WO2021075117A1

WO2021075117A1 - 固体撮像装置及び電子機器

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Publication number: WO2021075117A1
Application number: PCT/JP2020/028117
Authority: WO
Inventors: 博亮村上
Original assignee: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Priority date: 2019-10-16
Filing date: 2020-07-20
Publication date: 2021-04-22
Also published as: JP2021064722A

Abstract

固体撮像装置の更なる高画質化を実現することができる固体撮像装置を提供すること。　光入射側から順に、第１基板と、第２基板と、を備え、該第１基板に、複数の第１画素が配列された第１画素領域が形成され、該第２基板に、複数の第２画素が配列された第２画素領域が形成され、該第１基板が、光入射側から順に入射光を光電変換する第１光電変換部が形成された第１半導体基板と、第１配線層と、を備え、該第２基板が、光入射側から順に第２配線層と、該入射光を光電変換する第２光電変換部が形成された第２半導体基板と、を備え、１つの該第１画素は１つの該第１光電変換部を有し、１つの該第２画素は１つの該第２光電変換部を有し、該第１基板と該第２基板とが、該第１配線層と該第２配線層とを向き合わせて貼り合わされて、少なくとも１つの該第１画素と、少なくとも１つの該第２画素とが電気的に接続されている、固体撮像装置を提供する。

Description

固体撮像装置及び電子機器

　本技術は、固体撮像装置及び電子機器に関する。

　近年、デジタルカメラは、益々、普及が進んでおり、その中心部品である固体撮像装置（イメージセンサ）の需要はますます高まっている。そのため、固体撮像装置の性能面として、高画質化を実現するための技術開発が盛んに行われている。例えば、容易に、多様な光電変換出力を得ることができる撮像素子に関する技術が提案されている（特許文献１を参照。）。

特開２０１３－７００３０号

　しかしながら、特許文献１で提案された技術では、固体撮像装置の更なる高画質化を図れないおそれがある。

　そこで、本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、固体撮像装置の更なる高画質化を実現することができる固体撮像装置、及びその固体撮像装置が搭載された電子機器を提供することを主目的とする。

　本発明者は、上述の目的を解決するために鋭意研究を行った結果、固体撮像装置の更なる高画質化の実現に成功し、本技術を完成するに至った。

　すなわち、本技術では、
　光入射側から順に、第１基板と、第２基板と、を備え、
　該第１基板に、複数の第１画素が配列された第１画素領域が形成され、
　該第２基板に、複数の第２画素が配列された第２画素領域が形成され、
　該第１基板が、光入射側から順に、入射光を光電変換する第１光電変換部が形成された第１半導体基板と、第１配線層と、を備え、
　該第２基板が、光入射側から順に、第２配線層と、該入射光を光電変換する第２光電変換部が形成された第２半導体基板と、を備え、
　１つの該第１画素は、１つの該第１光電変換部を有し、
　１つの該第２画素は、１つの該第２光電変換部を有し、
　該第1基板と該第２基板とが、該第１配線層と該第２配線層とを向き合わせて貼り合わされて、
　少なくとも１つの該第１画素と、少なくとも１つの該第２画素とが、電気的に接続されている、固体撮像装置を提供する。

　本技術に係る固体撮像装置において、
　少なくとも１つの前記第１画素と、少なくとも１つの前記第２画素とが、Ｃｕ－Ｃｕ接合により、電気的に接続されていてもよい。
　本技術に係る固体撮像装置において、
　前記複数の第１画素の全ての画素と、前記複数の第２画素の全ての画素とが、Ｃｕ－Ｃｕ接合により、電気的に接続されていてもよい。

　本技術に係る固体撮像装置において、
　前記第１光電変換部と前記第２光電変換部とが、前記入射光の互いに異なる波長域成分を光電変換してもよい。
　本技術に係る固体撮像装置において、
　前記第１光電変換部が、前記入射光の可視光の波長域成分を光電変換しもよく、
　前記第２光電変換部が、前記入射光の赤外光の波長域成分を光電変換してもよい。

　本技術に係る固体撮像装置において、
　前記第１配線層及び前記第２配線層に、前記入射光が透過する光路が形成されていてもよい。
　本技術に係る固体撮像装置において、
　前記光路に、導波路が形成されていてもよい。
　本技術に係る固体撮像装置において、
　前記導波路の外側に、光反射部材が配されていてもよい。

　本技術に係る固体撮像装置において、
　前記第２基板に回路領域が形成されていてもよい。
　本技術に係る固体撮像装置において、
　前記第１基板に回路領域が形成されていてもよい。

　本技術に係る固体撮像装置が第３基板を更に備えてもよく、
　該第３基板が、光入射側から順に、第３配線層と、第３半導体基板と、を備えてもよく、
　前記第２基板と該第３基板とが、前記第２半導体基板と該第３配線層とを向き合わせて貼り合わされて、前記第２基板と該第３基板とが、電気的に接続されていてもよい。
　本技術に係る固体撮像装置において、
　前記第２半導体基板を貫通する貫通電極が形成されていてもよく、該貫通電極を介して、前記第２基板と該第３基板とが、電気的に接続されていてもよい。
　本技術に係る固体撮像装置において、
　前記第３基板に回路領域が形成されていてもよい。

　本技術に係る固体撮像装置において、
　少なくとも１つの前記第１光電変換部によって生成された第１信号電荷と、少なくとも１つの前記第２光電変換部によって生成された第２信号電荷とが、前記第１基板に形成されたフローティングディフュージョン（ＦＤ）を経由してもよい。
　本技術に係る固体撮像装置において、
　少なくとも１つの前記第１光電変換部によって生成された第１信号電荷と、少なくとも１つの前記第２光電変換部によって生成された第２信号電荷とが、前記第２基板に形成されたフローティングディフュージョン（ＦＤ）を経由してもよい。

　本技術に係る固体撮像装置において、
　少なくとも１つの前記第１画素と少なくとも１つの前記第２画素とが、前記第１基板に形成された少なくとも１種の画素トランジスタを共有してもよい。
　本技術に係る固体撮像装置において、
　少なくとも１つの前記第１画素と少なくとも１つの前記第２画素とが、前記第２基板に形成された少なくとも１種の画素トランジスタを共有してもよい。

　また、本技術では、本技術に係る固体撮像装置が搭載された、電子機器を提供する。

　本技術によれば、固体撮像装置の更なる高画質化を実現することができる。なお、ここに記載された効果は、必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。

本技術を適用した第１の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。本技術を適用した第１の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。本技術を適用した第２の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。本技術を適用した第３の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。本技術を適用した第４の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。本技術を適用した第５の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。本技術を適用した第５の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。本技術を適用した第６の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。本技術を適用した第６の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。本技術を適用した第７の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。本技術を適用した第１～第７の実施形態の固体撮像装置の使用例を示す図である。本技術を適用した第８の実施形態に係る電子機器の一例の機能ブロック図である。内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。カメラヘッド及びＣＣＵの機能構成の一例を示すブロック図である。車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。

　以下、本技術を実施するための好適な形態について説明する。以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態の一例を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。なお、特に断りがない限り、図面において、「上」とは図中の上方向又は上側を意味し、「下」とは、図中の下方向又は下側を意味し、「左」とは図中の左方向又は左側を意味し、「右」とは図中の右方向又は右側を意味する。また、図面については、同一又は同等の要素又は部材には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

　説明は以下の順序で行う。
　１．本技術の概要
　２．第１の実施形態（固体撮像装置の例１）
　３．第２の実施形態（固体撮像装置の例２）
　４．第３の実施形態（固体撮像装置の例３）
　５．第４の実施形態（固体撮像装置の例４）
　６．第５の実施形態（固体撮像装置の例５）
　７．第６の実施形態（固体撮像装置の例６）
　８．第７の実施形態（固体撮像装置の例７）
　９．第８の実施形態（電子機器の例）
　１０．本技術を適用した固体撮像装置の使用例
　１１．内視鏡手術システムへの応用例
　１２．移動体への応用例

＜１．本技術の概要＞
　まず、本技術の概要について説明をする。

　固体撮像装置（イメージセンサ）おいては、シリコン（Ｓｉ）のバンドギャップは１．１２ｅＶであるので、長波長の感度は低い。したがって、長波長の感度向上を図る場合には、シリコン（Ｓｉ）の膜厚を厚くする必要がある。

　しかし、シリコン（Ｓｉ）厚を厚くしていくと、素子分離用のインプラント等を打つにはレジストのアスペクト比が足りずに、レジスト形成をすることが困難である場合がある。なお、ハードマスクを用いた手法も考えられるが、プロセス加工の安定性の細心の注意をする必要性が生じる場合がある。

　固体撮像装置の上下にフォトダイオード（ＰＤ）を形成して、長波長側の感度を上げる技術があるが、この技術では、入射光は配線層を通るので下側のフォトダイオード（ＰＤ）に到達する前に入射光が減衰及び／又は反射してしまうおそれある。また、この技術では、貫通電極を用いているので、上下画素でタイミングの同期を図ることができない。さらに、貫通電極を用いると、貫通電極を導入する面積の確保も必要であり、固体撮像装置のコンパクト化を図れないおそれがある。

　本技術は、以上のような状況を鑑みてなされたものである。本技術は、第１基板（例えば、上側チップ）として、裏面型センサの基板（例えば、光入射側から順に、光電変換部、配線層が配された基板）と、第２基板（例えば下側チップ）として、表面型センサの基板（例えば、光入射側から順に、配線層、光電変換部が配された基板）とを接合（例えば、Ｃｕ－Ｃｕ接合）して貼り合わせる。

　本技術の第一の側面としては、第１基板の画素を、通常のＲ／Ｇ／Ｂ画素として使用し、第２基板の画素を、長波長の光電変換部（例えばフォトダイオード（ＰＤ））を形成した画素構造とする。本技術の第二の側面としては、配線は、表面型センサの配線レイアウトのように開口部分を開けるように、画素制御線／垂直信号線（ＶＳＬ）を配置する。本技術の第三の側面としては、第１基板と第２基板との配線接続をＣｕ－Ｃｕ接続（Ｃｕ－Ｃｕ接合）にする。このＣｕ－Ｃｕ接続（Ｃｕ－Ｃｕ接合）により、第１基板（例えば、上側チップ）と第２基板（例えば、下側チップ）とのタイミングの同期を取って駆動することが可能である。本技術の第四の側面としては、第１基板と第２基板との接合部と、第１基板が備える第１配線層及び第２基板が備える第２配線層には、導波路を第１基板と第２基板とをまたぐように形成する。この導波路の形成により、長波長の光の減衰及び／又は反射を抑制して、第２基板が備える光電変換部（例えばフォトダイオード（ＰＤ））に光を到達させることができる。なお、本技術に係る固体撮像装置の製造方法（プロセス加工）においては、裏面型／表面型センサの公知の製造技術、公知の積層プロセス技術、公知の接合技術（Ｃｕ－Ｃｕ接合技術）等が用いられ得る。

　以下に、本技術に係る実施の形態について詳細に説明をする。

＜２．第１の実施形態（固体撮像装置の例１）＞
　本技術に係る第１の実施形態（固体撮像装置の例１）の固体撮像装置は、光入射側から順に、第１基板と、第２基板と、を備え、第１基板に、複数の第１画素が配列された第１画素領域が形成され、第２基板に、複数の第２画素が配列された第２画素領域が形成され、第１基板が、光入射側から順に、入射光を光電変換する第１光電変換部が形成された第１半導体基板と、第１配線層と、を備え、第２基板が、光入射側から順に、第２配線層と、入射光を光電変換する第２光電変換部が形成された第２半導体基板と、を備え、１つの第１画素は、１つの第１光電変換部を有し、１つの第２画素は、１つの第２光電変換部を有し、第1基板と第２基板とが、第１配線層と第２配線層とを向き合わせて貼り合わされて、少なくとも１つの第１画素と、少なくとも１つの第２画素とが、電気的に接続されている、固体撮像装置である。

　少なくとも１つの第１画素と、少なくとも１つの第２画素とが電気的に接続されているとは、第１配線層に形成された配線（第１配線と称する場合がある。）と、第２配線層に形成された配線（第２配線と称する場合がある。）とが、直接又は間接に接続されていることをいう。具体的には、導電材料で形成された第１配線と、導電材料で形成された第２配線とが直接又は間接に接続される。導電材料の具体例としては、銅（Ｃｕ）等の金属が挙げられる。

　本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置においては、少なくとも１つの第１画素と、少なくとも１つの第２画素とが、上述したように、Ｃｕ－Ｃｕ接合により、電気的に接続されていてもよいし、複数の第１画素の全ての画素と、複数の第２画素の全ての画素とが、Ｃｕ－Ｃｕ接合により、電気的に接続されていてもよい。なお、Ｃｕ－Ｃｕ接合は、第１画素領域外の領域及び／又は第２画素領域外の領域で、第１基板と第２基板とを接続するために用いられてもよい。

