WO2020059237A1 - 固体撮像装置及び電子機器 - Google Patents

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    • H01L2924/10157—Shape being other than a cuboid at the active surface

Definitions

  • the present technology relates to a solid-state imaging device and an electronic device.
  • Solid-state imaging devices such as a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor and a CCD (Charge Coupled Device) are widely used in digital still cameras and digital video cameras.
  • CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor
  • CCD Charge Coupled Device
  • the solid-state imaging device has, for example, a first semiconductor chip on which a photoelectric conversion element, an on-chip lens, and the like are formed, a second semiconductor chip on which an A / D conversion circuit, a signal processing circuit, a logic operation circuit, and the like are formed, and a connection electrode. It is manufactured by electrically connecting the semiconductor chip to the semiconductor chip by opposing and bonding the semiconductor chip with a bump (flip chip bonding).
  • a technique has been proposed in which a semiconductor device (for example, a solid-state imaging device) can be obtained by easily joining semiconductor chips (see Patent Document 1).
  • Patent Document 1 may not be able to further reduce the size of the semiconductor chip.
  • the present technology has been made in view of such a situation, and provides a small solid-state imaging device that realizes further reduction in the size of a semiconductor chip, and an electronic device equipped with the solid-state imaging device. Its main purpose is to:
  • the present inventor has conducted intensive research to solve the above-described object, and as a result, succeeded in further miniaturizing the semiconductor chip size, succeeding in further miniaturizing the solid-state imaging device, and completing the present technology. Reached.
  • a first semiconductor chip having a pixel region, a second semiconductor chip bonded to the first semiconductor chip via a bump, and a first semiconductor chip between the first semiconductor chip and the second semiconductor chip.
  • An underfill resin drop region is formed in a region other than the region corresponding to the second semiconductor of the first semiconductor chip and inside the dam, and Provided is a solid-state imaging device in which a length of a resin dropping area that is substantially parallel to the long side of the second semiconductor chip is shorter than a length of the long side of the second semiconductor chip.
  • the underfill resin dropping region may be formed between the short side of the second semiconductor chip and the dam.
  • the second semiconductor chip may have a first short side and a second short side, and the underfill resin dropping region is located on the first short side of the second semiconductor chip. It may be formed between the dam and between the second short side of the second semiconductor chip and the dam.
  • the underfill resin dropping region may be formed so as to project in the direction of the pixel region.
  • a solid-state imaging device may include at least two second semiconductor chips, and the at least two second semiconductor chips are arranged such that respective short sides of the at least two second semiconductor chips face each other.
  • the underfill resin drop region may be formed between the at least two second semiconductor chips.
  • the first semiconductor chip may include a semiconductor substrate and a lens material formed in a region other than the bumps on the semiconductor substrate.
  • the region between the two semiconductor chips may have a region where the lens material is formed and a region where the lens material is not formed.
  • a region where the thickness of the lens material is discontinuously different may be formed, and in the region where the lens material is formed. A region in which the thickness of the lens material continuously varies may be formed.
  • the first semiconductor chip may include a semiconductor substrate and a lens material formed in a region other than the bumps on the semiconductor substrate.
  • the region between the second semiconductor chip and the second semiconductor chip may include a region where the lens material is formed and a region where the lens material is not formed.
  • the length substantially parallel to the side may be shortened as approaching the underfill resin drop region.
  • a solid-state imaging device is mounted, the solid-state imaging device includes a first semiconductor chip having a pixel region, a second semiconductor chip joined to the first semiconductor chip via bumps, An underfill resin formed between the first semiconductor chip and the second semiconductor chip, and a dam formed to prevent the underfill resin from flowing into the pixel region and surround the second semiconductor chip.
  • the second semiconductor chip has a rectangular shape having a long side and a short side, and is a region other than a region corresponding to the second semiconductor of the first semiconductor chip and is inside the dam.
  • An underfill resin drop region is formed, and a length of the underfill resin drop region that is substantially parallel to the long side of the second semiconductor chip is shorter than a length of the long side of the second semiconductor chip.
  • the present technology provides an electronic device on which the solid-state imaging device according to the present technology is mounted.
  • the present technology it is possible to provide a small-sized solid-state imaging device by further reducing the size of a semiconductor chip, and an electronic device equipped with the solid-state imaging device.
  • the effects described here are not necessarily limited, and may be any of the effects described in the present disclosure.
  • FIG. 14 is a diagram illustrating a configuration example of a solid-state imaging device to which the present technology is applied.
  • FIG. 14 is a diagram illustrating a configuration example of a solid-state imaging device to which the present technology is applied.
  • FIG. 21 is a block diagram illustrating a circuit configuration example of a solid-state imaging device to which the present technology is applied.
  • FIG. 14 is a diagram illustrating a configuration example of a solid-state imaging device to which the present technology is applied. It is a figure for explaining a dug area of a lens material, and a situation of penetration of underfill resin when underfill resin is dropped.
  • FIG. 14 is a diagram illustrating a configuration example of a solid-state imaging device to which the present technology is applied.
  • FIG. 14 is a diagram illustrating a configuration example of a solid-state imaging device to which the present technology is applied.
  • FIG. 14 is a diagram illustrating a configuration example of a solid-state imaging device to which the present technology is applied. It is a figure for explaining an underfill resin dripping field and a digging pattern of a lens material. It is a figure for explaining an underfill resin dripping field and a digging pattern of a lens material.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration example of a solid-state imaging device.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration example of a solid-state imaging device.
  • FIG. 21 is a diagram illustrating a usage example of the solid-state imaging devices according to first to fifth embodiments to which the present technology is applied. It is a functional block diagram of an example of an electronic device according to a sixth embodiment to which the present technology is applied.
  • An image sensor (for example, the solid-state imaging device 700 shown in FIG. 11) employing the chip-on-wafer lamination technology has been developed.
  • This image sensor is a sensor in which another chip is stacked on the light receiving surface side.
  • the solid-state imaging device 700 mainly includes a first semiconductor chip 2, two second semiconductor chips 3, and collet contactable regions 16 and 17. Since the second semiconductor chip (for example, a logic chip, a memory chip, or the like) 3 stacked on the first semiconductor chip 2 has a shape along the pixel region 6 of the first semiconductor chip 2, FIG. Has an elongated shape (rectangular shape) having two long sides in the left-right direction and a short side in the vertical direction in FIG.
  • the second semiconductor chip (for example, a logic chip) 3 is surrounded by a structure called a dam 5 in order to prevent the underfill resin from leaking to the pad and the pixel region 6.
  • the underfill resin is provided between the dam 5 provided widely on the pixel region 6 side of the second semiconductor chip (eg, logic chip, memory chip, etc.) 3 and the second semiconductor chip (eg, logic chip, memory chip, etc.) 3. Applied from space.
  • the connected chip When flip-chip connection is performed on the light receiving surface side of the image sensor, the connected chip may have an elongated structure along the pixel area.
  • the underfill resin region is elongated along the long side of the chip, and the underfill resin is applied linearly or at a plurality of points to improve the throughput ( (Improvement in production efficiency) and the collapse of the void dam.
  • the underfill resin dropping region 1-6 is a region other than the region of the first semiconductor chip 2 corresponding to the second semiconductor chip 3, and is located inside the dam 5. Is formed. More specifically, the underfill resin dripping region 1-6 is formed over the entire long side h (or long side f) of the second semiconductor chip under the second semiconductor chip 3, and the underfill resin dripping region 1-6 is formed.
  • the length substantially parallel to the long side h (or long side f) of the second semiconductor chip 3 is longer than the length of the long side h (or long side f) of the second semiconductor chip 3. Therefore, as described above, the area of the region from the second semiconductor chip 3 to the dam 5 increases, which is a factor that determines the size of the first semiconductor chip 2.
  • the present technology has been made in view of the above circumstances. According to the present technology, it is possible to reduce the size (for example, the area) of the underfill resin dropping area to a necessary minimum, thereby reducing the size of the first semiconductor chip (sensor chip) and achieving downsizing of the solid-state imaging device. It can. Note that the present technology can be applied to a back-illuminated solid-state imaging device, a front-illuminated solid-state imaging device, and also to a semiconductor device other than the solid-state imaging device.
  • Example 1 of solid-state imaging device First, a solid-state imaging device according to a first embodiment (example 1 of a solid-state imaging device) according to the present technology will be described.
  • a solid-state imaging device according to a first embodiment (example 1 of a solid-state imaging device) according to the present technology includes a first semiconductor chip having a pixel region, and a second semiconductor chip bonded to the first semiconductor chip via a bump. And an underfill resin formed between the first semiconductor chip and the second semiconductor chip, and surrounding the second semiconductor chip by preventing at least the outfill resin from flowing into the pixel region.
  • the second semiconductor chip has a rectangular shape having a long side and a short side, and is a region other than a region corresponding to the second semiconductor of the first semiconductor chip, An underfill resin dripping region is formed inside the dam, and a length of the underfill resin dripping region that is substantially parallel to the long side of the second semiconductor chip is the length of the long side of the second semiconductor chip.
  • Solid-state imaging device It is. Then, in the solid-state imaging device according to the first embodiment of the present technology, the underfill resin drop region is formed between the short side of the second semiconductor chip and the dam.
  • the size (for example, the area) of the underfill resin drop region is minimized, the size of the first semiconductor chip is reduced, and the solid-state imaging device is reduced.
  • the size of the device can be reduced.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of the solid-state imaging device according to the first embodiment of the present technology, and is a plan view of the solid-state imaging device 100 as viewed from a light irradiation side.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration example of the solid-state imaging device according to the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 2A illustrates the solid-state imaging device 100 viewed from the light irradiation side, similarly to FIG.
  • FIG. 2B is a plan view
  • FIG. 2B is a cross-sectional view of the solid-state imaging device 100 taken along the line CC ′ shown in FIG. FIG.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration example of the solid-state imaging device according to the first embodiment of the present technology, and is a block diagram illustrating a circuit configuration of the solid-state imaging device 100.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration example of the solid-state imaging device according to the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 4A illustrates the solid-state imaging device 100 viewed from the light irradiation side, similarly to FIG. 4B is a plan view,
  • FIG. 4B is a cross-sectional view of the solid-state imaging device 100 along line AA ′ shown in FIG. 4A, and
  • FIG. 4C is a cross-sectional view of BB shown in FIG. FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the solid-state imaging device 100 taken along the line '.
  • FIG. 5A is a diagram for explaining a dug area of a lens material in the solid-state imaging device 100
  • FIG. 5B is a diagram illustrating an underfill when the underfill resin is dropped on the solid-state imaging device 100. It is a figure for explaining a situation of penetration of a fill resin.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating a configuration example of the solid-state imaging device according to the first embodiment of the present technology, which is for describing a solid-state imaging device 500 with an underfill resin drop region and a digging pattern of a lens material.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating a configuration example of the solid-state imaging device according to the first embodiment of the present technology, and is used to describe an underfill resin dropping region and a digging pattern of a lens material for the solid-state imaging device 600.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating a configuration example of the solid-state imaging device according to the first embodiment of the present technology, and is used to describe an underfill resin dropping region and a digging pattern of a lens material for the solid-state imaging device 600.
  • the solid-state imaging device 100 is configured by connecting a first semiconductor chip (lower chip) 2 and a second semiconductor chip (upper chip) 3 via bumps (not shown in FIG. 1).
  • the second semiconductor chip 3 is flip-chip bonded to the light irradiation side (light receiving surface side) of the first semiconductor chip 2 via a bump (not shown).
  • the solid-state imaging device 100 includes a pad (PAD) region P, a pixel portion Q, a horizontal drive region R, and a dam region / second semiconductor chip region S.
  • PAD pad
  • the first semiconductor chip 2 is formed with the pixel region 6, the horizontal drive unit 8 disposed on the right outside of the pixel region 6, and the like. Further, in a region of the first semiconductor chip 2 corresponding to the second semiconductor chip 3, a peripheral circuit portion including a column processing portion and a system control portion is formed, although not shown in FIG. Further, the first semiconductor chip 2 is provided with a wire bonding electrode pad 7.
  • the second semiconductor chip 3 has a long side f (upper long side in FIG. 1), a long side h (lower long side in FIG. 1), and a short side e (left short side in FIG. 1). ) And a short side g (the short side on the right side in FIG. 1).
  • An underfill resin 4 is filled between the pixel region of the first semiconductor chip 2 and the second semiconductor chip 3 to maintain mechanical strength.
  • a dam 5 for preventing the underfill resin 4 from flowing out is formed. Therefore, the underfill resin 4 is distributed outside the second semiconductor chip 3 and inside the dam 5.
  • the underfill resin dripping area 1-1 is an area other than the area corresponding to the second semiconductor chip 3 of the first semiconductor chip 2 and is formed inside the dam 5. More specifically, in the solid-state imaging device 100, the underfill resin dripping region 1-1 is formed between the right short side g (the right side in FIG. 1) of the second semiconductor chip 3 and the dam 5. The length of the underfill resin drop region 1-1 that is substantially parallel to the long side f or the long side h of the second semiconductor chip 3 is shorter than the length of the long side f or the long side h of the second semiconductor chip 3.
  • the size of the underfill resin dropping area 1-1 may be an arbitrary size. For example, when the underfill resin is dropped using a needle, the size of the underfill resin dropping area 1-1 is small. The diameter is preferably larger than the outer diameter (area) of the needle so that the underfill resin can be smoothly dropped.
  • the underfill resin drop region 1-1 may be formed between the left short side e (the left side in FIG. 1) of the second semiconductor chip 3 and the dam 5.
  • FIG. 2B is a cross-sectional view along the line CC ′ shown in FIG. That is, in FIG. 2B, the right side of the solid-state imaging device 100 corresponds to the C section illustrated in FIG. 2A, and the left side corresponds to the C ′ section illustrated in FIG. 2A.
  • the solid-state imaging device 100 is configured by connecting a first semiconductor chip (lower chip) 2 and a second semiconductor chip (upper chip) 3 via bumps 11. I have.
  • the second semiconductor chip 3 is flip-chip bonded to the light irradiation side (light receiving surface side, upper side in FIG. 2B) of the first semiconductor chip 2 via the bump 11.
  • the first semiconductor chip 2 includes a semiconductor substrate 9 and a lens material 10, and the lens material 10 is provided on a region other than the bumps 11 on the light irradiation side (the upper side in FIG. 2B) of the first semiconductor chip 2. It is formed from organic matter and the like.
  • the lens material 10 may be composed of one kind of organic substance, or may be composed of two or more kinds of organic substances laminated. Although not shown, a thin inorganic film such as SiO 2 or SiN may be laminated as an antireflection film on the organic material constituting the lens material 10.
  • the lens material 10 functions as an on-chip lens in the pixel region 6 and condenses the irradiated light on the pixel region 6.
  • An underfill resin 4 is filled between the first semiconductor chip 2 and the second semiconductor chip 3 (between the vertical direction in FIG. 2B) to maintain mechanical strength.
  • the underfill resin 4 forms fillets 4b and 4c in a flared shape on the left and right sides of the outer peripheral portion of the second semiconductor chip 3.
  • Dams 5 for preventing the underfill resin 4 from flowing out to a region (pixel region 6) other than the bonding region of the underfill resin 4 are provided on the left and right outside of the bonding region of the second semiconductor chip 3 on the first semiconductor chip 2.
  • Two dams 5-1 and 5-2 are formed on the concave portion by digging the lens material 10 on the left outside of the joining region of the second semiconductor chip 3 on the first semiconductor chip 2
  • Two dams 5-3 and 5-4 are formed on the concave portion of the first semiconductor chip 2 by dug-out the lens material 10 on the right outside of the joint region of the second semiconductor chip 3.
  • the dam 5 only needs to have at least one dam 5 formed on each of the left and right outer sides of the joining region of the second semiconductor chip 3 on the first semiconductor chip 2.
  • two dams 5 (dams 5-1 to 5-4) are formed on the left and right outer sides of the junction region of the upper second semiconductor chip 3, respectively.
  • the solid-state imaging device 1000 is configured by connecting a first semiconductor chip (lower chip) 2 and a second semiconductor chip (upper chip) 3 via bumps (not shown).
