WO2014083727A1 - スパッタリング装置および基板処理装置 - Google Patents

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WO2014083727A1
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shutter
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holders
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繁紀 石原
寛行 戸谷
保志 安松
俊和 中澤
中村　英司
真太郎 須田
今井　慎
雄 藤本
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キヤノンアネルバ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a sputtering apparatus and a substrate processing apparatus.
  • Patent Document 1 describes a configuration in which a plurality of sputtering apparatuses are arranged around a transfer chamber. In each sputtering apparatus, four targets are arranged on the ceiling of the container constituting the film forming chamber. A double-rotation shutter mechanism is disposed between these targets and the substrate holder.
  • 20 and 21 schematically show a sputtering apparatus having a plurality of targets arranged at equal intervals and a double rotation shutter mechanism for selecting a target to be used for sputtering among the plurality of targets.
  • Has been. 20 and 21 are prepared by the inventors of the present application and do not constitute prior art.
  • FIG. 20 schematically shows a state in which sputtering (co-sputtering) is performed using two targets T1 and T3 at the same time among targets T1, T2, and T3 arranged at equal intervals.
  • the double rotation shutter mechanism includes a first shutter S1 and a second shutter S2.
  • the first shutter S1 has two openings OP11 and OP12
  • the second shutter S2 has two openings OP21 and OP22.
  • the rotation angle of the first shutter S1 is controlled so that the two openings OP11 and OP12 face the targets T1 and T3, respectively, and the second shutter S2 has the two openings OP21 and OP22 that face the targets T1 and T3, respectively.
  • the rotation angle is controlled.
  • the material radiated from the targets T1 and T3 passes through the openings OP11 and OP12 of the first shutter S1 and the openings OP21 and OP22 of the second shutter S2, and reaches the substrate SUB, whereby a film is formed on the substrate SUB.
  • FIG. 21 schematically shows a state in which sputtering is performed using one target T1 among targets T1, T2, and T3 arranged at equal intervals.
  • the rotation angle of the first shutter S1 is controlled so that the two openings OP11 and OP12 face the targets T1 and T3, respectively, and the second shutter S2 has the two openings OP21 and OP22 that face the targets T2 and T1, respectively.
  • the rotation angle is controlled.
  • the material radiated from the target T1 passes through the opening OP11 of the first shutter S1 and the opening OP22 of the second shutter S2, and reaches the substrate SUB, whereby a film is formed on the substrate SUB.
  • the material radiated from the target T1 passes through the opening OP11 of the first shutter S1, and then between the first shutter S1 and the second shutter S2. , Further passes through the opening OP12 of the second shutter S2, reaches the target T3, and can adhere to the surface of the target T3. Thereby, the target T3 may be contaminated.
  • the present invention has been made with the recognition of the above problems as an opportunity, and it is an object of the present invention to provide a technique advantageous in reducing target contamination.
  • a chamber capable of holding a substrate in the chamber, and rotatable about an axis orthogonal to a surface holding the substrate, and a target, respectively.
  • a sputtering unit including a shutter unit for selecting a target to be used for sputtering among a plurality of targets respectively held by the plurality of target holders,
  • the shutter unit includes a first shutter and a second shutter that are rotatable about the axis and are spaced apart from each other in a direction along the axis, and the plurality of target holders are centered on the axis.
  • the plurality of tars arranged on the first virtual circle and on the first virtual circle Arrangement interval of Ttohoruda comprises at least two types of arrangement interval
  • the first shutter has a first opening and a second opening, and the centers of the first opening and the second opening are arranged on a second virtual circle centered on the axis
  • the second shutter has a third opening and a fourth opening, and a center of each of the third opening and the fourth opening is disposed on a third virtual circle centered on the axis, and the first opening and the
  • the center angle with the respective centers of the second openings as the ends of the arc on the second imaginary circle is the center angles of the third openings and the fourth openings as the ends of the arc on the third imaginary circle. It is equal to the central angle, and is equal to the central angle having the respective centers of the first target holder and the second target holder having the largest interval on the first imaginary circle among the plurality of target holders as the ends of the arc. .
  • a second aspect of the present invention relates to a substrate processing apparatus, and the substrate processing apparatus includes a transfer chamber having a plurality of connection surfaces, and a sputtering apparatus connected to at least one of the plurality of connection surfaces.
  • the sputtering apparatus is a sputtering apparatus according to the first side surface, and an angle formed by adjacent connection surfaces among the plurality of connection surfaces is greater than 90 degrees.
  • the typical top view of the sputtering device of a 1st embodiment of the present invention The typical sectional view of the sputtering device of a 1st embodiment of the present invention.
  • the figure which shows the structural example of a 2nd shutter. The figure which illustrates control of the positional relationship of a target, the opening of a 1st shutter, and the opening of a 2nd shutter.
  • the figure which illustrates control of the positional relationship of a target, the opening of a 1st shutter, and the opening of a 2nd shutter The figure which illustrates control of the positional relationship of a target, the opening of a 1st shutter, and the opening of a 2nd shutter.
  • the figure which illustrates control of the positional relationship of a target, the opening of a 1st shutter, and the opening of a 2nd shutter The figure which illustrates control of the positional relationship of a target, the opening of a 1st shutter, and the opening of a 2nd shutter.
  • the figure which illustrates control of the positional relationship of a target, the opening of a 1st shutter, and the opening of a 2nd shutter The figure which illustrates control of the positional relationship of a target, the opening of a 1st shutter, and the opening of a 2nd shutter.
  • the figure which illustrates control of the positional relationship of a target, the opening of a 1st shutter, and the opening of a 2nd shutter The figure which illustrates control of the positional relationship of a target, the opening of a 1st shutter, and the opening of a 2nd shutter.
  • the figure which illustrates control of the positional relationship of a target, the opening of a 1st shutter, and the opening of a 2nd shutter The figure which illustrates control of the positional relationship of a target, the opening of a 1st shutter, and the opening of a 2nd shutter.
  • the figure which illustrates control of the positional relationship of a target, the opening of a 1st shutter, and the opening of a 2nd shutter The figure which illustrates control of the positional relationship of a target, the opening of a 1st shutter, and the opening of a 2nd shutter.
  • the figure which illustrates control of the positional relationship of a target, the opening of a 1st shutter, and the opening of a 2nd shutter The figure which illustrates control of the positional relationship of a target, the opening of a 1st shutter, and the opening of a 2nd shutter.
  • 1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 1A is a schematic plan view of the sputtering apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1B is a schematic cross-sectional view of the sputtering apparatus 100 taken along the line XX ′ of FIG. 1A.
  • the sputtering apparatus 100 includes a chamber 7, a substrate holder 108, and first to third target holders 91, 92, 93 as a plurality of target holders.
  • the substrate holder 108 can hold the substrate 109 in the chamber 7 and can rotate about an axis 8 orthogonal to the surface of the substrate 109.
  • the first to third target holders 91, 92, 93 hold the targets T1, T2, T3, respectively.
  • the first to third target holders 91, 92, 93 as a plurality of target holders are clockwise along the first virtual circle VC ⁇ b> 1 centering on the axis 8.
  • the target holder 92 and the third target holder 93 are arranged in this order.
  • the arrangement intervals of the first to third target holders 91, 92, 93 on the first virtual circle VC1 are at least two types.
  • the arrangement interval between the first target holder 91 and the second target holder 92 on the first virtual circle VC1 is D12
  • Is D23, and the arrangement interval between the third target holder 93 and the first target holder 91 on the first virtual circle VC1 is D31.
  • D12 D31> D23
  • D12, D23, and D31 are all different, there are three types of arrangement intervals of the first to third target holders 91, 92, 93 on the first virtual circle VC1.
  • the sputtering apparatus 100 is provided with a gate valve 6, and the substrate 109 is transferred between the internal space and the external space of the chamber 7 via the gate valve 6.
  • the sputtering apparatus 100 also includes a shutter unit SU for selecting a target to be used for sputtering among the targets T1, T2, and T3 held by the first to third target holders 91, 92, and 93, respectively.
  • the shutter unit SU can include a first shutter 111 and a second shutter 112 that can rotate about the axis 8 and a drive unit 110 that rotates the first shutter 111 and the second shutter 112 individually.
  • the first shutter 111 and the second shutter 112 each have two openings, and can perform sputtering (co-sputtering) using two targets simultaneously.
  • the first shutter 111 has a first opening H1 and a second opening H2 centered on a second virtual circle VC2 centered on the axis 8.
  • the second shutter 112 has a third opening H3 and a fourth opening H4 that are centered on a third virtual circle VC3 centered on the axis 8.
  • the drive unit 110 includes the first shutter 111 and the target T1, T2, and T3 so that the target used for sputtering is exposed to the substrate 109 through the opening of the first shutter 111 and the opening of the second shutter 112.
  • the second shutter 112 is driven.
  • the first shutter 111 and the second shutter 112 may be spaced apart from each other in the direction along the axis 8.
  • the first shutter 111 is disposed between the target holders 91, 92, 93 and the second shutter 112.
  • the central angle ⁇ H12 having the respective centers of the first opening H1 and the second opening H2 of the first shutter 111 as both ends of the arc on the second virtual circle VC2 is the third opening H3 and the fourth opening H4 of the second shutter 112.
