WO2015170505A1 - 合波器、この合波器を用いた画像投影装置及び画像投影システム - Google Patents

合波器、この合波器を用いた画像投影装置及び画像投影システム Download PDF

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勝山俊夫
中尾慧
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国立大学法人福井大学
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Definitions

  • the present invention relates to a multiplexer that multiplexes a plurality of visible lights having different wavelengths, an image projection apparatus and an image projection system using the multiplexer.
  • Patent Document 1 An optical coupling device using Mach-Zehnder interference (MZI) is known (for example, see Patent Document 1). If such an optical coupling device is used, a reduction in the size of the display can be expected.
  • MZI Mach-Zhender Interferometer
  • Patent Document 1 two visible lights having different wavelengths are incident on a Mach-Zhender Interferometer (hereinafter referred to as MZI) optical waveguide, and two visible lights are caused by a phase difference due to an optical path length difference of the MZI optical waveguide.
  • MZI Mach-Zhender Interferometer
  • a technique for multiplexing or demultiplexing light is disclosed. However, since the technique described in Patent Document 1 can combine only two lights having different wavelengths, it can be applied to an image forming apparatus that needs to combine at least three visible lights of RGB. Can not.
  • FIG. 10A is a plan view thereof
  • FIG. 10B is a side view of the multiplexer in which the entrance of the waveguide is exposed.
  • the multiplexer 10 ′ includes a substrate 210 formed of silicon (Si), a BOX layer 215 formed of silicon dioxide (SiO 2) on the substrate 210, and SiO 2 formed on the BOX layer 215.
  • the substrate 210, the BOX layer 215, and the cover layer 220 constitute the main body 100 of the multiplexer 10 ′.
  • the first waveguide 101 ′, the second waveguide 102 ′, and the third waveguide 103 ′ have wavelengths of the incident ports 101 a ′, 102 a ′, and 103 a ′ exposed on one surface of the BOX layer 215 and the cover layer 220, respectively.
  • Each of the second waveguide 102 ′ is exposed to the other surface of the clad layer 220 while being propagated through the first waveguide 101 ′, the second waveguide 102 ′, and the third waveguide 103 ′.
  • the light is emitted from the end 102b '.
  • the first waveguide 101 ′, the second waveguide 102 ′, and the third waveguide 103 ′ are arranged at intervals that do not cause stray light.
  • a first multiplexing unit 110, a second multiplexing unit 120, and a third multiplexing unit 130 are provided in this order from the incident port 102 a ′ side.
  • the first multiplexing unit 110, the second multiplexing unit 120, and the third multiplexing unit 130 are configured as directional couplers.
  • the third waveguide 103 is the first one.
  • the second waveguide 120 ′ is in contact with the second waveguide 102 ′, and the first waveguide 101 ′ is in contact with the second waveguide 102 ′ so that RGB visible light is multiplexed.
  • lasers are incident on the incident ports 101a ′, 102a ′, and 103a ′ through optical fibers or directly from semiconductor laser chips 16a, 16b, and 16c attached to one end of the main body 100 as shown. Light is irradiated. However, as shown in FIG.
  • the laser light emitted from the optical fiber or the semiconductor laser chips 16a, 16b, and 16c has a divergence angle of an angle ⁇ 1 centered on the optical axis X that travels straight, so that the waveguide 101 A part of the laser light leaking from ', 102', 103 'is irradiated on the first combining unit 110, and visible light other than the visible light that should be originally combined is mixed in the first combining unit 110 (hereinafter referred to as "the first combining unit 110"). , Stray light).
  • the interval s see FIG.
  • the waveguides 101 ', 102', and 103 ' are arranged adjacently and in parallel as shown in FIG. 10, but the interval s between the waveguides 101', 102 ', and 103' is close to a certain dimension or less.
  • the light oozed out as evanescent waves from the waveguides 101 ', 102', and 103 ' is transferred to other adjacent waveguides, and other visible light is mixed with visible light that is originally propagated, resulting in stray light.
  • the interval s between the waveguides 101 ′, 102 ′, 103 ′ that does not cause such stray light is approximately 30 ⁇ m or more, theoretically, the interval s between the waveguides 101 ′, 102 ′, 103 ′ is about 30 ⁇ m. It is possible to approach.
  • semiconductor laser chips 16a, 16b, and 16c of extremely small size having a chip size of about 500 ⁇ m in width, about 100 ⁇ m in thickness, and about 500 ⁇ m in length have come to the market.
  • the interval s between the waveguides 101 ′, 102 ′, and 103 ′ needs to be at least 500 ⁇ m.
  • the waveguide 101 ′, 102 ′, and 103 ′ need to have a sufficiently large radius of curvature of the curved portion R (see FIG. 10), a sufficiently long arc length of the curved portion R, and a certain spread to the laser light.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and can suppress the influence on the multiplexing portion due to diffusion of laser light from a laser light source such as an optical fiber or a semiconductor laser chip, and does not cause stray light. It is an object of the present invention to provide a multiplexer capable of reducing the size by greatly reducing the width dimension and the length dimension, and an image projection apparatus and an image projection system using the multiplexer.
  • the multiplexer combines a plurality of waveguides into which a plurality of visible lights having different wavelengths are incident and a mode coupling of visible light provided in the middle of the waveguides and propagating through at least two waveguides. And a laser light source that irradiates the waveguide with the visible light, and a first multiplexer disposed at a position closest to the laser light source in the multiplexer that multiplexes the plurality of visible lights.
  • the laser light source having an optical axis at a position separated from the propagation axis of the visible light introduced into the first multiplexing unit, and an outer edge of the laser beam spreading at a predetermined divergence angle of the first multiplexing unit.
  • the optical axis is arranged so as to be inclined with respect to the propagation axis so as to pass in front.
  • the multiplexer of the present invention for example, three visible lights such as three primary colors (red (R), green (G), and blue (B)) can be used.
  • the multiplexer of the present invention can be applied to the image projection apparatus. That is, the first waveguide into which the first visible light is incident, the second waveguide into which the second visible light having a shorter wavelength than the first visible light is incident, and the shorter wavelength than the second visible light. And a third waveguide into which the third visible light having a wavelength shorter than the wavelength interval between the first visible light and the second visible light is shorter than the second visible light.
  • a first combining unit and a third combining unit that perform mode coupling of visible light between the second waveguide and the third waveguide, and between the first waveguide and the second waveguide.
  • a second multiplexer for mode coupling of visible light and arranged in the order of the first multiplexer, the second multiplexer, and the third multiplexer from the laser light source side.
  • the laser light source for the first waveguide and the third waveguide is arranged such that the outer edge of the laser beam that spreads at a predetermined spread angle passes before the first multiplexing portion. Is inclined axis with respect to the propagation axis may be configured to have placed. In this way, stray light caused by irradiating a part of the laser light onto the first multiplexing unit can be suppressed by inclining the optical axis of the predetermined laser light source with respect to the propagation axis.
  • the angle to be tilted can be obtained from the distance between the entrance of the waveguide and the entrance of the first multiplexing unit, the distance between the waveguides, and the spread angle of the laser light from the laser light source. If the laser light source is tilted, the laser light crosses another waveguide, which may cause the influence of stray light on the other waveguide. By doing so, the influence of stray light in the other waveguide can be minimized when the angle ⁇ of the inclination angle is in the range of 0 ° ⁇ ⁇ 90 °. Further, the size of the multiplexer can be minimized by making the angle ⁇ of the inclination angle a right angle.
  • a bent portion that changes the optical path of visible light propagating through the waveguide to a bent shape may be provided between the first multiplexing portion and the other laser light source.
  • the bent portion may be any one that can change the propagation direction of visible light in the waveguide to a bent shape in which two straight lines intersect.
  • a diffraction grating is formed in part of the waveguide, a mirror is formed by forming a trench toward the waveguide core, and aluminum is formed outside the waveguide core.
  • positioned the mirror which vapor-deposited etc. can be mentioned.
  • the degree of freedom of arrangement of a laser light source such as a semiconductor laser chip is increased, and the degree of freedom of design of an image projection apparatus or the like using the multiplexer of the present invention is also increased. it can.
  • a light focusing means may be provided at the entrance of the laser light from the laser light source in the waveguide.
  • the tip of the waveguide may be tapered, or a lens may be disposed between the laser light source and the waveguide.
  • the bending angle of the bent portion is not particularly limited. However, for example, when a waveguide reflector is used, it is preferably within a range of 80 ° to 100 °. More preferably, it is a right angle.
  • An image projection apparatus using the multiplexer of the present invention uses the multiplexer having the above-described configuration, and forms an image by two-dimensionally scanning the wavelength multiplexed light emitted from the multiplexer.
  • a horizontal scanning unit and a vertical scanning unit, and an image forming unit that projects the scanned wavelength multiplexed light onto a projection surface are provided.
