CN108701696B - 玻璃中介层模块、成像装置和电子设备 - Google Patents

玻璃中介层模块、成像装置和电子设备 Download PDF

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Abstract

本公开涉及一种能够减少制造期间的热膨胀导致的变形的发生的玻璃中介层模块、成像装置和电子设备。光透射部件充填在玻璃中介层与CMOS图像传感器(CIS)之间。由于通过这种配置能增强所述玻璃中介层的刚度，所以可以抑制CIS的偏转，并且还减少变形对于装备在所述玻璃中介层上的陀螺仪传感器等等的影响，并且因此能减少陀螺仪信号的错误检测。本公开能应用于玻璃中介层模块。

Description

玻璃中介层模块、成像装置和电子设备
技术领域
本公开涉及一种玻璃中介层模块、一种成像装置和一种电子设备，尤其涉及一种制造期间的热膨胀导致的变形减少的玻璃中介层模块、成像装置和电子设备。
背景技术
在现有技术的相机模块中，采用一种使用玻璃衬底(玻璃中介层)以便保护光接收表面并减少接合时的热应力的结构(参照专利文献1和2)。
引用文献列表
专利文献
专利文献1：日本专利4664372号
专利文献2：日本特许公开2014-127472号专利申请
发明内容
本发明要解决的问题
然而，根据专利文献1中公开的技术，在用于校正相机摇动导致的模糊的陀螺仪传感器与图像传感器一起安装在玻璃衬底上的情况下，在制造处理期间和使用期间可能会导致翘曲，因为玻璃衬底的线性膨胀系数不同于图像传感器和陀螺仪传感器中使用的硅，因而也会在安装后的陀螺仪传感器中导致变形。变形可能引起错误的陀螺仪信号，并且可能无法校正相机摇动导致的模糊。
另外，在专利文献2中公开的技术中，芯片(存储器芯片、逻辑芯片或互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)芯片、微机电***(MEMS)芯片等等)设置在玻璃衬底的光接收表面上，并且用贯通电极连接至玻璃衬底背面上的衬底。因此，因为光接收表面暴露出来不与玻璃衬底接触，所以需要单独的保护玻璃衬底等等，并且在模块化时可能无法实现高度的减小。
本公开是鉴于上述情形，并且在陀螺仪传感器与图像传感器一起安装在玻璃衬底上的情况下做出的，本发明的目的是实现：减少玻璃衬底与陀螺仪传感器和图像传感器中使用的硅之间的线性膨胀系数的差异导致的变形；和通过具有装备的芯片的光接收表面接触玻璃衬底的配置来减小高度。
问题的解决方案
根据本公开的一个实施例的玻璃中介层模块包括：图像传感器，其适配成捕获图像；玻璃中介层，其用面朝图像传感器的光接收表面的方式装备有图像传感器；和光透射部件，其充填在图像传感器的光接收表面和玻璃中介层之间。
玻璃中介层可以装备有物理传感器。
物理传感器可以布置在面朝通过柔性印刷电路(FPC)连接的玻璃中介层的端部同时夹着图像传感器的位置上。
物理传感器可以包括线性膨胀系数为0.7至6×10-6(K-1)的材料。
用于自动对焦(AF)机构或光学图像稳定器(OIS)机构的驱动驱动器可以装备在玻璃中介层上。
用于散热的衬垫可以装备在玻璃中介层上。
玻璃晶片级透镜可以接合到玻璃中介层。
红外线(IR)截止滤光片可以附接或涂覆到玻璃中介层。
玻璃贯通孔可以形成在玻璃中介层中，并且传导部件可以形成在玻璃贯通孔的内壁上并且充填到玻璃贯通孔的内壁。
玻璃贯通孔可以形成在玻璃中介层中，并且光吸收膜可以形成在玻璃贯通孔的内壁上，或者光吸收剂可以充填到玻璃贯通孔的内壁。
形成有光吸收膜或充填有光吸收部件的玻璃贯通孔可以布置在离内部光接收表面比形成有传导部件或充填有传导部件的玻璃贯通孔布置的距离更近。
图像传感器可以包括多个光接收部分。
位于多个光接收部分之间的区域可以通过凸块连接被连接。
再配线层可以形成在图像传感器的背面上。
玻璃贯通孔或腔可以形成在玻璃中介层中。
玻璃中介层可以是无碱玻璃。
玻璃中介层可以包括线性膨胀系数为0.7至6×10-6(K-1)的材料。
玻璃中介层可以包含阿贝数为40或更大的材料。
光透射部件可以包含杨氏模量为0.1到10GPa的材料。
光透射部件可以包含阿贝数为40或更大的材料。
玻璃中介层可以包含阿贝数为40或更大的材料，并且光透射部件可以包含阿贝数为25或更大的材料。
光透射部件可以包含不含卤族元素的材料。
根据本公开的数码相机、移动信息终端或车载相机装备有本公开的玻璃中介层模块。
根据本公开的一个方面的成像装置是包括以下的成像装置：图像传感器，其适配成捕获图像；
玻璃中介层，其以面朝图像传感器的光接收表面的方式装备有图像传感器；和光透射部件，其充填在图像传感器的光接收表面与玻璃中介层之间。
根据本公开的一个方面的电子设备是包括以下的电子设备：图像传感器，其适配成捕获图像；玻璃中介层，其以面朝图像传感器的光接收表面的方式装备有图像传感器；和光透射部件，其充填在图像传感器的光接收表面与玻璃中介层之间。
根据本公开的一个方面，图像传感器捕获图像，玻璃中介层以面朝图像传感器的光接收表面的方式装备有图像传感器，并且光透射部件充填在图像传感器的光接收表面与玻璃中介层之间。
根据本公开的一个方面，可以减少玻璃中介层模块制造期间的热膨胀导致的变形的发生。
本发明的有益效果如下：
根据本公开的一个方面，可以：减少玻璃衬底与陀螺仪传感器和图像传感器中使用的硅之间的线性膨胀系数的差异导致的变形，并且通过具有装备的芯片的光接收表面接触玻璃衬底的配置而实现高度的减小。
附图说明
图1是示出现有技术中使用玻璃衬底的相机模块的第一示例性配置的图。
图2是示出现有技术中使用玻璃衬底的相机模块的第二示例性配置的图。
图3是示出应用本公开的根据第一实施例的相机模块的示例性配置的图。
图4是示出应用本公开的根据第二实施例的相机模块的示例性配置的图。
图5是示出应用本公开的根据第三实施例的相机模块的示例性配置的图。