　本技術に係る第１の実施形態（固体撮像装置の例１）の固体撮像装置においては、少なくとも１つの第１画素と少なくとも１つの第２画素とが増幅トランジスタ（ＡＭＰトランジスタ）及び／又は選択トランジスタ（ＳＥＬトランジスタ）とを共有してもよい。本技術に係る第１の実施形態（固体撮像装置の例１）の固体撮像装置においては、少なくとも１つの第１画素と少なくとも１つの第２画素とが共有する増幅トランジスタ（ＡＭＰトランジスタ）及び／又は選択トランジスタ（ＳＥＬトランジスタ）が、第１基板に形成されていてもよいし、第２基板に形成されていてもよい。

　本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置においては、第１光電変換部と第２光電変換部とが、入射光の互いに異なる波長域成分を光電変換してもよい。例えば、第１光電変換部が、入射光の可視光（例えば、Ｂ光、Ｇ光、Ｒ光等）の波長域成分を光電変換して、第２光電変換部が、入射光の赤外光の波長域成分を光電変換することが挙げられる。

　本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置においては、第１配線層及び第２配線層に、入射光が透過する（通過する）光路が形成されていてよく、光路には、例えば導波路が形成されていてもよい。

　本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置においては、少なくとも１つの第１光電変換部によって生成された第１信号電荷と、少なくとも１つの第２光電変換部によって生成された第２信号電荷とが、第１基板に形成されたフローティングディフュージョン（ＦＤ）を経由してもよい。また、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置においては、少なくとも１つの第１光電変換部によって生成された第１信号電荷と、少なくとも１つの第２光電変換部によって生成された第２信号電荷とが、第２基板に形成されたフローティングディフュージョン（ＦＤ）を経由してもよい。

　本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置について、図１及び図２を用いて説明をする。図１は、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置の構成例（固体撮像装置１０００）を示す断面図である。図２中における、図２（ａ）は、固体撮像装置１０００が備える第１基板１０００－１の第１配線層８－１の平面レイアウト図であり、図２（ｂ）は、固体撮像装置１０００の回路構成例を示す図である。ところで、当然のことながら、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置は、固体撮像装置１０００に限定されることはない。

　まず、図１を用いて説明をする。

　固体撮像装置１０００は、光（光Ｌ１及び光Ｌ２）入射側から順に、オンチップレンズ１と、第１基板１０００－１と第２基板１０００－２とを備える。図１に示されるＰ１は、第１基板１０００－１と第２基板１０００－２との接合部を示す。

　第１基板１０００－１は、光入射側から順に、カラーフィルタ２Ｒ（レッド（Ｒ）フィルタ）と、平坦化膜３と、遮光膜４－１及び４－２と、絶縁膜５（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）と、第１半導体基板６－１に形成された第１光電変換部７－１（フォトダイオード（ＰＤ）７－１）と、第１配線層８－１とを備えている。フォトダイオード７－１は、カラーフィルタ２Ｒ（レッド（Ｒ）フィルタ）を透過した入射光Ｌ１を光電変換して第１信号電荷を生成して蓄積する。遮光膜４－１及び４－２は、平坦化膜３によって被覆されて、光入射側からの平面視で、第１画素間に、第１光電変換部に光が入射するように開口されて、格子状に配されている。第１配線層８－１は、配線４０－１及び４１－１と、配線４０－１と配線４１－１と又は配線４１－１同士とを接続するビア４２－１と、層間絶縁膜１１－１とから構成されている。第１半導体基板６－１の第１配線層８－１側の表面には、フォトダイオード７－１が蓄積した第１信号電荷を読み出す転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ１０－１が形成されている。

　第２基板１０００－２は、光入射側から順に、第２配線層８－２と、第２半導体基板６－２に形成された第２光電変換部７－２（フォトダイオード（ＰＤ）７－２）とを備えている。フォトダイオード７－２は、カラーフィルタ２Ｒ（レッド（Ｒ）フィルタ）及び導波路９を透過した入射光Ｌ２を光電変換して第２信号電荷を生成して蓄積する。第２配線層８－２は、配線４０－２及び４１－２と、配線４０－２と配線４１－２と又は配線４１－２同士とを接続するビア４２－２と、層間絶縁膜１１－２とから構成されている。第２半導体基板６－２の第２配線層８－２側の裏面には、フォトダイオード７－２が蓄積した第２信号電荷を読み出す転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ１０－２が形成されている。

　導波路９は、第１配線層８－１の配線４１－１及び第２配線層８－２の配線４１－２を引き回さないで開口された領域に、第１基板１０００－１と第２基板１０００－２とをまたぐように形成される。導波路の形成により、長波長の光の減衰及び／又は反射を抑制して、第２光電変換部７－２（フォトダイオード７－２）入射光Ｌ２を到達させることができる。導波路を形成する材料は、例えば層間絶縁膜１１－１及び１１－２を構成する材料の屈折率よりも大きな屈折率を有する材料であれば随意でよい。

　第１基板１０００－１と第２基板１０００－２とは、配線４０－１と配線４０－２とが接続されることにより、Ｃｕ－Ｃｕ接合で電気的に接続されている。このＣｕ－Ｃｕ接合により、第１基板１０００－１（第１画素）と第２基板１０００－２（第２画素）とはタイミングの同期を取って駆動することが可能である。

　固体撮像装置１０００によれば、第１基板（上側基板）１０００－１の第１画素は通常の画素（図１においては、Ｒ（レッド）画素であるが、Ｇ（グリーン）画素又はＢ（ブルー）画素でもよい。）として使用し、第２基板１０００－２（下側基板）の第２画素は、長波長（赤外又は近赤外）用の画素として使用することができる。

　図２を用いて説明をする。図２（ａ）は、上述したように、固体撮像装置１０００が備える第１基板１０００－１の第１配線層８－１の平面レイアウト図であるが、便宜的に、第１半導体基板６－１に形成された第１光電変換部７０－１（フォトダイオード（ＰＤ）７０－１）及び第１光電変換部７１－１（フォトダイオード（ＰＤ）７１－１）が示されている（第１画素の２画素分に相当する。）。第１配線層８－１の配線レイアウトは、表面照射型のイメージセンサ（固体撮像装置）のように、第１光電変換部７０－１（フォトダイオード（ＰＤ）７０－１）及び第１光電変換部７１－１（フォトダイオード（ＰＤ）７１－１）が配される領域に対応する第１配線層８－１の領域には配線を引き回さずに、入射光が透過（通過）するように開口されている（光路が形成されている。）。転送信号線ＴＧ５４は、トランスファゲート（ＴＧ：ＴｒａｎｓｆｅｒＧａｔｅ）８０－１及び８１－１に接続され、リセット信号線ＲＳＴ５２は、リセットゲート（ＲＳＴ：ＲｅｓｅｔＧａｔｅ）９１に接続され、選択信号線ＳＥＬ５３は、選択トランジスタ（ＳＥＬ:ＳＥＬＴｒ）９３に接続されている。

　図２（ｂ）に示される固体撮像装置１０００の回路構成例において、参照符号Ｒ１は、第１基板１０００－１の回路構成であり、参照符号Ｒ２は、第２基板１０００－２の回路構成例である。

　第１基板１０００－１の回路構成Ｒ１においては、フォトダイオード（ＰＤ）７０－１及び７１－１と、トランスファゲート（ＴＧ：ＴｒａｎｓｆｅｒＧａｔｅ）８０－１及び８１－１が構成されている。トランスファゲート（ＴＧ：ＴｒａｎｓｆｅｒＧａｔｅ）８０－１は、フォトダイオード（ＰＤ）７０－１によって光電変換されて蓄積された第１信号電荷を読み出し、トランスファゲート（ＴＧ：ＴｒａｎｓｆｅｒＧａｔｅ）８１－１は、フォトダイオード（ＰＤ）７１－１によって光電変換されて蓄積された第１信号電荷を読み出す。また、第１基板１０００－１の回路構成Ｒ１においては、フローティングディフュージョン（ＦＤ）９０と、リセットゲート（ＲＳＴ：ＲｅｓｅｔＧａｔｅ）９１と、増幅トランジスタ（ＡＭＰ：ＡＭＰＴｒ）９２と、選択トランジスタ（ＳＥＬ:ＳＥＬＴｒ）９３とが構成されている。選択トランジスタ（ＳＥＬ:ＳＥＬＴｒ）９３は、垂直信号線５１を介して、例えばカラム信号処理回路（不図示）に接続されている。

　第２基板１０００－２の回路構成Ｒ２においては、フォトダイオード（ＰＤ）７０－２及び７１－２と、トランスファゲート（ＴＧ：ＴｒａｎｓｆｅｒＧａｔｅ）８０－２及び８１－２とが構成されている。トランスファゲート（ＴＧ：ＴｒａｎｓｆｅｒＧａｔｅ）８０－２は、フォトダイオード（ＰＤ）７０－２によって光電変換されて蓄積された第２信号電荷を読み出し、トランスファゲート（ＴＧ：ＴｒａｎｓｆｅｒＧａｔｅ）８１－２は、フォトダイオード（ＰＤ）７１－２によって光電変換されて蓄積された第２信号電荷を読み出す。

　第１基板１０００－１に形成されているフローティングディフュージョン（ＦＤ）９０は、フォトダイオード（ＰＤ）７０－１及びフォトダイオード（ＰＤ）７１－１（第１画素の２画素分）、並びにフォトダイオード（ＰＤ）７０－２及びフォトダイオード（ＰＤ）７１－２（第２画素の２画素分）（したがって、計４画素分）によって共有されている。

　また、第１基板１０００－１に形成されている増幅トランジスタ（ＡＭＰ：ＡＭＰＴｒ）９２及び選択トランジスタ（ＳＥＬ:ＳＥＬＴｒ）９３も、フォトダイオード（ＰＤ）７０－１及びフォトダイオード（ＰＤ）７１－１（第１画素の２画素分）、並びにフォトダイオード（ＰＤ）７０－２及びフォトダイオード（ＰＤ）７１－２）（第２画素の２画素分）（したがって、計４画素分）によって共有されている。なお、図２（ｂ）においては、図示はされていないが、第２基板１０００－２の回路構成Ｒ２を構成するフォトダイオード（ＰＤ）７０－２及び７１－２のためのリセットゲート（ＲＳＴ：ＲｅｓｅｔＧａｔｅ）は形成されている。

　以上、本技術に係る第１の実施形態（固体撮像装置の例１）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、後述する本技術に係る第２～第７の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜３．第２の実施形態（固体撮像装置の例２）＞
　本技術に係る第２の実施形態（固体撮像装置の例２）の固体撮像装置は、光入射側から順に、第１基板と、第２基板と、を備え、第１基板に、複数の第１画素が配列された第１画素領域が形成され、第２基板に、複数の第２画素が配列された第２画素領域が形成され、第１基板が、光入射側から順に、入射光を光電変換する第１光電変換部が形成された第１半導体基板と、第１配線層と、を備え、第２基板が、光入射側から順に、第２配線層と、入射光を光電変換する第２光電変換部が形成された第２半導体基板と、を備え、１つの第１画素は、１つの第１光電変換部を有し、１つの第２画素は、１つの第２光電変換部を有し、第1基板と第２基板とが、第１配線層と第２配線層とを向き合わせて貼り合わされて、少なくとも１つの第１画素と、少なくとも１つの第２画素とが、電気的に接続されている、固体撮像装置である。

　本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置においては、少なくとも１つの第１画素と、少なくとも１つの第２画素とが、上述したように、Ｃｕ－Ｃｕ接合により、電気的に接続されていてもよい。なお、Ｃｕ－Ｃｕ接合は、第１画素領域外の領域及び／又は第２画素領域外の領域で、第１基板と第２基板とを接続するために用いられてもよい。

　本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置について、図３を用いて説明をする。図３は、本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置の構成例（固体撮像装置２０００）を示す断面図である。ところで、当然のことながら、本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置は、固体撮像装置２０００に限定されることはない。

　固体撮像装置２０００は、光（光Ｌ１及び光Ｌ２）入射側から順に、オンチップレンズ１－１及び１－２と、第１基板２０００－１と第２基板２０００－２とを備える。図３に示されるＰ２は、第１基板２０００－１と第２基板２０００－２との接合部を示す。

　第１基板２０００－１は、光入射側から順に、カラーフィルタ２Ｒ（レッド（Ｒ）フィルタ）及びカラーフィルタ２Ｇ（グリーン（Ｇ）フィルタ）と、平坦化膜３と、遮光膜４－１及び４－２並びに４－３と、絶縁膜５（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）と、第１半導体基板６－１に形成された第１光電変換部７－１（フォトダイオード（ＰＤ）７－１）及び第１光電変換部７－３（フォトダイオード（ＰＤ）７－３）と、第１配線層８－１とを備えている。フォトダイオード７－１は、カラーフィルタ２Ｒ（レッド（Ｒ）フィルタ）を透過した入射光Ｌ１を光電変換して第１信号電荷を生成して蓄積し、フォトダイオード７－３は、カラーフィルタ２Ｇ（グリーン（Ｇ）フィルタ）を透過した入射光Ｌ１を光電変換して第１信号電荷を生成して蓄積する。遮光膜４－１及び４－２並びに４－３は、平坦化膜３によって被覆されて、光入射側からの平面視で、第１画素間に、第１光電変換部に光が入射するように、開口されて格子状に配されている。第１配線層８－１は、配線４０－１及び４１－１と、配線４０－１と配線４１－１と又は配線４１－１同士とを接続するビア４２－１と、層間絶縁膜１１－１とから構成されている。第１半導体基板６－１の第１配線層８－１側の表面には、フォトダイオード７－１が蓄積した第１信号電荷を読み出す転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ１０－１が形成されて、フォトダイオード７－３が蓄積した第１信号電荷を読み出す転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ１０－３が形成されている。

