WO2020122156A1 - 樹脂多層基板、および樹脂多層基板の製造方法 - Google Patents
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- H05K3/4053—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
- H05K3/4069—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in organic insulating substrates
Definitions
- the present invention relates to a resin multilayer substrate formed by laminating a plurality of resin layers including different types of resin layers, and a method for manufacturing the resin multilayer substrate.
- a resin multilayer substrate including a laminated body formed by laminating a plurality of resin layers including resin layers made of different materials, and a via conductor formed in the laminated body.
- Patent Document 1 in a configuration in which a first resin layer and a second resin layer made of different materials are laminated, a via conductor (plating via) formed in the first resin layer is provided in the second resin layer. There is disclosed a resin multilayer substrate which is joined to another conductor via the joined portion (conductive paste).
- the joint portion is formed so that the resin layers can be bonded at a low temperature when the resin layers are heated and pressed to form a laminate.
- a low-melting-point material is used for the material, but such a low-melting-point material is often more brittle than the via conductor. Therefore, when the linear expansion coefficient of the second resin layer in contact with the bonding portion is large, when the multilayer substrate is heated (for example, a reflow step or a bending process involving heating), the expansion of the second resin layer causes the bonding portion to expand. There is a risk that stress will be applied to the joint and the joint will be damaged.
- An object is to provide a resin multilayer substrate in which damage to a part is suppressed.
- the resin multilayer substrate of the present invention A laminate formed by laminating a plurality of resin layers including a first resin layer and a second resin layer, A via conductor formed in the first resin layer, At least a part of the second resin layer is formed on the second resin layer, and is joined to the via conductor, A conductor formed in the laminated body and connected to the via conductor via the joint portion; Equipped with The joint is more brittle than the via conductor, The coefficient of linear expansion of the second resin layer is larger than the coefficient of linear expansion of the via conductor and the coefficient of linear expansion of the joint portion, and smaller than the coefficient of linear expansion of the first resin layer.
- the joint portion is in contact with only the first resin layer.
- the stress applied to the bonding portion can be reduced. Therefore, it is possible to suppress damage to the joint portion when the resin multilayer substrate is heated.
- the method for producing a resin multilayer substrate in the present invention is A bonding step of bonding a second resin layer having a linear expansion coefficient smaller than that of the first resin layer to the first resin layer; After the bonding step, a through hole is provided that penetrates the bonded first resin layer and second resin layer, and at least the first resin layer side of the through hole is filled with a metal material to form a via hole.
- a via conductor forming step of forming a conductor After the via conductor forming step, a joining portion more brittle than the via conductor is disposed at least on the second resin layer side of the through hole so as to be in contact with the via conductor; After the joining portion forming step, a plurality of resin layers including the first resin layer and the second resin layer that have been stuck are laminated so that the conductor formed in another resin layer and the joining portion come into contact with each other. Then, a laminated body is formed by hot pressing, and the via conductor and the conductor are joined via the joining portion, and a laminated body forming step, It is characterized by including.
- this manufacturing method it is possible to easily manufacture a resin multilayer substrate in which damage to the joint portion due to thermal expansion of a plurality of resin layers is suppressed when heated.
- a joint caused by stress when heated is formed. It is possible to realize a resin multi-layer substrate in which damage to a part is suppressed.
- FIG. 1 is an external perspective view of a resin multilayer substrate 101 according to the first embodiment.
- FIG. 2 is an exploded plan view of the resin multilayer substrate 101.
- 3A is a sectional view taken along line AA in FIG. 1
- FIG. 3B is a sectional view taken along line BB in FIG.
- FIG. 4(A) is a diagram showing the carbon content in the Z-axis direction near the interface between the via conductor and the joint
- FIG. 4(B) is Z near the interface between the via conductor and the joint. It is a figure which shows the porosity per unit plane cross-sectional area in an axial direction.
- FIG. 5 is a front view showing a main part of the electronic device 301 according to the first embodiment.
- FIG. 6 is a front view showing the bending process of the resin multilayer substrate 101 in order.
- 7A to 7C are cross-sectional views sequentially showing the steps of forming the via conductor V11 and the joint portion 71P on the first resin layer 11 and the second resin layer 21 before hot pressing.
- 8A to 8C are cross-sectional views sequentially showing the manufacturing process of the resin multilayer substrate 101.
- FIG. 9 is an external perspective view of the resin multilayer substrate 102 according to the second embodiment.
- FIG. 10 is a sectional view taken along line CC of FIG. 11A to 11C are cross-sectional views sequentially showing the steps of forming the via conductor V11A and the joint portion 71P on the first resin layer 11 and the second resin layer 21 before hot pressing.
- 12A to 12C are cross-sectional views sequentially showing the manufacturing process of the resin multilayer substrate 102.
- FIG. 13 is a sectional view of the resin multilayer substrate 103 according to the third embodiment.
- FIG. 1 is an external perspective view of a resin multilayer substrate 101 according to the first embodiment.
- FIG. 2 is an exploded plan view of the resin multilayer substrate 101.
- 3A is a sectional view taken along line AA in FIG. 1
- FIG. 3B is a sectional view taken along line BB in FIG.
- the resin multilayer board 101 is, for example, a cable that connects a plurality of circuit boards to each other, as described in detail later.
- the resin multilayer substrate 101 has a first connection portion CN1, a second connection portion CN2, and a line portion SL.
- the mounting electrode P1 and the ground electrode PG1 are exposed on the lower surface (first main surface VS1) shown in FIG. 1 of the first connection portion CN1, and the upper surface (second surface of the second connection portion CN2 shown in FIG.
- the mounting electrode P2 and the ground electrode PG2 are exposed on the main surface VS2).
- the line portion SL is configured with a transmission line having a stripline structure that connects the first connection portion CN1 and the second connection portion CN2.
- the resin multilayer substrate 101 includes a laminated body 30, signal conductors 41, mounting electrodes P1 and P2, ground electrodes PG1 and PG2, ground conductors 51, 52 and 53, via conductors V1, V2, V3, V11, V12 and V13, and joint portions. 61, 62, 71, 72 etc. are provided.
- the laminated body 30 is a rectangular flat plate whose longitudinal direction coincides with the X-axis direction, and has a first main surface VS1 and a second main surface VS2 facing each other.
- the signal conductor 41, the ground conductors 51, 52, 53, the via conductors V1, V2, V3, V11, V12, V13 and the joint portions 61, 62, 71, 72 are formed inside the laminated body 30.
- the mounting electrode P1 and the ground electrode PG1 are exposed on the first main surface VS1, and the mounting electrode P2 and the ground electrode PG2 are exposed on the second main surface VS2.
- the laminated body 30 is formed by laminating a plurality of resin layers including a first resin layer and a second resin layer made of a thermoplastic resin, and protective layers 1 and 2. Specifically, the laminated body 30 includes the protective layer 1, the first resin layer 11, the second resin layers 21 and 22, the first resin layer 12, the second resin layer 23, the first resin layer 13, and the protective layer 2. It is formed by laminating in this order.
- Each of the first resin layers 11, 12, 13 and the second resin layers 21, 22, 23 is a rectangular flat plate having flexibility and having its longitudinal direction aligned with the X-axis direction.
- the first resin layers 11, 12, and 13 are sheets containing a fluororesin such as perfluoroalkoxyalkane (PFA) or polytetrafluoroethylene (PTFE) as a main component.
- the second resin layers 21, 22, 23 are sheets containing, for example, liquid crystal polymer (LCP) or polyether ether ketone (PEEK) as a main component.
- the mounting electrode P1 and the ground conductor 51 are formed on the back surface of the first resin layer 11.
- the mounting electrode P1 is a rectangular conductor pattern arranged near the first end of the first resin layer 11 (the left end of the first resin layer 11 in FIG. 2).
- the ground conductor 51 is a planar conductor pattern formed on substantially the entire surface of the first resin layer 11.
- the mounting electrode P1 and the ground conductor 51 are conductor patterns such as Cu foil.
- a second resin layer 21 having substantially the same shape as the first resin layer 11 is attached to the surface of the first resin layer 11.
- the first resin layer 11 is formed with a via conductor V1 and a plurality of via conductors V11.
- the via conductor V1 is arranged near the first end of the first resin layer 11.
- the via conductors V11 are arranged in the transmission direction (X-axis direction).
- the via conductors V1 and V11 are, for example, plated films of Cu or the like formed by plating in through holes provided in the first resin layer 11 and the second resin layer 21.
- the signal conductor 41 and the ground conductor 52 are formed on the surface of the first resin layer 12.
- the signal conductor 41 is a linear conductor pattern extending in the transmission direction (X-axis direction).
- the ground conductor 52 is a planar conductor pattern formed on substantially the entire surface of the first resin layer 12.
- the signal conductor 41 and the ground conductor 52 are conductor patterns such as Cu foil.
- a second resin layer 22 having substantially the same shape as the first resin layer 12 is attached to the back surface of the first resin layer 12.
- the first resin layer 12 is formed with a via conductor V2 and a plurality of via conductors V12.
- the via conductor V2 is arranged near the first end of the first resin layer 12 (the left end of the first resin layer 12 in FIG. 2).
- the via conductors V12 are arranged in the transmission direction (X-axis direction).
- the via conductors V2 and V12 are, for example, through-hole plating of Cu or the like formed by plating treatment in through holes provided in the first resin layer 12 and the second resin layer 22, or filled via plating.
- a plurality of joints 61, 71 are formed on the second resin layers 21, 22.
- the joining portion 61 is joined to the via conductors V1 and V2, respectively, and the joining portion 71 is joined to the via conductors V11 and V12, respectively.
- the joining portions 61 and 71 are low melting point conductive joining materials containing a metal such as Cu and Sn and a resin material.
- the mounting electrode P2 and the ground conductor 53 are formed on the surface of the first resin layer 13.
- the mounting electrode P2 is a rectangular conductor pattern arranged near the second end of the first resin layer 13 (the right end of the first resin layer 13 in FIG. 2).
- the ground conductor 53 is a planar conductor pattern formed on substantially the entire surface of the first resin layer 13.
- the mounting electrode P2 and the ground conductor 53 are conductor patterns such as Cu foil.
- a second resin layer 23 having substantially the same shape as the first resin layer 13 is attached to the back surface of the first resin layer 13.
- the first resin layer 13 is formed with a via conductor V3 and a plurality of via conductors V13.
- the via conductor V3 is arranged near the second end of the first resin layer 13.
- the via conductors V13 are arranged in the transmission direction (X-axis direction).
- the via conductors V3 and V13 are, for example, through-hole plating of Cu or the like formed by plating treatment in through holes provided in the first resin layer 13 and the second resin layer 23, or filled via plating.
- the second resin layer 23 is formed with a plurality of joints 62 and 72.
- the joint portion 62 is joined to the signal conductor 41 and the via conductor V3, respectively, and the joint portion 72 is joined to the ground conductor 52 and the via conductor V13, respectively.
- the joining portions 62 and 72 are low melting point conductive joining materials containing a metal such as Cu and Sn and a resin material.
- the protective layer 1 is a protective film laminated on the back surface of the first resin layer 11, and has a planar shape substantially the same as that of the first resin layer 11.
- the protective layer 2 is a protective film laminated on the surface of the first resin layer 13, and has a planar shape substantially the same as that of the first resin layer 13.
- the protective layers 1 and 2 are, for example, a coverlay film or a solder resist film, for example, an epoxy resin film or the like.
- the protective layer 1 has an opening OP1 and a plurality of openings OP10.
- the opening OP1 is formed at a position corresponding to the position of the mounting electrode P1
- the opening OP10 is formed at a position corresponding to the position of the ground conductor 51. Therefore, even when the protective layer 1 is formed on the back surface of the first resin layer 11, the mounting electrode P1 is exposed to the outside through the opening OP1 and a part of the ground conductor 51 is exposed to the outside through the opening OP10.
- a part of the ground conductor 51 exposed from the plurality of openings OP10 is the ground electrode PG1.
- the protective layer 2 has an opening OP2 and a plurality of openings OP20.
- the opening OP2 is formed at a position corresponding to the position of the mounting electrode P2, and the opening OP20 is formed at a position corresponding to the position of the ground conductor 53. Therefore, even when the protective layer 2 is formed on the surface of the first resin layer 13, the mounting electrode P2 is exposed to the outside through the opening OP2 and a part of the ground conductor 53 is exposed to the outside through the opening OP20.
- a part of the ground conductor 53 exposed from the plurality of openings OP20 is the ground electrode PG2.