  • Each of the first semiconductor chip 2 and the second semiconductor chip 3 includes a semiconductor substrate such as a silicon substrate and a metal wiring layer such as Cu and Al.
  • the first semiconductor chip 2 includes a pixel area 6, a horizontal drive unit 8, a column processing unit 14, and a system control unit 15.
  • the second semiconductor chip 3 has a vertical drive section / signal processing section 13 formed thereon.
  • pixels having photoelectric conversion elements that generate electric charges of an amount corresponding to the amount of incident light and accumulate the electric charges therein are two-dimensionally arranged in a matrix and perform imaging.
  • the pixel region 6 and the horizontal drive unit 8 are connected via a pixel drive line formed for each row.
  • the pixel region 6 and the column processing unit 14 are connected via vertical signal lines formed for each column.
  • the column processing unit 14, the system driving unit 15, and the vertical driving unit / signal processing unit 13 are connected via bumps (not shown).
  • FIG. 4B is a cross-sectional view along the line AA ′ shown in FIG. That is, in FIG. 4B, the right side of the solid-state imaging device 100 corresponds to the A section illustrated in FIG. 4A, and the left side corresponds to the A ′ section illustrated in FIG. 4A.
  • FIG. 4C is a sectional view taken along the line BB ′ shown in FIG. That is, in FIG. 4C, the right side of the solid-state imaging device 100 corresponds to the B section illustrated in FIG. 4A, and the left side corresponds to the B ′ section illustrated in FIG. 4A.
  • the solid-state imaging device 100 is configured by connecting a first semiconductor chip (lower chip) 2 and a second semiconductor chip (upper chip) 3 via bumps 11. I have.
  • the second semiconductor chip 3 is flip-chip bonded to the light irradiation side (light receiving surface side, upper side in FIG. 4B) of the first semiconductor chip 2 via the bump 11.
  • the first semiconductor chip 2 includes a semiconductor substrate 9 and a lens material 10.
  • the lens material 10 is disposed on the semiconductor substrate 9 on the light irradiation side (the upper side in FIG. 4B) of the first semiconductor chip 2.
  • An area other than the bumps 11 is formed from an organic material or the like.
  • the lens material 10 may be composed of one kind of organic substance, or may be composed of two or more kinds of organic substances laminated.
  • a thin inorganic film such as SiO 2 or SiN may be laminated as an antireflection film on the organic material constituting the lens material 10.
  • the lens material 10 functions as an on-chip lens in the pixel region 6 and condenses the irradiated light on the pixel region 6.
  • FIG. 4B shows the state before the underfill resin 4 is filled, but between the first semiconductor chip 2 and the second semiconductor chip 3 (between the vertical direction in FIG. 4B). May be filled with an underfill resin 4 to maintain mechanical strength.
  • Dams 5 for preventing the underfill resin 4 from flowing out to a region (pixel region 6) other than the bonding region of the underfill resin 4 are provided on the left and right outside of the bonding region of the second semiconductor chip 3 on the first semiconductor chip 2.
  • Two dams 5-5 and 5-6 are formed on the concave portion by digging the lens material 10 on the left outside of the joining region of the second semiconductor chip 3 on the first semiconductor chip 2
  • Two dams 5-7 and 5-8 are formed on the concave portion of the first semiconductor chip 2 by dug-out the lens material 10 on the right outside of the joint region of the second semiconductor chip 3.
  • the dam 5 only needs to have at least one dam 5 formed on each of the left and right outer sides of the joining region of the second semiconductor chip 3 on the first semiconductor chip 2.
  • two dams 5 (dams 5-5 to 5-8) are formed on the right and left outer sides of the junction region of the upper second semiconductor chip 3, respectively.
  • the solid-state imaging device 100 in FIG. 4C is configured by connecting a first semiconductor chip (lower chip) 2 and a second semiconductor chip (upper chip) 3 via bumps 11.
  • the second semiconductor chip 3 is flip-chip bonded to the light irradiation side (light receiving surface side, upper side in FIG. 4C) of the first semiconductor chip 2 via the bump 11.
  • the first semiconductor chip 2 includes a semiconductor substrate 9 and a lens material 10.
  • the lens material 10 is disposed on the semiconductor substrate 9 on the light irradiation side (the upper side in FIG. 4C) of the first semiconductor chip 2.
  • An area other than the bumps 11 is formed from an organic material or the like.
  • the lens material 10 may be composed of one kind of organic substance, or may be composed of two or more kinds of organic substances laminated.
  • a thin inorganic film such as SiO 2 or SiN may be laminated as an antireflection film on the organic material constituting the lens material 10.
  • the lens material 10 functions as an on-chip lens in the pixel region 6 and condenses the irradiated light on the pixel region 6.
  • FIG. 4C shows the state before the underfill resin 4 is filled, but between the first semiconductor chip 2 and the second semiconductor chip 3 (between the vertical direction in FIG. 4C). May be filled with an underfill resin 4 to maintain mechanical strength.
  • Dams 5 for preventing the underfill resin 4 from flowing out to a region (pixel region 6) other than the bonding region of the underfill resin 4 are provided on the left and right outside of the bonding region of the second semiconductor chip 3 on the first semiconductor chip 2.
  • Two dams 5-9 and 5-10 are formed on the concave portion by digging the lens material 10 on the left outside of the bonding region of the second semiconductor chip 3 on the first semiconductor chip 2
  • Two dams 5-11 and 5-12 are formed on the concave portion of the first semiconductor chip 2 by dug-out the lens material 10 on the right outside of the joint region of the second semiconductor chip 3.
  • the dam 5 only needs to have at least one dam 5 formed on each of the left and right outer sides of the joining region of the second semiconductor chip 3 on the first semiconductor chip 2.
  • two dams 5 (dams 5-9 to 5-12) are formed on the left and right outer sides of the junction region of the upper second semiconductor chip 3, respectively.
  • the region between the first semiconductor chip 2 and the second semiconductor chip 3 includes a region where the four bumps 11 are formed and a region other than the region where the four bumps 11 are formed (that is, four bumps 11). 11 is not formed), and regions d1 and d3 where the lens material 10-1 is formed and the lens material 10-1 are formed in regions other than the region where the four bumps 11 are formed. There is a region d2 that is not present. Since the lens material 10-1 is formed on the semiconductor substrate 9 in the regions d1 and d3, the gaps (distances) da and dc between the first semiconductor chip 2 and the second semiconductor chip 3 are determined by the lens material 10-.
  • the gap (distance) db between the first semiconductor chip 2 and the second semiconductor chip 3 in the region d2 where no 1 is formed is smaller.
  • the gaps (distances) da and dc may be substantially the same, and the thickness of the lens material 10-1 (FIG. 4 (b), the gaps (distances) da and dc may be different.
  • the region between the first semiconductor chip 2 and the second semiconductor chip 3 includes a region where the four bumps 11 are formed and a region other than the region where the four bumps 11 are formed (that is, four bumps 11). 11 is not formed), and regions d4 and d6 where the lens material 10-1 is formed and the lens material 10-1 are formed in regions other than the region where the four bumps 11 are formed. There is a region d5 that has not been dug (region not dug). In the regions d4 and d6, since the lens material 10-1 is formed on the semiconductor substrate 9, the gaps (distances) dd and df between the first semiconductor chip 2 and the second semiconductor chip 3 are determined by the lens material 10-.
  • the gaps (distances) dd and df may be substantially the same, and the thickness of the lens material 10-1 (see FIG. 4 (c), the gaps (distances) dd and df may be different.
  • the cross-sectional view (BB ′ line cross section) of the solid-state imaging device 100 shown in FIG. 4C is different from the cross-sectional view (AA ′) of the solid-state imaging device 100 shown in FIG. FIG. 3 is a diagram in which an area 1-1 is near.
  • the widths d4 and d6 (FIG. 4) of which the gap (distance) is small due to the formation of the lens material 10-1 shown in FIG. 4 (b) shows the widths of d1 and d3 (left and right in FIG. 4 (b)) where the lens material 10-1 is formed and the gap (distance) is small, as shown in FIG. 4 (b).
  • Direction ).
  • the length of the region (d1 and d3 to d4 and d6) where the lens material 10-1 is formed approaches the underfill resin dripping region 1-1. It becomes longer according to.
  • the width d5 (left-right direction in FIG. 4C) of FIG. 4C in which the lens material 10-1 is not formed and in which the gap (distance) is large is shown in FIG.
  • the gap (distance) in which the lens material 10-1 is not formed is smaller than the width d2 (the left-right direction in FIG. 4B) where the lens material 10-1 is not formed.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining the dug area of the lens material (the area where the lens material is not formed) and how the underfill resin permeates when the underfill resin is dropped.
  • FIG. 5A is a view of the first semiconductor chip 2 and the second semiconductor chip 3 as viewed from the light incident side.
  • the first semiconductor chip 2 is composed of a region 50a where the lens material 10-1 is not formed and a region 51a where the lens material 10-1 is formed, and approaches the underfill resin drop region 53a (FIG. 5 ( a) (from left to right in FIG. 5A), the width of the region 50a (a length substantially parallel to the short side of the second semiconductor chip 3 and a length in the vertical direction in FIG. 5A) decreases. Conversely, the width of the region 51a (the length substantially parallel to the short side of the second semiconductor chip 3 and the length in the vertical direction in FIG. 5A) is large.
  • FIG. 5B is a diagram showing a state of penetration of the underfill resin 54 when the underfill resin 54 is dropped by the needle 55.
  • the central portion of the first semiconductor chip 2 (the second semiconductor chip 3) has a high penetration speed (arrows X1 to X5), and the end of the second semiconductor chip 2 has The permeation speed is slow, and the permeation speed increases as the region 50b where the lens material 10-1 is not formed expands (arrows Y1 to Y5 and arrows Z1 to Z5).
  • the underfill resin from excessively flowing into a part of the first semiconductor chip 2 (the second semiconductor chip 3) before the underfill resin permeates the entirety, thereby preventing the dam from breaking.
  • the thicknesses of the arrows X1 to X5, Y1 to Y5, and Z1 to Z5 in FIG. 5B indicate the penetration speed.
  • a thick arrow indicates that the permeation rate is high, and a thin arrow indicates that the permeation rate is low.
  • the penetration speed of the underfill resin can be freely adjusted. As a result, an excessive supply of the underfill resin to a part can be prevented, and it is possible to improve the throughput (improve the production efficiency) and prevent the dam from breaking.
  • the solid-state imaging device 500 is configured by connecting a first semiconductor chip (lower chip) 2 and a second semiconductor chip (upper chip) 3 via bumps 11.
  • the second semiconductor chip 3 is flip-chip bonded to the light irradiation side (light receiving surface side, upper side in FIG. 9) of the first semiconductor chip 2 via the bump 11.
  • the first semiconductor chip 2 includes a semiconductor substrate 9 and a lens material 10.
  • the lens material 10 is disposed on the semiconductor substrate 9 on the light irradiation side (the upper side in FIG. 4B) of the first semiconductor chip 2.
  • An area other than the bumps 11 is formed from an organic material or the like.
  • the lens material 10 may be composed of one kind of organic substance, or may be composed of two or more kinds of organic substances laminated.
  • a thin inorganic film such as SiO 2 or SiN may be laminated as an antireflection film on the organic material constituting the lens material 10.
  • the lens material 10 functions as an on-chip lens in the pixel region 6 and condenses the irradiated light on the pixel region 6.
  • FIG. 9 shows a state before the underfill resin 4 is filled
  • a mechanical strength is provided between the first semiconductor chip 2 and the second semiconductor chip 3 (between the vertical direction in FIG. 9).
  • An underfill resin 4 may be filled in order to keep.
  • Dams 5 for preventing the underfill resin 4 from flowing out to a region (pixel region 6) other than the bonding region of the underfill resin 4 are provided on the left and right outside of the bonding region of the second semiconductor chip 3 on the first semiconductor chip 2.
  • Two dams 5-13 and 5-14 are formed on the concave portion by digging the lens material 10 on the left outside of the joining region of the second semiconductor chip 3 on the first semiconductor chip 2
  • Two dams 5-15 and 5-16 are formed on the first semiconductor chip 2 on the right side of the joint region of the second semiconductor chip 3, and are formed on the concave portion by digging the lens material 10.
  • the dam 5 only needs to have at least one dam 5 formed on each of the left and right outer sides of the joining region of the second semiconductor chip 3 on the first semiconductor chip 2.
  • two dams 5 (dams 5-13 to 5-16) are formed on the left and right outer sides of the bonding region of the upper second semiconductor chip 3, respectively.
  • a region between the first semiconductor chip 2 and the second semiconductor chip 3 is a region other than the region where the four bumps 11 are formed and the region where the four bumps 11 are formed. (That is, a region where the four bumps 11 are not formed), and regions other than the region where the four bumps 11 are formed are regions d7 and d8 where the lens material 10-1 is formed. There are d10 and d11 and a region d9 where the lens material 10-1 is not formed. In the regions d7, d8, d10, and d11, since the lens material 10-1 is formed on the semiconductor substrate 9, gaps (distances) dg, dh, and dj between the first semiconductor chip 2 and the second semiconductor chip 3 are formed.
  • dk are smaller than the gap (distance) di between the first semiconductor chip 2 and the second semiconductor chip 3 in the region d9 where the lens material 10-1 is not formed. Further, since a downward convex portion is formed at the left end of the second semiconductor chip 3 in the region d7, the gap (distance) dg is equal to the gap (distance) even if the thickness of the lens material 10-1 is the same. (Distance) is smaller than dh. Similarly, since a downward convex portion is formed at the right end of the second semiconductor chip 3 in the region d11, the gap (distance) dk is equal to the thickness even if the thickness of the lens material 10-1 is the same.
  • the penetration rate of the underfill resin can be finely adjusted.
  • the penetration rate of the underfill resin can be finely adjusted by providing the upper concave portion in the second semiconductor chip 3 as in the case of providing the lower convex portion.
  • the solid-state imaging device 600 is configured by connecting a first semiconductor chip (lower chip) 2 and a second semiconductor chip (upper chip) 3 via bumps 11.
  • the second semiconductor chip 3 is flip-chip bonded to the light irradiation side (light receiving surface side, upper side in FIG. 10) of the first semiconductor chip 2 via the bump 11.
  • the first semiconductor chip 2 includes a semiconductor substrate 9 and a lens material 10.
  • the lens material 10 is disposed on the semiconductor substrate 9 on the light irradiation side (the upper side in FIG. 4B) of the first semiconductor chip 2.
  • An area other than the bumps 11 is formed from an organic material or the like.
  • the lens material 10 may be composed of one kind of organic substance, or may be composed of two or more kinds of organic substances laminated.
  • a thin inorganic film such as SiO 2 or SiN may be laminated as an antireflection film on the organic material constituting the lens material 10.
  • the lens material 10 functions as an on-chip lens in the pixel region 6 and condenses the irradiated light on the pixel region 6.
  • FIG. 10 shows a state before the underfill resin 4 is filled, but a mechanical strength between the first semiconductor chip 2 and the second semiconductor chip 3 (between the vertical direction in FIG. 10).
  • An underfill resin 4 may be filled in order to keep.
  • Dams 5 for preventing the underfill resin 4 from flowing out to a region (pixel region 6) other than the bonding region of the underfill resin 4 are provided on the left and right outside of the bonding region of the second semiconductor chip 3 on the first semiconductor chip 2.
  • Two dams 5-17 and 5-18 are formed on the concave portion by digging the lens material 10 on the left outside of the joining region of the second semiconductor chip 3 on the first semiconductor chip 2
  • Two dams 5-19 and 5-20 are formed on the concave portion of the first semiconductor chip 2 by dug-out the lens material 10 on the right outside of the joint region of the second semiconductor chip 3.
  • the dam 5 only needs to have at least one dam 5 formed on each of the left and right outer sides of the joining region of the second semiconductor chip 3 on the first semiconductor chip 2.
  • two dams 5 (dams 5-17 to 5-20) are formed on the right and left outer sides of the junction region of the upper second semiconductor chip 3, respectively.
  • a region between the first semiconductor chip 2 and the second semiconductor chip 3 is a region other than the region where the four bumps 11 are formed and the region where the four bumps 11 are formed. (That is, a region where the four bumps 11 are not formed), and a region other than the region where the four bumps 11 are formed has a region where the lens material 10-1 is formed and a region where the lens material 10 is formed. There are areas where -1 is not formed.
