WO2021002238A1 - 高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents

高周波モジュール及び通信装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2021002238A1
WO2021002238A1 PCT/JP2020/024506 JP2020024506W WO2021002238A1 WO 2021002238 A1 WO2021002238 A1 WO 2021002238A1 JP 2020024506 W JP2020024506 W JP 2020024506W WO 2021002238 A1 WO2021002238 A1 WO 2021002238A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
filter
band
terminal
switch
selection
Prior art date
Application number
PCT/JP2020/024506
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
勝也 池上
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Priority to CN202080048327.XA priority Critical patent/CN114051694B/zh
Publication of WO2021002238A1 publication Critical patent/WO2021002238A1/ja
Priority to US17/396,909 priority patent/US11777534B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H2007/013—Notch or bandstop filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/1758—Series LC in shunt or branch path
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/1766—Parallel LC in series path
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10053—Switch
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/1006—Non-printed filter

Definitions

  • the present invention generally relates to a high-frequency module and a communication device, and more particularly to a high-frequency module including a low-pass filter or a notch filter, and a communication device including a high-frequency module.
  • the high frequency module described in Patent Document 1 includes a low-pass filter, a switch (switch module), and a first band filter and a second band filter (first duplexer and second duplexer).
  • the low-pass filter is connected between the common terminal of the switch and the antenna.
  • the first band filter is connected to the first selection terminal of the switch.
  • the second band filter is connected to the second selection terminal of the switch.
  • the first band filter is a filter that allows signals in the first frequency band to pass through.
  • the second band filter is a filter that passes signals in the second frequency band, which is on the higher frequency side than the first frequency band.
  • a low-pass filter is connected to the antenna side of the switch that bundles the first band filter having a relatively low frequency and the second band filter having a relatively high frequency. It is assumed that carrier aggregation is performed by the first band filter and the second band filter. In this case, the harmonic component of the signal in the first frequency band is within the pass band of the low-pass filter and overlaps with the attenuation region on the high frequency side of the second band filter, so that the filter characteristics of the second band filter are improved. There was a problem of making it worse.
  • An object of the present invention is a high frequency module and a communication device capable of suppressing the harmonic component of a signal passing through a relatively low frequency band filter from deteriorating the filter characteristics of a relatively high frequency band filter. Is to provide.
  • the high frequency module includes a mounting board, a switch, an attenuation filter, and a plurality of band filters.
  • the switch has a common terminal mounted on the mounting board and connected to the antenna terminal, and a plurality of selection terminals connected to the common terminal, and among the common terminal and the plurality of selection terminals. It is a switch that can connect at least the first selection terminal and the second selection terminal at the same time.
  • the attenuation filter is mounted on the mounting board and is connected between the common terminal and the antenna terminal.
  • the plurality of band filters are mounted on the mounting board and connected to the plurality of selection terminals.
  • the plurality of band filters include a first band filter and a second band filter.
  • the first band filter is connected to the first selection terminal, and the first frequency band is used as a pass band.
  • the second band filter is connected to the second selection terminal, and a second frequency band higher than the first frequency band is set as a pass band.
  • the attenuation filter is a low-pass filter or a notch filter including at least one reactance element of an inductive element and a capacitive element. In the high-frequency module, the reactance element and at least one band filter among the plurality of band filters are adjacent to each other when the mounting substrate is viewed in a plan view.
  • the high frequency module includes a mounting board, a switch, an attenuation filter, a plurality of band filters, and a plurality of inductors.
  • the switch has a common terminal mounted on the mounting board and connected to the antenna terminal, and a plurality of selection terminals connected to the common terminal, and among the common terminal and the plurality of selection terminals. It is a switch that can connect at least the first selection terminal and the second selection terminal at the same time.
  • the attenuation filter is mounted on the mounting board and is connected between the common terminal and the antenna terminal.
  • the plurality of band filters are mounted on the mounting board and connected to the plurality of selection terminals.
  • the plurality of inductors are connected to the plurality of band filters between the plurality of band filters and the switch.
  • the plurality of band filters include a first band filter and a second band filter.
  • the first band filter is connected to the first selection terminal, and the first frequency band is used as a pass band.
  • the second band filter is connected to the second selection terminal, and a second frequency band higher than the first frequency band is set as a pass band.
  • the attenuation filter is a low-pass filter or a notch filter including at least one reactance element of an inductive element and a capacitive element. In the high-frequency module, the reactance element and at least one inductor among the plurality of inductors are adjacent to each other when the mounting substrate is viewed in a plan view.
  • the communication device includes the high frequency module and a signal processing circuit.
  • the signal processing circuit processes a received signal received via the antenna terminal.
  • the harmonic component of the signal passing through the relatively low-frequency band filter deteriorates the filter characteristics of the relatively high-frequency band filter. It can be suppressed.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a communication device including a high frequency module according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a circuit configuration diagram of an attenuation filter of the same high frequency module.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing the arrangement of each component of the high frequency module of the above.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram for explaining the characteristics of the high frequency module of the same.
  • FIG. 5 is a schematic plan view showing the arrangement of each component of the high frequency module according to the first modification of the first embodiment.
  • FIG. 6 is a circuit configuration diagram of a communication device including the high frequency module according to the second embodiment.
  • FIG. 7 is a circuit configuration diagram of an attenuation filter of the same high frequency module.
  • FIG. 8 is a schematic plan view showing the arrangement of each component of the high frequency module of the above.
  • FIGS. 3 and 7 referred to in the first embodiment and the like below are schematic views, and the ratio of the size and the thickness of each component in the figure does not necessarily reflect the actual dimensional ratio. Not always.
  • the high frequency module 1 is used, for example, in a communication device 300 compatible with multimode / multiband.
  • the communication device 300 is, for example, a mobile phone (for example, a smartphone), but is not limited to this, and may be, for example, a wearable terminal (for example, a smart watch) or the like.
  • the high frequency module 1 is a module capable of supporting, for example, a 4G (4th generation mobile communication) standard, a 5G (5th generation mobile communication) standard, and the like.
  • the 4G standard is, for example, a 3GPP LTE standard (LTE: Long Term Evolution).
  • the 5G standard is, for example, 5G NR (New Radio).
  • the high frequency module 1 is a module capable of supporting carrier aggregation and dual connectivity.
  • the high frequency module 1 is configured to, for example, amplify the transmission signal input from the signal processing circuit 301 and output it to the antenna 310. Further, the high frequency module 1 is configured to amplify the received signal input from the antenna 310 and output it to the signal processing circuit 301.
  • the signal processing circuit 301 is not a component of the high frequency module 1, but a component of the communication device 300 including the high frequency module 1.
  • the high frequency module 1 according to the first embodiment is controlled by, for example, the signal processing circuit 301 included in the communication device 300.
  • the communication device 300 includes a high frequency module 1 and a signal processing circuit 301.
  • the communication device 300 further includes an antenna 310.
  • the signal processing circuit 301 processes the received signal received via the antenna 310.
  • the high-frequency module 1 includes a mounting board 9 (see FIG. 3), a switch 4, an attenuation filter 3, and a plurality of band filters (first transmission filter 12A, second transmission filter 12B, third transmission).
  • a transmission filter 12C, a first reception filter 22A, a second reception filter 22B, and a third reception filter 22C) are provided.
  • the attenuation filter 3 is, for example, a low-pass filter.
  • the switch 4 has a common terminal 40 mounted on the mounting board 9 and connected to the antenna terminal 81, and a plurality of selection terminals 41 to 43 connected to the common terminal 40.
  • the switch 4 is a switch capable of simultaneously connecting at least the selection terminal (first selection terminal) 41 and the selection terminal (second selection terminal) 42 among the common terminal 40 and the plurality of selection terminals 41 to 43.
  • the attenuation filter 3 is mounted on the mounting board 9 and is connected between the common terminal 40 and the antenna terminal 81.
  • the plurality of band filters are mounted on the mounting board 9 and connected to the plurality of selection terminals 41 to 43.
  • the plurality of band filters include a first band filter (first reception filter 22A) and a second band filter (second reception filter 22B).
  • the first band filter is a filter connected to the first selection terminal 41 and having the first frequency band as a pass band.
  • the second band filter is a filter connected to the second selection terminal 42 and having a second frequency band higher than the first frequency band as a pass band.
  • the attenuation filter 3 is a low-pass filter or a notch filter including at least one reactance element of an inductive element (for example, an inductor 32) and a capacitive element (for example, a capacitor 35).
  • the reactance element for example, the inductor 32
  • at least one band filter for example, the first reception filter 22A
  • adjacent means that no other electronic component exists between two adjacent electronic components.
  • the plurality of band filters include a first band filter and a second band filter. Then, the reactance element included in the attenuation filter 3 and at least one band filter among the plurality of band filters are adjacent to each other. Thereby, the reactance element and a part of at least one band filter (for example, bump 24) among the plurality of band filters can be magnetically coupled or capacitively coupled. As a result, the attenuation filter 3 passes so that the harmonic component of the signal (received signal) passing through the first band filter (for example, the first reception filter 22A), which is a band filter having a relatively low frequency, does not pass. The band can be shifted to the low frequency side. As a result, it is possible to prevent the harmonic component of the signal passing through the first band filter, which is a relatively low frequency band filter, from deteriorating the filter characteristics of the second band filter, which is a relatively high frequency band filter. can do.
  • the first band filter which is a relatively low frequency band filter
  • the high frequency module 1 includes a power amplifier 11, a low noise amplifier 21, a plurality of (three in the illustrated example) filter units 2, and a plurality of filter units 2.
  • the attenuation filter 3 and the matching circuit 7 are provided.
  • the high frequency module 1 includes an output matching circuit 13, an input matching circuit 23, a first switch 4, a second switch 5, and a third switch 6.
  • each of the plurality of filter units 2 is also referred to as "first filter unit 2A", “second filter unit 2B", and "third filter unit 2C”. ..
  • the power amplifier 11 has an input terminal 111 and an output terminal 112.
  • the power amplifier 11 amplifies the transmission signals of the first communication band, the second communication band, and the third communication band input to the input terminal 111, and outputs the first communication band from the output terminal 112 as a first transmission filter.
  • the transmission signal passing through 12A for example, Band 12.
  • the second communication band corresponds to the transmission signal passing through the second transmission filter 12B, and is, for example, Band 14.
  • the third communication band corresponds to the transmission signal passing through the third transmission filter 12C, and is, for example, Band 26.
  • the output terminal 112 of the power amplifier 11 is connected to the common terminal 50 of the second switch 5 via the output matching circuit 13.
  • the input terminal 111 of the power amplifier 11 is connected to the signal input terminal 82.
  • the input terminal 111 of the power amplifier 11 is connected to the signal processing circuit 301 via, for example, the signal input terminal 82.
  • the signal input terminal 82 is a terminal for inputting a high frequency signal (transmission signal) from an external circuit (for example, a signal processing circuit 301) to the high frequency module 1.
  • the low noise amplifier 21 has an input terminal 211 and an output terminal 212.
  • the low noise amplifier 21 amplifies the reception signals of the fourth communication band, the fifth communication band, and the sixth communication band input to the input terminal 211 and outputs them from the output terminal 212.
  • the fourth communication band corresponds to the received signal passing through the first reception filter 22A, and is, for example, Band 12.
  • the fifth communication band corresponds to the received signal passing through the second reception filter 22B, and is, for example, Band 14.
  • the sixth communication band corresponds to a received signal passing through the third reception filter 22C, and is, for example, Band 26.
  • the input terminal 211 of the low noise amplifier 21 is connected to the common terminal 60 of the third switch 6 via the input matching circuit 23.
  • the output terminal 212 of the low noise amplifier 21 is connected to the signal output terminal 83.
  • the output terminal 212 of the low noise amplifier 21 is connected to the signal processing circuit 301 via, for example, the signal output terminal 83.
  • the signal output terminal 83 is a terminal for outputting a high frequency signal (received signal) from the low noise amplifier 21 to an external circuit (for example, a signal processing circuit 301).
  • the reception band of the fourth communication band is the first frequency band
  • the reception band of the fifth communication band is the second frequency band
  • the first filter unit 2A includes a first transmission filter 12A and a first reception filter 22A. That is, in the first filter unit 2A, the first transmission filter 12A and the first reception filter 22A are integrated on one chip (see FIGS. 1 and 3).
  • the first transmission filter 12A is, for example, a filter whose pass band is the transmission band of the first communication band.
  • the first reception filter 22A is, for example, a filter having a reception band of the fourth communication band as a pass band. That is, in the present embodiment, the first reception filter 22A is a first band filter having a first frequency band as a pass band.
  • Each of the first transmission filter 12A and the first reception filter 22A is, for example, an elastic wave filter.
  • each of the plurality of series arm resonators and the plurality of parallel arm resonators is composed of elastic wave resonators.
  • the surface acoustic wave resonator is, for example, a SAW (Surface Acoustic Wave) resonator.
  • the SAW resonator includes, for example, a piezoelectric substrate and an IDT electrode provided on the piezoelectric substrate.
  • a plurality of the first transmission filters 12A and the first reception filter 22A are formed on one piezoelectric substrate. It has a plurality of IDT electrodes having a one-to-one correspondence with the series arm resonators of the above, and a plurality of IDT electrodes having a one-to-one correspondence with the plurality of parallel arm resonators.
  • the piezoelectric substrate is, for example, a lithium tantalate substrate, a lithium niobate substrate, or the like.
  • the second filter unit 2B includes a second transmission filter 12B and a second reception filter 22B. That is, in the second filter unit 2B, the second transmission filter 12B and the second reception filter 22B are integrated on one chip (see FIGS. 1 and 3).
  • the second transmission filter 12B is, for example, a filter whose pass band is the transmission band of the second communication band.
  • the second reception filter 22B is, for example, a filter having a reception band of the fifth communication band as a pass band. That is, in the present embodiment, the second reception filter 22B is a second band filter having a second frequency band higher than the first frequency band as a pass band.
  • Each of the second transmission filter 12B and the second reception filter 22B is, for example, an elastic wave filter.
  • each of the plurality of series arm resonators and the plurality of parallel arm resonators is composed of elastic wave resonators.
  • the surface acoustic wave resonator is, for example, a SAW resonator.
  • the third filter unit 2C includes a third transmission filter 12C and a third reception filter 22C. That is, in the third filter unit 2C, the third transmission filter 12C and the third reception filter 22C are integrated on one chip (see FIGS. 1 and 3).
  • the third transmission filter 12C is, for example, a filter whose pass band is the transmission band of the third communication band.
  • the third reception filter 22C is, for example, a filter having a reception band of the sixth communication band as a pass band.
  • Each of the third transmission filter 12C and the third reception filter 22C is, for example, an elastic wave filter.
  • Each of the third transmission filter 12C and the third reception filter 22C is composed of a plurality of series arm resonators and a plurality of parallel arm resonators, each of which is an elastic wave resonator.
  • the surface acoustic wave resonator is, for example, a SAW resonator.
  • a plurality of bands are provided by the first transmission filter 12A, the second transmission filter 12B, the third transmission filter 12C, the first reception filter 22A, the second reception filter 22B, and the third reception filter 22C.
  • the filter is configured.
  • the first switch 4 has a common terminal 40 and a plurality of (three in the illustrated example) selection terminals 41 to 43.
  • the common terminal 40 is connected to the antenna terminal 81 via the attenuation filter 3.
  • An antenna 310 is connected to the antenna terminal 81.
  • the selection terminal 41 is connected to a connection point between the output terminal of the first transmission filter 12A and the input terminal of the first reception filter 22A.
  • the selection terminal 42 is connected to a connection point between the output terminal of the second transmission filter 12B and the input terminal of the second reception filter 22B.
  • the selection terminal 43 is connected to a connection point between the output terminal of the third transmission filter 12C and the input terminal of the third reception filter 22C.
  • the first switch 4 is, for example, a switch capable of simultaneously connecting at least the selection terminals 41 and 42 of the plurality of selection terminals 41 to 43 to the common terminal 40. That is, the first switch 4 is a switch capable of one-to-many connection.
  • the first switch 4 is controlled by, for example, the signal processing circuit 301.
  • the first switch 4 switches the connection state between the common terminal 40 and the plurality of selection terminals 41 to 43 according to the control signal from the RF signal processing circuit 302 of the signal processing circuit 301.
  • the first switch 4 is, for example, a switch IC (Integrated Circuit).
  • the second switch 5 has a common terminal 50 and a plurality of (three in the illustrated example) selection terminals 51 to 53.
  • the common terminal 50 is connected to the output terminal 112 of the power amplifier 11 via the output matching circuit 13.
  • the selection terminal 51 is connected to the input terminal of the first transmission filter 12A.
  • the selection terminal 52 is connected to the input terminal of the second transmission filter 12B.
  • the selection terminal 53 is connected to the input terminal of the third transmission filter 12C.
  • the second switch 5 is, for example, a switch capable of simultaneously connecting at least two or more of the plurality of selection terminals 51 to 53 to the common terminal 50. That is, the second switch 5 is a switch capable of one-to-many connection.