- the mounting electrode P1 is connected to one end of the signal conductor 41 via the via conductors V1 and V2 and the joint portion 61.
- the other end of the signal conductor 41 is connected to the mounting electrode P2 via the via conductor V3 and the joint portion 62.
- the mounting electrodes P1 and P2 are electrically connected to each other.
- the ground conductor 51 (ground electrode PG1) is connected to the ground conductor 52 via the via conductors V11 and V12 and the joint portion 71.
- the ground conductor 52 is connected to the ground conductor 53 (ground electrode PG2) via the via conductor V13 and the joint portion 72.
- the via conductors V1, V2, V3, V11, V12, and V13 formed by plating have a denser structure (metal density is lower than that of the joint portions 61, 62, 71, and 72, which are low melting point conductive joint materials. High) Hard with high mechanical strength. That is, the joint portions 61, 62, 71, 72 are more brittle than the via conductors V1, V2, V3, V11, V12, V13.
- “the joint is more brittle than the via conductor” means that the indentation hardness of the joint is lower than the indentation hardness of the via conductor, for example.
- the indentation hardness is, for example, Vickers hardness (HV).
- HV Vickers hardness
- HV Test force (kgf)
- S Surface area of depression (mm 2 )
- the Vickers hardness (HV) is measured by, for example, a micro Vickers hardness test (JIS Z 2244).
- the linear expansion coefficient (CT2) of the second resin layers 21, 22, 23 is the linear expansion coefficient (CTV) of the via conductors V1, V2, V3, V11, V12, V13 and the line of the joint portions 61, 62, 71, 72. It is larger than the expansion coefficient (CT5) (CT2>CTV, CT2>CT5).
- CT2 linear expansion coefficient
- CT1 linear expansion coefficient of the first resin layers 11, 12, 13
- CT2 ⁇ CT1 More specifically, the difference in linear expansion coefficient between the second resin layers 21, 22, 23 and the joint portions 61, 62, 71, 72 is equal to the first resin layers 11, 12, 13 and the via conductors V1, V2, V3. It is smaller than the difference in linear expansion coefficient between V11, V12, and V13.
- the linear expansion coefficient of polytetrafluoroethylene (PTFE), which is the main component of the first resin layers 11, 12, and 13, is, for example, 50 to 150 (10 ⁇ 6 /K).
- the linear expansion coefficient of the liquid crystal polymer (LCP) which is the main component of the second resin layers 21, 22, 23 is, for example, 10 to 25 (10 ⁇ 6 /K).
- the linear expansion coefficient can be measured by, for example, the TMA (Thermo-mechanical analysis) method.
- the joint portions 61, 62, 71, 72 are conductive joint materials containing a metal material and a resin material, and contain an organic substance (carbon). Since the joint portions 61, 62, 71, 72 contain a larger amount of organic matter than the via conductor formed by the plating process, they are likely to generate gas when heated. Therefore, the amount of gas generated in the joint portions 61, 62, 71, 72 when heated is larger than the amount of gas generated in the via conductors V1, V2, V3, V11, V12, V13 when heated. In addition, the joints 61, 62, 71 and 72 have many voids as traces of gas generation (the void ratio increases).
- the porosity of the joint portions 61, 62, 71, 72 is higher than the porosity of the via conductors V1, V2, V3, V11, V12, V13.
- the porosity (PR1) per unit flat cross-sectional area (per unit area on the XY plane of the joint) of the joints 61, 62, 71, 72 is the via conductors V1, V2, V3, V11, V12. , V13 is higher than the porosity per unit flat cross-sectional area (PR2) (PR1>PR2).
- the conductive bonding material used for the bonding part is formed by solidifying a conductive paste made of a metal having a low melting point.
- a method is used in which a Cu—Sn based intermetallic compound is formed between Cu and a Cu paste or Cu—Sn based conductive paste having a lower melting point than Cu. Since an intermetallic compound is formed at the connecting portion between the via conductor, which is a plated via, and the joint, which is a conductive bonding material, it is difficult to accurately determine the interface between the via conductor and the joint.
- the interface between such a joint and the via conductor is defined by any of the following methods (1) and (2).
- FIG. 4(A) is a diagram showing the carbon content in the Z-axis direction near the interface between the via conductor and the joint
- FIG. 4(B) is Z near the interface between the via conductor and the joint. It is a figure which shows the porosity per unit plane cross-sectional area in an axial direction.
- the via conductor and the joint are joined in the Z-axis direction, and the via conductor and the joint are arranged in the +Z direction in this order. That is, in FIGS. 4A and 4B, the composition changes from the “via conductor” to the “junction portion” as it moves in the +Z direction.
- the porosity per unit flat cross-sectional area of the joint (PR1) is the porosity per unit flat cross-sectional area of the via conductor. Higher than (PR2) (PR1>PR2). Therefore, for example, as shown in FIG. 4(B), the maximum value of the porosity per unit flat cross-sectional area is set to 100%, the porosity per unit flat cross-sectional area is moved to the +Z direction, and the maximum value is the above-mentioned maximum value.
- the position (BP2) that exceeds 5% is defined as the interface between the via conductor and the joint.
- the relative permittivity ( ⁇ 1) of the first resin layers 11, 12, 13 is lower than the relative permittivity ( ⁇ 2) of the second resin layers 21, 22, 23 ( ⁇ 1 ⁇ 2).
- the via conductors V1 and V2 (or the via conductors V11 and V12) respectively formed in the two adjacent second resin layers 21 and 22 are joint portions that contact only the second resin layers 21 and 22. They are connected to each other via 61 (or the joint portion 71).
- the via conductors V1, V2, V3, V11, V12, V13 are filled via plating of Cu or the like formed by a plating process, and are planar conductors (mounting electrodes P1, P2, the signal conductor 41, and The same material (Cu) as the ground conductors 51, 52, 53, etc.). Therefore, the via conductor and the plane conductor are integrated. Therefore, the intermetallic compound is less likely to be formed in the connecting portion between the via conductor and the plane conductor, and the mechanical strength of the connecting portion between the via conductor and the plane conductor is increased.
- the joint portions 61, 62, 71, 72 are not in contact with the first resin layers 11, 12, 13 having a relatively large linear expansion coefficient. According to this configuration, compared with the case where a part of the joint portions 61, 62, 71, 72 is in contact with the first resin layers 11, 12, 13, the joint portion 61, when the resin multilayer substrate is heated, The stress applied to 62, 71, 72 can be further reduced. Therefore, damage to the joint portions 61, 62, 71, 72 during heating of the resin multilayer substrate is further suppressed.
- the via conductors V11 and V12 are connected to each other via the joint portion 71 that contacts only the second resin layers 21 and 22.
- a positional deviation is likely to occur when laminating a plurality of resin layers due to a difference in physical properties (for example, a difference in linear expansion coefficient)
- a connection failure is likely to occur due to the positional deviation. Therefore, when connecting the via conductor formed in the first resin layer and the via conductor formed in the second resin layer, a conductor pattern for connection having a large area is sandwiched between the via conductors in consideration of the positional deviation. May connect.
- the relative permittivity ( ⁇ 1) of the first resin layers 11, 12 is lower than the relative permittivity ( ⁇ 2) of the second resin layers 21, 22, 23 ( ⁇ 1 ⁇ 2).
- the conductor loss in the circuit formed on the resin multilayer substrate 101 can be reduced as compared with the insulating base material formed by laminating only the plurality of second resin layers, or the resin multilayer.
- the substrate 101 (laminated body 30) can be made thin. Specifically, the laminated body 30 is formed including the first resin layers 11 and 12 having a relative dielectric constant lower than that of the second resin layers 21, 22 and 23.
- the line width of the conductor pattern formed on the laminate 30 can be widened, and the conductor loss of the circuit can be reduced. Further, when a circuit having predetermined characteristics is formed on the resin multilayer substrate, the resin layer can be thinned and the laminated body 30 can be thinned without narrowing the line width of the conductor pattern.
- the first resin layer 11 having excellent high frequency characteristics is arranged at a position in contact with the signal conductor 41, so that the high frequency characteristics of the resin multilayer substrate are improved. it can.
- the plurality of resin layers are made of thermoplastic resin. According to this configuration, as will be described later in detail, the laminated body can be easily formed without using the resin layer for adhesion by hot pressing (collectively pressing) the plurality of laminated resin layers. Therefore, the manufacturing process of the resin multilayer substrate 101 is reduced, and the cost can be kept low. Further, with this configuration, it is possible to realize a resin multilayer substrate which can be easily plastically deformed and can maintain (hold) a desired shape.
- the resin multilayer substrate (laminate) is made of a resin material (formed by laminating a plurality of resin layers), when it receives heat at a predetermined temperature or higher, a part of it is thermally decomposed, and CO 2 To produce gas and water.
- the resin multi-layer substrate is heated while leaving such gas and water in the resin multi-layer substrate, the gas (gas or vapor) expands, and delamination is likely to occur. Therefore, at the time of manufacturing the resin multilayer substrate, a hot press is performed under a reduced pressure and a predetermined preheating step is provided to discharge the gas to the outside of the laminate during the hot press.
- the joint portions 61, 62, 71, 72 are conductive joint materials containing a metal such as Cu and Sn and a resin material. It is not limited to.
- the joining portion may be, for example, an inter-layer conductor formed by solidifying a conductive paste containing metal powder (one or more of Cu and Sn, or metal powder of an alloy thereof) and a resin material. Since these interlayer conductors can be simultaneously formed by the hot press treatment of a plurality of resin layers (which will be described later in detail), the formation is easy. Further, since the conductive paste contains the resin material, high bondability with the resin layer can be obtained.
- the resin material contained in the conductive paste is preferably the same as the resin material of the resin layer.
- the amount of gas generated during heating is large at the joint containing the resin material, and the resin multi-layer substrate having such a joint does not undergo delamination or resin multi-layering during heating (heating in the manufacturing stage or the use stage). Concavities and convexities on the surface of the substrate are likely to occur. Therefore, when the joint portion is an interlayer conductor containing a resin material, it is preferable that the opening be provided in the vicinity of the joint portion of the planar conductor (ground conductor or the like). This makes it possible to efficiently discharge the gas generated from the joint portion when the resin multilayer substrate is heated, suppress delamination of the resin multilayer substrate, and improve the flatness of the resin multilayer substrate.
- planar shapes of the first resin layers 11, 12, 13 and the planar shapes of the second resin layers 21, 22, 23 are substantially the same.
- the planar shape of the first resin layer and the planar shape of the second resin layer do not necessarily have to be substantially the same.
- the planar shape of the first resin layer and the planar shape of the second resin layer may match each other, for example, only in the length in the X-axis direction or in the Y-axis direction.
- FIG. 5 is a front view showing a main part of the electronic device 301 according to the first embodiment.
- the electronic device 301 includes a resin multilayer board 101A, circuit boards 201 and 202, a component 81, and the like.
- the electronic device 301 has a configuration other than the above, but is not shown in FIG.
- the resin multilayer substrate 101A is different from the resin multilayer substrate 101 in that the laminated body 30 has the bent portions CR1 and CR2 (is bent).
- Other configurations of the resin multilayer substrate 101A are the same as those of the resin multilayer substrate 101.
- the circuit boards 201 and 202 are, for example, glass/epoxy boards.
- the component 81 is, for example, a battery, a chip component such as a chip inductor or a chip capacitor, an RFIC element or an impedance matching circuit.
- the circuit board 201 has a first surface S1 and the circuit board 202 has a second surface S2. As shown in FIG. 5, the first surface S1 and the second surface S2 are opposed to each other in the Z-axis direction. External electrodes EP1 and EG1 are formed on the first surface S1 of the circuit board 201. External electrodes EP2 and EG2 are formed on the second surface S2 of the circuit board 202.
- the resin multilayer board 101A is mounted on the circuit boards 201 and 202 in a bent state. Specifically, the mounting electrode P1 of the resin multilayer substrate 101A is connected to the external electrode EP1 of the circuit board 201 via the conductive bonding material 6 such as solder. The ground electrode PG1 of the resin multilayer substrate 101 is connected to the external electrode EG1 of the circuit board 201 via the conductive bonding material 6. The mounting electrode P2 of the resin multilayer substrate 101A is connected to the external electrode EP2 of the circuit board 202 via the conductive bonding material 6. The ground electrode PG2 of the resin multilayer substrate 101A is connected to the external electrode EG2 of the circuit board 202 via the conductive bonding material 6.
- the component 81 is also connected to the external electrodes EP3, EP4 of the circuit board 201 via the conductive bonding material 6.