  • An image projection system including the above-described image projection device includes a transmission / reception device that transmits and receives image data, a peripheral device that includes a photographing device such as a camera that captures an image, and a terminal device such as a mobile phone and a PC, The transmission / reception device, the peripheral device, and a control device that controls the image projection device may be provided.
  • the image projection apparatus of the present invention using the multiplexer having the above-described configuration and the image projection system provided with the image projection apparatus can reduce the size of the apparatus and system by downsizing the multiplexer, and the semiconductor provided in the multiplexer Since the freedom degree of light source arrangement, such as a laser chip, is high, the freedom degree of design of an apparatus and a system can be raised.
  • FIG. 2A is a diagram showing the relationship between the laser light source and the waveguide in the arrangement of FIG. 1A
  • FIG. 2B is another diagram in the case where a bent portion that is bent at a right angle is provided in the middle of the waveguide.
  • FIG. 2B is another diagram in the case where a bent portion that is bent at a right angle is provided in the middle of the waveguide.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a scanning display according to an embodiment in which a multiplexer 10 of the present invention is applied to a scanning display.
  • 2 is a schematic diagram of a multiplexer 10 in which a horizontal scanner 22 and a vertical scanner 25 are disposed on the other end 102b side of a second waveguide 102.
  • FIG. It is a block diagram concerning an example of the image system provided with the scanning display, and explaining the structure. It is a figure which shows the example of arrangement
  • FIG. 1 is a diagram for explaining the basic concept of the present invention, a diagram for explaining the arrangement of laser light sources when there are three visible lights
  • FIG. 2 (a) is a laser in the case of the arrangement of FIG. 1 (a).
  • the figure which shows the relationship between a light source and a waveguide (b) is a figure which shows the other example at the time of providing the bending part bent at right angle in the middle of a waveguide.
  • 3 is a schematic plan view according to an embodiment of a multiplexer having a bent portion bent at a right angle
  • FIG. 4 is a partially enlarged view illustrating the configuration of the bent portion of the waveguide
  • FIG. It is an enlarged view of the front-end
  • the three visible lights combined in the multiplexer of the present invention described below are monochromatic lights, the first visible light has the longest wavelength, the second visible light has the longest wavelength, and the third visible light. And the wavelength interval between the second visible light and the third visible light is shorter than the wavelength interval between the first visible light and the second visible light.
  • red light (R) having a wavelength ⁇ R 620 to 750 nm
  • green light (G) having a wavelength ⁇ G 495 to 570 nm
  • the optical axes Xr and Xb propagate through the red semiconductor laser chip 16a and the blue semiconductor laser chip 16c as shown in FIG. It is inclined and arranged so as to intersect with the axis Y at an angle ⁇ .
  • the two semiconductor laser chips 16a and 16c are arranged so that their optical axes are inclined with respect to the propagation axis Y at an angle ⁇ for the following reason. That is, the semiconductor laser chips 16a and 16c have the optical axes Xb and Xr at positions separated from the propagation axis Y of the visible light in the semiconductor laser chip 16a and the first multiplexing unit 110 arranged closest to the semiconductor laser chip 16a, When the two semiconductor laser chips 16a and 16c are arranged so that the optical axes Xb and Xr thereof are parallel to the propagation axis Y (see FIG. 11) (see FIG. 11), laser light spreading at an angle ⁇ 1 is applied to the combining unit 110 and stray light.
  • the green semiconductor laser chip 16b arranged in the middle has the optical axis Xg at substantially the same position as the propagation axis Y, the laser beam that spreads at the angle ⁇ 1 is applied to the combining unit 110. This is because the adverse effect of stray light in the first multiplexing unit 110 is hardly caused.
  • the semiconductors on both sides are generally used.
  • the laser chips 16a and 16c are inclined, and the middle semiconductor laser chip 16b may not be inclined.
  • the angle ⁇ is an angle at which the laser light of the semiconductor laser chips 16a and 16c extending around the optical axes Xr and Xb is not irradiated to the first multiplexing unit 110 disposed at the position closest to the semiconductor laser chips 16a, 16b, and 16c. It is.
  • This angle ⁇ is when the laser beam divergence angle is ⁇ 1, the distance between the entrances 101a and 102a (between 102a and 103a) is d1, and the distance between the entrance 102a and the entrance of the first multiplexing unit 110 is l1. In addition, it can be obtained by the following formula.
  • the first angle is set by making the angle ⁇ larger than 35.5 °. It is possible to prevent the laser beam spread from the semiconductor laser chips 16a and 16c from being applied to the multiplexing unit 110.
  • the angle ⁇ may be an acute angle as shown in FIG. 2 (a), but is preferably a right angle as shown in FIG. 2 (b).
  • the irradiation length e in which the laser light from the semiconductor laser chip 16a is irradiated onto the waveguide 102 is minimized, and the influence of stray light on the visible light propagated through the waveguide 102 is reduced. be able to.
  • bent portions 104 and 105 that reflect visible light are provided in the middle of the waveguides 101 and 103.
  • the bent portions 104 and 105 are bent in a straight line so that two straight lines are crossed, and are bent so that visible light can be efficiently propagated even if the waveguides 101 and 103 are bent beyond the critical angle.
  • Mirrors 104a and 105a, diffraction gratings 104b and 105b, which will be described later, and the like are provided in the portion.
  • FIG. 3 shows an embodiment of the multiplexer of the present invention provided with a bent portion that bends at a right angle.
  • the basic configuration of the multiplexer 10 is the same as that of the multiplexer disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-195603 by the applicant of the present application (shown in FIG. 10), and the same part as the multiplexer 10 ′ in FIG.
  • the same members are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
  • the difference between the multiplexer 10 and the multiplexer 10 ′ in FIG. 10 is that the first waveguide 101 and the second waveguide 102 that emits wavelength-multiplexed visible light are emitted in the first waveguide 101 and the second waveguide 102.
  • the tip portions of the first waveguide 101 and the third waveguide 103 are bent in a bent shape or a curved shape so that the incident directions of the visible lights B and R entering the third waveguide 103 intersect.
  • the first waveguide 101 and the third waveguide can be changed in the first waveguide 101 and the third waveguide 103 so that the first visible light and the third visible light incident from the incident ports 101a and 103a can be changed.
  • Bent portions 104 and 105 are provided at the distal end portion of the waveguide 103.
  • the first waveguide 101 and the third waveguide 103 are bent into a bent shape or a curved shape at a portion where the bent portions 104 and 105 are provided.
  • mirrors 104a and 105a that totally reflect visible light are arranged at the bent portions 104 and 105, and the first waveguide 101 and the third waveguide 103 are bent at these portions.
  • the mirrors 104a and 105a are etched from the upper surface of the cover layer 220 to form a trench reaching a deeper portion than the cores of the first waveguide 101 and the third waveguide 103, and the air layer and the core of the trench It is of the waveguide type that totally reflects light with the glass layer forming.
  • the optimal bending angle ⁇ is 90 °, but the bending angle ⁇ allowed when the incident light rate is 50% as a reference is in the range of 77 ° to 100 °. Preferably, it is within the range of 80 ° to 95 °.
  • diffraction gratings 104b and 105b are formed in the bent portions 104 and 105, respectively. Then, the waveguides 101 and 103 are bent at a bending angle ⁇ at the portions where the diffraction gratings 104b and 105b are formed.
  • the first waveguide 101 and the third waveguide 103 are bent into a curved shape with a radius of curvature R.
  • the bending portions 104c and 105c may be provided with reflecting means such as a mirror or a diffraction grating as necessary.
  • reflecting means such as a mirror or a diffraction grating as necessary.
  • as means for changing the optical path at the bent or curved portion for example, those known in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-191564 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-246827 can be used.
  • the length and width of the substrate 210 are formed to be slightly larger than the length and width of the cover layer 220 and the BOX layer 215, and the portion protruding from the cover layer 220 and the BOX layer 215 (white portion) is formed.
  • Semiconductor laser chips 16a, 16b, and 16c are disposed as light sources for allowing visible light to enter the first waveguide 101, the second waveguide 102, and the third waveguide 103.
  • the semiconductor laser chips 16a, 16b, and 16c and the entrances 101a, 102a, and 103a of the first waveguide 101, the second waveguide 102, and the third waveguide 103 are aligned by adjusting the thickness of the substrate 210. can do.
  • the semiconductor laser chips 16a, 16b, and 16c are about 500 ⁇ m wide, about 100 ⁇ m thick, and about 500 ⁇ m long, the semiconductor laser chips 16a, 16b, and 16c can be provided integrally with the optical multiplexer 10. .
  • FIG. 5 shows an example of the laser beam focusing means.
  • the tip of the first waveguide 101 is formed in a tapered shape.
  • the taper form ((Dd) / L) can be about 1/100 as a guide.
  • a minute lens 17 is disposed between the semiconductor laser chip 16a and the entrance 101a.