  • the center angle ⁇ H34 having the respective centers of the arcs on both ends of the arc on the third virtual circle VC3 is the largest 2 It is equal to the central angle with the center of each of the first target holder 91 and the second target holder 92 being the two ends of the arc.
  • the third target holder 93 and the first target holder 91 are the first of the plurality of target holders 91, 92, 93. Two targets having the largest distance on one virtual circle VC1.
  • a magnet unit 80 is disposed on the back side of each of the targets 91, 92, 93.
  • Each magnet unit 80 may include a magnet 82 for generating magnetron discharge (for example, DC magnetron discharge) and a drive unit 83 for driving (for example, rotating) the magnet 82.
  • Each magnet unit 80 can also include a distance adjusting unit 84 for adjusting the distance between the magnet 82 and the target holder (target).
  • Each of the target holders 91, 92, 93 is configured to hold the targets T 1, T 2, T 3 in a posture in which the surfaces of the targets T 1, T 2, T 3 are inclined with respect to the surface of the substrate 109 held by the substrate holder 108. Can be done.
  • each of the target holders 91, 92, 93 can hold the targets T 1, T 2, T 3 so that the normal lines of the surfaces of the targets T 1, T 2, T 3 are directed toward the center of the substrate 109.
  • the magnet unit 80 can be disposed so as to be inclined so that the upper portion thereof is away from the shaft 8.
  • a direction (hereinafter, referred to as a direction orthogonal to the transfer direction of the substrate 109 between the transfer chamber 400 and the sputtering apparatus 100).
  • the dimensions of the sputtering apparatus 100 in the “width direction” should be reduced.
  • the occupation area of the sputtering apparatus 100 can be determined by the upper part of the magnet unit 80.
  • the first to third target holders 91, 92, 93 are arranged so that the first target holder 91 is closest to the gate valve 6. It is preferable to arrange.
  • each target is tilted toward the substrate.
  • the targets T1, T2, T3, and the first shutter 111 are set.
  • the openings H1 and H2 and the openings H3 and H4 of the second shutter 112 are shown in parallel to each other.
  • FIGS. 6A to 6C are cross-sectional views illustrating targets T1, T2, and T3, openings H1 and H2 of the first shutter 111, and openings H3 and H4 of the second shutter 112 along the first virtual circle VC1.
  • the positional relationship control exemplified in FIGS. 3A to 6C can be performed by the controller shown in FIG.
  • the target indicated by shading is a target used for sputtering
  • the target indicated by a solid white line or white dotted line is used for sputtering.
  • a target indicated by a solid white line is a target at the same position as the opening of the first shutter 111 or the opening of the second shutter 112.
  • a target indicated by a white dotted line is a target at a position different from both the opening of the first shutter 111 and the opening of the second shutter 112.
  • 3A, 3B, and 6A illustrate a state where one target T3 is used for sputtering among the targets T1, T2, and T3.
  • the problem of contamination as described with reference to FIG. 21, specifically, the target T3 is emitted.
  • the material passes through the second opening H2, then moves between the first shutter 111 and the second shutter 112, and further passes through the first opening H1 to reach the target T2, causing a problem of contaminating the target T2. sell.
  • the central angle ⁇ H12 having the respective centers of the first opening H1 and the second opening H2 of the first shutter 111 as both ends of the arc on the second virtual circle VC2 has a plurality of target holders 91,
  • the center angles of the first target holder 91 and the second target holder 92, which are the two targets having the largest distance between each other on the first virtual circle VC1 out of the arcs 92 and 93, are equal to the center angles having both ends of the arc. Accordingly, when sputtering is performed using only the target T3, the first opening H1 of the first shutter 111 is disposed at a position shifted from the front of the target T2 (position shifted in a direction away from the target T3). Contamination of the target T2 is reduced. In this case, the first opening H1 of the first shutter 111 is disposed at a position shifted from any of the front surfaces of the targets T1, T2, and T3.
  • FIG. 4A, FIG. 4B, and FIG. 6B illustrate a state where one target T2 is used for sputtering among the targets T1, T2, and T3.
  • the first opening H1 of the first shutter 111 is disposed in front of the target T2, and the second opening H2 is shifted from the front of the target T1 (away from the target T2). (Position shifted in the direction), thereby reducing contamination of the target T1.
  • FIG. 5A, FIG. 5B, and FIG. 6C illustrate a state in which the targets T1, T2 among the targets T1, T2, T3, T4 are simultaneously used for sputtering (that is, a state in which co-sputtering is performed). ing.
  • FIG. 19 illustrates a substrate processing apparatus in which one or a plurality of sputtering apparatuses 100 are arranged around the transfer chamber 400.
  • the transfer chamber 400 has a plurality of connection surfaces 401.
  • the sputtering apparatus 100 is connected to at least one of the plurality of connection surfaces 401.
  • the transfer chamber 400 and the sputtering apparatus 100 are connected via the gate valve 6.
  • the angle A formed by the connection surfaces 401 adjacent to each other among the plurality of connection surfaces 401 is preferably larger than 90 degrees, so that more sputtering apparatuses 100 can be arranged around the transfer chamber 400.
  • FIG. 7A is a schematic plan view of a sputtering apparatus 200 according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 7B is a schematic cross-sectional view of the sputtering apparatus 200 taken along the line XX ′ of FIG. 7A.
  • the sputtering apparatus 200 includes a chamber 7, a substrate holder 108, and first to fifth target holders 91, 92, 93, 94, 95 as a plurality of target holders.
  • the substrate holder 108 can hold the substrate 109 in the chamber 7 and can rotate about an axis 8 orthogonal to the surface of the substrate 109.
  • the first to fifth target holders 91, 92, 93, 94, and 95 hold the targets T1, T2, T3, T4, and T5, respectively.
  • the first to fifth target holders 91, 92, 93, 94, 95 as a plurality of target holders are clockwise along the first virtual circle VC 1 centering on the axis 8. 91, the second target holder 92, the third target holder 93, the fourth target holder 94, and the fifth target holder 95 are arranged in this order.
  • the arrangement intervals of the first to fifth target holders 91, 92, 93, 94, 95 on the first virtual circle VC1 are at least two types.
  • the arrangement interval between the first target holder 91 and the second target holder 92 on the first virtual circle VC1 is D12
  • D23, the arrangement interval between the third target holder 93 and the fourth target holder 94 on the first virtual circle VC1 and the arrangement interval between the fourth target holder 94 and the fifth target holder 95 on the first virtual circle VC1.
  • Is D45, and the arrangement interval between the fifth target holder 95 and the first target holder 91 on the first virtual circle VC1 is D51.
  • D12, D23, D34, D45, and D51 are all different, there are five types of arrangement intervals of the first to fifth target holders 91, 92, 93, 94, and 95 on the first virtual circle VC1.
  • the sputtering apparatus 200 is provided with a gate valve 6, and the substrate 109 is transferred between the internal space of the chamber 7 and the external space via the gate valve 6.
  • the sputtering apparatus 200 also selects a target to be used for sputtering among the targets T1, T2, T3, T4, and T5 held by the first to fifth target holders 91, 92, 93, 94, and 95, respectively.
  • the shutter unit SU can include a first shutter 111 and a second shutter 112 that can rotate about the axis 8 and a drive unit 110 that rotates the first shutter 111 and the second shutter 112 individually.
  • the first shutter 111 and the second shutter 112 each have two openings, and can perform sputtering (co-sputtering) using two targets simultaneously.
  • the first shutter 111 has a first opening H1 and a second opening H2 centered on a second virtual circle VC2 centered on the axis 8.
  • the second shutter 112 has a third opening H3 and a fourth opening H4 that are centered on a third virtual circle VC3 with the axis 8 as the center.
  • the driving unit 110 includes first targets T1, T2, T3, T4, and T5 that are used for sputtering so that the target is exposed to the substrate 109 through the opening of the first shutter 111 and the opening of the second shutter 112.
  • the first shutter 111 and the second shutter 112 are driven.
  • the first shutter 111 and the second shutter 112 may be spaced apart from each other in the direction along the axis 8.
  • the first shutter 111 is disposed between the target holders 91, 92, 93, 94, 95 and the second shutter 112.
  • the central angle ⁇ H12 having the respective centers of the first opening H1 and the second opening H2 of the first shutter 111 as both ends of the arc on the second virtual circle VC2 is the third opening H3 and the fourth opening H4 of the second shutter 112.
  • a center angle ⁇ H34 having the respective centers of the arcs on both ends of the arc on the third virtual circle VC3 and among the plurality of target holders 91, 92, 93, 94, 95, the distance between them on the first virtual circle VC1 Is equal to the central angle with the center of each of the first target holder 91 and the second target holder 92 being the two largest targets as arc ends.
  • the fifth target holder 95 and the first target holder 91 include a plurality of target holders 91, 92,
  • the two targets 93, 94, and 95 have the largest mutual distance on the first virtual circle VC1.
  • FIGS. 9A to 12C are cross-sectional views illustrating targets T1, T2, T3, T4, and T5, openings H1 and H2 of the first shutter 111, and openings H3 and H4 of the second shutter 112 along the first virtual circle VC1. It is.
  • the positional relationship control exemplified in FIGS. 9A to 12C can be performed by the controller shown in FIG.
  • the target indicated by shading is a target that is used for sputtering, and the target indicated by a solid white line or white dotted line is used for sputtering. Not a target.
