WO2016018052A1 - Conductive laminate and manufacturing method therefor - Google Patents

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WO2016018052A1
WO2016018052A1 PCT/KR2015/007889 KR2015007889W WO2016018052A1 WO 2016018052 A1 WO2016018052 A1 WO 2016018052A1 KR 2015007889 W KR2015007889 W KR 2015007889W WO 2016018052 A1 WO2016018052 A1 WO 2016018052A1
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WO
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laminate
transparent conductive
conductive layer
substrate
temperature
Prior art date
Application number
PCT/KR2015/007889
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French (fr)
Korean (ko)
Inventor
윤정환
김용찬
송두훈
장성호
임진형
박진우
김기환
Original Assignee
주식회사 엘지화학
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables

Definitions

  • the present specification relates to a conductive laminate and a method of manufacturing the same. More specifically, the present disclosure relates to a conductive laminate including both a transparent conductive layer and a metal layer, and a method of manufacturing the same.
  • ITO transparent electrodes are mainly used.
  • an ITO transparent electrode is used for the screen portion of the touch sensor, and a metal having a relatively low resistance is used for the wiring portion.
  • a metal having a relatively low resistance is used for the wiring portion.
  • Narrow bezels can be used to increase the size of touch screens in limited mobile device sizes, and the width of metal wiring is gradually decreasing as the number of channels increases depending on the resolution of the screen.
  • the present inventors have found a method of crystallizing a transparent conductive layer after forming a metal layer on an amorphous transparent conductive layer in manufacturing a laminate including a transparent conductive layer and a metal layer.
  • Preparing a laminate comprising a substrate, a transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer;
  • Providing a method of manufacturing a metal layer and a crystallized transparent conductive layer-containing laminate comprising the step of increasing the temperature of the far-infrared heater by a temperature corresponding to the difference (T1-T2) of the temperature between the substrate side and the metal layer side. do.
  • It provides a method of manufacturing a metal pattern and a transparent conductive layer-containing laminate comprising the step of patterning a metal layer of the laminate.
  • Preparing a laminate comprising a substrate, a transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer;
  • a method for setting temperature conditions when crystallizing a transparent conductive layer of a metal layer and a transparent conductive layer-containing laminate by a far-infrared heater comprising calculating a temperature corresponding to a difference (T1-T2) of the temperature between the substrate side and the metal layer side.
  • Heat-treating a laminate including a substrate, a transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer using a far-infrared heater or a box oven, wherein the heat treatment temperature is set. It provides a method for producing a metal layer and a crystallized transparent conductive layer-containing laminate comprising the step of setting using a transparent conductive layer crystallization temperature.
  • Another embodiment of the present specification provides a laminate including a substrate, an amorphous transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer.
  • the adhesive layer is provided on the opposite side of the surface provided with the transparent conductive layer of the substrate and the opposite surface of the metal layer provided with the transparent conductive layer, respectively.
  • the adhesive layer is provided on the opposite side of the surface provided with the transparent conductive layer of the substrate and the opposite side of the surface provided with the transparent conductive layer of the metal layer, A temperature measuring device attached to each of the pressure-sensitive adhesive layer on the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer on the metal layer is provided.
  • a sample stage provided to receive a crystallization sample provided in a region where far infrared rays generated from the infrared lamp reach;
  • It provides a far-infrared heater including a temperature controller that adjusts the temperature to increase the temperature by the temperature difference between the top and bottom of the crystallized sample.
  • Another embodiment of the present specification is prepared by the method according to the embodiments described above, and provided with a substrate, a crystallized transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer. It provides a laminate.
  • Another embodiment of the present specification is prepared by the method according to the above-described embodiments, and provided with a substrate, a crystallized transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal pattern provided on the transparent conductive layer. To provide a laminate.
  • An amorphous transparent conductive layer provided on the substrate,
  • a metal layer provided on the transparent conductive layer
  • a conductive laminate precursor comprising an infrared absorbing protective film.
  • Preparing a laminate comprising a substrate, an amorphous transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer;
  • It provides a method for producing a conductive laminate precursor comprising a.
  • Another embodiment of the present specification provides a method of manufacturing a conductive laminate including the step of crystallizing the amorphous transparent conductive layer by irradiating infrared rays on at least one surface of the conductive laminate precursor.
  • a crystalline transparent conductive layer provided on the substrate,
  • a metal layer provided on the transparent conductive layer
  • a conductive laminate comprising an infrared absorbing protective film.
  • the transparent conductive layer such as the ITO layer can be efficiently crystallized.
  • the infrared rays irradiated from the infrared lamp by the protective film is absorbed directly or indirectly by the infrared rays reflected from the metal layer, the temperature increase effect is exhibited, and therefore, even when the metal layer is present, the crystallization temperature is determined by the infrared reflection characteristic of the metal layer. Can be prevented from being reduced.
  • the metal layer can be formed on the amorphous layer before the crystallization of the transparent conductive layer such as the ITO layer, the process can be simplified since the amorphous transparent conductive layer and the metal layer can be laminated through the roll-to-roll process. .
  • Figure 1 shows a schematic diagram of the ITO crystallization process according to the prior art.
  • FIG. 2 shows a schematic diagram of the ITO crystallization process according to one embodiment of the present specification.
  • FIG 3 and 4 illustrate a far infrared heater internal structure for ITO crystallization according to the embodiments of the present disclosure.
  • 5 and 6 illustrate the structure of a laminate according to embodiments of the present disclosure.
  • FIG. 7 and 8 show schematic diagrams of the traveling direction of the infrared rays according to the infrared irradiation direction.
  • 9-11 show exemplary materials of the metal layer of the laminate and temperatures of the top and bottom of the laminate along the direction of infrared irradiation.
  • FIG 13 illustrates the degree of crystallization of ITO after crystallization according to one embodiment of the present specification.
  • FIG. 14 is a graph showing a decrease in reflectance of a metal layer after crystallization according to one embodiment of the present specification.
  • FIG. 15 shows a schematic diagram of an ITO crystallization process according to one embodiment of the present specification.
  • 16 and 17 illustrate structures of the precursor and the conductive laminate of the conductive laminate according to the exemplary embodiments of the present disclosure, respectively.
  • Figure 18 is a schematic diagram showing the energy behavior by the infrared source to reach the ITO layer with or without the protective film.
  • FIG. 21 and 22 are graphs showing experimental results shown in Table 4.
  • Figure 23 shows the infrared absorption spectrum of the metal and the polymer.
  • An exemplary embodiment of the present specification provides a method of manufacturing a metal layer and a crystallized transparent conductive layer-containing laminate, the laminate including a substrate, a transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer.
  • the step of crystallizing the transparent conductive layer comprises the steps of measuring the temperature T1 of the substrate side of the laminate; Measuring the temperature T2 on the metal layer side of the laminate; And raising the temperature of the far-infrared heater by a temperature corresponding to the difference (T1-T2) of the temperature between the substrate side and the metal layer side.
  • Far Infrared (FIR) heaters generally control the atmosphere temperature inside the heater using the far infrared rays generated by the source of the infrared (IR) lamp.
  • IR infrared
  • the air heated by the internal blower (blower) is circulated, and the temperature is controlled in this manner. Therefore, the elements constituting this temperature can be largely divided into the ambient temperature warmed by the internal infrared rays and the infrared rays emitted.
  • a plastic substrate such as PET or a laminate structure of ITO and plastic substrate is used as the substrate of the conductive laminate, and these are materials in which infrared reflection is not easily generated, but when the metal is deposited, the metal has a relatively high reflectance to infrared rays. Since there is little infrared absorption in a long wavelength region, it has been thought that there exists a possibility that the heat processing function by infrared reflection may fall.
  • the transparent conductive layer is crystallized by heat-treating the laminate in which the base material, the transparent conductive layer, and the metal layer are sequentially stacked, due to the infrared reflection and low absorption characteristics of the metal, the side with the metal layer and the base material are provided. The temperature is different on the side, and thus there is a difficulty in setting the heat treatment temperature.
  • the inventors have found that the proportion of the internal atmosphere temperature is relatively large and the proportion of infrared radiation is relatively small among the elements constituting the temperature in the far-infrared heater, and by compensating for the influence of infrared rays on the temperature, The present invention has been reached that the transparent conductive layer can be crystallized efficiently in a state in which a metal layer is laminated on the transparent conductive layer.
  • FIG. 2 shows a process schematic diagram according to the embodiment.
  • ITO crystallization is performed before forming a metal layer on ITO
  • the method according to the exemplary embodiment of the present disclosure according to FIG. 2 performs ITO crystallization after forming a metal layer on ITO.
  • ITO may be replaced with a transparent conductive material requiring crystallization.
  • the embodiments described herein measure the temperature T1 on the substrate side of the laminate during crystallization of the transparent conductive layer, in order to compensate for the effect of infrared light reflected or not absorbed by the presence of the metal layer on the temperature as described above. Doing; Measuring the temperature T2 on the metal layer side of the laminate; And raising the temperature of the far-infrared heater by a temperature corresponding to the difference (T1-T2) of the temperature between the substrate side and the metal layer side.
  • the substrate is not particularly limited, and materials known in the art may be used.
  • materials known in the art may be used.
  • glass, a plastic substrate, a plastic film, or the like may be used, but is not limited thereto.
  • the transparent conductive layer before crystallization by heat treatment is amorphous.
  • the transparent conductive layer can be adjusted according to the conditions or composition during the manufacturing process, the resistance before the heat treatment, that is, the amorphous state and the crystallized state after the heat treatment, that is, the resistance of the crystalline state.
  • the resistance of the pre-crystallization state and the post-crystallization state is controlled by the fraction of oxygen inflow during the ITO deposition and the tin (Sn) content of the ITO target using, for example, a sputter.
  • the terms "amorphous" and "crystalline” can be identified by their resistance. Those skilled in the art can ascertain the resistance of the amorphous state and the resistance of the crystalline state depending on the material.
  • a transparent conductive oxide layer may be used as the transparent conductive layer.
  • the transparent conductive oxides include indium oxide, zinc oxide, indium tin oxide, indium zinc oxide, indium zinc tin oxide, and amorphous transparent conductive polymers, and these may be used alone or in combination of two or more thereof. It doesn't happen.
  • the transparent conductive layer is an indium tin oxide layer.
  • the thickness of the transparent conductive layer may be 15 ⁇ 20nm, but is not limited thereto.
  • the transparent conductive layer may be formed using a deposition process or a printing process using the above-described transparent conductive layer material.
  • the metal layer is not particularly limited as long as it includes a metal having conductivity.
  • the material of the metal layer one or two or more of copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), neodymium (Nd), molybdenum (Mo), nickel (Ni), and alloys thereof may be used.
  • the present invention is not limited thereto.
  • the metal layer may have a single layer or a laminated structure of two or more layers. For example, a silver (Ag) layer, an Ag-Pd-Cu alloy layer, a Cu-Ni / Cu / Cu-Ni three-layer structure, an aluminum (Al) layer, an Ag / Mo two-layer structure, an APC / Mo two-layer structure, etc.
  • the Ag-Pd-Cu alloy layer an alloy layer including 98 wt% Ag, 1 wt% Pd, and 1 wt% Cu may be used.
  • the Ag-Pd-Cu alloy layer has excellent reliability and adhesion (adhesiveness) such as corrosion resistance, migration resistance, heat resistance, etc., compared to the pure Ag layer.
  • the metal layer may be formed using a method known in the art. For example, it may be formed by a method such as evaporation, sputtering, wet coating, evaporation, electrolytic plating or electroless plating, lamination of metal foil, or the like.
  • the metal layer may be formed by a printing method.
  • an ink or paste containing a metal may be used, and the paste may further include a binder resin, a solvent, a glass frit, and the like, in addition to the metal.
  • the thickness of the metal layer is not particularly limited, the thickness of 0.01 to 30 ⁇ m may exhibit more excellent effects in terms of the conductivity of the metal layer and the economics of the pattern forming process.
  • heat treatment conditions for crystallization in the step of crystallizing the transparent conductive layer may be determined by those skilled in the art according to conditions such as material or thickness of the transparent conductive layer.
  • the infrared irradiation direction of the far infrared heater for heat treatment may be the metal layer side, the substrate side or the protective film side.
  • the infrared irradiation direction is the substrate side or the protective film side, since the infrared energy reflected from the metal layer affects the temperature increase in the heater, there is an advantage in reducing the temperature difference between the top and bottom of the laminate.
  • the absorption of the infrared energy incident on the substrate or the protective film is easier than that when incident on the metal layer side, so the influence of the infrared reflection by the metal layer located on the opposite side of the plane where the infrared ray is incident is not relatively large.
  • FIG. 9 to 10 are formed only on the ITO layer on the PET substrate, or after further forming a metal layer on the ITO layer, when heat-treated at 155 °C 30 minutes in a far infrared heater, the metal layer layer (top, top) or the substrate side (bottom, bottom temperature is shown.
  • FIG. 9 is irradiated with infrared rays from the metal layer side (normal)
  • FIG. 10 is irradiated with infrared rays from the substrate side (reverse). Compared with FIG. 9, it can be seen that the temperature difference between the upper part and the lower part is smaller in FIG. 10.
  • Table 1 below shows the types of metal layers provided on the ITO layer and the temperatures of the upper side (metal layer side) and the lower side (substrate side) according to the infrared irradiation direction. This temperature is also a result of heat treatment at 155 ° C. for 30 minutes in a far infrared heater.
  • the temperature difference between the upper and lower portions of the laminate differs depending on the ultraviolet irradiation direction and the type of the metal layer.
  • the temperature deviation between the upper and lower portions is different from 3 ° C to 32 ° C.
  • crystallization of a transparent conductive layer such as ITO may be efficiently performed by performing the above-described process of compensating for the temperature deviation.
  • the heat treatment temperature of the transparent conductive layer may be carried out at a temperature of 100 ⁇ 180 °C, it may be adjusted as necessary.
  • the heat treatment temperature may be a temperature of 120 ⁇ 160 °C.
  • the crystallization of the transparent conductive layer may be performed from the amorphous state before the crystallization until the resistance of the crystalline state after the crystallization is realized, it can be confirmed that the crystallization was made when the expected resistance is implemented.
  • the ITO layer may be deposited by setting the ITO layer formation conditions such that the ITO layer deposited on the substrate on the film is subjected to heat treatment at 150 ° C. for about 30 minutes to achieve crystallization.
  • the timing of performing the step of measuring the temperature T1 of the substrate side and the temperature T2 of the metal layer side of the laminate and compensating these temperature differences may be determined as necessary.
  • the step of measuring the temperature T1 of the substrate side and the temperature T2 of the metal layer side of the laminate is performed when there is no change between the temperature T1 of the substrate side and the temperature T2 of the metal layer side.
  • the temperature measurement may be measured immediately after the laminate is put in the heater and measured until there is no change in each of the temperature T1 on the substrate side and the temperature T2 on the metal layer side. Measured after 10 minutes have elapsed, the temperatures can be measured until there is no change in each.
  • the laminate further includes a protective film provided on the opposite side of the surface provided with a transparent conductive layer of the substrate.
  • the step of measuring the temperature T1 of the substrate side is to measure the temperature on the protective film side.
  • the above-described adhesive layer may be provided on the protective film rather than on the substrate.
  • the protective film serves to protect the substrate during the manufacturing process or when using the final product.
  • the material of the protective film those known in the art may be used.
  • the protective film a film made of a polymer material that is easy to absorb infrared rays, etc. as compared to the metal may be used.
  • a PET film may be used as the protective film.
  • the adhesive layer is provided on the opposite side of the surface provided with the transparent conductive layer of the substrate of the laminate and the opposite side of the surface provided with the transparent conductive layer of the metal layer of the laminate.
  • a pressure-sensitive adhesive layer may be used for the purpose of adhering the temperature measuring device to measure the temperature difference between the upper portion provided with the metal layer of the laminate and the lower portion provided with the substrate.
  • the adhesive layer provided on the metal layer and the adhesive layer provided on the substrate are preferably made of the same material.
  • the adhesive layer may be a material that has IR absorption.
  • a polyimide adhesive tape may be used.
  • the IR absorption change when the polyimide adhesive tape is attached to the above-described laminate is shown in FIG. 12.
  • the difference in the IR absorption rates of # 1 and # 5 was smaller than that of the absorption rates of # 2 and # 6, which means that when the IR is irradiated from the metal side of the laminate, the poly provided on the opposite side of the metal The mid tape shows little influence on IR absorption.
  • the difference in IR absorption rates of # 2 and # 4 was larger than that of IR absorptions of # 1 and # 3, which is due to the sum of the absorption rates of each of the polymers constituting the substrate and the polyimide. It shows that the IR absorption rate is increased.
  • polyimide adhesive tape A commercially available thing can be used as said polyimide adhesive tape,
  • a brand name Kapton tape can be used.
  • the polyimide adhesive tape may be used having a thickness of 30-200 micrometers.
  • the polyimide adhesive tape is selected from, for example, an adhesion force to a metal of 0.5 to 12 N / 25mm, elongation 40-70%, breakdown voltage 4-10 Kv, and short-time 150-280 ° C. It may have the above physical properties.
  • the width of the tape can be selected as needed, for example, a tape having a width of 5 to 100 mm can be used.
  • the adhesive layer is provided on the opposite side of the surface provided with the transparent conductive layer of the substrate of the laminate and the opposite side of the surface provided with the transparent conductive layer of the metal layer of the laminate,
  • a temperature measuring device attached to each of the pressure-sensitive adhesive layer on the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer on the metal layer is further provided.
  • a thermal couple may be used as the temperature measuring device.
  • the thermal couple may be attached to the laminate by the adhesive layer described above or may sense a temperature.
  • the thermal couple may be in the form of a line, but is not particularly limited as long as it can sense the temperature.
  • the temperature measuring device may further include a temperature data record capable of receiving and recording temperature information detected by the thermal couple by wire or wirelessly. In this case, the temperature data record is not directly attached to the laminate or through an adhesive, and only a thermal couple is attached to the laminate to sense a temperature.
  • the method according to the embodiments described above further comprises the step of moving the stack into a far infrared heater using a conveyor belt to heat-treat the stack in a far infrared heater.
  • the conveyor belt may be provided to continuously move the laminate from the outside of the far infrared heater to the outside through the inside.
  • the conveyor belt is stopped after moving the laminate from the outside to the inside of the far-infrared heater, and is stopped to move the laminate to the outside of the far-infrared heater after the transparent conductive layer crystallization is performed.
  • Figure 3 shows a schematic diagram showing the interior of the far-infrared heater according to an example.
  • a conveyor belt is provided inside the heater according to FIG. 3, and a stage on which the above-mentioned stack is accommodated is provided on the conveyor belt.
  • the stage may be provided as needed, but may not be provided.
  • the conveyor belt may include a stage capable of receiving the stack.
  • the means for moving the stack outside the far infrared heater is not limited to the conveyor belt.
  • the stack may be moved into the heater.
  • the roll may serve as a stage to accommodate the laminate described above. 4 shows an example in which a roll is provided as a means for supporting the laminate in the far infrared heater.
  • Another embodiment of the present specification includes the steps of preparing a metal layer and a crystallized transparent conductive layer-containing laminate by the method for producing a metal layer and a crystallized transparent conductive layer-containing laminate as described above; And patterning a metal layer of the laminate, to provide a method of manufacturing a laminate including a metal pattern and a transparent conductive layer.