  • the lens material 10 is formed according to an oblique dashed line T-1 directed to the upper left in FIG.
  • the thickness of the lens 10-1 continuously increases, and the gap (distance) dl2 is smaller than the gap (distance) dl1.
  • the lens is formed according to the oblique dashed line T-2 directed to the upper right in FIG. From the region where the material 10-1 is not formed, the thickness of the lens 10-1 continuously increases, and the gap (distance) dm2 is smaller than the gap (distance) dm1.
  • Second Embodiment (Example 2 of solid-state imaging device)> A solid-state imaging device according to a second embodiment (example 2 of a solid-state imaging device) according to the present technology will be described.
  • the solid-state imaging device includes a first semiconductor chip having a pixel region and a second semiconductor chip bonded to the first semiconductor chip via a bump. And an underfill resin formed between the first semiconductor chip and the second semiconductor chip, and surrounding the second semiconductor chip by preventing at least the outfill resin from flowing into the pixel region.
  • the second semiconductor chip has a rectangular shape having a long side and a short side, and is a region other than a region corresponding to the second semiconductor of the first semiconductor chip, An underfill resin dripping region is formed inside the dam, and a length of the underfill resin dripping region that is substantially parallel to the long side of the second semiconductor chip is the length of the long side of the second semiconductor chip. Solid state imaging shorter than It is the location. Then, in the solid-state imaging device according to the second embodiment of the present technology, the second semiconductor chip has a first short side and a second short side, and the underfill resin drop region is formed of the second semiconductor chip. It is formed between the first short side of the chip and the dam and between the second short side of the second semiconductor chip and the dam.
  • the size (for example, the area) of the underfill resin drop region is minimized, the size of the first semiconductor chip is reduced, and the solid-state imaging device is reduced.
  • the size of the device can be reduced.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration example of a solid-state imaging device according to a second embodiment of the present technology.
  • FIG. 6A is a plan view of the solid-state imaging device 200 as viewed from a light irradiation side.
  • FIG. 6B is a diagram for explaining a dug area of the lens material in the solid-state imaging device 200.
  • the solid-state imaging device 200 is configured by connecting a first semiconductor chip (lower chip) 2 and a second semiconductor chip (upper chip) 3 via bumps (not shown in FIG. 6A).
  • the second semiconductor chip 3 is flip-chip bonded to the light irradiation side (light receiving surface side) of the first semiconductor chip 2 via a bump (not shown).
  • the solid-state imaging device 200 includes a pad (PAD) area, a pixel section, a horizontal drive area, a dam area and a second semiconductor chip area.
  • PAD pad
  • the first semiconductor chip 2 is formed with the pixel region 6, the horizontal drive unit 8 disposed on the right outside of the pixel region 6, and the like.
  • a peripheral circuit unit including a column processing unit and a system control unit is formed in a region of the first semiconductor chip 2 corresponding to the second semiconductor chip 3, although not shown in FIG. 6A.
  • the first semiconductor chip 2 is provided with a wire bonding electrode pad 7.
  • the second semiconductor chip 3 has a long side f (upper long side in FIG. 6A), a long side h (lower long side in FIG. 6A) and a short side e (FIG. 6A). It has a rectangular shape having a short side (left side in FIG. 6A) and a short side g (short side on the right side in FIG. 6A).
  • An underfill resin 4 is filled between the pixel region of the first semiconductor chip 2 and the second semiconductor chip 3 to maintain mechanical strength.
  • a dam 5 for preventing the underfill resin 4 from flowing out is formed. Therefore, the underfill resin 4 is distributed outside the second semiconductor chip 3 and inside the dam 5.
  • the two underfill resin dripping regions 1-2 and 1-3 are regions other than the region corresponding to the second semiconductor chip 3 of the first semiconductor chip 2, and 5 is formed inside. More specifically, in the solid-state imaging device 200, the underfill resin dripping region 1-2 is formed between the left short side e (the left side in FIG. 6) of the second semiconductor chip 3 and the dam 5, and the underfill resin The dripping region 1-3 is formed between the right short side g (the right side in FIG. 6) of the second semiconductor chip 3 and the dam 5.
  • the length of the underfill resin dropping region 1-2 that is substantially parallel to the long sides f and h of the second semiconductor chip 3 is shorter than the length of the long sides f or h of the second semiconductor chip 3;
  • the length of the underfill resin drop region 1-3 substantially parallel to the long side f or the long side h of the second semiconductor chip 3 is shorter than the length of the long side f or the long side h of the second semiconductor chip 3.
  • each of the underfill resin dripping regions 1-2 and 1-3 may be any size.
  • the underfill resin dripping region 1 The size of each of the regions -2 and 1-3 is preferably larger than the outer diameter of the needle so that the underfill resin can be smoothly dropped.
  • FIG. 6B is a diagram for explaining the dug area of the lens material (the area where the lens material is not formed).
  • FIG. 6B is a view of the first semiconductor chip 2 and the second semiconductor chip 3 as viewed from the light incident side.
  • the first semiconductor chip 2 includes a region 57 where the lens material 10-1 is not formed and a region 56 where the lens material 10-1 is formed.
  • the width of the area 57 (the short side of the second semiconductor chip 3 The length is substantially parallel, and the length in the vertical direction in FIG. 6B is reduced.
  • the width of the region 56 is larger.
  • the width of the region 57 (the shorter the length of the second semiconductor chip 3 is, the closer to the underfill resin dripping region 58-2 from the center of the first semiconductor chip 2 (from left to right in FIG. 6B)).
  • the length is substantially parallel to the side, and the length in the up-down direction in FIG. 6B is reduced.
  • the width of the region 56 (length substantially parallel to the short side of the second semiconductor chip 3) is obtained. 6B, and the length in the vertical direction in FIG.
  • the engraving pattern of the lens material illustrated in FIG. 6B is such that the underfill resin is formed over the entire first semiconductor chip 2 (second semiconductor chip 3). It is possible to prevent the underfill resin from excessively flowing into a part before infiltration, thereby damaging the dam.
  • the solid-state imaging device according to the third embodiment (Example 3 of the solid-state imaging device) according to the present technology includes a first semiconductor chip having a pixel region, and a second semiconductor chip bonded to the first semiconductor chip via a bump. And an underfill resin formed between the first semiconductor chip and the second semiconductor chip, and surrounding the second semiconductor chip by preventing at least the outfill resin from flowing into the pixel region.
  • the second semiconductor chip has a rectangular shape having a long side and a short side, and is a region other than a region corresponding to the second semiconductor of the first semiconductor chip, An underfill resin dripping region is formed inside the dam, and a length of the underfill resin dripping region that is substantially parallel to the long side of the second semiconductor chip is the length of the long side of the second semiconductor chip. Solid state imaging shorter than It is the location. Then, in the solid-state imaging device according to the third embodiment of the present technology, the underfill resin drop region is formed so as to protrude in the direction of the pixel region.
  • the size (for example, the area) of the underfill resin dropping area is minimized, the size of the first semiconductor chip is reduced, and the solid-state imaging is performed.
  • the size of the device can be reduced.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration example of a solid-state imaging device according to a third embodiment of the present technology
  • FIG. 7A is a plan view of the solid-state imaging device 300 viewed from a light irradiation side.
  • FIG. 7B is a diagram illustrating a dug area of a lens material in the solid-state imaging device 300.
  • the solid-state imaging device 300 is configured by connecting a first semiconductor chip (lower chip) 2 and a second semiconductor chip (upper chip) 3 via bumps (not shown in FIG. 7A).
  • the second semiconductor chip 3 is flip-chip bonded to the light irradiation side (light receiving surface side) of the first semiconductor chip 2 via a bump (not shown).
  • the solid-state imaging device 300 includes a pad (PAD) area, a pixel section, a horizontal drive area, a dam area and a second semiconductor chip area.
  • PAD pad
  • the first semiconductor chip 2 is formed with the pixel region 6, the horizontal drive unit 8 disposed on the right outside of the pixel region 6, and the like.
  • a peripheral circuit unit including a column processing unit and a system control unit which is not shown in FIG. 7A, is formed.
  • the first semiconductor chip 2 is provided with a wire bonding electrode pad 7.
  • the second semiconductor chip 3 has a long side f (upper long side in FIG. 7A), a long side h (lower long side in FIG. 7A) and a short side e (FIG. 7A). It has a rectangular shape having a short side on the left side in FIG. 7A and a short side g on the right side in FIG. 7A.
  • An underfill resin 4 is filled between the pixel region of the first semiconductor chip 2 and the second semiconductor chip 3 to maintain mechanical strength.
  • a dam 5 for preventing the underfill resin 4 from flowing out is formed. Therefore, the underfill resin 4 is distributed outside the second semiconductor chip 3 and inside the dam 5.
  • the underfill resin drop region 1-4 is a region other than the region corresponding to the second semiconductor chip 3 of the first semiconductor chip 2 and is formed inside the dam 5. ing. More specifically, in the solid-state imaging device 300, the underfill resin dripping region 1-4 is located on the right end side of the second semiconductor chip 3, between the second semiconductor chip and the dam 5, and in the direction of the pixel region 6. (Downward in FIG. 7A). The length of the underfill resin drop region 1-4 substantially parallel to the long side f or the long side h of the second semiconductor chip 3 is shorter than the length of the long side f or the long side h of the second semiconductor chip 3.
  • the size of the region of the underfill resin dripping region 1-4 may be any size.
  • the underfill resin is dripped by using a needle, the size of the region of the underfill resin dripping region 1-4 is reduced. It is preferable that the outer diameter of the needle is larger than that of the needle so that the underfill resin can be smoothly dropped.
  • the underfill resin dripping region 1-4 is located on the left end side of the second semiconductor chip 3, between the second semiconductor chip and the dam 5, and in the direction of the pixel region 6 (in FIG. 7A). (Downward).
  • FIG. 7B is a view of the first semiconductor chip 2 and the second semiconductor chip 3 as viewed from the light incident side.
  • the first semiconductor chip 2 includes a region 59 where the lens material 10-1 is not formed and a region 60 where the lens material 10-1 is formed.
  • the width of the area 59 which is a length substantially parallel to the short side of the second semiconductor chip 3 and is shown in FIG. 6 (b) becomes smaller, and conversely, the width of the region 60 (the length substantially parallel to the short side of the second semiconductor chip 3) and the length in the vertical direction in FIG. Is larger.
  • the engraving pattern of the lens material illustrated in FIG. 7B is such that the underfill resin is formed over the entire first semiconductor chip 2 (second semiconductor chip 3). It is possible to prevent the underfill resin from excessively flowing into a part before infiltration, thereby damaging the dam.
  • the solid-state imaging device according to the fourth embodiment (Example 4 of the solid-state imaging device) according to the present technology includes a first semiconductor chip having a pixel region and a second semiconductor chip bonded to the first semiconductor chip via a bump. And an underfill resin formed between the first semiconductor chip and the second semiconductor chip, and surrounding the second semiconductor chip by preventing at least the outfill resin from flowing into the pixel region.
  • the second semiconductor chip has a rectangular shape having a long side and a short side, and is a region other than a region corresponding to the second semiconductor of the first semiconductor chip, An underfill resin dripping region is formed inside the dam, and a length of the underfill resin dripping region that is substantially parallel to the long side of the second semiconductor chip is the length of the long side of the second semiconductor chip. Solid state imaging shorter than It is the location. Then, in the solid-state imaging device according to the fourth embodiment of the present technology, at least two of the second semiconductor chips are provided, and the at least two second semiconductor chips are each of the at least two second semiconductor chips. Are arranged so that the short sides thereof face each other, and the underfill resin dripping region is formed between the at least two second semiconductor chips.
  • the size (for example, the area) of the underfill resin dropping area is minimized, the size of the first semiconductor chip is reduced, and the solid-state imaging is performed.
  • the size of the device can be reduced.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating a configuration example of a solid-state imaging device according to a fourth embodiment of the present technology
  • FIG. 8A is a plan view of the solid-state imaging device 400 viewed from a light irradiation side.
  • FIG. 8B is a diagram for explaining a dug area of a lens material in the solid-state imaging device 400.
  • a first semiconductor chip (lower chip) 2 and four second semiconductor chips (upper chips) 3-1 to 3-4 are connected via bumps (not shown in FIG. 8A). It is constituted by.
  • each second semiconductor chip of the second semiconductor chips 3-1 to 3-4 is connected to the light irradiation side (light receiving surface side) of the first semiconductor chip 2 via bumps (not shown). Is flip chip bonded.
  • the solid-state imaging device 400 includes a pad (PAD) area, a pixel section, a horizontal drive area, a dam area and a second semiconductor chip area.
  • PAD pad
  • the first semiconductor chip 2 is formed with the pixel region 6, the horizontal drive unit 8 disposed on the right outside of the pixel region 6, and the like.
  • a peripheral circuit unit including a column processing unit and a system control unit is provided in a region of the first semiconductor chip 2 corresponding to the second semiconductor chips 3-1 to 3-4.
  • the first semiconductor chip 2 is provided with a wire bonding electrode pad 7.
  • the second semiconductor chip 3-1 has a long side f (a long side on the upper left side in FIG. 8A), a long side h (a long side on the lower left side in FIG. 8A) and a short side e. It has a rectangular shape having a short side on the left side in FIG.
  • the second semiconductor chip 3-2 has a long side f (a long side on the upper right side in FIG. 8A), a long side h (a long side on the lower right side in FIG. 8A), and a short side e ( It has a rectangular shape having a substantially middle short side in FIG. 8A and a short side g (the right short side in FIG. 8A).
  • the second semiconductor chip 3-3 includes a long side f (a long side on the upper left side in FIG. 8A), a long side h (a long side on the lower left side in FIG. 8A) and a short side e (FIG. 8A).
  • the second semiconductor chip 3-4 has a long side f (a long side on the upper right side in FIG. 8A), a long side h (a long side on the lower right side in FIG. 8A) and a short side e ( It has a rectangular shape having a substantially middle short side in FIG. 8A and a short side g (the right short side in FIG. 8A).
  • the second semiconductor chips 3-1 and 3-2 are provided above the solid-state imaging device 400 (upper side in FIG. 8A) at the right short side g of the second semiconductor chip 3-1 and the second semiconductor chip 3-. 2 is disposed to face the left short side e via the underfill resin dropping area 1-5.
  • the second semiconductor chips 3-3 and 3-4 are provided below the solid-state imaging device 400 (the lower side in FIG. 8A) and the right short side g of the second semiconductor chip 3-3 and the second semiconductor chip 3-3.
  • the left short side e of -4 is disposed to face the underfill resin dropping region 1-6.
  • the present invention is not limited to the four second semiconductor chips 3, and at least two second semiconductor chips (preferably even (Second semiconductor chips) are within the applicable range of the solid-state imaging device according to the fourth embodiment of the present technology.
  • two second semiconductor chips 3 may be arranged on one of the upper part and the lower part of the solid-state imaging device 400.
  • the underfill resin 4 is filled between the pixel region of the first semiconductor chip 2 and the second semiconductor chips 3-1 to 3-4 to maintain mechanical strength. It is the outer periphery of the joint region of the second semiconductor chips 3-1 and 3-2 on the first semiconductor chip 2 and surrounds the second semiconductor chips 3-1 and 3-2 so as to be filled with the underfill resin 4.
  • a dam 5 is formed to prevent the underfill resin 4 from flowing to a region (pixel region 6) other than the bonding region.
  • the underfill resin 4 is filled around the first semiconductor chip 2 so as to surround the bonding area of the second semiconductor chips 3-3 and 3-4 and surround the second semiconductor chips 3-3 and 3-4.
  • a dam 5 is formed to prevent the underfill resin 4 from flowing into a region (pixel region 6) other than the bonding region at the time. Therefore, the underfill resin 4 is distributed outside the second semiconductor chips 3-1 and 3-2 and outside the second semiconductor chips 3-3 and 3-4 and inside the two dams 5. ing.
  • the underfill resin dripping region 1-5 is a region other than the regions corresponding to the second semiconductor chips 3-1 and 3-2 of the first semiconductor chip 2, and 5 and above the solid-state imaging device 400.
