WO2020208848A1 - フォトマスク - Google Patents
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/40—Electrostatic discharge [ESD] related features, e.g. antistatic coatings or a conductive metal layer around the periphery of the mask substrate
Definitions
- the present invention relates to a photomask in which electrostatic breakdown is suppressed.
- ESD Electro-Static Discharge
- Patent Document 1 describes a photomask in which a coating layer of polyvinyl alcohol resin is formed on a mask pattern which is an exposure pattern.
- Patent Document 2 describes a photomask in which a conductive transparent resin film electrically connected to a grounding end is formed on a mask pattern.
- the present invention is a photomask obtained by a low-cost and easy manufacturing method, which exhibits a sufficient ESD suppression effect, does not cause destruction of an exposure pattern, has good exposure efficiency, and is exposed to durability.
- An object of the present invention is to provide a photomask having excellent efficiency.
- the present inventor is a photomask in which a coating layer made of a thiophene-based conductive resin is formed on a transparent substrate on which a light-shielding film is formed.
- a photomask having a resistance value of a specific value or less can solve the above problems, and have completed the present invention.
- a coating layer made of a thiophene-based conductive resin is formed on the transparent substrate on which the light-shielding film is formed.
- the sheet resistance value on the surface of the photomask having the coating layer made of the thiophene-based conductive resin is smaller than 10 11 ⁇ / ⁇ .
- a method for manufacturing an electronic component which comprises a step of exposing using the photomask according to any one of [1] to [3] above.
- a photomask obtained by a low-cost and easy manufacturing method which exhibits a sufficient ESD suppression effect, does not cause destruction of an exposure pattern, has good exposure efficiency, and has durability. It is also possible to provide a photomask having excellent exposure efficiency.
- the photomask of the present invention the method for producing the photomask, and the method for producing an electronic component using the photomask will be described in detail, but the description of the constituent requirements described below is an embodiment of the present invention. It is an example as, and is not specified in these contents.
- the photomask of the present invention is formed by forming a coating layer made of a thiophene-based conductive resin on a transparent substrate on which a light-shielding film is formed. On the surface of the transparent substrate, a light-shielding film formed in a pattern is formed to block the exposure to the photoresist film.
- the sheet resistance value on the surface of the photomask having the coating layer made of the thiophene-based conductive resin is smaller than 10 11 ⁇ / ⁇ .
- the light-shielding film (pattern forming film) side of the photomask is brought into close contact with the surface (photosensitive layer) side of the object to be photo-etched, or the surface side of the object and the light-shielding film side of the photomask. It is used by placing a photomask facing the object with a minute gap between the two.
- the transparent substrate As the transparent substrate, as long as it satisfies the sheet resistance value specified in the present invention, there is no particular limitation on the type and substrate size of the transparent substrate, and it can be appropriately used according to the purpose.
- the type of transparent substrate include a glass substrate, and examples of the glass substrate include blue plate glass and quartz glass. Since quartz glass has a high transmittance of UV, which is a high energy wave, blue plate glass is preferable from the viewpoint of further preventing deterioration of the conductive resin.
- the thickness of the transparent substrate can be appropriately selected depending on the intended purpose, but is preferably in the range of 0.5 mm to 30 mm, for example.
- the light-shielding film is formed on a transparent substrate and has a pattern pattern according to the purpose.
- the light-shielding film include a light-shielding film made of a material containing chromium.
- a method for producing the chromium light-shielding film a generally known vacuum deposition method, sputtering method, or the like can be used. Specific examples of such materials include chromium alone, chromium oxide (CrO), chromium nitride (CrN), chromium carbide (CrC), chromium oxide nitride (CrON), and chromium oxide carbide (CrOC).
- the film thickness of the light-shielding film can be appropriately selected depending on the intended purpose, but is preferably in the range of 50 nm to 250 nm, and more preferably in the range of 90 nm to 110 nm.
- a normal photomask forming method can be used as a method for obtaining a photomask having a light-shielding film formed in a pattern on a transparent substrate.
- a photomask blank having a light-shielding film formed on a transparent substrate is produced by depositing chromium on a glass substrate.
- a resist photosensitive resin
- this resist pattern is used as an etching mask to form a light-shielding film. Is etched to form a mask pattern, and then the resist pattern is removed.
- a coating layer made of a thiophene-based conductive resin is further formed on the transparent substrate having the light-shielding film, with respect to the photomask having the light-shielding film formed in a pattern on the transparent substrate.
- the type of thiophene-based conductive resin is not particularly limited as long as it satisfies the sheet resistance value specified in the present invention, and can be appropriately used depending on the intended purpose.
- PEDOT poly3, 4
- -Ethylene dioxythiophene is doped with PSS (polystyrene sulfonic acid).
- Examples of the thiophene-based conductive resin include commercially available Verazol (registered trademark) and Seprugida (registered trademark).
- the film thickness of the coating layer made of the thiophene-based conductive resin is not particularly limited as long as it satisfies the sheet resistance value specified in the present invention, and can be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, from 1 nm to The range is preferably in the range of 1,000 nm, more preferably in the range of 10 nm to 400 nm.
- the coating layer may be peeled off, and the difference in thickness between the portion where the coating layer is not peeled off and the portion where the coating layer is peeled off may be measured, or before peeling off.
- the difference between the thickness and the thickness after peeling may be measured.
- the thickness can be measured using a laser microscope (OLS4100 manufactured by Olympus Corporation).
- a coating layer made of a thiophene-based conductive resin is formed on the transparent substrate on which the light-shielding film is formed.
- a coating method a method generally known as a coating method such as spray coating or spin coating can be used.
- the concentration of the thiophene-based conductive resin in the coating material containing the thiophene-based conductive resin it is preferable to adjust the concentration of the thiophene-based conductive resin in the coating material containing the thiophene-based conductive resin, and adjust the formation conditions and the drying conditions of the coating layer.
- a more detailed method for forming the coating layer made of the thiophene-based conductive resin will be described later.
- the coating layer made of the thiophene-based conductive resin contains various performance-improving agents such as an adjusting agent for adjusting the viscosity of the paint and an auxiliary agent that contributes to improving the strength of the coating layer. be able to.
- the coating layer made of a thiophene-based conductive resin covers all the light-shielding film having a pattern formed on the transparent substrate, and almost covers the effective region on the transparent substrate, that is, the region irradiated with light during exposure. Is preferably formed. As a result, each mask pattern is electrically conducted, and the transparent substrate in the portion where the mask pattern is not formed is also electrically conducted.
- the coating layer made of the thiophene-based conductive resin By forming the coating layer made of the thiophene-based conductive resin, the potential difference between the light-shielding films can be effectively eliminated, and the mask pattern can be prevented from being destroyed by the generation of static electricity.
- the thiophene-based conductive resin is provided in order to prevent the mask pattern from being destroyed due to the generation of static electricity, the thiophene-based conductive resin is not covered with the conductive light-shielding film. It doesn't matter.
- FIG. 1 shows an example of a schematic cross-sectional view showing the layer structure of the photomask of the present invention.
- a coating layer 3 made of a thiophene-based conductive resin is formed on a transparent substrate 1 on which a light-shielding film 2 is formed.
- the photomask of the present invention has a sheet resistance value smaller than 10 11 ⁇ / ⁇ .
- the photomask of the present invention exhibits a high ESD suppression effect and can effectively prevent the destruction of the exposure pattern.
- the surface resistance of the photomask can be measured by using a 4-probe method measuring instrument, for example, the MCP-T610 4-probe method manufactured by Mitsubishi Chemical Analytech Co., Ltd., or It can be measured using a resistivity meter such as the MCP-HT450 ring electrode method manufactured by Mitsubishi Chemical Analytech Co., Ltd.
- a four-probe method measuring device for measuring the resistance value is placed on the measurement target of the photomask, and the sheet resistance is measured.
- the photomask of the present invention is preferably a photomask having a transmittance of 80% or more with respect to light having a wavelength of 365 nm.
- the resolution and the fidelity of the transferred image may be lowered, and there is a problem that the exposure amount is increased.
- the photomask of the present invention having a coating layer made of a thiophene-based conductive resin can exhibit a transmittance of 80% or more with respect to light having a wavelength of 365 nm, and can form a photomask having good exposure efficiency. it can.
- the transmittance of the photomask with respect to light having a wavelength of 365 nm is preferably 80% or more, more preferably 82% or more, further preferably 84% or more, and particularly preferably 85% or more.
- the photomask of the present invention having a coating layer made of a thiophene-based conductive resin has a sheet resistance value smaller than 10 11 ⁇ / ⁇ and a transmittance value of 80% or more with respect to light having a wavelength of 365 nm.
- a photomask that can be satisfied and that is satisfied with both values is a photomask that satisfies both the effects of suppressing electrostatic breakdown and improving the exposure efficiency.
- the sheet resistance of the photomask is preferably 10 2 ⁇ / ⁇ or more.
- the sheet resistance value of the photomask is 5 ⁇ 10 2. More preferably, it is ⁇ / ⁇ or more.
- the transmittance can be measured using a spectrophotometer.
- the transmittance can be measured using a spectrophotometer V-570 manufactured by JASCO Corporation.
- the transmittance is measured for a region where a coating layer made of a conductive resin is formed on a transparent substrate in a portion where a mask pattern is not formed.
- the photomask of the present invention may have an embodiment in which a resin coating layer (also referred to as an overcoat layer in the present specification) is further formed on the coating layer made of the above-mentioned thiophene-based conductive resin.
- FIG. 2 shows an example of a schematic cross-sectional view showing the layer structure of the photomask of the present invention in which the resin coating layer is formed.
- a coating layer 3 made of a thiophene-based conductive resin is formed on a transparent substrate 1 on which a light-shielding film 2 is formed, and a resin coating is made on the coating layer 3 made of the thiophene-based conductive resin.
- a layer (overcoat layer) 4 is formed.
