WO2017163347A1 - 発光装置 - Google Patents

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WO2017163347A1
WO2017163347A1 PCT/JP2016/059247 JP2016059247W WO2017163347A1 WO 2017163347 A1 WO2017163347 A1 WO 2017163347A1 JP 2016059247 W JP2016059247 W JP 2016059247W WO 2017163347 A1 WO2017163347 A1 WO 2017163347A1
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WO
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light emitting
insulating layer
emitting device
layer
distance
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PCT/JP2016/059247
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English (en)
French (fr)
Inventor
田中　信介
真滋 中嶋
範明 和氣
Original Assignee
パイオニア株式会社
東北パイオニア株式会社
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device.
  • Patent Document 1 describes an example of such a light emitting device.
  • a plurality of organic insulating layers are arranged on a substrate so as to be separated from each other.
  • a light emitting portion is located on each organic insulating layer.
  • the light emitting unit includes a first electrode, a second electrode, and an organic layer between the first electrode and the second electrode.
  • an inorganic insulating layer is located across a groove between adjacent organic insulating layers.
  • an insulating layer for defining a light emitting part may be formed on a substrate.
  • Such an insulating layer may contain a photosensitive resin (for example, polyimide).
  • a photosensitive resin for example, polyimide
  • the present inventor has studied to form the insulating layer from an inorganic material.
  • the luminance of the light emitting portion may be lowered due to the inorganic material of the insulating layer.
  • An example of a problem to be solved by the present invention is to suppress a decrease in luminance of the light emitting part even when the insulating layer defining the light emitting part is made of an inorganic material.
  • the invention described in claim 1 A substrate, A light emitting unit on the substrate and having a first electrode, a second electrode, and an organic layer between the first electrode and the second electrode; A first insulating layer that defines the light emitting portion on the substrate and is made of an inorganic material; A second insulating layer outside the light emitting portion and made of an organic material; It is a light-emitting device provided with.
  • FIG. 3 is a view in which a second conductive layer and a partition wall are removed from FIG. 2. It is the figure which removed the 1st insulating layer and the 2nd insulating layer from FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 2.
  • FIG. 3 is a sectional view taken along line BB in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG.
  • FIG. 3 is a DD sectional view of FIG. 2.
  • FIG. 9 is a graph for explaining luminance characteristics of the light emitting device shown in FIGS. 1 to 8.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
  • FIG. 12 is a sectional view taken along line BB in FIG.
  • FIG. 12 is a sectional view taken along the line CC of FIG.
  • FIG. 12 is a DD cross-sectional view of FIG. 11.
  • FIG. 1 is a plan view showing a light emitting device 10 according to the embodiment.
  • FIG. 2 is a view in which the covering layer 200 is removed from FIG.
  • FIG. 3 is a diagram in which the second conductive layer 130a and the partition 160 are removed from FIG.
  • FIG. 4 is a diagram in which the first insulating layer 150 and the second insulating layer 156 are removed from FIG. 3.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG.
  • FIG. 8 is a sectional view taken along the line DD of FIG.
  • the light emitting device 10 includes a substrate 100, a light emitting unit 140, a first insulating layer 150, and a second insulating layer 156.
  • the light emitting unit 140 is on the substrate 100.
  • the light emitting unit 140 includes a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode 130.
  • the organic layer 120 is between the first electrode 110 and the second electrode 130.
  • the first insulating layer 150 defines a light emitting unit 140 on the substrate 100.
  • the first insulating layer 150 is made of an inorganic material.
  • the second insulating layer 156 is outside the light emitting unit 140.
  • the second insulating layer 156 is made of an organic material, specifically, for example, polyimide. Details will be described below.
  • the light emitting device 10 is a display.
  • the light emitting device 10 includes a substrate 100, a conductive layer 170, a conductive layer 180, a first insulating layer 150, a second insulating layer 156, an organic layer 120 a, a second conductive layer 130 a, a partition wall 160, and a covering layer 200.
  • the substrate 100 has a first surface 102 and a second surface 104.
  • the second surface 104 is on the opposite side of the first surface 102 and is the back surface of the substrate 100.
  • the shape of the first surface 102 is a rectangle.
  • the shape of the first surface 102 may be a polygon other than a rectangle, for example.
  • the light emitting device 10 may be either bottom emission or top emission.
  • the substrate 100 is made of a translucent material (for example, glass or resin).
  • the light emitting device 10 is top emission, the light from the plurality of light emitting units 140 is emitted from above the first surface 102 of the substrate 100.
  • the substrate 100 may be made of the above-described translucent material or may be made of a material that does not have translucency.
  • the substrate 100 may have flexibility or may not have flexibility.
  • the thickness of the substrate 100 is, for example, not less than 10 ⁇ m and not more than 1000 ⁇ m.
  • the thickness of the substrate 100 is, for example, 200 ⁇ m or less.
  • the substrate 100 is flexible and includes a resin
  • the substrate 100 includes, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyethersulfone), PET (polyethylene terephthalate), or polyimide.
  • the first surface 102 (preferably both the first surface 102 and the second surface 104) of the substrate 100 may be covered with an inorganic barrier film (eg, SiN x or SiON). In this case, even if the substrate 100 includes a material (for example, resin) having a high water vapor transmission rate, the water vapor is prevented from reaching the first surface 102 of the substrate 100.
  • an inorganic barrier film eg, SiN x or SiON
  • the plurality of conductive layers 170 are on the first surface 102 of the substrate 100.
  • the plurality of conductive layers 170 include a plurality of conductive layers 170a and a plurality of conductive layers 170b.
  • Each conductive layer 170 a includes a first conductive layer 110 a and a first wiring 114.
  • the first conductive layer 110a is a part of the conductive layer 170a.
  • the first wiring 114 is another part of the conductive layer 170a.
  • the first conductive layer 110a and the first wiring 114 are connected to each other.
  • Each conductive layer 170 b includes a second wiring 134.
  • the first terminal 112 is located at one end of the first wiring 114. A potential is applied to the first terminal 112. Thereby, the potential of the first terminal 112 is applied to the first conductive layer 110a (first electrode 110) through the first wiring 114.
  • the second terminal 132 is located at one end of the second wiring 134. A potential is applied to the second terminal 132. Thereby, the potential of the second terminal 132 is applied to the second conductive layer 130a (second electrode 130) through the second wiring 134.
  • each conductive layer 170 There is a conductive layer 180 on the top surface of each conductive layer 170.
  • the electric resistance of the conductive layer 180 is lower than the electric resistance of the conductive layer 170. Thereby, the voltage drop between the first terminal 112 and the first electrode 110 and the voltage drop between the second terminal 132 and the second electrode 130 can be suppressed.
  • the conductive layer 180 is positioned so as not to overlap the light emitting unit 140. For this reason, the conductive layer 180 does not need to have translucency.
  • the conductive layer 180 is made of, for example, Al or Ag.
  • the conductive layer 180 may include, for example, a Mo alloy layer on the top surface of the first conductive layer 110a, an Al alloy layer on the Mo alloy layer, and a Mo alloy layer on the Al alloy layer.
  • the plurality of first conductive layers 110a are arranged in the first direction (X direction in the figure).
  • Each first conductive layer 110a extends in a second direction (specifically, the Y direction in the figure) that intersects the first direction (specifically, orthogonal to the first direction).
  • the first insulating layer 150 is on the first surface 102 of the substrate 100 and on the plurality of first conductive layers 110a.
  • the first insulating layer 150 is made of an inorganic material (for example, silicon oxide or silicon nitride).
  • the first insulating layer 150 has a plurality of openings 152.
