WO2020178910A1 - 表示装置 - Google Patents

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WO2020178910A1
WO2020178910A1 PCT/JP2019/008165 JP2019008165W WO2020178910A1 WO 2020178910 A1 WO2020178910 A1 WO 2020178910A1 JP 2019008165 W JP2019008165 W JP 2019008165W WO 2020178910 A1 WO2020178910 A1 WO 2020178910A1
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layer
display device
insulating film
metal layer
inorganic insulating
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PCT/JP2019/008165
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French (fr)
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達 岡部
遼佑 郡司
信介 齋田
市川　伸治
浩治 神村
芳浩 仲田
彬 井上
家根田　剛士
Original Assignee
シャープ株式会社
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Publication date
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Priority to US17/435,277 priority patent/US20220149121A1/en
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Definitions

  • the present invention relates to a display device.
  • the organic EL element includes, for example, an organic EL layer including a light emitting layer, a first electrode provided on one surface side of the organic EL layer, and an other surface side of the organic EL layer. And a second electrode.
  • Patent Document 1 discloses an organic electroluminescence display panel in which an organic EL layer and a second electrode formed by a vapor deposition method are divided by a partition having an inverse tapered portion.
  • an island-shaped non-display area is provided in order to arrange a camera, a fingerprint sensor, or the like inside the display area for displaying an image, and the non-display area is penetrated in the thickness direction. It is desired to provide a through hole that
  • the common functional layer formed by the vapor deposition method is arranged in the display area, if the above-described through hole is provided inside the display area, the common functional layer exposed from the through hole is interposed.
  • water or the like will flow into the display area. In that case, the organic EL layer constituting the organic EL element is deteriorated.
  • the present invention has been made in view of the above point, and an object thereof is to form a common functional layer at a low cost by separating the display region side and the through hole side.
  • a display area for displaying an image, a frame area around the display area, and an island-shaped non-display area inside the display area are defined.
  • the separation wall includes an inner metal layer provided in a frame shape on the through hole side on the first inorganic
  • the resin layer is provided with an inner protruding portion provided in a housing shape so as to project from the inner metal layer, and a plurality of sub-pixels corresponding to the plurality of light emitting elements are provided in the display area.
  • the functional layer includes a common functional layer commonly provided in the plurality of sub-pixels, and the common functional layer is provided on the separation wall so as to extend from the display area to the through hole.
  • the second inorganic insulating film and the third inorganic insulating film are separated at the inner protruding portion, and are provided so as to cover the separating wall so as to extend from the display region to the through hole, and the inner protruding portion.
  • the second inorganic insulating film is provided on the base substrate side of the portion.
  • the separating wall is provided on the first inorganic insulating film of the thin film transistor layer in the shape of a frame on the side of the through hole, and on the first inorganic insulating film and the inner metal layer in a frame shape. Since it is provided with a resin layer and an inner protruding portion provided in a housing shape so that the resin layer protrudes from the inner metal layer, the common functional layer is lowered by separating the display region side and the through hole side. It can be formed at a cost.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of a display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the organic EL display device taken along the line III-III in FIG.
  • FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of a TFT layer that constitutes the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of an organic EL layer forming the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the frame region of the organic EL display device taken along the line VI-VI in FIG. FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the frame region of the organic EL display device taken along the line VII-VII in FIG.
  • FIG. 8 is a plan view of a non-display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the non-display area of the organic EL display device taken along the line IX-IX in FIG.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a flattening film forming step when forming the separation wall configuring the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing an etching process when forming a separation wall constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of a first modification of the separation wall constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing a first etching step when forming a first modification of the separation wall constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing a second etching step when forming a first modification of the separation wall constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of a second modification of the separation wall constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing a step of forming a second interlayer insulating film when forming a second modification of the separation wall constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view showing a step of patterning the second interlayer insulating film when forming the second modified example of the separation wall configuring the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing a step of forming a flattening film when forming a second modification of the separation wall constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view showing a step of patterning the second interlayer insulating film when forming the second modified example of the separation wall configuring the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing a step of forming a flattening film when forming
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing a step of etching when forming a second modification of the separation wall constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view of a third modification of the separation wall constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view showing a step of forming an edge cover when forming a third modified example of the separation wall constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view showing a step of forming a resist pattern when forming a third modified example of the separation wall constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view of a third modification of the separation wall constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view showing a step of
  • FIG. 23 is a cross-sectional view showing a step of etching when forming a third modified example of the separation wall constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view of a fourth modification of the separation wall constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 25 is a cross-sectional view of a fifth modification of the separation wall constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 26 is a cross-sectional view of a sixth modification of the separation wall constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view showing a step of etching when forming a third modified example of the separation wall constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view of a fourth modification of the separation wall constituting the organic EL display device according to the first
  • FIG. 27 is a cross-sectional view of a seventh modified example of the separation wall forming the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 28 is a cross-sectional view of an eighth modification of the separation wall constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 29 is a cross-sectional view of a separation wall constituting the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 50 of the present embodiment.
  • 2 is a plan view of the display area D of the organic EL display device 50.
  • 3 is a sectional view of the organic EL display device 50 taken along the line III-III in FIG.
  • FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the TFT layer 20 constituting the organic EL display device 50. Further, FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the organic EL layer 23 that constitutes the organic EL display device 50.
  • 6 and 7 are cross-sectional views of the frame region F of the organic EL display device 50 taken along line VI-VI and line VII-VII in FIG.
  • FIG. 8 is a plan view of the non-display area N of the organic EL display device 50.
  • 9 is a cross-sectional view of the non-display area N of the organic EL display device 50 taken along the line IX-IX in FIG.
  • the organic EL display device 50 includes, for example, a display area D provided in a rectangular shape for displaying an image, and a frame area F provided in a rectangular frame shape around the display area D. ing.
  • the rectangular display area D is illustrated, but the rectangular shape may have, for example, a shape in which the sides are arcuate, a shape in which the corners are arcuate, or a part of the sides.
  • a substantially rectangular shape such as a shape with a cutout is also included.
  • a plurality of sub-pixels P are arranged in a matrix in the display area D. Further, in the display area D, as shown in FIG. 2, for example, a sub-pixel P having a red light-emitting area Lr for displaying red, a sub-pixel P having a green light emitting area Lg for performing green display, And sub-pixels P having a blue light emitting region Lb for displaying blue are provided adjacent to each other.
  • one pixel is composed of three adjacent sub-pixels P having a red light emitting region Lr, a green light emitting region Lg, and a blue light emitting region Lb. Further, inside the display area D, as shown in FIG.
  • a non-display area N is provided in an island shape.
  • a through hole H penetrating in a thickness direction of a resin substrate layer 10 described later is provided in order to arrange a camera, a fingerprint sensor, or the like. There is.
  • the detailed structure of the non-display area N will be described later with reference to FIGS. 8 and 9.
  • a terminal portion T is provided at the right end of the frame area F in FIG. 1 so as to extend in one direction (longitudinal direction in the drawing). Further, in the frame area F, as shown in FIG. 1, on the display area D side of the terminal portion T, with the longitudinal axis in the drawing as a bending axis, for example, a fold that can be bent at 180° (in a U shape) The portion B is provided so as to extend in one direction (vertical direction in the drawing).
  • a substantially C-shaped trench G is provided in the flattening film 19a described later so as to penetrate the flattening film 19a, as shown in FIGS. 1, 3, and 6. ..
  • the trench G is provided in a substantially C shape so that the terminal portion T side is opened in a plan view.
  • the organic EL display device 50 includes a resin substrate layer 10 provided as a base substrate, and a thin film transistor (thin film transistor) provided on the resin substrate layer 10.
  • the layer 20 is also referred to as a TFT
  • an organic EL element layer 30 provided as a light emitting element layer on the TFT layer 20
  • a sealing film 40 provided on the organic EL element layer 30.
  • the resin substrate layer 10 is made of, for example, a polyimide resin or the like.
  • the TFT layer 20 includes a base coat film 11 provided as a first inorganic insulating film on the resin substrate layer 10, a plurality of first TFTs 9a provided on the base coat film 11, a plurality of second TFTs 9b, and a plurality of second TFTs 9b.
  • a plurality of capacitors 9c, each first TFT 9a, each second TFT 9b, and a flattening film 19a provided on each capacitor 9c are provided.
  • a plurality of gate lines 14 are provided so as to extend parallel to each other in the lateral direction in the drawings. Further, in the TFT layer 20, as shown in FIGS.
  • a plurality of source lines 18f are provided as a second wiring layer so as to extend parallel to each other in the vertical direction in the drawing.
  • a plurality of power supply lines 18g are provided as a second wiring layer so as to extend in parallel with each other in the vertical direction in the drawing.
  • Each power supply line 18g is provided adjacent to each source line 18f, as shown in FIG.
  • a first TFT 9a, a second TFT 9b, and a capacitor 9c are provided for each sub-pixel P.
  • the base coat film 11 is composed of, for example, a single-layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride.
  • the first TFT 9a is electrically connected to the corresponding gate line 14 and source line 18f in each sub-pixel P.
  • the first TFT 9a includes a semiconductor layer 12a, a gate insulating film 13, a gate electrode 14a, a first interlayer insulating film 15, a second interlayer insulating film 17, and a semiconductor layer 12a, which are sequentially provided on the base coat film 11.
  • the source electrode 18a and the drain electrode 18b are provided.
  • the semiconductor layer 12a is formed of, for example, a low temperature polysilicon film on the base coat film 11 in an island shape as shown in FIG. 3, and has a channel region, a source region and a drain region. Further, as shown in FIG.
  • the gate insulating film 13 is provided as a first inorganic insulating film so as to cover the semiconductor layer 12a. Further, as shown in FIG. 3, the gate electrode 14a is provided on the gate insulating film 13 so as to overlap the channel region of the semiconductor layer 12a. Further, as shown in FIG. 3, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are sequentially provided as a first inorganic insulating film so as to cover the gate electrode 14a. Further, as shown in FIG. 3, the source electrode 18a and the drain electrode 18b are provided on the second interlayer insulating film 17 so as to be separated from each other. Further, the source electrode 18a and the drain electrode 18b are, as shown in FIG.
  • the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 are formed of, for example, a single layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride. ..
  • the second TFT 9b is electrically connected to the corresponding first TFT 9a and the power supply line 18g in each sub-pixel P.
  • the second TFT 9b includes a semiconductor layer 12b, a gate insulating film 13, a gate electrode 14b, a first interlayer insulating film 15, a second interlayer insulating film 17, and a second interlayer insulating film 17, which are sequentially provided on the base coat film 11. It has a source electrode 18c and a drain electrode 18d.
  • the semiconductor layer 12b is formed of, for example, a low-temperature polysilicon film on the base coat film 11 in an island shape and has a channel region, a source region, and a drain region, as shown in FIG.
  • the gate insulating film 13 is provided so as to cover the semiconductor layer 12b.
  • the gate electrode 14b is provided on the gate insulating film 13 so as to overlap the channel region of the semiconductor layer 12b, as shown in FIG.
  • the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are sequentially provided so as to cover the gate electrode 14b, as shown in FIG.
  • the source electrode 18c and the drain electrode 18d are provided on the second interlayer insulating film 17 so as to be separated from each other.
  • the source electrode 18c and the drain electrode 18d are, as shown in FIG. 3, via contact holes formed in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17,
  • the semiconductor layer 12b is electrically connected to the source region and the drain region, respectively.
  • first TFT 9a and the second TFT 9b are illustrated in the present embodiment, the first TFT 9a and the second TFT 9b may be bottom gate type TFTs.
  • the capacitor 9c is electrically connected to the corresponding first TFT 9a and the power supply line 18g in each sub-pixel P.
  • the capacitor 9c is, as shown in FIG. 3, a lower conductive layer 14c formed of the same material as the gate electrodes 14a and 14b in the same layer, and a first conductive layer provided so as to cover the lower conductive layer 14c.
  • An interlayer insulating film 15 and an upper conductive layer 16c provided on the first interlayer insulating film 15 as a first wiring layer so as to overlap the lower conductive layer 14c are provided.
  • the upper conductive layer 16c is electrically connected to the power supply line 18g via a contact hole formed in the second interlayer insulating film 17.
  • the flattening film 19a is made of, for example, a positive photosensitive resin such as a polyimide resin.
  • the organic EL element layer 30 includes a plurality of organic EL elements 25 provided as a plurality of light emitting elements so as to be arranged in a matrix on the flattening film 19a.
  • the organic EL element 25 includes a first electrode 21a provided on the flattening film 19a, an organic EL layer 23 provided as a functional layer on the first electrode 21a, and a plurality of sub-pixels.
  • the second electrode 24 is provided on the organic EL layer 23 so as to be common to P.
  • the first electrode 21a is electrically connected to the drain electrode 18d of the second TFT 9b of each sub-pixel P via a contact hole formed in the flattening film 19a.
  • the first electrode 21a has a function of injecting holes into the organic EL layer 23.
  • the first electrode 21a is more preferably formed of a material having a large work function in order to improve the efficiency of injecting holes into the organic EL layer 23.
  • a material forming the first electrode 21a for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au).
  • the material forming the first electrode 21a may be an alloy such as astatine (At)/oxidized astatine (AtO 2 ). Further, the material forming the first electrode 21a is, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). It may be.
  • the first electrode 21a may be formed by stacking a plurality of layers made of the above materials.
  • the compound material having a large work function include indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO).
  • the peripheral end portion of the first electrode 21a is covered with an edge cover 22a that is provided in a grid pattern in common to the plurality of sub-pixels P.
  • examples of the material forming the edge cover 22a include positive photosensitive resins such as polyimide resin, acrylic resin, polysiloxane resin, and novolac resin.
  • a part of the surface of the edge cover 22a serves as an island-shaped pixel photo spacer protruding upward in the drawing.
  • the organic EL layer 23 includes a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting layer 3, an electron transport layer 4 and an electron injection layer 5, which are sequentially provided on the first electrode 21a. ing.
  • the hole injection layer 1 is also called an anode buffer layer, and has a function of bringing the energy levels of the first electrode 21a and the organic EL layer 23 close to each other and improving the hole injection efficiency from the first electrode 21a to the organic EL layer 23. And is provided as a common functional layer common to the plurality of sub-pixels P.
  • the material constituting the hole injection layer 1 for example, a triazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, a polyarylalkane derivative, a pyrazoline derivative, a phenylenediamine derivative, an oxazole derivative, a styrylanthracene derivative, a fluorenone derivative, Examples thereof include hydrazone derivatives and stilbene derivatives.
  • the common functional layer is a functional layer formed using a CMM (common metal mask). Since this CMM is a mask provided with one opening corresponding to one display device, it is not possible to provide a pattern for shielding the region corresponding to the through hole H.
  • the common functional layer is also deposited in the region corresponding to the through hole H.
  • the individual functional layer is a functional layer formed using an FMM (fine metal mask).
  • This FMM is a mask in which an opening is provided for each color (including, for example, a functional layer common to red and green).
  • the functional layer includes a hole transport layer 2, a light emitting layer 3, an electron transport layer 4, an electron injection layer 5, a blocking layer, a cap layer, and the like, in addition to the hole injection layer described above.
  • the hole transport layer 2 has a function of improving the efficiency of transporting holes from the first electrode 21a to the organic EL layer 23, and is provided as a common functional layer common to the plurality of sub-pixels P.
  • examples of the material forming the hole transport layer 2 include porphyrin derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine derivatives, polyvinylcarbazole, poly-p-phenylenevinylene, polysilane, triazole derivatives, and oxadiazole.