  • the ends of the first waveguide 101 and the third waveguide 103 on both sides of the second waveguide 102 extending in a straight line among the three waveguides 101, 102, 103 are bent portions 104. , 105 at a substantially right angle, the incident port 101a of the first waveguide 101 and the incident port 103a of the third waveguide 103 can be positioned on opposite side surfaces of the main body 100 of the multiplexer 10. Become.
  • the semiconductor laser chip 16b that irradiates the second waveguide 102 with green light is disposed at one end of the main body 100 of the multiplexer 10, and red light and blue light are emitted.
  • Semiconductor laser chips 16 a and 16 c that irradiate light can be arranged on both side surfaces of the main body 100 of the multiplexer 10. Therefore, the entire length of the main body 100 can be shortened by the amount of bending of the first waveguide 101 and the third waveguide 103, and the semiconductor laser chips 16a and 16c are arranged on the side surface of the main body 100 to thereby reduce the first waveguide 101 and the first waveguide 101.
  • the overall width of the main body 100 can be reduced by making the distance s between the three waveguides 103 and the second waveguide 102 closer, and the light source integrated multiplexer 10 including the semiconductor laser chips 16a, 16b, and 16c can be reduced in size. Can be achieved.
  • the arrangement position of the semiconductor laser chips 16a and 16c can be changed by appropriately changing the bending angle ⁇ , and the degree of freedom in designing the multiplexer 10 can be increased.
  • FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a scanning display according to an embodiment in which the multiplexer 10 having the above configuration is applied to a scanning display.
  • the scanning display 1 includes a control unit 1a and a display unit 1b that are integrally formed.
  • the display unit 1b can be mounted on the user's head together with the control unit 1a using a glasses-type mounting tool.
  • the control unit 1a includes a control unit 12, an operation unit 13, an external interface (I / F) 14, an R laser driver 15a, a G laser driver 15b, a B laser driver 15c, and semiconductor laser chips 16a, 16b, And a multiplexer 10 integrally provided with 16c.
  • the control unit 12 is configured by, for example, a microcomputer including a CPU, a ROM, and a RAM.
  • the control unit 12 is an R signal, a G signal, a B signal, a horizontal signal, and a vertical signal that are elements for combining images based on image data supplied from an external device such as a PC via the external I / F 14 Is generated.
  • the control unit 12 transmits the R signal to the R laser driver 15a, the G signal to the G laser driver 15b, and the B signal to the B laser driver 15c.
  • the control unit 12 transmits a horizontal signal to the horizontal scanning driver 23 and a vertical signal to the vertical scanning driver 26, respectively.
  • the horizontal signal and the vertical signal include a synchronization signal for determining the operation timing of the horizontal scanner 22 and the vertical scanner 25, and a drive signal transmitted from the horizontal scanning driver b23 and the vertical scanning driver 26 to the horizontal scanner 22 and the vertical scanner 25.
  • a drive setting signal for setting a voltage and a frequency is included.
  • the operation unit 13 includes various buttons that accept scanning from the user, and an interface circuit that transmits operation signals generated when the various buttons are pressed to the control unit 12.
  • Various buttons for receiving operations from the user are provided on the surface of the casing of the control unit 1a, for example.
  • the external I / F 14 is an interface for electrically connecting the control unit 1a and an external device such as a PC.
  • the R laser driver 15a drives the semiconductor laser chip 16a so as to generate a red laser having a light amount corresponding to the R signal from the control unit 12.
  • the G laser driver 15b drives the semiconductor laser chip 16b so as to generate a green laser having a light amount corresponding to the G signal from the control unit 12.
  • the B laser driver 15 c drives the semiconductor laser chip 16 c so as to generate a blue laser having a light amount corresponding to the B signal from the control unit 12.
  • the laser beams of the respective colors generated from the semiconductor laser chips 16a, 16b, and 16c are respectively incident on the waveguides 101, 102, and 103 of the multiplexer 10, and are emitted from the multiplexer 10 in a state of being combined as wavelength multiplexed light. Is done.
  • the emitted laser light is transmitted to the display unit 1b through an optical fiber included in the signal line.
  • the display unit 1b includes a collimating optical system 21, a horizontal scanner 22, a horizontal scanning driver 23, a relay optical system 24 including lenses 24a and 24b, a vertical scanner 25, a vertical scanning driver 26, and lenses 27a and 27b.
  • the eyepiece optical system 27 is provided.
  • the collimating optical system 21 converts laser light emitted from the optical fiber into parallel light.
  • the laser light converted into parallel light enters the horizontal scanner 22.
  • the horizontal scanner 22 operates the laser light from the collimating optical system 21 in the horizontal direction.
  • the horizontal scanner 22 has a reflecting surface that swings. As the reflecting surface is swung, the laser light incident on the reflecting surface is scanned in the horizontal direction.
  • the horizontal scanner 22 can be configured by, for example, a resonance type MEMS (Micro Electro Mechanical System) mirror that uses a piezoelectric element.
  • the horizontal scanning driver 23 controls the swinging state of the horizontal scanner 22 in accordance with the horizontal synchronization signal from the control unit 12.
  • the horizontally scanned laser light enters the relay optical system 24.
  • the vertical scanner 25 scans the laser beam from the relay optical system 24 in the vertical direction.
  • the vertical scanner 25 has a reflecting surface that swings. As the reflecting surface swings, the laser light incident on the reflecting surface is scanned in the vertical direction.
  • the vertical scanning driver 26 controls the swing state of the vertical scanner 25 in accordance with the vertical synchronization signal from the control unit 12.
  • the laser light since the laser light is being searched in the horizontal direction by the horizontal scanner 22, it becomes image light scanned two-dimensionally by the vertical scanner 25.
  • the two-dimensionally scanned image light enters the eyepiece optical system 27.
  • the horizontal scanner 22 and the vertical scanner 25 can be integrally provided in the multiplexer 10 of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic diagram of the multiplexer 10 in which the horizontal scanner 22 and the vertical scanner 25 are arranged on the other end 102 b side of the second waveguide 102.
  • the relay optical system 24 and the collimating optical system 21 can be dispensed with.
  • the configuration can be simplified by integrating the control unit 1a and the display unit 1b, and the scanning display 1 can be reduced in size. be able to.
  • FIG. 8 is a block diagram illustrating an example of an image system including the scanning display having the above configuration.
  • the control unit 19 receives an image signal captured by the camera 17 or the like or image data stored in a memory such as a personal computer, and causes the scanning display 1 to display the image. Further, by connecting the transmission / reception unit 18 to the control unit 19, it becomes possible to connect to an external server, a computer, the Internet, a mobile phone, or the like.
  • the control unit 19 can use the control unit 12 of the scanning display. And if the multiplexer 10 of this invention is used, it is possible to make such an image system small 1 cm square or less.
  • a BOX layer 215 having a thickness of 15 ⁇ m is deposited and formed on a rectangular substrate 210 made of SiO 2 having a thickness of 35 ⁇ m, a length of 6 mm, and a width of 1 mm, and is formed on the upper surface of the BOX layer 215.
  • Three waveguides 101, 102, 103 were formed.
  • the waveguides 101, 102, and 103 are made of glass in which SiO2 glass is doped with GeO2, and the refractive index difference from the surrounding cladding is 0.5%.
  • the waveguides 101, 102, and 103 have a rectangular shape with a 2 ⁇ m square cross section.
  • the waveguides 101, 102, and 103 were covered with a SiO2 glass cover layer 220 having a thickness of 20 ⁇ m.
  • the BOX layer 215 and the cover layer 220 are slightly smaller than the substrate 210, and semiconductor laser chips 16 a, 16 b, and 16 c having a width of 500 ⁇ m, a thickness of 100 ⁇ m, and a length of 500 ⁇ m are formed on the substrate 210 on one end side and the left and right sides.
  • the white part which can be attached was provided.
  • the substrate 210 is a high-concentration doped p-type (resistance value: 1000 ⁇ cm) with high heat dissipation so that heat from the semiconductor laser chips 16a, 16b, and 16c can be easily dissipated.
  • Bending portions 104 and 105 that change the optical path in a right angle (90 °) direction are provided at 300 ⁇ m away from the entrances 101 a and 103 a of the waveguides 101 and 103.
  • the bent portions 104 and 105 have rectangular trenches having a width of 10 ⁇ m and a vertical width of 5 ⁇ m from the surface of the cover layer 220 to a depth of 25 ⁇ m, and the inner wall surfaces of the trenches are the cores of the waveguides 101 and 103. Crossed perpendicularly to the inner wall surface.
  • the critical angle of total reflection of light on the wall surface of the trench is 43.6 ° when the refractive index of SiO 2 glass is 1.45, and the optical path can be changed at an angle of almost right angle of 87.2 °. it can.
  • the semiconductor laser chips 16a, 16b, and 16c are attached to the white portion of the substrate 210.
