WO2016080627A1 - Photoresist stripping apparatus and photoresist stripping method using same - Google Patents

Photoresist stripping apparatus and photoresist stripping method using same Download PDF

Info

Publication number
WO2016080627A1
WO2016080627A1 PCT/KR2015/007200 KR2015007200W WO2016080627A1 WO 2016080627 A1 WO2016080627 A1 WO 2016080627A1 KR 2015007200 W KR2015007200 W KR 2015007200W WO 2016080627 A1 WO2016080627 A1 WO 2016080627A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
photoresist
stripper
storage tank
substrate
stripping
Prior art date
Application number
PCT/KR2015/007200
Other languages
French (fr)
Korean (ko)
Inventor
박태문
정대철
이동훈
이우람
이현준
김주영
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to CN201580031398.8A priority Critical patent/CN106462088B/en
Priority to JP2016574142A priority patent/JP6500919B2/en
Publication of WO2016080627A1 publication Critical patent/WO2016080627A1/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/34—Imagewise removal by selective transfer, e.g. peeling away
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3042—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations
    • G03F7/3064—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations characterised by the transport means or means for confining the different units, e.g. to avoid the overflow
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen

Definitions

  • the present invention relates to a photoresist stripping apparatus and a photoresist stripping method using the same. More specifically, it is possible to prevent the loss of the photoresist stripper stripper by evaporation, thereby reducing the amount of use of the photoresist stripper stripper and maintaining the peeling force of the stripper stripper for photoresist stripping.
  • the microcircuit process or the semiconductor integrated circuit manufacturing process of the liquid crystal display device may be performed on a substrate by an insulating metal such as a conductive metal film such as aluminum, aluminum alloy, copper, copper alloy, molybdenum, molybdenum alloy, or a silicon oxide film, silicon nitride film, or fork acrylic insulating film.
  • an insulating metal such as a conductive metal film such as aluminum, aluminum alloy, copper, copper alloy, molybdenum, molybdenum alloy, or a silicon oxide film, silicon nitride film, or fork acrylic insulating film.
  • Various lower layers may be formed, the photoresist may be uniformly coated on the lower layer, selectively exposed and developed to form a photoresist pattern, and then the lower layer may be patterned using a mask. After the patterning process, the photoresist remaining on the lower layer is removed. A stripper for removing the photoresist is used.
  • the photoresist stripper stripper evaporates to generate fumes due to temperature conditions. There has been a problem that the total amount of the photoresist stripper stripper is increased by decreasing the amount of the photoresist stripper stripper. Especially water
  • the present invention is to provide a photoresist stripping apparatus that can prevent the loss of the photoresist stripper stripper by evaporation to reduce the amount of use of the photoresist stripper stripper, and can maintain the peeling force of the stripper for removing photoresist. .
  • the present invention also provides a photoresist stripping method using the photoresist stripping apparatus.
  • a stripper storage tank for removing photoresist, a substrate moving hole for moving a substrate having a photoresist formed on its surface, a stripper injection hole for injecting a stripper for removing photoresist into the substrate moving hole, and a photo from the storage tank to the stripper injection hole.
  • a peeling unit including a stripper transfer port for transferring a stripper for removing a resist; Located in the upper portion of the peeling unit, the cooling device for sensing the material evaporated in the peeling unit; And a conveying port for transferring the material sensed in the condensation apparatus to a stripper storage tank or a peeling unit for removing photoresist.
  • a photoresist stripping method is provided.
  • the photoresist stripper storage tank (4) substrate transfer port for moving the photoresist formed substrate on the surface (3), the stripper injection hole for injecting the stripper for photoresist removal to the substrate transfer hole ( 2) and stripper for removing photoresist from the storage tank to the stripper nozzle.
  • a peeling part 1 including a stripper transfer port 16 for conveying; On top of the peeling part A engraving device (7) positioned and engraving the material evaporated in the exfoliation portion; A delivery port (6) for transporting the material evaporated in the peeling unit to the corner device; And a conveying port for transferring the material sensed by the cooling device to a stripper storage tank or a peeling part for removing photoresist.
  • the present inventors use the above-described specific photoresist stripping apparatus to cool the evaporation materials generated during the stripping process, and again to be mixed with the stripper for removing the photoresist, thereby preventing the loss of the stripper for removing the photoresist due to evaporation.
  • the experiment confirmed that the amount of use of the stripper for removing the photoresist can be reduced through experiments and completed the invention.
  • the photoresist stripping apparatus may include a conveying port for transferring the material sensed in the photoresist to a stripper storage tank or stripper for removing photoresist. Accordingly, the photoresist stripping apparatus can prevent the loss of the photoresist stripper by evaporation, thereby reducing the amount of the photoresist stripper used.
  • transport port is not particularly limited, and various pipes of various shapes, lengths, diameters, and the like may be used without limitation.
  • the photoresist stripping apparatus carries a conveyance port 9 for conveying the material cooled in the wafer device to the stripper storage tank 4 for removing the photoresist, or a conveyer for conveying the material scraped in the cooling device to the peeling unit 1. It may comprise a sphere (10).
  • the conveyance port 9 for transporting the photoresist stripper storage tank 4 for transporting the photoresist and the transport port 10 for transporting the material sensitized in the cooling device to the peeling unit 1 are each separately connected to the corner device, or It can be combined into pipes and connected to each device.
  • the conveying port 9 for transferring the material sensed in the cooling device to the stripper storage tank for removing photoresist is 50% or more, or 55% to 100% of the height of the stripper storage tank for removing photoresist. Or, from 60% to 95%.
  • the photoresist stripper storage tank (4) is connected to a position where a conveyance port (9) for transferring the material cooled in the wafer device to the stripper storage tank for photoresist removal is connected to the stripper storage tank (4) for removing photoresist. If less than 50% of the height, in the photoresist stripper storage tank (4) The included stripper can be flowed back toward the conveying port 9 which transfers the material from the cooling device to the stripper storage tank for photoresist removal.
  • the conveying port 10 for conveying the material sensitized by the chamfering device to the peeling part is provided at the height and the surface of the stripper storage tank 4 for removing the photoresist.
  • the photoresist may be connected between the heights of the substrate moving holes 3 for moving the formed substrate.
  • the conveyance port 10 As the conveyance port 10 is connected between the height of the stripper storage tank for removing the photoresist and the height of the substrate moving port for moving the substrate having the photoresist formed on the surface, it does not affect the substrate moving by the substrate moving port. Instead, the material discharged from the cooling device can be moved to a stripper storage hank for removing photoresist.
  • the photoresist stripping device may further comprise a valve (8) for controlling the opening and closing of the conveying port for transferring the material sensed in the photoresist to the stripper storage tank or stripper for removing the photoresist.
  • the 'opening and closing' means opening and closing, and specifically, the conveying port can be opened or closed by using the valve (8).
  • the transfer tool is opened, the nyaenggak, and the material nyaenggak in the apparatus can be transferred to the stripper storage tank or separation for removal of photoresist, in the case where the transporting opening closed, the material nyaenggak in the nyaenggak device photoresist removal
  • the stripper storage tank or the stripping portion for the discharge may be transferred to the waste tank 14 described later.
  • the photoresist stripping apparatus is a substrate transfer tool for moving the photoresist stripper storage tank (4), the substrate on which the photoresist is formed on the surface
  • a stripper including a stripper injection hole (2) for injecting a stripper for removing photoresist into the substrate moving hole and a stripper delivery hole (16) for transferring a stripper for removing photoresist from the storage tank to the stripper injection hole (1) ) May be included.
  • the specific kind of the photoresist stripper stripper included in the photoresist stripper storage tank 4 is not limited, and any composition having any use as a stripper for photoresist stripper can be used without limitation.
  • the substrate moving tool 3 for moving the substrate on which the photoresist is formed on the surface is not particularly limited.
  • a conveyor belt or the like may be used.
  • the substrate moving tool may include the peeling part in a direction parallel to the horizontal plane. (1) It can be located inside.
  • a method of moving a substrate on which the photoresist is formed on the surface is carried out.
  • the substrate on which the photoresist is formed on the surface is placed on the substrate moving hole 3 and is parallel to the horizontal plane along the substrate moving hole 3. Can be moved in a direction.
  • An example of the stripper injection hole 2 for injecting the stripper for removing photoresist into the substrate moving hole is also not limited in particular.
  • a nozzle having 80 holes specifically, a groove nozzle, a pin nose, a throating-pin Nozzles, flat pin nozzles and the like can be used.
  • a method of injecting the photoresist stripper stripper, a method of spraying the photoresist stripper stripper at a pressure of 0.01 M1 ⁇ 2 to 0.9 M3 ⁇ 4 and a temperature of 30 ° C to 50 ° C through the stripper injection port (2) Can be mentioned.
  • a substrate transfer tool 3 for moving a substrate on which the photoresist is formed on the surface of the stripper storage tank 4 for removing the photoresist is provided.
  • the stripper injection hole 2 which injects a stripper for removing photoresist into the substrate moving hole may be positioned above the moving hole of the substrate.
  • the 'upper' means to be located at a higher position with respect to the horizontal plane.
  • the photoresist stripper stripper in contact with the substrate having the photoresist formed on the surface may move to the photoresist stripper storage tank 4 located at the bottom of the substrate moving hole 3.
  • a drain device 12 may be further included between the substrate transfer port 3 and the photoresist stripper storage tank 4.
  • the drain By including the device 12, a photoresist stripper stripper sprayed on the substrate can be collected and introduced into the photoresist stripper storage tank 4.
  • the peeling part ⁇ ) is transferred from the storage tank to the stripper injection hole.
  • a stripper delivery port 16 for conveying the stripper for removing photoresist.
  • Examples of the stripper transmission port 16 are not particularly limited, and various pipes of various shapes, road diameters, and the like can be used without limitation.
  • the stripper delivery port 16 for transferring the photoresist stripper stripper from the storage tank to the stripper injection port may further comprise a filtration device 17.
  • a filtration device 17 By including the filtering device (17), by removing the foreign matter that can be included in the photoresist stripper stripper included in the photoresist stripper stripper storage tank (4), to maintain the quality and performance of the stripper strip for removing the photoresist Can be.