  • Derivatives imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amine-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, hydrogenated amorphous silicon, Examples thereof include hydride amorphous silicon carbide, zinc sulfide, and zinc selenium.
  • the light emitting layer 3 when a voltage is applied by the first electrode 21a and the second electrode 24, holes and electrons are injected from the first electrode 21a and the second electrode 24, respectively, and the holes and electrons are recombined. Area.
  • the light emitting layer 3 is formed of a material having high luminous efficiency. Examples of the material forming the light emitting layer 3 include metal oxinoid compound [8-hydroxyquinoline metal complex], naphthalene derivative, anthracene derivative, diphenylethylene derivative, vinylacetone derivative, triphenylamine derivative, butadiene derivative, coumarin derivative.
  • the electron transport layer 4 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting layer 3, and is provided as a common functional layer common to the plurality of sub-pixels P.
  • examples of the material forming the electron transport layer 4 include organic compounds such as oxadiazole derivatives, triazole derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane derivatives, diphenoquinone derivatives, and fluorenone derivatives. , Silole derivatives, metal oxinoid compounds and the like.
  • the electron injection layer 5 has a function of bringing the energy levels of the second electrode 24 and the organic EL layer 23 close to each other and improving the efficiency of injecting electrons from the second electrode 24 into the organic EL layer 23. With this function, The drive voltage of the organic EL element 25 can be lowered.
  • the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer, and is provided as a common functional layer common to the plurality of sub-pixels P.
  • a material forming the electron injection layer 5 for example, lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), barium fluoride.
  • Inorganic alkali compounds such as (BaF 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), strontium oxide (SrO) and the like can be mentioned.
  • the above-mentioned common functional layer is an example, and any layer may be the above-mentioned individual functional layer. Further, for example, when a display device is configured by performing color conversion from a light emitting layer that emits ultraviolet light or blue light with a QLED (Quantum-dot light emitting diode) or the like, the light emitting layer may be a common function layer. ..
  • the second electrode 24 is provided so as to cover each organic EL layer 23 and the edge cover 22a.
  • the second electrode 24 also has a function of injecting electrons into the organic EL layer 23.
  • the second electrode 24 is more preferably made of a material having a small work function in order to improve the efficiency of injecting electrons into the organic EL layer 23.
  • examples of the material forming the second electrode 24 include silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), and gold (Au).
  • the second electrode 24 is, for example, magnesium (Mg)/copper (Cu), magnesium (Mg)/silver (Ag), sodium (Na)/potassium (K), astatine (At)/oxidized astatine (AtO 2 ).
  • the second electrode 24 may be formed of a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO). ..
  • the second electrode 24 may be formed by stacking a plurality of layers made of the above materials.
  • Examples of the material having a small work function include magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg)/copper (Cu), magnesium (Mg)/silver (Ag), and sodium.
  • (Na)/potassium (K) lithium (Li)/aluminum (Al), lithium (Li)/calcium (Ca)/aluminum (Al), lithium fluoride (LiF)/calcium (Ca)/aluminum (Al) Etc.
  • the sealing film 40 is provided on the second inorganic insulating film 36 provided so as to cover the second electrode 24, and on the second inorganic insulating film 36.
  • the organic insulating film 37 and the third inorganic insulating film 38 provided so as to cover the organic insulating film 37 are provided, and have a function of protecting the organic EL layer 23 from moisture, oxygen and the like.
  • the second inorganic insulating film 36 and the third inorganic insulating film 38 are nitrided such as silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), and trisilicon tetranitride (Si 3 N 4 ).
  • the organic insulating film 37 is made of an organic material such as acrylic resin, polyurea resin, parylene resin, polyimide resin, or polyamide resin.
  • a first outer dam wall Wa provided in a frame shape so as to surround the display region D and a first outer dam wall Wa. It is provided with a second outer dam wall Wb provided in a frame shape so as to surround the.
  • the first outer dam wall Wa has a first lower resin layer 19b formed in the same layer as the flattening film 19a, and a first lower resin layer 19b formed on the first lower resin layer 19b.
  • the first upper resin layer 22c is provided via the conductive layer 21b and is formed of the same material as the edge cover 22a in the same layer.
  • the first conductive layer 21b has a substantially C shape so as to overlap with the trench G, the first outer dam wall Wa, and the second outer dam wall Wb in the frame region F. It is provided.
  • the second conductive layer 21b is formed of the same material as the first electrode 21a in the same layer.
  • the second outer dam Wb is formed on the second lower resin layer 19c and the second lower resin layer 19c that are made of the same material as the flattening film 19a in the same layer.
  • the second upper resin layer 22d is provided via the layer 21b and is formed of the same material as the edge cover 22a in the same layer.
  • the organic EL display device 50 surrounds the display region D in the frame region F so as to overlap with the first external dam wall Wa and the second external dam wall Wb.
  • a first frame wiring 18h provided on the outside of the trench G in a substantially C shape is provided.
  • the first frame wiring 18h is electrically connected to the power supply terminal to which the low power supply voltage (ELVSS) is input in the terminal portion T.
  • the first frame wiring 18h is electrically connected to the second electrode 24 via the second conductive layer 21b, as shown in FIG.
  • the organic EL display device 50 includes the second frame wiring 18i provided in the frame region F inside the trench G in a substantially C-shape.
  • the second frame wiring 18i is electrically connected to the power supply terminal to which the high power supply voltage (ELVDD) is input in the terminal portion T.
  • the second frame wiring 18i is electrically connected to the plurality of power supply lines 18g arranged in the display area D on the display area D side.
  • the organic EL display device 50 has slits S formed in the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 in the bent portion B.
  • a lower layer flattening film 8a provided so as to be filled, a plurality of routing wires 18j provided on the lower layer flattening film 8a and the second interlayer insulating film 17, and a wiring coating provided so as to cover each routing wiring 18j.
  • layer 19d is slits S formed in the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 in the bent portion B.
  • the slit S penetrates the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17, and exposes the surface of the resin substrate layer 10. It is provided in a groove shape that penetrates along the extending direction of the bent portion B.
  • the lower flattening film 8a is made of, for example, an organic resin material such as polyimide resin.
  • the plurality of routing wires 18j are provided so as to extend parallel to each other in a direction orthogonal to the extending direction of the bent portion B.
  • both ends of each lead wiring 18j are connected to the first gate conductive layer through each contact hole formed in the laminated film of the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17.
  • 14c and the second gate conductive layer 14d are electrically connected to each other.
  • the routing wiring 18j is formed of the same material as the source line 18f and the power supply line 18g in the same layer.
  • the first gate conductive layer 14c is provided between the gate insulating film 13 and the first interlayer insulating film 15 and extends to the display region D by signal wiring (gate line 14, source line 18f, etc.). ) Is electrically connected to.
  • the second gate conductive layer 14d is provided between the gate insulating film 13 and the first interlayer insulating film 15, and is electrically connected to the signal terminal of the terminal portion T, for example. ..
  • the wiring covering layer 19d is formed in the same layer as the flattening film 19a with the same material.
  • the organic EL display device 50 has an island shape in the frame region F and the non-display region N on the flattening film 19a so as to project upward in the drawing.
  • a plurality of peripheral photo spacers 22b provided in the above are provided.
  • each peripheral photo spacer 22b is formed of the same material as the edge cover 22a in the same layer.
  • the peripheral photo spacer 22b may be formed by laminating a resin layer formed of the same material as the edge cover 22a in the same layer and another resin layer.
  • the organic EL display device 50 includes a separation wall Ea provided in a frame shape along the peripheral edge of the through hole H in the non-display area N.
  • the separation wall Ea includes an inner metal layer 18ka provided in a frame shape on the second interlayer insulating film 17 on the through hole H side and on the second interlayer insulating film 17 on the display region D side.
  • An outer metal layer 18 kb provided in a frame shape, a second interlayer insulating film 17, an inner metal layer 18 ka, and a resin layer 19 ga provided in a frame shape on the outer metal layer 18 kb are provided.
  • the inner metal layer 18ka and the outer metal layer 18kb are formed of the same material as the source line 18f and the power supply line 18g in the same layer.
  • the inner metal layer 18ka and the outer metal layer 18kb are, as shown in FIG. 9, a first constituent metal layer 61, a second constituent metal layer 62, and a third constituent metal layer 63, which are sequentially provided from the resin substrate layer 10 side. It has each.
  • the first constituent metal layer 61 and the third constituent metal layer are provided so as to project more than the second constituent metal layer 62, as shown in FIG. 9.
  • spaces V are respectively provided between the inner metal layer 18 ka and the outer metal layer 18 kb and the second inorganic insulating film 36.
  • the space V is surrounded by the second inorganic insulating film 36, the resin layer 19ga, and the second interlayer insulating film 17 on the display region D side and the through hole H side of the separation wall Ea. Each is provided.
  • the resin layer 19ga is formed in the same layer as the flattening film 19a with the same material.
  • the resin layer 19ga includes an inner protruding portion Ja provided so as to protrude from the inner metal layer 18ka to the through hole H side in an eaves shape, and an outer metal layer 18kb to the display region D side. It is provided with an outer protruding portion Jb provided so as to project in the shape of an eaves.
  • the second electrode 24 is provided on the separation wall Ea so as to extend from the display region D to the through hole H, and is separated by the inner protrusion Ja and the outer protrusion Jb.
  • the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, the electron transport layer 4, and the electron injection layer 5 are not shown in FIG. 9, the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, and the electron transport layer 4 are shown.
  • the common function layer including the electron injection layer 5 is provided on the separation wall Ea so as to extend from the display region D to the through hole H, and is separated at the inner protruding portion Ja and the outer protruding portion Jb.
  • the second inorganic insulating film 36 and the third inorganic insulating film 38 constituting the sealing film 40 are provided on the separation wall Ea so as to extend from the display region D to the through hole H, and are inside.
  • a second inorganic insulating film 36 is provided on the resin substrate layer 10 side of the protrusion Ja and the outer protrusion Jb. Further, on the resin substrate layer 10 side of the inner protruding portion Ja and the outer protruding portion Jb, as shown in FIG. 9, the second interlayer insulating film 17 and the second inorganic insulating film 36 are in contact with each other.
  • the organic EL display device 50 is provided in the non-display area N on the display area D side of the separation wall Ea in a frame shape along the periphery of the separation wall Ea. It is provided with one internal dam wall Wc and a second internal dam wall Wd.
  • the first inner dam wall Wc is provided on the first lower resin layer 19e and the first lower resin layer 19e which are formed of the same material as the flattening film 19a in the same layer. , And a second upper resin layer 22e formed of the same material as the edge cover 22a in the same layer.
  • the first internal dam Wc is provided so as to overlap the peripheral end portion of the organic insulating film 37 on the display region D side of the non-display region N.
  • the second internal dam wall Wd is provided on the second lower resin layer 19f and the second lower resin layer 19f formed in the same layer with the same material as the flattening film 19a.
  • the edge cover 22a and the second upper resin layer 22f formed in the same layer by the same material are provided.
  • the second internal dam wall Wd is provided between the first internal dam wall Wc and the separation wall Ea in the non-display region N.
  • the laminated thick film portion Ez includes a base coat film 11, a thick film semiconductor layer 12c, a gate insulating film 13, and a thick film gate metal, which are sequentially provided as a plurality of inorganic films on the resin substrate layer 10.
  • the layer 14e, the first interlayer insulating film 15, the thick intermediate metal layer 16d, the second interlayer insulating film 17, and the thick source metal layer 18m are provided. These plural inorganic films have the same acoustic compliance (volume/(density ⁇ sound velocity 2 )).
  • the total thickness Ya of the plurality of inorganic films (the base coat film 11 to the thick film source metal layer 18m) in the laminated thick film portion Ez is between the laminated thick film portion Ez and the separation wall Ea as shown in FIG. Is larger than the total thickness Yb of the plurality of inorganic films (base coat film 11 to second interlayer insulating film 17).
  • the thick film semiconductor layer 12c is formed in the same layer by the same material as the semiconductor layers 12a and 12b (inorganic film) forming the TFT layer 20.
  • the thick-film gate metal layer 14e is formed of the same material and in the same layer as the gate line 14 of the metal layer (inorganic film) forming the TFT layer 20.
  • the thick-film intermediate metal layer 16d is formed of the same material and in the same layer as the upper conductive layer 16c of the metal layer (inorganic film) forming the TFT layer 20.
  • the thick-film source metal layer 18m of the metal layer (inorganic film) that constitutes the TFT layer 20 is formed of the same material as the source line 18f and the power supply line 18g in the same layer. According to this configuration, the propagation of cracks in the semiconductor layer and the inorganic insulating film can be suppressed by forming the laminated thick film portion Ez thicker than the surrounding inorganic film.
  • a resin layer 19h is provided.
  • the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are provided so as not to reach the end surface of the through hole H, as shown in FIG.
  • the gate insulating film 13 in order to suppress cracks propagating to the inorganic film, it is preferable to form a thin semiconductor layer and an inorganic insulating film in which cracks are likely to occur.
  • the gate signal is input to the first TFT 9a via the gate line 14 to turn on the first TFT 9a, and the gate electrode of the second TFT 9b via the source line 18f.
  • the light emitting layer 3 of the organic EL layer 23 emits light and an image is displayed. Is configured to display.
  • the gate voltage of the second TFT 9b is held by the capacitor 9c, so that the light emitting layer 3 does not emit light until the gate signal of the next frame is input. Maintained.
  • the manufacturing method of the organic EL display device 50 of the present embodiment includes a TFT layer forming step, an organic EL element layer forming step, a sealing film forming step, a flexing step, and a through hole forming step.
  • 10 and 11 are cross-sectional views showing the flattening film forming step and the etching step when forming the separation wall Ea.
  • ⁇ TFT layer forming step> For example, the base coat film 11, the first TFT 9a, the second TFT 9b, the capacitor 9c, and the flattening film 19a are formed on the surface of the resin substrate layer 10 formed on the glass substrate by a known method to form the TFT layer 20a. Form.
  • a first constituent metal layer 61 (made of, for example, a titanium film having a thickness of about 30 nm) and An inner metal in which a second constituent metal layer 62 (made of, for example, an aluminum film having a thickness of about 300 nm) and a third constituent metal layer 63 (made of, for example, a titanium film having a thickness of about 50 nm) are stacked.
  • the forming layer 18kc (see FIG. 10) and the outer metal forming layer 18kd (see FIG. 10) are formed.
  • the source metal layer having a three-layer structure of Ti (upper layer)/Al (middle layer)/Ti (lower layer) is illustrated, but the source metal layer may be Cu (upper layer)/Ti (lower layer) or the like. It may have a two-layer structure. In the case of this two-layer structure of Cu (upper layer)/Ti (lower layer), the side surface of Cu (upper layer) is formed to be recessed from the side surface of Ti (lower layer).
  • the inner metal forming layer 18kc and the outer metal forming layer 18kd are partially removed from the sides by wet etching, and as shown in FIG. As shown, the inner metal layer 18ka and the outer metal layer 18kb are formed.
  • ⁇ Organic EL element layer forming step> The first electrode 21a, the edge cover 22a, the organic EL layer 23 (the hole injection layer 1, the hole transport layer) are formed on the flattening film 19a of the TFT layer 20 formed in the above-mentioned TFT layer forming step by a known method.
  • the layer 2 the light emitting layer 3, the electron transport layer 4, the electron injection layer 5) and the second electrode 24, the organic EL element 25 is formed and the organic EL element layer 30 is formed.
  • the organic EL layer 23 and the second electrode 24 are formed by the vapor deposition method, the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, the electron transport layer 4, and the electron injection layer 5 constituting the organic EL layer 23 are formed. , And the second electrode 24 are formed by being separated by a step in the inner protruding portion Ja and the outer protruding portion Jb.
