WO2020049891A1 - パワー半導体装置 - Google Patents

パワー半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2020049891A1
WO2020049891A1 PCT/JP2019/029368 JP2019029368W WO2020049891A1 WO 2020049891 A1 WO2020049891 A1 WO 2020049891A1 JP 2019029368 W JP2019029368 W JP 2019029368W WO 2020049891 A1 WO2020049891 A1 WO 2020049891A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
conductor
power semiconductor
semiconductor device
conductor portion
terminal
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/029368
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
晃 松下
志村　隆弘
佑輔 高木
Original Assignee
日立オートモティブシステムズ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日立オートモティブシステムズ株式会社 filed Critical 日立オートモティブシステムズ株式会社
Priority to JP2020541057A priority Critical patent/JP7116178B2/ja
Priority to CN201980056162.8A priority patent/CN112640099A/zh
Priority to DE112019003162.7T priority patent/DE112019003162T5/de
Priority to US17/273,620 priority patent/US11482476B2/en
Publication of WO2020049891A1 publication Critical patent/WO2020049891A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548—Cross section geometry
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548—Cross section geometry
    • H01L23/49551—Cross section geometry characterised by bent parts
    • H01L23/49555—Cross section geometry characterised by bent parts the bent parts being the outer leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H01L2224/331—Disposition
    • H01L2224/3318—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/33181—On opposite sides of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8384—Sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00