图6是示出应用本公开的根据第四实施例的相机模块的示例性配置的图。
图7是示出应用本公开的根据第五实施例的相机模块的示例性配置的图。
图8是示出应用本公开的根据第六实施例的相机模块的示例性配置的图。
图9是示出应用本公开的根据第七实施例的相机模块的示例性配置的图。
图10是示出应用本公开的根据第八实施例的相机模块的示例性配置的图。
图11是示出应用本公开的根据第九实施例的相机模块的示例性配置的图。
图12是使用应用本公开的相机模块的成像装置的示例性配置。
图13是示出应用本公开的相机模块的示例性使用的图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细描述本公开的优选实施例。注意，在本说明书和附图中，具有基本相同功能配置的构成元件将由相同的附图标记表示，并且将省略相同描述的重复。
此外，请注意，说明将按以下顺序提供。
1.现有技术的实施例
2.第一实施例
3.第二实施例
4.第三实施例
5.第四实施例
6.第五实施例
7.第六实施例
8.第七实施例
9.第八实施例
10.第九实施例
11.示例性应用
<<1.现有技术的实施例>>
图1和图2是各包括对应于专利文献1和2的现有技术的第一和第二实施例的玻璃中介层模块的相机模块的示例性配置。
在图1中，光从图的上侧向下入射。图像传感器D通过密封圈C和焊料凸块F连接到图中的透明衬底(玻璃衬底)A的下侧。图像传感器D设置成使得光接收表面E面朝入射光的入射方向。此外，半导体芯片元件(LCR)B装备在图中的透明衬底A的下部并且邻近图像传感器D。
通过这种配置，光接收表面E可以由透明衬底A保护，并且可以减小接合时的热应力。
然而，在具有图1的配置的情况下，可能由于透明衬底A和图像传感器D之间的热膨胀系数的差异而导致翘曲，并且例如，在半导体芯片元件B不是LCR而是陀螺仪传感器等的情况下，可能导致陀螺仪传感器的陀螺仪信号中的错误检测，并且存在不能输出适当的陀螺仪信号的可能性。
因此，如图2所示，专利文献2中提出的配置是这样的配置，其中，在透明衬底(玻璃衬底)P的表面上具有端子的多个电子元件堆叠在树脂层N之间，同时将图中的半导体芯片元件L的上侧设置为光接收表面M，并且通过同时执行加热和负载施加而不进行焊料接合来堆叠和连接包括端子、焊料层和端子的多个层，然后一次焊料接合多个电子组件(端子之间)，从而抑制树脂咬入(树脂进入端子之间的空间，并且端子、焊料层和端子之间的连接状态消失的状态)的发生。
然而，在这种配置的情况下，半导体芯片元件L的光接收表面M没有连接到透明衬底P，因此，需要单独的保护透明层，因此，当模块化时有可能无法实现高度的减小。
<<2.第一实施例>>
接下来，将参考图3描述应用本公开的玻璃中介层模块的相机模块。注意，图3的上部是相机模块的顶视图，而图3的下部是相机模块的左侧部分沿着图3中的线AA截取的横截面。
相机模块11包括整体的玻璃中介层(IP)31。玻璃IP 31设有绝缘层55，其背表面的中心具有开口。
绝缘层55分别在图3中的上表面部分和下表面部分上设有配线层54-1和54-2，并且这些配线层当中的配线层54-2经由凸块52电气连接到设置在背表面的中心的CMOS图像传感器(CIS)41。
凸块52包含金(Au)等等，并且例如通过使用超声波的Au凸块接合被接合。或者，凸块52可以是Au凸块、焊料凸块、Cu芯凸块或其组合。
CIS 41具有设有彩色滤光片42的上表面部分，并且例如对应于R、G和B波长中的每一个的光在拜耳阵列中逐个像素地透过。
玻璃IP 31具有粘贴或涂覆有IR截止滤光片53的上表面，IR截止滤光片53只屏蔽具有对应于红外线光的波长的光。
另外，玻璃IP 31具有侧表面部分，侧表面部分设有光吸收部件56，光吸收部件56通过吸收从侧表面方向入射的光而抑制杂散光的入射。
光透射部件51充填在玻璃IP 31与CIS 41(其上表面上设有彩色滤光片42)之间。
玻璃IP 31包含无碱玻璃等等并且具有与硅相似的线性膨胀系数。例如，对于线性膨胀系数为1到4.5×10-6(K-1)的硅，可以使用线性膨胀系数为0.7到6×10-6(K-1)的材料，但是优选的是该线性膨胀系数在使用温度下接近硅的线性膨胀系数。
对于光透射部件51，可以使用杨氏模量为0.1到10GPa的材料，但是杨氏模量为1GPa或更大是优选的，因为可以抑制CIS 41的翘曲，并且需要使用不含卤族元素的材质。
玻璃IP 31和光透射部件51各自的阿贝数可以是40或更大，但是阿贝数为55或更大是优选的，因为可以减少颜色分散。
替代地，即使在光透射部件51的阿贝数是25或更大的情况下，通过根据色差消除条件对于玻璃IP 31使用阿贝数为40或更大的材料来减少颜色分散。
此外，玻璃IP 31和光透射部件51各自的透射率是90％或更大，优选地是95％或更大。
光吸收部件56是包括折射率(材料)和膜厚度受到控制的多层膜的防反射部件。
因为光透射部件51因此充填在玻璃IP 31与CIS 41之间，所以可以增强整体刚度，外力几乎不会导致变形，并且可以保持CIS 41的平坦性。
另外，即使在与玻璃IP 31的线性膨胀系数的差异导致CIS 41的翘曲应力的情况下，因为受到填充的光透射部件51的支撑，所以可以保持CIS的平坦性。
<<3.第二实施例>>
上文中说明了相机模块11形成为玻璃IP 31的单个主体的示例，但是相机模块也可以具有包括柔性印刷电路(FPC)和物理传感器的配置。
图4示出了包括玻璃IP中的FPC和物理传感器的相机模块11的示例性配置。注意，具有与图3中的相机模块11的组件相同的功能的组件由相同的附图标记和相同的名称表示，并且将适当地省略对其的描述，并且下文同理。
在图4的示例中，陀螺仪传感器43、包括自动对焦(AF)机构、光学图像稳定器(OIS)等等的驱动驱动器44和散热垫45经由凸块52物理地并且电气地接合到玻璃IP 31的配线层54-2。凸块52通过Au凸块连接使用超声波连接。
