WO2021054185A1 - 検査システム及び検査方法 - Google Patents
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Definitions
- This disclosure relates to an inspection system and an inspection method.
- Patent Document 1 discloses a temperature control method for a plasma etching apparatus.
- the amount of heat Q loaded on the wafer during processing is calculated from a linear approximation formula for calculating the amount of heat obtained in advance based on the high-frequency power value applied to the lower electrode.
- the target difference value ⁇ T which is the theoretical temperature difference between the inlet temperature and the outlet temperature of the refrigerant circulation path, is calculated. Then, the temperature is controlled based on the target difference value ⁇ T.
- the present disclosure provides an inspection system capable of adjusting the temperature of a substrate according to the thermal resistance between the substrate and the flow path.
- a first chiller unit that supplies a first heat medium controlled to a first temperature and a second heat medium controlled to a second temperature lower than the first temperature are supplied. It has a second chiller unit to be used, a mounting table provided with a flow path for supplying a heat medium obtained by mixing the first heat medium and the second heat medium at a desired mixing ratio, and a control unit.
- An inspection system that inspects a substrate mounted on the above-mentioned stand, wherein the control unit determines the temperature of the heat medium at the inlet of the flow path and the temperature of the heat medium at the outlet of the flow path. And a step of correcting the mixing ratio of the first heat medium and the second heat medium based on the temperature difference of the heat medium at the inlet and the outlet and the flow rate of the heat medium.
- An inspection system is provided to control the temperature.
- the present disclosure it is possible to adjust the temperature of the substrate according to the thermal resistance between the substrate and the flow path in the inspection system.
- the upper surface cross-sectional view which shows the schematic structure of the inspection system which concerns on this embodiment.
- the front vertical sectional view which shows the schematic structure of the inspection system which concerns on this embodiment.
- the front vertical sectional view which shows the structure of the inspection area of the inspection system which concerns on this embodiment.
- the partially enlarged view which shows the detail of the tester of the inspection system which concerns on this embodiment.
- the cross-sectional view which shows the detail of the chuck top of the inspection system which concerns on this embodiment.
- the functional block diagram of the inspection system which concerns on this embodiment The flowchart explaining the process of the inspection system which concerns on this embodiment.
- the figure explaining the temperature at the time of operating the inspection system which concerns on this embodiment The figure explaining the temperature at the time of operating the inspection system of the comparative example.
- the figure explaining the flow path of the heat medium of the modification of the inspection system which concerns on this embodiment The figure explaining the flow path of the heat medium of the modification of the inspection system which concerns on this embodiment.
- FIG. 1 is a top cross-sectional view showing a schematic configuration of the inspection system 1 according to the present embodiment.
- FIG. 2 is a front vertical sectional view showing a schematic configuration of the inspection system 1 according to the present embodiment.
- the inspection system 1 which is an apparatus for inspecting electrical characteristics based on a set temperature set for each wafer W, which is an example of a substrate, includes a housing 10.
- the inside of the housing 10 is divided into a carry-in / out area 11, a transport area 12, and an inspection area 13.
- the carry-in / out area 11 is an area for carrying the wafer W before inspection into the inspection system 1 and carrying out the wafer W after inspection from the inspection system 1. Further, it is an area for carrying in the probe card 80, which will be described later, into the inspection system 1 and carrying out the probe card 80 from the inspection system 1.
- the carry-in / out area 11 is provided with a port 20 for receiving a cassette C containing a plurality of wafers W and a loader 21 for accommodating a probe card 80 described later. Further, the carry-in / out area 11 is provided with a control unit 22 that controls each component of the inspection system 1.
- the transport area 12 is an area for transporting the wafer W or the like between the carry-in / out area 11 and the inspection area 13.
- a transport device 30 that can freely move while holding the wafer W or the like is arranged.
- the transfer device 30 transfers the wafer W between the cassette C in the port 20 of the carry-in / out area 11 and the alignment unit 50 described later in the inspection area 13. Further, the transfer device 30 conveys the probe card 80, which is fixed to the pogo frame 70 described later in the inspection area 13, and which requires maintenance, to the loader 21 of the carry-in / out area 11. Further, the transfer device 30 transfers the new or maintained probe card 80 from the loader 21 to the pogo frame 70 in the inspection area 13.
- the inspection area 13 is an area where the electrical characteristics of the electronic device formed on the wafer W are inspected.
- a plurality of testers 40 as inspection units are provided in the inspection area 13. Specifically, as shown in FIG. 2, the inspection area 13 is divided into three in the vertical direction, and each divided area 13a is a tester row composed of four testers 40 arranged in the horizontal direction in FIG. Is provided. Further, each division region 13a is provided with one alignment unit 50 and one camera 60. The number and arrangement of the tester 40, the alignment unit 50, and the camera 60 can be arbitrarily selected. The tester 40 sends and receives an electric signal for electrical characteristic inspection to and from the wafer W.
- the alignment unit 50 includes a chuck top 51 and an aligner 53. Details of the chuck top 51 and the aligner 53 will be described later.
- the alignment unit 50 places the wafer W, which is a substrate, on the alignment unit 50. Further, the alignment unit 50 aligns the mounted wafer W with the probe card 80 arranged below the tester 40.
- the alignment portion 50 is provided so as to be able to move in the region below the tester 40 for alignment.
- the camera 60 images the positional relationship between the probe card 80 arranged below the tester 40 and the wafer W placed on the alignment unit 50.
- the camera 60 is provided so as to move horizontally and be positioned in front of each tester 40 in the divided region 13a where the camera 60 is provided.
- the transfer device 30 conveys the wafer W toward one tester 40 among the plurality of testers 40 in the division area 13a, the other tester 40 in the division area 13a. Can inspect the electrical properties of electronic devices formed on other wafers W.
- FIG. 3 is a front vertical sectional view showing the configuration of the inspection area 13 of the inspection system 1 according to the present embodiment.
- FIG. 4 is a partially enlarged view showing details of the tester 40 of the inspection system 1 according to the present embodiment.
- the tester 40 has a tester motherboard 41 horizontally provided on the bottom of the tester 40.
- a plurality of inspection circuit boards (not shown) are mounted on the tester motherboard 41 in an upright state. Further, a plurality of electrodes are provided on the bottom surface of the tester motherboard 41.
- a pogo frame 70 and a probe card 80 are provided one by one in this order from the upper side.
- a plurality of support walls 10b are provided so as to extend downward in the vertical direction from the upper wall 10a of each division region 13a.
- a pogo frame 70 is attached to the lower part of the support walls 10b facing each other.
- Each tester 40 is supported by a support wall 10b facing each other and a pogo frame 70 attached between the support walls 10b.
- the pogo frame 70 supports the probe card 80 and electrically connects the probe card 80 and the tester 40.
- the pogo frame 70 is arranged so as to be located between the tester 40 and the probe card 80.
- the pogo frame 70 has a pogo pin that electrically connects the tester 40 and the probe card 80.
- the pogo frame 70 has a pogo block 72 that holds a large number of pogo pins, and a frame body portion 73 in which a mounting hole 73a to which the pogo pins are attached is formed by inserting the pogo block 72.
- the frame body 73 is made of a material having high strength, high rigidity, and a small coefficient of thermal expansion, for example, a NiFe alloy. If it is a NiFe alloy, the thermal conductivity of the frame body 73 can be increased.
- the probe card 80 is vacuum-sucked on the lower surface of the pogo frame 70 in a state of being aligned at a predetermined position.
- a bellows 74 extending vertically downward is attached so as to surround the attachment position of the probe card 80.
- the bellows 74 forms a closed space containing the probe card 80 and the wafer W. In the enclosed space, the wafer W on the chuck top 51 described later is in contact with the probe 82 described later on the probe card 80.
- a vacuum suction force acts on the pogo frame 70 and the probe card 80 by a vacuum mechanism (not shown). Due to the vacuum suction force, the lower end of each pogo pin of the pogo frame 70 comes into contact with the corresponding electrode pad on the upper surface of the card body 81 described later of the probe card 80. Further, due to the vacuum suction force, the upper end of each pogo pin of the pogo frame 70 comes into contact with the corresponding electrode on the lower surface of the tester motherboard 41.
- the probe card 80 has a disk-shaped card body 81, a plurality of electrode pads (not shown) provided on the upper surface of the card body 81, and a plurality of needle-shaped probes extending downward from the lower surface of the card body 81. It has a probe 82 which is a terminal.
- the plurality of electrodes provided on the upper surface of the card body 81 are electrically connected to the corresponding probes 82, respectively. Further, at the time of inspection, each of the probes 82 comes into contact with the electrode pads and solder bumps in the electronic device formed on the wafer W. Therefore, at the time of electrical characteristic inspection, an electrical signal related to the inspection is transmitted and received between the tester motherboard 41 and the electronic device on the wafer W via the pogo pin, the electrode provided on the upper surface of the card body 81, and the probe 82. To.
- the alignment portion 50 includes a chuck top 51 and an aligner 53.
- the chuck top 51 is detachably mounted on the aligner 53.
- a wafer W is placed on the chuck top 51. Further, the chuck top 51 attracts the mounted wafer W.
- the chuck top 51 is provided with a temperature adjusting mechanism 52.
- the temperature adjusting mechanism 52 adjusts the temperature of the chuck top 51 at the time of electrical characteristic inspection. By adjusting the temperature with the temperature adjusting mechanism 52, the temperature of the wafer W mounted on the chuck top 51 at the time of electrical characteristic inspection can be adjusted to, for example, ⁇ 30 ° C. to + 130 ° C.
