 and the gate drive circuit 20 are shown together with the short-circuit failure detection device 100 in order to facilitate understanding of the short-circuit failure detection device 100.
  • each of the arms 10_1 to 10_1 includes a semiconductor switch 11 and a flywheel diode 12 connected in antiparallel to the semiconductor switch 11.
  • the semiconductor switch 11 is a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor; an electrolytic effect transistor having a metal-oxide film-semiconductor structure).
  • the semiconductor switch 11 has a source (source electrode), a drain (drain electrode), and a gate (control electrode).
  • the drain of the semiconductor switch 11 is connected to the capacitor 30 or another arm via a lead wire 51.
  • the source of the semiconductor switch 11 is connected to the capacitor 30 or another arm via a lead wire 52.
  • the gate of the semiconductor switch 11 is connected to the gate drive circuit 20.
  • the gate drive circuit 20 drives the semiconductor switch 11 ON / OFF by supplying a gate signal to the gate of the semiconductor switch 11.
  • the conducting wire 52 is inserted into the first Rogoski coil 101 and the second Rogoski coil 102.
  • the first Rogoski coil 101 detects the load short-circuit current.
  • the second Rogoski coil 102 detects the arm short-circuit current.
  • a current flows through the conductor 52, a circular magnetic field is generated around the conductor 52 around this current.
  • a voltage corresponding to the time change of the strength of the magnetic field is induced in the first Rogoski coil 101 and the second Rogoski coil 102.
  • the first detection signal S1 having a voltage waveform proportional to the time gradient di / dt of the current flowing through the lead wire 52 is output from the first Rogoski coil 101.
  • a second detection signal S2 having a voltage waveform proportional to the time gradient di / dt of the current flowing through the conducting wire 52 is output from the second Rogoski coil 102.
  • the first Rogoski coil 101 is a coil optimized for detecting a load short-circuit current.
  • the second Rogoski coil 102 is a coil optimized for detecting an arm short-circuit current.
  • the sensitivity of the second Rogoski coil 102 is It is lower than the sensitivity of the first Rogoski coil 101.
  • the number of turns of the second Rogoski coil 102 is smaller than the number of turns of the first Rogoski coil 101.
  • the reason why the sensitivity of the second Rogoski coil 102 is lower than that of the first Rogoski coil 101 is as follows. If the self-inductivity of the second Rogowski coil 102 is low, the resonance frequency of the LC resonance circuit having the self-inductivity of the second Rogowski coil 102 and the parasitic capacitance becomes high, and this resonance frequency is the frequency of the arm short-circuit current. This is because it is out of the band range. Further, if the sensitivity of the first Rogoski coil 101 is higher than the sensitivity of the second Rogoski coil 102, the load short-circuit current having a small time gradient can be detected accurately.
  • the arm short-circuit detection circuit 112 detects that an arm short-circuit has occurred in the power conversion device 1 based on the second detection signal S2. Specifically, in the arm short-circuit detection circuit 112, an arm short-circuit occurs when the second detection signal S2 is maintained at a level higher than the second reference level Vref2 beyond the second reference time Tref2. Is determined. When the arm short circuit detection circuit 112 detects an arm short circuit, the short circuit detection signal E2 changes the short circuit detection signal E2 from the inactive level “0” to the active level “1”.
  • the load short-circuit detection circuit 111 detects that a load short-circuit has occurred in the power conversion device 1 based on the first detection signal S1. Specifically, in the load short-circuit detection circuit 111, a load short-circuit occurs when the first detection signal S1 is maintained at a level higher than the first reference level Vref1 beyond the first reference time Tref1. Is determined. When the load short circuit detection circuit 111 detects a load short circuit, the load short circuit detection signal E1 changes the short circuit detection signal E1 from the inactive level “0” to the active level “1”.
  • the short-circuit detection circuit 120 indicates that some short-circuit failure has occurred in the power conversion device 1 based on the short-circuit detection signal E2 output by the arm short-circuit detection circuit 112 and the short-circuit detection signal E1 output by the load short-circuit detection circuit 111.
  • the short circuit detection signal E shown is generated.
  • the short-circuit detection circuit 120 is an OR circuit and outputs the logical sum of the short-circuit detection signal E2 and the short-circuit detection signal E1 as the short-circuit detection signal E.
  • the gate drive circuit 20 stops the operation of driving the semiconductor switch 11 when the short-circuit detection signal E changes to the active level “1”.
  • FIGS. 3A, 3B, and 3C are a waveform diagram showing an operation example of the first embodiment.
  • FIG. 3A (a) the waveform of the current i flowing through the lead wire 52, and (2) the second The waveform of the detection signal S2, (3) the waveform of the level determination signal D2 generated in the arm short-circuit detection circuit 112, and (4) the waveform of the short-circuit detection signal E2 output by the arm short-circuit detection circuit 112 are shown.
  • FIG. 3A (a) the waveform of the current i flowing through the lead wire 52, and (2) the second The waveform of the detection signal S2, (3) the waveform of the level determination signal D2 generated in the arm short-circuit detection circuit 112, and (4) the waveform of the short-circuit detection signal E2 output by the arm short-circuit detection circuit 112 are shown.
  • FIG. 3A (a) the waveform of the current i flowing through the lead wire 52, and (2) the second The waveform of the detection signal S2, (3) the waveform of the level determination
  • FIG. 3B shows (1) the waveform of the current i flowing through the lead wire 52, and (2) the arm for each of (a) normal operation, (b) when an arm short circuit occurs, and (c) when a load short circuit occurs.
  • the waveform of the short-circuit detection signal E2 output by the short-circuit detection circuit 112, (3) the waveform of the short-circuit detection signal E1 output by the load short-circuit detection circuit 111, and (4) the waveform of the short-circuit detection signal E output by the short-circuit detection circuit 120 are It is shown.
  • the horizontal axis represents time t.
  • the vertical axis indicates any of voltage, current and truth value.
  • the arm short-circuit detection circuit 112 compares the second detection signal S2 output from the second Rogoski coil 102 with the second reference level Vref2.
  • the arm short-circuit detection circuit 112 sets the level determination signal D2 to the active level “1” when the second detection signal S2 exceeds the second reference level Vref2.
  • a current i having a large time gradient di / dt flows through the conductor 52. Therefore, the arm short-circuit detection circuit 112 is required to detect such a large time gradient di / dt.
  • the second reference level Vref2 has a sufficiently large voltage suitable for comparison with the second detection signal S2 when an arm short circuit occurs. Further, the arm short-circuit detection circuit 112 sets the short-circuit detection signal E2 to the active level “1” when the level determination signal D2 exceeds the second reference time Tref2 and is maintained at the active level “1”.
  • the current i having a large time gradient di / dt flowing through the conducting wire 52 has a value that causes the semiconductor switch 11 to instantly fail. Therefore, when an arm short circuit occurs, the time for the current i having a large time gradient di / dt to flow through the conductor 52 is short. Therefore, the second reference time Tref2 is a sufficiently short time (for example, on the order of 10 ns to 100 ns) in which an arm short circuit can be detected.
  • the semiconductor switch 11 When the semiconductor switch 11 is turned on, the current i flowing through the conducting wire 52 rises. During the rising period of the current i, the second detection signal S2 indicating the time gradient di / dt of the current i exceeds the second reference level Vref2, and the level determination signal D2 is maintained at the active level “1”. However, the rising period of the current i is short, and the period during which the level determination signal D1 is maintained at the active level “1” is shorter than the second reference time Tref2. Therefore, the short circuit detection signal E2 does not change to the active level “1”.
  • the current i flowing through the conductor 52 rises when the semiconductor switch 11 is turned on. After that, the current i increases with a time gradient determined by the self-inductance intervening in the load short-circuit current path. In this case, the second detection signal S2 exceeds the second reference level Vref2 during the rising period of the current i. However, as in the normal case, the rising period of the current i is short. In addition to this, the period during which the level determination signal D2 is maintained at the active level "1" is shorter than the second reference time Tref2. Therefore, the short circuit detection signal E2 does not change to the active level “1”.
  • the operation of the arm short circuit detection circuit 112 when an arm short circuit occurs is as follows. It is assumed that a short-circuit failure occurs in another arm 10 connected in series with the semiconductor switch 11 due to the turn-on of the semiconductor switch 11 of each arm 10. In this case, the current i flowing through the conducting wire 52 rises with a time gradient determined by the self-inductance intervening in the path of the current i. As a result, the second detection signal S2 exceeds the second reference level Vref2, and the level determination signal D2 changes to the active level “1”. In this case, the rising period of the current i is longer than the rising period of the current i in the normal time, and the level determination signal D2 is maintained at the active level “1” beyond the second reference time Tref2. Therefore, the short-circuit detection signal E2 changes to the active level “1”.
  • the second Rogoski coil 102 detects the time gradient di / dt of the current in which the second detection signal S2 falls within the range A2p or the range A2n with high accuracy.
  • the second reference level Vref2 is within the range A2p. Therefore, the arm short-circuit detection circuit 112 can accurately detect the arm short-circuit.
  • the load short-circuit detection circuit 111 compares the first detection signal S1 output from the first Rogoski coil 101 with the first reference level Vref1.
  • the load short-circuit detection circuit 111 sets the level determination signal D1 to the active level "1" when the first detection signal S1 exceeds the first reference level Vref1.
  • a load short circuit occurs, a small current i with a time gradient di / dt flows through the conductor 52. Therefore, the load short-circuit detection circuit 111 is required to detect such a small time gradient di / dt.
  • the first reference level Vref1 has a sufficiently small voltage suitable for comparison with the first detection signal S1 when a load short circuit occurs. Further, the load short-circuit detection circuit 111 sets the short-circuit detection signal E1 to the active level “1” when the level determination signal D1 exceeds the first reference time Tref1 and is maintained at the active level “1”. When a load short circuit occurs, the time at which the time gradient di / dt of the current i flowing through the conducting wire 52 increases is longer than that during the normal operation and when the arm short circuit occurs. Therefore, the first reference time Tref1 is set to a sufficiently long time (for example, several tens to several hundred times the reference time Tref1) so that the normal operation or the arm short circuit is not mistaken as a load short circuit. ..
  • the semiconductor switch 11 When the semiconductor switch 11 is turned on, the current i flowing through the conducting wire 52 rises. After that, during the rising period of the current i, the first detection signal S1 indicating the time gradient di / dt of the current i exceeds the first reference level Vref1, and the level determination signal D1 changes to the active level “1”. However, the period during which the level determination signal D1 is maintained at the active level "1" is shorter than the first reference time Tref1. Therefore, the short circuit detection signal E1 does not change to the active level “1”.
  • Tref2 ⁇ Tref1 there is a relationship of Tref2 ⁇ Tref1 between the time required for detecting an arm short circuit and the time required for detecting a load short circuit. Therefore, when an arm short circuit occurs, the short circuit detection signal E2 changes to the active level "1" before the short circuit detection signal E1. Therefore, the load short circuit is not detected due to the occurrence of the arm short circuit.
  • the current i flowing through the conducting wire 52 rises due to the turn-on of the semiconductor switch 11. After that, the current i increases with a time gradient determined by the self-inductance intervening in the load short-circuit current path. In this way, in the period in which the current i increases with a constant time gradient immediately after the rise of the current i, the first detection signal S1 exceeds the first reference level Vref1 and the level determination signal D1 becomes the active level “1”. Change. When a load short circuit occurs, the level determination signal D1 exceeds the first reference time Tref1 and is maintained at the active level “1”. Therefore, the short circuit detection signal E2 changes to the active level “1”.
  • the first Rogoski coil 101 detects the time gradient di / dt of the current in which the first detection signal S1 falls within the range A1 with high accuracy.
  • the first reference level Vref1 is within the range A2. Therefore, the first detection signal S1 generated by the load short circuit can be detected with high accuracy.
  • the short-circuit detection circuit 120 outputs the logical sum of the short-circuit detection signal E1 and the short-circuit detection signal E2 as the short-circuit detection signal E. Therefore, when an arm short circuit or a load short circuit occurs, a short circuit detection signal E is output to the gate drive circuit 20. As a result, the gate drive circuit 20 stops driving the semiconductor switch 11.
  • both the arm short circuit and the load short circuit that occur in the power conversion device can be accurately detected by using the Rogoski coil. Further, according to the present embodiment, since a discrete component such as a CT is not used to detect the short-circuit current, the cost can be reduced and the size of the short-circuit failure detection device can be avoided.
  • the first specific example relates to two Rogoski coils.
  • One of the Rogoski coils is a second Rogoski coil 102 that generates a second detection signal S2 having an appropriate size when an arm short circuit occurs.
  • the other is a first Rogoski coil 101 that generates a first detection signal S1 having an appropriate size when a load short circuit occurs.
  • FIG. 4 is a diagram showing a first specific example of the first embodiment.
  • the second Rogoski coil 102A for detecting an arm short circuit has a first portion 41 and a second portion 42.
  • the first portion 41 is a portion in which a portion from one end of one conducting wire (wiring) to a predetermined point of the conducting wire is wound in a toroidal coil shape.
  • the second portion 42 is a portion where a portion of the conducting wire from a predetermined point to the other end passes through the toroidal coil and the other end returns to the one end.
  • the first Rogoski coil 101A for detecting a load short circuit also has a first portion 43 similar to the first portion 41 and a second portion 44 similar to the second portion 42.
  • the number of turns n2 of the second Rogoski coil 102A for detecting the arm short circuit is different from the number of turns n1 of the first Rogoski coil 101A for detecting the load short circuit.
  • n1> n2 between the number of turns n2 of the first portion 41 of the second Rogoski coil 102A and the number of turns n1 of the first portion 43 of the first Rogoski coil 101A. There is. The reason will be described below.
  • indicates the magnetic permeability of air (same as the magnetic permeability of vacuum).
  • SQ indicates the magnetic path cross-sectional area of each Rogoski coil.
  • n indicates the number of turns of each Rogoski coil.
  • LG indicates the magnetic path length of each Rogoski coil.
  • di / dt indicates the time gradient of the current i detected by each Rogoski coil.
  • the magnetic path cross-sectional area SQ is the cross-sectional area of the space surrounded by the toroidal coils constituting the first portion (41 or 43) of each Rogoski coil.
  • the magnetic path length is the length of the space surrounded by the toroidal coils of each Rogoski coil and is substantially equal to the length of the second portion (42 or 44).
  • Equation (5) shows that when the time gradient di / dt of the current is small, it is necessary to increase the number of turns n in order to obtain a sufficiently large voltage v from the Rogoski coil.
  • the number of turns n1 of the first Rogoski coil 101A is larger than the number of turns n2 of the second Rogoski coil 102A.
  • the time gradient di / dt of the current when the arm short circuit occurs is set to, for example, 10 times the time gradient di / dt of the current when the load short circuit occurs.
  • the number of turns n1 and n2 is calculated. Since the Rogoski coils 101A and 102A have the turns n1 and n2 obtained by the equation (5), respectively, both the arm short circuit and the load short circuit can be detected with high accuracy.
  • FIG. 5 is a diagram showing a second specific example of the first embodiment.
  • the magnetic path cross-sectional area SQ2 of the second Rogowski coil 102B for detecting an arm short circuit is different from the magnetic path cross-sectional area SQ1 of the first Rogowski coil 101B for detecting a load short circuit. ..
  • SQ1> SQ2 there is a relationship of SQ1> SQ2 between the magnetic path cross-sectional areas SQ1 and SQ2.
  • Equation (7) shows that it is necessary to increase the magnetic path cross-sectional area SQ in order to obtain a sufficiently large voltage v from the Rogoski coil when the time gradient di / dt of the current is small. ..
  • the magnetic path cross-sectional area SQ1 of the first Rogowski coil 101B is the magnetic path cross-sectional area of the second Rogowski coil 102B. Larger than SQ2.
  • the time gradient di / dt of the current when the arm short circuit occurs is set to, for example, 10 times the time gradient di / dt of the current when the load short circuit occurs.
  • the magnetic path cross-sectional areas SQ1 and SQ2 are calculated. Since the Rogoski coils 101B and 102B have the magnetic path cross-sectional areas SQ1 and SQ2 obtained by the equation (7), respectively, both arm short circuit and load short circuit can be detected with high accuracy.
  • FIG. 6 is a diagram showing a third specific example of the first embodiment.