  • the planar shape of each opening 152 is a rectangle. As shown in FIGS.
  • each opening 152 in each opening 152, a part of the first conductive layer 110a (first electrode 110) and a part of the second conductive layer 130a (second electrode 130) overlap each other. . Thereby, the region surrounded by the edge of the opening 152 functions as the light emitting unit 140. That is, the first insulating layer 150 defines the light emitting unit 140.
  • each side of the light emitting unit 140 is defined by the lower end of the inner surface of the opening 152.
  • the opening 152 has a first inner surface and a second inner surface.
  • the second inner surface is on the opposite side of the first inner surface.
  • the first inner side surface of the opening 152 is inclined so that the upper end of the first inner side surface is located outside the lower end of the first inner side surface.
  • the second inner side surface of the opening 152 is inclined so that the upper end of the second inner side surface is located outside the lower end of the second inner side surface.
  • the first side of the light emitting unit 140 is defined by the lower end of the first inner side surface of the opening 152.
  • the second side of the light emitting unit 140 is defined by the lower end of the second inner side surface of the opening 152.
  • the opening 152 has a third inner surface and a fourth inner surface.
  • the fourth inner surface is on the opposite side of the third inner surface.
  • the third inner side surface of the opening 152 is inclined so that the upper end of the third inner side surface is located outside the lower end of the third inner side surface.
  • the fourth inner side surface of the opening 152 is inclined so that the upper end of the fourth inner side surface is located outside the lower end of the fourth inner side surface.
  • the third side of the light emitting unit 140 is defined by the lower end of the third inner side surface of the opening 152.
  • the fourth side of the edge of the light emitting unit 140 is defined by the lower end of the fourth inner side surface of the opening 152.
  • the first insulating layer 150 has an opening 154. As shown in FIG. 7, the second conductive layer 130 a is connected to the second wiring 134 through the opening 154.
  • the second insulating layer 156 is on the first insulating layer 150.
  • the second insulating layer 156 is made of an organic material (for example, polyimide).
  • the second insulating layer 156 surrounds the light emitting region 141 of the first surface 102 of the substrate 100.
  • the plurality of light emitting units 140 are arranged in a matrix as described above.
  • the first insulating layer 150 is made of an inorganic material, and thus does not transmit to the organic layer 120a through the first insulating layer.
  • the shape of the light emitting region 141 is a rectangle having a first side, a second side, a third side, and a fourth side.
  • the first side extends along the first direction (X direction in the figure).
  • the second side is on the opposite side of the first side.
  • the third side is between the first side and the second side.
  • the fourth side is on the opposite side of the third side.
  • the second insulating layer 156 is located along the first side, the second side, the third side, and the fourth side. Note that the second insulating layer 156 may not surround the light emitting region 141.
  • the second insulating layer 156 may be positioned along only one side of the first side to the fourth side of the light emitting region 141. As shown in FIG. 5, the second insulating layer 156 is separated from the partition wall 160.
  • the partition wall 160 is on the first insulating layer 150.
  • the partition 160 includes a photosensitive resin (for example, polyimide).
  • the plurality of partition walls 160 are arranged in the second direction (Y direction in the figure).
  • Each partition wall 160 extends in the first direction (X direction in the figure).
  • the width of the upper surface of the partition wall 160 is wider than the width of the lower surface of the partition wall 160 in a cross section perpendicular to the first direction (the X direction in FIGS. 1 to 4). More specifically, in the cross section perpendicular to the first direction (the X direction in FIGS. 1 to 4), the partition wall 160 has a first side surface and a second side surface.
  • the second side surface is on the opposite side of the first inner surface.
  • the first side surface of the partition wall 160 is inclined so that the upper end of the first side surface is located outside the lower end of the first side surface.
  • the second side surface of the partition wall 160 is inclined so that the upper end of the second side surface is located outside the lower end of the second side surface.
  • the organic layer 120 a is on the first surface 102 of the substrate 100, on the plurality of first conductive layers 110 a, and on the first insulating layer 150. As shown in FIG. 5, the plurality of organic layers 120a are arranged in the second direction (Y direction in FIGS. 1 to 4). The organic layers 120a adjacent to each other face each other with the partition wall 160 interposed therebetween. As shown in FIGS. 5 and 6, a part of the organic layer 120a overlaps a part (first electrode 110) of the first conductive layer 110a. This part of the organic layer 120 a functions as the organic layer 120 of the light emitting unit 140.
  • the organic layer 120a is preferably not in contact with the partition wall 160.
  • a substance that degrades the organic layer 120a can be prevented from propagating from the partition wall 160 to the organic layer 120a.
  • the partition 160 may contain a substance (for example, water) that degrades the organic layer 120a.
  • this material may propagate from the organic layer 120 a to the partition wall 160.
  • the partition wall 160 is on the first insulating layer 150 made of an inorganic material, even if the partition wall 160 contains the above-described substance, it is possible to suppress the propagation of this substance to the organic layer 120a.
  • the organic layer 120 b is on the upper surface of the partition wall 160.
  • the material included in the organic layer 120b is the same as the material included in the organic layer 120a.
  • the organic layer 120 a and the organic layer 120 b are formed by depositing an organic layer on the first surface 102 of the substrate 100 and the partition 160. In this case, the organic layer is separated into the organic layer 120 a and the organic layer 120 b by the partition wall 160.
  • the organic layer 120a has, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.
  • the total thickness of the organic layer 120a is, for example, not less than 50 nm and not more than 200 nm. Holes move in the hole injection layer and the hole transport layer.
  • the thickness of the hole injection layer is, for example, not less than 50 nm and not more than 100 nm.
  • the thickness of the hole transport layer is thinner than the thickness of the hole injection layer.
  • the thickness of the hole transport layer is, for example, 20 nm or more and 50 nm or less.
  • the color of light from the light emitting layer is, for example, red, green, or blue.
  • electrons are transported.
  • the thickness of the electron transport layer is, for example, 5 nm or more and 100 nm or less.
  • the electron injection layer is made of an alkali metal compound (for example, LiF), a metal oxide (for example, aluminum oxide) or a metal complex (for example, lithium 8-hydroxyquinolate (Liq)).
  • the thickness of the electron injection layer is, for example, not less than 0.1 nm and not more than 10 nm.
  • One of the hole injection layer and the hole transport layer may be omitted.
  • One of the electron transport layer and the electron injection layer may be omitted.
  • the hole injection layer, hole transport layer, light emitting layer, electron transport layer, and electron injection layer are formed by, for example, a coating process.
  • the hole injection layer, the hole transport layer, and the light emitting layer are formed by a coating process
  • the electron transport layer and the electron injection layer are formed by vapor deposition.
  • the second conductive layer 130a is on the organic layer 120a.
  • a plurality of second conductive layers 130a are arranged in the second direction (Y direction in the figure).
  • Each second conductive layer 130a extends in the first direction (X direction in the figure).
  • the second conductive layers 130a adjacent to each other are opposed to each other with the partition wall 160 interposed therebetween.
  • a part of the second conductive layer 130a overlaps a part of the first conductive layer 110a (first electrode 110). This part of the second conductive layer 130 a functions as the second electrode 130 of the light emitting unit 140.
  • the conductive layer 130 b is provided on the upper surface of the partition wall 160.
  • the material included in the conductive layer 130b is the same as the material included in the second conductive layer 130a.
  • the second conductive layer 130 a and the conductive layer 130 b are formed by depositing a conductive layer on the first surface 102 and the partition 160 of the substrate 100. In this case, the conductive layer is separated into the second conductive layer 130 a and the conductive layer 130 b by the partition 160.
  • the first conductive layer 110a is a conductive layer having translucency. In this case, the second conductive layer 130a does not need to have translucency.