　第２基板２０００－２は、光入射側から順に、第２配線層８－２と、第２半導体基板６－２に形成された第２光電変換部７－２（フォトダイオード（ＰＤ）７－２）及び第２光電変換部７－４（フォトダイオード（ＰＤ）７－４）とを備えている。フォトダイオード７－２は、カラーフィルタ２Ｒ（レッド（Ｒ）フィルタ）及び導波路９－１を透過した入射光Ｌ２を光電変換して第２信号電荷を生成して蓄積し、フォトダイオード７－４は、カラーフィルタ２Ｇ（グリーン（Ｇ）フィルタ）及び導波路９－２を透過した入射光Ｌ２を光電変換して第２信号電荷を生成して蓄積する。第２配線層８－２は、配線４０－２及び４１－２と、配線４０－２と配線４１－２と又は配線４１－２同士とを接続するビア４２－２と、層間絶縁膜１１－２とから構成されている。第２半導体基板６－２の第１配線層８－１側の裏面には、フォトダイオード７－２が蓄積した第２信号電荷を読み出す転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ１０－２が形成されて、フォトダイオード７－４が蓄積した第２信号電荷を読み出す転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ１０－４が形成されている。

　導波路９－１及び９－２は、第１配線層８－１の配線４１－１及び第２配線層８－２の配線４１－２を引き回さないで開口された領域に、第１基板２０００－１と第２基板２０００－２とをまたぐように形成される。導波路の形成により、長波長の光の減衰及び／又は反射を抑制して、第２光電変換部７－２（フォトダイオード７－２）入射光Ｌ２を到達させることができる。導波路を形成する材料は、例えば層間絶縁膜１１－１及び１１－２を構成する材料の屈折率よりも大きな屈折率を有する材料であれば随意でよい。

　第１基板２０００－１と第２基板２０００－２とにおいて、カラーフィルタ２Ｒ（レッド（Ｒ）フィルタ）に対応する第１画素と第２画素とは、配線４０－１と配線４０－２とが接続されることにより（図３中のＱ部分）、Ｃｕ－Ｃｕ接合で電気的に接続されている。このＣｕ－Ｃｕ接合により、第１基板２０００－１（第１画素）と第２基板２０００－２（第２画素）とはタイミングの同期を取って駆動することが可能である。一方、カラーフィルタ２Ｇ（グリーン（Ｇ）フィルタ、なお、ブルー（Ｂ）フィルタでもよい。）に対応する第１画素と第２画素とは、Ｃｕ－Ｃｕ接合で電気的に接続されていない。

　すなわち、Ｒ画素は、第１基板２０００－１と第２基板２０００－２とをＣｕ－Ｃｕ接合して、第１画素と第２画素とを同時にトランスファゲート（ＴＧ）をＯＮするように駆動して、長波長の信号を合算して感度をアップさせることができる。一方、Ｇ画素（又はＢ画素）はＣｕ－Ｃｕ接合しない配線レイアウトにし、別々の画素制御線に接続して、第１画素はＧ画素（又はＢ画素）用として、第２画素は、近赤外線用（赤外用）としてフォトダイオードによる画素信号を取り出して、ＲＧＢ画素と近赤外線（赤外線）画素の出力を各々取り出すことが可能である。

　以上、本技術に係る第２の実施形態（固体撮像装置の例２）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、前述した本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置及び後述する本技術に係る第３～第７の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜４．第３の実施形態（固体撮像装置の例３）＞
　本技術に係る第３の実施形態（固体撮像装置の例３）の固体撮像装置は、光入射側から順に、第１基板と、第２基板と、を備え、第１基板に、複数の第１画素が配列された第１画素領域が形成され、第２基板に、複数の第２画素が配列された第２画素領域と回路領域とが形成され、第１基板が、光入射側から順に、入射光を光電変換する第１光電変換部が形成された第１半導体基板と、第１配線層と、を備え、第２基板が、光入射側から順に、第２配線層と、入射光を光電変換する第２光電変換部が形成された第２半導体基板と、を備え、１つの第１画素は、１つの第１光電変換部を有し、１つの第２画素は、１つの第２光電変換部を有し、第1基板と第２基板とが、第１配線層と第２配線層とを向き合わせて貼り合わされて、少なくとも１つの第１画素と、少なくとも１つの第２画素とが、電気的に接続されている、固体撮像装置である。なお、本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置において、第１基板に回路領域が形成されていてもよい。

　本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置においては、少なくとも１つの第１画素と、少なくとも１つの第２画素とが、上述したように、Ｃｕ－Ｃｕ接合により、電気的に接続されていてもよいし、複数の第１画素の全ての画素と、複数の第２画素の全ての画素とが、Ｃｕ－Ｃｕ接合により、電気的に接続されていてもよい。なお、Ｃｕ－Ｃｕ接合は、第１画素領域外の領域及び／又は第２画素領域外の領域で、第１基板と第２基板とを接続するために用いられてもよい。

　本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置について、図４を用いて説明をする。図４は、本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置の構成例（固体撮像装置３０００）を示す断面図であり、詳しくは、図４（ａ）は、固体撮像装置３０００の周辺領域である回路領域（固体撮像装置３０００ａと称する。）の構成例を示す断面図であり、図４（ｂ）は、固体撮像装置３０００の画素領域（固体撮像装置３０００ｂと称する。）の構成例を示す断面図である。ところで、当然のことながら、本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置は、固体撮像装置３０００に限定されることはない。

　まず、図４（ｂ）を用いて説明をする。固体撮像装置３０００（固体撮像装置３０００ｂ）は、光（光Ｌ１及び光Ｌ２）入射側から順に、オンチップレンズ１－１及び１－２と、第１基板３０００ｂ－１と第２基板３０００ｂ－２とを備える。図４（ｂ）に示されるＸ１は第１画素領域を示し、Ｘ２は、第２画素領域を示す。図４（ｂ）に示されるＰ４は、第１基板３０００ｂ－１と第２基板３０００ｂ－２との接合部を示す。

　第１基板３０００ｂ－１は、光入射側から順に、カラーフィルタ２Ｒ（レッド（Ｒ）フィルタ）及びカラーフィルタ２Ｇ（グリーン（Ｇ）フィルタ）と、平坦化膜３と、遮光膜４－１及び４－２並びに４－３と、絶縁膜５（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）と、第１半導体基板６－１に形成された第１光電変換部７－１（フォトダイオード（ＰＤ）７－１）及び第１光電変換部７－３（フォトダイオード（ＰＤ）７－３）と、第１配線層８－１とを備えている。フォトダイオード７－１は、カラーフィルタ２Ｒ（レッド（Ｒ）フィルタ）を透過した入射光Ｌ１を光電変換して第１信号電荷を生成して蓄積し、フォトダイオード７－３は、カラーフィルタ２Ｇ（グリーン（Ｇ）フィルタ）を透過した入射光Ｌ１を光電変換して第１信号電荷を生成して蓄積する。遮光膜４－１及び４－２並びに４－３は、平坦化膜３によって被覆されて、光入射側からの平面視で、第１画素間に、第１光電変換部に光が入射するように、開口されて格子状に配されている。第１配線層８－１は、配線４０－１及び４１－１と、配線４０－１と配線４１－１と又は配線４１－１同士とを接続するビア４２－１と、層間絶縁膜１１－１とから構成されている。第１半導体基板６－１の第１配線層８－１側の表面には、フォトダイオード７－１が蓄積した第１信号電荷を読み出す転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ１０－１が形成されて、フォトダイオード７－３が蓄積した第１信号電荷を読み出す転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ１０－３が形成されている。

　第２基板３０００ｂ－２は、光入射側から順に、第２配線層８－２と、第２半導体基板６－２に形成された第２光電変換部７－２（フォトダイオード（ＰＤ）７－２）及び第２光電変換部７－４（フォトダイオード（ＰＤ）７－４）とを備えている。フォトダイオード７－２は、カラーフィルタ２Ｒ（レッド（Ｒ）フィルタ）及び導波路９－１を透過した入射光Ｌ２を光電変換して第２信号電荷を生成して蓄積し、フォトダイオード７－４は、カラーフィルタ２Ｇ（グリーン（Ｇ）フィルタ）及び導波路９－２を透過した入射光Ｌ２を光電変換して第２信号電荷を生成して蓄積する。第２配線層８－２は、配線４０－２及び４１－２と、配線４０－２と配線４１－２と又は配線４１－２同士とを接続するビア４２－２と、層間絶縁膜１１－２とから構成されている。第２半導体基板６－２の第１配線層８－１側の裏面には、フォトダイオード７－２が蓄積した第２信号電荷を読み出す転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ１０－２が形成されて、フォトダイオード７－４が蓄積した第２信号電荷を読み出す転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ１０－４が形成されている。

　導波路９－１及び９－２は、第１配線層８－１の配線４１－１及び第２配線層８－２の配線４１－２を引き回さないで開口された領域に、第１基板３０００ｂ－１と第２基板３０００ｂ－２とをまたぐように形成される。導波路の形成により、長波長の光の減衰及び／又は反射を抑制して、第２光電変換部７－２（フォトダイオード７－２）及び第２光電変換部７－４（フォトダイオード７－２）に入射光Ｌ２を到達させることができる。導波路を形成する材料は、例えば層間絶縁膜１１－１及び１１－２を構成する材料の屈折率よりも大きな屈折率を有する材料であれば随意でよい。

　第１基板３０００ｂ－１と第２基板３０００ｂ－２とにおいて、カラーフィルタ２Ｒ（レッド（Ｒ）フィルタ）に対応する第１画素と第２画素とは、配線４０－１と配線４０－２とが接続されることにより、Ｃｕ－Ｃｕ接合で電気的に接続されている。このＣｕ－Ｃｕ接合により、第１基板３０００ｂ－１（第１画素）と第２基板３０００ｂ－２（第２画素）とはタイミングの同期を取って駆動することが可能である。一方、カラーフィルタ２Ｇ（グリーン（Ｇ）フィルタ、なお、ブルー（Ｂ）フィルタでもよい。）に対応する第１画素と第２画素とは、Ｃｕ－Ｃｕ接合で電気的に接続されていない。

　すなわち、Ｒ画素は、第１基板３０００ｂ－１と第２基板３０００ｂ－２とをＣｕ－Ｃｕ接合して、第１画素と第２画素とを同時にトランスファゲート（ＴＧ）をＯＮするように駆動して、長波長の信号を合算して感度をアップさせることができる。一方、Ｇ画素（又はＢ画素）はＣｕ－Ｃｕ接合しない配線レイアウトにし、別々の画素制御線に接続して、第１画素はＧ画素（又はＢ画素）用として、第２画素は、近赤外線用（赤外用）としてフォトダイオードによる画素信号を取り出して、ＲＧＢ画素と近赤外線（赤外線）画素の出力を各々取り出すことが可能である。

　次に、図４（ａ）を用いて説明をする。固体撮像装置３０００（固体撮像装置３０００ａ）は、光（光Ｌ１及び光Ｌ２）入射側から順に、第１基板３０００ａ－１と第２基板３０００ａ－２とを備える。図４（ａ）に示されるＹ１は回路領域を示す。図４（ａ）に示されるＰ３は、第１基板３０００ａ－１と第２基板３０００ａ－２との接合部を示す。

　第１基板３０００ａ－１は、光入射側から順に、平坦化膜３と、遮光膜４と、絶縁膜５（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）と、第１半導体基板６－１と、第１配線層８－１とを備えている。遮光膜４は、平坦化膜３によって被覆されて、光入射側からの平面視で、第１半導体基板６－１の入射側の面（裏面）の全面を覆うように、ベタ状に配されている。第１配線層８－１は、配線４０－３及び４１－１と、配線４０－３と配線４１－１と又は配線４１－１同士とを接続するビア４２－１と、層間絶縁膜１１－１とから構成されている。

　第２基板３０００ａ－２は、光入射側から順に、第２配線層８－２と、第１半導体基板６－１とを備えている。第２配線層８－２は、配線４０－４及び４１－２と、配線４０－４と配線４１－２と又は配線４１－２同士とを接続するビア４２－２と、層間絶縁膜１１－１とから構成されている。第２半導体基板６－２の第２配線層８－２側の裏面には、回路用のトランジスタＴｒ１が形成され、トランジスタＴｒ１と、第３配線層に形成される配線４１－３とによって周辺回路であるロジック回路等が構成されて、第２基板３０００ｂ－２には、回路領域Ｙ１が形成される。