- the coating layer made of a thiophene-based conductive resin can be protected, and a photomask with further improved durability can be provided. Since the resin coating layer is formed, it is possible to more reliably prevent the destruction of the exposure pattern even if the photomask is used repeatedly.
- the type and film thickness of the resin coating layer are not particularly limited as long as the above-mentioned adhesiveness, adhesiveness, and protective performance can be ensured, and can be appropriately used according to the purpose. Examples of the type of resin coating layer include transparent resins such as polyester resin, silicone resin, and acrylic resin.
- the film thickness of the resin coating layer is, for example, preferably in the range of 0.01 ⁇ m to 20 ⁇ m, more preferably in the range of 0.5 ⁇ m to 20 ⁇ m, and further preferably in the range of 1 ⁇ m to 6 ⁇ m. preferable.
- a photomask having a light-shielding film formed in a pattern on a transparent substrate can be obtained according to a usual photomask forming method.
- the photomask of the present invention has a light-shielding film formed in a pattern on the surface of the transparent substrate to block exposure to the photoresist film, whereas the photomask has a light-shielding film formed on the transparent substrate. It is manufactured by forming a coating layer made of a thiophene-based conductive resin. A method of forming a coating layer made of a thiophene-based conductive resin on a transparent substrate having a light-shielding film will be described below.
- a paint containing a thiophene-based conductive resin is applied onto a transparent substrate on which a light-shielding film is formed.
- the transparent substrate on which the light-shielding film is formed may be pretreated such as cleaning.
- cleaning with an alkaline solution, cleaning with ultrapure water, brush scrub cleaning, or a combination thereof as appropriate can be performed.
- a coating method such as spin coating, spray coating, dip coating, or curtain coating can be used.
- concentration of the thiophene-based conductive resin in the coating material containing the thiophene-based conductive resin is not particularly limited as long as it satisfies the sheet resistance value specified in the present invention, and can be appropriately selected depending on the intended purpose.
- verazol or seprugida when commercially available verazol or seprugida is used as a paint containing a thiophene-based conductive resin, it is possible to dilute verazole or seprugida with water, alcohol or the like, and form a coating layer using the diluted paint. it can.
- verazole and seprugida can be used as they are (dilution ratio 1), or can be used in a double diluted solution (dilution ratio 2) by adding the same amount of water or alcohol as verazole or seprugida.
- the dilution ratio of the above may be any mode.
- the conditions for applying the coating material containing the thiophene-based conductive resin are not particularly limited as long as the sheet resistance value specified in the present invention is satisfied, and can be appropriately selected depending on the intended purpose.
- a commercially available verazol or seprugida is used as a paint containing a thiophene-based conductive resin, it is applied under the conditions of 100 to 2,000 rpm and 15 to 60 sec using a spin coating device (MS-A200 manufactured by Mikasa Co., Ltd.). be able to. More preferably, it can be applied under the conditions of 1,000 rpm and 15 sec.
- verazol or seprugida When a commercially available verazol or seprugida is used, it can be applied by using a spray coating device (rCoater manufactured by Asahi Sanac Co., Ltd.), for example, under a discharge rate of 1 to 10 mL / min.
- the drying conditions of the applied coating film are not particularly limited as long as they satisfy the sheet resistance value specified in the present invention, and can be appropriately selected depending on the intended purpose.
- verazole when verazole is used as a coating material containing a thiophene-based conductive resin, it can be dried at 80 to 100 ° C. for 1 to 5 minutes, more preferably at 90 ° C. for 5 minutes, and seprugida is used.
- the drying conditions can be set at 100 to 150 ° C. for 20 to 60 minutes, more preferably 120 ° C. for 30 minutes.
- the photomask of the present invention has the above-mentioned resin coating layer on a coating layer made of a thiophene-based conductive resin
- the photomask of the present invention having such a resin coating layer has a coating layer made of a thiophene-based conductive resin. It is manufactured by further forming a resin coating layer on the top.
- a paint containing the resin constituting the resin coating layer may be applied on the coating layer made of the thiophene-based conductive resin.
- a general coating method such as spin coating, spray coating, dip coating, or curtain coating can be used.
- the photomask of the present invention can be used as a photomask for a printed circuit board, a semiconductor, or various other electronic components used in manufacturing electronic components such as printed wiring and semiconductor circuits.
- exposing the photoresist using a photomask the exposure pattern of the photomask can be transferred to the photoresist.
- the photomask of the present invention By going through the exposure process using the photomask of the present invention, it is possible to form a circuit pattern in a printed wiring, a semiconductor circuit, or the like.
- the following manufacturing method can be mentioned.
- a method for manufacturing an electronic component which comprises a step of etching the resist pattern and a step of removing the resist pattern. It should be noted that generally known and known techniques can be applied to each of the above-mentioned steps. As described above, the method for manufacturing an electronic component according to the present invention includes a step of exposing a resist film formed on a layer to be processed for manufacturing an electronic component by using the photomask of the present invention.
- the photomask of the present invention which is excellent in durability and does not cause destruction of the exposure pattern, is used, good electronic components can be stably manufactured even if the photomask is repeatedly used.
- the electronic component manufactured by using the photomask of the present invention is a good electronic component.
- Examples of electronic components manufactured using the photomask of the present invention include electronic components such as printed circuit boards and semiconductor circuits, and more specifically, metal masks, primary mounting package prober boards, and TABs. Tape Automated Bonding, COF (Chip on film), MEMS (Micro Electrical Mechanical Systems: Integrated Devices), Sensors, Liquid Circuit Boards (LCD), Electroluminescence Devices (EL), CPUs, MPUs (Micro Processing Units) , DRAM (Dynamic Random Access Memory), FPGA (Field-programmable get array), system LSI and the like.
- Tape Automated Bonding COF (Chip on film), MEMS (Micro Electrical Mechanical Systems: Integrated Devices), Sensors, Liquid Circuit Boards (LCD), Electroluminescence Devices (EL), CPUs, MPUs (Micro Processing Units) , DRAM (Dynamic Random Access Memory), FPGA (Field-programmable get array), system LSI and the like.
- COF Chip on
- the method of transferring the exposure pattern of the photomask to the photoresist by exposing with the photomask of the present invention is not particularly limited as long as it is a method using a conventionally used transfer machine or the like.
- it can be performed using a projection exposure apparatus, a proximity exposure apparatus, a soft / hard contact exposure apparatus, or the like.
- the irradiation light of the exposure apparatus used for exposure is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose, but for example, one containing any of i-line, h-line and g-line is preferable.
- a light source in a wavelength range including all of a plurality of wavelengths, more preferably i-line, h-line, and g-line can be used.
- Example 1 A photomask in which a light-shielding film of chromium (Cr) was formed on a blue plate glass (101.6 mm ⁇ 101.6 mm ⁇ 3 mm) was prepared.
- the film thickness of chromium (Cr) was 100 nm.
- the chrome pattern is as shown in FIG. In FIG. 3, the portion shown in black indicates the portion where the chrome mask pattern is formed.
- the blue plate glass on which the above-mentioned light-shielding film of chromium (Cr) was formed was washed with an alkaline solution and brush scrubbed.
- a Sepulzida paint (ASZ-B03 manufactured by Shin-Etsu Polymer Co., Ltd.) was applied to the blue plate glass on which a light-shielding film of chromium (Cr) was formed after cleaning by a spray coating method at a dilution ratio of 1.
- a spray coating method As the spray coating device, rCoater manufactured by Asahi Sanac Co., Ltd. was used.
- the discharge rate of the Seprugida paint was 10 mL / min.
- the Sepulzida coating was dried at 120 ° C. for 30 minutes.
- the sheet resistance value was measured using the outer edge portion of the photomask in which the chrome mask pattern of the photomask on which the coating layer of Sepurzida produced as described above was formed was not formed.
- the sheet resistance value in the case where the sheet resistance value indicates the 10 7 ⁇ / ⁇ a value less than using the MCP-T610 four-probe system manufactured by Mitsubishi Chemical Analytic Tech, also a sheet resistance value of 10 7 ⁇ / ⁇
- the measurement was performed using the MCP-HT450 ring electrode method manufactured by Mitsubishi Chemical Analytech Co., Ltd. The measurement results are shown in Table 1.
- the photomask on which the coating layer of Seprugida produced as described above is formed is irradiated with air ions generated by corona discharge using an electrostatic generator (GC90 manufactured by Green Techno Co., Ltd.). A voltage of 10 kV was applied. The degree of destruction of the photomask was confirmed by microscopic observation with respect to the photomask after the voltage was applied. In the photomask of FIG. 4, the state of the Cr mask pattern in the circled portion was confirmed. In FIG. 4, although it is surrounded by 9 points, a total of 18 Cr mask patterns arranged between the outer Cr light-shielding film and the inner Cr light-shielding film were observed. In the photomask of FIG.
- the Cr mask pattern at the portion surrounded by ⁇ has the shape shown in FIG. In FIG. 5, the gap of the mask pattern (the length between the round portions) is 0.005 mm.
- the Cr mask pattern is destroyed in the photomask after the voltage is applied, for example, the Cr mask pattern is in the state shown in FIG. Therefore, it was confirmed whether or not the mask pattern was damaged by observing the state of the mask pattern with a microscope with respect to the photomask after the voltage was applied by the static electricity generator. As a microscope, (OLS4100 manufactured by Olympus Corporation) was used. It was confirmed whether or not the mask pattern was broken, and the ratio of the mask patterns that were not broken was calculated. The case where no destruction occurred was defined as 100%, and the case where all 18 locations were destroyed was defined as 0%, and the ratio at which no destruction occurred was determined. The numbers after the decimal point are truncated and displayed.
- the photomask was evaluated according to the following criteria from the measurement results of the transmittance and the degree of destruction of the mask pattern due to the application of voltage. The results are shown in Table 1. 6
- the transmittance is 85% or more, and the Cr mask pattern is not broken. 5
- the transmittance is 80% or more, and the Cr mask pattern is not broken. 4
- 3 Indicates a transmittance of 80% or more. There are considerable cases where the Cr mask pattern is broken.