  • a target indicated by a solid white line is a target at the same position as the opening of the first shutter 111 or the opening of the second shutter 112.
  • a target indicated by a white dotted line is a target at a position different from both the opening of the first shutter 111 and the opening of the second shutter 112.
  • FIG. 9A, FIG. 9B, and FIG. 12A illustrate a state where one target T2 is used for sputtering among the targets T1, T2, T3, T4, and T5.
  • the problem of contamination as described with reference to FIG. 21 specifically, the radiation from the target T2 is emitted.
  • the material passes through the first opening H1, then moves between the first shutter 111 and the second shutter 112, and further passes through the second opening H2 to reach the target T3, causing a problem of contaminating the target T3. sell.
  • the central angle ⁇ H12 having the respective centers of the first opening H1 and the second opening H2 of the first shutter 111 as both ends of the arc on the second virtual circle VC2 has a plurality of target holders 91, 92, 93, 94, 95, center angles having the respective centers of the first target holder 91 and the second target holder 92, which are the two targets having the largest distance on the first virtual circle VC1, as both ends of the arc.
  • the second opening H2 of the first shutter 111 is disposed at a position shifted from the front of the target T3 (position shifted in a direction away from the target T2). Contamination of the target T3 is reduced.
  • the second opening H2 of the first shutter 111 is arranged at a position shifted from any of the front surfaces of the targets T1, T2, T3, T4, and T5.
  • FIG. 10A, FIG. 1B, and FIG. 12B illustrate a state where one target T5 is used for sputtering among the targets T1, T2, T3, T4, and T5.
  • the second opening H2 of the first shutter 111 is disposed in front of the target T5, and the first opening H1 is shifted from the front of the target T4 (away from the target T5). (Position shifted in the direction), thereby reducing the contamination of the target T4.
  • FIG. 11A, FIG. 11B, and FIG. 12C show a state in which the targets T1, T2 among the targets T1, T2, T3, T4, T5 are simultaneously used for sputtering (that is, a state in which simultaneous sputtering is performed). Illustrated.
  • the sputtering apparatus 200 of the second embodiment can also be applied to the substrate processing apparatus illustrated in FIG.
  • 13A and 13B are a schematic plan view and a cross-sectional view of a sputtering apparatus 300 according to the third embodiment of the present invention.
  • the sputtering apparatus 300 includes a chamber 7, a substrate holder 108, and first to fourth target holders 91, 92, 93, 94 as a plurality of target holders.
  • first to third embodiments examples in which the number of target holders is three or more are described.
  • the substrate holder 108 can hold the substrate 109 in the chamber 7 and can rotate about an axis 8 orthogonal to the surface of the substrate 109.
  • the first to fourth target holders 91, 92, 93, and 94 hold the targets T1, T2, T3, and T4, respectively.
  • the first to fourth target holders 91, 92, 93, 94 as a plurality of target holders are clockwise along the first virtual circle VC ⁇ b> 1 with the axis 8 as the center,
  • the second target holder 92, the third target holder 93, and the fourth target holder 94 are arranged in this order.
  • the arrangement interval of the first to fourth target holders 91, 92, 93, 94 on the first virtual circle VC1 is at least two types.
  • the arrangement interval between the first target holder 91 and the second target holder 92 on the first virtual circle VC1 is D12
  • D23, the arrangement interval between the third target holder 93 and the fourth target holder 94 on the first virtual circle VC1 is the arrangement interval between the fourth target holder 94 and the first target holder 91 on the first virtual circle VC1. Is D41.
  • D12, D23, D34, and D45 are all different, there are four types of arrangement intervals of the first to fourth target holders 91, 92, 93, and 94 on the first virtual circle VC1.
  • the sputtering apparatus 300 is provided with a gate valve 6, and the substrate 109 is transferred between the internal space and the external space of the chamber 7 via the gate valve 6.
  • the sputtering apparatus 300 also has a shutter unit SU for selecting a target to be used for sputtering among the targets T1, T2, T3, and T4 held by the first to fourth target holders 91, 92, 93, and 94, respectively. It has.
  • the shutter unit SU can include a first shutter 111 and a second shutter 112 that can rotate about the axis 8 and a drive unit 110 that rotates the first shutter 111 and the second shutter 112 individually.
  • the first shutter 111 and the second shutter 112 each have two openings, and can perform sputtering (co-sputtering) using two targets simultaneously.
  • the first shutter 111 has a first opening H1 and a second opening H2 centered on a second virtual circle VC2 centered on the axis 8.
  • the second shutter 112 has a third opening H3 and a fourth opening H4 that are centered on a third virtual circle VC3 centered on the axis 8.
  • the driving unit 110 includes a first shutter such that a target used for sputtering among the targets T1, T2, T3, and T4 is exposed to the substrate 109 through the opening of the first shutter 111 and the opening of the second shutter 112. 111 and the second shutter 112 are driven.
  • the first shutter 111 and the second shutter 112 may be spaced apart from each other in the direction along the axis 8.
  • the first shutter 111 is disposed between the target holders 91, 92, 93, 94 and the second shutter 112.
  • the central angle ⁇ H12 having the respective centers of the first opening H1 and the second opening H2 of the first shutter 111 as both ends of the arc on the second virtual circle VC2 is the third opening H3 and the fourth opening H4 of the second shutter 112. Is equal to the center angle ⁇ H34 having the respective centers of the arcs on both ends of the arc on the third virtual circle VC3, and the interval between the plurality of target holders 91, 92, 93, 94 on the first virtual circle VC1 is the largest.
  • the center angle of each of the first target holder 91 and the second target holder 92, which are two large targets, is equal to the center angle with both ends of the arc.
  • the third target holder 93 and the fourth target holder 94 include a plurality of target holders 91, 92, 93, Among the two targets 94, the distance between them on the first virtual circle VC1 is the largest.
  • FIGS. 15A to 18C are cross-sectional views illustrating targets T1, T2, T3, and T4, openings H1 and H2 of the first shutter 111, and openings H3 and H4 of the second shutter 112, along the first virtual circle VC1. .
  • the positional relationship control exemplified in FIGS. 15A to 18C can be performed by the controller shown in FIG.
  • the target indicated by shading is a target that is used for sputtering, and the target indicated by a solid white line or white dotted line is used for sputtering. Not a target.
  • a target indicated by a solid white line is a target at the same position as the opening of the first shutter 111 or the opening of the second shutter 112.
  • a target indicated by a white dotted line is a target at a position different from both the opening of the first shutter 111 and the opening of the second shutter 112.
  • FIG. 15A, FIG. 15B, and FIG. 18A illustrate a state where one target T1 is used for sputtering among the targets T1, T2, T3, T4, and T5.
  • the material passes through the second opening H2, then moves between the first shutter 111 and the second shutter 112, and further passes through the first opening H1 to reach the target T4, causing a problem of contaminating the target T4. sell.
  • the central angle ⁇ H12 having the respective centers of the first opening H1 and the second opening H2 of the first shutter 111 as both ends of the arc on the second virtual circle VC2 has a plurality of target holders 91, 92, 93, and 94 are equal to the central angle with the center of each of the first target holder 91 and the second target holder 92 being the two targets having the largest distance on the first virtual circle VC1 as both ends of the arc. .
  • the first opening H1 of the first shutter 111 is disposed at a position shifted from the front of the target T4 (position shifted in a direction away from the target T1), thereby Contamination of the target T3 is reduced.
  • the first opening H1 of the first shutter 111 is disposed at a position shifted from any of the front surfaces of the targets T1, T2, T3, and T4.
  • FIG. 16A, FIG. 16B, and FIG. 18B illustrate a state where one target T4 is used for sputtering among the targets T1, T2, T3, and T4.
  • the first opening H1 of the first shutter 111 is disposed in front of the target T4, and the second opening H2 is shifted from the front of the target T1 (away from the target T4). (Position shifted in the direction), thereby reducing contamination of the target T1.
  • the 3rd opening H3 is located in front of target T3, since shutter 111 exists, possibility that target T3 will be contaminated through 3rd opening H3 is low.
  • the second opening H2 that is not opposed to the target T4 in the shutter 111 provided on the target side is shifted from the front of any of the other targets T1, T2, and T3.
  • FIG. 17A, FIG. 17B, and FIG. 18C illustrate a state in which the targets T1 and T2 among the targets T1, T2, T3, and T4 are simultaneously used for sputtering (that is, a state in which simultaneous sputtering is performed). ing.
  • the dimensions of the sputtering apparatus 300 in the width direction should be reduced.
  • the occupation area of the sputtering apparatus 100 can be determined by the upper part of the magnet unit 80.
  • the target holders 91, 92, 93, 94 should be arranged compressed in the width direction.
  • the first to fourth target holders 91, 92, 93, 94 are on one virtual circle VC centered on the axis 8, and the long side LS and the short side
  • the first target holder 91 and the fourth target holder 94 are arranged on two vertices defining one short side SS of the virtual rectangle VR.
  • the distance to the gate valve 6 is smaller than the distance from the second target holder 92 and the third target holder 93 to the gate valve 6.