  • the magnetic path length LG2 of the second Rogoski coil 102C for detecting the arm short circuit is different from the magnetic path length LG1 of the first Rogoski coil 101C for detecting the load short circuit.
  • LG1 ⁇ LG2 there is a relationship of LG1 ⁇ LG2 between the magnetic path lengths LG1 and LG2.
  • the magnetic path length LG1 of the first Rogoski coil 101C is shorter than the magnetic path length LG2 of the second Rogoski coil 102C.
  • FIG. 7A and 7B are diagrams showing a fourth specific example of the first embodiment.
  • FIG. 7A is a diagram showing a first Rogoski coil 101D and a second Rogoski coil 102D as seen from the semiconductor switch 11D of FIG. 7B.
  • FIG. 7B is a cross-sectional view taken along the line AA'of FIG. 7A.
  • a multilayer wiring board is sandwiched between the semiconductor switch 11D and the main wiring board 70.
  • the multilayer wiring board includes a first layer wiring board 61, a second layer wiring board 62, and a third layer wiring board 63.
  • the first layer wiring board 61 is separated from the main wiring board 70
  • the second layer wiring board 62 is separated from the first layer wiring board 61
  • the third layer wiring board 63 is separated from the second layer wiring board 62.
  • the switch 11D is separated from the third layer wiring board 63.
  • the conductors 51 and 52 correspond to the conductors 51 and 52 in FIG. 2, respectively.
  • the lead wire 51 is connected to the source of the semiconductor switch 11D.
  • the conductor 52 is connected to the drain of the semiconductor switch 11D.
  • These conductors 51 and 52 are connected to the main wiring board 70 via the third layer wiring board 63, the second layer wiring board 62, and the first layer wiring board 61.
  • the semiconductor switch 11D is connected to another semiconductor switch or power supply line provided in the power conversion device 1 via the lead wire 51 or 52 and the main wiring board 70.
  • the second ROGOVSKI coil 102D for detecting an arm short circuit is arranged on the first layer wiring board 61, the second layer wiring board 62, and the third layer wiring board 63 so as to surround the conducting wire 51. .. Further, the first ROGOVSKI coil 101D for detecting a load short circuit is arranged on the first layer wiring board 61, the second layer wiring board 62, and the third layer wiring board 63 so as to surround the conducting wire 52. ing.
  • the second Rogoski coil 102D has a first portion 41 and a second portion 42.
  • the first portion 41 is a portion in which a portion from one end of one conducting wire (wiring) to a predetermined point of the conducting wire is wound in a toroidal coil shape.
  • the second portion 42 is a portion where a portion of the conducting wire from a predetermined point to the other end passes through the toroidal coil and the other end returns to the one end.
  • the second portion 42 is arranged on the second layer wiring board 62.
  • the first portion 41 is formed from the first layer wiring board 61 to the third layer through (i) wiring on the first layer wiring board 61 and (i) through holes arranged in the second layer wiring board 62.
  • the first Rogoski coil 101D also has a first portion 43 similar to the first portion 41 of the second Rogoski coil 102D and a second portion 44 similar to the second portion 42.
  • both arm short circuit and load short circuit can be detected with high accuracy.
  • the second Rogoski coil 102D is arranged at a position corresponding to the source of the semiconductor switch 11D, and the first Rogoski coil 101D is the drain of the semiconductor switch 11D. It is located at the position corresponding to. That is, in the fourth specific example, the second Rogoski coil 102D is arranged on the conducting wire 51 connected to the source of the semiconductor switch 11D in the current path via the arm 10. Further, the first Rogoski coil 101D is arranged on the conducting wire 52 connected to the drain of the semiconductor switch 11D.
  • the second Rogoski coil 102D, the semiconductor switch 11D, and the first Rogoski coil 101D are arranged in this order in the current path passing through the arm 10. Therefore, as shown in FIG. 7B, two Rogoski coils can be arranged under the arm.
  • the wiring length between the two semiconductor switches 11D connected in series with each other and the wiring length of the capacitor 30 (see FIG. 1) can be shortened.
  • FIG. 8 is a diagram showing a fifth specific example of the first embodiment.
  • the second Rogoski coil 102E for detecting the arm short circuit and the first Rogoski coil 101E for detecting the load short circuit are arranged so as to cover the bus bar 104.
  • the bus bar 104 is an example of a current path to be measured.
  • the shield plate 103 is arranged between the second Rogoski coil 102E and the first Rogoski coil 101E.
  • the shield plate 103 is, for example, metal. According to the fifth specific example, it is possible to prevent the current flowing through the second Rogoski coil 102E and the current flowing through the first Rogoski coil 101E from interfering with each other.
  • the first embodiment can be modified as follows.
  • the short circuit failure detection device is applied to a two-phase inverter having four arms.
  • the short circuit failure detection device may be applied to an inverter having a number of phases other than two phases, for example, a three-phase inverter.
  • the short circuit failure detection device may be applied to a power conversion device other than the inverter, for example, a DC / DC converter.
  • MOSFET is mentioned as an example of the semiconductor switch, but the semiconductor switch is not limited to this, and other examples such as IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) and the like. It may be a semiconductor switch of.
  • any two, three, four, or all of the first to fifth specific examples may be combined.
  • the number of turns of the first Rogoski coil 101 is larger than the number of turns of the second Rogoski coil 102
  • the cross-sectional area of the first Rogoski coil 101 is larger than the cross-sectional area of the second Rogoski coil 102. May be large.
  • the magnetic path length of the first Rogoski coil 101 may be shorter than the magnetic path length of the second Rogoski coil 102.
  • both the second Rogowski coil 102D and the first Rogowski coil 101D are arranged on the first layer wiring board 61, the second layer wiring board 62, and the third layer wiring board 63.
  • at least one of the first Rogowski coil 101D and the second Rogowski coil 102D is arranged on the wiring board (first layer wiring board 61, second layer wiring board 62, and third layer wiring board 63). I just need to be there.
  • the second Rogoski coil 102D, the semiconductor switch 11D, and the first Rogoski coil 101D are arranged in this order in the current path via the arm 10.
  • the first Rogoski coil 101D, the semiconductor switch 11D, and the second Rogoski coil 102D may be arranged in this order in the current path via the arm 10. That is, the semiconductor switch 11D and the first Rogoski coil 101D may be arranged in that order, or may be arranged in the reverse order.
  • the arm short-circuit detection circuit 112 the load short-circuit detection circuit 111, and the short-circuit detection circuit 120 are separate, but these circuits may be one circuit.
  • the short-circuit detection signal E is input to the gate drive circuit 20, but the short-circuit detection signals E1 and E2 may be directly input to the gate drive circuit 20. Further, the protection operation may be changed depending on the short circuit detection signal as follows. (I) When the short-circuit detection signal E2 is output, an arm short-circuit has occurred. Therefore, the restart of the gate drive circuit 20 may be prohibited after the gate drive circuit 20 is stopped. (Ii) When the short-circuit detection signal E1 is output, a load short-circuit has occurred. Therefore, if the short circuit of the load is released after the gate drive circuit 20 is stopped, the gate drive circuit 20 may be restarted.
  • FIG. 9 is a circuit diagram showing the configuration of the power conversion device 1A according to the second embodiment.
  • the capacitor 30 is charged by the DC power supply 40 to stabilize the DC voltage.
  • Arms 10_1 and 10_2 are connected in series to both terminals of the capacitor 30.
  • arms 10_3 and 10_4 are connected in series to both terminals.
  • arms 10_5 and 10_6 are connected in series to both terminals.
  • each of the arms 10_1 to 10_1 includes a semiconductor switch.
  • the gate drive circuits 20_1 to 20_6 correspond to the arms 10_1 to 10_6, respectively.
  • Each of the gate drive circuits 20_1 to 20_1 drives the semiconductor switch by applying a gate signal to the gate of the semiconductor switch of the corresponding arm.
  • each of the power conversion devices 11A has two or more arms 10_1 to 10_6 including a semiconductor switch, and power is supplied from the DC power supply 40 to the load Z via these arms.
  • the arm short circuit In order to prevent a short circuit of the power supply, the two semiconductor switches 10_1 and 10_2 connected in series with each other are controlled so as not to be turned on at the same time. This point is the same as that of the first embodiment. As an example, a case where the semiconductor switch 10_1 is controlled to OFF and the semiconductor switch 10_2 is controlled to ON will be described. If the semiconductor switch of the arm 10_2 is turned on while the arm 10_1 has a short-circuit failure, an arm short-circuit current flows through the semiconductor switch of the arm 10_2 due to an unintended short-circuit of the semiconductor switch 10_1.
  • a short-circuit failure detection device is provided for each of some of the six arms 10_1 to 10_6.
  • short circuit failure detection devices 100_2, 100_4 and 100_6 are provided on the arms 10_2, 10_4 and 10_6, respectively.
  • the arms 10_1 to 10_6 are collectively referred to as the arm 10.
  • the gate drive circuits 20_1 to 20_1 are collectively referred to as the gate drive circuit 20.
  • the short-circuit failure detection devices 100_2, 100_4 and 1 to 100_6 are collectively referred to as the short-circuit failure detection device 100.
  • the reasons why the short-circuit failure detection devices 100_2, 100_4 and 100_6 are provided for the arms 10_2, 10_4 and 10_6 are as follows.
  • the first method is to provide the short circuit failure detection device 100 on the arms 10_1, 10_3 and 10_5.
  • the second method is to provide the short circuit failure detection device 100 on the arms 10_2, 10_4 and 10_6.
  • the second method is adopted to detect the arm short-circuit current and the load short-circuit current for all the current paths.
  • FIG. 10 is a circuit diagram showing a configuration example of the short circuit failure detection device 100 according to the second embodiment.
  • the arm 10 and the gate drive circuit 20 are shown together with the short-circuit failure detection device 100 in order to facilitate understanding of the short-circuit failure detection device 100.
  • each arm 10 includes a semiconductor switch 11 and a flywheel diode 12 connected in antiparallel to the semiconductor switch 11. Since the semiconductor switch 11 and the gate drive circuit 20 are the same as those of the first embodiment, detailed description thereof will be omitted.
  • the conducting wire 52 is inserted into the first Rogoski coil 101 and the second Rogoski coil 102. Since the first Rogoski coil 101 and the second Rogoski coil 102 are the same as those of the first embodiment, detailed description thereof will be omitted.
  • the arm short-circuit detection circuit 112 is a circuit that detects that an arm short-circuit has occurred in the power conversion device 1A based on the second detection signal S2. Since the arm short-circuit detection circuit 112 is the same as that of the first embodiment, detailed description thereof will be omitted.
  • the load short circuit detection circuit 111 is a circuit that detects that a load short circuit has occurred in the power conversion device 1A based on the first detection signal S1. Since the load short-circuit detection circuit 111 is the same as that of the first embodiment, detailed description thereof will be omitted.
  • the cutoff control circuit 121 indicates that some short-circuit failure has occurred in the power conversion device 1A based on the short-circuit detection signal E2 output by the arm short-circuit detection circuit 112 and the short-circuit detection signal E1 output by the load short-circuit detection circuit 111. To detect. In this case, the cutoff control circuit 121 generates the short circuit detection signal E. In this example, the cutoff control circuit 121 includes an OR circuit, and the OR circuit generates a logical sum of the short circuit detection signal E1 and the short circuit detection signal E2 as the short circuit detection signal E.
  • the cutoff control circuit 121 controls to cut off the arm short-circuit current or the load short-circuit current when the short-circuit detection signal E is generated. More specifically, the cutoff control circuit 121 outputs the cutoff signal C when the short circuit detection signal E2 is generated.
  • the cutoff signal C drives the semiconductor switch 11 of the arm 10 (for example, 10_2) provided with the short-circuit failure detection device 100 and the semiconductor switch 11 of the arm 10 (for example, 10_1) not provided with the short-circuit failure detection device 100. It is a signal to stop. Specifically, it is assumed that an arm short circuit (short circuit detection signal E2) occurs in the short circuit failure detection device 100_2 of FIG.
  • the cutoff control circuit 121 of the short circuit failure detection device 100_2 outputs the cutoff signal C2 to the gate drive circuit 20_2 of the arm 10_2 in which the arm short circuit current is detected, and outputs the cutoff signal C1 to the gate drive circuit 20_1 of the arm 10_1. do. Further, the cutoff control circuit 121 shuts off the gate drive circuit 20 of the arm 10 in which the load short circuit current is detected to stop the drive of the semiconductor switch 11 of the arm 10 when the short circuit detection signal E1 is generated. Output signal C.
  • the cutoff control circuit 121 outputs a failure signal F to the control device 1000 when the short circuit detection signal E is generated. Upon receiving the failure signal F, the control device 1000 starts the control for stopping the power conversion device 1A.
  • FIGS. 11A, 11B and 11C are a waveform diagram showing an operation example of the second embodiment.
  • FIG. 11A (a) the waveform of the current i flowing through the lead wire 52, and (2) the second The waveform of the detection signal S2, (3) the waveform of the level determination signal D2 generated in the arm short-circuit detection circuit 112, and (4) the waveform of the short-circuit detection signal E2 output by the arm short-circuit detection circuit 112 are shown.
  • FIG. 11A (a) the waveform of the current i flowing through the lead wire 52, and (2) the second The waveform of the detection signal S2, (3) the waveform of the level determination signal D2 generated in the arm short-circuit detection circuit 112, and (4) the waveform of the short-circuit detection signal E2 output by the arm short-circuit detection circuit 112 are shown.
  • FIG. 11A (a) the waveform of the current i flowing through the lead wire 52, and (2) the second The waveform of the detection signal S2, (3) the waveform of the level determination signal
  • FIG. 11B shows (1) the waveform of the current i flowing through the lead wire 52, and (2) the arm for each of (a) normal operation, (b) when an arm short circuit occurs, and (c) when a load short circuit occurs.
  • the waveform of the short-circuit detection signal E2 output by the short-circuit detection circuit 112, (3) the waveform of the short-circuit detection signal E1 output by the load short-circuit detection circuit 111, and (4) the waveform of the short-circuit detection signal E output by the cutoff control circuit 121 are It is shown.
  • the horizontal axis represents time t.
  • the vertical axis indicates either voltage, current or truth value.
  • the arm short-circuit detection circuit 112 compares the second detection signal S2 output from the second Rogoski coil 102 with the second reference level Vref2.
  • the arm short-circuit detection circuit 112 sets the level determination signal D2 to the active level “1” when the second detection signal S2 exceeds the second reference level Vref2. This point is the same as that of the first embodiment.
  • the arm short-circuit detection circuit 112 sets the arm short-circuit detection signal E2 to the active level “1” when the level determination signal D2 exceeds the second reference time Tref2 and is maintained at the active level “1”. This point is also the same as that of the first embodiment.
  • the semiconductor switch 11 When the semiconductor switch 11 is turned on, the current i flowing through the conducting wire 52 rises. During the rising period of the current i, the second detection signal S2 indicating the time gradient di / dt of the current i exceeds the second reference level Vref2, and the level determination signal D2 is maintained at the active level “1”. This point is the same as that of the first embodiment. For the same reason described in the first embodiment, the short circuit detection signal E2 does not change to the active level “1”.
  • the short circuit detection signal E2 does not change to the active level “1”.
  • the operation of the arm short-circuit detection circuit 112 when an arm short-circuit occurs is the same as the operation of the arm short-circuit detection circuit 112 in the first embodiment.
  • the level determination signal D2 is maintained at the active level “1” beyond the second reference time Tref2.
  • the short circuit detection signal E2 changes to the active level “1”.
  • the second Rogoski coil 102 detects the time gradient di / dt of the current in which the second detection signal S2 falls within the range A2p or the range A2n with high accuracy.
  • the second reference level Vref2 is within the range A2p. Therefore, the arm short-circuit detection circuit 112 can accurately detect the arm short-circuit.
  • the load short-circuit detection circuit 111 compares the first detection signal S1 output from the first Rogoski coil 101 with the first reference level Vref1.
  • the load short-circuit detection circuit 111 sets the level determination signal D1 to the active level "1" when the first detection signal S1 exceeds the first reference level Vref1. This point is the same as that of the first embodiment.
  • the load short-circuit detection circuit 111 sets the short-circuit detection signal E1 to the active level “1” when the level determination signal D1 exceeds the first reference time Tref1 and is maintained at the active level “1”. This point is also the same as that of the first embodiment.