- FIG. 6 is a front view showing the bending process of the resin multilayer substrate 101 in order.
- a resin multilayer substrate 101 is prepared, and the upper die 3 and the lower die 4 are used to form the first main surface of the laminate 30 in the Z-axis direction.
- the VS1 and the second main surface VS2 are heated and pressed.
- the position for heating and pressing is near the center in the longitudinal direction (Z-axis direction) of the laminate 30, as shown in FIG.
- the upper mold 3 and the lower mold 4 are metal structures having an L-shaped cross section.
- the laminate 30 made of a thermoplastic resin After the laminate 30 made of a thermoplastic resin has cooled and solidified, the laminate 30 is removed from the upper mold 3 and the lower mold 4 to obtain a resin multilayer substrate 101A as shown in (3) of FIG.
- the configuration of the present invention is particularly effective in suppressing damage to the joint portion.
- the resin multilayer substrate 101 according to this embodiment is manufactured by, for example, the following manufacturing method.
- 7A to 7C are cross-sectional views sequentially showing the steps of forming the via conductor V11 and the joint portion 71P on the first resin layer 11 and the second resin layer 21 before hot pressing.
- 8A to 8C are cross-sectional views sequentially showing the manufacturing process of the resin multilayer substrate 101.
- Aggregate substrate refers to a mother substrate including a plurality of resin multilayer substrates 101.
- the first resin layers 12 and 13 and the second resin layers 22 and 23 have the same steps as those of the first resin layer 11 and the second resin layer 21 shown in FIG. This also applies to the sectional views in the manufacturing method described below.
- the linear expansion coefficient (CT2) of the second resin layer 21 is smaller than the linear expansion coefficient (CT1) of the first resin layer 11 (CT2 ⁇ CT1).
- the first resin layer 11 is, for example, a sheet whose main component is a fluororesin such as perfluoroalkoxyalkane (PFA) or polytetrafluoroethylene (PTFE).
- the second resin layer 21 is, for example, a sheet whose main material is liquid crystal polymer (LCP).
- This step of sticking the second resin layer having a smaller linear expansion coefficient than the first resin layer 11 to the first resin layer 11 is an example of the “bonding step” in the present invention.
- a through hole AP11 that penetrates the bonded first resin layer 11 and second resin layer 21 is provided.
- the through hole AP11 is formed by grinding, polishing, and etching with, for example, a drill.
- the ground conductor 51 and the like are formed on the back surface of the first resin layer 11. Specifically, by laminating a metal foil (Cu or the like) on the back surface of the first resin layer 11 and patterning the laminated metal foil by photolithography, the ground conductor 51 or the like is formed on the back surface of the first resin layer 11. Form.
- the mounting electrode (P1) is also formed on the back surface of the first resin layer 11, but is not shown.
- At least the first resin layer 11 side of the through hole AP11 is filled with a metal material (such as Cu) to form the via conductor V11.
- a metal material such as Cu
- a plating film is formed on the surface of the ground conductor 51 in the through hole AP11 and the inner wall of the through hole AP11 by plating.
- This step of forming a through hole AP11 in the first resin layer 11 and the second resin layer 21 that are bonded together and filling at least the first resin layer 11 side of the through hole AP11 with a metal material to form the via conductor V11 is performed.
- 1 is an example of a “via conductor forming step” in the present invention.
- the joint portion 71P is disposed at least on the second resin layer 21 side of the through hole AP11 so as to contact the via conductor V11.
- the bonding portion 71P is provided on the surface of the via conductor V11 (the upper surface of the via conductor V11 shown in (3) and (4) in FIG. 7).
- the joining portion 71P is a conductive paste containing a metal such as Cu and Sn and a resin material.
- This step of disposing the joint 71P on at least the second resin layer 21 side of the through hole AP11 so as to be in contact with the via conductor V11 is an example of the “joint formation step” in the present invention.
- the first resin layer 11 and the second resin layer 21 that are bonded together are included so that the conductor formed in another resin layer and the joint portion come into contact with each other.
- a plurality of resin layers (first resin layers 11, 12, 13 and second resin layers 21, 22, 23) are laminated.
- the joint portion 71P formed on the second resin layer 21 and the joint portion 71P formed on the second resin layer 22 come into contact with each other.
- the joint portion 72P formed on the second resin layer 23 and the ground conductor 52 formed on the first resin layer 12 are in contact with each other.
- the first resin layers 11, 12, 13 and the second resin layers 21, 22, 23 are hot-pressed (collective press) in the stacking direction (Z-axis direction).
- the laminated body 30P is formed.
- the joint portion 71P is solidified by the heat during the hot pressing, and becomes the joint portion 71 that is more brittle than the via conductor.
- the joint portion 72P is solidified by the heat of the hot press, so that the joint portion 72 becomes brittle as compared with the via conductor.
- the via conductor V11 is joined to the via conductor V12 via the joining portion 71
- the via conductor V13 is joined to the ground conductor 52 via the joining portion 72.
- This forming step is an example of the “laminate forming step” in the present invention.
- the protective layer 1 is formed on the lower surface of the laminated body 30P (the back surface of the first resin layer 11), and the protective layer 2 is formed on the upper surface of the laminated body 30P (the surface of the first resin layer 13).
- the resin multilayer substrate 101 (laminate 30) shown in (3) is obtained.
- the protective layers 1 and 2 are, for example, a coverlay film or a solder resist film, for example, an epoxy resin film or the like.
- a step of laminating a plurality of resin layers (first resin layers 11, 12, 13 and second resin layers 21, 22, 23) made of a thermoplastic resin and hot pressing is included. Therefore, the manufacturing process of the resin multilayer substrate 101 is reduced, and the cost can be kept low. Further, with this configuration, it is possible to realize a resin multilayer substrate which can be easily plastically deformed and can maintain (hold) a desired shape.
- the joint portion is, for example, a conductive material containing a metal powder (metal powder of at least one metal of Cu and Sn or a metal powder of an alloy thereof) and a resin material on the surface of the via conductor in the through hole in the joint portion forming step.
- a metal powder metal powder of at least one metal of Cu and Sn or a metal powder of an alloy thereof
- a resin material on the surface of the via conductor in the through hole in the joint portion forming step.
- the conductive paste may be provided, and the conductive paste may be solidified by a subsequent heat press (laminate forming step).
- FIG. 9 is an external perspective view of the resin multilayer substrate 102 according to the second embodiment.
- FIG. 10 is a sectional view taken along line CC of FIG.
- the resin multilayer substrate 102 is different from the resin multilayer substrate 101 according to the first embodiment in that it has a plurality of via conductors V11A, V12A, V13A. Other configurations of the resin multilayer substrate 102 are substantially the same as those of the resin multilayer substrate 102.
- the via conductors V11A, V12A, V13A are made of the same material (Cu) as the plane conductors (ground conductors 51, 52, 53).
- the via conductors V11A, V12A, V13A are frustum-shaped conductors having one surface with a small area and the other surface with a large area.
- One surface of the via conductor V11A (the lower surface of the via conductor V11A in FIG. 10) is connected to the ground conductor 51, and the other surface of the via conductor V11A (the upper surface of the via conductor V11A in FIG. 10) is bonded to the joint portion 71.
- One surface of the via conductor V12A (the upper surface of the via conductor V12A in FIG. 10) is connected to the ground conductor 52, and the other surface of the via conductor V12A (the lower surface of the via conductor V12A in FIG. 10) is bonded to the joint portion 71.
- One surface of the via conductor V13A (the upper surface of the via conductor V13A in FIG. 10) is connected to the ground conductor 53, and the other surface of the via conductor V13A (the lower surface of the via conductor V13A in FIG. 10) is bonded to the joint portion 72.
- the resin multilayer substrate 102 according to this embodiment is manufactured, for example, by the following manufacturing method.
- 11A to 11C are cross-sectional views sequentially showing the steps of forming the via conductor V11A and the joint portion 71P on the first resin layer 11 and the second resin layer 21 before hot pressing.
- 12A to 12C are cross-sectional views sequentially showing the manufacturing process of the resin multilayer substrate 102.
- the surface of the first resin layer 11 And the back surface of the second resin layer 21 are attached.
- the first resin layer 11 and the second resin layer 21 are the same as those described in the first embodiment.
- This step of sticking the second resin layer having a smaller linear expansion coefficient than the first resin layer 11 to the first resin layer 11 is an example of the “bonding step” in the present invention.
- the through hole AP11A is a frustoconical (tapered) through hole whose opening diameter decreases from the front surface of the second resin layer 21 toward the back surface of the first resin layer 11.
- the through hole AP11A is formed by, for example, irradiating a CO 2 laser from the surface of the second resin layer 21.
- a metal material (Cu or the like) is filled in at least the first resin layer 11 side of the through hole AP11A to form a via conductor V11A.
- a plating film is formed on the surface of the ground conductor 51 in the through hole AP11A and the inner wall of the through hole AP11 by plating. Since the through hole AP11A has a truncated cone shape, the via conductor V11A has a truncated cone shape having one surface (a surface having a small area) and the other surface (a surface having a large area).
- This step of forming the through hole AP11A in the first resin layer 11 and the second resin layer 21 that are bonded together and filling the metal material into at least the first resin layer 11 side of the through hole AP11A to form the via conductor V11A 1 is an example of a “via conductor forming step” in the present invention.
- the joint portion 71P is disposed on at least the second resin layer 21 side of the through hole AP11A so as to be in contact with the via conductor V11A.
- This step of disposing the joint 71P on at least the second resin layer 21 side of the through hole AP11A so as to contact the via conductor V11A is an example of the “joint formation step” in the present invention.
- the first resin layer 11 and the second resin layer 21 that are bonded together are included so that the conductor formed in another resin layer and the joint portion come into contact with each other.
- a plurality of resin layers are laminated.
- a plurality of resin layers (first resin layers 11, 12, 13 and second resin layers 21, 22, 23) are formed in the stacking direction (Z-axis direction).
- the laminated body 30P is formed by hot pressing (collective pressing).
- the joints 71P and 72P are solidified by the heat at the time of hot pressing, and the joints 71 and 72 become brittle than the via conductors, respectively.
- the via conductor V11A is joined to the via conductor V12A via the joining portion 71
- the via conductor V13A is joined to the ground conductor 52 via the joining portion 72.
- This step of forming a laminate by laminating a plurality of resin layers and heating and pressing is an example of the “laminate forming step” in the present invention.
- the protective layer 1 is formed on the lower surface of the laminated body 30P (the back surface of the first resin layer 11), and the protective layer 2 is formed on the upper surface of the laminated body 30P (the surface of the first resin layer 13).
- the resin multilayer substrate 101 (laminate 30) shown in (3) is obtained.
- a frustum-shaped (tapered) through hole having an opening diameter that decreases from the front surface of the second resin layer 21 toward the back surface of the first resin layer 11 has a metal material on the first resin layer 11 side.
- To form a via conductor V11A since the through hole AP11A has a tapered truncated cone shape, it is easy to fill the through hole AP11A with the metal material. Further, since the through hole AP11A has a frustum shape, the via conductor V11A can be formed with less metal material as compared with the case where the through hole has a columnar shape, and the cost can be reduced. Further, when the via conductor V11A is formed by plating, the via conductor V11A can be formed with a small amount of metal material, so that the time required for plating can be shortened.
- the via conductor and the planar conductor are made of the same material, and the via conductors V11A, V12A, V13A have one surface (the surface having the smaller area) and the other main surface ( In the case of a frustum shape having a larger surface area), it is preferable that one surface of the via conductor is connected to the planar conductor and the other surface is connected to the joint portion.
- the bonding strength is low when the bonding area between the via conductor and the other conductor is small, the bonding strength between the one surface of the via conductor and the planar conductor tends to be low.
- the via conductor formed by the plating process is integrated with the plane conductor, the strength of the connection portion is high even when the joint area between the via conductor and the plane conductor is small. Therefore, in the first resin layer having a large linear expansion coefficient, even when one surface of the via conductor having a relatively small area is connected to the plane conductor, when the resin multilayer substrate is heated, the via conductor and the plane conductor are It is hard to cause a poor connection between the two. Further, since the via conductor and the joint are made of different metals, the strength of the connecting portion between the via conductor and the joint is low. Therefore, by joining the other main surface of the via conductor to the joining portion, the joining strength between the via conductor and the joining portion can be increased as compared with the case where one surface of the via conductor is joined to the joining portion.
- the other surfaces of the via conductors V11A and V12A are connected to each other via the joint portion 71 that contacts only the second resin layers 21 and 22.