Definitions

  • the present invention relates to a power semiconductor device.
  • Patent Document 1 As a conventional technique related to a power semiconductor device, for example, in Patent Document 1, a semiconductor element, a material having conductivity, a base portion on which the semiconductor element is mounted, and the same material as the base portion, A signal lead portion electrically connected to the semiconductor element, made of the same material as the base portion, formed continuously from the base portion, having a smaller thickness than the base portion, A thin lead portion extending to the same side as the signal lead portion, the thin lead portion being electrically connected to a predetermined terminal of the semiconductor element via the base portion, A power module constituting a potential detection terminal for detecting a potential at a terminal is disclosed.
  • the power semiconductor device is also assumed to be used in a vibrating environment, for example, a structure for securing the earthquake resistance of the terminal connecting the power semiconductor device to the outside is required.
  • the terminal is fixed and reinforced by resin molding or potting, or the individual components are connected by TIG (Tungsten Inert Gas) welding or the like to increase the rigidity of the terminal, thereby improving the earthquake resistance. Is being planned.
  • the present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a power semiconductor device capable of improving earthquake resistance while suppressing a decrease in assembly efficiency.
  • the present application includes a plurality of means for solving the above-mentioned problems.
  • a power semiconductor element for example, a power semiconductor element, a metal first conductor portion on which the power semiconductor element is installed, and a current transfer to the power semiconductor element
  • an element-installing conductor constituted by a third conductor portion made of, such that the thickness of the thickest portion of the second conductor portion is smaller than the thickness of the first conductor portion.
  • the third conductor portion is formed so that the thickness of the thickest portion is smaller than the thickness of the thinnest portion of the second conductor portion.
  • FIG. 1 is a diagram schematically illustrating an appearance of a power semiconductor device according to a first embodiment.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along a plane A in FIG. 1. It is a figure which extracts and shows an element installation conductor. It is a figure showing signs that a main terminal and a control terminal are connected by a tie bar.
  • FIG. 2 is an enlarged view showing a state between terminals in FIG. 1.
  • FIG. 7 is a diagram schematically illustrating an appearance of a power semiconductor device according to a modification of the first embodiment.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing the appearance of the power semiconductor device according to the present embodiment
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the plane A of FIG.
  • FIG. 3 is a diagram showing the element installation conductor in FIGS. 1 and 2 extracted therefrom.
  • illustration of the distal ends of the main terminal and the control terminal is omitted for ease of illustration.
  • a power semiconductor device 1 includes a power semiconductor element 300 (hereinafter, represented by a reference numeral 300) such as at least one IGBT (insulated bipolar transistor: Insulated Gate Bipolar Transistor) 30 and a diode 31; Metal first conductor portion 20a on which power semiconductor element 300 is installed, one or more main terminals 2a for transmitting current to power semiconductor element 300, and one or more control terminals for transmitting a switching control signal to power semiconductor element 300 2b, and an element installation conductor 2 formed by a metal third conductor portion 20c provided at the tip of the control terminal.
  • a power semiconductor element 300 such as at least one IGBT (insulated bipolar transistor: Insulated Gate Bipolar Transistor) 30 and a diode 31
  • Metal first conductor portion 20a on which power semiconductor element 300 is installed one or more main terminals 2a for transmitting current to power semiconductor element 300, and one or more control terminals for transmitting a switching control signal to power semiconductor element 300 2b, and an element installation conductor 2 formed by a metal third conduct
  • the element installation conductor 2 is a lead frame or bus bar component made of copper (Cu) or a copper alloy.
  • the element installation conductor 2 is formed such that the thickness of the thickest portion of the second conductor portion 20b is smaller than the thickness of the first conductor portion 20a, and the third conductor thickness is smaller than the thickness of the thinnest portion of the second conductor portion 20b.
  • the conductor part 20c is formed so that the thickest part of the conductor part 20c becomes thin. That is, the element installation conductor 2 is formed so as to be gradually thinner from the first conductor portion 20a to the tips of the main terminal 2a and the control terminal 2b.
  • three stages of the first conductor portion 20a, the second conductor portion 20b, and the third conductor portion 20c are performed in three stages from the first conductor portion 20a toward the third conductor portion 20c.
  • the present invention is not limited to this, and the thickness may be reduced toward the tip in three or more steps. That is, for example, the second conductor portion 20b may be formed in two different thicknesses that become thinner toward the tip so that the second conductor portion 20b is thinner than the first conductor portion 20a and thicker than the third conductor portion 20c.
  • the entire first conductor portion 20a and a part of the second conductor portion 20b are covered by the housing 4 including the frame 21a and the radiating fin group 21b, and are made of, for example, epoxy resin.
  • the entirety of the first conductor portion 20a and a part of the second conductor portion 20b are transfer-mold sealed inside the housing 4 together with the power semiconductor element 300 and the like by the sealing resin 22.
  • the housing 4 is formed of a material having excellent thermal conductivity, and is preferably formed of, for example, aluminum or an aluminum alloy.
  • the frame 21a is made of a material having higher rigidity than the heat radiation fin group 21b.
  • the radiating fin group 21 b is formed on both main surfaces of the housing 4 to realize a double-sided cooling structure. ing.
