WO2014104514A1 - 유기광전자소자 및 이를 포함하는 표시장치 - Google Patents

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WO2014104514A1
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정성현
허달호
홍진석
김윤환
김준석
유동규
이남헌
이한일
장유나
조영경
채미영
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Definitions

  • An organic optoelectronic device and a display device including the same are organic optoelectronic devices and a display device including the same.
  • An organic optoelectronic device refers to a device that requires charge exchange between an electrode and an organic material using holes or electrons.
  • Organic optoelectronic devices can be divided into two types according to the operation principle. First, by photons introduced into the device from an external light source
  • An exciton is formed in the organic material layer, and the exciton is separated into electrons and holes, and the electrons and holes are transferred to different electrodes to be used as current sources (voltage sources).
  • the second is an electronic device in which holes or electrons are injected into an organic semiconductor forming an interface with the electrodes by applying voltage or current to two or more electrodes, and operated by the injected electrons and holes.
  • OLEDs Organic light emitting diodes
  • electrical energy is to use the organic material.
  • Such an organic light emitting device converts electrical energy into light by applying an electric current to the organic light emitting material, and is generally composed of a structure in which a functional organic material layer is inserted between an anode and a cathode.
  • the organic layer is often made of a multi-layer structure composed of different materials in order to increase the efficiency and stability of the organic photoelectric device, for example, it may be made of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer.
  • the light emitting material may be classified into blue, green, and red light emitting materials and yellow and orange light emitting materials required to realize better natural colors according to light emission colors.
  • the maximum light emission wavelength is shifted to a long wavelength due to the intermolecular interaction, and the color purity decreases or the efficiency of the device decreases due to the light emission attenuation effect.
  • the maximum light emission wavelength is shifted to a long wavelength due to the intermolecular interaction, and the color purity decreases or the efficiency of the device decreases due to the light emission attenuation effect.
  • the maximum light emission wavelength is shifted to a long wavelength due to the intermolecular interaction, and the color purity decreases or the efficiency of the device decreases due to the light emission attenuation effect.
  • Host / dopant systems can be used.
  • the organic layer of the material such as a hole injection material, a hole transport material, a light emitting material, an electron transport material, an electron injection material, a host and / or dopant in the light emitting material
  • the back light should be supported by a stable and efficient material, and the development of a stable and efficient organic material layer for an organic light emitting device has not been made yet. Therefore, the development of new materials is continuously required. .
  • the necessity of such a material development is the same in other organic optoelectronic devices described above.
  • the present invention provides a compound for an organic optoelectronic device, which can act as a light emitting host with a suitable dopant and can serve as light emission or hole injection and transport.
  • an anode, a cathode and at least one organic thin film layer formed between the anode and the cathode the organic thin film layer is a light emitting layer, a hole transport layer, a hole injection layer, an electron transport layer, an electron injection layer or these
  • a combination of the organic thin-film worm includes a light emitting layer and a plurality of hole transport layers, and among the plurality of hole transport layers, a hole transport layer adjacent to the light emitting layer is represented by the following Chemical Formula 1; Formula 2 or 3; And a compound represented by a combination of Formula 4, the light emitting layer Any one of non-adjacent hole transport certificates provides an organic optoelectronic device comprising a compound represented by the formula (B-1).
  • R 1 and R 2 are independently of each other hydrogen, deuterium , Halogen group, cyano group, hydroxyl group, amino group, substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, nitro group, carboxyl group, ferrocenyl group, substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, substituted or unsubstituted C6 to C20 aryloxy group, substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group , Substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, substituted or unsubstitute
  • Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group,
  • L, V and L b are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkynylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, substituted Or an unsubstituted heteroarylene group or a combination thereof,
  • n, na and nb are each independently an integer of 0 to 3, and two adjacent * of Formula 1 combine with two adjacent * of Formula 2 or 3 to form a fused ring,
  • a * of Formula 1; D * of Formula 1; Or b * of formula (2) or (3); is connected to c * of formula (4) by a sigma bond and the remaining a * not bonded to c *;
  • d * or b * is hydrogen, deuterium, halogen group, cyano group, hydroxyl group, amino group, substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, nitro group, carboxyl group, ferrocenyl group, substituted or unsubstituted C1 to C20 An alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryloxy group, a substituted or Unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, substituted or unsub
  • R 1 to R 4 are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof ,
  • R 1 and R 2 are each independently present or form a fused ring with each other,
  • R 3 and R 4 are each independently present or form a fused ring with each other,
  • Ar 1 to Ar 3 is independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group,
  • L 1 to L 4 are each independently a substituted or unsubstituted C2 to C10 alkenylene group substituted or unsubstituted C2 to C10 alkynylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 To C30 heteroarylene group or a combination thereof,
  • nl to n4 are each independently an integer of 0 to 3;
  • an anode, a cathode and at least one organic thin film layer formed between the anode and the cathode the organic thin film layer is a light emitting layer, a hole transport layer, a hole injection layer, an electron transport layer, an electron injection layer or And a combination thereof, wherein the organic thin film layer includes a light emitting layer and a plurality of hole transport layers, and among the plurality of hole transport layers, the hole transport layer adjacent to the light emitting layer includes a compound represented by the following Formula 11, and is adjacent to the light emitting layer.
  • the hole transport layer that is not ' any one containing a compound represented by the following formula B-1
  • An organic optoelectronic device is provided.
  • a thil group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 heterocyclothiyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, or a combination thereof, and AT 1 and Ar 2 are Independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, L 1 to L 3 are independently a single bond, a substituted or unsubstituted C2 to C6
  • R 1 to ⁇ ⁇ , A ⁇ . 1 to A ⁇ L 1 to L 4 and nl to n4 are as described above.
  • a display device including the organic optoelectronic device according to the embodiment of the present invention described above is provided.
  • a compound for an organic optoelectronic device which can serve as light emitting, or hole injection and transport, and can serve as a light emitting host with an appropriate dopant.
  • 1 to 5 are cross-sectional views illustrating various embodiments of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
  • Example 6 and 7 are i H-NMR results for Example C-5 and 'H-NMR results for A-23 prepared in Example 31.
  • FIG. 8 shows PL wavelength measurement results for Examples 15 and 31.
  • hetero means N, 0, S in one ring group unless otherwise defined. And it contains 1 to 3 heteroatoms selected from the group consisting of P, the rest means carbon.
  • alkyl group means a saturated aliphatic hydrocarbon group unless otherwise defined.
  • the alkyl group may have 1 to 20 carbon atoms.
  • the alkyl group may be a medium sized alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.
  • the alkyl group may also be a lower alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
  • a C1 to C4 alkyl group has 1 to 4 carbon atoms in the alkyl chain, i.e., the alkyl chain is methyl, ethyl, propyl, iso-propyl, n-butyl, iso-butyl, sec-butyl and t-butyl Selected from the group consisting of:
  • Typical alkyl groups include one or more selected individually and independently from methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, t-butyl, pentyl, nucleus, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclonucleus, etc. It is a substituent.
  • the alkyl group may be branched, straight chain or cyclic.
  • alkenyl group means a substituent in which at least two carbon atoms consist of at least one carbon-carbon double bond
  • alkynyl group means at least two carbon atoms in at least one carbon-carbon triple bond It means a substituent consisting of.
  • Aryl group means an aryl group including carboxyaryl (eg, phenyl) having at least one ringol having a shared pi electron system.
  • the term includes polycyclic (ie rings that divide adjacent pairs of carbon atoms) groups that are monocyclic or fused rings.
  • heteroaiyl refers to an aryl group comprising heterocyclic aryl (eg, pyridine) having at least one ring having a shared pi electron system. This term refers to monocyclic or fused ring cyclics (i.e. Rings that divide adjacent pairs of carbon atoms).
  • a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group and / or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted anthra Senyl group, substituted or unsubstituted phenanthryl group, substituted or unsubstituted naphthacenyl group, substituted or unsubstituted pyrenyl group, substituted or unsubstituted biphenylyl group, substituted or unsubstituted P-terphenyl group, substituted or Unsubstituted m-terphenyl group, substituted or unsubstituted chrysenyl group, substituted or unsubstituted triphenylenyl group, substituted or unsubstituted perrylenyl group
  • Triazolyl group substituted or unsubstituted oxazolyl group, substituted or unsubstituted thiazolyl group substituted or unsubstituted oxadiazolyl group, substituted or unsubstituted thiadiazoleyl group, substituted or unsubstituted pyridyl group, substituted Or unsubstituted pyrimidinyl group, substituted or unsubstituted pyrazinyl group, substituted or unsubstituted triazinyl group, substituted or unsubstituted benzofuranyl group, substituted or unsubstituted benzothiophenyl group, substituted or unsubstituted benz Imidazolyl group, substituted or unsubstituted indolyl group, substituted or unsubstituted quinolinyl group, substituted or unsubstituted isoquinolinyl group, substituted or unsubstituted quina
  • substituted includes an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkylsilyl group having 1 to 10 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and a carbon group having 2 to 30 carbon atoms.
  • C1-C10 such as a heteroaryl group, a C1-C10 alkoxy group, a fluoro group, and a trifluoromethyl group Trifluoroalkyl group, carbozol group having 12 to 30 carbon atoms, arylamine group having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted aminoaryl group having 6 to 30 carbon atoms, or cyano group.
  • the organic thin film layer to the hole transport layer adjacent to the light emitting layer of the light-emitting layer comprises a hole transport layer and a plurality ol, and the plurality of hole transport formula (1); Formula 2 or 3;
  • a compound represented by a combination of Chemical Formula 4 and any one of the hole transport layers not adjacent to the emission layer includes the compound represented by the following Chemical Formula B-1.
  • R ', R ", R 1 and R 2 are independently of each other hydrogen, deuterium, halogen, cyano, hydroxyl, amino, substituted or unsubstituted C1 to C20 amine, nitro, carboxyl, ferrocenyl Group, substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, substituted or unsubstituted C6 to C20 Aryloxy group, substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, substituted or unsubstituted C2 to C20 acyloxy group, Substituted or unsubstit
  • Aryloxycarbonylamino group substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoylamino group
  • L, V and L b are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkynylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, substituted Or an unsubstituted hate ⁇ arylene group or a combination thereof,
  • n, na and nb are each independently an integer of any one of 0 to 3,
  • Two adjacent * of Formula 1 combine with two adjacent * of Formula 2 or 3 to form a fused ring, and the formula 1 and a *; D * of Formula 1; Or b * of Formula 2 or 3, is connected to c * of Formula 4 by a sigma bond, and the remaining a *, which is not bonded to c *; d * or b * is hydrogen, deuterium, halogen, cyano, A carboxyl group, an amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, a nitro group, a carboxyl group, a ferrocenyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted group C2 to C30 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, substituted or unsubstituted C6 to C
  • C20 acyl group substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, substituted or unsubstituted C2 to C20 acyloxy group, substituted or unsubstituted C2 to C20 acylamino group, substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycar Carbonylamino group, A substituted or unsubstituted C7 to C20 aryloxycarbonylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfonyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, Substituted or unsubstituted C6 to C20 arylthiyl group, Substituted or unsubstituted C1 to C20
  • a heterocyclothiol group a substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, or a combination thereof.
  • R 1 to R 4 are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof ,
  • R 1 and R 2 may form a fused ring with each other
  • R 3 and R 4 may form a fused ring with each other
  • Ar 1 to Ar 3 is independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group,
  • L 1 to L 4 are each independently a substituted or unsubstituted C2 to C10 alkenylene group substituted or unsubstituted C2 to C10 alkynylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 To C30 heteroarylene group or a combination thereof,
  • nl to n4 are each independently an integer of 0 to 3;
  • the organic halo " electronic device has a plurality of holes. And a transport layer. In this case, electrons rather than a single hole transport layer
  • the organic optoelectronic device according to the embodiment of the present invention has excellent electrochemical and thermal stability, thereby improving life characteristics, and having high luminous efficiency even at a low driving voltage.
  • the hole transport layer adjacent to the light emitting layer of the plurality of hole transport layer is the formula (1); Formula 2 or 3; And it may include a compound represented by a combination of the formula (4).
  • Formula 1; Formula 2 or 3; And a compound represented by a combination of Formula 4 has a structure in which a substituted or unsubstituted amine group is bonded to a core having a fused ring bonded to a carbazole derivative represented by Formula 1 above.
  • Chemical Formula 1; Formula 2 or 3; And the compound represented by the combination of Formula 4 may introduce various substituents into the substituents substituted in the core portion and the core portion to synthesize compounds having various energy band gaps, thereby varying the conditions required in the hole transport layer.
  • the hole transport ability is enhanced to have an excellent effect in efficiency and driving voltage, and excellent in electrochemical and thermal stability
  • Phosphorescent host can be very usefully applied to the hole layer of the organic optoelectronic device. More specifically, any one of the hole transport layer not adjacent to the light emitting layer may include a compound represented by the following formula (B-1).
  • the compound represented by B-1 may be an amine compound in which at least one substituent in the amine is substituted with a carbazole group.
  • R 1 and R 2 may form a fused ring with each other
  • R 3 and R 4 is You can form a fusion ring with each other.
  • R 1 and R 2 may be in the aryl form fused to each other and fused to the peryl ring of the central carbazole, and R 3 and R 4 may also be fused to each other and fused to the phenyl ring of the central carbazole.
  • the phenyl group of the central carbazole may be in the form of a naphthyl column.
  • thermal stability is increased, and electron transfer and injection characteristics are increased.
  • Ar 1 in the B-1 may be a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group
  • Ar 2 and Ar 3 is a independently substituted or unsubstituted phenyl group
  • Substituted or unsubstituted bishenyl group substituted or unsubstituted fluorene group, substituted or unsubstituted bisfluorene group, substituted or unsubstituted triphenylene group, substituted or unsubstituted anthracene group, substituted or unsubstituted Terphenyl group, substituted or unsubstituted dibenzofuran group, substituted or unsubstituted
  • It may be any one of dibenzothiophenyl groups.
  • the organic optoelectronic device which is an embodiment of the present invention, the formula (1); Formula 2 or 3; And when the compound represented by the combination of Formula 4 and the compound represented by B-1 are combined to form a plurality of hole transport layers, electron hopping may be optimized for the energy level of the hole transport layer to have excellent electrochemical and thermal stability. Accordingly, the organic optoelectronic device may have an improved lifespan, and may have high luminous efficiency even at a low driving voltage.
  • Formula 1; Formula 2 or 3; And the compound represented by the combination of Chemical Formula 4 may be represented by the combination of the following Chemical Formula 5 and Chemical Formula 4.
  • R ', R ", R 1 and R 2 are independently of each other hydrogen, deuterium, halogen, cyano group, hydroxy group, amino group, substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, nitro group, carboxyl group, ferrocenyl group , Substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, substituted or unsubstituted C6 To C20 aryloxy group, substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, substituted or unsubstituted C2 to C20 acyl jade Period
  • Aryloxycarbonylamino group substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoylamino group
  • a * of Formula 5; D * of Formula 5; Or b * of Formula 5 is connected to c * of Formula 4 by a sigma bond, and the remaining a * or d * or b * of Formula 5 which is not bonded to c * is hydrogen, deuterium, a halogen group, a cyano group, Hydroxyl group, amino group, substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, nitro group, carboxyl group, ferrocenyl group, substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted A substituted C2 to C30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, a substitute
  • Formula 1; Formula 2 or 3; And the compound represented by the combination of the formula (4) may be represented by the following formula (6).
  • R ', R ", R 1 and R 2 are independently of each other hydrogen, hydrogen, halogen, cyano group, hydroxyl group, amino group, substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, nitro group, carboxyl group, ferrocenyl Group, substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, substituted or Unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, substituted or unsubstituted C6 to C20 aryloxy group, substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, substituted or unsubstituted C2 to C20 acyloxy group, substituted or unsub
  • Aryloxycarbonylamino group substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoylamino group substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfonyl group, substituted or unsubstituted C1 to
  • the substituents can be prepared a structure of asymmetric bipolar characteristics, the structure of the asymmetric bipolar characteristics can be expected to improve the luminous efficacy and performance of the device by improving the hole and /
  • Formula 1; Formula 2 or 3; And the compound represented by the combination of the chemical deletion 4 may be represented by the following formula (7).
  • R ', R ", R 1 and R 2 are each independently hydrogen, deuterium, halogen, cyano, hydroxyl, amino, substituted or unsubstituted C1 to C20 amine, nitro, carboxyl, ferrocenyl , Substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, substituted or unsubstituted C6 to C20 aryloxy group, substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, substituted or unsubstituted C2 to C20 acyl Oxy group, substituted or unsubstit
  • Aryloxycarbonylamino group substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoylamino group substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfonyl group, substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl Thiol group, substituted or unsubstituted C1 to C20 heterocyclothiol group, substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, or a combination thereof,
  • Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or A substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group,
  • L is a single bond, a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkynylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted heteroarylene group or Combination of these,
  • n is an integer which is any one of 0-3.
  • the structure of the asymmetric bipolar characteristics can be expected to improve the luminous efficiency and performance of the device by improving the hole and / or electron transfer ability .
  • the structure of the compound can be prepared in bulk by the control of the substituents, thereby lowering the crystallinity. If the crystallinity of the compound is lowered, the lifetime of the device may be longer.
  • Formula 1; Formula 2 or 3; And the compound represented by the combination of Formula 4 may be represented by the following formula (8).
  • R ', R ", R 1 and R 2 are each independently hydrogen, deuterium, halogen, cyano, hydroxyl, amino, substituted or unsubstituted C1 to C20 amine, nitro, carboxyl, ferrocenyl , Substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, substituted or unsubstituted C6 To C20 aryloxy group, substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, substituted or unsubstituted CI to C20 acyl group, substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, substituted or unsubstituted C2 to C20 acyloxy group, substituted or unsubstitute
  • Aryloxycarbonylamino group substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoylamino group substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfonyl group, substituted or unsubstituted C1 to
  • a C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, or a combination thereof, AT 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 Heteroaryl group,
  • L is a single bond, a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkynylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted heteroarylene group or these Is a combination of
  • (eta) is an integer which is either 0-3.
  • the ionization potential energy is larger than that of the conventional organic light emitting device material having general hole characteristics, and it is smaller than the phosphorylation potential energy of the phosphorescent light emitting host material or the blue fluorescent host material and has a relatively high triplet energy.
  • the compound of Formula 8 is used as an auxiliary hole transport layer between the hole transport layer and the light emitting layer in the phosphorescent device and the blue device, high efficiency and long life characteristics of the device can be achieved.
  • Formula 1; Formula 2 or 3; And the compound represented by the combination of Chemical Formula 4 may be represented by the following Chemical Formula 9.
  • R ', R ", R 1 and R 2 are independently of each other hydrogen, deuterium, halogen group, cyano group, hydroxyl group, amino group, substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, nitro group, carboxyl group, ferrocenyl Groups, substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, substituted or unsubstituted C6 to C20 aryloxy group, substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, substituted or unsubstituted C2 to C20 acyl Oxy group,
  • Aryloxycarbonylamino group substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoylamino group substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfonyl group, substituted or unsubstituted C1 to
  • Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group,
  • L is a single bond, a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkynylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted heteroarylene group or these Is a combination of n is an integer which is any one of 0-3.
  • the ionization potential energy is larger than that of the conventional organic light emitting device material having general hole characteristics, and is smaller than the silver potential energy of phosphorescent light emitting host material or blue fluorescent host material, and has a relatively high triplet energy.
  • the compound of Formula 9 is used as an auxiliary hole transport layer between the hole transport layer and the light emitting layer in the phosphorescent device and the blue device, high efficiency and long life characteristics of the device may be achieved.
  • Formula 1; Formula 2 or 3; And the compound represented by the combination of the formula (4) may be represented by the following formula (10).
  • R ', R ", R 1 and R 2 are each independently hydrogen, deuterium, halogen group, cyano group, hydroxyl group, amino group, substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, nitro group, carboxyl group, ferrocenyl group , Substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, substituted or unsubstituted C6 To C20 aryloxy group, substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, substituted or unsubstituted C2 to C20 acyloxy Groups
  • Alkoxycarbonylamino group substituted or unsubstituted C7 to C20 Aryloxycarbonylamino group, substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoylamino group substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfonyl group, substituted or unsubstituted C1 to
  • Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group,
  • L is a single bond, a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkynylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted heteroarylene group or these Is a combination of
  • n is an integer which is any one of 0-3.
  • the ionization potential energy is larger than that of the conventional organic light emitting device material having general hole characteristics, and it is smaller than the silver potential energy of phosphorescent light emitting host material or blue fluorescent host material, and has a relatively high triplet energy.
  • the compound of Formula 10 is used as an auxiliary hole transporter between the hole transport layer and the light emitting layer in the phosphorescent device and the blue device, high efficiency and long life characteristics of the device can be achieved.
  • R ⁇ R ⁇ R 1 and R 2 are independently of each other hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted methyl group, substituted or unsubstituted ethyl group, substituted or unsubstituted propyl group, substituted or unsubstituted Substituted phenyl groups, substituted or unsubstituted
  • Biphenyl group substituted or unsubstituted naphthyl group, substituted or unsubstituted anthracenyl group, substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, or substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group.
