WO2015072050A1 - ワークの両面研磨装置及び両面研磨方法 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a double-side polishing apparatus and a double-side polishing method for a workpiece.
- This double-side polishing generally uses a double-side polishing machine that has a carrier plate with a hole for holding the workpiece between the upper and lower surface plates, holds the workpiece in the holding hole of this carrier plate, and supplies polishing slurry. While rotating the upper and lower surface plates, the polishing pad affixed to the upper and lower surface plates and the front and back surfaces of the workpiece are slid to simultaneously polish both surfaces of the workpiece.
- the slurry is supplied temporarily from a slurry supply source to a slurry ring provided above the upper platen, and is spontaneously dropped from the slurry supply hole to pass through the upper platen. And is fed onto the polishing pad.
- the polishing slurry may not sufficiently flow into the polishing surface. There was a possibility that the supply amount of the polishing slurry was insufficient and the polishing rate was lowered or the workpiece was convex. Such a problem becomes a prominent problem especially when a workpiece having a large diameter of 450 mm or more is used.
- Patent Document 1 in the method in which the polishing slurry is pumped, the back pressure increases as the polishing slurry flow rate increases, and the polishing pressure on the work by the surface plate becomes inappropriate, and the polishing rate decreases. There is a problem of inviting.
- the present invention is intended to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a workpiece double-side polishing apparatus and a polishing method capable of obtaining a desired workpiece shape while maintaining a high polishing rate. There is to do.
- the gist configuration of the present invention is as follows.
- the workpiece double-side polishing apparatus of the present invention includes a rotating surface plate having an upper surface plate and a lower surface plate, a sun gear provided at the center of the rotating surface plate, and an internal gear provided at the outer peripheral portion of the rotating surface plate. And a carrier plate provided between the upper surface plate and the lower surface plate and having one or more holding holes for holding a workpiece, A dropping supply section for supplying the polishing slurry between the upper and lower surface plates by natural dropping; A pressure feed supply section for feeding the polishing slurry between the upper and lower surface plates by pressure feed, and further comprising: A polishing slurry can be simultaneously supplied between the upper and lower surface plates from the dropping supply unit and the pressure supply unit.
- “natural dripping” refers to a slurry dripping method that is supplied not by pressure feeding between the surface plates but by gravity dropping.
- each of the dropping supply unit and the pressure supply unit has a flow rate adjusting valve for adjusting the flow rate of the polishing slurry.
- each of the dropping supply unit and the pressure supply unit has a slurry supply hole.
- the pressure supply unit is provided above the sun gear.
- the workpiece is held on a carrier plate provided with one or more holding holes for holding the workpiece, and the workpiece is sandwiched between rotating surface plates composed of an upper surface plate and a lower surface plate.
- the rotation platen and the carrier plate are rotated relative to each other by the rotation of the sun gear provided at the center of the rotation platen and the rotation of the internal gear provided at the outer periphery of the rotation platen.
- the polishing slurry flow rate by pressure feeding is preferably 5% to 50% of the total polishing slurry flow rate.
- the “total flow rate of the polishing slurry” means the sum of the flow rate of the polishing slurry by natural dripping and the flow rate of the polishing slurry by pressure feeding.
- polishing slurry between the upper and lower surface plates by pressure feeding from above the sun gear.
- FIG. 1 is a cross-sectional view showing a double-side polishing apparatus for a workpiece according to an embodiment of the present invention.
- the double-side polishing apparatus 1 includes a rotating surface plate 4 having an upper surface plate 2 and a lower surface plate 3, a sun gear 5 provided at the center of the rotating surface plate 4, and a rotating surface plate 4.
- An internal gear 6 provided on the outer periphery, and a carrier plate 7 provided between the upper surface plate 2 and the lower surface plate 3 and having one or more holding holes (not shown) for holding the workpiece. ing.
- the polishing pad is affixed on the lower surface which is a polishing surface of the upper surface plate 2, and the upper surface which is the polishing surface of the lower surface plate 3, respectively.
- a concave portion is provided in the central portion of the lower surface of the upper surface plate 2, and this portion has a sealed structure.
- the sun gear 5 and the lower surface plate 3 rotate independently of each other, but the gap between the sun gear 3 and the lower surface plate 3 is sealed so that the polishing slurry does not leak.
- the upper surface of the sun gear 5 is located above the upper surface of the carrier plate 7.
- the double-side polishing apparatus 1 of this embodiment includes two drip supply units 8 in the illustrated example, which supplies polishing slurry between the upper and lower surface plates 2 and 3 by natural drip.
- the dropping supply unit 8 includes a slurry supply source 9 that is a polishing slurry supply source, a flow rate adjusting valve 10 that adjusts the flow rate of the polishing slurry, and a bifurcated dropping supply hose 11 through which the polishing slurry passes.
- a slurry supply nozzle 13 connected to the tip of the dropping supply hose 11 and disposed above the slurry ring 12 to which polishing slurry is temporarily supplied; and the upper and lower surface plates 2 by dropping the polishing slurry from the slurry ring 12; 3, and a supply hose 14 that passes through the upper surface plate 2 and is connected to the supply hose 14.