  • the size of the substrate 210 was 6 mm in length and 1 mm in width, and the size of the multiplexer 10 including the semiconductor laser chips 16a, 16b, and 16c was 7 mm in length, 2 mm in width, and 500 ⁇ m in thickness.
  • the angle ⁇ 1 The semiconductor laser chip 16b may not be inclined because the influence of stray light on the first multiplexing unit 110 due to the visible light spreading at 1 is small.
  • RGB visible light was incident on the waveguides 101, 102, 103 of the multiplexer 10 having the above-described configuration from the semiconductor laser chips 16a, 16b, 16c.
  • the visible light reflected by the wall of the trench and whose optical path is changed to a right angle is shifted in the lateral distribution of the optical power from the stable propagation mode immediately after reflection, but the simulation results show that the wavelength is more than 10 times the wavelength. It has been found that by propagating through the waveguides 101 and 103, the stable mode is settled.
  • the distance a of the straight line portion after the optical path change in FIG. 4A is set to 10 times or more of the wavelength, the ratio of visible light transferring from the waveguides 101 and 103 to the waveguide 102 can be made negligibly small. It was. For this reason, if the distance a is 10 times or more of the wavelength, it is not necessary to increase the length of the multiplexing units 110, 120, and 130, and the total length of the multiplexer 10 does not increase.
  • the present invention is not limited to the above description.
  • the semiconductor laser chip 16b may also be disposed so as to be inclined so that the optical axis Xg intersects the propagation axis Y.
  • RGB color light was mentioned as an example and demonstrated as three visible light
  • the multiplexer of this invention is applicable also to three visible light other than RGB.
  • the present invention can also be applied to a multiplexer that multiplexes four or more visible lights.
  • the semiconductor laser chips 16a to 16d may be arranged as shown in FIGS. 9A and 9B, for example.
  • the arrangement of the waveguides 101, 102, 103 and the semiconductor laser chips 16a, 16b, 16c is not limited to the two-dimensional arrangement as described above.
  • the waveguide 101 is arranged on the circumference centering on the waveguide 102.
  • 103 and semiconductor laser chips 16a and 16c may be arranged.
  • the waveguides 101, 102, 103 are integrally formed by embedding the core layer in the cover layer 220, but the waveguides 101, 102, 103 including the core layer and the clad layer are integrally formed.
  • 103 may be formed separately and placed on a support such as a substrate.
  • a waveguide type mirror is described as an example. However, other types of mirrors may be used, for example, outside the cores of the first waveguide 101 and the third waveguide 103. A mirror surface on which aluminum is vapor-deposited may be formed.
  • the multiplexer of the present invention can be widely applied to an apparatus for projecting an image by combining a plurality of visible lights that are monochromatic light, and image projection obtained by scanning the combined light on a user's retina.
  • the present invention can be applied to a laser display that projects an image by scanning a laser beam.

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Abstract

【課題】レーザ光源のレーザ光の拡がりによる合波部への影響を抑制するとともに、小型化を可能にした合波器を提供する。 【解決手段】　波長の異なる複数の可視光が入射される複数の導波路１０１，１０２，１０３と、この導波路の途中に設けられ少なくとも二つの導波路を伝搬する可視光のモード結合を行う合波部１１０，１２０，１３０と、前記可視光を前記導波路に照射するレーザ光源１６ａ，１６ｂ，１６ｃとを備え、前記複数の可視光を波長多重する合波器において、前記レーザ光源に最も近い位置に配置された第１合波部１１０を備え、この第１合波部１１０に導入される前記可視光の伝搬軸線Ｙから離間した位置に光軸Ｘを有するレーザ光源１６ａ，１６ｃを、所定の拡がり角で拡がるレーザ光の外縁が前記第１合波部の手前を通過するように、前記光軸を前記伝搬軸線に対して傾斜させて配置した。

Description

合波器、この合波器を用いた画像投影装置及び画像投影システム
　本発明は、異なる波長の複数の可視光を合波する合波器、この合波器を用いた画像投影装置及び画像投影システムに関する。
　マッハツェンダー干渉（ＭＺＩ）を利用した光学結合デバイスが知られている（例えば特許文献１参照）。このような光結合デバイスを利用すれば、ディスプレイの小型化が期待できる。