  • the underfill resin drop region 1-6 is a region other than the region corresponding to the second semiconductor chips 3-3 and 3-4 of the first semiconductor chip 2, and is located inside the dam 5 and below the solid-state imaging device 400. Is formed.
  • the underfill resin drop region 1-5 is located between the second semiconductor chip 3-1 and the second semiconductor chip 3-2, that is, on the right side of the second semiconductor chip 3-1. It is formed between the short side and the left short side of the second semiconductor chip 3-2.
  • the underfill resin drop region 1-6 is located between the second semiconductor chip 3-3 and the second semiconductor chip 3-4, that is, the right short side of the second semiconductor chip 3-3 and the second semiconductor chip 3-3. It is formed between 3-4 and the left short side.
  • the length of the underfill resin drop region 1-5 that is substantially parallel to the long side of the second semiconductor chip 3-1 or 3-2 is longer than the length of the long side of the second semiconductor chip 3-1 or 3-2.
  • the length that is short and substantially parallel to the long side of the second semiconductor chip 3-3 or 3-4 of the underfill resin drop region 1-6 is the length of the long side of the second semiconductor chip 3-3 or 3-4. Shorter than that.
  • the size of each of the underfill resin dripping regions 1-5 and 1-6 may be any size. For example, when the underfill resin 4 is dropped using a needle, the underfill resin dripping region The size of each of the regions 1-5 and 1-6 is preferably larger than the outer diameter of the needle so that the underfill resin 4 can be smoothly dropped.
  • FIG. 8B is a diagram for explaining a dug area of a lens material (an area where no lens material is formed).
  • FIG. 8B is a diagram of the first semiconductor chip 2 and the second semiconductor chips 3-1 and 3-2 viewed from the light incident side, and corresponds to the upper part of the solid-state imaging device 400 in FIG. I do.
  • the first semiconductor chip 2 includes regions 62 and 63 where the lens material 10-1 is not formed and regions 64 and 65 where the lens material 10-1 is formed.
  • the width of the region 62 which is substantially parallel to the short side of the second semiconductor chip 3.
  • the width decreases, and conversely, the width of the regions 64 and 65 (the length is substantially parallel to the short side of the second semiconductor chip 3).
  • the engraving pattern of the lens material illustrated in FIG. 8B is such that the underfill resin covers the entire first semiconductor chip 2 (second semiconductor chip 3). It is possible to prevent the underfill resin from excessively flowing into a part before infiltration, thereby damaging the dam.
  • the electronic device is an electronic device on which the solid-state imaging device according to the present technology is mounted, and the solid-state imaging device according to the present technology includes a first semiconductor chip having a pixel region, a bump, A second semiconductor chip bonded to the first semiconductor chip via the first semiconductor chip, an underfill resin formed between the first semiconductor chip and the second semiconductor chip, and the underfill resin to the pixel region And a dam formed so as to surround the second semiconductor chip while preventing the outflow of the first semiconductor chip.
  • the second semiconductor chip has a rectangular shape having a long side and a short side.
  • An underfill resin dripping region is formed inside the dam other than the region corresponding to the second semiconductor, and is substantially parallel to the long side of the second semiconductor chip in the underfill resin dripping region.
  • the length is the second half Shorter than the length of the long side of the body tip, a solid-state imaging device.
  • the electronic apparatus includes the solid-state imaging device according to any one of the first to fourth embodiments according to the present technology.
  • Electronic device includes the solid-state imaging device according to any one of the first to fourth embodiments according to the present technology.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating a usage example of the solid-state imaging device according to the first to fourth embodiments according to the present technology as an image sensor.
  • the solid-state imaging devices according to the first to fourth embodiments described above can be used in various cases for sensing light such as visible light, infrared light, ultraviolet light, and X-ray, for example, as described below. it can. That is, as shown in FIG. 13, for example, a field of appreciation for photographing an image used for appreciation, a field of transportation, a field of home appliances, a field of medical / healthcare, a field of security, a field of beauty, and a sport
  • the solid-state imaging device according to any one of the first to fourth embodiments is used for a device (for example, the electronic device according to the fifth embodiment described above) used in the field of the invention, the field of agriculture, and the like. Can be.
  • a device for capturing an image provided for appreciation such as a digital camera, a smartphone, or a mobile phone with a camera function, is used to implement the first to fourth embodiments.
  • the solid-state imaging device of any one of the embodiments can be used.
  • in-vehicle sensors that photograph the front, back, surroundings, and the inside of a vehicle, and monitor running vehicles and roads, for example, for safe driving such as automatic stop and recognition of the driver's condition.
  • the solid-state imaging device is used for a device used for traffic, such as a surveillance camera, a distance measuring sensor for measuring a distance between vehicles, or the like. be able to.
  • a device used for home appliances such as a television receiver, a refrigerator, and an air conditioner for photographing a gesture of a user and performing device operation according to the gesture, includes:
  • the solid-state imaging device according to any one of the fourth embodiments can be used.
  • the first to fourth embodiments are applied to devices used for medical care and health care, such as endoscopes and devices for performing blood vessel imaging by receiving infrared light.
  • the solid-state imaging device of any one of the embodiments can be used.
  • a device provided for security such as a surveillance camera for security use or a camera for personal authentication, is provided with a solid state camera according to any one of the first to fourth embodiments.
  • An imaging device can be used.
  • a device used for beauty such as a skin measuring device for photographing the skin or a microscope for photographing the scalp, is provided with any one of the first to fourth embodiments.
  • a solid state imaging device of the form can be used.
  • a solid-state imaging device according to any one of the first to fourth embodiments is applied to an apparatus provided for sports, such as an action camera or a wearable camera for sports use. Can be used.
  • a solid-state imaging device In the field of agriculture, for example, a solid-state imaging device according to any one of the first to fourth embodiments is provided for a device provided for agriculture, such as a camera for monitoring the condition of a field or a crop.
  • the device can be used.
  • the solid-state imaging device according to any one of the first to fourth embodiments described above includes, as the solid-state imaging device 101, a camera system such as a digital still camera or a video camera, or an imaging function.
  • the present invention can be applied to any type of electronic device having an imaging function, such as a mobile phone having the same.
  • FIG. 14 shows a schematic configuration of an electronic device 102 (camera) as an example.
  • the electronic device 102 is, for example, a video camera capable of capturing a still image or a moving image, and drives the solid-state imaging device 101, an optical system (optical lens) 310, a shutter device 311, and the solid-state imaging device 101 and the shutter device 311. And a signal processing unit 312.
  • the optical system 310 guides image light (incident light) from a subject to the pixel unit 101a of the solid-state imaging device 101.
  • This optical system 310 may be composed of a plurality of optical lenses.
  • the shutter device 311 controls a light irradiation period and a light blocking period to the solid-state imaging device 101.
  • the drive unit 313 controls the transfer operation of the solid-state imaging device 101 and the shutter operation of the shutter device 311.
  • the signal processing unit 312 performs various kinds of signal processing on a signal output from the solid-state imaging device 101.
  • the video signal Dout after the signal processing is stored in a storage medium such as a memory or output to a monitor or the like.
  • the second semiconductor chip has a rectangular shape having a long side and a short side, An underfill resin dropping region is formed in a region other than the region corresponding to the second semiconductor of the first semiconductor chip and inside the dam;