- the double-side polishing apparatus 1 has two drip supply units 8, but there may be one or more drip supply units 8, and the number is not particularly limited.
- a bifurcated dropping supply hose 11 that branches off from one slurry supply source 9 and one flow rate adjustment valve 10 is used, but each dropping supply unit 8 has a slurry supply source 9 and a flow rate, respectively.
- the adjusting valve 10 may be included. Further, in the illustrated example, the two drip supply units 8 each have three supply hoses 14 and three slurry supply holes 15 corresponding to the three supply hoses 14, respectively. In the present invention, the number of supply hoses 14 and slurry supply holes 15 is not particularly limited.
- the three slurry supply holes 15 of the two drip supply units 8 are provided above the carrier plate 7.
- the double-side polishing apparatus 1 of the present embodiment includes one pumping supply unit 16 in the illustrated example that supplies polishing slurry between the upper and lower surface plates 2 and 3 by pumping.
- the pressure supply unit 16 has a slurry supply pump 17 for pumping the polishing slurry at a predetermined pressure by a pump action, a flow rate adjusting valve 18 for adjusting the flow rate of the polishing slurry, and the pumped polishing slurry passes therethrough.
- a pressure-feeding supply hose 19 and a pressure-feeding supply nozzle 20 that is connected to the pressure-feeding supply hose 19 and penetrates the center of the upper surface plate 2 are provided.
- the pressure supply unit 16 is provided above the sun gear 5.
- the double-side polishing apparatus 1 has only one pressure supply unit 16, but in the present invention, the double-side polishing apparatus 1 may have two or more pressure supply units 16. good.
- a workpiece is held on a carrier plate 7 provided with one or more holding holes for holding the workpiece, and the workpiece is held by a rotating platen 4 including an upper platen 2 and a lower platen 3.
- the rotating surface plate 4 and the carrier plate 7 are rotated by rotating the sun gear 5 and the internal gear 6 while sandwiching and supplying the polishing slurry onto a polishing pad (not shown) affixed to the upper and lower surface plates 2 and 3. Can be rotated relative to each other to polish both surfaces of the workpiece simultaneously.
- the supply of the polishing slurry is performed by dropping the polishing slurry by the dropping supply unit 8 and supplying the polishing slurry between the upper and lower surface plates 2 and 3, and at the same time feeding the polishing slurry by the pumping supply unit 16. It is performed by supplying between three. At this time, the flow rate of the polishing slurry by dripping and the flow rate of the polishing slurry by pressure feeding can be adjusted by the opening / closing amounts of the flow rate adjusting valves 10 and 18.
- the effect of this embodiment is demonstrated.
- the polishing slurry is dropped by the dropping supply unit 8 and supplied between the upper and lower surface plates 2 and 3, and at the same time, the polishing slurry is pumped by the pressure supply unit 16 and between the upper and lower surface plates 2 and 3. Therefore, polishing slurry can be sufficiently supplied to the center of the workpiece, which tends to be insufficiently supplied by natural dripping alone. Deterioration of shape control such as shaping can be prevented.
- shape control such as shaping can be prevented.
- the polishing slurry flow rate is increased, a back pressure is generated, and the desired polishing pressure is not applied to the workpiece, and the polishing rate may be reduced.
- the drip supply unit 8 and the pressure supply unit 16 have flow rate adjusting valves 10 and 18 for adjusting the flow rate of the polishing slurry, respectively.
- the flow rate of the polishing slurry by pumping is preferably adjusted to 5% to 50% of the total flow rate of the polishing slurry. This is because, as will be described in the examples described later, by setting this range, it is possible to obtain a polished workpiece with high flatness while maintaining a particularly high polishing rate.
- the drip supply unit 8 and the pressure supply unit 16 have slurry supply holes 15 and 20, respectively. This is because the polishing slurry can be supplied from above the upper surface plate 2 through the slurry supply holes 15 and 20.
- the pressure supply unit 16 is provided above the sun gear 5 and supplies the polishing slurry fed from there.
- the polishing slurry pumped from the pumping supply section 16 flows from the upper surface of the sun gear 5 to the center of the workpiece by centrifugal force, and thereby, the supply amount of the polishing slurry tends to be insufficient only by natural dripping. This is also because the polishing slurry can be supplied efficiently and the amount of polishing can be further secured.
- the polishing pad used was Suba800 manufactured by Rodel Nitta, and the polishing slurry used was nalco2350 manufactured by Rodel Nitta.
- the rotation speed of the upper and lower surface plates was 20 to 30 rpm, and the processing surface pressure was 300 g / cm 2 .
- the diameter of the used upper and lower surface plate was 2000 mm, and the diameter of the wafer was 450 mm.
- the thickness of the carrier plate was 920 ⁇ m, and the target wafer thickness was 923 ⁇ m.
- the polishing rate was determined by setting the difference between the thickness of the wafer after polishing and the thickness of the wafer before starting polishing as the polishing amount ( ⁇ m) and dividing the polishing amount by the polishing time (min).
