WO2020105706A1 - 放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び製造方法 - Google Patents

放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び製造方法

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WO2020105706A1
WO2020105706A1 PCT/JP2019/045640 JP2019045640W WO2020105706A1 WO 2020105706 A1 WO2020105706 A1 WO 2020105706A1 JP 2019045640 W JP2019045640 W JP 2019045640W WO 2020105706 A1 WO2020105706 A1 WO 2020105706A1
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substrate
radiation detector
reinforcing substrate
base material
conversion layer
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PCT/JP2019/045640
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信一 牛倉
宗貴 加藤
赤松　圭一
中津川　晴康
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富士フイルム株式会社
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    • G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
    • G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
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    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
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    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation

Definitions

  • the present disclosure relates to a radiation detector, a radiation image capturing apparatus, and a manufacturing method.
  • a radiation image capturing apparatus that performs radiation imaging for the purpose of medical diagnosis.
  • a radiation detector for detecting radiation that has passed through a subject and generating a radiation image is used in such a radiation image capturing apparatus (for example, JP 2009-133837 A and JP 2012-220659 A). See the bulletin).
  • a conversion layer such as a scintillator that converts radiation into light, and a plurality of pixels that accumulate charges generated according to the light converted by the conversion layer are provided in a pixel region of a base material.
  • a substrate a flexible base material is used as a base material of a substrate of such a radiation detector, and a cable used for reading out charges accumulated in pixels is known as the flexible base material. Connected.
  • the radiation image capturing apparatus radiation detector
  • the subject can be easily captured.
  • the conversion layer may be peeled off from the substrate or the pixel may be damaged due to the influence of the flexible base material being bent. There is a concern that the radiation detector substrate may be defective.
  • an electromagnetic shield layer that covers the conversion layer is provided on the surface of the conversion layer that faces the substrate side.
  • a support that supports the conversion layer is provided on the surface of the conversion layer that faces the substrate side.
  • the electromagnetic shield layer disclosed in JP-A-2009-133837 and the support disclosed in JP-A-2012-220659 may not be able to sufficiently suppress defects in the substrate caused by the influence of the flexible base material. there were.
  • the reinforcing substrate may be an obstacle when reworking, and the reworkability may be deteriorated.
  • the present disclosure provides a radiation detector, a radiation image capturing apparatus, and a manufacturing method capable of suppressing the occurrence of defects in the substrate and having excellent reworkability.
  • a plurality of pixels for accumulating charges generated in response to light converted from radiation are formed in a pixel region on a first surface of a flexible base material.
  • the substrate provided with the terminals for electrically connecting the cables in the terminal area of the first surface and the radiation provided in the outside of the terminal area of the first surface of the base material convert radiation into light.
  • a radiation detector according to a second aspect of the present disclosure is the radiation detector according to the first aspect, in which the terminal region is a first region covered with the first reinforcing substrate and a second region is not covered with the first reinforcing substrate.
  • the radiation detector according to the third aspect of the present disclosure is the radiation detector according to the second aspect, wherein the first region is smaller than the second region.
  • a radiation detector according to a fourth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to the second aspect or the third aspect, wherein from one end portion on the inner side of the base material to the other end portion on the outer edge side of the base material in the first region. Up to 1/4 or less of the length from the one end on the inner side of the base material to the end on the outer edge side of the base material in the terminal region.
  • the radiation detector according to the fifth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to the first aspect, wherein the first reinforcing substrate is provided with a cutout portion at a position corresponding to the terminal region.
  • the radiation detector according to the sixth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to fifth aspects, wherein the second reinforcing substrate has higher rigidity than the base material.
  • a radiation detector according to a seventh aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to sixth aspects, wherein at least one of the first reinforcing substrate and the second reinforcing substrate has a bending elastic modulus. Is 1000 MPa or more and 2500 MPa or less.
  • the radiation detector according to an eighth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to seventh aspects, wherein at least one of the first reinforcing substrate and the second reinforcing substrate has a yield point. Including materials that have.
  • the radiation detector according to the ninth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to the eighth aspect, wherein the material having a yield point is at least one of polycarbonate and polyethylene terephthalate.
  • a radiation detector according to a tenth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to ninth aspects, wherein a ratio of a coefficient of thermal expansion of the first reinforcing substrate to a coefficient of thermal expansion of the conversion layer. Is 0.5 or more and 2 or less.
  • a radiation detector according to an eleventh aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to tenth aspects, wherein the first reinforcing substrate has a thermal expansion coefficient of 30 ppm / K or more and 80 ppm / K. K or less.
  • a radiation detector according to a twelfth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to eleventh aspects, wherein the size of the second surface of the base material is equal to that of the second reinforcing substrate. It is larger than the size of the surface facing the second surface.
  • a radiation detector according to a thirteenth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to eleventh aspects, in which the second reinforcing substrate is laminated in a laminating direction in which the second reinforcing substrate is laminated on the substrate. It has a plurality of layers and a part of the plurality of layers has a size larger than that of the second surface.
  • a radiation detector according to a fourteenth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to eleventh aspects, wherein the size of the second surface of the base material is equal to that of the second reinforcing substrate. It is smaller than the size of the surface facing the second surface.
  • a radiation detector according to a fifteenth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to fourteenth aspects, wherein at least a part of an end portion of the base material is an end portion of the second reinforcing substrate. It is located outside the department.
  • a radiation detector according to a sixteenth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to fifteenth aspects, which is provided between the substrate and the conversion layer and has a thermal expansion coefficient of the conversion layer.
  • a buffer layer for buffering the difference between the coefficient and the coefficient of thermal expansion of the substrate was further provided.
  • a radiation detector according to a seventeenth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to sixteenth aspects, wherein the base material is made of resin and has an average particle diameter of 0.05 ⁇ m or more. , A fine particle layer containing inorganic fine particles of 2.5 ⁇ m or less.
  • the radiation detector of the eighteenth aspect of the present disclosure is the radiation detector of the seventeenth aspect, wherein the base material has a fine particle layer on the second surface side.
  • a radiation detector according to a nineteenth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to the seventeenth aspect or the eighteenth aspect, wherein the fine particles have an atomic number larger than that of an element constituting the base material and an atomic number of 30 or less. Contains elements.
  • a radiation detector according to a twentieth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to nineteenth aspects, wherein the substrate has a coefficient of thermal expansion at 300 ° C. to 400 ° C. of 20 ppm / K. It is below.
  • a radiation detector according to a twenty-first aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to twentieth aspects, wherein the substrate has a heat shrinkage ratio at 400 ° C. in a state where the thickness is 25 ⁇ m. It satisfies at least one of 0.5% or less and an elastic modulus at 500 ° C. of 1 GPa or more.
  • a radiation detector according to a twenty-second aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to twenty-first aspects, wherein the conversion layer includes a CsI columnar crystal.
  • a radiation image capturing apparatus is a radiation detector according to any one of the first to twenty-second aspects, and a control signal for reading out electric charges accumulated in a plurality of pixels. And a circuit section that is electrically connected to the radiation detector by a cable and that reads out electric charges from a plurality of pixels according to a control signal.
  • a radiographic image capturing apparatus is the radiographic image capturing apparatus according to the twenty-third aspect, which has an irradiation surface on which radiation is irradiated, and of the substrate and the conversion layer in the radiation detector, the substrate is irradiated.
  • a housing for housing the radiation detector is further provided so as to face the surface.
  • a manufacturing method is a method for manufacturing a radiation detector, wherein a flexible base material is provided on the support, and the radiation is applied to the pixel region of the first surface of the base material.
  • a step of forming, a step of providing a first reinforcing substrate having a rigidity higher than that of the base material on the surface of the conversion layer opposite to the surface facing the substrate side, and the conversion layer and the first reinforcing substrate The step of peeling the provided substrate from the support, and the second surface of the substrate peeled from the support opposite to the first surface of the base material covers a surface larger than the first reinforcing substrate. Providing a second reinforcing substrate.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the radiation detector shown in FIG. 2 taken along the line AA. It is sectional drawing for demonstrating an example of a base material. It is an explanatory view for explaining backscattering rays generated in a substrate having a fine particle layer due to radiation that has passed through an object.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector shown in FIG. 7. It is the top view which looked at an example of the radiation detector of 3rd Embodiment from the side in which the conversion layer was provided.
  • FIG. 10 is a sectional view taken along the line AA of the radiation detector shown in FIG. 9.
  • FIG. 10 is a sectional view of the radiation detector shown in FIG. 9 taken along the line BB.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector according to the third exemplary embodiment in which a spacer is provided.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view taken along the line BB of the radiation detector according to the third exemplary embodiment in which a spacer is provided. It is sectional drawing which shows the other example of the radiation detector of embodiment. It is sectional drawing which shows an example of the form in which the size of the 2nd reinforcement substrate differs in the radiation detector of embodiment. It is sectional drawing which shows an example which comprised the 2nd reinforcement board
  • the radiation detector of this embodiment has a function of detecting radiation that has passed through a subject and outputting image information representing a radiation image of the subject.
  • the radiation detector of the present embodiment includes a TFT (Thin Film Transistor) substrate and a conversion layer that converts radiation into light (see FIG. 4, TFT substrate 12 and conversion layer 14 of the radiation detector 10). ..
  • the TFT substrate 12 of this embodiment is a substrate in which a pixel array 31 including a plurality of pixels 30 is formed in the pixel region 35 of the base material 11. Therefore, in the following, the expression "pixel region 35" is used synonymously with "pixel array 31".
  • the TFT substrate 12 of this embodiment is an example of the substrate of the disclosed technology.
  • Each of the pixels 30 includes a sensor unit 34 and a switching element 32.
  • the sensor unit 34 generates and accumulates charges according to the light converted by the conversion layer.
  • the switching element 32 reads out the electric charge accumulated in the sensor unit 34.
  • a thin film transistor (TFT) is used as the switching element 32. Therefore, the switching element 32 will be referred to as “TFT 32” below.
  • the plurality of pixels 30 are arranged in the pixel region 35 of the TFT substrate 12 in one direction (scanning wiring direction corresponding to the horizontal direction in FIG. 1, hereinafter also referred to as “row direction”) and a direction intersecting the row direction (vertical direction in FIG. 1). Are arranged two-dimensionally in the signal wiring direction corresponding to the above (hereinafter, also referred to as “column direction”). Although the arrangement of the pixels 30 is simplified in FIG. 1, for example, the pixels 30 are arranged in a row direction and a column direction by 1024 ⁇ 1024.
  • the radiation detector 10 reads out a plurality of scanning wirings 38 for controlling the switching states (ON and OFF) of the TFTs 32, and the charges accumulated in the sensor unit 34 provided for each column of the pixels 30. And a plurality of signal wirings 36 that are provided so as to intersect with each other.
  • Each of the plurality of scanning wirings 38 is connected to a driving unit 103 (see FIG. 5) outside the radiation detector 10 via a flexible cable 112 (see FIGS. 3 and 5), thereby driving the driving unit 103.
  • the signal processing unit 104 see FIG. 5 outside the radiation detector 10 via the flexible cable 112 (see FIGS. 3 and 5
  • the charges read from each pixel 30 are output to the signal processing unit 104.
  • a common wiring 39 is provided in the wiring direction of the signal wiring 36 in order to apply a bias voltage to each pixel 30.
  • the common wiring 39 is connected to a bias power source outside the radiation detector 10 via a terminal (not shown) provided on the TFT substrate 12, so that a bias voltage is applied to each pixel 30 from the bias power source. ..
  • FIG. 2 is a plan view of the radiation detector 10 according to the present embodiment as viewed from the first surface 11A side of the base material 11.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the radiation detector 10 in FIG. 2 taken along the line AA.
  • the first surface 11A of the base material 11 is provided with the pixel area 35 in which the above-described pixel 30 is provided and the terminal area 111.
  • the base material 11 is a resin sheet having flexibility and containing a plastic such as PI (PolyImide).
  • the thickness of the base material 11 is a thickness that provides a desired flexibility according to the hardness of the material, the size of the TFT substrate 12 (the area of the first surface 11A or the second surface 11B), and the like. Good.
  • PI PolyImide
  • the base material 11 hangs down by 2 mm or more (lower than the height of the fixed side).
  • a material having a thickness of 5 ⁇ m to 125 ⁇ m may be used, and a material having a thickness of 20 ⁇ m to 50 ⁇ m is more preferable.
  • the base material 11 has a characteristic capable of withstanding the production of the pixel 30, and in the present embodiment, has a characteristic capable of withstanding the production of an amorphous silicon TFT (a-Si TFT).
  • a-Si TFT amorphous silicon TFT
  • Such a characteristic of the base material 11 is that the coefficient of thermal expansion (CTE: Coefficient of Thermal Expansion) at 300 ° C. to 400 ° C. is similar to that of an amorphous silicon (a-Si) wafer (for example, ⁇ 5 ppm / K). ) Is preferable.
  • the thermal expansion coefficient of the base material 11 at 30 ° C. to 400 ° C. is preferably 20 ppm / K or less.
  • the heat shrinkage rate of the base material 11 it is preferable that the heat shrinkage rate at 400 ° C. is 0.5% or less when the thickness is 25 ⁇ m. Further, it is preferable that the elastic modulus of the base material 11 does not have the transition point that a general PI has in the temperature range between 300 ° C. and 400 ° C., and the elastic modulus at 500 ° C. is 1 GPa or more.
  • the base material 11 of the present embodiment preferably has a fine particle layer 11L including inorganic fine particles 11P having an average particle diameter of 0.05 ⁇ m or more and 2.5 ⁇ m or less. ..
  • FIG. 4B shows an example in which the radiation detector 10 of the present embodiment is applied to an ISS (Irradiation Side Sampling) type radiation detector in which the radiation R is irradiated from the TFT substrate 12 side.
  • the backscattered ray Rb is generated on the base material 11 by the radiation R transmitted through the subject S.
  • the base material 11 is made of a resin such as PI, since it is an organic substance, the atoms such as C, H, O, and N, which have a relatively small atomic number, and which constitute the organic substance are backscattered by the Compton effect. Will increase.
  • the base material 11 has the fine particle layer 11L including the fine particles 11P that absorbs the backscattered rays Rb generated in the base material 11, when the base material 11 does not have the fine particle layer 11L.
  • the backscattered ray Rb that is transmitted through the base material 11 and scattered backward is preferable.
  • fine particles 11P it is preferable to use an inorganic substance containing atoms that generate a small amount of backscattered rays Rb by themselves and that absorb the backscattered rays Rb while absorbing a small amount of the radiation R transmitted through the subject S. Note that there is a trade-off relationship between the suppression of the backscattered ray Rb and the transparency of the radiation R. From the viewpoint of suppressing the backscattered ray Rb, it is preferable that the fine particles 11P include an element having an atomic number larger than that of C, H, O, N, etc. constituting the resin of the base material 11.
  • the fine particles 11P in the case of the resinous base material 11, it is preferable to use an inorganic material having an atomic number larger than the atoms constituting the organic material of the base material 11 and having an atomic number of 30 or less.
  • Specific examples of such fine particles 11P include SiO 2 which is an oxide of Si having an atomic number of 14, MgO which is an oxide of Mg having an atomic number of 12, and Al which is an oxide of Al having an atomic number of 13. 2 O 3 and TiO 2 which is an oxide of Ti having an atomic number of 22 are included.
  • resin sheet having such properties examples include XENOMAX (registered trademark).
  • the thickness in the present embodiment was measured using a micrometer.
  • the coefficient of thermal expansion was measured according to JIS K7197: 1991. In the measurement, the test piece was cut from the main surface of the base material 11 by changing the angle by 15 degrees, the coefficient of thermal expansion was measured for each of the cut test pieces, and the highest value was defined as the coefficient of thermal expansion of the base material 11. ..
  • the thermal expansion coefficient is measured at 10 ° C. intervals from ⁇ 50 ° C. to 450 ° C. in the MD (Machine Direction) direction and the TD (Transverse Direction) direction, and (ppm / ° C.) is converted to (ppm / K). did.
  • TMA4000S manufactured by MAC Science Co., Ltd.
  • the elastic modulus was measured according to JIS K 7171: 2016. In the measurement, test pieces were cut out from the main surface of the base material 11 by changing the angle by 15 degrees, and a tensile test was performed on each cut out test piece, and the highest value was taken as the elastic modulus of the base material 11.
  • the base material 11 preferably has the fine particle layer 11L on the second surface 11B opposite to the first surface 11A on which the pixels 30 are formed.
  • the base material 11 preferably has the fine particle layer 11L on the second surface 11B opposite to the first surface 11A on which the conversion layer 14 is provided.
  • the base material 11 has the fine particle layer 11L on the surface close to the subject S. As shown in FIG. 4B, in the ISS type radiation detector 10, it is preferable to have the fine particle layer 11L on the second surface 11B.
  • the pixels 30 can be accurately formed, and the backscattered ray Rb can be effectively formed. Can be suppressed.
  • the base material 11 having a desired flexibility is not limited to a resin material such as a resin sheet.
  • the base material 11 may be a glass substrate or the like having a relatively thin thickness.
  • the thickness is 0.3 mm or less because it has flexibility if the thickness is 0.3 mm or less. Any desired glass substrate may be used.
  • the conversion layer 14 is provided on the pixel region 35 of this embodiment.
  • the conversion layer 14 is provided on a part of the region including the pixel region 35 on the first surface 11A of the base material 11.
  • the conversion layer 14 of the present embodiment is not provided on the region of the outer peripheral portion of the first surface 11A of the base material 11. It should be noted that, here, when the structure of the radiation detector 10 is “upper”, it means that it is upper in the positional relationship with the TFT substrate 12 side as a reference. For example, the conversion layer 14 is provided on the TFT substrate 12.
  • a scintillator containing CsI (cesium iodide) is used as an example of the conversion layer 14.
  • Examples of such a scintillator include CsI: Tl (cesium iodide to which thallium is added) and CsI: Na (cesium iodide to which sodium is added) having an emission spectrum of 400 nm to 700 nm at the time of X-ray irradiation. It is preferable to include.
  • the emission peak wavelength of CsI: Tl in the visible light region is 565 nm.
  • the conversion layer 14 is formed on the TFT substrate 12 directly by a vapor deposition method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, and a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, and has a strip-shaped columnar crystal ( (Not shown).
  • a vapor deposition method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, and a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, and has a strip-shaped columnar crystal (Not shown).
  • a vapor deposition method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, and a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, and has a strip-shaped columnar crystal (Not shown).
  • CsI: Tl is heated by a heating means such as a resistance heating type crucible in an environment of a vacuum degree of 0.01 Pa to 10 Pa.
  • a vapor deposition method in which CsI: Tl is vaporized and the temperature of the T
  • a buffer layer 13 is provided between the TFT substrate 12 and the conversion layer 14.
  • the buffer layer 13 has a function of buffering the difference between the coefficient of thermal expansion of the conversion layer 14 and the coefficient of thermal expansion of the base material 11.
  • the buffer layer 13 may not be provided, but as the difference between the thermal expansion coefficient of the conversion layer 14 and the thermal expansion coefficient of the base material 11 is larger, the buffer layer is larger. It is preferable to provide 13.
  • a PI film, a parylene (registered trademark) film, or the like is used as the buffer layer 13, a PI film, a parylene (registered trademark) film, or the like is used.
  • the protective layer 22 has a function of protecting the conversion layer 14 from moisture such as moisture.
  • the material of the protective layer 22 include an organic film, and specifically, PET (Polyethylene terephthalate), PPS (Poly Phenylene Sulfide), OPP (Oriented Poly Propylene: biaxially oriented polypropylene film). , PEN (PolyEthylene Naphthalate), and a single layer film or a laminated film of PI or the like.
  • PEN PolyEthylene Naphthalate
  • a laminated film of a resin film and a metal film may be used as the protective layer 22, a laminated film of a resin film and a metal film may be used as the protective layer 22, a laminated film of a resin film and a metal film may be used. Examples of the laminated film of the resin film and the metal film include an Alpet (registered trademark) sheet obtained by laminating aluminum on an insulating sheet (film) such as PET by adhering an aluminum foil.
  • the first reinforcing substrate 40 is provided by the adhesive layer 48. Is provided.
  • the first reinforcing substrate 40 has a higher bending rigidity than the base material 11, and the dimensional change (deformation) due to a force applied in a direction perpendicular to the surface facing the conversion layer 14 is the first surface of the base material 11. Less than a dimensional change for a force applied vertically to 11A. Moreover, the thickness of the first reinforcing substrate 40 of the present embodiment is thicker than the thickness of the base material 11.
  • the flexural rigidity here means the difficulty of bending, and the higher the flexural rigidity, the more difficult it is to bend.
  • the first reinforcing substrate 40 of the present embodiment uses a material having a bending elastic modulus of 150 MPa or more and 2500 MPa or less.
  • the method for measuring the flexural modulus is based on, for example, JIS K 7171: 2016. From the viewpoint of suppressing the bending of the base material 11, the first reinforcing substrate 40 preferably has higher bending rigidity than the base material 11. It should be noted that when the flexural modulus decreases, the flexural rigidity also decreases, and in order to obtain the desired flexural rigidity, the thickness of the first reinforcing substrate 40 must be increased, which increases the overall thickness of the radiation detector 10. Will end up.
  • the material used for the first reinforcing substrate 40 has a bending elastic modulus of 150 MPa or more and 2500 MPa or less, in which appropriate rigidity is obtained and the thickness of the radiation detector 10 is taken into consideration.
  • the flexural rigidity of the first reinforcing substrate 40 is preferably 540 Pacm 4 or more and 140000 Pacm 4 or less.
  • the coefficient of thermal expansion of the first reinforcing substrate 40 of the present embodiment is preferably close to the coefficient of thermal expansion of the material of the conversion layer 14.
  • the ratio of the coefficient of thermal expansion of the first reinforcing substrate 40 to the coefficient of thermal expansion of the conversion layer 14 is 0.5 or more and 2 or less. Is more preferable.
  • the coefficient of thermal expansion of the first reinforcing substrate 40 is preferably 30 ppm / K or more and 80 ppm / K or less.
  • the coefficient of thermal expansion of the conversion layer 14 is 50 ppm / K.
  • PVC Polyvinyl Chloride
  • PC Polycarbonate
  • Teflon Teflon with thermal expansion coefficient of 45ppm / K to 70ppm / K Trademark
  • the material of the first reinforcing substrate 40 is more preferably a material containing at least one of PET and PC.
  • the first reinforcing substrate 40 preferably contains a material having a yield point.
  • the "yield point” means a phenomenon in which the stress once sharply drops when the material is pulled, and on the curve showing the relationship between the stress and the strain, the strain is increased without increasing the stress. It refers to the point that increases, and indicates the top of the stress-strain curve when a tensile strength test is performed on the material.
  • Resins having a yield point generally include resins that are hard and tough, and resins that are soft and tough and have medium strength. Examples of the hard and tough resin include PC and the like. Further, examples of the soft and tenacious resin having a medium strength include polypropylene and the like.
  • the first reinforcing substrate 40 of this embodiment is a substrate made of plastic.
  • the plastic used as the material of the first reinforcing substrate 40 is a thermoplastic resin, such as PC, PET, styrene, acrylic, polyacetase, nylon, polypropylene, ABS (Acrylonitrile Butadiene Styrene), engineering plastic, and At least one of the polyphenylene ethers may be mentioned.
  • the first reinforcing substrate 40 is preferably at least one of polypropylene, ABS, engineering plastics, PET, and polyphenylene ether, and at least one of styrene, acrylic, polyacetase, and nylon. More preferably, it is more preferably at least one of PC and PET.
  • the second reinforcing substrate 42 is provided on the second surface 11B of the base material 11.
  • an adhesive layer for providing the second reinforcing substrate 42, a protective film having a moisture-proof function, or the like may be provided between the second surface 11B of the base material 11 and the second reinforcing substrate 42. ..
  • the second reinforcing substrate 42 has higher rigidity than the base material 11 and changes in dimension (deformation) with respect to a force applied in a direction perpendicular to the surface facing the second surface 11B. Is smaller than the dimensional change due to the force applied to the base material 11 in the direction perpendicular to the first surface 11A. Further, the thickness of the second reinforcing substrate 42 of the present embodiment is thicker than the thickness of the base material 11 and thinner than the thickness of the first reinforcing substrate 40.
  • the thickness of the first reinforcing substrate 40 is preferably about 0.1 mm
  • the thickness of the second reinforcing substrate 42 is preferably about 0.2 mm to 0.25 mm. ..
  • the second reinforcing substrate 42 preferably has the same characteristics as the first reinforcing substrate 40.
  • the material of the second reinforcing substrate 42 of this embodiment is preferably a thermoplastic resin, and the same material as the first reinforcing substrate 40 can be used. A material different from that of the second reinforcing substrate 42 may be used.
  • the second reinforcing substrate 42 and the first reinforcing substrate 40 may have different characteristics and the like.
  • the rigidity of the first reinforcing substrate 40 may be lower than that of the second reinforcing substrate 42, and may be about the same as that of the base material 11. Even if the rigidity of the second reinforcing substrate 42 is about the same as that of the base material 11, the provision of the second reinforcing substrate 42 increases the thickness of the entire radiation detector 10, so that the rigidity of the entire radiation detector 10 is secured.
  • the second reinforcing substrate 42 is provided on the entire second surface 11B of the base material 11, and the size of the second reinforcing substrate 42 is the first reinforcing substrate 42. Greater than 40. That is, the area where the second reinforcing substrate 42 covers the base material 11 is larger than the area where the first reinforcing substrate 40 covers the stacked body 19.
  • the first reinforcing substrate 40 is not provided in the terminal region 111, but the second reinforcing substrate 42 is also provided in a position corresponding to the terminal region 111.
  • the terminal area 111 of the base material 11 is provided with a terminal 113 to which the flexible cable 112 is connected.
  • the terminal area 111 in the present embodiment includes at least an area where the terminals 113 are provided.
  • the area of the terminal region 111 is equal to or larger than the area of the terminal 113.
  • the range of the terminal area 111 is determined according to the ease of reworking the flexible cable 112. Specifically, the range of the terminal region 111 (the area of the terminal region 111) is the area of each of the flexible cable 112 and the terminal 113, the connection deviation between the flexible cable 112 and the terminal 113 when the flexible cable 112 is reworked, and Determined by the rework method, etc.
  • repair refers to removing a cable or component connected to the base material 11 (TFT substrate 12) and reconnecting it due to a defect or a positional shift.
  • the terminal 113 for example, an anisotropic conductive film or the like is used.
  • the flexible cable 112 when connecting the flexible cable 112 to the terminal 113 of the terminal area 111, the flexible cable 112 is simply connected to the terminal area 111.
  • the connection regarding components called “cable” including the flexible cable 112 means electrical connection unless otherwise specified.
  • the flexible cable 112 includes a signal line (not shown) made of a conductor, and the signal line is electrically connected to the terminal 113 by being connected to the terminal 113.
  • the term “cable” refers to a flexible cable.
