WO2015045288A1 - 薄膜トランジスタ - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 10
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 4
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000003354 benzotriazolyl group Chemical group N1N=NC2=C1C=CC=C2* 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- -1 for example Substances 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- UVAMFBJPMUMURT-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5,6-pentafluorobenzenethiol Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(S)C(F)=C1F UVAMFBJPMUMURT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 3
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 3
- FMZQNTNMBORAJM-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yl)-[2-[13-[2-tri(propan-2-yl)silylethynyl]pentacen-6-yl]ethynyl]silane Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)C)=C(C=C4C(C=CC=C4)=C4)C4=C(C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)C)C3=CC2=C1 FMZQNTNMBORAJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 2
- ZXLYUNPVVODNRE-UHFFFAOYSA-N 6-ethenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=C)=N1 ZXLYUNPVVODNRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- MXJIHEXYGRXHGP-UHFFFAOYSA-N benzotriazol-1-ylmethanol Chemical compound C1=CC=C2N(CO)N=NC2=C1 MXJIHEXYGRXHGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001565 benzotriazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/471—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only organic materials
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
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Definitions
- the present invention relates to a thin film transistor.
- a general flat and thin image display device is driven by an active matrix of a thin film transistor using amorphous silicon or polycrystalline silicon as a semiconductor layer.
- the manufacture of the above-described thin film transistor using silicon requires a relatively high temperature thermal process and is generally difficult to form directly on a resin substrate having low heat resistance.
- organic semiconductors have the advantage that they can be patterned by printing methods. Furthermore, a thin film transistor using an organic semiconductor can be formed by printing not only the semiconductor layer but also the electrodes and the gate insulating layer by selecting materials that can be formed by a printing method, so that all layers constituting the thin film transistor can be formed by printing. .
- Non-Patent Documents 1 and 2 The most common electrode material for thin film transistors is silver (Non-Patent Documents 1 and 2). However, when the organic semiconductor material is applied onto the silver electrode, the wettability between the organic semiconductor material and the silver electrode is poor, and the organic semiconductor material and the silver electrode are not sufficiently in contact.
- the organic semiconductor material and the silver electrode are not in sufficient contact, the on-current of the thin film transistor is reduced, and desired characteristics cannot be obtained in operating the device.
- An object of the present invention is to provide a thin film transistor in which a contact area between an organic semiconductor layer and a source electrode and a drain electrode is wide and a high on-current can be obtained.
- the present invention provides a thin film transistor having at least a gate electrode, a gate insulating layer, a source electrode and a drain electrode, and an organic semiconductor layer on an insulating substrate, wherein the source electrode and the drain electrode are at least one metal.
- the organic semiconductor layer contains a compound that binds to ions of the metal constituting the source electrode and the drain electrode, thereby increasing the contact area between the organic semiconductor layer and the source electrode and the drain electrode, and a high on-current.
- a transistor from which can be obtained is provided.
- the adjacent organic semiconductor material can be drawn near the electrode surface and physically contacted.
- one of the metals constituting the source electrode and the drain electrode is made of silver, an electrode having higher conductivity and lower cost can be formed as compared with gold and copper.
- the contact area between the organic semiconductor layer and the source and drain electrodes is increased, a high on-current can be obtained.
- FIG. 1 is a schematic diagram showing a cross-sectional structure of a thin film transistor of Example 1 and Comparative Example 1 showing an embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a schematic view showing the surface side of the thin film transistor of FIG.
- FIG. 1 and 2 show an example of the thin film transistor of the present invention.
- This is a bottom gate-bottom contact thin film transistor having a gate electrode 11, a gate insulating layer 12, a source electrode 13 and a drain electrode 14, and an organic semiconductor layer 15 on an insulating substrate 10.
- a glass substrate or a resin substrate can be used as the insulating substrate 10 of the present invention.
- a resin substrate for example, polyimide, polymethyl methacrylate, polyacrylate, polycarbonate, polystyrene, polyethylene sulfide, polyethersulfone (PES), polyolefin, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate (PEN), cycloolefin polymer, polyethersulfene Triacetyl cellulose, polyvinyl fluoride film, ethylene-tetrafluoroethylene copolymer resin, glass fiber reinforced acrylic resin film, glass fiber reinforced polycarbonate, fluorine resin, cyclic polyolefin resin, and the like can be used.
- These substrates can be used alone, or a composite substrate in which two or more kinds are laminated can be used.