  • Each radiating fin constituting the radiating fin group 21b is formed, for example, in a columnar shape, and is arranged regularly.
  • a power semiconductor element 300 such as an IGBT 30 or a diode 31 is mounted on the first conductor section 20a of the element installation conductor 2 with a solder or a sintered member, and the first conductor section 20a is provided with a main current conduction path. It also serves as a heat radiating path for radiating the heat of the power semiconductor element 300 to the outside of the power semiconductor device 1.
  • the power semiconductor element 300 is disposed so as to be sandwiched between the first conductor portion 20a and the conductor plate 32.
  • the conductor plate 32 has a role as a heat radiation path for the power semiconductor element 300.
  • the emitter electrode of the IGBT 30 and the anode electrode of the diode 31 are fixed to the conductor plate 32.
  • a surface treatment (roughening treatment) for improving the adhesion to the sealing resin 22 may be performed on a part or the entirety of the first conductor portion 20a.
  • the main terminal 2a of the element-installing conductor 2 is a main current supply path between the outside of the power semiconductor device 1 and the power semiconductor element 300, and includes a DC positive terminal, a DC negative terminal, an AC terminal, and the like.
  • the main terminal 2a is formed by a second conductor 20b formed thinner than the first conductor 20a. A part (all) of the second conductor portion 20b of the main terminal 2a is subjected to a surface treatment (roughening treatment) for improving adhesion to the sealing resin 22.
  • the control terminal 2b of the element installation conductor 2 is a signal path for inputting and outputting a signal for controlling the power semiconductor element.
  • the control terminal 2b includes a second conductor 20b formed thinner than the first conductor 20a and a second conductor 20b. It is formed by the thin third conductor portion 20c.
  • the tip of the control terminal 2b is connected to a control board (not shown) by solder connection, connector connection, or the like.
  • the tip of the control terminal 2b (the third conductor 20c) is subjected to a surface treatment such as tin (Sn) plating or gold (Au) plating according to the connection structure with the control board.
  • each terminal of the control terminal 2b is provided with a bend portion 2c (first bent portion) formed so that a part of the third conductor portion 20c is deviated from the extending direction, and the elasticity of the bend portion 2c is provided.
  • the change can reduce the stress due to vibration and thermal deformation.
  • the control terminal 2b includes a terminal that outputs a signal indicating the element temperature.
  • the curvature R of the bend portion 2c (first bent portion) is equal to or greater than the thickness of the portion where the bend portion 2c is provided.
  • the case where the bend portion 2c (first bent portion) is provided in the third conductor portion 20c is described as an example. However, the present invention is not limited to this. It may be configured to provide a unit.
  • the first conductor portion 20a is formed to have a thickness of, for example, 2.0 mm in consideration of a heat capacity and a heat resistance necessary for radiating heat generated in the power semiconductor element 300.
  • the second conductor portion 20b of the main terminal 2a has a thickness of, for example, 1.5 mm to 2.0 mm (however, less than 2.0 mm) as a thickness capable of securing a cross-sectional area required for each energization. It is formed as follows.
  • the third conductor portion 20c of the control terminal 2b is formed so as to be thinner than the second conductor portion 20b and have a thickness of 0.64 mm, which is a general control terminal.
  • the third conductor portion 20c of the control terminal 2b has a section of 0.64 mm on one side. It is formed to have a square shape.
  • the main terminal 2a and the control terminal 2b are formed so as to protrude in the same direction from the sealing resin 22, and the side surface of the second conductor portion 20b of the main terminal 2a is in contact with the side surface of the second conductor portion 20b of the control terminal 2b. They are formed so as to face each other.
  • the main terminal 2a is formed by the second conductor 20b and does not have the third conductor 20c. Then, only the side surface of the second conductor portion 20b of the main terminal 2a and the control terminal 2b faces each other, and the side surface of the second conductor portion 20b of the main terminal 2a does not face the side surface of the third conductor portion 20c of the control terminal 2b. Then, a main terminal 2a and a control terminal 2b are formed.
  • control terminal 2b is formed to be longer than the main terminal 2a by the third conductor portion 20c. Thereby, the length of the control terminal 2b can be made longer than the length of the main terminal 2a, so that when the control terminal 2b is connected to the control board, the interference between the main terminal 2a and the control board or the insulation distance is insufficient. Can be prevented.
  • FIG. 4 is a diagram showing a state where the main terminal and the control terminal are connected by a tie bar.
  • FIG. 5 is an enlarged view showing a state between terminals in FIG.
  • a cut surface 201a of the tie bar 200a is formed at a portion of the control terminal 2b opposite to the side surface of the second conductor portion 20b of the control terminal 2b.
  • the tie bar 200 a fixes the relative positions of the main terminal 2 a and the control terminal 2 b in the element installation conductor 2 before being subjected to the transfer mold sealing with the sealing resin 22, and performs the transfer mold sealing.
  • sealing resin 22 Prevents the sealing resin 22 from flowing out between the terminals of the main terminal 2a and the control terminal 2b, and the element installation conductor 2 after the relative position between the main terminal 2a and the control terminal 2b is fixed by the sealing resin 22. Is cut and removed to electrically separate the main terminal 2a and the control terminal 2b from each other.
  • the second conductor portion 20b of the main terminal 2a and the second conductor portion 20b of the control terminal 2b are considered to be integrally formed via a tie bar.
  • the thickness of the second conductor 20b of the main terminal 2a is preferably the same as the thickness of the second conductor 20b of the control terminal 2b.
  • the cut surface may be either convex or concave with respect to the side surface of each terminal, but is preferably convex from the viewpoint of securing the terminal strength.