  • the semiconductor switch 11 When the semiconductor switch 11 is turned on, the current i flowing through the conducting wire 52 rises. After that, during the rising period of the current i, the first detection signal S1 indicating the time gradient di / dt of the current i exceeds the first reference level Vref1, and the level determination signal D1 changes to the active level “1”. This point is the same as that of the first embodiment. For the same reason described in the first embodiment, the short circuit detection signal E1 does not change to the active level “1”.
  • the first detection signal S1 exceeds the first reference level Vref1 and the level determination signal D1 changes to the active level “1”.
  • the second detection signal S2 also exceeds the second reference level Vref2, and the level determination signal D2 changes to the active level “1”.
  • the load short circuit is not detected due to the occurrence of the arm short circuit.
  • the first detection signal S1 exceeds the first reference level Vref1 and the level determination signal D1 is the active level “1" in a period in which the current i increases with a constant time gradient immediately after the current i rises. It changes to ". This point is the same as that of the first embodiment. Further, for the same reason described in the first embodiment, the short circuit detection signal E1 changes to the active level “1”.
  • the first Rogoski coil 101 detects the time gradient di / dt of the current in which the first detection signal S1 falls within the range A1 with high accuracy.
  • the first reference level Vref1 is within the range A1. Therefore, the first detection signal S1 generated by the load short circuit can be detected with high accuracy.
  • the cutoff control circuit 121 outputs the logical sum of the short-circuit detection signal E1 and the short-circuit detection signal E2 as the short-circuit detection signal E. Therefore, when an arm short circuit or a load short circuit occurs, a short circuit detection signal E is output to the gate drive circuit 20. As a result, the gate drive circuit 20 stops driving the semiconductor switch 11.
  • FIG. 12 is a circuit diagram showing a first operation example of the second embodiment.
  • a short-circuit failure has occurred in the arm 10_1.
  • the “X (cross)” mark shown in FIG. 12 indicates the short-circuit failure.
  • this short-circuit failure is a failure of the semiconductor switch 11 of the arm 10_1.
  • this short-circuit failure may be an event in which the semiconductor switch 11 is turned on due to a malfunction due to noise or the like.
  • the arm short-circuit current caused by the short-circuit failure of the arm 10_1 flows through the arm 10_2 in the ON state.
  • the short-circuit detection circuit 112 In the short-circuit failure detection device 100_2 corresponding to the arm 10_2, the short-circuit detection circuit 112 generates the short-circuit detection signal E2.
  • the cutoff control circuit 121 outputs the cutoff signal C2 to the gate drive circuit 20_2 of the arm 10_2, and outputs the cutoff signal C1 to the gate drive circuit 20_1 of the arm 10_1.
  • the arm short-circuit current flowing in the current path passing through the arms 10_1 and 10_2 is cut off.
  • the cutoff control circuit 121 outputs a failure signal F2 to the control device 1000.
  • the control device 1000 starts the control for stopping the power conversion device 1.
  • FIG. 13 is a circuit diagram showing a second operation example of the second embodiment.
  • the second operation example when the arm 10_1 is in the ON state, a short-circuit failure occurs in the arm 10_2 connected to the arm 10_1, and an arm short-circuit current flows to the arm 10_2 via the arm 10_1.
  • the arm short circuit detection circuit 112 generates the short circuit detection signal E2.
  • the cutoff control circuit 121 outputs the cutoff signal C2 to the gate drive circuit 20_2 of the arm 10_2, and outputs the cutoff signal C1 to the gate drive circuit 20_1 of the arm 10_1.
  • the arm 10_1 changes from the ON state to the OFF state.
  • the cutoff control circuit 121 outputs the failure signal F2 to the control device 1000.
  • FIG. 14 is a circuit diagram showing a third operation example of the present embodiment.
  • a short circuit occurs in the section from the arms 10_1 to 10_1 through the load Z.
  • the arms 10_1 and 10_1 are in the ON state, a load short-circuit current is flowing through the arms 10_1 and 10_1.
  • the load short-circuit detection circuit 111 generates the short-circuit detection signal E1
  • the cutoff control circuit 121 outputs the cutoff signal C4 to the gate drive circuit 20_4 of the arm 10_4.
  • the cutoff control circuit 121 outputs a failure signal F2 to the control device 1000.
  • Each of the six short-circuit fault detection devices 100 has a first Rogowski coil 101 that outputs a first detection signal S1 according to the current flowing through the corresponding arm (for example, 10_2) due to a short circuit of the load. , The short circuit failure is detected based on the first detection signal S1 and.
  • each short circuit failure detection device 100 responds to the current flowing through the corresponding arm due to a short circuit of the corresponding arm (eg, 10_2) or the other arm of the six arms 10 (eg, 10_1). It also has a second Rogowski coil 102 that outputs a second detection signal S2, and detects a short-circuit failure based on the second detection signal S2.
  • both the arm short circuit and the load short circuit that occur in the power conversion device 1A can be accurately detected by using the Rogoski coil. Further, according to the present embodiment, since a discrete component such as a CT is not used to detect the short-circuit current, the cost can be reduced and the size of the short-circuit failure detection device can be avoided.
  • each of the Q short-circuit failure detection devices 100 includes a cutoff control circuit 121.
  • the cutoff control circuit 121 detects a short-circuit failure
  • the semiconductor switch 11 of the corresponding arm for example, 10_2
  • another arm for example, 10_1 not provided in any of the Q short-circuit failure detection devices.
  • two Rogoski coils are required.
  • One is a first Rogoski coil 101 that generates a first detection signal S1 having an appropriate size when a load short circuit occurs, and the other is a first Rogoski coil 101 having an appropriate size when an arm short circuit occurs.
  • the second Rogoski coil 102 that generates the detection signal S2 of 2.
  • specific examples of the first Rogoski coil 101 and the second Rogoski coil 102 in the second embodiment will be given.
  • the number of turns n2 of the second Rogoski coil 102 for detecting an arm short circuit is different from the number of turns n1 of the first Rogoski coil 101 for detecting a load short circuit. This point is the same as the first specific example of the first embodiment.
  • the effect obtained from this first specific example is also the same as the effect of the first specific example of the first embodiment.
  • the magnetic path cross-sectional area SQ1 of the first Rogowski coil 101 for detecting a load short circuit is different from the magnetic path cross-sectional area SQ2 of the second Rogowski coil 102 for detecting an arm short circuit. ..
  • This point is the same as the second specific example of the first embodiment.
  • the effect obtained from this second specific example is also the same as the effect of the second specific example of the first embodiment.
  • the magnetic path length LG1 of the first Rogoski coil 101 for detecting a load short circuit is different from the magnetic path length LG2 of the second Rogoski coil 102 for detecting an arm short circuit. This point is the same as the third specific example of the first embodiment.
  • the effect obtained from this third specific example is also the same as the effect of the third specific example of the first embodiment.
  • FIG. 15A is a diagram showing a first Rogoski coil 101 and a second Rogoski coil 102 as seen from the semiconductor switch 11 of FIG. 7B.
  • 15B is a cross-sectional view taken along the line AA'of FIG. 15A.
  • a multilayer wiring board is sandwiched between the semiconductor switch 11 and the main wiring board 70.
  • the multilayer wiring board includes a first layer wiring board 61, a second layer wiring board 62, and a third layer wiring board 63. This point is the same as the fourth specific example of the first embodiment.
  • the conductors 51 and 52 correspond to the conductors 51 and 52 in FIG. 10, respectively.
  • the lead wire 51 is connected to the source of the semiconductor switch 11.
  • the lead wire 52 is connected to the drain of the semiconductor switch 11.
  • the second ROGOVSKI coil 102 for detecting an arm short circuit is arranged on the first layer wiring board 61, the second layer wiring board 62, and the third layer wiring board 63 so as to surround the conducting wire 51. .. Further, the first ROGOVSKI coil 101 for detecting a load short circuit is arranged on the first layer wiring board 61, the second layer wiring board 62, and the third layer wiring board 63 so as to surround the conducting wire 52. ing. These points are also the same as those in the fourth specific example of the first embodiment.
  • the same effect as that of the fourth specific example of the first embodiment can be obtained. That is, both arm short circuit and load short circuit can be detected with high accuracy. Further, the second Rogoski coil 102D, the semiconductor switch 11D, and the first Rogoski coil 101D are arranged in this order in the current path passing through the arm 10. Therefore, in the fourth specific example, the wiring length between the two semiconductor switches 11 connected in series with each other and the wiring length of the capacitor 30 (see FIG. 9) can be shortened.
  • the second Rogoski coil 102 for detecting the arm short circuit and the first Rogoski coil 101 for detecting the load short circuit are arranged so as to cover the bus bar. This point is the same as the fifth specific example of the first embodiment.
  • the effect obtained from the fifth specific example is also the same as the effect of the fifth specific example of the first embodiment.
  • FIG. 16 is a circuit diagram showing an example of application of the short circuit failure detection device 100 in the second embodiment to another power conversion device.
  • FIG. 16 shows a step-down chopper 122 as an application example.
  • the same reference numerals are given to the portions corresponding to the portions shown in FIGS. 9 and 10 described above.
  • the arm 10 includes a semiconductor switch 11 and a flywheel diode 12 connected in antiparallel to the semiconductor switch 11.
  • the semiconductor switch 11 is a MOSFET.
  • the drain of the semiconductor switch 11 is connected to one electrode of the positive electrode of the DC power supply 40 and the capacitor 30 via a conducting wire 51.
  • the source of the semiconductor switch 11 is connected to the cathode of the diode 302 via a conducting wire 52.
  • the anode of the diode 302 is connected to the negative electrode of the DC power supply 40 and the other electrode of the capacitor 30. That is, the diode 302 is connected in series with the arm 10.
  • the reactor 301 and the load Za are connected in series to each other, and the diode 302 is connected in parallel to the reactor 301 and the load Za.
  • the gate drive circuit 20 controls ON or OFF of the semiconductor switch 11 by supplying a gate signal to the semiconductor switch 11.
  • the lead wire 52 between the semiconductor switch 11 and the diode 302 is inserted into the first Rogoski coil 101 and the second Rogoski coil 102.
  • the first Rogoski coil 101 is a coil optimized for detecting a load short-circuit current.
  • the second Rogoski coil 102 is a coil optimized for detecting a short-circuit current flowing through the arm 10 due to a short-circuit failure of the diode 302.
  • the arm short-circuit detection circuit 112 is a circuit that detects that a short-circuit failure of the diode 302 has occurred in the step-down chopper 122 based on the second detection signal S2 obtained from the second Rogowski coil 102. Specifically, the arm short-circuit detection circuit 112 short-circuits the diode 302 when the second detection signal S2 is maintained at a level higher than the second reference level Vref2 beyond the second reference time Tref2. Is detected. In this case, the arm short-circuit detection circuit 112 changes the short-circuit detection signal E2 from the inactive level “0” to the active level “1”.
  • the load short circuit detection circuit 111 is a circuit that detects that a load short circuit has occurred in the step-down chopper 122 based on the first detection signal S1 obtained from the first Rogowski coil 101. Specifically, the load short-circuit detection circuit 111 causes a load short-circuit when the first detection signal S1 is maintained at a level higher than the first reference level Vref1 beyond the first reference time Tref1. Detect what you have done. In this case, the load short-circuit detection circuit 111 changes the short-circuit detection signal E1 from the inactive level “0” to the active level “1”.
  • the cutoff control circuit 121 detects that some short-circuit failure has occurred in the step-down chopper 122 based on the short-circuit detection signals E1 and E2. In this case, the cutoff control circuit 121 outputs a cutoff signal C for stopping the driving of the semiconductor switch 11. In addition to this, the cutoff control circuit 121 outputs the failure signal F to the control device 1000 (see FIG. 9).
  • the step-down chopper 122 also has the same effect as the power conversion device 1A shown in FIG. 9 above.
  • the second embodiment can be modified as follows.
  • the second embodiment may be applied to other types of power converters, for example, inverters other than three-phase or DC / DC converters other than step-down choppers.
  • MOSFET is mentioned as an example of the semiconductor switch, but the semiconductor switch is not limited to this, and may be another semiconductor switch such as an IGBT.
  • the arm short-circuit detection circuit 112 the load short-circuit detection circuit 111, and the cutoff control circuit 121 are provided separately, but these may be configured as one circuit.
  • the power conversion device 1A has three short-circuit failure detection devices 100 corresponding to three arms 10 out of the six arms.
  • short-circuit failure detection devices 100 corresponding to at least half of the arms 10 may be provided within a range not exceeding the number P of the arms 10. That is, the number Q of the arms 10 may be at least half of the total number P of the arms 10.
  • the redundancy of the power conversion device 1A is increased, and its safety can be enhanced.
  • the power conversion device 1A has short circuit failure detection devices 100_2, 100_4 and 100_6 corresponding to the arms (referred to as lower arms) 10_2, 100_4 and 100_6, respectively. Further, each short circuit failure detection device 100 has both a first Rogoski coil 101 and a second Rogoski coil 102. As a result, the above-mentioned conditions 1 and 2 were satisfied.
  • the power conversion device 1A has Q short-circuit failure detection devices 100 corresponding to Q arms 10 of the P arms, and each of the Q short-circuit failure detection devices 100 has a first logo. It may have only the ski coil 101.
  • the power conversion device 1A is R of the P arms (R is a positive integer that does not exceed (PQ)), and is different from the Q arms 10.
  • R is a positive integer that does not exceed (PQ)
  • each of the R short-circuit fault detection devices has only a second Rogoski coil. That is, a short-circuit failure detection device including only the first Rogoski coil 101 and a short-circuit failure detection device including only the second Rogoski coil 102 may be provided on different arms 10. Thereby, conditions 1 and 2 may be satisfied.
  • each of the Q short-circuit failure detection devices 100 may include a cutoff control circuit 121.
  • Each of the R short-circuit fault detection devices may also include a cutoff control circuit.
  • three short-circuit failure detection devices 100 each including only the first Rogoski coil 101 may be provided on each of the three upper arms 10 (for example, 10_1, 10_3, and 10_5). These upper arms are arranged between the high potential power supply and the load Z. Further, three short entanglement failure detection devices 100 each including a second Rogoski coil 102 may be provided on the lower arm 10 (for example, 10_2, 10_4 and 10_6), respectively. These lower arms are provided between the low potential power supply and the load Z. In this aspect as well, conditions 1 and 2 are satisfied.

