WO2020049707A1 - 表示装置およびその駆動方法 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a display device, and more particularly, to a display device having a non-rectangular display panel and a driving method thereof.
- Organic electroluminescence (EL) display devices are used in various electronic devices such as televisions and smartphones.
- a rectangular organic EL panel is used for an organic EL display device used for a television or the like.
- a non-rectangular organic EL panel may be used in an organic EL display device used for a smartphone or the like in order to enhance design and operability.
- Patent Documents 1 and 2 disclose a display device having a non-rectangular display panel.
- Patent Literature 3 discloses a display device including a control unit that reduces the length of a light emitting period from a central region toward a peripheral region.
- the organic EL panel 90 shown in FIG. 18 is a non-rectangular display panel having four rounded corners 91 to 94 and a notch 95.
- the scanning lines (not shown) extend in the horizontal direction of the drawing, and the pixel circuits (not shown) are arranged two-dimensionally.
- the organic EL panel 90 is divided into a rectangular area RB and non-rectangular areas RA and RC by two boundary lines extending in the same direction as the scanning lines.
- the load on the scanning lines in the non-rectangular areas RA and RC is smaller than the load on the scanning lines in the rectangular area RB.
- the signal distortion on the scanning lines in the non-rectangular areas RA and RC is smaller than the signal distortion on the scanning lines in the rectangular areas RB, and the signal distortion when a voltage is written to the pixel circuits in the non-rectangular areas RA and RC.
- the charging rate is higher than the charging rate when writing a voltage to the pixel circuits in the rectangular area RB. Therefore, when the same voltage is applied to all the pixel circuits, the luminance of the non-rectangular areas RA and RC becomes higher or lower than the luminance of the rectangular area RB.
- the luminance difference between adjacent areas is 1% or more of the correct luminance, a human recognizes the luminance difference, and the display quality deteriorates.
- the above-mentioned point is a problem not only in an organic EL display device having a non-rectangular organic EL panel, but also in a display device having a non-rectangular display panel.
- the non-rectangular display panel includes not only a display panel having an outer peripheral shape other than a rectangular shape, but also a rectangular display panel having an opening.
- an object is to provide a display device having a non-rectangular display panel and capable of suppressing a luminance difference generated near a boundary between a rectangular region and a non-rectangular region.
- a non-rectangular display panel including a plurality of scanning lines, a plurality of data lines, a plurality of light emission control lines extending in the same direction as the scanning lines, and a plurality of pixel circuits, and driving the scanning lines.
- the scanning circuit driving circuit for selecting a pixel circuit in a row unit the data line driving circuit for driving a data line, and the emission control line
- the pixel circuit emits light and emits light in a row unit.
- the light emission control line driving circuit controls each row in the rectangular area.
- the light emission control line is driven such that the length of the first non-light emitting period in which the pixel circuits of the non-light emitting state is in the non-light emitting state and the length of the second non-light emitting period in which the pixel circuits of each row in the non-rectangular area are in the non-light emitting state To solve the problem Can.
- the above object is to drive a display device having a non-rectangular display panel including a plurality of scan lines, a plurality of data lines, a plurality of light emission control lines extending in the same direction as the scan lines, and a plurality of pixel circuits.
- the step of driving the light emitting control line includes: The emission control line is set so that the length of the first non-emission period in which the pixel circuits in each row are in a non-emission state is different from the length of the second non-emission period in which the pixel circuits of each row in the non-rectangular area are in the non-emission state.
- Display device to drive It can be solved by driving methods.
- the length of the first non-light emitting period (the non-light emitting period of the pixel circuits in each row in the rectangular region) and the second non-light emitting period
- the length the non-emission period of the pixel circuits in each row in the non-rectangular area
- FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of an organic EL display device according to an embodiment.
- 2 is a timing chart of the organic EL display device shown in FIG.
- FIG. 2 is a circuit diagram of a pixel circuit according to a first example of the organic EL display device shown in FIG. 1.
- 4 is a timing chart of the pixel circuit shown in FIG.
- FIG. 4 is a signal waveform diagram of the pixel circuit shown in FIG. 3.
- FIG. 4 is a diagram illustrating a parasitic capacitance generated in the pixel circuit illustrated in FIG. 3.
- FIG. 4 is a circuit diagram of a pixel circuit according to a second example of the organic EL display device shown in FIG. 1.
- FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of an organic EL display device according to an embodiment.
- 2 is a timing chart of the organic EL display device shown in FIG.
- FIG. 2 is a circuit diagram of a pixel circuit according to a first example of the organic EL display
- FIG. 5 is a circuit diagram of a pixel circuit according to a third example of the organic EL display device shown in FIG. It is a circuit diagram of a pixel circuit according to a fourth example of the organic EL display device shown in FIG.
- FIG. 9 is a circuit diagram of a pixel circuit according to a fifth example of the organic EL display device shown in FIG. 11 is a timing chart of the pixel circuit shown in FIG.
- FIG. 11 is a signal waveform diagram of the pixel circuit shown in FIG. 10.
- FIG. 7 is a diagram illustrating operation timing and luminance of an organic EL display device according to a comparative example.
- FIG. 3 is a diagram illustrating operation timing and luminance of the organic EL display device according to the first example of the embodiment.
- FIG. 14 It is a figure showing operation timing and brightness of an organic EL display concerning a 2nd example of an embodiment. It is a figure which shows a part of FIG. 14 in detail. It is a figure which shows a part of FIG. 15 in detail. It is a figure showing a non-rectangular organic EL panel.
- FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the organic EL display device according to the embodiment.
- the organic EL display device 10 shown in FIG. 1 includes an organic EL panel 11, a display control circuit 12, a scanning line drive circuit 13, a data line drive circuit 14, and a light emission control line drive circuit 15.
- the horizontal direction of the drawing is referred to as a row direction
- the vertical direction of the drawing is referred to as a column direction.
- m and n are integers of 2 or more
- i is an integer of 1 or more and m or less
- j is an integer of 1 or more and n or less.
- the organic EL panel 11 is a non-rectangular display panel having four rounded corners 1 to 4 and a notch 5.
- the organic EL panel 11 includes m scanning lines G1 to Gm, m emission control lines E1 to Em, n data lines S1 to Sn, and a plurality of pixel circuits 16.
- the scanning lines G1 to Gm extend in the row direction and are arranged in parallel with each other.
- the light emission control lines E1 to Em extend in the row direction (the same direction as the scanning lines G1 to Gm) and are arranged in parallel with each other.
- the scanning lines G1 to Gm and the emission control lines E1 to Em extend around the notch 5 at necessary positions.
- the data lines S1 to Sn extend in the column direction and are arranged in parallel with each other.
- the scanning lines G1 to Gm are orthogonal to the data lines S1 to Sn.
- the plurality of pixel circuits 16 are arranged near intersections of the scanning lines G1 to Gm and the data lines S1 to Sn. In each row, n or less pixel circuits 16 are arranged.
- the pixel circuit 16 includes an organic EL element and a plurality of thin film transistors (Thin Film Transistor: hereinafter, referred to as TFTs) (both are not shown).
- the organic EL element is a kind of electro-optical element and functions as a light emitting element.
- the pixel circuit 16 is connected to one or more corresponding scanning lines, one or more corresponding light emission control lines, and one corresponding data line. As the pixel circuit 16, any pixel circuit that can control the organic EL element to emit light and to emit no light using an emission control line is used. At the positions of the rounded corners 1 to 4 and the notch 5, no scanning line, light emission control line, data line, and pixel circuit are provided.
- the display control circuit 12 outputs a control signal C1 to the scanning line drive circuit 13, outputs a control signal C2 and a video signal V1 to the data line drive circuit 14, and controls a light emission control line drive circuit 15.
- the signal C3 is output.
- the scanning line driving circuit 13 drives the scanning lines G1 to Gm based on the control signal C1. More specifically, in the organic EL display device 10, m horizontal periods are set in one frame period. In the i-th horizontal period, the scanning line driving circuit 13 applies a selection level voltage to the scanning line Gi and applies a non-selection level voltage to other scanning lines.
- the pixel circuits 16 in the i-th row are collectively selected.
- the scanning line driving circuit 13 selects the pixel circuits 16 in units of rows by driving the scanning lines G1 to Gm.
- the data line driving circuit drives the data lines S1 to Sn based on the control signal C2 and the video signal V1. More specifically, the data line drive circuit 14 applies n voltages (hereinafter, referred to as data voltages) corresponding to the video signal V1 to the data lines S1 to Sn in the ith horizontal period. Thus, in the i-th horizontal period, the data voltage is written to the pixel circuits 16 in the i-th row.
- the light emission control line drive circuit 15 drives the light emission control lines E1 to Em based on the control signal C3. More specifically, the light emission control line drive circuit 15 applies a light emission level voltage to the light emission control line Ei during the light emission period of the pixel circuit 16 on the i-th row, Then, a voltage of a non-light emitting level is applied to the light emitting control line Ei.
- the pixel circuit 16 on the i-th row emits light during the light emission period of the pixel circuit on the i-th row, and does not emit light during the non-light emission period of the pixel circuit 16 on the i-th row.
- the light emission control line drive circuit 15 drives the light emission control lines E1 to Em to control the pixel circuit 16 between the light emitting state and the non-light emitting state on a row basis.
- the organic EL panel 11 includes a non-rectangular area Ra having rounded corners 1 and 2 and a notch 5, a rectangular area Rb, and a rounded corner 3 having two rounded corners extending in the same direction as the scanning lines G1 to Gm. 4 is divided into non-rectangular regions Rc.
- the pixel circuits 16 in the a-th row are in the non-rectangular area Ra
- the pixel circuits 16 in the b-th row are in the rectangular area Rb
- the pixel circuits 16 in the c-th row are in the non-rectangular area Rc.
- Each of the selection periods of the pixel circuits 16 in the regions Ra to Rc is one horizontal period.
- the lengths of the non-light emitting periods of the pixel circuits 16 in the regions Ra to Rc are a p horizontal period, a q horizontal period, and an r horizontal period, respectively.
- p, q and r are integers of 1 or more that satisfy p ⁇ q and q ⁇ r.
- p and r may be the same or different.
- FIG. 2 is a timing chart of the organic EL display device 10.
- the selection level and the light emission level are high level, and the non-selection level and the non-light emission level are low level.
- the voltage of the scanning line Gi is at the selected level in the i-th horizontal period, and is at the non-selected level in the other periods.
- the voltage of the light emission control line Ea has a non-light emitting level in p horizontal periods including the a-th horizontal period, and has a light emitting level in other periods.