  • the second switch 5 is controlled by, for example, the signal processing circuit 301.
  • the second switch 5 switches the connection state between the common terminal 50 and the plurality of selection terminals 51 to 53 according to the control signal from the RF signal processing circuit 302 of the signal processing circuit 301.
  • the second switch 5 is, for example, a switch IC.
  • the third switch 6 has a common terminal 60 and a plurality of (three in the illustrated example) selection terminals 61 to 63.
  • the common terminal 60 is connected to the input terminal 211 of the low noise amplifier 21 via the input matching circuit 23.
  • the selection terminal 61 is connected to the output terminal of the first reception filter 22A.
  • the selection terminal 62 is connected to the output terminal of the second reception filter 22B.
  • the selection terminal 63 is connected to the output terminal of the third reception filter 22C.
  • the third switch 6 is, for example, a switch capable of simultaneously connecting at least two or more of the plurality of selection terminals 61 to 63 to the common terminal 60. That is, the third switch 6 is a switch capable of one-to-many connection.
  • the third switch 6 is controlled by, for example, the signal processing circuit 301.
  • the third switch 6 switches the connection state between the common terminal 60 and the plurality of selection terminals 61 to 63 according to the control signal from the RF signal processing circuit 302 of the signal processing circuit 301.
  • the third switch 6 is, for example, a switch IC.
  • the attenuation filter 3 is provided in the signal path between the antenna terminal 81 and the common terminal 40 of the first switch 4.
  • the attenuation filter 3 attenuates the harmonic component of the received signal received via the antenna 310.
  • the attenuation filter 3 is, for example, a low-pass filter.
  • the attenuation filter 3 is, for example, a filter having the reception band of Band 1 as a pass band.
  • the attenuation filter 3 includes a plurality of (three in the illustrated example) inductors 31 to 33, a plurality of (three in the illustrated example) capacitors 34 to 36, an input terminal 37, and an output terminal 38. And have.
  • the inductor 31 and the capacitor 34 are connected in parallel to form a parallel circuit 391.
  • the parallel circuit 391 is provided between the input terminal 37 and the node N1 on the path P1 between the input terminal 37 and the output terminal 38.
  • the inductor 32 and the capacitor 35 are connected in parallel to form a parallel circuit 392.
  • the parallel circuit 392 is provided between the node N1 and the output terminal 38.
  • the parallel circuit 392 is connected in series with the parallel circuit 391 on the path P1. That is, in the attenuation filter 3, the parallel circuit 391 is located on the input terminal 37 side and the parallel circuit 392 is located on the output terminal 38 side in the path P1.
  • the inductor 33 and the capacitor 36 are connected in series to form a series circuit 393.
  • the series circuit 393 is provided between the node N1 and the ground.
  • the output matching circuit 13 is provided in the signal path between the output terminal 112 of the power amplifier 11 and the common terminal 50 of the second switch 5.
  • the output matching circuit 13 is a circuit for impedance matching between the first transmission filter 12A, the second transmission filter 12B, the third transmission filter 12C, and the power amplifier 11.
  • the output matching circuit 13 is composed of, for example, one inductor, but is not limited to this, and may be composed of a plurality of inductors and a plurality of capacitors.
  • the input matching circuit 23 is provided in the signal path between the input terminal 211 of the low noise amplifier 21 and the common terminal 60 of the third switch 6.
  • the input matching circuit 23 is a circuit for impedance matching between the first receiving filter 22A, the second receiving filter 22B, the third receiving filter 22C, and the low noise amplifier 21.
  • the input matching circuit 23 is composed of, for example, one inductor, but is not limited to this, and may be composed of a plurality of inductors and a plurality of capacitors.
  • the matching circuit 7 has a plurality of (three in the illustrated example) inductors 71 to 73.
  • the inductor 71 is an inductor for achieving impedance matching between the first filter unit 2A, that is, the first transmission filter 12A and the first reception filter 22A, and the attenuation filter 3.
  • the inductor 71 is provided, for example, in the signal path between the connection point of the output terminal of the first transmission filter 12A and the input terminal of the first reception filter 22A and the selection terminal 41 of the first switch 4.
  • the inductor 71 is connected between the signal path and ground.
  • the inductor 72 is an inductor for achieving impedance matching between the second filter unit 2B, that is, the second transmission filter 12B and the second reception filter 22B, and the attenuation filter 3.
  • the inductor 72 is provided, for example, in the signal path between the connection point of the output terminal of the second transmission filter 12B and the input terminal of the second reception filter 22B and the selection terminal 42 of the first switch 4.
  • the inductor 72 is connected between the signal path and ground.
  • the inductor 73 is an inductor for achieving impedance matching between the third filter unit 2C, that is, the third transmission filter 12C and the third reception filter 22C, and the attenuation filter 3.
  • the inductor 73 is provided, for example, in the signal path between the connection point of the output terminal of the third transmission filter 12C and the input terminal of the third reception filter 22C and the selection terminal 43 of the first switch 4.
  • the inductor 73 is connected between the signal path and ground.
  • the communication device 300 includes the above-mentioned high-frequency module 1 and a signal processing circuit 301.
  • the communication device 300 further includes an antenna 310.
  • the signal processing circuit 301 includes an RF signal processing circuit 302 and a baseband signal processing circuit 303.
  • the RF signal processing circuit 302 and the baseband signal processing circuit 303 form a signal processing circuit that processes the first signal and the second signal.
  • the RF signal processing circuit 302 is, for example, an RFIC (Radio Frequency Integrated Circuit), and performs signal processing on a high frequency signal.
  • the RF signal processing circuit 302 performs signal processing such as up-conversion on the high frequency signal (transmission signal) output from the baseband signal processing circuit 303, and outputs the high frequency signal after the signal processing.
  • the baseband signal processing circuit 303 is, for example, a BBIC (Baseband Integrated Circuit), and performs predetermined signal processing on a transmission signal from the outside of the signal processing circuit 301.
  • the received signal processed by the baseband signal processing circuit 303 is used, for example, for image display as an image signal or for a telephone call as an audio signal.
  • the high frequency module 1 transmits a high frequency signal (received signal, transmitted signal) between the antenna 310 and the RF signal processing circuit 302 of the signal processing circuit 301.
  • the baseband signal processing circuit 303 is not an essential component.
  • the vertical and horizontal directions are defined in the directions shown in FIG. That is, in the example shown in FIG. 3, the direction in which the first filter unit 2A and the second filter unit 2B are aligned is the vertical direction (the first filter unit 2A side is the upper side), and the direction in which the first switch 4 and the attenuation filter 3 are aligned. Is the left-right direction (the first switch 4 side is the left side).
  • the high-frequency module 1 further includes a mounting board 9.
  • the mounting board 9 has a rectangular shape in a plan view from the thickness direction of the mounting board 9 (the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 3).
  • the mounting board 9 has a first main surface 91 and a second main surface 92.
  • the first main surface 91 and the second main surface 92 face each other in the thickness direction of the mounting substrate 9.
  • the mounting board 9 is, for example, a printed wiring board, an LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) board, or the like.
  • the mounting substrate 9 is, for example, a multilayer substrate including a plurality of dielectric layers and a plurality of conductor pattern layers.
  • the plurality of dielectric layers and the plurality of conductor pattern layers are laminated in the thickness direction of the mounting substrate 9.
  • Each of the plurality of conductor pattern layers is formed in a predetermined pattern.
  • Each of the plurality of conductor pattern layers includes one or more conductor portions in one plane orthogonal to the thickness direction of the mounting substrate 9.
  • the material of each conductor pattern layer is, for example, copper.
  • the plurality of conductor pattern layers include a ground layer.
  • the above-mentioned first filter unit 2A, second filter unit 2B, attenuation filter 3, first switch 4, and inductors 71 and 72 of the matching circuit 7 are mounted on the first main surface 91 of the mounting board 9.
  • the third filter unit 2C, the second switch 5, the third switch 6, the inductor 73 of the matching circuit 7, the power amplifier 11, the low noise amplifier 21, the output matching circuit 13, and the input matching circuit 23 are not shown. However, it is mounted on the first main surface 91 or the second main surface 92 of the mounting board 9.
  • the attenuation filter 3 is mounted substantially in the center of the first main surface 91 of the mounting board 9.
  • the inductors 31, 32 and the capacitors 34, 35 constituting the attenuation filter 3 are arranged in the order of the inductor 32, the capacitor 35, the inductor 31, and the capacitor 34 from the upper side.
  • Each of the inductors 31 and 32 and the capacitors 34 and 35 is connected to the first main surface 91 of the mounting board 9 by the connecting portion 30.
  • the connecting portion 30 is, for example, solder.
  • the inductor 33 and the capacitor 36 constituting the attenuation filter 3 are not shown, they are connected to the first main surface 91 of the mounting board 9 by the connecting portion 30 like the inductors 31 and 32 and the capacitors 34 and 35. Has been done.
  • the first switch 4 is mounted on the left side of the attenuation filter 3 on the first main surface 91 of the mounting board 9.
  • the first switch 4 is connected to the first main surface 91 of the mounting board 9 by solder, for example.
  • the first filter section 2A and the second filter section 2B are mounted on the right side of the attenuation filter 3 on the first main surface 91 of the mounting board 9.
  • the first filter unit 2A and the second filter unit 2B are arranged at intervals in the vertical direction so that the first filter unit 2A is on the upper side and the second filter unit 2B is on the lower side.
  • Each of the first filter unit 2A and the second filter unit 2B is connected to the first main surface 91 of the mounting board 9 by a plurality of connection units 24.
  • the connecting portion 24 is, for example, a solder bump, but may be a gold bump.
  • the inductor 71 of the matching circuit 7 is mounted on the upper side of the first filter portion 2A on the first main surface 91 of the mounting board 9. That is, the first filter unit 2A and the inductor 71 are arranged at intervals in the vertical direction so that the inductor 71 is on the upper side and the first filter unit 2A is on the lower side.
  • the inductor 72 of the matching circuit 7 is mounted on the upper side of the second filter portion 2B on the first main surface 91 of the mounting board 9. That is, the second filter unit 2B and the inductor 72 are arranged at intervals in the vertical direction so that the inductor 72 is on the upper side and the second filter unit 2B is on the lower side.
  • the first filter unit 2A, the second filter unit 2B, and the inductors 71 and 72 are arranged in the order of the inductor 71, the first filter unit 2A, the inductor 72, and the second filter unit 2B from the upper side.
  • Each of the inductors 71 and 72 is connected to the first main surface 91 of the mounting board 9 by the connecting portion 70.
  • the connection portion 70 is, for example, solder.
  • PB1 indicates the pass band of the first reception filter 22A
  • PB2 indicates the pass band of the second reception filter 22B
  • PB3 indicates the pass band of the third reception filter 22C.
  • PB4 indicates the pass band of the attenuation filter according to the comparative example
  • PB5 indicates the pass band of the attenuation filter 3 according to the present embodiment.
  • HA1 indicates a harmonic (for example, a second harmonic) of the received signal passing through the first receiving filter 22A
  • “HA2” is a received signal passing through the third receiving filter 22C. It shows harmonics (eg, 2nd harmonic).
  • the solid line indicating the pass band PB4 and the broken line indicating the pass band PB5 are shown by shifting them so that they can be easily distinguished, but in reality, at least a part of the straight line extending in the horizontal axis direction is shown. overlapping.
  • the fourth communication band which is the communication band of the first reception filter 22A
  • the fifth communication band which is the communication band of the second reception filter 22B
  • the sixth communication band which is the communication band of the third reception filter 22C
  • the harmonic HA1 of the received signal passing through the first reception filter 22A is included in the pass band PB4. Therefore, for example, when the harmonic HA1 overlaps with the attenuation region of the second reception filter 22B, the filter characteristics of the second reception filter 22B are deteriorated. Even in this case, the harmonic HA2 of the received signal passing through the third reception filter 22C is not included in the pass band PB4 of the attenuation filter according to the comparative example. Therefore, the harmonic HA2 does not deteriorate the filter characteristics of the second reception filter 22B.
  • the inductor 32 (induction element) and the capacitor 35 (capacitive element) constituting the attenuation filter 3 are viewed in a plan view from the thickness direction of the mounting substrate 9.
  • the first filter unit 2A (first reception filter 22A) are adjacent to each other. That is, in FIG. 3, no other electronic component exists between the inductor 32 and the capacitor 35 of the attenuation filter 3 and the first reception filter 22A.
  • the inductor 31 constituting the attenuation filter 3 and the inductor 72 of the matching circuit 7 are adjacent to each other. That is, in FIG.
  • the capacitor 34 constituting the attenuation filter 3 and the second filter unit 2B are adjacent to each other. That is, in FIG. 3, no other electronic component exists between the capacitor 34 of the attenuation filter 3 and the second receiving filter 22B.
  • the inductor 32 and the capacitor 35 are adjacent to each other, for example, a connecting portion 24 for connecting the first receiving filter 22A to the mounting board 9.
  • the capacitor 34 is adjacent to, for example, a connecting portion 24 for connecting the second receiving filter 22B to the mounting board 9.
  • the inductor 32 constituting the attenuation filter 3 is a reactance element.
  • the stray capacitance C1 is a distance. Since it is inversely proportional to d1, the stray capacitance C1 increases as the distance d1 decreases. Further, when the resonance frequency of the attenuation filter 3 is f1, the resonance frequency f1 is inversely proportional to the floating capacitance C1, so that the larger the floating capacitance C1, the smaller the resonance frequency f1.
  • the pass band PB5 of the attenuation filter 3 can be shifted to the low frequency side by reducing the distance d1 between the inductor 32 of the attenuation filter 3 and the connection portion 24 of the first reception filter 22A (see FIG. 4). ). That is, the pass band PB5 of the attenuation filter 3 can be shifted to the low frequency side by capacitively coupling the inductor 32 (induction element) of the attenuation filter 3 and the connection portion 24 of the first reception filter 22A. The same applies to the inductor 31 and the capacitors 34 and 35 constituting the attenuation filter 3.
  • the harmonic component HA1 of the received signal passing through the first reception filter 22A is blocked by the attenuation filter 3.
  • the high-frequency module according to the first embodiment is configured in that the attenuation filter 3 including a plurality of reactance elements (inductors 31 to 33 and capacitors 34 to 36) is composed of one chip 10. Different from 1.
  • the chip 10 including a plurality of reactance elements and the first filter unit 2A are adjacent to each other.
  • the distance between the chip 10 and the first filter unit 2A is d11.
  • the high frequency module 1 has a plurality of band filters such as a first transmission filter 12A, a second transmission filter 12B, a third transmission filter 12C, and a first reception. It includes a filter 22A, a second reception filter 22B, and a third reception filter 22C.
  • the high frequency module 1 may include only the first reception filter 22A, the second reception filter 22B, and the third reception filter 22C, which are reception filters, as a plurality of band filters. In this case, the number of reception filters included in the high frequency module 1 may be at least one.
  • Attenuation filter 3 there is one attenuation filter 3 provided between the antenna 310 and the first switch 4, but for example, a plurality of attenuation filters are provided between the antenna 310 and the first switch 4. You may be.
  • the inductors 31, 32 and the capacitors 34, 35 which form a part of the attenuation filter 3, are adjacent to the first reception filter 22A, the second reception filter 22B, or the inductor 72 of the matching circuit 7. .
  • at least one of the inductors 31, 32, 33 and the capacitors 34, 35, 36 constituting the attenuation filter 3 is used as the inductor of the first reception filter 22A, the second reception filter 22B, or the matching circuit 7. It may be adjacent to 72.
  • the communication device 300A includes a high frequency module 1A and a signal processing circuit 301.
  • the communication device 300A further includes an antenna 310.
  • the signal processing circuit 301 includes an RF signal processing circuit 302 and a baseband signal processing circuit 303.
  • the signal processing circuit 301 and the antenna 310 are the same as those of the communication device 300 according to the first embodiment, and only the high frequency module 1A will be described below.
  • the high frequency module 1A includes a power amplifier 11, a low noise amplifier 21, a plurality of (four in the illustrated example) filter units 2, and an attenuation filter. It includes 3A and a matching circuit 7A. Further, the high frequency module 1A includes an output matching circuit 13, an input matching circuit 23, a plurality of (two in the illustrated example) first switches 4A and 4B, a second switch 5A, a third switch 6A, and a multiplexer 14. And.
  • each of the plurality of filter units 2 is referred to as “first filter unit 2A”, “second filter unit 2B”, “third filter unit 2C”, and “3rd filter unit 2C”. Also referred to as “fourth filter unit 2D”.
  • the power amplifier 11, the low noise amplifier 21, the output matching circuit 13 and the input matching circuit 23 are the same as those of the high frequency module 1 according to the first embodiment, and the description thereof will be omitted here.
  • the first filter unit 2A includes a first transmission filter 12A and a first reception filter 22A. That is, in the first filter unit 2A, the first transmission filter 12A and the first reception filter 22A are integrated on one chip (see FIGS. 6 and 8).
  • the first transmission filter 12A is, for example, a filter whose pass band is the transmission band of the first communication band.
  • the first reception filter 22A is, for example, a filter having a reception band of the first communication band as a pass band.
  • the first communication band is, for example, Band 12.
  • the second filter unit 2B includes a second transmission filter 12B and a second reception filter 22B. That is, in the second filter unit 2B, the second transmission filter 12B and the second reception filter 22B are integrated on one chip (see FIGS. 6 and 8).
  • the second transmission filter 12B is, for example, a filter whose pass band is the transmission band of the second communication band.
  • the second reception filter 22B is, for example, a filter having a reception band of the second communication band as a pass band.
  • the second communication band is, for example, Band 26.
  • the third filter unit 2C includes a third transmission filter 12C and a third reception filter 22C. That is, in the third filter unit 2C, the third transmission filter 12C and the third reception filter 22C are integrated on one chip (see FIGS. 6 and 8).
  • the third transmission filter 12C is, for example, a filter whose pass band is the transmission band of the third communication band.
  • the third reception filter 22C is, for example, a filter whose pass band is the reception band of the third communication band.
  • the third communication band is, for example, Band 11.
  • the fourth filter unit 2D includes a fourth transmission filter 12D and a fourth reception filter 22D. That is, in the fourth filter unit 2D, the fourth transmission filter 12D and the fourth reception filter 22D are integrated on one chip (see FIGS. 6 and 8).
  • the fourth transmission filter 12D is, for example, a filter whose pass band is the transmission band of the fourth communication band.