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Abstract

短絡故障検出装置100は、負荷の短絡によって複数のアーム10のうちの第1のアームに流れる電流である負荷短絡電流に応じた第1の検出信号S1を生成する第1のロゴスキーコイル101と、第1のアームまたは複数のアーム10のうちの第2のアームの短絡によって当該第1のアームに流れる電流であるアーム短絡電流に応じた第2の検出信号S2を生成する第2のロゴスキーコイル102と、第1の検出信号S1に基づいて負荷の短絡を検出する負荷短絡検出回路111と、第2の検出信号S2に基づいて第1のアームまたは第2のアームの短絡を検出するアーム短絡検出回路112と、アーム短絡検出回路112の出力信号および前記負荷短絡検出回路111の出力信号に基づいて短絡故障を検出する短絡検出回路120とを有する。

Description

短絡故障検出装置および電力変換装置
 本発明は、短絡故障検出装置および電力変換装置に関する。
 モータ等の負荷を駆動する電力変換装置では、電力変換装置を構成する半導体スイッチに過大電流が流れる場合がある。このような過大電流が長時間に亙って流れると、半導体スイッチが破壊に至る恐れがある。そこで、短絡故障検出装置が電力変換装置に設けられる。短絡故障検出装置は、半導体スイッチに流れる過大電流を検知し、電力変換装置を停止させる。
 この種の短絡故障検出装置では、半導体スイッチに流れる電流を検出するために、シャント抵抗、CT(Current Transformer;変流器)、またはロゴスキーコイル等が利用される。これらの部品の中で、ロゴスキーコイルは、コアを有していない。このため、短絡故障検出装置の小型化と、大電流の測定が可能であるという利点がある。
 特許文献1は、半導体スイッチを含むアーム(アーム回路)を介して負荷を駆動する電力変換装置に関し、ロゴスキーコイルによりアームの短絡故障を検出する技術を開示している。図17は、特許文献1に開示された装置の回路図である。図17において、ゲート駆動回路96は、ゲート抵抗95を介して半導体スイッチ91にゲート電圧を供給し、半導体スイッチ91を駆動する。ロゴスキーコイル97は、半導体スイッチ91を流れる電流の時間勾配di/dtに比例した端子間電圧を生成(出力)する。短絡検出器98は、ロゴスキーコイル97の端子間電圧が一定時間以上に亘って大きな値を継続したことを検出する。この場合、短絡検出器98は、アーム短絡が発生したと判定し、ゲート駆動回路6に半導体スイッチ91の駆動を停止させる。
 しかしながら、電力変換装置において発生し得る短絡故障には、アーム短絡の他、電力変換装置の出力に接続された負荷が短絡状態となる負荷短絡がある。そこで、特許文献2は、アーム短絡電流を空芯コイルにより検出し、負荷短絡電流をCT(Current Transformer;変流器)により検出する技術を開示している。
特開2001-169533号公報
国際公開第2018/073909号
 特許文献1に開示の技術は、アーム短絡の検出には有効である。しかしながら、負荷短絡の検出が困難である。以下、この問題について説明する。
 図18は、電力変換装置においてアーム短絡が発生した場合における短絡電流経路RT1を例示する回路図である。図19は、同電力変換装置において負荷短絡が発生した場合における短絡電流経路RT2を例示する回路図である。
 図18および図19に例示する電力変換装置では、直流電圧Evに充電されたコンデンサCEの両端子に、2つのアームが直列接続されている。2つのアームのうちの一つは、互いに逆並列接続された半導体スイッチSW1およびフライホイールダイオードDI1を有する。もう一つのアームは、互いに逆並列接続された半導体スイッチSW2およびフライホイールダイオードDI2を有する。また、コンデンサCEの両端子には、さらに2つのアームが直列接続されている。2つのアームのうちの一つは、互いに逆並列接続された半導体スイッチSW3およびフライホイールダイオードDI3を有する。もう一つは、互いに逆並列接続された半導体スイッチSW4およびフライホイールダイオードDI4を有する。そして、共通接続ノード99_1および99_2の間に負荷Z(例えば、モータの巻き線)が接続されている。ここで、共通接続ノード99_1は、半導体スイッチSW1およびSW2の間にある。共通接続ノード99_2は、半導体スイッチSW3およびSW4の間にある。図18および図19において、L1は、アーム短絡が発生した際の短絡電流経路に介在する自己インダクタンスを示す。L2は、共通接続ノード99_1から負荷Zを介して共通接続ノード99_2に至る電流経路に介在する自己インダクタンスを示す。
 電力変換装置では、互いに直列接続された2つの半導体スイッチ(例えば、SW1およびSW2)が同時にターンオンしないように、これらの半導体スイッチが制御される。これは、電源の短絡を防ぐためである。しかしながら、何らかの理由により、半導体スイッチが故障または誤動作することがある。同様に、フライホイールダイオードも故障することがある。このような場合には、以下に述べるアーム短絡が発生する。
 図18に示す例では、半導体スイッチSW1またはフライホイールダイオードDI1が、何らかの理由により故障している場合を想定する。なお、図18に示す「X(cross)」印は、これらの部品の故障を表す。このことは、図19についても同様である。
 半導体スイッチSW2がONに制御される場合、半導体スイッチSW1は、OFFに制御される。しかしながら、何らかの理由によって、半導体スイッチSW1が意図しないオン状態において半導体スイッチSW2がターンオンするとアーム短絡が発生する。この場合、電流経路RT1をアーム短絡電流iaが流れる。このことは、何らかの理由によって、フライホイールダイオードDI1に逆流電流が流れた場合も同様である。このような場合、アーム短絡電流iaは、以下の順に流れる。
 コンデンサCE→半導体スイッチSW1→半導体スイッチSW2→コンデンサCE
 この場合、アーム短絡電流iaに関して次式が成立する。
 Ev=L1×dia/dt           ……(1)
 半導体スイッチと同様に、何らかの理由により、負荷の短絡が発生することがある。図19に示す例では、半導体スイッチSW1およびSW4がONであり、半導体スイッチSW2およびSW3がOFFであるときに、負荷Zの短絡故障が発生した場合を想定する。この場合、電流経路RT2を負荷短絡電流irが流れる。具体的には、負荷短絡電流irは、以下の順に流れる。
 コンデンサCE→半導体スイッチSW1→負荷Z→半導体スイッチSW4→コンデンサCE
 この場合、負荷短絡電流irに関して次式が成立する。
 Ev=(L1+L2)×dir/dt      ……(2)
 ここで、自己インダクタンスL1およびL2間には、L1≪L2の関係が成立する。従って、上記式(1)および(2)から次式の成立することが分かる。
 dir/dt≪dia/dt         ……(3)
 図20は、アーム短絡電流iaおよび負荷短絡電流irの波形を例示する図である。図20において、横軸は時間tを示し、縦軸は電流(電流値)iを示す。まず、図18に示すアーム短絡電流iaについて述べる。アーム短絡電流iaの経路RT1に介在する自己インダクタンスL1は小さい。このため、t=0において半導体スイッチSW2がターンオンしたとすると、アーム短絡電流iaが急激に立ち上がり、アーム短絡電流iaの電流値が短時間のうちに増大する。その結果、コンデンサCEに蓄積された電荷が短時間のうちに放電する。このため、アーム短絡電流iaは、半導体スイッチSW2のターンオン後の短時間のうちに発生する。一方、負荷短絡電流irの経路RT2に介在する自己インダクタンスL2は、自己インダクタンスL1に比べて非常に大きい。このため、負荷短絡電流irは、半導体スイッチSW1およびSW4のターンオン後、非常に緩やかな時間勾配で増加する。周波数領域に着目すると、アーム短絡電流の周波数帯域の上限周波数は、負荷短絡電流の周波数帯域の上限周波数に比べて非常に高い。
 時間勾配の小さな負荷短絡電流irを検出するための一つの方法は、ロゴスキーコイルの巻き数を多くし、ロゴスキーコイルの感度を高くすることである。この場合、ロゴスキーコイルによる負荷短絡電流の検出は、ロゴスキーコイルの大型化だけではなく、電力変換装置の大型化および複雑化も招く。
 ロゴスキーコイルの巻き数を多くすると、ロゴスキーコイルの自己インダクタンスが高くなる。この場合、アーム短絡の発生時および負荷短絡の発生時の双方において、ロゴスキーコイルの端子間電圧を精度よく検出するための方法の一つは、ロゴスキーコイルの自己インダクタンスを低くして、LC共振回路の共振周波数を十分に高くすることである。ここで、LC共振回路は、ロゴスキーコイルの自己インダクタンスと寄生容量とを有する。当該共振周波数が十分に高い場合、共振周波数を、アーム短絡の発生時におけるロゴスキーコイルの端子間電圧の周波数帯域の上限周波数よりも高くする必要がある。この共振周波数が当該周波数帯域内にあると、共振の影響によりロゴスキーコイルの端子間電圧波形が歪み、アーム短絡を検出することが困難になるからである。
 そこで、共振の影響を防ぐ一つの方法は、ロゴスキーコイルの自己インダクタンスを小さくし、共振周波数を高くすることである。しかし、ロゴスキーコイルの自己インダクタンスを小さくしようとすれば、ロゴスキーコイルの感度が低下する。負荷短絡電流irの時間勾配dia/dtが極めて小さいので、ロゴスキーコイルの端子間電圧がノイズに埋もれ、負荷短絡の検出が極めて困難である。
 特許文献2に開示の技術では、アーム短絡電流を空芯コイルにより検出し、負荷短絡電流をCTにより検出する。しかし、CTを用いると、コストが増加するとともに、ディスクリート部品が多くなって電力変換装置の構成が複雑になる。
 この発明は、以上に説明した課題に鑑みてなされたものであり、ロゴスキーコイルを利用して、アーム短絡および負荷短絡のうちの少なくとも負荷短絡を検出可能な技術を提供することである。
 本発明の第1の態様の短絡故障検出装置は、半導体スイッチを各々含む複数のアームを有し、前記複数のアームを介して負荷に電力を供給する電力変換装置の短絡故障検出装置において、前記負荷の短絡によって前記複数のアームのうちの第1のアームに流れる電流である負荷短絡電流に応じた第1の検出信号を生成する第1のロゴスキーコイルと、前記第1のアームまたは前記複数のアームのうちの第2のアームの短絡によって当該第1のアームに流れる電流であるアーム短絡電流に応じた第2の検出信号を生成する第2のロゴスキーコイルと、前記第1の検出信号に基づいて前記負荷の短絡を検出する負荷短絡検出回路と、前記第2の検出信号に基づいて前記第1のアームまたは前記第2のアームの短絡を検出するアーム短絡検出回路と、前記アーム短絡検出回路の出力信号および前記負荷短絡検出回路の出力信号に基づいて短絡故障を検出する短絡検出回路とを有することを特徴とする。
 本発明の第2の態様の短絡故障検出装置は、半導体スイッチを各々含む複数のアームを有し、前記複数のアームを介して負荷に電力を供給する電力変換装置の短絡故障検出装置において、前記負荷の短絡によって前記複数のアームのうちの第1のアームに流れる電流である負荷短絡電流に応じた検出信号を生成するロゴスキーコイルと、前記検出信号に基づいて前記負荷の短絡を判別する負荷短絡検出回路と、前記負荷短絡検出回路の出力信号に基づいて短絡故障を検出する短絡検出回路とを有することを特徴とする。
 本発明の第3の態様の電力変換装置は、第1の態様または第2の態様の短絡故障検出装置と、前記短絡故障検出装置が出力する短絡検出信号に基づいて、前記第1のアームに含まれる半導体スイッチの駆動を停止するゲート駆動回路とを含むことを特徴とする。
 本発明の第4の態様の電力変換装置は、半導体スイッチを各々含むP個(Pは2以上の整数)のアームを介して負荷に電力を供給する電力変換装置において、前記P個のアームのうちのQ個(QはPより小さい正の整数)のアームにそれぞれ対応するQ個の短絡故障検出装置を有し、前記Q個の短絡故障検出装置の各々は、前記負荷の短絡により、対応するアームに流れる電流に応じた第1の検出信号を出力する第1のロゴスキーコイルを具備し、前記第1の検出信号に基づいて短絡故障を検出することを特徴とする。
 本発明の第5の態様の電力変換装置は、半導体スイッチング素子を含むアームを介して負荷に電力を供給する電力変換装置において、前記負荷の短絡故障により前記アームに流れる電流に応じた第1の検出信号を出力する第1のロゴスキーコイルと、前記アームに直列接続されたダイオードの短絡故障により前記アームに流れる電流に応じた第2の検出信号を出力する第2のロゴスキーコイルと、前記第1の検出信号または前記第2の検出信号に基づいて短絡故障を検出する短絡故障検出装置とを含むことを特徴とする。
 この発明の第1の態様では、アーム短絡電流が第2のロゴスキーコイルにより検出され、負荷短絡電流が第1のロゴスキーコイルにより検出される。これにより、第1のロゴスキーコイルの感度が負荷短絡電流の検出に適した値に設定される。そのために第1のロゴスキーコイルの自己インダクタンスが増加しても、この増加が第2のロゴスキーコイルによるアーム短絡電流の検出の妨げになることはない。よって、アーム短絡および負荷短絡の双方を検出することができる。
 この発明の第2の態様では、負荷短絡電流が第1のロゴスキーコイルにより検出される。これにより、負荷短絡を検出することができる。
 この発明の第3の態様では、負荷短絡およびアーム短絡のうちの少なくとも負荷短絡を検出可能な電力変換装置が提供される。
 この発明の第4の態様では、第1のロゴスキーコイルを備える短絡故障検出装置が、複数のアームのうちの一部のアームの各々に設けられる。第1のロゴスキーコイルにより負荷短絡電流が検出される。第1のロゴスキーコイルを一部のアームに設ければ済むので、電力変換装置の大型化および複雑化を招くことなく負荷短絡電流を検出することができる。
 この発明の第5の態様では、負荷の短絡故障を、その検出に適した第1のロゴスキーコイルにより検出することができる。更に、アームに直列接続されたダイオードの短絡故障をその検出に適した第2のロゴスキーコイルにより検出することができる。
第1実施形態における短絡故障検出装置を含む電力変換装置の構成を示す回路図である。 第1実施形態における短絡故障検出装置の構成を示す回路図である。 第1実施形態の動作を示す波形図である。 第1実施形態の動作を示す波形図である。 第1実施形態の動作を示す波形図である。 第1実施形態の第1具体例を示す図である。 第1実施形態の第2具体例を示す図である。 第1実施形態の第3具体例を示す図である。 第1実施形態の第4具体例を示す図である。 第1実施形態の第4具体例を示す図である。 第1実施形態の第5具体例を示す図である。 第2実施形態における電力変換装置の構成を示す回路図である。 第2実施形態における短絡故障検出装置の構成を示す回路図である。 第2実施形態の動作を示す波形図である。 第2実施形態の動作を示す波形図である。 第2実施形態の動作を示す波形図である。 第2実施形態の第1動作例を示す回路図である。 第2実施形態の第2動作例を示す回路図である。 第2実施形態の第3動作例を示す回路図である。 第2実施形態の具体例を示す図である。 第2実施形態の具体例を示す図である。 第2実施形態における短絡故障検出装置の他の電力変換装置への適用例を示す回路図である。 従来の短絡故障検出装置の構成を示す回路図である。 電力変換装置におけるアーム短絡電流の経路を示す回路図である。 電力変換装置における負荷短絡電流の経路を示す回路図である。 アーム短絡電流および負荷短絡電流の波形を示す図である。
1.第1実施形態
 以下、図面を参照しつつ、第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態における短絡故障検出装置を含む電力変換装置1の構成を示す回路図である。電力変換装置1において、コンデンサ30は、直流電源40によって充電され、直流電圧を安定化させる。コンデンサ30の両端子には、アーム10_1および10_2が直列接続されている。これに加え、同両端子には、アーム10_3および10_4が直列接続されている。そして、アーム10_1および10_2間に共通接続ノードND1があり、アーム10_3および10_4間に共通接続ノードND2がある。共通接続ノードND1とND2との間に、負荷Z(例えば、モータの巻き線)が配置され、負荷Zは、これらの共通接続ノードに接続される。各アーム10_1~10_4は、半導体スイッチを含む。ゲート駆動回路20_1~20_4は、アーム10_1~10_4にそれぞれ対応している。ゲート駆動回路20_1~20_4の各々は、ゲート信号を、対応するアームの半導体スイッチに与えることにより当該半導体スイッチを駆動する。このように電力変換装置1は、各々が半導体スイッチを含むアーム10_1~10_4を有しており、これらのアームを介して直流電源40から負荷Zに電力を供給する。
 なお、アーム10_1および10_3の各々は、第1のアームの一例であり、アーム10_2および10_4の各々は、第2のアームの一例である。
