WO2020145296A1 - 表示パネルおよび表示装置 - Google Patents

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WO2020145296A1
WO2020145296A1 PCT/JP2020/000273 JP2020000273W WO2020145296A1 WO 2020145296 A1 WO2020145296 A1 WO 2020145296A1 JP 2020000273 W JP2020000273 W JP 2020000273W WO 2020145296 A1 WO2020145296 A1 WO 2020145296A1
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WO
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display panel
flexible substrate
self
step portion
insulating film
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Application number
PCT/JP2020/000273
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English (en)
French (fr)
Inventor
雄一郎 石山
関　毅裕
Original Assignee
株式会社Ｊｏｌｅｄ
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Publication date
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Priority to US17/421,242 priority patent/US11943958B2/en
Priority to JP2020565175A priority patent/JP7064157B2/ja
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Definitions

  • the present disclosure relates to a display panel and a display device.
  • TFTs thin-film-transistors
  • An inorganic film derived from TFT exists in the frame portion of the display panel (see, for example, Patent Documents 1 to 5 below).
  • the display panel it is possible to give the display panel flexibility by using a flexible substrate.
  • the display panel has flexibility, cracks are likely to occur in the inorganic film in the frame portion of the display panel when the display panel is carried or bent intentionally.
  • a crack occurs in the inorganic film, moisture may enter from the outside through the crack, resulting in a defective display such as a dark spot. Therefore, it is desirable to provide a display panel and a display device capable of suppressing a display defect such as a dark spot due to a crack generated in an inorganic film.
  • a first display panel includes a flexible substrate, a plurality of self-luminous elements provided on the first main surface side of the flexible substrate, a first main surface and a plurality of self-luminous elements.
  • a plurality of TFT circuits provided between the light emitting element and the self light emitting element are provided.
  • the first display panel is provided between the plurality of TFT circuits and the plurality of self-luminous elements, covers each TFT circuit, and further, a portion facing the edge of the flexible substrate is partially thin.
  • the first inorganic film having a step portion caused by the presence of the second inorganic film, the second inorganic film covering each self-luminous element, the second inorganic film, and at least the edge of the second inorganic film of the first inorganic film. And a resin layer covering a portion in contact with.
  • a first display device includes a first display panel and a drive unit that drives the first display panel.
  • a step portion generated by partially thinning a portion facing the edge of the flexible substrate is formed in each TFT circuit.
  • the step portion suppresses the extension of the crack.
  • the second inorganic film that covers each self-luminous element is covered with the resin layer. Furthermore, at least a portion of the first inorganic film that is in contact with the edge of the second inorganic film is also covered with the resin layer.
  • a second display panel includes a flexible substrate, a plurality of self-emission elements provided on the first main surface side of the flexible substrate, a first main surface and a plurality of self-luminous elements.
  • a plurality of TFT circuits provided between the light emitting element and the self light emitting element are provided.
  • the second display panel is further provided between the flexible substrate and the plurality of TFT circuits, covers the first main surface, and further has a portion facing the edge of the flexible substrate.
  • the inorganic film has a stepped portion caused by the thinning, and a resin layer that covers the inorganic film except for the partially thinned portion.
  • a second display device includes a second display panel and a drive unit that drives the second display panel.
  • the step portion that is generated by partially thinning the portion facing the edge of the flexible substrate is flexible. It is provided on the inorganic film that covers the first main surface of the substrate.
  • the step portion suppresses the extension of the crack.
  • a portion of the inorganic film other than a portion that is partially thin is covered with the resin layer.
  • the crack generated in the first inorganic film is suppressed. It is possible to suppress the occurrence of display defects such as a dark spot.
  • the extension of cracks is suppressed by the step portion and the resin layer. It is possible to suppress the occurrence of display defects such as dark dots.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a cross-sectional configuration example taken along line AA of FIG. 2.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a cross-sectional configuration example along line BB in FIG. 2.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a manufacturing process of the display panel of FIG. 2.
  • FIG. 8A It is a figure showing an example of the manufacturing process following FIG. 8A. It is a figure showing an example of the manufacturing process following FIG. 8B. It is a figure showing an example of the manufacturing process following FIG. 8C. It is a figure showing an example of the manufacturing process following FIG. 8D. It is a figure showing an example of the manufacturing process following FIG. 8E.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a manufacturing process of the display panel of FIG. 2. It is a figure showing an example of the manufacturing process following FIG. 9A. It is a figure showing an example of the manufacturing process following FIG. 9B. It is a figure showing an example of the manufacturing process following FIG. 9C. It is a figure showing an example of the manufacturing process following FIG. 9D.
  • FIG. 9A It is a figure showing an example of the manufacturing process following FIG. 8B.
  • FIG. 9C It is a figure showing an example of the manufacturing process following FIG. 9D.
  • FIG. 9A It is a figure showing an example
  • FIG. 9D is a diagram illustrating an example of the manufacturing process following FIG. 9E.
  • FIG. 9F is a diagram illustrating an example of the manufacturing process following FIG. 9F. It is a figure showing an example of the manufacturing process following FIG. 9G.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a manufacturing process of the display panel of FIG. 2. It is a figure showing an example of the manufacturing process following FIG. 10A. It is a figure showing an example of the manufacturing process following FIG. 10B.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating a modified example of a cross-sectional configuration taken along the line AA of FIG. 2.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating a modified example of a cross-sectional configuration taken along the line AA of FIG. 2.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating a modified example of a cross-sectional configuration taken along the line AA of FIG. 2.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating a modified example of a cross-sectional configuration taken along the line AA of FIG. 2.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating a modified example of a cross-sectional configuration taken along the line AA of FIG. 2.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating a modified example of a cross-sectional configuration taken along the line AA of FIG. 2.
  • FIG. 16 is a diagram illustrating a modification of the stepped portion of FIGS. 4 and 11 to 15. It is a figure showing the example of a changed completely type of the cross-section of FIG.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating a modified example of the cross-sectional configuration of FIG. 12. It is a figure showing the example of a changed completely type of cross-section of FIG.
  • FIG. 1 illustrates a schematic configuration example of a display device 1 according to an embodiment of the present disclosure.
  • the display device 1 includes, for example, a display panel 10, a controller 20, and a driver 30.
  • FIG. 2 illustrates an example of a connection mode between the display panel 10, the controller 20 and the driver 30.
  • FIG. 3 illustrates a circuit configuration example of each pixel 11 provided in the display device 1.
  • the display panel 10 has a plurality of pixels 11 arranged in a matrix.
  • the plurality of pixels 11 are provided in the display area 10A of the display panel 10.
  • the display area 10A corresponds to the image display surface of the display panel 10.
  • a frame area 10B is provided around the display area 10A.
  • the frame area 10B has a ring shape surrounding the display area 10A, and a plurality of mounting terminals 53 are provided on one side of the frame area 10B.
  • the plurality of mounting terminals 53 are electrically connected to the plurality of pixels 11 and the FPC (Flexible Printed Circuits) 52.
  • the controller 20 and the driver 30 are mounted on the control board 51, and are electrically connected to the display panel 10 (the plurality of pixels 11) via the FPC 52.
  • the controller 20 and the driver 30 drive the display panel 10 (the plurality of pixels 11) based on the video signal Din input from the outside.
  • the display panel 10 displays an image based on the video signal Din input from the outside in the display area 10A by the active matrix driving of each pixel 11 by the controller 20 and the driver 30.
  • the display panel 10 includes a plurality of scanning lines WSL extending in the row direction, a plurality of signal lines DTL and a plurality of power supply lines DSL extending in the column direction, and a plurality of pixels 11 arranged in a matrix. doing.
  • the scanning line WSL is used for selecting each pixel 11, and supplies each pixel 11 with a selection pulse for selecting each pixel 11 in a predetermined unit (for example, pixel row).
  • the signal line DTL is used to supply a signal voltage corresponding to the video signal Din to each pixel 11, and supplies a data pulse including the signal voltage to each pixel 11.
  • the power supply line DSL supplies electric power to each pixel 11.
  • the plurality of pixels 11 provided on the display panel 10 include a pixel 11 that emits red light, a pixel 11 that emits green light, and a pixel 11 that emits blue light.
  • the pixel 11 that emits red light, the pixel 11 that emits green light, and the pixel 11 that emits blue light constitute a display pixel that is a display unit of a color image.
  • each display pixel may further include, for example, a pixel 11 that emits another color (for example, white or yellow).
  • each display pixel may include, for example, a plurality of pixels 11 of the same color (for example, two pixels 11 that emit blue light).
  • Each signal line DTL is connected to the output terminal of the horizontal selector 31 described later.
  • a plurality of signal lines DTL are assigned to each pixel column, for example.
  • Each scanning line WSL is connected to the output end of the write scanner 32 described later.
  • a plurality of scanning lines WSL are assigned to each pixel row, for example.
  • Each power supply line DSL is connected to the output end of the power supply. For example, one power line DSL is assigned to each pixel row.
  • Each pixel 11 has a pixel circuit 11-1 and an organic electroluminescent element 11-2.
  • the configuration of the organic electroluminescent element 11-2 will be described in detail later.
  • the pixel circuit 11-1 controls light emission/extinction of the organic electroluminescent element 11-2.
  • the pixel circuit 11-1 has a function of holding the voltage written in each pixel 11 by writing scan.
  • the pixel circuit 11-1 is configured to include, for example, a drive transistor Tr1, a writing transistor Tr2, and a storage capacitor Cs.
  • the write transistor Tr2 controls application of a signal voltage corresponding to the video signal Din to the gate of the drive transistor Tr1. Specifically, the write transistor Tr2 samples the voltage of the signal line DTL and writes the voltage obtained by the sampling in the gate of the drive transistor Tr1.
  • the drive transistor Tr1 is connected in series to the organic electroluminescent element 11-2.
  • the drive transistor Tr1 drives the organic electroluminescent element 11-2.
  • the drive transistor Tr1 controls the current flowing through the organic electroluminescent element 11-2 according to the magnitude of the voltage sampled by the write transistor Tr2.
  • the storage capacitor Cs holds a predetermined voltage between the gate and source of the drive transistor Tr1.
  • the storage capacitor Cs has a role of holding the gate-source voltage of the drive transistor Tr1 constant during a predetermined period.
  • the pixel circuit 11-1 may have a circuit configuration in which various capacitors and transistors are added to the circuit of 2Tr1C described above, or may have a circuit configuration different from the circuit configuration of 2Tr1C described above. Good.
  • Each signal line DTL is connected to the output terminal of the horizontal selector 31 described later and the source or drain of the write transistor Tr2.
  • Each scanning line WSL is connected to the output terminal of the write scanner 32 described later and the gate of the write transistor Tr2.
  • Each power supply line DSL is connected to the power supply circuit and the source or drain of the drive transistor Tr1.
  • the gate of the writing transistor Tr2 is connected to the scanning line WSL.
  • the source or drain of the writing transistor Tr2 is connected to the signal line DTL.