  • ⁇ Sealing film forming step> First, using a mask, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film is formed on the surface of the substrate on which the organic EL device 25 formed in the organic EL device layer forming step is formed.
  • the second inorganic insulating film 36 is formed by plasma CVD.
  • an organic resin material such as an acrylic resin is deposited on the surface of the substrate on which the second inorganic insulating film 36 is formed, for example, by an inkjet method to form the organic insulating film 37.
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film is formed on the substrate on which the organic insulating film 37 is formed by a plasma CVD method using a mask, 3
  • the sealing film 40 is formed.
  • a resin sheet is irradiated from the glass substrate side of the resin substrate layer 10 with a laser beam after a protective sheet (not shown) is attached to the surface of the substrate on which the sealing film 40 has been formed in the sealing film forming step.
  • the glass substrate is peeled from the lower surface of, and a protective sheet (not shown) is attached to the lower surface of the resin substrate layer 10 from which the glass substrate is peeled.
  • ⁇ Through hole forming step> For example, while scanning the laser light in an annular shape on the inner peripheral side region of the inner laminated thick film portion Ez provided in a frame shape (circumferential shape) on the resin substrate layer 10 from which the glass substrate is peeled in the flexing step. Through irradiation, a through hole H is formed.
  • the organic EL display device 50 of this embodiment can be manufactured as described above.
  • the organic EL display device 50 in which the separation wall Ea is provided in the non-display area N is illustrated, but the organic EL display device in which the separation walls Eb to Eh are provided instead of the separation wall Ea.
  • the first modification to the eighth modification using the separation walls Eb to Eh will be described.
  • the same parts as those in FIGS. 1 to 14 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
  • FIG. 12 is a sectional view of a separation wall Eb that is a first modification of the separation wall Ea.
  • 13 and 14 are cross-sectional views showing the first and second etching steps when forming the separation wall Eb.
  • the separation wall Eb has an inner metal layer 18pa provided in a frame shape on the through hole H side on the second interlayer insulating film 17 and a display region D side on the second interlayer insulating film 17.
  • An outer metal layer 18pb provided in a frame shape, a second interlayer insulating film 17, an inner metal layer 18pa, and a resin layer 19ga provided in a frame shape on the outer metal layer 18pb are provided.
  • the inner metal layer 18pa and the outer metal layer 18pb are formed of the same material as the source line 18f and the power supply line 18g in the same layer.
  • the inner metal layer 18pa and the outer metal layer 18pb are, as shown in FIG. 12, a first constituent metal layer 61, a second constituent metal layer 62, and a third constituent metal layer 63 that are sequentially provided from the resin substrate layer 10 side. It has each.
  • the first component metal layer 61 and the third component metal layer 63 are provided so as to project more than the second component metal layer 62, as shown in FIG. Further, as shown in FIG.
  • the first constituent metal layer 61 and the third constituent metal layer 63 are provided so as to be aligned with the inner protruding portion Ja and the outer protruding portion Jb of the resin layer 19ga.
  • the first constituent metal layer 61 and the second inorganic insulating film 36 are in contact with each other on the resin substrate layer 10 side of the inner protruding portion Ja and the outer protruding portion Jb.
  • spaces V are respectively provided between the second constituent metal layer 62 and the second inorganic insulating film 36 which form the inner metal layer 18pa and the outer metal layer 18pb.
  • the resin layer 19ga is formed on the inner metal forming layer 18kc and the outer metal forming layer 18kd in the non-display area N (see FIG. 10).
  • the inner metal forming layer 18kc and the outer metal forming layer 18kd are partially removed by dry etching, and as shown in FIG.
  • the inner metal cambium 18pc and the outer metal cambium 18pd are formed on the surface.
  • the second constituent metal layer 62 constituting the inner metal forming layer 18pc and the outer metal forming layer 18pd is wet.
  • the inner metal layer 18pa and the outer metal layer 18pb may be formed by partially removing from the side by etching, as shown in FIG.
  • the inner metal layer 18pa and the outer metal layer 18pb can be formed at the same time as the wet etching when forming the first electrode 21a.
  • the separation wall Eb that improves reliability can be formed without adding a lithography process or an etching process.
  • FIG. 15 is a sectional view of a separation wall Ec that is a second modification of the separation wall Ea.
  • FIG. 17, FIG. 18, and FIG. 19 show a step of forming a second interlayer insulating film when forming the separation wall Ec, a step of patterning the second interlayer insulating film, and a step of forming a planarizing film. It is sectional drawing which shows the process of and etching.
  • the separation wall Eb is provided on the first interlayer insulating film 15 on the side of the through hole H in a frame-like inner metal layer 16ea, and on the first interlayer insulating film 15 on the display region D side.
  • the inner metal layer 16ea and the outer metal layer 16eb are formed of the same material as the upper conductive layer 16c in the same layer.
  • spaces V are provided between the inner metal layer 16ea and the outer metal layer 16eb and the second inorganic insulating film 36, respectively.
  • the space V is surrounded by the second inorganic insulating film 36, the resin layer 19gb, and the first interlayer insulating film 15 on the display region D side and the through hole H side of the separation wall Ec. Each is provided.
  • the resin layer 19gb is formed in the same layer as the flattening film 19a with the same material. Further, as shown in FIG. 15, the resin layer 19gb includes an inner protruding portion Ja provided so as to protrude from the inner metal layer 16ea to the through hole H side in an eaves shape, and an outer metal layer 16eb to the display region D side. It is provided with an outer protruding portion Jb provided so as to project in the shape of an eaves.
  • the separation wall Ec To form the separation wall Ec, first, in forming the source electrode 18a and the drain electrode 18b of the first TFT 9a, in the non-display region N, the inner metal forming layer 18ec (see FIG. 16) and the outer metal forming layer 18ed are formed. (See FIG. 16).
  • the second interlayer insulating film 17 is formed so as to cover the inner metal forming layer 18ec and the outer metal forming layer 18ed.
  • the second interlayer insulating film 17 is patterned to form a middle insulating layer 17c.
  • a resin layer 19gb is formed on the middle insulating layer 17c in the non-display region N.
  • the inner metal forming layer 18ec and the outer metal forming layer 18ed are partially etched from the side by wet etching. After removal, the inner metal layer 16ea and the outer metal layer 16eb may be formed as shown in FIG.
  • the inner metal layer 16ea and the outer metal layer 16eb can be formed simultaneously with the wet etching when forming the first electrode 21a.
  • the separation wall Ec that improves reliability can be formed without adding a lithography process or an etching process.
  • FIG. 20 is a sectional view of a separation wall Ed which is a third modification of the separation wall Ea.
  • 21, 22, and 23 are cross-sectional views showing a step of forming an edge cover, a step of forming a resist pattern, and a step of etching when forming the separation wall Ed.
  • the separation wall Ed is provided on the second interlayer insulating film 17 on the through hole H side in a frame-like inner metal layer 21ca, and on the second interlayer insulating film 17 on the display region D side.
  • the frame-shaped outer metal layer 21cb is provided, and the second interlayer insulating film 17, the inner metal layer 21ca, and the outer metal layer 21cb are provided with a frame-shaped resin layer 22g.
  • the inner metal layer 21ca and the outer metal layer 21cb are formed of the same material as the first electrode 21a in the same layer.
  • a space V is provided between each of the inner metal layer 21ca and the outer metal layer 21cb and the second inorganic insulating film 36.
  • the space V is surrounded by the second inorganic insulating film 36, the resin layer 22g, and the second interlayer insulating film 17 on the display region D side and the through hole H side of the separation wall Ed. Each is provided.
  • the resin layer 22g is formed in the same layer with the same material as the edge cover 22a.
  • the resin layer 22g includes an inner protruding portion Ja provided so as to protrude from the inner metal layer 21ca to the through hole H side in an eaves shape, and an outer metal layer 21cb to the display region D side. It is provided with an outer protruding portion Jb provided so as to project in the shape of an eaves.
  • the separation wall Ed In order to form the separation wall Ed, first, in the organic EL element layer forming step, when forming the first electrode 21a, the inner metal forming layer 21cc (see FIG. 21) and the outer metal forming layer are formed in the non-display region N. A layer 21cd (see FIG. 21) is formed.
  • a resin layer 22g is formed in the non-display area N.
  • the inner metal forming layer 21cc and the outer metal forming layer 21cd exposed from the resist pattern R are side-etched by wet etching.
  • the inner metal layer 21ca and the outer metal layer 21cb may be formed by partially removing the inner metal layer 21ca and the outer metal layer 21cb as shown in FIG.
  • the organic EL display device including the separation wall Ed having the above-described configuration, after forming the edge cover 22a in the organic EL element layer forming step, the protective resist that protects the substrate surface until the next vapor deposition step is used as the resist pattern R.
  • the separation wall Ed which improves reliability can be formed by utilizing this.
  • FIG. 24 is a sectional view of a separation wall Ee that is a fourth modification of the separation wall Ea.
  • the separation wall Ee includes an inner metal layer 18qa provided in a frame shape on the second interlayer insulating film 17 on the side of the through hole H, and on the second interlayer insulating film 17 on the display region D side.
  • the inner metal layer 18qa and the outer metal layer 18qb are formed of the same material as the source line 18f and the power supply line 18g in the same layer.
  • spaces V are provided between the inner metal layer 18qa and the outer metal layer 18qb and the second inorganic insulating film 36, respectively.
  • the space V is surrounded by the second inorganic insulating film 36, the resin layer 19ga, and the second interlayer insulating film 17 on the display region D side and the through hole H side of the separation wall Ee. Each is provided.
  • the reinforcing layer 21d is formed of the same material as the first electrode 21a in the same layer, and can be formed when forming the first electrode 21a in the organic EL element layer forming step.
  • the organic EL display device provided with the separation wall Ee having the above configuration, since the reinforcing layer 21d is provided on the resin layer 19ga, damage and peeling of the separation wall Ee can be suppressed.
  • FIG. 25 is a sectional view of a separation wall Ef that is a fifth modification of the separation wall Ea.
  • the separation wall Ef includes an inner metal layer 18qa provided in a frame shape on the second interlayer insulating film 17 on the through hole H side and on the second interlayer insulating film 17 on the display region D side.
  • the outer metal layer 18qb provided in a frame shape, the lower interlayer resin layer 19ga and the lower resin layer 19ga provided in a frame shape on the second interlayer insulating film 17, the inner metal layer 18qa and the outer metal layer 18qb.
  • an upper resin layer 22h is an upper resin layer 22h.
  • the upper resin layer 22h is formed of the same material as the edge cover 22a in the same layer, and can be formed when the edge cover 22a is formed in the organic EL element layer forming step.
  • the path to the display region D of the second inorganic insulating film 36 and the third inorganic insulating film 38 becomes long, so that the second inorganic insulating film 36 and the second inorganic insulating film 38 3. Propagation of cracks in the inorganic insulating film 38 can be suppressed, and the separation wall Ef that improves reliability can be formed.
  • FIG. 26 is a sectional view of a separation wall Eg that is a sixth modification of the separation wall Ea.
  • the separation wall Eg has substantially the same configuration as the separation wall Ee of the fourth modified example, and the resin filling layer 8b is provided on the resin substrate layer 10 side of the separation wall Eg.
  • the resin filling layer 8b is provided so as to fill the openings M formed in the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. ..
  • the opening M overlaps with the separation wall Eg in the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17, and the base coat film 11, It is provided in a frame shape so as to penetrate the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17, and can be formed when the slit S of the bent portion B is formed.
  • the resin-filled layer 8b is formed in the same layer as the lower layer flattening film 8a provided in the bent portion B, and can be formed when the lower layer flattening film 8a is formed.
  • the opening M formed in the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 is filled. Since the resin filling layer 8b is provided, for example, on the through hole H side, the display area D side of the crack generated in the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 is provided. Can be suppressed.
  • the resin filling layer 8b is provided so as to overlap the separation wall Eg, even if the structure that suppresses the propagation of cracks is adopted, from the through hole H to the boundary between the non-display area N and the display area D. The distance can be shortened.
  • FIG. 27 is a sectional view of a separation wall Eh that is a seventh modification of the separation wall Ea.
  • the separation wall Eh includes an inner metal layer 18qa provided in a frame shape on the second interlayer insulating film 17 on the side of the through hole H, and on the second interlayer insulating film 17 on the display region D side.
  • the inner metal layer 18qc is formed of the same material as the inner metal layer 18qa and the outer metal layer 18qb in the same layer, and can be formed when the inner metal layer 18qa and the outer metal layer 18qb are formed.
  • the resin layer 19 gc is formed in the same layer as the flattening film 19a with the same material. Further, as shown in FIG. 27, the resin layer 19gc includes an inner protruding portion Ja provided so as to protrude from the inner metal layer 18qa to the through hole H side in an eaves shape, and an outer metal layer 18qb to the display region D side. It is provided with an outer protruding portion Jb provided so as to project in the shape of an eaves.
  • the openings M formed in the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are filled. Since the resin filling layer 8b is provided, for example, on the through hole H side, the display area D side of the crack generated in the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 is provided. Can be suppressed.
  • the resin filling layer 8b is provided so as to overlap the separation wall Eh, even if a structure for suppressing the propagation of cracks is adopted, the distance from the through hole H to the boundary between the non-display region N and the display region D is reached. The distance can be shortened. Further, since the middle metal layer 18qc having ductility is provided between the resin filling layer 8b and the resin layer 19gc, for example, the second inorganic insulating film 36 and the third inorganic insulating film 38 on the through hole H side. Even if the cracks generated in 1) propagate to the first resin layer 19gc, the cracks can be suppressed from propagating to the resin filling layer 8b.
  • FIG. 28 is a sectional view of a separation wall Ei that is an eighth modification of the separation wall Ea.
  • the separation wall Ei is formed on the second interlayer insulating film 17 on the second interlayer insulating film 17 with the inner metal layers 16fa, 18ra, and 21ea sequentially provided in a frame shape on the through hole H side.
  • Outer metal layers 16fb, 18rb and 21eb sequentially provided in a frame shape on the display region D side, and a resin layer 22i provided in a frame shape on the second interlayer insulating film 17, the inner metal layer 21ea and the outer metal layer 21eb. Equipped with.
  • the inner metal layer 16fa and the outer metal layer 16fb are formed of the same material as the upper conductive layer 16c in the same layer, and can be formed when the upper conductive layer 16c is formed.
  • the inner metal layer 18ra and the outer metal layer 18rb are formed of the same material as the source line 18f and the power supply line 18g in the same layer, and can be formed when the source line 18f and the power supply line 18g are formed.
  • the inner metal layer 21ea and the outer metal layer 21eb are formed of the same material as the first electrode 21a in the same layer, and can be formed when the first electrode 21a is formed.
  • the resin layer 22i is formed of the same material as the edge cover 22a in the same layer, and can be formed when the edge cover 22a is formed.
  • the resin layer 22i includes an inner protruding portion Ja provided so as to protrude from the inner metal layers 16fa, 18ra, and 21ea toward the through hole H side, and an outer metal layer 16fb. It is provided with an outer protruding portion Jb provided so as to protrude from 18 rb and 21 eb to the display area D side in an eaves shape.
  • the organic EL display device including the separation wall Ei having the above-described configuration, since the three inner metal layers 16fa, 18ra and 21ea and the three outer metal layers 16fb, 18rb and 21eb are provided, the first interlayer insulating film is formed.