  • the target holders 91, 92, 93, and 94 are arranged compressed in the width direction, whereby the dimensions of the sputtering apparatus 100 in the width direction can be reduced. This allows more sputtering apparatus 100 to be placed around the transfer chamber. Further, according to the above arrangement, the magnetic fields formed on the surfaces of the targets T1, T2, T3, T4 respectively held by the first to fourth target holders 91, 92, 93, 94 are equal to each other. .
  • the influence of the magnetic field formed on the surface of the target T1 held by the target holder 91 from the magnet 82 disposed on the back side of the targets T2, T3, T4 held by the target holders 92, 93, 94 is equivalent to the influence received from the magnet 82 arranged on the back side of the targets T1, T3, T4 held by the target holders 91, 93, 94. is there. That is, by arranging the first to fourth target holders 91, 92, 93, and 94 (centers thereof) at the vertices of the virtual rectangle VR, the magnetic fields formed on the surfaces of the targets T1, T3, and T4 are mutually changed. Can be equal. Thereby, the difference in sputtering characteristics that can occur depending on the position of the target to be used can be reduced.
  • the sputtering apparatus 300 of the third embodiment can also be applied to the substrate processing apparatus illustrated in FIG.
  • the controller 500 includes an input unit 500b, a storage unit 500c having a program and data, a processor 500d, and an output unit 500e, and can control the sputtering apparatuses 100, 200, and 300.
  • the controller 500 can control the operations of the sputtering apparatuses 100, 200, and 300 by causing the processor 500 d to read and execute a control program stored in the storage unit 500 c. That is, under the control of the controller 500, the driving unit 110 can be operated to operate the first shutter 111 and the second shutter 112.
  • controller 500 may be provided separately from the sputtering apparatuses 100, 200, and 300, or may be incorporated in the sputtering apparatuses 100, 200, and 300.
  • controller 400 is connected to a power source that controls the power applied to each target provided in the sputtering apparatus 100, 200, 300 (that is, the power applied to each target holder), and supplies power to each target.
  • the drive unit 110 can be controlled.

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Abstract

スパッタリング装置は、シャッターユニットと、複数のターゲットホルダと、基板を保持する面に直交する軸を中心として回転可能な基板ホルダとを備える。前記シャッターユニットは、第１開口と第２開口を有する第１シャッターと、第３開口と第４開口とを有する第２シャッターを含み、前記複数のターゲットホルダは、前記軸を中心とする第１仮想円上に配置され、前記第１仮想円上における前記複数のターゲットホルダの配置間隔は、少なくとも２種類の配置間隔を含む。第２仮想円上における前記第１開口の中心と前記第２開口の中心とを弧の両端とする中心角は、第３仮想円における前記第３開口の中心と前記第４開口の中心とを弧の両端とする中心角と等しく、且つ、前記複数のターゲットホルダのうち前記第１仮想円上における互いの間隔が最も大きい第１ターゲットホルダの中心と第２ターゲットホルダの中心とを弧の両端とする中心角と等しい。

Description

スパッタリング装置および基板処理装置
　本発明は、スパッタリング装置および基板処理装置に関する。
　特許文献１には、搬送チャンバの周囲に複数のスパッタリング装置が配置された構成が記載されている。各スパッタリング装置では、成膜チャンバを構成する容器の天井部に４つのターゲットが配置されている。これらのターゲットと基板ホルダとの間には、二重回転シャッター機構が配置されている。
特開２００９－４１１０８号公報
　図２０および図２１には、等間隔に配置された複数のターゲットと、該複数のターゲットのうちスパッタリングのために使用するターゲットを選択する二重回転シャッター機構とを有するスパッタリング装置が模式的に示されている。なお、図２０および図２１は、本出願の発明者が作成したものであり、先行技術を構成するものではない。
　図２０には、等間隔に配置されたターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３のうち２つのターゲットＴ１、Ｔ３を同時に使ってスパッタリング（同時スパッタリング（Co-sputtering））を行う様子が模式的に示されている。二重回転シャッター機構は、第１シャッターＳ１および第２シャッターＳ２を備えている。第１シャッターＳ１は、２つの開口ＯＰ１１、ＯＰ１２を有し、第２シャッターＳ２は、２つの開口ＯＰ２１、ＯＰ２２を有する。
　第１シャッターＳ１は、２つの開口ＯＰ１１、ＯＰ１２がそれぞれターゲットＴ１、Ｔ３に対向するように回転角が制御され、第２シャッターＳ２は、２つの開口ＯＰ２１、ＯＰ２２がそれぞれターゲットＴ１、Ｔ３に対向するように回転角が制御される。ターゲットＴ１、Ｔ３から放射された材料は、第１シャッターＳ１の開口ＯＰ１１、ＯＰ１２および第２シャッターＳ２の開口ＯＰ２１、ＯＰ２２を通過して基板ＳＵＢに至り、これによって基板ＳＵＢの上に膜が形成される。
　図２１には、等間隔に配置されたターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３のうち１のターゲットＴ１を使ってスパッタリングを行う様子が模式的に示されている。第１シャッターＳ１は、２つの開口ＯＰ１１、ＯＰ１２がそれぞれターゲットＴ１、Ｔ３に対向するように回転角が制御され、第２シャッターＳ２は、２つの開口ＯＰ２１、ＯＰ２２がそれぞれターゲットＴ２、Ｔ１に対向するように回転角が制御される。ターゲットＴ１から放射された材料は、第１シャッターＳ１の開口ＯＰ１１および第２シャッターＳ２の開口ＯＰ２２を通過して基板ＳＵＢに至り、これによって基板ＳＵＢの上に膜が形成される。この際に、矢印２１として模式的に示されているように、ターゲットＴ１から放射された材料は、第１シャッターＳ１の開口ＯＰ１１を通過した後に、第１シャッターＳ１と第２シャッターＳ２との間を移動し、更に第２シャッターＳ２の開口ＯＰ１２を通過してターゲットＴ３に至り、ターゲットＴ３の表面に付着しうる。これにより、ターゲットＴ３が汚染されうる。
　以上のように、複数のターゲットが等間隔に配置された構成において、同時スパッタリングを可能にするために第１シャッターに複数の開口を設けると、１つのターゲットを用いてスパッタリングを行う際に他のターゲットが汚染される可能性がある。
　本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、ターゲットの汚染の低減に有利な技術を提供することを目的とする。
　本発明の第１の側面は、チャンバと、前記チャンバの中で基板を保持可能であり、前記基板を保持する面に直交する軸を中心として回転可能な基板ホルダと、それぞれターゲットを保持するための複数のターゲットホルダとを有するスパッタリング装置に係り、前記スパッタリング装置は、前記複数のターゲットホルダによってそれぞれ保持される複数のターゲットのうちスパッタリングのために使用するターゲットを選択するためのシャッターユニットを備え、前記シャッターユニットは、前記軸を中心として回転可能で前記軸に沿った方向に互いに離隔して配置された第１シャッターおよび第２シャッターを含み、前記複数のターゲットホルダは、前記軸を中心とする第１仮想円上に配置され、前記第１仮想円上における前記複数のターゲットホルダの配置間隔は、少なくとも２種類の配置間隔を含み、
　前記第１シャッターは、第１開口および第２開口を有し、前記第１開口および前記第２開口のそれぞれの中心は、前記軸を中心とする第２仮想円上に配置され、前記第２シャッターは、第３開口および第４開口を有し、前記第３開口および前記第４開口のそれぞれの中心は、前記軸を中心とする第３仮想円上に配置され、前記第１開口および前記第２開口のそれぞれの中心を前記第２仮想円上の弧の両端とする中心角は、前記第３開口および前記第４開口のそれぞれの中心を前記第３仮想円上の弧の両端とする中心角と等しく、且つ、前記複数のターゲットホルダのうち前記第１仮想円上における互いの間隔が最も大きい第１ターゲットホルダおよび第２ターゲットホルダのそれぞれの中心を弧の両端とする中心角と等しい。