  • a solid-state imaging device wherein a length of the underfill resin drop region that is substantially parallel to the long side of the second semiconductor chip is shorter than a length of the long side of the second semiconductor chip.
  • [5] Comprising at least two second semiconductor chips, The at least two second semiconductor chips are arranged such that respective short sides of the at least two second semiconductor chips face each other;
  • the first semiconductor chip includes a semiconductor substrate and a lens material formed in a region other than the bumps on the semiconductor substrate, Any one of [1] to [5], wherein a region between the first semiconductor chip and the second semiconductor chip has a region where a lens material is formed and a region where a lens material is not formed. 3.
  • the first semiconductor chip includes a semiconductor substrate and a lens material formed in a region other than the bumps on the semiconductor substrate, A region between the first semiconductor chip and the second semiconductor chip has a region where a lens material is formed and a region where a lens material is not formed, Any of [1] to [8], wherein a length of the region where the lens material is not formed is substantially parallel to the short side of the second semiconductor chip, the shorter the closer to the underfill resin dripping region.
  • [10] Equipped with a solid-state imaging device The solid-state imaging device, A first semiconductor chip having a pixel region, A second semiconductor chip bonded to the first semiconductor chip via a bump; An underfill resin formed between the first semiconductor chip and the second semiconductor chip; A dam formed to prevent the underfill resin from flowing into the pixel region and surround the second semiconductor chip,
  • the second semiconductor chip has a rectangular shape having a long side and a short side, An underfill resin dropping region is formed in a region other than the region corresponding to the second semiconductor of the first semiconductor chip and inside the dam; A length of the underfill resin dropping region that is substantially parallel to the long side of the second semiconductor chip is shorter than a length of the long side of the second semiconductor chip; Electronics. [11] An electronic device equipped with the solid-state imaging device according to any one of [1] to [9].

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Abstract

半導体チップサイズの更なる縮小化を実現して小型な固体撮像装置、及びその固体撮像装置を搭載した電子機器を提供すること。　画素領域を有する第１半導体チップと、バンプを介して該第１半導体チップに接合される第２半導体チップと、該第１半導体チップと該第２半導体チップとの間に形成されるアンダーフィル樹脂と、該画素領域への該アンダーフィル樹脂の流出を防止して該第２半導体チップを囲むように形成されるダムと、を備え、該第２半導体チップが長辺と短辺とを有する矩形形状を有し、該第１半導体チップの該第２半導体に対応する領域以外の領域であって該ダムの内側に、アンダーフィル樹脂滴下領域が形成され、該アンダーフィル樹脂滴下領域の該第２半導体チップの該長辺と略平行である長さが、該第２半導体チップの該長辺の長さよりも短い、固体撮像装置、及びその固体撮像装置を搭載した電子機器を提供する。

Description

固体撮像装置及び電子機器
　本技術は、固体撮像装置及び電子機器に関する。
　一般的に、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサやＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）などの固体撮像装置は、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどに広く用いられている。
　固体撮像装置は、例えば、光電変換素子、オンチップレンズ等が形成される第１半導体チップと、Ａ／Ｄ変換回路、信号処理回路、論理演算回路等と接続用電極とが形成される第２半導体チップとを対向させてバンプで接合すること（フリップチップボンディング）により電気的に接続させて製造される。
　例えば、半導体チップの接合を容易に行なうことによって半導体装置（例えば固体撮像装置）を得ることができる技術が提案されている（特許文献１を参照）。
特開２０１６－１６３０１１号公報
　しかしながら、特許文献１で提案された技術では、半導体チップサイズの更なる縮小を図れないおそれがある。
　そこで、本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、半導体チップサイズの更なる縮小化を実現して小型な固体撮像装置、及びその固体撮像装置を搭載した電子機器を提供することを主目的とする。
　本発明者は、上述の目的を解決するために鋭意研究を行った結果、半導体チップサイズの更なる縮小化を実現して固体撮像装置の更なる小型化に成功し、本技術を完成するに至った。
　すなわち、本技術では、画素領域を有する第１半導体チップと、バンプを介して該第１半導体チップに接合される第２半導体チップと、該第１半導体チップと該第２半導体チップとの間に形成されるアンダーフィル樹脂と、少なくとも該画素領域への該アンダーフィル樹脂の流出を防止して該第２半導体チップを囲むように形成されるダムと、を備え、該第２半導体チップが長辺と短辺とを有する矩形形状を有し、該第１半導体チップの該第２半導体に対応する領域以外の領域であって該ダムの内側に、アンダーフィル樹脂滴下領域が形成され、該アンダーフィル樹脂滴下領域の該第２半導体チップの該長辺と略平行である長さが、該第２半導体チップの該長辺の長さよりも短い、固体撮像装置を提供する。
　本技術に係る固体撮像装置において、前記アンダーフィル樹脂滴下領域が、前記第２半導体チップの前記短辺と前記ダムとの間に形成されてよい。
　本技術に係る固体撮像装置において、前記第２半導体チップが第１短辺と第２短辺とを有してよく、前記アンダーフィル樹脂滴下領域が、前記第２半導体チップの第１短辺と前記ダムとの間、及び前記第２半導体チップの第２短辺と前記ダムとの間に、それぞれ形成されてよい。
　本技術に係る固体撮像装置において、前記アンダーフィル樹脂滴下領域が、前記画素領域の方向に張り出すように形成されてよい。
　本技術に係る固体撮像装置は、少なくとも２つの前記第２半導体チップを備えてよく、該少なくとも２つの第２半導体チップは、該少なくとも２つの第２半導体チップのそれぞれの短辺が対向するように配置されてよく、前記アンダーフィル樹脂滴下領域が、該少なくとも２つの第２半導体チップの間に形成されてよい。
　本技術に係る固体撮像装置において、前記第１半導体チップが、半導体基板と、該半導体基板上の前記バンプ以外の領域に形成されるレンズ材とを含んでよく、前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとの間の領域は、レンズ材が形成された領域とレンズ材が形成されていない領域とを有してよい。
　本技術に係る固体撮像装置において、前記レンズ材が形成された領域には、前記レンズ材の厚みが非連続的に異なる領域が形成されてよく、また、前記レンズ材が形成された領域には、前記レンズ材の厚みが連続的に異なる領域が形成されてよい。
　本技術に係る固体撮像装置において、前記第１半導体チップが、半導体基板と、該半導体基板上の前記バンプ以外の領域に形成されるレンズ材とを含んでよく、前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとの間の領域は、レンズ材が形成された領域とレンズ材が形成されていない領域とを有してよく、レンズ材が形成されていない領域の前記第２半導体チップの前記短辺と略平行である長さは、前記アンダーフィル樹脂滴下領域に近づくに従って短くなってよい。
　また、本技術では、固体撮像装置が搭載されて、該固体撮像装置が、画素領域を有する第１半導体チップと、バンプを介して該第１半導体チップに接合される第２半導体チップと、該第１半導体チップと該第２半導体チップとの間に形成されるアンダーフィル樹脂と、該画素領域への該アンダーフィル樹脂の流出を防止して該第２半導体チップを囲むように形成されるダムと、を備え、該第２半導体チップが長辺と短辺とを有する矩形形状を有し、該第１半導体チップの該第２半導体に対応する領域以外の領域であって該ダムの内側に、アンダーフィル樹脂滴下領域が形成され、該アンダーフィル樹脂滴下領域の該第２半導体チップの該長辺と略平行である長さが、該第２半導体チップの該長辺の長さよりも短い、電子機器を提供する。また、本技術では、本技術に係る固体撮像装置が搭載された電子機器を提供する。
　本技術によれば、半導体チップサイズの更なる縮小化を実現して小型な固体撮像装置、及びその固体撮像装置を搭載した電子機器が提供され得る。なお、ここに記載された効果は、必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
本技術を適用した固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した固体撮像装置の回路構成例を示すブロック図である。 本技術を適用した固体撮像装置の構成例を示す図である。 レンズ材の掘り込みエリアと、アンダーフィル樹脂を滴下したときのアンダーフィル樹脂の浸透の様子と、を説明するための図である。 本技術を適用した固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した固体撮像装置の構成例を示す図である。 アンダーフィル樹脂滴下領域とレンズ材の掘り込みパターンとを説明するための図である。 アンダーフィル樹脂滴下領域とレンズ材の掘り込みパターンとを説明するための図である。 固体撮像装置の構成例を示す図である。 固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した第１～第５の実施形態の固体撮像装置の使用例を示す図である。 本技術を適用した第６の実施形態に係る電子機器の一例の機能ブロック図である。
　以下、本技術を実施するための好適な形態について説明する。以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態の一例を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。なお、特に断りがない限り、図面において、「上」とは図中の上方向又は上側を意味し、「下」とは、図中の下方向又は下側を意味し、「左」とは図中の左方向又は左側を意味し、「右」とは図中の右方向又は右側を意味する。また、図面については、同一又は同等の要素又は部材には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
　説明は以下の順序で行う。
　１．本技術の概要
　２．第１の実施形態（固体撮像装置の例１）
　３．第２の実施形態（固体撮像装置の例２）
　４．第３の実施形態（固体撮像装置の例３）
　５．第４の実施形態（固体撮像装置の例４）
　６．第５の実施形態（電子機器の例）
　７．本技術を適用した固体撮像装置の使用例
＜１．本技術の概要＞
　まず、本技術の概要について説明をする。
　チップオンウエハ積層技術を採用したイメージセンサ（例えば、図１１に示される固体撮像装置７００）が開発されている。このイメージセンサは、受光面側に別のチップを積層するセンサである。
　図１１を用いて、上記イメージセンサについて説明をする。図１１に示されるように、固体撮像装置７００は、第１半導体チップ２、２つの第２半導体チップ３及びコレット接触可能領域１６及び１７から主に構成されている。第１半導体チップ２に積層される第２半導体チップ（例えば、ロジックチップ、メモリチップ等）３は第１半導体チップ２が有する画素領域６に沿った形状となるため、図１１中では図１１中の左右方向の２つの長辺と図１１中の上下方向の短辺とを有する細長い形状（矩形形状）となっている。第２半導体チップ（例えばロジックチップ）３は、アンダーフィル樹脂がパッドや画素領域６へと漏れ出すことを防ぐためにダム５と呼ばれる構造で囲われている。アンダーフィル樹脂は第２半導体チップ（例えば、ロジックチップ、メモリチップ等）３の画素領域６側に広く設けられたダム５と第２半導体チップ（例えば、ロジックチップ、メモリチップ等）３の間のスペースから塗布される。
　イメージセンサの受光面側にフリップチップ接続を行う場合、接続するチップは画素領域に沿った細長い構造をとる場合がある。このような構造では、チップ間隙全体にアンダーフィル樹脂を満たす際、アンダーフィル樹脂領域をチップの長辺に沿って細長く取り、線状または複数点でアンダーフィル樹脂の塗布を行い、スループットの向上（生産効率の向上）やボイド・ダムの決壊などを防いでいる。一方で、アンダーフィル樹脂滴下領域は第２半導体チップ（上チップ）からダムまでの幅を広くとる必要があるため、ダムまで領域の面積が広くなり、チップサイズを律速する要因になっている。
　以上のことは、図１２を用いて具体的に説明をすることができる。図１２に示されるように、固体撮像装置８００において、アンダーフィル樹脂滴下領域１－６は、第１半導体チップ２の第２半導体チップ３に対応する領域以外の領域であって、ダム５の内側に形成されている。より詳しくは、アンダーフィル樹脂滴下領域１－６は、第２半導体チップ３の下部に第２半導体チップの長辺ｈ（又は長辺ｆ）全域に渡って形成され、アンダーフィル樹脂滴下領域１－６の第２半導体チップ３の長辺ｈ（又は長辺ｆ）と略平行である長さは、第２半導体チップ３の長辺ｈ（又は長辺ｆ）の長さよりも長くなっている。したがって、上記で説明をしたように、第２半導体チップ３からダム５まで領域の面積が広くなり、第１半導体チップ２のサイズを律速する要因になっている。
　本技術は上記の事情を鑑みてなされたものである。本技術は、アンダーフィル樹脂滴下領域の大きさ（例えば面積）を必要最小限に抑えることによって、第１半導体チップ（センサチップ）のサイズを縮小して、固体撮像装置の小型化を図ることができる。なお、本技術は、裏面照射型の固体撮像装置にも適用できるし、表面照射型の固体撮像装置にも適用できるし、固体撮像装置以外の半導体装置にも適用可能である。
　以下に、本技術に係る実施の形態について詳細に説明をする。
＜２．第１の実施形態（固体撮像装置の例１）＞
　まず、本技術に係る第１の実施形態（固体撮像装置の例１）の固体撮像装置について、説明する。
本技術に係る第１の実施形態（固体撮像装置の例１）の固体撮像装置は、画素領域を有する第１半導体チップと、バンプを介して該第１半導体チップに接合される第２半導体チップと、該第１半導体チップと該第２半導体チップとの間に形成されるアンダーフィル樹脂と、少なくとも該画素領域への該アンダーフィル樹脂の流出を防止して該第２半導体チップを囲むように形成されるダムと、を備え、該第２半導体チップが長辺と短辺とを有する矩形形状を有し、該第１半導体チップの該第２半導体に対応する領域以外の領域であって該ダムの内側に、アンダーフィル樹脂滴下領域が形成され、該アンダーフィル樹脂滴下領域の該第２半導体チップの該長辺と略平行である長さが、該第２半導体チップの該長辺の長さよりも短い、固体撮像装置である。そして、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置においては、アンダーフィル樹脂滴下領域は、前記第２半導体チップの該短辺と前記ダムとの間に形成されている。
　本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置によれば、アンダーフィル樹脂滴下領域の大きさ（例えば面積）を必要最小限に抑えて、第１半導体チップのサイズを縮小して、固体撮像装置の小型化を図ることができる。
　以下、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置について、図１～図５及び図９～図１０を用いて更に詳細に説明をする。
　図１は、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、固体撮像装置１００を光照射側から見た平面図である。図２は、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、図２（ａ）は、図１と同様に、固体撮像装置１００を光照射側から見た平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示されるＣＣ’線における固体撮像装置１００の断面図である。図３は、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、固体撮像装置１００の回路構成を示すブロック図である。図４は、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、図４（ａ）は、図１と同様に、固体撮像装置１００を光照射側から見た平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示されるＡＡ’線における固体撮像装置１００の断面図であり、図４（ｃ）は、図４（ａ）に示されるＢＢ’線における固体撮像装置１００の断面図である。図５（ａ）は、固体撮像装置１００について、レンズ材の掘り込みエリアを説明するための図であり、図５（ｂ）は、固体撮像装置１００について、アンダーフィル樹脂を滴下したときのアンダーフィル樹脂の浸透の様子を説明するための図である。
　図９は、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、固体撮像装置５００について、アンダーフィル樹脂滴下領域とレンズ材の掘り込みパターンとを説明するための図である。図１０は、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、固体撮像装置６００について、アンダーフィル樹脂滴下領域とレンズ材の掘り込みパターンとを説明するための図である。
　まず、図１を用いて、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置を説明する。