- the voltage of the light emission control line Eb becomes a non-light emitting level in q horizontal periods including the b-th horizontal period, and becomes a light emitting level in other periods.
- the voltage of the light emission control line Ec has a non-light emitting level in r horizontal periods including the c-th horizontal period, and has a light emitting level in other periods.
- the length of the non-light emitting period of the pixel circuits 16 in each row in the rectangular region Rb is the same.
- p> q and q ⁇ r are set, the non-light emitting period of the pixel circuits 16 in each row in the non-rectangular regions Ra and Rc is longer than the non-light emitting period of the pixel circuits 16 in each row in the rectangular region Rb.
- the non-light emitting period of the pixel circuits 16 in each row in the non-rectangular regions Ra and Rc is shorter than the non-light emitting period of the pixel circuits 16 in each row in the rectangular region Rb.
- the voltage of the light emission control line Ea is at a non-light emitting level during the a-th to (a + 4) -th horizontal periods, and at a non-light emitting level at other times.
- the voltage of the light emission control line Eb has a non-light emission level during the b-th horizontal period, and has a light emission level in other periods.
- the voltage of the light emission control line Ec has a non-light emitting level in the c-th to (c + 2) -th horizontal periods, and has a light emitting level in other periods.
- the period from the start of the non-emission period of the pixel circuit 16 in the rectangular region Rb to the end of the selection period of the same pixel circuit 16 is referred to as the first period, and the non-emission period of the pixel circuit 16 in the non-rectangular regions Ra and Rc.
- a period from the start to the end of the selection period of the same pixel circuit 16 is a second period, and a period from the end of the selection period of the pixel circuit 16 in the rectangular region Rb to the end of the non-emission period of the same pixel circuit 16 is a third period.
- the period from the end of the selection period of the pixel circuit 16 in the non-rectangular regions Ra and Rc to the end of the non-emission period of the same pixel circuit 16 is referred to as a fourth period.
- the non-light emitting period starts at the same timing as the selection period.
- the non-light emitting period ends at a timing later by four horizontal periods than the selected period.
- the non-light emitting period ends at the same timing as the selection period.
- the non-light emitting period ends at a timing later by two horizontal periods than the selected period. Therefore, the first period and the second period have the same length, and the fourth period is longer than the third period.
- the values of p, q, and r are determined when designing the organic EL display device 10.
- the non-rectangular regions Ra and Rc May be higher than the luminance of the rectangular area Rb, or the luminance of the non-rectangular areas Ra and Rc may be lower than the luminance of the rectangular area Rb.
- the former is referred to as “the case where the non-rectangular region has high luminance”
- the latter is referred to as “the case where the non-rectangular region has low luminance”.
- Which case is determined by the configuration of the pixel circuit 16, the driving method of the organic EL panel 11, and the like.
- the length of the non-light emitting period of the pixel circuit 16 in the non-rectangular region Ra is longer than the length of the non-light emitting period of the pixel circuit 16 in the rectangular region Rb (p> q).
- the length of the non-light emitting period of the pixel circuit 16 in the non-rectangular region Ra is shorter than the length of the non-light emitting period of the pixel circuit 16 in the rectangular region Rb (p ⁇ q).
- the length of the non-light emitting period of the pixel circuit 16 in the non-rectangular region Rc is longer than the length of the non-light emitting period of the pixel circuit 16 in the rectangular region Rb. (To satisfy q ⁇ r).
- the length of the non-light emitting period of the pixel circuit 16 in the non-rectangular region Rc is shorter than the length of the non-light emitting period of the pixel circuit 16 in the rectangular region Rb (q> r).
- the length of the non-light emitting period of the pixel circuit 16 in the non-rectangular regions Ra and Rc is determined to be different from the length of the non-light emitting period of the pixel circuit 16 in the rectangular region Rb.
- the light emission control line drive circuit 15 is configured so that the length of the non-light emitting period of the pixel circuits 16 in each row in the rectangular region Rb is different from the length of the non-light emitting period of the pixel circuits 16 in each row in the non-rectangular regions Ra and Rc.
- the light emission control lines E1 to Em are driven.
- the luminance difference between the non-rectangular region Ra and the rectangular region Rb can be estimated based on the difference in load between the scanning line Ga and the scanning line Gb.
- the luminance difference between the rectangular area Rb and the non-rectangular area Rc can be estimated based on the difference in load between the scanning line Gb and the scanning line Gc. Therefore, based on the estimated luminance difference, the length of the non-light emitting period of the pixel circuits 16 in each row in the rectangular region Rb and the length of the non-light emitting period of the pixel circuits 16 in each row in the non-rectangular regions Ra and Rc are preferably set. By determining, it is possible to suppress a luminance difference occurring near the boundary between the rectangular region Rb and the non-rectangular regions Ra and Rc, and improve display quality.
- FIG. 3 is a circuit diagram of the pixel circuit according to the first example.
- the pixel circuit 21 shown in FIG. 3 includes three N-channel TFTs: Q11 to Q13, a capacitor C1, and an organic EL element L1.
- One conductive terminal of TFT: Q11 (the left terminal in FIG. 3) is connected to data line Sj, the other conductive terminal of TFT: Q11 is connected to the gate terminal of TFT: Q12, and the gate terminal of TFT: Q11 is connected to It is connected to the scanning line Gi.
- the high-level power supply voltage Vp is applied to the drain terminal of the TFT: Q12, and the source terminal of the TFT: Q12 is connected to the drain terminal of the TFT: Q13.
- the source terminal of the TFT: Q13 is connected to the anode terminal of the organic EL element L1, and the gate terminal of the TFT: Q13 is connected to the emission control line Ei.
- the low-level power supply voltage Vn is applied to the cathode terminal of the organic EL element L1.
- the capacitor C1 is provided between the gate terminal of the TFT: Q12 and the reference voltage line Ref.
- FIG. 4 is a timing chart of the pixel circuit 21.
- the voltage of the scanning line Gi becomes high level
- the voltage of the light emission control line Ei becomes low level. Accordingly, the TFT: Q11 turns on, and the TFT: Q13 turns off.
- the voltage of the data line Sj becomes the reset voltage.
- the electric charge accumulated in the capacitor C1 is discharged by the reset voltage, and the gate voltage of the TFT: Q12 becomes equal to the reset voltage.
- the voltage of the data line Sj becomes the data voltage.
- the capacitor C1 is charged by the data voltage, and the gate voltage of the TFT: Q12 becomes equal to the data voltage.
- the TFT: Q12 if the gate-source voltage of the TFT: Q12 exceeds the threshold voltage, the TFT: Q12 turns on, and the drive current IL1 according to the gate-source voltage flows through the TFT: Q12.
- the drive current IL1 flows through the TFT: Q12 and the organic EL element L1, and the organic EL element L1 emits light at a luminance according to the drive current IL1.
- the voltage of the scanning line Gi goes low, and the voltage of the light emission control line Ei goes high. Accordingly, the TFT: Q11 turns off and the TFT: Q13 turns on.
- the gate-source voltage of the TFT Q12 is held at the level at the time of writing by the action of the capacitor C1.
- the organic EL element L1 emits light at a luminance corresponding to the drive current IL1 until the next data voltage is written.
- FIG. 5 is a signal waveform diagram of the pixel circuit 21.
- FIG. 5 shows changes in voltages of the scanning lines Gi and the data lines Sj.
- the solid line indicates a change in the voltage of the scanning line Ga
- the broken line indicates a change in the voltage of the scanning line Gb.
- the high level voltage of the scanning line is VGH
- the low level voltage of the scanning line is VGL
- the reset voltage is Vr
- the data voltage is Vd
- the gate voltage of the TFT: Q12 at the end of the i-th horizontal period is Vd
- the scanning line is The delay time from when the voltage of Gi starts to decrease until the voltage of the data line Sj starts to decrease is defined as Td.
- the gate voltage of the TFT: Q12 changes according to the load on the scanning line Gi or the like. Since the load on the scanning line Ga is relatively small, the fall time of the voltage on the scanning line Ga is short (see the solid line in the upper part of FIG. 5). Therefore, it is assumed that the TFT Q11 is turned off before the voltage of the data line Sj starts to decrease.
- the gate voltage V1a of the TFT: Q12 of the pixel circuit 21 in the non-rectangular area Ra in the (a + 1) th and subsequent horizontal periods is given by the following equation (1).
- V1a Vd- ⁇ C2 (GH-GL) + C4 (VoH-Vol) ⁇ / (C1 + C2 + C3 + C4)
- C1 is the capacitance of the capacitor C1
- C2 is the capacitance of the parasitic capacitance between the gate terminal of the TFT: Q12 and the scanning line Gi
- C3 is the parasitic capacitance between the gate and the drain of the TFT: Q12.
- C4 is the capacitance value of the parasitic capacitance between the gate and the source of the TFT: Q12
- VoH is the anode voltage of the organic EL element L1 when the voltage of the scanning line Gi is at a high level
- VoL is the voltage of the scanning line Gi. It represents the anode voltage of the organic EL element L1 at the time of the low level (see FIG. 6).
- the N-channel TFT: Q12 functions as a driving transistor. Therefore, the higher the gate voltage of the TFT: Q12, the greater the drive current IL1, and the organic EL element L1 emits light with higher luminance. Therefore, in the organic EL display device that drives the pixel circuit 21 at the timing shown in FIG. 4, the luminance of the non-rectangular area Ra is higher than the luminance of the rectangular area Rb (the non-rectangular area Ra has high luminance).
- FIG. 7 is a circuit diagram of a pixel circuit according to a second example.
- the pixel circuit 22 shown in FIG. 7 is obtained by replacing the N-channel TFTs Q11 to Q13 in the pixel circuit 21 according to the first example with P-channel TFTs Q21 to Q23, respectively.
- the timing chart of the pixel circuit 22 is obtained by inverting the polarities of all the signals in the timing chart shown in FIG.
- the gate voltage V2a of the TFT: Q22 of the pixel circuit 22 in the non-rectangular region Ra in the (a + 1) th and subsequent horizontal periods is given by the following equation (3).
- V2a Vd- ⁇ C2 (GL-GH) + C4 (Vol-VoH) ⁇ / (C1 + C2 + C3 + C4)
- V2b of the TFT: Q22 of the pixel circuit 22 in the rectangular region Rb in the (b + 1) th and subsequent horizontal periods satisfies the following equation (4).