  • the fourth reception filter 22D is, for example, a filter having a reception band of the fourth communication band as a pass band.
  • the fourth communication band is, for example, Band3.
  • the first transmission filter 12A, the second transmission filter 12B, the third transmission filter 12C, the fourth transmission filter 12D, the first reception filter 22A, the second reception filter 22B, and the third reception A plurality of band filters are configured by the filter 22C and the fourth reception filter 22D.
  • Each of the plurality of first switches 4A and 4B has a common terminal 40 and two selection terminals 41 and 42.
  • the common terminal 40 of the first switch 4A is connected to the antenna terminal 81 via the attenuation filter 3A and the multiplexer 14.
  • An antenna 310 is connected to the antenna terminal 81.
  • the selection terminal (first selection terminal) 41 is connected to a connection point between the output terminal of the first transmission filter 12A and the input terminal of the first reception filter 22A.
  • the selection terminal (second selection terminal) 42 is connected to a connection point between the output terminal of the second transmission filter 12B and the input terminal of the second reception filter 22B.
  • the first switch 4A is, for example, a switch capable of simultaneously connecting two selection terminals 41 and 42 to the common terminal 40. That is, the first switch 4A is a switch capable of one-to-many connection.
  • the common terminal 40 of the first switch 4B is connected to the antenna terminal 81 via the multiplexer 14.
  • the selection terminal (first selection terminal) 41 is connected to a connection point between the output terminal of the third transmission filter 12C and the input terminal of the third reception filter 22C.
  • the selection terminal (second selection terminal) 42 is connected to a connection point between the output terminal of the fourth transmission filter 12D and the input terminal of the fourth reception filter 22D.
  • the first switch 4B is, for example, a switch capable of simultaneously connecting two selection terminals 41 and 42 to the common terminal 40. That is, the first switch 4B is a switch capable of one-to-many connection.
  • Each of the plurality of first switches 4A and 4B is controlled by, for example, the signal processing circuit 301.
  • Each of the plurality of first switches 4A and 4B switches the connection state between the common terminal 40 and the two selection terminals 41 and 42 according to the control signal from the RF signal processing circuit 302 of the signal processing circuit 301.
  • Each of the plurality of first switches 4A and 4B is, for example, a switch IC.
  • the second switch 5A has a common terminal 50 and four selection terminals 51 to 54.
  • the common terminal 50 is connected to the output terminal 112 of the power amplifier 11 via the output matching circuit 13.
  • the selection terminal 51 is connected to the input terminal of the first transmission filter 12A.
  • the selection terminal 52 is connected to the input terminal of the second transmission filter 12B.
  • the selection terminal 53 is connected to the input terminal of the third transmission filter 12C.
  • the selection terminal 54 is connected to the input terminal of the fourth transmission filter 12D.
  • the second switch 5A is, for example, a switch capable of simultaneously connecting at least two or more of the four selection terminals 51 to 54 to the common terminal 50. That is, the second switch 5A is a switch capable of one-to-many connection.
  • the second switch 5A is controlled by, for example, the signal processing circuit 301.
  • the second switch 5A switches the connection state between the common terminal 50 and the four selection terminals 51 to 54 according to the control signal from the RF signal processing circuit 302 of the signal processing circuit 301.
  • the second switch 5A is, for example, a switch IC.
  • the third switch 6A has a common terminal 60 and four selection terminals 61 to 64.
  • the common terminal 60 is connected to the input terminal 211 of the low noise amplifier 21 via the input matching circuit 23.
  • the selection terminal 61 is connected to the output terminal of the first reception filter 22A.
  • the selection terminal 62 is connected to the output terminal of the second reception filter 22B.
  • the selection terminal 63 is connected to the output terminal of the third reception filter 22C.
  • the selection terminal 64 is connected to the output terminal of the fourth reception filter 22D.
  • the third switch 6A is, for example, a switch capable of simultaneously connecting at least two or more of the four selection terminals 61 to 64 to the common terminal 60. That is, the third switch 6A is a switch capable of one-to-many connection.
  • the third switch 6A is controlled by, for example, the signal processing circuit 301.
  • the third switch 6A switches the connection state between the common terminal 60 and the four selection terminals 61 to 64 according to the control signal from the RF signal processing circuit 302 of the signal processing circuit 301.
  • the third switch 6A is, for example, a switch IC.
  • the attenuation filter 3A is provided in the signal path between the multiplexer 14 and the common terminal 40 of the first switch 4A.
  • the attenuation filter 3A attenuates the harmonic component of the received signal toward the first switch 4A side of the received signal received via the antenna 310.
  • the attenuation filter 3A is, for example, a notch filter.
  • the attenuation filter 3A is, for example, a filter having the reception band of Band 1 as a pass band.
  • the attenuation filters 3A include a plurality of (three in the illustrated example) inductors 31A to 33A, a plurality of (three in the illustrated example) capacitors 34A to 36A, an input terminal 37A, and an output terminal 38A. And have.
  • the inductor 31A and the capacitor 34A are connected in series to form a series circuit 391A.
  • the series circuit 391A is provided between the node N2 on the path P2 between the input terminal 37A and the output terminal 38A and the ground.
  • the inductor 32A and the capacitor 35A are connected in series to form a series circuit 392A.
  • the series circuit 392A is provided between the node N3 on the path P2 and the ground.
  • the node N3 is located on the path P2 on the output terminal 38A side of the node N2. Therefore, the series circuit 392A is provided on the output terminal 38A side of the series circuit 391A.
  • the inductor 33A and the capacitor 36A are connected in series to form a series circuit 393A.
  • the series circuit 393A is provided between the node N4 on the path P2 and the ground.
  • the node N4 is located on the path P2 on the output terminal 38A side of the node N3. Therefore, the series circuit 393A is provided on the output terminal 38A side of the series circuit 392A.
  • the multiplexer 14 has a transmission filter and a reception filter.
  • the multiplexer 14 is connected to the common terminal 40 of the first switch 4A via the notch filter 3A, for example, in the signal path between the antenna terminal 81 and the common terminal 40 of the first switch 4A. Further, the multiplexer 14 is directly connected to the common terminal 40 of the first switch 4B, for example, in the signal path between the antenna terminal 81 and the common terminal 40 of the first switch 4B.
  • the matching circuit 7A has a plurality of (four in the illustrated example) inductors 71 to 74.
  • the inductor 71 is an inductor for impedance matching between the first transmission filter 12A and the first reception filter 22A, the attenuation filter 3A, and the multiplexer 14.
  • the inductor 71 is provided, for example, in the signal path between the connection point of the output terminal of the first transmission filter 12A and the input terminal of the first reception filter 22A and the selection terminal 41 of the first switch 4A.
  • the inductor 71 is connected between the signal path and ground.
  • the inductor 72 is an inductor for impedance matching between the second transmission filter 12B and the second reception filter 22B, the attenuation filter 3A, and the multiplexer 14.
  • the inductor 72 is provided, for example, in the signal path between the connection point of the output terminal of the second transmission filter 12B and the input terminal of the second reception filter 22B and the selection terminal 42 of the first switch 4A.
  • the inductor 72 is connected between the signal path and ground.
  • the inductor 73 is an inductor for impedance matching between the third transmission filter 12C and the third reception filter 22C and the multiplexer 14.
  • the inductor 73 is provided, for example, in the signal path between the connection point of the output terminal of the third transmission filter 12C and the input terminal of the third reception filter 22C and the selection terminal 41 of the first switch 4B.
  • the inductor 73 is connected between the signal path and ground.
  • the inductor 74 is an inductor for impedance matching between the fourth transmission filter 12D and the fourth reception filter 22D and the multiplexer 14.
  • the inductor 74 is provided, for example, in the signal path between the connection point of the output terminal of the fourth transmission filter 12D and the input terminal of the fourth reception filter 22D and the selection terminal 42 of the first switch 4B.
  • the inductor 74 is connected between the signal path and ground.
  • the vertical and horizontal directions are defined in the directions shown in FIG. That is, in the example shown in FIG. 8, the direction in which the first filter unit 2A and the second filter unit 2B are arranged is the left-right direction (the first filter unit 2A side is the left side), and the first filter unit 2A and the third filter unit 2C The direction in which is lined up is the vertical direction (the first filter portion 2A side is the upper side).
  • the high-frequency module 1A further includes a mounting board 9.
  • the mounting board 9 has a rectangular shape in a plan view from the thickness direction of the mounting board 9 (the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 8).
  • the mounting board 9 has a first main surface 91 and a second main surface 92.
  • the first main surface 91 and the second main surface 92 face each other in the thickness direction of the mounting substrate 9 (the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 8).
  • the mounting board 9 is, for example, a printed wiring board, an LTCC board, or the like.
  • the mounting substrate 9 is, for example, a multilayer substrate including a plurality of dielectric layers and a plurality of conductor pattern layers.
  • the plurality of dielectric layers and the plurality of conductor pattern layers are laminated in the thickness direction of the mounting substrate 9.
  • Each of the plurality of conductor pattern layers is formed in a predetermined pattern.
  • Each of the plurality of conductor pattern layers includes one or more conductor portions in one plane orthogonal to the thickness direction of the mounting substrate 9.
  • the material of each conductor pattern layer is, for example, copper.
  • the plurality of conductor pattern layers include a ground layer.
  • the above-mentioned first filter unit 2A, second filter unit 2B, third filter unit 2C, fourth filter unit 2D, attenuation filter 3A, first switches 4A and 4B, matching circuit 7A and multiplexer 14 are mounted. It is mounted on the first main surface 91 of the substrate 9. Although the above-mentioned second switch 5A, third switch 6A, power amplifier 11, low noise amplifier 21, output matching circuit 13 and input matching circuit 23 are not shown, the first main surface 91 of the mounting board 9 is shown. Alternatively, it is mounted on the second main surface 92.
  • Attenuation filters 3A, first switches 4A and 4B, and a multiplexer 14 are mounted in the area on the left side of the mounting board 9.
  • the first switches 4A and 4B are arranged at intervals in the vertical direction so that the first switch 4A is on the upper side and the first switch 4B is on the lower side.
  • Each of the first switches 4A and 4B is connected to the first main surface 91 of the mounting board 9 by, for example, soldering.
  • An attenuation filter 3A and a multiplexer 14 are mounted between the first switches 4A and 4B on the first main surface 91 of the mounting board 9.
  • the attenuation filter 3A and the multiplexer 14 are arranged at intervals in the left-right direction so that the multiplexer 14 is on the left side and the attenuation filter 3A is on the right side.
  • the multiplexer 14 is connected to the first main surface 91 of the mounting board 9 by solder, for example.
  • the inductor 33A and the capacitor 36A constituting the attenuation filter 3A are arranged in the left-right direction so that the inductor 33A is on the left side and the capacitor 36A is on the right side.
  • Each of the inductor 33A and the capacitor 36A is connected to the first main surface 91 of the mounting board 9 by the connecting portion 30.
  • the connecting portion 30 is, for example, solder.
  • the inductors 31A and 32A and the capacitors 34A and 35A constituting the attenuation filter 3A are not shown, they are connected to the first main surface 91 of the mounting board 9 by the connecting portion 30.
  • the first filter unit 2A, the second filter unit 2B, the third filter unit 2C, and the fourth filter unit 2D are mounted on the right side region of the first main surface 91 of the mounting board 9.
  • the first filter unit 2A and the second filter unit 2B are arranged at intervals in the left-right direction so that the first filter unit 2A is on the left side and the second filter unit 2B is on the right side.
  • the third filter unit 2C and the fourth filter unit 2D are arranged at intervals in the left-right direction so that the third filter unit 2C is on the left side and the fourth filter unit 2D is on the right side.
  • first filter unit 2A to the fourth filter unit 2D are in the vertical direction so that the first filter unit 2A and the second filter unit 2B are on the upper side and the third filter unit 2C and the fourth filter unit 2D are on the lower side. They are lined up at intervals.
  • Each of the first filter unit 2A, the second filter unit 2B, the third filter unit 2C, and the fourth filter unit 2D is connected to the first main surface 91 of the mounting board 9 by a plurality of connection units 24.
  • the connecting portion 24 is, for example, a solder bump, but may be a gold bump.
  • the inductor 71 of the matching circuit 7A is mounted on the upper part of the first filter portion 2A on the first main surface 91 of the mounting board 9.
  • the inductor 72 of the matching circuit 7A is mounted on the upper portion of the second filter portion 2B on the first main surface 91 of the mounting board 9.
  • the inductor 73 of the matching circuit 7A is mounted on the upper portion of the third filter portion 2C on the first main surface 91 of the mounting board 9.
  • the inductor 74 of the matching circuit 7A is mounted in the region surrounded by the first filter unit 2A, the second filter unit 2B, the third filter unit 2C, and the fourth filter unit 2D on the first main surface 91 of the mounting board 9. Has been done.
  • Each of the inductors 71 to 74 is connected to the first main surface 91 of the mounting board 9 by, for example, the connecting portion 70.
  • the connection portion 70 is, for example, solder.
  • the high-frequency module 1A in the high-frequency module 1A according to the present embodiment, as shown in FIG. 8, for example, in a plan view from the thickness direction of the mounting substrate 9, among the capacitors 36A constituting the attenuation filter 3A and the plurality of inductors 71 to 74.
  • One inductor 73 is adjacent to the inductor 73. That is, in FIG. 8, no other electronic component exists between the capacitor 36A of the attenuation filter 3A and the inductor 73.
  • the capacitor 36A of the attenuation filter 3A and the inductor 73 are adjacent to each other, so that the capacitor 36A and the inductor 73 are capacitively coupled.
  • the capacitance between the capacitor 36A and the inductor 73 increases. Then, as the capacitance increases, the resonance frequency of the attenuation filter 3A shifts to the low frequency side.
  • the capacitor 36A constituting the attenuation filter 3A is a reactance element.
  • the capacitors 36A of the attenuation filter 3A and the inductor 73 which is one of the plurality of inductors 71 to 74 are adjacent to each other, but the inductors 31A to 33A and the capacitors 34A to 36A constituting the attenuation filter 3A are adjacent to each other. At least one of them may be adjacent to at least one of the third receiving filter 22C and the fourth receiving filter 22D. Further, at least one of the inductors 31A to 33A and the capacitors 34A to 36A constituting the attenuation filter 3A and at least one of the inductors 73 and 74 may be brought close to each other.
  • At least one of the inductors 31A to 33A and the capacitors 34A to 36A constituting the attenuation filter 3A may be adjacent to at least one of the first reception filter 22A and the second reception filter 22B. Further, at least one of the inductors 31A to 33A and the capacitors 34A to 36A constituting the attenuation filter 3A and at least one of the inductors 71 and 72 may be brought close to each other.
  • the high frequency module (1; 1A) includes a mounting board (9), a switch (4; 4A, 4B), an attenuation filter (3; 3A), and a plurality of band filters (12A to 12D,). 22A to 22D).
  • the switches (4; 4A, 4B) are mounted on the mounting board (9), a common terminal (40) connected to the antenna terminal (81), and a plurality of selection terminals (41) connected to the common terminal (40).
  • the attenuation filter (3; 3A) is mounted on the mounting board (9) and is connected between the common terminal (40) and the antenna terminal (81).
  • the plurality of band filters (12A to 12D, 22A to 22D) are mounted on the mounting board (9) and connected to the plurality of selection terminals (41 to 44).
  • the plurality of band filters (12A to 12D, 22A to 22D) include a first band filter (22A) and a second band filter (22B).
  • the first band filter (22A) is a filter that is connected to the first selection terminal (41) and has a first frequency band as a pass band.
  • the second band filter (22B) is a filter that is connected to the second selection terminal (42) and has a second frequency band higher than the first frequency band as a pass band.
  • the attenuation filter is a low-pass filter or notch filter including at least one reactance element of an inductive element (for example, an inductor 32) and a capacitive element (for example, a capacitor 35).
  • an inductive element for example, an inductor 32
  • a capacitive element for example, a capacitor 35
  • the reactance element and at least one band filter for example, the first band filter (for example, 1st Is adjacent to the receiving filter 22A).
  • the harmonic component of the signal passing through the relatively low frequency band filter is the relatively high frequency band filter (for example, the second reception filter). It is possible to suppress deterioration of the filter characteristics of 22B).
  • the attenuation filter (3) is composed of one chip (10) including a reactance element.
  • the attenuation filter (3) and at least one band filter are adjacent to each other.
  • the attenuation filter 3 is composed of one chip (10), the area of the mounting substrate (9) in a plan view can be reduced.
  • the high frequency module (1; 1A) includes a mounting board (9), a switch (4; 4A, 4B), an attenuation filter (3; 3A), and a plurality of band filters (12A to 12D,). 22A to 24D) and a plurality of inductors (71 to 73).
  • the switches (4; 4A, 4B) are mounted on the mounting board (9), a common terminal (40) connected to the antenna terminal (81), and a plurality of selection terminals (41) connected to the common terminal (40).
  • the attenuation filter (3; 3A) is mounted on the mounting board (9) and is connected between the common terminal (40) and the antenna terminal (81).
  • the plurality of band filters (12A to 12D, 22A to 24D) are mounted on the mounting board (9) and connected to the plurality of selection terminals (41 to 43).
  • the plurality of inductors (71 to 73) are connected to the plurality of band filters between the plurality of band filters (12A to 12D, 22A to 24D) and the switch (4; 4A, 4B).
  • the plurality of band filters (12A to 12D, 22A to 24D) include a first band filter (22A) and a second band filter (22B).
  • the first band filter (22A) is connected to the first selection terminal (41), and the first frequency band is set as a pass band.
  • the second band filter (22B) is connected to the second selection terminal (42), and a second frequency band higher than the first frequency band is set as a pass band.
  • the attenuation filter (3; 3A) is a low-pass filter or notch filter including at least one reactance element of an inductive element (for example, an inductor 32) and a capacitive element (for example, a capacitor 35).
  • the reactance element and at least one inductor are adjacent to each other. doing.
  • the harmonic component of the signal passing through the relatively low frequency band filter is the relatively high frequency band filter (for example, the second reception filter). It is possible to suppress deterioration of the filter characteristics of 22B).
  • the attenuation filter (3; 3A) is the received signal received via the antenna terminal (81). Attenuates harmonic components.
  • the harmonic component of the received signal can be attenuated by (3; 3A).
  • the communication device (300; 300A) according to the fifth aspect includes a high frequency module (1; 1A) according to any one of the first to fourth aspects, and a signal processing circuit (301).
  • the signal processing circuit (301) processes the received signal received via the antenna terminal (81).
  • the harmonic component of the signal passing through the relatively low frequency band filter is the relatively high frequency band filter (for example, the second reception filter). It is possible to suppress deterioration of the filter characteristics of 22B).

