WO2015083713A1 - ガラス基板の仕上げ研磨方法、および、該方法で仕上げ研磨された無アルカリガラス基板 - Google Patents

ガラス基板の仕上げ研磨方法、および、該方法で仕上げ研磨された無アルカリガラス基板 Download PDF

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博文 ▲徳▼永
和孝 小野
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旭硝子株式会社
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    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing

Definitions

  • the present invention relates to a method for finish polishing an alkali-free glass substrate substantially free of alkali metal oxides for use as various display glass substrates and photomask glass substrates, and a non-polishing finish polished by the method.
  • the present invention relates to an alkali glass substrate.
  • the following characteristics have been required for various display glass substrates, particularly those in which a metal or oxide thin film is formed on the surface.
  • alkali metal oxide When an alkali metal oxide is contained, alkali metal ions diffuse into the thin film and deteriorate the film characteristics, so that the alkali metal ions are not substantially contained.
  • the strain point When exposed to a high temperature in the thin film forming process, the strain point is high so that the deformation (thermal shrinkage) associated with glass deformation and glass structural stabilization can be minimized.
  • BHF buffered hydrofluoric acid
  • ITO various acids used for etching metal electrodes
  • ITO various acids used for etching metal electrodes
  • resistant to alkali of resist stripping solution Resistant to alkali of resist stripping solution.
  • a-Si amorphous silicon
  • p-Si polycrystalline silicon
  • a glass having a small average thermal expansion coefficient is required to increase productivity and thermal shock resistance by increasing the temperature raising / lowering rate of the heat treatment for producing a liquid crystal display.
  • Patent Document 1 discloses a glass containing 0 to 5 mol% of B 2 O 3 , but the average coefficient of thermal expansion at 50 to 350 ° C. exceeds 50 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.
  • the alkali-free glass described in Patent Document 2 has a high strain point and can be molded by a float process, and is said to be suitable for applications such as a display substrate and a photomask substrate.
  • glass powder or glass removed by polishing can reduce the cost required for finish polishing by removing minute unevenness and waviness existing on the substrate surface with a smaller polishing amount. This is preferable for reasons such as less mixing of scrap into the polishing slurry and reduction in the frequency of replacement of the polishing slurry.
  • a glass substrate formed by the float process has minute irregularities and undulations (a undulation with a maximum height of about 0.3 ⁇ m at a pitch of 3 to 30 mm) on its surface.
  • Such minute irregularities and undulations are not a problem when a glass substrate molded by the float method is used as a glass plate for automobiles, buildings, etc., but is produced when used as a glass substrate for various displays. This may cause distortion and color unevenness in the display image. For this reason, it is necessary to remove minute irregularities and waviness by finish polishing.
  • polishing using a polishing slurry containing cerium oxide as polishing abrasive grains is preferably used.
  • An object of the present invention is to solve the above-mentioned drawbacks, a high strain point, low viscosity, when the temperature T 4 is polished low alkali glass substrate, especially a glass viscosity of 10 4 dPa ⁇ s, less polishing amount
  • a glass substrate finish polishing method capable of removing minute irregularities and undulations existing on the substrate surface, and a non-alkali glass substrate finish polished by the method.
  • the present invention is a glass substrate finish polishing method for polishing a main surface of a glass substrate using a polishing slurry containing cerium oxide as polishing abrasive grains,
  • the composition of the glass substrate is the following alkali-free glass,
  • X ⁇ m
  • the temperature T 4 at which T 2 is 1710 ° C. or less and the glass viscosity is 10 4 dPa ⁇ s is 1330 ° C.
  • MgO + CaO + SrO + BaO 2 is 15.5-21
  • the undulation height converted to 20 mm pitch undulation of the main surface of the glass substrate before final polishing is 0.2 ⁇ m or less.
  • finish polishing method of the glass substrate of the present invention it is preferable to finish polish the main surface of the glass substrate formed by the float process.
  • the present invention also provides an alkali-free glass substrate that has been finish-polished using a glass substrate finish-polishing method.
  • the undulation height converted to 20 mm pitch undulation of the main surface of the glass substrate after finish polishing is 0.07 ⁇ m or less.
  • the surface roughness of 5 ⁇ m square of the main surface of the glass substrate after finish polishing is preferably 0.30 nm or less.
  • the glass substrate of the present invention preferably has a length of at least one side of 900 mm or more.
  • the method of the present invention when a non-alkali glass substrate formed by using the float method is finish-polished, minute irregularities and undulations existing on the substrate surface can be removed with a small amount of polishing, and as a display substrate. High flatness suitable for use can be achieved.
  • the alkali-free glass substrate finish-polished by the method of the present invention is particularly suitable for a display substrate, a photomask substrate, a magnetic disk glass substrate and the like for high strain point applications.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing the relationship between pitch and waviness.
  • FIG. 2 is a perspective view showing the overall structure of a polishing apparatus to which the glass substrate finish polishing method of the embodiment is applied.
  • FIG. 3 is a side view of the polishing apparatus 10 shown in FIG.
  • FIG. 4 is a schematic view showing a sharpening method of a polishing tool using a truing grindstone of the embodiment.
  • FIG. 5 is a plan view of the polishing tool sharpened by the sharpening method shown in FIG.
  • FIG. 6 is a side view showing a method of repairing the polishing tool using the water nozzle for dressing.
  • an alkali-free glass substrate using a glass raw material prepared so as to have the following glass composition is used.
  • SiO 2 63 to 74 in terms of mol% based on oxide, Al 2 O 3 11.5-16, B 2 O 3 greater than 1.5 and less than 5, MgO 5.5-13, CaO 1.5-12, SrO 1.5-9, BaO 0 ⁇ 1, ZrO 2 0-2, MgO + CaO + SrO + BaO 2 is 15.5-21,
  • the composition range of each component will be described. If the SiO 2 content is less than 63% (mol%, the same unless otherwise specified), the strain point is not sufficiently increased, the thermal expansion coefficient is increased, and the density is increased. In addition, the chemical durability, particularly acid resistance, of the glass is lowered, the convexity selectivity at the time of polishing is difficult to be obtained, and smoothness is difficult to obtain. It is preferably 64% or more, more preferably 65% or more, further preferably 66% or more, and particularly preferably 66.5% or more.
  • the solubility decreases, the temperature T 4 which is a temperature T 2 and 10 4 dPa ⁇ s glass viscosity becomes 10 2 dPa ⁇ s is increased, the liquidus temperature rises. 70% or less is preferable, 69% or less is more preferable, and 68% or less is more preferable.
  • Al 2 O 3 increases the Young's modulus and suppresses deformation during glass polishing, suppresses phase separation of the glass, lowers the thermal expansion coefficient, increases the strain point, improves hardness, and selects convex portions during polishing. However, if it is less than 11.5%, this effect does not appear, and other components that increase the expansion are increased, resulting in an increase in thermal expansion. It is preferably 12% or more, 12.5% or more, and more preferably 13% or more. If it exceeds 16%, the solubility of the glass may be deteriorated, or the devitrification temperature may be increased. It is preferably 15% or less, more preferably 14% or less, and further preferably 13.5% or less.
  • B 2 O 3 improves the melting reactivity of the glass, lowers the devitrification temperature, and improves the BHF resistance, but this effect is not sufficiently exhibited at 1.5% or less, and the strain point is low. It tends to become excessively high or become a haze problem after treatment with BHF. 2% or more is preferable, and 3% or more is more preferable. However, if the amount is too large, the photoelastic constant increases, and problems such as color unevenness are likely to occur when stress is applied. Further, B 2 O 3 is less likely to appear smoothness by too large, the Young's modulus deformation during polishing decreases, and the surface roughness after polishing becomes large. In addition, the strain point also decreases. Therefore, it is 5% or less, preferably 4.5% or less, more preferably 4% or less.
  • MgO has the feature of increasing the Young's modulus while keeping the density low while keeping the density low in alkaline earths, and improves the solubility. However, if it is less than 5.5%, this effect appears sufficiently.
  • the density increases because the ratio of other alkaline earths increases. 6% or more, more preferably 7% or more, 7.5% or more, 8% or more, more preferably more than 8%, more preferably 8.1% or more, more preferably 8.3% or more, and particularly preferably 8.5% or more preferable. If it exceeds 13%, the devitrification temperature rises. It is preferably 12% or less, more preferably 11% or less, and particularly preferably 10% or less.
  • CaO has the characteristics of increasing the Young's modulus while maintaining the low density without increasing the expansion in alkaline earth following MgO, and also improves the solubility. If it is less than 1.5%, the above-described effect due to the addition of CaO is not sufficiently exhibited. It is preferably 2% or more, more preferably 3% or more, further preferably 3.5% or more, and particularly preferably 4% or more. However, if it exceeds 12%, the devitrification temperature may increase, or a large amount of phosphorus, which is an impurity in limestone (CaCO 3 ), which is a CaO raw material, may be mixed. It is preferably 10% or less, more preferably 9% or less, further preferably 8% or less, and particularly preferably 7% or less.
  • SrO improves the solubility without increasing the devitrification temperature of the glass, but if it is less than 1.5%, this effect does not appear sufficiently. 2% or more is preferable, 2.5% or more is more preferable, and 3% or more is more preferable. However, if it exceeds 9%, the expansion coefficient may increase. It is preferably 7% or less, more preferably 6% or less and 5% or less.
  • BaO is not essential, but can be contained to improve solubility. However, if the amount is too large, the glass becomes brittle and easily damaged, and the expansion and density are excessively increased. 0.5% or less is preferable, 0.3% or less is more preferable, 0.1% or less is further preferable, and it is particularly preferable that it is not substantially contained. “Substantially not contained” means not containing any inevitable impurities (hereinafter the same).
  • ZrO 2 may be incorporated up to 2% in order to increase the Young's modulus, to lower the glass melting temperature, or to promote crystal precipitation during firing. If it exceeds 2%, the glass becomes unstable or the relative dielectric constant ⁇ of the glass increases. Preferably it is 1.5% or less, More preferably, it is 1.0% or less, More preferably, it is 0.5% or less, and it is especially preferable not to contain substantially.