  • the power semiconductor device Since the power semiconductor device is expected to be used in a vibrating environment, for example, a structure for ensuring the earthquake resistance of the terminal connecting the power semiconductor device to the outside is necessary.
  • the terminal In the conventional technology, the terminal is fixed and reinforced by resin molding or potting, or the individual components are connected by TIG (Tungsten Inert Gas) welding to increase the rigidity of the terminal, thereby improving the earthquake resistance. I'm trying.
  • TIG Tusten Inert Gas
  • the terminals are reinforced by resin molding, potting, or the like, a process such as an automatic appearance inspection for ensuring the accuracy of the reinforcement is required, and the number of steps for assembling the power semiconductor device increases.
  • a welding process is naturally required, which increases the number of steps. That is, in the related art, there is a concern that the efficiency may be deteriorated due to an increase in the number of steps related to the assembly of the power semiconductor device.
  • the power semiconductor element 300, the first metal conductor 20a on which the power semiconductor element 300 is installed, and one or more main terminals 2a for transmitting current to the power semiconductor element 300 are provided.
  • the third conductor portion 20c was formed so that the thickness of the thickest portion was smaller than the thickness of the thinnest portion of the conductor portion 20b.
  • the strength (rigidity) of each terminal can be improved, and the seismic resistance can be improved while suppressing a decrease in assembly efficiency. That is, the reliability and life of the power semiconductor device as a product can be improved.
  • the thickness of the second conductor 20b is smaller than the thickness of the first conductor 20a
  • the thickness of the third conductor 20c is smaller than the thickness of the second conductor 20b
  • the entire element installation conductor 2 composed of the first conductor portion 20a to the third conductor portion 20c can be integrated as a copper (Cu) material (for example, a roll material). Therefore, it is possible to eliminate the reduction of the number of parts and the integration of caulking in another process.
  • Cu copper
  • the third conductor portion 20c has a first bent portion formed so as to deviate from the extending direction of the third conductor portion 20c.
  • the main terminal 2a is formed by the second conductor 20b
  • the control terminal 2b is formed by the second conductor 20b and the third conductor 20c
  • the side of the main terminal 2a of the second conductor 20b is the control terminal. 2b is formed so as to face the side surface of the second conductor portion 20b.
  • control terminal 2b is formed to be longer than the main terminal 2a by the length of the third conductor portion 20c. Therefore, when the control terminal 2b is connected to the control board, the control terminal 2b interferes with the control board. Alternatively, it is possible to prevent the insulation distance from becoming insufficient.
  • a sealing resin 22 for sealing the entire first conductor portion 20a and a part of the second conductor portion 20b is provided, and the main terminal 2a and the control terminal 2b project from the sealing resin 22 in the same direction. To be formed.
  • the terminal protruding directions can be aligned in the same direction, so that the power semiconductor device 1 can be downsized compared to the case where the terminals protrude in a plurality of directions. Also, by aligning the protruding directions of the terminals in the same direction, the connection direction when connecting the power semiconductor device 1 to a control board such as an inverter device can be limited to only one direction. Can be facilitated. Further, in the water-cooling system, the number of sealing points can be reduced to one, so that the sealing structure can be simplified and the number of sealing members can be reduced.
  • cut surfaces 201a of the tie bars 200a for fixing the relative positions of the main terminal 2a and the control terminal 2b are formed at opposing portions of the side surface of the second conductor portion 20b of the main terminal 2a and the control terminal 2b. did.
  • the strength (rigidity) of each terminal can be improved, and the seismic resistance can be improved while suppressing a decrease in assembly efficiency. That is, the reliability and life of the power semiconductor device as a product can be improved.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing the appearance of a power semiconductor device according to the present modification.
  • a power semiconductor device 1A transmits a current to the power semiconductor element 300, and a metal first conductor portion 20a (see FIG. 2 and the like) on which at least one power semiconductor element 300 (see FIG. 2 and the like) is installed.
  • a metal second conductor portion 201b that forms one or more main terminals 2Aa and one or more control terminals 2Ab that transmit a switching control signal to the power semiconductor element 300, and is provided at the tip of the control terminal 2Ab.
  • an element installation conductor 2A constituted by a third metal conductor 20c.
  • the second conductor portion 201b is formed so as to have a second bent portion 2d that bends in one direction (upward in FIG. 6) with respect to the direction of protrusion from the sealing resin 22.
  • the main terminals 2Aa and the control terminals 2Ab are bent at a fixed angle so as to change the protruding direction, the connection with the control board can be realized even when the power semiconductor device 1A is placed flat.
  • the second bent portion 2d by providing the second bent portion 2d, the linear length of the main terminal 2Aa and the control terminal 2Ab is shortened, and displacement due to vibration can be reduced, so that vibration resistance can be improved.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment, but includes various modifications and combinations with other technologies without departing from the gist of the invention.
  • the present invention is not limited to the configuration including all the configurations described in the above embodiment, and includes a configuration in which a part of the configuration is deleted.
  • the second conductor portion 20b may be configured as a separate body, and may be configured to be electrically connected by wire bonding or the like.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