  • An example of the filtration device ⁇ 7 is not particularly limited, but a filter may be used, for example.
  • the material of the filter is also not particularly limited.
  • a polymer resin such as polyethylene or polypropylene or a teflon-based resin such as polyvinylidene fluoride may be used.
  • the diameter of the pores included in the filter may range from 0.1 / zm to 300.
  • the size of the filter is not particularly limited, and filters of various sizes may be used.
  • the stripper transfer port 16 for transferring the photoresist stripper stripper from the storage tank to the stripper injection port may further include a pump (5).
  • the stripper injection hole 2 for injecting the photoresist stripper stripper into the substrate transfer port above the moving port of the substrate is positioned above the stripper storage tank 4 for removing the photoresist.
  • a photoresist stripper is transported to the stripper jet port for transfer from the resist stripper storage tank 4 to a stripper jet port 2 that injects a stripper for photoresist stripping onto the substrate port over the substrate port.
  • the stripper delivery port 16 may further comprise a pump 5.
  • the stripper delivery port 16 for transferring the photoresist stripper stripper from the storage tank to the stripper jet port is a stripper jet port (2) for injecting the photoresist stripper stripper to the substrate moving port and the To a stripper storage tank 4 for photoresist removal.
  • the photoresist stripping device may include a convex device 7 positioned above the stripping unit and engraving the material evaporated from the stripping unit.
  • the indentation device 7 can reduce the amount of use of the stripper for removing photoresist by liquefying materials lost by evaporation in the photoresist stripping process.
  • Examples of the condenser 7 include a condenser, etc., in the condenser, -10 ° C to 50 ° C, or -8 ° C to 30 ° C, or _5 ° C to 10 ° C. At the temperature of, expansion may be carried out using a solvent.
  • the refrigerant refers to a medium that takes heat from a low temperature object and transfers heat to a high temperature object as a working fluid of a driving cycle, and may use various types of solvents widely used without limitation.
  • the engraving device 7 may be located above the peeling part. remind
  • the height of the indentation device 7 may be higher than the height of the peeling part 1.
  • the angle device may be located higher than the peeling part.
  • a waste liquid tank 14 for storing the stripper waste liquid for photoresist removal may be further included.
  • the photoresist stripper waste liquid is a foreign substance generated during the stripping process of the photoresist stripper stripper, or a stripper for stripping the photoresist deteriorated by being stored in the stripper storage tank 4 for a long time photoresist stripper, or a filtration device. It may contain foreign substances filtered out in (17).
  • the location of the waste liquid tank 14 is not limited to a great extent, it may be preferably located below the peeling part (1).
  • the waste liquid tank 14 may transfer the stripper waste liquid for removing photoresist directly from the peeling part 1, or the material sensitized by the scraping device 7.
  • the stripper waste liquid for removing photoresist directly from the peeling part 1 When conveyed, it may be conveyed through the pipe 13.
  • the material sensed in the waste liquid tank to the waste liquid tank can control the opening and closing
  • a photoresist stripping method using the photoresist stripping apparatus may be provided.
  • the photoresist stripping method comprises the steps of spraying a photoresist stripper on a substrate with a photoresist formed on the surface; Capturing the gas generated during the injection and engraving the gas into an indentation device; And the sprayed
  • the photoresist stripping method may include spraying a photoresist stripper on a substrate having a photoresist formed on a surface thereof.
  • Examples of the injection method are not particularly limited, for example, home nozzle, pin nose,
  • the temperature of the photoresist stripper stripper may be 40 ° C to 60 ° C.
  • the temperature of the photoresist stripper stripper is less than 40 ° C, peeling performance may be reduced, and when the temperature of the photoresist stripper stripper exceeds 60 ° C, there is a risk of ignition and workability may deteriorate. have.
  • the specific kind of the stripper for removing the photoresist is not limited, and any composition having any use as a stripper for removing the photoresist may be used without limitation.
  • the method may further include filtering the photoresist removing stripper in a filtration apparatus before spraying the photoresist removing stripper on the substrate having the photoresist formed on the surface. Accordingly, by removing foreign substances that may be included in the photoresist stripper stripper included in the photoresist stripper storage tank 4, the quality of the stripper stripper for spraying the photoresist removed and Maintain performance.
  • the method of the filtration step are not particularly limited, but for example, performed through the filtration device 17 included in the stripper delivery port 16 for transferring the photoresist stripper stripper from the storage tank to the stripper injection port. Can be.
  • the content of the filtration device 17 includes the above-described information in the embodiment.
  • the photoresist stripping method may include the step of collecting and encapsulating the gas generated during the injection. As described above, as the temperature of the photoresist stripper stripper is 40 ° C. to 60 ° C., some of the components included in the photoresist stripper stripper may be evaporated.
  • the photoresist stripping method may include collecting and engraving the gas generated during the injection, thereby minimizing the amount of the stripper for removing the photoresist lost due to evaporation during the stripping process.
  • the collection of the gas generated during the injection is a cooling device located on the peeling unit 1 and the upper portion of the peeling unit in the peeling apparatus of the embodiment. (7) through the piping (6)
  • the nyaenggak is ungchuk method using the one embodiment nyaenggak device 7 at a temperature of -io ° c to 50 ° C, or -8 ° C to 30 ° C, or -5 ° C to 10 ° C It can proceed to. remind
  • the details of the angle device 7 include those described above in the above embodiment.
  • the method may also include recovering the sprayed photoresist stripper and the cooled material to the photoresist stripper storage tank.
  • the amount of the photoresist stripper stripper can be reduced by minimizing the amount of the photoresist stripper stripper lost due to evaporation in the stripping process, and the peeling force of the photoresist stripper stripper can be maintained.
  • Examples of the engraved material are not particularly limited, and may include, for example, water or an organic compound.
  • Examples of the organic compound are not particularly limited, for example, amines, amides, alkylene glycol monoalkyl ethers, and the like.
  • An example of a method of recovering the sprayed photoresist stripper to the stripper storage tank for photoresist removal is not limited thereto.
  • An example of a method of recovering the sensed material is not particularly limited, but, for example, the cooling device 7 and the stripping unit 1 or the stripper storage tank 4 for removing the photoresist of the embodiment may be piped ( Connection through 9) and proceed by opening the valve (8).
  • the photoresist stripper included in the storage tank may further include a step of being recycled to process another substrate. By including the step of recycling, a certain amount of without having to use a new photoresist stripper
  • the photoresist stripping method is obtained by the following equation
  • the stripper retention rate for the photoresist removal may be 90% or more, or 92% to 99%.
  • Stripper retention rate (%) for stripping photoresist stripper mass for stripping photoresist after stripping I Stripper mass for stripping photoresist before stripping * 100
  • the stripper for stripping the photoresist after peeling is according to the photoresist stripping method of the other embodiment, and spraying the stripper for stripping the photoresist before stripping, collecting and engraving the gas generated during the spraying, and then spraying Recovered photoresist stripper and scraped material
  • the photoresist stripping method is for removing the photoresist
  • the amount of the stripper for removing the photoresist may increase due to the addition of the stripper for removing the photoresist.
  • FIG. 1 An example of a photoresist stripping method using the photoresist stripping apparatus will be described below with reference to FIG. 1.
  • the photoresist stripper stripper stored in the photoresist stripper storage tank 4 is transferred along the sixth pipe 16 by a pump 5, filtered through a filtration device 17, and then a nozzle ( 2) sprayed onto a substrate located on the substrate transfer port (3) in the peeling chamber (1) to proceed the peeling process.
  • the evaporated materials among the materials contained in the photoresist removing stripper are introduced from the peeling chamber 1 through the first pipe 6 into the peeling device 7 to be peeled off in the peeling device 7. Let's do it.
  • the stripper for photoresist removal is recovered to the stripper storage tank 4 for removing photoresist through the drain device 12, and the material detected in the relief device 7 is subjected to the first flow rate.
  • the second flow control valve 11 is closed.
  • the peeling process is recycled again. Photoresist stripper waste liquid or foreign matter generated in the photoresist stripper storage tank 4 or the filtration device 17 is transferred to the waste liquid tank 14 through the fourth pipe 13.
  • the present invention it is possible to prevent the loss of the photoresist stripper stripper by evaporation, thereby reducing the amount of the stripper stripper for photoresist stripping.
  • a photoresist stripping apparatus capable of maintaining a peeling force of a stripper for removing photoresist and a photoresist stripping method using the same may be provided.
  • Figure 1 schematically shows the structure of a photoresist stripping apparatus used in the embodiment.
  • Figure 2 schematically shows the structure of the photoresist stripping apparatus used in the comparative example.
  • the photoresist stripper stripper of the above production example was placed in a stripper storage container for stripping photoresist strips, dragged to a nozzle using a pump, and then applied to a nozzle at a temperature of 40 ° C. for 24 hours.
  • the evaporated material in the spraying process was transferred to a cooling device through a pipe and cooled down to 25r temperature.
  • the sensed materials are routed through
  • a predetermined amount of stripper for removing photoresist included in the stripper storage container for removing photoresist was taken every 6 hours, and the moisture content was measured according to the Karl Fischer moisture measurement method.
  • the stripper retention rate was calculated
  • Stripper retention rate (%) for stripping photoresist stripper mass for stripping photoresist after stripping I Stripper mass for stripping photoresist before stripping * 100
  • the water content contained in the photoresist stripper stripper of the photoresist stripping method of the example was reduced by about 5% by weight from 38% to 33.02% by weight, while in the photoresist stripping method of the comparative example, The water content contained in the resist stripper was reduced by about 20% by weight from 38% by weight to 18.80% by weight, and the photoresist stripping method of the embodiment was included in the photoresist stripping stripper as compared to the comparative photoresist stripping method. It can be seen that the reduction of water can be significantly prevented.
  • the photoresist stripping method of Example even after 24 hours of peeling, the retention rate of the stripper for photoresist removal was 94.16 wt%, and the stripper retention for photoresist stripping was significantly improved compared to 78.25 wt% of the comparative example.
  • the photoresist stripping method of the embodiment can significantly prevent the reduction of the stripper for removing the photoresist compared to the comparative example.
  • substrate transfer port Stripper storage tank for photoresist removal : ⁇ - ⁇ -: 1st piping