  • it is not limited thereto.
  • Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted benzofuran, a substituted or unsubstituted benzothio Phenyl group, substituted or unsubstituted
  • an anode, a cathode and at least one organic thin film layer formed between the anode and the cathode wherein the organic thin film is a light emitting layer, a hole transport layer, a hole injection layer, an electron transport layer, an electron injection layer Or a combination thereof, wherein the organic thin film layer includes a light emitting layer and a plurality of hole transport layers, and among the plurality of hole transport layers, the hole transport layer adjacent to the light emitting layer includes a compound represented by Formula 1 1 below, One of the hole transport layers not adjacent to the one containing a compound represented by the following formula B-1
  • An organic optoelectronic device is provided.
  • R ', R', R 1 and R 2 are each independently hydrogen, deuterium, halogen group, cyano group, hydroxyl group, amino group, substituted or unsubstituted C 1 to C20 amine group, nitro group, carboxyl group, ferrocenyl Groups, substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, substituted or unsubstituted C6 to C20 aryloxy group, substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, substituted or unsubstituted C2 to C20 acyl Oxy group, substituted
  • Aryloxycarbonylamino group substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoylamino group Substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfonyl group, Substituted or unsubstituted C1 to
  • R 1 and R 2 may be present independently or fused to each other to form a fused ring
  • Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group,
  • L 1 to L 3 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkynylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, substituted or non a substituted heteroaryl group or, a combination thereof,
  • nl to n3 are each independently an integer of 0 to 3 increments:
  • R 1 to R 4 are each independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, substituted or unsubstituted 3 ⁇ 4 C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof Is,
  • R 1 and R 2 may be present independently or may form a fused ring with each other
  • R 3 and R 4 may be each independently present or may form a fused ring with each other
  • Ar 1 to Ar 3 is independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group,
  • L 1 to L 4 are each independently a substituted or unsubstituted C2 to C10 alkenylene group substituted or unsubstituted C2 to C10 alkynylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 To C30 heteroarylene group or a combination thereof, and nl to eta4 are integers each being 0 to 3, independently of each other. Since the compound represented by the above formula ⁇ _ ⁇ is the same as the embodiment of the present invention described above, description thereof will be omitted.
  • the hole transport layer adjacent to the light emitting layer among the plurality of hole transport layers includes the compound represented by the formula (11), the ionization potential energy is larger than that of the organic light emitting device material having conventional general hole characteristics, and phosphorescent light emitting host material or blue It is smaller than the ionization potential energy of the fluorescent host material and has a relatively high triplet energy. Therefore, when the compound is used as an auxiliary hole transport layer between the hole transport layer and the light emitting layer in the phosphorescent device and the blue device, high efficiency and long life characteristics of the device can be achieved.
  • Chemical Formula U More specifically, the compound represented by Chemical Formula U may be represented by the following Chemical Formula 12.
  • Aryloxycarbonylamino group substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoylamino group substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfonyl group, substituted or unsubstituted C1 to
  • R 1 and R 2 may be fused to each other to form a fused ring
  • R 3 and R 4 may be fused to each other to form a fused ring
  • Ar 2 is independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group,
  • L 1 to L 3 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkynylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, substituted or unsubstituted A ring heteroarylene group or a combination thereof,
  • nl to n3 are each independently an integer of 0 to 3 increments.
  • the silver potential energy is larger than that of the organic light emitting device material having general hole characteristics, and is smaller than the ionization potential energy of the phosphorescent light emitting material or the blue fluorescent host material, and has a relatively high triplet energy.
  • the compound is a phosphorescent device and When used as an auxiliary hole transport layer between the hole transport layer and the light emitting layer in the blue device, it is possible to achieve high efficiency and long life characteristics of the device.
  • Chemical Formula 11 More specifically, the compound represented by Chemical Formula 11 may be represented by the following Chemical Formula 13.
  • Aryloxycarbonylamino group substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoylamino group
  • R 1 and R 2 may be fused to each other to form a fused ring
  • R 3 and R 4 may be fused together to form a fused ring
  • R 5 and R 6 may be fused to each other to form a fused ring
  • L 1 to L 3 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkynylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, substituted or unsubstituted And a ring heteroarylene group or a combination thereof, and nl to ⁇ 3 are each independently an integer of 0 to 3, respectively.
  • the ionization potential energy is greater than that of the organic light emitting device material having general hole characteristics, and is smaller than the ionization potential energy of the phosphorescent light emitting host material or the blue fluorescent host material, and has a relatively high triplet energy. have. Therefore, when the compound is used as an auxiliary hole transport layer between the hole transport layer and the light emitting layer in the phosphorescent device and the blue device : high efficiency and long life of the device can be achieved.
  • At least any one of ⁇ ', ⁇ , ⁇ 1 and R 2 of Chemical Formulas 1 to 3 is a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, and R', R ' ⁇ R 1 and R 2 of Chemical Formula U At least one of may be a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group.
  • the silyl group may lower the deposition temperature when manufacturing the organic optoelectronic device, and may increase the solubility in a solvent to convert the device manufacturing process into a solution process.
  • by forming a uniform thin film has the effect of improving the thin film surface properties.
  • R 2 in Chemical Formulas 1 to 3 are at least any one of a substituted C3 to C40 silyl group, and ⁇ ′, ⁇ “,” ⁇ in Formula 11 and At least one of R 2 is a substituted C3 to C40 silyl group, and at least one of hydrogen of the substituted silyl group may be substituted with a C1 to C10 alkyl group or a C6 to C15 aryl group.
  • substituted silyl group examples include trimethylsilyl group, triethylsilyl, tri-isopropylsilyl, tritertarybutyl silyl, triphenylsilyl group, trilylsilyl, trinaphthylsilyl, tribiphenylsilyl, Dimethylphenylsilyl, diphenylmethylsilyl, Diethylphenylsilyl, diphenylethylsilyl, diallylmethylsilyl, dinaphthylmethylsilyl, dimethylallylsilyl, dimethylnaphthylsilyl, dimethylbiphenylsilyl and the like.
  • Formula 1; Formula 2 or 3; And the compound represented by the combination of Chemical Formula 4 are represented by the following Chemical Formulas A-1 to A-133, B-1 to B-28, C-1 to C-93, D-1 to D-20, and E-1 to E-. 128 or K-1 to K-402, but is not limited thereto.
  • the compound represented by Formula 11 may be any one of the following Formulas F-1 to F-182, G-1 to G-182, H-1 to H-203, or 1-1 to 1-56: It may be displayed as one, but is not limited thereto.
  • the compound for an organic optoelectronic device including the compound as described above has a glass transition degree of 110 ° C or more, and a thermal decomposition degree of 400 ° C or more, which is excellent in thermal stability. This enables the implementation of high efficiency organic optoelectronic devices.
  • the compound for an organic optoelectronic device including the compound as described above may serve as light emission, hole injection and / or transport, and light emission with an appropriate dopant.
  • the compound for an organic optoelectronic device may be used as a phosphorescent or fluorescent host material, a blue light emitting dopant material, or a hole transporting material.
  • Compound for an organic optoelectronic device according to an embodiment of the present invention is used in the organic thin film layer to improve the life characteristics, efficiency characteristics, electrochemical stability and thermal stability of the organic optoelectronic device, it is possible to lower the driving voltage.
  • the organic optoelectronic device is an organic photoelectric device, an organic light emitting device, an organic solar cell, an organic transistor, an organic photosensitive drum, organic It means a memory element.
  • a compound for an organic optoelectronic device according to an exemplary embodiment of the present invention is included in an electrode or an electrode buffer layer to increase quantum efficiency. Can be used.
  • the organic thin film layer may include a layer selected from the group consisting of a light emitting layer, a hole transport layer, a hole injection layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a hole blocking layer and a combination thereof.
  • 1 to 5 are cross-sectional views of a general organic light emitting device.
  • the organic light emitting diodes 100, 200, 300, 400, and 500 may include an anode 120, a cathode 110, and at least one layer interposed between the anode and the cathode.
  • It has a structure including the organic thin film layer 105.
  • the anode 120 comprises an anode material, which is typically
  • a material having a high work function is preferable to facilitate hole injection into the organic thin film layer.
  • the positive electrode material may include a metal such as nickel, platinum, vanadium, crumb, copper, zinc, gold, or an alloy thereof, zinc oxide, indium oxide,
  • Metal oxides such as phosphate tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO), and combinations of metals and oxides such as ⁇ and A1 or Sn0 2 and Sb, and poly (3-methylthiophene).
  • ITO phosphate tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • poly3-methylthiophene poly (3-methylthiophene).
  • Poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] polyehtylenedioxythiophene:
  • Conductive polymers such as PEDT), polypyri and polyaniline, but are not limited thereto.
  • a transparent electrode including indium tin oxide (ITO) may be used as the anode.
  • the negative electrode ⁇ 0 includes a negative electrode material, which is usually used as the negative electrode material.
  • the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, lead, sesame, barium, or alloys thereof, and LiF Multilayer structure materials such as / Al, Li0 2 / Al, LiF / Ca, LiF / Al, and BaF 2 / Ca, and the like, but are not limited thereto.
  • a metal electrode such as aluminum is used as the cathode. Can be.
  • FIG. 1 shows only the light emitting layer 130 as the organic thin film layer 105.
  • the organic thin film layer 105 As the organic light emitting device 100 is present, the organic thin film layer 105
  • the light emitting layer 130 may be present only.
  • FIG. 2 illustrates a two-layered organic light emitting diode 200 including an emission layer 230 and an hole transport layer 140 including an electron transport layer as the organic thin film layer 105, as shown in FIG. 2.
  • the organic thin film layer 105 may be a two-layer type including the light emitting layer 230 and the hole transport layer 140.
  • the light emitting layer 130 is an electron
  • the hole transport layer 140 functions as a transport layer, and the hole transport layer 140 functions to improve bonding and hole transport properties with a transparent electrode such as ITO.
  • FIG. 3 is a three-layer organic light emitting device 300 having an electron transport layer 150, an emission layer 130, and a hole transport layer 140 as an organic thin film layer 105.
  • the light emitting layer 130 is in an independent form, and shows a form in which layers (electron transport layer 150 and hole transport layer 140) having excellent electron transport properties and hole transport properties are stacked in separate layers.
  • FIG. 4 illustrates a four-layered organic light emitting diode 400 in which an electron injection layer 160, an emission layer 130 : a hole transport layer 140, and a hole injection layer 170 exist as an organic thin film layer 105.
  • the hole injection layer 170 may improve the bonding property with ⁇ used as the anode.
  • FIG. 5 illustrates the electron injection layer 160 as the organic thin film layer 105.
  • the five-layered organic light emitting diode 500 includes five layers having different functions, such as the electron transport layer 150, the light emitting layer 130, the hole transport layer 140, and the hole injection layer 170.
  • the optoelectronic device 500 is formed separately from the electron injection layer 160
  • the organic optoelectronic device (for example, the organic light emitting device) according to an embodiment of the present invention may include a plurality of hole transport layer, a plurality of hole transport layer 2 to 5
  • the organic thin film layer may be formed by a wet film method such as spin coating, dipping, flow coating, or the like, followed by formation of a cathode.
  • a display device including the organic light emitting diode is provided.
  • Diethyl ether rate l2.1 g (85.hnmol) was added slowly and stirred for 4 hours at room temperature and nitrogen atmosphere.
  • the reaction solution was immersed in OoC and a small amount of distilled water was added to terminate the reaction. Then, 85 ml of 1.0M aqueous sodium bicarbonate solution was added thereto.
  • the substrate was transferred to a plasma cleaner, and then the substrate was cleaned for 5 minutes using an oxygen plasma, and then the substrate was transferred to a vacuum depositor.
  • a solvent such as methanol and drying
  • HT-1 was vacuum deposited on the ⁇ substrate to form a hole injection and transport layer having a thickness of 700A.
  • an auxiliary hole transport layer having a thickness of 100 A was formed by vacuum deposition using the compound prepared in Example 4.
  • biphenyl-bis (8-hydroxyquinoline) aluminum [Balq] was vacuum deposited on the emission layer to form a hole blocking layer having a thickness of 50A.
  • Tris (8-hydroxyquinoline) aluminum [Alq3] was vacuum deposited on the hole blocking layer to form an electron transport layer having a thickness of 250 A, and LiF lOA and A1 1000 A were sequentially vacuum deposited on the electron transport layer to form a cathode.
  • An organic light emitting device was manufactured. The organic light emitting device has a structure having five organic thin film layers, specifically
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 40 except for using Example 1 1 instead of Example 4.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 40 except for using Example 5 instead of Example 4.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 40 except for using Example 3 instead of Example 4.
  • Example 40 except that Example 29 was used instead of Example 4 An organic light emitting diode was manufactured in the same manner.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 40 except for using Example 32 instead of Example 4.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 40 except for using Example 20 instead of Example 4.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 40 except for using Example 12 instead of Example 4.
  • Example 40 ⁇ , ⁇ , -di (1-naphthyl) - ⁇ , ⁇ '-diphenylbenzidine [ ⁇ ] is used instead of HT-1, and ⁇ , ⁇ , -di (1 An organic light emitting diode was manufactured according to the same method except that -naphthyl) - ⁇ , ⁇ '-diphenylbenzidine [ ⁇ ] was used.
  • Example 40 N, N, -di (1-naphthyl) - ⁇ , ⁇ '-diphenylbenzidine [ ⁇ ] is used instead of HT-1, and Tris (4,4 ', 4) is used instead of Example 4.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method except that "-(9-carbazolyl))-triphenylamine [TCTA] was used.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 40 except for using HT-1 instead of Example 4.
  • N-phenylamino] biphenyl [DNTPD] was vacuum deposited to form a hole injection layer of 600 A thickness. Subsequently, the hole transport layer having a thickness of 200A was formed by vacuum deposition of HT-1ol. An auxiliary hole transport layer having a thickness of 100 A was formed by vacuum deposition on the hole transport layer using the compound prepared in Example 32.
  • biphenyl-bis (8-hydroxyquinoline) aluminum [Balq] was vacuum deposited on the emission layer to form a hole blocking layer having a thickness of 50A.
  • Tris (8-hydroxyquinoline) aluminum [Alq3] was vacuum deposited on the hole blocking layer to form an electron transport layer having a thickness of 250 A, and LiF lOA and A1 1000A were sequentially vacuum deposited on the electron transport layer to form a cathode.
  • an organic light emitting device was manufactured.
  • the organic light emitting device has a structure having six organic thin layers, specifically
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 48 except for using Example 28 instead of Example 32.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 48 except for using Example 20 instead of Example 32.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 48 except for using Example 15 instead of Example 32.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 48 except for using Example 13 instead of Example 32.
  • Example 53
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 48 except for using Example 3 instead of Example 32.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 48 except for using Example 6 instead of Example 32.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 48 except for using Example 38 instead of Example 32.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 48 except for using Example 39 instead of Example 32.
  • Example 48 ⁇ , ⁇ '-di (1-naphthyl) - ⁇ , ⁇ '-diphenylbenzidine [ ⁇ ] is used instead of HT-1, and ⁇ , ⁇ '-di (1 is used instead of Example 32).
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method except that -naphthyl) - ⁇ , ⁇ '-diphenylbenzidine [ ⁇ ] was used.
  • Example 48 ⁇ , ⁇ '-di (1-naphthyl) - ⁇ , ⁇ '-diphenylbenzidine [ ⁇ ] is used instead of HT-1, and Tris ( 4,4 ', 4) is used instead of Example 32.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method except that "-(9-carbazolyl))-triphenylamine [TCTA] was used.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 48 except for using HT-1 instead of Example 32.
  • DNTPD, ⁇ , HT-1, TCTA, CBP, Balq, Alq3, Ir (ppy) 3, Ir (pq) 2acac used in the organic light emitting device fabrication are as follows.
  • Example compound was dissolved in THF, and then PL (photoluminescence) wavelength was measured using a HITACHI F-4500. PL wavelength measurement results of Examples 15 and 31 are shown in FIG. 8.
  • the current density change, luminance change, and luminous efficiency according to voltage were measured. Specific measurement methods are as follows, and the results are shown in Tables 2 and 3 below.
  • the current value flowing through the unit device was measured using a current-voltmeter (Keithley2400) while increasing the voltage from 0V to 10V, and the measured current value was divided by the area to obtain a result.
  • the resulting organic light emitting device was measured using a luminance meter (Minolta Cs-IOOOA) while increasing the voltage from 0V to 10V to obtain a result.
  • a luminance meter Minolta Cs-IOOOA
  • the current efficiency (cd / A) at the same luminance (cd / m2) was calculated using the luminance, current density, and voltage measured from (1) and (2).
  • the embodiment of the present invention compared to Comparative Example 3 can be seen that the luminous efficiency is greatly increased by at least 30% or more, at least 18%, Example of the present invention compared to Comparative Example 2 using a conventionally known TCTA as an auxiliary hole transport layer
  • Example of the present invention compared to Comparative Example 2 using a conventionally known TCTA as an auxiliary hole transport layer In view of the fact that the lifespan of a light emitting device rises from at least 20% to a maximum of 50%, the lifetime of the device is one of the biggest problems of commercialization in terms of commercialization of the device. Judging. .
  • the embodiment of the present invention compared to Comparative Example 4 can be seen that the luminous efficiency is increased by at least 10% up to 25% or more, the embodiment of the present invention compared to Comparative Example 5 using a conventionally known TCTA as an auxiliary hole transport layer It can be seen that the luminous efficiency rises from at least 5% to at least 20%, the lifetime of the light emitting device is increased from at least 23% to at least 38%, and the driving voltage is lowered to greatly improve the overall main characteristics of the red phosphorescent device. Considering that the lifetime of the device is one of the biggest problems of commercialization in terms of commercialization of the actual device, the results of the embodiments are considered to be sufficient to commercialize the device.
  • organic light emitting device 110 organic light emitting device
  • hole injection layer 230 light emitting layer + electron transport layer

Abstract

유기광전자소자 및 이를 포함하는 표시장치에 관한 것으로, 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 형성된 적어도 한 층 이상의 유기박막층을 포함하고, 상기 유기박막층은 발광층, 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층, 전자주입층 또는 이들의 조합을 포함하고, 상기 유기 박막층은 발광층 및 복수의 정공수송층을 포함하고, 상기 복수의 정공수송층 중, 상기 발광층에 인접한 정공수송층은 화학식 1; 화학식 2 또는 3; 및 화학식 4의 조합으로 표시되는 화합물을 포함하며, 상기 발광층에 인접하지 않은 정공수송층 중 어느 하나는 화학식 B-1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 유기광전자소자를 제공한다.

Description

【명세서】
【발명의 명 칭】
유기광전자소자 및 이를 포함하는 표시장치
【기술분야】
유기광전자소자 및 이를 포함하는 표시장치에 관한 것 이다.
【배경기술】
유기광전자소자 (organic optoelectronic device)라 함은 정공 또는 전자를 이용한 전극과 유기물 사이에서의 전하 교류를 필요로 하는 소자를 의미한다.
유기광전자소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여
유기물층에서 엑시톤 (exciton)이 형성되고 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원 (전압원)으로 사용되는 형 태의 전자소자이다.
둘째는 2 개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기물 반도체에 정공 또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 동작하는 형 태의 전자소자이다.
대표작인 유기광전자소자인 유기발광소자 (organic light emitting diodes, OLED)는 최근 평판 디스플레이 (flat panel display)의 수요가 증가함에 따라 주목받고 있다. 일반적으로 유기 발광 현상이 란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를
빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다.
이 러 한 유기발광소자는 유기발광재료에 전류를 가하여 전기에너지를 빛으로 전환시키는 소자로서 통상 양극 (anode)과 음극 (cathode) 사이에 기능성 유기물 층이 삽밉된 구조로 이루어져 있다. 여기서 유기물층은 유기광전소자의 효율과 안정성을 높이 기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층， 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다.
이 러한 유기발광소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공 (hole)이 , 음극에서는 전자 (electron)가 유기물층에 주입되게 되고 주입된 정공과 전자가 만나 재결합 (recombination)에 의 해 에너지가 높은 여기자를 형성하게 된다. 이 때 형성된 여기자가 다시 바닥상태 (ground state)로 이동하면서 특정 한 파장을 갖는 빛이 발생하게 된다.
또한， 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료로 구분될 수 있다. 한편， 발광 재료로서 하나의 물질만 사용하는 경우 분자간 상호 작용에 의하여 최 대 발광 파장이 장파장으로 이동하고 색순도가 떨어지거나 발광 감쇄 효과로 소자의 효율이 감소되는 문제가 발생하므로, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율과 안정성을 증가시키기 위하여 발광 재료로서
호스트 /도판트 계를 사용할 수 있다.
유기발광소자가 전술한 우수한 특징들을 층분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질， 예컨대 정공주입 물질， 정공수송 물질, 발광 물질， 전자수송 물질, 전자주입 물질, 발광 재료 중 호스트 및 /또는 도판트 등이 안정하고 효율적 인 재료에 의하여 뒷받침되는 것 이 선행되어야 하며, 아직까지 안정하고 효율적 인 유기발광소자용 유기물층 재료의 개발이 층분히 이루어지지 않은 상태이며， 따라서 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다. 이와 같은 재료 개발의 필요성은 전술한 다른 유기광전자소자에서도 마찬가지 이다.