  • the method for patterning the metal layer may use a method known in the art, and is not particularly limited.
  • a photoresist method may be used for patterning the metal layer.
  • a photoresist pattern is formed on the metal layer by selective exposure and development, or a resist pattern is formed by a printing method, and the metal layer that is not applied by the resist pattern is selectively etched using the resist pattern as a mask. Method can be used.
  • the line width and line spacing of the metal pattern patterned by the above method can be designed according to the end use.
  • the line width of the pattern may be greater than 0 and 50 ⁇ m or less, but may be greater than 0 and 30 ⁇ m or less, but is not limited thereto.
  • preparing a laminate comprising a substrate, a transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer; And heat-treating the laminate inside the far-infrared heater, wherein the heat treatment includes: measuring a temperature T1 of the substrate side of the laminate; Measuring the temperature T2 on the metal layer side of the laminate; And calculating a temperature corresponding to the difference between the temperatures of the substrate side and the metal layer (T1-T2), when crystallizing the transparent conductive layer of the metal layer and the transparent conductive layer-containing laminate by a far-infrared heater.
  • a temperature condition may be set at the time of crystallizing the transparent conductive layer based on a temperature corresponding to the difference (T1-T2) between the calculated substrate side and the metal layer side.
  • the temperature increased by the difference in temperature in the temperature in the heat treatment step can be set.
  • the temperature conditions in the actual process can be set more efficiently.
  • the transparent conductive layer crystallization temperature by the method for setting the temperature conditions during the crystallization of the transparent conductive layer of the metal layer and the transparent conductive layer-containing laminate by the above-described far infrared heater; And heat treating a laminate including a substrate, a transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer using a far infrared ray heater or a box oven, wherein the heat treatment temperature is measured. It provides a method for producing a metal layer and a crystallized transparent conductive layer-containing laminate comprising the step of setting using the determined transparent conductive layer crystallization temperature.
  • the temperature compensated by their temperature difference (T1-T2) based on the difference between the upper and lower temperatures of the laminate measured and calculated in setting the crystallization temperature. Can be set as the heat treatment temperature.
  • the temperature measured on the substrate side of the laminate in the step of setting the crystallization temperature may be set as the heat treatment temperature.
  • Another embodiment of the present specification provides a laminate including a substrate, an amorphous transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer.
  • a method of crystallizing the transparent conductive layer is used before forming the metal layer, the laminate having the above structure does not exist. Since the laminate as described above forms a metal layer thereon in a state in which the transparent conductive layer is amorphous, a roll-to-roll process may be used, thereby simplifying the process.
  • 5 illustrates the structure of a laminate according to the embodiment.
  • the protective film may be additionally provided on the surface of the laminate.
  • the protective film may be applied to the contents described in the embodiment of the method described above.
  • the laminate may be provided with a pressure-sensitive adhesive layer on an opposite side of the surface provided with the transparent conductive layer of the substrate and an opposite side of the surface provided with the transparent conductive layer of the metal layer.
  • a temperature measuring device attached to each of the pressure-sensitive adhesive layer on the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer on the metal layer may be provided and configured to compensate for the temperature difference thereof.
  • the configuration of the laminate may be applied to the contents described in the embodiments of the method described above.
  • Another exemplary embodiment of the present specification includes an infrared lamp, a sample stage provided to receive a crystallized sample provided in a region where far infrared rays generated from the infrared lamp reach; And it provides a far-infrared heater comprising a temperature controller for adjusting the temperature to increase the temperature by the temperature difference between the top and bottom of the crystallized sample.
  • the crystallization sample may be a laminate including the substrate described above, an amorphous transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer.
  • the far-infrared heater has a temperature controller that adjusts the temperature to increase the temperature by a temperature difference between the upper and lower portions of the crystallized sample, so that in the embodiments of the above-described method, the metal layer is formed on the transparent conductive layer.
  • the conductive layer can be crystallized efficiently.
  • the temperature controller adjusts the temperature of the top and bottom of the crystallization sample, respectively, so that the user can recognize the temperature difference between the top and bottom of the crystallization sample, such as the aforementioned laminate, and control the temperature to compensate for the temperature difference.
  • the far-infrared heater may include a conveyor belt for moving the crystallization sample to a region where far-infrared rays generated from the infrared lamp reach, and the sample stage may be provided on the conveyor belt.
  • 3 and 4 show examples of the internal structure of the far infrared heater.
  • the metal layer and the crystallized transparent conductive layer-containing laminate prepared by the method for producing a substrate, the crystallized transparent conductive layer provided on the substrate, and the transparent conductive layer Provided is a laminate provided with a metal layer provided on the substrate.
  • FIG. 13 illustrates the degree of crystallization of ITO after crystallization according to one embodiment of the present specification. More specifically, FIG. 13 (a) shows the degree of crystallization in the state of precrystallization of ITO as a prior art, and (b) shows the degree of crystallization of the state of post-crystallization of ITO as an exemplary embodiment of the present specification. , (c) shows a case where an amorphous region is included in ITO post-crystallization. That is, in the case of post-crystallization of ITO, there may be an amorphous region depending on the heat treatment conditions, it can be seen that the selection of detailed temperature conditions during the ITO post-crystallization is very important.
  • the step of raising the temperature of the far-infrared heater by the temperature corresponding to the difference (T1-T2) of the temperature between the substrate side and the metal layer side, thereby, the amorphous region There exists a characteristic which can form the ITO layer which does not exist and shows favorable crystallinity.
  • a laminate having a substrate, a crystallized transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer, the reflectivity of the metal layer is not heat-treated
  • a laminate in which the reflectance is reduced compared to the metal layer.
  • the reflectance is determined according to the material or thickness of the metal layer, and the reflectance of the unheated metal layer may be determined by a person skilled in the art.
  • the metal layer of the laminate according to the above-described embodiment has a reduced reflectance compared to the metal layer that has not been heat treated.
  • the method of measuring the reflectance is not particularly limited, and the method of measuring the reflectance of the metal layer according to the above-described embodiment and the reflectance of the non-heat-treated metal layer are not particularly limited.
  • the metal layer and the crystallized transparent conductive layer-containing laminate are manufactured by the above-described method, the metal layer also undergoes a crystallization process of the transparent conductive layer, so that the heat treatment is performed, thereby blurring the surface of the metal layer during the heat treatment. Can change. This reduces the reflectance of the metal layer as compared with the case where the heat treatment is not performed.
  • the reflectance can be measured for a visible light region, such as a wavelength of 380 to 800 nm, and the reflectance reduction can occur in at least some of the visible light region.
  • Figure 14 shows the decrease in reflectance of the Ag layer with the IR heat treatment temperature. According to FIG. 14, the reflectance decreased after 25 minutes at 135 ° C. and 155 ° C. and after 35 minutes at 165 ° C. and 175 ° C., which coincided with the time point at which the Ag layer surface was changed.
  • an embodiment of the present disclosure is prepared by the method of manufacturing a metal pattern and a crystallized transparent conductive layer-containing laminate described above, the substrate, the crystallized transparent conductive layer provided on the substrate, and the transparent conductive layer Provided is a laminate having a metal pattern provided thereon.
  • the metal pattern and the crystallized transparent conductive layer-containing laminate are manufactured by the above-described method, since the crystallization is performed by heat treatment in the state where the metal is provided on the transparent conductive layer, the transparent conductive layer is not provided with metal. In comparison with the case of crystallization, an amorphous region may be present in the transparent conductive layer.
  • a laminate having a substrate, a crystallized transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal pattern provided on the transparent conductive layer, wherein the reflectivity of the metal pattern is heat treated.
  • a laminate in which the reflectance is reduced compared to a metal pattern that is not. The description of the reflectance reduction is as described above.
  • An exemplary embodiment of the present specification is a conductive laminate precursor comprising a substrate, an amorphous transparent conductive layer provided on the substrate, a metal layer provided on the transparent conductive layer, and an infrared absorptive protective film provided on the metal layer.
  • a conductive laminate precursor comprising a substrate, an amorphous transparent conductive layer provided on the substrate, a metal layer provided on the transparent conductive layer, and an infrared absorptive protective film provided on the metal layer.
  • the conductive laminate precursor means that the conductive laminate is formed by crystallization of the amorphous transparent conductive layer.
  • the conductive precursor is a state before the crystallization of the conductive laminate.
  • An infrared absorbing protective film is disposed on a metal layer of a precursor of a conductive laminate including an amorphous transparent conductive layer and a metal layer.
  • FIG. 2 is a process schematic diagram illustrating a crystallization process using the conductive laminate precursor.
  • ITO crystallization is performed before forming a metal layer on ITO
  • the method according to the exemplary embodiment of the present disclosure according to FIG. 2 performs ITO crystallization after forming a metal layer on ITO.
  • ITO may be replaced with a transparent conductive material requiring crystallization.
  • FIG. 2 by stacking an infrared absorbing protective film on the metal layer before crystallization, the infrared rays reflected by the metal layer may be absorbed by the protective film, thereby preventing a decrease in temperature generated from the infrared light.
  • the infrared absorbing protective film is a polymer film.
  • FIG. 23 is an excerpt from Masaaki Saito's data (August 22, 2014) of Heraeus, which illustrates the infrared absorption spectra of metals, ceramics and polymers. The different infrared absorption spectra depending on the material is described by W. Sieber, "Zusammensen effort der von Werk und Baustoflen zUrUckge worfenen Wiirmestrahlung," Z. Tech. Physik 22, 130 (1941). As described above, metals, ceramics, and polymers have different characteristics in infrared absorption, and the above-described effects can be obtained by using a film including a polymer having excellent infrared absorption properties as the protective film.
  • the polymer film may be determined by a person skilled in the art within a range that does not adversely affect the crystallization of the amorphous transparent conductive layer, and may have a thickness of several ⁇ m to several mm, preferably tens of ⁇ m to several hundred ⁇ m. Infrared absorption can occur efficiently within the thickness range. For example, the thickness can be determined within the range of 1 ⁇ m to 10 mm.
  • the material of the infrared absorbing protective film is not particularly limited, but polyesters such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene (PE), cellulose acetate, polyvinylidene chloride, polytetrafluoroethylene, polyimide, polyurethane, Polyvinyl chloride (PVC), polyvinyl alcohol (PVA), polyacrylates such as PMMA, polycarbonate (PC), polyamides such as nylon (PA), polypropylene (PP), polystyrene (PS) and the like.
  • PET polyethylene terephthalate
  • PE polyethylene
  • PVA polyvinyl alcohol
  • PA polyacrylates
  • PP polypropylene
  • PS polystyrene
  • the infrared absorption properties of these materials are described in Fortschr. Hochpolym.-Forsch., Bd. 2, S. 51-172 (1960) and the like. Infrared absorption characteristics of the polymers described in the documents are shown in
  • the method of laminating the protective film on the metal layer is not particularly limited.
  • the protective film may be laminated on the metal layer, or may be dried or cured after coating the protective film composition on the metal layer.
  • the lamination may be carried out using a conventional laminator, for example, a device capable of performing lamination by applying pressure and temperature to a roller existing on the upper and lower parts, if necessary.
  • the protective film and the metal layer may directly contact each other, and the adhesive layer does not necessarily need to be present.
  • an additional rear film may be provided on an opposite side of the surface of the laminate precursor that contacts the transparent conductive layer.
  • the back film may serve to protect the substrate during the manufacturing process or during use of the final product.
  • the material of the back film those known in the art may be used.
  • the back film a film made of a polymer material which is easy to absorb infrared rays and the like compared to the metal may be used.
  • a PET film may be used as the back film.
  • Another embodiment of the present specification comprises the steps of preparing a laminate comprising a substrate, an amorphous transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer; And it provides a method for producing a conductive laminate precursor comprising the step of laminating an infrared absorbing protective film on the laminate.
  • the material of each layer is as described above.
  • Laminating the infrared absorbing protective film may be performed in the manner described above.
  • Another embodiment of the present specification provides a method for manufacturing a conductive laminate including the step of crystallizing the amorphous transparent conductive layer by irradiating at least one surface of the conductive laminate precursor according to the above-described embodiment.
  • heat treatment conditions for crystallization in the step of crystallizing the transparent conductive layer may be determined by those skilled in the art according to conditions such as material or thickness of the transparent conductive layer.
  • the infrared irradiation direction of the far infrared heater for heat treatment may be the protective film side or the substrate side on the metal layer.
  • the heat treatment temperature of the transparent conductive layer may be carried out at a temperature of 100 ⁇ 180 °C, it may be adjusted as necessary.
  • the heat treatment temperature may be a temperature of 120 ⁇ 160 °C.
  • the crystallization of the transparent conductive layer may be performed from the amorphous state before the crystallization until the resistance of the crystalline state after the crystallization is realized, it can be confirmed that the crystallization was made when the expected resistance is implemented.
  • the ITO layer may be deposited by setting the ITO layer formation conditions such that the ITO layer deposited on the substrate on the film is subjected to heat treatment at 150 ° C. for about 30 minutes to achieve crystallization.
  • FIG. 18 shows the energy behavior by the infrared source with or without the protective film.
  • FIG. 18 shows only the energy behavior by the infrared source reaching the ITO layer, and the actual upper and lower temperature measurement results may be affected by the ambient temperature control (hot air).
  • an infrared lamp irradiates infrared rays from the metal layer side (Normal direction) or the substrate side (Reverse direction) of the conductive laminate precursor.
  • the protective film when infrared rays are directly irradiated onto the metal layer, most of the infrared rays are reflected, thereby reducing the heat rise due to less heat derived from the infrared rays.
  • the infrared rays are partially absorbed by the substrate or the back film when present, depending on the material of the substrate.
  • the infrared absorbing protective film when the infrared ray is irradiated on the metal layer side, that is, the infrared absorbing protective film side, the infrared absorbing protective film directly absorbs the infrared rays obtained from the protective film. In addition, by indirectly absorbing the infrared rays reflected from the metal layer, it is possible to prevent a decrease in temperature rise due to the infrared reflection on the metal layer side.
  • Table 3 below shows the results of experimenting with the temperature difference between both sides of the laminate with or without the protective film.
  • the irradiation in the reverse direction may affect the relatively increase the temperature, it can be seen that the effect of the presence of the protective film in both the irradiation in the forward direction or in the reverse direction can be seen.
  • a tendency of temperature rise according to the irradiation direction as described above may vary.
  • an intermediate layer may be further provided between the transparent conductive layer and the metal layer.
  • an adhesion promoting layer may be included as an intermediate layer, and an Mo layer may be used as the adhesion promoting layer.
  • the thickness of the intermediate layer can be determined as necessary.
  • Table 4 shows the results of experiments on the temperature difference at both sides of the laminate according to the presence or absence of a protective film when the Mo layer is provided as an intermediate layer.
  • Experimental conditions and layer configuration except for the Mo layer are the same as in Table 3.
  • Table 5 shows the results of experimenting with the degree of crystallization of the transparent conductive layer of the laminate with or without the protective film. The crystallization was maintained at 155 ° C. for 30 minutes by infrared irradiation. At this time, the kind of base material is as showing in Table 3.
  • the method may further include moving the laminate precursor into the far infrared heater by using the conveyor belt to heat-treat the laminate precursor inside the far infrared heater.
  • the conveyor belt may be provided to continuously move the laminate precursor from the outside of the far infrared heater to the outside through the inside.
  • the conveyor belt is stopped after moving the laminate precursor from the outside of the far infrared heater to the inside, and after the transparent conductive layer crystallization is performed, to move the laminate outside the far infrared heater. It may be provided.
  • Figure 3 shows a schematic diagram showing the interior of the far-infrared heater according to an example.
  • a conveyor belt is provided inside the heater according to FIG. 3, and a stage on which the above-mentioned stack is accommodated is provided on the conveyor belt.
  • the stage may be provided as needed, but may not be provided.
  • the conveyor belt may include a stage capable of receiving the laminate precursor or the laminate.
  • the means for moving the stack outside the far infrared heater is not limited to the conveyor belt.
  • the stack precursor may be moved into the heater.
  • the roll may serve as a stage to receive the laminate precursor described above. 4 illustrates an example in which a roll is provided as a means for supporting the laminate precursor in a far infrared heater.
  • the method of manufacturing the conductive laminate further includes removing the infrared absorbing protective film.
  • the method of manufacturing the conductive laminate includes removing the infrared absorbing protective film; And patterning the metal layer.
  • the method for patterning the metal layer may use a method known in the art, and is not particularly limited.
  • a photoresist method may be used for patterning the metal layer.
  • a photoresist pattern is formed on the metal layer by selective exposure and development, or a resist pattern is formed by a printing method, and the metal layer that is not applied by the resist pattern is selectively etched using the resist pattern as a mask. Method can be used.
  • the line width and line spacing of the metal pattern patterned by the above method can be designed according to the end use.
  • the line width of the pattern may be greater than 0 and 50 ⁇ m or less, but may be greater than 0 and 30 ⁇ m or less, but is not limited thereto.
  • a conductive laminate including a substrate, a crystalline transparent conductive layer provided on the substrate, a metal layer provided on the transparent conductive layer, and an infrared absorbing protective film provided on the metal layer. Provide a sieve.
  • a conductive laminate can be produced by the method described above. An example of the structure of the conductive laminate is illustrated in FIG. 17.
  • an additional rear film may be provided on the opposite side of the surface of the conductive laminate contacting the transparent conductive layer.
  • the description of the back film may be applied to the content described in the aforementioned conductive laminate precursor.
  • the conductive laminate as described above may be used as a component of a device requiring conductivity as it is, or after the protective film is peeled off, or after the metal layer is patterned as described above. For example, it can be used as an electrode of an electronic device.

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Abstract

The present specification relates to a conductive laminate and a manufacturing method therefor, the method including a step of thermally treating, in a far infrared heater, the laminate comprising a transparent conductive layer provided on a substrate and a metal layer provided on the transparent conductive layer so as to crystallize the transparent conductive layer of a laminate, wherein the step of crystallizing the transparent conductive layer comprises the steps of: measuring a temperature T1 of a substrate side of the laminate; measuring a temperature T2 of a metal layer side of the laminate; and increasing the temperature of the far infrared heater up to a temperature corresponding to a difference (T1-T2) between the temperatures of the substrate side and the metal layer side.

Description

전도성 적층체 및 이의 제조방법Conductive Laminates and Manufacturing Method Thereof
본 출원은 2014년 7월 29일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제 10-2014-0096811호와 2014년 9월 23일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2014-0126749호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.This application is subject to the Korean Patent Application No. 10-2014-0096811 filed with the Korean Patent Office on July 29, 2014 and the Korean Patent Application No. 10-2014-0126749 filed with the Korean Patent Office on September 23, 2014. Claiming benefit, the entire contents of which are incorporated herein by reference.
본 명세서는 전도성 적층체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 명세서는 투명 전도성층과 금속층을 모두 포함하는 전도성 적층체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present specification relates to a conductive laminate and a method of manufacturing the same. More specifically, the present disclosure relates to a conductive laminate including both a transparent conductive layer and a metal layer, and a method of manufacturing the same.