- the aligner 53 supports the chuck top 51 and moves the chuck top 51 in the vertical direction, the front-back direction of the paper surface, and the left-right direction of FIGS. 3 and 4.
- the alignment unit 50 aligns the wafer W on the chuck top 51 and the probe 82 of the probe card 80 in contact with each other. Further, after the alignment, a closed space including the probe card 80 and the wafer W is formed, and the closed space is evacuated by a vacuum mechanism (not shown). At this time, by moving the aligner 53 downward, the chuck top 51 is separated from the aligner 53 and is attracted to the pogo frame 70 side.
- FIG. 5 is a cross-sectional view showing details of the chuck top 51 of the inspection system 1 according to the present embodiment. Note that FIG. 5 is a view showing a state in which the wafer W is placed on the chuck top 51.
- the chuck top 51 of the inspection system 1 includes a top plate 55 and a cooling jacket 56.
- the cooling jacket 56 of the chuck top 51 of the present embodiment is an example of the temperature adjusting mechanism 52.
- the top plate 55 is a member on which the wafer W is placed.
- the top plate 55 is provided with a mechanism for adsorbing the wafer W.
- the cooling jacket 56 is a member for adjusting the temperature of the wafer W.
- a heat medium flow path 58 through which the heat medium HM flows is formed.
- the heat medium flow path 58 is formed in a spiral shape in a top view, for example.
- the top view shape of the heat medium flow path 58 is not limited to the spiral shape, and may be, for example, a zigzag shape.
- the heat medium introduced into the heat medium flow path 58 is connected to the high temperature chiller unit ChilH and the low temperature chiller unit ChilL, which will be described later, from the introduction lead-out pipe 58a provided on the outside of the cooling jacket 56.
- a heater may be separately provided as a member for adjusting the temperature.
- the heat medium HM is a medium for adjusting the temperature of the wafer W.
- the heat medium HM is, for example, water, brine, or the like.
- the heat medium HM may be used for cooling the wafer W or for heating the wafer W.
- FIG. 6 is a diagram for explaining the thermal relationship of the chuck top 51 of the inspection system 1 according to the present embodiment.
- thermal resistance R1 thermal resistance between the wafer W and the top plate 55. Therefore, for example, when the wafer W generates heat, the temperature of the wafer W deviates from the temperature of the top plate 55.
- thermal resistance R2 thermal resistance between the top plate 55 and the cooling jacket 56.
- thermal resistance R3 thermal resistance between the cooling jacket 56 and the heat medium HM.
- the thermal resistances R1, R2, and R3 exist between the members constituting the chuck top 51.
- the temperatures of the top plate 55 and the cooling jacket 56 change according to the temperature of the heat medium HM. Therefore, if the temperature of the heat medium HM is adjusted, the temperatures of the top plate 55 and the cooling jacket 56 can be maintained at the temperature of the heat medium HM.
- the wafer W generates heat, there is a thermal resistance R1 between the wafer W and the top plate 55, so that a temperature difference (dissociation) occurs between the wafer W and the top plate 55.
- the thermal resistance R1 is canceled between the wafer W and the top plate 55 by measuring the calorific value Qw of the wafer W and performing correction based on the calorific value Qw. As a result, the temperature is controlled so that the temperature of the wafer W becomes the set temperature.
- the chuck top 51 is an example of a mounting table.
- FIG. 7 is a diagram illustrating a flow path of the heat medium HM of the inspection system 1 according to the present embodiment.
- the heat medium HM will be described by assigning different reference numerals to the heat media having different temperatures and flow paths.
- the inspection system 1 includes a high temperature chiller unit ChilH, a low temperature chiller unit ChilL, three-way valves MV1, MV2, control valves MV3, and MV4.
- the high temperature chiller unit ChilH supplies a heat medium HM (heat medium HM1) having a temperature of Tch.
- the low temperature chiller unit ChillL supplies a heat medium HM (heat medium HM2) having a temperature Tcl lower than the temperature Tch.
- the high temperature chiller unit ChillH is an example of a first chiller unit that supplies a first heat medium controlled to a first temperature, and the low temperature chiller unit ChillL is controlled to a second temperature lower than the first temperature. This is an example of a second chiller unit that supplies the second heat medium.
- the heat medium HM1 is an example of the first heat medium
- the heat medium HM2 is an example of the second heat medium.
- the temperature Tch is an example of the first temperature
- the temperature Tcl is an example of the second temperature.
- Each of the three-way valves MV1 and MV2 is a valve that distributes the heat medium HM1 or the heat medium HM2 that has flowed in from one inflow port into two flow paths and causes them to flow out.
- the three-way valves MV1 and MV2 include an electric or pneumatic drive unit.
- the drive unit changes the opening degree of the three-way valves MV1 and MV2 by a control signal from the outside. As the opening degree changes, the heat media HM1 and HM2 flowing into the three-way valves MV1 and MV2 are distributed according to the opening degree and flowed out to the two flow paths.
- the control valves MV3 and MV4 are on-off valves, which control the flow rate depending on the opening degree.
- the control valves MV3 and MV4 are composed of, for example, a gate valve, a ball valve, and the like.
- the control valves MV3 and MV4 include an electric or pneumatic drive unit.
- the drive unit changes the opening degree of the control valves MV3 and MV4 by a control signal from the outside. As the opening degree changes, the heat medium HM31 or the heat medium HM32 flowing out from each of the control valves MV3 and MV4 is caused to flow out in an amount corresponding to the opening degree.
- the inspection system 1 of the present embodiment includes temperature detectors 100, 101, 102 and pressure detectors 111, 112.
- the temperature detectors 100, 101, and 102 are devices for detecting temperature, such as a resistance temperature detector, a thermocouple, and a thermistor.
- the temperature detector 100 is provided on the top plate 55 of the chuck top 51 and measures the temperature of the top plate 55.
- the temperature detector 101 is provided in the flow path that flows into the chuck top 51 of the heat medium HM3, and measures the temperature (inlet temperature) of the heat medium HM3 that flows into the chuck top 51.
- the temperature detector 102 is provided in a flow path that flows out to the chuck top 51 of the heat medium HM3, and measures the temperature (outlet temperature) of the heat medium HM3 discharged from the chuck top 51.
- the temperature detector 101 and the temperature detector 102 measure the temperature difference between the heat medium HM3 flowing into the chuck top 51 and the heat medium HM3 flowing out of the chuck top 51, it is desirable that the temperature detector 101 and the temperature detector 102 be provided near the chuck top 51.
- the pressure detectors 111 and 112 are devices that detect pressure.
- the pressure detector 111 is provided in the flow path that flows into the chuck top 51 of the heat medium HM3, and measures the pressure (inlet pressure) of the heat medium HM3 that flows into the chuck top 51.
- the pressure detector 112 is provided in a flow path that flows out to the chuck top 51 of the heat medium HM3, and measures the pressure (outlet pressure) of the heat medium HM3 discharged from the chuck top 51. Since the pressure detector 111 and the pressure detector 112 measure the differential pressure between the heat medium HM3 flowing into the chuck top 51 and the heat medium HM3 flowing out of the chuck top 51, it is desirable that the pressure detector 111 and the pressure detector 112 be provided near the chuck top 51.
- the flow path of the heat medium HM will be described.
- the heat medium HM1 having a temperature Tch supplied from the high temperature chiller unit ChilH flows into the three-way valve MV1.
- a part of the heat medium HM11 of the inflowing heat medium HM1 is sent to the flow path to the cooling jacket 56, and the remaining heat medium HM12 is sent back to the high temperature chiller unit ChilH.
- the heat medium HM2 having a temperature of Tcl supplied from the low temperature chiller unit ChillL flows into the three-way valve MV2.
- the three-way valve MV2 based on the control signal, a part of the heat medium HM21 of the inflowing heat medium HM2 is sent to the flow path to the cooling jacket 56, and the remaining heat medium HM22 is sent back to the low temperature chiller unit ChillL. Divide.
- the three-way valve MV2 allows a part of the inflowing heat medium HM2 to flow through the flow path of the cooling jacket 56.
- the heat media HM11 and HM21 divided into the cooling jacket 56 of the three-way valve MV1 and the three-way valve MV2 are mixed by merging in the middle.
- the heat medium in which the split heat medium HM11 and the heat medium HM21 are mixed is referred to as a heat medium HM3.
- the temperature of the heat medium HM3 depends on the temperature and flow rate of the heat medium HM11 supplied from the high temperature chiller unit ChilH via the three-way valve MV1 and the heat medium HM21 supplied from the low temperature chiller unit ChilH via the three-way valve MV2.
- T1 is decided.
- the temperature T1 is measured by the temperature detector 101.
- the pressure P1 of the heat medium HM3 is measured by the pressure detector 111.
- the heat medium HM3 which is a mixture of the heat medium HM11 and the heat medium HM21, passes through the cooling jacket 56.
- the temperature of the wafer W is adjusted through the top plate 55.
- the temperature T2 and the pressure P2 of the heat medium HM3 flowing out of the cooling jacket 56 are measured by the temperature detector 102 and the pressure detector 112, respectively. Then, the heat medium HM3 that has flowed out of the cooling jacket 56 flows into the control valve MV3 and the control valve MV4.
- the control valve MV3 flows out the heat medium HM31 having the same flow rate as the heat medium HM11 flowing out from the three-way valve MV1 to the cooling jacket 56 into the flow path returning to the high temperature chiller unit ChilH.