- the thickness of the wafer was measured using a laser displacement meter manufactured by Keyence Corporation.
- GBIR is obtained by calculating the difference between the maximum displacement and the minimum displacement of the entire wafer on the basis of the back surface of the wafer when it is assumed that the back surface of the polished wafer is completely adsorbed. Yes, and measured using a Keyence Corporation laser displacement meter.
- FIG. 2 is a diagram showing the evaluation results of the polishing rate and GBIR when the polishing slurry is supplied only by pumping according to Comparative Example 1 and the polishing slurry flow rate is changed every 1 L / min. As shown in FIG. 2, in the case of supplying the polishing slurry only by the pressure feeding method, increasing the polishing slurry flow rate decreases GBIR and improves the flatness of the wafer, but the polishing rate gradually decreases. .
- FIG. 3 is a diagram showing the evaluation results of the polishing rate and GBIR when the polishing slurry is supplied by only natural dripping according to Comparative Example 2 and the flow rate of the polishing slurry is changed every 1 L / min.
- FIG. 3 in the case of supplying the polishing slurry only by the natural dripping method, it can be seen that GBIR is improved only moderately even if the flow rate of the polishing slurry is increased. On the other hand, it can be seen that the polishing rate does not change much depending on the flow rate of the polishing slurry.
- FIG. 4 shows the evaluation results of the polishing rate and GBIR when the polishing slurry is supplied by a method using both natural dripping and pressure feeding according to the invention example, and the flow rate of the polishing slurry is changed every 1 L / min.
- the flow rate of the polishing slurry by pumping was 20% of the total flow rate of the polishing slurry.
- the polishing rate is stable at a high level (about 0.55 ⁇ m / min) regardless of the flow rate of the polishing slurry, and the flow rate of the polishing slurry is changed.
- FIG. 5 is a diagram showing the evaluation results of the polishing rate and GBIR when the flow rate distribution of the polishing slurry by pumping is changed with respect to the total flow rate of the polishing slurry for the inventive example.
- the total flow rate of the polishing slurry was fixed at 13 L / min.
- the convex shape of the wafer changes to a concave shape as the flow rate distribution of the polishing slurry by pumping is increased with respect to the total flow rate of the polishing slurry.