  • the second conductive layer 130a is a light-transmitting conductive layer. In this case, the first conductive layer 110a does not need to have translucency.
  • the first conductive layer 110a and the second conductive layer 130a are light-transmitting conductive layers
  • the first conductive layer 110a and the second conductive layer 130a include, for example, a metal oxide, and more specifically, for example, It contains ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide) or ZnO (Zinc Oxide).
  • the first conductive layer 110a and the second conductive layer 130a are conductive layers that do not have translucency
  • the first conductive layer 110a and the second conductive layer 130a include, for example, Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, A metal selected from the first group consisting of Zn and In or an alloy of a metal selected from the first group is included.
  • the covering layer 200 covers the first insulating layer 150, the plurality of light emitting portions 140, and the plurality of partition walls 160.
  • the coating layer 200 seals the first insulating layer 150, the plurality of light emitting units 140, and the plurality of partition walls 160.
  • the covering layer 200 is formed by ALD (Atomic Layer Deposition). Accordingly, the covering layer 200 continuously covers the side surfaces and the upper surface of the first insulating layer 150, the second insulating layer 156, the light emitting unit 140, and the partition 160.
  • the covering layer 200 includes, for example, an insulating material, more specifically, for example, a metal oxide.
  • the covering layer 200 includes, for example, a titanium oxide layer and an aluminum oxide layer.
  • the aluminum oxide layer is on the titanium oxide layer or below the titanium oxide layer.
  • the thickness of the coating layer 200 is, for example, not less than 50 nm and not more than 300 nm.
  • the covering layer 200 may be formed by, for example, CVD (Chemical Vapor Deposition) or sputtering.
  • the covering layer 200 includes, for example, a SiO 2 layer or a SiN layer.
  • the film thickness of the coating layer 200 is, for example, not less than 10 nm and not more than 1000 nm.
  • the covering layer 200 may be covered with a resin layer.
  • the resin layer is provided to protect the covering layer 200.
  • the resin layer contains, for example, an epoxy resin or an acrylic resin.
  • a method for manufacturing the light emitting device 10 will be described.
  • a conductive layer is formed on the first surface 102 of the substrate 100, and this conductive layer is patterned.
  • a plurality of conductive layers 170 (first conductive layer 110a, first wiring 114, and second wiring 134) are formed.
  • a conductive layer 180 is formed on the upper surface of each conductive layer 170.
  • the first insulating layer 150 is formed on the first surface 102 of the substrate 100 and the plurality of conductive layers 170.
  • a plurality of openings 152 and a plurality of openings 154 are formed in the first insulating layer 150.
  • a second insulating layer 156 is formed on the first insulating layer 150.
  • a plurality of partition walls 160 are formed on the first insulating layer 150.
  • an organic layer is formed on the first insulating layer 150 and the plurality of partition walls 160. Accordingly, the organic layer is separated into the organic layer 120a and the organic layer 120b by the partition 160.
  • a conductive layer is formed on the first insulating layer 150 and the plurality of partition walls 160. Accordingly, the conductive layer is separated into the second conductive layer 130a and the conductive layer 130b by the partition 160.
  • the coating layer 200 is formed by ALD on the first surface 102 of the substrate 100, the first insulating layer 150, and the plurality of partition walls 160. Accordingly, the first insulating layer 150, the plurality of light emitting units 140, and the plurality of partition walls 160 are sealed with the coating layer 200.
  • FIG. 9 is a graph for explaining the luminance characteristics of the light emitting device 10 shown in FIGS.
  • FIGS. 10A and 10B are graphs for explaining the chromaticity characteristics of the light-emitting device 10 shown in FIGS. 9, 10 ⁇ / b> A, and 10 ⁇ / b> B, the “organic insulating layer area ratio” means (area of the second insulating layer 156) / (areas of the plurality of light emitting units 140 located in the light emitting region 141). ) ⁇ 100.
  • the opening of the second insulating layer 156 is a region where the light emitting region 141 is exposed in the example shown in FIGS. As shown in FIGS. 2 and 3, the shape of the opening of the second insulating layer 156 is a rectangle. In other words, the opening of the second insulating layer 156 includes the first edge, the second edge, the third edge, and the fourth edge along the first side, the second side, the third side, and the fourth side of the light emitting region 141,
  • the inorganic material of the first insulating layer 150 was silicon oxide.
  • the organic material of the second insulating layer 156 was polyimide.
  • the organic insulating layer area ratio is 0%, 2%, 4%, 6%, 8%, 12%, 24%, 37% and 49%.
  • Nine light emitting devices 10 were produced. Each of the nine light emitting devices 10 was placed in an environment at a temperature of 100 ° C. for 158 hours.
  • the luminance L 0 before being placed in an environment at a temperature of 100 ° C. for 158 hours and the luminance L 158 after being placed in an environment at a temperature of 100 ° C. for 158 hours were measured.
  • the “initial luminance ratio” indicates (L 158 / L 0 ) ⁇ 100.
  • the chromaticity (x 0 , y 0 ) before being placed in an environment at a temperature of 100 ° C. for 158 hours and the chromaticity after being placed in an environment at a temperature of 100 ° C. for 158 hours (x 158 , y 158 ).
  • the chromaticity (x 0 , y 0 ) and the chromaticity (x 158 , y 158 ) indicate positions in the CIE 1931 chromaticity diagram.
  • “ ⁇ x” represents x 158 ⁇ x 0 .
  • “ ⁇ y” indicates y 158 ⁇ y 0 .
  • the initial luminance ratio became high when the organic insulating layer area ratio was 8% or more.
  • ⁇ x was low when the organic insulating layer area ratio was 8% or more.
  • ⁇ y was low when the organic insulating layer area ratio was 8% or more. This result indicates that the luminance and chromaticity of the light emitting device 10 are maintained to some extent when the organic insulating layer area ratio is 8% or more even when the light emitting device 10 is left in a high temperature environment for a long time. .
  • the first edge, the second edge, the third edge, and the fourth edge of the opening of the second insulating layer 156 are the first distance, the second distance, the third distance, and the first distance from the center of the light emitting region 141, respectively. 4 distances away.
  • the longest distance among the first distance, the second distance, the third distance, and the fourth distance is preferably 8 mm or less.
  • the first edge, the second edge, the third edge, and the fourth edge of the opening of the second insulating layer 156 are the fifth distance, the sixth distance, the seventh distance, and the eighth distance from the center of each light emitting unit 140, respectively. Just away.
  • the longest distance among the fifth distance, the sixth distance, the seventh distance, and the eighth distance is preferably 8 mm or less.
  • the light emitting region 141 is a region defined by the outermost light emitting unit 140 among the plurality of light emitting units 140. More specifically, as described above, the plurality of light emitting units 140 are arranged in a matrix. The first side of the light emitting unit 140 in the row farthest from the second side of the light emitting region 141 overlaps the first side of the light emitting region 141. The second side of the light emitting unit 140 in the row farthest from the first side of the light emitting region 141 overlaps the second side of the light emitting region 141.
  • the third side of the light emitting unit 140 in the row farthest from the fourth side of the light emitting region 141 overlaps the third side of the light emitting region 141.
  • the fourth side of the light emitting unit 140 in the row farthest from the third side of the light emitting region 141 overlaps the fourth side of the light emitting region 141.
  • the second insulating layer 156 is provided around the light emitting unit 140.
  • the second insulating layer 156 is made of an organic material.
  • the second insulating layer 156 functions to improve the luminance of the light emitting unit 140. For this reason, even if the first insulating layer 150 (inorganic material) functions to deteriorate the luminance of the light emitting unit 140, the luminance deterioration due to the first insulating layer 150 (inorganic material) can be suppressed. it can.