- the heat medium HM31 that has flowed out of the control valve MV3 is mixed with the heat medium HM12 that returns from the three-way valve MV1 to the high temperature chiller unit Chilh (heat medium HM1R), and returns to the high temperature chiller unit ChilH.
- the control valve MV4 flows out the heat medium HM32 having the same flow rate as the heat medium HM21 flowing out from the three-way valve MV2 to the cooling jacket 56 into the flow path returning to the low temperature chiller unit ChillL.
- the heat medium HM32 that has flowed out of the control valve MV4 is mixed with the heat medium HM22 that returns from the three-way valve MV2 to the low temperature chiller unit Chiller (heat medium HM2R), and returns to the low temperature chiller unit Chiller.
- the heat medium HM3 is an example of a heat medium in which the first heat medium and the second heat medium are mixed at a desired mixing ratio.
- the three-way valve MV1 (first three-way valve) and the three-way valve MV2 (second three-way valve) are examples of an outlet valve of the first chiller unit and an outlet valve of the second chiller unit.
- FIG. 8 is a functional block diagram of a portion related to temperature control of the inspection system 1 according to the present embodiment.
- the control unit 22 includes an overall control unit 201, a calculation unit 202, a valve control unit 203, and a data acquisition unit 204.
- the control unit 22 includes a storage device in which the program is readable and stored, a CPU (Central Processing Unit) for executing the program, and the like.
- the control unit 22 operates as a computer.
- the overall control unit 201 controls the entire control unit 22.
- the calculation unit 202 uses the data acquired by the data acquisition unit 204 to perform calculations such as temperature difference, flow rate, heat generation amount, correction amount, mixing ratio, valve opening degree, etc., which will be described later.
- the valve control unit 203 controls the opening degree of each valve by transmitting control signals to the three-way valves MV1, MV2, control valves MV3, and MV4. Thereby, the amount of heat medium HM flowing out from each valve is controlled.
- the data acquisition unit 204 acquires temperature and pressure data from the temperature detectors 100, 101, 102 and the pressure detectors 111, 112, respectively.
- FIG. 9 is a flowchart illustrating the processing of the inspection system 1 according to the present embodiment.
- the inspection system 1 performs processing based on the following steps (procedures).
- the wafer W is electrically tested while performing the processing shown in FIG.
- Step S10 When the operation of the inspection system 1 is started (for example, the inspection process is started, etc.), the control unit 22 performs an initialization process for initializing the inspection system 1. In the initialization process, for example, each functional unit of the control unit 22 is initialized.
- Step S20 The data acquisition unit 204 acquires the temperature T1 from the temperature detector 101. Further, the data acquisition unit 204 acquires the temperature T2 from the temperature detector 102.
- the calculation unit 202 obtains the temperature difference ⁇ T based on the difference between the temperature T1 and the temperature T2 acquired by the data acquisition unit 204 based on the mathematical formula 1.
- the temperature Ta is the temperature difference between the temperature T1 and the temperature T2 when the wafer W does not generate heat. This temperature Ta is due to a temperature rise due to heat generation due to piping resistance between the temperature detector 101 and the temperature detector 102.
- Step S30 The data acquisition unit 204 acquires the pressure P1 from the pressure detector 111. Further, the data acquisition unit 204 acquires the pressure P2 from the pressure detector 112. The calculation unit 202 obtains the pressure difference ⁇ P between the pressure P1 and the pressure P2 acquired by the data acquisition unit 204 based on the mathematical formula 2. Further, using the obtained pressure difference ⁇ P, the flow rate Q of the heat medium HM (heat medium HM3) flowing through the cooling jacket 56 is obtained based on the mathematical formula 3. K1 is a constant determined by the structure of the cooling jacket 56 and the like.
- the flow rate Q of the heat medium HM (heat medium HM3) is obtained from the pressure difference ⁇ P, but the flow rate Q may be obtained by using another means.
- a flow meter such as an electromagnetic flow meter, an impeller type flow meter, a Coriolis type flow meter, or an ultrasonic flow meter may be used.
- an orifice or the like may be provided in the flow path of the heat medium, and the flow rate may be measured from the differential pressure thereof.
- Step S40 The calculation unit 202 estimates the calorific value Qw of the wafer W from the obtained temperature difference ⁇ T and the flow rate Q based on the mathematical formula 4.
- K2 is a constant determined by the thermal resistance R1 and the like.
- Step S50 The calculation unit 202 obtains a correction value Tcor for controlling the temperature of the wafer W from the obtained heat generation amount Qw of the wafer W based on the mathematical formula 5.
- K3 is a constant determined by the thermal resistance R1 and the like.
- the temperature of the top plate 55 is controlled by offsetting the temperature of the top plate 55 from the target temperature Tw of the wafer W by the correction value Tcor. That is, when the temperature of the wafer W is controlled to be the target temperature Tw, the temperature of the top plate 55 is set to the target temperature Ttp as shown in Equation 6.
- the temperature of the heat medium HM3 supplied to the chuck top 51 (cooling jacket 56) is set to the target temperature Ttp.
- the target temperature Ttp may be changed according to the calorific value Qw of the wafer W. For example, when the calorific value Qw is small (when the calorific value Qw is smaller than the set threshold value (when it is equal to or less than the threshold value)), the target temperature Tw of the wafer W may be set. In that case, when the calorific value Qw is large (when the calorific value Qw is larger than the set threshold value (when it is equal to or higher than the threshold value)), the correction value Tcor is used for correction.
- Step S60 The calculation unit 202 obtains a mixing ratio Chm of the heat medium HM1 (temperature Tch) supplied by the high temperature chiller unit ChilH and the heat medium HM2 (temperature Tcl) supplied by the low temperature chiller unit ChilL.
- the calculation unit 202 obtains a mixing ratio Chm based on Equation 7 so that the heat medium HM3, which is a mixture of the heat medium HM1 and the heat medium HM2, has a target temperature Ttp.
- the mixing ratio was determined as the ratio of the heat medium HM1 to the flow rate of the heat medium HM3.
- the flow rate of the heat medium HM (temperature Tch) supplied by the high temperature chiller unit ChilH is defined as the flow rate Qh
- the flow rate of the heat medium HM (temperature Tcl) supplied by the low temperature chiller unit ChilL is defined as the flow rate Ql.
- the calorific value Qw of the wafer W is obtained based on the difference between the temperature T1 and the temperature T2 and the flow rate Q.
- the mixing ratio Chm is obtained from the target temperature Ttp corrected by the correction value Tcor based on the calorific value Qw of the wafer W.
- the calorific value Qw of the wafer W is obtained, but the mixing ratio Chm may be corrected based on the difference between the temperature T1 and the temperature T2 and the flow rate Q.
- a table capable of directly correcting the mixing ratio Chm from the difference between the temperature T1 and the temperature T2 and the flow rate Q may be prepared in advance, and the mixing ratio Chm may be obtained using the table.
- control unit 22 controls the process of measuring the temperature T1 and the temperature T2 in step S20. Further, the control unit 22 controls the step of measuring the pressure P1 and the pressure P2 in step S30. Further, the control unit 22 controls the step of correcting the mixing ratio Chm in steps S20, S30, S40, S50, and S60.
- Step S70 The calculation unit 202 obtains the valve openings of the three-way valve MV1 and the three-way valve MV2 so that the obtained mixing ratio Chm is obtained. Then, the valve control unit 203 controls the opening degrees of the three-way valves MV1 and MV2 by using the obtained valve opening degree. Further, the opening degrees of the control valves MV3 and MV4 are controlled accordingly.
- Step S80 The control unit 22 determines whether to end the process. When ending the process (step S80: YES), the process proceeds to step S90. If the process is not completed (step S80: NO), the process returns to step S20 and the process from step S20 is repeated.
- Step S90 Performs a process for terminating the inspection system 1.
- FIG. 10 is a diagram illustrating a temperature when the inspection system 1 according to the present embodiment is operated.
- FIG. 11 is a diagram illustrating a temperature when the inspection system of the comparative example is operated. 10 and 11 show a case where the target temperature of the wafer W is 85 ° C.
- the horizontal axis of FIGS. 10 and 11 represents the calorific value Qw of the wafer W, and the vertical axis represents the temperatures of the top plate 55, the wafer W, and the heat medium HM3.
- the target temperature Ttp top plate set temperature
- the target temperature Qw of the wafer W is corrected according to the calorific value Qw of the wafer W to be inspected.
- the heat medium temperature in FIG. 10 represents the outlet temperature (temperature T2) of the heat medium HM3.
- the heat medium temperature is 90 ° C. That is, Ta in Equation 1 is 5 ° C.
- the set temperature of the top plate decreases as the calorific value Qw of the wafer W increases. As a result, the heat medium temperature becomes lower as the calorific value Qw increases. As a result, the temperature of the wafer W is constant regardless of the calorific value Qw of the wafer W.
- the target temperature Ttp top plate set temperature
- the heat medium temperature in FIG. 11 represents the outlet temperature (temperature T2) of the heat medium HM3.
- the temperature of the wafer W is high due to the temperature divergence between the top plate 55 and the wafer W due to the calorific value Qw of the wafer W.
- the wafer W becomes higher than the top plate set temperature, and the target temperature of the wafer W cannot be controlled.
- the temperature detector 101 is an example of a sensor that measures the temperature of the heat medium at the inlet of the flow path.
- the temperature detector 102 is an example of a sensor that measures the temperature of the heat medium at the outlet of the flow path.
- the pressure detector 111 is an example of a sensor that measures the pressure of the heat medium at the inlet of the flow path.