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Abstract

相対的に周波数の低い帯域フィルタを通過する信号の高調波成分が、相対的に周波数の高い帯域フィルタのフィルタ特性を悪化させることを抑制する。高周波モジュール（１）は、第１スイッチ（４）と、減衰フィルタ（３）と、複数の帯域フィルタ（１２Ａ～１２Ｃ，２２Ａ～２２Ｃ）と、を備える。第１スイッチ（４）は、共通端子（４０）と複数の選択端子（４１～４３）のうち選択端子（４１，４２）とを同時に接続可能なスイッチである。複数の帯域フィルタ（１２Ａ～１２Ｃ，２２Ａ～２２Ｃ）は、第１帯域フィルタ（２２Ａ）と、第２帯域フィルタ（２２Ｂ）と、を含む。減衰フィルタ（３）は、誘導素子及び容量素子の少なくとも一方のリアクタンス素子を含む。高周波モジュール（１）では、リアクタンス素子と、複数の帯域フィルタ（１２Ａ～１２Ｃ，２２Ａ～２２Ｃ）のうち少なくとも１つの帯域フィルタと、が隣接している。

Description

高周波モジュール及び通信装置
　本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には、ローパスフィルタ又はノッチフィルタを備える高周波モジュール、及び高周波モジュールを備える通信装置に関する。
　従来、マルチモード／マルチバンド対応の携帯電話のフロントエンド部に配置される高周波モジュール（フロントエンドモジュール）が知られている（例えば、特許文献１参照）。
　特許文献１に記載の高周波モジュールは、ローパスフィルタと、スイッチ（スイッチモジュール）と、第１帯域フィルタ及び第２帯域フィルタ（第１デュプレクサ及び第２デュプレクサ）と、を備える。
　ローパスフィルタは、スイッチの共通端子とアンテナとの間に接続されている。第１帯域フィルタは、スイッチの第１選択端子に接続されている。第２帯域フィルタは、スイッチの第２選択端子に接続されている。第１帯域フィルタは、第１周波数帯域の信号を通過させるフィルタである。第２帯域フィルタは、第１周波数帯域よりも高周波側である第２周波数帯域の信号を通過させるフィルタである。
特開２０１７－３８３５２号公報
　特許文献１に記載のフロントエンドモジュールのように、相対的に周波数の低い第１帯域フィルタと、相対的に周波数の高い第２帯域フィルタとを束ねるスイッチのアンテナ側にローパスフィルタを接続して、第１帯域フィルタと第２帯域フィルタとでキャリアアグリゲーションを行う場合を想定する。この場合、第１周波数帯域の信号の高調波成分が、ローパスフィルタの通過帯域内であって、かつ第２帯域フィルタの高域側の減衰領域と重なることで、第２帯域フィルタのフィルタ特性を悪化させるという問題があった。
　本発明の目的は、相対的に周波数の低い帯域フィルタを通過する信号の高調波成分が、相対的に周波数の高い帯域フィルタのフィルタ特性を悪化させることを抑制することができる高周波モジュール及び通信装置を提供することにある。
　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、スイッチと、減衰フィルタと、複数の帯域フィルタと、を備える。前記スイッチは、前記実装基板に実装され、アンテナ端子と接続される共通端子と、前記共通端子と接続される複数の選択端子とを有し、かつ、前記共通端子と前記複数の選択端子のうち少なくとも第１選択端子及び第２選択端子とを同時に接続可能なスイッチである。前記減衰フィルタは、前記実装基板に実装され、前記共通端子と前記アンテナ端子との間に接続されている。前記複数の帯域フィルタは、前記実装基板に実装され、前記複数の選択端子と接続される。前記複数の帯域フィルタは、第１帯域フィルタと、第２帯域フィルタと、を有する。前記第１帯域フィルタは、前記第１選択端子と接続され、第１周波数帯域を通過帯域とする。前記第２帯域フィルタは、前記第２選択端子と接続され、前記第１周波数帯域よりも高い第２周波数帯域を通過帯域とする。前記減衰フィルタは、誘導素子及び容量素子の少なくとも一方のリアクタンス素子を含むローパスフィルタ又はノッチフィルタである。前記高周波モジュールでは、前記実装基板を平面視した場合に、前記リアクタンス素子と、前記複数の帯域フィルタのうち少なくとも１つの帯域フィルタと、が隣接している。
　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、スイッチと、減衰フィルタと、複数の帯域フィルタと、複数のインダクタと、を備える。前記スイッチは、前記実装基板に実装され、アンテナ端子と接続される共通端子と、前記共通端子と接続される複数の選択端子とを有し、かつ、前記共通端子と前記複数の選択端子のうち少なくとも第１選択端子及び第２選択端子とを同時に接続可能なスイッチである。前記減衰フィルタは、前記実装基板に実装され、前記共通端子と前記アンテナ端子との間に接続されている。前記複数の帯域フィルタは、前記実装基板に実装され、前記複数の選択端子と接続される。前記複数のインダクタは、前記複数の帯域フィルタと前記スイッチとの間において、前記複数の帯域フィルタと接続される。前記複数の帯域フィルタは、第１帯域フィルタと、第２帯域フィルタと、を有する。前記第１帯域フィルタは、前記第１選択端子と接続され、第１周波数帯域を通過帯域とする。前記第２帯域フィルタは、前記第２選択端子と接続され、前記第１周波数帯域よりも高い第２周波数帯域を通過帯域とする。前記減衰フィルタは、誘導素子及び容量素子の少なくとも一方のリアクタンス素子を含むローパスフィルタ又はノッチフィルタである。前記高周波モジュールでは、前記実装基板を平面視した場合に、前記リアクタンス素子と、前記複数のインダクタのうち少なくとも１つのインダクタと、が隣接している。
　本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記アンテナ端子を介して受信する受信信号を処理する。
　本発明の上記態様に係る高周波モジュール及び通信装置によれば、相対的に周波数の低い帯域フィルタを通過する信号の高調波成分が、相対的に周波数の高い帯域フィルタのフィルタ特性を悪化させることを抑制することができる。
図１は、実施形態１に係る高周波モジュールを備える通信装置の回路構成図である。 図２は、同上の高周波モジュールの減衰フィルタの回路構成図である。 図３は、同上の高周波モジュールの各構成要素の配置を示す模式的な平面図である。 図４は、同上の高周波モジュールの特性を説明するための説明図である。 図５は、実施形態１の変形例１に係る高周波モジュールの各構成要素の配置を示す模式的な平面図である。 図６は、実施形態２に係る高周波モジュールを備える通信装置の回路構成図である。 図７は、同上の高周波モジュールの減衰フィルタの回路構成図である。 図８は、同上の高周波モジュールの各構成要素の配置を示す模式的な平面図である。
　以下の実施形態１等において参照する図３及び図７は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
　（実施形態１）
　以下、実施形態１に係る高周波モジュール１及び通信装置３００について、図１～図４を参照して説明する。
　（１）高周波モジュールの全体構成
　本実施形態に係る高周波モジュール１は、例えば、マルチモード／マルチバンド対応の通信装置３００に用いられる。通信装置３００は、例えば、携帯電話（例えば、スマートフォン）であるが、これに限らず、例えば、ウェアラブル端末（例えば、スマートウォッチ）等であってもよい。高周波モジュール１は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格等に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格（ＬＴＥ：Long Term Evolution）である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ　ＮＲ（New Radio）である。高周波モジュール１は、キャリアアグリゲーション（Carrier Aggregation）及びデュアルコネクティビティ（Dual connectivity）に対応可能なモジュールである。
　高周波モジュール１は、例えば、信号処理回路３０１から入力された送信信号を増幅してアンテナ３１０に出力するように構成されている。また、高周波モジュール１は、アンテナ３１０から入力された受信信号を増幅して信号処理回路３０１に出力するように構成されている。信号処理回路３０１は、高周波モジュール１の構成要素ではなく、高周波モジュール１を備える通信装置３００の構成要素である。実施形態１に係る高周波モジュール１は、例えば、通信装置３００が備える信号処理回路３０１によって制御される。通信装置３００は、高周波モジュール１と、信号処理回路３０１と、を備える。通信装置３００は、アンテナ３１０を更に備える。信号処理回路３０１は、アンテナ３１０を介して受信した受信信号を処理する。
　本実施形態に係る高周波モジュール１は、実装基板９（図３参照）と、スイッチ４と、減衰フィルタ３と、複数の帯域フィルタ（第１送信用フィルタ１２Ａ、第２送信用フィルタ１２Ｂ、第３送信用フィルタ１２Ｃ、第１受信用フィルタ２２Ａ、第２受信用フィルタ２２Ｂ、第３受信用フィルタ２２Ｃ）と、を備える。減衰フィルタ３は、例えば、ローパスフィルタである。
　スイッチ４は、実装基板９に実装され、アンテナ端子８１と接続される共通端子４０と、共通端子４０と接続される複数の選択端子４１～４３と、を有する。スイッチ４は、共通端子４０と複数の選択端子４１～４３のうち少なくとも選択端子（第１選択端子）４１及び選択端子（第２選択端子）４２とを同時に接続可能なスイッチである。減衰フィルタ３は、実装基板９に実装され、共通端子４０とアンテナ端子８１との間に接続されている。複数の帯域フィルタは、実装基板９に実装され、複数の選択端子４１～４３と接続される。複数の帯域フィルタは、第１帯域フィルタ（第１受信用フィルタ２２Ａ）と、第２帯域フィルタ（第２受信用フィルタ２２Ｂ）と、を有する。第１帯域フィルタは、第１選択端子４１に接続され、第１周波数帯域を通過帯域とするフィルタである。第２帯域フィルタは、第２選択端子４２に接続され、第１周波数帯域よりも高い第２周波数帯域を通過帯域とするフィルタである。減衰フィルタ３は、誘導素子（例えば、インダクタ３２）及び容量素子（例えば、キャパシタ３５）の少なくとも一方のリアクタンス素子を含むローパスフィルタ又はノッチフィルタである。
　高周波モジュール１では、上記リアクタンス素子（例えば、インダクタ３２）と、複数の帯域フィルタのうち少なくとも１つの帯域フィルタ（例えば、第１受信用フィルタ２２Ａ）と、が隣接している。本明細書等において「隣接する」とは、隣り合う２つの電子部品間に他の電子部品が存在していないことをいう。
　本実施形態に係る高周波モジュール１及び通信装置３００では、複数の帯域フィルタは、第１帯域フィルタと、第２帯域フィルタと、を有している。そして、減衰フィルタ３に含まれている上記リアクタンス素子と、複数の帯域フィルタのうち少なくとも１つの帯域フィルタと、が隣接している。これにより、上記リアクタンス素子と、複数の帯域フィルタのうち少なくとも１つの帯域フィルタの一部（例えば、バンプ２４）とを磁界結合又は容量結合させることができる。その結果、相対的に周波数の低い帯域フィルタである第１帯域フィルタ（例えば、第１受信用フィルタ２２Ａ）を通過する信号（受信信号）の高調波成分が通過しないように、減衰フィルタ３の通過帯域を低周波側へシフトすることができる。これにより、相対的に周波数の低い帯域フィルタである第１帯域フィルタを通過する信号の高調波成分が、相対的に周波数の高い帯域フィルタである第２帯域フィルタのフィルタ特性を悪化させることを抑制することができる。
　（２）高周波モジュールの各構成要素
　本実施形態に係る高周波モジュール１は、図１に示すように、パワーアンプ１１と、ローノイズアンプ２１と、複数（図示例では３つ）のフィルタ部２と、減衰フィルタ３と、整合回路７と、を備える。また、高周波モジュール１は、出力整合回路１３と、入力整合回路２３と、第１スイッチ４と、第２スイッチ５と、第３スイッチ６と、を備える。以下の説明において、複数のフィルタ部２を区別する場合には、複数のフィルタ部２の各々を「第１フィルタ部２Ａ」、「第２フィルタ部２Ｂ」、「第３フィルタ部２Ｃ」ともいう。
　（２．１）パワーアンプ
　パワーアンプ１１は、入力端子１１１と、出力端子１１２と、を有する。パワーアンプ１１は、入力端子１１１に入力された第１通信バンド、第２通信バンド及び第３通信バンドの送信信号を増幅して出力端子１１２から出力する第１通信バンドは、第１送信用フィルタ１２Ａを通る送信信号に対応し、例えば、Ｂａｎｄ１２である。第２通信バンドは、第２送信用フィルタ１２Ｂを通る送信信号に対応し、例えば、Ｂａｎｄ１４である。第３通信バンドは、第３送信用フィルタ１２Ｃを通る送信信号に対応し、例えば、Ｂａｎｄ２６である。パワーアンプ１１の出力端子１１２は、出力整合回路１３を介して第２スイッチ５の共通端子５０に接続されている。パワーアンプ１１の入力端子１１１は、信号入力端子８２に接続されている。パワーアンプ１１の入力端子１１１は、例えば、信号入力端子８２を介して信号処理回路３０１に接続される。信号入力端子８２は、外部回路（例えば、信号処理回路３０１）からの高周波信号（送信信号）を高周波モジュール１に入力するための端子である。
　（２．２）ローノイズアンプ
　ローノイズアンプ２１は、入力端子２１１と、出力端子２１２と、を有する。ローノイズアンプ２１は、入力端子２１１に入力された第４通信バンド、第５通信バンド、第６通信バンドの受信信号を増幅して出力端子２１２から出力する。第４通信バンドは、第１受信用フィルタ２２Ａを通る受信信号に対応し、例えば、Ｂａｎｄ１２である。第５通信バンドは、第２受信用フィルタ２２Ｂを通る受信信号に対応し、例えば、Ｂａｎｄ１４である。第６通信バンドは、第３受信用フィルタ２２Ｃを通る受信信号に対応し、例えば、Ｂａｎｄ２６である。ローノイズアンプ２１の入力端子２１１は、入力整合回路２３を介して第３スイッチ６の共通端子６０に接続されている。ローノイズアンプ２１の出力端子２１２は、信号出力端子８３に接続されている。ローノイズアンプ２１の出力端子２１２は、例えば、信号出力端子８３を介して信号処理回路３０１に接続される。信号出力端子８３は、ローノイズアンプ２１からの高周波信号（受信信号）を外部回路（例えば、信号処理回路３０１）に出力するための端子である。
　本実施形態では、例えば、第４通信バンドの受信帯域が第１周波数帯域であり、第５通信バンドの受信帯域が第２周波数帯域である。
　（２．３）第１フィルタ部
　第１フィルタ部２Ａは、第１送信用フィルタ１２Ａと、第１受信用フィルタ２２Ａと、を含む。つまり、第１フィルタ部２Ａでは、第１送信用フィルタ１２Ａと第１受信用フィルタ２２Ａとが１チップに集積されている（図１及び図３参照）。第１送信用フィルタ１２Ａは、例えば、第１通信バンドの送信帯域を通過帯域とするフィルタである。第１受信用フィルタ２２Ａは、例えば、第４通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。つまり、本実施形態では、第１受信用フィルタ２２Ａが、第１周波数帯域を通過帯域とする第１帯域フィルタである。
　第１送信用フィルタ１２Ａ及び第１受信用フィルタ２２Ａの各々は、例えば、弾性波フィルタである。第１送信用フィルタ１２Ａ及び第１受信用フィルタ２２Ａの各々は、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波共振子は、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子である。
　ＳＡＷ共振子は、例えば、圧電体基板と、圧電体基板上に設けられているＩＤＴ電極と、を含む。第１送信用フィルタ１２Ａ及び第１受信用フィルタ２２Ａの各々は、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々をＳＡＷ共振子により構成する場合、１つの圧電体基板上に、複数の直列腕共振子に一対一に対応する複数のＩＤＴ電極と、複数の並列腕共振子に一対一に対応する複数のＩＤＴ電極と、を有している。圧電体基板は、例えば、リチウムタンタレート基板、リチウムニオベイト基板等である。
　（２．４）第２フィルタ部