  • FIG. 5 is a plan view of an example of a state in which the drive unit 103 and the signal processing unit 104 are connected to the radiation detector 10 of the present embodiment by the flexible cable 112, as viewed from the first surface 11A side of the base material 11.
  • the figure is shown.
  • the drive unit 103 and the signal processing unit 104 of the present embodiment are examples of the circuit unit of the present disclosure.
  • one end of a plurality (four in FIG. 5) of flexible cables 112 is thermocompression bonded to the terminals 113 (not shown in FIG. 5) of the terminal area 111 (111A).
  • the flexible cable 112 has a function of connecting the drive unit 103 and the scanning wiring 38 (see FIG. 1).
  • a plurality of signal lines (not shown) included in the flexible cable 112 are connected to the scanning wiring 38 (see FIG. 1) of the TFT substrate 12 via the terminal region 111 (111A).
  • connection area 243 (243A) provided in the area on the outer periphery of the drive board 202.
  • a plurality of signal lines (not shown) included in the flexible cable 112 are connected to the drive component 250 such as a circuit and an element mounted on the drive substrate 202 via the connection region 243.
  • FIG. 5 shows, as an example, a state in which nine drive components 250 (250A to 250I) are mounted on the drive board 202.
  • the drive component 250 according to the present embodiment has a crossing direction X which is a direction intersecting a bending direction Y which is a direction along a side corresponding to the terminal region 111 (111A) of the base material 11, It is arranged along.
  • the drive component 250 has a long side and a short side, the drive component 250 is arranged with the long side along the intersecting direction X.
  • the drive substrate 202 of this embodiment is a flexible PCB (Printed Circuit Board) substrate, and is a so-called flexible substrate.
  • the drive component 250 mounted on the drive substrate 202 is a component mainly used for processing a digital signal (in the present embodiment, referred to as “digital component”).
  • Specific examples of the drive component 250 include a digital buffer, a bypass capacitor, a pull-up / pull-down resistor, a damping resistor, and an EMC (Electro Magnetic Compatibility) countermeasure chip component.
  • the drive substrate 202 does not necessarily have to be a flexible substrate, and may be an inflexible rigid substrate described later.
  • Digital parts tend to have a relatively smaller area (size) than analog parts described later. Further, digital parts tend to be less susceptible to electrical interference, in other words, noise, than analog parts. Therefore, in the present embodiment, when the TFT substrate 12 bends, the substrate that bends as the TFT substrate 12 bends is the drive substrate 202 on which the drive component 250 is mounted.
  • a drive circuit section 212 is mounted on the flexible cable 112 connected to the drive board 202.
  • the drive circuit section 212 is connected to a plurality of signal lines (not shown) included in the flexible cable 112.
  • the drive component 250 mounted on the drive substrate 202 and the drive circuit unit 212 implement the drive unit 103.
  • the drive circuit unit 212 is an IC (Integrated Circuit) including a circuit different from the drive component 250 mounted on the drive substrate 202 among various circuits and elements that realize the drive unit 103.
  • the flexible cable 112 electrically connects the TFT substrate 12 and the drive substrate 202, thereby connecting the drive unit 103 and each of the scanning wirings 38. It
  • one end of a plurality (four in FIG. 5) of flexible cables 112 is thermocompression bonded to the terminal area 111 (111B) of the base material 11.
  • a plurality of signal lines (not shown) included in the flexible cable 112 are connected to the signal wiring 36 (see FIG. 1) via the terminal area 111 (111B).
  • the flexible cable 112 has a function of connecting the signal processing unit 104 and the signal wiring 36 (see FIG. 1).
  • the other end of the flexible cable 112 is electrically connected to the connector 330 provided in the connection area 243 (243B) of the signal processing board 304.
  • a plurality of signal lines (not shown) included in the flexible cable 112 are connected to the signal processing component 350, which is a circuit and an element mounted on the signal processing board 304, via the connector 330.
  • the connector 330 may be a ZIF (Zero Insertion Force) structure connector or a non-ZIF structure connector.
  • FIG. 5 shows, as an example, a state in which nine signal processing components 350 (350A to 350I) are mounted on the signal processing board 304. As shown in FIG.
  • the signal processing component 350 of the present embodiment is arranged along a cross direction X which is a direction along a side of the base material 11 on which the terminal region 111 (111B) of the base material 11 is provided. ing.
  • the signal processing component 350 has a long side and a short side, the signal processing component 350 is arranged such that the long side is along the intersecting direction X.
  • the signal processing board 304 of this embodiment does not necessarily have to be a flexible board, and may be a non-flexible PCB board or a so-called rigid board.
  • the signal processing board 304 is thicker than the drive board 202.
  • the signal processing board 304 has higher rigidity than the drive board 202.
  • the signal processing component 350 mounted on the signal processing board 304 is a component mainly used for analog signal processing (in the present embodiment, referred to as “analog component”).
  • the signal processing component 350 include an operational amplifier, an analog-digital converter (ADC), a digital-analog converter (DAC), and a power supply IC.
  • the signal processing component 350 of the present embodiment also includes a coil around a power source having a relatively large component size, a smoothing large-capacity capacitor, and the like.
  • analog parts tend to have a larger area (size) than digital parts. Also, analog parts are more likely to be affected by electrical interference, in other words, noise, than digital parts. Therefore, in this embodiment, even when the TFT substrate 12 bends, the substrate on the side that is not bent (not affected by the bending) is the signal processing board 304 on which the signal processing component 350 is mounted.
  • a signal processing circuit unit 314 is mounted on the flexible cable 112 connected to the signal processing board 304.
  • a plurality of signal lines (not shown) included in the flexible cable 112 are connected to the signal processing circuit unit 314.
  • the signal processing unit 104 mounted on the signal processing board 304 and the signal processing circuit unit 314 implement the signal processing unit 104.
  • the signal processing circuit unit 314 is an IC including a circuit different from the signal processing component 350 mounted on the signal processing board 304 among various circuits and elements that realize the signal processing unit 104.
  • the TFT substrate 12 and the signal processing substrate 304 are electrically connected by the flexible cable 112, so that the signal processing unit 104 and the signal wiring 36 are connected to each other. Connected.
  • the following method can be given as an example of a method for manufacturing the radiation detector 10 of the present embodiment.
  • An example of a method of manufacturing the radiation detector 10 of the present exemplary embodiment will be described with reference to FIGS. 6A to 6E.
  • the base material 11 is formed on a support 400 such as a glass substrate having a thickness thicker than that of the base material 11 via a release layer (not shown).
  • a sheet to be the base material 11 is attached onto the support 400.
  • the surface corresponding to the second surface 11B of the base material 11 is the support 400 side and is in contact with the release layer (not shown).
  • a plurality of pixels 30 are formed in the pixel area 35 of the base material 11.
  • a plurality of pixels 30 are formed in the pixel region 35 of the base material 11 via an undercoat layer (not shown) made of SiN or the like.
  • the conversion layer 14 is formed on the pixel region 35.
  • the buffer layer 13 is formed in the region where the conversion layer 14 is provided on the first surface 11A of the base material 11.
  • the conversion layer 14 of CsI as columnar crystals is formed directly on the TFT substrate 12, more specifically, on the buffer layer 13 by a vapor deposition method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, and a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. It is formed.
  • the side of the conversion layer 14 in contact with the pixel 30 is the side of the columnar crystal growth direction base point side.
  • the conversion layer 14 may have, for example, a conversion layer on the surface opposite to the side in contact with the TFT substrate 12.
  • a reflective layer (not shown) having a function of reflecting the light converted in 14 may be provided.
  • the reflective layer may be provided directly on the conversion layer 14, or may be provided via an adhesion layer or the like.
  • the material of the reflective layer it is preferable to use an organic material, for example, at least one of white PET, TiO 2 , Al 2 O 3 , foamed white PET, polyester high reflection sheet, and specular reflection aluminum. What used as a material is preferable. In particular, the one using white PET as a material is preferable from the viewpoint of reflectance.
  • the polyester-based highly reflective sheet is a sheet (film) having a multilayer structure in which a plurality of thin polyester sheets are stacked.
  • the conversion layer 14 can be formed on the TFT substrate 12 by a method different from this embodiment.
  • an aluminum plate or the like on which CsI is vapor-deposited by a vapor deposition method is prepared, and the side of the CsI that is not in contact with the aluminum plate and the pixel 30 of the TFT substrate 12 are attached by an adhesive sheet or the like
  • the conversion layer 14 may be formed on the TFT substrate 12.
  • the side of the conversion layer 14 in contact with the pixel region 35 is the tip side of the columnar crystal growth direction.
  • GOS Ga 2 O 2 S: Tb
  • a sheet obtained by dispersing GOS in a binder such as a resin is attached to a support formed of white PET or the like with an adhesive layer or the like, and the GOS support is not attached.
  • the side and the pixel region 35 of the TFT substrate 12 are attached by an adhesive sheet or the like, whereby the conversion layer 14 can be formed on the TFT substrate 12.
  • the conversion efficiency from radiation to visible light is higher when CsI is used for the conversion layer 14 than when GOS is used.
  • the flexible cable 112 is thermocompression-bonded to the terminal 113 of the terminal area 111 of the base material 11, and a plurality of signal lines (not shown) included in the flexible cable 112 and the terminal area 111 of the base material 11 are included. And are electrically connected.
  • the flexible cable 112 is thermocompression-bonded to the connection area 243 (243A) of the drive board 202, and a plurality of signal lines (not shown) included in the flexible cable 112 and the drive component 250 mounted on the drive board 202 are electrically connected. To the state shown in FIG.
  • the first reinforcing substrate 40 prepared in advance is bonded to the TFT substrate 12 to which the conversion layer 14 is formed and the flexible cable 112 is connected, thereby sealing the conversion layer 14. Stop.
  • the above-mentioned bonding it is carried out under atmospheric pressure or under reduced pressure (under vacuum), but it is preferably carried out under reduced pressure in order to prevent air or the like from entering during bonding.
  • the radiation detector 10 is peeled off from the support 400.
  • the peeling is performed by mechanical peeling
  • the side of the base material 11 of the TFT substrate 12 opposite to the side to which the flexible cable 112 is connected is set as the peeling starting point.
  • the TFT substrate 12 is gradually peeled from the support 400 in the direction of the arrow D shown in FIG. 6D from the side serving as the starting point to the side to which the flexible cable 112 is connected, whereby mechanical peeling is performed, and the flexible cable 112 is removed.
  • the radiation detector 10 in the connected state is obtained.
  • the side that is the starting point of peeling is preferably the side that intersects the longest side when the TFT substrate 12 is viewed in plan. In other words, it is preferable that the side along the bending direction Y that causes bending due to peeling is the longest side in the TFT substrate 12.
  • the side where the drive board 202 is connected by the flexible cable 112 is longer than the side where the signal processing board 304 side is connected by the flexible cable 112. Therefore, the starting point of peeling is the side opposite to the side where the terminal region 111 (111B) is provided.
  • the flexible cable 112 of the radiation detector 10 and the connector 330 of the signal processing board 304 are electrically connected.
  • the radiation detector 10 of the present embodiment is manufactured by bonding the second reinforcing substrate 42 provided with an adhesive layer such as a double-sided tape to the second surface 11B of the base material 11. To be done.
  • the timing for connecting the flexible cable 112 to the terminal region 111 may be after the first reinforcing substrate 40 is provided on the TFT substrate 12. Further, for example, the mechanical peeling may be performed after electrically connecting the flexible cable 112 of the radiation detector 10 and the connector 330 of the signal processing board 304.
  • the drive substrate 202 is a flexible substrate, so the drive substrate 202 also bends in accordance with the deflection of the TFT substrate 12. Mu.
  • the TFT substrate 12 when the TFT substrate 12 is peeled from the support 400, the TFT substrate 12 is easily bent because the base material 11 has flexibility.
  • the TFT substrate 12 When the TFT substrate 12 is largely bent, the TFT substrate 12 may be defective.
  • the conversion layer 14 may be separated from the TFT substrate 12, and in particular, the end portion of the conversion layer 14 is easily separated from the TFT substrate 12.
  • the pixels 30 may be damaged.
  • the first reinforcing substrate 40 having higher rigidity than the base material 11 is provided on the first surface 11A of the base material 11. Therefore, according to the radiation detector 10 of the present exemplary embodiment, when the TFT substrate 12 is peeled from the support body 400, it is possible to prevent the TFT substrate 12 from being largely bent, and the TFT substrate 12 has a problem. Can be suppressed.
  • the present invention is not limited to the case where the TFT substrate 12 is peeled from the support body 400, and when the radiation detector 10 is handled as a single unit during the manufacturing process of the radiation image capturing apparatus 1, the TFT substrate 12 bends, Similar to the above, there is a concern that the TFT substrate 12 may be defective.
  • the first reinforcing substrate 40 is provided on the first surface 11A of the base material 11, and the second reinforcing substrate 42 is the second surface 11B of the base material 11. It is provided in. Therefore, according to the radiation detector 10 of the present embodiment, even when the radiation detector 10 is handled alone, it is possible to prevent the TFT substrate 12 from being largely bent, and the TFT substrate 12 has a problem. Can be suppressed.
  • the flexible cable 112 may be peeled from the terminal area 111 of the base material 11 or the connection may be displaced.
  • the flexible substrate 112 is connected to the drive substrate 202 and then the TFT substrate 12 is bent to detach the TFT substrate 12 from the support 400, the flexible cable 112 may be detached from the terminal region 111 of the base material 11. , It becomes easy to cause connection shift.
  • the present invention is not limited to the case where the TFT substrate 12 is peeled from the support body 400, and when the radiation detector 10 is handled as a single unit during the manufacturing process of the radiation image capturing apparatus 1, the TFT substrate 12 bends, The conversion layer 14 may be peeled off from the TFT substrate 12.
  • the flexible cable 112 may be peeled from the terminal region 111 of the base material 11 or a connection may be displaced.
  • the flexible cable 112 needs to be reworked to the terminal area 111.
  • the size of the first reinforcing substrate 40 is smaller than that of the second reinforcing substrate 42 as described above, and the first reinforcing substrate 40 covers the terminal region 111. Absent. Therefore, when the flexible cable 112 is reworked to the terminal area 111, the radiation detector 10 of the present embodiment can perform the rework without being blocked by the first reinforcing substrate 40. Therefore, the radiation detector 10 of this embodiment is excellent in reworkability.
  • the first reinforcing substrate 40 does not cover the terminal region 111, but the second reinforcing substrate 42 extends to the portion of the terminal region 111, so that the rigidity of the terminal region 111 is secured. be able to.
  • FIG. 7 is a plan view of the radiation detector 10 according to the present embodiment as seen from the first surface 11A side of the base material 11.
  • 8 is a sectional view of the radiation detector 10 in FIG. 7 taken along the line AA.
  • the first reinforcing substrate 40 covers a part of the terminal region 111, and thus the radiation detector of the first embodiment. 10 (see FIGS. 2 and 3).
  • the first reinforcing substrate 40 covers even a partial region of the terminal region 111.
  • the terminal region 111 has a first region 111C covered by the first reinforcing substrate 40 and a second region 111D not covered by the first reinforcing substrate 40. ..
  • the size of the first region 111C is preferably smaller than that of the second region 111D.
  • the length h from the one end portion on the inner side of the base material 11 to the other end portion on the outer edge side of the base material 11 in the first region 111C is calculated from the one end portion on the inner side of the base member 11 in the terminal region 111. It is more preferable that the length H to the other end on the outer edge side of the base material 11 is 1 ⁇ 4 or less (h ⁇ 1/4 ⁇ H).
  • the radiation detector 10 of the present embodiment it is possible to secure the rigidity of the radiation detector 10 without impairing the reworkability and prevent the TFT substrate 12 from being defective.
  • FIG. 9 is a plan view of the radiation detector 10 according to the present embodiment as viewed from the first surface 11A side of the base material 11.
  • 10A is a sectional view taken along the line AA of the radiation detector 10 in FIG. 9, and
  • FIG. 10B is a sectional view taken along the line BB of the radiation detector 10 in FIG.
  • the first reinforcing substrate 40 covers all regions of the base material 11 (TFT substrate 12) other than the terminal region 111. However, it is different from the radiation detector 10 (see FIGS. 2 and 3) of the first embodiment. As shown in FIGS. 9 and 10A, the first reinforcing substrate 40 is provided with the cutout portion 40A at a position corresponding to the terminal region 111 and does not cover the region corresponding to the terminal region 111. On the other hand, as shown in FIGS. 9 and 10B, the first reinforcing substrate 40 covers the end portion (outer edge) of the base material 11 (TFT substrate 12) in the region where the terminal region 111 is not provided.
  • the radiation detector 10 of the present embodiment by providing the cutout portion 40A in the region of the first reinforcing substrate 40 corresponding to the terminal region 111, the side of the base material 11 on which the terminal regions 111 are lined up, The region between the terminal regions 111 and 111 is also covered with the first reinforcing substrate 40. Therefore, since the area where the first reinforcing substrate 40 covers the TFT substrate 12 (base material 11) becomes larger, higher rigidity can be secured. Further, since the terminal region 111 is not covered with the first reinforcing substrate 40, the reworkability of the flexible cable 112 is not impaired.
  • the radiation detector 10 of the present embodiment it is possible to secure the rigidity of the radiation detector 10 without impairing the reworkability and prevent the TFT substrate 12 from being defective.
  • the radiation detector 10 of each of the above embodiments includes the TFT substrate 12, the conversion layer 14, the first reinforcing substrate 40, and the second reinforcing substrate 42.
  • the TFT substrate 12 a plurality of pixels 30 for accumulating charges generated according to the light converted from the radiation R are formed in the pixel region 35 of the first surface 11A of the flexible base material 11, and A terminal 113 for electrically connecting the flexible cable 112 is provided in the terminal area 111 of the first surface 11A.
  • the conversion layer 14 is provided outside the terminal region 111 on the first surface 11A of the base material 11 and converts the radiation R into light.
  • the first reinforcing substrate 40 is provided on the surface of the conversion layer 14 opposite to the surface on the TFT substrate 12 side and has higher rigidity than the base material 11.
  • the second reinforcing substrate 42 is provided on the second surface 11B of the base material 11 opposite to the first surface 11A, and covers a surface larger than the first reinforcing substrate 40.
  • the TFT substrate 12 is sandwiched by the first reinforcing substrate 40 having higher rigidity than the base material 11 and the second reinforcing substrate 42 that covers a surface larger than the first reinforcing substrate 40. Therefore, the bending of the TFT substrate 12 (base material 11) can be suppressed, and the rigidity of the radiation detector 10 can be secured. Therefore, according to the radiation detector 10, it is possible to prevent the TFT substrate 12 from being defective due to the bending of the TFT substrate 12.
  • the first reinforcing substrate 40 covers the surface smaller than the second reinforcing substrate 42, so that the terminal region 111 is prevented from being covered by the first reinforcing substrate 40. can do. Therefore, the radiation detector 10 can prevent the reworkability of the flexible cable 112 and the like from being impaired.
  • the radiation detector 10 of each of the above-described embodiments it is possible to suppress the occurrence of defects in the TFT substrate 12, and it is excellent in reworkability.
  • the radiation detector 10 of the present disclosure is not limited to the form described in each of the above embodiments.
  • a spacer or the like that supports the end portion or the like of the first reinforcing substrate 40 may be provided.
  • 11A and 11B are cross-sectional views of an example of the radiation detector 10 of the third embodiment in which a spacer 49 is provided.
  • FIG. 11A corresponds to a region (a sectional view taken along the line AA in FIG. 9) where the terminal region 111 is provided and the first reinforcing substrate 40 is provided with the cutout portion 40A.
  • FIG. 11B corresponds to a region (a cross-sectional view taken along line BB in FIG.
  • the spacer 49 Like the first reinforcing substrate 40, if the spacer 49 also covers the terminal region 111, the reworkability is impaired. Therefore, as shown in FIG. 11A, when the spacer 49 that supports the first reinforcing substrate 40 is provided, it is preferable that the terminal region 111 is not covered by the spacer 49. In other words, the spacer 49 is preferably not provided on the terminal region 111. For example, even when the first reinforcing substrate 40 extends to above the terminal region 111 as in the radiation detector 10 of the second embodiment, the spacer 49 is provided above the terminal region 111. Preferably not.
  • the moisture-proof insulating film 109 covers the entire area of the base material 11 corresponding to the terminal area 111 from above the flexible cable 112 in a state where the flexible cable 112 is connected to the terminal 113.
  • the moisture-proof insulating film 109 for example, Tuffy (registered trademark) which is a moisture-proof insulating material for FPD (Flat Panel Display) can be used.
  • the TFT substrate 12 (base material 11) and the second reinforcing substrate 42 have the same size, but the TFT substrate 12 and the second reinforcing substrate 42 are described. May be different in size.
  • the radiation detector 10 when the radiation detector 10 is applied to the radiation image capturing apparatus 1, the radiation detector 10 may be fixed to a housing 120 (see FIGS. 16 and 17) that houses the radiation detector 10, and the like. ..
  • the second reinforcing substrate 42 is made larger than the TFT substrate 12, a flap or the like is provided, and a portion of the flap or the like is used for the radiation detector 10. It may be fixed.
  • the flap portion of the second reinforcing substrate 42 may be provided with a hole, and a screw penetrating the hole may be used to fix the housing 120 (see FIGS. 16 and 17).
  • the form in which the second reinforcing substrate 42 is made larger than the TFT substrate 12 is not limited to the form shown in FIG. 13A.
  • the second reinforcing substrate 42 may be composed of a plurality of laminated layers, and some of the layers may be larger than the TFT substrate 12.
  • the second reinforcing substrate 42 includes a first layer 42A having the same size as the TFT substrate 12 (base material 11) and a second layer 42B larger than the TFT substrate 12. It may be a structure.
  • the first layer 42A and the second layer 42B are attached to each other by, for example, a double-sided tape or an adhesive layer (not shown).
  • the first layer 42A is preferably formed of the same material as the second reinforcing substrate 42 described above and has the same properties as the second reinforcing substrate 42.
  • the second layer 42B is attached to the second surface 11B of the base material 11 by a double-sided tape, an adhesive layer or the like (not shown).
  • Alpet registered trademark
  • the first layer 42A is attached to the second surface 11B of the base material 11 as shown in FIG. 13C, which is the reverse of the form shown in FIG. 13B. It may be in the form.
  • the flap portion is fixed in a bent state.
  • the flap portion of the second reinforcing substrate 42 becomes easier to bend, and it is possible to bend only the flap portion without affecting the radiation detector 10 main body. Therefore, when the flap portion or the like is bent, as in the example shown in FIGS. 13B and 13C, the second reinforcing substrate 42 is composed of a plurality of laminated layers, and some of the layers are larger than the TFT substrate 12.
  • the preferred form is
  • the second reinforcing substrate 42 may be smaller than the TFT substrate 12 contrary to the radiation detector 10 of FIGS. 13A to 13C. Since the end portion of the TFT substrate 12 is located outside the end portion of the second reinforcing substrate 42, for example, the radiation detector 10 is housed in the housing 120 (see FIGS. 16 and 17), etc. When assembling, the position of the end portion of the TFT substrate 12 can be easily confirmed, so that the positioning accuracy can be improved. Note that the present invention is not limited to the form shown in FIG. 14, and if at least a part of the end portion of the TFT substrate 12 (base material 11) is located outside the second reinforcing substrate 42, the same effect can be obtained. It is preferable because it is possible.
  • a layer 90 made of an inorganic material is provided between the base material 11 and the pixel 30, particularly the gate electrode 80 of the TFT 32 of the pixel 30.
  • the inorganic material in the example shown in FIG. 15 include SiNx and SiOx.
  • the drain electrode 81 and the source electrode 82 of the TFT 32 are formed in the same layer, and the gate electrode 80 is formed between the layer in which the drain electrode 81 and the source electrode 82 are formed and the base material 11. Further, a layer 90 made of an inorganic material is provided between the base material 11 and the gate electrode 80.
  • the present invention is not limited to this, and may be, for example, a one-dimensional array or a honeycomb. It may be an array.
  • the shape of the pixel 30 is not limited, and may be rectangular or polygonal such as hexagonal.
  • the shape of the pixel array 31 is not limited.
  • the shape of the conversion layer 14 and the like are not limited to those in the above embodiments.
  • the shape of the conversion layer 14 is the same as the shape of the pixel array 31 (pixel area 35) is described, but the shape of the conversion layer 14 is the pixel array 31 (pixel area 35).
  • the shape does not have to be the same as.
  • the shape of the pixel array 31 (pixel area 35) is not limited to a rectangular shape, and may be, for example, another polygonal shape or a circular shape.
  • the step of peeling the TFT substrate 12 from the support 400 by mechanical peeling has been described, but the peeling method is not limited to the described mode.
  • a so-called laser peeling may be performed in which the TFT substrate 12 is peeled off by irradiating a laser from the surface of the support 400 opposite to the side where the TFT substrate 12 is formed.
  • the conversion layer 14 is peeled from the TFT substrate 12 when the radiation detector 10 is handled alone. Can be suppressed.
  • the radiation detector 10 of each of the above-described embodiments may be applied to an ISS-type radiation image capturing apparatus, or a PSS (Penetration Side Sampling) -type radiation image capturing in which the radiation R is irradiated from the conversion layer 14 side. It may be applied to the device.
  • PSS Pulsion Side Sampling
  • FIG. 16 is a sectional view showing an example of a state in which the radiation detector 10 of the first embodiment is applied to the ISS type radiation image capturing apparatus 1.
  • the radiation detector 10 As shown in FIG. 16, in the housing 120, the radiation detector 10, the power supply unit 108, and the control board 110 are arranged side by side in a direction intersecting with the radiation incident direction.
  • the radiation detector 10 is provided so that the side of the pixel array 31 on which the conversion layer 14 is not provided faces the imaging surface 120A side of the housing 120 to which the radiation transmitted through the subject is irradiated.
  • 120 A of imaging surfaces of this embodiment are examples of the irradiation surface of this indication.
  • the control substrate 110 is a substrate on which an image memory 380 that stores image data corresponding to the charges read from the pixels 30 of the pixel array 31, a control unit 382 that controls the reading of charges from the pixels 30, and the like are formed. is there.
  • the control board 110 is electrically connected to the pixels 30 of the pixel array 31 by a flexible cable 112 including a plurality of signal wirings.
  • the drive unit 103 that controls the switching state of the TFT 32 of the pixel 30 under the control of the control unit 382, and the image data corresponding to the charge read from the pixel 30 are generated.
  • the so-called COF (Chip On Film), which is provided on the flexible cable 112, is provided with the signal processing unit 104 that outputs the signal.
  • COF Chip On Film
  • control board 110 is connected by a power supply line 114 to the power supply section 108 that supplies power to the image memory 380, the control section 382 and the like formed on the control board 110.
  • the casing 120 is preferably lightweight, has a low absorptance of radiation R, especially X-rays, and has a high rigidity, and is preferably made of a material having a sufficiently high elastic modulus.
  • a material having a bending elastic modulus of 10,000 MPa or more As the material of the housing 120, carbon or CFRP (Carbon Fiber Reinforced Plastics) having a bending elastic modulus of about 20,000 to 60,000 MPa can be preferably used.