  • the above-described substances that degrade the light emitting unit 140 may be generated outside the region including the plurality of light emitting units 140 arranged in a matrix, for example, due to ultraviolet rays. It became clear that there was sex. Further examination by the present inventor reveals that the above substances tend to propagate widely in the first insulating layer 150 when the first insulating layer 150 contains a photosensitive resin (eg, polyimide). became. This is presumed to be because the photosensitive resin functions to propagate the above-described substances. Further examination by the present inventor has revealed that the above-described substances tend to propagate widely in the first insulating layer 150 when the covering layer 200 is formed by ALD.
  • a photosensitive resin eg, polyimide
  • the first insulating layer 150 is made of an inorganic material. For this reason, even if the coating layer 200 is formed by ALD, the above-described substances can be prevented from being widely propagated in the first insulating layer 150.
  • FIG. 11 is a plan view showing a light emitting device 10 according to a modification, and corresponds to FIG. 2 of the embodiment.
  • FIG. 12 is a diagram in which the second conductive layer 130a and the partition 160 are removed from FIG. 11, and corresponds to FIG. 3 of the embodiment.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 11, and corresponds to FIG. 5 of the embodiment.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 11 and corresponds to FIG. 6 of the embodiment.
  • 15 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. 11 and corresponds to FIG. 7 of the embodiment.
  • 16 is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG. 11, and corresponds to FIG. 8 of the embodiment.
  • the light emitting device 10 according to this modification is the same as the light emitting device 10 according to the embodiment except for the following points.
  • the second insulating layer 156 is formed so as to surround each of the plurality of light emitting units 140.
  • the shape of each light emitting unit 140 is a rectangle having a first side, a second side, a third side, and a fourth side.
  • the first side extends in the first direction (X direction in the figure).
  • the second side is on the opposite side of the first side.
  • the third side is between the first side and the second side.
  • the fourth side is on the opposite side of the third side.
  • the second insulating layer 156 is located along the first side, the second side, the third side, and the fourth side. Note that the second insulating layer 156 may not surround the light emitting unit 140.
  • the second insulating layer 156 may be located along only one side of the first side to the fourth side of the light emitting unit 140.
  • the second insulating layer 156 is not in contact with the partition wall 160 or the organic layer 120a. For this reason, it can suppress that the substance (for example, water) which degrades the organic layer 120a propagates to the organic layer 120a from the partition 160 via the 2nd insulating layer 156 (for example, polyimide).
  • a part (first portion 156 a) of the second insulating layer 156 is between the light emitting unit 140 and the partition 160.
  • the organic layer 120 a includes an organic layer 120 (first region) located in the light emitting unit 140 and a portion outside the organic layer 120 (second region). The first portion 156 a of the second insulating layer 156 is separated from the partition wall 160.
  • the second region of the organic layer 120 (the portion between the light emitting unit 140 and the partition 160) faces the partition 160 with the first portion 156a of the second insulating layer 156 interposed therebetween, and the first portion of the second insulating layer 156. It is spaced from 156a.
  • the second insulating layer 156 is provided around the light emitting unit 140.
  • the second insulating layer 156 is made of an organic material.