　第２フィルタ部２Ｂは、第２送信用フィルタ１２Ｂと、第２受信用フィルタ２２Ｂと、を含む。つまり、第２フィルタ部２Ｂでは、第２送信用フィルタ１２Ｂと第２受信用フィルタ２２Ｂとが１チップに集積されている（図１及び図３参照）。第２送信用フィルタ１２Ｂは、例えば、第２通信バンドの送信帯域を通過帯域とするフィルタである。第２受信用フィルタ２２Ｂは、例えば、第５通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。つまり、本実施形態では、第２受信用フィルタ２２Ｂが、第１周波数帯域よりも高い第２周波数帯域を通過帯域とする第２帯域フィルタである。
　第２送信用フィルタ１２Ｂ及び第２受信用フィルタ２２Ｂの各々は、例えば、弾性波フィルタである。第２送信用フィルタ１２Ｂ及び第２受信用フィルタ２２Ｂの各々は、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波共振子は、例えば、ＳＡＷ共振子である。
　（２．５）第３フィルタ部
　第３フィルタ部２Ｃは、第３送信用フィルタ１２Ｃと、第３受信用フィルタ２２Ｃと、を含む。つまり、第３フィルタ部２Ｃでは、第３送信用フィルタ１２Ｃと第３受信用フィルタ２２Ｃとが１チップに集積されている（図１及び図３参照）。第３送信用フィルタ１２Ｃは、例えば、第３通信バンドの送信帯域を通過帯域とするフィルタである。第３受信用フィルタ２２Ｃは、例えば、第６通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。
　第３送信用フィルタ１２Ｃ及び第３受信用フィルタ２２Ｃの各々は、例えば、弾性波フィルタである。第３送信用フィルタ１２Ｃ及び第３受信用フィルタ２２Ｃの各々は、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波共振子は、例えば、ＳＡＷ共振子である。
　高周波モジュール１では、第１送信用フィルタ１２Ａ、第２送信用フィルタ１２Ｂ、第３送信用フィルタ１２Ｃ、第１受信用フィルタ２２Ａ、第２受信用フィルタ２２Ｂ及び第３受信用フィルタ２２Ｃにより複数の帯域フィルタが構成されている。
　（２．６）第１スイッチ
　第１スイッチ４は、共通端子４０と、複数（図示例では３つ）の選択端子４１～４３と、を有する。共通端子４０は、減衰フィルタ３を介してアンテナ端子８１に接続されている。アンテナ端子８１には、アンテナ３１０が接続される。選択端子４１は、第１送信用フィルタ１２Ａの出力端子と第１受信用フィルタ２２Ａの入力端子との接続点に接続されている。選択端子４２は、第２送信用フィルタ１２Ｂの出力端子と第２受信用フィルタ２２Ｂの入力端子との接続点に接続されている。選択端子４３は、第３送信用フィルタ１２Ｃの出力端子と第３受信用フィルタ２２Ｃの入力端子との接続点に接続されている。第１スイッチ４は、例えば、複数の選択端子４１～４３のうち少なくとも選択端子４１，４２を共通端子４０に同時接続可能なスイッチである。つまり、第１スイッチ４は、一対多の接続が可能なスイッチである。
　第１スイッチ４は、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。第１スイッチ４は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号に従って、共通端子４０と複数の選択端子４１～４３との接続状態を切り替える。第１スイッチ４は、例えば、スイッチＩＣ（Integrated Circuit）である。
　（２．７）第２スイッチ
　第２スイッチ５は、共通端子５０と、複数（図示例では３つ）の選択端子５１～５３と、を有する。共通端子５０は、出力整合回路１３を介してパワーアンプ１１の出力端子１１２に接続されている。選択端子５１は、第１送信用フィルタ１２Ａの入力端子に接続されている。選択端子５２は、第２送信用フィルタ１２Ｂの入力端子に接続されている。選択端子５３は、第３送信用フィルタ１２Ｃの入力端子に接続されている。第２スイッチ５は、例えば、複数の選択端子５１～５３のうちの少なくとも２つ以上を共通端子５０に同時接続可能なスイッチである。つまり、第２スイッチ５は、一対多の接続が可能なスイッチである。
　第２スイッチ５は、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。第２スイッチ５は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号に従って、共通端子５０と複数の選択端子５１～５３との接続状態を切り替える。第２スイッチ５は、例えば、スイッチＩＣである。
　（２．８）第３スイッチ
　第３スイッチ６は、共通端子６０と、複数（図示例では３つ）の選択端子６１～６３と、を有する。共通端子６０は、入力整合回路２３を介してローノイズアンプ２１の入力端子２１１に接続されている。選択端子６１は、第１受信用フィルタ２２Ａの出力端子に接続されている。選択端子６２は、第２受信用フィルタ２２Ｂの出力端子に接続されている。選択端子６３は、第３受信用フィルタ２２Ｃの出力端子に接続されている。第３スイッチ６は、例えば、複数の選択端子６１～６３のうちの少なくとも２つ以上を共通端子６０に同時接続可能なスイッチである。つまり、第３スイッチ６は、一対多の接続が可能なスイッチである。
　第３スイッチ６は、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。第３スイッチ６は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号に従って、共通端子６０と複数の選択端子６１～６３との接続状態を切り替える。第３スイッチ６は、例えば、スイッチＩＣである。
　（２．９）減衰フィルタ
　減衰フィルタ３は、アンテナ端子８１と第１スイッチ４の共通端子４０との間の信号経路に設けられている。減衰フィルタ３は、アンテナ３１０を介して受信した受信信号の高調波成分を減衰させる。減衰フィルタ３は、例えば、ローパスフィルタである。減衰フィルタ３は、例えば、Ｂａｎｄ１の受信帯域を通過帯域とするフィルタである。
　減衰フィルタ３は、図２に示すように、複数（図示例では３つ）のインダクタ３１～３３と、複数（図示例では３つ）のキャパシタ３４～３６と、入力端子３７と、出力端子３８と、を有する。
　インダクタ３１とキャパシタ３４とは、並列に接続されており、並列回路３９１を構成する。並列回路３９１は、入力端子３７と、入力端子３７と出力端子３８との間の経路Ｐ１上のノードＮ１と、の間に設けられている。
　インダクタ３２とキャパシタ３５とは、並列に接続されており、並列回路３９２を構成する。並列回路３９２は、ノードＮ１と、出力端子３８と、の間に設けられている。並列回路３９２は、経路Ｐ１において並列回路３９１と直列に接続されている。つまり、減衰フィルタ３では、経路Ｐ１において、並列回路３９１が入力端子３７側に位置し、並列回路３９２が出力端子３８側に位置している。
　インダクタ３３とキャパシタ３６とは、直列に接続されており、直列回路３９３を構成する。直列回路３９３は、ノードＮ１とグランドとの間に設けられている。
　（２．１０）出力整合回路
　出力整合回路１３は、パワーアンプ１１の出力端子１１２と第２スイッチ５の共通端子５０との間の信号経路に設けられている。出力整合回路１３は、第１送信用フィルタ１２Ａ、第２送信用フィルタ１２Ｂ及び第３送信用フィルタ１２Ｃとパワーアンプ１１とのインピーダンス整合をとるための回路である。出力整合回路１３は、例えば、１つのインダクタで構成されているが、これに限らず、複数のインダクタ及び複数のキャパシタで構成されていてもよい。
　（２．１１）入力整合回路
　入力整合回路２３は、ローノイズアンプ２１の入力端子２１１と第３スイッチ６の共通端子６０との間の信号経路に設けられている。入力整合回路２３は、第１受信用フィルタ２２Ａ、第２受信用フィルタ２２Ｂ及び第３受信用フィルタ２２Ｃとローノイズアンプ２１とのインピーダンス整合をとるための回路である。入力整合回路２３は、例えば、１つのインダクタで構成されているが、これに限らず、複数のインダクタ及び複数のキャパシタで構成されていてもよい。
　（２．１２）整合回路
　整合回路７は、複数（図示例では３つ）のインダクタ７１～７３を有する。
　インダクタ７１は、第１フィルタ部２Ａ、つまり第１送信用フィルタ１２Ａ及び第１受信用フィルタ２２Ａと、減衰フィルタ３とのインピーダンス整合をとるためのインダクタである。インダクタ７１は、例えば、第１送信用フィルタ１２Ａの出力端子及び第１受信用フィルタ２２Ａの入力端子の接続点と第１スイッチ４の選択端子４１との間の信号経路に設けられている。インダクタ７１は、上記信号経路とグランドとの間に接続されている。
　インダクタ７２は、第２フィルタ部２Ｂ、つまり第２送信用フィルタ１２Ｂ及び第２受信用フィルタ２２Ｂと、減衰フィルタ３とのインピーダンス整合をとるためのインダクタである。インダクタ７２は、例えば、第２送信用フィルタ１２Ｂの出力端子及び第２受信用フィルタ２２Ｂの入力端子の接続点と第１スイッチ４の選択端子４２との間の信号経路に設けられている。インダクタ７２は、上記信号経路とグランドとの間に接続されている。
　インダクタ７３は、第３フィルタ部２Ｃ、つまり第３送信用フィルタ１２Ｃ及び第３受信用フィルタ２２Ｃと、減衰フィルタ３とのインピーダンス整合をとるためのインダクタである。インダクタ７３は、例えば、第３送信用フィルタ１２Ｃの出力端子及び第３受信用フィルタ２２Ｃの入力端子の接続点と第１スイッチ４の選択端子４３との間の信号経路に設けられている。インダクタ７３は、上記信号経路とグランドとの間に接続されている。
　（３）通信装置
　通信装置３００は、図１に示すように、上述の高周波モジュール１と、信号処理回路３０１と、を備える。通信装置３００は、アンテナ３１０を更に備える。信号処理回路３０１は、ＲＦ信号処理回路３０２と、ベースバンド信号処理回路３０３と、を含む。本実施形態では、ＲＦ信号処理回路３０２とベースバンド信号処理回路３０３とで、第１信号及び第２信号を処理する信号処理回路を構成する。
　（３．１）ＲＦ信号処理回路
　ＲＦ信号処理回路３０２は、例えば、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号に対する信号処理を行う。ＲＦ信号処理回路３０２は、例えば、ベースバンド信号処理回路３０３から出力された高周波信号（送信信号）に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を出力する。
　（３．２）ベースバンド信号処理回路
　ベースバンド信号処理回路３０３は、例えば、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）であり、信号処理回路３０１の外部からの送信信号に対する所定の信号処理を行う。ベースバンド信号処理回路３０３で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のために、又は、音声信号として通話のために使用される。高周波モジュール１は、アンテナ３１０と信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２との間で高周波信号（受信信号、送信信号）を伝達する。通信装置３００では、ベースバンド信号処理回路３０３は必須の構成要素ではない。
　（４）高周波モジュールの各構成要素の配置
　次に、実装基板９における高周波モジュール１の各構成要素の配置について、図３を参照して説明する。以下の説明では、図３に示す向きにおいて上下、左右の各方向を規定する。つまり、図３に示す例では、第１フィルタ部２Ａと第２フィルタ部２Ｂとが並ぶ方向が上下方向（第１フィルタ部２Ａ側が上側）となり、第１スイッチ４と減衰フィルタ３とが並ぶ方向が左右方向（第１スイッチ４側が左側）となる。
　本実施形態に係る高周波モジュール１は、図３に示すように、実装基板９を更に備える。実装基板９は、実装基板９の厚さ方向（図３の紙面に垂直な方向）からの平面視で、矩形状である。実装基板９は、第１主面９１と、第２主面９２と、を有する。第１主面９１と第２主面９２とは、実装基板９の厚さ方向において互いに対向している。実装基板９は、例えば、プリント配線板、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板等である。
　実装基板９は、例えば、複数の誘電体層及び複数の導体パターン層を含む多層基板である。複数の誘電体層及び複数の導体パターン層は、実装基板９の厚さ方向において積層されている。複数の導体パターン層は、それぞれ所定パターンに形成されている。複数の導体パターン層の各々は、実装基板９の厚さ方向に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導体パターン層の材料は、例えば、銅である。複数の導体パターン層は、グランド層を含む。
　高周波モジュール１では、上述の第１フィルタ部２Ａ、第２フィルタ部２Ｂ、減衰フィルタ３、第１スイッチ４及び整合回路７のインダクタ７１，７２が実装基板９の第１主面９１に実装されている。なお、上述の第３フィルタ部２Ｃ、第２スイッチ５、第３スイッチ６、整合回路７のインダクタ７３、パワーアンプ１１、ローノイズアンプ２１、出力整合回路１３及び入力整合回路２３については図示を省略しているが、実装基板９の第１主面９１又は第２主面９２に実装されている。
　実装基板９の第１主面９１における略中央には、減衰フィルタ３が実装されている。減衰フィルタ３では、減衰フィルタ３を構成するインダクタ３１，３２及びキャパシタ３４，３５が、上側からインダクタ３２、キャパシタ３５、インダクタ３１、キャパシタ３４の順に並んでいる。インダクタ３１，３２及びキャパシタ３４，３５の各々は、接続部３０により実装基板９の第１主面９１に接続されている。接続部３０は、例えば、はんだである。なお、減衰フィルタ３を構成するインダクタ３３及びキャパシタ３６については図示を省略しているが、インダクタ３１，３２及びキャパシタ３４，３５と同様、接続部３０により実装基板９の第１主面９１に接続されている。
　実装基板９の第１主面９１における減衰フィルタ３の左側には、第１スイッチ４が実装されている。第１スイッチ４は、例えば、はんだにより実装基板９の第１主面９１に接続されている。
　実装基板９の第１主面９１における減衰フィルタ３の右側には、第１フィルタ部２Ａ及び第２フィルタ部２Ｂが実装されている。第１フィルタ部２Ａ及び第２フィルタ部２Ｂは、第１フィルタ部２Ａが上側、第２フィルタ部２Ｂが下側となるように、上下方向に間隔を空けて並んでいる。第１フィルタ部２Ａ及び第２フィルタ部２Ｂの各々は、複数の接続部２４により実装基板９の第１主面９１に接続されている。接続部２４は、例えば、はんだバンプであるが、金バンプであってもよい。
　実装基板９の第１主面９１における第１フィルタ部２Ａの上側には、整合回路７のインダクタ７１が実装されている。つまり、第１フィルタ部２Ａ及びインダクタ７１は、インダクタ７１が上側、第１フィルタ部２Ａが下側となるように、上下方向に間隔を空けて並んでいる。実装基板９の第１主面９１における第２フィルタ部２Ｂの上側には、整合回路７のインダクタ７２が実装されている。つまり、第２フィルタ部２Ｂ及びインダクタ７２は、インダクタ７２が上側、第２フィルタ部２Ｂが下側となるように、上下方向に間隔を空けて並んでいる。したがって、高周波モジュール１では、第１フィルタ部２Ａ、第２フィルタ部２Ｂ及びインダクタ７１，７２は、上側からインダクタ７１、第１フィルタ部２Ａ、インダクタ７２、第２フィルタ部２Ｂの順に並んでいる。インダクタ７１，７２の各々は、接続部７０により実装基板９の第１主面９１に接続されている。接続部７０は、例えば、はんだである。
　（５）高周波モジュールの特性
　次に、高周波モジュール１の特性について、図３及び図４を参照して説明する。図４において、「ＰＢ１」は第１受信用フィルタ２２Ａの通過帯域を示し、「ＰＢ２」は第２受信用フィルタ２２Ｂの通過帯域を示し、「ＰＢ３」は第３受信用フィルタ２２Ｃの通過帯域を示している。また、図４において、「ＰＢ４」は比較例に係る減衰フィルタの通過帯域を示し、「ＰＢ５」は本実施形態に係る減衰フィルタ３の通過帯域を示している。さらに、図４において、「ＨＡ１」は第１受信用フィルタ２２Ａを通過する受信信号の高調波（例えば、２倍波）を示し、「ＨＡ２」は第３受信用フィルタ２２Ｃを通過する受信信号の高調波（例えば、２倍波）を示している。なお、通過帯域ＰＢ４を示す実線と通過帯域ＰＢ５を示す破線とは、両者を区別しやすいようにずらして図示しているが、実際には、横軸方向に伸びる直線部分については少なくとも一部で重なっている。
　本実施形態に係る高周波モジュール１では、第１受信用フィルタ２２Ａの通信バンドである第４通信バンドはＢａｎｄ１２の受信帯域を通過帯域とし、第２受信用フィルタ２２Ｂの通信バンドである第５通信バンドはＢａｎｄ１４の受信帯域を通過帯域とし、第３受信用フィルタ２２Ｃの通信バンドである第６通信バンドはＢａｎｄ２６の受信帯域を通過帯域としている。そのため、通過帯域ＰＢ１，ＰＢ２，ＰＢ３は、周波数が低い側から通過帯域ＰＢ１、通過帯域ＰＢ２、通過帯域ＰＢ３の順に並んでいる。