- the P-channel TFT: Q22 functions as a driving transistor. Therefore, the lower the gate voltage of the TFT: Q22, the greater the drive current flowing through the TFT: Q22 and the organic EL element L1, and the organic EL element L1 emits light with higher luminance. Therefore, even in the organic EL display device that drives the pixel circuit 22 at the above timing, the brightness of the non-rectangular area Ra is higher than the brightness of the rectangular area Rb (the non-rectangular area Ra has high brightness).
- FIG. 8 is a circuit diagram of a pixel circuit according to the third example.
- a pixel circuit 23 shown in FIG. 8 is obtained by replacing the N-channel TFT: Q12 with the P-channel TFT: Q22 in the pixel circuit 21 according to the first example.
- the timing chart of the pixel circuit 23 is obtained by inverting the polarities of voltages other than the voltages of the scanning lines Gi and Gi + 1 and the emission control line Ei in the timing chart shown in FIG.
- the gate voltage V3a of the TFT: Q22 of the pixel circuit 23 in the non-rectangular region Ra in the (a + 1) th and subsequent horizontal periods is the same as the gate voltage V1a shown in Expression (1).
- the gate voltage V3b of the TFT: Q22 of the pixel circuit 23 in the rectangular region Rb in the (b + 1) th and subsequent horizontal periods satisfies the following expression (5).
- the P-channel type TFT: Q22 functions as a driving transistor. Therefore, the lower the gate voltage of the TFT: Q22, the greater the drive current flowing through the TFT: Q22 and the organic EL element L1, and the organic EL element L1 emits light with higher luminance. Therefore, even in the organic EL display device that drives the pixel circuit 23 at the above timing, the brightness of the non-rectangular area Ra is higher than the brightness of the rectangular area Rb (the non-rectangular area Ra has high brightness).
- FIG. 9 is a circuit diagram of a pixel circuit according to a fourth example.
- a pixel circuit 24 shown in FIG. 9 is obtained by replacing the N-channel TFTs Q11 and Q13 with the P-channel TFTs Q21 and Q23 in the pixel circuit 21 according to the first example.
- the timing chart of the pixel circuit 24 is obtained by inverting the polarities of the voltages of the scanning lines Gi and Gi + 1 and the emission control line Ei in the timing chart shown in FIG.
- the gate voltage V4a of the TFT: Q12 of the pixel circuit 24 in the non-rectangular region Ra in the (a + 1) th and subsequent horizontal periods is the same as the gate voltage V2a shown in Expression (3).
- the gate voltage V4b of the TFT: Q12 in the rectangular area Rb in the (b + 1) th and subsequent horizontal periods satisfies the following equation (6).
- the N-channel type TFT: Q12 functions as a driving transistor. Therefore, the higher the gate voltage of the TFT: Q12, the greater the drive current flowing through the TFT: Q12 and the organic EL element L1, and the organic EL element L1 emits light with higher luminance. Therefore, even in the organic EL display device in which the pixel circuit 24 is driven at the above timing, the luminance of the non-rectangular area Ra is higher than the luminance of the rectangular area Rb (the non-rectangular area Ra has high luminance).
- the emission control TFT (Q13 or Q23) is provided between the drive transistor and the organic EL element L1, but the emission control TFT is connected to the drive transistor and the high-level power supply voltage. It may be provided between a node having Vp. Further, the emission control TFT may be provided both between the driving transistor and the organic EL element L1, and between the driving transistor and the node having the high-level power supply voltage Vp.
- the emission control TFT may be a P-channel type or an N-channel type.
- FIG. 10 is a circuit diagram of a pixel circuit according to a fifth example.
- the pixel circuit 25 shown in FIG. 10 includes six N-channel TFTs: Q51 to Q56, a capacitor C5, and an organic EL element L5.
- the high-level power supply voltage Vp is applied to the drain terminals of the TFTs Q51 and Q55.
- the source terminal of the TFT: Q51 is connected to the gate terminal of the TFT: Q53 and one conductive terminal (the left terminal in FIG. 10) of the TFT: Q52.
- the source terminal of the TFT: Q55 is connected to the drain terminal of the TFT: Q53 and the other conductive terminal of the TFT: Q52.
- the source terminal of the TFT Q53 is connected to one conductive terminal (the left terminal in FIG.
- the other conduction terminal of the TFT: Q54 is connected to the data line Sj.
- the source terminal of the TFT: Q56 is connected to the anode terminal of the organic EL element L5, and the low-level power supply voltage Vn is applied to the cathode terminal of the organic EL element L5.
- the gate terminal of the TFT Q51 is connected to the scanning line Gi-1, the gate terminals of the TFTs Q52 and Q54 are connected to the scanning line Gi, and the gate terminals of the TFTs Q55 and Q56 are connected to the emission control line Ei. .
- the capacitor C5 is provided between the gate terminal of the TFT: Q53 and the reference voltage line Ref.
- N1 the node to which the gate terminal of the TFT Q53 is connected
- FIG. 11 is a timing chart of the pixel circuit 25.
- the voltage of the light emission control line Ei becomes low level. Accordingly, the TFTs Q55 and Q56 are turned off. Therefore, the drive current IL5 stops flowing through the organic EL element L5, and the organic EL element L5 stops emitting light.
- the voltage of the scanning line Gi-1 is at a high level. Accordingly, the TFT: Q51 turns on, and the voltage of the node N1 is initialized to Vp.
- the voltage of the scanning line Gi-1 becomes low level, and the voltage of the scanning line Gi becomes high level. Accordingly, the TFT Q51 is turned off, the TFTs Q52 and Q54 are turned on, and the TFT Q53 is diode-connected.
- the voltage of the data line Sj becomes the data voltage Vd ( ⁇ Vp). Therefore, the voltage of the node N1 changes from Vp to (Vd + Vth) (where Vth is the threshold voltage of the TFT: Q53).
- the voltage of the scanning line Gi goes low, and the voltage of the emission control line Ei goes high. Accordingly, the TFTs Q52 and Q54 are turned off, and the TFTs Q55 and Q56 are turned on. After the TFT Q54 is turned off, the gate-source voltage of the TFT Q53 is held at the level at the time of writing by the action of the capacitor C5. Therefore, in the (i + 1) th and subsequent horizontal periods, a drive current IL5 corresponding to the gate-source voltage of the TFT Q53 flows through the TFT Q53 and the organic EL element L5, and the organic EL element L5 responds to the drive current IL5. It emits light with the brightness.
- FIG. 12 is a signal waveform diagram of the pixel circuit 25.
- FIG. 12 shows changes in voltages of the scanning lines Gi and the data lines Sj.
- a solid line indicates a change in the voltage of the scanning line Ga
- a broken line indicates a change in the voltage of the scanning line Gb.
- a solid line indicates a change in the voltage of the node N1 of the pixel circuit 16 in the non-rectangular region Ra
- a broken line indicates a change in the voltage of the node N1 of the pixel circuit 16 in the rectangular region Rb.
- the voltage of the node N1 of the pixel circuit 25 in the rectangular region Rb is reduced only to a level higher than the voltage of the node N1 of the pixel circuit 25 in the non-rectangular region Ra (see FIG. 12 (see dashed line at bottom).
- the N-channel TFT: Q53 functions as a driving transistor. Therefore, as the voltage of the node N1 is higher, the drive current IL5 flowing through the TFT: Q53 and the organic EL element L5 increases, and the organic EL element L5 emits light with higher luminance. Therefore, in the organic EL display device that drives the pixel circuit 25 at the timing shown in FIG. 11, the brightness of the non-rectangular area Ra is lower than the brightness of the rectangular area Rb. The same result can be obtained with an organic EL display device including a pixel circuit in which N-channel TFTs Q51 to Q56 are replaced with P-channel TFTs.
- the organic EL display device 10 As a comparative example, an organic EL display device including the same organic EL panel and having the same non-light emitting period in all pixel circuits is considered.
- one frame period is divided into m horizontal periods and a blanking period, and writing to the pixel circuits in the i-th row is performed in the i-th horizontal period.
- 13 to 15 show the operation timing of the organic EL display device and the luminance when the same voltage is applied to all the pixel circuits.
- FIG. 13 is a diagram showing operation timing and luminance of the organic EL display device according to the comparative example.
- the non-emission period of the pixel circuit on the i-th row starts immediately before the start of the i-th horizontal period and ends immediately after the end of the i-th horizontal period.
- the length of the non-light emitting period (the length from the stop of light emission to the start of light emission) is the same for all the pixel circuits (see FIG. 13A).
- FIG. 14 is a diagram showing operation timing and luminance of the organic EL display device 10 according to the first example.
- the organic EL display device 10 according to the first example is different from the organic EL display device according to the reference example in that the non-emission period of the pixel circuit 16 in the non-rectangular regions Ra and Rc ends a predetermined time after the end of the corresponding horizontal period. It is different from the device. Therefore, in the organic EL display device 10 according to the first example, the non-light emitting period of the pixel circuits 16 in the non-rectangular regions Ra and Rc is longer than the non-light emitting period of the pixel circuits in the rectangular region Rb (FIG. 14). (A)).
- the length of the non-light emitting period of the pixel circuit 16 in the rectangular region Rb and the length of the non-light emitting period of the pixel circuit 16 in the non-rectangular regions Ra and Rc are reduced.
- FIG. 15 is a diagram showing operation timing and luminance of the organic EL display device 10 according to the second example.
- the organic EL display device 10 according to the second example is different from the organic EL display device according to the reference example in that the non-light emitting period of the pixel circuit 16 in the non-rectangular regions Ra and Rc starts a predetermined time before the start of the corresponding horizontal period. It is different from a display device. Therefore, in the organic EL display device 10 according to the second example, similarly to the first example, the non-light emitting period of the pixel circuits 16 in the non-rectangular regions Ra and Rc is the non-light emitting period of the pixel circuits in the rectangular region Rb. (See FIG. 15A).
- the length of the non-emission period of the pixel circuit 16 in the rectangular region Rb and the length of the pixel circuit 16 in the non-rectangular regions Ra and Rc are determined.
- the length of the non-light emitting period By suitably determining the length of the non-light emitting period, the luminance difference generated near the boundary between the non-rectangular region Ra and the rectangular region Rb and near the boundary between the rectangular region Rb and the non-rectangular region Rc is suppressed, and the display is performed.
- the quality can be improved (see FIG. 15B).
- FIG. 16 is a diagram showing a part of FIG. 14 in detail.
- FIG. 17 is a diagram showing a part of FIG. 15 in detail.
- EL indicates emission stop (start of non-emission period)
- SH indicates start of selection period
- SL indicates end of selection period
- EH indicates start of emission (end of non-emission period).