- the via conductor has a frustum shape, a plurality of resin layers are laminated by connecting the other surfaces of the via conductor having a relatively large area, as compared with the case of connecting the one surface of the via conductor. Occurrence of poor connection of via conductors due to misalignment at the time can be suppressed.
- the third embodiment shows an example of a resin multi-layer substrate in which the thickness of the first resin layer and the thickness of the second resin layer are different.
- FIG. 13 is a sectional view of the resin multilayer substrate 103 according to the third embodiment.
- the resin multilayer substrate 103 is different from the resin multilayer substrate 102 according to the second embodiment in that the resin multilayer substrate 103 includes the laminated body 30A.
- Other configurations of the resin multilayer substrate 103 are substantially the same as those of the resin multilayer substrate 102.
- the laminated body 30A includes a protective layer 1, a first resin layer 11a, second resin layers 21a and 22a, a first resin layer 12a, a second resin layer 23a, a first resin layer 13a and a protective layer 2 which are laminated in this order. Formed.
- the thickness (T1) of the first resin layers 11a, 12a, 13a is thicker than the thickness (T2) of the second resin layers 21a, 22a, 23a (T1>T2).
- the joint portion 72 is in contact with the first resin layer 13a.
- the thickness of the portion of the joint portion 72 formed on the second resin layer 23a is the first resin layer of the joint portion 72. It is thicker than the thickness of the portion formed on 13a (the portion of the bonding portion 72 that contacts the first resin layer 13a).
- the thickness of the portion of the joint portion 72 formed on the second resin layer 23a may be thicker than the thickness of the portion of the joint portion 72 formed on the first resin layer 13a. preferable. By thickening the portion of the joint portion 72 that is in contact with the second resin layer 23a, the stress applied to the joint portion when heated can be reduced. However, from the viewpoint of suppressing damage to the joint when the resin multilayer substrate is heated, it is more preferable that the joint is formed only in the second resin layer (contacts only the second resin layer).
- the thickness of the first resin layers 11a, 12a, 13a having a lower relative dielectric constant than the second resin layers 21a, 22a, 23a is thicker than the thickness of the second resin layers 21a, 22a, 23a.
- the second resin layers 21a, 22a, and 23a having a small linear expansion coefficient like LCP tend to have a large relative dielectric constant. Therefore, as in the present embodiment, the resin multilayer substrate is heated by making the thickness (T1) of the first resin layers 11a, 12a, 13a larger than the thickness (T2) of the second resin layers 21a, 22a, 23a. It is possible to realize a resin multilayer substrate having excellent high-frequency characteristics while suppressing breakage of the bonded portion at the time of performing.
- the resin multilayer substrate of the present invention may be an electronic component that is surface-mounted on a circuit board, a cable that connects two members, or a cable that connects a circuit board and another component.
- a connector may be provided at the connecting portion of the resin multilayer substrate as required.
- connection portions and line portions included in the multilayer substrate is It can be appropriately changed within the range where the action and effect of the present invention are exhibited.
- the laminated body 30 is an example of a rectangular flat plate having a longitudinal direction in the X-axis direction, but the shape of the laminated body 30 is not limited to this.
- the shape of the laminated body 30 can be appropriately changed within the range where the action and effect of the present invention are exhibited.
- the planar shape of the laminated body 30 may be, for example, an L shape, a crank shape, a T shape, a Y shape, or the like.
- the laminated body of the present invention is not limited to this. ..
- the number of resin layers forming the laminate can be appropriately changed within the range where the effects and advantages of the present invention are exhibited.
- the protective layers 1 and 2 are not essential in the resin multilayer substrate of the present invention.
- the laminated body may include a resin layer other than the first resin layer and the second resin layer.
- the laminated body may be a flat plate made of a thermoplastic resin.
- the laminated body may be a composite laminated body of different resin materials, and may be formed by laminating a thermosetting resin sheet such as a glass/epoxy substrate and a thermoplastic resin sheet.
- the laminated body is not limited to one in which a plurality of resin layers are hot-pressed (collectively pressed) and their surfaces are fused to each other, and may have a configuration having an adhesive layer between each resin layer.
- the first resin layer and the second resin layer may be attached via an adhesive layer, and either the first resin layer or the second resin layer may be a layer having adhesiveness.
- the circuit configuration formed on the resin multilayer substrate is not limited to the configurations of the above-described embodiments, and can be changed as appropriate within the range in which the action and effect of the present invention are exhibited.
- the circuit formed on the resin multilayer substrate is, for example, the frequency of a coil or inductor formed of a conductor pattern, a capacitor formed of a conductor pattern, various filters (low pass filter, high pass filter, band pass filter, band elimination filter), etc. A filter may be formed. Further, various other transmission lines (microstrip line, coplanar line, etc.) may be formed on the resin multilayer substrate. Further, various electronic components such as chip components may be mounted or embedded in the resin multilayer substrate.
- the via conductors V1, V2, V3, V11, V11A, V12, V12A, V13, and V13A are plane conductors (mounting electrodes P1, P2, signal conductor 41, and ground conductors 51, 52, 53).
- the via conductor may be made of a material (for example, Ni—Sn plating) different from that of the planar conductor that is Cu as long as it is not more brittle than the joint portion.
- the present invention is not limited to this configuration.