  • the second insulating layer 156 functions to improve the luminance of the light emitting unit 140. For this reason, even if the first insulating layer 150 (inorganic material) functions to deteriorate the luminance of the light emitting unit 140, the luminance deterioration due to the first insulating layer 150 (inorganic material) can be suppressed. it can.

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Abstract

発光装置（１０）は、基板（１００）、発光部（１４０）、第１絶縁層（１５０）及び第２絶縁層（１５６）を備えている。発光部（１４０）は、基板（１００）上にある。発光部（１４０）は、第１電極（１１０）、有機層（１２０）及び第２電極（１３０）を有する。有機層（１２０）は、第１電極（１１０）と第２電極（１３０）の間にある。第１絶縁層（１５０）は、基板（１００）上で発光部（１４０）を画定している。第１絶縁層（１５０）は、無機材料からなる。第２絶縁層（１５６）は、発光部（１４０）の外側にある。第２絶縁層（１５６）は、有機材料からなり、具体的には、例えばポリイミドからなる。

Description

発光装置
　本発明は、発光装置に関する。
　近年、有機層を備えた発光装置が開発されている。特許文献１には、このような発光装置の一例が記載されている。特許文献１では、複数の有機絶縁層が互いに離間して基板上に配置されている。各有機絶縁層上には、発光部が位置している。発光部は、第１電極、第２電極及び第１電極と第２電極の間の有機層を有している。特許文献１では、互いに隣接する有機絶縁層の間の溝を跨って無機絶縁層が位置している。
特開２０１１－１３８６３５号公報
　発光装置では、発光部を画定するための絶縁層を基板上に形成することがある。このような絶縁層は、感光性樹脂（例えばポリイミド）を含んでいることがある。一方、本発明者が検討したところ、絶縁層が感光性樹脂を含んでいる場合、発光部を劣化させる物質が絶縁層を伝搬している可能性があることが明らかとなった。このような物質が絶縁層を伝搬することを抑制するため、本発明者は、絶縁層を無機材料により形成することを検討した。しかしながら本発明者が検討したところ、絶縁層が無機材料からなる場合、発光部の輝度が絶縁層の無機材料に起因して低下している可能性があることが明らかとなった。
　本発明が解決しようとする課題としては、発光部を画定する絶縁層が無機材料からなる場合であっても、発光部の輝度が低下することを抑制することが一例として挙げられる。
　請求項１に記載の発明は、
　基板と、
　前記基板上にあり、第１電極、第２電極及び前記第１電極と前記第２電極の間の有機層を有する発光部と、
　前記基板上で前記発光部を画定し、無機材料からなる第１絶縁層と、
　前記発光部の外側にあり、有機材料からなる第２絶縁層と、
を備える発光装置である。
　上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
実施形態に係る発光装置を示す平面図である。 図１から被覆層を取り除いた図である。 図２から第２導電層及び隔壁を取り除いた図である。 図３から第１絶縁層及び第２絶縁層を取り除いた図である。 図２のＡ－Ａ断面図である。 図２のＢ－Ｂ断面図である。 図２のＣ－Ｃ断面図である。 図２のＤ－Ｄ断面図である。 図１～図８に示した発光装置の輝度特性を説明するためのグラフである。 （ａ）は、図１～図８に示した発光装置の色度特性を説明するためのグラフであり、（ｂ）は、図１～図８に示した発光装置の色度特性を説明するためのグラフである。 変形例に係る発光装置を示す平面図である。 図１１から第２導電層及び隔壁を取り除いた図である。 図１１のＡ－Ａ断面図である。 図１１のＢ－Ｂ断面図である。 図１１のＣ－Ｃ断面図である。 図１１のＤ－Ｄ断面図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
　図１は、実施形態に係る発光装置１０を示す平面図である。図２は、図１から被覆層２００を取り除いた図である。図３は、図２から第２導電層１３０ａ及び隔壁１６０を取り除いた図である。図４は、図３から第１絶縁層１５０及び第２絶縁層１５６を取り除いた図である。図５は、図２のＡ－Ａ断面図である。図６は、図２のＢ－Ｂ断面図である。図７は、図２のＣ－Ｃ断面図である。図８は、図２のＤ－Ｄ断面図である。
　図２に示すように、発光装置１０は、基板１００、発光部１４０、第１絶縁層１５０及び第２絶縁層１５６を備えている。図２、図５及び図６に示すように、発光部１４０は、基板１００上にある。図５及び図６に示すように、発光部１４０は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を有する。有機層１２０は、第１電極１１０と第２電極１３０の間にある。図５及び図６に示すように、第１絶縁層１５０は、基板１００上で発光部１４０を画定している。第１絶縁層１５０は、無機材料からなる。図２及び図３に示すように、第２絶縁層１５６は、発光部１４０の外側にある。第２絶縁層１５６は、有機材料からなり、具体的には、例えばポリイミドからなる。以下、詳細に説明する。
　図１～図８に示す例において、発光装置１０は、ディスプレイである。発光装置１０は、基板１００、導電層１７０、導電層１８０、第１絶縁層１５０、第２絶縁層１５６、有機層１２０ａ、第２導電層１３０ａ、隔壁１６０及び被覆層２００を有している。
　図５～図８に示すように、基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にあり、基板１００の裏面である。図１～図４に示す例では、第１面１０２の形状は、矩形である。ただし、第１面１０２の形状は、例えば矩形以外の多角形であってもよい。
　発光装置１０は、ボトムエミッション及びトップエミッションのいずれであってもよい。発光装置１０がボトムエミッションである場合、複数の発光部１４０からの光は、基板１００の第２面１０４から出射される。この場合、基板１００は、透光性の材料（例えばガラス又は樹脂）からなる。これに対して、発光装置１０がトップエミッションである場合、複数の発光部１４０からの光は、基板１００の第１面１０２の上方から出射される。この場合、基板１００は、上記した透光性の材料からなってもよいし、又は透光性を有しない材料からなってもよい。
　基板１００は、可撓性を有していてもよいし、又は可撓性を有していなくてもよい。基板１００が可撓性を有する場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。基板１００が可撓性を有し、かつガラスを含む場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００が可撓性を有し、かつ樹脂を含む場合、基板１００は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）又はポリイミドを含む。なお、基板１００の第１面１０２（好ましくは、第１面１０２及び第２面１０４の双方）は、無機バリア膜（例えばＳｉＮｘ又はＳｉＯＮ）により覆われていてもよい。この場合、基板１００が水蒸気透過率の高い材料（例えば樹脂）を含んでいても、水蒸気が基板１００の第１面１０２よりも上に達することが抑制される。
　図１～図４に示すように、複数の導電層１７０は、基板１００の第１面１０２上にある。複数の導電層１７０は、複数の導電層１７０ａ及び複数の導電層１７０ｂを含んでいる。各導電層１７０ａは、第１導電層１１０ａ及び第１配線１１４を含む。第１導電層１１０ａは、導電層１７０ａの一部である。第１配線１１４は、導電層１７０ａの他の一部である。第１導電層１１０ａと第１配線１１４は、互いに接続している。各導電層１７０ｂは、第２配線１３４を含む。
　第１配線１１４の一端には、第１端子１１２が位置している。第１端子１１２には、電位が与えられる。これにより、第１端子１１２の電位は、第１配線１１４を介して第１導電層１１０ａ（第１電極１１０）に与えられる。第２配線１３４の一端には、第２端子１３２が位置している。第２端子１３２には、電位が与えられる。これにより、第２端子１３２の電位は、第２配線１３４を介して第２導電層１３０ａ（第２電極１３０）に与えられる。
　各導電層１７０の上面上には、導電層１８０がある。導電層１８０の電気抵抗は、導電層１７０の電気抵抗よりも低い。これにより、第１端子１１２と第１電極１１０の間の電圧降下及び第２端子１３２と第２電極１３０の間の電圧降下を抑制することができる。導電層１８０は、発光部１４０と重ならないように位置している。このため、導電層１８０は、透光性を有する必要がない。具体的には、導電層１８０は、例えばＡｌ又はＡｇからなる。その他の例として、導電層１８０は、例えば第１導電層１１０ａの上面上のＭｏ合金層、Ｍｏ合金層上のＡｌ合金層及びＡｌ合金層上のＭｏ合金層を含んでいてもよい。