- the gate electrode 11 of the present invention is formed by applying a low resistance metal material such as Ag, Cu, Au or the like in the form of an ink or paste by screen printing, transfer printing, letterpress printing, an ink jet method, or the like, and baking it. Can be formed.
- a conductive organic material such as PEDOT (polyethylenedioxythiophene) can also be used. Further, it can be formed by depositing a low resistance metal material such as Mo, Al, Cu or the like in vacuum and patterning using photolithography, but is not limited thereto.
- the gate insulating layer 12 of the present invention for example, a polymer solution such as polyvinylphenol, polymethyl methacrylate, polyimide, polyvinyl alcohol, parylene, fluororesin, epoxy resin, a solution in which particles such as alumina and silica gel are dispersed, Alternatively, a precursor solution of an inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, aluminum oxide, tantalum oxide, yttrium oxide, hafnium oxide, zirconium oxide, titanium oxide, or the like is applied using a spin coating method, a slit die coating method, or the like. It can be formed by coating and baking. In addition, the inorganic material can be formed by using a vacuum film forming method and patterned by a photolithography method, but is not limited thereto.
- a polymer solution such as polyvinylphenol, polymethyl methacrylate, polyimide, polyvinyl alcohol, parylene, fluororesin, epoxy
- a low resistance metal material such as Ag, Cu, Au or the like formed in an ink form or a paste form is applied by screen printing, transfer printing, letterpress printing, an inkjet method or the like, although it can be formed by firing, it is particularly preferable that Ag is formed into an ink or paste from the viewpoint of low resistance and low cost. Further, it can be formed by depositing a low resistance metal material such as Mo, Al, Cu or the like in vacuum and patterning using photolithography, but is not limited thereto.
- Examples of the material of the organic semiconductor layer 15 of the present invention include high-molecular organic semiconductor materials such as polythiophene, fluorenebithiophene copolymers, and derivatives thereof, and low molecular weights such as pentacene, tetracene, copper phthalocyanine, and derivatives thereof.
- Molecular organic semiconductor materials can be used.
- carbon compounds such as carbon nanotubes or fullerenes, semiconductor nanoparticle dispersions, and the like can also be used as the material of the organic semiconductor layer 15, but are not limited thereto.
- These organic semiconductor materials can be dissolved or dispersed in an aromatic solvent such as toluene and used as an ink-like solution or dispersion. You may add additives, such as a suitable dispersing agent and a stabilizer, to a solvent.
- the organic semiconductor layer 15 of the present invention contains a compound that binds to metal ions.
- a benzotrial type or triazine type compound can be mentioned.
- the benzotriazole series is based on benzotrial represented by Chemical Formula 1, and in addition, 1H-benzotriazole-1-methanol (Chemical Formula 2), which is an adduct of methanol, and an alkyl group added to the triazole side (Chemical Formula) 3) and those obtained by adding an alkyl group to the benzene side (Chemical Formula 4).
- the basic skeleton of triazine is represented by Chemical Formula 5, and examples thereof include 2,4-diamino-6-vinyl-S-triazine represented by Chemical Formula 6.
- the organic semiconductor layer 15 As a method for forming the organic semiconductor layer 15, known methods such as gravure printing, offset printing, screen printing, and inkjet method can be used. In general, since the organic semiconductor has a low solubility in a solvent, it is desirable to use flexographic printing, transfer printing, an inkjet method, and a dispenser suitable for printing a low viscosity solution.
- Example 1 In Example 1, a thin film transistor element as shown below was produced. On the polyethylene naphthalate (PEN) film used as the insulating substrate 10, Mo was formed into a film with a thickness of 100 nm by sputtering, and the gate electrode 11 was produced using a photolithography method. Next, polyvinyl phenol to be the gate insulating layer 12 was formed on the insulating substrate 10 including the gate electrode 11 by spin coating, and baked at 180 ° C. for 1 hour to obtain a gate insulating layer 12 having a thickness of 1 ⁇ m. . Subsequently, nano silver ink is formed on the gate insulating film 12 as a source electrode 13 and a drain electrode 14 using a transfer method, and after baking at 180 ° C.
- PEN polyethylene naphthalate
- the source electrode 13 and the drain electrode 14 having a thickness of 100 nm are formed. Obtained. Further, a self-assembled monolayer was formed on the source electrode 13 and the drain electrode 14 by immersing in a solution of pentafluorothiophenol diluted to 1% by weight with isopropyl alcohol for 30 minutes.