  • the heights of the inner protruding portion Ja and the outer protruding portion Jb of the resin layer 22i from the surface of the film 15 are increased. Therefore, the hole injecting layer 1, the hole transporting layer 2, the electron transporting layer 4 and the electron injecting layer 5 and the second electrode 24, which form the organic EL layer 23, are stepped at the inner protruding portion Ja and the outer protruding portion Jb. Can be easily separated and formed.
  • a separation wall Ea is provided in a frame shape along the.
  • the separation wall Ea includes the inner metal layer 18ka and the outer metal layer 18kb provided on the second interlayer insulating film 17 in the same layer as the source line 18f and the power supply line 18g in the same layer, and the second interlayer insulating film 17b. It is provided with an insulating film 17, an inner metal layer 18ka, and a resin layer 19ga provided in a frame shape on the outer metal layer 18kb.
  • the resin layer 19ga is provided with an inner protruding portion Ja provided so as to project from the inner metal layer 18ka to the through hole H side in an eaves shape, and an outer protruding portion Ja from the outer metal layer 18kb to the display region D side.
  • the outer protrusion Jb is provided. Therefore, the common functional layer (hole injection layer 1, hole transport layer 2, electron transport layer 4, electron injection layer 5) and the second electrode 24 are located on the display region D side in the inner protruding portion Ja and the outer protruding portion Jb. And the side of the through hole H are formed separately. Thus, the common functional layer (hole injection layer 1, hole transport layer 2, electron transport layer 4, electron injection layer 5) and the second electrode 24 are provided on the display region D side without using a negative photosensitive material.
  • the through hole H side can be formed separately. Therefore, the common functional layer (hole injection layer 1, hole transport layer 2, electron transport layer) can be separated into the display region D side and the through hole H side. 4, the electron injection layer 5) and the second electrode 24 can be formed at low cost.
  • the second interlayer insulating film 17 of the TFT layer 20 and the second sealing film 40 of the sealing film 40 are formed on the resin substrate layer 10 side of the inner protruding portion Ja and the outer protruding portion Jb. Since the two inorganic insulating films 36 are in contact with each other, the sealing performance of the sealing film 40 can be secured, and the deterioration of the organic EL element 25 can be suppressed.
  • the organic EL display device 50 of the present embodiment since the space V is provided between the inner metal layer 18ka and the outer metal layer 18kb and the second inorganic insulating film 36, the through hole H On the side, it is possible to suppress the propagation of cracks generated in the second inorganic insulating film 36 to the display region D side.
  • FIG. 29 shows a second embodiment of the display device according to the present invention.
  • FIG. 29 is a cross-sectional view of the separation wall Ej that constitutes the organic EL display device of the present embodiment.
  • the same parts as those in FIGS. 1 to 28 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
  • the organic EL display device 50 in which the resin layer forming the separation wall includes the inner protruding portion Ja and the outer protruding portion Jb is illustrated, but in the present embodiment, the resin forming the separating wall Ej.
  • the organic EL display device according to the present embodiment is substantially the same as the organic EL display device 50 according to the first embodiment except for the separation wall Ej. Therefore, the structure of the separation wall Ej will be described below. To do.
  • the separation wall Ej is formed on the second interlayer insulating film 17 on the through hole H side in a frame-like inner metal layer 18s and on the second interlayer insulating film 17 and the inner metal layer 18s.
  • the resin layer 19gd provided in a frame shape.
  • the inner metal layer 18s is formed of the same material as the source line 18f and the power supply line 18g in the same layer.
  • the inner metal layer 18s includes a first constituent metal layer 61, a second constituent metal layer 62, and a third constituent metal layer 63, which are sequentially provided from the resin substrate layer 10 side.
  • the first constituent metal layer 61 and the third constituent metal layer are provided so as to project more than the second constituent metal layer 62, as shown in FIG. 29.
  • a space V is provided between the inner metal layer 18s and the second inorganic insulating film 36.
  • the space V is provided so as to be surrounded by the second inorganic insulating film 36, the resin layer 19gd, and the second interlayer insulating film 17 on the through hole H side of the separation wall Ej. ..
  • the resin layer 19gd is formed of the same material as the flattening film 19a in the same layer. Further, as shown in FIG. 29, the resin layer 19gd includes an inner protruding portion Ja provided so as to protrude from the inner metal layer 18ka to the through hole H side in an eaves shape.
  • the second electrode 24 is provided on the separation wall Ej so as to extend from the display region D to the through hole H, and is separated at the inner protruding portion Ja.
  • the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, the electron transport layer 4, and the electron injection layer 5 are not shown in FIG. 29, the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, and the electron transport layer 4 are shown.
  • the common functional layer including the electron injection layer 5 is provided on the separation wall Ej so as to extend from the display region D to the through hole H, and is separated at the inner protruding portion Ja.
  • the second inorganic insulating film 36 and the third inorganic insulating film 38 forming the sealing film 40 are provided on the separation wall Ej so as to extend from the display region D to the through hole H and protrude inward.
  • the second inorganic insulating film 36 is provided on the resin substrate layer 10 side of the portion Ja. Further, on the resin substrate layer 10 side of the inner protruding portion Ja, as shown in FIG. 2, the second interlayer insulating film 17 and the second inorganic insulating film 36 are in contact with each other.
  • the organic EL display device including the separation wall Ej having the structure on the side of the through hole H of the separation wall Ea in the first embodiment is illustrated, but instead of the separation wall Ej, the above-described first embodiment is used. You may use the partition wall which has the structure of the through-hole H side of the partition walls Eb-Ei of each modification of 1st Embodiment.
  • the separation wall Ej is provided along the frame.
  • the separation wall Ej includes the inner metal layer 18s provided on the second interlayer insulating film 17 in the same layer in the same layer as the source line 18f and the power supply line 18g in a frame shape, the second interlayer insulating film 17 and the metal.
  • a resin layer 19gd provided in a frame shape is provided on the layer 18s.
  • the resin layer 19gd includes an inner protruding portion Ja provided so as to project from the inner metal layer 18s toward the through hole H side in an eaves shape.
  • the common functional layer (hole injection layer 1, hole transport layer 2, electron transport layer 4, electron injection layer 5) and the second electrode 24 are placed on the display region D side and the through hole H in the inner protrusion Ja.
  • the side and the side are formed separately from each other.
  • the common functional layer (hole injection layer 1, hole transport layer 2, electron transport layer 4, electron injection layer 5) and the second electrode 24 are provided on the display region D side without using a negative photosensitive material.
  • the through hole H side can be formed separately. Therefore, the common functional layer (hole injection layer 1, hole transport layer 2, electron transport layer) can be separated into the display region D side and the through hole H side. 4, the electron injection layer 5) and the second electrode 24 can be formed at low cost.
  • the second interlayer insulating film 17 of the TFT layer 20 and the second inorganic insulating film 36 of the sealing film 40 are provided on the resin substrate layer 10 side of the inner protruding portion Ja. Are in contact with each other, the sealing performance of the sealing film 40 can be secured, and deterioration of the organic EL element 25 can be suppressed.
  • the organic EL display device of the present embodiment since the space V is provided between the inner metal layer 18s and the second inorganic insulating film 36, the second inorganic insulating film is formed on the through hole H side. Propagation of cracks generated in the film 36 to the display region D side can be suppressed.
  • the organic EL layer having a five-layer laminated structure of the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer is exemplified. It may have a three-layer laminated structure of a layer/hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer/electron injection layer.
  • the organic EL display device in which the first electrode is the anode and the second electrode is the cathode has been illustrated, but the present invention reverses the laminated structure of the organic EL layer and the first electrode is the cathode. And can be applied to an organic EL display device using the second electrode as an anode.