【발명의 상세한 설명】
【기술적 과제】
발광, 또는 정공 주입 및 수송역할올 할 수 있고, 적잘한 도편트와 함께 발광 호스트로서의 역할을 할 수 있는 유기광전자소자용 화합물을 제공한다.
또한, 상기 유기광전자소자용 화합물을 정공층에 적절히 조합하여 특성 이 우수한 유기광전자소자를 제공할 수 있다.
【기술적 해결방법】 ^
본 발명의 일 구현예에서는, 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 형성된 적어도 한 층 이상의 유기박막층올 포함하고, 상기 유기박막층은 발광층, 정공수송층, 정공주입층， 전자수송층, 전자주입층 또는 이들의 조합을 포함하고, 상기 유기 박막충은 발광층 및 복수의 정공수송층올 포함하고, 상기 복수의 정공수송층 중， 상기 발광층에 인접 한 정공수송층은 하기 화학식 1 ; 화학식 2 또는 3; 및 화학식 4의 조합으로 표시되는 화합물을 포함하며 , 상기 발광층에 인접하지 않은 정공수송증 중 어느 하나는 하기 화학식 B-1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 유기광전자소자를 제공한다.
Figure imgf000005_0001
Figure imgf000005_0002
상기 화학식 1 내지 4에서,
X는 O, S, N(-d*), S02(0=S=0), PO(P=0) 또는 CO(C=0)이고，
Y는 O, S, S02(0=S=0), PO(P=0), CR'R " 또는 NR'이고, R', R " , R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기， 시아노기 , 히드록실기 , 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기 , 니트로기， 카르복실기， 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 알콕시카르보닐아미노기 , 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 우레이드기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고,
Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 이고,
L, V 및 Lb는 서로 독립적으로, 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키 닐렌기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 , 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
n, na 및 nb는 서로 독립적으로, 0 내지 3 증 어느 하나인 정수이고, 화학식 1의 인접한 두 개의 *는, 화학식 2 또는 3의 인접한 두 개의 *와 결합하여 융합고리를 형성하고,
화학식 1의 a*; 화학식 1의 d*; 또는 화학식 2 또는 3의 b*;는, 화학식 4의 c*와 시그마 결합으로 연결되며， c*와 결합되지 않은 나머지 a*; d* 또는 b*는 수소， 중수소, 할로겐기, 시아노기 , 히드록실기， 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기 , 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치.환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기， 치환 또는 비 치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬티올기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 우레이드기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다.
[화학식 B-1]
Figure imgf000007_0001
상기 화학식 B-l에서,
R1 내지 R4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이며 ,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 존재하거나 서로 융합고리를 형성하고,
R3 및 R4는 각각 독립적으로 존재하거나 서로 융합고리를 형성하고,
Ar1 내지 Ar3은 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기고,
L1 내지 L4는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐렌기 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알키 닐렌기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
nl 내지 n4는 서로 독립적으로 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이다.
본 발명의 다른 일 구현예에서는， 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 형성된 적어도 한 층 이상의 유기박막층을 포함하고, 상기 유기박막층은 발광층, 정공수송층, 정공주입층， 전자수송층, 전자주입층 또는 이들의 조합을 포함하고，상기 유기 박막층은 발광층 및 복수의 정공수송층을 포함하고, 상기 복수의 정공수송층 중, 상기 발광층에 인접한 정공수송층은 하기 화학식 11로 표시되는 화합물을 포함하며， 상기 발광층에 인접하지 않은 정공수송층 중 ' 어느 하나는 하기 화학식 B-1로 표시되는 화합물올 포함하는 것 인
유기광전자소자를 제공한다.
[화학식 1 1]
Figure imgf000008_0001
상기 화학식 11에서， ^은 0, S, S02(0=S=0), PO(P=0) 또는 CR'R " 이고, R', R " , R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소, 증수소, 할로겐기 , 시아노기, 히드록실기 , 아미노기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기 , 니트로기 , 카르복실기 , 페로세닐기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기 , 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의
알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20
아릴옥시카르보닐아미노기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기 치환 또는 비치환된 Cr 내지 C20 술포닐기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬티올기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티을기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티을기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 우레이드기, 치환 또는 비치환돤 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고 , AT1 및 Ar2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 이고, L1 내지 L3은 서로 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기， 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고 , nl 내지 η3은 서로 독립적으로 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이다. [화학식 B-l]
Figure imgf000009_0001
상기 화학식 B-l에서, R1 내지 Ι^, Αι·1 내지 A^ L1 내지 L4 및 nl 내지 n4는 전술한 바와 같다.
본 발명의 또 다른 일 구현예에서는， 전술한 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자를 포함하는 표시장치를 제공한다.
【유리한 효과】
발광, 또는 정공 주입 및 수송역할을 할 수 있고， 적절한 도편트와 함께 발광 호스트로서의 역할을 할 수 있는 유기광전자소자용 화합물을 제공한다.
또한, 상기 유기광전자소자용 화합물을 정공층에 적절히 조합하여 특성 이 우수한 유기광전자소자를 제공할 수 있다.
[도면의 간단한 설명】
도 1 내지 도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 유기발광소자에 대한 다양한 구현예들을 나타내는 단면도이다.
도 6 및 도 7은 실시 예 15인 C-5에 대한 iH-NMR 결과 및 실시 예 31에서 제조된 A-23에 대한 'H-NMR 결과이다.
도 8은 실시 예 15 및 31에 대한 PL 파장 측정 결과이다.
【발명의 실시를 위한 최선의 형 태】
아하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명 이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 "헤테로"란 별도의 정의가 없는 한, 하나의 고리기내에 N, 0, S 및 P로 이루어진 군에서 선택되는 해테로 원자를 1 내지 3개 함유하고， 나머지는 탄소인 것을 의미한다.
본 명세서에서 "이들의 조합"이란 별도의 정의가 없는 한, 둘 이상의 치환기가 연결기로 결합되 어 있거나, 둘 이상의 치환기가 축합하여 결합되어 있는 것올 의미 한다.
본 명세서에서 "알킬 (alkyl)기 "이 란 별도의 정의가 없는 한， 포화된 지방족 탄화수소 그룹을 의미한다.
알킬기는 1 내지 20 개의 탄소원자를 가질 수 있다. 알킬기는 1 내지 10 개의 탄소원자들을 가지는 중간 크기의 알킬기 일 수도 있다. 또한, 알킬기는 1 내지 6 개의 탄소원자들을 가지는 저급알킬기 일 수도 있다.
예를 들어 , C1 내지 C4 알킬기는 알킬쇄에 1 내지 4 개의 탄소원자, 즉, 알킬쇄는 메틸, 에틸, 프로필， 이소-프로필， n-부틸, 이소-부틸， sec-부틸 및 t- 부틸로 이루어진 군에서 선택됨을 나타낸다.
전형 적 인 알킬기에는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸， t-부틸, 펜틸, 핵실， 시클로프로필， 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로핵실 등으로부터 개별적으로 그리고 독립적으로 선택된 하나 또는 그 이상의 치환기 임을 의미한다.
상기 알킬기는 분지형， 직쇄형 또는 환형 일 수 있다.
"알케닐 (alkenyl)기는" 적어도 두 개의 탄소원자가 적어도 하나의 탄소 -탄소 이중 결합으로 이루어진 치환기를 의미하며, "알키닐 (alkynyl)기 "는 적어도 두 개의 탄소원자가 적어도 하나의 탄소 -탄소 삼중 결합으로 이루어진 치환기를 의미 한다.
"아릴 (aryl)기 "는 공유 파이 전자계를 가지고 있는 적어도 하나의 링올 가지고 있는 카르복시클릭아릴 (예를 들어 , 페닐)을 포함하는 아릴 그룹을 의미한다. 이 용어는 모노시클릭 또는 융합 링 인 폴리시클릭 (즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들 나눠 가지는 링들) 그룹들을 포함한다.
용어 "헤테로아릴 (heteroaiyl)"은 공유 파이 전자계를 가지고 있는 적어도 하나의 링을 가지고 있는 헤테로시클릭 아릴 (예를 들어, 피리 딘)을 포함하는 아릴 그룹을 의미한다. 이 용어는 모노시클릭 또는 융합 링 플리시클릭 (즉, 탄소원자들의 인접한쌍들을 나눠 가지는 링들) 그룹들을 포함한다.
보다구체적으로， 치환또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 /또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기는, 치환또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환또는 비치환된 피레닐기, 치환또는 비치환된 바이페닐일기， 치환 또는 비치환된 P-터페닐기, 치환또는 비치환된 m-터페닐기, 치환또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환또는 비치환된 페릴레닐기, 치환또는 비치환된 플루오렌기, 치환또는 비치환된 인데닐기， 치환또는 비치환된 퓨라닐기， 치환 또는 비치환된 티오페닐기， 치환 또는 비치환된 피를릴기, 치환또는 비치환된 피라졸릴기， 치환또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된
트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 티아졸일기 치환또는 비치환된 옥사디아졸일기, 치환또는 비치환된 티아디아졸일기， 치환 또는 비치환된 피리딜기, 치환또는 비치환된 피리미디닐기, 치환또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환또는 비치환된 벤조퓨라닐기， 치환또는 비치환된 벤조티오페닐기， 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환또는 비치환된 인돌일기， 치환또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환또는 비치환된 이소퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환또는 비치환된 벤즈옥사진일기, 치환또는 비치환된 벤즈티아진일기， 치환또는 비치환된 아크리디닐기， 치환 또는 비치환된 페나진일기， 치환또는 비치환된 페노티아진일기, 치환또는 비치환된 페녹사진일기, 치환또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환또는 비치환된 디벤조티오펜일기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
본 명세서에서 "치환 "이란 별도의 정의가 없는 한, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알킬실릴기， 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 플루오로기, 트리플루오로메틸기 등의 탄소수 1 내지 10의 트리플루오로알킬기 , 탄소수 12 내지 30의 카바졸기 , 탄소수 6 내지 30의 아릴아민기 , 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아미노아릴기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.
' 본 발명의 일 구현예에서는, 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 형성된 적어도 한 층 이상의 유기박막층을 포함하고, 상기 유기박막층은 발광층， 정공수송층， 정공주입층, 전자수송층, 전자주입층 또는 이들의 조합을 포함하고: 상기 유기 박막층은 발광층 및 복수의 정공수송층올 포함하고, 상기 복수의 정공수송층 중, 상기 발광층에 인접한 정공수송층은 하기 화학식 1; 화학식 2 또는 3; 및 화학식 4의 조합으로 표시되는 화합물을 포함하며， 상기 발광층에 인접하지 않은 정공수송층 중 어느 하나는 하기 화학식 B-1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 유기광전자소자를 제공한다.
[화학식 1] [화학식 2] [화학식 3]
Figure imgf000012_0001
[화학식 4]
Figure imgf000012_0002
상기 화학식 1 내지 4에서,
X는 O, , N(-d*), S02(0=S=0), PO(P=0) 또는 co(c=o)이고，
Y는 Ο, S, S02(0=S=0), PO(P=0), CR'R " 또는 NR'이고,
R', R " , R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소, 중수소， 할로겐기, 시 아노기, 히드록실기 , 아미노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기 , 니트로기 , 카르복실기， 페로세닐기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 해테로아릴기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기,치환 또는 비치환된 C3 내지 C40실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환또는 비치환된 C2 내지
C20의 아실아미노기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C20의
알콕시카르보닐아미노기, 치환또는 비치환된 C7 내지 C20
아릴옥시카르보닐아미노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기 치환또는 비치환된 C1 내지 C20술포닐기, 치환또는 비치환된 C1 내지
C20의 알킬티올기， 치환또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 해테로시클로티올기, 치환또는 비치환된 C1 내지
C20의 우레이드기， 치환또는 비치환된 C3 내지 C40실릴기 또는 이들의 조합이고， Ar1 및 Ar2는서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6내지 C30 아릴기 또는 치환또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고,
L, V 및 Lb는 서로 독립적으로, 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기， 치환또는 비치환된 해테 ^아릴렌기 또는 이들의 조합이고，
n,na 및 nb는서로 독립적으로， 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이고,
화학식 1의 인접한두 개의 *는, 화학식 2또는 3의 인접한두 개의 *와 결합하여 융합고리를 형성하고, 화학식 1와 a*; 화학식 1의 d*; 또는 화학식 2 또는 3의 b*;는， 화학식 4의 c*와 시그마 결합으로 연결되며, c*와 결합되지 않은 나머지 a*;d* 또는 b*는 수소， 중수소， 할로겐기, 시아노기, 히드록실기， 아미노기, 치환또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기， 니트로기， 카르복실기， 페로세닐기, 치환또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환또는 비치환된 C3 내지 C40실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20 아실기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티을기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20
해테로시클로티올기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 우레이드기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다.
[화학식 B-1]
Figure imgf000014_0001
상기 화학식 B-1에서
R1 내지 R4는 서로 독립적으로， 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이며 ,
R1 및 R2는 서로 융합고리를 형성할 수 있고,
R3 및 R4는 서로 융합고리를 형성할 수 있고,
Ar1 내지 Ar3은 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기고,
L1 내지 L4는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐렌기 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알키 닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고，
nl 내지 n4는 서로 독립적으로 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이다.
상기와 같이 본 발명의 일 구현예에 따른 유기굉 "전자소자는 복수개의 정공 수송층을 포함할 수 있다. 이 러한 경우, 단일 정공 수송층 보다 전자
호핑 (hopping)이 원활해져 정공수송 효율이 증가하게 된다. 또한， 상기와 같이 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자는 우수한 전기 화학적 및 열적 안정성을 가지 게 되어 수명 특성 이 개선되고, 낮은 구동전압에서도 높은 발광효율을 가질 수 있다.
보다 구체적으로， 상기 복수의 정공수송층 중, 상기 발광층에 인접한 정공수송층은 상기 화학식 1; 화학식 2 또는 3; 및 화학식 4의 조합으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
상기 화학식 1; 화학식 2 또는 3; 및 화학식 4의 조합으로 표시되는 화합물은 상기 화학식 1로 표시되는 카바졸 유도체에 융합고리가 결합된 코어에 치환 또는 비치환된 아민기가 결합된 구조를 가진다.
또한, 상기 화학식 1; 화학식 2 또는 3; 및 화학식 4의 조합으로 표시되는 화합물은 코어 부분과 코어 부분에 치환된 치환기에 다양한 또 다른 치환기를 도입함 ^로써 다양한 에너지 밴드 갭을 갖는 화합물을 합성할 수 있으므로， 정공 수송층에서 요구되는 조건들을 다양하게 층족시킬 수 있는 화합물들이 될 수 있다. '
상기 화합물의 치환기에 따라 적절한 에너지 준위를 갖는 화합물을 유기광전자소자에 사용함으로써， 정공전달 능력 이 강화되어 효율 및 구동전압 면에서 우수한 효과를 가지고, 전기화학적 및 열적 안정성 이 뛰어나
유기광전자소자 구동시 수명 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 화학식 1; 화학식 2 또는 3; 및 화학식 4의 조합으로 표시되는 화합물의 L, La 및 Lb 및 상기 화학식 B-1의 L1 내지 L4의 파이공액길이 (π- conjugation length)를 조절하여 삼중항 에너지 밴드갭을 크게 함으로서 인광호스트로 유기광전자소자의 정공층에 매우 유용하게 적용될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 발광층에 인접하지 않은 정공수송층 중 어느 하나는 하기 화학식 B-1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
상기 B-1로 표시되는 화합물은 아민계 화합물로 아민 중 적어도 하나의 치환기가 카바졸기로 치환된 것일 수 있다.
또한, 상기 B-1에서， R1 및 R2는 서로 융합고리를 형성할 수 있고, R3 및 R4는 서로 융합고리를 형성할수 있다. 예를 들어, R1 및 R2는 서로 융합하여, 중심 카바졸의 페릴고리에 융합된 아릴 형태일 수 있고, R3 및 R4는 역시 서로 융합하여 중심 카바졸의 페닐고리에 융합된 아릴 형태일 수 이 수 있다.
따라서, 이렇게 융합된 경우， 중심 카바졸의 페닐기는 나프틸기 둥과 같은 형태가 될 수 있다. 이러한 경우, 열안정성이 증가하며， 전자 전달 및 주입 특성이 증가하는 장점이 있다.
본 발명의 일 구현예에서,상기 B-1 중 Ar1은 치환되거나 비치환된 페닐기, 차환되거나 비치환된 바이페닐기 일 수 있으며 ,Ar2 및 Ar3는 독립작으로 치환되거나 비치환된 페닐기, 치환되거나 비치환된 바이꿰닐기， 치환되거나 비치환된 플루오렌기, 치환되거나 비치환된 비스플루오렌기, 치환되거나 비치환된 트리페닐렌기, 치환되거나 비치환된 안트라센기, 치환되거나 비치환된 터페닐기, 치환되거나 비치환된 디벤조퓨란기， 치환되거나 비치환된
디벤조티오페닐기 중 어느 하나 일 수 있다.
보다구체적으로 본 발명의 일 구현예인 유기광전자소자와 같이, 상기 화학식 1; 화학식 2 또는 3; 및 화학식 4의 조합으로 표시되는 화합물 및 B-1로 표시되는 화합물을 조합하여 복수의 정공 수송층을 형성하는 경우, 정공 수송층의 에너지 준위를 전자호핑이 최적화하여 우수한 전기 화학적 및 열적 안정성을 가지게 된다. 이에 상기 유기광전자소자는수명 특성이 개선될 수 있고， 낮은 구동전압에서도 높은 발광효율을 가질 수 있다.
보다구체적으로, 상기 화학식 1; 화학식 2 또는 3; 및 화학식 4의 조합으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 5와 상기 화학식 4의 조합으로 표시될 수 있다.
[화학식 5]
Figure imgf000016_0001
상기 화학식 5에서,
X는 0, S, N(-d*), S02(0=S=0), PO(P=0)또는 CO(C=0)이고 Ϋ는 0， S, S02(0=S=0), PO(P=0), CR'R " 또는 NR'이고，
R', R " , R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소， 중수소, 할로겐기, 시아노기， 히드톡실기, 아미노기， 치환또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 치환또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환또는 비치환된 C3 내지 C40실릴옥시기， 치환또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C20의
알콕시카르보닐아미노기, 치환또는 비치환된 C7 내지 C20
아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기 치환또는 비치환된 C1 내지 C20술포닐기, 치환또는 비치환된 C1 내지
C20의 알킬티올기， 치환또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티을기, 치환또는 비치환된 C1 내지
C20의 우레이드기, 치환또는 비치환된 C3 내지 C40실릴기 또는 이들의 조합이고,
화학식 5의 a*; 화학식 5의 d*; 또는 화학식 5의 b*;는, 화학식 4의 c*와 시그마 결합으로 연결되며, c*와 결합되지 않은 나머지 화학식 5의 a*;d* 또는 b*는 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기， 아미노기, 치환또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기， 치환또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30헤테로아릴기, 치환또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환또는 비치환된 C3 내지 C40실릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C20의 알콕시카르보닐아미노기, 치환또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환또는 비치환된 C1 내지 C20술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬티올기, 치환또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티을기， 치환또는 비치환된 C1 내지 C20의 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40실릴기 또는 이들의 조합이다.
상기 치환기의 적절한조합에 의해 열적 안정성 또는산화에 대한 저항성이 우수한 구조의 화합물을 제조할수 있다.
상기와 같이 R1 및 R2의 치환기 중 어느 하나가수소가 아닌 전술한 치환기 중 어느 하나인 경우 치환기가 없는 화합물의 기본적인 특성을 유지하면서 유기광전소자용 재료로서 성능을 최적화하기 위한 전기광학적 특성, 박막 특성을 미세하게 조절할수 있는 장점이 있다.
또한, 상기 화학식 5와 같은 구조의 경우 화합물의 합성 측면에서 유리할 수 있으며, 주쇄에 메타로 연결 되어 있기 때문에 삼중항 에너지가높은 장점이 있다.
보다구체적으로,상기 화학식 1; 화학식 2 또는 3; 및 화학식 4의 조합으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 6으로 표시될 수 있다.
[화학식 6]
Figure imgf000018_0001
상기 화학식 6에서,
X는 0， S, S02(0=S=0), PO(PO) 또는 co(c=o)이고,
Y는 0， S, S02(0=S=0), PO(P=0), CR'R " 또는 NR'이고,
R', R " , R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소, 증수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기 , 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시 기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지
C20의 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의
알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20
아릴옥시카르보닐아미노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20의 알킬티을기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티을기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20의 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고， Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내자 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 이고, L은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키 닐렌기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 , 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고， n은 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이다. 상기 치환기의 적절한 조합에 의해 비대칭 바이폴라 (bipolar)특성의 구조를 제조할 수 있으며， 상기 비대칭 바이폴라특성의 구조는 정공 및 /또는 전자 전달 능력을 향상시켜 소자의 발광효을과 성능 향상을 기 대할 수 있다.
또한, 치환기의 조절로 화합물의 구조를 벌크하게 제조할 수 있으며', 이로 인해 결정화도를 낮출 수 있다. 화합물의 결정화도가 낮아지게 되면 소자의 수명 이 길어질 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 화학식 1; 화학식 2 또는 3; 및 화학삭 4의 조합으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 7로 표시될 수 있다.