  • the Young's modulus is low, it is difficult to suppress deformation during polishing, and the hardness is low, so that it is difficult to obtain the convexity selectivity during polishing.
  • the photoelastic constant increases and the solubility further decreases. 16% or more is preferable, and 17% or more is more preferable. If it exceeds 21%, there is a risk that the thermal expansion coefficient cannot be reduced. It is preferably 20% or less, 19% or less, and more preferably 18% or less.
  • MgO / (MgO + CaO + SrO + BaO) is 0.35 or more, preferably 0.37 or more, and more preferably 0.4 or more.
  • CaO / (MgO + CaO + SrO + BaO) is 0.50 or less, preferably 0.48 or less, and more preferably 0.45 or less.
  • SrO / (MgO + CaO + SrO + BaO) is 0.50 or less, preferably 0.40 or less, more preferably 0.30 or less, more preferably 0.27 or less, and further preferably 0.25 or less.
  • Al 2 O 3 ⁇ (MgO / (MgO + CaO + SrO + BaO)) is 4.1 or more because the Young's modulus is increased and deformation during polishing is easily suppressed.
  • it is 4.3 or more, More preferably, it is 4.5 or more, More preferably, it is 4.7 or more, Most preferably, it is 5.0 or more.
  • the glass raw material preferably does not substantially contain P 2 O 5 . Furthermore, in order to facilitate recycling of the glass, it is preferable that the glass raw material does not substantially contain PbO, As 2 O 3 , or Sb 2 O 3 .
  • the glass contains ZnO, Fe 2 O 3 , SO 3 , F, Cl, SnO 2 at 1% or less, preferably 0.5% or less, more preferably It can be contained in an amount of 0.3% or less, more preferably 0.15% or less, and particularly preferably 0.1% or less. It is preferable that ZnO is not substantially contained.
  • the production of the alkali-free glass substrate of the present invention is performed, for example, according to the following procedure.
  • the raw materials of each component are prepared so as to become target components, which are continuously charged into a melting furnace, heated to 1500-1800 ° C. and melted.
  • the molten glass is formed into a plate-like glass ribbon having a predetermined plate thickness by a forming apparatus, and the glass ribbon is gradually cooled and then cut to obtain an alkali-free glass substrate.
  • FIG. 2 is a perspective view showing the overall configuration of the polishing apparatus 10 to which the glass substrate finish polishing method of the embodiment is applied.
  • FIG. 3 is a side view of the polishing apparatus 10 shown in FIG.
  • the polishing apparatus 10 shown in these figures is a glass plate G manufactured by a float process, for example, a glass having a thickness of 0.7 mm or less, a side length of 900 mm or more, and a Young's modulus of 65 GPa or more.
  • This is a polishing apparatus that polishes the main surface (polishing surface) of the plate G to a flatness necessary for the glass substrate for FPD using a polishing tool. That is, the polishing apparatus 10 polishes the polished surface of the glass plate G on which undulations with a undulation of 0.2 ⁇ m or less converted into undulations with a pitch of 20 mm are obtained, and the undulation height converted into undulations with a pitch of 20 mm.
  • the thickness By reducing the thickness to 0.07 ⁇ m or less, it is an apparatus for producing an optimum glass plate as a glass substrate for FPD which does not give distortion or color unevenness to an image. Further, in the present invention, by setting the Young's modulus of the glass plate G to 78 GPa or more, for example, a thin plate having a thickness of 0.5 mm or less or a large plate having a side length of 1000 mm or more can be used. The main surface (polishing surface) of the plate G can be polished to a flatness necessary for the glass substrate for FPD using a polishing tool.
  • the measuring method of the said waviness is a method as described in JIS B0031: '82 and JIS B0601: '82.
  • the pitch and waviness can be defined as shown in FIG.
  • the undulation height converted to the undulation of the 20 mm pitch can be obtained. It is more preferable that the undulation height converted to the undulation of 20 mm pitch on the main surface of the glass substrate before finish polishing is 0.17 ⁇ m or less. Moreover, it is more preferable that the height of the undulation converted to the undulation of the 20 mm pitch of the main surface of the glass substrate after finish polishing is 0.05 ⁇ m or less.
  • the polishing apparatus 10 includes a polishing head 12 and a surface plate 14.
  • the polishing head 12 is provided with a glass holding member 16 that holds the non-polished surface of the glass plate G, a glass holding surface plate 20 to which the glass holding member 16 is attached via a sealing material 18, and a glass holding surface plate 20.
  • a canvas 22 is provided.
  • a rotating shaft 24 is fixed to the canvas 22, and the rotating shaft 24 is rotated about its axis P1, whereby the polishing head 12 is rotated and the rotating shaft 24 is revolved about the revolution axis P2. As a result, the polishing head 12 is revolved.
  • compressed air is supplied to the air chamber 23 of the canvas 22 through a hollow rotating shaft 24, and the pressure of the compressed air is reduced to glass through the glass holding surface plate 20, the sealing material 18, and the glass holding member 16. Is transmitted to the plate G.
  • the surface plate 14 includes a polishing tool 26 and a polishing tool holding surface plate 30 to which the polishing tool 26 is attached via a sealing material 28.
  • the sealing material 28 is a resin-made sealing material (for example, made of polyurethane) that is soft and improves adsorption retention.
  • the polishing apparatus 10 polishes the polishing surface of the glass plate G by pressing the polishing surface of the glass plate G against the polishing tool 26 by the pressure of the compressed air and rotating and revolving the polishing head 12. To do.
  • the polishing tool 26 has an A hardness (according to ISO 7619) of 20 or more, a D hardness (according to ISO 7619) of 99 or less, a thickness of 1.0 to 2.5 mm, and a thickness distribution within ⁇ 0.3 mm. It is preferable that it is within ⁇ 0.05 mm.
  • the A hardness of the polishing tool 26 is less than 20, the undulation of the glass plate G cannot be reduced, and when the D hardness exceeds 99, the glass plate G is easily broken. Further, if the thickness of the polishing tool 26 is less than 1 mm, the polishing tool 26 cannot be grooved. In particular, if the polishing tool 26 having a large area cannot perform the groove processing, the abrasive grain distribution becomes non-uniform and a problem occurs in the processing of the glass plate G. On the other hand, when the thickness of the polishing tool 26 exceeds 2.5 mm, the deformation allowance of the polishing tool 26 is increased, and the processing quality of the glass plate G is deteriorated.
  • the thickness distribution of the polishing tool 26 is the maximum thickness-minimum thickness in the region excluding the groove processed portion. When this thickness distribution exceeds ⁇ 0.3 mm, the pressure distribution becomes large and the processing quality of the glass plate is lowered.
  • the thickness distribution is preferably within ⁇ 0.2 mm, more preferably within ⁇ 0.1 mm, and even more preferably within ⁇ 0.05 mm.
  • the glass plate G manufactured by the float process can be polished to a glass plate that is more optimal as a glass substrate for FPD. it can.
  • the inventor of the present application has not been sufficient to manage the A hardness of the polishing tool 26 in order to make the undulation height converted to the undulation of 20 mm pitch 0.07 ⁇ m or less. It is preferable to manage the compression rate, compression elastic modulus, A hardness, thickness, and thickness distribution.
  • the glass holding member 16 absorbs the undulation existing on the non-polished surface of the glass plate G, and therefore exists on the polished surface of the glass plate G.
  • the waviness can be satisfactorily polished by the polishing tool 26.
  • the polishing surface of the glass plate G is removed by the polishing tool 26 in a state where the undulation existing on the non-polished surface of the glass plate G cannot be absorbed by the glass holding member 16.
  • the glass plate G Since polishing is performed, when the glass plate G is detached from the glass holding member 16, the glass plate G causes a spring back, and as a result, the polished surface of the glass plate G has a swell height converted to a swell of 20 mm pitch. There is a risk that undulation exceeding 0.07 ⁇ m may remain.
  • the cushioning property of the glass holding member 16 may be uneven within the surface of the glass plate G, and there may be a problem that the swell does not disappear uniformly.
  • Compressive modulus represents the cushioning property that follows the initial glass plate G, and the compressive elastic modulus is a parameter necessary to represent the degree of restoration when repeatedly used.
  • the glass holding member 16 is made of polyurethane foam.
  • the glass holding member 16 has a compression rate (according to JIS L1021-6: '07 Annex 1) of 10 to 70%, and a compression elastic modulus (JIS L1021-6: '07 Annex 1).
  • the initial load is 100 gf / cm 2
  • the final load is 1120 gf / cm 2
  • the A hardness is 2 to 20
  • the thickness is 0.3 to 2.0 mm
  • the thickness distribution is ⁇ 0. It is preferably within 0.05 mm.
  • the management of the glass holding member 16 needs to narrow the management range particularly when the glass plate G becomes thin.
  • the glass holding member 16 in the case of a glass plate G having a thickness of 0.5 mm or less has a compression rate of 10 to 70%, a compression elastic modulus of 70 to 98, an A hardness of 2 to 20, and a thickness of 0.5. It is preferable that the thickness distribution is within. ⁇ .0.05 mm and .about.1.5 mm.
  • the glass holding member 16 in the case of the glass plate G having a thickness of 0.3 mm or less has a compression rate of 10 to 70%, a compression elastic modulus of 70 to 98, an A hardness of 2 to 20, and a thickness of 0.7. It is preferable that the thickness distribution is within ⁇ 0.05 mm.
  • the glass plate G manufactured by the float process is further optimized as a glass substrate for FPD. Can be polished to a plate.
  • the maximum sectional height of the undulation curve when the evaluation length is 30 mm is 20 ⁇ m or less.