- the transmittance is less than 80%, or all of the Cr mask patterns are destroyed. 1
- the transmittance is less than 80%, and all of the Cr mask patterns are destroyed.
- Example 2 (Examples 2 to 10)
- the type of the thiophene-based conductive resin, the dilution ratio of the thiophene-based conductive resin coating material, the type of the coating method, and the coating conditions were changed as shown in Table 1, and the coating layer of the thiophene-based conductive resin was changed.
- Photomasks of Examples 2 to 10 were prepared in the same manner as in Example 1 except that the drying conditions (temperature, time) were appropriately adjusted.
- Example 5 and the like a Seprugida paint (AS-M04D manufactured by Shin-Etsu Polymer Co., Ltd.) was used as the paint for the thiophene-based conductive resin.
- Example 10 the thiophene-based conductive resin coating material was spin-coated using a spin coating device (MS-A200 manufactured by Mikasa Co., Ltd.) under coating conditions of a spin rotation speed of 300 rpm and a liquid volume of 1.5 mL.
- the prepared photomask was measured and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
- Example 3 In Example 1, the type of the thiophene-based conductive resin, the dilution ratio of the thiophene-based conductive resin coating material, the type of the coating method, and the coating conditions were changed as shown in Table 1, and the coating layer of the thiophene-based conductive resin was changed. Photomasks of Comparative Examples 1 to 3 were prepared in the same manner as in Example 1 except that the drying conditions (temperature, time) were appropriately adjusted. The photomask of Comparative Example 3 did not have a coating layer made of a thiophene-based conductive resin. The prepared photomask was measured and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
- Example 11 Under the same conditions as in Example 2, a photomask having a coating layer made of a thiophene-based conductive resin was produced. Table 2 shows the sheet resistance values of the photomask. Further, on the photomask, a resin coating layer made of a polyester resin was further formed on the coating layer made of a thiophene-based conductive resin by a spin coating method. As the polyester resin, a polyester resin (TOP'S-N) manufactured by Topic Co., Ltd. was used. Using a spin coating device (MS-A200 manufactured by Mikasa Co., Ltd.), 1.5 mL of a polyester resin paint set to a desired concentration was spin-coated under the condition of 400 rpm.
- TOP'S-N polyester resin manufactured by Topic Co., Ltd.
- the heating conditions were adjusted for the polyester resin coating film to form a polyester resin coating layer having a film thickness of 2 to 3 ⁇ m.
- the transmittance of the photomask having the coating resin layer produced in Example 11 was measured by the same method as in Example 1. Further, the photomask was generated by corona discharge using an electrostatic generator (GC90 manufactured by Green Techno Co., Ltd.) by the same method as ⁇ Evaluation of the degree of destruction of the photomask> described in Example 1. A voltage of 10 kV was applied by irradiating with air ions. The degree of destruction of the photomask was confirmed by microscopic observation with respect to the photomask after the voltage was applied. Table 2 shows the results of the degree of destruction of the photomask.
- Example 12 Under the same conditions as in Example 5, a photomask having a coating layer made of a thiophene-based conductive resin was produced. Table 2 shows the sheet resistance values of the photomask. Further, on the photomask, a resin coating layer made of a polyester resin was further formed on the coating layer made of a thiophene-based conductive resin by a spin coating method in the same manner as in Example 11. With respect to the photomask having the coating resin layer produced in Example 12, the transmittance and the degree of destruction of the photomask were measured by the same method as in Example 11. Table 2 shows the results of the degree of destruction of the photomask.
- Example 13 Under the same conditions as in Example 6, a photomask having a coating layer made of a thiophene-based conductive resin was produced. Table 2 shows the sheet resistance values of the photomask. Further, on the photomask, a resin coating layer made of a polyester resin was further formed on the coating layer made of a thiophene-based conductive resin by a spin coating method in the same manner as in Example 11. With respect to the photomask having the coating resin layer produced in Example 13, the transmittance and the degree of destruction of the photomask were measured by the same method as in Example 11. Table 2 shows the results of the degree of destruction of the photomask.
- Comparative Example 4 A photomask having a coating layer made of a thiophene-based conductive resin was produced under the same conditions as in Comparative Example 1. Table 2 shows the sheet resistance values of the photomask. Further, on the photomask, a resin coating layer made of a polyester resin was further formed on the coating layer made of a thiophene-based conductive resin by a spin coating method in the same manner as in Example 11. With respect to the photomask having the coating resin layer produced in Comparative Example 4, the transmittance and the degree of destruction of the photomask were measured by the same method as in Example 11. Table 2 shows the results of the degree of destruction of the photomask.
- the photomask of the present invention it is possible to provide a photomask having sufficient durability against electrostatic breakdown.