　本発明の第２の側面は、基板処理装置に係り、前記基板処理装置は、複数の接続面を有する搬送チャンバと、前記複数の接続面の少なくとも１つに接続されたスパッタリング装置と、を備え、前記スパッタリング装置は、前記第１の側面に係るスパッタリング装置であり、前記複数の接続面のうち互いに隣接する接続面のなす角度が９０度より大きい。
　本発明によれば、ターゲットの汚染の低減に有利な技術が提供される。
本発明の第１実施形態のスパッタリング装置の模式的な平面図。 本発明の第１実施形態のスパッタリング装置の模式的な断面図。 第１シャッターの構成例を示す図。 第２シャッターの構成例を示す図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 本発明の第２実施形態のスパッタリング装置の模式的な平面図。 本発明の第２実施形態のスパッタリング装置の模式的な断面図。 第１シャッターの構成例を示す図。 第２シャッターの構成例を示す図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 本発明の第３実施形態のスパッタリング装置の模式的な平面図。 本発明の第３実施形態のスパッタリング装置の模式的な断面図。 第１シャッターおよび第２シャッターの構成例を示す図。 第１シャッターおよび第２シャッターの構成例を示す図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。 本発明の一つの実施形態の基板処理装置の断面図。 等間隔に配置された複数のターゲットと、該複数のターゲットのうちスパッタリングのために使用するターゲットを選択する二重回転シャッター機構とを有するスパッタリング装置を例示する図。 等間隔に配置された複数のターゲットと、該複数のターゲットのうちスパッタリングのために使用するターゲットを選択する二重回転シャッター機構とを有するスパッタリング装置を例示する図。 本発明の一つの実施形態の基板処理装置に備えられたコントローラを説明するための図。
　以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。
　図１Ａは、本発明の第１実施形態のスパッタリング装置１００の模式的な平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＸ－Ｘ'線におけるスパッタリング装置１００の模式的な断面図である。スパッタリング装置１００は、チャンバ７と、基板ホルダ１０８と、複数のターゲットホルダとしての第１乃至第３ターゲットホルダ９１、９２、９３とを有する。
　基板ホルダ１０８は、チャンバ７の中で基板１０９を保持可能であり、かつ、基板１０９の面に直交する軸８を中心として回転可能である。第１乃至第３ターゲットホルダ９１、９２、９３は、それぞれターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３を保持する。ここで、複数のターゲットホルダとしての第１乃至第３ターゲットホルダ９１、９２、９３は、軸８を中心とする第１仮想円ＶＣ１に沿って、時計回りに、第１ターゲットホルダ９１、第２ターゲットホルダ９２、第３ターゲットホルダ９３の順に配置されている。
　第１仮想円ＶＣ１上における第１乃至第３ターゲットホルダ９１、９２、９３の配置間隔は、少なくとも２種類である。ここで、第１仮想円ＶＣ１上における第１ターゲットホルダ９１と第２ターゲットホルダ９２との配置間隔をＤ１２、第１仮想円ＶＣ１上における第２ターゲットホルダ９２と第３ターゲットホルダ９３との配置間隔をＤ２３、第１仮想円ＶＣ１上における第３ターゲットホルダ９３と第１ターゲットホルダ９１との配置間隔をＤ３１とする。図１Ａに示す例では、Ｄ１２＝Ｄ３１＞Ｄ２３であり、第１仮想円ＶＣ１上における第１乃至第３ターゲットホルダ９１、９２、９３の配置間隔は２種類である。Ｄ１２、Ｄ２３およびＤ３１が全て異なる場合は、第１仮想円ＶＣ１上における第１乃至第３ターゲットホルダ９１、９２、９３の配置間隔は３種類である。
　スパッタリング装置１００には、ゲートバルブ６が設けられていて、ゲートバルブ６を介してチャンバ７の内部空間と外部空間との間で基板１０９が搬送される。
　スパッタリング装置１００はまた、第１乃至第３ターゲットホルダ９１、９２、９３によってそれぞれ保持されたターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３のうちスパッタリングのために使用するターゲットを選択するためのシャッターユニットＳＵを備えている。シャッターユニットＳＵは、軸８を中心として回転可能な第１シャッター１１１および第２シャッター１１２と、第１シャッター１１１および第２シャッター１１２を個別に回転させる駆動部１１０とを含みうる。第１シャッター１１１および第２シャッター１１２は、それぞれ２つの開口を有し、２つのターゲットを同時に使ってスパッタリング（同時スパッタリング（Co-sputtering））を行うことができる。
　図２Ａに例示されるように、第１シャッター１１１は、軸８を中心とする第２仮想円ＶＣ２上に中心が配置された第１開口Ｈ１および第２開口Ｈ２を有する。図２Ｂに例示されるように、第２シャッター１１２は、軸８を中心とする第３仮想円ＶＣ３上に中心が配置された第３開口Ｈ３および第４開口Ｈ４を有する。駆動部１１０は、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３のうちスパッタリングのために使用するターゲットが、第１シャッター１１１の開口および第２シャッター１１２の開口を通して基板１０９に対して露出するように第１シャッター１１１および第２シャッター１１２を駆動する。第１シャッター１１１および第２シャッター１１２は、軸８に沿った方向に互いに離隔して配置されうる。第１シャッター１１１は、ターゲットホルダ９１、９２、９３と第２シャッター１１２との間に配置されている。
　第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１および第２開口Ｈ２のそれぞれの中心を第２仮想円ＶＣ２上の弧の両端とする中心角αＨ１２は、第２シャッター１１２の第３開口Ｈ３および第４開口Ｈ４のそれぞれの中心を第３仮想円ＶＣ３上の弧の両端とする中心角αＨ３４と等しく、且つ、複数のターゲットホルダ９１、９２、９３のうち第１仮想円ＶＣ１上における互いの間隔が最も大きい２つのターゲットである第１ターゲットホルダ９１および第２ターゲットホルダ９２のそれぞれの中心を弧の両端とする中心角と等しい。なお、Ｄ１２＝Ｄ３１＞Ｄ２３である場合、第１ターゲットホルダ９１および第２ターゲットホルダ９２の他、第３ターゲットホルダ９３および第１ターゲットホルダ９１も、複数のターゲットホルダ９１、９２、９３のうち第１仮想円ＶＣ１上における互いの間隔が最も大きい２つのターゲットである。
　ターゲット９１、９２、９３の各々の裏面側には、マグネットユニット８０が配置されている。各マグネットユニット８０は、マグネトロン放電（例えば、ＤＣマグネトロン放電）を発生させるためのマグネット８２と、マグネット８２を駆動（例えば、回転駆動）するための駆動部８３とを含みうる。各マグネットユニット８０はまた、マグネット８２とターゲットホルダ（ターゲット）との距離を調整するための距離調整部８４を含みうる。
　ターゲットホルダ９１、９２、９３のそれぞれは、基板ホルダ１０８によって保持される基板１０９の表面に対してターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３の表面が傾斜した姿勢でターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３を保持するように構成されうる。ここで、ターゲットホルダ９１、９２、９３のそれぞれは、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３の表面の法線が基板１０９の中央方向に向くようにターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３を保持しうる。この場合において、マグネットユニット８０は、その上部が軸８から遠ざかるように傾けて配置されうる。
　図１９に例示されるように搬送チャンバ４００の周囲に多くのスパッタリング装置１００を配置するためには、搬送チャンバ４００とスパッタリング装置１００との間での基板１０９の搬送方向に直交する方向（以下、「幅方向」という）におけるスパッタリング装置１００の寸法を小さくするべきである。前述のように、マグネットユニット８０の上部が軸８から遠ざかるようにマグネットユニット８０が傾けて配置された場合、マグネットユニット８０の上部によってスパッタリング装置１００の占有面積が決定されうる。これを考慮すると、第１乃至第３ターゲットホルダ９１、９２、９３を有する構成において、第１ターゲットホルダ９１が最もゲートバルブ６に近接するように第１乃至第３ターゲットホルダ９１、９２、９３を配置することが好ましい。
　以下、図３Ａ～図６Ｃを参照しながら、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、第１シャッター１１１の開口Ｈ１、Ｈ２および第２シャッター１１２の開口Ｈ３、Ｈ４の位置関係の制御を例示的に説明する。本実施形態に係るスパッタリング装置は基板に向けて各ターゲットが傾けて配置されたものであるが、説明を容易とするため図３Ａ～図６Ｃでは、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、第１シャッター１１１の開口Ｈ１、Ｈ２および第２シャッター１１２の開口Ｈ３、Ｈ４を相互に平行に記載している。図６Ａ－図６Ｃは、第１仮想円ＶＣ１に沿ってターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、第１シャッター１１１の開口Ｈ１、Ｈ２、第２シャッター１１２の開口Ｈ３、Ｈ４を描いた断面図である。図３Ａ～図６Ｃに例示される位置関係の制御は、図２２に示すコントローラによってなされうる。
　図３Ａ～図６Ｃにおいて、網掛けで示されたターゲットは、スパッタリングのために使用されているターゲットであり、白抜きの実線又は白抜きの点線で示されたターゲットは、スパッタリングのために使用されていないターゲットである。また、白抜きの実線で示されたターゲットは、第１シャッター１１１の開口又は第２シャッター１１２の開口と同じ位置にあるターゲットである。また、白抜きの点線で示されたターゲットは、第１シャッター１１１の開口および第２シャッター１１２の開口のいずれとも異なる位置にあるターゲットである。