  • the radiation image capturing apparatus 1 captures a radiation image
  • a load from a subject is applied to the capturing surface 120A of the housing 120. If the rigidity of the housing 120 is insufficient, the TFT substrate 12 may bend due to the load from the subject, and the pixel 16 may be damaged.
  • the radiation detector 10 inside the housing 120 made of a material having a bending elastic modulus of 10000 MPa or more, it is possible to suppress the bending of the TFT substrate 12 due to the load from the subject.
  • a sheet 116 is further provided on the side from which the radiation transmitted through the radiation detector 10 is emitted.
  • the sheet 116 include a copper sheet.
  • the copper sheet is unlikely to generate secondary radiation due to incident radiation, and thus has a function of preventing scattering toward the rear side, that is, the conversion layer 14 side. It is preferable that the sheet 116 covers at least the entire surface of the conversion layer 14 on the side where the radiation is emitted, and also covers the entire conversion layer 14.
  • a protective layer 117 is further provided on the side on which the radiation is incident (imaging surface 120A side).
  • a moisture-proof film such as an Alpet (registered trademark) sheet, a parylene (registered trademark) film, and an insulating sheet such as polyethylene terephthalate can be used.
  • the protective layer 117 has a moistureproof function and an antistatic function for the pixel array 31. Therefore, the protective layer 117 preferably covers at least the entire surface of the pixel array 31 on the side where the radiation is incident, and preferably covers the entire surface of the TFT substrate 12 on the side where the radiation is incident.
  • the power supply unit 108 and the control substrate 110 are both provided on one side of the radiation detector 10, specifically, on one side of the rectangular pixel array 31 in FIG.
  • the positions where the power supply unit 108 and the control board 110 are provided are not limited to those shown in FIG.
  • the power supply unit 108 and the control substrate 110 may be provided dispersedly on each of two opposing sides of the pixel array 31, or may be dispersedly provided on each of two adjacent sides.
  • FIG. 17 shows a sectional view of another example of a state in which the radiation detector 10 of the first embodiment is applied to the ISS type radiation image capturing apparatus 1.
  • the power supply unit 108 and the control board 110 are provided side by side in the housing 120 in a direction intersecting the radiation incident direction, and the radiation detector 10, the power supply unit 108, and the control board 110 are provided. And are arranged side by side in the radiation incident direction.
  • a base 118 that supports the radiation detector 10 and the control board 110 is provided between the control board 110 and the power supply unit 108 and the sheet 116. Carbon or the like is used for the base 118, for example.
  • the conversion layer 14 is formed by the vapor deposition method, the conversion layer 14 is formed with an inclination that the thickness gradually decreases toward the outer edge thereof, as shown in FIGS. 18 to 39.
  • the central region of the conversion layer 14 in which the thickness can be regarded as substantially constant when manufacturing errors and measurement errors are ignored is referred to as the central portion 14A.
  • the outer peripheral region of the conversion layer 14 having a thickness of, for example, 90% or less of the average thickness of the central portion 14A of the conversion layer 14 is referred to as a peripheral portion 14B. That is, the conversion layer 14 has an inclined surface inclined with respect to the TFT substrate 12 at the peripheral edge portion 14B.
  • an adhesive layer 60, a reflective layer 62, an adhesive layer 64, a protective layer 65, and an adhesive layer 48 are provided between the conversion layer 14 and the first reinforcing substrate 40. Good.
  • the adhesive layer 60 covers the entire surface of the conversion layer 14 including the central portion 14A and the peripheral portion 14B of the conversion layer 14.
  • the adhesive layer 60 has a function of fixing the reflective layer 62 on the conversion layer 14.
  • the adhesive layer 60 preferably has optical transparency.
  • an acrylic adhesive, a hot melt adhesive, and a silicone adhesive can be used as the material of the adhesive layer 60.
  • the acrylic pressure-sensitive adhesive include urethane acrylate, acrylic resin acrylate, and epoxy acrylate.
  • the hot-melt adhesive include EVA (ethylene / vinyl acetate copolymer resin), EAA (ethylene / acrylic acid copolymer resin), EEA (ethylene-ethyl acrylate copolymer resin), and EMMA (ethylene-methacryl).
  • Thermoplastics such as methyl acid copolymer).
  • the thickness of the adhesive layer 60 is preferably 2 ⁇ m or more and 7 ⁇ m or less. By setting the thickness of the adhesive layer 60 to 2 ⁇ m or more, the effect of fixing the reflective layer 62 on the conversion layer 14 can be sufficiently exerted. Further, the risk of forming an air layer between the conversion layer 14 and the reflective layer 62 can be suppressed. When the air layer is formed between the conversion layer 14 and the reflection layer 62, the light emitted from the conversion layer 14 is emitted between the air layer and the conversion layer 14 and between the air layer and the reflection layer 62. There is a possibility that multiple reflections may occur. In addition, by setting the thickness of the adhesive layer 60 to 7 ⁇ m or less, it is possible to suppress a decrease in MTF (Modulation Transfer Function) and DQE (Detective Quantum Efficiency).
  • MTF Modulation Transfer Function
  • DQE Detective Quantum Efficiency
  • the reflective layer 62 covers the entire surface of the adhesive layer 60.
  • the reflective layer 62 has a function of reflecting the light converted by the conversion layer 14.
  • the reflective layer 62 is preferably made of an organic material.
  • the material of the reflective layer 62 for example, white PET, TiO 2 , Al 2 O 3 , foamed white PET, a polyester-based highly reflective sheet, and specular reflective aluminum can be used.
  • the thickness of the reflective layer 62 is preferably 10 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less.
  • the adhesive layer 64 covers the entire surface of the reflective layer 62.
  • the end portion of the adhesive layer 64 extends to the surface of the TFT substrate 12. That is, the adhesive layer 64 adheres to the TFT substrate 12 at its end.
  • the adhesive layer 64 has a function of fixing the reflective layer 62 and the protective layer 65 to the conversion layer 14.
  • the same material as that of the adhesive layer 60 can be used as the material of the adhesive layer 64, but the adhesive force of the adhesive layer 64 is preferably larger than the adhesive force of the adhesive layer 60.
  • the protective layer 65 has a function corresponding to the protective layer 22 in the radiation detector 10 of each of the above-described embodiments, and covers the entire surface of the adhesive layer 64. That is, the protective layer 65 is provided so as to cover the entire conversion layer 14 and its end portion covers a part of the TFT substrate 12.
  • the protective layer 65 functions as a moisture-proof film that prevents moisture from entering the conversion layer 14.
  • an organic film containing an organic material such as PET, PPS, OPP, PEN, or PI can be used.
  • an Alpet (registered trademark) sheet may be used as the protective layer 65.
  • the first reinforcing substrate 40 is provided on the surface of the protective layer 65 via the adhesive layer 48.
  • the material of the adhesive layer 48 for example, the same material as the material of the adhesive layer 60 and the adhesive layer 48 can be used.
  • the first reinforcing substrate 40 extends in the region corresponding to the central portion 14A and the peripheral portion 14B of the conversion layer 14, and the outer peripheral portion of the first reinforcing substrate 40 is formed of the conversion layer 14. It is bent along the slope of the peripheral edge portion 14B.
  • the first reinforcing substrate 40 is bonded to the protective layer 65 via the adhesive layer 48 in both the region corresponding to the central portion 14A and the peripheral portion 14B of the conversion layer 14.
  • the end portion of the first reinforcing substrate 40 is arranged in a region corresponding to the peripheral edge portion 14B of the conversion layer 14.
  • the first reinforcing substrate 40 may be provided only in a region corresponding to the central portion 14A of the conversion layer 14.
  • the first reinforcing substrate 40 is bonded to the protective layer 65 via the adhesive layer 48 in a region corresponding to the central portion 14A of the conversion layer 14.
  • the first reinforcing substrate 40 when the first reinforcing substrate 40 extends in the region corresponding to the central portion 14A and the peripheral portion 14B of the conversion layer 14, the first reinforcing substrate 40 is the outer peripheral portion of the conversion layer 142. It is not necessary to have a bent portion along the inclination of. In this case, the first reinforcing substrate 40 is bonded to the protective layer 65 via the adhesive layer 48 in the region corresponding to the central portion 14A of the conversion layer 14. In the region corresponding to the peripheral portion 14B of the conversion layer 14, a space corresponding to the inclination of the peripheral portion 14B of the conversion layer 14 is formed between the conversion layer 14 (protective layer 65) and the first reinforcing substrate 40. ..
  • the flexible cable 112 is connected to the terminal 113 provided in the continuation region of the outer peripheral portion of the TFT substrate 12.
  • the TFT substrate 12 is connected to a control substrate (control substrate 110, see FIG. 51, etc.) via a flexible cable 112.
  • control substrate 110 see FIG. 51, etc.
  • the flexible cable 112 may be separated from the TFT substrate 12 or may be displaced. In this case, it is necessary to reconnect the flexible cable 112 and the TFT substrate 12.
  • the work of reconnecting the flexible cable 112 and the TFT substrate 12 is called rework as described above. As shown in FIGS. 18 to 20, by arranging the end portion of the first reinforcing substrate 40 inside the end portion of the conversion layer 14, the first reinforcing substrate 40 extends to the vicinity of the connection region. Rework can be performed more easily than the case where
  • the first reinforcing substrate 40 has an end portion arranged outside the end portion of the conversion layer 14, and an adhesive layer 64 extending to the TFT substrate 12 and a protection layer. It may be provided so as to be aligned with the end portion of the layer 65. In addition, it is not necessary that the positions of the end portions of the first reinforcing substrate 40 and the positions of the end portions of the adhesive layer 64 and the protective layer 65 are completely the same.
  • the first reinforcing substrate 40 is bonded to the protective layer 65 via the adhesive layer 48 in the region corresponding to the central portion 14A of the conversion layer 14. Further, in the region corresponding to the peripheral portion 14B of the conversion layer 14 and further in the region outside thereof, between the conversion layer 14 (protective layer 65) and the first reinforcing substrate 40, the peripheral portion 14B of the conversion layer 14 is provided. A space corresponding to the inclination is formed.
  • a space formed between the conversion layer 14 (protective layer 65) and the first reinforcing substrate 40 is provided in a region corresponding to the peripheral edge portion 14B of the conversion layer 14 and a region further outside thereof.
  • a filler 70 is provided.
  • the material of the filler 70 is not particularly limited, and for example, resin can be used.
  • the adhesive layer 48 is provided in the entire area between the first reinforcing substrate 40 and the filler 70.
  • the method of forming the filler 70 is not particularly limited.
  • the conversion layer 14 (protective layer 65).
  • the filler 70 having fluidity may be injected into the space formed between the first reinforcement substrate 40 and the first reinforcement substrate 40 to cure the filler 70.
  • the conversion layer 14, the adhesive layer 60, the reflective layer 62, the adhesive layer 64, and the protective layer 65 are sequentially formed on the TFT substrate 12, and then the filler 70 is formed to form the adhesive layer 60, the reflective layer 62, and the adhesive layer.
  • the adhesive layer 48 and the first reinforcing substrate 40 may be sequentially formed so as to cover the conversion layer 14 covered with the layer 64 and the protective layer 65 and the filler 70.
  • the first reinforcing member is provided as compared with the configuration shown in FIG. Peeling of the substrate 40 from the conversion layer 14 (protective layer 65) can be suppressed. Furthermore, since the conversion layer 14 has a structure in which it is fixed to the TFT substrate 12 by both the first reinforcing substrate 40 and the filling material 70, peeling of the conversion layer 14 from the TFT substrate 12 can be suppressed.
  • the outer peripheral portion of the first reinforcing substrate 40 is bent along the slope of the peripheral portion 14B of the conversion layer 14, and the adhesive layer 64 and the protective layer 65 cover the TFT substrate 12. Also covers. Further, the ends of the first reinforcing substrate 40 are aligned with the ends of the adhesive layer 64 and the protective layer 65. In addition, it is not necessary that the positions of the end portions of the first reinforcing substrate 40 and the positions of the end portions of the adhesive layer 64 and the protective layer 65 are completely the same.
  • the ends of the first reinforcing substrate 40, the adhesive layer 48, the protective layer 65, and the adhesive layer 64 are sealed by the sealing member 72.
  • the sealing member 72 is preferably provided in a region that extends from the surface of the TFT substrate 12 to the surface of the first reinforcing substrate 40 and does not cover the pixel region 35.
  • a resin can be used as the material of the sealing member 72, and a thermoplastic resin is particularly preferable. Specifically, acrylic glue, urethane glue, or the like can be used as the sealing member 72.
  • the first reinforcing substrate 40 has higher rigidity than the protective layer 65, and a restoring force for canceling the bending acts on the bent portion of the first reinforcing substrate 40, which may peel the protective layer 65. is there.
  • FIG. 24A and 24B show a mode in which a region corresponding to the end of the conversion layer 14 is further laminated with another first reinforcing substrate 40B on the surface of the first reinforcing substrate 40.
  • the conversion layer 14 (protective layer 65) and the first reinforcing substrate 40 are A filler 70 is provided in the space formed between the two.
  • another first reinforcing substrate 40B is further laminated on the surface of the first reinforcing substrate 40 via the adhesive layer 48A. More specifically, the first reinforcing substrate 40B is provided in a region straddling the end portion (outer edge, edge) of the conversion layer 14.
  • the first reinforcing substrate 40B may be made of the same material as the first reinforcing substrate 40.
  • FIG. 24B is an example of a form in which the first reinforcing substrate 40B is extended from the end part of the conversion layer 14 to the central part 14A in the radiation detector 10 of the form shown in FIG. 24A. Note that the first reinforcing substrate 40B shown in FIG. 24B is provided over the entire surface of the first reinforcing substrate 40.
  • the material of the first reinforcing substrate 40B is a material such as carbon that absorbs little radiation
  • the radiation R reaches the conversion layer 14 by being absorbed by the first reinforcing substrate 40B in both the PSS method and the ISS method. It is possible to prevent the radiation R to be reduced from decreasing.
  • the bending elastic modulus of the first reinforcing substrate 40B is preferably larger than that of each of the first reinforcing substrate 40 and the second reinforcing substrate 42.
  • a preferred specific example of the bending elastic modulus of the first reinforcing substrate 40B is 8,000 MPa or more.
  • the bending amount of the TFT substrate 12 is relatively large at the end of the conversion layer 14.
  • the radiation detector 10 shown in FIGS. 24A and 24B by forming a laminated structure of the first reinforcing substrates 40 and 40B in the region corresponding to the end of the conversion layer 14, the TFT at the end of the conversion layer 14 is formed. The effect of suppressing the bending of the substrate 12 can be promoted.
  • the end portion of the first reinforcing substrate 40 is outside the end portions of the adhesive layer 64 and the protective layer 65 extending to above the TFT substrate 12, and It may be provided so as to be located inside the end portion of the TFT substrate 12.
  • the first reinforcing substrate 40 is bonded to the protective layer 65 via the adhesive layer 48 in the region corresponding to the central portion 14A of the conversion layer 14, and is attached to the peripheral portion 14B of the conversion layer 14.
  • the conversion layer 14 is provided between the conversion layer 14 (protective layer 65) and the first reinforcement substrate 40 and between the TFT substrate 12 and the first reinforcement substrate 40 in the corresponding region and further outside thereof. A space corresponding to the inclination of the peripheral portion 14B is formed.
  • the end portion of the first reinforcing substrate 40 is supported by the spacer 49. That is, one end of the spacer 49 is connected to the first surface 11A of the base material 11 of the TFT substrate 12, and the other end of the spacer 49 is connected to the end portion of the first reinforcing substrate 40 via the adhesive layer 47.
  • the spacer 49 By supporting the end portion of the first reinforcing substrate 40, which extends while forming a space between the TFT substrate 12 and the TFT substrate 12, by the spacer 49, it is possible to suppress peeling of the first reinforcing substrate 40.
  • the deflection suppressing effect of the first reinforcing substrate 40 can be exerted even in the vicinity of the end portion of the TFT substrate 12.
  • the spacer 49 instead of providing the spacer 49 or in addition to providing the spacer 49, according to the example shown in FIG. 22, between the conversion layer 14 (protective layer 65) and the first reinforcing substrate 40, and the TFT.
  • the filler may be filled in the space formed between the substrate 12 and the first reinforcing substrate 40.
  • the outer peripheral portion of the first reinforcing substrate 40 is bent along the slope of the peripheral portion 14B of the conversion layer 14, and the adhesive layer 64 and the protective layer 65 cover the TFT substrate 12. , And also on the TFT substrate 12 outside thereof. That is, the end portions of the adhesive layer 64 and the protective layer 65 are sealed by the first reinforcing substrate 40.
  • the portion of the first reinforcing substrate 40 extending on the TFT substrate 12 is bonded to the TFT substrate 12 via the adhesive layer 48.
  • peeling of the protective layer 65 can be suppressed.
  • the end portion of the first reinforcing substrate 40 may be sealed using the sealing member 72, following the example described in FIG.
  • 28A and 28B show a mode in which a region corresponding to the end of the conversion layer 14 is further laminated with another first reinforcing substrate 40B on the surface of the first reinforcing substrate 40.
  • another area is formed on the surface of the first reinforcing substrate 40 corresponding to the end portion of the conversion layer 14.
  • the first reinforcing substrate 40B is laminated via the adhesive layer 48A. More specifically, the first reinforcing substrate 40B is provided in a region straddling the end portion (outer edge, edge) of the conversion layer 14.
  • the first reinforcing substrate 40B may be made of the same material as the first reinforcing substrate 40.
  • FIG. 28B is an example of a form in which the first reinforcing substrate 40B is extended from the end portion of the conversion layer 14 to the central portion 14A in the radiation detector 10 of the form shown in FIG. 28A.
  • the first reinforcing substrate 40B shown in FIG. 28B is provided over the entire surface of the first reinforcing substrate 40.
  • the material of the first reinforcing substrate 40B is a material such as carbon that absorbs little radiation
  • the radiation R reaches the conversion layer 14 by being absorbed by the first reinforcing substrate 40B in both the PSS method and the ISS method. It is possible to prevent the radiation R to be reduced from decreasing.
  • the bending elastic modulus of the first reinforcing substrate 40B is preferably larger than that of each of the first reinforcing substrate 40 and the second reinforcing substrate 42.
  • a preferred specific example of the bending elastic modulus of the first reinforcing substrate 40B is 8,000 MPa or more.
  • the amount of bending of the TFT substrate 12 at the end of the conversion layer 14 is relatively large.
  • a TFT at the end of the conversion layer 14 is formed by forming a laminated structure of the first reinforcing substrates 40 and 40B in a region corresponding to the end of the conversion layer 14. The effect of suppressing the bending of the substrate 12 can be promoted.
  • the spacer 49 following the example shown in FIG. 22, between the conversion layer 14 (protective layer 65) and the first reinforcing substrate 40, and between the TFT substrate 12 and the first reinforcing substrate 40. The space formed between them may be filled with the filler 70.
  • the first reinforcing substrate 40 is provided so that its end is aligned with the end of the TFT substrate 12. It may be. The position of the end of the first reinforcing substrate 40 and the position of the end of the TFT substrate 12 do not have to be completely aligned.
  • the first reinforcing substrate 40 is bonded to the protective layer 65 via the adhesive layer 48 in the region corresponding to the central portion 14A of the conversion layer 14.
  • a space corresponding to the inclination of the peripheral portion 14B of the conversion layer 14 is formed therebetween.
  • the end portion of the first reinforcing substrate 40 is supported by the spacer 49. That is, one end of the spacer 49 is connected to the flexible cable 112 provided at the end of the TFT substrate 12, and the other end of the spacer 49 is connected to the end of the first reinforcing substrate 40 via the adhesive layer 47.
  • the spacer 49 By supporting the end portion of the first reinforcing substrate 40, which extends while forming a space with the TFT substrate 12, by the spacer 49, it is possible to suppress the peeling of the first reinforcing substrate 40.
  • the deflection suppressing effect of the first reinforcing substrate 40 can be exerted even in the vicinity of the end portion of the TFT substrate 12.
  • the filler 70 is filled in the spaces formed between the conversion layer 14 (protective layer 65) and the first reinforcing substrate 40 and between the TFT substrate 12 and the first reinforcing substrate 40. ing.
  • the connecting portion between the flexible cable 112 and the terminal 113 is covered with the filling material 70.
  • the space between the conversion layer 14 (protective layer 65) and the first reinforcing substrate 40 and between the TFT substrate 12 and the first reinforcing substrate 40 is filled with the filler 70.
  • the peeling of the first reinforcing substrate 40 from the conversion layer 14 (protective layer 65) can be suppressed.
  • the conversion layer 14 has a structure in which it is fixed to the TFT substrate 12 by both the first reinforcing substrate 40 and the filling material 70, peeling of the conversion layer 14 from the TFT substrate 12 can be suppressed. Further, since the connecting portion between the flexible cable 112 and the terminal 113 is covered with the filling material 70, peeling of the flexible cable 112 can be suppressed.
  • the outer peripheral portion of the first reinforcing substrate 40 is bent so as to follow the inclination of the peripheral portion 14B of the conversion layer 14, and the adhesive layer 64 and the protective layer 65 cover the TFT substrate 12. It also covers the portion, the substrate on the outside thereof, and the connecting portion between the terminal 113 and the flexible cable 112.
  • the portions of the first reinforcing substrate 40 extending on the TFT substrate 12 and the flexible cable 112 are adhered to the TFT substrate 12 and the flexible cable 112 via the adhesive layer 48, respectively. Since the connecting portion between the flexible cable 112 and the terminal 113 is bent and covered with the first reinforcing substrate 40, peeling of the flexible cable 112 can be suppressed.
  • the TFT board 12 is relatively flexed at the connecting portion between the flexible cable 112 and the terminal 113. May occur.
  • the connection portion between the flexible cable 112 and the terminal 113 With the first reinforcing substrate 40, it is possible to suppress the bending of the TFT substrate 12 in the portion.
  • 33A and 33B show a mode in which a region corresponding to the end of the conversion layer 14 is further laminated with another first reinforcing substrate 40B on the surface of the first reinforcing substrate 40.
  • the filler 70 is filled in the spaces formed between the conversion layer 14 (protective layer 65) and the first reinforcing substrate 40 and between the TFT substrate 12 and the first reinforcing substrate 40. ing.
  • another flexible first reinforcing substrate 40B is laminated on the surface of the first reinforcing substrate 40 via the adhesive layer 48A. More specifically, the first reinforcing substrate 40B is provided in a region straddling the end portion (outer edge, edge) of the conversion layer 14.
  • the first reinforcing substrate 40B may be made of the same material as the first reinforcing substrate 40.
  • FIG. 33B is an example of a form in which the first reinforcing substrate 40B is extended from the end part of the conversion layer 14 to the central part 14A in the radiation detector 10 of the form shown in FIG. 33A.
  • the first reinforcing substrate 40B shown in FIG. 33B is provided over the entire surface of the first reinforcing substrate 40.
  • the material of the first reinforcing substrate 40B is a material such as carbon that absorbs little radiation
  • the radiation R reaches the conversion layer 14 by being absorbed by the first reinforcing substrate 40B in both the PSS method and the ISS method. It is possible to prevent the radiation R to be reduced from decreasing.
  • the bending elastic modulus of the first reinforcing substrate 40B is preferably larger than that of each of the first reinforcing substrate 40 and the second reinforcing substrate 42.
  • a preferred specific example of the bending elastic modulus of the first reinforcing substrate 40B is 8,000 MPa or more.
  • the bending amount of the TFT substrate 12 is relatively large at the end of the conversion layer 14.
  • the stacked structure of the first reinforcing substrates 40 and 40B is formed in the region corresponding to the end portion of the conversion layer 14, so that the TFT at the end portion of the conversion layer 14 is formed. The effect of suppressing the bending of the substrate 12 can be promoted.
  • the first reinforcing substrate 40 may be provided such that the end portion thereof is located outside the end portion of the TFT substrate 12.
  • the first reinforcing substrate 40 is bonded to the protective layer 65 via the adhesive layer 48 in the region corresponding to the central portion 14A of the conversion layer 14, and is attached to the peripheral portion 14B of the conversion layer 14.
  • the conversion layer 14 is provided between the conversion layer 14 (protective layer 65) and the first reinforcement substrate 40 and between the TFT substrate 12 and the first reinforcement substrate 40 in the corresponding region and further outside thereof. A space corresponding to the inclination of the peripheral portion 14B is formed.
  • the end portion of the first reinforcing substrate 40 is supported by the spacer 49. That is, one end of the spacer 49 is connected to the flexible cable 112 provided at the end of the TFT substrate 12, and the other end of the spacer 49 is connected to the end of the first reinforcing substrate 40 via the adhesive layer 47.
  • the spacer 49 By supporting the end portion of the first reinforcing substrate 40, which extends while forming a space with the TFT substrate 12, by the spacer 49, it is possible to suppress the peeling of the first reinforcing substrate 40.
  • the deflection suppressing effect of the first reinforcing substrate 40 can be exerted even in the vicinity of the end portion of the TFT substrate 12.
  • the filler 70 is filled in the spaces formed between the conversion layer 14 (protective layer 65) and the first reinforcing substrate 40 and between the TFT substrate 12 and the first reinforcing substrate 40. ing.
  • the connecting portion between the flexible cable 112 and the terminal 113 is covered with the filling material 70.
  • the space between the conversion layer 14 (protective layer 65) and the first reinforcing substrate 40 and between the TFT substrate 12 and the first reinforcing substrate 40 is filled with the filler 70.
  • the peeling of the first reinforcing substrate 40 from the conversion layer 14 (protective layer 65) can be suppressed.
  • the conversion layer 14 has a structure in which it is fixed to the TFT substrate 12 by both the first reinforcing substrate 40 and the filling material 70, peeling of the conversion layer 14 from the TFT substrate 12 can be suppressed. Further, since the connecting portion between the flexible cable 112 and the terminal 113 is covered with the filling material 70, peeling of the flexible cable 112 can be suppressed.
  • the outer peripheral portion of the first reinforcing substrate 40 is bent so as to follow the inclination of the peripheral portion 14B of the conversion layer 14, and the adhesive layer 64 and the protective layer 65 cover the TFT substrate 12. It also covers the portion, the substrate on the outside thereof, and the connecting portion between the terminal 113 and the flexible cable 112.
  • the portions of the first reinforcing substrate 40 extending on the TFT substrate 12 and the flexible cable 112 are adhered to the TFT substrate 12 and the flexible cable 112 via the adhesive layer 48, respectively.
  • the TFT board 12 is comparatively attached to the TFT board 12 when supplementing the connection portion between the flexible cable 112 and the terminal 113. Large deflection may occur.
  • the connection portion between the flexible cable 112 and the terminal 113 With the first reinforcing substrate 40, it is possible to suppress the bending of the TFT substrate 12 in the portion.
  • 38A and 38B show a mode in which a region corresponding to the end of the conversion layer 14 is further laminated with another first reinforcing substrate 40B on the surface of the first reinforcing substrate 40.