- the photomask of the present invention it is possible to suppress the electrostatic destruction of the mask pattern without causing the destruction of the exposure pattern.
- the photomask of the present invention exhibits excellent light transmittance. Therefore, the photomask of the present invention is a photomask having excellent durability and exposure efficiency.
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Abstract
低コストで容易な製造方法で得られるフォトマスクであって、十分なESD抑制効果を示し、露光用パターンの破壊を生じさせず、さらに露光効率も良好な、耐久性にも露光効率にも優れたフォトマスクを提供する。 フォトレジスト膜への露光を遮光するためパターン模様に形成された遮光膜を、透明基板の表面に有するフォトマスクであって、前記遮光膜が形成された前記透明基板上に、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層が形成されており、前記チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を有する前記フォトマスクの表面におけるシート抵抗値が、1011Ω/□より小さい値である、フォトマスクである。
Description
本発明は、静電破壊が抑制されたフォトマスクに関する。
従来、電子機器等に用いる配線基板を製造する際には転写元となるフォトマスクを製造し、フォトマスクの露光用パターンをフォトレジストに転写することが行われている。
転写する際に、フォトマスクをフォトレジストに接触、あるいは、近接させ、その後、フォトマスクをフォトレジストから引き離そうとすると、剥離時にフォトマスクとフォトレジスト間において、静電気の帯電が発生する。
この静電気に起因して、静電破壊(以下、ESD:Electro-Static Discharge)が発生することがある。帯電した静電気は、露光用パターンのパターン間で、もしくはパターンとレジスト間で放電を起こし、フォトマスクに描画された露光用パターンを破壊する。
露光用パターンが破壊されると、その後正確な転写が行われなくなるため、静電破壊(ESD)を生じさせないフォトマスクの提供が望まれていた。
転写する際に、フォトマスクをフォトレジストに接触、あるいは、近接させ、その後、フォトマスクをフォトレジストから引き離そうとすると、剥離時にフォトマスクとフォトレジスト間において、静電気の帯電が発生する。
この静電気に起因して、静電破壊(以下、ESD:Electro-Static Discharge)が発生することがある。帯電した静電気は、露光用パターンのパターン間で、もしくはパターンとレジスト間で放電を起こし、フォトマスクに描画された露光用パターンを破壊する。
露光用パターンが破壊されると、その後正確な転写が行われなくなるため、静電破壊(ESD)を生じさせないフォトマスクの提供が望まれていた。
フォトマスクの露光用パターンを静電破壊(ESD)から保護するための方法が提案されている(例えば、特許文献1、及び特許文献2参照)。
特許文献1には、露光用パターンであるマスクパターンの上にポリビニルアルコール樹脂の塗布層が形成されたフォトマスクが記載されている。
また、特許文献2には、マスクパターンの上に接地端に電気的に接続した導電性の透明樹脂膜が形成されたフォトマスクが記載されている。
特許文献1には、露光用パターンであるマスクパターンの上にポリビニルアルコール樹脂の塗布層が形成されたフォトマスクが記載されている。
また、特許文献2には、マスクパターンの上に接地端に電気的に接続した導電性の透明樹脂膜が形成されたフォトマスクが記載されている。
しかし、上記特許文献1~2に記載のフォトマスクでは、ESD抑制効果が十分ではない。また、フォトマスクの光透過性が低下し、露光効率が落ちるという問題があった。
本発明は、低コストで容易な製造方法で得られるフォトマスクであって、十分なESD抑制効果を示し、露光用パターンの破壊を生じさせず、さらに露光効率も良好な、耐久性にも露光効率にも優れたフォトマスクを提供することを目的とする。
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、遮光膜が形成された透明基板上に、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層が形成されたフォトマスクであって、シート抵抗値が特定の値以下であるフォトマスクが、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、以下の態様を包含するものである。
[1]フォトレジスト膜への露光を遮光するためパターン模様に形成された遮光膜を、透明基板の表面に有するフォトマスクであって、
前記遮光膜が形成された前記透明基板上に、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層が形成されており、
前記チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を有する前記フォトマスクの表面におけるシート抵抗値が、1011Ω/□より小さい値である、
ことを特徴とするフォトマスク。
[1]フォトレジスト膜への露光を遮光するためパターン模様に形成された遮光膜を、透明基板の表面に有するフォトマスクであって、
前記遮光膜が形成された前記透明基板上に、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層が形成されており、
前記チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を有する前記フォトマスクの表面におけるシート抵抗値が、1011Ω/□より小さい値である、
ことを特徴とするフォトマスク。
[2]前記チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を有する前記フォトマスクの365nmの波長の光に対する透過率が80%以上である、前記[1]に記載のフォトマスク。
[3]前記チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層の上にさらに樹脂被覆層を有する、前記[1]または[2]のいずれかに記載のフォトマスク。
[4]透明基板の表面に、フォトレジスト膜への露光を遮光するためパターン模様に形成された遮光膜を有するフォトマスクに対して、前記遮光膜が形成された前記透明基板上に、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を形成する工程を有する、前記[1]または[2]に記載のフォトマスクの製造方法。
[5]前記チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層の上にさらに樹脂被覆層を形成する工程を有する、前記[4]に記載のフォトマスクの製造方法。
[6]前記[1]から[3]のいずれかに記載のフォトマスクを用いて露光する工程を有する、電子部品の製造方法。
[7]前記[1]から[3]のいずれかに記載のフォトマスクを用いて製造された電子部品。
本発明によれば、低コストで容易な製造方法で得られるフォトマスクであって、十分なESD抑制効果を示し、露光用パターンの破壊を生じさせず、さらに露光効率も良好な、耐久性にも露光効率にも優れたフォトマスクを提供することができる。
以下、本発明のフォトマスク、該フォトマスクの製造方法、及び該フォトマスクを用いた電子部品の製造方法について詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の一実施態様としての一例であり、これらの内容に特定されるものではない。
(フォトマスク)
本発明のフォトマスクは、遮光膜が形成された透明基板上に、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層が形成されてなる。
透明基板の表面には、フォトレジスト膜への露光を遮光するためパターン模様に形成された遮光膜が形成されている。
チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を有するフォトマスクの表面におけるシート抵抗値は、1011Ω/□より小さい値である。
フォトマスクは、フォトエッチングすべき対象物の表面(感光性層)側に、フォトマスクの遮光膜(パターン形成膜)側を密着させるか、あるいは該対象物の表面側とフォトマスクの遮光膜側との間に微小な間隙を開けて、フォトマスクを該対象物に対向配置させることにより、使用する。
本発明のフォトマスクは、遮光膜が形成された透明基板上に、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層が形成されてなる。
透明基板の表面には、フォトレジスト膜への露光を遮光するためパターン模様に形成された遮光膜が形成されている。
チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を有するフォトマスクの表面におけるシート抵抗値は、1011Ω/□より小さい値である。
フォトマスクは、フォトエッチングすべき対象物の表面(感光性層)側に、フォトマスクの遮光膜(パターン形成膜)側を密着させるか、あるいは該対象物の表面側とフォトマスクの遮光膜側との間に微小な間隙を開けて、フォトマスクを該対象物に対向配置させることにより、使用する。
<透明基板>
透明基板としては、本発明で規定するシート抵抗値を満足するものであれば、特に透明基板の種類や基板サイズに制限はなく目的に応じて適宜使用することができる。
透明基板の種類として、例えば、ガラス基板が挙げられ、ガラス基板としては、例えば、青板ガラスや石英ガラス等が挙げられる。石英ガラスは高エネルギー波であるUVの透過率が高いため、導電性樹脂の劣化をより防止する観点からは、青板ガラスが好ましい。
透明基板の厚みとしては、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、0.5mm~30mmの範囲であることが好ましい。
透明基板としては、本発明で規定するシート抵抗値を満足するものであれば、特に透明基板の種類や基板サイズに制限はなく目的に応じて適宜使用することができる。
透明基板の種類として、例えば、ガラス基板が挙げられ、ガラス基板としては、例えば、青板ガラスや石英ガラス等が挙げられる。石英ガラスは高エネルギー波であるUVの透過率が高いため、導電性樹脂の劣化をより防止する観点からは、青板ガラスが好ましい。
透明基板の厚みとしては、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、0.5mm~30mmの範囲であることが好ましい。
<遮光膜>
遮光膜は、透明基板上に形成されており、目的に応じた、パターン模様を有している。
遮光膜の種類としては、クロムを含有する材料からなる遮光膜が挙げられる。
クロム遮光膜の製造方法としては、一般的に知られている真空蒸着法やスパッタ法などを用いることができる。
このような材料として、具体的には、クロム単体、あるいはクロム酸化物(CrO)、クロム窒化物(CrN)、クロム炭化物(CrC)、クロム酸化窒化物(CrON)、クロム酸化炭化物(CrOC)、クロム窒化炭化物(CrNC)、クロム酸化窒化炭化物(CrONC)等のクロム化合物などが挙げられる。
遮光膜の膜厚としては、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、50nm~250nmの範囲であることが好ましく、90nm~110nmの範囲であることがより好ましい。
遮光膜は、透明基板上に形成されており、目的に応じた、パターン模様を有している。
遮光膜の種類としては、クロムを含有する材料からなる遮光膜が挙げられる。
クロム遮光膜の製造方法としては、一般的に知られている真空蒸着法やスパッタ法などを用いることができる。
このような材料として、具体的には、クロム単体、あるいはクロム酸化物(CrO)、クロム窒化物(CrN)、クロム炭化物(CrC)、クロム酸化窒化物(CrON)、クロム酸化炭化物(CrOC)、クロム窒化炭化物(CrNC)、クロム酸化窒化炭化物(CrONC)等のクロム化合物などが挙げられる。
遮光膜の膜厚としては、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、50nm~250nmの範囲であることが好ましく、90nm~110nmの範囲であることがより好ましい。
透明基板上にパターン模様に形成された遮光膜を有するフォトマスクを得る方法としては、通常のフォトマスク形成方法を使用することができる。
