WO2021060036A1 - 処理液ノズルおよび洗浄装置 - Google Patents

処理液ノズルおよび洗浄装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2021060036A1
WO2021060036A1 PCT/JP2020/034618 JP2020034618W WO2021060036A1 WO 2021060036 A1 WO2021060036 A1 WO 2021060036A1 JP 2020034618 W JP2020034618 W JP 2020034618W WO 2021060036 A1 WO2021060036 A1 WO 2021060036A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
flow path
liquid
supply flow
discharge port
discharge
Prior art date
Application number
PCT/JP2020/034618
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
後藤　大輔
勝洋 森川
貴広 古賀
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京エレクトロン株式会社 filed Critical 東京エレクトロン株式会社
Priority to CN202080064746.2A priority Critical patent/CN114401801B/zh
Priority to KR1020227012194A priority patent/KR20220066909A/ko
Priority to US17/763,371 priority patent/US20220371041A1/en
Priority to JP2021548806A priority patent/JP7390386B2/ja
Publication of WO2021060036A1 publication Critical patent/WO2021060036A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B17/00—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups
    • B05B17/04—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods
    • B05B17/06—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations
    • B05B17/0607—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations generated by electrical means, e.g. piezoelectric transducers
    • B05B17/0653—Details
    • B05B17/0676—Feeding means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B15/00—Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
    • B05B15/50—Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter
    • B05B15/52—Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter for removal of clogging particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B15/00—Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
    • B05B15/50—Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter
    • B05B15/58—Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter preventing deposits, drying-out or blockage by recirculating the fluid to be sprayed from upstream of the discharge opening back to the supplying means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B17/00—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups
    • B05B17/04—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods
    • B05B17/06—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations
    • B05B17/0607—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations generated by electrical means, e.g. piezoelectric transducers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B17/00—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups
    • B05B17/04—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods
    • B05B17/06—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations
    • B05B17/0607—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations generated by electrical means, e.g. piezoelectric transducers
    • B05B17/0638—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations generated by electrical means, e.g. piezoelectric transducers spray being produced by discharging the liquid or other fluent material through a plate comprising a plurality of orifices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • B05B7/02—Spray pistols; Apparatus for discharge
    • B05B7/04—Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge
    • B05B7/0408—Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge with arrangements for mixing two or more liquids
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B05C11/1039—Recovery of excess liquid or other fluent material; Controlling means therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/022—Cleaning travelling work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • B08B3/123—Cleaning travelling work, e.g. webs, articles on a conveyor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/02—Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/04—Cleaning by suction, with or without auxiliary action
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05F—STATIC ELECTRICITY; NATURALLY-OCCURRING ELECTRICITY
    • H05F3/00—Carrying-off electrostatic charges
    • H05F3/02—Carrying-off electrostatic charges by means of earthing connections
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • B05B7/0018—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas with devices for making foam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • B05B7/24—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas with means, e.g. a container, for supplying liquid or other fluent material to a discharge device
    • B05B7/2486—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas with means, e.g. a container, for supplying liquid or other fluent material to a discharge device with means for supplying liquid or other fluent material to several discharge devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B2203/02—Details of machines or methods for cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B2203/0217—Use of a detergent in high pressure cleaners; arrangements for supplying the same
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B2203/02—Details of machines or methods for cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B2203/0288—Ultra or megasonic jets