- the shapes, the numbers, and the positions of the mounting electrodes and the ground electrodes can be appropriately changed within the range in which the effects and advantages of the present invention can be obtained.
- the planar shape of the mounting electrode and the ground electrode may be, for example, polygonal, circular, elliptical, arcuate, ring-shaped, L-shaped, U-shaped, T-shaped, Y-shaped, crank-shaped, or the like.
- the mounting electrode and the ground electrode may be provided on either one of the first main surface VS1 and the second main surface VS2.
- the resin multilayer substrate may include a dummy electrode in addition to the mounting electrode or the ground electrode.
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Abstract
樹脂多層基板(101)は、第1樹脂層(11,12,13)および第2樹脂層(21,22,23)を含んだ複数の樹脂層を積層してなる積層体(30)と、第1樹脂層に形成されるビア導体(V1,V2,V3,V11,V12,V13)と、少なくとも一部が第2樹脂層に形成され、且つ、ビア導体に接合される接合部(61,62,71,72)と、を備える。接合部(61,62,71,72)はビア導体(V1,V2,V3,V11,V12,V13)よりも脆い。第2樹脂層の線膨張係数は、ビア導体の線膨張係数および接合部の線膨張係数よりも大きく、第1樹脂層の線膨張係数よりも小さい。
Description
本発明は、異なる種類の樹脂層を含む複数の樹脂層を積層してなる樹脂多層基板、および上記樹脂多層基板の製造方法に関する。
従来、異なる材料からなる樹脂層を含んだ複数の樹脂層を積層してなる積層体と、積層体に形成されるビア導体と、を備える樹脂多層基板が知られている。
例えば、特許文献1には、異種材料からなる第1樹脂層および第2樹脂層を積層した構成において、第1樹脂層に形成されたビア導体(めっきビア)が、第2樹脂層に配設された接合部(導電性ペースト)を介して、他の導体に接合される樹脂多層基板が開示されている。
しかし、異種材料からなる複数の樹脂層を積層して多層基板を形成する場合、複数の樹脂層を加熱プレスして積層体を形成する際に低温状態で樹脂層同士を接着できるよう、接合部には低融点材料が用いられるが、そのような低融点材料はビア導体に比べて脆い材料が多い。そのため、接合部に接する第2樹脂層の線膨張係数が大きい場合には、多層基板を加熱した際(例えば、リフロー工程や加熱を伴う曲げ加工など)に、第2樹脂層の膨張によって接合部に応力が掛かり、接合部が破損する虞がある。
本発明の目的は、異種材料からなる複数の樹脂層を積層して形成される積層体と、積層体に形成されるビア導体および接合部を備える構成において、加熱した際の応力に起因する接合部の破損を抑制した樹脂多層基板を提供することにある。
本発明の樹脂多層基板は、
第1樹脂層および第2樹脂層を含んだ複数の樹脂層を積層してなる積層体と、
前記第1樹脂層に形成されるビア導体と、
少なくとも一部が前記第2樹脂層に形成され、且つ、前記ビア導体に接合される接合部と、
前記積層体に形成され、前記接合部を介して前記ビア導体に接続される導体と、
を備え、
前記接合部は前記ビア導体よりも脆く、
前記第2樹脂層の線膨張係数は、前記ビア導体の線膨張係数および前記接合部の線膨張係数よりも大きく、前記第1樹脂層の線膨張係数よりも小さいことを特徴とする。
第1樹脂層および第2樹脂層を含んだ複数の樹脂層を積層してなる積層体と、
前記第1樹脂層に形成されるビア導体と、
少なくとも一部が前記第2樹脂層に形成され、且つ、前記ビア導体に接合される接合部と、
前記積層体に形成され、前記接合部を介して前記ビア導体に接続される導体と、
を備え、
前記接合部は前記ビア導体よりも脆く、
前記第2樹脂層の線膨張係数は、前記ビア導体の線膨張係数および前記接合部の線膨張係数よりも大きく、前記第1樹脂層の線膨張係数よりも小さいことを特徴とする。
この構成によれば、第1樹脂層よりも線膨張係数の小さな第2樹脂層に、比較的に脆い接合部の少なくとも一部が接しているため、接合部が第1樹脂層のみに接している場合に比べて、樹脂多層基板を加熱した際に、接合部に掛かる応力を減少させることができる。そのため、樹脂多層基板の加熱時における接合部の破損を抑制できる。
本発明における樹脂多層基板の製造方法は、
第1樹脂層に、前記第1樹脂層よりも線膨張係数が小さい第2樹脂層を貼り付ける、貼り合せ工程と、
前記貼り合わせ工程の後、貼り合わせた前記第1樹脂層および前記第2樹脂層を貫通する貫通孔を設け、前記貫通孔のうち少なくとも前記第1樹脂層側に、金属材料を充填してビア導体を形成する、ビア導体形成工程と、
前記ビア導体形成工程の後、前記ビア導体よりも脆い接合部を、前記ビア導体に接するように、前記貫通孔のうち少なくとも前記第2樹脂層側に配設する、接合部形成工程と、
前記接合部形成工程の後、他の樹脂層に形成される導体と前記接合部とが当接するように、貼り合わせた前記第1樹脂層および前記第2樹脂層を含む複数の樹脂層を積層し、加熱プレスすることにより積層体を形成し、且つ、前記接合部を介して前記ビア導体と前記導体とを接合する、積層体形成工程と、
を備えることを特徴とする。
第1樹脂層に、前記第1樹脂層よりも線膨張係数が小さい第2樹脂層を貼り付ける、貼り合せ工程と、
前記貼り合わせ工程の後、貼り合わせた前記第1樹脂層および前記第2樹脂層を貫通する貫通孔を設け、前記貫通孔のうち少なくとも前記第1樹脂層側に、金属材料を充填してビア導体を形成する、ビア導体形成工程と、
前記ビア導体形成工程の後、前記ビア導体よりも脆い接合部を、前記ビア導体に接するように、前記貫通孔のうち少なくとも前記第2樹脂層側に配設する、接合部形成工程と、
前記接合部形成工程の後、他の樹脂層に形成される導体と前記接合部とが当接するように、貼り合わせた前記第1樹脂層および前記第2樹脂層を含む複数の樹脂層を積層し、加熱プレスすることにより積層体を形成し、且つ、前記接合部を介して前記ビア導体と前記導体とを接合する、積層体形成工程と、
を備えることを特徴とする。
この製造方法によれば、加熱した際に、複数の樹脂層の熱膨張に起因する接合部の破損を抑制した樹脂多層基板を容易に製造できる。
本発明によれば、異種材料からなる複数の樹脂層を積層して形成される積層体と、積層体に形成されるビア導体および接合部を備える構成において、加熱した際の応力に起因する接合部の破損を抑制した樹脂多層基板を実現できる。
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第2の実施形態以降では第1の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
《第1の実施形態》
図1は第1の実施形態に係る樹脂多層基板101の外観斜視図である。図2は、樹脂多層基板101の分解平面図である。図3(A)は図1におけるA-A断面図であり、図3(B)は図1におけるB-B断面図である。
図1は第1の実施形態に係る樹脂多層基板101の外観斜視図である。図2は、樹脂多層基板101の分解平面図である。図3(A)は図1におけるA-A断面図であり、図3(B)は図1におけるB-B断面図である。
樹脂多層基板101は、後に詳述するように、例えば複数の回路基板同士を接続するケーブルである。樹脂多層基板101は、第1接続部CN1、第2接続部CN2および線路部SLを有する。第1接続部CN1には、図1に示す下面(第1主面VS1)に実装電極P1およびグランド電極PG1が露出しており、第2接続部CN2には、図1に示す上面(第2主面VS2)に実装電極P2およびグランド電極PG2が露出している。線路部SLには、後に詳述するように、第1接続部CN1と第2接続部CN2との間を繋ぐストリップライン構造の伝送線路が構成されている。
樹脂多層基板101は、積層体30、信号導体41、実装電極P1,P2、グランド電極PG1,PG2、グランド導体51,52,53、ビア導体V1,V2,V3,V11,V12,V13、接合部61,62,71,72等を備える。
積層体30は、長手方向がX軸方向に一致する矩形の平板であり、互いに対向する第1主面VS1および第2主面VS2を有する。信号導体41、グランド導体51,52,53、ビア導体V1,V2,V3,V11,V12,V13および接合部61,62,71,72は、積層体30の内部に形成されている。実装電極P1およびグランド電極PG1は第1主面VS1に露出しており、実装電極P2およびグランド電極PG2は第2主面VS2に露出している。
積層体30は、熱可塑性樹脂からなる第1樹脂層および第2樹脂層を含む複数の樹脂層、および保護層1,2を積層して形成される。具体的には、積層体30は、保護層1、第1樹脂層11、第2樹脂層21,22、第1樹脂層12、第2樹脂層23、第1樹脂層13および保護層2をこの順番に積層して形成されている。
第1樹脂層11,12,13および第2樹脂層21,22,23は、いずれもそれぞれ可撓性を有し、長手方向がX軸方向に一致する矩形の平板である。第1樹脂層11,12,13は、例えばパーフルオロアルコキシアルカン(PFA)やポリテトラフルオロエチレン(PTFE)等のようなフッ素樹脂を主成分とするシートである。第2樹脂層21,22,23は、例えば液晶ポリマー(LCP)またはポリエーテルエーテルケトン(PEEK)を主成分とするシートである。
第1樹脂層11の裏面には、実装電極P1およびグランド導体51が形成されている。実装電極P1は、第1樹脂層11の第1端(図2における第1樹脂層11の左端)付近に配置される矩形の導体パターンである。グランド導体51は、第1樹脂層11の略全面に形成される平面状の導体パターンである。実装電極P1およびグランド導体51は、例えばCu箔等の導体パターンである。第1樹脂層11の表面には、第1樹脂層11と略同じ形状の第2樹脂層21が貼り合わされている。
また、第1樹脂層11には、ビア導体V1および複数のビア導体V11が形成されている。ビア導体V1は、第1樹脂層11の第1端付近に配置されている。ビア導体V11は、それぞれ伝送方向(X軸方向)に配列されている。ビア導体V1,V11は、例えば、第1樹脂層11および第2樹脂層21に設けられた貫通孔に、めっき処理によって形成されたCu等のめっき膜である。
第1樹脂層12の表面には、信号導体41およびグランド導体52が形成されている。信号導体41は、伝送方向(X軸方向)に延伸する線状の導体パターンである。グランド導体52は、第1樹脂層12の略全面に形成される平面状の導体パターンである。信号導体41およびグランド導体52は、例えばCu箔等の導体パターンである。第1樹脂層12の裏面には、第1樹脂層12と略同じ形状の第2樹脂層22が貼り合わされている。
また、第1樹脂層12には、ビア導体V2および複数のビア導体V12が形成されている。ビア導体V2は、第1樹脂層12の第1端(図2における第1樹脂層12の左端)付近に配置されている。ビア導体V12は、それぞれ伝送方向(X軸方向)に配列されている。ビア導体V2,V12は、例えば、第1樹脂層12および第2樹脂層22に設けられた貫通孔に、めっき処理によって形成されたCu等のスルーホールめっき、またはフィルドビアめっきである。
さらに、第2樹脂層21,22には、複数の接合部61,71が形成されている。接合部61はビア導体V1,V2にそれぞれ接合され、接合部71はビア導体V11,V12にそれぞれ接合される。接合部61,71は、例えばCu,Sn等の金属と樹脂材料とを含んだ、低融点の導電性接合材である。
第1樹脂層13の表面には、実装電極P2およびグランド導体53が形成されている。実装電極P2は、第1樹脂層13の第2端(図2における第1樹脂層13の右端)付近に配置される矩形の導体パターンである。グランド導体53は、第1樹脂層13の略全面に形成される平面状の導体パターンである。実装電極P2およびグランド導体53は、例えばCu箔等の導体パターンである。第1樹脂層13の裏面には、第1樹脂層13と略同じ形状の第2樹脂層23が貼り合わされている。
また、第1樹脂層13には、ビア導体V3および複数のビア導体V13が形成されている。ビア導体V3は、第1樹脂層13の第2端付近に配置されている。ビア導体V13は、それぞれ伝送方向(X軸方向)に配列されている。ビア導体V3,V13は、例えば、第1樹脂層13および第2樹脂層23に設けられた貫通孔に、めっき処理によって形成されたCu等のスルーホールめっき、またはフィルドビアめっきである。
さらに、第2樹脂層23には、複数の接合部62,72が形成されている。接合部62は信号導体41とビア導体V3にそれぞれ接合され、接合部72はグランド導体52とビア導体V13にそれぞれ接合される。接合部62,72は、例えばCu,Sn等の金属と樹脂材料とを含んだ、低融点の導電性接合材である。
保護層1は、第1樹脂層11の裏面に積層される保護膜であり、平面形状が第1樹脂層11と略同じである。保護層2は、第1樹脂層13の表面に積層される保護膜であり、平面形状が第1樹脂層13と略同じである。保護層1,2は、例えばカバーレイフィルムやソルダーレジスト膜であり、例えばエポキシ樹脂膜等である。
保護層1は、開口OP1および複数の開口OP10を有する。開口OP1は、実装電極P1の位置に応じた位置に形成されており、開口OP10は、グランド導体51の位置に応じた位置に形成されている。そのため、第1樹脂層11の裏面に保護層1が形成された場合でも、開口OP1から実装電極P1が外部に露出し、開口OP10からグランド導体51の一部が外部に露出する。本実施形態では、複数の開口OP10から露出するグランド導体51の一部がグランド電極PG1である。
保護層2は、開口OP2および複数の開口OP20を有する。開口OP2は、実装電極P2の位置に応じた位置に形成されており、開口OP20は、グランド導体53の位置に応じた位置に形成されている。そのため、第1樹脂層13の表面に保護層2が形成された場合でも、開口OP2から実装電極P2が外部に露出し、開口OP20からグランド導体53の一部が外部に露出する。本実施形態では、複数の開口OP20から露出するグランド導体53の一部がグランド電極PG2である。