- the pressure detector 112 is an example of a sensor that measures the pressure of the heat medium at the outlet of the flow path.
- the inspection system 1 Since the inspection system 1 according to the present embodiment corrects the target temperature for adjusting the temperature of the top plate 55 according to the heat generated by the wafer W (board), the inspection system 1 is used for each substrate regardless of the heat generated by the wafer W (board). The inspection can be performed based on the set temperature set in. In this way, it is possible to adjust the temperature of the substrate according to the thermal resistance between the substrate and the flow path.
- the temperature of the cooling jacket 56 is adjusted by supplying a heat medium having a constant temperature from the high temperature chiller unit ChilH and the low temperature chiller unit ChilL and mixing the heat media.
- a heat medium having a constant temperature from the high temperature chiller unit ChilH and the low temperature chiller unit ChilL and mixing the heat media.
- the correction can be performed without directly measuring the temperature of the wafer W. It can be carried out. For example, in order to detect the temperature of the wafer W under inspection, it is necessary to obtain information from the tester 40. In that case, the processing must be performed depending on the tester 40. In the inspection system 1 according to the present embodiment, since it is not necessary to obtain information from the tester 40, the processing can be performed independently of the tester 40.
- the three-way valves MV1 and MV2 are used in the present embodiment, the three-way valves may be used as on-off valves in the same manner as the control valves MV3 and MV4. In that case, the flow path from the three-way valves MV1 and MV2 to the confluence point downstream of the control valves MV3 and MV4 becomes unnecessary, and the piping can be simplified.
- FIG. 12 is a diagram illustrating a flow path of a heat medium according to a modification 1 of the inspection system according to the present embodiment.
- the flow path of the heat medium HM of the first modification will be described.
- the heat medium HM1 having a temperature of Tch supplied from the high temperature chiller unit ChilH flows into the heat exchanger HEX1.
- the heat medium HM2 having a temperature of Tcl supplied from the low temperature chiller unit ChillL flows into the heat exchanger HEX1.
- the flow rates of the heat medium HM1 and the heat medium HM2 are controlled by the control valves MV5 and MV6, respectively.
- heat exchanger HEX1 heat exchange is performed between the heat medium HM1 and the heat medium HM2.
- the temperature of the heat medium HM1 flowing out of the heat exchanger HEX1 is lower than that at the time of inflowing into the heat exchanger HEX1. Then, the temperature of the heat medium HM1 flowing out of the heat exchanger HEX1 can be controlled by the respective flow rates of the heat medium HM1 and the heat medium HM2.
- the temperature of the wafer W is the temperature of the wafer W even if the temperature of the top plate 55 is set to the target temperature Tw of the wafer W by the thermal resistance R1 between the wafer W and the top plate 55. Deviates from the target temperature Tw. Therefore, in the inspection system 1 according to the present embodiment, the temperature of the top plate 55 is controlled by offsetting the temperature of the top plate 55 from the target temperature Tw of the wafer W by the correction value Tcor. That is, when the temperature of the wafer W is controlled to be the target temperature Tw, the temperature of the top plate 55 is set to the target temperature Ttp as in the above equation 6.
- the control unit 22 controls the process of correcting the target temperature.
- the temperature of the wafer W is adjusted without mixing the heat media HM1 and HM2 supplied from the high temperature chiller unit ChilH and the low temperature chiller unit ChilL, respectively. be able to.
- another heat medium can be used as the heat medium of the high temperature chiller unit ChilH and the low temperature chiller unit ChilL.
- FIG. 13 is a diagram illustrating a flow path of the heat medium of the second modification of the inspection system according to the present embodiment.
- the flow path of the heat medium HM of the second modification will be described.
- the heat medium HM1 having a temperature Tch supplied from the high temperature chiller unit ChilH is divided into a heat medium HM11 and a heat medium HM12.
- the heat medium HM11 flows into the heat exchanger HEX2.
- the heat medium HM12 flows into the three-way valve MV7.
- the heat medium HM2 having a temperature of Tcl supplied from the low temperature chiller unit Chiller is divided into a heat medium HM21 and a heat medium HM22.
- the heat medium HM21 flows into the heat exchanger HEX2.
- the heat medium HM22 flows into the three-way valve MV8.
- the flow rates of the heat medium HM11 and the heat medium HM21 are controlled.