- the polishing rate is good when the flow rate of the polishing slurry by pumping is in the range of 5% to 70% of the total flow rate of the polishing slurry.
- the flow rate of polishing slurry by pumping is 5% of the total flow rate of the polishing slurry. It is good in the range of 50% to 50%. That is, it was possible to obtain a polished workpiece with high flatness while maintaining a high polishing rate when the flow rate of the polishing slurry by pumping was in the range of 5% to 50% of the total flow rate of the polishing slurry. Recognize.
- the present invention it is possible to provide a workpiece double-side polishing apparatus and a polishing method capable of obtaining a desired workpiece shape while maintaining a high polishing rate.
- the present invention is particularly suitable as a double-side polishing apparatus and double-side polishing method for a large diameter workpiece having a diameter of 450 mm or more.
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Abstract
本発明のワークの両面研磨装置は、上定盤及び下定盤を有する回転定盤と、前記回転定盤の中心部に設けられたサンギアと、前記回転定盤の外周部に設けられたインターナルギアと、前記上定盤と前記下定盤との間に設けられ、ワークを保持する1つ以上の保持孔を有するキャリアプレートと、を備え、研磨スラリーを自然滴下により前記上下定盤間に供給する滴下供給部と、研磨スラリーを圧送により前記上下定盤間に供給する圧送供給部と、さらに備え、前記滴下供給部及び前記圧送供給部から研磨スラリーを前記上下定盤間に同時に供給可能であることを特徴とする。
Description
本発明は、ワークの両面研磨装置及び両面研磨方法に関するものである。
研磨に供するワークの典型例であるシリコンウェーハなどの半導体ウェーハの製造において、より高精度なウェーハの平坦度品質や表面粗さ品質を得るために、ウェーハの表裏面を同時に研磨する両面研磨工程が採用されている。
この両面研磨は、一般的に、ワークを保持する孔が設けられたキャリアプレートを上下定盤の間に有する両面研磨装置を用い、このキャリアプレートの保持孔にワークを保持し、研磨スラリーを供給しながら上下定盤を回転させることにより、上下定盤に貼布した研磨パッドとワークの表裏面とを摺動させて、ワークの両面を同時に研磨するものである。
ここで、通常、研磨スラリーは、スラリー供給源から上定盤の上方に設けられたスラリーリングへと一時的に供給され、そこから自然滴下されることにより、上定盤を貫通するスラリー供給穴を通って研磨パッド上に供給される。
しかしながら、自然滴下による研磨スラリーの供給方法では、研磨スラリーの流量を調整して流量を多くしても、研磨スラリーが研磨面へと十分に流れ込むことができない場合があり、そのような場合に、研磨スラリーの供給量が不足して、研磨レートの低下やワークの凸形状化等を招くおそれがあった。このような問題は、特に450mm以上の大口径のワークを用いる場合等に顕著な問題となる。
これに対し、圧送ポンプを用いて、上下定盤間に研磨スラリーを直接圧送する手法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。この手法によれば、研磨スラリーを圧送するため、研磨面における研磨スラリーの供給量を確保することができ、ワークの形状制御の精度を向上させることができる。
しかしながら、特許文献1に記載のように、研磨スラリーを圧送する方式では、研磨スラリーの流量が増加するほど背圧が増大し、定盤によるワークへの研磨圧力が適正でなくなり、研磨レートの低下を招くという問題がある。
本発明は、上記の問題を解決しようとするものであり、その目的は、高い研磨レートを維持しつつも、所望のワークの形状を得ることのできる、ワークの両面研磨装置及び研磨方法を提供することにある。
本発明の要旨構成は、以下の通りである。
本発明のワークの両面研磨装置は、上定盤及び下定盤を有する回転定盤と、前記回転定盤の中心部に設けられたサンギアと、前記回転定盤の外周部に設けられたインターナルギアと、前記上定盤と前記下定盤との間に設けられ、ワークを保持する1つ以上の保持孔を有するキャリアプレートと、を備え、
研磨スラリーを自然滴下により前記上下定盤間に供給する滴下供給部と、
研磨スラリーを圧送により前記上下定盤間に供給する圧送供給部と、さらに備え、
前記滴下供給部及び前記圧送供給部から研磨スラリーを前記上下定盤間に同時に供給可能であることを特徴とする。