현재 터치센서를 제조하는 데에 있어서, ITO 투명 전극이 주로 사용되고 있다. 통상 터치센서의 화면부의 경우 ITO 투명 전극이 사용되며, 배선부의 경우 상대적으로 저항이 작은 금속이 사용되고 있다. 최근 좁은 베젤(narrow bezel)에 대한 요구가 커지면서, ITO 상에 금속을 증착한(metal on ITO) 필름에 대한 수요가 증대되고 있다.At present, in manufacturing touch sensors, ITO transparent electrodes are mainly used. In general, an ITO transparent electrode is used for the screen portion of the touch sensor, and a metal having a relatively low resistance is used for the wiring portion. Recently, as the demand for narrow bezels increases, the demand for metal on ITO films is increasing.
좁은 베젤은 제한된 모바일 기기의 크기에서 터치화면 대형화가 가능하며 화면의 고해상도 경항에 따라서 채널수가 많아지면서 금속 배선폭은 점차 줄어들고 있는 추세와 관련이 있다.Narrow bezels can be used to increase the size of touch screens in limited mobile device sizes, and the width of metal wiring is gradually decreasing as the number of channels increases depending on the resolution of the screen.
통상, ITO층과 금속층을 포함하는 적층체의 제조시, 도 1에 나타난 바와 같이, 기재(PET) 위에 ITO층이 적층된 상태에서, ITO층을 결정화하고, 결정화된 ITO층 상에 금속층을 형성한 후, 금속층을 패턴화하는 방식을 이용한다.In general, in the manufacture of a laminate including an ITO layer and a metal layer, as shown in FIG. 1, in a state in which an ITO layer is laminated on a substrate (PET), the ITO layer is crystallized and a metal layer is formed on the crystallized ITO layer. After that, a method of patterning a metal layer is used.
본 발명자들은 투명 전도성층과 금속층을 포함하는 적층체의 제조시, 비결정성 투명 전도성층 상에 금속층을 형성한 후에 투명 전도성층을 결정화하는 방법을 밝혀내어 본 발명에 이르렀다.The present inventors have found a method of crystallizing a transparent conductive layer after forming a metal layer on an amorphous transparent conductive layer in manufacturing a laminate including a transparent conductive layer and a metal layer.
본 명세서의 일 실시상태는,One embodiment of the present specification,
기재, 상기 기재 상에 구비된 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층을 포함하는 적층체를 준비하는 단계; 및Preparing a laminate comprising a substrate, a transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer; And
상기 적층체를 원적외선 히터 내부에서 열처리함으로써, 상기 적층체 중 투명 전도성층을 결정화하는 단계를 포함하고,Heat-treating the laminate inside a far-infrared heater to crystallize the transparent conductive layer of the laminate,
상기 투명 전도성층을 결정화하는 단계는,Crystallizing the transparent conductive layer,
상기 적층체의 기재측의 온도 T1을 측정하는 단계;Measuring the temperature T1 on the substrate side of the laminate;
상기 적층체의 금속층측의 온도 T2를 측정하는 단계; 및Measuring the temperature T2 on the metal layer side of the laminate; And
상기 기재측과 상기 금속층측의 온도의 차(T1 - T2)에 대응하는 온도만큼 상기 원적외선 히터의 온도를 높이는 단계를 포함하는 것인, 금속층 및 결정화된 투명 전도성층 함유 적층체의 제조방법을 제공한다.Providing a method of manufacturing a metal layer and a crystallized transparent conductive layer-containing laminate comprising the step of increasing the temperature of the far-infrared heater by a temperature corresponding to the difference (T1-T2) of the temperature between the substrate side and the metal layer side. do.
본 명세서의 또 하나의 실시상태는,Another embodiment of the present specification,
전술한 금속층 및 결정화된 투명 전도성층 함유 적층체의 제조방법에 의하여 금속층 및 결정화된 투명 전도성층 함유 적층체를 제조하는 단계; 및Preparing a metal layer and a crystallized transparent conductive layer-containing laminate by the method for producing a metal layer and a crystallized transparent conductive layer-containing laminate as described above; And
상기 적층체의 금속층을 패턴화하는 단계를 포함하는, 금속 패턴 및 투명 전도성층 함유 적층체의 제조방법을 제공한다.It provides a method of manufacturing a metal pattern and a transparent conductive layer-containing laminate comprising the step of patterning a metal layer of the laminate.
본 명세서의 또 하나의 실시상태는,Another embodiment of the present specification,
기재, 상기 기재 상에 구비된 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층을 포함하는 적층체를 준비하는 단계; 및Preparing a laminate comprising a substrate, a transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer; And
상기 적층체를 원적외선 히터 내부에서 열처리하는 단계를 포함하고,Heat treating the laminate inside a far-infrared heater,
상기 열처리하는 단계는,The heat treatment step,
상기 적층체의 기재측의 온도 T1을 측정하는 단계;Measuring the temperature T1 on the substrate side of the laminate;
상기 적층체의 금속층측의 온도 T2를 측정하는 단계; 및Measuring the temperature T2 on the metal layer side of the laminate; And
상기 기재측과 상기 금속층측의 온도의 차(T1 - T2)에 대응하는 온도를 계산하는 단계를 포함하는, 원적외선 히터에 의하여 금속층 및 투명 전도성층 함유 적층체의 투명 전도성층 결정화시 온도 조건 설정 방법을 제공한다.A method for setting temperature conditions when crystallizing a transparent conductive layer of a metal layer and a transparent conductive layer-containing laminate by a far-infrared heater, comprising calculating a temperature corresponding to a difference (T1-T2) of the temperature between the substrate side and the metal layer side. To provide.
본 명세서의 또 하나의 실시상태는,Another embodiment of the present specification,
전술한 원적외선 히터에 의하여 금속층 및 투명 전도성층 함유 적층체의 투명 전도성층 결정화시 온도 조건 설정 방법에 의하여 투명 전도성층 결정화 온도를 설정하는 단계;Setting a transparent conductive layer crystallization temperature by a method of setting temperature conditions when crystallizing the transparent conductive layer of the metal layer and the transparent conductive layer-containing laminate by the above-described far infrared heater;
기재, 상기 기재 상에 구비된 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층을 포함하는 적층체를 원적외선 히터 또는 박스 오븐(box oven)을 이용하여 열처리 하는 단계로서, 열처리 온도를 상기 설정된 투명 전도성층 결정화 온도를 이용하여 설정하는 단계를 포함하는, 금속층 및 결정화된 투명 전도성층 함유 적층체의 제조방법을 제공한다.Heat-treating a laminate including a substrate, a transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer using a far-infrared heater or a box oven, wherein the heat treatment temperature is set. It provides a method for producing a metal layer and a crystallized transparent conductive layer-containing laminate comprising the step of setting using a transparent conductive layer crystallization temperature.
본 명세서의 또 하나의 실시상태는, 기재, 상기 기재 상에 구비된 비결정성 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층을 포함하는 적층체를 제공한다.Another embodiment of the present specification provides a laminate including a substrate, an amorphous transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 적층체의 상기 기재의 투명 전도성층이 구비된 면의 반대면 및 상기 금속층의 투명 전도성층이 구비된 면의 반대면에 각각 점착층이 구비된다.According to yet an embodiment of the present disclosure, the adhesive layer is provided on the opposite side of the surface provided with the transparent conductive layer of the substrate and the opposite surface of the metal layer provided with the transparent conductive layer, respectively.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 적층체의 상기 기재의 투명 전도성층이 구비된 면의 반대면 및 상기 금속층의 투명 전도성층이 구비된 면의 반대면에 각각 점착층이 구비되고, 상기 기재 상의 점착층 및 상기 금속층 상의 점착층 각각에 점착된 온도측정장치가 구비된다.According to yet an embodiment of the present disclosure, the adhesive layer is provided on the opposite side of the surface provided with the transparent conductive layer of the substrate and the opposite side of the surface provided with the transparent conductive layer of the metal layer, A temperature measuring device attached to each of the pressure-sensitive adhesive layer on the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer on the metal layer is provided.
본 명세서의 또 하나의 실시상태는,Another embodiment of the present specification,
적외선 램프;Infrared lamps;
상기 적외선 램프로부터 발생되는 원적외선이 도달하는 영역에 구비된, 결정화 샘플을 수용하도록 구비된 샘플 스테이지; 및A sample stage provided to receive a crystallization sample provided in a region where far infrared rays generated from the infrared lamp reach; And
상기 결정화 샘플의 상부와 하부의 온도 차이 만큼 온도를 높이도록 온도를 조절하는 온도 제어기를 포함하는 원적외선 히터를 제공한다.It provides a far-infrared heater including a temperature controller that adjusts the temperature to increase the temperature by the temperature difference between the top and bottom of the crystallized sample.
본 명세서의 또 하나의 실시상태는, 전술한 실시상태들에 따른 방법에 의하여 제조되고, 기재, 상기 기재 상에 구비된 결정화된 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층이 구비된 적층체를 제공한다.Another embodiment of the present specification is prepared by the method according to the embodiments described above, and provided with a substrate, a crystallized transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer. It provides a laminate.
본 명세서의 또 하나의 실시상태는, 전술한 실시상태들에 따른 방법에 의하여 제조되고, 기재, 상기 기재상에 구비된 결정화된 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속 패턴이 구비된 적층체를 제공한다.Another embodiment of the present specification is prepared by the method according to the above-described embodiments, and provided with a substrate, a crystallized transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal pattern provided on the transparent conductive layer. To provide a laminate.
본 명세서의 또 하나의 실시상태는,Another embodiment of the present specification,
기재,materials,
상기 기재 상에 구비된 비결정성 투명 전도성층,An amorphous transparent conductive layer provided on the substrate,
상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층, 및A metal layer provided on the transparent conductive layer, and
상기 금속층 상에 구비된, 적외선 흡수성 보호필름을 포함하는 전도성 적층체 전구체를 제공한다.Provided on the metal layer, provides a conductive laminate precursor comprising an infrared absorbing protective film.
본 명세서의 또 하나의 실시상태는,Another embodiment of the present specification,
기재, 상기 기재 상에 구비된 비결정성 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층을 포함하는 적층체를 준비하는 단계; 및Preparing a laminate comprising a substrate, an amorphous transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer; And
상기 적층체 상에 적외선 흡수성 보호필름을 적층하는 단계Stacking an infrared absorbing protective film on the laminate
를 포함하는 전도성 적층체 전구체의 제조방법을 제공한다.It provides a method for producing a conductive laminate precursor comprising a.
본 명세서의 또 하나의 실시상태는, 상기 전도성 적층체 전구체의 적어도 일면에 적외선을 조사하여 상기 비결정성 투명 전도성층을 결정화하는 단계를 포함하는 전도성 적층체의 제조방법을 제공한다.Another embodiment of the present specification provides a method of manufacturing a conductive laminate including the step of crystallizing the amorphous transparent conductive layer by irradiating infrared rays on at least one surface of the conductive laminate precursor.
본 명세서의 또 하나의 실시상태는,Another embodiment of the present specification,
기재,materials,
상기 기재 상에 구비된 결정성 투명 전도성층,A crystalline transparent conductive layer provided on the substrate,
상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층, 및A metal layer provided on the transparent conductive layer, and
상기 금속층 상에 구비된, 적외선 흡수성 보호필름을 포함하는 전도성 적층체를 제공한다.Provided on the metal layer, provides a conductive laminate comprising an infrared absorbing protective film.
본 명세서에 기재된 실시상태들에 따르면, ITO층과 같은 투명 전도성층 상에 금속층을 형성한 후에도, 상기 ITO층과 같은 투명 전도성층을 효율적으로 결정화할 수 있다.According to the exemplary embodiments described herein, even after the metal layer is formed on the transparent conductive layer such as the ITO layer, the transparent conductive layer such as the ITO layer can be efficiently crystallized.
또한, 상기 보호필름에 의하여 적외선 램프로부터 조사되는 적외선이 직접적으로 또는 금속층으로부터 반사된 적외선이 간접적으로 흡수됨으로써, 온도 상승 효과를 나타내므로, 금속층이 존재하는 경우에도 금속층의 적외선 반사 특성에 의하여 결정화 온도가 감소되는 문제를 방지할 수 있다.In addition, since the infrared rays irradiated from the infrared lamp by the protective film is absorbed directly or indirectly by the infrared rays reflected from the metal layer, the temperature increase effect is exhibited, and therefore, even when the metal layer is present, the crystallization temperature is determined by the infrared reflection characteristic of the metal layer. Can be prevented from being reduced.
또한, ITO층과 같은 투명 전도성층의 결정화 전에, 비결정성인 층 상에 금속층을 형성할 수 있기 때문에, 롤투롤 공정을 통하여 비결정성 투명 전도성층과 금속층을 적층할 수도 있으므로, 공정을 단순화할 수 있다.In addition, since the metal layer can be formed on the amorphous layer before the crystallization of the transparent conductive layer such as the ITO layer, the process can be simplified since the amorphous transparent conductive layer and the metal layer can be laminated through the roll-to-roll process. .
도 1은 종래기술에 따른 ITO 결정화 공정의 모식도를 나타낸 것이다.Figure 1 shows a schematic diagram of the ITO crystallization process according to the prior art.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 ITO 결정화 공정의 모식도를 나타낸 것이다.Figure 2 shows a schematic diagram of the ITO crystallization process according to one embodiment of the present specification.
도 3 및 도 4는 본 명세서의 실시상태들에 따른 ITO 결정화를 위한 원적외선 히터 내부 구조를 예시한 것이다.3 and 4 illustrate a far infrared heater internal structure for ITO crystallization according to the embodiments of the present disclosure.
도 5 및 도 6은 본 명세서의 실시상태들에 따른 적층체의 구조를 예시한 것이다.5 and 6 illustrate the structure of a laminate according to embodiments of the present disclosure.
도 7 및 도 8은 적외선 조사 방향에 따른 적외선의 진행방향의 모식도를 나타낸 것이다.7 and 8 show schematic diagrams of the traveling direction of the infrared rays according to the infrared irradiation direction.
도 9 내지 도 11은 적층체의 금속층의 예시적인 재료와 적외선 조사 방향에 따른 적층체의 상부와 하부의 온도를 나타낸 것이다.9-11 show exemplary materials of the metal layer of the laminate and temperatures of the top and bottom of the laminate along the direction of infrared irradiation.
도 12는 폴리이미드 점착 테이프의 부착 여부에 따른 IR 흡수 변화율을 나타낸 것이다.12 shows the rate of change in IR absorption depending on whether the polyimide adhesive tape is attached.
도 13은 본 명세서의 일 실시상태에 따라 결정화한 후의 ITO의 결정화 정도를 도시한 것이다.13 illustrates the degree of crystallization of ITO after crystallization according to one embodiment of the present specification.
도 14는 본 명세서의 일 실시상태에 따라 결정화한 후의 금속층의 반사율 감소를 나타낸 그래프이다.14 is a graph showing a decrease in reflectance of a metal layer after crystallization according to one embodiment of the present specification.
도 15는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 ITO 결정화 공정의 모식도를 나타낸 것이다.15 shows a schematic diagram of an ITO crystallization process according to one embodiment of the present specification.
도 16 및 도 17은 본 명세서의 실시상태들에 따른 전도성 적층체의 전구체 및 전도성 적층체의 구조를 각각 예시한 것이다.16 and 17 illustrate structures of the precursor and the conductive laminate of the conductive laminate according to the exemplary embodiments of the present disclosure, respectively.
도 18은 보호필름의 유무에 따른 ITO층까지 도달하는 적외선 소스에 의한 에너지 거동을 나타낸 모식도이다.Figure 18 is a schematic diagram showing the energy behavior by the infrared source to reach the ITO layer with or without the protective film.
도 19 및 도 20는 표 3에 기재된 실험결과를 나타내는 그래프이다.19 and 20 are graphs showing the experimental results shown in Table 3.
도 21 및 도 22는 표 4에 기재된 실험결과를 나타내는 그래프이다.21 and 22 are graphs showing experimental results shown in Table 4. FIG.
도 23은 금속과 고분자의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타낸 것이다.Figure 23 shows the infrared absorption spectrum of the metal and the polymer.
도 24 내지 도 26은 예시적인 고분자의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타낸 것이다.24 to 26 show infrared absorption spectra of exemplary polymers.
이하에서, 본 발명에 포함되는 실시상태들에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments included in the present invention will be described in detail.
본 명세서의 일 실시상태는 금속층 및 결정화된 투명 전도성층 함유 적층체의 제조방법으로서, 기재, 상기 기재 상에 구비된 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층을 포함하는 적층체를 준비하는 단계; 및 상기 적층체를 원적외선 히터 내부에서 열처리함으로써, 상기 적층체 중 투명 전도성층을 결정화하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 투명 전도성층을 결정화하는 단계는 상기 적층체의 기재측의 온도 T1을 측정하는 단계; 상기 적층체의 금속층측의 온도 T2를 측정하는 단계; 및 상기 기재측과 상기 금속층측의 온도의 차(T1 - T2)에 대응하는 온도만큼 상기 원적외선 히터의 온도를 높이는 단계를 포함한다.An exemplary embodiment of the present specification provides a method of manufacturing a metal layer and a crystallized transparent conductive layer-containing laminate, the laminate including a substrate, a transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer. Preparing; And crystallizing the transparent conductive layer of the laminate by heat-treating the laminate inside the far infrared heater. Here, the step of crystallizing the transparent conductive layer comprises the steps of measuring the temperature T1 of the substrate side of the laminate; Measuring the temperature T2 on the metal layer side of the laminate; And raising the temperature of the far-infrared heater by a temperature corresponding to the difference (T1-T2) of the temperature between the substrate side and the metal layer side.
원적외선(FIR, Far Infrared) 히터의 경우 일반적으로 적외선(IR) 램프의 소스에 의하여 발생된 원적외선을 이용하여 히터 내부 분위기 온도를 제어하는 방식이다. 원적외선이 히터 내부의 공기를 데우면 내부의 블로워(blower)에 의하여 승온된 공기가 순환되며, 이와 같은 방식으로 온도가 조절된다. 따라서, 이 온도를 구성하는 요소는 크게 내부 적외선에 의하여 데워진 분위기 온도와 방출되고 있는 적외선으로 나누어 볼 수 있다.Far Infrared (FIR) heaters generally control the atmosphere temperature inside the heater using the far infrared rays generated by the source of the infrared (IR) lamp. When the far infrared heats the air inside the heater, the air heated by the internal blower (blower) is circulated, and the temperature is controlled in this manner. Therefore, the elements constituting this temperature can be largely divided into the ambient temperature warmed by the internal infrared rays and the infrared rays emitted.
일반적으로 전도성 적층체의 기재로서 PET와 같은 플라스틱 기재 또는 ITO와 플라스틱 기재의 적층구조가 사용되며, 이들은 적외선 반사가 잘 일어나지 않는 물질이지만, 금속이 증착된 경우 금속은 적외선에 대한 반사율이 상대적으로 높고 장파장 영역의 적외선 흡수가 거의 없기 때문에 적외선 반사에 의한 열처리 기능이 저하될 우려가 존재할 것이라고 생각되어 왔다.In general, a plastic substrate such as PET or a laminate structure of ITO and plastic substrate is used as the substrate of the conductive laminate, and these are materials in which infrared reflection is not easily generated, but when the metal is deposited, the metal has a relatively high reflectance to infrared rays. Since there is little infrared absorption in a long wavelength region, it has been thought that there exists a possibility that the heat processing function by infrared reflection may fall.