- heat exchanger HEX2 heat exchange is performed between the heat medium HM11 and the heat medium HM21.
- the temperature of the heat medium HM11 flowing out of the heat exchanger HEX2 becomes lower than that at the time of inflowing into the heat exchanger HEX2.
- the temperature of the heat medium HM1 flowing out of the heat exchanger HEX2 can be controlled by the respective flow rates of the heat medium HM11 and the heat medium HM21.
- the correction of the target temperature is the same as that of the first modification.
- the flow rates of the heat media HM1 and HM2 supplied from the high temperature chiller unit ChilH and the low temperature chiller unit ChilL can be made substantially constant. Thereby, the temperatures of the high temperature chiller unit ChilH and the low temperature chiller unit ChilL can be further stabilized.
- the three-way valves MV7 and MV8 are provided in the flow paths where the heat media of the high temperature chiller unit ChilH and the low temperature chiller unit ChilL are returned, respectively.
- the three-way valves MV7 and MV8 may be provided in the flow path to which the heat mediums of the high temperature chiller unit ChilH and the low temperature chiller unit ChilL are supplied, that is, the flow path on the inflow side of the heat exchanger HEX2, respectively.
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Abstract
第1温度に制御された第1熱媒体を供給する第1チラーユニットと、前記第1温度よりも低い第2温度に制御された第2熱媒体を供給する第2チラーユニットと、所望の混合比に前記第1熱媒体と前記第2熱媒体とを混合した熱媒体が供給される流路が設けられた載置台と、制御部とを有し、前記載置台に載置された基板に対して検査を行う検査システムであって、前記制御部は、前記流路の入口における前記熱媒体の温度と前記流路の出口における前記熱媒体の温度とを測定する工程と、前記入口及び出口における前記熱媒体の温度の差分と前記熱媒体の流量とに基づき、前記第1熱媒体と前記第2熱媒体との前記混合比を補正する工程と、を制御する、検査システムが提供される。
Description
本開示は、検査システム及び検査方法に関する。
例えば、特許文献1には、プラズマエッチング装置の温度制御方法が開示されている。特許文献1では、下部電極に印加する高周波の電力値に基づいて,予め求めておいた熱量算出用の一次近似式から処理時にウェハに負荷される熱量Qを算出する。次に、熱量に基づいて、冷媒循環路の入口温度と出口温度との理論的な温度差である目標差分値ΔTを算出する。そして、目標差分値ΔTに基づいて温度制御を行う。
本開示は、基板と流路との間の熱抵抗に応じた基板の温度調整を行うことが可能な検査システムを提供する。
本開示の一の態様によれば、第1温度に制御された第1熱媒体を供給する第1チラーユニットと、前記第1温度よりも低い第2温度に制御された第2熱媒体を供給する第2チラーユニットと、所望の混合比に前記第1熱媒体と前記第2熱媒体とを混合した熱媒体が供給される流路が設けられた載置台と、制御部とを有し、前記載置台に載置された基板に対して検査を行う検査システムであって、前記制御部は、前記流路の入口における前記熱媒体の温度と前記流路の出口における前記熱媒体の温度とを測定する工程と、前記入口及び出口における前記熱媒体の温度の差分と前記熱媒体の流量とに基づき、前記第1熱媒体と前記第2熱媒体との前記混合比を補正する工程と、を制御する、検査システムが提供される。
本開示によれば、検査システムにおいて基板と流路との間の熱抵抗に応じた基板の温度調整を行うことが可能である。
以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
<検査システムの全体構成>
図1は、本実施形態に係る検査システム1の概略構成を示す上面横断面図である。図2は、本実施形態に係る検査システム1の概略構成を示す正面縦断面図である。
図1は、本実施形態に係る検査システム1の概略構成を示す上面横断面図である。図2は、本実施形態に係る検査システム1の概略構成を示す正面縦断面図である。
基板の一例であるウェハWごとに設定された設定温度に基づき電気的特性の検査を行う装置である検査システム1は、筐体10を備える。筐体10の内部は、搬入出領域11、搬送領域12、検査領域13に分割されている。
搬入出領域11は、検査前のウェハWを検査システム1に搬入したり、検査後のウェハWを検査システム1から搬出したりするための領域である。また、後述するプローブカード80を検査システム1に搬入したり、検査システム1から搬出したりするための領域である。搬入出領域11には、複数のウェハWを収容したカセットCを受け入れるポート20、後述するプローブカード80を収容するローダ21が設けられている。また、搬入出領域11には、検査システム1の各構成要素を制御する制御部22が設けられている。
搬送領域12は、搬入出領域11と検査領域13との間でウェハW等を運搬するための領域である。搬送領域12には、ウェハW等を保持した状態で自在に移動可能な搬送装置30が配置されている。この搬送装置30は、搬入出領域11のポート20内のカセットCと検査領域13の後述する位置合わせ部50との間で、ウェハWの搬送を行う。また、搬送装置30は、検査領域13内の後述するポゴフレーム70に固定されたプローブカード80のうちメンテナンスを必要とするプローブカード80を、搬入出領域11のローダ21へ搬送する。さらに、搬送装置30は、新規又はメンテナンス済みのプローブカード80をローダ21から検査領域13内の上記ポゴフレーム70へ搬送する。
検査領域13は、ウェハWに形成された電子デバイスの電気的特性の検査が行われる領域である。検査領域13には、検査部としてのテスタ40が複数設けられている。具体的には、検査領域13は、図2に示すように、鉛直方向に3つに分割され、各分割領域13aには、図2の水平方向に配列された4つのテスタ40からなるテスタ列が設けられている。また、各分割領域13aには、1つの位置合わせ部50と、1つのカメラ60が設けられている。なお、テスタ40、位置合わせ部50、カメラ60の数や配置は任意に選択できる。テスタ40は、電気的特性検査用の電気信号をウェハWとの間で送受するものである。
位置合わせ部50は、チャックトップ51、アライナ53を備える。チャックトップ51とアライナ53の詳細については、後述する。位置合わせ部50は、基板であるウェハWを載置する。また、位置合わせ部50は、当該載置されたウェハWと、テスタ40の下方に配設されるプローブカード80との位置合わせを行う。位置合わせ部50は、位置合わせを行うためにテスタ40の下方の領域内を移動できるように設けられている。
カメラ60は、当該テスタ40の下方に配設されるプローブカード80と、位置合わせ部50に載置されたウェハWと、の位置関係を撮像する。カメラ60は、水平に移動して、当該カメラ60が設けられた分割領域13a内の各テスタ40の前に位置するように設けられている。
本実施形態に係る検査システム1では、搬送装置30が分割領域13aの複数のテスタ40の中の一つのテスタ40へ向けてウェハWを搬送している間に、分割領域13aの他のテスタ40は他のウェハWに形成された電子デバイスの電気的特性の検査を行うことができる。
次に、図3及び図4を用いて、テスタ40と位置合わせ部50とそれらに関連する構成について詳細を説明する。図3は、本実施形態に係る検査システム1の検査領域13の構成を示す正面縦断面図である。図4は、本実施形態に係る検査システム1のテスタ40の詳細を示す部分拡大図である。
テスタ40は、図3及び図4に示すように、テスタ40の底部に水平に設けられたテスタマザーボード41を有する。テスタマザーボード41には、不図示の複数の検査回路基板が立設状態で装着されている。また、テスタマザーボード41の底面には複数の電極が設けられている。
さらに、テスタ40の下方には、ポゴフレーム70とプローブカード80とがそれぞれ1つずつ上側からこの順で設けられている。
テスタ40の周囲において、各分割領域13aの上壁10aから複数の支持壁10bが鉛直方向下方に延出して設けられている。そして、互いに対向する支持壁10bの下部にポゴフレーム70が取り付けられている。当該互いに対向する支持壁10b及び当該支持壁10b間に取り付けられているポゴフレーム70により、各テスタ40は支持されている。
ポゴフレーム70は、プローブカード80を支持すると共に、当該プローブカード80とテスタ40とを電気的に接続する。ポゴフレーム70は、テスタ40とプローブカード80との間に位置するように配設されている。ポゴフレーム70は、テスタ40とプローブカード80とを電気的に接続するポゴピンを有する。具体的には、ポゴフレーム70は、多数のポゴピンを保持するポゴブロック72と、このポゴブロック72が挿嵌されることによりポゴピンが取り付けられる取付孔73aが形成されたフレーム本体部73と、を有する。フレーム本体部73は、高強度で剛性が高く、熱膨張係数が小さい材料、例えばNiFe合金で形成される。なお、NiFe合金であれば、フレーム本体部73の熱伝導性も高くすることができる。
ポゴフレーム70の下面には、プローブカード80が、所定の位置に位置合わせされた状態で真空吸着される。
また、ポゴフレーム70の下面には、プローブカード80の取り付け位置を囲むように、鉛直下方に延出するベローズ74が取り付けられている。当該ベローズ74により、プローブカード80とウェハWを含む密閉空間が形成される。当該密閉空間内では、後述するチャックトップ51上のウェハWがプローブカード80の後述するプローブ82に接触させた状態になっている。