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

The present invention relates to a photoresist stripping apparatus and a photoresist stripping method using the same, the photoresist stripping apparatus comprising: a stripping part comprising a stripper storage tank for removing photoresist, a substrate moving device which moves a substrate with photoresist formed on the surface thereof, a stripper injection device which injects, into the substrate moving device, a stripper for removing the photoresist, and a stripper transfer device which transfers the stripper for removing the photoresist from the storage tank to the stripper injection device; a cooling device which cools materials evaporated in the stripping part; and a transfer device which transfers the materials cooled by the cooling device to the stripper storage tank for removing photoresist or the stripping part.

Description

【명세서】  【Specification】
【발명의 명칭】  [Name of invention]
포토레지스트 박리 장치 및 이를 이용한 포토레지스트 박리 방법 【관련 출원 (들)과의 상호 인용】  Photoresist Stripping Apparatus and Photoresist Stripping Method Using the Same [Cross-Reference with Related Application (s)]
본 출원은 2014년 11월 18일자 한국 특허 출원 제 10-2014-0161179호에 기초한 우선권의 이익을 주장하며， 해당 한국 특허 출원의 문헌에 개시된 모든 내용은 본 명세서의 일부로서 포함된다.  This application claims the benefit of priority based on Korean Patent Application No. 10-2014-0161179 filed November 18, 2014, and all contents disclosed in the literature of the Korean patent application are incorporated as part of this specification.
【기술분야】  Technical Field
본 발명은 포토레지스트 박리 장치 및 이를 이용한 포토레지스트 박리 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는， 증발에 의한 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 손실을 방지하여 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 사용량을 절감할 수 있고， 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 박리력을 유지할 수 있는  The present invention relates to a photoresist stripping apparatus and a photoresist stripping method using the same. More specifically, it is possible to prevent the loss of the photoresist stripper stripper by evaporation, thereby reducing the amount of use of the photoresist stripper stripper and maintaining the peeling force of the stripper stripper for photoresist stripping.
포토레지스트 박리 장치 및 이를 이용한 포토레지스트 박리 방법에 관한 것이다. 【발명의 배경이 되는 기술】 A photoresist stripping apparatus and a photoresist stripping method using the same. [Technique to become background of invention]
액정표시소자의 미세회로 공정 또는 반도체 직접 회로 제조공정은 기판 상에 알루미늄, 알루미늄 합금， 구리, 구리합금， 몰리브덴， 몰리브덴 합금 등의 도전성 금속막 또는 실리콘 산화막， 실리콘 질화막, 포크아크릴 절연막 등의 절연막과 같은 각종 하부막을 형성하고， 이러한 하부막 상에 포토레지스트를 균일하게 도포하고， 선택적으로 노광， 현상 처리하여 포토레지스트 패턴을 형성한 후， 이를 마스크로 하부막을 패터닝하는 여러 공정을 포함하게 된다. 이러한 패터닝 공정 후 하부막 상에 잔류하는 포토레지스트를 제거하는 공정을 거치게 되는데， 이를 위해 사용되는 것이 포토레지스트 제거용 스트리퍼이다. 일반적으로， 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 이용하여 기판상에 형성된 포토레지스트를 제거하는 공정에서 온도 조건등으로 인하여， 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼가 증발하여 훔 ( fume)이 발생하게 되고， 이에 따라 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 양이 감소하여 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 전체적인 사용량이 증가하는 문제가 있었다. 특히， 수계  The microcircuit process or the semiconductor integrated circuit manufacturing process of the liquid crystal display device may be performed on a substrate by an insulating metal such as a conductive metal film such as aluminum, aluminum alloy, copper, copper alloy, molybdenum, molybdenum alloy, or a silicon oxide film, silicon nitride film, or fork acrylic insulating film. Various lower layers may be formed, the photoresist may be uniformly coated on the lower layer, selectively exposed and developed to form a photoresist pattern, and then the lower layer may be patterned using a mask. After the patterning process, the photoresist remaining on the lower layer is removed. A stripper for removing the photoresist is used. In general, in the process of removing the photoresist formed on the substrate by using the photoresist stripper stripper, the photoresist stripper stripper evaporates to generate fumes due to temperature conditions. There has been a problem that the total amount of the photoresist stripper stripper is increased by decreasing the amount of the photoresist stripper stripper. Especially water
포토레지스트 제거용 스트리퍼의 경우， 수분의 증발량이 많아 스트리퍼로서의 박리력이 저하되는 등의 한계가 있었다. In the case of the stripper for removing photoresist, there was a limit such that the peeling force as the stripper was lowered because the amount of evaporation of water was large.
이에， 증발에 의한 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 손실을 방지하여 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 사용량을 절감할 수 있고， 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 박리력을 유지할 수 있는 포토레지스트 박리 장치 및 이를 이용한 포토레지스트 박리 방법의 개발이 요구되고 있다. This prevents the loss of the stripper for photoresist removal by evaporation. The development of a photoresist stripping apparatus capable of reducing the amount of the photoresist stripping stripper used and maintaining the peeling force of the photoresist stripping stripper and a photoresist stripping method using the same is required.
【발명의 내용】  [Content of invention]
【해결하고자 하는 과제】  Problem to be solved
본 발명은 증발에 의한 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 손실을 방지하여 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 사용량을 절감할 수 있고 , 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 박리력을 유지할 수 있는 포토레지스트 박리 장치를 제공하기 위한 것이다.  The present invention is to provide a photoresist stripping apparatus that can prevent the loss of the photoresist stripper stripper by evaporation to reduce the amount of use of the photoresist stripper stripper, and can maintain the peeling force of the stripper for removing photoresist. .
또한， 본 발명은 상기 포토레지스트 박리 장치를 이용한 포토레지스트 박리 방법을 제공하기 위한 것이다.  The present invention also provides a photoresist stripping method using the photoresist stripping apparatus.
【과제의 해결 수단】  [Measures of problem]
본 명세서에서는， 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크， 표면에 포토레지스트가 형성된 기판을 이동시키는 기판 이동구， 상기 기판 이동구로 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 분사하는 스트리퍼 분사구 및 상기 저장 탱크에서 상기 스트리퍼 분사구로 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 이송하는 스트리퍼 전달구를 포함하는 박리부; 상기 박리부의 상부에 위치하고， 상기 박리부에서 증발된 물질을 넁각하는 냉각장치; 및 상기 넁각 장치에서 넁각된 물질을 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 또는 박리부로 이송하는 반송구；를 포함하는 포토레지스트 박리 장치가 제공된다 .  In the present specification, a stripper storage tank for removing photoresist, a substrate moving hole for moving a substrate having a photoresist formed on its surface, a stripper injection hole for injecting a stripper for removing photoresist into the substrate moving hole, and a photo from the storage tank to the stripper injection hole. A peeling unit including a stripper transfer port for transferring a stripper for removing a resist; Located in the upper portion of the peeling unit, the cooling device for sensing the material evaporated in the peeling unit; And a conveying port for transferring the material sensed in the condensation apparatus to a stripper storage tank or a peeling unit for removing photoresist.
본 명세서에서는 또한， 상기 포토레지스트 박리 장치를 이용한  In the present specification, using the photoresist stripping device
포토레지스트 박리 방법이 제공된다. A photoresist stripping method is provided.
이하 발명의 구체적인 구현예에 따른 포토레지스트 박리 장치 및  Photoresist stripping apparatus according to a specific embodiment of the invention and
포토레지스트 박리 방법에 대하여 보다 상세하게 설명하기로 한다 . 발명의 일 구현예에 따르면， 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 (4) 표면에 포토레지스트가 형성된 기판을 이동시키는 기판 이동구 (3)， 상기 기판 이동구로 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 분사하는 스트리퍼 분사구 (2) 및 상기 저장 탱크에서 상기 스트리퍼 분사구로 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 The photoresist stripping method will be described in more detail. According to one embodiment of the invention, the photoresist stripper storage tank (4) substrate transfer port for moving the photoresist formed substrate on the surface (3), the stripper injection hole for injecting the stripper for photoresist removal to the substrate transfer hole ( 2) and stripper for removing photoresist from the storage tank to the stripper nozzle.
이송하는 스트리퍼 전달구 ( 16)를 포함한 박리부 ( 1) ; 상기 박리부의 상부에 위치하고， 상기 박리부에서 증발된 물질을 넁각하는 넁각장치 (7) ; 상기 박리부에서 증발된 물질을 넁각장치로 이송하기 위한 전달구 (6) ; 및 상기 냉각 장치에서 넁각된 물질을 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 또는 박리부로 이송하는 반송구；를 포함하는 포토레지스트 박리 장치가 제공될 수 있다. A peeling part 1 including a stripper transfer port 16 for conveying; On top of the peeling part A engraving device (7) positioned and engraving the material evaporated in the exfoliation portion; A delivery port (6) for transporting the material evaporated in the peeling unit to the corner device; And a conveying port for transferring the material sensed by the cooling device to a stripper storage tank or a peeling part for removing photoresist.
본 발명자들은 상술한 특정의 포토레지스트 박리 장치를 이용하면， 박리과정에서 발생하는 증발 물질들을 냉각시켜서， 다시 포토레지스트 제거용 스트리퍼와 흔합함에 따라， 증발에 의한 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 손실을 방지하여 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 사용량을 절감할 수 있다는 것을 실험을 통해 확인하고 발명을 완성하였다.  The present inventors use the above-described specific photoresist stripping apparatus to cool the evaporation materials generated during the stripping process, and again to be mixed with the stripper for removing the photoresist, thereby preventing the loss of the stripper for removing the photoresist due to evaporation. The experiment confirmed that the amount of use of the stripper for removing the photoresist can be reduced through experiments and completed the invention.
특히， 상기 포토레지스트 박리 장치는 상기 넁각 장치에서 넁각된 물질을 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 또는 박리부로 이송하는 반송구를 포함할 수 있다. 이에 따라， 상기 포토레지스트 박리 장치는 증발에 의한 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 손실을 방지하여 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 사용량을 절감할 수 있다.  In particular, the photoresist stripping apparatus may include a conveying port for transferring the material sensed in the photoresist to a stripper storage tank or stripper for removing photoresist. Accordingly, the photoresist stripping apparatus can prevent the loss of the photoresist stripper by evaporation, thereby reducing the amount of the photoresist stripper used.