　特許文献１には、マッハツェンダー干渉（Ｍａｈａ-Ｚｈｅｎｄｅｒ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｅｒ：以下、ＭＺＩと記載）光導波路に異なる波長の異なる２つの可視光を入射し、ＭＺＩ光導波路の光路長差による位相差によって２つの可視光を合波又は分波する技術が開示されている。ところが、この特許文献１に記載の技術で合波できるのは波長の異なる２つの光に限られることから、少なくともＲＧＢの三つの可視光の合波を必要とする画像形成装置に適用することはできない。
　そこで、本願出願人は、光の三原色であるＲＧＢの三つの可視光を合波することで、画像投影装置に画像を投影させることを可能とした合波器及び画像投影装置を特許文献２において提案している。
　図１０は、本願出願人が特許文献２で開示した合波器の説明図で、（ａ）はその平面図、（ｂ）は導波路の入射口が露出する合波器の側面図である。
　合波器１０′は、シリコン（Ｓｉ）で形成された基板２１０と、この基板２１０に上に二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）で形成されたＢＯＸ層２１５と、このＢＯＸ層２１５の上にＳｉＯ２で形成されたカバー層２２０と、このカバー層２２０の中に形成され、ＢＯＸ層２１５の上面と平行な平面内に配置された第１導波路１０１′、第２導波路１０２′及び第３導波路１０３′とを備えている。
　なお、基板２１０とＢＯＸ層２１５とカバー層２２０とで合波器１０′の本体１００が構成される。
　第１導波路１０１′，第２導波路１０２′及び第３導波路１０３′には、ＢＯＸ層２１５及びカバー層２２０の一面に露出する入射口１０１ａ′，１０２ａ′，１０３ａ′から、それぞれ波長の異なるシングルモードの赤色光（Ｒ：波長λＲ＝６２０～７５０ｎｍ）、緑色光（Ｇ：波長λＧ＝４９５～５７０ｎｍ）、青色光（Ｂ：波長λＢ＝４５０～４９５ｎｍ）が入射され、このＲＧＢ色光のそれぞれが、第１導波路１０１′，第２導波路１０２′及び第３導波路１０３′内を伝搬されつつ合波されて、クラッド層２２０の他面に露出する第２導波路１０２′の他端１０２ｂ′から出射される。
　第１導波路１０１′，第２導波路１０２′及び第３導波路１０３′は、迷光を生じない間隔で配置される。第２導波路１０２′の可視光の伝搬経路上には、入射口１０２ａ′側から順に第１合波部１１０，第２合波部１２０及び第３合波部１３０が設けられている。第１合波部１１０，第２合波部１２０及び第３合波部１３０は方向性結合器として構成され、第１合波部１１０及び第３合波部１３０では第３導波路１０３が第２導波路１０２′に接し、第２合波部１２０では第１導波路１０１′が第２導波路１０２′に接して、ＲＧＢの可視光の合波が行われるようになっている。
特開２０１０－１３４２２４号公報 特開２０１３－１９５６０３号公報
　上述の光導波路型合波器では、光ファイバを介して又は図示するように本体１００の一端に取り付けた半導体レーザチップ１６ａ，１６ｂ，１６ｃから直接、入射口１０１ａ′，１０２ａ′，１０３ａ′にレーザ光が照射される。
　しかし、図１１に示すように、光ファイバや半導体レーザチップ１６ａ，１６ｂ，１６ｃから照射されるレーザ光は、直進する光軸Ｘを中心とする角度θ１の拡がり角を有することから、導波路１０１′，１０２′，１０３′から漏れたレーザ光の一部が第１合波部１１０に照射されて、本来合波すべき可視光以外の可視光が第１合波部１１０に混在する（以下、迷光という）という問題がある。
　このような混在の発生を抑制するためには、導波路１０１′，１０２′，１０３′の間隔ｓ（図１０参照）を十分にとって、光ファイバどうしや半導体レーザチップ１６ａ，１６ｂ，１６ｃの間隔を十分に開ければよいが、導波路１０１′，１０２′，１０３′の間隔ｓを大きくするほど合波器１０′が大型化するという問題が生じる。
　また、導波路１０１′，１０２′，１０３′は、図１０に示すように隣接して平行に配置されるが、導波路１０１′，１０２′，１０３′同士の間隔ｓを一定寸法以下に接近させると、導波路１０１′，１０２′，１０３′からエバネッセント波として染み出した光が近接する他の導波路に乗り移り、本来的に伝搬させる可視光に他の可視光が混在して迷光を生じさせる。このような迷光を生じさせない導波路１０１′，１０２′，１０３′の間隔ｓは概ね３０μｍ以上であることから、理論的には、導波路１０１′，１０２′，１０３′の間隔ｓは３０μｍ程度まで接近させることが可能である。
　ところで近年では、チップサイズが幅５００μｍ程度、厚さ１００μｍ程度、長さ５００μｍ程度の極小サイズの半導体レーザチップ１６ａ，１６ｂ，１６ｃが市販されるに至っている。しかし、図１１に示すように半導体レーザチップ１６ａ，１６ｂ，１６ｃを密接させて本体１００の一端に配置したとしても、導波路１０１′，１０２′，１０３′の間隔ｓは最低でも５００μｍが必要となること、発熱による影響を抑制するために半導体レーザチップ１６ａ，１６ｂ，１６ｃの間には隙間が必要となることなどの理由から、合波器１０′の幅寸法の短縮には限界があるという問題がある。
　さらに、導波路１０１′，１０２′，１０３′がほぼ接触する位置まで近接する第１合波部１１０から、１００μｍまで導波路１０１′，１０２′，１０３′の間隔ｓを拡げるには、導波路１０１′，１０２′，１０３′の湾曲部Ｒ（図１０参照）の曲率半径を十分に大きく取ったり、湾曲部Ｒの円弧長を十分に長くとる必要があること、レーザ光には一定の拡がり角があるので、上記したように半導体レーザチップ１６ａ，１６ｂ，１６ｃを並べて配置すると、拡がったレーザ光の一部が第１合波部１１０に照射されて迷光を生じさせるという問題があることから、合波器１０′の長さ寸法の短縮にも限界がある。
　本発明は上記の問題に鑑みてなされたもので、光ファイバや半導体レーザチップ等のレーザ光源からのレーザ光の拡散による合波部への影響を抑制することができ、迷光を生じさせない範囲内で幅寸法及び長さ寸法を大幅に短縮して小型化を可能にした合波器とこの合波器を利用した画像投影装置及び画像投影システムの提供を目的とする。
　本発明の合波器は、波長の異なる複数の可視光が入射される複数の導波路と、この導波路の途中に設けられ少なくとも二つの導波路を伝搬する可視光のモード結合を行う合波部と、前記可視光を前記導波路に照射するレーザ光源とを備え、前記複数の可視光を波長多重する合波器において、前記レーザ光源に最も近い位置に配置された第１合波部を備え、この第１合波部に導入される前記可視光の伝搬軸線から離間した位置に光軸を有する前記レーザ光源を、所定の拡がり角で拡がるレーザ光の外縁が前記第１合波部の手前を通過するように、前記光軸を前記伝搬軸線に対して傾斜させて配置した構成としてある。
　本発明の合波器においては、例えば三原色（赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ））のような三つの可視光を使用することもできる。このようにすることで、本発明の合波器を画像投影装置に適用することが可能になる。すなわち、第１可視光が入射される第１導波路と、前記第１可視光よりも短波長の第２可視光が入射される第２導波路と、前記第２可視光よりも短波長であり、前記第１可視光と前記第２可視光との間の波長間隔よりも前記第２可視光との間の波長間隔が短い波長の第３可視光が入射される第３導波路とを備え、前記第２導波路と前記第３導波路との間で可視光のモード結合を行う第１合波部及び第３合波部と、第１導波路と前記第２導波路との間で可視光のモード結合を行う第２合波部とを有し、前記レーザ光源側から前記第１合波部、第２合波部及び第３合波部の順で配置した合波器において、前記第１導波路と前記第３導波路用のレーザ光源を、所定の拡がり角で拡がるレーザ光の外縁が前記第１合波部の手前を通過するように、前記光軸を前記伝搬軸線に対して傾斜させて配置した構成とすることができる。
　このように、所定のレーザ光源の光軸を前記伝搬軸線に対して傾斜させることで、レーザ光の一部が第１合波部に照射されることによる迷光を抑制することができる。
　傾斜させる角度は、導波路の入射口と第１合波部の入口までの距離、導波路の間隔及びレーザ光源からのレーザ光の拡がり角によって求めることができる。なお、レーザ光源を傾斜させるとレーザ光が他の導波路を横切ることになり、当該他の導波路に対して迷光の影響を生じさせるおそれがあるが、このような場合も傾斜角を直角とすることで、傾斜角の角度θが０°＜θ≦９０°の範囲内で前記他の導波路における迷光の影響を最小に抑制することができる。また、傾斜角の角度θを直角にすることで、合波器のサイズを最小にすることができる。
　前記第１合波部と前記他のレーザ光源との間には、前記導波路を伝搬される可視光の光路を屈曲状に変更する屈曲部を設けるとよい。前記屈曲部は、導波路内で可視光の伝搬方向を、二つの直線が交叉する屈曲状に変更ができるものであればよい。例えば、導波路の一部に回析格子を形成したもの、導波路のコアに向けてトレンチを形成することでミラー（導波路型反射鏡）を形成したもの、導波路のコアの外側にアルミを蒸着するなどしたミラーを配置したものなどを挙げることができる。
　このような屈曲部を利用することで、合波器本体の一端と側面とにレーザ光源を配置することが可能になり、合波器の幅と長さを大幅に短縮することが可能になる。また、このような屈曲部を利用することで、半導体レーザチップ等のレーザ光源の配置の自由度が増し、本発明の合波器を利用する画像投影装置等の設計の自由度も高めることができる。