また、バキューム機構(図示せず)によってポゴフレーム70及びプローブカード80に真空吸引力が作用する。当該真空吸引力により、ポゴフレーム70の各ポゴピンの下端は、プローブカード80の後述するカード本体81における上面の対応する電極パッドに接触する。また、当該真空吸引力により、ポゴフレーム70の各ポゴピンの上端は、テスタマザーボード41の下面の対応する電極に接触する。
プローブカード80は、円板状のカード本体81と、カード本体81の上面に設けられた複数の電極パッド(図示せず)と、カード本体81の下面から下方へ向けて延びる複数の針状の端子であるプローブ82とを有する。カード本体81の上面に設けられた上述の複数の電極はそれぞれ対応するプローブ82と電気的に接続されている。また、検査時には、プローブ82はそれぞれ、ウェハWに形成された電子デバイスにおける電極パッドや半田バンプと接触する。したがって、電気的特性検査時には、ポゴピン、カード本体81の上面に設けられた電極及びプローブ82を介して、テスタマザーボード41とウェハW上の電子デバイスとの間で、検査に係る電気信号が送受される。
位置合わせ部50は、チャックトップ51と、アライナ53と備える。チャックトップ51は、アライナ53に着脱可能に載置される。チャックトップ51には、ウェハWが載置される。また、チャックトップ51は、当該載置されたウェハWを吸着する。チャックトップ51には、温度調整機構52が設けられている。この温度調整機構52は、電気的特性検査時にチャックトップ51の温度調整を行う。温度調整機構52により温度調整を行うことにより、チャックトップ51に載置されたウェハWの電気的特性検査時の温度を例えば-30℃~+130℃に調整することができる。
また、アライナ53は、チャックトップ51を支持し、当該チャックトップ51を図3及び図4の上下方向、紙面前後方向及び左右方向に移動させる。
この位置合わせ部50により、チャックトップ51上のウェハWとプローブカード80のプローブ82とを接触させた状態に位置合わせする。また、当該位置合わせ後に、プローブカード80とウェハWを含む密閉空間を形成し、その密閉空間をバキューム機構(図示せず)により真空引きする。このときにアライナ53を下方に移動させることにより、チャックトップ51がアライナ53から切り離され、ポゴフレーム70側に吸着される。
<チャックトップ>
次に、本実施形態の係る検査システム1のチャックトップ51について説明する。図5は、本実施形態に係る検査システム1のチャックトップ51の詳細を示す断面図である。なお、図5は、ウェハWがチャックトップ51上に載置された状態の図である。
次に、本実施形態の係る検査システム1のチャックトップ51について説明する。図5は、本実施形態に係る検査システム1のチャックトップ51の詳細を示す断面図である。なお、図5は、ウェハWがチャックトップ51上に載置された状態の図である。
本実施形態に係る検査システム1のチャックトップ51は、トッププレート55、冷却ジャケット56を備える。なお、本実施形態のチャックトップ51の冷却ジャケット56が、温度調整機構52の一例である。
トッププレート55は、ウェハWが載置される部材である。トッププレート55には、ウェハWを吸着するための機構が設けられている。
冷却ジャケット56は、ウェハWの温度を調整するための部材である。冷却ジャケット56の内部には、熱媒体HMが流通する熱媒体流路58が形成されている。熱媒体流路58は、例えば、上面視で螺旋状に形成されている。なお、熱媒体流路58の上面視形状は螺旋状に限らず、例えば、ジグザグ形状でもよい。熱媒体流路58に導入された熱媒体は冷却ジャケット56の外側に設けられた導入導出配管58aより、後述する高温用チラーユニットChilHや低温用チラーユニットChilLに接続される。なお、温度を調節するための部材として、別途ヒータを備えるようにしてもよい。熱媒体HMは、ウェハWの温度を調節ための媒体である。熱媒体HMは、例えば、水、ブライン等である。熱媒体HMは、ウェハWを冷却するために用いてもよいし、ウェハWを加熱するために用いてもよい。
ここで、本実施形態に係る検査システム1のチャックトップ51について、熱的な関係について説明する。図6は、本実施形態に係る検査システム1のチャックトップ51の熱的な関係を説明する図である。ウェハWとトッププレート55との間には、熱抵抗(以下、「熱抵抗R1」という。)がある。そのため、例えば、ウェハWが発熱する場合には、ウェハWの温度が、トッププレート55の温度から乖離する。同様に、トッププレート55と冷却ジャケット56との間には、熱抵抗(以下、「熱抵抗R2」という。)がある。また、冷却ジャケット56と熱媒体HMとの間には、熱抵抗(以下、「熱抵抗R3」という。)がある。このように、チャックトップ51を構成する部材の間には、熱抵抗R1、R2、R3が存在する。
トッププレート55と冷却ジャケット56には、熱の発生源がないことから、熱媒体HMの温度に追従して、トッププレート55と冷却ジャケット56の温度は変化する。そのことから、熱媒体HMの温度を調整すれば、トッププレート55と冷却ジャケット56の温度を熱媒体HMの温度に維持することができる。しかしながら、ウェハWで発熱がある場合には、ウェハWとトッププレート55との間に熱抵抗R1があるため、ウェハWとトッププレート55との間に温度差(乖離)が生じる。したがって、熱媒体HMの温度を制御しても、ウェハWの温度が熱媒体HMの温度より上昇し、トッププレート55と冷却ジャケット56を設定温度に維持していたとしても、ウェハWの温度が設定温度より上昇していた。本実施形態の検査システム1においては、ウェハWの発熱量Qwを測定し、その発熱量Qwに基づいて補正を行うことにより、ウェハWとトッププレート55との間に熱抵抗R1をキャンセルする。それにより、ウェハWの温度が設定温度になるように温度の制御を行う。なお、チャックトップ51は、載置台の一例である。
<熱媒体の温度制御>
次に、熱媒体HMの温度制御について説明する。図7は、本実施形態に係る検査システム1の熱媒体HMの流路を説明する図である。なお、以下の説明では、熱媒体HMについて、温度や流路が異なる熱媒体について、それぞれ別の符号を割り当てて説明する。
次に、熱媒体HMの温度制御について説明する。図7は、本実施形態に係る検査システム1の熱媒体HMの流路を説明する図である。なお、以下の説明では、熱媒体HMについて、温度や流路が異なる熱媒体について、それぞれ別の符号を割り当てて説明する。
本実施形態に係る検査システム1は、高温用チラーユニットChilH、低温用チラーユニットChilL、三方弁MV1、MV2、制御弁MV3、MV4を備える。
高温用チラーユニットChilHは、温度Tchの熱媒体HM(熱媒体HM1)を供給する。低温用チラーユニットChilLは、温度Tchより低い温度Tclの熱媒体HM(熱媒体HM2)を供給する。なお、高温用チラーユニットChilHは、第1温度に制御された第1熱媒体を供給する第1チラーユニットの一例であり、低温用チラーユニットChilLは、第1温度よりも低い第2温度に制御された第2熱媒体を供給する第2チラーユニットの一例である。また、熱媒体HM1が第1熱媒体、熱媒体HM2が第2熱媒体の一例である。さらに、温度Tchが第1温度、温度Tclが第2温度の一例である。
三方弁MV1、MV2のそれぞれは、一つの流入口から流入した熱媒体HM1又は熱媒体HM2を、2つの流路に分配して流出させる弁である。三方弁MV1、MV2は、電動式又は空気式の駆動部を備える。当該駆動部は、外部からの制御信号により、三方弁MV1、MV2の開度を変化させる。当該開度が変化することにより、三方弁MV1、MV2に流入する熱媒体HM1、HM2を当該開度に応じて分配して2つの流路に流出させる。
制御弁MV3、MV4は、開閉弁であり、開度により流れる流量を制御する弁である。制御弁MV3、MV4は、例えば、ゲート弁、ボール弁等により構成される。制御弁MV3、MV4は、電動式又は空気式の駆動部を備える。当該駆動部は、外部からの制御信号により、制御弁MV3、MV4の開度を変化させる。当該開度が変化することにより、制御弁MV3、MV4のそれぞれから流出する熱媒体HM31又は熱媒体HM32を当該開度に応じた量流出させる。
また、本実施形態の検査システム1は、温度検出器100、101、102、圧力検出器111、112を備える。
温度検出器100、101、102は、温度を検出する機器であり、例えば、測温抵抗体、熱電対、サーミスタ等である。温度検出器100は、チャックトップ51のトッププレート55に設けられ、トッププレート55の温度を測定する。温度検出器101は、熱媒体HM3のチャックトップ51に流入する流路に設けられ、チャックトップ51に流入する熱媒体HM3の温度(入口温度)を測定する。温度検出器102は、熱媒体HM3のチャックトップ51に流出する流路に設けられ、チャックトップ51から排出される熱媒体HM3の温度(出口温度)を測定する。なお、温度検出器101と温度検出器102は、チャックトップ51に流入する熱媒体HM3と流出する熱媒体HM3の温度差を測定することから、チャックトップ51の近くに設けられることが望ましい。
圧力検出器111、112は、圧力を検出する機器である。圧力検出器111は、熱媒体HM3のチャックトップ51に流入する流路に設けられ、チャックトップ51に流入する熱媒体HM3の圧力(入口圧力)を測定する。圧力検出器112は、熱媒体HM3のチャックトップ51に流出する流路に設けられ、チャックトップ51から排出される熱媒体HM3の圧力(出口圧力)を測定する。なお、圧力検出器111と圧力検出器112は、チャックトップ51に流入する熱媒体HM3と流出する熱媒体HM3の差圧を測定することから、チャックトップ51の近くに設けられることが望ましい。
熱媒体HMの流路について説明する。高温用チラーユニットChilHから供給された温度Tchの熱媒体HM1は、三方弁MV1に流入する。三方弁MV1では、制御信号に基づいて、流入した熱媒体HM1の一部の熱媒体HM11を冷却ジャケット56への流路に、残りの熱媒体HM12を高温用チラーユニットChilHに帰還する流路に分流する。このように、三方弁MV1は、流入した熱媒体HM1の一部を冷却ジャケット56の流路に通流する。同様に、低温用チラーユニットChilLから供給された温度Tclの熱媒体HM2は、三方弁MV2に流入する。三方弁MV2では、制御信号に基づいて、流入した熱媒体HM2の一部の熱媒体HM21を冷却ジャケット56への流路に、残りの熱媒体HM22を低温用チラーユニットChilLに帰還する流路に分流する。このように、三方弁MV2は、流入した熱媒体HM2の一部を冷却ジャケット56の流路に通流する。三方弁MV1と三方弁MV2の冷却ジャケット56へ分流された熱媒体HM11、HM21は、途中で合流することにより混合される。当該分流された熱媒体HM11と熱媒体HM21が混合された熱媒体を熱媒体HM3という。高温用チラーユニットChilHから三方弁MV1を介して供給される熱媒体HM11と低温用チラーユニットChilLから三方弁MV2を介して供給される熱媒体HM21のそれぞれの温度と流量により、熱媒体HM3の温度T1が定まる。温度T1は、温度検出器101により測定する。また、熱媒体HM3の圧力P1を、圧力検出器111により測定する。
このように、熱媒体HM3の温度T1を動的に変化させるために、高温の熱媒体HM11(熱媒体HM1)と低温の熱媒体HM21(熱媒体HM2)との2系統の熱媒体HMを混合させる。このように2系統の熱媒体HMを混合させることにより、熱媒体HM3の温度を速く変化させて、所定の温度に安定させることができる。