Definitions

  • the disclosed embodiment relates to a treatment liquid nozzle and a cleaning device.
  • Patent Document 1 a technique for cleaning the surface of a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter, also referred to as a wafer) with a cleaning liquid to which ultrasonic waves are applied, which is discharged from a processing liquid nozzle.
  • the present disclosure provides a technique capable of suppressing damage to a vibrating body that applies ultrasonic waves to a cleaning liquid in a treatment liquid nozzle.
  • the treatment liquid nozzle includes an ultrasonic wave applying portion, a first supply flow path, a discharge flow path, and a second supply flow path.
  • the ultrasonic wave applying unit has a vibrator that generates ultrasonic waves and a vibrating body that is joined to the vibrator.
  • the first supply flow path supplies the first liquid to a position in contact with the vibrating body of the ultrasonic wave applying portion.
  • the discharge flow path supplies the first liquid to which ultrasonic waves have been applied by the ultrasonic wave applying unit to the discharge port.
  • the second supply flow path is connected to the downstream side of the discharge flow path with respect to the ultrasonic wave applying portion, and supplies the second liquid to the discharge flow path.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing a specific configuration example of the processing unit.
  • FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a processing liquid nozzle according to an embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining the dripping suppression treatment of the treatment liquid nozzle according to the embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining the dripping suppression process of the treatment liquid nozzle according to the embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a treatment liquid nozzle according to an embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a processing liquid nozzle according to a modified example of the embodiment.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing a specific configuration example of the processing unit.
  • FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a processing liquid nozzle according to an embodiment.
  • FIG. 8 is a diagram showing a configuration of a dummy dispense bus according to the embodiment.
  • FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a treatment liquid nozzle according to another modification of the embodiment.
  • FIG. 10 is a diagram showing a configuration of a dummy dispense bus according to a modified example of the embodiment.
  • FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system 1 according to an embodiment.
  • the substrate processing system 1 is an example of a cleaning device.
  • the X-axis, Y-axis, and Z-axis that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z-axis is defined as the vertically upward direction.
  • the substrate processing system 1 includes a loading / unloading station 2 and a processing station 3.
  • the loading / unloading station 2 and the processing station 3 are provided adjacent to each other.
  • the loading / unloading station 2 includes a carrier mounting section 11 and a transport section 12.
  • a plurality of substrates, in the embodiment, a plurality of carriers C for accommodating a semiconductor wafer W (hereinafter, referred to as a wafer W) in a horizontal state are mounted on the carrier mounting portion 11.
  • the transport section 12 is provided adjacent to the carrier mounting section 11, and includes a substrate transport device 13 and a delivery section 14 inside.
  • the substrate transfer device 13 includes a wafer holding mechanism for holding the wafer W. Further, the substrate transfer device 13 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can rotate around the vertical axis, and transfers the wafer W between the carrier C and the delivery portion 14 by using the wafer holding mechanism. Do.
  • the processing station 3 is provided adjacent to the transport unit 12.
  • the processing station 3 includes a transport unit 15 and a plurality of processing units 16.
  • the plurality of processing units 16 are provided side by side on both sides of the transport unit 15.
  • the transport unit 15 includes a substrate transport device 17 inside.
  • the substrate transfer device 17 includes a wafer holding mechanism for holding the wafer W. Further, the substrate transfer device 17 can move in the horizontal direction and the vertical direction and swivel around the vertical axis, and transfers the wafer W between the delivery unit 14 and the processing unit 16 by using the wafer holding mechanism. I do.
  • the processing unit 16 performs predetermined substrate processing on the wafer W transported by the substrate transport device 17.
  • the substrate processing system 1 includes a control device 4.
  • the control device 4 is, for example, a computer, and includes a control unit 18 and a storage unit 19.
  • the storage unit 19 stores programs that control various processes executed in the substrate processing system 1.
  • the control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 19.
  • Such a program may be recorded on a storage medium readable by a computer, and may be installed from the storage medium in the storage unit 19 of the control device 4.
  • Examples of storage media that can be read by a computer include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), and a memory card.
  • the substrate transfer device 13 of the loading / unloading station 2 takes out the wafer W from the carrier C mounted on the carrier mounting portion 11, and receives the taken out wafer W. Placed on Watanabe 14. The wafer W placed on the delivery section 14 is taken out from the delivery section 14 by the substrate transfer device 17 of the processing station 3 and carried into the processing unit 16.
  • the wafer W carried into the processing unit 16 is processed by the processing unit 16, then carried out from the processing unit 16 by the substrate transfer device 17, and placed on the delivery unit 14. Then, the processed wafer W placed on the delivery section 14 is returned to the carrier C of the carrier mounting section 11 by the substrate transfer device 13.
  • FIG. 2 is a schematic view showing a specific configuration example of the processing unit 16.
  • the processing unit 16 includes a chamber 20, a substrate processing unit 30, a liquid supply unit 40, and a recovery cup 50.
  • the chamber 20 houses the substrate processing unit 30, the liquid supply unit 40, and the recovery cup 50.
  • An FFU (Fan Filter Unit) 21 is provided on the ceiling of the chamber 20.
  • the FFU 21 forms a downflow in the chamber 20.
  • the substrate processing unit 30 includes a holding unit 31, a strut unit 32, and a driving unit 33, and liquid-treats the mounted wafer W.
  • the holding unit 31 holds the wafer W horizontally.
  • the strut portion 32 is a member extending in the vertical direction, the base end portion is rotatably supported by the drive portion 33, and the holding portion 31 is horizontally supported at the tip portion.
  • the drive unit 33 rotates the strut unit 32 around a vertical axis.
  • the substrate processing unit 30 rotates the holding unit 31 supported by the support column 32 by rotating the support column 32 using the drive unit 33, thereby rotating the wafer W held by the holding unit 31. ..
  • a holding member 31a for holding the wafer W from the side surface is provided on the upper surface of the holding portion 31 included in the substrate processing portion 30.
  • the wafer W is horizontally held by the holding member 31a in a state of being slightly separated from the upper surface of the holding portion 31.
  • the wafer W is held by the holding unit 31 with the surface on which the substrate treatment is performed facing upward.
  • the liquid supply unit 40 supplies the processing fluid to the wafer W.
  • the liquid supply unit 40 is a swivel elevating mechanism that swivels and raises and lowers a plurality of (here, two) nozzles 41a and 41b, arms 42a and 42b that horizontally support the nozzles 41a and 41b, and arms 42a and 42b, respectively. It includes 43a and 43b.
  • the nozzle 41a is an example of a treatment liquid nozzle.
  • the nozzle 41a is connected to the first liquid supply unit 46a via the valve 44a and the flow rate regulator 45a, and is connected to the second liquid supply unit 46b via the valve 44b and the flow rate regulator 45b.
  • the first liquid L1 (see FIG. 3) supplied from the first liquid supply unit 46a is a chemical solution having strong acidity or strong alkalinity, and is, for example, concentrated sulfuric acid or ammonia.
  • the second liquid L2 (see FIG. 3) supplied from the second liquid supply unit 46b is a chemical solution having effervescence, and is, for example, hydrogen peroxide solution or DIW (DeIonized Water).
  • the second liquid L2 has effervescence is not limited to the case where the second liquid L2 foams by itself, and the second liquid L2 is another liquid (for example, the first liquid L2). It also includes the case where it foams for the first time when mixed with the liquid L1).
  • the nozzle 41b is connected to the DIW supply source 46c via the valve 44c and the flow rate regulator 45c.
  • DIW is used, for example, for rinsing.
  • the treatment liquid used for the rinsing treatment is not limited to DIW.
  • a mixed liquid M (see FIG. 3) is a mixture of the first liquid L1 supplied from the first liquid supply unit 46a and the second liquid L2 supplied from the second liquid supply unit 46b. It is discharged. Details of the nozzle 41a will be described later.
  • the DIW supplied from the DIW supply source 46c is discharged from the nozzle 41b.
  • the recovery cup 50 is arranged so as to surround the holding portion 31, and collects the processing liquid scattered from the wafer W by the rotation of the holding portion 31.
  • a drainage port 51 is formed at the bottom of the recovery cup 50, and the treatment liquid collected by the recovery cup 50 is discharged from the drainage port 51 to the outside of the treatment unit 16. Further, at the bottom of the recovery cup 50, an exhaust port 52 for discharging the gas supplied from the FFU 21 to the outside of the processing unit 16 is formed.
  • processing unit 16 of the embodiment has shown an example in which two nozzles are provided, the number of nozzles provided in the processing unit 16 is not limited to two.
  • FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a processing liquid nozzle according to an embodiment.
  • the nozzle 41a includes an ultrasonic wave applying portion 60, a first supply flow path 71, a discharge flow path 72, and a second supply flow path 73.
  • the nozzle 41a mixes the first liquid L1 supplied from the first supply flow path 71 and the second liquid L2 supplied from the second supply flow path 73 to generate a mixed liquid M to generate such a mixed liquid.
  • Ultrasonic waves S are applied to M and discharged from the discharge port 74 to the wafer W.
  • the mixed liquid M discharged from the discharge port 74 is discharged to the wafer W without interruption, so that the ultrasonic wave S applied by the ultrasonic wave applying unit 60 is transferred onto the wafer W. It can be transmitted to the landed mixed solution M.
  • the nozzle 41a according to the embodiment can be cleaned by utilizing the physical force of the ultrasonic wave S when cleaning the wafer W with the mixed solution M. Therefore, according to the embodiment, even when a highly chemically stable film (for example, a sacrificial film) is formed on the wafer W, the highly chemically stable film is removed with high detergency. can do.