図3(A)等に示すように、実装電極P1は、ビア導体V1,V2および接合部61を介して、信号導体41の一端に接続されている。信号導体41の他端は、ビア導体V3および接合部62を介して、実装電極P2に接続されている。このように、実装電極P1,P2は互いに電気的に接続されている。また、図3(B)等に示すように、グランド導体51(グランド電極PG1)は、ビア導体V11,V12および接合部71を介して、グランド導体52に接続されている。グランド導体52は、ビア導体V13および接合部72を介して、グランド導体53(グランド電極PG2)に接続されている。
本実施形態では、信号導体41、グランド導体51,53、信号導体41とグランド導体51とで挟まれる第1樹脂層11,12および第2樹脂層21,22、信号導体41とグランド導体53とで挟まれる第1樹脂層13および第2樹脂層23、とを含んだストリップライン構造の伝送線路が構成されている。
めっき加工によって形成されるビア導体V1,V2,V3,V11,V12,V13は、低融点の導電性接合材である接合部61,62,71,72に比べて構造が緻密で(金属密度が高く)機械的強度が高く硬い。すなわち、接合部61,62,71,72は、ビア導体V1,V2,V3,V11,V12,V13よりも脆い。ここで「接合部がビア導体よりも脆い」とは、例えば、接合部の押し込み硬さが、ビア導体の押込み硬さよりも低い場合を言う。押込み硬さとは、例えばビッカース硬さ(HV)である。
ビッカース硬さ(HV)は、以下に示す式で求められる。
F:試験力(kgf)
S:くぼみの表面積(mm2)
ビッカース硬さ(HV)は、例えばマイクロビッカース硬さ試験(JIS Z 2244)で測定される。
S:くぼみの表面積(mm2)
ビッカース硬さ(HV)は、例えばマイクロビッカース硬さ試験(JIS Z 2244)で測定される。
第2樹脂層21,22,23の線膨張係数(CT2)は、ビア導体V1,V2,V3,V11,V12,V13の線膨張係数(CTV)および接合部61,62,71,72の線膨張係数(CT5)よりも大きい(CT2>CTV,CT2>CT5)。また、第2樹脂層21,22,23の線膨張係数(CT2)は、第1樹脂層11,12,13の線膨張係数(CT1)よりも小さい(CT2<CT1)。より具体的には、第2樹脂層21,22,23と接合部61,62,71,72の線膨張係数差は、第1樹脂層11,12,13とビア導体V1,V2,V3,V11,V12,V13の線膨張係数差よりも小さい。
第1樹脂層11,12,13の主成分であるポリテトラフルオロエチレン(PTFE)の線膨張係数は、例えば50~150(10-6/K)である。また、第2樹脂層21,22,23の主成分である液晶ポリマー(LCP)の線膨張係数は、例えば10~25(10-6/K)である。
線膨張係数は、例えば、TMA(Thermo-mechanical analisis)法によって測定可能である。
なお、本実施形態では、接合部61,62,71,72は、金属材料と樹脂材料とを含んだ導電性接合材であり、有機物(炭素)を含んでいる。接合部61,62,71,72は、めっき処理によって形成されたビア導体よりも有機物を多く含んでいるため、加熱した際にガスを発生しやすい。そのため、加熱した際に接合部61,62,71,72に生じるガスの量は、加熱した際にビア導体V1,V2,V3,V11,V12,V13に生じるガス量よりも多い。また、接合部61,62,71,72にはガスが発生した痕跡として空隙が多い(空隙率が高くなる)。そのため、接合部61,62,71,72の空隙率はビア導体V1,V2,V3,V11,V12,V13の空隙率よりも高い。具体的には、接合部61,62,71,72の単位平断面積当たり(接合部のXY平面における単位面積当たり)の空隙率(PR1)は、ビア導体V1,V2,V3,V11,V12,V13の単位平断面積当たりの空隙率(PR2)よりも高い(PR1>PR2)。
接合部に用いられる導電性接合材は、融点の低い金属からなる導電性ペーストを固化して形成される。樹脂多層基板が高周波伝送線路のような用途に用いられる場合、配線用導体には導体損の小さなCu等が用いられることが好ましいが、Cuは融点が高い。そこでCuよりも融点の低いCuペーストやCu-Sn系の導電性ペーストと、Cuとの間にCu-Sn系金属間化合物を京成する手法が用いられる。めっきビアであるビア導体と導電性接合材である接合部との接続部分には、金属間化合物が形成されるため、ビア導体と接合部との界面を正確に定めることは難しい。このような接合部とビア導体との界面は、以下(1)(2)に示すいずれかの方法によって定められる。
図4(A)は、ビア導体と接合部との界面付近でのZ軸方向における炭素含有率を示す図であり、図4(B)は、ビア導体と接合部との界面付近でのZ軸方向における単位平断面積当たりの空隙率を示す図である。なお、図4(A)および図4(B)では、Z軸方向にビア導体と接合部とが接合されており、+Z方向にビア導体および接合部の順に配置されている。すなわち、図4(A)および図4(B)では、+Z方向に移動するにつれて「ビア導体」から「接合部」へと組成が変化している。
(1)炭素含有率により、ビア導体と接合部との界面を求める方法
上述したように、接合部は有機物を含むため、接合部の炭素含有率は高い。そのため、例えば、図4(A)に示す最小値(MP)から炭素含有率が上昇し始める点a1から、最大値(PP)に達する点a2までのZ軸方向の距離(L=a2-a1)の中間の位置(BP1)を、ビア導体と接合部との界面と定める(BP1=a1+(a2-a1)/2)。
上述したように、接合部は有機物を含むため、接合部の炭素含有率は高い。そのため、例えば、図4(A)に示す最小値(MP)から炭素含有率が上昇し始める点a1から、最大値(PP)に達する点a2までのZ軸方向の距離(L=a2-a1)の中間の位置(BP1)を、ビア導体と接合部との界面と定める(BP1=a1+(a2-a1)/2)。
(2)空隙率により、ビア導体と接合部との界面を求める方法
上述したように、接合部の単位平断面積当たりの空隙率(PR1)は、ビア導体の単位平断面積当たりの空隙率(PR2)よりも高い(PR1>PR2)。そのため、例えば、図4(B)に示すように、単位平断面積当たりの空隙率の最大値を100%とし、+Z方向に移動していって単位平断面積当たりの空隙率が上記最大値の5%を超えた位置(BP2)を、ビア導体と接合部との界面と定める。
上述したように、接合部の単位平断面積当たりの空隙率(PR1)は、ビア導体の単位平断面積当たりの空隙率(PR2)よりも高い(PR1>PR2)。そのため、例えば、図4(B)に示すように、単位平断面積当たりの空隙率の最大値を100%とし、+Z方向に移動していって単位平断面積当たりの空隙率が上記最大値の5%を超えた位置(BP2)を、ビア導体と接合部との界面と定める。
また、本実施形態では、第1樹脂層11,12,13の比誘電率(ε1)が、第2樹脂層21,22,23の比誘電率(ε2)よりも低い(ε1<ε2)。さらに、本実施形態では、隣接する2つの第2樹脂層21,22にそれぞれ形成されるビア導体V1,V2(またはビア導体V11,V12)は、第2樹脂層21,22にのみ接する接合部61(または接合部71)を介して互いに接続されている。
本実施形態に係る樹脂多層基板101によれば、次のような効果を奏する。
(a)本実施形態では、相対的に脆い接合部61,62,71,72の少なくとも一部が、相対的に線膨張係数の小さな第2樹脂層21,22,23に形成される(接している)。一方、機械的強度の高いビア導体V1,V2,V3,V11,V12,V13は、相対的に線膨張係数の大きな第1樹脂層11,12,13に形成される。この構成によれば、接合部61,62,71,72が第1樹脂層11,12,13のみに接している場合に比べて、樹脂多層基板を加熱した際(例えば、実装時におけるリフロー工程時や、ホットバー等による実装時、加熱を伴う曲げ加工時など)の接合部61,62,71,72に掛かる応力を減少させることができる。そのため、異種材料からなる複数の樹脂層を含んだ構成でも、樹脂多層基板の加熱時における接合部61,62,71,72の破損を抑制できる。
(b)本実施形態では、ビア導体V1,V2,V3,V11,V12,V13が、めっき処理によって形成されたCu等のフィルドビアめっきであり、平面導体(実装電極P1,P2、信号導体41およびグランド導体51,52,53等)と同材料(Cu)である。そのため、ビア導体と平面導体とは一体化する。そのため、金属間化合物がビア導体と平面導体との接続部分に形成されることが少なくなり、ビア導体と平面導体との接続部分の機械的強度が高まる。
(c)本実施形態では、接合部61,62,71,72が、相対的に線膨張係数が大きな第1樹脂層11,12,13に接触していない。この構成によれば、接合部61,62,71,72の一部が第1樹脂層11,12,13に接触している場合に比べて、樹脂多層基板を加熱した際の接合部61,62,71,72に掛かる応力をさらに低減させることができる。そのため、樹脂多層基板の加熱時における接合部61,62,71,72の破損がさらに抑制される。
なお、本実施形態では、ビア導体V11,V12が、第2樹脂層21,22のみに接する接合部71を介して互いに接続されている。第1樹脂層と第2樹脂層のような異種材料同士の接合面(界面)には、物性差(例えば、線膨張係数差)によって複数の樹脂層を積層する際に位置ずれが生じやすく、これらの異種材料にそれぞれ形成されるビア導体同士を接続する場合、上記位置ずれにより接続不良が生じやすい。そのため、第1樹脂層に形成されたビア導体と第2樹脂層に形成されたビア導体とを接続する場合には、位置ずれを考慮して面積の大きな接続用の導体パターンを間に挟んで接続する場合がある。一方、第2樹脂層21,22のような同一材料同士の接合面(界面)では位置ずれが生じ難いため、例えば接合部71を介したビア導体V11,V12の接合箇所では、接続用の導体パターンを介してビア導体同士を接続する必要はない。
(d)本実施形態では、第1樹脂層11,12の比誘電率(ε1)は、第2樹脂層21,22,23の比誘電率(ε2)よりも低い(ε1<ε2)。また、この構成によれば、複数の第2樹脂層のみを積層して形成された絶縁基材に比べて、樹脂多層基板101に形成される回路での導体損失を低減できる、または、樹脂多層基板101(積層体30)を薄くできる。具体的に説明すると、積層体30は、第2樹脂層21,22,23よりも比誘電率の低い第1樹脂層11,12を含んで形成される。そのため、所定の特性を有する回路を樹脂多層基板に構成した場合に、積層体30に形成される導体パターンの線幅を広くでき、上記回路の導体損失を低減できる。また、所定の特性を有する回路を樹脂多層基板に構成した場合に、導体パターンの線幅を狭くしなくても樹脂層を薄くでき、積層体30を薄型化できる。
さらに、本実施形態では、図1(A)等に示すように、高周波特性に優れる第1樹脂層11が、信号導体41に接する位置に配置されているため、樹脂多層基板の高周波特性を向上できる。
(e)本実施形態では、複数の樹脂層(第1樹脂層11,12,13および第2樹脂層21,22,23)が熱可塑性樹脂からなる。この構成によれば、後に詳述するように、積層した複数の樹脂層を加熱プレス(一括プレス)することにより、接着用の樹脂層を用いることなく、積層体を容易に形成できる。そのため、樹脂多層基板101の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。また、この構成により、容易に塑性変形が可能で、且つ、所望の形状を維持(保持)できる樹脂多層基板を実現できる。
なお、樹脂多層基板(積層体)が樹脂材料からなる場合(複数の樹脂層を積層して形成される場合)、所定の温度以上の熱を受けると、その一部が熱分解され、CO2等の気体および水を生じる。このような気体および水を樹脂多層基板中に残したまま、樹脂多層基板を加熱すると、ガス(気体や蒸気)が膨張し、層間剥離(デラミネーション)が発生しやすい。そのため、樹脂多層基板の製造時に、減圧下において加熱プレスを実施して、所定の予熱工程を設けることで加熱プレス中にガスを積層体外へ排出させている。
また、本実施形態では、接合部61,62,71,72が、Cu,Sn等の金属と樹脂材料とを含んだ導電性接合材である例を示したが、本発明の接合部はこれに限定されるものではない。接合部は、例えば、金属粉(Cu,Snのうち1以上の金属、もしくはそれらの合金の金属粉)と樹脂材料とを含んだ導電性ペーストが固化してなる層間導体でもよい。これらの層間導体は、複数の樹脂層の加熱プレス処理(後に詳述する)で同時に形成できるので、形成が容易である。また、導電性ペーストに樹脂材料が含まれるため、樹脂層との高い接合性が得られる。なお、上記導電性ペーストに含まれる樹脂材料は、樹脂層の樹脂材料と同種であることが好ましい。
但し、樹脂材料を含んだ接合部は加熱時に生じるガスの量が多く、このような接合部を備える樹脂多層基板は、加熱時(製造段階、使用段階における加熱時)に層間剥離や、樹脂多層基板の表面の凹凸、湾曲等が生じやすい。そのため、接合部が樹脂材料を含んだ層間導体である場合には、平面導体(グランド導体等)の接合部の近傍に開口が設けられることが好ましい。これにより、樹脂多層基板の加熱時に接合部から生じたガスを効率良く排出でき、樹脂多層基板の層間剥離を抑制し、樹脂多層基板の平坦性を向上させることができる。
なお、本実施形態では、第1樹脂層11,12,13の平面形状および第2樹脂層21,22,23の平面形状が、いずれも略一致した樹脂多層基板の例を示したが、第1樹脂層の平面形状および第2樹脂層の平面形状は、必ずしも略一致している必要はない。第1樹脂層の平面形状および第2樹脂層の平面形状は、例えば、X軸方向の長さのみ互いに一致していてもよく、Y軸方向の長さのみ互いに一致していてもよい。
樹脂多層基板101は例えば次のように用いられる。図5は、第1の実施形態に係る電子機器301の主要部を示す正面図である。
電子機器301は、樹脂多層基板101A、回路基板201,202および部品81等を備える。なお、電子機器301は、上記以外の構成も備えるが、図5では図示省略している。樹脂多層基板101Aは、積層体30に曲げ部CR1,CR2を有する(曲げ加工されている)点で樹脂多層基板101と異なる。樹脂多層基板101Aの他の構成については、樹脂多層基板101と同じである。
回路基板201,202は例えばガラス・エポキシ基板である。部品81は、例えばバッテリー、チップ型インダクタやチップ型キャパシタ等のチップ部品、RFIC素子またはインピーダンス整合回路等である。