  • the filler 70 is filled in the spaces formed between the conversion layer 14 (protective layer 65) and the first reinforcing substrate 40 and between the TFT substrate 12 and the first reinforcing substrate 40. ing.
  • another first reinforcing substrate 40B is further laminated on the surface of the first reinforcing substrate 40 via the adhesive layer 48A. More specifically, the first reinforcing substrate 40B is provided in a region straddling the end portion (outer edge, edge) of the conversion layer 14.
  • the first reinforcing substrate 40B may be made of the same material as the first reinforcing substrate 40.
  • FIG. 38B is an example of a configuration in which, in the radiation detector 10 having the configuration shown in FIG. 38A, the first reinforcing substrate 40B is extended from the end portion of the conversion layer 14 to the central portion 14A.
  • the first reinforcing substrate 40B shown in FIG. 38B is provided over the entire surface of the first reinforcing substrate 40.
  • the material of the first reinforcing substrate 40B is a material such as carbon that absorbs little radiation
  • the radiation R reaches the conversion layer 14 by being absorbed by the first reinforcing substrate 40B in both the PSS method and the ISS method. It is possible to prevent the radiation R to be reduced from decreasing.
  • the bending elastic modulus of the first reinforcing substrate 40B is preferably larger than that of each of the first reinforcing substrate 40 and the second reinforcing substrate 42.
  • a preferred specific example of the bending elastic modulus of the first reinforcing substrate 40B is 8,000 MPa or more.
  • the bending amount of the TFT substrate 12 is relatively large at the end of the conversion layer 14.
  • the stacked structure of the first reinforcing substrates 40 and 40B is formed in the region corresponding to the end portion of the conversion layer 14, so that the TFT at the end portion of the conversion layer 14 is formed. The effect of suppressing the bending of the substrate 12 can be promoted.
  • the flexible TFT substrate 12 is attached to the support body 400 such as a glass substrate, the conversion layer 14 is stacked on the TFT substrate 12, and then the support layer is supported.
  • the body 400 is peeled off from the TFT substrate 12.
  • the flexible TFT substrate 12 is bent, which may damage the pixels 30 formed on the TFT substrate 12.
  • the support body is removed from the TFT substrate 12. Bending of the TFT substrate 12 that occurs during peeling can be suppressed, and the risk of damage to the pixels 30 can be reduced.
  • the first reinforcing substrate 40 is not limited to a single layer (single layer), and may be configured in multiple layers.
  • the radiation detector 10 includes a first reinforcement substrate 40, a first reinforcement substrate 40C, a second reinforcement substrate 40D, and a first reinforcement substrate 40C in this order from the side closer to the conversion layer 14. It shows a form of a multilayer film of three layers in which three first reinforcing substrates 40E are laminated.
  • the layers included in the first reinforcing substrate 40 have different functions.
  • the first first reinforcing substrate 40C and the third first reinforcing substrate 40E are non-conductive layers having an antistatic function
  • the second reinforcing substrate 40D is conductive.
  • the first reinforcing substrate 40 may have an electromagnetic shield function.
  • the first first reinforcing substrate 40C and the third first reinforcing substrate 40E in this case include an antistatic film such as a film using an antistatic paint "Colcoat" (trade name: manufactured by Colcoat). Be done.
  • the second first reinforcing substrate 40D for example, a conductive sheet, a conductive mesh sheet such as Cu, or the like can be used.
  • the control substrate 110, the power supply unit 108, and the like may be provided on the conversion layer 14 side (see FIG. 56).
  • it has an antistatic function, it can shield electromagnetic noise from the control board 110 and the power supply section 108.
  • FIG. 40 is a plan view showing an example of the structure of the first reinforcing substrate 40.
  • the first reinforcing substrate 40 may have a plurality of through holes 40H on its main surface. The size and pitch of the through holes 40H are determined so that desired rigidity can be obtained in the first reinforcing substrate 40.
  • the air introduced into the joint surface between the first reinforcing substrate 40 and the conversion layer 14 can be discharged from the through holes 40H. This makes it possible to suppress the generation of bubbles at the joint surface between the first reinforcing substrate 40 and the conversion layer 14.
  • bubbles may be generated on the joint surface.
  • the adhesion between the first reinforcing substrate 40 and the conversion layer 14 decreases.
  • the effect of suppressing bending by the first reinforcing substrate 40 may not be sufficiently exhibited.
  • FIG. 40 by using the first reinforcing substrate 40 having a plurality of through holes 40H, as described above, it is possible to suppress the generation of bubbles at the joint surface between the first reinforcing substrate 40 and the conversion layer 14. You can Therefore, the adhesiveness between the first reinforcing substrate 40 and the conversion layer 14 can be maintained, and the bending suppressing effect of the first reinforcing substrate 40 can be maintained.
  • FIG. 41 is a perspective view showing another example of the structure of the first reinforcing substrate 40.
  • the first reinforcing substrate 40 has an uneven structure on the joint surface with the conversion layer 14.
  • this concavo-convex structure may include a plurality of grooves 63 arranged in parallel with each other.
  • the first reinforcing substrate 40 has a surface having a concavo-convex structure with a plurality of grooves 63 bonded to the conversion layer 14 covered with the reflective layer 62.
  • the first reinforcing substrate 40 has the uneven structure on the joint surface with the conversion layer 14, so that the air introduced into the joint portion between the first reinforcing substrate 40 and the conversion layer 14 is discharged from the groove 63. Is possible. This makes it possible to suppress the generation of bubbles at the joint surface between the first reinforcing substrate 40 and the conversion layer 14, as in the embodiment shown in FIG. Thereby, it becomes possible to maintain the adhesiveness between the first reinforcing substrate 40 and the conversion layer 14, and it is possible to maintain the bending suppressing effect of the first reinforcing substrate 40.
  • the first reinforcing substrate 40 may be divided into a plurality of pieces 54. As shown in FIG. 43, the first reinforcing substrate 40 may be divided into a plurality of pieces 54 (FIGS. 55 5 to 54 11 ) so as to be arranged in one direction. Further, as shown in FIG. 44, the first reinforcing substrate 40 may be divided so that a plurality of pieces 54 (FIGS. 55 1 to 54 4 ) are arranged in the vertical direction and the horizontal direction.
  • FIGS. 43 and 44 by dividing the first reinforcing substrate 40 into a plurality of pieces 54, it is possible to suppress the generation of bubbles at the joint surface between the first reinforcing substrate 40 and the conversion layer 14. Become. Thereby, it becomes possible to maintain the adhesiveness between the first reinforcing substrate 40 and the conversion layer 14, and it is possible to maintain the bending suppressing effect of the first reinforcing substrate 40.
  • the reinforcing member 52 may be provided on the side of the second reinforcing substrate 42 opposite to the side in contact with the TFT substrate 12 (the second surface 11B).
  • 45 to 50 are cross-sectional views each showing an example of how the reinforcing member 52 is installed.
  • the reinforcing member 52 is laminated on the surface of the second reinforcing substrate 42 opposite to the surface on the TFT substrate 12 side via the adhesive layer 51.
  • the reinforcing member 52 may be made of the same material as the first reinforcing substrate 40.
  • the reinforcing member 52 is provided only on the outer peripheral portion of the TFT substrate 12 in order to minimize the area of the overlapping portion of the reinforcing member 52 and the pixel region 35.
  • the reinforcing member 52 may have an annular shape having an opening 61 in a portion corresponding to the pixel region 35, as shown in FIGS. 45 to 49.
  • the reinforcing member 52 is provided in a region straddling the end portion (outer edge, edge) of the conversion layer 14.
  • the amount of bending of the TFT substrate 12 at the end of the conversion layer 14 is relatively large.
  • the radiation detector 10 When the radiation detector 10 is used as the ISS system, if a part of the reinforcing member 52 overlaps with the pixel region 35 as shown in FIG. 45, depending on the material of the reinforcing member 52, the image may be affected. is there. Therefore, when a part of the reinforcing member 52 overlaps the pixel region 35, it is preferable to use plastic as the material of the reinforcing member 52.
  • the reinforcing member 52 straddles the end portion (outer edge, edge) of the conversion layer 14 and does not overlap the pixel region 35 (that is, the end portion of the opening 61 of the reinforcing member 52 is , Which is arranged outside the pixel region 35) is most preferable.
  • the position of the end of the opening 61 of the reinforcing member 52 and the position of the end of the pixel region 35 are substantially the same.
  • the end of the opening 61 of the reinforcing member 52 is arranged between the end of the pixel region 35 and the end of the conversion layer 14.
  • the position of the end of the opening 61 of the reinforcing member 52 may be substantially the same as the position of the end of the conversion layer 14 as shown in FIG. 48, and as shown in FIG. It may be arranged outside the end of 14. In this case, since the reinforcing member 52 does not straddle the end (outer edge, edge) of the conversion layer 14, the effect of suppressing the bending of the TFT substrate 12 at the end of the conversion layer 14 may be reduced. .. However, since the laminated structure of the second reinforcing substrate 42 and the reinforcing member 52 is formed on the outer peripheral portion of the TFT substrate 12 where the connection portion between the flexible cable 112 and the terminal 113 is present, the flexible cable 112 and the terminal 113 are connected to each other. The effect of suppressing the bending of the TFT substrate 12 at the connection portion is maintained.
  • the reinforcing base material 52 When the material of the reinforcing base material 52 is a material such as carbon that absorbs little radiation, the radiation R is absorbed by the first reinforcing substrate 40B in the conversion layer 14 in both the PSS method and the ISS method. It is possible to prevent the reaching radiation R from decreasing. Therefore, as shown in FIG. 50, the reinforcing base material 52 may have a shape without the opening 61. In other words, the reinforcing base material 52 may cover at least a part of the pixel region 35. The reinforcing base material 52 shown in FIG. 50 is provided over the entire surface of the second reinforcing substrate 42.
  • the bending elastic modulus of the reinforcing base material 52 is preferably larger than that of each of the first reinforcing substrate 40 and the second reinforcing substrate 42.
  • a preferable specific example of the bending elastic modulus of the reinforcing base material 52 is 8,000 MPa or more.
  • FIGS. 51 to 57 are diagrams each showing another configuration example of the radiation image capturing apparatus 1.
  • FIG. 51 an example of the ISS type radiographic image capturing apparatus 1 is shown as in the radiographic image capturing apparatus 1 shown in FIG.
  • FIG. 52 an example of the PSS type radiographic image capturing apparatus 1 is shown.
  • the examples shown in FIGS. 51 and 52 exemplify a configuration in which the radiation detector 10, the control board 110, and the power supply unit 108 are arranged side by side in the horizontal direction in the drawings.
  • a protective layer 117 is further provided between the radiation detector 10 and the inner wall of the imaging surface 120A of the housing 120.
  • the protective layer 117 is further provided on the side of the imaging surface 120A on which the radiation R is incident.
  • a moisture-proof film such as an Alpet (registered trademark) sheet, a parylene (registered trademark) film, and an insulating sheet such as polyethylene terephthalate can be used.
  • the protective layer 117 has a moisture-proof function and an antistatic function for the pixel region 35. Therefore, the protective layer 117 preferably covers at least the entire surface of the pixel region 35 on the side where the radiation R is incident, and preferably covers the entire surface of the TFT substrate 12 on the side where the radiation R is incident.
  • both the power supply unit 108 and the control substrate 110 are provided on one side of the radiation detector 10, specifically, on one side of the rectangular pixel region 35.
  • the positions at which the power supply unit 108 and the control board 110 are provided are not limited to those shown in FIGS. 51 and 52.
  • the power supply unit 108 and the control substrate 110 may be provided dispersedly on each of two opposing sides of the pixel region 35, or may be dispersedly provided on each of two adjacent sides.
  • the radiation detector 10, the control substrate 110, and the power supply unit 108 are in a direction intersecting the direction in which the TFT substrate 12 and the conversion layer 14 are stacked (stacking direction P).
  • the thickness of the housing 120 is reduced by the portion of the housing 120 where the power supply unit 108 and the control board 110 are provided and the portion of the housing 120 where the radiation detector 10 is provided. May be different.
  • the power supply unit 108 and the control board 110 are often thicker than the radiation detector 10.