本発明の課題は、組み立て効率の低下を抑制しつつ耐震性を向上することができるパワー半導体装置を提供することである。　本発明のパワー半導体装置は、パワー半導体素子３００を設置する金属製の第一導体部２０ａ、パワー半導体素子３００に電流を伝達する１つ以上の主端子２ａとパワー半導体素子３００にスイッチング制御信号を伝達する１つ以上の制御端子２ｂとを構成する金属製の第二導体部２０ｂ、及び、制御端子２ｂの先端部に設けられた金属製の第三導体部２０ｃにより構成された素子設置導体２とを備えたパワー半導体装置１において、素子設置導体２を第一導体部２０ａの厚さよりも第二導体部２０ｂの最も厚い部分の厚さが薄くなるように、かつ、第二導体部２０ｂの最も薄い部分の厚さよりも第三導体部２０ｃの最も厚い部分の厚さが薄くなるように形成する。

Description

パワー半導体装置
　本発明は、パワー半導体装置に関する。
　パワー半導体装置に関する従来技術として、例えば、特許文献１には、半導体素子と、電導性を有する材料からなり、前記半導体素子が載置されるベース部と、前記ベース部と同一の材料からなり、前記半導体素子に電気的に接続される信号リード部と、前記ベース部と同一の材料からなり、前記ベース部から連続して形成され、前記ベース部よりも板厚が薄く、前記ベース部に対して前記信号リード部と同一の側に延在する薄板リード部とを備え、前記薄板リード部は、前記ベース部を介して前記半導体素子の所定端子に電気的に接続され、該半導体素子の所定端子における電位を検出するための電位検出用端子を構成するパワーモジュールが開示されている。
国際公開第２０１２／０７３３０６号
　ところで、パワー半導体装置は、振動する環境で用いられることも想定されるため、例えば、パワー半導体装置を外部と接続する端子についての耐震性を確保する構造が必要である。上記従来技術においては、樹脂モールドやポッティングによって端子を固定補強したり、個別部品をＴＩＧ（Tungsten Inert Gas）溶接などにより端子を接続したりすることによって端子の剛性を高めることにより、耐震性の向上を図っている。
　しかしながら、樹脂モールドやポッティングなどによって端子の補強を行う場合には、補強の精度を担保するための自動外観検査等の工程が必要となり、パワー半導体装置の組み立てに係る工数が増加してしまう。また、溶接などにより端子の補強を行う場合には、当然ながら溶接工程が必要となるため、その工数が増加してしまう。すなわち、従来技術においては、パワー半導体装置の組み立てに係る工程の増加による効率の悪化が懸念される。
　本発明は上記に鑑みてなされたものであり、組み立て効率の低下を抑制しつつ耐震性を向上することができるパワー半導体装置を提供することを目的とする。
　本願は上記課題を解決する手段を複数含んでいるが、その一例を挙げるならば、パワー半導体素子と、前記パワー半導体素子を設置する金属製の第一導体部、前記パワー半導体素子に電流を伝達する１つ以上の主端子と前記パワー半導体素子にスイッチング制御信号を伝達する１つ以上の制御端子とを構成する金属製の第二導体部、及び、前記制御端子の先端部に設けられた金属製の第三導体部により構成された素子設置導体とを備え、前記素子設置導体は、前記第一導体部の厚さよりも前記第二導体部の最も厚い部分の厚さが薄くなるように、かつ、前記第二導体部の最も薄い部分の厚さよりも前記第三導体部の最も厚い部分の厚さが薄くなるように形成されたものとする。
　本発明によれば、組み立て効率の低下を抑制しつつ耐震性を向上することができるパワー半導体装置を提供することができる。
第１の実施の形態に係るパワー半導体装置の外観を模式的に示す図である。 図１のＡ面断面図である。 素子設置導体を抜き出して示す図である。 主端子および制御端子がタイバにより接続されている様子を示す図である。 図１における端子間の様子を拡大して示す図である。 第１の実施の形態の変形例に係るパワー半導体装置の外観を模式的に示す図である。
　以下、本発明の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。
　＜第１の実施の形態＞
  本発明の第１の実施の形態を図１～図４を参照しつつ説明する。
　図１は、本実施の形態に係るパワー半導体装置の外観を模式的に示す図であり、図２は図１のＡ面断面図である。また、図３は、図１及び図２における素子設置導体を抜き出して示す図である。なお、図３においては、図示の簡単のため、主端子および制御端子の先端部の図示を省略する。
　図１～図３において、パワー半導体装置１は、少なくとも１つのＩＧＢＴ（絶縁バイポーラトランジスタ：Insulated Gate Bipolar Transistor）３０やダイオード３１などのパワー半導体素子３００（以降、符号３００で代表して示す）と、パワー半導体素子３００を設置する金属製の第一導体部２０ａ、パワー半導体素子３００に電流を伝達する１つ以上の主端子２ａとパワー半導体素子３００にスイッチング制御信号を伝達する１つ以上の制御端子２ｂとを構成する金属製の第二導体部２０ｂ、及び、制御端子の先端部に設けられた金属製の第三導体部２０ｃにより構成された素子設置導体２とを備えている。
　素子設置導体２は、銅（Ｃｕ）または銅合金からなるリードフレームやバスバー部品である。素子設置導体２は、第一導体部２０ａの厚さよりも第二導体部２０ｂの最も厚い部分の厚さが薄くなるように、かつ、第二導体部２０ｂの最も薄い部分の厚さよりも第三導体部２０ｃの最も厚い部分の厚さが薄くなるように形成されている。すなわち、素子設置導体２は、第一導体部２０ａから主端子２ａおよび制御端子２ｂの先端にいくのに従って段階的に薄くなるように形成されている。
　なお、本実施の形態においては、第一導体部２０ａ、第二導体部２０ｂ、及び、第三導体部２０ｃの３つの部位について、第一導体部２０ａから第三導体部２０ｃに向かって３段階で厚さが薄くなるように形成した場合を例示して説明したが、これに限られず、３段階以上で先端に向かって厚さが薄くなるように構成しても良い。すなわち、例えば、第二導体部２０ｂを第一導体部２０ａより薄く、かつ、第三導体部２０ｃより厚くなるように、先端に向かって薄くなる２種類の厚さで形成しても良い。
　また、パワー半導体装置１は、枠体２１ａおよび放熱フィン群２１ｂからなるハウジング４により第一導体部２０ａの全体および第二導体部２０ｂの一部が覆われており、例えばエポキシ系の樹脂からなる封止樹脂２２によって第一導体部２０ａの全体および第二導体部２０ｂの一部がパワー半導体素子３００等とともにハウジング４の内部にトランスファモールド封止されている。