或者，陀螺仪传感器43、包括自动对焦(AF)机构、光学图像稳定器(OIS)等等的驱动驱动器44和散热垫45可以是除此之外的物理传感器或控制组件，例如可以适用加速度传感器、地磁传感器、霍尔元件传感器等等。
对于陀螺仪传感器43、包括自动对焦(AF)机构、光学图像稳定器(OIS)等等的驱动驱动器44和散热垫45可以使用线性膨胀系数在0.7到6×10-6(K-1)的范围内的线性膨胀系数的材料，但是优选的是线性膨胀系数在使用温度下更接近硅的线性膨胀系数。
如图4中所示，FPC 32通过例如各向异性传导膜57，在夹着CIS 41并且面朝陀螺仪传感器43、包括自动对焦(AF)机构、光学图像稳定器(OIS)等等的驱动驱动器44和散热垫45、同时夹着图像传感器41的位置上接合到位于玻璃IP 31的板端的配线表面54-2。
因为通过在玻璃IP 31和CIS 41之间充填光透射部件51而因此增加了整体刚度，并且外力几乎不会导致变形，并且陀螺仪传感器43安装在保持了平坦性的玻璃IP 31上，所以可以抑制诸如信号偏移的错误检测的发生。
另外，通过废热垫45可以改善散热效率。
<<4.第三实施例>>
上文说明了通过在玻璃IP 31和CIS 41之间充填光透射部件51来增强刚度的相机模块11的示例，但是也可以包括玻璃晶片级透镜。
图5示出了包括玻璃晶片级透镜的相机模块11的示例性配置。
玻璃晶片级透镜71堆叠在玻璃IP 31的位于与设有配线层54-1的表面相反的一侧上的表面上。玻璃晶片级透镜71的中心部分包括圆形的突出部分71a。
与光透射部件51相似的光透射部件72充填在玻璃晶片级透镜71和位于玻璃IP 31的上表面上的IR截止滤光片53之间。
玻璃晶片级透镜71的线性膨胀系数、杨氏模量、阿贝数和透射率范围与玻璃IP 31和光透射部件51的相似。
因为通过这样接合玻璃晶片级透镜71可以进一步增强刚度，所以可以进一步抑制外力导致的玻璃IP 31的挠曲，并且可以进一步抑制诸如陀螺仪传感器43的信号偏移的错误检测。
<<5.第四实施例>>
上文中说明了通过在玻璃IP 31与CIS 41之间充填光透射部件51来增强刚度的相机模块11的示例，但是也可以通过进一步设置玻璃贯通孔(TGV)和在其内壁上形成或充填传导部件来增强刚度。
图6示出了在玻璃IP中设置玻璃贯通孔(TGV)并且在其内壁上形成和充填传导部件的相机模块11的示例性配置。
图6中的相机模块11的玻璃IP 31设有玻璃贯通孔(TGV)，并且设有具有形成或充填到其内壁的传导部件的附接有传导部件91的TGV。
如图6的上部部分中所示，各自附接有传导部件91的TGV以围绕CIS 41的光接收表面的方式以相等的间隔或不相等的间隔布置，并且排列成多列。
另外，诸如铜(Cu)或铝(Al)的金属还有多晶硅等等充填到传导部件TGV 91中。
使用这种配置，可以增强玻璃IP 31的刚度，还可以增加配线布局的自由度。结果是，陀螺仪传感器43和FPC 32不但可以连接到玻璃IP 31的背表面，而且连接到图中它的上表面侧。
<<6.第五实施例>>
上文中说明了通过在玻璃IP 31与CIS 41之间充填光透射部件51来增强刚度的相机模块11的示例，但是也可以通过进一步设置玻璃贯通孔(TGV)和在其上充填光吸收部件来增强刚度。
图7示出了在玻璃IP 31中设置TGV并且在其上充填光吸收部件的相机模块11的示例性配置。
在图7的相机模块11中，在玻璃IP 31中设置TGV，并且设置用光吸收部件充填的附接有光吸收部件111的TGV。
附接有光吸收部件111的TGV是防反射部件，其包括折射率(材料)和膜厚度受到控制的多层膜，并且在真空下充填到TGV中。
如图7的上部部分中所示，各自附接有光吸收部件111的TGV以围绕CIS 41的光接收表面的方式以相等的间隔或不相等的间隔布置成多列(例如，三列)。
使用这种配置，可以增强玻璃IP 31的刚度，并且还可以通过各自附接有光吸收部件111的TGV抑制玻璃IP 31内部的杂散光。
<<7.第六实施例>>
上文说明了在通过在玻璃IP 31和CIS 41之间充填光透射部件51而增强刚度的相机模块11中设置附接有传导部件的TGV附接或附接有光吸收部件的TGV的示例，但是也可以设置这两种TGV。
图8示出了在玻璃IP 31中形成附接有传导部件91的TGV和附接有光吸收部件111的TGV的相机模块11的示例性配置。
在图8的相机模块11中，在玻璃IP 31中形成附接有传导部件91的TGV和附接有光吸收部件111的TGV，并且如图8的上部部分中示出的，相应种类的TGV以围绕CIS 41的光接收表面的方式以相等的间隔或不相等的间隔布置成多列(例如三列)，并且各自附接有光吸收部件111的TGV布置在比各自附接有传导部件91的TGV布置的更内侧上。
使用这种配置，进一步增强了玻璃IP 31的刚度，可以通过各自附接有传导部件91的TGV增加配线布局的自由度，并且还可以通过各自附接有光吸收部件111的TGV抑制玻璃IP 31内部的杂散光。
<<8.第七实施例>>
上文中说明了通过在玻璃IP 31与CIS 41之间充填光透射部件51来增强刚度的相机模块11的示例，但是可以应用包括多个光接收表面的立体型相机模块。
图9示出了立体型相机模块11的示例性配置。
在图9的相机模块11中，设置立体型相机取代图3的相机模块中的CIS 41。分别设置对应于右眼和左眼的光接收表面，并且分别提供彩色滤光片42-1和42-2。
然而，CIS 41和CIS 141的基本配置是相同的，除了CIS 141具有多个光接收表面。
换而言之，光透射部件51-1、51-2分别充填在玻璃IP 31与CIS 141的彩色滤光片42-1、42-2中的每一个之间。因此，设有CIS 141的玻璃IP 31的刚度增强，并且即使在线性膨胀系数与玻璃IP 31的线性膨胀系数的差异导致CIS 141的翘曲应力的情况下，也可以保持CIS 141的平坦性，此外，可以抑制陀螺仪传感器43中的错误的检测。