　第１基板３０００ａ－１と第２基板３０００ａ－２とは、配線４０－３と配線４０－４とが接続されることにより、Ｃｕ－Ｃｕ接合で電気的に接続されている。このＣｕ－Ｃｕ接合により、第１画素領域Ｘ１及び第２画素領域Ｘ２の外周辺にある回路領域Ｙ１（例えばロジック回路領域）にＣｕ－Ｃｕ接合を介して画素信号を送ることができ、また、第１画素及び第２画素を駆動するためのパルスを例えば画素駆動の配線に供給することができる。なお、Ｃｕ－Ｃｕ接合ではなく、貫通電極を用いて、第１基板３０００ａ－１と第２基板３０００ａ－２とを電気的に接続してもよい。

　以上、本技術に係る第３の実施形態（固体撮像装置の例３）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、前述した本技術に係る第１～２の実施形態の固体撮像装置及び後述する本技術に係る第４～７の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜５．第４の実施形態（固体撮像装置の例４）＞
　本技術に係る第４の実施形態（固体撮像装置の例４）の固体撮像装置は、光入射側から順に、第１基板と、第２基板と、を備え、第１基板に、複数の第１画素が配列された第１画素領域が形成され、第２基板に、複数の第２画素が配列された第２画素領域が形成され、第１基板が、光入射側から順に、入射光を光電変換する第１光電変換部が形成された第１半導体基板と、第１配線層と、を備え、第２基板が、光入射側から順に、第２配線層と、入射光を光電変換する第２光電変換部が形成された第２半導体基板と、を備え、１つの第１画素は、１つの第１光電変換部を有し、１つの第２画素は、１つの第２光電変換部を有し、第1基板と第２基板とが、第１配線層と第２配線層とを向き合わせて貼り合わされて、少なくとも１つの第１画素と、少なくとも１つの第２画素とが、電気的に接続されている、固体撮像装置である。本技術に係る第４の実施形態（固体撮像装置の例４）の固体撮像装置においては、第１配線層及び第２配線層に、入射光が透過する（通過する）導波路が形成されて、導波路の外側（外周側）には光反射部材が配されている。

　本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置においては、少なくとも１つの第１画素と、少なくとも１つの第２画素とが、上述したように、Ｃｕ－Ｃｕ接合により、電気的に接続されていてもよいし、複数の第１画素の全ての画素と、複数の第２画素の全ての画素とが、Ｃｕ－Ｃｕ接合により、電気的に接続されていてもよい。なお、Ｃｕ－Ｃｕ接合は、第１画素領域外の領域及び／又は第２画素領域外の領域で、第１基板と第２基板とを接続するために用いられてもよい。

　本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置について、図５を用いて説明をする。図５は、本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置の構成例（固体撮像装置４０００）を示す断面図である。ところで、当然のことながら、本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置は、固体撮像装置４０００に限定されることはない。

　固体撮像装置４０００は、光（光Ｌ１及び光Ｌ２）入射側から順に、オンチップレンズ１と、第１基板４０００－１と第２基板４０００－２とを備える。図５に示されるＰ５は、第１基板４０００－１と第２基板４０００－２との接合部を示す。

　第１基板４０００－１は、光入射側から順に、カラーフィルタ２Ｒ（レッド（Ｒ）フィルタ）と、平坦化膜３と、遮光膜４－１及び４－２と、絶縁膜５（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）と、第１半導体基板６－１に形成された第１光電変換部７－１（フォトダイオード（ＰＤ）７－１）と、第１配線層８－１とを備えている。フォトダイオード７－１は、カラーフィルタ２Ｒ（レッド（Ｒ）フィルタ）を透過した入射光Ｌ１を光電変換して第１信号電荷を生成して蓄積する。遮光膜４－１及び４－２は、平坦化膜３によって被覆されて、光入射側からの平面視で、第１画素間に、第１光電変換部に光が入射するように開口されて、格子状に配されている。第１配線層８－１は、配線４０－１及び４１－１と、配線４０－１と配線４１－１と又は配線４１－１同士とを接続するビア４２－１と、層間絶縁膜１１－１とから構成されている。第１半導体基板６－１の第１配線層８－１側の表面には、フォトダイオード７－１が蓄積した第１信号電荷を読み出す転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ１０－１が形成されている。

　第２基板４０００－２は、光入射側から順に、第２配線層８－２と、第２半導体基板６－２に形成された第２光電変換部７－２（フォトダイオード（ＰＤ）７－２）とを備えている。フォトダイオード７－２は、カラーフィルタ２Ｒ（レッド（Ｒ）フィルタ）及び導波路９（導波路９の外側には光反射部材９０（９０－１及び９０－２）が配されている。）を透過した入射光Ｌ２を光電変換して第２信号電荷を生成して蓄積する。第２配線層８－２は、配線４０－２及び４１－２と、配線４０－２と配線４１－２と又は配線４１－２同士とを接続するビア４２－２と、層間絶縁膜１１－２とから構成されている。第２半導体基板６－２の配線層８－２側の裏面には、フォトダイオード７－２が蓄積した第２信号電荷を読み出す転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ１０－２が形成されている。

　光反射部材９０（９０－１及び９０－２）は、導波路９の外側に埋め込んで形成される。例えば、光反射部材９０（９０－１及び９０－２）は、導波路９の外周囲を覆うように埋め込まれて形成されてもよい。光反射部材９０（９０－１及び９０－２）を構成する材料は、例えば、反射メタルであり、具体的にはタングステン等である。光反射部材９０（９０－１及び９０－２）を用いることにより、光を第２光電変換部７－２（フォトダイオード７－２）により集光でき、より感度を上げることができる。

　第１基板４０００－１と第２基板４０００－２とは、配線４０－１と配線４０－２とが接続されることにより、Ｃｕ－Ｃｕ接合で電気的に接続されている。このＣｕ－Ｃｕ接合により、第１基板４０００－１（第１画素）と第２基板４０００－２（第２画素）とはタイミングの同期を取って駆動することが可能である。

　固体撮像装置４０００によれば、第１基板（上側基板）４０００－１の第１画素は通常の画素（図５においては、Ｒ（レッド）画素であるが、Ｇ（グリーン）画素又はＢ（ブルー）画素でもよい。）として使用し、第２基板４０００－２（下側基板）の第２画素は、長波長（赤外又は近赤外）用の画素として使用することができる。

　以上、本技術に係る第４の実施形態（固体撮像装置の例４）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、前述した本技術に係る第１～３の実施形態の固体撮像装置及び後述する本技術に係る第５～７の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜６．第５の実施形態（固体撮像装置の例５）＞
　本技術に係る第５の実施形態（固体撮像装置の例５）の固体撮像装置は、光入射側から順に、第１基板と、第２基板と、を備え、第１基板に、複数の第１画素が配列された第１画素領域が形成され、第２基板に、複数の第２画素が配列された第２画素領域が形成され、第１基板が、光入射側から順に、入射光を光電変換する第１光電変換部が形成された第１半導体基板と、第１配線層と、を備え、第２基板が、光入射側から順に、第２配線層と、入射光を光電変換する第２光電変換部が形成された第２半導体基板と、を備え、１つの第１画素は、１つの第１光電変換部を有し、１つの第２画素は、１つの第２光電変換部を有し、第1基板と第２基板とが、第１配線層と第２配線層とを向き合わせて貼り合わされて、少なくとも１つの第１画素と、少なくとも１つの第２画素とが、電気的に接続されている、固体撮像装置である。本技術に係る第５の実施形態（固体撮像装置の例５）の固体撮像装置においては、第２基板に増幅トランジスタ（ＡＭＰトランジスタ）及び／又は選択トランジスタ（ＳＥＬトランジスタ）が形成されている。

　本技術に係る第５の実施形態の固体撮像装置においては、少なくとも１つの第１画素と、少なくとも１つの第２画素とが、上述したように、Ｃｕ－Ｃｕ接合により、電気的に接続されていてもよいし、複数の第１画素の全ての画素と、複数の第２画素の全ての画素とが、Ｃｕ－Ｃｕ接合により、電気的に接続されていてもよい。なお、Ｃｕ－Ｃｕ接合は、第１画素領域外の領域及び／又は第２画素領域外の領域で、第１基板と第２基板とを接続するために用いられてもよい。

　本技術に係る第５の実施形態の固体撮像装置においては、少なくとも１つの第１光電変換部によって生成された第１信号電荷と、少なくとも１つの第２光電変換部によって生成された第２信号電荷とが、第１基板に形成されたフローティングディフュージョン（ＦＤ）を経由してもよい。また、本技術に係る第５の実施形態の固体撮像装置においては、少なくとも１つの第１光電変換部によって生成された第１信号電荷と、少なくとも１つの第２光電変換部によって生成された第２信号電荷とが、第２基板に形成されたフローティングディフュージョン（ＦＤ）を経由してもよい。

　本技術に係る第５の実施形態の固体撮像装置について、図６及び図７を用いて説明をする。図６は、本技術に係る第５の実施形態の固体撮像装置の構成例（固体撮像装置５０００）を示す断面図である。図７中における、図７（ａ）は、固体撮像装置５０００が備える第１基板５０００－１の第１配線層８－１の平面図であり、図７（ｂ）は、固体撮像装置５０００が備える第２基板５０００－２の第２配線層８－２の平面図であり、図７（ｃ）は、固体撮像装置５０００の回路構成例を示す図である。ところで、当然のことながら、本技術に係る第５の実施形態の固体撮像装置は、固体撮像装置５０００に限定されることはない。

　まず、図６を用いて説明をする。

　固体撮像装置５０００は、光（光Ｌ１及び光Ｌ２）入射側から順に、オンチップレンズ１と、第１基板５０００－１と第２基板５０００－２とを備える。図６に示されるＰ６は、第１基板５０００－１と第２基板５０００－２との接合部を示す。

　第１基板５０００－１は、光入射側から順に、カラーフィルタ２Ｒ（レッド（Ｒ）フィルタ）と、平坦化膜３と、遮光膜４－１及び４－２と、絶縁膜５（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）と、第１半導体基板６－１に形成された第１光電変換部７－１（フォトダイオード（ＰＤ）７－１）と、第１配線層８－１とを備えている。フォトダイオード７－１は、カラーフィルタ２Ｒ（レッド（Ｒ）フィルタ）を透過した入射光Ｌ１を光電変換して第１信号電荷を生成して蓄積する。遮光膜４－１及び４－２は、平坦化膜３によって被覆されて、光入射側からの平面視で、第１画素間に、第１光電変換部に光が入射するように開口されて、格子状に配されている。第１配線層８－１は、配線４０－１及び４１－１と、配線４０－１と配線４１－１と又は配線４１－１同士とを接続するビア４２－１と、層間絶縁膜１１－１とから構成されている。第１半導体基板６－１の第１配線層８－１側の表面には、フォトダイオード７－１が蓄積した第１信号電荷を読み出す転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ１０－１が形成されている。

　第２基板５０００－２は、光入射側から順に、第２配線層８－２と、第２半導体基板６－２に形成された第２光電変換部７－２（フォトダイオード（ＰＤ）７－２）とを備えている。フォトダイオード７－２は、カラーフィルタ２Ｒ（レッド（Ｒ）フィルタ）及び導波路９を透過した入射光Ｌ２を光電変換して第２信号電荷を生成して蓄積する。第２配線層８－２は、配線４０－２及び４１－２と、配線４０－２と配線４１－２と又は配線４１－２同士とを接続するビア４２－２と、層間絶縁膜１１－２とから構成されている。第２半導体基板６－２の第２配線層８－２側の裏面には、フォトダイオード７－２が蓄積した第２信号電荷を読み出す転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ１０－２が形成されている。

　導波路９は、第１配線層８－１の配線４１－１及び第２配線層８－２の配線４１－２を引き回さないで開口された領域に、第１基板５０００－１と第２基板５０００－２とをまたぐように形成される。導波路の形成により、長波長の光の減衰及び／又は反射を抑制して、第２光電変換部７－２（フォトダイオード７－２）入射光Ｌ２を到達させることができる。導波路を形成する材料は、例えば層間絶縁膜１１－１及び１１－２を構成する材料の屈折率よりも大きな屈折率を有する材料であれば随意でよい。

　第１基板５０００－１と第２基板５０００－２とは、配線４０－１と配線４０－２とが接続されることにより、Ｃｕ－Ｃｕ接合で電気的に接続されている。このＣｕ－Ｃｕ接合により、第１基板５０００－１（第１画素）と第２基板５０００－２（第２画素）とはタイミングの同期を取って駆動することが可能である。

　固体撮像装置５０００によれば、第１基板（上側基板）５０００－１の第１画素は通常の画素（図６においては、Ｒ（レッド）画素であるが、Ｇ（グリーン）画素又はＢ（ブルー）画素でもよい。）として使用し、第２基板５０００－２（下側基板）の第２画素は、長波長（赤外又は近赤外）用の画素として使用することができる。