  • a highly chemically stable film for example, a sacrificial film
  • the ultrasonic wave applying unit 60 includes an oscillator 61 and a vibrating body 62.
  • the oscillator 61 is made of piezoelectric ceramics such as PZT (lead zirconate titanate).
  • the oscillator 61 generates an ultrasonic wave S having such a given transmission frequency by inputting a drive signal having a given oscillation frequency from the outside.
  • the oscillator 61 can generate, for example, ultrasonic waves S having a relatively high frequency of 200 kHz or higher.
  • the vibrating body 62 is firmly joined to the vibrator 61. That is, since the ultrasonic wave applying unit 60 is configured so that the vibrating body 62 and the vibrator 61 vibrate integrally, the vibrating body 62 has a function as a load at the time of vibration.
  • the vibrating body 62 is brought into direct contact with the first liquid L1 to give ultrasonic waves S, so that the vibrator 61 is brought into direct contact with the first liquid L1 to give ultrasonic waves S. It is possible to reduce the fluctuation of impedance as compared with the case of doing so.
  • the vibrating body 62 is formed of an inorganic material having chemical resistance and heat resistance.
  • the vibrating body 62 is formed of, for example, a mineral-based material such as quartz or sapphire, or a ceramic material such as alumina, titania, silica, or silicon carbide.
  • the first supply flow path 71 supplies the first liquid L1 to a position in contact with the vibrating body 62 of the ultrasonic wave applying portion 60.
  • the first supply flow path 71 is connected to the upstream side of the discharge flow path 72 in which the vibrating body 62 is provided. Then, the first supply flow path 71 supplies the first liquid L1 to the upstream side of the discharge flow path 72 via the first liquid supply unit 46a, the valve 44a, and the flow rate regulator 45a.
  • the discharge flow path 72 is formed inside the nozzle 41a so as to extend linearly downward.
  • the discharge flow path 72 is provided with a vibrating body 62 of the ultrasonic wave applying portion 60 on the upstream side, and a discharge port 74 of the nozzle 41a is formed on the downstream side. Then, the discharge flow path 72 supplies the first liquid L1 to which the ultrasonic wave S is applied by the ultrasonic wave applying unit 60 and the mixed liquid M generated by using the first liquid L1 to the discharge port 74. ..
  • the discharge flow path 72 is formed in a straight line, the ultrasonic wave S applied by the ultrasonic wave applying unit 60 can be smoothly transmitted to the surface of the wafer W.
  • the second supply flow path 73 supplies the second liquid L2 to the discharge flow path 72.
  • the second supply flow path 73 is connected to the downstream side of the discharge flow path 72 with the ultrasonic wave applying portion 60. Then, the second supply flow path 73 supplies the second liquid L2 to the downstream side of the discharge flow path 72 from the ultrasonic wave applying section 60 via the second liquid supply section 46b, the valve 44b, and the flow rate regulator 45b. To do.
  • the mixed liquid M of the first liquid L1 and the second liquid L2 is formed inside the discharge flow path 72. Will be generated. Then, in the embodiment, since the second liquid L2 has foamability, at least the mixed liquid M contains the foam B.
  • the second liquid L2 When a hydrogen peroxide solution is used as the second liquid L2, since the second liquid L2 itself has foaming properties, as shown in FIG. 3, the second liquid L2 is used in addition to the mixed liquid M. Also contains foam B.
  • the mixed liquid M containing the bubbles B is generated on the downstream side of the ultrasonic wave applying unit 60. be able to.
  • the mixed solution M containing the bubbles B can be generated at a position away from the ultrasonic wave applying portion 60, even if the bubbles B in the mixed solution M are popped by the ultrasonic waves S, the mixed solution M is applied. It is possible to make it difficult to transmit the impact force when the bubble B bursts to the vibrating body 62.
  • the vibrating body 62 it is possible to prevent the vibrating body 62 from being damaged inside the nozzle 41a due to the ultrasonic waves S applied to the mixed liquid M and the bubbles B contained in the mixed liquid M. ..
  • the foamable mixed liquid M is located only on the downstream side of the discharge flow path 72, when the cleaning process is completed and the discharge of the mixed liquid M is stopped, the nozzle 41a The amount of the mixed solution M remaining inside can be minimized.
  • the first liquid L1 has a strong acidity or a strong alkalinity
  • the second liquid L2 has an effervescent property.
  • a static elimination unit (not shown) for statically eliminating the mixed liquid M discharged from the discharge port 74.
  • the static elimination unit is composed of, for example, wiring that connects between the main body of the nozzle 41a and the ultrasonic wave applying unit 60 and the ground potential.
  • the upstream side of the second supply flow path 73 is connected to the drain portion DR via the valve 81.
  • the valve 81 and the drain portion DR are located below the second supply flow path 73. Subsequently, the details of the dripping suppression treatment using the valve 81 will be described with reference to FIGS. 4 and 5.
  • FIG. 4 and 5 are diagrams for explaining the dripping suppression treatment of the treatment liquid nozzle according to the embodiment. Note that FIG. 4 shows a case where the wafer W is cleaned by discharging the mixed solution M to which the ultrasonic wave S is applied from the nozzle 41a.
  • both the valve 44a connected to the first supply flow path 71 and the valve 44b connected to the second supply flow path 73 are in an open state (note that the valve 44b) is in an open state. In the following figures, it is described as "O").
  • valve 81 is in the closed state (note that it is referred to as “C” in the following figures), and the ultrasonic wave S is output from the ultrasonic wave applying unit 60.
  • the mixed liquid M to which the ultrasonic wave S is applied can be discharged from the discharge port 74 of the nozzle 41a.
  • the control unit 18 first outputs the ultrasonic wave S by the ultrasonic wave applying unit 60 as shown in FIG. Stop (step S01).
  • the control unit 18 closes the valve 44a and stops the supply of the first liquid L1 to the discharge flow path 72 (step S02).
  • control unit 18 closes the valve 44b and stops the supply of the second liquid L2 to the discharge flow path 72 (step S03). It should be noted that such step S03 may be performed at the same time as step S02 described above.
  • control unit 18 opens the valve 81 and discharges the second liquid L2 remaining in the second supply flow path 73 to the drain unit DR (step S04).
  • the mixed liquid M remaining in the vicinity of the discharge port 74 can be returned to the upstream side of the discharge flow path 72.
  • the ultrasonic wave S is output from the ultrasonic wave applying unit 60 after the first liquid L1 is supplied from the first supply flow path 71 to the discharge flow path 72. Good. As a result, it is possible to prevent the ultrasonic wave applying unit 60 from emptying the ultrasonic wave S, so that it is possible to prevent the ultrasonic wave applying unit 60 from being damaged by such emptying.
  • a valve 81 provided below the second supply flow path 73 is used to discharge the second liquid L2 remaining in the second supply flow path 73 to the drain portion DR due to its own weight.
  • An example of this is shown.
  • the second liquid L2 remaining in the second supply flow path 73 may be forcibly discharged to the drain portion DR.
  • the second liquid L2 remaining in the second supply flow path 73 is drained. It can be forcibly discharged to the part DR.
  • FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a treatment liquid nozzle according to an embodiment.
  • the inner diameter of the first supply flow path 71 is Da
  • the inner diameter of the discharge flow path 72 is Db
  • the inner diameter of the second supply flow path 73 is Dc
  • the discharge port 74 Let the caliber be Dd.
  • the length from the connection portion with the first supply flow path 71 to the connection portion with the second supply flow path 73 is set to La
  • the connection portion with the second supply flow path 73 to the discharge port Let Lb be the length up to 74.
  • the length La from the connection portion with the first supply flow path 71 to the connection portion with the second supply flow path 73 is a length equal to or larger than the diameter Dd of the discharge port 74.
  • the diameter Dd of the discharge port 74 itself is not particularly limited, and can be appropriately set according to the discharge flow rate of the mixed liquid M required for the cleaning process of the wafer W.
  • the inner diameter Da of the first supply flow path 71 and the inner diameter Dc of the second supply flow path 73 are not particularly limited, and the first liquid L1 and the second liquid L2 required for the cleaning process of the wafer W are not particularly limited. It can be set as appropriate according to the supply flow rate of.
  • the ratio of the inner diameter Da to the inner diameter Dc may be set to 2: 1 with the inner diameter Da and the inner diameter Dc. May be set to the same value.
  • the length Lb from the connection portion with the second supply flow path 73 to the discharge port 74 is a length equal to or larger than the diameter Dd of the discharge port 74.
  • the length Lb from the connection portion with the second supply flow path 73 to the discharge port 74 is the first supply. It is preferable that the length from the connection portion with the flow path 71 to the connection portion with the second supply flow path 73 is longer than La.
  • the second liquid L2 has a low viscosity
  • the mixed liquid M in the vicinity of the discharge port 74 can secure a sufficient surface tension. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the mixed liquid M from dripping from the discharge port 74.
  • the value of the length Lb may be set small.
  • the length from the connection portion with the first supply flow path 71 to the connection portion with the second supply flow path 73 is longer than the length Lb from the connection portion with the second supply flow path 73 to the discharge port 74.
  • the second liquid L2 becomes the first supply flow path 71. It is possible to suppress backflow to.
  • the supply pressure of the first liquid L1 is larger than the supply pressure of the second liquid L2.
  • the second liquid L2 is the first supply flow path 71. It is possible to suppress backflow to.
  • the reaction heat when the reaction heat is generated when the first liquid L1 and the second liquid L2 are mixed, from the connection portion with the first supply flow path 71 to the connection portion with the second supply flow path 73. It is preferable that the length La of the above is longer than the length Lb from the connection portion with the second supply flow path 73 to the discharge port 74.
  • the temperature of the first liquid L1 that comes into direct contact with the vibrating body 62 should also be low (for example, room temperature or lower). As a result, it is possible to prevent damage to the joint surface between the vibrating body 62 and the vibrator 61.
  • the inner diameter Db of the discharge flow path 72 is equal to the diameter Dd of the discharge port 74.