- the device characteristics of the thin film transistor manufactured as described above were an off current of 1.1 ⁇ 10 ⁇ 12 A and an on current of 2.6 ⁇ 10 ⁇ 6 A, and a thin film transistor having a high on current was obtained.
- the coverage of the surface of the source and drain electrodes in the vicinity of the channel of the organic semiconductor material was 85%.
- Example 2 In Example 2, a thin film transistor element as shown below was produced.
- PEN polyethylene naphthalate
- Mo was formed into a film with a thickness of 100 nm by sputtering, and the gate electrode 11 was produced using a photolithography method.
- polyvinyl phenol to be the gate insulating layer 12 was formed on the insulating substrate 10 including the gate electrode 11 by spin coating, and baked at 180 ° C. for 1 hour to obtain a gate insulating layer 12 having a thickness of 1 ⁇ m. .
- nano silver ink is formed on the gate insulating film 12 as a source electrode 13 and a drain electrode 14 using a transfer method, and after baking at 180 ° C. for 1 hour, the source electrode 13 and the drain electrode 14 having a thickness of 100 nm are formed. Obtained. Further, a self-assembled monolayer was formed on the source electrode 13 and the drain electrode 14 by immersing in a solution of pentafluorothiophenol diluted to 1% by weight with isopropyl alcohol for 30 minutes.
- a triazine compound is mixed with a semiconductor material (solid content) in a weight ratio of 1:13 in a solution in which 6,13-bis (triisopropylsilylethynyl) pentacene, which is an organic semiconductor material, is dissolved in tetralin to 2% by weight.
- a relief printing method printing is performed between the source and drain electrodes so as to cover a part of the source electrode 13 and the drain electrode 14, and dried at 100 ° C. for 60 minutes.
- An organic semiconductor layer 15 was formed.
- the manufactured transistor has a channel length of 20 ⁇ m and a channel width of 250 ⁇ m.
- the device characteristics of the thin film transistor manufactured as described above were an off current of 1.3 ⁇ 10 ⁇ 12 A and an on current of 2.2 ⁇ 10 ⁇ 6 A, and a thin film transistor having a high on current was obtained.
- the coverage of the surface of the source and drain electrodes in the vicinity of the channel of the organic semiconductor material was 80%.
- Comparative Example 1 a thin film transistor element as shown below was produced.
- PEN polyethylene naphthalate
- Mo was formed into a film with a thickness of 100 nm by sputtering, and the gate electrode 11 was produced using a photolithography method.
- polyvinyl phenol to be the gate insulating layer 12 was formed on the insulating substrate 10 including the gate electrode 11 by spin coating, and baked at 180 ° C. for 1 hour to obtain a gate insulating layer 12 having a thickness of 1 ⁇ m. .
- nano silver ink is formed on the gate insulating film 12 as a source electrode 13 and a drain electrode 14 using a transfer method, and after baking at 180 ° C. for 1 hour, the source electrode 13 and the drain electrode 14 having a thickness of 100 nm are formed. Obtained. Further, a self-assembled monolayer was formed on the source electrode 13 and the drain electrode 14 by immersing in a solution of pentafluorothiophenol diluted to 1% by weight with isopropyl alcohol for 30 minutes.
- the element characteristics of the thin film transistor manufactured without adding a compound that binds to metal ions to the organic semiconductor layer as described above are as follows: off-current 1.3 ⁇ 10 ⁇ 12 A, on-current 7.0 ⁇ 10 ⁇ 7 A In comparison with Example 1, the value of the on-current was 1/3 or less. Further, the coverage of the surface of the source and drain electrodes in the vicinity of the channel of the organic semiconductor material was 30%.
- a thin film transistor having at least a gate electrode, a gate insulating layer, a source electrode and a drain electrode, and an organic semiconductor layer on an insulating substrate, and the source electrode and the drain electrode are made of at least one metal.
- the contact area between the organic semiconductor layer, the source electrode, and the drain electrode is increased, and a high on-current can be obtained.
- a transistor can be provided.
- the compound contained in the organic semiconductor layer when the compound contained in the organic semiconductor layer is combined with the source electrode and the drain electrode, it is possible to draw the organic semiconductor material existing adjacent to the vicinity of the electrode surface and make physical contact therewith.
- one of the metals constituting the source electrode and the drain electrode is made of silver, an electrode having higher conductivity and lower cost can be formed as compared with gold and copper.