  • the terminal not connected to the signal line DTL is connected to the gate of the drive transistor Tr1.
  • the source or drain of the drive transistor Tr1 is connected to the power supply line DSL.
  • the terminal not connected to the power supply line DSL is connected to the anode 21 of the organic electroluminescent element 11-2.
  • One end of the storage capacitor Cs is connected to the gate of the drive transistor Tr1.
  • the other end of the storage capacitor Cs is connected to a terminal on the organic electroluminescent element 11-2 side of the source and drain of the drive transistor Tr1.
  • the drive transistor Tr1 and the write transistor Tr2 are configured by a general thin film transistor (TFT), and the configuration thereof may be, for example, an inverted stagger structure (so-called bottom gate type) or a stagger structure (top gate type), and is not particularly limited. ..
  • TFT general thin film transistor
  • the configuration thereof may be, for example, an inverted stagger structure (so-called bottom gate type) or a stagger structure (top gate type), and is not particularly limited. ..
  • the driver 30 has, for example, a horizontal selector 31 and a write scanner 32.
  • the horizontal selector 31 applies the analog signal voltage input from the controller 20 to each signal line DTL, for example, in response to (in synchronization with) the input of the control signal.
  • the write scanner 32 scans the plurality of pixels 11 in predetermined units.
  • the controller 20 performs a predetermined correction on the digital video signal Din input from the outside, and generates a signal voltage based on the video signal obtained thereby.
  • the controller 20 outputs the generated signal voltage to the horizontal selector 31, for example.
  • the controller 20 outputs a control signal to each circuit in the driver 30 in response to (synchronizing with) a control signal obtained from the video signal Din, for example.
  • FIG. 4 shows an example of a sectional structure taken along the line AA of FIG.
  • FIG. 5 shows an example of a sectional structure taken along line BB in FIG.
  • the display panel 10 includes a flexible substrate 41 and a plurality of organic electroluminescent elements 44A on the front surface 41A (first main surface) side of the flexible substrate 41.
  • the flexible substrate 41 is made of, for example, a resin film or sheet.
  • the flexible substrate 41 is made of, for example, polyimide (PI), methacrylic resins represented by polymethylmethacrylate (PMMA), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polybutylene naphthalate (PBN), or the like. It is made of polyester or polycarbonate resin.
  • the organic electroluminescent element 44A corresponds to the organic electroluminescent element 11-2 described above.
  • the display panel 10 has a TFT circuit 43A provided between the surface 41A of the flexible substrate 41 and the plurality of organic electroluminescent elements 44A.
  • the TFT circuit 43A drives the organic electroluminescent element 44A.
  • the TFT circuit 43A corresponds to the pixel circuit 11-1 described above.
  • the display panel 10 has an inorganic insulating film 43B (first inorganic film) provided between the plurality of TFT circuits 43A and the plurality of organic electroluminescent elements 44A.
  • the inorganic insulating film 43B covers each TFT circuit 43A.
  • the inorganic insulating film 43B is made of an inorganic material having low hygroscopicity, such as silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiNxOy), titanium oxide (TiOx), or aluminum oxide (AlxOy). ing.
  • the inorganic insulating film 43B has a step portion 43C which is generated by partially thinning a portion facing the edge of the flexible substrate 41.
  • the portion facing the edge of the flexible substrate 41 is thinner than the portion facing the plurality of organic electroluminescent elements 44A.
  • the step portion 43C is formed due to the difference in thickness between the portion facing the edge of the flexible substrate 41 and the portion facing the plurality of organic electroluminescent elements 44A.
  • the step portion 43C is formed in the frame region 10B.
  • the step portion 43C is formed at least at a position not facing each mounting terminal 53, and is formed on, for example, three sides of the frame region 10B except one side where each mounting terminal 53 is formed.
  • Each mounting terminal 53 is formed in a flat region of the surface of the inorganic insulating film 43B where the step 43C is not formed, and is exposed on the surface of the inorganic insulating film 43B.
  • the step portion 43C includes, for example, the frame area 10B. Of these, it is formed on two sides orthogonal to the one side on which each mounting terminal 53 is formed.
  • the display panel 10 covers the inorganic insulating film 45 (second inorganic film) that covers each organic electroluminescent element 44A, the inorganic insulating film 45, and contacts at least the edge of the inorganic insulating film 45 of the inorganic insulating film 43B. And a resin layer 46 that covers the portion.
  • the inorganic insulating film 45 is made of an inorganic material having low hygroscopicity, such as silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiNxOy), titanium oxide (TiOx), or aluminum oxide (AlxOy). ing.
  • the edge of the resin layer 46 may be formed on the step portion 43C.
  • the resin layer 46 is in contact with the entire surface of the inorganic insulating film 45, and is in contact with the step portion 43C from the position of the inorganic insulating film 43B which is in contact with the edge of the inorganic insulating film 45.
  • the resin layer 46 also functions as an adhesive layer, and is made of, for example, an epoxy resin or an acrylic resin.
  • the resin layer 46 may be made of, for example, a thermosetting resin or an ultraviolet curing resin.
  • the plurality of organic electroluminescent elements 44A are separated from each other by the opening defining insulating portion 44B, and the plurality of organic electroluminescent elements 44A with defined contours are arranged one by one corresponding to the pixels 11. ing.
  • the opening defining insulating portion 44B and the plurality of organic electroluminescent elements 44A are formed in the same plane, and form the EL element layer 44.
  • the display panel 10 has the UC barrier layer 42 between the flexible substrate 41 and the plurality of TFT circuits 43A.
  • the UC barrier layer 42 covers the entire surface 41A of the flexible substrate 41.
  • the UC barrier layer 42 is made of an inorganic material having a low hygroscopic property, such as silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiNxOy), titanium oxide (TiOx), or aluminum oxide (AlxOy). It is an inorganic insulating film.
  • the UC barrier layer 42 may be a single layer or a laminated body in which different materials are laminated.
  • the display panel 10 has a sealing layer 47 which is arranged to face the flexible substrate 41 and is in contact with the resin layer 46.
  • the sealing layer 47 is made of, for example, a resin material such as an epoxy resin or a vinyl resin. An optical function may be imparted to the sealing layer 47.
  • the sealing layer 47 may be, for example, a polarizing plate.
  • the display panel 10 has a resin layer 48 and a reinforcing layer 49 on the back surface 41B side of the flexible substrate 41 in this order from the back surface 41B side of the flexible substrate 41.
  • the resin layer 48 covers the entire back surface 41B of the flexible substrate 41.
  • the resin layer 48 functions as an adhesive layer that adheres the flexible substrate 41 and the reinforcing layer 49 to each other, and is made of, for example, an epoxy resin or an acrylic resin.
  • the reinforcement layer 49 is a reinforcement member that maintains the strength of the display panel 10 and also a protection member that protects the back surface of the display panel 10.
  • the reinforcing layer 49 is formed of, for example, a resin material such as PET or PI, or a metal material such as Al, Cu, or SUS.
  • FIG. 6 is an enlarged view of the step portion 43C.
  • the thickness of the portion facing the edge of the flexible substrate 41 is tb
  • the thickness of the portion facing the plurality of organic electroluminescent elements 44A is ta.
  • the length between the portion of the inorganic insulating film 43B that is in contact with the edge of the inorganic insulating film 45 and the edge of the inorganic insulating film 43B is Wa
  • the step portion 43C and the edge of the inorganic insulating film 43B are defined as Wa.
  • the length between them is Wb.
  • tb is preferably in the range of 3% to 50% of ta.
  • Wa is in a practical range for a panel with a narrow frame, and is, for example, 1 mm or more and 10 mm or less.
  • the lower limit of Wb is a minimum size such that an initially generated crack does not reach the step portion 43C, and is, for example, 0.1 mm.
  • the upper limit of Wb is half the maximum value that can be adopted as Wa, and is, for example, 5 mm.
  • FIG. 7 illustrates the design model of the step portion 43C.
  • the stress ⁇ 0 applied to the cross section orthogonal to the pulling direction is represented by F/(Bt).
  • B is the width of the object
  • t is the thickness of the object.
  • FIG. 7B when the object has an elliptical hole as an initial crack, the object is pulled by the force F from both sides.
  • the length of the elliptical hole in the longitudinal direction is 2a
  • the length of the elliptical hole in the lateral direction is 2b
  • the stress ⁇ max applied to the tip of the elliptical hole is represented by ⁇ 0 ⁇ (1+2(a/ ⁇ ) 1/2 ).
  • ⁇ max is proportional to 1/t
  • the The stress ⁇ max1 applied to the tip and the stress ⁇ max2 applied to the tip of the elliptical hole when the elliptical hole is formed at a position facing the plurality of organic electroluminescent elements 44A have the following relationship.
  • ⁇ max1 / ⁇ max2 t2/t1
  • FIGS. 8A to 8F are cross-sectional views showing an example of the manufacturing process of the display panel 10.
  • the flexible substrate 41, the UC barrier layer 42, and the TFT layer 43 are formed on the large-sized supporting glass 100 (FIG. 8A).
  • the EL element layer 44 and the inorganic insulating film 45 are formed in each region corresponding to the size of the display panel 10 (FIG. 8A).
  • the sealing layer 47 is attached to the inorganic insulating film 45 via the resin layer 46 in each region corresponding to the size of the display panel 10 (FIG. 8B).
  • the large-sized supporting glass 100 is divided into regions corresponding to the size of the display panel 10 (FIGS. 8C(a) and 8C(b)). Note that FIG.
  • FIG. 8C(a) shows a cross-sectional configuration example at a portion corresponding to the line AA in FIG. 2, and FIG. 8C(b) corresponds to the line BB in FIG.
  • An example of a cross-sectional structure at a location is shown.
  • the inorganic insulating film 43B in the TFT layer 43 is selectively etched (FIGS. 8D(a) and 8D(b)).
  • the step portion 43C is formed on the inorganic insulating film 43B.
  • the inorganic insulating film 43B is etched by calculating the etching time from the etching rate of the inorganic insulating film 43B.
  • each mounting terminal 53 is exposed.
  • the FPC 52 is mounted on the plurality of mounting terminals 53 (FIGS. 8E(a) and 8E(b)).
  • the reinforcing layer 49 is attached to the back surface of the flexible substrate 41 by the resin layer 48 (FIGS. 8F(a) and 8F(b)). In this way, the display panel 10 according to the present embodiment is manufactured.
  • the display panel 10 can be manufactured by a method other than the above.
  • 9A to 9H are cross-sectional views showing an example of the manufacturing process of the display panel 10.
  • the flexible substrate 41, the UC barrier layer 42, and the TFT layer 43 are formed on the large-sized supporting glass 100 (FIG. 9A).
  • the EL element layer 44 and the inorganic insulating film 45 are formed in each region corresponding to the size of the display panel 10 (FIG. 9A).
  • the support film 120 was attached to the entire surface including the inorganic insulating film 45 via the resin layer 130, and then the support glass 100 was peeled off (FIG. 9B).
  • the reinforcing layer 49 is attached to the back surface of the flexible substrate 41 with the resin layer 48 (FIG. 9C).