  • the organic EL display device in which the electrode of the TFT connected to the first electrode is used as the drain electrode is illustrated, but the present invention uses the electrode of the TFT connected to the first electrode as the source electrode. It can also be applied to a so-called organic EL display device.
  • the organic EL display device 50 in which the circular through hole H is formed in a plan view is illustrated, but the through hole H has a polygonal shape such as a rectangular shape in a plan view. Good.
  • the organic EL display device 50 including the sealing film 40 in which the organic insulating film 37 is provided between the second inorganic insulating film 36 and the third inorganic insulating film 38 is illustrated, but The invention is also applicable to an organic EL display device in which an organic vapor deposition film is formed between the second inorganic insulating film 36 and the third inorganic insulating film 38, and then the organic vapor deposition film is ashed to cover foreign matter with the organic vapor deposition film. Can be applied. With such a structure of the sealing film, the sealing performance can be ensured by the third inorganic insulating film even if a foreign substance is present on the display region, and the reliability can be improved.
  • the organic EL display device 50 having the structure in which the inner metal layer is provided on the resin substrate layer 10 side of the resin layer including the inner protruding portion Ja is illustrated, but the present invention is not limited to the resin layer. It is also applicable to an organic EL display device having a structure in which the inner metal layer on the resin substrate layer 10 side is completely removed by etching and does not remain.
  • the organic EL display device has been described as an example of the display device, but the present invention is not limited to the organic EL display device and can be applied to any flexible display device.
  • the present invention can be applied to a flexible display device including a QLED or the like which is a light emitting element using a quantum dot containing layer.
  • the present invention is useful for flexible display devices.

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Abstract

表示領域の内部に島状に規定され、貫通孔（Ｈ）が形成された非表示領域には、貫通孔（Ｈ）の周縁に沿って分離壁（Ｅａ）が枠状に設けられ、分離壁（Ｅａ）は、第１無機絶縁膜（１７）上に貫通孔（Ｈ）側に枠状に設けられた内側金属層（１８ｋａ）と、第１無機絶縁膜（１７）及び内側金属層（１８ｋａ）上に枠状に設けられた樹脂層（１９ｇａ）とを備え、樹脂層（１９ｇａ）は、内側金属層（１８ｋａ）から突出するように庇状に設けられた内側突出部（Ｊａ）を備えている。

Description

表示装置
　本発明は、表示装置に関するものである。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（electroluminescence、以下、ＥＬとも称する）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。ここで、有機ＥＬ素子は、例えば、発光層を含む有機ＥＬ層と、その有機ＥＬ層の一方の表面側に設けられた第１電極と、その有機ＥＬ層の他方の表面側に設けられた第２電極とを備えている。
　例えば、特許文献１には、蒸着法により形成される有機ＥＬ層及び第２電極が、逆テーパ状部を有する隔壁によって分割された有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルが開示されている。
特開２００７－２５０５２０号公報
　ところで、有機ＥＬ表示装置では、画像表示を行う表示領域の内部に、例えば、カメラや指紋センサー等を配置させるために、島状の非表示領域を設け、その非表示領域に厚さ方向に貫通する貫通孔を設けることが要望されている。しかしながら、表示領域には、蒸着法により形成される共通機能層が配置されているので、表示領域の内部に上述した貫通孔が設けられていると、貫通孔から露出する共通機能層を介して、表示領域に水分等が流入するおそれがある。そうなると、有機ＥＬ素子を構成する有機ＥＬ層が劣化してしまうので、貫通孔の周辺で表示領域側と貫通孔側とに分離して共通機能層を形成する必要がある。なお、表示領域の内部の貫通孔及びその周辺部に共通機能層が形成されないように蒸着マスクを作製することは、技術的に困難である。ここで、表示領域側と貫通孔側とに分離して共通機能層を形成するために、上記特許文献１に記載された逆テーパ状の構造体を用いることは有効であるものの、逆テーパ状の構造体には、ネガ型の感光性材料が必要になり、製造コストが高くなるので、改善の余地がある。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、表示領域側と貫通孔側とに分離して共通機能層を低コストで形成することにある。
　上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、画像表示を行う表示領域、該表示領域の周囲に額縁領域、及び該表示領域の内部に島状の非表示領域がそれぞれ規定されたベース基板と、上記ベース基板上に設けられ、少なくとも１層の第１無機絶縁膜を含む薄膜トランジスタ層と、上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、複数の発光素子が配列された発光素子層と、上記発光素子層上に設けられ、第２無機絶縁膜及び第３無機絶縁膜を含む封止膜とを備え、上記各発光素子には、第１電極、機能層及び第２電極が順に積層され、上記非表示領域に上記ベース基板の厚さ方向に貫通する貫通孔が形成された表示装置であって、上記非表示領域には、上記貫通孔の周縁に沿って分離壁が枠状に設けられ、上記分離壁は、上記第１無機絶縁膜上に上記貫通孔側に枠状に設けられた内側金属層と、上記第１無機絶縁膜及び該内側金属層上に枠状に設けられた樹脂層とを備え、上記樹脂層は、上記内側金属層から突出するように庇状に設けられた内側突出部を備え、上記表示領域には、上記複数の発光素子に対応して、複数のサブ画素が配列され、上記機能層は、上記複数のサブ画素に共通して設けられた共通機能層を含み、上記共通機能層は、上記表示領域から上記貫通孔にわたるように上記分離壁上に設けられていると共に、上記内側突出部において切り離され、上記第２無機絶縁膜及び上記第３無機絶縁膜は、上記表示領域から上記貫通孔にわたるように上記分離壁を覆うように設けられ、上記内側突出部の上記ベース基板側には、上記第２無機絶縁膜が設けられていることを特徴とする。
　本発明によれば、分離壁が薄膜トランジスタ層の第１無機絶縁膜上に貫通孔側に枠状に設けられた内側金属層と、第１無機絶縁膜及び内側金属層上に枠状に設けられた樹脂層とを備え、樹脂層が内側金属層から突出するように庇状に設けられた内側突出部を備えているので、表示領域側と貫通孔側とに分離して共通機能層を低コストで形成することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の平面図である。 図３は、図１中のIII－III線に沿った有機ＥＬ表示装置の断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成するＴＦＴ層の等価回路図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層の断面図である。 図６は、図１中のVI－VI線に沿った有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図である。 図７は、図１中のVII－VII線に沿った有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図である。 図８は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の非表示領域の平面図である。 図９は、図８中のIX－IX線に沿った有機ＥＬ表示装置の非表示領域の断面図である。 図１０は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁を形成する際の平坦化膜形成工程を示す断面図である。 図１１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁を形成する際のエッチング工程を示す断面図である。 図１２は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁の第１変形例の断面図である。 図１３は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁の第１変形例を形成する際の第１のエッチングする工程を示す断面図である。 図１４は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁の第１変形例を形成する際の第２のエッチングする工程を示す断面図である。 図１５は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁の第２変形例の断面図である。 図１６は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁の第２変形例を形成する際の第２層間絶縁膜を形成する工程を示す断面図である。 図１７は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁の第２変形例を形成する際の第２層間絶縁膜をパターニングする工程を示す断面図である。 図１８は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁の第２変形例を形成する際の平坦化膜を形成する工程を示す断面図である。 図１９は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁の第２変形例を形成する際のエッチングする工程を示す断面図である。 図２０は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁の第３変形例の断面図である。 図２１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁の第３変形例を形成する際のエッジカバーを形成する工程を示す断面図である。 図２２は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁の第３変形例を形成する際のレジストパターンを形成する工程を示す断面図である。 図２３は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁の第３変形例を形成する際のエッチングする工程を示す断面図である。 図２４は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁の第４変形例の断面図である。 図２５は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁の第５変形例の断面図である。 図２６は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁の第６変形例の断面図である。 図２７は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁の第７変形例の断面図である。 図２８は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁の第８変形例の断面図である。 図２９は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁の断面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《第１の実施形態》
　図１～図２８は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０の概略構成を示す平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０の表示領域Ｄの平面図である。また、図３は、図１中のIII－III線に沿った有機ＥＬ表示装置５０の断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０を構成するＴＦＴ層２０の等価回路図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０を構成する有機ＥＬ層２３の断面図である。また、図６及び図７は、図１中のVI－VI線及びVII－VII線に沿った有機ＥＬ表示装置５０の額縁領域Ｆの断面図である。また、図８は、有機ＥＬ表示装置５０の非表示領域Ｎの平面図である。また、図９は、図８中のIX－IX線に沿った有機ＥＬ表示装置５０の非表示領域Ｎの断面図である。
　有機ＥＬ表示装置５０は、図１に示すように、例えば、矩形状に設けられた画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に矩形枠状に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。なお、本実施形態では、矩形状の表示領域Ｄを例示したが、この矩形状には、例えば、辺が円弧状になった形状、角部が円弧状になった形状、辺の一部に切り欠きがある形状等の略矩形状も含まれている。
　表示領域Ｄには、図２に示すように、複数のサブ画素Ｐがマトリクス状に配列されている。また、表示領域Ｄでは、図２に示すように、例えば、赤色の表示を行うための赤色発光領域Ｌｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の表示を行うための緑色発光領域Ｌｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の表示を行うための青色発光領域Ｌｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように設けられている。なお、表示領域Ｄでは、例えば、赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ及び青色発光領域Ｌｂを有する隣り合う３つのサブ画素Ｐにより、１つの画素が構成されている。また、表示領域Ｄの内部には、図１に示すように、非表示領域Ｎが島状に設けられている。ここで、非表示領域Ｎには、図１に示すように、例えば、カメラや指紋センサー等を配置させるために、後述する樹脂基板層１０の厚さ方向に貫通する貫通孔Ｈが設けられている。なお、非表示領域Ｎの詳細な構造等については、図８及び図９を用いて、後述する。
　額縁領域Ｆの図１中右端部には、端子部Ｔが一方向（図中縦方向）に延びるように設けられている。また、額縁領域Ｆにおいて、図１に示すように、端子部Ｔの表示領域Ｄ側には、図中縦方向を折り曲げの軸として、例えば、１８０°に（Ｕ字状に）折り曲げ可能な折り曲げ部Ｂが一方向（図中縦方向）に延びるように設けられている。ここで、額縁領域Ｆにおいて、後述する平坦化膜１９ａには、図１、図３及び図６に示すように、略Ｃ状のトレンチＧが平坦化膜１９ａを貫通するように設けられている。なお、トレンチＧは、図１に示すように、平面視で端子部Ｔ側が開口するように略Ｃ字状に設けられている。
　有機ＥＬ表示装置５０は、図３、図６、図７及び図９に示すように、ベース基板として設けられた樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられた薄膜トランジスタ（thin film transistor、以下、ＴＦＴとも称する）層２０と、ＴＦＴ層２０上に発光素子層として設けられた有機ＥＬ素子層３０と、有機ＥＬ素子層３０上に設けられた封止膜４０とを備えている。
　樹脂基板層１０は、例えば、ポリイミド樹脂等により構成されている。
　ＴＦＴ層２０は、図３に示すように、樹脂基板層１０上に第１無機絶縁膜として設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ及び複数のキャパシタ９ｃと、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ及び各キャパシタ９ｃ上に設けられた平坦化膜１９ａとを備えている。ここで、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中横方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線１４が設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数のソース線１８ｆが第２配線層として設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数の電源線１８ｇが第２配線層として設けられている。そして、各電源線１８ｇは、図２に示すように、各ソース線１８ｆと隣り合うように設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図４に示すように、サブ画素Ｐ毎に、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及びキャパシタ９ｃが設けられている。
　ベースコート膜１１は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　第１ＴＦＴ９ａは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応するゲート線１４及びソース線１８ｆに電気的に接続されている。また、第１ＴＦＴ９ａは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ａ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ａ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂを備えている。ここで、半導体層１２ａは、例えば、低温ポリシリコン膜により、図３に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図３に示すように、半導体層１２ａを覆うように第１無機絶縁膜として設けられている。また、ゲート電極１４ａは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ａのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図３に示すように、ゲート電極１４ａを覆うように第１無機絶縁膜として順に設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ａのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続されている。なお、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　第２ＴＦＴ９ｂは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに電気的に接続されている。また、第２ＴＦＴ９ｂは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ｂ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ｂ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄを備えている。ここで、半導体層１２ｂは、例えば、低温ポリシリコン膜により、図３に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図３に示すように、半導体層１２ｂを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ｂは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ｂのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図３に示すように、ゲート電極１４ｂを覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ｂのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続されている。