例えば、ガラス基板の上に、クロムを蒸着させて、透明基板上に遮光膜を形成したフォトマスクブランクスを作製する。次に、該フォトマスクブランクスの表面にレジスト(感光性樹脂)を均一に塗布し、レーザー光、あるいは電子線露光法などによりパターニングし、次に、このレジストパターンをエッチングマスクとして使用して遮光膜をエッチングしてマスクパターンを形成した後、レジストパターンを除去する。このようにして、透明基板上にパターン模様に形成された遮光膜を有するフォトマスクを得ることができる。
尚、上記製造方法では、レーザー光、あるいは電子ビームによって露光された部分のレジストを除去する場合について説明したが、レジストの種類によっては、露光しなかった部分が除去される場合もあり、いずれの態様により形成されたフォトマスクであっても構わない。
例えば、ガラス基板の上に、クロムを蒸着させて、透明基板上に遮光膜を形成したフォトマスクブランクスを作製する。次に、該フォトマスクブランクスの表面にレジスト(感光性樹脂)を均一に塗布し、レーザー光、あるいは電子線露光法などによりパターニングし、次に、このレジストパターンをエッチングマスクとして使用して遮光膜をエッチングしてマスクパターンを形成した後、レジストパターンを除去する。このようにして、透明基板上にパターン模様に形成された遮光膜を有するフォトマスクを得ることができる。
尚、上記製造方法では、レーザー光、あるいは電子ビームによって露光された部分のレジストを除去する場合について説明したが、レジストの種類によっては、露光しなかった部分が除去される場合もあり、いずれの態様により形成されたフォトマスクであっても構わない。
<導電性樹脂からなる塗布層>
本発明のフォトマスクは、透明基板上にパターン模様に形成された遮光膜を有するフォトマスクに対して、さらにチオフェン系導電性樹脂からなる塗布層が、該遮光膜を有する該透明基板上に形成されている。
チオフェン系導電性樹脂の種類としては、本発明で規定するシート抵抗値を満足するものであれば、特に制限はなく目的に応じて適宜使用することができるが、例えば、PEDOT(ポリ3,4-エチレンジオキチオフェン)にPSS(ポリスチレンスルホン酸)がドーピングされた樹脂を挙げることができる。
チオフェン系導電性樹脂としては、例えば、市販のベラゾール(登録商標)やセプルジーダ(登録商標)などを挙げることができる。
本発明のフォトマスクは、透明基板上にパターン模様に形成された遮光膜を有するフォトマスクに対して、さらにチオフェン系導電性樹脂からなる塗布層が、該遮光膜を有する該透明基板上に形成されている。
チオフェン系導電性樹脂の種類としては、本発明で規定するシート抵抗値を満足するものであれば、特に制限はなく目的に応じて適宜使用することができるが、例えば、PEDOT(ポリ3,4-エチレンジオキチオフェン)にPSS(ポリスチレンスルホン酸)がドーピングされた樹脂を挙げることができる。
チオフェン系導電性樹脂としては、例えば、市販のベラゾール(登録商標)やセプルジーダ(登録商標)などを挙げることができる。
チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層の膜厚としては、本発明で規定するシート抵抗値を満足しさえすれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、1nm~1,000nmの範囲であることが好ましく、10nm~400nmの範囲であることがより好ましい。
チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層の膜厚の測定方法としては、塗布層をはがし、塗布層をはがしていない部分とはがした部分との厚みの差分を測定してもよいし、はがす前の厚みとはがした後の厚みの差分を測定してもよい。
厚みの測定は、レーザー顕微鏡(オリンパス株式会社製 OLS4100)を用いて行うことができる。
厚みの測定は、レーザー顕微鏡(オリンパス株式会社製 OLS4100)を用いて行うことができる。
チオフェン系導電性樹脂を含む塗料を、遮光膜が形成された透明基板上に塗布することにより、該遮光膜が形成された該透明基板上にチオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を形成することができる。
塗布方法としては、スプレーコートやスピンコートなど塗布方法として一般に知られている方法を用いることができる。
本発明のフォトマスクが所望のシート抵抗値を示すようにするため、塗布の際の条件を適宜調整するとよい。例えば、チオフェン系導電性樹脂を含む塗料におけるチオフェン系導電性樹脂の濃度を調整したり、塗布層の形成条件や乾燥条件を調整したりするとよい。
チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層のより詳しい形成方法については、後述する。
塗布方法としては、スプレーコートやスピンコートなど塗布方法として一般に知られている方法を用いることができる。
本発明のフォトマスクが所望のシート抵抗値を示すようにするため、塗布の際の条件を適宜調整するとよい。例えば、チオフェン系導電性樹脂を含む塗料におけるチオフェン系導電性樹脂の濃度を調整したり、塗布層の形成条件や乾燥条件を調整したりするとよい。
チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層のより詳しい形成方法については、後述する。
チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層には、チオフェン系導電性樹脂の他に、塗料の粘性を調整する調整剤や、塗布層の強度向上に寄与する補助剤等の各種性能向上剤を含有させることができる。
チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層は、透明基板上に形成されているパターン模様の遮光膜をすべて覆うとともに、透明基板上の有効領域、すなわち露光時に光が照射される領域をほぼ覆うようにして形成されていることが好ましい。
これによって各マスクパターンを電気的に導通させ、かつマスクパターンが形成されていない部分の透明基板上についても電気的に導通させるものである。
チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を形成することにより、遮光膜間の電位差を効果的に解消することができ、静電気の発生によるマスクパターンの破壊を防止することができる。
但し、本発明は、静電気発生に伴うマスクパターンの破壊を防止するためにチオフェン系導電性樹脂を設けているため、導電性を有する遮光膜に対しては、チオフェン系導電性樹脂を覆わなくても構わない。
これによって各マスクパターンを電気的に導通させ、かつマスクパターンが形成されていない部分の透明基板上についても電気的に導通させるものである。
チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を形成することにより、遮光膜間の電位差を効果的に解消することができ、静電気の発生によるマスクパターンの破壊を防止することができる。
但し、本発明は、静電気発生に伴うマスクパターンの破壊を防止するためにチオフェン系導電性樹脂を設けているため、導電性を有する遮光膜に対しては、チオフェン系導電性樹脂を覆わなくても構わない。
<フォトマスクの層構成>
本発明のフォトマスクは、遮光膜が形成された透明基板上に、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層が形成されている。
本発明のフォトマスクの層構成を示す概略断面図の一例を図1に示す。
図1において、遮光膜2が形成された透明基板1上に、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層3が形成されている。
本発明のフォトマスクは、遮光膜が形成された透明基板上に、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層が形成されている。
本発明のフォトマスクの層構成を示す概略断面図の一例を図1に示す。
図1において、遮光膜2が形成された透明基板1上に、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層3が形成されている。
<フォトマスクの特性>
<<シート抵抗値>>
本発明のフォトマスクは、シート抵抗値が、1011Ω/□より小さい値を示す。
シート抵抗値が、1011Ω/□より小さい値を示すことにより、本発明のフォトマスクは、高いESD抑制効果を示し、露光用パターンの破壊を有効に防止できるフォトマスクとなる。
シート抵抗値の測定方法としては、4探針法測定器を用いて、フォトマスクの表面抵抗を測定することができ、例えば、株式会社三菱ケミカルアナリテック製のMCP-T610四探針方式、あるいは株式会社三菱ケミカルアナリテック製のMCP-HT450リング電極方式等の抵抗率計を用いて測定することができる。
フォトマスクの測定対象に対して、抵抗値を測定する4探針法測定器を配置し、シート抵抗の測定を行う。
<<シート抵抗値>>
本発明のフォトマスクは、シート抵抗値が、1011Ω/□より小さい値を示す。
シート抵抗値が、1011Ω/□より小さい値を示すことにより、本発明のフォトマスクは、高いESD抑制効果を示し、露光用パターンの破壊を有効に防止できるフォトマスクとなる。
シート抵抗値の測定方法としては、4探針法測定器を用いて、フォトマスクの表面抵抗を測定することができ、例えば、株式会社三菱ケミカルアナリテック製のMCP-T610四探針方式、あるいは株式会社三菱ケミカルアナリテック製のMCP-HT450リング電極方式等の抵抗率計を用いて測定することができる。
フォトマスクの測定対象に対して、抵抗値を測定する4探針法測定器を配置し、シート抵抗の測定を行う。
<<光の透過率>>
さらに、本発明のフォトマスクは、365nmの波長の光に対する透過率が、80%以上を示すフォトマスクであることが好ましい。
光透過率が下がると、解像度、転写像の忠実性が低下するおそれがあり、また露光量が増えるという問題が生じる。露光効率を上げるには、光透過率をある一定以上の値にする必要がある。
チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を有する本発明のフォトマスクは、365nmの波長の光に対し、80%以上の透過率を示すことができ、露光効率が良好なフォトマスクを形成することができる。
365nmの波長の光に対するフォトマスクの透過率は、80%以上が好ましく、82%以上がより好ましく、84%以上がさらに好ましく、85%以上が特に好ましい。
チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を有する本発明のフォトマスクは、1011Ω/□より小さい値のシート抵抗値、及び365nmの波長の光に対し80%以上の透過率のいずれの値も満足させることができ、両方の値とも満足するフォトマスクは、静電気破壊の抑制及び露光効率の向上の両方の効果を満足するフォトマスクとなる。
尚、シート抵抗値が低すぎると高い光透過率を確保することができないため、フォトマスクのシート抵抗値は、102Ω/□以上であることが好ましい。
シート抵抗値と透過率とのバランスを図り、静電気破壊の抑制及び露光効率の向上の両方の効果を満足するフォトマスクを提供するという観点からは、フォトマスクのシート抵抗値は、5×102Ω/□以上であることがより好ましい。
また、本発明では、106Ω/□~108Ω/□付近のシート抵抗値を示すフォトマスクを好ましく用いることができる。
さらに、本発明のフォトマスクは、365nmの波長の光に対する透過率が、80%以上を示すフォトマスクであることが好ましい。
光透過率が下がると、解像度、転写像の忠実性が低下するおそれがあり、また露光量が増えるという問題が生じる。露光効率を上げるには、光透過率をある一定以上の値にする必要がある。
チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を有する本発明のフォトマスクは、365nmの波長の光に対し、80%以上の透過率を示すことができ、露光効率が良好なフォトマスクを形成することができる。
365nmの波長の光に対するフォトマスクの透過率は、80%以上が好ましく、82%以上がより好ましく、84%以上がさらに好ましく、85%以上が特に好ましい。
チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を有する本発明のフォトマスクは、1011Ω/□より小さい値のシート抵抗値、及び365nmの波長の光に対し80%以上の透過率のいずれの値も満足させることができ、両方の値とも満足するフォトマスクは、静電気破壊の抑制及び露光効率の向上の両方の効果を満足するフォトマスクとなる。