  • FIG. 9D After the support film 120 and the resin layer 130 are peeled off (FIG. 9D), a sealing layer is provided to the inorganic insulating film 45 via the resin layer 46 for each region corresponding to the size of the display panel 10. 47 is attached (FIG. 9E).
  • the sealing layer 47 As a mask, the inorganic insulating film 43B in the TFT layer 43 is selectively etched (FIG. 9F). As a result, the step portion 43C is formed on the inorganic insulating film 43B. At this time, the surface of each mounting terminal 53 is exposed.
  • the flexible substrate 41 is divided into regions corresponding to the size of the display panel 10 (FIGS. 9G(a) and 9G(b)). Note that FIG.
  • FIG. 9G(a) shows a cross-sectional configuration example at a portion corresponding to the line AA of FIG. 2, and FIG. 9G(b) corresponds to the line BB of FIG.
  • An example of a cross-sectional structure at a location is shown.
  • the FPC 52 is mounted on the plurality of mounting terminals 53 (FIGS. 9H(a) and 9H(b)). In this way, the display panel 10 according to the present embodiment is manufactured.
  • the display panel 10 can be manufactured by a method other than the above.
  • 10A to 10C are cross-sectional views showing an example of a manufacturing process of the display panel 10.
  • FIG. 10A(a) shows an example of a sectional structure at a portion corresponding to the line AA in FIG. 2
  • FIG. 10A(b) corresponds to the line BB in FIG.
  • An example of a cross-sectional structure at a location is shown.
  • the sealing layer 47 is attached via the resin layer 46 (FIG. 10C (a), FIG. 10C (b)).
  • the inorganic insulating film 43B in the TFT layer 43 is selectively etched (FIGS. 9G(a) and 9G(b)).
  • the step portion 43C is formed on the inorganic insulating film 43B.
  • the surface of each mounting terminal 53 is exposed.
  • the FPC 52 is mounted on the plurality of mounting terminals 53 (FIGS. 9H(a) and 9H(b)). In this way, the display panel 10 according to the present embodiment is manufactured.
  • TFTs are used to drive the self-luminous elements.
  • An inorganic film derived from TFT exists in the frame portion of the display panel.
  • the display panel can be made flexible.
  • cracks are likely to occur in the inorganic film in the frame portion of the display panel when the display panel is carried or bent intentionally.
  • moisture may enter from the outside through the crack, resulting in a defective display such as a dark spot.
  • the step portion 43C which is generated by partially thinning the portion facing the edge of the flexible substrate 41, is provided in the inorganic insulating film 43B that covers each TFT circuit 43A.
  • the step portion 43C suppresses the extension of the crack.
  • the inorganic insulating film 45 covering each organic electroluminescent element 44A is covered with the resin layer 46.
  • at least a portion of the inorganic insulating film 43B that is in contact with the edge of the inorganic insulating film 45 is covered with the resin layer 46.
  • the edge of the resin layer 46 is formed on the step portion 43C.
  • the resin layer 46 is in contact with the entire surface of the inorganic insulating film 45, and is in contact with the step portion 43C from the position of the inorganic insulating film 43B which is in contact with the edge of the inorganic insulating film 45.
  • the portion of the inorganic insulating film 43B and the inorganic insulating film 45 covered by the resin layer 46 even when the crack generated at the edge of the inorganic insulating film 43B extends beyond the step portion 43C, the portion of the inorganic insulating film 43B and the inorganic insulating film 45 covered by the resin layer 46.
  • the extension of cracks to the inside is suppressed by the resin layer 46.
  • the step portion 43C is formed at least at a position not facing each mounting terminal 53. As described above, by not providing the step portion 43C even in a portion of the display panel 10 where intentional bending is not expected, each mounting terminal 53 can be provided in a flat portion. As a result, the ease of connecting the FPC 52 to each mounting terminal 53 can be ensured.
  • FIG. 11 shows a modification of the sectional structure taken along the line AA in FIG.
  • the step portion 43C and its vicinity in the inorganic insulating film 43B may be exposed without being covered with the resin layer 46. Even in such a case, the resin layer 46 covers at least a portion of the inorganic insulating film 43B that is in contact with the edge of the inorganic insulating film 45.
  • edge of the resin layer 46 is in contact with the surface of the inorganic insulating film 43B in the region between the edge of the inorganic insulating film 45 and the step portion 43C, and the edge of the resin layer 46, A step portion 43D is formed at a position where it contacts the surface of the inorganic insulating film 43B.
  • the display panel 10 may include the resin layer 54 and the UC barrier layer 57 between the UC barrier layer 42 and the TFT layer 43.
  • the resin layer 54 is made of, for example, an epoxy resin or an acrylic resin.
  • the UC barrier layer 57 is made of an inorganic material having low hygroscopicity, such as silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiNxOy), titanium oxide (TiOx), or aluminum oxide (AlxOy). It is an inorganic insulating film.
  • the UC barrier layer 57 may be a single layer or a laminated body in which different materials are laminated. Thereby, for example, when the display panel 10 is carried or bent intentionally, and when a crack is generated in the UC barrier layer 42 or the UC barrier layer 57, the inorganic insulating film 43B or the inorganic insulating film 45 and the UC barrier layer are not cracked.
  • the resin layer 54 With the layer 42, extension of cracks to the inorganic insulating film 43B and the inorganic insulating film 45 is suppressed. As a result, it is possible to suppress the occurrence of display defects such as dark spots due to the cracks generated in the inorganic insulating film 43B.
  • FIG. 14 shows a modification of the cross sectional structure taken along the line AA in FIG.
  • FIG. 14 shows a modification of the cross-sectional configuration shown in FIG.
  • the step portion 43C is provided in the inorganic insulating film 43B.
  • the step portion 43C is not provided in the inorganic insulating film 43B, and instead, the step portion 42A is provided in the UC barrier layer 42. May be.
  • the surface of the end of the inorganic insulating film 43B is substantially flat without the step 43C.
  • the UC barrier layer 42 has a step portion 42 ⁇ /b>A that is generated by partially thinning a portion facing the edge of the flexible substrate 41.
  • the portion facing the edge of the flexible substrate 41 is thinner than the portion facing the plurality of organic electroluminescent elements 44A.
  • the step portion 42A is formed due to the difference in thickness between the portion facing the edge of the flexible substrate 41 and the portion facing the plurality of organic electroluminescent elements 44A.
  • the step portion 42A is formed in the frame region 10B.
  • the step portion 42A is formed at least at a position not facing each mounting terminal 53, and is formed on, for example, three sides of the frame region 10B except one side where each mounting terminal 53 is formed.
  • Each mounting terminal 53 is formed on the surface of the UC barrier layer 42 at a location facing a flat area where the step portion 42A is not formed.
  • the stepped portion 42A may be formed, for example, in the frame area 10B. Of these, it is formed on two sides orthogonal to the one side on which each mounting terminal 53 is formed.
  • the resin layer 54 covers the UC barrier layer 42 except for the partially thinned portion.
  • the edge of the resin layer 54 may be formed on the step portion 42A.
  • the resin layer 54 is in contact with the step portion 42A from a portion of the UC barrier layer 42 facing the plurality of TFT circuits 43A.
  • the resin layer 54 is made of, for example, polyimide, epoxy resin, acrylic resin, or the like.
  • the crack generated at the edge of the UC barrier layer 42 extends beyond the step portion 42A, the crack extends to the portion of the UC barrier layer 42 covered by the resin layer 54. Are suppressed by the resin layer 54. As a result, it is possible to suppress the occurrence of display defects such as dark spots due to the cracks generated in the UC barrier layer 42.
  • the end portion of the TFT layer 43 in the vicinity of the step portion 42A may be exposed without being covered with the resin layer 46.
  • the resin layer 46 covers at least a portion of the inorganic insulating film 43B that is in contact with the edge of the inorganic insulating film 45.
  • the edge of the resin layer 46 is in contact with the surface of the inorganic insulating film 43B in the region between the edge of the inorganic insulating film 45 and the edge of the inorganic insulating film 43B, and the edge of the resin layer 46
  • a step portion 43D is formed at a position where the edge and the surface of the inorganic insulating film 43B are in contact with each other.
  • FIG. 16 is an enlarged view of the step portions 42A and 43C in the UC barrier layer 42 and the inorganic insulating film 43B.
  • the UC barrier layer 42 and the inorganic insulating film 43B form the insulating material at the portions that form the bottom surfaces of the step portions 42A and 43C, and the side surfaces of the step portions 42A and 43C.
  • the insulating materials used may have different structures.
  • the UC barrier layer 42 and the inorganic insulating film 43B are, for example, as shown in FIG.
  • an insulating film 55 forming the bottom surfaces of the step portions 42A and 43C It may be configured to include the insulating film 56 that forms the side surfaces of the step portions 42A and 43C.
  • the insulating film 55 may be made of an inorganic material having a slower etching rate with respect to a predetermined etching gas or a predetermined etching solution than the insulating film 56.
  • the insulating film 56 is made of silicon nitride (SiNx).
  • the insulating film 55 is made of silicon oxide (SiOx).
  • the insulating film 55 functions as an etching stop layer when the UC barrier layer 42 and the inorganic insulating film 43B are selectively etched in the above-described embodiment and modifications A, B, and C. ..
  • FIG. 17 shows a modification of the cross-sectional structure shown in FIG.
  • FIG. 18 shows a modification of the cross-sectional structure shown in FIG.
  • the resin layer 46 is in contact with the entire surface of the inorganic insulating film 45 as shown in FIGS. 17 and 18, and the inorganic insulating film 45 is included in the inorganic insulating film 43B. It may be formed so as not only to be in contact with the step portion 43C from a portion in contact with the edge of the step 43C but also to cover the step portion 43C.
  • the edge of the resin layer 46 is formed in contact with the portion of the inorganic insulating film 43B between the edge of the inorganic insulating film 43B and the step portion 43C.
  • a step 43D is formed at a position where the edge of the resin layer 46 and the surface of the inorganic insulating film 43B are in contact with each other.
  • a resin using the polarizing plate 47 of a size that covers the step portion 43C as a mask is used. It is formed by forming the step portion 43D by selective etching of the layer 46.
  • FIG. 19 shows a modification of the cross-sectional structure shown in FIG.
  • the resin layer 54 covers the entire surface of the region of the UC barrier layer 42 facing each organic electroluminescent element 44A and the step of the UC barrier layer 42 as shown in FIG. It may be formed so as to cover the portion 42A.
  • the edge of the resin layer 54 is formed in contact with the portion of the UC barrier layer 42 between the edge of the UC barrier layer 42 and the step portion 42A.
  • a step portion 42B is formed at a position where the edge of the resin layer 54 and the surface of the UC barrier layer 42 are in contact with each other.
  • the polarizing plate 47 having a size that covers the step portion 42A is used as a mask. It is formed by forming the step portion 42B by selective etching of the resin layer 54.