- a thin film transistor having at least a gate electrode, a gate insulating layer, a source electrode and a drain electrode, and an organic semiconductor layer on an insulating substrate, wherein the source electrode and the drain electrode are made of at least one kind of metal,
- a thin film transistor With a large contact area between the semiconductor layer and the source electrode and the drain electrode can be provided.
- Such a thin film transistor can be used as a switching element such as flexible electronic paper and a pressure sensor.
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Abstract
有機半導体層とソース電極及びドレイン電極との接触面積が広く、高いオン電流が得られる薄膜トランジスタを提供することを目的とする。薄膜トランジスタは、絶縁基板上に少なくともゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極及びドレイン電極と、有機半導体層とを有し、ソース電極及びドレイン電極は少なくとも1種以上の金属から構成され、有機半導体層はソース電極及びドレイン電極を構成する金属イオンと結合する化合物を含有する。
Description
本発明は、薄膜トランジスタに関する。
現在、一般的な平面薄型画像表示装置は非晶質シリコンや多結晶シリコンを半導体層に用いた薄膜トランジスタのアクティブマトリックスにより駆動されている。
一方、平面薄型画像表示装置のさらなる薄型化、軽量化、耐破損性の向上を求めて、ガラス基板の替わりに樹脂基板を用いる試みが近年なされている。
しかし、上述のシリコンを用いる薄膜トランジスタの製造は、比較的高温の熱工程を要し、一般的に耐熱性の低い樹脂基板上に直接形成することは困難である。
そこで、低温形成が可能な有機半導体を用いた薄膜トランジスタの開発が活発に行われている。
また、有機半導体は印刷法によってパターニングが可能であるという長所を有する。さらに、有機半導体を用いた薄膜トランジスタは半導体層だけでなく、電極やゲート絶縁層も印刷法によって形成可能な材料を選択することにより、薄膜トランジスタを構成する層を全て印刷により形成することも可能である。
印刷法を用いることにより、真空成膜・フォトリソグラフィーにより製造されるシリコン系薄膜とトランジスタと比較して製造コストの大幅な削減が期待される。
薄膜トランジスタの電極材料としては銀が用いられることが最も一般的である(非特許文献1、2)。しかし、有機半導体材料を銀電極上へ塗布した際に、有機半導体材料と銀電極との濡れ性が悪く、有機半導体材料と銀電極が十分に接触していないことが問題となっている。
Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America Vol.105 No.13、4976(2008)
Applied Physics Letters 95、253302(2009)
有機半導体材料と銀電極が十分に接触しなければ、薄膜トランジスタのオン電流が減少し、デバイスを動作させる上で所望の特性が得られないこととなる。
本発明は、有機半導体層とソース電極及びドレイン電極との接触面積が広く、高いオン電流が得られる薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
そこで本発明は、絶縁基板上に少なくともゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極及びドレイン電極と、有機半導体層とを有する薄膜トランジスタであって、該ソース電極及びドレイン電極は少なくとも1種以上の金属から構成され、該有機半導体層に該ソース電極及びドレイン電極を構成する金属のイオンと結合する化合物を含有させることで、有機半導体層とソース電極及びドレイン電極の接触面積を増加させ、高いオン電流が得られるトランジスタを提供する。
有機半導体層中に含まれる化合物がソース電極及びドレイン電極と結合した際に、隣接して存在する有機半導体材料を電極表面近傍に引き寄せ、物理的に接触させることが可能となる。
また、ソース電極及びドレイン電極を構成する金属の1種を銀とすることで、金、銅と比較し高導電性かつ低コストの電極を形成することができる。
特に、有機半導体層に含有させる金属イオンと結合する化合物をベンゾトリアゾール系またはトリアジン系化合物とすることで、化合物と銀電極の結合が強固となり、半導体層と電極が十分に接触する薄膜トランジスタを形成することが可能となる。