另外，因为设置了多个光接收表面，所以比在个别地安装CIS 41的情况下，可以在更大程度上抑制左侧与右侧之间的光轴偏离。结果是，例如，即使在用立体相机捕获深度图像时，也可以用高精度执行成像。
同时，也可以在图9中的相机模块11的玻璃IP 31中形成传导部件TGV91和附接有光吸收部件111的TGV，并且可以获得类似的效果。
另外，使用这种配置，例如，相机模块装备在车辆上，也能高精度地用作立体相机，在行驶过程中为离前方障碍物、追随行驶时的前一车辆等等的距离成像。
此外，上文中说明了设有两个光接收表面的示例，但是可以设置不止两个光接收表面。
<<9.第八实施例>>
上文中说明了通过在玻璃IP 31与CIS 41之间充填光透射部件51增强刚度的相机模块11的示例，但是可以通过向CIS 41的背表面涂敷涂层树脂(fan-out resin，扇形树脂)进一步设置再配线层(redistribution layer，RDL)。
图10示出了通过向CIS 41的背表面涂敷涂层树脂(扇形树脂)设置再配线层(RDL)的相机模块11的示例性配置。
在图10中示出的相机模块11中，通过涂敷涂层树脂(扇形树脂配线)在CIS 41的背表面上形成涂层树脂配线131，并且再配线层(RDL)132进一步设置并且电气连接到配线层54-2。
使用这种配置，增强了玻璃IP 31的刚度，并且还可以通过涂层树脂配线131增加输入/输出端子的数量。
<<10.第九实施例>>
上文中说明了通过在玻璃IP 31和CIS 41之间充填光透射部件51增强刚度的相机模块11的示例，但是可以进一步在玻璃IP 31的连接陀螺仪传感器43的区域中设置附接有传导部件的TGV、附接有光吸收部件的TGV或腔。
图11示出了在玻璃IP 31的连接到陀螺仪传感器43的区域中设置附接有传导部件的TGV、附接有光吸收部件的TGV或腔的相机模块11的示例性配置。
在图11的相机模块11中，在玻璃IP 31中形成TGV 151和腔152，并且TGV 151和腔152中的每一个包括附接有传导部件的TGV和附接有光吸收部件的TGV中的任一个或这两个的组合。
TGV 151和腔152局部地布置，尤其是布置在陀螺仪传感器43的直接下方或周围。
同时，腔152可以具有包括光吸收部件或传导部件的内壁，或者可以用光吸收部件或传导部件充填。
使用这种配置，即使在玻璃IP 31的线性膨胀系数在预定范围内的情况下，通过用TGV 151和腔152控制陀螺仪传感器43旁边的玻璃IP 31的刚度，也可以将与硅的差异导致的热应力变形抑制到很小的变形量。结果是，可以抑制诸如陀螺仪传感器43的陀螺仪信号的偏移的错误检测。
另外，在使用光吸收部件的情况下，可以抑制玻璃IP 31内部的杂散光。
<<11.示例性应用>>
<对于电子设备的示例性应用>
上文说明的使用CIS 41或CIS 141的相机模块11可以应用于各种各样的电子设备，诸如成像装置，例如比如数字照相机和数字摄像机(数码相机)、带有成像功能的移动电话(便携式信息终端)、或带有成像功能的另一种设备(例如车载相机等等)。
图12是示出作为应用本技术的电子设备的成像装置的示例性配置的框图。
图12所示的成像装置201包括光学***202、快门装置203、固态成像元件204、驱动电路205、信号处理电路206、监视器207和存储器208，并且可以捕获静止图像和运动图像。
光学***202包括一个或多个透镜，将来自被摄体的光(入射光)引导到固态成像元件204，并在固态成像元件204的光接收表面上形成图像。
快门装置203布置在光学***202和固态成像元件204之间，并且根据驱动电路1005的控制来控制相对固态成像元件204的发光周期和遮光周期。
固态成像元件204包括具有上述固态成像元件的封装。固态成像元件204根据经由光学***202和快门装置203在光接收表面上形成图像的光在预定周期中积累信号电荷。根据从驱动电路205供应的驱动信号(时序信号)传送在固态成像元件204中积累的信号电荷。
驱动电路205输出用于控制固态成像元件204的传送操作和快门装置203的快门操作的驱动信号，并驱动固态成像元件204和快门装置203。
信号处理电路206对从固态成像元件204输出的信号电荷施加各种信号处理。通过由信号处理电路206施加信号处理获得的图像(图像数据)被供应并显示在监视器207上，并且被供应并存储(记录)在存储器208中。
在如此配置的成像装置201中，也可以通过应用使用CIS 41或CIS 141代替上述固态成像元件204的相机模块来抑制玻璃IP 31的变形，并且即使在与其一起安装陀螺仪传感器等等的情况下，也可以减少陀螺仪信号的错误检测。
<相机模块的示例性使用>
图13是示出使用上文说明的CIS 41或CIS 141的相机模块的示例性使用的图。
上述相机模块例如可以如下所述用于诸如可见光、红外线光、紫外光和X射线的感测光的各种情况。
·适于拍摄为图像观看而提供的图像的装置，例如数码相机、结合有相机功能的便携式装置
·为交通提供的装置，例如适于对车辆的前侧、后侧、周边、车内等成像的车载传感器、适于监视行驶车辆和道路的监视相机、以及适于测量车间距离等以执行例如自动停车、驾驶员状况识别等安全驾驶功能的测距传感器
·为诸如电视机、冰箱和空调之类的家用电器提供的装置，以便对用户的手势进行成像并根据手势操作电器
·为医疗和健康护理提供的装置，诸如内诊镜和适配成通过接收红外线光为血管成像的装置
·为安全提供的装置，诸如用于预防犯罪的监视摄像机和用于身份鉴定的相机
·为美容护理提供的装置，例如适于对皮肤成像的皮肤测量仪器和适于对头皮成像的显微镜
·为运动等提供的装置，例如运动中使用的动作相机和可穿戴相机
·为农业提供的装置，例如监控田地和农作物状况的相机。
请注意本公开还可以有以下配置。
<1>一种玻璃中介层模块，其包括：