  • the crack generated at the edge of the UC barrier layer 42 extends beyond the step portion 42A, the crack extends to the portion of the UC barrier layer 42 covered by the resin layer 54. Are suppressed by the resin layer 54. As a result, it is possible to suppress the occurrence of display defects such as dark spots due to the cracks generated in the UC barrier layer 42.
  • the present disclosure may have the following configurations.
  • a flexible substrate A plurality of self-luminous elements provided on the first main surface side of the flexible substrate;
  • a plurality of TFT (Thin Film Transistor) circuits which are provided between the first main surface and the plurality of self-luminous elements and drive the self-luminous elements; It is provided between the plurality of TFT circuits and the plurality of self-luminous elements, covers each of the TFT circuits, and further, a portion facing an edge of the flexible substrate is partially thin.
  • TFT Thin Film Transistor
  • FPC Flexible Printed Circuits
  • a flexible substrate A plurality of self-luminous elements provided on the first main surface side of the flexible substrate; A plurality of TFT (Thin Film Transistor) circuits which are provided between the first main surface and the plurality of self-luminous elements and drive the self-luminous elements; It is provided between the flexible substrate and the plurality of TFT circuits, covers the first main surface, and further, a portion facing an edge of the flexible substrate is partially thin.
  • An inorganic film having a step portion caused by A display panel comprising: a resin layer that covers a portion of the inorganic film other than a portion that is partially thin.
  • Display panel A drive unit for driving the display panel,
  • the display panel is A flexible substrate, A plurality of self-luminous elements provided on the first main surface side of the flexible substrate; A plurality of TFT (Thin Film Transistor) circuits which are provided between the first main surface and the plurality of self-luminous elements and drive the self-luminous elements; It is provided between the plurality of TFT circuits and the plurality of self-luminous elements, covers each of the TFT circuits, and further, a portion facing an edge of the flexible substrate is partially thin.
  • TFT Thin Film Transistor
  • a display device comprising: a resin layer that covers the second inorganic film and covers at least a portion of the first inorganic film that is in contact with an edge of the second inorganic film.
  • Display panel A drive unit for driving the display panel,
  • the display panel is A flexible substrate, A plurality of self-luminous elements provided on the first main surface side of the flexible substrate; A plurality of TFT (Thin Film Transistor) circuits which are provided between the first main surface and the plurality of self-luminous elements and drive the self-luminous elements; It is provided between the flexible substrate and the plurality of TFT circuits, covers the first main surface, and further, a portion facing an edge of the flexible substrate is partially thin.
  • An inorganic film having a step portion caused by A display device comprising: a resin layer that covers a portion of the inorganic film other than a portion that is partially thin.
  • FPC Flexible Printed Circuits

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Abstract

本開示の一実施形態に係る表示パネルは、可撓性基板（４１）と、複数の自発光素子（４４Ａ）と、可撓性基板（４１）と複数の自発光素子（４４Ａ）との間に設けられた複数のＴＦＴ回路（４３Ａ）と、各ＴＦＴ回路（４３Ａ）を覆う第１無機膜（４３Ｂ）と、各自発光素子（４４Ａ）を覆う第２無機膜（４５）と、第２無機膜（４５）を覆うとともに、第１無機膜（４３Ｂ）のうち少なくとも、第２無機膜（４５）の端縁と接する箇所を覆う樹脂層（４６）とを備えている。第１無機膜（４３Ｂ）は、複数のＴＦＴ回路（４３Ａ）と複数の自発光素子（４４Ａ）との間に設けられており、可撓性基板（４１）の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部（４３Ｃ）を有している。

Description

表示パネルおよび表示装置
　本開示は、表示パネルおよび表示装置に関する。
　有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子などの自発光素子を用いた表示パネルでは、自発光素子の駆動にＴＦＴ(thin-film-transistor)が用いられる。表示パネルの額縁部分には、ＴＦＴ由来の無機膜が存在している（例えば、下記の特許文献１～５参照）。
特開２００９－３７７９８号公報 特開２００７－２２７８７５号公報 特開２０１４－２２０４８９号公報 特開２００３－１９５７８９号公報 特開２０１０－２２４４２６号公報
　ところで、上述した表示パネルにおいて、可撓性の基板を用いることで、表示パネルに可撓性を持たせることが可能である。しかし、表示パネルに可撓性を持たせた場合、表示パネルを持ち運んだり、意図的に曲げたりしたときに、表示パネルの額縁部分の無機膜にクラックが生じやすい。無機膜にクラックが生じると、そのクラックを介して外部から水分が侵入し、滅点などの表示不良が生じるおそれがある。従って、無機膜に生じたクラックに起因して滅点などの表示不良が発生するのを抑制することの可能な表示パネルおよび表示装置を提供することが望ましい。
　本開示の一実施形態に係る第１の表示パネルは、可撓性基板と、可撓性基板の第１主面側に設けられた複数の自発光素子と、第１主面と複数の自発光素子との間に設けられ、自発光素子を駆動する複数のＴＦＴ回路とを備えている。第１の表示パネルは、複数のＴＦＴ回路と複数の自発光素子との間に設けられ、各ＴＦＴ回路を覆っており、さらに、可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部を有する第１無機膜と、各自発光素子を覆う第２無機膜と、第２無機膜を覆うとともに、第１無機膜のうち少なくとも、第２無機膜の端縁と接する箇所を覆う樹脂層とを備えている。
　本開示の一実施形態に係る第１の表示装置は、第１の表示パネルと、第１の表示パネルを駆動する駆動部とを備えている。
　本開示の一実施形態に係る第１の表示パネルおよび第１の表示装置では、可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部が、各ＴＦＴ回路を覆う第１無機膜に設けられている。これにより、例えば、第１の表示パネルを持ち運んだり、意図的に曲げたりした場合に、第１無機膜の端縁にクラックが生じたときには、段差部によって、クラックの延伸が抑制される。また、本開示の一実施形態に係る第１の表示パネルおよび第１の表示装置では、各自発光素子を覆う第２無機膜が樹脂層によって覆われている。さらに、第１無機膜のうち少なくとも、第２無機膜の端縁と接する箇所も樹脂層によって覆われている。これにより、第１無機膜の端縁に生じたクラックが段差部を超えて延伸してきた場合であっても、第１無機膜および第２無機膜のうち樹脂層によって覆われている箇所へのクラックの延伸が、樹脂層によって抑制される。
　本開示の一実施形態に係る第２の表示パネルは、可撓性基板と、可撓性基板の第１主面側に設けられた複数の自発光素子と、第１主面と複数の自発光素子との間に設けられ、自発光素子を駆動する複数のＴＦＴ回路とを備えている。第２の表示パネルは、さらに、可撓性基板と複数の前記ＴＦＴ回路との間に設けられ、第１主面を覆っており、さらに、可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部を有する無機膜と、無機膜のうち、部分的に薄くなっている箇所以外の箇所を覆う樹脂層とを備えている。