  • the casing 120 in which the radiation detector 10 is provided is more than the thickness of the portion of the casing 120 in which the power supply unit 108 and the control board 110 are provided.
  • the thickness of the portion may be thinner.
  • the boundaries between the two portions are different. If there is a step in the portion, there is a concern that the subject who comes into contact with the boundary portion 120B may feel uncomfortable. Therefore, in such a case, it is preferable that the shape of the boundary portion 120B has a slope.
  • the material of the housing 120 is different between the housing 120 where the power supply unit 108 and the control board 110 are provided and the housing 120 where the radiation detector 10 is provided. May be different.
  • the portion of the housing 120 where the power supply unit 108 and the control board 110 are provided and the portion of the housing 120 where the radiation detector 10 is provided may be configured as separate bodies. Good.
  • the housing 120 preferably has a low absorptance of radiation R, especially X-rays, and a high rigidity, and is preferably made of a material having a sufficiently high elastic modulus.
  • the portion 120C of the housing 120 corresponding to the imaging surface 120A is made of a material having a low absorption rate of the radiation R, a high rigidity, and a sufficiently high elastic modulus, and the other portion.
  • the material may be different from that of the portion 120C, for example, a material having a lower elastic modulus than the portion 120C.
  • the radiation detector 10 and the inner wall surface of the housing 120 may be in contact with each other.
  • the radiation detector 10 and the wall surface without the housing 120 may be bonded via an adhesive layer, or may simply be in contact with each other without an adhesive layer. In this way, the radiation detector 10 and the inner wall surface of the housing 120 are in contact with each other, whereby the rigidity of the radiation detector 10 is further ensured.
  • FIG. 56 an example of the ISS type radiographic image capturing apparatus 1 is shown, like the radiographic image capturing apparatus 1 shown in FIG.
  • FIG. 57 an example of the PSS type radiation image capturing apparatus 1 is shown.
  • the TFT substrate 12, the control substrate 110, and the power supply unit 108 are provided with the sheet 116 and the base 118 interposed therebetween.
  • the radiation image capturing apparatus 1 is viewed in a plan view. The size can be reduced.
  • Radiation Image Capture Device 10 Radiation Detector 11 Base Material, 11A First Surface 11A, 11B Second Surface 11B, 11L Fine Particle Layer, 11P Fine Particle 12 TFT Substrate 13 Buffer Layer 14 Conversion Layer, 14A Central Part, 14B Peripheral Part 19 Laminated body, 19A First surface 22 Protective layer 30 Pixel 31 Pixel array 32 Switching element (TFT) 34 sensor section 35 pixel area 36 signal wiring 38 scanning wiring 39 common wiring 40, 40B first reinforcing substrate, 40A notch portion, 40C, first reinforcing substrate, 40D second reinforcing substrate, 40E third reinforcing substrate, 40H Through hole 42 Second reinforcing substrate, 42A First layer, 42B Second layer 47 Adhesive layer 48, 48A Adhesive layer 49 Spacer 51 Adhesive layer 52 Reinforcing members 54 1 to 54 11 Fragment 60 Adhesive layer 61 Opening 62 Reflective layer 63 Groove 64 Adhesive Layer 65 Protective Layer 70 Filler 72 Sealing Member 80

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Abstract

放射線検出器は、可撓性の基材の第１の面の画素領域に、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成されかつ、第１の面の端子領域に、フレキシブルケーブルを電気的に接続するための端子が設けられたＴＦＴ基板と、基材の第１の面における端子領域外に設けられた、放射線を光に変換する変換層と、変換層におけるＴＦＴ基板側の面と反対側の面に設けられ、基材よりも剛性が高い第１補強基板と、基材の第１の面と反対側の第２の面に設けられた、第１補強基板よりも大きな面を覆う第２補強基板と、を備え、基板に不具合が生じるのを抑制することができ、かつリワーク性に優れた放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び製造方法を提供する。

Description

放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び製造方法
　本開示は、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び製造方法に関する。
　従来、医療診断を目的とした放射線撮影を行う放射線画像撮影装置が知られている。このような放射線画像撮影装置には、被写体を透過した放射線を検出し放射線画像を生成するための放射線検出器が用いられている（例えば、特開２００９－１３３８３７号公報及び特開２０１２－２２０６５９号公報参照）。
　この種の放射線検出器としては、放射線を光に変換するシンチレータ等の変換層と、変換層で変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が基材の画素領域に設けられた基板と、を備えたものがある。このような放射線検出器の基板の基材として、可撓性の基材を用いたものが知られており、可撓性の基材には、画素に蓄積された電荷の読出に用いるケーブルが接続される。可撓性の基材を用いることにより、例えば、放射線画像撮影装置（放射線検出器）を軽量化でき、また、被写体の撮影が容易となる場合がある。
　可撓性の基材を用いた放射線画像撮影装置の製造工程の途中等では、可撓性の基材が撓んだ影響により、基板から変換層が剥離してしまったり、画素が破損したりする等、放射線検出器の基板に不具合が生じる懸念があった。
　ところで、特開２００９－１３３８３７号公報に記載の技術では、変換層における基板側の面と対向する側の面に、変換層を覆う電磁シールド層が設けられている。また、特開２０１２－２２０６５９号公報に記載の技術では、変換層における基板側の面と対向する側の面に、変換層を支持する支持体が設けられている。しかしながら、開２００９－１３３８３７号公報及び特開２０１２－２２０６５９号公報に記載の技術では、放射線検出器の基材が撓んだ場合が考慮されておらず、基材が撓むことにより基板に不具合が生じる場合についても考慮されていない。そのため、特開２００９－１３３８３７号公報における電磁シールド層や、特開２０１２－２２０６５９号公報における支持体では、可撓性の基材を用いた影響により生じる基板の不具合の抑制を十分にできない懸念があった。
　また、基材に接続されたケーブルの接続不良等によって、ケーブルをリワークする必要が生じる場合がある。基板の変換層側に補強基板を設けた状態では、リワークを行う場合に補強基板が邪魔になり、リワーク性が低下する場合があった。
　本開示は、基板に不具合が生じるのを抑制することができ、かつリワーク性に優れた放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び製造方法を提供する。
　本開示の第１の態様の放射線検出器は、可撓性の基材の第１の面の画素領域に、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成されかつ、第１の面の端子領域に、ケーブルを電気的に接続するための端子が設けられた基板と、基材の第１の面における端子領域外に設けられた、放射線を光に変換する変換層と、変換層における基板側の面と反対側の面に設けられ、基材よりも剛性が高い第１補強基板と、基材の第１の面と反対側の第２の面に設けられた、第１補強基板よりも大きな面を覆う第２補強基板と、を備える。
　本開示の第２の態様の放射線検出器は、第１の態様の放射線検出器において、端子領域は、第１補強基板により覆われる第１領域と、第１補強基板により覆われない第２領域とを含む。
　本開示の第３の態様の放射線検出器は、第２の態様の放射線検出器において、第１領域は、第２領域よりも小さい。
　本開示の第４の態様の放射線検出器は、第２の態様または第３の態様の放射線検出器において、第１領域における基材の内部側の一端部から基材の外縁側の他端部までの長さは、端子領域における基材の内部側の一端部から基材の外縁側の端部までの長さの１／４以下である。
　本開示の第５の態様の放射線検出器は、第１の態様の放射線検出器において、第１補強基板は、端子領域に対応する位置に切り欠き部が設けられている。
　本開示の第６の態様の放射線検出器は、第１の態様から第５の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、第２補強基板は、基材よりも剛性が高い。
　本開示の第７の態様の放射線検出器は、第１の態様から第６の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、第１補強基板及び第２補強基板の少なくとも一方は、曲げ弾性率が１０００ＭＰａ以上、２５００ＭＰａ以下の素材を用いた補強基板である。
　本開示の第８の態様の放射線検出器は、第１の態様から第７の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、第１補強基板及び第２補強基板の少なくとも一方は、降伏点を有する材料を含む。
　本開示の第９の態様の放射線検出器は、第８の態様の放射線検出器において、降伏点を有する材料は、ポリカーボネート、及びポリエチレンテレフタレートの少なくとも一つである。
　本開示の第１０の態様の放射線検出器は、第１の態様から第９の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、変換層の熱膨張率に対する第１補強基板の熱膨張率の比が０．５以上、２以下である。
　本開示の第１１の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１０の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、第１補強基板は、熱膨張率が３０ｐｐｍ／Ｋ以上、８０ｐｐｍ／Ｋ以下である。
　本開示の第１２の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１１の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、基材の第２の面の大きさは、第２補強基板の第２の面と対向する面の大きさよりも大きい。
　本開示の第１３の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１１の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、第２補強基板は、基板に積層される積層方向に積層された複数の層を有し、複数の層の一部の大きさが、第２の面の大きさよりも大きい。
　本開示の第１４の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１１の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、基材の第２の面の大きさは、第２補強基板の第２の面と対向する面の大きさよりも小さい。
　本開示の第１５の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１４の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、基材の端部の少なくとも一部が、第２補強基板の端部よりも外部に位置している。
　本開示の第１６の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１５の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、基板と、変換層との間に設けられ、変換層の熱膨張率と基板の熱膨張率との差を緩衝する緩衝層をさらに備えた。
　本開示の第１７の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１６の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、基材は、樹脂製であり、平均粒子径が０．０５μｍ以上、２．５μｍ以下の無機の微粒子を含む微粒子層を有する。
　本開示の第１８の態様の放射線検出器は、第１７の態様の放射線検出器において、基材は、微粒子層を、第２の面側に有する。
　本開示の第１９の態様の放射線検出器は、第１７の態様または第１８の態様の放射線検出器において、微粒子は、基材を構成する元素よりも原子番号が大きく且つ原子番号が３０以下の元素を含む。
　本開示の第２０の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１９の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、基材は、３００℃～４００℃における熱膨張率が２０ｐｐｍ／Ｋ以下である。
　本開示の第２１の態様の放射線検出器は、第１の態様から第２０の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、基材は、厚みが２５μｍの状態において４００℃における熱収縮率が０．５％以下、及び５００℃における弾性率が１ＧＰａ以上の少なくとも一方を満たす。
　本開示の第２２の態様の放射線検出器は、第１の態様から第２１の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、変換層は、ＣｓＩの柱状結晶を含む。
　また、本開示の第２３の態様の放射線画像撮影装置は、第１の態様から第２２の態様のいずれか１態様の放射線検出器と、複数の画素に蓄積された電荷を読み出すための制御信号を出力する制御部と、放射線検出器にケーブルにより電気的に接続され、制御信号に応じて複数の画素から電荷を読み出す回路部と、を備える。
　本開示の第２４の態様の放射線画像撮影装置は、第２３の態様の放射線画像撮影装置において、放射線が照射される照射面を有し、放射線検出器における基板及び変換層のうち、基板が照射面と対向する状態に放射線検出器を収納する筐体をさらに備える。
　また、本開示の第２５の態様の製造方法は、放射線検出器の製造方法であって、支持体に、可撓性の基材を設け、基材の第１の面の画素領域に、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が設けられた基板を形成する工程と、基材の第１の面の端子領域外に、放射線を光に変換する変換層を形成する工程と、変換層の、基板側の面と対向する側の面と反対側の面に、基材よりも剛性が高い第１補強基板を設ける工程と、変換層及び第１補強基板が設けられた基板を、支持体から剥離する工程と、支持体から剥離された基板における、基材の第１の面と反対側の第２の面に、第１補強基板よりも大きな面を覆う第２補強基板を設ける工程と、を備える。
　本開示によれば、基板に不具合が生じるのを抑制することができ、かつリワーク性に優れる。
第１実施形態の放射線検出器におけるＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板の構成の一例を示す構成図である。 第１実施形態の放射線検出器の一例を、変換層が設けられた側からみた平面図である。 図２に示した放射線検出器のＡ－Ａ線断面図である。 基材の一例を説明するための断面図である。 被写体を透過した放射線により、微粒子層を有する基材内で発生する後方散乱線を説明するための説明図である。 被写体を透過した放射線により、微粒子層を有さない基材内で発生する後方散乱線を説明するための説明図である。 第１実施形態の放射線検出器の一例を、ＴＦＴ基板の第１の面の側からみた平面図である。 第１実施形態の放射線検出器の製造方法の工程の一例を説明する図である。 図６Ａに示した工程に続く工程の一例を説明する図である。 図６Ｂに示した工程に続く工程の一例を説明する図である。 図６Ｃに示した工程に続く工程の一例を説明する図である。 図６Ｄに示した工程に続く工程の一例を説明する図である。 第２実施形態の放射線検出器の一例を、変換層が設けられた側からみた平面図である。 図７に示した放射線検出器のＡ－Ａ線断面図である。 第３実施形態の放射線検出器の一例を、変換層が設けられた側からみた平面図である。 図９に示した放射線検出器のＡ－Ａ線断面図である。 図９に示した放射線検出器のＢ－Ｂ線断面図である。 第３実施形態の放射線検出器において、スペーサを設けた場合の一例のＡ－Ａ線断面図である。 第３実施形態の放射線検出器において、スペーサを設けた場合の一例のＢ－Ｂ線断面図である。 実施形態の放射線検出器の他の例を示す断面図である。 実施形態の放射線検出器において、第２補強基板の大きさが異なる形態の一例を示す断面図である。 実施形態の放射線検出器において、第２補強基板を複数の層で構成した一例を示す断面図である。 実施形態の放射線検出器において、第２補強基板を複数の層で構成した他の例を示す断面図である。 実施形態の放射線検出器において、第２補強基板の大きさが異なる形態の他の例を示す断面図である。 実施形態の放射線検出器の他の例の一画素部分についての断面図である。 実施形態の放射線検出器を適用した放射線画像撮影装置の一例の断面を表す断面図である。 実施形態の放射線検出器を適用した放射線画像撮影装置の他の例の断面を表す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の第１補強基板の構造の一例を示す平面図である。 開示の技術の実施形態の第１補強基板の構造の一例を示す斜視図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の第１補強基板の構造の一例を示す平面図である。 開示の技術の実施形態の第１補強基板の構造の一例を示す平面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線画像撮影装置の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線画像撮影装置の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線画像撮影装置の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線画像撮影装置の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線画像撮影装置の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線画像撮影装置の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線画像撮影装置の構成の一例を示す断面図である。
　以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、本実施形態は本発明を限定するものではない。
［第１実施形態］
　本実施形態の放射線検出器は、被写体を透過した放射線を検出して被写体の放射線画像を表す画像情報を出力する機能を有する。本実施形態の放射線検出器は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板と、放射線を光に変換する変換層と、を備えている（図４、放射線検出器１０のＴＦＴ基板１２及び変換層１４参照）。
　まず、図１を参照して本実施形態の放射線検出器におけるＴＦＴ基板１２の構成の一例について説明する。なお、本実施形態のＴＦＴ基板１２は、基材１１の画素領域３５に、複数の画素３０を含む画素アレイ３１が形成された基板である。従って、以下では、「画素領域３５」との表現を、「画素アレイ３１」と同義として用いる。本実施形態のＴＦＴ基板１２が、開示の技術の基板の一例である。
　画素３０の各々は、センサ部３４及びスイッチング素子３２を含む。センサ部３４は、変換層が変換した光に応じて電荷を発生して蓄積する。スイッチング素子３２は、センサ部３４にて蓄積された電荷を読み出す。本実施形態では、一例として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をスイッチング素子３２として用いている。そのため、以下では、スイッチング素子３２を「ＴＦＴ３２」という。
　複数の画素３０は、ＴＦＴ基板１２の画素領域３５に、一方向（図１の横方向に対応する走査配線方向、以下「行方向」ともいう）及び行方向に対する交差方向（図１の縦方向に対応する信号配線方向、以下「列方向」ともいう）に二次元状に配置されている。図１では、画素３０の配列を簡略化して示しているが、例えば、画素３０は行方向及び列方向に１０２４個×１０２４個配置される。
　また、放射線検出器１０には、ＴＦＴ３２のスイッチング状態（オン及びオフ）を制御するための複数の走査配線３８と、画素３０の列毎に備えられた、センサ部３４に蓄積された電荷が読み出される複数の信号配線３６と、が互いに交差して設けられている。複数の走査配線３８の各々は、それぞれフレキシブルケーブル１１２（図３及び図５参照）を介して、放射線検出器１０の外部の駆動部１０３（図５参照）に接続されることにより、駆動部１０３から出力される、ＴＦＴ３２のスイッチング状態を制御する制御信号が流れる。また、複数の信号配線３６の各々が、それぞれフレキシブルケーブル１１２（図３及び図５参照）を介して、放射線検出器１０の外部の信号処理部１０４（図５参照）に接続されることにより、各画素３０から読み出された電荷が、信号処理部１０４に出力される。
　また、各画素３０のセンサ部３４には、各画素３０にバイアス電圧を印加するために、共通配線３９が信号配線３６の配線方向に設けられている。共通配線３９が、ＴＦＴ基板１２に設けられた端子（図示省略）を介して、放射線検出器１０の外部のバイアス電源に接続されることにより、バイアス電源から各画素３０にバイアス電圧が印加される。
　さらに、本実施形態の放射線検出器１０について詳細に説明する。図２は、本実施形態の放射線検出器１０を、基材１１の第１の面１１Ａ側からみた平面図である。また、図３は、図２における放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図である。
　基材１１の第１の面１１Ａには、上述の画素３０が設けられた画素領域３５及び端子領域１１１が設けられている。
　基材１１は、可撓性を有し、例えば、ＰＩ（PolyImide：ポリイミド）等のプラスチックを含む樹脂シートである。基材１１の厚みは、材質の硬度、及びＴＦＴ基板１２の大きさ（第１の面１１Ａまたは第２の面１１Ｂの面積）等に応じて、所望の可撓性が得られる厚みであればよい。可撓性を有する例としては、矩形状の基材１１が単体の場合に、基材１１の１辺を固定した状態で、固定した辺より１０ｃｍ離れた位置で基材１１の自重による重力で基材１１が２ｍｍ以上垂れ下がる（固定した辺の高さよりも低くなる）ものを指す。基材１１が樹脂シートの場合の具体例としては、厚みが５μｍ～１２５μｍのものであればよく、厚みが２０μｍ～５０μｍのものであればより好ましい。
　なお、基材１１は、画素３０の製造に耐え得る特性を有しており、本実施形態では、アモルファスシリコンＴＦＴ（ａ－Ｓｉ ＴＦＴ）の製造に耐え得る特性を有している。このような、基材１１が有する特性としては、３００℃～４００℃における熱膨張率（ＣＴＥ：Coefficient of Thermal Expansion)が、アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）ウェハと同程度（例えば、±５ｐｐｍ／Ｋ）であることが好ましい。具体的には、基材１１の３０℃～４００℃における熱膨張率が２０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。また、基材１１の熱収縮率としては、厚みが２５μｍの状態において４００℃における熱収縮率が０．５％以下であることが好ましい。また、基材１１の弾性率は、３００℃～４００℃間の温度領域において、一般的なＰＩが有する転移点を有さず、５００℃における弾性率が１ＧＰａ以上であることが好ましい。
　また、本実施形態の基材１１は、図４Ａ及び図４Ｂに示したように、平均粒子径が０．０５μｍ以上、２．５μｍ以下の無機の微粒子１１Ｐを含む微粒子層１１Ｌを有することが好ましい。なお、図４Ｂは、本実施形態の放射線検出器１０を、ＴＦＴ基板１２側から放射線Ｒが照射される、ＩＳＳ（Irradiation Side Sampling)方式の放射線検出器に適用した場合の例を示す。
　図４Ｂ及び図４Ｃに示すように、基材１１では、被写体Ｓを透過した放射線Ｒにより、後方散乱線Ｒｂが発生する。基材１１がＰＩ等の樹脂製の場合、有機物であるため、有機物を構成する、比較的原子番号の小さい、Ｃ、Ｈ、Ｏ、及びＮ等の原子は、コンプトン効果により、後方散乱線Ｒｂが多くなる。
　図４Ｂに示すように、基材１１が、基材１１内で発生した後方散乱線Ｒｂを吸収する微粒子１１Ｐを含む微粒子層１１Ｌを有する場合、基材１１が、微粒子層１１Ｌを有さない場合（図４Ｃ参照）に比べて、基材１１を透過し、後方に散乱する後方散乱線Ｒｂが抑制されるため、好ましい。
　このような微粒子１１Ｐとしては、自身による後方散乱線Ｒｂの発生量が少なく、また、後方散乱線Ｒｂを吸収する一方、被写体Ｓを透過した放射線Ｒの吸収が少ない原子を含む無機物が好ましい。なお、後方散乱線Ｒｂの抑制と、放射線Ｒの透過性とはトレードオフの関係にある。後方散乱線Ｒｂの抑制の観点からは、微粒子１１Ｐは、基材１１の樹脂を構成するＣ、Ｈ、Ｏ、及びＮ等よりも原子番号が大きい元素を含んでいることが好ましい。一方、原子番号が大きいほど、後方散乱線Ｒｂを吸収する能力が高くなるものの、原子番号が３０を超えると、放射線Ｒの吸収量が増加し、変換層１４に到達する放射線Ｒの線量の減少が著しくなるため好ましくない。そのため、微粒子１１Ｐは、樹脂性の基材１１の場合、基材１１である有機物を構成する原子よりも原子番号が大きく、かつ原子番号が３０以下である無機物を用いることが好ましい。このような微粒子１１Ｐの具体例としては、原子番号が１４のＳｉの酸化物であるＳｉＯ２、原子番号が１２のＭｇの酸化物であるＭｇＯ、原子番号が１３のＡｌの酸化物であるＡｌ２Ｏ３、及び原子番号が２２のＴｉの酸化物であるＴｉＯ２等が挙げられる。
　このような特性を有する樹脂シートの具体例としては、ＸＥＮＯＭＡＸ（登録商標）が挙げられる。
　なお、本実施形態における上記の厚みについては、マイクロメーターを用いて測定した。熱膨張率については、ＪＩＳ　Ｋ７１９７：１９９１に則して測定した。なお測定は、基材１１の主面から、１５度ずつ角度を変えて試験片を切り出し、切り出した各試験片について熱膨張率を測定し、最も高い値を基材１１の熱膨張率とした。熱膨張率の測定は、ＭＤ（Machine Direction）方向およびＴＤ（Transverse Direction）方向のそれぞれについて、－５０℃～４５０℃において１０℃間隔で行い、（ｐｐｍ／℃）を（ｐｐｍ／Ｋ）に換算した。熱膨張率の測定には、ＭＡＣサイエンス社製　ＴＭＡ４０００Ｓ装置を用い、サンプル長さを１０ｍｍ、サンプル幅を２ｍｍ、初荷重を３４．５ｇ／ｍｍ２、昇温速度を５℃／ｍｉｎ、及び雰囲気をアルゴンとした。弾性率については、ＪＩＳ　Ｋ　７１７１：２０１６に則して測定した。なお測定は、基材１１の主面から、１５度ずつ角度を変えて試験片を切り出し、切り出した各試験片について引っ張り試験を行い、最も高い値を基材１１の弾性率とした。
　なお、微粒子層１１Ｌに含まれる微粒子１１Ｐにより、基材１１の表面に凹凸が生じる場合がある。このように基材１１の表面に凹凸が生じた状態の上には、画素３０の形成が困難な場合がある。そのため、図４Ｂに示すように、基材１１は、画素３０が形成される第１の面１１Ａと反対側の第２の面１１Ｂに、微粒子層１１Ｌを有することが好ましい。換言すると基材１１は、変換層１４が設けられる第１の面１１Ａと反対側の第２の面１１Ｂに、微粒子層１１Ｌを有することが好ましい。