　なお、本実施形態では、トップゲート型の第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを例示したが、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂは、ボトムゲート型のＴＦＴであってもよい。
　キャパシタ９ｃは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに電気的に接続されている。ここで、キャパシタ９ｃは、図３に示すように、ゲート電極１４ａ及び１４ｂと同一材料により同一層に形成された下側導電層１４ｃと、下側導電層１４ｃを覆うように設けられた第１層間絶縁膜１５と、第１層間絶縁膜１５上に下側導電層１４ｃと重なるように第１配線層として設けられた上側導電層１６ｃとを備えている。なお、上側導電層１６ｃは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールを介して電源線１８ｇに電気的に接続されている。
　平坦化膜１９ａは、例えば、ポリイミド樹脂等のポジ型の感光性樹脂により構成されている。
　有機ＥＬ素子層３０は、図３に示すように、平坦化膜１９ａ上にマトリクス状に配列するように複数の発光素子として設けられた複数の有機ＥＬ素子２５を備えている。
　有機ＥＬ素子２５は、図３に示すように、平坦化膜１９ａ上に設けられた第１電極２１ａと、第１電極２１ａ上に機能層として設けられた有機ＥＬ層２３と、複数のサブ画素Ｐに共通するように有機ＥＬ層２３上に設けられた第２電極２４とを備えている。
　第１電極２１ａは、図３に示すように、平坦化膜１９ａに形成されたコンタクトホールを介して、各サブ画素Ｐの第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに電気的に接続されている。また、第１電極２１ａは、有機ＥＬ層２３にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極２１ａは、有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極２１ａを構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）、スズ（Ｓｎ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極２１ａを構成する材料は、例えば、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極２１ａを構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極２１ａは、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな化合物材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。さらに、第１電極２１ａの周端部は、複数のサブ画素Ｐに共通して格子状に設けられたエッジカバー２２ａで覆われている。ここで、エッジカバー２２ａを構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等のポジ型の感光性樹脂が挙げられる。また、エッジカバー２２ａの表面の一部は、図３に示すように、図中上方に突出して、島状に設けられた画素フォトスペーサになっている。
　有機ＥＬ層２３は、図５に示すように、第１電極２１ａ上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
　正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極２１ａと有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極２１ａから有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を改善する機能を有し、複数のサブ画素Ｐに共通する共通機能層として設けられている。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。なお、共通機能層は、ＣＭＭ（コモンメタルマスク）を用いて形成される機能層である。このＣＭＭは、１つの表示装置に対応して、１つの開口が設けられたマスクであるため、貫通孔Ｈに対応する領域を遮蔽するパターンを設けることができない。そのため、共通機能層は、貫通孔Ｈに対応する領域にも蒸着されてしまう。これに対して、個別機能層は、ＦＭＭ（ファインメタルマスク）を用いて形成される機能層である。このＦＭＭは、色毎に（例えば、赤色及び緑色で共通である機能層も含む）に開口が設けられたマスクである。また、機能層は、上述した正孔注入層の他に、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５、ブロッキング層、キャップ層等を含む。
　正孔輸送層２は、第１電極２１ａから有機ＥＬ層２３への正孔の輸送効率を向上させる機能を有し、複数のサブ画素Ｐに共通する共通機能層として設けられている。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
　発光層３は、第１電極２１ａ及び第２電極２４による電圧印加の際に、第１電極２１ａ及び第２電極２４から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
　電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有し、複数のサブ画素Ｐに共通する共通機能層として設けられている。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
　電子注入層５は、第２電極２４と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極２４から有機ＥＬ層２３へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子２５の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれ、複数のサブ画素Ｐに共通する共通機能層として設けられている。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
　なお、上述した共通機能層は、例示であって、何れかの層が上述した個別機能層であってもよい。また、例えば、紫外光や青色光を発光する発光層からＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）等で色変換を行い、表示装置を構成する場合は、発光層が共通機能層であってもよい。
　第２電極２４は、図３に示すように、各有機ＥＬ層２３及びエッジカバー２２ａを覆うように設けられている。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３に電子を注入する機能を有している。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極２４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極２４は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
　封止膜４０は、図３、図６、図７及び図９に示すように、第２電極２４を覆うように設けられた第２無機絶縁膜３６と、第２無機絶縁膜３６上に設けられた有機絶縁膜３７と、有機絶縁膜３７を覆うように設けられた第３無機絶縁膜３８を備え、有機ＥＬ層２３を水分や酸素等から保護する機能を有している。ここで、第２無機絶縁膜３６及び第３無機絶縁膜３８は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料により構成されている。また、有機絶縁膜３７は、例えば、アクリル樹脂、ポリ尿素樹脂、パリレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂等の有機材料により構成されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０は、図１に示すように、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄを囲むように枠状に設けられた第１外部堰止壁Ｗａと、第１外部堰止壁Ｗａを囲むように枠状に設けられた第２外部堰止壁Ｗｂとを備えている。
　第１外部堰止壁Ｗａは、図６に示すように、平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成された第１下側樹脂層１９ｂと、第１下側樹脂層１９ｂ上に第１導電層２１ｂを介して設けられ、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された第１上側樹脂層２２ｃとを備えている。ここで、第１導電層２１ｂは、図６に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧ、第１外部堰止壁Ｗａ及び第２外部堰止壁Ｗｂと重なるように、略Ｃ字状に設けられている。なお、第２導電層２１ｂは、第１電極２１ａと同一材料により同一層に形成されている。
　第２外部堰止壁Ｗｂは、図６に示すように、平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成された第２下側樹脂層１９ｃ、第２下側樹脂層１９ｃ上に第１導電層２１ｂを介して設けられ、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された第２上側樹脂層２２ｄとを備えている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０は、図３及び図６に示すように、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄを囲んで第１外部堰止壁Ｗａ及び第２外部堰止壁Ｗｂと重なるように、トレンチＧの外側に略Ｃ字状に設けられた第１額縁配線１８ｈを備えている。ここで、第１額縁配線１８ｈは、端子部Ｔにおいて、低電源電圧（ＥＬＶＳＳ）が入力される電源端子に電気的に接続されている。また、第１額縁配線１８ｈは、図６に示すように、第２導電層２１ｂを介して、第２電極２４に電気的に接続されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０は、図３に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの内側に略Ｃ字状に設けられた第２額縁配線１８ｉを備えている。ここで、第２額縁配線１８ｉは、端子部Ｔにおいて、高電源電圧（ＥＬＶＤＤ）が入力される電源端子に電気的に接続されている。また、第２額縁配線１８ｉは、表示領域Ｄ側において、表示領域Ｄに配置された複数の電源線１８ｇに電気的に接続されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０は、図７に示すように、折り曲げ部Ｂにおいて、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成されたスリットＳを埋めるように設けられた下層平坦化膜８ａと、下層平坦化膜８ａ及び第２層間絶縁膜１７上に設けられた複数の引き回し配線１８ｊと、各引き回し配線１８ｊを覆うように設けられた配線被覆層１９ｄとを備えている。
　スリットＳは、図７に示すように、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７を貫通して、樹脂基板層１０の表面を露出させるように、折り曲げ部Ｂの延びる方向に沿って突き抜ける溝状に設けられている。
　下層平坦化膜８ａは、例えば、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。
　複数の引き回し配線１８ｊは、折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられている。ここで、各引き回し配線１８ｊの両端部は、図７に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して第１ゲート導電層１４ｃ及び第２ゲート導電層１４ｄにそれぞれ電気的に接続されている。なお、引き回し配線１８ｊは、ソース線１８ｆや電源線１８ｇと同一材料により同一層に形成されている。また、第１ゲート導電層１４ｃは、図７に示すように、ゲート絶縁膜１３及び第１層間絶縁膜１５の間に設けられ、表示領域Ｄに延びる信号配線（ゲート線１４、ソース線１８ｆ等）に電気的に接続されている。また、第２ゲート導電層１４ｄは、図７に示すように、ゲート絶縁膜１３及び第１層間絶縁膜１５の間に設けられ、例えば、端子部Ｔの信号端子に電気的に接続されている。また、配線被覆層１９ｄは、平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０は、図３、図６及び図９に示すように、額縁領域Ｆ及び非表示領域Ｎにおいて、平坦化膜１９ａ上に、図中上方に突出するように、島状に設けられた複数の周辺フォトスペーサ２２ｂを備えている。ここで、各周辺フォトスペーサ２２ｂは、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成されている。なお、周辺フォトスペーサ２２ｂは、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された樹脂層と、他の樹脂層とを積層して形成されていてもよい。
　また、有機ＥＬ表示装置５０は、図８及び図９に示すように、非表示領域Ｎにおいて、貫通孔Ｈの周縁に沿って枠状に設けられた分離壁Ｅａを備えている。
　分離壁Ｅａは、図９に示すように、第２層間絶縁膜１７上に貫通孔Ｈ側に枠状に設けられた内側金属層１８ｋａと、第２層間絶縁膜１７上に表示領域Ｄ側に枠状に設けられた外側金属層１８ｋｂと、第２層間絶縁膜１７、内側金属層１８ｋａ及び外側金属層１８ｋｂ上に枠状に設けられた樹脂層１９ｇａとを備えている。
　内側金属層１８ｋａ及び外側金属層１８ｋｂは、ソース線１８ｆや電源線１８ｇと同一材料により同一層に形成されている。また、内側金属層１８ｋａ及び外側金属層１８ｋｂは、図９に示すように、樹脂基板層１０側から順に設けられた第１構成金属層６１、第２構成金属層６２及び第３構成金属層６３をそれぞれ備えている。ここで、第１構成金属層６１及び第３構成金属層は、図９に示すように、第２構成金属層６２よりも突出するように設けられている。また、内側金属層１８ｋａ及び外側金属層１８ｋｂと第２無機絶縁膜３６との間には、図９に示すように、空間Ｖがそれぞれ設けられている。なお、空間Ｖは、図９に示すように、分離壁Ｅａの表示領域Ｄ側及び貫通孔Ｈ側において、第２無機絶縁膜３６、樹脂層１９ｇａ及び第２層間絶縁膜１７に囲まれるようにそれぞれ設けられている。
　樹脂層１９ｇａは、平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成されている。また、樹脂層１９ｇａは、図９に示すように、内側金属層１８ｋａから貫通孔Ｈ側に庇状に突出するように設けられた内側突出部Ｊａと、外側金属層１８ｋｂから表示領域Ｄ側に庇状に突出するように設けられた外側突出部Ｊｂとを備えている。ここで、第２電極２４は、図９に示すように、表示領域Ｄから貫通孔Ｈにわたるように分離壁Ｅａ上に設けられ、内側突出部Ｊａ及び外側突出部Ｊｂにおいて切り離されている。なお、図９では、正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４及び電子注入層５が図示されていないが、正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４及び電子注入層５を含む共通機能層は、第２電極２４と同様に、表示領域Ｄから貫通孔Ｈにわたるように分離壁Ｅａ上に設けられ、内側突出部Ｊａ及び外側突出部Ｊｂにおいて、切り離されている。さらに、封止膜４０を構成する第２無機絶縁膜３６及び第３無機絶縁膜３８は、図９に示すように、表示領域Ｄから貫通孔Ｈにわたるように分離壁Ｅａ上に設けられ、内側突出部Ｊａ及び外側突出部Ｊｂの樹脂基板層１０側には、第２無機絶縁膜３６が設けられている。また、内側突出部Ｊａ及び外側突出部Ｊｂの樹脂基板層１０側において、図９に示すように、第２層間絶縁膜１７と第２無機絶縁膜３６とが互いに接している。
　また、有機ＥＬ表示装置５０は、図８及び図９に示すように、非表示領域Ｎにおいて、分離壁Ｅａの表示領域Ｄ側に分離壁Ｅａの周囲に沿って枠状にそれぞれ設けられた第１内部堰止壁Ｗｃ及び第２内部堰止壁Ｗｄを備えている。
　第１内部堰止壁Ｗｃは、図９に示すように、平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成された第１下側樹脂層１９ｅと、第１下側樹脂層１９ｅ上に設けられ、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された第２上側樹脂層２２ｅとを備えている。ここで、第１内部堰止壁Ｗｃは、図９に示すように、非表示領域Ｎの表示領域Ｄ側において、有機絶縁膜３７の周端部と重なるように設けられている。
　第２内部堰止壁Ｗｄは、図９に示すように、平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成された第２下側樹脂層１９ｆと、第２下側樹脂層１９ｆ上に設けられ、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された第２上側樹脂層２２ｆとを備えている。ここで、第２内部堰止壁Ｗｄは、図９に示すように、非表示領域Ｎにおいて、第１内部堰止壁Ｗｃと分離壁Ｅａとの間に設けられている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０は、図９に示すように、非表示領域Ｎにおいて、分離壁Ｅａ及び貫通孔Ｈの間に、貫通孔Ｈの周縁に沿って枠状に設けられた一対の積層厚膜部Ｅｚを備えている。
　積層厚膜部Ｅｚは、図９に示すように、樹脂基板層１０上に順に複数の無機膜として設けられたベースコート膜１１、厚膜用半導体層１２ｃ、ゲート絶縁膜１３、厚膜用ゲート金属層１４ｅ、第１層間絶縁膜１５、厚膜用中間金属層１６ｄ、第２層間絶縁膜１７及び厚膜用ソース金属層１８ｍを備えている。これらの複数の無機膜は、音響コンプライアンス（体積／（密度×音速２））が同程度である。ここで、積層厚膜部Ｅｚにおける複数の無機膜（ベースコート膜１１～厚膜用ソース金属層１８ｍ）の総厚Ｙａは、図９に示すように、積層厚膜部Ｅｚ及び分離壁Ｅａの間における複数の無機膜（ベースコート膜１１～第２層間絶縁膜１７）の総厚Ｙｂよりも大きくなっている。また、厚膜用半導体層１２ｃは、ＴＦＴ層２０を構成する半導体層１２ａ及び１２ｂ（無機膜）と同一材料により同一層に形成されている。また、厚膜用ゲート金属層１４ｅは、ＴＦＴ層２０を構成する金属層（無機膜）のゲート線１４と同一材料により同一層に形成されている。また、厚膜用中間金属層１６ｄは、ＴＦＴ層２０を構成する金属層（無機膜）の上側導電層１６ｃと同一材料により同一層に形成されている。また、ＴＦＴ層２０を構成する金属層（無機膜）の厚膜用ソース金属層１８ｍは、ソース線１８ｆや電源線１８ｇと同一材料により同一層に形成されている。この構成によれば、周囲の無機膜よりも厚い積層厚膜部Ｅｚを形成することにより、半導体層及び無機絶縁膜におけるクラックの伝播を抑制することができる。なお、積層厚膜部Ｅｚと封止膜４０（第２無機絶縁膜３６）との間には、図９に示すように、平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成された厚膜部樹脂層１９ｈが設けられている。