 ここで、アーム10_1に着目し、アーム短絡について述べる。電源の短絡を防止するため、互いに直列接続された2つの半導体スイッチ10_1および10_2は、同時にターンオンしないように制御される。一例として、半導体スイッチ10_1がONに制御され、半導体スイッチ10_2がOFFに制御される場合を述べる。仮に、何らかの理由によってアーム10_2に短絡故障が発生している状態において、アーム10_1の半導体スイッチがターンオンした場合、半導体スイッチ10_2の意図しない短絡により、アーム10_1の半導体スイッチにアーム短絡電流が流れる。このほか、アーム10_2に短絡故障が発生していなくても、アーム10_2の半導体スイッチの誤動作によるターンオンにより、アーム10_1の半導体スイッチにアーム短絡電流が流れる。誤動作の原因の一つには、ノイズがある。以上の説明は、半導体スイッチ10_1がOFFに制御され、半導体スイッチ10_2がONに制御される場合についても当てはまる。
 アーム短絡の他、何らかの理由によって、負荷Zに短絡故障が発生した場合には、アーム10_1に負荷短絡電流が流れる。
 このようなアーム短絡電流または負荷短絡電流が長時間に亙ってアーム10_1に流れると、アーム10_1の正常な半導体スイッチが破壊に至る恐れがある。そこで、短絡故障検出装置100_1がアーム10_1に設けられる。短絡故障検出装置100_1は、アーム10_1に流れる電流に基づいてアーム短絡または負荷短絡の発生を検知し、ゲート駆動回路20_1による半導体スイッチの駆動を停止させる。他のアーム10_2~10_4にも同様なアーム短絡電流および負荷短絡電流が流れる可能性がある。そこで、短絡故障検出装置100_2がアーム10_2に設けられる。短絡故障検出装置100_3がアーム10_3に設けられる。短絡故障検出装置100_4がアーム10_4に設けられる。
 以下では、アーム10_1~10_4の各々を区別する必要がない場合に、アーム10_1~10_4をアーム10と総称する。ゲート駆動回路20_1~20_4をゲート駆動回路20と総称する。短絡故障検出装置100_1~100_4を短絡故障検出装置100と総称する。
 図2は、第1実施形態における短絡故障検出装置100の構成例を示す回路図である。なお、図2には、短絡故障検出装置100に関する理解を容易にするため、アーム10およびゲート駆動回路20が短絡故障検出装置100とともに示されている。
 図2において、アーム10_1~10_4の各々は、半導体スイッチ11と、半導体スイッチ11に逆並列接続されたフライホイールダイオード12とを含む。この例において、半導体スイッチ11は、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor;金属-酸化膜-半導体構造の電解効果トランジスタ)である。半導体スイッチ11は、ソース(ソース電極)と、ドレイン(ドレイン電極)と、ゲート(制御電極)とを有する。半導体スイッチ11のドレインは、導線51を介してコンデンサ30または他のアームに接続されている。半導体スイッチ11のソースは、導線52を介してコンデンサ30または他のアームに接続されている。半導体スイッチ11のゲートは、ゲート駆動回路20に接続されている。ゲート駆動回路20は、半導体スイッチ11のゲートにゲート信号を供給することにより半導体スイッチ11のON/OFF駆動を行う。
 図2に示す例では、第1のロゴスキーコイル101および第2のロゴスキーコイル102に導線52が挿入されている。ここで、第1のロゴスキーコイル101は、負荷短絡電流を検出する。第2のロゴスキーコイル102は、アーム短絡電流を検出する。導線52に電流が流れると、この電流を中心として、導線52の周りに円状の磁界が発生する。この磁界の強度の時間変化に応じた電圧が第1のロゴスキーコイル101および第2のロゴスキーコイル102に誘起される。この結果、導線52に流れる電流の時間勾配di/dtに比例した電圧波形を持つ第1の検出信号S1が第1のロゴスキーコイル101から出力される。同様に、導線52に流れる電流の時間勾配di/dtに比例した電圧波形を持つ第2の検出信号S2が第2のロゴスキーコイル102から出力される。
 本実施形態において、第1のロゴスキーコイル101は、負荷短絡電流の検出に最適化されたコイルである。第2のロゴスキーコイル102は、アーム短絡電流の検出に最適化されたコイルである。ここで、検出すべき電流の時間勾配di/dtに対する感度(すなわち、電流の時間勾配di/dtに対するロゴスキーコイルの出力電圧の比)に着目すると、第2のロゴスキーコイル102の感度は、第1のロゴスキーコイル101の感度よりも低い。具体的には、第2のロゴスキーコイル102の巻き数は、第1のロゴスキーコイル101の巻き数よりも少ない。第2のロゴスキーコイル102の感度が第1のロゴスキーコイル101の感度よりも低い理由は、次のとおりである。第2のロゴスキーコイル102の自己インダクタンスが低くければ、第2のロゴスキーコイル102の自己インダクタンスと寄生容量とを有するLC共振回路の共振周波数が高くなり、この共振周波数がアーム短絡電流の周波数帯域の範囲から外れるからである。また、第1のロゴスキーコイル101の感度が第2のロゴスキーコイル102の感度よりも高ければは、時間勾配の小さな負荷短絡電流を精度よく検出することができる。
 アーム短絡検出回路112は、第2の検出信号S2に基づいて、電力変換装置1においてアーム短絡が発生したことを検出する。具体的には、アーム短絡検出回路112は、第2の基準時間Tref2を超えて第2の検出信号S2が第2の基準レベルVref2よりも高いレベルに維持された場合に、アーム短絡が発生したと判定する。アーム短絡検出回路112は、アーム短絡を検出した場合、短絡検出信号E2を非アクティブレベル“0”からアクティブレベル“1”に変更する。
 負荷短絡検出回路111は、第1の検出信号S1に基づいて、電力変換装置1において負荷短絡が発生したことを検出する。具体的には、負荷短絡検出回路111は、第1の基準時間Tref1を超えて第1の検出信号S1が第1の基準レベルVref1よりも高いレベルに維持された場合に、負荷短絡が発生したと判定する。負荷短絡検出回路111は、負荷短絡を検出した場合、短絡検出信号E1を非アクティブレベル“0”からアクティブレベル“1”に変更する。
 短絡検出回路120は、アーム短絡検出回路112が出力する短絡検出信号E2および負荷短絡検出回路111が出力する短絡検出信号E1に基づいて、電力変換装置1において何等かの短絡故障が発生したことを示す短絡検出信号Eを生成する。この例において、短絡検出回路120は、OR回路であって、短絡検出信号E2と短絡検出信号E1の論理和を短絡検出信号Eとして出力する。ゲート駆動回路20は、短絡検出信号Eがアクティブレベル“1”に変化した場合に半導体スイッチ11を駆動する動作を停止する。
 図3A、図3Bおよび図3Cの各々は、第1実施形態の動作例を示す波形図である。図3Aには、(a)通常時、(b)アーム短絡の発生時および(c)負荷短絡の発生時の各々について、(1)導線52に流れる電流iの波形、(2)第2の検出信号S2の波形、(3)アーム短絡検出回路112内で生成されるレベル判定信号D2の波形、および(4)アーム短絡検出回路112が出力する短絡検出信号E2の波形が示されている。図3Bには、(a)通常時、(b)アーム短絡の発生時および(c)負荷短絡の発生時の各々について、(1)導線52に流れる電流iの波形、(2)第1の検出信号S1の波形、(3)負荷短絡検出回路111内で生成されるレベル判定信号D1の波形、および(4)負荷短絡検出回路111が出力する短絡検出信号E1の波形が示されている。また、図3Cには、(a)通常時、(b)アーム短絡の発生時および(c)負荷短絡の発生時の各々について、(1)導線52に流れる電流iの波形、(2)アーム短絡検出回路112が出力する短絡検出信号E2の波形、(3)負荷短絡検出回路111が出力する短絡検出信号E1の波形、および(4)短絡検出回路120が出力する短絡検出信号Eの波形が示されている。これらの図において、横軸は時間tを示す。縦軸は電圧、電流および真理値のいずれかを示す。
 まず、図3Aを参照し、アーム短絡検出回路112の動作を説明する。アーム短絡検出回路112は、第2のロゴスキーコイル102から出力される第2の検出信号S2を第2の基準レベルVref2と比較する。アーム短絡検出回路112は、第2の検出信号S2が第2の基準レベルVref2を超過した場合にレベル判定信号D2をアクティブレベル“1”に設定する。アーム短絡の発生時には、時間勾配di/dtの大きな電流iが導線52に流れる。従って、アーム短絡検出回路112には、このような大きな時間勾配di/dtを検出することが求められる。このため、第2の基準レベルVref2は、アーム短絡が発生した場合の第2の検出信号S2と比較するのに適切な十分に大きな電圧を持つ。また、アーム短絡検出回路112は、レベル判定信号D2が第2の基準時間Tref2を超えてアクティブレベル“1”に維持された場合に短絡検出信号E2をアクティブレベル“1”に設定する。アーム短絡の発生時において、導線52に流れる時間勾配di/dtの大きな電流iは、半導体スイッチ11を瞬時に故障させる値を持つ。よって、アーム短絡の発生時において、時間勾配di/dtの大きな電流iが導線52に流れる時間は短い。このため、第2の基準時間Tref2は、アーム短絡を検出することができる十分に短い時間(例えば10nsから100nsのオーダー)である。
 通常時、半導体スイッチ11のターンオンにより、導線52に流れる電流iが立ち上がる。この電流iの立ち上がり期間において、電流iの時間勾配di/dtを示す第2の検出信号S2が第2の基準レベルVref2を超え、レベル判定信号D2がアクティブレベル“1”に維持される。しかし、電流iの立ち上がり期間は短く、レベル判定信号D1がアクティブレベル“1”に維持される期間は、第2の基準時間Tref2より短い。従って、短絡検出信号E2がアクティブレベル“1”に変化することはない。
 負荷短絡の発生時は、半導体スイッチ11のターンオンにより、導線52に流れる電流iが立ち上がる。その後、負荷短絡電流の経路に介在する自己インダクタンスにより定まる時間勾配で電流iが増加する。この場合において、電流iの立ち上がり期間、第2の検出信号S2が第2の基準レベルVref2を超える。しかし、通常時と同様、電流iの立ち上がり期間は短い。これに加え、レベル判定信号D2がアクティブレベル“1”に維持される期間は、第2の基準時間Tref2より短い。従って、短絡検出信号E2がアクティブレベル“1”に変化することはない。
 アーム短絡の発生時におけるアーム短絡検出回路112の動作は、次のようになる。各アーム10の半導体スイッチ11のターンオンにより、半導体スイッチ11と直列接続された他のアーム10に短絡故障が発生している場合を想定する。この場合、導線52に流れる電流iが当該電流iの経路に介在する自己インダクタンスにより定まる時間勾配で立ち上がる。この結果、第2の検出信号S2が第2の基準レベルVref2を超え、レベル判定信号D2がアクティブレベル“1”に変化する。この場合、電流iの立ち上がり期間は、通常時における電流iの立ち上がり期間よりは長く、レベル判定信号D2は、第2の基準時間Tref2を超えてアクティブレベル“1”に維持される。このため、短絡検出信号E2がアクティブレベル“1”に変化する。
 この例において、第2のロゴスキーコイル102は、第2の検出信号S2が範囲A2p内または範囲A2n内に収まる電流の時間勾配di/dtを高精度で検出する。そして、第2の基準レベルVref2は、範囲A2p内にある。そのため、アーム短絡検出回路112は、精度よくアーム短絡を検出することができる。
 次に図3Bを参照し、負荷短絡検出回路111の動作を説明する。負荷短絡検出回路111は、第1のロゴスキーコイル101から出力される第1の検出信号S1を第1の基準レベルVref1と比較する。負荷短絡検出回路111は、第1の検出信号S1が第1の基準レベルVref1を超過した場合に、レベル判定信号D1をアクティブレベル“1”に設定する。負荷短絡の発生時には、時間勾配di/dtの小さな電流iが導線52に流れる。従って、負荷短絡検出回路111には、このような小さな時間勾配di/dtを検出することが求められる。このため、第1の基準レベルVref1は、負荷短絡が発生した場合の第1の検出信号S1と比較するのに適切な十分に小さな電圧を持つ。また、負荷短絡検出回路111は、レベル判定信号D1が第1の基準時間Tref1を超えてアクティブレベル“1”に維持された場合に、短絡検出信号E1をアクティブレベル“1”に設定する。負荷短絡の発生時において、導線52に流れる電流iの時間勾配di/dtが大きくなる時間は、通常時およびアーム短絡の発生時と比べて長い。このため、第1の基準時間Tref1は、通常動作あるいはアーム短絡が負荷短絡であると誤認されることがない十分に長い時間(例えば基準時間Tref1の数十倍~数百倍)に設定される。
 通常時、半導体スイッチ11のターンオンにより、導線52に流れる電流iが立ち上がる。その後、この電流iの立ち上がり期間において、電流iの時間勾配di/dtを示す第1の検出信号S1が第1の基準レベルVref1を超え、レベル判定信号D1がアクティブレベル“1”に変化する。しかし、レベル判定信号D1がアクティブレベル“1”に維持される期間は、第1の基準時間Tref1より短い。従って、短絡検出信号E1がアクティブレベル“1”に変化することはない。
 半導体スイッチ11と直列接続された半導体スイッチが短絡故障した状態で、半導体スイッチ11のターンオンが発生すると、アーム短絡が発生する。この場合、導線52に流れる電流iが、アーム短絡電流の経路に介在する自己インダクタンスにより定まる時間勾配で立ち上がる。この結果、第1の検出信号S1が第1の基準レベルVref1を超え、レベル判定信号D1がアクティブレベル“1”に変化する。しかしながら、アーム短絡の発生時においては、第2の検出信号S2も第2の基準レベルVref2を超え、レベル判定信号D2がアクティブレベル“1”に変化する。アーム短絡の検出に要する時間と負荷短絡の検出に要する時間との間には、Tref2<<Tref1の関係がある。このため、アーム短絡が発生すると、短絡検出信号E2が短絡検出信号E1より先にアクティブレベル“1”に変化する。このため、アーム短絡の発生に起因して負荷短絡が検出されることはない。
 負荷短絡の発生時、半導体スイッチ11のターンオンにより、導線52に流れる電流iが立ち上がる。その後、負荷短絡電流の経路に介在する自己インダクタンスにより定まる時間勾配で電流iが増加する。このように、電流iの立ち上がり直後から電流iが一定の時間勾配で増加する期間において、第1の検出信号S1が第1の基準レベルVref1を超え、レベル判定信号D1がアクティブレベル“1”に変化する。負荷短絡の発生時、レベル判定信号D1は、第1の基準時間Tref1を超えて、アクティブレベル“1”に維持される。従って、短絡検出信号E2がアクティブレベル“1”に変化する。
 この例において、第1のロゴスキーコイル101は、第1の検出信号S1が範囲A1内に収まる電流の時間勾配di/dtを高精度で検出する。そして、第1の基準レベルVref1は、範囲A2内にある。そのため、負荷短絡により発生する第1の検出信号S1を精度よく検出することができる。
 次に図3Cを参照し、短絡検出回路120の動作を説明する。図3Cに示すように、短絡検出回路120は、短絡検出信号E1と短絡検出信号E2の論理和を短絡検出信号Eとして出力する。従って、アーム短絡または負荷短絡が発生した場合には、短絡検出信号Eがゲート駆動回路20に出力される。これにより、ゲート駆動回路20によって、半導体スイッチ11の駆動が停止される。
 以上説明したように、本実施形態によれば、ロゴスキーコイルを利用して、電力変換装置において発生するアーム短絡および負荷短絡の両方を精度よく検出することができる。また、本実施形態によれば、短絡電流を検出するために、CT等のディスクリート部品を利用しないので、コストを下げ、かつ、短絡故障検出装置の大型化を回避することができる。
 以下、第1実施形態の各種具体例について説明する。
<第1具体例>
 第1具体例は、2つのロゴスキーコイルに関する。ロゴスキーコイルの一つは、アーム短絡の発生時に適切な大きさの第2の検出信号S2を生成する第2のロゴスキーコイル102である。もう一つは、負荷短絡の発生時に適切な大きさの第1の検出信号S1を生成する第1のロゴスキーコイル101である。後述の第2および第3具体例についても同様である。
 図4は、第1実施形態の第1具体例を示す図である。第1具体例において、アーム短絡を検出するための第2のロゴスキーコイル102Aは、第1部分41と、第2部分42とを有する。第1部分41は、1本の導線(配線)の一端から当該導線の所定点までの部分がトロイダルコイル状に巻かれた部分である。第2部分42は、当該導線の所定点からその他端までの部分がトロイダルコイルの中を通り、当該他端が当該一端まで戻る部分である。負荷短絡を検出するための第1のロゴスキーコイル101Aも、第1部分41と同様な第1部分43と、第2部分42と同様な第2部分44とを有する。第1具体例では、アーム短絡を検出するための第2のロゴスキーコイル102Aの巻き数n2が、負荷短絡を検出するための第1のロゴスキーコイル101Aの巻き数n1と異なる。具体的には、第2のロゴスキーコイル102Aの第1部分41の巻き数n2と、第1のロゴスキーコイル101Aの第1部分43の巻き数n1との間には、n1>n2の関係がある。以下、その理由について説明する。