[화학식 7]
Figure imgf000020_0001
상기 화학식 7에서，
X는 O, S, S02(OS=0), PO(PO) 또는 co(c=o)이고，
Y는 O, S, S02(0=S=0), PO(P=0), CR'R " 또는 NR'이고,
R', R " , R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소， 중수소, 할로겐기， 시아노기, 히드록실기， 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기 , 니트로기 , 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 해테로아릴기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시 기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의
알콕시카르보닐아미노기 , 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20
아릴옥시카르보닐아미노기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬티올기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 우레이드기 , 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고，
Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 이고,
L은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키 닐렌기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 해테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
n은 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이다.
상기 치환기의 적절한 조합에 의해 비대칭 바이폴라 (bipolar)특성의 구조를 제조할 수 있으며 , 상기 비 대칭 바이폴라특성의 구조는 정공 및 /또는 전자 전달 능력올 향상시켜 소자의 발광효율과 성능 향상을 기대할 수 있다.
또한, 치환기의 조절로 화합물의 구조를 벌크하게 제조할 수 있으며, 이로 인해 결정화도를 낮출 수 있다. 화합물의 결정화도가 낮아지게 되면 소자의 수명이 길어질 수 있다.
보다 구체적으로， 상기 화학식 1 ; 화학식 2 또는 3; 및 화학식 4의 조합으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 8로 표시될 수 있다.
Figure imgf000021_0001
상기 화학식 8에서,
X는 0， S, S02(0=S=0), PO(P=0), CR'R " 또는 NR'이고，
R', R " , R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소， 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기 , 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기， 니트로기, 카르복실기 , 페로세닐기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기 , 치환 또는 비치환된 CI 내지 C20 아실기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시 기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의
알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20
아릴옥시카르보닐아미노기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기， 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20의 알킬티올기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티을기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20의 우레이드기 , 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고 , AT1 및 Ar2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고,
L은 단일결합， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키 닐렌기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
η은 0 내지 3 증 어느 하나인 정수이다.
상기 화학식 8과 같은 구조의 경우, 기존의 일반적 인 정공 특성을 가지는 유기발광소자 재료 보다 이온화포텐셜에너지가 크고 인광 발광 호스트 재료 또는 청 색 형광 호스트 재료의 이은화 포텐셜에너지 보다는 작으며 비교적 높은 삼증항에너지를 갖고 있다. 이에 상기 화학식 8과 같은 화합물이 인광 소자 및 청 색 소자에서 정공수송층과 발광층 사이에 보조 정공 수송층으로 사용될 경우， 소자의 고효율 및 장수명 특성을 달성할 수 있다.
보다 구체적으로，상기 화학식 1; 화학식 2 또는 3; 및 화학식 4의 조합으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 9로 표시될 수 있다.
[화학식 9]
Figure imgf000023_0001
상기 화학식 9에서，
X는 O, S, S02(0=S=0), PO(P=0), CR'R " 또는 NR'이고，
R', R " , R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소, 중수소， 할로겐기 , 시 아노기, 히드록실기 , 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기， 니트로기 , 카르복실기 , 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기 , 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시 기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의
알콕시카르보닐아미노기， 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20
아릴옥시카르보닐아미노기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20의 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20의 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고,
Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 해테로아릴기 이고,
L은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기， 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고, n은 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이다.
상기 화학식 9와 같은 구조의 경우， 기존의 일반적 인 정공 특성을 가지는 유기발광소자 재료 보다 이온화포텐셜에너지가 크고 인광 발광 호스트 재료 또는 청 색 형광 호스트 재료의 이은화 포텐셜에너지 보다는 작으며 비교적 높은 삼중항에너지를 갖고 있다. 이에 상기 화학식 9와 같은 화합물이 인광 소자 및 청색 소자에서 정공수송층과 발광층 사이에 보조 정공 수송층으로 사용될 경우， 소자의 고효율 및 장수명 특성을 달성할 수 있다.
보다 구체적으로， 상기 화학식 1 ; 화학식 2 또는 3; 및 화학식 4의 조합으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 10으로 표시될 수 있다.
[화학식 10]
Figure imgf000024_0001
상기 화학식 10에서 ,
X는 O, S, S02(0=S=0), PO(P=0), CR'R " 또는 NR'이고，
R', R " , R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소, 중수소， 할로겐기 , 시아노기， 히드록실기 , 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기， 니트로기 , 카르복실기 , 페로세닐기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시 기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의
알콕시카르보닐아미노기 , 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20의 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티을기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티을기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20의 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고,
Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 이고，
L은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기， 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
n은 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이다.
상기 화학식 10과 같은 구조의 경우， 기존의 일반적 인 정공 특성을 가지는 유기발광소자 재료 보다 이온화포텐셜에너지가 크고 인광 발광 호스트 재료 또는 청 색 형광 호스트 재료의 이은화 포텐셜에너지 보다는 작으며 비교적 높은 삼중항에너지를 갖고 있다. 이에 상기 화학식 10과 같은 화합물이 인광 소자 및 청색 소자에서 정공수송층과 발광층 사이에 보조 정공 수송충으로 사용될 경우， 소자의 고효율 및 장수명 특성올 달성할 수 있다.
보다 구체적 인 예를 들어, 상기 R^ R ^ R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소， 중수소, 치환 또는 비치환된 메틸기 , 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기， 치환 또는 비치환된 페닐기 , 치환 또는 비치환된
바이페닐기 , 치환 또는 비치환된 나프틸기， 치환 또는 비치환된 안트라세닐기 , 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 페닐기 , 치환 또는 비치환된 바이페닐기， 치환 또는 비치환된 플루오레닐기， 치환 또는 비치환된 벤조퓨란, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된
디벤조퓨라닐기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기 일 수 있다. 다만， 이에 제한되는 것은 아니다. 본 발명의 다른 일 구현예에서는, 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 형성된 적어도 한 층 이상의 유기박막층을 포함하고, 상기 유기박막충은 발광층, 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층, 전자주입층 또는 이들의 조합을 포함하고, 상기 유기 박막층은 발광층 및 복수의 정공수송층을 포함하고， 상기 복수의 정공수송층 중， 상기 발광층에 인접한 정공수송층은 하기 화학식 1 1로 표시되는 화합물을 포함하며， 상기 발광층에 인접하지 않은 정공수송층 중 어느 하나는 하기 화학식 B-1로 표시되는 화합물을 포함하는 것 인
유기광전자소자를 제공한다.
[화학식 1 1]
Figure imgf000026_0001
상기 화학식 11에서 ,
X1은 0, S, S02(0=S=0), PO(P=0) 또는 CR'R " 이고,
R', R ' , R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기， 시아노기， 히드록실기, 아미노기， 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C20 아민기， 니트로기， 카르복실기， 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시 기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의
알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20
아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20의 알킬티을기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20의 우레이드기 , 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 존재하거나 서로 융합되어 융합고리를 형성할 수 있고，
Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 이고，
L1 내지 L3은 서로 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기， 치환 또는 비 치환된 헤테로아릴렌기 또는 '이들의 조합이고,
nl 내지 n3은 서로 독립적으로 0 내지 3 증 어느 하나인 정수이다:
[화학식 B-1]
Figure imgf000027_0001
상기 화학식 B-1에서 ,
R1 내지 R4는 서로 독립적으로，수소, 중수소， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기 , 치환 또는 비치환 ¾ C6 내지 C30 아릴기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이며,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 존재하거나 서로 융합고리를 형성할 수 _있고， R3 및 R4는 각각 독립적으로 존재하거나 서로 융합고리를 형성할 수 있고,
Ar1 내지 Ar3은 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기고，
L1 내지 L4는 서로 독립적으로， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐렌기 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알키닐렌기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고 , nl 내지 η4는 서로 독립적으로 0 내지 3 증 어느 하나인 정수이다. 상기 화학식 Β_ι로 표시되는 화합물에 대해서는 전술한 본 발명의 일 구현예와 동일하기 때문에 설명을 생략하기로 한다.
상기 복수의 정공수송층 중 상기 발광층에 인접한 정공수송층이 상가 화학식 11로 표시되는 화합물을 포함하는 경우, 기존의 일반적 인 정공 특성을 가지는 유기발광소자 재료 보다 이온화포텐셜에너지가 크고 인광 발광 호스트 재료 또는 청 색 형광 호스트 재료의 이온화 포텐셜에너지 보다는 작으며 비교적 높은 삼중항에너지를 갖고 있다. 이에 상기 화합물이 인광 소자 및 청 색 소자에서 정공수송층과 발광층 사이에 보조 정공 수송층으로 사용될 경우， 소자의 고효율 및 장수명 특성을 달성할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 화학식 U로 표시되는 화합물은 하기 화학식 12로 표시될 수 있다.
[화학식 12]
Figure imgf000028_0001
상기 화학식 12에서,
X1 및 X2는 서로 독립적으로 0, S, S02(0=S=0), ΡΟ(Ρ=0) 또는 CR'R " 이고: R', R " 및 R1 내지 R4는 서로 독립적으로 수소， 중수소, 할로겐기, 시아노기， 히드록실기， 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기 , 니트로기， 카르복실기, 페로세닐기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기 , 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의
알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20
아릴옥시카르보닐아미노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20의 알킬티을기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기， 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20의 우레이드기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 S합이고，
R1 및 R2는 서로 융합되어 융합고리를 형성할 수 있고,
R3 및 R4는 서로 융합되어 융합고리를 형성할 수 있고,
Ar2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 이고,
L1 내지 L3은 서로 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키 닐렌기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기， 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
nl 내지 n3은 서로 독립적으로 0 내지 3 증 어느 하나인 정수이다.
상기 화학식 12로 표시되는 화합물의 경우， 기존의 일반적 인 정공 특성을 가지는 유기발광소자 재료 보다 이은화포텐셜에너지가 크고 인광 발광 호스트 재료 또는 청색 형광 호스트 재료의 이온화 포텐셜에너지 보다는 작으며 비교적 높은 삼중항에너지를 갖고 있다. 이에 상기 화합물이 인광 소자 및 청색 소자에서 정공수송층과 발광층 사이에 보조 정공 수송층으로 사용될 경우， 소자의 고효율 및 장수명 특성을 달성할수 있다.
보다구체적으로, 상기 화학식 11로 표시되는 화합물은 하기 화학식 13으로 표시될 수 있다.
Figure imgf000030_0001
상기 화학식 13에서,
X1 내지 X3는 서로 독립적으로 O, S, S02(0=S=0), PO(P=0) 또는 CR'R"이고， R',R" 및 R1 내지 R6는서로 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기， 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기， 니트로기， 카르복실기, 페로세닐기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 치환또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환또는 비치환된 C3 내지 C40실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C20의
알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20
아릴옥시카르보닐아미노기, 치환또는 비치환된 C1 내지 C20술파모일아미노기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20술포닐기， 치환또는 비치환된 C1 내지
C20의 알킬티올기, 치환또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티을기， 치환또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 우레이드기， 치환또는 비치환된 C3 내지 C40실릴기 또는 이들의 조합이고， R1 및 R2는 서로 융합되어 융합고리를 형성할수 있고,
R3 및 R4는 서로 융합되어 융합고리를 형성할수 있고,
R5 및 R6는 서로 융합되어 융합고리를 형성할수 있고,
L1 내지 L3은 서로 독립적으로 단일결합, 치환또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기, 치환또는 비치환된 C6내지 C30 아릴렌기， 치환또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고 ,nl 내지 η3은 서로 독립적으로 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이다. 상기 화학식 13으로 표시되는 화합물의 경우, 기존의 일반적인 정공 특성을 가지는 유기발광소자 재료 보다 이온화포텐셜에너지가크고 인광 발광 호스트 재료 또는 청색 형광호스트 재료의 이온화 포텐셜에너지 보다는 작으며 비교적 높은 삼중항에너지를 갖고 있다. 이에 상기 화합물이 인광 소자 및 청색 소자에서 정공수송층과 발광층 사이에 보조 정공 수송층으로 사용될 경우 : 소자의 고효을 및 장수명 특성을 달성할 수 있다.
상기 화학식 1 내지 3의 ΙΙ',Ι ,Κ1 및 R2는 중 적어도 어느 하나는, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40실릴기이고, 상기 화학식 U의 R', R'^R1 및 R2는 중 적어도 어느 하나는, 치환또는 비치환된 C3 내지 C40실릴기일 수 있다. 상기 실릴기는 유기광전자소자의 제조 시 증착온도를 낮추어 줄 수 있으며, 용매에 대한 용해도를 증가시켜 소자의 제조 공정을 용액 공정으로 전환시킬 수 있다. 또한 균일한 박막을 형성하여 박막표면 특성을 개선 시키는 효과가 있다.
보다구체적으로, 상기 화학식 1 내지 3의 Ι',Ι ,Ι 1.및 R2는 중 적어도 어느 하나는, 치환된 C3 내지 C40실릴기이고, 상기 화학식 11의 Ι ',Ι " ,]^ 및 R2는 중 적아도 어느 하나는, 치환된 C3 내지 C40실릴기이고, 상기 치환된은 실릴기의 수소 중 적어도 어느 하나가 C1 내지 C10 알킬기 또는 C6 내지 C15 아릴기로치환된 것일 수 있다.
상기 치환된 실릴기의 구체적인 예로는, 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴， 트리- 이소프로필실릴， 트리 터셔리부틸 실릴, 트리페닐실릴기， 트리를릴실릴, 트리나프틸실릴， 트리비페닐실릴, 디메틸페닐실릴, 디페닐메틸실릴, 디에틸페닐실릴, 디페닐에틸실릴， 디를릴메틸실릴， 디나프틸메틸실릴， 디메틸를릴실릴， 디 메틸나프틸실릴， 디메틸비페닐실릴 등이 있다.
보다 구체적 인 예를 들어, 상기 화학식 1; 화학식 2 또는 3; 및 화학식 4의 조합으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 A-1 내지 A-133, B-1 내지 B-28, C-1 내지 C-93, D-1 내지 D-20, E-1 내지 E-128 또는 K-1 내지 K-402 중 어느 하나로 표시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
Figure imgf000032_0001
Figure imgf000033_0001
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.8S900/CT0ZaM/X3d 2ε
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.8S900/CT0ZaM/X3d
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.8S900/CT0ZaM/X3d 9ε [Π-3] [Π- ΠΠ- ] [01-3] [6-0]
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[03-a] [6i-a] [8ΐ-8] [^i- ] .8S900/CT0ZaM/X3d ζε
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.8S900/CT0ZaM/X3d 8ε
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[D-18] [D-19] [D-20]
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.8S900/CT0ZaM/X3d [1Φ-3] [ -3] [Z -R] [\P- ]
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[ -a] [ιε-g] [oe-a] [wa] g
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[ -3] [ίΖ- ΐ [ΖΖ-Ά] [ΙΖ- ] .8S900/CT0ZaM/X3d ^9-3] [ε9-3] [39-3] [19-3]
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f
.8S900/CT0ZaM/X3d 8-3] [ 8-3] [28-H] [18-3]
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.8S900/CT0ZaM/X3d 9f
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H ^寸 【寸 //:S O-8S900202MI>d 3SSSZAV7
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Ο
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o
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보다 구체적 인 예를 들어, 상기 화학식 11로 표시되는 화합물은 하기 화학식 F-1 내지 F-182, G-1 내지 G-182, H-1 내지 H-203 또는 1-1 내지 1-56 중 어느 하나로 표시될 수 있으나， 이에 제한되는 것은 아니다.
[F-1] [F-2] [F-3] [F-4] [F-5]
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9Z .8S900/CT0ZaM/X3d
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[F-59] [F-60] [F-61] [F-62]
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8Z [θΠ-i] [601 -J] [801 -^] [L0\
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6Z
.8S900/Cl0raM/13d
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〔【6〕寸M이-
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^8 .8S900/CT0ZaM/X3d
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16 .8S900/CTOZaM/X3d
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86 .8S900/CT0ZaM/X3d
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96 .8S900/CTOZaM/X3d
[ ι-Η] [eei-H] [Z£i
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901 .8S900/CT0ZaM/X3d
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601 .8S900/CT0ZaM/X3d [soi-i] [ΐ7θ ΐ-Γ] [eoi-r]
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[06-f] [68-ί] [88-f] οπ
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o
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[J- 136] [J-137] [J- 138]
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상기와 같은 화합물을 포함하는 유기광전자소자용 화합물은 유리전이은도가 110°C 이상이며， 열분해은도가 400 °C이상으로 열적 안정성 이 우수하다. 이로 인해 고효율의 유기광전자소자의 구현이 가능하다.
상기와 같은 화합물을 포함하는 유기광전자소자용 화합물은 발광, 또는 정공 주입 및 /또는 수송역할을 할 수 있으며 , 적절한 도판트와 함께 발광
호스트로서의 역할도 할 수 있다. 즉， 상기 유기광전자소자용 화합물은 인광 또는 형광의 호스트 재료, 청 색의 발광도편트 재료， 또는 정공 수송 재료로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 화합물은 유기박막층에 사용되어 유기광전자소자의 수명 특성， 효율 특성 , 전기화학적 안정성 및 열적 안정성을 향상시키며， 구동전압을 낮출 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 상기 유기광전자소자라 함은 유기광전소자, 유기발광소자，유기 태양 전지 , 유기 트랜지스터， 유기 감광체 드럼 , 유기 메모리 소자 등을 의미한다. 특히, 유기 태양 전지의 경우에는 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 화합물이 전극이나 전극 버퍼층에 포함되어 양자 효율을 증가시키며, 유기 트랜지스터의 경우에는 게이트, 소스-드레인 전극 등에서 전극 물질로 사용될 수 있다.
이하에서는 유기발광소자에 대하여 구체적으로 설명한다.
본 발명의 일 구현예에서, 유기박막층으로는 발광층, 정공수송층, 정공주입층， 전자수송층， 전자주입층， 정공차단층 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 층을 포함할 수 있다.
도 1 내지 도 5는 일반적 인 유기발광소자의 단면도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면， 유기발광소자 (100， 200， 300， 400 및 500)는 양극 (120), 음극 (110) 및 이 양극과 음극 사이에 개재된 적어도 1층의
유기박막층 (105)을 포함하는 구조를 갖는다.
상기 양극 (120)은 양극 물질을 포함하며, 이 양극 물질로는 통상
유기박막층으로 정공주입 이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적 인 예로는 니켈, 백금, 바나듐， 크름， 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금을 들 수 있고, 아연산화물， 인듐산화물,
인듬주석산화물 (ITO), 인듐아연산화물 (IZO)과 같은 금속 산화물을 들 수 있고, ΖηΟ와 A1 또는 Sn02와 Sb와 같은 금속과 산화물의 조합을 들 수 있고, 폴리 (3- 메틸티오펜), 폴리 [3,4- (에틸렌 -1,2-디옥시)티오펜 ](polyehtylenedioxythiophene:
PEDT), 폴리피를 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 둥을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 바람직하게는 상기 양극으로 ITO(indium tin oxide)를 포함하는 투명전극을 사용할 수 있다.
상기 음극 (Π0)은 음극 물질을 포함하여, 이 음극 물질로는 통상
유기박막층으로 전자주입 이 용이하도록 일 함수가 작은 물질인 것이
바람직하다. 음극 물질의 구체적 인 예로는 마그네슴， 칼슘, 나트륨， 칼륨， 타이타늄, 인듐， 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄， 은, 주석, 납, 세슴， 바륨 등과 같은 금속 또는 이들의 합금을 들 수 있고， LiF/Al, Li02/Al, LiF/Ca, LiF/Al 및 BaF2/Ca과 같은 다층 구조 물질 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 바람직하게는 상기 음극으로 알루미늄 등과 같은 금속전극을 사용할 수 있다.
먼저 도 1을 참조하면, 도 1은 유기박막층 (105)으로서 발광층 (130)만이
존재하는 유기발광소자 (100)를 나타낸 것으로， 상기 유기박막층 (105)은
발광층 (130)만으로 존재할 수 있다.
도 2를 참조하면, 도 2는 유기박막층 (105)으로서 전자수송층을 포함하는 발광층 (230)과 정공수송층 (140)이 존재하는 2층형 유기발광소자 (200)를 나타낸 것으로, 도 2에 나타난 바와 같이， 유기박막층 (105)은 발광층 (230) 및 정공 수송층 (140)을 포함하는 2층형 일 수 있다. 이 경우 발광층 (130)은 전자
수송층의 기능을 하며， 정공 수송층 (140)은 ITO와 같은 투명전극과의 접합성 및 정공수송성을 향상시키는 기능을 한다.
도 3을 참조하면， 도 3은 유기박막층 (105)으로서 전자수송층 (150), 발광층 (130) 및 정공수송층 (140)이 존재하는 3층형 유기발광소자 (300)로서, 상기
유기박막층 (105)에서 발광층 (130)은 독립된 형 태로 되어 있고, 전자수송성 이나 정공수송성 이 우수한 막 (전자수송층 (150) 및 정공수송층 (140))을 별도의 층으로 쌓은 형 태를 나타내고 있다.
도 4를 참조하면, 도 4는 유기박막층 (105)으로서 전자주입층 (160), 발광층 (130): 정공수송층 (140) 및 정공주입층 (170)이 존재하는 4층형 유기발광소자 (400)로서， 상기 정공주입층 (170)은 양극으로 사용되는 ΠΌ와의 접합성을 향상시킬 수 있다.