图像传感器，其适配成捕获图像；
玻璃中介层，其以面朝所述图像传感器的光接收表面的方式装备有所述图像传感器；
光透射部件，其充填在所述图像传感器的所述光接收表面与所述玻璃中介层之间。
<2>根据<1>所述的玻璃中介层模块，其中所述玻璃中介层装备有物理传感器。
<3>根据<2>所述的玻璃中介层模块，其中所述物理传感器布置在面朝通过柔性印刷线路板(FPC)连接的玻璃中介层的端部同时夹着图像传感器的位置上。
<4>根据<2>所述的玻璃中介层模块，其中所述物理传感器包含线性膨胀系数为0.7到6×10-6(K-1)的材料。
<5>根据<1>到<4>中任一项所述的玻璃中介层模块，其中用于自动对焦(AF)机构或光学图像稳定器(OIS)机构的驱动驱动器装备在所述玻璃中介层上。
<6>根据<1>到<5>中任一项所述的玻璃中介层模块，其中用于散热的衬垫装备在所述玻璃中介层上。
<7>根据<1>到<6>中任一项所述的玻璃中介层模块，其中玻璃晶片级透镜接合到所述玻璃中介层。
<8>根据<1>到<7>中任一项所述的玻璃中介层模块，其中红外线(IR)截止滤光片附接或涂覆到所述玻璃中介层。
<9>根据<1>到<8>中任一项所述的玻璃中介层模块，其中玻璃贯通孔形成在所述玻璃中介层中，并且传导部件形成在所述玻璃贯通孔的内壁上或充填到所述玻璃贯通孔的内壁。
<10>根据<1>到<9>中任一项所述的玻璃中介层模块，其中玻璃贯通孔形成在所述玻璃中介层中，并且光吸收膜形成在所述玻璃贯通孔的内壁上或者光吸收剂充填到所述玻璃贯通孔的内壁。
<11>根据<10>所述的玻璃中介层模块，其中形成有所述光吸收膜或充填有所述光吸收部件的玻璃贯通孔布置在离内部光接收表面比形成有所述传导部件或充填有所述传导部件的玻璃贯通孔布置的距离更近。
<12>根据<1>到<11>中任一项所述的玻璃中介层模块，其中所述图像传感器包括多个光接收部分。
<13>根据<12>所述的玻璃中介层模块，其中位于所述多个光接收部分之间的区域通过凸块连接而被连接。
<14>根据<1>到<13>中任一项所述的玻璃中介层模块，其中再配线层形成在所述图像传感器的背侧上。
<15>根据<1>到<14>中任一项所述的玻璃中介层模块，其中玻璃贯通孔或腔形成在所述玻璃中介层中。
<16>根据<1>到<15>中任一项所述的玻璃中介层模块，其中所述玻璃中介层是无碱玻璃。
<17>根据<1>到<16>中任一项所述的玻璃中介层模块，其中所述玻璃中介层包含线性膨胀系数为0.7到6×10-6(K-1)的材料。
<18>根据<1>到<17>中任一项所述的玻璃中介层模块，其中所述玻璃中介层包含阿贝数为40或更大的材料。
<19>根据<1>到<18>中任一项所述的玻璃中介层模块，其中所述光透射部件包含杨氏模量为0.1到10GPa的材料。
<20>根据<1>到<19>中任一项所述的玻璃中介层模块，其中所述光透射部件包含阿贝数为40或更大的材料。
<21>根据<1>到<20>中任一项所述的玻璃中介层模块，其中所述玻璃中介层包含阿贝数为40或更大的材料，并且所述光透射部件包含阿贝数为25或更大的材料。
<22>根据<1>到<21>中任一项所述的玻璃中介层模块，其中所述光透射部件包含不含卤族元素的材料。
<23>一种装备有根据<1>所述的玻璃中介层模块的数码相机、移动信息终端或车载相机。
<24>一种成像装置，其包括：
图像传感器，其适配成捕获图像；
玻璃中介层，其以面朝所述图像传感器的光接收表面的方式装备有所述图像传感器；
光透射部件，其充填在图像传感器的光接收表面与玻璃中介层之间。
<25>一种电子设备，其包括：
图像传感器，其适配成捕获图像；
玻璃中介层，其以面朝图像传感器的光接收表面的方式装备有图像传感器；和
光透射部件，其充填在图像传感器的光接收表面与玻璃中介层之间。
参考符号列表
11 相机模块
31 玻璃IP
32 FPC
41 CIS
42、42-1、42-2 彩色滤光片
51、51-1、51-2 光透射部件
52 凸块
53 IR截止滤光片
54、54-1、54-2 配线层
55 绝缘层
56 光吸收部件
57 各向异性传导膜
71 玻璃晶片级透镜
72 光透射部件
91 附接有传导部件的TGV
111 附接有光吸收部件的TGV
131 涂层树脂配线
132 再配线层
141 CIS
151 TGV
152 腔。

Claims (21)

1.一种玻璃中介层模块，其包括：
图像传感器，其配置成捕获图像，其中，所述图像传感器包括多个光接收部分，且在所述多个光接收部分之间的区域包括第一凸块连接；
玻璃中介层，其在所述图像传感器上；
绝缘层，其与所述玻璃中介层的第一表面相接触，其中，所述绝缘层包括第一布线层和第二布线层，所述第一布线层在所述绝缘层的第一表面上，所述第二布线层在所述绝缘层的第二表面上，所述绝缘层的所述第二表面与所述绝缘层的所述第一表面相对，所述第二布线层通过凸块电连接至所述图像传感器，所述第二布线层的第一部分在所述玻璃中介层的第一端部处，且所述玻璃中介层的所述第一表面面对所述图像传感器的所述多个光接收部分；
物理传感器，其连接至所述第二布线层的所述第一部分；
滤光片，其在所述图像传感器的所述多个光接收部分的每一者上；
第一光透射部件，其在所述滤光片之间，在所述图像传感器的所述多个光接收部分的每一者上，且在所述玻璃中介层的所述第一表面上；
红外线截止滤光片，其在所述玻璃中介层的第二表面上，其中，所述玻璃中介层的所述第二表面与所述玻璃中介层的所述第一表面相对；
第二光透射部件，其在所述红外线截止滤光片上；和
玻璃晶片级透镜，其在所述第二光透射部件上。
2.根据权利要求1所述的玻璃中介层模块，其中所述物理传感器通过第二凸块连接物理连接并电连接至所述第二布线层的所述第一部分，
所述第二布线层的第二部分在所述玻璃中介层的第二端部处，且
所述第二布线层的所述第二部分连接至印刷线路板。