回路基板201は第1面S1を有し、回路基板202は第2面S2を有する。図5に示すように、第1面S1および第2面S2は、Z軸方向において互いに対向している。回路基板201の第1面S1には、外部電極EP1,EG1が形成されている。回路基板202の第2面S2には、外部電極EP2,EG2が形成されている。
樹脂多層基板101Aは、曲げられた状態で回路基板201,202に実装されている。具体的には、樹脂多層基板101Aの実装電極P1は、はんだ等の導電性接合材6を介して、回路基板201の外部電極EP1に接続されている。樹脂多層基板101のグランド電極PG1は、導電性接合材6を介して、回路基板201の外部電極EG1に接続されている。樹脂多層基板101Aの実装電極P2は、導電性接合材6を介して、回路基板202の外部電極EP2に接続されている。樹脂多層基板101Aのグランド電極PG2は、導電性接合材6を介して、回路基板202の外部電極EG2に接続されている。
また、部品81は、導電性接合材6を介して、回路基板201の外部電極EP3,EP4に接続されている。
このように、樹脂多層基板101Aは、曲げられているため(塑性変形されているため)、互いに対向した面を有する回路基板201,202への実装が容易となる。
本実施形態に係る樹脂多層基板101は、例えば次の工程で曲げ加工(塑性変形)される。図6は、樹脂多層基板101の曲げ加工を順に示す正面図である。
まず、図6中の(1)(2)に示すように、樹脂多層基板101を準備し、上部金型3および下部金型4を用いて、Z軸方向に積層体30の第1主面VS1および第2主面VS2を加熱加圧する。なお、加熱加圧する位置は、図6に示すように、積層体30の長手方向(Z軸方向)の中央付近である。上部金型3および下部金型4は、断面形状がL字形の金属構造体である。
熱可塑性樹脂からなる積層体30が冷えて固化した後、上部金型3および下部金型4から積層体30を取り外して、図6中の(3)に示すような樹脂多層基板101Aを得る。
このような製造方法により、曲げ加工(塑性変形)された形状を維持(保持)した樹脂多層基板101Aを得ることができる。また、上述のように加熱加圧しながら曲げ加工する場合には、接合部に樹脂層の熱膨張による応力が掛かるため、脆い接合部の破損が起こりやすい。したがって、接合部の破損を抑制する点で、本発明の構成が特に有効である。
本実施形態に係る樹脂多層基板101は、例えば次に示す製造方法によって製造される。図7は、加熱プレス前の第1樹脂層11および第2樹脂層21に、ビア導体V11および接合部71Pを形成する工程を順に示した断面図である。図8は、樹脂多層基板101の製造工程を順に示す断面図である。
なお、図7および図8では、説明の都合上ワンチップ(個片)での製造工程で説明するが、実際の樹脂多層基板101の製造工程は集合基板状態で行われる。「集合基板」とは、複数の樹脂多層基板101が含まれるマザー基板を言う。また、第1樹脂層12,13および第2樹脂層22,23については、図7に示す第1樹脂層11および第2樹脂層21と同様の工程となるため、説明を省略している。このことは、以降に示す製造方法における断面図でも同様である。
まず、図7中の(1)に示すように、熱可塑性樹脂からなる第1樹脂層11の表面と、熱可塑性樹脂からなる第2樹脂層21の裏面とを貼り付ける。第2樹脂層21の線膨張係数(CT2)は、第1樹脂層11の線膨張係数(CT1)よりも小さい(CT2<CT1)。第1樹脂層11は、例えば、パーフルオロアルコキシアルカン(PFA)やポリテトラフルオロエチレン(PTFE)等のようなフッ素樹脂を主成分とするシートである。第2樹脂層21は、例えば液晶ポリマー(LCP)等を主材料とするシートとである。
第1樹脂層11に、第1樹脂層11よりも線膨張係数の小さな第2樹脂層を貼り付けるこの工程が、本発明における「貼り合わせ工程」の一例である。
次に、図7中の(2)に示すように、貼り合わせた第1樹脂層11および第2樹脂層21を貫通する貫通孔AP11を設ける。貫通孔AP11は、例えばドリル等によって研削・研磨・エッチングすることによって形成される。
その後、第1樹脂層11の裏面にグランド導体51等を形成する。具体的には、第1樹脂層11の裏面に金属箔(Cu等)をラミネートし、ラミネートされた金属箔をフォトリソグラフィでパターニングすることで、第1樹脂層11の裏面にグランド導体51等を形成する。なお、第1樹脂層11の裏面には、実装電極(P1)も形成されるが図示省略している。
次に、図7中の(3)に示すように、貫通孔AP11のうち少なくとも第1樹脂層11側に、金属材料(Cu等)を充填してビア導体V11を形成する。具体的には、めっき処理によって貫通孔AP11内のグランド導体51の表面、および貫通孔AP11の内壁にめっき膜を形成する。
貼り合わせた第1樹脂層11および第2樹脂層21に貫通孔AP11を設け、貫通孔AP11のうち少なくとも第1樹脂層11側に、金属材料を充填してビア導体V11を形成するこの工程が、本発明における「ビア導体形成工程」の一例である。
次に、図7中の(4)に示すように、接合部71Pを、ビア導体V11に接するように、貫通孔AP11のうち少なくとも第2樹脂層21側に配設する。具体的には、ビア導体V11の表面(図7中の(3)(4)に示すビア導体V11の上面)に接合部71Pを設ける。接合部71Pは、例えばCu,Sn等の金属と樹脂材料とを含んだ導電性ペーストである。
接合部71Pを、ビア導体V11に接するように、貫通孔AP11のうち少なくとも第2樹脂層21側に配設するこの工程が、本発明における「接合部形成工程」の一例である。
次に、図8中の(1)に示すように、他の樹脂層に形成される導体と接合部とが当接するように、貼り合わせた第1樹脂層11および第2樹脂層21を含む複数の樹脂層(第1樹脂層11,12,13および第2樹脂層21,22,23)を積層する。このとき、第2樹脂層21に形成される接合部71Pと、第2樹脂層22に形成される接合部71Pとが当接する。また、第2樹脂層23に形成される接合部72Pと、第1樹脂層12に形成されるグランド導体52とが当接する。
次に、図8中の(2)に示すように、積層方向(Z軸方向)に、第1樹脂層11,12,13および第2樹脂層21,22,23を加熱プレス(一括プレス)することにより、積層体30Pを形成する。加熱プレス時の熱により接合部71Pは固化し、ビア導体よりも脆い接合部71となる。また、加熱プレス時の熱により接合部72Pは固化し、ビア導体よりも脆い接合部72となる。これにより、ビア導体V11が接合部71を介してビア導体V12に接合され、ビア導体V13が接合部72を介してグランド導体52に接合される。
他の樹脂層に形成される導体と接合部とが当接するように、貼り合わせた第1樹脂層および第2樹脂層を含む複数の樹脂層を積層し、加熱プレスすることにより積層体30Pを形成するこの工程が、本発明における「積層体形成工程」の一例である。
その後、積層体30Pの下面(第1樹脂層11の裏面)に保護層1を形成し、積層体30Pの上面(第1樹脂層13の表面)に保護層2を形成して、図8中の(3)に示す樹脂多層基板101(積層体30)を得る。保護層1,2は、例えばカバーレイフィルムやソルダーレジスト膜であり、例えばエポキシ樹脂膜等である。
上記製造方法によれば、加熱した際に、複数の樹脂層の熱膨張に起因する接合部の破損を抑制した樹脂多層基板を容易に製造できる。
また、上記製造方法によれば、熱可塑性樹脂からなる複数の樹脂層(第1樹脂層11,12,13および第2樹脂層21,22,23)を積層して加熱プレスする工程を含むため、樹脂多層基板101の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。また、この構成により、容易に塑性変形が可能で、且つ、所望の形状を維持(保持)できる樹脂多層基板を実現できる。
なお、上記製造方法では、貫通孔の第2樹脂層側に導電性ペーストを配設することにより、接合部を形成する方法を示したが、この方法に限定されるものではない。接合部は、例えば、接合部形成工程において貫通孔内のビア導体の表面に、金属粉(Cu,Snのうち1以上の金属、もしくはそれらの合金の金属粉)と樹脂材料とを含んだ導電性ペーストを配設し、後の加熱プレス(積層体形成工程)によって上記導電性ペーストを固化させて形成してもよい。
《第2の実施形態》
第2の実施形態では、第1の実施形態とはビア導体の構成が異なる樹脂多層基板の例を示す。
第2の実施形態では、第1の実施形態とはビア導体の構成が異なる樹脂多層基板の例を示す。
図9は、第2の実施形態に係る樹脂多層基板102の外観斜視図である。図10は、図9におけるC-C断面図である。
樹脂多層基板102は、複数のビア導体V11A,V12A,V13Aを備える点で、第1の実施形態に係る樹脂多層基板101と異なる。樹脂多層基板102の他の構成については、樹脂多層基板102と実質的に同じである。
以下、第1の実施形態に係る樹脂多層基板101と異なる部分について説明する。
ビア導体V11A,V12A,V13Aは、平面導体(グランド導体51,52,53)と同材料(Cu)である。ビア導体V11A,V12A,V13Aは、面積の小さな一方面と面積の大きな他方面とを有する錐台形の導体である。
ビア導体V11Aの一方面(図10におけるビア導体V11Aの下面)はグランド導体51に接続され、ビア導体V11Aの他方面(図10におけるビア導体V11Aの上面)は接合部71に接合されている。ビア導体V12Aの一方面(図10におけるビア導体V12Aの上面)はグランド導体52に接続され、ビア導体V12Aの他方面(図10におけるビア導体V12Aの下面)は接合部71に接合されている。ビア導体V13Aの一方面(図10におけるビア導体V13Aの上面)はグランド導体53に接続され、ビア導体V13Aの他方面(図10におけるビア導体V13Aの下面)は接合部72に接合されている。
本実施形態に係る樹脂多層基板102は、例えば次に示す製造方法によって製造される。図11は、加熱プレス前の第1樹脂層11および第2樹脂層21に、ビア導体V11Aおよび接合部71Pを形成する工程を順に示した断面図である。図12は、樹脂多層基板102の製造工程を順に示す断面図である。
まず、図11中の(1)に示すように、第1樹脂層11の裏面にグランド導体51等を形成した後、図11中の(2)に示すように、第1樹脂層11の表面と第2樹脂層21の裏面とを貼り付ける。第1樹脂層11および第2樹脂層21は、第1の実施形態で説明したものと同じである。
第1樹脂層11に、第1樹脂層11よりも線膨張係数の小さな第2樹脂層を貼り付けるこの工程が、本発明における「貼り合わせ工程」の一例である。
次に、図11中の(3)に示すように、貼り合わせた第1樹脂層11および第2樹脂層21を貫通する貫通孔AP11Aを設ける。貫通孔AP11Aは、第2樹脂層21の表面から第1樹脂層11の裏面に向かって開口径が小さくなる円錐台形(テーパー形状)の貫通孔である。貫通孔AP11Aは、例えば、第2樹脂層21の表面からCO2レーザーを照射することによって形成される。
次に、図11中の(4)に示すように、貫通孔AP11Aのうち少なくとも第1樹脂層11側に、金属材料(Cu等)を充填してビア導体V11Aを形成する。具体的には、めっき処理によって貫通孔AP11A内のグランド導体51の表面、および貫通孔AP11の内壁にめっき膜を形成する。貫通孔AP11Aが円錐台形であるため、ビア導体V11Aは、一方面(面積の小さな面)および他方面(面積の大きな面)を有する錐台形になる。
貼り合わせた第1樹脂層11および第2樹脂層21に貫通孔AP11Aを設け、貫通孔AP11Aのうち少なくとも第1樹脂層11側に、金属材料を充填してビア導体V11Aを形成するこの工程が、本発明における「ビア導体形成工程」の一例である。
次に、図11中の(5)に示すように、接合部71Pを、ビア導体V11Aに接するように、貫通孔AP11Aのうち少なくとも第2樹脂層21側に配設する。
接合部71Pを、ビア導体V11Aに接するように、貫通孔AP11Aのうち少なくとも第2樹脂層21側に配設するこの工程が、本発明における「接合部形成工程」の一例である。
次に、図12中の(1)に示すように、他の樹脂層に形成される導体と接合部とが当接するように、貼り合わせた第1樹脂層11および第2樹脂層21を含む複数の樹脂層を積層する。
次に、図12中の(2)に示すように、積層方向(Z軸方向)に、複数の樹脂層(第1樹脂層11,12,13および第2樹脂層21,22,23)を加熱プレス(一括プレス)することにより、積層体30Pを形成する。加熱プレス時の熱により接合部71P,72Pは固化し、それぞれビア導体よりも脆い接合部71,72となる。これにより、ビア導体V11Aが接合部71を介してビア導体V12Aに接合され、ビア導体V13Aが接合部72を介してグランド導体52に接合される。
複数の樹脂層を積層し、加熱プレスすることにより積層体を形成するこの工程が、本発明における「積層体形成工程」の一例である。
その後、積層体30Pの下面(第1樹脂層11の裏面)に保護層1を形成し、積層体30Pの上面(第1樹脂層13の表面)に保護層2を形成して、図12中の(3)に示す樹脂多層基板101(積層体30)を得る。
上記製造方法によれば、第2樹脂層21の表面から第1樹脂層11の裏面に向かって開口径が小さくなる錐台形(テーパー形状)の貫通孔の、第1樹脂層11側に金属材料を充填してビア導体V11Aを形成する。この製造方法によれば、貫通孔AP11Aが先細りの錐台形であるため、貫通孔AP11A内に金属材料を充填しやすい。また、貫通孔AP11Aが錐台形であるため、貫通孔が円柱形である場合と比較して、少ない金属材料でビア導体V11Aを形成でき、低コスト化が図れる。また、めっき処理でビア導体V11Aを形成する場合には、少ない金属材料でビア導体V11Aを形成できるため、めっき処理にかかる時間を短縮できる。
本実施形態のようにビア導体と平面導体(グランド導体51,52,53)とが同材料であり、ビア導体V11A,V12A,V13Aが一方面(面積の小さな方の面)および他方主面(面積の大きな方の面)を有する錐台形である場合には、ビア導体の一方面が平面導体に接続され、他方面が接合部に接続されていることが好ましい。一般に、ビア導体と他の導体との接合面積が小さいと接合強度は低いため、ビア導体の一方面と平面導体との接合強度は低くなりやすい。一方、本実施形態では、めっき処理によって形成されたビア導体が平面導体と一体化しているため、ビア導体と平面導体との接合面積が小さい場合であっても接続部分の強度は高い。そのため、線膨張係数の大きな第1樹脂層において、相対的に面積の小さなビア導体の一方面と平面導体とが接続されていても、樹脂多層基板を加熱した際に、ビア導体と平面導体との間の接続不良が生じ難い。また、ビア導体と接合部とは異種金属であり、ビア導体と接合部との接続部分の強度は低い。そのため、ビア導体の他方主面を接合部に接合することにより、ビア導体の一方面と接合部とを接合させる場合に比べて、ビア導体と接合部との接合強度を高めることができる。