  • the inner diameter Db of the discharge flow path 72 is not limited to the case where it is equal to the diameter Dd of the discharge port 74.
  • FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a processing liquid nozzle according to a modified example of the embodiment. As shown in FIG. 7, in this modified example, the inner diameter Db1 on the upstream side of the discharge flow path 72 is larger than the diameter Dd of the discharge port 74. That is, in this modified example, the inner diameter Db1 on the upstream side of the discharge flow path 72 is larger than the inner diameter Db2 on the downstream side connected to the discharge port 74.
  • the diameter Dd of the discharge port 74 can be appropriately set according to the discharge flow rate of the mixed liquid M (see FIG. 3) required for the cleaning process of the wafer W, and the size is larger than the diameter Dd.
  • the vibrating body 62 can be installed on the upstream side of the discharge flow path 72.
  • the ultrasonic wave S (see FIG. 3) having a higher output can be applied to the mixed solution M, the wafer W can be cleaned with a higher cleaning force.
  • the taper 72a at the portion where the inner diameter changes from Db to Dc in the discharge flow path 72.
  • a mixed liquid M may be produced by mixing three or more kinds of liquids.
  • a mixed liquid M may be produced by using ammonia as the first liquid L1, hydrogen peroxide solution as the second liquid L2, and DIW as the third liquid.
  • the third supply flow path for supplying the third liquid is connected to the first supply flow path 71, or is a discharge flow path. It is preferable that the 72 is connected to the upstream side of the connection portion with the second supply flow path 73.
  • control unit 18 controls the position of the nozzle 41a to discharge the mixed liquid M in the direction facing the rotation direction of the wafer W in the first half portion of the cleaning process of the wafer W, and in the latter half portion of the cleaning process. It is preferable to discharge the mixed liquid M in the direction along the rotation direction of the wafer W.
  • the residence time of the ultrasonic wave S on the wafer W can be further extended, so that the film having high chemical stability can be efficiently removed. Further, in the latter half of the cleaning process, the residence time of the ultrasonic wave S on the wafer W can be shortened, so that damage to the surface of the wafer W from which the film has peeled can be suppressed.
  • FIG. 8 is a diagram showing the configuration of the dummy dispense bus 82 according to the embodiment.
  • the dummy dispense bath 82 described below is an example of a dripping suppression mechanism.
  • the dummy dispense bath 82 is provided inside the chamber 20 (FIG. 2) in the processing unit 16 (see FIG. 2), and is arranged below the standby position of the nozzle 41a.
  • the dummy dispense bath 82 receives and accepts the mixed liquid M discharged from the nozzle 41a during the dummy discharge treatment for the purpose of eliminating air bubbles and foreign substances in each flow path connected to the nozzle 41a. M is discharged to the drain portion DR.
  • the dummy dispense bath 82 has a suction nozzle 83 for sucking droplets of the mixed liquid M adhering to the discharge port 74 of the nozzle 41a, in addition to the function of receiving the mixed liquid M discharged from the nozzle 41a. Be prepared.
  • control unit 18 may suck the mixed liquid M adhering to the discharge port 74 of the nozzle 41a waiting in the dummy dispense bath 82 with the suction nozzle 83 before the wafer W is cleaned by the substrate processing unit 30.
  • FIG. 8 shows an example in which the suction nozzle 83 is provided in the dummy dispense bath 82
  • the location where the suction nozzle 83 is provided is not limited to the dummy dispense bath 82.
  • FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a treatment liquid nozzle according to another modification of the embodiment.
  • the above-mentioned suction nozzle 83 may be provided on the arm 42a so that the suction port is provided in the vicinity of the discharge port 74 of the nozzle 41a. As a result, it is possible to prevent the mixed liquid M from dripping from the discharge port 74 even when the nozzle 41a is not waiting at the standby position.
  • the suction nozzle 83 may be operated to suck the droplets of the mixed liquid M adhering to the discharge port 74 of the nozzle 41a.
  • FIG. 10 is a diagram showing a configuration of a dummy dispense bus 82 according to a modified example of the embodiment.
  • the dummy dispense bath 82 according to the modified example has a function of receiving the mixed liquid M discharged from the nozzle 41a and air blows droplets of the mixed liquid M adhering to the discharge port 74 of the nozzle 41a.
  • An air blow unit 84 is provided.
  • control unit 18 may air blow the mixed liquid M adhering to the discharge port 74 of the nozzle 41a waiting in the dummy dispense bath 82 by the air blow unit 84 before the wafer W is cleaned by the substrate processing unit 30.
  • the processing liquid nozzle (nozzle 41a) includes an ultrasonic wave applying unit 60, a first supply flow path 71, a discharge flow path 72, and a second supply flow path 73.
  • the ultrasonic wave applying unit 60 has a vibrator 61 that generates ultrasonic waves S and a vibrating body 62 that is joined to the vibrator 61.
  • the first supply flow path 71 supplies the first liquid L1 to a position in contact with the vibrating body 62 of the ultrasonic wave applying portion 60.
  • the discharge flow path 72 supplies the first liquid L1 to which the ultrasonic wave S is applied by the ultrasonic wave application unit 60 to the discharge port 74.
  • the second supply flow path 73 is connected to the downstream side of the discharge flow path 72 with respect to the ultrasonic wave applying portion 60, and supplies the second liquid L2 to the discharge flow path 72.
  • the first liquid L1 has strong acidity or strong alkalinity
  • the second liquid L2 has foaming property.
  • the length La from the connection portion with the first supply flow path 71 to the connection portion with the second supply flow path 73 is discharged.
  • the length is equal to or greater than the diameter Dd of the outlet 74.
  • the length Lb from the connection portion with the second supply flow path 73 to the discharge port 74 is equal to or larger than the diameter Dd of the discharge port 74.
  • the length As a result, it is possible to secure a sufficient length of the flow path for mixing the first liquid L1 and the second liquid L2.
  • the inner diameter Db of the discharge flow path 72 is equal to the diameter Dd of the discharge port 74.
  • the inner diameter Db1 on the upstream side of the discharge flow path 72 is larger than the diameter Dd of the discharge port 74.
  • the length Lb is longer than the length La.
  • the length Lb is the length from the connection portion with the second supply flow path 73 in the discharge flow path 72 to the discharge port 74
  • the length La is the length with the first supply flow path 71 in the discharge flow path 72. It is the length from the connecting portion to the connecting portion with the second supply flow path 73.
  • the length La is longer than the length Lb. As a result, it is possible to prevent the second liquid L2 from flowing back to the first supply flow path 71.
  • the supply pressure of the first liquid L1 is larger than the supply pressure of the second liquid L2.
  • the second liquid L2 is the first supply flow path 71. It is possible to suppress backflow to.
  • the length La is longer than the length Lb. As a result, it is possible to prevent damage to the joint surface between the vibrating body 62 and the vibrator 61 due to the reaction heat generated in the mixed solution M.
  • the treatment liquid nozzle (nozzle 41a) is connected to the upstream side of the first supply flow path 71 or the connection portion with the second supply flow path 73 in the discharge flow path 72, and is connected to the third liquid.
  • a third supply flow path for supplying the above is further provided. Thereby, the cleaning treatment can be carried out with the mixed liquid M in which the three kinds of liquids are mixed.
  • the processing liquid nozzle (nozzle 41a) according to the embodiment further includes a static elimination unit for statically eliminating the mixed liquid M discharged from the discharge port 74.
  • a static elimination unit for statically eliminating the mixed liquid M discharged from the discharge port 74.
  • the cleaning device (board processing system 1) includes the processing liquid nozzle (nozzle 41a) described above and a substrate processing unit 30 that holds and rotates the substrate (wafer W). As a result, it is possible to realize a cleaning device in which damage to the vibrating body 62 is suppressed inside the nozzle 41a.
  • the cleaning device (board processing system 1) further includes a dummy dispense bath 82 provided at a standby position of the processing liquid nozzle (nozzle 41a).
  • the dummy dispense bath 82 has a suction nozzle 83 that sucks the liquid (mixed liquid M) adhering to the discharge port 74. As a result, it is possible to prevent the mixed liquid M from dripping from the discharge port 74.
  • the cleaning device (board processing system 1) further includes a control unit 18 for controlling each unit. Then, the control unit 18 adheres to the discharge port 74 of the processing liquid nozzle (nozzle 41a) that stands by in the dummy dispense bath 82 before the substrate (wafer W) is processed by the substrate processing unit 30 (mixed liquid M). Is sucked by the suction nozzle 83. As a result, when the nozzle 41a is moved above the wafer W before the cleaning treatment, it is possible to prevent the mixed liquid M from dripping on the wafer W by mistake.
  • the cleaning device (board processing system 1) further includes a dummy dispense bath 82 provided at a standby position of the processing liquid nozzle (nozzle 41a).
  • the dummy dispense bath 82 has an air blow portion 84 that air blows the liquid (mixed liquid M) adhering to the discharge port 74. As a result, it is possible to prevent the mixed liquid M from dripping from the discharge port 74.
  • the cleaning device (board processing system 1) further includes a control unit 18 for controlling each unit. Then, the control unit 18 adheres to the discharge port 74 of the processing liquid nozzle (nozzle 41a) that stands by in the dummy dispense bath 82 before the substrate (wafer W) is processed by the substrate processing unit 30 (mixed liquid M). Is air blown by the air blow unit 84. As a result, when the nozzle 41a is moved above the wafer W before the cleaning treatment, it is possible to prevent the mixed liquid M from dripping on the wafer W by mistake.
  • the present disclosure is not limited to the above embodiments, and various changes can be made as long as the purpose is not deviated.
  • the nozzle 41a is applied to the cleaning process of the wafer W
  • the process to which the nozzle 41a is applied is not limited to the cleaning process of the wafer W
  • the nozzle 41a is used for various liquid processes. Can be applied.
  • Substrate processing system (an example of cleaning equipment) 16 Processing unit 18 Control unit 30 Board processing unit 41a Nozzle (Example of processing liquid nozzle) 60 Ultrasonic wave applying part 61 Oscillator 62 Vibrating body 71 First supply flow path 72 Discharge flow path 73 Second supply flow path 74 Discharge port 82 Dummy dispense bath 83 Suction nozzle 84 Air blow part Da, Db, Dc Inner diameter Dd Diameter L1 No. 1 liquid L2 2nd liquid La, Lb length