  • the glass holding member 16 Even if the glass holding member 16 is managed, if the maximum cross-sectional height of the waviness curve of the glass holding surface plate 20 is too high, the glass holding member 16 absorbs the waviness present on the non-polished surface of the glass plate G. However, it becomes difficult to polish the waviness of the polished surface of the glass plate G to 0.07 ⁇ m or less in terms of the waviness height converted to a waviness of 20 mm pitch.
  • the undulation existing on the non-polished surface of the glass plate G can be satisfactorily absorbed by the glass holding member 16.
  • the glass plate can be polished to a glass plate more optimal as a glass substrate for FPD.
  • the maximum sectional height of the sectional curve when the evaluation length is 30 mm is 100 ⁇ m or less.
  • a glass plate manufactured by the float process is used as an FPD. It can grind
  • the maximum cross-sectional height of the undulation curve is described in JIS B0601: '01.
  • the variation in the load for pressing the polishing surface of the glass plate G against the polishing tool 26 is 10% or less of the average load.
  • the glass plate G manufactured by the float process can be polished to a glass plate more optimal as a glass substrate for FPD.
  • “BIG-MAT” or “HUGE-MAT” of a large area pressure distribution measuring system manufactured by Nitta Corporation can be used.
  • the glass plate G manufactured by the float process has a thickness of 0.7 mm or less, a side length of 900 mm or more, and a Young's modulus.
  • the glass plate G of 65 GPa or more is the object to be polished, the non-polished surface of the glass plate G is held by the glass holding member 16, and the waviness height converted to 20 mm pitch waviness on the polished surface of the glass plate G is 0.2 ⁇ m.
  • the swell height converted to a 20 mm pitch swell is reduced to 0.07 ⁇ m or less to produce a glass substrate for flat panel display.
  • the optimal glass plate G as a glass substrate for FPD which does not give distortion and uneven color to an image can be manufactured.
  • polishing when the amount of polishing of the glass substrate when the undulation height converted to 20 mm pitch undulation changes from 0.14 ⁇ m to 0.10 ⁇ m is X ( ⁇ m), 0 Polishing is performed under the condition that 0.04 / X is 0.12 or more. As a result, the cost required for finish polishing is reduced, and the glass powder or glass waste removed by polishing is less mixed into the polishing slurry and the frequency of replacement of the polishing slurry can be reduced. It is more preferable to perform the polishing under the condition that 0.04 / X is 0.13 or more, further preferably 0.14 or more, and particularly preferable to perform the polishing under the condition of 0.15 or more. .
  • the polishing conditions are as follows: The above condition is not limited to 0.04 / X being 0.12 or more. However, it is preferable to carry out under the condition that 0.04 / X is 0.12 or more.
  • the polishing condition when the waviness height converted to waviness with a pitch of 20 mm is made smaller than 0.10 ⁇ m is 0.04 / X, which is 0.04 / X described above. It is not limited to the conditions which become 12 or more, You may implement on the conditions from which 0.04 / X mentioned above becomes smaller than 0.12.
  • the undulation height converted to the 20 mm pitch undulation of the main surface of the glass substrate before finish polishing is 0.2 ⁇ m or less. Thereby, the polishing time required for finishing can be reduced, and excellent flatness can be easily obtained.
  • the waviness height converted to a 20 mm pitch waviness is more preferably 0.17 ⁇ m or less, and still more preferably 0.15 ⁇ m or less.
  • the undulation height converted to the 20 mm pitch undulation of the main surface of the glass substrate after finish polishing is 0.07 ⁇ m or less.
  • the undulation height converted to 20 mm pitch undulation is more preferably 0.05 ⁇ m or less, and even more preferably 0.03 ⁇ m or less.
  • the surface roughness Ra of 5 ⁇ m square by AFM on the main surface of the glass substrate after finish polishing is preferably 0.30 nm or less. This makes it easier to obtain stable driving characteristics in a display using this substrate.
  • polishing specifications An example of polishing specifications is shown below.
  • Polishing pressure 2 kPa to 25 kPa
  • Polishing slurry cerium oxide aqueous solution is supplied from the slurry supply hole of the polishing tool holding surface plate.
  • Polishing tool Suede made of soft urethane with grooves that allow slurry to flow on the surface (groove pitch 4.5 mm, groove width 1.5 mm, groove depth) 1 ⁇ 1.5mm)
  • Glass plate thickness 0.2 mm to 0.7 mm
  • Shape of glass plate rectangular glass plate having a side of 900 mm or more
  • Non-polished surface of glass plate held tightly by a glass holding member The above is an example of polishing specifications.
  • the surface of the polishing tool 26 is periodically ground with a truing grindstone containing diamond abrasive grains, and sharpening is performed. Yes.
  • a rectangular frame 42 having no diamond abrasive grains and having no grinding ability surrounds a truing grindstone 40 as shown in a plan view of FIG.
  • the glass holding member 16 is attached. Then, the truing grindstone 40 and the frame 42 are pressed against the polishing tool 26 by the air pressure of the compressed air supplied to the air chamber 23 of the canvas 22, and the surface of the polishing tool 26 is ground by the truing grindstone 40.
  • the air pressure is concentrated on the frame 42 located on the outer periphery of the truing grindstone 40.
  • the frame 42 does not have a grinding ability, a part of the surface of the polishing tool 26 that contacts the frame 42 is not ground. . That is, the surface of the polishing tool 26 is ground only by the truing grindstone 40 to which the air pressure is uniformly applied. Thereby, since the whole surface of the grinding
  • the frame 42 it is preferable to use the frame 42 not only when the polishing tool 26 is truing but also when the glass plate G is polished. Thereby, it is possible to prevent the air pressure from being concentrated on the edge of the glass plate G when the glass plate G is polished, so that excessive grinding of the edge of the glass plate G can be prevented.
  • the material of the frame 42 include materials having no polishing ability, such as stainless steel, iron, aluminum, polyethylene, and polyurethane.
  • the surface of the polishing tool 26 is periodically washed with water, so that the polishing liquid adhering to the surface of the polishing tool 26 is removed.
  • the dressing water nozzle 44 is inclined, and the spray angle ⁇ of the cleaning water 48 sprayed from the spray holes 46 is set to an acute angle. And the residue adhering to the surface of the polishing tool 26 is removed by reciprocating the water nozzle 44 and the polishing tool 26 in the horizontal direction.
  • the injection angle ⁇ of the cleaning water 48 is preferably 10 to 45 degrees, more preferably 30 degrees, from the viewpoints of residue digging efficiency and residue washing efficiency.
  • the striking force when the cleaning water 48 collides with the polishing tool 26 is preferably 5 to 50 kPa because the removal efficiency of the residue decreases if it is weak and the polishing tool 26 may be damaged if it is high.
  • the relative speed of the polishing tool 26 and the water nozzle 44 is preferably 3 to 20 m / min since the dressing efficiency of the polishing tool 26 decreases if it is slow, and the removal efficiency of the residue decreases if it is fast.
  • the alkali-free glass substrate of the present invention has a strain point of 680 ° C. or higher and 735 ° C. or lower. Since the alkali-free glass of the present invention has a strain point of 680 ° C. or higher, thermal shrinkage during panel production can be suppressed. Further, a laser annealing method can be applied as a method for manufacturing the p-Si TFT. 685 degreeC or more is more preferable, and 690 degreeC or more is further more preferable. Since the alkali-free glass of the present invention has a strain point of 680 ° C.
  • a high strain point for example, a display substrate having a thickness of 0.7 mm or less, preferably 0.5 mm or less, more preferably 0.3 mm or less.
  • an illumination substrate or a thin display substrate or illumination substrate having a thickness of 0.3 mm or less, preferably 0.1 mm or less.
  • the strain point is 735 ° C. or lower, it is not necessary to raise the temperature of the float bath and the exit of the float bath so much that it affects the life of the metal member located in the float bath and on the downstream side of the float bath. Few. 725 ° C or lower is more preferable, 715 ° C or lower is further preferable, and 710 ° C or lower is particularly preferable. Further, in order to improve the plane strain of the glass, it is necessary to increase the temperature at the part entering the annealing furnace from the float bath outlet, but it is not necessary to increase the temperature at this time. For this reason, a load is not applied to the heater used for heating, and the life of the heater is hardly affected.
  • the alkali-free glass substrate of the present invention has a glass transition point of preferably 730 ° C. or higher, more preferably 740 ° C. or higher, and further preferably 750 ° C. or higher. Moreover, 780 degrees C or less is preferable, 775 degrees C or less is more preferable, and 770 degrees C or less is especially preferable.
  • the alkali-free glass substrate of the present invention has an average coefficient of thermal expansion at 50 to 350 ° C. of 30 ⁇ 10 ⁇ 7 to 43 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C., and has high thermal shock resistance. Productivity when manufacturing the used display can be increased.
  • the average thermal expansion coefficient at 50 to 350 ° C. is preferably 35 ⁇ 10 ⁇ 7 to 40 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.
  • the average thermal expansion coefficient at 50 to 350 ° C. is preferably 42 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or less, more preferably 41 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or less, and further preferably 40 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or less.
  • the non-alkali glass substrate of the present invention preferably has a specific gravity of 2.62 or less, more preferably 2.60 or less, and even more preferably 2.58 or less.
  • the alkali-free glass substrate of the present invention preferably has a specific elastic modulus of 31 MNm / kg or more. If it is less than 31 MNm / kg, it becomes difficult to obtain the convexity selectivity at the time of polishing due to its own weight deflection. More preferably, it is 32 MNm / kg or more.
  • the alkali-free glass substrate of the present invention preferably has a Young's modulus of 78 GPa or more. If it is less than 78 GPa, the glass substrate is deformed at the time of polishing, and it is difficult to obtain smoothness, and the deformation makes it difficult to obtain the convexity selectivity at the time of polishing. More preferably, it is 80 GPa or more, More preferably, 81 GPa or more, Most preferably, 82 GPa or more is preferable.