또한, 기재, 투명 전도성층 및 금속층이 순차적으로 적층된 적층체를 열처리하여 투명 전도성층을 결정화하는 경우, 상기와 같은 금속의 적외선 반사 및 저흡수 특성 때문에, 금속층이 구비된 측과 기재가 구비된 측에서 온도가 상이하며, 이로 인하여 열처리 온도 설정에 어려움이 있다.In addition, when the transparent conductive layer is crystallized by heat-treating the laminate in which the base material, the transparent conductive layer, and the metal layer are sequentially stacked, due to the infrared reflection and low absorption characteristics of the metal, the side with the metal layer and the base material are provided. The temperature is different on the side, and thus there is a difficulty in setting the heat treatment temperature.
본 발명자들은 원적외선 히터에서 온도를 구성하는 요소 중 내부 분위기 온도가 차지하는 비중이 상대적으로 크고, 적외선이 차지하는 비중이 상대적으로 적다는 사실을 밝혀내고, 적외선이 온도에 미치는 영향 만큼을 보상해 줌으로서, 투명 전도성층 상에 금속층이 적층되어 있는 상태에서 투명 전도성층을 효율적으로 결정화할 수 있다는 본 발명에 도달하였다.The inventors have found that the proportion of the internal atmosphere temperature is relatively large and the proportion of infrared radiation is relatively small among the elements constituting the temperature in the far-infrared heater, and by compensating for the influence of infrared rays on the temperature, The present invention has been reached that the transparent conductive layer can be crystallized efficiently in a state in which a metal layer is laminated on the transparent conductive layer.
도 2는 상기 실시상태에 따른 공정 모식도를 나타낸 것이다. 종래기술을 도시한 도 1에서는 ITO 상에 금속층을 형성하기 전에 ITO 결정화를 수행하는 반면, 도 2에 따른 본 명세서의 실시상태에 따른 방법에서는 ITO 상에 금속층을 형성한 후 ITO 결정화를 수행한다. 도 2에서는 ITO라고 표시하였으나, 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니며, ITO 는 결정화가 필요한 투명 전도성 재료로 대체될 수 있다.Figure 2 shows a process schematic diagram according to the embodiment. In FIG. 1, which illustrates the prior art, ITO crystallization is performed before forming a metal layer on ITO, while the method according to the exemplary embodiment of the present disclosure according to FIG. 2 performs ITO crystallization after forming a metal layer on ITO. Although shown as ITO in FIG. 2, the scope of the present invention is not limited thereto, and ITO may be replaced with a transparent conductive material requiring crystallization.
본 명세서에 기재된 실시상태들은, 상기와 같이 금속층의 존재에 의하여 반사되거나, 흡수되지 않는 적외선이 온도에 미치는 영향을 보상하기 위하여, 투명 전도성층의 결정화시 상기 적층체의 기재측의 온도 T1을 측정하는 단계; 상기 적층체의 금속층측의 온도 T2를 측정하는 단계; 및 상기 기재측과 상기 금속층측의 온도의 차(T1 - T2)에 대응하는 온도 만큼 상기 원적외선 히터의 온도를 높이는 단계를 포함한다.The embodiments described herein measure the temperature T1 on the substrate side of the laminate during crystallization of the transparent conductive layer, in order to compensate for the effect of infrared light reflected or not absorbed by the presence of the metal layer on the temperature as described above. Doing; Measuring the temperature T2 on the metal layer side of the laminate; And raising the temperature of the far-infrared heater by a temperature corresponding to the difference (T1-T2) of the temperature between the substrate side and the metal layer side.
본 명세서에 있어서, 상기 기재는 특별히 한정되지 않으며, 당 기술분야에 알려진 재료를 이용할 수 있다. 예컨대, 유리, 플라스틱 기재, 플라스틱 필름 등을 이용할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the substrate is not particularly limited, and materials known in the art may be used. For example, glass, a plastic substrate, a plastic film, or the like may be used, but is not limited thereto.
상기 방법에 있어서, 열처리에 의한 결정화 전의 투명 전도성층은 비결정성이다. 투명 전도성층은 그 재료에 따라, 제조공정 중의 조건이나 조성에 의하여 열처리 전의 결정화 전 상태, 즉 비결정성 상태의 저항 및 열처리 후의 결정화된 상태, 즉 결정성 상태의 저항이 조절될 수 있다. 예컨대, 상기 투명 전도성층이 ITO층인 경우, ITO층은 예컨대 스퍼터를 이용하여 ITO 증착시 산소 유입량의 분율 및 ITO 타겟의 주석(Sn) 함량에 의하여 결정화 전 상태와 결정화 후 상태의 저항이 조절된다. 따라서, 본 명세서에 있어서, 용어 "비결정성" 및 "결정성"은 그 저항에 의하여 확인될 수 있다. 당업자는 재료에 따른 비결정성 상태의 저항과 결정성 상태의 저항을 확인할 수 있다.In the above method, the transparent conductive layer before crystallization by heat treatment is amorphous. According to the material, the transparent conductive layer can be adjusted according to the conditions or composition during the manufacturing process, the resistance before the heat treatment, that is, the amorphous state and the crystallized state after the heat treatment, that is, the resistance of the crystalline state. For example, when the transparent conductive layer is an ITO layer, the resistance of the pre-crystallization state and the post-crystallization state is controlled by the fraction of oxygen inflow during the ITO deposition and the tin (Sn) content of the ITO target using, for example, a sputter. Thus, in this specification, the terms "amorphous" and "crystalline" can be identified by their resistance. Those skilled in the art can ascertain the resistance of the amorphous state and the resistance of the crystalline state depending on the material.
본 명세서에 있어서, 상기 투명 전도성층으로는 투명 전도성 산화물층이 사용될 수 있다. 상기 투명 전도성 산화물로는 인듐 산화물, 아연 산화물, 인듐주석 산화물, 인듐아연 산화물, 인듐아연주석 산화물 및 비결정성 투명 전도성 고분자 등이 있으며, 이들은 1 종 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 일 예에 따르면, 상기 투명 전도성층은 인듐주석 산화물층이다.In the present specification, a transparent conductive oxide layer may be used as the transparent conductive layer. The transparent conductive oxides include indium oxide, zinc oxide, indium tin oxide, indium zinc oxide, indium zinc tin oxide, and amorphous transparent conductive polymers, and these may be used alone or in combination of two or more thereof. It doesn't happen. According to one example, the transparent conductive layer is an indium tin oxide layer.
상기 투명 전도성층의 두께는 15 ~ 20nm일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 투명 전도성층은 전술한 투명 전도성층용 재료를 이용하여 증착 공정 또는 인쇄 공정을 이용하여 형성될 수 있다.The thickness of the transparent conductive layer may be 15 ~ 20nm, but is not limited thereto. The transparent conductive layer may be formed using a deposition process or a printing process using the above-described transparent conductive layer material.
본 명세서에 있어서, 상기 금속층은 전도성을 갖는 금속을 포함하는 것이라면 특별히 한정되지 않는다. 상기 금속층의 재료로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 네오디뮴(Nd), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 및 이들의 합금 중 1종 또는 2종 이상이 사용될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 금속층은 단일층 또는 2층 이상의 적층구조를 가질 수 있다. 예컨대, 은(Ag)층, Ag-Pd-Cu 합금층, Cu-Ni/Cu/Cu-Ni 3층 구조, 알루미늄(Al)층, Ag/Mo 2층 구조, APC/Mo 2층 구조 등이 사용될 수 있다. Ag-Pd-Cu 합금층의 예로는 Ag 98중량%, Pd 1중량% 및 Cu 1중량%를 포함하는 합금층이 사용될 수 있다. Ag-Pd-Cu 합금층은 순수한 Ag층에 비하여 내식성, 이동저항성(migration resistance), 내열성 등의 신뢰성 측면과 부착성(밀착성)이 우수하다.In the present specification, the metal layer is not particularly limited as long as it includes a metal having conductivity. As the material of the metal layer, one or two or more of copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), neodymium (Nd), molybdenum (Mo), nickel (Ni), and alloys thereof may be used. However, the present invention is not limited thereto. The metal layer may have a single layer or a laminated structure of two or more layers. For example, a silver (Ag) layer, an Ag-Pd-Cu alloy layer, a Cu-Ni / Cu / Cu-Ni three-layer structure, an aluminum (Al) layer, an Ag / Mo two-layer structure, an APC / Mo two-layer structure, etc. Can be used. As an example of the Ag-Pd-Cu alloy layer, an alloy layer including 98 wt% Ag, 1 wt% Pd, and 1 wt% Cu may be used. The Ag-Pd-Cu alloy layer has excellent reliability and adhesion (adhesiveness) such as corrosion resistance, migration resistance, heat resistance, etc., compared to the pure Ag layer.
상기 금속층은 당 기술분야에 알려진 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 증착(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 습식 코팅, 증발, 전해 도금 또는 무전해 도금, 금속박의 라미네이션 등의 방법에 의하여 형성할 수 있다.The metal layer may be formed using a method known in the art. For example, it may be formed by a method such as evaporation, sputtering, wet coating, evaporation, electrolytic plating or electroless plating, lamination of metal foil, or the like.
또한, 상기 금속층을 인쇄방법에 의하여 형성할 수도 있다. 상기 금속층을 인쇄방법에 의하여 형성하는 경우, 금속을 포함하는 잉크 또는 페이스트를 이용할 수 있으며, 상기 페이스트는 금속 이외에, 바인더 수지, 용매, 글래스 프릿 등을 더 포함할 수도 있다.In addition, the metal layer may be formed by a printing method. When the metal layer is formed by a printing method, an ink or paste containing a metal may be used, and the paste may further include a binder resin, a solvent, a glass frit, and the like, in addition to the metal.
상기 금속층의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 0.01 ~ 30㎛인 것이 금속층의 전도도 및 패턴 형성 공정의 경제성 측면에서 보다 우수한 효과를 나타낼 수 있다.Although the thickness of the metal layer is not particularly limited, the thickness of 0.01 to 30 μm may exhibit more excellent effects in terms of the conductivity of the metal layer and the economics of the pattern forming process.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 투명 전도성층을 결정화하는 단계에서 결정화를 위한 열처리 조건은 투명 전도성층의 재료나 두께 등의 조건에 따라 당업자가 결정할 수 있다.According to one embodiment of the present specification, heat treatment conditions for crystallization in the step of crystallizing the transparent conductive layer may be determined by those skilled in the art according to conditions such as material or thickness of the transparent conductive layer.
열처리를 위한 원적외선 히터의 적외선 조사 방향은 금속층측, 기재측 또는 보호필름측일 수 있다. 다만, 적외선 조사 방향이 기재측 또는 보호필름측인 것이 금속층으로부터 반사된 적외선 에너지가 히터 내 승온에 영향을 미치므로, 적층체의 상부와 하부의 온도 차이를 줄이는데 이점이 있다.The infrared irradiation direction of the far infrared heater for heat treatment may be the metal layer side, the substrate side or the protective film side. However, the infrared irradiation direction is the substrate side or the protective film side, since the infrared energy reflected from the metal layer affects the temperature increase in the heater, there is an advantage in reducing the temperature difference between the top and bottom of the laminate.
도 7은 전술한 적층체의 금속층측에서 적외선을 조사한 경우의 적외선의 진행방향을 나타낸 모식도이다. 이 경우, 금속층으로 입사된 적외선 에너지의 많은 부분이 금속 반사에 의하여 소실되며, 일부만이 열에너지로 활용된다. 도 8은 전술한 적층체의 기재 또는 보호필름측에서 적외선을 조사한 경우의 적외선의 진행방향을 나타낸 모식도이다. 이 경우, 기재 또는 보호필름으로 입사된 적외선 에너지의 흡수가 금속층측으로 입사된 경우에 비하여 용이하므로, 적외선이 입사된 면의 반대측에 위치한 금속층에 의한 적외선 반사의 영향이 비교적 크지 않다.It is a schematic diagram which shows the advancing direction of the infrared rays when infrared rays are irradiated from the metal layer side of the laminated body mentioned above. In this case, much of the infrared energy incident on the metal layer is lost by the metal reflection, and only a part of the infrared energy is used as thermal energy. 8 is a schematic diagram showing a traveling direction of infrared rays when infrared rays are irradiated from the substrate or the protective film side of the laminate described above. In this case, the absorption of the infrared energy incident on the substrate or the protective film is easier than that when incident on the metal layer side, so the influence of the infrared reflection by the metal layer located on the opposite side of the plane where the infrared ray is incident is not relatively large.
도 9 내지 10은 PET 기재 상에 ITO층만을 형성하거나, ITO층 위에 추가로 금속층을 형성한 후, 원적외선 히터에서 155℃ 30분간 열처리했을 때, 금속층층(상부, top) 또는 기재측(하부, bottom)의 온도를 나타낸 것이다. 도 9는 금속층측에서 적외선을 조사한 것이고(normal), 도 10은 기재측에서 적외선을 조사한 것이다(reverse). 도 9에 비하여 도 10에서 상부와 하부의 온도차가 적은 것을 알 수 있다.9 to 10 are formed only on the ITO layer on the PET substrate, or after further forming a metal layer on the ITO layer, when heat-treated at 155 ℃ 30 minutes in a far infrared heater, the metal layer layer (top, top) or the substrate side (bottom, bottom temperature is shown. FIG. 9 is irradiated with infrared rays from the metal layer side (normal), and FIG. 10 is irradiated with infrared rays from the substrate side (reverse). Compared with FIG. 9, it can be seen that the temperature difference between the upper part and the lower part is smaller in FIG. 10.
하기 표 1은 ITO층 상에 구비된 금속층의 종류와 적외선 조사 방향에 따른 상부(금속층측)과 하부(기재측)의 온도를 나타낸 것이다. 이 온도도 역시 원적외선 히터에서 155℃ 30분간 열처리한 결과에 따른 것이다.Table 1 below shows the types of metal layers provided on the ITO layer and the temperatures of the upper side (metal layer side) and the lower side (substrate side) according to the infrared irradiation direction. This temperature is also a result of heat treatment at 155 ° C. for 30 minutes in a far infrared heater.
[표 1]TABLE 1
Figure PCTKR2015007889-appb-I000001
Figure PCTKR2015007889-appb-I000001
상기 표 1에 따르면, 자외선 조사 방향에 따라, 또한 금속층의 종류에 따라 적층체의 상부와 하부의 온도 차이가 다른 것을 알 수 있다. 예컨대, 상기 표 1에 기재된 적층구조들에서는 상부와 하부의 온도 편차가 3℃ 내지 32℃까지 차이가 난다. 본 명세서에 기재된 실시상태들에 따르면, 상기와 같은 온도 편차를 보상하는 공정을 수행함으로써, ITO와 같은 투명 전도성층의 결정화를 효율적으로 수행할 수 있다.According to Table 1, it can be seen that the temperature difference between the upper and lower portions of the laminate differs depending on the ultraviolet irradiation direction and the type of the metal layer. For example, in the laminated structures described in Table 1, the temperature deviation between the upper and lower portions is different from 3 ° C to 32 ° C. According to the exemplary embodiments described in the present specification, crystallization of a transparent conductive layer such as ITO may be efficiently performed by performing the above-described process of compensating for the temperature deviation.
상기 투명 전도성층의 열처리 온도는 100 ~ 180℃의 온도에서 수행될 수 있으나, 필요에 따라 조정될 수 있다. 예컨대, 상기 열처리 온도는 120 ~ 160℃의 온도일 수 있다.The heat treatment temperature of the transparent conductive layer may be carried out at a temperature of 100 ~ 180 ℃, it may be adjusted as necessary. For example, the heat treatment temperature may be a temperature of 120 ~ 160 ℃.
상기 투명 전도성층의 결정화는 결정화 전의 비결정성 상태로부터 예측된 결정화 후의 결정성 상태의 저항이 구현될 때까지 수행될 수 있으며, 예측된 저항이 구현되었을 때 결정화가 이루어졌음을 확인할 수 있다. 예컨대, 필름 상의 기재 상에 증착된 ITO층이 150℃에서 30분 정도 열처리를 수행하여 결정화가 이루어지도록, ITO층 형성 조건을 설정하여 ITO를 증착할 수 있다.The crystallization of the transparent conductive layer may be performed from the amorphous state before the crystallization until the resistance of the crystalline state after the crystallization is realized, it can be confirmed that the crystallization was made when the expected resistance is implemented. For example, the ITO layer may be deposited by setting the ITO layer formation conditions such that the ITO layer deposited on the substrate on the film is subjected to heat treatment at 150 ° C. for about 30 minutes to achieve crystallization.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 적층체의 기재측의 온도 T1 및 금속층측의 온도 T2를 측정하고, 이들의 온도차를 보상하는 단계를 수행하는 시기는 필요에 따라 결정될 수 있다. 예컨대, 상기 적층체의 기재측의 온도 T1 및 금속층측의 온도 T2를 측정하는 단계는 기재측의 온도 T1과 금속층측의 온도 T2 각각의 변화가 없을 때에 수행된다. 상기 온도 측정은 상기 적층체를 히터에 넣은 직후부터 측정하여 기재측의 온도 T1과 금속층측의 온도 T2 각각의 변화가 없을 때까지 측정할 수도 있고, 상기 적층체를 히터에 넣고 일정 기간, 예컨대 약 10분이 경과된 후부터 측정되어, 상기 온도들이 각각 변화가 없을 때까지 측정될 수 있다.According to one embodiment of the present specification, the timing of performing the step of measuring the temperature T1 of the substrate side and the temperature T2 of the metal layer side of the laminate and compensating these temperature differences may be determined as necessary. For example, the step of measuring the temperature T1 of the substrate side and the temperature T2 of the metal layer side of the laminate is performed when there is no change between the temperature T1 of the substrate side and the temperature T2 of the metal layer side. The temperature measurement may be measured immediately after the laminate is put in the heater and measured until there is no change in each of the temperature T1 on the substrate side and the temperature T2 on the metal layer side. Measured after 10 minutes have elapsed, the temperatures can be measured until there is no change in each.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 적층체는 상기 기재의 투명 전도성층이 구비된 면의 반대면에 구비된 보호필름이 추가로 포함한다. 이 때, 상기 기재측의 온도 T1를 측정하는 단계는 상기 보호필름측에서의 온도를 측정하게 된다. 또한, 기재측에 보호필름이 구비되는 경우, 전술한 점착층은 기재 상이 아닌 보호필름 상에 구비될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the laminate further includes a protective film provided on the opposite side of the surface provided with a transparent conductive layer of the substrate. At this time, the step of measuring the temperature T1 of the substrate side is to measure the temperature on the protective film side. In addition, when the protective film is provided on the substrate side, the above-described adhesive layer may be provided on the protective film rather than on the substrate.