　図７を用いて説明をする。図７（ａ）は、上述したように、固体撮像装置５０００が備える第１基板５０００－１の第１配線層８－１の平面レイアウト図であるが、便宜的に、第１半導体基板６－１に形成された第１光電変換部７２－１（フォトダイオード（ＰＤ）７２－１）及び第１光電変換部７３－１（フォトダイオード（ＰＤ）７３－１）が示されている（第１画素の２画素分に相当する。）。第１配線層８－１の配線レイアウトは、表面照射型のイメージセンサ（固体撮像装置）のように、第１光電変換部７２－１（フォトダイオード（ＰＤ）７２－１）及び第１光電変換部７３－１（フォトダイオード（ＰＤ）７３－１）が配される領域に対応する第１配線層８－１の領域には配線を引き回さずに、入射光が透過（通過）するように開口されている（光路が形成されている。）。転送信号線ＴＧ５４は、トランスファゲート（ＴＧ：ＴｒａｎｓｆｅｒＧａｔｅ）８２－１及び８３－１に接続され、リセット信号線ＲＳＴ５２は、リセットゲート（ＲＳＴ：ＲｅｓｅｔＧａｔｅ）９１に接続されている。

　図７（ｂ）は、上述したように、固体撮像装置５０００が備える第２基板５０００－２の第２配線層８－２の平面レイアウト図であるが、便宜的に、第２半導体基板６－２に形成された第２光電変換部７２－２（フォトダイオード（ＰＤ）７２－２）及び第２光電変換部７３－２（フォトダイオード（ＰＤ）７３－２）が示されている（第２画素の２画素分に相当する。）。第２配線層８－２の配線レイアウトは、表面照射型のイメージセンサ（固体撮像装置）のように、第２光電変換部７２－２（フォトダイオード（ＰＤ）７２－２）及び第２光電変換部７３－２（フォトダイオード（ＰＤ）７３－２）が配される領域に対応する第２配線層８－２の領域には配線を引き回さずに、入射光が透過（通過）するように開口されている（光路が形成されている。）。転送信号線ＴＧ５４は、トランスファゲート（ＴＧ：ＴｒａｎｓｆｅｒＧａｔｅ）８２－２及び８３－２に接続され、リセット信号線ＲＳＴ５２は、リセットゲート（ＲＳＴ：ＲｅｓｅｔＧａｔｅ）９１に接続され、選択信号線ＳＥＬ５３は、選択トランジスタ（ＳＥＬ:ＳＥＬＴｒ）９３に接続されている。

　図７（ｃ）に示される固体撮像装置５０００の回路構成例において、参照符号Ｒ３は、第１基板５０００－１の回路構成であり、参照符号Ｒ４及びＲ５は、第２基板１０００－２の回路構成例である。

　第１基板５０００－１の回路構成Ｒ３においては、フォトダイオード（ＰＤ）７２－１及び７３－１と、トランスファゲート（ＴＧ：ＴｒａｎｓｆｅｒＧａｔｅ）８２－１及び８３－１とが構成されている。トランスファゲート（ＴＧ：ＴｒａｎｓｆｅｒＧａｔｅ）８２－１は、フォトダイオード（ＰＤ）７２－１によって光電変換されて蓄積された第１信号電荷を読み出し、トランスファゲート（ＴＧ：ＴｒａｎｓｆｅｒＧａｔｅ）８３－１は、フォトダイオード（ＰＤ）７３－１によって光電変換されて蓄積された第１信号電荷を読み出す。また、第１基板５０００－１の回路構成Ｒ３においては、フローティングディフュージョン（ＦＤ）９０が構成されている。

　第２基板５０００－２の回路構成Ｒ４においては、フォトダイオード（ＰＤ）７２－２及び７３－２と、トランスファゲート（ＴＧ：ＴｒａｎｓｆｅｒＧａｔｅ）８２－２及び８３－２とが構成されている。トランスファゲート（ＴＧ：ＴｒａｎｓｆｅｒＧａｔｅ）８２－２は、フォトダイオード（ＰＤ）７２－２によって光電変換されて蓄積された第２信号電荷を読み出し、トランスファゲート（ＴＧ：ＴｒａｎｓｆｅｒＧａｔｅ）８３－２は、フォトダイオード（ＰＤ）７３－２によって光電変換されて蓄積された第２信号電荷を読み出す。

　第２基板５０００－２の回路構成Ｒ５においては、リセットゲート（ＲＳＴ：ＲｅｓｅｔＧａｔｅ）９１と、増幅トランジスタ（ＡＭＰ：ＡＭＰＴｒ）９２と、選択トランジスタ（ＳＥＬ:ＳＥＬＴｒ）９３とが構成されている。選択トランジスタ（ＳＥＬ:ＳＥＬＴｒ）９３は、垂直信号線５１を介して、例えばカラム信号処理回路（不図示）に接続されている。

　第１基板５０００－１に形成されているフローティングディフュージョン（ＦＤ）９０は、フォトダイオード（ＰＤ）７２－１及びフォトダイオード（ＰＤ）７３－１（第１画素の２画素分）、並びにフォトダイオード（ＰＤ）７２－２及びフォトダイオード（ＰＤ）７３－２（第２画素の２画素分）（したがって、計４画素分）によって共有されている。

　また、第２基板５０００－２に形成されている増幅トランジスタ（ＡＭＰ：ＡＭＰＴｒ）９２及び選択トランジスタ（ＳＥＬ:ＳＥＬＴｒ）９３も、フォトダイオード（ＰＤ）７０－１及びフォトダイオード（ＰＤ）７１－１（第１画素の２画素分）、並びにフォトダイオード（ＰＤ）７０－２及びフォトダイオード（ＰＤ）７１－２）（第２画素の２画素分）（したがって、計４画素分）によって共有されている。なお、図７（ｃ）においては図示はされていないが、第１基板５０００－１の回路構成Ｒ３を構成するフォトダイオード（ＰＤ）７２－１及び７３－１のため（信号電荷の掃き捨てのため）のリセットゲート（ＲＳＴ：ＲｅｓｅｔＧａｔｅ）は形成されている。

　増幅トランジスタ（ＡＭＰ：ＡＭＰＴｒ）９２及び選択トランジスタ（ＳＥＬ:ＳＥＬＴｒ）９３を第２基板５０００－２に形成させることで、第１基板５０００－１が備える第１光電変換部の面積を拡大させることが可能となり、第１基板５０００－１の第１画素の特性（例えば、画質等）を向上させることができる。

　以上、本技術に係る第５の実施形態（固体撮像装置の例５）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、前述した本技術に係る第１～４の実施形態の固体撮像装置及び後述する本技術に係る第６～７の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜７．第６の実施形態（固体撮像装置の例６）＞
　本技術に係る第６の実施形態（固体撮像装置の例６）の固体撮像装置は、光入射側から順に、第１基板と、第２基板と、を備え、第１基板に、複数の第１画素が配列された第１画素領域が形成され、第２基板に、複数の第２画素が配列された第２画素領域が形成され、第１基板が、光入射側から順に、入射光を光電変換する第１光電変換部が形成された第１半導体基板と、第１配線層と、を備え、第２基板が、光入射側から順に、第２配線層と、入射光を光電変換する第２光電変換部が形成された第２半導体基板と、を備え、１つの第１画素は、１つの第１光電変換部を有し、１つの第２画素は、１つの第２光電変換部を有し、第1基板と第２基板とが、第１配線層と第２配線層とを向き合わせて貼り合わされて、少なくとも１つの第１画素と、少なくとも１つの第２画素とが、電気的に接続されている、固体撮像装置である。本技術に係る第６の実施形態（固体撮像装置の例６）の固体撮像装置においては、複数の第１光電変換部によって生成された第１信号電荷と、少なくとも１つの第２光電変換部によって生成された第２信号電荷とが、第１基板に形成されたフローティングディフュージョン（ＦＤ）を経由している。

　本技術に係る第６の実施形態の固体撮像装置においては、少なくとも１つの第１画素と、少なくとも１つの第２画素とが、上述したように、Ｃｕ－Ｃｕ接合により、電気的に接続されていてもよいし、複数の第１画素の全ての画素と、複数の第２画素の全ての画素とが、Ｃｕ－Ｃｕ接合により、電気的に接続されていてもよい。なお、Ｃｕ－Ｃｕ接合は、第１画素領域外の領域及び／又は第２画素領域外の領域で、第１基板と第２基板とを接続するために用いられてもよい。

　本技術に係る第６の実施形態の固体撮像装置について、図８及び図９を用いて説明をする。図８は、本技術に係る第６の実施形態の固体撮像装置の構成例（固体撮像装置６０００）を示す断面図である。図９中における、図９（ａ）は、固体撮像装置６０００が備える第１基板６０００－１の第１半導体基板６－１（第１半導体基板６－１と第１配線層８－１との界面）の平面レイアウト図であり、図９（ｂ）は、固体撮像装置６０００が備える第２基板６０００－２の第２半導体基板６－２（第２半導体基板６－２と第２配線層８－２との界面）の平面レイアウト図であり、図９（ｃ）は、固体撮像装置６０００の回路図である。ところで、当然のことながら、本技術に係る第６の実施形態の固体撮像装置は、固体撮像装置６０００に限定されることはない。

　まず、図８を用いて説明をする。

　固体撮像装置６０００は、光（光Ｌ１及び光Ｌ２）入射側から順に、オンチップレンズ１と、第１基板６０００－１と第２基板６０００－２とを備える。図８に示されるＰ７は、第１基板６０００－１と第２基板６０００－２との接合部を示す。

　第１基板６０００－１は、光入射側から順に、カラーフィルタ２Ｒ（レッド（Ｒ）フィルタ）と、平坦化膜３と、遮光膜４－１及び４－２と、絶縁膜５（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）と、第１半導体基板６－１に形成された第１光電変換部７－１（フォトダイオード（ＰＤ）７－１）と、第１配線層８－１とを備えている。フォトダイオード７－１は、カラーフィルタ２Ｒ（レッド（Ｒ）フィルタ）を透過した入射光Ｌ１を光電変換して第１信号電荷を生成して蓄積する。遮光膜４－１及び４－２は、平坦化膜３によって被覆されて、光入射側からの平面視で、第１画素間に、第１光電変換部に光が入射するように開口されて、格子状に配されている。第１配線層８－１は、配線４０－１及び４１－１と、配線４０－１と配線４１－１と又は配線４１－１同士とを接続するビア４２－１と、層間絶縁膜１１－１とから構成されている。第１半導体基板６－１の第１配線層８－１側の表面には、フォトダイオード７－１が蓄積した第１信号電荷を読み出す転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ１０－１が形成されている。

　第２基板６０００－２は、光入射側から順に、第２配線層８－２と、第２半導体基板６－２に形成された第２光電変換部７－２（フォトダイオード（ＰＤ）７－２）とを備えている。フォトダイオード７－２は、カラーフィルタ２Ｒ（レッド（Ｒ）フィルタ）及び導波路９を透過した入射光Ｌ２を光電変換して第２信号電荷を生成して蓄積する。第２配線層８－２は、配線４０－２及び４１－２と、配線４０－２と配線４１－２と又は配線４１－２同士とを接続するビア４２－２と、層間絶縁膜１１－２とから構成されている。第２半導体基板６－２の第２配線層８－２側の裏面には、フォトダイオード７－２が蓄積した第２信号電荷を読み出す転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ１０－２が形成されている。

　導波路９は、第１配線層８－１の配線４１－１及び第２配線層８－２の配線４１－２を引き回さないで開口された領域に、第１基板６０００－１と第２基板６０００－２とをまたぐように形成される。導波路の形成により、長波長の光の減衰及び／又は反射を抑制して、第２光電変換部７－２（フォトダイオード７－２）入射光Ｌ２を到達させることができる。導波路を形成する材料は、例えば層間絶縁膜１１－１及び１１－２を構成する材料の屈折率よりも大きな屈折率を有する材料であれば随意でよい。

　第１基板６０００－１と第２基板６０００－２とは、配線４０－１と配線４０－２とが接続されることにより、Ｃｕ－Ｃｕ接合で電気的に接続されている。このＣｕ－Ｃｕ接合により、第１基板６０００－１（第１画素）と第２基板６０００－２（第２画素）とはタイミングの同期を取って駆動することが可能である。

　固体撮像装置６０００によれば、第１基板（上側基板）６０００－１の第１画素は通常の画素（図８においては、Ｒ（レッド）画素であるが、Ｇ（グリーン）画素又はＢ（ブルー）画素でもよい。）として使用し、第２基板６０００－２（下側基板）の第２画素は、長波長（赤外又は近赤外）用の画素として使用することができる。