　ハウジング４は、熱伝導率が優れた材料で形成されており、例えば、アルミ又はアルミ合金などで形成されることが好ましい。また、枠体２１ａは放熱フィン群２１ｂよりも剛性の高い材料で構成されている。なお、図１においては、図示の都合上、ハウジング４の一方の主面のみを示しているが、放熱フィン群２１ｂは、ハウジング４の両主面に構成されており、両面冷却構造を実現している。放熱フィン群２１ｂを構成する各放熱フィンは、例えば、円柱状で形成されており、規則的に配置される。
　素子設置導体２の第一導体部２０ａには、ＩＧＢＴ３０やダイオード３１等のパワー半導体素子３００が、はんだや焼結部材等で実装されており、第一導体部２０ａは、主電流の導通経路とパワー半導体素子３００の熱をパワー半導体装置１の外部へ放熱するための放熱経路とを兼ねている。
　パワー半導体素子３００は、第一導体部２０ａと導体板３２とにより挟まれるように配置されている。導体板３２は、パワー半導体素子３００の放熱経路としての役割を担っている。また、導体板３２には、例えば、ＩＧＢＴ３０のエミッタ電極とダイオード３１のアノード電極が固着される。なお、第一導体部２０ａの一部または全部には、封止樹脂２２との密着性を向上させるための表面処理（粗化処理）を施してもよい。
　素子設置導体２の主端子２ａは、パワー半導体装置１外とパワー半導体素子３００との間の主電流の通電経路であり、直流正極端子、直流負極端子、交流端子などから構成される。主端子２ａは、第一導体部２０ａより薄く形成された第二導体部２０ｂにより形成されている。なお、主端子２ａの第二導体部２０ｂの一部または全部には、封止樹脂２２との密着性を向上させるための表面処理（粗化処理）を施してある。
　素子設置導体２の制御端子２ｂは、パワー半導体素子を制御する信号の入出力を行う信号経路であり、第一導体部２０ａより薄く形成された第二導体部２０ｂと、第二導体部２０ｂより薄く形成された第三導体部２０ｃにより形成されている。制御端子２ｂの先端は、はんだ接続やコネクタ接続などによって図示しない制御基板と接続される。なお、制御端子２ｂの先端（第三導体部２０ｃ）は、制御基板との接続構造に応じてスズ（Ｓｎ）めっきや金（Ａｕ）めっき等の表面処理を施してある。
　また、制御端子２ｂの各端子には、第三導体部２０ｃの一部が延在方向から逸れるように形成されたベンド部２ｃ（第一曲げ部）が設けられており、ベンド部２ｃの弾性変化によって振動や熱変形による応力を緩和することができる。なお、制御端子２ｂは、素子温度を示す信号を出力する端子を含んでいる。また、ベンド部２ｃ（第一曲げ部）の曲率Ｒは、ベンド部２ｃを設ける部位の板厚以上であることが好ましい。また、本実施の形態において、ベンド部２ｃ（第一曲げ部）は第三導体部２０ｃに設けた場合を例示して説明しているが、これに限られず、例えば、第２導体部にベンド部を設けるように構成してもよい。
　ここで、第一導体部２０ａ～第三導体部２０ｃの厚さについて一例を示す。第一導体部２０ａは、パワー半導体素子３００で発生する熱の放熱に必要となる熱容量と熱抵抗とを勘案して、例えば、２．０ｍｍの厚さになるよう形成される。主端子２ａの第二導体部２０ｂは、各々の通電に必要となる断面積を確保できる厚さでとして、例えば、１．５ｍｍ～２．０ｍｍの厚さ（ただし、２．０ｍｍ未満）になるよう形成されている。制御端子２ｂの第三導体部２０ｃは、第二導体部２０ｂより薄く制御端子として一般的な、例えば、０．６４ｍｍの厚さになるよう形成される。制御端子２ｂの横方向の寸法（すなわち、幅）は、一般的に０．６４ｍｍとなるよう形成されるので、制御端子２ｂの第三導体部２０ｃは、その断面の１辺が０．６４ｍｍの四角形状となるように形成される。
　主端子２ａと制御端子２ｂは、封止樹脂２２から同一方向に突出するように形成されており、主端子２ａの第二導体部２０ｂの側面は制御端子２ｂの第二導体部２０ｂの側面と対向するように形成されている。また、主端子２ａは、第二導体部２０ｂにより形成されており、第三導体部２０ｃを有していない。そして、主端子２ａ及び制御端子２ｂの第二導体部２０ｂの側面のみが対向し、主端子２ａの第二導体部２０ｂの側面と制御端子２ｂの第三導体部２０ｃの側面とが対向しないように、主端子２ａ及び制御端子２ｂが形成される。すなわち、制御端子２ｂは、主端子２ａよりも第三導体部２０ｃの分だけ長くなるように形成されている。これにより、制御端子２ｂ長さを主端子２ａの長さよりも長くすることができるので、制御端子２ｂを制御基板と接続するときの主端子２ａと制御基板との干渉、或いは、絶縁距離の不足などを防止することができる。
　図４は、主端子および制御端子がタイバにより接続されている様子を示す図である。また、図５は、図１における端子間の様子を拡大して示す図である。
　図５に示すように、各主端子２ａの第二導体部２０ｂの側面の対向する部分や各制御端子２ｂの第二導体部２０ｂの側面の対向する部分、或いは、主端子２ａの第二導体部２０ｂと制御端子２ｂの第二導体部２０ｂの側面の対向する部分には、タイバ２００ａの切断面２０１ａがそれぞれ形成される。図４に示すように、タイバ２００ａは、封止樹脂２２によりトランスファモールド封止される前の素子設置導体２においては主端子２ａ及び制御端子２ｂの相対位置を固定するとともに、トランスファモールド封止においては主端子２ａ及び制御端子２ｂの各端子間からの封止樹脂２２の流出を防止し、主端子２ａ及び制御端子２ｂとの相対位置が封止樹脂２２によって固定された後の素子設置導体２においては、主端子２ａ及び制御端子２ｂの各端子間を電気的に分離させるために切断されて除去されるものである。
　すなわち、主端子２ａの第二導体部２０ｂと制御端子２ｂの第二導体部２０ｂとは、タイバを介して一体的に形成されることが考えられるため、一体的な形成における簡便性を考慮すると、主端子２ａの第二導体部２０ｂの厚さは制御端子２ｂの第二導体部２０ｂ厚さと同じであることが好ましい。なお、切断面は各端子側面に対して凸または凹のいずれの形状でもよいが、端子強度を確保するという観点からは凸形状が好ましい。
　以上のように構成した本実施の形態の効果を説明する。
　パワー半導体装置は、振動する環境で用いられることも想定されるため、例えば、パワー半導体装置を外部と接続する端子についての耐震性を確保する構造が必要である。従来技術においては、樹脂モールドやポッティングによって端子を固定補強したり、個別部品をＴＩＧ（Tungsten Inert Gas）溶接などにより端子を接続したりすることによって端子の剛性を高めることにより、耐震性の向上を図っている。しかしながら、樹脂モールドやポッティングなどによって端子の補強を行う場合には、補強の精度を担保するための自動外観検査等の工程が必要となり、パワー半導体装置の組み立てに係る工数が増加してしまう。また、溶接などにより端子の補強を行う場合には、当然ながら溶接工程が必要となるため、その工数が増加してしまう。すなわち、従来技術においては、パワー半導体装置の組み立てに係る工程の増加による効率の悪化が懸念される。