　本開示の一実施形態に係る第２の表示装置は、第２の表示パネルと、第２の表示パネルを駆動する駆動部とを備えている。
　本開示の一実施形態に係る第２の表示パネルおよび第２の表示装置では、可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部が、可撓性基板の第１主面を覆う無機膜に設けられている。これにより、例えば、第２の表示パネルを持ち運んだり、意図的に曲げたりした場合に、無機膜の端縁にクラックが生じたときには、段差部によって、クラックの延伸が抑制される。また、本開示の一実施形態に係る第２の表示パネルおよび第２の表示装置では、無機膜のうち、部分的に薄くなっている箇所以外の箇所が樹脂層によって覆われている。これにより、無機膜の端縁に生じたクラックが段差部を超えて延伸してきた場合であっても、無機膜のうち樹脂層によって覆われている箇所へのクラックの延伸が、樹脂層によって抑制される。
　本開示の一実施形態に係る第１の表示パネルおよび第１の表示装置によれば、クラックの延伸を段差部および樹脂層によって抑制するようにしたので、第１の無機膜に生じたクラックに起因して滅点などの表示不良が発生するのを抑制することができる。
　本開示の一実施形態に係る第２の表示パネルおよび第２の表示装置によれば、クラックの延伸を段差部および樹脂層によって抑制するようにしたので、無機膜に生じたクラックに起因して滅点などの表示不良が発生するのを抑制することができる。
　なお、上記内容は本開示の一例である。本開示の効果は、上述したものに限らず、他の異なる効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。
本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の概略構成例を表す図である。 図１の表示パネルとコントローラおよびドライバとの接続態様例を表す図である。 図１の表示装置の各画素の回路構成例を表す図である。 図２のＡ－Ａ線での断面構成例を表す図である。 図２のＢ－Ｂ線での断面構成例を表す図である。 図４の段差部を拡大して表す図である。 図６の段差部の設計モデルについて説明する図である。 図２の表示パネルの製造過程の一例を表す図である。 図８Ａに続く製造過程の一例を表す図である。 図８Ｂに続く製造過程の一例を表す図である。 図８Ｃに続く製造過程の一例を表す図である。 図８Ｄに続く製造過程の一例を表す図である。 図８Ｅに続く製造過程の一例を表す図である。 図２の表示パネルの製造過程の一例を表す図である。 図９Ａに続く製造過程の一例を表す図である。 図９Ｂに続く製造過程の一例を表す図である。 図９Ｃに続く製造過程の一例を表す図である。 図９Ｄに続く製造過程の一例を表す図である。 図９Ｅに続く製造過程の一例を表す図である。 図９Ｆに続く製造過程の一例を表す図である。 図９Ｇに続く製造過程の一例を表す図である。 図２の表示パネルの製造過程の一例を表す図である。 図１０Ａに続く製造過程の一例を表す図である。 図１０Ｂに続く製造過程の一例を表す図である。 図２のＡ－Ａ線での断面構成の一変形例を表す図である。 図２のＡ－Ａ線での断面構成の一変形例を表す図である。 図２のＡ－Ａ線での断面構成の一変形例を表す図である。 図２のＡ－Ａ線での断面構成の一変形例を表す図である。 図２のＡ－Ａ線での断面構成の一変形例を表す図である。 図４、図１１～図１５の段差部の一変形例を表す図である。 図４の断面構成の一変形例を表す図である。 図１２の断面構成の一変形例を表す図である。 図１４の断面構成の一変形例を表す図である。
　以下、本開示を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。なお、説明は以下の順序で行う。

　１．実施の形態（表示装置）
　２．変形例（表示装置）
＜１．実施の形態＞
[構成]
　図１は、本開示の一実施の形態に係る表示装置１の概略構成例を表したものである。表示装置１は、例えば、表示パネル１０、コントローラ２０およびドライバ３０を備えている。図２は、表示パネル１０とコントローラ２０およびドライバ３０との接続態様例を表したものである。図３は、表示装置１に設けられた各画素１１の回路構成例を表したものである。
　表示パネル１０は、行列状に配置された複数の画素１１を有している。複数の画素１１は、表示パネル１０における表示領域１０Ａに設けられている。表示領域１０Ａは、表示パネル１０の映像表示面に相当する。表示パネル１０において、表示領域１０Ａの周囲には、額縁領域１０Ｂが設けられている。額縁領域１０Ｂは、表示領域１０Ａを囲む環形状となっており、額縁領域１０Ｂの一辺には、複数の実装端子５３が設けられている。複数の実装端子５３は、複数の画素１１と、ＦＰＣ（ Flexible Printed Circuits）５２とに電気的に接続されている。コントローラ２０およびドライバ３０は、制御基板５１に実装されており、ＦＰＣ５２を介して、表示パネル１０（複数の画素１１）と電気的に接続されている。コントローラ２０およびドライバ３０は、外部から入力された映像信号Ｄｉｎに基づいて、表示パネル１０（複数の画素１１）を駆動する。
（表示パネル１０）
　表示パネル１０は、コントローラ２０およびドライバ３０によって各画素１１がアクティブマトリクス駆動されることにより、外部から入力された映像信号Ｄｉｎに基づく画像を表示領域１０Ａに表示する。表示パネル１０は、行方向に延在する複数の走査線ＷＳＬと、列方向に延在する複数の信号線ＤＴＬおよび複数の電源線ＤＳＬと、行列状に配置された複数の画素１１とを有している。
　走査線ＷＳＬは、各画素１１の選択に用いられるものであり、各画素１１を所定の単位（例えば画素行）ごとに選択する選択パルスを各画素１１に供給するものである。信号線ＤＴＬは、映像信号Ｄｉｎに応じた信号電圧の、各画素１１への供給に用いられるものであり、信号電圧を含むデータパルスを各画素１１に供給するものである。電源線ＤＳＬは、各画素１１に電力を供給するものである。
　表示パネル１０に設けられた複数の画素１１には、赤色光を発する画素１１、緑色光を発する画素１１、および青色光を発する画素１１が含まれている。赤色光を発する画素１１、緑色光を発する画素１１、および青色光を発する画素１１は、カラー画像の表示単位である表示画素を構成している。なお、各表示画素には、例えば、さらに、他の色（例えば、白色や、黄色など）を発する画素１１が含まれていてもよい。また、各表示画素には、例えば、同色の複数の画素１１（例えば、青色光を発する２つの画素１１）が含まれていてもよい。
　各信号線ＤＴＬは、後述の水平セレクタ３１の出力端に接続されている。各画素列には、例えば、複数の信号線ＤＴＬが１本ずつ、割り当てられている。各走査線ＷＳＬは、後述のライトスキャナ３２の出力端に接続されている。各画素行には、例えば、複数の走査線ＷＳＬが１本ずつ、割り当てられている。各電源線ＤＳＬは、電源の出力端に接続されている。各画素行には、例えば、複数の電源線ＤＳＬが１本ずつ、割り当てられている。
　各画素１１は、画素回路１１－１と、有機電界発光素子１１－２とを有している。有機電界発光素子１１－２の構成については、後に詳述する。
　画素回路１１－１は、有機電界発光素子１１－２の発光・消光を制御する。画素回路１１－１は、書込走査によって各画素１１に書き込んだ電圧を保持する機能を有している。画素回路１１－１は、例えば、駆動トランジスタＴｒ１、書き込みトランジスタＴｒ２および保持容量Ｃｓを含んで構成されている。
　書き込みトランジスタＴｒ２は、駆動トランジスタＴｒ１のゲートに対する、映像信号Ｄｉｎに対応した信号電圧の印加を制御する。具体的には、書き込みトランジスタＴｒ２は、信号線ＤＴＬの電圧をサンプリングするとともに、サンプリングにより得られた電圧を駆動トランジスタＴｒ１のゲートに書き込む。駆動トランジスタＴｒ１は、有機電界発光素子１１－２に直列に接続されている。駆動トランジスタＴｒ１は、有機電界発光素子１１－２を駆動する。駆動トランジスタＴｒ１は、書き込みトランジスタＴｒ２によってサンプリングされた電圧の大きさに応じて有機電界発光素子１１－２に流れる電流を制御する。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ１のゲート－ソース間に所定の電圧を保持するものである。保持容量Ｃｓは、所定の期間中に駆動トランジスタＴｒ１のゲート－ソース間電圧を一定に保持する役割を有する。なお、画素回路１１－１は、上述の２Ｔｒ１Ｃの回路に対して各種容量やトランジスタを付加した回路構成となっていてもよいし、上述の２Ｔｒ１Ｃの回路構成とは異なる回路構成となっていてもよい。
　各信号線ＤＴＬは、後述の水平セレクタ３１の出力端と、書き込みトランジスタＴｒ２のソースまたはドレインとに接続されている。各走査線ＷＳＬは、後述のライトスキャナ３２の出力端と、書き込みトランジスタＴｒ２のゲートとに接続されている。各電源線ＤＳＬは、電源回路と、駆動トランジスタＴｒ１のソースまたはドレインに接続されている。
　書き込みトランジスタＴｒ２のゲートは、走査線ＷＳＬに接続されている。書き込みトランジスタＴｒ２のソースまたはドレインが信号線ＤＴＬに接続されている。書き込みトランジスタＴｒ２のソースおよびドレインのうち信号線ＤＴＬに未接続の端子が駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続されている。駆動トランジスタＴｒ１のソースまたはドレインが電源線ＤＳＬに接続されている。駆動トランジスタＴｒ１のソースおよびドレインのうち電源線ＤＳＬに未接続の端子が有機電界発光素子１１－２の陽極２１に接続されている。保持容量Ｃｓの一端が駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続されている。保持容量Ｃｓの他端が駆動トランジスタＴｒ１のソースおよびドレインのうち有機電界発光素子１１－２側の端子に接続されている。
　駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）により構成され、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいし、スタガ構造（トップゲート型）でもよく、特に限定されない。
（ドライバ３０）
　ドライバ３０は、例えば、水平セレクタ３１およびライトスキャナ３２を有している。水平セレクタ３１は、例えば、制御信号の入力に応じて（同期して）、コントローラ２０から入力されたアナログの信号電圧を、各信号線ＤＴＬに印加する。ライトスキャナ３２は、複数の画素１１を所定の単位ごとに走査する。
（コントローラ２０）
　次に、コントローラ２０について説明する。コントローラ２０は、例えば、外部から入力されたデジタルの映像信号Ｄｉｎに対して所定の補正を行い、それにより得られた映像信号に基づいて、信号電圧を生成する。コントローラ２０は、例えば、生成した信号電圧を水平セレクタ３１に出力する。コントローラ２０は、例えば、映像信号Ｄｉｎから得られた制御信号に応じて（同期して）、ドライバ３０内の各回路に対して制御信号を出力する。
　次に、図４、図５を参照して、表示パネル１０の断面構成について説明する。図４は、図３のＡ－Ａ線での断面構成例を表したものである。図５は、図３のＢ－Ｂ線での断面構成例を表したものである。
　表示パネル１０は、可撓性基板４１と、可撓性基板４１の表面４１Ａ（第１主面）側に複数の有機電界発光素子４４Ａとを有している。可撓性基板４１は、例えば、樹脂製のフィルムやシートによって構成されている。可撓性基板４１は、例えば、ポリイミド（ＰＩ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）に代表されるメタクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ)などのポリエステル類、もしくはポリカーボネート樹脂によって構成されている。有機電界発光素子４４Ａは、上述の有機電界発光素子１１－２に相当する。
　表示パネル１０は、可撓性基板４１の表面４１Ａと複数の有機電界発光素子４４Ａとの間に設けられたＴＦＴ回路４３Ａを有している。ＴＦＴ回路４３Ａは、有機電界発光素子４４Ａを駆動する。ＴＦＴ回路４３Ａは、上述の画素回路１１－１に相当する。