3.根据权利要求1所述的玻璃中介层模块，其中所述物理传感器包含线性膨胀系数为0.7到6×10-6(K-1)的材料。
4.根据权利要求1所述的玻璃中介层模块，其中用于自动对焦机构和光学图像稳定器机构中至少一者的驱动驱动器在所述玻璃中介层的所述第一表面上。
5.根据权利要求1所述的玻璃中介层模块，其中用于散热的衬垫在所述玻璃中介层的所述第一表面上。
6.根据权利要求1所述的玻璃中介层模块，其中所述玻璃中介层包括：
玻璃贯通孔；和
传导部件，其在所述玻璃贯通孔的内壁上。
7.根据权利要求1所述的玻璃中介层模块，其中所述玻璃中介层包括：
第一玻璃贯通孔；和
光吸收部件，其在所述第一玻璃贯通孔的内壁上。
8.根据权利要求7所述的玻璃中介层模块，其中所述玻璃中介层还包括：
第二玻璃贯通孔；和
传导部件，其在所述第二玻璃贯通孔的内壁上，且
所述第一玻璃贯通孔比所述第二玻璃贯通孔更靠近所述图像传感器的所述多个光接收部分。
9.根据权利要求1所述的玻璃中介层模块，其还包括再配线层，其在所述图像传感器中与所述图像传感器的所述多个光接收部分相对的表面上。
10.根据权利要求1所述的玻璃中介层模块，其中所述玻璃中介层包括玻璃贯通孔和腔中的至少一者。
11.根据权利要求1所述的玻璃中介层模块，其中所述玻璃中介层是无碱玻璃。
12.根据权利要求1所述的玻璃中介层模块，其中所述玻璃中介层包含线性膨胀系数为0.7到6×10-6(K-1)的材料。
13.根据权利要求1所述的玻璃中介层模块，其中所述玻璃中介层包含阿贝数为40或更大的材料。
14.根据权利要求1所述的玻璃中介层模块，其中所述第一光透射部件包含杨氏模量为0.1到10GPa的材料。
15.根据权利要求1所述的玻璃中介层模块，其中所述第一光透射部件包含阿贝数为40或更大的材料。
16.根据权利要求1所述的玻璃中介层模块，其中所述玻璃中介层包含阿贝数为40或更大的材料，并且所述第一光透射部件包含阿贝数为25或更大的材料。
17.根据权利要求1所述的玻璃中介层模块，其中所述光透射部件包含不同于卤族元素的材料。
18.根据权利要求1所述的玻璃中介层模块，其中所述玻璃晶片级透镜在所述第二光透射部件的整个顶表面上，且所述玻璃晶片级透镜与所述第二光透射部件接触。
19.一种包括根据权利要求1所述的玻璃中介层模块的数码相机、移动信息终端或车载相机。
20.一种成像装置，其包括：
图像传感器，其配置成捕获图像，其中，所述图像传感器包括多个光接收部分，且在所述多个光接收部分之间的区域包括凸块连接；
玻璃中介层，其在所述图像传感器上；
绝缘层，其与所述玻璃中介层的第一表面相接触，其中，所述绝缘层包括第一布线层和第二布线层，所述第一布线层在所述绝缘层的第一表面上，所述第二布线层在所述绝缘层的第二表面上，所述绝缘层的所述第二表面与所述绝缘层的所述第一表面相对，所述第二布线层通过凸块电连接至所述图像传感器，所述第二布线层的一部分在所述玻璃中介层的端部处，且所述玻璃中介层的所述第一表面面对所述图像传感器的所述多个光接收部分；
物理传感器，其连接至所述第二布线层的所述一部分；
滤光片，其在所述图像传感器的所述多个光接收部分的每一者上；
第一光透射部件，其在所述滤光片之间，在所述图像传感器的所述多个光接收部分的每一者上，且在所述玻璃中介层的所述第一表面上；
红外线截止滤光片，其在所述玻璃中介层的第二表面上，其中，所述玻璃中介层的所述第二表面与所述玻璃中介层的所述第一表面相对；
第二光透射部件，其在所述红外线截止滤光片上；和
玻璃晶片级透镜，其在所述第二光透射部件上。
21.一种电子设备，其包括：
图像传感器，其配置成捕获图像，其中，所述图像传感器包括多个光接收部分，且在所述多个光接收部分之间的区域包括凸块连接；
玻璃中介层，其在所述图像传感器上；
绝缘层，其与所述玻璃中介层的第一表面相接触，其中，所述绝缘层包括第一布线层和第二布线层，所述第一布线层在所述绝缘层的第一表面上，所述第二布线层在所述绝缘层的第二表面上，所述绝缘层的所述第二表面与所述绝缘层的所述第一表面相对，所述第二布线层通过凸块电连接至所述图像传感器，所述第二布线层的一部分在所述玻璃中介层的端部处，且所述玻璃中介层的所述第一表面面对所述图像传感器的所述多个光接收部分；
物理传感器，其连接至所述第二布线层的所述一部分；
滤光片，其在所述图像传感器的所述多个光接收部分的每一者上；
第一光透射部件，其在所述滤光片之间，在所述图像传感器的所述多个光接收部分的每一者上，且在所述玻璃中介层的所述第一表面上；
红外线截止滤光片，其在所述玻璃中介层的第二表面上，其中，所述玻璃中介层的所述第二表面与所述玻璃中介层的所述第一表面相对；
第二光透射部件，其在所述红外线截止滤光片上；和
玻璃晶片级透镜，其在所述第二光透射部件上。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10887499B2 (en) * 2018-11-20 2021-01-05 Ningbo Semiconductor International Corporation Camera assembly and packaging methods thereof, lens module, and electronic device
CN111200701B (zh) * 2018-11-20 2021-08-10 中芯集成电路（宁波）有限公司 摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备
JP2020161520A (ja) * 2019-03-25 2020-10-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置
JP2021019024A (ja) * 2019-07-17 2021-02-15 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器