尚、シート抵抗値が低すぎると高い光透過率を確保することができないため、フォトマスクのシート抵抗値は、102Ω/□以上であることが好ましい。
シート抵抗値と透過率とのバランスを図り、静電気破壊の抑制及び露光効率の向上の両方の効果を満足するフォトマスクを提供するという観点からは、フォトマスクのシート抵抗値は、5×102Ω/□以上であることがより好ましい。
また、本発明では、106Ω/□~108Ω/□付近のシート抵抗値を示すフォトマスクを好ましく用いることができる。
透過率は、分光光度計を用いて測定することができる。例えば、日本分光株式会社製の分光光度計V-570を用いて透過率を測定することができる。
本発明のフォトマスクにおいて、マスクパターンが形成されていない部分の透明基板上に導電性樹脂からなる塗布層が形成されている領域に対して透過率の測定を行う。
本発明のフォトマスクにおいて、マスクパターンが形成されていない部分の透明基板上に導電性樹脂からなる塗布層が形成されている領域に対して透過率の測定を行う。
<フォトマスクの他の態様>
本発明のフォトマスクは、上述したチオフェン系導電性樹脂からなる塗布層の上にさらに樹脂被覆層(本明細書において、オーバーコート層ともいう)が形成された態様であってもよい。
該樹脂被覆層が形成された態様の本発明のフォトマスクの層構成を示す概略断面図の一例を図2に示す。
図2において、遮光膜2が形成された透明基板1上に、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層3が形成されており、そのチオフェン系導電性樹脂からなる塗布層3の上に、樹脂被覆層(オーバーコート層)4が形成されている。
樹脂被覆層を形成することにより、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を保護することができ、より耐久性が向上したフォトマスクを提供することができる。樹脂被覆層が形成されていることにより、フォトマスクを繰り返し使用しても、露光用パターンの破壊をより確実に防止することができる。
樹脂被覆層の種類や膜厚としては、上述した密着性や接着性、あるいは保護性能が確保できれば、特に制限はなく目的に応じて適宜使用することができる。
樹脂被覆層の種類としては、例えば、ポリエステル系樹脂、シリコン系樹脂、アクリル系樹脂などの透明樹脂が挙げられる。
また、樹脂被覆層の膜厚としては、例えば、0.01μm~20μmの範囲であることが好ましく、0.5μm~20μmの範囲であることがより好ましく、1μm~6μmの範囲であることがさらに好ましい。
本発明のフォトマスクは、上述したチオフェン系導電性樹脂からなる塗布層の上にさらに樹脂被覆層(本明細書において、オーバーコート層ともいう)が形成された態様であってもよい。
該樹脂被覆層が形成された態様の本発明のフォトマスクの層構成を示す概略断面図の一例を図2に示す。
図2において、遮光膜2が形成された透明基板1上に、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層3が形成されており、そのチオフェン系導電性樹脂からなる塗布層3の上に、樹脂被覆層(オーバーコート層)4が形成されている。
樹脂被覆層を形成することにより、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を保護することができ、より耐久性が向上したフォトマスクを提供することができる。樹脂被覆層が形成されていることにより、フォトマスクを繰り返し使用しても、露光用パターンの破壊をより確実に防止することができる。
樹脂被覆層の種類や膜厚としては、上述した密着性や接着性、あるいは保護性能が確保できれば、特に制限はなく目的に応じて適宜使用することができる。
樹脂被覆層の種類としては、例えば、ポリエステル系樹脂、シリコン系樹脂、アクリル系樹脂などの透明樹脂が挙げられる。
また、樹脂被覆層の膜厚としては、例えば、0.01μm~20μmの範囲であることが好ましく、0.5μm~20μmの範囲であることがより好ましく、1μm~6μmの範囲であることがさらに好ましい。
<フォトマスクの製造方法>
透明基板上にパターン模様に形成された遮光膜を有するフォトマスクは、上述したように、通常のフォトマスク形成方法に従い得ることができる。
本発明のフォトマスクは、透明基板の表面に、フォトレジスト膜への露光を遮光するためパターン模様に形成された遮光膜を有するフォトマスクに対して、遮光膜が形成された透明基板上に、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を形成することにより、製造される。
チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を、遮光膜を有する透明基板上に形成する方法について、以下説明する。
チオフェン系導電性樹脂を含む塗料を、遮光膜が形成された透明基板上に塗布する。
尚、チオフェン系導電性樹脂を含む塗料を塗布する前に、遮光膜が形成された透明基板に対して、洗浄などの前処理を行ってもよい。前処理として、例えば、アルカリ溶液で洗浄したり、超純水で洗浄したり、ブラシスクラブ洗浄したり、あるいはこれらを適宜組み合わせて洗浄したりすることができる。
透明基板上にパターン模様に形成された遮光膜を有するフォトマスクは、上述したように、通常のフォトマスク形成方法に従い得ることができる。
本発明のフォトマスクは、透明基板の表面に、フォトレジスト膜への露光を遮光するためパターン模様に形成された遮光膜を有するフォトマスクに対して、遮光膜が形成された透明基板上に、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を形成することにより、製造される。
チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を、遮光膜を有する透明基板上に形成する方法について、以下説明する。
チオフェン系導電性樹脂を含む塗料を、遮光膜が形成された透明基板上に塗布する。
尚、チオフェン系導電性樹脂を含む塗料を塗布する前に、遮光膜が形成された透明基板に対して、洗浄などの前処理を行ってもよい。前処理として、例えば、アルカリ溶液で洗浄したり、超純水で洗浄したり、ブラシスクラブ洗浄したり、あるいはこれらを適宜組み合わせて洗浄したりすることができる。
塗布方法としては、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、カーテンコートなどの塗布方法を用いることができる。
チオフェン系導電性樹脂を含む塗料におけるチオフェン系導電性樹脂の濃度としては、本発明で規定するシート抵抗値を満足しさえすれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
例えば、チオフェン系導電性樹脂を含む塗料として、市販のベラゾールやセプルジーダを用いる場合、ベラゾールやセプルジーダに対して、水やアルコールなどで希釈し、該希釈した塗料を用いて塗布層を形成することができる。
市販のベラゾールやセプルジーダは、そのまま(希釈倍率1)で用いても、例えばベラゾールやセプルジーダと同量の水やアルコールを加え、倍量に希釈した溶液(希釈倍率2)で用いても、それ以上の希釈倍率としても、いずれの態様であっても構わない。
チオフェン系導電性樹脂を含む塗料におけるチオフェン系導電性樹脂の濃度としては、本発明で規定するシート抵抗値を満足しさえすれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
例えば、チオフェン系導電性樹脂を含む塗料として、市販のベラゾールやセプルジーダを用いる場合、ベラゾールやセプルジーダに対して、水やアルコールなどで希釈し、該希釈した塗料を用いて塗布層を形成することができる。
市販のベラゾールやセプルジーダは、そのまま(希釈倍率1)で用いても、例えばベラゾールやセプルジーダと同量の水やアルコールを加え、倍量に希釈した溶液(希釈倍率2)で用いても、それ以上の希釈倍率としても、いずれの態様であっても構わない。
チオフェン系導電性樹脂を含む塗料を塗布する条件としては、本発明で規定するシート抵抗値を満足しさえすれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
例えば、チオフェン系導電性樹脂を含む塗料として、市販のベラゾールやセプルジーダを用いる場合、スピン塗布装置(ミカサ株式会社製 MS-A200)を用いて100~2,000rpm、15~60secの条件で塗布することができる。より好ましくは1,000rpm、15secの条件で塗布することができる。また、市販のベラゾールやセプルジーダを用いる場合、スプレー塗布装置(旭サナック株式会社製 rCoater)を用いて、例えば、吐出量1~10mL/minの条件で塗布することができる。
塗布された塗膜の乾燥条件としては、本発明で規定するシート抵抗値を満足しさえすれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
例えば、チオフェン系導電性樹脂を含む塗料として、ベラゾールを用いる場合、80~100℃で1~5分間の乾燥条件、より好ましくは90℃で5分間の乾燥条件とすることができ、セプルジーダを用いる場合、100~150℃で20~60分間の乾燥条件、より好ましくは120℃で30分間の乾燥条件とすることができる。
例えば、チオフェン系導電性樹脂を含む塗料として、市販のベラゾールやセプルジーダを用いる場合、スピン塗布装置(ミカサ株式会社製 MS-A200)を用いて100~2,000rpm、15~60secの条件で塗布することができる。より好ましくは1,000rpm、15secの条件で塗布することができる。また、市販のベラゾールやセプルジーダを用いる場合、スプレー塗布装置(旭サナック株式会社製 rCoater)を用いて、例えば、吐出量1~10mL/minの条件で塗布することができる。
塗布された塗膜の乾燥条件としては、本発明で規定するシート抵抗値を満足しさえすれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
例えば、チオフェン系導電性樹脂を含む塗料として、ベラゾールを用いる場合、80~100℃で1~5分間の乾燥条件、より好ましくは90℃で5分間の乾燥条件とすることができ、セプルジーダを用いる場合、100~150℃で20~60分間の乾燥条件、より好ましくは120℃で30分間の乾燥条件とすることができる。
本発明のフォトマスクが、上述した樹脂被覆層をチオフェン系導電性樹脂からなる塗布層の上に有する場合、係る樹脂被覆層を有する本発明のフォトマスクは、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層の上にさらに樹脂被覆層を形成することにより、製造される。
樹脂被覆層を、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層上に形成する方法としては、樹脂被覆層を構成する樹脂を含む塗料を、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層上に塗布すればよく、塗布方法としては、例えば、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、カーテンコートなどの一般的な塗布方法を用いることができる。
樹脂被覆層を、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層上に形成する方法としては、樹脂被覆層を構成する樹脂を含む塗料を、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層上に塗布すればよく、塗布方法としては、例えば、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、カーテンコートなどの一般的な塗布方法を用いることができる。
(電子部品の製造方法)
本発明のフォトマスクは、プリント配線や半導体回路等の電子部品を製造する際に用いる、プリント基板用、半導体用、或いはその他諸々の電子部品用のフォトマスクとして利用することができる。
フォトマスクを使用して、フォトレジストを露光することにより、フォトマスクの露光パターンをフォトレジストに転写することができる。
本発明のフォトマスクを用いて露光工程を経ることにより、プリント配線や半導体回路等における回路パターンを形成することができる。
本発明のフォトマスクを用い、露光工程を経て電子部品を製造する、電子部品の製造方法の好ましい実施態様としては、例えば、下記の製造方法を挙げることができる。
基板にレジスト膜を形成する工程と、上記レジスト膜に本発明のフォトマスクを介して露光する工程と、露光した上記レジスト膜の現像によりレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして上記基板をエッチングする工程と、上記レジストパターンを除去する工程とを有する電子部品の製造方法。