 各ロゴスキーコイルに誘起される電圧vは、次式により与えられる。
 v=-μ・(SQ・n/LG)・(di/dt)     ……(4)
 ここで、μは空気の透磁率(真空の透磁率と同じ)を示す。SQは各ロゴスキーコイルの磁路断面積を示す。nは各ロゴスキーコイルの巻き数を示す。LGは各ロゴスキーコイルの磁路長を示す。di/dtは、各ロゴスキーコイルによって検出される電流iの時間勾配を示す。磁路断面積SQとは、各ロゴスキーコイルの第1部分(41または43)を構成するトロイダルコイルにより囲まれた空間の断面積である。磁路長は、各ロゴスキーコイルのトロイダルコイルにより囲まれた空間の長さであり、第2部分(42または44)の長さに略等しい。
 式(4)を巻き数nについて解くと、次式が得られる。
 n=-(LG・v)/(μ・SQ・(di/dt))   ……(5)
 式(5)は、電流の時間勾配di/dtが小さい場合において、十分な大きさの電圧vをロゴスキーコイルから得るためには、巻き数nを増やす必要があることを示している。
 検出すべき電流の時間勾配di/dtが小さいため、第1具体例においては、第1のロゴスキーコイル101Aの巻き数n1が、第2のロゴスキーコイル102Aの巻き数n2よりも多い。具体的には、式(5)において、アーム短絡の発生時における電流の時間勾配di/dtが、負荷短絡の発生時における電流の時間勾配di/dtの例えば10倍に設定され、これにより、巻き数n1およびn2が計算される。ロゴスキーコイル101Aおよび102Aは、式(5)によって求められた巻き数n1およびn2をそれぞれ有するので、アーム短絡および負荷短絡の両者を精度良く検出することができる。
<第2具体例>
 図5は、第1実施形態の第2具体例を示す図である。第2具体例では、アーム短絡を検出するための第2のロゴスキーコイル102Bの磁路断面積SQ2が、負荷短絡を検出するための第1のロゴスキーコイル101Bの磁路断面積SQ1と異なる。具体的には、磁路断面積SQ1およびSQ2間に、SQ1>SQ2の関係がある。
 式(5)を磁路断面積SQについて解くと、次式が得られる。
 SQ=-(LG・v)/(μ・n・(di/dt))   ……(7)
 式(7)は、電流の時間勾配di/dtが小さい場合において、十分な大きさの電圧vをロゴスキーコイルから得るためには、磁路断面積SQを増やす必要があることを示している。
 そこで、第2具体例においては、検出すべき電流の時間勾配di/dtが小さいため、第1のロゴスキーコイル101Bの磁路断面積SQ1が、第2のロゴスキーコイル102Bの磁路断面積SQ2よりも大きい。具体的には、式(7)において、アーム短絡の発生時の電流の時間勾配di/dtを負荷短絡の発生時における電流の時間勾配di/dtが、例えば10倍に設定され、これにより、磁路断面積SQ1およびSQ2が計算される。ロゴスキーコイル101Bおよび102Bは、式(7)によって求められた磁路断面積SQ1およびSQ2をそれぞれ有するので、アーム短絡および負荷短絡の両者を精度良く検出することができる。
<第3具体例>
 図6は、第1実施形態の第3具体例を示す図である。第3具体例では、アーム短絡を検出するための第2のロゴスキーコイル102Cの磁路長LG2が、負荷短絡を検出するための第1のロゴスキーコイル101Cの磁路長LG1と異なる。具体的には、磁路長LG1およびLG2間に、LG1<LG2の関係がある。第1のロゴスキーコイル101Cの磁路長LG1が、第2のロゴスキーコイル102Cの磁路長LG2よりも短い。
 式(5)を磁路長LGについて解くと、次式が得られる。
 LG=-(μ・SQ・n・(di/dt))/v   ……(8)
 第3具体例では、式(8)において、アーム短絡の発生時の電流の時間勾配di/dtが、負荷短絡の発生時の電流の時間勾配di/dtの例えば10倍に設定され、これにより、磁路長LG1およびLG2が計算される。ロゴスキーコイル101Cおよび102Cは、式(8)によって求められた磁路長LG1およびLG2をそれぞれ有するので、アーム短絡および負荷短絡の両者を精度良く検出することができる。
<第4具体例>
 第4具体例は、第1のロゴスキーコイル101および第2のロゴスキーコイル102の実装に関する。図7Aおよび図7Bは、第1実施形態の第4具体例を示す図である。ここで、図7Aは、図7Bの半導体スイッチ11Dから見た第1のロゴスキーコイル101Dおよび第2のロゴスキーコイル102Dを示す図である。また、図7Bは、図7AのA-A’線断面図である。
 図7Bにおいて、半導体スイッチ11Dと主配線基板70との間には、多層配線基板が挟まれている。多層配線基板は、第1層配線基板61と、第2層配線基板62と、第3層配線基板63とを有する。第1層配線基板61は主配線基板70から離間し、第2層配線基板62は第1層配線基板61から離間し、第3層配線基板63は第2層配線基板62から離間し、半導体スイッチ11Dは第3層配線基板63から離間している。
 導線51および52は、図2の導線51および52にそれぞれ相当する。導線51は、半導体スイッチ11Dのソースに接続されている。導線52は、半導体スイッチ11Dのドレインに接続されている。これらの導線51および52は、第3層配線基板63と、第2層配線基板62と、第1層配線基板61とを介して、主配線基板70に接続されている。半導体スイッチ11Dは、導線51または52と、主配線基板70とを介して、電力変換装置1に設けられた他の半導体スイッチまたは電源線に接続されている。
 アーム短絡を検出するための第2のロゴスキーコイル102Dは、導線51を取り囲むように、第1層配線基板61と、第2層配線基板62と、第3層配線基板63に配置されている。また、負荷短絡を検出するための第1のロゴスキーコイル101Dは、導線52を取り囲むように、第1層配線基板61と、第2層配線基板62と、第3層配線基板63に配置されている。
 さらに詳述すると、第2のロゴスキーコイル102Dは、第1部分41と、第2部分42とを有する。第1部分41は、1本の導線(配線)の一端から当該導線の所定点までの部分がトロイダルコイル状に巻かれた部分である。第2部分42は、当該導線の所定点からその他端までの部分がトロイダルコイルの中を通り、当該他端が当該一端まで戻る部分である。第2部分42は、第2層配線基板62に配置される。また、第1部分41は、(i)第1層配線基板61上の配線と、(i i)第2層配線基板62に配置されたスルーホールを介して第1層配線基板61から第3層配線基板63に至る配線と、(i i i)第3層配線基板63上の配線とにより構成される。第1のロゴスキーコイル101Dも、第2のロゴスキーコイル102Dの第1部分41と同様な第1部分43と、第2部分42と同様な第2部分44を有する。
 第4具体例においても、アーム短絡および負荷短絡の双方を精度よく検出することができる。また、第4具体例では、前掲図2の構成と異なり、第2のロゴスキーコイル102Dが半導体スイッチ11Dのソースに対応する位置に配置され、第1のロゴスキーコイル101Dが半導体スイッチ11Dのドレインに対応する位置に配置されている。すなわち、第4具体例では、アーム10を経由する電流経路において、半導体スイッチ11Dのソースに接続された導線51に第2のロゴスキーコイル102Dが配置されている。更に、半導体スイッチ11Dのドレインに接続された導線52に第1のロゴスキーコイル101Dが配置されている。つまり、アーム10を経由する電流経路に、第2のロゴスキーコイル102D、半導体スイッチ11Dおよび第1のロゴスキーコイル101Dが順に配置されている。このため、図7Bに示すように、2つのロゴスキーコイルをアームの下に配置することができる。第4具体例では、互いに直列接続された2つの半導体スイッチ11Dの間の配線長と、コンデンサ30(図1参照)の配線長とを短くすることができる。
<第5具体例>
 図8は、第1実施形態の第5具体例を示す図である。第5具体例では、ブスバー104を覆うように、アーム短絡を検出するための第2のロゴスキーコイル102Eと、負荷短絡を検出するための第1のロゴスキーコイル101Eが配置される。ブスバー104は、被測定電流経路の一例である。そして、第5具体例では、第2のロゴスキーコイル102Eと第1のロゴスキーコイル101Eとの間に、シールド板103が配置される。シールド板103は、例えば、金属である。第5具体例によれば、第2のロゴスキーコイル102Eに流れる電流と第1のロゴスキーコイル101Eに流れる電流とが互いに干渉しあうのを防ぐことができる。
<第1実施形態の変形例>
 第1実施形態は、以下のように変形し得る。
(1)第1実施形態では、短絡故障検出装置を4個のアームを有する2相のインバータに適用した。しかし、短絡故障検出装置の適用範囲はこれに限定されるものではない。短絡故障検出装置は、2相以外の相数のインバータ、例えば3相のインバータに適用してもよい。また、短絡故障検出装置は、インバータ以外の電力変換装置、例えばDC/DCコンバータに適用してもよい。
(2)第1実施形態では、半導体スインチの例としてMOSFETを挙げたが、半導体スイッチはこれに限定されるものではなく、例えば、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor;絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)等の他の半導体スイッチであってもよい。
(3)上記第1具体例~第5具体例のうちの任意の2つ、3つ、4つまたは全部を組み合わせてもよい。例えば第2のロゴスキーコイル102の巻き数よりも第1のロゴスキーコイル101の巻き数が多く、かつ、第2のロゴスキーコイル102の断面積よりも第1のロゴスキーコイル101の断面積が大きくてもよい。さらに、第2のロゴスキーコイル102の磁路長よりも第1のロゴスキーコイル101の磁路長が短くてもよい。
(4)第4具体例では、第2のロゴスキーコイル102Dおよび第1のロゴスキーコイル101Dの両方が、第1層配線基板61、第2層配線基板62および第3層配線基板63に配置されたが、第1のロゴスキーコイル101Dおよび第2のロゴスキーコイル102Dの少なくとも一方が配線基板(第1層配線基板61、第2層配線基板62および第3層配線基板63)に配置されていればよい。
 また、第4具体例では、アーム10を経由する電流経路に、第2のロゴスキーコイル102D、半導体スイッチ11Dおよび第1のロゴスキーコイル101Dが順に配置されている。しかしながら、これとは逆に、アーム10を経由する電流経路に、第1のロゴスキーコイル101D、半導体スイッチ11Dおよび第2のロゴスキーコイル102Dが順に配置されていてもよい。つまり、半導体スイッチ11Dおよび第1のロゴスキーコイル101Dは、その順に配置されていてもよいし、その逆順に配置されていてもよい。
(5)第1実施形態では、アーム短絡検出回路112、負荷短絡検出回路111および短絡検出回路120は個別であるが、これらの回路が一つの回路であっても良い。
(6)第1実施形態では、短絡検出信号Eがゲート駆動回路20に入力されていたが、短絡検出信号E1,E2を直接ゲート駆動回路20に入力しても良い。また、次のように、短絡検出信号によって保護動作を変えても良い。(i)短絡検出信号E2が出力された場合は、アーム短絡が発生している。このため、ゲート駆動回路20の停止後にゲート駆動回路20の再起動を禁止してもよい。(ii)短絡検出信号E1が出力された場合は、負荷短絡が発生している。このため、ゲート駆動回路20の停止後に負荷の短絡が解除されれば、ゲート駆動回路20を再起動してもよい。
2.第2実施形態
 以下、図面を参照しつつ、第2実施形態について説明する。図9は、第2実施形態における電力変換装置1Aの構成を示す回路図である。電力変換装置1Aにおいて、コンデンサ30は、直流電源40によって充電され、直流電圧を安定化させる。コンデンサ30の両端子には、アーム10_1および10_2が直列接続されている。これに加え、同両端子には、アーム10_3および10_4が直列接続されている。更に、同両端子には、アーム10_5および10_6が直列接続されている。そして、アーム10_1および10_2間に共通接続ノードND1があり、アーム10_3および10_4間に共通接続ノードND2があり、アーム10_5および10_6間に共通接続ノードND3がある。これらのノードND1,ND2およびND3に対し、負荷Z(例えば、モータの巻き線)が接続される。アーム10_1~10_6の各々は、半導体スイッチを含む。ゲート駆動回路20_1~20_6は、アーム10_1~10_6にそれぞれ対応している。ゲート駆動回路20_1~20_6の各々は、ゲート信号を、対応するアームの半導体スイッチのゲートに与えることにより、当該半導体スイッチを駆動する。このように電力変換装置11Aは、各々が半導体スイッチを含む2以上のアーム10_1~10_6を有しており、これらのアームを介して直流電源40から負荷Zに電力を供給する。
 ここで、アーム10_2に着目し、アーム短絡について述べる。電源の短絡を防止するため、互いに直列接続された2つの半導体スイッチ10_1および10_2は、同時にターンオンしないように制御される。この点については、第1実施形態と同様である。一例として、半導体スイッチ10_1がOFFに制御され、半導体スイッチ10_2がONに制御される場合を述べる。仮に、当該アーム10_1に短絡故障が発生している状態で、アーム10_2の半導体スイッチがターンオンした場合、半導体スイッチ10_1の意図しない短絡により、アーム10_2の半導体スイッチにアーム短絡電流が流れる。このほか、アーム10_1に短絡故障が発生していなくても、アーム10_1の半導体スイッチの誤動作によるターンオンにより、アーム10_2の半導体スイッチにアーム短絡電流が流れる。また、電力変換装置1Aにおいて、負荷Zの短絡故障が発生した場合には、アーム10_2に負荷短絡電流が流れる。
 このようなアーム短絡電流または負荷短絡電流が長時間に亙ってアーム10_2に流れると、アーム10_2の正常な半導体スイッチが破壊に至る恐れがある。そこで短絡故障検出装置100_2がアーム10_2に対応して設けられる。他のアーム10_1、10_3~10_6にも同様なアーム短絡電流および負荷短絡電流が流れる可能性がある。そこで、本実施形態では、電力変換装置1Aは、P個(Pは2以上の正の整数。例えば、P=6。)のアームのうちのQ個(QはPより小さい正の整数。例えば、Q=3。)のアームにそれぞれ対応するQ個の短絡故障検出装置を有する。つまり、6個のアーム10_1~10_6のうちの一部のアームの各々に短絡故障検出装置が設けられる。図9の例では、アーム10_2、10_4および10_6に、短絡故障検出装置100_2、100_4および100_6がそれぞれに設けられる。これらのアーム10_2、10_4および10_6は、全アームのうちの半数に当たる(つまり、Q=P/2)。
 以下では、アーム10_1~10_6の各々を区別する必要がない場合に、アーム10_1~10_6をアーム10と総称する。同様に、ゲート駆動回路20_1~20_6をゲート駆動回路20と総称する。短絡故障検出装置100_2、100_4および1~100_6を短絡故障検出装置100と総称する。
 本実施形態において、アーム10_2、10_4および10_6に対して、短絡故障検出装置100_2、100_4および100_6をそれぞれ設けた理由は次の通りである。
 アーム短絡電流が通過する電流経路には、次の3つのパターンがある。
(1)アーム10_1および10_2を通る電流経路R12:アーム10_1または10_2の一方に短絡故障が発生すると、この電流経路R12にアーム短絡電流が流れる。
(2)アーム10_3および10_4を通る電流経路R34:アーム10_3または10_4の一方に短絡故障が発生すると、この電流経路R34にアーム短絡電流が流れる。
(3)アーム10_5および10_6を通る電流経路R56:アーム10_5または10_6の一方に短絡故障が発生すると、この電流経路R56にアーム短絡電流が流れる。
 全ての電流経路についてアーム短絡電流を検出するためには、(i)アーム10_1または10_2の一方と、(ii)アーム10_3または10_4の一方と、(iii)アーム10_5または10_6の一方に短絡故障検出装置100を設ける必要がある。これが条件1である。
 負荷短絡電流が通過する電流経路には、次の6つのパターンがある。
(1)アーム10_1および10_4を通る電流経路R14:負荷Zを通る、アーム10_1から10_4までの区間に短絡故障が発生すると、この電流経路R14に負荷短絡電流が流れる。 
(2)アーム10_3および10_2を通る電流経路R32:負荷Zを通る、アーム10_3から10_2までの区間に短絡故障が発生すると、この電流経路R32に負荷短絡電流が流れる。
(3)アーム10_3および10_6を通る電流経路R36:負荷Zを通る、アーム10_3から10_6までの区間に短絡故障が発生すると、この電流経路R36に負荷短絡電流が流れる。
(4)アーム10_5および10_4を通る電流経路R54:負荷Zを通る、アーム10_5から10_4までの区間に短絡故障が発生すると、この電流経路R54に負荷短絡電流が流れる。