　固体撮像装置１００は、第１半導体チップ（下チップ）２と第２半導体チップ（上チップ）３がバンプ（図１では不図示）を介して接続することにより構成される。固体撮像装置１００において、第２半導体チップ３は、バンプ（不図示）を介して、第１半導体チップ２の光の照射側（受光面側）にフリップチップボンディングされる。固体撮像装置１００は、パッド（ＰＡＤ）領域Ｐと、画素部Ｑと、水平駆動領域Ｒと、ダム領域・第２半導体チップ領域Ｓとから構成されている。以下に固体撮像装置１００について詳細に説明をする。
　第１半導体チップ２には、画素領域６、画素領域６の右外側に配される水平駆動部８等が形成される。また、第１半導体チップ２の第２半導体チップ３に対応する領域には、図１では図示されていないが、カラム処理部及びシステム制御部からなる周辺回路部が形成されている。さらに、第１半導体チップ２には、ワイヤボンディング用電極パッド７が形成されている。そして、第２半導体チップ３は、長辺ｆ（図１中の上側の長辺）と長辺ｈ（図１中の下側の長辺）と短辺ｅ（図１中の左側の短辺）と短辺ｇ（図１中の右側の短辺）とを有する矩形形状を有している。
　第１半導体チップ２が有する画素領域と第２半導体チップ３との間には、機械強度を保つためにアンダーフィル樹脂４が充填されている。第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の外周囲であり、第２半導体チップ３を囲むようにして、アンダーフィル樹脂４の充填時の接合領域以外の領域（画素領域６）へのアンダーフィル樹脂４の流出を防止するダム５が形成されている。したがって、アンダーフィル樹脂４は第２半導体チップ３の外側であって、ダム５の内側に広がって配されている。
　図１に示されるように、アンダーフィル樹脂滴下領域１－１は、第１半導体チップ２の第２半導体チップ３に対応する領域以外の領域であって、ダム５の内側に形成されている。より詳しくは、固体撮像装置１００では、アンダーフィル樹脂滴下領域１－１は、第２半導体チップ３の右短辺ｇ（図１中の右側）とダム５との間に形成されている。アンダーフィル樹脂滴下領域１－１の第２半導体チップ３の長辺ｆ又は長辺ｈと略平行である長さは、第２半導体チップ３の長辺ｆ又は長辺ｈの長さよりも短い。
　アンダーフィル樹脂滴下領域１－１の領域の大きさは任意の大きさでよいが、例えば、アンダーフィル樹脂を、ニードルを用いて滴下する場合は、アンダーフィル樹脂滴下領域１－１の領域の大きさは、アンダーフィル樹脂の円滑な滴下ができるように、ニードルの外径寸法（面積）よりも大きいことが好ましい。なお、アンダーフィル樹脂滴下領域１－１は、第２半導体チップ３の左短辺ｅ（図１中の左側）とダム５との間に形成されてもよい。
　図２を用いて、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置を説明する。
　図２（ａ）に示される固体撮像装置１００は、図１で説明をしたとおりであるので、ここでは説明を省略する。図２（ｂ）は、図２（ａ）に示されるＣＣ´線に従った断面図である。すなわち、図２（ｂ）においては、固体撮像装置１００の右側が図２（ａ）に示されるＣ部に対応し、左側が図２（ａ）に示されるＣ´部に対応する。
　図２（ｂ）に示されるように、固体撮像装置１００は、第１半導体チップ（下チップ）２と第２半導体チップ（上チップ）３とがバンプ１１を介して接続することにより構成されている。固体撮像装置１００において、第２半導体チップ３は、バンプ１１を介して、第１半導体チップ２の光の照射側（受光面側、図２（ｂ）中の上側）にフリップチップボンディングされる。
　第１半導体チップ２は、半導体基板９とレンズ材１０と備え、レンズ材１０は、第１半導体チップ２の光の照射側（図２（ｂ）中の上側）で、バンプ１１以外の領域に有機物等から形成される。レンズ材１０は、１種類の有機物により構成されてもよいし、２種類以上の有機物が積層されることにより構成されてもよい。レンズ材１０を構成する有機物の上には、図示はされていないが、反射防止膜として、ＳｉＯ２、ＳｉＮなどの薄い無機膜が積層されるようにしてもよい。
　そして、レンズ材１０は、画素領域６においてオンチップレンズとして機能し、照射された光を画素領域６に集光させる。
　第１半導体チップ２と第２半導体チップ３との間（図２（ｂ）中の上下方向の間）には、機械強度を保つためにアンダーフィル樹脂４が充填されている。アンダーフィル樹脂４は、第２半導体チップ３の外周部の左右に裾拡がり状にフィレット４ｂ及び４ｃを形成している。
　第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の左右の外側には、アンダーフィル樹脂４の接合領域以外の領域（画素領域６）へのアンダーフィル樹脂４の流出を防止するダム５が形成されている。より詳しくは、第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の左の外側には、２つのダム５－１及び５－２がレンズ材１０を掘り込んで凹部上に形成され、第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の右の外側には、２つのダム５－３及び５－４がレンズ材１０を掘り込んで凹部上に形成されている。なお、ダム５は、第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の左右の外側のそれぞれに少なくとも１つのダム５が形成されればよく、上記で述べた、第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の左右の外側のそれぞれに２つのダム５（ダム５－１～５－４）が形成されることは１つの例である。
　図３を用いて、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置を説明する。
　固体撮像装置１０００は、第１半導体チップ（下チップ）２と第２半導体チップ（上チップ）３がバンプ（不図示）を介して接続することにより構成される。第１半導体チップ２と第２半導体チップ３とは、それぞれ、シリコン基板等の半導体基板とＣｕやＡｌなどの金属配線層とからなる。
　図３に示されるように、第１半導体チップ２は、画素領域６と、水平駆動部８と、カラム処理部１４と、システム制御部１５とから形成されている。第２半導体チップ３は、垂直駆動部・信号処理部１３が形成されている。
　画素領域６には、入射光の光量に応じた電荷量の電荷を発生して内部に蓄積する光電変換素子を有する画素が、行列状に２次元配置され、撮像を行う。また、画素領域６と水平駆動部８とは行ごとに形成された画素駆動線を介して接続されている。画素領域６とカラム処理部１４とは、列ごとに形成された垂直信号線を介して接続されている。カラム処理部１４及びシステム駆動部１５と垂直駆動部・信号処理部１３とはバンプ（不図示）を介して接続されている。
　図３で説明した上記の内容（固体撮像装置１０００）は、後述の第２～第４の実施形態の固体撮像装置にもそのまま適用することができる。
　図４を用いて、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置を説明する。
　図４（ａ）に示される固体撮像装置１００は、図１で説明をしたとおりであるので、ここでは説明を省略する。図４（ｂ）は、図２（ａ）に示されるＡＡ´線に従った断面図である。すなわち、図４（ｂ）においては、固体撮像装置１００の右側が図４（ａ）に示されるＡ部に対応し、左側が図４（ａ）に示されるＡ´部に対応する。図４（ｃ）は、図４（ａ）に示されるＢＢ´線に従った断面図である。すなわち、図４（ｃ）においては、固体撮像装置１００の右側が図４（ａ）に示されるＢ部に対応し、左側が図４（ａ）に示されるＢ´部に対応する。
　図４（ｂ）に示されるように、固体撮像装置１００は、第１半導体チップ（下チップ）２と第２半導体チップ（上チップ）３とがバンプ１１を介して接続することにより構成されている。固体撮像装置１００において、第２半導体チップ３は、バンプ１１を介して、第１半導体チップ２の光の照射側（受光面側、図４（ｂ）中の上側）にフリップチップボンディングされる。
　第１半導体チップ２は、半導体基板９とレンズ材１０とを備え、レンズ材１０は、第１半導体チップ２の光の照射側（図４（ｂ）中の上側）で半導体基板９上に、バンプ１１以外の領域に有機物等から形成される。レンズ材１０は、１種類の有機物により構成されてもよいし、２種類以上の有機物が積層されることにより構成されてもよい。レンズ材１０を構成する有機物の上には、図示はされていないが、反射防止膜として、ＳｉＯ２、ＳｉＮなどの薄い無機膜が積層されるようにしてもよい。
　そして、レンズ材１０は、画素領域６においてオンチップレンズとして機能し、照射された光を画素領域６に集光させる。
　図４（ｂ）では、アンダーフィル樹脂４が充填される前を図示しているが、第１半導体チップ２と第２半導体チップ３との間（図４（ｂ）中の上下方向の間）には、機械強度を保つためにアンダーフィル樹脂４が充填されてよい。
　第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の左右の外側には、アンダーフィル樹脂４の接合領域以外の領域（画素領域６）へのアンダーフィル樹脂４の流出を防止するダム５が形成されている。より詳しくは、第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の左の外側には、２つのダム５－５及び５－６がレンズ材１０を掘り込んで凹部上に形成され、第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の右の外側には、２つのダム５－７及び５－８がレンズ材１０を掘り込んで凹部上に形成されている。なお、ダム５は、第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の左右の外側のそれぞれに少なくとも１つのダム５が形成されればよく、上記で述べた、第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の左右の外側のそれぞれに２つのダム５（ダム５－５～５－８）が形成されることは１つの例である。
　図４（ｃ）中の固体撮像装置１００は、第１半導体チップ（下チップ）２と第２半導体チップ（上チップ）３とがバンプ１１を介して接続することにより構成されている。固体撮像装置１００において、第２半導体チップ３は、バンプ１１を介して、第１半導体チップ２の光の照射側（受光面側、図４（ｃ）中の上側）にフリップチップボンディングされる。
　第１半導体チップ２は、半導体基板９とレンズ材１０とを備え、レンズ材１０は、第１半導体チップ２の光の照射側（図４（ｃ）中の上側）で半導体基板９上に、バンプ１１以外の領域に有機物等から形成される。レンズ材１０は、１種類の有機物により構成されてもよいし、２種類以上の有機物が積層されることにより構成されてもよい。レンズ材１０を構成する有機物の上には、図示はされていないが、反射防止膜として、ＳｉＯ２、ＳｉＮなどの薄い無機膜が積層されるようにしてもよい。
　そして、レンズ材１０は、画素領域６においてオンチップレンズとして機能し、照射された光を画素領域６に集光させる。
　図４（ｃ）では、アンダーフィル樹脂４が充填される前を図示しているが、第１半導体チップ２と第２半導体チップ３との間（図４（ｃ）中の上下方向の間）には、機械強度を保つためにアンダーフィル樹脂４が充填されてよい。
　第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の左右の外側には、アンダーフィル樹脂４の接合領域以外の領域（画素領域６）へのアンダーフィル樹脂４の流出を防止するダム５が形成されている。より詳しくは、第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の左の外側には、２つのダム５－９及び５－１０がレンズ材１０を掘り込んで凹部上に形成され、第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の右の外側には、２つのダム５－１１及び５－１２がレンズ材１０を掘り込んで凹部上に形成されている。なお、ダム５は、第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の左右の外側のそれぞれに少なくとも１つのダム５が形成されればよく、上記で述べた、第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の左右の外側のそれぞれに２つのダム５（ダム５－９～５－１２）が形成されることは１つの例である。
　図４（ｂ）を参照する。第１半導体チップ２と第２半導体チップ３との間の領域には、４つのバンプ１１が形成されている領域と、４つのバンプ１１が形成されている領域以外の領域（すなわち、４つのバンプ１１が形成されていない領域）とがあり、４つのバンプ１１が形成されている領域以外の領域には、レンズ材１０－１が形成された領域ｄ１及びｄ３とレンズ材１０－１が形成されていない領域ｄ２とがある。領域ｄ１及びｄ３ではレンズ材１０－１が半導体基板９上に形成されているため、第１半導体チップ２と第２半導体チップ３との間のギャップ（距離）ｄａ及びｄｃは、レンズ材１０－１が形成されていない領域ｄ２の第１半導体チップ２と第２半導体チップ３との間のギャップ（距離）ｄｂに対して小さくなっている。ところで、レンズ材１０－１の厚み（図４（ｂ）中の上下方向）が略同等であるため、ギャップ（距離）ｄａ及びｄｃは略同じでよいし、レンズ材１０－１の厚み（図４（ｂ）中の上下方向）が非連続的に異なるため、ギャップ（距離）ｄａ及びｄｃが異なっていてもよい。
　図４（ｃ）を参照する。第１半導体チップ２と第２半導体チップ３との間の領域には、４つのバンプ１１が形成されている領域と、４つのバンプ１１が形成されている領域以外の領域（すなわち、４つのバンプ１１が形成されていない領域）とがあり、４つのバンプ１１が形成されている領域以外の領域には、レンズ材１０－１が形成された領域ｄ４及びｄ６とレンズ材１０－１が形成されていない領域（掘り込まない領域）ｄ５とがある。領域ｄ４及びｄ６ではレンズ材１０－１が半導体基板９上に形成されているため、第１半導体チップ２と第２半導体チップ３との間のギャップ（距離）ｄｄ及びｄｆは、レンズ材１０－１が形成されていない領域ｄ５の第１半導体チップ２と第２半導体チップ３との間のギャップ（距離）ｄｅに対して小さくなっている。ところで、レンズ材１０－１の厚み（図４（ｃ）中の上下方向）が略同等であるため、ギャップ（距離）ｄｄ及びｄｆは略同じでよいし、レンズ材１０－１の厚み（図４（ｃ）中の上下方向）が非連続的に異なるため、ギャップ（距離）ｄｄ及びｄｆが異なっていてもよい。
　図４（ｃ）に示される固体撮像装置１００の断面図（ＢＢ´線断面）は、図４（ｂ）に示される固体撮像装置１００の断面図（ＡＡ´）と比べて、アンダーフィル樹脂滴下領域１－１が近いところにある図である。図４（ｂ）及び図４（ｃ）を参照するに、図４（ｃ）に示される、レンズ材１０－１が形成されているためギャップ（距離）が小さいｄ４及びｄ６の幅（図４（ｃ）中の左右方向）は、図４（ｂ）に示される、レンズ材１０－１が形成されている、ギャップ（距離）が小さいｄ１及びｄ３の幅（図４（ｂ）中の左右方向）に対して大きくなっている。すなわち、レンズ材１０－１が形成されている領域（ｄ１及びｄ３～ｄ４及びｄ６）の第２半導体チップ３の短辺と略平行である長さは、アンダーフィル樹脂滴下領域１－１に近づくにしたがって長くなっている。逆に、図４（ｃ）に示される、レンズ材１０－１が形成されていない、ギャップ（距離）が大きいｄ５の幅（図４（ｃ）中の左右方向）は、図４（ｂ）に示される、レンズ材１０－１が形成されていない、ギャップ（距離）が大きいｄ２の幅（図４（ｂ）中の左右方向）に対して小さくなっている。すなわち、レンズ材１０－１が形成されていない領域（ｄ２～ｄ５）の第２半導体チップ３の短辺と略平行である長さは、アンダーフィル樹脂滴下領域１－１に近づくにしたがって短くなっている。以上のことは、図５を用いて更に詳細に説明をする。
　図５は、レンズ材の掘り込みエリア（レンズ材が形成されていない領域）と、アンダーフィル樹脂を滴下したときのアンダーフィル樹脂の浸透の様子と、を説明するための図である。
　図５（ａ）は第１半導体チップ２と第２半導体チップ３とを光入射側から見た図である。第１半導体チップ２は、レンズ材１０－１が形成されていない領域５０ａとレンズ材１０－１が形成されている領域５１ａとから構成され、アンダーフィル樹脂滴下領域５３ａに近づくに従って（図５（ａ）中の左から右にいくに従って）、領域５０ａの幅（第２半導体チップ３の短辺と略平行の長さであり、図５（ａ）中の上下方向の長さ）は小さくなり、逆に、領域５１ａの幅（第２半導体チップ３の短辺と略平行の長さであり、図５（ａ）中の上下方向の長さ）は大きくなっている。
　次に、図５（ｂ）を参照する。図５（ｂ）は、アンダーフィル樹脂５４をニードル５５で滴下したときのアンダーフィル樹脂５４の浸透の様子を示した図である。図５（ｂ）に示されるように、第１半導体チップ２（第２半導体チップ３）の中心部は浸透速度が速く（矢印Ｘ１～Ｘ５）、第２半導体チップ２の端部では滴下時は、浸透速度は遅く、レンズ材１０－１が形成されていない領域５０ｂが広がるに浸透速度は速くなる（矢印Ｙ１～Ｙ５及び矢印Ｚ１～Ｚ５）。これにより、第１半導体チップ２（第２半導体チップ３）の全体にアンダーフィル樹脂が浸透する前に一部にアンダーフィル樹脂が過剰に流れ込んでダムが決壊することを防ぐことができる。ところで、図５（ｂ）中の矢印Ｘ１～Ｘ５、Ｙ１～Ｙ５及びＺ１～Ｚ５の太さは浸透速度を示す。矢印の太さが太い場合は浸透速度が速いこと示し、矢印の太さが細い場合は浸透速度が遅いことを示す。以上のことは、第１半導体チップ２と第２半導体チップとのギャップ（距離）が大きいほどアンダーフィル樹脂の浸透速度が速いからである。レンズ材の掘り込みエリアのパターンを自由に変更することでアンダーフィル樹脂の浸透速度を自由に調整することができる。これにより、一部分への過剰なアンダーフィル樹脂の供給を防ぐことができ、スループットの向上（生産効率の向上）やダムの決壊の防止が可能になる。
　図９を用いて、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置を更に説明する。
　図９に示されるように、固体撮像装置５００は、第１半導体チップ（下チップ）２と第２半導体チップ（上チップ）３とがバンプ１１を介して接続することにより構成されている。固体撮像装置５００において、第２半導体チップ３は、バンプ１１を介して、第１半導体チップ２の光の照射側（受光面側、図９の上側）にフリップチップボンディングされる。
　第１半導体チップ２は、半導体基板９とレンズ材１０とを備え、レンズ材１０は、第１半導体チップ２の光の照射側（図４（ｂ）中の上側）で半導体基板９上に、バンプ１１以外の領域に有機物等から形成される。レンズ材１０は、１種類の有機物により構成されてもよいし、２種類以上の有機物が積層されることにより構成されてもよい。レンズ材１０を構成する有機物の上には、図示はされていないが、反射防止膜として、ＳｉＯ２、ＳｉＮなどの薄い無機膜が積層されるようにしてもよい。
　そして、レンズ材１０は、画素領域６においてオンチップレンズとして機能し、照射された光を画素領域６に集光させる。
　図９では、アンダーフィル樹脂４が充填される前を図示しているが、第１半導体チップ２と第２半導体チップ３との間（図９中の上下方向の間）には、機械強度を保つためにアンダーフィル樹脂４が充填されてよい。
　第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の左右の外側には、アンダーフィル樹脂４の接合領域以外の領域（画素領域６）へのアンダーフィル樹脂４の流出を防止するダム５が形成されている。より詳しくは、第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の左の外側には、２つのダム５－１３及び５－１４がレンズ材１０を掘り込んで凹部上に形成され、第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の右の外側には、２つのダム５－１５及び５－１６がレンズ材１０を掘り込んで凹部上に形成されている。なお、ダム５は、第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の左右の外側のそれぞれに少なくとも１つのダム５が形成されればよく、上記で述べた、第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の左右の外側のそれぞれに２つのダム５（ダム５－１３～５－１６）が形成されることは１つの例である。