ここで、「自然滴下」とは、定盤間へ圧送供給ではなく重力落下により供給されるスラリー滴下方式のことをいう。
本発明のワークの両面研磨装置は、上定盤及び下定盤を有する回転定盤と、前記回転定盤の中心部に設けられたサンギアと、前記回転定盤の外周部に設けられたインターナルギアと、前記上定盤と前記下定盤との間に設けられ、ワークを保持する1つ以上の保持孔を有するキャリアプレートと、を備え、
研磨スラリーを自然滴下により前記上下定盤間に供給する滴下供給部と、
研磨スラリーを圧送により前記上下定盤間に供給する圧送供給部と、さらに備え、
前記滴下供給部及び前記圧送供給部から研磨スラリーを前記上下定盤間に同時に供給可能であることを特徴とする。
ここで、「自然滴下」とは、定盤間へ圧送供給ではなく重力落下により供給されるスラリー滴下方式のことをいう。
また、本発明のワークの両面研磨装置にあっては、前記滴下供給部及び前記圧送供給部は、それぞれ、研磨スラリーの流量を調整する流量調整弁を有することが好ましい。
さらに、本発明のワークの両面研磨装置では、前記滴下供給部及び前記圧送供給部は、それぞれ、スラリー供給穴を有することが好ましい。
さらにまた、本発明のワークの両面研磨装置においては、前記圧送供給部は、前記サンギアの上方に設けられてなることが好ましい。
ここで、本発明のワークの研磨方法は、ワークを保持する1つ以上の保持孔が設けられたキャリアプレートにワークを保持し、該ワークを上定盤及び下定盤からなる回転定盤で挟み込み、前記回転定盤の中心部に設けられたサンギアの回転と、前記回転定盤の外周部に設けられたインターナルギアの回転とにより、前記回転定盤と前記キャリアプレートとを相対回転させて前記ワークの両面を同時に研磨するワークの両面研磨方法であって、
研磨スラリーを自然滴下により前記上下定盤間に供給するのと同時に、研磨スラリーを圧送により前記上下定盤間に供給することを特徴とする。
研磨スラリーを自然滴下により前記上下定盤間に供給するのと同時に、研磨スラリーを圧送により前記上下定盤間に供給することを特徴とする。
また、本発明のワークの研磨方法では、圧送による研磨スラリーの流量は、研磨スラリーの総流量の5%~50%であることが好ましい。
なお、「研磨スラリーの総流量」とは、自然滴下による研磨スラリーの流量と圧送による研磨スラリーの流量との和を意味する。
なお、「研磨スラリーの総流量」とは、自然滴下による研磨スラリーの流量と圧送による研磨スラリーの流量との和を意味する。
さらに、本発明のワークの研磨方法にあっては、前記サンギアの上方から、研磨スラリーを圧送により前記上下定盤間に供給することが好ましい。
本発明によれば、高い研磨レートを維持しつつも、所望のワークの形状を得ることのできる、ワークの両面研磨装置及び研磨方法を提供することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に例示説明する。
図1は、本発明の一実施形態にかかるワークの両面研磨装置を示す断面図である。図1に示すように、この両面研磨装置1は、上定盤2及び下定盤3を有する回転定盤4と、回転定盤4の中心部に設けられたサンギア5と、回転定盤4の外周部に設けられたインターナルギア6と、上定盤2と下定盤3との間に設けられ、ワークを保持する1つ以上の保持孔(図示せず)を有するキャリアプレート7と、を備えている。なお、図示を省略しているが、上定盤2の研磨面である下面、及び、下定盤3の研磨面である上面には、それぞれ、研磨パッドが貼布されている。
ここで、図1に示すように、上定盤2の下面の中央部には、凹部が設けられており、この部分は、密閉された構造となっている。また、サンギア5と下定盤3とは、それぞれ独立に回転するが、サンギア3と下定盤3との間の隙間はシールされ、研磨スラリーが漏れない構造となっている。また、図1に示すように、サンギア5の上面は、キャリアプレート7の上面より上側に位置している。
ここで、図1に示すように、上定盤2の下面の中央部には、凹部が設けられており、この部分は、密閉された構造となっている。また、サンギア5と下定盤3とは、それぞれ独立に回転するが、サンギア3と下定盤3との間の隙間はシールされ、研磨スラリーが漏れない構造となっている。また、図1に示すように、サンギア5の上面は、キャリアプレート7の上面より上側に位置している。
また、図1に示すように、本実施形態の両面研磨装置1は、研磨スラリーを自然滴下により上下定盤2、3間に供給する、図示例では2つの滴下供給部8を備えている。
図示例では、この滴下供給部8は、研磨スラリーの供給源であるスラリー供給源9と、研磨スラリーの流量を調整する流量調整弁10と、研磨スラリーが通過する二股の滴下用供給ホース11と、滴下用供給ホース11の先端に接続され、研磨スラリーが一時的に供給されるスラリーリング12の上方に配置されるスラリー供給ノズル13と、スラリーリング12から滴下により研磨スラリーを上下定盤2、3間に供給する供給ホース14と、上定盤2を貫通し、該供給ホース14が接続されたスラリー供給穴15とを有する。
なお、本実施形態では、両面研磨装置1は、滴下供給部8を2つ有しているが、滴下供給部8は1つ以上あればよく、個数は特には限定されない。
また、図示例では、1つのスラリー供給源9及び1つの流量調整弁10から分岐して延びる二股の滴下用供給ホース11を用いているが、各滴下供給部8がそれぞれスラリー供給源9及び流量調整弁10を有していても良い。
さらに、図示例では、2つの滴下供給部8は、それぞれ供給ホース14を3つ有しており、この3つそれぞれの供給ホース14に対応する3つのスラリー供給穴15を有しているが、本発明では、供給ホース14やスラリー供給穴15の個数は特に限定されない。