　図４に示すように、複数の第１導電層１１０ａは、第１方向（図中、Ｘ方向）に並んでいる。各第１導電層１１０ａは、第１方向に交わる（具体的には、第１方向に直交する）第２方向（図中、Ｙ方向）に延伸している。
　図５及び図６に示すように、第１絶縁層１５０は、基板１００の第１面１０２上及び複数の第１導電層１１０ａ上にある。第１絶縁層１５０は、無機材料（例えば、シリコン酸化物又はシリコン窒化物）からなる。図２～図４に示すように、第１絶縁層１５０は、複数の開口１５２を有する。複数の開口１５２は、第２方向（図中、Ｙ方向）に並ぶｍ個の行及び第１方向（図中、Ｘ方向）に並ぶｎ個の列を含むｍ×ｎの行列状（本図に示す例では、ｍ＝４、ｎ＝５）に並んでいる。各開口１５２の平面形状は、矩形である。図５及び図６に示すように、各開口１５２内では、第１導電層１１０ａの一部（第１電極１１０）と第２導電層１３０ａの一部（第２電極１３０）が互いに重なっている。これにより、開口１５２の縁によって囲まれた領域が発光部１４０として機能する。すなわち、第１絶縁層１５０は、発光部１４０を画定している。
　なお、図５及び図６に示すように、発光部１４０の各辺は、開口１５２の内側面の下端によって画定されている。詳細には、図５に示すように、第１方向（図１～図４において、Ｘ方向）に垂直な断面において、開口１５２は、第１内側面及び第２内側面を有している。第２内側面は、第１内側面の反対側にある。開口１５２の第１内側面は、第１内側面の上端が第１内側面の下端よりも外側に位置するように傾いている。開口１５２の第２内側面は、第２内側面の上端が第２内側面の下端よりも外側に位置するように傾いている。発光部１４０の第１辺は、開口１５２の第１内側面の下端によって画定されている。発光部１４０の第２辺は、開口１５２の第２内側面の下端によって画定されている。同様にして、図６に示すように、第２方向（図１～図４において、Ｙ方向）に垂直な断面において、開口１５２は、第３内側面及び第４内側面を有している。第４内側面は、第３内側面の反対側にある。開口１５２の第３内側面は、第３内側面の上端が第３内側面の下端よりも外側に位置するように傾いている。開口１５２の第４内側面は、第４内側面の上端が第４内側面の下端よりも外側に位置するように傾いている。発光部１４０の第３辺は、開口１５２の第３内側面の下端によって画定されている。発光部１４０の縁の第４辺は、開口１５２の第４内側面の下端によって画定されている。
　第１絶縁層１５０は、開口１５４を有する。図７に示すように、第２導電層１３０ａは、開口１５４を介して第２配線１３４に接続している。
　図５に示すように、第２絶縁層１５６は、第１絶縁層１５０上にある。第２絶縁層１５６は、有機材料（例えば、ポリイミド）からなる。図２に示すように、第２絶縁層１５６は、基板１００の第１面１０２の発光領域１４１を囲んでいる。発光領域１４１では、複数の発光部１４０が上記したように行列状に並んでいる。また、第２絶縁層１５６に劣化させる物質を含んでいる場合、第１絶縁層１５０は無機材料からなるため、第１絶縁層を介して有機層１２０ａに伝達しない。
　より詳細には、図２に示す例において、発光領域１４１の形状は、第１辺、第２辺、第３辺及び第４辺を有する矩形である。第１辺は、第１方向（図中、Ｘ方向）に沿って延伸している。第２辺は、第１辺の反対側にある。第３辺は、第１辺と第２辺の間にある。第４辺は、第３辺の反対側にある。第２絶縁層１５６は、第１辺、第２辺、第３辺及び第４辺に沿って位置している。なお、第２絶縁層１５６は、発光領域１４１を囲んでいなくてもよい。例えば、第２絶縁層１５６は、発光領域１４１の第１辺～第４辺のうちのいずれか一辺のみに沿って位置していてもよい。なお、図５に示すように、第２絶縁層１５６は、隔壁１６０から離間している。
　図５、図７及び図８に示すように、隔壁１６０は、第１絶縁層１５０上にある。隔壁１６０は、感光性樹脂（例えばポリイミド）を含んでいる。図２に示すように、複数の隔壁１６０が第２方向（図中、Ｙ方向）に並んでいる。各隔壁１６０は、第１方向（図中、Ｘ方向）に延伸している。図５及び図７に示すように、第１方向（図１～図４のＸ方向）に垂直な断面において、隔壁１６０の上面の幅は、隔壁１６０の下面の幅よりも広い。より詳細には、第１方向（図１～図４のＸ方向）に垂直な断面において、隔壁１６０は、第１側面及び第２側面を有している。第２側面は、第１内側面の反対側にある。隔壁１６０の第１側面は、第１側面の上端が第１側面の下端よりも外側に位置するように傾いている。隔壁１６０の第２側面は、第２側面の上端が第２側面の下端よりも外側に位置するように傾いている。
　図５及び図６に示すように、有機層１２０ａは、基板１００の第１面１０２上、複数の第１導電層１１０ａ上及び第１絶縁層１５０上にある。図５に示すように、複数の有機層１２０ａが第２方向（図１～図４のＹ方向）に並んでいる。互いに隣接する有機層１２０ａは、隔壁１６０を挟んで互いに対向している。図５及び図６に示すように、有機層１２０ａの一部は、第１導電層１１０ａの一部（第１電極１１０）と重なっている。有機層１２０ａのこの一部は、発光部１４０の有機層１２０として機能する。
　なお、図５に示すように、有機層１２０ａは、隔壁１６０とは接していないことが好ましい。この場合、有機層１２０ａを劣化させる物質が隔壁１６０から有機層１２０ａに伝搬することを抑制することができる。詳細には、隔壁１６０は、有機層１２０ａを劣化させる物質（例えば、水）を含んでいることがある。この場合、有機層１２０ａが隔壁１６０と接していると、この物質が有機層１２０ａから隔壁１６０に伝搬することがある。これに対して図５に示す例では、隔壁１６０が上記した物質を含んでいたとしても、この物質が有機層１２０ａに伝搬することを抑制することができる。また、隔壁１６０は無機材料からなる第１絶縁層１５０上にあるため、同様に隔壁１６０が上記した物質を含んでいたとしても、この物質が有機層１２０ａに伝搬することを抑制することができる。
　図５及び図８に示すように、隔壁１６０の上面上には、有機層１２０ｂがある。有機層１２０ｂに含まれる材料は、有機層１２０ａに含まれる材料と同一である。有機層１２０ａ及び有機層１２０ｂは、基板１００の第１面１０２上及び隔壁１６０上に有機層を堆積することにより形成される。この場合、有機層は、隔壁１６０によって有機層１２０ａと有機層１２０ｂに分離される。
　有機層１２０ａは、例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層を有している。有機層１２０ａ全体の厚さは、例えば５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。正孔注入層内及び正孔輸送層内では、正孔が移動する。正孔注入層の厚さは、例えば５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。正孔輸送層の厚さは、正孔注入層の厚さよりも薄い。正孔輸送層の厚さは、例えば２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。発光層では、電子と正孔が再結合する。これにより、発光層からは、光が発せられる。発光層からの光の色は、例えば赤、緑又は青である。電子輸送層では、電子が輸送される。電子輸送層の厚さは、例えば５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。電子注入層は、アルカリ金属化合物（例えばＬｉＦ）、金属酸化物（例えば酸化アルミニウム）又は金属錯体（例えばリチウム８－ヒドロキシキノレート（Ｌｉｑ））からなる。電子注入層の厚さは、例えば０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。
　なお、正孔注入層及び正孔輸送層の一方はなくてもよい。電子輸送層及び電子注入層の一方はなくてもよい。
　正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層は、例えば塗布プロセスにより形成される。具体的には、例えば正孔注入層、正孔輸送層及び発光層は、塗布プロセスにより形成され、電子輸送層及び電子注入層は、蒸着により形成される。
　図５及び図６に示すように、第２導電層１３０ａは、有機層１２０ａ上にある。図２に示すように、複数の第２導電層１３０ａが第２方向（図中、Ｙ方向）に並んでいる。各第２導電層１３０ａは、第１方向（図中、Ｘ方向）に延伸している。互いに隣接する第２導電層１３０ａは、隔壁１６０を挟んで互いに対向している。図５及び図６に示すように、第２導電層１３０ａの一部は、第１導電層１１０ａの一部（第１電極１１０）と重なっている。第２導電層１３０ａのこの一部は、発光部１４０の第２電極１３０として機能する。
　図５、図７及び図８に示すように、隔壁１６０の上面上には、導電層１３０ｂがある。導電層１３０ｂに含まれる材料は、第２導電層１３０ａに含まれる材料と同一である。第２導電層１３０ａ及び導電層１３０ｂは、基板１００の第１面１０２上及び隔壁１６０上に導電層を堆積することにより形成される。この場合、導電層は、隔壁１６０によって第２導電層１３０ａと導電層１３０ｂに分離される。