본 명세서에 있어서, 상기 보호필름은 제조 공정 도중 또는 최종 제품의 사용시 기재를 보호하는 역할을 한다. 보호필름의 재료로는 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 사용될 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 보호필름으로서, 금속에 비하여 적외선 등을 흡수하기 용이한 고분자 재질로 이루어진 필름이 사용될 수 있다. 구체적인 예로서, 상기 보호필름으로는 PET 필름이 이용될 수 있다. In the present specification, the protective film serves to protect the substrate during the manufacturing process or when using the final product. As the material of the protective film, those known in the art may be used. According to one example, as the protective film, a film made of a polymer material that is easy to absorb infrared rays, etc. as compared to the metal may be used. As a specific example, a PET film may be used as the protective film.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 적층체의 기재의 투명 전도성층이 구비된 면의 반대면 및 상기 적층체의 금속층의 투명 전도성층이 구비된 면의 반대면에 각각 점착층이 구비된다. 이와 같은 점착층은 상기 적층체의 금속층이 구비된 상부와 기재가 구비된 하부의 온도차를 측정하기 위하여 온도측정장치를 점착시키기 위한 용도로 사용될 수 있다. 상하부 온도 측정이 정확하게 이루어지기 위하여 상기 금속층 상에 구비된 점착층과 상기 기재 상에 구비된 점착층은 동일한 재료로 이루어진 것이 바람직하다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the adhesive layer is provided on the opposite side of the surface provided with the transparent conductive layer of the substrate of the laminate and the opposite side of the surface provided with the transparent conductive layer of the metal layer of the laminate. Such a pressure-sensitive adhesive layer may be used for the purpose of adhering the temperature measuring device to measure the temperature difference between the upper portion provided with the metal layer of the laminate and the lower portion provided with the substrate. In order to accurately measure the upper and lower temperatures, the adhesive layer provided on the metal layer and the adhesive layer provided on the substrate are preferably made of the same material.
상기 점착층은 IR 흡수를 하나는 재료가 이용될 수 있다. 상기 점착층의 구체적인 예로서 폴리이미드 점착 테이프가 사용될 수 있다.The adhesive layer may be a material that has IR absorption. As a specific example of the adhesive layer, a polyimide adhesive tape may be used.
본 명세서의 일 예에 따라, 폴리이미드 점착 테이프를 전술한 적층체에 부착하였을 때의 IR 흡수 변화를 도 12에 나타내었다. 여기서, IR 흡수 변화는 UV-vis 장비로 측정한 흡수 스펙트럼 계산값(Absorption=100-T-R)에 기초한 것이다.According to an example of the present specification, the IR absorption change when the polyimide adhesive tape is attached to the above-described laminate is shown in FIG. 12. Here, the IR absorption change is based on the absorption spectrum calculation value (Absorption = 100-T-R) measured by UV-vis equipment.
도 12에 있어서, 샘플은 하기 표 2와 같이 구성하였다.In Figure 12, the sample was configured as shown in Table 2.
[표 2]TABLE 2
Figure PCTKR2015007889-appb-I000002
Figure PCTKR2015007889-appb-I000002
도 12에 따르면, IR이 조사되는 측에 폴리이미드 점착 테이프가 구비된 경우(#3, #4), 폴리이미드 점착 테이프가 구비되지 않은 경우에 비하여 IR 흡수율이 향상되었음을 확인할 수 있었다. 이는, 적층체의 표면 온도 측정을 위하여 적층체에 폴리이미드와 같은 고분자를 붙이게 되면, 고분자의 IR 흡수로 인하여 온도 상승 효과가 나타나며, 이는 기재측에서 IR을 조사하거나 금속측에서 IR을 조사하는 경우 모두에서 나타나는 것을 보여준다. 도 12에 있어서, #2의 그래프는 #4의 그래프와 동일하게 겹쳐있다.According to FIG. 12, when the polyimide adhesive tape was provided (# 3, # 4) on the IR-irradiated side, it was confirmed that the IR absorption rate was improved as compared with the case where the polyimide adhesive tape was not provided. When a polymer such as polyimide is attached to the laminate to measure the surface temperature of the laminate, a temperature increase effect occurs due to the IR absorption of the polymer, which is the case of irradiating IR from the substrate side or IR irradiation from the metal side. Shows what appears in all. In Fig. 12, the graph of # 2 overlaps with the graph of # 4.
도 12에 있어서, #1과 #5의 IR 흡수율 차이가 #2와 #6의 흡수율 차이에 비하여 적게 나타났는데, 이는 적층체의 금속측에서 IR을 조사하는 경우, 금속의 반대면에 구비된 폴리이미드 테이프는 IR 흡수에 미치는 영향이 적은 것을 나타낸다. 한편, 도 12에 있어서, #1과 #3의 IR 흡수율 차이에 비하여 #2와 #4의 IR 흡수율의 차이가 더 크게 나타났는데, 이는 폴리이미드와 기재를 구성하는 폴리머 각각의 흡수율의 합으로 인하여 IR 흡수율이 증가한 것임을 보여준다.In FIG. 12, the difference in the IR absorption rates of # 1 and # 5 was smaller than that of the absorption rates of # 2 and # 6, which means that when the IR is irradiated from the metal side of the laminate, the poly provided on the opposite side of the metal The mid tape shows little influence on IR absorption. Meanwhile, in FIG. 12, the difference in IR absorption rates of # 2 and # 4 was larger than that of IR absorptions of # 1 and # 3, which is due to the sum of the absorption rates of each of the polymers constituting the substrate and the polyimide. It shows that the IR absorption rate is increased.
따라서, 히터 내에서의 상기 적층체의 상부와 하부의 온도 측정시 폴리이미드 테이프와 같은 점착층의 IR 흡수가 적거나 거의 없는 기재층에서 IR을 조사하는 것이, 보다 정확한 온도 관계를 도출하는데 유리하다.Therefore, it is advantageous to derive IR from the base layer with little or no IR absorption of the adhesive layer, such as polyimide tape, when measuring the temperature of the upper and lower parts of the laminate in the heater. .
상기 폴리이미드 점착 테이프로는 시판되는 것을 이용할 수 있으며, 예컨대 상품명 Kapton 테이프를 사용할 수 있다. 예컨대, 상기 폴리이미드 점착 테이프는 두께 30-200 마이크로미터를 갖는 것이 사용될 수 있다. 상기 폴리이미드 점착 테이프는 예컨대 금속에의 부착력이 0.5 내지 12 N/25mm, 신장성(elongation) 40-70%, 파괴 전압 4-10 Kv, 내열성(short-time) 150-280℃에서 선택되는 1 이상의 물성을 가질 수 있다. 테이프의 폭은 필요에 따라 선택될 수 있으며, 예컨대 5 내지 100mm의 폭을 갖는 테이프를 사용할 수 있다.A commercially available thing can be used as said polyimide adhesive tape, For example, a brand name Kapton tape can be used. For example, the polyimide adhesive tape may be used having a thickness of 30-200 micrometers. The polyimide adhesive tape is selected from, for example, an adhesion force to a metal of 0.5 to 12 N / 25mm, elongation 40-70%, breakdown voltage 4-10 Kv, and short-time 150-280 ° C. It may have the above physical properties. The width of the tape can be selected as needed, for example, a tape having a width of 5 to 100 mm can be used.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 적층체의 기재의 투명 전도성층이 구비된 면의 반대면 및 상기 적층체의 금속층의 투명 전도성층이 구비된 면의 반대면에 각각 점착층이 구비되고, 상기 기재 상의 점착층 및 상기 금속층 상의 점착층 각각에 점착된 온도측정장치가 추가로 구비된다. 상기 온도측정장치로는 써멀 커플(thermal couple)이 사용될 수 있다. 상기 써멀 커플은 상기 적층체에 적접 또는 전술한 점착층에 의하여 부착되어 온도를 감지할 수 있다. 상기 써멀 커플은 선의 형태를 가질 수도 있으나, 온도를 감지할 수 있는 것이라면 특별히 한정되지 않는다. 상기 온도측정장치는 상기 써멀 커플에 유선 또는 무선으로 감지된 온도 정보를 수신하여 기록할 수 있는 온도 데이터 레코드를 더 포함할 수 있다. 이 때, 상기 온도 데이터 레코드는 상기 적층체에 직접 또는 점착제를 통하여 부착되지 않고, 써멀 커플만이 상기 적층체에 부착되어 온도를 감지할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the adhesive layer is provided on the opposite side of the surface provided with the transparent conductive layer of the substrate of the laminate and the opposite side of the surface provided with the transparent conductive layer of the metal layer of the laminate, A temperature measuring device attached to each of the pressure-sensitive adhesive layer on the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer on the metal layer is further provided. A thermal couple may be used as the temperature measuring device. The thermal couple may be attached to the laminate by the adhesive layer described above or may sense a temperature. The thermal couple may be in the form of a line, but is not particularly limited as long as it can sense the temperature. The temperature measuring device may further include a temperature data record capable of receiving and recording temperature information detected by the thermal couple by wire or wirelessly. In this case, the temperature data record is not directly attached to the laminate or through an adhesive, and only a thermal couple is attached to the laminate to sense a temperature.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 전술한 실시상태들에 따른 방법은 상기 적층체를 원적외선 히터 내부에서 열처리하기 위하여 상기 적층체를 컨베이어 벨트를 이용하여 적층체를 원적외선 히터 내부로 이동시키는 단계를 더 포함한다.According to one embodiment of the present specification, the method according to the embodiments described above further comprises the step of moving the stack into a far infrared heater using a conveyor belt to heat-treat the stack in a far infrared heater. Include.
일 예에 따르면, 상기 컨베이어 벨트는 상기 적층체를 연속적으로 상기 원적외선 히터의 외부로부터 내부를 거쳐 외부로 이동시키도록 구비될 수 있다.According to one example, the conveyor belt may be provided to continuously move the laminate from the outside of the far infrared heater to the outside through the inside.
또 다른 예에 따르면, 상기 컨베이어 벨트는 상기 적층체를 상기 원적외선 히터의 외부로부터 내부로 이동시킨 후 정지되고, 투명 전도성층 결정화가 수행된 후에, 상기 적층체를 상기 원적외선 히터 외부로 이동시키도록 구비될 수 있다.According to another example, the conveyor belt is stopped after moving the laminate from the outside to the inside of the far-infrared heater, and is stopped to move the laminate to the outside of the far-infrared heater after the transparent conductive layer crystallization is performed. Can be.
도 3은 일 예에 따른 원적외선 히터의 내부를 나타낸 모식도를 나타낸 것이다. 도 3에 따른 히터 내부에는 컨베이어벨트가 구비되어 있고, 컨베이어벨트 상에는 전술한 적층체가 수용되는 스테이지가 구비되어 있다. 상기 스테이지는 필요에 따라 구비될 수도 있으나, 구비되지 않을 수도 있다.Figure 3 shows a schematic diagram showing the interior of the far-infrared heater according to an example. A conveyor belt is provided inside the heater according to FIG. 3, and a stage on which the above-mentioned stack is accommodated is provided on the conveyor belt. The stage may be provided as needed, but may not be provided.
일 실시상태에 따르면, 상기 컨베이어 벨트는 상기 적층체를 수용할 수 있는 스테이지를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the conveyor belt may include a stage capable of receiving the stack.
전술한 실시상태들에 있어서, 상기 적층체를 원적외선 히터 외부로 이동시키는 수단은 컨베이어 벨트에 한정되지 않는다. 예컨대, 상기 원적외선 히터 내부에 롤을 설치하고, 상기 적층체가 연속적으로 상기 롤의 표면에 공급되는 방식을 이용하여, 상기 적층체가 히터 내부로 이동될 수 있다. 상기 롤이 전술한 적층체를 수용하는 스테이지의 역할을 할 수 있다. 도 4에 원적외선 히터 내에 상기 적층체를 지지하는 수단으로 롤이 구비된 예를 도시하였다.In the above-described embodiments, the means for moving the stack outside the far infrared heater is not limited to the conveyor belt. For example, by installing a roll inside the far-infrared heater and using the method in which the stack is continuously supplied to the surface of the roll, the stack may be moved into the heater. The roll may serve as a stage to accommodate the laminate described above. 4 shows an example in which a roll is provided as a means for supporting the laminate in the far infrared heater.
본 명세서의 또 하나의 실시상태는, 전술한 금속층 및 결정화된 투명 전도성층 함유 적층체의 제조방법에 의하여 금속층 및 결정화된 투명 전도성층 함유 적층체를 제조하는 단계; 및 상기 적층체의 금속층을 패턴화하는 단계를 포함하는, 금속 패턴 및 투명 전도성층 함유 적층체의 제조방법을 제공한다.Another embodiment of the present specification includes the steps of preparing a metal layer and a crystallized transparent conductive layer-containing laminate by the method for producing a metal layer and a crystallized transparent conductive layer-containing laminate as described above; And patterning a metal layer of the laminate, to provide a method of manufacturing a laminate including a metal pattern and a transparent conductive layer.
상기 금속층을 패턴화하는 방법은 당 기술분야에 알려져 있는 방법을 이용할 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 금속층의 패턴화를 위하여 포토레지스트 방법을 이용할 수 있다. 구체적으로, 상기 금속층 상에 포토레지스트 패턴을 선택적 노광 및 현상에 의하여 형성하거나, 레지스트 패턴을 인쇄방법에 의하여 형성하고, 레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 레지스트 패턴에 의하여 도포되지 않은 금속층을 선택적으로 식각하는 방법을 이용할 수 있다.The method for patterning the metal layer may use a method known in the art, and is not particularly limited. For example, a photoresist method may be used for patterning the metal layer. Specifically, a photoresist pattern is formed on the metal layer by selective exposure and development, or a resist pattern is formed by a printing method, and the metal layer that is not applied by the resist pattern is selectively etched using the resist pattern as a mask. Method can be used.
상기 방법에 의하여 패턴화된 금속 패턴의 선폭, 선간격은 최종 용도에 따라 설계될 수 있다. 예컨대, 패턴의 선폭은 0 초과 50㎛ 이하일 수 있고, 0 초과 30㎛ 이하일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The line width and line spacing of the metal pattern patterned by the above method can be designed according to the end use. For example, the line width of the pattern may be greater than 0 and 50 µm or less, but may be greater than 0 and 30 µm or less, but is not limited thereto.
본 명세서의 또 하나의 실시상태는, 기재, 상기 기재 상에 구비된 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층을 포함하는 적층체를 준비하는 단계; 및 상기 적층체를 원적외선 히터 내부에서 열처리하는 단계를 포함하고, 상기 열처리하는 단계는, 상기 적층체의 기재측의 온도 T1을 측정하는 단계; 상기 적층체의 금속층측의 온도 T2를 측정하는 단계; 및 상기 기재측과 상기 금속층측의 온도의 차(T1 - T2)에 대응하는 온도를 계산하는 단계를 포함하는, 원적외선 히터에 의하여 금속층 및 투명 전도성층 함유 적층체의 투명 전도성층 결정화시 온도 조건 설정 방법을 제공한다.Another embodiment of the present specification, preparing a laminate comprising a substrate, a transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer; And heat-treating the laminate inside the far-infrared heater, wherein the heat treatment includes: measuring a temperature T1 of the substrate side of the laminate; Measuring the temperature T2 on the metal layer side of the laminate; And calculating a temperature corresponding to the difference between the temperatures of the substrate side and the metal layer (T1-T2), when crystallizing the transparent conductive layer of the metal layer and the transparent conductive layer-containing laminate by a far-infrared heater. Provide a method.
상기 실시상태에 있어서, 상기 계산된 기재측과 상기 금속층측의 온도의 차(T1 - T2)에 대응하는 온도를 기초로 투명 전도성층 결정화시 온도 조건을 설정할 수 있으며, 예컨대, 상기 온도 조건은 상기 열처리 단계에서의 온도에서 온도의 차 만큼 상승된 온도로 설정될 수 있다.In the above exemplary embodiment, a temperature condition may be set at the time of crystallizing the transparent conductive layer based on a temperature corresponding to the difference (T1-T2) between the calculated substrate side and the metal layer side. The temperature increased by the difference in temperature in the temperature in the heat treatment step can be set.
상기와 같이, 실제 공정에 적용하기 이전에 적층체 샘플을 이용하여 원적외선 히터에 의하여 투명 전도성층 결정화시 온도 조건을 설정함으로써, 실제 공정에서의 온도 조건을 보다 효율적으로 설정할 수 있다.As described above, by setting the temperature conditions at the time of crystallizing the transparent conductive layer by the far-infrared heater using the laminate sample before applying them to the actual process, the temperature conditions in the actual process can be set more efficiently.
본 명세서의 또 하나의 실시상태는, 전술한 원적외선 히터에 의하여 금속층 및 투명 전도성층 함유 적층체의 투명 전도성층 결정화시 온도 조건 설정 방법에 의하여 투명 전도성층 결정화 온도를 설정하는 단계; 및 기재, 상기 기재 상에 구비된 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층을 포함하는 적층체를 원적외선 히터 또는 박스 오븐(box oven)을 이용하여 열처리 하는 단계로서, 열처리 온도를 상기 결정된 투명 전도성층 결정화 온도를 이용하여 설정하는 단계를 포함하는, 금속층 및 결정화된 투명 전도성층 함유 적층체의 제조방법을 제공한다.Another embodiment of the present specification, the transparent conductive layer crystallization temperature by the method for setting the temperature conditions during the crystallization of the transparent conductive layer of the metal layer and the transparent conductive layer-containing laminate by the above-described far infrared heater; And heat treating a laminate including a substrate, a transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer using a far infrared ray heater or a box oven, wherein the heat treatment temperature is measured. It provides a method for producing a metal layer and a crystallized transparent conductive layer-containing laminate comprising the step of setting using the determined transparent conductive layer crystallization temperature.
상기 열처리하는 단계에 있어서 원적외선 히터를 이용하는 경우, 상기 결정화 온도를 설정하는 단계에서 측정 및 계산된 상기 적층체의 상부 및 하부 온도의 차이를 기초로 이들의 온도 차이만큼(T1 - T2) 보상된 온도를 열처리 온도로서 설정할 수 있다. 한편, 상기 열처리하는 단계에서 박스 오븐을 이용하는 경우, 상기 결정화 온도를 설정하는 단계에서 상기 적층체의 기재측에서 측정된 온도를 열처리 온도로서 설정할 수 있다.When using the far-infrared heater in the heat treatment step, the temperature compensated by their temperature difference (T1-T2) based on the difference between the upper and lower temperatures of the laminate measured and calculated in setting the crystallization temperature. Can be set as the heat treatment temperature. On the other hand, when using a box oven in the heat treatment step, the temperature measured on the substrate side of the laminate in the step of setting the crystallization temperature may be set as the heat treatment temperature.
본 명세서의 또 하나의 실시상태는, 기재, 상기 기재 상에 구비된 비결정성 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층을 포함하는 적층체를 제공한다. 종래에는 금속층을 형성하기 전에 투명 전도성층을 결정화하는 방법을 이용하였으므로, 상기와 같은 구조의 적층체가 존재하지 않았다. 상기와 같은 적층체는 투명 전도성층이 비결정성인 상태에서 그 위에 금속층을 형성하므로, 롤투롤 공정을 이용할 수 있으며, 이에 의하여 공정을 단순화할 수 있다. 도 5는 상기 실시상태에 따른 적층체의 구조를 예시한 것이다.Another embodiment of the present specification provides a laminate including a substrate, an amorphous transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer. Conventionally, since a method of crystallizing the transparent conductive layer is used before forming the metal layer, the laminate having the above structure does not exist. Since the laminate as described above forms a metal layer thereon in a state in which the transparent conductive layer is amorphous, a roll-to-roll process may be used, thereby simplifying the process. 5 illustrates the structure of a laminate according to the embodiment.