　また、基材１１内で発生した後方散乱線Ｒｂを十分に吸収するためには、基材１１において、被写体Ｓに近い側の面に、微粒子層１１Ｌを有することが好ましい。図４Ｂに示すようにＩＳＳ方式の放射線検出器１０では、第２の面１１Ｂに、微粒子層１１Ｌを有することが好ましい。
　このようにＩＳＳ方式の放射線検出器１０では、基材１１が、第２の面１１Ｂに微粒子層１１Ｌを有することにより、精度良く画素３０を形成することができ、かつ効果的に後方散乱線Ｒｂを抑制することができる。
　なお、所望の可撓性を有する基材１１としては、樹脂シート等、樹脂製のものに限定されない。例えば、基材１１は、厚みが比較的薄いガラス基板等であってもよい。基材１１がガラス基板の場合の具体例としては、一般に、一辺が４３ｃｍ程度のサイズでは、厚さが０．３ｍｍ以下ならば可撓性を有しているため、厚さが０．３ｍｍ以下のものであれば所望のガラス基板であってもよい。
　図２及び図３に示すように、本実施形態の画素領域３５の上には変換層１４が設けられている。変換層１４は、基材１１の第１の面１１Ａにおける画素領域３５を含む一部の領域上に設けられている。このように、本実施形態の変換層１４は、基材１１の第１の面１１Ａの外周部の領域上には設けられていない。なお、ここでは、放射線検出器１０の構造において「上」という場合、ＴＦＴ基板１２側を基準とした位置関係において上であることを表している。例えば、変換層１４は、ＴＦＴ基板１２の上に設けられている。
　本実施形態では、変換層１４の一例としてＣｓＩ（ヨウ化セシウム）を含むシンチレータを用いている。このようなシンチレータとしては、例えば、Ｘ線照射時の発光スペクトルが４００ｎｍ～７００ｎｍであるＣｓＩ：Ｔｌ（タリウムが添加されたヨウ化セシウム）やＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウムが添加されたヨウ化セシウム）を含むことが好ましい。なお、ＣｓＩ：Ｔｌの可視光域における発光ピーク波長は５６５ｎｍである。
　本実施形態の放射線検出器１０では、変換層１４は、ＴＦＴ基板１２上に直接、真空蒸着法、スパッタリング法、及びＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の気相堆積法によって短冊状の柱状結晶（図示省略）として形成される。変換層１４の形成方法としては、例えば、変換層１４としてＣｓＩ：Ｔｌを用いた場合、真空度０．０１Ｐａ～１０Ｐａの環境下、ＣｓＩ：Ｔｌを抵抗加熱式のるつぼ等の加熱手段により加熱して気化させ、ＴＦＴ基板１２の温度を室温（２０℃）～３００℃としてＣｓＩ：ＴｌをＴＦＴ基板１２上に堆積させる真空蒸着法が挙げられる。変換層１４の厚さとしては、１００μｍ～８００μｍが好ましい。
　本実施形態では、一例として図３に示すように、ＴＦＴ基板１２と変換層１４との間には緩衝層１３が設けられている。緩衝層１３は、変換層１４の熱膨張率と、基材１１の熱膨張率との差を緩衝させる機能を有する。なお、本実施形態の放射線検出器１０と異なり、緩衝層１３を設けない構成としてもよいが、変換層１４の熱膨張率と、基材１１の熱膨張率との差が大きいほど、緩衝層１３を設けることが好ましい。例えば、基材１１に、上記ＸＥＮＯＭＡＸ（登録商標）を用いる場合、他の材質に比べて、変換層１４の熱膨張率との差が大きくなるため、図３に示した放射線検出器１０のように、緩衝層１３を設けることが好ましい。緩衝層１３としては、ＰＩ膜や、パリレン（登録商標）膜等が用いられる。
　保護層２２は、変換層１４を湿気等の水分から保護する機能を有する。保護層２２の材料としては、例えば、有機膜が挙げられ、具体的には、ＰＥＴ（Polyethylene terephthalate：ポリエチレンテレフタレート）、ＰＰＳ（PolyPhenylene Sulfide：ポリフェニレンサルファイド）、ＯＰＰ（Oriented PolyPropylene：二軸延伸ポリプロピレンフィルム）、ＰＥＮ（PolyEthylene Naphthalate：ポリエチレンナフタレート）、及びＰＩ等による単層膜または積層膜が挙げられる。また、保護層２２として、樹脂フィルムと金属フィルムとの積層膜を用いてもよい。樹脂フィルムと金属フィルムとの積層膜としては、例えば、ＰＥＴ等の絶縁性のシート（フィルム）に、アルミ箔を接着させる等してアルミを積層したアルペット（登録商標）のシートが挙げられる。
　ＴＦＴ基板１２、緩衝層１３、変換層１４、及び保護層２２が積層された積層体１９の変換層１４側の面である第１の面１９Ａには、粘着層４８により、第１補強基板４０が設けられている。
　第１補強基板４０は、基材１１よりも曲げ剛性が高く、変換層１４と対向する面に対して垂直方向に加えられる力に対する、寸法変化（変形）が、基材１１の第１の面１１Ａに対して垂直方向に加えられる力に対する、寸法変化よりも小さい。また、本実施形態の第１補強基板４０の厚みは、基材１１の厚みよりも厚い。なお、ここでいう曲げ剛性とは、曲げ難さを意味し、曲げ剛性が高いほど曲げ難いことを表している。
　具体的には、本実施形態の第１補強基板４０は、曲げ弾性率が１５０ＭＰａ以上、２５００ＭＰａ以下の素材を用いることが好ましい。曲げ弾性率の測定方法は、例えばＪＩＳ　Ｋ　７１７１：２０１６準拠に基づく。第１補強基板４０は、基材１１の撓みを抑制する観点からは、基材１１よりも曲げ剛性が高いことが好ましい。なお、曲げ弾性率が低くなると曲げ剛性も低くなり、所望の曲げ剛性を得るためには、第１補強基板４０の厚みを厚くしなくてはならず、放射線検出器１０全体の厚みが増大してしまう。上述の第１補強基板４０の材料を考慮すると、１４００００Ｐａｃｍ４を越える曲げ曲げ剛性を得ようとする場合、第１補強基板４０の厚みが、比較的厚くなってしまう傾向がある。そのため、適切な剛性が得られ、かつ放射線検出器１０全体の厚みを考慮すると、第１補強基板４０に用いる素材は、曲げ弾性率が１５０ＭＰａ以上、２５００ＭＰａ以下であることがより好ましい。また、第１補強基板４０の曲げ剛性は、５４０Ｐａｃｍ４以上、１４００００Ｐａｃｍ４以下であることが好ましい。
　また、本実施形態の第１補強基板４０の熱膨張率は、変換層１４の材料の熱膨張率に近い方が好ましい。変換層１４の熱膨張率に対する第１補強基板４０の熱膨張率の比（第１補強基板４０の熱膨張率／変換層１４の熱膨張率）が、０．５以上、２以下であることがより好ましい。このような第１補強基板４０の熱膨張率としては、３０ｐｐｍ／Ｋ以上、８０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。例えば、変換層１４がＣｓＩ：Ｔｌを材料とする場合、変換層１４の熱膨張率は、５０ｐｐｍ／Ｋである。この場合、変換層１４に比較的近い材料としては、熱膨張率が６０ｐｐｍ／Ｋ～８０ｐｐｍ／ＫであるＰＶＣ（Polyvinyl Chloride：ポリ塩化ビニル）、熱膨張率が７０ｐｐｍ／Ｋ～８０ｐｐｍ／Ｋであるアクリル、熱膨張率が６５ｐｐｍ／Ｋ～７０ｐｐｍ／ＫであるＰＥＴ、熱膨張率が６５ｐｐｍ／ＫであるＰＣ（Polycarbonate：ポリカーボネート）、及び熱膨張率が４５ｐｐｍ／Ｋ～７０ｐｐｍ／Ｋであるテフロン(登録商標)等が挙げられる。
　さらに、上述した曲げ弾性率を考慮すると、第１補強基板４０の材料としては、ＰＥＴ、及びＰＣの少なくとも一方を含む材料であることがより好ましい。
　第１補強基板４０は、弾力性の観点からは、降伏点を有する材料を含むことが好ましい。なお、本実施形態において「降伏点」とは、材料を引っ張った場合に、応力が一旦、急激に下がる現象をいい、応力とひずみとの関係を表す曲線上で、応力が増えずにひずみが増える点のことをいい、材料について引っ張り強度試験を行った際の応力－ひずみ曲線における頂部を指す。降伏点を有する樹脂としては、一般的に、硬くて粘りが強い樹脂、及び柔らかくて粘りが強く、かつ中程度の強度の樹脂が挙げられる。硬くて粘りが強い樹脂としては、例えば、ＰＣ等が挙げられる。また、柔らかくて粘りが強く、かつ中程度の強度の樹脂としては、例えば、ポリプロピレン等が挙げられる。
　本実施形態の第１補強基板４０は、プラスチックを材料とした基板である。第１補強基板４０の材料となるプラスチックは、上述した理由から熱可塑性の樹脂であることが好ましく、ＰＣ、ＰＥＴ、スチロール、アクリル、ポリアセターゼ、ナイロン、ポリプロピレン、ＡＢＳ（Acrylonitrile Butadiene Styrene）、エンプラ、及びポリフェニレンエーテルの少なくとも一つが挙げられる。なお、第１補強基板４０は、これらのうち、ポリプロピレン、ＡＢＳ、エンプラ、ＰＥＴ、及びポリフェニレンエーテルの少なくとも一つであることが好ましく、スチロール、アクリル、ポリアセターゼ、及びナイロンの少なくとも一つであることがより好ましく、ＰＣ及びＰＥＴの少なくとも一つであることがさらに好ましい。
　また、図２及び図３に示すように、本実施形態の放射線検出器１０では、基材１１の第２の面１１Ｂに第２補強基板４２が設けられている。なお、基材１１の第２の面１１Ｂと、第２補強基板４２との間は、第２補強基板４２を設けるための粘着層や、防湿機能を有する保護膜等が設けられていてもよい。
　第２補強基板４２は、第１補強基板４０と同様に、基材１１よりも剛性が高く、第２の面１１Ｂと対向する面に対して垂直方向に加えられる力に対する、寸法変化（変形）が、基材１１において第１の面１１Ａに対して垂直方向に加えられる力に対する、寸法変化よりも小さい。また、本実施形態の第２補強基板４２の厚みは、基材１１の厚みよりも厚く、第１補強基板４０の厚みよりも薄い。例えば、基材１１として、ＸＥＮＯＭＡＸ（登録商標）を用いる場合、第１補強基板４０の厚みは、０．１ｍｍ程度が好ましく、第２補強基板４２の厚みは０．２ｍｍ～０．２５ｍｍ程度が好ましい。
　なお、第２補強基板４２は、第１補強基板４０と同様の特性を有していることが好ましい。このような本実施形態の第２補強基板４２の材料としては、熱可塑性の樹脂であることが好ましく、第１補強基板４０と同様の材料を用いることができるが、第１補強基板４０と、第２補強基板４２とで異なる材料を用いていてもよい。なお、本実施形態と異なり、第２補強基板４２と第１補強基板４０とで特性等を異ならせてもよい。例えば、第１補強基板４０の剛性を、第２補強基板４２よりも低くしてもよく、基材１１と同程度としてもよい。第２補強基板４２の剛性が基材１１と同程度であっても、第２補強基板４２を設けたことにより放射線検出器１０全体の厚みが増すため、放射線検出器１０全体の剛性が確保される。
　また、図２及び図３に示すように、第２補強基板４２は、基材１１の第２の面１１Ｂの全体に設けられており、第２補強基板４２の大きさは、第１補強基板４０よりも大きい。すなわち、第２補強基板４２が基材１１を覆う面積は、第１補強基板４０が積層体１９を覆う面積よりも大きい。第１補強基板４０は、端子領域１１１には設けられていないが、第２補強基板４２は、端子領域１１１に対応する位置にも設けられている。
　また、図２及び図３に示すように、基材１１の端子領域１１１には、フレキシブルケーブル１１２が接続される端子１１３が設けられている。本実施形態における端子領域１１１とは、端子１１３が設けられる領域を少なくとも含んでいる。端子領域１１１の面積は、端子１１３の面積以上である。端子領域１１１の範囲は、フレキシブルケーブル１１２のリワークの容易性に応じて定められる。具体的には、端子領域１１１の範囲（端子領域１１１の面積）は、フレキシブルケーブル１１２及び端子１１３の各々の面積、フレキシブルケーブル１１２をリワークする場合のフレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続ずれ、及びリワークの方法等によって定められる。なお、「リワーク」とは、不具合や位置ずれ等により、基材１１（ＴＦＴ基板１２）に接続したケーブルや部品を取り外して、新たに接続し直すことをいう。端子１１３には、例えば、異方性導電フィルム等が用いられる。
　なお、以下では端子領域１１１の端子１１３にフレキシブルケーブル１１２を接続する場合、単にフレキシブルケーブル１１２を端子領域１１１に接続するという。また、本実施形態では、フレキシブルケーブル１１２を含め、「ケーブル」と称する部品に関する接続は、特に言及しない限り、電気的な接続を意味する。なお、フレキシブルケーブル１１２は、導体からなる信号線（図示省略）を含み、この信号線が端子１１３に接続されることにより、端子１１３に電気的に接続される。以下で「ケーブル」という場合、フレキシブルな（可撓性を有する）もののことである。
　上述したようにフレキシブルケーブル１１２は、駆動部１０３及び信号処理部１０４（いずれも図５参照）の少なくとも一方に接続されている。図５には、本実施形態の放射線検出器１０に、フレキシブルケーブル１１２により駆動部１０３及び信号処理部１０４が接続された状態の一例を、基材１１の第１の面１１Ａの側からみた平面図を示す。本実施形態の駆動部１０３及び信号処理部１０４が、本開示の回路部の一例である。
　図５に示した一例のように、端子領域１１１（１１１Ａ）の端子１１３（図５では図示省略）には、複数（図５では、４つ）のフレキシブルケーブル１１２の一端が、熱圧着されている。フレキシブルケーブル１１２は、駆動部１０３と走査配線３８（図１参照）とを接続する機能を有する。フレキシブルケーブル１１２に含まれる複数の信号線（図示省略）は、端子領域１１１（１１１Ａ）を介して、ＴＦＴ基板１２の走査配線３８（図１参照）に接続される。
　一方、フレキシブルケーブル１１２の他端は、駆動基板２０２の外周の領域に設けられた接続領域２４３（２４３Ａ）に熱圧着されている。フレキシブルケーブル１１２に含まれる複数の信号線（図示省略）は、接続領域２４３を介して、駆動基板２０２に搭載された回路及び素子等である駆動部品２５０と接続される。
　図５では、一例として、９個の駆動部品２５０（２５０Ａ～２５０Ｉ）が駆動基板２０２に搭載された状態を示している。図５に示すように、本実施形態の駆動部品２５０は、基材１１の端子領域１１１（１１１Ａ）に対応する辺に沿った方向である撓み方向Ｙと交差する方向である交差方向Ｘに、沿って配置されている。例えば、駆動部品２５０が長辺と短辺とを有する場合、駆動部品２５０は、長辺が交差方向Ｘに沿った状態に配置される。
　本実施形態の駆動基板２０２は、可撓性のＰＣＢ（Printed Circuit Board）基板であり、いわゆるフレキシブル基板である。駆動基板２０２に搭載される駆動部品２５０は主にデジタル信号の処理に用いられる部品（本実施形態では、「デジタル系部品」という）である。駆動部品２５０の具体例としては、デジタルバッファ、バイパスコンデンサ、プルアップ／プルダウン抵抗、ダンピング抵抗、及びＥＭＣ（Electro Magnetic Compatibility）対策チップ部品等が挙げられる。なお、駆動基板２０２は、必ずしもフレキシブル基板でなくてもよく、後述する、非可撓性のリジッド基板としてもよい。
　デジタル系部品は、後述するアナログ系部品よりも、比較的面積（大きさ）が小さい傾向がある。また、デジタル系部品は、アナログ系部品よりも電気的な干渉、換言するとノイズの影響を大きく受け難い傾向がある。そのため、本実施形態では、ＴＦＴ基板１２が撓んだ場合に、ＴＦＴ基板１２の撓みに伴って撓む側の基板を、駆動部品２５０を搭載した駆動基板２０２としている。
　また、駆動基板２０２と接続されるフレキシブルケーブル１１２には、駆動回路部２１２が搭載されている。駆動回路部２１２は、フレキシブルケーブル１１２に含まれる複数の信号線（図示省略）に接続されている。
　本実施形態では、駆動基板２０２に搭載された駆動部品２５０と、駆動回路部２１２とにより、駆動部１０３が実現される。駆動回路部２１２は、駆動部１０３を実現する各種回路及び素子のうち、駆動基板２０２に搭載されている駆動部品２５０と異なる回路を含むＩＣ（Integrated Circuit）である。
　このように、本実施形態の放射線検出器１０では、フレキシブルケーブル１１２により、ＴＦＴ基板１２と駆動基板２０２とが電気的に接続されることにより、駆動部１０３と走査配線３８の各々とが接続される。
　一方、基材１１の端子領域１１１（１１１Ｂ）には、複数（図５では、４つ）のフレキシブルケーブル１１２の一端が、熱圧着されている。フレキシブルケーブル１１２に含まれる複数の信号線（図示省略）は、端子領域１１１（１１１Ｂ）を介して、信号配線３６（図１参照）に接続される。フレキシブルケーブル１１２は、信号処理部１０４と信号配線３６（図１参照）とを接続する機能を有する。
　一方、フレキシブルケーブル１１２の他端は、信号処理基板３０４の接続領域２４３（２４３Ｂ）に設けられたコネクタ３３０に電気的に接続されている。フレキシブルケーブル１１２に含まれる複数の信号線（図示省略）は、コネクタ３３０を介して、信号処理基板３０４に搭載された回路及び素子等である信号処理部品３５０と接続される。例えばコネクタ３３０としては、ＺＩＦ（Zero Insertion Force）構造のコネクタや、Ｎｏｎ－ＺＩＦ構造のコネクタが挙げられる。図５では、一例として、９個の信号処理部品３５０（３５０Ａ～３５０Ｉ）が信号処理基板３０４に搭載された状態を示している。図５に示すように、本実施形態の信号処理部品３５０は、基材１１の端子領域１１１（１１１Ｂ）が設けられた基材１１の辺に沿った方向である交差方向Ｘに沿って配置されている。例えば、信号処理部品３５０が長辺と短辺とを有する場合、信号処理部品３５０は、長辺が交差方向Ｘに沿った状態に配置される。
　なお、本実施形態の信号処理基板３０４は、必ずしもフレキシブル基板とする必要はなく、非可撓性のＰＣＢ基板であってもよく、いわゆるリジッド基板であってもよい。信号処理基板３０４としてリジッド基板を用いた場合、信号処理基板３０４の厚みは、駆動基板２０２の厚みよりも厚い。また、信号処理基板３０４は、駆動基板２０２よりも剛性が高い。
　信号処理基板３０４に搭載される信号処理部品３５０は主にアナログ信号の処理に用いられる部品（本実施形態では、「アナログ系部品」という）である。信号処理部品３５０の具体例としては、オペアンプ、アナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ）、デジタルアナログコンバータ（ＤＡＣ）、及び電源ＩＣ等が挙げられる。また、本実施形態の信号処理部品３５０は、比較的部品サイズが大きい電源周りのコイル、及び平滑用大容量コンデンサ等も含む。
　上述したように、アナログ系部品は、デジタル系部品よりも、比較的面積（大きさ）が大きい傾向がある。また、アナログ系部品は、デジタル系部品よりも電気的な干渉、換言するとノイズの影響を受け易い傾向がある。そのため、本実施形態では、ＴＦＴ基板１２が撓んだ場合でも、撓まない（撓みの影響を受けない）側の基板を、信号処理部品３５０を搭載した信号処理基板３０４としている。
　また、信号処理基板３０４に接続されるフレキシブルケーブル１１２には、信号処理回路部３１４が搭載されている。信号処理回路部３１４は、フレキシブルケーブル１１２に含まれる複数の信号線（図示省略）が接続されている。
　本実施形態では、信号処理基板３０４に搭載された信号処理部品３５０と、信号処理回路部３１４とにより、信号処理部１０４が実現される。信号処理回路部３１４は、信号処理部１０４を実現する各種回路及び素子のうち、信号処理基板３０４に搭載されている信号処理部品３５０と異なる回路を含むＩＣである。
　このように、本実施形態の放射線検出器１０では、フレキシブルケーブル１１２により、ＴＦＴ基板１２と信号処理基板３０４とが電気的に接続されることにより、信号処理部１０４と信号配線３６の各々とが接続される。
　本実施形態の放射線検出器１０の製造方法の一例としては、以下の方法が挙げられる。図６Ａ～図６Ｅを参照して、本実施形態の放射線検出器１０の製造方法の一例を説明する。
　予め、放射線検出器１０に合わせた所望の大きさとした第１補強基板４０に、粘着層４８を塗布した状態のものを準備しておく。
　一方、図６Ａに示すように、基材１１に比べて厚さの厚いガラス基板等の支持体４００に、剥離層（図示省略）を介して、基材１１が形成される。ラミネート法により基材１１を形成する場合、支持体４００上に、基材１１となるシートを貼り合わせる。基材１１の第２の面１１Ｂに対応する面が支持体４００側となり、剥離層（図示省略）に接する。
　さらに、基材１１の画素領域３５に、複数の画素３０が形成される。なお、本実施形態では、一例として、基材１１の画素領域３５に、ＳｉＮ等を用いたアンダーコート層（図示省略）を介して、複数の画素３０が形成される。
　さらに、画素領域３５の上に、変換層１４が形成される。本実施形態では、まず、基材１１の第１の面１１Ａにおける変換層１４を設ける領域に、緩衝層１３を形成する。その後、ＴＦＴ基板１２上、より具体的には緩衝層１３上に直接、真空蒸着法、スパッタリング法、及びＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の気相堆積法によって柱状結晶としてＣｓＩの変換層１４が形成される。この場合、変換層１４における画素３０と接する側が、柱状結晶の成長方向基点側となる。
　なお、このように、ＴＦＴ基板１２上に直接、気相堆積法によってＣｓＩの変換層１４を設けた場合、変換層１４のＴＦＴ基板１２と接する側と反対側の面には、例えば、変換層１４で変換した光を反射する機能を有する反射層（図示省略）が設けられていてもよい。反射層は、変換層１４に直接設けられてもよいし、密着層等を介して設けられてもよい。反射層の材料としては、有機系の材料を用いたものが好ましく、例えば、白ＰＥＴ、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、発泡白ＰＥＴ、ポリエステル系高反射シート、及び鏡面反射アルミ等の少なくとも１つを材料として用いたものが好ましい。特に、反射率の観点から、白ＰＥＴを材料として用いたものが好ましい。なお、ポリエステル系高反射シートとは、薄いポリエステルのシートを複数重ねた多層構造を有するシート（フィルム）である。
　また、変換層１４としてＣｓＩのシンチレータを用いる場合、本実施形態と異なる方法で、ＴＦＴ基板１２に変換層１４を形成することもできる。例えば、アルミの板等に気相堆積法によってＣｓＩを蒸着させたものを用意し、ＣｓＩのアルミの板と接していない側と、ＴＦＴ基板１２の画素３０とを粘着性のシート等により貼り合わせることにより、ＴＦＴ基板１２に変換層１４を形成してもよい。この場合、アルミの板も含めた状態の変換層１４全体を保護膜により覆った状態のものを、ＴＦＴ基板１２の画素領域３５と貼り合わせることが好ましい。なお、この場合、変換層１４における画素領域３５と接する側が、柱状結晶の成長方向の先端側となる。
　また、本実施形態の放射線検出器１０と異なり、変換層１４としてＣｓＩに替わり、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）等を用いてもよい。この場合、例えば、ＧＯＳを樹脂等のバインダに分散させたシートを、白ＰＥＴ等により形成された支持体に粘着層等により貼り合わせたものを用意し、ＧＯＳの支持体が貼り合わせられていない側と、ＴＦＴ基板１２の画素領域３５とを粘着性のシート等により貼り合わせることにより、ＴＦＴ基板１２に変換層１４を形成することができる。なお、変換層１４にＣｓＩを用いる場合の方が、ＧＯＳを用いる場合に比べて、放射線から可視光への変換効率が高くなる。
　さらに、図６Ｂに示すように、基材１１の端子領域１１１の端子１１３にフレキシブルケーブル１１２を熱圧着し、フレキシブルケーブル１１２に含まれる複数の信号線（図示省略）と基材１１の端子領域１１１とを電気的に接続させる。
　さらに、駆動基板２０２の接続領域２４３（２４３Ａ）にフレキシブルケーブル１１２を熱圧着し、フレキシブルケーブル１１２に含まれる複数の信号線（図示省略）と駆動基板２０２に搭載された駆動部品２５０とを電気的に接続させ、図５に示した状態とする。
　そして、図６Ｃに示すように、予め準備しておいた第１補強基板４０を、変換層１４が形成され、フレキシブルケーブル１１２が接続されたＴＦＴ基板１２に貼り合わせることで、変換層１４を封止する。なお、上記の貼り合わせを行う場合は、大気圧下または、減圧下（真空下）で行うが、貼り合わせた間に空気等が入り込むのを抑制するために、減圧下で行うことが好ましい。
　この後、図６Ｄに示すように放射線検出器１０を支持体４００から剥離する。メカニカル剥離により剥離を行う場合、図６Ｄに示した一例では、ＴＦＴ基板１２の基材１１における、フレキシブルケーブル１１２が接続された辺と対向する辺を剥離の起点とする。起点となる辺からフレキシブルケーブル１１２が接続された辺に向けて徐々にＴＦＴ基板１２を支持体４００から、図６Ｄに示した矢印Ｄ方向に引きはがすことにより、メカニカル剥離を行い、フレキシブルケーブル１１２が接続された状態の放射線検出器１０が得られる。
　なお、剥離の起点とする辺は、ＴＦＴ基板１２を平面視した場合における、最長の辺と交差する辺が好ましい。換言すると、剥離により撓みが生じる撓み方向Ｙに沿った辺は、ＴＦＴ基板１２における最長の辺であることが好ましい。本実施形態では、駆動基板２０２がフレキシブルケーブル１１２により接続される辺の方が、信号処理基板３０４側がフレキシブルケーブル１１２により接続される辺よりも長い。そのため、剥離の起点を、端子領域１１１（１１１Ｂ）が設けられた辺と対向する辺としている。
　本実施形態では、さらに、支持体４００からＴＦＴ基板１２を剥離した後、放射線検出器１０のフレキシブルケーブル１１２と、信号処理基板３０４のコネクタ３３０とを電気的に接続する。
　さらに、図６Ｅに示すように、基材１１の第２の面１１Ｂに、両面テープ等の粘着層を設けた第２補強基板４２を貼り合わせることで、本実施形態の放射線検出器１０が製造される。
　なお、本実施形態に限定されず、例えば、フレキシブルケーブル１１２を端子領域１１１に接続させるタイミングを、ＴＦＴ基板１２に第１補強基板４０を設けた後としてもよい。また例えば、放射線検出器１０のフレキシブルケーブル１１２と、信号処理基板３０４のコネクタ３３０とを電気的に接続させた後、上記メカニカル剥離を行ってもよい。
　上記メカニカル剥離を行うにあたり、本実施形態の放射線画像撮影装置１では、図６Ｄに示したように、駆動基板２０２がフレキシブルな基板であるため、ＴＦＴ基板１２の撓みに応じて駆動基板２０２も撓む。
　ここで、支持体４００からＴＦＴ基板１２を剥離する場合、基材１１が可撓性を有するため、ＴＦＴ基板１２が撓み易い。ＴＦＴ基板１２が大きく撓んだ場合、ＴＦＴ基板１２に不具合が生じる懸念がある。例えば、変換層１４がＴＦＴ基板１２から剥離されてしまう懸念があり、特に、変換層１４の端部がＴＦＴ基板１２から剥離し易くなる。また例えば、ＴＦＴ基板１２が大きく撓む結果、画素３０が破損する懸念がある。
　これに対して、本実施形態の放射線検出器１０では、基材１１よりも剛性が高い第１補強基板４０が、基材１１の第１の面１１Ａに設けられている。そのため、本実施形態の放射線検出器１０によれば、支持体４００からＴＦＴ基板１２を剥離する場合に、ＴＦＴ基板１２が大きく撓むことを抑制することができ、ＴＦＴ基板１２に不具合が生じるのを抑制することができる。
　また、支持体４００からＴＦＴ基板１２を剥離する場合に限定されず、放射線画像撮影装置１の製造工程の途中等の放射線検出器１０が単体で扱われる場合、ＴＦＴ基板１２が撓むことにより、上記と同様に、ＴＦＴ基板１２に不具合が生じる懸念がある。これに対して、本実施形態の放射線検出器１０では、第１補強基板４０が基材１１の第１の面１１Ａに設けられ、かつ第２補強基板４２が基材１１の第２の面１１Ｂに設けられている。そのため、本実施形態の放射線検出器１０によれば、放射線検出器１０を単体で扱う場合であっても、ＴＦＴ基板１２が大きく撓むことを抑制することができ、ＴＦＴ基板１２に不具合が生じるのを抑制することができる。
　また本実施形態の放射線検出器１０では、フレキシブルケーブル１１２が基材１１の端子領域１１１から剥がれたり、接続ずれを起こしたりする懸念がある。特に、フレキシブルケーブル１１２に、駆動基板２０２を接続した後、支持体４００からＴＦＴ基板１２を剥離するためにＴＦＴ基板１２を撓ませた場合、フレキシブルケーブル１１２が基材１１の端子領域１１１から剥がれたり、接続ずれを起こしたりし易くなる。また、支持体４００からＴＦＴ基板１２を剥離する場合に限定されず、放射線画像撮影装置１の製造工程の途中等の放射線検出器１０が単体で扱われる場合、ＴＦＴ基板１２が撓むことにより、変換層１４がＴＦＴ基板１２から剥離されてしまう懸念がある。また、同様に、フレキシブルケーブル１１２が基材１１の端子領域１１１から剥がれたり、接続ずれを起こしたりする懸念がある。フレキシブルケーブル１１２が基材１１の端子領域１１１から剥がれたり、接続ずれを起こしたりした場合、フレキシブルケーブル１１２を端子領域１１１にリワークする必要がある。
　これに対して、本実施形態の放射線検出器１０では、上述のように第１補強基板４０の大きさが第２補強基板４２よりも小さく、第１補強基板４０は、端子領域１１１を覆っていない。そのため、本実施形態の放射線検出器１０は、フレキシブルケーブル１１２を端子領域１１１にリワークする場合、第１補強基板４０に遮られることなくリワークを行うことができる。従って、本実施形態の放射線検出器１０は、リワーク性に優れる。なお、放射線検出器１０では、第１補強基板４０は端子領域１１１を覆っていないが、第２補強基板４２が、端子領域１１１の部分まで延びているため、端子領域１１１部分における剛性を確保することができる。
［第２実施形態］
　次に、第２実施形態について説明する。図７は、本実施形態の放射線検出器１０を、基材１１の第１の面１１Ａ側からみた平面図である。また、図８は、図７における放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図である。
　図７及び図８に示すように、本実施形態の放射線検出器１０では、第１補強基板４０が、端子領域１１１の一部の領域を覆っている点で、第１実施形態の放射線検出器１０（図２及び図３参照）と異なっている。
　第１補強基板４０の大きさ、具体的には、ＴＦＴ基板１２（基材１１）を覆う面積が大きいほど、剛性を確保する点では好ましいが、端子領域１１１全体を覆ってしまうと、上述したように、第１補強基板４０が邪魔になり、フレキシブルケーブル１１２のリワーク性を損なう。そこで、本実施形態の放射線検出器１０は、第１補強基板４０が、端子領域１１１の一部の領域まで覆う。具体的には、図７及び図８に示すように、端子領域１１１は、第１補強基板４０に覆われる第１領域１１１Ｃと、第１補強基板４０に覆われない第２領域１１１Ｄとを有する。
　第１領域１１１Ｃの大きさ（面積）が大きくなるほど、換言すると、第１補強基板４０に覆われる端子領域１１１の部分が大きくなるほど、リワーク性が損なわれる懸念が高くなる。リワーク性を考慮した場合、第１領域１１１Ｃの大きさは、第２領域１１１Ｄよりも小さいことが好ましい。また、第１領域１１１Ｃにおける、基材１１の内部側の一端部から基材１１の外縁側の他端部までの長さｈは、端子領域１１１における、基材１１の内部側の一端部から基材１１の外縁側の他端部までの長さＨの１／４以下（ｈ≦１／４×Ｈ）がより好ましい。
　このように、本実施形態の放射線検出器１０においても、リワーク性を損なうことなく、放射線検出器１０の剛性を確保し、ＴＦＴ基板１２に不具合が生じるのを抑制することができる。
［第３実施形態］
　次に、第３実施形態について説明する。図９は、本実施形態の放射線検出器１０を、基材１１の第１の面１１Ａ側からみた平面図である。また、図１０Ａは、図９における放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図であり、図１０Ｂは、図９における放射線検出器１０のＢ－Ｂ線断面図である。
　図９、図１０Ａ、及び図１０Ｂに示すように、本実施形態の放射線検出器１０では、第１補強基板４０が、基材１１（ＴＦＴ基板１２）の端子領域１１１以外の領域を全て覆う点で、第１実施形態の放射線検出器１０（図２及び図３参照）と異なっている。図９及び図１０Ａに示すように、第１補強基板４０は、端子領域１１１に対応する位置に切り欠き部４０Ａが設けられており、端子領域１１１に対応する領域は覆っていない。一方、図９及び図１０Ｂに示すように、第１補強基板４０は、端子領域１１１が設けられていない領域では、基材１１（ＴＦＴ基板１２）の端部（外縁）まで覆っている。
　このように、本実施形態の放射線検出器１０では、第１補強基板４０の、端子領域１１１に対応する領域に切り欠き部４０Ａを設けることで、端子領域１１１が並ぶ基材１１の辺における、端子領域１１１と端子領域１１１との間の領域も第１補強基板４０により覆う。そのため、第１補強基板４０がＴＦＴ基板１２（基材１１）を覆う面積がより大きくなるため、より高い剛性を確保することができる。また、端子領域１１１は、第１補強基板４０に覆われてないため、フレキシブルケーブル１１２のリワーク性が損なわれない。