  • the alkali-free glass substrate of the present invention preferably has a photoelastic constant of 30 nm / MPa / cm or less. Due to the birefringence of the glass substrate due to stress generated during the manufacturing process of the liquid crystal display panel and the liquid crystal display device, a phenomenon in which the black display becomes gray and the contrast of the liquid crystal display decreases may be observed. By setting the photoelastic constant to 30 nm / MPa / cm or less, this phenomenon can be suppressed small. Preferably it is 29 nm / MPa / cm or less, More preferably, it is 28.5 nm / MPa / cm or less, More preferably, it is 28 nm / MPa / cm or less.
  • the alkali-free glass substrate of the present invention has a photoelastic constant of preferably 23 nm / MPa / cm or more, more preferably 25 nm / MPa / cm or more, considering the ease of securing other physical properties.
  • the photoelastic constant can be measured by a disk compression method at a measurement wavelength of 546 nm.
  • the alkali-free glass substrate of the present invention preferably has a relative dielectric constant of 5.6 or more.
  • the sensing sensitivity of the touch sensor is improved, the driving voltage is reduced, From the viewpoint of power saving, it is better that the glass substrate has a higher relative dielectric constant.
  • the relative dielectric constant can be measured by the method described in JIS C-2141.
  • the temperature T 2 at which the viscosity ⁇ becomes 10 2 poise is 1710 ° C. or less, preferably less than 1710 ° C., more preferably 1700 ° C. or less, more preferably Since it is 1690 ° C. or less, particularly preferably 1660 ° C. or less, dissolution is relatively easy.
  • the alkali-free glass substrate of the present invention has a temperature T 4 at which the viscosity ⁇ becomes 10 4 poise, 1330 ° C. or less, preferably 1320 ° C. or less, more preferably 1315 ° C. or less, further preferably 1310 ° C. or less, particularly preferably. It is 1300 ° C. or lower and is suitable for float forming.
  • the alkali-free glass substrate of the present invention preferably has a devitrification temperature of 1350 ° C. or less because molding by the float method becomes easy.
  • a devitrification temperature is obtained by putting crushed glass particles in a platinum dish and performing heat treatment for 17 hours in an electric furnace controlled at a constant temperature. It is an average value of the maximum temperature at which crystals are deposited inside and the minimum temperature at which crystals are not deposited.
  • Example 1 Comparative Example 1
  • the raw material of each component was prepared so that it might become the target composition shown in Table 1, and it melt
  • a cerium oxide aqueous solution is polished on a pad having grooves with a groove pitch of 4.5 mm, a groove width of 1.5 mm, and a groove depth of 1 to 1.5 mm. Polishing was performed while supplying from the slurry supply hole of the holding surface plate.
  • the glass is extracted, the amount of polishing and the undulation height of the main surface of the glass substrate are measured repeatedly, and the polishing is repeated, and the relationship between the polishing amount and the undulation height converted to 20 mm pitch undulation is obtained. It was. From the result, the polishing amount X ( ⁇ m) of the glass substrate when the waviness height converted to 20 mm pitch waviness on the main surface of the glass substrate changes from 0.14 ⁇ m to 0.10 ⁇ m is obtained. The value of / X was determined. In addition, the 20 mm pitch waviness height of the main surface of the glass substrate before and after final polishing and the surface roughness Ra of 5 ⁇ m square of the main surface of the glass substrate after final polishing were also measured.
  • the surface roughness Ra was obtained by using NanoScope IIIa manufactured by Digital Instruments, with a scan rate of 1 Hz, and a surface roughness of 5 ⁇ m square at 256 points / scan. The results are shown in Table 2 below. In addition, about the alkali free glass substrate obtained by said procedure, the strain point, the Young's modulus, the specific elastic modulus, and the photoelastic constant were also measured. The results are shown in Table 2. Parentheses indicate calculated values.

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Abstract

　本発明は、研磨砥粒として酸化セリウムを含む研磨スラリを用いて、ガラス基板の主面を研磨する、ガラス基板の仕上げ研磨方法であって、前記ガラス基板の組成が、下記の無アルカリガラスであり、前記ガラス基板の主面の２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さが０．１４μｍから０．１０μｍまで変化する際の前記ガラス基板の研磨量をＸ（μｍ）とするとき、０．０４／Ｘが０．１２以上となる条件で研磨する段階を含む、ガラス基板の仕上げ研磨方法に関する。

Description

ガラス基板の仕上げ研磨方法、および、該方法で仕上げ研磨された無アルカリガラス基板
　本発明は、各種ディスプレイ用ガラス基板やフォトマスク用ガラス基板として使用するために、アルカリ金属酸化物を実質上含有しない無アルカリガラス基板を仕上げ研磨する方法、および、該方法により仕上げ研磨された無アルカリガラス基板に関する。
　従来、各種ディスプレイ用ガラス基板、特に表面に金属ないし酸化物薄膜等を形成するものでは、以下に示す特性が要求されてきた。
（１）アルカリ金属酸化物を含有していると、アルカリ金属イオンが薄膜中に拡散して膜特性を劣化させるため、実質的にアルカリ金属イオンを含まないこと。
（２）薄膜形成工程で高温にさらされる際に、ガラスの変形およびガラスの構造安定化に伴う収縮（熱収縮）を最小限に抑えうるように、歪点が高いこと。