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本開示の一態様による処理液ノズルは、超音波付与部（６０）と、第１供給流路（７１）と、吐出流路（７２）と、第２供給流路（７３）とを備える。超音波付与部（６０）は、超音波を発生させる振動子（６１）と、振動子（６１）に接合される振動体（６２）とを有する。第１供給流路（７１）は、超音波付与部（６０）の振動体（６２）に接する位置に第１の液体（Ｌ１）を供給する。吐出流路（７２）は、超音波付与部（６０）によって超音波が付与された第１の液体（Ｌ１）を吐出口（７４）に供給する。第２供給流路（７３）は、吐出流路（７２）の超音波付与部（６０）よりも下流側に接続され、吐出流路（７２）に第２の液体（Ｌ２）を供給する。

Description

処理液ノズルおよび洗浄装置
　開示の実施形態は、処理液ノズルおよび洗浄装置に関する。
　従来、半導体ウェハ（以下、ウェハとも呼称する。）などの基板の表面を、処理液ノズルから吐出される超音波が付与された洗浄液で洗浄する技術が知られている（特許文献１参照）。
特開２００９－２００３３１号公報
　本開示は、処理液ノズル内で洗浄液に超音波を付与する振動体が破損することを抑制することができる技術を提供する。
　本開示の一態様による処理液ノズルは、超音波付与部と、第１供給流路と、吐出流路と、第２供給流路とを備える。超音波付与部は、超音波を発生させる振動子と、前記振動子に接合される振動体とを有する。第１供給流路は、前記超音波付与部の前記振動体に接する位置に第１の液体を供給する。吐出流路は、前記超音波付与部によって超音波が付与された前記第１の液体を吐出口に供給する。第２供給流路は、前記吐出流路の前記超音波付与部よりも下流側に接続され、前記吐出流路に第２の液体を供給する。
　本開示によれば、処理液ノズル内で洗浄液に超音波を付与する振動体が破損することを抑制することができる。
図１は、実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す模式図である。 図２は、処理ユニットの具体的な構成例を示す模式図である。 図３は、実施形態に係る処理液ノズルの構成を示す図である。 図４は、実施形態に係る処理液ノズルの液だれ抑制処理を説明するための図である。 図５は、実施形態に係る処理液ノズルの液だれ抑制処理を説明するための図である。 図６は、実施形態に係る処理液ノズルの構成を示す図である。 図７は、実施形態の変形例に係る処理液ノズルの構成を示す図である。 図８は、実施形態に係るダミーディスペンスバスの構成を示す図である。 図９は、実施形態の他の変形例に係る処理液ノズルの構成を示す図である。 図１０は、実施形態の変形例に係るダミーディスペンスバスの構成を示す図である。
　以下、添付図面を参照して、本願の開示する処理液ノズルおよび洗浄装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により本開示が限定されるものではない。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
　従来、半導体ウェハ（以下、ウェハとも呼称する。）などの基板の表面を、処理液ノズルから吐出される超音波が付与された洗浄液で洗浄する技術が知られている。一方で、かかる洗浄液に発泡性の液体を用いる場合、付与される超音波によって液体内の泡がはじけることから、泡がはじける際の衝撃力で超音波を付与する振動体が破損する恐れがあった。
　そこで、上述の問題点を克服し、処理液ノズル内で洗浄液に超音波を付与する振動体が破損することを抑制することができる技術の実現が期待されている。
＜基板処理システムの概要＞
　最初に、図１を参照しながら、実施形態に係る基板処理システム１の概略構成について説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システム１の概略構成を示す図である。なお、基板処理システム１は、洗浄装置の一例である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
　図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
　搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、実施形態では半導体ウェハＷ（以下、ウェハＷと呼称する。）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
　搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
　処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
　搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
　処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。
　また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
　なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
　上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
　処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
＜処理ユニットの構成＞
　次に、処理ユニット１６の構成について、図２を参照しながら説明する。図２は、処理ユニット１６の具体的な構成例を示す模式図である。図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板処理部３０と、液供給部４０と、回収カップ５０とを備える。
　チャンバ２０は、基板処理部３０と、液供給部４０と、回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan　Filter　Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
　基板処理部３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備え、載置されたウェハＷに液処理を施す。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。
　かかる基板処理部３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。
　基板処理部３０が備える保持部３１の上面には、ウェハＷを側面から保持する保持部材３１ａが設けられる。ウェハＷは、かかる保持部材３１ａによって保持部３１の上面からわずかに離間した状態で水平保持される。なお、ウェハＷは、基板処理が行われる表面を上方に向けた状態で保持部３１に保持される。
　液供給部４０は、ウェハＷに対して処理流体を供給する。液供給部４０は、複数（ここでは２つ）のノズル４１ａ、４１ｂと、かかるノズル４１ａ、４１ｂをそれぞれ水平に支持するアーム４２ａ、４２ｂと、アーム４２ａ、４２ｂをそれぞれ旋回および昇降させる旋回昇降機構４３ａ、４３ｂとを備える。ノズル４１ａは、処理液ノズルの一例である。
　ノズル４１ａは、バルブ４４ａおよび流量調整器４５ａを介して第１液体供給部４６ａに接続されるとともに、バルブ４４ｂおよび流量調整器４５ｂを介して第２液体供給部４６ｂに接続される。
　第１液体供給部４６ａから供給される第１の液体Ｌ１（図３参照）は、強酸性または強アルカリ性を有する薬液であり、たとえば、濃硫酸やアンモニアなどである。第２液体供給部４６ｂから供給される第２の液体Ｌ２（図３参照）は、発泡性を有する薬液であり、たとえば、過酸化水素水やＤＩＷ（DeIonized　Water：脱イオン水）などである。
　なお、本開示において「第２の液体Ｌ２は発泡性を有する」とは、第２の液体Ｌ２が単体で発泡する場合に限られず、第２の液体Ｌ２が他の液体（たとえば、第１の液体Ｌ１）と混ざることにより初めて発泡する場合も含まれる。
　ノズル４１ｂは、バルブ４４ｃおよび流量調整器４５ｃを介してＤＩＷ供給源４６ｃに接続される。ＤＩＷは、たとえばリンス処理に用いられる。なお、リンス処理に用いる処理液はＤＩＷに限られない。
　ノズル４１ａからは、第１液体供給部４６ａから供給される第１の液体Ｌ１と、第２液体供給部４６ｂから供給される第２の液体Ｌ２とが混ざった混合液Ｍ（図３参照）が吐出される。かかるノズル４１ａの詳細については後述する。ノズル４１ｂからは、ＤＩＷ供給源４６ｃより供給されるＤＩＷが吐出される。
　回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。
　なお、実施形態の処理ユニット１６では、ノズルが２つ設けられる例について示したが、処理ユニット１６に設けられるノズルの数は２つに限られない。
＜処理液ノズルの詳細＞
　次に、実施形態に係る処理液ノズルの一例であるノズル４１ａの詳細について、図３を参照しながら説明する。図３は、実施形態に係る処理液ノズルの構成を示す図である。
　図３に示すように、ノズル４１ａは、超音波付与部６０と、第１供給流路７１と、吐出流路７２と、第２供給流路７３とを備える。ノズル４１ａは、第１供給流路７１から供給される第１の液体Ｌ１と第２供給流路７３から供給される第２の液体Ｌ２とを混合して混合液Ｍを生成し、かかる混合液Ｍに超音波Ｓを付与して、吐出口７４からウェハＷに吐出する。
　ここで、図３に示すように、吐出口７４から吐出される混合液ＭがウェハＷまで途切れることなく吐出されることにより、超音波付与部６０で付与された超音波ＳをウェハＷ上に着液した混合液Ｍまで伝達することができる。
　すなわち、実施形態に係るノズル４１ａは、ウェハＷを混合液Ｍで洗浄する際に、超音波Ｓによる物理力を利用して洗浄することができる。したがって、実施形態によれば、化学的安定性の高い膜（たとえば、犠牲膜など）がウェハＷに形成されている場合であっても、高い洗浄力でこの化学的安定性の高い膜を除去することができる。
　次に、ノズル４１ａにおける各部の詳細について説明する。超音波付与部６０は、振動子６１と、振動体６２とを有する。
　振動子６１は、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）などの圧電セラミックスで形成される。振動子６１は、外部から所与の発振周波数を有する駆動信号が入力されることにより、かかる所与の発信周波数を有する超音波Ｓを発生させる。振動子６１は、たとえば、２００ｋＨｚ以上の比較的高い周波数の超音波Ｓを発生させることができる。
　振動体６２は、振動子６１に強固に接合される。すなわち、超音波付与部６０では、振動体６２と振動子６１とが一体で振動するように構成されることから、振動体６２は、振動時における負荷としての機能を有する。
　したがって、実施形態によれば、振動体６２を第１の液体Ｌ１に直接接触させて超音波Ｓを付与することにより、振動子６１を第１の液体Ｌ１に直接接触させて超音波Ｓを付与する場合に比べて、インピーダンスの変動を小さくすることができる。
　振動体６２は、耐薬品性および耐熱性を有する無機材料で形成される。振動体６２は、たとえば、石英、サファイアなどの鉱物系材料や、アルミナ、チタニア、シリカ、炭化珪素などのセラミック材料などで形成される。
　第１供給流路７１は、超音波付与部６０の振動体６２に接する位置に第１の液体Ｌ１を供給する。第１供給流路７１は、振動体６２が設けられる吐出流路７２の上流側に接続される。そして、第１供給流路７１は、第１液体供給部４６ａ、バルブ４４ａおよび流量調整器４５ａを介して、第１の液体Ｌ１を吐出流路７２の上流側に供給する。
　吐出流路７２は、下方に直線状に延びるようにノズル４１ａの内部に形成される。吐出流路７２は、上流側に超音波付与部６０の振動体６２が設けられ、下流側にノズル４１ａの吐出口７４が形成される。そして、吐出流路７２は、超音波付与部６０によって超音波Ｓが付与された第１の液体Ｌ１や、かかる第１の液体Ｌ１を用いて生成される混合液Ｍを吐出口７４に供給する。