상기 반송구의 구체적인 예가 크게 한정되는 것은 아니며， 형태， 길이， 직경 등이 다양한 배관을 제한없이 사용할 수 있다.  Specific examples of the transport port are not particularly limited, and various pipes of various shapes, lengths, diameters, and the like may be used without limitation.
상기 포토레지스트 박리 장치는 상기 넁각 장치에서 냉각된 물질을 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장탱크 (4)로 이송하는 반송구 (9) 또는 냉각 장치에서 넁각된 물질을 박리부 ( 1)로 이송하는 반송구 ( 10)를 포함할 수 있다. 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장탱크 (4)로 이송하는 반송구 (9) 및 냉각 장치에서 넁각된 물질을 박리부 ( 1)로 이송하는 반송구 ( 10)는 각각 별도로 넁각 장치와 연결되거나， 하나의 배관으로 합쳐져 넁각 장치에 연결될 수 있다.  The photoresist stripping apparatus carries a conveyance port 9 for conveying the material cooled in the wafer device to the stripper storage tank 4 for removing the photoresist, or a conveyer for conveying the material scraped in the cooling device to the peeling unit 1. It may comprise a sphere (10). The conveyance port 9 for transporting the photoresist stripper storage tank 4 for transporting the photoresist and the transport port 10 for transporting the material sensitized in the cooling device to the peeling unit 1 are each separately connected to the corner device, or It can be combined into pipes and connected to each device.
또한， 상기 냉각 장치에서 넁각된 물질을 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크로 이송하는 반송구 (9)는, 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 (4) 높이의 50%이상， 또는 55% 내지 100%， 또는 60% 내지 95%인 위치에 연결될 수 있다.  In addition, the conveying port 9 for transferring the material sensed in the cooling device to the stripper storage tank for removing photoresist is 50% or more, or 55% to 100% of the height of the stripper storage tank for removing photoresist. Or, from 60% to 95%.
상기 넁각 장치에서 냉각된 물질을 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크로 이송하는 반송구 (9)가 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 (4)에 연결된 위치가 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 (4) 높이의 50% 미만이면， 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 (4) 내에 포함된 스트리퍼가 상기 냉각 장치에서 넁각된 물질을 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크로 이송하는 반송구 (9)쪽으로 역류할 수 있다. The photoresist stripper storage tank (4) is connected to a position where a conveyance port (9) for transferring the material cooled in the wafer device to the stripper storage tank for photoresist removal is connected to the stripper storage tank (4) for removing photoresist. If less than 50% of the height, in the photoresist stripper storage tank (4) The included stripper can be flowed back toward the conveying port 9 which transfers the material from the cooling device to the stripper storage tank for photoresist removal.
상기 넁각 장치에서 넁각된 물질을 박리부로 이송하는 반송구 ( 10)는， 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 (4) 높이와 상기 표면에  The conveying port 10 for conveying the material sensitized by the chamfering device to the peeling part is provided at the height and the surface of the stripper storage tank 4 for removing the photoresist.
포토레지스트가 형성된 기판을 이동시키는 기판 이동구 (3) 높이 사이에서 연결될 수 있다. The photoresist may be connected between the heights of the substrate moving holes 3 for moving the formed substrate.
이와 같이， 상기 냉각 장치에서 넁각된 물질을 박리부로 이송하는  As such, the material conveyed by the cooling device to the peeling unit
반송구 ( 10)가， 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 높이와 상기 표면에 포토레지스트가 형성된 기판을 이동시키는 기판 이동구 높이 사이에서 연결됨에 따라， 기판 이동구에 의해 이동하는 기판에 영향을 미치지 않고， 상기 냉각장치로부터 배출된 물질이 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 행크로 이동할 수 있다. As the conveyance port 10 is connected between the height of the stripper storage tank for removing the photoresist and the height of the substrate moving port for moving the substrate having the photoresist formed on the surface, it does not affect the substrate moving by the substrate moving port. Instead, the material discharged from the cooling device can be moved to a stripper storage hank for removing photoresist.
상기 포토레지스트 박리 장치는 상기 넁각 장치에서 넁각된 물질을 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 또는 박리부로 이송하는 반송구의 개폐를 조절할 수 있는 밸브 (8)를 더 포함할 수 있다.  The photoresist stripping device may further comprise a valve (8) for controlling the opening and closing of the conveying port for transferring the material sensed in the photoresist to the stripper storage tank or stripper for removing the photoresist.
상기 '개폐 '란， 열고 닫음을 의미하며， 구체적으로， 상기 밸브 (8)를 이용하여 상기 반송구가 열리거나 닫힐 수 았음을 의미한다. 상기 반송구가 열린 경우， 상기 넁각,장치에서 넁각된 물질이 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 또는 박리부로 이송될 수 있으며， 상기 반송구가 닫힌 경우에는， 상기 넁각 장치에서 넁각된 물질이 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 또는 박리부 대신 후술하는 폐액탱크 ( 14)로 이송될 수 있다. The 'opening and closing' means opening and closing, and specifically, the conveying port can be opened or closed by using the valve (8). When the transfer tool is opened, the nyaenggak, and the material nyaenggak in the apparatus can be transferred to the stripper storage tank or separation for removal of photoresist, in the case where the transporting opening closed, the material nyaenggak in the nyaenggak device photoresist removal Instead of the stripper storage tank or the stripping portion for the discharge may be transferred to the waste tank 14 described later.
또한， 상기 포토레지스트 박리 장치는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 (4)， 표면에 포토레지스트가 형성된 기판을 이동시키는 기판 이동구  In addition, the photoresist stripping apparatus is a substrate transfer tool for moving the photoresist stripper storage tank (4), the substrate on which the photoresist is formed on the surface
(3)， 상기 기판 이동구로 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 분사하는 스트리퍼 분사구 (2) 및 상기 저장 탱크에서 상기 스트리퍼 분사구로 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 이송하는 스트리퍼 전달구 ( 16)를 포함한 박리부 ( 1)를 포함할 수 있다. 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 (4)에 포함된 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 구체적인 종류는 제한되지 않으며, 포토레지스트 제거용 스트리퍼로서의 용도를 갖는 어떠한 조성의 조성물이던지 제한없이 사용가능하다. 예를 들어， 증류수 38 중량 %， ( 1-아미노) -아이소프로판올 (AIP) 10 중량 ¾， N- 메틸포름아마이드 (NMF) 10 중량 %， 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르 (BDG) 41.9 중량 % 및 2，2 ' [ (메틸 -1H-벤조트리아졸 -1-릴)메틸]이미노]비스에탄올 0.1중량%의 흔합물을 들 수 있다. 상기 표면에 포토레지스트가 형성된 기판을 이동시키는 기판 이동구 (3)의 예가 크게 한정되는 것은 아니며， 예를 들어， 컨베이어벨트 등을 들 수 있고， 상기 기판 이동구는 지평면에 평행한 방향으로 상기 박리부 ( 1) 내부에 위치할 수 있다. 상기 표면에 포토레지스트가 형성된 기판을 이동시키는 방법의 예를 들면， 상기 기판 이동구 (3)상에 표면에 포토레지스트가 형성된 기판을 올려 놓고， 상기 기판 이동구 (3)를 따라 지평면에 평행한 방향으로 이동시킬 수 있다. (3), a stripper including a stripper injection hole (2) for injecting a stripper for removing photoresist into the substrate moving hole and a stripper delivery hole (16) for transferring a stripper for removing photoresist from the storage tank to the stripper injection hole (1) ) May be included. The specific kind of the photoresist stripper stripper included in the photoresist stripper storage tank 4 is not limited, and any composition having any use as a stripper for photoresist stripper can be used without limitation. For example, 38 weight% of distilled water, (1-amino) -isopropanol (AIP) 10 weight ¾, N- 10% by weight methylformamide (NMF), 41.9% by weight diethylene glycol monobutylether (BDG) and 0.1% by weight of 2,2 '[(methyl-1H-benzotriazole-1-yl) methyl] imino] bisethanol % Of the mixture is mentioned. An example of the substrate moving tool 3 for moving the substrate on which the photoresist is formed on the surface is not particularly limited. For example, a conveyor belt or the like may be used. The substrate moving tool may include the peeling part in a direction parallel to the horizontal plane. (1) It can be located inside. For example, a method of moving a substrate on which the photoresist is formed on the surface is carried out. The substrate on which the photoresist is formed on the surface is placed on the substrate moving hole 3 and is parallel to the horizontal plane along the substrate moving hole 3. Can be moved in a direction.
상기 기판 이동구로 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 분사하는 스트리퍼 분사구 (2)의 예 또한 크게 한정되는 것은 아니나， 예를 들어， 80개의 구멍을 갖는 노즐， 구체적으로 홈노즐， 핀를노즈， 스로를링 -핀를노즐， 플랫 핀를노즐 등을 사용할 수 있다. 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 분사하는 방법의 예를 들면, 상기 스트리퍼 분사구 (2)를 통해 0.01 M½ 내지 0.9 M¾의 압력 및 30°C 내지 50°C의 온도로 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 분사하는 방법을 들 수 있다. An example of the stripper injection hole 2 for injecting the stripper for removing photoresist into the substrate moving hole is also not limited in particular. For example, a nozzle having 80 holes, specifically, a groove nozzle, a pin nose, a throating-pin Nozzles, flat pin nozzles and the like can be used. For example, a method of injecting the photoresist stripper stripper, a method of spraying the photoresist stripper stripper at a pressure of 0.01 M½ to 0.9 M¾ and a temperature of 30 ° C to 50 ° C through the stripper injection port (2) Can be mentioned.
구체적으로， 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 (4) 상부에 상기 표면에 포토레지스트가 형성된 기판을 이동시키는 기판 이동구 (3)가  Specifically, a substrate transfer tool 3 for moving a substrate on which the photoresist is formed on the surface of the stripper storage tank 4 for removing the photoresist is provided.
위치하고， 상기 기판의 이동구 상부에 상기 기판 이동구로 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 분사하는 스트리퍼 분사구 (2)가 위치할 수 있다. 상기 '상부 '란 지평면을 기준으로 보다 높은 위치에 위치하는 것을 의미한다. The stripper injection hole 2 which injects a stripper for removing photoresist into the substrate moving hole may be positioned above the moving hole of the substrate. The 'upper' means to be located at a higher position with respect to the horizontal plane.