도 5를 참조하면, 도 5는 유기박막층 (105)으로서 전자주입층 (160)，
전자수송층 (150), 발광층 (130)， 정공수송층 (140) 및 정공주입충 (170)과 같은 각기 다른 기능을 하는 5개의 층이 존재하는 5층형 유기발광소자 (500)를 나타내고 있으며 , 상기 유기광전소자 (500)는 전자주입층 (160)올 별도로 형성하여
저전압화에 효과적 이다.
다만, 상기 예시로 설명한 유기발광소자의 구조에서, 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자 (예를 들어， 유기발광소자)는 복수개의 정공수송층을 포함할 수 있으며 , 복수개의 정공수송층은 도 2 내지 도 5에 도시한
정공수송층과 인접하여 형성될 수 있다.
상기에서 설명한 유기발광소자는， 기판에 양극을 형성한 후， 진공증착법 (evaporation), 스퍼터 링 (sputtering), 폴라즈마 도금 및 이은도금과 같은 건식성막법 ; 또는 스핀코팅 (spin coating), 침지 법 (dipping), 유동코팅 법 (flow coating)과 같은 습식성막법 등으로 유기박막층을 형성한 후, 그 위에 음극올 형성하여 제조할 수 있다ᅳ
본 발명의 또 다른 일 구현예에 따르면, 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치를 제공한다.
【발명의 실시를 위한 형태】
이하에서는 본 발명의 구체적 인 실시 예들을 제시한다. 다만， 하기에 기재된 실시 예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명 이 제한되어서는 아니된다.
(유기광전자소자용 화합물의 제조)
중간체의 합성
중간체 M-1의 합성 ϊ. 0 P dCP ha),, aq.K¾C03
+ 'ᅳ ΐ jy ~^r Toluene , reflux, 12h
Figure imgf000118_0001
M-1
등근 바닥 플라스크에 4-디벤조퓨란보론산 20g(94.3mmol), 1-브로모 -4- 아이오도벤젠 26 g (94.3mmol)을 넣고 를루엔 (313ml)을 가하여 용해 시킨 후 탄산칼륨 19.5g (141.5mmol)을 녹인 수용액 1 17ml를 첨가 시키고 교반 하였다. 여기에 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 1.09g(0.94mmol)을 가한 후
질소분위기하에서 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반응 종료 후
에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액올 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (9:1 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-1을 흰색 고체로 27g (수율 89%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치： 322.00g/mol, 측정치： M+ = 322.09g/mol, M+2 = 324.04g/mol) 증간체 M-2의 합성
Figure imgf000119_0001
둥근 바닥 플라스크에 4-디벤조티오펜보론산 21.5g(94.3mmol), 1-브로모 -4- 아이오도벤젠 26.7g (94.3mmol)을 넣고 틀루엔 (313ml)을 가하여 용해 시 ¾ 후 탄산칼륨 19.5g (141.5mmol)을 녹인 수용액 1 17ml를 첨가 시키고 교반 하였다. 여기에 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 L09g(0.94mmol)올 가한 후
질소분위기하에서 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반웅 종료 후
에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (9:1 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 증간체 M-2를 흰색 고체로 29g (수율 91%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치： 337.98g/mol, 측정치： M+ = 338.04g/mol, M+2 = 340.1 lg/mol) 중간체 M-3의 합성
Figure imgf000119_0002
등근 바닥 플라스크에 4-클로로페닐보론산 14.7g(94.3mmol), 2- 브로모디벤조퓨란 23.3g (94.3mmol)을 넣고 를루엔 (313ml)올 가하여 용해 시킨 후 탄산칼륨 19.5g (141.5mmol)을 녹인 수용액 117ml를 첨가 시키고 교반 하였다. 여기에 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 1.09g(0.94mmol)을 가한 후 질소분위기하에서 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반웅 종료 후
에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (9:1 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체
M-3를 흰색 고체로 23.9g (수율 91%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치： 278.05g/mol, 측정치： M+ = 278.12g/mol, M+2 = 280.13g/mol) 중간체 M-41의 합성
Figure imgf000120_0001
둥근 바닥 플라스크에 4-클로로페닐보론산 14.7g(94.3mmol), 2- 브로모디벤조티오펜 24.8g (94.3mmol)을 넣고 틀루엔 (313ml)을 가하여 용해 시킨 후 탄산칼륨 19.5g (141.5mmol)을 녹인 수용액 117ml를 첨가 시키고 교반 하였다. 여기에 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 L09g(0.94mmol)을 가한 후 질소분위기하에서 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반웅 종료 후
에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물올 n-핵산 / 디클로로메탄 (9: 1 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체
M-4를 흰색 고체로 25.6g (수율 92%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치 : 294.03g/mol, 측정치 : M+ = 294.16g/mol, M+2 = 296.13g/mol) 중간체 M-5의 합성
Figure imgf000120_0002
등근바닥플라스크에 중간체 M-1 10g(30.9mmol)과 4-아미노바이페닐
6.3g(37.08mmol), 소디움 t-부톡사이드 5.35g(55.6mraol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리 -터셔리- 부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반 시 킨다. 반웅 종료 후 에틸아세테이트과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (7:3 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-5를 흰색 고체로 9.92g (수율 78%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치 : 41 1.16g/mol, 측정치 : M+ = 411.21g/mol)
중간체 M-6의 합성
Figure imgf000121_0001
둥근바닥플라스크에 중간체 M-2 10.5g(30.9mmol)과 2-아미노 -9,9-디메틸 -9H- 폴루오렌 7.8g (37.08mmol), 소디융 t-부톡사이드 5.35g(55.6mmol)을 넣고 틀루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.3 hnmol)과 트리 -터셔리- 부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 후 에틸아세테이트과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (7:3 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 증간체 M-6을 흰색 고체로 l lg (수율 76%)을
수득하였다.
LC-Mass (이론치： 467.17g/mol, 측정치： M+ = 467.23g/mol)
중간체 M-7의 합성
Figure imgf000121_0002
등근바닥플라스크에 중간체 M-4 9.1g(30.9mmol)과 4-아미노바이페닐
6.3g(37.08mmol), 소디움 t-부톡사이드 5.35g(55.6mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리 -터셔리- 부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반 시 킨다. 반응 종료 후 에틸아세테이트과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조， 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (7:3 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-7을 흰색 고체로 10.6g (수율 80%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 427.14g/mol, 측정치 : M+ = 427.19g/mol)
증간체 M-8의 합성
Figure imgf000122_0001
둥근바닥풀라스크에 중간체 M-4 9.1g(30.9mmol)과 1-아미노나프탈렌
5.3g(37.08mmol), 소디움 t-부톡사이드 5.35g(55.6mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시 켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리 -터셔 리- 부틸포스핀 (U25g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시 킨다. 반응 종료 후 에틸아세테이트과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (7:3 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼
크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-8을 흰색 고체로 10g (수율 81%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 401.12g/mol, 측정치 : M+ = 401.15g/mol)
중간체 M-9의 합성
Figure imgf000122_0002
M-9
등근 바닥 플라스크에 4-디벤조퓨란보론산 20g(94.3mmol), 메틸 2- 브로모벤조에 이트 20.3g (94.3mmol)을 넣고 를투엔 (313ml)을 가하여 용해 시킨 . 후 탄산칼륨 19.5g (141.5mmol)을 녹인 수용액 117ml를 첨가 시키고 교반 하였다. 여기에 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 1.09g(0.94mmol)을 가한 후 질소분위기하에서 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반웅 종료 후
에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액올 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 에 틸아세테이트 (9: 1 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-9를 26.5g (수율 93%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치： 302.09g/tnol, 측정치： M+ = 302.18g/mol)
중간체 M-10의 합성
Figure imgf000123_0001
M-10
가열 감압 건조한 등근 바닥 풀라스크에 M-9 26g(86mmol)을 넣고 무수 디에틸에 테르 (430ml)을 가하여 용해 시키고 OoC로 넁각한 후 질소분위기하에서 교반 하였다. 여기에 3.0M 메틸마그네슘 브름마이드 디에틸에테르 용액
72ml(215mmol)을 천천히 가한 후 상온， 질소분위기하에서 12시간 동안 교반 하였다. 반웅액을 OoC로 냉각하고 소량의 증류수를 가하여 반응을 종료시 킨 후 2.0M 암모늄클로라이드 수용액 108ml를 가하고 디에틸에테르로 추출 후 추출액을 마그네슴 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 추가 정제하지 않고 다음반웅에 사용하였고, 목적 화합물인 중간체 M-10을 25.7g (수율 99%)을 수득 하였다.
중간체 M-11의 합성
Figure imgf000123_0002
가열 감압 건조한 등근 바닥 풀라스크에 M-10 25.7g(85.1mmol)을 넣고 무수 디클로로메탄 (255ml)을 가하여 용해 시키고 OoC로 냉각한 후
질소분위기하에서 교반 하였다. 여기에 보론트리플루오라이드
디에틸이써 레이트 12.1g(85.1mmol)을 천천히 가한 후 상온， 질소분위기하에서 4시간 동안 교반 하였다. 반응액을 OoC로 냉각하고 소량의 증류수를 가하여 반웅을 종료시 킨 후 1.0M 중탄산나트륨 수용액 85ml를 가하고
디클로로메탄으로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액올 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (9: 1 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-11을 18.1g (수율 75%)을 수득 하였다. LC-Mass (이론치 : 284.12g/mol, 측정치 : M+ = 284.18g/mol)
중간체 M-12의 합성
Figure imgf000124_0001
가열 감압 건조한 둥근 바닥 플라스크에 M-11 18g(63.3mmol)을 넣고 무수 테트라하이드로퓨란 (190ml)을 가하여 용해 시키고 -20oC로 넁각한 후 질소분위 기하에서 교반 하였다. 여기에 2.5M n-부틸리튬 노르말 핵산 용액 3hnl(76mmol)을 천천히 가한 후 상온, 질소분위기하에서 6시간 동안 교반 하였다. 반웅액을 -20oC로 냉각하 :H 여기에 트리 이소프로필보레이트
14.3g(76mmol)을 천천히 가한 후 상온, 질소분위기하에서 6시간 동안 교반 하였다. 반웅액올 OoC로 냉각하고 여기에 소량의 증류수를 가하여 반웅을 종료시 킨 후 2.0M 염산 수용액 114ml를 가하고 디에틸에테르로 추출 후 추출액을 마그네슴 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 잔사를 아세톤에 녹인후 n-핵산을 가하여 재결정하였다. 생성된 고체를 감압 여과하여 목적 화합물인 중간체 M-12를 15.6g (수율 75%)을 수득 하였다. LC-Mass (이론치 : 328.13g/mol, 측정치 : M+ = 328.21g/mol)
중간체 M-13의 합성
Figure imgf000124_0002
M-12 M-13
등근 바닥 플라스크에 M-12 30.9g(94.3mmol), 1-브로모 -4-아이오도벤젠 26.7 g (94.3mmol)을 넣고 를루엔 (313ml)을 가하여 용해 시 킨 후 탄산칼륨 19.5g (141.5mmol)을 녹인 수용액 117ml를 첨가 시키고 교반 하였다. 여기에 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 1.09g(0.94mmol)을 가한 후 질소분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반응 종료 후 에틸아세테이트로 추출 후 추출액올―마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (9:1 부피비)으로 실리카 겔 컬럼
크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-13을 37g (수율 90%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치： 438.06g/mol, 측정치 : M+ = 438.17g/mol, M+2 = 440.2 lg/mol) 중간체 M-14의 합성
Figure imgf000125_0001
등근 바닥 폴라스크에 4-디벤조티오펜보론산 21.5g(94.3mmol), 메틸 2- 브로모벤조에 이트 20.3g (94.3mmol)을 넣고 틀루엔 (313ml)을 가하여 용해 시킨 후 탄산칼륨 19.5g (141.5mmol)을 녹인 수용액 117ml를 첨가 시키고 교반 하였다. 여기에 테트라키스트리페닐포스핀팔라듬 1.09g(0.94mmol)을 가한 후 질소분위기하에서 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반웅 종료 후
에틸아세테이트로 추출 후 추출액올 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 에틸아세테이트 (9:1 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-9를 27.6g (수율 92%)올 수득 하였다.
LC-Mass (이론치 : 318.07g/mol, 측정치 : M+ = 318.13g/mol)
중간체 M-15의 합성
Figure imgf000125_0002
가열 감압 건조한 등근 바닥 플라스크에 M-14 27.4g(86mmol)을 넣고 무수 디에틸에 테르 (430ml)올 가하여 용해 시키고 OoC로 냉각한 후
질소분위기하에서 교반 하였다. 여기에 3.()M 메틸마그네슘 브름마이드 디에틸에테르 용액 72ml(215mmol)을 천천히 가한 후 상온, 질소분위기 하에서 12시간 동안 교반 하였다. 반웅액을 OoC로 냉각하고 소량의 증류수를 가하여 반응을 종료시킨 후 2.0M 암모늄클로라이드 수용액 108ml를 가하고 디에틸에테르로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 추가 정제하지 않고 다음반응에 사용하였고, 목적 화합물인 중간체 M-15를 27.1g (수율 99%)올 수득 하였다. 중간체 M-16의 합성
Figure imgf000126_0001
M-15 M-16
가열 감압 건조한 등근 바닥 플라스크에 M-16 27.1g(85.1mmol)을 넣고 무수 디클로로메탄 (255ml)을 가하여 용해 시키고 OoC로 냉각한 후
질소분위기하에서 교반 하였다. 여기에 보론트리-플루오라이드
디에틸이써 레이트 l2.1g(85.hnmol)을 천천히 가한 후 상온, 질소분위기하에서 4시간 동안 교반 하였다. 반응액을 OoC로 넁각하고 소량의 증류수를 가하여 반응올 종료시킨 후 1.0M 중탄산나트륨 수용액 85ml를 가하고
디클로로메탄으로 추출 후 추출액올 마그네슴 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (9:1 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 증간체 M-11을 19.4g (수율 76%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치： 300.10g/mol, 측정치 : M+ = 300.2 lg/mol)
중간체 M-17의 합성
Figure imgf000126_0002
가열 감압 건조한 둥근 바닥 플라스크에 M-16 19g(63.3mmol)을 넣고 무수 테트라하이드로퓨란 (190ml)을 가하여 용해 시키고 -20oC로 냉각한 후 질소분위기하에서 교반 하였다. 여기에 2.5M n-부틸리튬 노르말 핵산 용액 3hnl(76mmol)을 천천히 가한 후 상온, 질소분위 기하에서 6시간 동안 교반 하였다. 반응액을 -20oC로 냉각하고 여기에 트리 이소프로필보레이트
14.3g(76mmol)을 천천히 가한 후 상은， 질소분위기하에서 6시간 동안 교반 하였다. 반응액을 OoC로 냉각하고 여기에 소량의 증류수를 가하여 반웅을 종료시킨 후 2.0M 염산 수용액 114ml를 가하고 디에틸에테르로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 잔사를 아세톤에 녹인후 n-핵산을 가하여 재결정하였다. 생성된 고체를 감압 여과하여 목적 화합물인 중간체 M-12를 16.3g (수율 75%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치 : 344.10g/mol, 측정치 : M+ = 344.19g/mol)
Figure imgf000127_0001
M-17 M-18
등근 바닥 플라스크에 M-13 32.5g(94.3mmol), 1-브로모 -4-아이오도벤젠 26.7g (94.3mmol)을 넣고 를루엔 (313ml)을 가하여 용해 시킨 후 탄산칼륨 19.5g (141.5mmol)을 녹인 수용액 117ml를 첨가 시키고 교반 하였다. 여기에 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 1.09g(0.94mmol)을 가한 후 질소분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반응 종료 후 에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슴 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물올 n-핵산 / 디클로로메탄 (9: 1 부피비)으로 실리카 겔 컬럼
크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-18을 39.5g (수율 92%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치 : 454.04g/mol, 측정치 : M+ = 454.12g/mol, M+2 = 456.1 lg/mol) 증간체 M-19의 합성
Figure imgf000128_0001
M- 1 9
등근 바닥 플라스크에 4-디 벤조퓨란보론산 20g(94.3mmol), 메틸 2-브로모 -5- 클로로벤조에이트 23.5g (94.3mmol)을 넣고 를루엔 (313ml)을 가하여 용해 시킨 후 탄산칼륨 19.5g (141.5mmol)을 녹인 수용액 117ml를 첨가 시키고 교반 하였다. 여기에 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 L09g(0.94mmol) 을 가한 후 질소분위기하에서 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반웅 종료 후
에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슴 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 에틸아세테 이트 (9:1 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 증간체 M-19를 30g (수율 94%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치： 336.06g/mol, 측정치： M+ = 336.18g/mol)
중간체 M-20의 합성
Figure imgf000128_0002
WM9 M-20
가열 감압 건조한 등근 바닥 풀라스크에 M-19 29g(86mmol)올 넣고 무수 디에틸에테르 (430ml)을 가하여 용해 시키고 OoC로 넁각한 후 질소분위기하에서 교반 하였다. 여기에 3.0M 메틸마그네슘 브름마이드 디에틸에테르 용액
72ml(215mmol)을 천천히 가한 후 상은， 질소분위기하에서 12시간 동안 교반 하였다. 반웅액을 OoC로 냉각하고 소량의 증류수를 가하여 반웅올 종료시 킨 후 2.0M 암모늄 클로라이드 수용액 108ml를 가하고 디에틸에테르로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 추가 정제하지 않고 다음반응에 사용하였고, 목적 화합물인 중간체 M-20을 28.7g (수율 99%)을 수득 하였다. LC-Mass (이론치 : 336.09g/mol, 측정치 : M+ = 336.15g/mol)
중간체 M-21의 합성
Figure imgf000129_0001
M-20 M-21
가열 감압 건조한 둥근 바닥 플라스크에 M-20 28.7g(85.1mmol)을 넣고 무수 디클로로메탄 (255ml)을 가하여 용해 시키고 OoC로 넁각한 후
질소분위 기하에서 교반 하였다. 여기에 보론트리-풀루오라이드
디에틸이써 레이트 12.1g(85.1mmol)을 천천히 가한 후 상온, 질소분위기하에서 4시간 동안 교반 하였다. 반응액을 OoC로 넁각하고 소량의 증류수를 가하여 반응을 종료시킨 후 1.0M 중탄산나트륨 수용액 85ml를 가하고
디클로로메탄으로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (9:1 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-21올 20.1g (수율 74%)올 수득 하였다.