　図３Ａ、図３Ｂおよび図６Ａには、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３のうち１つのターゲットＴ３がスパッタリングのために使用されている状態が例示されている。ここで、第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１がターゲットＴ２の正面に配置される構成においては、図２１を参照して説明したような汚染の問題、具体的には、ターゲットＴ３から放射された材料が第２開口Ｈ２を通過し、その後、第１シャッター１１１と第２シャッター１１２との間を移動し、更に第１開口Ｈ１を通過してターゲットＴ２に至り、ターゲットＴ２を汚染する問題が生じうる。
　しかしながら、第１実施形態では、第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１および第２開口Ｈ２のそれぞれの中心を第２仮想円ＶＣ２上の弧の両端とする中心角αＨ１２は、複数のターゲットホルダ９１、９２、９３のうち第１仮想円ＶＣ１上における互いの間隔が最も大きい２つのターゲットである第１ターゲットホルダ９１および第２ターゲットホルダ９２のそれぞれの中心を弧の両端とする中心角と等しい。したがって、ターゲットＴ３のみを使ってスパッタリングを行う場合に、第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１は、ターゲットＴ２の正面からずれた位置（ターゲットＴ３から遠ざかる方向にずれた位置）に配置され、これによってターゲットＴ２の汚染が低減される。また、この場合において、第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１は、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３のいずれの正面からもずれた位置に配置される。
　図４Ａ、図４Ｂおよび図６Ｂには、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３のうち１つのターゲットＴ２がスパッタリングのために使用されている状態が例示されている。ターゲットＴ２のみを使ってスパッタリングを行う際は、第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１は、ターゲットＴ２の正面に配置され、第２開口Ｈ２は、ターゲットＴ１の正面からずれた位置（ターゲットＴ２から遠ざかる方向にずれた位置）に配置され、これによってターゲットＴ１の汚染が低減される。
　図５Ａ、図５Ｂおよび図６Ｃには、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４のうちターゲットＴ１、Ｔ２がスパッタリングのために同時に使用されている状態（即ち、同時スパッタリングがなされている状態）が例示されている。
　図１９には、１又は複数のスパッタリング装置１００が搬送チャンバ４００の周囲に配置されて構成された基板処理装置が例示されている。搬送チャンバ４００は、複数の接続面４０１を有する。複数の接続面４０１の少なくとも１つには、スパッタリング装置１００が接続されている。搬送チャンバ４００とスパッタリング装置１００とは、ゲートバルブ６を介して接続されている。複数の接続面４０１のうち互いに隣接する接続面４０１のなす角度Ａは９０度より大きいことが好ましく、これにより、より多くのスパッタリング装置１００を搬送チャンバ４００の周囲に配置することができる。
　以下、本発明の第２実施形態を説明する。なお、第２実施形態として言及しない事項は、矛盾しない限り、第１実施形態に従いうる。図７Ａは、本発明の２実施形態のスパッタリング装置２００の模式的な平面図である。図７Ｂは、図７ＡのＸ－Ｘ'線におけるスパッタリング装置２００の模式的な断面図である。スパッタリング装置２００は、チャンバ７と、基板ホルダ１０８と、複数のターゲットホルダとしての第１乃至第５ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４、９５とを有する。
　基板ホルダ１０８は、チャンバ７の中で基板１０９を保持可能であり、かつ、基板１０９の面に直交する軸８を中心として回転可能である。第１乃至第５ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４、９５は、それぞれターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５を保持する。ここで、複数のターゲットホルダとしての第１乃至第５ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４、９５は、軸８を中心とする第１仮想円ＶＣ１に沿って、時計回りに、第１ターゲットホルダ９１、第２ターゲットホルダ９２、第３ターゲットホルダ９３、第４ターゲットホルダ９４、第５ターゲットホルダ９５の順に配置されている。
　第１仮想円ＶＣ１上における第１乃至第５ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４、９５の配置間隔は少なくとも２種類である。ここで、第１仮想円ＶＣ１上における第１ターゲットホルダ９１と第２ターゲットホルダ９２との配置間隔をＤ１２、第１仮想円ＶＣ１上における第２ターゲットホルダ９２と第３ターゲットホルダ９３との配置間隔をＤ２３、第１仮想円ＶＣ１上における第３ターゲットホルダ９３と第４ターゲットホルダ９４との配置間隔をＤ３４、第１仮想円ＶＣ１上における第４ターゲットホルダ９４と第５ターゲットホルダ９５との配置間隔をＤ４５、第１仮想円ＶＣ１上における第５ターゲットホルダ９５と第１ターゲットホルダ９１との配置間隔をＤ５１とする。
　図７Ａに示す例では、Ｄ１２＝Ｄ５１＞Ｄ２３＝Ｄ３４＝Ｄ４５であり、第１仮想円ＶＣ１上における第１乃至第５ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４、９５の配置間隔は２種類である。Ｄ１２、Ｄ２３、Ｄ３４、Ｄ４５、Ｄ５１が全て異なる場合は、第１仮想円ＶＣ１上における第１乃至第５ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４、９５の配置間隔は５種類である。
　スパッタリング装置２００には、ゲートバルブ６が設けられていて、ゲートバルブ６を介してチャンバ７の内部空間と外部空間との間で基板１０９が搬送される。
　スパッタリング装置２００はまた、第１乃至第５ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４、９５によってそれぞれ保持されたターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５のうちスパッタリングのために使用するターゲットを選択するためのシャッターユニットＳＵを備えている。シャッターユニットＳＵは、軸８を中心として回転可能な第１シャッター１１１および第２シャッター１１２と、第１シャッター１１１および第２シャッター１１２を個別に回転させる駆動部１１０とを含みうる。第１シャッター１１１および第２シャッター１１２は、それぞれ２つの開口を有し、２つのターゲットを同時に使ってスパッタリング（同時スパッタリング（Co-sputtering））を行うことができる。
　図８Ａに例示されるように、第１シャッター１１１は、軸８を中心とする第２仮想円ＶＣ２上に中心が配置された第１開口Ｈ１および第２開口Ｈ２を有する。図８Ｂに例示されるように、第２シャッター１１２は、軸８を中心とする第３仮想円ＶＣ３上に中心が配置された第３開口Ｈ３および第４開口Ｈ４を有する。駆動部１１０は、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５のうちスパッタリングのために使用するターゲットが、第１シャッター１１１の開口および第２シャッター１１２の開口を通して基板１０９に対して露出するように第１シャッター１１１および第２シャッター１１２を駆動する。第１シャッター１１１および第２シャッター１１２は、軸８に沿った方向に互いに離隔して配置されうる。第１シャッター１１１は、ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４、９５と第２シャッター１１２との間に配置されている。
　第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１および第２開口Ｈ２のそれぞれの中心を第２仮想円ＶＣ２上の弧の両端とする中心角αＨ１２は、第２シャッター１１２の第３開口Ｈ３および第４開口Ｈ４のそれぞれの中心を第３仮想円ＶＣ３上の弧の両端とする中心角αＨ３４と等しく、且つ、複数のターゲットホルダ９１、９２、９３、９４、９５のうち第１仮想円ＶＣ１上における互いの間隔が最も大きい２つのターゲットである第１ターゲットホルダ９１および第２ターゲットホルダ９２のそれぞれの中心を弧の両端とする中心角と等しい。なお、Ｄ１２＝Ｄ５１＞Ｄ２３＝Ｄ３４＝Ｄ４５である場合、第１ターゲットホルダ９１および第２ターゲットホルダ９２の他、第５ターゲットホルダ９５および第１ターゲットホルダ９１も、複数のターゲットホルダ９１、９２、９３、９４、９５のうち第１仮想円ＶＣ１上における互いの間隔が最も大きい２つのターゲットである。
　以下、図９Ａ～図１２Ｃを参照しながら、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、第１シャッター１１１の開口Ｈ１、Ｈ２および第２シャッター１１２の開口Ｈ３、Ｈ４の位置関係の制御を例示的に説明する。図１２Ａ－図１２Ｃは、第１仮想円ＶＣ１に沿ってターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、第１シャッター１１１の開口Ｈ１、Ｈ２、第２シャッター１１２の開口Ｈ３、Ｈ４を描いた断面図である。図９Ａ～図１２Ｃに例示される位置関係の制御は、図２２に示すコントローラによってなされうる。
　図９Ａ～図１２Ｃにおいて、網掛けで示されたターゲットは、スパッタリングのために使用されているターゲットであり、白抜きの実線又は白抜きの点線で示されたターゲットは、スパッタリングのために使用されていないターゲットである。また、白抜きの実線で示されたターゲットは、第１シャッター１１１の開口又は第２シャッター１１２の開口と同じ位置にあるターゲットである。また、白抜きの点線で示されたターゲットは、第１シャッター１１１の開口および第２シャッター１１２の開口のいずれとも異なる位置にあるターゲットである。
　図９Ａ、図９Ｂおよび図１２Ａには、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５のうち１つのターゲットＴ２がスパッタリングのために使用されている状態が例示されている。ここで、第１シャッター１１１の第２開口Ｈ２がターゲットＴ３の正面に配置される構成においては、図２１を参照して説明したような汚染の問題、具体的には、ターゲットＴ２から放射された材料が第１開口Ｈ１を通過し、その後、第１シャッター１１１と第２シャッター１１２との間を移動し、更に第２開口Ｈ２を通過してターゲットＴ３に至り、ターゲットＴ３を汚染する問題が生じうる。