熱媒体HM11と熱媒体HM21とが混合された熱媒体HM3は、冷却ジャケット56を通過する。熱媒体HM3が冷却ジャケット56を通過することにより、トッププレート55を通して、ウェハWが温度調整される。冷却ジャケット56を流出した熱媒体HM3の温度T2と圧力P2をそれぞれ温度検出器102と圧力検出器112で測定する。そして、冷却ジャケット56を流出した熱媒体HM3は、制御弁MV3と制御弁MV4に流入する。制御弁MV3は、三方弁MV1から冷却ジャケット56に流出した熱媒体HM11と同じ流量の熱媒体HM31を高温用チラーユニットChilHへ帰還する流路に流出する。制御弁MV3を流出した熱媒体HM31は、三方弁MV1から高温用チラーユニットChilHに帰還する熱媒体HM12と混合され(熱媒体HM1R)、高温用チラーユニットChilHに帰還する。制御弁MV4は、三方弁MV2から冷却ジャケット56に流出した熱媒体HM21と同じ流量の熱媒体HM32を低温用チラーユニットChilLへ帰還する流路に流出する。制御弁MV4を流出した熱媒体HM32は、三方弁MV2から低温用チラーユニットChilLに帰還する熱媒体HM22と混合され(熱媒体HM2R)、低温用チラーユニットChilLに帰還する。
なお、熱媒体HM3が所望の混合比に前記第1熱媒体と前記第2熱媒体とを混合した熱媒体の一例である。また、三方弁MV1(第1三方弁)及び三方弁MV2(第2三方弁)が第1チラーユニットの出口のバルブ及び第2チラーユニットの出口のバルブの一例である。
<制御部>
次に、温度制御を行う制御部22について説明する。図8は、本実施形態に係る検査システム1の温度制御に関連する部分の機能ブロック図である。
次に、温度制御を行う制御部22について説明する。図8は、本実施形態に係る検査システム1の温度制御に関連する部分の機能ブロック図である。
制御部22は、全体制御部201、演算部202、弁制御部203、データ取得部204を備える。制御部22は、プログラムが読み出し可能に記憶された記憶装置と、プログラムを実行するCPU(Central Processing Unit)等を備える。制御部22は、コンピュータとして動作する。
全体制御部201は、制御部22全体の制御を行う。
演算部202は、データ取得部204が取得したデータを用いて、後述する温度差や流量、発熱量、補正量、混合比、弁開度等を算出する演算を行う。
弁制御部203は、三方弁MV1、MV2、制御弁MV3、MV4に制御信号を送信することにより、各弁の開度等を制御する。それにより、各弁から流出する熱媒体HMの量を制御する。
データ取得部204は、温度検出器100、101、102と圧力検出器111、112からそれぞれ温度と圧力のデータを取得する。
<ウェハの温度制御方法>
次に、本実施形態に係る検査システム1の処理について説明する。図9は、本実施形態に係る検査システム1の処理を説明するフローチャートである。検査システム1は、以下のステップ(手順)に基づいて処理を行う。なお、本実施形態に係る検査システム1においては、図9の処理を行いながら、ウェハWの電気的な試験等を行う。
次に、本実施形態に係る検査システム1の処理について説明する。図9は、本実施形態に係る検査システム1の処理を説明するフローチャートである。検査システム1は、以下のステップ(手順)に基づいて処理を行う。なお、本実施形態に係る検査システム1においては、図9の処理を行いながら、ウェハWの電気的な試験等を行う。
(ステップS10) 検査システム1の動作を開始する(例えば、検査処理が開始する、等。)と、制御部22は、検査システム1の初期化を行う初期化処理を行う。初期化処理において、例えば、制御部22の各機能部の初期化を行う。
(ステップS20) データ取得部204は、温度検出器101から温度T1を取得する。また、データ取得部204は、温度検出器102から温度T2を取得する。演算部202は、数式1に基づいて、データ取得部204が取得した温度T1と温度T2との差分に基づいて温度差ΔTを求める。なお、温度Taは、ウェハWが発熱していない場合の温度T1と温度T2の温度差である。この温度Taは、温度検出器101と温度検出器102との間の配管抵抗による発熱等による温度上昇によるものである。
(ステップS30) データ取得部204は、圧力検出器111から圧力P1を取得する。また、データ取得部204は、圧力検出器112から圧力P2を取得する。演算部202は、数式2に基づいて、データ取得部204が取得した圧力P1と圧力P2の圧力差ΔPを求める。さらに、求めた圧力差ΔPを用いて、数式3に基づいて、冷却ジャケット56を流れた熱媒体HM(熱媒体HM3)の流量Qを求める。なお、K1は、冷却ジャケット56の構造等から定まる定数である。
なお、本実施形態に係る検査システム1では、圧力差ΔPから熱媒体HM(熱媒体HM3)の流量Qを求めているが、別の手段を用いて当該流量Qを求めてもよい。例えば、電磁流量計や羽根車式流量計、コリオリ式流量計、超音波流量計等の流量計を用いてもよい。また、熱媒体の流路内にオリフィス等を設けてその差圧から流量を測定してもよい。
(ステップS40) 演算部202は、求めた温度差ΔTと流量Qから、数式4に基づいて、ウェハWの発熱量Qwを推定する。なお、K2は、熱抵抗R1等から定まる定数である。
(ステップS50) 演算部202は、求めたウェハWの発熱量Qwから、数式5に基づいて、ウェハWの温度を制御するための補正値Tcorを求める。なお、K3は、熱抵抗R1等から定まる定数である。
前述のように、ウェハWが発熱する場合には、ウェハWとトッププレート55との間の熱抵抗R1により、トッププレート55の温度を、ウェハWの目標温度Twにしたとしても、ウェハWの温度は目標温度Twから乖離する。そこで、本実施形態に係る検査システム1においては、トッププレート55の温度をウェハWの目標温度Twから、補正値Tcorだけオフセットさせて制御を行う。すなわち、ウェハWの温度を目標温度Twになるように制御する場合には、トッププレート55の温度を数式6のように目標温度Ttpとする。トッププレート55の温度を目標温度Ttpにする場合には、チャックトップ51(冷却ジャケット56)に供給される熱媒体HM3の温度を目標温度Ttpにする。
なお、目標温度Ttpについては、ウェハWの発熱量Qwに応じて変更するようにしてもよい。例えば、発熱量Qwが小さいとき(発熱量Qwが設定された閾値より小さいとき(閾値以下のとき))には、ウェハWの目標温度Twとしてもよい。その場合には、発熱量Qwが大きいとき(発熱量Qwが設定された閾値より大きいとき(閾値以上のとき))には、上記補正値Tcorを用いて補正する。
(ステップS60) 演算部202は、高温用チラーユニットChilHが供給する熱媒体HM1(温度Tch)と低温用チラーユニットChilLが供給する熱媒体HM2(温度Tcl)との混合比Chmを求める。演算部202は、熱媒体HM1と熱媒体HM2とを混合した熱媒体HM3が目標とする目標温度Ttpになるように数式7に基づいて混合比Chmを求める。本実施形態に係る検査システム1では、混合比を熱媒体HM3の流量に対する熱媒体HM1の比として求めた。なお、高温用チラーユニットChilHが供給する熱媒体HM(温度Tch)の混合する流量を流量Qh、低温用チラーユニットChilLが供給する熱媒体HM(温度Tcl)の混合する流量を流量Qlとする。
このように温度T1と温度T2との差分と、流量Qとに基づきウェハWの発熱量Qwを求める。そして当該ウェハWの発熱量Qwに基づく補正値Tcorにより補正された目標温度Ttpから、混合比Chmを求める。このように求めることにより、温度T1と温度T2との差分と、流量Qとに基づき混合比Chmを補正することができる。
なお、本実施形態では、ウェハWの発熱量Qwを求めているが、温度T1と温度T2との差分と、流量Qとに基づいて混合比Chmを補正してもよい。例えば、温度T1と温度T2との差分と流量Qとから、直接、混合比Chmを補正できるテーブルを予め用意し、そのテーブルを用いて混合比Chmを求めてもよい。
上記のように、制御部22は、ステップS20により、温度T1と温度T2とを測定する工程を制御する。また、制御部22は、ステップS30により、圧力P1と圧力P2とを測定する工程を制御する。さらに、制御部22は、ステップS20、S30、S40、S50、S60により、混合比Chmを補正する工程を制御する。
(ステップS70) 演算部202は、求めた混合比Chmになるように、三方弁MV1と、三方弁MV2の弁開度を求める。そして、弁制御部203は、求めた弁開度を用いて、三方弁MV1、MV2の開度を制御する。また、それにあわせて、制御弁MV3、MV4の開度を制御する。
(ステップS80) 制御部22は、処理を終了するか判定を行う。処理を終了する場合(ステップS80:YES)は、ステップS90に進む。処理を終了しない場合(ステップS80:NO)は、ステップS20に戻って、ステップS20からの処理を繰り返す。
(ステップS90) 検査システム1を終了させるための処理を行う。
<検査システムの動作>
本実施形態に係る検査システム1を動作について説明する。図10は、本実施形態に係る検査システム1を動作させたときの温度について説明する図である。図11は、比較例の検査システムを動作させたときの温度について説明する図である。図10、図11は、ウェハWの目標温度を85℃とする場合について示している。図10、図11の横軸は、ウェハWの発熱量Qw、縦軸はトッププレート55、ウェハW、熱媒体HM3のそれぞれの温度を表している。
本実施形態に係る検査システム1を動作について説明する。図10は、本実施形態に係る検査システム1を動作させたときの温度について説明する図である。図11は、比較例の検査システムを動作させたときの温度について説明する図である。図10、図11は、ウェハWの目標温度を85℃とする場合について示している。図10、図11の横軸は、ウェハWの発熱量Qw、縦軸はトッププレート55、ウェハW、熱媒体HM3のそれぞれの温度を表している。
本実施形態に係る検査システム1では、図10に示すように、検査対象であるウェハWの発熱量Qwに応じて、トッププレート55の温度を調整する目標温度Ttp(トッププレート設定温度)を補正する。具体的には、ウェハWの発熱量Qwが大きいほど、トッププレートの設定温度を低くしている。図10の熱媒体温度は、熱媒体HM3の出口温度(温度T2)を表している。ウェハWが発熱していない場合に、熱媒体温度は90℃になっている。すなわち、数式1のTaは5℃である。トッププレート設定温度はウェハWの発熱量Qwが大きくなると、低くなっている。これにより、熱媒体温度は、発熱量Qwが大きくなると、低くなっている。それにより、ウェハWの温度をウェハWの発熱量Qwによらず、一定になっている。
一方、比較例の検査システムでは、図11に示すように、ウェハWでの発熱量Qwにかかわらず、トッププレート55の温度を調整する目標温度Ttp(トッププレート設定温度)を一定にしている。そのため、熱媒体温度は一定となる。なお、図11の熱媒体温度は、熱媒体HM3の出口温度(温度T2)を表している。しかしながら、ウェハWの温度は、ウェハWの発熱量Qwにより、トッププレート55とウェハWとの間で温度の乖離が起こり、ウェハWの温度は高くなっている。このように、ウェハWの発熱により、ウェハWがトッププレート設定温度より高くなってしまいウェハWの目標温度に制御することができない。