　表示パネル１０は、複数のＴＦＴ回路４３Ａと複数の有機電界発光素子４４Ａとの間に設けられた無機絶縁膜４３Ｂ（第１無機膜）を有している。無機絶縁膜４３Ｂは、各ＴＦＴ回路４３Ａを覆っている。無機絶縁膜４３Ｂは、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）または酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）などの、吸湿性が低い無機材料によって構成されている。
　無機絶縁膜４３Ｂは、可撓性基板４１の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部４３Ｃを有している。無機絶縁膜４３Ｂにおいて、可撓性基板４１の端縁と対向する箇所は、複数の有機電界発光素子４４Ａと対向する箇所よりも薄くなっている。可撓性基板４１の端縁と対向する箇所と、複数の有機電界発光素子４４Ａと対向する箇所との厚さの違いによって、段差部４３Ｃが形成されている。段差部４３Ｃは、額縁領域１０Ｂに形成されている。段差部４３Ｃは、少なくとも、各実装端子５３と非対向の位置に形成されており、例えば、額縁領域１０Ｂのうち、各実装端子５３の形成された一辺を除く３辺に形成されている。各実装端子５３は、無機絶縁膜４３Ｂの表面のうち、段差部４３Ｃの形成されていない平坦な領域に形成されており、無機絶縁膜４３Ｂの表面に露出している。なお、表示パネル１０が、額縁領域１０Ｂのうち、各実装端子５３の形成された一辺と直交する方向にだけ折り曲げ可能に構成されている場合には、段差部４３Ｃは、例えば、額縁領域１０Ｂのうち、各実装端子５３の形成された一辺と直交する２辺に形成されている。
　表示パネル１０は、各有機電界発光素子４４Ａを覆う無機絶縁膜４５（第２無機膜）と、無機絶縁膜４５を覆うとともに、無機絶縁膜４３Ｂのうち少なくとも、無機絶縁膜４５の端縁と接する箇所を覆う樹脂層４６とを有している。無機絶縁膜４５は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）または酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）などの、吸湿性が低い無機材料によって構成されている。樹脂層４６の端縁が、段差部４３Ｃ上に形成されていてもよい。このとき、樹脂層４６は、無機絶縁膜４５の表面全体に接するとともに、無機絶縁膜４３Ｂのうち、無機絶縁膜４５の端縁と接する箇所から段差部４３Ｃにかけて接している。樹脂層４６は、接着層としても機能するものであり、例えば、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂などによって構成されている。樹脂層４６は、例えば、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などによって構成されていてもよい。
　表示パネル１０において、複数の有機電界発光素子４４Ａは、開口規定絶縁部４４Ｂによって相互に分離され、輪郭が規定された複数の有機電界発光素子４４Ａが、画素１１に対応して１つずつ配置されている。開口規定絶縁部４４Ｂと、複数の有機電界発光素子４４Ａとは、同一面内に形成されており、ＥＬ素子層４４を構成している。
　表示パネル１０は、可撓性基板４１と、複数のＴＦＴ回路４３Ａとの間にＵＣバリア層４２を有している。ＵＣバリア層４２は、可撓性基板４１の表面４１Ａ全体を覆っている。ＵＣバリア層４２は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）または酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）などの、吸湿性が低い無機材料によって構成された無機絶縁膜である。ＵＣバリア層４２は、単層であってもよいし、互いに異なる材料が積層された積層体であってもよい。
　表示パネル１０は、可撓性基板４１と対向配置され、樹脂層４６に接する封止層４７を有している。封止層４７は、例えば、エポキシ樹脂や、ビニル系樹脂などの樹脂材料によって形成されている。封止層４７に対して、光学的な機能が付与されていてもよい。封止層４７は、例えば、偏光板であってもよい。
　表示パネル１０は、可撓性基板４１の裏面４１Ｂ側に、樹脂層４８および補強層４９を可撓性基板４１の裏面４１Ｂ側からこの順に有している。樹脂層４８は、可撓性基板４１の裏面４１Ｂ全体を覆っている。樹脂層４８は、例えば、可撓性基板４１と補強層４９とを互いに接着する接着層として機能するものであり、例えば、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂などによって構成されている。補強層４９は、表示パネル１０の強度を保つ補強部材であり、かつ、表示パネル１０の背面を保護する保護部材でもある。補強層４９は、例えば、ＰＥＴやＰＩなどの樹脂材料、または、Ａｌ、Ｃｕ、ＳＵＳなどの金属材料などによって形成されている。
　図６は、段差部４３Ｃを拡大して表したものである。無機絶縁膜４３Ｂにおいて、可撓性基板４１の端縁と対向する箇所の厚さをｔｂとし、複数の有機電界発光素子４４Ａと対向する箇所の厚さをｔａとする。また、無機絶縁膜４３Ｂのうち無機絶縁膜４５の端縁と接する箇所と、無機絶縁膜４３Ｂの端縁との間の長さをＷａとし、段差部４３Ｃと、無機絶縁膜４３Ｂの端縁との間の長さをＷｂとする。このとき、ｔｂは、ｔａの３％以上５０％以下の範囲内の大きさとなっていることが好ましい。また、Ｗａは、狭額縁のパネルにおいて実用的な範囲内となっており、例えば、１ｍｍ以上１０ｍｍ以下となっている。Ｗｂの下限は、初期に発生したクラックが段差部４３Ｃに到達しない最低限の大きさとなっており、例えば、０．１ｍｍとなっている。Ｗｂの上限は、Ｗａとして採り得る最大値の半分の大きさとなっており、例えば、５ｍｍとなっている。
　図７は、段差部４３Ｃの設計モデルについて説明したものである。図７（Ａ）に示したように、板状の物体を両側から力Ｆで引っ張った場合に、引張方向に直交する断面にかかる応力σ0は、Ｆ／（Ｂｔ）で表される。ここで、Ｂは、物体の幅であり、ｔは、物体の厚さである。また、図７（Ｂ）に示したように、物体に、初期亀裂として楕円状の孔が形成されている場合に、物体を両側から力Ｆで引っ張るとする。このとき、楕円状の孔の長手方向の長さを２ａとし、楕円状の孔の短手方向の長さを２ｂとし、楕円状の孔の先端の曲率半径をρ（＝ｂ2／ａ）とすると、楕円状の孔の先端にかかる応力σmaxは、σ0×（１＋２（ａ／ρ）1/2）で表される。
　ここで、σmaxは、１／ｔに比例することから、無機絶縁膜４３Ｂにおいて、可撓性基板４１の端縁と対向する箇所に楕円状の孔が形成されたときに楕円状の孔の先端にかかる応力σmax1と、複数の有機電界発光素子４４Ａと対向する箇所に楕円状の孔が形成されたときに楕円状の孔の先端にかかる応力σmax2とは、以下の関係となる。
σmax1／σmax2＝ｔ２／ｔ１
　従って、膜に加わる応力がある限度を超えると亀裂が生じると考えると、例えば、ｔａをｔｂの２倍にした場合には、無機絶縁膜４３Ｂにおいて、可撓性基板４１の端縁と対向する箇所と比べて、無機絶縁膜４３Ｂにおいて、複数の有機電界発光素子４４Ａと対向する箇所での亀裂の出来にくさを、２倍にすることが可能となる。
[製造方法]
　次に、表示パネル１０の製造方法について説明する。図８Ａ～図８Ｆは、表示パネル１０の製造過程の一例を表す断面図である。
　まず、大判の支持ガラス１００上に、可撓性基板４１、ＵＣバリア層４２およびＴＦＴ層４３を形成する（図８Ａ）。続いて、表示パネル１０の大きさに対応する領域ごとに、ＥＬ素子層４４および無機絶縁膜４５を形成する（図８Ａ）。次に、表示パネル１０の大きさに対応する領域ごとに、無機絶縁膜４５に対して、樹脂層４６を介して封止層４７を貼り合わせる（図８Ｂ）。その後、大判の支持ガラス１００を、表示パネル１０の大きさに対応する領域ごとに分断する（図８Ｃ（ａ），図８Ｃ（ｂ））。なお、図８Ｃ（ａ）には、図２のＡ－Ａ線に対応する箇所での断面構成例が表されており、図８Ｃ（ｂ）には、図２のＢ－Ｂ線に対応する箇所での断面構成例が表されている。
　次に、封止層４７をマスクとして、ＴＦＴ層４３における無機絶縁膜４３Ｂを選択的にエッチングする（図８Ｄ（ａ），図８Ｄ（ｂ））。これにより、無機絶縁膜４３Ｂに対して段差部４３Ｃを形成する。段差部４３Ｃの形成時（すなわち、封止層４７をマスクとした無機絶縁膜４３Ｂの選択的エッチング時）において、無機絶縁膜４３Ｂを所望の厚さｔｂで残存させるために、例えば、予め取得した無機絶縁膜４３Ｂのエッチングレートからエッチング時間を算定して無機絶縁膜４３Ｂのエッチングを行う。このとき、各実装端子５３の表面が露出する。次に、複数の実装端子５３に対してＦＰＣ５２を実装する（図８Ｅ（ａ），図８Ｅ（ｂ））。そして、最後に、支持ガラス１００を剥離させた後、可撓性基板４１の裏面に補強層４９を樹脂層４８で貼合する（図８Ｆ（ａ），図８Ｆ（ｂ））。このようにして、本実施の形態に係る表示パネル１０が製造される。
　表示パネル１０は、上記以外の方法で製造することが可能である。図９Ａ～図９Ｈは、表示パネル１０の製造過程の一例を表す断面図である。
　まず、大判の支持ガラス１００上に、可撓性基板４１、ＵＣバリア層４２およびＴＦＴ層４３を形成する（図９Ａ）。続いて、表示パネル１０の大きさに対応する領域ごとに、ＥＬ素子層４４および無機絶縁膜４５を形成する（図９Ａ）。次に、無機絶縁膜４５を含む表面全体に対して、樹脂層１３０を介して支持フィルム１２０を貼り合わせた後、支持ガラス１００を剥離させた（図９Ｂ）。次に、可撓性基板４１の裏面に補強層４９を樹脂層４８で貼合する（図９Ｃ）。
　次に、支持フィルム１２０および樹脂層１３０を剥離させた後（図９Ｄ）、表示パネル１０の大きさに対応する領域ごとに、無機絶縁膜４５に対して、樹脂層４６を介して封止層４７を貼り合わせる（図９Ｅ）。次に、封止層４７をマスクとして、ＴＦＴ層４３における無機絶縁膜４３Ｂを選択的にエッチングする（図９Ｆ）。これにより、無機絶縁膜４３Ｂに対して段差部４３Ｃを形成する。このとき、各実装端子５３の表面が露出する。次に、可撓性基板４１を、表示パネル１０の大きさに対応する領域ごとに分断する（図９Ｇ（ａ），図９Ｇ（ｂ））。なお、図９Ｇ（ａ）には、図２のＡ－Ａ線に対応する箇所での断面構成例が表されており、図９Ｇ（ｂ）には、図２のＢ－Ｂ線に対応する箇所での断面構成例が表されている。そして、最後に、複数の実装端子５３に対してＦＰＣ５２を実装する（図９Ｈ（ａ），図９Ｈ（ｂ））。このようにして、本実施の形態に係る表示パネル１０が製造される。
　表示パネル１０は、上記以外の方法で製造することが可能である。図１０Ａ～図１０Ｃは、表示パネル１０の製造過程の一例を表す断面図である。
　まず、図９Ａ～図９Ｃに記載のプロセスと同様のプロセスを実施する。次に、可撓性基板４１を表示パネル１０の大きさに対応する領域ごとに分断する（図１０Ａ（ａ），図１０Ａ（ｂ））。なお、図１０Ａ（ａ）には、図２のＡ－Ａ線に対応する箇所での断面構成例が表されており、図１０Ａ（ｂ）には、図２のＢ－Ｂ線に対応する箇所での断面構成例が表されている。次に、支持フィルム１２０および樹脂層１３０を剥離させた後（図１０Ｂ（ａ），図１０Ｂ（ｂ））、表示パネル１０の大きさに対応する領域ごとに、無機絶縁膜４５に対して、樹脂層４６を介して封止層４７を貼り合わせる（図１０Ｃ（ａ），図１０Ｃ（ｂ））。
　次に、封止層４７をマスクとして、ＴＦＴ層４３における無機絶縁膜４３Ｂを選択的にエッチングする（図９Ｇ（ａ），図９Ｇ（ｂ））。これにより、無機絶縁膜４３Ｂに対して段差部４３Ｃを形成する。このとき、各実装端子５３の表面が露出する。そして、最後に、複数の実装端子５３に対してＦＰＣ５２を実装する（図９Ｈ（ａ），図９Ｈ（ｂ））。このようにして、本実施の形態に係る表示パネル１０が製造される。
[効果]
　次に、本実施の形態に係る表示パネル１０および表示装置１の効果について説明する。