尚、上述した各工程は、一般に知られている既知の技術を適用することができる。
本発明に係る電子部品の製造方法は、上述したように、本発明のフォトマスクを使用して、電子部品製造用の被加工層上に形成されたレジスト膜に対する露光を行う工程を有する。
露光パターンの破壊が生じない耐久性に優れた本発明のフォトマスクを使用するため、繰り返しフォトマスクを使用しても、良好な電子部品を安定して製造することができる。
本発明のフォトマスクを用いて製造された電子部品は、良好な電子部品となる。
本発明のフォトマスクは、プリント配線や半導体回路等の電子部品を製造する際に用いる、プリント基板用、半導体用、或いはその他諸々の電子部品用のフォトマスクとして利用することができる。
フォトマスクを使用して、フォトレジストを露光することにより、フォトマスクの露光パターンをフォトレジストに転写することができる。
本発明のフォトマスクを用いて露光工程を経ることにより、プリント配線や半導体回路等における回路パターンを形成することができる。
本発明のフォトマスクを用い、露光工程を経て電子部品を製造する、電子部品の製造方法の好ましい実施態様としては、例えば、下記の製造方法を挙げることができる。
基板にレジスト膜を形成する工程と、上記レジスト膜に本発明のフォトマスクを介して露光する工程と、露光した上記レジスト膜の現像によりレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして上記基板をエッチングする工程と、上記レジストパターンを除去する工程とを有する電子部品の製造方法。
尚、上述した各工程は、一般に知られている既知の技術を適用することができる。
本発明に係る電子部品の製造方法は、上述したように、本発明のフォトマスクを使用して、電子部品製造用の被加工層上に形成されたレジスト膜に対する露光を行う工程を有する。
露光パターンの破壊が生じない耐久性に優れた本発明のフォトマスクを使用するため、繰り返しフォトマスクを使用しても、良好な電子部品を安定して製造することができる。
本発明のフォトマスクを用いて製造された電子部品は、良好な電子部品となる。
本発明のフォトマスクを使用して製造される電子部品としては、例えば、プリント基板や半導体回路等の電子部品が挙げられ、より具体的には、メタルマスク、1次実装パッケージプローバ基板、TAB(Tape Automated Bonding)、COF(Chip on film)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems:集積化デバイス)、センサー、液晶ディスプレイ(LCD)、エレクトロルミネセンス装置(EL)、CPU、MPU(マイクロ・プロセシング・ユニット)、DRAM(Dynamic Random Access Memory)、FPGA(Field-programmable gate array)、システムLSI等が挙げられる。
本発明のフォトマスクを用いて露光することにより、フォトマスクの露光パターンをフォトレジストに転写する方法としては、従来使用される転写機等を用いた方法であれば特に制限されるものではなく、例えば、プロジェクション露光装置、プロキシミティ露光装置、ソフト・ハードコンタクト露光装置などを用いて行うことができる。
露光する際に使用する露光装置の照射光としては、特に制限はなく、適宜目的に応じて選択することができるが、例えば、i線、h線、g線のいずれかを含むものが好ましく、このうち複数の波長、より好ましくは、i線、h線、g線のすべてを含む波長域の光源を用いることができる。
露光する際に使用する露光装置の照射光としては、特に制限はなく、適宜目的に応じて選択することができるが、例えば、i線、h線、g線のいずれかを含むものが好ましく、このうち複数の波長、より好ましくは、i線、h線、g線のすべてを含む波長域の光源を用いることができる。
以下に実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
青板ガラス(101.6mm×101.6mm×3mm)の上に、クロム(Cr)の遮光膜が形成されたフォトマスクを用意した。クロム(Cr)の膜厚は、100nmであった。
クロムのパターン模様は、図3で示すとおりである。図3において、黒色で示した部分が、クロムのマスクパターンが形成されている部分を示す。
上述したクロム(Cr)の遮光膜が形成された青板ガラスに対して、アルカリ液洗浄及びブラシスクラブ洗浄を行った。
洗浄後のクロム(Cr)の遮光膜が形成された青板ガラスに対して、セプルジーダの塗料(信越ポリマー株式会社製 ASZ-B03)を希釈倍率1で、スプレーコート法を用いて塗布した。スプレー塗布装置は、旭サナック株式会社製 rCoaterを用いた。セプルジーダの塗料の吐出量は、10mL/minであった。
セプルジーダの塗膜を、120℃で30分間の条件で乾燥させた。
青板ガラス(101.6mm×101.6mm×3mm)の上に、クロム(Cr)の遮光膜が形成されたフォトマスクを用意した。クロム(Cr)の膜厚は、100nmであった。
クロムのパターン模様は、図3で示すとおりである。図3において、黒色で示した部分が、クロムのマスクパターンが形成されている部分を示す。
上述したクロム(Cr)の遮光膜が形成された青板ガラスに対して、アルカリ液洗浄及びブラシスクラブ洗浄を行った。
洗浄後のクロム(Cr)の遮光膜が形成された青板ガラスに対して、セプルジーダの塗料(信越ポリマー株式会社製 ASZ-B03)を希釈倍率1で、スプレーコート法を用いて塗布した。スプレー塗布装置は、旭サナック株式会社製 rCoaterを用いた。セプルジーダの塗料の吐出量は、10mL/minであった。
セプルジーダの塗膜を、120℃で30分間の条件で乾燥させた。
<シート抵抗値の測定>
上述のようにして作製したセプルジーダの塗布層が形成されているフォトマスクのクロムのマスクパターンが形成されていない外縁部を用いて、シート抵抗値を測定した。
シート抵抗値は、シート抵抗値が107Ω/□より小さい値を示す場合には株式会社三菱ケミカルアナリテック製のMCP-T610四探針方式を用いて、またシート抵抗値が107Ω/□以上の値を示す場合には株式会社三菱ケミカルアナリテック社製のMCP-HT450リング電極方式を用いて測定した。
測定結果を表1に示す。
上述のようにして作製したセプルジーダの塗布層が形成されているフォトマスクのクロムのマスクパターンが形成されていない外縁部を用いて、シート抵抗値を測定した。
シート抵抗値は、シート抵抗値が107Ω/□より小さい値を示す場合には株式会社三菱ケミカルアナリテック製のMCP-T610四探針方式を用いて、またシート抵抗値が107Ω/□以上の値を示す場合には株式会社三菱ケミカルアナリテック社製のMCP-HT450リング電極方式を用いて測定した。
測定結果を表1に示す。
<透過率の測定>
上述のようにして作製したセプルジーダの塗布層が形成されているフォトマスクに対して、365nmの波長の光に対する透過率を測定した。
透過率(%)は、日本分光株式会社製の分光光度計V-570を用いて測定した。
評価結果を表1に示す。
上述のようにして作製したセプルジーダの塗布層が形成されているフォトマスクに対して、365nmの波長の光に対する透過率を測定した。
透過率(%)は、日本分光株式会社製の分光光度計V-570を用いて測定した。
評価結果を表1に示す。
<フォトマスクの破壊度合いの評価>
次に、上述のようにして作製したセプルジーダの塗布層が形成されているフォトマスクに対して、静電気発生装置(株式会社グリーンテクノ社製 GC90)を用いて、コロナ放電で生成した空気イオンを照射することにより10kVの電圧を印加した。
電圧印加後のフォトマスクに対して、フォトマスクの破壊度合いを顕微鏡観察により確認した。
図4のフォトマスクにおいて、〇で囲んだ箇所のCrのマスクパターンの様子を確認した。図4では、9箇所〇で囲んでいるが、同様に外周のCr遮光膜と内側に配置したCr遮光膜との間に配置した、全部で18箇所のCrマスクパターンに対して、観察した。
図4のフォトマスクにおいて、〇で囲んだ箇所のCrのマスクパターンは、図5で示す形状となっている。図5中、マスクパターンのギャップ(丸部と丸部の間の長さ)は、0.005mmである。
電圧印加後のフォトマスクにおいて、Crのマスクパターンに破壊が起きた場合は、例えば、Crのマスクパターンは図6で示すような状態となる。
そこで、静電気発生装置による電圧印加後のフォトマスクに対して、マスクパターンの状態を顕微鏡で観察することにより、マスクパターンに破壊が生じているか否かを確認した。
顕微鏡は、(オリンパス株式会社製 OLS4100)を用いた。
マスクパターンに破壊が発生しているか否かを確認し、破壊が生じていないマスクパターンの割合を求めた。破壊が生じていない場合を100%、破壊が18箇所全て生じている場合を0%とし、破壊が生じていない割合を求めた。小数点以下は切り捨てて表示する。
次に、上述のようにして作製したセプルジーダの塗布層が形成されているフォトマスクに対して、静電気発生装置(株式会社グリーンテクノ社製 GC90)を用いて、コロナ放電で生成した空気イオンを照射することにより10kVの電圧を印加した。
電圧印加後のフォトマスクに対して、フォトマスクの破壊度合いを顕微鏡観察により確認した。
図4のフォトマスクにおいて、〇で囲んだ箇所のCrのマスクパターンの様子を確認した。図4では、9箇所〇で囲んでいるが、同様に外周のCr遮光膜と内側に配置したCr遮光膜との間に配置した、全部で18箇所のCrマスクパターンに対して、観察した。
図4のフォトマスクにおいて、〇で囲んだ箇所のCrのマスクパターンは、図5で示す形状となっている。図5中、マスクパターンのギャップ(丸部と丸部の間の長さ)は、0.005mmである。
電圧印加後のフォトマスクにおいて、Crのマスクパターンに破壊が起きた場合は、例えば、Crのマスクパターンは図6で示すような状態となる。
そこで、静電気発生装置による電圧印加後のフォトマスクに対して、マスクパターンの状態を顕微鏡で観察することにより、マスクパターンに破壊が生じているか否かを確認した。
顕微鏡は、(オリンパス株式会社製 OLS4100)を用いた。
マスクパターンに破壊が発生しているか否かを確認し、破壊が生じていないマスクパターンの割合を求めた。破壊が生じていない場合を100%、破壊が18箇所全て生じている場合を0%とし、破壊が生じていない割合を求めた。小数点以下は切り捨てて表示する。
<総合評価>
透過率及び電圧印加によるマスクパターンの破壊の度合いの測定結果から、下記基準により、フォトマスクを評価した。結果を表1に示す。
6 透過率が85%以上を示し、かつCrのマスクパターンに破壊が生じない。
5 透過率が80%以上を示し、かつCrのマスクパターンに破壊が生じない。
4 透過率が80%以上を示めす。Crのマスクパターンに破壊が殆ど生じない。
3 透過率が80%以上を示めす。Crのマスクパターンに破壊が生じる場合がかなりある。
2 透過率が80%より小さいか、またはCrのマスクパターンの全てに破壊が生じる。
1 透過率が80%より小さく、かつCrのマスクパターンの全てに破壊が生じる。
透過率及び電圧印加によるマスクパターンの破壊の度合いの測定結果から、下記基準により、フォトマスクを評価した。結果を表1に示す。
6 透過率が85%以上を示し、かつCrのマスクパターンに破壊が生じない。
5 透過率が80%以上を示し、かつCrのマスクパターンに破壊が生じない。
4 透過率が80%以上を示めす。Crのマスクパターンに破壊が殆ど生じない。
3 透過率が80%以上を示めす。Crのマスクパターンに破壊が生じる場合がかなりある。
2 透過率が80%より小さいか、またはCrのマスクパターンの全てに破壊が生じる。
1 透過率が80%より小さく、かつCrのマスクパターンの全てに破壊が生じる。
(実施例2~10)
実施例1において、チオフェン系導電性樹脂の種類、チオフェン系導電性樹脂の塗料の希釈倍率、塗布法の種類、塗布条件を表1に示すように変更し、チオフェン系導電性樹脂の塗布層の乾燥条件(温度、時間)を適宜調整した以外は、実施例1と同様にして、実施例2~10のフォトマスクを作製した。
実施例5等では、チオフェン系導電性樹脂の塗料として、セプルジーダの塗料(信越ポリマー株式会社製 AS-M04D)を用いた。
実施例10では、チオフェン系導電性樹脂の塗料をスピン塗布装置(ミカサ株式会社製 MS-A200)を用いて、スピン回転数300rpm、液量1.5mLの塗布条件でスピンコートした。
作製したフォトマスクに対して、実施例1と同様の測定及び評価を行った。
結果を表1に示す。
実施例1において、チオフェン系導電性樹脂の種類、チオフェン系導電性樹脂の塗料の希釈倍率、塗布法の種類、塗布条件を表1に示すように変更し、チオフェン系導電性樹脂の塗布層の乾燥条件(温度、時間)を適宜調整した以外は、実施例1と同様にして、実施例2~10のフォトマスクを作製した。
実施例5等では、チオフェン系導電性樹脂の塗料として、セプルジーダの塗料(信越ポリマー株式会社製 AS-M04D)を用いた。