　非表示領域Ｎにおいて、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図９に示すように、貫通孔Ｈの端面まで達しないように設けられている。ここで、貫通孔Ｈの周縁部では、無機膜に伝播するクラックを抑制するために、クラックの発生し易い半導体層及び無機絶縁膜を薄く形成する方がよい。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０は、各サブ画素Ｐにおいて、ゲート線１４を介して第１ＴＦＴ９ａにゲート信号を入力することにより、第１ＴＦＴ９ａをオン状態にし、ソース線１８ｆを介して第２ＴＦＴ９ｂのゲート電極１４ｂ及びキャパシタ９ｃにデータ信号を書き込み、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧に応じた電源線１８ｇからの電流が有機ＥＬ層２３に供給されることにより、有機ＥＬ層２３の発光層３が発光して、画像表示を行うように構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置５０では、第１ＴＦＴ９ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧がキャパシタ９ｃによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで発光層３による発光が維持される。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０の製造方法について説明する。ここで、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０の製造方法は、ＴＦＴ層形成工程、有機ＥＬ素子層形成工程、封止膜形成工程、フレキ化工程及び貫通孔形成工程を備える。なお、図１０及び図１１は、分離壁Ｅａを形成する際の平坦化膜形成工程及びエッチング工程を示す断面図である。
　＜ＴＦＴ層形成工程＞
　例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、キャパシタ９ｃ、及び平坦化膜１９ａを形成して、ＴＦＴ層２０ａを形成する。
　ここで、第１ＴＦＴ９ａのソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂ等を形成する際には、まず、非表示領域Ｎにおいて、（例えば、厚さ３０ｎｍ程度のチタン膜等からなる）第１構成金属層６１と、（例えば、厚さ３００ｎｍ程度のアルミニウム膜等からなる）第２構成金属層６２と、（例えば、厚さ５０ｎｍ程度のチタン膜等からなる）第３構成金属層６３とが積層された内側金属形成層１８ｋｃ（図１０参照）及び外側金属形成層１８ｋｄ（図１０参照）を形成する。なお、本実施形態では、Ｔｉ（上層）／Ａｌ（中層）／Ｔｉ（下層）の３層構造のソース金属層を例示したが、ソース金属層は、Ｃｕ（上層）／Ｔｉ（下層）等の２層構造であってもよい。このＣｕ（上層）／Ｔｉ（下層）の２層構造の場合には、Ｃｕ（上層）の側面がＴｉ（下層）の側面よりも凹んで形成される。
　続いて、図１０に示すように、平坦化膜１９ａを形成する際に、非表示領域Ｎにおいて、樹脂層１９ｇａを形成する。
　さらに、樹脂層１９ｇａが露出するように、レジストパターン（不図示）を形成した後に、内側金属形成層１８ｋｃ及び外側金属形成層１８ｋｄをウエットエッチングにより側方から部分的に除去して、図１１に示すように、内側金属層１８ｋａ及び外側金属層１８ｋｂを形成する。
　＜有機ＥＬ素子層形成工程＞
　上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層２０の平坦化膜１９ａ上に、周知の方法を用いて、第１電極２１ａ、エッジカバー２２ａ、有機ＥＬ層２３（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）及び第２電極２４を形成することにより、有機ＥＬ素子２５を形成して、有機ＥＬ素子層３０を形成する。
　ここで、有機ＥＬ層２３及び第２電極２４を蒸着法により形成する際には、有機ＥＬ層２３を構成する正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４及び電子注入層５、並びに第２電極２４は、内側突出部Ｊａ及び外側突出部Ｊｂにおいて、段差により切り離されて形成される。
　＜封止膜形成工程＞
　まず、上記有機ＥＬ素子層形成工程で形成された有機ＥＬ素子２５が形成された基板表面に、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により成膜して、第２無機絶縁膜３６を形成する。
　続いて、第２無機絶縁膜３６が形成された基板表面に、例えば、インクジェット法により、アクリル樹脂等の有機樹脂材料を成膜して、有機絶縁膜３７を形成する。
　さらに、有機絶縁膜３７が形成された基板に対して、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により成膜して、第３無機絶縁膜３８を形成することにより、封止膜４０を形成する。
　＜フレキ化工程＞
　上記封止膜形成工程で封止膜４０が形成された基板表面に保護シート（不図示）を貼付した後に、樹脂基板層１０のガラス基板側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板層１０の下面からガラス基板を剥離させ、さらに、ガラス基板を剥離させた樹脂基板層１０の下面に保護シート（不図示）を貼付する。
　＜貫通孔形成工程＞
　上記フレキ化工程でガラス基板を剥離させた樹脂基板層１０に枠状（周状）に設けられた内側の積層厚膜部Ｅｚの内周側領域に、例えば、レーザー光を環状に走査しながら照射することにより、貫通孔Ｈを形成する。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０を製造することができる。
　ここで、本実施形態では、非表示領域Ｎに分離壁Ｅａが設けられた有機ＥＬ表示装置５０を例示したが、分離壁Ｅａの代わりに、分離壁Ｅｂ～Ｅｈが設けられた有機ＥＬ表示装置であってもよい。以下に、上記分離壁Ｅｂ～Ｅｈを用いた第１変形例～第８変形例について、説明する。なお、以下の各変形例において、図１～図１４と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　（第１変形例）
　図１２は、分離壁Ｅａの第１変形例である分離壁Ｅｂの断面図である。また、図１３及び図１４は、分離壁Ｅｂを形成する際の第１及び第２のエッチングする工程を示す断面図である。
　分離壁Ｅｂは、図１２に示すように、第２層間絶縁膜１７上に貫通孔Ｈ側に枠状に設けられた内側金属層１８ｐａと、第２層間絶縁膜１７上に表示領域Ｄ側に枠状に設けられた外側金属層１８ｐｂと、第２層間絶縁膜１７、内側金属層１８ｐａ及び外側金属層１８ｐｂ上に枠状に設けられた樹脂層１９ｇａとを備えている。
　内側金属層１８ｐａ及び外側金属層１８ｐｂは、ソース線１８ｆや電源線１８ｇと同一材料により同一層に形成されている。また、内側金属層１８ｐａ及び外側金属層１８ｐｂは、図１２に示すように、樹脂基板層１０側から順に設けられた第１構成金属層６１、第２構成金属層６２及び第３構成金属層６３をそれぞれ備えている。ここで、第１構成金属層６１及び第３構成金属層６３は、図１２に示すように、第２構成金属層６２よりも突出するように設けられている。また、第１構成金属層６１及び第３構成金属層６３は、図１２に示すように、樹脂層１９ｇａの内側突出部Ｊａ及び外側突出部Ｊｂと整合するように設けられている。また、内側突出部Ｊａ及び外側突出部Ｊｂの樹脂基板層１０側において、図１２に示すように、第１構成金属層６１と第２無機絶縁膜３６とが互いに接している。また、内側金属層１８ｐａ及び外側金属層１８ｐｂを構成する第２構成金属層６２と第２無機絶縁膜３６との間には、図１２に示すように、空間Ｖがそれぞれ設けられている。
　分離壁Ｅｂを形成するには、まず、上述したように、非表示領域Ｎにおいて、内側金属形成層１８ｋｃ及び外側金属形成層１８ｋｄ上に樹脂層１９ｇａを形成する（図１０参照）。
　続いて、樹脂層１９ｇａが露出するように、レジストパターン（不図示）を形成した後に、内側金属形成層１８ｋｃ及び外側金属形成層１８ｋｄをドライエッチングにより部分的に除去して、図１３に示すように、内側金属形成層１８ｐｃ及び外側金属形成層１８ｐｄを形成する。
　さらに、図１０に示すように、上記有機ＥＬ素子層形成工程において、第１電極２１ａを形成する際に、内側金属形成層１８ｐｃ及び外側金属形成層１８ｐｄを構成する第２構成金属層６２をウエットエッチングにより側方から部分的に除去して、図１４に示すように、内側金属層１８ｐａ及び外側金属層１８ｐｂを形成すればよい。
　上記構成の分離壁Ｅｂを備えた有機ＥＬ表示装置によれば、第１電極２１ａを形成する際のウエットエッチングと同時に内側金属層１８ｐａ及び外側金属層１８ｐｂを形成することができるので、新たなフォトリソグラフィー工程やエッチング工程を追加することなく、信頼性を向上させる分離壁Ｅｂを形成することができる。
　（第２変形例）
　図１５は、分離壁Ｅａの第２変形例である分離壁Ｅｃの断面図である。また、図１６、図１７、図１８及び図１９は、分離壁Ｅｃを形成する際の第２層間絶縁膜を形成する工程、第２層間絶縁膜をパターニングする工程、平坦化膜を形成する工程及びエッチングする工程を示す断面図である。
　分離壁Ｅｂは、図１５に示すように、第１層間絶縁膜１５上に貫通孔Ｈ側に枠状に設けられた内側金属層１６ｅａと、第１層間絶縁膜１５上に表示領域Ｄ側に枠状に設けられた外側金属層１６ｅｂと、第１層間絶縁膜１５、内側金属層１６ｅａ及び外側金属層１６ｅｂ上に中側絶縁層１７ｃを介して枠状に設けられた樹脂層１９ｇｂとを備えている。
　内側金属層１６ｅａ及び外側金属層１６ｅｂは、上側導電層１６ｃと同一材料により同一層に形成されている。ここで、内側金属層１６ｅａ及び外側金属層１６ｅｂと第２無機絶縁膜３６との間には、図１５に示すように、空間Ｖがそれぞれ設けられている。なお、空間Ｖは、図１５に示すように、分離壁Ｅｃの表示領域Ｄ側及び貫通孔Ｈ側において、第２無機絶縁膜３６、樹脂層１９ｇｂ及び第１層間絶縁膜１５に囲まれるようにそれぞれ設けられている。
　樹脂層１９ｇｂは、平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成されている。また、樹脂層１９ｇｂは、図１５に示すように、内側金属層１６ｅａから貫通孔Ｈ側に庇状に突出するように設けられた内側突出部Ｊａと、外側金属層１６ｅｂから表示領域Ｄ側に庇状に突出するように設けられた外側突出部Ｊｂとを備えている。
　分離壁Ｅｃを形成するには、第１ＴＦＴ９ａのソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂ等を形成する際に、まず、非表示領域Ｎにおいて、内側金属形成層１８ｅｃ（図１６参照）及び外側金属形成層１８ｅｄ（図１６参照）を形成する。
　続いて、図１６に示すように、非表示領域Ｎにおいて、内側金属形成層１８ｅｃ及び外側金属形成層１８ｅｄを覆うように第２層間絶縁膜１７を形成する。
　その後、図１７に示すように、第２層間絶縁膜１７をパターニングして、中側絶縁層１７ｃを形成する。
　さらに、平坦化膜１９ａを形成する際に、図１８に示すように、非表示領域Ｎにおいて、中側絶縁層１７ｃ上に樹脂層１９ｇｂを形成する。
　最後に、図１９に示すように、上記有機ＥＬ素子層形成工程において、第１電極２１ａを形成する際に、内側金属形成層１８ｅｃ及び外側金属形成層１８ｅｄをウエットエッチングにより側方から部分的に除去して、図１９に示すように、内側金属層１６ｅａ及び外側金属層１６ｅｂを形成すればよい。
　上記構成の分離壁Ｅｃを備えた有機ＥＬ表示装置によれば、第１電極２１ａを形成する際のウエットエッチングと同時に内側金属層１６ｅａ及び外側金属層１６ｅｂを形成することができるので、新たなフォトリソグラフィー工程やエッチング工程を追加することなく、信頼性を向上させる分離壁Ｅｃを形成することができる。
　（第３変形例）
　図２０は、分離壁Ｅａの第３変形例である分離壁Ｅｄの断面図である。また、図２１、図２２及び図２３は、分離壁Ｅｄを形成する際のエッジカバーを形成する工程、レジストパターンを形成する工程及びエッチングする工程を示す断面図である。
　分離壁Ｅｄは、図２０に示すように、第２層間絶縁膜１７上に貫通孔Ｈ側に枠状に設けられた内側金属層２１ｃａと、第２層間絶縁膜１７上に表示領域Ｄ側に枠状に設けられた外側金属層２１ｃｂと、第２層間絶縁膜１７、内側金属層２１ｃａ及び外側金属層２１ｃｂ上に枠状に設けられた樹脂層２２ｇとを備えている。
　内側金属層２１ｃａ及び外側金属層２１ｃｂは、第１電極２１ａと同一材料により同一層に形成されている。ここで、内側金属層２１ｃａ及び外側金属層２１ｃｂと第２無機絶縁膜３６との間には、図２０に示すように、空間Ｖがそれぞれ設けられている。なお、空間Ｖは、図２０に示すように、分離壁Ｅｄの表示領域Ｄ側及び貫通孔Ｈ側において、第２無機絶縁膜３６、樹脂層２２ｇ及び第２層間絶縁膜１７に囲まれるようにそれぞれ設けられている。
　樹脂層２２ｇは、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成されている。また、樹脂層２２ｇは、図２０に示すように、内側金属層２１ｃａから貫通孔Ｈ側に庇状に突出するように設けられた内側突出部Ｊａと、外側金属層２１ｃｂから表示領域Ｄ側に庇状に突出するように設けられた外側突出部Ｊｂとを備えている。
　分離壁Ｅｄを形成するには、まず、上記有機ＥＬ素子層形成工程において、第１電極２１ａを形成する際に、非表示領域Ｎにおいて、内側金属形成層２１ｃｃ（図２１参照）及び外側金属形成層２１ｃｄ（図２１参照）を形成する。
　続いて、エッジカバー２２ａ等を形成する際に、図２１に示すように、非表示領域Ｎにおいて、樹脂層２２ｇを形成する。
　さらに、図２２に示すように、樹脂層２２ｇの側面が露出するように、レジストパターンＲを形成した後に、レジストパターンＲから露出する内側金属形成層２１ｃｃ及び外側金属形成層２１ｃｄをウエットエッチングにより側方から部分的に除去して、図２３に示すように、内側金属層２１ｃａ及び外側金属層２１ｃｂを形成すればよい。
　上記構成の分離壁Ｅｄを備えた有機ＥＬ表示装置によれば、有機ＥＬ素子層形成工程でエッジカバー２２ａを形成した後に、次工程の蒸着工程まで基板表面を保護する保護レジストをレジストパターンＲとして利用して、信頼性を向上させる分離壁Ｅｄを形成することができる。
　（第４変形例）
　図２４は、分離壁Ｅａの第４変形例である分離壁Ｅｅの断面図である。
　分離壁Ｅｅは、図２４に示すように、第２層間絶縁膜１７上に貫通孔Ｈ側に枠状に設けられた内側金属層１８ｑａと、第２層間絶縁膜１７上に表示領域Ｄ側に枠状に設けられた外側金属層１８ｑｂと、第２層間絶縁膜１７、内側金属層１８ｑａ及び外側金属層１８ｑｂ上に枠状に設けられた樹脂層１９ｇａ、樹脂層１９ｇａ上に設けられた補強層２１ｄとを備えている。
　内側金属層１８ｑａ及び外側金属層１８ｑｂは、ソース線１８ｆや電源線１８ｇと同一材料により同一層に形成されている。ここで、内側金属層１８ｑａ及び外側金属層１８ｑｂと第２無機絶縁膜３６との間には、図２４に示すように、空間Ｖがそれぞれ設けられている。なお、空間Ｖは、図２４に示すように、分離壁Ｅｅの表示領域Ｄ側及び貫通孔Ｈ側において、第２無機絶縁膜３６、樹脂層１９ｇａ及び第２層間絶縁膜１７に囲まれるようにそれぞれ設けられている。
　補強層２１ｄは、第１電極２１ａと同一材料により同一層に形成され、上記有機ＥＬ素子層形成工程において、第１電極２１ａを形成する際に形成することができる。
　上記構成の分離壁Ｅｅを備えた有機ＥＬ表示装置によれば、樹脂層１９ｇａ上に補強層２１ｄが設けられているので、分離壁Ｅｅの損傷及び剥離を抑制することができる。
　（第５変形例）
　図２５は、分離壁Ｅａの第５変形例である分離壁Ｅｆの断面図である。
　分離壁Ｅｆは、図２５に示すように、第２層間絶縁膜１７上に貫通孔Ｈ側に枠状に設けられた内側金属層１８ｑａと、第２層間絶縁膜１７上に表示領域Ｄ側に枠状に設けられた外側金属層１８ｑｂと、第２層間絶縁膜１７、内側金属層１８ｑａ及び外側金属層１８ｑｂ上に枠状に設けられた下層樹脂層１９ｇａ、下層樹脂層１９ｇａ上に設けられた上層樹脂層２２ｈとを備えている。
　上層樹脂層２２ｈは、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成され、上記有機ＥＬ素子層形成工程において、エッジカバー２２ａを形成する際に形成することができる。
　上記構成の分離壁Ｅｆを備えた有機ＥＬ表示装置によれば、第２無機絶縁膜３６及び第３無機絶縁膜３８の表示領域Ｄまでの経路が長くなるので、第２無機絶縁膜３６及び第３無機絶縁膜３８におけるクラックの伝播を抑制することができ、信頼性を向上させる分離壁Ｅｆを形成することができる。
　（第６変形例）
　図２６は、分離壁Ｅａの第６変形例である分離壁Ｅｇの断面図である。
　分離壁Ｅｇは、上記第４変形例の分離壁Ｅｅと実質的に同じ構成をしており、分離壁Ｅｇの樹脂基板層１０側に樹脂充填層８ｂが設けられている。
　樹脂充填層８ｂは、図２６に示すように、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成された開口部Ｍを埋めるように設けられている。ここで、開口部Ｍは、図２６に示すように、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に、分離壁Ｅｇと重なると共に、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７を貫通するように枠状に設けられ、折り曲げ部ＢのスリットＳを形成する際に形成することができる。また、樹脂充填層８ｂは、折り曲げ部Ｂに設けられた下層平坦化膜８ａと同一材料により同一層に形成され、下層平坦化膜８ａを形成する際に形成することができる。
　上記構成の分離壁Ｅｇを備えた有機ＥＬ表示装置によれば、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成された開口部Ｍを埋めるように樹脂充填層８ｂが設けられているので、例えば、貫通孔Ｈ側において、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に発生したクラックの表示領域Ｄ側への伝播を抑制することができる。また、分離壁Ｅｇと重なるように樹脂充填層８ｂが設けられているので、クラックの伝播を抑制する構造を採用しても、貫通孔Ｈから非表示領域Ｎと表示領域Ｄとの境界までの距離を短くすることができる。
　（第７変形例）
　図２７は、分離壁Ｅａの第７変形例である分離壁Ｅｈの断面図である。
　分離壁Ｅｈは、図２７に示すように、第２層間絶縁膜１７上に貫通孔Ｈ側に枠状に設けられた内側金属層１８ｑａと、第２層間絶縁膜１７上に表示領域Ｄ側に枠状に設けられた外側金属層１８ｑｂと、第２層間絶縁膜１７上に内側金属層１８ｑａ及び外側金属層１８ｑｂの間に枠状に設けられた中側金属層１８ｑｃと、第２層間絶縁膜１７、内側金属層１８ｑａ、中側金属層１８ｑｃ及び外側金属層１８ｑｂ上に枠状に設けられた樹脂層１９ｇｃとを備えている。
　中側金属層１８ｑｃは、内側金属層１８ｑａ及び外側金属層１８ｑｂと同一材料により同一層に形成され、内側金属層１８ｑａ及び外側金属層１８ｑｂを形成する際に形成することができる。
　樹脂層１９ｇｃは、平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成されている。また、樹脂層１９ｇｃは、図２７に示すように、内側金属層１８ｑａから貫通孔Ｈ側に庇状に突出するように設けられた内側突出部Ｊａと、外側金属層１８ｑｂから表示領域Ｄ側に庇状に突出するように設けられた外側突出部Ｊｂとを備えている。
　上記構成の分離壁Ｅｈを備えた有機ＥＬ表示装置によれば、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成された開口部Ｍを埋めるように樹脂充填層８ｂが設けられているので、例えば、貫通孔Ｈ側において、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に発生したクラックの表示領域Ｄ側への伝播を抑制することができる。また、分離壁Ｅｈと重なるように樹脂充填層８ｂが設けられているので、クラックの伝播を抑制する構造を採用しても、貫通孔Ｈから非表示領域Ｎと表示領域Ｄとの境界までの距離を短くすることができる。また、樹脂充填層８ｂと樹脂層１９ｇｃとの間に延性を有する中側金属層１８ｑｃが設けられているので、例えば、貫通孔Ｈ側において、第２無機絶縁膜３６及び第３無機絶縁膜３８に発生したクラックが第１樹脂層１９ｇｃに伝播しても、樹脂充填層８ｂにクラックが伝播することを抑制することができる。
　（第８変形例）
　図２８は、分離壁Ｅａの第８変形例である分離壁Ｅｉの断面図である。
　分離壁Ｅｉは、図２８に示すように、第２層間絶縁膜１７上に貫通孔Ｈ側に枠状に順に設けられた内側金属層１６ｆａ、１８ｒａ及び２１ｅａと、第２層間絶縁膜１７上に表示領域Ｄ側に枠状に順に設けられた外側金属層１６ｆｂ、１８ｒｂ及び２１ｅｂと、第２層間絶縁膜１７、内側金属層２１ｅａ及び外側金属層２１ｅｂ上に枠状に設けられた樹脂層２２ｉとを備えている。
　内側金属層１６ｆａ及び外側金属層１６ｆｂは、上側導電層１６ｃと同一材料により同一層に形成され、上側導電層１６ｃを形成する際に形成することができる。
　内側金属層１８ｒａ及び外側金属層１８ｒｂは、ソース線１８ｆや電源線１８ｇと同一材料により同一層に形成され、ソース線１８ｆや電源線１８ｇを形成する際に形成することができる。
　内側金属層２１ｅａ及び外側金属層２１ｅｂは、第１電極２１ａと同一材料により同一層に形成され、第１電極２１ａを形成する際に形成することができる。
　樹脂層２２ｉは、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成され、エッジカバー２２ａを形成する際に形成することができる。ここで、樹脂層２２ｉは、図２８に示すように、内側金属層１６ｆａ、１８ｒａ及び２１ｅａから貫通孔Ｈ側に庇状に突出するように設けられた内側突出部Ｊａと、外側金属層１６ｆｂ、１８ｒｂ及び２１ｅｂから表示領域Ｄ側に庇状に突出するように設けられた外側突出部Ｊｂとを備えている。