LC-Mass (이론치： 318.08g/mol, 측정치 : M+ = 318.15g/mol)
중간체 M-22의 합성
Figure imgf000129_0002
M-22
둥근 바닥 플라스크에 4-디벤조퓨란보론산 20g(94.3mmol), 메틸 2-브로모 -4- 클로로벤조에 이트 23.5g (94.3mmol)을 넣고 를루엔 (313ml)을 가하여 용해 시킨 후 탄산칼륨 19.5g (141.5mmol)을 녹인 수용액 117ml를 첨가 시키고 교반 하였다. 여기에 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 1.09g(0.94mmol) 을 가한 후 질소분위 기하에서 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반응 종료 후
에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물올 n-핵산 / 에틸아세테이트 (9:1 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-22를 30.2g (수율 95%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치： 336.06g/mol, 측정치： M+ = 336.14g/mol)
중간체 M-23의 합성
Figure imgf000130_0001
M-22 M-23
가열 감압 건조한 등근 바닥 플라스크에 M-22 29g(86mmol)올 넣고 무수 디에틸에 테르 (430ml)을 가하여 용해 시키고 OoC로 냉각한 후 질소분위기하에서 교반 하였다. 여기에 3.0M 메틸마그네슘 브름마이드 디에틸에테르 용액
72ml(215rmnol)을 천천히 가한 후 상온, 질소분위기하에서 12시간 동안 교반 하였다. 반웅액을 OoC로 넁각하고 소량의 증류수를 가하여 반웅을 종료시킨 후 2.0M 암모늄 클로라이드 수용액 108ml를 가하고 디에틸에테르로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 추가 정제하지 않고 다음반웅에 사용하였고, 목적 화합물인 중간체 M-23을 28.7g (수율 99%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치： 336.06g/mol, 측정치： M+ = 336.14g/mol)
증간체 M-24의 합성
Figure imgf000130_0002
가열 감압 건조한 등근 바닥 플라스크에 M-23 28.7g(85.1mmol)을 넣고 무수 디클로로메탄 (255ml)올 가하여 용해 시키고 OoC로 냉각한 후
질소분위 기하에서 교반 하였다. 여기에 보론트리-플루오라이드
디에틸이써 레이트 12.1g(85.1mmoI)을 천천히 가한 후 상은, 질소분위기하에서 4시간 동안 교반 하였다. 반응액을 OoC로 냉각하고 소량의 증류수를 가하여 반응을 종료시킨 후 1.0M 증탄산나트륨 수용액 85ml를 가하고
디클로로메탄으로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물올 n-핵산 /디클로로메탄 (9: 1 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-24를
20.6g (수율 76%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치 : 318.08g/mol, 측정치 : M+ = 318.19g/mol)
중간체 M-25의 합성
Figure imgf000131_0001
등근 바닥 플라스크에 4-디벤조티오펜보론산 2L5g(94.3mmol), 메틸 2-브로모- 5-클로로 벤조에 이트 23.5g (94.3mmol)을 넣고 틀루엔 (313ml)을 가하여 용해 시킨 후 탄산칼륨 19.5g (141.5mmol)을 녹인 수용액 117ml를 첨가 시키고 교반 하였다. 여기에 테트라키스트리페닐포스핀-팔라듐 1.09g(0.94mmol) 을 가한 후 질소분위기하에서 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반응 종료 후
에틸아세테 이트로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축 하였다. 생성물을 n-핵산 / 에틸아세테이트 (9: 1 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-25를
3 6g (수율 95%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치： 352.03g/mol, 측정치： M+ = 352.08g/mol)
중간체 M-26의 합성
Figure imgf000131_0002
가열 감압 건조한 등근 바닥 플라스크에 M-25 30.3g(86mmol)을 넣고 무수 디에틸에 테르 (430ml)을 가하여 용해 시키고 OoC로 넁각한 후
질소분위기하에서 교반 하였다. 여기에 3.0M 메틸마그네슘 브름마이드 디에 틸에테르 용액 72ml(215rmnol)을 천천히 가한 후 상온， 질소분위기 하에서
12시간 동안 교반 하였다. 반웅액을 OoC로 넁각하고 소량의 증류수를 가하여 반응을 종료시킨 후 2.0M 암모늄 클로라이드 수용액 108ml를 가하고 디에틸에 테르로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 추가 정제하지 않고 다음반웅에 사용하였고, 목적 화합물인 중간체 M-26을 30g (수율 99%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치： 352.07g/mol, 측정치： M+ = 352.09g/mol)
증간체 M-27의 합성
Figure imgf000132_0001
가열 감압 건조한 등근 바닥 플라스크에 M-26 30g(85.1mmol)을 넣고 무수 디클로로메탄 (255ml)을 가하여 용해 시키고 OoC로 넁각한 후
질소분위기하에서 교반 하였다. 여기에 보론트리-플루오라이드
디에틸이써 레이트 12.1g(85.1mmol)을 천천히 가한 후 상은, 질소분위기하에서 4시간 동안 교반 하였다. 반응액을 OoC로 냉각하고 소량의 증류수를 가하여 반응을 종료시킨 후 1.0M 중탄산나트륨 수용액 85ml를 가하고
디클로로메탄으로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다ᅳ 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (9:1 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 증간체 M-27을 21.4g (수율 75%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치： 334.06g/mol, 측정치 : M+ = 334.13g/mol)
증간체 M-28의 합성
Figure imgf000133_0001
등근 바닥 플라스크에 4-디벤조티오펜보론산 21.5g(94.3mmol), 메틸 2-브로모- 4-클로로 벤조에 이트 23.5g (94.3mmol)을 넣고 를루엔 (313ml)을 가하여 용해 시킨 후 탄산칼륨 19.5g (141.5mmol)을 녹인 수용액 117ml를 첨가 시키고 교반 하였다. 여기에 테트라키스트리페닐포스핀-팔라듐 1.09g(0.94mmol) 을 가한 후 질소분위기하에서 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반응 종료 후
에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슴 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축 하였다. 생성물을 n-핵산 / 에틸아세테이트 (9:1 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-28을 31g (수율 93%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치： 352.03g/mol, 측정치 : M+ = 352.07g/mol)
중간체 M-29의 합성
Figure imgf000133_0002
가열 감압 건조한 둥근 바닥 플라스크에 M-28 30.3g(86mmol)을 넣고 무수 디에틸에테르 (430ml)을 가하여 용해 시키고 OoC로 넁각한 후
질소분위기하에서 교반 하였다. 여기에 3.0M 메틸마그네슘 브름마이드 디에틸에 테르 용액 72ml(215mmol)올 천천히 가한 후 상온， 질소분위기 하에서 12시간 동안 교반 하였다. 반응액을 OoC로 냉각하고 소량의 증류수를 가하여 반옹을 종료시킨 후 2.0M 암모늄 클로라이드 수용액 108ml를 가하고
디에틸에 테르로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 추가 정제하지 않고 다음반웅에
사용하였고， 목적 화합물인 증간체 M-29를 30g (수율 99%)을 수득 하였다. LC-Mass (이론치： 352.07g/mol, 측정치 : M+ = 352.2 lg/mol)
중간체 M-30의 합성
Figure imgf000134_0001
M-29 M-30
가열 감압 건조한 둥근 바닥 풀라스크에 M-29 30g(85.1mmol)을 넣고 무수 디클로로메탄 (255ml)을 가하여 용해 시키고 OoC로 냉각한 후
질소분위기하에서 교반 하였다. 여기에 보론트리-플루오라이드
디에틸이써 레이트 12.1g(85.1mmol)을 천천히 가한 후 상은, 질소분위기하에서 4시간 동안 교반 하였다. 반웅액을 OoC로 냉각하고 소량의 증류수를 가하여 반웅을 종료시킨 후 1.0M 중탄산나트륨 수용액 85ml를 가하고
디클로로메탄으로 추출 후 추출액을 마그네슴 설페 이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (9:1 부피 비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-30을 21.1g (수율 74%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치： 334.06g/mol, 측정치 : M+ = 334.16g/mol)
중간체 M-31의 합성
Figure imgf000134_0002
둥근바닥풀라스크에 중간체 M-2 31.9g(64.7mmol)과 아세트아미드
1.74g(29.4mmol), 탄산칼륨 17.3g(l 17.6mmol)을 넣고 자일렌 130ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 요오드화구리 (I) U2g (5.88mmol)과 Ν,Ν- 디메틸에틸렌디아민 1.04g(11.8mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 48시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 틀루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /에틸아세테이트 (7:3 부피비)으로 실리카 겔 컬럼
크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 M-31을 14g (수율 93%)올 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 575.14g/mol, 측정치 : M+ = 575.3 lg/mol)
중간체 M-32의 합성
Figure imgf000135_0001
통근바닥플라스크에 중간체 M-31 13g(25.2mmol)과 수산화칼륨
4.2g(75.6mmol)을 넣고 테트라하이드로퓨란 80ml와 에탄올 80mL올 가하여 용해 시켰다. 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 반응액을 감압 농축한 후 디클로메탄과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조， 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (7:3 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 M-32을 12.1g (수율 90%)올 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 533.13g/mol, 측정치 : M+ = 533.26g/mol)
중간체 M-33의 합성
Figure imgf000135_0002
가열 감압 건조한 등근 바닥 플라스크에 M-19 29g(86mmol)을 넣고 무수 디에틸에테르 (430ml)올 가하여 용해 시키고 OoC로 넁각한 후 질소분위기하에서 교반 하였다. 여기에 3.0M 페닐마그네슘 브로마이드 디에틸에테르 용액
72ml(215mmoI)을 천천히 가한 후 상온, 질소분위기하에서 12시간 동안 교반 하였다. 반응액을 OoC로 냉각하고 소량의 증류수를 가하여 반응을 종료시킨 후 2.0M 암모늄 클로라이드 수용액 108ml를 가하고 디에틸에테르로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액올 감압 농축하였다. 생성물을 추가 정제하지 않고 다음반웅에 사용하였고， 목적 화합물인 중간체 M-33을 39.2g (수율 99%)올 수득 하였다.
LC-Mass (이론치： 460· 12g/mol, 측정치 : M+ = 460.26g/mol) 중간체 M-34의 합성
Figure imgf000136_0001
가열 감압 건조한 등근 바닥 플라스크에 M-33 39.2g(85.1mmol)을 넣고 무수 디클로로메탄 (255ml)을 가하여 용해 시키고 OoC로 냉각한 후
질소분위기하에서 교반 하였다. 여기에 보론트리-플루오라아드
디에 틸이써 레이트 12.1g(85.1mmol)을 천천히 가한 후 상온， 질소분위기하에서 4시간 동안 교반 하였다. 반응액을 OoC로 냉각하고 소량의 증류수를 가하여 반웅을 종료시킨 후 1.0M 중탄산나트튬 수용액 85ml를 가하고
디클로로메탄으로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (9:1 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-21을 26.4g (수율 70%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치： 442.1 lg/mol, 측정치 : M+ = 442.32g/mol)
중간체 M-35의 합성
Figure imgf000136_0002
M-35
등근 바닥 플라스크에 4-디벤조퓨란보론산 20g(94.3mmol), 2-브로모니트로- 벤젠 19.05g (94.3mmol)을 넣고 를루엔 (313ml)을 가하여 용해 시킨 후 탄산칼륨 19.5g (141.5mmol)을 녹인 수용액 117ml를 첨 가 시키고 교반 하였다. 여 기에 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 1.09g(0.94mmol) 을 가한 후 질소분위기하에서 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반웅 종료 후 에틸아세테이트로 추출 후 추출액올 마그네슘 설페 이트로 건조 및 여과하고 여과액올 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 에틸아세테이트 (9:1 부피비)으로 실리카 겔 컬럼
크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-35를 25.4g (수율 93%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치： 289.07g/mol, 측정치： M+ = 289.16g/mol)
중간체 M-36의 합성
Figure imgf000137_0001
M-36
등근 바닥 플라스크에 4-디벤조티오펜보론산 21.5g(94.3mmol), 2-브로모- 니트로벤젠 19.05g (94.3mmol)을 넣고 를루엔 (313ml)을 가하여 용해 시킨 후 탄산칼륨 19.5g (141.5mmol)을 녹인 수용액 1 17ml를 첨가 시키고 교반 하였다. 여기에 테트라키스트리페닐포스핀-팔라듐 1.09g(0.94mmol) 을 가한 후 질소 분위기하에서 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반웅 종료 후 에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슴 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축 하였다. 생성물을 n-핵산 / 에틸아세테 이트 (9:1 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-25를 27.4g (수율 95%)올 수득 하였다.
LC-Mass (이론치： 305.05g/mol, 측정치 : M+ =: 305.29g/mol)
중간체 M-37의 합성
Figure imgf000137_0002
등근 바닥 플라스크에 중간체 M-35 25g(86.4mmol),트리페닐포스핀 45.3g (173mmol)을 넣고 디클로로벤젠 (260ml)을 가하여 용해 시킨 후 질소
분위기하에서 24시간 동안 170oC로 교반 하였다. 반응 종료 후 를루엔과 증류수로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축 하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (7:3 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-37을 16.7g (수율 75%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치： 257.08g/mol, 측정치 : M+ = 257.21g/mol) 중간체 M-38의 합성
Figure imgf000138_0001
등근 바닥 플라스크에 중간체 M-36 26.4g(86,4mmol),트리페닐포스핀 45.3g (173mmol)을 넣고 디클로로벤젠 (260ml)을 가하여 용해 시 킨 후 질소분위기 하에서 24시간 동안 170oC로 교반 하였다. 반응 종료 후 를루엔과 증류수로 추출 후 추출액을 마그네슴 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축 하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (7:3 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-37올 17.5g (수율 74%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치： 273.06g/mol, 측정치 : M+ = 273.19g/mol)
중간체 M-39의 합성
Figure imgf000138_0002
등근바닥플라스크에 중간체 M-37 16g(62.2mmol)과 브로모벤젠
14.6g(93.3mmol), 소디움 t-부록사이드 9.0g(93.3mmol)을 넣고 를루엔 190 ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 1.07g (1.87mmol)과 트리-터셔리 -부틸포스핀 1.13g(5.60mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 24시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층올 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 M-39를 17.6g (수율 85%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치 : 333.12g/mol, 측정치 : M+ = 333.16g/mol)
증간체 M-40의 합성
Figure imgf000139_0001
등근바닥플라스크에 중간체 M-38 17g(62.2mmol)과 브로모벤젠 14.6g
(93.3mmol), 소디움 tᅳ부톡사이드 9.0g(93.3mmol)을 넣고 톨루엔 190 ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 1.07g (1.87mmol)과 트리-터셔 리 -부틸포스핀
1.13g(5.60mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 24시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층올 마그네슴 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 M-39를 18g (수율 83%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 349.09g/mol, 측정치 : M+ = 349.13g/mol)
중간체 M-41의 합성
Figure imgf000139_0002
가열 감압 건조한 등근 바닥 풀라스크에 M-39 21.1g(63.3mmol)을 넣고 무수 테트라하이드로퓨란 (190ml)을 가하여 용해 시키고 -20oC로 넁각한 후 질소분위기하에서 교반 하였다. 여기에 2.5M n-부틸리튬 노르말 핵산 용액
3 hnl(76mmol)을 천천히 가한 후 상은， 질소분위기하에서 6시간 동안 교반 하였다. 반웅액을 -20oC로 넁각하고 여기에 트리 이소프로필보레이트
14.3g(76mmol)을 천천히 가한 후 상은, 질소분위기하에서 6시간 동안 교반 하였다. 반응액을 OoC로 냉각하고 여기에 소량의 증류수를 가하여 반응을 종료시킨 후 2.0M 염산 수용액 114ml를 가하고 디에틸에테르로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 잔사를 아세톤에 녹인후 n-핵산을 가하여 재결정하였다. 생성된 고체를 감압 여과하여 목적 화합물인 중간체 M-41을 17.0g (수율 71%)을 수득 하였다. LC-Mass (이론치 : 377J2g/mol, 측정치 : M+ = 377.15g/mol)
중간체 M-42의 합성
Figure imgf000140_0001
등근 바닥 풀라스크에 M-41 35.6g(94.3mmol), 1-브로모 -4-아이오도벤젠 26.7g (94.3mmol)을 넣고 를루엔 (313ml)올 가하여 용해 시 킨 후 탄산칼륨 19.5g (141.5mmol)을 녹인 수용액 117ml를 첨가 시키고 교반 하였다. 여기에 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 1.09g(0.94mmol)을 가한 후 질소분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반응 종료 후 에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (9:1 부피비)으로 실리카 겔 컬럼
크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-42를 41.4g (수율 90%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치： 487.06g/mol, 측정치： M+ = 487.13g/mol, M+2 = 489.19g/mol) 중간체 M-43의 합성
Figure imgf000140_0002
둥근바닥폴라스크에 중간체 M-40 18g(51.5mmol)을 넣고 디클로로메탄 160 ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Ν,Ν-디 메틸포름아미드 45mL에 녹인 N- 브로모숙신이미드 9.17g(51.5mmol)를 OoC에서 천천히 적하하였다. 반응액을 실온으로 승은한 후 질소 분위기 하에서 8시간 동안 교반 시킨다. 반웅 종료 후 탄산칼륨 수용액을 가하고 디클로로메탄과 중류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조， 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 / 디클로로메탄 (8:2 .부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 M-43을 15.9g (수율 72%)을 수득하였다. LC-Mass (이론치： ^ 측정치 : M+ = 427.12g/mol, M+2 =429.23) 중간체 M-44의 합성
Figure imgf000141_0001
등근 바닥 플라스크에 4-디벤조퓨란보론산 20g(94.3mmol), 2-브로모 -4- 클로로니트로벤젠 22.3g (94.3mmol)을 넣고 를루엔 (313ml)을 가하여 용해 시킨 후 탄산칼륨 19.5g (141.5mmol)을 녹인 수용액 1 17ml를 첨가 시키고 교반 하였다. 여기에 테트라키스트리페닐포스핀팔라듬 1.09g(0.94mmol) 을 가한 후 질소분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반웅 종료 후
에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다ᅳ 생성물을 n-핵산 / 에틸아세테이트 (9: 1 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-44를 27.8g (수율 91%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치： 323.03g/mol, 측정치 : M+ = 323.18g/mol)
중간체 M-45의 합성
Figure imgf000141_0002
둥근 바닥 플라스크에 중간체 M-44 28g(86.4mmol)，트리페닐포스핀 45.3g (173mmol)을 넣고 디클로로벤젠 (260ml)을 가하여 용해 시킨 후 질소분위기 하에서 24시간 동안 170oC로 교반 하였다. 반응 종료 후 틀루엔과 중류수로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액올 감압 농축 하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (7:3 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-45를 18.1g (수율 72%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치 : 291.05g/mol, 측정치 : M+ = 291.13g/mol)
중간체 M-46의 합성
Figure imgf000142_0001
둥근바닥플라스크에 중간체 M-45 18g(61.7mmol)과 아이오도벤젠 19g
(93.3mmol), 탄산칼륨 12.9g(93.3mmol)을 넣고 디클로로벤젠 190 ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 구리 파우더 0.39g (6.17mmol)과 18-크라운 -6-에테르 1.63g(6.17mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 24시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조， 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (8 :2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정 제하여 목적 화합물인 M-46을 19.3g (수율 85%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 367.08g/mol, 측정치 : M+ = 367.16g/mol)
중간체 M-47의 합성
Figure imgf000142_0002
등근바닥플라스크에 중간체 M-37 16g(62.2mmol)과 4-브로모 -4，-요오도비페닐 33.5g(93.3mmol), 소디움 t-부톡사이드 9.0g(93.3mmol)을 넣고 를루엔 190 ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 1.07g (1.87mmol)과 트리-터셔리 -부틸포스핀 U3g(5.60mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 24시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슴 설페이트로 건조， 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 M-47을 21.6g (수율 71%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 487.06g/mol, 측정치： M+ = 487.24g/mol)
중간체 M-48의 합성
Figure imgf000143_0001
등근바닥풀라스크에 중간체 M-38 17g(62.2mmol)과 4-브로모 -4，-요오도비페닐 33.5g(93.3mmol), 소디움 t-부톡사이드 9.0g(93.3mmol)을 넣고 를루엔 190 ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 1.07g (1.87mmol)과 트리 -터셔 리 -부틸포스핀 U3g(5.60mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 24시간 동안 환류 교반 시킨다. 반웅 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 M-48을 22g (수율 70%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 503.03g/mol, 측정치： M+ = 503.33g/mol)
실시예 1 : 화합물 F-94로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000143_0002
등근바닥플라스크에 중간체 M-1 10g(30.9mmol)과 비스 (4-바이페닐)아민 9.9g(30.9mmol), 소디움 t-부특사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리 -터셔 리- 부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반 시킨다. 반웅 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슴 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 F-94를 16g (수율 92%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 563.22g/mol, 측정치 : M+ = 563.28g/mol)
실시예 2 : 화합물 G-94 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000144_0001
둥근바닥풀라스크에 중간체 M-2 1으 5g(3a9mmol)과 비스 (4-바이페닐)아민 9.9g(30.9mmol), 소디움 t-부록사이드 4.5g(46.35mmol)올 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리 -터셔리- 부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슴 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 G-94를 16.8g (수율 94%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 579.20g/mol, 측정치： M+ = 579.32g/mol)
실시 예 3 : 화합물 F-99 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000144_0002
등근바닥플라스크에 중간체 M-1 10g(30.9mmol)과 바이페닐 -4-yl-(9,9-디메틸- 9H-플루오렌 -2-일) -아민 11.2g(30.9mmol), 소디움 t-부톡사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기쎄 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리-터셔리 -부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반 시킨다. 반옹 종료 틀루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조， 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼
크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 F-99를 17.2g (수율 92%)을
수득하였다.