実施例10では、チオフェン系導電性樹脂の塗料をスピン塗布装置(ミカサ株式会社製 MS-A200)を用いて、スピン回転数300rpm、液量1.5mLの塗布条件でスピンコートした。
作製したフォトマスクに対して、実施例1と同様の測定及び評価を行った。
結果を表1に示す。
(比較例1~3)
実施例1において、チオフェン系導電性樹脂の種類、チオフェン系導電性樹脂の塗料の希釈倍率、塗布法の種類、塗布条件を表1に示すように変更し、チオフェン系導電性樹脂の塗布層の乾燥条件(温度、時間)を適宜調整した以外は、実施例1と同様にして、比較例1~3のフォトマスクを作製した。
尚、比較例3のフォトマスクには、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を形成させなかった。
作製したフォトマスクに対して、実施例1と同様の測定及び評価を行った。
結果を表1に示す。
実施例1において、チオフェン系導電性樹脂の種類、チオフェン系導電性樹脂の塗料の希釈倍率、塗布法の種類、塗布条件を表1に示すように変更し、チオフェン系導電性樹脂の塗布層の乾燥条件(温度、時間)を適宜調整した以外は、実施例1と同様にして、比較例1~3のフォトマスクを作製した。
尚、比較例3のフォトマスクには、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を形成させなかった。
作製したフォトマスクに対して、実施例1と同様の測定及び評価を行った。
結果を表1に示す。
(実施例11)
実施例2と同様の条件で、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を有するフォトマスクを作製した。該フォトマスクのシート抵抗値を表2に示す。
さらに、該フォトマスクに対して、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層の上にさらにポリエステル系樹脂からなる樹脂被覆層をスピンコート法により形成した。
ポリエステル系樹脂としては、株式会社トピック社製ポリエステル系樹脂(TOP’S-N)を用いた。
スピン塗布装置(ミカサ株式会社製 MS-A200)を用いて、400rpmの条件で、所望の濃度に設定したポリエステル系樹脂の塗料1.5mLをスピンコートした。
ポリエステル系樹脂の塗膜に対し、加熱条件を調整し、2~3μmの膜厚のポリエステル系樹脂の被覆層を形成した。
実施例11で作製した被覆樹脂層を有するフォトマスクに対して、実施例1と同様の方法により透過率を測定した。また、実施例1で記載した<フォトマスクの破壊度合いの評価>と同様の方法により、フォトマスクに対して、静電気発生装置(株式会社グリーンテクノ社製 GC90)を用いて、コロナ放電で生成した空気イオンを照射することにより10kVの電圧を印加した。
電圧印加後のフォトマスクに対して、フォトマスクの破壊度合いを顕微鏡観察により確認した。
フォトマスクの破壊度合いの結果を表2に示す。
実施例2と同様の条件で、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を有するフォトマスクを作製した。該フォトマスクのシート抵抗値を表2に示す。
さらに、該フォトマスクに対して、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層の上にさらにポリエステル系樹脂からなる樹脂被覆層をスピンコート法により形成した。
ポリエステル系樹脂としては、株式会社トピック社製ポリエステル系樹脂(TOP’S-N)を用いた。
スピン塗布装置(ミカサ株式会社製 MS-A200)を用いて、400rpmの条件で、所望の濃度に設定したポリエステル系樹脂の塗料1.5mLをスピンコートした。
ポリエステル系樹脂の塗膜に対し、加熱条件を調整し、2~3μmの膜厚のポリエステル系樹脂の被覆層を形成した。
実施例11で作製した被覆樹脂層を有するフォトマスクに対して、実施例1と同様の方法により透過率を測定した。また、実施例1で記載した<フォトマスクの破壊度合いの評価>と同様の方法により、フォトマスクに対して、静電気発生装置(株式会社グリーンテクノ社製 GC90)を用いて、コロナ放電で生成した空気イオンを照射することにより10kVの電圧を印加した。
電圧印加後のフォトマスクに対して、フォトマスクの破壊度合いを顕微鏡観察により確認した。
フォトマスクの破壊度合いの結果を表2に示す。
(実施例12)
実施例5と同様の条件で、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を有するフォトマスクを作製した。該フォトマスクのシート抵抗値を表2に示す。
さらに、該フォトマスクに対して、実施例11と同様な方法により、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層の上にさらにポリエステル系樹脂からなる樹脂被覆層をスピンコート法により形成した。
実施例12で作製した被覆樹脂層を有するフォトマスクに対して、実施例11と同様な方法により、透過率及びフォトマスクの破壊度合いを測定した。
フォトマスクの破壊度合いの結果を表2に示す。
実施例5と同様の条件で、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を有するフォトマスクを作製した。該フォトマスクのシート抵抗値を表2に示す。
さらに、該フォトマスクに対して、実施例11と同様な方法により、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層の上にさらにポリエステル系樹脂からなる樹脂被覆層をスピンコート法により形成した。
実施例12で作製した被覆樹脂層を有するフォトマスクに対して、実施例11と同様な方法により、透過率及びフォトマスクの破壊度合いを測定した。
フォトマスクの破壊度合いの結果を表2に示す。
(実施例13)
実施例6と同様の条件で、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を有するフォトマスクを作製した。該フォトマスクのシート抵抗値を表2に示す。
さらに、該フォトマスクに対して、実施例11と同様な方法により、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層の上にさらにポリエステル系樹脂からなる樹脂被覆層をスピンコート法により形成した。
実施例13で作製した被覆樹脂層を有するフォトマスクに対して、実施例11と同様な方法により、透過率及びフォトマスクの破壊度合いを測定した。
フォトマスクの破壊度合いの結果を表2に示す。
実施例6と同様の条件で、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を有するフォトマスクを作製した。該フォトマスクのシート抵抗値を表2に示す。
さらに、該フォトマスクに対して、実施例11と同様な方法により、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層の上にさらにポリエステル系樹脂からなる樹脂被覆層をスピンコート法により形成した。
実施例13で作製した被覆樹脂層を有するフォトマスクに対して、実施例11と同様な方法により、透過率及びフォトマスクの破壊度合いを測定した。
フォトマスクの破壊度合いの結果を表2に示す。
(比較例4)
比較例1と同様の条件で、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を有するフォトマスクを作製した。該フォトマスクのシート抵抗値を表2に示す。
さらに、該フォトマスクに対して、実施例11と同様な方法により、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層の上にさらにポリエステル系樹脂からなる樹脂被覆層をスピンコート法により形成した。
比較例4で作製した被覆樹脂層を有するフォトマスクに対して、実施例11と同様な方法により、透過率及びフォトマスクの破壊度合いを測定した。
フォトマスクの破壊度合いの結果を表2に示す。
比較例1と同様の条件で、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を有するフォトマスクを作製した。該フォトマスクのシート抵抗値を表2に示す。
さらに、該フォトマスクに対して、実施例11と同様な方法により、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層の上にさらにポリエステル系樹脂からなる樹脂被覆層をスピンコート法により形成した。
比較例4で作製した被覆樹脂層を有するフォトマスクに対して、実施例11と同様な方法により、透過率及びフォトマスクの破壊度合いを測定した。
フォトマスクの破壊度合いの結果を表2に示す。
(比較例5)
比較例3と同様の条件で、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を有しないフォトマスクを作製した。該フォトマスクのシート抵抗値を表2に示す。
さらに、該フォトマスクに対して、実施例11と同様な方法により、Crの遮光膜が形成された青板ガラス上にさらにポリエステル系樹脂からなる樹脂被覆層をスピンコート法により形成した。
比較例5で作製したフォトマスクに対して、実施例11と同様な方法により、透過率及びフォトマスクの破壊度合いを測定した。
フォトマスクの破壊度合いの結果を表2に示す。
比較例3と同様の条件で、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を有しないフォトマスクを作製した。該フォトマスクのシート抵抗値を表2に示す。
さらに、該フォトマスクに対して、実施例11と同様な方法により、Crの遮光膜が形成された青板ガラス上にさらにポリエステル系樹脂からなる樹脂被覆層をスピンコート法により形成した。
比較例5で作製したフォトマスクに対して、実施例11と同様な方法により、透過率及びフォトマスクの破壊度合いを測定した。
フォトマスクの破壊度合いの結果を表2に示す。
実施例で示すように、本発明により、静電気破壊に対し充分な耐久性能を有するフォトマスクを提供することができる。
本発明のフォトマスクを使用すれば、露光用パターンの破壊を生じさせず、マスクパターンの静電気破壊を抑制することができる。
また、本発明のフォトマスクは、優れた光透過率を示す。
したがって、本発明のフォトマスクは、耐久性及び露光効率に優れたフォトマスクとなる。
本発明のフォトマスクを使用すれば、露光用パターンの破壊を生じさせず、マスクパターンの静電気破壊を抑制することができる。
また、本発明のフォトマスクは、優れた光透過率を示す。
したがって、本発明のフォトマスクは、耐久性及び露光効率に優れたフォトマスクとなる。
1 透明基板
2 遮光膜
3 導電性樹脂からなる塗布層
4 樹脂被覆層(オーバーコート層)
2 遮光膜
3 導電性樹脂からなる塗布層
4 樹脂被覆層(オーバーコート層)
Claims (7)
- フォトレジスト膜への露光を遮光するためパターン模様に形成された遮光膜を、透明基板の表面に有するフォトマスクであって、
前記遮光膜が形成された前記透明基板上に、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層が形成されており、
前記チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を有する前記フォトマスクの表面におけるシート抵抗値が、1011Ω/□より小さい値である、
ことを特徴とするフォトマスク。 - 前記チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を有する前記フォトマスクの365nmの波長の光に対する透過率が80%以上である、請求項1に記載のフォトマスク。
- 前記チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層の上にさらに樹脂被覆層を有する、請求項1または2のいずれかに記載のフォトマスク。
- 透明基板の表面に、フォトレジスト膜への露光を遮光するためパターン模様に形成された遮光膜を有するフォトマスクに対して、前記遮光膜が形成された前記透明基板上に、チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層を形成する工程を有する、請求項1または2に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記チオフェン系導電性樹脂からなる塗布層の上にさらに樹脂被覆層を形成する工程を有する、請求項4に記載のフォトマスクの製造方法。
- 請求項1~3のいずれか一項に記載のフォトマスクを用いて露光する工程を有する、電子部品の製造方法。
- 請求項1~3のいずれか一項に記載のフォトマスクを用いて製造された電子部品。
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