　有機ＥＬ素子などの自発光素子を用いた表示パネルでは、自発光素子の駆動にＴＦＴが用いられる。表示パネルの額縁部分には、ＴＦＴ由来の無機膜が存在している。ところで、このような表示パネルにおいて、可撓性の基板を用いることで、表示パネルに可撓性を持たせることが可能である。しかし、表示パネルに可撓性を持たせた場合、表示パネルを持ち運んだり、意図的に曲げたりしたときに、表示パネルの額縁部分の無機膜にクラックが生じやすい。無機膜にクラックが生じると、そのクラックを介して外部から水分が侵入し、滅点などの表示不良が生じるおそれがある。
　一方、本実施の形態では、可撓性基板４１の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部４３Ｃが、各ＴＦＴ回路４３Ａを覆う無機絶縁膜４３Ｂに設けられている。これにより、例えば、表示パネル１０を持ち運んだり、意図的に曲げたりした場合に、無機絶縁膜４３Ｂの端縁にクラックが生じたときには、段差部４３Ｃによって、クラックの延伸が抑制される。また、本実施の形態では、各有機電界発光素子４４Ａを覆う無機絶縁膜４５が樹脂層４６によって覆われている。さらに、無機絶縁膜４３Ｂのうち少なくとも、無機絶縁膜４５の端縁と接する箇所も樹脂層４６によって覆われている。これにより、無機絶縁膜４３Ｂの端縁に生じたクラックが段差部４３Ｃを超えて延伸してきた場合であっても、無機絶縁膜４３Ｂおよび無機絶縁膜４５のうち樹脂層４６によって覆われている箇所へのクラックの延伸が、樹脂層４６によって抑制される。その結果、無機絶縁膜４３Ｂに生じたクラックに起因して滅点などの表示不良が発生するのを抑制することができる
　また、本実施の形態では、樹脂層４６の端縁が、段差部４３Ｃ上に形成されている。このとき、樹脂層４６は、無機絶縁膜４５の表面全体に接するとともに、無機絶縁膜４３Ｂのうち、無機絶縁膜４５の端縁と接する箇所から段差部４３Ｃにかけて接している。これにより、無機絶縁膜４３Ｂの端縁に生じたクラックが段差部４３Ｃを超えて延伸してきた場合であっても、無機絶縁膜４３Ｂおよび無機絶縁膜４５のうち樹脂層４６によって覆われている箇所へのクラックの延伸が、樹脂層４６によって抑制される。その結果、無機絶縁膜４３Ｂに生じたクラックに起因して滅点などの表示不良が発生するのを抑制することができる
　また、本実施の形態では、段差部４３Ｃは、少なくとも、各実装端子５３と非対向の位置に形成されている。このように、表示パネル１０のうち意図的な曲げが想定されていない箇所にまで段差部４３Ｃを設けないようにすることにより、各実装端子５３を平坦な箇所に設けることができる。その結果、各実装端子５３に対する、ＦＰＣ５２の接続容易性を確保することができる。
＜２．変形例＞
　以下に、上記実施の形態に係る表示パネル１０の変形例について説明する。
[変形例Ａ]
　図１１は、図４のＡ－Ａ線での断面構成の一変形例を表したものである。上記実施の形態において、無機絶縁膜４３Ｂのうち、段差部４３Ｃおよびその近傍が、樹脂層４６で覆われておらず、露出していてもよい。このようにした場合であっても、樹脂層４６は、無機絶縁膜４３Ｂのうち少なくとも、無機絶縁膜４５の端縁と接する箇所を覆っている。ここで、樹脂層４６の端縁は、無機絶縁膜４３Ｂの表面において、無機絶縁膜４５の端縁と、段差部４３Ｃとの間の領域内で接しており、樹脂層４６の端縁と、無機絶縁膜４３Ｂの表面とが接する箇所には、段差部４３Ｄが形成されている。
　これにより、無機絶縁膜４３Ｂの端縁に生じたクラックが段差部４３Ｃを超えて延伸してきた場合であっても、無機絶縁膜４３Ｂおよび無機絶縁膜４５のうち樹脂層によって覆われている箇所へのクラックの延伸が、樹脂層４６（さらには段差部４３Ｄ）によって抑制される。その結果、無機絶縁膜４３Ｂに生じたクラックに起因して滅点などの表示不良が発生するのを抑制することができる。
[変形例Ｂ]
　図１２、図１３は、図４のＡ－Ａ線での断面構成の一変形例を表したものである。上記実施の形態および変形例Ａにおいて、表示パネル１０が、ＵＣバリア層４２と、ＴＦＴ層４３との間に、樹脂層５４およびＵＣバリア層５７を有していてもよい。樹脂層５４は、例えば、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂などによって構成されている。ＵＣバリア層５７は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）または酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）などの、吸湿性が低い無機材料によって構成された無機絶縁膜である。ＵＣバリア層５７は、単層であってもよいし、互いに異なる材料が積層された積層体であってもよい。これにより、例えば、表示パネル１０を持ち運んだり、意図的に曲げたりした場合に、ＵＣバリア層４２またはＵＣバリア層５７にクラックが生じたときには、無機絶縁膜４３Ｂや無機絶縁膜４５と、ＵＣバリア層４２との間に樹脂層５４が設けられていることにより、クラックの無機絶縁膜４３Ｂや無機絶縁膜４５への延伸が抑制される。その結果、無機絶縁膜４３Ｂに生じたクラックに起因して滅点などの表示不良が発生するのを抑制することができる。
[変形例Ｃ]
　図１４は、図４のＡ－Ａ線での断面構成の一変形例を表したものである。図１４には、図１２に記載の断面構成の一変形例が示されている。上記変形例Ｂでは、段差部４３Ｃが無機絶縁膜４３Ｂに設けられていた。しかし、上記変形例Ｂにおいて、例えば、図１４に示したように、無機絶縁膜４３Ｂには段差部４３Ｃが設けられておらず、その代わりに、段差部４２ＡがＵＣバリア層４２に設けられていてもよい。
　本変形例では、無機絶縁膜４３Ｂの端部の表面は、段差部４３Ｃのない、概ね平坦となっている。一方、ＵＣバリア層４２は、可撓性基板４１の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部４２Ａを有している。ＵＣバリア層４２において、可撓性基板４１の端縁と対向する箇所は、複数の有機電界発光素子４４Ａと対向する箇所よりも薄くなっている。可撓性基板４１の端縁と対向する箇所と、複数の有機電界発光素子４４Ａと対向する箇所との厚さの違いによって、段差部４２Ａが形成されている。段差部４２Ａは、額縁領域１０Ｂに形成されている。段差部４２Ａは、少なくとも、各実装端子５３と非対向の位置に形成されており、例えば、額縁領域１０Ｂのうち、各実装端子５３の形成された一辺を除く３辺に形成されている。各実装端子５３は、ＵＣバリア層４２の表面のうち、段差部４２Ａの形成されていない平坦な領域と対向する箇所に形成されている。なお、表示パネル１０が、額縁領域１０Ｂのうち、各実装端子５３の形成された一辺と直交する方向にだけ折り曲げ可能に構成されている場合には、段差部４２Ａは、例えば、額縁領域１０Ｂのうち、各実装端子５３の形成された一辺と直交する２辺に形成されている。
　本変形例では、樹脂層５４は、ＵＣバリア層４２うち、部分的に薄くなっている箇所以外の箇所を覆っている。樹脂層５４の端縁が、段差部４２Ａ上に形成されていてもよい。このとき、樹脂層５４は、ＵＣバリア層４２のうち、複数のＴＦＴ回路４３Ａと対向する箇所から段差部４２Ａにかけて接している。樹脂層５４は、例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂などによって構成されている。
　これにより、ＵＣバリア層４２の端縁に生じたクラックが段差部４２Ａを超えて延伸してきた場合であっても、ＵＣバリア層４２のうち樹脂層５４によって覆われている箇所へのクラックの延伸が、樹脂層５４によって抑制される。その結果、ＵＣバリア層４２に生じたクラックに起因して滅点などの表示不良が発生するのを抑制することができる
　さらに、本変形例において、例えば、図１５に示したように、ＴＦＴ層４３のうち、段差部４２Ａの近傍の端部が、樹脂層４６で覆われておらず、露出していてもよい。このようにした場合であっても、樹脂層４６は、無機絶縁膜４３Ｂのうち少なくとも、無機絶縁膜４５の端縁と接する箇所を覆っている。ここで、樹脂層４６の端縁は、無機絶縁膜４３Ｂの表面において、無機絶縁膜４５の端縁と、無機絶縁膜４３Ｂの端部との間の領域内で接しており、樹脂層４６の端縁と、無機絶縁膜４３Ｂの表面とが接する箇所には、段差部４３Ｄが形成されている。
　これにより、無機絶縁膜４３Ｂの端縁にクラックが生じた場合であっても、無機絶縁膜４３Ｂおよび無機絶縁膜４５のうち樹脂層４６によって覆われている箇所へのクラックの延伸が、樹脂層４６（さらには段差部４３Ｄ）によって抑制される。その結果、無機絶縁膜４３Ｂに生じたクラックに起因して滅点などの表示不良が発生するのを抑制することができる
　以上、実施の形態およびその変形例を挙げて本開示を説明したが、本開示は実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。なお、本明細書中に記載された効果は、あくまで例示である。本開示の効果は、本明細書中に記載された効果に限定されるものではない。本開示が、本明細書中に記載された効果以外の効果を持っていてもよい。
[変形例Ｄ]
　図１６は、ＵＣバリア層４２および無機絶縁膜４３Ｂにおける段差部４２Ａ，４３Ｃを拡大して表したものである。上記実施の形態および変形例Ａ，Ｂ,Ｃにおいて、ＵＣバリア層４２および無機絶縁膜４３Ｂは、段差部４２Ａ，４３Ｃの底面を構成する箇所の絶縁材料と、段差部４２Ａ，４３Ｃの側面を構成する絶縁材料とが互いに異なる構造となっていてもよい。上記実施の形態および変形例Ａ，Ｂ,Ｃにおいて、ＵＣバリア層４２および無機絶縁膜４３Ｂは、例えば、図１６に示したように、段差部４２Ａ，４３Ｃの底面を構成する絶縁膜５５と、段差部４２Ａ，４３Ｃの側面を構成する絶縁膜５６とを含んで構成されていてもよい。このとき、絶縁膜５５は、絶縁膜５６と比べて、所定のエッチングガス、または、所定にエッチング液に対してエッチングレートの遅い無機材料によって構成されていてもよい。例えば、フッ素系ガスを用いたドライエッチングを用いる場合には、シリコン酸化膜のエッチングレートよりもシリコン窒化膜のエッチングレートの方が大きいので、例えば、絶縁膜５６が窒化シリコン（ＳｉＮｘ）で構成され、絶縁膜５５は酸化シリコン（ＳｉＯｘ）で構成されている。このようにした場合には、上記実施の形態および変形例Ａ，Ｂ,Ｃにおいて、ＵＣバリア層４２および無機絶縁膜４３Ｂを選択的にエッチングする際に、絶縁膜５５がエッチングストップ層として機能する。その結果、製造過程において、段差部４２Ａ，４３Ｃの高さを精密に制御することが可能となる。
[変形例Ｅ]
　図１７は、図４に記載の断面構成の一変形例を表したものである。図１８は、図１２に記載の断面構成の一変形例を表したものである。上記実施の形態および変形例Ｂにおいて、樹脂層４６が、例えば、図１７、図１８に示したように、無機絶縁膜４５の表面全体に接するとともに、無機絶縁膜４３Ｂのうち、無機絶縁膜４５の端縁と接する箇所から段差部４３Ｃにかけて接しているだけでなく、さらに、段差部４３Ｃを覆うように形成されていてもよい。このとき、樹脂層４６の端縁が、無機絶縁膜４３Ｂのうち、無機絶縁膜４３Ｂの端縁と段差部４３Ｃとの間の箇所に接して形成されている。樹脂層４６の端縁と、無機絶縁膜４３Ｂの表面とが接する箇所には、段差部４３Ｄが形成されている。このような構成は、例えば、偏光板４７とは異なる層をマスクとするＴＦＴ層４３の選択エッチングにより段差部４３Ｃを形成した後、段差部４３Ｃを覆う大きさの偏光板４７をマスクとする樹脂層４６の選択エッチングにより段差部４３Ｄを形成することにより形成される。
　これにより、無機絶縁膜４３Ｂの端縁に生じたクラックが段差部４３Ｄを超えて延伸してきた場合であっても、無機絶縁膜４３Ｂおよび無機絶縁膜４５のうち樹脂層４６によって覆われている箇所へのクラックの延伸が、樹脂層４６によって抑制される。その結果、無機絶縁膜４３Ｂに生じたクラックに起因して滅点などの表示不良が発生するのを抑制することができる。
[変形例Ｆ]