図示例では、この滴下供給部8は、研磨スラリーの供給源であるスラリー供給源9と、研磨スラリーの流量を調整する流量調整弁10と、研磨スラリーが通過する二股の滴下用供給ホース11と、滴下用供給ホース11の先端に接続され、研磨スラリーが一時的に供給されるスラリーリング12の上方に配置されるスラリー供給ノズル13と、スラリーリング12から滴下により研磨スラリーを上下定盤2、3間に供給する供給ホース14と、上定盤2を貫通し、該供給ホース14が接続されたスラリー供給穴15とを有する。
なお、本実施形態では、両面研磨装置1は、滴下供給部8を2つ有しているが、滴下供給部8は1つ以上あればよく、個数は特には限定されない。
また、図示例では、1つのスラリー供給源9及び1つの流量調整弁10から分岐して延びる二股の滴下用供給ホース11を用いているが、各滴下供給部8がそれぞれスラリー供給源9及び流量調整弁10を有していても良い。
さらに、図示例では、2つの滴下供給部8は、それぞれ供給ホース14を3つ有しており、この3つそれぞれの供給ホース14に対応する3つのスラリー供給穴15を有しているが、本発明では、供給ホース14やスラリー供給穴15の個数は特に限定されない。
ここでまた、図1に示すように、本実施形態では、2つの滴下供給部8の3つのスラリー供給穴15は、キャリアプレート7の上方に設けられている。
さらに、図1に示すように、本実施形態の両面研磨装置1は、研磨スラリーを圧送により上下定盤2、3間に供給する、図示例では1つの圧送供給部16を備えている。
図示例では、この圧送供給部16は、ポンプ作用により研磨スラリーを所定の圧力で圧送するスラリー供給ポンプ17と、研磨スラリーの流量を調整する流量調整弁18と、圧送された研磨スラリーが通過する圧送用供給ホース19と、該圧送用供給ホース19に接続され、上定盤2の中心部を貫通する圧送用供給ノズル20とを有する。そして、図示例では、圧送供給部16は、サンギア5の上方に設けられている。
なお、本実施形態では、両面研磨装置1は、圧送供給部16を1つのみ有しているが、本発明では、両面研磨装置1は、圧送供給部16を2つ以上有していても良い。
図示例では、この圧送供給部16は、ポンプ作用により研磨スラリーを所定の圧力で圧送するスラリー供給ポンプ17と、研磨スラリーの流量を調整する流量調整弁18と、圧送された研磨スラリーが通過する圧送用供給ホース19と、該圧送用供給ホース19に接続され、上定盤2の中心部を貫通する圧送用供給ノズル20とを有する。そして、図示例では、圧送供給部16は、サンギア5の上方に設けられている。
なお、本実施形態では、両面研磨装置1は、圧送供給部16を1つのみ有しているが、本発明では、両面研磨装置1は、圧送供給部16を2つ以上有していても良い。
この両面研磨装置1を用いて、ワークを保持する1つ以上の保持孔が設けられたキャリアプレート7にワークを保持し、該ワークを上定盤2及び下定盤3からなる回転定盤4で挟み込み、研磨スラリーを上下定盤2、3に貼布された研磨パッド(図示せず)上に供給しながら、サンギア5とインターナルギア6を回転させることにより、回転定盤4とキャリアプレート7とを相対回転させてワークの両面を同時に研磨することができる。
ここで、研磨スラリーの供給は、研磨スラリーを滴下供給部8によって滴下して上下定盤2、3間に供給するのと同時に、研磨スラリーを圧送供給部16によって圧送して上下定盤2、3間に供給することで行う。このとき、滴下による研磨スラリーの流量及び圧送による研磨スラリーの流量は、流量調整弁10、18の弁の開閉量により調整することができる。
以下、本実施形態の作用効果について説明する。
ここで、研磨スラリーの供給は、研磨スラリーを滴下供給部8によって滴下して上下定盤2、3間に供給するのと同時に、研磨スラリーを圧送供給部16によって圧送して上下定盤2、3間に供給することで行う。このとき、滴下による研磨スラリーの流量及び圧送による研磨スラリーの流量は、流量調整弁10、18の弁の開閉量により調整することができる。
以下、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態によれば、研磨スラリーを滴下供給部8によって滴下して上下定盤2、3間に供給するのと同時に、研磨スラリーを圧送供給部16によって圧送して上下定盤2、3間に供給することができることから、自然滴下のみでは研磨スラリーが供給不足となりがちなワーク中心部に対しても、圧送方式を併用しているため研磨スラリーを十分に供給することができ、ワークの凸形状化等の形状制御の悪化を防ぐことができる。一方で、圧送方式のみだと、研磨スラリーの流量を増大させると、背圧が生じ、所望の研磨圧力がワークにかからず、研磨レートが低下するおそれがあるが、本実施形態では、自然滴下による研磨スラリーの供給を併用しているため、研磨スラリーの流量を増加させても背圧が生じずに、高研磨レートで安定的な加工が可能となる。
このように、本実施形態によれば、自然滴下による研磨スラリーの供給と、圧送による研磨スラリーの供給とを併用することにより、高い研磨レートを維持しつつも、所望のワークの形状を得ることができる。
このように、本実施形態によれば、自然滴下による研磨スラリーの供給と、圧送による研磨スラリーの供給とを併用することにより、高い研磨レートを維持しつつも、所望のワークの形状を得ることができる。
ここで、本発明にあっては、滴下供給部8及び圧送供給部16は、それぞれ、研磨スラリーの流量を調整する流量調整弁10、18を有することが好ましい。そして、圧送による研磨スラリーの流量は、研磨スラリーの総流量の5%~50%に調整することが好ましい。後述の実施例で説明するように、この範囲とすることにより、特に、高い研磨レートを維持しつつも、平坦度の高い研磨後のワークを得ることができるからである。
また、本発明にあっては、滴下供給部8及び圧送供給部16は、それぞれ、スラリー供給穴15、20を有することが好ましい。これにより、上定盤2の上方から、このスラリー供給穴15、20を介して、研磨スラリーを供給することができるからである。