　比較例に係る減衰フィルタでは、第１受信用フィルタ２２Ａを通過する受信信号の高調波ＨＡ１が通過帯域ＰＢ４に含まれている。そのため、例えば、この高調波ＨＡ１が第２受信用フィルタ２２Ｂの減衰領域と重なっている場合には、第２受信用フィルタ２２Ｂのフィルタ特性を悪化させることになる。なお、この場合においても、第３受信用フィルタ２２Ｃを通過する受信信号の高調波ＨＡ２は、比較例に係る減衰フィルタの通過帯域ＰＢ４に含まれていない。そのため、この高調波ＨＡ２によって第２受信用フィルタ２２Ｂのフィルタ特性を悪化させることはない。
　本実施形態に係る高周波モジュール１では、図３に示すように、例えば、実装基板９の厚さ方向からの平面視で、減衰フィルタ３を構成するインダクタ３２（誘導素子）及びキャパシタ３５（容量素子）と第１フィルタ部２Ａ（第１受信用フィルタ２２Ａ）とが隣接している。つまり、図３では、減衰フィルタ３のインダクタ３２及びキャパシタ３５と第１受信用フィルタ２２Ａとの間に他の電子部品が存在していない。また、高周波モジュール１では、減衰フィルタ３を構成するインダクタ３１と整合回路７のインダクタ７２とが隣接している。つまり、図３では、減衰フィルタ３のインダクタ３１と整合回路７のインダクタ７２との間に他の電子部品が存在していない。さらに、高周波モジュール１では、減衰フィルタ３を構成するキャパシタ３４と第２フィルタ部２Ｂ（第２受信用フィルタ２２Ｂ）とが隣接している。つまり、図３では、減衰フィルタ３のキャパシタ３４と第２受信用フィルタ２２Ｂとの間に他の電子部品が存在していない。本実施形態では、インダクタ３２及びキャパシタ３５は、例えば、第１受信用フィルタ２２Ａを実装基板９に接続するための接続部２４が隣接しているとする。また、キャパシタ３４は、例えば、第２受信用フィルタ２２Ｂを実装基板９に接続するための接続部２４が隣接しているとする。本実施形態では、減衰フィルタ３を構成するインダクタ３２がリアクタンス素子である。
　ここで、減衰フィルタ３のインダクタ３２と第１受信用フィルタ２２Ａの接続部２４との距離をｄ１とし、インダクタ３２と接続部２４との間の浮遊容量をＣ１とした場合、浮遊容量Ｃ１は距離ｄ１と反比例するため、距離ｄ１が小さくなるほど浮遊容量Ｃ１は大きくなる。また、減衰フィルタ３の共振周波数をｆ１とした場合、共振周波数ｆ１は浮遊容量Ｃ１に反比例するため、浮遊容量Ｃ１が大きくなるほど共振周波数ｆ１は小さくなる。そのため、減衰フィルタ３のインダクタ３２と第１受信用フィルタ２２Ａの接続部２４との距離ｄ１を小さくすることにより、減衰フィルタ３の通過帯域ＰＢ５を低周波側へシフトさせることができる（図４参照）。つまり、減衰フィルタ３のインダクタ３２（誘導素子）と第１受信用フィルタ２２Ａの接続部２４とを容量結合させることで、減衰フィルタ３の通過帯域ＰＢ５を低周波側へシフトさせることができる。なお、減衰フィルタ３を構成するインダクタ３１及びキャパシタ３４，３５についても同様である。
　上述のように、減衰フィルタ３の通過帯域ＰＢ５を低周波側へシフトさせることで、第１受信用フィルタ２２Ａを通過する受信信号の高調波成分ＨＡ１が減衰フィルタ３によって遮断される。これにより、相対的に周波数の低い第１受信用フィルタ２２Ａを通過する受信信号の高調波成分ＨＡ１が、相対的に周波数の高い第２受信用フィルタ２２Ｂのフィルタ特性を悪化させることを抑制することができる。
　（６）変形例
　以下、実施形態１に係る高周波モジュール１の変形例について説明する。
　（６．１）変形例１
　実施形態１の変形例１に係る高周波モジュール１について、図５を参照して説明する。変形例１に係る高周波モジュール１に関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　変形例１に係る高周波モジュール１では、複数のリアクタンス素子（インダクタ３１～３３及びキャパシタ３４～３６）を含む減衰フィルタ３が１つのチップ１０で構成されている点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。
　変形例１に係る高周波モジュール１では、実装基板９を平面視した場合に、複数のリアクタンス素子を含むチップ１０と、第１フィルタ部２Ａと、が隣接している。図５の例では、チップ１０と第１フィルタ部２Ａとの間の距離は、ｄ１１である。このように、減衰フィルタ３を構成するチップ１０と第１フィルタ部２Ａとを隣接させることで、相対的に周波数の低い帯域フィルタ（例えば、第１受信用フィルタ２２Ａ）を通過する信号の高調波成分が、相対的に周波数の高い帯域フィルタ（例えば、第２受信用フィルタ２２Ｂ）のフィルタ特性を悪化させることを抑制することができる。
　（６．２）その他の変形例
　実施形態１では、高周波モジュール１は、複数の帯域フィルタとして、第１送信用フィルタ１２Ａ、第２送信用フィルタ１２Ｂ、第３送信用フィルタ１２Ｃ、第１受信用フィルタ２２Ａ、第２受信用フィルタ２２Ｂ及び第３受信用フィルタ２２Ｃを備えている。これに対して、高周波モジュール１は、複数の帯域フィルタとして、受信用のフィルタである第１受信用フィルタ２２Ａ、第２受信用フィルタ２２Ｂ及び第３受信用フィルタ２２Ｃのみを備えていてもよい。この場合において、高周波モジュール１が備える受信用のフィルタの個数は少なくとも１つであればよい。
　実施形態１では、アンテナ３１０と第１スイッチ４との間に設けられている減衰フィルタ３が１つであるが、例えば、アンテナ３１０と第１スイッチ４との間に複数の減衰フィルタが設けられていてもよい。
　実施形態１では、減衰フィルタ３の一部を構成するインダクタ３１，３２及びキャパシタ３４，３５を、第１受信用フィルタ２２Ａ、第２受信用フィルタ２２Ｂ又は整合回路７のインダクタ７２に隣接させている。これに対して、減衰フィルタ３を構成するインダクタ３１，３２，３３及びキャパシタ３４，３５，３６のうち少なくとも１つを、第１受信用フィルタ２２Ａ、第２受信用フィルタ２２Ｂ又は整合回路７のインダクタ７２に隣接させてもよい。
　（実施形態２）
　実施形態２に係る高周波モジュール１Ａ及び通信装置３００Ａについて、図６～図８を参照して説明する。
　本実施形態に係る通信装置３００Ａは、図６に示すように、高周波モジュール１Ａと、信号処理回路３０１と、を備える。通信装置３００Ａは、アンテナ３１０を更に備える。信号処理回路３０１は、ＲＦ信号処理回路３０２と、ベースバンド信号処理回路３０３と、を含む。なお、信号処理回路３０１及びアンテナ３１０については実施形態１に係る通信装置３００と同様であり、以下では高周波モジュール１Ａについてのみ説明する。
　（１）高周波モジュールの構成
　実施形態２に係る高周波モジュール１Ａは、図６に示すように、パワーアンプ１１と、ローノイズアンプ２１と、複数（図示例では４つ）のフィルタ部２と、減衰フィルタ３Ａと、整合回路７Ａと、を備える。また、高周波モジュール１Ａは、出力整合回路１３と、入力整合回路２３と、複数（図示例では２つ）の第１スイッチ４Ａ，４Ｂと、第２スイッチ５Ａと、第３スイッチ６Ａと、マルチプレクサ１４と、を備える。以下の説明において、複数のフィルタ部２を区別する場合には、複数のフィルタ部２の各々を「第１フィルタ部２Ａ」、「第２フィルタ部２Ｂ」、「第３フィルタ部２Ｃ」、「第４フィルタ部２Ｄ」ともいう。また、パワーアンプ１１、ローノイズアンプ２１、出力整合回路１３及び入力整合回路２３については実施形態１に係る高周波モジュール１と同様であり、ここでは説明を省略する。
　（１．１）第１フィルタ部
　第１フィルタ部２Ａは、第１送信用フィルタ１２Ａと、第１受信用フィルタ２２Ａと、を含む。つまり、第１フィルタ部２Ａでは、第１送信用フィルタ１２Ａと第１受信用フィルタ２２Ａとが１チップに集積されている（図６及び図８参照）。第１送信用フィルタ１２Ａは、例えば、第１通信バンドの送信帯域を通過帯域とするフィルタである。第１受信用フィルタ２２Ａは、例えば、第１通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。第１通信バンドは、例えば、Ｂａｎｄ１２である。
　（１．２）第２フィルタ部
　第２フィルタ部２Ｂは、第２送信用フィルタ１２Ｂと、第２受信用フィルタ２２Ｂと、を含む。つまり、第２フィルタ部２Ｂでは、第２送信用フィルタ１２Ｂと第２受信用フィルタ２２Ｂとが１チップに集積されている（図６及び図８参照）。第２送信用フィルタ１２Ｂは、例えば、第２通信バンドの送信帯域を通過帯域とするフィルタである。第２受信用フィルタ２２Ｂは、例えば、第２通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。第２通信バンドは、例えば、Ｂａｎｄ２６である。
　（１．３）第３フィルタ部
　第３フィルタ部２Ｃは、第３送信用フィルタ１２Ｃと、第３受信用フィルタ２２Ｃと、を含む。つまり、第３フィルタ部２Ｃでは、第３送信用フィルタ１２Ｃと第３受信用フィルタ２２Ｃとが１チップに集積されている（図６及び図８参照）。第３送信用フィルタ１２Ｃは、例えば、第３通信バンドの送信帯域を通過帯域とするフィルタである。第３受信用フィルタ２２Ｃは、例えば、第３通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。第３通信バンドは、例えば、Ｂａｎｄ１１である。
　（１．４）第４フィルタ部
　第４フィルタ部２Ｄは、第４送信用フィルタ１２Ｄと、第４受信用フィルタ２２Ｄと、を含む。つまり、第４フィルタ部２Ｄでは、第４送信用フィルタ１２Ｄと第４受信用フィルタ２２Ｄとが１チップに集積されている（図６及び図８参照）。第４送信用フィルタ１２Ｄは、例えば、第４通信バンドの送信帯域を通過帯域とするフィルタである。第４受信用フィルタ２２Ｄは、例えば、第４通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。第４通信バンドは、例えば、Ｂａｎｄ３である。高周波モジュール１Ａでは、第１送信用フィルタ１２Ａ、第２送信用フィルタ１２Ｂ、第３送信用フィルタ１２Ｃ、第４送信用フィルタ１２Ｄ、第１受信用フィルタ２２Ａ、第２受信用フィルタ２２Ｂ、第３受信用フィルタ２２Ｃ及び第４受信用フィルタ２２Ｄにより複数の帯域フィルタが構成されている。
　（１．５）第１スイッチ
　複数の第１スイッチ４Ａ，４Ｂの各々は、共通端子４０と、２つの選択端子４１，４２と、を有する。
　第１スイッチ４Ａの共通端子４０は、減衰フィルタ３Ａ及びマルチプレクサ１４を介してアンテナ端子８１に接続されている。アンテナ端子８１には、アンテナ３１０が接続される。選択端子（第１選択端子）４１は、第１送信用フィルタ１２Ａの出力端子と第１受信用フィルタ２２Ａの入力端子との接続点に接続されている。選択端子（第２選択端子）４２は、第２送信用フィルタ１２Ｂの出力端子と第２受信用フィルタ２２Ｂの入力端子との接続点に接続されている。第１スイッチ４Ａは、例えば、２つの選択端子４１，４２を共通端子４０に同時接続可能なスイッチである。つまり、第１スイッチ４Ａは、一対多の接続が可能なスイッチである。
　第１スイッチ４Ｂの共通端子４０は、マルチプレクサ１４を介してアンテナ端子８１に接続されている。選択端子（第１選択端子）４１は、第３送信用フィルタ１２Ｃの出力端子と第３受信用フィルタ２２Ｃの入力端子との接続点に接続されている。選択端子（第２選択端子）４２は、第４送信用フィルタ１２Ｄの出力端子と第４受信用フィルタ２２Ｄの入力端子との接続点に接続されている。第１スイッチ４Ｂは、例えば、２つの選択端子４１，４２を共通端子４０に同時接続可能なスイッチである。つまり、第１スイッチ４Ｂは、一対多の接続が可能なスイッチである。
　複数の第１スイッチ４Ａ，４Ｂの各々は、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。複数の第１スイッチ４Ａ，４Ｂの各々は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号に従って、共通端子４０と２つ選択端子４１，４２との接続状態を切り替える。複数の第１スイッチ４Ａ，４Ｂの各々は、例えば、スイッチＩＣである。
　（１．６）第２スイッチ
　第２スイッチ５Ａは、共通端子５０と、４つの選択端子５１～５４と、を有する。共通端子５０は、出力整合回路１３を介してパワーアンプ１１の出力端子１１２に接続されている。選択端子５１は、第１送信用フィルタ１２Ａの入力端子に接続されている。選択端子５２は、第２送信用フィルタ１２Ｂの入力端子に接続されている。選択端子５３は、第３送信用フィルタ１２Ｃの入力端子に接続されている。選択端子５４は、第４送信用フィルタ１２Ｄの入力端子に接続されている。第２スイッチ５Ａは、例えば、４つの選択端子５１～５４のうちの少なくとも２つ以上を共通端子５０に同時接続可能なスイッチである。つまり、第２スイッチ５Ａは、一対多の接続が可能なスイッチである。
　第２スイッチ５Ａは、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。第２スイッチ５Ａは、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号に従って、共通端子５０と４つ選択端子５１～５４との接続状態を切り替える。第２スイッチ５Ａは、例えば、スイッチＩＣである。
　（１．７）第３スイッチ
　第３スイッチ６Ａは、共通端子６０と、４つの選択端子６１～６４と、を有する。共通端子６０は、入力整合回路２３を介してローノイズアンプ２１の入力端子２１１に接続されている。選択端子６１は、第１受信用フィルタ２２Ａの出力端子に接続されている。選択端子６２は、第２受信用フィルタ２２Ｂの出力端子に接続されている。選択端子６３は、第３受信用フィルタ２２Ｃの出力端子に接続されている。選択端子６４は、第４受信用フィルタ２２Ｄの出力端子に接続されている。第３スイッチ６Ａは、例えば、４つの選択端子６１～６４のうちの少なくとも２つ以上を共通端子６０に同時接続可能なスイッチである。つまり、第３スイッチ６Ａは、一対多の接続が可能なスイッチである。
　第３スイッチ６Ａは、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。第３スイッチ６Ａは、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号に従って、共通端子６０と４つ選択端子６１～６４との接続状態を切り替える。第３スイッチ６Ａは、例えば、スイッチＩＣである。
　（１．８）減衰フィルタ
　減衰フィルタ３Ａは、マルチプレクサ１４と第１スイッチ４Ａの共通端子４０との間の信号経路に設けられている。減衰フィルタ３Ａは、アンテナ３１０を介して受信した受信信号のうち第１スイッチ４Ａ側へ向かう受信信号の高調波成分を減衰させる。減衰フィルタ３Ａは、例えば、ノッチフィルタである。減衰フィルタ３Ａは、例えば、Ｂａｎｄ１の受信帯域を通過帯域とするフィルタである。
　減衰フィルタ３Ａは、図７に示すように、複数（図示例では３つ）のインダクタ３１Ａ～３３Ａと、複数（図示例では３つ）のキャパシタ３４Ａ～３６Ａと、入力端子３７Ａと、出力端子３８Ａと、を有する。
　インダクタ３１Ａとキャパシタ３４Ａとは、直列に接続されており、直列回路３９１Ａを構成する。直列回路３９１Ａは、入力端子３７Ａと出力端子３８Ａとの間の経路Ｐ２上のノードＮ２とグランドとの間に設けられている。
　インダクタ３２Ａとキャパシタ３５Ａとは、直列に接続されており、直列回路３９２Ａを構成する。直列回路３９２Ａは、経路Ｐ２上のノードＮ３とグランドとの間に設けられている。ノードＮ３は、経路Ｐ２上において、ノードＮ２よりも出力端子３８Ａ側に位置する。したがって、直列回路３９２Ａは、直列回路３９１Ａよりも出力端子３８Ａ側に設けられている。
　インダクタ３３Ａとキャパシタ３６Ａとは、直列に接続されており、直列回路３９３Ａを構成する。直列回路３９３Ａは、経路Ｐ２上のノードＮ４とグランドとの間に設けられている。ノードＮ４は、経路Ｐ２上において、ノードＮ３よりも出力端子３８Ａ側に位置する。したがって、直列回路３９３Ａは、直列回路３９２Ａよりも出力端子３８Ａ側に設けられている。
　（１．９）マルチプレクサ
　マルチプレクサ１４は、送信フィルタと、受信フィルタと、を有する。マルチプレクサ１４は、例えば、アンテナ端子８１と第１スイッチ４Ａの共通端子４０との間の信号経路においては、ノッチフィルタ３Ａを介して第１スイッチ４Ａの共通端子４０に接続されている。また、マルチプレクサ１４は、例えば、アンテナ端子８１と第１スイッチ４Ｂの共通端子４０との間の信号経路においては、第１スイッチ４Ｂの共通端子４０に直接的に接続されている。