상기 적층체의 기재가 구비된 면에는 추가로 보호필름이 구비될 수 있다. 상기 보호필름은 전술한 방법에 관한 실시상태에서 기재한 내용이 적용될 수 있다.The protective film may be additionally provided on the surface of the laminate. The protective film may be applied to the contents described in the embodiment of the method described above.
상기 적층체는, 전술한 결정화 방법에 이용하기 위하여, 상기 기재의 투명 전도성층이 구비된 면의 반대면 및 상기 금속층의 투명 전도성층이 구비된 면의 반대면에 각각 점착층이 구비될 수 있다. 상기 기재 상의 점착층 및 상기 금속층 상의 점착층 각각에 점착된 온도측정장치가 구비되어, 이들의 온도차를 보상할 수 있도록 구성될 수 있다. 상기 적층체에 대한 구성은 전술한 방법에 관한 실시상태들에서 설명한 내용이 적용될 수 있다.In order to use the above-mentioned crystallization method, the laminate may be provided with a pressure-sensitive adhesive layer on an opposite side of the surface provided with the transparent conductive layer of the substrate and an opposite side of the surface provided with the transparent conductive layer of the metal layer. . A temperature measuring device attached to each of the pressure-sensitive adhesive layer on the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer on the metal layer may be provided and configured to compensate for the temperature difference thereof. The configuration of the laminate may be applied to the contents described in the embodiments of the method described above.
본 명세서의 또 하나의 실시상태는, 적외선 램프, 상기 적외선 램프로부터 발생되는 원적외선이 도달하는 영역에 구비된, 결정화 샘플을 수용하도록 구비된 샘플 스테이지; 및 상기 결정화 샘플의 상부와 하부의 온도 차이 만큼 온도를 높이도록 온도를 조절하는 온도 제어기를 포함하는 원적외선 히터를 제공한다.Another exemplary embodiment of the present specification includes an infrared lamp, a sample stage provided to receive a crystallized sample provided in a region where far infrared rays generated from the infrared lamp reach; And it provides a far-infrared heater comprising a temperature controller for adjusting the temperature to increase the temperature by the temperature difference between the top and bottom of the crystallized sample.
상기 결정화 샘플은 전술한 기재, 상기 기재 상에 구비된 비결정성 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층을 포함하는 적층체일 수 있다.The crystallization sample may be a laminate including the substrate described above, an amorphous transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer.
상기 원적외선 히터는 상기 결정화 샘플의 상부와 하부의 온도 차이 만큼 온도를 높이도록 온도를 조절하는 온도 제어기를 가짐으로써, 전술한 방법에 관한 실시상태들에서, 투명 전도성층 상에 금속층이 형성된 상태에서 투명 전도성층을 효율적으로 결정화할 수 있다.The far-infrared heater has a temperature controller that adjusts the temperature to increase the temperature by a temperature difference between the upper and lower portions of the crystallized sample, so that in the embodiments of the above-described method, the metal layer is formed on the transparent conductive layer. The conductive layer can be crystallized efficiently.
상기 온도 제어기는 사용자가 상기 결정화 샘플, 예컨대 전술한 적층체의 상부와 하부의 온도차를 인지하고, 이들의 온도차를 보상하기 위하여 온도를 제어할 수 있도록, 상기 결정화 샘플의 상부와 하부의 온도를 각각 측정하는 수단; 상기 결정화 샘플의 상부와 하부의 온도를 각각 표시하는 표시수단; 및/또는 상기 결정화 샘플의 상부와 하부의 온도를 각각 측정하고, 이들 온도의 차이만큼 온도를 높이도록 히터 내부의 온도를 제어하는 온도 제어기를 포함할 수 있다.The temperature controller adjusts the temperature of the top and bottom of the crystallization sample, respectively, so that the user can recognize the temperature difference between the top and bottom of the crystallization sample, such as the aforementioned laminate, and control the temperature to compensate for the temperature difference. Means for measuring; Display means for displaying a temperature of an upper portion and a lower portion of the crystallization sample; And / or a temperature controller measuring the temperature of the upper and lower portions of the crystallized sample, respectively, and controlling the temperature inside the heater to raise the temperature by the difference of these temperatures.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 원적외선 히터는 상기 적외선 램프로부터 발생되는 원적외선이 도달하는 영역으로 상기 결정화 샘플을 이동시키는 컨베이어 벨트를 포함하고, 상기 샘플 스테이지는 상기 컨베이어 벨트 상에 구비될 수 있다. 도 3 및 도 4는 원적외선 히터의 내부 구조의 예시들을 나타낸 것이다.According to one embodiment of the present specification, the far-infrared heater may include a conveyor belt for moving the crystallization sample to a region where far-infrared rays generated from the infrared lamp reach, and the sample stage may be provided on the conveyor belt. . 3 and 4 show examples of the internal structure of the far infrared heater.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 전술한 금속층 및 결정화된 투명 전도성층 함유 적층체의 제조방법에 의하여 제조되고, 기재, 상기 기재상에 구비된 결정화된 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층이 구비된 적층체를 제공한다.According to another exemplary embodiment of the present specification, the metal layer and the crystallized transparent conductive layer-containing laminate prepared by the method for producing a substrate, the crystallized transparent conductive layer provided on the substrate, and the transparent conductive layer Provided is a laminate provided with a metal layer provided on the substrate.
도 13에 본 명세서의 일 실시상태에 따라 결정화한 후의 ITO의 결정화 정도를 도시하였다. 보다 구체적으로, 도 13의 (a)는 종래기술로서 ITO를 선결정화한 상태의 결정화 정도를 나타낸 것이고, (b)는 본 명세서의 일 실시상태로서 ITO를 후결정화한 상태의 결정화 정도를 나타낸 것이며, (c)는 ITO 후결정화시 비결정성 영역을 포함하는 경우를 나타낸 것이다. 즉, ITO를 후결정화하는 경우에는 열처리 조건에 따라서 비결정성 영역이 존재할 수 있으므로, ITO 후결정화시 세부 온도 조건의 선정이 매우 중요하다는 것을 알 수 있다. 따라서, 본 명세서의 일 실시상태에서는, 전술한 바와 같이 상기 기재측과 상기 금속층측의 온도의 차(T1 - T2)에 대응하는 온도 만큼 상기 원적외선 히터의 온도를 높이는 단계를 포함함으로써, 비결정성 영역이 존재하지 않고 양호한 결정성을 나타내는 ITO층을 형성할 수 있는 특징이 있다.13 illustrates the degree of crystallization of ITO after crystallization according to one embodiment of the present specification. More specifically, FIG. 13 (a) shows the degree of crystallization in the state of precrystallization of ITO as a prior art, and (b) shows the degree of crystallization of the state of post-crystallization of ITO as an exemplary embodiment of the present specification. , (c) shows a case where an amorphous region is included in ITO post-crystallization. That is, in the case of post-crystallization of ITO, there may be an amorphous region depending on the heat treatment conditions, it can be seen that the selection of detailed temperature conditions during the ITO post-crystallization is very important. Therefore, in one embodiment of the present specification, as described above, the step of raising the temperature of the far-infrared heater by the temperature corresponding to the difference (T1-T2) of the temperature between the substrate side and the metal layer side, thereby, the amorphous region There exists a characteristic which can form the ITO layer which does not exist and shows favorable crystallinity.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 기재, 상기 기재 상에 구비된 결정화된 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층이 구비된 적층체로서, 상기 금속층의 반사도가 열처리되지 않은 금속층에 비하여 반사율이 감소된 것인 적층체를 제공한다. 여기서, 반사율은 금속층의 재료나 두께에 따라 결정되는 것으로서, 열처리되지 않은 금속층의 반사율은 당업자에 의하여 결정될 수 있다. 이에 대하여 전술한 실시상태에 따른 적층체의 금속층은 열처리되지 않은 금속층에 비하여 반사율이 감소된다. 반사율의 측정방법은 특별히 한정되지 않으며, 열처리되지 않은 금속층에 대한 반사율과 전술한 실시상태에 따른 금속층에 대한 반사율의 측정방법이 동일하면 특별히 한정되지 않는다. 전술한 금속층 및 결정화된 투명 전도성층 함유 적층체의 제조방법에 의하여 제조되는 경우, 금속층도 투명 전도성층의 결정화 과정을 겪게 되므로, 열처리가 이루어지고, 이에 의하여 열처리 도중 금속층의 표면이 흐릿하게(hazy) 변화할 수 있다. 이에 의하여 금속층은 열처리되지 않은 것에 비하여 반사율이 감소된다. 상기 반사율은 가시광선 영역, 예컨대 380 내지 800nm 파장에 대하여 측정될 수 있으며, 상기 반사율 감소는 상기 가시광선 영역 중 적어도 일부에서 일어날 수 있다. According to yet an embodiment of the present disclosure, a laminate having a substrate, a crystallized transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer, the reflectivity of the metal layer is not heat-treated Provided is a laminate in which the reflectance is reduced compared to the metal layer. Here, the reflectance is determined according to the material or thickness of the metal layer, and the reflectance of the unheated metal layer may be determined by a person skilled in the art. On the other hand, the metal layer of the laminate according to the above-described embodiment has a reduced reflectance compared to the metal layer that has not been heat treated. The method of measuring the reflectance is not particularly limited, and the method of measuring the reflectance of the metal layer according to the above-described embodiment and the reflectance of the non-heat-treated metal layer are not particularly limited. When the metal layer and the crystallized transparent conductive layer-containing laminate are manufactured by the above-described method, the metal layer also undergoes a crystallization process of the transparent conductive layer, so that the heat treatment is performed, thereby blurring the surface of the metal layer during the heat treatment. Can change. This reduces the reflectance of the metal layer as compared with the case where the heat treatment is not performed. The reflectance can be measured for a visible light region, such as a wavelength of 380 to 800 nm, and the reflectance reduction can occur in at least some of the visible light region.
도 14는 IR 열처리 온도에 따라 Ag층의 반사율 감소를 나타낸 것이다. 도 14에 따르면, 135℃, 155℃의 경우 25분 이후, 165℃, 175℃에서는 35분 이후에 반사율이 감소하였으며, 이는 Ag층 표면이 변화되는 시점과 일치하였다.Figure 14 shows the decrease in reflectance of the Ag layer with the IR heat treatment temperature. According to FIG. 14, the reflectance decreased after 25 minutes at 135 ° C. and 155 ° C. and after 35 minutes at 165 ° C. and 175 ° C., which coincided with the time point at which the Ag layer surface was changed.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면 전술한 금속 패턴 및 결정화된 투명 전도성층 함유 적층체의 제조방법에 의하여 제조되고, 기재, 상기 기재상에 구비된 결정화된 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속 패턴이 구비된 적층체를 제공한다.According to yet an embodiment of the present disclosure is prepared by the method of manufacturing a metal pattern and a crystallized transparent conductive layer-containing laminate described above, the substrate, the crystallized transparent conductive layer provided on the substrate, and the transparent conductive layer Provided is a laminate having a metal pattern provided thereon.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 기재, 상기 기재상에 구비된 결정화된 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속 패턴이 구비된 적층체로서, 상기 투명 전도성층이 비결정성 영역을 포함하는 것인 적층체를 제공한다. 전술한 금속 패턴 및 결정화된 투명 전도성층 함유 적층체의 제조방법에 의하여 제조되는 경우, 투명 전도성층 상에 금속이 구비된 상태에서 열처리에 의하여 결정화가 이루어지므로, 금속이 구비되지 않은 투명 전도성층을 결정화하는 경우에 비하여, 투명 전도성층에 비결정성 영역이 존재할 수 있다.According to another exemplary embodiment of the present specification, the substrate, a crystallized transparent conductive layer provided on the substrate, and a laminate having a metal pattern provided on the transparent conductive layer, wherein the transparent conductive layer is amorphous It provides a laminate comprising a region. When the metal pattern and the crystallized transparent conductive layer-containing laminate are manufactured by the above-described method, since the crystallization is performed by heat treatment in the state where the metal is provided on the transparent conductive layer, the transparent conductive layer is not provided with metal. In comparison with the case of crystallization, an amorphous region may be present in the transparent conductive layer.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 기재, 상기 기재상에 구비된 결정화된 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속 패턴이 구비된 적층체로서, 상기 금속 패턴의 반사도가 열처리되지 않은 금속 패턴에 비하여 반사율이 감소된 것인 적층체를 제공한다. 반사율 감소에 대한 설명은 전술한 바와 같다.According to another exemplary embodiment of the present specification, a laminate having a substrate, a crystallized transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal pattern provided on the transparent conductive layer, wherein the reflectivity of the metal pattern is heat treated. Provided is a laminate in which the reflectance is reduced compared to a metal pattern that is not. The description of the reflectance reduction is as described above.
본 명세서의 일 실시상태는 기재, 상기 기재 상에 구비된 비결정성 투명 전도성층, 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층, 및 상기 금속층 상에 구비된, 적외선 흡수성 보호필름을 포함하는 전도성 적층체 전구체를 제공한다. 도 5에 전도성 적층체 전구체의 구조의 일 예를 예시하였다.An exemplary embodiment of the present specification is a conductive laminate precursor comprising a substrate, an amorphous transparent conductive layer provided on the substrate, a metal layer provided on the transparent conductive layer, and an infrared absorptive protective film provided on the metal layer. To provide. An example of the structure of the conductive laminate precursor is illustrated in FIG. 5.
본 명세서에 있어서, 상기 전도성 적층체 전구체는 상기 비결정성 투명 전도성층의 결정화에 의하여 전도성 적층체로 되는 것을 의미한다. 다시 말하면, 상기 전도성 전측체 전구체는 전도성 적층체의 결정화 전 상태를 의미한다.In the present specification, the conductive laminate precursor means that the conductive laminate is formed by crystallization of the amorphous transparent conductive layer. In other words, the conductive precursor is a state before the crystallization of the conductive laminate.
본 발명자들은 원적외선 히터에서 온도를 구성하는 요소 중 내부 분위기 온도가 차지하는 비중이 상대적으로 크고, 적외선이 차지하는 비중이 상대적으로 적다는 사실을 밝혀내고, 적외선이 온도에 미치는 영향을 보상하기 위하여 결정화하고자 하는 비결정성 투명 전도성층 및 금속층을 포함하는 전도성 적층체의 전구체의 금속층 상에 적외선 흡수성 보호필름을 배치하는 것을 특징으로 한다.The inventors have found out that the proportion of the internal atmosphere temperature is relatively large and the proportion of infrared radiation is relatively small among the elements constituting the temperature in the far-infrared heater, and to crystallize to compensate for the effect of the infrared radiation on the temperature. An infrared absorbing protective film is disposed on a metal layer of a precursor of a conductive laminate including an amorphous transparent conductive layer and a metal layer.
도 2는 상기 전도성 적층체 전구체를 이용한 결정화 공정을 예시한 공정 모식도를 나타낸 것이다. 종래기술을 도시한 도 1에서는 ITO 상에 금속층을 형성하기 전에 ITO 결정화를 수행하는 반면, 도 2에 따른 본 명세서의 실시상태에 따른 방법에서는 ITO 상에 금속층을 형성한 후 ITO 결정화를 수행한다. 도 2에서는 ITO라고 표시하였으나, 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니며, ITO 는 결정화가 필요한 투명 전도성 재료로 대체될 수 있다. 도 2에 따르면, 결정화 전에 금속층 상에 적외선 흡수성 보호필름을 적층함으로써 금속층에 의하여 반사되는 적외선을 상기 보호필름에서 흡수하게 하고, 이에 의하여 적외선으로부터 발생하는 온도의 저감을 방지할 수 있다.2 is a process schematic diagram illustrating a crystallization process using the conductive laminate precursor. In FIG. 1, which illustrates the prior art, ITO crystallization is performed before forming a metal layer on ITO, while the method according to the exemplary embodiment of the present disclosure according to FIG. 2 performs ITO crystallization after forming a metal layer on ITO. Although shown as ITO in FIG. 2, the scope of the present invention is not limited thereto, and ITO may be replaced with a transparent conductive material requiring crystallization. According to FIG. 2, by stacking an infrared absorbing protective film on the metal layer before crystallization, the infrared rays reflected by the metal layer may be absorbed by the protective film, thereby preventing a decrease in temperature generated from the infrared light.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 적외선 흡수성 보호필름은 고분자 필름이다. 도 23는 Heraeus의 Masaaki Saito의 자료(2014.08.22.)에서 발췌한 것으로서, 금속, 세라믹 및 고분자의 적외선 흡수 스펙트럼을 도식화한 것이다. 재료에 따라 적외선 흡수 스펙트럼이 상이하다는 것은 W. Sieber 의 문헌["Zusammensensetzung der von Werk und Baustoflen zUrUckge worfenen Wiirmestrahlung," Z. Tech. Physik 22, 130 (1941)]에도 기재되어 있다. 이와 같이 금속, 세라믹 및 고분자는 적외선 흡수에 있어서 상이한 특성을 가지며, 이 중 적외선 흡수성이 우수한 고분자를 포함하는 필름을 상기 보호필름으로 사용함으로써 전술한 효과를 얻을 수 있다.In one embodiment of the present specification, the infrared absorbing protective film is a polymer film. FIG. 23 is an excerpt from Masaaki Saito's data (August 22, 2014) of Heraeus, which illustrates the infrared absorption spectra of metals, ceramics and polymers. The different infrared absorption spectra depending on the material is described by W. Sieber, "Zusammensensetzung der von Werk und Baustoflen zUrUckge worfenen Wiirmestrahlung," Z. Tech. Physik 22, 130 (1941). As described above, metals, ceramics, and polymers have different characteristics in infrared absorption, and the above-described effects can be obtained by using a film including a polymer having excellent infrared absorption properties as the protective film.
상기 고분자 필름은 비결정성 투명 전도성층의 결정화에 악영향을 미치지 않는 범위내에서 당업자에 의하여 결정될 수 있으며, 수 ㎛ 내지 수 mm, 바람직하게는 수십 ㎛ 내지 수백 ㎛의 두께를 가질 수 있다. 상기 두께 범위 내에서 적외선 흡수가 효율적으로 일어날 수 있다. 예컨대, 1㎛ 내지 10mm의 범위 내에서 두께가 결정될 수 있다.The polymer film may be determined by a person skilled in the art within a range that does not adversely affect the crystallization of the amorphous transparent conductive layer, and may have a thickness of several μm to several mm, preferably tens of μm to several hundred μm. Infrared absorption can occur efficiently within the thickness range. For example, the thickness can be determined within the range of 1 μm to 10 mm.
상기 적외선 흡수성 보호필름의 재료로는 특별히 한정되지 않으나, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)와 같은 폴리에스테르, 폴리에틸렌(PE), 셀룰로오스 아세테이트, 폴리비닐리덴 클로라이드, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리이미드, 폴리우레탄, 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리비닐알코올(PVA), PMMA와 같은 폴리아크릴레이트, 폴리카보네이트(PC), 나일론과 같은 폴리아마이드(PA), 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌(PS) 등이 있다. 이들 재료의 적외선 흡수 특성은 문헌 [Fortschr. Hochpolym.-Forsch., Bd. 2, S. 51-172 (1960)] 등에 기재되어 있다. 상기 문헌에 기재된 고분자의 적외선 흡수 특성을 도 24 내지 26에 나타내었다.The material of the infrared absorbing protective film is not particularly limited, but polyesters such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene (PE), cellulose acetate, polyvinylidene chloride, polytetrafluoroethylene, polyimide, polyurethane, Polyvinyl chloride (PVC), polyvinyl alcohol (PVA), polyacrylates such as PMMA, polycarbonate (PC), polyamides such as nylon (PA), polypropylene (PP), polystyrene (PS) and the like. The infrared absorption properties of these materials are described in Fortschr. Hochpolym.-Forsch., Bd. 2, S. 51-172 (1960) and the like. Infrared absorption characteristics of the polymers described in the documents are shown in Figs.