JP2022550779A (ja) * 2019-10-01 2022-12-05 コーニング インコーポレイテッド ホログラフィック光学構造体用のガラス－ポリマー積層体を形成する方法
KR20220156332A (ko) 2021-05-18 2022-11-25 삼성전자주식회사 오토 포커스 픽셀을 포함하는 이미지 센서
KR20240032742A (ko) * 2021-07-21 2024-03-12 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 반도체 패키지

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1875617A (zh) * 2003-10-27 2006-12-06 皇家飞利浦电子股份有限公司 相机模块以及该相机模块的制造方法
WO2015122299A1 (ja) * 2014-02-13 2015-08-20 ソニー株式会社 固体撮像装置、電子機器、および固体撮像装置の製造方法

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08172177A (ja) 1994-12-16 1996-07-02 Toshiba Corp 固体撮像モジュールおよび内視鏡装置
EP1180693B1 (en) * 1999-12-22 2010-02-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Sensor device and method of manufacture thereof
US20050051859A1 (en) 2001-10-25 2005-03-10 Amkor Technology, Inc. Look down image sensor package
JP2005200289A (ja) 2003-08-04 2005-07-28 Nippon Electric Glass Co Ltd 固体撮像素子用カバーガラス及びその製造方法
KR100539082B1 (ko) * 2003-10-01 2006-01-10 주식회사 네패스 반도체 촬상소자의 패키지 구조 및 그 제조방법
JP4542768B2 (ja) 2003-11-25 2010-09-15 富士フイルム株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
KR100584424B1 (ko) * 2004-11-04 2006-05-26 삼성전자주식회사 카메라 렌즈 어셈블리의 손떨림 보정 장치
KR100498708B1 (ko) 2004-11-08 2005-07-01 옵토팩 주식회사 반도체 소자용 전자패키지 및 그 패키징 방법
KR100665115B1 (ko) * 2005-01-27 2007-01-09 삼성전기주식회사 인너 포커스 방식 줌 렌즈 시스템
WO2006101270A1 (en) * 2005-03-25 2006-09-28 Fujifilm Corporation Solid state imaging device and manufacturing method thereof
KR100785488B1 (ko) * 2005-04-06 2007-12-13 한국과학기술원 이미지 센서 모듈 및 이의 제조 방법
CN101473439B (zh) 2006-04-17 2013-03-27 全视技术有限公司 阵列成像***及相关方法
EP2016620A2 (en) 2006-04-17 2009-01-21 Omnivision Cdm Optics, Inc. Arrayed imaging systems and associated methods
JP2007299929A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学デバイス装置とそれを用いた光学デバイスモジュール
EP2256538B1 (en) 2006-05-23 2015-06-17 Omnivision Technologies, Inc. Optical system with segmented pupil function
US7569832B2 (en) * 2006-07-14 2009-08-04 Carestream Health, Inc. Dual-screen digital radiographic imaging detector array
JP2009021542A (ja) 2008-02-06 2009-01-29 Sumitomo Bakelite Co Ltd 受光装置および受光装置の製造方法
JP4840385B2 (ja) 2008-03-18 2011-12-21 カシオ計算機株式会社 半導体パッケージ
JP2010021283A (ja) 2008-07-09 2010-01-28 Panasonic Corp 固体撮像装置およびその製造方法
NL2005164C2 (nl) * 2010-07-28 2012-01-31 Anteryon Internat B V Optische eenheid.
JP5568451B2 (ja) * 2010-11-26 2014-08-06 株式会社フジクラ 半導体パッケージ
JP5714982B2 (ja) * 2011-02-01 2015-05-07 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像素子の制御方法