　発光装置１０がボトムエミッションである場合、第１導電層１１０ａは、透光性を有する導電層である。この場合、第２導電層１３０ａは、透光性を有する必要はない。これに対して、発光装置１０がトップエミッションである場合、第２導電層１３０ａは、透光性を有する導電層である。この場合、第１導電層１１０ａは、透光性を有する必要はない。
　第１導電層１１０ａ及び第２導電層１３０ａが透光性を有する導電層である場合、第１導電層１１０ａ及び第２導電層１３０ａは、例えば金属酸化物を含み、より具体的には、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｕｎｇｓｔｅｎ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）又はＺｎＯ（Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）を含んでいる。
　第１導電層１１０ａ及び第２導電層１３０ａが透光性を有しない導電層である場合、第１導電層１１０ａ及び第２導電層１３０ａは、例えばＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属又はこの第１群から選択される金属の合金を含んでいる。
　図４～図７に示すように、被覆層２００は、第１絶縁層１５０、複数の発光部１４０及び複数の隔壁１６０を覆っている。これにより、被覆層２００は、第１絶縁層１５０、複数の発光部１４０及び複数の隔壁１６０を封止している。より具体的には、本図に示す例では、被覆層２００は、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成されている。これにより、被覆層２００は、第１絶縁層１５０、第２絶縁層１５６、発光部１４０並びに隔壁１６０の側面及び上面を連続して覆っている。被覆層２００は、例えば絶縁材料、より具体的には例えば金属酸化物を含んでいる。被覆層２００は、例えば酸化チタン層及び酸化アルミニウム層を含んでいる。この場合、酸化アルミニウム層は、酸化チタン層上又は酸化チタン層下にある。被覆層２００の厚さは、例えば５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。
　なお、被覆層２００は、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）又はスパッタにより形成してもよい。この場合、被覆層２００は、例えばＳｉＯ２層又はＳｉＮ層を含んでいる。この場合、被覆層２００の膜厚は、例えば１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。
　被覆層２００は、樹脂層により覆われていてもよい。樹脂層は、被覆層２００を保護するために設けられている。樹脂層は、例えばエポキシ樹脂又はアクリル樹脂を含んでいる。
　次に、発光装置１０の製造方法について説明する。まず、基板１００の第１面１０２上に導電層を形成し、この導電層をパターニングする。これにより、複数の導電層１７０（第１導電層１１０ａ、第１配線１１４及び第２配線１３４）が形成される。次いで、各導電層１７０の上面上に導電層１８０を形成する。
　次いで、基板１００の第１面１０２上及び複数の導電層１７０上に第１絶縁層１５０を形成する。次いで、第１絶縁層１５０に複数の開口１５２及び複数の開口１５４を形成する。
　次いで、第１絶縁層１５０上に第２絶縁層１５６を形成する。
　次いで、第１絶縁層１５０上に複数の隔壁１６０を形成する。
　次いで、第１絶縁層１５０上及び複数の隔壁１６０上に有機層を形成する。これにより、有機層は、隔壁１６０によって有機層１２０ａ及び有機層１２０ｂに分離される。
　次いで、第１絶縁層１５０上及び複数の隔壁１６０上に導電層を形成する。これにより、導電層は、隔壁１６０によって第２導電層１３０ａ及び導電層１３０ｂに分離される。
　次いで、基板１００の第１面１０２上、第１絶縁層１５０上及び複数の隔壁１６０上に被覆層２００をＡＬＤにより形成する。これにより、第１絶縁層１５０、複数の発光部１４０及び複数の隔壁１６０は、被覆層２００によって封止される。
　図９は、図１～図８に示した発光装置１０の輝度特性を説明するためのグラフである。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、図１～図８に示した発光装置１０の色度特性を説明するためのグラフである。図９、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）において、「有機絶縁層面積比」とは、（第２絶縁層１５６の面積）／（発光領域１４１に位置する複数の発光部１４０の面積の合計）×１００を示す。第２絶縁層１５６の開口とは、図２及び図３に示す例において発光領域１４１が露出されている領域である。図２及び図３に示すように、第２絶縁層１５６の開口の形状は、矩形とした。言い換えると、第２絶縁層１５６の開口は、発光領域１４１の第１辺、第２辺、第３辺及び第４辺にそれぞれ沿った第１縁、第２縁、第３縁及び第４縁を有している。
　第１絶縁層１５０の無機材料は、シリコン酸化物とした。第２絶縁層１５６の有機材料は、ポリイミドとした。
　図９、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）では、有機絶縁層面積比について、０％、２％、４％、６％、８％、１２％、２４％、３７％及び４９％の９つの発光装置１０を作製した。９つの発光装置１０の各々を温度１００℃の環境に１５８時間置いた。
　図９では、９つの発光装置１０の各々について、温度１００℃の環境に１５８時間置く前の輝度Ｌ０及び温度１００℃で１５８時間の環境で置いた後の輝度Ｌ１５８を測定した。本図において、「初期輝度比」とは、（Ｌ１５８／Ｌ０）×１００を示す。
　図１０では、９つの発光装置１０の各々について、温度１００℃の環境で１５８時間置く前の色度（ｘ０，ｙ０）及び温度１００℃の環境で１５８時間置いた後の色度（ｘ１５８，ｙ１５８）を測定した。色度（ｘ０，ｙ０）及び色度（ｘ１５８，ｙ１５８）は、ＣＩＥ　１９３１　色度図における位置を示す。図１０（ａ）において、「Δｘ」とは、ｘ１５８－ｘ０を示す。図１０（ｂ）において、「Δｙ」とは、ｙ１５８－ｙ０を示す。
　図９に示すように、初期輝度比は、有機絶縁層面積比８％以上で高くなった。図１０（ａ）に示すように、Δｘは、有機絶縁層面積比８％以上で低くなった。図１０（ｂ）に示すように、Δｙは、有機絶縁層面積比８％以上で低くなった。この結果は、発光装置１０の輝度及び色度は、発光装置１０が高温環境下に長時間置かれても、有機絶縁層面積比８％以上である場合はある程度維持されることを示している。
　なお、上述した９つの発光装置１０の各々を温度１００℃の環境に１５８時間置いた評価において輝度の劣化及び色度の劣化は、第２絶縁層１５６から離れている程劣化する傾向があることが確認できた。具体的には第２絶縁層１５６から８ｍｍよりも離れている発光部１４０において主に観測された。このことから発光領域１４１の中心は、第２絶縁層１５６から８ｍｍ以内にあることが好ましい。より詳細には、第２絶縁層１５６の開口の第１縁、第２縁、第３縁及び第４縁は、発光領域１４１の中心からそれぞれ第１距離、第２距離、第３距離及び第４距離だけ離れている。第１距離、第２距離、第３距離及び第４距離のうち最も長い距離は、８ｍｍ以下であることが好ましい。さらに、第２絶縁層１５６の開口の第１縁、第２縁、第３縁及び第４縁は、各発光部１４０の中心からそれぞれ第５距離、第６距離、第７距離及び第８距離だけ離れている。発光領域１４１内の複数の発光部１４０のいずれについても、第５距離、第６距離、第７距離及び第８距離のうち最も長い距離は、８ｍｍ以下であることが好ましい。
　なお、図２及び図３に示す例において、発光領域１４１は、複数の発光部１４０のうちの最外周の発光部１４０によって規定されている領域である。より詳細には、上記したように、複数の発光部１４０は、行列状に並んでいる。発光領域１４１の第２辺から最も離れた行内の発光部１４０の第１辺は、発光領域１４１の第１辺と重なっている。発光領域１４１の第１辺から最も離れた行内の発光部１４０の第２辺は、発光領域１４１の第２辺と重なっている。発光領域１４１の第４辺から最も離れた列内の発光部１４０の第３辺は、発光領域１４１の第３辺と重なっている。発光領域１４１の第３辺から最も離れた列内の発光部１４０の第４辺は、発光領域１４１の第４辺と重なっている。
　以上、本実施形態によれば、発光部１４０の周辺に第２絶縁層１５６がある。第２絶縁層１５６は有機材料からなる。第２絶縁層１５６は、発光部１４０の輝度を向上させるように機能する。このため、第１絶縁層１５０（無機材料）が発光部１４０の輝度を劣化させるように機能していたとしても、第１絶縁層１５０（無機材料）に起因した輝度の劣化を抑制することができる。