本発明によれば、有機半導体層とソース電極及びドレイン電極の接触面積を増加させるので、高いオン電流が得られる。
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。実施の形態において、同一構成要素には同一符号を付け、実施の形態の間において重複する説明は省略する。
図1及び図2に本発明の薄膜トランジスタの一例を示す。絶縁基板10上にゲート電極11、ゲート絶縁層12、ソース電極13およびドレイン電極14、有機半導体層15を備えたボトムゲート-ボトムコンタクト構造の薄膜トランジスタである。
本発明の絶縁基板10としてガラス基板または樹脂基板を用いることができる。樹脂基板の場合、例えば、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート(PEN)、シクロオレフィンポリマー、ポリエーテルサルフェン、トリアセチルセルロース、ポリビニルフルオライドフィルム、エチレン-テトラフルオロエチレン共重合樹脂、ガラス繊維強化アクリル樹脂フィルム、ガラス繊維強化ポリカーボネート、フッ素系樹脂、環状ポリオレフィン系樹脂等を使用することができる。これらの基板は単独で使用することもでき、2種以上を積層した複合基板を使用することもできる。
本発明のゲート電極11には、Ag、Cu、Auなどの低抵抗金属材料をインキ状、ペースト状にしたものをスクリーン印刷、転写印刷、凸版印刷、インクジェット法等で塗布し、焼成することにより形成することができる。PEDOT(ポリエチレンジオキシチフェン)等の導電性有機材料を用いることもできる。また、Mo、Al、Cuなどの低抵抗金属材料を真空成膜し、フォトリソグラフィーを用いてパターニングすることにより形成することもできるが、これらに限定されるものではない。
本発明のゲート絶縁層12としては、例えば、ポリビニルフェノール、ポリメタクリル酸メチル、ポリイミド、ポリビニルアルコール、パリレン、フッ素樹脂、エポキシ樹脂などの高分子溶液、アルミナやシリカゲル等の粒子を分散させた溶液、または酸化シリコン、窒化シリコン、シリコンオキシナイトライド、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン等の無機材料の前駆体溶液を、スピンコート法やスリットダイコート法等を用いて塗布し、焼成することにより形成することができる。また、上記無機材料を真空成膜法を用いて形成し、フォトリソグラフィー法でパターニングすることにより形成することもできるが、これらに限定されるものではない。
本発明のソース電極13及びドレイン電極14としては、Ag、Cu、Auなどの低抵抗金属材料をインキ状、ペースト状にしたものをスクリーン印刷、転写印刷、凸版印刷、インクジェット法等で塗布し、焼成することにより形成することができるが、特にAgをインキ状またはペースト状にしたものが、低抵抗および低コストという観点から好ましい。またMo、Al、Cuなどの低抵抗金属材料を真空成膜し、フォトリソグラフィーを用いてパターニングすることにより形成することもできるが、これらに限定されるものではない。
本発明の有機半導体層15の材料としては、ポリチオフェン、フルオレンビチオフェン共重合体、およびそれらの誘導体のような高分子有機半導体材料、およびペンタセン、テトラセン、銅フタロシアニン、およびそれらの誘導体のような低分子有機半導体材料を用いることができる。また、カーボンナノチューブあるいはフラーレンなどの炭素化合物や半導体ナノ粒子分散液なども有機半導体層15の材料として用いることができるがこれらに限定されるものではない。これらの有機半導体材料はトルエンなどの芳香族系の溶媒に溶解又は分散させてインキ状の溶液又は分散液として用いることができる。溶媒に適当な分散剤や安定剤等の添加剤を加えてもよい。
本発明の有機半導体層15には金属イオンと結合する化合物を含有する。例えばベンゾトリアール系またはトリアジン系の化合物が挙げられる。
ベンゾトリアゾール系は化学式1に示されるベンゾトリアールが基本形であり、他にメタノールの付加物である1H-ベンゾトリアゾール-1-メタノール(化学式2)や、トリアゾール側にアルキル基を付加したもの(化学式3)や、ベンゼン側にアルキル基を付加したものが挙げられる(化学式4)。
トリアジンの基本骨格は化学式5に示されるものであり、例えば化学式6に示される2、4-ジアミノ-6-ビニル-S-トリアジン等が挙げられる。
有機半導体層15の形成方法としては、グラビア印刷、オフセット印刷、スクリーン印刷およびインクジェット法など、公知の方法を用いることができる。一般に、上記の有機半導体に関しては、溶剤に対する溶解度が低いため、低粘度溶液の印刷に適したフレキソ印刷、転写印刷、インクジェット法、ディスペンサを用いることが望ましい。
以下、本発明に係る薄膜トランジスタの具体的な実施例について説明する。なお、本発明は各実施例に限るものではない。
以下本発明に関わる薄膜トランジスタの具体的な実施例及び比較例について説明する。
(実施例1)
実施例1では以下に示すような薄膜トランジスタ素子を作製した。