　（１．１０）整合回路
　整合回路７Ａは、複数（図示例では４つ）のインダクタ７１～７４を有する。
　インダクタ７１は、第１送信用フィルタ１２Ａ及び第１受信用フィルタ２２Ａと減衰フィルタ３Ａ及びマルチプレクサ１４とのインピーダンス整合をとるためのインダクタである。インダクタ７１は、例えば、第１送信用フィルタ１２Ａの出力端子及び第１受信用フィルタ２２Ａの入力端子の接続点と第１スイッチ４Ａの選択端子４１との間の信号経路に設けられている。インダクタ７１は、上記信号経路とグランドとの間に接続されている。
　インダクタ７２は、第２送信用フィルタ１２Ｂ及び第２受信用フィルタ２２Ｂと減衰フィルタ３Ａ及びマルチプレクサ１４とのインピーダンス整合をとるためのインダクタである。インダクタ７２は、例えば、第２送信用フィルタ１２Ｂの出力端子及び第２受信用フィルタ２２Ｂの入力端子の接続点と第１スイッチ４Ａの選択端子４２との間の信号経路に設けられている。インダクタ７２は、上記信号経路とグランドとの間に接続されている。
　インダクタ７３は、第３送信用フィルタ１２Ｃ及び第３受信用フィルタ２２Ｃとマルチプレクサ１４とのインピーダンス整合をとるためのインダクタである。インダクタ７３は、例えば、第３送信用フィルタ１２Ｃの出力端子及び第３受信用フィルタ２２Ｃの入力端子の接続点と第１スイッチ４Ｂの選択端子４１との間の信号経路に設けられている。インダクタ７３は、上記信号経路とグランドとの間に接続されている。
　インダクタ７４は、第４送信用フィルタ１２Ｄ及び第４受信用フィルタ２２Ｄとマルチプレクサ１４とのインピーダンス整合をとるためのインダクタである。インダクタ７４は、例えば、第４送信用フィルタ１２Ｄの出力端子及び第４受信用フィルタ２２Ｄの入力端子の接続点と第１スイッチ４Ｂの選択端子４２との間の信号経路に設けられている。インダクタ７４は、上記信号経路とグランドとの間に接続されている。
　（２）高周波モジュールの各構成要素の配置
　次に、実装基板９における高周波モジュール１Ａの各構成要素の配置について、図８を参照して説明する。以下の説明では、図８に示す向きにおいて上下、左右の各方向を規定する。つまり、図８に示す例では、第１フィルタ部２Ａと第２フィルタ部２Ｂとが並ぶ方向が左右方向（第１フィルタ部２Ａ側が左側）となり、第１フィルタ部２Ａと第３フィルタ部２Ｃとが並ぶ方向が上下方向（第１フィルタ部２Ａ側が上側）となる。
　本実施形態に係る高周波モジュール１Ａは、図８に示すように、実装基板９を更に備える。実装基板９は、実装基板９の厚さ方向（図８の紙面に垂直な方向）からの平面視で、矩形状である。実装基板９は、第１主面９１と、第２主面９２と、を有する。第１主面９１と第２主面９２とは、実装基板９の厚さ方向（図８の紙面に垂直な方向）において互いに対向している。実装基板９は、例えば、プリント配線板、ＬＴＣＣ基板等である。
　実装基板９は、例えば、複数の誘電体層及び複数の導体パターン層を含む多層基板である。複数の誘電体層及び複数の導体パターン層は、実装基板９の厚さ方向において積層されている。複数の導体パターン層は、それぞれ所定パターンに形成されている。複数の導体パターン層の各々は、実装基板９の厚さ方向に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導体パターン層の材料は、例えば、銅である。複数の導体パターン層は、グランド層を含む。
　高周波モジュール１Ａでは、上述の第１フィルタ部２Ａ、第２フィルタ部２Ｂ、第３フィルタ部２Ｃ、第４フィルタ部２Ｄ、減衰フィルタ３Ａ、第１スイッチ４Ａ，４Ｂ、整合回路７Ａ及びマルチプレクサ１４が実装基板９の第１主面９１に実装されている。なお、上述の第２スイッチ５Ａ、第３スイッチ６Ａ、パワーアンプ１１、ローノイズアンプ２１、出力整合回路１３及び入力整合回路２３については図示を省略しているが、実装基板９の第１主面９１又は第２主面９２に実装されている。
　実装基板９の左側の領域には、減衰フィルタ３Ａ、第１スイッチ４Ａ，４Ｂ及びマルチプレクサ１４が実装されている。第１スイッチ４Ａ，４Ｂは、第１スイッチ４Ａが上側、第１スイッチ４Ｂが下側となるように、上下方向に間隔を空けて並んでいる。第１スイッチ４Ａ，４Ｂの各々は、例えば、はんだにより実装基板９の第１主面９１に接続されている。
　実装基板９の第１主面９１における第１スイッチ４Ａ，４Ｂの間には、減衰フィルタ３Ａ及びマルチプレクサ１４が実装されている。減衰フィルタ３Ａ及びマルチプレクサ１４は、マルチプレクサ１４が左側、減衰フィルタ３Ａが右側となるように、左右方向に間隔を空けて並んでいる。マルチプレクサ１４は、例えば、はんだにより実装基板９の第１主面９１に接続されている。減衰フィルタ３Ａでは、減衰フィルタ３Ａを構成するインダクタ３３Ａ及びキャパシタ３６Ａが、インダクタ３３Ａが左側、キャパシタ３６Ａが右側となるように、左右方向に並んでいる。インダクタ３３Ａ及びキャパシタ３６Ａの各々は、接続部３０により実装基板９の第１主面９１に接続されている。接続部３０は、例えば、はんだである。なお、減衰フィルタ３Ａを構成するインダクタ３１Ａ，３２Ａ及びキャパシタ３４Ａ，３５Ａについても図示は省略しているが、接続部３０により実装基板９の第１主面９１に接続されている。
　実装基板９の第１主面９１における右側の領域には、第１フィルタ部２Ａ、第２フィルタ部２Ｂ、第３フィルタ部２Ｃ及び第４フィルタ部２Ｄが実装されている。第１フィルタ部２Ａ及び第２フィルタ部２Ｂは、第１フィルタ部２Ａが左側、第２フィルタ部２Ｂが右側となるように、左右方向に間隔を空けて並んでいる。また、第３フィルタ部２Ｃ及び第４フィルタ部２Ｄは、第３フィルタ部２Ｃが左側、第４フィルタ部２Ｄが右側となるように、左右方向に間隔を空けて並んでいる。そして、第１フィルタ部２Ａ～第４フィルタ部２Ｄは、第１フィルタ部２Ａ及び第２フィルタ部２Ｂが上側、第３フィルタ部２Ｃ及び第４フィルタ部２Ｄが下側となるように、上下方向に間隔を空けて並んでいる。第１フィルタ部２Ａ、第２フィルタ部２Ｂ、第３フィルタ部２Ｃ及び第４フィルタ部２Ｄの各々は、複数の接続部２４により実装基板９の第１主面９１に接続されている。接続部２４は、例えば、はんだバンプであるが、金バンプであってもよい。
　実装基板９の第１主面９１における第１フィルタ部２Ａの上部には、整合回路７Ａのインダクタ７１が実装されている。実装基板９の第１主面９１における第２フィルタ部２Ｂの上部には、整合回路７Ａのインダクタ７２が実装されている。実装基板９の第１主面９１における第３フィルタ部２Ｃの上部には、整合回路７Ａのインダクタ７３が実装されている。実装基板９の第１主面９１において第１フィルタ部２Ａ、第２フィルタ部２Ｂ、第３フィルタ部２Ｃ及び第４フィルタ部２Ｄで囲まれている領域には、整合回路７Ａのインダクタ７４が実装されている。インダクタ７１～７４の各々は、例えば、接続部７０により実装基板９の第１主面９１に接続されている。接続部７０は、例えば、はんだである。
　（３）高周波モジュールの特性
　次に、高周波モジュール１Ａの特性について、図８を参照して説明する。
　本実施形態に係る高周波モジュール１Ａでは、図８に示すように、例えば、実装基板９の厚さ方向からの平面視で、減衰フィルタ３Ａを構成するキャパシタ３６Ａと複数のインダクタ７１～７４のうちの１つであるインダクタ７３とが隣接している。つまり、図８では、減衰フィルタ３Ａのキャパシタ３６Ａとインダクタ７３との間に他の電子部品が存在していない。
　高周波モジュール１Ａでは、減衰フィルタ３Ａのキャパシタ３６Ａとインダクタ７３とが隣接することで、キャパシタ３６Ａとインダクタ７３とが容量結合する。この場合において、キャパシタ３６Ａとインダクタ７３との距離ｄ２（図８参照）を小さくすることで、キャパシタ３６Ａとインダクタ７３との間の容量が大きくなる。そして、上記容量が大きくなることで、減衰フィルタ３Ａの共振周波数が低周波側へシフトする。
　上述のように、減衰フィルタ３Ａの共振周波数を低周波側へシフトさせることで、第１受信用フィルタ２２Ａを通過する受信信号の高調波成分が減衰フィルタ３Ａによって遮断される。これにより、相対的に周波数の低い第１受信用フィルタ２２Ａを通過する受信信号の高調波成分が、相対的に周波数の高い第２受信用フィルタ２２Ｂのフィルタ特性を悪化させることを抑制することができる。本実施形態では、減衰フィルタ３Ａを構成するキャパシタ３６Ａがリアクタンス素子である。
　実施形態２では、減衰フィルタ３Ａのキャパシタ３６Ａと複数のインダクタ７１～７４のうちの１つであるインダクタ７３とを隣接させているが、減衰フィルタ３Ａを構成するインダクタ３１Ａ～３３Ａ及びキャパシタ３４Ａ～３６Ａのうち少なくとも１つと、第３受信用フィルタ２２Ｃ及び第４受信用フィルタ２２Ｄのうち少なくとも一方とを隣接させてもよい。また、減衰フィルタ３Ａを構成するインダクタ３１Ａ～３３Ａ及びキャパシタ３４Ａ～３６Ａのうち少なくとも１つと、インダクタ７３，７４のうち少なくとも１つとを近接させてもよい。
　さらに、減衰フィルタ３Ａを構成するインダクタ３１Ａ～３３Ａ及びキャパシタ３４Ａ～３６Ａのうち少なくとも１つと、第１受信用フィルタ２２Ａ及び第２受信用フィルタ２２Ｂのうち少なくとも一方とを隣接させてもよい。また、減衰フィルタ３Ａを構成するインダクタ３１Ａ～３３Ａ及びキャパシタ３４Ａ～３６Ａのうち少なくとも１つと、インダクタ７１，７２のうち少なくとも１つとを近接させてもよい。
　（まとめ）
　以上説明した実施形態等から以下の態様が開示されている。
　第１の態様に係る高周波モジュール（１；１Ａ）は、実装基板（９）と、スイッチ（４；４Ａ，４Ｂ）と、減衰フィルタ（３；３Ａ）と、複数の帯域フィルタ（１２Ａ～１２Ｄ，２２Ａ～２２Ｄ）と、を備える。スイッチ（４；４Ａ，４Ｂ）は、実装基板（９）に実装され、アンテナ端子（８１）と接続される共通端子（４０）と、共通端子（４０）と接続される複数の選択端子（４１～４３）とを有し、かつ、共通端子（４０）と複数の選択端子（４１～４３）のうち少なくとも第１選択端子（４１）及び第２選択端子（４２）とを同時に接続可能なスイッチである。減衰フィルタ（３；３Ａ）は、実装基板（９）に実装され、共通端子（４０）とアンテナ端子（８１）との間に接続されている。複数の帯域フィルタ（１２Ａ～１２Ｄ，２２Ａ～２２Ｄ）は、実装基板（９）に実装され、複数の選択端子（４１～４４）と接続される。複数の帯域フィルタ（１２Ａ～１２Ｄ，２２Ａ～２２Ｄ）は、第１帯域フィルタ（２２Ａ）と、第２帯域フィルタ（２２Ｂ）と、を有する。第１帯域フィルタ（２２Ａ）は、第１選択端子（４１）と接続され、第１周波数帯域を通過帯域とするフィルタである。第２帯域フィルタ（２２Ｂ）は、第２選択端子（４２）と接続され、第１周波数帯域よりも高い第２周波数帯域を通過帯域とするフィルタである。減衰フィルタは、誘導素子（例えばインダクタ３２）及び容量素子（例えば、キャパシタ３５）の少なくとも一方のリアクタンス素子を含むローパスフィルタ又はノッチフィルタである。高周波モジュール（１；１Ａ）では、実装基板（９）を平面視した場合に、リアクタンス素子と、複数の帯域フィルタ（１２Ａ～１２Ｄ，２２Ａ～２２Ｄ）のうち少なくとも１つの帯域フィルタ（例えば、第１受信用フィルタ２２Ａ）と、が隣接している。
　この態様によれば、相対的に周波数の低い帯域フィルタ（例えば、第１受信用フィルタ２２Ａ）を通過する信号の高調波成分が、相対的に周波数の高い帯域フィルタ（例えば、第２受信用フィルタ２２Ｂ）のフィルタ特性を悪化させることを抑制することができる。
　第２の態様に係る高周波モジュール（１）では、第１の態様において、減衰フィルタ（３）は、リアクタンス素子を含む１つのチップ（１０）で構成されている。実装基板（９）を平面視した場合に、減衰フィルタ（３）と、少なくとも１つの帯域フィルタと、が隣接している。
　この態様によれば、減衰フィルタ３を１つのチップ（１０）で構成しているので、平面視における実装基板（９）の面積を小さくすることができる。
　第３の態様に係る高周波モジュール（１；１Ａ）は、実装基板（９）と、スイッチ（４；４Ａ，４Ｂ）と、減衰フィルタ（３；３Ａ）と、複数の帯域フィルタ（１２Ａ～１２Ｄ，２２Ａ～２４Ｄ）と、複数のインダクタ（７１～７３）と、を備える。スイッチ（４；４Ａ，４Ｂ）は、実装基板（９）に実装され、アンテナ端子（８１）と接続される共通端子（４０）と、共通端子（４０）と接続される複数の選択端子（４１～４３）とを有し、かつ、共通端子（４０）と複数の選択端子（４１～４３）のうち少なくとも第１選択端子（４１）及び第２選択端子（４２）とを同時に接続可能なスイッチである。減衰フィルタ（３；３Ａ）は、実装基板（９）に実装され、共通端子（４０）とアンテナ端子（８１）との間に接続されている。複数の帯域フィルタ（１２Ａ～１２Ｄ，２２Ａ～２４Ｄ）は、実装基板（９）に実装され、複数の選択端子（４１～４３）と接続される。複数のインダクタ（７１～７３）は、複数の帯域フィルタ（１２Ａ～１２Ｄ，２２Ａ～２４Ｄ）とスイッチ（４；４Ａ，４Ｂ）との間において、複数の帯域フィルタと接続される。複数の帯域フィルタ（１２Ａ～１２Ｄ，２２Ａ～２４Ｄ）は、第１帯域フィルタ（２２Ａ）と、第２帯域フィルタ（２２Ｂ）と、を有する。第１帯域フィルタ（２２Ａ）は、第１選択端子（４１）と接続され、第１周波数帯域を通過帯域とする。第２帯域フィルタ（２２Ｂ）は、第２選択端子（４２）と接続され、前記第１周波数帯域よりも高い第２周波数帯域を通過帯域とする。減衰フィルタ（３；３Ａ）は、誘導素子（例えば、インダクタ３２）及び容量素子（例えば、キャパシタ３５）の少なくとも一方のリアクタンス素子を含むローパスフィルタ又はノッチフィルタである。高周波モジュール（１；１Ａ）では、実装基板（９）を平面視した場合に、上記リアクタンス素子と、複数のインダクタ（７１～７３）のうち少なくとも１つのインダクタ（例えば、インダクタ７２）と、が隣接している。
　この態様によれば、相対的に周波数の低い帯域フィルタ（例えば、第１受信用フィルタ２２Ａ）を通過する信号の高調波成分が、相対的に周波数の高い帯域フィルタ（例えば、第２受信用フィルタ２２Ｂ）のフィルタ特性を悪化させることを抑制することができる。
　第４の態様に係る高周波モジュール（１；１Ａ）では、第１～３の態様のいずれか１つにおいて、減衰フィルタ（３；３Ａ）は、アンテナ端子（８１）を介して受信した受信信号の高調波成分を減衰させる。
　この態様によれば、（３；３Ａ）によって受信信号の高調波成分を減衰させることができる。
　第５の態様に係る通信装置（３００；３００Ａ）は、第１～４の態様のいずれか１つに係る高周波モジュール（１；１Ａ）と、信号処理回路（３０１）と、を備える。信号処理回路（３０１）は、アンテナ端子（８１）を介して受信した受信信号を処理する。
　この態様によれば、相対的に周波数の低い帯域フィルタ（例えば、第１受信用フィルタ２２Ａ）を通過する信号の高調波成分が、相対的に周波数の高い帯域フィルタ（例えば、第２受信用フィルタ２２Ｂ）のフィルタ特性を悪化させることを抑制することができる。
１，１Ａ　高周波モジュール
２　フィルタ部
２Ａ　第１フィルタ部
２Ｂ　第２フィルタ部
２Ｃ　第３フィルタ部
３，３Ａ　減衰フィルタ（ローパスフィルタ、ノッチフィルタ）
４，４Ａ，４Ｂ　第１スイッチ（スイッチ）
５，５Ａ　第２スイッチ
６，６Ａ　第３スイッチ
７，７Ａ　整合回路
９　実装基板
１０　チップ
１１　パワーアンプ
１２Ａ　第１送信用フィルタ（帯域フィルタ）
１２Ｂ　第２送信用フィルタ（帯域フィルタ）
１２Ｃ　第３送信用フィルタ（帯域フィルタ）
１２Ｄ　第４送信用フィルタ（帯域フィルタ）
１３　出力整合回路
１４　マルチプレクサ
２１　ローノイズアンプ
２２Ａ　第１受信用フィルタ（第１帯域フィルタ）
２２Ｂ　第２受信用フィルタ（第２帯域フィルタ）
２２Ｃ　第３受信用フィルタ（帯域フィルタ）
２２Ｄ　第４受信用フィルタ（帯域フィルタ）
２３　入力整合回路
２４　接続部
３０　接続部
３１～３３，３１Ａ～３３Ａ　インダクタ（誘導素子、リアクタンス素子）
３４～３６，３４Ａ～３６Ａ　キャパシタ（容量素子、リアクタンス素子）
３７，３７Ａ　入力端子
３８，３８Ａ　出力端子
４０　共通端子
４１～４４　選択端子
５０　共通端子
５１～５４　選択端子
６０　共通端子
６１～６４　選択端子
７０　接続部
７１～７４　インダクタ
８１　アンテナ端子
８２　信号入力端子
８３　信号出力端子
９１　第１主面
９２　第２主面
１１１　入力端子
１１２　出力端子
２１１　入力端子
２１２　出力端子
３００，３００Ａ　通信装置
３０１　信号処理回路
３１０　アンテナ
３９１，３９２　並列回路
３９１Ａ～３９３Ａ，３９３　直列回路
ＨＡ１，ＨＡ２　高調波
Ｐ１，Ｐ２　経路
ＰＢ１～ＰＢ５　通過帯域
Ｎ１～Ｎ４　ノード