　しかしながら、第２実施形態では、第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１および第２開口Ｈ２のそれぞれの中心を第２仮想円ＶＣ２上の弧の両端とする中心角αＨ１２は、複数のターゲットホルダ９１、９２、９３、９４、９５のうち第１仮想円ＶＣ１上における互いの間隔が最も大きい２つのターゲットである第１ターゲットホルダ９１および第２ターゲットホルダ９２のそれぞれの中心を弧の両端とする中心角と等しい。したがって、ターゲットＴ２のみを使ってスパッタリングを行う場合に、第１シャッター１１１の第２開口Ｈ２は、ターゲットＴ３の正面からずれた位置（ターゲットＴ２から遠ざかる方向にずれた位置）に配置され、これによってターゲットＴ３の汚染が低減される。また、この場合において、第１シャッター１１１の第２開口Ｈ２は、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５のいずれの正面からもずれた位置に配置される。
　図１０Ａ、図１Ｂおよび図１２Ｂには、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５のうち１つのターゲットＴ５がスパッタリングのために使用されている状態が例示されている。ターゲットＴ５のみを使ってスパッタリングを行う際は、第１シャッター１１１の第２開口Ｈ２は、ターゲットＴ５の正面に配置され、第１開口Ｈ１は、ターゲットＴ４の正面からずれた位置（ターゲットＴ５から遠ざかる方向にずれた位置）に配置され、これによってターゲットＴ４の汚染が低減される。
　一方で、第４開口Ｈ４はターゲットＴ１の正面に位置しているものの、シャッター１１１が存在するため、ターゲットＴ１が第４開口Ｈ４を通して汚染される可能性は低い。即ち、ターゲットＴ５をスパッタリングのために使用する際に、ターゲット側に設けられたシャッター１１１においてターゲットＴ５と対向していない第１開口Ｈ１を他のターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４のいずれの正面からもずれた位置に配置するようにシャッター１１１を制御し、第１開口Ｈ１とシャッター１１２の開口Ｈ３、Ｈ４とが対向しないようにシャッター１１２を制御することで、スパッタリングに使用していないターゲットの汚染を低減することができる。
　図１１Ａ、図１１Ｂおよび図１２Ｃには、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５のうちターゲットＴ１、Ｔ２がスパッタリングのために同時に使用されている状態（即ち、同時スパッタリングがなされている状態）が例示されている。
　第２実施形態のスパッタリング装置２００もまた、図１９に例示される基板処理装置に適用されうる。
　以下、本発明の第３実施形態を説明する。なお、第３実施形態として言及しない事項は、矛盾しない限り、第１又は第２実施形態に従いうる。図１３Ａ、図１３Ｂは、本発明の３実施形態のスパッタリング装置３００の模式的な平面図、断面図である。スパッタリング装置３００は、チャンバ７と、基板ホルダ１０８と、複数のターゲットホルダとしての第１乃至第４ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４とを有する。第１乃至第３実施形態を通して、ターゲットホルダの個数が３以上である例が説明されている。
　基板ホルダ１０８は、チャンバ７の中で基板１０９を保持可能であり、かつ、基板１０９の面に直交する軸８を中心として回転可能である。第１乃至第４ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４は、それぞれターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４を保持する。ここで、複数のターゲットホルダとしての第１乃至第４ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４は、軸８を中心とする第１仮想円ＶＣ１に沿って、時計回りに、第１ターゲットホルダ９１、第２ターゲットホルダ９２、第３ターゲットホルダ９３、第４ターゲットホルダ９４の順に配置されている。
　第１仮想円ＶＣ１上における第１乃至第４ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４の配置間隔は、少なくとも２種類である。ここで、第１仮想円ＶＣ１上における第１ターゲットホルダ９１と第２ターゲットホルダ９２との配置間隔をＤ１２、第１仮想円ＶＣ１上における第２ターゲットホルダ９２と第３ターゲットホルダ９３との配置間隔をＤ２３、第１仮想円ＶＣ１上における第３ターゲットホルダ９３と第４ターゲットホルダ９４との配置間隔をＤ３４、第１仮想円ＶＣ１上における第４ターゲットホルダ９４と第１ターゲットホルダ９１との配置間隔をＤ４１とする。
　図１３Ａに示す例では、Ｄ１２＝Ｄ３４＞Ｄ２３＝Ｄ４１であり、第１仮想円ＶＣ１上における第１乃至第４ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４の配置間隔は２種類である。Ｄ１２、Ｄ２３、Ｄ３４、Ｄ４５が全て異なる場合は、第１仮想円ＶＣ１上における第１乃至第４ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４の配置間隔は４種類である。
　スパッタリング装置３００には、ゲートバルブ６が設けられていて、ゲートバルブ６を介してチャンバ７の内部空間と外部空間との間で基板１０９が搬送される。
　スパッタリング装置３００はまた、第１乃至第４ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４によってそれぞれ保持されたターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４のうちスパッタリングのために使用するターゲットを選択するためのシャッターユニットＳＵを備えている。シャッターユニットＳＵは、軸８を中心として回転可能な第１シャッター１１１および第２シャッター１１２と、第１シャッター１１１および第２シャッター１１２を個別に回転させる駆動部１１０とを含みうる。第１シャッター１１１および第２シャッター１１２は、それぞれ２つの開口を有し、２つのターゲットを同時に使ってスパッタリング（同時スパッタリング（Co-sputtering））を行うことができる。
　図１４Ａに例示されるように、第１シャッター１１１は、軸８を中心とする第２仮想円ＶＣ２上に中心が配置された第１開口Ｈ１および第２開口Ｈ２を有する。図１４Ｂに例示されるように、第２シャッター１１２は、軸８を中心とする第３仮想円ＶＣ３上に中心が配置された第３開口Ｈ３および第４開口Ｈ４を有する。駆動部１１０は、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４のうちスパッタリングのために使用するターゲットが、第１シャッター１１１の開口および第２シャッター１１２の開口を通して基板１０９に対して露出するように第１シャッター１１１および第２シャッター１１２を駆動する。第１シャッター１１１および第２シャッター１１２は、軸８に沿った方向に互いに離隔して配置されうる。第１シャッター１１１は、ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４と第２シャッター１１２との間に配置されている。
　第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１および第２開口Ｈ２のそれぞれの中心を第２仮想円ＶＣ２上の弧の両端とする中心角αＨ１２は、第２シャッター１１２の第３開口Ｈ３および第４開口Ｈ４のそれぞれの中心を第３仮想円ＶＣ３上の弧の両端とする中心角αＨ３４と等しく、且つ、複数のターゲットホルダ９１、９２、９３、９４のうち第１仮想円ＶＣ１上における互いの間隔が最も大きい２つのターゲットである第１ターゲットホルダ９１および第２ターゲットホルダ９２のそれぞれの中心を弧の両端とする中心角と等しい。なお、Ｄ１２＝Ｄ３４＞Ｄ２３＝Ｄ４１である場合、第１ターゲットホルダ９１および第２ターゲットホルダ９２の他、第３ターゲットホルダ９３および第４ターゲットホルダ９４も、複数のターゲットホルダ９１、９２、９３、９４のうち第１仮想円ＶＣ１上における互いの間隔が最も大きい２つのターゲットである。
　以下、図１５Ａ～図１８Ｃを参照しながら、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、第１シャッター１１１の開口Ｈ１、Ｈ２および第２シャッター１１２の開口Ｈ３、Ｈ４の位置関係の制御を例示的に説明する。図１８Ａ－図１８Ｃは、第１仮想円ＶＣ１に沿ってターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、第１シャッター１１１の開口Ｈ１、Ｈ２、第２シャッター１１２の開口Ｈ３、Ｈ４を描いた断面図である。図１５Ａ～図１８Ｃに例示される位置関係の制御は、図２２に示すコントローラによってなされうる。
　図１５Ａ～図１８Ｃにおいて、網掛けで示されたターゲットは、スパッタリングのために使用されているターゲットであり、白抜きの実線又は白抜きの点線で示されたターゲットは、スパッタリングのために使用されていないターゲットである。また、白抜きの実線で示されたターゲットは、第１シャッター１１１の開口又は第２シャッター１１２の開口と同じ位置にあるターゲットである。また、白抜きの点線で示されたターゲットは、第１シャッター１１１の開口および第２シャッター１１２の開口のいずれとも異なる位置にあるターゲットである。
　図１５Ａ、図１５Ｂおよび図１８Ａには、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５のうち１つのターゲットＴ１がスパッタリングのために使用されている状態が例示されている。ここで、第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１がターゲットＴ４の正面に配置される構成においては、図２１を参照して説明したような汚染の問題、具体的には、ターゲットＴ２から放射された材料が第２開口Ｈ２を通過し、その後、第１シャッター１１１と第２シャッター１１２との間を移動し、更に第１開口Ｈ１を通過してターゲットＴ４に至り、ターゲットＴ４を汚染する問題が生じうる。
　しかしながら、第３実施形態では、第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１および第２開口Ｈ２のそれぞれの中心を第２仮想円ＶＣ２上の弧の両端とする中心角αＨ１２は、複数のターゲットホルダ９１、９２、９３、９４のうち第１仮想円ＶＣ１上における互いの間隔が最も大きい２つのターゲットである第１ターゲットホルダ９１および第２ターゲットホルダ９２のそれぞれの中心を弧の両端とする中心角と等しい。したがって、ターゲットＴ１のみを使ってスパッタリングを行う場合に、第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１は、ターゲットＴ４の正面からずれた位置（ターゲットＴ１から遠ざかる方向にずれた位置）に配置され、これによってターゲットＴ３の汚染が低減される。また、この場合において、第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１は、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４のいずれの正面からもずれた位置に配置される。
　図１６Ａ、図１６Ｂおよび図１８Ｂには、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４のうち１つのターゲットＴ４がスパッタリングのために使用されている状態が例示されている。ターゲットＴ４のみを使ってスパッタリングを行う際は、第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１は、ターゲットＴ４の正面に配置され、第２開口Ｈ２は、ターゲットＴ１の正面からずれた位置（ターゲットＴ４から遠ざかる方向にずれた位置）に配置され、これによってターゲットＴ１の汚染が低減される。一方で、第３開口Ｈ３はターゲットＴ３の正面に位置しているものの、シャッター１１１が存在するため、ターゲットＴ３が第３開口Ｈ３を通して汚染される可能性は低い。即ち、ターゲットＴ４をスパッタリングのために使用する際に、ターゲット側に設けられたシャッター１１１においてターゲットＴ４と対向していない第２開口Ｈ２を他のターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３のいずれの正面からもずれた位置に配置するようにシャッター１１１を制御し、第２開口Ｈ２とシャッター１１２の開口Ｈ３、Ｈ４が対向しないようにシャッター１１２を制御することで、スパッタリングに使用していないターゲットの汚染を低減することができる。
　図１７Ａ、図１７Ｂおよび図１８Ｃには、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４のうちターゲットＴ１、Ｔ２がスパッタリングのために同時に使用されている状態（即ち、同時スパッタリングがなされている状態）が例示されている。
　図１９に例示されるように搬送チャンバ４００の周囲に多くのスパッタリング装置３００を配置するためには、幅方向におけるスパッタリング装置３００の寸法を小さくするべきである。前述のように、マグネットユニット８０の上部が軸８から遠ざかるようにマグネットユニット８０が傾けて配置された場合、マグネットユニット８０の上部によってスパッタリング装置１００の占有面積が決定されうる。これを考慮すると、幅方向におけるスパッタリング装置１００の寸法を小さくするためには、ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４は、幅方向に圧縮されて配置されるべきである。
　そこで、第３実施形態では、第１乃至第４のターゲットホルダ９１、９２、９３、９４（の中心）は、軸８を中心とする１つの仮想円ＶＣ上、かつ、長辺ＬＳ及び短辺ＳＳを有し仮想円ＶＣに内接する仮想長方形ＶＲの頂点上に配置され、第１ターゲットホルダ９１および第４ターゲットホルダ９４（の中心）は、仮想長方形ＶＲの１つの短辺ＳＳを定める２つの頂点にそれぞれ配置され、かつ、ゲートバルブ６までの距離が第２ターゲットホルダ９２および第３ターゲットホルダ９３からゲートバルブ６までの距離より小さい。ここで、第１ターゲットホルダ９１および第４ターゲットホルダ９４は、ゲートバルブ６までの距離が互いに等しいことが好ましい。
　上記の配置によれば、ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４が幅方向に圧縮されて配置され、これによって幅方向におけるスパッタリング装置１００の寸法を小さくすることができる。これは、搬送チャンバの周囲により多くのスパッタリング装置１００を配置することを可能にする。また、上記の配置によれば、第１乃至第４のターゲットホルダ９１、９２、９３、９４によってそれぞれ保持されるターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４の表面に形成される磁場は、相互に等しくなる。例えば、ターゲットホルダ９１によって保持されたターゲットＴ１の表面に形成される磁場がターゲットホルダ９２、９３、９４によって保持されたターゲットＴ２、Ｔ３、Ｔ４の裏面側に配置されたマグネット８２から受ける影響と、ターゲットホルダ９２によって保持されたターゲットＴ２の表面に形成される磁場がターゲットホルダ９１、９３、９４によって保持されたターゲットＴ１、Ｔ３、Ｔ４の裏面側に配置されたマグネット８２から受ける影響とは等価である。即ち、第１乃至第４のターゲットホルダ９１、９２、９３、９４（の中心）を仮想長方形ＶＲの頂点に配置することによって、ターゲットＴ１、Ｔ３、Ｔ４の表面にそれぞれ形成される磁場を相互に等しくすることができる。これにより、使用するターゲットの位置によって生じうるスパッタリング特性の差を低減することができる。
　第３実施形態のスパッタリング装置３００もまた、図１９に例示される基板処理装置に適用されうる。
　上述した第１乃至第３の実施形態のスパッタリング装置１００、２００、３００に適用可能なコントローラ５００の構成について図２２を用いて説明する。コントローラ５００は、入力部５００ｂ、プログラム及びデータを有する記憶部５００ｃ、プロセッサ５００ｄ及び出力部５００ｅを備えており、スパッタリング装置１００、２００、３００を制御しうる。コントローラ５００は、プロセッサ５００ｄが、記憶部５００ｃに格納された制御プログラムを読み出して実行することで、スパッタリング装置１００、２００、３００の動作を制御しうる。すなわち、コントローラ５００による制御によって、駆動部１１０を動作させ、第１シャッター１１１および第２シャッター１１２の動作を行いうる。なお、コントローラ５００はスパッタリング装置１００、２００、３００と別個に設けても良いし、スパッタリング装置１００、２００、３００に内蔵しても良い。さらに、コントローラ４００はスパッタリング装置１００、２００、３００に備えられた各ターゲットに印加される電力（即ち各ターゲットホルダに印加される電力）を制御する電源に接続され、各々のターゲットへの電力供給に併せて駆動部１１０を制御しうる。
　本願は、２０１２年１１月３０日提出の日本国特許出願特願２０１２－２６３６４９を基礎として優先権を主張するものであり、その記載内容の全てを、ここに援用する。

Claims (7)

  1. 　チャンバと、前記チャンバの中で基板を保持可能であり、前記基板を保持する面に直交する軸を中心として回転可能な基板ホルダと、それぞれターゲットを保持するための複数のターゲットホルダとを有するスパッタリング装置であって、
    　前記複数のターゲットホルダによってそれぞれ保持される複数のターゲットのうちスパッタリングのために使用するターゲットを選択するためのシャッターユニットを備え、
    　前記シャッターユニットは、前記軸を中心として回転可能で前記軸に沿った方向に互いに離隔して配置された第１シャッターおよび第２シャッターを含み、
    　前記複数のターゲットホルダは、前記軸を中心とする第１仮想円上に配置され、前記第１仮想円上における前記複数のターゲットホルダの配置間隔は、少なくとも２種類の配置間隔を含み、
    　前記第１シャッターは、第１開口および第２開口を有し、前記第１開口および前記第２開口のそれぞれの中心は、前記軸を中心とする第２仮想円上に配置され、前記第２シャッターは、第３開口および第４開口を有し、前記第３開口および前記第４開口のそれぞれの中心は、前記軸を中心とする第３仮想円上に配置され、
    　前記第１開口および前記第２開口のそれぞれの中心を前記第２仮想円上の弧の両端とする中心角は、前記第３開口および前記第４開口のそれぞれの中心を前記第３仮想円上の弧の両端とする中心角と等しく、且つ、前記複数のターゲットホルダのうち前記第１仮想円上における互いの間隔が最も大きい第１ターゲットホルダおよび第２ターゲットホルダのそれぞれの中心を弧の両端とする中心角と等しい、
    　ことを特徴とするスパッタリング装置。
  2. 　前記第１シャッターは、前記複数のターゲットホルダと前記第２シャッターとの間に配置され、
    　前記複数のゲットホルダによってそれぞれ保持される前記複数のターゲットのうち１つのターゲットのみを使ってスパッタリングを行う場合に、前記第１シャッターは、前記第１開口および前記第２開口のうちの一方は前記１つのターゲットの正面に配置され、他方は前記複数のターゲットのいずれの正面からもずれた位置に配置されるように制御される、
    　ことを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。
  3. 　前記チャンバにはゲートバルブが設けられていて、前記ゲートバルブを介して前記チャンバの内部空間と外部空間との間で前記基板が搬送され、
    　前記複数のターゲットホルダの個数は、３個以上であり、前記複数のターゲットホルダのうち前記第１ターゲットホルダが最も前記ゲートバルブに近接するように前記複数のターゲットホルダが配置されている、
    　ことを特徴とする請求項１又は２に記載のスパッタリング装置。
  4. 　前記チャンバにはゲートバルブが設けられていて、前記ゲートバルブを介して前記チャンバの内部空間と外部空間との間で前記基板が搬送され、
    　前記複数のターゲットホルダは、前記第１ターゲットホルダおよび前記第２ターゲットホルダのほか、第３ターゲットホルダおよび第４ターゲットホルダからなり、前記第１仮想円に沿って、前記第１ターゲットホルダ、前記第２ターゲットホルダ、前記第３ターゲットホルダ、前記第４ターゲットホルダの順に配置され、
    　前記第１仮想円上における前記第１ターゲットホルダと前記第４ターゲットホルダとの間隔は、前記第１仮想円上における前記第１ターゲットホルダと前記第２ターゲットホルダとの間隔より小さく、
    　前記第１ターゲットホルダおよび前記第４ターゲットホルダは、前記ゲートバルブまでの距離が前記第２ターゲットホルダおよび前記第３ターゲットホルダから前記ゲートバルブまでの距離より小さい、
    　ことを特徴とする請求項１又は２に記載のスパッタリング装置。
  5. 　前記第１乃至第４ターゲットホルダは、長辺及び短辺を有し前記第１仮想円に内接する仮想長方形の頂点上に配置されている、
    　ことを特徴とする請求項４に記載のスパッタリング装置。
  6. 　前記第１ターゲットホルダおよび前記第４ターゲットホルダは、前記ゲートバルブまでの距離が互いに等しい、
    　ことを特徴とする請求項４又は５に記載のスパッタリング装置。
  7. 　複数の接続面を有する搬送チャンバと、
    　前記複数の接続面の少なくとも１つに接続されたスパッタリング装置と、を備え、
    　前記スパッタリング装置は、請求項１乃至６のいずれか１項に記載のスパッタリング装置であり、
    　前記複数の接続面のうち互いに隣接する接続面のなす角度が９０度より大きい、
    　ことを特徴とする基板処理装置。
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