　前記導波路におけるレーザ光源からのレーザ光の入射口に光集束手段を設けるとよい。例えば前記導波路の先端部を先細状にしたり、レーザ光源と導波路との間にレンズを配置したりするとよい。
　なお、屈曲部の屈曲角度は特に限定されないが、例えば導波路型反射鏡を用いた場合は８０°～１００°の範囲内とするのが好ましい。直角であるのがより好ましい。
　本発明の合波器を用いた画像投影装置は、上記構成の合波器を用いたもので、前記合波器から出射された前記波長多重光を二次元的に走査して画像を形成する水平走査部及び垂直走査部と、走査された前記波長多重光を被投影面に投影する画像形成部を備える構成としてある。この場合、前記合波器に前記水平走査部及び前記垂直走査部を設けるとよい。このようにすることで、画像投影装置を小型化することができる。
　また、上記の画像投影装置を備えた画像投影システムは、画像データの送受信を行う送受信装置と、画像の撮影を行うカメラ等の撮影装置や携帯電話、ＰＣ等の端末装置を含む周辺装置と、前記送受信装置、前記周辺装置及び前記画像投影装置の制御を行う制御装置とを備えた構成とすることができる。
　上記構成の合波器を用いた本発明の画像投影装置及びこの画像投影装置を備えた画像投影システムは、合波器の小型化により装置及びシステムを小型にできるうえ、合波器に設ける半導体レーザチップ等の光源配置の自由度が高いので、装置及びシステムの設計の自由度を高めることができる。
本発明の基本的な概念を説明する図で、（ａ）は可視光が三つの場合におけるレーザ光源の配置を説明する図である。 図２（ａ）は図１（ａ）の配置の場合のレーザ光源と導波路との関係を示す図、（ｂ）は導波路の途中に直角に屈曲する屈曲部を設けた場合の他の例を示す図である。 直角に屈曲する屈曲部を備えた合波器の一実施形態にかかる概略平面図である。 導波路の屈曲部の構成を説明する部分拡大図である。 光集束手段を設けた導波路の先端部分の拡大図である。 本発明の合波器１０を走査型ディスプレイに適用した一実施形態にかかり、走査型ディスプレイの概略構成図である。 第２導波路１０２の他端１０２ｂ側に水平スキャナ２２と垂直スキャナ２５を配置した合波器１０の概略図である。 走査型ディスプレイを備えた画像システムの一例にかかり、その構成を説明するブロック図である。 本発明の合波器の他の実施形態にかかり、四つ以上の可視光を合波する合波器に適用した場合の半導体レーザチップの配置例を示す図である。 本願出願人が特許文献２で開示した合波器の説明図で、（ａ）はその平面図、（ｂ）は導波路の入射口が露出する合波器を一端側から見た正面図である。 レーザ光源から照射されるレーザ光がその拡がりにより第１合波部に照射される様子を説明する図である。
　以下、本発明の好適な実施形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。
　図１は、本発明の基本的な概念を説明する図で、可視光が三つの場合におけるレーザ光源の配置を説明する図、図２（ａ）は図１（ａ）の配置の場合のレーザ光源と導波路との関係を示す図、（ｂ）は導波路の途中に直角に屈曲する屈曲部を設けた場合の他の例を示す図である。また、図３は、直角に屈曲する屈曲部を備えた合波器の一実施形態にかかる概略平面図、図４は導波路の屈曲部の構成を説明する部分拡大図、図５は光集束手段を設けた導波路の先端部分の拡大図である。
［使用できる可視光］
　以下に説明する本発明の合波器において合波する３つの可視光は、単色光であって、第１可視光の波長が最も長く、次いで第２可視光の波長が長く、第３可視光の波長が最も短く、かつ、前記第１可視光と前記第２可視光との間の波長間隔よりも前記第２可視光と前記第３可視光との間の波長間隔が短いことが条件となる。
　このような条件を満たす可視光としては、波長λＲ＝６２０～７５０ｎｍの赤色光（Ｒ）、波長λＧ＝４９５～５７０ｎｍの緑色光（Ｇ）、波長λＢ＝４５０～４９５ｎｍの青色光（Ｂ）を挙げることができる。これらＲＧＢの３つの波長間には、λＢ＜λＧ＜λＲの関係が成立し、この波長範囲の中から、λＲ－λＧ＞λＧ－λＢなる関係を充たすように、例えば、赤色光として波長λＲ＝６４０ｎｍのものを、緑色光として波長λＧ＝５２０ｎｍのものを、青色光として波長λＢ＝４５５ｎｍのものを選択することができる。
［レーザ光源の配置］
　この実施形態においては、三つの半導体レーザチップ１６ａ，１６ｂ，１６ｃのうち、赤色用の半導体レーザチップ１６ａ及び青色用の半導体レーザチップ１６ｃを、図１に示すようにその光軸Ｘｒ，Ｘｂが伝搬軸線Ｙに対して角度θで交叉するように、傾斜させて配置している。
　この実施形態において、二つの半導体レーザチップ１６ａ，１６ｃを、その光軸が伝搬軸線Ｙに対して角度θで傾斜するように配置するのは以下の理由による。すなわち、半導体レーザチップ１６ａ，１６ｃは、半導体レーザチップ１６ａ，最も近くに配置された第１合波部１１０における可視光の伝搬軸線Ｙから離間した位置に光軸Ｘb，Ｘrを有し、かつ、二つの半導体レーザチップ１６ａ，１６ｃをその光軸Ｘb，Ｘrが伝搬軸線Ｙに対して平行に配置した場合（図１１参照）に、角度θ１で拡がるレーザ光が合波部１１０に照射されて迷光を生じさせ、この迷光が合波に悪影響を及ぼすためである。
　一方、真ん中に配置された緑色用の半導体レーザチップ１６ｂについては、伝搬軸線Ｙとほぼ同じ位置に光軸Ｘｇを有しているので、角度θ１で拡がるレーザ光が合波部１１０に照射されても第１合波部１１０における迷光の悪影響をほとんど生じさせないためである。
　この実施形態のように、三つの半導体レーザチップ１６ａ，１６ｂ，１６ｃのレーザ光を三つの導波路１０１，１０２，１０３に導入して可視光の合波を行う場合は、一般的に両側の半導体レーザチップ１６ａ，１６ｃを傾斜させ、真ん中の半導体レーザチップ１６ｂは傾斜させなくてもよい。
　角度θは、光軸Ｘｒ，Ｘｂを中心として拡がる半導体レーザチップ１６ａ，１６ｃのレーザ光が、半導体レーザチップ１６ａ，１６ｂ，１６ｃに最も近い位置に配置された第１合波部１１０に照射されない角度である。
　この角度θは、レーザ光の拡がり角をθ１、入射口１０１ａ，１０２ａ間（１０２ａ，１０３ａ間）の距離をｄ１、入射口１０２ａと第１合波部１１０の入口との距離をｌ１としたときに、以下の式で求めることができる。
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　例えば、レーザ光の拡がり角θ1＝７°、距離ｄ１=５００μｍ、距離ｌ１＝９００μｍの場合は、θ＝３５．５°となることから、角度θを３５．５°より大きくすることで第１合波部１１０に半導体レーザチップ１６ａ，１６ｃから拡がったレーザ光が照射されないようにすることができる。
　角度θは、図２（ａ）に示すように鋭角としてもよいが、図２（ｂ）に示すように直角とするのが好ましい。このようにすることで、半導体レーザチップ１６ａからのレーザ光が導波路１０２に照射される照射長さｅを最も短くして、導波路１０２を伝搬される可視光への迷光の影響を小さくすることができる。
　角度θを直角にする場合は、導波路１０１，１０３の可視光の伝搬効率を維持するために、導波路１０１，１０３の途中部位に可視光を反射する屈曲部１０４，１０５を設ける。この屈曲部１０４，１０５は二つの直線を交叉させたように直線状に折り曲げたもので、臨界角を越えて導波路１０１，１０３を折り曲げても可視光を効率良く伝搬できるように、折り曲げた部分に後述するミラー１０４ａ，１０５ａや回析格子１０４ｂ，１０５ｂ等を設ける。
［合波器の全体構成］
　図３に、直角に折れ曲がる屈曲部を備えた本発明の合波器の一実施形態を示す。
　この合波器１０の基本構成は、本願出願人によって特開２０１３－１９５６０３号で開示された合波器（図１０に示すもの）と同じで、図１０の合波器１０′と同一部位、同一部材には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
　この合波器１０において図１０の合波器１０′と相違するところは、波長多重された可視光を出射する第２導波路１０２の可視光の出射方向に対して、第１導波路１０１及び第３導波路１０３に入射する可視光Ｂ，Ｒの入射方向が交叉するように、第１導波路１０１及び第３導波路１０３の先端部分を屈曲状又は湾曲状に折り曲げている点である。
　入射口１０１ａ，１０３ａから入射された第１可視光及び第３可視光が、第１導波路１０１内及び第３導波路１０３内で光路を変更できるように、第１導波路１０１及び第３導波路１０３の先端部分には屈曲部１０４，１０５が設けられている。そして、この屈曲部１０４，１０５を設けた部分で、第１導波路１０１及び第３導波路１０３が屈曲状又は湾曲状に折り曲げられる。
　屈曲部１０４，１０５の一例を図４（ａ）（ｂ）に示す。
　図４（ａ）の例では、屈曲部１０４，１０５に可視光を全反射するミラー１０４ａ，１０５ａを配置していて、この部分で第１導波路１０１及び第３導波路１０３を屈曲させている。
　この実施形態においてミラー１０４ａ，１０５ａは、カバー層２２０の上面からエッチングによって、第１導波路１０１及び第３導波路１０３のコアより深い部分まで達するトレンチを形成し、前記トレンチの空気層と前記コアを形成するガラス層との間で光を全反射させる導波路型のものである。