이에 따라， 가장 높은 곳에 위치한 상기 기판의 이동구 상부에 상기 기판 이동구로 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 분사하는 스트리퍼 분사구 (2)로부터 분사된 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼가， 표면에 포토레지스트가 형성된 기판상에 접촉할 수 있다. 또한， 상기 표면에 포토레지스트가 형성된 기판과 접촉한 포토레지스트 제거용 스트리퍼는 상기 기판 이동구 (3) 하단에 위치한 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 (4)로 이동할 수 있다.  Accordingly, the photoresist stripper stripper sprayed from the stripper injection hole 2 for injecting the photoresist stripper stripper into the substrate transfer port on the top of the mobile port of the substrate located on the highest position, the photoresist formed on the substrate Can be contacted. In addition, the photoresist stripper stripper in contact with the substrate having the photoresist formed on the surface may move to the photoresist stripper storage tank 4 located at the bottom of the substrate moving hole 3.
구체적으로， 상기 기판 이동구 (3)와 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 (4) 사이에는 드레인 장치 ( 12)를 더 포함할 수 있다. 상기 드레인 장치 ( 12)를 포함함에 따라， 상기 기판 상에 분사된 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 모아 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 (4)로 유입시킬 수 있다. Specifically, a drain device 12 may be further included between the substrate transfer port 3 and the photoresist stripper storage tank 4. The drain By including the device 12, a photoresist stripper stripper sprayed on the substrate can be collected and introduced into the photoresist stripper storage tank 4.
상기 박리부 α)는 상기 저장 탱크에서 상기 스트리퍼 분사구로  The peeling part α) is transferred from the storage tank to the stripper injection hole.
포토레지스트 제거용 스트리퍼를 이송하는 스트리퍼 전달구 ( 16)를 포함할 수 있다. 상기 스트리퍼 전달구 ( 16)의 예가 크게 한정되는 것은 아니며, 형태， 길 직경 등이 다양한 배관을 제한없이 사용할 수 있다. And a stripper delivery port 16 for conveying the stripper for removing photoresist. Examples of the stripper transmission port 16 are not particularly limited, and various pipes of various shapes, road diameters, and the like can be used without limitation.
상기 저장 탱크에서 상기 스트리퍼 분사구로 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 이송하는 스트리퍼 전달구 ( 16)는 여과장치 ( 17)를 더 포함할 수 있다. 상기 여과장치 ( 17)를 포함함에 따라， 포토쩨지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 (4)에 포함된 포토레지스트 제거용 스트리퍼에 포함될 수 있는 이물질을 제거하여， 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 품질 및 성능을 유지할 수 있다. 상기 여과장치 ( Γ7)의 예가 크게 한정되는 것은 아니나， 예를 들어 필터를 사용할 수 있다. 상기 필터의 재질 또한 크게 한정되는 것은 아니나， 예를 들어， 폴리에틸렌 (Polyethylene) , 폴리프로필렌 (Polypropylene) 등의 고분자 수지 또는 폴리비닐리덴플로라이드 (Polyvinyl idene f luoride) 등의 테프론계 수지를 사용할 수 있고 필터에 포함된 공극 (pore)의 직경은 0. 1/zm 내지 300 일 수 있다. 상기 필터의 크기는 크게 한정되지 않으며， 다양한 크기의 필터를 사용할 수 있다. 또한， 상기 저장 탱크에서 상기 스트리퍼 분사구로 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 이송하는 스트리퍼 전달구 ( 16)는 펌프 (5)를 더 포함할 수 있다.  The stripper delivery port 16 for transferring the photoresist stripper stripper from the storage tank to the stripper injection port may further comprise a filtration device 17. By including the filtering device (17), by removing the foreign matter that can be included in the photoresist stripper stripper included in the photoresist stripper stripper storage tank (4), to maintain the quality and performance of the stripper strip for removing the photoresist Can be. An example of the filtration device Γ7 is not particularly limited, but a filter may be used, for example. The material of the filter is also not particularly limited. For example, a polymer resin such as polyethylene or polypropylene or a teflon-based resin such as polyvinylidene fluoride may be used. The diameter of the pores included in the filter may range from 0.1 / zm to 300. The size of the filter is not particularly limited, and filters of various sizes may be used. In addition, the stripper transfer port 16 for transferring the photoresist stripper stripper from the storage tank to the stripper injection port may further include a pump (5).
상술한 바와 같이， 상기 기판의 이동구 상부에 상기 기판 이동구로 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 분사하는 스트리퍼 분사구 (2)는 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 (4)보다 상부에 위치하기 때문에ᅳ 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 (4)로부터 상기 기판의 이동구 상부에 상기 기판 이동구로 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 분사하는 스트리퍼 분사구 (2)로 이송하기 위해 상기 스트리퍼 분사구로 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 이송하는 스트리퍼 전달구 ( 16)는 펌프 (5)를 더 포함할 수 있다. As described above, since the stripper injection hole 2 for injecting the photoresist stripper stripper into the substrate transfer port above the moving port of the substrate is positioned above the stripper storage tank 4 for removing the photoresist. A photoresist stripper is transported to the stripper jet port for transfer from the resist stripper storage tank 4 to a stripper jet port 2 that injects a stripper for photoresist stripping onto the substrate port over the substrate port. The stripper delivery port 16 may further comprise a pump 5.
구체적으로, 상기 저장 탱크에서 상기 스트리퍼 분사구로 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 이송하는 스트리퍼 전달구 ( 16)는 상기 기판 이동구로 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 분사하는 스트리퍼 분사구 (2) 및 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 (4)에 연결될 수 있다. Specifically, the stripper delivery port 16 for transferring the photoresist stripper stripper from the storage tank to the stripper jet port is a stripper jet port (2) for injecting the photoresist stripper stripper to the substrate moving port and the To a stripper storage tank 4 for photoresist removal.
또한， 상기 포토레지스트 박리 장치는 상기 박리부의 상부에 위치하고, 상기 박리부에서 증발된 물질을 넁각하는 넁각장치 (7)를 포함할 수 있다. 상기 넁각장치 (7)는 상기 포토레지스트 박리 과정에서 증발에 의해 손실되는 물질들을 넁각을 통해 액화시켜 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 사용량을 절감시킬 수 있다.  In addition, the photoresist stripping device may include a convex device 7 positioned above the stripping unit and engraving the material evaporated from the stripping unit. The indentation device 7 can reduce the amount of use of the stripper for removing photoresist by liquefying materials lost by evaporation in the photoresist stripping process.
상기 넁각장치 (7)의 예로는 응축기 (condenser ) 등을 들 수 있고， 상기 넁각장치에서는 -10 °C 내지 50 °C , 또는 -8 °C 내지 30 °C , 또는 _5°C 내지 10 °C의 온도에서 넁매를 이용한 웅축이 진행될 수 있다. 상기 냉매는 넁동 사이클의 작동유체로서 저온의 물체에서 열을 빼앗아 고온의 물체에 열을 운반해 주는 매체를 의미하며， 널리 쓰이고 있는 다양한 넁매를 제한없이 사용할 수 있다. 상기 넁각장치 (7)는 상기 박리부의 상부에 위치할 수 있다. 상기 Examples of the condenser 7 include a condenser, etc., in the condenser, -10 ° C to 50 ° C, or -8 ° C to 30 ° C, or _5 ° C to 10 ° C. At the temperature of, expansion may be carried out using a solvent. The refrigerant refers to a medium that takes heat from a low temperature object and transfers heat to a high temperature object as a working fluid of a driving cycle, and may use various types of solvents widely used without limitation. The engraving device 7 may be located above the peeling part. remind
'상부 '란 지평면을 기준으로 보다 높은 위치에 위치하는 것을 의미한다. 즉, 상기 넁각장치 (7) 의 높이는 상기 박리부 ( 1) 높이보다 높을 수 있다. 상기 박리부 ( 1)에서 박리과정을 진행하는 과정에서， 박리부 ( 1) 내부의 온도로 인해, 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼에 포함된 성분 중 일부가 증발될 수 있다. 이때， 증발된 성분으로 인한 손실을 방지하고자， 상기 증발된 성분들을 모아서， 넁각장치를 통해 액화시켜 회수하기 위하예 상기 넁각장치는 상기 박리부보다 높은 곳에 위치할 수 있다. 'Upper' means the higher position of the ground plane. That is, the height of the indentation device 7 may be higher than the height of the peeling part 1. During the peeling process in the peeling unit 1, due to the temperature inside the peeling unit 1, some of the components included in the photoresist stripper may be evaporated. At this time, in order to prevent the loss due to the evaporated components, in order to collect the evaporated components, liquefy and recover through the angle device, the angle device may be located higher than the peeling part.
또한， 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼 폐액을 저장하는 폐액 탱크 ( 14)를 더 포함할 수 있다. 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼 폐액이란 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 박리 과정에서 발생하는 이물질， 또는 오랜기간 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 (4)에서 보관됨에 따라 변질된 포토레지스트 제거용 스트리퍼， 또는 여과장치 ( 17)에서 걸러진 이물질 등을 포함할 수 있다.  In addition, a waste liquid tank 14 for storing the stripper waste liquid for photoresist removal may be further included. The photoresist stripper waste liquid is a foreign substance generated during the stripping process of the photoresist stripper stripper, or a stripper for stripping the photoresist deteriorated by being stored in the stripper storage tank 4 for a long time photoresist stripper, or a filtration device. It may contain foreign substances filtered out in (17).
상기 폐액 탱크 ( 14)의 위치가 크게 한정되는 것은 아니나， 바람직하게는， 상기 박리부 ( 1) 하부에 위치할 수 있다.  Although the location of the waste liquid tank 14 is not limited to a great extent, it may be preferably located below the peeling part (1).
상기 폐액 탱크 ( 14)는 상기 박리부 ( 1)로부터 직접 포토레지스트 제거용 스트리퍼 폐액이 이송되거나， 상기 넁각 장치 (7)에서 넁각된 물질이 이송될 수 있다. 상기 박리부 ( 1)로부터 직접 포토레지스트 제거용 스트리퍼 폐액이 이송되는 경우， 배관 ( 13)을 통해 이송될 수 있다. 또한， 상기 넁각 장치에서 넁각된 물질을 폐액 탱크로 이송하는 경우에는 개폐를 조절할 수 있는 The waste liquid tank 14 may transfer the stripper waste liquid for removing photoresist directly from the peeling part 1, or the material sensitized by the scraping device 7. The stripper waste liquid for removing photoresist directly from the peeling part 1 When conveyed, it may be conveyed through the pipe 13. In addition, in the case of transporting the material sensed in the waste liquid tank to the waste liquid tank can control the opening and closing
밸브 ( 11)를 포함한 배관 ( 15)을 통해 이송될 수 있다. 한편， 발명의 다른 구현예에 따르면， 상기 포토레지스트 박리 장치를 이용한 포토레지스트 박리 방법이 제공될 수 있다. It can be conveyed through a pipe 15 including a valve 11. Meanwhile, according to another embodiment of the present invention, a photoresist stripping method using the photoresist stripping apparatus may be provided.
구체적으로， 상기 포토레지스트 박리 방법은 표면에 포토레지스트가 형성된 기판 상에 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 분사하는 단계; 상기 분사시 발생하는 기체를 포집하여 넁각장치로 넁각하는 단계; 및 상기 분사된  Specifically, the photoresist stripping method comprises the steps of spraying a photoresist stripper on a substrate with a photoresist formed on the surface; Capturing the gas generated during the injection and engraving the gas into an indentation device; And the sprayed
포토레지스트 제거용 스트리퍼 및 냉각된 물질을 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장탱크로 회수하는 단계;를 포함할 수 있다. And recovering the photoresist stripper and the cooled material to the photoresist stripper storage tank.