　図９に示されるように、第１半導体チップ２と第２半導体チップ３との間の領域には、４つのバンプ１１が形成されている領域と、４つのバンプ１１が形成されている領域以外の領域（すなわち、４つのバンプ１１が形成されていない領域）とがあり、４つのバンプ１１が形成されている領域以外の領域には、レンズ材１０－１が形成された領域ｄ７、ｄ８、ｄ１０及びｄ１１とレンズ材１０－１が形成されていない領域ｄ９とがある。領域ｄ７、ｄ８、ｄ１０及びｄ１１ではレンズ材１０－１が半導体基板９上に形成されているため、第１半導体チップ２と第２半導体チップ３との間のギャップ（距離）ｄｇ、ｄｈ、ｄｊ及びｄｋは、レンズ材１０－１が形成されていない領域ｄ９の第１半導体チップ２と第２半導体チップ３との間のギャップ（距離）ｄｉに対して小さくなっている。また、ｄ７の領域であって、第２半導体チップ３の左端部には下凸部が形成されているため、レンズ材１０－１の厚みが同じであっても、ギャップ（距離）ｄｇはギャップ（距離）ｄｈより小さくなっている。同様に、ｄ１１の領域であって、第２半導体チップ３の右端部には下凸部が形成されているため、レンズ材１０－１の厚みが同じであっても、ギャップ（距離）ｄｋはギャップ（距離）ｄｊより小さくなっている。このように、第２半導体チップ３に下凸部を設けることにより、アンダーフィル樹脂の浸透速度を細かく調整することができる。図示はされていないが、第２半導体チップ３に上凹部を設けることによっても、下凸部を設けることと同様に、アンダーフィル樹脂の浸透速度を細かく調整することができる。ところで、レンズ材１０－１の厚み（図９中の上下方向）が略同等であるため、ギャップ（距離）ｄｇ及びｄｋ、並びにｄｈ及びｄｊは略同じでよいし、レンズ材１０の厚み（図９中の上下方向）が非連続的に異なるため、ギャップ（距離）ｄｇ及びｄｋ、並びにｄｈ及びｄｊが異なっていてもよい。
　図１０を用いて、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置を更に説明する。
　図１０に示されるように、固体撮像装置６００は、第１半導体チップ（下チップ）２と第２半導体チップ（上チップ）３とがバンプ１１を介して接続することにより構成されている。固体撮像装置６００において、第２半導体チップ３は、バンプ１１を介して、第１半導体チップ２の光の照射側（受光面側、図１０の上側）にフリップチップボンディングされる。
　第１半導体チップ２は、半導体基板９とレンズ材１０とを備え、レンズ材１０は、第１半導体チップ２の光の照射側（図４（ｂ）中の上側）で半導体基板９上に、バンプ１１以外の領域に有機物等から形成される。レンズ材１０は、１種類の有機物により構成されてもよいし、２種類以上の有機物が積層されることにより構成されてもよい。レンズ材１０を構成する有機物の上には、図示はされていないが、反射防止膜として、ＳｉＯ２、ＳｉＮなどの薄い無機膜が積層されるようにしてもよい。
　そして、レンズ材１０は、画素領域６においてオンチップレンズとして機能し、照射された光を画素領域６に集光させる。
　図１０では、アンダーフィル樹脂４が充填される前を図示しているが、第１半導体チップ２と第２半導体チップ３との間（図１０中の上下方向の間）には、機械強度を保つためにアンダーフィル樹脂４が充填されてよい。
　第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の左右の外側には、アンダーフィル樹脂４の接合領域以外の領域（画素領域６）へのアンダーフィル樹脂４の流出を防止するダム５が形成されている。より詳しくは、第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の左の外側には、２つのダム５－１７及び５－１８がレンズ材１０を掘り込んで凹部上に形成され、第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の右の外側には、２つのダム５－１９及び５－２０がレンズ材１０を掘り込んで凹部上に形成されている。なお、ダム５は、第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の左右の外側のそれぞれに少なくとも１つのダム５が形成されればよく、上記で述べた、第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の左右の外側のそれぞれに２つのダム５（ダム５－１７～５－２０）が形成されることは１つの例である。
　図１０に示されるように、第１半導体チップ２と第２半導体チップ３との間の領域には、４つのバンプ１１が形成されている領域と、４つのバンプ１１が形成されている領域以外の領域（すなわち、４つのバンプ１１が形成されていない領域）とがあり、４つのバンプ１１が形成されている領域以外の領域には、レンズ材１０－１が形成された領域とレンズ材１０－１が形成されていない領域とがある。第１半導体チップ２と第２半導体チップ３との間の領域中のレンズ材１０－１が形成された領域の左側では、図１０中で左上方向に向かう斜め破線Ｔ－１に従って、レンズ材１０－１が形成されていない領域から、レンズ１０－１の厚みが連続的に増して、ギャップ（距離）ｄｌ２がギャップ（距離）ｄｌ１よりも小さくなっている。一方、第１半導体チップ２と第２半導体チップ３との間の領域中のレンズ材１０－１が形成された領域の右側では、図１０中で右上方向に向かう斜め破線Ｔ－２に従って、レンズ材１０－１が形成されていない領域から、レンズ１０－１の厚みが連続的に増して、ギャップ（距離）ｄｍ２がギャップ（距離）ｄｍ１よりも小さくなっている。このように、レンズ材１０－１の傾斜（レンズ材１０－１の厚みの連続的な変化）を設けることにより、アンダーフィル樹脂の浸透速度を細かく調整することができる。
＜３．第２の実施形態（固体撮像装置の例２）＞
　本技術に係る第２の実施形態（固体撮像装置の例２）の固体撮像装置について、説明する。
　本技術に係る第２の実施形態（固体撮像装置の例２）の固体撮像装置は、画素領域を有する第１半導体チップと、バンプを介して該第１半導体チップに接合される第２半導体チップと、該第１半導体チップと該第２半導体チップとの間に形成されるアンダーフィル樹脂と、少なくとも該画素領域への該アンダーフィル樹脂の流出を防止して該第２半導体チップを囲むように形成されるダムと、を備え、該第２半導体チップが長辺と短辺とを有する矩形形状を有し、該第１半導体チップの該第２半導体に対応する領域以外の領域であって該ダムの内側に、アンダーフィル樹脂滴下領域が形成され、該アンダーフィル樹脂滴下領域の該第２半導体チップの該長辺と略平行である長さが、該第２半導体チップの該長辺の長さよりも短い、固体撮像装置である。そして、本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置においては、前記第２半導体チップが第１短辺と第２短辺とを有し、前記アンダーフィル樹脂滴下領域が、前記第２半導体チップの第１短辺と前記ダムとの間と、前記第２半導体チップの第２短辺と前記ダムとの間とに、それぞれ形成されている。
本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置によれば、アンダーフィル樹脂滴下領域の大きさ（例えば面積）を必要最小限に抑えて、第１半導体チップのサイズを縮小して、固体撮像装置の小型化を図ることができる。
　以下、本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置について、図６を用いて更に詳細に説明をする。
　図６は、本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、図６（ａ）は、固体撮像装置２００を光照射側から見た平面図であり、図６（ｂ）は、固体撮像装置２００について、レンズ材の掘り込みエリアを説明するための図である。
　まず、図６（ａ）を用いて、本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置を説明する。
　固体撮像装置２００は、第１半導体チップ（下チップ）２と第２半導体チップ（上チップ）３がバンプ（図６（ａ）では不図示）を介して接続することにより構成される。固体撮像装置２００において、第２半導体チップ３は、バンプ（不図示）を介して、第１半導体チップ２の光の照射側（受光面側）にフリップチップボンディングされる。固体撮像装置２００は、パッド（ＰＡＤ）領域と、画素部と、水平駆動領域と、ダム領域・第２半導体チップ領域とから構成されている。以下に固体撮像装置２００について詳細に説明をする。
　第１半導体チップ２には、画素領域６、画素領域６の右外側に配される水平駆動部８等が形成される。また、第１半導体チップ２の第２半導体チップ３に対応する領域には、図６（ａ）では図示されていないが、カラム処理部及びシステム制御部からなる周辺回路部が形成されている。さらに、第１半導体チップ２には、ワイヤボンディング用電極パッド７が形成されている。そして、第２半導体チップ３は、長辺ｆ（図６（ａ）中の上側の長辺）と長辺ｈ（図６（ａ）中の下側の長辺）と短辺ｅ（図６（ａ）中の左側の短辺）と短辺ｇ（図６（ａ）中の右側の短辺）とを有する矩形形状を有している。
　第１半導体チップ２が有する画素領域と第２半導体チップ３との間には、機械強度を保つためにアンダーフィル樹脂４が充填されている。第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の外周囲であり、第２半導体チップ３を囲むようにして、アンダーフィル樹脂４の充填時の接合領域以外の領域（画素領域６）へのアンダーフィル樹脂４の流出を防止するダム５が形成されている。したがって、アンダーフィル樹脂４は第２半導体チップ３の外側であって、ダム５の内側に広がって配されている。
　図６（ａ）に示されるように、２つのアンダーフィル樹脂滴下領域１－２及び１－３は、第１半導体チップ２の第２半導体チップ３に対応する領域以外の領域であって、ダム５の内側に形成されている。より詳しくは、固体撮像装置２００では、アンダーフィル樹脂滴下領域１－２は、第２半導体チップ３の左短辺ｅ（図６中の左側）とダム５との間に形成され、アンダーフィル樹脂滴下領域１－３は、第２半導体チップ３の右短辺ｇ（図６中の右側）とダム５との間に形成されている。アンダーフィル樹脂滴下領域１－２の第２半導体チップ３の長辺ｆ及び長辺ｈと略平行である長さは、第２半導体チップ３の長辺ｆ又は長辺ｈの長さよりも短く、アンダーフィル樹脂滴下領域１－３の第２半導体チップ３の長辺ｆ又は長辺ｈと略平行である長さは、第２半導体チップ３の長辺ｆ又は長辺ｈの長さよりも短い。
　アンダーフィル樹脂滴下領域１－２及び１－３のそれぞれの領域の大きさは任意の大きさでよいが、例えば、アンダーフィル樹脂を、ニードルを用いて滴下する場合は、アンダーフィル樹脂滴下領域１－２及び１－３のそれぞれの領域の大きさは、アンダーフィル樹脂の円滑な滴下ができるように、ニードルの外径寸法よりも大きいことが好ましい。
　図６（ｂ）は、レンズ材の掘り込みエリア（レンズ材が形成されていない領域）を説明するための図である。
　図６（ｂ）は第１半導体チップ２と第２半導体チップ３とを光入射側から見た図である。第１半導体チップ２は、レンズ材１０－１が形成されていない領域５７とレンズ材１０－１が形成されている領域５６とから構成されている。第１半導体チップ２の中心部からアンダーフィル樹脂滴下領域５８－１に近づくに従って（図６（ｂ）中の右から左にいくに従って）、領域５７の幅（第２半導体チップ３の短辺と略平行の長さであり、図６（ｂ）中の上下方向の長さ）は小さくなり、逆に、領域５６の幅（第２半導体チップ３の短辺と略平行の長さであり、図６（ｂ）中の上下方向の長さ）は大きくなっている。また、第１半導体チップ２の中心部からアンダーフィル樹脂滴下領域５８－２に近づくに従って（図６（ｂ）中の左から右にいくに従って）、領域５７の幅（第２半導体チップ３の短辺と略平行の長さであり、図６（ｂ）中の上下方向の長さ）は小さくなり、逆に、領域５６の幅（第２半導体チップ３の短辺と略平行の長さであり、図６（ｂ）中の上下方向の長さ）は大きくなっている。
　これにより、図５（ｂ）で説明をしたように、図６（ｂ）に示されるレンズ材の掘り込みパターンは、第１半導体チップ２（第２半導体チップ３）の全体にアンダーフィル樹脂が浸透する前に一部にアンダーフィル樹脂が過剰に流れ込んでダムが決壊することを防ぐことができる。
＜４．第３の実施形態（固体撮像装置の例３）＞
　本技術に係る第３の実施形態（固体撮像装置の例３）の固体撮像装置について、説明する。
　本技術に係る第３の実施形態（固体撮像装置の例３）の固体撮像装置は、画素領域を有する第１半導体チップと、バンプを介して該第１半導体チップに接合される第２半導体チップと、該第１半導体チップと該第２半導体チップとの間に形成されるアンダーフィル樹脂と、少なくとも該画素領域への該アンダーフィル樹脂の流出を防止して該第２半導体チップを囲むように形成されるダムと、を備え、該第２半導体チップが長辺と短辺とを有する矩形形状を有し、該第１半導体チップの該第２半導体に対応する領域以外の領域であって該ダムの内側に、アンダーフィル樹脂滴下領域が形成され、該アンダーフィル樹脂滴下領域の該第２半導体チップの該長辺と略平行である長さが、該第２半導体チップの該長辺の長さよりも短い、固体撮像装置である。そして、本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置においては、前記アンダーフィル樹脂滴下領域は、前記画素領域の方向に張り出すように形成されている。
本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置によれば、アンダーフィル樹脂滴下領域の大きさ（例えば面積）を必要最小限に抑えて、第１半導体チップのサイズを縮小して、固体撮像装置の小型化を図ることができる。
　以下、本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置について、図７を用いて更に詳細に説明をする。
　図７は、本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、図７（ａ）は、固体撮像装置３００を光照射側から見た平面図であり、図７（ｂ）は、固体撮像装置３００について、レンズ材の掘り込みエリアを説明するための図である。
　まず、図７（ａ）を用いて、本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置を説明する。
　固体撮像装置３００は、第１半導体チップ（下チップ）２と第２半導体チップ（上チップ）３がバンプ（図７（ａ）では不図示）を介して接続することにより構成される。固体撮像装置３００において、第２半導体チップ３は、バンプ（不図示）を介して、第１半導体チップ２の光の照射側（受光面側）にフリップチップボンディングされる。固体撮像装置３００は、パッド（ＰＡＤ）領域と、画素部と、水平駆動領域と、ダム領域・第２半導体チップ領域とから構成されている。以下に固体撮像装置３００について詳細に説明をする。
　第１半導体チップ２には、画素領域６、画素領域６の右外側に配される水平駆動部８等が形成される。また、第１半導体チップ２の第２半導体チップ３に対応する領域には、図７（ａ）では図示されていないが、カラム処理部及びシステム制御部からなる周辺回路部が形成されている。さらに、第１半導体チップ２には、ワイヤボンディング用電極パッド７が形成されている。そして、第２半導体チップ３は、長辺ｆ（図７（ａ）中の上側の長辺）と長辺ｈ（図７（ａ）中の下側の長辺）と短辺ｅ（図７（ａ）中の左側の短辺）と短辺ｇ（図７（ａ）中の右側の短辺）とを有する矩形形状を有している。
　第１半導体チップ２が有する画素領域と第２半導体チップ３との間には、機械強度を保つためにアンダーフィル樹脂４が充填されている。第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３の接合領域の外周囲であり、第２半導体チップ３を囲むようにして、アンダーフィル樹脂４の充填時の接合領域以外の領域（画素領域６）へのアンダーフィル樹脂４の流出を防止するダム５が形成されている。したがって、アンダーフィル樹脂４は第２半導体チップ３の外側であって、ダム５の内側に広がって配されている。
　図７（ａ）に示されるように、アンダーフィル樹脂滴下領域１－４は、第１半導体チップ２の第２半導体チップ３に対応する領域以外の領域であって、ダム５の内側に形成されている。より詳しくは、固体撮像装置３００では、アンダーフィル樹脂滴下領域１－４は、第２半導体チップ３の右端部側であり、第２半導体チップとダム５との間であり、画素領域６の方向（図７（ａ）中の下方向）に張り出すように形成されている。アンダーフィル樹脂滴下領域１－４の第２半導体チップ３の長辺ｆ又は長辺ｈと略平行である長さは、第２半導体チップ３の長辺ｆ又は長辺ｈの長さよりも短い。
　アンダーフィル樹脂滴下領域１－４の領域の大きさは任意の大きさでよいが、例えば、アンダーフィル樹脂を、ニードルを用いて滴下する場合は、アンダーフィル樹脂滴下領域１－４の領域の大きさは、アンダーフィル樹脂の円滑な滴下ができるように、ニードルの外径寸法よりも大きいことが好ましい。なお、アンダーフィル樹脂滴下領域１－４は、第２半導体チップ３の左端部側であり、第２半導体チップとダム５との間であり、画素領域６の方向（図７（ａ）中の下方向）に張り出すように形成されていてもよい。
　図７（ｂ）は第１半導体チップ２と第２半導体チップ３とを光入射側から見た図である。第１半導体チップ２は、レンズ材１０－１が形成されていない領域５９とレンズ材１０－１が形成されている領域６０とから構成されている。アンダーフィル樹脂滴下領域６１に近づくに従って（図７（ｂ）中の左から右にいくに従って）、領域５９の幅（第２半導体チップ３の短辺と略平行の長さであり、図７（ｂ）中の上下方向の長さ）は小さくなり、逆に、領域６０の幅（第２半導体チップ３の短辺と略平行の長さであり、図６（ｂ）中の上下方向の長さ）は大きくなっている。
　これにより、図５（ｂ）で説明をしたように、図７（ｂ）に示されるレンズ材の掘り込みパターンは、第１半導体チップ２（第２半導体チップ３）の全体にアンダーフィル樹脂が浸透する前に一部にアンダーフィル樹脂が過剰に流れ込んでダムが決壊することを防ぐことができる。
＜５．第４の実施形態（固体撮像装置の例４）＞
　本技術に係る第４の実施形態（固体撮像装置の例４）の固体撮像装置について、説明する。
　本技術に係る第４の実施形態（固体撮像装置の例４）の固体撮像装置は、画素領域を有する第１半導体チップと、バンプを介して該第１半導体チップに接合される第２半導体チップと、該第１半導体チップと該第２半導体チップとの間に形成されるアンダーフィル樹脂と、少なくとも該画素領域への該アンダーフィル樹脂の流出を防止して該第２半導体チップを囲むように形成されるダムと、を備え、該第２半導体チップが長辺と短辺とを有する矩形形状を有し、該第１半導体チップの該第２半導体に対応する領域以外の領域であって該ダムの内側に、アンダーフィル樹脂滴下領域が形成され、該アンダーフィル樹脂滴下領域の該第２半導体チップの該長辺と略平行である長さが、該第２半導体チップの該長辺の長さよりも短い、固体撮像装置である。そして、本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置においては、少なくとも２つの前記第２半導体チップが備えられ、該少なくとも２つの第２半導体チップは、該少なくとも２つの第２半導体チップのそれぞれの短辺が対向するように配置され、前記アンダーフィル樹脂滴下領域は、該少なくとも２つの第２半導体チップの間に形成されている。
　本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置によれば、アンダーフィル樹脂滴下領域の大きさ（例えば面積）を必要最小限に抑えて、第１半導体チップのサイズを縮小して、固体撮像装置の小型化を図ることができる。
　以下、本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置について、図８を用いて更に詳細に説明をする。
　図８は、本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、図８（ａ）は、固体撮像装置４００を光照射側から見た平面図であり、図８（ｂ）は、固体撮像装置４００について、レンズ材の掘り込みエリアを説明するための図である。
　まず、図８（ａ）を用いて、本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置を説明する。
　固体撮像装置４００は、第１半導体チップ（下チップ）２と４つの第２半導体チップ（上チップ）３－１～３－４がバンプ（図８（ａ）では不図示）を介して接続することにより構成される。固体撮像装置４００において、第２半導体チップ３－１～３－４のそれぞれの第２半導体チップは、バンプ（不図示）を介して、第１半導体チップ２の光の照射側（受光面側）にフリップチップボンディングされる。固体撮像装置４００は、パッド（ＰＡＤ）領域と、画素部と、水平駆動領域と、ダム領域・第２半導体チップ領域とから構成されている。以下に固体撮像装置４００について詳細に説明をする。