　図９を用いて説明をする。図９（ａ）には、第１半導体基板６－１に形成された第１光電変換部７４－１（フォトダイオード（ＰＤ）７４－１）、第１光電変換部７５－１（フォトダイオード（ＰＤ）７５－１）、第１光電変換部７６－１（フォトダイオード（ＰＤ）７６－１）及び第１光電変換部７７－１（フォトダイオード（ＰＤ）７７－１）が示されている（第１画素の４画素分に相当する。）。第１光電変換部７５－１（フォトダイオード（ＰＤ）７５－１）、第１光電変換部７６－１（フォトダイオード（ＰＤ）７６－１）及び第１光電変換部７７－１（フォトダイオード（ＰＤ）７７－１）のそれぞれは、素子分離（Ｐ＋）９９－１によって画素分離されている。そして、図９（ａ）に示されるように、フォトダイオード７４－１が光電変換して蓄積した第１信号電荷を読み出す転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ８４－１が形成され、フォトダイオード７５－１が光電変換して蓄積した第１信号電荷を読み出す転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ８５－１が形成され、フォトダイオード７６－１が光電変換して蓄積した第１信号電荷を読み出す転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ８６－１が形成され、フォトダイオード７７－１が光電変換して蓄積した第１信号電荷を読み出す転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ８７－１が形成されている。転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ８４－１～転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ８７－１のそれぞれの転送ゲート（トランスファゲート）から読み出された第１信号電荷は、第１光電変換部７４－１（フォトダイオード（ＰＤ）７４－１）、第１光電変換部７５－１（フォトダイオード（ＰＤ）７５－１）、第１光電変換部７６－１（フォトダイオード（ＰＤ）７６－１）及び第１光電変換部７７－１（フォトダイオード（ＰＤ）７７－１）に対応する第１画素の４画素が共有しているフローティングディフュージョン（ＦＤ）５０において電圧に変換される。

　図９（ｂ）には、第２半導体基板６－２に形成された第２光電変換部７４－２（フォトダイオード（ＰＤ）７４－２）が示されている（第２画素の１画素分に相当する。）。第２光電変換部７４－２（フォトダイオード（ＰＤ）７４－２）の外周囲には、素子分離（Ｐ＋）９９－２が配されて、この素子分離（Ｐ＋）９９－２によって隣接する第２画素（不図示）と画素分離されている。そして、図９（ｂ）に示されるように、フォトダイオード７４－２が光電変換して蓄積した第２信号電荷を読み出す転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ８４－２が形成されている。転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ８４－２から読み出された第２信号電荷は、フローティングディフュージョン（ＦＤ）５０において電圧に変換される。

　すなわち、フローティングディフュージョン（ＦＤ）５０は、上述した、第１光電変換部７４－１（フォトダイオード（ＰＤ）７４－１）、第１光電変換部７５－１（フォトダイオード（ＰＤ）７５－１）、第１光電変換部７６－１（フォトダイオード（ＰＤ）７６－１）及び第１光電変換部７７－１（フォトダイオード（ＰＤ）７７－１）（第１画素の４画素分）及び第２光電変換部７４－２（フォトダイオード（ＰＤ）７４－２）（第２画素の１画素分）（したがって、計５画素分）によって共有されている。

　なお、図９（ａ）及び（ｂ）においては、第１基板６０００－１が４画素分（フォトダイオードが４個分）を有しているのに対して、第２基板６０００－２は、１画素分（フォトダイオード１個分）しか有していないが、第１基板６０００－１が有する４画素分の領域の大きさに対応する範囲内で、第２基板６０００－２の第２光電変換部（フォトダイオード）の設計が自由にできる。すなわち、第１基板６０００－１が有する４画素分の領域の範囲内で、第２光電変換部（フォトダイオード）の面積を自由に変更したり、第２光電変換部（フォトダイオード）の個数（第２画素の画素数）を自由に変更したりすることができる。図９（ｂ）においては、第２光電変換部（フォトダイオード）が１画素分しか形成されていないが、例えば、図９（ａ）に示される第１光電変換部の４画素分と同様に、第２光電変換部（フォトダイオード）を４画素分（４つのフォトダイオード）で形成してもよいし、第２光電変換部（フォトダイオード）を３画素分（３つのフォトダイオード）で形成してもよいし、第２光電変換部（フォトダイオード）を２画素分（２つのフォトダイオード）で形成してもよい。

　図９（ｃ）に示される固体撮像装置６０００の回路構成例において、参照符号Ｒ６は、第１基板６０００－１の回路構成であり、参照符号Ｒ７は、第２基板６０００－２の回路構成例である。

　第１基板６０００－１の回路構成Ｒ６においては、フォトダイオード（ＰＤ）７４－１、７５－１、７６－１及び７７－１と、トランスファゲート（ＴＧ：ＴｒａｎｓｆｅｒＧａｔｅ）８４－１、８５－１、８６－１及び８７－１と、フローティングディフュージョン（ＦＤ）５０と、リセットゲート（ＲＳＴ：ＲｅｓｅｔＧａｔｅ）９１と、増幅トランジスタ（ＡＭＰ：ＡＭＰＴｒ）９２と、選択トランジスタ（ＳＥＬ:ＳＥＬＴｒ）９３とが構成されている。選択トランジスタ（ＳＥＬ:ＳＥＬＴｒ）９３は、垂直信号線５１を介して、例えばカラム信号処理回路（不図示）に接続されている。

　第２基板６０００－２の回路構成Ｒ７においては、フォトダイオード（ＰＤ）７４－２と、トランスファゲート（ＴＧ：ＴｒａｎｓｆｅｒＧａｔｅ）８４－２とが構成されている。

　第１基板６０００－１に形成されているフローティングディフュージョン（ＦＤ）５０は、フォトダイオード（ＰＤ）７４－１、７５－１、７６－１及び７７－１（第１画素の４画素分）、並びにフォトダイオード（ＰＤ）７４－２（第２画素の１画素分）（したがって、計５画素分）によって共有されている。

　また、第１基板６０００－１に形成されている増幅トランジスタ（ＡＭＰ：ＡＭＰＴｒ）９２及び選択トランジスタ（ＳＥＬ:ＳＥＬＴｒ）９３も、フォトダイオード（ＰＤ）７４－１、７５－１、７６－１及び７７－１（第１画素の４画素分）、並びにフォトダイオード（ＰＤ）７４－２（第２画素の１画素分）（したがって、計５画素分）によって共有されている。なお、図９（ｃ）においては、図示はされていないが、第２基板６０００－２の回路構成Ｒ７を構成するフォトダイオード（ＰＤ）７４－２のためのリセットゲート（ＲＳＴ：ＲｅｓｅｔＧａｔｅ）が形成されている。

　以上、本技術に係る第６の実施形態（固体撮像装置の例６）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、前述した本技術に係る第１～５の実施形態の固体撮像装置及び後述する本技術に係る第７の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜８．第７の実施形態（固体撮像装置の例７）＞
　本技術に係る第７の実施形態（固体撮像装置の例７）の固体撮像装置は、光入射側から順に、第１基板と、第２基板と、第３基板とを備え、第１基板に、複数の第１画素が配列された第１画素領域が形成され、第２基板に、複数の第２画素が配列された第２画素領域が形成され、第１基板が、光入射側から順に、入射光を光電変換する第１光電変換部が形成された第１半導体基板と、第１配線層と、を備え、第２基板が、光入射側から順に、第２配線層と、入射光を光電変換する第２光電変換部が形成された第２半導体基板と、第３基板が、光入射側から順に、第３配線層と、第３半導体基板と、を備え、１つの第１画素は、１つの第１光電変換部を有し、１つの第２画素は、１つの第２光電変換部を有し、第1基板と第２基板とが、第１配線層と第２配線層とを向き合わせて貼り合わされて、少なくとも１つの第１画素と、少なくとも１つの第２画素とが、電気的に接続され、第２基板と第３基板とが、第２半導体基板と第３配線層とを向き合わせて貼り合わされて、第２基板と第３基板とが、電気的に接続されている、固体撮像装置である。

　本技術に係る第７の実施形態の固体撮像装置においては、少なくとも１つの第１画素と、少なくとも１つの第２画素とが、上述したように、Ｃｕ－Ｃｕ接合により、電気的に接続されていてもよいし、複数の第１画素の全ての画素と、複数の第２画素の全ての画素とが、Ｃｕ－Ｃｕ接合により、電気的に接続されていてもよい。なお、Ｃｕ－Ｃｕ接合は、第１画素領域外の領域及び／又は第２画素領域外の領域で、第１基板と第２基板とを接続するために用いられてもよい。

　本技術に係る第７の実施形態（固体撮像装置の例７）の固体撮像装置において、第２半導体基板を貫通する貫通電極が形成されてもよく、貫通電極を介して、第２基板と第３基板とが、電気的に接続されていてもよい。また、本技術に係る第７の実施形態（固体撮像装置の例７）の固体撮像装置において、Ｃｕ－Ｃｕ接合により、第２基板と第３基板とが、電気的に接続されていてもよい。

　本技術に係る第７の実施形態（固体撮像装置の例７）の固体撮像装置において、第３基板に回路領域が形成されていてもよい。

　本技術に係る第７の実施形態の固体撮像装置について、図１０を用いて説明をする。図１０は、本技術に係る第７の実施形態の固体撮像装置の構成例（固体撮像装置７０００）を示す断面図であり、詳しくは、図１０（ａ）は、固体撮像装置７０００の周辺領域である回路領域（固体撮像装置７０００ａと称する。）の構成例を示す断面図であり、図１０（ｂ）は、固体撮像装置７０００の画素領域及び回路領域（固体撮像装置７０００ｂと称する。）の構成例を示す断面図である。ところで、当然のことながら、本技術に係る第７の実施形態の固体撮像装置は、固体撮像装置７０００に限定されることはない。

　まず、図１０（ｂ）を用いて説明をする。固体撮像装置７０００（固体撮像装置７０００ｂ）は、光（光Ｌ１及び光Ｌ２）入射側から順に、オンチップレンズ１－１及び１－２と、第１基板７０００ｂ－１と第２基板７０００ｂ－２と第３基板７０００ｂ－３とを備える。図１０（ｂ）に示されるＸ３は第１画素領域を示し、Ｘ４は、第２画素領域を示す。図１０（ｂ）に示されるＹ３は、回路領域を示す。図１０（ｂ）に示されるＰ９は、第１基板７０００ｂ－１と第２基板７０００ｂ－２との接合部を示し、Ｐ１１は、第２基板７０００ｂ－２と第３基板７０００ｂ－３との接合部を示す。

　第１基板７０００ｂ－１は、光入射側から順に、カラーフィルタ２Ｒ（レッド（Ｒ）フィルタ）及びカラーフィルタ２Ｇ（グリーン（Ｇ）フィルタ）と、平坦化膜３と、遮光膜４－１及び４－２並びに４－３と、絶縁膜５（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）と、第１半導体基板６－１に形成された第１光電変換部７－１（フォトダイオード（ＰＤ）７－１）及び第１光電変換部７－３（フォトダイオード（ＰＤ）７－３）と、第１配線層８－１とを備えている。フォトダイオード７－１は、カラーフィルタ２Ｒ（レッド（Ｒ）フィルタ）を透過した入射光Ｌ１を光電変換して第１信号電荷を生成して蓄積し、フォトダイオード７－３は、カラーフィルタ２Ｇ（グリーン（Ｇ）フィルタ）を透過した入射光Ｌ１を光電変換して第１信号電荷を生成して蓄積する。遮光膜４－１及び４－２並びに４－３は、平坦化膜３によって被覆されて、光入射側からの平面視で、第１画素間に、第１光電変換部に光が入射するように、開口されて格子状に配されている。第１配線層８－１は、配線４０－１及び４１－１と、配線４０－１と配線４１－１と又は配線４１－１同士とを接続するビア４２－１と、層間絶縁膜１１－１とから構成されている。第１半導体基板６－１の第１配線層８－１側の表面には、フォトダイオード７－１が蓄積した第１信号電荷を読み出す転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ１０－１が形成されて、フォトダイオード７－３が蓄積した第１信号電荷を読み出す転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ１０－３が形成されている。

　第２基板７０００ｂ－２は、光入射側から順に、第２配線層８－２と、第２半導体基板６－２に形成された第２光電変換部７－２（フォトダイオード（ＰＤ）７－２）及び第２光電変換部７－４（フォトダイオード（ＰＤ）７－４）とを備えている。フォトダイオード７－２は、カラーフィルタ２Ｒ（レッド（Ｒ）フィルタ）を透過した入射光Ｌ２を光電変換して第２信号電荷を生成して蓄積し、フォトダイオード７－４は、カラーフィルタ２Ｇ（グリーン（Ｇ）フィルタ）を透過した入射光Ｌ２を光電変換して第２信号電荷を生成して蓄積する。第２配線層８－２は、配線４０－２及び４１－２と、配線４０－２と配線４１－２と又は配線４１－２同士とを接続するビア４２－２と、層間絶縁膜１１－２とから構成されている。第２半導体基板６－２の第１配線層８－１側の裏面には、フォトダイオード７－２が蓄積した第２信号電荷を読み出す転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ１０－２が形成されて、フォトダイオード７－４が蓄積した第２信号電荷を読み出す転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ１０－４が形成されている。