　図１９は、図１４に記載の断面構成の一変形例を表したものである。上記変形例Ｃにおいて、樹脂層５４が、例えば、図１９に示したように、ＵＣバリア層４２のうち各有機電界発光素子４４Ａと対向する領域の表面全体を覆うとともに、ＵＣバリア層４２の段差部４２Ａを覆うように形成されていてもよい。このとき、樹脂層５４の端縁が、ＵＣバリア層４２のうち、ＵＣバリア層４２の端縁と段差部４２Ａとの間の箇所に接して形成されている。樹脂層５４の端縁と、ＵＣバリア層４２の表面とが接する箇所には、段差部４２Ｂが形成されている。このような構成は、例えば、偏光板４７とは異なる層をマスクとするＵＣバリア層４２の選択エッチングにより段差部４２Ａを形成した後、段差部４２Ａを覆う大きさの偏光板４７をマスクとする樹脂層５４の選択エッチングにより段差部４２Ｂを形成することにより形成される。
　これにより、ＵＣバリア層４２の端縁に生じたクラックが段差部４２Ａを超えて延伸してきた場合であっても、ＵＣバリア層４２のうち樹脂層５４によって覆われている箇所へのクラックの延伸が、樹脂層５４によって抑制される。その結果、ＵＣバリア層４２に生じたクラックに起因して滅点などの表示不良が発生するのを抑制することができる。
　また、例えば、本開示は以下のような構成を取ることができる。
（１）
　可撓性基板と、
　前記可撓性基板の第１主面側に設けられた複数の自発光素子と、
　前記第１主面と複数の前記自発光素子との間に設けられ、前記自発光素子を駆動する複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路と、
　複数の前記ＴＦＴ回路と複数の前記自発光素子との間に設けられ、各前記ＴＦＴ回路を覆っており、さらに、前記可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部を有する第１無機膜と、
　各前記自発光素子を覆う第２無機膜と、
　前記第２無機膜を覆うとともに、前記第１無機膜のうち少なくとも、前記第２無機膜の端縁と接する箇所を覆う樹脂層と
　を備えた
　表示パネル。
（２）
　前記樹脂層の端縁が、前記段差部上に形成されている
　（１）に記載の表示パネル。
（３）
　前記樹脂層は、前記段差部を覆うように形成されている
　（１）に記載の表示パネル。
（４）
　複数の前記ＴＦＴ回路と電気的に接続された複数の実装端子と、
　複数の前記実装端子と接合されたＦＰＣ（ Flexible Printed Circuits）と
　を更に備え、
　前記段差部は、前記第１無機膜のうち、各前記実装端子と非対向の位置に形成されている
　（１）から（３）のいずれか１つに記載の表示パネル。
（５）
　可撓性基板と、
　前記可撓性基板の第１主面側に設けられた複数の自発光素子と、
　前記第１主面と複数の前記自発光素子との間に設けられ、前記自発光素子を駆動する複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路と、
　前記可撓性基板と複数の前記ＴＦＴ回路との間に設けられ、前記第１主面を覆っており、さらに、前記可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部を有する無機膜と、
　前記無機膜のうち、部分的に薄くなっている箇所以外の箇所を覆う樹脂層と
　を備えた
　表示パネル。
（６）
　前記樹脂層の端縁が、前記段差部上に形成されている
　（５）に記載の表示パネル。
（７）
　前記樹脂層は、前記段差部を覆うように形成されている
　（５）に記載の表示パネル。
（８）
　複数の前記ＴＦＴ回路と電気的に接続された複数の実装端子と、
　複数の前記実装端子と接合されたＦＰＣ（ Flexible Printed Circuits）と
　を更に備え、
　前記段差部は、前記無機膜のうち、各前記実装端子と非対向の位置に形成されている
　（５）から（７）のいずれか１つに記載の表示パネル。
（９）
　表示パネルと、
　前記表示パネルを駆動する駆動部と
　を備え、
　前記表示パネルは、
　可撓性基板と、
　前記可撓性基板の第１主面側に設けられた複数の自発光素子と、
　前記第１主面と複数の前記自発光素子との間に設けられ、前記自発光素子を駆動する複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路と、
　複数の前記ＴＦＴ回路と複数の前記自発光素子との間に設けられ、各前記ＴＦＴ回路を覆っており、さらに、前記可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部を有する第１無機膜と、
　各前記自発光素子を覆う第２無機膜と、
　前記第２無機膜を覆うとともに、前記第１無機膜のうち少なくとも、前記第２無機膜の端縁と接する箇所を覆う樹脂層と
　を有する
　表示装置。
（１０）
　複数の前記ＴＦＴ回路と電気的に接続された複数の実装端子と、
　複数の前記実装端子と前記駆動部とに接合されたＦＰＣ（ Flexible Printed Circuits）と
　を更に備え、
　前記段差部は、前記第１無機膜のうち、各前記実装端子と非対向の位置に形成されている
　（９）に記載の表示装置。
（１１）
　表示パネルと、
　前記表示パネルを駆動する駆動部と
　を備え、
　前記表示パネルは、
　可撓性基板と、
　前記可撓性基板の第１主面側に設けられた複数の自発光素子と、
　前記第１主面と複数の前記自発光素子との間に設けられ、前記自発光素子を駆動する複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路と、
　前記可撓性基板と複数の前記ＴＦＴ回路との間に設けられ、前記第１主面を覆っており、さらに、前記可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部を有する無機膜と、
　前記無機膜のうち、部分的に薄くなっている箇所以外の箇所を覆う樹脂層と
　を有する
　表示装置。
（１２）
　複数の前記ＴＦＴ回路と電気的に接続された複数の実装端子と、
　複数の前記実装端子と前記駆動部とに接合されたＦＰＣ（ Flexible Printed Circuits）と
　を更に備え、
　前記段差部は、前記無機膜のうち、各前記実装端子と非対向の位置に形成されている
　（１１）に記載の表示装置。
　本出願は、日本国特許庁において２０１９年１月９日に出願された日本特許出願番号第２０１９－００１９３１号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願のすべての内容を参照によって本出願に援用する。
　当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。

Claims (12)

  1. 　可撓性基板と、
    　前記可撓性基板の第１主面側に設けられた複数の自発光素子と、
    　前記第１主面と複数の前記自発光素子との間に設けられ、前記自発光素子を駆動する複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路と、
    　複数の前記ＴＦＴ回路と複数の前記自発光素子との間に設けられ、各前記ＴＦＴ回路を覆っており、さらに、前記可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部を有する第１無機膜と、
    　各前記自発光素子を覆う第２無機膜と、
    　前記第２無機膜を覆うとともに、前記第１無機膜のうち少なくとも、前記第２無機膜の端縁と接する箇所を覆う樹脂層と
    　を備えた
    　表示パネル。
  2. 　前記樹脂層の端縁が、前記段差部上に形成されている
    　請求項１に記載の表示パネル。
  3. 　前記樹脂層は、前記段差部を覆うように形成されている
    　請求項１に記載の表示パネル。
  4. 　複数の前記ＴＦＴ回路と電気的に接続された複数の実装端子と、
    　複数の前記実装端子と接合されたＦＰＣ（ Flexible Printed Circuits）と
    　を更に備え、
    　前記段差部は、前記第１無機膜のうち、各前記実装端子と非対向の位置に形成されている
    　請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の表示パネル。
  5. 　可撓性基板と、
    　前記可撓性基板の第１主面側に設けられた複数の自発光素子と、
    　前記第１主面と複数の前記自発光素子との間に設けられ、前記自発光素子を駆動する複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路と、
    　前記可撓性基板と複数の前記ＴＦＴ回路との間に設けられ、前記第１主面を覆っており、さらに、前記可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部を有する無機膜と、
    　前記無機膜のうち、部分的に薄くなっている箇所以外の箇所を覆う樹脂層と
    　を備えた
    　表示パネル。
  6. 　前記樹脂層の端縁が、前記段差部上に形成されている
    　請求項５に記載の表示パネル。
  7. 　前記樹脂層は、前記段差部を覆うように形成されている
    　請求項５に記載の表示パネル。
  8. 　複数の前記ＴＦＴ回路と電気的に接続された複数の実装端子と、
    　複数の前記実装端子と接合されたＦＰＣ（ Flexible Printed Circuits）と
    　を更に備え、
    　前記段差部は、前記無機膜のうち、各前記実装端子と非対向の位置に形成されている
    　請求項５から請求項７のいずれか一項に記載の表示パネル。
  9. 　表示パネルと、
    　前記表示パネルを駆動する駆動部と
    　を備え、
    　前記表示パネルは、
    　可撓性基板と、
    　前記可撓性基板の第１主面側に設けられた複数の自発光素子と、
    　前記第１主面と複数の前記自発光素子との間に設けられ、前記自発光素子を駆動する複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路と、
    　複数の前記ＴＦＴ回路と複数の前記自発光素子との間に設けられ、各前記ＴＦＴ回路を覆っており、さらに、前記可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部を有する第１無機膜と、
    　各前記自発光素子を覆う第２無機膜と、
    　前記第２無機膜を覆うとともに、前記第１無機膜のうち少なくとも、前記第２無機膜の端縁と接する箇所を覆う樹脂層と
    　を有する
    　表示装置。
  10. 　複数の前記ＴＦＴ回路と電気的に接続された複数の実装端子と、
    　複数の前記実装端子と前記駆動部とに接合されたＦＰＣ（ Flexible Printed Circuits）と
    　を更に備え、
    　前記段差部は、前記第１無機膜のうち、各前記実装端子と非対向の位置に形成されている
    　請求項９に記載の表示装置。
  11. 　表示パネルと、
    　前記表示パネルを駆動する駆動部と
    　を備え、
    　前記表示パネルは、
    　可撓性基板と、
    　前記可撓性基板の第１主面側に設けられた複数の自発光素子と、
    　前記第１主面と複数の前記自発光素子との間に設けられ、前記自発光素子を駆動する複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路と、
    　前記可撓性基板と複数の前記ＴＦＴ回路との間に設けられ、前記第１主面を覆っており、さらに、前記可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部を有する無機膜と、
    　前記無機膜のうち、部分的に薄くなっている箇所以外の箇所を覆う樹脂層と
    　を有する
    　表示装置。
  12. 　複数の前記ＴＦＴ回路と電気的に接続された複数の実装端子と、
    　複数の前記実装端子と前記駆動部とに接合されたＦＰＣ（ Flexible Printed Circuits）と
    　を更に備え、
    　前記段差部は、前記無機膜のうち、各前記実装端子と非対向の位置に形成されている
    　請求項１１に記載の表示装置。
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