絶縁基板10となるポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム上に、Moをスパッタリングにて100nm成膜し、フォトリソグラフィー法を用いてゲート電極11を作製した。次に、ゲート絶縁層12となるポリビニルフェノールを、ゲート電極11を含む絶縁基板10上にスピンコート法により成膜し、180℃で1時間ベーク後、膜厚1μmのゲート絶縁層12を得た。続いて、ゲート絶縁膜12上にソース電極13及びドレイン電極14として、ナノ銀インキを転写法を用いて形成し、180℃で1時間ベーク後、膜厚100nmのソース電極13及びドレイン電極14を得た。さらにソース電極13及びドレイン電極14上にペンタフルオロチオフェノールをイソプロピルアルコールで1重量%に希釈した溶液に30分浸漬させ、自己組織化単分子膜を形成した。最後に有機半導体材料である6,13-ビス(トリイソプロピルシリルエチニル)ペンタセンをテトラリンで2重量%になるように溶解させた溶液に、ベンゾトリアゾール系化合物を半導体材料(固形分)と重量比1.5:1として添加し、凸版印刷法を用いて、ソース電極13及びドレイン電極14上の一部を覆うようにしてソース・ドレイン電極間に印刷し、100℃で60分乾燥させて、膜厚50nmの有機半導体層15を形成した。作製したトランジスタのチャネル長は20μm、チャネル幅は250μmである。
実施例1では以下に示すような薄膜トランジスタ素子を作製した。
絶縁基板10となるポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム上に、Moをスパッタリングにて100nm成膜し、フォトリソグラフィー法を用いてゲート電極11を作製した。次に、ゲート絶縁層12となるポリビニルフェノールを、ゲート電極11を含む絶縁基板10上にスピンコート法により成膜し、180℃で1時間ベーク後、膜厚1μmのゲート絶縁層12を得た。続いて、ゲート絶縁膜12上にソース電極13及びドレイン電極14として、ナノ銀インキを転写法を用いて形成し、180℃で1時間ベーク後、膜厚100nmのソース電極13及びドレイン電極14を得た。さらにソース電極13及びドレイン電極14上にペンタフルオロチオフェノールをイソプロピルアルコールで1重量%に希釈した溶液に30分浸漬させ、自己組織化単分子膜を形成した。最後に有機半導体材料である6,13-ビス(トリイソプロピルシリルエチニル)ペンタセンをテトラリンで2重量%になるように溶解させた溶液に、ベンゾトリアゾール系化合物を半導体材料(固形分)と重量比1.5:1として添加し、凸版印刷法を用いて、ソース電極13及びドレイン電極14上の一部を覆うようにしてソース・ドレイン電極間に印刷し、100℃で60分乾燥させて、膜厚50nmの有機半導体層15を形成した。作製したトランジスタのチャネル長は20μm、チャネル幅は250μmである。
以上のようにして作製した薄膜トランジスタの素子特性はオフ電流1.1×10-12A、オン電流2.6×10-6Aであり、高いオン電流を有する薄膜トランジスタが得られた。また有機半導体材料のチャネル近傍のソース電極及びドレイン電極表面の被覆率は85%であった。
(実施例2)
実施例2では以下に示すような薄膜トランジスタ素子を作製した。
絶縁基板10となるポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム上に、Moをスパッタリングにて100nm成膜し、フォトリソグラフィー法を用いてゲート電極11を作製した。次に、ゲート絶縁層12となるポリビニルフェノールを、ゲート電極11を含む絶縁基板10上にスピンコート法により成膜し、180℃で1時間ベーク後、膜厚1μmのゲート絶縁層12を得た。続いて、ゲート絶縁膜12上にソース電極13及びドレイン電極14として、ナノ銀インキを転写法を用いて形成し、180℃で1時間ベーク後、膜厚100nmのソース電極13及びドレイン電極14を得た。さらにソース電極13及びドレイン電極14上にペンタフルオロチオフェノールをイソプロピルアルコールで1重量%に希釈した溶液に30分浸漬させ、自己組織化単分子膜を形成した。最後に有機半導体材料である6,13-ビス(トリイソプロピルシリルエチニル)ペンタセンをテトラリンで2重量%になるように溶解させた溶液に、トリアジン系化合物を半導体材料(固形分)と重量比1:1として添加し、凸版印刷法を用いて、ソース電極13及びドレイン電極14上の一部を覆うようにしてソース・ドレイン電極間に印刷し、100℃で60分乾燥させて、膜厚50nmの有機半導体層15を形成した。作製したトランジスタのチャネル長は20μm、チャネル幅は250μmである。
実施例2では以下に示すような薄膜トランジスタ素子を作製した。