상기 보호필름은 상기 금속층 상에 적층하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 보호필름을 상기 금속층 상에 라미네이션할 수도 있고, 상기 금속층 상에 보호필름용 조성물을 코팅한 후 건조 또는 경화할 수도 있다. 상기 라미네이션은 통상의 라미네이터를 사용하여 수행할 수 있고, 예컨대 상하부에 존재하는 롤러에, 필요한 경우 압력과 온도를 가하여 라미네이션을 수행할 수 있는 장치를 이용할 수 있다. 라미네이션시, 상기 보호필름과 상기 금속층은 직접 접할 수 있으며, 접착층이 반드시 존재할 필요는 없다.The method of laminating the protective film on the metal layer is not particularly limited. For example, the protective film may be laminated on the metal layer, or may be dried or cured after coating the protective film composition on the metal layer. The lamination may be carried out using a conventional laminator, for example, a device capable of performing lamination by applying pressure and temperature to a roller existing on the upper and lower parts, if necessary. In lamination, the protective film and the metal layer may directly contact each other, and the adhesive layer does not necessarily need to be present.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 적층체 전구체의 기재의 투명 전도성층과 접하는 면의 반대면에 추가의 배면 필름이 구비될 수 있다. 상기 배면 필름은 제조 공정 도중 또는 최종 제품의 사용시 기재를 보호하는 역할을 할 수 있다. 배면 필름의 재료로는 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 사용될 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 배면 필름으로서, 금속에 비하여 적외선 등을 흡수하기 용이한 고분자 재질로 이루어진 필름이 사용될 수 있다. 구체적인 예로서, 상기 배면 필름으로는 PET 필름이 이용될 수 있다.According to another exemplary embodiment of the present specification, an additional rear film may be provided on an opposite side of the surface of the laminate precursor that contacts the transparent conductive layer. The back film may serve to protect the substrate during the manufacturing process or during use of the final product. As the material of the back film, those known in the art may be used. According to one example, as the back film, a film made of a polymer material which is easy to absorb infrared rays and the like compared to the metal may be used. As a specific example, a PET film may be used as the back film.
본 명세서의 또 하나의 실시상태는 기재, 상기 기재 상에 구비된 비결정성 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층을 포함하는 적층체를 준비하는 단계; 및 상기 적층체 상에 적외선 흡수성 보호필름을 적층하는 단계를 포함하는 전도성 적층체 전구체의 제조방법을 제공한다. 각 층의 재료는 전술한 바와 같다. 상기 적외선 흡수성 보호필름을 적층하는 단계는 앞에서 예시한 방식으로 수행될 수 있다.Another embodiment of the present specification comprises the steps of preparing a laminate comprising a substrate, an amorphous transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer; And it provides a method for producing a conductive laminate precursor comprising the step of laminating an infrared absorbing protective film on the laminate. The material of each layer is as described above. Laminating the infrared absorbing protective film may be performed in the manner described above.
본 명세서의 또 하나의 실시상태는 전술한 실시상태에 따른 전도성 적층체 전구체의 적어도 일면에 적외선을 조사하여 상기 비결정성 투명 전도성층을 결정화하는 단계를 포함하는 전도성 적층체의 제조방법을 제공한다.Another embodiment of the present specification provides a method for manufacturing a conductive laminate including the step of crystallizing the amorphous transparent conductive layer by irradiating at least one surface of the conductive laminate precursor according to the above-described embodiment.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 투명 전도성층을 결정화하는 단계에서 결정화를 위한 열처리 조건은 투명 전도성층의 재료나 두께 등의 조건에 따라 당업자가 결정할 수 있다. According to one embodiment of the present specification, heat treatment conditions for crystallization in the step of crystallizing the transparent conductive layer may be determined by those skilled in the art according to conditions such as material or thickness of the transparent conductive layer.
열처리를 위한 원적외선 히터의 적외선 조사 방향은 금속층 상의 보호필름측 또는 기재측일 수 있다.The infrared irradiation direction of the far infrared heater for heat treatment may be the protective film side or the substrate side on the metal layer.
상기 투명 전도성층의 열처리 온도는 100 ~ 180℃의 온도에서 수행될 수 있으나, 필요에 따라 조정될 수 있다. 예컨대, 상기 열처리 온도는 120 ~ 160℃의 온도일 수 있다.The heat treatment temperature of the transparent conductive layer may be carried out at a temperature of 100 ~ 180 ℃, it may be adjusted as necessary. For example, the heat treatment temperature may be a temperature of 120 ~ 160 ℃.
상기 투명 전도성층의 결정화는 결정화 전의 비결정성 상태로부터 예측된 결정화 후의 결정성 상태의 저항이 구현될 때까지 수행될 수 있으며, 예측된 저항이 구현되었을 때 결정화가 이루어졌음을 확인할 수 있다. 예컨대, 필름 상의 기재 상에 증착된 ITO층이 150℃에서 30분 정도 열처리를 수행하여 결정화가 이루어지도록, ITO층 형성 조건을 설정하여 ITO를 증착할 수 있다.The crystallization of the transparent conductive layer may be performed from the amorphous state before the crystallization until the resistance of the crystalline state after the crystallization is realized, it can be confirmed that the crystallization was made when the expected resistance is implemented. For example, the ITO layer may be deposited by setting the ITO layer formation conditions such that the ITO layer deposited on the substrate on the film is subjected to heat treatment at 150 ° C. for about 30 minutes to achieve crystallization.
도 18은 보호필름의 유무에 따른 적외선 소스에 의한 에너지 거동을 나타낸 것이다. 도 18은 ITO층까지 도달하는 적외선 소스에 의한 에너지 거동만을 표시한 것이며, 실제 상하부 온도 측정 결과는 분위기 온도 제어(열풍)에 의한 영향을 받을 수 있다.Figure 18 shows the energy behavior by the infrared source with or without the protective film. FIG. 18 shows only the energy behavior by the infrared source reaching the ITO layer, and the actual upper and lower temperature measurement results may be affected by the ambient temperature control (hot air).
도 18에 따르면, 적외선 램프가 전도성 적층체 전구체의 금속층측(Normal direction, 정방향) 또는 기재측(Reverse direction, 역방향)에서 적외선을 조사한다. 보호필름이 없는 경우, 금속층에 직접 적외선이 조사되면, 대부분의 적외선이 반사되고, 이에 의하여 적외선으로부터 유래되는 열이 적어지므로 온도 상승이 감소된다. 한편, 보호필름이 없는 경우, 금속층의 반대편인 기재측으로 적외선이 조사되면, 적외선은 기재의 재질에 따라 기재 또는 존재하는 경우 배면 필름에 일부 흡수된다.According to FIG. 18, an infrared lamp irradiates infrared rays from the metal layer side (Normal direction) or the substrate side (Reverse direction) of the conductive laminate precursor. In the absence of the protective film, when infrared rays are directly irradiated onto the metal layer, most of the infrared rays are reflected, thereby reducing the heat rise due to less heat derived from the infrared rays. On the other hand, when there is no protective film, when infrared rays are irradiated to the substrate side opposite to the metal layer, the infrared rays are partially absorbed by the substrate or the back film when present, depending on the material of the substrate.
반면, 금속층의 일면에 적외선 흡수성 보호필름이 존재하는 경우에는, 금속층측, 다시 말하면 적외선 흡수성 보호필름측에 적외선이 조사되면, 적외선 흡수성 보호필름은 상기 보호필름에 입수된 적외선을 직접적으로 흡수할 뿐만 아니라, 금속층에서 반사된 적외선도 간접적으로 흡수함으로써, 금속층 측에서의 적외선 반사에 따른 온도 상승 감소를 방지할 수 있다.On the other hand, in the case where the infrared absorbing protective film is present on one surface of the metal layer, when the infrared ray is irradiated on the metal layer side, that is, the infrared absorbing protective film side, the infrared absorbing protective film directly absorbs the infrared rays obtained from the protective film. In addition, by indirectly absorbing the infrared rays reflected from the metal layer, it is possible to prevent a decrease in temperature rise due to the infrared reflection on the metal layer side.
하기 표 3은 보호필름의 유무에 따른 적층체의 양면에서의 온도 차이를 실험한 결과이다.Table 3 below shows the results of experimenting with the temperature difference between both sides of the laminate with or without the protective film.
[표 3]TABLE 3
Figure PCTKR2015007889-appb-I000003
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상기 표 3에 기재되어 있는 바와 같이, 보호필름이 없는 경우에 비하여, 보호필름 형성시 정방향 및 역방향 어느 쪽에서 적외선을 조사하는 경우에도, 온도 승온 측면에서는 유리한 효과를 나타내었음을 확인할 수 있다. 이는 전술한 바와 같이 보호필름의 적외선 흡수에 의한 영향인 것으로 판단된다. 상기 표 3의 결과를 도 19 및 도 20에 나타내었다. 상기 표 3에 따르면, 금속층측에서 조사한 경우(Normal)보다 기재측에서 조사한 경우(Reverse)에 온도가 더 높은데, 이는 기재가 보호필름과 같이 적외선 흡수 역할을 할 뿐만 아니라, ITO층으로의 적외선 흡수 및 하단의 금속층으로부터 반사된 적외선 흡수가 포함되기 때문인 것으로 파악된다. 다만, 역방향에서의 조사가 비교적 온도를 높이는데 영향을 미칠 수 있으나, 정방향에서의 조사시나 역방향에서의 조사시 모두 상기 보호필름의 존재에 의한 효과가 나타남을 확인할 수 있다. 기재와 보호필름 각각의 종류나 두께에 따라 상기와 같은 조사 방향에 따른 온도 상승 경향은 달라질 수도 있다.As described in Table 3 above, even when irradiated with infrared rays in either the forward direction or the reverse direction when forming the protective film, it can be seen that it showed a favorable effect in terms of temperature rise compared to the case without the protective film. This is determined to be due to the infrared absorption of the protective film as described above. The results of Table 3 are shown in FIGS. 19 and 20. According to Table 3, the temperature is higher in the case of irradiating from the substrate side (Normal) than from the metal layer side (Normal), which not only serves as an infrared absorption like a protective film, but also absorbs infrared rays into the ITO layer. And infrared absorption reflected from the bottom metal layer. However, the irradiation in the reverse direction may affect the relatively increase the temperature, it can be seen that the effect of the presence of the protective film in both the irradiation in the forward direction or in the reverse direction can be seen. Depending on the type and thickness of each of the substrate and the protective film, a tendency of temperature rise according to the irradiation direction as described above may vary.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 투명 전도성층과 상기 금속층 사이에 중간층이 추가로 구비될 수 있다. 예컨대, 중간층으로서 부착력 증진층이 포함될 수 있으며, 부착력 증진층으로는 Mo층이 사용될 수 있다. 중간층의 두께는 필요에 따라 결정될 수 있다.According to another exemplary embodiment of the present specification, an intermediate layer may be further provided between the transparent conductive layer and the metal layer. For example, an adhesion promoting layer may be included as an intermediate layer, and an Mo layer may be used as the adhesion promoting layer. The thickness of the intermediate layer can be determined as necessary.
하기 표 4는 중간층으로서 Mo층이 구비된 경우의 보호필름의 유무에 따른 적층체의 양면에서의 온도 차이를 실험한 결과이다. Mo층을 제외한 실험조건 및 층 구성은 상기 표 3에서와 동일하다.Table 4 shows the results of experiments on the temperature difference at both sides of the laminate according to the presence or absence of a protective film when the Mo layer is provided as an intermediate layer. Experimental conditions and layer configuration except for the Mo layer are the same as in Table 3.
[표 4]TABLE 4
Figure PCTKR2015007889-appb-I000004
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상기 표 4에 나타난 바와 같이, 금속층과 투명 전도성층 사이에 중간층을 도입하는 경우에도, 중간층이 없는 경우와 유사한 경향을 나타내었다. 상기 표 4의 결과를 도 21 및 도 22에 나타내었다.As shown in Table 4 above, even when an intermediate layer was introduced between the metal layer and the transparent conductive layer, a similar tendency was observed when there was no intermediate layer. The results of Table 4 are shown in FIGS. 21 and 22.
하기 표 5는 보호필름의 유무에 따른 적층체의 투명 전도성층의 결정화 정도를 실험한 결과이다. 결정화를 위하여 적외선 조사에 의하여 155℃에서 30분 유지하였다. 이 때, 기재의 종류는 표 3에 기재한 바와 같다.Table 5 shows the results of experimenting with the degree of crystallization of the transparent conductive layer of the laminate with or without the protective film. The crystallization was maintained at 155 ° C. for 30 minutes by infrared irradiation. At this time, the kind of base material is as showing in Table 3.
[표 5]TABLE 5
Figure PCTKR2015007889-appb-I000005
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상기 표 5에 기재된 바와 같이, 결정화 이후 측정된 저항은 상기 표 3의 온도 측정 결과와 부합하게 나타났다. 즉, 보호필름이 적층된 경우, 정방향 및 역방향 조사 모두에서 결정화에 유리함을 나타내었다. 상기 표 5의 구조에서, APC층과 ITO층 사이에 Mo층과 같은 중간층을 도입하는 경우에도, 상기 표 4의 결과와 마찬가지로, 상기 표 5와 같은 경향을 나타낼 것으로 예측된다.As described in Table 5, the resistance measured after crystallization was found to be consistent with the temperature measurement results of Table 3. That is, when the protective film is laminated, it showed an advantage in crystallization in both forward and reverse irradiation. In the structure of Table 5, even when an intermediate layer such as an Mo layer is introduced between the APC layer and the ITO layer, it is expected to exhibit the same trend as in Table 5, similar to the results of Table 4 above.
상기 실시상태에 있어서, 상기 적층체 전구체를 원적외선 히터 내부에서 열처리하기 위하여 상기 적층체 전구체를 컨베이어 벨트를 이용하여 적층체를 원적외선 히터 내부로 이동시키는 단계를 더 포함할 수 있다.In the above exemplary embodiment, the method may further include moving the laminate precursor into the far infrared heater by using the conveyor belt to heat-treat the laminate precursor inside the far infrared heater.
일 예에 따르면, 상기 컨베이어 벨트는 상기 적층체 전구체를 연속적으로 상기 원적외선 히터의 외부로부터 내부를 거쳐 외부로 이동시키도록 구비될 수 있다.According to one example, the conveyor belt may be provided to continuously move the laminate precursor from the outside of the far infrared heater to the outside through the inside.
또 다른 예에 따르면, 상기 컨베이어 벨트는 상기 적층체 전구체를 상기 원적외선 히터의 외부로부터 내부로 이동시킨 후 정지되고, 투명 전도성층 결정화가 수행된 후에, 상기 적층체를 상기 원적외선 히터 외부로 이동시키도록 구비될 수 있다.According to another example, the conveyor belt is stopped after moving the laminate precursor from the outside of the far infrared heater to the inside, and after the transparent conductive layer crystallization is performed, to move the laminate outside the far infrared heater. It may be provided.
도 3은 일 예에 따른 원적외선 히터의 내부를 나타낸 모식도를 나타낸 것이다. 도 3에 따른 히터 내부에는 컨베이어벨트가 구비되어 있고, 컨베이어벨트 상에는 전술한 적층체가 수용되는 스테이지가 구비되어 있다. 상기 스테이지는 필요에 따라 구비될 수도 있으나, 구비되지 않을 수도 있다.Figure 3 shows a schematic diagram showing the interior of the far-infrared heater according to an example. A conveyor belt is provided inside the heater according to FIG. 3, and a stage on which the above-mentioned stack is accommodated is provided on the conveyor belt. The stage may be provided as needed, but may not be provided.
일 실시상태에 따르면, 상기 컨베이어 벨트는 상기 적층체 전구체 또는 적층체를 수용할 수 있는 스테이지를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the conveyor belt may include a stage capable of receiving the laminate precursor or the laminate.
전술한 실시상태들에 있어서, 상기 적층체를 원적외선 히터 외부로 이동시키는 수단은 컨베이어 벨트에 한정되지 않는다. 예컨대, 상기 원적외선 히터 내부에 롤을 설치하고, 상기 적층체 전구체가 연속적으로 상기 롤의 표면에 공급되는 방식을 이용하여, 상기 적층체 전구체가 히터 내부로 이동될 수 있다. 상기 롤이 전술한 적층체 전구체를 수용하는 스테이지의 역할을 할 수 있다. 도 4에 원적외선 히터 내에 상기 적층체 전구체를 지지하는 수단으로 롤이 구비된 예를 도시하였다.In the above-described embodiments, the means for moving the stack outside the far infrared heater is not limited to the conveyor belt. For example, by installing a roll inside the far-infrared heater and using the method in which the stack precursor is continuously supplied to the surface of the roll, the stack precursor may be moved into the heater. The roll may serve as a stage to receive the laminate precursor described above. 4 illustrates an example in which a roll is provided as a means for supporting the laminate precursor in a far infrared heater.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 적층체의 제조방법은 상기 적외선 흡수성 보호필름을 제거하는 단계를 더 포함한다.According to another exemplary embodiment of the present specification, the method of manufacturing the conductive laminate further includes removing the infrared absorbing protective film.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 적층체의 제조방법은 상기 적외선 흡수성 보호필름을 제거하는 단계; 및 상기 금속층을 패턴화하는 단계를 더 포함한다.According to another exemplary embodiment of the present specification, the method of manufacturing the conductive laminate includes removing the infrared absorbing protective film; And patterning the metal layer.
상기 금속층을 패턴화하는 방법은 당 기술분야에 알려져 있는 방법을 이용할 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 금속층의 패턴화를 위하여 포토레지스트 방법을 이용할 수 있다. 구체적으로, 상기 금속층 상에 포토레지스트 패턴을 선택적 노광 및 현상에 의하여 형성하거나, 레지스트 패턴을 인쇄방법에 의하여 형성하고, 레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 레지스트 패턴에 의하여 도포되지 않은 금속층을 선택적으로 식각하는 방법을 이용할 수 있다.The method for patterning the metal layer may use a method known in the art, and is not particularly limited. For example, a photoresist method may be used for patterning the metal layer. Specifically, a photoresist pattern is formed on the metal layer by selective exposure and development, or a resist pattern is formed by a printing method, and the metal layer that is not applied by the resist pattern is selectively etched using the resist pattern as a mask. Method can be used.
상기 방법에 의하여 패턴화된 금속 패턴의 선폭, 선간격은 최종 용도에 따라 설계될 수 있다. 예컨대, 패턴의 선폭은 0 초과 50㎛ 이하일 수 있고, 0 초과 30㎛ 이하일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The line width and line spacing of the metal pattern patterned by the above method can be designed according to the end use. For example, the line width of the pattern may be greater than 0 and 50 µm or less, but may be greater than 0 and 30 µm or less, but is not limited thereto.