LC-Mass (이론치： 603.26g/mol, 측정치 : M+ = 603.3 lg/mol) 실시예 4 : 화합물 G-99 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000145_0001
둥근바닥플라스크에 중간체 M-2 10.5g(30.9mmol)과 바이페닐 -4-yl-(9,9-디메틸- 9H-플루오렌 -2-일) -아민 11.2g(30.9mmol), 소디움 t-부톡사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리-터셔리 -부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반 시킨다. 반웅 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼
크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 G-99를 17.6g (수율 92%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 619.23g/mol, 측정치： M+ = 619.34g/mol)
실시예 5 : 화합물 1-1 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000145_0002
등근바닥폴라스크에 중간체 M-1 15g(46.4mmol)과 4-아미노바이페닐
3.9g(23.2mmol), 소디움 t-부톡사이드 6.7g(69.6mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.53g (0.928mmol)과 트리 -터셔리- 부틸포스핀 0.38g(1.86mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반 시 킨다. 반웅 종료 후 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슴 설페이트로 건조， 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 1-1을 흰색 고체로 13.7g (수율 90%)을 수득하였다. LC-Mass (이론치： 653.24g/mol, 측정치 : M+ = 653.3 lg/mol)
실시예 6 : 화합물 1-3 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000146_0001
둥근바닥플라스크에 중간체 M-2 15.7g(46.4mmol)과 2-아미노 -9,9-디메틸 -9H- 플루오렌 4.86g (23.2mmol), 소디움 t-부톡사이드 6.7g(69.6mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.53g (0.928mmol)과 트리 -터셔 리- 부틸포스핀 0.38g(1.86mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반 시 킨다. 반응 종료 후 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 / 디클로로메탄 (8:2 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 1-3를 흰색 고체로 15.5g (수을 92%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 725.22g/mol, 측정치： M+ = 725.36g/mol)
실시예 7 : 화합물 G-140 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000146_0002
둥근바닥플라스크에 중간체 M-7 13.2g(30.9mmol)과 1-브로모나프탈렌
6.4g(30.9mmol), 소디움 t-부톡사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리 -터셔 리- 부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슴 설페이트로 건조, 여과하고 여과액올 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 G-140을 15.9g (수율 93%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 553· 19g/mol, 측정치 : M+ =: 553.29g/mol)
실시예 8 : 화합물 1-13 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000147_0001
등근바닥플라스크에 중간체 M-7 13.2g(30.9mmol)과 M-1 10g(30.9mmol), 소디윰 t-부록사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리-터셔 리 -부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반 시킨다. 반웅 종료 틀루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슴 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 1-13을 18.6g (수율 90%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 669.21g/niol, 측정치 : M+ = 669.36g/mol)
실시예 9 : 화합물 1-29 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000147_0002
등근바닥플라스크에 중간체 M-4 13.7g(46.4ramol)과 4-아미노바이페닐
3.9g(23.2mmol 소디움 t-부특사이드 6.7g(69.6mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.53g (0.928mmol)과 트리 -터셔 리- 부틸포스핀 0.38g(1.86mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 18 시간 동안 환류 교반 시킨다. 반웅 종료 후 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조， 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 1-29를 흰색 고체로 14g (수율 88%)을 수득하였다. LC-Mass (이론치： 685.19g/tnol, 측정치 : M+ = 685.26g/mol)
실시예 10 : 화합물 1-30 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000148_0001
둥근바닥플라스크에 중간체 M-3 8.6g(30.9mmol)과 M-8 12.4g(30.9mmol), 소디움 t-부특사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시 켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리-터셔 리 -부틸포스핀
0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반웅 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슴 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (8:2 부피 비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정 제하여 목적 화합물인 1-30을 17.9g (수율 90%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 643.20g/mol, 측정치 : M+ = 643.29g/mol)
실시예 11 : 화합물 1-43 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000148_0002
등근바닥플라스크에 중간체 M-2 10.5g(30.9mmol)과 M-32 16.5g(30.9mmol): 소디움 t_부록사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 틀루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리-터셔 리 -부틸포스핀
0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반웅 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조， 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 1-43을 22.5g (수율 92%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치 : 79U8g/mol, 측정치 : M+ = 79L23g/mol)
실시예 12 : 화합물 C-1 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000149_0001
등근바닥플라스크에 중간체 M-21 9.9g(30.9mmol)과 비스 (4-바이페닐)아민 9.9g(30.9mmol), 소디움 t-부특사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 (U78g (0.3 hnmol)과 트리 -터셔리- 부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조， 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 C-1을 17.0g (수율 91%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 603.26g/mol, 측정치 : M+ =: 603.30g/mol)
실시예 13 : 화합물 C-2 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000149_0002
등근바닥플라스크에 중간체 M-21 9.9g (30.9mmol)과 바이페닐 -4-yl-(9,9-디메틸- 9H-플루오렌 -2-일) -아민 11.2g(30.9mmol), 소디움 t-부특사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 틀루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.3 hnmol)과 트리-터셔리 -부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반웅 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 C-2를 18.1g (수율 91%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 643.29g/mol, 측정치 : M+ =: 643.38g/mol)
실시예 14 : 화합물 C-34 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000150_0001
등근바닥플라스크에 중간체 M-21 9.9g(30.9mmol)과 중간체 M-32
16.5g(30.9mmol), 소디움 t-부톡사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리 -터셔리- 부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정 제하여 목적 화합물인 C-34를 22.7g (수율 90%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 815.23g/mol, 측정치 : M+ = 815.41g/mol)
실시예 15 : 화합물 C-5 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000150_0002
등근바닥플라스크에 중간체 M-27 10.3g(30.9mmol)과 비스 (4-바이페닐)아민 9.9g(30.9mmol), 소디움 t-부톡사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 틀루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.3 hnmol)과 트리 -터셔 리- 부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 C-5를 17.2g (수율 90%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 619.23g/mol, 측정치： M+ = 619.33g/mol)
실시 예 16 : 화합물 C-6 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000151_0001
등근바닥플라스크에 중간체 M-27 l().3g (30.9mmol)과 바이페닐 -4-yl-(9,9- 디메틸 -9H-풀루오렌 -2-일) -아민 U.2g(30.9mmol), 소디움 t-부록사이드
4.5g(46.35mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리-터셔 리 -부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시 킨다. 반웅 종료 틀루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 C-6을 18.1g (수율 89%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 659.26g/mol, 측정치 : M+ = 659.3 lg/mol)
실시예 17 : 화합물 C-3 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000151_0002
등근바닥플라스크에 중간체 M-34 13.7g(30.9mmol)과 비스 (4-바이페닐)아민 9.9g(30.9mmol), 소디움 t-부특사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여 기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리 -터셔 리- 부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층올 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 C-3을 19.8g (수율 88%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 727.29g/mol, 측정치： M+ = 727.4 lg/mol)
실시 예 18 : 화합물 C-T7 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000152_0001
등근바닥플라스크에 중간체 M-34 13.7g(30.9mmol)과 바이페닐 -4-일 -페닐 아민 7.6g(30.9mmol), 소디움 t-부톡사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시 켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.n8g (0.31mmol)과 트리 -터셔리- 부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반웅 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 C-77을 18.3g (수율 91%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치 : 651.26g/mol, 측정치 : M+ = 651.44g/mol)
실시예 19 : 화합물 C-20 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000152_0002
등근바닥플라스크에 중간체 M-27 10.3g(30.9mmol)과 중간체 M-5
12.7g(30.9mmol), 소디움 t-부톡사이드 4.5g(46.35mmol)올 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시 켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리 -터셔리- 부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반웅 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층올 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 C-20을 19.3g (수율 88%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 709.24g/mol, 측정치 : M+ = 709.3 lg/mol)
실시예 20 : 화합물 E-4 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000153_0001
둥근바닥풀라스크에 중간체 M-24 9.9g(30.9mmol)과 비스 (4-바이페닐)아민 9.9g(30.9mmol), 소디음 t-부톡사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 를루엔 155ml올 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리 -터셔 리- 부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반웅 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조， 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 E-4를 16.6g (수율 89%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： ^S eg/mol^ 측정치 : M+ = 603.29g/mol)
실시예 21 : 화합물 E-3 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000153_0002
등근바닥플라스크에 중간체 M-24 9.9g(30.9mmol)과 바이페닐 -4ᅳ일 -페닐 아민 7.6g(30.9mmol), 소디움 t-부톡사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 톨루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리 -터셔 리- 부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액올 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 E-3를 14.7g (수율 90%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 527·2¾/ιηο1, 측정치： Μ+ = 527.32g/mol)
실시예 22 : 화합물 E-9 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000154_0001
등근바닥플라스크에 중간체 M-24 9.9g (30.9mmol)과 바이페닐 -4-yl-(9,9-디메틸- 9H-플루오렌 -2-일) -아민 11.2g(30.9mmol), 소디움 t-부톡사이드 4.5g(46.35mmol)올 넣고 를루엔 155ml올 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리-터셔리 -부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼
크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 E-9를 17.7g (수율 89%)을
수득하였다.
LC-Mass (이론치 : 643.29g/mol, 측정치： M+ = 643.34g/mol)
실시예 23 : 화합물 E-97 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000154_0002
등근바닥풀라스크에 중간체 M-24 9.9g (30.9mmol)과 중간체 M-7
13.2g(30.9mmol), 소디움 t-부특사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 롤루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리 -터셔리- 부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슴 설페 이트로 건조， 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 / 디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 E-97을 19.7g (수율 90%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 709.24g/mol, 측정치： M+ = 709.33g/mol)
실시예 24 : 화합물 E-20 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000155_0001
등근바닥플라스크에 중간체 M-30 10.4g(30.9mmol)과 비스 (4-바이페닐)아민 9.9g(30.9mmol), 소디움 t-부특사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리 -터셔 리- 부틸포스핀 ai25g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반웅 종료 틀루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페 이트로 건조， 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물올 n- 핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 E-20을 16.7g (수율 87%)올 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 619.23g/mol, 측정치： M+ = 619.29g/mol)
실시예 25 : 화합물 E-19 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000155_0002
등근바닥플라스크에 중간체 M-30 10.4g(30.9mmol)과 바이페닐 -4-일 -페닐 아민 7.6g(30.9mmol), 소디움 t-부톡사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리 -터셔 리- 부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)올 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 nᅳ 핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 E-19를 15.3g (수율 91%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 543.20g/mol, 측정치 : M+ = 543.36g/mol)
실시예 26 : 화합물 E-25 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000156_0001
등근바닥풀라스크에 중간체 M-30 10.4g (30.9mmol)과 바이페닐 -4-yl-(9,9- 디 메틸 -9H-플루오렌 -2-일) -아민 11.2g(30.9mmol), 소디움 t-부톡사이드
4.5g(46.35mmol)올 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리-터셔리 -부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 E-25를 17.7g (수율 87%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 659.26g/mol, 측정치 : M+ = 659.3 lg/mol)
실시예 27 : 화합물 E-23 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000156_0002
등근바닥플라스크에 증간체 M-30 10.4g (30.9mmol)과 (9,9-디메틸 -9H-플루오렌- 2-일)ᅳ페 닐 -아민 8.8g(30.9mmol), 소디음 t-부톡사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여 기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리 - 터셔리 -부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슴 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼
크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 E-23을 16.2g (수율 90%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 598.23g/mol, 측정치： M+ = 598.33g/mol)
실시예 28 : 화합물 A-97 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000157_0001
등근바닥플라스크에 중간체 M-13 13.6g(30.9mmol)과 바이페닐 -4-일 -페닐 아민 7.6g(30.9mmol), 소디움 t-부특사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리 -터셔리- 부틸포스핀 O.l25g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시 킨다. 반웅 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 A-97을 17.3g (수율 93%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 603.26g/mol, 측정치： = 603.29g/mol)
실시예 29 : 화합물 A-21 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000157_0002
등근바닥플라스크에 중간체 M-13 13.6g(30.9mmol)과 비스 (4-바이페닐)아민 9.9g(30.9mmol), 소디움 t-부특사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시 켰다. 여기 에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리 -터셔리- 부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)올 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조， 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 A-21을 19.1g (수율 91%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치 : 679.29g/mol, 측정치 : M+ = 679.32g/mol)
실시예 30 : 화합물 A-25 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000158_0001
등근바닥풀라스크에 중간체 M-13 13.6g (30.9mmol)과 바이페닐 -4-yl-(9,9- 디메틸 -9H-플루오렌 -2-일) -아민 11.2g(30.9mmol), 소디움 t-부특사이드
4.5g(46.35mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리-터셔리 -부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반웅 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조， 여과하고 여과액올 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정 제하여 목적 화합물인 A-25을 20.2g (수율 91%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 719.32g/mol, 측정치 : M+ = 719.42g/mol)
실시예 31 : 화합물 A-23 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000158_0002
둥근바닥플라스크에 중간체 M-18 14.1g(30.9mmol)과 비스 (4-바이페닐)아민 9.9g(30.9mmol), 소디움 t-부록사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리 -터셔 리- 부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층올 마그네슴 설페 이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 A-23을 19.8g (수율 92%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 695.26g/mol, 측정치 : M+ = 695.37g/mol)
실시예 32 : 화합물 A-27 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000159_0001
등근바닥플라스크에 중간체 M-18 14.1g (30.9mmol)과 바이페닐 -4-yl-(9,9- 디 메틸 -9H-플루오렌 -2-일) -아민 11.2g(30.9mmol), 소디움 t-부톡사이드
4.5g(46.35mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리-터셔 리 -부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시 킨다. 반웅 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슴 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 A-27을 20.9g (수율 92%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치 : 735.30g/mol, 측정치： M+ = 735.32g/mol)
실시 예 33 : 화합물 A-117 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000159_0002
등근바닥플라스크에 중간체 M-18 14.1g (30.9mmol)과 (9,9-디 메틸 -9H-플루오렌-
2-일) -페닐 -아민 8.8g(30.9mmol), 소디움 t-부톡사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (a31mmol)과 트 터셔 리 -부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼
크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 A-117을 18.6g (수율 91%)올 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 659.26g/mol, 측정치 : M+ = 659.36g/mol)
실시예 34 : 화합물 C-90 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000160_0001
등근바닥플라스크에 중간체 M-27 15.5g(46.4mmol)과 4-아미노바이페닐 3.9g(23.2mmol), 소디움 t-부톡사이드 6.7g(69.6mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.53g (0.928mmol)과 트리 -터셔 리- 부틸포스핀 0.38g(L86mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 18 시간 동안 환류 교반 시 킨다. 반웅 종료 후 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조， 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 / 디클로로메탄 (8:2 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 C-90을 흰색 고체로 15.3g (수율 86%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 765.25g/mol, 측정치 : ] 1+ = 765.39g/mol)
실시예 35 : 화합물 C-92 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000160_0002
등근바닥플라스크에 중간체 M-24 14.8g(46.4mmol)과 4-아미노바이페닐 3.9g(23.2nunol), 소디움 t-부특사이드 6.7g(69.6mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.53g (0.928mmol)과 트리ᅳ터셔리- 부틸포스핀 O.38g(1.86mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 18 시간 동안 환류 교반 시킨다. 반옹 종료 후 틀루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조， 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n- 핵산 / 디클로로메탄 (8:2 부피비) 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 C-92를 흰색 고체로 15.2g (수율 89%)올 수득하였다. LC-Mass (이론치： 733.30g/mol, 측정치 : M+ = 733.42g/mol)
실시예 36 : 화합물 B-13 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000161_0001
등근바닥풀라스크에 중간체 M-42 15.1g(30.9mmol)과 비스 (4-바이페닐)아민 9.9g(30.9mmol), 소디음 t-부톡사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리 -터셔리- 부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조， 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 B-13을 20.7g (수율 92%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 728.28g/mol, 측정치 : M+ = 728.2 lg/mol)
실시예 36： 화합물 D-1 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000161_0002
등근바닥폴라스크에 중간체 M-46 U.4g(30.9mmol)과 바이페닐 -4-yl-(9,9-디메틸- 9H-플루오렌 -2-일) -아민 11.2g(30.9mmol), 소디움 t-부톡사이드 4.5g(46.35mtnol)을 넣고 를투엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리-터셔리 -부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슴 설페이트로 건조， 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물올 n-핵산 / 디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼
크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 D-1을 18.8g (수율 88%)을
수득하였다.
LC-Mass (이론치 : 692.28g/mol, 측정치 : M+ = 692.16g/mol)
실시예 37 : 화합물 D-13 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000162_0001
등근바닥플라스크에 중간체 M-43 13.2g(30.9mmol)과 비스 (4-바이페닐)아민 9.9g(30.9mmol), 소디움 t-부특사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리 -터셔리- 부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 틀루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조， 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 D-13올 19.2g (수율 93%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치 : 668.23g/mol, 측정치 : M+ = 668.26g/mol)
실시예 38 ·. 화합물 K-79 로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000162_0002
등근바닥플라스크에 중간체 M-47 15.1g(30.9mmol)과 비스 (4-바이페닐)아민 9.9g(30.9mmol), 소디움 t-부톡사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여 기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리 -터셔리- 부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 4시간 동안 환류 교반 시킨다. 반웅 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슴 설페이트로 건조， 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 K-79를 19.2g (수율 91%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 728.28g/mol, 측정치 : M+ = 728.32g/mol)
실시예 39 : 화합물 K-283으로 표시되는 화합물의 제조
Figure imgf000163_0001
둥근바닥풀라스크에 중간체 M-48 15.6g(30.9mmol)과 바이페닐 -4-yl-(9,9-디메틸- 9H-플루오렌 -2ᅳ일) -아민 l L2g(30.9mmol), 소디움 t-부록사이드 4.5g(46.35mmol)을 넣고 를루엔 155ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.178g (0.31mmol)과 트리-터셔 리 -부틸포스핀 0.125g(0.62mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페 이트로 건조， 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼
크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 K-283을 21.8g (수율 90%)올 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 784.29g/mol, 측정치 : M+ = 734.36g/mol)
(유기발광소자의 제조)
녹색 유기 발광 소자의 제조
실시예 40
ITO (Indium tin oxide)가 1500A의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척 이 끝나면 이소프로필 알코을， 아세톤, 1 2
메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시 킨 후 플라즈마 세정기로 이송 시킨 다음 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정 한 후 진공 층착기로 기판을 이송하였다. 이 렇게 준비된 ITO 투명 전극을 양극으로 사용하여 ΠΌ 기판 상부에 HT-1을 진공 증착하여 700A두께의 정공 주입 및 수송층을 형성하였다. 이어서 실시 예 4에서 제조된 화합물을 사용하여 진공 증착으로 100 A 두께의 보조 정공 수송층을 형성하였다. 상기 보조 정공 수송층 상부에 (4,4'-Ν,Ν'-디카바졸)비페닐 [CBP]를 호스트로 사용하고 도판트로 트리스 (2-페닐피 리딘)이리듐 (ni) [Ir(ppy)3]를 5중량 %로 도핑하여 진공 증착으로 300 A 두께의 발광층을 형성하였다.
그 후 상기 발광층 상부에 비페녹시 -비스 (8-히드록시퀴놀린)알루미늄 [Balq]을 진공 증착하여 50A 두께의 정공저지층을 형성하였다. 상기 정공 저지층 상부에 트리스 (8-히드록시퀴놀린)알루미늄 [Alq3]을 진공 증착하여 250A두께의 전자수송층을 형성하고 상기 전자수송층 상부에 LiF lOA과 A1 1000A을 순차적으로 진공 증착하여 음극을 형성함으로써 유기발광소자를 제조하였다. 상기 유기발광소자는 5충의 유기박막층을 가지는 구조로 되어 있으며， 구체적으로
Al(1000A)/LiF(10A)/Alq3(250A)/Balq(50A)/EML[CBP:Ir(ppy)3=95:5^ 조 HTL(100A)/HT-1(700A)/ITO(1500A)의 구조로 제작하였다.
실시예 41
상기 실시 예 40에서, 실시 예 4 대신 실시 예 1 1을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 42
상기 실시 예 40에서, 실시 예 4 대신 실시 예 5를 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 43
상기 실시 예 40에서， 실시 예 4 대신 실시 예 3올 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 44
상기 실시 예 40에서, 실시 예 4 대신 실시 예 29를 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 45
상기 실시예 40에서, 실시예 4 대신 실시예 32를사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 46
상기 실시예 40에서， 실시예 4 대신 실시예 20을사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 47
상기 실시예 40에서， 실시예 4 대신 실시예 12를사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
비교예 1
상기 실시예 40에서， HT-1 대신 Ν,Ν，-디 (1-나프틸) -Ν,Ν'-디페닐벤지딘 [ΝΡΒ]를 사용하고，실시예 4 대신 Ν,Ν，-디 (1-나프틸) -Ν,Ν'-디페닐벤지딘 [ΝΡΒ]를사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
비교예 2
상기 실시예 40에서, HT-1 대신 Ν,Ν，-디 (1-나프틸) -Ν,Ν'-디페닐벤지딘 [ΝΡΒ]를 사용하고， 실시예 4 대신 트리스 (4,4',4"-(9-카르바졸릴)) -트리페닐아민 [TCTA]을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
비교예 3
상기 실시예 40에서, 실시예 4 대신 HT-1을사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로유기발광소자를 제조하였다.
적색 유기 발광소자의 제조
실시예 48
ΠΌ (Indium tin oxide)가 1500 A의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤， 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송 시킨 다음산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정 한후 진공 층착기로 기판을 이송하였다. 이렇게 준비된 ΠΌ 투명 전극을 양극으로 사용하여 ITO 기판상부에 4,4'-bis|^-[4-{N,N-bis(3-methylphenyl)aniino}-phenyl]- N-phenylamino]biphenyl [DNTPD]를 진공 증착하여 600 A두께의 정공 주입층을 형성하였다. 이어서 HT-1올 진공 증착으로 200A 두께의 정공 수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 상부에 실시 예 32에서 제조된 화합물을 사용하여 진공 증착으로 100 A 두께의 보조 정공 수송층을 형성하였다. 상기 보조 정공 수송층 상부에 (4,4'-Ν,Ν'-디카바졸)비페닐 [CBP]를 호스트로 사용하고 도판트로 비스 (2-페닐퀴놀린) (아세틸아세토네이트)이리듐 (III) [Ir(pq)2acac]를 7중량0 /0로 도핑하여 진공 증착으로 300 A 두께의 발광층을 형성하였다.
그 후 상기 발광층 상부에 비페녹시 -비스 (8-히드록시퀴놀린)알루미늄 [Balq]을 진공 증착하여 50A 두께의 정공저지층을 형성하였다. 상기 정공 저지층 상부에 트리스 (8-히드록시퀴놀린)알루미늄 [Alq3]을 진공 증착하여 250 A두께의 전자수송층을 형성하고 상기 전자수송층 상부에 LiF lOA과 A1 1000A을 순차적으로 진공 증착하여 음극을 형성함으로써 유기발광소자를 제조하였다. 상기 유기발광소자는 6층의 유기박막층을 가지는 구조로 되어 있으며 , 구체적으로
Al( 1000 A)/LiF( 10 A)/Alq3(250 A)/Balq(50 A)/EML[CBP: Ir(pq)2acac
=93:7](300 A)/보조 HTL(100 A)/HT-1(700 A)/ DNTPD(600 A)/ITO(1500 A)의 구조로 제작하였다.
실시예 49
상기 실시 예 48에서, 실시 예 32 대신 실시 예 28을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 50
상기 실시 예 48에서 , 실시 예 32 대신 실시 예 20을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 51
상기 실시 예 48에서, 실시 예 32 대신 실시 예 15를 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 52
상기 실시 예 48에서 , 실시 예 32 대신 실시 예 13을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 실시예 53
상기 실시예 48에서, 실시예 32 대신 실시예 3을사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 54
상기 실시예 48에서， 실시예 32 대신 실시예 6을사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 55
상기 실시예 48에서，실시예 32 대신 실시예 38을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 56
상기 실시예 48에서， 실시예 32 대신 실시예 39를사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로유기발광소자를 제조하였다.