　実施形態では、吐出流路７２が直線状に形成されることから、超音波付与部６０で付与された超音波ＳをウェハＷの表面まで円滑に伝達することができる。
　第２供給流路７３は、吐出流路７２に第２の液体Ｌ２を供給する。第２供給流路７３は、吐出流路７２の超音波付与部６０よりも下流側に接続される。そして、第２供給流路７３は、第２液体供給部４６ｂ、バルブ４４ｂおよび流量調整器４５ｂを介して、第２の液体Ｌ２を吐出流路７２の超音波付与部６０よりも下流側に供給する。
　そして、第２供給流路７３から吐出流路７２に第２の液体Ｌ２が供給されることにより、吐出流路７２の内部で第１の液体Ｌ１と第２の液体Ｌ２との混合液Ｍが生成される。そして、実施形態では、第２の液体Ｌ２が発泡性を有することから、少なくとも混合液Ｍには泡Ｂが含まれる。
　なお、第２の液体Ｌ２として過酸化水素水を用いた場合、第２の液体Ｌ２自体が発泡性を有することから、図３に示すように、混合液Ｍの他に第２の液体Ｌ２にも泡Ｂが含まれる。
　ここで、実施形態では、第２供給流路７３を超音波付与部６０よりも下流側に接続することにより、泡Ｂが含まれる混合液Ｍを超音波付与部６０よりも下流側で生成することができる。
　すなわち、実施形態では、泡Ｂが含まれる混合液Ｍを超音波付与部６０から離れた位置で生成することができることから、超音波Ｓによって混合液Ｍ内の泡Ｂがはじけたとしても、かかる泡Ｂがはじける際の衝撃力を振動体６２まで伝達しにくくすることができる。
　したがって、実施形態によれば、混合液Ｍに付与される超音波Ｓおよび混合液Ｍに含まれる泡Ｂに起因して、ノズル４１ａの内部で振動体６２が破損することを抑制することができる。
　また、実施形態では、発泡性を有する混合液Ｍが吐出流路７２の下流側だけに位置していることから、洗浄処理が終わって混合液Ｍの吐出が停止された場合に、ノズル４１ａの内部に残る混合液Ｍの量を最小限に抑えることができる。
　これにより、混合液Ｍの内部で発泡が継続して混合液Ｍの体積が膨張する際に、かかる体積の膨張を最小限に抑えることができる。したがって、実施形態によれば、混合液Ｍの吐出が停止された場合に、かかる混合液Ｍが膨張して吐出口７４から液だれすることを抑制することができる。
　また、実施形態では、第１の液体Ｌ１が強酸性または強アルカリ性を有し、第２の液体Ｌ２が発泡性を有するとよい。これにより、犠牲膜などの化学的安定性が高い膜がウェハＷに形成されている場合であっても、高い洗浄力でこの化学的安定性が高い膜を除去することができる。
　また、実施形態では、吐出口７４から吐出される混合液Ｍを除電する除電部（図示せず）をさらに備えるとよい。かかる除電部は、たとえば、ノズル４１ａの本体部や超音波付与部６０の間と、接地電位との間を接続する配線によって構成される。
　これにより、ウェハＷの帯電やアーキングが問題となる場合において、混合液Ｍで洗浄処理を実施する際にウェハＷの帯電やアーキングの発生を抑制することができる。
　また、第２供給流路７３の上流側は、バルブ８１を介してドレイン部ＤＲに接続される。なお、かかるバルブ８１およびドレイン部ＤＲは、第２供給流路７３よりも下に位置する。つづいて、かかるバルブ８１を用いた液だれ抑制処理の詳細について、図４および図５を参照しながら説明する。
　図４および図５は、実施形態に係る処理液ノズルの液だれ抑制処理を説明するための図である。なお、図４は、ノズル４１ａから超音波Ｓが付与された混合液Ｍを吐出して、ウェハＷの洗浄処理を実施している場合を示している。
　ノズル４１ａを用いてウェハＷの洗浄処理を実施している場合、第１供給流路７１に接続されるバルブ４４ａおよび第２供給流路７３に接続されるバルブ４４ｂはいずれも開状態（なお、以降の図では「Ｏ」と記載する。）である。
　また、この場合、バルブ８１は閉状態（なお、以降の図では「Ｃ」と記載する。）であり、超音波付与部６０からは超音波Ｓが出力される。これにより、ノズル４１ａの吐出口７４から超音波Ｓが付与された混合液Ｍを吐出することができる。
　そして、ウェハＷの洗浄処理が終わって混合液Ｍの吐出を終了する場合、制御部１８（図１参照）は、図５に示すように、まず超音波付与部６０による超音波Ｓの出力を停止する（ステップＳ０１）。次に、制御部１８は、バルブ４４ａを閉状態にして、吐出流路７２への第１の液体Ｌ１の供給を停止する（ステップＳ０２）。
　このように、超音波Ｓの出力を停止した後に第１の液体Ｌ１の供給を停止することにより、超音波付与部６０が超音波Ｓを空だきすることを抑制することができる。したがって、実施形態によれば、かかる空だきによって超音波付与部６０が破損することを抑制することができる。
　次に、制御部１８は、バルブ４４ｂを閉状態にして、吐出流路７２への第２の液体Ｌ２の供給を停止する（ステップＳ０３）。なお、かかるステップＳ０３は、上述のステップＳ０２と同時に実施してもよい。
　そして、制御部１８は、バルブ８１を開状態にして、第２供給流路７３に残る第２の液体Ｌ２をドレイン部ＤＲに排出する（ステップＳ０４）。これにより、吐出口７４の近傍に残る混合液Ｍを吐出流路７２の上流側に戻すことができる。
　ここまで説明した処理によって、実施形態では、吐出口７４の近傍に残る混合液Ｍが外部に液だれすることを抑制することができる。
　なお、ウェハＷの洗浄処理をふたたび開始する際には、第１供給流路７１から第１の液体Ｌ１が吐出流路７２に供給された後に、超音波付与部６０から超音波Ｓを出力するとよい。これにより、超音波付与部６０が超音波Ｓを空だきすることを抑制することができることから、かかる空だきによって超音波付与部６０が破損することを抑制することができる。
　また、図４および図５の例では、第２供給流路７３よりも下方に設けられるバルブ８１を用いて、自重により第２供給流路７３に残る第２の液体Ｌ２をドレイン部ＤＲに排出する例について示した。しかしながら、実施形態では、第２供給流路７３に残る第２の液体Ｌ２を強制的にドレイン部ＤＲに排出してもよい。
　たとえば、バルブ８１と第２供給流路７３との間にアスピレータやイジェクタなどを追加して、かかるアスピレータやイジェクタなどを動作させることにより、第２供給流路７３に残る第２の液体Ｌ２をドレイン部ＤＲに強制的に排出することができる。
　つづいて、ノズル４１ａにおける各部の好適な寸法について、図６を参照しながら説明する。図６は、実施形態に係る処理液ノズルの構成を示す図である。
　以降の説明では、図６に示すように、第１供給流路７１の内径をＤａとし、吐出流路７２の内径をＤｂとし、第２供給流路７３の内径をＤｃとし、吐出口７４の口径をＤｄとする。また、吐出流路７２において、第１供給流路７１との接続部から第２供給流路７３との接続部までの長さをＬａとし、第２供給流路７３との接続部から吐出口７４までの長さをＬｂとする。
　実施形態では、第１供給流路７１との接続部から第２供給流路７３との接続部までの長さＬａが、吐出口７４の口径Ｄｄ以上の長さであるとよい。これにより、第２の液体Ｌ２や混合液Ｍに含まれる泡Ｂが、振動体６２の近傍まで逆流することを抑制することができる。
　したがって、実施形態によれば、泡Ｂに起因してノズル４１ａの内部で振動体６２が破損することをさらに抑制することができる。なお、吐出口７４の口径Ｄｄ自体は、特に限定されることはなく、ウェハＷの洗浄処理に必要となる混合液Ｍの吐出流量に合わせて適宜設定することができる。
　また、第１供給流路７１の内径Ｄａや第２供給流路７３の内径Ｄｃも特に限定されることはなく、ウェハＷの洗浄処理に必要となる第１の液体Ｌ１および第２の液体Ｌ２の供給流量に合わせて適宜設定することができる。
　たとえば、第１の液体Ｌ１と第２の液体Ｌ２との混合比が２：１である場合、内径Ｄａと内径Ｄｃとの比を２：１に設定してもよく、内径Ｄａと内径Ｄｃとを同じ値に設定してもよい。
　また、実施形態では、第２供給流路７３との接続部から吐出口７４までの長さＬｂが、吐出口７４の口径Ｄｄ以上の長さであるとよい。これにより、第１の液体Ｌ１と第２の液体Ｌ２とを混合するために十分な流路の長さを確保することができる。
　また、実施形態では、第１の液体Ｌ１の粘度が第２の液体Ｌ２の粘度よりも大きい場合、第２供給流路７３との接続部から吐出口７４までの長さＬｂが、第１供給流路７１との接続部から第２供給流路７３との接続部までの長さＬａよりも長いとよい。
　このように、第２の液体Ｌ２が低粘度である場合に、長さＬｂの値を大きく設定することにより、吐出口７４近傍における混合液Ｍが十分な表面張力を確保することができる。したがって、実施形態によれば、混合液Ｍが吐出口７４から液だれすることを抑制することができる。なお、第２の液体Ｌ２が高粘度である場合には、長さＬｂの値を小さく設定してもよい。
　また、実施形態では、第１の液体Ｌ１の流量が第２の液体Ｌ２の流量よりも小さい場合、第１供給流路７１との接続部から第２供給流路７３との接続部までの長さＬａが、第２供給流路７３との接続部から吐出口７４までの長さＬｂよりも長いとよい。
　このように、第２の液体Ｌ２の流量よりも第１の液体Ｌ１の流量のほうが小さい場合に、長さＬａの値を大きく設定することにより、第２の液体Ｌ２が第１供給流路７１まで逆流することを抑制することができる。
　なお、第２の液体Ｌ２の流量よりも第１の液体Ｌ１の流量のほうが大きい場合には、第２の液体Ｌ２が第１供給流路７１まで逆流する可能性は小さい。
　また、実施形態では、第１の液体Ｌ１の供給圧力が、第２の液体Ｌ２の供給圧力よりも大きいとよい。これにより、第１供給流路７１との接続部から第２供給流路７３との接続部までの長さＬａが短く設定されている場合でも、第２の液体Ｌ２が第１供給流路７１まで逆流することを抑制することができる。
　また、実施形態では、第１の液体Ｌ１と第２の液体Ｌ２とを混合すると反応熱が発生する場合、第１供給流路７１との接続部から第２供給流路７３との接続部までの長さＬａが、第２供給流路７３との接続部から吐出口７４までの長さＬｂよりも長いとよい。
　このように、第１の液体Ｌ１と第２の液体Ｌ２とを混合すると反応熱が発生する場合、長さＬａの値を大きく設定することにより、混合液Ｍで生じた反応熱が振動体６２に伝わることを抑制することができる。
　したがって、実施形態によれば、混合液Ｍで生じる反応熱に起因して、振動体６２と振動子６１との接合面などにダメージが加わることを抑制することができる。
　なお、実施形態では、振動体６２と直接接触する第１の液体Ｌ１の温度自体も低温（たとえば、室温以下）のほうがよい。これにより、振動体６２と振動子６１との接合面などにダメージが加わることを抑制することができる。
　また、実施形態では、吐出流路７２の内径Ｄｂが、吐出口７４の口径Ｄｄと等しいとよい。これにより、吐出流路７２を流れる第１の液体Ｌ１や混合液Ｍの圧損を最小限にすることができることから、混合液Ｍを効率よく吐出することができる。
　なお、吐出流路７２の内径Ｄｂは、吐出口７４の口径Ｄｄと等しい場合に限られない。図７は、実施形態の変形例に係る処理液ノズルの構成を示す図である。図７に示すように、この変形例では、吐出流路７２における上流側の内径Ｄｂ１が吐出口７４の口径Ｄｄよりも大きい。すなわち、この変形例では、吐出流路７２における上流側の内径Ｄｂ１が、吐出口７４に繋がる下流側の内径Ｄｂ２よりも大きい。
　これにより、ウェハＷの洗浄処理に必要となる混合液Ｍ（図３参照）の吐出流量に合わせて、吐出口７４の口径Ｄｄを適宜設定することができるとともに、かかる口径Ｄｄよりも大きなサイズの振動体６２を吐出流路７２の上流側に設置することができる。
　したがって、変形例によれば、さらに高出力の超音波Ｓ（図３参照）を混合液Ｍに付与することができることから、さらに高い洗浄力でウェハＷを洗浄することができる。
　また、変形例では、吐出流路７２において内径がＤｂからＤｃに変化する部位に、テーパ７２ａを設けるとよい。これにより、振動体６２から伝達される超音波Ｓが吐出流路７２の内壁に当たって、振動体６２に直接跳ね返ることを抑制することができる。
　また、ここまで説明した実施形態では、２種類の液体を混合して混合液Ｍを生成する例について示したが、３種類以上の液体を混合して混合液Ｍを生成してもよい。たとえば、第１の液体Ｌ１としてアンモニアを用い、第２の液体Ｌ２として過酸化水素水を用い、第３の液体としてＤＩＷを用いて混合液Ｍを生成してもよい。