さらに、本実施形態では、ビア導体V11A,V12Aの他方面同士が、第2樹脂層21,22のみに接する接合部71を介して接続されている。ビア導体が錐台形の場合には、相対的に面積の大きなビア導体の他方面同士を接続することにより、ビア導体の一方面同士を接続する場合と比較して、複数の樹脂層を積層する際の位置ずれに起因するビア導体の接続不良の発生を抑制できる。
《第3の実施形態》
第3の実施形態では、第1樹脂層の厚みと、第2樹脂層の厚みとが異なる樹脂多層基板の例を示す。
第3の実施形態では、第1樹脂層の厚みと、第2樹脂層の厚みとが異なる樹脂多層基板の例を示す。
図13は、第3の実施形態に係る樹脂多層基板103の断面図である。
樹脂多層基板103は、積層体30Aを備える点で、第2の実施形態に係る樹脂多層基板102と異なる。樹脂多層基板103の他の構成については、樹脂多層基板102と実質的に同じである。
以下、第2の実施形態に係る樹脂多層基板102と異なる部分について説明する。
積層体30Aは、保護層1、第1樹脂層11a、第2樹脂層21a,22a、第1樹脂層12a、第2樹脂層23a、第1樹脂層13aおよび保護層2をこの順番に積層して形成される。
図13に示すように、第1樹脂層11a,12a,13aの厚み(T1)は、第2樹脂層21a,22a,23aの厚み(T2)よりも厚い(T1>T2)。なお、本実施形態では、接合部72が第1樹脂層13aに接している。また、本実施形態では、接合部72のうち第2樹脂層23aに形成される部分(接合部72のうち第2樹脂層23aに接する部分)の厚みが、接合部72のうち第1樹脂層13aに形成される部分(接合部72のうち第1樹脂層13aに接する部分)の厚みよりも厚い。
本実施形態に示したように、接合部72の一部が第2樹脂層に形成される構成であっても、樹脂多層基板を加熱した際に接合部の破損を抑制するという本発明の作用・効果を奏する。なお、本実施形態のように、接合部72のうち第2樹脂層23aに形成される部分の厚みが、接合部72のうち第1樹脂層13aに形成される部分の厚みよりも厚いことが好ましい。接合部72のうち第2樹脂層23aに接する部分を厚くすることで、加熱した際に接合部に掛かる応力を低減できる。但し、樹脂多層基板を加熱した際の接合部の破損を抑制するという点では、接合部は第2樹脂層のみに形成されている(第2樹脂層のみに接している)ことがより好ましい。
なお、第2樹脂層21a,22a,23aよりも比誘電率が低い第1樹脂層11a,12a,13aの厚みが、第2樹脂層21a,22a,23aの厚みよりも厚い。
LCPのように線膨張係数の小さな第2樹脂層21a,22a,23aは、比誘電率が大きい傾向がある。そのため、本実施形態のように、第1樹脂層11a,12a,13aの厚み(T1)を第2樹脂層21a,22a,23aの厚み(T2)よりも厚くすることで、樹脂多層基板を加熱した際の接合部の破断を抑制しつつ、高周波特性に優れた樹脂多層基板を実現できる。
《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、樹脂多層基板が、二つの回路基板同士を接続するケーブルである例を示したが、本発明の樹脂多層基板はこれに限定されるものではない。本発明の樹脂多層基板は、回路基板に面実装される電子部品でもよく、二つの部材間を接続するケーブル、または回路基板と他の部品との間を接続するケーブルでもよい。また、樹脂多層基板の接続部には必要に応じてコネクタが設けられていてもよい。
以上に示した各実施形態では、樹脂多層基板が、二つの回路基板同士を接続するケーブルである例を示したが、本発明の樹脂多層基板はこれに限定されるものではない。本発明の樹脂多層基板は、回路基板に面実装される電子部品でもよく、二つの部材間を接続するケーブル、または回路基板と他の部品との間を接続するケーブルでもよい。また、樹脂多層基板の接続部には必要に応じてコネクタが設けられていてもよい。
なお、以上に示した各実施形態では、第1接続部CN1、第2接続部CN2および線路部SLを有する多層基板の例を示したが、多層基板が有する接続部および線路部の数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。
以上に示した各実施形態では、積層体30が、X軸方向に長手方向を有する矩形の平板である例を示したが、積層体30の形状はこれに限定されるものではない。積層体30の形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。積層体30の平面形状は、例えばL字形、クランク形、T字形、Y字形等であってもよい。
また、以上に示した各実施形態では、3つの第1樹脂層および3つの第2樹脂層を含んだ積層体の例を示したが、本発明の積層体はこれに限定されるものではない。積層体を形成する樹脂層の層数(第1樹脂層の層数、および第2樹脂層の層数)は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。また、本発明の樹脂多層基板において、保護層1,2は必須ではない。さらに、積層体は、第1樹脂層および第2樹脂層以外の樹脂層を含んでいてもよい。
以上に示した各実施形態では、積層体が、熱可塑性樹脂からなる平板である例を示したが、この構成に限定されるものではない。積層体は熱硬化性樹脂からなる平板でもよい。また、積層体は、異なる樹脂材料の複合積層体であってもよく、例えばガラス/エポキシ基板等の熱硬化性樹脂シートと、熱可塑性樹脂シートとが積層されて形成される構成でもよい。また、積層体は、複数の樹脂層を加熱プレス(一括プレス)してその表面同士を融着するものに限らず、各樹脂層間に接着材層を有する構成でもよい。例えば、第1樹脂層と第2樹脂層とが接着層を介して貼り付けられていてもよく、第1樹脂層または第2樹脂層のいずれかが接着性を有する層でもよい。
また、樹脂多層基板に形成される回路構成は、以上に示した各実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。樹脂多層基板に形成される回路は、例えば導体パターンで構成されるコイルやインダクタ、導体パターンで形成されるキャパシタ、各種フィルタ(ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ)等の周波数フィルタが形成されていてもよい。また、樹脂多層基板には、例えば他の各種伝送線路(マイクロストリップライン、コプレーナライン等)が、形成されていてもよい。さらに樹脂多層基板には、チップ部品等の各種電子部品が実装または埋設されていてもよい。
以上に示した各実施形態では、1つの伝送線路が構成された多層基板の例を示したが、この構成に限定されるものではなく、伝送線路の数は樹脂多層基板に形成される回路構成によって適宜変更可能である。
以上に示した各実施形態では、ビア導体V1,V2,V3,V11,V11A,V12,V12A,V13,V13Aが平面導体(実装電極P1,P2、信号導体41およびグランド導体51,52,53)と同材料(Cu)である例を示したが、この構成に限定されるものではない。ビア導体は、接合部よりも脆くなければ、Cuである平面導体と異なる材料(例えば、Ni-Snめっき)であってもよい。
また、以上に示した各実施形態では、複数のビア導体V11,V11A,V12,V12A,V13,V13Aが伝送方向(X軸方向)に配列されている例を示したが、この構成に限定されるものではない。ビア導体V11,V11A,V12,V12A,V13,V13Aの個数、配置等は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。
以上に示した各実施形態では、矩形の実装電極P1およびグランド電極PG1が、第1主面VS1に形成され、矩形の実装電極P2およびグランド電極PG2が、第2主面VS2に形成される例を示したが、この構成に限定されるものではない。実装電極およびグランド電極の形状・個数・位置は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。実装電極およびグランド電極の平面形状は、例えば、多角形、円形、楕円形、円弧状、リング状、L字形、U字形、T字形、Y字形、クランク形等でもよい。また、実装電極およびグランド電極が、第1主面VS1または第2主面VS2のいずれか一方に設けられていてもよい。なお、樹脂多層基板は、実装電極またはグランド電極以外に、ダミー電極を備えていてもよい。
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
AP11,AP11A…貫通孔
CN1…第1接続部
CN2…第2接続部
SL…線路部
EP1,EP2,EP3,EP4,EG1,EG2…外部電極
OP1,OP2,OP10,OP20…開口
P1,P2…実装電極
PG1,PG2…グランド電極
S1…回路基板の第1面
S2…回路基板の第2面
V1,V2,V3,V11,V11A,V12,V12A,V13,V13A…ビア導体
VS1…積層体の第1主面
VS2…積層体の第2主面
1,2…保護層
3…上部金型
4…下部金型
6…導電性接合材
11,11a,12,12a,13,13a…第1樹脂層
21,21a,22,22a,23,23a…第2樹脂層
30,30A,30P…積層体
41…信号導体
51,52,53…グランド導体
61,62,71,71P,72,72P…接合部
81…部品
101,101A,102,103…樹脂多層基板
201,202…回路基板
301…電子機器
CN1…第1接続部
CN2…第2接続部
SL…線路部
EP1,EP2,EP3,EP4,EG1,EG2…外部電極
OP1,OP2,OP10,OP20…開口
P1,P2…実装電極
PG1,PG2…グランド電極
S1…回路基板の第1面
S2…回路基板の第2面
V1,V2,V3,V11,V11A,V12,V12A,V13,V13A…ビア導体
VS1…積層体の第1主面
VS2…積層体の第2主面
1,2…保護層
3…上部金型
4…下部金型
6…導電性接合材
11,11a,12,12a,13,13a…第1樹脂層
21,21a,22,22a,23,23a…第2樹脂層
30,30A,30P…積層体
41…信号導体
51,52,53…グランド導体
61,62,71,71P,72,72P…接合部
81…部品
101,101A,102,103…樹脂多層基板
201,202…回路基板
301…電子機器
Claims (15)
- 第1樹脂層および第2樹脂層を含んだ複数の樹脂層を積層してなる積層体と、
前記第1樹脂層に形成されるビア導体と、
少なくとも一部が前記第2樹脂層に形成され、且つ、前記ビア導体に接合される接合部と、
前記積層体に形成され、前記接合部を介して前記ビア導体に接続される導体と、
を備え、
前記接合部は前記ビア導体よりも脆く、
前記第2樹脂層の線膨張係数は、前記ビア導体の線膨張係数および前記接合部の線膨張係数よりも大きく、前記第1樹脂層の線膨張係数よりも小さい、樹脂多層基板。 - 前記接合部のビッカース硬さは前記ビア導体のビッカース高さよりも低く、
前記接合部は、前記ビア導体よりも脆い、
請求項1に記載の、樹脂多層基板。 - 前記積層体に形成される平面導体をさらに備え、
前記ビア導体は、面積の小さな一方面と、面積の大きな他方面とを有する錐台形であり、
前記ビア導体は、前記一方面が前記平面導体に接続され、前記他方面が前記接合部に接合され、
前記平面導体は、前記ビア導体と同材料である、
請求項1または請求項2に記載の樹脂多層基板。 - 前記ビア導体の数および前記第2樹脂層の数は、それぞれ複数であり、
複数の前記第2樹脂層のうち、2つの第2樹脂層は隣接し、
複数のビア導体のうち、前記2つの第2樹脂層にそれぞれ形成される2つビア導体は、他方面同士が、前記第2樹脂層のみに接する前記接合部を介して接続される、
請求項3に記載の樹脂多層基板。 - 前記接合部は、前記第1樹脂層には接触しない、
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の樹脂多層基板。 - 前記ビア導体と前記接合部との界面は、前記第2樹脂層内に位置する、
請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の樹脂多層基板。 - 前記第1樹脂層の比誘電率は前記第2樹脂層の比誘電率よりも低く、
前記第1樹脂層の厚みは前記第2樹脂層の厚みよりも厚い、
請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の樹脂多層基板。 - 前記第1樹脂層はフッ素樹脂を主成分とする層であり、
前記第2樹脂層は液晶ポリマーを主成分とする層である、
請求項7に記載の樹脂多層基板。 - 前記複数の樹脂層は熱可塑性樹脂からなる、
請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の樹脂多層基板。 - 前記積層体は曲げ部を有する、
請求項1乃至請求項9のいずれかに記載の樹脂多層基板。 - 第1樹脂層に、前記第1樹脂層よりも線膨張係数が小さい第2樹脂層を貼り付ける、貼り合わせ工程と、
前記貼り合わせ工程の後、貼り合わせた前記第1樹脂層および前記第2樹脂層を貫通する貫通孔を設け、前記貫通孔のうち少なくとも前記第1樹脂層側に、金属材料を充填してビア導体を形成する、ビア導体形成工程と、
前記ビア導体形成工程の後、前記ビア導体よりも脆い接合部を、前記ビア導体に接するように、前記貫通孔のうち少なくとも前記第2樹脂層側に配設する、接合部形成工程と、
前記接合部形成工程の後、他の樹脂層に形成される導体と前記接合部とが当接するように、貼り合わせた前記第1樹脂層および前記第2樹脂層を含む複数の樹脂層を積層し、加熱プレスすることにより積層体を形成し、且つ、前記接合部を介して前記ビア導体と前記導体とを接合する、積層体形成工程と、
を備える、樹脂多層基板の製造方法。 - 前記ビア導体形成工程は、前記貫通孔にめっき膜を形成する工程を含む、
請求項11に記載の樹脂多層基板の製造方法。 - 前記接合部形成工程は、前記ビア導体の表面に導電性ペーストを配設する工程を含み、
前記積層体形成工程は、加熱プレスによって前記導電性ペーストを固化させる工程を含む、
請求項11または請求項12に記載の樹脂多層基板の製造方法。 - 前記接合部形成工程は、前記ビア導体の表面に導電性接合材を配設する工程を含む、
請求項11または請求項12に記載の樹脂多層基板の製造方法。 - 前記積層体形成工程は、熱可塑性樹脂からなる前記複数の樹脂層を積層して加熱プレスする工程を含む、
請求項11乃至請求項14のいずれかに記載の樹脂多層基板の製造方法。
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