비교예 4
상기 실시예 48에서， HT-1 대신 Ν,Ν'-디 (1-나프틸) -Ν,Ν'-디페닐벤지딘 [ΝΡΒ]를 사용하고, 실시예 32 대신 Ν,Ν'-디 (1-나프틸) -Ν,Ν'-디페닐벤지딘 [ΝΡΒ]를사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
비교예 5
상기 실시예 48에서， HT-1 대신 Ν,Ν'-디 (1-나프틸) -Ν,Ν'-디페닐벤지딘 [ΝΡΒ]를 사용하고, 실시예 32 대신 트리스 (4,4',4"-(9-카르바졸릴)) -트리페닐아민 [TCTA]을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
비교예 6
상기 실시예 48에서, 실시예 32 대신 HT-1을사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
상기 유기발광소자 제작에 사용된 DNTPD, ΝΡΒ, HT-1, TCTA, CBP, Balq, Alq3, Ir(ppy)3, Ir(pq)2acac 의 구조는 아래와 같다.
Figure imgf000168_0001
(제조된 화합물의 분석 및 특성 측정)
'H-NMR 결과 분석
상기 중간체 M-1 내지 M-46 화합물 및 실시 예 1 내지 37의 구조 분석을 위해 LC-MS를 이용하여 분자량을 측정하였고, 또한 CD2C12용매에 녹인 다음 300MHz NMR 장비를 이용하여 1H-NMR을 측정하였다.
상기 분석의 일 예로 실시 예 15인 C-5에 대한 1H-NMR 결과는 도 6에 나타내었고， 실시 예 31에서 제조된 A-23에 대한 1H-NMR 결과는 도 7에 나타내었다.
형광 특성 분석
상기 실시 예의 형광 특성을 측정하기 위해서 실시 예 화합물을 THF에 녹인 후 HITACHI F-4500을 이용하여 PL(photoluminescence) 파장을 측정하였다. 상기 실시 예 15 및 31에 대한 PL 파장 측정 결과를 도 8에 나타내었다.
전기화학적 특성 상기 실시예 4, 15, 17,20, 및 31의 화합물의 전기 화학적 특성올
사이클릭볼타메트리 (cyclic-voltammetry) 장비를 이용하여 측정하였으며, 그 값을 하기 표 1에 나타내었다.
[표 1]
Figure imgf000169_0001
상기 표 1을 참조 하면, 상기 실시예 4,15, 17,20， 및 31의 화합물은 정공 전달층 및 전자차단층으로사용될 수 있음을 알수 있다.
(유기발광소자의 성능측정)
상기 실시예 40 내지 56과 비교예 1 내지 6 에서 제조된 각각의
유기발광소자에 대하여 전압에 따른 전류밀도 변화, 휘도변화 및 발광효율을 측정하였다. 구체적인 측정방법은 하기와 같고, 그 결과는 하기 표 2 및 표 3에 나타내었다
(1) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화측정
제조된 유기발광소자에 대해， 전압을 0V부터 10V까지 상승시키면서 전류- 전압계 (Keithley2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고， 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.
(2) 전압변화에 따른 휘도변화측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V부터 10V까지 상승시키면서 휘도계 (Minolta Cs-IOOOA)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다.
(3) 발광효율 측정
상기 (1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동일 휘도 (cd/m2)에서의 전류 효율 (cd/A)을 계산하였다.
(4) 수명 측정 제조된 유기발광소자에 대해 폴라로닉스 수명 측정 시스템을 사용하여 실시 예 40 내지 47과 비교예 1 내지 3의 녹색 유기 발광 소자의 경우에는 초기 휘도 3,000nit로 발광시키고 시간 경과에 따른 휘도의 감소를 측정하여 초기 휘도 대비 1/2로 휘도가 감소된 시 점을 반감수명으로 하였고, 실시 예 48 내지 56와 비교예 4 내지 6의 적색 유기 발광 소자의 경우에는 초기 휘도 l,000nit로 발광시키고 시간 경과에 따른 휘도의 감소를 측정하여 초기 휘도 대비 80%로 휘도가 감소된 시점을 T80수명으로 측정하였다.
[표 2]
Figure imgf000170_0001
Figure imgf000171_0001
(구동전압 및 발광효율 l.OOOnit에서 측정)
상기 표 2의 결과에 따르면 녹색 인광 유기발광소자에서 보조정공수송층을 사용하지 않은 비교예 1 또는 비교예 3 대비 본 발명의 화합물을 보조 정공수송층으로 사용한 상기 실시 예 40 내지 47는 유기발광소자의 발광효율과 수명을 향상시킴을 알 수 있다. 특히 비교예 3 대비 본 발명의 실시 예는 발광효율이 최소 18%에서 최대 30% 이상 크게 상승하는 것을 알 수 있고, 종래에 알려져 있는 TCTA를 보조 정공수송층으로 사용한 비교예 2 대비 본 발명의 실시 예는 발광 소자 수명이 최소 20%에서 최대 50% 이상 상승하여 실제 소자의 상업화 측면에서 소자의 수명은 제품화의 가장 큰 문제 중 하나임올 고려할 때 상기 실시 예들의 결과는 소자를 제품화하여 상업화하기에 충분한 것으로 판단된다. .
[표 3]
Figure imgf000171_0002
Figure imgf000172_0001
(구동전압 및 발광효율 800nit에서 측정)
상기 표 3의 결과에 따르면 적색 인광유기발광소자에서 보조정공수송층을 사용하지 않은 비교예 4또는 비교예 6 대비 본 발명의 화합물을 보조 정공수송층으로 사용한상기 실시예 48 내지 56는 유기발광소자의 발광효율과 수명을 향상시킴올 알수 있다. 특히 비교예 4 대비 본 발명의 실시예는 발광효율이 최소 10%에서 최대 25% 이상크게 상승하는 것을 알수 있고， 종래에 알려져있는 TCTA를 보조 정공수송층으로사용한 비교예 5 대비 본 발명의 실시예는 발광효율이 최소 5%에서 최대 20% 이상상승하고， 발광소자 수명이 최소 23%에서 최대 38% 이상상승하며, 구동전압을 낮추어 적색 인광 소자의 전반적인 주요특성을 크게 향상 시킴올 알수 있다. 실제 소자의 상업화측면에서 소자의 수명은 제품화의 가장큰문제 중 하나임을 고려할 때 상기 실시예들의 결과는 소자를 제품화하여 상업화하기에 층분한 것으로 판단된다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
<부호의 설명 >
100: 유기발광소자 110: ᄋ 그
ᄆ —
120: 양극 105: Γκ 1 i"아 ~ι츠 ο
130: 발광층 140: 겨고 소
150: 전자수송층 160: 전자주입층
170: 정공주입층 230: 발광층 + 전자수송층

Claims

【청구의 범위】 【청구항 1】 양극， 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 형성된 적어도 한 층 이상의 유기박막층을 포함하고， 상기 유기박막층은 발광층， 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층， 전자주입층 또는 이들의 조합을 포함하고, 상기 유기 박막층은 발광층 및 복수의 정공수송층을 포함하고, 상기 복수의 정공수송층 중, 상기 발광층에 인접 한 정공수송층은 하기 화학식 1; 화학식 2 또는 3; 및 화학식 4의 조합으로 표시되는 화합물을 포함하며, 상기 발광층에 인접하지 않은 정공수송층 중 어느 하나는 하기 화학식 B-1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 유기광전자소자: [화학식 1] [화학식 2] [화학식 3] 상기 화학식 1 내지 4에서， X는 0, S, N(-d*), S02(0=S=0), PO(P=0) 또는 CO(C=0)이고, Y는 0， S, S02(0=S=0), PO(P=0), CR'R " 또는 NR'이고, R', R " , R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소， 중수소, 할로겐기， 시아노기, 히드록실기 , 아미노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기， 니트로기 , 카르복실기， 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 치환 또는 비치환된 CI 내지 C20 알콕시기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 알콕시카르보닐아미노기， 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬티을기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티을기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 해테로시클로티올기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 우레이드기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고, AT1 및 Ar2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, L, La 및 Lb는 서로 독립적으로, 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키 닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고, n, na 및 nb는 서로 독립적으로, 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이고, 화학식 1의 인접한 두 개의 *는， 화학식 2 또는 3의 인접한 두 개의 *와 결합하여 융합고리를 형성하고, 화학식 1의 a*; 화학식 1의 d*; 또는 화학식 2 또는 3의 b*;는， 화학식 4의 c*와 시그마 결합으로 연결되며, c*와 결합되지 않은 나머지 a*; d* 또는 b*는 수소， 중수소, 할로겐기， 시아노기， 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기， 니트로기 , 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기， 치―환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기 , 치환 2014/104514 174 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 우레 이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다: ,
[화학식 B-1]
Figure imgf000176_0001
상기 화학식 B-1에서 ,
R' 내지 R4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이며,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 존재하거나 서로 융합고리를 형성하고,
R3 및 R4는 각각 독립적으로 존재하거나 서로 융합고리를 형성하고,
Ar1 내지 Ar3은 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기고，
L1 내지 L4는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐렌기 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알키 닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
nl 내지 n4는 서로 독립적으로 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이다.
【청구항 2]
제 1항에 있어서，
상기 화학식 1; 화학식 2 또는 3; 및 화학식 4의 조합으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 5와 상기 화학식 4의 조합으로 표시되는 것인 유기광전자소자:
[화학식 5]
Figure imgf000177_0001
상기 화학식 5에서，
X는 O, S, N(-d*), S02(0=S=0), PO(P=0) 또는 CO(CO)이고，
Y는 O, S, S02(0=S=0), PO(P=0), CR'R " 또는 NR'이고,
R', R " , R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기， 시아노기, 히드록실기 , 아미노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기， 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시 기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의
알콕시카르보닐아미노기 , 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20
아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기， 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20의 알킬티을기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기 , 치환 또는 비치환된 CI 내지 C20 헤테로시클로티을기, 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20의 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고,
화학식 5의 a*; 화학식 5의 d*; 또는 화학식 5의 b*;는, 화학식 4의 c*와 시그마 결합으로 연결되며,
c*와 결합되지 않은 나머지 화학식 5의 a*; d* 또는 b*는 수소， 중수소， 할로겐기， 시아노기 , 히드록실기, 아미노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기， 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 해테로아릴기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40
실릴옥시기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 알콕시카르보닐아미노기， 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기， 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20의 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 해테로시클로티올기， 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20의 우레이드기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다.
【청구항 3]
제 1항에 있어서 ,
상기 화학식 1; 화학식 2 또는 3; 및 화학식 4의 조합으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 6으로 표시되는 것인 유기광전자소자:
[화학식 6]
Figure imgf000179_0001
상기 화학식 6에서,
X는 0, s, so2(o=s=o), PO(P=O) 또는 co(c=o)이고,
Y는 0, S, S02(0=S=0), PO(P=0), CR'R " 또는 NR'이고,
R', R " , R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기， 히드록실기 , 아미노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기， 카르복실기 , 페로세닐기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 해테로아릴기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의
알콕시카르보닐아미노기 , 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20
아릴옥시카르보닐아미노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 우레이드기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고,
Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 이고，
L은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키 닐렌기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 , 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고, n은 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이다.
【청구항 4】
제 1항에 있어서，
상기 화학식 1 ; 화학식 2 또는 3 ; 및 화학식 4의 조합으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 7로 표시되는 것인 유기광전자소자:
[화학식 7]
Figure imgf000180_0001
상기 화학식 7에서，
X는 o, s, SO2(O=S=O), PO(P=O) 또는 co(c=o)이고,
Y는 0， S, S02(0=S=0), PO(P=0), CR'R " 또는 NR'이고，
R', R " , R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소， 중수소, 할로겐기， 시아노기, 히드록실기， 아미노기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기 , 니트로기， 카르복실기， 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시 기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시 기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의
알콕시카르보닐아미노기， 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20
아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티을기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20의 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고,
AT1 및 Ar2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 이고,
L은 단일결합， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키 닐렌기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 , 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고，
n은 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이다.
【청구항 5】
제 1항에 있어서，
상기 화학식 1; 화학식 2 또는 3; 및 화학식 4의 조합으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 8로 표시되는 것 인 유기광전자소자:
[화학식 8]
Figure imgf000181_0001
상기 화학식 8에서,
X는 O, S, S02(0=S=0), PO(P=0), CR'R " 또는 NR'이고,
R', R " , R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기， 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기， 니트로기 , 카르복실기 , 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기 , 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 CI 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시 기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의
알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20
아릴옥시카르보닐아미노기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C20의 알킬티올기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티을기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고,
AT1 및 Ar2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 이고,
L은 단일결합， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 , 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
n은 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이다.
【청구항 6】
제 1항에 있어서，
상기 화학식 1 ; 화학식 2 또는 3; 및 화학식 4의 조합으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 9로 표시되는 것 인 유기광전자소자:
[화학식 9]
Figure imgf000182_0001
상기 화학식 9에서 ,
X는 0, S, S02(0=S=0), PO(P=0), CR'R " 또는 NR'이고,
R', R " , R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소, 중수소， 할로겐기 , 시아노기 2014/104514
181
히드록실기, 아미노기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기， 니트로기 , 카르복실기， 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시 기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기 , 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시 기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의
알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20
아릴옥시카르보닐아미노기， 치환 또는 비치환된 Cr내지 C20 술파모일아미노기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기， 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20의 알킬티을기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20의 우레이드기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고,
Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 이고,
L은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 , 치환 또는 비치환된 해테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고，
n은 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이다.
【청구항 7]
제 1항에 있어서,
상기 화학식 1; 화학식 2 또는 3; 및 화학식 4의 조합으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 10으로 표시되는 것인 유기광전자소자:
[화학식 10] 2014/104514
182
Figure imgf000184_0001
상기 화학식 10에서,
X는 0, S, S02(0=S=0), PO(P=0), CR'R " 또는 NR'이고，
R', R " , R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기， 히드록실기, 아미노기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기 , 니트로기， 카르복실기， 페로세닐기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의
알콕시카르보닐아미노기 , 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20
아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기， 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20의 알킬티올기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티을기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티을기, 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20의 우레이드기 , 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고，
Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 해테로아릴기 이고,
L은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 해테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고， n은 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이다.
【청구항 8】
제 1항에 있어서 ,
상기 ，1 " , 및 R2는 서로 독립적으로 수소， 중수소， 치환 또는 비치환된 메틸기， 치환 또는 비치환된 에 틸기， 치환 또는 비치환된 프로필기， 치환 또는 비치환된 페닐기 , 치환 또는 비치환된 바이페닐기， 치환 또는 비치환된 나프틸기 , 치환 또는 비치환된 안트라세닐기， 치환 또는 비치환된 페난트레닐기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기인 것인 유기광전자소자.
【청구항 9】
제 1항에 있어서， '
상기 화학식 4의 AT1 및 Ar2는 서로 독립적으로， 치환 또는 비치환된 페닐기 , 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기， 치환 또는 비치환된 벤조퓨란， 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기， 치환 또는 비치환된 디 벤조퓨라닐기， 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기인 것인
유기광전자소자.
【청구항 10】
제 1항에 있어서，
상기 화학식 B-1의 Ar1은 치환되거나 비치환된 페닐기 또는 치환되거나 비치환된 바이페닐기 이고, 상기 화학식 B-1의 Ar2 및 Ar3는 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 페닐기， 치환되거나 비치환된 바이페닐기, 치환되거나 비치환된 플루오렌기, 치환되거나 비치환된 비스플루오렌기, 치환되거나 비치환된 트리페닐렌기 , 치환되거나 비치환된 안트라센기， 치환되거나 비치환된 터페닐기， 치환되거나 비치환된 디벤조퓨란기 또는 치환되거나 비치환된 디벤조티오페닐기 중 어느 하나인 유기광전자소자.
【청구항 11】
양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 형성된 적어도 한 층 이상의 유기박막층올 포함하고，
상기 유기박막층은 발광층, 정공수송층， 정공주입층, 전자수송층， 전자주입층 또는 이들의 조합을 포함하고, 상기 유기 박막층은 발광층 및 복수의 정공수송층을 포함하고,
상기 복수의 정공수송층 중， 상기 발광층에 인접 한 정공수송층은 하기 화학식 1 1로 표시되는 화합물을 포함하며，상기 발광층에 인접하지 않은 정공수송층 중 어느 하나는 하기 화학식 B-1로 표시되는 화합물을 포함하는 것 인 유기광전자소자:
[화학식 11]
Figure imgf000186_0001
상기 화학식 11에서 ,
X1은 0, S, S02(0=S=0), PO(P=0) 또는 CR'R " 이고，
R', R " , R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소, 증수소, 할로겐기 , 시아노기， 히드록실기， 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기 , 카르복실기 , 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시 기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의
알콕시카르보닐아미노기， 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20
아릴옥시카르보닐아미노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기， 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20의 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 O 2014/104514
185
C20의 우레이드기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고,
Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또: 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 이고，
L1 내지 L3은 서로 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기， 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고，
nl 내지 n3은 서로 독립적으로 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이다:
[화학식 B-1]
Figure imgf000187_0001
상기 화학식 B-1에서,
R1 내지 R4는 서로 독립적으로， 수소, 중수소， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이며, R1 및 R2는 서로 융합고리를 형성할 수 있고， R3 및 R4는 서로 융합고리를 형성할 수 있고,
Ar1 내지 Ar3은 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 해테로아릴기고,
L1 내지 L4는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐렌기 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알키닐렌기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고, nl 내지 n4는 서로 독립적으로 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이다.
【청구항 12]
제 1 1항에 있어서，
상기 화학식 11로 표시되는 화합물은 하기 화학식 12로 표시되는 것인 유기광전자소자：
[화학식 12]
Figure imgf000188_0001
상기 화학식 12에서,
X1 및 X2는 서로 독립적으로 O, S, S02(0=S=0), PO(P=0) 또는 CR'R " 이고, R', R " 및 R1 내지 R4는 서로 독립적으로 수소， 중수소, 할로겐기， 시아노기, 히드록실기 , 아미노기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기 , 카르복실기， 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기 , 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의
알콕시카르보닐아미노기， 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20
아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20의 알킬티올기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티을기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 해테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고,
Ar2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 이고,
L1 내지 L3은 서로 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키 닐렌기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기， 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
nl 내지 n3은 서로 독립적으로 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이다.
【청구항 13】
제 11항에 있어서，
상기 화학식 11로 표시되는 화합물은 하기 화학식 13으로 표시되는 것인 유기광전자소자:
[화학식 13]
Figure imgf000189_0001
상기 화학식 13에서
X1 내지 X3는 서로 독립적으로 0， S, S02(0=S=0), PO(P=0) 또는 CR'R " 이고, R', R " 및 R1 내지 R6는 서로 독립적으로 수소, 중수소， 할로겐기, 시아노기， 히드록실기， 아미노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기， 니트로기, 카르복실기， 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기 , 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시 기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의
알콕시카르보닐아미노기 , 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20
아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20의 알킬티을기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티을기, 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20의 우레이드기 , 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고，
V 내지 L3은 서로 독립적으로 단일결합， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 , 치환 또는 비치환된 해테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고，
nl 내지 n3은 서로 독립적으로 0 내지 3 중 어느 하나인 정수이다.
【청구항 14]
또는 제 11항에 있어서，
상기 화학식 1의 R1 및 R2는 중 적어도 어느 하나는, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 이고,
상기 화학식 11의 R1 및 R2는 중 적어도 어느 하나는， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 인 것 인 유기광전자소자.
【청구항 15]
제 14항에 있어서 ,
상기 화학식 1의 R1 및 R2는 중 적어도 어느 하나는, 치환된 C3 내지 C40 실릴기 이고，
상기 화학식 11의 R1 및 R2는 중 적어도 어느 하나는， 치환된 C3 내지 C40 실릴기 이고， 상기 치환된은 실릴기의 수소 중 적어도 어느 하나가 C1 내지 C10 알킬기 또는 C6 내지 C15 아릴기로 치환된 것인 유기광전자소자.
【청구항 16】
제 1항에 있어서，
상기 유기광전자소자는 유기광전소자, 유기발광소자, 유기 태양전지 , 유기 트랜지스터， 유기 감광체 또는 유기 메모리 소자인 것 인 유기광전자소자.
【청구항 17】
제 1항에 있어서 ,
상기 화학식 1 ; 화학식 2 또는 3; 및 화학식 4의 조합으로 표시되는 화합물로 표시되는 화합물의 HOMO 준위가 5.4eV 이상 5.8eV 이하인 것 인
유기광전자소자.
【청구항 18】
제 1항에 있어서,
상기 화학식 1 ; 화학식 2 또는 3; 및 화학식 4의 조합으로 표시되는 화합물의 3증항 여기에너지 (T1)가 2.5eV 이상 2.9eV 이하인 것인 유기광전자소자.
【청구항 19]
계 1항에 있어서 ,
상기 화학식 B-1로 표시되는 화합물의 HOMO 준위가 5.2eV 이상 5.6eV 이하인 것인 유기광전자소자.
【청구항 20】
또는 제 1 1항에 따른 유기광전자소자를 포함하는 표시장치 .
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