絶縁基板10となるポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム上に、Moをスパッタリングにて100nm成膜し、フォトリソグラフィー法を用いてゲート電極11を作製した。次に、ゲート絶縁層12となるポリビニルフェノールを、ゲート電極11を含む絶縁基板10上にスピンコート法により成膜し、180℃で1時間ベーク後、膜厚1μmのゲート絶縁層12を得た。続いて、ゲート絶縁膜12上にソース電極13及びドレイン電極14として、ナノ銀インキを転写法を用いて形成し、180℃で1時間ベーク後、膜厚100nmのソース電極13及びドレイン電極14を得た。さらにソース電極13及びドレイン電極14上にペンタフルオロチオフェノールをイソプロピルアルコールで1重量%に希釈した溶液に30分浸漬させ、自己組織化単分子膜を形成した。最後に有機半導体材料である6,13-ビス(トリイソプロピルシリルエチニル)ペンタセンをテトラリンで2重量%になるように溶解させた溶液に、トリアジン系化合物を半導体材料(固形分)と重量比1:1として添加し、凸版印刷法を用いて、ソース電極13及びドレイン電極14上の一部を覆うようにしてソース・ドレイン電極間に印刷し、100℃で60分乾燥させて、膜厚50nmの有機半導体層15を形成した。作製したトランジスタのチャネル長は20μm、チャネル幅は250μmである。
以上のようにして作製した薄膜トランジスタの素子特性はオフ電流1.3×10-12A、オン電流2.2×10-6Aであり、高いオン電流を有する薄膜トランジスタが得られた。また有機半導体材料のチャネル近傍のソース電極及びドレイン電極表面の被覆率は80%であった。
(比較例1)
比較例では以下に示すような薄膜トランジスタ素子を作製した。
絶縁基板10となるポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム上に、Moをスパッタリングにて100nm成膜し、フォトリソグラフィー法を用いてゲート電極11を作製した。次に、ゲート絶縁層12となるポリビニルフェノールを、ゲート電極11を含む絶縁基板10上にスピンコート法により成膜し、180℃で1時間ベーク後、膜厚1μmのゲート絶縁層12を得た。続いて、ゲート絶縁膜12上にソース電極13及びドレイン電極14として、ナノ銀インキを転写法を用いて形成し、180℃で1時間ベーク後、膜厚100nmのソース電極13及びドレイン電極14を得た。さらにソース電極13及びドレイン電極14上にペンタフルオロチオフェノールをイソプロピルアルコールで1重量%に希釈した溶液に30分浸漬させ、自己組織化単分子膜を形成した。最後に有機半導体材料である6,13-ビス(トリイソプロピルシリルエチニル)ペンタセンをテトラリンで2重量%になるように溶解させた溶液を、凸版印刷法を用いて、ソース電極13及びドレイン電極14上の一部を覆うようにしてソース・ドレイン電極間に印刷し、100℃で60分乾燥させて、膜厚50nmの有機半導体層15を形成した。作製したトランジスタのチャネル長は20μm、チャネル幅は250μmである。
比較例では以下に示すような薄膜トランジスタ素子を作製した。
絶縁基板10となるポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム上に、Moをスパッタリングにて100nm成膜し、フォトリソグラフィー法を用いてゲート電極11を作製した。次に、ゲート絶縁層12となるポリビニルフェノールを、ゲート電極11を含む絶縁基板10上にスピンコート法により成膜し、180℃で1時間ベーク後、膜厚1μmのゲート絶縁層12を得た。続いて、ゲート絶縁膜12上にソース電極13及びドレイン電極14として、ナノ銀インキを転写法を用いて形成し、180℃で1時間ベーク後、膜厚100nmのソース電極13及びドレイン電極14を得た。さらにソース電極13及びドレイン電極14上にペンタフルオロチオフェノールをイソプロピルアルコールで1重量%に希釈した溶液に30分浸漬させ、自己組織化単分子膜を形成した。最後に有機半導体材料である6,13-ビス(トリイソプロピルシリルエチニル)ペンタセンをテトラリンで2重量%になるように溶解させた溶液を、凸版印刷法を用いて、ソース電極13及びドレイン電極14上の一部を覆うようにしてソース・ドレイン電極間に印刷し、100℃で60分乾燥させて、膜厚50nmの有機半導体層15を形成した。作製したトランジスタのチャネル長は20μm、チャネル幅は250μmである。
以上のようにして有機半導体層に、金属イオンと結合する化合物を添加せずに作製した薄膜トランジスタの素子特性はオフ電流1.3×10-12A、オン電流7.0×10-7Aであり、実施例1と比較するとオン電流の値は3分の1以下であった。また有機半導体材料のチャネル近傍のソース電極及びドレイン電極表面の被覆率は30%であった。
本発明によれば、以下の少なくとも1つの効果が得られる。すなわち、絶縁基板上に少なくともゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極及びドレイン電極と、有機半導体層とを有する薄膜トランジスタであって、該ソース電極及びドレイン電極は少なくとも1種以上の金属から構成され、該有機半導体層に該ソース電極及びドレイン電極を構成する金属のイオンと結合する化合物を含有させることで、有機半導体層とソース電極及びドレイン電極の接触面積を増加させ、高いオン電流が得られるトランジスタを提供することができる。