　第１半導体チップ２には、画素領域６、画素領域６の右外側に配される水平駆動部８等が形成される。また、第１半導体チップ２の第２半導体チップ３－１～３－４に対応する領域には、図８（ａ）では図示されていないが、カラム処理部及びシステム制御部からなる周辺回路部が形成されている。さらに、第１半導体チップ２には、ワイヤボンディング用電極パッド７が形成されている。そして、第２半導体チップ３－１は、長辺ｆ（図８（ａ）中の左上側の長辺）と長辺ｈ（図８（ａ）中の左下側の長辺）と短辺ｅ（図８（ａ）中の左側の短辺）と短辺ｇ（図８（ａ）中の略真ん中の短辺）とを有する矩形形状を有している。第２半導体チップ３－２は、長辺ｆ（図８（ａ）中の右上側の長辺）と長辺ｈ（図８（ａ）中の右下側の長辺）と短辺ｅ（図８（ａ）中の略真ん中の短辺）と短辺ｇ（図８（ａ）中の右側の短辺）とを有する矩形形状を有している。第２半導体チップ３－３は、長辺ｆ（図８（ａ）中の左上側の長辺）と長辺ｈ（図８（ａ）中の左下側の長辺）と短辺ｅ（図８（ａ）中の左側の短辺）と短辺ｇ（図８（ａ）中の略真ん中の短辺）とを有する矩形形状を有している。第２半導体チップ３－４は、長辺ｆ（図８（ａ）中の右上側の長辺）と長辺ｈ（図８（ａ）中の右下側の長辺）と短辺ｅ（図８（ａ）中の略真ん中の短辺）と短辺ｇ（図８（ａ）中の右側の短辺）とを有する矩形形状を有している。
　第２半導体チップ３－１及び３－２は、固体撮像装置４００の上部（図８（ａ）中の上側）に、第２半導体チップ３－１の右短辺ｇと第２半導体チップ３－２の左短辺ｅとが、アンダーフィル樹脂滴下領域１－５を介して対向して配されている。第２半導体チップ３－３及び３－４は、固体撮像装置４００の下部（図８（ａ）中の下側）に、第２半導体チップ３－３の右短辺ｇと第２半導体チップ３－４の左短辺ｅとが、アンダーフィル樹脂滴下領域１－６を介して対向して配されている。なお、固体撮像装置４００では第１半導体チップ２に４つの第２半導体チップ３が配されているが、４つの第２半導体チップ３に限定されず、少なくとも２つの第２半導体チップ（好ましくは偶数個の第２半導体チップ）が配されていれば、本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置の適用範囲である。例えば、固体撮像装置４００の上部及び下部のどちらか一方に、２つの第２半導体チップ３が配されてもよい。
　第１半導体チップ２が有する画素領域と第２半導体チップ３－１～３－４との間には、機械強度を保つためにアンダーフィル樹脂４が充填されている。第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３－１及び３－２の接合領域の外周囲であり、第２半導体チップ３－１及び３－２を囲むようにして、アンダーフィル樹脂４の充填時の接合領域以外の領域（画素領域６）へのアンダーフィル樹脂４の流出を防止するダム５が形成されている。また、第１半導体チップ２上の第２半導体チップ３－３及び３－４の接合領域の外周囲であり、第２半導体チップ３－３及び３－４を囲むようにして、アンダーフィル樹脂４の充填時の接合領域以外の領域（画素領域６）へのアンダーフィル樹脂４の流出を防止するダム５が形成されている。したがって、アンダーフィル樹脂４は、第２半導体チップ３－１及び３－２の外側及び第２半導体チップ３－３及び３－４の外側であって、２つのダム５の内側に広がって配されている。
　図８（ａ）に示されるように、アンダーフィル樹脂滴下領域１－５は、第１半導体チップ２の第２半導体チップ３－１及び３－２に対応する領域以外の領域であって、ダム５の内側で、固体撮像装置４００の上部に形成されている。アンダーフィル樹脂滴下領域１－６は、第１半導体チップ２の第２半導体チップ３－３及び３－４に対応する領域以外の領域であって、ダム５の内側で、固体撮像装置４００の下部に形成されている。
　より詳しくは、固体撮像装置４００では、アンダーフィル樹脂滴下領域１－５は、第２半導体チップ３－１と第２半導体チップ３－２との間、すなわち、第２半導体チップ３－１の右短辺部と第２半導体チップ３－２の左短辺部との間に形成されている。そして、アンダーフィル樹脂滴下領域１－６は、第２半導体チップ３－３と第２半導体チップ３－４との間、すなわち、第２半導体チップ３－３の右短辺部と第２半導体チップ３－４の左短辺部との間に形成されている。アンダーフィル樹脂滴下領域１－５の第２半導体チップ３－１又は３－２の長辺と略平行である長さは、第２半導体チップ３－１又は３－２の長辺の長さよりも短く、アンダーフィル樹脂滴下領域１－６の第２半導体チップ３－３又は３－４の長辺と略平行である長さは、第２半導体チップ３－３又は３－４の長辺の長さよりも短い。アンダーフィル樹脂滴下領域１－５及び１－６のそれぞれの領域の大きさは任意の大きさでよいが、例えば、アンダーフィル樹脂４を、ニードルを用いて滴下する場合は、アンダーフィル樹脂滴下領域１－５及び１－６のそれぞれの領域の大きさは、アンダーフィル樹脂４の円滑な滴下ができるように、ニードルの外径寸法よりも大きいことが好ましい。
　図８（ｂ）は、レンズ材の掘り込みエリア（レンズ材が形成されていない領域）を説明するための図である。
　図８（ｂ）は第１半導体チップ２と第２半導体チップ３－１及び３－２とを光入射側から見た図であり、図７（ａ）中の固体撮像装置４００の上部に対応する。第１半導体チップ２は、レンズ材１０－１が形成されていない領域６２及び６３とレンズ材１０－１が形成されている領域６４及び６５とから構成されている。第１半導体チップ２の左端部からアンダーフィル滴下領域６６に近づくに従って（図８（ｂ）中の左から中心にいくに従って）、領域６２の幅（第２半導体チップ３の短辺と略平行の長さであり、図８（ｂ）中の上下方向の長さ）は小さくなり、逆に、領域６４及び６５の幅（第２半導体チップ３の短辺と略平行の長さであり、図８（ｂ）中の上下方向の長さ）は大きくなっている。また、第１半導体チップ２の右端部からアンダーフィル樹脂滴下領域６６に近づくに従って（図８（ｂ）中の右から中心にいくに従って）、領域６３の幅（第２半導体チップ３の短辺と略平行の長さであり、図８（ｂ）中の上下方向の長さ）は小さくなり、逆に、領域６４及び６５の幅（第２半導体チップ３の短辺と略平行の長さであり、図８（ｂ）中の上下方向の長さ）は大きくなっている。
　これにより、図５（ｂ）で説明をしたように、図８（ｂ）に示されるレンズ材の掘り込みパターンは、第１半導体チップ２（第２半導体チップ３）の全体にアンダーフィル樹脂が浸透する前に一部にアンダーフィル樹脂が過剰に流れ込んでダムが決壊することを防ぐことができる。
＜６．第５の実施形態（電子機器の例）＞
　本技術に係る第５の実施形態の電子機器について、説明する。
　本技術に係る第５の実施形態の電子機器は、本技術に係る固体撮像装置が搭載された電子機器であり、本技術に係る固体撮像装置は、画素領域を有する第１半導体チップと、バンプを介して該第１半導体チップに接合される第２半導体チップと、該第１半導体チップと該第２半導体チップとの間に形成されるアンダーフィル樹脂と、該画素領域への該アンダーフィル樹脂の流出を防止して該第２半導体チップを囲むように形成されるダムと、を備え、該第２半導体チップが長辺と短辺とを有する矩形形状を有し、該第１半導体チップの該第２半導体に対応する領域以外の領域であって該ダムの内側に、アンダーフィル樹脂滴下領域が形成され、該アンダーフィル樹脂滴下領域の該第２半導体チップの該長辺と略平行である長さが、該第２半導体チップの該長辺の長さよりも短い、固体撮像装置である。
　例えば、本技術に係る第５の実施形態の電子機器は、本技術に係る第１の実施形態～第４の実施形態の固体撮像装置のうち、いずれか一つ実施形態の固体撮像装置が搭載された電子機器である。
　＜７．本技術を適用した固体撮像装置の使用例＞
　図１３は、イメージセンサとしての本技術に係る第１～第４の実施形態の固体撮像装置の使用例を示す図である。
　上述した第１～第４の実施形態の固体撮像装置は、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、Ｘ線等の光をセンシングするさまざまなケースに使用することができる。すなわち、図１３に示すように、例えば、鑑賞の用に供される画像を撮影する鑑賞の分野、交通の分野、家電の分野、医療・ヘルスケアの分野、セキュリティの分野、美容の分野、スポーツの分野、農業の分野等において用いられる装置（例えば、上述した第５の実施形態の電子機器）に、第１～第４の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
　具体的には、鑑賞の分野においては、例えば、デジタルカメラやスマートフォン、カメラ機能付きの携帯電話機等の、鑑賞の用に供される画像を撮影するための装置に、第１～第４の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
　交通の分野においては、例えば、自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置に、第１～第４の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
　家電の分野においては、例えば、ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、テレビ受像機や冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置で、第１～第４の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
　医療・ヘルスケアの分野においては、例えば、内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置に、第１～第４の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
　セキュリティの分野においては、例えば、防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置に、第１～第４の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
　美容の分野においては、例えば、肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置に、第１～第４の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
　スポーツの分野において、例えば、スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置に、第１～第４の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
　農業の分野においては、例えば、畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置に、第１～第４の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
　次に、本技術に係る第１～第４の実施形態の固体撮像装置の使用例を具体的に説明する。例えば、上述で説明をした第１～第４の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置は、固体撮像装置１０１として、例えばデジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、撮像機能を有する携帯電話など、撮像機能を備えたあらゆるタイプの電子機器に適用することができる。図１４に、その一例として、電子機器１０２（カメラ）の概略構成を示す。この電子機器１０２は、例えば静止画または動画を撮影可能なビデオカメラであり、固体撮像素子１０１と、光学系（光学レンズ）３１０と、シャッタ装置３１１と、固体撮像装置１０１およびシャッタ装置３１１を駆動する駆動部３１３と、信号処理部３１２とを有する。
　光学系３１０は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置１０１の画素部１０１ａへ導くものである。この光学系３１０は、複数の光学レンズから構成されていてもよい。シャッタ装置３１１は、固体撮像装置１０１への光照射期間および遮光期間を制御するものである。駆動部３１３は、固体撮像装置１０１の転送動作およびシャッタ装置３１１のシャッタ動作を制御するものである。信号処理部３１２は、固体撮像装置１０１から出力された信号に対し、各種の信号処理を行うものである。信号処理後の映像信号Ｄｏｕｔは、メモリなどの記憶媒体に記憶されるか、あるいは、モニタ等に出力される。
　なお、本技術に係る実施形態は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
　また、本明細書に記載された効果はあくまでも例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。
　また、本技術は、以下のような構成も取ることができる。
［１］
　画素領域を有する第１半導体チップと、
　バンプを介して該第１半導体チップに接合される第２半導体チップと、
　該第１半導体チップと該第２半導体チップとの間に形成されるアンダーフィル樹脂と、
　少なくとも該画素領域への該アンダーフィル樹脂の流出を防止して該第２半導体チップを囲むように形成されるダムと、を備え、
　該第２半導体チップが長辺と短辺とを有する矩形形状を有し、
　該第１半導体チップの該第２半導体に対応する領域以外の領域であって該ダムの内側に、アンダーフィル樹脂滴下領域が形成され、
　該アンダーフィル樹脂滴下領域の該第２半導体チップの該長辺と略平行である長さが、該第２半導体チップの該長辺の長さよりも短い、固体撮像装置。
［２］
　前記アンダーフィル樹脂滴下領域が、前記第２半導体チップの前記短辺と前記ダムとの間に形成される、［１］に記載の固体撮像装置。
［３］
　前記第２半導体チップが第１短辺と第２短辺とを有し、
　前記アンダーフィル樹脂滴下領域が、前記第２半導体チップの第１短辺と前記ダムとの間、及び前記第２半導体チップの第２短辺と前記ダムとの間に、それぞれ形成される、［１］に記載の固体撮像装置。
［４］
　前記アンダーフィル樹脂滴下領域が、前記画素領域の方向に張り出すように形成される、［１］に記載の固体撮像装置。
［５］
　少なくとも２つの前記第２半導体チップを備え、
　該少なくとも２つの第２半導体チップが、該少なくとも２つの第２半導体チップのそれぞれの短辺が対向するように配置され、
　前記アンダーフィル樹脂滴下領域が、該少なくとも２つの第２半導体チップの間に形成される、［１］に記載の固体撮像装置。
［６］
　前記第１半導体チップが、半導体基板と、該半導体基板上の前記バンプ以外の領域に形成されるレンズ材とを含み、
　前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとの間の領域は、レンズ材が形成された領域とレンズ材が形成されていない領域とを有する、［１］から［５］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［７］
　前記レンズ材が形成された領域には、前記レンズ材の厚みが非連続的に異なる領域が形成されている、［６］に記載の固体撮像装置。
［８］
　前記レンズ材が形成された領域には、前記レンズ材の厚みが連続的に異なる領域が形成されている、［６］又は［７］に記載の固体撮像装置。
［９］
　前記第１半導体チップが、半導体基板と、該半導体基板上の前記バンプ以外の領域に形成されるレンズ材とを含み、
　前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとの間の領域は、レンズ材が形成された領域とレンズ材が形成されていない領域とを有し、
　レンズ材が形成されていない領域の前記第２半導体チップの前記短辺と略平行である長さは、前記アンダーフィル樹脂滴下領域に近づくにしたがって短くなる、［１］から［８］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［１０］
　固体撮像装置が搭載されて、
　該固体撮像装置が、
　画素領域を有する第１半導体チップと、
　バンプを介して該第１半導体チップに接合される第２半導体チップと、
　該第１半導体チップと該第２半導体チップとの間に形成されるアンダーフィル樹脂と、
　該画素領域への該アンダーフィル樹脂の流出を防止して該第２半導体チップを囲むように形成されるダムと、を備え、
　該第２半導体チップが長辺と短辺とを有する矩形形状を有し、
　該第１半導体チップの該第２半導体に対応する領域以外の領域であって該ダムの内側に、アンダーフィル樹脂滴下領域が形成され、
　該アンダーフィル樹脂滴下領域の該第２半導体チップの該長辺と略平行である長さが、該第２半導体チップの該長辺の長さよりも短い、
　電子機器。
［１１］
　［１］から［９］のいずれか１つに記載の固体撮像装置が搭載された、電子機器。
　１（１－１、１－２、１－３、１－４、１－５、１－５、１－６）・・・アンダーフィル樹脂滴下領域、２・・・第１半導体チップ（下チップ）、３・・第２半導体チップ（上チップ）、４・・・アンダーフィル樹脂、５（５－１、５－２、５－３、５－４、５－５、５－６、５－７、５－８、５－９、５－１０、５－１１、５－１２、５－１３、５－１４、５－１５、５－１６）・・・ダム、６・・・画素領域、７・・パッド（ＰＡＤ）、８・・水平駆動部、９・・半導体基板、１０（１０－１）・・レンズ材、１１・・バンプ、１３・・垂直駆動部・信号処理部、１４・・カラム処理部、１５・・システム駆動部、１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００、８００、１０００・・固体撮像装置。

Claims (10)

  1. 　画素領域を有する第１半導体チップと、
    　バンプを介して該第１半導体チップに接合される第２半導体チップと、
    　該第１半導体チップと該第２半導体チップとの間に形成されるアンダーフィル樹脂と、
    　少なくとも該画素領域への該アンダーフィル樹脂の流出を防止して該第２半導体チップを囲むように形成されるダムと、を備え、
    　該第２半導体チップが長辺と短辺とを有する矩形形状を有し、
    　該第１半導体チップの該第２半導体に対応する領域以外の領域であって該ダムの内側に、アンダーフィル樹脂滴下領域が形成され、
    　該アンダーフィル樹脂滴下領域の該第２半導体チップの該長辺と略平行である長さが、該第２半導体チップの該長辺の長さよりも短い、固体撮像装置。
  2. 　前記アンダーフィル樹脂滴下領域が、前記第２半導体チップの前記短辺と前記ダムとの間に形成される、請求項１に記載の固体撮像装置。
  3. 　前記第２半導体チップが第１短辺と第２短辺とを有し、
    　前記アンダーフィル樹脂滴下領域が、前記第２半導体チップの第１短辺と前記ダムとの間、及び前記第２半導体チップの第２短辺と前記ダムとの間に、それぞれ形成される、請求項１に記載の固体撮像装置。
  4. 　前記アンダーフィル樹脂滴下領域が、前記画素領域の方向に張り出すように形成される、請求項１に記載の固体撮像装置。
  5. 　少なくとも２つの前記第２半導体チップを備え、
    　該少なくとも２つの第２半導体チップが、該少なくとも２つの第２半導体チップのそれぞれの短辺が対向するように配置され、
    　前記アンダーフィル樹脂滴下領域が、該少なくとも２つの第２半導体チップの間に形成される、請求項１に記載の固体撮像装置。
  6. 　前記第１半導体チップが、半導体基板と、該半導体基板上の前記バンプ以外の領域に形成されるレンズ材とを含み、
    　前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとの間の領域は、レンズ材が形成された領域とレンズ材が形成されていない領域とを有する、請求項１に記載の固体撮像装置。
  7. 　前記レンズ材が形成された領域には、前記レンズ材の厚みが非連続的に異なる領域が形成されている、請求項６に記載の固体撮像装置。
  8. 　前記レンズ材が形成された領域には、前記レンズ材の厚みが連続的に異なる領域が形成されている、請求項６に記載の固体撮像装置。
  9. 　前記第１半導体チップが、半導体基板と、該半導体基板上の前記バンプ以外の領域に形成されるレンズ材とを含み、
    　前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとの間の領域は、レンズ材が形成された領域とレンズ材が形成されていない領域とを有し、
    　レンズ材が形成されていない領域の前記第２半導体チップの前記短辺と略平行である長さは、前記アンダーフィル樹脂滴下領域に近づくにしたがって短くなる、請求項１に記載の固体撮像装置。
  10. 　固体撮像装置が搭載されて、
    　該固体撮像装置が、
    　画素領域を有する第１半導体チップと、
    　バンプを介して該第１半導体チップに接合される第２半導体チップと、
    　該第１半導体チップと該第２半導体チップとの間に形成されるアンダーフィル樹脂と、
    　該画素領域への該アンダーフィル樹脂の流出を防止して該第２半導体チップを囲むように形成されるダムと、を備え、
    　該第２半導体チップが長辺と短辺とを有する矩形形状を有し、
    　該第１半導体チップの該第２半導体に対応する領域以外の領域であって該ダムの内側に、アンダーフィル樹脂滴下領域が形成され、
    　該アンダーフィル樹脂滴下領域の該第２半導体チップの該長辺と略平行である長さが、該第２半導体チップの該長辺の長さよりも短い、
    　電子機器。
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