（３）半導体形成に用いる各種薬品に対して充分な化学耐久性を有すること。特にＳｉＯxやＳｉＮxのエッチングのためのバッファードフッ酸（ＢＨＦ：フッ酸とフッ化アンモニウムの混合液）、およびＩＴＯのエッチングに用いる塩酸を含有する薬液、金属電極のエッチングに用いる各種の酸（硝酸、硫酸等）、レジスト剥離液のアルカリに対して耐久性のあること。
（４）内部および表面に欠点（泡、脈理、インクルージョン、ピット、キズ等）がないこと。
　上記の要求に加えて、近年では、以下のような状況にある。
（５）ディスプレイの軽量化が要求され、ガラス自身も密度の小さいガラスが望まれる。
（６）ディスプレイの軽量化が要求され、ガラス基板の薄板化が望まれる。
（７）これまでのアモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）タイプの液晶ディスプレイに加え、若干熱処理温度の高い多結晶シリコン（ｐ－Ｓｉ）タイプの液晶ディスプレイが作製されるようになってきた（ａ－Ｓｉ：約３５０℃→ｐ－Ｓｉ：３５０～５５０℃）。
（８）液晶ディスプレイ作製熱処理の昇降温速度を速くして、生産性を上げたり耐熱衝撃性を上げるために、ガラスの平均熱膨張係数の小さいガラスが求められる。
　一方、エッチングのドライ化が進み、耐ＢＨＦ性に対する要求が弱くなってきている。これまでのガラスは、耐ＢＨＦ性を良くするために、Ｂ２Ｏ３を６～１０モル％含有するガラスが多く用いられてきた。しかし、Ｂ２Ｏ３は歪点を下げる傾向がある。Ｂ２Ｏ３を含有しないまたは含有量の少ない無アルカリガラスの例としては以下のようなものがある。
　特許文献１にはＢ２Ｏ３を０～５モル％含有するガラスが開示されているが、５０～３５０℃での平均熱膨張係数が５０×１０-７／℃を超える。
　特許文献２に記載の無アルカリガラスは、歪点が高く、フロート法による成形ができ、ディスプレイ用基板、フォトマスク用基板等の用途に好適であるとされている。
日本国特開平５－２３２４５８号公報 日本国特開平１０－４５４２２号公報
　このような目的で実施する仕上げ研磨では、基板表面に存在する微小な凹凸やうねりをより少ない研磨量で除去できることが、仕上げ研磨に要するコストが軽減される、研磨で取り除かれたガラス粉またはガラス屑の研磨スラリへの混入が少なくなり研磨スラリの交換頻度を減らすことができる等の理由から好ましい。
　一方、フロート法で成形されたガラス基板は、その表面に微小な凹凸やうねり（３～３０ｍｍのピッチで、最大高さが０．３μｍ程度のうねり）が存在する。このような微小な凹凸やうねりは、フロート法で成形されたガラス基板を、自動車用、建築等の板ガラスとして使用する場合は問題とならないが、各種ディスプレイ用ガラス基板として使用する場合は、製造されるディスプレイの画像に歪みや色むらを与える原因となる。このため、仕上げ研磨により、微小な凹凸やうねりを除去することが必要となる。
　このような目的で実施する仕上げ研磨には、研磨砥粒として酸化セリウムを含む研磨スラリを用いた研磨が好ましく用いられる。
　しかしながら、高品質のｐ－Ｓｉ　ＴＦＴの製造方法として固相結晶化法があるが、これを実施するためには、歪点をさらに高くすることが求められる。
　また、ガラス製造プロセス、特に溶解、成形における要請から、ガラスの粘性、特にガラス粘度が１０４ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ４を低くすることが求められている。
　本発明の目的は、上記欠点を解決し、歪点が高く、低粘性、特にガラス粘度が１０４ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ４が低い無アルカリガラス基板を仕上げ研磨する際に、少ない研磨量で、基板表面に存在する微小な凹凸やうねりを除去できる、ガラス基板の仕上げ研磨方法、および、該方法により仕上げ研磨された無アルカリガラス基板の提供である。
　本発明は、研磨砥粒として酸化セリウムを含む研磨スラリを用いて、ガラス基板の主面を研磨する、ガラス基板の仕上げ研磨方法であって、
　前記ガラス基板の組成が、下記の無アルカリガラスであり、
　前記ガラス基板の主面の２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さが０．１４μｍから０．１０μｍまで変化する際の前記ガラス基板の研磨量をＸ（μｍ）とするとき、０．０４／Ｘが０．１２以上となる条件で研磨する段階を含む、ガラス基板の仕上げ研磨方法を提供する。
　歪点が６８０～７３５℃であって、５０～３５０℃での平均熱膨張係数が３０×１０-７～４３×１０-７／℃であって、ガラス粘度が１０２ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ２が１７１０℃以下であって、ガラス粘度が１０４ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ４が１３３０℃以下であって、酸化物基準のモル％表示で
ＳｉＯ２ 　　　　　　 ６３～７４、
Ａｌ２Ｏ３　　　　 　 １１．５～１６、
Ｂ２Ｏ３　　　　　　 　 １．５超５以下、
ＭｇＯ 　　　　　　　 ５．５～１３、
ＣａＯ 　　　　 　　　１．５～１２、
ＳｒＯ　　　　　　 　 １．５～９、
ＢａＯ 　　　　　　　 ０～１、
ＺｒＯ２　　　　　 　　 ０～２を含有し
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ が１５．５～２１であり、
ＭｇＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．３５以上であり、ＣａＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．５０以下であり、ＳｒＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．５０以下である無アルカリガラス。
　本発明のガラス基板の仕上げ研磨方において、仕上げ研磨前のガラス基板の主面の２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さが０．２μｍ以下であることが好ましい。
　本発明のガラス基板の仕上げ研磨方法は、フロート法により成形されたガラス基板の主面を仕上げ研磨することが好ましい。
　また、本発明は、ガラス基板の仕上げ研磨方法を用いて仕上げ研磨された無アルカリガラス基板を提供する。
　本発明のガラス基板において、仕上げ研磨後のガラス基板の主面の２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さが０．０７μｍ以下であることが好ましい。
　本発明のガラス基板において、仕上げ研磨後のガラス基板の主面の５μｍ四方の表面粗さが０．３０ｎｍ以下であることが好ましい。
　本発明のガラス基板は、少なくとも１辺の長さが９００ｍｍ以上であることが好ましい。
　本発明の方法によれば、フロート法を用いて成形された無アルカリガラス基板を仕上げ研磨する際に、少ない研磨量で基板表面に存在する微小な凹凸やうねりを除去でき、ディスプレイ用基板としての使用に適した高い平坦度を達成することができる。
　本発明の方法により仕上げ研磨された無アルカリガラス基板は、特に高歪点用途のディスプレイ用基板、フォトマスク用基板、また磁気ディスク用ガラス基板等に好適である。
図１は、ピッチとうねりの関係を示した模式図である。 図２は、実施の形態のガラス基板の仕上げ研磨方法が適用された研磨装置の全体構造を示す斜視図である。 図３は、図２に示した研磨装置１０の側面図である。 図４は、実施形態のツルーイング砥石による研磨具の目立て方法を示した模式図である。 図５は、図４に示した目立て方法により目立てされた研磨具の平面図である。 図６は、ドレッシング用水ノズルによる研磨具の目直し方法を示した側面図である。
　以下、本発明のガラス基板の仕上げ研磨方法を説明する。
　本発明のガラス基板の仕上げ研磨方法では、下記ガラス組成となるように調合したガラス原料を用いた無アルカリガラス基板を使用する。
　酸化物基準のモル％表示で
ＳｉＯ２ 　　　　　　 ６３～７４、
Ａｌ２Ｏ３ 　　　　　　１１．５～１６、
Ｂ２Ｏ３ 　　　　　　　　１．５超５以下、
ＭｇＯ 　　　　　　　 ５．５～１３、
ＣａＯ 　　　　　　　 １．５～１２、
ＳｒＯ　　　　　　　　１．５～９、
ＢａＯ 　　　　　　　 ０～１、
ＺｒＯ２　　　　　　　 ０～２を含有し
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ が１５．５～２１であり、
ＭｇＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．３５以上であり、ＣａＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．５０以下であり、ＳｒＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．５０以下である無アルカリガラス。
　次に各成分の組成範囲について説明する。ＳｉＯ２は６３％（モル％、以下特記しないかぎり同じ）未満では、歪点が充分に上がらず、かつ、熱膨張係数が増大し、密度が上昇する。また、ガラスの化学的耐久性、特に耐酸性が低下し、研磨時の凸部選択性が出にくく、平滑性が得られにくい。６４％以上が好ましく、６５％以上がより好ましく、６６％以上がさらに好ましく、６６．５％以上が特に好ましい。７４％超では、溶解性が低下し、ガラス粘度が１０２ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ２や１０４ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ４が上昇し、失透温度が上昇する。７０％以下が好ましく、６９％以下がより好ましく、６８％以下がさらに好ましい。
　Ａｌ２Ｏ３はヤング率を上げてガラスの研磨時の変形を抑制し、かつガラスの分相性を抑制し、熱膨脹係数を下げ、歪点を上げ、硬度が向上して研磨時の凸部選択性を上げるが、１１．５％未満ではこの効果があらわれず、また、ほかの膨張を上げる成分を増加させることになるため、結果的に熱膨張が大きくなる。１２％以上、１２．５％以上、さらに１３％以上が好ましい。１６％超ではガラスの溶解性が悪くなったり、失透温度を上昇させるおそれがある。１５％以下が好ましく、１４％以下がより好ましく、１３．５％以下がさらに好ましい。
　Ｂ２Ｏ３は、ガラスの溶解反応性をよくし、また、失透温度を低下させ、耐ＢＨＦ性を改善するが、１．５％以下ではこの効果が十分あらわれず、また、歪点が過度に高くなったり、ＢＨＦによる処理後にヘイズの問題になりやすい。２％以上が好ましく、３％以上がより好ましい。しかし、多すぎると光弾性定数が大きくなり、応力が加わった場合に色ムラなどの問題が発生しやすくなる。また、Ｂ２Ｏ３が多すぎるとヤング率が低下して研磨時の変形により平滑性が出にくく、また研磨後の表面粗さが大きくなる。さらに歪点も低下する。したがって５％以下であり、４．５％以下が好ましく、４％以下がより好ましい。
　ＭｇＯは、アルカリ土類の中では膨張を高くせず、かつ密度を低く維持したままヤング率を上げるという特徴を有し、溶解性も向上させるが、５．５％未満ではこの効果が十分あらわれず、また他のアルカリ土類比率が高くなることから密度が高くなる。６％以上、さらに７％以上が好ましく、７．５％以上、８％以上さらに８％超がより好ましく、８．１％以上さらには８．３％以上が好ましく、８．５％以上が特に好ましい。１３％超では失透温度が上昇する。１２％以下が好ましく、１１％以下がより好ましく、１０％以下が特に好ましい。