なお、温度検出器101は流路の入口における熱媒体の温度を測定するセンサの一例である。温度検出器102は流路の出口における熱媒体の温度を測定するセンサの一例である。また、圧力検出器111は流路の入口における熱媒体の圧力を測定するセンサの一例である。圧力検出器112は流路の出口における熱媒体の圧力を測定するセンサの一例である。
<作用、効果>
本実施形態に係る検査システム1は、ウェハW(基板)の発熱に応じて、トッププレート55の温度を調整する目標温度を補正することから、ウェハW(基板)の発熱にかかわらず、基板ごとに設定された設定温度に基づき検査を行うことができる。このようにして、基板と流路との間の熱抵抗に応じた基板の温度調整を行うことが可能である。
本実施形態に係る検査システム1は、ウェハW(基板)の発熱に応じて、トッププレート55の温度を調整する目標温度を補正することから、ウェハW(基板)の発熱にかかわらず、基板ごとに設定された設定温度に基づき検査を行うことができる。このようにして、基板と流路との間の熱抵抗に応じた基板の温度調整を行うことが可能である。
また、高温用チラーユニットChilHと低温用チラーユニットChilLから一定の温度の熱媒体を供給して、それらの熱媒体を混ぜ合わせることにより、冷却ジャケット56の温度の調整を行っている。このように、熱媒体を混ぜ合わせることによって、動的に熱媒体HMの温度を変化させることができる。また、熱媒体を混ぜ合わせることによって、応答を速く温度を変更することができる。温度を速く変更することにより、検査の時間を短縮することができる。
さらに、ウェハWの発熱量Qwを、熱媒体HMの流路上の温度検出器、圧力検出器での測定結果を用いて算出することにより、ウェハWの温度を直接測定しなくても、補正を行うことができる。例えば、検査中のウェハWの温度を検出するためには、テスタ40から情報を得る必要がある。その場合はテスタ40に依存して処理を行わなければならない。本実施形態に係る検査システム1では、テスタ40から情報得る必要がないことから、テスタ40に依存せずに処理を行うことができる。
なお、本実施形態では、三方弁MV1、MV2を用いているが、当該三方弁を制御弁MV3、MV4と同様に開閉弁としてもよい。その場合には、当該三方弁MV1、MV2から、制御弁MV3、MV4の下流の合流点までの流路が不要となり、配管を簡略にすることができる。
<変形例1>
本実施形態に係る検査システム1の流路を変更した例を示す。図12は、本実施形態に係る検査システムの変形例1の熱媒体の流路を説明する図である。
本実施形態に係る検査システム1の流路を変更した例を示す。図12は、本実施形態に係る検査システムの変形例1の熱媒体の流路を説明する図である。
変形例1の熱媒体HMの流路について説明する。高温用チラーユニットChilHから供給された温度Tchの熱媒体HM1は、熱交換器HEX1に流入する。同様に、低温用チラーユニットChilLから供給された温度Tclの熱媒体HM2は、熱交換器HEX1に流入する。また、熱媒体HM1と熱媒体HM2のそれぞれの流量は、制御弁MV5、MV6により制御されている。熱交換器HEX1では、熱媒体HM1と熱媒体HM2との間で、熱交換が行われる。それにより、熱交換器HEX1から流出した熱媒体HM1の温度は、熱交換器HEX1への流入時と比較すると低下する。そして、熱媒体HM1と熱媒体HM2とのそれぞれの流量により、熱交換器HEX1から流出した熱媒体HM1の温度を制御することができる。
前述のようにウェハWが発熱する場合には、ウェハWとトッププレート55との間の熱抵抗R1により、トッププレート55の温度を、ウェハWの目標温度Twにしたとしても、ウェハWの温度は目標温度Twから乖離する。そこで、本実施形態に係る検査システム1においては、トッププレート55の温度をウェハWの目標温度Twから、補正値Tcorだけオフセットさせて制御を行う。すなわち、ウェハWの温度を目標温度Twになるように制御する場合には、トッププレート55の温度を前述の数式6のように目標温度Ttpとする。トッププレート55の温度を目標温度Ttpにする場合には、チャックトップ51(冷却ジャケット56)に供給される熱媒体HM3の温度を目標温度Ttpにする。このように、制御部22は、目標温度を補正する工程と、を制御する。
変形例1の熱媒体HMの流路を用いることによって、高温用チラーユニットChilHと低温用チラーユニットChilLのそれぞれから供給された熱媒体HM1、HM2を混合させることなく、ウェハWの温度調整を行うことができる。それにより、例えば、高温用チラーユニットChilHと低温用チラーユニットChilLの熱媒体として別の熱媒体を用いることができる。
<変形例2>
本実施形態に係る検査システム1の流路を変更した例を示す。図13は、本実施形態に係る検査システムの変形例2の熱媒体の流路を説明する図である。
本実施形態に係る検査システム1の流路を変更した例を示す。図13は、本実施形態に係る検査システムの変形例2の熱媒体の流路を説明する図である。
変形例2の熱媒体HMの流路について説明する。高温用チラーユニットChilHから供給された温度Tchの熱媒体HM1は、熱媒体HM11と、熱媒体HM12に分けられる。熱媒体HM11は、熱交換器HEX2に流入する。熱媒体HM12は、三方弁MV7に流入する。同様に、低温用チラーユニットChilLから供給された温度Tclの熱媒体HM2は、熱媒体HM21と、熱媒体HM22に分けられる。熱媒体HM21は、熱交換器HEX2に流入する。熱媒体HM22は、三方弁MV8に流入する。三方弁MV7、MV8の開度を制御することにより、熱媒体HM11と熱媒体HM21のそれぞれの流量は制御される。熱交換器HEX2では、熱媒体HM11と熱媒体HM21との間で、熱交換が行われる。それにより、熱交換器HEX2から流出した熱媒体HM11の温度は、熱交換器HEX2への流入時と比較すると低くなる。そして、熱媒体HM11と熱媒体HM21とのそれぞれの流量により、熱交換器HEX2から流出した熱媒体HM1の温度を制御することができる。目標温度の補正については変形例1と同じである。
変形例2の熱媒体HMの流路を用いることによって、高温用チラーユニットChilHと低温用チラーユニットChilLのそれぞれから供給された熱媒体HM1、HM2の流量をほぼ一定にすることができる。それにより、高温用チラーユニットChilHと低温用チラーユニットChilLの温度をより安定させることができる。
なお、変形例2において、三方弁MV7、MV8は、それぞれ高温用チラーユニットChilHと低温用チラーユニットChilLの熱媒体が帰還する流路に設けられているが、それぞれ設置する場所は、当該流路に限らない。例えば、三方弁MV7、MV8は、それぞれ高温用チラーユニットChilHと低温用チラーユニットChilLの熱媒体が供給される流路、すなわち、熱交換器HEX2に流入側の流路、に設けられてよい。
今回開示された本実施形態に係る検査システム及び検査方法は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
本願は、日本特許庁に2019年9月18日に出願された基礎特許出願2019-169728号の優先権を主張するものであり、その全内容を参照によりここに援用する。
1 検査システム
10 筐体
22 制御部
52 温度調整機構
55 トッププレート
56 冷却ジャケット
58 熱媒体流路
60 カメラ
100 温度検出器
101 温度検出器
102 温度検出器
111 圧力検出器
112 圧力検出器
202 演算部
ChilH 高温用チラーユニット
ChilL 低温用チラーユニット
MV1 三方弁
MV2 三方弁
MV3 制御弁
MV4 制御弁
10 筐体
22 制御部
52 温度調整機構
55 トッププレート
56 冷却ジャケット
58 熱媒体流路
60 カメラ
100 温度検出器
101 温度検出器
102 温度検出器
111 圧力検出器
112 圧力検出器
202 演算部
ChilH 高温用チラーユニット
ChilL 低温用チラーユニット
MV1 三方弁
MV2 三方弁
MV3 制御弁
MV4 制御弁
Claims (7)
- 第1温度に制御された第1熱媒体を供給する第1チラーユニットと、前記第1温度よりも低い第2温度に制御された第2熱媒体を供給する第2チラーユニットと、所望の混合比に前記第1熱媒体と前記第2熱媒体とを混合した熱媒体が供給される流路が設けられた載置台と、制御部とを有し、前記載置台に載置された基板に対して検査を行う検査システムであって、
前記制御部は、
前記流路の入口における前記熱媒体の温度と前記流路の出口における前記熱媒体の温度とを測定する工程と、
前記入口及び出口における前記熱媒体の温度の差分と前記熱媒体の流量とに基づき、前記第1熱媒体と前記第2熱媒体との前記混合比を補正する工程と、を制御する、
検査システム。 - 前記制御部は、
前記入口及び出口における前記熱媒体の温度の差分と前記熱媒体の流量とに基づき、前記基板の発熱量を算出する工程と、
前記発熱量に基づき、前記第1熱媒体と前記第2熱媒体との前記混合比を補正する工程と、を制御する、
請求項1に記載の検査システム。 - 前記制御部は、補正した前記混合比になるように、前記第1チラーユニットの出口のバルブの開度と、前記第2チラーユニットの出口のバルブの開度とを制御する、
請求項1又は請求項2に記載の検査システム。 - 前記制御部は、
前記流路の入口における前記熱媒体の圧力と、前記流路の出口における前記熱媒体の圧力とを測定する工程と、を制御し、
前記入口及び出口における前記熱媒体の圧力の差分から、前記熱媒体の流量を求める、
請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の検査システム。 - 前記第1チラーユニットの出口のバルブは、前記第1熱媒体が流入し、流入した前記第1熱媒体の一部を前記流路に通流する第1三方弁であり、
前記第2チラーユニットの出口のバルブは、前記第2熱媒体が流入し、流入した前記第2熱媒体の一部を前記流路に通流する第2三方弁である、
請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の検査システム。 - 第1温度に制御された第1熱媒体を供給する第1チラーユニットと、前記第1温度よりも低い第2温度に制御された第2熱媒体を供給する第2チラーユニットと、前記第1熱媒体と前記第2熱媒体との間で熱交換を行うことにより、所望の目標温度に低下した前記第1熱媒体が供給される流路が設けられた載置台と、制御部とを有し、前記載置台に載置された基板に対して検査を行う検査システムであって、
前記制御部は、
前記流路の入口における前記第1熱媒体の温度と前記流路の出口における前記第1熱媒体の温度とを測定する工程と、
前記入口及び出口における前記第1熱媒体の温度の差分と前記第1熱媒体の流量とに基づき、前記目標温度を補正する工程と、を制御する、
検査システム。 - 第1温度に制御された第1熱媒体を供給する第1チラーユニットと、前記第1温度よりも低い第2温度に制御された第2熱媒体を供給する第2チラーユニットと、所望の混合比に基づき前記第1熱媒体と前記第2熱媒体とを混合した熱媒体が供給される流路が設けられた載置台とを有し、前記載置台に載置された基板に対し検査を行う検査方法であって、
前記流路の入口における前記熱媒体の温度と前記流路の出口における前記熱媒体の温度とを測定する工程と、
前記入口及び出口における前記熱媒体の温度の差分と前記熱媒体の流量とに基づき、前記第1熱媒体と前記第2熱媒体との前記混合比を補正する工程と、を実行する検査方法。
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