さらに、本発明においては、圧送供給部16は、サンギア5の上方に設けられてなり、そこから圧送された研磨スラリーを供給することが好ましい。これにより、圧送供給部16から圧送された研磨スラリーは、サンギア5の上面から遠心力によりワークの中心部へと流れ込み、これにより、自然滴下のみでは研磨スラリーの供給量が不足しがちな箇所へも研磨スラリーを効率良く供給することができ、より一層研磨量を確保することができるからである。
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は、この実施例に何ら限定されるものではない。
本発明の効果を確かめるため、発明例として、図1に示す両面研磨装置を用いて両面研磨を行い、研磨レート及びGBIR(Global Backside Ideal Range)を評価する試験を行った。
また、比較例1として、圧送のみにより研磨スラリーを供給した場合、比較例2として、自然滴下のみにより研磨スラリーを供給した場合について、同様の評価を行った。
また、比較例1として、圧送のみにより研磨スラリーを供給した場合、比較例2として、自然滴下のみにより研磨スラリーを供給した場合について、同様の評価を行った。
ここで、上記の試験においては、発明例、及び比較例1、2とも共通に、以下の条件とした。
研磨パッドは、ロデールニッタ社製suba800を用い、研磨スラリーは、ロデールニッタ社製nalco2350を用いた。上下定盤の回転数は、20~30rpmとし、加工面圧は300g/cm2とした。また、用いた上下定盤の直径は、2000mmであり、ウェーハの直径は450mmであった。さらに、キャリアプレートの厚さは、920μmであり、目標とするウェーハの厚さは、923μmとした。
研磨パッドは、ロデールニッタ社製suba800を用い、研磨スラリーは、ロデールニッタ社製nalco2350を用いた。上下定盤の回転数は、20~30rpmとし、加工面圧は300g/cm2とした。また、用いた上下定盤の直径は、2000mmであり、ウェーハの直径は450mmであった。さらに、キャリアプレートの厚さは、920μmであり、目標とするウェーハの厚さは、923μmとした。
ここで、研磨レートは、研磨終了後のウェーハの厚さと研磨開始前のウェーハの厚さの差を研磨量(μm)とし、該研磨量を研磨時間(min)で除することにより求めた。
ウェーハの厚さは、キーエンス社製レーザー変位計を用いて測定した。
また、GBIRは、研磨後のウェーハの裏面を完全に吸着したと仮定した場合における該ウェーハの裏面を基準として、該ウェーハ全体の最大変位と最小変位との差を算出することにより求めたものであり、キーエンス社製レーザー変位計を用いて測定した。
ウェーハの厚さは、キーエンス社製レーザー変位計を用いて測定した。
また、GBIRは、研磨後のウェーハの裏面を完全に吸着したと仮定した場合における該ウェーハの裏面を基準として、該ウェーハ全体の最大変位と最小変位との差を算出することにより求めたものであり、キーエンス社製レーザー変位計を用いて測定した。
<比較例1>
図2は、比較例1にかかる圧送のみによる研磨スラリーの供給を行う場合について、研磨スラリーの流量を1L/min毎に変化させたときの研磨レート及びGBIRの評価結果を示す図である。
図2に示すように、圧送方式のみによる研磨スラリーの供給の場合、研磨スラリー流量を増大させると、GBIRが小さくなり、ウェーハの平坦度は向上するものの、研磨レートは漸減していくことがわかる。
図2は、比較例1にかかる圧送のみによる研磨スラリーの供給を行う場合について、研磨スラリーの流量を1L/min毎に変化させたときの研磨レート及びGBIRの評価結果を示す図である。
図2に示すように、圧送方式のみによる研磨スラリーの供給の場合、研磨スラリー流量を増大させると、GBIRが小さくなり、ウェーハの平坦度は向上するものの、研磨レートは漸減していくことがわかる。
<比較例2>
図3は、比較例2にかかる自然滴下のみによる研磨スラリーの供給を行う場合について、研磨スラリーの流量を1L/min毎に変化させたときの研磨レート及びGBIRの評価結果を示す図である。
図3に示すように、自然滴下方式のみによる研磨スラリーの供給の場合、研磨スラリーの流量を増大させても、GBIRは緩やかにしか改善されないことがわかる。一方で、研磨レートは、研磨スラリーの流量によっては、さほど変化しないことがわかる。
図3は、比較例2にかかる自然滴下のみによる研磨スラリーの供給を行う場合について、研磨スラリーの流量を1L/min毎に変化させたときの研磨レート及びGBIRの評価結果を示す図である。
図3に示すように、自然滴下方式のみによる研磨スラリーの供給の場合、研磨スラリーの流量を増大させても、GBIRは緩やかにしか改善されないことがわかる。一方で、研磨レートは、研磨スラリーの流量によっては、さほど変化しないことがわかる。
<発明例>
図4は、発明例にかかる自然滴下と圧送とを併用した方式で研磨スラリーの供給を行う場合について、研磨スラリーの流量を1L/min毎に変化させたときの研磨レート及びGBIRの評価結果を示す図である。なお、図4において、圧送による研磨スラリーの流量は、研磨スラリーの総流量の20%とした。
図4に示すように、本発明によれば、研磨レートは、研磨スラリーの流量によらずに、高いレベル(約0.55μm/min)で安定し、かつ、研磨スラリーの流量が変化した場合でも、良好なGBIR(約0.2μm)を維持することができ、従って、研磨後のウェーハの形状の変化が小さく、同一の仕上がり形状に制御しやすいことがわかる。また、GBIRの値も図2、図3に示す場合と比べて低く、研磨後のウェーハの平坦度が高いことがわかる。