　ＣａＯは、ＭｇＯに次いでアルカリ土類中では膨張を高くせず、かつ密度を低く維持したままヤング率を上げるという特徴を有し、溶解性も向上させる。１．５％未満では上述したＣａＯ添加による効果が十分あらわれない。２％以上が好ましく、３％以上がより好ましく、３．５％以上がさらに好ましく、４％以上が特に好ましい。しかし、１２％を超えると、失透温度が上昇したり、ＣａＯ原料である石灰石（ＣａＣＯ３）中の不純物であるリンが、多く混入するおそれがある。１０％以下が好ましく、９％以下がより好ましく、８％以下がさらに好ましく、７％以下が特に好ましい。
　ＳｒＯは、ガラスの失透温度を上昇させず溶解性を向上させるが、１．５％未満ではこの効果が十分あらわれない。２％以上が好ましく、２．５％以上がより好ましく、３％以上がさらに好ましい。しかし、９％を超えると膨脹係数が増大するおそれがある。７％以下が好ましく、６％以下、５％以下がより好ましい。
　ＢａＯは必須ではないが溶解性向上のために含有できる。しかし、多すぎるとガラスの脆くなりキズが付きやすくなると共に、膨張と密度を過大に増加させるので１％以下とする。０．５％以下が好ましく、０．３％以下がより好ましく、０．１％以下がさらに好ましく、実質的に含有しないことが特に好ましい。実質的に含有しないとは、不可避的不純物を除き含有しない意味である（以下、同じ）。
　ＺｒＯ２は、ヤング率を上げるために、ガラス溶融温度を低下させるために、または焼成時の結晶析出を促進するために、２％まで含有してもよい。２％超ではガラスが不安定になる、またはガラスの比誘電率εが大きくなる。好ましくは１．５％以下、より好ましくは１．０％以下、さらに好ましくは０．５％以下であり、実質的に含有しないことが特に好ましい。
　ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯは合量で１５．５％よりも少ないと、ヤング率が低く研磨時の変形を抑制しにくく、硬度が低いため研磨時の凸部選択性が得られにくい。また、光弾性定数が大きくなり、さらに溶解性が低下する。１６％以上が好ましく、１７％以上がさらに好ましい。２１％よりも多いと、熱膨張係数を小さくできないという難点が生じるおそれがある。２０％以下、１９％以下、さらに１８％以下が好ましい。
　ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの合量が上記を満たし、かつ、下記３条件を満たすことにより、ヤング率が高く研磨時の変形を抑制しやすく、比弾性率が高く、失透温度を上昇させることなしに、歪点を上昇させ、さらにガラスの粘性、特にガラス粘度が１０４ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ４を下げることができる。
　ＭｇＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．３５以上であり、０．３７以上が好ましく、０．４以上がより好ましい。
　ＣａＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．５０以下であり、０．４８以下が好ましく、０．４５以下がより好ましい。
　ＳｒＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．５０以下であり、０．４０以下が好ましく、０．３０以下がより好ましく、０．２７以下がより好ましく、０．２５以下がさらに好ましい。
　Ａｌ２Ｏ３×（ＭｇＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ））が４．１以上であることがヤング率を高められ研磨時の変形を抑制しやすくなるので好ましい。好ましくは４．３以上、より好ましくは４．５以上、さらに好ましくは４．７以上、特に好ましくは５．０以上である。
　なお、本発明の無アルカリガラス基板を用いたディスプレイ製造時にガラス表面に設ける金属ないし酸化物薄膜の特性劣化を生じさせないために、ガラス原料はＰ２Ｏ５を実質的に含有しないことが好ましい。さらに、ガラスのリサイクルを容易にするため、ガラス原料はＰｂＯ、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３は実質的に含有しないことが好ましい。
　ガラスの溶解性、清澄性、成形性を改善するため、ガラスにはＺｎＯ、Ｆｅ２Ｏ３、ＳＯ３、Ｆ、Ｃｌ、ＳｎＯ２を１％以下、好ましくは０．５％以下、より好ましくは０．３％以下、さらに好ましくは０．１５％以下、特に好ましくは０．１％以下含有できる。ＺｎＯは実質的に含有しないことが好ましい。
　本発明の無アルカリガラス基板の製造は、たとえば、以下の手順で実施する。
　各成分の原料を目標成分になるように調合し、これを溶解炉に連続的に投入し、１５００～１８００℃に加熱して溶融する。この溶融ガラスを成形装置にて、所定の板厚の板状のガラスリボンに成形し、このガラスリボンを徐冷後切断することによって、無アルカリガラス基板を得ることができる。
　本発明では、フロート法にて板状のガラスリボンに成形することが好ましい。
　以下、添付図面に従って本発明に係るガラス基板の仕上げ研磨方法の好ましい実施の形態を詳説する。
　図２は、実施の形態のガラス基板の仕上げ研磨方法が適用された研磨装置１０の全体構成を示す斜視図である。図３は、図２に示した研磨装置１０の側面図である。
　これらの図に示す研磨装置１０は、フロート法により製造されたガラス板Ｇであって、例えば厚さが０．７ｍｍ以下であり、１辺の長さが９００ｍｍ以上、ヤング率が６５ＧＰａ以上のガラス板Ｇの主面（研磨面）を、研磨具を用いてＦＰＤ用ガラス基板に必要な平坦度に研磨する研磨装置である。すなわち、この研磨装置１０は、２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さが０．２μｍ以下のうねりが存在するガラス板Ｇの研磨面を研磨して、２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さを０．０７μｍ以下に低減することにより、画像に歪みや色むらを与えないＦＰＤ用ガラス基板として最適なガラス板を製造する装置である。
　また、本発明では、ガラス板Ｇのヤング率を７８ＧＰａ以上とすることで、例えば、厚さが０．５ｍｍ以下の薄板や、１辺の長さが１０００ｍｍ以上の大板であっても、ガラス板Ｇの主面（研磨面）を、研磨具を用いてＦＰＤ用ガラス基板に必要な平坦度に研磨することができる。
　なお、前記うねりの測定方法は、ＪＩＳ Ｂ００３１：’８２とＪＩＳ Ｂ０６０１：’８２に記載の方法である。ピッチとうねりは図１に示すように定義できる。ピッチが大きいとうねりは大きくなるが、ピッチとうねりの関係を線形回帰することにより、２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さを求めることができる。
　仕上げ研磨前のガラス基板の主面の２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さは０．１７μｍ以下であることがより好ましい。また、仕上げ研磨後のガラス基板の主面の２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さは０．０５μｍ以下であることがより好ましい。
　研磨装置１０は、研磨ヘッド１２と定盤１４とから構成される。研磨ヘッド１２は、ガラス板Ｇの非研磨面を保持するガラス保持部材１６、ガラス保持部材１６がシール材１８を介して取り付けられたガラス保持定盤２０、及びガラス保持定盤２０が取り付けられたキャンバス２２を備えている。キャンバス２２には回転軸２４が固定され、回転軸２４がその軸芯Ｐ１を中心に回転されることにより、研磨ヘッド１２が回転されるとともに、回転軸２４が公転軸Ｐ２を中心に公転されることにより、研磨ヘッド１２が公転される。
　また、キャンバス２２の空気室２３には、中空の回転軸２４を介して圧縮エアが供給され、この圧縮エアの圧力がガラス保持定盤２０、シール材１８、及びガラス保持部材１６を介してガラス板Ｇに伝達される。
　前記定盤１４は、研磨具２６、研磨具２６がシール材２８を介して取り付けられた研磨具保持定盤３０を備えている。シール材２８は、軟質で吸着保持性を高める樹脂製（例えばポリウレタン製）のシール材である。
　したがって、実施の形態の研磨装置１０は、前記圧縮エアの圧力によってガラス板Ｇの研磨面を研磨具２６に押し付けるとともに、研磨ヘッド１２を自転、公転させることにより、ガラス板Ｇの研磨面を研磨する。
　研磨具２６は、Ａ硬度（ＩＳＯ ７６１９に準ずる）が２０以上、Ｄ硬度（ＩＳＯ ７６１９に準ずる）が９９以下、厚さが１．０～２．５ｍｍ、厚さ分布が±０．３ｍｍ以内であることが好ましく、さらには±０．０５ｍｍ以内であることが好ましい。
　研磨具２６のＡ硬度が２０未満であると、ガラス板Ｇのうねりを低減できず、Ｄ硬度が９９を超えるとガラス板Ｇが割れ易くなる。また、研磨具２６の厚さが１ｍｍ未満であると、研磨具２６に溝加工ができない。特に大面積の研磨具２６では溝加工ができないと砥粒分布が不均一となりガラス板Ｇの加工に問題が生じる。これに対して、研磨具２６の厚さが２．５ｍｍを超えると、研磨具２６の変形代が大きくなりガラス板Ｇの加工品質が低下する。なお、研磨具２６の厚さ分布は、溝加工部分を除く領域での最大厚み－最小厚みである。この厚さ分布が±０．３ｍｍを超えると、圧力分布が大きくなりガラス板の加工品質が低下する。厚さ分布は、好ましくは±０．２ｍｍ以内、より好ましくは±０．１ｍｍ以内、さらに好ましくは±０．０５ｍｍ以内である。
　このように研磨具２６の硬度、厚さ、厚さ分布を上記の如く規定することにより、フロート法により製造されたガラス板Ｇを、ＦＰＤ用ガラス基板として更に最適なガラス板に研磨することができる。
　一方、本願発明者は鋭意検討した結果、２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さを０．０７μｍ以下にするには研磨具２６のＡ硬度を管理するだけでは不十分で、ガラス保持部材１６の圧縮率、圧縮弾性率、Ａ硬度、厚さ、及び厚さ分布を管理することが好ましい。
　例えば、ガラス保持部材１６のＡ硬度が低過ぎると、ガラス保持部材１６の耐久性が低下し、ガラス保持部材１６を繰り返し使用することができない。また、ガラス保持部材１６のＡ硬度が適度に低い場合には、ガラス板Ｇの非研磨面に存在するうねりを、ガラス保持部材１６が吸収するので、ガラス板Ｇの研磨面に存在しているうねりを研磨具２６によって良好に研磨できる。これに対して、ガラス保持部材１６のＡ硬度が高過ぎると、ガラス板Ｇの非研磨面に存在するうねりをガラス保持部材１６によって吸収できない状態で、ガラス板Ｇの研磨面を研磨具２６によって研磨するので、ガラス板Ｇをガラス保持部材１６から取り外した際に、ガラス板Ｇがスプリングバックを起こし、この結果、ガラス板Ｇの研磨面に、２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さで０．０７μｍを超えるうねりが残るおそれがある。
　また、厚さ分布が±０．０５ｍｍより大きくなると、ガラス保持部材１６のクッション性にガラス板Ｇの面内でムラが発生し、うねりが均一になくならないという問題が生じるおそれがある。