- the non-rectangular region Ra includes the pixel circuits 16 in the first to sixth rows
- the non-rectangular region Rc includes the pixel circuits 16 in the (m ⁇ 5) to m-th rows, for convenience of description in the drawing.
- the non-light emitting period (period from EL to EH) of the pixel circuit 16 in the rectangular region Rb starts immediately before the start of the corresponding horizontal period (period from SH to SL), and Exit immediately after termination.
- the non-light emitting period of the pixel circuits 16 in the non-rectangular regions Ra and Rc starts immediately before the start of the corresponding horizontal period, and ends a predetermined time after the end of the corresponding horizontal period.
- the non-light emitting periods of the pixel circuits 16 in the third to sixth rows end at the same timing as the non-light emitting periods of the pixel circuits 16 in the seventh to tenth rows.
- the non-light emitting period of the pixel circuit 16 in the rectangular region Rb starts immediately before the start of the corresponding horizontal period and ends immediately after the end of the corresponding horizontal period.
- the non-light emitting period of the pixel circuit 16 in the non-rectangular regions Ra and Rc starts a predetermined time before the start of the corresponding horizontal period and ends immediately after the end of the corresponding horizontal period. I do.
- the non-emission periods of the pixel circuits 16 in the (m-5) to (m-3) rows are the same as those of the pixel circuits in the (m-8) to (m-6) rows. It starts at the same timing as the light emission period.
- the scanning line driving circuit 13 has a configuration in which a plurality of unit circuits are connected in multiple stages. A required clock signal among the multi-phase clock signals is supplied to the unit circuits at each stage of the scanning line driving circuit 13.
- the light emission control line driving circuit 15 has a configuration in which a plurality of unit circuits are connected in multiple stages. However, the light emission control line drive circuit 15 is designed so that the length of the period for outputting the voltage of the non-light emission level differs depending on the region.
- the display device (organic EL display device 10) according to the embodiment extends in the same direction as the plurality of scanning lines G1 to Gm, the plurality of data lines S1 to Sn, and the scanning lines G1 to Gm.
- the pixel circuits 16 are selected in units of rows.
- the pixel circuit 16 is controlled in a light emitting state and a non-light emitting state by a row unit by driving the scanning line driving circuit 13, the data line driving circuit 14 for driving the data lines S1 to Sn, and the light emission control lines E1 to Em.
- a light-emission control line driving circuit 15 When the display panel is divided into a rectangular region Rb and non-rectangular regions Ra and Rc by a boundary line (broken line shown in FIG. 1) extending in the same direction as the scanning lines G1 to Gm, the light emission control line driving circuit 15 The length of the first non-light emitting period in which the pixel circuits 16 of each row in Rb are in the non-light emitting state, and the length of the second non-light emitting period in which the pixel circuits 16 of each row in the non-rectangular regions Ra and Rc are in the non-light emitting state Are driven so that the light emission control lines E1 to Em are different from each other.
- the length of the first non-light emitting period (the non-light emitting period of the pixel circuit 16 in each row in the rectangular region Rb) and the second non-light emitting period (the pixel in each row in the non-rectangular regions Ra and Rc)
- the length of the non-light emitting period of the circuit 16 By suitably setting the length of the non-light emitting period of the circuit 16, a luminance difference occurring near the boundary between the rectangular region Rb and the non-rectangular regions Ra and Rc can be suppressed, and the display quality can be improved.
- the period from the start of the first non-light emitting period of the pixel circuit 16 in the rectangular region Rb to the end of the selection period of the same pixel circuit 16 is the first period, and the period of the pixel circuit 16 in the non-rectangular regions Ra and Rc is The period from the start of the second non-light emitting period to the end of the selection period of the same pixel circuit 16 is the second period, and the period of the first non-light emitting period of the same pixel circuit 16 from the end of the selection period of the pixel circuit 16 in the rectangular region Rb.
- the period from the end to the end is the third period
- the period from the end of the selection period of the pixel circuit 16 in the non-rectangular regions Ra and Rc to the end of the second non-emission period of the same pixel circuit 16 is the fourth period
- the first period and the second period have different lengths
- the third period and the fourth period have different lengths
- the first period and the second period have different lengths
- the third period And the fourth period need only have different lengths. Accordingly, the light emission control lines E1 to Em are driven such that the length of the first non-light emission period is different from the length of the second non-light emission period, and the light emission control lines E1 to Em are generated near the boundary between the rectangular region Rb and the non-rectangular regions Ra and Rc. The difference in luminance can be suppressed, and the display quality can be improved.
- the second non-light-emitting period may be longer than the first non-light-emitting period (FIG. 14 and FIG. 15 when p> q and q ⁇ r in FIG. 2).
- the first period and the second period may have the same length
- the fourth period may be longer than the third period (FIG. 15).
- the second period may be longer than the first period
- the third and fourth periods may have the same length (FIG.
- the second non-light emitting period is made longer than the first non-light emitting period, and a luminance difference generated near the boundary between the rectangular region Rb and the non-rectangular regions Ra and Rc is suppressed.
- display quality can be improved.
- the second non-light emitting period may be shorter than the first non-light emitting period (in the case of p ⁇ q and q> r in FIG. 2).
- the second period may be shorter than the first period
- the third and fourth periods may have the same length.
- the first period and the second period may have the same length
- the fourth period may be shorter than the third period.
- the second non-light emitting period is made shorter than the first non-light emitting period to suppress a luminance difference generated near the boundary between the rectangular region Rb and the non-rectangular regions Ra and Rc.
- display quality can be improved.
- the first period and the second period have the same length, or when the third period and the fourth period have the same length, the light emission control line driving circuit 15 can be easily configured. .
- the first non-light emitting period and the second non-light emitting period end at the same timing.
- the first non-light emitting period and the second non-light emitting period start at the same timing for at least one row of the pixel circuits 16 in the rectangular area Rb and at least one row of the pixel circuits 16 in the non-rectangular areas Ra and Rc. (FIG. 15).
- the light emission control lines E1 to Em are driven such that the length of the first non-light emission period is different from the length of the second non-light emission period, and the light emission control lines E1 to Em are generated near the boundary between the rectangular region Rb and the non-rectangular regions Ra and Rc.
- the difference in luminance can be suppressed, and the display quality can be improved.
- the pixel circuits 16 in each row in the rectangular region Rb may have the same length of the first non-light emitting period (FIGS. 2, 14 and 15). Thereby, the light emission control line drive circuit 15 can be easily configured.
- the organic EL display device including the pixel circuit including the organic EL element has been described as an example of the display device having the non-rectangular display panel.
- An inorganic EL display device having a pixel circuit or a QLED (Quantum-dot Light Emitting Diode) display device having a pixel circuit including a quantum dot light emitting diode may be configured.
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Abstract
非矩形の表示パネルを有する表示装置において、走査線と同じ方向に延伸する境界線によって表示パネルを矩形領域と非矩形領域に分割したときに、矩形領域内の各行の画素回路が非発光状態になる第1非発光期間の長さと、非矩形領域内の各行の画素回路が非発光状態になる第2非発光期間の長さとが異なるように発光制御線を駆動する。これにより、矩形領域と非矩形領域の境界付近で発生する輝度差を抑制し、表示品位を向上させる。
Description
本発明は、表示装置に関し、特に、非矩形の表示パネルを有する表示装置、および、その駆動方法に関する。
有機エレクトロルミネッセンス(Electro Luminescence、以下、ELという)表示装置は、テレビやスマートフォンなど、各種の電子機器に使用されている。テレビなどに使用される有機EL表示装置には、矩形の有機ELパネルが用いられる。一方、スマートフォンなどに使用される有機EL表示装置には、デザイン性や操作性を高くするために、非矩形の有機ELパネルが用いられることがある。
本願発明に関連して、特許文献1および2には、非矩形の表示パネルを備えた表示装置が記載されている。特許文献3には、発光期間の長さを中心領域から周辺領域に向かって減少させる制御手段を備えた表示装置が記載されている。
図18に示す有機ELパネル90は、4個の丸い角91~94と切り欠き95を有する非矩形の表示パネルである。走査線(図示せず)は図面の水平方向に延伸し、画素回路(図示せず)は2次元状に配置される。有機ELパネル90は、走査線と同じ方向に延伸する2本の境界線によって、矩形領域RBと非矩形領域RA、RCに分割される。
非矩形領域RA、RC内の走査線の負荷は、矩形領域RB内の走査線の負荷よりも小さい。このため、非矩形領域RA、RC内の走査線上の信号の歪みは、矩形領域RB内の走査線上の信号の歪みよりも小さく、非矩形領域RA、RC内の画素回路に電圧を書き込むときの充電率は、矩形領域RB内の画素回路に電圧を書き込むときの充電率よりも高い。したがって、すべての画素回路に同じ電圧を与えたときに、非矩形領域RA、RCの輝度は矩形領域RBの輝度よりも高くなるか、低くなる。一般に、隣接する領域の輝度差が正しい輝度の1%以上になると、人間は輝度差を認識し、表示品位が低下する。
上記の点は、非矩形の有機ELパネルを有する有機EL表示装置だけでなく、一般に、非矩形の表示パネルを有する表示装置でも問題となる。なお、非矩形の表示パネルには、矩形以外の外周形状を有する表示パネルだけでなく、開口部を有する矩形の表示パネルも含まれるものとする。
それ故に、非矩形の表示パネルを有し、矩形領域と非矩形領域の境界付近で発生する輝度差を抑制できる表示装置を提供することが課題として挙げられる。
上記の課題は、複数の走査線と、複数のデータ線と、走査線と同じ方向に延伸する複数の発光制御線と、複数の画素回路とを含む非矩形の表示パネルと、走査線を駆動することにより、画素回路を行単位で選択する走査線駆動回路と、データ線を駆動するデータ線駆動回路と、発光制御線を駆動することにより、画素回路を行単位で発光状態と非発光状態に制御する発光制御線駆動回路とを備え、走査線と同じ方向に延伸する境界線によって表示パネルを矩形領域と非矩形領域に分割したときに、発光制御線駆動回路は、矩形領域内の各行の画素回路が非発光状態になる第1非発光期間の長さと、非矩形領域内の各行の画素回路が非発光状態になる第2非発光期間の長さとが異なるように発光制御線を駆動する表示装置によって解決することができる。
上記の課題は、複数の走査線と、複数のデータ線と、走査線と同じ方向に延伸する複数の発光制御線と、複数の画素回路とを含む非矩形の表示パネルを有する表示装置の駆動方法であって、走査線を駆動することにより、画素回路を行単位で選択するステップと、データ線を駆動するステップと、発光制御線を駆動することにより、画素回路を行単位で発光状態と非発光状態に制御するステップとを備え、走査線と同じ方向に延伸する境界線によって表示パネルを矩形領域と非矩形領域に分割したときに、発光制御線を駆動するステップは、矩形領域内の各行の画素回路が非発光状態になる第1非発光期間の長さと、非矩形領域内の各行の画素回路が非発光状態になる第2非発光期間の長さとが異なるように発光制御線を駆動する表示装置の駆動方法によっても解決することができる。
上記の表示装置およびその駆動方法によれば、非矩形の表示パネルを有する表示装置において、第1非発光期間(矩形領域内の各行の画素回路の非発光期間)の長さと第2非発光期間(非矩形領域内の各行の画素回路の非発光期間)の長さとを好適に設定することにより、矩形領域と非矩形領域の境界付近で発生する輝度差を抑制し、表示品位を向上させることができる。
図1は、実施形態に係る有機EL表示装置の構成を示すブロック図である。図1に示す有機EL表示装置10は、有機ELパネル11、表示制御回路12、走査線駆動回路13、データ線駆動回路14、および、発光制御線駆動回路15を備えている。以下、図面の水平方向を行方向、図面の垂直方向を列方向という。また、mおよびnは2以上の整数、iは1以上m以下の整数、jは1以上n以下の整数であるとする。
有機ELパネル11は、4個の丸い角1~4と切り欠き5を有する非矩形の表示パネルである。有機ELパネル11は、m本の走査線G1~Gm、m本の発光制御線E1~Em、n本のデータ線S1~Sn、および、複数の画素回路16を含んでいる。走査線G1~Gmは、行方向に延伸し、互いに平行に配置される。発光制御線E1~Emは、行方向(走査線G1~Gmと同じ方向)に延伸し、互いに平行に配置される。走査線G1~Gmと発光制御線E1~Emは、必要な位置では切り欠き5を迂回して延伸する。データ線S1~Snは、列方向に延伸し、互いに平行に配置される。走査線G1~Gmとデータ線S1~Snは直交する。
複数の画素回路16は、走査線G1~Gmとデータ線S1~Snの交点の近傍に配置される。各行には、n個以下の画素回路16が配置される。画素回路16は、有機EL素子と複数の薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下、TFTという)を含んでいる(いずれも図示せず)。有機EL素子は、電気光学素子の一種であり、発光素子として機能する。画素回路16は、対応する1本以上の走査線、対応する1本以上の発光制御線、および、対応する1本のデータ線に接続される。画素回路16には、発光制御線を用いて有機EL素子を発光状態と非発光状態に制御できる任意の画素回路が用いられる。なお、丸い角1~4と切り欠き5の位置には、走査線、発光制御線、データ線、および、画素回路は設けられない。
表示制御回路12は、走査線駆動回路13に対して制御信号C1を出力し、データ線駆動回路14に対して制御信号C2と映像信号V1を出力し、発光制御線駆動回路15に対して制御信号C3を出力する。走査線駆動回路13は、制御信号C1に基づき、走査線G1~Gmを駆動する。より詳細には、有機EL表示装置10では、1フレーム期間にm個の水平期間が設定される。走査線駆動回路13は、i番目の水平期間では、走査線Giに対して選択レベルの電圧を印加し、他の走査線に対して非選択レベルの電圧を印加する。これにより、i番目の水平期間では、i行目の画素回路16(i行目に配置されたn個以下の画素回路16)が一括して選択される。このように走査線駆動回路13は、走査線G1~Gmを駆動することにより、画素回路16を行単位で選択する。
データ線駆動回路14は、制御信号C2と映像信号V1に基づき、データ線S1~Snを駆動する。より詳細には、データ線駆動回路14は、i番目の水平期間では、データ線S1~Snに対して、映像信号V1に応じたn個の電圧(以下、データ電圧という)を印加する。これにより、i番目の水平期間では、i行目の画素回路16にデータ電圧がそれぞれ書き込まれる。
発光制御線駆動回路15は、制御信号C3に基づき、発光制御線E1~Emを駆動する。より詳細には、発光制御線駆動回路15は、i行目の画素回路16の発光期間では発光制御線Eiに対して発光レベルの電圧を印加し、i行目の画素回路16の非発光期間では発光制御線Eiに対して非発光レベルの電圧を印加する。i行目の画素回路16は、i行目の画素回路の発光期間では発光し、i行目の画素回路16の非発光期間では発光しない。このように発光制御線駆動回路15は、発光制御線E1~Emを駆動することにより、画素回路16を行単位で発光状態と非発光状態に制御する。
有機ELパネル11は、走査線G1~Gmと同じ方向に延伸する2本の境界線によって、丸い角1、2と切り欠き5を有する非矩形領域Ra、矩形領域Rb、および、丸い角3、4を有する非矩形領域Rcに分割される。以下の説明では、a行目の画素回路16は非矩形領域Ra内にあり、b行目の画素回路16は矩形領域Rb内にあり、c行目の画素回路16は非矩形領域Rc内にあるとする。領域Ra~Rc内の画素回路16の選択期間の長さは、いずれも1水平期間である。一方、領域Ra~Rc内の画素回路16の非発光期間の長さは、それぞれ、p水平期間、q水平期間、および、r水平期間である。ただし、p、qおよびrは、p≠qとq≠rを満たす1以上の整数である。pとrは同じでもよく、異なっていてもよい。
図2は、有機EL表示装置10のタイミングチャートである。ここでは、選択レベルと発光レベルはハイレベル、非選択レベルと非発光レベルはローレベルである。図2に示すように、走査線Giの電圧は、i番目の水平期間では選択レベルになり、それ以外では非選択レベルになる。発光制御線Eaの電圧は、a番目の水平期間を含むp個の水平期間では非発光レベルになり、それ以外では発光レベルになる。発光制御線Ebの電圧は、b番目の水平期間を含むq個の水平期間では非発光レベルになり、それ以外では発光レベルになる。発光制御線Ecの電圧は、c番目の水平期間を含むr個の水平期間では非発光レベルになり、それ以外では発光レベルになる。
図2では、矩形領域Rb内の各行の画素回路16の非発光期間の長さは同じである。p=rに設定した場合、非矩形領域Ra、Rc内の各行の画素回路16の非発光期間の長さは同じである。p>qかつq<rに設定した場合、非矩形領域Ra、Rc内の各行の画素回路16の非発光期間は、矩形領域Rb内の各行の画素回路16の非発光期間よりも長い。p<qかつq>rに設定した場合、非矩形領域Ra、Rc内の各行の画素回路16の非発光期間は、矩形領域Rb内の各行の画素回路16の非発光期間よりも短い。
図2では、p=5、q=1、r=3に設定されている。この例では、発光制御線Eaの電圧は、a番目~(a+4)番目の水平期間では非発光レベルになり、それ以外では非発光レベルになる。発光制御線Ebの電圧は、b番目の水平期間では非発光レベルになり、それ以外では発光レベルになる。発光制御線Ecの電圧は、c番目~(c+2)番目の水平期間では非発光レベルになり、それ以外では発光レベルになる。
以下、矩形領域Rb内の画素回路16の非発光期間の開始から同じ画素回路16の選択期間の終了までの期間を第1期間、非矩形領域Ra、Rc内の画素回路16の非発光期間の開始から同じ画素回路16の選択期間の終了までの期間を第2期間、矩形領域Rb内の画素回路16の選択期間の終了から同じ画素回路16の非発光期間の終了までの期間を第3期間、非矩形領域Ra、Rc内の画素回路16の選択期間の終了から同じ画素回路16の非発光期間の終了までの期間を第4期間という。
図2では、各行の画素回路16について、非発光期間は選択期間と同じタイミングで開始する。a行目の画素回路16について、非発光期間は選択期間よりも4水平期間だけ遅いタイミングで終了する。b行目の画素回路16について、非発光期間は選択期間と同じタイミングで終了する。c行目の画素回路16について、非発光期間は選択期間よりも2水平期間だけ遅いタイミングで終了する。したがって、第1期間と第2期間は同じ長さを有し、第4期間は第3期間よりも長い。
p、qおよびrの値は、有機EL表示装置10の設計時に決定される。有機ELパネル11に含まれるすべての画素回路16に同じ電圧を与え、有機ELパネル11に含まれるすべての画素回路16の非発光期間の長さを同じにしたときに、非矩形領域Ra、Rcの輝度が矩形領域Rbの輝度よりも高くなる場合と、非矩形領域Ra、Rcの輝度が矩形領域Rbの輝度よりも低くなる場合とがある。以下、前者を「非矩形領域が高輝度の場合」といい、後者を「非矩形領域が低輝度の場合」という。どちらの場合になるかは、画素回路16の構成や有機ELパネル11の駆動方法などによって決まる。
非矩形領域Raが高輝度の場合には、非矩形領域Ra内の画素回路16の非発光期間の長さは、矩形領域Rb内の画素回路16の非発光期間の長さよりも長く(p>qを満たすように)決定される。非矩形領域Raが低輝度の場合には、非矩形領域Ra内の画素回路16の非発光期間の長さは、矩形領域Rb内の画素回路16の非発光期間の長さよりも短く(p<qを満たすように)決定される。
同様に、非矩形領域Rcが高輝度の場合には、非矩形領域Rc内の画素回路16の非発光期間の長さは、矩形領域Rb内の画素回路16の非発光期間の長さよりも長く(q<rを満たすように)決定される。非矩形領域Rcが低輝度の場合には、非矩形領域Rc内の画素回路16の非発光期間の長さは、矩形領域Rb内の画素回路16の非発光期間の長さよりも短く(q>rを満たすように)決定される。
有機EL表示装置10では、非矩形領域Ra、Rc内の画素回路16の非発光期間の長さは、矩形領域Rb内の画素回路16の非発光期間の長さと異なるように決定される。発光制御線駆動回路15は、矩形領域Rb内の各行の画素回路16の非発光期間の長さと、非矩形領域Ra、Rc内の各行の画素回路16の非発光期間の長さとが異なるように発光制御線E1~Emを駆動する。
非矩形領域Raと矩形領域Rbの輝度差は、走査線Gaと走査線Gbの負荷の差に基づき推定できる。矩形領域Rbと非矩形領域Rcの輝度差は、走査線Gbと走査線Gcの負荷の差に基づき推定できる。したがって、推定された輝度差に基づき、矩形領域Rb内の各行の画素回路16の非発光期間の長さと非矩形領域Ra、Rc内の各行の画素回路16の非発光期間の長さとを好適に決定することにより、矩形領域Rbと非矩形領域Ra、Rcの境界付近で発生する輝度差を抑制し、表示品位を向上させることができる。
以下、画素回路16の例として、非矩形領域が高輝度になる画素回路(第1~第4例)と、非矩形領域が低輝度になる画素回路(第5例)について説明する。
図3は、第1例に係る画素回路の回路図である。図3に示す画素回路21は、3個のNチャネル型のTFT:Q11~Q13、コンデンサC1、および、有機EL素子L1を含んでいる。TFT:Q11の一方の導通端子(図3では左側の端子)はデータ線Sjに接続され、TFT:Q11の他方の導通端子はTFT:Q12のゲート端子に接続され、TFT:Q11のゲート端子は走査線Giに接続されている。TFT:Q12のドレイン端子にはハイレベル電源電圧Vpが印加され、TFT:Q12のソース端子はTFT:Q13のドレイン端子に接続されている。TFT:Q13のソース端子は有機EL素子L1のアノード端子に接続され、TFT:Q13のゲート端子は発光制御線Eiに接続されている。有機EL素子L1のカソード端子にはローレベル電源電圧Vnが印加されている。コンデンサC1は、TFT:Q12のゲート端子と基準電圧線Refとの間に設けられている。
図4は、画素回路21のタイミングチャートである。i番目の水平期間において、走査線Giの電圧はハイレベルになり、発光制御線Eiの電圧はローレベルになる。これに伴い、TFT:Q11はオンし、TFT:Q13はオフする。i番目の水平期間の前半では、データ線Sjの電圧はリセット電圧になる。このとき、コンデンサC1に蓄積された電荷はリセット電圧によって放電され、TFT:Q12のゲート電圧はリセット電圧に等しくなる。i番目の水平期間の後半では、データ線Sjの電圧はデータ電圧になる。このとき、コンデンサC1はデータ電圧によって充電され、TFT:Q12のゲート電圧はデータ電圧に等しくなる。このときにTFT:Q12のゲート-ソース間電圧が閾値電圧を超えていれば、TFT:Q12はオンし、TFT:Q12にはゲート-ソース間電圧に応じた駆動電流IL1が流れる。駆動電流IL1はTFT:Q12と有機EL素子L1を流れ、有機EL素子L1は駆動電流IL1に応じた輝度で発光する。i番目の水平期間の終了時に、走査線Giの電圧はローレベルになり、発光制御線Eiの電圧はハイレベルになる。これに伴い、TFT:Q11はオフし、TFT:Q13はオンする。TFT:Q11がオフした後、TFT:Q12のゲート-ソース間電圧は、コンデンサC1の作用により書き込み時のレベルに保持される。有機EL素子L1は、次にデータ電圧が書き込まれるまで、駆動電流IL1に応じた輝度で発光する。
図5は、画素回路21の信号波形図である。図5には、走査線Giとデータ線Sjの電圧の変化が記載されている。図5の上部において、実線は走査線Gaの電圧の変化を示し、破線は走査線Gbの電圧の変化を示す。以下、走査線のハイレベル電圧をVGH、走査線のローレベル電圧をVGL、リセット電圧をVr、データ電圧をVd、i番目の水平期間の終了時におけるTFT:Q12のゲート電圧をVd、走査線Giの電圧が低下し始めてからデータ線Sjの電圧が低下し始めるまでの遅延時間をTdとする。
i番目の水平期間の終了時に、走査線Giの電圧はハイレベルからローレベルに変化する。このとき、TFT:Q12のゲート電圧は、走査線Giの負荷などに応じて変化する。走査線Gaの負荷は相対的に小さいので、走査線Gaの電圧の立ち下がり時間は短い(図5の上部の実線を参照)。そこで、TFT:Q11は、データ線Sjの電圧が低下し始めるより前にオフすると仮定する。(a+1)番目以降の水平期間における非矩形領域Ra内の画素回路21のTFT:Q12のゲート電圧V1aは、次式(1)で与えられる。
V1a=Vd-{C2(GH-GL)+C4(VoH-VoL)}
/(C1+C2+C3+C4) …(1)
ただし、式(1)において、C1はコンデンサC1の容量値、C2はTFT:Q12のゲート端子と走査線Giの間の寄生容量の容量値、C3はTFT:Q12のゲート-ドレイン間の寄生容量の容量値、C4はTFT:Q12のゲート-ソース間の寄生容量の容量値、VoHは走査線Giの電圧がハイレベルのときの有機EL素子L1のアノード電圧、VoLは走査線Giの電圧がローレベルのときの有機EL素子L1のアノード電圧を表す(図6を参照)。
V1a=Vd-{C2(GH-GL)+C4(VoH-VoL)}
/(C1+C2+C3+C4) …(1)
ただし、式(1)において、C1はコンデンサC1の容量値、C2はTFT:Q12のゲート端子と走査線Giの間の寄生容量の容量値、C3はTFT:Q12のゲート-ドレイン間の寄生容量の容量値、C4はTFT:Q12のゲート-ソース間の寄生容量の容量値、VoHは走査線Giの電圧がハイレベルのときの有機EL素子L1のアノード電圧、VoLは走査線Giの電圧がローレベルのときの有機EL素子L1のアノード電圧を表す(図6を参照)。
一方、走査線Gbの負荷は相対的に大きいので、走査線Gbの電圧の立ち下がり時間は長い(図5の上部の破線を参照)。そこで、TFT:Q11は、データ線Sjの電圧が低下し始めた後にオフすると仮定する。(b+1)番目以降の水平期間における矩形領域Rb内の画素回路21のTFT:Q12のゲート電圧V1bは、次式(2)を満たす。
V1b<V1a …(2)
V1b<V1a …(2)
画素回路21では、Nチャネル型のTFT:Q12が駆動トランジスタとして機能する。このため、TFT:Q12のゲート電圧が高いほど、駆動電流IL1は多くなり、有機EL素子L1はより高い輝度で発光する。したがって、画素回路21を図4に示すタイミングで駆動する有機EL表示装置では、非矩形領域Raの輝度は矩形領域Rbの輝度よりも高くなる(非矩形領域Raは高輝度になる)。
図7は、第2例に係る画素回路の回路図である。図7に示す画素回路22は、第1例に係る画素回路21において、Nチャネル型のTFT:Q11~Q13をそれぞれPチャネル型のTFT:Q21~Q23に置換したものである。画素回路22のタイミングチャートは、図4に示すタイミングチャートにおいて、すべての信号の極性を反転したものである。
この場合、(a+1)番目以降の水平期間における非矩形領域Ra内の画素回路22のTFT:Q22のゲート電圧V2aは、次式(3)で与えられる。
V2a=Vd-{C2(GL-GH)+C4(VoL-VoH)}
/(C1+C2+C3+C4) …(3)
(b+1)番目以降の水平期間における矩形領域Rb内の画素回路22のTFT:Q22のゲート電圧V2bは、次式(4)を満たす。
V2b>V2a …(4)
V2a=Vd-{C2(GL-GH)+C4(VoL-VoH)}
/(C1+C2+C3+C4) …(3)
(b+1)番目以降の水平期間における矩形領域Rb内の画素回路22のTFT:Q22のゲート電圧V2bは、次式(4)を満たす。
V2b>V2a …(4)
画素回路22では、Pチャネル型のTFT:Q22が駆動トランジスタとして機能する。このため、TFT:Q22のゲート電圧が低いほど、TFT:Q22と有機EL素子L1を流れる駆動電流は多くなり、有機EL素子L1はより高い輝度で発光する。したがって、画素回路22を上記のタイミングで駆動する有機EL表示装置でも、非矩形領域Raの領域は矩形領域Rbの輝度よりも高くなる(非矩形領域Raは高輝度になる)。
図8は、第3例に係る画素回路の回路図である。図8に示す画素回路23は、第1例に係る画素回路21において、Nチャネル型のTFT:Q12をPチャネル型のTFT:Q22に置換したものである。画素回路23のタイミングチャートは、図4に示すタイミングチャートにおいて、走査線Gi、Gi+1および発光制御線Eiの電圧以外の電圧の極性を反転したものである。この場合、(a+1)番目以降の水平期間における非矩形領域Ra内の画素回路23のTFT:Q22のゲート電圧V3aは、式(1)に示すゲート電圧V1aと同じである。(b+1)番目以降の水平期間における矩形領域Rb内の画素回路23のTFT:Q22のゲート電圧V3bは、次式(5)を満たす。
V3b>V3a …(5)
V3b>V3a …(5)
画素回路23では、Pチャネル型のTFT:Q22が駆動トランジスタとして機能する。このため、TFT:Q22のゲート電圧が低いほど、TFT:Q22と有機EL素子L1を流れる駆動電流は多くなり、有機EL素子L1はより高い輝度で発光する。したがって、画素回路23を上記のタイミングで駆動する有機EL表示装置でも、非矩形領域Raの領域は矩形領域Rbの輝度よりも高くなる(非矩形領域Raは高輝度になる)。
図9は、第4例に係る画素回路の回路図である。図9に示す画素回路24は、第1例に係る画素回路21において、Nチャネル型のTFT:Q11、Q13をPチャネル型のTFT:Q21、Q23に置換したものである。画素回路24のタイミングチャートは、図4に示すタイミングチャートにおいて、走査線Gi、Gi+1および発光制御線Eiの電圧の極性を反転したものである。この場合、(a+1)番目以降の水平期間における非矩形領域Ra内の画素回路24のTFT:Q12のゲート電圧V4aは、式(3)に示すゲート電圧V2aと同じである。(b+1)番目以降の水平期間における矩形領域Rb内のTFT:Q12のゲート電圧V4bは、次式(6)を満たす。
V4b<V4a …(6)
V4b<V4a …(6)
画素回路24では、Nチャネル型のTFT:Q12が駆動トランジスタとして機能する。このため、TFT:Q12のゲート電圧が高いほど、TFT:Q12と有機EL素子L1を流れる駆動電流は多くなり、有機EL素子L1はより高い輝度で発光する。したがって、画素回路24を上記のタイミングで駆動する有機EL表示装置でも、非矩形領域Raの領域は矩形領域Rbの輝度よりも高くなる(非矩形領域Raは高輝度になる)。
なお、第1~第4例に係る画素回路では駆動トランジスタと有機EL素子L1との間に発光制御TFT(Q13またはQ23)を設けることとしたが、発光制御TFTを駆動トランジスタとハイレベル電源電圧Vpを有するノードとの間に設けてもよい。また、発光制御TFTを駆動トランジスタと有機EL素子L1との間、および、駆動トランジスタとハイレベル電源電圧Vpを有するノードとの間の両方に設けてもよい。発光制御TFTは、Pチャネル型でもNチャネル型でもよい。
図10は、第5例に係る画素回路の回路図である。図10に示す画素回路25は、6個のNチャネル型のTFT:Q51~Q56、コンデンサC5、および、有機EL素子L5を含んでいる。TFT:Q51、Q55のドレイン端子には、ハイレベル電源電圧Vpが印加されている。TFT:Q51のソース端子は、TFT:Q53のゲート端子と、TFT:Q52の一方の導通端子(図10では左側の端子)とに接続されている。TFT:Q55のソース端子は、TFT:Q53のドレイン端子と、TFT:Q52の他方の導通端子とに接続されている。TFT:Q53のソース端子は、TFT:Q54の一方の導通端子(図10では左側の端子)と、TFT:Q56のドレイン端子とに接続されている。TFT:Q54の他方の導通端子は、データ線Sjに接続されている。TFT:Q56のソース端子は有機EL素子L5のアノード端子に接続され、有機EL素子L5のカソード端子にはローレベル電源電圧Vnが印加されている。TFT:Q51のゲート端子は走査線Gi-1に接続され、TFT:Q52、Q54のゲート端子は走査線Giに接続され、TFT:Q55、Q56のゲート端子は発光制御線Eiに接続されている。コンデンサC5は、TFT:Q53のゲート端子と基準電圧線Refとの間に設けられている。以下、TFT:Q53のゲート端子が接続されたノードをN1という。
図11は、画素回路25のタイミングチャートである。(i-1)番目およびi番目の水平期間において、発光制御線Eiの電圧はローレベルになる。これに伴い、TFT:Q55、Q56はオフする。このため、有機EL素子L5に駆動電流IL5は流れなくなり、有機EL素子L5は発光を停止する。(i-1)番目の水平期間において、走査線Gi-1の電圧はハイレベルになる。これに伴い、TFT:Q51はオンし、ノードN1の電圧はVpに初期化される。
i番目の水平期間において、走査線Gi-1の電圧はローレベルになり、走査線Giの電圧はハイレベルになる。これに伴い、TFT:Q51はオフし、TFT:Q52、Q54はオンし、TFT:Q53はダイオード接続される。また、i番目の水平期間では、データ線Sjの電圧はデータ電圧Vd(<Vp)になる。このため、ノードN1の電圧は、Vpから(Vd+Vth)(ただし、VthはTFT:Q53の閾値電圧)に変化する。
i番目の水平期間の終了時に、走査線Giの電圧はローレベルになり、発光制御線Eiの電圧はハイレベルになる。これに伴い、TFT:Q52、Q54はオフし、TFT:Q55、Q56はオンする。TFT:Q54がオフした後、TFT:Q53のゲート-ソース間電圧は、コンデンサC5の作用により書き込み時のレベルに保持される。したがって、(i+1)番目以降の水平期間において、TFT:Q53と有機EL素子L5にはTFT:Q53のゲート-ソース間電圧に応じた駆動電流IL5が流れ、有機EL素子L5は駆動電流IL5に応じた輝度で発光する。
図12は、画素回路25の信号波形図である。図12には、走査線Giとデータ線Sjの電圧の変化が記載されている。図12の上部において、実線は走査線Gaの電圧の変化を示し、破線は走査線Gbの電圧の変化を示す。図12の下部において、実線は非矩形領域Ra内の画素回路16のノードN1の電圧の変化を示し、破線は矩形領域Rb内の画素回路16のノードN1の電圧の変化を示す。
走査線Gaの負荷は相対的に小さいので、走査線Gaの電圧は矩形に近いパルス状に変化する(図12の上部の実線を参照)。このため、a番目の水平期間の終了時において、非矩形領域Ra内の画素回路25のノードN1の電圧は、(Vd+Vth)に近いレベルにまで低下する(図12の下部の実線を参照)。一方、走査線Gbの負荷は相対的に大きいので、走査線Gbの電圧は鈍ったパルス状に変化する(図12の上部の破線を参照)。b番目の水平期間の終了時において、矩形領域Rb内の画素回路25のノードN1の電圧は、非矩形領域Ra内の画素回路25のノードN1の電圧よりも高いレベルにまでしか低下しない(図12の下部の破線を参照)。
画素回路25では、Nチャネル型のTFT:Q53が駆動トランジスタとて機能する。このため、ノードN1の電圧が高いほど、TFT:Q53と有機EL素子L5を流れる駆動電流IL5は多くなり、有機EL素子L5はより高い輝度で発光する。したがって、画素回路25を図11に示すタイミングで駆動する有機EL表示装置では、非矩形領域Raの領域は矩形領域Rbの輝度よりも低くなる。なお、Nチャネル型のTFT:Q51~Q56をPチャネル型のTFTに置換した画素回路を備えた有機EL表示装置でも、同じ結果が得られる。
以下、図13~図17を参照して、本実施形態の第1および第2例に係る有機EL表示装置10について説明する。ここでは、比較例として、同じ有機ELパネルを備え、すべての画素回路の非発光期間の長さが同じである有機EL表示装置を考える。これらの有機EL表示装置では、1フレーム期間はm個の水平期間と帰線期間に分割され、i番目の水平期間ではi行目の画素回路に対する書き込みが行われる。図13~図15には、有機EL表示装置の動作タイミングとすべての画素回路に同じ電圧を与えたときの輝度とが記載されている。
図13は、比較例に係る有機EL表示装置の動作タイミングと輝度を示す図である。比較例に係る有機EL表示装置では、i行目の画素回路の非発光期間は、i番目の水平期間の開始直前に開始し、i番目の水平期間の終了直後に終了する。すべての画素回路について、非発光期間の長さ(発光停止から発光開始までの長さ)は同じである(図13(a)を参照)。
すべての画素回路に同じ電圧を与えたときに、矩形領域Rbの輝度は一定になり、非矩形領域Ra、Rcの輝度は画面の端に近いほど高くなる(図13(b)を参照)。比較例に係る有機EL表示装置では、非矩形領域Raと矩形領域Rbとの境界付近、および、矩形領域Rbと非矩形領域Rcの境界付近で大きな輝度差が発生し、表示品位が低下する。
図14は、第1例に係る有機EL表示装置10の動作タイミングと輝度を示す図である。第1例に係る有機EL表示装置10は、非矩形領域Ra、Rc内の画素回路16の非発光期間が対応する水平期間の終了から所定時間後に終了する点で、参考例に係る有機EL表示装置と相違する。このため、第1例に係る有機EL表示装置10では、非矩形領域Ra、Rc内の画素回路16の非発光期間は、矩形領域Rb内の画素回路の非発光期間よりも長くなる(図14(a)を参照)。したがって、第1例に係る有機EL表示装置10によれば、矩形領域Rb内の画素回路16の非発光期間の長さと非矩形領域Ra、Rc内の画素回路16の非発光期間の長さを好適に決定することにより、非矩形領域Raと矩形領域Rbとの境界付近、および、矩形領域Rbと非矩形領域Rcの境界付近で発生する輝度差を抑制し、表示品位を高くすることができる(図14(b)を参照)。
図15は、第2例に係る有機EL表示装置10の動作タイミングと輝度を示す図である。第2例に係る有機EL表示装置10は、非矩形領域Ra、Rc内の画素回路16の非発光期間が対応する水平期間の開始より所定時間前に開始する点で、参考例に係る有機EL表示装置と相違する。このため、第2例に係る有機EL表示装置10でも、第1例と同様に、非矩形領域Ra、Rc内の画素回路16の非発光期間は、矩形領域Rb内の画素回路の非発光期間よりも長くなる(図15(a)を参照)。したがって、第2例に係る有機EL表示装置10によれば、第1例と同様に、矩形領域Rb内の画素回路16の非発光期間の長さと非矩形領域Ra、Rc内の画素回路16の非発光期間の長さを好適に決定することにより、非矩形領域Raと矩形領域Rbとの境界付近、および、矩形領域Rbと非矩形領域Rcの境界付近で発生する輝度差を抑制し、表示品位を高くすることができる(図15(b)を参照)。