상기 포토레지스트 박리 방법은 표면에 포토레지스트가 형성된 기판 상에 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 분사하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 분사 방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니나， 예를 들어， 홈노즐， 핀를노즈，  The photoresist stripping method may include spraying a photoresist stripper on a substrate having a photoresist formed on a surface thereof. Examples of the injection method are not particularly limited, for example, home nozzle, pin nose,
스로를링 -핀를노즐， 플랫 핀를노즐 등을 사용하여 0.01 M¾ 내지 0.9 1¾의 압력 및 30°C 내지 50°C의 온도로 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 분사하는 방법 등을 들 수 있다. And a method of spraying a photoresist stripper at a pressure of 0.01 M¾ to 0.9 1¾ and a temperature of 30 ° C. to 50 ° C. using a throating-pin nozzle and a flat pin nozzle.
상기 표면에 포토레지스트가 형성된 기판 상에 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 분사하는 단계에서 , 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 온도가 40°C 내지 60°C일 수 있다. 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 온도가 40°C 미만일 경우에는 박리성능이 저하될 수 있고， 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 온도가 60 °C 를 초과하는 경우에는 인화의 위험이 있어 작업성이 떨어질 수 있다. 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 구체적인 종류는 제한되지 않으며， 포토레지스트 제거용 스트리퍼로서의 용도를 갖는 어떠한 조성의 조성물이던지 제한없이 사용가능하다. In the step of spraying a photoresist stripper stripper on the substrate on which the photoresist is formed on the surface, the temperature of the photoresist stripper stripper may be 40 ° C to 60 ° C. When the temperature of the photoresist stripper stripper is less than 40 ° C, peeling performance may be reduced, and when the temperature of the photoresist stripper stripper exceeds 60 ° C, there is a risk of ignition and workability may deteriorate. have. The specific kind of the stripper for removing the photoresist is not limited, and any composition having any use as a stripper for removing the photoresist may be used without limitation.
상기 표면에 포토레지스트가 형성된 기판 상에 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 분사하는 단계 이전에， 여과장치에서 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 여과하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이에 따라, 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 (4)에 포함된 포토레지스트 제거용 스트리퍼에 포함될 수 있는 이물질을 제거하여， 분사되는 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 품질 및 성능을 유지할 수 있다. The method may further include filtering the photoresist removing stripper in a filtration apparatus before spraying the photoresist removing stripper on the substrate having the photoresist formed on the surface. Accordingly, by removing foreign substances that may be included in the photoresist stripper stripper included in the photoresist stripper storage tank 4, the quality of the stripper stripper for spraying the photoresist removed and Maintain performance.
상기 여과단계의 방법의 예가크게 한정되는 것은 아니나， 예를 들어， 상기 저장 탱크에서 상기 스트리퍼 분사구로 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 이송하는 스트리퍼 전달구 ( 16)에 포함된 여과장치 ( 17)를 통해 수행될 수 있다. 상기 여과장치 ( 17)에 대한 내용은 상기 일구현예에서 상술한 내용을 포함한다. 또한， 상기 포토레지스트 박리 방법은 상기 분사시 발생하는 기체를 포집하여 넁각하는 단계를 포함할 수 있다. 상술한 바와 같이， 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 온도가 40°C 내지 60°C를 나타냄에 따라, 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼에 포함된 성분 중 일부가 증발될 수 있다. 상기 포토레지스트 박리 방법은 상기 분사시 발생하는 기체를 포집하여 넁각하는 단계를 포함하여， 박리 과정에서 증발로 인해 손실되는 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 양을 최소화할 수 있다. Examples of the method of the filtration step are not particularly limited, but for example, performed through the filtration device 17 included in the stripper delivery port 16 for transferring the photoresist stripper stripper from the storage tank to the stripper injection port. Can be. The content of the filtration device 17 includes the above-described information in the embodiment. In addition, the photoresist stripping method may include the step of collecting and encapsulating the gas generated during the injection. As described above, as the temperature of the photoresist stripper stripper is 40 ° C. to 60 ° C., some of the components included in the photoresist stripper stripper may be evaporated. The photoresist stripping method may include collecting and engraving the gas generated during the injection, thereby minimizing the amount of the stripper for removing the photoresist lost due to evaporation during the stripping process.
구체적으로， 상기 분사시 발생하는 기체를 포집하여 넁각장치로 냉각하는 단계에서， 상기 분사시 발생하는 기체의 포집은 상기 일 구현예의 박리 장치에서 박리부 ( 1)와 상기 박리부의 상부에 위치한 냉각장치 (7)를 배관 (6)을 통해  Specifically, in the step of capturing the gas generated during the injection and cooling with a relief device, the collection of the gas generated during the injection is a cooling device located on the peeling unit 1 and the upper portion of the peeling unit in the peeling apparatus of the embodiment. (7) through the piping (6)
연결하여 기체를 이송시키는 방법으로 진행될 수 있다. 또한， 상기 넁각은， -io°c 내지 50 °C , 또는 -8°C 내지 30°C , 또는 -5°C 내지 10°C의 온도에서 상기 일 구현예의 넁각장치 (7)를 이용한 웅축방법으로 진행될 수 있다. 상기 It can be carried out by the method of connecting and transporting the gas. In addition, the nyaenggak is ungchuk method using the one embodiment nyaenggak device 7 at a temperature of -io ° c to 50 ° C, or -8 ° C to 30 ° C, or -5 ° C to 10 ° C It can proceed to. remind
넁각장치 (7)에 대한 내용은 상기 일구현예에서 상술한 내용을 포함한다. The details of the angle device 7 include those described above in the above embodiment.
또한， 상기 분사된 포토레지스트 제거용 스트리퍼 및 냉각된 물질을 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장탱크로 회수하는 단계를 포함할 수 있다.  The method may also include recovering the sprayed photoresist stripper and the cooled material to the photoresist stripper storage tank.
이에 따라， 상기 박리 과정에서 증발로 인해 손실되는 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 양을 최소화하여 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 사용량을 감소할 수 있고， 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 박리력을 유지할 수 있다. Accordingly, the amount of the photoresist stripper stripper can be reduced by minimizing the amount of the photoresist stripper stripper lost due to evaporation in the stripping process, and the peeling force of the photoresist stripper stripper can be maintained.
상기 넁각시킨 물질의 예가 크게 한정되는 것은 아니며， 예를 들어， 물 또는 유기 화합물 포함할 수 있다. 상기 유기 화합물의 예가 크게 한정되는 것은 아니나， 예를 들어 아민， 아마이드， 알킬렌글리콜 모노알킬에테르 등  Examples of the engraved material are not particularly limited, and may include, for example, water or an organic compound. Examples of the organic compound are not particularly limited, for example, amines, amides, alkylene glycol monoalkyl ethers, and the like.
포토레지스트 제거용 스트리퍼에 포함되는 모든 성분을 들 수 있다. All components contained in the photoresist removal stripper are mentioned.
상기 분사된 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크로 회수하는 방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니나， 예를 들어， 상기 일 구현예의 기판이동구 (3) 하부에 위치한 드레인 장치 ( 12)를 An example of a method of recovering the sprayed photoresist stripper to the stripper storage tank for photoresist removal is not limited thereto. For example, the drain device 12 located below the substrate transfer hole 3 of the embodiment
이용하여 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 (4)로 이송하는 방법으로 진행될 수 있다. Can be transferred to the stripper storage tank 4 for photoresist removal.
상기 넁각된 물질을 회수하는 방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니나， 예를 들어， 상기 일 구현예의 냉각장치 (7)와 상기 박리부 ( 1) 또는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 (4)를 배관 (9)을 통해 연결하고， 벨브 (8)를 여는 방법으로 진행될 수 있다.  An example of a method of recovering the sensed material is not particularly limited, but, for example, the cooling device 7 and the stripping unit 1 or the stripper storage tank 4 for removing the photoresist of the embodiment may be piped ( Connection through 9) and proceed by opening the valve (8).
상기 분사된 포토레지스트 제거용 스트리퍼 및 냉각된 물질을  The sprayed photoresist stripper and the cooled material
포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장탱크로 회수하는 단계 이후에， 상기 After the recovery to the stripper storage tank for photoresist removal,
저장탱크에 포함된 포토레지스트 제거용 스트리퍼가 다른 기판을 처리하기 위해 재.순환되는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 재순환되는 단계를 포함함에 따라， 새로운 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 사용하지 않고도 일정 분량의 The photoresist stripper included in the storage tank may further include a step of being recycled to process another substrate. By including the step of recycling, a certain amount of without having to use a new photoresist stripper
포토레지스트 제거용 스트리퍼를 수십회 사용하여， 포토레지스트 제거용 Remove photoresist using dozens of strippers for photoresist removal
스트리퍼의 사용량을 절감할 수 있다. Reduced use of stripper
상기 포토레지스트 박리 방법은 하기 수학식 1에 의해 얻어진 상기  The photoresist stripping method is obtained by the following equation
포토레지스트 제거용 스트리퍼 유지율이 90% 이상， 또는 92% 내지 99%일 수 있다. The stripper retention rate for the photoresist removal may be 90% or more, or 92% to 99%.
[수학식 1]  [Equation 1]
포토레지스트 제거용 스트리퍼 유지율 (%) = 박리후 포토레지스트 제거용 스트리퍼 질량 I 박리전 포토레지스트 제거용 스트리퍼 질량 *100  Stripper retention rate (%) for stripping photoresist = stripper mass for stripping photoresist after stripping I Stripper mass for stripping photoresist before stripping * 100
구체적으로， 상기 박리후 포토레지스트 제거용 스트리퍼란 상기 다른 구현예의 포토레지스트 박리 방법에 따라， 상기 박리전 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 분사하고， 상기 분사시 발생하는 기체를 포집하여 넁각시킨 다음, 상기 분사된 포토레지스트 제거용 스트리퍼 및 넁각된 물질을 회수한  Specifically, the stripper for stripping the photoresist after peeling is according to the photoresist stripping method of the other embodiment, and spraying the stripper for stripping the photoresist before stripping, collecting and engraving the gas generated during the spraying, and then spraying Recovered photoresist stripper and scraped material
포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장탱크에 포함된 포토레지스트 제거용 Photoresist stripper stripper storage tank
스트리퍼를 의미한다. Means stripper.
이에 따라， 상기 포토레지스트 박리 방법은 포토레지스트 제거용  Accordingly, the photoresist stripping method is for removing the photoresist
스트리퍼의 사용량을 크게 절감할 수 있다. 상기 수학식 1에 의해 얻어진 The amount of stripper used can be greatly reduced. Obtained by Equation 1