　圧縮率は初期のガラス板Ｇに追随するクッション性を表し、圧縮弾性率は繰り返し使用する場合の復元の程度を表するのに必要なパラメーターである。ガラス保持部材１６は、発泡ポリウレタン製である。
　上記問題を解消するため、ガラス保持部材１６は、圧縮率（ＪＩＳ Ｌ１０２１－６：’０７付属書１に準ずる）が１０～７０％、圧縮弾性率（ＪＩＳ Ｌ１０２１－６：’０７付属書１に準ずる、但し、初期荷重は１００ｇｆ／ｃｍ２とし、最終荷重は１１２０ｇｆ／ｃｍ２）が７０～９８、Ａ硬度が２～２０、厚さが０．３～２．０ｍｍ、厚さ分布が±０．０５ｍｍ以内であることが好ましい。
　また、ガラス保持部材１６の管理は、ガラス板Ｇが薄くなると特に管理範囲を狭くする必要がある。例えば、板厚０．５ｍｍ以下のガラス板Ｇの場合のガラス保持部材１６は、圧縮率が１０～７０％、圧縮弾性率が７０～９８、Ａ硬度が２～２０、厚さが０．５～１．５ｍｍ、厚さ分布が±０．０５ｍｍ以内であることが好ましい。また、板厚０．３ｍｍ以下のガラス板Ｇの場合のガラス保持部材１６は、圧縮率が１０～７０％、圧縮弾性率が７０～９８、Ａ硬度が２～２０、厚さが０．７～１．２ｍｍ、厚さ分布が±０．０５ｍｍ以内であることが好ましい。
　ガラス保持部材１６の圧縮率、圧縮弾性率、Ａ硬度、厚さ、厚さ分布を上記の如く規定することにより、フロート法により製造されたガラス板Ｇを、ＦＰＤ用ガラス基板として更に最適なガラス板に研磨することができる。
　また、ガラス保持部材１６がシール材１８を介して取り付けられるガラス保持定盤２０の面については、評価長さを３０ｍｍとしたときのうねり曲線の最大断面高さが２０μｍ以下であることが好ましい。
　ガラス保持部材１６を管理しても、ガラス保持定盤２０のうねり曲線の最大断面高さが高過ぎる場合には、ガラス板Ｇの非研磨面に存在するうねりをガラス保持部材１６によって良好に吸収できず、ガラス板Ｇの研磨面のうねりを２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さで０．０７μｍ以下に研磨するのが難しくなる。
　ガラス保持定盤２０のうねり曲線の最大断面高さを上記の如く規定することにより、ガラス板Ｇの非研磨面に存在するうねりをガラス保持部材１６によって良好に吸収できるので、フロート法により製造されたガラス板を、ＦＰＤ用ガラス基板として更に最適なガラス板に研磨することができる。
　研磨具２６がシール材２８を介して取り付けられる研磨具保持定盤３０の面については、評価長さを３０ｍｍとしたときの断面曲線の最大断面高さが１００μｍ以下であることが好ましい。
　研磨具２６を管理しても、研磨具保持定盤３０の断面曲線の最大断面高さが高過ぎる場合には、研磨具２６の表面に大きなうねりが発生し、ガラス板Ｇの研磨面のうねりを２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さで０．０７μｍ以下に研磨するのが難しくなる。
　したがって、研磨具保持定盤３０の断面曲線の最大断面高さを上記の如く規定することにより、研磨具２６の表面のうねりを抑えることができるので、フロート法により製造されたガラス板を、ＦＰＤ用ガラス基板として更に最適なガラス板に研磨することができる。
　なお、うねり曲線の最大断面高さは、ＪＩＳ Ｂ０６０１：’０１に記載されている。
　うねり曲線の最大断面高さは、測定長３０ｍｍ、λＣ＝０．８ｍｍの測定条件で株式会社東京精密製サーフコム「１４００－Ｄ６４」にて測定する。
　更にまた、ガラス板Ｇの研磨面を、研磨具２６に対して押圧する荷重のばらつきは、平均荷重の１０％以下であることが好ましい。
　ガラス板Ｇに対する研磨具２６の荷重を上記の如く規定することにより、フロート法により製造されたガラス板Ｇを、ＦＰＤ用ガラス基板として更に最適なガラス板に研磨することができる。なお、荷重分布の測定手段として、ニッタ株式会社製大面積圧力分布測定システムの「ＢＩＧ－ＭＡＴ」又は「ＨＵＧＥ－ＭＡＴ」を用いることができる。
　以上の如く、実施の形態の研磨装置１０によれば、フロート法により製造されたガラス板Ｇであって、厚さが０．７ｍｍ以下であり、１辺の長さが９００ｍｍ以上、ヤング率が６５ＧＰａ以上のガラス板Ｇを研磨対象とし、ガラス板Ｇの非研磨面をガラス保持部材１６によって保持し、ガラス板Ｇの研磨面にある２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さで０．２μｍ以下のうねりを研磨具２６によって研磨することにより、２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さで０．０７μｍ以下に低減させてフラットパネルディスプレイ用ガラス基板を製造する。これにより、画像に歪みや色むらを与えないＦＰＤ用ガラス基板として最適なガラス板Ｇを製造できる。
　本発明のガラス基板の仕上げ研磨方法では、２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さが０．１４μｍから０．１０μｍまで変化する際のガラス基板の研磨量をＸ（μｍ）とするとき、０．０４／Ｘが０．１２以上となる条件で研磨を実施する。これにより、仕上げ研磨に要するコストが軽減され、研磨で取り除かれたガラス粉またはガラス屑の研磨スラリへの混入が少なくなり研磨スラリの交換頻度を減らすことができる。０．０４／Ｘが０．１３以上となる条件で研磨を実施することがより好ましく、０．１４以上であることがさらに好ましく、０．１５以上となる条件で研磨を実施することが特に好ましい。
　本発明の仕上げ研磨方法において、２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さが０．１４μｍよりも高い状態から、該うねりの高さが０．１４μｍになるまでの研磨については、その研磨条件は、上述した０．０４／Ｘが０．１２以上となる条件には限定されない。但し、上述した０．０４／Ｘが０．１２以上となる条件で実施することが好ましい。
　また、本発明の仕上げ研磨方法において、２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さを０．１０μｍよりも小さくする際の研磨についても、その研磨条件は、上述した０．０４／Ｘが０．１２以上となる条件には限定されず、上述した０．０４／Ｘが０．１２よりも小さくなる条件で実施してもよい。
　本発明のガラス基板の仕上げ研磨方法は、仕上げ研磨前のガラス基板の主面の２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さが０．２μｍ以下であることが好ましい。これにより、仕上げに要する研磨時間を削減でき、かつ優れた平坦度が得られやすくなる。２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さは、より好ましくは０．１７μｍ以下、さらに好ましくは０．１５μｍ以下である。
　本発明のガラス基板の仕上げ研磨方法は、仕上げ研磨後のガラス基板の主面の２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さが０．０７μｍ以下であることが好ましい。これにより、この基板を用いたディスプレイにおいて画像に歪みや色むらが生じにくくなる。２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さはより好ましくは０．０５μｍ以下、さらに好ましくは０．０３μｍ以下である。
　本発明のガラス基板の仕上げ研磨方法は、仕上げ研磨後のガラス基板の主面のＡＦＭによる５μｍ四方の表面粗さＲａが０．３０ｎｍ以下であることが好ましい。これにより、この基板を用いたディスプレイにおいて安定した駆動特性が得られやすくなる。
　研磨仕様の一例を下記に示す。
　研磨圧力：２ｋＰａ～２５ｋＰａ
　研磨スラリ：酸化セリウム水溶液を研磨具保持定盤のスラリ供給孔から供給
　研磨具：軟質ウレタン製スエード状で表面にスラリを流す溝有り（溝ピッチ４．５ｍｍ、溝幅１．５ｍｍ、溝深さ１～１．５ｍｍ）
　ガラス板の厚み：０．２ｍｍ～０．７ｍｍ
　ガラス板の形状：１辺が９００ｍｍ以上の矩形状ガラス板
　ガラス板の非研磨面：ガラス保持部材にて密着保持
　以上が研磨仕様の一例である。
　ところで、実施の形態の研磨装置１０では、ガラス板Ｇの研磨レートを維持するために、研磨具２６の面をダイヤモンド砥粒が含有されたツルーイング砥石によって定期的に研削し、目立てを実施している。
　実施の形態の研磨装置１０では、図４に示すように、ダイヤモンド砥粒を有さず研削能力のない矩形状のフレーム４２を、図５の平面図に示すようにツルーイング砥石４０を包囲するようにガラス保持部材１６に取り付けている。そして、キャンバス２２の空気室２３に供給された圧縮エアのエア圧によってツルーイング砥石４０、及びフレーム４２を研磨具２６に押し付けて、研磨具２６の面をツルーイング砥石４０によって研削する。
　この際、前記エア圧はツルーイング砥石４０の外周に位置するフレーム４２に集中するが、フレーム４２は研削能力を有していないため、フレーム４２と接触する研磨具２６の一部の面は研削されない。すなわち、エア圧が均一に与えられているツルーイング砥石４０のみによって研磨具２６の面が研削される。これにより、研磨具２６の面全体が平坦に研削されるので、ツルーイング砥石４０による目立てを改善できる。
　なお、研磨具２６のツルーイング時のみにフレーム４２を用いるのではなく、ガラス板Ｇの研磨時においてもフレーム４２を使用することが好ましい。これにより、ガラス板Ｇの研磨時にエア圧がガラス板Ｇのエッジに集中することを防止できるので、ガラス板Ｇのエッジの研削過多を防止できる。フレーム４２の材質としては、ステンレス、鉄、アルミニウム、ポリエチレン、ポリウレタン等の研磨能力を有しない材質を例示できる。
　また、実施の形態の研磨装置１０では、ガラス板Ｇの研磨レートを維持するために、研磨具２６の面を定期的に水洗浄することにより、研磨具２６の面に付着している研磨液中の酸化セリウム等の残渣を除去する目直しを実施している。
　実施の形態の研磨装置１０では、図６の側面図に示すようにドレッシング用水ノズル４４を傾斜させ、噴射孔４６から噴射される洗浄水４８の噴射角度θを鋭角に設定している。そして、水ノズル４４と研磨具２６を水平方向に相対的に往復移動させることで、研磨具２６の面に付着している残渣を除去する。
　これにより、研磨具２６の面に付着している残渣は、傾斜して噴射された洗浄水４８の圧力によって掘り起こされるため、効率よく除去される。また。除去した残渣は、傾斜して噴射されている洗浄水４８によって研磨具２６の系外に効率よく洗い流される。これにより、水ノズル４４による目直しを改善できる。
　なお、洗浄水４８の噴射角度θは、残渣の掘り起こし効率、及び残渣の洗い流し効率の観点から１０～４５度が好ましく、３０度がより好ましい。また、洗浄水４８が研磨具２６に衝突した際の打力は、弱ければ残渣の除去効率が下がり、高ければ研磨具２６が破損するおそれがあることから、５～５０ｋＰａが好ましい。更に、研磨具２６と水ノズル４４の相対速度は、遅ければ研磨具２６のドレッシング効率が下がり、速ければ残渣の除去効率が下がることから、３～２０ｍ／ｍｉｎが好ましい。
　本発明の無アルカリガラス基板は、歪点が６８０℃以上７３５℃以下である。
　本発明の無アルカリガラスは、歪点が６８０℃以上であるため、パネル製造時の熱収縮を抑えられる。また、ｐ－Ｓｉ　ＴＦＴの製造方法としてレーザーアニールによる方法を適用することができる。６８５℃以上がより好ましく、６９０℃以上がさらに好ましい。