　このような導波路型のミラーにおいては、折り曲げ角度αが直角（９０°）から大小変化すると入射光率が低下するとともに、反射率が小さくなる。そのため、この種の導波路型のミラーにおいて最適な折り曲げ角度αは９０°であるが、入射光率５０％を基準とした場合に許容される折り曲げ角度αは７７°～１００°の範囲内、好ましくは８０°～９５°の範囲内である。
　図４（ｂ）に示す例では、屈曲部１０４，１０５に回析格子１０４ｂ，１０５ｂを形成している。そして、回析格子１０４ｂ，１０５ｂを形成した部分で導波路１０１，１０３を折り曲げ角度αで屈曲状に折り曲げる。
　図４（ｃ）の例では、曲率半径Ｒで第１導波路１０１及び第３導波路１０３を湾曲状に折り曲げている。湾曲部１０４ｃ，１０５ｃには、必要に応じてミラーや回析格子等の反射手段を設けてもよい。
　その他、屈曲状又は湾曲状に折り曲げた部分で光路を変更する手段としては、例えば特開２００４－１９１５６４号公報や特開平１０－２４６８２７号公報等で公知のものを用いることができる。
［光入力部］
　この実施形態では、基板２１０の長さ及び幅をカバー層２２０及びＢＯＸ層２１５の長さ及び幅よりも少し大きく形成していて、カバー層２２０及びＢＯＸ層２１５から張り出す部分（シロ部分）に、第１導波路１０１、第２導波路１０２及び第３導波路１０３に可視光を入射させる光源としての半導体レーザチップ１６ａ，１６ｂ，１６ｃを配置している。
　半導体レーザチップ１６ａ，１６ｂ，１６ｃと第１導波路１０１、第２導波路１０２及び第３導波路１０３の入射口１０１ａ，１０２ａ，１０３ａとは、基板２１０の厚さを調整することで位置合わせをすることができる。
　半導体レーザチップ１６ａ，１６ｂ，１６ｃの大きさは、幅５００μｍ程度、厚さ１００μｍ程度、長さ５００μｍ程度であるので、半導体レーザチップ１６ａ，１６ｂ，１６ｃは光合波器１０に一体に設けることができる。
　また、第１導波路１０１、第２導波路１０２及び第３導波路１０３の入射口１０１ａ，１０２ａ，１０３ａには、半導体レーザチップ１６ａ，１６ｂ，１６ｃからのレーザ光を高効率で導波路１０１，１０２，１０３に導くように、レーザ光集束手段を設けるのが好ましい。
　図５にレーザ光集束手段の一例を示す。なお、図５では、第１導波路１０１の場合のみを例に挙げて図示しているが、第２導波路１０２及び第３導波路１０３の場合も同様である。
　図５（ａ）に示す例では、第１導波路１０１の先端を先細のテーパ状に形成している。テーパの形態（（Ｄ－ｄ）／Ｌ）は１／１００程度を目安とすることができる。
　図５（ｂ）に示す例では、半導体レーザチップ１６ａと入射口１０１ａとの間に微小なレンズ１７を配置している。
　このようなレーザ光集束手段を設けることで、半導体レーザチップ１６ａ，１６ｂ，１６ｃのような超小型のレーザ光源から高効率で可視光を導波路１０１，１０２，１０３に入射させることができる。
［作用］
　上記構成の合波器１０では、三つの導波路１０１，１０２，１０３のうち、直線状に伸びる第２導波路１０２の両側の第１導波路１０１及び第３導波路１０３の先端を屈曲部１０４，１０５でほぼ直角に折り曲げることで、合波器１０の本体１００の対向する側面に、第１導波路１０１の入射口１０１ａと第３導波路１０３の入射口１０３ａとを位置させることが可能になる。そして、レーザ光源である半導体レーザチップ１６ａ，１６ｂ，１６ｃのうち、第２導波路１０２に緑色光を照射する半導体レーザチップ１６ｂを合波器１０の本体１００の一端に配置し、赤色光と青色光を照射する半導体レーザチップ１６ａ，１６ｃを合波器１０の本体１００の両側面に配置することが可能になる。
　そのため、第１導波路１０１及び第３導波路１０３を折り曲げた分だけ本体１００の全長を短くできるほか、半導体レーザチップ１６ａ，１６ｃを本体１００の側面に配置することで第１導波路１０１及び第３導波路１０３と第２導波路１０２との間隔ｓを接近させて本体１００の全幅を小さくすることができ、半導体レーザチップ１６ａ，１６ｂ，１６ｃを備えた光源一体形の合波器１０の小型化を図ることができる。また、折り曲げ角度αを適宜に変更することで半導体レーザチップ１６ａ，１６ｃの配置位置を変更することができ、合波器１０の設計の自由度を高めることができる。
［走査型ディスプレイの構成］
　図６は、上記構成の合波器１０を走査型ディスプレイに適用した一実施形態にかかり、走査型ディスプレイの概略構成図である。
　図６に示すように、走査型ディスプレイ１は、一体に構成された制御ユニット１ａと表示ユニット１ｂとを有する。
　表示ユニット１ｂは、例えば米国特許出願公開２０１０／００７３２６２号公報などに開示されているように、メガネ型の装着具などを用いて、制御ユニット１ａとともに使用者の頭部に装着することができる。
　制御ユニット１ａは、制御部１２と、操作部１３と、外部インターフェース（Ｉ／Ｆ）１４と、Ｒレーザドライバ１５ａと、Ｇレーザドライバ１５ｂと、Ｂレーザドライバ１５ｃと、半導体レーザチップ１６ａ，１６ｂ，１６ｃを一体に備えた合波器１０とを有する。制御部１２は、例えばＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭを含むマイコンなどで構成される。制御部１２は、ＰＣなどの外部機器から外部Ｉ／Ｆ１４を介して供給される画像データに基づいて、画像を合成するための要素となるＲ信号、Ｇ信号、Ｂ信号、水平信号及び垂直信号を発生する。制御部１２は、Ｒ信号をＲレーザドライバ１５ａに、Ｇ信号をＧレーザドライバ１５ｂに、Ｂ信号をＢレーザドライバ１５ｃに、それぞれ送信する。
　制御部１２は、水平信号を水平走査ドライバ２３に、垂直信号を垂直走査ドライバ２６にそれぞれ送信する。水平信号及び垂直信号には、水平スキャナ２２及び垂直スキャナ２５の動作のタイミングを決定する同期信号や、水平走査ドライアｂ２３及び垂直走査ドライバ２６から水平スキャナ２２及び垂直スキャナ２５に送信される駆動信号の電圧や周波数を設定する駆動設定信号などが含まれる。
　操作部１３は、使用者からの走査を受け付ける各種ボタンと、各種ボタンが押下された際に発生する操作信号を制御部１２に送信するインターフェース回路などによって構成される。使用者からの操作を受け付ける各種ボタンは、例えば、制御ユニット１ａの筐体表面に設けられる。外部Ｉ／Ｆ１４は、制御ユニット１ａとＰＣなどの外部機器とを電気的に接続するためのインターフェースである。
　Ｒレーザドライバ１５ａは、制御部１２からのＲ信号に応じた光量の赤色レーザを発生させるように、半導体レーザチップ１６ａを駆動する。Ｇレーザドライバ１５ｂは、制御部１２からのＧ信号に応じた光量の緑色レーザを発生させるように、半導体レーザチップ１６ｂを駆動する。Ｂレーザドライバ１５ｃは、制御部１２からのＢ信号に応じた光量の青色レーザを発生させるように、半導体レーザチップ１６ｃを駆動する。各色のレーザ光の強度比を調整することによって、所望の色を有するレーザ光が合成可能となる。半導体レーザチップ１６ａ，１６ｂ，１６ｃから発生した各色のレーザ光は合波器１０の導波路１０１，１０２，１０３にそれぞれ入射され、波長多重光として合波された状態で、合波器１０から出射される。出射されたレーザ光は、信号線に含まれる光ファイバを介して、表示ユニット１ｂに伝達される。
　表示ユニット１ｂは、コリメート光学系２１と、水平スキャナ２２と、水平走査ドライバ２３と、レンズ２４ａ，２４ｂを備えるリレー光学系２４と、垂直スキャナ２５と、垂直走査ドライバ２６と、レンズ２７ａ，２７ｂを備える接眼光学系２７とを有する。
　コリメート光学系２１は、光ファイバから出射したレーザ光を平行光に変換する。平行光に変換されたレーザ光は、水平スキャナ２２に入射する。
　水平スキャナ２２は、コリメート光学系２１からのレーザ光を水平方向に操作する。具体的には、水平スキャナ２２は、揺動する反射面を有する。反射面が揺動することで、反射面に入射したレーザ光は、水平方向に走査させる。水平スキャナ２２は、例えば、圧電素子を用いて用道する共振型のＭＥＭＳ（ＭｉｃｒｏＥｌｅｃｔｒｏＭｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｓｙｓｔｅｍ）ミラーで構成可能である。水平走査ドライバ２３は、制御部１２からの水平同期信号に従って、水平スキャナ２２の揺動状態を制御する。水平走査されたレーザ光は、リレー光学系２４に入射する。
　垂直スキャナ２５は、リレー光学系２４からのレーザ光を垂直方向に走査する。具体的には、垂直スキャナ２５は、揺動する反射面を有する。反射面が揺動することで、反射面に入射したレーザ光は、垂直方向に走査される。例えば、揺動するＭＥＭＳミラーで構成可能である。垂直走査ドライバ２６は、制御部１２からの垂直同期信号にしたがって、垂直スキャナ２５の揺動状態を制御する。ここで、レーザ光は、水平スキャナ２２によって水平方向に捜査せれているので、垂直スキャナ２５によって二次元的に走査された画像光となる。二次元走査された画像光は、接眼光学系２７に入射する。
　水平スキャナ２２及び垂直スキャナ２５は、本発明の合波器１０に一体に設けることが可能である。
　図７は、第２導波路１０２の他端１０２ｂ側に水平スキャナ２２と垂直スキャナ２５を配置した合波器１０の概略図である。
　このように、水平スキャナ２２及び垂直スキャナ２５を合波器１０に一体に設ければ、リレー光学系２４及びコリメート光学系２１は不要にすることができる。そして、水平走査ドライバ２３と垂直走査ドライバ２６を制御装置１２に組み込むことで、制御ユニット１ａと表示ユニット１ｂを一体にして構成を簡素化することができ、かつ、走査型ディスプレイ１を小型にすることができる。