포토레지스트 제거용 스트리퍼 유지율이 90% 미만이면， 추가적인 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 투입으로 인하여 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 사용량이 증가할 수 있다. 구체적으로， 도 1을 참조하여 상기 포토레지스트 박리 장치를 이용한 포토레지스트 박리 방법의 일례를 설명하면 다음과 같다. 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 (4)에 저장되어 있던 포토레지스트 제거용 스트리퍼는 펌프 (5)에 의해 제 6배관 ( 16)을 따라 이송되고, 여과장치 ( 17)를 통해 여과된 후， 노즐 (2)을 통해 박리실 ( 1)내에서 기판이동구 (3)상에 위치.한 기판에 분무되어 박리공정을 진행한다. 상기 박리공정에서， 포토레지스트 제거용 스트리퍼에 포함된 물질들 중 증발된 물질들을 박리실 ( 1)로부터 제 1배관 (6)를 통하여 넁각 장치 (7)에 유입시켜 넁각 장치 (7)내에서 넁각시킨다. 박리실 (1)에서 박리공정을 마친 포토레지스트 제거용 스트리퍼는 드레인 장치 ( 12)를 통해 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 (4)로 회수되고， 넁각장치 (7)에서 넁각된 물질은 제 1 유량조절밸브 (8)를 열고 상기 넁각된 물질들을 제 2배관 (9)를 따라 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 (4)로 이송하거나， 제 3배관 ( 10)를 따라 박리실 ( 1)로 이송한다. 이때， 제 2유량조절밸브 ( 11)은 닫는다. 그리고， 다시 박리공정이 재순환된다. 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 (4)나 여과장치 ( 17)에서 발생한 포토레지스트 제거용 스트리퍼 폐액이나 이물질은 제 4배관 ( 13)를 통하여 폐액 탱크 ( 14)로 이송된다. When the retention rate of the stripper for removing the photoresist is less than 90%, the amount of the stripper for removing the photoresist may increase due to the addition of the stripper for removing the photoresist. Specifically, an example of a photoresist stripping method using the photoresist stripping apparatus will be described below with reference to FIG. 1. The photoresist stripper stripper stored in the photoresist stripper storage tank 4 is transferred along the sixth pipe 16 by a pump 5, filtered through a filtration device 17, and then a nozzle ( 2) sprayed onto a substrate located on the substrate transfer port (3) in the peeling chamber (1) to proceed the peeling process. In the peeling process, the evaporated materials among the materials contained in the photoresist removing stripper are introduced from the peeling chamber 1 through the first pipe 6 into the peeling device 7 to be peeled off in the peeling device 7. Let's do it. After removing the photoresist stripper in the stripping chamber 1, the stripper for photoresist removal is recovered to the stripper storage tank 4 for removing photoresist through the drain device 12, and the material detected in the relief device 7 is subjected to the first flow rate. Open the control valve (8) and transfer the angled material along the second pipe (9) to the stripper storage tank (4) for photoresist removal or to the separation chamber (1) along the third pipe (10). . At this time, the second flow control valve 11 is closed. Then, the peeling process is recycled again. Photoresist stripper waste liquid or foreign matter generated in the photoresist stripper storage tank 4 or the filtration device 17 is transferred to the waste liquid tank 14 through the fourth pipe 13.
【발명의 효과】  【Effects of the Invention】
본 발명에 따르면， 증발에 의한 포토레지스트 제거용스트리퍼의 손실을 방지하여 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 사용량을 절감할 수 있고，  According to the present invention, it is possible to prevent the loss of the photoresist stripper stripper by evaporation, thereby reducing the amount of the stripper stripper for photoresist stripping.
포토레지스트 제거용 스트리퍼의 박리력을 유지할 수 있는 포토레지스트 박리 장치 및 이를 이용한 포토레지스트 박리 방법이 제공될 수 있다. A photoresist stripping apparatus capable of maintaining a peeling force of a stripper for removing photoresist and a photoresist stripping method using the same may be provided.
【도면의 간단한 설명】  [Brief Description of Drawings]
도 1은 실시예에서 사용되는 포토레지스트 박리장치의 구조를 개략적으로 나타낸 것이다.  Figure 1 schematically shows the structure of a photoresist stripping apparatus used in the embodiment.
도 2는 비교예에서 사용되는 포토레지스트 박리장치의 구조를 개략적으로 나타낸 것이다.  Figure 2 schematically shows the structure of the photoresist stripping apparatus used in the comparative example.
【발명을 실시하기 위한 구체적인 내용】  [Specific contents to carry out invention]
발명을 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. <제조예: 포토레지스트 제거용스트리퍼의 제조 > The invention is explained in more detail in the following examples. However, the following examples are merely to illustrate the invention, but the content of the present invention is not limited by the following examples. Preparation Example: Fabrication of Photoresist Stripper
증류수 38 중량 ¾， ( 1-아미노) -아이소프로판올 (AIP) 10 중량 %， N- 메틸포름아마이드 (NMF) 10 중량 %， 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르 (BDG) 41.9 중량 % 및 2，2 ' [ (메틸— 1H-벤조트리아졸 -1ᅳ릴)메틸]이미노]비스에탄을 0.1증량%를 흔합하여 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 제조하였다.  38 weight ¾ of distilled water, 10 weight% (1-amino) -isopropanol (AIP), 10 weight% N-methylformamide (NMF), 41.9 weight% diethylene glycol monobutyl ether (BDG) and 2,2 '[ 0.1 wt% of (methyl-1H-benzotriazole-1 butylyl) methyl] imino] bisethane was mixed to prepare a stripper for removing photoresist.
<실시예: 포토레지스트 박리방법> Example: Photoresist Stripping Method
하기 도 1에 나타난 바와 같이， 상기 제조예의 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 박리부의 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 용기에 넣고， 펌프를 이용하여 노즐까지 끌어 을린후 40°C온도의 박리부 내에서 24시간 동안 As shown in FIG. 1, the photoresist stripper stripper of the above production example was placed in a stripper storage container for stripping photoresist strips, dragged to a nozzle using a pump, and then applied to a nozzle at a temperature of 40 ° C. for 24 hours.
분사하였다. 상기 분사과정에서 증발된 물질들을 배관을 통해 냉각 장치로 이동시키고 25r온도로 넁각시켰다. 상기 넁각된 물질들은 배관을 통해 Sprayed. The evaporated material in the spraying process was transferred to a cooling device through a pipe and cooled down to 25r temperature. The sensed materials are routed through
포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 용기로 주입하였다. <비교예: 포토레지스트 박리방법> Injection into a stripper storage container for photoresist removal. Comparative Example: Photoresist Stripping Method
하기 도 2에 나타난 바와 같이， 상기 넁각된 물질들을 배관을 통해 폐액 용기로 주입한 것을 제외하고는 상기 실시예와 동일하게 진행하였다.  As shown in Figure 2, it proceeded in the same manner as in the above embodiment except that the sensed material was injected into the waste liquid container through the pipe.
<실험예 ： 실시예 및 비교예의 포토레지스트박리효율측정 > Experimental Example: Measurement of Photoresist Peeling Efficiency of Examples and Comparative Examples
상기 실시예 및 비교예 포토레지스트 박리방법의 효율을 하기 방법으로 측정하였으며， 그 결과를 표 1에 나타내었다.  The efficiency of the Example and Comparative Example photoresist stripping method was measured by the following method, the results are shown in Table 1.
1. 수분 함량 (중량 %) 1.moisture content (% by weight)
상기 실시예 및 비교예의 포토레지스트 박리방법에서， 6시간 마다 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 용기에 포함된 일정량의 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 채취하여 칼피셔 수분측정법에 따라 수분 함량을 측정하였다.  In the photoresist stripping methods of Examples and Comparative Examples, a predetermined amount of stripper for removing photoresist included in the stripper storage container for removing photoresist was taken every 6 hours, and the moisture content was measured according to the Karl Fischer moisture measurement method.
2. 포토레지스트 제거용스트리퍼 유지율 (¾) 2. Retention rate of stripper for removing photoresist (¾)
상기 실시예 및 비교예의 포토레지스트 박리방법에서， 6시간 마다 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 용기에 포함된 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 질량을 측정하여， 하기 수학식 1에 따라 포토레지스트 제거용 In the photoresist stripping method of the above Examples and Comparative Examples, for removing the photoresist contained in the stripper storage container for removing the photoresist every 6 hours Measure the mass of the stripper, for removing the photoresist according to the following equation
스트리퍼 유지율을 구하였다. The stripper retention rate was calculated | required.
[수학식 1]  [Equation 1]
포토레지스트 제거용 스트리퍼 유지율 (%) = 박리후 포토레지스트 제거용 스트리퍼 질량 I 박리전 포토레지스트 제거용 스트리퍼 질량 *100  Stripper retention rate (%) for stripping photoresist = stripper mass for stripping photoresist after stripping I Stripper mass for stripping photoresist before stripping * 100
【표 1】 Table 1
실시예 및 비교예의 실험예 결과  Experimental Example Results of Examples and Comparative Examples
Figure imgf000015_0001
Figure imgf000015_0001
표 1에 나타난 바와 같이， 실시예의 포토레지스트 박리방법의 포토레지스트 제거용 스트리퍼에 포함된 수분함량이 38중량 %에서 33.02증량 %로 약 5중량 % 감소한 반면， 비교예의 포토레지스트 박리방법의 경우， 포토레지스트 제거용 스트리퍼에 포함된 수분함량이 38중량 %에서 18.80중량 %로 약 20중량 % 감소하여， 상기 실시예의 포토레지스트 박리방법의 경우 비교예 포토레지스트 박리방법에 비해 포토레지스트 제거용 스트리퍼에 포함된 수분의 감소를 대폭 방지할 수 있음을 확인할 수 있다.  As shown in Table 1, the water content contained in the photoresist stripper stripper of the photoresist stripping method of the example was reduced by about 5% by weight from 38% to 33.02% by weight, while in the photoresist stripping method of the comparative example, The water content contained in the resist stripper was reduced by about 20% by weight from 38% by weight to 18.80% by weight, and the photoresist stripping method of the embodiment was included in the photoresist stripping stripper as compared to the comparative photoresist stripping method. It can be seen that the reduction of water can be significantly prevented.
또한， 실시예의 포토레지스트 박리방법의 경우, 24시간의 박리후에도, 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 유지율이 94. 16중량 %로 비교예의 78.25중량 %에 비해 포토레지스트 제거용 스트리퍼 유지율이 크게 향상되었다. 이를 통해， 상기 실시예의 포토레지스트 박리방법의 경우 비교예에 비해 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 감소를 대폭 방지할 수 있음을 확인할 수 있다.  In addition, in the photoresist stripping method of Example, even after 24 hours of peeling, the retention rate of the stripper for photoresist removal was 94.16 wt%, and the stripper retention for photoresist stripping was significantly improved compared to 78.25 wt% of the comparative example. Through this, it can be seen that the photoresist stripping method of the embodiment can significantly prevent the reduction of the stripper for removing the photoresist compared to the comparative example.
【부호의 설명】  [Explanation of code]
1 : 박리실  1: peeling chamber
2： 노즐  2 ： Nozzle
3： 기판 이동구 : 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 ： ᄆ - ~ - ： 제 1 배관 3: substrate transfer port : Stripper storage tank for photoresist removal ： ㅁ-~-： 1st piping
： 냉각 장치 ： Cooling device
： 제 1 유량조절밸브 ： 1st flow control valve
： 제 2 배관 ： 2nd piping
- 제 3 배관  3rd piping
• 제 2 유량조절밸브 • a second flow control valve
드레인 장치  Drain device
제 4 배관  4th piping
폐액 탱크  Waste liquid tank
제 5 배관  5th piping
제 6배관  6th pipe
여과 장치  Filtration device