　本発明の無アルカリガラスは、歪点が６８０℃以上であるため、高歪点用途（例えば、板厚０．７ｍｍ以下、好ましくは０．５ｍｍ以下、より好ましくは０．３ｍｍ以下のディスプレイ用基板または照明用基板、あるいは板厚０．３ｍｍ以下、好ましくは０．１ｍｍ以下の薄板のディスプレイ用基板または照明用基板）に適している。
　板厚０．７ｍｍ以下、さらには０．５ｍｍ以下、さらには０．３ｍｍ以下、さらには０．１ｍｍ以下の板ガラスの成形では、成形時の引き出し速度が速くなる傾向があるため、ガラスの仮想温度が上昇し、ガラスのコンパクションが増大しやすい。この場合、高歪点ガラスであると、コンパクションを抑制することができる。
　一方、歪点が７３５℃以下であるため、フロートバス内及びフロートバス出口の温度をあまり高くする必要が無く、フロートバス内及びフロートバス下流側に位置する金属部材の寿命に影響を及ぼすことが少ない。７２５℃以下がより好ましく、７１５℃以下がさらに好ましく、７１０℃以下が特に好ましい。また、ガラスの平面歪を改善するため、フロートバス出口から徐冷炉に入る部分で温度を高くする必要があるが、この際の温度をあまり高くする必要がない。このため、加熱に使用するヒータに負荷がかかることがなく、ヒータの寿命に影響を及ぼすことが少ない。
　また、歪点と同様の理由で、本発明の無アルカリガラス基板は、ガラス転移点が好ましくは７３０℃以上であり、より好ましくは７４０℃以上であり、さらに好ましくは７５０℃以上である。また、７８０℃以下が好ましく、７７５℃以下がさらに好ましく、７７０℃以下が特に好ましい。
　また、本発明の無アルカリガラス基板は、５０～３５０℃での平均熱膨張係数が３０×１０-７～４３×１０-７／℃であり、耐熱衝撃性が大きく、該無アルカリガラス基板を用いたディスプレイ製造時の生産性を高くできる。本発明のガラスにおいて、５０～３５０℃での平均熱膨張係数が３５×１０-７～４０×１０-７／℃であることが好ましい。５０～３５０℃での平均熱膨張係数は好ましくは４２×１０-７／℃以下、より好ましくは４１×１０-７／℃以下、さらに好ましくは４０×１０-７／℃以下である。
　さらに、本発明の無アルカリガラス基板は、比重が好ましくは２．６２以下であり、より好ましくは２．６０以下であり、さらに好ましくは２．５８以下である。
　また、本発明の無アルカリガラス基板は、比弾性率が好ましくは３１ＭＮｍ／ｋｇ以上である。３１ＭＮｍ／ｋｇ未満では、自重たわみにより研磨時の凸部選択性が得にくくなる。より好ましくは３２ＭＮｍ／ｋｇ以上である。
　また、本発明の無アルカリガラス基板は、ヤング率が好ましくは７８ＧＰａ以上である。７８ＧＰａ未満では、ガラス基板が研磨時の変形し平滑性が得にくく、また変形によりにより研磨時の凸部選択性が得にくくなる。より好ましくは８０ＧＰａ以上、さらに好ましくは８１ＧＰａ以上、特に好ましくは８２ＧＰａ以上が好ましい。
　また、本発明の無アルカリガラス基板は、光弾性定数が好ましくは３０ｎｍ／ＭＰａ／ｃｍ以下である。
　液晶ディスプレイパネル製造工程や液晶ディスプレイ装置使用時に発生した応力によってガラス基板が複屈折性を有することにより、黒の表示がグレーになり、液晶ディスプレイのコントラストが低下する現象が認められることがある。光弾性定数を３０ｎｍ／ＭＰａ／ｃｍ以下とすることにより、この現象を小さく抑えることができる。好ましくは２９ｎｍ／ＭＰａ／ｃｍ以下、より好ましくは２８．５ｎｍ／ＭＰａ／ｃｍ以下、さらに好ましくは２８ｎｍ／ＭＰａ／ｃｍ以下である。
　また、本発明の無アルカリガラス基板は、他の物性確保の容易性を考慮すると、光弾性定数が好ましくは２３ｎｍ／ＭＰａ／ｃｍ以上、より好ましくは２５ｎｍ／ＭＰａ／ｃｍ以上である。
　なお、光弾性定数は円盤圧縮法により測定波長５４６ｎｍにて測定できる。
　また、本発明の無アルカリガラス基板は、比誘電率が５．６以上であることが好ましい。
　日本国特開２０１１－７００９２号公報に記載されているような、インセル型のタッチパネル（液晶ディスプレイパネル内にタッチセンサを内蔵したもの）の場合、タッチセンサのセンシング感度の向上、駆動電圧の低下、省電力化の観点から、ガラス基板の比誘電率が高いほうがよい。比誘電率を５．６以上とすることにより、タッチセンサのセンシング感度が向上する。好ましくは５．８以上、より好ましくは５．９以上、さらに好ましくは６．０以上である。
　なお、比誘電率はＪＩＳ　Ｃ－２１４１に記載の方法で測定できる。
　また、本発明の無アルカリガラス基板は、粘度ηが１０２ポイズ（ｄＰａ・ｓ）となる温度Ｔ２が１７１０℃以下であり、好ましくは１７１０℃未満、より好ましくは１７００℃以下、さらに好ましくは１６９０℃以下、特に好ましくは１６６０℃以下になっているため、溶解が比較的容易である。
　さらに、本発明の無アルカリガラス基板は、粘度ηが１０４ポイズとなる温度Ｔ４が１３３０℃以下、好ましくは１３２０℃以下、より好ましくは１３１５℃以下、さらに好ましくは１３１０℃以下、特に好ましくは１３００℃以下であり、フロート成形に適している。
　また、本発明の無アルカリガラス基板は、失透温度が、１３５０℃以下であることがフロート法による成形が容易となることから好ましい。好ましくは１３３０℃以下、より好ましくは１３１０℃以下、さらに好ましくは１３００℃以下である。
　本明細書における失透温度は、白金製の皿に粉砕されたガラス粒子を入れ、一定温度に制御された電気炉中で１７時間熱処理を行い、熱処理後の光学顕微鏡観察によって、ガラスの表面及び内部に結晶が析出する最高温度と結晶が析出しない最低温度との平均値である。
（実施例１、比較例１）
　各成分の原料を、表１に示す目標組成になるように調合し、連続溶融窯にて溶解を行い、フロート法にて板成形を行い、無アルカリガラス基板を得た。
　得られたガラス基板（９２０ｍｍ×７３０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を、溝ピッチ４．５ｍｍ、溝幅１．５ｍｍ、溝深さ１～１．５ｍｍの溝を有するパッドに酸化セリウム水溶液を研磨具保持定盤のスラリ供給孔から供給しながら研磨を行った。途中、ガラスを抜き出し、研磨量とガラス基板の主面のうねりの高さを測定して再度研磨することを繰り返し実施し、研磨量と２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さとの関係を求めた。
　その結果から、ガラス基板の主面の２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さが０．１４μｍから０．１０μｍまで変化する際の前記ガラス基板の研磨量Ｘ（μｍ）を求め、０．０４／Ｘの値を求めた。また、仕上げ研磨前後のガラス基板の主面の２０ｍｍピッチのうねり高さ、仕上げ研磨後のガラス基板の主面の５μｍ四方の表面粗さＲａの測定も行った。表面粗さＲａは、Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＮａｎｏＳｃｏｐｅ　ＩＩＩａにて、スキャンレートを１Ｈｚとし、２５６点／１スキャンで５μｍ四方の表面粗さを求めた。
　結果を下記表２に示す。
　なお、上記の手順で得られた無アルカリガラス基板については、歪点、ヤング率、比弾性率、光弾性定数も測定した。結果を表２に示す。かっこは計算値を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　本発明を詳細に、また特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の範囲と精神を逸脱することなく、様々な修正や変更を加えることができることは、当業者にとって明らかである。
　本出願は、２０１３年１２月４日出願の日本特許出願２０１３－２５１０２１に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
　　Ｇ　ガラス板
　１０　研磨装置
　１２　研磨ヘッド
　１４　定盤
　１６　ガラス保持部材
　１８　シール材
　２０　ガラス保持定盤
　２２　キャンバス
　２３　空気室
　２４　回転軸
　２６　研磨具
　２８　シール材
　３０　研磨具保持定盤
　４０　ツルーイング砥石
　４２　フレーム
　４４　水ノズル
　４６　噴射孔
　４８　洗浄水

Claims (7)

  1. 　研磨砥粒として酸化セリウムを含む研磨スラリを用いて、ガラス基板の主面を研磨する、ガラス基板の仕上げ研磨方法であって、
    　前記ガラス基板の組成が、下記の無アルカリガラスであり、
    　前記ガラス基板の主面の２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さが０．１４μｍから０．１０μｍまで変化する際の前記ガラス基板の研磨量をＸ（μｍ）とするとき、０．０４／Ｘが０．１２以上となる条件で研磨する段階を含む、ガラス基板の仕上げ研磨方法。
    　歪点が６８０～７３５℃であって、５０～３５０℃での平均熱膨張係数が３０×１０-７～４３×１０-７／℃であって、ガラス粘度が１０２ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ２が１７１０℃以下であって、ガラス粘度が１０４ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ４が１３３０℃以下であって、酸化物基準のモル％表示で
    ＳｉＯ２ 　　　　　　 ６３～７４、
    Ａｌ２Ｏ３ 　　　　　　１１．５～１６、
    Ｂ２Ｏ３ 　　　　　　　　１．５超５以下、
    ＭｇＯ 　　　　　　　 ５．５～１３、
    ＣａＯ 　　　　　　　 １．５～１２、
    ＳｒＯ　　　　　　　　１．５～９、
    ＢａＯ 　　　　　　　 ０～１、
    ＺｒＯ２　　　　　　　 ０～２を含有し
    ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ が１５．５～２１であり、
    ＭｇＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．３５以上であり、ＣａＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．５０以下であり、ＳｒＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．５０以下である無アルカリガラス。
  2. 　仕上げ研磨前のガラス基板の主面の２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さが０．２μｍ以下である、請求項１に記載のガラス基板の仕上げ研磨方法。
  3. 　フロート法により成形されたガラス基板の主面を仕上げ研磨する、請求項１または２に記載のガラス基板の仕上げ研磨方法。
  4. 　請求項１～３のいずれか一項に記載のガラス基板の仕上げ研磨方法を用いて仕上げ研磨された無アルカリガラス基板。
  5. 　仕上げ研磨後のガラス基板の主面の２０ｍｍピッチのうねりに換算したうねりの高さが０．０７μｍ以下である、請求項４に記載の無アルカリガラス基板。
  6. 　仕上げ研磨後のガラス基板の主面の５μｍ四方の表面粗さが０．３０ｎｍ以下である、請求項４または５に記載の無アルカリガラス基板。
  7. 　少なくとも１辺の長さが９００ｍｍ以上である、請求項４～６のいずれか一項に記載の無アルカリガラス基板。
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