このように、図4に示す結果から、本発明による、自然滴下方式と圧送方式との併用による相乗効果を確認することができた。
図4は、発明例にかかる自然滴下と圧送とを併用した方式で研磨スラリーの供給を行う場合について、研磨スラリーの流量を1L/min毎に変化させたときの研磨レート及びGBIRの評価結果を示す図である。なお、図4において、圧送による研磨スラリーの流量は、研磨スラリーの総流量の20%とした。
図4に示すように、本発明によれば、研磨レートは、研磨スラリーの流量によらずに、高いレベル(約0.55μm/min)で安定し、かつ、研磨スラリーの流量が変化した場合でも、良好なGBIR(約0.2μm)を維持することができ、従って、研磨後のウェーハの形状の変化が小さく、同一の仕上がり形状に制御しやすいことがわかる。また、GBIRの値も図2、図3に示す場合と比べて低く、研磨後のウェーハの平坦度が高いことがわかる。
このように、図4に示す結果から、本発明による、自然滴下方式と圧送方式との併用による相乗効果を確認することができた。
次に、図5は、発明例について、研磨スラリーの総流量に対する、圧送による研磨スラリーの流量配分を変化させたときの、研磨レート及びGBIRの評価結果を示す図である。なお、図5においては、研磨スラリーの総流量は、13L/minで固定した。
図5に示すように、研磨スラリーの総流量に対する、圧送による研磨スラリーの流量配分を増大させるにつれ、ウェーハの凸形状が凹形状へと変化していくことがわかる。
特に、研磨レートは、圧送による研磨スラリーの流量が、研磨スラリーの総流量の5%~70%の範囲で良好であり、GBIRは、圧送による研磨スラリーの流量が、研磨スラリーの総流量の5%~50%の範囲で良好である。すなわち、圧送による研磨スラリーの流量が、研磨スラリーの総流量の5%~50%の範囲で、高い研磨レートを維持しつつも、高い平坦度の研磨後のワークを得ることができたことがわかる。
図5に示すように、研磨スラリーの総流量に対する、圧送による研磨スラリーの流量配分を増大させるにつれ、ウェーハの凸形状が凹形状へと変化していくことがわかる。
特に、研磨レートは、圧送による研磨スラリーの流量が、研磨スラリーの総流量の5%~70%の範囲で良好であり、GBIRは、圧送による研磨スラリーの流量が、研磨スラリーの総流量の5%~50%の範囲で良好である。すなわち、圧送による研磨スラリーの流量が、研磨スラリーの総流量の5%~50%の範囲で、高い研磨レートを維持しつつも、高い平坦度の研磨後のワークを得ることができたことがわかる。
本発明によれば、高い研磨レートを維持しつつも、所望のワークの形状を得ることのできる、ワークの両面研磨装置及び研磨方法を提供することができる。
本発明は、特に直径450mm以上の大口径のワークの両面研磨装置及び両面研磨方法として適している。
本発明は、特に直径450mm以上の大口径のワークの両面研磨装置及び両面研磨方法として適している。
1 両面研磨装置
2 上定盤
3 下定盤
4 回転定盤
5 サンギア
6 インターナルギア
7 キャリアプレート
8 滴下供給源
9 スラリー供給源
10 流量調整弁
11 滴下用供給ホース
12 スラリーリング
13 スラリー供給ノズル
14 供給ホース
15 スラリー供給穴
16 圧送供給部
17 スラリー供給ポンプ
18 流量調整弁
19 圧送用供給ホース
20 スラリー供給穴
2 上定盤
3 下定盤
4 回転定盤
5 サンギア
6 インターナルギア
7 キャリアプレート
8 滴下供給源
9 スラリー供給源
10 流量調整弁
11 滴下用供給ホース
12 スラリーリング
13 スラリー供給ノズル
14 供給ホース
15 スラリー供給穴
16 圧送供給部
17 スラリー供給ポンプ
18 流量調整弁
19 圧送用供給ホース
20 スラリー供給穴
Claims (7)
- 上定盤及び下定盤を有する回転定盤と、前記回転定盤の中心部に設けられたサンギアと、前記回転定盤の外周部に設けられたインターナルギアと、前記上定盤と前記下定盤との間に設けられ、ワークを保持する1つ以上の保持孔を有するキャリアプレートと、を備えたワークの両面研磨装置であって、
研磨スラリーを自然滴下により前記上下定盤間に供給する滴下供給部と、
研磨スラリーを圧送により前記上下定盤間に供給する圧送供給部と、さらに備え、
前記滴下供給部及び前記圧送供給部から研磨スラリーを前記上下定盤間に同時に供給可能であることを特徴とする、ワークの両面研磨装置。 - 前記滴下供給部及び前記圧送供給部は、それぞれ、研磨スラリーの流量を調整する流量調整弁を有する、請求項1に記載のワークの両面研磨装置。
- 前記滴下供給部及び前記圧送供給部は、それぞれ、スラリー供給穴を有する、請求項1又は2に記載のワークの両面研磨装置。
- 前記圧送供給部は、前記サンギアの上方に設けられてなる、請求項1~3のいずれか一項に記載のワークの両面研磨装置。
- ワークを保持する1つ以上の保持孔が設けられたキャリアプレートにワークを保持し、該ワークを上定盤及び下定盤からなる回転定盤で挟み込み、前記回転定盤の中心部に設けられたサンギアの回転と、前記回転定盤の外周部に設けられたインターナルギアの回転とにより、前記回転定盤と前記キャリアプレートとを相対回転させて前記ワークの両面を同時に研磨するワークの両面研磨方法であって、
研磨スラリーを自然滴下により前記上下定盤間に供給するのと同時に、研磨スラリーを圧送により前記上下定盤間に供給することを特徴とする、ワークの両面研磨方法。 - 圧送による研磨スラリーの流量は、研磨スラリーの総流量の5%~50%である、請求項5に記載のワークの両面研磨方法。
- 前記サンギアの上方から、研磨スラリーを圧送により前記上下定盤間に供給する、請求項5又は6に記載のワークの両面研磨方法。
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