　図８は、上記構成の走査型ディスプレイを備えた画像システムの一例にかかり、その構成を説明するブロック図である。
　制御部１９は、カメラ１７等で撮影された画像信号やパソコン等のメモリに格納された画像データを受け取り、走査型ディスプレイ１に当該画像を表示させる。また、制御部１９に送受信部１８を接続することで、外部のサーバーやコンピュータ、インターネット、携帯電話等に接続することが可能になる。なお、制御部１９は走査型ディスプレイの制御部１２を用いることが可能である。そして、本願発明の合波器１０を用いれば、このような画像システムを１ｃｍ角以下の小型にすることが可能である。
［実施例］
　次に本発明の合波器１０の具体的な実施例について説明する。
　この実施例では、ＳｉＯ２で形成された厚さ３５μｍ、長さ６ｍｍ、幅１ｍｍの矩形状の基板２１０の上に、厚さ１５μｍのＢＯＸ層２１５を堆積・形成し、このＢＯＸ層２１５の上面に3本の導波路１０１，１０２，１０３を形成した。導波路１０１，１０２，１０３は、ＳｉＯ２ガラスにGｅＯ２をドープしたガラスからなり、周囲のクラッドとの屈折率差は０．５％とした。導波路１０１，１０２，１０３は2μｍ角の断面矩形状とした。そして、導波路１０１，１０２，１０３を、２０μｍの厚さのSiO２ガラスのカバー層２２０でカバーした。
　ＢＯＸ層２１５及びカバー層２２０は基板２１０よりも若干小さくし、一端側と左右両側には、幅５００μｍ、厚さ１００μｍ、長さ５００μｍの大きさの半導体レーザチップ１６ａ，１６ｂ，１６ｃを基板２１０に取り付けることができるシロ部分を設けた。なお、基板２１０は半導体レーザチップ１６ａ，１６ｂ，１６ｃからの熱を放熱しやすいように、放熱性の高い高濃度ドープp型（抵抗値：１０００Ωｃｍ〉を用いた。
　導波路１０１，１０３の入射口１０１ａ，１０３ａから３００μｍ離れたところに、光路を直角（９０°）方向に変更する屈曲部１０４，１０５を設けた。屈曲部１０４，１０５は、カバー層２２０の表面から深さ２５μｍまで幅１０μｍ、縦幅５μｍの大きさで形成した矩形状のトレンチを有し、このトレンチの内壁面を導波路１０１，１０３のコアの内壁面に垂直に交叉させた。
　前記トレンチの壁面での光の全反射の臨界角は、ＳｉＯ２系ガラスの屈折率を1．４５として４３．６°と求められ、８７．２°のほぼ直角の角度で光路を変更することができる。
　基板２１０の前記シロ部分に半導体レーザチップ１６ａ，１６ｂ，１６ｃを取り付ける。基板２１０の大きさは長さ６ｍｍ、幅１ｍｍで、半導体レーザチップ１６ａ，１６ｂ，１６ｃを含めた合波器１０の大きさは長さ７ｍｍ、幅２ｍｍ、肉厚５００μｍであった。
　なお、このサイズの合波器１０においては、半導体レーザチップ１６ｂの光軸Ｘｇが伝搬軸線Ｙとほぼ同じ位置にあるか多少ずれていても（ずれ量の目安は概ね±３０μｍ以内）、角度θ１で拡がる可視光による第１合波部１１０への迷光の影響が小さいため、半導体レーザチップ１６ｂは傾斜させなくてもよい。
　上記構成の合波器１０の導波路１０１，１０２，１０３に、半導体レーザチップ１６ａ，１６ｂ，１６ｃからＲＧＢの可視光を入射させた。その結果、トレンチの壁面で反射され光路を直角方向に変えた可視光は、反射直後は安定な伝搬モードから光パワーの横方向分布がずれてしまうが、シミュレーションの結果から、波長の1０倍以上導波路１０１，１０３を伝搬させることにより、安定モードに落ち着くことがわかった。
　そして、図４（ａ）における光路変更後の直線部分の距離ａを波長の１０倍以上にすれば、導波路１０１，１０３から導波路１０２に可視光が乗り移る割合を無視できるほど小さくできることがわかった。このため、距離ａを波長の１０倍以上にすれば、合波部１１０，１２０，１３０の長さを長くする必要がなく、合波器１０の全長も長くなることはない。
　本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記の説明に限定されるものではない。
　例えば、半導体レーザチップ１６ｂについても光軸Ｘｇが伝搬軸線Ｙに対して交叉するように傾斜させて配置してもよい。
　また、３つの可視光としてＲＧＢ色光を例に挙げて説明したが、本発明の合波器はＲＧＢ以外の三つの可視光にも適用が可能である。また、四つ以上の可視光を合波する合波器にも適用が可能である。この場合は、例えば図９（ａ）（ｂ）に示すように半導体レーザチップ１６ａ～１６ｄを配置すればよい。
　さらに、導波路１０１，１０２，１０３及び半導体レーザチップ１６ａ，１６ｂ，１６ｃの配置は、上記のような二次元的なものに限られず、例えば導波路１０２を中心とする円周上に導波路１０１，１０３や半導体レーザチップ１６ａ，１６ｃを配置するなど、三次元的なものであってもよい。
　また、上記の説明では、カバー層２２０の内部にコア層を埋め込むことで導波路１０１，１０２，１０３を一体的に形成しているが、コア層とクラッド層とからなる導波路１０１，１０２，１０３を別々に形成し、基板等の支持体上に配置するようにしてもよい。
　また、上記の実施形態では導波路型のミラーを例に挙げて説明しているが、他の形態のミラーであってもよく、例えば第１導波路１０１及び第３導波路１０３のコアの外側にアルミを蒸着したミラー面を形成したものであってもよい。
　本発明の合波器は、単色光である複数の可視光を合波して画像投影等する装置に広く適用が可能であり、使用者の網膜上に合波した光を走査させた画像投影を行う網膜走査形ディスプレイの他、レーザ光を走査させて画像を投影するレーザーディスプレイにも適用が可能である。
１ａ　　　　制御ユニット
１ｂ　　　　表示ユニット
１０　　　　合波器
１０１　　　第１導波路
１０２　　　第２導波路
１０３　　　第３導波路
１０４，１０５　屈曲部
１０４ａ，１０５ａ　　ミラー
１０４ｂ、１０５ｂ　　回析格子
１０４ｃ、１０５ｃ　　湾曲部
１１０　　　第１合波部
１２０　　　第２合波部
１３０　　　第３合波部
１６ａ，１６ｂ，１６ｃ　　半導体レーザチップ
 
 

Claims (10)

  1. 波長の異なる複数の可視光が入射される複数の導波路と、この導波路の途中に設けられ少なくとも二つの導波路を伝搬する可視光のモード結合を行う合波部と、前記可視光を前記導波路に照射するレーザ光源とを備え、前記複数の可視光を波長多重する合波器において、
    　前記レーザ光源に最も近い位置に配置された第１合波部を備え、
    　この第１合波部に導入される前記可視光の伝搬軸線から離間した位置に光軸を有する前記レーザ光源を、所定の拡がり角で拡がるレーザ光の外縁が前記第１合波部の手前を通過するように、前記光軸を前記伝搬軸線に対して傾斜させて配置したこと、
    　を特徴とする合波器。
  2. 第１可視光が入射される第１導波路と、前記第１可視光よりも短波長の第２可視光が入射される第２導波路と、前記第２可視光よりも短波長であり、前記第１可視光と前記第２可視光との間の波長間隔よりも前記第２可視光との間の波長間隔が短い波長の第３可視光が入射される第３導波路とを備え、前記第２導波路と前記第３導波路との間で可視光のモード結合を行う第１合波部及び第３合波部と、第１導波路と前記第２導波路との間で可視光のモード結合を行う第２合波部とを有し、前記レーザ光源側から前記第１合波部、第２合波部及び第３合波部の順で配置した合波器において、
    　前記第１導波路と前記第３導波路用のレーザ光源を、所定の拡がり角で拡がるレーザ光の外縁が前記第１合波部の手前を通過するように、前記光軸を前記伝搬軸線に対して傾斜させて配置したこと、
    　を特徴とする合波器。
  3. 前記光軸が前記伝搬軸線に対して直角になるように、前記レーザ光源を配置したことを特徴とする請求項１又は２に記載の合波器。
  4. 前記第１可視光が赤色光、前記第２可視光が緑色光、第３可視光が青色光であることを特徴とする請求項３に記載の合波器。
  5. 前記第１合波部と傾斜させて配置した前記他のレーザ光源との間に、前記導波路を伝搬される可視光の光路を屈曲状に変更する屈曲部を設けたことを特徴とする請求項１又は２記載の合波器。
  6. 前記導波路における前記可視光の入射口に光集束手段を設けたことを特徴とする請求項１又は２に記載の合波器。
  7. 前記光集束手段が、前記導波路の入射口に向けて形成された先細状の先端部又は前記導波路の入射口と可視光の光源との間に設けられたレンズであることを特徴とする請求項６に記載の合波器。
  8. 請求項１～７のいずれかに記載の合波器を用いた画像投影装置であって、
    　前記合波器から出射された前記波長多重光を二次元的に走査して画像を形成する水平走査部及び垂直走査部と、走査された前記波長多重光を被投影面に投影する画像形成部を備えることを特徴とする画像投影装置。
  9. 前記合波器に前記水平走査部及び前記垂直走査部を設けたことを特徴とする請求項８に記載の画像投影装置。
  10. 請求項８又９に記載の画像投影装置を備えた画像投影システムであって、画像データの送受信を行う送受信装置と、画像の撮影を行う撮影装置又は端末装置を含む周辺装置と、前記送受信装置、前記周辺装置及び前記画像投影装置の制御を行う制御装置とを備えたことを特徴とする画像投影システム。
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