　上記構成の分離壁Ｅｉを備えた有機ＥＬ表示装置によれば、３層の内側金属層１６ｆａ、１８ｒａ及び２１ｅａ及び３層の外側金属層１６ｆｂ、１８ｒｂ及び２１ｅｂを備えているので、第１層間絶縁膜１５の表面からの樹脂層２２ｉの内側突出部Ｊａ及び外側突出部Ｊｂの高さが高くなる。そのため、有機ＥＬ層２３を構成する正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４及び電子注入層５、並びに第２電極２４を、内側突出部Ｊａ及び外側突出部Ｊｂにおいて、段差により切り離されて形成され易くすることができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０によれば、表示領域Ｄの内部に島状に規定され、貫通孔Ｈが形成された非表示領域Ｎには、貫通孔Ｈの周縁に沿って分離壁Ｅａが枠状に設けられている。ここで、分離壁Ｅａは、第２層間絶縁膜１７上にソース線１８ｆや電源線１８ｇと同一材料により同一層に枠状に設けられた内側金属層１８ｋａ及び外側金属層１８ｋｂと、第２層間絶縁膜１７、内側金属層１８ｋａ及び外側金属層１８ｋｂ上に枠状に設けられた樹脂層１９ｇａとを備えている。そして、樹脂層１９ｇａは、内側金属層１８ｋａから貫通孔Ｈ側に庇状に突出するように設けられた内側突出部Ｊａと、外側金属層１８ｋｂから表示領域Ｄ側に庇状に突出するように設けられた外側突出部Ｊｂとを備えている。そのため、共通機能層（正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４、電子注入層５）及び第２電極２４は、内側突出部Ｊａ及び外側突出部Ｊｂにおいて、表示領域Ｄ側と貫通孔Ｈ側とにそれぞれ分離して切り離されて形成される。これにより、ネガ型の感光性材料を用いることなく、共通機能層（正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４、電子注入層５）及び第２電極２４を表示領域Ｄ側と貫通孔Ｈ側とに分離して形成することができるので、表示領域Ｄ側と貫通孔Ｈ側とに分離して共通機能層（正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４、電子注入層５）及び第２電極２４を低コストで形成することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０によれば、内側突出部Ｊａ及び外側突出部Ｊｂの樹脂基板層１０側において、ＴＦＴ層２０の第２層間絶縁膜１７と、封止膜４０の第２無機絶縁膜３６とが互いに接しているので、封止膜４０による封止性能を確保することができ、有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０によれば、内側金属層１８ｋａ及び外側金属層１８ｋｂと第２無機絶縁膜３６との間には、空間Ｖがそれぞれ設けられているので、貫通孔Ｈ側において、第２無機絶縁膜３６に発生したクラックの表示領域Ｄ側への伝播を抑制することができる。
　《第２の実施形態》
　図２９は、本発明に係る表示装置の第２の実施形態を示している。ここで、図２９は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁Ｅｊの断面図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図２８と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記第１の実施形態では、分離壁を構成する樹脂層が内側突出部Ｊａ及び外側突出部Ｊｂを備えた有機ＥＬ表示装置５０を例示したが、本実施形態では、分離壁Ｅｊを構成する樹脂層１９ｇｄが内側突出部Ｊａだけを備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。
　なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、分離壁Ｅｊ以外の構成が上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０と実質的に同じであるので、以下に、分離壁Ｅｊの構成について説明する。
　分離壁Ｅｊは、図２９に示すように、第２層間絶縁膜１７上に貫通孔Ｈ側に枠状に設けられた内側金属層１８ｓと、第２層間絶縁膜１７及び内側金属層１８ｓ上に枠状に設けられた樹脂層１９ｇｄとを備えている。
　内側金属層１８ｓは、ソース線１８ｆや電源線１８ｇと同一材料により同一層に形成されている。また、内側金属層１８ｓは、図２９に示すように、樹脂基板層１０側から順に設けられた第１構成金属層６１、第２構成金属層６２及び第３構成金属層６３を備えている。ここで、第１構成金属層６１及び第３構成金属層は、図２９に示すように、第２構成金属層６２よりも突出するように設けられている。また、内側金属層１８ｓと第２無機絶縁膜３６との間には、図２９に示すように、空間Ｖが設けられている。なお、空間Ｖは、図２９に示すように、分離壁Ｅｊの貫通孔Ｈ側において、第２無機絶縁膜３６、樹脂層１９ｇｄ及び第２層間絶縁膜１７に囲まれるようにそれぞれ設けられている。
　樹脂層１９ｇｄは、平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成されている。また、樹脂層１９ｇｄは、図２９に示すように、内側金属層１８ｋａから貫通孔Ｈ側に庇状に突出するように設けられた内側突出部Ｊａを備えている。ここで、第２電極２４は、図２９に示すように、表示領域Ｄから貫通孔Ｈにわたるように分離壁Ｅｊ上に設けられ、内側突出部Ｊａにおいて切り離されている。なお、図２９では、正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４及び電子注入層５が図示されていないが、正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４及び電子注入層５を含む共通機能層は、第２電極２４と同様に、表示領域Ｄから貫通孔Ｈにわたるように分離壁Ｅｊ上に設けられ、内側突出部Ｊａにおいて、切り離されている。さらに、封止膜４０を構成する第２無機絶縁膜３６及び第３無機絶縁膜３８は、図２に示すように、表示領域Ｄから貫通孔Ｈにわたるように分離壁Ｅｊに設けられ、内側突出部Ｊａの樹脂基板層１０側には、第２無機絶縁膜３６が設けられている。また、内側突出部Ｊａの樹脂基板層１０側において、図２に示すように、第２層間絶縁膜１７と第２無機絶縁膜３６とが互いに接している。
　なお、本実施形態では、上記第１の実施形態における分離壁Ｅａの貫通孔Ｈ側の構造を有する分離壁Ｅｊを備えた有機ＥＬ表示装置を例示したが、分離壁Ｅｊの代わりに、上記第１の実施形態の各変形例の分離壁Ｅｂ～Ｅｉの貫通孔Ｈ側の構造を有する分離壁を用いてもよい。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置によれば、表示領域Ｄの内部に島状に規定され、貫通孔Ｈが形成された非表示領域Ｎには、貫通孔Ｈの周縁に沿って分離壁Ｅｊが枠状に設けられている。ここで、分離壁Ｅｊは、第２層間絶縁膜１７上にソース線１８ｆや電源線１８ｇと同一材料により同一層に枠状に設けられた内側金属層１８ｓと、第２層間絶縁膜１７及び金属層１８ｓ上に枠状に設けられた樹脂層１９ｇｄを備えている。そして、樹脂層１９ｇｄは、内側金属層１８ｓから貫通孔Ｈ側に庇状に突出するように設けられた内側突出部Ｊａを備えている。そのため、共通機能層（正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４、電子注入層５）及び第２電極２４は、内側突出部Ｊａおいて、表示領域Ｄ側と貫通孔Ｈ側とにそれぞれ分離して切り離されて形成される。これにより、ネガ型の感光性材料を用いることなく、共通機能層（正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４、電子注入層５）及び第２電極２４を表示領域Ｄ側と貫通孔Ｈ側とに分離して形成することができるので、表示領域Ｄ側と貫通孔Ｈ側とに分離して共通機能層（正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４、電子注入層５）及び第２電極２４を低コストで形成することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置によれば、内側突出部Ｊａの樹脂基板層１０側において、ＴＦＴ層２０の第２層間絶縁膜１７と、封止膜４０の第２無機絶縁膜３６とが互いに接しているので、封止膜４０による封止性能を確保することができ、有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置によれば、内側金属層１８ｓと第２無機絶縁膜３６との間には、空間Ｖが設けられているので、貫通孔Ｈ側において、第２無機絶縁膜３６に発生したクラックの表示領域Ｄ側への伝播を抑制することができる。
　《その他の実施形態》
　上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
　また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、平面視で円形状の貫通孔Ｈが形成された有機ＥＬ表示装置５０を例示したが、貫通孔Ｈは、例えば、平面視で矩形状等の多角形状であってもよい。
　また、上記各実施形態では、第２無機絶縁膜３６及び第３無機絶縁膜３８の間に有機絶縁膜３７が設けられた封止膜４０を備えた有機ＥＬ表示装置５０を例示したが、本発明は、第２無機絶縁膜３６及び第３無機絶縁膜３８の間に有機蒸着膜を形成した後に、その有機蒸着膜をアッシングして、異物を有機蒸着膜で被覆する有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。このような封止膜の構成によれば、表示領域上に異物が存在しても、第３無機絶縁膜で封止性能を確保することができ、信頼性を向上させることができる。
　また、上記各実施形態では、内側突出部Ｊａを備えた樹脂層の樹脂基板層１０側に内側金属層が設けられた構造を有する有機ＥＬ表示装置５０を例示したが、本発明は、樹脂層の樹脂基板層１０側の内側金属層がエッチングにより完全に除去されて残存しない構造を有する有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、有機ＥＬ表示装置に限定されず、フレキシブルな表示装置であれば適用することができる。例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ等を備えたフレキシブルな表示装置に適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ｄ　　　　　　表示領域
Ｅａ～Ｅｊ　　分離壁
Ｅｚ　　　　　積層厚膜部
Ｆ　　　　　　額縁領域
Ｈ　　　　　　貫通孔
Ｊａ　　　　　内側突出部
Ｊｂ　　　　　外側突出部
Ｍ　　　　　　開口部
Ｎ　　　　　　非表示領域
Ｐ　　　　　　サブ画素
Ｖ　　　　　　空間
Ｗｃ　　　　　第１内部堰止壁
Ｗｄ　　　　　第２内部堰止壁
８ｂ　　　　　樹脂充填層
１０　　　　　樹脂基板層（ベース基板）
１１　　　　　ベースコート膜（第１無機絶縁膜、無機膜）
１２ａ，１２ｂ　　半導体層（無機膜）
１２ｃ　　　　厚膜用半導体層（無機膜）
１３　　　　　ゲート絶縁膜（第１無機絶縁膜、無機膜）
１４　　　　　ゲート線（金属層、無機膜）
１４ｅ　　　　厚膜用ゲート金属層（無機膜）
１５　　　　　第１層間絶縁膜（第１無機絶縁膜、下側第１無機絶縁膜、無機膜）
１６ｃ　　　　上側導電層（第１配線層、金属層、無機膜）
１６ｅａ，１６ｆａ　　内側金属層（第１金属層）
１６ｅｂ，１６ｆｂ　　外側金属層（第１金属層）
１６ｄ　　　　厚膜用中間金属層（第１配線層、無機膜）
１７　　　　　第２層間絶縁膜（第１無機絶縁膜、上側第１無機絶縁膜、無機膜）
１８ｆ　　　　ソース線（第２配線層、無機膜、金属層）
１８ｇ　　　　電源線（第２配線層、無機膜、金属層）
１８ｋａ，１８ｐａ，１８ｑａ，１８ｒａ，１８ｓ　　内側金属層（第２金属層）
１８ｋｂ，１８ｐｂ，１８ｑｂ，１８ｒｂ　　外側金属層（第２金属層）
１８ｍ　　　　厚膜用ソース金属層（無機膜）
１８ｑｃ　　　中側金属層
１９ａ　　　　平坦化膜
１９ｇａ　　　樹脂層、下層樹脂層
１９ｇｂ～１９ｇｄ　　樹脂層
２０　　　　　ＴＦＴ層（薄膜トランジスタ層）
２１ａ　　　　第１電極
２１ｃａ，２１ｅａ　　内側金属層（第３金属層）
２１ｃｂ，２１ｅｂ　　外側金属層（第３金属層）
２１ｄ　　　　補強層
２２ａ　　　　エッジカバー
２２ｈ　　　　上層樹脂層
２２ｇ，２２ｉ　　樹脂層
２３　　　　　有機ＥＬ層（機能層）
２４　　　　　第２電極
２５　　　　　有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子、発光素子）
３０　　　　　有機ＥＬ素子層（発光素子層）
３６　　　　　第２無機絶縁膜
３７　　　　　有機絶縁膜
３８　　　　　第３無機絶縁膜
４０　　　　　封止膜
５０　　　　　有機ＥＬ表示装置
６１　　　　　第１構成金属層
６２　　　　　第２構成金属層
６３　　　　　第３構成金属層

Claims (25)

  1. 　画像表示を行う表示領域、該表示領域の周囲に額縁領域、及び該表示領域の内部に島状の非表示領域がそれぞれ規定されたベース基板と、
    　上記ベース基板上に設けられ、少なくとも１層の第１無機絶縁膜を含む薄膜トランジスタ層と、
    　上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、複数の発光素子が配列された発光素子層と、
    　上記発光素子層上に設けられ、第２無機絶縁膜及び第３無機絶縁膜を含む封止膜とを備え、
    　上記各発光素子には、第１電極、機能層及び第２電極が順に積層され、
    　上記非表示領域に上記ベース基板の厚さ方向に貫通する貫通孔が形成された表示装置であって、
    　上記非表示領域には、上記貫通孔の周縁に沿って分離壁が枠状に設けられ、
    　上記分離壁は、上記第１無機絶縁膜上に上記貫通孔側に枠状に設けられた内側金属層と、上記第１無機絶縁膜及び該内側金属層上に枠状に設けられた樹脂層とを備え、
    　上記樹脂層は、上記内側金属層から突出するように庇状に設けられた内側突出部を備え、
    　上記表示領域には、上記複数の発光素子に対応して、複数のサブ画素が配列され、
    　上記機能層は、上記複数のサブ画素に共通して設けられた共通機能層を含み、
    　上記共通機能層は、上記表示領域から上記貫通孔にわたるように上記分離壁上に設けられていると共に、上記内側突出部において切り離され、
    　上記第２無機絶縁膜及び上記第３無機絶縁膜は、上記表示領域から上記貫通孔にわたるように上記分離壁を覆うように設けられ、
    　上記内側突出部の上記ベース基板側には、上記第２無機絶縁膜が設けられていることを特徴とする表示装置。
  2. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記分離壁は、上記第１無機絶縁膜上に上記表示領域側に枠状に設けられた外側金属層を備え、
    　上記樹脂層は、上記第１無機絶縁膜、上記内側金属層及び上記外側金属層上に設けられていると共に、上記外側金属層から突出するように庇状に設けられた外側突出部を備え、
    　上記共通機能層は、上記外側突出部において切り離され、
    　上記外側突出部の上記ベース基板側には、上記第２無機絶縁膜が設けられていることを特徴とする表示装置。
  3. 　請求項２に記載された表示装置において、
    　上記薄膜トランジスタ層は、上記発光素子層側に設けられた平坦化膜を備え、
    　上記樹脂層は、上記平坦化膜と同一材料により同一層に形成されていることを特徴とする表示装置。
  4. 　請求項２に記載された表示装置において、
    　上記発光素子層は、上記各発光素子の上記第１電極の周端部を覆うように設けられたエッジカバーを備え、
    　上記樹脂層は、上記エッジカバーと同一材料により同一層に形成されていることを特徴とする表示装置。
  5. 　請求項２に記載された表示装置において、
    　上記薄膜トランジスタ層は、上記発光素子層側に設けられた平坦化膜を備え、
    　上記発光素子層は、上記各発光素子の上記第１電極の周端部を覆うように設けられたエッジカバーを備え、
    　上記樹脂層は、上記平坦化膜と同一材料により同一層に形成された下層樹脂層と、上記エッジカバーと同一材料により同一層に形成された上層樹脂層とを積層して設けられていることを特徴とする表示装置。
  6. 　請求項２又は３に記載された表示装置において、
    　上記樹脂層上には、上記第１電極と同一材料により同一層に形成された補強層が設けられていることを特徴とする表示装置。
  7. 　請求項２～６の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記第１無機絶縁膜には、上記分離壁と重なると共に、該第１無機絶縁膜を貫通するように開口部が枠状に設けられ、
    　上記開口部には、該開口部を埋めるように樹脂充填層が設けられ、
    　上記分離壁は、上記樹脂充填層上に設けられていることを特徴とする表示装置。
  8. 　請求項７に記載された表示装置において、
    　上記分離壁と上記樹脂充填層との間には、中側金属層が設けられていることを特徴とする表示装置。
  9. 　請求項２～８の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記第１無機絶縁膜は、上記ベース基板側から順に設けられた下側第１無機絶縁膜及び上側第１無機絶縁膜を備え、
    　上記下側第１無機絶縁膜及び上記上側第１無機絶縁膜の間には、第１配線層が設けられ、
    　上記上側第１無機絶縁膜上には、第２配線層が設けられていることを特徴とする表示装置。
  10. 　請求項９に記載された表示装置において、
    　上記内側金属層及び上記外側金属層は、上記第１配線層と同一材料により同一層に形成された第１金属層を含んでいることを特徴とする表示装置。
  11. 　請求項９に記載された表示装置において、
    　上記内側金属層及び上記外側金属層は、上記第２配線層と同一材料により同一層に形成された第２金属層を含んでいることを特徴とする表示装置。
  12. 　請求項９に記載された表示装置において、
    　上記内側金属層及び上記外側金属層は、上記第１電極と同一材料により同一層に形成された第３金属層を含んでいることを特徴とする表示装置。
  13. 　請求項９に記載された表示装置において、
    　上記内側金属層及び上記外側金属層は、上記第１配線層と同一材料により同一層に形成された第１金属層、又は上記第２配線層と同一材料により同一層に形成された第２金属層と、上記第１電極と同一材料により同一層に形成された第３金属層とを積層して設けられていることを特徴とする表示装置。
  14. 　請求項２～１３の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記内側金属層及び上記外側金属層と上記第２無機絶縁膜との間には、空間がそれぞれ設けられていることを特徴とする表示装置。
  15. 　請求項２～１４の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記内側突出部及び上記外側突出部の上記ベース基板側において、上記第１無機絶縁膜と上記第２無機絶縁膜とが互いに接していることを特徴とする表示装置。
  16. 　請求項２～１５の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記内側金属層及び上記外側金属層は、上記ベース基板側から順に設けられた第１構成金属層及び第２構成金属層をそれぞれ備え、
    　上記第１構成金属層は、上記内側突出部及び上記外側突出部と整合するように設けられ、
    　上記内側突出部及び上記外側突出部の上記ベース基板側において、上記第１構成金属層と上記第２無機絶縁膜とが互いに接していることを特徴とする表示装置。
  17. 　請求項１６に記載された表示装置において、
    　上記第２構成金属層と上記第２無機絶縁膜との間には、空間が設けられていることを特徴とする表示装置。
  18. 　請求項１６又は１７に記載された表示装置において、
    　上記内側金属層及び上記外側金属層は、上記第２構成金属層上に設けられた第３構成金属層を備え、
    　上記第３構成金属層は、上記内側突出部及び上記外側突出部と整合するように設けられていることを特徴とする表示装置。
  19. 　請求項２～１８の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記薄膜トランジスタ層は、複数の無機膜を備え、
    　上記分離壁及び上記貫通孔の間には、該貫通孔の周縁に沿って上記複数の無機膜を積層した積層厚膜部が枠状に設けられ、
    　上記積層厚膜部における上記複数の無機膜の総厚は、上記積層厚膜部及び上記分離壁の間における上記複数の無機膜の総厚よりも大きくなっていることを特徴とする表示装置。
  20. 　請求項１９に記載された表示装置において、
    　上記複数の無機膜には、上記第１無機絶縁膜が含まれていることを特徴とする表示装置。
  21. 　請求項２０に記載された表示装置において、
    　上記複数の無機膜には、上記薄膜トランジスタ層を構成する半導体層と同一材料により同一層に形成された厚膜用半導体層が含まれていることを特徴とする表示装置。
  22. 　請求項２０に記載された表示装置において、
    　上記複数の無機膜には、上記薄膜トランジスタ層を構成する金属層と同一材料により同一層に形成された厚膜用金属層が含まれていることを特徴とする表示装置。
  23. 　請求項２～２２の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記分離壁の上記表示領域側及び上記貫通孔側には、上記第２無機絶縁膜、上記樹脂層及び上記第１無機絶縁膜に囲まれるように空間がそれぞれ設けられていることを特徴とする表示装置。
  24. 　請求項１～２３の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記封止膜は、上記第２無機絶縁膜及び上記第３無機絶縁膜の間に設けられた有機絶縁膜を備え、
    　上記非表示領域において、上記分離壁の上記表示領域側には、上記分離壁の周囲に沿って枠状の堰止壁が上記有機絶縁膜の周端部と重なるように設けられていることを特徴とする表示装置。
  25. 　請求項１～２４の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記各発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする表示装置。
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