본 명세서의 또 하나의 실시상태는 기재, 상기 기재 상에 구비된 결정성 투명 전도성층, 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층, 및 상기 금속층 상에 구비된, 적외선 흡수성 보호필름을 포함하는 전도성 적층체를 제공한다. 이와 같은 전도성 적층체는 전술한 방법에 의하여 제조될 수 있다. 도 17에 전도성 적층체의 구조의 일 예를 예시하였다.Another embodiment of the present specification is a conductive laminate including a substrate, a crystalline transparent conductive layer provided on the substrate, a metal layer provided on the transparent conductive layer, and an infrared absorbing protective film provided on the metal layer. Provide a sieve. Such a conductive laminate can be produced by the method described above. An example of the structure of the conductive laminate is illustrated in FIG. 17.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 적층체의 기재의 투명 전도성층과 접하는 면의 반대면에 추가의 배면 필름이 구비될 수 있다. 여기서, 배면 필름에 관한 설명은 전술한 전도성 적층체 전구체에서 설명된 내용이 적용될 수 있다.According to another exemplary embodiment of the present specification, an additional rear film may be provided on the opposite side of the surface of the conductive laminate contacting the transparent conductive layer. Here, the description of the back film may be applied to the content described in the aforementioned conductive laminate precursor.
상기와 같은 전도성 적층체는 그대로, 또는 보호필름이 박리된 후, 또는 전술한 바와 같이 금속층이 패턴화된 후 전도성이 요구되는 소자의 부품으로 사용될 수 있다. 예컨대, 전자장치의 전극으로 사용될 수 있다.The conductive laminate as described above may be used as a component of a device requiring conductivity as it is, or after the protective film is peeled off, or after the metal layer is patterned as described above. For example, it can be used as an electrode of an electronic device.

Claims (37)

  1. 기재, 상기 기재 상에 구비된 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층을 포함하는 적층체를 준비하는 단계; 및Preparing a laminate comprising a substrate, a transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer; And
    상기 적층체를 원적외선 히터 내부에서 열처리함으로써, 상기 적층체 중 투명 전도성층을 결정화하는 단계를 포함하고,Heat-treating the laminate inside a far-infrared heater to crystallize the transparent conductive layer of the laminate,
    상기 투명 전도성층을 결정화하는 단계는,Crystallizing the transparent conductive layer,
    상기 적층체의 기재측의 온도 T1을 측정하는 단계;Measuring the temperature T1 on the substrate side of the laminate;
    상기 적층체의 금속층측의 온도 T2를 측정하는 단계; 및Measuring the temperature T2 on the metal layer side of the laminate; And
    상기 기재측과 상기 금속층측의 온도의 차(T1 - T2)에 대응하는 온도 만큼 상기 원적외선 히터의 온도를 높이는 단계를 포함하는 것인, 금속층 및 결정화된 투명 전도성층 함유 적층체의 제조방법.And increasing the temperature of the far-infrared heater by a temperature corresponding to the difference (T1-T2) between the temperature of the substrate side and the metal layer side.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 적층체는 상기 기재의 투명 전도성층이 구비된 면의 반대면에 구비된 보호필름을 추가로 포함하고, 상기 기재측의 온도 T1를 측정하는 단계는 상기 보호필름측에서의 온도를 측정하는 것인, 금속층 및 결정화된 투명 전도성층 함유 적층체의 제조방법.The method according to claim 1, wherein the laminate further comprises a protective film provided on the opposite side of the surface provided with a transparent conductive layer of the substrate, the step of measuring the temperature T1 of the substrate side is the temperature at the protective film side The manufacturing method of the metal layer and the crystallized transparent conductive layer containing laminated body which are measured.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 적층체의 기재의 투명 전도성층이 구비된 면의 반대면 및 상기 적층체의 금속층의 투명 전도성층이 구비된 면의 반대면에 각각 점착층이 구비된 것인, 금속층 및 결정화된 투명 전도성층 함유 적층체의 제조방법.The metal layer according to claim 1, wherein the adhesive layer is provided on the opposite side of the surface provided with the transparent conductive layer of the substrate of the laminate and the opposite side of the surface provided with the transparent conductive layer of the metal layer of the laminate. Method for producing a crystallized transparent conductive layer-containing laminate.
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 점착층은 폴리이미드 점착 테이프인 것인, 금속층 및 결정화된 투명 전도성층 함유 적층체의 제조방법.The method of manufacturing a metal layer and a crystallized transparent conductive layer-containing laminate according to claim 3, wherein the adhesive layer is a polyimide adhesive tape.
  5. 청구항 3에 있어서, 상기 적층체는 상기 기재 상의 점착층 및 상기 금속층 상의 점착층 각각에 점착된 온도측정장치를 포함하는 것인, 금속층 및 결정화된 투명 전도성층 함유 적층체의 제조방법.The method according to claim 3, wherein the laminate comprises a temperature measuring device adhered to each of the pressure-sensitive adhesive layer on the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer on the metal layer.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 방법은 상기 적층체를 원적외선 히터 내부에서 열처리하기 위하여, 상기 적층체를 컨베이어 벨트를 이용하여 적층체를 원적외선 히터 내부로 이동시키는 단계를 더 포함하는 것인, 금속층 및 결정화된 투명 전도성층 함유 적층체의 제조방법.The metal layer and crystallization of claim 1, further comprising moving the laminate into a far infrared heater using a conveyor belt to heat treat the laminate within the far infrared heater. Method for producing a transparent conductive layer-containing laminate.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 컨베이어 벨트는 상기 적층체를 연속적으로 상기 원적외선 히터의 외부로부터 내부를 거쳐 외부로 이동시키도록 구비된 것인, 금속층 및 결정화된 투명 전도성층 함유 적층체의 제조방법.The method of claim 6, wherein the conveyor belt is provided to continuously move the laminate from the outside to the outside of the far-infrared heater.
  8. 청구항 6에 있어서, 상기 컨베이어 벨트는 상기 적층체를 상기 원적외선 히터의 외부로부터 내부로 이동시킨 후 정지되고, 투명 전도성층의 결정화가 수행된 후에, 상기 적층체를 상기 원적외선 히터 외부로 이동시키도록 구비된 것인, 금속층 및 결정화된 투명 전도성층 함유 적층체의 제조방법.The method of claim 6, wherein the conveyor belt is stopped after moving the laminate from the outside of the far infrared heater to the inside, and after the crystallization of the transparent conductive layer has been performed, the conveyor is provided to move the outside of the far infrared heater. The method of manufacturing a metal layer and a crystallized transparent conductive layer-containing laminate.
  9. 청구항 6에 있어서, 상기 컨베이어 벨트는 상기 적층체를 수용할 수 있는 스테이지를 포함하는 것인, 금속층 및 결정화된 투명 전도성층 함유 적층체의 제조방법.The method of claim 6, wherein the conveyor belt includes a stage capable of receiving the laminate. 8.
  10. 청구항 1 내지 9 중 어느 하나의 항에 따른 방법에 의하여 금속층 및 결정화된 투명 전도성층 함유 적층체를 제조하는 단계; 및Preparing a metal layer and a crystallized transparent conductive layer-containing laminate by the method according to any one of claims 1 to 9; And
    상기 적층체의 금속층을 패턴화하는 단계를 포함하는, 금속 패턴 및 투명 전도성층 함유 적층체의 제조방법.Patterning a metal layer of the laminate, a method of manufacturing a metal pattern and a transparent conductive layer-containing laminate.
  11. 청구항 10에 있어서, 상기 금속층의 패턴화 단계는 포토레지스트 방법을 이용하는 것인, 금속 패턴 및 투명 전도성층 함유 적층체의 제조방법.The method of claim 10, wherein the patterning of the metal layer comprises a photoresist method.
  12. 기재, 상기 기재 상에 구비된 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층을 포함하는 적층체를 준비하는 단계; 및Preparing a laminate comprising a substrate, a transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer; And
    상기 적층체를 원적외선 히터 내부에서 열처리하는 단계를 포함하고,Heat treating the laminate inside a far-infrared heater,
    상기 열처리하는 단계는,The heat treatment step,
    상기 적층체의 기재측의 온도 T1을 측정하는 단계;Measuring the temperature T1 on the substrate side of the laminate;
    상기 적층체의 금속층측의 온도 T2를 측정하는 단계; 및Measuring the temperature T2 on the metal layer side of the laminate; And
    상기 기재측과 상기 금속층측의 온도의 차(T1 - T2)에 대응하는 온도를 계산하는 단계를 포함하는, 원적외선 히터에 의하여 금속층 및 투명 전도성층 함유 적층체의 투명 전도성층 결정화시 온도 조건 설정 방법.A method for setting temperature conditions when crystallizing a transparent conductive layer of a metal layer and a transparent conductive layer-containing laminate by a far-infrared heater, comprising calculating a temperature corresponding to a difference (T1-T2) of the temperature between the substrate side and the metal layer side. .
  13. 청구항 12에 따른, 원적외선 히터에 의하여 금속층 및 투명 전도성층 함유 적층체의 투명 전도성층의 결정화시 온도 조건 설정 방법에 의하여 투명 전도성층의 결정화 온도를 설정하는 단계;Setting a crystallization temperature of the transparent conductive layer by a method for setting temperature conditions during crystallization of the transparent conductive layer of the metal layer and the transparent conductive layer-containing laminate by a far infrared ray heater according to claim 12;
    기재, 상기 기재 상에 구비된 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층을 포함하는 적층체를 원적외선 히터 또는 박스 오븐(box oven)을 이용하여 열처리 하는 단계로서, 열처리 온도를 상기 결정된 투명 전도성층의 결정화 온도를 이용하여 설정하는 단계를 포함하는, 금속층 및 결정화된 투명 전도성층 함유 적층체의 제조방법.Heat-treating a laminate including a substrate, a transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer using a far-infrared heater or a box oven, wherein the heat treatment temperature is determined. A method of manufacturing a metal layer and a crystallized transparent conductive layer-containing laminate comprising the step of setting using the crystallization temperature of the transparent conductive layer.
  14. 기재, 상기 기재 상에 구비된 비결정성 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층을 포함하는 적층체.A laminate comprising a substrate, an amorphous transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer.
  15. 청구항 14에 있어서, 상기 기재의 투명 전도성층이 구비된 면의 반대면 및 상기 금속층의 투명 전도성층이 구비된 면의 반대면에 각각 점착층이 구비된 것인, 적층체.The laminate according to claim 14, wherein a pressure-sensitive adhesive layer is provided on an opposite side of the surface provided with the transparent conductive layer of the substrate and an opposite side of the surface provided with the transparent conductive layer of the metal layer.
  16. 청구항 14에 있어서, 상기 기재 상의 점착층 및 상기 금속층 상의 점착층 각각에 점착된 온도측정장치가 구비된 것인 적층체.The laminate according to claim 14, wherein a temperature measuring device adhered to each of the adhesive layer on the substrate and the adhesive layer on the metal layer is provided.
  17. 적외선 램프, 상기 적외선 램프로부터 발생되는 원적외선이 도달하는 영역에 구비된, 결정화 샘플을 수용하도록 구비된 샘플 스테이지;An infrared lamp, a sample stage provided to receive a crystallization sample provided in an area where far infrared rays generated from the infrared lamp reach;
    상기 결정화 샘플의 상부와 하부의 온도 차이 만큼 온도를 높이도록 온도를 조절하는 온도 제어기를 포함하는 원적외선 히터.And a temperature controller configured to adjust the temperature to raise the temperature by a temperature difference between the upper and lower portions of the crystallized sample.
  18. 청구항 17에 있어서, 상기 원적외선 히터는 상기 적외선 램프로부터 발생되는 원적외선이 도달하는 영역으로 상기 결정화 샘플을 이동시키는 컨베이어 벨트를 포함하고, 상기 샘플 스테이지는 상기 컨베이어 벨트 상에 구비된 것인 원적외선 히터.The far-infrared heater of claim 17, wherein the far-infrared heater comprises a conveyor belt for moving the crystallization sample to a region where far-infrared rays generated from the infrared lamp reach, and the sample stage is provided on the conveyor belt.
  19. 청구항 17에 있어서, 상기 온도 제어기는 상기 결정화 샘플의 상부와 하부의 온도를 각각 측정하는 수단을 포함하는 것인 원적외선 히터.18. The far-infrared heater of claim 17, wherein the temperature controller comprises means for measuring the temperature of the top and bottom of the crystallization sample, respectively.
  20. 청구항 17에 있어서, 상기 온도 제어기는 상기 결정화 샘플의 상부와 하부의 온도를 각각 표시하는 표시수단을 포함하는 것인 원적외선 히터.18. The far-infrared heater of claim 17, wherein the temperature controller includes display means for displaying the temperatures of the upper and lower portions of the crystallized sample, respectively.
  21. 청구항 17에 있어서, 상기 온도 제어기는 상기 결정화 샘플의 상부와 하부의 온도를 각각 측정하고, 이들 온도의 차이만큼 온도를 높이도록 히터 내부의 온도를 제어하는 것인 원적외선 히터.18. The far-infrared heater of claim 17, wherein the temperature controller measures the temperature of the top and bottom of the crystallized sample, respectively, and controls the temperature inside the heater to raise the temperature by the difference of these temperatures.
  22. 청구항 1 내지 9 중 어느 하나의 항에 따른 방법에 의하여 제조되고, 기재, 상기 기재상에 구비된 결정화된 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층이 구비된 적층체.A laminate prepared by the method according to any one of claims 1 to 9, comprising a substrate, a crystallized transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer.
  23. 청구항 22에 있어서, 상기 투명 전도성층이 비결정성 영역을 포함하는 것인 적층체.The laminate of claim 22, wherein the transparent conductive layer comprises an amorphous region.
  24. 청구항 22에 있어서, 상기 금속층의 반사도가 열처리되지 않은 금속층에 비하여 반사율이 감소된 것인 적층체.The laminate of claim 22, wherein the reflectivity of the metal layer is reduced in comparison with the metal layer that is not heat treated.
  25. 기재, 상기 기재상에 구비된 결정화된 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층이 구비된 적층체로서, 상기 금속층의 반사도가 열처리되지 않은 금속층에 비하여 반사율이 감소된 것인 적층체.A laminate comprising a substrate, a crystallized transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer, wherein the reflectivity of the metal layer is reduced in comparison with a metal layer that is not heat-treated. .
  26. 청구항 10에 따른 방법에 의하여 제조되고, 기재, 상기 기재상에 구비된 결정화된 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속 패턴이 구비된 적층체.A laminate prepared by the method according to claim 10, comprising a substrate, a crystallized transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal pattern provided on the transparent conductive layer.
  27. 청구항 26에 있어서, 상기 금속 패턴의 반사도가 열처리되지 않은 금속 패턴에 비하여 반사율이 감소된 것인 적층체.27. The laminate of claim 26, wherein the reflectivity of the metal pattern is reduced compared to the metal pattern that is not heat treated.
  28. 기재, 상기 기재상에 구비된 결정화된 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속 패턴이 구비된 적층체로서, 상기 금속 패턴의 반사도가 열처리되지 않은 금속 패턴에 비하여 반사율이 감소된 것인 적층체.A laminate having a substrate, a crystallized transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal pattern provided on the transparent conductive layer, wherein the reflectivity of the metal pattern is reduced compared to a metal pattern that is not heat-treated. Phosphorus laminate.
  29. 기재,materials,
    상기 기재 상에 구비된 비결정성 투명 전도성층,An amorphous transparent conductive layer provided on the substrate,
    상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층, 및A metal layer provided on the transparent conductive layer, and
    상기 금속층 상에 구비된, 적외선 흡수성 보호필름을 포함하는 전도성 적층체 전구체.A conductive laminate precursor comprising an infrared absorptive protective film provided on the metal layer.
  30. 청구항 29에 있어서, 상기 보호필름의 재료는 폴리에스테르, 폴리에틸렌(PE), 셀룰로오스 아세테이트, 폴리비닐리덴 클로라이드, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리이미드, 폴리우레탄, 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리비닐알코올(PVA), 폴리아크릴레이트, 폴리카보네이트(PC), 폴리아마이드(PA), 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌(PS)로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 포함하는 것인 전도성 적층체 전구체.30. The method of claim 29, wherein the protective film material is polyester, polyethylene (PE), cellulose acetate, polyvinylidene chloride, polytetrafluoroethylene, polyimide, polyurethane, polyvinyl chloride (PVC), polyvinyl alcohol ( PVA), polyacrylate, polycarbonate (PC), polyamide (PA), polypropylene (PP), polystyrene (PS) containing one or more selected from the group consisting of a conductive laminate precursor.
  31. 청구항 29에 있어서, 상기 기재의 비결정성 투명 전도성층과 접하는 면의 반대면에 구비된 배면 필름을 더 포함하는 전도성 적층체 전구체.30. The conductive laminate precursor of claim 29, further comprising a back film provided on an opposite side of the surface in contact with the amorphous transparent conductive layer of the substrate.
  32. 기재, 상기 기재 상에 구비된 비결정성 투명 전도성층, 및 상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층을 포함하는 적층체를 준비하는 단계; 및Preparing a laminate comprising a substrate, an amorphous transparent conductive layer provided on the substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer; And
    상기 적층체 상에 적외선 흡수성 보호필름을 적층하는 단계Stacking an infrared absorbing protective film on the laminate
    를 포함하는 전도성 적층체 전구체의 제조방법.Method for producing a conductive laminate precursor comprising a.
  33. 청구항 29 내지 31 중 어느 하나의 항에 따른 전도성 적층체 전구체의 적어도 일면에 적외선을 조사하여 상기 비결정성 투명 전도성층을 결정화하는 단계를 포함하는 전도성 적층체의 제조방법.32. A method of manufacturing a conductive laminate comprising the step of crystallizing the amorphous transparent conductive layer by irradiating at least one surface of the conductive laminate precursor according to any one of claims 29 to 31.
  34. 청구항 33에 있어서, 상기 적외선 흡수성 보호필름을 제거하는 단계를 더 포함하는 전도성 적층체의 제조방법.The method of claim 33, further comprising removing the infrared absorbing protective film.
  35. 청구항 33에 있어서, 상기 전도성 적층체의 제조방법은 상기 적외선 흡수성 보호필름을 제거하는 단계; 및 상기 금속층을 패턴화하는 단계를 더 포함하는 전도성 적층체의 제조방법.The method of claim 33, wherein the method of manufacturing the conductive laminate comprises: removing the infrared absorbing protective film; And patterning the metal layer.
  36. 기재, materials,
    상기 기재 상에 구비된 결정성 투명 전도성층,A crystalline transparent conductive layer provided on the substrate,
    상기 투명 전도성층 상에 구비된 금속층, 및A metal layer provided on the transparent conductive layer, and
    상기 금속층 상에 구비된, 적외선 흡수성 보호필름을 포함하는 전도성 적층체.Conductive laminate provided on the metal layer, the infrared absorbing protective film.
  37. 청구항 36에 있어서, 상기 기재의 결정성 투명 전도성층과 접하는 면의 반대면에 구비된 배면 필름을 더 포함하는 전도성 적층체.37. The conductive laminate of claim 36, further comprising a back film provided on an opposite side of the surface of the substrate in contact with the crystalline transparent conductive layer.
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