(5)アーム10_5および10_2を通る電流経路R52:負荷Zを通る、アーム10_5から10_2までの区間に短絡故障が発生すると、この電流経路R52に負荷短絡電流が流れる。
(6)アーム10_1および10_6を通る電流経路R16:負荷Zを通る、アーム10_1から10_6までの区間に短絡故障が発生すると、この電流経路R16に負荷短絡電流が流れる。
 全ての電流経路について負荷短絡電流を検出するためには、(i)アーム10_1または10_4の一方と、(i i)アーム10_3または10_2の一方と、(i i i)アーム10_3または10_6の一方と、(iv)アーム10_5または10_4の一方と、(v)アーム10_5または10_2の一方と、(vi)アーム10_1または10_6の一方に短絡故障検出装置100を設ける必要がある。これが条件2である。
 条件1および2の両方を満たすための方法には、次の2つがある。第1の方法は、アーム10_1、10_3および10_5に短絡故障検出装置100を設けることである。第2の方法は、アーム10_2、10_4および10_6に短絡故障検出装置100を設けることである。本実施形態では、全ての電流経路について、アーム短絡電流および負荷短絡電流を検出するために第2の方法を採用している。
 図10は、第2実施形態における短絡故障検出装置100の構成例を示す回路図である。なお、図10には、短絡故障検出装置100に関する理解を容易にするため、アーム10およびゲート駆動回路20が短絡故障検出装置100とともに示されている。
 図10において、各アーム10は、半導体スイッチ11と、半導体スイッチ11に逆並列接続されたフライホイールダイオード12とを含む。半導体スイッチ11およびゲート駆動回路20は、第1実施形態のものと同様なので、その詳細な説明を省略する。
 図10に示す例では、第1のロゴスキーコイル101および第2のロゴスキーコイル102に導線52が挿入されている。第1のロゴスキーコイル101および第2のロゴスキーコイル102は、第1実施形態のものと同様なので、その詳細な説明を省略する。
 アーム短絡検出回路112は、第2の検出信号S2に基づいて、電力変換装置1Aにおいてアーム短絡が発生したことを検出する回路である。アーム短絡検出回路112は、第1実施形態のものと同様なので、その詳細な説明を省略する。
 負荷短絡検出回路111は、第1の検出信号S1に基づいて、電力変換装置1Aにおいて負荷短絡が発生したことを検出する回路である。負荷短絡検出回路111は、第1実施形態のものと同様なので、その詳細な説明を省略する。
 遮断制御回路121は、アーム短絡検出回路112が出力する短絡検出信号E2および負荷短絡検出回路111が出力する短絡検出信号E1に基づいて、電力変換装置1Aにおいて何等かの短絡故障が発生したことを検出する。この場合、遮断制御回路121は、短絡検出信号Eを生成する。この例において、遮断制御回路121は、OR回路を含み、当該OR回路は、短絡検出信号E1と短絡検出信号E2の論理和を短絡検出信号Eとして生成する。
 また、遮断制御回路121は、短絡検出信号Eを生成した場合に、アーム短絡電流または負荷短絡電流を遮断するための制御を行う。さらに詳述すると、遮断制御回路121は、短絡検出信号E2が発生した場合には、遮断信号Cを出力する。遮断信号Cは、短絡故障検出装置100が設けられたアーム10(例えば、10_2)の半導体スイッチ11と、短絡故障検出装置100が設けられていないアーム10(例えば、10_1)の半導体スイッチ11の駆動を停止させるための信号である。具体的には、図9の短絡故障検出装置100_2においてアーム短絡(短絡検出信号E2)が発生した場合を想定する。この場合、短絡故障検出装置100_2の遮断制御回路121は、アーム短絡電流の検出されたアーム10_2のゲート駆動回路20_2に遮断信号C2を出力し、アーム10_1のゲート駆動回路20_1に遮断信号C1を出力する。
 また、当該遮断制御回路121は、短絡検出信号E1が発生した場合には、負荷短絡電流が検出されたアーム10のゲート駆動回路20に対し、当該アーム10の半導体スイッチ11の駆動を停止させる遮断信号Cを出力する。
 また、遮断制御回路121は、短絡検出信号Eが発生した場合に、故障信号Fを制御装置1000に対して出力する。故障信号Fを受け取った制御装置1000は、電力変換装置1Aを停止させる制御を開始する。
 図11A、図11Bおよび図11Cの各々は、第2実施形態の動作例を示す波形図である。図11Aには、(a)通常時、(b)アーム短絡の発生時および(c)負荷短絡の発生時の各々について、(1)導線52に流れる電流iの波形、(2)第2の検出信号S2の波形、(3)アーム短絡検出回路112内で生成されるレベル判定信号D2の波形、および(4)アーム短絡検出回路112が出力する短絡検出信号E2の波形が示されている。図11Bには、(a)通常時、(b)アーム短絡の発生時および(c)負荷短絡の発生時の各々について、(1)導線52に流れる電流iの波形、(2)第1の検出信号S1の波形、(3)負荷短絡検出回路111内で生成されるレベル判定信号D1の波形、および(4)負荷短絡検出回路111が出力する短絡検出信号E1の波形が示されている。また、図11Cには、(a)通常時、(b)アーム短絡の発生時および(c)負荷短絡の発生時の各々について、(1)導線52に流れる電流iの波形、(2)アーム短絡検出回路112が出力する短絡検出信号E2の波形、(3)負荷短絡検出回路111が出力する短絡検出信号E1の波形、および(4)遮断制御回路121が出力する短絡検出信号Eの波形が示されている。これらの図において、横軸は時間tを示す。縦軸は電圧、電流または真理値のいずれかを示す。
 まず、図11Aを参照し、アーム短絡検出回路112の動作を説明する。アーム短絡検出回路112は、第2のロゴスキーコイル102から出力される第2の検出信号S2を第2の基準レベルVref2と比較する。アーム短絡検出回路112は、第2の検出信号S2が第2の基準レベルVref2を超過した場合に、レベル判定信号D2をアクティブレベル“1”に設定する。この点については、第1実施形態と同様である。また、アーム短絡検出回路112は、レベル判定信号D2が第2の基準時間Tref2を超えてアクティブレベル“1”に維持された場合に、アーム短絡検出信号E2をアクティブレベル“1”に設定する。この点についても、第1実施形態と同様である。
 通常時、半導体スイッチ11のターンオンにより、導線52に流れる電流iが立ち上がる。この電流iの立ち上がり期間において、電流iの時間勾配di/dtを示す第2の検出信号S2が第2の基準レベルVref2を超え、レベル判定信号D2がアクティブレベル“1”に維持される。この点については、第1実施形態と同様である。第1実施形態において述べた同じ理由により、短絡検出信号E2がアクティブレベル“1”に変化することはない。
 負荷短絡の発生時は、半導体スイッチ11のターンオンにより、導線52に流れる電流iが立ち上がる。その後、負荷短絡電流の経路に介在する自己インダクタンスにより定まる時間勾配で電流iが増加する。この点については、第1実施形態と同様である。第1実施形態において述べた同じ理由により、短絡検出信号E2がアクティブレベル“1”に変化することはない。
 アーム短絡の発生時におけるアーム短絡検出回路112の動作は、第1実施形態におけるアーム短絡検出回路112の動作と同様である。レベル判定信号D2は、第2の基準時間Tref2を超えてアクティブレベル“1”に維持される。第1実施形態において述べた同じ理由により、短絡検出信号E2がアクティブレベル“1”に変化する。
 この例において、第2のロゴスキーコイル102は、第2の検出信号S2が範囲A2p内または範囲A2n内に収まる電流の時間勾配di/dtを高精度で検出する。そして、第2の基準レベルVref2は、範囲A2p内にある。そのため、アーム短絡検出回路112は、精度よくアーム短絡を検出することができる。
 次に図11Bを参照し、負荷短絡検出回路111の動作を説明する。負荷短絡検出回路111は、第1のロゴスキーコイル101から出力される第1の検出信号S1を第1の基準レベルVref1と比較する。負荷短絡検出回路111は、第1の検出信号S1が第1の基準レベルVref1を超過した場合に、レベル判定信号D1をアクティブレベル“1”に設定する。この点については、第1実施形態と同様である。また、負荷短絡検出回路111は、レベル判定信号D1が第1の基準時間Tref1を超えてアクティブレベル“1”に維持された場合に、短絡検出信号E1をアクティブレベル“1”に設定する。この点についても、第1実施形態と同様である。
 通常時、半導体スイッチ11のターンオンにより、導線52に流れる電流iが立ち上がる。その後、この電流iの立ち上がり期間において、電流iの時間勾配di/dtを示す第1の検出信号S1が第1の基準レベルVref1を超え、レベル判定信号D1がアクティブレベル“1”に変化する。この点については、第1実施形態と同様である。第1実施形態において述べた同じ理由により、短絡検出信号E1がアクティブレベル“1”に変化することはない。
 半導体スイッチ11と直列接続された半導体スイッチが短絡故障した状態で、半導体スイッチ11のターンオンが発生すると、アーム短絡が発生する。この場合、第1実施形態において述べた同じ理由により、第1の検出信号S1が第1の基準レベルVref1を超え、レベル判定信号D1がアクティブレベル“1”に変化する。しかしながら、アーム短絡の発生時においては、第2の検出信号S2も第2の基準レベルVref2を超え、レベル判定信号D2がアクティブレベル“1”に変化する。また、第1実施形態において述べた同じ理由により、アーム短絡の発生に起因して負荷短絡が検出されることはない。
 負荷短絡の発生時、電流iの立ち上がり直後から電流iが一定の時間勾配で増加する期間において、第1の検出信号S1が第1の基準レベルVref1を超え、レベル判定信号D1がアクティブレベル“1”に変化する。この点については、第1実施形態と同様である。また、第1実施形態において述べた同じ理由により、短絡検出信号E1がアクティブレベル“1”に変化する。
 この例において、第1のロゴスキーコイル101は、第1の検出信号S1が範囲A1内に収まる電流の時間勾配di/dtを高精度で検出する。そして、第1の基準レベルVref1は、範囲A1内にある。そのため、負荷短絡により発生する第1の検出信号S1を精度よく検出することができる。
 次に図11Cを参照し、遮断制御回路121の動作を説明する。図11Cに示すように、遮断制御回路121は、短絡検出信号E1と短絡検出信号E2の論理和を短絡検出信号Eとして出力する。従って、アーム短絡または負荷短絡が発生した場合には、短絡検出信号Eがゲート駆動回路20に出力される。これにより、ゲート駆動回路20によって、半導体スイッチ11の駆動が停止される。
 次に第2実施形態の全体的な動作例について説明する。図12は、第2実施形態の第1動作例を示す回路図である。第1動作例では、アーム10_1に短絡故障が発生している。なお、図12に示す「X(cross)」印は、当該短絡故障を表す。このことは、図13および図14についても同様である。例えば、この短絡故障は、アーム10_1の半導体スイッチ11の故障である。例えば、この短絡故障は、ノイズ等によって、半導体スイッチ11の誤動作によってONになる事象でもあり得る。第1動作例では、アーム10_1の短絡故障に起因したアーム短絡電流が、ON状態のアーム10_2に流れている。
 アーム10_2に対応する短絡故障検出装置100_2は、アーム短絡検出回路112が短絡検出信号E2を生成する。遮断制御回路121がアーム10_2のゲート駆動回路20_2に遮断信号C2を出力し、アーム10_1のゲート駆動回路20_1に遮断信号C1を出力する。これにより、アーム10_1および10_2を通る電流経路に流れるアーム短絡電流が遮断される。また、短絡故障検出装置100_2では、遮断制御回路121が制御装置1000に対して故障信号F2を出力する。これにより、制御装置1000は、電力変換装置1を停止させるための制御を開始する。
 図13は、第2実施形態の第2動作例を示す回路図である。第2動作例では、アーム10_1がON状態であるときに、アーム10_1に接続されたアーム10_2に短絡故障が発生し、アーム短絡電流がアーム10_1を介してアーム10_2に流れている。
 この場合も、アーム10_2に対応する短絡故障検出装置100_2では、アーム短絡検出回路112が短絡検出信号E2を生成する。遮断制御回路121がアーム10_2のゲート駆動回路20_2に遮断信号C2を出力し、アーム10_1のゲート駆動回路20_1に遮断信号C1を出力する。これにより、アーム10_1がON状態からOFF状態に変化する。その結果、アーム10_1および10_2を通る電流経路に流れるアーム短絡電流が遮断される。また、この場合も、短絡故障検出装置100_2では、遮断制御回路121が制御装置1000に対して故障信号F2を出力する。
 図14は、本実施形態の第3動作例を示す回路図である。第3動作例では、負荷Zを通り、アーム10_1から10_4までの区間に短絡が発生した場合を想定する。この場合において、アーム10_1および10_4がON状態であるときに、負荷短絡電流がアーム10_1および10_4に流れている。
 アーム10_4に対応する短絡故障検出装置100_4では、負荷短絡検出回路111が短絡検出信号E1を生成し、遮断制御回路121がアーム10_4のゲート駆動回路20_4に遮断信号C4を出力する。これにより、アーム10_1および10_4を通る電流経路に流れる負荷短絡電流が遮断される。また、短絡故障検出装置100_4では、遮断制御回路121が制御装置1000に対して故障信号F2を出力する。
 以上説明したように、電力変換装置1Aは、P個(例えば、P=6)のアーム10のうちのQ個(例えば、Q=3)のアーム(例えば、10_2,10_4,10_6)にそれぞれ対応するQ個の短絡故障検出装置(例えば、100_2,100_4,100_6)を有する。つまり、全てのアームのうちの一部のアームのみに短絡故障検出装置が設けられる。6個の短絡故障検出装置100の各々は、負荷の短絡により、対応するアーム(例えば、10_2)に流れる電流に応じた第1の検出信号S1を出力する第1のロゴスキーコイル101を有し、第1の検出信号S1およびに基づいて短絡故障を検出する。これに加え、各短絡故障検出装置100は、対応するアーム(例えば、10_2)または6個のアーム10のうちの他のアーム(例えば、10_1)の短絡により、当該対応するアームに流れる電流に応じた第2の検出信号S2を出力する第2のロゴスキーコイル102を有し、第2の検出信号S2に基づいて短絡故障を検出する。
 本実施形態によれば、ロゴスキーコイルを利用して、電力変換装置1Aにおいて発生するアーム短絡および負荷短絡の両方を精度よく検出することができる。また、本実施形態によれば、短絡電流を検出するために、CT等のディスクリート部品を利用しないので、コストを下げ、かつ、短絡故障検出装置の大型化を回避することができる。
 また、本実施形態では、Q個の短絡故障検出装置100の各々は、遮断制御回路121を含む。遮断制御回路121は、短絡故障を検出した場合に、対応するアーム(例えば、10_2)の半導体スイッチ11と、Q個の短絡故障検出装置のいずれにも設けられていない他のアーム(例えば、10_1)の半導体スイッチ11との駆動を停止する。従って、複数のアーム10の各々の半導体スイッチ11を短絡故障から保護しつつ、電力変換装置1Aの小型化および低コスト化を実現することができる。
 本実施形態では、2つのロゴスキーコイルが必要である。その一つは、負荷短絡の発生時に適切な大きさの第1の検出信号S1を生成する第1のロゴスキーコイル101であり、もう一つは、アーム短絡の発生時に適切な大きさの第2の検出信号S2を生成する第2のロゴスキーコイル102である。以下、第2実施形態における第1のロゴスキーコイル101および第2のロゴスキーコイル102の具体例を挙げる。
<第1具体例>
 第1具体例では、アーム短絡を検出するための第2のロゴスキーコイル102の巻き数n2が、負荷短絡を検出するための第1のロゴスキーコイル101の巻き数n1と異なる。この点については、第1実施形態の第1具体例と同様である。この第1具体例から得られる効果も、第1実施形態の第1具体例の効果と同様である。
<第2具体例>
 第2具体例では、負荷短絡を検出するための第1のロゴスキーコイル101の磁路断面積SQ1が、アーム短絡を検出するための第2のロゴスキーコイル102の磁路断面積SQ2が異なる。この点については、第1実施形態の第2具体例と同様である。この第2具体例から得られる効果も、第1実施形態の第2具体例の効果と同様である。
<第3具体例>
 第3具体例では、負荷短絡を検出するための第1のロゴスキーコイル101の磁路長LG1が、アーム短絡を検出するための第2のロゴスキーコイル102の磁路長LG2と異なる。この点については、第1実施形態の第3具体例と同様である。この第3具体例から得られる効果も、第1実施形態の第3具体例の効果と同様である。
<第4具体例>