　そして、第３の液体をさらに混合して混合液Ｍを生成する場合、かかる第３の液体を供給する第３供給流路は、第１供給流路７１に接続されるか、または吐出流路７２における第２供給流路７３との接続部よりも上流側に接続されるとよい。
　また、図３の例では、吐出流路６２を略鉛直に向けてウェハＷに混合液Ｍを吐出する例について示したが、吐出流路６２を斜めに向けてウェハＷに混合液を吐出してもよい。これにより、ウェハＷ上で跳ね返った混合液Ｍがノズル４１ａに付着し、ノズル４１ａが汚染されることを抑制することができる。
　さらにこの場合、制御部１８は、ノズル４１ａの位置を制御して、ウェハＷの洗浄処理の前半部分でウェハＷの回転方向に向かい合う向きに混合液Ｍを吐出するとともに、洗浄処理の後半部分ではウェハＷの回転方向に沿う向きに混合液Ｍを吐出するとよい。
　これにより、洗浄処理の前半部分では、ウェハＷ上での超音波Ｓの滞在時間をさらに延ばすことができることから、化学的安定性が高い膜を効率よく除去することができる。また、洗浄処理の後半部分では、ウェハＷ上での超音波Ｓの滞在時間を短くすることができることから、膜が剥離したウェハＷの表面へのダメージを抑制することができる。
＜液だれ抑制機構の詳細＞
　つづいて、実施形態に係る各種液だれ抑制機構の詳細について、図８～図１０を参照しながら説明する。図８は、実施形態に係るダミーディスペンスバス８２の構成を示す図である。以下に説明するダミーディスペンスバス８２は、液だれ抑制機構の一例である。
　ダミーディスペンスバス８２は、処理ユニット１６（図２参照）におけるチャンバ２０（図２）の内部に設けられ、ノズル４１ａの待機位置の下方に配置される。ダミーディスペンスバス８２は、ノズル４１ａに接続される各流路内の気泡や異物などの排除を目的としたダミーディスペンス処理の際に、ノズル４１ａから吐出される混合液Ｍを受け入れ、受け入れた混合液Ｍをドレイン部ＤＲに排出する。
　また、実施形態に係るダミーディスペンスバス８２は、ノズル４１ａから吐出される混合液Ｍを受け入れる機能に加えて、ノズル４１ａの吐出口７４に付着する混合液Ｍの液滴を吸引する吸引ノズル８３を備える。
　そして、かかる吸引ノズル８３を動作させて、ノズル４１ａの吐出口７４に付着する混合液Ｍの液滴を吸引することにより、混合液Ｍが吐出口７４から液だれすることを抑制することができる。
　また、制御部１８は、ウェハＷを基板処理部３０で洗浄処理する前に、ダミーディスペンスバス８２で待機するノズル４１ａの吐出口７４に付着する混合液Ｍを吸引ノズル８３で吸引するとよい。
　これにより、洗浄処理される前のウェハＷの上方にノズル４１ａを移動させる際に、誤ってウェハＷ上に混合液Ｍが液だれすることを抑制することができる。
　なお、図８の例では、吸引ノズル８３がダミーディスペンスバス８２に設けられる例について示したが、吸引ノズル８３が設けられる箇所はダミーディスペンスバス８２に限られない。図９は、実施形態の他の変形例に係る処理液ノズルの構成を示す図である。
　図９に示すように、ノズル４１ａの吐出口７４近傍に吸引口が設けられるように、上述の吸引ノズル８３をアーム４２ａに設けてもよい。これにより、ノズル４１ａが待機位置に待機していない状態であっても、混合液Ｍが吐出口７４から液だれすることを抑制することができる。
　たとえば、図９の例では、洗浄処理が終わってノズル４１ａが待機位置に戻る際に吸引ノズル８３を動作させて、ノズル４１ａの吐出口７４に付着する混合液Ｍの液滴を吸引するとよい。
　図１０は、実施形態の変形例に係るダミーディスペンスバス８２の構成を示す図である。図１０に示すように、変形例に係るダミーディスペンスバス８２は、ノズル４１ａから吐出される混合液Ｍを受け入れる機能に加えて、ノズル４１ａの吐出口７４に付着する混合液Ｍの液滴をエアブローするエアブロー部８４を備える。
　そして、かかる吸引ノズル８３を動作させて、ノズル４１ａの吐出口７４に付着する混合液Ｍの液滴をエアブローすることにより、混合液Ｍが吐出口７４から液だれすることを抑制することができる。
　また、制御部１８は、ウェハＷを基板処理部３０で洗浄処理する前に、ダミーディスペンスバス８２で待機するノズル４１ａの吐出口７４に付着する混合液Ｍをエアブロー部８４でエアブローするとよい。
　これにより、洗浄処理される前のウェハＷの上方にノズル４１ａを移動させる際に、誤ってウェハＷ上に混合液Ｍが液だれすることを抑制することができる。なお、エアブロー部８４でエアブローされた混合液Ｍの液滴は、ダミーディスペンスバス８２で受け止められ、ドレイン部ＤＲに排出される。
　実施形態に係る処理液ノズル（ノズル４１ａ）は、超音波付与部６０と、第１供給流路７１と、吐出流路７２と、第２供給流路７３とを備える。超音波付与部６０は、超音波Ｓを発生させる振動子６１と、振動子６１に接合される振動体６２とを有する。第１供給流路７１は、超音波付与部６０の振動体６２に接する位置に第１の液体Ｌ１を供給する。吐出流路７２は、超音波付与部６０によって超音波Ｓが付与された第１の液体Ｌ１を吐出口７４に供給する。第２供給流路７３は、吐出流路７２の超音波付与部６０よりも下流側に接続され、吐出流路７２に第２の液体Ｌ２を供給する。これにより、混合液Ｍに付与される超音波Ｓおよび混合液Ｍに含まれる泡Ｂに起因して、ノズル４１ａの内部で振動体６２が破損することを抑制することができる。
　また、実施形態に係る処理液ノズル（ノズル４１ａ）において、第１の液体Ｌ１は、強酸性または強アルカリ性を有し、第２の液体Ｌ２は、発泡性を有する。これにより、犠牲膜などの化学的安定性の高い膜がウェハＷに形成されている場合であっても、高い洗浄力でこの化学的安定性の高い膜を除去することができる。
　また、実施形態に係る処理液ノズル（ノズル４１ａ）において、吐出流路７２において、第１供給流路７１との接続部から第２供給流路７３との接続部までの長さＬａは、吐出口７４の口径Ｄｄ以上の長さである。これにより、泡Ｂに起因してノズル４１ａの内部で振動体６２が破損することをさらに抑制することができる。
　また、実施形態に係る処理液ノズル（ノズル４１ａ）において、吐出流路７２において、第２供給流路７３との接続部から吐出口７４までの長さＬｂは、吐出口７４の口径Ｄｄ以上の長さである。これにより、第１の液体Ｌ１と第２の液体Ｌ２とを混合するために十分な流路の長さを確保することができる。
　また、実施形態に係る処理液ノズル（ノズル４１ａ）において、吐出流路７２の内径Ｄｂは、吐出口７４の口径Ｄｄと等しい。これにより、吐出流路７２を流れる第１の液体Ｌ１や混合液Ｍの圧損を最小限にすることができることから、混合液Ｍを効率よく吐出することができる。
　また、実施形態に係る処理液ノズル（ノズル４１ａ）において、吐出流路７２における上流側の内径Ｄｂ１は、吐出口７４の口径Ｄｄよりも大きい。これにより、さらに高出力の超音波Ｓを混合液Ｍに付与することができることから、さらに高い洗浄力でウェハＷを洗浄することができる。
　また、実施形態に係る処理液ノズル（ノズル４１ａ）において、第１の液体Ｌ１の粘度が第２の液体Ｌ２の粘度よりも大きい場合、長さＬｂは長さＬａよりも長い。かかる長さＬｂは、吐出流路７２における第２供給流路７３との接続部から吐出口７４までの長さであり、長さＬａは、吐出流路７２における第１供給流路７１との接続部から第２供給流路７３との接続部までの長さである。これにより、混合液Ｍが吐出口７４から液だれすることを抑制することができる。
　また、実施形態に係る処理液ノズル（ノズル４１ａ）において、第１の液体Ｌ１の流量が第２の液体Ｌ２の流量よりも小さい場合、長さＬａは長さＬｂよりも長い。これにより、第２の液体Ｌ２が第１供給流路７１まで逆流することを抑制することができる。
　また、実施形態に係る処理液ノズル（ノズル４１ａ）において、第１の液体Ｌ１の供給圧力は、第２の液体Ｌ２の供給圧力よりも大きい。これにより、第１供給流路７１との接続部から第２供給流路７３との接続部までの長さＬａが短く設定されている場合でも、第２の液体Ｌ２が第１供給流路７１まで逆流することを抑制することができる。
　また、実施形態に係る処理液ノズル（ノズル４１ａ）において、第１の液体Ｌ１と第２の液体Ｌ２とを混合すると反応熱が発生する場合、長さＬａは長さＬｂよりも長い。これにより、混合液Ｍで生じる反応熱に起因して、振動体６２と振動子６１との接合面などにダメージが加わることを抑制することができる。
　また、実施形態に係る処理液ノズル（ノズル４１ａ）は、第１供給流路７１、または吐出流路７２における第２供給流路７３との接続部よりも上流側に接続され、第３の液体を供給する第３供給流路をさらに備える。これにより、３種類の液体を混合した混合液Ｍで洗浄処理を実施することができる。
　また、実施形態に係る処理液ノズル（ノズル４１ａ）は、吐出口７４から吐出される混合液Ｍを除電する除電部をさらに備える。これにより、ウェハＷの帯電やアーキングが問題となる場合において、混合液Ｍで洗浄処理を実施する際にウェハＷの帯電やアーキングの発生を抑制することができる。
　実施形態に係る洗浄装置（基板処理システム１）は、上記に記載の処理液ノズル（ノズル４１ａ）と、基板（ウェハＷ）を保持して回転させる基板処理部３０とを備える。これにより、ノズル４１ａの内部で振動体６２の破損が抑制された洗浄装置を実現することができる。
　また、実施形態に係る洗浄装置（基板処理システム１）は、処理液ノズル（ノズル４１ａ）の待機位置に設けられるダミーディスペンスバス８２をさらに備える。そして、ダミーディスペンスバス８２は、吐出口７４に付着する液体（混合液Ｍ）を吸引する吸引ノズル８３を有する。これにより、混合液Ｍが吐出口７４から液だれすることを抑制することができる。
　また、実施形態に係る洗浄装置（基板処理システム１）は、各部を制御する制御部１８をさらに備える。そして、制御部１８は、基板（ウェハＷ）を基板処理部３０で処理する前に、ダミーディスペンスバス８２で待機する処理液ノズル（ノズル４１ａ）の吐出口７４に付着する液体（混合液Ｍ）を吸引ノズル８３で吸引する。これにより、洗浄処理される前のウェハＷの上方にノズル４１ａを移動させる際に、誤ってウェハＷ上に混合液Ｍが液だれすることを抑制することができる。
　また、実施形態に係る洗浄装置（基板処理システム１）は、処理液ノズル（ノズル４１ａ）の待機位置に設けられるダミーディスペンスバス８２をさらに備える。そして、ダミーディスペンスバス８２は、吐出口７４に付着する液体（混合液Ｍ）をエアブローするエアブロー部８４を有する。これにより、混合液Ｍが吐出口７４から液だれすることを抑制することができる。
　また、実施形態に係る洗浄装置（基板処理システム１）は、各部を制御する制御部１８をさらに備える。そして、制御部１８は、基板（ウェハＷ）を基板処理部３０で処理する前に、ダミーディスペンスバス８２で待機する処理液ノズル（ノズル４１ａ）の吐出口７４に付着する液体（混合液Ｍ）をエアブロー部８４でエアブローする。これにより、洗浄処理される前のウェハＷの上方にノズル４１ａを移動させる際に、誤ってウェハＷ上に混合液Ｍが液だれすることを抑制することができる。
　以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上記の実施形態では、ウェハＷの洗浄処理にノズル４１ａを適用した例について示したが、ノズル４１ａが適用される処理はウェハＷの洗浄処理に限られず、各種の液処理にノズル４１ａを適用することができる。
　今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
　Ｗ　　　ウェハ
　１　　　基板処理システム（洗浄装置の一例）
　１６　　処理ユニット
　１８　　制御部
　３０　　基板処理部
　４１ａ　ノズル（処理液ノズルの一例）
　６０　　超音波付与部
　６１　　振動子
　６２　　振動体
　７１　　第１供給流路
　７２　　吐出流路
　７３　　第２供給流路
　７４　　吐出口
　８２　　ダミーディスペンスバス
　８３　　吸引ノズル
　８４　　エアブロー部
　Ｄａ、Ｄｂ、Ｄｃ　内径
　Ｄｄ　　口径
　Ｌ１　　第１の液体
　Ｌ２　　第２の液体
　Ｌａ、Ｌｂ　長さ