　このように、本実施形態の放射線検出器１０においても、リワーク性を損なうことなく、放射線検出器１０の剛性を確保し、ＴＦＴ基板１２に不具合が生じるのを抑制することができる。
　以上説明したように、上記各実施形態の放射線検出器１０は、ＴＦＴ基板１２と、変換層１４と、第１補強基板４０と、第２補強基板４２と、を備える。ＴＦＴ基板１２は、可撓性の基材１１の第１の面１１Ａの画素領域３５に、放射線Ｒから変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素３０が形成されかつ、第１の面１１Ａの端子領域１１１に、フレキシブルケーブル１１２を電気的に接続するための端子１１３が設けられている。変換層１４は、基材１１の第１の面１１Ａにおける端子領域１１１外に設けられ、放射線Ｒを光に変換する。第１補強基板４０は、変換層１４におけるＴＦＴ基板１２側の面と反対側の面に設けられ、基材１１よりも剛性が高い。第２補強基板４２は、基材１１の第１の面１１Ａと反対側の第２の面１１Ｂに設けられ、第１補強基板４０よりも大きな面を覆う。
　上記各実施形態の放射線検出器１０では、基材１１よりも剛性が高い第１補強基板４０と、第１補強基板４０よりも大きな面を覆う第２補強基板４２とで、ＴＦＴ基板１２を挟み込むため、ＴＦＴ基板１２（基材１１）の撓みを抑制し、放射線検出器１０の剛性を確保することができる。そのため、放射線検出器１０によれば、ＴＦＴ基板１２が撓むことによってＴＦＴ基板１２に不具合が生じるのを抑制することができる。
　また、上記各実施形態の放射線検出器１０では、第１補強基板４０が第２補強基板４２よりも小さな面を覆っているため、第１補強基板４０により、端子領域１１１が覆われることを抑制することができる。そのため、放射線検出器１０によれば、フレキシブルケーブル１１２等のリワーク性が損なわれるのを抑制することができる。
　従って、上記各実施形態の放射線検出器１０によれば、ＴＦＴ基板１２に不具合が生じるのを抑制することができ、かつリワーク性に優れる。
　なお、本開示の放射線検出器１０は、上記各実施形態で説明した形態に限定されない。例えば、第１補強基板４０の端部等を支持するスペーサ等を設けてもよい。図１１Ａ及び図１１Ｂには、上記第３実施形態の放射線検出器１０において、スペーサ４９を設けた場合の一例の断面図を示す。図１１Ａは、端子領域１１１が設けられており、第１補強基板４０に切り欠き部４０Ａが設けられている領域（図９におけるＡ－Ａ線断面図）に対応している。また、図１１Ｂは、第１補強基板４０がＴＦＴ基板１２（基材１１）の端部まで設けられている領域（図９におけるＢ－Ｂ線断面図）に対応している。このように第１補強基板４０の端部を支持するスペーサ４９を設けることにより、第１補強基板４０の端部が撓むのを抑制することができる。また、スペーサ４９により変換層１４の側面を封止することができるため、防湿性が向上し、変換層１４の劣化が抑制される。
　スペーサ４９も、第１補強基板４０と同様に、端子領域１１１を覆ってしまうとリワーク性が損なわれる。そのため、図１１Ａに示すように、第１補強基板４０を支持するスペーサ４９を設ける場合、スペーサ４９により端子領域１１１を覆わないことが好ましい。換言すると、スペーサ４９は、端子領域１１１の上には設けられないことが好ましい。例えば、第２実施形態の放射線検出器１０のように、第１補強基板４０が、端子領域１１１の上にまで延びている場合であっても、スペーサ４９は、端子領域１１１の上には設けないことが好ましい。
　また例えば、図１２に示すように、放射線検出器１０は、フレキシブルケーブル１１２の周辺を防湿絶縁膜１０９で覆うことが好ましい。図１２に示した例では、防湿絶縁膜１０９は、端子１１３にフレキシブルケーブル１１２が接続された状態において、基材１１の端子領域１１１に対応する領域全体をフレキシブルケーブル１１２の上から覆っている。防湿絶縁膜１０９としては、例えば、ＦＰＤ（Flat Panel Display）用防湿絶縁材料であるタッフィー（登録商標）等が利用可能である。
　また、上記各実施形態の放射線検出器１０では、ＴＦＴ基板１２（基材１１）と第２補強基板４２との大きさが同一である形態について説明したが、ＴＦＴ基板１２と第２補強基板４２とは大きさが異なっていてもよい。
　例えば、放射線検出器１０を放射線画像撮影装置１に適用する場合、放射線検出器１０を収納する筐体１２０（図１６及び図１７参照）等に放射線検出器１０を固定して用いられることがある。このような場合、例えば、図１３Ａに示した一例のように、第２補強基板４２をＴＦＴ基板１２よりも大きくして、フラップ等を設けて、フラップ等の部分を用いて放射線検出器１０の固定を行ってもよい。例えば、第２補強基板４２のフラップ部分に穴を設け、穴を貫通するネジを用いて筐体１２０（図１６及び図１７参照）と固定する形態としてもよい。
　なお、第２補強基板４２をＴＦＴ基板１２よりも大きくする形態は、図１３Ａに示した形態に限定されない。第２補強基板４２を積層された複数の層で構成し、一部の層について、ＴＦＴ基板１２よりも大きくする形態としてもよい。例えば、図１３Ｂに示すように、第２補強基板４２をＴＦＴ基板１２（基材１１）と同程度の大きさを有する第１層４２Ａ、及びＴＦＴ基板１２よりも大きな第２層４２Ｂの２層構造としてもよい。第１層４２Ａと、第２層４２Ｂとは、例えば、両面テープや粘着層等（図示省略）により貼り合わせられる。第１層４２Ａとしては、例えば、上述の第２補強基板４２と同様の材質で形成され、第２補強基板４２と同様の性質を有することが好ましい。また、第２層４２Ｂは、基材１１の第２の面１１Ｂに両面テープや粘着層等（図示省略）により貼り合わせられる。第２層４２Ｂとしては、例えば、アルペット（登録商標）が適用できる。また、第２補強基板４２を複数の層で構成する場合、図１３Ｂに示す形態とは逆に、図１３Ｃに示すように、第１層４２Ａを基材１１の第２の面１１Ｂに貼り合わせる形態としてもよい。
　上述したように、第２補強基板４２に設けたフラップ等を用いて放射線検出器１０を筐体１２０（図１６及び図１７参照）等に固定する場合、フラップ部分を曲げた状態で固定を行う場合がある。曲げる部分の厚みが薄くなるほど、第２補強基板４２のフラップ部分が曲げ易くなり、放射線検出器１０本体に影響を与えず、フラップ部分のみを曲げることができる。そのため、フラップ部分等を屈曲させる場合、図１３Ｂ及び図１３Ｃに示した一例のように、第２補強基板４２を積層された複数の層で構成し、一部の層についてＴＦＴ基板１２よりも大きくする形態とすることが好ましい。
　また、図１４に示した例のように、上記図１３Ａ～図１３Ｃの放射線検出器１０とは逆に、第２補強基板４２をＴＦＴ基板１２よりも小さくしてもよい。ＴＦＴ基板１２の端部が、第２補強基板４２の端部よりも外部に位置していることにより、例えば、放射線検出器１０を筐体１２０（図１６及び図１７参照）に収納する等、組み立てを行う場合に、ＴＦＴ基板１２の端部の位置が確認し易くなるため、位置決めの精度を向上させることができる。なお、図１４に示した形態に限定されず、ＴＦＴ基板１２（基材１１）の端部の少なくとも一部が、第２補強基板４２よりも外部に位置していれば、同様の効果が得られるため好ましい。
　また、図１５に示した一例のように、基材１１と画素３０、特に画素３０のＴＦＴ３２のゲート電極８０との間には、無機材料による層９０が設けられていることが好ましい。図１５に示した一例の場合の無機材料としては、ＳｉＮｘや、ＳｉＯｘ等が挙げられる。ＴＦＴ３２のドレイン電極８１と、ソース電極８２とは同じ層に形成されており、ドレイン電極８１及びソース電極８２が形成された層と、基材１１との間にゲート電極８０が形成されている。また、基材１１とゲート電極８０との間に、無機材料による層９０が設けられている。
　また、上記各実施形態では、図１に示したように画素３０がマトリクス状に２次元配列されている態様について説明したがこれに限らず、例えば、１次元配列であってもよいし、ハニカム配列であってもよい。また、画素３０の形状も限定されず、矩形であってもよいし、六角形等の多角形であってもよい。さらに、画素アレイ３１（画素領域３５）の形状も限定されないことはいうまでもない。
　また、変換層１４の形状等も上記各実施形態に限定されない。上記各実施形態では、変換層１４の形状が画素アレイ３１（画素領域３５）の形状と同様に矩形状である態様について説明したが、変換層１４の形状は、画素アレイ３１（画素領域３５）と同様の形状でなくてもよい。また、画素アレイ３１（画素領域３５）の形状が、矩形状ではなく、例えば、その他の多角形であってもよいし、円形であってもよい。
　なお、上述した放射線検出器１０の製造方法では、ＴＦＴ基板１２を、支持体４００からメカニカル剥離により、剥離する工程について説明したが、剥離方法は、説明した形態に限定されない。例えば、支持体４００のＴＦＴ基板１２が形成されている反対側の面からレーザを照射して、ＴＦＴ基板１２の剥離を行う、いわゆる、レーザ剥離を行う形態としてもよい。この場合であっても、放射線検出器１０によれば、ＴＦＴ基板１２を支持体４００から剥離した後、放射線検出器１０が単体で扱われる場合に、変換層１４がＴＦＴ基板１２から剥離するのを抑制することができる。
　なお、上記各実施形態の放射線検出器１０は、ＩＳＳ方式の放射線画像撮影装置に適用してもよいし、変換層１４側から放射線Ｒが照射されるＰＳＳ（Penetration Side Sampling）方式の放射線画像撮影装置に適用してもよい。
　図１６には、ＩＳＳ方式の放射線画像撮影装置１に第１実施形態の放射線検出器１０を適用した状態の一例の断面図を示す。
　図１６に示すように、筐体１２０内には、放射線検出器１０、電源部１０８、及び制御基板１１０が放射線の入射方向と交差する方向に並んで設けられている。放射線検出器１０は、被写体を透過した放射線が照射される筐体１２０の撮影面１２０Ａ側に、画素アレイ３１の変換層１４が設けられていない側が対向するように設けられている。本実施形態の撮影面１２０Ａが、本開示の照射面の一例である。
　制御基板１１０は、画素アレイ３１の画素３０から読み出された電荷に応じた画像データを記憶する画像メモリ３８０や画素３０からの電荷の読み出し等を制御する制御部３８２等が形成された基板である。制御基板１１０は、複数の信号配線を含むフレキシブルケーブル１１２により画素アレイ３１の画素３０と電気的に接続されている。なお、図１６に示した放射線画像撮影装置１では、制御部３８２の制御により画素３０のＴＦＴ３２のスイッチング状態を制御する駆動部１０３、及び画素３０から読み出された電荷に応じた画像データを生成して出力する信号処理部１０４がフレキシブルケーブル１１２上に設けられた、いわゆる、ＣＯＦ（Chip On Film）としている。なお、本実施形態に限定されず、駆動部１０３及び信号処理部１０４の少なくとも一方が制御基板１１０に形成されていてもよい。
　また、制御基板１１０は、電源線１１４により、制御基板１１０に形成された画像メモリ３８０や制御部３８２等に電源を供給する電源部１０８と接続されている。
　筐体１２０は、軽量であり、放射線Ｒ、特にＸ線の吸収率が低く、且つ高剛性であることが好ましく、弾性率が十分に高い材料により構成されることが好ましい。筐体１２０の材料として、曲げ弾性率が１００００ＭＰａ以上である材料を用いることが好ましい。筐体１２０の材料としては、２００００～６００００ＭＰａ程度の曲げ弾性率を有するカーボンまたはＣＦＲＰ（Carbon Fiber Reinforced Plastics）を好適に用いることができる。
　放射線画像撮影装置１による放射線画像の撮影においては、筐体１２０の撮影面１２０Ａに被写体からの荷重が印加される。筐体１２０の剛性が不足する場合、被写体からの荷重によりＴＦＴ基板１２に撓みが生じ、画素１６が損傷する等の不具合が発生するおそれがある。１００００ＭＰａ以上の曲げ弾性率を有する材料からなる筐体１２０内部に、放射線検出器１０が収容されることで、被写体からの荷重によるＴＦＴ基板１２の撓みを抑制することが可能となる。
　図１６に示した放射線画像撮影装置１の筐体１２０内には、放射線検出器１０を透過した放射線が出射される側にシート１１６がさらに設けられている。シート１１６としては、例えば、銅製のシートが挙げられる。銅製のシートは入射する放射線によって２次放射線を発生し難く、よって、後方、すなわち変換層１４側への散乱を防止する機能を有する。なお、シート１１６は、少なくとも変換層１４の放射線が出射する側の面全体を覆い、また、変換層１４全体を覆うことが好ましい。
　また、図１６に示した放射線画像撮影装置１の筐体１２０内には、放射線が入射される側（撮影面１２０Ａ側）に保護層１１７がさらに設けられている。保護層１１７としては、アルペット（登録商標）のシート、パリレン（登録商標）膜、及びポリエチレンテレフタレート等の絶縁性のシート等の防湿膜が適用できる。保護層１１７は、画素アレイ３１に対する防湿機能及び帯電防止機能を有している。そのため、保護層１１７は、少なくとも画素アレイ３１の放射線が入射される側の面全体を覆うことが好ましく、放射線が入射される側のＴＦＴ基板１２の面全体を覆うことが好ましい。
　なお、図１６では、電源部１０８及び制御基板１１０の両方を放射線検出器１０の一方の側、具体的には、矩形状の画素アレイ３１の一方の辺の側に設けた形態を示したが、電源部１０８及び制御基板１１０を設ける位置は図１６に示した形態に限定されない。例えば、電源部１０８及び制御基板１１０を、画素アレイ３１の対向する２辺の各々に分散させて設けてもよいし、隣接する２辺の各々に分散させて設けてもよい。
　また、図１７には、ＩＳＳ方式の放射線画像撮影装置１に第１実施形態の放射線検出器１０を適用した状態の他の例の断面図を示す。
　図１７に示すように、筐体１２０内には、電源部１０８及び制御基板１１０が放射線の入射方向と交差する方向に並んで設けられており、放射線検出器１０と電源部１０８及び制御基板１１０とは放射線の入射方向に並んで設けられている。
　また、図１７に示した放射線画像撮影装置１では、制御基板１１０及び電源部１０８とシート１１６との間に、放射線検出器１０及び制御基板１１０を支持する基台１１８が設けられている。基台１１８には、例えば、カーボン等が用いられる。
［その他の実施形態］
　まず、図１８～図４４を参照して第１補強基板４０の他の実施形態について説明する。なお、変換層１４を気相堆積法を用いて形成した場合、図１８～図３９に示すように、変換層１４は、その外縁に向けて厚さが徐々に薄くなる傾斜を有して形成される。以下において、製造誤差及び測定誤差を無視した場合の厚さが略一定とみなせる、変換層１４の中央領域を中央部１４Ａという。また、変換層１４の中央部１４Ａの平均厚さに対して例えば９０％以下の厚さを有する、変換層１４の外周領域を周縁部１４Ｂという。すなわち、変換層１４は、周縁部１４ＢにおいてＴＦＴ基板１２に対して傾斜した傾斜面を有する。
　図１８～図３９に示すように、変換層１４と第１補強基板４０との間には、粘着層６０、反射層６２、接着層６４、保護層６５、及び粘着層４８が設けられていてもよい。
　粘着層６０は、変換層１４の中央部１４Ａ及び周縁部１４Ｂを含む変換層１４の表面全体を覆っている。粘着層６０は、反射層６２を変換層１４上に固定する機能を有する。粘着層６０は、光透過性を有していることが好ましい。粘着層６０の材料として、例えば、アクリル系粘着剤、ホットメルト系粘着剤、及びシリコーン系接着剤を用いることが可能である。アクリル系粘着剤としては、例えば、ウレタンアクリレート、アクリル樹脂アクリレート、及びエポキシアクリレート等が挙げられる。ホットメルト系粘着剤としては、例えば、ＥＶＡ（エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂）、ＥＡＡ（エチレンとアクリル酸の共重合樹脂）、ＥＥＡ（エチレン－エチルアクリレート共重合樹脂）、及びＥＭＭＡ（エチレン－メタクリル酸メチル共重合体）等の熱可塑性プラスチックが挙げられる。粘着層６０の厚さは、２μｍ以上、７μｍ以下であることが好ましい。粘着層６０の厚さを２μｍ以上とすることで、反射層６２を変換層１４上に固定する効果を十分に発揮することができる。更に、変換層１４と反射層６２との間に空気層が形成されるリスクを抑制することができる。変換層１４と反射層６２との間に空気層が形成されると、変換層１４から発せられた光が、空気層と変換層１４との間、及び空気層と反射層６２との間で反射を繰り返す多重反射を生じるおそれがある。また、粘着層６０の厚さを７μｍ以下とすることで、ＭＴＦ（Modulation Transfer Function）及びＤＱＥ（Detective Quantum Efficiency）の低下を抑制することが可能となる。
　反射層６２は、粘着層６０の表面全体を覆っている。反射層６２は、変換層１４で変換された光を反射する機能を有する。反射層６２は有機系材料によって構成されていることが好ましい。反射層６２の材料として、例えば、白ＰＥＴ、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、発泡白ＰＥＴ、ポリエステル系高反射シート、及び鏡面反射アルミ等を用いることができる。反射層６２の厚さは、１０μｍ以上、４０μｍ以下であることが好ましい。
　接着層６４は反射層６２の表面全体を覆っている。接着層６４の端部は、ＴＦＴ基板１２の表面にまで延在している。すなわち、接着層６４は、その端部においてＴＦＴ基板１２に接着している。接着層６４は、反射層６２及び保護層６５を変換層１４に固定する機能を有する。接着層６４の材料として、粘着層６０の材料と同じ材料を用いることが可能であるが、接着層６４が有する接着力は、粘着層６０が有する接着力よりも大きいことが好ましい。
　保護層６５は、上述した各実施形態の放射線検出器１０における保護層２２に相当する機能を有し、接着層６４の表面全体を覆っている。すなわち、保護層６５は、変換層１４の全体を覆うとともに、その端部がＴＦＴ基板１２の一部を覆うように設けられている。保護層６５は、変換層１４への水分の浸入を防止する防湿膜として機能する。保護層６５の材料として、例えば、ＰＥＴ、ＰＰＳ、ＯＰＰ、ＰＥＮ、ＰＩ等の有機材料を含む有機膜を用いることができる。また、保護層６５として、アルペット（登録商標）のシートを用いてもよい。
　第１補強基板４０は、保護層６５の表面に粘着層４８を介して設けられている。粘着層４８の材料として、例えば、粘着層６０及び粘着層４８の材料と同じ材料を用いることが可能である。
　図１８に示す例では、第１補強基板４０は、変換層１４の中央部１４Ａ及び周縁部１４Ｂに対応する領域に延在しており、第１補強基板４０の外周部は、変換層１４の周縁部１４Ｂにおける傾斜に沿って折り曲げられている。第１補強基板４０は、変換層１４の中央部１４Ａに対応する領域及び周縁部１４Ｂに対応する領域の双方において、粘着層４８を介して保護層６５に接着されている。図１８に示す例では、第１補強基板４０の端部は、変換層１４の周縁部１４Ｂに対応する領域に配置されている。
　図１９に示すように、第１補強基板４０は、変換層１４の中央部１４Ａに対応する領域にのみ設けられていてもよい。この場合、第１補強基板４０は、変換層１４の中央部１４Ａに対応する領域において粘着層４８を介して保護層６５に接着される。
　図２０に示すように、第１補強基板４０が変換層１４の中央部１４Ａ及び周縁部１４Ｂに対応する領域に延在している場合において、第１補強基板４０は、変換層１４２の外周部における傾斜に沿った折り曲げ部を有していなくてもよい。この場合、第１補強基板４０は、変換層１４の中央部１４Ａに対応する領域において、粘着層４８を介して保護層６５に接着される。変換層１４の周縁部１４Ｂに対応する領域において、変換層１４（保護層６５）と第１補強基板４０との間には、変換層１４の周縁部１４Ｂにおける傾斜に応じた空間が形成される。
　ここで、ＴＦＴ基板１２の外周部の続領域に設けられる端子１１３には、フレキシブルケーブル１１２が接続される。ＴＦＴ基板１２は、フレキシブルケーブル１１２を介して制御基板（制御基板１１０、図５１等参照）に接続される。ＴＦＴ基板１２に撓みが生じた場合、フレキシブルケーブル１１２がＴＦＴ基板１２から剥離したり、位置ズレを生じたりするおそれがある。この場合、フレキシブルケーブル１１２とＴＦＴ基板１２との接続をやり直す作業が必要となる。このフレキシブルケーブル１１２とＴＦＴ基板１２との接続をやり直す作業は、上述したようにリワークと呼ばれる。図１８～図２０に示すように、第１補強基板４０の端部を変換層１４の端部よりも内側に配置することで、第１補強基板４０が、接続領域の近傍にまで延在している場合と比較して、容易にリワークを行うことができる。
　図２１～図２４Ｂに示すように、第１補強基板４０は、その端部が、変換層１４の端部よりも外側に配置され、且つＴＦＴ基板１２上にまで延在する接着層６４及び保護層６５の端部に揃うように設けられていてもよい。なお、第１補強基板４０の端部の位置と、接着層６４及び保護層６５の端部の位置とが完全に一致していることを要しない。
　図２１に示す例では、第１補強基板４０は、変換層１４の中央部１４Ａに対応する領域において、粘着層４８を介して保護層６５に接着されている。また、変換層１４の周縁部１４Ｂに対応する領域及びさらに、その外側の領域において、変換層１４（保護層６５）と第１補強基板４０との間には、変換層１４の周縁部１４Ｂにおける傾斜に応じた空間が形成されている。
　図２２に示す例では、変換層１４の周縁部１４Ｂに対応する領域、及びさらにその外側の領域において、変換層１４（保護層６５）と第１補強基板４０との間に形成された空間に充填材７０が設けられている。充填材７０の材料は特に限定されず、例えば、樹脂を用いることが可能である。なお、図２２に示す例では、第１補強基板４０を充填材７０に固定するために、粘着層４８が第１補強基板４０と充填材７０との間の全域に設けられている。
　充填材７０を形成する方法は特に限定されない。例えば、粘着層６０、反射層６２、接着層６４及び保護層６５で覆われた変換層１４上に、粘着層４８及び第１補強基板４０を順次形成した後、変換層１４（保護層６５）と第１補強基板４０との間に形成された空間に、流動性を有する充填材７０を注入し、充填材７０を硬化させてもよい。また、例えば、ＴＦＴ基板１２上に変換層１４、粘着層６０、反射層６２、接着層６４及び保護層６５を順次形成した後、充填材７０を形成し、粘着層６０、反射層６２、接着層６４及び保護層６５で覆われた変換層１４及び充填材７０を覆う状態に、粘着層４８及び第１補強基板４０を順次形成してもよい。
　このように、変換層１４（保護層６５）と第１補強基板４０との間に形成された空間に、充填材７０を充填することで、図２１に示す形態と比較して、第１補強基板４０の変換層１４（保護層６５）からの剥離を抑制することができる。さらに、変換層１４は、第１補強基板４０及び充填材７０の双方によりＴＦＴ基板１２に固定される構造となるため、変換層１４のＴＦＴ基板１２からの剥離を抑制することが可能となる。
　図２３に示す例では、第１補強基板４０の外周部は、変換層１４の周縁部１４Ｂにおける傾斜に沿って折り曲げられており、且つ接着層６４及び保護層６５がＴＦＴ基板１２上を覆う部分をも覆っている。また、第１補強基板４０の端部は、接着層６４及び保護層６５の端部に揃っている。なお、第１補強基板４０の端部の位置と、接着層６４及び保護層６５の端部の位置とが完全に一致していることを要しない。
　第１補強基板４０、粘着層４８、保護層６５、及び接着層６４の端部は、封止部材７２によって封止されている。封止部材７２は、ＴＦＴ基板１２の表面から第１補強基板４０の表面に亘る領域であり、且つ画素領域３５を覆わない領域に設けられていることが好ましい。封止部材７２の材料として、樹脂を用いることができ、特に熱可塑性樹脂が好ましい。具体的には、アクリル糊、及びウレタン系の糊等を封止部材７２として用いることができる。第１補強基板４０は、保護層６５と比較して剛性が高く、第１補強基板４０の折り曲げ部において、折り曲げを解消しようとする復元力が作用し、これによって保護層６５が剥離するおそれがある。第１補強基板４０、粘着層４８、保護層６５及び接着層６４の端部を封止部材７２によって封止することで、保護層６５の剥離を抑制することが可能となる。
　　図２４Ａ及び図２４Ｂは、変換層１４の端部に対応する領域を、第１補強基板４０の表面にさらに別の第１補強基板４０Ｂを積層する形態である。図２４Ａに示す例では、図２２に示す形態と同様、変換層１４の周縁部１４Ｂに対応する領域、及びさらにその外側の領域において、変換層１４（保護層６５）と第１補強基板４０との間に形成された空間に充填材７０が設けられている。また、変換層１４の端部に対応する領域において、第１補強基板４０の表面にさらに別の第１補強基板４０Ｂが、粘着層４８Ａを介して積層されている。より具体的には、第１補強基板４０Ｂは、変換層１４の端部（外縁、エッジ）を跨ぐ領域に設けられている。第１補強基板４０Ｂは、第１補強基板４０と同一の材料で構成されていてもよい。
　図２４Ｂは、図２４Ａに示した形態の放射線検出器１０において、第１補強基板４０Ｂを、変換層１４の端部から中央部１４Ａにまで延ばした形態の一例である。なお、図２４Ｂに示した第１補強基板４０Ｂは、第１補強基板４０の全面に亘って設けられている。第１補強基板４０Ｂの材料がカーボン等、放射線の吸収が少ない材料である場合、ＰＳＳ方式及びＩＳＳ方式のいずれにおいても、放射線Ｒが第１補強基板４０Ｂに吸収されることで変換層１４に到達する放射線Ｒが減少してしまうのを抑制することができる。なお、図２４Ａ及び図２４Ｂのいずれの場合においても、第１補強基板４０Ｂの曲げ弾性率は、第１補強基板４０及び第２補強基板４２の各々よりも大きいことが好ましい。第１補強基板４０Ｂの曲げ弾性率の好ましい具体例としては、８０００ＭＰａ以上が挙げられる。
　放射線検出器１０は、変換層１４の端部において、ＴＦＴ基板１２の撓み量が比較的大きい。図２４Ａ及び図２４Ｂに示した放射線検出器１０では、変換層１４の端部に対応する領域において、第１補強基板４０及び４０Ｂによる積層構造を形成することで、変換層１４の端部におけるＴＦＴ基板１２の撓みを抑制する効果を促進させることが可能となる。
　図２１～図２４Ｂに示すように、第１補強基板４０の端部が変換層１４の端部よりも外側に配置され且つ接着層６４及び保護層６５の端部に揃う状態に設けられる場合においても、第１補強基板４０が、接続領域の近傍にまで延在している場合と比較して、容易にリワークを行うことができる。
　また、図２５～図２８Ｂに示すように、第１補強基板４０は、その端部が、ＴＦＴ基板１２上にまで延在する接着層６４及び保護層６５の端部よりも外側であり、且つＴＦＴ基板１２の端部よりも内側に位置するように設けられていてもよい。
　図２５に示す例では、第１補強基板４０は、変換層１４の中央部１４Ａに対応する領域において、粘着層４８を介して保護層６５に接着されており、変換層１４の周縁部１４Ｂに対応する領域、及びさらにその外側の領域において、変換層１４（保護層６５）と第１補強基板４０との間、及びＴＦＴ基板１２と第１補強基板４０との間には、変換層１４の周縁部１４Ｂにおける傾斜に応じた空間が形成されている。
　図２６に示す例では、第１補強基板４０の端部がスペーサ４９によって支持されている。すなわち、スペーサ４９の一端はＴＦＴ基板１２の基材１１の第１の面１１Ａに接続され、スペーサ４９の他端は接着層４７を介して第１補強基板４０の端部に接続されている。ＴＦＴ基板１２との間に空間を形成しつつ延伸する第１補強基板４０の端部をスペーサ４９によって支持することで、第１補強基板４０の剥離を抑制することが可能となる。また、ＴＦＴ基板１２の端部近傍にまで第１補強基板４０による撓み抑制効果を作用させることができる。なお、スペーサ４９を設けることに代えて、若しくはスペーサ４９を設けることに加えて、図２２に示す例に倣って、変換層１４（保護層６５）と第１補強基板４０との間、及びＴＦＴ基板１２と第１補強基板４０との間に形成された空間に充填材を充填してもよい。
　図２７に示す例では、第１補強基板４０の外周部が、変換層１４の周縁部１４Ｂにおける傾斜に沿って折り曲げられており、且つ接着層６４及び保護層６５がＴＦＴ基板１２上を覆う部分、及びその外側のＴＦＴ基板１２上をも覆っている。すなわち、接着層６４及び保護層６５の端部が、第１補強基板４０によって封止されている。第１補強基板４０のＴＦＴ基板１２上に延在する部分は、粘着層４８を介してＴＦＴ基板１２に接着されている。このように、接着層６４及び保護層６５の端部を第１補強基板４０によって覆うことで、保護層６５の剥離を抑制することが可能である。なお、図２３に記載の例に倣って、封止部材７２を用いて、第１補強基板４０の端部を封止してもよい。
　図２８Ａ及び図２８Ｂは、変換層１４の端部に対応する領域を、第１補強基板４０の表面にさらに別の第１補強基板４０Ｂを積層する形態である。図２８Ａに示す例では、第１補強基板４０の端部がスペーサ４９によって支持されている形態において、第１補強基板４０の表面の、変換層１４の端部に対応する領域に、さらに別の第１補強基板４０Ｂが、粘着層４８Ａを介して積層されている。より具体的には、第１補強基板４０Ｂは、変換層１４の端部（外縁、エッジ）を跨ぐ領域に設けられている。第１補強基板４０Ｂは、第１補強基板４０と同一の材料で構成されていてもよい。
　図２８Ｂは、図２８Ａに示した形態の放射線検出器１０において、第１補強基板４０Ｂを、変換層１４の端部から中央部１４Ａにまで延ばした形態の一例である。なお、図２８Ｂに示した第１補強基板４０Ｂは、第１補強基板４０の全面に亘って設けられている。第１補強基板４０Ｂの材料がカーボン等、放射線の吸収が少ない材料である場合、ＰＳＳ方式及びＩＳＳ方式のいずれにおいても、放射線Ｒが第１補強基板４０Ｂに吸収されることで変換層１４に到達する放射線Ｒが減少してしまうのを抑制することができる。なお、図２８Ａ及び図２８Ｂのいずれの場合においても、第１補強基板４０Ｂの曲げ弾性率は、第１補強基板４０及び第２補強基板４２の各々よりも大きいことが好ましい。第１補強基板４０Ｂの曲げ弾性率の好ましい具体例としては、８０００ＭＰａ以上が挙げられる。
　放射線検出器１０は、変換層１４の端部におけるＴＦＴ基板１２の撓み量が比較的大きい。図２８Ａ及び図２８Ｂに示した放射線検出器１０では、変換層１４の端部に対応する領域において、第１補強基板４０及び４０Ｂによる積層構造を形成することで、変換層１４の端部におけるＴＦＴ基板１２の撓みを抑制する効果を促進させることが可能となる。なお、スペーサ４９を設けることに代えて、図２２に示す例に倣って、変換層１４（保護層６５）と第１補強基板４０との間、及びＴＦＴ基板１２と第１補強基板４０との間に形成された空間に充填材７０を充填してもよい。
　なお、ＴＦＴ基板１２の端子領域１１１に対応する領域以外については、図２９～図３３Ｂに示すように、第１補強基板４０は、その端部が、ＴＦＴ基板１２の端部に揃うように設けられていてもよい。なお、第１補強基板４０の端部の位置とＴＦＴ基板１２の端部の位置とが完全に一致していることを要しない。
　図２９に示す例では、第１補強基板４０は、変換層１４の中央部１４Ａに対応する領域において、粘着層４８を介して保護層６５に接着されている。変換層１４の周縁部１４Ｂに対応する領域、及びさらにその外側の領域において、変換層１４（保護層６５）と第１補強基板４０との間、及びＴＦＴ基板１２と第１補強基板４０との間には、変換層１４の周縁部１４Ｂにおける傾斜に応じた空間が形成されている。
　図３０に示す例では、第１補強基板４０の端部がスペーサ４９によって支持されている。すなわち、スペーサ４９の一端は、ＴＦＴ基板１２の端部に設けられるフレキシブルケーブル１１２に接続され、スペーサ４９の他端は接着層４７を介して第１補強基板４０の端部に接続されている。ＴＦＴ基板１２との間に空間を形成しつつ延伸する第１補強基板４０の端部を、スペーサ４９によって支持することで、第１補強基板４０の剥離を抑制することが可能となる。また、ＴＦＴ基板１２の端部近傍にまで第１補強基板４０による撓み抑制効果を作用させることができる。
　図３１に示す例では、変換層１４（保護層６５）と第１補強基板４０との間、及びＴＦＴ基板１２と第１補強基板４０との間に形成された空間に充填材７０が充填されている。本実施形態において、フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が充填材７０によって覆われている。このように、変換層１４（保護層６５）と第１補強基板４０との間、及びＴＦＴ基板１２と第１補強基板４０との間に形成された空間に充填材７０が充填されることで、図２９に示す形態と比較して、第１補強基板４０の変換層１４（保護層６５）からの剥離を抑制することができる。さらに、変換層１４は、第１補強基板４０及び充填材７０の双方によりＴＦＴ基板１２に固定される構造となるため、変換層１４のＴＦＴ基板１２からの剥離を抑制することが可能となる。また、フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が充填材７０によって覆われることで、フレキシブルケーブル１１２の剥離を抑制することが可能となる。