 第4具体例は、第1のロゴスキーコイル101および第2のロゴスキーコイル102の実装に関する。図15Aおよび図15Bは、第2実施形態の第4具体例を示す図である。ここで、図15Aは、図7Bの半導体スイッチ11から見た第1のロゴスキーコイル101および第2のロゴスキーコイル102を示す図である。また、図15Bは、図15AのA-A’線断面図である。
 図15Bにおいて、半導体スイッチ11と主配線基板70との間には、多層配線基板が挟まれている。多層配線基板は、第1層配線基板61と、第2層配線基板62と、第3層配線基板63とを有する。この点については、第1実施形態の第4具体例と同様である。
 導線51および52は、図10の導線51および52にそれぞれ相当する。導線51は、半導体スイッチ11のソースに接続されている。導線52は、半導体スイッチ11のドレインに接続されている。これらの点については、第1実施形態の第4具体例と同様である。
 アーム短絡を検出するための第2のロゴスキーコイル102は、導線51を取り囲むように、第1層配線基板61と、第2層配線基板62と、第3層配線基板63に配置されている。また、負荷短絡を検出するための第1のロゴスキーコイル101は、導線52を取り囲むように、第1層配線基板61と、第2層配線基板62と、第3層配線基板63に配置されている。これらの点についても、第1実施形態の第4具体例と同様である。
 この第4具体例においても、第1実施形態の第4具体例の効果と同様の効果が得られる。つまり、アーム短絡および負荷短絡の双方を精度よく検出することができる。また、アーム10を経由する電流経路に、第2のロゴスキーコイル102D、半導体スイッチ11Dおよび第1のロゴスキーコイル101Dが順に配置されている。このため、第4具体例では、互いに直列接続された2つの半導体スイッチ11の間の配線長と、コンデンサ30(図9参照)の配線長とを短くすることができる。
<第5具体例>
 第5具体例では、ブスバーを覆うように、アーム短絡を検出するための第2のロゴスキーコイル102と、負荷短絡を検出するための第1のロゴスキーコイル101が配置される。この点については、第1実施形態の第5具体例と同様ある。第5具体例から得られる効果も、第1実施形態の第5具体例の効果と同様である。
 図16は、第2実施形態における短絡故障検出装置100の他の電力変換装置への適用例を示す回路図である。図16には適用例として降圧チョッパ122が示されている。図16において、上述した図9および図10に示された部分に対応する部分には同一の符号が付されている。
 図16において、アーム10は、半導体スイッチ11と、半導体スイッチ11に逆並列接続されたフライホイールダイオード12とを含む。この例においても、半導体スイッチ11は、MOSFETである。半導体スイッチ11のドレインは、導線51を介して、直流電源40の正極およびコンデンサ30の一方の電極に接続されている。半導体スイッチ11のソースは、導線52を介して、ダイオード302のカソードに接続されている。ダイオード302のアノードは、直流電源40の負極およびコンデンサ30の他方の電極に接続されている。すなわち、ダイオード302は、アーム10に直列接続されている。リアクトル301および負荷Zaは、互いに直列接続されており、ダイオード302は、これらリアクトル301および負荷Zaに並列接続されている。ゲート駆動回路20は、半導体スイッチ11に対してゲート信号を供給することにより半導体スイッチ11のONまたはOFFを制御する。
 半導体スイッチ11がONである期間、導線51、半導体スイッチ11、導線52およびリアクトル301を介して、コンデンサ30から負荷Zaに電流が流れる。半導体スイッチ11がOFFに変化すると、リアクトル301に蓄積された電気エネルギーが放出される。そして、リアクトル301、負荷Zaおよびダイオード302によって構成されるループに電流が流れる。このように、電力変換装置としての降圧チョッパ122は、半導体スイッチ11を含むアーム10を介して負荷Zaに電力を供給する。
 図16に示す構成では、半導体スイッチ11およびダイオード302間の導線52が第1のロゴスキーコイル101および第2のロゴスキーコイル102に挿通されている。第1のロゴスキーコイル101は、負荷短絡電流の検出に最適化されたコイルである。第2のロゴスキーコイル102は、ダイオード302の短絡故障によりアーム10に流れる短絡電流の検出に最適化されたコイルである。
 アーム短絡検出回路112は、第2のロゴスキーコイル102から得られる第2の検出信号S2に基づいて、降圧チョッパ122においてダイオード302の短絡故障が発生したことを検出する回路である。具体的には、アーム短絡検出回路112は、第2の基準時間Tref2を超えて、第2の検出信号S2が第2の基準レベルVref2よりも高いレベルに維持された場合に、ダイオード302の短絡が発生したことを検出する。この場合、アーム短絡検出回路112は、短絡検出信号E2を非アクティブレベル“0”からアクティブレベル“1”に変更する。
 負荷短絡検出回路111は、第1のロゴスキーコイル101から得られる第1の検出信号S1に基づいて、降圧チョッパ122において負荷短絡が発生したことを検出する回路である。具体的には、負荷短絡検出回路111は、第1の基準時間Tref1を超えて、第1の検出信号S1が第1の基準レベルVref1よりも高いレベルに維持された場合に、負荷短絡が発生したことを検出する。この場合、負荷短絡検出回路111は、短絡検出信号E1を非アクティブレベル“0”からアクティブレベル“1”に変更する。
 遮断制御回路121は、短絡検出信号E1およびE2に基づいて、降圧チョッパ122において何等かの短絡故障が発生したことを検出する。この場合、遮断制御回路121は、半導体スイッチ11の駆動を停止させる遮断信号Cを出力する。これに加え、遮断制御回路121は、故障信号Fを制御装置1000(図9参照)に出力する。
 この降圧チョッパ122においても、前掲図9の電力変換装置1Aと同様な効果が得られる。
<第2実施形態の変形例>
 第2実施形態は、以下のように変形し得る。
(1)第2実施形態は、他の種類の電力変換装置、例えば、3相以外のインバータあるいは降圧チョッパ以外のDC/DCコンバータに適用してもよい。
(2)第2実施形態では、半導体スインチの例としてMOSFETを挙げたが、半導体スイッチはこれに限定されるものではなく、例えばIGBT等の他の半導体スイッチであってもよい。
(3)第2実施形態では、アーム短絡検出回路112、負荷短絡検出回路111および遮断制御回路121をそれぞれ個別に設けたが、これらは、一つの回路として構成されても良い。
(4)図9の構成では、電力変換装置1Aは、6個のアームのうちの3個のアーム10にそれぞれ対応する3個の短絡故障検出装置100を有する。しかしながら、アーム10の個数Pを超えない範囲内において、少なくとも半数のアーム10にそれぞれ対応する短絡故障検出装置100が設けられていてもよい。つまり、アーム10の個数Qは、少なくとも、アーム10の全個数Pの半分であればよい。これにより、電力変換装置1Aの冗長性が増し、その安全性を高めることができる。
(5)図9の構成では、電力変換装置1Aは、アーム(下アームと呼ばれる)10_2、100_4および100_6にそれぞれ対応する短絡故障検出装置100_2、100_4および100_6を有する。更に、各短絡故障検出装置100は、第1のロゴスキーコイル101および第2のロゴスキーコイル102の両方を有している。これにより、上述した条件1および2が満たされた。
 しかし、本実施形態は、これに限定されない。電力変換装置1Aは、P個のアームのうちのQ個のアーム10にそれぞれ対応するQ個の短絡故障検出装置100を有し、Q個の短絡故障検出装置100の各々は、第1のロゴスキーコイル101のみを有していてもよい。これに加え、電力変換装置1Aは、P個のアームのうちのR個(Rは(P-Q)を超えない正の整数)のアーム10であって、Q個のアーム10と異なるR個のアーム10にそれぞれ対応するR個の短絡故障検出装置100を有していてもよい。ただし、R個の短絡故障検出装置の各々は、第2のロゴスキーコイルのみを有している。つまり、第1のロゴスキーコイル101のみを具備する短絡故障検出装置と、第2のロゴスキーコイル102のみを具備する短絡故障検出装置が、互いに異なるアーム10に設けられていてもよい。これにより、条件1および2が満たされてもよい。
 また、Q個の短絡故障検出装置100の各々は、遮断制御回路121を含んでいてもよい。R個の短絡故障検出装置の各々も、遮断制御回路を含んでいてもよい。
 例えば、第1のロゴスキーコイル101のみを各々具備する3個の短絡故障検出装置100が、3個の上アーム10(例えば、10_1、10_3および10_5)にそれぞれ設けられてもよい。これら上アームは、高電位電源と負荷Zとの間に配置されている。更に、第2のロゴスキーコイル102を各々具備する短3個の絡故障検出装置100が、下アーム10(例えば、10_2、10_4および10_6)にそれぞれ設けられてもよい。これら下アームは、低電位電源と負荷Zとの間に設けられている。この態様においても、条件1および2が満たされる。
100……電力変換装置、30……コンデンサ、40……直流電源、10_1~10_6,10……アーム、20_1~20_6,20……ゲート駆動回路、100_1~100_6,100……短絡故障検出装置、11,11D……半導体スイッチ、12……フライホイールダイオード、51,52……導線、101,101A,101B,101C,101D,101E……第1のロゴスキーコイル、102,102A,102B,102C,102D,102E……第2のロゴスキーコイル、41,43……第1部分、42,44……第2部分、70……主配線基板、61……第1層配線基板、62……第2層配線基板、63……第3層配線基板、111……アーム短絡検出回路、112……負荷短絡検出回路、120……短絡検出回路、121……遮断制御回路、122……降圧チョッパ、103……シールド板、Z……負荷。

Claims (19)

  1.  半導体スイッチを各々含む複数のアームを有し、前記複数のアームを介して負荷に電力を供給する電力変換装置の短絡故障検出装置において、
     前記負荷の短絡によって前記複数のアームのうちの第1のアームに流れる電流である負荷短絡電流に応じた第1の検出信号を生成する第1のロゴスキーコイルと、
     前記第1のアームまたは前記複数のアームのうちの第2のアームの短絡によって当該第1のアームに流れる電流であるアーム短絡電流に応じた第2の検出信号を生成する第2のロゴスキーコイルと、
     前記第1の検出信号に基づいて前記負荷の短絡を検出する負荷短絡検出回路と、
     前記第2の検出信号に基づいて前記第1のアームまたは前記第2のアームの短絡を検出するアーム短絡検出回路と、
     前記アーム短絡検出回路の出力信号および前記負荷短絡検出回路の出力信号に基づいて短絡故障を検出する短絡検出回路と
     を有することを特徴とする短絡故障検出装置。
  2.  前記第2のロゴスキーコイルの巻き数よりも前記第1のロゴスキーコイルの巻き数が多いことを特徴とする請求項1に記載の短絡故障検出装置。
  3.  前記第2のロゴスキーコイルの断面積よりも前記第1のロゴスキーコイルの断面積が大きいことを特徴とする請求項1または2に記載の短絡故障検出装置。
  4.  前記第2のロゴスキーコイルの磁路長よりも前記第1のロゴスキーコイルの磁路長が短いことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の短絡故障検出装置。
  5.  前記第1のロゴスキーコイルおよび前記第2のロゴスキーコイルの少なくとも一方が配線基板に配置されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の短絡故障検出装置。
  6.  前記第1のアームを経由する電流経路に、前記第2のロゴスキーコイル、前記第1のアームに含まれる半導体スイッチおよび前記第1のロゴスキーコイルが順に、または、その逆順に配置されたことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の短絡故障検出装置。
  7.  前記第1のロゴスキーコイルと前記第2のロゴスキーコイルとの間に配置されたシールドを更に備えることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の短絡故障検出装置。
  8.  前記第1のアームおよび前記第2のアームは、互いに直列に接続されていることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の短絡故障検出装置。
  9.  半導体スイッチを各々含む複数のアームを有し、前記複数のアームを介して負荷に電力を供給する電力変換装置の短絡故障検出装置において、
     前記負荷の短絡によって前記複数のアームのうちの第1のアームに流れる電流である負荷短絡電流に応じた検出信号を生成するロゴスキーコイルと、
     前記検出信号に基づいて前記負荷の短絡を判別する負荷短絡検出回路と、
     前記負荷短絡検出回路の出力信号に基づいて短絡故障を検出する短絡検出回路と
     を有することを特徴とする短絡故障検出装置。
  10.  請求項1または9に記載の短絡故障検出装置と、
     前記短絡故障検出装置が出力する短絡検出信号に基づいて、前記第1のアームに含まれる半導体スイッチの駆動を停止するゲート駆動回路と
     を含むことを特徴とする電力変換装置。
  11.  半導体スイッチを各々含むP個(Pは2以上の整数)のアームを介して負荷に電力を供給する電力変換装置において、
     前記P個のアームのうちのQ個(QはPより小さい正の整数)のアームにそれぞれ対応するQ個の短絡故障検出装置を有し、
     前記Q個の短絡故障検出装置の各々は、
     前記負荷の短絡により、対応するアームに流れる電流に応じた第1の検出信号を出力する第1のロゴスキーコイルを具備し、
     前記第1の検出信号に基づいて短絡故障を検出することを特徴とする電力変換装置。
  12.  前記Q個の短絡故障検出装置の各々は、
     前記対応するアームまたは前記P個のアームのうちの他のアームの短絡により、当該対応するアームに流れる電流に応じた第2の検出信号を出力する第2のロゴスキーコイルを更に具備し、
     前記第2の検出信号に基づいて短絡故障を検出することを特徴とする請求項11に記載の電力変換装置。
  13.  前記P個のアームのうちのR個(Rは(P-Q)を超えない正の整数)のアームであって、前記Q個のアームと異なるR個のアームにそれぞれ対応するR個の短絡故障検出装置を更に有し、
     前記R個の短絡故障検出装置の各々は、
     前記対応するアームまたは前記P個のアームのうちの他のアームの短絡により、当該対応するアームに流れる電流に応じた第2の検出信号を出力する第2のロゴスキーコイルを具備し、
     前記第2の検出信号に基づいて短絡故障を検出することを特徴とする請求項11に記載の電力変換装置。
  14.  前記Qは、少なくとも、前記Pの半分であることを特徴とする請求項12に記載の電力変換装置
  15.  前記対応するアームを経由する電流経路に、前記第2のロゴスキーコイル、前記対応するアームに含まれる半導体スイッチおよび前記第1のロゴスキーコイルが順に、または、その逆順に配置されたことを特徴とする請求項12または14に記載の電力変換装置。
  16.  前記Q個の短絡故障検出装置の各々は、
     短絡故障を検出した場合に、
     前記対応するアームの半導体スイッチと、前記Q個の短絡故障検出装置のいずれにも設けられていない他のアームの半導体スイッチとの駆動を停止する遮断制御回路を含むことを特徴とする請求項12から14のいずれか1項に記載の電力変換装置。
  17.  前記Q個の短絡故障検出装置の各々は、
     短絡故障を検出した場合に、
     前記対応するアームの半導体スイッチと、前記Q個の短絡故障検出装置のいずれにも設けられていない他のアームの半導体スイッチとの駆動を停止する遮断制御回路を含み、
     前記R個の短絡故障検出装置の各々は、
     短絡故障を検出した場合に、
     前記対応するアームの半導体スイッチと、前記R個の短絡故障検出装置のいずれにも設けられていない他のアームの半導体スイッチとの駆動を停止する遮断制御回路を含むことを特徴とする請求項13に記載の電力変換装置。
  18.  前記対応するアームおよび前記他のアームは、互いに直列に接続されていることを特徴とする請求項12または13に記載の電力変換装置。
  19.  半導体スイッチング素子を含むアームを介して負荷に電力を供給する電力変換装置において、
     前記負荷の短絡故障により前記アームに流れる電流に応じた第1の検出信号を出力する第1のロゴスキーコイルと、
     前記アームに直列接続されたダイオードの短絡故障により前記アームに流れる電流に応じた第2の検出信号を出力する第2のロゴスキーコイルと、
     前記第1の検出信号または前記第2の検出信号に基づいて短絡故障を検出する短絡故障検出装置と
     を含むことを特徴とする電力変換装置。
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