Claims (17)

  1. 　超音波を発生させる振動子と、前記振動子に接合される振動体とを有する超音波付与部と、
    　前記超音波付与部の前記振動体に接する位置に第１の液体を供給する第１供給流路と、
    　前記超音波付与部によって超音波が付与された前記第１の液体を吐出口に供給する吐出流路と、
    　前記吐出流路の前記超音波付与部よりも下流側に接続され、前記吐出流路に第２の液体を供給する第２供給流路と、
    　を備える処理液ノズル。
  2. 　前記第１の液体は、強酸性または強アルカリ性を有し、
    　前記第２の液体は、発泡性を有する
    　請求項１に記載の処理液ノズル。
  3. 　前記吐出流路において、前記第１供給流路との接続部から前記第２供給流路との接続部までの長さは、前記吐出口の口径以上の長さである
    　請求項１または２に記載の処理液ノズル。
  4. 　前記吐出流路において、前記第２供給流路との接続部から前記吐出口までの長さは、前記吐出口の口径以上の長さである
    　請求項１～３のいずれか一つに記載の処理液ノズル。
  5. 　前記吐出流路の内径は、前記吐出口の口径と等しい
    　請求項１～４のいずれか一つに記載の処理液ノズル。
  6. 　前記吐出流路における上流側の内径は、前記吐出口の口径よりも大きい
    　請求項１～４のいずれか一つに記載の処理液ノズル。
  7. 　前記第１の液体の粘度が前記第２の液体の粘度よりも大きい場合、前記吐出流路における前記第２供給流路との接続部から前記吐出口までの長さは、前記吐出流路における前記第１供給流路との接続部から前記第２供給流路との接続部までの長さよりも長い
    　請求項１～６のいずれか一つに記載の処理液ノズル。
  8. 　前記第１の液体の流量が前記第２の液体の流量よりも小さい場合、前記吐出流路における前記第１供給流路との接続部から前記第２供給流路との接続部までの長さは、前記吐出流路における前記第２供給流路との接続部から前記吐出口までの長さよりも長い
    　請求項１～７のいずれか一つに記載の処理液ノズル。
  9. 　前記第１の液体の供給圧力は、前記第２の液体の供給圧力よりも大きい
    　請求項１～８のいずれか一つに記載の処理液ノズル。
  10. 　前記第１の液体と前記第２の液体とを混合すると反応熱が発生する場合、前記吐出流路における前記第１供給流路との接続部から前記第２供給流路との接続部までの長さは、前記吐出流路における前記第２供給流路との接続部から前記吐出口までの長さよりも長い
    　請求項１～９のいずれか一つに記載の処理液ノズル。
  11. 　前記第１供給流路、または前記吐出流路における前記第２供給流路との接続部よりも上流側に接続され、第３の液体を供給する第３供給流路をさらに備える
    　請求項１～１０のいずれか一つに記載の処理液ノズル。
  12. 　前記吐出口から吐出される混合液を除電する除電部をさらに備える
    　請求項１～１１のいずれか一つに記載の処理液ノズル。
  13. 　請求項１～１２のいずれか一つに記載の処理液ノズルと、
    　基板を保持して回転させる基板処理部と、
    　を備える洗浄装置。
  14. 　前記処理液ノズルの待機位置に設けられるダミーディスペンスバスをさらに備え、
    　前記ダミーディスペンスバスは、前記吐出口に付着する液体を吸引する吸引ノズルを有する
    　請求項１３に記載の洗浄装置。
  15. 　各部を制御する制御部をさらに備え、
    　前記制御部は、前記基板を前記基板処理部で処理する前に、前記ダミーディスペンスバスで待機する前記処理液ノズルの前記吐出口に付着する液体を前記吸引ノズルで吸引する
    　請求項１４に記載の洗浄装置。
  16. 　前記処理液ノズルの待機位置に設けられるダミーディスペンスバスをさらに備え、
    　前記ダミーディスペンスバスは、前記吐出口に付着する液体をエアブローするエアブロー部を有する
    　請求項１３に記載の洗浄装置。
  17. 　各部を制御する制御部をさらに備え、
    　前記制御部は、前記基板を前記基板処理部で処理する前に、前記ダミーディスペンスバスで待機する前記処理液ノズルの前記吐出口に付着する液体を前記エアブロー部でエアブローする
    　請求項１６に記載の洗浄装置。
PCT/JP2020/034618 2019-09-25 2020-09-14 処理液ノズルおよび洗浄装置 WO2021060036A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202080064746.2A CN114401801B (zh) 2019-09-25 2020-09-14 处理液喷嘴和清洗装置
KR1020227012194A KR20220066909A (ko) 2019-09-25 2020-09-14 처리액 노즐 및 세정 장치
US17/763,371 US20220371041A1 (en) 2019-09-25 2020-09-14 Processing liquid nozzle and cleaning apparatus
JP2021548806A JP7390386B2 (ja) 2019-09-25 2020-09-14 処理液ノズルおよび洗浄装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019174136 2019-09-25
JP2019-174136 2019-09-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2021060036A1 true WO2021060036A1 (ja) 2021-04-01

Family

ID=75166635

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2020/034618 WO2021060036A1 (ja) 2019-09-25 2020-09-14 処理液ノズルおよび洗浄装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220371041A1 (ja)
JP (1) JP7390386B2 (ja)
KR (1) KR20220066909A (ja)
CN (1) CN114401801B (ja)
WO (1) WO2021060036A1 (ja)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02257632A (ja) * 1989-03-30 1990-10-18 Toshiba Corp 半導体装置の洗浄方法及びその洗浄装置
JP2001096243A (ja) * 1999-10-01 2001-04-10 Toshiba Corp 超音波ノズルユニットとそれを用いた超音波処理装置及び超音波処理方法
JP2003100688A (ja) * 2001-09-25 2003-04-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2007214347A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子デバイスの洗浄装置及び電子デバイスの洗浄方法
WO2007132609A1 (ja) * 2006-05-15 2007-11-22 Tokyo Electron Limited 基板処理方法、基板処理装置および記録媒体
JP2017069403A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法
JP2017073467A (ja) * 2015-10-07 2017-04-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP2017183553A (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置及び基板処理装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3415670B2 (ja) * 1994-03-03 2003-06-09 三菱電機株式会社 ウエハ洗浄装置
JP3369418B2 (ja) * 1996-11-25 2003-01-20 大日本スクリーン製造株式会社 超音波振動子、超音波洗浄ノズル、超音波洗浄装置、基板洗浄装置、基板洗浄処理システムおよび超音波洗浄ノズル製造方法
JPH10223589A (ja) * 1997-02-06 1998-08-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液吐出管、超音波洗浄ノズル、及び基板処理装置
JP2005074241A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Toshiba Corp 超音波処理装置および基板処理方法
JP4583216B2 (ja) * 2005-03-29 2010-11-17 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法
JP2007027270A (ja) * 2005-07-13 2007-02-01 Sony Corp 洗浄装置及び洗浄方法
JP4915090B2 (ja) * 2005-12-20 2012-04-11 ソニー株式会社 薬液処理装置
JP4955586B2 (ja) 2008-02-22 2012-06-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP5874514B2 (ja) * 2012-04-26 2016-03-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
CN105914167B (zh) * 2015-02-25 2018-09-04 株式会社思可林集团 基板处理装置
JP2018110186A (ja) * 2017-01-04 2018-07-12 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP2018129476A (ja) * 2017-02-10 2018-08-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR102012207B1 (ko) * 2017-09-21 2019-08-21 세메스 주식회사 액 공급 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02257632A (ja) * 1989-03-30 1990-10-18 Toshiba Corp 半導体装置の洗浄方法及びその洗浄装置
JP2001096243A (ja) * 1999-10-01 2001-04-10 Toshiba Corp 超音波ノズルユニットとそれを用いた超音波処理装置及び超音波処理方法
JP2003100688A (ja) * 2001-09-25 2003-04-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2007214347A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子デバイスの洗浄装置及び電子デバイスの洗浄方法
WO2007132609A1 (ja) * 2006-05-15 2007-11-22 Tokyo Electron Limited 基板処理方法、基板処理装置および記録媒体
JP2017069403A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法
JP2017073467A (ja) * 2015-10-07 2017-04-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP2017183553A (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置及び基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP7390386B2 (ja) 2023-12-01
US20220371041A1 (en) 2022-11-24
KR20220066909A (ko) 2022-05-24
CN114401801A (zh) 2022-04-26
JPWO2021060036A1 (ja) 2021-04-01
CN114401801B (zh) 2023-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5016351B2 (ja) 基板処理システム及び基板洗浄装置
US7191787B1 (en) Method and apparatus for semiconductor wafer cleaning using high-frequency acoustic energy with supercritical fluid
KR100860170B1 (ko) 기판처리 장치 및 기판처리 방법
JP4532580B2 (ja) 超音波洗浄装置
US20150360261A1 (en) System and method for the sonic-assisted cleaning of substrates utilizing a sonic-treated liquid
TW202126395A (zh) 基板洗淨裝置、基板洗淨方法及基板處理裝置
US10090189B2 (en) Substrate cleaning apparatus comprising a second jet nozzle surrounding a first jet nozzle
CN102349135B (zh) 移除颗粒污染物的方法
TW201609279A (zh) 基板清潔方法及基板清潔裝置
JP4358486B2 (ja) 高圧処理装置および高圧処理方法
WO2021060036A1 (ja) 処理液ノズルおよび洗浄装置
JP4036815B2 (ja) 洗浄装置
KR101639635B1 (ko) 메가소닉 세정 방법 및 세정 장치
JP2017183553A (ja) 基板洗浄装置及び基板処理装置
KR100598112B1 (ko) 이중 세정 프로브를 갖는 초음파 세정 장치 및 세정 방법
JP2008124203A (ja) 洗浄装置
JP4815000B2 (ja) 超音波洗浄装置
JP2009088227A (ja) 基板の処理装置及び処理方法
JP2003077886A (ja) ウエット処理装置
JP4334813B2 (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
WO2002083331A1 (fr) Procede et equipement pour nettoyer un substrat
JP2000100763A (ja) 基板表面の処理装置
JP2004146439A (ja) 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP7437499B2 (ja) 基板の洗浄方法及び洗浄装置
JP2017163017A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 20868255

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2021548806

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20227012194

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 20868255

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1