また、有機半導体層中に含まれる化合物がソース電極及びドレイン電極と結合した際に、隣接して存在する有機半導体材料を電極表面近傍に引き寄せ、物理的に接触させることが可能となる。
また、ソース電極及びドレイン電極を構成する金属の1種を銀とすることで、金、銅と比較し高導電性かつ低コストの電極を形成することができる。
また、有機半導体層に含有させる金属イオンと結合する化合物をベンゾトリアゾール系またはトリアジン系化合物とすることで、化合物と銀電極の結合が強固となり、半導体層と電極が十分に接触する薄膜トランジスタを形成することが可能となる。
また、有機半導体層とソース電極及びドレイン電極の接触面積を増加させるので、高いオン電流が得られる。
絶縁基板上に少なくともゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極及びドレイン電極、有機半導体層を有する薄膜トランジスタであって、該ソース電極及びドレイン電極は少なくとも1種以上の金属から構成され、該有機半導体層は該ソース電極及びドレイン電極を構成する金属イオンと結合する化合物を含有することで、半導体層とソース電極及びドレイン電極の接触面積が広く、オン電流の高い薄膜トランジスタを提供することができる。このような薄膜トランジスタは、フレキシブル電子ペーパー、圧力センサ等のスイッチング素子として利用できる。
10 絶縁基板
11 ゲート電極
12 ゲート絶縁層
13 ソース電極
14 ドレイン電極
15 有機半導体層
11 ゲート電極
12 ゲート絶縁層
13 ソース電極
14 ドレイン電極
15 有機半導体層
Claims (3)
- 絶縁基板上に少なくともゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極及びドレイン電極と、有機半導体層とを有する薄膜トランジスタであって、
該ソース電極及びドレイン電極は少なくとも1種以上の金属から構成され、該有機半導体層は該ソース電極及びドレイン電極を構成する金属イオンと結合する化合物を含有する、薄膜トランジスタ。 - 前記ソース電極及びドレイン電極を構成する金属の1種が銀である、請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記有機半導体層に含有される金属イオンと結合する化合物はベンゾトリアゾール系またはトリアジン系である、請求項1または2に記載の薄膜トランジスタ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013-198561 | 2013-09-25 | ||
JP2013198561A JP6303358B2 (ja) | 2013-09-25 | 2013-09-25 | 薄膜トランジスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2015045288A1 true WO2015045288A1 (ja) | 2015-04-02 |
Family
ID=52742463
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2014/004565 WO2015045288A1 (ja) | 2013-09-25 | 2014-09-04 | 薄膜トランジスタ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6303358B2 (ja) |
TW (1) | TW201519451A (ja) |
WO (1) | WO2015045288A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9837407B1 (en) | 2016-09-06 | 2017-12-05 | International Business Machines Corporation | Semiconductor device with increased source/drain area |
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-
2013
- 2013-09-25 JP JP2013198561A patent/JP6303358B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-09-04 WO PCT/JP2014/004565 patent/WO2015045288A1/ja active Application Filing
- 2014-09-23 TW TW103132710A patent/TW201519451A/zh unknown
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015065317A (ja) | 2015-04-09 |
JP6303358B2 (ja) | 2018-04-04 |
TW201519451A (zh) | 2015-05-16 |
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