Claims (5)

  1. 　実装基板と、
    　前記実装基板に実装され、アンテナ端子と接続される共通端子と、前記共通端子と接続される複数の選択端子とを有し、かつ、前記共通端子と前記複数の選択端子のうち少なくとも第１選択端子及び第２選択端子とを同時に接続可能なスイッチと、
    　前記実装基板に実装され、前記共通端子と前記アンテナ端子との間に接続されている減衰フィルタと、
    　前記実装基板に実装され、前記複数の選択端子と接続される複数の帯域フィルタと、を備え、
    　前記複数の帯域フィルタは、
    　前記第１選択端子と接続され、第１周波数帯域を通過帯域とする第１帯域フィルタと、
    　前記第２選択端子と接続され、前記第１周波数帯域よりも高い第２周波数帯域を通過帯域とする第２帯域フィルタと、
    　を有し、
    　前記減衰フィルタは、誘導素子及び容量素子の少なくとも一方のリアクタンス素子を含むローパスフィルタ又はノッチフィルタであり、
    　前記実装基板を平面視した場合に、前記リアクタンス素子と、前記複数の帯域フィルタのうち少なくとも１つの帯域フィルタと、が隣接している、
    　高周波モジュール。
  2. 　前記減衰フィルタは、前記リアクタンス素子を含む１つのチップで構成されており、
    　前記実装基板を平面視した場合に、前記減衰フィルタと、前記少なくとも１つの帯域フィルタと、が隣接している、
    　請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　実装基板と、
    　前記実装基板に実装され、アンテナ端子と接続される共通端子と、前記共通端子と接続される複数の選択端子とを有し、かつ、前記共通端子と前記複数の選択端子のうち少なくとも第１選択端子及び第２選択端子とを同時に接続可能なスイッチと、
    　前記実装基板に実装され、前記共通端子と前記アンテナ端子との間に接続されている減衰フィルタと、
    　前記実装基板に実装され、前記複数の選択端子と接続される複数の帯域フィルタと、
    　前記複数の帯域フィルタと前記スイッチとの間において、前記複数の帯域フィルタと接続される複数のインダクタと、を備え、
    　前記複数の帯域フィルタは、
    　前記第１選択端子と接続され、第１周波数帯域を通過帯域とする第１帯域フィルタと、
    　前記第２選択端子と接続され、前記第１周波数帯域よりも高い第２周波数帯域を通過帯域とする第２帯域フィルタと、
    　を有し、
    　前記減衰フィルタは、誘導素子及び容量素子の少なくとも一方のリアクタンス素子を含むローパスフィルタ又はノッチフィルタであり、
    　前記実装基板を平面視した場合に、前記リアクタンス素子と、前記複数のインダクタのうち少なくとも１つのインダクタと、が隣接している、
    　高周波モジュール。
  4. 　前記減衰フィルタは、前記アンテナ端子を介して受信する受信信号の高調波成分を減衰させる、
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  5. 　請求項１～４のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、
    　前記アンテナ端子を介して受信する受信信号を処理する信号処理回路と、を備える、
    　通信装置。
PCT/JP2020/024506 2019-07-03 2020-06-23 高周波モジュール及び通信装置 WO2021002238A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202080048327.XA CN114051694B (zh) 2019-07-03 2020-06-23 高频模块以及通信装置
US17/396,909 US11777534B2 (en) 2019-07-03 2021-08-09 Radio frequency module and communication device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019124841 2019-07-03
JP2019-124841 2019-07-03

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US17/396,909 Continuation US11777534B2 (en) 2019-07-03 2021-08-09 Radio frequency module and communication device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2021002238A1 true WO2021002238A1 (ja) 2021-01-07

Family

ID=74100265

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2020/024506 WO2021002238A1 (ja) 2019-07-03 2020-06-23 高周波モジュール及び通信装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11777534B2 (ja)
CN (1) CN114051694B (ja)
WO (1) WO2021002238A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11200964B2 (en) 2010-04-19 2021-12-14 Nielsen Consumer Llc Short imagery task (SIT) research method

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11469725B2 (en) * 2019-06-07 2022-10-11 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for power amplifier output matching
US11588506B2 (en) * 2020-04-05 2023-02-21 Skyworks Solutions, Inc. Architectures having bridge combiners and multiplexers
CN113904701B (zh) * 2021-08-19 2023-03-07 上海龙旗科技股份有限公司 一种防止天线自干扰的***及方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006304081A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Hitachi Metals Ltd 高周波回路、高周波回路部品及びこれを用いた通信装置
JP2012080160A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Hitachi Metals Ltd 高周波回路部品、及び通信装置
JP2012169798A (ja) * 2011-02-14 2012-09-06 Murata Mfg Co Ltd 高周波モジュール
JP2017038352A (ja) * 2015-08-10 2017-02-16 株式会社村田製作所 スイッチモジュール、フロントエンドモジュールおよびスイッチモジュールの駆動方法
WO2018110577A1 (ja) * 2016-12-16 2018-06-21 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3690889B2 (ja) * 1996-06-10 2005-08-31 松下電器産業株式会社 受信回路
US7373171B2 (en) * 2003-02-14 2008-05-13 Tdk Corporation Front end module
WO2006023655A2 (en) * 2004-08-17 2006-03-02 California Micro Devices Corporation Integrated passive filter incorporated inductors and esd protectors
CN101160734B (zh) * 2005-04-15 2011-04-13 日立金属株式会社 多频带高频电路、多频带高频电路部件及使用其的多频带通信装置
KR100995302B1 (ko) * 2007-05-10 2010-11-19 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 복합 고주파 부품
JP4968305B2 (ja) * 2009-09-29 2012-07-04 Ｔｄｋ株式会社 積層型バンドパスフィルタ
EP2523255B1 (en) * 2011-02-15 2014-12-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna device and communication terminal device
KR101444555B1 (ko) * 2012-12-27 2014-09-24 삼성전기주식회사 대역 통과 필터
CN105556741A (zh) * 2013-09-17 2016-05-04 株式会社村田制作所 高频模块及通信装置
JP5505915B1 (ja) * 2013-10-30 2014-05-28 太陽誘電株式会社 通信モジュール
US9941582B2 (en) 2015-08-10 2018-04-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Switch module, front-end module, and driving method for switch module
JP6337867B2 (ja) * 2015-10-26 2018-06-06 株式会社村田製作所 帯域通過型フィルタ及びデュプレクサ
WO2018061950A1 (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
JP2018064266A (ja) * 2016-10-07 2018-04-19 株式会社村田製作所 高周波フィルタおよび高周波モジュール
WO2019082671A1 (ja) * 2017-10-24 2019-05-02 株式会社村田製作所 高周波回路、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006304081A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Hitachi Metals Ltd 高周波回路、高周波回路部品及びこれを用いた通信装置
JP2012080160A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Hitachi Metals Ltd 高周波回路部品、及び通信装置
JP2012169798A (ja) * 2011-02-14 2012-09-06 Murata Mfg Co Ltd 高周波モジュール
JP2017038352A (ja) * 2015-08-10 2017-02-16 株式会社村田製作所 スイッチモジュール、フロントエンドモジュールおよびスイッチモジュールの駆動方法
WO2018110577A1 (ja) * 2016-12-16 2018-06-21 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11200964B2 (en) 2010-04-19 2021-12-14 Nielsen Consumer Llc Short imagery task (SIT) research method

Also Published As

Publication number Publication date
CN114051694B (zh) 2023-01-20
CN114051694A (zh) 2022-02-15
US20210367622A1 (en) 2021-11-25
US11777534B2 (en) 2023-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9923543B2 (en) Radio frequency module
WO2021002238A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
JP6468290B2 (ja) 高周波モジュール
US9929770B2 (en) Radio-frequency module
US10615775B2 (en) Multiplexer, transmission apparatus, and reception apparatus
KR101993559B1 (ko) 멀티플렉서, 송신 장치 및 수신 장치
WO2015019722A1 (ja) 高周波モジュール
WO2015019980A1 (ja) 高周波モジュール
US11558035B2 (en) Multiplexer
JPWO2014168161A1 (ja) 高周波モジュール
JP5660223B2 (ja) 分波装置
JP6564448B2 (ja) ＲＦフィルタ回路、減衰が改善されたｒｆフィルタおよび分離度が改善されたデュプレクサ
US11368135B2 (en) High-frequency module
CN110476355B (zh) 多工器、高频前端电路以及通信装置
JP2021034959A (ja) フィルタモジュール
WO2022202328A1 (ja) 高周波モジュールおよび通信装置
WO2022209727A1 (ja) 高周波モジュールおよび通信装置
WO2022209726A1 (ja) 高周波モジュールおよび通信装置
WO2022145306A1 (ja) フィルタ装置、高周波モジュール及び通信装置
WO2022091852A1 (ja) 高周波モジュール、及び通信装置
CN116918256A (zh) 高频模块以及通信装置
JP2021072563A (ja) マルチプレクサ

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 20834380

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 20834380

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP