WO2018034234A1 - Die attach paste and semiconductor device - Google Patents

Die attach paste and semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
WO2018034234A1
WO2018034234A1 PCT/JP2017/029106 JP2017029106W WO2018034234A1 WO 2018034234 A1 WO2018034234 A1 WO 2018034234A1 JP 2017029106 W JP2017029106 W JP 2017029106W WO 2018034234 A1 WO2018034234 A1 WO 2018034234A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
die attach
attach paste
meth
mass
acrylic
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/029106
Other languages
French (fr)
Japanese (ja)
Inventor
隆志 川名
敬一郎 齊藤
孝行 西
Original Assignee
住友ベークライト株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 住友ベークライト株式会社 filed Critical 住友ベークライト株式会社
Priority to JP2017562078A priority Critical patent/JP6319530B1/en
Priority to CN201780050941.8A priority patent/CN109643662B/en
Priority to KR1020197006098A priority patent/KR102040529B1/en
Publication of WO2018034234A1 publication Critical patent/WO2018034234A1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/14—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing halogen, nitrogen, sulfur or oxygen atoms in addition to the carboxy oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00—Processes of polymerisation
    • C08F2/44—Polymerisation in the presence of compounding ingredients, e.g. plasticisers, dyestuffs, fillers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/08—Macromolecular additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J167/00—Adhesives based on polyesters obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J169/00—Adhesives based on polycarbonates; Adhesives based on derivatives of polycarbonates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J4/00—Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
    • C09J4/06—Organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond in combination with a macromolecular compound other than an unsaturated polymer of groups C09J159/00 - C09J187/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C09J9/02—Electrically-conducting adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature

Definitions

  • the die attach paste is heat treated to cure the resin component contained therein.
  • the die attach layer 10 is formed on the substrate 30.
  • heat treatment can be performed while pressurizing the die attach paste.
  • the temperature condition of this heat treatment can be appropriately set according to the paste composition and the like.
  • the maximum length of the straight line connecting two arbitrary points in the region where the silver particles exist is defined as the “major axis” of the silver particles.
  • the interval between the parallel lines drawn with the two parallel lines closest to each other and sandwiching the silver particles with respect to the surface having the smallest observation area of the silver particles is defined as “minor axis”. This operation is performed on 100 arbitrarily extracted silver particles, and the average value is calculated to obtain the aspect ratio.
  • the upper limit of the tap density of the silver particles is, for example, preferably 10.0 g / cm 3 or less, more preferably 8.0 g / cm 3 or less, and 6.0 g / cm 3 or less. Is more preferably 5.4 g / cm 3 or less. Thereby, it can suppress that the density of the silver particle in the hardened
  • the lower limit of the tap density of the silver particles is preferably, for example, 2.5 g / cm 3 or more, more preferably 3.0 g / cm 3 or more, and 3.2 g / cm 3 or more. More preferably it is. Thereby, silver particle can be highly filled and the heat dissipation of the hardened
  • the D 50 of the silver particles is determined by measuring the particle size distribution of the particles on a volume basis using, for example, a commercially available laser diffraction particle size distribution measuring apparatus (for example, SALD-7000, manufactured by Shimadzu Corporation). It can be determined by the particle size.
  • a commercially available laser diffraction particle size distribution measuring apparatus for example, SALD-7000, manufactured by Shimadzu Corporation. It can be determined by the particle size.
  • the die attach paste according to the second embodiment is largely cured and contracted by the curing of the monomer.
  • the die attach paste can agglomerate silver particles greatly and can exhibit high thermal conductivity.
  • Specific examples of such a monomer include an acrylic monomer, an epoxy monomer, and a maleimide monomer.
  • the acrylic monomer and the maleimide monomer can be polymerized by a radical polymerization initiator described later and can be cured and contracted.
  • the epoxy monomer reacts with the curing agent described later and can cure and shrink.
  • the monomer one or more of the above specific examples can be used in combination.
  • the acrylic monomer which concerns on 2nd Embodiment is a monomer provided with the (meth) acryl group in the structure.
  • the (meth) acryl group refers to an acryl group and a methacryl group (methacrylate group).
  • the acrylic monomer according to the second embodiment may be a monofunctional acrylic monomer having only one (meth) acryl group in its structure, or having two or more (meth) acryl groups in its structure.
  • a polyfunctional acrylic monomer may be used.
  • the acrylic group includes an acrylate group.
  • the monofunctional acrylic monomer examples include 2-phenoxyethyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, isobutyl methacrylate, tert-butyl methacrylate, isoamyl acrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, isodecyl methacrylate, and n-lauryl acrylate.
  • polyfunctional acrylic monomer examples include ethylene glycol dimethacrylate, glycerin dimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, propoxylated bisphenol A diacrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, hexane-1,6-diol bis ( 2-methyl acrylate), 4,4′-isopropylidene diphenol di (meth) acrylate, 1,3-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-bis ((meth) acryloyloxy) -2,2, 3,3,4,4,5,5-octafluorohexane, 1,4-bis ((meth) acryloyloxy) butane, 1,6-bis ((meth) acryloyloxy) hexane, triethylene glycol di (meth) ) Acrylate, Neopentyling Recall di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth)
  • the acrylic monomer a monofunctional acrylic monomer or a polyfunctional acrylic monomer may be used alone, or a monofunctional acrylic monomer and a polyfunctional acrylic monomer may be used in combination.
  • the acrylic monomer for example, it is preferable to use a monofunctional acrylic monomer and a polyfunctional acrylic monomer in combination.
  • the lower limit of the content of the monofunctional acrylic monomer in the die attach paste is, for example, 150 masses with respect to 100 mass parts of the polyfunctional acrylic monomer. Part or more, preferably 200 parts by weight or more, and more preferably 250 parts by weight or more.
  • the monomer has an appropriate branched shape by polymerization, and swelling of the cured product of the die attach paste due to moisture absorption can be suppressed. Therefore, it can suppress that the hardened
  • the upper limit of content of the monofunctional acrylic monomer in a die attach paste is 650 masses with respect to 100 mass parts of polyfunctional acrylic monomers, for example.
  • the epoxy monomer according to the second embodiment may be a monofunctional epoxy monomer having only one epoxy group in its structure, or a polyfunctional epoxy monomer having two or more epoxy groups in its structure. May be.
  • cured material of die attach paste can be reduced by including a monofunctional epoxy monomer as a monomer. Thereby, the degree of warpage before moisture absorption can be controlled. Moreover, the viscosity of a die attach paste can be adjusted and handling property can be improved.
  • the monofunctional epoxy monomer examples include 4-tert-butylphenyl glycidyl ether, m, p-cresyl glycidyl ether, phenyl glycidyl ether, and cresyl glycidyl ether.
  • 1 type (s) or 2 or more types can be used in combination among the above specific examples.
  • Epoxy resin a liquid resin having two or more epoxy groups in one molecule can be used.
  • the epoxy resin include trisphenolmethane type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type liquid epoxy resin, bisphenol-F-diglycidyl ether, orthocresol novolac type epoxy resin, and the like.
  • an epoxy resin it can use 1 type or in combination of 2 or more types among the said specific examples.
  • the epoxy resin preferably contains bisphenol-F-diglycidyl ether. Thereby, the handling property of the die attach paste can be improved, and the die attach paste can be suitably cured and shrunk.
  • the dicarboxylic acid one or two or more of the above specific examples can be used.
  • Specific examples of the compound having an allyl group include polyethers, polyesters, polycarbonates, polyacrylates, polymethacrylates, polybutadienes, and butadiene acrylonitrile copolymers having an allyl group.
  • a compound provided with an allyl group it can use 1 type or in combination of 2 or more types among the said specific examples.
  • the allyl resin specifically, a polymer of bis (2-propenyl) 1,2-cyclohexanedicarboxylate and propane-1,2-diol can be used.
  • radical polymerization initiator specifically, an azo compound, a peroxide, or the like can be used.
  • a radical polymerization initiator it can use in the said specific example 1 type or in combination of 2 or more types.
  • peroxides are preferably used as the radical polymerization initiator.
  • phenol resin-based curing agent examples include novolak type phenol resins such as phenol novolak resin, cresol novolak resin, bisphenol novolak resin, and phenol-biphenyl novolak resin; polyvinylphenol; polyfunctionality such as triphenylmethane type phenol resin.
  • the method for producing a die attach paste includes a mixing step of mixing the raw material components described above to produce a mixture, and a defoaming step of removing air contained in the mixture.
  • the die attach paste according to the second embodiment is applied to an Ag-plated copper frame having a length of 15.5 mm and a width of 6.5 mm so that the thickness of the die attach paste is 35 ⁇ 5 ⁇ m.
  • a silicon chip having a length of 15.0 mm, a width of 6.0 mm, and a thickness of 0.2 mm is placed on the die attach paste to obtain a laminate, and the laminate is subjected to a temperature from 25 ° C. to 175 ° C. for 30 minutes.
  • the cured product was obtained by heat-treating at 175 ° C. for 5 hours. The amount of warpage when the cured product was heat-treated at 275 ° C.
  • is 20 ⁇ m or less, for example, 18 ⁇ m or less, when the amount of warping when W2 is heat-treated at 275 ° C. for 168 hours and heat-treated at 275 ° C. for 1 minute is W2.
  • More preferably 16 ⁇ m or less, and more preferably 14 ⁇ m or less.
  • may be, for example, 0 ⁇ m or more, or 0.1 ⁇ m or more. As the difference between W1 and W2 is smaller, the warp of the semiconductor device can be within a desired numerical range even during moisture absorption, and the mounting reliability of the semiconductor device can be improved.
  • the die attach paste according to the second embodiment is suitably used for a semiconductor device such as a semiconductor package, for example.
  • the types of semiconductor packages are specifically MAP (Mold Array Package), QFP (Quad Flat Package), SOP (Small Outline Package), CSP (Chip Size Package), and QFN (Quad Flat Non-Lead).
  • MAP Mold Array Package
  • QFP Quant Flat Package
  • SOP Small Outline Package
  • CSP Chip Size Package
  • QFN Quadraturethane
  • SON Small Outline Non-leaded Package
  • BGA Ball Grid Array
  • LF-BGA Lead Frame BGA
  • FCBGA Felip Chip BW
  • MAPBGA Molded Array B) BGA
  • Fan-In type eWLB Fan-Out type eWLB, etc. Types.
  • the base material 30 is, for example, a lead frame.
  • the semiconductor element 20 is mounted on the die pad 32 or the base material 30 via the adhesive layer 10.
  • the semiconductor element 20 is electrically connected to the outer lead 34 (base material 30) through the bonding wire 40, for example.
  • the base material 30 which is a lead frame is comprised by 42 alloy and Cu frame, for example.
  • the base material 30 may be an organic substrate or a ceramic substrate.
  • the organic substrate for example, a substrate composed of an epoxy resin, a cyanate resin, a maleimide resin or the like is preferable.
  • the surface of the base material 30 may be coated with a metal such as silver or gold. Thereby, the adhesiveness of the contact bonding layer 10 and the base material 30 can be improved.
  • the heat treatment condition is, for example, that the temperature is raised from a room temperature of 25 ° C. to a temperature of 100 ° C. or more and 300 ° C. or less over 10 minutes to 2 hours. Can be set to heat treatment for hours.
  • the base material 30 and the semiconductor element 20 are bonded via the adhesive layer 10.
  • the semiconductor element 20 and the base material 30 are electrically connected using the bonding wire 40.
  • the semiconductor element 20 is sealed with a sealing resin 50. Thereby, a semiconductor device can be manufactured.
  • Silver powder 1 spherical silver powder 1 (specific surface area: 0.98 m 2 / g, tap density: 5.03 g / cm 3 , D 50 : 1.03 ⁇ m, D 90 : 1.90 ⁇ m, ratio of D 90 to D 50 ( D 90 / D 50): 1.84 )
  • Silver powder 2 spherical silver powder 2 (specific surface area: 0.71 m 2 / g, tap density: 5.88 g / cm 3 , D 50 : 1.26 ⁇ m, D 90 : 2.49 ⁇ m, ratio of D 90 to D 50 ( D 90 / D 50): 1.98 )
  • Silver powder 3 spherical silver powder 3 (specific surface area: 0.19 m 2 / g, tap density: 5.56 g / cm 3 , D 50 : 4.19 ⁇ m, D 90 : 7.05 ⁇ m, ratio of D 90 to D 50 ( D 90 / D 50): 1.68 )
  • Silver powder 4 Flaky silver powder
  • Polycarbonate resin 1 Methacrylated polycarbonate resin at both ends (UM-90 (1/3) DM, Ube Industries, Ltd., weight average molecular weight 900, 2 methacrylic groups per molecule)
  • Low stress agent 1 polybutadiene maleic anhydride adduct (Ricobond 1731 manufactured by Satomer, number average molecular weight 5400, acid anhydride equivalent 583)
  • Curing accelerator Dicyanamide (EH-3636AS manufactured by ADEKA Corporation)
  • Polymerization initiator bis (1-phenyl-1-methylethyl) peroxide (Perkadox BC manufactured by Kayaku Aguso Co., Ltd.)
  • the solvent was removed from the filtrate obtained by filtering the obtained solvent layer again using an evaporator and a vacuum dryer to obtain a product as a (meth) acrylic copolymer 5 (yield about 98%).
  • the product obtained was liquid at room temperature.
  • a weight average molecular weight (styrene conversion) is about 12000, and that the raw material methacrylic acid does not remain in this.
  • a hydroxyl group had disappeared, a methacryl group was present in the product, and an ester bond was present in the product. It was confirmed that it was generated.
  • a silicon chip (2 ⁇ 2 mm, thickness 0.35 mm) was bonded to the lead frame (silver spot plated copper frame) using the obtained die attach paste. Specifically, after the temperature is raised to 175 ° C. over 30 minutes, the die attach paste is cured by maintaining the temperature for 60 minutes, whereby a cured product of the die attach paste is applied to the lead frame. A silicon chip was adhered to the substrate. Next, after die bonding the lead frame, the package size of the lead frame becomes 17.9 ⁇ 7.2 ⁇ 2.5 mm by using an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation (EME-G700LS, manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.).
  • EME-G700LS epoxy resin composition for semiconductor encapsulation
  • a semiconductor device (SOP) was obtained by performing post mold cure at 175 ° C. for 4 hours.
  • SOP semiconductor device
  • eight semiconductor devices were manufactured by the above-described method.
  • the eight semiconductor devices obtained were subjected to a moisture absorption treatment for 120 hours under the conditions of 60 ° C. and a relative humidity of 60%, followed by IR reflow treatment (reflow three times at 260 ° C. for 10 seconds). went.
  • the presence or absence of peeling at the interface between the lead frame and the silicon chip was measured using an ultrasonic flaw detector (transmission type). The results are shown in Table 1 as the number of peels / the number of evaluations.
  • Monofunctional acrylic monomer 1 2-phenoxyethyl methacrylate (Kyoeisha Chemical Co., PO) -Multifunctional acrylic monomer 1: Ethylene glycol dimethacrylate (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., EG) -Multifunctional acrylic monomer 2: Trimethylolpropane trimethacrylate (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., TMP)
  • Polyfunctional acrylic monomer 3 propoxylated bisphenol A diacrylate (A-BBP-3, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.)
  • Polyfunctional acrylic monomer 4 hexane-1,6-diol bis (2-methyl acrylate) (1,6HX, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.)
  • Polyfunctional epoxy monomer 1 1,4-bis [(oxiran-2-ylmethoxy) methyl] cyclohexane (manufactured by Nippon Steel Chemical Co
  • Epoxy oligomer 1 bisphenol-F-diglycidyl ether (Nippon Kayaku Co., Ltd., RE-403S)
  • Epoxy oligomer 2 Modified epoxy resin (manufactured by DIC, EXA-4850-1000)
  • Allyl oligomer 1 Polymer of bis (2-propenyl) 1,2-cyclohexanedicarboxylate and propane-1,2-diol (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.)
  • Phenol curing agent 1 Dihydroxydiphenylmethane (DIC-BPF, manufactured by DIC)
  • Imidazole curing agent 1 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2P4MHZ)
  • the die attach paste was applied to the semiconductor device, the amount of warp when heated without moisture absorption, and the die attach paste was applied to the semiconductor device. The amount of warpage when heated after moisture absorption was evaluated. Details will be described below. First, an Ag-plated copper lead frame having a length of 15.5 mm and a width of 6.5 mm was prepared. Next, the die attach pastes of Examples and Comparative Examples were manually applied onto the lead frame. Here, the die attach paste was applied so that the coating thickness was 35 ⁇ 5 ⁇ m.
  • the warpage amount is the maximum value of the distance from the diagonal line connecting any two vertices located diagonally in the in-plane direction of the silicon chip to the position where the silicon chip exists in the direction perpendicular to the diagonal line Indicates. That is, the amount of warpage shows a positive value for either a cry warp where the cured body is convex upward or a smile warp where the cured body is convex downward.
  • each example and each comparative example are those in which the warp amounts W1 and W2 are measured when the warp amounts W1 and W2 are measured with the surface where the lead frame of the laminated body is present as the ground and the surface where the silicon chip is present as the top surface. there were. The evaluation results are shown in Table 3 below.
  • the unit is ⁇ m.
  • warping of the cured body is caused by integration of the lead frame, die attach paste, and silicon chip, and the lead frame and silicon chip are 1 at 275 ° C. There was no peeling before and after the heat treatment for minutes.
  • the mounting reliability of the semiconductor devices using the die attach pastes of Examples 23 to 28 and Comparative Examples 7 to 9 was evaluated. As an evaluation of mounting reliability, MSL (Moisture Sensitivity Level) performance was measured. The MSL performance was set to MSL Lv2a according to JEDEC STANDARD 22-A113D. A detailed method is shown below. First, a lead frame (a silver spot plated copper frame) and a silicon chip (length 2 mm ⁇ width 2 mm, thickness 0.35 mm) were prepared. Next, the die attach pastes of Examples 23 to 28 and Comparative Examples 7 to 9 were applied to a silicon chip so as to have a coating thickness of 25 ⁇ 5 ⁇ m, and a lead frame was disposed.
  • MSL Magnetic Sensitivity Level
  • a laminated body in which a silicon chip, a die attach paste, and a lead frame were laminated in this order was produced.
  • the surface of the lead frame that contacts the die attach paste is made of silver plating.
  • the temperature was increased from 25 ° C. to 30 ° C. over 30 minutes, and then heat treated at 175 ° C. for 60 minutes to cure the die attach paste of the laminate, thereby producing a cured product.
  • the cured product is sealed with a semiconductor sealing epoxy resin composition (EME-G700LS, manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) so that the package size is 17.9 mm long ⁇ 7.2 ⁇ 2.5 mm thick.
  • the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation was cured by heat treatment for 4 hours at a temperature of 175 ° C. to obtain a semiconductor device.
  • This semiconductor device was subjected to a moisture absorption treatment for 120 hours at 60 ° C. and a relative humidity of 60%, and then an IR reflow treatment (reflow three times at 260 ° C. for 10 seconds).
  • the semiconductor device after the IR reflow process was evaluated for the presence or absence of peeling using a transmission ultrasonic flaw detector. Evaluation was performed on eight semiconductor devices, and the average value was evaluated according to the following criteria. The evaluation results are shown in Table 3 below.
  • the fillet shape stability of the semiconductor devices using the die attach pastes of Examples 23 to 28 and Comparative Examples 7 to 9 was evaluated. Details will be described below. First, a lead frame (silver spot-plated copper frame) and a silicon chip (length 7 mm ⁇ width 7 mm, thickness 0.20 mm) were prepared. Next, 15 ⁇ 3 mm 3 of the die attach pastes of Examples 23 to 28 and Comparative Examples 7 to 9 were applied to the silicon chip using a die bonder (Shinkawa Co., SPA-400), and then a load of 8N was applied. The silicon chip was mounted on the lead frame by adding to the silicon chip.
  • a die bonder Shinkawa Co., SPA-400
  • the fillet height was 150 ⁇ m or less. Further, when the silicon chip was peeled from the laminate, it was observed that the die attach paste spread and adhered to the entire surface of the silicon chip 7 mm long ⁇ 7 mm wide. ⁇ : The fillet height was larger than 150 ⁇ m and not larger than 200 ⁇ m. Further, when the silicon chip was peeled from the laminate, it was observed that the die attach paste spread and adhered to the entire surface of the silicon chip 7 mm long ⁇ 7 mm wide. X: The fillet height was larger than 200 ⁇ m.
  • die shear strength The die shear strength of the semiconductor devices using the die attach pastes of Examples 23 to 28 and Comparative Examples 7 to 9 was evaluated. Details will be described below. First, a lead frame (a silver spot plated copper frame) and a silicon chip (length 2 mm ⁇ width 2 mm, thickness 0.35 mm) were prepared. Next, the die attach pastes of Examples 23 to 28 and Comparative Examples 7 to 9 were applied to a silicon chip so as to have a coating thickness of 25 ⁇ 5 ⁇ m, and a lead frame was disposed. That is, a laminated body in which a silicon chip, a die attach paste, and a lead frame were laminated in this order was produced. The surface of the lead frame that contacts the die attach paste is made of silver plating.
  • the temperature was increased from 25 ° C. to 30 ° C. over 30 minutes, and then heat treated at 175 ° C. for 60 minutes to cure the die attach paste of the laminate, thereby producing a cured product.
  • the cured product was absorbed at a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85% for 72 hours, and then the die shear strength between the lead frame and the cured product of the die attach paste at 260 ° C. was measured using a universal bond tester. did.
  • the evaluation results are shown in Table 3 below.
  • the unit is N / (2 mm ⁇ 2 mm).

Abstract

The die attach paste according to the present invention comprises: a (meth)acrylic copolymer (A) having a reactive group; a (meth)acrylic monomer (B); and a filler (C), the reactive group of the (meth)acrylic copolymer (A) being at least one group selected from an epoxy group, an amino group, a vinyl group, a carboxyl group, and a hydroxyl group, the weight average molecular weight of the (meth)acrylic copolymer (A) being 2000-14000, and the particle size D50 of the filler (C) upon 50% accumulation in a volume-basis particle size distribution being 0.3-4.0 μm.

Description

ダイアタッチペーストおよび半導体装置Die attach paste and semiconductor device
　本発明は、ダイアタッチペーストおよび半導体装置に関する。 The present invention relates to a die attach paste and a semiconductor device.
　熱伝導性を有する接着層を作製するための樹脂組成物として、たとえば金属粒子を含有するペーストが用いられる場合がある。このようなペーストに関する技術としては、たとえば特許文献１に記載のものが挙げられる。特許文献１には、（Ａ）プレート型銀微粒子と、（Ｂ）平均粒子径０．５～３０μｍである銀粉と、（Ｃ）熱硬化性樹脂と、を含む熱硬化性樹脂組成物が記載されている。
　ここで、特許文献１には、プレート型銀微粒子を焼結することで、通常の銀粉のみを充填した場合よりも熱伝導率を向上させることができることが記載されている。 As a resin composition for producing an adhesive layer having thermal conductivity, for example, a paste containing metal particles may be used. As a technique related to such a paste, for example, one described in Patent Document 1 can be cited. Patent Document 1 describes a thermosetting resin composition containing (A) plate-type silver fine particles, (B) silver powder having an average particle diameter of 0.5 to 30 μm, and (C) a thermosetting resin. Has been.
Here, Patent Document 1 describes that the thermal conductivity can be improved by sintering plate-type silver fine particles as compared with the case where only normal silver powder is filled.
　また、特許文献２には、特定の構造を有するアクリル酸エステル又はメタクリル酸エステル、ブタジエンオリゴマー等を含む樹脂ペースト組成物が開示されている。
　特許文献２によれば、支持部材として銅リードフレームや有機基板を用いた際にもリフロークラックを起こさせない樹脂ペーストが提供できるものとされている。 Patent Document 2 discloses a resin paste composition containing an acrylic ester or methacrylic ester having a specific structure, a butadiene oligomer, or the like.
According to Patent Document 2, a resin paste that does not cause reflow cracks even when a copper lead frame or an organic substrate is used as a support member can be provided.
特開２０１４－１９４０１３号公報JP 2014-194013 A 特開２００５－１５４６３３号公報JP 2005-154633 A
　しかしながら、近年、半導体パッケージを基板実装する際に、鉛フリー半田が使用される傾向があり、これに応じて半田リフロー温度が高く設定されることがある。
　そのため、ダイアタッチペーストから得られる接着層についても、従来よりもさらに、耐熱性や耐リフロー性に優れたものが求められてきている。 However, recently, when a semiconductor package is mounted on a substrate, lead-free solder tends to be used, and the solder reflow temperature may be set higher accordingly.
For this reason, an adhesive layer obtained from a die attach paste has been required to have further excellent heat resistance and reflow resistance.
　本発明は、このような事情を鑑みなされたものであり、接着層を構成した際に、従来と比べて高い耐リフロー性を発揮するダイアタッチペーストを提供することを第１の課題とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and it is a first object to provide a die attach paste that exhibits higher reflow resistance as compared with the prior art when an adhesive layer is formed.
　また、本発明者らは、リードフレーム及びダイを特許文献１に記載の熱硬化性樹脂組成物を介して接着し、半導体パッケージを作製し、該半導体パッケージを実装した場合の、半導体パッケージの反りについて検討した。その結果、特許文献１に記載の熱硬化性樹脂組成物を用いた半導体パッケージの反りは、設計値と大きく異なることが判明した。半導体パッケージの実装後の反りが、設計値と大きく異なる場合、機械的な破壊、電気的接続の不良など不具合が生じ、半導体パッケージの実装信頼性が低下してしまう。
　そこで、本発明は、半導体パッケージなどの半導体装置の実装信頼性を向上させるダイアタッチペーストを提供することを第２の課題とする。 In addition, the present inventors bonded a lead frame and a die via the thermosetting resin composition described in Patent Document 1, manufactured a semiconductor package, and warped the semiconductor package when the semiconductor package was mounted. Was examined. As a result, it was found that the warpage of the semiconductor package using the thermosetting resin composition described in Patent Document 1 is significantly different from the design value. If the warpage after mounting of the semiconductor package is significantly different from the design value, problems such as mechanical destruction and defective electrical connection occur, and the mounting reliability of the semiconductor package is lowered.
Accordingly, a second object of the present invention is to provide a die attach paste that improves the mounting reliability of a semiconductor device such as a semiconductor package.
　従来のダイアタッチペーストの分野において、半導体装置の実装時の反りの原因は、熱処理によってダイアタッチペーストに生じる内部応力と考えられていた。ここで、内部応力の発生する原因は、熱の影響が大きいと考えられており、内部応力に吸湿が影響することまでは考慮されていなかった。ここで、本発明者らが、半導体装置の反りの原因について検討した結果、ダイアタッチペーストの吸湿が反りに寄与することを知見した。 In the field of conventional die attach paste, the cause of warping when mounting a semiconductor device was considered to be internal stress generated in the die attach paste by heat treatment. Here, it is considered that the cause of the internal stress is that the influence of heat is large, and no consideration has been given to the influence of moisture absorption on the internal stress. Here, as a result of examining the cause of warpage of the semiconductor device, the present inventors have found that moisture absorption of the die attach paste contributes to warpage.
　例えば、リードフレームなどの基板及びダイなどの半導体素子を、ダイアタッチペーストを介して接着することで作製される半導体パッケージは、その流通工程において真空下で保存されており、吸湿による影響を排除している。しかしながら、半導体パッケージの実装工程においては、パッケージを保存する真空は取り除かれる。これにより、パッケージに塗布されたダイアタッチペーストは、大気などの半導体パッケージの実装工程における系から吸湿してしまうと考えられる。そして、半導体パッケージの実装工程におけるリフロー工程などの熱処理や、実装工程後の半導体装置の使用時における半導体装置の発熱により、半導体パッケージに吸湿の影響を受けた反りが生じてしまうと考えられる。 For example, a semiconductor package manufactured by adhering a substrate such as a lead frame and a semiconductor element such as a die via a die attach paste is stored under vacuum in its distribution process, eliminating the effects of moisture absorption. ing. However, in the semiconductor package mounting process, the vacuum for storing the package is removed. Thereby, it is considered that the die attach paste applied to the package absorbs moisture from the system in the mounting process of the semiconductor package such as the atmosphere. Then, it is considered that warpage affected by moisture absorption occurs in the semiconductor package due to heat treatment such as a reflow process in the mounting process of the semiconductor package and heat generation of the semiconductor device when the semiconductor device is used after the mounting process.
　半導体パッケージなど半導体装置の生産工程を真空系にすることは困難である。そこで、本発明者らはダイアタッチペーストの硬化物を吸湿させない場合の反りと、吸湿させた場合の反りとの差の絶対値を特定の数値範囲内とすることが、半導体装置の実装信頼性を向上させるために有効であることを知見した。
　以上より、本発明者らが、ダイアタッチペーストの硬化物を吸湿させない場合の反りと、吸湿させた場合の反りとの差の絶対値を特定の数値範囲内とすることで、半導体装置の実装信頼性の観点で良い作用効果が得られることを見出し、本発明は完成した。 It is difficult to make the production process of a semiconductor device such as a semiconductor package a vacuum system. Therefore, the present inventors have determined that the absolute value of the difference between the warp when the hardened material of the die attach paste does not absorb moisture and the warp when the moisture is absorbed falls within a specific numerical range, so that the mounting reliability of the semiconductor device It was found to be effective for improving
From the above, the inventors have mounted the semiconductor device by setting the absolute value of the difference between the warp when the cured product of the die attach paste does not absorb moisture and the warp when absorbing moisture within a specific numerical range. The present invention has been completed by finding that a good effect can be obtained from the viewpoint of reliability.
　本発明によれば、
　（Ａ）反応性基を備える（メタ）アクリル共重合体と、
　（Ｂ）（メタ）アクリルモノマーと、
　（Ｃ）充填剤と、
を含み、
　前記（Ａ）（メタ）アクリル共重合体の備える前記反応性基が、エポキシ基、アミノ基、ビニル基、カルボキシル基および水酸基から選ばれる１種以上の基であり、
　前記（Ａ）（メタ）アクリル共重合体の重量平均分子量が、２０００以上１４０００以下であり、
　前記（Ｃ）充填剤の体積基準の粒度分布における５０％累積時の粒径Ｄ５０が、０．３μｍ以上４．０μｍ以下である、ダイアタッチペーストが提供される。 According to the present invention,
(A) a (meth) acrylic copolymer comprising a reactive group;
(B) a (meth) acrylic monomer;
(C) a filler;
Including
The reactive group included in the (A) (meth) acrylic copolymer is one or more groups selected from an epoxy group, an amino group, a vinyl group, a carboxyl group, and a hydroxyl group,
The weight average molecular weight of the (A) (meth) acrylic copolymer is 2000 or more and 14000 or less,
A die attach paste having a particle size D 50 at 50% accumulation in the volume-based particle size distribution of the (C) filler is 0.3 μm or more and 4.0 μm or less.
　また、本発明によれば、
　基材と、
　上記のダイアタッチペーストの硬化物である接着層を介して前記基材上に搭載された半導体素子と、
を備える半導体装置が提供される。 Moreover, according to the present invention,
A substrate;
A semiconductor element mounted on the substrate through an adhesive layer that is a cured product of the die attach paste, and
A semiconductor device is provided.
　また、本発明によれば、
　銀粒子と、
　単量体と、
　主剤と、
　ラジカル重合開始剤と、を含むダイアタッチペーストであって、
　長さ１５．５ｍｍ×幅６．５ｍｍのＡｇめっきした銅フレーム上に、当該ダイアタッチペーストを、塗布厚みが３５±５μｍとなるように塗布し、次いで、長さ１５．０ｍｍ×幅６．０ｍｍ×厚さ０．２ｍｍのシリコンチップを当該ダイアタッチペースト上に配置して積層体を得て、当該積層体を２５℃から１７５℃まで３０分間かけて昇温し、さらに１７５℃で５時間熱処理することで硬化体を得て、
　前記硬化体を、２７５℃で１分間熱処理した時の反り量をＷ１とし、
　前記硬化体を、温度８５℃、湿度８５％で１６８時間吸湿させた後、２７５℃で１分間熱処理した時の反り量をＷ２としたときの、
　｜Ｗ２－Ｗ１｜が２０μｍ以下である、ダイアタッチペーストが提供される。
　ただし、反り量とは、前記シリコンチップの面内方向において対角に位置する任意の２頂点を結んだ対角線から、前記対角線と垂直方向において、前記シリコンチップが存在する位置までの距離の最大値を示す。 Moreover, according to the present invention,
Silver particles,
Monomer,
With the main agent,
A die attach paste containing a radical polymerization initiator,
The die attach paste is applied to an Ag-plated copper frame having a length of 15.5 mm and a width of 6.5 mm so that the coating thickness is 35 ± 5 μm, and then the length is 15.0 mm and the width is 6.0 mm. X A silicon chip having a thickness of 0.2 mm is placed on the die attach paste to obtain a laminate, and the laminate is heated from 25 ° C. to 175 ° C. over 30 minutes, and further heat treated at 175 ° C. for 5 hours. To obtain a cured body,
The amount of warpage when the cured body was heat-treated at 275 ° C. for 1 minute was defined as W1,
When the cured body was subjected to moisture absorption at a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85% for 168 hours and then heat-treated at 275 ° C. for 1 minute, the amount of warpage was W2.
A die attach paste having | W2-W1 | of 20 μm or less is provided.
However, the warpage amount is the maximum value of the distance from the diagonal line connecting any two vertices located diagonally in the in-plane direction of the silicon chip to the position where the silicon chip exists in the direction perpendicular to the diagonal line Indicates.
　また、本発明によれば、
　基材と、
　前記基材上に接着層を介して搭載された半導体素子と、を備え、
　前記接着層は、上記ダイアタッチペーストを焼結してなる、半導体装置が提供される。 Moreover, according to the present invention,
A substrate;
A semiconductor element mounted on the base material via an adhesive layer,
A semiconductor device is provided in which the adhesive layer is obtained by sintering the die attach paste.
　本発明によれば、接着層を構成した際に、従来と比べて高い耐リフロー性を発揮するダイアタッチペーストを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a die attach paste that exhibits higher reflow resistance as compared with the prior art when an adhesive layer is formed.
　また、本発明によれば、半導体パッケージなどの半導体装置の実装信頼性を向上させるダイアタッチペーストが提供することができる。 Moreover, according to the present invention, a die attach paste that improves the mounting reliability of a semiconductor device such as a semiconductor package can be provided.
　上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。 The above-described object and other objects, features, and advantages will be further clarified by a preferred embodiment described below and the following drawings attached thereto.
第１の実施形態及び第２の実施形態にかかる半導体装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the semiconductor device concerning 1st Embodiment and 2nd Embodiment. 図１に示す半導体装置の変形例を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a modification of the semiconductor device shown in FIG.
　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.
＜第１の実施形態＞
　以下、本発明の第１の実施形態について、適宜図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
　また、本明細書中において、「（メタ）アクリル」等の表現は「アクリルまたはメタクリル」の意で用いることとする。 <First Embodiment>
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings as appropriate. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.
In addition, in this specification, expressions such as “(meth) acryl” are used to mean “acryl or methacryl”.
（ダイアタッチペースト）
　まず、第１の実施形態にかかるダイアタッチペーストについて説明する。第１の実施形態に係るダイアタッチペーストは、以下に示されるものである。
　（Ａ）反応性基を備える（メタ）アクリル共重合体と、
　（Ｂ）（メタ）アクリルモノマーと、
　（Ｃ）充填剤と、
を含み、
　前記（Ａ）（メタ）アクリル共重合体の備える前記反応性基が、エポキシ基、アミノ基、ビニル基、カルボキシル基および水酸基から選ばれる１種以上の基であり、
　前記（Ａ）（メタ）アクリル共重合体の重量平均分子量が、２０００以上１４０００以下であり、
　前記（Ｃ）充填剤の体積基準の粒度分布における５０％累積時の粒径Ｄ５０が、０．３μｍ以上４．０μｍ以下である、ダイアタッチペースト。 (Die attach paste)
First, the die attach paste according to the first embodiment will be described. The die attach paste according to the first embodiment is shown below.
(A) a (meth) acrylic copolymer comprising a reactive group;
(B) a (meth) acrylic monomer;
(C) a filler;
Including
The reactive group included in the (A) (meth) acrylic copolymer is one or more groups selected from an epoxy group, an amino group, a vinyl group, a carboxyl group, and a hydroxyl group,
The weight average molecular weight of the (A) (meth) acrylic copolymer is 2000 or more and 14000 or less,
The die attach paste having a particle size D 50 at 50% accumulation in the volume-based particle size distribution of the filler (C) of 0.3 μm or more and 4.0 μm or less.
　第１の実施形態にかかるダイアタッチペーストは、たとえば半導体素子を他の構造体に接着するためのダイアタッチ層（接着層）を形成するために用いられるものである。他の構造体としては、たとえば配線基板またはリードフレーム等の基材や、半導体素子、放熱板、磁気シールド等が挙げられる。また、ダイアタッチペーストは、たとえばこれらの他の構造体に対して放熱板を接着する接着層を形成するために用いることもできる。
　なお、他の構造体は、第１の実施形態のダイアタッチペーストが接触する部分に、銀等の接着を促進する被膜を備えていることが好ましい。 The die attach paste according to the first embodiment is used, for example, to form a die attach layer (adhesive layer) for adhering a semiconductor element to another structure. Examples of other structures include a substrate such as a wiring board or a lead frame, a semiconductor element, a heat sink, and a magnetic shield. The die attach paste can also be used, for example, to form an adhesive layer that adheres the heat sink to these other structures.
In addition, it is preferable that the other structure is provided with the film which promotes adhesion | attachment of silver etc. in the part which the die attach paste of 1st Embodiment contacts.
　以下、第１の実施形態のダイアタッチペーストを構成する各成分について説明する。

　本発明者は、ダイアタッチペーストの耐リフロー性を向上する方法について検討した。その結果、ダイアタッチペーストの密着性を向上し、さらに、ダイアタッチペースト及び被着体の界面における界面応力を低減することが有効であることを見出した。
　そこで、本発明者は密着性を向上し、界面応力を低減するために、ダイアタッチペーストの配合組成について検討した。その結果、例えば、以下の条件を、それぞれ適切に選択して調整することが重要である。
（１）（Ｃ）充填剤の粒径を小さくし、さらに、（Ｃ）充填剤の粒径分布をシャープにすること
（２）（Ｂ）（メタ）アクリルモノマーの硬化収縮と、架橋密度とのバランスをとること
（３）（Ｆ）低応力剤を添加することで、柔軟性を付与すること
（４）（Ｄ１）アリルエステル樹脂を高分子量化すること
（５）（Ｃ）充填剤の性状に適した、（Ａ）反応性基を備える（メタ）アクリル共重合体および（Ｂ）（メタ）アクリルモノマーの組み合わせ
（６）（Ａ）反応性基を備える（メタ）アクリル共重合体、（Ｂ）（メタ）アクリルモノマー、および（Ｃ）充填剤の配合比率
（７）（Ａ）反応性基を備える（メタ）アクリル共重合体、（Ｂ）（メタ）アクリルモノマー、および（Ｃ）充填剤と、その他添加剤の組み合わせ
　具体的には、実施例にて後述する。 Hereinafter, each component which comprises the die attach paste of 1st Embodiment is demonstrated.

The present inventor studied a method for improving the reflow resistance of the die attach paste. As a result, it has been found that it is effective to improve the adhesion of the die attach paste and further reduce the interfacial stress at the interface between the die attach paste and the adherend.
Therefore, the present inventor studied the composition of the die attach paste in order to improve adhesion and reduce interfacial stress. As a result, for example, it is important to appropriately select and adjust the following conditions.
(1) (C) Reduce the particle size of the filler, and (C) sharpen the particle size distribution of the filler (2) (B) Curing shrinkage of (meth) acrylic monomer, crosslinking density, (3) (F) Addition of a low stress agent to impart flexibility (4) (D1) Increase the molecular weight of the allyl ester resin (5) (C) A combination of (A) a (meth) acrylic copolymer with a reactive group and (B) a (meth) acrylic monomer suitable for properties (6) (A) a (meth) acrylic copolymer with a reactive group, (B) (Meth) acrylic monomer, and (C) filler blending ratio (7) (A) (Meth) acrylic copolymer with reactive groups, (B) (meth) acrylic monomer, and (C) Combination of filler and other additives An example will be described later.
（（Ａ）反応性基を備える（メタ）アクリル共重合体）
　第１の実施形態のダイアタッチペーストに含まれる（Ａ）反応性基を備える（メタ）アクリル共重合体（以下、単に「（Ａ）（メタ）アクリル共重合体」ともいう。）を含む。
　ここで、反応性基としては、具体的には、エポキシ基、アミノ基、カルボキシル基、水酸基、ビニル基などが挙げられる。
　（Ａ）反応性基を備える（メタ）アクリル共重合体は、ダイアタッチペーストに含まれる成分と様々な反応、重合をすることで、強固な架橋構造を形成する。これにより、接着層を得た際に高い耐リフロー性を発揮できることが考えられる。また、反応性基により、基材や半導体素子、放熱板等への密着性を向上させることができる。
　ここで、（Ａ）反応性基を備える（メタ）アクリル共重合体の重合としては、例えば、（Ａ）反応性基を備える（メタ）アクリル共重合体のアクリル基、メタクリル基、ビニル基のラジカル重合が挙げられる。ダイアタッチペーストが重合開始剤を含むことで、（Ａ）反応性基を備える（メタ）アクリル共重合体のアクリル基、またはビニル基はラジカル重合する。ここで、ラジカル重合においては、（Ａ）反応性基を備える（メタ）アクリル共重合体のみならず、（Ｂ）（メタ）アクリルモノマー、（Ｄ）他の樹脂成分の（メタ）アクリル樹脂、アリルエステル樹脂、マレイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂などのアクリル基、炭素-炭素二重結合Ｃ＝Ｃを巻き込んでラジカル重合をする。
　また、（Ａ）反応性基を備える（メタ）アクリル共重合体の反応としては、例えば、（Ａ）反応性基を備える（メタ）アクリル共重合体のビニル基、アミノ基、カルボキシル基、水酸基と、（Ｄ１）アリルエステル樹脂または（Ｄ２）ポリカーボネート樹脂とのラジカル重合、イオン重合などが挙げられる。
　また、（Ａ）反応性基を備える（メタ）アクリル共重合体の反応としては、例えば、（Ａ）反応性基を備える（メタ）アクリル共重合体のエポキシ基と硬化促進剤のアミンとの反応が挙げられる。
　また、（Ａ）反応性基を備える（メタ）アクリル共重合体の反応としては、例えば、（Ａ）反応性基を備える（メタ）アクリル共重合体のアミノ基、カルボキシル基、水酸基と、（Ｄ）他の樹脂成分のエポキシ樹脂のエポキシ基との反応が挙げられる。
　第１の実施形態に係るダイアタッチペーストは、その含有成分の配合組成を適切に制御することにより、上述した反応、重合を起こす。これにより、第１の実施形態にかかるダイアタッチペーストは硬化収縮し、充填剤を凝集することによって高い熱伝導性を発現できる。
　なお、第１の実施形態において、イオン重合とは、カチオン重合、アニオン重合を示す。 ((A) (meth) acrylic copolymer with reactive group)
The (A) reactive group-containing (meth) acrylic copolymer (hereinafter, also simply referred to as “(A) (meth) acrylic copolymer”) included in the die attach paste of the first embodiment is included.
Here, specific examples of the reactive group include an epoxy group, an amino group, a carboxyl group, a hydroxyl group, and a vinyl group.
(A) The (meth) acrylic copolymer having a reactive group forms a strong cross-linked structure by various reactions and polymerization with components contained in the die attach paste. Thereby, it is considered that high reflow resistance can be exhibited when the adhesive layer is obtained. Moreover, the adhesiveness to a base material, a semiconductor element, a heat sink, etc. can be improved by a reactive group.
Here, as the polymerization of (A) a (meth) acrylic copolymer having a reactive group, for example, (A) an acrylic group, a methacrylic group, or a vinyl group of a (meth) acrylic copolymer having a reactive group. Examples include radical polymerization. When the die attach paste contains a polymerization initiator, (A) the acrylic group or vinyl group of the (meth) acrylic copolymer having a reactive group undergoes radical polymerization. Here, in radical polymerization, (A) (meth) acrylic copolymer having a reactive group, (B) (meth) acrylic monomer, (D) (meth) acrylic resin of other resin components, Radical polymerization is performed by involving an acrylic group such as allyl ester resin, maleimide resin, and polycarbonate resin, and a carbon-carbon double bond C = C.
Examples of the reaction of (A) a (meth) acrylic copolymer having a reactive group include, for example, (A) a vinyl group, an amino group, a carboxyl group, and a hydroxyl group of a (meth) acrylic copolymer having a reactive group. And (D1) allyl ester resin or (D2) polycarbonate resin and radical polymerization, ionic polymerization, and the like.
Moreover, as reaction of (A) (meth) acrylic copolymer provided with a reactive group, for example, (A) epoxy group of (meth) acrylic copolymer provided with reactive group and amine of curing accelerator Reaction.
Examples of the reaction of (A) a (meth) acrylic copolymer having a reactive group include (A) an amino group, a carboxyl group, and a hydroxyl group of a (meth) acrylic copolymer having a reactive group, ( D) Reaction with the epoxy group of the epoxy resin of another resin component is mentioned.
The die attach paste according to the first embodiment causes the above-described reaction and polymerization by appropriately controlling the composition of the components contained therein. Thereby, the die attach paste according to the first embodiment is cured and contracted, and high heat conductivity can be exhibited by aggregating the filler.
In the first embodiment, ionic polymerization refers to cationic polymerization and anionic polymerization.
　第１の実施形態の（Ａ）（メタ）アクリル共重合体は、例えば、その末端にエポキシ基、アミノ基、ビニル基、カルボキシル基および水酸基から選ばれる１種以上の基を備えることが好ましい。これにより、柔軟な骨格を持ちながら硬化収縮を起こすことができる。したがって、界面応力の過剰な増加を抑制しつつ、硬化収縮できる。 The (A) (meth) acrylic copolymer of the first embodiment preferably has, for example, one or more groups selected from an epoxy group, an amino group, a vinyl group, a carboxyl group, and a hydroxyl group at the terminal. Thereby, hardening shrinkage can be caused while having a flexible skeleton. Therefore, curing shrinkage can be performed while suppressing an excessive increase in interfacial stress.
　（Ａ）（メタ）アクリル共重合体は、たとえば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、スチレン、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸、グリシジル（メタ）アクリレートなどを用い、溶液重合など、一般的な重合開始剤および連鎖移動剤を用いる公知の技術により共重合して得ることができる。
　このような共重合体は、東亞合成株式会社から「ＡＲＵＦＯＮ（アルフォン）」の商品名で販売されているが、本発明の目的に合わせ、適切な官能基を有するものを選択すればよい。
　また、末端に「ビニル基」を備える態様としては、末端に「アクリル基」や「メタクリル基」のような、ビニル基を含む原子団を備えるような態様も含むものである。 (A) (meth) acrylic copolymer is, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, styrene, hydroxyethyl (meth) acrylate, (meth) Acrylic acid, glycidyl (meth) acrylate, etc. can be used and copolymerized by a known technique using a general polymerization initiator and a chain transfer agent such as solution polymerization.
Such a copolymer is sold by Toagosei Co., Ltd. under the trade name “ARUFON”, and a copolymer having an appropriate functional group may be selected in accordance with the object of the present invention.
Moreover, as an aspect provided with a "vinyl group" at the terminal, an aspect including an atomic group containing a vinyl group such as an "acrylic group" or a "methacrylic group" at the terminal is also included.
　また、第１の実施形態の（Ａ）（メタ）アクリル共重合体は、その重量平均分子量が、２０００以上１４０００以下の範囲に設定される。
　これにより、得られるダイアタッチペーストとしての適度な粘性を発揮し、接着層としての耐リフロー性を適切なものとすることができる。
　また、（Ａ）（メタ）アクリル共重合体の重量平均分子量は、２５００以上であることがより好ましく、３０００以上であることがさらに好ましく、５０００以上であることが最も好ましい。
　また、（Ａ）（メタ）アクリル共重合体の重量平均分子量は、１３０００以下であることがより好ましく、１２５００以下であることがさらに好ましく、１２０００以下であることが最も好ましい。 Moreover, the weight average molecular weight of the (A) (meth) acrylic copolymer of 1st Embodiment is set to the range of 2000-14000.
Thereby, moderate viscosity as the die-attach paste obtained can be exhibited, and the reflow resistance as the adhesive layer can be made appropriate.
The weight average molecular weight of the (A) (meth) acrylic copolymer is more preferably 2500 or more, still more preferably 3000 or more, and most preferably 5000 or more.
The weight average molecular weight of the (A) (meth) acrylic copolymer is more preferably 13000 or less, further preferably 12,500 or less, and most preferably 12000 or less.
　第１の実施形態のダイアタッチペースト中における（Ａ）（メタ）アクリル共重合体の含有量は、たとえばダイアタッチペースト全体に対して２質量％以上であることが好ましく、２．５質量％以上であることがより好ましく、３質量％以上であることがさらに好ましい。これにより、得られる接着層に適度な接着性を持たせることができる。
　一方で、ダイアタッチペースト中における（Ａ）（メタ）アクリル共重合体の含有量は、たとえばダイアタッチペースト全体に対して１５質量％以下であることが好ましく、１２質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることがさらに好ましい。これにより、ペーストとしての粘性を適切な範囲とすることができ、塗布時の作業性が向上する。
　なお、本明細書において、ダイアタッチペースト全体に対する含有量とは、後述する（Ｓ）溶媒を含む場合には、ダイアタッチペーストのうちの（Ｓ）溶媒を除く成分全体に対する含有量を指す。 The content of the (A) (meth) acrylic copolymer in the die attach paste of the first embodiment is preferably 2% by mass or more, for example, 2.5% by mass or more with respect to the whole die attach paste. More preferably, it is more preferably 3% by mass or more. Thereby, moderate adhesiveness can be given to the adhesive layer obtained.
On the other hand, the content of the (A) (meth) acrylic copolymer in the die attach paste is, for example, preferably 15% by mass or less and more preferably 12% by mass or less with respect to the entire die attach paste. Preferably, it is 10 mass% or less. Thereby, the viscosity as a paste can be made into an appropriate range, and the workability | operativity at the time of application | coating improves.
In addition, in this specification, content with respect to the whole die attach paste refers to content with respect to the whole component except the (S) solvent of die attach paste, when the (S) solvent mentioned later is included.
（（Ｂ）（メタ）アクリルモノマー）
　第１の実施形態のダイアタッチペーストは、（Ｂ）（メタ）アクリルモノマーを含み、これにより、適度なペーストとしての粘性と、加熱時における硬化性をもたらすことができる。
　このような（Ｂ）（メタ）アクリルモノマーは、（Ｂ１）（メタ）アクリル基を分子内に一つのみ有する化合物、すなわち、単官能（メタ）アクリルモノマー、および、（Ｂ２）（メタ）アクリル基を分子内に二つ以上有する化合物、すなわち、多官能（メタ）アクリルモノマーから選択される一種または二種以上を含むことができる。また、第１の実施形態における（Ｂ）（メタ）アクリルモノマーとしては、（Ｂ１）（メタ）アクリル基を分子内に一つのみ有する化合物と、（Ｂ２）（メタ）アクリル基を分子内に二つ以上有する化合物とを、少なくとも１種ずつ含むことが、耐リフロー性に優れた接着層を作製可能なダイアタッチペーストを実現する観点から好ましい。
　（Ｂ１）（メタ）アクリル基を分子内に一つのみ有する化合物が、（Ａ）（メタ）アクリル共重合体と反応する場合、（Ｂ２）（メタ）アクリル基を分子内に二つ以上有する化合物と比べて硬化収縮が少ない。これにより、重合によって分子量を増やしつつ、界面応力の増加を抑制できる。
　（Ｂ２）（メタ）アクリル基を分子内に二つ以上有する化合物が、（Ａ）（メタ）アクリル共重合体と反応する場合、架橋密度を向上できるので、ダイアタッチペーストの硬化物を高弾性化できる。これにより、耐リフロー性を向上できる。 ((B) (meth) acrylic monomer)
The die attach paste of the first embodiment includes (B) (meth) acrylic monomer, and can thereby provide an appropriate viscosity as a paste and curability during heating.
Such (B) (meth) acrylic monomer is a compound having only one (B1) (meth) acrylic group in the molecule, that is, a monofunctional (meth) acrylic monomer, and (B2) (meth) acrylic A compound having two or more groups in the molecule, that is, one or more selected from polyfunctional (meth) acrylic monomers can be included. The (B) (meth) acrylic monomer in the first embodiment includes (B1) a compound having only one (meth) acrylic group in the molecule, and (B2) a (meth) acrylic group in the molecule. It is preferable from the viewpoint of realizing a die attach paste that can produce an adhesive layer excellent in reflow resistance, by containing at least one compound having two or more compounds.
(B1) When a compound having only one (meth) acryl group in the molecule reacts with (A) (meth) acrylic copolymer, (B2) has two or more (meth) acrylic groups in the molecule Less cure shrinkage compared to compounds. Thereby, the increase in interfacial stress can be suppressed while increasing the molecular weight by polymerization.
(B2) When a compound having two or more (meth) acrylic groups in the molecule reacts with the (A) (meth) acrylic copolymer, the crosslink density can be improved. Can be Thereby, reflow resistance can be improved.
　第１の実施形態において、（Ｂ１）（メタ）アクリル基を分子内に一つのみ有する化合物としては、（メタ）アクリル酸エステルを好ましく用いることができる。この（メタ）アクリル酸エステルとしては、たとえば下記式（１）により表される化合物から選択される一種または二種以上を含むことができる。これにより、ペーストの粘性等を適切な範囲に調整することができる。 In the first embodiment, (B1) (meth) acrylic acid ester can be preferably used as the compound having only one (meth) acrylic group in the molecule. As this (meth) acrylic acid ester, the 1 type, or 2 or more types selected from the compound represented, for example by following formula (1) can be included. Thereby, the viscosity etc. of a paste can be adjusted to an appropriate range.
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　上記式（１）中、Ｒ１１は水素またはメチル基であり、Ｒ１２は炭素数１～２０の一価の有機基である。Ｒ１２は、酸素原子、窒素原子、およびリン原子のうちの一種または二種以上を含んでいてもよく、そのＲ１２の構造中に、水酸基や、カルボキシル基等の－ＯＨ基、エポキシ基、オキセタニル基、アミノ基、アミド基等を含んでもよい。
　上記式（１）により表される化合物は、とくに限定されないが、たとえばＲ１２の構造中に－ＯＨ基を有するものとして、１，４－シクロヘキサンジメタノールモノアクリレート、２－ヒドロキシエチルアクリレート、２－ヒドロキシエチルメタクリレート、２－ヒドロキシプロピルアクリレート、２－ヒドロキシプロピルメタクリレート、２－ヒドロキシブチルアクリレート、２－ヒドロキシブチルメタクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピルアクリレート、２－アクリロイロキシエチルコハク酸、２－メタクリロイルオキシエチルコハク酸、２－アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸、２－メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸、２－アクリロイルオキシエチルフタル酸、２－アクリロイルオキシエチル－２－ヒドロキシエチルフタル酸、２－アクリロイルオキシエチルアシッドフォスフェート、および２－メタクロイロキシエチルアシッドホスフェートから選択される一種または二種以上を用いることができる。 In the above formula (1), R 11 is hydrogen or a methyl group, and R 12 is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. R 12 may contain one or more of an oxygen atom, a nitrogen atom, and a phosphorus atom, and in the structure of R 12 , a hydroxyl group, a —OH group such as a carboxyl group, an epoxy group, It may contain an oxetanyl group, an amino group, an amide group, and the like.
The compound represented by the above formula (1) is not particularly limited. For example, as a compound having an —OH group in the structure of R 12 , 1,4-cyclohexanedimethanol monoacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, Hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, 2-hydroxybutyl acrylate, 2-hydroxybutyl methacrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate, 2-acryloyloxyethyl succinic acid, 2-methacryloyl Oxyethyl succinic acid, 2-acryloyloxyethyl hexahydrophthalic acid, 2-methacryloyloxyethyl hexahydrophthalic acid, 2-acryloyloxyethyl phthalic acid, 2-acryloyloxy One or more selected from ethyl-2-hydroxyethylphthalic acid, 2-acryloyloxyethyl acid phosphate, and 2-methacryloylethyl acetate phosphate can be used.
　また、上述の式（１）においてＲ１２は－ＯＨ基を含まないこととすることもでき、このような化合物としては、たとえばエチルメタクリレート、ｎ－ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、ｔｅｒｔ－ブチルメタクリレート、イソアミルアクリレート、２－エチルヘキシルメタクリレート、イソデシルメタクリレート、ｎ－ラウリルアクリレート、ｎ－ラウリルメタクリレート、ｎ－トリデシルメタクリレート、ｎ－ステアリルアクリレート、ｎ－ステアリルメタクリレート、イソステアリルアクリレート、エトキシジエチレングリコールアクリレート、ブトキシジエチレングリコールメタクリレート、メトキシトリエチレングルコールアクリレート、２－エチルヘキシルジエチレングリコールアクリレート、メトキシポリエチレングリコールアクリレート、メトキシポリエチレングリコールメタクリレート、メトキシジプロピレングリコールアクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、フェノキシエチルアクリレート、フェノキシエチルメタクリレート、フェノキシジエチレングリコールアクリレート、フェノキシポリエチレングリコールアクリレート、ノニルフェノールエチレンオキシド変性アクリレート、フェニルフェノールエチレンオキシド変性アクリレート、イソボルニルアクリレート、イソボルニルメタクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジエチルアミノエチルメタクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート四級化物、グリシジルメタクリレート、およびネオペンチルグリコールアクリル酸安息香酸エステルから選択される一種または二種以上を用いることができる。
　第１の実施形態においては、たとえばフェノキシエチルメタクリレートおよびシクロヘキシルメタクリレートに例示されるようにＲ１２中に環状構造を含む化合物や、２－エチルヘキシルメタクリレート、ｎ－ラウリルアクリレート、およびｎ－ラウリルメタクリレートに例示されるようにＲ１２が直鎖状または分岐鎖状のアルキル基である化合物を含むものも採用することができる。 In the above formula (1), R 12 may not contain an —OH group. Examples of such compounds include ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, isobutyl methacrylate, tert-butyl methacrylate, isoamyl. Acrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, isodecyl methacrylate, n-lauryl acrylate, n-lauryl methacrylate, n-tridecyl methacrylate, n-stearyl acrylate, n-stearyl methacrylate, isostearyl acrylate, ethoxydiethylene glycol acrylate, butoxydiethylene glycol methacrylate, methoxy Triethylene glycol acrylate, 2-ethylhexyl diethylene glycol acrylate, methoxypolyethylene Tylene glycol acrylate, methoxypolyethylene glycol methacrylate, methoxydipropylene glycol acrylate, cyclohexyl methacrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, benzyl methacrylate, phenoxyethyl acrylate, phenoxyethyl methacrylate, phenoxydiethylene glycol acrylate, phenoxypolyethylene glycol acrylate, nonylphenol ethylene oxide Modified acrylate, phenylphenol ethylene oxide modified acrylate, isobornyl acrylate, isobornyl methacrylate, dimethylaminoethyl methacrylate, diethylaminoethyl methacrylate, dimethylaminoethyl methacrylate quaternary Things, can be used one or more selected from glycidyl methacrylate and neopentyl glycol acrylate benzoate,.
In the first embodiment, for example, as exemplified by phenoxyethyl methacrylate and cyclohexyl methacrylate, compounds having a cyclic structure in R 12 , and exemplified by 2-ethylhexyl methacrylate, n-lauryl acrylate, and n-lauryl methacrylate are exemplified. As described above, those containing a compound in which R 12 is a linear or branched alkyl group can also be employed.
　（Ｂ２）（メタ）アクリル基を分子内に二つ以上有する化合物としては、たとえば、ビス（メタ）アクリル酸エステルを挙げることができる。このようなビス（メタ）アクリル酸エステルとしては、４，４'－イソプロピリデンジフェノールジ（メタ）アクリレート、１，３－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６－ビス（（メタ）アクリロイルオキシ）－２，２，３，３，４，４，５，５－オクタフルオロヘキサン、１，４－ビス（（メタ）アクリロイルオキシ）ブタン、１，６－ビス（（メタ）アクリロイルオキシ）ヘキサン、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ'－ジ（メタ）アクリロイルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ'－（１，２－ジヒドロキシエチレン）ビス（メタ）アクリルアミド、又は１，４－ビス（（メタ）アクリロイル）ピペラジンなどが挙げられる。 (B2) Examples of the compound having two or more (meth) acrylic groups in the molecule include bis (meth) acrylic acid esters. Such bis (meth) acrylic acid esters include 4,4′-isopropylidene diphenol di (meth) acrylate, 1,3-butanediol di (meth) acrylate, and 1,6-bis ((meth) acryloyl). Oxy) -2,2,3,3,4,4,5,5-octafluorohexane, 1,4-bis ((meth) acryloyloxy) butane, 1,6-bis ((meth) acryloyloxy) hexane , Triethylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, N, N′-di (meth) acryloylethylenediamine, N, N ′-(1,2- Dihydroxyethylene) bis (meth) acrylamide or 1,4-bis ((meth) acryloyl) piperazine And the like.
　第１の実施形態のダイアタッチペースト中における（Ｂ）（メタ）アクリルモノマーの含有量は、たとえばダイアタッチペースト全体に対して４質量％以上であることが好ましく、６質量％以上であることがより好ましく、８質量％以上であることがさらに好ましい。これにより、得られるペーストとしての適度な粘性と、硬化性を持たせることができる。
　一方で、ダイアタッチペースト中における（Ｂ）（メタ）アクリルモノマーの含有量は、たとえばダイアタッチペースト全体に対して２７質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましく、１８質量％以下であることがさらに好ましく、１５質量％以下であることが最も好ましい。これにより、使用する充填剤の種類に応じて、得られるペーストとしての適度な粘性と、硬化性を持たせることができる。 The content of the (B) (meth) acrylic monomer in the die attach paste of the first embodiment is preferably 4% by mass or more, for example, 6% by mass or more with respect to the whole die attach paste. More preferably, it is more preferably 8 mass% or more. Thereby, the moderate viscosity as an obtained paste and sclerosis | hardenability can be given.
On the other hand, the content of the (B) (meth) acrylic monomer in the die attach paste is, for example, preferably 27% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, based on the entire die attach paste, More preferably, it is 18 mass% or less, and most preferably 15 mass% or less. Thereby, according to the kind of filler to be used, moderate viscosity as an obtained paste and curability can be given.
　（Ｂ）（メタ）アクリルモノマーは、例えば、（Ｂ１）（メタ）アクリル基を分子内に一つのみ有する化合物、すなわち、単官能（メタ）アクリルモノマー、及び、（Ｂ２）（メタ）アクリル基を分子内に二つ以上有する化合物、すなわち、多官能（メタ）アクリルモノマーを含むことが好ましい。
　（Ｂ）（メタ）アクリルモノマーが単官能（メタ）アクリルモノマー及び多官能（メタ）アクリルモノマーをともに含む場合、多官能（メタ）アクリルモノマーに対する単官能（メタ）アクリルモノマーの含有量の比の上限値は、例えば、１０以下であることが好ましく、９以下であることがより好ましく、８以下であることが更に好ましく、５以下であることが一層好ましく、４以下であることが殊更好ましい。これにより、多官能（メタ）アクリルモノマーが過剰であることにより、重合に寄与しない（Ｂ）（メタ）アクリルモノマーが生じることを抑制できる。したがって、強固な架橋構造を形成し、リフロー耐性を向上できる。
　また、（Ｂ）（メタ）アクリルモノマーが単官能（メタ）アクリルモノマー及び多官能（メタ）アクリルモノマーをともに含む場合、多官能（メタ）アクリルモノマーに対する単官能（メタ）アクリルモノマーの含有量の比の下限値は、例えば、０．３以上としてもよく、０．５以上としてもよい。 The (B) (meth) acrylic monomer is, for example, a compound having only one (B1) (meth) acrylic group in the molecule, that is, a monofunctional (meth) acrylic monomer and (B2) (meth) acrylic group It is preferable that the compound which has 2 or more in a molecule | numerator, ie, a polyfunctional (meth) acryl monomer, is included.
(B) When the (meth) acrylic monomer includes both a monofunctional (meth) acrylic monomer and a polyfunctional (meth) acrylic monomer, the ratio of the content of the monofunctional (meth) acrylic monomer to the polyfunctional (meth) acrylic monomer The upper limit is, for example, preferably 10 or less, more preferably 9 or less, still more preferably 8 or less, still more preferably 5 or less, and still more preferably 4 or less. Thereby, it can suppress that the (B) (meth) acryl monomer which does not contribute to superposition | polymerization by polyfunctional (meth) acryl monomer being excessive is produced. Therefore, a strong cross-linked structure can be formed and reflow resistance can be improved.
In addition, when the (B) (meth) acrylic monomer includes both a monofunctional (meth) acrylic monomer and a polyfunctional (meth) acrylic monomer, the content of the monofunctional (meth) acrylic monomer relative to the polyfunctional (meth) acrylic monomer The lower limit of the ratio may be, for example, 0.3 or more, or 0.5 or more.
（（Ｃ）充填剤）
　第１の実施形態のダイアタッチペーストは、（Ｃ）充填剤を含む。
　（Ｃ）充填剤の形状は、とくに限定されないが、たとえば球状またはフレーク状等を挙げることができる。第１の実施形態においては、（Ｃ）充填剤が球状粒子を含むことがより好ましい。これにより、ペースト中における（Ｃ）充填剤の分散性を向上させることができる。
　また、導電性ペーストにおいては、導電性を向上させる観点からは、（Ｃ）充填剤がフレーク状粒子を含む態様を採用することもできる。さらには、導電性と分散性のバランスを向上させる観点から、（Ｃ）充填剤が球状粒子とフレーク状粒子の双方を含んでいてもよい。 ((C) filler)
The die attach paste of the first embodiment includes (C) a filler.
(C) Although the shape of a filler is not specifically limited, For example, spherical shape or flake shape etc. can be mentioned. In 1st Embodiment, it is more preferable that (C) a filler contains a spherical particle. Thereby, the dispersibility of the (C) filler in a paste can be improved.
Moreover, in an electrically conductive paste, the aspect which (C) a filler contains flaky particle | grains can also be employ | adopted from a viewpoint of improving electroconductivity. Furthermore, from the viewpoint of improving the balance between conductivity and dispersibility, the filler (C) may contain both spherical particles and flaky particles.
　（Ｃ）充填剤としては、たとえば、シリカやアルミナなどの無機充填剤、ポリメチルシルセスキオキサン（シリコーンレジン）やポリメチルメタクリレート等の有機充填剤、Ａｇ粉（銀粉）、Ａｕ粉（金粉）、およびＣｕ粉（銅粉）等の金属充填剤などが挙げられる。これらは、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。（Ｃ）充填剤としては、例えば金属充填剤を含むことが好ましい。これにより、ダイアタッチペーストを用いて得られる接着層の熱伝導性と導電性を効果的に向上させることが可能となる。また、上記金属充填剤としては、低コスト化等の目的で銀、金、および銅以外の金属成分を含むものを使用してもよい。
　第１の実施形態においては、化学的な安定性およびコストの観点から、（Ｃ）充填剤が銀粉、シリカ、アルミナまたはポリメチルシルセスキオキサン（シリコーンレジン）であることがより好ましい態様であるといえる。 (C) Examples of fillers include inorganic fillers such as silica and alumina, organic fillers such as polymethylsilsesquioxane (silicone resin) and polymethyl methacrylate, Ag powder (silver powder), and Au powder (gold powder). And metal fillers such as Cu powder (copper powder). These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together. (C) As a filler, it is preferable that a metal filler is included, for example. Thereby, it becomes possible to effectively improve the thermal conductivity and conductivity of the adhesive layer obtained by using the die attach paste. Moreover, as said metal filler, you may use what contains metal components other than silver, gold | metal | money, and copper for the objective of cost reduction.
In the first embodiment, from the viewpoint of chemical stability and cost, it is a more preferable aspect that the (C) filler is silver powder, silica, alumina, or polymethylsilsesquioxane (silicone resin). It can be said.
　第１の実施形態において、（Ｃ）充填剤の体積基準の粒度分布における５０％累積時の粒径Ｄ５０は、０．３μｍ以上４．０μｍ以下である。このように（Ｃ）充填剤の粒径を調整し、特定の樹脂成分と組み合わせることにより、第１の実施形態のダイアタッチペーストは、接着層を得た際により高い耐リフロー性を発揮することができる。また、第１の実施形態のダイアタッチペーストは、このような粒径に調整されることにより、基材にダイアタッチペーストを塗布し、このペースト上に半導体素子を搭載する際に、素子の側面へのペーストの這い上がりが起こることを抑制することができる。
　同様の観点から、（Ｃ）充填剤の体積基準の粒度分布における５０％累積時の粒径Ｄ５０は、より好ましくは０．８μｍ以上であり、さらに好ましくは１μｍ以上である。
　また、（Ｃ）充填剤の体積基準の粒度分布における５０％累積時の粒径Ｄ５０は、より好ましくは３．９μｍ以下であり、さらに好ましくは３．５μｍ以下である。
　（Ｃ）充填剤の粒径は、たとえばシスメックス株式会社製フロー式粒子像分析装置ＦＰＩＡ（登録商標）－３０００を用い、粒子画像計測を行うことで決定することができる。より具体的には、上記装置を用い、体積基準のメジアン径を計測することで（Ｃ）充填剤の粒径を決定することができる。この粒径の決定方法は、Ｄ５０の他、以下に示す、Ｄ９０についても同様の条件を採用することができる。
　かかる条件を採用することで、たとえば粒径の大きい粒子が存在した場合に、その影響を敏感に検知することができ、狭い粒度分布の粒子であっても精度高く測定を行うことができる。 In the first embodiment, (C) a particle diameter D 50 of 50% cumulative time in volume-based particle size distribution of filler is 0.3μm or more 4.0μm or less. Thus, by adjusting the particle size of the filler (C) and combining with a specific resin component, the die attach paste of the first embodiment exhibits higher reflow resistance when an adhesive layer is obtained. Can do. Further, the die attach paste of the first embodiment is adjusted to such a particle size, so that when the die attach paste is applied to the base material and the semiconductor element is mounted on the paste, the side surface of the element is attached. It is possible to suppress the creeping up of the paste.
From the same viewpoint, the particle size D 50 at 50% accumulation in the volume-based particle size distribution of the filler (C) is more preferably 0.8 μm or more, and further preferably 1 μm or more.
Further, the particle size D 50 at 50% accumulation in the volume-based particle size distribution of the (C) filler is more preferably 3.9 μm or less, and further preferably 3.5 μm or less.
The particle size of the filler (C) can be determined by performing particle image measurement using, for example, a flow type particle image analyzer FPIA (registered trademark) -3000 manufactured by Sysmex Corporation. More specifically, the particle diameter of the filler (C) can be determined by measuring the volume-based median diameter using the above apparatus. The method for determining the particle diameter can adopt the same conditions for D 90 as shown below in addition to D 50 .
By adopting such conditions, for example, when a particle having a large particle size is present, the influence can be sensitively detected, and even a particle having a narrow particle size distribution can be measured with high accuracy.
　また、第１の実施形態の（Ｃ）充填剤は、粒度分布の幅が狭く設定されていることが好ましい。
　より具体的には、（Ｃ）充填剤の体積基準の粒度分布における９０％累積時の粒径Ｄ９０を測定し、先述のＤ５０との比（Ｄ９０／Ｄ５０）を計算した際に、その比が、３．５以下であることが好ましく、３以下であることがより好ましく、２．５以下であることがさらに好ましい。
　このように、Ｄ５０に対するＤ９０の比（Ｄ９０／Ｄ５０）を調整することにより、ダイアタッチペースト中における（Ｃ）充填剤の分散性をより向上させることができ、さらに耐リフロー性を向上させることができる。
　なお、このＤ５０に対するＤ９０の比（Ｄ９０／Ｄ５０）の下限値は特に限定されないが、たとえば１．０５以上である。 Moreover, it is preferable that (C) filler of 1st Embodiment is set so that the width | variety of a particle size distribution may be narrow.
More specifically, when calculating the (C) the particle size D 90 of 90% cumulative time in volume-based particle size distribution of the filler is measured, the ratio of the D 50 of the aforementioned (D 90 / D 50) The ratio is preferably 3.5 or less, more preferably 3 or less, and even more preferably 2.5 or less.
Thus, by adjusting the ratio of D 90 for D 50 (D 90 / D 50 ), it is possible to further improve the dispersibility of the (C) filler in the die attachment paste, a further reflow resistance Can be improved.
Although this lower limit of the ratio of D 90 for D 50 (D 90 / D 50 ) is not particularly limited, is, for example 1.05 or higher.
　また、（Ｃ）充填剤の体積基準の粒度分布における９０％累積時の粒径Ｄ９０は、０．８μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがより好ましく、１．５μｍ以上であることがさらに好ましい。
　また、（Ｃ）充填剤の体積基準の粒度分布における９０％累積時の粒径Ｄ９０は、１５μｍ以下であることが好ましく、１２μｍ以下であることがより好ましく、７μｍ以下であることがさらに好ましい。これにより、（Ｃ）充填剤の粒径分布をシャープにすることができる。（Ｃ）充填剤の粒径分布がシャープな場合、ダイアタッチペーストの界面に（Ｃ）充填剤が集まりやすくなる。したがって、ダイアタッチペーストの界面における硬化収縮を低減し、界面応力の増加を抑制できる。また、ダイアタッチペーストの界面の強度を向上できる点でも都合がよい
　（Ｃ）充填剤のＤ９０の値をこのように設定することにより、導電性ペーストにおいては、導電性と塗布性のバランスをより効果的に向上させることが可能となる。 In addition, the particle size D 90 at 90% accumulation in the volume-based particle size distribution of the filler (C) is preferably 0.8 μm or more, more preferably 1 μm or more, and 1.5 μm or more. More preferably.
In addition, (C) 90% cumulative particle size D 90 in the volume-based particle size distribution of the filler is preferably 15 μm or less, more preferably 12 μm or less, and even more preferably 7 μm or less. . Thereby, the particle size distribution of (C) filler can be sharpened. When the particle size distribution of the (C) filler is sharp, the (C) filler tends to gather at the interface of the die attach paste. Therefore, curing shrinkage at the interface of the die attach paste can be reduced, and an increase in interface stress can be suppressed. It is also convenient in that the strength of the interface of the die attach paste can be improved. (C) By setting the value of D90 of the filler in this way, the conductive paste has a balance between conductivity and applicability. It becomes possible to improve more effectively.
　第１の実施形態のダイアタッチペースト中における（Ｃ）充填剤の含有量は、たとえばダイアタッチペースト全体に対して２５質量％であることが好ましく、５０質量％以上であることがより好ましく、６０質量％以上であることがさらに好ましく、７０質量％以上であることが最も好ましい。これにより、得られる接着層としての適度な導電性あるいは絶縁性を持たせることができる。
　一方で、ダイアタッチペースト中における（Ｃ）充填剤の含有量は、たとえばダイアタッチペースト全体に対して９０質量％以下であることが好ましく、８５質量％以下であることがより好ましく、８０質量％以下であることが好ましい。これにより、ペーストとしての粘性を適切な範囲とすることができ、塗布時の作業性が向上する。 The content of the filler (C) in the die attach paste of the first embodiment is, for example, preferably 25% by mass, more preferably 50% by mass or more, based on the whole die attach paste, 60 More preferably, it is at least 70% by mass, and most preferably at least 70% by mass. Thereby, moderate electroconductivity or insulation as an adhesion layer obtained can be given.
On the other hand, the content of the filler (C) in the die attach paste is, for example, preferably 90% by mass or less, more preferably 85% by mass or less, and more preferably 80% by mass with respect to the entire die attach paste. The following is preferable. Thereby, the viscosity as a paste can be made into an appropriate range, and the workability | operativity at the time of application | coating improves.
（（Ｄ）他の樹脂成分）
　第１の実施形態においては、前述の（Ａ）成分以外にも他の樹脂成分を含むことができる。
　このような樹脂成分としては、たとえば、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、前述の（Ａ）成分以外の（メタ）アクリル樹脂、マレイミド樹脂、アリルエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂等が挙げられる。
　（Ｄ）他の樹脂成分は、例えば、上述したように、（Ａ）（メタ）アクリル共重合体と反応する官能基を有していることが好ましい。これにより、ダイアタッチペーストの硬化収縮の程度を制御できる。なお、（Ａ）（メタ）アクリル共重合体と反応する官能基としては、炭素-炭素二重結合Ｃ＝Ｃを備える基；マレイミド環；エポキシ基などが挙げられる。
　（Ｄ）他の樹脂成分も、その配合組成に応じて、上述した（Ａ）成分と同様に重合、反応することができる。（Ｄ）他の樹脂成分の重合、反応による硬化収縮は、（Ａ）成分の重合、反応による硬化収縮と比べて小さい。したがって、（Ｄ）他の樹脂成分の含有量を調整することでダイアタッチペーストを適切に硬化収縮できるようになる。
　第１の実施形態においては、これらの中でも、（Ｄ１）アリルエステル樹脂または（Ｄ２）ポリカーボネート樹脂から選ばれる一成分以上を、ダイアタッチペーストに含有させることが好ましい。 ((D) Other resin components)
In 1st Embodiment, other resin components can be included besides the above-mentioned (A) component.
Examples of such resin components include cyanate resins, epoxy resins, (meth) acrylic resins other than the aforementioned component (A), maleimide resins, allyl ester resins, polycarbonate resins, and the like.
(D) It is preferable that the other resin component has a functional group that reacts with (A) (meth) acrylic copolymer, for example, as described above. Thereby, the degree of cure shrinkage of the die attach paste can be controlled. Examples of the functional group that reacts with the (A) (meth) acrylic copolymer include a group having a carbon-carbon double bond C = C; a maleimide ring; an epoxy group.
(D) Other resin components can also be polymerized and reacted in the same manner as the component (A) described above, depending on the composition. (D) Curing shrinkage due to polymerization and reaction of other resin components is smaller than curing shrinkage due to polymerization and reaction of component (A). Therefore, the die attach paste can be appropriately cured and contracted by adjusting the content of (D) the other resin component.
In the first embodiment, among these, it is preferable to contain one or more components selected from (D1) allyl ester resin or (D2) polycarbonate resin in the die attach paste.
　本明細書において、（Ｄ１）アリルエステル樹脂は、アリルアルコールと各種原料とのエステル交換反応によって得られる樹脂、または、この樹脂について化学的な修飾を施した樹脂を指す。
　この（Ｄ１）アリルエステル樹脂としては、脂肪族のものが好ましく、中でも最も好ましいのは、シクロヘキサンジアリルエステルと脂肪族ポリオールのエステル交換反応によって得られる化合物である。なお、（Ｄ１）アリルエステル樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、５００以上１００００以下が好ましく、特に５００以上８０００以下が好ましい。重量平均分子量が前記範囲内であると、硬化収縮を特に小さくすることができ、密着性の低下を防止することができる。
　このような（Ｄ１）アリルエステル樹脂としては、昭和電工株式会社製「ＤＡ１０１」等を用いることができる。 In this specification, (D1) allyl ester resin refers to a resin obtained by transesterification of allyl alcohol and various raw materials, or a resin obtained by chemically modifying this resin.
The (D1) allyl ester resin is preferably an aliphatic one, and most preferably a compound obtained by a transesterification reaction between a cyclohexane diallyl ester and an aliphatic polyol. In addition, although the weight average molecular weight of (D1) allyl ester resin is not specifically limited, 500 or more and 10,000 or less are preferable, and 500 or more and 8,000 or less are especially preferable. When the weight average molecular weight is within the above range, curing shrinkage can be particularly reduced, and deterioration of adhesion can be prevented.
As such (D1) allyl ester resin, “DA101” manufactured by Showa Denko KK and the like can be used.
　（Ｄ２）ポリカーボネート樹脂とは、カーボネート結合を有する樹脂であって、ヒドロキシ化合物またはこれと少量のポリヒドロキシ化合物をカーボネート前駆体と反応させることによって得られる重合体または共重合体である。
　第１の実施形態においては、１，４－シクロヘキサンジメタノール、１，６－ヘキサンジオール及び炭酸ジメチルを反応することにより得られるポリカーボネートジオール、または、このポリカーボネートジオールを（メタ）アクリル酸又はその誘導体と反応することにより得られる変性ポリカーボネート化合物を、（Ｄ２）ポリカーボネート樹脂として好ましく使用することができる。 (D2) The polycarbonate resin is a resin having a carbonate bond, and is a polymer or copolymer obtained by reacting a hydroxy compound or a small amount thereof with a carbonate precursor.
In the first embodiment, a polycarbonate diol obtained by reacting 1,4-cyclohexanedimethanol, 1,6-hexanediol and dimethyl carbonate, or this polycarbonate diol with (meth) acrylic acid or a derivative thereof. The modified polycarbonate compound obtained by reacting can be preferably used as (D2) polycarbonate resin.
　第１の実施形態のダイアタッチペースト中における（Ｄ）他の樹脂成分の含有量は、たとえばダイアタッチペースト全体に対して２質量％以上であることが好ましく、３質量％以上であることがより好ましく、５質量％以上であることがさらに好ましい。これにより、この樹脂に由来する所望の密着性を発揮させることができる。
　一方で、ダイアタッチペースト中における（Ｄ）他の樹脂成分の含有量は、たとえばダイアタッチペースト全体に対して２０質量％以下であることが好ましく、１５質量％以下であることがより好ましく、１２質量％以下であることがさらに好ましい。これにより、ペーストの粘性を小さくすることができ、塗布時の作業性をより良好なものとすることができる。 The content of (D) the other resin component in the die attach paste of the first embodiment is, for example, preferably 2% by mass or more and more preferably 3% by mass or more with respect to the entire die attach paste. Preferably, it is 5 mass% or more. Thereby, desired adhesiveness derived from this resin can be exhibited.
On the other hand, the content of (D) the other resin component in the die attach paste is, for example, preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, based on the entire die attach paste. More preferably, it is at most mass%. Thereby, the viscosity of a paste can be made small and workability | operativity at the time of application | coating can be made more favorable.
（（Ｅ）シランカップリング剤）
　第１の実施形態のダイアタッチペーストは、たとえば（Ｅ）シランカップリング剤を含むことができる。
　これにより、ダイアタッチペーストの基材に対する密着性をさらに向上させることができる。 ((E) Silane coupling agent)
The die attach paste of the first embodiment can include, for example, (E) a silane coupling agent.
Thereby, the adhesiveness with respect to the base material of a die attach paste can further be improved.
　（Ｅ）シランカップリング剤としては、たとえばエポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン、（メタ）アクリルシラン等の各種シラン系化合物を用いることができる。
　これらを例示すると、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β－メトキシエトキシ）シラン、γ－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（３－グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン）、γ－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ－メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ－メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、γ－アミノプロピルトリエトキシシラン、γ－アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ－アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ－［ビス（β－ヒドロキシエチル）］アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－β－（アミノエチル）－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－β－（アミノエチル）－γ－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－β－（アミノエチル）－γ－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ－フェニル－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、γ－（β－アミノエチル）アミノプロピルジメトキシメチルシラン、Ｎ－（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン、Ｎ－（ジメトキシメチルシリルイソプロピル）エチレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、Ｎ－β－（Ｎ－ビニルベンジルアミノエチル）－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、γ－クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラン、３－イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３－アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリル酸３－（トリメトキシシリル）プロピル、３－トリエトキシシリル－Ｎ－（１，３－ジメチルーブチリデン）プロピルアミン、またはこれらの加水分解物等のシラン系カップリング剤が挙げられる。これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　シランカップリング剤としては、例えば、（メタ）アクリル基を有するシランカップリング剤を含むことが好ましい。これにより、（Ｃ）充填剤と、ダイアタッチペーストとのなじみを向上させ、密着性を向上できる。 (E) As a silane coupling agent, for example, various silane compounds such as epoxy silane, mercapto silane, amino silane, alkyl silane, ureido silane, vinyl silane, and (meth) acryl silane can be used.
Examples include vinyltrichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris (β-methoxyethoxy) silane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxy. Silane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane (3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane), γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, γ-methacryloxypropylmethyldiethoxy Silane, γ-methacryloxypropyltriethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, phenylaminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-anilinopropyltrimethoxy Orchid, γ-anilinopropylmethyldimethoxysilane, γ- [bis (β-hydroxyethyl)] aminopropyltriethoxysilane, N-β- (aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β- ( Aminoethyl) -γ-aminopropyltriethoxysilane, N-β- (aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ- (β-aminoethyl) amino Propyldimethoxymethylsilane, N- (trimethoxysilylpropyl) ethylenediamine, N- (dimethoxymethylsilylisopropyl) ethylenediamine, methyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, methyltriethoxysilane, N-β- (N-vinylbenzylaminoethyl) ) -Γ-amino Propyltrimethoxysilane, γ-chloropropyltrimethoxysilane, hexamethyldisilane, vinyltrimethoxysilane, 3-isocyanatopropyltriethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, 3- (trimethoxysilyl) propyl methacrylate Silane coupling agents such as 3-triethoxysilyl-N- (1,3-dimethylbutylidene) propylamine, or a hydrolyzate thereof. These may be used individually by 1 type and may be used in combination of 2 or more type.
As a silane coupling agent, it is preferable that the silane coupling agent which has a (meth) acryl group is included, for example. Thereby, familiarity with (C) a filler and a die attach paste can be improved, and adhesiveness can be improved.
　第１の実施形態のダイアタッチペースト中における（Ｅ）シランカップリング剤の含有量は、たとえばダイアタッチペースト全体に対して０．０５質量％以上であることが好ましく、０．１質量％以上であることがより好ましく、０．１５質量％以上であることがさらに好ましい。これにより、ペーストとしての密着性をより向上させることができる。
　一方で、ダイアタッチペースト中における（Ｅ）シランカップリング剤の含有量は、たとえばダイアタッチペースト全体に対して５質量％以下であることが好ましく、３質量％以下であることがより好ましく、２質量％以下であることがさらに好ましい。これにより、未反応シランカップリング剤の硬化中の揮発量を減らし、ワイヤボンディングをより良好なものとすることができる。 The content of the (E) silane coupling agent in the die attach paste of the first embodiment is preferably 0.05% by mass or more, for example, 0.1% by mass or more with respect to the whole die attach paste. More preferably, it is more preferably 0.15% by mass or more. Thereby, the adhesiveness as a paste can be improved more.
On the other hand, the content of the (E) silane coupling agent in the die attach paste is, for example, preferably 5% by mass or less, more preferably 3% by mass or less, with respect to the entire die attach paste. More preferably, it is at most mass%. Thereby, the amount of volatilization during hardening of an unreacted silane coupling agent can be reduced, and wire bonding can be made better.
（（Ｆ）低応力剤）
　また、第１の実施形態のダイアタッチペーストは、（Ｆ）低応力剤を含むことができる。
　この（Ｆ）低応力剤は、第１の実施形態のダイアタッチペーストの応力を低減できるものであれば特に限定されないが、例えば、アクリルゴム、シリコーンゴム、ウレタンゴム、スチレンーブタジエンゴム、ブタジエンゴム、また、これらの変性体などが挙げられる。これらは、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。 ((F) Low stress agent)
In addition, the die attach paste of the first embodiment can include (F) a low stress agent.
The (F) low stress agent is not particularly limited as long as it can reduce the stress of the die attach paste of the first embodiment. For example, acrylic rubber, silicone rubber, urethane rubber, styrene-butadiene rubber, butadiene rubber Moreover, these modified bodies etc. are mentioned. These can be used alone or in combination of two or more.
　第１の実施形態のダイアタッチペースト中における（Ｆ）低応力剤の含有量は、たとえばダイアタッチペースト全体に対して０．５質量％以上であることが好ましく、０．８質量％以上であることがより好ましく、１質量％以上であることがさらに好ましい。これにより、第１の実施形態のダイアタッチペーストに適度な低応力性を付与し、耐リフロー性を向上させることができる。
　一方で、ダイアタッチペースト中における（Ｆ）低応力剤の含有量は、たとえばダイアタッチペースト全体に対して５質量％以下であることが好ましく、４質量％以下であることがより好ましく、３質量％以下であることがさらに好ましい。これにより、ペーストの粘性を小さくすることができ、塗布時の作業性をより良好なものとすることができる。 The content of the (F) low-stress agent in the die attach paste of the first embodiment is preferably 0.5% by mass or more, for example, 0.8% by mass or more with respect to the entire die attach paste. More preferably, the content is 1% by mass or more. Thereby, moderate low-stress property can be imparted to the die attach paste of the first embodiment, and reflow resistance can be improved.
On the other hand, the content of the (F) low-stress agent in the die attach paste is, for example, preferably 5% by mass or less, more preferably 4% by mass or less, based on the whole die attach paste. More preferably, it is% or less. Thereby, the viscosity of a paste can be made small and workability | operativity at the time of application | coating can be made more favorable.
　（Ｆ）低応力剤としては、（Ａ）（メタ）アクリル共重合体と反応する官能基を有することが好ましい。これにより、架橋構造に柔軟な構造を導入できる。したがって、界面応力を低減できる観点で好ましい。
　なお、（Ａ）（メタ）アクリル共重合体と反応する官能基としては、例えば、アクリル基、ビニル基、マレイミド環など炭素-炭素二重結合；エポキシ基；アミノ基、カルボキシル基、水酸基などが挙げられる。
　（Ｆ）低応力剤が、例えば、アクリル基、ビニル基、マレイミド環など炭素-炭素二重結合を備えることで、（Ａ）（メタ）アクリル共重合体と共にラジカル重合、イオン重合できる。
　また、（Ｆ）低応力剤が、例えば、エポキシ基を備えることで、（Ａ）（メタ）アクリル共重合体がアミノ基、カルボキシル基、水酸基などを備える場合に、反応することができる。
　また、（Ｆ）低応力剤が、例えば、アミノ基、カルボキシル基、水酸基を備えることで、（Ａ）（メタ）アクリル共重合体がエポキシ基などを備える場合に、反応することができる。 (F) The low stress agent preferably has a functional group that reacts with the (A) (meth) acrylic copolymer. Thereby, a flexible structure can be introduced into the crosslinked structure. Therefore, it is preferable from the viewpoint of reducing the interface stress.
Examples of the functional group that reacts with the (A) (meth) acrylic copolymer include a carbon-carbon double bond such as an acrylic group, a vinyl group, and a maleimide ring; an epoxy group; an amino group, a carboxyl group, and a hydroxyl group. Can be mentioned.
(F) The low stress agent can be radically polymerized or ionically polymerized together with the (A) (meth) acrylic copolymer by providing a carbon-carbon double bond such as an acryl group, a vinyl group or a maleimide ring.
In addition, the (F) low stress agent can be reacted when the (A) (meth) acrylic copolymer has an amino group, a carboxyl group, a hydroxyl group, or the like, for example, by including an epoxy group.
Moreover, when (F) a low stress agent is equipped with an amino group, a carboxyl group, and a hydroxyl group, for example, it can react when (A) (meth) acryl copolymer is equipped with an epoxy group.
（他の成分）
　第１の実施形態のダイアタッチペーストは、前述した成分以外にも、たとえば硬化剤、硬化促進剤、重合開始剤、重合禁止剤、消泡剤、界面活性剤等、公知の添加剤を含むことができる。
　これらの添加量は、付与する物性に応じ、任意に設定できる。
　以下、代表成分を説明する。 (Other ingredients)
In addition to the components described above, the die attach paste of the first embodiment includes known additives such as a curing agent, a curing accelerator, a polymerization initiator, a polymerization inhibitor, an antifoaming agent, and a surfactant. Can do.
These addition amounts can be arbitrarily set according to the physical properties to be imparted.
Hereinafter, representative components will be described.
（硬化促進剤）
　第１の実施形態に係るダイアタッチペーストは、例えば、（Ａ）（メタ）アクリル共重合体の有するエポキシ基が起こす硬化反応を促進させる硬化促進剤を含んでもよい。
　硬化促進剤としては、具体的には、有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物；ジシアンジアミド、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン－７、ベンジルジメチルアミン等のアミジンやアミン；上記アミジンまたは上記３級アミンの４級アンモニウム塩等の窒素原子含有化合物などが挙げられる。硬化促進剤としては、上記具体例のうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。 (Curing accelerator)
The die attach paste according to the first embodiment may include, for example, a curing accelerator that accelerates a curing reaction caused by an epoxy group of the (A) (meth) acrylic copolymer.
Specific examples of the curing accelerator include organic phosphines, tetra-substituted phosphonium compounds, phosphobetaine compounds, adducts of phosphine compounds and quinone compounds, phosphorus atom-containing compounds such as adducts of phosphonium compounds and silane compounds; dicyandiamide 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undecene-7, amidines and amines such as benzyldimethylamine, and nitrogen atom-containing compounds such as the above amidines or quaternary ammonium salts of the above tertiary amines. As a hardening accelerator, it can use 1 type or in combination of 2 or more types among the said specific examples.
（（Ｓ）溶剤）
　第１の実施形態に係るダイアタッチペーストは、必要に応じ（Ｓ）溶剤を含むことができる。これにより、ペーストの流動性を向上させ、作業性の向上に寄与することができる。なお、この（Ｓ）溶剤は、前述の各成分に該当しないものを指す。
　（Ｓ）溶剤は、とくに限定されないが、たとえばエチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール、ペンチルアルコール、ヘキシルアルコール、ヘプチルアルコール、オクチルアルコール、ノニルアルコール、デシルアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、メチルメトキシブタノール、α－ターピネオール、β－ターピネオール、へキシレングリコール、ベンジルアルコール、２－フェニルエチルアルコール、イゾパルミチルアルコール、イソステアリルアルコール、ラウリルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコールもしくはグリセリン等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール（４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン）、２－オクタノン、イソホロン（３、５、５－トリメチル－２－シクロヘキセン－１－オン）もしくはジイソブチルケトン（２、６－ジメチル－４－ヘプタノン）等のケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル、ジエチルフタレート、ジブチルフタレート、アセトキシエタン、酪酸メチル、ヘキサン酸メチル、オクタン酸メチル、デカン酸メチル、メチルセロソルブアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、１，２－ジアセトキシエタン、リン酸トリブチル、リン酸トリクレジルもしくはリン酸トリペンチル等のエステル類；テトラヒドロフラン、ジプロピルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、エトキシエチルエーテル、１，２－ビス（２－ジエトキシ）エタンもしくは１，２－ビス（２－メトキシエトキシ）エタン等のエーテル類；酢酸２－（２ブトキシエトキシ）エタン等のエステルエーテル類；２－(２－メトキシエトキシ)エタノール等のエーテルアルコール類、トルエン、キシレン、ｎ－パラフィン、イソパラフィン、ドデシルベンゼン、テレピン油、ケロシンもしくは軽油等の炭化水素類；アセトニトリルもしくはプロピオニトリル等のニトリル類；アセトアミドもしくはＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド等のアミド類；低分子量の揮発性シリコンオイル、または揮発性有機変成シリコンオイル等のシリコンオイル類から選択される一種または二種以上を含むことができる。 ((S) solvent)
The die attach paste according to the first embodiment can contain a solvent (S) as necessary. Thereby, the fluidity | liquidity of a paste can be improved and it can contribute to the improvement of workability | operativity. In addition, this (S) solvent points out what does not correspond to each above-mentioned component.
(S) The solvent is not particularly limited. For example, ethyl alcohol, propyl alcohol, butyl alcohol, pentyl alcohol, hexyl alcohol, heptyl alcohol, octyl alcohol, nonyl alcohol, decyl alcohol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, Ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, methylmethoxybutanol, α-terpineol, β-terpineol, hexylene glycol, benzyl Alcohol, 2-phenylethyl alcohol Alcohols such as isopalmityl alcohol, isostearyl alcohol, lauryl alcohol, ethylene glycol, propylene glycol or glycerine; acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, diacetone alcohol (4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone) ), 2-octanone, isophorone (3,5,5-trimethyl-2-cyclohexen-1-one) or diisobutyl ketone (2,6-dimethyl-4-heptanone); ethyl acetate, butyl acetate, diethyl Phthalate, dibutyl phthalate, acetoxyethane, methyl butyrate, methyl hexanoate, methyl octoate, methyl decanoate, methyl cellosolve acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate , Esters such as propylene glycol monomethyl ether acetate, 1,2-diacetoxyethane, tributyl phosphate, tricresyl phosphate or tripentyl phosphate; tetrahydrofuran, dipropyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol dibutyl ether , Ethers such as propylene glycol dimethyl ether, ethoxyethyl ether, 1,2-bis (2-diethoxy) ethane, or 1,2-bis (2-methoxyethoxy) ethane; esters such as 2- (2-butoxyethoxy) ethane acetate Ethers; ether alcohols such as 2- (2-methoxyethoxy) ethanol, toluene, xylene, n-paraffin, isoparaffin, dodecylbenzene, tele Hydrocarbons such as pin oil, kerosene or light oil; Nitriles such as acetonitrile or propionitrile; Amides such as acetamide or N, N-dimethylformamide; Low molecular weight volatile silicone oil or volatile organic modified silicone oil 1 type, or 2 or more types selected from silicone oils, such as these, can be included.
　第１の実施形態のダイアタッチペーストは前述した各成分を混合することにより得ることができる。
　たとえば、各成分を予備混合した後に、３本ロールを用いて混練し、さらに真空下で脱泡することにより調製することができる。 The die attach paste of the first embodiment can be obtained by mixing the components described above.
For example, after each component is premixed, it can be prepared by kneading using three rolls and further degassing under vacuum.
　第１の実施形態のダイアタッチペーストは、塗布性や作業性を向上させる観点から、その粘度が特定の範囲に制御されていることが好ましい。
　具体的に、第１の実施形態のダイアタッチペーストは、ブルックフィールド型粘度計を使用し、２５℃、５．０ｒｐｍの条件下測定した粘度が、３Ｐａ・ｓ以上３０Ｐａ・ｓ以下の範囲に設定されていることが好ましく、８Ｐａ・ｓ以上２８Ｐａ・ｓ以下の範囲に設定されていることがより好ましく、１０Ｐａ・ｓ以上２５Ｐａ・ｓ以下の範囲に設定されていることがさらに好ましい。
　なお、ダイアタッチペーストの粘度は、たとえば、ブルックフィールド型粘度計１．５度コーンを使用して、２５℃、５．０ｒｐｍの条件において測定することができる。 It is preferable that the viscosity of the die attach paste according to the first embodiment is controlled within a specific range from the viewpoint of improving applicability and workability.
Specifically, the die attach paste of the first embodiment uses a Brookfield viscometer, and the viscosity measured under conditions of 25 ° C. and 5.0 rpm is set in a range of 3 Pa · s to 30 Pa · s. It is preferable that it is set in the range of 8 Pa · s or more and 28 Pa · s or less, and it is more preferable that it is set in the range of 10 Pa · s or more and 25 Pa · s or less.
The viscosity of the die attach paste can be measured, for example, using a Brookfield viscometer 1.5 ° cone under the conditions of 25 ° C. and 5.0 rpm.
（半導体装置）
　次に、第１の実施形態に係る半導体装置の例について説明する。
　図１は、第１の実施形態に係る半導体装置１００を示す断面図である。第１の実施形態にかかる半導体装置１００は、基材３０と、ダイアタッチペーストの硬化物である接着層（ダイアタッチ層１０）を介して基材３０上に搭載された半導体素子２０と、を備えている。半導体素子２０と基材３０は、たとえばボンディングワイヤ４０等を介して電気的に接続される。また、半導体素子２０は、たとえば封止樹脂５０により封止される。ダイアタッチ層１０の膜厚は、とくに限定されないが、たとえば５μｍ以上１００μｍ以下である。 (Semiconductor device)
Next, an example of the semiconductor device according to the first embodiment will be described.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a semiconductor device 100 according to the first embodiment. The semiconductor device 100 according to the first embodiment includes a base material 30 and a semiconductor element 20 mounted on the base material 30 via an adhesive layer (die attach layer 10) that is a cured product of a die attach paste. I have. The semiconductor element 20 and the base material 30 are electrically connected through, for example, a bonding wire 40 or the like. Further, the semiconductor element 20 is sealed with, for example, a sealing resin 50. Although the film thickness of the die attach layer 10 is not specifically limited, For example, they are 5 micrometers or more and 100 micrometers or less.
　図１に示す例において、基材３０は、たとえばリードフレームである。この場合、半導体素子２０は、ダイパッド３２（基材３０）上にダイアタッチ層１０を介して搭載されることとなる。また、半導体素子２０は、たとえばボンディングワイヤ４０を介してアウターリード３４（基材３０）へ電気的に接続される。リードフレームである基材３０は、たとえば４２アロイ、Ｃｕフレームにより構成される。なお、基材３０は、有機基板や、セラミック基板であってもよい。有機基板としては、たとえばエポキシ樹脂、シアネート樹脂、マレイミド樹脂等を適用した当業者公知の基板が好適である。また、基材３０の表面は、ダイアタッチペーストとの接着性をよくするために、銀などにより被膜されていてもよい。 In the example shown in FIG. 1, the base material 30 is, for example, a lead frame. In this case, the semiconductor element 20 is mounted on the die pad 32 (base material 30) via the die attach layer 10. Moreover, the semiconductor element 20 is electrically connected to the outer lead 34 (base material 30) through the bonding wire 40, for example. The base material 30 which is a lead frame is composed of, for example, a 42 alloy, Cu frame. The base material 30 may be an organic substrate or a ceramic substrate. As the organic substrate, for example, a substrate known to those skilled in the art to which an epoxy resin, a cyanate resin, a maleimide resin or the like is applied is suitable. Further, the surface of the base material 30 may be coated with silver or the like in order to improve the adhesion with the die attach paste.
　半導体素子２０の平面形状は、とくに限定されないが、たとえば矩形である。第１の実施形態においては、たとえば０．５×０．５ｍｍ以上１５×１５ｍｍ以下のチップサイズを有する矩形状の半導体素子２０を採用することができる。
　第１の実施形態に係る半導体装置１００の一例としては、たとえば一辺が５ｍｍ以上の辺を有する矩形状の大チップを、半導体素子２０として用いたものを挙げることができる。 The planar shape of the semiconductor element 20 is not particularly limited, but is rectangular, for example. In the first embodiment, for example, a rectangular semiconductor element 20 having a chip size of 0.5 × 0.5 mm or more and 15 × 15 mm or less can be employed.
As an example of the semiconductor device 100 according to the first embodiment, for example, a semiconductor chip 20 using a rectangular large chip having sides of 5 mm or more can be cited.
　図２は、図１に示す半導体装置１００の変形例を示す断面図である。
　本変形例に係る半導体装置１００において、基材３０は、たとえばインターポーザである。インターポーザである基材３０のうち、半導体素子２０が搭載される一面と反対側の他面には、たとえば複数の半田ボール５２が形成される。この場合、半導体装置１００は、半田ボール５２を介して他の配線基板へ接続されることとなる。 FIG. 2 is a cross-sectional view showing a modification of the semiconductor device 100 shown in FIG.
In the semiconductor device 100 according to this modification, the base material 30 is, for example, an interposer. For example, a plurality of solder balls 52 are formed on the other surface of the base material 30 that is an interposer opposite to the one surface on which the semiconductor element 20 is mounted. In this case, the semiconductor device 100 is connected to another wiring board via the solder balls 52.
　第１の実施形態に係る半導体装置１００は、たとえば次のように製造することができる。まず、上述のダイアタッチペーストを介して、基材３０上に半導体素子２０を搭載する。次いで、ダイアタッチペーストを加熱する。これにより、基材３０と半導体素子２０とが連結され、半導体装置１００が製造されることとなる。
　以下、半導体装置１００の製造方法を詳細に説明する。 The semiconductor device 100 according to the first embodiment can be manufactured as follows, for example. First, the semiconductor element 20 is mounted on the base material 30 through the above-described die attach paste. Next, the die attach paste is heated. Thereby, the base material 30 and the semiconductor element 20 are connected, and the semiconductor device 100 is manufactured.
Hereinafter, a method for manufacturing the semiconductor device 100 will be described in detail.
　まず、上述のダイアタッチペーストを介して基材３０上に半導体素子２０を搭載する。第１の実施形態においては、たとえば基材３０上にダイアタッチペーストを塗布した後、ダイアタッチペーストからなる塗布膜上に半導体素子２０が搭載される。ダイアタッチペーストを塗布する方法としては、とくに限定されないが、たとえばディスペンシング、印刷法、およびインクジェット法が挙げられる。 First, the semiconductor element 20 is mounted on the base material 30 through the above-described die attach paste. In the first embodiment, for example, after applying a die attach paste on the substrate 30, the semiconductor element 20 is mounted on a coating film made of the die attach paste. The method for applying the die attach paste is not particularly limited, and examples thereof include dispensing, printing, and inkjet methods.
　次に、ダイアタッチペーストを熱処理し、含まれる樹脂成分を硬化させる。これにより、基材３０上にダイアタッチ層１０が形成されることとなる。第１の実施形態では、たとえばダイアタッチペーストに対して加圧しながら熱処理を行うことができる。
　この熱処理の温度条件は、ペーストの組成などに応じ、適宜設定することができる。 Next, the die attach paste is heat treated to cure the resin component contained therein. As a result, the die attach layer 10 is formed on the substrate 30. In the first embodiment, for example, heat treatment can be performed while pressurizing the die attach paste.
The temperature condition of this heat treatment can be appropriately set according to the paste composition and the like.
　次いで、半導体素子２０と基材３０を、ボンディングワイヤ４０を用いて電気的に接続する。次いで、半導体素子２０を封止樹脂５０により封止する。第１の実施形態においては、たとえばこのようにして半導体装置１００を製造することができる。 Next, the semiconductor element 20 and the base material 30 are electrically connected using the bonding wire 40. Next, the semiconductor element 20 is sealed with a sealing resin 50. In the first embodiment, for example, the semiconductor device 100 can be manufactured as described above.
　第１の実施形態においては、たとえば半導体装置に対して放熱板が接着されていてもよい。この場合、たとえばダイアタッチペーストを熱処理して得られる接着層を介して半導体装置に放熱板を接着することができる。
　放熱板の接着方法は、たとえば次のように行うことができる。まず、上述のダイアタッチペーストを介して、半導体装置に放熱板を接着する。次いで、ダイアタッチペーストを熱処理する。この場合のダイアタッチペーストに対する熱処理の条件についても、たとえば上述の半導体装置１００の製造方法における熱処理の条件と同様、ペーストの組成などに応じ、適宜設定することができる。これにより、放熱板を接着する接着層が形成されることとなる。このようにして、放熱板を半導体装置に接着することができる。 In the first embodiment, for example, a heat sink may be bonded to the semiconductor device. In this case, for example, the heat sink can be bonded to the semiconductor device via an adhesive layer obtained by heat-treating the die attach paste.
The heat sink can be bonded as follows, for example. First, a heat sink is bonded to the semiconductor device through the above-described die attach paste. Next, the die attach paste is heat-treated. The heat treatment conditions for the die attach paste in this case can be set as appropriate according to the paste composition and the like, for example, in the same manner as the heat treatment conditions in the method of manufacturing the semiconductor device 100 described above. Thereby, the contact bonding layer which adhere | attaches a heat sink will be formed. In this way, the heat sink can be bonded to the semiconductor device.
　なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。 It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and modifications, improvements, etc. within the scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention.
　以下、参考形態の例を付記する。
１．　（Ａ）末端に反応性基を備える（メタ）アクリル共重合体と、
　（Ｂ）（メタ）アクリルモノマーと、
　（Ｃ）充填剤と、
を含み、
　前記（Ａ）（メタ）アクリル共重合体の備える前記反応性基が、エポキシ基、アミノ基、ビニル基、カルボキシル基および水酸基から選ばれる１種以上の基であり、
　前記（Ａ）（メタ）アクリル共重合体の重量平均分子量が、２０００以上１４０００以下であり、
　前記（Ｃ）充填剤の体積基準の粒度分布における５０％累積時の粒径Ｄ５０が、０．３μｍ以上４．０μｍ以下である、ダイアタッチペースト。
２．　１．に記載のダイアタッチペーストであって、
　前記（Ｃ）充填剤が、銀粉、シリカ、アルミナまたはポリメチルシルセスキオキサンである、ダイアタッチペースト。
３．　１．または２．に記載のダイアタッチペーストであって、
　さらに（Ｄ１）アリルエステル樹脂を含む、ダイアタッチペースト。
４．　１．または２．に記載のダイアタッチペーストであって、
　さらに（Ｄ２）ポリカーボネート樹脂を含む、ダイアタッチペースト。
５．　１．ないし４．のいずれか一つに記載のダイアタッチペーストであって、
　さらに（Ｅ）シランカップリング剤を含む、ダイアタッチペースト。
６．　１．ないし５．のいずれか一つに記載のダイアタッチペーストであって、
　さらに（Ｆ）低応力剤を含む、ダイアタッチペースト。
７．　１．ないし６．のいずれか一つに記載のダイアタッチペーストであって、
　前記ダイアタッチペースト全体に対し、前記（Ｃ）充填剤を２５質量％以上９０質量％以下含む、ダイアタッチペースト。
８．　１．ないし７．のいずれか一つに記載のダイアタッチペーストであって、
　前記（Ｃ）充填剤は、球状またはフレーク状である、ダイアタッチペースト。
９．　１．ないし８．のいずれか一つに記載のダイアタッチペーストであって、
　前記（Ｃ）充填剤の体積基準の粒度分布における５０％累積時の粒径Ｄ５０に対する、前記（Ｃ）充填剤の体積基準の粒度分布における９０％累積時の粒径Ｄ９０の比（Ｄ５０／Ｄ９０）が、１．０５以上３．５以下である、ダイアタッチペースト。
１０．　１．ないし９．のいずれか一つに記載のダイアタッチペーストであって、
　ブルックフィールド型粘度計を使用し、２５℃、５．０ｒｐｍの条件下測定した当該ダイアタッチペースの粘度が３Ｐａ・ｓ以上３０Ｐａ・ｓ以下である、ダイアタッチペースト。
１１．　基材と、
　１．ないし１０．のいずれか一つに記載のダイアタッチペーストの熱処理体である接着層を介して前記基材上に搭載された半導体素子と、
を備える半導体装置。 Hereinafter, examples of the reference form will be added.
1. (A) a (meth) acrylic copolymer having a reactive group at the terminal;
(B) a (meth) acrylic monomer;
(C) a filler;
Including
The reactive group included in the (A) (meth) acrylic copolymer is one or more groups selected from an epoxy group, an amino group, a vinyl group, a carboxyl group, and a hydroxyl group,
The weight average molecular weight of the (A) (meth) acrylic copolymer is 2000 or more and 14000 or less,
The die attach paste having a particle size D 50 at 50% accumulation in the volume-based particle size distribution of the filler (C) of 0.3 μm or more and 4.0 μm or less.
2. 1. The die attach paste described in
The die attach paste, wherein the filler (C) is silver powder, silica, alumina, or polymethylsilsesquioxane.
3. 1. Or 2. The die attach paste described in
Further, (D1) a die attach paste containing an allyl ester resin.
4). 1. Or 2. The die attach paste described in
Further, (D2) a die attach paste containing a polycarbonate resin.
5). 1. Or 4. The die attach paste according to any one of
Further, (E) a die attach paste containing a silane coupling agent.
6). 1. Or 5. The die attach paste according to any one of
Further, (F) a die attach paste containing a low stress agent.
7). 1. Or 6. The die attach paste according to any one of
The die attach paste which contains 25 to 90 mass% of said (C) filler with respect to the said whole die attach paste.
8). 1. Or 7. The die attach paste according to any one of
The (C) filler is a die attach paste having a spherical shape or a flake shape.
9. 1. Or 8. The die attach paste according to any one of
The ratio (D) of the 90% cumulative particle size D 90 in the volume-based particle size distribution of the (C) filler to the 50% cumulative particle size D 50 in the volume-based particle size distribution of the (C) filler (D 50 / D 90) is 1.05 to 3.5, die attachment paste.
10. 1. Or 9. The die attach paste according to any one of
A die attach paste in which the viscosity of the die attach pace measured using a Brookfield viscometer under conditions of 25 ° C. and 5.0 rpm is 3 Pa · s to 30 Pa · s.
11. A substrate;
1. Or 10. A semiconductor element mounted on the substrate through an adhesive layer that is a heat treatment body of the die attach paste according to any one of
A semiconductor device comprising:
＜第２の実施形態＞
　以下に、第２の実施形態に係るダイアタッチペーストについて説明する。
　第２の実施形態によれば、銀粒子と、単量体と、主剤と、ラジカル重合開始剤と、を含むダイアタッチペーストであって、長さ１５．５ｍｍ×幅６．５ｍｍのＡｇめっきした銅フレーム上に、上記ダイアタッチペーストを、塗布厚みが３５±５μｍとなるように塗布し、次いで、長さ１５．０ｍｍ×幅６．０ｍｍ×厚さ０．２ｍｍのシリコンチップを上記ダイアタッチペースト上に配置して積層体を得て、上記積層体を２５℃から１７５℃まで３０分間かけて昇温し、さらに１７５℃で５時間熱処理することで硬化体を得て、上記硬化体を、２７５℃で１分間熱処理した時の反り量をＷ１とし、上記硬化体を、温度８５℃、湿度８５％で１６８時間吸湿させた後、２７５℃で１分間熱処理した時の反り量をＷ２としたときの、｜Ｗ２－Ｗ１｜が２０μｍ以下である、ダイアタッチペーストが提供される。ただし、反り量とは、上記シリコンチップの面内方向において対角に位置する任意の２頂点を結んだ対角線から、上記対角線と垂直方向において、上記シリコンチップが存在する位置までの距離の最大値を示す。
　ここで、第１の実施形態における（Ｃ）充填剤のＡｇ粉（銀粉）は、第２の実施形態における銀粒子を意味する。
　また、第１の実施形態における（Ｂ）（メタ）アクリルモノマーは、第２の実施形態におけるアクリルモノマーを意味する。
　また、第１の実施形態における（Ａ）反応性基を備える（メタ）アクリル共重合体、または、（Ｄ）他の樹脂成分は、第２の実施形態における主剤を意味する。
　また、第１の実施形態における重合開始剤は、第２の実施形態におけるラジカル重合開始剤を意味する。 <Second Embodiment>
The die attach paste according to the second embodiment will be described below.
According to the second embodiment, the die attach paste includes silver particles, a monomer, a main agent, and a radical polymerization initiator, and is Ag-plated with a length of 15.5 mm and a width of 6.5 mm. The die attach paste is applied onto a copper frame so that the coating thickness is 35 ± 5 μm, and then a silicon chip having a length of 15.0 mm × width of 6.0 mm × thickness of 0.2 mm is applied to the die attach paste. Arranged on top to obtain a laminate, the laminate was heated from 25 ° C. to 175 ° C. over 30 minutes, and further heat treated at 175 ° C. for 5 hours to obtain a cured product. The amount of warpage when heat-treated at 275 ° C. for 1 minute was defined as W1, and the cured body was absorbed for 168 hours at a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85%, and then the amount of warpage when heat-treated at 275 ° C. for 1 minute was defined as W2. When | W2-W1 | A die attach paste having a size of 0 μm or less is provided. However, the warpage amount is the maximum value of the distance from the diagonal line connecting any two vertices located diagonally in the in-plane direction of the silicon chip to the position where the silicon chip exists in the direction perpendicular to the diagonal line. Indicates.
Here, (C) Ag powder (silver powder) of the filler in the first embodiment means silver particles in the second embodiment.
The (B) (meth) acrylic monomer in the first embodiment means the acrylic monomer in the second embodiment.
Moreover, (A) (meth) acrylic copolymer provided with a reactive group in 1st Embodiment, or (D) other resin component means the main ingredient in 2nd Embodiment.
Moreover, the polymerization initiator in 1st Embodiment means the radical polymerization initiator in 2nd Embodiment.
　従来のダイアタッチペーストの分野において、実装時の半導体装置の反りの原因は、熱処理によってダイアタッチペーストに生じる内部応力と考えられていた。従来の技術水準では、内部応力は、熱処理温度などの熱による影響が大きいと考えられており、ダイアタッチペーストの硬化物の吸湿までは考慮されていなかった。
　なお、第２の実施形態において、硬化物とは、熱処理によって硬化したダイアタッチペーストを示す。ここで、熱処理の条件としては、例えば、２５℃の室温から、温度１００℃以上３００℃以下まで、１０分間から２時間かけて昇温し、さらに、昇温後の温度で、１０分間から２時間熱処理するように設定できる。 In the field of conventional die attach paste, the cause of the warp of the semiconductor device during mounting was considered to be internal stress generated in the die attach paste by heat treatment. In the conventional technical level, the internal stress is considered to be greatly influenced by heat such as the heat treatment temperature, and the moisture absorption of the cured product of the die attach paste has not been considered.
In addition, in 2nd Embodiment, hardened | cured material shows the die attach paste hardened | cured by heat processing. Here, as the conditions for the heat treatment, for example, the temperature is raised from a room temperature of 25 ° C. to a temperature of 100 ° C. or more and 300 ° C. or less over 10 minutes to 2 hours. Can be set to heat treatment for hours.
　本発明者らは、従来のダイアタッチペーストを用いて作製した半導体装置について、実装時の熱処理条件が同じにもかかわらず、半導体装置の反りの程度が異なる原因について検討した。その結果、ダイアタッチペーストの硬化物の吸湿が、半導体装置の反りに寄与することを知見した。具体的には、ダイアタッチペーストの硬化物が吸湿する場合、吸湿しない場合と比べて、熱処理による反りが著しく小さくなることが判明した。詳細なメカニズムは定かではないが、この理由は、ダイアタッチペーストの硬化物が吸湿によって膨潤し、熱処理によって生じる内部応力を緩和するためと推測される。 The inventors of the present invention have examined the causes of differences in the degree of warping of a semiconductor device manufactured using a conventional die attach paste, despite the same heat treatment conditions during mounting. As a result, it was found that the moisture absorption of the cured product of the die attach paste contributes to the warp of the semiconductor device. Specifically, it has been found that when the cured product of the die attach paste absorbs moisture, the warp due to heat treatment becomes significantly smaller than when it does not absorb moisture. Although the detailed mechanism is not clear, it is speculated that the reason is that the cured product of the die attach paste swells due to moisture absorption and relieves internal stress caused by heat treatment.
　しかしながら、半導体装置の実装工程、半導体装置の使用条件を考えると、ダイアタッチペーストの吸湿を完全に防ぐことは困難である。そこで、本発明者らは、ダイアタッチペーストの硬化物を吸湿させない場合の半導体装置の反りと、吸湿させた場合の半導体装置の反りとの差の絶対値を後述する特定の数値範囲内とすることを考えた。これにより、ダイアタッチペーストの硬化物が吸湿によって膨潤し、反り量が大きく低減することを抑制し、半導体装置の実装信頼性を向上できるダイアタッチペーストを提供するものである。 However, considering the mounting process of the semiconductor device and the use conditions of the semiconductor device, it is difficult to completely prevent moisture absorption of the die attach paste. Therefore, the present inventors set the absolute value of the difference between the warp of the semiconductor device when the cured product of the die attach paste does not absorb moisture and the warp of the semiconductor device when absorbed is within a specific numerical range described later. I thought. Accordingly, it is possible to provide a die attach paste that can suppress the hardened material of the die attach paste from swelling due to moisture absorption and greatly reducing the amount of warpage, thereby improving the mounting reliability of the semiconductor device.
　まず、第２の実施形態に係るダイアタッチペーストの各原料成分について説明する。 First, each raw material component of the die attach paste according to the second embodiment will be described.
（銀粒子）
　第２の実施形態に係るダイアタッチペーストは、銀粒子を含む。
　第２の実施形態に係るダイアタッチペーストは、後述する単量体、主剤の硬化収縮によって銀粒子を凝集させることで、硬化時に優れた熱伝導性を発揮するものである。 (Silver particles)
The die attach paste according to the second embodiment includes silver particles.
The die attach paste according to the second embodiment exhibits excellent thermal conductivity at the time of curing by aggregating silver particles by curing shrinkage of a monomer and a main agent described later.
　銀粒子の形状としては限定されず、フレーク形状または球形状であってもよい。銀粒子としては、フレーク形状または球形状のものを単独で用いてもよく、フレーク形状及び球形状のものを併用してもよい。 The shape of the silver particles is not limited, and may be a flake shape or a spherical shape. As a silver particle, a flake shape or a spherical shape may be used independently, and a flake shape and a spherical shape may be used together.
　銀粒子のアスペクト比の上限値としては、例えば、２０以下であることが好ましく、１５以下であることがより好ましく、１２以下であることが更に好ましい。これにより、銀粒子が異方性を持って分散することを抑制できる。これにより、ダイアタッチペーストの硬化物が吸湿した場合に、内部応力の緩和に異方性が生じることを抑制できる。
　また、銀粒子のアスペクト比の下限値としては、例えば、１．００以上としてもよく、１．０５以上としてもよい。
　なお、第２の実施形態において、銀粒子のアスペクト比とは、銀粒子の（長径）／（短径）によって求められる。銀粒子の長径、短径は、例えば、走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＳＥＭ）、透過型電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＴＥＭ）による直接観察によって評価できる。以下に、走査型電子顕微鏡を用いた評価方法について説明する。まず、走査型電子顕微鏡の試料台に銀粒子を固着させ、粒子が１つだけ視野に入る最大限まで観察倍率を高くして、形状を観察し、銀粒子の観察面積の最も大きな面の方向から観察する。次に、試料台を回転させて、銀粒子の観察面積の最も小さな面から観察する。上記観察において、銀粒子の観察面積の最も大きな面について、銀粒子の存在する領域の任意の２点を結ぶ直線について、該直線の最大の長さを銀粒子の「長径」と定義する。また、銀粒子の観察面積の最も小さな面について、２本の平行線が最も近接して且つ銀粒子を挟み込むようにして引いたその平行線の間隔を「短径」と定義する。この操作を、任意に抽出した１００個の銀粒子に対して行ない、平均値を算出することでアスペクト比を求める。 The upper limit of the aspect ratio of the silver particles is, for example, preferably 20 or less, more preferably 15 or less, and still more preferably 12 or less. Thereby, it can suppress that silver particles disperse | distribute with anisotropy. Thereby, when the hardened | cured material of a die attach paste absorbs moisture, it can suppress that anisotropy arises in relaxation of an internal stress.
The lower limit of the aspect ratio of the silver particles may be, for example, 1.00 or more, or 1.05 or more.
In the second embodiment, the aspect ratio of silver particles is determined by (major axis) / (minor axis) of silver particles. The major axis and minor axis of the silver particles can be evaluated by direct observation with, for example, a scanning electron microscope (SEM) or a transmission electron microscope (TEM). Below, the evaluation method using a scanning electron microscope is demonstrated. First, the silver particles are fixed on the sample stage of the scanning electron microscope, the observation magnification is increased to the maximum so that only one particle enters the field of view, the shape is observed, and the direction of the surface having the largest observation area of the silver particles Observe from. Next, the sample stage is rotated to observe from the surface having the smallest observation area of the silver particles. In the above observation, regarding the surface having the largest observation area of silver particles, the maximum length of the straight line connecting two arbitrary points in the region where the silver particles exist is defined as the “major axis” of the silver particles. Further, the interval between the parallel lines drawn with the two parallel lines closest to each other and sandwiching the silver particles with respect to the surface having the smallest observation area of the silver particles is defined as “minor axis”. This operation is performed on 100 arbitrarily extracted silver particles, and the average value is calculated to obtain the aspect ratio.
　銀粒子のタップ密度の上限値としては、例えば、１０．０ｇ/ｃｍ３以下であることが好ましく、８．０ｇ/ｃｍ３以下であることがより好ましく、６．０ｇ/ｃｍ３以下であることが更に好ましく、５．４ｇ/ｃｍ３以下であることが一層好ましい。これにより、ダイアタッチペーストの硬化物中の銀粒子の疎密が生じることを抑制できる。したがって、吸湿前後において、局所的に反りが大きくなることを抑制できる。
　また、銀粒子のタップ密度の下限値としては、例えば、２．５ｇ/ｃｍ３以上であることが好ましく、３．０ｇ/ｃｍ３以上であることがより好ましく、３．２ｇ/ｃｍ３以上であることが更に好ましい。これにより、銀粒子を高充填し、ダイアタッチペーストの硬化物の放熱性を向上させることができる。 The upper limit of the tap density of the silver particles is, for example, preferably 10.0 g / cm 3 or less, more preferably 8.0 g / cm 3 or less, and 6.0 g / cm 3 or less. Is more preferably 5.4 g / cm 3 or less. Thereby, it can suppress that the density of the silver particle in the hardened | cured material of a die attach paste arises. Therefore, it is possible to suppress a local increase in warpage before and after moisture absorption.
Further, the lower limit of the tap density of the silver particles is preferably, for example, 2.5 g / cm 3 or more, more preferably 3.0 g / cm 3 or more, and 3.2 g / cm 3 or more. More preferably it is. Thereby, silver particle can be highly filled and the heat dissipation of the hardened | cured material of a die attach paste can be improved.
　銀粒子の体積基準粒度分布の累積頻度が５０％となる粒径Ｄ５０の上限値としては、例えば、２０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下であることがより好ましい。これにより、粗大な銀粒子が低減することで、ダイアタッチペーストの硬化物中の銀粒子の疎密が生じることを抑制できる。したがって、吸湿前後において、局所的に反りが大きくなることを抑制できる。
　また、銀粒子の体積基準粒度分布の累積頻度が５０％となる粒径Ｄ５０の下限値としては、例えば、０．１μｍ以上としてもよく、０．５μｍ以上としてもよい。
　なお、銀粒子のＤ５０は、例えば、市販のレーザー回折式粒度分布測定装置（例えば、島津製作所社製、ＳＡＬＤ－７０００）を用いて粒子の粒度分布を体積基準で測定し、その累積５０％粒径によって求めることができる。 The upper limit of the particle diameter D 50 of the cumulative frequency of volume-based particle size distribution of the silver particles is 50%, for example, preferably at 20μm or less, more preferably 10μm or less. Thereby, it can suppress that the coarseness of the silver particle in the hardened | cured material of a die attach paste arises because coarse silver particle reduces. Therefore, it is possible to suppress a local increase in warpage before and after moisture absorption.
The lower limit value of the particle diameter D 50 of the cumulative frequency of volume-based particle size distribution of the silver particles is 50%, for example, may be a more 0.1 [mu] m, may be more than 0.5 [mu] m.
The D 50 of the silver particles is determined by measuring the particle size distribution of the particles on a volume basis using, for example, a commercially available laser diffraction particle size distribution measuring apparatus (for example, SALD-7000, manufactured by Shimadzu Corporation). It can be determined by the particle size.
　銀粒子の平均粒径の上限値としては、例えば、２０μｍ以下であることが好ましく、１５μｍ以下であることがより好ましく、１２μｍ以下であることが更に好ましい。これにより、粗大な銀粒子が低減することで、ダイアタッチペーストの硬化物中の銀粒子の疎密が生じることを抑制できる。したがって、吸湿前後において、局所的に反りが大きくなることを抑制できる。
　また、銀粒子の平均粒径の下限値としては、例えば、０．１μｍ以上としてもよく、０．５μｍ以上としてもよく、１．０μｍ以上としてもよい。これにより、小さい銀粒子が単量体、主剤を全く介さずに凝集することを抑制し、ダイアタッチペーストの密着力を向上できる点で都合がよい。 The upper limit value of the average particle diameter of the silver particles is, for example, preferably 20 μm or less, more preferably 15 μm or less, and further preferably 12 μm or less. Thereby, it can suppress that the coarseness of the silver particle in the hardened | cured material of a die attach paste arises because coarse silver particle reduces. Therefore, it is possible to suppress a local increase in warpage before and after moisture absorption.
Moreover, as a lower limit of the average particle diameter of silver particle, for example, it may be 0.1 μm or more, 0.5 μm or more, or 1.0 μm or more. This is advantageous in that small silver particles can be prevented from aggregating without any monomer and main agent, and the adhesion of the die attach paste can be improved.
　銀粒子の比表面積の下限値としては、例えば、０．１０ｍ２／ｇ以上であることが好ましく、０．２０ｍ２／ｇ以上であることがより好ましく、０．２５ｍ２／ｇ以上であることが更に好ましい。これにより、単量体、主剤の硬化収縮によって、銀粒子に対して適切な凝集力が作用する。これにより、ダイアタッチペーストの硬化物を用いた半導体装置の実装信頼性を向上できる、
　また、銀粒子の比表面積の上限値としては、例えば、１．５０ｍ２／ｇ以下としてもよく、１．４０ｍ２／ｇ以下としてもよい。 It A lower limit of the specific surface area of the silver particles, for example, is preferably 0.10 m 2 / g or more, more preferably 0.20 m 2 / g or more and 0.25 m 2 / g or more Is more preferable. Thereby, an appropriate cohesive force acts on the silver particles due to curing shrinkage of the monomer and the main agent. Thereby, the mounting reliability of the semiconductor device using the cured product of the die attach paste can be improved.
Moreover, as an upper limit of the specific surface area of a silver particle, it is good also as 1.50 m < 2 > / g or less, for example, and good also as 1.40 m < 2 > / g or less.
　ダイアタッチペースト中の銀粒子の含有量の下限値としては、ダイアタッチペースト１００質量部に対して、例えば、５０質量部以上であることが好ましく、６０質量部以上であることがより好ましく、６５質量部以上であることが更に好ましく、７０質量部以上であることが一層好ましい。これにより、ダイアタッチペーストの硬化物は好適な熱伝導性を発現できる。
　また、ダイアタッチペースト中の銀粒子の含有量の上限値としては、ダイアタッチペースト１００質量部に対して、例えば、９０質量％以下でもよく、８８質量％以下でもよい。 The lower limit of the content of silver particles in the die attach paste is, for example, preferably 50 parts by mass or more, more preferably 60 parts by mass or more, with respect to 100 parts by mass of the die attach paste. The amount is more preferably at least part by mass, and even more preferably at least 70 parts by mass. Thereby, the hardened | cured material of die attach paste can express suitable thermal conductivity.
Moreover, as an upper limit of content of the silver particle in a die attach paste, 90 mass% or less may be sufficient with respect to 100 mass parts of die attach paste, and 88 mass% or less may be sufficient as it.
（単量体）
　第２の実施形態に係るダイアタッチペーストは、単量体の硬化によって大きく硬化収縮する。これにより、ダイアタッチペーストは、銀粒子を大きく凝集させ、高い熱伝導度を発揮することができる。
　このような単量体としては、具体的には、アクリルモノマー、エポキシモノマー、マレイミドモノマーなどを挙げることができる。
　アクリルモノマー、マレイミドモノマーは、後述するラジカル重合開始剤により重合し、硬化収縮することができる。エポキシモノマーは、後述する硬化剤と反応し、硬化収縮することができる。
　単量体としては、上記具体例のうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。単量体としては、上記具体例のうち、アクリルモノマーまたはエポキシモノマーを用いることが好ましい。これにより、ダイアタッチペーストが銀粒子を含んでいても、金属以外の材料に対する接着力を好適に発現でき、さらに、硬化収縮によって熱伝導性をより向上できる。 (Monomer)
The die attach paste according to the second embodiment is largely cured and contracted by the curing of the monomer. Thereby, the die attach paste can agglomerate silver particles greatly and can exhibit high thermal conductivity.
Specific examples of such a monomer include an acrylic monomer, an epoxy monomer, and a maleimide monomer.
The acrylic monomer and the maleimide monomer can be polymerized by a radical polymerization initiator described later and can be cured and contracted. The epoxy monomer reacts with the curing agent described later and can cure and shrink.
As the monomer, one or more of the above specific examples can be used in combination. Among the above specific examples, it is preferable to use an acrylic monomer or an epoxy monomer as the monomer. Thereby, even if the die attach paste contains silver particles, an adhesive force to a material other than a metal can be suitably expressed, and furthermore, thermal conductivity can be further improved by curing shrinkage.
〔アクリルモノマー〕
　第２の実施形態に係るアクリルモノマーは、その構造中に（メタ）アクリル基を備えるモノマーである。ここで、（メタ）アクリル基とは、アクリル基及びメタアクリル基（メタクリレート基）を示す。
　第２の実施形態に係るアクリルモノマーは、その構造中に（メタ）アクリル基を１つのみ備える単官能アクリルモノマーであってもよいし、その構造中に（メタ）アクリル基を２つ以上備える多官能アクリルモノマーであってもよい。
　なお、第２の実施形態において、アクリル基は、アクリレート基を含む。 [Acrylic monomer]
The acrylic monomer which concerns on 2nd Embodiment is a monomer provided with the (meth) acryl group in the structure. Here, the (meth) acryl group refers to an acryl group and a methacryl group (methacrylate group).
The acrylic monomer according to the second embodiment may be a monofunctional acrylic monomer having only one (meth) acryl group in its structure, or having two or more (meth) acryl groups in its structure. A polyfunctional acrylic monomer may be used.
In the second embodiment, the acrylic group includes an acrylate group.
　単官能アクリルモノマーとしては、具体的には、２－フェノキシエチルメタクリレート、エチルメタクリレート、ｎ－ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、ｔｅｒｔ－ブチルメタクリレート、イソアミルアクリレート、２－エチルヘキシルメタクリレート、イソデシルメタクリレート、ｎ－ラウリルアクリレート、ｎ－ラウリルメタクリレート、ｎ－トリデシルメタクリレート、ｎ－ステアリルアクリレート、ｎ－ステアリルメタクリレート、イソステアリルアクリレート、エトキシジエチレングリコールアクリレート、ブトキシジエチレングリコールメタクリレート、メトキシトリエチレングルコールアクリレート、２－エチルヘキシルジエチレングリコールアクリレート、メトキシポリエチレングリコールアクリレート、メトキシポリエチレングリコールメタクリレート、メトキシジプロピレングリコールアクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、フェノキシエチルアクリレート、フェノキシエチルメタクリレート、フェノキシジエチレングリコールアクリレート、フェノキシポリエチレングリコールアクリレート、ノニルフェノールエチレンオキシド変性アクリレート、フェニルフェノールエチレンオキシド変性アクリレート、イソボルニルアクリレート、イソボルニルメタクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジエチルアミノエチルメタクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート四級化物、グリシジルメタクリレート、ネオペンチルグリコールアクリル酸安息香酸エステル、１，４－シクロヘキサンジメタノールモノアクリレート、２－ヒドロキシエチルアクリレート、２－ヒドロキシエチルメタクリレート、２－ヒドロキシプロピルアクリレート、２－ヒドロキシプロピルメタクリレート、２－ヒドロキシブチルアクリレート、２－ヒドロキシブチルメタクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピルアクリレート、２－アクリロイロキシエチルコハク酸、２－メタクリロイロキシエチルコハク酸、２－アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸、２－メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸、２－アクリロイルオキシエチルフタル酸、２－アクリロイルオキシエチル－２－ヒドロキシエチルフタル酸、２－アクリロイルオキシエチルアシッドフォスフェート、および２－メタクロイロキシエチルアシッドホスフェートなどを挙げることができる。単官能アクリルモノマーとしては、上記具体例のうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
　単官能アクリルモノマーとしては、上記具体例のうち、２－フェノキシエチルメタクリレート、２－エチルヘキシルメタクリレート、２－ヒドロキシプロピルメタクリレート、１，４－シクロヘキサンジメタノールモノアクリレート及び２－メタクリロイロキシエチルコハク酸からなる群より選択される１種以上を用いることが好ましい。これにより、アクリルモノマーが好適に重合し、ダイアタッチペーストがより硬化収縮する事ができる。 Specific examples of the monofunctional acrylic monomer include 2-phenoxyethyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, isobutyl methacrylate, tert-butyl methacrylate, isoamyl acrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, isodecyl methacrylate, and n-lauryl acrylate. , N-lauryl methacrylate, n-tridecyl methacrylate, n-stearyl acrylate, n-stearyl methacrylate, isostearyl acrylate, ethoxydiethylene glycol acrylate, butoxydiethylene glycol methacrylate, methoxytriethylene glycol acrylate, 2-ethylhexyl diethylene glycol acrylate, methoxypolyethylene glycol Acrylate, Toxipolyethylene glycol methacrylate, methoxydipropylene glycol acrylate, cyclohexyl methacrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, benzyl methacrylate, phenoxyethyl acrylate, phenoxyethyl methacrylate, phenoxydiethylene glycol acrylate, phenoxy polyethylene glycol acrylate, nonylphenol ethylene oxide modified acrylate, phenyl Phenol ethylene oxide modified acrylate, isobornyl acrylate, isobornyl methacrylate, dimethylaminoethyl methacrylate, diethylaminoethyl methacrylate, dimethylaminoethyl methacrylate quaternized product, glycidyl methacrylate Neopentyl glycol acrylic acid benzoate, 1,4-cyclohexanedimethanol monoacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, 2-hydroxybutyl acrylate, 2 -Hydroxybutyl methacrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate, 2-acryloyloxyethyl succinic acid, 2-methacryloyloxyethyl succinic acid, 2-acryloyloxyethyl hexahydrophthalic acid, 2-methacryloyloxyethyl hexahydro Phthalic acid, 2-acryloyloxyethylphthalic acid, 2-acryloyloxyethyl-2-hydroxyethylphthalic acid, 2-acryloyloxye Examples thereof include tilacid phosphate and 2-methacryloylethyl acid phosphate. As a monofunctional acrylic monomer, it can use 1 type or in combination of 2 or more types among the said specific examples.
The monofunctional acrylic monomer includes 2-phenoxyethyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, 1,4-cyclohexanedimethanol monoacrylate and 2-methacryloyloxyethyl succinic acid among the above specific examples. It is preferable to use one or more selected from the group. Thereby, the acrylic monomer is suitably polymerized, and the die attach paste can be further cured and shrunk.
　多官能アクリルモノマーとしては、具体的には、エチレングリコールジメタクリレート、グリセリンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、プロポキシ化ビスフェノールＡジアクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ヘキサン－１，６－ジオールビス（２－メチルアクリレート）、４，４'－イソプロピリデンジフェノールジ（メタ）アクリレート、１，３－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６－ビス（（メタ）アクリロイルオキシ）－２，２，３，３，４，４，５，５－オクタフルオロヘキサン、１，４－ビス（（メタ）アクリロイルオキシ）ブタン、１，６－ビス（（メタ）アクリロイルオキシ）ヘキサン、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ'－ジ（メタ）アクリロイルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ'－（１，２－ジヒドロキシエチレン）ビス（メタ）アクリルアミド、又は１，４－ビス（（メタ）アクリロイル）ピペラジン、ポリカーボネートジオールベースジメタクリレート、１．６－ヘキサンジオールジメタクリレート、トリス（２－ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリアクリレートなどが挙げられる。
　多官能アクリルモノマーとしては、上記具体例のうち、エチレングリコールジメタクリレート、グリセリンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、プロポキシ化ビスフェノールＡジアクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリカーボネートジオールベースジメタクリレート、１．６－ヘキサンジオールジメタクリレート及びトリス（２－ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリアクリレートからなる群より選択される１種以上を用いることが好ましい。
　なお、第２の実施形態において、（メタ）アクリレートとは、メタアクリレート及びアクリレートを示す。 Specific examples of the polyfunctional acrylic monomer include ethylene glycol dimethacrylate, glycerin dimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, propoxylated bisphenol A diacrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, hexane-1,6-diol bis ( 2-methyl acrylate), 4,4′-isopropylidene diphenol di (meth) acrylate, 1,3-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-bis ((meth) acryloyloxy) -2,2, 3,3,4,4,5,5-octafluorohexane, 1,4-bis ((meth) acryloyloxy) butane, 1,6-bis ((meth) acryloyloxy) hexane, triethylene glycol di (meth) ) Acrylate, Neopentyling Recall di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, N, N'-di (meth) acryloylethylenediamine, N, N '-(1,2-dihydroxyethylene) bis (meth) acrylamide, or 1,4 -Bis ((meth) acryloyl) piperazine, polycarbonate diol-based dimethacrylate, 1.6-hexanediol dimethacrylate, tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate triacrylate and the like.
Among the above specific examples, the polyfunctional acrylic monomer includes ethylene glycol dimethacrylate, glycerin dimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, propoxylated bisphenol A diacrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, polycarbonate diol-based dimethacrylate, 1 It is preferable to use one or more selected from the group consisting of .6-hexanediol dimethacrylate and tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate triacrylate.
In the second embodiment, (meth) acrylate refers to methacrylate and acrylate.
　ダイアタッチペースト中のアクリルモノマーの含有量の下限値は、ダイアタッチペースト１００質量部に対して、例えば、１．０質量部以上であることが好ましく、３．０質量部以上であることがより好ましく、５．０質量部以上であることが更に好ましく、５．８質量部以上であることが一層好ましい。これにより、ダイアタッチペーストを硬化する際に、より硬化収縮させることができる。したがって、ダイアタッチペーストの硬化物の熱伝導性を向上できる観点から好ましい。
　ダイアタッチペースト中のアクリルモノマーの含有量の上限値は、ダイアタッチペースト１００質量部に対して、例えば、３０質量部以下であることが好ましく、２０質量部以下であることがより好ましく、１５質量部以下であることが更に好ましく、１２質量部以下であることが一層好ましい。これにより、ダイアタッチペーストの硬化物が吸湿できる水分の絶対量を低減することができる。したがって、ダイアタッチペーストの硬化物が吸湿することで膨潤し、ダイアタッチペーストの硬化物の吸湿後の反り量が、吸湿しない場合と比べて、著しく小さくなることを抑制できる。 The lower limit of the acrylic monomer content in the die attach paste is, for example, preferably 1.0 part by mass or more and more preferably 3.0 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the die attach paste. Preferably, it is 5.0 parts by mass or more, and more preferably 5.8 parts by mass or more. Accordingly, when the die attach paste is cured, it can be further cured and contracted. Therefore, it is preferable from the viewpoint of improving the thermal conductivity of the cured product of the die attach paste.
The upper limit of the acrylic monomer content in the die attach paste is, for example, preferably 30 parts by mass or less, more preferably 20 parts by mass or less, with respect to 100 parts by mass of the die attach paste. More preferably, it is more preferably 12 parts by mass or less. Thereby, the absolute amount of moisture that can be absorbed by the cured product of the die attach paste can be reduced. Therefore, it can suppress that the hardened | cured material of a die attach paste swells by absorbing moisture, and the curvature amount after the moisture absorption of the hardened | cured material of a die attach paste becomes remarkably small compared with the case where it does not absorb moisture.
　アクリルモノマーとしては、単官能アクリルモノマーまたは多官能アクリルモノマーを単独で用いてもよいし、単官能アクリルモノマー及び多官能アクリルモノマーを併用してもよい。アクリルモノマーとしては、例えば、単官能アクリルモノマー及び多官能アクリルモノマーを併用することが好ましい。
　アクリルモノマーとして、単官能アクリルモノマー及び多官能アクリルモノマーを併用する場合、ダイアタッチペースト中の単官能アクリルモノマーの含有量の下限値は、多官能アクリルモノマー１００質量部に対して、例えば、１５０質量部以上であることが好ましく、２００質量部以上であることがより好ましく、２５０質量部以上であることが更に好ましい。これにより、単量体が重合によって、適切な分岐形状を備え、吸湿によってダイアタッチペーストの硬化物が膨潤することを抑制できる。したがって、ダイアタッチペーストの硬化物が吸湿することで膨潤し、ダイアタッチペーストの硬化物の吸湿後の反り量が、吸湿しない場合と比べて、著しく小さくなることを抑制できる。
　アクリルモノマーとして、単官能アクリルモノマー及び多官能アクリルモノマーを併用する場合、ダイアタッチペースト中の単官能アクリルモノマーの含有量の上限値は、多官能アクリルモノマー１００質量部に対して、例えば、６５０質量部以下であることが好ましく、６００質量部以下であることがより好ましく、５５０質量部以下であることが更に好ましく、５００質量部以下であることが一層好ましく、４００質量部以下であることが殊更好ましい。これにより、多官能アクリルモノマーが過剰であることにより、重合に寄与しないアクリル基が生じ、吸湿の原因となることを抑制できる。
　なお、単官能アクリルモノマー及び多官能アクリルモノマーを併用する代わりに、単官能アクリルモノマー及び後述するアクリルポリマーを併用することで、単量体が重合によって、適切な分岐形状を備え、吸湿によってダイアタッチペーストの硬化物が膨潤することを抑制できる。 As the acrylic monomer, a monofunctional acrylic monomer or a polyfunctional acrylic monomer may be used alone, or a monofunctional acrylic monomer and a polyfunctional acrylic monomer may be used in combination. As the acrylic monomer, for example, it is preferable to use a monofunctional acrylic monomer and a polyfunctional acrylic monomer in combination.
When the monofunctional acrylic monomer and the polyfunctional acrylic monomer are used in combination as the acrylic monomer, the lower limit of the content of the monofunctional acrylic monomer in the die attach paste is, for example, 150 masses with respect to 100 mass parts of the polyfunctional acrylic monomer. Part or more, preferably 200 parts by weight or more, and more preferably 250 parts by weight or more. Thereby, the monomer has an appropriate branched shape by polymerization, and swelling of the cured product of the die attach paste due to moisture absorption can be suppressed. Therefore, it can suppress that the hardened | cured material of a die attach paste swells by absorbing moisture, and the curvature amount after the moisture absorption of the hardened | cured material of a die attach paste becomes remarkably small compared with the case where it does not absorb moisture.
When using together a monofunctional acrylic monomer and a polyfunctional acrylic monomer as an acrylic monomer, the upper limit of content of the monofunctional acrylic monomer in a die attach paste is 650 masses with respect to 100 mass parts of polyfunctional acrylic monomers, for example. Part or less, more preferably 600 parts by weight or less, still more preferably 550 parts by weight or less, still more preferably 500 parts by weight or less, and particularly preferably 400 parts by weight or less. preferable. Thereby, it can suppress that the acrylic group which does not contribute to superposition | polymerization by polyfunctional acrylic monomer being excessive, and causing a moisture absorption.
In addition, instead of using a monofunctional acrylic monomer and a polyfunctional acrylic monomer in combination, a monofunctional acrylic monomer and an acrylic polymer, which will be described later, are used together so that the monomer has an appropriate branched shape by polymerization and is attached by moisture absorption. It can suppress that the hardened | cured material of a paste swells.
〔エポキシモノマー〕
　第２の実施形態に係るエポキシモノマーは、その構造中にエポキシ基を１つのみ備える単官能エポキシモノマーであってもよいし、その構造中にエポキシ基を２つ以上備える多官能エポキシモノマーであってもよい。
　なお、単量体として、単官能エポキシモノマーを含むことで、ダイアタッチペーストの硬化物の架橋密度を低下させることができる。これにより、吸湿前の反りの程度を制御できる。また、ダイアタッチペーストの粘度を調整し、ハンドリング性を向上できる。 [Epoxy monomer]
The epoxy monomer according to the second embodiment may be a monofunctional epoxy monomer having only one epoxy group in its structure, or a polyfunctional epoxy monomer having two or more epoxy groups in its structure. May be.
In addition, the crosslinking density of the hardened | cured material of die attach paste can be reduced by including a monofunctional epoxy monomer as a monomer. Thereby, the degree of warpage before moisture absorption can be controlled. Moreover, the viscosity of a die attach paste can be adjusted and handling property can be improved.
　単官能エポキシモノマーとしては、具体的には、４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニルグリシジルエーテル、ｍ，ｐ－クレジルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテルなどが挙げられる。単官能エポキシモノマーとしては、上記具体例のうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。 Specific examples of the monofunctional epoxy monomer include 4-tert-butylphenyl glycidyl ether, m, p-cresyl glycidyl ether, phenyl glycidyl ether, and cresyl glycidyl ether. As a monofunctional epoxy monomer, 1 type (s) or 2 or more types can be used in combination among the above specific examples.
　多官能エポキシモノマーとしては、具体的には、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビフェノールなどのビスフェノール化合物；水素添加ビスフェノールＡ、水素添加ビスフェノールＦ、水素添加ビフェノール、シクロヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタノール、シジロヘキサンジエタノールなどの脂環構造を有するジオール；ブタンジオール、ヘキサンジオール、オクタンジオール、ノナンジオール、デカンジオール、１，４－ビス［（オキシラン－２－イルメトキシ）メチル］シクロヘキサンなどの脂肪族ジオールなどをエポキシ化した２官能のもの；トリヒドロキシフェニルメタン骨格を有する３官能エポキシモノマー；４－（２，３－エポキシプロパン－１－イルオキシ）－Ｎ，Ｎ－ビス（２，３－エポキシプロパン－１－イル）－２－メチルアニリン、Ｎ，Ｎ－ビス（オキシラニルメチル）－４－（オキシラニルメトキシ）アニリンなどのアミノフェノール骨格を有する３官能エポキシモノマー；フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂などをエポキシ化した多官能のものなどが挙げられる。多官能エポキシモノマーとしては、上記具体例のうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。 Specific examples of the polyfunctional epoxy monomer include bisphenol compounds such as bisphenol A, bisphenol F, and biphenol; hydrogenated bisphenol A, hydrogenated bisphenol F, hydrogenated biphenol, cyclohexanediol, cyclohexanedimethanol, and silohexanediethanol. Diols having the following alicyclic structures: 2 epoxidized aliphatic diols such as butanediol, hexanediol, octanediol, nonanediol, decanediol, 1,4-bis [(oxiran-2-ylmethoxy) methyl] cyclohexane Functional; trifunctional epoxy monomer having trihydroxyphenylmethane skeleton; 4- (2,3-epoxypropan-1-yloxy) -N, N-bis (2,3-epoxypropane- -Yl) -2-methylaniline, N, N-bis (oxiranylmethyl) -4- (oxiranylmethoxy) aniline, and other trifunctional epoxy monomers having an aminophenol skeleton; phenol novolac resin, cresol novolac resin, Examples thereof include polyfunctional compounds obtained by epoxidizing phenol aralkyl resin, biphenyl aralkyl resin, naphthol aralkyl resin, and the like. As a polyfunctional epoxy monomer, it can use 1 type or in combination of 2 or more types among the said specific examples.
〔マレイミドモノマー〕
　第２の実施形態に係るマレイミドモノマーは、その構造中にマレイミド環を備えるものである。
　第２の実施形態に係るマレイミドモノマーは、その構造中に、マレイミド環を１つのみ備える単官能マレイミドモノマーであってもよいし、その構造中にマレイミド環を２つ以上備える多官能マレイミドモノマーであってもよい。
　マレイミドモノマーとしては、具体的には、ポリテトラメチレンエーテルグリコール－ジ（２－マレイミドアセテート）などが挙げられる。 [Maleimide monomer]
The maleimide monomer according to the second embodiment has a maleimide ring in its structure.
The maleimide monomer according to the second embodiment may be a monofunctional maleimide monomer having only one maleimide ring in its structure, or a polyfunctional maleimide monomer having two or more maleimide rings in its structure. There may be.
Specific examples of the maleimide monomer include polytetramethylene ether glycol-di (2-maleimide acetate).
（主剤）
　第２の実施形態に係るダイアタッチペーストは、主剤の硬化によって硬化収縮する。ダイアタッチペーストが主剤を含むことで、単量体が重合によって、適切な分岐形状を備え、吸湿によってダイアタッチペーストの硬化物が膨潤することを抑制できる。
　なお、第２の実施形態に係るダイアタッチペーストは、主剤の硬化によっても、硬化収縮する。これにより、ダイアタッチペーストは、銀粒子を大きく凝集させ、高い熱伝導度を発揮することができる。なお、主剤の硬化による硬化収縮は、単量体の硬化による硬化収縮と比べて小さい。
　このような主剤としては、具体的には、アクリルオリゴマー、アクリルポリマーといったアクリル樹脂；エポキシオリゴマー、エポキシポリマーといったエポキシ樹脂；アリルオリゴマー、アリルポリマーといったアリル樹脂などを挙げることができる。主剤としては、上記具体例のうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
　アクリル樹脂は、アクリルモノマーと同様に、後述するラジカル重合開始剤により重合し、硬化収縮することができる。なお、アクリル樹脂の重合は、アクリルモノマーを巻き込んで起こる。
　エポキシ樹脂は、エポキシモノマーと同様に、後述する硬化剤と反応し、硬化収縮することができる。なお、エポキシ樹脂の硬化反応は、エポキシモノマーを巻き込んで起こる。
　アリル樹脂は、アクリル樹脂、アクリルモノマーと同様に、後述するラジカル重合開始剤により重合し、硬化収縮することができる。なお、アリル樹脂の重合は、アクリルモノマーを巻き込んで起こる。
　なお、第２の実施形態において、多量体のうち、分子量が１万未満のものをオリゴマー、分子量が１万以上の物をポリマーとして示す。また、樹脂とはオリゴマー及びポリマーを含むことを示す。 (Main agent)
The die attach paste according to the second embodiment is cured and contracted by curing the main agent. When the die attach paste contains the main agent, the monomer has an appropriate branched shape by polymerization, and swelling of the cured product of the die attach paste due to moisture absorption can be suppressed.
Note that the die attach paste according to the second embodiment is cured and shrunk even when the main agent is cured. Thereby, the die attach paste can agglomerate silver particles greatly and can exhibit high thermal conductivity. The curing shrinkage due to the curing of the main agent is smaller than the curing shrinkage due to the curing of the monomer.
Specific examples of such a main agent include acrylic resins such as acrylic oligomers and acrylic polymers; epoxy resins such as epoxy oligomers and epoxy polymers; allyl resins such as allyl oligomers and allyl polymers. As the main agent, one or more of the above specific examples can be used in combination.
Similar to the acrylic monomer, the acrylic resin can be polymerized by a radical polymerization initiator described later and cured and contracted. The polymerization of the acrylic resin occurs by involving an acrylic monomer.
Similar to the epoxy monomer, the epoxy resin can react with a curing agent to be described later and can shrink and cure. The curing reaction of the epoxy resin occurs by involving an epoxy monomer.
The allyl resin can be polymerized by a radical polymerization initiator, which will be described later, and can be cured and shrunk in the same manner as the acrylic resin and acrylic monomer. The allyl resin is polymerized by involving an acrylic monomer.
In the second embodiment, among the multimers, those having a molecular weight of less than 10,000 are shown as oligomers, and those having a molecular weight of 10,000 or more are shown as polymers. Moreover, resin shows containing an oligomer and a polymer.
〔アクリル樹脂〕
　アクリル樹脂としては、１分子内にアクリル基を２個以上有する液状のものを用いることができる。
　アクリル樹脂としては、具体的には、上述したアクリルモノマーを重合または共重合したものを用いることができる。ここで、重合または共重合の方法としては限定されず、溶液重合など、一般的な重合開始剤および連鎖移動剤を用いる公知の方法を用いることができる。なお、アクリル樹脂としては、１種を単独で用いてもよいし、構造の異なる２種以上を用いてもよい。アクリル樹脂としては、具体的には、アクリル酸系重合物、アクリル化ポリブタジエンなどを用いてもよい。 〔acrylic resin〕
As the acrylic resin, a liquid resin having two or more acrylic groups in one molecule can be used.
As the acrylic resin, specifically, one obtained by polymerizing or copolymerizing the above-described acrylic monomer can be used. Here, the method of polymerization or copolymerization is not limited, and a known method using a general polymerization initiator and a chain transfer agent such as solution polymerization can be used. In addition, as an acrylic resin, 1 type may be used independently and 2 or more types from which a structure differs may be used. As the acrylic resin, specifically, an acrylic acid polymer, acrylated polybutadiene, or the like may be used.
　アクリル樹脂としては、例えば、その構造中にエポキシ基、アミノ基、カルボキシル基およびヒドロキシル基を備えるものでもよい。かりに、アクリル樹脂が、エポキシ基をその構造中に備える場合、後述する硬化剤と反応し、硬化収縮することができる。また、かりに、アクリル樹脂がその構造中にアミノ基、カルボキシル基、または、ヒドロキシル基をその構造中に備え、主剤としてエポキシ樹脂を含む場合、アクリル樹脂及びエポキシ樹脂が反応し、硬化収縮することができる。また、アクリル樹脂としては、例えば、その構造に炭素－炭素二重結合Ｃ＝Ｃを備えるものであってもよい。かりに、アクリル樹脂がその構造に炭素－炭素二重結合を備える場合、アクリル樹脂をラジカル重合開始剤に起因する重合反応に巻き込み、硬化収縮することができる。 As the acrylic resin, for example, one having an epoxy group, an amino group, a carboxyl group, and a hydroxyl group in its structure may be used. Incidentally, when the acrylic resin has an epoxy group in its structure, it can react with a curing agent to be described later and cure and shrink. In addition, when the acrylic resin has an amino group, a carboxyl group, or a hydroxyl group in its structure and contains an epoxy resin as a main agent, the acrylic resin and the epoxy resin may react and cure and shrink. it can. The acrylic resin may have, for example, a carbon-carbon double bond C═C in its structure. In the case where the acrylic resin has a carbon-carbon double bond in its structure, the acrylic resin can be involved in a polymerization reaction caused by the radical polymerization initiator and cured and contracted.
　上述したアクリル樹脂の市販品としては、具体的には、東亞合成社製のＡＲＵＦＯＮ　ＵＧ－４０３５、ＡＲＵＦＯＮ　ＵＧ－４０１０、ＡＲＵＦＯＮ　ＵＧ－４０７０、ＡＲＵＦＯＮ　ＵＨ－２０００、ＡＲＵＦＯＮ　ＵＨ－２０４１、ＡＲＵＦＯＮ　ＵＨ－２１７０、ＡＲＵＦＯＮ　ＵＰ－１０００などが挙げられる。 Specific examples of the above-mentioned commercially available acrylic resin include ARUFON UG-4035, ARUFUON UG-4010, ARUFUON UG-4070, ARUFUON UH-2000, ARUFUON UH-2041, ARUFON UH-2170, manufactured by Toagosei Co., Ltd. ARUFON UP-1000.
　アクリル樹脂の重量平均分子量Ｍｗの上限値としては、例えば、１３０００以下であることが好ましく、１２０００以下であることがより好ましい。これにより、分子鎖の絡み合いの頻度を向上し、吸湿によるアクリル樹脂の応力緩和を低減できる。また、ダイアタッチペーストのハンドリング性を向上できる観点からも好ましい。
　また、アクリル樹脂の重量平均分子量Ｍｗの下限値としては、例えば、２０００以上であってもよく、２５００以上であってもよい。 As an upper limit of the weight average molecular weight Mw of an acrylic resin, it is preferable that it is 13000 or less, for example, and it is more preferable that it is 12000 or less. Thereby, the frequency of molecular chain entanglement can be improved, and stress relaxation of the acrylic resin due to moisture absorption can be reduced. Moreover, it is preferable also from a viewpoint which can improve the handleability of die-attach paste.
Moreover, as a lower limit of the weight average molecular weight Mw of an acrylic resin, it may be 2000 or more, for example, and 2500 or more.
〔エポキシ樹脂〕
　エポキシ樹脂としては、１分子内にエポキシ基を２個以上有する液状のものを用いることができる。
　エポキシ樹脂としては、具体的には、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂、ビスフェノール－Ｆ－ジグリシジルエーテル、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、などが挙げられる。エポキシ樹脂としては、上記具体例のうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。エポキシ樹脂としては、上記具体例のうち、ビスフェノール－Ｆ－ジグリシジルエーテルを含むことが好ましい。これにより、ダイアタッチペーストのハンドリング性を向上すると共に、ダイアタッチペーストを好適に硬化収縮できる。 〔Epoxy resin〕
As the epoxy resin, a liquid resin having two or more epoxy groups in one molecule can be used.
Specific examples of the epoxy resin include trisphenolmethane type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type liquid epoxy resin, bisphenol-F-diglycidyl ether, orthocresol novolac type epoxy resin, and the like. As an epoxy resin, it can use 1 type or in combination of 2 or more types among the said specific examples. Of the above specific examples, the epoxy resin preferably contains bisphenol-F-diglycidyl ether. Thereby, the handling property of the die attach paste can be improved, and the die attach paste can be suitably cured and shrunk.
〔アリル樹脂〕
　アリル樹脂としては、１分子内にアリル基を２個以上有する液状のものを用いることができる。
　アリル樹脂としては、具体的には、ジカルボン酸と、アリルアルコールと、アリル基を備える化合物とを反応することで得られるアリルエステル樹脂が挙げられる。
　ここで、上記ジカルボン酸としては、具体的には、しゅう酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸などが挙げられる。ジカルボン酸としては、上記具体例のうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
　また、上記アリル基を備える化合物としては、具体的には、アリル基を備えるポリエーテル、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリブタジエン、ブタジエンアクリロニトリル共重合体などが挙げられる。アリル基を備える化合物としては、上記具体例のうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。アリル樹脂としては、具体的には、１，２－シクロヘキサンジカルボン酸ビス（２－プロペニル）とプロパン－１，２－ジオールとの重合体などを用いることができる。 [Allyl resin]
As the allyl resin, a liquid resin having two or more allyl groups in one molecule can be used.
Specific examples of the allyl resin include allyl ester resins obtained by reacting a dicarboxylic acid, allyl alcohol, and a compound having an allyl group.
Here, as the dicarboxylic acid, specifically, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, maleic acid, fumaric acid, phthalic acid, Examples thereof include tetrahydrophthalic acid and hexahydrophthalic acid. As the dicarboxylic acid, one or two or more of the above specific examples can be used.
Specific examples of the compound having an allyl group include polyethers, polyesters, polycarbonates, polyacrylates, polymethacrylates, polybutadienes, and butadiene acrylonitrile copolymers having an allyl group. As a compound provided with an allyl group, it can use 1 type or in combination of 2 or more types among the said specific examples. As the allyl resin, specifically, a polymer of bis (2-propenyl) 1,2-cyclohexanedicarboxylate and propane-1,2-diol can be used.
　主剤がアクリル樹脂またはアリル樹脂を含む場合、ダイアタッチペースト中のアクリル樹脂及びアリル樹脂の含有量の下限値としては、アクリルモノマー１００質量部に対して、例えば、８５質量部以上であることが好ましく、９０質量部以上であることがより好ましく、９５質量部以上であることが更に好ましく、１００質量部以上であることが一層好ましく、１１０質量部以上であることが殊更好ましい。これにより、単量体が、アクリル樹脂及びアリル樹脂と重合することで適切な分岐形状を備え、吸湿によってダイアタッチペーストの硬化物が膨潤することを抑制できる。
　また、主剤がアクリル樹脂またはアリル樹脂を含む場合、ダイアタッチペースト中のアクリル樹脂及びアリル樹脂の含有量の上限値としては、アクリルモノマー１００質量部に対して、例えば、１４５質量部以下であることが好ましく、１４０質量部以下であることがより好ましく、１３５質量部以下であることが更に好ましく、１３０質量部以下であることが一層好ましい。これにより、アクリル樹脂及びアリル樹脂の重合部位に対して、単量体が重合できないことを抑制できる。したがって、ダイアタッチペーストの硬化物の分子が、所望の分岐形状を備え、吸湿によってダイアタッチペーストの硬化物が膨潤することを抑制できる。 When the main agent contains an acrylic resin or an allyl resin, the lower limit value of the acrylic resin and the allyl resin content in the die attach paste is preferably, for example, 85 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the acrylic monomer. 90 parts by mass or more, more preferably 95 parts by mass or more, still more preferably 100 parts by mass or more, and particularly preferably 110 parts by mass or more. Thereby, a monomer is provided with an appropriate branched shape by polymerizing with an acrylic resin and an allyl resin, and swelling of the cured product of the die attach paste due to moisture absorption can be suppressed.
Moreover, when the main agent contains an acrylic resin or an allyl resin, the upper limit of the content of the acrylic resin and the allyl resin in the die attach paste is, for example, 145 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the acrylic monomer. Is preferably 140 parts by mass or less, more preferably 135 parts by mass or less, and still more preferably 130 parts by mass or less. Thereby, it can suppress that a monomer cannot superpose | polymerize with respect to the superposition | polymerization site | part of an acrylic resin and an allyl resin. Therefore, the molecule | numerator of the hardened | cured material of a die attach paste is provided with a desired branch shape, and it can suppress that the hardened | cured material of a die attach paste swells by moisture absorption.
（ラジカル重合開始剤）
　ラジカル重合開始剤としては、具体的には、アゾ化合物、過酸化物などを用いることができる。ラジカル重合開始剤としては、上記具体例のうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。ラジカル重合開始剤としては、上記具体例のうち、例えば、過酸化物を用いることが好ましい。 (Radical polymerization initiator)
As the radical polymerization initiator, specifically, an azo compound, a peroxide, or the like can be used. As a radical polymerization initiator, it can use in the said specific example 1 type or in combination of 2 or more types. Of the above specific examples, for example, peroxides are preferably used as the radical polymerization initiator.
　上記過酸化物としては、具体的には、ビス（１－フェニル－１－メチルエチル）ペルオキシド、ジラウロイルパーオキサイド、１，１－ビス（１，１－ジメチルエチルペルオキシ）シクロヘキサン、メチルエチルケトンパーオキサイド、シクロヘキサンパーオキサイド、アセチルアセトンパーオキサイド、１，１－ジ（ｔｅｒｔ－ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１－ジ（ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシ）－２－メチルシクロヘキサン、１，１－ジ（ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、２，２－ジ（ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシ）ブタン、ｎ－ブチルー４，４－ジ（ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシ）バレラート、２，２－ジ（４，４－ジ（ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシ）シクロヘキサン）プロパン、ｐ－メタンヒドロパーオキサイド、ジ磯プロピルベンゼンヒドロパーオキサイド、１，１，３，３－テトラメメチルブチルヒドロパーオキサイド、クメンヒドロパーオキサイド、ｔｅｒｔ－ブチルヒドロパーオキサイド、ジ（２－ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシイソプロピル）ベンゼン、ジクミルパーオキサイド、２，５－ジメチルー２，５－ジ（ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシ）ヘキサン、ｔｅｒｔ－ブチルクミルパーオキサイド、ジーｔｅｒｔ－ブチルパーオキサイド、２，５－ジメチル２，５－ジ（ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシ）ヘキシン、ジイソブチルパーオキサイド、ジ（３，５，５－トリメチルヘキサノイル）パーオキサイド、ジラウリルパーオキサイド、ジ（３－メチルベンゾイル）パーオキサイド、ベンゾイル（３－メチルベンゾイル）パーオキサイド、ジベンゾイルパーオキサイド、ジ（４－メチルベンゾイル）パーオキサイド、ジｎ－ｐロピルパーオキシジカルボネート、ジイソプロピルパーオキシジカルボネート、ジ（２－エチルヘキシル）パーオキシジカルボネート、ジｓｅｃ－ブチルパーオキシジカルボネート、クミルパーオキシネオデカネート、１，１，３，３－テトラメチルブチルパーオキシネオデカネート、ｔｅｒｔ－ヘキシルネオデカネート、ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシネオヘプタネート、ｔｅｒｔ－ヘキシルパーオキシピバラート、１，１，３，３－テトラメチルブチルパーオキシ－２－エチルヘキサネート、２，５－ジメチル－２，５、－ジ（２－ジエチルヘキノイルパーオキシ）ヘキサン、ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキサネート、ｔｅｒｔ－ヘキシパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシマレイン酸、ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシ３，５，５－トリメチルヘキサネート、ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキシモノカーボネート、ｔｅｒｔ－ヘキシルパーオキシベンゾネート、２，５―ジメチル－２，５－ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシアセトネート、ｔｅｒｔ－パーオキシ－３－メチルベンゾネート、ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシベンゾネート、ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシアリルモノカーボネート、３，３'，４，４'－テトラ（ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノンなどが挙げられる。過酸化物としては、上記具体例のうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
　過酸化物としては、上記具体例のうち、１，１－ビス（１，１－ジメチルエチルペルオキシ）シクロヘキサンを用いることが好ましい。これらの過酸化物は、従来のダイアタッチペーストで用いられてきた過酸化物と比べて、ラジカル重合時に水素の引き抜き能が大きくない。これにより、第２の実施形態の過酸化物を用いることで、単量体の重合のランダム性を低下させることができる。これにより、単量体が好適な架橋構造を備え、ダイアタッチペーストの硬化物が、吸湿時に膨潤することを抑制できる。 Specific examples of the peroxide include bis (1-phenyl-1-methylethyl) peroxide, dilauroyl peroxide, 1,1-bis (1,1-dimethylethylperoxy) cyclohexane, methyl ethyl ketone peroxide, Cyclohexane peroxide, acetylacetone peroxide, 1,1-di (tert-hexylperoxy) cyclohexane, 1,1-di (tert-butylperoxy) -2-methylcyclohexane, 1,1-di (tert-butylperoxide) Oxy) cyclohexane, 2,2-di (tert-butylperoxy) butane, n-butyl-4,4-di (tert-butylperoxy) valerate, 2,2-di (4,4-di (tert-butyl) Peroxy) cyclohexane) propane, p-methane hydroper Xide, di-propylbenzene hydroperoxide, 1,1,3,3-tetramethylbutyl hydroperoxide, cumene hydroperoxide, tert-butyl hydroperoxide, di (2-tert-butylperoxyisopropyl) benzene , Dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-di (tert-butylperoxy) hexane, tert-butylcumyl peroxide, di-tert-butyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-di ( tert-Butylperoxy) hexyne, diisobutyl peroxide, di (3,5,5-trimethylhexanoyl) peroxide, dilauryl peroxide, di (3-methylbenzoyl) peroxide, benzoyl (3-methylbenzoyl) peroxide , Dibenzoyl peroxide, di (4-methylbenzoyl) peroxide, di-n-propyl peroxydicarbonate, diisopropylperoxydicarbonate, di (2-ethylhexyl) peroxydicarbonate, disec-butylperoxydicar Bonate, cumylperoxyneodecanate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxyneodecanate, tert-hexylneodecanate, tert-butylperoxyneoheptanoate, tert-hexylperoxypivalate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanate, 2,5-dimethyl-2,5, -di (2-diethylhexinoylperoxy) hexane, tert-butylperoxy-2 -Ethyl hexanate, tert-hex Cyperoxyisopropyl monocarbonate, tert-butylperoxymaleic acid, tert-butylperoxy3,5,5-trimethylhexanate, tert-butylperoxyisopropylmonocarbonate, tert-butylperoxy-2-ethylhexylmono Carbonate, tert-hexylperoxybenzoate, 2,5-dimethyl-2,5-di (benzoylperoxy) hexane, tert-butylperoxyacetonate, tert-peroxy-3-methylbenzoate, tert-butylperoxide Examples thereof include oxybenzoate, tert-butylperoxyallyl monocarbonate, 3,3 ′, 4,4′-tetra (tert-butylperoxycarbonyl) benzophenone, and the like. As the peroxide, one or two or more of the above specific examples can be used in combination.
Of the above specific examples, 1,1-bis (1,1-dimethylethylperoxy) cyclohexane is preferably used as the peroxide. These peroxides do not have a large ability to extract hydrogen during radical polymerization as compared with peroxides used in conventional die attach pastes. Thereby, the randomness of monomer polymerization can be reduced by using the peroxide of the second embodiment. Thereby, a monomer is provided with the suitable crosslinked structure and it can suppress that the hardened | cured material of die attach paste swells at the time of moisture absorption.
（その他の成分）
　第２の実施形態に係るダイアタッチペーストは、上述した原料成分の他に、例えば、硬化剤、硬化促進剤、低応力剤、シランカップリング剤などを含むことができる。
　以下、代表成分について説明する。 (Other ingredients)
The die attach paste according to the second embodiment can include, for example, a curing agent, a curing accelerator, a low stress agent, a silane coupling agent, and the like in addition to the above-described raw material components.
Hereinafter, representative components will be described.
（硬化剤）
　第２の実施形態のダイアタッチペーストが、単量体としてエポキシモノマー、または、主剤としてエポキシ樹脂を含む場合、例えば、硬化剤を含むことが好ましい。これにより、単量体、主剤を硬化収縮させ、銀粒子を凝集できる。
　硬化剤としては、具体的には、フェノール硬化剤またはイミダゾール硬化剤を含むことができる。以下、詳細を説明する。 (Curing agent)
When the die attach paste of the second embodiment includes an epoxy monomer as a monomer or an epoxy resin as a main agent, for example, it is preferable to include a curing agent. Thereby, a monomer and a main ingredient can be hardened and shrunk and silver particles can be aggregated.
Specifically as a hardening | curing agent, a phenol hardening | curing agent or an imidazole hardening | curing agent can be included. Details will be described below.
〔フェノール硬化剤〕
　フェノール樹脂系硬化剤としては、具体的には、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールノボラック樹脂、フェノール－ビフェニルノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；ポリビニルフェノール；トリフェニルメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂；テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂；フェニレン骨格及び／又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン及び／又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル型フェノール樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ（ジヒドロキシジフェニルメタン）等のビスフェノール化合物などが挙げられる。フェノール樹脂系硬化剤としては、上記具体例の中から選択される１種類または２種類以上を含むことができる。 [Phenol curing agent]
Specific examples of the phenol resin-based curing agent include novolak type phenol resins such as phenol novolak resin, cresol novolak resin, bisphenol novolak resin, and phenol-biphenyl novolak resin; polyvinylphenol; polyfunctionality such as triphenylmethane type phenol resin. Type phenolic resin; modified phenolic resin such as terpene modified phenolic resin, dicyclopentadiene modified phenolic resin; phenol aralkyl type such as phenol aralkyl resin having phenylene skeleton and / or biphenylene skeleton, naphthol aralkyl resin having phenylene and / or biphenylene skeleton Phenolic resins; bisphenol compounds such as bisphenol A and bisphenol F (dihydroxydiphenylmethane). As a phenol resin hardening | curing agent, the 1 type (s) or 2 or more types selected from the said specific example can be included.
〔イミダゾール系硬化剤〕
　イミダゾール系硬化剤としては、具体的には、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、２－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２，４－ジアミノ－６－［２－メチルイミダゾリル－（１）］－エチル－ｓ－トリアジン、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、２，４－ジアミノ－６－［２－メチルイミダゾリル－（１）］－エチル－ｓトリアジンイソシアヌル酸付加物、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２－メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイトなどが挙げられる。イミダゾール系硬化剤としては、上記具体例のうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。 [Imidazole-based curing agent]
Specific examples of the imidazole curing agent include 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2,4-diamino-6- [2-methylimidazolyl- (1)]-Ethyl-s-triazine, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2,4-diamino-6- [2-methylimidazolyl- (1)]-ethyl-striazine isocyanuric acid adduct 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-methylimidazole isocyanuric acid adduct, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate and the like. As an imidazole type hardening | curing agent, it can use 1 type or in combination of 2 or more types among the said specific examples.
（硬化促進剤）
　第２の実施形態に係るダイアタッチペーストは、例えば、エポキシモノマーまたはエポキシ樹脂と、硬化剤との反応を促進させる硬化促進剤を含んでもよい。
　硬化促進剤としては、具体的には、有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物；ジシアンジアミド、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン－７、ベンジルジメチルアミン等のアミジンやアミン；上記アミジンまたは上記３級アミンの４級アンモニウム塩等の窒素原子含有化合物などが挙げられる。硬化促進剤としては、上記具体例のうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。 (Curing accelerator)
The die attach paste according to the second embodiment may include, for example, a curing accelerator that promotes a reaction between an epoxy monomer or an epoxy resin and a curing agent.
Specific examples of the curing accelerator include organic phosphines, tetra-substituted phosphonium compounds, phosphobetaine compounds, adducts of phosphine compounds and quinone compounds, phosphorus atom-containing compounds such as adducts of phosphonium compounds and silane compounds; dicyandiamide 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undecene-7, amidines and amines such as benzyldimethylamine, and nitrogen atom-containing compounds such as the above amidines or quaternary ammonium salts of the above tertiary amines. As a hardening accelerator, it can use 1 type or in combination of 2 or more types among the said specific examples.
（低応力剤）
　第２の実施形態に係るダイアタッチペーストは、例えば、低応力剤を含んでもよい。
　低応力剤としては、具体的には、シリコーンオイル、シリコーンゴム等のシリコーン化合物；ポリブタジエン無水マレイン酸付加体などのポリブタジエン化合物；アクリロニトリルブタジエン共重合化合物などを挙げることができる。低応力剤としては、上記具体例のうち１種または２種以上を配合することができる。 (Low stress agent)
The die attach paste according to the second embodiment may include, for example, a low stress agent.
Specific examples of the low stress agent include silicone compounds such as silicone oil and silicone rubber; polybutadiene compounds such as polybutadiene maleic anhydride adducts; and acrylonitrile butadiene copolymer compounds. As a low stress agent, 1 type (s) or 2 or more types can be mix | blended among the said specific examples.
（シランカップリング剤）
　第２の実施形態に係るダイアタッチペーストは、例えば、ダイアタッチペーストと、基材との密着性を向上させるためにシランカップリング剤を含んでもよい。
　シランカップリング剤としては、具体的には、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシランなどのビニルシラン；３－グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどのエポキシシラン；ｐ－スチリルトリメトキシシランなどのスチリルシラン；３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシランなどのメタクリルシラン；メタクリル酸３－（トリメトキシシリル）プロピル、３－アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどのアクリルシラン；Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－トリエトキシシリル－Ｎ－（１，３－ジメチル－ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシランなどのアミノシラン；イソシアヌレートシラン；アルキルシラン；３－ウレイドプロピルトリアルコキシシランなどのウレイドシラン；３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシランなどのメルカプトシラン；３－イソシアネートプロピルトリエトキシシランなどのイソシアネートシラン；ポリスルフィド，ビス［３－（トリエトキシシリル）プロピル］などのスルフィドシランなどを用いることができる。シランカップリング剤としては、上記具体例のうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。 (Silane coupling agent)
The die attach paste according to the second embodiment may include, for example, a silane coupling agent in order to improve the adhesion between the die attach paste and the substrate.
Specific examples of the silane coupling agent include vinyl silanes such as vinyltrimethoxysilane and vinyltriethoxysilane; 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3 -Epoxy silanes such as glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane; p-styryltrimethoxysilane Styryl silane such as 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane Methacrylic silanes such as ethylene; acrylic silanes such as 3- (trimethoxysilyl) propyl methacrylate, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane; N-2- (aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2 -(Aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N- (1,3-dimethyl-butylidene) propylamine, Aminosilanes such as N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane; isocyanurate silanes; alkyl silanes; ureidosilanes such as 3-ureidopropyltrialkoxysilane; 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-mercaptopropylto Isocyanate silane such as 3-isocyanate propyl triethoxysilane; mercaptosilanes such as silane polysulfides, such Surufidoshiran of bis [3- (triethoxysilyl) propyl] can be used. As a silane coupling agent, it can use 1 type or in combination of 2 or more types among the said specific examples.
（ダイアタッチペーストの製造方法）
　第２の実施形態に係るダイアタッチペーストの製造方法について説明する。
　ダイアタッチペーストの製造方法としては、上述した原料成分を混合して混合物を作製する混合工程と、混合物が含んだ空気を取り除く脱泡工程とを含む。 (Die attach paste manufacturing method)
A method for manufacturing a die attach paste according to the second embodiment will be described.
The method for producing a die attach paste includes a mixing step of mixing the raw material components described above to produce a mixture, and a defoaming step of removing air contained in the mixture.
（混合工程）
　混合工程では、上述した原料成分を混合して混合物を作製する。
　混合する方法としては限定されず、例えば、３本ロール、ミキサーなどを用いることができる。これにより、原料成分を混合して混合物を得る。 (Mixing process)
In the mixing step, the raw material components described above are mixed to produce a mixture.
The method of mixing is not limited, and for example, a three roll, a mixer, etc. can be used. Thereby, a raw material component is mixed and a mixture is obtained.
（脱泡工程）
　脱泡工程では、混合物が含んだ空気を取り除く。
　混合物が含んだ空気を取り除く方法としては限定されず、例えば、混合物を真空下に静置することで行うことができる。これにより、ダイアタッチペーストを得る。 (Defoaming process)
In the defoaming step, air contained in the mixture is removed.
The method for removing the air contained in the mixture is not limited, and for example, it can be carried out by allowing the mixture to stand under vacuum. Thereby, a die attach paste is obtained.
（ダイアタッチペースト）
　第２の実施形態に係るダイアタッチペーストは、長さ１５．５ｍｍ×幅６．５ｍｍのＡｇめっきした銅フレーム上に、当該ダイアタッチペーストを、塗布厚みが３５±５μｍとなるように塗布し、次いで、長さ１５．０ｍｍ×幅６．０ｍｍ×厚さ０．２ｍｍのシリコンチップを当該ダイアタッチペースト上に配置して積層体を得て、当該積層体を２５℃から１７５℃まで３０分間かけて昇温し、さらに１７５℃で５時間熱処理することで硬化体を得て、上記硬化体を、２７５℃で１分間熱処理した時の反り量をＷ１とし、上記硬化体を、温度８５℃、湿度８５％で１６８時間吸湿させた後、２７５℃で１分間熱処理した時の反り量をＷ２としたときの、｜Ｗ２－Ｗ１｜の上限値が２０μｍ以下であり、例えば、１８μｍ以下であることが好ましく、１６μｍ以下であることがより好ましく、１４μｍ以下であることが更に好ましい。これにより、第２の実施形態に係るダイアタッチペーストを用いた半導体パッケージなどの半導体装置の実装信頼性を向上できる。
　また、｜Ｗ２－Ｗ１｜の下限値としては、例えば、０μｍ以上でもよく、０．１μｍ以上でもよい。Ｗ１及びＷ２の差が小さいほど、吸湿時においても半導体装置の反りを所望の数値範囲内とすることができ、半導体装置の実装信頼性を向上できる。 (Die attach paste)
The die attach paste according to the second embodiment is applied to an Ag-plated copper frame having a length of 15.5 mm and a width of 6.5 mm so that the thickness of the die attach paste is 35 ± 5 μm. Next, a silicon chip having a length of 15.0 mm, a width of 6.0 mm, and a thickness of 0.2 mm is placed on the die attach paste to obtain a laminate, and the laminate is subjected to a temperature from 25 ° C. to 175 ° C. for 30 minutes. Then, the cured product was obtained by heat-treating at 175 ° C. for 5 hours. The amount of warpage when the cured product was heat-treated at 275 ° C. for 1 minute was defined as W1, and the cured product was heated at 85 ° C. The upper limit of | W2−W1 | is 20 μm or less, for example, 18 μm or less, when the amount of warping when W2 is heat-treated at 275 ° C. for 168 hours and heat-treated at 275 ° C. for 1 minute is W2. Is preferred More preferably 16μm or less, and more preferably 14μm or less. Thereby, the mounting reliability of a semiconductor device such as a semiconductor package using the die attach paste according to the second embodiment can be improved.
Further, the lower limit value of | W2−W1 | may be, for example, 0 μm or more, or 0.1 μm or more. As the difference between W1 and W2 is smaller, the warp of the semiconductor device can be within a desired numerical range even during moisture absorption, and the mounting reliability of the semiconductor device can be improved.
　本発明者は、ダイアタッチペーストの｜Ｗ２－Ｗ１｜を上記数値範囲内とする方法について検討した。その結果、ダイアタッチペーストが含有する単量体、主剤、ラジカル重合開始剤などの原料成分と、その配合量を適切に制御することが重要であることを知見した。詳細なメカニズムは定かではないが、単量体、主剤といった含有成分が、重合、硬化反応によって、適切な分岐形状を備えると推測される。これにより、吸湿によってダイアタッチペーストの硬化物が膨潤することを抑制し、｜Ｗ２－Ｗ１｜を上記数値範囲内とできると考えられる。 The inventor examined a method for setting | W2-W1 | of the die attach paste within the above numerical range. As a result, it has been found that it is important to appropriately control raw material components such as monomers, main ingredients and radical polymerization initiators contained in the die attach paste and their blending amounts. Although the detailed mechanism is not clear, it is presumed that the components such as the monomer and the main component have an appropriate branched shape by polymerization and curing reaction. Thus, it is considered that swelling of the cured product of the die attach paste due to moisture absorption can be suppressed, and | W2-W1 | can be in the above numerical range.
　第２の実施形態に係るダイアタッチペーストは、Ａｇめっきした銅フレーム上に、当該ダイアタッチペーストを、塗布厚みが２５±５μｍとなるように塗布し、次いで、長さ２．０ｍｍ×幅２．０ｍｍ×厚さ３５０±５μｍのシリコンチップを当該ダイアタッチペースト上に配置して、２５℃から１７５℃まで３０分間かけて昇温し、さらに１７５℃で５時間熱処理することで硬化体を得て、上記硬化体を、温度８５℃、湿度８５％で７２時間吸湿させることで試験片を得て、該試験片について、上記Ａｇめっきした銅フレームと、上記シリコンチップとの２６０℃におけるダイシェア強度の下限値が、１７．０Ｎ/（２ｍｍ×２ｍｍ）以上であり、１８．０Ｎ/（２ｍｍ×２ｍｍ）以上であることが好ましく、１９．０Ｎ/（２ｍｍ×２ｍｍ）以上であることがさらに好ましく、２６．０Ｎ/（２ｍｍ×２ｍｍ）以上であることが一層好ましい。これにより、被着体が吸湿しても一定の内部応力を発現することで、吸湿によって反り量が変化することを抑制できる。また、半導体装置を作製した場合に、半導体装置の動作信頼性を向上できる観点からも都合がよい。
　また、上記ダイシェア強度の上限値は、例えば、５０．０Ｎ/（２ｍｍ×２ｍｍ）以下でもよく、４０．０Ｎ/（２ｍｍ×２ｍｍ）以下でもよい。 The die attach paste according to the second embodiment is applied to an Ag-plated copper frame so that the thickness of the die attach paste is 25 ± 5 μm, and then the length is 2.0 mm × width 2. A silicon chip having a thickness of 0 mm × 350 ± 5 μm is placed on the die attach paste, heated from 25 ° C. to 175 ° C. over 30 minutes, and further heat treated at 175 ° C. for 5 hours to obtain a cured body. The test piece was obtained by absorbing the cured body at a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85% for 72 hours. The lower limit is 17.0 N / (2 mm × 2 mm) or more, preferably 18.0 N / (2 mm × 2 mm) or more, and 19.0 N / (2 mm × 2 mm) or more. Rukoto more preferably, it is more preferably 26.0N / (2mm × 2mm) or greater. Thereby, even if a to-be-adhered body absorbs moisture, it can suppress that the amount of curvature changes by moisture absorption by expressing fixed internal stress. In addition, when a semiconductor device is manufactured, it is convenient from the viewpoint of improving the operation reliability of the semiconductor device.
Moreover, the upper limit of the die shear strength may be, for example, 50.0 N / (2 mm × 2 mm) or less, or 40.0 N / (2 mm × 2 mm) or less.
（用途）
　第２の実施形態に係るダイアタッチペーストの用途について説明する。
　第２の実施形態に係るダイアタッチペーストは、例えば、半導体パッケージなどの半導体装置に好適に用いられる。
　ここで、半導体パッケージの種類としては、具体的には、ＭＡＰ（Ｍｏｌｄ　Ａｒｒａｙ　Ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ　Ｏｕｔｌｉｎｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ　Ｓｉｚｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｎｏｎ－ｌｅａｄｅｄ　Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ　Ｏｕｔｌｉｎｅ　Ｎｏｎ－ｌｅａｄｅｄ　Ｐａｃｋａｇｅ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）、ＬＦ－ＢＧＡ（Ｌｅａｄ　Ｆｌａｍｅ　ＢＧＡ）、ＦＣＢＧＡ（Ｆｌｉｐ　Ｃｈｉｐ　ＢＧＡ）、ＭＡＰＢＧＡ（Ｍｏｌｄｅｄ　Ａｒｒａｙ　Ｐｒｏｃｅｓｓ　ＢＧＡ）、ｅＷＬＢ（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ　Ｗａｆｅｒ－Ｌｅｖｅｌ　ＢＧＡ）、Ｆａｎ－Ｉｎ型ｅＷＬＢ、Ｆａｎ－Ｏｕｔ型ｅＷＬＢなどの種類が挙げられる。 (Use)
The use of the die attach paste according to the second embodiment will be described.
The die attach paste according to the second embodiment is suitably used for a semiconductor device such as a semiconductor package, for example.
Here, the types of semiconductor packages are specifically MAP (Mold Array Package), QFP (Quad Flat Package), SOP (Small Outline Package), CSP (Chip Size Package), and QFN (Quad Flat Non-Lead). Package), SON (Small Outline Non-leaded Package), BGA (Ball Grid Array), LF-BGA (Lead Frame BGA), FCBGA (Flip Chip BW), MAPBGA (Molded Array B) BGA), Fan-In type eWLB, Fan-Out type eWLB, etc. Types.
　以下に、第２の実施形態に係るダイアタッチペーストを用いた半導体装置の一例について説明する。
　図１は、第２の実施形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
　第２の実施形態にかかる半導体装置１００は、基材３０と、ダイアタッチペーストの硬化物である接着層１０を介して基材３０上に搭載された半導体素子２０と、を備える。すなわち、接着層１０は、ダイアタッチペーストを硬化してなるものである。
　半導体素子２０と基材３０は、たとえばボンディングワイヤ４０等を介して電気的に接続される。また、半導体素子２０は、たとえば封止樹脂５０により封止される。 An example of a semiconductor device using the die attach paste according to the second embodiment will be described below.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a semiconductor device according to the second embodiment.
A semiconductor device 100 according to the second embodiment includes a base material 30 and a semiconductor element 20 mounted on the base material 30 via an adhesive layer 10 that is a cured product of a die attach paste. That is, the adhesive layer 10 is formed by curing a die attach paste.
The semiconductor element 20 and the base material 30 are electrically connected through, for example, a bonding wire 40 or the like. Further, the semiconductor element 20 is sealed with, for example, a sealing resin 50.
　ここで、接着層１０の厚さの下限値は、例えば、５μｍ以上であることが好ましく、１０μｍ以上であることがより好ましい。これにより、ダイアタッチペーストが好適な密着力を発現できる。したがって、半導体装置の動作信頼性を向上できる。
　また、接着層１０の厚さの上限値は、例えば、５０μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以下であることがより好ましい。これにより、半導体装置の反りの絶対値を低減できる。したがって、吸湿による反りの変化を低減できる。 Here, the lower limit value of the thickness of the adhesive layer 10 is, for example, preferably 5 μm or more, and more preferably 10 μm or more. Thereby, die attach paste can express suitable adhesion. Therefore, the operation reliability of the semiconductor device can be improved.
Further, the upper limit value of the thickness of the adhesive layer 10 is, for example, preferably 50 μm or less, and more preferably 30 μm or less. Thereby, the absolute value of the warp of the semiconductor device can be reduced. Accordingly, it is possible to reduce a change in warpage due to moisture absorption.
　図１において、基材３０は、例えば、リードフレームである。この場合、半導体素子２０は、ダイパッド３２または基材３０上に接着層１０を介して搭載されることとなる。また、半導体素子２０は、例えば、ボンディングワイヤ４０を介してアウターリード３４（基材３０）へ電気的に接続される。リードフレームである基材３０は、例えば、４２アロイ、Ｃｕフレームにより構成される。 In FIG. 1, the base material 30 is, for example, a lead frame. In this case, the semiconductor element 20 is mounted on the die pad 32 or the base material 30 via the adhesive layer 10. Moreover, the semiconductor element 20 is electrically connected to the outer lead 34 (base material 30) through the bonding wire 40, for example. The base material 30 which is a lead frame is comprised by 42 alloy and Cu frame, for example.
　基材３０は、有機基板や、セラミック基板であってもよい。有機基板としては、例えば、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、マレイミド樹脂等によって構成されるものが好ましい。
　なお、基材３０の表面は、例えば、銀、金などの金属により被膜されていてもよい。これにより、接着層１０と、基材３０との接着性を向上できる。 The base material 30 may be an organic substrate or a ceramic substrate. As the organic substrate, for example, a substrate composed of an epoxy resin, a cyanate resin, a maleimide resin or the like is preferable.
Note that the surface of the base material 30 may be coated with a metal such as silver or gold. Thereby, the adhesiveness of the contact bonding layer 10 and the base material 30 can be improved.
　図２は、図１の変形例であり、第２の実施形態に係る半導体装置１００の一例を示す断面図である。
　本変形例に係る半導体装置１００において、基材３０は、たとえばインターポーザである。インターポーザである基材３０のうち、半導体素子２０が搭載される一面と反対側の他面には、たとえば複数の半田ボール５２が形成される。この場合、半導体装置１００は、半田ボール５２を介して他の配線基板へ接続されることとなる。 FIG. 2 is a modification of FIG. 1 and is a cross-sectional view showing an example of a semiconductor device 100 according to the second embodiment.
In the semiconductor device 100 according to this modification, the base material 30 is, for example, an interposer. For example, a plurality of solder balls 52 are formed on the other surface of the base material 30 that is an interposer opposite to the one surface on which the semiconductor element 20 is mounted. In this case, the semiconductor device 100 is connected to another wiring board via the solder balls 52.
（半導体装置の製造方法）
　第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例について説明する。
　まず、基材３０の上に、ダイアタッチペーストを塗布し、次いで、その上に半導体素子２０を配置する。すなわち、基材３０、ダイアタッチペースト、半導体素子２０がこの順で積層される。ダイアタッチペーストを塗布する方法としては限定されないが、具体的には、ディスペンシング、印刷法、インクジェット法などを用いることができる。
　次いで、ダイアタッチペーストを熱処理することで、ダイアタッチペーストを硬化物とする。上記熱処理により、ダイアタッチペースト中の銀粒子が凝集し、複数の銀粒子同士の界面が消失してなる熱伝導層が接着層１０中に形成される。なお、熱処理の条件は、は、例えば、２５℃の室温から、温度１００℃以上３００℃以下まで、１０分間から２時間かけて昇温し、さらに、昇温後の温度で、１０分間から２時間熱処理するように設定できる。これにより、接着層１０を介して、基材３０と、半導体素子２０とが接着される。次いで、半導体素子２０と基材３０を、ボンディングワイヤ４０を用いて電気的に接続する。次いで、半導体素子２０を封止樹脂５０により封止する。これにより半導体装置を製造することができる。 (Method for manufacturing semiconductor device)
An example of a method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment will be described.
First, a die attach paste is applied on the substrate 30, and then the semiconductor element 20 is disposed thereon. That is, the base material 30, the die attach paste, and the semiconductor element 20 are laminated in this order. The method for applying the die attach paste is not limited, but specifically, a dispensing method, a printing method, an ink jet method, or the like can be used.
Next, the die attach paste is heat-treated so that the die attach paste is cured. By the heat treatment, silver particles in the die attach paste are aggregated, and a heat conductive layer formed by eliminating the interface between the plurality of silver particles is formed in the adhesive layer 10. The heat treatment condition is, for example, that the temperature is raised from a room temperature of 25 ° C. to a temperature of 100 ° C. or more and 300 ° C. or less over 10 minutes to 2 hours. Can be set to heat treatment for hours. Thereby, the base material 30 and the semiconductor element 20 are bonded via the adhesive layer 10. Next, the semiconductor element 20 and the base material 30 are electrically connected using the bonding wire 40. Next, the semiconductor element 20 is sealed with a sealing resin 50. Thereby, a semiconductor device can be manufactured.
　以上、実施形態に基づき、本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲でその構成を変更することもできる。
　以下、参考形態の例を付記する。
１．　銀粒子と、
　単量体と、
　主剤と、
　ラジカル重合開始剤と、を含むダイアタッチペーストであって、
　長さ１５．５ｍｍ×幅６．５ｍｍのＡｇめっきした銅フレーム上に、当該ダイアタッチペーストを、塗布厚みが３５±５μｍとなるように塗布し、次いで、長さ１５．０ｍｍ×幅６．０ｍｍ×厚さ０．２ｍｍのシリコンチップを当該ダイアタッチペースト上に配置して積層体を得て、当該積層体を２５℃から１７５℃まで３０分間かけて昇温し、さらに１７５℃で５時間熱処理することで硬化体を得て、
　前記硬化体を、２７５℃で１分間熱処理した時の反り量をＷ１とし、
　前記硬化体を、温度８５℃、湿度８５％で１６８時間吸湿させた後、２７５℃で１分間熱処理した時の反り量をＷ２としたときの、
　｜Ｗ２－Ｗ１｜が２０μｍ以下である、ダイアタッチペースト。
　ただし、反り量とは、前記シリコンチップの面内方向において対角に位置する任意の２頂点を結んだ対角線から、前記対角線と垂直方向において、前記シリコンチップが存在する位置までの距離の最大値を示す。
２．　１．に記載のダイアタッチペーストであって、
　Ａｇめっきした銅フレーム上に、当該ダイアタッチペーストを、塗布厚みが２５±５μｍとなるように塗布し、次いで、長さ２．０ｍｍ×幅２．０ｍｍ×厚さ３５０±５μｍのシリコンチップを当該ダイアタッチペースト上に配置して、２５℃から１７５℃まで３０分間かけて昇温し、さらに１７５℃で５時間熱処理することで硬化体を得て、前記硬化体を、温度８５℃、湿度８５％で７２時間吸湿させることで試験片を得て、該試験片について、前記Ａｇめっきした銅フレームと、前記シリコンチップとの２６０℃におけるダイシェア強度が１７．０Ｎ/（２ｍｍ×２ｍｍ）以上である、ダイアタッチペースト。
３．　１．または２．に記載のダイアタッチペーストであって、
　前記銀粒子の形状は、フレーク形状または球形状である、ダイアタッチペースト。
４．　１．から３．のいずれか１つに記載のダイアタッチペーストであって、
　前記銀粒子のタップ密度が、２．５ｇ/ｃｍ３以上１０．０ｇ/ｃｍ３以下である、ダイアタッチペースト。
５．　１．から４．のいずれか１つに記載のダイアタッチペーストであって、
　前記銀粒子の平均粒径が、０．１μｍ以上２０μｍ以下である、ダイアタッチペースト。
６．　１．から５．のいずれか１つに記載のダイアタッチペーストであって、
　前記ダイアタッチペースト中の、銀粒子の含有量が、前記ダイアタッチペースト１００質量部に対して、５０質量部以上９０質量部以下である、ダイアタッチペースト。
７．　１．から６．のいずれか１つに記載のダイアタッチペーストであって、
　前記単量体は、アクリルモノマー、エポキシモノマー及びマレイミドモノマーからなる群より選択される１種または２種以上である、ダイアタッチペースト。
８．　１．から７．のいずれか１つに記載のダイアタッチペーストであって、
　前記単量体は前記アクリルモノマーを含む、ダイアタッチペースト。
９．　８．に記載のダイアタッチペーストであって、
　当該ダイアタッチペースト中の前記アクリルモノマーの含有量は、当該ダイアタッチペースト１００質量部に対して、１．０質量部以上３０質量部以下である、ダイアタッチペースト。
１０．　８．または９．に記載のダイアタッチペーストであって、
　前記アクリルモノマーは、単官能アクリルモノマー及び多官能アクリルモノマーを含み、
　当該ダイアタッチペースト中の前記単官能アクリルモノマーの含有量は、前記多官能アクリルモノマー１００質量部に対して、１５０質量部以上６５０質量部以下である、ダイアタッチペースト。
１１．　１．から１０．のいずれか１つに記載のダイアタッチペーストであって、
　前記主剤は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂及びアリル樹脂からなる群より選択される１種又は２種以上である、ダイアタッチペースト。
１２．　１１．に記載のダイアタッチペーストであって、
　前記主剤は、前記アクリル樹脂を含み、
　前記アクリル樹脂の重量平均分子量Ｍｗは、２０００以上１３０００以下である、ダイアタッチペースト。
１３．　１１．または１２．に記載のダイアタッチペーストであって、
　前記単量体は、アクリルモノマーを含み、
　前記主剤は、前記アクリル樹脂または前記アリル樹脂を含み
　当該ダイアタッチペースト中の前記アクリル樹脂及び前記アリル樹脂の含有量は、前記アクリルモノマー１００質量部に対して、８５質量部以上１４５質量部以下である、ダイアタッチペースト。
１４．　１．から１３．のいずれか１つに記載のダイアタッチペーストであって、
　前記ラジカル重合開始剤は、過酸化物である、ダイアタッチペースト。
１５．　１．から１４．のいずれか１つに記載のダイアタッチペーストであって、
　当該ダイアタッチペーストは、硬化剤を更に含む、ダイアタッチペースト。
１６．　１５．に記載のダイアタッチペーストであって、
　前記硬化剤は、フェノール硬化剤またはイミダゾール硬化剤を含む、ダイアタッチペースト。
１７．　基材と、
　前記基材上に接着層を介して搭載された半導体素子と、を備え、
　前記接着層は、１．から１６．のいずれか１つに記載のダイアタッチペーストを硬化してなる、半導体装置。 As mentioned above, although this invention was demonstrated based on embodiment, this invention is not limited to the said embodiment, The structure can also be changed in the range which does not change the summary of this invention.
Hereinafter, examples of the reference form will be added.
1. Silver particles,
Monomer,
With the main agent,
A die attach paste containing a radical polymerization initiator,
The die attach paste is applied to an Ag-plated copper frame having a length of 15.5 mm and a width of 6.5 mm so that the coating thickness is 35 ± 5 μm, and then the length is 15.0 mm and the width is 6.0 mm. X A silicon chip having a thickness of 0.2 mm is placed on the die attach paste to obtain a laminate, and the laminate is heated from 25 ° C. to 175 ° C. over 30 minutes, and further heat treated at 175 ° C. for 5 hours. To obtain a cured body,
The amount of warpage when the cured body was heat-treated at 275 ° C. for 1 minute was defined as W1,
When the cured body was subjected to moisture absorption at a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85% for 168 hours and then heat-treated at 275 ° C. for 1 minute, the amount of warpage was W2.
Die attach paste with | W2-W1 | of 20 μm or less.
However, the warpage amount is the maximum value of the distance from the diagonal line connecting any two vertices located diagonally in the in-plane direction of the silicon chip to the position where the silicon chip exists in the direction perpendicular to the diagonal line Indicates.
2. 1. The die attach paste described in
On the Ag-plated copper frame, the die attach paste is applied so that the coating thickness is 25 ± 5 μm, and then a silicon chip of length 2.0 mm × width 2.0 mm × thickness 350 ± 5 μm is applied. It is placed on a die attach paste, heated from 25 ° C. to 175 ° C. over 30 minutes, and further heat treated at 175 ° C. for 5 hours to obtain a cured product. % For 72 hours to obtain a test piece, and the die shear strength at 260 ° C. between the Ag-plated copper frame and the silicon chip of the test piece is 17.0 N / (2 mm × 2 mm) or more. , Die attach paste.
3. 1. Or 2. The die attach paste described in
The shape of the silver particles is a die attach paste having a flake shape or a spherical shape.
4). 1. To 3. A die attach paste according to any one of
The die attach paste whose tap density of the silver particles is 2.5 g / cm 3 or more and 10.0 g / cm 3 or less.
5). 1. To 4. A die attach paste according to any one of
The die attach paste whose average particle diameter of the said silver particle is 0.1 micrometer or more and 20 micrometers or less.
6). 1. To 5. A die attach paste according to any one of
The die attach paste in which the content of silver particles in the die attach paste is 50 parts by mass or more and 90 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the die attach paste.
7). 1. To 6. A die attach paste according to any one of
The die attach paste, wherein the monomer is one or more selected from the group consisting of an acrylic monomer, an epoxy monomer, and a maleimide monomer.
8). 1. To 7. A die attach paste according to any one of
The die attach paste, wherein the monomer includes the acrylic monomer.
9. 8). The die attach paste described in
The die attach paste has a content of the acrylic monomer in the die attach paste of 1.0 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the die attach paste.
10. 8). Or 9. The die attach paste described in
The acrylic monomer includes a monofunctional acrylic monomer and a polyfunctional acrylic monomer,
The die attach paste has a content of the monofunctional acrylic monomer in the die attach paste of 150 parts by mass or more and 650 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polyfunctional acrylic monomer.
11. 1. To 10. A die attach paste according to any one of
The die attach paste, wherein the main agent is one or more selected from the group consisting of acrylic resin, epoxy resin and allyl resin.
12 11. The die attach paste described in
The main agent includes the acrylic resin,
The die attach paste whose weight average molecular weight Mw of the said acrylic resin is 2000-13000.
13. 11. Or 12. The die attach paste described in
The monomer includes an acrylic monomer,
The main agent contains the acrylic resin or the allyl resin. The content of the acrylic resin and the allyl resin in the die attach paste is 85 parts by mass or more and 145 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the acrylic monomer. There is a die attach paste.
14 1. To 13. A die attach paste according to any one of
The die attach paste, wherein the radical polymerization initiator is a peroxide.
15. 1. To 14. A die attach paste according to any one of
The die attach paste further includes a curing agent.
16. 15. The die attach paste described in
The die attach paste, wherein the curing agent includes a phenol curing agent or an imidazole curing agent.
17. A substrate;
A semiconductor element mounted on the base material via an adhesive layer,
The adhesive layer includes: To 16. A semiconductor device obtained by curing the die attach paste according to any one of the above.
　次に、本発明の実施例について説明する。 Next, examples of the present invention will be described.
（ダイアタッチペーストの調製）
　各実施例および各比較例について、ダイアタッチペーストを調製した。この調製は、表１に示す配合に従い各成分を均一に混合することにより行った。なお、表１に示す成分の詳細は以下のとおりである。また、表１中における各成分の配合割合は、ダイアタッチペースト全体に対する各成分の配合割合（質量％）を示している。 (Preparation of die attach paste)
A die attach paste was prepared for each example and each comparative example. This preparation was performed by uniformly mixing each component according to the formulation shown in Table 1. The details of the components shown in Table 1 are as follows. Moreover, the compounding ratio of each component in Table 1 indicates the compounding ratio (% by mass) of each component with respect to the entire die attach paste.
（（Ａ）末端に反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体）
・（メタ）アクリル共重合体１：末端にエポキシ基を有するアクリル系共重合体（東亞合成株式会社製ＡＲＵＦＯＮ　ＵＧ－４０３５、重量平均分子量：１１０００、エポキシ当量：５５６）
・（メタ）アクリル共重合体２：末端にエポキシ基を有するアクリル系共重合体（東亞合成株式会社製ＡＲＵＦＯＮ　ＵＧ－４０１０、重量平均分子量：２９００、エポキシ当量：７１４）
・（メタ）アクリル共重合体３：末端にエポキシ基を有するアクリル系共重合体（東亞合成株式会社製ＡＲＵＦＯＮ　ＵＧ－４０７０、重量平均分子量：９７００、エポキシ当量：７１４）
・（メタ）アクリル共重合体４：末端に水酸基を有するアクリル系共重合体（東亞合成株式会社製ＡＲＵＦＯＮ　ＵＨ－２０００、重量平均分子量：１１０００、水酸基価：２０）
・（メタ）アクリル共重合体５：末端にメタクリル基を有するアクリル系共重合体（重量平均分子量：１２０００、１分子あたりメタクリル基４個）
・（メタ）アクリル共重合体６：末端に水酸基を有するアクリル系共重合体（東亞合成株式会社製ＡＲＵＦＯＮ　ＵＨ－２０４１、重量平均分子量：２５００、水酸基価：１２０）
・（メタ）アクリル共重合体７：末端に水酸基を有するアクリル系共重合体（東亞合成株式会社製ＡＲＵＦＯＮ　ＵＨ－２１７０、重量平均分子量：１４０００、水酸基価：８８） ((A) (Meth) acrylic copolymer having a reactive group at the terminal)
-(Meth) acrylic copolymer 1: acrylic copolymer having an epoxy group at the terminal (ARUFON UG-4035, manufactured by Toagosei Co., Ltd., weight average molecular weight: 11000, epoxy equivalent: 556)
-(Meth) acrylic copolymer 2: acrylic copolymer having an epoxy group at the terminal (ARUFON UG-4010 manufactured by Toagosei Co., Ltd., weight average molecular weight: 2900, epoxy equivalent: 714)
-(Meth) acrylic copolymer 3: acrylic copolymer having an epoxy group at the terminal (ARUFON UG-4070, manufactured by Toagosei Co., Ltd., weight average molecular weight: 9700, epoxy equivalent: 714)
(Meth) acrylic copolymer 4: Acrylic copolymer having a hydroxyl group at the terminal (ARUFON UH-2000, manufactured by Toagosei Co., Ltd., weight average molecular weight: 11000, hydroxyl value: 20)
-(Meth) acrylic copolymer 5: acrylic copolymer having a methacrylic group at the end (weight average molecular weight: 12,000, four methacrylic groups per molecule)
-(Meth) acrylic copolymer 6: acrylic copolymer having a hydroxyl group at the terminal (ARUFON UH-2041 manufactured by Toagosei Co., Ltd., weight average molecular weight: 2500, hydroxyl value: 120)
-(Meth) acrylic copolymer 7: acrylic copolymer having a hydroxyl group at the terminal (ARUFON UH-2170, manufactured by Toagosei Co., Ltd., weight average molecular weight: 14000, hydroxyl value: 88)
（（Ａ）'反応性基を有さない（メタ）アクリル共重合体）
・（メタ）アクリル共重合体８：反応性基を有さないアクリル系共重合体（東亞合成株式会社製ＡＲＵＦＯＮ　ＵＰ－１０００、重量平均分子量：３０００） ((A) '(meth) acrylic copolymer having no reactive group)
-(Meth) acrylic copolymer 8: acrylic copolymer having no reactive group (ARUFON UP-1000 manufactured by Toagosei Co., Ltd., weight average molecular weight: 3000)
（（Ｂ）（メタ）アクリルモノマー）
・（メタ）アクリルモノマー１：１，６－ビス（アクリロイルオキシ）ヘキサン（共栄社化学株式会社製ライトエステル１．６ＨＸ）
・（メタ）アクリルモノマー２：２－フェノキシエチルメタクリレート（共栄社化学株式会社製ライトエステルＰＯ） ((B) (meth) acrylic monomer)
(Meth) acrylic monomer 1: 1,6-bis (acryloyloxy) hexane (Kyoeisha Chemical Co., Ltd. Light Ester 1.6HX)
・ (Meth) acrylic monomer 2: 2-phenoxyethyl methacrylate (Kyoeisha Chemical Co., Ltd. light ester PO)
（（Ｃ）充填剤）
・銀粉１：球状銀粉１（比表面積：０．９８ｍ２／ｇ、タップ密度：５．０３ｇ／ｃｍ３、Ｄ５０：１．０３μｍ、Ｄ９０：１．９０μｍ、Ｄ５０に対するＤ９０の比（Ｄ９０／Ｄ５０）：１．８４）
・銀粉２：球状銀粉２（比表面積：０．７１ｍ２／ｇ、タップ密度：５．８８ｇ／ｃｍ３、Ｄ５０：１．２６μｍ、Ｄ９０：２．４９μｍ、Ｄ５０に対するＤ９０の比（Ｄ９０／Ｄ５０）：１．９８）
・銀粉３：球状銀粉３（比表面積：０．１９ｍ２／ｇ、タップ密度：５．５６ｇ／ｃｍ３、Ｄ５０：４．１９μｍ、Ｄ９０：７．０５μｍ、Ｄ５０に対するＤ９０の比（Ｄ９０／Ｄ５０）：１．６８）
・銀粉４：フレーク状銀粉１（比表面積：１．０７ｍ２／ｇ、タップ密度：３．８９ｇ／ｃｍ３、Ｄ５０：２．２５μｍ、Ｄ９０：５．２０μｍ、Ｄ５０に対するＤ９０の比（Ｄ９０／Ｄ５０）：２．３１）
・銀粉５：フレーク状銀粉２（比表面積：０．８０ｍ２／ｇ、タップ密度：３．５７ｇ／ｃｍ３、Ｄ５０：３．９０μｍ、Ｄ９０：８．７０μｍ、Ｄ５０に対するＤ９０の比（Ｄ９０／Ｄ５０）：２．２３）
・銀粉６：フレーク状銀粉３（比表面積：０．２５ｍ２／ｇ、タップ密度：３．５１ｇ／ｃｍ３、Ｄ５０：８．１０μｍ、Ｄ９０：１７．００μｍ、Ｄ５０に対するＤ９０の比（Ｄ９０／Ｄ５０）：２．１０）
・無機充填剤１：球状シリカ１（Ｄ５０：１μｍ、Ｄ９０：２μｍ、Ｄ５０に対するＤ９０の比（Ｄ９０／Ｄ５０）：２）
・無機充填剤２：球状シリカ２（Ｄ５０：４．２μｍ、Ｄ９０：８．５μｍ、Ｄ５０に対するＤ９０の比（Ｄ９０／Ｄ５０）：２．０２）
・無機充填剤３：球状アルミナ１（Ｄ５０：３．３μｍ、Ｄ９０：６．８μｍ、Ｄ５０に対するＤ９０の比（Ｄ９０／Ｄ５０）：２．０６）
・無機充填剤４：球状アルミナ２（Ｄ５０：４．５μｍ、Ｄ９０：１２μｍ、Ｄ５０に対するＤ９０の比（Ｄ９０／Ｄ５０）：２．６７）
・有機充填剤：ポリメチルシルセスキオキサン（信越化学工業社製、ＫＭＰ－５９０、Ｄ５０：１．９μｍ、Ｄ９０：２．４μｍ、Ｄ５０に対するＤ９０の比（Ｄ９０／Ｄ５０）：１．２６） ((C) filler)
Silver powder 1: spherical silver powder 1 (specific surface area: 0.98 m 2 / g, tap density: 5.03 g / cm 3 , D 50 : 1.03 μm, D 90 : 1.90 μm, ratio of D 90 to D 50 ( D 90 / D 50): 1.84 )
Silver powder 2: spherical silver powder 2 (specific surface area: 0.71 m 2 / g, tap density: 5.88 g / cm 3 , D 50 : 1.26 μm, D 90 : 2.49 μm, ratio of D 90 to D 50 ( D 90 / D 50): 1.98 )
Silver powder 3: spherical silver powder 3 (specific surface area: 0.19 m 2 / g, tap density: 5.56 g / cm 3 , D 50 : 4.19 μm, D 90 : 7.05 μm, ratio of D 90 to D 50 ( D 90 / D 50): 1.68 )
Silver powder 4: Flaky silver powder 1 (specific surface area: 1.07 m 2 / g, tap density: 3.89 g / cm 3 , D 50 : 2.25 μm, D 90 : 5.20 μm, ratio of D 90 to D 50 (D 90 / D 50): 2.31)
Silver powder 5: Flaky silver powder 2 (specific surface area: 0.80 m 2 / g, tap density: 3.57 g / cm 3 , D 50 : 3.90 μm, D 90 : 8.70 μm, ratio of D 90 to D 50 (D 90 / D 50): 2.23)
Silver powder 6: Flaky silver powder 3 (specific surface area: 0.25 m 2 / g, tap density: 3.51 g / cm 3 , D 50 : 8.10 μm, D 90 : 17.00 μm, ratio of D 90 to D 50 (D 90 / D 50): 2.10)
Inorganic Filler 1: Spherical Silica 1 (D 50: 1μm, D 90: 2μm, the ratio of D 90 for D 50 (D 90 / D 50 ): 2)
Inorganic Filler 2: Spherical silica 2 (D 50: 4.2μm, D 90: 8.5μm, the ratio of D 90 for D 50 (D 90 / D 50 ): 2.02)
Inorganic Filler 3: Spherical Alumina 1 (D 50: 3.3μm, D 90: 6.8μm, the ratio of D 90 for D 50 (D 90 / D 50 ): 2.06)
Inorganic filler 4: spherical alumina 2 (D 50: 4.5μm, D 90: 12μm, the ratio of D 90 for D 50 (D 90 / D 50 ): 2.67)
Organic fillers: polymethylsilsesquioxane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KMP-590, D 50: 1.9μm, D 90: 2.4μm, the ratio of D 90 for D 50 (D 90 / D 50 ) : 1.26)
（（Ｄ１）アリルエステル樹脂）
・アリルエステル樹脂１：アリル基含有ポリエステル樹脂（昭和電工株式会社製ＤＡ１０１、重量平均分子量１０００、１分子あたりアリル基２個） ((D1) allyl ester resin)
Allyl ester resin 1: Allyl group-containing polyester resin (DA101 manufactured by Showa Denko KK, weight average molecular weight 1000, two allyl groups per molecule)
（（Ｄ２）ポリカーボネート樹脂）
・ポリカーボネート樹脂１：両末端メタクリル化ポリカーボネート樹脂（宇部興産株式会社製ＵＭ－９０（１／３）ＤＭ、重量平均分子量９００、１分子あたりメタクリル基２個） ((D2) Polycarbonate resin)
Polycarbonate resin 1: Methacrylated polycarbonate resin at both ends (UM-90 (1/3) DM, Ube Industries, Ltd., weight average molecular weight 900, 2 methacrylic groups per molecule)
（（Ｅ）シランカップリング剤）
・シランカップリング剤１：メタクリル酸３－（トリメトキシシリル）プロピル（信越化学工業株式会社製ＫＢＭ－５０３Ｐ）
・シランカップリング剤２：３－グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製ＫＢＭ－４０３Ｅ） ((E) Silane coupling agent)
Silane coupling agent 1: 3- (trimethoxysilyl) propyl methacrylate (KBM-503P manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
Silane coupling agent 2: 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane (KBM-403E manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
（（Ｆ）低応力剤）
・低応力剤１：ポリブタジエン無水マレイン酸付加体（Ｓａｔｏｍｅｒ社製Ｒｉｃｏｂｏｎｄ１７３１、数平均分子量５４００、酸無水物当量５８３） ((F) Low stress agent)
Low stress agent 1: polybutadiene maleic anhydride adduct (Ricobond 1731 manufactured by Satomer, number average molecular weight 5400, acid anhydride equivalent 583)
（その他）
・硬化促進剤：ジシアンアミド（株式会社ＡＤＥＫＡ製ＥＨ－３６３６ＡＳ）
・重合開始剤：ビス（１－フェニル－１－メチルエチル）ペルオキシド（化薬アグゾ株式会社製パーカドックスＢＣ） (Other)
Curing accelerator: Dicyanamide (EH-3636AS manufactured by ADEKA Corporation)
Polymerization initiator: bis (1-phenyl-1-methylethyl) peroxide (Perkadox BC manufactured by Kayaku Aguso Co., Ltd.)
　上述の（メタ）アクリル共重合体５は、以下の手順により調製した。
　アクリルオリゴマー（東亞合成株式会社製、ＡＲＵＦＯＮ（アルフォン）ＵＨ－２０００、連鎖移動触媒を用いずに高温、高圧で連続塊状重合することにより得られる水酸基を有するアクリル系オリゴマー、水酸基価２０ｍｇＫＯＨ／ｇ、分子量１１０００）１１０ｇと、（メタ）アクリル酸５ｇと、トルエン５００ｇと、をセパラブルフラスコに入れ、ディーンスタークトラップを用いて、還流下、３０分間攪拌することで水分の除去処理を実施した。次いで、室温まで冷却した後、攪拌しながらジシクロヘキシルカルボジイミド１０ｇを酢酸エチル５０ｍｌに溶解させた溶液を、１０分かけて滴下した後、室温で６時間反応させた。反応終了後、攪拌しながら５０ｍＬのイオン交換水を添加することで過剰のジシクロヘキシルカルボジイミドを析出させた後、ディーンスタークトラップを用いて、還流下、３０分間攪拌することで水分の除去処理を実施した。次いで、室温まで冷却した後、反応液をろ過することで固形物を取り除いた。次に、７０℃のイオン交換水にて３回、室温のイオン交換水にて２回の分液洗浄を行った。次いで、エバポレータおよび真空乾燥機を用いて、得られた溶剤層を再度ろ過することにより得られたろ液から溶剤を除去して生成物を（メタ）アクリル共重合体５として得た（収率約９８％）。得られた生成物は、室温で液状であった。また、得られた生成物についてＧＰＣ測定を実施した結果、重量平均分子量（スチレン換算）が約１２０００であることと、該に原料のメタクリル酸が残存していないことが確認された。
　次に、得られた生成物について、重クロロホルムを用いたプロトンＮＭＲを測定した結果、水酸基が消失していること、生成物中にメタクリル基が存在していること、生成物中にエステル結合が生成していることが確認された。 The (meth) acrylic copolymer 5 described above was prepared by the following procedure.
Acrylic oligomer (manufactured by Toagosei Co., Ltd., ARUFON UH-2000, acrylic oligomer having a hydroxyl group obtained by continuous bulk polymerization at high temperature and high pressure without using a chain transfer catalyst, hydroxyl value 20 mgKOH / g, molecular weight 11000) 110 g, (meth) acrylic acid 5 g, and toluene 500 g were put into a separable flask and stirred for 30 minutes under reflux using a Dean-Stark trap to remove water. Next, after cooling to room temperature, a solution prepared by dissolving 10 g of dicyclohexylcarbodiimide in 50 ml of ethyl acetate was added dropwise over 10 minutes with stirring, and then reacted at room temperature for 6 hours. After completion of the reaction, excess dicyclohexylcarbodiimide was precipitated by adding 50 mL of ion-exchanged water while stirring, and then water was removed by stirring for 30 minutes under reflux using a Dean-Stark trap. . Subsequently, after cooling to room temperature, the solid was removed by filtering the reaction solution. Next, liquid separation washing was performed three times with ion exchange water at 70 ° C. and twice with ion exchange water at room temperature. Subsequently, the solvent was removed from the filtrate obtained by filtering the obtained solvent layer again using an evaporator and a vacuum dryer to obtain a product as a (meth) acrylic copolymer 5 (yield about 98%). The product obtained was liquid at room temperature. Moreover, as a result of carrying out GPC measurement about the obtained product, it was confirmed that a weight average molecular weight (styrene conversion) is about 12000, and that the raw material methacrylic acid does not remain in this.
Next, as a result of measuring proton NMR using deuterated chloroform for the obtained product, it was confirmed that a hydroxyl group had disappeared, a methacryl group was present in the product, and an ester bond was present in the product. It was confirmed that it was generated.
　また、上述の（Ｃ）充填剤（銀粉）の粒径は、シスメックス株式会社製フロー式粒子像分析装置ＦＰＩＡ（登録商標）－３０００を用い、粒子画像計測を行うことで決定した。より具体的には、上記装置を用い、体積基準のメジアン径を計測することで銀粉の粒径を決定した。 Further, the particle size of the above-mentioned filler (C) (silver powder) was determined by performing particle image measurement using a flow type particle image analyzer FPIA (registered trademark) -3000 manufactured by Sysmex Corporation. More specifically, the particle diameter of the silver powder was determined by measuring the volume-based median diameter using the above apparatus.
（評価）
　上記のようにして得られたダイアタッチペーストについて、以下の項目に従い、評価を行った。この結果は表１に示した通りである。 (Evaluation)
The die attach paste obtained as described above was evaluated according to the following items. The results are as shown in Table 1.
（耐リフロー性）
　得られたダイアタッチペーストを用いてリードフレーム（銀スポットメッキした銅フレーム）に対してシリコンチップ（２×２ｍｍ、厚み０．３５ｍｍ）を接着させた。具体的には、３０分かけて温度を１７５℃まで上昇させた後、かかる温度を６０分間維持することで上記ダイアタッチペーストを硬化させることにより、リードフレームに対してダイアタッチペーストの硬化物を介してシリコンチップを接着させた。次に、リードフレームをダイボンドした後、かかるリードフレームを半導体封止用エポキシ樹脂組成物（住友ベークライト株式会社製、ＥＭＥ－Ｇ７００ＬＳ）によってパッケージサイズが１７．９×７．２×２．５ｍｍとなるように封止した後、１７５℃、４時間のポストモールドキュアを行うことで、半導体装置（ＳＯＰ）を得た。なお、上記半導体装置は、上述した方法で８個作製した。次に、得られた８個の半導体装置について、６０℃、相対湿度６０％の条件で１２０時間の吸湿処理を実施した後、ＩＲリフロー処理（２６０℃、１０秒の条件で３回リフロー）を行った。次に、ＩＲリフロー処理後の半導体装置８個それぞれについて、リードフレームとシリコンチップとの界面における剥離の有無を、超音波探傷装置（透過型）を用いて測定した。その結果を、剥離数／評価数として表１に示す。 (Reflow resistance)
A silicon chip (2 × 2 mm, thickness 0.35 mm) was bonded to the lead frame (silver spot plated copper frame) using the obtained die attach paste. Specifically, after the temperature is raised to 175 ° C. over 30 minutes, the die attach paste is cured by maintaining the temperature for 60 minutes, whereby a cured product of the die attach paste is applied to the lead frame. A silicon chip was adhered to the substrate. Next, after die bonding the lead frame, the package size of the lead frame becomes 17.9 × 7.2 × 2.5 mm by using an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation (EME-G700LS, manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.). After sealing in this way, a semiconductor device (SOP) was obtained by performing post mold cure at 175 ° C. for 4 hours. Note that eight semiconductor devices were manufactured by the above-described method. Next, the eight semiconductor devices obtained were subjected to a moisture absorption treatment for 120 hours under the conditions of 60 ° C. and a relative humidity of 60%, followed by IR reflow treatment (reflow three times at 260 ° C. for 10 seconds). went. Next, for each of the eight semiconductor devices after the IR reflow treatment, the presence or absence of peeling at the interface between the lead frame and the silicon chip was measured using an ultrasonic flaw detector (transmission type). The results are shown in Table 1 as the number of peels / the number of evaluations.
（粘度）
　得られたダイアタッチペーストについて、ブルックフィールド型粘度計１．５度コーンを使用して、２５℃、５．０ｒｐｍの条件において粘度を測定した。 (viscosity)
About the obtained die attach paste, the viscosity was measured under conditions of 25 ° C. and 5.0 rpm using a Brookfield viscometer 1.5 ° cone.
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表１に示されるように、各実施例のダイアタッチペーストを用いて接着層を得た場合においては、耐リフロー性が良好なものであった。
　これに対し、銀粉のＤ５０の大きい、比較例１および比較例２、また、末端に特定の反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体を含まない比較例３、さらに、（メタ）アクリル共重合体として反応性基を有さないものを用いた比較例４では、実施例に比して耐リフロー性が劣る結果となった。さらに、粒径Ｄ５０が４μｍよりも大きな値を示す無機充填剤を用いた比較例５および６についても、実施例に比して耐リフロー性が劣る結果となった。 As shown in Table 1, when the adhesive layer was obtained using the die attach paste of each example, the reflow resistance was good.
In contrast, a large D 50 of the silver powder, Comparative Example 1 and Comparative Example 2, also has a specific reactive group at the terminal (meth) Comparative Example 3 containing no acrylic copolymer, further, (meth) acrylic In Comparative Example 4 using a copolymer having no reactive group, the reflow resistance was inferior to that of Examples. Further, Comparative Examples 5 and 6 using an inorganic filler having a particle size D 50 larger than 4 μm also resulted in inferior reflow resistance as compared with the Examples.
　また、第２の実施形態に係るダイアタッチペーストが、第２の課題を解決することを確認するため、以下の実施例２３～２８、比較例７～９のダイアタッチペーストを調整した。 Also, in order to confirm that the die attach paste according to the second embodiment solves the second problem, the die attach pastes of Examples 23 to 28 and Comparative Examples 7 to 9 below were adjusted.
＜原料成分＞
　まず、実施例２３～２８、比較例７～９に用いた原料成分について詳細を説明する。 <Raw ingredient>
First, the raw material components used in Examples 23 to 28 and Comparative Examples 7 to 9 will be described in detail.
（単量体）
　単量体として、以下のものを用いた。
・単官能アクリルモノマー１：２－フェノキシエチルメタクリレート（共栄社化学社製、ＰＯ）
・多官能アクリルモノマー１：エチレングリコールジメタクリレート（共栄社化学社製、ＥＧ）
・多官能アクリルモノマー２：トリメチロールプロパントリメタクリレート（共栄社化学社製、ＴＭＰ）
・多官能アクリルモノマー３：プロポキシ化ビスフェノールＡジアクリレート（共栄社化学社製、Ａ－ＢＢＰ－３）
・多官能アクリルモノマー４：ヘキサン－１，６－ジオールビス（２－メチルアクリレート）（共栄社化学社製、１，６ＨＸ）
・多官能エポキシモノマー１：１，４－ビス［（オキシラン－２－イルメトキシ）メチル］シクロヘキサン（新日鐵化学社製、ＺＸ－１６５８ＧＳ） (Monomer)
The following were used as monomers.
Monofunctional acrylic monomer 1: 2-phenoxyethyl methacrylate (Kyoeisha Chemical Co., PO)
-Multifunctional acrylic monomer 1: Ethylene glycol dimethacrylate (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., EG)
-Multifunctional acrylic monomer 2: Trimethylolpropane trimethacrylate (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., TMP)
Polyfunctional acrylic monomer 3: propoxylated bisphenol A diacrylate (A-BBP-3, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.)
Polyfunctional acrylic monomer 4: hexane-1,6-diol bis (2-methyl acrylate) (1,6HX, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.)
Polyfunctional epoxy monomer 1: 1,4-bis [(oxiran-2-ylmethoxy) methyl] cyclohexane (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., ZX-1658GS)
（主剤）
　主剤として、以下のものを用いた。
・アクリルポリマー１：アクリル酸系重合物（東亞合成社製、ＵＧ－４０３５、Ｍｗ＝１１０００）
・アクリルオリゴマー１：アクリル化ポリブタジエン（大阪有機化学工業社製、ＢＡＣ－４５、Ｍｗ＝３０００）
・エポキシオリゴマー１：ビスフェノール－Ｆ－ジグリシジルエーテル（日本化薬社製、ＲＥ－４０３Ｓ）
・エポキシオリゴマー２：変性エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ－４８５０－１０００）
・アリルオリゴマー１：１，２－シクロヘキサンジカルボン酸ビス（２－プロペニル）とプロパン－１，２－ジオールとの重合体（関東化学社製） (Main agent)
The following were used as the main agent.
・ Acrylic polymer 1: Acrylic acid polymer (manufactured by Toagosei Co., Ltd., UG-4035, Mw = 11000)
Acrylic oligomer 1: Acrylated polybutadiene (manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd., BAC-45, Mw = 3000)
Epoxy oligomer 1: bisphenol-F-diglycidyl ether (Nippon Kayaku Co., Ltd., RE-403S)
Epoxy oligomer 2: Modified epoxy resin (manufactured by DIC, EXA-4850-1000)
Allyl oligomer 1: Polymer of bis (2-propenyl) 1,2-cyclohexanedicarboxylate and propane-1,2-diol (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.)
（ラジカル重合開始剤）
・過酸化物１：ビス（１－フェニル－１－メチルエチル）ペルオキシド（化薬アクゾ社製、ＰＥＲＣＡＤＯＸ　ＢＣ）
・過酸化物２：１，１－ビス（１，１－ジメチルエチルペルオキシ）シクロヘキサン（日油社製、ＰＥＲＨＥＸＡ　Ｃ（Ｓ））
・過酸化物３：ジラウロイルパーオキサイド（アルケマ吉富社製、ＬＵＰＥＲＯＸ　ＬＰ） (Radical polymerization initiator)
Peroxide 1: bis (1-phenyl-1-methylethyl) peroxide (manufactured by Kayaku Akzo, PERCADOX BC)
Peroxide 2: 1,1-bis (1,1-dimethylethylperoxy) cyclohexane (manufactured by NOF Corporation, PERHEXA C (S))
・ Peroxide 3: Dilauroyl peroxide (manufactured by Arkema Yoshitomi, LUPEROX LP)
（硬化剤）
・フェノール硬化剤１：ジヒドロキシジフェニルメタン（ＤＩＣ社製、ＤＩＣ－ＢＰＦ）
・イミダゾール硬化剤１：２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＨＺ） (Curing agent)
・ Phenol curing agent 1: Dihydroxydiphenylmethane (DIC-BPF, manufactured by DIC)
・ Imidazole curing agent 1: 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2P4MHZ)
（硬化促進剤）
・硬化促進剤１：ジシアンジアミド（旭電化工業社製、ＥＨ－３６３６ＡＳ） (Curing accelerator)
Curing accelerator 1: Dicyandiamide (Ahi Denka Kogyo Co., Ltd., EH-3636AS)
（低応力剤）
・低応力剤１：ポリブタジエン無水マレイン酸付加体（Ｃｒａｙ　Ｖａｌｌｅｙ　ＨＳＣ　Ａｓｉａ　Ｌｉｍｉｔｅｄ社製、Ｒｉｃｏｂｏｎｄ１７３１） (Low stress agent)
Low stress agent 1: polybutadiene maleic anhydride adduct (manufactured by Cray Valley HSC Asia Limited, Ricobond 1731)
（シランカップリング剤）
・シランカップリング剤１：ポリスルフィド，ビス［３－（トリエトキシシリル）プロピル］（ダイソー社製、ＣＡＢＲＵＳ４）
・シランカップリング剤２：３－グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ－４０３Ｅ）
・シランカップリング剤３：メタクリル酸３－（トリメトキシシリル）プロピル（信越化学工業社製、ＫＢＭ－５０３Ｐ） (Silane coupling agent)
Silane coupling agent 1: polysulfide, bis [3- (triethoxysilyl) propyl] (manufactured by Daiso, CABRUS4)
Silane coupling agent 2: 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-403E)
Silane coupling agent 3: 3- (trimethoxysilyl) propyl methacrylate (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-503P)
（銀粒子）
　銀粒子としては、以下の表２に示すものを用いた。 (Silver particles)
As the silver particles, those shown in Table 2 below were used.
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
＜ダイアタッチペーストの作製＞
　実施例２３～２８、比較例７～９のダイアタッチペーストを作製した。作製方法としては、下記表３に記載した配合量の各原料成分を、常温で、３本ロールミルで混練することによって作成した。 <Production of die attach paste>
Die attach pastes of Examples 23 to 28 and Comparative Examples 7 to 9 were prepared. As a production method, each raw material component having a blending amount described in Table 3 below was prepared by kneading with a three-roll mill at room temperature.
＜評価＞
　実施例２３～２８、比較例７～９のダイアタッチペースト及びそれを用いた半導体装置について、以下の方法にて評価を行った。 <Evaluation>
The die attach pastes of Examples 23 to 28 and Comparative Examples 7 to 9 and semiconductor devices using the same were evaluated by the following methods.
（反り量）
　実施例２３～２８、比較例７～９のダイアタッチペーストについて、半導体装置にダイアタッチペーストを塗布し、吸湿せずに加熱した時の反り量、及び、半導体装置にダイアタッチペーストを塗布し、吸湿後、加熱した時の反り量を評価した。以下、詳細を説明する。
　まず、長さ１５．５ｍｍ×幅６．５ｍｍのＡｇめっきした銅製のリードフレームを準備した。次いで、リードフレームの上に、各実施例及び各比較例のダイアタッチペーストを手で塗布した。ここで、ダイアタッチペーストは、塗布厚みが３５±５μｍとなるように塗布した。次いで、リードフレームの上に塗布したダイアタッチペースト上に、長さ１５．０ｍｍ×幅６．０ｍｍ×厚さ０．２ｍｍのシリコンチップを配置して積層体を得た。すなわち、積層体は、リードフレーム、ダイアタッチペースト、シリコンチップがこの順で積層したものである。
　この積層体を２５℃から１７５℃まで３０分間かけて昇温し、さらに１７５℃で５時間熱処理することで硬化体を得た。なお、１７５℃で１時間の熱処理の時点で、各実施例、各比較例のダイアタッチペーストは硬化している。さらに１７５℃で４時間の熱処理を施すのは、ダイアタッチペーストを半導体装置の作製に用いることを想定し、封止材の成形、硬化と同じ熱履歴を実施例２３～２８、比較例７～９のダイアタッチペーストに与えるためである。
　上記硬化体を２７５℃で１分間熱処理した時の硬化体の反り量をＷ１として評価した。また、上記硬化体を、温度８５℃、湿度８５％で１６８時間吸湿させた後、２７５℃で１分間熱処理した時の硬化体の反り量をＷ２として評価した。さらに、Ｗ１、Ｗ２から｜Ｗ２－Ｗ１｜を算出した。ただし、反り量とは、前記シリコンチップの面内方向において対角に位置する任意の２頂点を結んだ対角線から、前記対角線と垂直方向において、前記シリコンチップが存在する位置までの距離の最大値を示す。すなわち、硬化体が上に凸となるクライ反り、または、下に凸となるスマイル反りのいずれでも、反り量は正の値を示す。ここで、各実施例、各比較例は、積層体のリードフレームが存在する面を地面とし、シリコンチップが存在する面を天面として反り量Ｗ１、Ｗ２を測定した時、クライ反りするものであった。
　評価結果を下記表３に示す。なお、単位はμｍである。
　なお、実施例２３～２８、比較例７～９において、硬化体の反りはリードフレーム、ダイアタッチペースト、シリコンチップが一体となって生じており、リードフレームと、シリコンチップとが２７５℃で１分間の熱処理前後で剥離することはなかった。 (Warpage amount)
For the die attach pastes of Examples 23 to 28 and Comparative Examples 7 to 9, the die attach paste was applied to the semiconductor device, the amount of warp when heated without moisture absorption, and the die attach paste was applied to the semiconductor device. The amount of warpage when heated after moisture absorption was evaluated. Details will be described below.
First, an Ag-plated copper lead frame having a length of 15.5 mm and a width of 6.5 mm was prepared. Next, the die attach pastes of Examples and Comparative Examples were manually applied onto the lead frame. Here, the die attach paste was applied so that the coating thickness was 35 ± 5 μm. Next, a silicon chip having a length of 15.0 mm, a width of 6.0 mm, and a thickness of 0.2 mm was placed on the die attach paste applied on the lead frame to obtain a laminate. That is, the laminate is a laminate of a lead frame, a die attach paste, and a silicon chip in this order.
This laminate was heated from 25 ° C. to 175 ° C. over 30 minutes, and further heat treated at 175 ° C. for 5 hours to obtain a cured product. In addition, the die attach paste of each Example and each comparative example has hardened | cured at the time of the heat processing for 1 hour at 175 degreeC. Further, the heat treatment at 175 ° C. for 4 hours assumes that the die attach paste is used for the production of a semiconductor device, and the thermal history same as that of the molding and curing of the sealing material is shown in Examples 23 to 28 and Comparative Examples 7 to 28. This is because it is given to 9 die attach paste.
The amount of warpage of the cured body when the cured body was heat treated at 275 ° C. for 1 minute was evaluated as W1. Moreover, after the said hardening body was moisture-absorbed for 168 hours at the temperature of 85 degreeC and the humidity of 85%, the curvature amount of the hardening body when heat-processed at 275 degreeC for 1 minute was evaluated as W2. Further, | W2-W1 | was calculated from W1 and W2. However, the warpage amount is the maximum value of the distance from the diagonal line connecting any two vertices located diagonally in the in-plane direction of the silicon chip to the position where the silicon chip exists in the direction perpendicular to the diagonal line Indicates. That is, the amount of warpage shows a positive value for either a cry warp where the cured body is convex upward or a smile warp where the cured body is convex downward. Here, each example and each comparative example are those in which the warp amounts W1 and W2 are measured when the warp amounts W1 and W2 are measured with the surface where the lead frame of the laminated body is present as the ground and the surface where the silicon chip is present as the top surface. there were.
The evaluation results are shown in Table 3 below. The unit is μm.
In Examples 23 to 28 and Comparative Examples 7 to 9, warping of the cured body is caused by integration of the lead frame, die attach paste, and silicon chip, and the lead frame and silicon chip are 1 at 275 ° C. There was no peeling before and after the heat treatment for minutes.
（実装信頼性）
　実施例２３～２８、比較例７～９のダイアタッチペーストを用いた半導体装置について、実装信頼性を評価した。実装信頼性の評価としては、ＭＳＬ（Ｍｏｉｓｔｕｒｅ　Ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ　Ｌｅｖｅｌ）パフォーマンスを測定した。ＭＳＬパフォーマンスは、ＪＥＤＥＣ　ＳＴＡＮＤＡＲＤ　２２－Ａ１１３Ｄに準じて、ＭＳＬ　Ｌｖ２ａとすることで行った。詳細な方法を以下に示す。
　まず、リードフレーム（銀スポットメッキした銅フレーム）と、シリコンチップ（長さ２ｍｍ×幅２ｍｍ、厚み０．３５ｍｍ）とを準備した。次いで、シリコンチップに実施例２３～２８、比較例７～９のダイアタッチペーストを塗布厚み２５±５μｍとなるように塗布し、リードフレームを配置した。すなわち、シリコンチップ、ダイアタッチペースト、リードフレームがこの順で積層してなる積層体を作製した。なお、リードフレームのダイアタッチペーストと接触する面は銀メッキによってなるものである。
　次いで、大気下で、温度２５℃から、温度１７５℃まで３０分間かけて上昇させた後、温度１７５℃で６０分間熱処理することで、積層体のダイアタッチペーストを硬化させて硬化物を作製した。
　次いで、硬化物を半導体封止用エポキシ樹脂組成物（住友ベークライト株式会社製、ＥＭＥ－Ｇ７００ＬＳ）によってパッケージサイズが長さ１７．９ｍｍ×幅７．２×厚さ２．５ｍｍとなるように封止し、温度１７５℃で４時間の熱処理をすることで、半導体封止用エポキシ樹脂組成物を硬化して半導体装置を得た。
　この半導体装置について、６０℃、相対湿度６０％の条件で１２０時間の吸湿処理を実施した後、ＩＲリフロー処理（２６０℃、１０秒の条件で３回リフロー）を行った。次に、ＩＲリフロー処理後の半導体装置について、透過型超音波探傷装置を用いて剥離の有無を評価した。評価は、半導体装置８個について行い、その平均値について以下の基準で評価した。評価結果を以下の表３に示す。
○：リードフレーム及びダイアタッチペーストの硬化物の界面、ダイアタッチペーストの硬化物及びシリコンチップの界面、シリコンチップ及び半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物、ならびに、リードフレーム及び半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物の界面について、剥離している界面の面積が、２ｍｍ×２ｍｍの領域に対して、２０％未満であった。
×：リードフレーム及びダイアタッチペーストの硬化物の界面、ダイアタッチペーストの硬化物及びシリコンチップの界面、シリコンチップ及び半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物、ならびに、リードフレーム及び半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物の界面について、剥離している界面の面積が、２ｍｍ×２ｍｍの領域に対して、２０％以上であった。
　なお、リードフレーム及び半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物の界面の剥離は、ダイアタッチペーストの硬化物に起因する反りによって生じるため、評価しているものである。 (Mounting reliability)
The mounting reliability of the semiconductor devices using the die attach pastes of Examples 23 to 28 and Comparative Examples 7 to 9 was evaluated. As an evaluation of mounting reliability, MSL (Moisture Sensitivity Level) performance was measured. The MSL performance was set to MSL Lv2a according to JEDEC STANDARD 22-A113D. A detailed method is shown below.
First, a lead frame (a silver spot plated copper frame) and a silicon chip (length 2 mm × width 2 mm, thickness 0.35 mm) were prepared. Next, the die attach pastes of Examples 23 to 28 and Comparative Examples 7 to 9 were applied to a silicon chip so as to have a coating thickness of 25 ± 5 μm, and a lead frame was disposed. That is, a laminated body in which a silicon chip, a die attach paste, and a lead frame were laminated in this order was produced. The surface of the lead frame that contacts the die attach paste is made of silver plating.
Next, in the atmosphere, the temperature was increased from 25 ° C. to 30 ° C. over 30 minutes, and then heat treated at 175 ° C. for 60 minutes to cure the die attach paste of the laminate, thereby producing a cured product. .
Next, the cured product is sealed with a semiconductor sealing epoxy resin composition (EME-G700LS, manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) so that the package size is 17.9 mm long × 7.2 × 2.5 mm thick. Then, the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation was cured by heat treatment for 4 hours at a temperature of 175 ° C. to obtain a semiconductor device.
This semiconductor device was subjected to a moisture absorption treatment for 120 hours at 60 ° C. and a relative humidity of 60%, and then an IR reflow treatment (reflow three times at 260 ° C. for 10 seconds). Next, the semiconductor device after the IR reflow process was evaluated for the presence or absence of peeling using a transmission ultrasonic flaw detector. Evaluation was performed on eight semiconductor devices, and the average value was evaluated according to the following criteria. The evaluation results are shown in Table 3 below.
○: Cured material interface of lead frame and die attach paste, cured product of die attach paste and silicon chip, cured product of epoxy resin composition for silicon chip and semiconductor sealing, and lead frame and semiconductor sealing About the interface of the hardened | cured material of an epoxy resin composition, the area of the peeling interface was less than 20% with respect to the area | region of 2 mm x 2 mm.
X: Interface of cured product of lead frame and die attach paste, interface of cured product of die attach paste and silicon chip, cured product of epoxy resin composition for silicon chip and semiconductor encapsulation, and lead frame and semiconductor encapsulation About the interface of the hardened | cured material of an epoxy resin composition, the area of the peeling interface was 20% or more with respect to the area | region of 2 mm x 2 mm.
In addition, since peeling of the interface of the hardened | cured material of a lead frame and the epoxy resin composition for semiconductor sealing produces by the curvature resulting from the hardened | cured material of a die attach paste, it is evaluating.
（フィレット形状安定性）
　実施例２３～２８、比較例７～９のダイアタッチペーストを用いた半導体装置について、フィレット形状安定性を評価した。以下、詳細を説明する。
　まず、リードフレーム（銀スポットメッキした銅フレーム）と、シリコンチップ（長さ７ｍｍ×幅７ｍｍ、厚み０．２０ｍｍ）とを準備した。次いで、シリコンチップに対して、ダイボンダー（新川社製、ＳＰＡ－４００）を用いて、実施例２３～２８、比較例７～９のダイアタッチペーストを１５±３ｍｍ３塗布し、次いで、８Ｎの荷重をシリコンチップに加えることで、リードフレームにシリコンチップをマウントした。これにより、シリコンチップ、ダイアタッチペースト、リードフレームがこの順で厚み方向に積層してなる積層体を作製した。なお、リードフレームのダイアタッチペーストと接する面は銀メッキによってなるものである。
　上記積層体について、光学顕微鏡を用いて、フィレット高さを測定した。上記フィレット高さは、積層体を厚み方向に対して垂直方向から観察したとき、シリコンチップとダイアタッチペーストとの界面を始点とし、積層体の厚み方向について、ダイアタッチペーストが存在する位置までの最大長さとした。さらに、積層体からシリコンチップを剥離して、ダイアタッチペーストの広がりを確認した。これにより、フィレット形状安定性を以下の基準で評価した。評価結果を以下の表３に示す。
◎：フィレット高さが１５０μｍ以下であった。また、積層体から、シリコンチップを剥離した際、シリコンチップの長さ７ｍｍ×幅７ｍｍの全面に対して、ダイアタッチペーストが広がり、付着していた跡が観察された。
○：フィレット高さが１５０μｍより大きく２００μｍ以下であった。また、積層体から、シリコンチップを剥離した際、シリコンチップの長さ７ｍｍ×幅７ｍｍの全面に対して、ダイアタッチペーストが広がり、付着していた跡が観察された。
×：フィレット高さが２００μｍより大きかった。または、フィレット高さが２００μｍ以下であるが、積層体から、シリコンチップを剥離した際、シリコンチップの長さ７ｍｍ×幅７ｍｍの全面に対して、ダイアタッチペーストが広がりきっておらず、付着していた跡が観察されなかった。 (Fillette shape stability)
The fillet shape stability of the semiconductor devices using the die attach pastes of Examples 23 to 28 and Comparative Examples 7 to 9 was evaluated. Details will be described below.
First, a lead frame (silver spot-plated copper frame) and a silicon chip (length 7 mm × width 7 mm, thickness 0.20 mm) were prepared. Next, 15 ± 3 mm 3 of the die attach pastes of Examples 23 to 28 and Comparative Examples 7 to 9 were applied to the silicon chip using a die bonder (Shinkawa Co., SPA-400), and then a load of 8N was applied. The silicon chip was mounted on the lead frame by adding to the silicon chip. Thereby, the laminated body formed by laminating the silicon chip, the die attach paste, and the lead frame in the thickness direction in this order was manufactured. The surface of the lead frame that contacts the die attach paste is made of silver plating.
About the said laminated body, the fillet height was measured using the optical microscope. When the laminate is observed from a direction perpendicular to the thickness direction, the fillet height starts from the interface between the silicon chip and the die attach paste, and reaches the position where the die attach paste exists in the thickness direction of the laminate. Maximum length. Furthermore, the silicon chip was peeled from the laminate, and the spread of the die attach paste was confirmed. Thereby, fillet shape stability was evaluated according to the following criteria. The evaluation results are shown in Table 3 below.
A: The fillet height was 150 μm or less. Further, when the silicon chip was peeled from the laminate, it was observed that the die attach paste spread and adhered to the entire surface of the silicon chip 7 mm long × 7 mm wide.
○: The fillet height was larger than 150 μm and not larger than 200 μm. Further, when the silicon chip was peeled from the laminate, it was observed that the die attach paste spread and adhered to the entire surface of the silicon chip 7 mm long × 7 mm wide.
X: The fillet height was larger than 200 μm. Alternatively, the fillet height is 200 μm or less, but when the silicon chip is peeled from the laminate, the die attach paste does not spread over the entire surface of the silicon chip 7 mm long × 7 mm wide, and adheres. No traces were observed.
（ダイシェア強度）
　実施例２３～２８、比較例７～９のダイアタッチペーストを用いた半導体装置について、ダイシェア強度を評価した。以下、詳細を説明する。
　まず、リードフレーム（銀スポットメッキした銅フレーム）と、シリコンチップ（長さ２ｍｍ×幅２ｍｍ、厚み０．３５ｍｍ）とを準備した。次いで、シリコンチップに実施例２３～２８、比較例７～９のダイアタッチペーストを塗布厚み２５±５μｍとなるように塗布し、リードフレームを配置した。すなわち、シリコンチップ、ダイアタッチペースト、リードフレームがこの順で積層してなる積層体を作製した。なお、リードフレームの、ダイアタッチペーストと接する面は銀メッキによってなるものである。次いで、大気下で、温度２５℃から、温度１７５℃まで３０分間かけて上昇させた後、温度１７５℃で６０分間熱処理することで、積層体のダイアタッチペーストを硬化させて硬化物を作製した。
　該硬化物を、温度８５℃、湿度８５％で７２時間吸湿させ、次いで、万能型ボンドテスターを用いて、２６０℃における、リードフレームと、ダイアタッチペーストの硬化物との間のダイシェア強度を測定した。評価結果を以下の表３に示す。なお、単位はＮ/（２ｍｍ×２ｍｍ）である。 (Die shear strength)
The die shear strength of the semiconductor devices using the die attach pastes of Examples 23 to 28 and Comparative Examples 7 to 9 was evaluated. Details will be described below.
First, a lead frame (a silver spot plated copper frame) and a silicon chip (length 2 mm × width 2 mm, thickness 0.35 mm) were prepared. Next, the die attach pastes of Examples 23 to 28 and Comparative Examples 7 to 9 were applied to a silicon chip so as to have a coating thickness of 25 ± 5 μm, and a lead frame was disposed. That is, a laminated body in which a silicon chip, a die attach paste, and a lead frame were laminated in this order was produced. The surface of the lead frame that contacts the die attach paste is made of silver plating. Next, in the atmosphere, the temperature was increased from 25 ° C. to 30 ° C. over 30 minutes, and then heat treated at 175 ° C. for 60 minutes to cure the die attach paste of the laminate, thereby producing a cured product. .
The cured product was absorbed at a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85% for 72 hours, and then the die shear strength between the lead frame and the cured product of the die attach paste at 260 ° C. was measured using a universal bond tester. did. The evaluation results are shown in Table 3 below. The unit is N / (2 mm × 2 mm).
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　表３に示す通り、各実施例のダイアタッチペーストを用いた半導体装置は、各比較例のダイアタッチペーストを用いた半導体装置と比べて、実装信頼性を向上できることが確認された。 As shown in Table 3, it was confirmed that the semiconductor device using the die attach paste of each example can improve the mounting reliability as compared with the semiconductor device using the die attach paste of each comparative example.
　この出願は、２０１６年８月１９日に出願された日本出願特願２０１６－１６１１２９号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。 This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2016-161129 filed on August 19, 2016, the entire disclosure of which is incorporated herein.

Claims (40)

  1. 　（Ａ）反応性基を備える（メタ）アクリル共重合体と、
    　（Ｂ）（メタ）アクリルモノマーと、
    　（Ｃ）充填剤と、
    を含み、
    　前記（Ａ）（メタ）アクリル共重合体の備える前記反応性基が、エポキシ基、アミノ基、ビニル基、カルボキシル基および水酸基から選ばれる１種以上の基であり、
    　前記（Ａ）（メタ）アクリル共重合体の重量平均分子量が、２０００以上１４０００以下であり、
    　前記（Ｃ）充填剤の体積基準の粒度分布における５０％累積時の粒径Ｄ５０が、０．３μｍ以上４．０μｍ以下であり、
    　前記（Ｃ）充填剤の体積基準の粒度分布における９０％累積時の粒径Ｄ９０が、１５μｍ以下である、ダイアタッチペースト。     (A) a (meth) acrylic copolymer comprising a reactive group;
    (B) a (meth) acrylic monomer;
    (C) a filler;
    Including
    The reactive group included in the (A) (meth) acrylic copolymer is one or more groups selected from an epoxy group, an amino group, a vinyl group, a carboxyl group, and a hydroxyl group,
    The weight average molecular weight of the (A) (meth) acrylic copolymer is 2000 or more and 14000 or less,
    The particle size D 50 at 50% accumulation in the volume-based particle size distribution of the (C) filler is 0.3 μm or more and 4.0 μm or less,
    The die attach paste in which the particle size D 90 at 90% accumulation in the volume-based particle size distribution of the (C) filler is 15 μm or less.
  2. 　請求項１に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記粒径Ｄ５０に対する、前記粒径Ｄ９０の比（Ｄ５０／Ｄ９０）が、１．０５以上３．５以下である、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to claim 1,
    With respect to the particle diameter D 50, the ratio of the particle diameter D 90 (D 50 / D 90 ) is 1.05 to 3.5, die attachment paste.
  3. 　請求項１または２に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記（Ｂ）（メタ）アクリルモノマーが、単官能（メタ）アクリルモノマーおよび多官能（メタ）アクリルモノマーを含む、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to claim 1 or 2,
    The die attach paste in which the (B) (meth) acrylic monomer includes a monofunctional (meth) acrylic monomer and a polyfunctional (meth) acrylic monomer.
  4. 　請求項３に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記（Ｂ）（メタ）アクリルモノマー全体において、前記多官能（メタ）アクリルモノマーに対する前記単官能（メタ）アクリルモノマーの含有量の比は、０．３以上１０以下である、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to claim 3,
    The die attach paste in which the ratio of the content of the monofunctional (meth) acrylic monomer to the polyfunctional (meth) acrylic monomer is 0.3 or more and 10 or less in the whole (B) (meth) acrylic monomer.
  5. 　請求項１から４のいずれか１項に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記（Ａ）（メタ）アクリル共重合体と反応する官能基を有しており、前記（Ａ）（メタ）アクリル共重合体とは異なるものであり、５００以上１００００以下の重量平均分子量を有する（Ｄ）樹脂を含む、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to any one of claims 1 to 4,
    It has a functional group that reacts with the (A) (meth) acrylic copolymer, is different from the (A) (meth) acrylic copolymer, and has a weight average molecular weight of 500 to 10,000. (D) A die attach paste containing a resin.
  6. 　請求項５に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記（Ｄ）樹脂が、（Ｄ１）アリルエステル樹脂または（Ｄ２）ポリカーボネート樹脂を含む、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to claim 5,
    The die attach paste, wherein the (D) resin includes (D1) allyl ester resin or (D2) polycarbonate resin.
  7. 　請求項５または６に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記（Ｄ）樹脂の含有量は、当該ダイアタッチペースト全体に対して２質量％以上２０質量％以下である、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to claim 5 or 6,
    The die attach paste, wherein the content of the resin (D) is 2% by mass or more and 20% by mass or less with respect to the entire die attach paste.
  8. 　請求項１から７のいずれか１項に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記（Ａ）（メタ）アクリル共重合体の含有量は、当該ダイアタッチペースト全体に対して、２質量％以上１５質量％以下である、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to any one of claims 1 to 7,
    The die attach paste in which the content of the (A) (meth) acrylic copolymer is 2% by mass or more and 15% by mass or less with respect to the whole die attach paste.
  9. 　請求項１から８のいずれか１項に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記（Ｂ）（メタ）アクリルモノマーの含有量は、当該ダイアタッチペースト全体に対して、４質量％以上２７質量％以下である、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to any one of claims 1 to 8,
    The die attach paste, wherein the content of the (B) (meth) acrylic monomer is 4% by mass or more and 27% by mass or less with respect to the entire die attach paste.
  10. 　請求項１から９のいずれか１項に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記（Ｃ）充填剤が、導電性充填剤または非導電性充填剤を含む、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to any one of claims 1 to 9,
    The die attach paste in which the (C) filler includes a conductive filler or a non-conductive filler.
  11. 　請求項１０に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記導電性充填剤が、金属充填剤を含む、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to claim 10,
    A die attach paste, wherein the conductive filler includes a metal filler.
  12. 　請求項１１に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記金属充填剤が銀粉を含む、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to claim 11,
    A die attach paste in which the metal filler contains silver powder.
  13. 　請求項１０から１２のいずれか１項に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記非導電性充填剤が、無機充填剤または有機充填剤を含む、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to any one of claims 10 to 12,
    A die attach paste, wherein the non-conductive filler includes an inorganic filler or an organic filler.
  14. 　請求項１から１３のいずれか１項に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記（Ｃ）充填剤が、球状またはフレーク状である充填剤を含む、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to any one of claims 1 to 13,
    The die attach paste, wherein the filler (C) includes a filler having a spherical shape or a flake shape.
  15. 　請求項１から１４のいずれか１項に記載のダイアタッチペーストであって、
    　当該ダイアタッチペースト全体に対し、前記（Ｃ）充填剤を２５質量％以上９０質量％以下含む、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to any one of claims 1 to 14,
    The die attach paste which contains 25 to 90 mass% of said (C) filler with respect to the said die attach paste whole.
  16. 　請求項１から１５のいずれか１項に記載のダイアタッチペーストであって、
    　硬化促進剤を含む、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to any one of claims 1 to 15,
    A die attach paste containing a curing accelerator.
  17. 　請求項１６に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記硬化促進剤の含有量は、当該ダイアタッチペースト全体に対して、０．０１質量％以上１質量％以下である、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to claim 16,
    The die attach paste, wherein the content of the curing accelerator is 0.01% by mass or more and 1% by mass or less with respect to the whole die attach paste.
  18. 　請求項１から１７のいずれか１項に記載のダイアタッチペーストであって、
    　（Ｅ）シランカップリング剤を含む、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to any one of claims 1 to 17,
    (E) A die attach paste containing a silane coupling agent.
  19. 　請求項１から１８のいずれか１項に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記（Ｅ）シランカップリング剤が、（メタ）アクリルを有するシランカップリング剤を含む、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to any one of claims 1 to 18,
    The die attach paste in which the (E) silane coupling agent includes a silane coupling agent having (meth) acryl.
  20. 　請求項１から１９のいずれか１項に記載のダイアタッチペーストであって、
    　（Ｆ）低応力剤を含む、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to any one of claims 1 to 19,
    (F) A die attach paste containing a low stress agent.
  21. 　請求項１から２０のいずれか１項に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記（Ｆ）低応力剤が、前記（Ａ）（メタ）アクリル共重合体と反応する官能基を有する低応力剤を含む、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to any one of claims 1 to 20,
    The die attach paste, wherein the (F) low stress agent includes a low stress agent having a functional group that reacts with the (A) (meth) acrylic copolymer.
  22. 　請求項１から２１のいずれか１項に記載のダイアタッチペーストであって、
    　ブルックフィールド型粘度計を使用し、２５℃、５．０ｒｐｍの条件下測定した当該ダイアタッチペースの粘度が３Ｐａ・ｓ以上３０Ｐａ・ｓ以下である、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to any one of claims 1 to 21,
    A die attach paste in which the viscosity of the die attach pace measured using a Brookfield viscometer under conditions of 25 ° C. and 5.0 rpm is 3 Pa · s to 30 Pa · s.
  23. 　基材と、
    　請求項１から２２のいずれか１項に記載のダイアタッチペーストの硬化物である接着層を介して前記基材上に搭載された半導体素子と、
    を備える半導体装置。     A substrate;
    A semiconductor element mounted on the base material through an adhesive layer that is a cured product of the die attach paste according to any one of claims 1 to 22,
    A semiconductor device comprising:
  24. 　銀粒子と、
    　単量体と、
    　主剤と、
    　ラジカル重合開始剤と、を含むダイアタッチペーストであって、
    　長さ１５．５ｍｍ×幅６．５ｍｍのＡｇめっきした銅フレーム上に、当該ダイアタッチペーストを、塗布厚みが３５±５μｍとなるように塗布し、次いで、長さ１５．０ｍｍ×幅６．０ｍｍ×厚さ０．２ｍｍのシリコンチップを当該ダイアタッチペースト上に配置して積層体を得て、当該積層体を２５℃から１７５℃まで３０分間かけて昇温し、さらに１７５℃で５時間熱処理することで硬化体を得て、
    　前記硬化体を、２７５℃で１分間熱処理した時の反り量をＷ１とし、
    　前記硬化体を、温度８５℃、湿度８５％で１６８時間吸湿させた後、２７５℃で１分間熱処理した時の反り量をＷ２としたときの、
    　｜Ｗ２－Ｗ１｜が２０μｍ以下である、ダイアタッチペースト。
    　ただし、反り量とは、前記シリコンチップの面内方向において対角に位置する任意の２頂点を結んだ対角線から、前記対角線と垂直方向において、前記シリコンチップが存在する位置までの距離の最大値を示す。     Silver particles,
    Monomer,
    With the main agent,
    A die attach paste containing a radical polymerization initiator,
    The die attach paste is applied to an Ag-plated copper frame having a length of 15.5 mm and a width of 6.5 mm so that the coating thickness is 35 ± 5 μm, and then the length is 15.0 mm and the width is 6.0 mm. X A silicon chip having a thickness of 0.2 mm is placed on the die attach paste to obtain a laminate, and the laminate is heated from 25 ° C. to 175 ° C. over 30 minutes, and further heat treated at 175 ° C. for 5 hours. To obtain a cured body,
    The amount of warpage when the cured body was heat-treated at 275 ° C. for 1 minute was defined as W1,
    When the cured body was subjected to moisture absorption at a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85% for 168 hours and then heat-treated at 275 ° C. for 1 minute, the amount of warpage was W2.
    Die attach paste with | W2-W1 | of 20 μm or less.
    However, the warpage amount is the maximum value of the distance from the diagonal line connecting any two vertices located diagonally in the in-plane direction of the silicon chip to the position where the silicon chip exists in the direction perpendicular to the diagonal line Indicates.
  25. 　請求項２４に記載のダイアタッチペーストであって、
    　Ａｇめっきした銅フレーム上に、当該ダイアタッチペーストを、塗布厚みが２５±５μｍとなるように塗布し、次いで、長さ２．０ｍｍ×幅２．０ｍｍ×厚さ３５０±５μｍのシリコンチップを当該ダイアタッチペースト上に配置して、２５℃から１７５℃まで３０分間かけて昇温し、さらに１７５℃で５時間熱処理することで硬化体を得て、前記硬化体を、温度８５℃、湿度８５％で７２時間吸湿させることで試験片を得て、該試験片について、前記Ａｇめっきした銅フレームと、前記シリコンチップとの２６０℃におけるダイシェア強度が１７．０Ｎ/（２ｍｍ×２ｍｍ）以上である、ダイアタッチペースト。     A die attach paste according to claim 24,
    On the Ag-plated copper frame, the die attach paste is applied so that the coating thickness is 25 ± 5 μm, and then a silicon chip of length 2.0 mm × width 2.0 mm × thickness 350 ± 5 μm is applied. It is placed on a die attach paste, heated from 25 ° C. to 175 ° C. over 30 minutes, and further heat treated at 175 ° C. for 5 hours to obtain a cured product. % For 72 hours to obtain a test piece, and the die shear strength at 260 ° C. between the Ag-plated copper frame and the silicon chip of the test piece is 17.0 N / (2 mm × 2 mm) or more. , Die attach paste.
  26. 　請求項２４または２５に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記銀粒子の形状は、フレーク形状または球形状である、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to claim 24 or 25,
    The shape of the silver particles is a die attach paste having a flake shape or a spherical shape.
  27. 　請求項２４から２６のいずれか１項に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記銀粒子のタップ密度が、２．５ｇ/ｃｍ３以上１０．０ｇ/ｃｍ３以下である、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to any one of claims 24 to 26,
    The die attach paste whose tap density of the silver particles is 2.5 g / cm 3 or more and 10.0 g / cm 3 or less.
  28. 　請求項２４から２７のいずれか１項に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記銀粒子の平均粒径が、０．１μｍ以上２０μｍ以下である、ダイアタッチペースト。     A die attach paste according to any one of claims 24 to 27,
    The die attach paste whose average particle diameter of the said silver particle is 0.1 micrometer or more and 20 micrometers or less.
  29. 　請求項２４から２８のいずれか１項に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記ダイアタッチペースト中の、銀粒子の含有量が、前記ダイアタッチペースト１００質量部に対して、５０質量部以上９０質量部以下である、ダイアタッチペースト。     A die attach paste according to any one of claims 24 to 28,
    The die attach paste in which the content of silver particles in the die attach paste is 50 parts by mass or more and 90 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the die attach paste.
  30. 　請求項２４から２９のいずれか１項に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記単量体は、アクリルモノマー、エポキシモノマー及びマレイミドモノマーからなる群より選択される１種または２種以上である、ダイアタッチペースト。     A die attach paste according to any one of claims 24 to 29,
    The die attach paste, wherein the monomer is one or more selected from the group consisting of an acrylic monomer, an epoxy monomer, and a maleimide monomer.
  31. 　請求項２４から３０のいずれか１項に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記単量体は前記アクリルモノマーを含む、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to any one of claims 24 to 30,
    The die attach paste, wherein the monomer includes the acrylic monomer.
  32. 　請求項３１に記載のダイアタッチペーストであって、
    　当該ダイアタッチペースト中の前記アクリルモノマーの含有量は、当該ダイアタッチペースト１００質量部に対して、１．０質量部以上３０質量部以下である、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to claim 31, wherein
    The die attach paste has a content of the acrylic monomer in the die attach paste of 1.0 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the die attach paste.
  33. 　請求項３１または３２に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記アクリルモノマーは、単官能アクリルモノマー及び多官能アクリルモノマーを含み、
    　当該ダイアタッチペースト中の前記単官能アクリルモノマーの含有量は、前記多官能アクリルモノマー１００質量部に対して、１５０質量部以上６５０質量部以下である、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to claim 31 or 32, wherein:
    The acrylic monomer includes a monofunctional acrylic monomer and a polyfunctional acrylic monomer,
    The die attach paste has a content of the monofunctional acrylic monomer in the die attach paste of 150 parts by mass or more and 650 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polyfunctional acrylic monomer.
  34. 　請求項２４から３３のいずれか１項に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記主剤は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂及びアリル樹脂からなる群より選択される１種又は２種以上である、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to any one of claims 24 to 33,
    The die attach paste, wherein the main agent is one or more selected from the group consisting of acrylic resin, epoxy resin and allyl resin.
  35. 　請求項３４に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記主剤は、前記アクリル樹脂を含み、
    　前記アクリル樹脂の重量平均分子量Ｍｗは、２０００以上１３０００以下である、ダイアタッチペースト。     A die attach paste according to claim 34,
    The main agent includes the acrylic resin,
    The die attach paste whose weight average molecular weight Mw of the said acrylic resin is 2000-13000.
  36. 　請求項３４または３５に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記単量体は、アクリルモノマーを含み、
    　前記主剤は、前記アクリル樹脂または前記アリル樹脂を含み
    　当該ダイアタッチペースト中の前記アクリル樹脂及び前記アリル樹脂の含有量は、前記アクリルモノマー１００質量部に対して、８５質量部以上１４５質量部以下である、ダイアタッチペースト。     The die attach paste according to claim 34 or 35,
    The monomer includes an acrylic monomer,
    The main agent contains the acrylic resin or the allyl resin. The content of the acrylic resin and the allyl resin in the die attach paste is 85 parts by mass or more and 145 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the acrylic monomer. There is a die attach paste.
  37. 　請求項２４から３６のいずれか１項に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記ラジカル重合開始剤は、過酸化物である、ダイアタッチペースト。     A die attach paste according to any one of claims 24 to 36,
    The die attach paste, wherein the radical polymerization initiator is a peroxide.
  38. 　請求項２４から３７のいずれか１項に記載のダイアタッチペーストであって、
    　当該ダイアタッチペーストは、硬化剤を更に含む、ダイアタッチペースト。     A die attach paste according to any one of claims 24 to 37,
    The die attach paste further includes a curing agent.
  39. 　請求項３８に記載のダイアタッチペーストであって、
    　前記硬化剤は、フェノール硬化剤またはイミダゾール硬化剤を含む、ダイアタッチペースト。     A die attach paste according to claim 38,
    The die attach paste, wherein the curing agent includes a phenol curing agent or an imidazole curing agent.
  40. 　基材と、
    　前記基材上に接着層を介して搭載された半導体素子と、を備え、
    　前記接着層は、請求項２４から３９のいずれか１項に記載のダイアタッチペーストを硬化してなる、半導体装置。     A substrate;
    A semiconductor element mounted on the base material via an adhesive layer,
    40. The semiconductor device, wherein the adhesive layer is obtained by curing the die attach paste according to any one of claims 24 to 39.
PCT/JP2017/029106 2016-08-19 2017-08-10 Die attach paste and semiconductor device WO2018034234A1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017562078A JP6319530B1 (en) 2016-08-19 2017-08-10 Die attach paste and semiconductor device
CN201780050941.8A CN109643662B (en) 2016-08-19 2017-08-10 Chip bonding paste and semiconductor device
KR1020197006098A KR102040529B1 (en) 2016-08-19 2017-08-10 Die attach pastes and semiconductor devices

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016161129 2016-08-19
JP2016-161129 2016-08-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018034234A1 true WO2018034234A1 (en) 2018-02-22

Family

ID=61196686

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/029106 WO2018034234A1 (en) 2016-08-19 2017-08-10 Die attach paste and semiconductor device

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6319530B1 (en)
KR (1) KR102040529B1 (en)
CN (1) CN109643662B (en)
TW (1) TWI752997B (en)
WO (1) WO2018034234A1 (en)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6566177B1 (en) * 2018-03-01 2019-08-28 住友ベークライト株式会社 Paste adhesive composition and semiconductor device
JP6566178B1 (en) * 2018-03-01 2019-08-28 住友ベークライト株式会社 Paste adhesive composition and semiconductor device
WO2019167824A1 (en) * 2018-03-01 2019-09-06 住友ベークライト株式会社 Paste adhesive composition and semiconductor device
WO2019167819A1 (en) * 2018-03-01 2019-09-06 住友ベークライト株式会社 Paste adhesive composition and semiconductor device
WO2020121379A1 (en) * 2018-12-10 2020-06-18 日立化成株式会社 Adhesive for semiconductor, cured product, and semiconductor component
WO2020246489A1 (en) * 2019-06-07 2020-12-10 キヤノン株式会社 Curable resin composition, cured product thereof, and method for manufacturing three-dimensional article
US20220020651A1 (en) * 2019-05-16 2022-01-20 NGK Electronics Devices, Inc. Power semiconductor module and manufacturing method for power semiconductor module
WO2022065496A1 (en) * 2020-09-28 2022-03-31 昭和電工マテリアルズ株式会社 Adhesive film for circuit connection, composition containing inorganic filler, circuit connection structure and method of manufacturing same
WO2022239806A1 (en) * 2021-05-14 2022-11-17 住友ベークライト株式会社 Silver-containing paste
TWI824045B (en) * 2018-10-24 2023-12-01 日商住友電木股份有限公司 Electroconductive resin composition and semiconductor device

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102524818B1 (en) 2019-08-22 2023-04-25 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 Adhesive composition, film adhesive and manufacturing method thereof, semiconductor package using film adhesive and manufacturing method thereof
CN115023453A (en) * 2020-01-29 2022-09-06 住友电木株式会社 Paste resin composition, highly thermally conductive material, and semiconductor device
KR102643880B1 (en) * 2021-10-26 2024-03-07 한국전자기술연구원 Die attach paste for power semiconductor package and preparing method thereof
KR102654244B1 (en) * 2021-10-26 2024-04-03 한국전자기술연구원 Die attach paste for power semiconductor package containing bimodal silver nanoparticle and preparing method thereof

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006339057A (en) * 2005-06-03 2006-12-14 Nec Corp Resin metal composite conductive material, its manufacturing method, and electronic device using it
JP2009164500A (en) * 2008-01-10 2009-07-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd Adhesive, and semiconductor package
JP2010031275A (en) * 2008-07-25 2010-02-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd Liquid resin composition, semiconductor element with adhesive layer, method of producing the same and semiconductor device
WO2012063747A1 (en) * 2010-11-08 2012-05-18 ナミックス株式会社 Metal particles and manufacturing method for same
WO2012133767A1 (en) * 2011-03-31 2012-10-04 ナミックス株式会社 Thermally conductive composition and thermal conductor
JP2012253088A (en) * 2011-05-31 2012-12-20 Sumitomo Bakelite Co Ltd Semiconductor device
JP2014051590A (en) * 2012-09-07 2014-03-20 Namics Corp Silver paste composition and its manufacturing method

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005154633A (en) 2003-11-27 2005-06-16 Hitachi Chem Co Ltd Resin paste composition and semiconductor device using the same
TWI302561B (en) * 2004-01-28 2008-11-01 Lg Chemical Ltd Releasable adhesive composition
JP2006310195A (en) * 2005-04-28 2006-11-09 Tdk Corp Transparent conductor
US7722786B2 (en) * 2007-02-23 2010-05-25 Henkel Ag & Co. Kgaa Conductive materials
JP2008251488A (en) * 2007-03-30 2008-10-16 Tdk Corp Transparent conductive material and transparent conductor
JP5534127B2 (en) * 2008-05-31 2014-06-25 スリーボンドファインケミカル株式会社 Conductive resin composition
JP5880450B2 (en) * 2011-01-31 2016-03-09 住友ベークライト株式会社 Resin composition and semiconductor device
KR20140018901A (en) * 2011-03-14 2014-02-13 히타치가세이가부시끼가이샤 Resin paste composition for bonding semiconductor element, and semiconductor device
TWI540590B (en) * 2011-05-31 2016-07-01 住友電木股份有限公司 Semiconductor device
JP5921970B2 (en) * 2012-06-21 2016-05-24 日東電工株式会社 Thermally conductive adhesive composition
JP6333576B2 (en) 2013-03-01 2018-05-30 京セラ株式会社 Thermosetting resin composition, semiconductor device and electric / electronic component

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006339057A (en) * 2005-06-03 2006-12-14 Nec Corp Resin metal composite conductive material, its manufacturing method, and electronic device using it
JP2009164500A (en) * 2008-01-10 2009-07-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd Adhesive, and semiconductor package
JP2010031275A (en) * 2008-07-25 2010-02-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd Liquid resin composition, semiconductor element with adhesive layer, method of producing the same and semiconductor device
WO2012063747A1 (en) * 2010-11-08 2012-05-18 ナミックス株式会社 Metal particles and manufacturing method for same
WO2012133767A1 (en) * 2011-03-31 2012-10-04 ナミックス株式会社 Thermally conductive composition and thermal conductor
JP2012253088A (en) * 2011-05-31 2012-12-20 Sumitomo Bakelite Co Ltd Semiconductor device
JP2014051590A (en) * 2012-09-07 2014-03-20 Namics Corp Silver paste composition and its manufacturing method

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113930167A (en) * 2018-03-01 2022-01-14 住友电木株式会社 Paste adhesive composition and semiconductor device
JP6566178B1 (en) * 2018-03-01 2019-08-28 住友ベークライト株式会社 Paste adhesive composition and semiconductor device
WO2019167824A1 (en) * 2018-03-01 2019-09-06 住友ベークライト株式会社 Paste adhesive composition and semiconductor device
WO2019167819A1 (en) * 2018-03-01 2019-09-06 住友ベークライト株式会社 Paste adhesive composition and semiconductor device
JP6566177B1 (en) * 2018-03-01 2019-08-28 住友ベークライト株式会社 Paste adhesive composition and semiconductor device
CN111801397B (en) * 2018-03-01 2021-08-20 住友电木株式会社 Paste adhesive composition and semiconductor device
TWI794422B (en) * 2018-03-01 2023-03-01 日商住友電木股份有限公司 Pasty adhesive composition and semiconductor device
TWI824045B (en) * 2018-10-24 2023-12-01 日商住友電木股份有限公司 Electroconductive resin composition and semiconductor device
WO2020121379A1 (en) * 2018-12-10 2020-06-18 日立化成株式会社 Adhesive for semiconductor, cured product, and semiconductor component
JP7222400B2 (en) 2018-12-10 2023-02-15 株式会社レゾナック Semiconductor adhesives, cured products and semiconductor parts
JPWO2020121379A1 (en) * 2018-12-10 2021-10-21 昭和電工マテリアルズ株式会社 Adhesives for semiconductors, cured products and semiconductor parts
US20220020651A1 (en) * 2019-05-16 2022-01-20 NGK Electronics Devices, Inc. Power semiconductor module and manufacturing method for power semiconductor module
WO2020246489A1 (en) * 2019-06-07 2020-12-10 キヤノン株式会社 Curable resin composition, cured product thereof, and method for manufacturing three-dimensional article
WO2022065496A1 (en) * 2020-09-28 2022-03-31 昭和電工マテリアルズ株式会社 Adhesive film for circuit connection, composition containing inorganic filler, circuit connection structure and method of manufacturing same
WO2022239806A1 (en) * 2021-05-14 2022-11-17 住友ベークライト株式会社 Silver-containing paste
JP7201139B1 (en) * 2021-05-14 2023-01-10 住友ベークライト株式会社 Silver-containing paste
CN117321757A (en) * 2021-05-14 2023-12-29 住友电木株式会社 Silver-containing paste

Also Published As

Publication number Publication date
TWI752997B (en) 2022-01-21
KR20190026049A (en) 2019-03-12
TW201825536A (en) 2018-07-16
CN109643662A (en) 2019-04-16
JPWO2018034234A1 (en) 2018-08-16
JP6319530B1 (en) 2018-05-09
KR102040529B1 (en) 2019-11-06
CN109643662B (en) 2021-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6319530B1 (en) Die attach paste and semiconductor device
WO2011158753A1 (en) Resin paste composition
JP5664673B2 (en) Resin paste composition
JP6927455B2 (en) Thermally conductive compositions and semiconductor devices
WO2019111778A1 (en) Pasty adhesive composition and semiconductor device
JP7264211B2 (en) THERMALLY CONDUCTIVE COMPOSITION AND SEMICONDUCTOR DEVICE
JP2023022054A (en) Conductive paste and semiconductor device
CN111801397B (en) Paste adhesive composition and semiconductor device
CN111788275B (en) Paste adhesive composition and semiconductor device
JP6566177B1 (en) Paste adhesive composition and semiconductor device
JP7464198B2 (en) Conductive paste, hardened product and semiconductor device
JP7279802B2 (en) PASTE RESIN COMPOSITION FOR HIGH THERMAL CONDUCTIVE MATERIAL, HIGH THERMAL CONDUCTIVE MATERIAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
JP7371792B2 (en) Conductive paste and semiconductor devices
JP7318657B2 (en) Resin compositions, cured products and semiconductor parts
JP2023016331A (en) Conductive paste and semiconductor device
KR20230108331A (en) Silver-containing pastes and conjugates
JPWO2019167819A1 (en) Paste adhesive composition and semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2017562078

Country of ref document: JP

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17841457

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20197006098

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17841457

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1