　なお、本発明者が検討したところ、発光部１４０を劣化させる上記した物質は、行列状に配置された複数の発光部１４０を含む領域の外側において、例えば紫外線に起因して発生している可能性があることが明らかとなった。本発明者がさらに検討したところ、上記した物質は、第１絶縁層１５０が感光性樹脂（例えばポリイミド）を含んでいる場合、第１絶縁層１５０内で広く伝搬する傾向があることが明らかとなった。これは、感光性樹脂が、上記した物質を伝搬させるように機能しているためであると推定される。本発明者がさらに検討したところ、上記した物質は、被覆層２００がＡＬＤにより形成されている場合、第１絶縁層１５０内で広く伝搬する傾向があることが明らかとなった。これは、被覆層２００がＡＬＤにより形成されている場合、第１絶縁層１５０の表面が高い気密性で封止されるためであると推定される。この場合、上記した物質が第１絶縁層１５０の外側に排出されることが阻害される。これに対して、本実施形態においては、第１絶縁層１５０が無機材料からなる。このため、被覆層２００がＡＬＤにより形成されていても、上記した物質が第１絶縁層１５０内で広く伝搬することを抑制することができる。
（変形例）
　図１１は、変形例に係る発光装置１０を示す平面図であり、実施形態の図２に対応する。図１２は、図１１から第２導電層１３０ａ及び隔壁１６０を取り除いた図であり、実施形態の図３に対応する。図１３は、図１１のＡ－Ａ断面図であり、実施形態の図５に対応する。図１４は、図１１のＢ－Ｂ断面図であり、実施形態の図６に対応する。図１５は、図１１のＣ－Ｃ断面図であり、実施形態の図７に対応する。図１６は、図１１のＤ－Ｄ断面図であり、実施形態の図８に対応する。本変形例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様である。
　図１１及び図１２に示すように、第２絶縁層１５６は、複数の発光部１４０の各々を囲むように形成されている。詳細には、各発光部１４０の形状は、第１辺、第２辺、第３辺及び第４辺を有する矩形である。第１辺は、第１方向（図中、Ｘ方向）に延伸している。第２辺は、第１辺の反対側にある。第３辺は、第１辺と第２辺の間にある。第４辺は、第３辺の反対側にある。第２絶縁層１５６は、第１辺、第２辺、第３辺及び第４辺に沿って位置している。なお、第２絶縁層１５６は、発光部１４０を囲んでいなくてもよい。例えば、第２絶縁層１５６は、発光部１４０の第１辺～第４辺のうちのいずれか一辺のみに沿って位置していてもよい。
　図１３に示すように、第２絶縁層１５６は、隔壁１６０にも有機層１２０ａにも接していない。このため、有機層１２０ａを劣化させる物質（例えば、水）が隔壁１６０から第２絶縁層１５６（例えば、ポリイミド）を介して有機層１２０ａに伝搬することを抑制することができる。詳細には、図１３に示すように、第２絶縁層１５６の一部（第１部分１５６ａ）は、発光部１４０と隔壁１６０の間にある。有機層１２０ａは、発光部１４０に位置する有機層１２０（第１領域）及び有機層１２０の外側の部分（第２領域）を含んでいる。第２絶縁層１５６の第１部分１５６ａは、隔壁１６０から離間している。有機層１２０の第２領域（発光部１４０と隔壁１６０の間の部分）は、第２絶縁層１５６の第１部分１５６ａを挟んで隔壁１６０と対向し、かつ第２絶縁層１５６の第１部分１５６ａから離間している。
　本変形例によれば、発光部１４０の周辺に第２絶縁層１５６がある。第２絶縁層１５６は有機材料からなる。第２絶縁層１５６は、発光部１４０の輝度を向上させるように機能する。このため、第１絶縁層１５０（無機材料）が発光部１４０の輝度を劣化させるように機能していたとしても、第１絶縁層１５０（無機材料）に起因した輝度の劣化を抑制することができる。
　以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

Claims (16)

  1. 　基板と、
    　前記基板上にあり、第１電極、第２電極及び前記第１電極と前記第２電極の間の有機層を有する発光部と、
    　前記基板上で前記発光部を画定し、無機材料からなる第１絶縁層と、
    　前記発光部の外側にあり、有機材料からなる第２絶縁層と、
    を備える発光装置。
  2. 　請求項１に記載の発光装置において、
    　前記発光部は、第１辺、前記第１辺の反対側の第２辺、前記第１辺と前記第２辺の間の第３辺及び前記第３辺の反対側の第４辺を有し、
    　前記第２絶縁層は、前記発光部の前記第１辺、前記第２辺、前記第３辺及び前記第４辺のうちの少なくとも一辺に沿って位置している発光装置。
  3. 　請求項２に記載の発光装置において、
    　前記第２絶縁層は、前記第１辺、前記第２辺、前記第３辺及び前記第４辺に沿って位置している発光装置。
  4. 　請求項２又は３に記載の発光装置において、
    　前記第１絶縁層上の隔壁を有し、
    　前記第２絶縁層は、前記隔壁と前記発光部の間の第１部分を有し、
    　前記有機層は、前記発光部に位置する第１領域及び前記第１絶縁層上の第２領域を含み、
    　前記第２領域は、前記第１部分を挟んで前記隔壁に対向し、かつ前記第１部分から離間している発光装置。
  5. 　請求項４に記載の発光装置において、
    　前記第１部分は、前記隔壁から離間している発光装置。
  6. 　請求項１に記載の発光装置において、
    　前記基板は、複数の前記発光部が配置された発光領域を含み、
    　前記第２絶縁層は、前記発光領域の外側にある発光装置。
  7. 　請求項６に記載の発光装置において、
    　前記発光領域は、第１辺、前記第１辺の反対側の第２辺、前記第１辺と前記第２辺の間の第３辺及び前記第３辺の反対側の第４辺を有し、
    　前記第２絶縁層は、前記発光領域の前記第１辺、前記第２辺、前記第３辺及び前記第４辺のうちの少なくとも一辺に沿って位置している発光装置。
  8. 　請求項７に記載の発光装置において、
    　前記第２絶縁層は、前記第１辺、前記第２辺、前記第３辺及び前記第４辺に沿って位置している発光装置。
  9. 　請求項６～８のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記第１絶縁層上の隔壁を有し、
    　前記有機層は、前記発光部に位置する第１領域及び前記第１絶縁層上の第２領域を含み、
    　前記有機層の前記第２領域は、前記隔壁から離間している発光装置。
  10. 　請求項６～９のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記第２絶縁層の面積は、前記発光領域に位置する発光部の面積の合計に対して８％以上である発光装置。
  11. 　請求項１０に記載の発光装置において、
    　前記第２絶縁層は、前記発光領域の前記第１辺、前記第２辺、前記第３辺及び前記第４辺にそれぞれ沿った第１縁、第２縁、第３縁及び第４縁を有する開口を含み、
    　前記第２絶縁層の前記第１縁、前記第２縁、前記第３縁及び前記第４縁は、前記発光領域の中心からそれぞれ、第１距離、第２距離、第３距離及び第４距離だけ離れており、
    　前記第１距離、前記第２距離、前記第３距離及び前記第４距離のうち最も長い距離は、８ｍｍ以下である発光装置。
  12. 　請求項１０に記載の発光装置において、
    　前記第２絶縁層の前記第１縁、前記第２縁、前記第３縁及び前記第４縁は、前記発光部の中心からそれぞれ、第５距離、第６距離、第７距離及び第８距離だけ離れており、
    　前記複数の発光部のいずれについても、前記第５距離、前記第６距離、前記第７距離及び前記第８距離のうち最も長い距離は、８ｍｍ以下である発光装置。
  13. 　請求項１又は１２に記載の発光装置において、
    　前記発光領域内の前記複数の発光部は、前記発光領域の前記第１辺に沿った第１方向に並ぶ複数の列及び前記発光領域の前記第３辺に沿った第２方向に並ぶ複数の行を含む行列状に並んでおり、
    　各発光部は、前記第１方向に延伸する第１辺、前記第１辺の反対側の第２辺、前記第２方向に延伸していて前記第１辺と前記第２辺の間の第３辺及び前記第３辺の反対側の第４辺を有しており、
    　前記発光領域の前記第２辺から最も離れた行内の発光部の第１辺は、前記発光領域の前記第１辺と重なっており、
    　前記発光領域の前記第１辺から最も離れた行内の発光部の第２辺は、前記発光領域の前記第２辺と重なっており、
    　前記発光領域の前記第４辺から最も離れた列内の発光部の第３辺は、前記発光領域の前記第３辺と重なっており、
    　前記発光領域の前記第３辺から最も離れた列内の発光部の第４辺は、前記発光領域の前記第４辺と重なっている発光装置。
  14. 　請求項１～８のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層上にある発光装置。
  15. 　請求項４、５、９～１４のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記第１絶縁層、前記第２絶縁層、前記発光部、前記隔壁の側面及び上面を連続して覆う被覆層を備える発光装置。
  16. 　請求項１～１４のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記第２絶縁層は、ポリイミドからなる発光装置。
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