　第３基板７０００ｂ－３は、光入射側から順に、第３配線層８－３と、半導体基板６－３とを備える。半導体基板６－３の第３配線層８－３側の裏面には、回路用のトタンジスタＴｒ３が形成され、トタンジスタＴｒ３と、第３配線層に形成される配線４１－３とによってロジック回路等が構成されて、第３基板７０００ｂ－３には、回路領域Ｙ３が形成される。固体撮像装置７０００は、３層目に、例えばロジック回路を有する第３基板７０００ｂ－３を用いることで、２層構造（センサ基板とロジック基板とから構成される。）の固体撮像装置と比較して、略同等の性能を得ることができる。

　導波路９－１及び９－２は、第１配線層８－１の配線４１－１及び第２配線層８－２の配線４１－２を引き回さないで開口された領域に、第１基板７０００ｂ－１と第２基板７０００ｂ－２とをまたぐように形成される。導波路の形成により、長波長の光の減衰及び／又は反射を抑制して、第２光電変換部７－２（フォトダイオード７－２）及び第２光電変換部７－４（フォトダイオード７－２）に入射光Ｌ２を到達させることができる。導波路を形成する材料は、例えば層間絶縁膜１１－１及び１１－２を構成する材料の屈折率よりも大きな屈折率を有する材料であれば随意でよい。

　第１基板７０００ｂ－１と第２基板７０００ｂ－２とにおいて、カラーフィルタ２Ｒ（レッド（Ｒ）フィルタ）に対応する第１画素と第２画素とは、配線４０－１と配線４０－２とが接続されることにより、Ｃｕ－Ｃｕ接合で電気的に接続されている。このＣｕ－Ｃｕ接合により、第１基板７０００ｂ－１（第１画素）と第２基板７０００ｂ－２（第２画素）とはタイミングの同期を取って駆動することが可能である。一方、カラーフィルタ２Ｇ（グリーン（Ｇ）フィルタ、なお、ブルー（Ｂ）フィルタでもよい。）に対応する第１画素と第２画素とは、Ｃｕ－Ｃｕ接合で電気的に接続されていない。

　すなわち、Ｒ画素は、第１基板７０００ｂ－１と第２基板７０００ｂ－２とをＣｕ－Ｃｕ接合して、第１画素と第２画素とを同時にトランスファゲート（ＴＧ）をＯＮするように駆動して、長波長の信号を合算して感度をアップさせることができる。一方、Ｇ画素（又はＢ画素）はＣｕ－Ｃｕ接合しない配線レイアウトにし、別々の画素制御線に接続して、第１画素はＧ画素（又はＢ画素）用として、第２画素は、近赤外線用（赤外用）としてフォトダイオードによる画素信号を取り出して、ＲＧＢ画素と近赤外線（赤外線）画素の出力を各々取り出すことが可能である。

　次に、図１０（ａ）を用いて説明をする。固体撮像装置７０００（固体撮像装置７０００ａ）は、光（光Ｌ１及び光Ｌ２）入射側から順に、第１基板７０００ａ－１と第２基板７０００ａ－２と第３基板７０００ａ－３とを備える。図１０（ａ）に示されるＹ２は、回路領域を示す。図１０（ａ）に示されるＰ８は、第１基板７０００ａ－１と第２基板７０００ａ－２との接合部を示し、Ｐ１０は、第２基板７０００ａ－２と第３基板７０００ａ－３との接合部を示す。

　第１基板７０００ａ－１は、光入射側から順に、平坦化膜３と、遮光膜４と、絶縁膜５（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）と、第１半導体基板６－１と、第１配線層８－１とを備えている。遮光膜４は、平坦化膜３によって被覆されて、光入射側からの平面視で、第１半導体基板６－１の入射側の面（裏面）の全面を覆うように、ベタ状に配されている。第１配線層８－１は、配線４０－３及び４１－１と、配線４０－３と配線４１－１と又は配線４１－１同士とを接続するビア４２－１と、層間絶縁膜１１－１とから構成されている。

　第２基板７０００ａ－２は、光入射側から順に、第２配線層８－２と、第２半導体基板６－２とを備えている。第２配線層８－２は、配線４０－４及び４１－２と、配線４０－４と配線４１－２と又は配線４１－２同士とを接続するビア４２－２と、パッド４３と層間絶縁膜１１－２とから構成されている。第２半導体基板６－２には、半導体基板を貫通する貫通電極４５が形成されている。

　第３基板７０００ａ－３は、光入射側から順に、第３配線層８－３と、半導体基板６－３とを備える。半導体基板６－３の第３配線層８－３側の裏面には、回路用のトタンジスタＴｒ４が形成され、トタンジスタＴｒ２と、第３配線層に形成される配線４１－３とによってロジック回路等が構成されて、第３基板７０００ａ－３には、回路領域Ｙ２が形成される。

　第３基板７０００ａ-３と第２基板７０００ａ―２とは、配線４１－３と配線４１－２とが、第３配線層８－２に埋め込まれているパッド４４と第２配線層８－２に埋め込まれているパッド４３とを介して、貫通電極４５によって電気的に接続している。

　以上、本技術に係る第７の実施形態（固体撮像装置の例７）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、前述した本技術に係る第１～６の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜９．第８の実施形態（電子機器の例）＞
　本技術に係る第８の実施形態の電子機器は、本技術に係る第１の実施形態～第７の実施形態の固体撮像装置のうち、いずれか一つ実施形態の固体撮像装置が搭載された電子機器である。

＜１０．本技術を適用した固体撮像装置の使用例＞
　図１１は、イメージセンサ（固体撮像装置）としての本技術に係る第１～第７の実施形態の固体撮像装置の使用例を示す図である。

　上述した第１～第７の実施形態の固体撮像装置は、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、Ｘ線等の光をセンシングするさまざまなケースに使用することができる。すなわち、図１１に示すように、例えば、鑑賞の用に供される画像を撮影する鑑賞の分野、交通の分野、家電の分野、医療・ヘルスケアの分野、セキュリティの分野、美容の分野、スポーツの分野、農業の分野等において用いられる装置（例えば、上述した第８の実施形態の電子機器）に、第１～第７の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

　具体的には、鑑賞の分野においては、例えば、デジタルカメラやスマートフォン、カメラ機能付きの携帯電話機等の、鑑賞の用に供される画像を撮影するための装置に、第１～第７の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

　交通の分野においては、例えば、自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置に、第１～第７の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

　家電の分野においては、例えば、ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、テレビ受像機や冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置で、第１～第７の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

　医療・ヘルスケアの分野においては、例えば、内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置に、第１～第７の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

　セキュリティの分野においては、例えば、防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置に、第１～第７の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

　美容の分野においては、例えば、肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置に、第１～第７の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

　スポーツの分野において、例えば、スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置に、第１～第７の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

　農業の分野においては、例えば、畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置に、第１～第７の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

　次に、本技術に係る第１～第７の実施形態の固体撮像装置の使用例を具体的に説明する。例えば、上述で説明をした第１～第７の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置が用いられる。具体的には、固体撮像装置１０１として、例えばデジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、撮像機能を有する携帯電話など、撮像機能を備えたあらゆるタイプの電子機器に適用することができる。図１２に、その一例として、電子機器１０２（カメラ）の概略構成を示す。この電子機器１０２は、例えば静止画または動画を撮影可能なビデオカメラであり、固体撮像装置１０１と、光学系（光学レンズ）３１０と、シャッタ装置３１１と、固体撮像装置１０１およびシャッタ装置３１１を駆動する駆動部３１３と、信号処理部３１２とを有する。

　光学系３１０は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置１０１の画素部１０１ａへ導くものである。この光学系３１０は、複数の光学レンズから構成されていてもよい。シャッタ装置３１１は、固体撮像装置１０１への光照射期間および遮光期間を制御するものである。駆動部３１３は、固体撮像装置１０１の転送動作およびシャッタ装置３１１のシャッタ動作を制御するものである。信号処理部３１２は、固体撮像装置１０１から出力された信号に対し、各種の信号処理を行うものである。信号処理後の映像信号Ｄｏｕｔは、メモリなどの記憶媒体に記憶されるか、あるいは、モニタ等に出力される。

＜１１．内視鏡手術システムへの応用例＞
　本技術は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術（本技術）は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。

　図１３は、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。

　図１３では、術者（医師）１１１３１が、内視鏡手術システム１１０００を用いて、患者ベッド１１１３３上の患者１１１３２に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム１１０００は、内視鏡１１１００と、気腹チューブ１１１１１やエネルギー処置具１１１１２等の、その他の術具１１１１０と、内視鏡１１１００を支持する支持アーム装置１１１２０と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート１１２００と、から構成される。

　内視鏡１１１００は、先端から所定の長さの領域が患者１１１３２の体腔内に挿入される鏡筒１１１０１と、鏡筒１１１０１の基端に接続されるカメラヘッド１１１０２と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒１１１０１を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡１１１００を図示しているが、内視鏡１１１００は、軟性の鏡筒を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。

　鏡筒１１１０１の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡１１１００には光源装置１１２０３が接続されており、当該光源装置１１２０３によって生成された光が、鏡筒１１１０１の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者１１１３２の体腔内の観察対象に向かって照射される。なお、内視鏡１１１００は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。

　カメラヘッド１１１０２の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光（観察光）は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、ＲＡＷデータとしてカメラコントロールユニット（ＣＣＵ：ＣａｍｅｒａＣｏｎｔｒｏｌＵｎｉｔ）１１２０１に送信される。

　ＣＣＵ１１２０１は、ＣＰＵ（ＣｅｎｔｒａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ）やＧＰＵ（ＧｒａｐｈｉｃｓＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ）等によって構成され、内視鏡１１１００及び表示装置１１２０２の動作を統括的に制御する。さらに、ＣＣＵ１１２０１は、カメラヘッド１１１０２から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理（デモザイク処理）等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。

　表示装置１１２０２は、ＣＣＵ１１２０１からの制御により、当該ＣＣＵ１１２０１によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。

　光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ（ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）等の光源から構成され、術部等を撮影する際の照射光を内視鏡１１１００に供給する。

　入力装置１１２０４は、内視鏡手術システム１１０００に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置１１２０４を介して、内視鏡手術システム１１０００に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、内視鏡１１１００による撮像条件（照射光の種類、倍率及び焦点距離等）を変更する旨の指示等を入力する。

　処置具制御装置１１２０５は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギー処置具１１１１２の駆動を制御する。気腹装置１１２０６は、内視鏡１１１００による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者１１１３２の体腔を膨らめるために、気腹チューブ１１１１１を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ１１２０７は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ１１２０８は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。

　なお、内視鏡１１１００に術部を撮影する際の照射光を供給する光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成することができる。ＲＧＢレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色（各波長）の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置１１２０３において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、ＲＧＢレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御することにより、ＲＧＢそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。

　また、光源装置１１２０３は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。

　また、光源装置１１２０３は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光（すなわち、白色光）に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察（Ｎａｒｒｏｗ　Ｂａｎｄ　Ｉｍａｇｉｎｇ）が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察すること（自家蛍光観察）、又はインドシアニングリーン（ＩＣＧ）等の試薬を体組織に局注するとともに当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得ること等を行うことができる。光源装置１１２０３は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び／又は励起光を供給可能に構成され得る。

　図１４は、図１３に示すカメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１の機能構成の一例を示すブロック図である。

　カメラヘッド１１１０２は、レンズユニット１１４０１と、撮像部１１４０２と、駆動部１１４０３と、通信部１１４０４と、カメラヘッド制御部１１４０５と、を有する。ＣＣＵ１１２０１は、通信部１１４１１と、画像処理部１１４１２と、制御部１１４１３と、を有する。カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１とは、伝送ケーブル１１４００によって互いに通信可能に接続されている。

　レンズユニット１１４０１は、鏡筒１１１０１との接続部に設けられる光学系である。鏡筒１１１０１の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド１１１０２まで導光され、当該レンズユニット１１４０１に入射する。レンズユニット１１４０１は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。

　撮像部１１４０２は、撮像素子で構成される。撮像部１１４０２を構成する撮像素子は、１つ（いわゆる単板式）であってもよいし、複数（いわゆる多板式）であってもよい。撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってＲＧＢそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部１１４０２は、３Ｄ（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ）表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための１対の撮像素子を有するように構成されてもよい。３Ｄ表示が行われることにより、術者１１１３１は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット１１４０１も複数系統設けられ得る。

　また、撮像部１１４０２は、必ずしもカメラヘッド１１１０２に設けられなくてもよい。例えば、撮像部１１４０２は、鏡筒１１１０１の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。

　駆動部１１４０３は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部１１４０５からの制御により、レンズユニット１１４０１のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部１１４０２による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。

　通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４０４は、撮像部１１４０２から得た画像信号をＲＡＷデータとして伝送ケーブル１１４００を介してＣＣＵ１１２０１に送信する。

　また、通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１から、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を受信し、カメラヘッド制御部１１４０５に供給する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに／又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。

　なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、ユーザによって適宜指定されてもよいし、取得された画像信号に基づいてＣＣＵ１１２０１の制御部１１４１３によって自動的に設定されてもよい。後者の場合には、いわゆるＡＥ（ＡｕｔｏＥｘｐｏｓｕｒｅ）機能、ＡＦ（ＡｕｔｏＦｏｃｕｓ）機能及びＡＷＢ（ＡｕｔｏＷｈｉｔｅＢａｌａｎｃｅ）機能が内視鏡１１１００に搭載されていることになる。

　カメラヘッド制御部１１４０５は、通信部１１４０４を介して受信したＣＣＵ１１２０１からの制御信号に基づいて、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御する。

　通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２から、伝送ケーブル１１４００を介して送信される画像信号を受信する。

　また、通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２に対して、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を送信する。画像信号や制御信号は、電気通信や光通信等によって送信することができる。

　画像処理部１１４１２は、カメラヘッド１１１０２から送信されたＲＡＷデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。

　制御部１１４１３は、内視鏡１１１００による術部等の撮像、及び、術部等の撮像により得られる撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部１１４１３は、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を生成する。

　また、制御部１１４１３は、画像処理部１１４１２によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部等が映った撮像画像を表示装置１１２０２に表示させる。この際、制御部１１４１３は、各種の画像認識技術を用いて撮像画像内における各種の物体を認識してもよい。例えば、制御部１１４１３は、撮像画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギー処置具１１１１２の使用時のミスト等を認識することができる。制御部１１４１３は、表示装置１１２０２に撮像画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させてもよい。手術支援情報が重畳表示され、術者１１１３１に提示されることにより、術者１１１３１の負担を軽減することや、術者１１１３１が確実に手術を進めることが可能になる。

　カメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１を接続する伝送ケーブル１１４００は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。

　ここで、図示する例では、伝送ケーブル１１４００を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１との間の通信は無線で行われてもよい。

　以上、本開示に係る技術が適用され得る内視鏡手術システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、内視鏡１１１００や、カメラヘッド１１１０２（の撮像部１１４０２）等に適用され得る。具体的には、本技術に係る固体撮像装置は、撮像部１０４０２に適用することができる。内視鏡１１１００や、カメラヘッド１１１０２（の撮像部１１４０２）等に本開示に係る技術を適用することにより、内視鏡１１１００や、カメラヘッド１１１０２（の撮像部１１４０２）等の性能を向上させることが可能となる。

　ここでは、一例として内視鏡手術システムについて説明したが、本開示に係る技術は、その他、例えば、顕微鏡手術システム等に適用されてもよい。

＜１２．移動体への応用例＞
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。

　図１５は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。

　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図１５に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。

　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。

　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。

　撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。

　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。

　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（ＡｄｖａｎｃｅｄＤｒｉｖｅｒＡｓｓｉｓｔａｎｃｅＳｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。

　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図１５の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。

　図１６は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。

　図１６では、車両１２１００は、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。

　撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。撮像部１２１０１及び１２１０５で取得される前方の画像は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。

　なお、図１６には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。

　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。

　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。

　以上、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、例えば、撮像部１２０３１等に適用され得る。具体的には、本技術に係る固体撮像装置は、撮像部１２０３１に適用することができる。撮像部１２０３１に本開示に係る技術を適用することにより、撮像部１２０３１の性能を向上させることが可能となる。

　なお、本技術は、上述した実施形態及び使用例、並びに応用例に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。

　また、本明細書に記載された効果はあくまでも例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。

　また、本技術は、以下のような構成も取ることができる。
［１］
　光入射側から順に、第１基板と、第２基板と、を備え、
　該第１基板に、複数の第１画素が配列された第１画素領域が形成され、
　該第２基板に、複数の第２画素が配列された第２画素領域が形成され、
　該第１基板が、光入射側から順に、入射光を光電変換する第１光電変換部が形成された第１半導体基板と、第１配線層と、を備え、
　該第２基板が、光入射側から順に、第２配線層と、該入射光を光電変換する第２光電変換部が形成された第２半導体基板と、を備え、
　１つの該第１画素は、１つの該第１光電変換部を有し、
　１つの該第２画素は、１つの該第２光電変換部を有し、
　該第1基板と該第２基板とが、該第１配線層と該第２配線層とを向き合わせて貼り合わ
されて、
　少なくとも１つの該第１画素と、少なくとも１つの該第２画素とが、電気的に接続されている、固体撮像装置。
［２］
　少なくとも１つの前記第１画素と、少なくとも１つの前記第２画素とが、Ｃｕ－Ｃｕ接合により、電気的に接続されている、［１］に記載の固体撮像装置。
［３］
　前記複数の第１画素の全ての画素と、前記複数の第２画素の全ての画素とが、Ｃｕ－Ｃｕ接合により、電気的に接続されている、［１］に記載の固体撮像装置。
［４］
　前記第１光電変換部と前記第２光電変換部とが、前記入射光の互いに異なる波長域成分を光電変換する、［１］から［３］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［５］
　前記第１光電変換部が、前記入射光の可視光の波長域成分を光電変換し、
　前記第２光電変換部が、前記入射光の赤外光の波長域成分を光電変換する、［１］から［３］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［６］
　前記第１配線層及び前記第２配線層に、前記入射光が透過する光路が形成されている、［１］から［５］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［７］
　前記光路に、導波路が形成されている、［６］に記載の固体撮像装置。
［８］
　前記導波路の外側に、光反射部材が配されている、［７］に記載の固体撮像装置。
［９］
　前記第２基板に、回路領域が形成されている、［１］から［８］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［１０］
　前記第１基板に、回路領域が形成されている、［１］から［９］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［１１］
　第３基板を更に備え、
　該第３基板が、光入射側から順に、第３配線層と、第３半導体基板と、を備え、
　前記第２基板と該第３基板とが、前記第２半導体基板と該第３配線層とを向き合わせて貼り合わされて、前記第２基板と該第３基板とが、電気的に接続されている、［１］から［１０］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［１２］
　前記第２半導体基板を貫通する貫通電極が形成され、該貫通電極を介して、前記第２基板と該第３基板とが、電気的に接続されている、［１１］に記載の固体撮像装置。
［１３］
　前記第３基板に回路領域が形成されている、［１１］又は［１２］に記載の固体撮像装置。
［１４］
　少なくとも１つの前記第１光電変換部によって生成された第１信号電荷と、少なくとも１つの前記第２光電変換部によって生成された第２信号電荷とが、前記第１基板に形成されたフローティングディフュージョン（ＦＤ）を経由する、［１］から［１３］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［１５］
　少なくとも１つの前記第１光電変換部によって生成された第１信号電荷と、少なくとも１つの前記第２光電変換部によって生成された第２信号電荷とが、前記第２基板に形成されたフローティングディフュージョン（ＦＤ）を経由する、［１］から［１３］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［１６］
　少なくとも１つの前記第１画素と少なくとも１つの前記第２画素とが、前記第１基板に形成された少なくとも１種の画素トランジスタを共有する、［１］から［１５］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［１７］
　少なくとも１つの前記第１画素と少なくとも１つの前記第２画素とが、前記第２基板に形成された少なくとも１種の画素トランジスタを共有する、［１］から［１６］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［１８］
　［１］から［１７］のいずれか１つに記載の固体撮像装置が搭載された、電子機器。

　１・・・オンチップレンズ、
　２（２Ｒ、２Ｇ）・・・カラーフィルタ、
　３・・・平坦化膜、
　４（４－１、４－２）・・・遮光膜、
　５・・・絶縁膜、
　６－１・・・第１半導体基板、
　６－２・・・第２半導体基板、
　６－３・・・第３半導体基板、
　７－１、７－３、７０－１、７１－１、７２－１、７３－１、７４－１、７５－１、７６－１、７７－１・・・第１光電変換部（フォトダイオード（ＰＤ））、
　７－２、７－４、７０－２、７１－２、７２－２、７３－２、７４－２・・・第２光電変換部（フォトダイオード（ＰＤ））、
　８－１・・・第１配線層、８－２・・・第２配線層、８－３・・・第３配線層、
　９・・・導波路、
　１０（１０－１、１０－２、１０－３、１０－４）・・・転送ゲート（トランスファゲート）ＴＧ、
　１１（１１－１、１１－２、１１－３）・・・層間絶縁膜、
　４０－１、４０－３、４１－１・・・配線（第１配線）、
　４０－２、４０－４、４１－２・・・配線（第２配線）、
　４１－３・・・配線（第３配線）、
　４５・・・貫通電極、
　９０（９０－１、９０－２）・・・光反射部材、
　１０００、２０００、３０００（３０００ａ、３０００ｂ）、４０００、５０００、６０００、７０００（７０００ａ、７０００ｂ）・・・固体撮像装置、
　１０００－１、２０００－１、３０００ａ－１、３０００ｂ－１、４０００－１、５０００－１、６０００－１、７０００ａ－１、７０００ｂ－１・・・第１基板、
　１０００－２、２０００－２、３０００ａ－２、３０００ｂ－２、４０００－２、５０００－２、６０００－２、７０００ａ－２、７０００ｂ－２・・・第２基板、
　７０００ａ－３、７０００ｂ－３・・・第３基板、
　Ｌ１、Ｌ２・・・入射光（光）。

Claims

　光入射側から順に、第１基板と、第２基板と、を備え、
　該第１基板に、複数の第１画素が配列された第１画素領域が形成され、
　該第２基板に、複数の第２画素が配列された第２画素領域が形成され、
　該第１基板が、光入射側から順に、入射光を光電変換する第１光電変換部が形成された第１半導体基板と、第１配線層と、を備え、
　該第２基板が、光入射側から順に、第２配線層と、該入射光を光電変換する第２光電変換部が形成された第２半導体基板と、を備え、
　１つの該第１画素は、１つの該第１光電変換部を有し、
　１つの該第２画素は、１つの該第２光電変換部を有し、
　該第1基板と該第２基板とが、該第１配線層と該第２配線層とを向き合わせて貼り合わされて、
　少なくとも１つの該第１画素と、少なくとも１つの該第２画素とが、電気的に接続されている、固体撮像装置。
　少なくとも１つの前記第１画素と、少なくとも１つの前記第２画素とが、Ｃｕ－Ｃｕ接合により、電気的に接続されている、請求項１に記載の固体撮像装置。
　前記複数の第１画素の全ての画素と、前記複数の第２画素の全ての画素とが、Ｃｕ－Ｃｕ接合により、電気的に接続されている、請求項１に記載の固体撮像装置。
　前記第１光電変換部と前記第２光電変換部とが、前記入射光の互いに異なる波長域成分を光電変換する、請求項１に記載の固体撮像装置。
　前記第１光電変換部が、前記入射光の可視光の波長域成分を光電変換し、
　前記第２光電変換部が、前記入射光の赤外光の波長域成分を光電変換する、請求項１に記載の固体撮像装置。
　前記第１配線層及び前記第２配線層に、前記入射光が透過する光路が形成されている、請求項１に記載の固体撮像装置。
　前記光路に、導波路が形成されている、請求項６に記載の固体撮像装置。
　前記導波路の外側に、光反射部材が配されている、請求項７に記載の固体撮像装置。
　前記第２基板に、回路領域が形成されている、請求項１に記載の固体撮像装置。
　前記第１基板に、回路領域が形成されている、請求項１に記載の固体撮像装置。
　第３基板を更に備え、
　該第３基板が、光入射側から順に、第３配線層と、第３半導体基板と、を備え、
　前記第２基板と該第３基板とが、前記第２半導体基板と該第３配線層とを向き合わせて貼り合わされて、前記第２基板と該第３基板とが、電気的に接続されている、請求項１に記載の固体撮像装置。
　前記第２半導体基板を貫通する貫通電極が形成され、該貫通電極を介して、前記第２基板と前記第３基板とが、電気的に接続されている、請求項１１に記載の固体撮像装置。
　前記第３基板に回路領域が形成されている、請求項１１に記載の固体撮像装置。
　少なくとも１つの前記第１光電変換部によって生成された第１信号電荷と、少なくとも１つの前記第２光電変換部によって生成された第２信号電荷とが、前記第１基板に形成されたフローティングディフュージョン（ＦＤ）を経由する、請求項１に記載の固体撮像装置。
　少なくとも１つの前記第１光電変換部によって生成された第１信号電荷と、少なくとも１つの前記第２光電変換部によって生成された第２信号電荷とが、前記第２基板に形成されたフローティングディフュージョン（ＦＤ）を経由する、請求項１に記載の固体撮像装置。
　少なくとも１つの前記第１画素と少なくとも１つの前記第２画素とが、前記第１基板に形成された少なくとも１種の画素トランジスタを共有する、請求項１に記載の固体撮像装置。
　少なくとも１つの前記第１画素と少なくとも１つの前記第２画素とが、前記第２基板に形成された少なくとも１種の画素トランジスタを共有する、請求項１に記載の固体撮像装置。
　請求項１に記載の固体撮像装置が搭載された、電子機器。