　これに対して本実施の形態においては、パワー半導体素子３００と、パワー半導体素子３００を設置する金属製の第一導体部２０ａ、パワー半導体素子３００に電流を伝達する１つ以上の主端子２ａとパワー半導体素子３００にスイッチング制御信号を伝達する１つ以上の制御端子２ｂとを構成する金属製の第二導体部２０ｂ、及び、制御端子２ｂの先端部に設けられた金属製の第三導体部２０ｃにより構成された素子設置導体２とを備え、素子設置導体２は、第一導体部２０ａの厚さよりも第二導体部２０ｂの最も厚い部分の厚さが薄くなるように、かつ、第二導体部２０ｂの最も薄い部分の厚さよりも第三導体部２０ｃの最も厚い部分の厚さが薄くなるように形成されたものとした。
　これにより、各端子の強度（剛性）を向上することができ、組み立て効率の低下を抑制しつつ耐震性を向上することができる。すなわち、パワー半導体装置の製品としての信頼性や寿命を向上することができる。
　また、第一導体部２０ａの厚さよりも第二導体部２０ｂの厚さが薄く、かつ、第二導体部２０ｂの厚さよりも第三導体部２０ｃの厚さが薄くなるように構成したので、第一導体部２０ａ～第三導体部２０ｃにより構成される素子設置導体２の全体を銅（Ｃｕ）素材（例えば、ロール材）として一体化可能である。したがって、部品点数の削減、別工程でのカシメ一体化などを廃止することができる。
　また、第三導体部２０ｃは、第三導体部２０ｃの延在方向から逸れるように形成された第一曲げ部を有するものとした。
　これにより、振動や熱による変形や応力を緩衝することができるので、制御端子２ｂの先端と制御基板とのはんだ接合やコネクタ接続、プレスフィット接続による接続部位への応力を緩和することができ、端子の折損や接合部の破断を抑制することができる。
　また、主端子２ａは第二導体部２０ｂにより形成されるとともに、制御端子２ｂは第二導体部２０ｂ及び第三導体部２０ｃにより形成され、主端子２ａの第二導体部の２０ｂ側面は制御端子２ｂの第二導体部２０ｂの側面と対向するように形成するものとした。
　これにより、制御端子２ｂは、主端子２ａよりも第三導体部２０ｃの分だけ長くなるように形成されるので、制御端子２ｂを制御基板と接続するときの主端子２ａと制御基板との干渉、或いは、絶縁距離の不足などを防止することができる。
　また、第一導体部２０ａの全体と第二導体部２０ｂの一部とを封止する封止樹脂２２を備え、主端子２ａと制御端子２ｂは、封止樹脂２２から同一方向に突出するように形成するものとした。
　これにより、端子突出方向を同一方向に揃えることができるので、複数方向に突出する場合に比べてパワー半導体装置１の小型化を実現することができる。また、端子の突出方向を同一方向に揃えることによって、パワー半導体装置１をインバータ装置などの制御基板に接続するときの接続方向を一方向のみとすることができ、複数方向の接続に比べて作業を容易とすることができる。また、水冷方式においては、シール箇所を１か所とすることができ、シール構造の簡易化し、シール部材の削減を行うことができる。
　また、主端子２ａ及び制御端子２ｂの第二導体部２０ｂの側面の対向する部分には、主端子２ａ及び制御端子２ｂの相対位置を固定するタイバ２００ａの切断面２０１ａがそれぞれ形成されるものとした。
　これにより、各端子の強度（剛性）を向上することができ、組み立て効率の低下を抑制しつつ耐震性を向上することができる。すなわち、パワー半導体装置の製品としての信頼性や寿命を向上することができる。
　＜第１の実施の形態の変形例＞
  本発明の第１の実施の形態の変形例を図６を参照しつつ説明する。本変形例では、第１の実施の形態との相違点についてのみ説明するものとし、図面における第１の実施の形態と同様の部材には同じ符号を付し、説明を省略する。
　本変形例は、第二導体部に第二曲げ部を形成した場合を示すものである。
　図６は、本変形例に係るパワー半導体装置の外観を模式的に示す図である。
　図６において、パワー半導体装置１Ａは、少なくとも１つのパワー半導体素子３００（図２等参照）を設置する金属製の第一導体部２０ａ（図２等参照）、パワー半導体素子３００に電流を伝達する１つ以上の主端子２Ａａとパワー半導体素子３００にスイッチング制御信号を伝達する１つ以上の制御端子２Ａｂとを構成する金属製の第二導体部２０１ｂ、及び、制御端子２Ａｂの先端部に設けられた金属製の第三導体部２０ｃにより構成された素子設置導体２Ａを備えている。
　また、第二導体部２０１ｂは、封止樹脂２２からの突出方向に対して一方（図６における上方）に屈曲する第二曲げ部２ｄを有するように形成されている。
　その他の構成は第１の実施の形態と同様である。
　以上のように構成した本実施の形態においても第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
　また、一定の角度で主端子２Ａａ及び制御端子２Ａｂを曲げて突出方向を変えるように形成したので、パワー半導体装置１Ａを平置きした場合にも、制御基板との接続を実現することができる。また、第二曲げ部２ｄを設けることで、主端子２Ａａ及び制御端子２Ａｂの直線長が短くなり、振動に伴う変位を低減することができるので、耐振性を向上することができる。
　＜付記＞
　なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内の様々な変形例や他の技術との組み合わせが含まれる。また、本発明は、上記の実施の形態で説明した全ての構成を備えるものに限定されず、その構成の一部を削除したものも含まれる。
　また、本実施の形態では、第一導体部２０ａ、第二導体部２０ｂ、及び、第三導体部２０ｃが一体となる場合を例示して説明しているが、例えば、第一導体部２０ａと第二導体部２０ｂとが別体で構成され、ワイヤボンディング等で電気的に接続するように構成してもよい。
　１，１Ａ…パワー半導体装置、２…素子設置導体、２ａ，２Ａａ…主端子、２Ａ…素子設置導体、２ｂ，２Ａｂ…制御端子、２ｃ…ベンド部（第一曲げ部）、２ｄ…第二曲げ部、４…ハウジング、２０ａ…第一導体部、２０ｂ…第二導体部、２０ｃ…第三導体部、２１ａ…枠体、２１ｂ…放熱フィン群、２２…封止樹脂、３１…ダイオード、３２…導体板、２００ａ…タイバ、２０１ａ…切断面、２０１ｂ…第二導体部、３００…パワー半導体素子