図16は、図14の一部を詳細に示す図である。図17は、図15の一部を詳細に示す図である。図16および図17において、ELは発光停止(非発光期間の開始)、SHは選択期間の開始、SLは選択期間の終了、EHは発光開始(非発光期間の終了)を示す。ここでは、図面の記載の都合上、非矩形領域Raは1~6行目の画素回路16を含み、非矩形領域Rcは(m-5)~m行目の画素回路16を含むものとする。
図16では、矩形領域Rb内の画素回路16の非発光期間(ELからEHまでの期間)は、対応する水平期間(SHからSLまでの期間)の開始直前に開始し、対応する水平期間の終了直後に終了する。非矩形領域Ra、Rc内の画素回路16の非発光期間は、対応する水平期間の開始直前に開始し、対応する水平期間の終了から所定時間後に終了する。図16に示す例では、3~6行目の画素回路16の非発光期間は、それぞれ、7~10行目の画素回路16の非発光期間と同じタイミングで終了する。
図17でも、図16と同様に、矩形領域Rb内の画素回路16の非発光期間は、対応する水平期間の開始直前に開始し、対応する水平期間の終了直後に終了する。図17では、図16とは異なり、非矩形領域Ra、Rc内の画素回路16の非発光期間は、対応する水平期間の開始より所定時間前に開始し、対応する水平期間の終了直後に終了する。図17に示す例では、(m-5)~(m-3)行目の画素回路16の非発光期間は、それぞれ、(m-8)~(m-6)行目の画素回路の非発光期間と同じタイミングで開始する。
走査線駆動回路13は、複数の単位回路を多段に接続した構成を有する。走査線駆動回路13の各段の単位回路には、多相のクロック信号のうち必要なクロック信号が供給される。発光制御線駆動回路15も、走査線駆動回路13と同様に、複数の単位回路を多段に接続した構成を有する。ただし、発光制御線駆動回路15は、領域に応じて非発光レベルの電圧を出力する期間の長さが異なるように設計される。
以上に示すように、実施形態に係る表示装置(有機EL表示装置10)は、複数の走査線G1~Gmと、複数のデータ線S1~Snと、走査線G1~Gmと同じ方向に延伸する複数の発光制御線E1~Emと、複数の画素回路16とを含む非矩形の表示パネル(有機ELパネル11)と、走査線G1~Gmを駆動することにより、画素回路16を行単位で選択する走査線駆動回路13と、データ線S1~Snを駆動するデータ線駆動回路14と、発光制御線E1~Emを駆動することにより、画素回路16を行単位で発光状態と非発光状態に制御する発光制御線駆動回路15とを備えている。走査線G1~Gmと同じ方向に延伸する境界線(図1に示す破線)によって表示パネルを矩形領域Rbと非矩形領域Ra、Rcに分割したときに、発光制御線駆動回路15は、矩形領域Rb内の各行の画素回路16が非発光状態になる第1非発光期間の長さと、非矩形領域Ra、Rc内の各行の画素回路16が非発光状態になる第2非発光期間の長さとが異なるように発光制御線E1~Emを駆動する。
このような表示装置によれば、第1非発光期間(矩形領域Rb内の各行の画素回路16の非発光期間)の長さと第2非発光期間(非矩形領域Ra、Rc内の各行の画素回路16の非発光期間)の長さとを好適に設定することにより、矩形領域Rbと非矩形領域Ra、Rcの境界付近で発生する輝度差を抑制し、表示品位を向上させることができる。
表示装置では、矩形領域Rb内の画素回路16の第1非発光期間の開始から同じ画素回路16の選択期間の終了までの期間を第1期間、非矩形領域Ra、Rc内の画素回路16の第2非発光期間の開始から同じ画素回路16の選択期間の終了までの期間を第2期間、矩形領域Rb内の画素回路16の選択期間の終了から同じ画素回路16の第1非発光期間の終了までの期間を第3期間、非矩形領域Ra、Rc内の画素回路16の選択期間の終了から同じ画素回路16の第2非発光期間の終了までの期間を第4期間としたときに、第1期間と第2期間が異なる長さを有するか、第3期間と第4期間が異なる長さを有するか、第1期間と第2期間が異なる長さを有し、かつ、第3期間と第4期間が異なる長さを有していればよい。これにより、第1非発光期間の長さと第2非発光期間の長さとが異なるように発光制御線E1~Emを駆動して、矩形領域Rbと非矩形領域Ra、Rcの境界付近で発生する輝度差を抑制し、表示品位を向上させることができる。
画素回路16に同じ電圧を与え、画素回路16の非発光期間の長さを同じにしたときに、非矩形領域Ra、Rcの輝度が矩形領域Rbの輝度よりも高い場合(非矩形領域が高輝度の場合)には、第2非発光期間を第1非発光期間よりも長くすればよい(図2においてp>qかつq<rの場合、図14および図15)。このためには、第1期間と第2期間は同じ長さを有し、第4期間は第3期間より長くてもよい(図15)。あるいは、第2期間は第1期間よりも長く、第3期間と第4期間は同じ長さを有していてもよい(図16)。これにより、非矩形領域が高輝度の場合に、第2非発光期間を第1非発光期間よりも長くして、矩形領域Rbと非矩形領域Ra、Rcの境界付近で発生する輝度差を抑制し、表示品位を向上させることができる。
これとは逆に、画素回路16に同じ電圧を与え、画素回路16の非発光期間の長さを同じにしたときに、非矩形領域Ra、Rcの輝度が矩形領域Rbの輝度よりも低い場合(非矩形領域が低輝度の場合)には、第2非発光期間を第1非発光期間よりも短くすればよい(図2においてp<qかつq>rの場合)。このためには、第2期間は第1期間よりも短く、第3期間と第4期間は同じ長さを有していてもよい。あるいは、第1期間と第2期間は同じ長さを有し、第4期間は第3期間よりも短くてもよい。これにより、非矩形領域が低輝度の場合に、第2非発光期間を第1非発光期間よりも短くして、矩形領域Rbと非矩形領域Ra、Rcの境界付近で発生する輝度差を抑制し、表示品位を向上させることができる。また、第1期間と第2期間が同じ長さを有する場合、または、第3期間と第4期間が同じ長さを有する場合には、発光制御線駆動回路15を容易に構成することができる。
矩形領域Rb内の少なくとも1行の画素回路16と非矩形領域Ra、Rc内の少なくとも1行の画素回路16とについて、第1非発光期間と第2非発光期間は同じタイミングで終了してもよい(図14)。あるいは、矩形領域Rb内の少なくとも1行の画素回路16と非矩形領域Ra、Rc内の少なくとも1行の画素回路16とについて、第1非発光期間と第2非発光期間は同じタイミングで開始してもよい(図15)。これにより、第1非発光期間の長さと第2非発光期間の長さとが異なるように発光制御線E1~Emを駆動して、矩形領域Rbと非矩形領域Ra、Rcの境界付近で発生する輝度差を抑制し、表示品位を向上させることができる。
非矩形領域Ra、Rc内の各行の画素回路16について、第2非発光期間の長さが同じでもよい(図2においてp=rの場合、図14および図15)。矩形領域Rb内の各行の画素回路16について、第1非発光期間の長さが同じでもよい(図2、図14および図15)。これにより、発光制御線駆動回路15を容易に構成することができる。
ここまで、非矩形の表示パネルを有する表示装置の例として、有機EL素子(有機発光ダイオード)を含む画素回路を備えた有機EL表示装置について説明したが、同様の方法で、無機発光ダイオードを含む画素回路を備えた無機EL表示装置や、量子ドット発光ダイオードを含む画素回路を備えたQLED(Quantum-dot Light Emitting Diode)表示装置を構成してもよい。
1~4…丸い角
5…切り欠き
10…有機EL表示装置
11…有機ELパネル
12…表示制御回路
13…走査線駆動回路
14…データ線駆動回路
15…発光制御線駆動回路
16、21~25…画素回路
5…切り欠き
10…有機EL表示装置
11…有機ELパネル
12…表示制御回路
13…走査線駆動回路
14…データ線駆動回路
15…発光制御線駆動回路
16、21~25…画素回路
Claims (15)
- 複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と同じ方向に延伸する複数の発光制御線と、複数の画素回路とを含む非矩形の表示パネルと、
前記走査線を駆動することにより、前記画素回路を行単位で選択する走査線駆動回路と、
前記データ線を駆動するデータ線駆動回路と、
前記発光制御線を駆動することにより、前記画素回路を行単位で発光状態と非発光状態に制御する発光制御線駆動回路とを備え、
前記走査線と同じ方向に延伸する境界線によって前記表示パネルを矩形領域と非矩形領域に分割したときに、前記発光制御線駆動回路は、前記矩形領域内の各行の画素回路が非発光状態になる第1非発光期間の長さと、前記非矩形領域内の各行の画素回路が非発光状態になる第2非発光期間の長さとが異なるように前記発光制御線を駆動することを特徴とする、表示装置。 - 前記第2非発光期間は、前記第1非発光期間よりも長いことを特徴とする、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第2非発光期間は、前記第1非発光期間よりも短いことを特徴とする、請求項1に記載の表示装置。
- 前記矩形領域内の画素回路の第1非発光期間の開始から同じ画素回路の選択期間の終了までの期間を第1期間、前記非矩形領域内の画素回路の第2非発光期間の開始から同じ画素回路の選択期間の終了までの期間を第2期間、前記矩形領域内の画素回路の選択期間の終了から同じ画素回路の第1非発光期間の終了までの期間を第3期間、前記非矩形領域内の画素回路の選択期間の終了から同じ画素回路の第2非発光期間の終了までの期間を第4期間としたときに、前記第1期間と前記第2期間が異なる長さを有するか、前記第3期間と前記第4期間が異なる長さを有するか、前記第1期間と前記第2期間が異なる長さを有し、かつ、前記第3期間と前記第4期間が異なる長さを有することを特徴とする、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1期間と前記第2期間は同じ長さを有し、前記第4期間は前記第3期間よりも長いことを特徴とする、請求項4に記載の表示装置。
- 前記第2期間は前記第1期間よりも長く、前記第3期間と前記第4期間は同じ長さを有することを特徴とする、請求項4に記載の表示装置。
- 前記第1期間と前記第2期間は同じ長さを有し、前記第4期間は前記第3期間よりも短いことを特徴とする、請求項4に記載の表示装置。
- 前記第2期間は前記第1期間よりも短く、前記第3期間と前記第4期間は同じ長さを有することを特徴とする、請求項4に記載の表示装置。
- 前記画素回路に同じ電圧を与え、前記画素回路の非発光期間の長さを同じにしたときに、前記非矩形領域の輝度は前記矩形領域の輝度よりも高いことを特徴とする、請求項2、5、および、6のいずれかに記載の表示装置。
- 前記画素回路に同じ電圧を与え、前記画素回路の非発光期間の長さを同じにしたときに、前記非矩形領域の輝度は前記矩形領域の輝度よりも低いことを特徴とする、請求項3、7、および、8のいずれかに記載の表示装置。
- 前記矩形領域内の少なくとも1行の画素回路と前記非矩形領域内の少なくとも1行の画素回路とについて、前記第1非発光期間と前記第2非発光期間は同じタイミングで終了することを特徴とする、請求項1に記載の表示装置。
- 前記矩形領域内の少なくとも1行の画素回路と前記非矩形領域内の少なくとも1行の画素回路とについて、前記第1非発光期間と前記第2非発光期間は同じタイミングで開始することを特徴とする、請求項1に記載の表示装置。
- 前記非矩形領域内の各行の画素回路について、前記第2非発光期間の長さが同じであることを特徴とする、請求項1に記載の表示装置。
- 前記矩形領域内の各行の画素回路について、前記第1非発光期間の長さが同じであることを特徴とする、請求項13に記載の表示装置。
- 複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と同じ方向に延伸する複数の発光制御線と、複数の画素回路とを含む非矩形の表示パネルを有する表示装置の駆動方法であって、
前記走査線を駆動することにより、前記画素回路を行単位で選択するステップと、
前記データ線を駆動するステップと、
前記発光制御線を駆動することにより、前記画素回路を行単位で発光状態と非発光状態に制御するステップとを備え、
前記走査線と同じ方向に延伸する境界線によって前記表示パネルを矩形領域と非矩形領域に分割したときに、前記発光制御線を駆動するステップは、前記矩形領域内の各行の画素回路が非発光状態になる第1非発光期間の長さと、前記非矩形領域内の各行の画素回路が非発光状態になる第2非発光期間の長さとが異なるように前記発光制御線を駆動することを特徴とする、表示装置の駆動方法。
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