JP5762768B2 (ja) 2011-02-22 2015-08-12 オリンパス株式会社 撮像装置
JP5234201B2 (ja) * 2011-03-23 2013-07-10 株式会社ニコン 撮像ユニットおよび撮像装置
JP2013038164A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Sony Corp 固体撮像装置、電子機器
JP2013175540A (ja) 2012-02-24 2013-09-05 Nikon Corp 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
JP5887993B2 (ja) 2012-02-27 2016-03-16 株式会社ニコン 固体撮像装置の製造方法
WO2013133225A1 (ja) 2012-03-07 2013-09-12 旭硝子株式会社 マイクロレンズアレイおよび撮像素子パッケージ
WO2014017574A1 (ja) * 2012-07-27 2014-01-30 富士フイルム株式会社 近赤外線吸収性組成物、これを用いた近赤外線カットフィルタ及びその製造方法、並びに、カメラモジュール及びその製造方法
US8934745B2 (en) * 2012-07-31 2015-01-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Apparatus for use in optoelectronics having a sandwiched lens
JP2014045142A (ja) * 2012-08-28 2014-03-13 Sony Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US9136293B2 (en) * 2012-09-07 2015-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and apparatus for sensor module
JP6119239B2 (ja) 2012-12-25 2017-04-26 住友ベークライト株式会社 電子装置の製造方法
JP6247006B2 (ja) * 2013-01-23 2017-12-13 セイコーインスツル株式会社 電子デバイス、発振器及び電子デバイスの製造方法
JP2014177356A (ja) * 2013-03-13 2014-09-25 Asahi Glass Co Ltd 封着材料層付き部材の製造方法、封着材料層付き部材、および製造装置
EP2985639A4 (en) * 2013-04-11 2016-04-27 Fujifilm Corp NEAR-FROST RADIATION ABSORBENT COMPOSITION, NEAR-FRONT RADIATION SPREAD FILTER THEREWITH, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF, CAMERA MODULE, AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
JP6114235B2 (ja) 2013-07-03 2017-04-12 富士フイルム株式会社 赤外線遮光組成物、赤外線遮光層、赤外線カットフィルタ、カメラモジュール
CN103579278B (zh) 2013-11-14 2016-08-17 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 基于玻璃基板的图像传感器封装结构及封装方法
JP2015220690A (ja) 2014-05-20 2015-12-07 株式会社東芝 カメラモジュール及びイメージセンサ
US9899442B2 (en) * 2014-12-11 2018-02-20 Invensas Corporation Image sensor device
US9431442B2 (en) * 2015-02-02 2016-08-30 Apple Inc. Overmolded reconstructed camera module
JP6967830B2 (ja) * 2015-07-31 2021-11-17 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置、レンズモジュール及びその製造方法、並びに、電子機器
KR102440362B1 (ko) * 2015-09-25 2022-09-05 삼성전자주식회사 이미지 센서, 적층형 이미지 센서, 이미지 처리 장치 및 이미지 센서 칩 패키지의 제조 방법
US9838600B1 (en) * 2015-10-15 2017-12-05 Amazon Technologies, Inc. Multiple camera alignment system with flexible substrates and stiffener members

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1875617A (zh) * 2003-10-27 2006-12-06 皇家飞利浦电子股份有限公司 相机模块以及该相机模块的制造方法
WO2015122299A1 (ja) * 2014-02-13 2015-08-20 ソニー株式会社 固体撮像装置、電子機器、および固体撮像装置の製造方法

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