　図３２に示す例では、第１補強基板４０の外周部が、変換層１４の周縁部１４Ｂにおける傾斜に沿う状態に折り曲げられており、且つ接着層６４及び保護層６５がＴＦＴ基板１２上を覆う部分、その外側の基板上、及び端子１１３とフレキシブルケーブル１１２との接続部をも覆っている。第１補強基板４０のＴＦＴ基板１２上及びフレキシブルケーブル１１２上に延在する部分は、それぞれ、粘着層４８を介してＴＦＴ基板１２及びフレキシブルケーブル１１２に接着されている。フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が撓み第１補強基板４０によって覆われることで、フレキシブルケーブル１１２の剥離を抑制することが可能となる。また、フレキシブルケーブル１１２の他端には、電子部品を搭載した制御基板が接続されることが想定されることから、フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部において、ＴＦＴ基板１２に比較的大きな撓みが生じるおそれがある。フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が、第１補強基板４０によって覆われることで、当該部分におけるＴＦＴ基板１２の撓みを抑制することが可能となる。
　図３３Ａ及び図３３Ｂは、変換層１４の端部に対応する領域を、第１補強基板４０の表面にさらに別の第１補強基板４０Ｂを積層する形態である。図３３Ａに示す例では、変換層１４（保護層６５）と第１補強基板４０との間、及びＴＦＴ基板１２と第１補強基板４０との間に形成された空間に充填材７０が充填されている。また、変換層１４の端部に対応する領域において、第１補強基板４０の表面にさらに別の撓み第１補強基板４０Ｂが、粘着層４８Ａを介して積層されている。より具体的には、第１補強基板４０Ｂは、変換層１４の端部（外縁、エッジ）を跨ぐ領域に設けられている。第１補強基板４０Ｂは、第１補強基板４０と同一の材料で構成されていてもよい。
　図３３Ｂは、図３３Ａに示した形態の放射線検出器１０において、第１補強基板４０Ｂを、変換層１４の端部から中央部１４Ａにまで延ばした形態の一例である。なお、図３３Ｂに示した第１補強基板４０Ｂは、第１補強基板４０の全面に亘って設けられている。第１補強基板４０Ｂの材料がカーボン等、放射線の吸収が少ない材料である場合、ＰＳＳ方式及びＩＳＳ方式のいずれにおいても、放射線Ｒが第１補強基板４０Ｂに吸収されることで変換層１４に到達する放射線Ｒが減少してしまうのを抑制することができる。なお、図３３Ａ及び図３３Ｂのいずれの場合においても、第１補強基板４０Ｂの曲げ弾性率は、第１補強基板４０及び第２補強基板４２の各々よりも大きいことが好ましい。第１補強基板４０Ｂの曲げ弾性率の好ましい具体例としては、８０００ＭＰａ以上が挙げられる。
　放射線検出器１０は、変換層１４の端部において、ＴＦＴ基板１２の撓み量が比較的大きい。図３３Ａ及び図３３Ｂに示した放射線検出器１０では、変換層１４の端部に対応する領域において、第１補強基板４０及び４０Ｂによる積層構造を形成することで、変換層１４の端部におけるＴＦＴ基板１２の撓みを抑制する効果を促進させることが可能となる。
　また、図３４～図３８Ｂに示すように、第１補強基板４０は、その端部が、ＴＦＴ基板１２の端部よりも外側に位置する状態に設けられていてもよい。
　図３４に示す例では、第１補強基板４０は、変換層１４の中央部１４Ａに対応する領域において、粘着層４８を介して保護層６５に接着されており、変換層１４の周縁部１４Ｂに対応する領域、及びさらにその外側の領域において、変換層１４（保護層６５）と第１補強基板４０との間、及びＴＦＴ基板１２と第１補強基板４０との間には、変換層１４の周縁部１４Ｂにおける傾斜に応じた空間が形成されている。
　図３５に示す例では、第１補強基板４０の端部がスペーサ４９によって支持されている。すなわち、スペーサ４９の一端は、ＴＦＴ基板１２の端部に設けられるフレキシブルケーブル１１２に接続され、スペーサ４９の他端は接着層４７を介して第１補強基板４０の端部に接続されている。ＴＦＴ基板１２との間に空間を形成しつつ延伸する第１補強基板４０の端部を、スペーサ４９によって支持することで、第１補強基板４０の剥離を抑制することが可能となる。また、ＴＦＴ基板１２の端部近傍にまで第１補強基板４０による撓み抑制効果を作用させることができる。
　図３６に示す例では、変換層１４（保護層６５）と第１補強基板４０との間、及びＴＦＴ基板１２と第１補強基板４０との間に形成された空間に充填材７０が充填されている。本実施形態において、フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が充填材７０によって覆われている。このように、変換層１４（保護層６５）と第１補強基板４０との間、及びＴＦＴ基板１２と第１補強基板４０との間に形成された空間に充填材７０が充填されることで、図３４に示す形態と比較して、第１補強基板４０の変換層１４（保護層６５）からの剥離を抑制することができる。さらに、変換層１４は、第１補強基板４０及び充填材７０の双方によりＴＦＴ基板１２に固定される構造となるため、変換層１４のＴＦＴ基板１２からの剥離を抑制することが可能となる。また、フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が充填材７０によって覆われることで、フレキシブルケーブル１１２の剥離を抑制することが可能となる。
　図３７に示す例では、第１補強基板４０の外周部が、変換層１４の周縁部１４Ｂにおける傾斜に沿う状態に折り曲げられており、且つ接着層６４及び保護層６５がＴＦＴ基板１２上を覆う部分、その外側の基板上、及び端子１１３とフレキシブルケーブル１１２との接続部をも覆っている。第１補強基板４０のＴＦＴ基板１２上及びフレキシブルケーブル１１２上に延在する部分は、それぞれ、粘着層４８を介してＴＦＴ基板１２及びフレキシブルケーブル１１２に接着されている。フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が第１補強基板４０によって覆われることで、フレキシブルケーブル１１２の剥離を抑制することが可能となる。また、フレキシブルケーブル１１２の他端には、電子部品を搭載した制御基板が接続されることが想定されることから、フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部補愛において、ＴＦＴ基板１２に比較的大きな撓みが生じるおそれがある。フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が、第１補強基板４０によって覆われることで、当該部分におけるＴＦＴ基板１２の撓みを抑制することが可能となる。
　図３８Ａ及び図３８Ｂは、変換層１４の端部に対応する領域を、第１補強基板４０の表面にさらに別の第１補強基板４０Ｂを積層する形態である。図３８Ａに示す例では、変換層１４（保護層６５）と第１補強基板４０との間、及びＴＦＴ基板１２と第１補強基板４０との間に形成された空間に充填材７０が充填されている。また、変換層１４の端部に対応する領域において、第１補強基板４０の表面にさらに別の第１補強基板４０Ｂが、粘着層４８Ａを介して積層されている。より具体的には、第１補強基板４０Ｂは、変換層１４の端部（外縁、エッジ）を跨ぐ領域に設けられている。第１補強基板４０Ｂは、第１補強基板４０と同一の材料で構成されていてもよい。
　図３８Ｂは、図３８Ａに示した形態の放射線検出器１０において、第１補強基板４０Ｂを、変換層１４の端部から中央部１４Ａにまで延ばした形態の一例である。なお、図３８Ｂに示した第１補強基板４０Ｂは、第１補強基板４０の全面に亘って設けられている。第１補強基板４０Ｂの材料がカーボン等、放射線の吸収が少ない材料である場合、ＰＳＳ方式及びＩＳＳ方式のいずれにおいても、放射線Ｒが第１補強基板４０Ｂに吸収されることで変換層１４に到達する放射線Ｒが減少してしまうのを抑制することができる。なお、図３８Ａ及び図３８Ｂのいずれの場合においても、第１補強基板４０Ｂの曲げ弾性率は、第１補強基板４０及び第２補強基板４２の各々よりも大きいことが好ましい。第１補強基板４０Ｂの曲げ弾性率の好ましい具体例としては、８０００ＭＰａ以上が挙げられる。
　放射線検出器１０は、変換層１４の端部において、ＴＦＴ基板１２の撓み量が比較的大きい。図３８Ａ及び図３８Ｂに示した放射線検出器１０では、変換層１４の端部に対応する領域において、第１補強基板４０及び４０Ｂによる積層構造を形成することで、変換層１４の端部におけるＴＦＴ基板１２の撓みを抑制する効果を促進させることが可能となる。
　上述したように、放射線検出器１０の製造工程においては、ガラス基板等の支持体４００に、可撓性を有するＴＦＴ基板１２を貼り付け、ＴＦＴ基板１２上に変換層１４を積層した後、支持体４００をＴＦＴ基板１２から剥離する。このとき、可撓性を有するＴＦＴ基板１２に撓みが生じ、これによってＴＦＴ基板１２上に形成された画素３０が損傷するおそれがある。支持体２００をＴＦＴ基板１２から剥離する前に、図１８～図３８Ｂに例示したような形態で変換層１４上に第１補強基板４０を積層しておくことで、支持体をＴＦＴ基板１２から剥離する際に生じるＴＦＴ基板１２の撓みを抑制することができ、画素３０の損傷のリスクを低減することが可能となる。
　また、第１補強基板４０は、単一の層（単層）に限らず、多層で構成されていてもよい。例えば、図３９に示す例では、放射線検出器１０は、第１補強基板４０、変換層１４に近い方から順に、第１の第１補強基板４０Ｃ、第２の第１補強基板４０Ｄ、及び第３の第１補強基板４０Ｅが積層された３層の多層膜とした形態を示している。
　第１補強基板４０を多層とした場合、第１補強基板４０に含まれる各層は、異なる機能を有していることが好ましい。例えば、図３９に示した一例では、第１の第１補強基板４０Ｃ及び第３の第１補強基板４０Ｅを非導電性の帯電防止機能を有する層とし、第２の補強基板４０Ｄを導電性の層とすることで、第１補強基板４０に電磁シールド機能をもたせてもよい。この場合の第１の第１補強基板４０Ｃ及び第３の第１補強基板４０Ｅとしては、例えば、帯電防止塗料「コルコート」（商品名：コルコート社製）を用いた膜等の帯電防止膜が挙げられる。 また、第２の第１補強基板４０Ｄとしては、例えば、導電性シートや、Ｃｕ等の導電性のメッシュシート等が挙げられる。
　例えば、放射線検出器１０の読取方式がＩＳＳ方式の場合、変換層１４側に制御基板１１０や電源部１０８等が設けられる場合（図５６参照）があるが、このように第１補強基板４０が帯電防止機能を有する場合、制御基板１１０や電源部１０８からの電磁ノイズを遮蔽することができる。
　また、図４０は、第１補強基板４０の構造の一例を示す平面図である。第１補強基板４０は、その主面に複数の貫通孔４０Ｈを有していてもよい。貫通孔４０Ｈの大きさ及びピッチは、第１補強基板４０において所望の剛性が得られるように定められる。
　第１補強基板４０が複数の貫通孔４０Ｈを有することで、第１補強基板４０と変換層１４との接合面に導入される空気を貫通孔４０Ｈから排出させることが可能となる。これにより、第１補強基板４０と変換層１４との接合面における気泡の発生を抑制することが可能となる。
　第１補強基板４０と変換層１４との接合面に導入される空気を排出させる手段が存在しない場合には、上記接合面に気泡が発生するおそれがある。例えば、放射線画像撮影装置１の稼働時における熱により、上記接合面に生じた気泡が膨張すると、第１補強基板４０と変換層１４との密着性が低下する。これにより第１補強基板４０による撓み抑制効果が十分に発揮されないおそれがある。図４０に示すように、複数の貫通孔４０Ｈを有する第１補強基板４０を用いることで、上記のように、第１補強基板４０と変換層１４との接合面における気泡の発生を抑制することができる。そのため、第１補強基板４０と変換層１４との密着性を維持することが可能となり、第１補強基板４０による撓み抑制効果を維持することが可能となる。
　図４１は、第１補強基板４０の構造の他の例を示す斜視図である。図４１に示す例では、第１補強基板４０は、変換層１４との接合面に凹凸構造を有する。この凹凸構造は、図４１に示すように、互いに平行に配置された複数の溝６３を含んで構成されていてもよい。第１補強基板４０は、例えば、図４２に示すように、複数の溝６３による凹凸構造を有する面が、反射層６２で覆われた変換層１４に接合される。このように、第１補強基板４０が変換層１４との接合面に凹凸構造を有することで、第１補強基板４０と変換層１４との接合部に導入される空気を溝６３から排出させることが可能となる。これにより、図４０に示す形態と同様、第１補強基板４０と変換層１４との接合面における気泡の発生を抑制することが可能となる。これにより、第１補強基板４０と変換層１４との密着性を維持することが可能となり、第１補強基板４０による撓み抑制効果を維持することが可能となる。
　図４３及び図４４は、それぞれ、第１補強基板４０の構造の他の例を示す平面図である。図４３及び図４４に示すように、第１補強基板４０は、複数の断片５４に分断されていてもよい。第１補強基板４０は、図４３に示すように、複数の断片５４（図５５５～５４１１）、一方向に配列するように分断されていてもよい。また、第１補強基板４０は、図４４に示すように、複数の断片５４（図５５１～５４４）が、縦方向及び横方向に配列するように分断されていてもよい。
　第１補強基板４０の面積が大きくなる程、第１補強基板４０と変換層１４との接合面に気泡が発生しやすくなる。図４３及び図４４に示すように、第１補強基板４０を複数の断片５４に分断することで、第１補強基板４０と変換層１４との接合面における気泡の発生を抑制することが可能となる。これにより、第１補強基板４０と変換層１４との密着性を維持することが可能となり、第１補強基板４０による撓み抑制効果を維持することが可能となる。
　また、第２補強基板４２のＴＦＴ基板１２（第２の面１１Ｂ）と接する側とは反対の側に、補強部材５２を設けてもよい。図４５～図５０は、それぞれ、補強部材５２の設置形態の例を示す断面図である。
　図４５～図４９に示す例では、第２補強基板４２のＴＦＴ基板１２側の面とは反対側の面には、補強部材５２が、接着層５１を介して積層されている。補強部材５２は、第１補強基板４０と同一の材料で構成されていてもよい。放射線検出器１０をＩＳＳ方式として用いる場合、補強部材５２と画素領域３５とが重なる部分の面積を極力小さくするために、補強部材５２は、ＴＦＴ基板１２の外周部にのみ設けられていることが好ましい。すなわち、補強部材５２は、図４５～図４９に示すように、画素領域３５に対応する部分に開口６１を有する環状であってもよい。このように、ＴＦＴ基板１２の外周部に、第２補強基板４２及び補強部材５２による積層構造を形成することで、比較的撓みが生じやすいＴＦＴ基板１２の外周部の剛性を補強することができる。
　図４５～図４７に示す例では、補強部材５２は、変換層１４の端部（外縁、エッジ）を跨ぐ領域に設けられている。放射線検出器１０では、変換層１４の端部において、ＴＦＴ基板１２の撓み量が比較的大きい。変換層１４の端部に対応する領域において、第２補強基板４２及び補強部材５２による積層構造を形成することで、変換層１４の端部におけるＴＦＴ基板１２の撓みを抑制する効果を促進させることが可能となる。
　放射線検出器１０をＩＳＳ方式として用いる場合において、図４５に示すように、補強部材５２の一部が画素領域３５と重なる場合には、補強部材５２の材質によっては、画像に影響を与えるおそれがある。従って、補強部材５２の一部が画素領域３５と重なる場合には、補強部材５２の材料としてプラスチックを用いることが好ましい。
　図４６及び図４７に示すように、補強部材５２が、変換層１４の端部（外縁、エッジ）を跨ぎ、且つ画素領域３５と重ならない形態（すなわち、補強部材５２の開口６１の端部が、画素領域３５の外側に配置されている形態）が最も好ましい。図４６に示す例では、補強部材５２の開口６１の端部の位置と、画素領域３５の端部の位置とが略一致している。図４７に示す例では、補強部材５２の開口６１の端部が、画素領域３５の端部と変換層１４の端部との間に配置されている。
　また、補強部材５２の開口６１の端部の位置が、図４８に示すように、変換層１４の端部の位置と略一致していてもよく、また、図４９に示すように、変換層１４の端部よりも外側に配置されていてもよい。この場合、補強部材５２が、変換層１４の端部（外縁、エッジ）を跨ぐ構造となっていないため、変換層１４の端部におけるＴＦＴ基板１２の撓みを抑制する効果は低下するおそれがある。しかしながら、フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が存在するＴＦＴ基板１２の外周部において、第２補強基板４２及び補強部材５２による積層構造が形成されることで、フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部におけるＴＦＴ基板１２の撓みを抑制する効果は維持される。
　なお、補強基材５２の材料がカーボン等、放射線の吸収が少ない材料である場合、ＰＳＳ方式及びＩＳＳ方式のいずれにおいても、放射線Ｒが第１補強基板４０Ｂに吸収されることで変換層１４に到達する放射線Ｒが減少してしまうのを抑制することができる。そのため、図５０に示すように、補強基材５２を、開口６１を有さない形状としてもよい。換言すると、補強基材５２が画素領域３５の少なくとも一部を覆っていてもよい。なお、図５０に示した補強基材５２は、第２補強基板４２の全面に亘って設けられている。補強基材５２の曲げ弾性率は、第１補強基板４０及び第２補強基板４２の各々よりも大きいことが好ましい。補強基材５２の曲げ弾性率の好ましい具体例としては、８０００ＭＰａ以上が挙げられる。
　さらに、筐体１２０内に放射線検出器１０を収容した、放射線画像撮影装置１の例について図５１～図５７を参照して説明する。図５１～図５７は、それぞれ、放射線画像撮影装置１の他の構成例を示す図である。
　図５１に示す例では、上記図７に示した放射線画像撮影装置１と同様に、ＩＳＳ方式の放射線画像撮影装置１の一例を示す。また、図５２に示す例では、ＰＳＳ方式の放射線画像撮影装置１の一例を示す。図５１及び図５２に示す例では、放射線検出器１０、制御基板１１０、及び電源部１０８が図中横方向に並置されている構成が例示されている。
　また、図５１及び図５２に示す例では、放射線検出器１０と、筐体１２０の撮影面１２０Ａの内壁との間に、保護層１１７がさらに設けられている。換言すると、放射線Ｒが入射される側である撮影面１２０Ａ側に保護層１１７がさらに設けられている。保護層１１７としては、アルペット（登録商標）のシート、パリレン（登録商標）膜、及びポリエチレンテレフタレート等の絶縁性のシート等の防湿膜が適用できる。保護層１１７は、画素領域３５に対する防湿機能及び帯電防止機能を有している。そのため、保護層１１７は、少なくとも画素領域３５の放射線Ｒが入射される側の面全体を覆うことが好ましく、放射線Ｒが入射される側のＴＦＴ基板１２の面全体を覆うことが好ましい。
　なお、図５１及び図５２では、電源部１０８及び制御基板１１０の両方を放射線検出器１０の一方の側、具体的には、矩形状の画素領域３５の一方の辺の側に設けた形態を示したが、電源部１０８及び制御基板１１０を設ける位置は図５１及び図５２に示した形態に限定されない。例えば、電源部１０８及び制御基板１１０を、画素領域３５の対向する２辺の各々に分散させて設けてもよいし、隣接する２辺の各々に分散させて設けてもよい。
　また、図５１及び図５２に示す例のように、放射線検出器１０、制御基板１１０、及び電源部１０８を、ＴＦＴ基板１２及び変換層１４が積層された方向（積層方向Ｐ）と交差する方向に並べて配置する場合、電源部１０８及び制御基板１１０の各々が設けられている筐体１２０の部分と、放射線検出器１０が設けられている筐体１２０の部分とで、筐体１２０の厚みが異なっていてもよい。
　図５２に示す例のように、電源部１０８及び制御基板１１０の各々の方が、放射線検出器１０よりも厚みを有している場合が多い。このような場合、図５３に示す例のように、電源部１０８及び制御基板１１０の各々が設けられている筐体１２０の部分の厚みよりも、放射線検出器１０が設けられている筐体１２０の部分の厚みの方が薄くてもよい。なお、電源部１０８及び制御基板１１０の各々が設けられている筐体１２０の部分の厚みと、放射線検出器１０が設けられている筐体１２０の部分の厚みとが異なる場合、両部分の境界部に段差が生じていると境界部１２０Ｂに接触した被検者に違和感等を与える懸念がある。そのため、このような場合は、境界部１２０Ｂの形態は傾斜を有する状態とすることが好ましい。
　これにより、放射線検出器１０の厚さに応じた極薄型の可搬型電子カセッテを構成することが可能となる。
　また例えば、この場合、電源部１０８及び制御基板１１０の各々が設けられている筐体１２０の部分と、放射線検出器１０が設けられている筐体１２０の部分とで、筐体１２０の材質が異なっていてもよい。さらに、例えば、電源部１０８及び制御基板１１０の各々が設けられている筐体１２０の部分と、放射線検出器１０が設けられている筐体１２０の部分とが、別体として構成されていてもよい。
　また、上述したように、筐体１２０は、放射線Ｒ、特にＸ線の吸収率が低く、且つ高剛性であることが好ましく、弾性率が十分に高い材料により構成されることが好ましいが、図５４に示す例のように、筐体１２０の撮影面１２０Ａに対応する部分１２０Ｃについて、放射線Ｒの吸収率が低く、且つ高剛性であり、弾性率が十分に高い材料で構成し、その他の部分については、部分１２０Ｃと異なる材料、例えば、部分１２０Ｃよりも弾性率が低い材料で構成してもよい。
　また、図５５に示す例のように、放射線検出器１０と筐体１２０の内壁面とが接していてもよい。この場合、放射線検出器１０と筐体１２０のない壁面とは、接着層を介して接着されていてもよいし、接着層を介さずに単に接触しているだけでもよい。このように、放射線検出器１０と筐体１２０の内壁面とが接していることにより、放射線検出器１０の剛性がより確保される。
　また、図５６に示す例では、上記図８に示した放射線画像撮影装置１と同様に、ＩＳＳ方式の放射線画像撮影装置１の一例を示す。また、図５７に示す例では、ＰＳＳ方式の放射線画像撮影装置１の一例を示す。図５６及び図５７に示す例では、シート１１６及び基台１１８を挟んで、ＴＦＴ基板１２と、制御基板１１０及び電源部１０８とが設けられている。この構成によれば、放射線検出器１０、制御基板１１０及び電源部１０８が図中横方向に並置される場合（図５１～図５５参照）と比較して、放射線画像撮影装置１の平面視におけるサイズを小さくすることができる。
　その他、上記各実施形態で説明した放射線検出器１０等の構成や製造方法等は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることはいうまでもない。
　２０１８年１１月２２日出願の日本国特許出願２０１８－２１９７００号の開示、及び２０１９年２月８日出願の日本国特許出願２０１９－０２２１２７号の開示は、その全体が参照により本明細書に取り込まれる。
　本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
１　放射線画像撮影装置
１０　放射線検出器
１１　基材、１１Ａ　第１の面１１Ａ、１１Ｂ　第２の面１１Ｂ、１１Ｌ　微粒子層、１１Ｐ　微粒子
１２　ＴＦＴ基板
１３　緩衝層
１４　変換層、１４Ａ　中央部、１４Ｂ　周縁部
１９　積層体、１９Ａ　第１の面
２２　保護層
３０　画素
３１　画素アレイ
３２　スイッチング素子（ＴＦＴ）
３４　センサ部
３５　画素領域
３６　信号配線
３８　走査配線
３９　共通配線
４０、４０Ｂ　第１補強基板、４０Ａ　切り欠き部、４０Ｃ、第１の補強基板、４０Ｄ　第２の補強基板、４０Ｅ　第３の補強基板、４０Ｈ　貫通孔
４２　第２補強基板、４２Ａ　第１層、４２Ｂ　第２層
４７　接着層
４８、４８Ａ　粘着層
４９　スペーサ
５１　接着層
５２　補強部材
５４１～５４１１　断片
６０　粘着層
６１　開口
６２　反射層
６３　溝
６４　接着層
６５　保護層
７０　充填剤
７２　封止部材
８０　ゲート電極
８１　ドレイン電極
８２　ソース電極
９０　無機材料による層
１０３　駆動部
１０４　信号処理部
１０８　電源部
１０９　防湿絶縁膜
１１０　制御基板
１１１、１１１Ａ、１１１Ｂ　端子領域、１１１Ｃ　第１領域、１１１Ｄ　第２領域
１１２　フレキシブルケーブル
１１３　端子
１１４　電源線
１１６　シート
１１７　保護層
１１８　基台
１２０　筐体、１２０Ａ　撮影面、１２０Ｂ　境界部、１２０Ｃ　部分
２０２　駆動基板
２１２　駆動回路部
２４３、２４３Ａ、２４３Ｂ　接続領域
２５０、２５０Ａ～２５０Ｉ　駆動部品
３０４　信号処理基板
３１４ 信号処理回路部
３３０　コネクタ
３５０、３５０Ａ～３５０Ｉ　信号処理部品
３８０　画像メモリ
３８２　制御部
４００　支持体
Ｄ　剥離方向
ｈ、Ｈ　長さ
Ｒ　放射線、Ｒｂ　後方散乱線
Ｓ　被写体
Ｘ　交差方向
Ｙ　撓み方向

Claims (25)

  1. 　可撓性の基材の第１の面の画素領域に、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成されかつ、前記第１の面の端子領域に、ケーブルを電気的に接続するための端子が設けられた基板と、
    　前記基材の前記第１の面における前記端子領域外に設けられた、前記放射線を光に変換する変換層と、
    　前記変換層における前記基板側の面と反対側の面に設けられ、前記基材よりも剛性が高い第１補強基板と、
    　前記基材の前記第１の面と反対側の第２の面に設けられた、前記第１補強基板よりも大きな面を覆う第２補強基板と、
    　を備えた放射線検出器。
  2. 　前記端子領域は、前記第１補強基板により覆われる第１領域と、前記第１補強基板により覆われない第２領域とを含む、
    　請求項１に記載の放射線検出器。
  3. 　前記第１領域は、前記第２領域よりも小さい、
    　請求項２に記載の放射線検出器。
  4. 　前記第１領域における前記基材の内部側の一端部から前記基材の外縁側の他端部までの長さは、前記端子領域における前記基材の内部側の一端部から前記基材の外縁側の他端部までの長さの１／４以下である、
    　請求項２または請求項３に記載の放射線検出器。
  5. 　前記第１補強基板は、前記端子領域に対応する位置に切り欠き部が設けられている、
    　請求項１に記載の放射線検出器。
  6. 　前記第２補強基板は、前記基材よりも剛性が高い、
    　請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  7. 　前記第１補強基板及び前記第２補強基板の少なくとも一方は、曲げ弾性率が１０００ＭＰａ以上、２５００ＭＰａ以下の素材を用いた補強基板である、
    　請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  8. 　前記第１補強基板及び前記第２補強基板の少なくとも一方は、降伏点を有する材料を含む、
    　請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  9. 　前記降伏点を有する材料は、ポリカーボネート、及びポリエチレンテレフタレートの少なくとも一つである、
    　請求項８に記載の放射線検出器。
  10. 　前記変換層の熱膨張率に対する前記第１補強基板の熱膨張率の比が０．５以上、２以下である、
    　請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  11. 　前記第１補強基板は、熱膨張率が３０ｐｐｍ／Ｋ以上、８０ｐｐｍ／Ｋ以下である、
    　請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  12. 　前記基材の前記第２の面の大きさは、前記第２補強基板の前記第２の面と対向する面の大きさよりも大きい、
    　請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  13. 　前記第２補強基板は、前記基板に積層される積層方向に積層された複数の層を有し、前記複数の層の一部の大きさが、前記第２の面の大きさよりも大きい、
    　請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  14. 　前記基材の前記第２の面の大きさは、前記第２補強基板の前記第２の面と対向する面の大きさよりも小さい、
    　請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  15. 　前記基材の端部の少なくとも一部が、前記第２補強基板の端部よりも外部に位置している、
    　請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  16. 　前記基板と、前記変換層との間に設けられ、前記変換層の熱膨張率と前記基板の熱膨張率との差を緩衝する緩衝層をさらに備えた、
    　請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  17. 　前記基材は、樹脂製であり、平均粒子径が０．０５μｍ以上、２．５μｍ以下の無機の微粒子を含む微粒子層を有する、
    　請求項１から請求項１６のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  18. 　前記基材は、前記微粒子層を、前記第２の面側に有する、
    　請求項１７に記載の放射線検出器。
  19. 　前記微粒子は、前記基材を構成する元素よりも原子番号が大きく且つ原子番号が３０以下の元素を含む
    　請求項１７または請求項１８に記載の放射線検出器。
  20. 　前記基材は、３００℃～４００℃における熱膨張率が２０ｐｐｍ／Ｋ以下である、
    　請求項１から請求項１９のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  21. 　前記基材は、厚みが２５μｍの状態において４００℃における熱収縮率が０．５％以下、及び５００℃における弾性率が１ＧＰａ以上の少なくとも一方を満たす、
    　請求項１から請求項２０のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  22. 　前記変換層は、ＣｓＩの柱状結晶を含む、
    　請求項１から請求項２１のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  23. 　請求項１から請求項２２のいずれか１項に記載の放射線検出器と、
    　前記複数の画素に蓄積された電荷を読み出すための制御信号を出力する制御部と、
    　前記放射線検出器にケーブルにより電気的に接続され、前記制御信号に応じて前記複数の画素から電荷を読み出す回路部と、
    　を備えた放射線画像撮影装置。
  24. 　放射線が照射される照射面を有し、前記放射線検出器における基板及び変換層のうち、前記基板が前記照射面と対向する状態に前記放射線検出器を収納する筐体をさらに備えた、
    　請求項２３に記載の放射線画像撮影装置。
  25. 　支持体に、可撓性の基材を設け、前記基材の第１の面の画素領域に、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が設けられた基板を形成する工程と、
    　前記基材の前記第１の面の端子領域外に、前記放射線を光に変換する変換層を形成する工程と、
    　前記変換層の、前記基板側の面と対向する側の面と反対側の面に、前記基材よりも剛性が高い第１補強基板を設ける工程と、
    　前記変換層及び前記第１補強基板が設けられた前記基板を、前記支持体から剥離する工程と、
    　前記支持体から剥離された前記基板における、前記基材の前記第１の面と反対側の第２の面に、前記第１補強基板よりも大きな面を覆う第２補強基板を設ける工程と、
    　を備えた放射線検出器の製造方法。
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