Claims

【청구범위】 [Claim]
【청구항 1】  [Claim 1]
포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크, 표면에 포토레지스트가 형성된 기판을 이동시키는 기판 이동구， 상기 기판 이동구로 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 분사하는 스트리퍼 분사구 및 상기 저장 탱크에서 상기 스트리퍼 분사구로 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 이송하는 스트리퍼 전달구를 포함하는 박리부;  A photoresist stripper storage tank, a substrate transfer tool for moving a substrate having a photoresist formed on the surface thereof, a stripper nozzle for injecting a stripper for removing photoresist into the substrate carrier, and a stripper for removing photoresist from the storage tank to the stripper nozzle Peeling part including a stripper transfer port for transporting;
상기 박리부의 상부에 위치하고ᅳ 상기 박리부에서 증발된 물질을 넁각하는 넁각장치 ; 및 A engraving device located on an upper portion of the peeling part and sensing the material evaporated from the peeling part; And
상기 넁각 장치에서 냉각된 물질을 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 또는 박리부로 이송하는 반송구；를 포함하는, 포토레지스트 박리 장치.  And a conveying port for conveying the material cooled in said corner device to a stripper storage tank or stripper for photoresist removal.
【청구항 2] [Claim 2]
제 1항에 있어서，  The method of claim 1,
상기 넁각 장치에서 넁각된 물질을 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크로 이송하는 반송구가，  The conveying port for transferring the material sensitized in the drift device to the stripper storage tank for removing photoresist,
상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 높이의 50%이상인 위치에 연결된, 포토레지스트 박리 장치 .  And a photoresist stripping device connected to a position at least 50% of the height of said photoresist stripper storage tank.
【청구항 3】 [Claim 3]
거 U항에 있어서,  In U,
상기 넁각 장치에서 넁각된 물질을 박리부로 이송하는 반송구가， 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 높이와 상기 표면에 포토레지스트가 형성된 기판을 이동시키는 기판 이동구 높이 사이에서 연결된, 포토레지스트 박리 장치 .  And a conveying port for conveying the material sensed in the cornering device to the peeling unit is connected between the height of the photoresist stripper storage tank and the height of the substrate moving port for moving the substrate on which the photoresist is formed on the surface.
【청구항 4] [Claim 4]
제 1항에 있어서，  The method of claim 1,
상기 넁각 장치에서 넁각된 물질을 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 행크 또는 박리부로 이송하는 반송구의 개폐를 조절할 수 있는 밸브를 더 포함하는， 포토레지스트 박리 장치 A valve for controlling the opening and closing of the conveying port for transporting the material sensed in the device to the stripper storage hank or peeling portion for removing the photoresist further Including, photoresist stripping device
【청구항 5】 [Claim 5]
게 1항에 있어서，  According to claim 1,
상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 상부에 상기 표면에 포토레지스트가 형성된 기판을 이동시키는 기판 이동구가 위치하고， 상기 기판의 이동구 상부에 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 분사하는 스트리퍼 분사구가 위치하는， 포토레지스트 박리 장치 .  A substrate mover for moving a substrate on which the photoresist is formed on the surface of the stripper storage tank for removing the photoresist, and a stripper injection hole for injecting the stripper for removing the photoresist on the mover of the substrate; Resist stripping apparatus.
【청구항 6】 [Claim 6]
제 1항에 있어서，  The method of claim 1,
상기 저장 탱크에서 상기 스트리퍼 분사구로 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 이송하는 스트리퍼 전달구는 여과장치를 더 포함하는, 포토레지스트 박리 장치 .  And a stripper delivery port for transferring the stripper for removing photoresist from the storage tank to the stripper injection port further comprises a filtration device.
【청구항 7】 [Claim 7]
제 1항에 있어서，  The method of claim 1,
상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼 폐액을 저장하는 폐액 탱크를 더 포함하는, 포토레지스트 박리 장치 .  And a waste liquid tank for storing the stripper waste liquid for photoresist removal.
【청구항 8】 [Claim 8]
제 1항의 포토레지스트 박리 장치를 이용하는， 포토레지스트 박리 방법 .  A photoresist stripping method using the photoresist stripping apparatus of claim 1.
【청구항 9】 [Claim 9]
제 8항에 있어서,  The method of claim 8,
표면에 포토레지스트가 형성된 기판 상에 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 분사하는 단계 ;  Spraying a photoresist stripper on a substrate having a photoresist formed on the surface thereof;
상기 분사시 발생하는 기체를 포집하여 넁각장치로 넁각하는 단계; 및 상기 분사된 포토레지스트 제거용 스트리퍼 및 넁각된 물질을 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장탱크로 회수하는 단계;를 포함하는， 포토레지스트 박리 방법 . Capturing the gas generated during the injection and engraving the gas into an indentation device; And recovering the injected photoresist stripper and the scraped material into the photoresist stripper storage tank. Photoresist stripping method.
【청구항 10】 [Claim 10]
제 9항에 있어서，  The method of claim 9,
상기 표면에 포토레지스트가 형성된 기판 상에 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 분사하는 단계에서，  Injecting a photoresist stripper stripper on the substrate on which the photoresist is formed on the surface,
상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼의 온도가 4(rc 내지 6(rc인， 포토레지스트 박리 방법 .  The photoresist stripping method, wherein the temperature of the stripper for removing photoresist is 4 (rc to 6 (rc).
【청구항 11】 [Claim 11]
거 19항에 있어서，  According to claim 19,
상기 표면에 포토레지스트가 형성된 기판 상에 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 분사하는 단계 이전에，  Before spraying the photoresist stripper stripper on the substrate the photoresist is formed on the surface,
여과장치에서 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 여과하는 단계를 더 포함하는， 포토레지스트 박리 방법.  And filtering the stripper for removing photoresist in a filtration device.
【청구항 12】 [Claim 12]
제 9항에 있어서，  The method of claim 9,
상기 분사시 발생하는 기체를 포집하고 넁각장치로 넁각하는 단계에서， 상기 넁각은 -10°C 내지 50°C의 온도에서 진행되는， 포토레지스트 박리 방법 . In the step of capturing the gas generated during the injection and engraved by the horn device, the horn angle is carried out at a temperature of -10 ° C to 50 ° C, the photoresist stripping method.
【청구항 13] [Claim 13]
제 9항에 있어서，  The method of claim 9,
상기 분사된 포토레지스트 제거용 스트리퍼 및 넁각된 물질을 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장탱크로 회수하는 단계 이후에，  After the step of recovering the ejected photoresist stripper and the scraped material to the photoresist stripper stripper storage tank,
상기 저장탱크에 포함된 포토레지스트 제거용 스트리퍼가 다른 기판을 처리하기 위해 재순환되는 단계를 더 포함하는， 포토레지스트 박리 방법. 【청구항 14】 제 8항에 있어서， The photoresist stripper included in the storage tank further comprises the step of being recycled to process another substrate, the photoresist stripping method. [Claim 14] The method of claim 8,
하기 수학식 1에 의해 얻어진 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼 유지율이 90% 이상인， 포토레지스트 박리 방법 :  The photoresist stripping method, wherein the photoresist stripper retention rate obtained by the following equation 1 is 90% or more:
[수학식 1]  [Equation 1]
포토레지스트 제거용 스트리퍼 유지율 (%) = 박리후 포토레지스트 제거용 스트리퍼 질량 I 박리전 포토레지스트 제거용 스트리퍼 질량 *100.  Stripper retention rate (%) for photoresist removal = stripper mass for photoresist removal after exfoliation I Stripper mass for photoresist removal before exfoliation * 100.
PCT/KR2015/007200 2014-11-18 2015-07-10 Photoresist stripping apparatus and photoresist stripping method using same WO2016080627A1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201580031398.8A CN106462088B (en) 2014-11-18 2015-07-10 Photoresist eliminating equipment and the photoresist minimizing technology for using the equipment
JP2016574142A JP6500919B2 (en) 2014-11-18 2015-07-10 Photoresist stripping apparatus and photoresist stripping method using the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140161179A KR101847086B1 (en) 2014-11-18 2014-11-18 Photoresist removing apparatus and photoresist removing method using the same
KR10-2014-0161179 2014-11-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016080627A1 true WO2016080627A1 (en) 2016-05-26

Family

ID=56014129

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2015/007200 WO2016080627A1 (en) 2014-11-18 2015-07-10 Photoresist stripping apparatus and photoresist stripping method using same

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6500919B2 (en)
KR (1) KR101847086B1 (en)
CN (1) CN106462088B (en)
TW (1) TWI584085B (en)
WO (1) WO2016080627A1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11189504B2 (en) 2020-02-11 2021-11-30 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Photoresist stripping device and photoresist stripping method
CN111258192A (en) * 2020-02-11 2020-06-09 Tcl华星光电技术有限公司 Photoresist stripping device and photoresist stripping method

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5671760A (en) * 1993-12-29 1997-09-30 Hirama Rika Kenkyujo Ltd. Apparatus for controlling resist stripping solution
KR20030024727A (en) * 1998-11-13 2003-03-26 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 Method for removing photoresist film
US6696228B2 (en) * 2001-10-23 2004-02-24 Ums Co., Ltd. Method and apparatus for removing organic films
KR20070077121A (en) * 2006-01-20 2007-07-25 가부시끼가이샤 도시바 Apparatus and method for photoresist removal processing
US20130189852A1 (en) * 2012-01-25 2013-07-25 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6235520A (en) * 1985-08-08 1987-02-16 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
JP2000147793A (en) * 1998-11-12 2000-05-26 Mitsubishi Electric Corp Method for removing photoresist film and apparatus therefor
JP3676957B2 (en) * 1999-12-03 2005-07-27 シャープ株式会社 Resist stripping device
JP2001267282A (en) * 2000-03-21 2001-09-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treating device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5671760A (en) * 1993-12-29 1997-09-30 Hirama Rika Kenkyujo Ltd. Apparatus for controlling resist stripping solution
KR20030024727A (en) * 1998-11-13 2003-03-26 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 Method for removing photoresist film
US6696228B2 (en) * 2001-10-23 2004-02-24 Ums Co., Ltd. Method and apparatus for removing organic films
KR20070077121A (en) * 2006-01-20 2007-07-25 가부시끼가이샤 도시바 Apparatus and method for photoresist removal processing
US20130189852A1 (en) * 2012-01-25 2013-07-25 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017537453A (en) 2017-12-14
JP6500919B2 (en) 2019-04-17
TW201619723A (en) 2016-06-01
KR101847086B1 (en) 2018-04-10
KR20160059365A (en) 2016-05-26
TWI584085B (en) 2017-05-21
CN106462088A (en) 2017-02-22
CN106462088B (en) 2019-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5614418B2 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
TWI221007B (en) Processing of semiconductor components with dense processing fluids and ultrasonic energy
WO2010039936A3 (en) Use of surfactant/defoamer mixtures for enhanced metals loading and surface passivation of silicon substrates
TWI495967B (en) Photoresist stripping solution, stripping liquid recovery system and operation method and stripping liquid recovery method
WO2008157345A3 (en) Wafer reclamation compositions and methods
TWI693637B (en) Substrate processing method and substrtae processing apparatus
US9070631B2 (en) Metal liftoff tools and methods
JP6606470B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
WO2016080627A1 (en) Photoresist stripping apparatus and photoresist stripping method using same
CN107437517A (en) Substrate-cleaning method, basal plate cleaning system and storage medium
WO2009031270A1 (en) Wafer reclamation method and wafer reclamation apparatus
KR100891631B1 (en) Apparatus and method for photoresist removal processing
CN107799396A (en) The lithographic method of aluminium pad
CN101051190A (en) Photoresist stripping apparatus, method of recycling photoresist stripper
WO2020174874A1 (en) Substrate processing device, semiconductor manufacturing device, and substrate processing method
JP5125038B2 (en) Resist stripping apparatus and resist stripping method
WO2012176670A1 (en) Sublimate removal device
CN102650054A (en) Method for removing burrs of copper-clad plate
JP2011228385A (en) Cleaning/drying method and cleaning/drying device
CN219226249U (en) Sheet feeding machine
CN101423761B (en) Etching agent and method for controlling recovery of silicon wafer
KR101520290B1 (en) Apparatus and Method for cleaning object including a layer deposited by organic materials using ionic liquid
CN204155906U (en) A kind of device protecting graphene film to etch and shift
CN108122806A (en) A kind of Wet-method etching device
JP4293510B2 (en) Method and apparatus for cleaning metal mask

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15860056

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2016574142

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15860056

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1