Claims (6)

  1. 　パワー半導体素子と、
    　前記パワー半導体素子を設置する金属製の第一導体部、前記パワー半導体素子に電流を伝達する１つ以上の主端子と前記パワー半導体素子にスイッチング制御信号を伝達する１つ以上の制御端子とを構成する金属製の第二導体部、及び、前記制御端子の先端部に設けられた金属製の第三導体部により構成された素子設置導体とを備え、
    　前記素子設置導体は、前記第一導体部の厚さよりも前記第二導体部の最も厚い部分の厚さが薄くなるように、かつ、前記第二導体部の最も薄い部分の厚さよりも前記第三導体部の最も厚い部分の厚さが薄くなるように形成されたことを特徴とするパワー半導体装置。
  2. 　請求項１に記載のパワー半導体装置において、
    　前記第三導体部は、前記第三導体部の延在方向から逸れるように形成された第一曲げ部を有することを特徴とするパワー半導体装置。
  3. 　請求項１に記載のパワー半導体装置において、
    　前記主端子は前記第二導体部により形成されるとともに、前記制御端子は前記第二導体部及び前記第三導体部により形成され、
    　前記主端子の第二導体部の側面は前記制御端子の第二導体部の側面と対向するように形成されたことを特徴とするパワー半導体装置。
  4. 　請求項１に記載のパワー半導体装置において、
    　前記第一導体部の全体と前記第二導体部の一部とを封止する封止樹脂を備え、
    　前記主端子と前記制御端子は、前記封止樹脂から同一方向に突出するように形成されたことを特徴とするパワー半導体装置。
  5. 　請求項４に記載のパワー半導体装置において、
    　前記第二導体部は、前記封止樹脂からの突出方向に対して屈曲する第二曲げ部を有することを特徴とするパワー半導体装置。
  6. 　請求項１に記載のパワー半導体装置において、
    　前記主端子及び前記制御端子の第二導体部の側面の対向する部分には、前記主端子及び前記制御端子の相対位置を固定するタイバの切断面がそれぞれ形成されるパワー半導体装置。
PCT/JP2019/029368 2018-09-05 2019-07-26 パワー半導体装置 WO2020049891A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020541057A JP7116178B2 (ja) 2018-09-05 2019-07-26 パワー半導体装置
CN201980056162.8A CN112640099A (zh) 2018-09-05 2019-07-26 功率半导体装置
DE112019003162.7T DE112019003162T5 (de) 2018-09-05 2019-07-26 Leistungshalbleitervorrichtung
US17/273,620 US11482476B2 (en) 2018-09-05 2019-07-26 Power semiconductor device with an element installation conductor

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018165620 2018-09-05
JP2018-165620 2018-09-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020049891A1 true WO2020049891A1 (ja) 2020-03-12

Family

ID=69723098

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/029368 WO2020049891A1 (ja) 2018-09-05 2019-07-26 パワー半導体装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11482476B2 (ja)
JP (1) JP7116178B2 (ja)
CN (1) CN112640099A (ja)
DE (1) DE112019003162T5 (ja)
WO (1) WO2020049891A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20200203255A1 (en) * 2018-12-19 2020-06-25 Abb Schweiz Ag Cooling of power semiconductors

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5834748U (ja) * 1981-08-28 1983-03-07 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 気密端子
JPH07211839A (ja) * 1994-01-18 1995-08-11 Toppan Printing Co Ltd リードフレーム
JP2012005322A (ja) * 2010-06-21 2012-01-05 Hitachi Automotive Systems Ltd パワー半導体装置及びそれを用いた電力変換装置
JP2014045157A (ja) * 2012-08-29 2014-03-13 Hitachi Automotive Systems Ltd パワー半導体モジュール
WO2015136968A1 (ja) * 2014-03-10 2015-09-17 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
WO2016080521A1 (ja) * 2014-11-20 2016-05-26 日本精工株式会社 電子部品搭載用放熱基板
WO2017056686A1 (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
JP2018073892A (ja) * 2016-10-26 2018-05-10 日立オートモティブシステムズ株式会社 回路体および回路体の製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103229295B (zh) 2010-11-29 2016-01-06 丰田自动车株式会社 动力模块

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5834748U (ja) * 1981-08-28 1983-03-07 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 気密端子
JPH07211839A (ja) * 1994-01-18 1995-08-11 Toppan Printing Co Ltd リードフレーム
JP2012005322A (ja) * 2010-06-21 2012-01-05 Hitachi Automotive Systems Ltd パワー半導体装置及びそれを用いた電力変換装置
JP2014045157A (ja) * 2012-08-29 2014-03-13 Hitachi Automotive Systems Ltd パワー半導体モジュール
WO2015136968A1 (ja) * 2014-03-10 2015-09-17 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
WO2016080521A1 (ja) * 2014-11-20 2016-05-26 日本精工株式会社 電子部品搭載用放熱基板
WO2017056686A1 (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
JP2018073892A (ja) * 2016-10-26 2018-05-10 日立オートモティブシステムズ株式会社 回路体および回路体の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP7116178B2 (ja) 2022-08-09
DE112019003162T5 (de) 2021-03-25
US20210366812A1 (en) 2021-11-25
CN112640099A (zh) 2021-04-09
US11482476B2 (en) 2022-10-25
JPWO2020049891A1 (ja) 2021-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10008392B2 (en) Method for producing a power semiconductor module
US7948007B2 (en) Power semiconductor module with flush terminal elements
JP6164364B2 (ja) 半導体装置
JP6366857B2 (ja) 電力用半導体装置
US8222741B2 (en) Semiconductor module with current connection element
US20120187554A1 (en) Power semiconductor device, printed wiring board, and mechanism for connecting the power semiconductor device and the printed wiring board
US8860220B2 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
JPWO2010004609A1 (ja) 電力用半導体装置
WO2020049891A1 (ja) パワー半導体装置
US10886205B2 (en) Terminal structure and semiconductor module
JP7338204B2 (ja) 半導体装置
US11094615B2 (en) Semiconductor apparatus including leads and bonding wires
JP2011018933A (ja) 半導体装置およびその製造方法
US10373919B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
JP2006245362A (ja) 半導体装置およびこれに用いられる電極端子
JP2012238684A (ja) 電力用半導体装置
JP2012238749A (ja) 半導体装置
US7750448B2 (en) Semiconductor package and method for manufacturing the same
US20120056313A1 (en) Semiconductor package
US11195814B2 (en) Semiconductor device having second connector that overlaps a part of first connector
CN110168721B (zh) 半导体装置以及半导体装置的制造方法
JP6532520B1 (ja) 電気接続部品
WO2023190334A1 (ja) 半導体装置
JP2001127226A (ja) 半導体素子
JP2006318950A (ja) 圧接型の半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19856644

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020541057

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19856644

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1